Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE

An II, sem. I

Curs
Materiale semiconductoare

Cuprins:
4.1. Noțiuni generale privind materialele semiconductoare ....................................................... 2
4.2. Clasificarea materialelor semiconductoare ......................................................................... 3
4.3. CONDUCŢIA ELECTRICĂ DE TIP INTRINSEC ........................................................... 5
4.3.1 Conducţia intrinsecă - Modelul fizic .......................................................................... 5
4.3.2. Conducţia intrinsecă - Modelul benzilor energetice ................................................. 6
4.3.3. Expresia conductivităţii electrice în semiconductorii intrinseci ............................... 8
4.4 CONDUCŢIA ELECTRICĂ DE TIP EXTRINSEC ........................................................... 9
4.4.1Conducţia extrinsecă de tip n .................................................................................... 11
Modelul fizic .................................................................................................................... 11
Modelul benzilor energetice ............................................................................................. 12
4.4.2 Conducţia extrinsecă de tip p ................................................................................... 12
Modelul fizic .................................................................................................................... 12
Modelul benzilor energetice ............................................................................................. 13
4.4.3 . Expresia conductivităţii electrice în semiconductoare extrinseci .......................... 14
5. 1. FACTORI DE INFLUENŢĂ ASUPRA CONDUCTIVITĂŢII
SEMICONDUCTOARELOR .................................................................................................. 15
5.1.1. Temperatura ............................................................................................................ 15
5.1.2 Dependenţa de frecvenţă a conductivităţii electrice ................................................. 16
5.2. Efecte galvanomagnetice în semiconductori ..................................................................... 18
5.3 PROPRIETĂŢI ŞI DOMENII DE UTILIZARE ALE MATERIALELOR ...................... 18
5.3.1 Materiale cu funcţia de conducţie comandată în tensiune ....................................... 19
5.3.2. Materiale cu funcţia de conversie optoelectrică ..................................................... 21
5.3.3. Materiale cu funcţia de detecţie a radiaţiilor nucleare ........................................... 22
5.3.4 Materialele utilizate pentru conversia electrooptică................................................ 22
5.3.5 Materiale cu funcţie de conversie termoelectrică .................................................... 23
5.3.6. Materiale cu funcţia de conversie magnetoelectrică .............................................. 25
5.3.7. Materiale cu funcţia de conversie mecano-electrică .............................................. 25

Obiective:
După parcurgerea acestui curs vei fi capabil să:
O1. ştii ce sunt semiconductoarele intrinseci și cele extrinsece;
O2. Cunoşti modelul fizic al conducţiei intrinseci ;
O3. cunoști modelul benzilor energetice a conducției intrinseci
O4. Cunoşti modelul benzilor energetice al conducţiei intrinseci de tip n

1
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

O5. Cunoşti modelul fizic al conducţiei extrinsece de tip p;

O6. Cunoşti modelul benzilor energetice al conducţiei extrinsece de tip p.
O7. stabileşti expresiile conductivităţii în semiconductoarele intinseci și
extrinsece.
O8. ştii care este influenţă temperaturii asupra conductivităţii semiconductoarelor;
O9. ştii care este dependenţa de temperatură a conductivităţii de tip intrinsec;
O10. cunoşti care sunt funcţiile şi caracteristicile varistoarelor și termistoarelor

4.1. Noțiuni generale privind materialele semiconductoare

Materialele semiconductoare sunt materiale care au valoarea conductivităţii electrice
cuprinsă în intervalul de valori (10-6 - 105) 1/Ωm, puternic dependentă de condiţiile
exterioare(temperatură, câmp electric, câmp magnetic etc.) şi de structura internă a acestora
(natura elementelor chimice componente, defecte, impurităţi etc.).
Conductibilitatea electrică a materialelor este determinată în anumite condiţii energetice
de apariţia purtătorilor de sarcină electrică, şi de deplasarea acestora în structura internă a
materialului respectiv.
Descrierea purtătorilor de sarcină electrică se realizează pe baza modelului simplificat al
benzilor energetice al corpului solid. Conform acestui model, electronii atomului sunt plasaţi
pe diferite nivele energetice, care pot fi grupate în benzi energetice.
Există o bandă energetică în care toate nivelele energetice sunt ocupate de electroni.
Această bandă se numeste bandă de valenţă, iar electronii respectivi se numesc electroni de
valenţă. În structura cristalină a materialului, aceşti electroni sunt legaţi prin legături
covalente, fiind imobili.
Banda energetică în care nivelele energetice au valorile cele mai mari se numeşte bandă
de conducţie. În această bandă, toate nivelele energetice sunt libere. Pentru ca un electron să
poată ocupa un nivel energetic în benda de conducţie este necesar ca acesta să beneficieze de
un aport energetic. Electronul care ocupă un nivel energetic din banda de conducţie se
numeşte electron de conducţie.
Electronii de conducţie sunt liberi să se deplaseze prin structura cristalină a materialului.
Aceşti electroni provin din electronii de valenţă care, pe baza aportului energetic provenit din
exteriorul materialului, pot rupe legăturile covalente în care au fost iniţial fixaţi devenind
electroni liberi. Datorită faptului că se pot deplasa, electronii de conducţie participă la
generarea curentului electric prin structura unui material.
Tipul unui material electronic poate fi caracterizat de modul în care sunt dispuse benzile
energetice ale acestuia. Informaţiile despre dispunerea benzilor energetice sunt furnizate de
către diagrama de benzi energetice a materialului respectiv.

2
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig. 4.1. Diagrama de benzi energetice

În figura 4.1.a se prezintă diagrama benzilor energetice pentru materialele conductoare.

Prin EC s-a notat nivelul energetic inferior al benzii de conducţie, iar prin EV s-a notat nivelul
energetic superior al benzii de valenţă. Se observă că, pentru materialele conductoare, cele
două benzi energetice prezintă o suprapunere. În acest caz, conducţia curentului electric este
asigurată de către un singur tip de purtători de sarcină electrică şi anume electronul de
conducţie.
În figura 41.b se prezintă diagrama benzilor energetice pentru materialele izolatoare,
respectiv semiconductoare. În acest caz, se remarcă faptul că banda de conducţie este izolată
de banda de valenţă de o a 3a bandă energetică, numită bandă interzisă. Banda interzisă
grupează nivele energetice care NU sunt permise electronilor; electronii nu pot ocupa nivelele
energetice din această bandă. Diferenţa dintre materialele semiconductoare şi cele izolatoare
este dată de lăţimea benzii interzise, notate EG, la materialele izolatoare fiind mult mai mare
(5eV; eV=electron-volt) decât la cele semiconductoare (1,1eV).
În cazul în care, materialul izolator sau semiconductor este supus acţiunii unui agent
exterior (câmp electric, magnetic, căldură, lumină), se poate furniza unora dintre electronii de
valenţă energia necesară depăşirii benzii interzise astfel încât aceştia pot ajunge pe un nivel
energetic superior, aflat în banda de conducţie. În consecinţă, printr-un aport energetic extern
suficient de mare, aceşti electroni de valenţă devin electroni de conducţie, fiind liberi să se
deplaseze prin structura cristalină a materialului.
Prin plecarea unui electron din banda de valenţă, se eliberează un loc pe un nivel
energetic din banda de valenţă, care, în continuare, poate fi ocupat de un alt electron de
valenţă, aflat pe un nivel energetic inferior în banda de valenţă. Locul liber, lasat prin plecarea
unui electron de pe un nivel energetic al benzii de valenţă se numeşte gol.
La materialele semiconductoare şi izolatoare, fenomenele de conducţie ale curentului
electric sunt generate de apariţia electronilor de conducţie şi a golurilor.

4.2. Clasificarea materialelor semiconductoare

Clasificarea materialelor semiconductoare poate fi făcută după diferite criterii: chimic,
fizic şi funcţional.
În funcţie de numărul elementelor chimice care intră în structura chimică sunt:
 semiconductoare elementare (în număr de 12). Elementele chimice cu
proprietăţi semiconductoare sunt: B (din grupa a III-a), C, Si, Ge, Sn (din grupa a IV-a), P,
As, Sb (din grupa a V-a), S, Se, Te (din grupa a VI-a), şi I (din grupa a VII-a).
3
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

 semiconductoare compuse (în număr de câteva sute). Materialele

semiconductoare compuse se clasifică în:
 compuşi binari: GaAs, InSb, ZnO, CdS, ZnS, SiC, SiGe, etc;
 compuşi ternari: CuGaTe2, CuAsS2, AgSbTe2, CuAsSe2 etc;
 compuşi cuaternari: CuPbAsS3 etc;
 soluţii solide cu o abatere mai mare sau mai mică de la stoechiometrie: Ge - Si,
InAs - InSb, PbSe - PbTe etc;
 materiale semiconductoare organice: ftalocianuri, compuşi aromatici, compuşi
vinilici (antracen, naftacen) etc.
În funcţie de natura legăturii interatomice care stă la baza structurii lor, materialele
semiconductoare se clasifică în:
- semiconductoare cu legătură covalentă (Si, Ge, S, Se, Te etc), caracterizate prin
rigiditate şi duritate mare;
- semiconductoare cu legătură hibridă de tip covalent - ionică, caracterizate de gradul
de ionicitate (definit ca raportul - subunitar - dintre numărul electronilor de valenţă care
satisfac legături ale atomului respectiv cu atomii vecini şi numărul total de electroni de
valenţă ai atomului). Cu cât gradul de ionicitate este mai mare cu atât materialul are o
comportare mai apropiată de cea a izolanţilor electrici.
În funcţie de structura cristalină materialele semiconductoare se clasifică astfel:
 cu structură monoclinică (LiAs),
 ortorombică (SnS, SnSe),
 trigonală (Bi2Se),
 hexagonală (GaSe, ZnSb),
 cubică (Si, Ge, SiC, GaAs)
 policristalină (As2Se3AsS3).
O altă clasificare a acestor materiale este cea realizată din punctul de vedere al
funcţiilor de utilizare îndeplinite, cele mai reprezentative fiind cele
materiale cu funcţia de conducţie comandată în tensiune electrică (câmp
electric) condiţionată de dependenţa vitezei de deplasare dirijată a purtătorilor de sarcină de
câmpul electric aplicat şi de concentraţia impurităţilor atât în peliculele semiconductoare
groase cât şi în cele subţiri.
Materialele care îndeplinesc această funcţie sunt utilizate pentru realizarea de:
dispozitive semiconductoare omogene (rezistoare în circuite integrate monolitice), dispozitive
semiconductoare bipolare cu funcţiuni de circuit (diode, tranzistoare, tiristoare, circuite
integrate) şi dispozitive de tip FET (tranzistoare JFET şi MOSFET, condensatoare MOS).
materiale cu funcţia de conversie optoelectrică se bazată pe dependenţa
concentraţiei (de volum sau de suprafaţă) a purtătorilor de sarcină de fluxul electromagnetic
(injecţie optică).
Materialele care îndeplinesc această funcţie sunt utilizate în: construcţia traductoarelor
optice omogene (fotorezistenţe, bolometre) şi a celor cu joncţiuni (fotodiode, fototranzistoare,
fototiristoare, fotoelemente) precum şi pentru dispozitive cu funcţiuni de circuit (memorii de
tip feroelectric - fotoconductor).
materiale cu funcţia de detecţie a radiaţiilor nucleare îndeplinită datorită
dependenţei concentraţiei purtătorilor de sarcină de intensitatea radiaţiei nucleare captate de
unele materiale semiconductoare, utilizate în construcţia detectoarelor de radiaţii nucleare (,
,γ)
materiale cu funcţia de conversie electrooptică, datorată fenomenului de
emisie a radiaţiei optice la trecerea curentului electric printr-un semiconductor stă la baza
realizării de surse optice semiconductoare (laseri cu semiconductori, diode
electroluminiscente etc).

4
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

materiale cu funcţia de conversie termoelectrică bazată fie pe dependenţa

rezistivităţii materialului de temperatură fie pe fenomenul de generare de tensiune
termoelectrică.
Materialele ce îndeplinesc această funcţie sunt utilizate în construcţia dispozitivelor
semiconductoare omogene pentru măsurare şi stabilizare termică (termistoare) sau a celor cu
joncţiuni (termocuple, termoelemente) etc.
materiale cu funcţia de conversie magnetoelectrică acestea utilizează
dependenţa conducţiei electrice în pelicule semiconductoare groase sau subţiri de intensitatea
câmpului magnetic (efectul Hall şi efectul magnetorezistiv) în construcţia traductoarelor Hall
şi a magnetorezistoarelor.
materiale cu funcţia de conversie mecanoelectrică condiţionată de fenomenul
de generare şi deplasare a purtătorilor mobili de sarcină electrică dintr-un semiconductor sub
acţiunea unei forţe elastice (efectul piezosemiconductor).
Materialele ce îndeplinesc această funcţie sunt utilizate în construcţia traductoarelor
de energie elastică în energie electrică (traductoare directe), a traductoarelor de energie
electrică în energie elastică (traductoare inverse), a dispozitivelor piezoelectrice
semiconductoare cu undă elastică de suprafaţă (filtre, linii de întârziere, codoare, decodoare
etc) precum şi a dispozitivelor elastooptice sau a amplificatoarelor de undă elastică.
După cum în banda interzisă Fermi se găsesc sau nu niveluri adiţionale produse prin
doparea – cu impurităţi selectate –semiconductori pot fi:
 extrinseci
 intrinseci

4.3. CONDUCŢIA ELECTRICĂ DE TIP INTRINSEC

4.3.1 Conducţia intrinsecă - Modelul fizic

Un material semiconductor intrinsec este un semiconductor pur, a cărui

conductivitate este determinată de caracterul legăturii covalente şi a structurii cristaline.
Materiale semiconductoare intrinseci sunt cristalele de siliciu şi germaniu fără
impurităţi (cu impurităţi nedetectabile). Aceste elemente, care se află în grupa a IV-a a
sistemului periodic cristalizează în structura cubică tip diamant prezintă o legătura chimică
de tip covalent puternic direcţionată. În această structură, fiecare atom contribuie cu câte 4
electroni pentru formarea covalenţei.
Conducţia electrică, numită conducţie de tip intrinsec, se poate justifica fie cu un
model fizic, în care fenomenele care au loc sunt examinate la nivelul legăturilor chimice din
cristal, fie cu modelul benzilor energetice, în care procesele sunt examinate din punct de
vedere energetic.
Pentru explicare se consideră cazul unui monocristal ideal de siliciu într-o reprezentare
plană, în condiţii diferite de temperatură şi câmp electric. În figura 4.2, cercurile reprezintă
ionii pozitivi de siliciu, iar liniile de legătură între acestea sunt electronii pereche ai
legăturilor covalente.

5
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig. 4.2. Modelul fizic al conducţiei în semiconductoarele intrinsece.

a) la temperatura de 0 K şi în absenţa câmpului electric;
b) la temperatura diferită de 0 K şi în absenţa câmpului electric;
c) la temperatura diferită de 0 K şi în prezenta câmpului electric.

La temperatura de 0 K şi în absenţa câmpului electric toate legăturile chimice

covalente în cristal sunt compensate (Fig. 4.1a). Electronii fiind strâns legaţi de atomii
cristalului, nu există sarcină electrică liberă, astfel că chiar dacă se aplică un câmp electric
nu se poate stabili un curent electric. Semiconductorul se comportă ca un izolant perfect;
La temperaturi diferite de zero Kelvin şi în absenţa câmpului aplicat este posibil
ca electronii de valenţa să acumuleze suficienţă energie şi să părăsească legătura covalenţă
(Fig. 4.1b). În aceste situaţii unele din legăturile covalente se rup, apar electroni cvasiliberi şi
legături necompensate.Electronii rezultaţi se deplasează haotic, egal probabil după orice
direcţie în cristal (dacă nu există defecte de structură). Numărul de sarcini electrice este egal
cu cel al legăturilor nesatisfăcute, în regiunea cărora rezultă o sarcina pozitivă în exces, egală
în valoare absolută cu a sarcina electronului. Totuşi, pe un element de volum V infinit mic
fizic al cristalului, sarcina totală rămâne zero ca şi înainte de ruperea acestor legături,
formarea de electroni liberi şi de legături vacante neafectând neutralitatea electrică a
cristalului.
La temperaturi diferite de zero Kelvin şi în prezenţa câmpului electric exterior
electronii liberi şi legăturile necompensate contribuie la producerea curentului electric
(Fig.4.1c). Astfel, peste mişcarea de agitaţie termică a electronilor liberi se suprapune o
mişcare orientată – există un flux de electronii cvasiliberi cu sensul opus celui al câmpului
electric aplicat.
O parte din electronii cvasiliberi vor fi atraşi de zonele pozitivate ale legăturilor
necompensate şi vor fi captaţi de acestea, realizând compensarea legăturilor. În acest caz, pe
direcţia câmpului electric rămâne o altă legătură nesatisfăcută (prin deplasarea electronului
care a compensat legătura nesatisfăcută). In felul acesta, se stabileşte şi un flux de legături
necompensate cu sensul în direcţia câmpului electric aplicat.
Curentul electric în cristalele semiconductoare este generat de mişcarea ordonată a
electronilor cvasiliberi şi a legăturilor necompensate.

4.3.2. Conducţia intrinsecă - Modelul benzilor energetice

Mecanismul conducţiei electrice intrinsece poate fi descris calitativ şi cantitativ cu

modelul benzilor de energie în cristal. Acest model consideră structura în benzi energetice a
cristalului de siliciu, în care benzi energetice permise alternează cu benzi interzise (Fig. 4.3).

6
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig. 4.3. Modelul benzilor energetice al conducţiei electrice în semiconductoarele intrinsece:

a) la temperatura de 0K; b) la temperaturi T  0K şi în absenţa câmpului electric; c) formarea perechilor
electron-gol în semiconductor.

La temperaturi mici şi în absenţa câmpului electric (Fig. 4.3a), banda de valenţă

BV a cristalului semiconductor este complet ocupată cu electroni, iar banda de conducţie BC
este complet liberă de electroni.
La temperaturi apropiate de 0 K energia termică nu este suficientă pentru ca un
electron din BV să poată face tranziţii în BC. Acest caz corespunde absenţei proceselor de
conducţie electrică, deoarece în benzi energetice neocupate (cum este banda BC), ca şi în
benzi complet ocupate cu electroni (cum este banda BV în acest caz) nu pot apărea procese de
conducţie la aplicarea unui câmp electric. Rezultă că la temperaturi mici, monocristalul de
siliciu se comportă ca un cristal izolant perfect.
 La temperaturi normale şi în absenţa câmpului electric (Fig. 4.3b), dacă energia
externă (termică, luminoasă, etc.) are valori mai mari decât valoarea energiei intervalului
interzis Fermi ( WT>Wi ), atunci anumiţi electroni din BV vor efectua tranziţii în BC.
Astfel, pe măsură ce temperatura creşte, nivelurile superioare din BV devin libere de
electroni, iar nivelurile inferioare din BC se ocupă cu electroni.
 La temperaturi normale şi în prezenţa câmpului electric exterior (Fig. 4.3c), electronii
liberi din BC vor fi acceleraţi contribuind la producerea mişcării ordonate - de drift.
Figura 4.3c indică şi procedeul de formare a perechilor electron-golîn modelul
benzilor energetice. Electronii cvasiliberi şi golurile sunt particule care au sens numai în
interiorul semiconductorului. Astfel, pentru cazul unei benzi energetice aproape complet
ocupate cu electroni (electronii sunt marcaţi cu cercuri negre) se pot completa (imaginar) cu
electroni nivelurile neocupate (electroni marcaţi cu cercuri gri). Banda de valenţă BV devine
o bandă energetică complet ocupată cu electroni.
Pentru a păstra echilibrul (de masă şi sarcină electrică) în cristal, în acelaşi timp, va
trebui să se adauge, pe nivelurile completate cu electroni şi o categorie de particule (marcate
cu cercuri +) care să anuleze contribuţia electronilor adăugaţi, deci care să aibă masa efectivă
şi sarcina electrică de semn contrar faţă de cele ale electronilor adăugaţi. Aceste particule
poartă numele de goluri şi se caracterizează prin masă efectivă de semn contrar cu cea a
electronului şi prin sarcina electrică + qo (electronii având sarcina - qo). Astfel, banda de
valenţă, fiind o bandă complet ocupată cu electroni nu va contribui la producerea curentului
electric. în schimb, golurile existente în banda de valenţă vor contribui la procesul de
conducţie deoarece pentru acestea banda energetică BV este incomplet ocupată.
În semiconductorii intrinseci prin excitare termică vor exista electroni în banda de
conducţie, egali numeric cu golurile – pereche din banda de valenţă.

7
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

4.3.3. Expresia conductivităţii electrice în semiconductorii intrinseci

În procesul de conducţie electrică, în semiconductorii intrinseci densitatea curentului

electric J este egală cu suma între densitatea de curent a electronilor şi cea a golurilor:

J  nqov n  pq ov p , (1)
unde :
n este concentraţia de electroni de conducţie din BC,
p este concentraţia de goluri din BV,
qo este sarcina electrică a electronului, respectiv golului, qo =1,60 x 10-19C
v n ,v p sunt vitezele de drift ale electronilor, respectiv golurilor.
Prin împărţiere lui J cu intensitatea câmpului electric E, rezultă expresia
conductivităţii electrice de tip intrinsec:
J n qv n pqv p
i    , (2)
E E E
Mărimile vn/E şi vp/E , notate cu simbolurile n şi p, reprezintă mobilităţile
electronilor şi golurilor şi sunt o măsură a uşurinţei cu care purtătorii de sarcină se
deplasează sub acţiunea câmpului electric. Din expresia (2) rezultă:
i   n   p  nq0 n  pq0  p , (3)
Într-un semiconductor pur conductivitatea totală este dată de suma conductivităţilor
datorate electronilor din BC σ n şi golurilor din BV σ p , fiind determinate de concentraţia
purtătorilor de sarcină şi de mobilităţile acestora.
Deoarece în semiconductoarele intrinseci electronii şi golurile se crează în perechi,
este valabilă relaţia n= p=ni , cu care expresia (3) devine:
σ i  ni q0 (μ n  μ p ) , (4)
Calculul concentraţiei electronilor din banda de conducţie şi a golurilor din banda de
valenţă se face cu considerarea teoriei cuantice, aplicate la modelul benzilor energetice în
cristal. Concentraţia de electroni din BC este dată de relaţia:
 W WF 
n  N exp  C , (5)
C kT 

unde mărimea NCreprezintă numărul efectiv de stări energetice din BC, dependent de masa
efectivă a electronilor şi de temperatură, iar Wi  WC  WV este lărgimea intervalului
interzis Fermi.
Această relaţie arată că concentraţia electronilor de conducţie creşte exponenţial cu
temperatura şi scade exponenţial cu creşterea lărgimii intervalului Fermi.
Concentraţia de goluri din banda de valenţă BV este:
W WF 
p  N exp  V , (6)
V
 kT 
unde NV reprezintă numărul efectiv de stări din BV.
Pentru această categorie de semiconductoare, concentraţia de electroni este numeric
egală cu cea a golurilor:

8
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

n  p  ni , (7)
unde ni este concentraţia intrinsecă de purtători de sarcină.
Rezultă:
 W WV 
n  p  ni2  NV NC exp  C , (8)
 kT 
relaţie care conduce la expresia concentraţiei de electroni din BC şi goluri din BV în cazul
semiconductorilor intrinseci de forma:
 W i 
n  p  n i  NV NC exp   , (9)
 2kT 
Această relaţie arată că concentraţia intrinsecă de purtători de sarcină nidepinde de
lărgimea intervalului interzis Wi şi de temperatură.

4.4 CONDUCŢIA ELECTRICĂ DE TIP EXTRINSEC

Rezistivitatea semiconductoarelor pure intrinseci este prea mare pentru necesitatile
practice, altfel spus lăţimea zonei interzise EG =1,1 eV este prea mare pentru a permite
trecerea , sub acţiunea unui câmp electric, a unui număr suficient de electroni din banda de
valenţă în banda de conducţie chiar la temperatura camerei, deoarece la semiconductoare
zona de valenţă este întotdeauna plină cu electroni.
Elementele din grupa a IV a sistemului periodica Ge şi Si se impurifica ( dopează) cu
elemente din grupa a III-a sau a V-a , care dau naştere în banda interzisă a unor nivele
energetice suplimentare.
Dacă doparea se face cu elemente din grupa V-a, ca Sb sau P, apar nivele energetice
donoare (fig.4.4).

Fig. 4.4 Materiale semiconductoare de tip N

In cazul în care impurificarea se face cu elemente din grula a III-a cu Al sau In , se
introduc nivele acceptoare, libere de electroni, care vor putea primi electroni din banda de
valenţă, mărind astfel conductivitatea semiconductorului (fig.4.5).

9
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig. 4.5 Materiale semiconductoare de tip p

Materiale semiconductoare de tip N

Pentru obţinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este dopat cu
atomi de impuritate pentavalenţi, (din grupa a Va a tabelului periodic al elementelor chimice),
care, în structura cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. Patru din
cei cinci electroni de valenţă a atomului de impuritate formează 4 legături covalente cu
electronii de valenţă ai atomilor de Siliciu sau Germaniu învecinaţi, în timp ce al 5lea electron
de valenţă al atomului de impuritate este slab legat, astfel că la temperatura camerei primeşte
suficientă energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron
liber, sau electron de conducţie, capabil să participe la fenomenele de conducţie, aşa cum este
prezentat şi în fig.4.6.

Figura 4.6. Materiale semiconductoare de tip N Si- Sb

Se constată că formarea electronului de conducţie nu este însoţită de generarea unui gol.

Electronii de conducţie obţinuţi în acest mod sunt generaţi prin doparea materialului cu
atomii de impuritate. Pe lângă acest procedeu de obţinere a electronilor de conducţie, aceştia
mai pot fi generaţi şi prin mecanismul de generare termică (prin creşterea temperaturii), dar,
în acest caz, generarea unui electron de conducţie este însoţită de generarea unui gol.
Din cele prezentate mai sus, se constată că, în cazul materialului semiconductor de tip
N, concentraţia de electroni de conducţie este mult mai mare decît cea de goluri. Din acest
motiv, electronii de conducţie se numesc purtători de sarcină majoritari, iar golurile se
numesc purtători de sarcină minoritari.
Deoarece atomul de impuritate cedează acest al 5-lea electron de valenţă, el se numeşte
atom donor. În urma cedării celui de al 5-lea electron, atomul donor devine ion pozitiv (se
reaminteşte că un atom este neutru dpdv electric; prin cedarea unui electron, atomul respectiv
devine ion pozitiv, iar prin primirea unui electron, atomul respectiv devine ion negativ).

Materiale semiconductoare de tip P

Pentru obţinerea acestui material electronic, semiconductorul intrinsec este impurificat
cu atomi trivalenţi, (din grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi
borul, galiul, indiul, care, în structura cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau
germaniu. Atomul de impuritate poate participa, prin cei trei electroni de valenţă ai săi, la
formarea numai a trei legături covalente cu electronii de valenţă ai atomilor de siliciu sau
germaniu învecinaţi, lăsând electronul de valenţă al celui de-al 4-lea atom de siliciu învecinat
fără legătură covalentă, astfel creînd un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv.

10
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Electronul de valenţă al celui de-al 4-lea atom de siliciu învecinat (în Figura 4.7, atomul
de siliciu din dreapta) poate forma o legătură covalentă cu un alt electron de valenţă al unui alt
atom de siliciu învecinat, care, prin completarea acestei legături covalente, lasă la rîndul său,
în urma sa un gol.

Figura 4.7. Materiale semiconductoare de tip P - Si-B

Se constată că formarea unui gol nu este însoţită de generarea unui electron de

conducţie.
Golurile obţinute în acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de
impuritate. Pe lângă acest procedeu de obţinere a golurilor, acestea mai pot fi generate şi
mecanismul prin generare termică (prin creşterea temperaturii), dar, în acest caz, generarea
unui gol nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie.
Din cele prezentate mai sus, se constată că, în cazul materialului semiconductor de tip P,
concentraţia de goluri este mult mai mare decît cea a electronilor de conducţie. Din acest
motiv, golurile se numesc purtători de sarcină majoritari, iar electronii de conducţie se
numesc purtători de sarcină minoritari.
Deoarece atomul de impuritate primeşte un electron de valenţă de la un atom de siliciu
învecinat, el se numeşte atom acceptor. În urma primirii acestui electron, atomul acceptor
devine ion negativ.

4.4.1Conducţia extrinsecă de tip n

Modelul fizic
Semiconductoarele extrinsece de tip n se obţin prin impurificare controlată cu
impurităţi donoare. Atomii impurităţilor donoare au de obicei valenţa mai mare decât
valenţa cristalului de bază. La introducerea lor în cristal, aceste impurităţi vor forma ioni
substituţionali (ex. P, As, Sb, Bi) sau ioni interstiţiali (ex. S, Li), cedând reţelei cristalului
de bază unu sau mai mulţi electroni. In acest caz, semiconductorul prezintă, în principal, o
conducţie prin electroni, numită conducţie extrinsecă de tip n.
Conducţia electrică extrinsecă de tip n, se poate justifica cu modelul fizic, considerând
fenomenele care au loc la nivelul legăturilor chimice în cristal.
Se consideră cazul unui monocristal de siliciu în care un atom de siliciu (element
tetravalent) este substituit cu unul de stibiu (element pentavalent).

11
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Modelul benzilor energetice

Mecanismul conducţiei electrice extrinsece în semiconductoarele dopate cu impurităţi

donoare se poate descrie calitativ şi cantitativ cu modelul benzilor de energie în cristal
(Fig.4.8.4).

Fig.4.8. Conducţia extrinsecă de tip n (într-un cristal de siliciu dopat cu impurităţi donoare) în
modelul benzilor energetice: a) la 0K; b) la temperaturi diferite de 0 K; c) formarea golului.

Structura benzilor energetice nu se modifică la introducerea impurităţilor donoare, dar

în banda interzisă Fermi apar niveluri energetice ocupate, corespunzătoare electronilor
atomilor de impuritate aflaţi în surplus. În figura 4.8.a este prezentat un nivel donor Wd
corespunzător unui atom de impuritate de stibiu.
Pentru semiconductoarele de tip n, se aleg acele impurităţi care furnizează niveluri
donoare în apropierea nivelului de jos al benzii de conducţie (Fig. 4.8b). Astfel, energia de
activare (de ionizare) ΔWda impurităţilor donoare este mult mai mică decât energia de
ionizare a atomilor cristalului de bază (care este energia intervalul interzis Fermi):

Wd  Wc Wd  Wi , (10)

unde Wd reprezintă energia nivelului donor al atomului de impuritate, iar Wceste energia celui
mai scăzut nivel al benzii de conducţie.
În aceste condiţii, o perturbaţie din exterior (temperatură, câmp electric etc.) cât de
mică determină excitarea electronilor de pe nivelurile donoare în banda de conducţie BC.
Deci, conducţia electrică extrinsecă de tip n se realizează prin electronii din banda de
conducţie proveniţi de pe nivelurile donoare.

4.4.2 Conducţia extrinsecă de tip p

Modelul fizic
Semiconductoarele extrinsece de tip p se obţin prin impurificare controlată cu
impurităţi acceptoare. Atomii impurităţilor acceptoare (ex. Zn, B, Al, Ga, In), având valenţa
mai mică decât valenţa cristalului de bază, nu reuşesc să satisfacă toate legăturile covalente
ale cristalului decât prin ionizare (captarea electronului de valenţă).
Conducţia electrică extrinsecă de tip p se poate justifica cu modelul fizic, considerând
fenomenele care au loc la nivelul legăturilor chimice în cristal.

12
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig. 4.9.Modelul conducţiei extrinsece într-un cristal de siliciu dopat cu impurităţi acceptoare –
semiconductor de tip p:
a) la temperatura de 0 K şi în absenţa câmpului electric; b) la temperature diferită de 0 K şi în absenţa câmpului
electric; c) la temperature diferită de 0 K şi în prezenţa câmpului electric.

Dacă în monocristalul de siliciu (Fig. 4.9a) se introduce un atom trivalent de bor, o

legătură a acestuia cu atomii de siliciu va fi nesatisfăcută.
La temperature mici şi în absenţa câmpului electric nu există sarcină electric liberă dar
există legături nesatisfăcute prin prezentă impurităţii trivalente. Pentru satisfacerea acestei
legături este necesar ca un electron al unui atom de siliciu să treacă în învelişul electronic al
atomului acceptor de indiu.
La temperaturi normale (Fig. 4.9.b), procesul de ionizare se produce cu o probabilitate
mai mare decât procesul de rupere a legăturilor covalente din cristalul de bază. Atomul de
impuritate acceptoare devine ion negativ, fixat în reţeaua cristalină, electronul legat de acesta
neparticipând la procesul de conducţie electrică. Legătura nesatisfăcută, purtătoare de
sarcină pozitivă, se află acum între doi atomi ai cristalului de bază.
Deoarece concentraţia de legături necompensate este mult mai mare decât concentraţia
de electronilor liberi proveniţi prin ruperea legăturilor covalente în cristalul de bază, un astfel
de semiconductor se numeste semiconductor de tip p.
Conducţia extrinsecă de tip p se realizează prin difuzia legăturilor necompensate
provenite de la atomii impurităţilor accceptoare în direcţia câmpului electric aplicat.

Modelul benzilor energetice

Mecanismul conducţiei electrice extrinsece în semiconductoarele dopate cu impurităţi
acceptoare se poate descrie calitativ şi cantitativ cu modelul benzilor de energie în cristal (Fig.
4.10).
Structura benzilor energetice nu se modifică, dar apar în plus niveluri energetice în
banda interzisă Fermi, niveluri care corespund stărilor locale ale atomilor de impurităţi
acceptoare. De obicei se aleg acele impurităţi acceptoare care generează niveluri în apropierea
nivelului superior al benzii de valenţă. Astfel, energia de activare (de ionizare) a impurităţilor
acceptoare ΔWaeste mult mai mică decât energia de ionizare a atomilor cristalului de bază:
`
Wa  Wa Wv  Wi , (11)

unde Wa reprezintă energia nivelului acceptor al atomului de impuritate, iar Wv este energia
ultimului nivel din BV.

13
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

În aceste condiţii, o perturbaţie cât de mică din exterior (temperatură, câmp electric,
radiaţii etc.) va determina o creştere a concentraţiei de goluri din banda de valenţa. Conducţia
extrinsecă de tip p se realizează prin golurile din BV produse prin trecerea electronilor din BV
pe nivelurile acceptoare ale ionilor de impuritate.

Fig. 4.10.Conducţiaextrinsecă de tip p (într-un cristal de siliciu dopat cu impurităţi acceptoare) în

modelul benzilor energetice:
a) la temperatura de 0 K şi în absenţa câmpului electric; b) la temperature diferită de 0 K şi în absenţa câmpului
electric; c) la temperature diferită de 0 K şi în prezenţa câmpului electric.

4.4.3 . Expresia conductivităţii electrice în semiconductoare extrinseci

Pentru un semiconductor extrinsec la temperaturi joase, conductivitatea intrinsecă este

practic nulă (i 0), astfel că în expresia conductivităţii intră doar concentraţia de purtători
majoritari. Astfel:
- pentru semiconductoare de tip n:
σ e n  n n q 0μ n , (12)
- pentru semiconductoare de tip p:
σ ep  n p q 0 μ p , (13)
unde:
nn este concentraţia de electroni din BC, pentru cazul semiconductoarelor de tip n,
np este concentraţia de goluri din BV, pentru cazul semiconductoarelor de tip p.
Expresia concentraţiei extrinsece a electronilor din banda de conducţie pentru
semiconductoarele de tip n este:

 W Wd 
nn  N eC exp  C , (14)
 kT 

unde mărimea NeCreprezintă numărul de stări energetice donoare ionizate iar

Wd  WC  Wd este energia de activare a impurităţilor donoare.
Expresia concentraţiei extrinsece a golurilor din banda de valenţă pentru
semiconductoarele de tip n este:

 W WV 
n p  N eV exp  a , (15)
 kT 

14
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

unde mărimea NeVreprezintă numărul de stări energetice acceptoare ionizate iar

Wa  Wa  WV este energia de activare a impurităţilor acceptoare.
 Schimbarea valorilor conductivităţii electrice, respectiv a rezistivităţii electrice a
semiconductoarelor se realizează prin impurificarea controlată a acestora.
Temperatura modifică concentraţia de purtători mobili de sarcină, şi corespunzător,
conductivitătea electrică, după o lege exponenţială.

5. 1. FACTORI DE INFLUENŢĂ ASUPRA CONDUCTIVITĂŢII

SEMICONDUCTOARELOR
5.1.1. Temperatura

În practică se utilizează semiconductori extrinseci. Pentru această categorie de

semiconductoare, experimental se constată o creştere a conductivităţii cu creşterea
temperaturii.
În figura 5.1 se prezintă forma generală a dependenţei de temperatură a conductivităţii
pentru semiconductorii extrinseci:

Fig.5.1. Dependenţa generală a conductivităţii electrice cu temperatura pentru un semiconductor

extrinsec.

Figura 5.1 pune în evidenţă trei zone în care conductivitatea are o variaţie specifică cu
temperatura:
 în regiunea I, pentru temperaturi scăzute (T <T’), predomină conducţia electrică de tip
extrinsec în care la creşterea temperaturii determină tot mai multe ionizări ale atomilor de
impuritate; concentraţia de purtători mobili (electroni în semiconductorii de tip n şi
legături necompensate – goluri – în semiconductorii de tip p) creşte şi odată cu aceasta
creşte şi conductivitatea ;
 în regiunea II, pentru domeniul temperaturilor medii (T’’ <T <T’), predomină tot o
conducţie de tip extrinsec, în care toate impurităţile donoare şi acceptoare fiind ionizate,
rezultă o concentraţie constantă de purtători mobili de sarcină. La creşterea temperaturii,
în acest interval, influenţa mare o are mobilitatea care scade odată cu creşterea
temperaturii. Materialul semiconductor se comportă ca şi metalele rezultând o conducţie
este de tip metalic.
 în regiunea III, pentru temperaturi T>T’’,începe să predomine conducţia intrinsecă,
prin generarea de purtători mobili datorită ruperii legăturilor covalente din cristalul

15
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

semiconductor. În acest interval de temperatură, conductivitatea electrică creşte mult la

creşterea temperaturii.
Marea majoritate a aplicaţiile semiconductoarelor se bazează pe fenomenele de
conducţie care au loc în regiunea I.
În materialele semiconductoare intrinseci se poate controla numărul de purtători
mobili de sarcină doar prin modificarea temperaturii. Acest control este dificil şi instabil.
Concentraţia de tip intrinsec depinde, conform relaţiei (9), exponenţial de
temperatură. Cu cât temperatura este mai mare, cu atât mai mulţi electroni vor trece din BV în
BC şi conductivitatea va creşte.
Cu relaţiile (9) şi (4) rezultă expresia conductivităţii electrice i a semiconductorului
intrinsec:
 Wi 
σ i  n0 q 0 (μn  μP )  exp   , (16)
 2kT 
Relaţia (16) prin logaritmare devine:
Wi
lnσ i  lnσ 0  , (17)
2kT
unde 0 este o constantă care depinde în principal de mobilitatea electronilor şi golurilor.
Comportarea semiconductorului este opusă faţă de cea a metalelor: cu cât temperatura
creşte, conductivitatea semiconductorului creşte deoarece creşte concentraţia purtătorilor de
sarcină;
La metale, unde concentraţia de electroni de conducţie este constantă, cu creşterea
temperaturii, mobilitatea electronilor scade, ceea ce face ca conductivitatea să scadă.

5.1.2 Dependenţa de frecvenţă a conductivităţii electrice

Un material semiconductor se comportă în câmp electric ca un material dielectric cu

pierderi prin conducţie relativ ridicate, întrucât limita inferioară a conductivităţii materialului
semiconductor, este egală cu limita superioară a conductivităţii unui material dielectric: 
=10-9 [S/m].
În materialul semiconductor, deoarece pierderile prin conducţie sunt preponderente,
cele prin polarizare se pot neglija. Schema echivalentă a unui condensator cu material
semiconductor între armături este identică cu cea a condenstorului cu polarizare de deplasare
şi pierderi prin conducţie ca in figura 5.2:
Comportarea semiconductorului în regim nestaţionar poate fi descrisă, prin aceleaşi
expresii ca şi în regim staţionar, constanta de timp de relaxare fiind însă o mărime complex

unde: 0 reprezintă constanta de timp de relaxare pentru regimul staţionar.

Expresia conductivităţii complexe este :

unde 0 , este conductivitatea în regim staţionar:

16
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig.5.2. Schemele echivalente ale unui condensator cu semiconductor (a) şi corespunzătoare unităţii de volum a
materialului semiconductor (b).
Dependenţele de frecvenţă a componentelor conductivităţii complexe (c, d)

Schema echivalentă corespunzătoare unităţii de volum a materialului semiconductor,

este reprezentată în fig.5.2.b şi este capacitatea unitară C=ε0εr compusă din rezistenţa unitară
rp= şi inductivitatea unitară 𝐿 = 𝜏̃ 𝜎 .
Schema echivalentă pune în evidenţă apariţia rezonaţei la frecvenţă, care are valori în
domeniul microundelor.

unde:τ - constanta de timp de relaxare in regim nestationar de functionare

Expresia conductivităţii complexe este:

unde σ0 , este conductivitatea în regim staţionar.

Expresiile componentelor conductivităţii complexe a materialului semiconductor în
funcţie de frecvenţa câmpului electric aplicat sunt:

Dependenţa de frecvenţă, la temperatura mediului ambiant, ale componentelor

conductivităţii sunt reprezentate în fig.5.2. c,d. Interacţiunile purtătorilor de sarcină cu
impurităţile ionizate şi cu fononii sunt predominante.

17
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

5.2. EFECTE GALVANOMAGNETICE ÎN SEMICONDUCTORI

Efectele galvanomagnetice sunt acele fenomene cinetice ce apar în anumite materiale
atunci când sunt introduse simultan într-un câmp electric de intensitate E şi unul magnetic de
inducţie B , perpendicular pe E.
Ele constau în modificarea valorii conductivităţii electrice  sau termice  după direcţia
câmpului electric sau în apariţia unei diferenţe de potenţial sau de temperatură după direcţia
perpendiculară pe E şi B.
Efectul Hall constă în apariţia unei diferenţe de potenţial pe direcţia perpendiculară pe
E şi B.
Efectul magnetorezistiv constă în modificarea rezistivităţii electrice a materialului pe
direcţia lui E , în prezenţa câmpului magnetic.
Efectul Ettinghausen constă în apariţia pe direcţia perpendiculară pe direcţiile lui E şi
B, a unei diferenţe de temperatură.
Efectul Nerst constă în modificarea conductivităţii termice după direcţia lui E , în
prezenţa câmpului magnetic.
În raport cu sensul câmpului magnetic aplicat, efectele magnetorezistiv şi Nerst sunt
pare (nu se modifică semnul variaţiei conductivităţii electrice-  sau termice- la
schimbarea sensului câmpului magnetic aplicat), iar efectul Hall şi Ettinghausen sunt impare
U și T îşi modifică semnul la modificarea sensului lui B .
Dintre aceste efecte interesează, pentru aplicaţiile practice, efectul Hall şi cel
magnetorezistiv care pot apărea în semiconductori şi metale

5.3 PROPRIETĂŢI ŞI DOMENII DE UTILIZARE ALE MATERIALELOR

Materialele semiconductoare au domenii largi de utilizare în electrotehnică şiîn
special, în electronică. În acest subcapitol sunt prezentate principalele performanţe ale
materialelor semiconductoare şi aplicaţiile acestora. Principalele domenii de utilizare ale
materialelor semiconductoare sunt prezentate în tabelul 5.1.
Tabelul 5.1

18
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

μe μg

Materialele semiconductoare vor fi prezentate, în continuare, după funcţia pe care o

îndeplinesc.

5.3.1 Materiale cu funcţia de conducţie comandată în tensiune

Îndeplinirea acestei funcţiuni se bazează pe dependenţa vitezei de deplasare dirijată a
purtătorilor de sarcină de câmpul electric şi de concentraţia impurităţilor atât în peliculele
semiconductoare groase cât şi în cele subţiri. Conducţia controlată a semiconductorilor
extrinseci este condiţionată de realizarea tipului de structură cristalină a materialului
semiconductor intrinsec şi impurificarea controlată cu impurităţi donoare sau acceptoare.
Pentru îndeplinirea acestei funcţii, materialele semiconductoare trebuie să
îndeplinească următoarele condiţii:
- să permită obţinerea unei conductivităţi electrice uşor controlabilă şi reproductibilă
tehnologic, cu valori cuprinse într-un domeniu cât mai larg;
- permitivitatea electrică să prezinte valori cât mai mici;
- conductivitatea electrică să fie cât mai puţin influenţată de factorii exteriori ca:
frecvenţa câmpului electric, temperatură etc.
Materialele care îndeplinesc aceste condiţii sunt: Si, Ge şi Ga As. Principalele lor
caracteristici sunt date în tabelul 5.2.

μp μn

unde, μ n-mobilităţile electronilor şi ale golurilor μp

a) Siliciul - este un element din grupa a IV-a, asemănător cu Ge, ambele

cristalizând în sistemul cubic cu feţe centrate (CFC). Are un aspect metalic, întunecat. Siliciul
există în cantitate mare la suprafaţa globului terestru, fiind considerat al doilea material ca

19
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

răspândire în scoarţa terestra, cu un procent de 28%. Resursele naturale de siliciu sunt in

principal silicaţii (nisip etc.), dar şi diverse materiale care conţin SiO2 (silice), cum sunt jadul,
mica, cuarţul etc.Deoarece în stare naturală, siliciul se găseşte sub formă de oxid, este necesar
un tratament de reducere şi apoi un tratament de purificare, până la stadiul numit "de calitate
electronică" sau EGS (Electronic Grade Silicon). Temperatura de topire a siliciului este
ridicată, de 1693°C iar afinitatea sa chimică este puternică la temperaturi mari. De aceea
obţinerea siliciului de calitate electronică este dificilă, reducerea din SiO2 nu poate fi făcută
simplu, folosind hidrogen, fiind necesară o tehnică complexă de reducere, cu carbon la
temperaturi înalte. În tehnologia siliciului, în prima etapă se obţine siliciu de calitate
metalurgică sau MGS (Metallurgic Grade Silicon), iar apoi, în urma purificărilor repetate, se
obţine siliciul de puritate electronică sau EGS. Prezintă mare afinitate pentru oxigen şi fluor,
o reactivitate chimică, puternică la temperaturi ridicate şi se dizolvă uşor în baze sau în
amestecuri de HF+HNO3.
Poate funcţiona la temperaturi mai ridicate decât cele mai multe dintre
semiconductoarele utilizate în tehnică. Mobilitatea purtătorilor de sarcină şi rezistivitatea scad
cu creşterea conţinutului de impurităţi. Rezistivitatea intrinsecă scade cu temperatura
conform relaţiei: i = 0,96∙exp (6500/T) [m] .Siliciul are permitivitatea relativă mai mică
decât a germaniului şi energiile de activare a impurităţilor mai mari decât ale acestuia.
Se utilizează la fabricarea circuitelor integrate, a diodelor semiconductoare,
bateriilor solare, tiristoarelor, tranzistoarelor, traductoarelor Hall etc.
b) Germaniul. Germaniul este un element puţin răspândit în scoarţa pământului
(0,07%) şi se găseşte în minereuri ca germanitul (Cu3GeS4) sau argiroditul (4 Ag2SGeS2) şi
se extrage de obicei din rezidurile prafurilor volatile de la obţinerea zincului, cuprului, la
arderea cărbunelui etc. Din germaniu tehnic se obţin compuşi chimici de tipul halogenurilor
(GeCl4, GeBr4) care se prelucrează apoi în vederea obţinerii germaniului de mare puritate.
Germaniul monocristalin se obţine prin topire zonală sau tragere din topitură.Ca şi siliciul,
face parte din grupa a IV-a şi cristalizează în sistemul CFC. Se oxidează la 700 oC, nu
reacţionează cu apa şi se dizolvă în acid sulfuric, amestecuri de acizi, baze etc. şi reacţionează
cu halogenii şi cu metalele alcaline sau alcalino-pământoase. Mobilitatea purtătorilor de
sarcină scade cu conţinutul de impurităţi şi rezistivitatea intrinsecă depinde de temperatură
conform relaţiei: i =0,256exp (3890/T). [m], iar la introducerea în câmp magnetic apare
efectul magnetorezistiv, care se poate evalua cu relaţia:
∆𝜌
= 3,8 ∙ 10 𝑀 𝐵
𝜌
unde MH este mobilitatea Hall a purtătorilor de sarcină şi se măsoară în m2 /V∙s, iar B - inducţia
magnetică în T (Tesla).
Germaniul se utilizează la fabricarea diodelor semiconductoare, a diodelor tunel,
tranzistoarelor, traductoarelor Hall, detectoarelor de radiaţii, termometrelor pentru
temperaturi joase etc.
c) Arseniura de galiu. Arseniura de galiu are proprietăţi semiconductoare deosebite
care variază cu concentraţia impurităţilor şi cu temperatura. Temperatura de topire este
ridicată (1250 oC) ca şi mobilitatea electronilor, ceea ce permite utilizarea structurilor pnp cu
GaAs în domeniul frecvenţelor ridicate.
Se utilizează la fabricarea diodelor tunel, a celor luminescente, a laserelor etc.

d) Varistoare sunt structuri a căror rezistenţă, puternic neliniară, este controlată prin
tensiunea aplicată la borne. (fig. 5.3).

20
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fig. 5.3. Caracteristica curent-tensiune la varistoare.

Materialele utilizate pentru fabricarea elementului activ al varistoarelor sunt carbura

de siliciu (SiC) sau oxizii metalici (ZnO, TiO2, ZnO2, CaO, MnO2, CuO etc.). Carbura de
siliciu, obţinută prin reducerea SiO2 cu carbon, se macină obţinându-se granule cu diametre
între 20 ... 180 m și se amestecă cu un liant (argilă, răşină termorigidă: şellac, răşină
epoxidică sau sticlă lichidă) obţinându-se o masă din care, prin turnare sau extrudere, se
obţine forma dorită (disc, cilindru etc). Urmează un tratament termic la 1000...1300oC prin
care se stabilizează proprietăţile.
Caracteristica statică curent – tensiune se poate aproxima cu relaţia: I =AU) în care
A este o constantă de material ce fixează valoarea tensiunii de lucru a varistorului şi depinde
de forma şi dimensiunile acestuia iar exponentul ia valori în funcţie de tipul materialului şi
de procedeul de fabricaţie (ZnO  25, Si C 5) La tensiuni mici rezistenţa este aproape
constantă, însă odată cu creşterea tensiunii rezistenţa scade, cu cât  este mai mare.
Cauza scăderii tensiunii trebuie căutată în fenomenele care se produc la suprafaţa granulelor.
contactul dintre două granule, se stabileşte un circuit format din două diode în opoziţie.La
creşterea intensităţii câmpului electric, microjoncţiunile se străpung, cu atât mai multe cu cât
tensiunea este mai mare. Caracteristica microjoncţiunii nu este dependentă de polaritatea
tensiunii aplicate. Caracteristica de ansamblu se obţine prin însumarea caracteristicilor
microjoncţiunilor (Fig. 5.3).
Deoarece rezistenţa varistoarelor scade foarte mult cu creşterea tensiunii, ele se
utilizează în construcţia descărcătoarelor cu rezistenţă variabilă (DRV), aparate ce
realizează protecţia la supratensiune, ca stabilizatoare de curent sau tensiune, ca
multiplicatoare de frecvenţă etc.
Ca stabilizatoare, varistoarele prezintă avantajul unei game mai mari de curenţi şi
tensiuni (UV  1,8 kV, Iv. 8 kA) faţă de diodele Zener,

5.3.2. Materiale cu funcţia de conversie optoelectrică

Materialele care îndeplinesc această funcţie îşi bazează funcţionarea pe fenomenul de
injecţie optică a purtătorilor mobili de sarcină, fenomen ce determină creşterea concentraţiei
de volum a sarcinii electrice şi a conductibilităţii electrice a materialului semiconductor.
Radiaţia optică incidentă (radiaţia electromagnetică cu lungimea de undă în domeniul
100m... 0.1m este parţial reflectată de suprafaţa semiconductorului, parţial transmisă prin
material, şi restul absorbită de materialul semiconductor. Radiaţia absorbită poate determina
ionizarea atomilor reţelei cristaline şi crearea de purtători de sarcină liberi, fenomen numit
efect fotoelectric care poate fi intern sau extern.

21
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Dacă energia furnizată de fotoni electronilor de valenţă este mai mare decât energia de
legătură din materialul semiconductor, aceştia sunt extraşi din material şi emişi în mediul
exterior (efect fotoelectric extern). În cazul în care această energie este mai mică decât lucrul
mecanic de extracţie, dar suficientă pentru a crea purtători liberi în materialul semiconductor,
prin ruperea unor legături din reţeaua cristalină, fenomenul se numeşte efect fotoelectric
intern şi se poate produce prin absorbţie proprie sau absorbţie datorită impurităţilor.
Condiţiile pe care trebuie să le îndeplinească materialele utilizate pentru conversia
optoelectrică sunt:
- să aibă sensibilitate mare faţă de radiaţia electromagnetică într-un domeniu cât mai
larg de lungimi de undă;
- să aibă prag optic (wi sau we(wg)), cât mai scăzut;
- procesele de recombinare a purtătorilor în exces să aibă intensitate mică;
- să aibă inerţie mică (mobilităţile electronilor şi golurilor mari) pentru a asigura o
viteză mare de răspuns;
- conductivitatea la întuneric să fie cât mai scăzută pentru a asigura un raport semnal
/zgomot mare.
Materialele ce îndeplinesc funcţia de conversie optoelectrică se utilizează la fabricarea
tuburilor fotoelectrice, a celulelor fotoconductoare şi fotovoltaice, a fototranzistoarelor,
proprietăţi foarte bune prezentând Ge dopat cu Au sau Hg, InSb, Hg0,8Gd0,2.

5.3.3. Materiale cu funcţia de detecţie a radiaţiilor nucleare

Materialele ce îndeplinesc această funcţie îşi bazează funcţionarea pe dependenţa

curentului electric de intensitatea radiaţiei nucleare incidente.
Ele trebuie să îndeplinească următoarele condiţii:
- să aibă sensibilitate mare la radiaţia nucleară;
- să aibă viteză de răspuns mare (mobilităţile purtătorilor de sarcină mari) și
rigiditatea dielectrică ridicată;
- conductivitate electrică să fie suficient de mică pentru ca să nu apară probleme de
disipaţie şi zgomotul dat de fluctuaţiile curentului continuu să nu mascheze curentul util.
Uzual se utilizează Si şi Ge intrinseci (eventual răciţi forţat) pentru realizarea
detectoarelor semiconductoare de radiaţii nucleare

5.3.4 Materialele utilizate pentru conversia electrooptică

Materialele semiconductoare cu funcţia de conversie electrooptică (numite şi

electroluminescente) îşi bazează funcţionarea pe emisia radiaţiei luminoase de către material
atunci când i se aplică un câmp electric sau este străbătut de un curent electric.

22
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Fenomenul care determină emisia optică este cel de recombinare radiativă a purtătorilor
mobili de sarcină din semiconductor. După durata procesului de recombinare, emisia optică se
numeşte fluorescenţă (10-5 … 10-8 s) sau fosforescenţă (1 … 104 s).
Sunt compuşi binari (de tip III – V şi II - VI) şi ternari care, prin excitare intrinsecă
prin aplicarea unui câmp electric intens (E > 10 MV/m) sau excitare prin injecţie de curent
electric, determină radiaţii optice caracterizate prin lungimea de undă  emise
Dispozitivele electrooptice cunoscute sub numele de LED (Light Emitting Diode) emit
radiaţii de diferite culori în funcţie de lungimea de undă în care randamentul emisiei este
maxim.
Prin utilizarea diferitelor materiale semiconductoare în stratul epitaxial se obţin
diverse culori: infraroşu (GaAs), roşu - galben (GaAsP), roşu (GaPZn), verde-galben (Ga),
albastru (ZnSe).
LED-urile sunt utilizate ca lămpi indicatoare, surse de lumină cu inerţie redusă,
dispozitive de afişare alfa-numerică.

5.3.5 Materiale cu funcţie de conversie termoelectrică

Expresia conductivităţii electrice în semiconductoare subliniază influenţa puternică a

temperaturii asupra acestui parametru de material, prin influenţa asupra asupra valorilor
concentraţiilor de purtători mobili de sarcină şi ale mobilităţilor acestora.
Temperatura este factorul care determină în anumite condiţii generarea unui curent
electric: un gradient de temperatură, prin difuzia purtătorilor situaţi în regiunile cu
temperatură mai ridicată (de concentraţie mai mare) spre regiunile cu temperatură mai
scăzută, generează un curent electric. Câmpul electric imprimat, care se opune tendinţei de
deplasare a purtătorilor de sarcină are intensitatea dată de expresia:
E i   S gradT , (20)
unde S se numeşte coeficient de tensiune diferenţială, iar gradT reprezintă creşterea de
temperatură după diecţia normală.
Valori mai mari pentru S, de ordinul zecilor de mV/K, se obţin pentru SnSb, PbSb,
PbSe, PbTe, Bi2Te3, Bi2Se3.
Pentru ca un material să fie utilizat cu funcţia de conversie termoelectrică trebuie să
îndeplinească următoarele cerinţe:
- să aibă valoare mare a coeficientului de variaţie a conductivităţii cu temperatura:
1 
  , (21)
 T
- să aibă conductivitate electrică mare în domeniul temperaturilor de lucru (sensibilitate
mare);
- să aibă duratele de răspuns electric e şi termic T cât mai mici;
- să prezinte o valoare mare a tensiunii diferenţiale.

Termistoare
Termistoarele sunt componente pasive de circuit a căror rezistivitate se modifică (în
sensul creşterii sau descreşterii) cu variaţia temperaturii mediului. Coeficientul de variaţie a
rezistivităţii poate fi negativ sau pozitiv.
Termistoare cu coeficient de temperatură negativ.
Funcţionarea acestor termistoare se bazează pe scăderea rezistivităţii materialelor
semiconductoare intrinseci odată cu creşterea temperaturii.

23
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

Elementele rezistive ale termistoarelor cu coeficient de temperatura negativ - NTC

sunt realizate din materiale semiconductoare din oxizi ai metalelor din grupa fierului: oxizi de
Fe, Cr, Mn, Co, Ni. Pentru obţinerea unor caracteristici reproductibile alături de oxizi şi de
elementele de impurificare se adaugă stabilizatori.
Caracteristica dependenţei rezistenţă – temperatură, indiferent de forma geometric
(disc, cilindri, tuburi, filamente etc.) a termistorului, se poate pune sub forma:

1 1 
RT  R 0 exp    , (22)
 T T0 
în care:
R0 - rezistenţa la temperatura absolutaT0;
 - indice de sensibilitate termică al materialului;
RT - rezistenţa la temperaturi absolute T;
T0 şi T - sunt temperaturi absolute.
Caracteristica rezistenţă - temperatură este exponenţială atât pentru termistoarele cu un
coeficient de temperatură negativ cât şi pentru cele cu coeficient de temperatură pozitiv.
Termistoarele cu coeficient de temperatură negativ sunt utilizate pentru măsurarea
temperaturii şi pentru compensarea creşterii rezistenţei electrice a unor elemente de circuit.
Încălzirea termistoarelor poate fi realizată direct de către curentul ce străbate termistorul sau
indirect, prin contact termic.
Pentru un termistor cu coeficient de temperatură negativ (NTR), aliura caracteristicii
rezistenţă – temperatură, indicată în figura 5.4a, este scăzătoare cu creşterea temperaturii.

Fig. 5.4. Caracteristici la termistoare: a) caracteristica rezistenţă-temperatură pentru termistoare de tip N (NTR)
şi termistoare tip P (PTR), comparativ cu caracteristica la metale;
b) caracteristica tensiune-curent la diferite temperaturi de funcţionare pentru un termistor NTR.

Caracteristica volt-ampermetrică U(I) la o temperatură dată (Fig. 5.4b) este specifică

fiecărui tip de termistor. Termistoarele care funcţionează ca traductoare de temperatură
lucrează pe porţiunea liniară 0A a caracteristicii, de rezistenţă dinamică pozitivă şi la curenţi
relativ mici, pentru a nu se produce autoîncălzirea elementului activ.
Termistoare cu coeficient de temperatură pozitiv.
Aceste termistoare sunt realizate din titanat de bariu (BaTiO3) sau soluţie solidă de
BaTiO3 cu titanat de stronţiu (SrTiO3). Prin substituirea ionilor bivalenţi de Ba2+ cu ioni
trivalenţi de La3+ sau a ionilor tetravalenţi de Ti4+ cu ioni pentavalenţi de Sb5+, Nb5+ se obtine
o conducţie de tip p. Prin oxidare controlată la temperaturi ridicate oxigenul pătrunde prin
porii de la suprafaţa cristalelor devenind în timpul răcirii ioni negativi O2- captând electroni
din stratul superficial al cristalitelor semiconductoare.

24
 Materiale electrotehnice -FIESC/ EN+SE
An II, sem. I

În acest mod se realizează o barieră de potenţial (sarcina superficială negativă şi

sarcina spaţială pozitivă rezultată prin deplasarea electronilor către suprafaţă) în termistor se
stabileşte o rezistenţă suplimentară proporţională cu:
q 0 Vb
R  N exp , (23)
kT
unde:
N - numărul de bariere pe unitatea de lungime a termistorului;
Vb - potenţialul barierei;
q0 - sarcina electronului;
k - constanta lui Boltzman;
T - temperatura absolută.

5.3.6. Materiale cu funcţia de conversie magnetoelectrică

Funcţia de conversie magnetoelectrică o pot îndeplini materialele semiconductoare în
care efectele galvanomagnetice sunt destul de puternice, deci care îndeplinesc următoarele
condiţii:
- au o sensibilitate cât mai mare (intensitatea câmpului Hall EH cât mai mare la o
inducţie magnetică dată);
- câmpul Hall nu este influenţat de parametri externi (temperatură, presiune etc.);
- au densitatea de curent admisibilă cât mai mare. Aceste cerinţe se regăsesc în
condiţia ca să aibă o constantă Hall RH mare şi constantă cu temperatura.
Materialele utilizate pentru îndeplinirea acestei funcţii sunt: Ge, InSb, InAs, HgSe.
Ele sunt folosite în construcţia sondelor Hall sau magneto-rezistive. Sonda
(generatorul) Hall este un dispozitiv semiconductor utilizat la măsurarea câmpurilor
magnetice, la circuitele de multiplicare analogică, la indicarea fără contact a poziţiei, la citirea
datelor înmagazinate magnetic.
Sonda magnetorezistivă este formată dintr-o peliculă rezistivă din antimoniură de
stibiu (InSb) utilizată, ca potenţiometru fără contact, în măsurători de câmp magnetic, în
determinarea poziţiei unor elemente mobile.

5.3.7. Materiale cu funcţia de conversie mecano-electrică

Materialele semiconductoare care îndeplinesc această funcţie îşi bazează funcţionarea

pe interacţiunea dintre câmpul mecanic şi cel electric în interiorul materialului, la nivelul
atomilor şi purtătorilor mobili de sarcină, concretizată în două fenomene: interacţiune prin
potenţialul de deformaţie şi interacţiune prin efect piezoelectric
Interacţiunea datorită potenţialului de deformaţie, un efect liniar existent în toate
materialele semiconductoare, este o consecinţă a dependenţei energiei electronilor din banda
de conducţie de distorsionarea reţelei cristaline. Apare o modificare a rezistivităţii
materialului dependentă de deformaţie.
Interacţiunea prin efect piezoelectric apare în materialele semiconductoare a căror
structură nu posedă centru de simetrie al sarcinilor punctuale. Efectul piezoelectric în
semiconductor este asemănător cu cel ce apare în dielectrici.
Bazate pe primul tip de interacţiune, se realizează, din cărbune, traductoarele presiune
- rezistenţă electrică utilizate în construcţia accelerometrelor, în telefonie, pentru înregistrarea
informaţiei etc.
Traductoarele piezoelectrice realizate din GaAs, InSb, Si, Ge, TiO2 se utilizează la
măsurarea presiunii, a forţelor şi acceleraţiilor, în tensometrie (pentru mărci tensometrice),
defectoscopie etc.

25