INTRODUCERE

Cursul de Materiale Electrotehnice se adreseaz att studen ilor sec iei de

Inginerie Electric , ct i studen ilor celorlalte specializ ri i inginerilor care doresc
s utilizeze corect materialele folosite n industria electrotehnic .
Prin forma accesibil de prezentare i prin includerea ntreb rilor de testare la
sfr itul fiec rui capitol, cursul este destinat mai ales studen ilor de la nv mntul
la distan .
Lucrarea trateaz fenomenele i procesele ce au loc n materialele electrotehnice supuse ac iunii cmpului electromagnetic. Pe lng abordarea teoretic a
problemelor de interac iune dintre materialele utilizate industrial i solicit rile
electrice, n lucrare sunt prezentate numeroase elemente aplicative i referiri la
standardele interne i europene, foarte utile n activitatea de proiectare i exploatare
a instala iilor i echipamentelor electrice.
Lucrarea cupride cinci p r i: materiale electroizolante, materiale
semiconductoare, materiale conductoare, materiale magnetice i fibre optice.
Importan a mai mare acordat materialelor electroizolante se datoreaz rolului
decisiv pe care acestea o au n fiabilitatea i durata de func ionare a ma inilor,
aparatelor, echipamentelor i a instala iilor electrice.
Pentru a u ura asimilarea de c tre studen i a cuno tiin elor din curs la sfr
itul fiec rui capitol se afl cte un set de ntreb ri care sintetizeaz cuno tiin ele
minimale pe care un student trebuie s le de in la sfr itul capitolului.
Autorul mul ume te colaboratorilor i a teapt sugestii ale cititorilor pentru
mbun t irea con inutului cursului.
Autorul

CUPRINS

1. MATERIALE ELECTROIZOLANTE....................................................................................................5
1.1. Conduc ia electric.........................................................................................................................5
1.1.1. Expresia general
a conductivit ii electrice. 5
1.1.2. Modelul cuantic al conduc iei electrice. 9
1.2. Propriet ile electrice ale materialelor electroizolante. ......................................................14
1.2.1 Conductivitatea materialelor electroizolante.
18
1.2.1.1. Conductivitatea gazelor electroizolante
19
1.2.1.2. Conductivitatea lichidelor electroizolante.
21
1.2.1.3. Conductivitatea materialelor electroizolante solide
22
1.2.2. Polarizarea dielectricilor 24
1.2.2.1. Polarizarea electronica............................................................................27
1.2.2.2. Polarizarea ionic
29
1.2.2.3. Poarizarea dipolic
31
1.2.2.4. Polarizarea de relaxare 38
1.2.3. Pierderi de putere activ
n dielectrici.
40
1.2.3.1. Schemele electrice echivalente ale dielectricilor.
46
1.2.3.2. Pierderi prin incluziuni de gaze.
55
1.2.3.3. mb trnirea dielectricilor
58
1.2.4. Str pungerea dielectricilor
58
1.2.4.1. Str pungerea gazelor 61
1.2.4.2. Strapungerea dielectricilor lichizi
66
1.2.4.3. Str pungerea dielectricilor solizi.
69
1.3. Propriet i neelectrice ale dielectricilor.................................................................................72
1.3.1. Proprietati mecanice.
72
1.3.2. Propriet
i fizice.
73
1.3.3. Propriet
i chimice 76
1.3.4. Proprietati termice.
77
1.4. Clasificarea dielectricilor.........................................................................................................79
1.4.1. Clasele de izola ie.
79
1.4.2. Materiale electroizolante organice
81
1.4.2.1. Gaze electroizolante 81
1.4.2.2. Materiale electroizolante organice lichide
82
1.4.2.3. Materiale electroizolante organice solide.
84
1.4.3. Materiale electroizolante anorganice
88
1.4.4. Materiale electroizolante siliconice.
92
2. MATERIALE SEMICONDUCTOARE.............................................................................................101
2.1. Semiconductori intrinseci......................................................................................................102
2.2. Semiconductori extrinseci....................................................................................................106
2.3. Jonc iunea mos.........................................................................................................................113
2.4. Jonc iunea n-p...........................................................................................................................118
3

3. MATERIALE CONDUCTOARE........................................................................................................127
3.1. Conductivitatea metalelor......................................................................................................127
3.1.1. Factori care influen eaz
rezistivitatea.
130
3.1.2. Materiale supraconductoare
132
3.2. Propriet i termoelectrice ale conductoarelor....................................................................141
3.3. Materiale de mare conductivitate.........................................................................................146
3.3.2. Aluminiul
146
3.3.3. Alte materiale conductoare.
149
3.4. Materiale conductoare de mare rezistivitate......................................................................151
3.5. Materiale pentru contacte electrice ......................................................................................152
4. MATERIALE MAGNETICE................................................................................................................157
4.1. Magnetizarea corpurilor.........................................................................................................157
4.2. Clasificarea materialelor magnetice....................................................................................160
4.3. Materiale feromagnetice........................................................................................................163
4.3.1. Materiale feromagnetice moi...............................................................................167
4.3.2. Tabla electrotehnic
179
4.3.3. Materiale feromagnetice dure. 182
4.4. Materiale ferimagnetice.........................................................................................................183
5. FIBRE OPTICE........................................................................................................................................189
5.1. Popagarea undelor electromagnetice..................................................................................189
5.2. Moduri ale fibrelor optice......................................................................................................193
5.3. Parametrii fibrei optice...........................................................................................................197
5.4. Tehnologia de fasbrica ie a fibrelor optice. ........................................................................200
5.5. Cabluri de fibre optice............................................................................................................206
BIBLIOGRAFIE...................................................................................................................................219

1. MATERIALE ELECTROIZOLANTE

Materialele utilizate n electrotehnic sunt grupate n categorii, cu

propriet i specifice, dup diferite criterii: natura chimic ; starea de
agregare; originea; stabilitatea termic , . a.
n egal m sur exist i posibilitatea clasific rii dup valorile constantelor
de material (conductivitatea electric , rigiditate dielectric , permitivitate,
factor de pierderi). Criteriul de clasificare dup valoarea conductivit ii
electrice a dus la gruparea materialelor n categoriile:
conductoare; neconductoare sau electroizolante; semiconductoare. La
rndul lor solidele, conductoare i semiconductoare, se pot constitui n
categorii de materiale magnetice, dup susceptibilitatea magnetic . Clasificarea dup conductivitatea electric este cea mai utilizat .
1.1. CONDUC IA ELECTRIC
Proprietatea corpurilor de a manifesta existen a materiei prin
transportul de sarcini electrice, sub ac iunea unui gradient de poten ial, se
constituie ca fenomen de conductibilitate electric . Conductibilitatea electric
, fiind proprietatea a corpurilor, o numim conduc ie electric n momentul n
care se manifest . M sura conductibilit ii electrice o constituie
conductivitatea electric , care, n condi iile date, reprezint o constant de
material.
1.1.1. EXPRESIA GENERAL A CONDUCTIVIT
ELECTRICE.

II

n condi iile unor ipoteze simplificatoare se poate determina rela ia de

leg tur ntre densitatea curentului electric i intensitatea cmpului electric,
care se realizeaz prin intermediul conductivit ii electrice, folosind fie teoria
clasic a electronului, fie teoria cuantic . n ambele cazuri se face uz de
modele fizice capabile s asigure redarea fenomenelor din materiale. Totu i
nu s-a ajuns nc la modele care s reprezinte n mod absolut realitatea
proceselor fizice din corpurile materiale. Ca urmare sim-plific rile f cute
afecteaz rigoarea red rii fenomenelor.
5

Cu teoria clasic a electronului, n cadrul c reia electronii liberi sunt

asemui i cu un gaz electronic, (identic cu gazul perfect), se ob in rela ii
simplificate u or de utilizat n aplica ii, dar care nu explic toate fenomenele
fizice din material. Teoria cuantic , de asemenea n condi iile unor simplific
ri grosiere, conduce la rela ii a c ror valabilitate este deplin confirmat de
experien e, dar care con in un grad mare de dificultate n utilizarea lor
practic .
Ob inerea unor expresii generale a conductivit ii electrice, n
ipotezele simplificatoare ale teoriei clasice, este util pentru unele ra
ionamente ce intervin n studiul propriet ilor materialelor.
Dac se consider un purt tor liber, de sarcin q, ce se deplaseaz
cu viteza v ntr-un corp de volum v, sub ac iunea unui cmp electric E ,
contribu ia sa la densitatea de curent este:
q
(1.1)
j v
v

Considernd c n volumul dat exist i purt tori de sarcin , avnd fiecare

aceea i sarcin medie q i viteza vi , densitatea total de curent este:
q
(1.2)
j i

(i )

unde viteza vi a particulei libere, nc rcate cu sarcina q se consider n raport

cu corpul. M rimile din rela iile (1.1) i (1.2) exprim densitatea de curent la
nivelul macroscopic i deci ele trebuie s fie considerate ca valori medii ale m
rimilor similare microscopice.
Viteza cu care se deplaseaz purt torul de sarcin are o component
ordonat vio , imprimat de cmpul E prin for a qE i o component
dezordonat vid datorat agita iei termice. Astfel, ntr-un solid de exemplu pe
lng ciocnirea purt torilor de sarcin ntre ei, mai au loc ciocniri ale acestora
cu atomii din nodurile re elei cristaline.
Datorit agita iei termice, rezult c mic orarea ordonat a purt torilor
de sarcin este stnjenit cu att mai mult cu ct temperatura corpului este
mai ridicat (cnd i vibra ia atomilor re elei este mai mare). n consecin
componenta vitezei purt torului de sarcin , dup direc ia cmpului electric,
de i componenta ordonat este mai mic , respectiv i densitatea de curent

j vio vid
i v

(1.3)

datorit rezultantei nule a componentelor vitezei dezordonate, se reduce la

q
forma:
(1.4)
j io

i v

Efectuarea sumei se simplific dac se consider c fiecare purt tor de

sarcin are aceea i vitez medie i c n volumul dat exist N purt tori de sarcin :
vom =

vio
i

i respectiv:
j=

(1.5)

q vom

(1.6)

Timpul n care purt torul de sarcin parcurge spa iul ntre dou
ciocniri succesive se nume te timp de relaxare, i se define te n raport cu
viteza medie total ( vm ) i cu valoarea medie a drumului liber parcurs (l m)
adic :
l
l
m
(1.7)
tr = m =
vm

vom

+ vdm

unde vom este viteza ordonat medie, iar vdm viteza dezordonat medie.
Componenta ordonat a vitezei este neglijabil n raport cu componenta
dezordonat (de ex. la metale vom 10-2 [m/s] i v dm 106 [m/s]), nct tr
poate fi aproximat:
(1.8)
t lm
r

dm

i are n cazul metalelor ordinul de m rime de 1014 [s].

Dat fiind c viteza dezordonat depinde numai de temperatura T, ci
nu i de intensitate E a cmpului electric (n schimb viteza ordonat
depinde de E ), rezult c nici timpul de relaxare, sau durata de relaxare nu
depinde de cmpul electric, cnd este ndeplinit condi ia vom vdm .
Determinarea vitezei medii ordonate, necesar pentru a continua
calculele cu rela ia (1.5), se poate face n regim sta ionar. n acest caz se
admite c la ciocnirea purt torului cu atomul din nodul re elei, el cedeaz toat
energia sa cinetic , viteza medie total devenind nul . n timpul de relaxare n
care purt torul de sarcin se deplaseaz pe drumul mediu liber parcurs, el este
accelerat de c tre cmpul electric, nct n momentul urm toarei ciocniri, cu
un atom din nodul re elei, viteza sa ordonat devine maxim . Dup ciocnire,
viteza devenind nul , poate ncepe o nou mi care accelerat , urmat de o nou
ciocnire, n momentul c reia atinge o nou valoare maxim .a.m.d.
Ecua ia mi c rii purt torului de sarcin
m dvo = qE

este:
(1.9)

dt
7

unde: m este masa n repaus a purt torului de sarcin . Integrnd ecua ia

(1.9) ntre limitele t = 0 cnd v o = 0 i t = tr cnd vo = voM (viteza ordonat
maxim ) se ob ine:
voM = t q Edt = qt r E
(1.10)
r

sau cum viteza ini ial s-a considerat nul , rezult viteza ordonat medie:
vom = qtr E
(1.11)
2m

nlocuind (1.11) n (1.6) se ob ine pentru densitatea de curent expresia

general a legii lui Ohm:
j = N q2 t E = sE
(1.12)
2
v 2m

unde constituie conductivitatea electric . Se observ

c nu con ine
dect m rimi constante i independente de E . n schimb depinde de
temperatur prin intermediul timpului de relaxare, a a cum s-a ar tat anterior.
n rela ia (1.12) se pot face nota iile:

m 3

n= N
V

cm

M=

qt r
2m

concentra ia purt torilor de sarcin .

2

mobilitatea purt torilor de sarcin ,

nct expresia general a conductivit ii:

s = N q2 t r
V 2m

(1.13)

poate fi scris sub form simplificat :

s=nqM

(1.14)

n care o reg sim n cele mai multe cazuri din literatura de specialitate.
innd seam de (1.8), expresia general a conductivit ii electrice (1.13) se mai
poate scrie i sub forma:
s = 1 q2lm
(1.15)
n
2

mvdm

dac se admite pentru timpul de relaxare rela ia specificat (1.8) n locul celei
exacte (1.7).
(1.16)
s = const.
T

unde, exceptnd temperatura T, to i factorii sunt constan i.

8

Se tie c la temperaturi apropiate de 300 [K], viteza dezordonat nu

depinde sensibil de temperatur . De exemplu Cu are concentra ia
electronilor liberi n = 8, 5 1028 [m3].
Din (1.16) rezult c la metale s scade cu cre terea temperaturii.
Inversul conductivit ii constituie rezistivitatea r = 1/ s . Deci r la metale cre
te propor ional cu temperatura. La temperaturi joase, n domeniul
temperaturilor criogenice (sub 120 C, respectiv 153 K) valabilitatea rela
iei (1.16) se restrnge nct la cteva grade absolute sau zeci de grade, ea se
anuleaz , deoarece drumul mediu liber parcurs, ca i timpul de relaxare, are
valoare mult mai mare dect ar rezulta din formula clasic . n acest
domeniu de temperaturi rezistivitatea scade cu (T5) conform rela iei
empirice a lui Bloch:
(1.17)

const.
T5

Din (1.17) rezult c n apropiere de 0 [K] (se va nota n continuare cu

0K), sc derea rezistivit ii metalelor cu temperatura este foarte intens .
Rezistivitatea fiind valoarea invers a conductivit ii constituie, de
asemenea, constat de material, n condi ii date.
Modelul fizic al gazului electronic nu ofer posibilitatea s se explice n
mod curent toate procesele ce au loc n corpul solid. A a de pild calculul c
ldurii specifice duce la valori mai mari dect cele determinate
experimental; raportul ntre conductivitatea termic l i cea electric s (ambele
determinate cu acest model fizic) nu corespunde cu datele ob inute
experimental. n fine, nu este posibil explicarea apari iei supraconductibilit
ii metalelor pure sau aliajelor supraconductoare la temperaturi apropiate de
0K.
Cu toate deficien ele amintite, rezultatele ob inute cu teoria clasic a
electronului sunt utile pentru aplica iile practice ca i pentru reprezent ri
intuitive ale unor procese fizice.
1. 1. 2. MODELUL CUANTIC AL CONDUC IEI ELECTRICE.
Un model fizic mai adecvat studierii proceselor fizice din materiale,
care ofer posibilitatea ob inerii unor rezultate ce reflect mai exact realitatea,
are la baz conceptele teoriei cuantice.

Propriet ile corpurilor constituie o reflectare la nivel macroscopic a

proceselor i fenomenelor ce au loc la nivel microscopic, adic la nivelul
microparticulelor (atomi, ioni, sisteme de atomi diferi i, molecule etc.). Prin
urmare stabilirea unei leg turi ntre cele dou aspecte ale st rii unui corp este
esen ial pentru cunoa terea propriet ilor acestuia.
Dup conceptele teoriei cuantice, un sistem de microparticule, n
anumite condi ii, se poate comporta, n virtutea dualit ii und corpuscul,
att ca un sistem de unde electromagnetice cu o reparti ie spa ial continu
ct i ca un sistem de corpusculi avnd o reparti ie spa ial discontinu . Spre
deosebire de aceasta, fizica clasic consider cele dou st ri ca specii distincte
de sisteme fizice: cmpurile electromagnetice cu reparti ie continu n spa iu
i corpurile cu reparti ie discontinu . Din aceast cauz sistemele de
microparticule nu pot fi descrise cu acelea i legi cu care fizica clasic descrie
sistemele de corpuri macroscopice. Din fizic se tie c aplicarea legilor
mecanicii clasice la studiul sistemelor de microparticule, nu a dobndit
precizia dorit n explicarea proceselor fizice din corpul solid, ci doar cunoa
terea par ial a unor fenomene, f cnd uz de modele mai intuitive.
n procesul de conductibilitate, purt torul de sarcin trebuie considerat
n interac iunea sa cu ceilal i purt tori de sarcin , ca i cu atomii sistemului
care constituie corpul, dar innd seama i de interac iunea dintre ace ti atomi.
Studiul conductibilit ii cu considerarea simultan a tuturor acestor condi ii nu
este, n prezent, cu putin i de aceea se adopt modele fizice i matematice
simplificate, dar care s nu modifice calitative fenomenal. n acest sens
starea unui microparticule sau a unui sistem de microparticule, la un
moment dat, ntr -un punct din corp, trebuie exprimat prin func ii de
variabile independente timp i spa iu, care s descrie ct mai fidel aceast
stare. O astfel de func ie este utilizat n mecanica cuantic sub form complex
( r , t), numit func ie de und (s-a notat cu r vectorul de pozi ie al
punctului de coordonate x, y, z i cu t timpul). Determinarea st rii unei
microparticule, deci a func iei de und corespunz toare, este posibil numai n
cazul celui mai simplu sistem, cum este atomul de hidrogen.
Func ia de und trebuie s con in m rimi care s redea manifestarea
ondulatorie a sistemelor de microparticule, ca i cea corpuscular .
Corpusculului material i sunt caracteristice energia total W i impulsul
p mv , iar undei pulsa ia 2 i vectorul de und K al c rui modul este K
2 / .

10

Energia W con ine energia cinetic Wc = mv2/2 i energia poten ial U a

corpusculului; m este masa n repaus a corpusculului ; v viteza acestuia;
este frecven a undei asociate corpusculului, iar este lungimea de
und .
n fenomenul conductibilit ii electronice, corpusculul, sau
microparticula, la care ne referim, este electronul. Acesta ns nu poate fi
tratat ca un corp izolat de restul sistemului de microparticule, ci doar n
interac iune cu acesta, nct el trebuie considerat ca un obiect complex,
mpr tiat n spa iu. Prin urmare interac iunea electronului cu sistemul de
microparticule din care face parte, adic localizarea lui, nu poate fi f cut ntrun punct de coordonate (x, y, z) ci doar ntr-un volum elementar.
Cnd microparticula se afl ntr-o stare nesta ionar , adic energia sa
poten ial nu este constant , func ia de und asociat ei devine mult mai
complex i se ob ine prin integrarea ecua iei diferen iale a lui Schrdinger.
Pe da alt parte func ia de und este determinat , prin intermediul
energiei, de patru numere numite cuantice:
n = (1, 2, 3, . . . n) num rul cuantic principal, care determin
valorile energiei electronului
L' = (0, 1, 2 . . . n1) num rul cuantic cinetic care determin
valorile momentului cinetic orbital (cu rela ia L = L'L'+1 h / 2p )
m = ( . . . 1, 0, +1, . . . ) num rul cuantic magnetic care determin
valoarea proiec iei momentului magnetic orbital (corespunz tor momentului
cinetic orbital) dup o direc ie preferen ial , cum este cea a unui cmp
magnetic exterior.

num rul
cuantic
de spin care determin
valoarea
proiec iei momentului magnetic de spin dup aceea i direc ie preferen ial ca i
n cazul lui m.
Primele trei numere cuantice determin o stare orbital a electronului n
atom, respectiv toate cele patru numere definesc o stare cuantic . Conform
principiului excluziunii a lui Pauli ns , numai un singur electron poate avea
starea determinat de toate cele patru numere cuantice i nu poate exista
simultan nc un electron n aceea i stare, adic avnd toate cele patru numere
cuantice identice. Sau altfel spus, pe un nivel de energie nu pot exista mai
mult de doi electroni, avnd ns spini de sens opus. Valorile succesive ale
energiei, pe care le pot avea electronii ntr-un atom, formeaz zone permise
de energie, care alterneaz cu zona de energii pe care electronii nu le pot
dobndi, numite zone interzise.
s= 2

11

Existen a zonelor de energie permis i interzis constituie o baz real

pentru explicarea propriet ilor corpurilor. L rgimea zonelor de energie
(permis i interzis ) constituie o particularitate pentru fiecare fel de cristal. L
rgimea zonelor de energie nu depinde de num rul atomilor din corpul solid,
ci numai de natura atomilor i distan a dintre ace tia.
Din teoria zonelor de energie i cu considerarea rela iilor rezult c
propriet ile corpului solid ce eman din mic orarea electronilor n re eaua
cristalin nu pot fi studiate n mod corect dect cu ajutorul mecanicii
cuantice. Modelul gazului electronic de care s -a f cut uz nu reflect
realitatea proceselor fizice dect cu o aproxima ie grosier , deoarece gazul
electronilor liberi din re ea nu se identific cu un gaz clasic perfect.
La conduc ia electronic particip electronii din vecin tatea nivelului
Fermi, ceea ce revine la a considera to i au aceea i energie, egal n medie cu
WF (fig. 1.1). Acesta este cazul metalelor care la T = 0 i cu att mai mult la
temperaturi mai mari posed electroni n ultima zon permis ce nu ocup toate
nivelele zonei.
n concluzie rezult c dup structura zonelor de energie i dup modul
cum sunt ocupate de electroni zonele permise, corpurile solide se pot
clasifica n: a) electroizolante, b) conductoare i c) semiconductoare.
n structura zonelor de energie la T = 0 [K] ultima zon permis i
ocupat de electroni constituie zona de valen A, iar prima zon permis i
neocupat de electroni este zona de conduc ie C.

Figura. 1. 1 Structura zonelor de energie.

Structurile zonelor de energie pentru cele trei categorii de materiale
sunt reprezentate n figura 1.1. ntre zona de valen (A) i zona de conduc ie
(C) se interpune zona interzis (B).
12

n cazul materialelor electroizolante, zona interzis (B) este de l ime

relativ mare, de ordinul unit ilor sau zecilor de [eV], iar nivelul Fermi se afl
la mijlocul acestei zone (fig. 1.1 a). Materialele conductoare pot prezenta
fie o zon permis n care se afl i nivelul limit Fermi, dup care urmeaz zona
de conduc ie, fie o suprapunere a zonei de conduc ie cu cea de valen (fig.
1.1 b). n fine, semiconductorii intrinseci au structura zonelor de energie
asem n toare cu a electroizolan ilor, ns zona interzis este suficient de mic
pentru ca la temperatura camerei, s se ob in o conduc ie electric neglijabil
sub ac iunea unui cmp electric exterior.
Un caz aparte l constituie semiconductorii extrinseci, ob inu i prin
impurificarea celor intrinseci. n func ie de natura elementului
impurificator, apar nivele de energie suplimentare, n zona interzis , numite
donoare (Cn) i conduc ia este electronic , sau acceptoare (Cp) cnd conduc
ia se realizeaz prin goluri.

13

1.2. PROPIET

ILE ELECTRICE ALE MATERIALELOR

ELECTROIZOLANTE.

Materialele electroizolante, n ansamblul unui produs electrotehnic,

constituie elementele de izolare a circuitelor electrice alimentate la tensiuni
diferite, a circuitelor electrice fa de cele magnetice i a p r ilor electrice i
magnetice fa de carcase.
n timpul func ion rii ma inilor, aparatelor, instrumentelor i instala
iilor electrice n general, materialele electroizolante sunt supuse celor mai
diverse solicit ri (electrice, termice, mecanice, chimice, fizice etc.) care, n
anumite limite, sunt urmate de nr ut irea propriet ilor. Efectele solicit rilor
fiind cumulative, rezult c durata de func ionare (de via ) a materialelor
electrotehnice este limitat . Rezult c implicit este limitat durata de func
ionare a ma inilor i aparatelor electrotehnice. Prin urmare materialele
electroizolante determin anduran a, sau fiabilitatea oric rui produs electrotehnic. Prin nivelul propriet ilor pe care le posed , aceste materiale determin
i performan ele produselor electrotehnice, reprezentnd prin urmare un
factor de importan tehnic i economic cu att mai mare cu ct vin n
considerare agregate electrotehnice de mare putere, sau produse cu o foarte
larg r spndire. Datorit acestor cauze, condi iile ce se impun, ntr -o situa ie
dat , materialelor electroizolante, sunt ndeplinite, n general de pu ine
dintre ele. Astfel materialele de natur organic prezint bune propriet i
electroizolante ns nu suport corespun-z tor solicit ri termice i mecanice.
Cele de natur anorganic au o comportare invers . O mbinare a propriet ilor
celor dou categorii de materiale, se realizeaz prin combina iile organice ale
siliciului (siliconi), frecvent utilizate n prezent.
Alegerea materialelor electroizolante, pentru un produs electrotehnic,
este deci o problem cu largi implica ii tehnice i economice. Aceasta impune
o cunoa tere temeinic a tuturor propriet ilor materialelor electroizolante ca i
a compatibilit ii reuniunii lor ntr-un sistem de izola ie la un produs dat.
Datorit fenomenului de polarizare pe care l prezint materialele
electrotehnice, aflate ntr-un cmp electric, ele se mai numesc i dielectrici.
Cum sunt ns i materiale semiconductoare (ca feritele) care prezint
polarizare, n cele ce urmeaz numai la materialele electroizolante.
Dup natura lor, propriet ile (se nominalizeaz n continuare m rimile
care constituie masuri a propriet ilor) dielectricilor se grupeaz astfel:
14

1) propriet i electrice, care se refer la: conductivitatea electric

[S/m] i respectiv inversul acesteia, rezistivitatea de volum v [m], i cea de
suprafa B []; permitivitatea dielectric absolut [F/m], sau relativ X;
rigiditatea dielectric EB [kV/cm] i factorul de pierderi tg
2) propriet ile neelectrice, care cuprind:
propriet ile termice: conductivitatea termic [W/m C]; c ldura
masic c [kcal/Kg C] sau [We/g C]; transmisivitatea termic
[W/m2 C]. Se includ uneori aici i coeficien ii de temperatur ai
diverselor m rimi, cum ar fi coeficientul de temperatur al rezistivit ii B()
[C]1 , sau coeficientul de dilata ie liniar B( L ) [C]1; temperaturile
specifice.
propriet ile mecanice: rezisten a de rupere X [daN/cm2];
alungirea relativ [%]; modul de elasticitate E [daN/cm2]; rezilien a S
[daNm/cm2]; duritatea Brinell HB [daN/cm2].
propriet ile fizice: porozitatea; absorb ia; adsob ia;
densitatea.
propriet ile chimice: solubilitatea; aciditatea; rezisten a de
coroziune; compatibilitatea n contact cu alte materiale etc.
propriet i tehnologice: ductilitate, maleabilitate, prelucrabilitate
prin a chiere, tratamente termice, acoperiri metalice.
propriet i economice: pre , accesibilitate.

propriet iergonomice:aspect,tu eu,toxicitate,

biodegradabilitate.
De i toate propriet ile sunt importante n egal m sur , este util
cercetarea cu prec dere a propriet ilor electrice datorit efectelor violente pe
care, uneori, le au solicit rile electrice asupra dielectricilor, ct i datorit
faptului c celelalte solicit ri devin d un toare ca o urmare a primelor.
Principalele procese i fenomene ce vin n considerare pentru a
caracteriza un dielectric din punct de vedere al propriet ilor electrice sunt
urm toarele:
1) Conductibilitatea electric ; 2) Polarizarea electric ; 3) Str pungerea
dielectric ; 4) Pierderile de energie activ n dielectrici.
Toate aceste fenomene se pun n eviden experimental i sunt m surate
cantitativ prin intermediul unor m rimi fizice constante de material care se
definesc i se determin practic conform normelor CEI sau standardelor na
ionale.
1). Conductibilitatea a c rei m sur o constituie conductivitatea
electric [S/m], sau inversul acesteia, rezistivitatea .
15

La dielectrici se deosebesc dou feluri de rezistivit i, dup cele dou c i

pe care este posibil trecerea curentului electric printr- un dielectric a ezat
ntre arm turile metalice ale unui condensator. Astfel se define te
rezistivitatea de volum rV [Wm], ca fiind rezisten a electric a unei probe
sub form de cub, cu latura de 1 cm, a ezat ntre pl cile condensatorului,
determinat n curent continuu la o tensiune de 1000 V. Rezult c
rezistivitatea de volum rV [Wcm] este egal numeric cu rezisten a de volum
RV determinat . Similar se define te rezistivitatea de suprafa rS [W], ca
fiind rezisten a electric determinat n curent continuu la tensiunea de 1000
V, ntre doi electroni de contact, a eza i paralel pe suprafa a dielectricului la
distan a de 10 cm, avnd fiecare lungimea de 100 mm i admi ndu-se
conven ional adncimea de p trundere a curentului ca fiind egal cu unitatea.
Rezistivitatea rezult n acest caz ca fiind rezisten a electric determinat nmul
it cu 10 (adic rS = 10 RS).
Deoarece ambele rezisten e trebuie s fie determinate numai func ie de
curentul electric de conduc ie, evitndu-se curen ii de polarizare, se
recomand ca citirea curentului s nu se fac mai devreme de 3 minute de la
aplicarea tensiunii.
Rezistivitatea de volum i de suprafa se va determina deci rezisten a
electric m sur i innd seama de geometria electroli ilor utiliza i. Pentru
cazuri deosebite cum sunt masele bituminoase, se utilizeaz celule nu
electrozi de construc ie special .
n condi iile date pentru determinarea rezistivit ilor de volum i de suprafa ,
acestea constituie constante de material i au valori de ordinul (10 8 1018)
[W].
2). Polarizarea electric , avnd ca m sur permitivitatea e [P/m], sau
valoarea relativ a acesteia er, este fenomenul de apari ie n dielectric, sub ac
iunea unui cmp electric exterior, a unui moment electric indus temporar.
Permitivitatea relativ er se determin experimental cu pun i de joas sau nalt
tensiune, ca raportul ntre capacitatea C a unui condensator avnd ntre pl
cile sale dielectricul studiat i respectiv capacitatea Co a
aceluia i condensator, avnd ntre pl ci vid (sau aer), adic :
(1.18.)
er C
Co

sau considernd rela ia ce define te capacitatea condensatorului:

er = e/e0

(1.19)

unde: eo = 1/4 p 9 109 [F/m] = 8,8541012 [F/m] constituie

permitivitatea vidului (sau constanta dielectric a vidului). Rezult c n condi
ii date i permitivitatea dielectricului constituie o constant de material.
16

Permitivitatea relativ are valori ncepnd de la aproximativ r = 1

pentru gaze, pn la cteva unit i pentru solide, zeci de unit i pentru unele
lichide i sute sau mii pentru materiale feroelectrice.
3). Str pungerea dielectricilor, care const n trecerea direct a
curentului electric prin corpul dielectricului a ezat ntre pl cile unui
condensator, la o anumit valoare a intensit ii cmpului electric exterior. Se
define te ca rigiditate dielectric intensitatea ES a cmpului electric uniform
la care se produce str pungerea i constituie o m sur a acestui fenomen.
Rigiditatea dielectric se determin ca raportul ntre tensiunea electric U
aplicat condensatorului care con ine dielectricul i distan a d dintre arm
turile sale, adic
Es U
d

kV efectiv
cm

(1.20.)

Determinat n condi ii date, rigiditatea dielectric constituie de

asemenea o constant de material i este cuprins ca valoare ntre cteva zeci
de [kV/cm] pentru gaze pn la sute de [kV/cm] pentru lichide i solide sau
chiar mii de [kV/cm] pentru unele solide impregnate.
4). Pierderile de energie activ n dielectrici care sunt datorate curen
ilor de conduc ie la cmpuri electrice invariabile n timp i respectiv curen
ilor de conduc ie i celor de polariza ie electric la cmpuri electrice
alternative. Ca urmare, n cmp alternativ, curentul total prin dielectric ne
mai fiind pur alternativ, unghiul de defazaj ntre curent (I) i tensiune (U)
este < /2, Diferen a /2 = se nume te unghi de pierderi dielectrice,
iar tg se nume te factor de pierderi i serve te ca m sur a fenomenului de
pierderi. Factorul de pierderi are valori cuprinse ntre (10 1 ) i (104) pentru
majoritatea dielectricilor. Determinarea experimental a factorului de
pierderi se face cu pun i RC de joas sau nalt tensiune. Pentru condi ii date
la determinarea experimentului factorul de pierderi constituie o constant
de material. De i pierderile de energie activ n dielectrici pot fi determinate
prin m rimi specifice n [W/m 3] prin raportarea lor la volum, sau n [W/kg]
prin raportare la mas , se folose te totu i factorul de pierderi deoarece
permite stabilirea de rela ii analitice cu alte m rimi care influen eaz
pierderile.
Cele patru fenomene de baz ce caracterizeaz comportarea
dielectricului n cmp electric vor fi analizate n continuare, cu scopul de a
stabili condi iile pe care ele le impun la alegerea sau utilizarea dielectricilor
n aplica ii practice.
17

1.2.1 CONDUCTIVITATEA MATERIALELOR

ELECTROIZOLANTE.
n concluziile la teoria zonelor de energie s-a stabilit c la corpurile
electroizolante zona de valen este complet ocupat de electroni (fig. 1.1.) iar
zona interzis este suficient de mare pentru ca la temperaturi cu cmpuri
electrice normale s nu fie posibil trecerea electronilor n zona de conduc ie i
respectiv apari ia curentului electric n dielectric. n aceste condi ii
conductibilitatea dielectricilor nu este de natur electronic ci de natur ionic
. Totu i la cmpuri electrice intense (peste 10 2 [kV/cm]), n dielectricii
solizi apare i o conductibilitate de natur electronic.
Dac se reprezint deci conductivitatea electric n func ie de intensitatea
cmpului electric E (fig. 1.2.) se constant c valoarea total a conductivit ii
nu depinde de E pn la intensit i de aproximativ (10 kV/cm) ca i n cazul
legii lui Ohm.
Peste (10 102 kV/cm) conductivitatea cre te foarte repede cu E,
datorit componentei electronice a conduc iei, dup care se ajunge la str
pungere (la aproximativ 103 kV/cm). Domeniul n care depinde de E, este
explicat prin rela ia lui Poole:
ABE

(1.21.)

unde A i B sunt constante de material.

Figura 1.2. Varia ia conductivit ii electrice cu intensitatea cmpului

electric
18

Pe de alt parte n cmp electric invariabil dup punerea sub tensiune a

dielectricului, curentul variaz n timp ca n fig. 1.3. datorit curen ilor de
polarizare ip, care se atenueaz dup un interval de timp de cteva secunde
sau minute, dup felul polariz rii, prin dielectric continund s treac numai
curentul de conduc ie (ic).

Figura 1.3. Varia ia n timp a curentului total

Ca urmare la determinarea rezistivit ilor dielectricilor, curentul se cite
te dup aplicarea tensiunii, la 1 3 minute pentru a se ob ine numai
componenta de conduc ie. Prin urmare dielectricii nu prezint rezistivit i
infinite. Ordinul de m rime al rezistivit ilor depinde de starea de agregare a
dieletricilor i se modific n timp datorit unor condi ii de mediu, ca
umiditatea, temperatura, presiunea, forma i valoarea tensiunii aplicate etc.
Din aceast cauz pentru sistemele de izola ie ale agregatelor electrotehnice
de mare importan sunt prev zute verific rii periodice ale st rii izola iei.
n func ie de starea de agregare a dielectricilor se pun n eviden unele
particularit i ale procesului de conduc ie.

1.2.1.1. CONDUCTIVITATEA GAZELOR ELECTROIZOLANTE.

Un gaz nu este n mod obi nuit un amestec numai de molecule neutre
ci i de molecule ionizate. Starea de ionizare a gazului, n absen a unui cmp
electric exterior, este ntre inut de diver i ionizatori externi, cum sunt radia
iile cosmice, razele X, radia iile elementelor radioactive terestre, sau chiar
unde electromagnetice de frecven nalt .
19

Ca urmare ntr-un cm3 de gaz n timp de o secund se produc 510

perechi de ioni 15. Aceste ioniz ri se numesc neautonome sau ntre inute.
n acela i timp ionii, par ial, se recombin . Unele molecule sunt ionizate i de
c tre molecule neutre sau de c tre ionii din gaz, datorit agita iei termice. Ca
urmare printr-un gaz, considerat nchis ntr-un tub prev zut cu doi electrozi
plani paraleli se stabile te un curent electric dac la electrozi se aplic o
tensiune orict de mic .
Curentul prin gaz variaz cu tensiunea aplicat ca n fig. 1.4. Pn la
tensiunea U0 curentul variaz corespunz tor legii lui Ohm. ntre U 0 i
tensiunea critic Uc curentul se men ine la valoarea de satura ie I S deoarece
ionii accelera i de cmpul electric nu posed energii egale cu energia de
ionizare a gazului. La tensiuni mai mari dect tensiunea Uc, energiile ionilor
accelera i de cmpul electric devin mai mari dect energia de ionizare a
gazului i are loc desc rcarea n avalan , autonom , care duce la str pungerea
gazului.
La valori mici ale intensit ii cmpului electric aceasta nu
influen eaz generarea de purt tori de sarcin . La fiecare valoare a intensit ii
cmpului electric se stabile te, n regim sta ionar, un echilibru ntre procesul
de ionizare i cel de recombinare i conduc ie. Cu cre terea cmpului
componen a conduc iei cre te fa de cea a recombin rii.

Figura 1.4. Varia ia curentului printr-un gaz electroizolant

La tensiuni mai mari dect valoarea critic U c datorit ioniz rilor
produse de ionii accelera i de cmpul electric, ct i de electronii emi i de
electronii metalici n urma bombard rii lor de c tre ioni, se ob ine desc
rcarea independent de ionizatorii externi, care are loc n avalan , nct cre
terea nelimitat a curentului prin gaz, realizeaz str pungerea.
20

Cum n cazul aerului, pentru d =1 cm se ob ine, U s = 10 [kV], iar J =

10
[D/cm2], rezult c la cmpuri mici gazele sunt electroizolante
corespunz toare dac nu sunt ionizate.
n utilajele electrotehnice pentru industria minier , se utilizeaz gaze
electronegative, care au proprietatea de a capta electronii dintr-o desc rcare
electric , eliminnd astfel apari ia exploziilor gazelor de min , la
deschiderea circuitelor din instala ii. Rigiditatea dielectric a acestor gaze
este mai mare dect a aerului.
-19

1.2.1.2. CONDUCTIVITATEA LICHIDELOR

ELECTROIZOLANTE.
Pentru dielectrici lichizi, procentul conduc iei electrice nc nu este
elucidat sub aspectul comport rii purt torilor de sarcin . O parte din purt
torii de sarcin apar datorit ionizatorilor externi. Datorit ns faptului c
energia de disociere a moleculelor lichidului este mai mic dect energia de
ionizare a gazului, n lichide apar mai mul i purt tori de sarcin dect n gaz,
sub ac iunea aceluia i ionizator. Pe de alt parte, n lichidele polare, cmpul
electric al dipolilor nlesne te procesul de disociere. De asemenea n lichid i
energia de ionizare este mai mic dect n gaze. Ca urmare, sub ac iunea
ionizatorilor externi, n lichide apar aproximativ 200 [perechi de ioni / cm 3
s].
La cmpuri mici i mijlocii conductibilitatea este de natur ionic .
Din aceast cauz n electrotehnic se folosesc dielectricii lichizi nepolari sau
foarte slabi polari. n lichide, cea mai mare probabilitate de disociere o
prezint impurit ile, sau particulele coloidale ale acestora , care m resc astfel
foarte mult conductivitatea. Sub ac iunea cmpului electric, impurit ile
disociaz i se ionizeaz i mai u or. Mobilitatea purt torilor de sarcin , la
temperatura camerei este de numai 101 ~ 104 [cm2/V s]. Din cauza
drumului mediu liber parcurs, foarte scurt, sec iunea ionizat a electronilor
este neglijabil , la cmpuri mici. Electronii se asociaz moleculelor formnd
ioni negativi, cu mai mare probabilitate chiar dect apari ia electronilor
liberi.
La cmpuri electrice intense intervine n mod predominant mi carea
electronilor i ac iunea lor ionizat n raport cu cea a ionilor.
Conduc ia se studiaz n absen a cmpului electric exterior cnd are
loc numai difuzia (mic orarea dezordonat ) a ionilor, respectiv sub ac iunea
cmpului electric exterior cnd are loc i o mi care ordonat dup direc ia
acestui cmp.
21

n absen a cmpului electric difuzia ionilor n lichid e afl n echilibru

dinamic, nct nu rezult un transport de sarcin dup o direc ie preferen ial ,
deci curentul electric este nul. Cauzele difuziei sunt att de natur termic ct
i electric .
Rezult c dielectricii lichizi i m resc conductivitatea cu cre terea
temperaturii. La cmp electric exterior nenul, energia de activare a
moleculei (U) (necesar pentru a trece dintr -o pozi ie n alta vecin ) este
mic orat corespunz tor energiei poten iale a cmpului (ceea ce se va ar ta n
cazul dielectricilor solizi).
Datorit contribu iei esen iale a impurit ilor i moleculelor polare la cre
terea conductivit ii, se impune p strarea n exploatare a dielectricilor lichizi
(uleiurilor) n cea mai bun stare de puritate.
Rezistivitatea de volum a dielectricilor lichizi se determin cu pun i de
m sur a rezisten elor, folosindu-se fie un sistem de electrozi cilindrici
concentrici, care cuprind ntre pere ii lor un strat de lichid cu grosimea de 1
[cm], generatoarea cilindrului fiind de 100 [mm], fie un sistem de sond
cilindric de sticl , deschis la baza inferioar , n interiorul c reia se afl doi
electrozi metalici de form p trat cu latura de 1 [cm], a eza i paralel la distan
a de 1 [cm].
1.2.1.3. CONDUCTIVITATEA MATERIALELOR
ELECTROIZOLANTE SOLIDE.
Conductibilitatea dielectricilor solizi depinde de structura lor.
Dielectricii solizi cu structur amorf au conductibilitate de natur ionic i cum
pot fi considera i ca ni te lichide suprar cite, rezult c expresia conductivit ii
este aceea i (1.14) ca i n cazul lichidelor cu observa ia c difer frecven a de
oscila ie termic i timpul de relaxare , fa de cazul lichidelor. De exemplu
dac la lichide = 10111012 [s], la solidele amorfe este de ordinul
zecilor sau sutelor de ani.
n cazul dielectricilor solizi cu structur cristalin , conductibilitatea
este de natur ionic la cmpuri mici i mijlocii i temperaturi uzuale, iar la
cmpuri foarte intense, a a cum s-a ar tat anterior (fig. 1.2.) apare i o
conductibilitate de natur electronic care se suprapune peste prima, efectul
cumulativ putnd s duc la str pungere.
Conductibilitatea ionic este cauzat de ioni care primesc n decursul
timpului o energie suficient , generat de vibra iile re elei, nct p r sesc
nodul re elei i migreaz fie ntr-un intersti iu, fie ntr-un alt nod vacant.
22

Al i purt tori de sarcin provin din ionii impurit ilor care formeaz de
asemenea defecte de re ea de intersti iu. Ionii care formeaz defecte fiind
mai slab lega i de re ea contribuie la conduc ia electric .
Lund n considerare toate sursele de purt tori de sarcin , inclusiv
electronii ce pot fi promova i la cmpuri foarte intense n banda de conduc
ie, ct i golurile r mase n urma lor n banda de valen , expresia general a
conductivit ii dielectricilor solizi este:
Wi

kT

(1.22.)

s = sci e
i

n care energia Wi este constituit din energia corespunz toare barierei de

poten ial i din energia necesar form rii defectelor. Energia barierei de poten
ial se mai nume te i energie de activare.
Din (1.22.) se deduce c la dielectricii solizi, conductivitatea cre te
sensibil cu temperatura. Rela iile stabilite pentru conductivitate sunt
valabile pn la limita temperaturii care nu schimb structura i calit ile
electroizolante ale corpului. Dac se reprezint grafic (1.22.) ca n figura 1.5.,
se poate constata c n domeniul temperaturilor uzuale conductivitatea este
predominant ionic , datorit defectelor de re ea, iar la temperaturi mai mari,
apare i conductivitatea electronic . De asemenea, din (1.22.) rezult c nu
depinde de intensitatea cmpului electric, n domeniul cmpurilor mici i
mijlocii. La cmpuri ns ce dep esc (10 6 V/m), cum s -a ar tat n figura 1.2.
conductivitatea depinde de intensitatea cmpului electric E conform legii
lui Poole (1.21.).

Figura 1.5. Dependen a de temperatur a conductivit ii.

Rezistivitatea de suprafa este datorat depunerii pe suprafa a
dielectricilor solizi a vaporilor din atmosfer n amestec cu diverse impurit i.
23

Se formeaz n acest fel o pelicul la suprafa a dielectricului care

prezint conductivitate, n general, mai mare dect conductivitatea
volumetric . n stare uscat i curat , suprafa a dielectricului poate avea
rezistivitatea superioar , ca ordin de m rime, rezistivit ii de volum. Aceasta
este ns o situa ie ideal , care n practic nu se poate realiza. Starea suprafe ei
dielectricului, din punct de vedere al conduc iei electrice se caracterizeaz
prin rezistivitate de suprafa ce se determin experimental a a cum s-a ar tat
anterior.
Pentru a avea m rimi de referin univoc determinate m sur rile se
efectueaz pe suprafe ele necontaminate ale dielectricului. Pe suprafe ele
dielectricilor n exploatare ntre elementele de contaminare predomin
scamele care fiind foarte higroscopice absorb din atmosfer vapori de ap ,
uleiuri, acizi etc. Ceea ce m re te considerabil conductivitatea. Pe de alt
parte impurit ile ionizate din atmosfer pot fi antrenate la suprafa a
dielectricilor i de cmpurile electrice ale ma inilor i aparatelor electrice. La
ma inile i aparatele electrice deschise conduc ia stratului de conta-minare
este influen at i de umiditatea i temperatura atmosferic .
Pentru a evita scurgerile de curen i pe suprafa a dielectricului se
impune p strarea suprafe ei acestuia n stare ct mai curat i folosirea unor
lacuri de acoperire la care s nu adere impurit ile i umezeala. Consecin ele
grave ale nerespect rii acestei condi ii (sau a folosirii unor materiale
neadecvate) se ntlnesc la pl cile de borne ale ma inilor electrice; la
bateriile uscate; la indusul ma inii electrice cu colector, unde datorit
depunerii n particula de pe suprafa a izola iei a pulberii de grafit rezultate
din uzura periilor, apar scurtcircuite ntre lamele i, n final, explozia
colectorului. Avaria este grav mai ales la motoarele de trac iune, la
generatoarele locomotivelor Diesel electrice i a excitatoarelor din
centralele electrice etc.
Men inerea la valori ridicate a rezistivit ilor de volum i de suprafa ,
este determinant pentru longevitatea oric rui sistem de izola ie i implicit a
produselor electrotehnice.
1.2.2. POLARIZAREA DIELECTRICILOR.
Fenomenul de polarizare electric const n redistribuirea sarcinilor
electrice de semn opus din masa dielectricului, sub ac iunea unui cmp
electric exterior, prin mi c ri limitate, uneori elastice, pe distan e
microscopice, avnd ca rezultat apari ia de momente electrice induse
temporar, a c ror rezultant este, dup direc ia cmpului electric E , vectorul
de polariza ie P .
24

Exist corpuri care prezint polariza ie permanent n absen a unui cmp

electric exterior, cum sunt corpurile care con in molecule polare
(dipoli), caracterizate prin vectorul de polariza ie permanent Pp , sau altele
nepolare, care nu se polarizeaz dect sub ac iunea cmpului electric i a c
ror stare de polarizare dispare odat cu anularea cmpului aplicat, ca fiind
caracterizat prin vectorul de polariza ie temporar . Timpul n care se
realizeaz polarizarea, din momentul aplic rii cmpului electric, constituie
durata de relaxare tr, aceasta avnd o valoare caracteristic pentru fiecare fel
de polarizare. n continuare se vor lua n considerare corpurile care nu
prezint momente electrice permanente, deci corpurile nepolare. Fenomenul
de polarizare constatat la nivel microscopic se caracterizeaz prin m rimi
specifice, determinate experimental cum este susceptivitatea electric e,
respectiv permitivitatea relativ r. Aceste fenomen este ns efectul
macroscopic al unor procese ce au loc la nivel macroscopic, adic la nivelul
atomilor, ionilor, moleculelor, dipolilor etc., care de asemenea se
caracterizeaz prin m rimi specifice, care de asemenea se caracterizeaz prin
m rimi specifice, cum sunt: n concentra ia moleculelor (particulelor)
polarizabile i polarizabilitatea (sau capacitatea de polarizare). Pentru
utilizarea n practic a dielectricilor prezint importan stabilirea unor rela ii de
leg tur ntre cele dou specii de m rimi, urm rindu-se pe de o parte s se ob in
cu ajutorul m rimilor determin rile experimental) date despre m rimile care
caracterizeaz procesele microscopice i despre factorii ce le influen eaz , iar
pe de alt parte s se stabileasc posibilit ile optime de utilizare a dielectricului.
Din punct de vedere macroscopic, starea electric de polarizare
exprimat prin vectorul de polariza ie P , se afl n interdependen cu
vectorul induc ie electric D i cu intensitatea cmpului electric E , prin legea
leg turii n cmp electric:
(1.23)
D 0 E P
Cum s-a convenit anterior s se considere numai corpurile nepolare, rezult c
Pp 0 vectorul total de polariza ie P Pt Pp , iar (1.23), SIU, devine:
(1.24)
D 0 E Pt
Polariza ia temporar pentru corpurile izotrope, nepolare, avnd temperatura
constant n toat masa lor, se exprim sub forma:
(1.25)
Pt 0e E
unde e este susceptivitatea electric , iar celelalte m rimi cu semnifica ii
cunoscut.
nlocuind (1.25) n (1.24) rezult :
(1.26)
D 0 E 0e E 0 E eE
25

unde e = e0e r constituie pemitivitatea absolut , iar er = (1 + ce)

permitivitatea relativ .
innd seam de er rezult :
iar (1.25) devine:

e r 1

(1.27)

Pt = e0 er -1E

(1.28)

adic vectorul de polariza ie este exprimat numai prin m rimi specifice

efectului macroscopic al polariz rii, determinabil experimental.
La nivel microscopic, dac not m cu P momentul electric indus temporar al
particulei (moleculei) polarizabile, vectorul de polariza ie se constituie ca
sum a acestor vectori de polariza ie, la limita unui volum elementar DV:
np

Pt = lim
V0

(1.29)

DV

Pentru un volum V considerat egal cu unitatea, n care exist n particule

polarizabile avnd fiecare o valoare medie P a vectorului elementar de
polariza ie, (1.29) devine:
Pt = n p
(1.30)
Pentru majoritatea corpurilor nepolare, vectorul elementar de polariza ie este
propor ional cu intensitatea cmpului electric
E , prin polarizabilitatea a,
p = aE
adic :
(1.31)
nct (1.30) devine:
Pt = n a E
(1.32)
Egalnd (1.32) cu (1.28) se ob ine:
(1.33)
er = n a +1
e0

respectiv cu (1.27):

ce =

na

(1.34)

e0

adic o rela ie de leg tur ntre m rimile specifice procesului microscopic i

cele specifice efectului macroscopic. Din (1.34) rezult c determinnd
i admi nd n = NAv =
pe cale experimental e,
respectiv ce
23
1
6.02 10 [mol ], se ob ine, cu aproxima ie polarizabilitatea n cazul
fiec rei specii de polarizare.
Dup natura lor se deosebesc urm toarele specii de polarizare electric :
polarizarea electronic (este de deformare, sau dielectric );
polarizarea ionic ;
polarizarea dipolic (sau de orientare, sau paraelectric );
polarizarea de relaxare (specific materialelor neomogene).
26

1.2.2.1. POLARIZAREA ELECTRONICA.

Aceast specie de polarizare are loc la nivelul atomului i const n
deplasarea centrului de greutate a electronilor fa de centrul nucleului
atomic, sub ac iunea unui cmp electric exterior (fig. 1.6). Polarizarea
electronic este caracteristic pentru gaze monoatomice, cum este hidrogenul
n toate st rile de agregare (con innd un singur fel de atomi), sau pentru
unele solide cum este parafina, sulful, polistirenul etc. n ge-neral to i
dielectricii prezint i aceast polarizare chiar dac ponderea revine altor specii
de polariz ri. Dac de exemplu, pentru un gaz monoatomic se presupune c
sarcina electronilor Q = z e (unde z este num rul electronilor) este
repartizat uniform n jurul nucleului, ntr-o sfer de raz R, ca n fig. 1.6,
centrul acestora coincide cu centrul atomului cnd E = 0.

Figura 1.6. Polarizarea electronic

Dac ns se aplic un cmp exterior E 0, (fig. 1.6.b), centrul sarcinilor
negative se deplaseaz cu o distan x, fa de centrul atomului. Ca urmare apare
un moment electric indus temporar, orientat n sensul
cmpului E
(1.35)
pe = n e x
Din fig. 1.6 b. se deduce c asupra nucleului se exercit for a F datorat
cmpului electric E :
F=zeE
(1.36)
i for a F1 datorat cmpului E1 , adic for a exercitat de sarcinile negative
cuprinse n sfera de raz x. Sarcinile negative din sfera de raz x pot fi
considerate echivalente cu o sarcin egal concentrat n centrul acestei sfere
de raz R.
27

Rezult
(1.37)

Pe = ne a E

Pn aici s-a admis c valoarea macroscopic a cmpului electric E este

egal cu valoarea local E 0 a cmpului n dielectric. n realitate ns , valoarea
local E0 a cmpului sau valoarea efectiv care realizeaz de fapt ac iuni
ponderomotoare asupra microparticulelor din corp, este:
E0 = E + P
(1.38)
e0

n care g = 1/3 pentru sistemele de microparticule cu simetrie sferic (de ex.

sistemul cubic de cristalizare) i g = 0 n cazul sistemelor f r simetrie sferic ,
de exemplu n cazul gazelor. n (1.38) se va admite conform conven iei
(1.24) cu P reprezint numai polariza ie temporar . Dac n locul valorii
macroscopice a cmpului E din (1.37) scriem valoarea local E c din (1.38) n
care not m P e (polariza ie electronic , temporar ) n loc de P , se ob ine:
g
e

Pe = ne ae E +

Pc

(1.39)

de unde:
Pe =

n e ae E
1 - g n e ae
e0

(1.40)

este vectorul de polarizare electronic exprimat n m rimi microscopice sau

egalnd (1.40) cu (1.28), se ob ine expresia susceptivit ii:
c = n e ae / e0 = er - 1
(1.41)
ee

1-

n e ae

e0

din care rezult acelea i concluzii ca i din (1.34). De exemplu dac se admit m
rimile caracteristice pentru un material nepolar, la valorile: ae = 1040
[Fm2], ne = 5 1028 [m3] i g = 1/3, rezult cee = 0,75 i e = 1,75, adic
valori foarte apropiate de cele determinate experimental.

28

Figura 1.7. Dependen a de temperatur a permitivit ii relative

De i polarizarea electronic nu este dependent de temperatur , totu i
dac se atinge limita acesteia la care se produc modific ri de structur , apar i
modific ri ale polariz rii. De exemplu la parafin , fig. 1.7, n apropierea
temperaturii de topire, permitivitatea scade, deci polarizarea, este influen at
de temperatur , la aceast limit .
1.2.2.2. POLARIZAREA IONIC .
Aceast specie de polarizare este caracteristic pentru gazele
poliatomice i pentru corpurile cu structur ionic , cum este clorura de sodiu,
mica. Polarizarea ionic const n schimbarea pozi iei de echilibru a
ionilor vecini de semne opuse, sub ac iunea unui cmp electric exterior E .
Acesta are ca urmare apari ia unui moment electric, indus, temporar, diferit
de zero dup direc ia cmpului. Astfel, considernd trei ioni vecini (1, 2 i
3 n fig. 1.8 a), n absen a unui cmp electric exterior ( E = 0)
i se afl la

egal distan unul fa de altul i momentele electrice P 21 i P 23 sunt egale, deci

rezultanta lor este nul . Sub ac iunea unui cmp electrici exterior, ionii
pozitivi sufer o deplasare limitat n sensul cmpului electric iar ionii
negativi n sens invers, ca n fig. 1.8 b.
Prin urmare momentul electric al ionilor 2 i 3 este mai mare dect
cel al ionilor 2 i 1, adic :
(1.42)
P23 P21
i respectiv exist un moment electric indus, temporar, diferit de zero:
(1.43)
Pi P23 P21 i E
care constituie vectorul elementar de polariza ie ionic .

29

Figura 1.8 Polarizarea ionic

Vectorul de polariza ie ionic rezultant, pentru un volum unitar, n care
exist ni ioni, similar cu (1.30 i (1.32), este:
(1.44)
Pi = ni ai E
unde: i este polarizabilitatea ionic .
Considernd valoarea local a cmpului electric (1.38) n (1.44) i egalnd cu
(1.28), se ob ine:
c = ni ai / e0 = e -1
(1.45)

ei
1 - g ni ai
e0

Din (1.45) rezult c i polarizarea ionic este independent de intensitatea

cmpului electric, de temperatur i de frecven . Polarizarea ionic poate fi
considerat elastic , deci pentru polarizare nu se consum energie. Timpul de
relaxare este ceva mai mare dect n cazul polariz rii electronice, fiind
cuprins, de obicei, ntre (1011) i (1012) [s]. Duratele de relaxare diferite
ntre polarizarea electronic i cea ionic , permite separarea acestora prin
determin ri experimentale la frecven e diferite. Corpurile care prezint
polarizare ionic , sunt supuse simultan i unei polariz ri electronice. Dac ns
se determin e (respectiv r) la frecven a pentru care durata unei
semiperioade este mai mic dect durata de relaxare la polarizarea ionic ,
rezult c aceasta din urm nu se mai poate realiza i respectiv se manifest
numai polarizarea electronic . Prin urmare este posibil ca pe cale
experimental s se determine valoarea global a susceptivit ii electrice (1.45) i
s se separe polarizarea electronic de cea ionic . Considernd prezen a
ambelor specii de polarizare, din (1.35) i (1.28), avnd n e = ni = n, se ob
ine:
(1.46)
P = Pe + Pi = nae + ai E
3
0

sau egalnd cu (1.28) rezult :

ei na0 + ai / e0 1
1

(1.47)

ne i

Determinnd experimental susceptivitatea electric (1.47), la frecven nul ,

cnd se ob ine permitivitatea relativ static (rs), iar apoi la frecven optic , la
care polariza ia ionic nu se mai realizeaz , deci permitivitatea (r) define te
susceptivitatea cu rela ia (1.37) i admi nd c n = NAv (num rul lui Avogadro),
se g se te e i i prin diferen a celor dou rezultate. La frecven e optice, r
se determin prin m surarea indicelui de refrac ie a c rui p trat este egal
aproximativ cu permitivitatea relativ (n cazul gazelor i a lichidelor neutre i
slab polare).
Din (1.47) se deduce c pentru gaze (cum = 0), rezult :
na0 + ai 1
(1.48)
ei

iar dac polarizarea este predominant de natur ionic , susceptibilitatea se

reduce la forma:
(1.49)
ei ni ai 1

La corpurile cu polarizare ionic Pi este de 23 ori mai mare dect Pe , n

schimb la cele cu polarizare electronic , Pi este practic neglijabil. i n cazul
polariz rii ionice, la temperaturi ce influen eaz structura corpului, apar
modific ri ale polariza iei iar susceptivitatea electric nu mai r mne
independent de temperatur .
1.2.2.3. POARIZAREA DIPOLIC
Polarizarea dipolic este specific corpurilor cu molecule polare cum sunt
lichidele polare, unele gaze sau solidele care con in dipoli. Ea se mai nume
te polarizare paraelectric sau de orientare. Corpurile polare prezint un
moment electric propriu permanent, la nivelul moleculelor polare i n absen
a unui cmp electric exterior. Polarizarea dipolic const n orientarea dipolic
sub ac iunea unui cmp exterior E.
n corpurile cu structur polar , sub ac iunea cmpului electric exterior E, se
realizeaz pe lng polarizarea dipolic i o polarizare ionic , deoarece are loc o
alungire a dipolilor. La nivelul atomilor se produce, binen eles, i o
polarizare electronic .
31

Deci polariza ia total rezult din compunerea celor trei specii de

polarizare, chiar dac polarizarea dipolic fiind mult mai mare n practic se
neglijeaz polariz rile ionic i dipolic . Rezult :
P = Pe + Pi + Po

(1.50)

unde prin Pc s-a notat vectorul polariza iei de orientare (dipolic ).

Considernd concentra iile i respectiv polarizabilit ile, pentru un cmp
exterior E , (1.50) se poate scrie:
(1.51)
P = n e ae + ni ai E + Po
Vectorul polariza iei de orientare Po reprezint rezultanta vectorilor de
polariza ie permanent Pp pentru unitatea de volum la un cmp exterior E dat.
n absen a cmpului electric exterior (E = 0), dipolii au orientare
haotic i rezultanta lor ( Po ) fiind nul , corpul apare neutru, nepolarizat
electric (fig. 1.9).

Figura 1.9 Polarizarea dipolic

La cmpuri mici orientarea dipolilor este numai par ial . Pe m sur ce
cmpul aplicat devine mai intens orientarea dipolilor se amplific , nct la o
anumit valoare a cmpului, se ajunge la satura ie, adic to i dipolii au aceea i
orientare ca i cmpul electric aplicat (fig. 1.9). Datorit faptului c prin
procesul de polarizare de orientare are loc mi carea n spa iu a moleculelor
polare, rotirea momentelor electrice n direc ia cmpului aplicat, rezult c
procesul se realizeaz cu un consum de energie pe seama cmpului electric.
Pe de alt parte consumul de energie este cu att mai redus cu ct dipolii sunt
mai ndep rta i ntre ei, deci cu ct influen a lor reciproc este mai mic , cum
este cazul gazelor (la presiunea mic ) sau cel al lichidelor (mai ales slab
polare). ntr-un solid ns unde for ele de coeziune sunt mari, polarizarea de
orientare se face cu consum mare de energie i este n general mai mic dect
la gaze sau lichide.
32

Rezult c dac se determin experimental (respectiv primul membru) i

se reprezint n func ie de (1/T) ca n fig. 1.10), pentru dou valori diferite ale
temperaturii, la intersec ia dreptei cu axa ordonatelor se ob ine primul
termen al membrului al doilea. Din panta dreptei (n0p2p/3k) se determin
momentul electric permanent pp.

Figura 1.10. Separarea polariza iilor

Pentru separarea polarizabilit ilor 0 i i se efectueaz dou determin ri
experimentale la o temperatur suficient de mare i frecven nul , respectiv
optic .
Rezult :

p2

0 r 1 n e i n o ekT

(1.52)

La temperaturi suficient de mare rela ia (1.52) devine:

0 1 ne i

(1.53)

n
e
i 1

0

(1.54)

De unde:

care este valabil pentru frecven e foarte joase (f 0) la care se manifest

att polarizarea electronic ct i cea ionic , iar permitivitatea relativ este egal
cu valoarea sa static (r = rs) astfel c din (1.54) se ob ine:
1
(1.55)

e i 0 re
n

33

Efectund o m surare la frecven e nalte (f ) pentru care durata

semiperioadei cmpului electric exterior este mai mic dect timpul de
relaxare al polariz rii ionice, polarizabilitatea acesteia (i) devine
neglijabil , iar permitivitatea relativ corespunde frecven elor optice (r =
r), adic :

n ae

er =

(1.56)

+ 1 e0

de unde:
a

(1.57)

iar innd seama de (1.56) rezult

a

i o polarizabilitatea ionic :

(1.58)

Cu rela iile anterioare se ob in date asupra contribu iei fiec rei specii de
polarizare i respectiv asupra factorilor ce influen eaz polarizarea
dielectricilor polari n ansamblu. n consecin se ob in datele necesare asupra
m rimilor microscopice prin intermediul celor macroscopice. Deci este util s
se urm reasc influen a cmpului electric, temperaturii i frecven ei asupra
polariz rii dipolice a gazelor i lichidelor.
Influen a temperaturii, n cazul gazelor, rezult din (1.52) sub forma:
0
(1.59)
a0 = Pp2 1 = C
ek T

se ob ine:

P 0 = n 0a E 0 =

nC
0

(1.60)

adic polariza ia dipolic scade hiperbolic cu temperatura.

Dac n (1.60) se nlocuie te E cu valoare local (1.38), se ob ine:
n
(1.61)
ce0 = n0a0 / e0 = 0 C0 / e0T = er -1
1

- g n 0 a0
e0

1- g

e
0

nC
0

care n cazul gazelor ( = 0) devine:

c = n0C0
e0

(1.62)

eo T

rezultnd deci varia ia hiperbolic a susceptivit ii electrice cu temperatura

reprezentat n fig. 1.11.

34

Figura 1.11. Varia ia susceptivit ii dipolice a gazelor cu temperatura

n cazul lichidelor ns trebuie luat n considerare i vscozitatea.
Dac temperatura lichidului r mne mai mare dect o valoare critic (T > T c),
este valabil rela ia (1.61). Dac ns temperatura scade (T < T c) sub valoarea
critic , vscozitatea cre te, iar orientarea dipolilor la aceea i intensitate a
cmpului electric este mai redus . Timpul de relaxare al polariz rii cre te cu
sc derea temperaturii conform rela iei stabilite de c tre Debye:
t rc 4b3
kT

(1.63)

unde: b este raza nucleului; vscozitatea. Deci la lichide varia ia

susceptivit ii cu temperatura prezint un maxim pentru T = Tc ca n fig. 1.12.

Figura 1.12. Varia ia susceptivit ii dipolice a lichidelor cu temperatura

Pentru exemplificare se prezint n fig. 1.13 rezultatele experimentale
pentru uleiul sintetic sovol (foarte polar).
35

Figura 1.13. Varia ia permitivit ii relative dipolice a uleiului sintetic sovol

cu temperatura
Influen a frecven ei, dac se consider dielectricul n cmp alternativ,
innd seama de (1.63), se manifest printr-o sc dere a polariz rii la o valoare
critic a frecven ei. Frecven a critic se ob ine n cazul n care timpul de
relaxare a polariz rii dipolice (tr0) devine egal cu durata unei semiperioade a
tensiunii aplicate dielectricului. Deci pentru (T 0 = 2 tc) unde T0 este durata
unei perioade a tensiunii aplicate, se ob ine

din f = 1/T0 = 2 i (1.63), valoarea critic a frecven ei:

fc 1 kT [Hz]
2t 0

(1.64)

8b

care depinde de natura materialului prin m rimea (b) i de starea acestuia

prin vscozitatea (). n fig. 1.14 s-a reprezentat varia ia susceptivit ii
dipolice la lichide i gaze.

Figura 1.14. Varia ia susceptivit ii dipolice cu frecven a

36

Ct timp f < f0, durata unei semiperioade a tensiunii aplicate fiind mai
mare dect timpul unei semiperioade a tensiunii aplicate fiind mai mare
dect timpul de relaxare, dipolii se orienteaz i polarizarea dipolic se men
ine ridicat . Cnd f > f0, n timpul unei semiperioade avnd (T0 / 2 < t r0)
dipoli nu se mai orienteaz i respectiv permitivitatea se reduce la valoarea (
r) pe care materialul o prezint numai datorit polariz rii electronice i
eventual ionice.
n domeniul critic, nvecinat frecven ei fc, polarizarea dipolic este
numai par ial , adic dipolii oscileaz n jurul unei pozi ii de echilibru,
corespunz toare frecven ei. Amplitudinea de oscila ie scade cu ct frec-ven
a cre te, anulndu-se la f > f0. n domeniul frecven elor mici, permitivitatea
este egal cu valoarea sa static (re).
Dependen a polariz rii dipolice de intensitatea cmpului de
temperatur i de frecven , denot c ea nu este elastic , deci se face cu consum
de energie.
Ca urmare n cmpuri alternative ace ti dielectrici se nc lzesc
suplimentar fa de cazul cmpului invariabil n timp, deoarece pe lng
pierderile de energie datorate conduc iei electrice, mai apar i cele datorate
polariz rii dipolice.
Dac se consider cazul dielectricilor care prezint toate cele trei tipuri
de polariz ri, f r ca cea electronic i ionic s fie neglijate, vectorul total de
polarizare, considernd valoarea local (1.38) a cmpului electric, devine:
P=

ne ae + ni ai + n0 a0
1 - g ne ae + ni ai + n0 a0
e

(1.65)

innd seama de (1.59) i egalnd (1.65) cu (1.28) se ob ine

1
susceptivitatea total :

ne ae + ni ai

+ n0 a0 / T

c e = e0
= e -1
g
1 - ne ae + ni ai + n0 a0 / T

(1.66)

e0

Pentru gaze (cu = 0), susceptivitatea (1.66) se reduce la forma:

ce = g ne ae + ni ai + n0 a0 / T

(1.67)

e0

care p streaz varia ia hiperbolic cu temperatura a termenului corespun-z tor

polariza iei dipolice.
37

n cazul dielectricilor solizi, polarizarea dipolic depinde n mod

determinant de temperatur . La temperaturi foarte joase orientarea dipolilor
fiind mpiedicat de for ele mari de coeziune ntre molecule, susceptivita-tea
electric este de asemenea foarte mic . la temperaturi mai mari, agita ia
termic reduce for ele de coeziune i orientarea dipolilor este favorizat .
Cu cre terea temperaturii ns , au loc schimb ri de stare ale corpului.
La limita acestor temperaturi au loc salturi ale susceptivit ii, ca n fig. 1.13,
pentru temperaturile critice T0 i T"0.

Figura 1.15. Varia ia permitivit ii relative cu st rile de agregare

Temperatura foarte joas la care agita ia termic scade att de mult nct
moleculele polare i pierd mobilitatea se nume te temperatur de
transformare de faz de ordinul II (Tf)
1.2.2.4. POLARIZAREA DE RELAXARE.
La nceputul paragrafului privind polarizarea electric s-a men ionat ca
o specie distinct i polarizarea de relaxare (interfacial ). De fapt nu vine n
considerare o nou specie de polarizare ci o consecin comun fie n cazul
unui dielectric stratificat, fie n cazul unui amestec de dielectrici de naturi
diferite.
Prin urmare polarizarea de relaxare este echivalent , sau fictiv , n
raport cu speciile propriu zise de polarizare, ns prin rezultatele studiului
teoretic se stabilesc condi ii de importan cu totul deosebit pentru practic .
Polariza ia de relaxare se realizeaz ca o consecin a timpilor de relaxare
diferi i de la un dielectric la altul, cnd ace tia sunt pu i n contact. De aceea
polarizarea se mai nume te i interfacial .
38

Prin urmare un dielectric stratificat de exemplu, format din doi sau

mai mul i dielectrici omogeni, de natur diferite, va prezenta pe lng cele trei
specii posibile de polariz ri nc una suplimentar , cea de relaxare.

Figura 1.16. Varia ia cu frecven a a permitivit

ii relative totale

Dac se consider dielectricul unui condensator format prin

suprapunerea a doi dielectrici omogeni diferi i avnd permitivit ile absolute
1 i 2, iar conductivit ile electrice 1, respectiv 2, condi ia de apari ie a
polariza iei de relaxare este
(1.68)
e1s2 e2s1
Din studiul polariz rii dielectricilor rezult c la permitivitatea acestuia
contribuie toate tipurile de polariz ri posibile a se realiza la masa sa.
Efectele polariz rilor fiind aditive, rezult c sub ac iunea unui cmp
alternativ, la anumite valori ale frecven ei unele specii de polarizare dispar.
A a de exemplu dac se consider un dielectric la care se presupune c exist
toate tipurile de polariz ri i se reprezint varia ia permitivit ii cu frecven a ca
n fig. 1.16, se constat c peste valoarea optic a frecven ei nu mai r mne
dect polarizarea electronic .
n infraro u apare un maxim datorit rezonan ei de oscila ie termic a
moleculei, iar la frecven e optice datorit rezonan ei de oscila ie a
electronilor.
39

1.2.3. PIERDERI DE PUTERE ACTIV

N DIELECTRICI.

Cmpul electric alternativ determin o nc lzire suplimentar a

dielectricului n raport cu cmpul invariabil n timp datorit pierderilor de
energie prin polarizare electric , pe lng pierderile prin conduc ie electric .
Aceste dou aspecte ale comport rii dielectricului n cmp electric
alternativ se pun n eviden printr-o m rime numit permitivitate complex
care se determin cu considerarea pe de o parte a pierderilor de energie
cauzate de diferitele specii de polarizare, iar pe de alt parte a pierderilor
prin curen i de conduc ie (n cmp electric invariabil n timp au loc pierderi
de energie numai prin efectul Joule-Lenz a curen ilor de conduc ie).
Pentru caracterizarea att a fenomenului de polarizare ct i a
pierderilor de putere activ n dielectrici s-a introdus o m rime numit
permitivitate complex ( ). Spre deosebire de permitivitatea relativ care
constituie o m sur a fenomenului de polarizare, permitivitatea complex mai
con ine un termen (" numit coeficient de pierderi) care constituie o m sur
a pierderilor de energie activ att prin curen ii de polarizare ct i prin curen
ii de conduc ie. Deci permitivitatea complex caracterizeaz dielectric att
sub aspectul polariz rii ct i sub cel al pierderilor de energie prin polarizare
i prin conduc ie.
inem cont de pierderile prin polarizare electric pentru fiecare specie
de polarizare ce se caracterizeaz prin timpul de relaxare propriu (t r), care la
rndul s u depinde de m rimile specifice particulei polarizabile (raz ,
sarcin , concentra ie, polarizabilitate etc.)
n cmp electric alternativ, ca urmare a timpului de relaxare diferit de
zero, polarizarea nu este niciodat perfect elastic , ci este nso it de un
consum (orict de mic) de energie. Polarizarea dipolic , dup cum s-a v zut,
se realizeaz cu un consum mare de energie i chiar se obi nuie te s i se spun
polariza ie de absor ie (de energie). Ca urmare, conform legii
de leg tur n cmp elastic (1.24) induc ia electric
( D ) este defazat n
urma cmpului electric ( E ) cu un unghi () numit unghi de pierderi.
Acest defazaj se nume te post efect electric sau vscozitate electric .

40

Figura 1.17. Post efect electric

Admi nd defazajul , nseamn c dac unui dielectric i se aplic un
cmp electric alternativ E Eme jt , polariza ia i respectiv i respectiv induc
ia electric , vor fi decalate n urm (fig. 1.17) cu unghiul (), adic vor ob ine
valoarea respectiv corespunz toare lui E (de ex. cea maxim , sau cea
minim ) mai trziu (corespunz tor unghiului ).
Prin urmare induc ia electric defazat n urma cmpului electric cu

unghiul (), va avea forma D Dm e j t . Din (1.27) rezult c permitivitatea

relativ este:
D
0 E

Dm

Dn e jtjt

0 Em

0 Eme

cos j sin

(1.69)

care este de forma unei permitivit i complexe:

j

(1.70)
Identificnd termenii reali, respectiv imaginari din (1.69) i (1.70) rezult c :
(1.71)
D

E
0

Dm sin
r

E
0

cos

cos

sin

(1.72)

sau renun nd la indicele (r) f r a neglija c (1.71) i (1.72) sunt valori

relative, se mai poate scrie:

(1.73)
tg h
tg

numit factor de pierderi (de energie n dielectric), n care indicele (b) s-a
introdus pentru a sugera c la dielectricii feroelectrici pierderile de energie
sunt determinate de suprafa a ciclului de histerezis electric, iar aceasta este
propor ional cu factorul de pierderi (tg ).

41

Prin urmare dielectricul n cmp electric alternativ prezint pierderi

datorate proceselor de polarizare, prin faptul c polariza ia nu variaz n faz
cu cmpul electric aplicat, deci componenta ( ) care m soar aceste
pierderi nu este nul .
Considerarea pierderilor prin conduc ie electric se face pentru deduc
ia permitivit ii complexe ( ). n acest caz se consider dou situa ii extreme
ale unui condensator alimentat cu o tensiune alternativ
(U = U m sin wt).
Condensatorul ideal se realizeaz avnd ca dielectric ntre arm turi
vid, adic condensatorul este f r pierderi, deci curentul prin circuit posed
numai componen a capacitiv :
(1.74)
I I0 jUC0
unde C0 = e0.A/d este capacitatea condensatorului ideal (din fig. 1.18)
avnd aria arm turii (a), distan a ntre arm turi (d), iar e 0 = 8,854 10 12
[P/m] constanta dielectric a vidului. n diagrama fazorial curentul fiind pur
capacitiv este decalat cu p/2 naintea tensiunii, deci n modul, curentul
capacitiv este Ic = UwC0.

Figura 1.18. Condensatoarele: (a) ideal i (b) cu pierderi

Condensatorul cu pierderi (real) se ob ine introducnd ntre pl cile
aceluia i condensator un dielectric tehnic oarecare, c ruia i se aplic aceea i
tensiune alternativ U.
42

Spre deosebire de cazul ideal, apar dou elemente noi: pe de o parte

capacitatea condensatorului cre te la valoarea C = /d sau raportnd la C0
se ob ine
(1.75)
C = C0/0 = C0 = C0
iar componenta capacitiv a curentului, deodat cu /2 naintea tensiunii, este:
(1.76)
pe de alt parte condensatorul absoarbe de la re ea o putere activ
Ic = jUwC = jUweC0

P UI cos UIa

(1.77)
I i tensiunea aplicat , U .
unde este defazajul ntre curentul total
Curentul prezint deci o component activ , n faz cu tensiunea:
U
(1.78)
Ia = = UG
R

unde s-a notat cu R = d/ rezisten a chimic a dielectricului, respectiv cu

G conductan a acestuia. Curentul total din circuit este deci (fig. 1.18)
(1.79)
I = I0 + Ia = jweC0 U + GU
sau
G
G
(1.80)
I = jwC0
U e+

jwC0

= jwC0 U e- j

wC

n care notnd: G/C0 = " rezult :

I = jwC0 Ue- je" = jwC0 Ue

(1.81)

unde ( e ) reprezint permitivitatea complex ,

avnd componenta real
( = r) permitivitatea relativ (deci o m sur a fenomenului de polarizare),
iar componenta imaginar :
e"= G =
1 = A s = s = const.
(1.82)
wC0

RwC0

d wC0

e0 w

adic o m sur a conductivit ii () a dielectricului.

Prin urmare permitivitatea complex caracterizeaz dielectricului att
sub aspectul polariz rii ct i al conduc iei electrice. Reprezentnd (1.79) i
permitivitatea complex , n diagrama fazorial (fig. 1.19), se constat c la
frecven a constant , dac dintr-un motiv oarecare (nc lzire, cmp electric
foarte intens etc.) conductivitatea () se m re te, (") cre te, iar locul
geometric al extremit ii fazorului permitivit ii complexe devine dreapta
(1).

43

Figura 1.19. Diagrama fazorial a permitivit ii complexe

Corespunz tor cre te componenta activ (Ia) a curentului (dreapta 2),
deci i unghiul de pierderi (). Din diagrama fazorial rezult c :
"
tg

tg

(1.83)

adic factorul de pierderi reprezint n mod real o m sur a pierderilor de

energie n dielectric deoarece () fiind constant, tg cre te propor ional
cu (") deci cu componenta activ a curentului. n consecin este corect s se
apreciaz calitatea dielectricului dup valoarea componentei imaginare:
" tg
(1.84)
numit coeficient de pierderi. A a de
exemplu dac un dielectric se
caracterizeaz prin 1 = 10 i tg 1 =
0,02 iar altul prin 2 = 2 i
tg 2 = 0,04, cel de al doilea este mai avantajos n exploatare deoarece are
coeficient de pierderi (2 = 0,08) mai mic dect primul (1 = 0,20).
Din rela ia (1.81) se deduce expresia general a admitan ei echivalente a
dielectricului real:
(1.85)
y "C0 jC0
care sugereaz echivalarea dielectricului cu o schem electric cu parametri
concentra i.
Att r ct i tg se determin experimental cu pun i Schering de nalt
tensiune la frecven de 50 Hz sau cu pun i de joas tensiune la frecven nalt .
Din (1.72) rezult c unghiul de pierderi corespunde pierderilor prin
histerezis dielectric, deci prin polarizare electric , care au loc n dielectricii
cu polarizare liniar (vezi rela ia 1.25) ct i n dielectricii feroelectrici. n ace
tia din urm pierderile prin polarizare sunt echivalente cu aria ciclului de
histerezis.
44

Pe de alt parte din (1.82) se constat unghiul de pierderi corespunz tor

conduc iei electrice (s) care nu este nul pentru nici un dielectric. Deci
unghiul de pierderi (d) are o component (dh) core-spunz toare histerezisului
i o component (d) corespunz toare conduc iei electrice. Unghiul total de
pierderi (d) caracterizeaz pierderile totale i respectiv factorul de pierderi se
poate exprima:
(1.86)
tg d = tg d + tg d

unde innd seama de (1.82) i (1.83):

tg d =

(1.87)

e0ew

La dielectricii nepolari pierderile prin histerezis sunt neglijabile, n

schimb la cei polari, sau cei neomogeni (ca i la feroelectrici) acestea sunt
importante.
Dac n (1.81) se consider (e") din (1.73) corespunznd pierderilor
prin histerezis, se ob ine puterea aparent a conductorului real:
Sh = jU 2we C0 + U2 we" C0

(1.88)

Sh = jU2wC + U2wC tg dh

(1.89)

U2wC = Qh

(1.90)

sau
unde
constituie puterea reactiv , iar componenta real
U2wC tg dh = Ph

(1.91)

puterea datorat histerezisului transformat n c ldur . Se deduce (din 1.89) c :

(1.92)

tg dh = Ph
Qh

Puterea total absorbit de la re ea, ce se transform n c ldur rezult ad

ugnd la Ph puterea activ corespunz toare efectului Joule-Lenz:
A 2
(1.93)
P = U2
/R=

sU = s C U2
d
e0e

unde s-a nlocuit A/d = C/e0

e. Rezult puterea activ total :

2s C
h
P = Ph + Pj = U wC tg d + U

e0e

sau:
4
5

(1.94)

P U2C tg h U2C

(1.95)

unde nlocuind (1.87) se ob ine puterea activ total :

P U2Ctg h tg

(1.96)

sau considernd i (1.86):

P U2C tg

(1.97)

din care se deduce c la tensiune i frecven constant (tg ) reprezint o m sur a

pierderilor n dielectric. n continuare convenim s n elegem prin (tg )
factorul total de pierderi n dielectric.
1.2.3.1. SCHEMELE ELECTRICE ECHIVALENTE ALE
DIELECTRICILOR.
Din (1.79) rezult c dielectricul este echivalent cu un circuit cu
parametrii concentra i, avnd o capacitate C = C0 f r pierderi ( Ic fiind
decalat cu /2 naintea tensiunii) de valoare corespunz toare componen ei
capacitive a curentului, conectat n paralel cu o rezisten chimic R astfel
aleas ca valoarea sa s determine pierderi de energie egale cu cele ce au loc
n dielectric. Dac parametrii circuitului sunt corespunz tori ca valoare i
conexiunea lor potrivit aleas (serie, deriva ie sau mixt ) se pot ob ine
scheme electrice echivalente dielectricului cu ajutorul c rora s se determi-ne
pe cale teoretic caracteristici apropiate sau chiar identice cu cele
experimentale. De asemenea se pot determina tendin ele de modificare ale
caracteristicilor cnd au loc schimb ri ale parametrilor dielectricului sub ac
iunea solicit rilor (electrice, termice etc.) din exploatare. Pentru orice
dielectric odat stabilit schema electric echivalent , se determin admiterea
acesteia i prin egalarea p r ii reale i celei imaginare cu termenii respectivi
din (1.85) se ob in rela ii de dependen ale m rimilor , " i tg de frecven
a. Prin aceste modalit i este mult nlesnit studiul comport rii dielectricilor n
cmp electric alternativ (sinusoidal).
Reprezentarea dielectricilor prin scheme electrice echivalente, necesit
determinarea att a parametrilor corespunz tori ct i a modului de
conexiune a acestora. n acest sens, pentru unii dielectrici sunt potrivite
schemele echivalente deriva ia, pentru al ii cele de tip serie, iar pentru alte
categorii se recurge la scheme cu conexiune mixt (de ex. pentru dielectricii
neomogeni).
46

Schema echivalent deriva ia este cea mai utilizat . Dielectricul este

echivalent cu un condensator f r pierderi de capacitate C p conectat n
paralel cu o rezisten Rp n care se dezvolt pierderi de energie egale cu cele
din dielectric, cnd acesta se afl ntr-un cmp electric alternativ de pulsa ie
= 2 W f. Schema echivalent i diagrama fazorial sunt prezentate n fig.
1.20.
Puterea absorbit de la re ea este
P = UI cos (1.98) iar curentul total din circuit este:
I Ie I0

(1.99)

sau, cu nota iile din fig. 1.20, avem:

I

j Cp U

Rp

(1.100)

Figura 1.20. Schema echivalent deriva ie

Admitan a echivalent a circuitului deriva ie este:
yp 1 j Cp

(1.101)

Rp

Egalnd (1.101) cu termenii respectivi din expresia (1.85) a admitan ei

dielectricului real (neideal), rezult :
(1.102)
C0" 1
Rp
1

unde:
"

(1.103)
C0 R p

reprezint coeficientul de pierderi corespunz tor schemei echivalente deriva

ie, respectiv

4
7

j C0 jCp

(1.104)

e = Cp

(1.105)

unde:
C

reprezint permisivitatea relativ a dielectricului. nlocuind (1.103) i (1.105)

n (1.83) rezult factorul de pierderi (total):
" =
1 = 1
(1.106)
tg dp =
e

R p w Cp

w qp

unde s-a notat cu p = RpCp constanta de timp a circuitului.

Puterea activ absorbit de dielectric de la re ea,
innd seama de
p
p
2
P = UI cos j = UI
(1.106) este:
(1.107)
U2 = U wC tgd
p

Rp

n care s-a introdus (Rp) din rela ia (1.106).

Din (1.107) rezult c la tensiune i frecven constant pierderile de
energie n dielectric sunt determinate de factorul de pierderi tg p. Schema
echivalent deriva ie corespunde foarte bine pentru reprezentarea
dielectricilor nepolari la care componenta pierderilor de energie activ prin
conduc ie este mai mare dect cea corespunz toare histerezisului dielectric.
Coeficientul de pierderi ("), permitivitatea () i factorul de pierderi.
tg (p) variaz cu frecven a ca n (fig. 1.21) dup cum rezult din (1.13), (1.105)
i (1.106). n consecin dac prin determin ri experimentale se
ob in pentru un dielectric caracteristici similare celor din (fig. 1.21) rezult c
poate fi reprezentat prin schem electric echivalent deriva ie.

Figura 1.21. Varia ia cu frecven a a parametrilor schemei echivalente

paralel
48

Cum rezult c ( = r) nu depinde de frecven (1.105) dielectricul se

prezint ca fiind nepolar.
Schema electric echivalent serie se folose te n cazul cnd pierderile
de putere activ din dielectric sunt propor ionale cu factorul de pierderi. Se
consider c dielectricul este echivalat cu un circuit serie, avnd o capacitate
CS f r pierderi, conectat n serie cu o rezisten ohmic R o n care se dezvolt
acelea i pierderi de energie activ ca i n dielectric. Schema echivalent i
diagrama fazorial sunt reprezentat n fig. 1.22.

Figura 1.22. Schema echivalent serie.

La tensiunea sinusoidal de alimentare U = U m sin t curentul n
circuit este:
IU
(1.108)
Z

de unde, c derile de tensiune (efective) UR = IRS i UC = I/CS. Din

diagrama fazorial rezult factorul de pierderi:
tg s

UR

R SCs (1.109)

UC

Puterea activ absorbit de dielectric de la re ea este:

U2
U2
PS UI cos

cos

Z2

RS

unde, conform fig. 1.22, s-a nlocuit cos = UR/U = RS/Z.

de (1.109) i nlocuind n (1.110) pe (Z2) cu valoarea sa
Z2 RS2

CS

se ob ine:

tg 212
CS

4
9

(1.110)
innd seama
(1.111)

PS = U2 wCS tg d
1+ tg 2d

(1.112)

Din (1.112) se constat c i n cazul schemei echivalente serie, la tensiune i

frecven constant , pierderile de energie activ n dielectric sunt determinate de
factorul de pierderi tg S. Acesta corespunde cazului real
din exploatarea sistemelor de izola ie a ma inilor i aparatelor electrice dat
fiind c tensiunea i frecven a re elei sunt totdeauna constante.
innd seama de (1.108) admitan a echivalent a circuitului
y=1 =

= w CS RSw CS + j

1 + RS2w2CS2

(1.113)

R S - j w CS

sau

y = RSw2 CS2 + j
w CS
1 + RS2w2 CS2
1 + RS2w2 CS2

(1.114)

Egalnd termenii din (1.114) respectiv cu cei din (1.85) ai admitan ei echivalente a diel
wC0e"= RSw2 CS2 (1.115)
1 + RS2w2 CS2

de unde:

er RSCSw

CS / C0
e"=

i respectiv:

(1.116)

RSCSw =
2 2

1 + RS2w2 CS2

1 + RS w CS
wCS

(1.117)

jwC0e = j
2 2

de unde:

1 + RS w CS
CS / CC
er
e = 1 + R 2w2C 2 = 1 + R 2w2C 2
S
S
S
S

(1.118)

Sau innd seama de (1.83), cu (1.116) i (1.118) se ob ine:

tg dS =

e" = RSwCS

(1.119)

identic cu (1.116). Dac n rela iile (1.116), (1.118) i (1.119) se noteaz cu S

constanta n timp a circuitului S = RSCS se ob ine respectiv:
e" = rS
(1.120)
1 + w2qS2

i
5
0

(1.121)
r

1 2S2

de unde:
tg S S R SCS

(1.122)

Reprezentnd grafic pe ", i tg n func ie de frecven a tensiunii de

alimentare, se ob in caracteristicile din fig. 1.23.

Figura 1.23. Varia ia cu frecven a a parametrilor schemei echivalente serie

Pentru " se constat c la = 0 i = rezult " = 0, deci coeficientul
de pierderi trebuie s admit un maxim. Din (1.116) rezult c " este maxim
dac numitorul (1 + 2S2) este minim, ceea ce se realizeaz dac cei doi
termeni sunt egali (produsul lor fiind constant i egal cu 1), adic pentru ( =
1/S). Pentru ( = 1/S) se deduce din (1.120) i (1.122) c " = .
Pe de alt parte, cum (1.122) este dependent de frecven , pierderile
de energie activ revenind n mai mare m sur proceselor de polarizare, rezult
c schema echivalent serie se preteaz pentru caracterizarea i studiul
dielectricilor care prezint pe lng polarizarea electronic i ionic i o polarizare
dipolic , cum ar fi materialele slab polare.
n general cele dou scheme echivalente pot fi utilizate pentru
caracterizarea majorit ii dielectricilor omogeni cu condi ia ca una s fie
echivalent celeilalte. Aceast condi ie impune ca la aceea i frecven s rezulte
acelea i pierderi de energie activ cu fiecare dintre scheme. Consecin ele ce
decurg din aceast condi ie se constat dac se neglijeaz pierderile de energie
activ Pp cu PS i respectiv factorii de pierderi tg p cu tg S. Astfel egalnd
(1.107) cu (1.112) rezult :

5
1

CS 1 tg2

(1.123)

Cp

iar egalnd (1.106) cu (1.109) rezult :

R

1
pR

(1.124)

tg

Prin urmare numai pentru valori mici ale unghiului de pierderi d

schemele sunt echivalente referitor la pierderi i capacit ii, deoarece avnd
(tg d @ 0) rezult Pp = PS i CS = Cp, dar echivalen a nu mai este valabil i
pentru rezisten e, deoarece din (1.124) rezult c Rp RS. De aceste concluzii
se ine seama la determin ri experimentale cu pun ile Schering care permite
conexiuni diferite pentru dielectrici cu conductibilitate mai mare sau mai
mic .
Scheme echivalente mixte. Pentru studiul dielectricilor neomogeni,
sau a dielectricilor polari se utilizeaz scheme cu parametri R i C n
conexiune mixt .

Figura 1.24. Schema echivalent mixt a unui dielectric polar omogen.

Figura 1.25 Varia ia cu frecven a a parametrilor schemei echivalente mixte

a unui dielectric polar omogen
52

Pentru dielectrici polari omogeni, cum sunt de exemplu, lichidele

polare se utilizeaz o schem echivalent format dintr-un circuit RC serie,
conectat n paralel cu un condensator. Considernd n acest caz, schema
echivalent se prezint ca n fig. 1.24.
Admitan a echivalent a circuitului este:
(1.125)
y y1 y2
unde:
(1.126)
y1 j C1
1
i
y
C2 B2C2 j
(1.127)
2

1 2 R 22C22

C2

sunt admitan ele circuitelor componente.

Constanta de timp este aproximativ egal cu timpul de relaxare al
polarit ii dipolice (109 106 s). Deci la frecven e mici (2 C22 << 1) i
respectiv ( = S). La frecven e nalte () rezult ( = ), (" =
0) i (tg = 0). Experimental se determin (S) i ( ), iar (C2) rezult din
( = ) i la fel (R2) din (z2) deci (), (") i (tg ) sunt determinabile.
Cum (tg = 0) pentru ( = 0) i ( = ), rezult c prezint un maxim. Pentru
dielectricii neomogeni se adopt scheme echivalente mixte,
provenite din scheme serie sub forme de circuit serie RC multiplu, sau
circuite RC deriva ie nseriate, sau un circuit RC serie, nseriat cu un circuit
RC deriva ie, circuit RC deriva ie nseriat cu o capacitate C sau cu o
rezisten (R). Dielectricul neomogen, n cazul cel mai general poate fi
reprezentat prin schemele din fig. 1.26, din care prin combina ii se ob in
scheme derivate.

Figura 1.26. Schem echivalent mixt pentru dielectrici neomogeni.

53

Dac se consider schema echivalent din fig. 1.26, n care se noteaz

pentru simplificare parametrii (R) i (C) f r indicele p, constante de timp a
circuitului echivalent rezult sub forma:
R1R 2 C1 C2
(1.128)
R1 R 2

n cazul dielectricului neomogen, sau stratificat, (tg ) rezult ca o

sum care scade hiperbolic cu cre terea frecven ei ca n fig. 1.27.
Dielectricul stratificat, prezint la frecven e sc zute pierderi mari
datorate mai ales conductivit ii iar la frecven e mari, pierderi datorate
polariz rii. Frecven a la care pierderile sunt minime este cea potrivit pentru
explorarea dielectricului. La aceast frecven nc lzirea dielectricului este
minim , iar durata sa de via este maxim .
Pe lng schemele echivalente prezentate, pentru dielectrici
neomogeni sau stratifica i, se pot ob ine i alte combina ii ale conexiunii
parametrilor n func ie de specificul dielectricului.

Figura 1.27. Varia ia cu frecven a a parametrilor schemei echivalente mixte

pentru dielectrici neomogeni
Pentru fiecare dielectric este necesar s se adopte schema echivalent
cu care s se poat ob ine prin calcul aceea i varia ie cu frecven a a
parametrilor, a factorului de pierderi i a permitivit ii ca i la determin rile
experimentale.
Reprezentarea dielectricilor prin scheme electrice echivalente sporesc
eficien a i corectitudinea alegerii i utiliz rii lor n proiectarea i construc ia
ma inilor i aparatelor electrice, dat fiind posibilitatea introducerii n
programul de calcul a parametrilor schemei de izola ie.
54

1.2.3.2. PIERDERI PRIN INCLUZIUNI DE GAZE.

Pierderile de energie n dielectrici nu sunt datorate numai conduc iei
electrice i pierderilor ci i desc rc rilor ce au loc n incluziunile gazoase. Pe
de alt parte pierderile de energie, variaz nu numai cu frecven a ci i cu
temperatura. n general dielectricii nepolari i cei slab polari prezint pierderi
mai ales prin conduc ie, deoarece polaritatea electronic i ionic se realizeaz f
r pierderi, iar la cea dipolic , n acest caz, nu au loc frec ri ntre moleculele
polare. Pentru dielectricii nepolari schema echivalent deriva ie este cea mai
potrivit .
Din rela ia (1.106) rezult varia ia hiperbolic a factorului de pierderi
cu frecven a, a a cum este reprezentat n fig. 1.21

Figura 1.28. Varia ia cu temperatura a factorului de pierderi.

Dac ns se nlocuie te rezisten a cu m rimile care o determin (arie,
lungime i conductivitate) i se ine seama de expresia conductivit ii (1.22)
rezult :
R = d 1 = const. e kT
(1.129)
A s

care nlocuit n (1.106) conduce la o varia ie a factorului de pierderi cu

temperatura de forma:

1
kT
tg d =
Rw C = const. e

(1.130)

Deci i pierderile cresc exponen ial cu cre terea temperaturii, ca n fig.

1.28.
55

Pierderile prin incluziuni de gaze pot fi luate n considerare la

materialele la care prezen a acestora se constat i experimental, a a cum se
va vedea. n incluziunile gazoase, datorit ioniz rii gazului au loc bombard ri
repetate ale pere ilor cavit ii, urmate pe de o parte de eroziunea pere ilor, iar
pe de alt parte de nc lziri locale excesive. Gradien ii de temperatur ce apar
n dielectric, ntre diferite puncte, deter-min formarea unor c i mai calde
dect nc lzirea medie, care prezint conductivitate electric mai mare, ceea
ce favorizeaz str pungerea dielectricului. Apari ia nc lzirii suplimentare
datorit ioniz rii gazului din incluziuni, reprezint pierderi de energie care pot
fi exprimate, empiric sub forma:
P i = B 1 f U - Uc 2

(1.131)

unde:
B1 este o constant de material
f frecven a tensiunii aplicate U
U0 tensiunea de ionizare.
Factorul de pierderi corespunz tor pierderilor prin ionizare se ob ine
egalnd (1.131) cu pierderile determinate n cazul schemei echivalente
deriva ie (1.107) cu condi ia ca n aceast rela ie s se introduc tensiunea U 0
n loc de U. Se ob ine astfel:
(1.132)
B1 f U - U0 2 = U02w C tg
de unde:
(1.133)
tg d = B2 U - U0 2
unde s-a notat cu B2 factorul constant. Din (1.133) rezult c pierderile n
dielectric variaz cu tensiunea aplicat (U), datorit conduc iei i polariz rii la
(U < U0).

Figura 1.29. Varia ia cu tensiunea a factorului de pierderi la dielectricii cu

incluziuni de gaze
56

La tensiuni mai mari dect (U0), pierderile cresc parabolic datorit

ioniz rii gazului din incluziuni, ca n fig. 1.29. Rezult c la studiul
experimental al dielectricului, dac n curba tg = f(U) se constat un cot ca
n punctul (a) din fig. 1.29, dielectricul con ine incluziuni de gaze, ceea ce
limiteaz stilizarea acestuia.
n cazul dielectricilor polari, s-a demonstrat (rela ia 1.53) c energia
necesar orient rii dipolului este func ie de unghiul () dintre acesta i
direc ia cmpului electric ( E ).
Factorul de pierderi variaz ca n fig. 1.29. Puterea absorbit de
dielectricul polar de la re ea cre te propor ional cu frecven a pn la valoarea
critic a acestuia. La frecven e mai mari dect cea critic se atinge o limit ,
practic de invaria ie, deoarece dipolii avnd timp de relaxare mai mare
dect durata unei semiperioade a tensiunii aplicate nu se mai orienteaz
complet (n fiecare semiperioad ), ci oscileaz n jurul unei pozi ii de
echilibru (deci frecven a fiind mai mare, pierderile r mn ridicate dar nu
mai cresc). Aceasta se explic prin faptul c la frecven e mai mici dect cea
critic , pierderile cresc mai repede dect frecven a (deoarece sunt cauzate
nu numai de polarizare ci i de temperatur ) ca n fig. 1.30

Figura 1.30 Varia ia cu frecven a a factorului de putere i a pierderilor de

putere activ pentru dielectricii cu incluziuni de gaze
Rezult :

tg

proportional cu P
I
U C
a

57

(1.134)

Factorul de pierderi prezint un maxim pn la frecven a critic , dup

care scade, ca n fig. 1.30. Prin urmare pierderile prin polarizare dipolic pot
fi reprezentate corespunz tor prin rela ii deduse din schema echivalent mixt
de forma celei din fig. 1.24.
1.2.3.3. MB TRNIREA DIELECTRICILOR.
Evident c pierderile de energie n dielectrici au un dublu efect. Pe de
o parte pierderile de energie se nregistreaz ca risip , iar pe de alt parte ele
cauzeaz cre terea temperaturii materialelor care atrage dup sine o i mai
pronun at cre tere a pierderilor (cel pu in prin conduc ie). Nivelul pierderilor
limiteaz durata de func ionare, durata de via a dielectricului. Aceast durat se
determin pentru fiecare material n parte prin ncerc ri experimentale for
ate, ncerc ri de mb trnire. Pe baza unor astfel de tehnici s-a stabilit o
rela ie a duratei de via a dielectricului n func ie de temperatur , de forma:
(1.135)

A e0,0086T273[ani]

unde A este o constant de material, iar T temperatura absolut . Rela ia

(1.135) este mai ales valabil pentru materiale cu stabilitate termic redus (din
clasele inferioare de izola ie). Astfel pentru 95 [C] cu (1.135) se ob ine o
durat de func ionare de 20 [ani], iar la o temperatur de 110 [C] se ob ine o
durat de numai 5 [ani]. Rezult c temperatura are o influen determinant
asupra duratei de func ionare a dielectricului deoarece efectele sale sunt
cumulative. Diminuarea propriet ilor electroizolante este cu att mai mare
cu ct aplicarea unui cmp intens sau func ionarea la o temperatur mai mare
dect cea prescris , dureaz mai mult. Din aceast cauz se impune controlul
periodic al st rii izola iei mai ales la agregatele electrotehnice de mare
importan tehnic sau economic . Cu astfel de ocazii, prin date experimentale
i teoretice se poate aprecia durata de func ionare a dielectricului la solicit ri
date i se pot evita neajunsurile aferente.

1.2.4. STR PUNGEREA DIELECTRICILOR

Str pungerea dielectricilor este fenomenul prin care se realizeaz
distrugerea re elei materialelor solide, descompunerea prin ionizare a
lichidelor, sau ionizare n avalan a gazelor, avnd ca urmare trecerea direct
a curentului de la un electrod la altul prin masa dielectricului.
58

Att procesul n sine al str pungerii ct i factorii care l influen eaz

depind deci de starea de agregare a dielectricului. n general ns , pentru
orice dielectric a ezat ntre dou arm turi metalice (fig. 1.31) se constat c
prin m rirea tensiunii aplicate (U), curentul cre te propor ional pn la o
valoare critic (UC) a acesteia, dup care la valoarea (US) tinde spre infinit.

Figura 1.31. Str pungerea materialelor electroizolante

Unghiul format de tangenta la curba [I = f(U)], cre te ntre (UC) i (US)
nct la (U = US) se ob ine (tg = ). Cum tangenta la curb este:
(1.136)
tg I 1 const.
U

rezult c (R = 0), adic conductan a dielectricului este nelimitat . Curentul n

circuitul dielectricului este limitat numai de parametrii sursei de alimentare.
Tensiunea (US) se nume te tensiune de str pungere. Raportul ntre
tensiunea de str pungere US [kV efectiv] i grosimea (d) a dielectricului (sau
distan a dintr electrozi n cazul gazelor i lichidelor constituie rigiditatea
dielectric :
(1.137)
ES U [kV/m], [kV/cm], [kV/mm]
d

care poate reprezenta o constant de material dac este determinat n condi ii

experimentale reproductibile. n acest sens se caut o apropiere ct mai mare
de condi iile ideale n care s-ar determina o rigiditate dielectric intrinsec .
Aceste condi ii sunt:
cmp electric uniform
frecven a de 50 Hz
temperatura constant
59

 grosimea dielectricului i suprafa a sa s fie suficient de mari pentru a

se ob ine suficien i purt tori de sarcin , astfel ca determinarea s conduc
totdeauna la acelea i rezultate.
n practic ns nu pot fi respectate condi iile ideale i de aceea se accept
abateri n anumite limite, iar m rimea determinat se nume te rigiditate
dielectric tehnic (ES).
Imposibilitatea ndeplinirii condi iilor ideale la determinarea rigidit ii
dielectrice este datorat mai multor factori ce influen eaz str pungerea
dielectricului.
Cei mai importan i dintre ace tia factori sunt:
frecven a, forma i durata de aplicare a tensiunii.
omogenitatea, umiditatea i grosimea probei.
con inutul de incluziuni de gaze.
presiunea, temperatura i umiditatea mediului ambiant.
dimensiunile i conductivitatea termic a electrozilor.
prezen a elementelor de contaminare a dielectricului.
Referitor la forma tensiunii aplicate dielectricului la ncercarea de str
pungere, sunt stabilite norme pentru diferitele categorii de produse
electromagnetice. Astfel ncercarea izola iei ma inilor electrice i
transformatoarelor se obi nuie te a se face cu impulsuri de tensiune de form
impus , cum ar fi de exemplu cel din fig. 1.32.

Figura 1.32. Presiunea de ncercare a ma inilor i transformatoarelor

electrice.
Cablurile se ncearc la tensiune continu , iar aparatajul de nalt
tensiune la tensiune alternativ cu frecven a de 50 Hz.
60

Att tensiunea continu ct i cea alternativ pot fi aplicate dielectricului

prin cre terea continu cu o vitez prestabilit , sau n trepte de tensiuni cu o
anumit durat de p strare a dielectricului sub tensiune sub tensiune dup
fiecare treapt .
Cnd durata de aplicare a tensiunii este scurt (impuls sau reglare
continu ) se determin rigiditatea dielectric prin str pungerea la scurt durat
care este n general o str pungere pur electric , deoarece dielectricul nu se
nc lze te sub ac iunea cmpului electric aplicat. Dac aplicarea tensiunii este
de durat mai lung (tensiune aplicat n trepte), din cauza nc lzirii
dielectricului, apare pe lng str pungerea electric i o str pungere termic ,
care fiind cumulative determin o tensiune de str pungere mai mic dect n
primul caz. Sub ac iunea cmpului electric pot avea loc i efecte chimice n
masa dielectricului care s duc la cre te-rea num rului de purt tori de sarcin ,
astfel c str pungerea se produsese i n acest caz la tensiune mai mic dect la
cea pur electric .
n general str pungerea poate avea un caracter mixt datorndu-se unor
cauze multiple.
Dup natura proceselor care determin str pungerea dielectricilor,
criteriul care impune n studiul rigidit ii dielectrice, l constituie starea de
agregare.
1.2.4.1. STR PUNGEREA GAZELOR
Prezen a purt torilor de sarcin datora i ionizatorilor externi determin
conduc ia electric dependent de intensitatea cmpului electric aplicat numai
la valori mici i mijlocii ale acestuia. La valori ale intensit ii cmpului
electric ce dep esc 105 106 [V/m], are loc desc rcarea independent
(autonom ) urmat de str pungerea gazului.
Datorit complexit ii fenomenului, tratarea matematic a procesului de
str pungere a fost posibil numai prin adoptarea unor simplific ri i ipoteze.
De i prin aceasta se comite o ndep rtare fa de situa ia real se pot ob ine
rezultate teoretice suficient de apropiate de cele experimentale. Astfel de
rezultate au fost ob inute de c tre Townsend a c rui teorie are la baz urm
toarele ipoteze:
ioniz rile sub ac iunea cmpului electric exterior sunt produse
numai de c tre electroni i numai dac energia (W) a electronului este mai
mare dect energia de ionizare (Wi) a moleculei gazului. De i nu se ia n
considerare ionizarea n trepte i nici probabilitatea de ionizare (Electronul
nu cedeaz energie la ciocnirea neionizat cnd W < Wi).
la fiecare ciocnire ionizat electronul i cedeaz ntreaga sa energie,
viteza devenind nul .
61

 electronul de deplaseaz rectiliniu n lungul liniilor de cmp electric

(acesta fiind considerat uniform).
Tensiunea de str pungere (US) la care are loc desc rcarea autonom ob
inut de Townsend este de forma:
B p d
(1.138)
US =
ln

A pd
1

ln 1 + g

unde s- a notat cu (g) num rul de electroni elibera i ntr-o secund de pe 1

[cm2] din suprafa a electrodului metalic negativ (catod). Din (1.138) rezult
c tensiunea de str pungere a gazelor este func ie de produsul dintre presiune
i distan a dintre electroni, cum de fapt se constat i experimental.
n afar de ioniz rile produse prin ciocnirea moleculelor de c tre
electroni mai exist i ioniz ri datorate fotonilor, deci fotoionizare. Un atom
(sau molecul ) care n urma ciocnirii a r mas neionizat, se afl n stare excitat
, adic are un electron cu o energie mai mic dect cea de ionizare, dar mai
mare dect cea corespunz toare st rii sale fundamentale. Cnd electronul
sufer tranzi ia invers , n starea fundamental , atomul emite diferen a de
energie sub form de fotoni. Fotonii pot produce ioniz ri suplimentare (fa de
ciocniri).
Se formeaz astfel, ntre electronii metalici, c i ramificate n spa iu,
cu mare conductivitate electric , numite strimeri care preced str pungerea.
Prin teoria strimerilor se ob ine varia ia tensiunii de str pungere cu produsul (p d) foarte apropiat de cea ob inut experimental. Curba [US = f(p
d)] nregistreaz un minim, ca n fig. 1.35, datorat mai ales valorii presiunii.
n general la valori (p d) > 200 [torr d] nu se mai ob ine coinciden ntre
curba teoretic i cea experimental , deoarece rela ia (1.138) este afectat de
erori din cauza simplific rilor i ipotezelor care n afara acestui domeniu i
pierd valabilitatea. Dac se consider separat influen a factorilor din (1.138)
asupra tensiunii de str pungere se ob in concluzii importante pentru practic .
Lund ca exemplu aerul se va urm ri influen a acestor factori asupra
rigidit ii dielectrice, subliniind de pe acum importan a concluziilor dac se
reaminte te c n majoritatea dielectricilor sunt posibile incluziuni de gaze.
La presiune normal i distan ntre electrozi variat , rigiditatea
dielectric a aerului se prezint ca n fig. 1.34.
62

Sc derea rigidit ii cu cre terea distan ei se explic prin aceea c al distan

e mici ntre electrozi, dac drumul mediu dintre dou ciocniri ionizante (a)
este mai mare dect distan a (d) dintre electrozi.
n cazul distan ei constante ntre electrozi, cu varia ia presiunii,
rigiditatea aerului variaz ca n fig. 1.35. la presiuni mici concentra ia
moleculelor fiind mic i probabilitatea de ciocnire i ionizare este mic , deci
sunt necesare intensit i de cmp mai mari la str pungere. La presiuni mari,
cum (a) este mai mic, de asemenea trebuie ca intensitatea cmpului electric
s fie mare pentru a se produse ionizarea i respectiv str pungerea.

Figura 1.33. Str pungerea gazelor validarea experimental

Figura 1.34. Rigiditatea dielectric a aerului la presiune normal .

Un minim al rigidit ii se ob ine la aer pentru presiunea apropiat de 1
atm. Cre terea rigidit ii cu presiunea conduce n practic la utilizarea gazelor
electroizolante sub o anumit presiune n agregatele electrotehnice.
63

Figura 1.35. Rigiditatea dielectric a aerului la distan a dintre electrozi

constant .
De asemenea din izola ie n aer trebuie s se fac innd seama i de
presiunea acestuia, dar i de temperatur .
Timpul n care se realizeaz efectiv str pungerea gazului, rezult de
ordinul a 105 [s] dup teoria Townsend i de 10 7 109 [s] dup determin ri
experimentale. Timpul de dezvoltare a str pungerii scade cu cre terea
intensit ii cmpului electric ca n fig. 1.36. n consecin durata de aplicare a
tensiunii influen eaz str pungerea.

Figura 1.36. Durata de anclan are a str pungerii

Aceasta se constat experimental dac se studiaz varia ia cu frecven a a
raportului ntre tensiunea de str pungere Uf (la diferite frecven e) i tensiunea
de str pungere n curent continuu (U 0). Pentru aer se ob ine [Uf / U0 = f(f)]
ca n fig. 1.37.
64

Pn la frecven e de 107 [Hz], ntre electroni apar sarcini spa iale care
determin mi carea tensiunii de str pungere. la frecven e mari ns durata
semiperioadei devine mai mic dect timpul necesar dezvolt rii str pungerii i
respectiv tensiunea de str pungere este propor ional mai mare.
Spre deosebire de str pungerea aerului n cmp electric uniform, n
practic se ntlnesc adesea desc rc ri n cmp electric neuniform care n
unele cazuri reprezint pierderi suplimentare de energie, iar altele mpiedic
efectuarea corect a unor determin ri experimental .

Figura 1.37. Varia ia tensiunii de str pungere cu frecven a

A a este efectul corona, o desc rcare autonom incomplet ce se
manifest n jurul conductorilor rotunzi (linii de transport de energie) afla i la
tensiuni nalte. Desc rcarea este luminiscent i situat n apropierea arm turii
metalice cu raz mic de curbur unde intensitatea cmpului este mai mare.
O desc rcare similar apare la ncercarea unui dielectric solid cnd
suprafa a sa nu este suficient de mare n raport cu cea a electrozilor de
prob , ca n fig. 1.38, iar grosimea este suficient pentru a nu se produse str
pungerea la o tensiune mai mic dect cea corespunz toare poten ialului de
ionizare a aerului. n consecin are loc ionizarea aerului la suprafa a
dielectricului, urmat de o desc rcare luminiscent , iar apoi de una disruptiv ,
trecerea curentului avnd loc direct de la un electrod la altul prin aer.
Dielectricul nu s-a str puns. Desc rcarea disruptiv se nume te conturare.

65

Figura 1.38. Conturnarea materialelor electroizolante solide.

Dac simultan ar avea loc i str pungerea dielectricului, aceasta nu
poate fi luat n considerare ca o ncercare reproductibil . n asemenea situa
ie str pungerea dielectricului se ob ine introducnd ansamblul de electroni i
proba ntr-un lichid dielectric (de ex. ulei de transformator) care s nu
modifice propriet ile cuprului.
n cazul celor mai mul i dielectrici neomogeni sau stratifica i, pot fi
ntlnite fenomene de str pungere n gaze, dac ace tia con in incluziuni
gazoase.
1.2.4.2. STRAPUNGEREA DIELECTRICILOR LICHIZI.
Pn n prezent nu exist o teorie unitar a str pungerii dielectricilor
lichizi. Pe baza cercet rilor experimentale s-au formulat teorii pentru
explicarea rezultatelor, ns acestea au o valabilitate restrns numai la
anumite aspecte ale fenomenului. Str pungerea lichidelor se constituie ntrun proces mult mai complex dect cel al gazelor sau solidelor. Dintre
teoriile elaborate pentru explicare str pungerii lichidelor, sunt mai apropiate
de realitate urm toarele:
1) Teoria ioniz rii similar celei din cazul gazelor, opereaz ca un drum
liber ionizant (a) mult mai mic datorit densit ii mari a lichidului. n
consecin pentru a se ob ine ionizare, conform rela iei este necesar o
intensitate de cmp electric mult mai mare dect la gaze. Rigiditatea
lichidelor este de zeci, sute sau mii de [kV/cm] n timp ce a gazelor nu dep
e te cteva zeci de [kV/cm]. Ionizarea moleculelor lichidului are o mai
mare extindere n masa acestuia cnd sunt prezente impurit ile, scamele sau
moleculele de ap .
66

Att moleculele ionizate ct i impurit ile se dispun dup direc ia

liniilor cmpului electric aplicat i formeaz ntre electronii metalici pun i de
leg tur cu mare conductivitate. Urmarea este cre terea temperaturii
dielectricului i n final str pungerea sa.
2) Teoria str pungerii termice, are la baz ipoteza form rii n lichid a
unor incluziuni gazoase n urma conduc iei polariz rilor. Aceste bule
gazoase se dispun dup direc iile liniilor cmpului electric ntre electrozii
metalici, fiind n plus afectate de ioniz rile gazului din incluziuni care au loc
la intensit i de cmp mult mai mici dect ionizarea moleculelor lichidului,
nct pun ile formate prezint conductivitate electric suficient de mare pentru
a se ajunge la str pungere. Bulele de gaze pot fi provenite i din stratul limit
de aer absorbit la suprafa a electrozilor metalici nainte de introducerea lor
n lichid, dar i din descompunerea unor molecule sau ac iunea cmpului
electric.
3) Teoria str pungerii pur electrice are la baz ipoteza c
electronii care produc ionizarea urmat de desc rcarea autonom i str
pungerea lichidului sunt smul i de c tre cmpul electric din electrozii
metalici ntre care se afl dielectricul. innd seama de faptul c energia de
extrac ie a electronului difer de al un metal la altul s- a c utat n acest sens
confirmarea experimental a acestei teorii f r s se ob in rezultate
concludente.
Deoarece teoriile str pungerii lichidelor sunt nc incomplete, studiul
acestor dielectrici i a factorilor ce i influen eaz trebuie efectuat pe cale
experimental . Dintre factorii ce influen eaz rigiditatea dielectric a
lichidelor cei mai importan i sunt: impurit ile; temperatura;
neuniformitatea cmpului electric; con inutul de ap . De fapt n
exploatare, factorii men iona i sunt cei ce accelereaz mb trnirea
dielectricului. Extinznd ra ionamentele ce explic influen a unor factori
asupra rigidit ii din cazul dielectricilor gazo i n cazul lichidelor se deduce c
distan a ntre electrozi i presiunea au efecte similare gazelor. De asemenea
se poate pune n eviden influen a conductivit ii termice a electronilor,
diferind de la un metal la altul.
n fig. 1.39. este ilustrat influen a con inutului de ap asupra tensiunii de str
pungere a uleiului de condensator. Se constat c un procent foarte mic de ap
reduce la jum tate rigiditatea dielectric . n exploatare, asemenea situa ii pot
cauza grave avarii i distrugeri de bunuri materiale.

67

Figura 1.39. Influen a con inutului de ap asupra tensiunii de str pungere.

Con inutul de ap n ulei atrage dup sine influen a mai pronun at a
temperaturii asupra tensiunii de str pungere, cum rezult din fig. 1.40. Uleiul
deshidratat nu este afectat de cre terea temperaturii pn la 90 95 [C]
aceasta fiind i limita maxim de nc lzire admisibil a uleiului.
La ncercarea de str pungere a uleiului mineral cu tensiune alternativ
se constat c peste anumite valori ale frecven ei (cteva sute de Hz)
tensiunea de str pungere scade din cauza cre terii nc lzirii i deci a efectului
de str pungere termic .

Figura 1.40. Influen a con inutului de ap asupra varia iei cu temperatura a

rigidit ii dielectrice.
ncepnd ns de la valori mici ale frecven ei pn la aceast limit critic ,
tensiunea de str pungere cre te cu frecven a datorit mic or rii duratei
semiperioadei tensiunii aplicate n raport cu timpul necesar dezvolt rii str
pungerii.
68

n practica exploat rii dielectricilor lichizi trebuie s fie luate n

considerare toate concluziile ce rezult din influen a diferi ilor factori asupra
comport rii lor n cmp electric. Aceasta impune controlul periodic al st rii
dielectricilor lichizi.
1.2.4.3. STR PUNGEREA DIELECTRICILOR SOLIZI.
n paragrafele anterioare s-a dedus c dielectricii solizi, la intensit i
mari ale cmpului electric (peste 104 [v/m]) prezint pe lng
conductibilitatea ionic i una electronic , nct conductivitatea () este func
ie i de intensitatea cmpului electric conform legii lui Poole. Peste valori de
105 10 7 [v/m] se realizeaz str pungerea dielectricului fie pe cale pur
electric fie pe cale electric i termic . Prin str pungere se produce distrugerea
re elei atomice a solidului i formarea unui canal liber de la o arm tur metalic
la alta. Dac dielectricul este considerat ntre dou arm turi metalice ca n fig.
1.29 (n practic totdeauna dielectricul separ p r i metalice aflate la diferen e
de poten ial foarte mari), cnd n masa sa se constituie c i, de la o arm tur la
alta, cu conductivitate mai mare dect cea normal se produc nc lziri locale
excesive i str pungerea devine iminent . n func ie de puterea sursei de
alimentare str pungerea are loc sub form de scnteie sau arc electric.
Este convenabil, pentru n elegerea procesului str pungerii, ca cele
dou feluri de str pungere pur electric i termic s fie considerate i studiate
separat.
Str pungerea pur electric se realizeaz , la ncerc ri de scurt durat
cnd dielectricul nu- i modific temperatura sub ac iunea cmpului electric
exterior.
Distrugerea re elei atomice i realizarea str pungerii poate avea loc
numai sub ac iunea for elor, datorate cmpului electric, capabile s
echilibreze i s des vr easc for a de coeziune dintre ionii re elei.
Str pungerea termic apare i se suprapune peste cea pur electric dac
dielectricul se nc lze te sub ac iunea cmpului electric (a a cum este
totdeauna n exploatare). Ca urmare tensiunea de str pungere termic este
mai mic dect cea pur electric . De aceea n aplica iile practice i n
proiectare trebuie s fie luat n considerare tensiunea de str pungere i nu cea
pur electric .
Pentru deducerea tensiunii de str pungere termic s-au adoptat diferite
c i pe baza unor ipoteze mai mult sau mai pu in ndrept ite. Ca urmare au
fost ob inute rezultate par ial confirmate de experien , sau alteori chiar n
contrac ie cu aceasta.
69

Factorii care influen eaz rigiditatea dielectricilor solizi se determin

experimental i se explic pe baza studiilor teoretice similar cazurilor
precedente. Experimental s-a observat c la grosimi mici (por iunea rectilinie
a curbei), rigiditatea nu variaz cu grosimea dielectricului (U S /d = const.).
La grosimi mari ns rigiditatea scade cu cre terea grosimii (d) deoarece (U S
= const.).
Frecven a nu duce la sc derea tensiunii de str pungere termic
n
raport cu ( ), ci a a cum rezult din practic reducerea este mai mic dect
cre terea frecven ei. Pentru frecven ele de 50 Hz i 10 6 Hz, raportul lor fiind
(1/140), tensiunea de str pungere termic nu scade n acest raport ci de
(1020) de ori mai pu in (dect indic raportul) conform datelor
experimentale.
Dependen a de temperatur a rigidit ii dielectrice rezult din dependen a
tensiunii de str pungere termic de temperatur i frecven , iar n curent
alternativ totdeauna rigiditatea scade cu cre terea temperaturii.
n curent alternativ, cu cre terea frecven ei se constat c trecerea de la
str pungerea electric la cea termic are loc la temperaturi tot mai sc zute, a a
cum se arat n fig. 1.41 pentru sticla cu grosimea de (0,04 mm) . Aceasta
este datorit cre terii pierderilor n dielectric cu frecven a, ceea ce contribuie
la dezvoltarea str pungerii termice n mai mare m sur dect a celei pur
electrice.

Figura 1.41. Influen a frecven ei asupra temperaturii de trecere de la

str pungerea electric la str pungerea termic .
Pentru unele materiale solide se constat influen a a neuniformit ii
cmpului electric asupra rigidit ii.
70

Pentru dielectricii omogeni rigiditatea se reduce de cteva ori la cmp

electric neuniform n raport cu str pungerea n cmp uniform.
Rigiditatea dielectric ca o constant de material este indicat , pentru
condi ii date, pentru fiecare dielectric ca n exemplele din tabelul urm tor
sunt cuprinse rezultatele ob inute n curent alternativ la frecven de 50 Hz i
temperatura de 20 [C].
Se remarc dou cazuri deosebite, la acela i material, n urma efectu rii
unei opera ii de mbun t ire a caracteristicilor dielectricului. Astfel hrtia de
cablu prin impregnare i m re te rigiditatea de la (70~100) la (1000~1500)
[kV/cm], iar uleiul transformator prin purificare, i m re te rigiditatea de la
(40~50) la (200~300) kV/cm.
Materialele poroase, cum este hrtia, de i prezint str pungere prin
ionizarea aerului prin pori, rigiditatea sa n stare neimpregnat este mai mare
dect cea a aerului. Acesta se atribuie faptului c sec iunea arcului la desc
rcare n timpul str pungerii necesit intensitatea de cmp cu att mai mare cu
ct ea este mai mic .
n materialele poroase sec iunea canalului de arc este uneori mult mai
mic dect 1 [mm2] care corespunde desc rc rii n aer n condi ii normale i
prin urmare str pungerea se realizeaz la o tensiune mai mare, deci
rigiditatea este mai mare dect n cazul aerului.
Tabelul 1.1. Rigiditatea dielectric a unor materiale electroizolante.
Materialul

ES [kV/cm]

Sticla sub ire

Mica sub ire
Hrtia de cablu neimpregnat
Hrtia impregnat
Folii sintetice (polistiren)
Ceramica
R ini fenolice cu umplutur
Marmur
Ceramic termic
Ulei de trafo nepurificat
Ulei de trafo purificat
Ulei sintetic (ascareli)
Uleiuri siliconice

10003000
10001200
70100
10003000
9001200
100300
100150
4050
1525
4040
200300
140200
150200

71

Avantajul materialelor poroase l constituie ns posibilitatea lor de

impregnare cu r ini sub form de lacuri, eliminndu-se astfel porozit ile, ceea
ce confer materialului o rigiditate dielectric de cteva ori (sau de zeci de
ori) mai mare

1.3. PROPRIET

I NEELECTRICE ALE DIELECTRICILOR.

Din paragrafele precedente se poate deduce importan a propriet ilor

electrice pentru utilizarea dielectricilor n electronic . Exist ns i unele
propriet i neelectrice care n anumite condi ii pot determina distrugerea
neelectric a izola iei, urmat inevitabil de str pungere i respectiv de ie irea
din func iune a instala iilor, ma inilor sau aparatelor electrice. Iat de ce se
impune luarea n considerare a tuturor propriet ilor dielectricului la
utilizarea sa n practic .
Propriet ile neelectrice caracterizeaz materialele din punct de vedere
mecanic; fizic; chimic i termic. n cadrul fiec rui grup de propriet i se
definesc mai multe m rimi care constituie m suri ale propriet ilor respective
din grup. n domeniul utiliz rii dielectricilor nu toate aceste m rimi prezint
importan n egal m sur i de aceea sunt studiate mai ales cele care influen
eaz n mod frecvent comportarea materialului i care sunt specifice
domeniului sau locului de aplica ie.
Dat fiind c definirea i modul de determinare a celor mai multe m rimi
neelectrice se efectueaz n cadrul altor discipline, se va restrnge aria
acestor aspecte n cele ce urmeaz . Pentru m rimile care n cazul
dielectricilor se determin experimental n mod diferit dect la alte materiale,
este util cunoa terea metodei chiar i numai n principiu.
1.3.1. PROPRIETATI MECANICE.
Acestea cuprind: rezisten a la trac iune (r); rezisten a la ncovoiere
(i); rezisten a le compresiune (c); rezisten a la sarcini aplicate
dinamic; rezilien a (rez); alungirea specific (l/l); duritatea Brinell
(HB); modulul de elasticitate (E); rezisten a la abraziune, etc.

72

Figura 1.42. Pendul pentru m surarea durit ii lacurilor.

Pentru dielectricii solizi determinarea m rimilor mecanice se
efectueaz ca i n cazul metalelor, cu excep ia durit ii lacurilor. Pentru
determinarea durit ii lacului se a eaz pe suprafa a peliculei lama unui
pendul format dintr-un cadru de srm ca n fig. 1.42.
Pendulul scos din echilibru este l sat s oscileze pn cnd elonga ia
scade la o anumit diviziune i se m soar timpul ct dureaz aceast amortizare
(t0). Se repet experien a cu un material a c rui duritate (H 1) este cunoscut i
timpul m surat este t1). Din raportul timpilor i al durit ilor rezult duritatea
necunoscut a locului
H0 = H1 t0 / t1 (1.139) Pe lng duritate (deci rezisten la
abraziune) cnd lacul se
utilizeaz ca email pentru conductoare trebuie s aib , elasticitate corespunz
toare, iar alungirea specific i coeficientul de dilata ie liniar ct mai
apropiate de ale metalului pentru a se evita desprinderea de pe conductor.

1.3.2. PROPRIET

I FIZICE.

Acestea se refer la: densitate (masa specific m S); porozitate;

higroscopicitate i adsorb ie. n cazul dielectricilor poro i, densitatea se
determin ca raportul ntre mas i volumul total mai pu in volumul porilor.
Dac se noteaz masa corpului cu (m) n [kg], volumul total cu (V) n [m3],
iar volumul porilor cu (Vp), rezult densitatea materialului poros:
(1.140)
p m [kg/m3]
V Vp

73

Figura 1.43. Tipuri de pori.

Porozitatea, reprezint raportul ntre volumul porilor (Vp) i
volumul total (V):
V 100 [%]
(1.141)
p
( p)
V

i poate atinge pn la 50% la materiale cu porozitate mare cum sunt hrtiile

i es turile. Se deosebesc, dup form , trei feluri de pori: deschi i;
seminchi i i nchi i ca n fig. 1.43.
Primele dou forme de pori prezint avantajul c pot fi umplute ca lacuri
electroizolante prin impregnarea dielectricului (eventual dup o prealabil
vidare). Ca urmare calit ile dielectricului poros se pot mbun t i corespunz
tor lacului de impregnare.
Higroscopicitatea ca proprietate a corpurilor de a absorbi lichide i
respectiv vaporii din atmosfer , este cauzat de existen a porozit ii.
Materialele poroase absorb lichidele, n cazul cel mai frecvent vaporii din
mediul nconjur tor i i m resc corespunz tor umiditatea. n general absorb
ia poate fi m surat prin con inutul de ap din material, care se exprim prin
umiditatea relativ :
[%]
(1.142)
r G G0
G

unde: G0 este greutatea materialului uscat, iar G este greutatea

materialului umed.

74

Figura 1.44. Varia ia n timp a umidit ii materialelor higroscopice i

nehigroscopice.
Dielectrici higroscopici tind totdeauna spre o umiditate de echilibru
atunci cnd sunt introdu i ntr-un mediu care are umiditatea relativ r, ca n
fig. 1.44. Materialele a c ror umiditate variaz n timp dup curbele (1) i (1)
nu sunt corespunz toare pentru insola ii. Dielectricii de bun calitate nu
absorb umezeala dect n foarte mic m sur sau deloc, corespunz tor curbelor
(2) i (2).
Dielectricii nehigroscopici (impenetrabili) se umezesc n atmosfer
prin adsorb ie. Adsorb ia const n condensarea vaporilor la suprafa a
dielectricului sub form de straturi moleculare de ap (sticl , mic , unele r ini
sintetice). Att adsorb ia ct i absorb ia (p trunderea umezelii n masa
corpului) se determin prin m surarea unghiului marginal () pe care l
formeaz suprafa a corpului cu suprafa a unei pic turi de ap cu vrful pe linia
de contur a ariei de contact ca n fig. 1.45.

Figura 1.45. M rimea unghiului marginal la materiale adsorbante i

absorbante.
75

Dac unghiul marginal < 90 ca n fig. 1.45 a, materialul se ud fie

prin adsorb ie (la sticl i mic este practic nul). Dac < 90, ca n fig . 1.45
b, dielectricul nu se ud (parafin , folii sintetice, siliconi). Adsorb iile
materialelor impermeabile este foarte pronun at la umidit i relative ale
atmosferei ce dep esc umiditatea normal (r n = 65%) ca n fig. 1.46 i
prezint neajunsul c reduc n foarte mare m sur rezistivitatea de suprafa a
dielectricului.

Figura 1.46. Adsorb ia materialelor impermeabile.

1.3.3. PROPRIET

I CHIMICE.

Dintre toate propriet ile chimice ale materialelor, n cazul

dielectricilor prezint interes deosebit rezisten a la ac iunea acizilor i bazelor,
solubilitatea, compatibilitatea la contactul cu alte materiale, stabilitatea
chimic , aciditatea n cazul lichidelor, toxicitatea (emana ii toxice), oxidarea
etc.
Ac iunea agen ilor nocivi din atmosfer se manifest n prezen a
oxigenului i a umezelii care se depune la suprafa a dielectricului sub form
de pelicule con innd dizolvate diverse elemente din mediul ambiant.
Peliculele acide sau bazice au efect coroziv asupra izola iilor i deteriorarea
este n general intensiv .
Solubilitatea prezint interes pentru prepararea lacurilor electroizolante
i depunerea lor pe izola ii. n general o substan solid se dizolv u or ntr-una
lichid care con ine grup ri similare de atomi sau molecule n structura sa (de
ex. parafinahidrocarbur saturat solid se dizolv u or n benzen, ambele
avnd grup ri de atomi CH(. Solidele termorigide au solubilitate redus sau
deloc. Aceasta deoarece solubilitate scade cnd gradul de polimerizare sau
policondensare cre te.
76

n izola iile ma inilor i aparatelor electrice intervine de regul diferi i

dielectrici. Ca urmare se impune compatibilitatea lor, adic s se formeze reac
ii chimice ntre elementele component a doi dielectrici afla i n contact.
Stabilitatea chimic prezint un interes major pentru toate felurile de
dielectrici, dar mai cu seam pentru cei ce sunt supu i la ac iunea arcelor
electrice, a radia iilor ultraviolete, a radia iilor solare, a ac iunii
microorganismelor, a ocurilor de temperatur etc.
Dielectricii lichizi cum sunt uleiurile utilizate n contact cu izola iile
nf ur rilor electrice trebuie s nu aib aciditate deoarece ac iunea acizilor se
resimte asupra majorit ii materialelor.
Indicele de aciditate a uleiului se determin prin cantitatea de hidroxid
pe potasiu (n mg) ce este necesar pentru neutralizarea 1 [g] din substan a
acid (adic mg KOH/g).
n general cu referire la toxicitate trebuie avut n vedere c materialele
care au stabilitate chimic redus i care eman vapori toxici (cum sunt cele ce
con in clor) se folosesc numai cu m surile de precau ie cuvenite. A a de
exemplu uleiurile clorurate nu se folosesc n ntrerup toare cu ulei sau dac
se introduc n condensatoare acestea se execut n construc ie special .
materialele toxice sunt nso ite de recomand ri de folosire pentru evitarea
accidentelor.

1.3.4. PROPRIETATI TERMICE.

Aceste propriet i influen eaz nu numai asupra propriet ilor electrice
cum s-a ar tat n paragrafele anterioare i asupra structurii dielectricilor, deci
asupra tuturor propriet ilor n general. Dielectricilor li se impun cerin e
contradictorii, deoarece trebuie s aib pe de o parte mare rezistivitate de
volum, dar s prezinte, pe de alt parte, conductivitate termic ct mai mare
pentru a permite disiparea pierderilor de energie din conductoare ca i
pierderile proprii.
Din ansamblul propriet ilor termice, la utilizarea dielectricilor prezint
importan mai ales: conductivitatea termic [kcal/m C m], sau [W/cm
C]; c ldura masic c [kcal/kg C] sau [Ws/g C]; transmisivitatea termic
[kcal/m2 h C] sau [W/m2 C]. Toate m rimile trebuie s fie cunoscute
pentru dielectricul ce urmeaz a fi utilizat n construc ie pentru dielectricul
ce urmeaz a fi utilizat n construc ie unui produs electrotehnic i ele sunt
indicate n standarde i prospecte.
77

nc lzirea dielectricilor influen eaz toate propriet ile astfel c

temperatura a fost adoptat i ca o m sur a limitei pn la care propriet ile se p
streaz corespunz toare. n acest sens se define te stabilitatea termic a
materialelor electroizolante.
Stabilitatea termic , constituie temperatura maxim la care poate func
iona un dielectric, timp ndelungat (ani; zeci de ani) f r ca propriet ile sale s
se deterioreze i m surile lor s scad sub o limit inferioar admisibil . Pentru
dielectricii solizi sau termoplastici se utilizeaz ca m sur a stabilit ii termice
temperatura la care corpul i modific forma, ceea ce corespunde unor
schimb ri de structur i implic modificarea i a celorlalte propriet i.
Pentru materialele termoplaste stabilitatea termic se determin prin
metoda inelbil (pentru ceruri, bitumuri etc.).
La materiale solide stabilitatea termic se determin prin metoda
Martens. Mostra de material (lungime 120 mm, sec iunea 10 20 mm2) se
a eaz ntre dou bacuri (1) i (2) ca n fig. 1.47. Pe tija solidar cu bacul
(2) se afl greutatea (G). La cap tul tijei indexul (i) se poate deplasa n fa a
scalei (S). Momentul de ncovoiere produs de greutatea (G) se alege
conform normelor. Se nc lze te incinta cu o varia ie prestabilit a
temperaturii pe unitatea de timp, pn cnd, proba (M) se deformeaz sub ac
iunea momentului ncovoietor astfel ca indexul (i) se coboare cu (n)
diviziuni n fa a scalei (S). Se cite te temperatura la care (n) corespunde
normei stabilite pentru materialul dat. Aceast temperatur reprezint
stabilitatea termic .

Figura 1.47. Dispozitivul Martens de determinare a stabilit ii termice.

78

De i stabilitatea termic reprezint un mijloc de apreciere a limitei pn

la care dielectricul poate fi solicitat pot duce la scoaterea din func ie a izola
iei nainte de a se ajunge la temperatura de stabilitate termic cum sunt agen
ii nocivi din atmosfer , vibra iile mecanice, pierderea elasticit ii etc.
Stabilitatea termic a lichidelor constituie temperatura de
inflamabilitate (aprindere a vaporilor) sau temperatura de aprindere (a
lichidului propriu-zis).
Pentru gaze stabilitatea termic constituie de asemenea temperatura
de inflamabilitate.

1.4. CLASIFICAREA DIELECTRICILOR

Oricare dintre propriet ile dielectricilor poate servi drept criteriu de
clasificare a acestora. S-au impus totu i criteriile cu caracter general cum
sunt: stabilitatea termic ; natura chimic ; starea de agregare; forma i
caracteristica esen ial a materialelor componente (criteriu enciclopedic) la
care se mai adaug eventual, starea final i transform rile necesare pentru ob
inerea produsului finit.
1.4.1. CLASELE DE IZOLA IE.
Folosind drept criteriu de clasificare stabilitatea termic , materialele
electroizolante se mpart n clase de izola ie i au caracteristica comun
temperatura maxim la care pot fi utilizate timp ndelungat. Pentru
determinarea stabilit ii termice, pe lng temperatur , se pot utiliza i m rimi
electrice (constante de material) ca de exemplu sc derea rigidit ii dielectrice
cu cre terea temperaturii (vezi STAS 10242/175 i STAS 10514/170), m
rimi fizice sau m rimi mecanice.
O clas de izola ie cuprinde materialele care au o stabilitate termic
comparabil , la o temperatur de serviciu dat .
Clasele de izola ie i cteva exemple reprezentative de materiale
cuprinse n fiecare clas , sunt indicate n tabelul de mai jos conform STAS
624760 (cu completarea 1 din 29.04.77) i Publica ia CEI nr. 85.

79

Tabelul 1.2. Clasele de izola ie

Denumirea
Materiale electroizolante
clasei
de
izola ie
Y (90C) Materiale textile pe baz de celuloz , fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane neimpregnate. Polietilen , polistiren,
PVC, cauciuc natural vulcanizat etc.
A
materiale textile pe baz de celuloz , fire poliamidice, hrtii
(105C)
celulozice, cartoane, impregnate cu lacuri uleioase,
oleor inoase i oleobituminoase, precum i lichide
electroizolante. Folii poliamidice, de triacetat de celuloz ,
materiale combinate, folie prespan, leteroid. Cauciuc pe
baz de butadien cu acrilnitril i cauciuc pe baz de clorbutadien etc.
E (120C) Emailuri polivinilacetolice, poliuretanice sau epoxidice
pentru conductoare. Mase plastice fenolice cu umplutur
organic , stratificate pe baz de hrtie (de tip pertinax) i de
es tur (de tip textolit). R ini epoxidice, poliesterice,
poliuretanice.
B
Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic f r suport sau
(130C)
cu suport din hrtie sau es tur organic , precum i pe baz
de fire de sticli azbest impregnate cu lacuri
oleobituminoase, bachelitice epoxidice,
poliuretanice,
gliptalice. mase plastice cu umplutur
anorganic .
Stratificate pe baz de fire de sticl i azbest. Emailuri
teraftalice pentru conductoare.
F (155C) Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic f r suport sau
cu suport anorganic, precum i pe baz de fire de sticl i
azbest impregnate cu r ini alchidice, epoxidice,
poliesterice, sau cu r ini siliconice modificate etc.
H (180C) Materiale pe baz de mic sau suport, sau cu suport
anorganic, sau pe baz de fire de sticl sau azbest
impregnate cu lacuri siliconice. Mase plastice cu umplutur
anorganic . Cauciucuri siliconice.
C
> Materiale anorganice (mica, sticla, ceramica, marmura,
(180C)
azbestul etc.). materiale pe baz de mic , samica, f r suport
sau cu suport din fire de sticl impregnate cu compu i
anorganici sau r ini siliconice cu stabilitate termic peste
220 C. Politetrafuoretilena (Teflon), etc.
80

Clasificarea materialelor n clase de izola ie este n prezent nesatisf c

toare deoarece se refer la grupe de materiale ce pot intra n constitu ia unui
sistem de izola ie, dar nu ofer posibilitatea alegerii unui material pentru
condi iile impuse de un anumit scop sau loc de utilizare. Ca urmare este c
utat un alt criteriu de clasificare a materialelor, propus de c tre Comitetul
Electrotehnic Elve ian i adoptat de CEI (Comisia Electrotehnic Interna ional
). Aceast clasificare cuprinde n fiecare grup materiale de aceea i form i
stare final , care necesit pentru utilizare acela i mod de prelucrare.

1.4.2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ORGANICE.

Clasificarea materialelor electroizolante dup natura lor chimic are ca
criteriu de subdiviziune starea de agregare i este unanim utilizat mai ales n
domeniul didactic al cunoa terii dielectricului. Importan a practic acestei
clasific ri const n necesitatea grup rii dup natura chimic a materialelor
destinate unui domeniu dat de temperaturi de utilizare, deci unei clase date
de izola ie. Astfel materialele organice prezentate n primele clase de izola
ie nu pot fi asociate materialelor din clasele (H) i (C), sau invers.
Materialele electroizolante organice, dup starea de agregare se mpart
n: A) gazoase; B) lichide i C) solide ultimele dou , fiind subclasate n func
ie de origine.
1.4.2.1. GAZE ELECTROIZOLANTE.
Cel mai utilizat dintre dielectricii gazo i este aerul deoarece constituie
elementul izolant ntre p r ile active i carcas n toate construc iile
electrotehnice uscate. Aerul prezint neajunsul c favorizeaz oxidarea i
coroziunea metalelor din componen a ma inilor, aparatelor i instala iilor
electrice. Remediul se realizeaz prin utilizarea azotului ca mediu dielectric,
iar dac este impus acestuia i func ia de agent de r cire se utilizeaz
hidrogenul.
De i hidrogenul are rigiditatea dielectric de aproximativ 15 ori mai
mic dect aerul, se utilizeaz ca dielectric i agent de r cire mai ales n ma
inile electrice de puteri mari, deoarece are densitatea de asemenea mai mic
(de aproximativ 15 ori) dect aerul deci pierderile prin fiecare sunt
corespunz tor mai mici.
81

Pe de alt parte c ldura masic , conductivitatea termic i transmisivitatea

(solidgaz) este mai mare dect a aerului. Hidrogenul prezint ns neajunsul
c n amestec cu oxigenul, n anumite condi ii, devine exploziv.
Gazele electronegative, constituie o categorie important de
dielectrici gazo i ndeosebi pentru utilajele antideflagrante din industria
extractiv . Aceste gaze au mare afinitate pentru electroni datorit u urin ei cu
care clorul i fluorul din compozi ia lor formeaz ioni negativi.
n consecin prezen a lor mpiedic formarea arcului electric sau a
scnteilor evitnd astfel pericolul exploziei gazelor de min . Cele mai
utilizate gaze electronegative sunt: hexafluorura de sulf (SF6) i
perfluorcarbonii.

1.4.2.2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ORGANICE LICHIDE

Dielectricii lichizi sunt reprezenta i mai ales de c tre uleiurile de
diferite naturi care n timpul exploat rii i p streaz starea lichid .
Dup natura lor uleiurile se clasific i se subclasific astfel:
1) Uleiuri naturale: 1.1. vegetale (uleiul de ricin) 1.2. minerale
(uleiul de transformator, uleiul de condensator, uleiul de cablu).
2) Uleiuri sintetice: 2.1. clorurate de tip askareli (pentaclordifeni,
pentaclordifenil + triclorbenzen) avnd denumiri comerciale ca: clophen,
permitol, sovol, sovtol etc. Aceste uleiuri sunt neinflamabile, neoxidabile,
cu bun stabilitate chimic i electric .
Alte lichide electroizolante ca benzolul, toluenul li diferi i esteri
organici nu se utilizeaz de obicei ca atare i mai ales ca solven i pentru
prepararea lacurilor electrotehnice. n tabelul urm tor sunt prezentate cteva
lichide electroizolante.
La conductivitatea gazelor s-a scos n eviden c le sunt dielectrice ct
timp li se aplic un cmp electric mai mic dect cel de ionizare. n criogenie
se ntlnesc adesea cazuri n care gazele lichefiate nu att solul de egen i
criogenic ct i cel de dielectric. Gazele n stare lichid (ca heliul, azotul,
neonul, hidrogenul etc.) prezint propriet i dielectrice comparabile sau
uneori chiar mai bune dect uleiurile electrotehnice.
Propriet ile dielectrice ale lichidelor criogene ca i ale dielectricilor ce
sunt lichizi la temperatura ambiant , nu diminueaz sensibil n prezen a
impurit ilor. Ca urmare men inerea acurate ei dielectricilor lichizi este o
necesitate par ial .
82

Tabelul 1.3. Propriet ile unor dielectrici lichizi.

Lichidul

Polaritatea

la 20 C i 50 Hz
r

V [cm]

tg
10 10

12

18

Ulei mineral neutru

2,12,4

10 10

Ulei de ricin polar

4,5

10

Askarel

polar

4,56

10 10

Ulei
siliconic

slab polar

2,53

10

12
10

14

14

ES [kV/cm]
350300 (pur)
4050 (impur)
120180

10 10
4

10

140200
150200

Uleiurile minerale sunt ob inute prin distilarea frac ionat a i eiului.

Ele constituie amestecuri n hidrocarburi parafinice (CnH2n+2), naftenice
(CnH2n) i aromatice (Cn H2n6), care determin prin propor ia lor
caracteristicile uleiului. Att rafinarea ct i recondi ionarea unui ulei vechi
comport tratarea cu acid sulfuric pentru ndep rtarea impurit ilor, apoi
neutralizare cu hidroxid de sodiu, sp lare cu ap , decantare i centrifugare,
urmate de uscare i filtrare astfel ca s fie eliminate orice urme de ap i impurit
i n suspensie. ntr-un ulei de bun calitate hidrocarburile parafinice nu
trebuie s dep easc 30% i nici cele aromatice s nu ating aceast propor ie,
deoarece primele m resc vscozitatea i ritmul de mb trnire, iar celelalte se
descompun sub ac iunea arcului sau desc rc rilor degajnd o cantitate de
carbon (semiconductor). n schimb hidrocarburile naftenice trebuie s fie cel
pu in n propor ie de 60%. Uleiurile minerale se utilizeaz n transformatoare
i cabluri ca dielectric avnd rigiditate mare i tg bun i n ntrerup toare ca
izolant i mediu de stingere a arcului.
n exploatare calit ile uleiurilor se alterneaz sub ac iunea cmpului
electric, temperaturii, oxigenului i contactului cu alte corpuri (metale i
dielectrici solizi). Ca urmare propriet ile uleiului variaz cu temperatura i
frecven a, ceea ce a impus elaborarea unor norme de verificare periodic a
uleiurilor din transformatoarele i agregatele de mare importan tehnic i
economic . Propriet ile uleiurilor se determin pe baza normelor din
standarde, cum sunt: STAS 28679, STAS 679978, STAS 679873, STAS
890876, iar n afara acestora pe baza normelor interne ale fabricilor
produc toare.
Uleiurile sintetice se utilizeaz mai ales n construc ia
condensatoarelor deoarece prezint permitivitate mai mare dect cele
minerale ceea ce permite reducerea volumului, la aceea i capacitate, cu
3040.
83

Din cauza con inutului de clor care se degaj sub ac iunea arcului
electric i formeaz i acidul clorhidric n combina ie cu hidrogenul, aceste
uleiuri prezint pericolul de toxicitate i de coroziune a conductorilor i a
dielectricilor. De aceea se evit folosirea lor n transformatoare i ntrerup
toare f r m suri speciale de precau ie. Unele materiale organice solide sunt
solubile n uleiurile clorurate sau fluorurate. Din aceast caut se evit punerea
n contact a difenililor cu fenolii sau masele plastice care con in fenoli.
Uleiurile sintetice fluorurate nu prezint dezavantajele askarelilor i pot fi
utilizate i pentru transformatoare ns i unele i altele sunt mai scumpe dect
cele minerale.
1.4.2.3. MATERIALE ELECTROIZOLANTE ORGANICE SOLIDE.
Dup natura, originea i structura lor dielectricii solizi se clasific n
moduri diferite. Dac se ia n considerare n primul rnd faptul c substan ele
organice sunt combina ii multiple ale carbonului care datorit sistemului
tetraedric de cristalizare are posibilitatea s realizeze prin valen e rotative
cele mai diverse configura ii de re ele spa iale, iar n al doilea rnd c fiec rui
atom de carbon (tetravalent) i se pot anexa radicali organici, rezult ct de
vast poate fi mul imea combina iilor carbonului (combina ii organice sunt
aproximativ 600.000 n timp ce anorganice nu sunt dect aproximativ
40.000). Materialele organice solide sintetice posed un num r mare de atomi
de carbon pe molecul i se pot forma prin diferite procese chimice prin
gruparea monomerilor n polimeri (sau macromolecule) cu mii de atomi de
carbon pe molecul . Procesele de formare a macromoleculelor:
polimerizarea; policondensarea i poliadi ia, imprim i anumite propriet i
specifice materialului format.
Din punct de vedere a structurii moleculare materialele solide se pot
grupa n:
1) Micromoleculare (ceruri i substan e ceroase)
2) Macromoleculare (r ini)
Proprietatea esen ial pe care structura o confer corpului const n
comportarea acestuia la solicit ri termice. Corpurile micromoleculare au
structur cristalin , cu un num r mic de atomi de carbon pe molecul i ca
urmare temperatura lor de topire este redus la 3060 C. Au avantajul c
prezint pierderi mici de energie (tg 104) i practic independent de
frecven . Cerurile (animal : de albine; vegetal : de carbon; mineral :
ceara montan ), se utilizeaz n prezent tot mai pu in.
84

n schimb substan ele ceroase nepolare ( parafina; ceresina i

vaselina) sunt nc frecvent utilizate datorit pierderilor foarte mici de energie
pe care la prezint n cmp alternativ chiar i la frecven e foarte nalte.
Aceasta datorit faptului c polarizarea predominat este cea electronic .
Substan ele ceroase polare se ob in prin hidrogenarea uleiului de ricin
sau prin clorurarea naftalinei i prezint ca proprietate esen ial permitivitatea
foarte mare ceea ce le face foarte utile pentru realizarea condensatoarelor de
capacitate mare la volum mic.
Materialele macromoleculare dup natura lor pot fi: 1) naturale (
animale: ellacul; vegetale: colofoniul i fosile copalul (chihlimbarul), 2)
sintetice ( de polimerizare: polistiren, polivinilcarbazol, polietilen ,
poliizobutilen , policlorur de vinil, politetrafluoretilen (sau teflon); de
poliadi ie: poliuretani; epoxidice; de policondensare: poliamide, poliesteri,
carbamidice, fenolice, melaminice etc.).
R inile naturale sunt n prezent utilizate numai la prepararea unor
lacuri i componduri, deoarece propriet ile lor sunt sub nivelul celor de natur
sintetic .
Polistirenul se preteaz n toate st rile i formele sale ca dielectric n
circuite de nalt frecven datorit pierderilor foarte mici (similar parafinei) n
cmp alternativ.
Din polistiren se fabric benzi flexibile (stiroflex) pentru izolarea
cablurilor de nalt frecven ca i materiale poroase (stiporor) utilizate pentru
izola ii electrice, termice i fonice, sau pentru ambalarea instrumentelor de
m sur .
Polietilena are utiliz ri similare sub form de pl ci, tuburi, folii, piese
turnate, izola ii de cabluri i conductoare. De asemenea se utilizeaz PCV n
stare vscoas pentru lipiri i acoperiri cu pelicul izolant . PTFE (teflon) este
cea mai bun r in sintetic , cu stabilitate termic peste 250 C, p strndu - i
propriet ile i n domeniul temperaturilor criogene pn n apropiere de 0
[K]. PTFE se utilizeaz n condi ii de solicit ri intense termice i de
umiditate, pentru ma ini i aparate electrice izolate n clasele H i C. Se fabric
sub form de pl ci, bare, tuburi, carcase i folii (0,051,6 mm).
La noi n ar se produce PTFE la Combinatul chimic din Victoria.
Dintre r inile sintetice de polimerizare se utilizeaz frecvent n electrotehnic
i polimerii acidului acrilic, fie ca r ini tari (pexiglas) fie ca r ini de lipire
(plexigum).
R inile de policondensare i de poliadi ie sunt utilizate la fel, fie n
stare solid , fie n stare vscoas ca materiale de lipire sau ca baz a lacurilor.
85

Cteva dintre aceste r ini sunt surprinse n tabelul urm tor, n care
sunt prezentate i r inile siliconice de i acestea, ca i uleiurile siliconice
constituie o categorie de trecere ntre materiale organice i cele anorganice.
Tabelul 1.4. cuprinde numai valori maxime, iar pentru tg d valori
minime.
Tabelul 1.4. Propriet ile unor r ini.
Caracteristici

Densitatea
[kg/dm3]
Rezisten a la
trac iune
[daN/cm2]
Rezisten a la
ncovoiere
[daN/cm2]
Rezisten a la compresiune [daN/cm2]
Conductivitatea
termic [W/m C]
Rezistivitatea de
volum [Wcm]
Rigiditatea
dielectric
[kV/mm]
Permitivitatea er la
20 [C] i 50 [Hz]
tg d (20 C i
50 Hz)
Stabilitatea termic

Fe- Car- MelaPoliamide Sili- Eponol- ba- mino- Ny- Perlon coni- xiform- midi- formal- lon U
ce
dice
alde- ce dehidihidice
ce
1,30 1,55 1,55 1,13 1,21 1,09 1,25
600

900

Poliesteri
nesatura i
1,26

900

950

600

800

700

1200 1100 1100

1000

700

1200 1200

2100 2100 2600

1000

900

1300 1800

0,25 0,30

0,24

0,32

0,18 0,21 0,15

1012

1013

1013

109

1013

1017

1017

1015

16

16

16

25

20

70

35

26

6,5

7,4

9,5

3,7

3,5

4,2

4,9

0,06 0,03

0,45

0,02

0,014

150

160

100

510
200

710

810
150 175
3

Martens (C)

R inile fenoplaste (sau bachelitice) se utilizeaz pn la temperaturi de

150 C pentru piese electroizolante, ca baz a lacurilor sau ca liant la
fabricarea stratificatelor (pertinax, textolit etc.). Policondensarea se poate
opri i apoi continua dup necesit i.
86

Cu catalizator bazic se ob ine n timpul reac iei ntre 100 i 160 C,

bachelita A (Rezol) termoplast , aproape vscoas , bachelita B (Rezitol)
termoplast , nerigid ; i bachelita C (Rezit) termorigid , durp insolubil .
Combina ii ntre fenoplaste i carbomidice, sau melaminice pot fi realizate
pentru mbun t irea unora dintre propriet i sau pentru diversificarea posibilit
ilor de utilizare.
R inile poliamide se disting ca baz a emailurilor cu mare aderen n
special la conductorii de aluminiu sub denumirea de izoperlon, izorelon.
Poliesterii sub form de fibre, hrtie, es turi, filme sau folii transparente
(nylon, bostarphan) se utilizeaz n construc ia transformatoarelor uscate i a
bobinelor pentru electromagne i. De asemenea se utilizeaz pentru materiale
combinate (nuvolit, poliflex) sau ca suport pentru produse pe baz de mic
(H2Msi).
R inile epoxidice prezint ca o caracteristic esen ial aderen foarte bun
la suprafa a corpurilor i se utilizeaz att ca baz a lacurilor de impregnare
mai ales pentru izolan ii n clasa F. Prezint de asemenea mare rezisten la ac
iunea arcului electric, mare rezistivitate de suprafa , foarte bune propriet i
mecanice i lips de incluziuni gazoase. R inile epoxidice se utilizeaz n
amestec cu un catalizator (durifivator), f r a necesita solven i, ca r ini de
turnare, de presare, de impregnare sau de lipire, ca i pentru fabricarea
stratificatelor cu es turi de sticl (sticlotextolit) sau a materialelor combinate
pe baz de mic i es turi de sticl .
R inile sintetice cu mare aderen cum sunt cele fenolice i epoxidice se
utilizeaz pentru fabricarea maselor plastice stratificate ca: pertinax
(umplutur din hrtie de cablu preimpregnate, suprapuse i presate la cald);
textolitul (cu umplutur din esuturi textile); sticlotextolitul ( cu umplutur
din es tur de sticl ).
Din grupa materialelor electroizolante organice face parte i celuloza,
esterii i eterii celulozei, fibra vulcan i al i deriva i ai celulozei. Produsele
din celuloz au cea mai mare utilizare n electrotehnic sub form de: hrtii
(de condensator, telefonic , de cablu, hrtia suport pentru produse de mic );
cartoane (prespanuri); fibra vulcan (leteroidul) este celuloz tratat cu
clorur de zinc; filme (triacetat de celuloz ); es turi (de bumbac, in, m tase
natural , m tase artificial ); tuburi linoxinice (sterling sau varnish).
Produsele de hrtie, es turi sau fibre se utilizeaz de obicei impregnate ca
lacuri cleioase, r inoase, oleobituminoase, n general organice.

87

1.4.3.MATERIALE ELECTROIZOLANTE ANORGANICE.

Materialele electroizolante anorganice cuprind cteva gaze, cteva
roci naturale, cuar ul, azbestul i mica.
Ca materiale electroizolante gazoase, n izola ia electric se folosesc:
aerul, azotul, bioxidul de carbon i hidrogenul precum i gazele nobile: heliu,
neonul, argonul, kriptonul, xenonul.
Aerul con ine n propor ie de 78% (volum) azot i 21 % (volum)
oxigen, precum i cantit i mici de alte gaze ca: argon, bioxid de carbon,
neon.
Gazele nobile se ob in prin distilarea frac ionat a aerului lichid i sunt
neutre din punct de vedere chimic. Gazele naturale se utilizeaz n izolarea
unor cabluri, n condensatoarele cu gaz, n becurile electrice sau ca agent
frigorific.
n domeniul rocilor naturale, numai marmura i istul au unele utiliz ri
restrnse n electrotehnic .
Marmura este o roca metamorf care se ob ine n blocuri mari i se
poate prelucra mecanic la dimensiunile dorite. A fost utilizat pentru
tablourile de comand , dar a fost nlocuit n zilele noastre aproape complet
cu materiale electroizolante moderne.
istul se folose te n special cel argilos care este o roc dens sub form
de pl ci care const n principal n bioxid de siliciu. E adecvat pentru pl cile
de baz ale demaratoarelor i pentru alte aparate asem n toare cu n clase de
execu ie grea. Serve te de asemenea ca material de umplutur n compozi ia
unor mase de presare.
Cuar ul din punct de vedere chimic este un bioxid de siliciu (SiO 2).
Cuar ul cristalizeaz sub form trigonal trapezoidal . Cuar ul este unul
dintre materialele cele mai r spndite pe p mnt. n forma cea mai pur exist
n cristalul de stnc . Mai frecvent, cuar ul apare sub forma mai pu in pur de
cuar it ca parte component a nisipurilor. n stare natural , cuar ul se
prelucreaz n electrotehnic mai ales ca nisip cuar os folosit pentru stingerea
arcului electric n siguran ele fuzibile. Din materialul cuar os se produc n
forme rotative de centrifugare mai ales corpuri cu simetrie de rota ie. Cuar
ul i sticla de cuar pot fi produse ast zi i sintetic.
Cristalul de stanc datorit pre ului mare aproape c nu se folose te, dac
se face abstrac ie de utiliz rile piezo- electrice ale cuar ului. F ina de cuar se
folose te ca material de umplutur n r inile de turnare. Din sticla de cuar se
produc lamele de acoperire pentru celulele solare i baloane mici de sticl la
becurile cu halogeni. Din materialul cuar os se ob in izolatoare de sus inere
pentru instala iile de despr fuire electrostatic , nc lzitoare de imersie.
88

Asbestul este cel mai important pentru electrotehnic este crisolitul

(hidroxilicat de magneziu), n structur fibroas cu fire relativ lungi. Formula
structurii cristalului este Mg3 [(OH)4/Si2O5]; se cristalizeaz monochinal.
Exploatarea azbestului se face la suprafa sau n subteran. Buc ile de
azbest cu fibra lung se scot din roca dinamitat , se cur grosier, se sorteaz
dup lungimea fibrelor n diferite clase de calitate. Restul de roc cu con inut
de azbest se introduce n mori speciale, de unde se colecteaz a a numita
fibr de moar , un fel de vat moale.
Gradul de valorificare al azbestului brut e mic n raport cu masa de
stanc care se prelucreaz , el dep e te rareori 5%, i din aceast cauz , partea
care poate fi prelucrat n fibre de filare nsumeaz de la 5 pn la 20%.
Din fibrele lungi prin opera ia de filare se ob in fire care se prelucreaz
i sub form de es turi, nururi i benzi.
Fibrele scurte prin flotare n ap i ad ugarea unei cantit i reduse de
liant se transform n hrtie respectiv mucava.
Azbestul sub form de fibre de lungimi diferite i scame se utilizeaz ca
material de consolidare i umplutur n diferite formule de mase de presare,
respectiv piese presate. Firele de azbest se folosesc, de asemenea, la izola ia
unor conductoare.
Produsele de azbociment constau n propor ie de 80% din fibre de
azbest m cinate i 20% din ciment Portland. Azbocimentul se ob ine prin
amestecarea fibrelor de azbest cu ciment i ap , dup ce se preseaz sub form
de pl ci sau direct ca piese. Dup nt rire materialul prezint rezisten mecanic
ridicat .
Azbocimentul se caracterizeaz prin rezisten a la arcul electric i
rezisten termic ridicat .Este rezistent la flac r i la radia ii termice mari i
poate fi expus la n regim de durat la temperaturi de pn la 350C. Pl cile i
piesele de azbociment se folosesc pentru camere de stingere i pl ci suport
solicitate termic. Fibrele de azbest se pot prelucra n fire, nururi, es turi,
benzi, hrtie i carton. Azbestul nu este un material electroizolant bun, dar
este higroscopic iar con inutul de ap are mare importan asupra propriet ilor
sale electrice. Azbestul e rezistent la arcul electric si desc rc ri luminiscente.
Azbestul pur (cu un con inut de 95 99 % ) suport temperaturi de 400C.
Azbestul poate fi folosit numai la solicit ri electrice modeste, ns acolo unde
sunt temperaturi mari sau con-di ii chimice dure el este indispensabil i ast
zi. Pentru instala iile de nalt frecvent nu este utilizabil.

89

Mica apare n natur n diferite tipuri, dintre care pentru electro-tehnic

dou prezint mare importan :
muscovitul sau mica potasic ;
flogopitul sau mica magnezian .
Mica muscovit a fost mult timp cea mai utilizat
datorit
propriet ilor electrice excelente. Mica flogopit a fost mai mult
folosit
aplicatiile unde stabilitatea la
temperaturi nalte avea o nsemn tate
deosebit .
Muscovitul e un silicat de potasiu aluminiu de forma KAl2
(OH)2/AlSi3O10 iar flagopitul
un hidrosilicat de potasiu-magneziu
aluminiu.
Mica se extrage din mai multe p r i ale globului, n blocuri neregulate,
prin exploatare la zi i uneori n subteran. Mica este nglobat , de cele mai
multe ori n filoane de ferospat i cuar care sunt incluse n roca primitiv
( adesea granit).
Mica muscovit, denumit i rubimica este larg r spndit n lume dar
sursele principale de exploatare sunt India, Brazilia i SUA.
Mica flogopit denumit i ambermica este de asemenea larg r spndit
dar principalele surse sunt: Madagascar, Canada, SUA i Rusia. n Romnia
exist z c minte limitate de mic muscovit. Propriet ile micei depind n mare
m sur de puritatea i structura ei cristalin .
Mica perfect e transparent ca sticla dar de cele mai multe ori ea este
pu in colorat . La muscovit predomin nuan ele deschise: verzui, g l-bui, ro
iatec i gri. Flogopitul este mai nchis la culoare i prezint culori mai
expresive ca: galben de chihlimbar, ro u i brun. Culorile ro u brun indic
con inutul de fluor, cele brune pn la negru con inutul de fier, magneziu i
mangan.
Mica se poate cliva u or n foi e sub iri, absolut uniforme, ca o
consecin a rezisten ei mici a leg turii Van-der-Waals. Aceste foi e sunt
flexibile i elastice. Mica este rezistent la conturnare. Ceea ce caracterizeaz
de asemenea mica este rezisten a mare la str pungere electric i o mare
rezistivitate de volum. Factorul de pierderi dielectrice depinde pu in de
temperatur i frecven . Mica e rezistent la arcul elec-tric i la desc rc ri
luminescente. O foi transparent de mic de 25 m grosime las s treac 90%
din lumina vizibil .
Mica are o mare rezisten la temperaturi ridicate care sunt limitate de
temperatura de calcinare. Aceasta e temperatura la care se degradeaz
grupele hidroxilice. Mica devine la aceast temperatur tulbure i i pierde
rezisten a. Aceast temperatur se situeaz la muscovit ntre 600 i 800 C, iar
la flogopit ntre 700 i 900 C. Mica este sensibil de asemenea la varia iile
bru te de temperatur .
90

Mica sintetic fluorflogopit (Si3, AlO10, F2Mg3) posed multe din

caracteristicile naturale, i n cteva privin e este un material superior pentru
aplica iile electrice, ns pre ul foarte ridicat i dificult ile de fabrica ie i
restrng utiliz rile.
Din mic se realizeaz urm toarele semifabricate: Pl
ci rigide:
mica asamblat sub presiune cu sau f r c ldur exterioar , sub form de
pl ci rigide cu urm toarele subcategorii:
micanit de colector material rigid pe baz de mic , utilizat la
separatoare izolante ntre lamele de colector.
termomicanita cu rezisten la temperatura specificat
micanita de formare poate fi format la cald pentru scopuri
generale
micanita dur
Materiale flexibile:
mica asamblat , suficient de flexibil pentru a putea fi aplicat prin
bobinare sau nf urare, cu sau f r nc lzire se mparte n urm toarele
subcategorii:
micanite i micabenzi flexibile mica asamblat sub forma de coli,
foi i benzi
micanite si micabenzi flexibile
micabenzi poroase
Sticla este materialul cel mai reprezentativ din grupa materialelor
electroizolante anorganice produse sintetic .
Din punct de vedere fizic, sticla e un lichid subr cit cu o structur
amorf .
Aceasta este o consecin a faptului c vscozitatea cre te a a repede la
nt rire nct nu se pot forma nici un fel de cristale .Moleculele r mn astfel
n distribu ie neordonat .
Sticla se ob ine din amestecul mai multor oxizi din care cel mai
important e bioxidul de siliciu care, de regul , exist ca nisip cuar os. Al i
oxizi sunt: trioxidul de bor, trioxidul de aluminiu, oxidul de calciu.
Materialele folosite la fabricarea sticlei sunt: nisip feldspat, argil ,
ecolin .
Procedeul de ob inere a semifabricatului de sticl const n: turnare,
trefilare, laminare, suflare, presare i centrifugare.
Din sticl se realizeaz izolatori de trecere, es turi impregnate sau nu i
suporturi pentru produse pe baz de mic .

91

1.4.4. MATERIALE ELECTROIZOLANTE SILICONICE.

Acestea formeaz o categorie aparte de dielectrici deoarece fac
trecerea de la materiale organice la cele anorganice, reunind propriet ile
acestora. Ele sunt combina ii organice ale siliciului, avnd la baz gruparea
siloxan (succesiune de atomi de siliciuoxigen). polisioxanii (sau siliconii)
pot avea macromolecule liniare sau arborescente (spa iale), deci se pot
prezenta fie n stare lichid , fie n stare solid . Dup starea n care se afl
siliconii sunt: 1) lichizi (uleiurile siliconice), 2) vsco i (unsori), 3)
elastomeri (cauciucuri siliconice) i 4) solizi (r ini). Datorit grup rii
siloxanice stabilitatea termic a siliconilor este de peste 200C, chiar 250C i
i p streaz propriet ile pn la (60C) . Rigiditatea uleiurilor siliconice este
apropiat de 200 [kV/cm] iar factorul de pierderi este foarte mic.
Uleiurile siliconice se utilizeaz n transformatoare i ntrerup toare
speciale (antiexplozive), iar unsorile pentru protec ia contactelor electrice
sau la ungerea matri elor n care se toarn r ini epoxidice (pentru a mpiedica
lipirea). R inile se utilizeaz ca baz a lacurilor siliconice prin dizolvare n
toluen sau xilen (5060% r in ).
Lacurile siliconice au la baz r inile siliconice i servesc pentru
impregnarea es turilor de sticl (banda glasil); pentru materiale combinate pe
baz de mic de tipul (S2 MSi), (H2MSi) etc.; pentru fabricarea
sticlotextolitului i a micanitelor pe baz de samica sau romica; pentru
impregnarea sistemelor de izola ie ale ma inilor electrice de mare i foarte
mare putere (sistemul izotemax). Lacurile siliconice sunt nehigroscopice,
neinflamabile, rezistente la curen i superficiali de scurgere i au mare aderen la suprafa a corpurilor (ceramice, sticle, metal etc.).
Cauciucurile siliconice se utilizeaz uneori cu inser ie de sticl fie sub
form de benzi, fie ca izola ie pentru cabluri i prezint propriet i asem n toare
r inilor i uleiurilor, remarcndu- se prin propriet ile mecanice excelente, iar
din punct de vedere electric prin: permitivitatea relativ la 10 6 Hz, =
2,88; factorul de pierderi la 106 Hz, tg = 103; rezistivitatea de volum
V = 1017 [cm]; rezistivitatea de suprafa S = 1013 []; rigiditatea
dielectric ES = 120290 kV/cm. Cauciucurile siliconice cu propriet i
superioare celorlalte tipuri de cauciucuri utilizate n electrotehnic .
Interesul tehnicii s-a concentrat n ntregime asupra polimerilor
lichizi, r ino i sau cauciuco i. Din punct de vedere tehnic, produsele
siliconice se mpart n acest sens n uleiuri siliconice, r ini siliconice i
cauciucuri siliconice.
92

R inile metilsiliconice sunt n general prea rigide pentru utiliz rile

practice ad ugarea grupelor de fenol nu mbun t e te numai comportarea
elastic ci i rezisten a termic .
Astfel, la r inile siliconice sunt combina i aproape ntotdeauna
metilsiloxani i respectiv fenilsiloxani.
R inile de impregnare pentru izola ii dup procedeul de impregnare
sub vid i presiune, pentru nalt i joas tensiune, n special pentru motoarele
de trac iune de clas H, sunt realizate pe baz de fenilmetilvinilhidrogenpolixiloxani cu catalizator ncorporat de platin .
Tabelul 1.5. Propriet ile unor r inii siliconice pure.
Propriet i

Unitatea de m sur

Valori

densitatea
rezisten a la curen i de scurgere
rigiditatea dielectric
restivitatea de volum
permeabilitatea relativ la 1MHz
factorul de pierderi dielectrice 1
MHz
stabilitatea termic

grame/cm3
- KA
KV/mm
x cm
-

1,05
3
15

170

1014

3,2
10-3

R inile siliconice sunt rezistente la conturnare, insensibile la efectul

Corona i la arcul electric. Rezisten a la iradiere este de 2MGJ/Kg.
R ina siliconic este incombustibil , n foc se produce bioxid de siliciu.
Este n mare m sur rezistent la oxigen i ozon i prin aceasta rezist la mb
trnire.
R inile siliconice sunt folosite la impregnarea nf ur rilor ma inilor
electrice foarte solicitate i sub form de r ini de turnare f r solven i.
Cauciucul siliconic are rezisten a mecanic mai mic dect a altor
elastomeri; ea este comparativ mai bun n domeniul temperaturilor coborte
i mari. Cauciucul siliconic este n general, rezistent la conturnare i desc rc ri
luminiscente i poate fi expus n func ie de durat , unei doze de radia ie de
10-100 KJ/Kg. Cteva sorturi sunt apte de ntrebuin are pn la -60 oC;
temperatura de nghe se situeaz ntotdeauna sub -50oC, n formul ri speciale
chiar -100oC.
Cauciucul siliconic poate fi considerat ca fiind neinflamabil; la flac r
se produce un schelet silicic care nc mai asigur o izola ie. Vaporii de ap
sunt cei care ac ioneaz nefavorabil asupra cauciucului sili-conic.
93

Tabelul 1.6. Propriet ile unor cauciucuri siliconice.

Cauciuc siliconic
Propriet i
Rezisten a la curen i de
scurgere
Rigiditatea dielectric
Rezistivitatea de volum
Permitivitatea relativ
1Mhz
Factorul de pierdere

Reticulat La cald Reticulat La rece

U.M.

Consolidat
KA 3C

KV/mm
x cm

1Mhz

Conductivitate termic

W/Km

Neconsolidat
KA 3C

Consolidat
KA 3C

Neconsolidat
KA 3C

20
1015
2,8

20
1014
2,9-6

20
1014
3,0

20
1013
2,9-3,5

5 x 10-3

10-2

10-2

10-2

0,27

0,3

0,3

Chimic cauciucul siliconic nu este afectat de acizii slabi, alcalii,

solven i polari sau solu ii de s ruri corozive. Este rezistent la sulf i compu i
de sulf sub ac iunea c rora sorturile de cauciuc cunoscute se nt resc.
n contact cu benzina, hidrocarburile alifatice clorurate i solven ii
aromatici, cauciucul se umfl pierznd rezisten a mecanic , iar cu acizii
concentra i l distrug.
Rezisten a la ulei depinde de felul cauciucului siliconic. Acesta este
sensibil la ozon, insensibil i rezistent la intemperii, este inodor i insipid i
inofensiv din punct de vedere fiziologic. n mare m sur este rezistent la
ciuperci si bacterii. Principalele propriet ile electrice ale acestuia sunt
prezentate n tabelul urm tor.
Cu cauciucul vulcanizabil la cald se produc pl ci i tuburi flexibile, se
izoleaz conductoare i cabluri. Pl cile de cauciuc se utilizeaz ca straturi
interne pentru izola ia de faz ; tuburile flexibile izolate pentru conductele de
conexiuni ale motoarelor foarte solicitate.
Conductele de alimentare izolate asem n tor se utilizeaz pentru cuptoare i termoelemente, pentru bobinele de curs invers a bobinajului pe
orizontal a aparatelor TV i alte aparate solicitate termic.
De asemenea izolatoarele de trecere etan e, la lichid pentru unele
condensatoare se produc din cauciuc siliconic.
Cablurile de aprindere izolate cu cauciuc siliconic au dat rezultate la
motoarele cu ardere intern .
Cablurile grele sunt n stare de func ionare chiar n cazul unui
incendiu mai mult vreme pentru c nu se formeaz nici o punte de carbon
conductoare.
94

Tipurile de cauciuc siliconic vulcanizabile la rece, cu vscozit i

diferite, corespund pentru fixarea prin turnare a pieselor electronice i pentru
ncapsularea unor circuite ntregi i aparate.
Este de men ionat de asemenea folosirea pentru nf urarea statoric a
cauciucului siliconic la unele motoare de curent trifazat.
Cauciucul siliconic posed de acestea o excelent capacitate de izolare
n cazul impurific rilor pronun ate.
Uleiuri siliconice sunt lichide transparente, clare, inodore si insipide
Propriet ile lor sunt n mare m sur determinate de gradul de condensare.
Uleiurile siliconice sunt lichide izolante foarte valoroase.
Permitivitate relativ scade cu temperatura de la 2,8 , pentru a atinge la
200C valoarea 2,3. Factorul de pierderi variaz n gama de temperaturi de
la 0 la 200 C i n gama de frecven e de la 10 2 pn la 107 Hz ntre 1 i 2 x
10-4. Sub influen a radia iilor de mare energie, moleculele uleiurilor
siliconice, par ial se reticuleaz , par ial se degradeaz .
Pentru utilizarea n electrotehnic este important faptul c n cazul unui
incendiu se produce ca rezid principal de ardere bioxid de siliciu, care spre
deosebire de carbon nu este bun conduc tor. Uleiurile siliconice sunt
rezistente la ap , oxigen i o serie de substan e chimice i sunt atacate de acizi
i unele de alcalii.
Ele sunt solubile n benzin , benzen, toluen, tetraclorur de carbon,
esteri i n carbon cu greutatea molecular mai mare. Uleiul siliconic poate fi
ntrebuin at ca lichid izolant i ca lichid de impregnare pentru cablu,
condensatoare i transformatoare, ntr-o gam larg de temperaturi, dar din
cauza pre ului ridicat are o utilizare limitat .
Datorit comport rii hidrofuge este folosit adesea pentru acoperirea n
strat sub ire a izolatoarelor expuse unei atmosfere umede. Corpurile str ine
ader pe pelicula siliconic mai greu dect pe glazura de por elan, astfel
izolatoarele tratate cu silicon sunt ap rate de efectul corona m rindu-se
substan ial i tensiunea de conturnare la ploaie.
Asem n tor ac ioneaz pastele produse din ulei siliconic i agen i de
ngro are (de exemplu acid silicic pirogen), care n atmosfera impurificat
mpiedic curen ii de conturnare i str pungerile pe izolatoare. Particulele str
ine sunt nvelite i prin aceasta se izoleaz una de alta i de umiditatea de pe
suprafa a izolatoarelor.
Eforturile depuse n aceast direc ie au condus n cele din urm la
materiale izolante care au f cut posibil stabilirea claselor termice F (155C)
i H (180 C). Ambele clase sunt ast zi interna ional recunoscute. Conform
normelor clasa termic F se poate satisface cu r ini siliconice modificate
organic sau r ini echivalente, iar clasa H cu siliconi.
95

Tabelul 1.7. Principalele caracteristici ale uleiului siliconic.

Caracteristici electrice
Tensiunea de str pungere,
minim
Factor de pierderi dielectrice
la 90oC i 50 Hz, max.
Permitivitatea relativ la
90oC
Rezistivitatea n c.c., min.

U.M.
KV

G x
m

Specifica ii
40

Metode de ncercare CEI-836

19

0,001

20

2,55 0,005

20

100

20

Totu i, de exemplu r inile metil-siliconice superior reticulate nu

corespund cerin elor ce li s-ar pretinde pentru a intra n clasa H. R inile
siliconice au durata de via care n compara ie cu cele ale r inilor organice
este cel pu in egal celor cunoscute din practica ndelungat pentru clasele de
c ldur A i B ale r inilor organice.
De un interes deosebit pentru utilizarea siliconilor ca materiale
electroizolante, este faptul c se pot ob ine tipuri de r ini siliconice corespunz
toare Normelor pentru materiale electrice antigrizutoase i antiexplozive n
ceea ce prive te stabilitatea fa de amestecuri de dizolvan i i abur din diferite
grupe de inflamabilitate.

96

Pentru verificarea cuno tin elor din acest capitol r spunde i n mod
concis la urm toarele ntreb ri:
1. Ce este conduc ia electric ?
2. n ce grupe se clasific materialele conductoare din punctul de vedere
al conductivit ii electrice?
3. Care este expresia general a conductivit ii electrice?
4. Ce este mobilitatea unui purt tor de sarcin ?
5. Ce este drumul liber parcurs al unui purt tor de sarcin ?
6. Ce este timpul de relaxare al deplas rii purt torilor de sarcin ?
7. Ce este nivelul Fermi?
8. Ce numere cuantice cunoa te i?
9. Ce rol au materialele electroizolante ntr-o instala ie electric ?
10.Ce propriet i electrice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
11. Ce propriet i neelectrice ale materialelor electroizolante au importan
tehnic ?
12.n ce se m soar conductivitatea electric ?
13.Ce tipuri de rezistivit i electrice cunoa te i?
14.Ce este conturnarea unui material electroizolant?
15.n ce se m soar rezistivitatea de suprafa ?
16.De ce natur este conduc ia materialelor electroizolante?
17.De ce ordin de m rime este conductivitatea materialelor
electroizolante?
18.Cum depinde de temperatur conductivitatea unui material
electroizolant?
19.Ce este un material dielectric?
20.Ce este polariza ia electric ?
21.Care este legea leg turii dintre D,E i P ?
22.Care este leg tura dintre susceptivitatea electric i permitivitatea
electric ?
23.Ct este permitivitatea absolut a vidului?
24.n ce se m soar permitivitatea electric ?
25.Ce tipuri de polarizare cunoa te i?
26.La ce materiale apare polarizarea electronic ?
27.n ce const polarizarea electronic ?
28.La ce materiale apare polarizarea ionic ?
29.n ce const polarizarea ionic ?
30.La ce materiale apare polarizarea dipolic ?
31.n ce const polarizarea dipolic ?
32.Cum se mai nume te polarizarea dipolic ?
33.Care sunt polariz rile energofage?
97

34.Ce este polarizabilitatea electric ?

35.n ce se m soar polariza ia electric ?
36.Ce materiale au polariza ie permanent ?
37.Care este expresia general a susceptivit ii electrice dac inem cont de
cmpul electric intern?
38.Ce este polarizarea de relaxare?
39.La ce materiale apare polarizarea de relaxare?
40.Care este condi ia ca ntre dou materiale s apar polarizare de relaxare?
41.Care este expresia permitivit ii relative complexe?
42.Ce pierderi apar ntr-un dielectric intr-un cmp electric alternativ?
43.Ce este factorul de pierderi?
44.Ce este coeficientul de pierderi?
45.Ce este unghiul de pierderi?
46.Ce scheme electrice echivalente ale dielectricilor cunoa te i?
47.La ce dielectrici se folose te schema electric echivalent paralel ?
48.La ce dielectrici se folose te schema electric echivalent paralel ?
49.La ce dielectrici se folose te schema electric echivalent serie?
50.La ce dielectrici se folosesc scheme electrice echivalente mixte?
51.Ct este constanta electric de timp a schemei electrice echivalente
paralel?
52.Ce factori influen eaz pierderile de putere activ dintr-un dielectric?
53.Care este expresia pierderilor de putere activ prin incluziuni de
gaze?
54.Cum se poate eviden ia experimental existen a incluziunilor de gaze?
55.Ce restric ii exist n privin a folosirii materialelor ce con in incluziuni
de gaze?
56.Ce tipuri de rigidit i dielectrice cunoa te i?
57.Defini i rigiditatea dielectric intrinsec .
58.Defini i rigiditatea dielectric tehnic .
59.n ce se m soar rigiditatea dielectric ?
60.n ce const str pungerea unui gaz?
61.n ce const str pungerea unui lichid electroizolant?
62.n ce const str pungerea unui material electroizolant solid?
63.Din punct de vedere fenomenologic, ce tipuri de str pungeri cunoa te
i?
64.La ce tip de tensiuni se ncearc izola iile ma inilor i
transformatoarelor electrice?
65.La ce tip de tensiuni se ncearc cablurile electrice?
66.Ce factori interni influen eaz rigiditatea dielectric a unui material
electroizolant?
98

67.Ce factori externi influen eaz rigiditatea dielectric a unui material

electroizolant?
68.Ce propriet i mecanice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
69.Ce propriet i fizice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
70.Defini i porozivitatea materialelor electroizolante?
71.Ce este un material absorbant?
72.Ce este un material adsorbant?
73.Ce este un material higroscopic?
74.Ce tipuri de pori pot avea materialele poroase?
75.Ce materiale se pot impregna i n ca scop?
76.Ce propriet i termice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
77.Ce propriet i chimice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
78.n ce se m soar aciditatea unui lichid?
79.Ce propriet i tehnologice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
80.Ce propriet i ergonomice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
81.Ce propriet i economice ale materialelor electroizolante cunoa te i?
82.Defini i stabilitatea termic a unui material electroizolant?
83.Ce clase de izola ie cunoa te i i ce temperaturi la corespund?
84.Da i trei exemple de materiale din clasa de izola ie Y.
85.Da i trei exemple de materiale din clasa de izola ie B.
86.Da i trei exemple de materiale din clasa de izola ie H.
87.Ce uleiuri electroizolante naturale cunoa te i?
88.Ce uleiuri electroizolante sintetice cunoa te i?
89.Ce gaze electroizolante cunoa te i?
90.Ce este un gaz electronegativ?
91.Care este cel mai utilizat gaz electronegativ i la ce se folose te el?
92.Ce tipuri de r ini cunoa te i?
93.Ce materiale electroizolante anorganice cunoa te i?
94.Ce este un material siliconic?
95.Ce semifabricate din materiale siliconice se folosesc n
electrotehnic ?
96.Ce materiale celulozice se folosesc n electrotehnic ?
97.Ce tipuri de mic cunoa te i?
98.Care este cea mai bun folie pentru izola ii de crest tur la ma inile
electrice?
99. Ce este un material neomogen?
100.Ce este un material izotrop?

99

100

2. MATERIALE SEMICONDUCTOARE
Semiconductoarele au rezistivitatea cuprins ntre10 -5 i 108 m, adic
ntre cea a conductorilor i cea a materialelor electroizolante. Se deosebesc
de conductori i izola i i prin structura benzilor de energie:nivelurile limit
Fermi sunt situate n benzi interzise,dar de l rgimi mult mai reduse dect
cele corespunz toare izolan ilor. Au coeficientul de varia ie cu temperatura
al rezistivit ii negativ,rezistivitatea variaz neliniar cu temperatura;natura
purt torilor de sarcin depinde de natura impurit ilor iar prin suprafa a de
separare ntre doi semiconductori sau un metal i oxidul s u semiconductor
apare conduc ia unilateral (efectul de diod ). Materialele semiconductoare
i modific propriet ile sub ac iunea luminii, temperaturii, cmpului electric i
magnetic, a solicit rilor mecanice etc.
Tabelul 2.1 Propriet ile unor materiale semiconductoare
Materialul
semiconductor
C
SiC
Si
Ge
Se
Te
GaP
GaAs
GaSb
InP
InAs
InSb
SPb
SCd
TePb
TeCd
AlSb
Cu2O

wi

[eV ]

[m2 / V s]

[m2 / V s]

5.2
2.8
1.12
0.68
0.8
0.34
2.25
1.4
0.7
1.25
0.33
0.18
0.6
2.4
0.6
1.5
1.5
1.5

0.18
0.01
0.135
0.39
0.15
0.03
0.86
0.5
0.63
3.3
8.5
0.06
0.03
0.21
0.06
0.12
-

0.12
0.002
0.048
0.19
0.12
0.01
0.025
0.085
0.065
0.028
0.7
0.04
0.001
0.08
0.005
0.2
0.007

101

Ti

[oC]

5.7
6.7
11.7
16
8.4
11.1
14
10.8
11.7
16
17
5.4
11
10.1
8.75

3500
2700
1420
937
220
1465
1240
700
1070
936
523
1110
1750
917
1098
1060
1232

Semiconductorii pot fi extrinseci sau intrinseci,dup cum n banda

interzis se g sesc sau nu niveluri adi ionale produse prin doparea cu
impurit i selectate a semiconductorilor.
2.1. SEMICONDUCTORI INTRINSECI
Conduc ia electric a unui semiconductor intrinsec se poate realiza
prin promovarea unor electroni din banda de conduc ie n urma c ruia, n
banda de valen r mn niveluri incomplete ocupate i electronii ei pot
contribui la stabilirea curentului electric, al turi de electronii care au ajuns
n banda de conduc ie (incomplet ). Este convenabil ca n banda de valen
conduc ia electric s fie atribuit convec iei golurilor pe care le las electronii,
cnd se deplaseaz n cristal, n punctele pe care le p r sesc i care pot fi
considerate ca purt tori fictivi de sarcin electric pozitiv . n realitate,
golurile nu sunt numai simple absen e de electroni;ele au, de exemplu,
masa efectiv mg* diferit de a electronilor i negativ . ntr-un semiconductor
intrinsec se spune, deci,c procesul conduc iei se realizeaz prin electronii din
banda de conduc ie i prin golurile din banda de valen ; conduc ia astfel
realizat , se nume te conduc ie intrinsec .
n tehnic se utilizeaz , n prezent, numai semiconductori extrinseci.
Totu i conduc ia intrinsec are importan teoretic , deoarece apare i la
semiconductoarele extrinseci.

Figura 2.1. Conduc ia intrinsec

n figura 2.1 sunt prezentate, n principal, benzile de valen i de
conduc ie ale unui semiconductor.
102

La semiconductorii uzuali (Ge, Si, etc), banda interzis este larg si de

aceea, numai la temperaturi destul de ridicate se pot efectua suficient de
numeroase tranzi ii ale electronilor din banda de valen n banda de conduc
ie (s geata 1), pentru a se ob ine o conductivitate intrinsec sesizabil . L
imea benzii interzise pentru cele mai des utilizate materiale
semiconductoare este prezentat n tabelul 2.2.
Putem stabilii mai nti num rul electronilor din banda de conduc ie i
al golurilor din banda de valen , n func ie de temperatur , f r s facem,
deocamdat , nici o presupunere relativ la provenien a lor. n acest scop not
m cu w nivelul de energie superior al benzii de valen i cu wc nivelul
inferior al benzii de conduc ie, care satisfac, evident, rela ia wc-w=w.
Tabelul 2.2. L imea benzii interzise
Materiale Ge
Si
wi [eV ]
0,65 - 0,72 1,1 - 1,2

Sn Cu2O InSb InAs GaSb GaAs

0,08 2,1
0,18 0,33 0,8
1,45

Densitatea st rilor orbitale din banda de conduc ie, pentru unitatea de

volum a cristalului este :

h
2

g(w) = [1 / 4

] (2

) 3 / 2 (w - w c )1 / 2

(2.1)

cu ajutorul rela iei (2.1.) se ob ine expresia num rului de electroni din
unitatea de volum care au energia cuprins n intervalul (w, w+dw) n lipsa
unor cmpuri electrice exterioare:
(2.2)
dN 0 (w) = g(w) 2j0 (w) dw
Num rul de goluri din banda de conduc ie i din unitatea de volum,
considernd c nivelul superior al benzii se g se te la infinit, rezult atunci din
rela ia

N
(2.3)
= 2 g(w)j (w) d(w) .
0

Integrala poate fi efectuat relativ simplu la temperaturile uzuale,

cnd w w F kT si cnd
j0 (w) = 1 /[exp[(w - w F ) / kT] + 1] exp[-(w - w F ) / kT]]. Se obtine:
N o = 2(

m 0 kT
*

) 3 / 2 exp[-(w c - w F ) / kT]

2h 2

103

(2.4)

Num rul de goluri din banda de valen , provenite din tranzi ii oarecare
ale electronilor acestei benzi, se calculeaz analog, cu deosebirea c
densitatea de reparti ie a golurilor nu este o(w) ci [1- o(w)], deoarece prezen
a unui gol presupune absen a unui electron. Se ob ine, n acest caz, pentru
num rul Ng de goluri din unitatea de volum, n banda de valen , expresia:
N g = 2( m g kT
2Ph

)3/2

exp[(w V - w F ) / kT]

(2.5)

n care mg* reprezint masa efectiv a unui gol. n tabelul 2.3. se indic
valorile masei echivalente ale unui electron, respectiv ale unui gol, raportat
la masa mo a electronului, pentru Ge si Si.
Plaja ntins a valorilor indicate n tabel, pentru fiecare raport m *0 / m 0
sau m*g / m 0 se datoreaz faptului c masa efectiv depinde
sensibil de direc ia de mi care a purt torilor de sarcin n cristal. Spre
deosebire de metalele monovalente pentru care masa efectiv a
electronului este apropiat de mo la semiconductori, n care purt torii de
sarcin , de conduc ie, se g sesc la marginile benzilor permise (electronii n
vecin tatea nivelului wc, iar golurile n vecin tatea nivelului w ), masele
efective se deosebesc mult de mo.
Tabelul 2.3.
.
Dac se efectueaz

m* / m

m* / m
0

Ge 0.08 - 1.60
Si 0.19 - 0.98

produsul No* Ng se ob ine expresia:

0.04 - 0.34
0.16 - 0.52

N 0 N g = 4( kT ) 3 (m 0 m *g ) 3 / 2 exp[-w i / kT]

(2.6)

2h 2

din care rezult c produsul este independent de pozi ia nivelului limita Fermi
n banda interzis . Acest produs nu depinde nici de modul n care au fost
promova i electronii, respectiv golurile n banda de conduc ie, respectiv de
valen a a cum am subliniat i mai sus, adic este independent de provenien a
purt torilor de sarcin . n particular n cazul conduc iei intrinseci cnd:
No=Ng (deoarece electronii din banda de conduc ie provin din banda de
valen ), rezult :

10
4

N0 =Ng =

= 2( kT ) 3 / 2 (m*0 m*g ) 3\ 4 exp[-w i / 2kT]

N0Ng
2h 2

(2.7)

Ge

Cu aceast expresie, rezult ,,la temperatura camerei, pentru:

iar pentru
N o = N g 2,4 1019 [m 3 ] ,

Si

N o = N g 6.5 1016 [m 3 ].

Din egalitatea No = Ng se mai ob ine, expresia:

w F = w c + w + 3kT ln( m *g )
2
4
m *0

(2.8)

La temperaturile uzuale, al doilea termen din membrul drept este

neglijabil fa de primul i de aceea
(2.9)
wF wc w
2

adic nivelul limit Fermi se g se te, n cazul semiconductorilor intrinseci, la

mijlocul benzii interzise Fermi.
Pentru calculul conductivit i intrinseci se poate folosii expresia:
2
t
N 0 q 02
t
N 0 q 02 t g
0

s i = m *o

= N 0 q 0 ( m*0 + m*g )

m*g

(2.10)

n care g este durata de relaxare a golurilor i n care am inut seama c No

= N g.
Dac se utilizeaz
mobilit ile Me ale electronilor, i Mg ale
golurilor, se mai poate scrie:
(2.11)
si = N 0 q 0 (M e + M g )

Deoarece func iunea T 3 / 2 variaz cu T mult mai lent

se mai poate

scrie i formula:
N 0 = C N exp [-w i / 2kT]

Cu factorul practic constant:

C N 2(kT / 2h 2 )3 / 2 (m*0 m*g )3 / 4
In acest caz (2.12) are forma:

(2.12)
(2.13)
(2.14)

si = C i exp[-w i / 2kT]

n care:
2
=C

t
(

m* 0

g
m* g

)=C

+M

q (M

(2.15)

i, deci ca i CN factorul Ci este practic independent de temperatur , la

temperaturile uzuale. Conductivitatea intrinsec cre te deci cu temperatura i
poate avea valori importante la temperaturi nalte.
105

In tabelul 2.4 se indic valorile mobilit ilor electronilor i golurilor, la

temperatura camerei, n germaniul intrinsec i n siliciul intrinsec.
Tabelul 2.4
Ge
Si

Me [cm/Vs]
3900100
1350100

Mg [cm/Vs]
1900100
48015

2.2. SEMICONDUCTORI EXTRINSECI

Dac se adaug impurit i unui semiconductor, acestea pot determina
apari ia unor niveluri de energie suplimentare, numite niveluri adi ionale n
banda interzis a semiconductorului.Ca exemplu, presupunem c ntr-un
cristal pur de Ge (sau Si), care este un element tetravalent, se adaug atomi
trivalen i (de bor ) n acest caz, electronul de valen al unui atom de Ge
vecin cu cel de B r mne neparticipant la leg turile chimice din cristal,
deoarece atomul de B are numai 3 electroni de valen (figura 2.2a).
Leg tura chimic reprezentat prin linie ntrerupt n figura 2.2a este
nesatisf cut i pentru a o satisface, un electron al unei legaturi vecine se
desprinde, la un moment dat, datorit agita iei termice din aceast leg tur i
trece n nveli ul electronic al B-ului, ionizndu- l (s geata ); electronul
amintit efectueaz o tranzi ie din banda de valen a cristalului de Ge pe un
nivel energetic notat cu a n figura 2.3 i de energie w p. Nivelul p, numit
nivel acceptor este neocupat, n stare normal (fundamental ), de electroni i
este situat deasupra benzii de valen , tranzi ia efectundu-se, deci, n ur-ma
absorbirii, de c tre electron, a unei cantit i de energie de agita ie termic .
Intereseaz cazul acelor impurit i trivalente care formeaz niveluri acceptoare
imediat deasupra benzii de valen , pentru ca tranzi iile s se efectueze i la
temperaturile uzuale. Pentru Ge i Si sunt, astfel folosite n special
elementele trivalente: Bor, Al, Galiu, Indiu. S geata 1 din figura 2.3 indic
tranzi ia unui electron din banda de valen pe un nivel acceptor. Tranzi iei i
corespunde tranzi ia unui gol (cu sarcina electric +qo) de pe nivelul acceptor
n banda de valen .
Electronul promovat pe nivelul p este ns captat de acesta, deoarece
nivelul acceptor e strict localizat n jurul atomului de impuritate i, din
aceast cauz nu poate participa la conduc ia electric . n schimb, golurile
produse n banda de valen pot stabilii curen i electrici n cristal (de fapt ace
tia sunt stabili i de electronii din banda de valen r mas , datorit tranzi iilor,
incomplete).Se spune c se efectueaz o conduc ie prin goluri, iar
semiconductorii care o prezint se numesc semiconductori de tip p (de la
numele pozitiv a sarcinii golului).
106

Figura 2.2 Re eaua cristalin a Ge dopat cu impurit i: a

acceptoare, b donoare

Figura 2.3 Tranzi ia electronilor i a golurilor din zona de valen

Dac Ge sau Si se dopeaz cu un element pentavalent (Fosfor, Arsen,
Stibiu), unul dintre electronii de valen ai acestuia, situat pe un nivel notat cu
d de energie wn (figura 2.3), nu particip la leg turile chimice i prin absorb ie
de energie de agita ie termic , poate trece n banda de conduc ie a Ge (Si)
adic poate devenii electron liber (cvasiliber) a corpului. Nivelurile n, numite
niveluri donoare, sunt ocupate n stare normal , de electroni. Prezint
importan n tehnic impurit ile pentavalente care produc niveluri donoare
apropiate de banda de conduc ie pentru ca tranzi ia w d wc s se efectueze i la
temperatura camerei. Conduc ia electric se efectueaz n acest caz prin
electronii promova i n banda de conduc ie de pe nivelurile donoare, iar
semiconductorii respectivi se numesc semiconductori de tip n (de la
numele negativ al sarcinii electronului). n tabelul 2.5 sunt indicate
valorile we=wc-wd pentru principalele impurit i donoare din Ge si Si.
107

Spre deosebire de metale, n cazul temperaturilor uzuale,

rezistivitatea semiconductoarelor scade pe m sur ce temperatura cre te
(figura 2.4). Pe baza acestei propriet i se realizeaz termistoarele,
termoelementele, straturile termoemisive, etc.
Tabelul 2.5. L imea zonei interzise
Impuritate
Fosfor, P
Arsen, As
Stibiu, Sb
Bor, B
Aluminiu, Al
Galiu, Ga
Indiu, In

n germaniu
0.012
we [eV ] 0.0127
0.0096
wg [eV ] 0.0104
0.0102
0.0108
0.0112

n siliciu
0.044
0.049
0.039
0.045
0.057
0.065
0.16

Efectul
donor

acceptor

Cre terea gradului de impurificare voit (dopare) sau accidental

(impurit i necontrolate) determin o cre tere a conductivit ii
semiconductoarelor. Astfel, la temperatura normal , Ge pur are rezistivitatea
de 0.47 m, dar impurificat cu atomi de Sb n raportul 1 : 108 prezint o
rezistivitate de numai 0.04 m. Dac ns concentra ia impurit ilor dep e te o
anumit valoare mobilitatea purt torilor de sarcin i deci conductivitatea
semiconductorilor prezint o tendin de sc dere.

Figura 2.4. Influen a impurit ilor asupra conductivit ii i rezistivit ii.

108

Doparea semiconductoarelor se realizeaz , practic, prin metoda

tragerii sau a topirii zonare.

Figura 2.5. Dependen a conductivit ii de temperatur prin efect intrinsec i

extrinsec.
De i pentru cei mai mul i semiconductori dependen a direct de
temperatur a conductivit ii este valabil pentru ntreg domeniul de
temperaturi n care sunt utiliza i tehnic, pentru unii semiconductori pn la
temperatura T1 predomin efectul de cre tere a concentra iei purt torilor
(efect intrinsec) iar peste aceast temperatur predomin efectul de frnare prin
agita ie termic . Al i semiconductori la temperaturi sub valoarea T 2 cre terea
conductivit ii este lent datorit agita iei termice iar apoi cre terea este rapid
prin efect intrinsec. Rezult c trebuiesc respectate riguros limitele de
temperatur prescrise pentru asigurarea unei exploat ri optime i cu durat de
via maxim a semiconductorului.
Cantitatea de impurit ii necesar m pentru ob inerea prin metoda
tragerii - a unui semiconductor cu o anumit rezistivitate i o concentra ie
uniform se determin cu rela ia:
m M N[Kg]
kAd

(2.16)

unde M reprezint masa semiconductorului care se impurific (Kg), d

densitatea sa (Kg/m); A concentra ia masic a atomilor de impuritate
(Kg1); N concentra ia volumic a impurit ilor din prima por iune a
cristalului semiconductor (m3); k un coeficient de reparti ie a impurit ii
utilizate. Gradul de impurificare al unui semiconductor (concentra ia
impurit ilor) se poate determina prin m surarea rezistivit ii sale, iar n cazul
unei dop ri neuniforme prin m surarea varia iei rezistivit ii n lun-gul
cristalului.
109

n func ie de natura i con inutul impurit ilor se realizeaz o mare

varietate de dispozitive semiconductoare : diode, tranzistoare, etc.
Cu cre terea intensit ii cmpului electric, cre te probabilitatea de
tranzi ie a electronilor de pe nivelurile donoare (sau din banda de valen ) n
banda de conduc ie.n felul acesta, cre te concentra ia purt torilor de sarcin
din banda de conduc ie i deci conductivitatea corpului. Anumite cristale
(sulfuri de zinc) prezint , sub ac iunea cmpului electric, fenomenul de
luminescen . n cazul existen ei unei jonc iuni l rgirea stratului de blocare i
deci rezisten a electric a acestuia depind att de intensitatea cmpului
electric ct i de sensul cmpului electric stabilit prin corp. Aceast
proprietate este utilizat ndeosebi la fabricarea diodelor redresoare,
tranzistoarelor, fotoelementelor etc.
Ac iunea cmpurilor magnetice exterioare asupra materialelor
semiconductoare se manifest prin fenomenul de magnetizare, efectul Hall i
efectul magnetostrictiv.
Efectul magnetostrictiv direct const n modificarea dimensiunilor
unui corp sub ac iunea unui cmp magnetic. Semiconductoarele se utilizeaz
ca materiale magnetostrictive datorit valorilor mari ale rezistivit ii lor.
Efectul Hall const n apari ia unei tensiuni electrice Un ntre fe ele
laterale ale unei pl ci semiconductoare de grosime d parcurs de curentul I i
situat ntr-un cmp magnetic de induc ie B, perpendicular pe ea:
(2.17)
UH = RHBI/d
M rimea RH, numit constanta Hall, variaz mult mai pu in dect n
cazul metalelor, motiv pentru care semiconductoarele se utilizeaz la
fabricarea generatoarelor Hall cu aplica ii n m surarea cmpului magnetic,
a intensit ii cmpului electric, a puterii, n amplificare, n telecomenzi etc.
Ac iunea luminii sau a altor radia ii se manifest asupra
semiconductoarelor prin efectele fotoelectrice :fotoconductiv, fotovoltaic i
de luminescen . n cazul efectului fotoelectric, energia radia iei este utilizat
pentru smulgerea electronilor din materiale, adic pentru ob inerea
fotocatozilor. Efectul fotoconductiv, adic m rirea conductivit ii
materialului sub ac iunea radia iilor luminoase st la baza realiz rii celulelor
fotoconductive sau fotorezistente. Efectul fotovoltaic const n apari ia, sub
ac iunea radia iilor, a unei tensiuni electromotoare la jonc iunea p-n dintre
doua semiconductoare (tensiune datorat purt torilor de sarcin elibera i prin
iradiere care traverseaz jonc iunea i se acumuleaz n cei doi semiconductori
electroni n n i goluri n p).St la baza realiz rii celulelor fotovoltaice.

110

Efectul de luminiscen se utilizeaz ndeosebi pentru construirea

dispozitivelor sensibile la radia ii ultraviolete sau Roentgen.
Sub ac iunea solicit rilor mecanice se distruge re eaua cristalin i deci
se modific rezistivitatea corpului. Acest fenomen este utilizat n realizarea
traductoarelor mecano-electrice : microfoane cu c rbune, accelerometre etc.
De asemenea, se produce un fenomen magnetostrictiv invers :prin
modificarea dimensiunilor semiconductorului se produce o varia ie a
cmpului magnetic n care se afl acesta. Efectul piezoelectric nso it de
apari ia unor sarcini electrice pozitive i negative pe fe ele opuse ale unei pl
ci semiconductoare supuse, unor solicit ri mecanice este utilizat n
fabricarea traductoarelor de presiune, a for elor, accelera ilor, a
generatoarelor de ultrasunete etc. Este prezent doar n cazul semiconductorilor piezoelectric.
Germaniul este un element pu in r spndit n scoar a p mntului
(0.07%), minereurile cu con inutul cel mai bogat n Ge fiind renierita
(sulfura de Cu, Fe, As i Ge), germaniul ( Cu 6 FeGeS ) i argiroditul
( 4Ag 2 SGeS2 ).Face parte din grupa a-IV-a sistemului periodic al
elementelor i cristalizeaz n sistemul cubic cu fe e centrate. Se oxideaz la
700o C, nu reac ioneaz cu apa i se dizolv n acid sulfuric, n amestecuri de
acizi, baze etc. Reac ioneaz cu halogenii, formnd compu i de tipul GeCl4 ,
GeI4 etc. Cu metale alcaline sau alcalino-p mntoase se formeaz compu i
semiconductori.
Propriet ile semiconductoarelor depind de starea de puritate a
cristalului, de temperatur etc.
Fazele tehnologice de ob inere a germaniului sunt :
- Extragerea oxidului de germaniu brut.
- Purificarea chimic a oxidului brut.
- Reducerea bioxidului de germaniu
Spre deosebire de germaniu, siliciul este unul dintre cele mai r
spndite elemente din natur . Se g se te n scoar a p mntului n procent de
27% sub form de bioxid de siliciu sau silica i.
Siliciul tehnic, cu o puritate de 98%, se ob ine relativ u or prin
reducerea bioxidului de siliciu cu cocs n cuptorul electric.
Purificarea ulterioar a siliciului prezint dificult i determinate de:
temperaturile nalte ce intervin n procesele de prelucrare, reactivitatea
chimic ridicat a siliciului n stare topit , ineficacitatea procesului de
purificare zonal pentru eliminarea unor impurit i (ca: bor, fosfor i arsen).
Purificarea naintat a siliciului se efectueaz aproape exclusiv pe cale
chimic . Principalele procedee de purificare se bazeaz pe distilarea naintat i
reducerea sau descompunerea termic a unor compu i ai Si.
111

Pentru ob inerea siliciului cu o rezistivitate de ordinul sutelor de cm

se utilizeaz reducerea tetraclorurii de siliciu, iar pentru ob inerea siliciului
cu o rezistivitate mai mare de 1000 cm se folose te reducerea
triclorsilanului.
Deoarece pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare este
necesar o puritate foarte ridicat a materialului semiconductor, iar pe cale
chimic aceasta puritate nu poate fi atins practic, se recurge la purificarea pe
cale fizica (dup purificarea pe cale chimic concentra ia de impurit i n
materialele semiconductoare nu poate fi redus la mai pu in de 10
atomi/cm).
Tabelul 2.6. Caracteristicile principale ale germaniului si siliciului
Caracteristici
Densitatea [Kg/dm]
Duritatea Mosh (scara diamant)
Concentra ia atomic [m ]
Constanta re elei [nm]
Coeficientul de dilata ie liniar [K ]
Conductivitatea termic [W/mK]
Temperatura de topire [C]
Temperatura de fierbere [C]
C ldura specific [J/KgK]
Permitivitatea relativ
Rezistivitatea intrinsec la 300K [ m]
L rgimea benzii interzise la 0K [eV]
L rgimea benzii interzise la 300K [eV]
Mobilitatea electronilor la 300K [m/Vs
Mobilitatea golurilor la 300K [m/Vs
Constanta de difuzie a electronilor [m/s]
Constanta de difuzie a golurilor [m/s]
Lucrul mecanic de extrac ie [eV]

Ge

Si

5.33
6.25

2.3283
7

4.45 1028

0.543072
6

6.1 10

16.6
9370.6
2700
756
16.030.2
0.47
0.756
0.756
0.39
0.1
0.01
0.0049
4.80.1

5 1028

0.565754
2.33 106

60
14174
2600
309
11.070.2
(2.5 - 3) 103

1.21
1.105
0.145
0.048
0.0035
0.0012
5.050.2

Purificarea pe cale fizic a germanului se face prin eliminarea direct a

impurit ilor i prin topirea zonal , iar purificarea fizic a siliciului se realizeaz
prin metoda topirii zonale.

112

2.3. JONC IUNEA MOS.

Dac se consider un metal i un oxid semiconductor de tip donor, ninte
de punerea lor n contact, zonele de energie se prezint ca n fig. 2.6.
Electronii liberi n semiconductor au energii mai mari dect n metale
datorit energiilor mari de leg tur , respectiv a energiei corespunz toare zonei
interzise.

Figura 2.6. Metalul i semiconductorul naintea punerii n contact.

Dup punerea n contact a metalului cu semiconductorul se produc
procese de difuzie care ns nu sunt complet elucidate. Conform teoriei lui
Bardeen, n semiconductorul de tip n are loc o difuzie a electronilor spre
suprafa a de separa ie (f r a dep i jonc iunea) pn la o adncime ( n
interiorul acestuia, a a cum este sugerat n figura 2.7. n urma difuziei n
semiconductorul n se constituie o sarcin spa ial pozitiv iar la frontiera cu
metalul (pe partea dinspre semiconductor a jonc iunii o sarcin spa ial
negativ . Poten ialul sarcinii spa iale se nume te poten ial de difuzie (V 0) iar
gradientul acestuia determin un cmp electric de difuzie (ED) orientat
dinspre centrul sarcinii spa iale pozitive spre jonc iune. Acest cmp
realizeaz la un moment dat echilibrul difuziei, un echilibru dinamic, dat
fiind c n unitatea de timp vor trece de la jonc iune spre parte neutr a
semiconductorului tot at ia electroni c i au trecut i invers. Astfel diferen a
de poten ial se men ine constant corespunz toare unei temperaturi date.
Echilibrul termodinamic se realizeaz n momentul n care nivelul Fermi din
metal (FM) coincide cu nivelul Fermi din semiconductor (F n) ca n figura
2.7.
113

L imea ( 0) se comport ca un strat de baraj care limiteaz difuzia

electronilor din semiconductor, iar dup atingerea echilibrului termodinamic
difuzia r mne neschimbat . n aspectul zonelor de energie corespunz toare
atomilor afla i la diferite dep rt tori de jonc iune, n semiconductor, apar
modific ri i distorsiuni ale nivelelor de energie (fig.2.7).

Figura 2.7. Jonc iunea MOS.

Dup l imea ( 0), unde n sfr it sarcina spa ial pozitiv , zonele de
energie se identific din nou cu aspectul lor din fig. 2.6. Din fig. 2.7. rezult c
ntre partea neutr a semiconductorului i jonc iune, se interpune o barier de
poten ial de n l ime (eVD) corespunz toare poten ialului de difuzie i de l
ime (0). Pentru trecerea unui electron peste bariera de poten ial, acesta
trebuie s posede o energie cel pu in egal sau mai mare dect (eV D), adic
trebuie s fie satisf cut condi ia:
(2.18)
eVD
1 mv2
2

Aceast condi ie nu se realizeaz nici chiar la temperatura camerei, dect n

foarte mic m sur . Desigur, trecerea de electroni poate avea loc i prin efect
tunel ns aceasta, n general, numai dac l imea bare nu dep e te (3040 ).
Din fig. 2.7. se poate observa c n apropierea jonc iunii nivelului limit
Fermi se afl deasupra ultimului nivel al zonei de valen ca i la
semiconductorii acceptori iar la o dep rtare mai mare ca (0) el se afl ntre
nivelul donor (Cn) i primul nivel al zonei de conduc ie (la temperaturi la
care semiconductorul este degenerat), ca i la semiconductorii donori.
114

Prin urmare pe domeniul barierei de poten ial are loc inversarea

naturii conductibilit ii de la conduc ie prin goluri (de tip p) la conduc ia
prin electroni (de tip n). De aceea stratul de baraj se mai nume te i strat
de inversie. L imea (l0) a stratului de inversie depinde de natura
semiconductorului, ca i poten ialul de difuzie (VD). De exemplu pentru
germaniu l0 = 104 [cm] i VD = 0,72 (V).
n absen a unui cmp electric exterior, deci la (E = 0), curentul de
difuzie determinat de trecerea electronilor dinspre metal spre
semiconductor, sau invers, poate fi exprimat 5 printr-o rela ie corespunz
toare curentului de emisie termonuclear (care are loc de la un metal
incandescent n vid), adic
eVD

i1 = 4pm e kT2 e0 kT

(2.19)

n3

unde: s-a notat cu (eC) baza logaritmilor neperieni pentru a nu se confunda

cu sarcina electronului (e), iar semnifica ia celorlalte nota ii este cunoscut .
Dac aplic jonc iunii un cmp electric exterior, deci la (E 0)
comportarea acesteia depinde de sensul cmpului aplicat n raport cu
cmpul de difuzie (ED), punndu-se n eviden conduc ia unilateral a jonc
iunii.
Cnd cmpul exterior este aplicat n sens invers cmpului de
difuzie (ED), semiconductorului i revine polaritatea negativ (V), dac cu
(V) se noteaz poten ialul din care deriv cmpul exterior (E). Ca urmare n l
imea barierei de poten ial se reduce la valoarea (eV, eV), iar distorsiunea
nivelelor energetice se reduce corespunz tor, ca n figura. 2.8.

Figura 2.8. Jonc iunea MOS n cmp direct

115

Pentru trecerea electronului dinspre semiconductor spre metal este

necesar o energie corespunz toare mai mic , adic :
(2.20)
1 mv2 eVD - V
2

care poate fi furnizat de cmpul exterior la temperatura camerei, chiar la

intensit i de cmp foarte mici.
Prin urmare jonc iunea are conductivitate mare i se spune c este
alimentat n sens direct. Curentul electric prin jonc iune devine
2
(2.21)
i2 = 4pm e
eVD V
h3

kT

e0

kT

Din (2.21) rezult c valoarea curentului prin jonc iune se m re te odat

cu cre terea intensit ii cmpului electric aplicat. Concomitent cu reducerea
n l imii barierei de poten ial are loc i reducerea l imea
acesteia (0) i respectiv se accentueaz i efectul tunel.
Dac ns cmpul exterior (E) este aplicat n sensul cmpul de difuzie
(ED), semiconductorului revenindu-i polaritatea pozitiv (+V), se m re te
corespunz tor n l imea barierei de poten ial la (eV D+eV), ceea ce determin
distorsionarea accentuat a nivelelor de energie, reprezentat n fig. 2.9. n
consecin energia necesar trecerii electronului peste bariera de poten ial,
similar rela iei (2.21), este corespunz tor mai mare. Aceast energie nu poate
fi transmis electronului de c tre cmpul electric exterior f r ca jonc iunea s
nu se str pung .

Figura 2.9. Jonc iunea MOS n cmp invers.

116

Corespunz tor cre terii n l imii barierei de poten ial se m re te i l imea

sa (0) nct efectul tunel devine practic nul. Curentul electric prin jonc
iune este
2
(2.22)
i2 4Wme
eVD V
kT

h30

e0

kT

ceea ce, la temperatura camerei i la o intensitate a cmpului exterior ce nu

produce str pungerea, reprezint valoare practic, nul . Deci jonc iunea se
comport ca un electroizolant. Se spune c jonc iunea este alimentat n sens
invers.
Dac la alimentarea n sens direct sau n sens invers se ia in considerare i
curentul datorat difuziei (3.41), rezult curentul total prin jonc iune:

i i2 i1 4Wme
h
3

2
kT

eV

eV
ee

kT

kT

(2.23)

unde (i1) apare cu semnul minus deoarece la alimentarea n sens direct

curentul de difuzie este de sens opus celui de cmp, iar la alimentarea n
sens invers curentul de cmp (i2) este practic nul.

Figura 2.10. Efectul de diod .

Cum temperatura (T) dat i pentru un semiconductor dat, factorii
parantezei pot fi inclu i ntr-o constant (c), curentul prin jonc iune, n func
ie numai de sensul cmpului exterior, devine:
11
7

i = c e0

eV
kT

(2.24)

-1

Conduc ia jonc iunii MOS este deci unilateral i se realizeaz numai la

alimentarea n sens direct a acesteia.
Aceast proprietate a jonc iunii este numit efect de diod , deoarece la
alimentarea n cmp electric se ob ine redresarea tensiunii i curentului.
Reprezentnd grafic (2.24) se ob ine caracteristicile de redresare, ca n fig.
2.10, pentru diferite temperaturi, unde cu indicele (d) sunt notate m rimile
corespunz toare aliment rii n sens direct, iar cu (i) cele n sens invers.
Efectul de diod al jonc iunii MOS se reg se te la jonc iunile formate
de semiconductorii dopa i cu impurit i de valen diferit ,cum ar fi un donor
cu un acceptor. Acest efect a condus la aplica ii de extrem importan n
tehnic i tiin a acestei categorii de materiale.

2.4. JONC IUNEA n-p

Jonc iunea de tip np se realizeaz prin impurificarea unui cristal de
Ge sau Si cu impurit i donoare la un cap t i acceptoare la cel lalt, folosind
procedee tehnologice astfel ca cele dou zone n i p s fie nvecinate.

Figura 2.11. Nivelele energetice ale semiconductorilor de tip n i p

118

Dac se consider separat fiecare din cele dou zone ale jonc iunii n p,
zonele de energie corespunz toare se reprezint ca n fig. 2.11. n fig. 2.11
este sugerat, prin figurarea s ge ilor, faptul c la temperatura norm n
semiconductorul donor, atomii donori sunt ioniza i (pozitiv) i c electronii de
pe nivele donoare se afl n zona de conduc ie. La fel este sugerat efectul
intrinsec, prin saltul electronilor n zona de conduc ie direct din zona de
valen l snd n urma lor goluri (echivalente cu sarcini pozitive).
Rezult c purt torii majoritari sunt electronii iar minoritari golurile. O
reprezentare similar s-a f cut pentru semiconductorul acceptor n care
electronii sunt minoritari iar golurile majoritare. nainte de a considera
cele dou p r i puse n contact, se admite c partea acceptoare este legat la p
mnt i deci poten ialul ei nu se modific . Dac se consider c cele dou p r i n
i p ale conductorului se pun n contact, datorit concentra iei mari de
electroni n n zona de conduc ie i respectiv de golurile p n zona de
valen , are loc difuzia electronilor din n n p ntr-o regiune ce elimin
jonc iunea. n partea jonc iunii dinspre semiconductorul n se formeaz o
sarcin spa ial pozitiv , iar n partea dinspre semiconductorului p una
negativ (deoarece aici s-a localizat un num r excedentar de electroni) a a
cum se reprezint n fig.2.12. Prin punct plin s-a figurat electronul
excedentar al atomului donor, iar prin cercuri mici golurile atomilor
acceptori

Figura 2.12. Jonc iunea n-p

119

n urma difuziei, n regiunea de l ime (0) electronii din n

compenseaz golurile din p. Atomii donori se ionizeaz deci pozitiv iar cei
acceptori negativ . Pe m sur ce electronii excedentari ai impurit ilor
donoare difuzeaz n re eaua impurit ilor acceptoare are loc mic orarea
valorii nivelului limit Fermi donor, la o anumit valoare a cmpului de
difuzie (ED), cnd se stabile te echilibrul termodinamic, nivelul Fermi (F n) a
semiconductorului n coincide cu (Fp) al semiconductorului p. Aceasta
determin distorsiunea nivelelor de energie, ca n fig.2.12, i apari ia barierei
de poten ial de n l ime (eV D). Rezult c trecerea pur-t torilor de sarcin dintro parte a jonc iunii n cealalt nu este posibil numai dac energia acestora este
egal sau mai mare dect bariera de poten ial.

Figura 2.13. Jonc iunea n-p n cmp direct.

Conduc ia unilateral a jonc iunii rezult i n acest caz dac se
consider alimentarea acesteia cu tensiune continu , de polaritate dat .
Dac cmpul electric exterior (E) este aplicat n sens invers
cmpului electric de difuzie (ED), similar jonc iunii MOS, polaritatea
negativ (V) revenind semiconductorului n, bariera de poten ial se reduce
(eVDeV) ca n fig.2.13 i la temperatura camerei, purt torii de sarcin att
n ct i p o pot escalada chiar i la instala ii foarte mici ale cmpului
electric exterior. Deci jonc iunea este alimentat n sens direct i prezint
conductivitate foarte mare (vezi rela ia 2.21).
120

Dac se aplic cmpul electric exterior n sensul cmpului de difuzie

(ED); bariera de poten ial cre te la valoarea (eV D+eV) i distorsiunea
nivelelor de energie se accentueaz ca n fig.2.14. Purt torii de sarcin nu mai
pot traversa jonc iunea deoarece nu el poate fi transmis energia necesar f r
ca aceasta s nu se distrug .
Jonc iunea este practic electroizolant , iar curentul ce o str bate este
neglijabil (rela ia 1.22). Deci jonc iunea este alimentat n sens invers. Dac
se aplic jonc iunii np o tensiune alternativ , datorit conduc iei unilaterale,
se ob ine redresarea curentului, deci efectul de diod . n practic jonc iunile
np au aplica ii multiple att n domeniul curen ilor slabi ct i n tehnica
curen ilor tari.

Figura 2.14. Jonc iunea n-p n cmp invers

n prezent se utilizeaz diode semiconductoare de Si sau Ge pentru
curent direct de ordinul sutelor de amperi i tensiunea invers de valoare
foarte mare (1,5~3 kV). Se utilizeaz de asemenea jonc iuni duble de tipul
(npn) n care conduc ia revine n principal electronilor, sau de tipul (p
np) cu conduc ie predominant prin goluri, ambele func ionnd cu
tiristoare.
Doparea precis a elementelor semiconductoare n vederea ob inerii
jonc iunilor a permis realizarea diodelor semiconductoare, transistoarelor,
tiristoarelor, varistoarelor, elementelor electroluminiscente etc.
Diode semiconductoare sunt dispozitive cu o singur jonc iune p n.
Se realizeaz n mai multe variante : diode redresoare, varicap, pentru
frecven e ultranalte etc.
121

Diodele redresoare se ob in din Ge, Si, GaAs, Se etc. Diodele cu Si

de mic putere (ob inute prin difuzie) se utilizeaz in instala ii cu curen i slabi
(receptoarele de televiziune), iar cele de mare putere ob inute printr-o
tehnologie planar n instala ii de redresare pentru curen i inten i.
Diodele cu contact punctiform se realizeaz dintr-o pastil de Ge dopat
cu Sb (cu rezistivitatea de 0.010.05 m) i un fir de wolfram sau aur.
Diodele de frecven ultranalt sunt diode punctiforme realizate din Ge
sau Si de rezistivitate redus i cu fir de aur de circa 3 m diametru.
Diodele tunel se ob in din materiale semiconductoare cu concentra ie
de impurit i N 1025 m3 (cazuri n care nivelul limit Fermi se afl ntr-o band
permis i rezistivitatea 10......30m .
Diodele Zener se realizeaz din Si, cu jonc iune de suprafa .
Tranzistoarele sunt constituite dintr-un strat p sau n puternic dopat
numit emitor E -, un strat dopat mediu i ct mai sub ire posibil baza B i
un strat p sau n de concentra ie mai redus numit colector C.
Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) prezint impedan a mare la
intrare i zgomot foarte redus, se realizeaz cu grila jonc iune sau cu grila
izolat .
Tiristoarele sunt dispozitive cu trei jonc iuni pnpn, ob inute prin
difuzie unilateral sau bilateral n cristal de tip p sau n a unor impurit i
acceptoare sau donoare. Tiristoarele de putere se construiesc, de obicei, prin
difuzie bilateral a unor impurit i acceptoare ntr-un semiconductor de tip n
urmat de alierea sau difuzia unei noi impurit i donoare. Se utilizeaz n
circuitele de comuta ie, la celulele de redresare cu electrod de comand etc.
Elemente electroluminiscente. Se caracterizeaz prin apari ia la
introducerea lor ntr-un cmp electric a unor radia ii luminoase. Se ob in
din: sulfura de zinc sau de cadmiu, activate cu Cu, Ag, Mn sau cu unul
dintre constituen ii afla i n exces. Se realizeaz panouri electroluminescente,
ecrane pentru osciloscoape, televizoare etc.
Varistoarele. Sunt dispozitive puternic neliniare, realizate pe baz de
carbur de Si (CSi).Pulberea de CSi n amestec cu o substan ceramic sau o r
in termorigid ( ellac, epoxidic ) este presat i ars . Deoarece rezisten a
varistoarelor scade foarte mult cu cre terea tensiunii, ele se utilizeaz n
construc ia desc rc toarelor cu rezisten a variabil de nalt i joas tensiune
pentru protec ia ma inilor i transformatoarelor electrice, a instala iilor de
telecomunica ie etc.
Semiconductoarele cu sensibilitate mare la ac iunea temperaturii se
utilizeaz la fabricarea termistoarelor, termoelementelor, a elementelor
termoemisive etc.
122

Termistoare. Sunt rezistoare neliniare realizate din amestecuri de

oxizi de: Mn, Ni, Co, Fe etc. i caracterizate printr-un coeficient de varia ie
al rezistivit ii cu temperatura foarte mare i negativ.
Termistoarele se realizeaz sub form de bare, discuri sau perle, n func
ie de domeniul de utilizare:
Rezistenta la rece a barelor si discurilor este de ordinul sutelor sau
miilor de ohmi i scade, la cald, sub 1 .Din acest motiv sunt utilizate ca
stabilizatoare ale punctelor statice de func ionare ale transistoarelor. Perlele
introduse n tuburi de sticl , se utilizeaz pentru m surarea temperaturii, sau
ca relee de timp. Perlele nconjurate de o rezisten a parcurs de curent
electric i introduse ntr-un balon de sticl vidat, se utilizeaz ca dispozitive de
reglaj.
Termoelemente. Sunt combina ii de dou semiconductoare sau de un
semiconductor i un metal, lipite ntre ele la cele dou capete i dispuse la
temperaturi diferite. Se realizeaz din
CoSb 3 , SnSb, PbSb, PbSe, PbTe, Bi 2 Te 3 , Bi 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 etc.
Straturi termoemisive. Se ob in din oxizi ai metalelor alcalino-p
mntoase i constituie catozii tuburilor electronice cu emisie la cald, lucrul
mecanic de extrac ie a electronilor fiind mai redus dect n cazul catozilor
(metalici) cu emisie la rece.
Generatoarele Hall i dispozitivele pe baz de ferite reprezint aplica
iile cele mai importante ale semiconductoarelor sensibile la ac iunea
cmpului magnetic. Se utilizeaz HgSe, HgTe, InAs, InSb, etc.
Generatoarele Hall se utilizeaz pentru m surarea induc iei magnetice, a
curentului continuu de intensitate mare, a cuplului motoarelor electrice, a
puterii n c.c. etc.
Aceste materiale se utilizeaz la fabricarea tuburilor fotoelectrice, a
celulelor fotoconductoare i fotovoltaice, a fototranzistoarelor, a elementelor
luminiscente i fosforescente etc.
Tuburi fotoelectrice. Construc ia lor se bazeaz pe efectul fotoelectric
interior :iluminate, ele i modific conductivitatea electric i determin , astfel,
varia ii ale curen ilor electrici care le parcurg. Se confec ioneaz prin
depunerea pe un gr tar metalic a unui strat semiconductor de Se, TeS, CdS,
CdSe, PbS, PbSe etc. Se utilizeaz n instala ii de semnalizare, protec ie,
comand etc.
Celule fotovoltaice. Aceste dispozitive cuprind fotoelementele, fotodiodele i fototranzistoarele. Fotoelementele se deosebesc de toate tipurile de
dispozitive fotoelectrice prin faptul c nu con in surse de alimentare cu
tensiune electric . Astfel un fotoelement de dimensiuni relativ reduse poate
genera sub ac iunea radia iilor luminoase, o tensiune electromotoare de
0.5V (respectiv o putere de 22.5mW n circuitul de sarcin ).
123

Ca materiale semiconductoare se utilizeaz : Se, Cu 2 O, AgS .

Prin gruparea mai multor fotoelemente se pot ob ine baterii solare cu
puteri pn la 200W / m 2 (cu un randament al transform rii energiei
luminoase n energie electric de 11%)
Fotodiodele au zone sensibile la radia ii luminoase situate n
interiorul materialului semiconductor. Se ob in, prin aliere, tragere etc., din
Ge, Si.
Fototranzistoarele avnd una din jonc iunile p n expuse radia iilor
luminoase se realizeaz din acelea i materiale ca i fotodiodele.
Luminoforii i fosfurii se utilizeaz la fabricarea dispozitivelor cu
fluorescen sau fosforescen , a ecranelor tuburilor catodice, a l mpilor
fluorescente, a panourilor luminoase. Luminoforii utiliza i n tehnic se ob in
din sulfuri, selenari, silica i, wolframa i, bora i etc. activa i cu Cu, bismut,
mangan etc.
Traductoarele
piezoelectrice
se
realizeaz
din
materiale
semiconductoare a c ror structur nu prezint un centru de simetrie al
sarcinilor punctuale, de exemplu GaAs, InSb etc. n practic sunt des
ntlnite traductoare piezoelectrice realizate din cuar sau turmalin ,
materiale care, dup cum se tie, fac parte din clasa izolan ilor. Se utilizeaz
pentru m surarea presiunii, a for elor i accelera ilor n tensometrie,
defectoscopie etc.
Traductoarele de presiune rezisten a electric se realizeaz din granule
(microfoane) sau discuri sub iri (traductoare industriale) din c rbune, plasate
ntre dou pl ci conductoare i care i modific rezisten a electric sub ac iunea
solicit rilor mecanice (statice sau dinamice). Asemenea dispozitive se
utilizeaz n construc ia accelerometrelor, n telefonie, pentru nregistrarea
informa iei etc.
n afara aplica iilor prezentate, materialele semiconductoare se
utilizeaz la fabricarea circuitelor integrate (monocristale care con in
rezistoare, diode, transistoare), a laserilor i maserilor, a instala iilor
frigorifice, a termoelementelor, a modelatoarelor de radia ii infraro ii, a
celulelor fotoelectromagnetice, n m surarea distan elor submicroscopice
etc.

124

Pentru verificarea cuno tin elor din acest capitol r spunde i n mod
concis la urm toarele ntreb ri:
1. Ce este un material semiconductor?
2. n ce domeniu variaz conductivitatea unui material semiconductor?
3. Care sunt propriet ile fundamentale ale unui material
semiconductor?
4. Cum se clasific materialele semiconductoare?
5. Ce este un material semiconductor intrinsec?
6. Ce este un material semiconductor extrinsec?
7. Ce este un material semiconductor de tip donor?
8. Ce este un material semiconductor de tip acceptor?
9. Care sunt purt torii de sarcin majoritari ntr-un material
semiconductor donor?
10.Care sunt purt torii de sarcin minoritari ntr-un material
semiconductor acceptor?
11. Unde este situat nivelul energetic Wn?
12.Unde este situat nivelul energetic Wp?
13.Ce este o jonc iune MOS?
14.Ce este o jonc iune n-p?
15.Ce este efectul de diod ?
16.Cum este orientat cmpul electric exterior (fa de cel interior) ntr-o
jonc iune polarizat direct?
17.Ce este un varistor?
18.La ce sunt folosite varistoarele?
19.Din ce materiale se realizeaz varistoarele?
20.Ce este un termistor?
21.La ce se folosesc termistoarele?
22.Ce dispozitive semiconductoare cu jonc iuni cunoa te i?
23.Ce aplica ii neelectrice ale materialelor semiconductoare cunoa te i?
24.Cristalele c ror elemente se folosesc la realizarea jonc iunilor
semiconductoare?

125

126

3. MATERIALE CONDUCTOARE
Aceast categorie de materiale se caracterizeaz prin valoarea foarte mare
a conductibilit ii electrice. Rezistivitatea conductoarelor nu dep e te 10 5~
103 [cm].
Dup efectul curentului electric asupra conductorului, ca i dup natura
conductibilit ii electrice, materiale conductoare se grupeaz n:
1) materiale conductoare de ordinul I
2) materiale conductoare de ordinul II
Materiale conductoare de ordinul I nu sufer modific ri de structur sub ac
iunea curentului, i m resc rezistivitatea cu cre terea temperaturii, iar conductibilitatea lor este de neutr electronic . Din aceast grup fac parte metalele n
stare solid i lichid .
Materialele conductoare de ordinul II sufer transform ri chimice sub ac
iunea curentului electric, conductivitatea lor cre te cu cre terea temperaturii
(deci rezistivitatea scade), iar conductibilitatea n stare solid sau lichid , solu
iile de s ruri (deci electroli ii).
Materialele conductoare de ordinul I, dup valoarea conductivit ii lor se
pot subdivide n: 1) materiale conductoare de mare conductivitatea (cum sunt:
Ag, Cu, Al, Fe, Zn, Sn, Pb, etc.) i 2) materiale conductoare de mare
rezistivitate care sunt formate, de obicei din aliaje i se utilizeaz pentru rezisten
e electrice, instrumente de m sur , elemente de nc lzire electric etc.
Ca i n cazurile precedente, se urm re te cu prec dere propriet ile
electrice ale materialelor conductoare i factorii care le influen eaz , deoarece
celelalte propriet i sunt cunoscute din cadrul disciplinelor specifice lor.
3.1. CONDUCTIVITATEA METALELOR.
n capitolul 1.1. s-a urm rit procesul conduc iei electronice n corpul
solid, pe baza modelului zonelor de energie, corespunz tor electronilor
cvasiliberi cum este cazul la re eaua cristalin a metalelor. S- a dedus c n
atomii metalului la T = 0 [K] nivelele de energie permise sunt ocupate pn la
o valoare maxim a energiei corespunz toare nivelului limit Fermi (WF).
La metale nivelul limit Fermi este totdeauna cuprins ntr-o zon permis ,
sau la limita de suprapunere a dou zone permise, la T = 0 [K].
127

Sub ac iunea cmpului electric exterior (E r), cu rela iile stabilite se

demonstreaz c densitatea de curent este:
r
(3.1)
J x = n q 2 t E r = sE r
m* 0

similar rela iei clasice (1.12), de unde conductivitatea electric rezult :

s = n e2 tr

(3.2)

m*0

care difer de (1.13) prin faptul c (m) i (t r) se determin pe baza teoriei cuantice
i c n loc de masa n repaus a electronului intervine masa efectiv .
Conform teoriei clasice, din capitolul (1.1.1), innd seama c n metale
purt torii de sarcin sunt electronii liberi i deci (q = e), rela ia (1.13) devine:
(3.3)
s0 = n e2 t r
2m

n care (n), (tr) i (m) au fost precizate n capitolul (1.1.1).

Se constat din (3.2.) c pe baza teoriei cuantice conductivitatea rezult ca
o constant de material deoarece depinde de (n) i (n0). n practic ns se opereaz
mai mult rezistivitatea electric ( = 1/) ca fiind evident tot constant de
material.
S-a dedus anterior c odat cu cre terea temperaturii are loc sc derea
conductivit ii electrice (rela ia 1.16) a metalelor respectiv c rezistivitatea
acestora cre te propor ional cu temperatura.
Dac coeficientul de temperatur al rezistivit ii este:
(3.4.)
a r = 1 d
r dq
pentru varia ia liniar a rezistivit ii cu temperatura, ca n fig. 3.1. se poate
determina rezistivitatea () la o temperatur oarecare () cnd este cunoscut
valoarea sa (0) la o temperatur (0 ).
Din figura 3.1. se poate scrie:

= tgb =

q - q0
1 dr

de unde:
r = r0 1

dq

(3.5.)

q - q0

r0 dq

(3.6.)

sau nlocuind coeficientul de temperatur al rezistivit ii 0(R), rezult :

0 1 0 0

128

(3.7.)

Figura 3.1. Varia ia rezistivit ii cu temperatura.

La fel se poate calcula i rezisten a electric folosind n expresia acesteia
tot 0() care este constant de material, i nu 0(R). De fapt rezistivitatea
metalelor variaz liniar cu temperatura numai peste anumite valori ale acesteia
numite: temperaturi Debye (TD), cum sunt cele prezentate n tabelul 3.1.
pentru cteva elemente.
Tabelul 3.1. Temperaturi Debye
Metal
TD K

Ag
215

Al
398

Cu
315

Au
180

Fe
420

Pb
88

Sub limitele temperaturilor Debye varia ia rezistivit ii cu temperatura

este neliniar . S-au f cut ncerc ri de exprimare analitic a acestor varia ii ns f r
a se ob ine rezultate satisf c toare. Totu i pentru unele aplica ii se poate utiliza
expresia de forma:
(3.8.)
2
3
0 1 a b c ...

unde coeficien ii se determin pe cale experimental pentru fiecare material n

parte. Dac din (3.8.) se re in numai primii doi termeni se poate deduce o rela
ie ntre coeficien ii de temperatur ai rezistivit ii la temperaturi diferite de
forma:
1
(3.9.)

care se utilizeaz fie pentru verificarea coeficientului de temperatur fie pentru

determinarea sa la temperatura () cnd este dat la temperatura (0).
129

La temperaturi nalte care schimb starea de agregare a metalului, are

loc varia ia brusc a rezistivit ii.
n apropierea temperaturii de topire, pentru cupru se ob ine un salt ca cel
din fig.3.2., care difer n func ie de puritate (grad de aliere).

Figura 3.2. Varia ia rezistivit ii la schimbarea st rii de agregare.

Ca urmare n siderurgia neferoaselor pentru electrotehnic , varia ia
rezistivit ii cu temperatura serve te pentru ajustarea componentelor corespunz
tor caracteristicilor dorite.
3.1.1. FACTORI CARE INFLUEN EAZ REZISTIVITATEA.
Din studiul conductibilit ii metalelor a rezultat c orice nesimetrie a re
elei atomice m re te probabilitatea de ciocnire a electronilor cu nodurile re
elei, la aceea i valoare a temperaturii.
Prezen a impurit ilor n re eaua cristalin determin mi carea
timpului de relaxare, deci a drumului mediu liber parcurs i prin urmare
rezistivitatea metalului impur este totdeauna mai mare dect dac puritatea ar fi
total . n particular, aliajele prezint rezistivit i mai mari dect componentele
pure din care sunt constituite. n func ie de natura compusului (amestec
mecanic, solu ie solid , combina ie intermetalic ) rezistivitatea variaz diferit cu
propor iile n care se afl componentele.
Generaliznd constatarea experimental potrivit c reia curbele de varia ie
cu temperatura a rezistivit iilor a dou (sau mai multor) e antioane ale aceluia i
metal avnd o impuritate n propor ii diferite, sunt echidistante.
130

Matthiessen a atribuit rezistivit ii metalelor dou componente: una

rezidual (r) care nu depinde de temperatur , ci numai de concentra ia impurit
ilor; a doua ideal (T) care nu variaz dect cu temperatura. Rezistivitatea
total a metalului cu impurit i se exprim prin rela ia lui Matthiessen:
Tr

(3.10)

n figura. 3.3 este prezentat varia ia cu temperatura a cuprului aliat n

diferite propor ii cu Nichelul, de unde se deduce confirmarea rela iei (3.10).
Prin urmare impurit ile i agita ia termic afecteaz mi carea electronilor n metal
cu timpi diferi i de relaxare (trr) i respectiv (trT). Dac se consider c re eaua
cristalin prezint nesimetrii datorate i altor cauze, care determin timpii de
relaxare rezistivitatea metalului impur, innd seama de (3.10) i de (3.2.) se
poate exprima sub forma:
*

r=

m0

ne

rT

+
i1

1
t

(3.11)
ri

Din (3.10) i (3.11) rezult c dac prin procedee tehnologice se realizeaz

purificarea metalului i deci (r = 0), rezistivitatea variaz cu sc derea
temperaturii dup curba (2) din fig. 3.3, nct la (T = T c) metalul sufer tranzi ia
n starea (s.c.). La temperaturi foarte joase (corespunz tor ramurii 2) innd
seama de (3.10) i (1.19) rezistivitatea este determinat de rela ia:
r = const.T5 + rr

(3.12)

Dac metalul este impur, la temperaturi foarte joase, rezistivitatea variaz

dup ramura (1) din fig. 3.3 nct la (T = 0) din(3.12) rezult = r.

Figura 3.3.Varia ia rezistivit ii la temperaturi criogenice.

131

Din rela ia (3.12) rezult necesitatea purific rii la maxim a metalelor

(nealiate) care se utilizeaz la temperaturi foarte sc zute.
Influen a tratamentelor mecanice i termice asupra rezistivit ii asupra
rezistivizt ii are importan tehnic deoarece n timpul uzin rii materialelor
conductoare acestea i pot modifica rezistivitatea.
Prin tratamente mecanice (laminare, forjare, trefilare etc.) cu cre terea
gradului de ecruisaj se realizeaz o deformare mai accentuat a re elei cristaline.
Deci un metal ecruisat (n starea tare) prezint o rezistivitate m rit deoarece
probabilitatea de ciocnire a electronilor cu nodurile re elei este mai mare, func
ia de und asociat electronului fiind perturbat n propagarea sa n raport cu o re
ea cristalin nedeformat . De obicei cre terea de rezisten este de (36)%.
Dac ns metalul ecruisat este supus unui tratament termic, deci este
readus n starea moale, f r tensiuni interne, se ob ine o reducere a gradului de
deformare a re elei cristaline i rezistivitatea sa se mic oreaz . Observa ii de
aceast natur pot fi f cute la ma inile electrice bobinate cu bare sau srme
puternic ecruisate, netratate termic, care dup anumit num r de nc lziri i r ciri
n timpul func ion rii, prezint rezistivitate mai redus dect n starea nou de i
temperaturile realizate nu ating limitele de recoacere.

3.1.2. MATERIALE SUPRACONDUCTOARE

Proprietatea metalelor de a -i pierde rezisten a electric la valori sc zute
ale temperaturii (sub 20 K) a fost descoperit de c tre Kamerlingh-Onues n
anul 1911, n laboratorul de fizic al universit ii din Leiden (Olanda) cu ocazia
experien elor efectuate de el asupra mercurului constatndu-se c n jurul
temperaturii de 4 K rezisten a electric a acestuia devine aproape nul (de circa
10-5 ).
Fenomenul supraconductibilit ii poate fii n eles imaginndu-ne un
conductor metalic n care electronii liberi, sub forma unui gaz electronic se
deplaseaz prin re eaua cristalin a conductorului metalic, n sens opus cmpului
electric aplicat. Imperfec iunile re elei perturb mi carea electronilor genernd
rezisten a electric a conductorului. n plus, ca orice fluid, gazul electronic este
supus agita iei termice. La temperatura camerei componenta termic a rezisten
ei e mult mai mare dect componenta provocat de imperfec iunile re elei
cristaline.
Introducnd un conductor metalic ntr-un gaz lichefiat (n Heliu lichid)
la temperatura acestuia ( 4,2 K ) rezisten a electric a conductorului scade
brusc.
132

Concomitent are loc o considerabila mic orare a rezistivit ii electrice

care ajunge pn la valori de ordinul 10-12 *m. Conductorul metalic trece
astfel n stare de supraconductibilitate, iar temperatura de tranzi ie n aceast
stare denumit temperatur critic (Tc) difer de la metal la metal.
Pentru metalele supraconductoare pure, temperatura critic oscileaz ntre
0,012 K (wolfram) i 9,22 K (niobiu) iar pentru aliaje intermetalice
temperatura critic ajunge la 22,3 K (Nb3Ge).
Tabelul 3.2. Temperatura critic
Metalul
Zinc(Zn)
Galiu(Ga)
Zirconiu(Zr)
Niobiu(Nb)
Molibden(Mo)
Cadmiu(Cd)
Staniu(Sn)
Uraniu(U)
Plumb(Pb)
Mercur(Hg)
Wolfram(W)
Titan(Ti)

i induc ia critic a unor metale supraconductoare.

Tc(K)
0,875
1,091
0,546
9,20
0,92
0,56
3,722
0,68
7,193
4,153
0,012
0,39

Bc(t)
0,0053
0,0051
0,0047
0,1980
0,0095
0,030
0,0309
0,02
0,0803
0,0412
0,000107
0,01

Cea mai mare parte a supraconductorilor e format de aliaje metalice; n

anul 1985 se cuno teau peste 1000 de asemenea materiale. Aliajele metalice
sunt avantajate, n aplica iile tiin ifice i tehnice deoarece posed temperaturi
critice ridicate.
Tabelul 3.3. Temperatura critic
Compusul
Bi3Ba
BiPb
SiSn
CdSn
Nb3Sn
NbTi
Nb3Al
Nb3(Al 0,93Ge 0,2)

i induc ia critic a unor compu i supraconductori

Tc(K)
5,69
8,7
3,48
3,65
18,3
8-10
18,7
20,7

Bc(t)
0,074
12,7
0,013
0,026
22,5
9-12
20,5
41,0
133

Structura re elei materialelor supraconductoare nu se modific la trecerea

lor din starea normal n starea supraconductoare. La trecerea unui metal n
starea de supraconductibilitate are loc ns o schimbare n salt, a st rii gazului
electronic cuantic, iar mi carea electronilor n metalul supraconductor este
corelat n alt mod dect n metalul normal ntruct la trecerea unui metal n
stare supraconductoare ansamblul electronilor de conduc ie trece simultan
ntr-o stare nou i ntre to i electronii de conduc ie apare o corelare puternic ,
exist o cauz fizic a acestei corel ri i anume interac iunea dintre electroni.
Conform teoriei cuantice a cmpului electric interac iunea dintre
particulele nc rcate se realizeaz n urma schimbului dintre ele de c tre fotoni:
unul dintre electroni emite un foton, iar cel lalt l absoarbe.

Figura 3.4. Sistemul dinamic al schimbului de fotoni ntre cei doi electroni
ntre impulsurile electronilor ce particip la schimbul de fotoni, interac
iunea dintre cei doi electroni (e1 i e2), mediat de fotoni, are un caracter
atractiv. Doi astfel de electroni, atr gndu-se, formeaz o stare specific legat ,
numit "pereche Cooper". Evident, ntre electronii de conduc ie ac ioneaz i for
e coulombiene de respingere. Deci formarea perechii Cooper poate avea loc
numai n cazul n care atrac ia dintre cei doi electroni,mediat de fotoni, e mai
puternic dect respingerea dintre ei. Pentru c perechea Cooper s fie ct mai
stabil , energia de atrac ie trebuie s fie ct mai mare n valoare absolut n
compara ie cu energia de respingere, fapt ce se realizeaz dac electronii ce
formeaz perechile Cooper schimb ntre ei fotoni ct mai des.
Se spune c starea electronilor n perechile Cooper este corelat puternic
dup impulsuri. Aceasta nseamn c impulsurile electronilor ce formeaz o
pereche Cooper nu sunt independente. Ele trebuie s fie egale n valoare i
opuse ca orientare. Dimensiunea unei perechi Cooper este cu mult mai mare
dect distan a medie dintre electronii de conduc ie ( de ordinul 10 -8m) ceea ce
nseamn c ntre electronii ce formeaz o pereche Cooper se g sesc foarte mul i
al i electroni.
134

Pentru a desface o pereche Cooper trebuie consumat energie, pentru a

nvinge for ele de atrac ie dintre electronii perechi. n principiu exist o
probabilitate diferit de zero pentru c n procesele de interac iune a perechii cu
fotonii, aceasta s primeasc energia necesar ruperii perechii Cooper.

Figura 3.5. Banda de energie interzisa formata in jurul nivelului energetic

Fermi
S- ar p rea deci c oscila iile termice existente la temperatura T<Tc, ar
distruge rapid perechile. Totu i perechile Cooper rezist cu succes acestei
tendin e, pentru c la temperatura T<Tc e implicat nu o pereche Cooper
localizat , nici un sistem de perechi Cooper care nu interac ioneaz ntre ele, ci
un colectiv de perechi Cooper care interac ioneaz ntre ele. n procesele de
schimb electronii dintr-o pereche Cooper i schimb impulsurile astfel nct ei
caut noi parteneri, cu impulsul potrivit, pentru a forma o pereche Cooper cu
impulsul total nul (P=0). Deci, n perechea Cooper partenerii se schimb
continuu, perechile apar i dispar ntr-o constitu ie nou . Din acest motiv to i
electronii din sistem sunt lega i unul cu altul astfel nct atunci cnd scoatem
din sistem un electron dintr-o pereche Cooper, acesta trebuie rupt nu din
perechea lui ci din ansamblul sistemului de perechi n plin interac iune, ceea
ce e mult mai dificil.
135

n concluzie, n urma interac iunilor electron-foton, la temperatura T<Tc

are loc o restructurare a st rilor i nivelelor de energie ale electronilor din
metal, n urma c reia se formeaz starea de supraconductibilitate ce se
caracterizeaz printr-o stare energetic excitat , n care un electron este liber i
rupt de perechea lui.
Supraconductibilitatea se afl deasupra st rii fundamentale a colectivului
de perechi Cooper n interac iune i e separat de aceasta printr-un interval finit
de energie (band de energie interzis ) n care nu exist nivele energetice.
Existen a benzii de energie interzise explic dispari ia total a rezisten ei
electrice a metalelor aflate n stare de supraconductibilitate.
n lipsa cmpului electric toate perechile Cooper au impulsul nul, adic
curentul electric este nul. Aplicnd un cmp electric E, cei doi electroni care
formeaz perechea Cooper primesc un impuls suplimentar q<>0 ceea ce face ca
impulsurile electronilor din pereche s nu se compenseze reciproc, impulsul
total al perechii fiind :
(p+q)+(-p+q)=2q 0
(3.13)
n aceste condi ii fiecare pereche se afl n
mi care adic ntreg
colectivul de perechi (de bosoni) se deplaseaz n spa iu ca un ntreg, ceea ce
reprezint un curent electric.
Rezisten a electric apare datorit mpr tierii napoi a electronilor de c tre
oscila iile re elei. Electronii lega i n perechi Cooper, nu sunt mpr tia i pe
defectele re elei sau pe fotoni. ntreg colectivul de perechi Cooper, n interac
iune, se mi c n metalul supraconductor f r ca acesta s -i opun rezisten . Deci
rezisten a electric a supraconductorului e nul .
Odat cu dispari ia benzii interzise dispare starea de supraconductibilitate i repare starea normal .
Studiul fenomenului supraconductibilit ii n conformitate cu cele
prezentate mai sus, are la baz teoria supraconductivit ii elaborate n anul 1957
de c tre John Boredeen, Leon Cooper i Robert Schrieffer, valabil numai pentru
materiale supraconductoare (supraconductori de tipul I).
Trecerea supraconductorilor din stare normal n stare de
supraconductoare este reversibil i nso it de modific ri ale propriet ilor
mecanice, termice i magnetice ale acestora.
Transform rile mecanice i termice sunt nso ite de transform ri
magnetice, deoarece n interiorul supraconductorului se localizeaz o anumit
cantitate de energie mecanic :
W

Ba

M dB a

136

(3.14)

M - vectorul magnetiza ie ;
Bc vectorul induc iei magnetice aplicate din interiorul conductorului
considerat
Cmpul magnetic este "expulzat" din interiorul supraconductorului, prin
efect Meissener n mod diferit n diverse materiale.
Cmpul magnetic de tipul I (moi) sunt metale supraconductoare pure,
caracterizate printr-o anumit intensitate critic a cmpului magnetic (Hc) la
care, n condi ii adecvate de temperatur cmpul magnetic din interiorul lor
dispare brusc, iar ele devin diamagnetice.

Figura 3.6. Efectul Meissner la supraconductoare moi

Mai exact n timp ce induc ia magnetic B scade la zero n interiorul
supraconductoarelor pure, curentul se concentreaz ntr-un strat sub ire la
periferia acestora nemaiputndu-se vorbi de o densitate de curent n sensul
clasic al cuvntului. Din acest motiv i pentru-c intensitatea critic de cmp
magnetic e relativ mic (Hc) supraconductorii de tipul I au aplica ii foarte
reduse.
Cu totul alta e situa ia la supraconductoarele de tipul II sau duri care
sunt aliaje metalice binare sau ternare, caracterizate din punct de vedere
magnetic prin dou intensit i critice de cmp magnetic (Hc 1 i Hc2). La intensit i
mici de cmp magnetic, sub valoarea Hc1 tranzi ia n stare supraconductoare e
similar cu cea a supraconductorilor de tipul I.
Dac intensitatea cmpului magnetic cre te, diamagnetismul se
reduce progresiv, iar la intensit i de cmp magnetic H=Hc 2, efectul Meissner
este complet. Aceast stare eterogen , care apare ntre valorile cmpurilor
magnetice critice Hc1 i Hc2, se explic prin existen a unor domenii
supraconductoare alternnd cu domenii avnd conductivitatea normal .
137

Valorile intensit ii cmpului magnetic Hc2 sunt ridicate ceea ce e

important n aplica ii deoarece prin aceasta se pot ob ine densit i mari de
curent n supraconductorii de tipul II. n plus temperaturile critice sunt mai
ridicate la supraconductorii de tipul II i sunt cuprinse ntre 10 K i 21 K.

Figura 3.7. Efectul Meissner supraconductoare dure

Supraconductorii de tip II posed pierderi importante n curent alternativ
n special datorate pierderilor prin histerezis. Un alt dezavantaj este efectul de
degradare adic intensitatea curentului critic e ntotdeauna mai mic la bobinele
supraconductoare (din supraconductoare lungi) dect la supraconductori scur
i.
Defectul de degradare poate fi redus prin cuplarea supraconduc-torului
cu un hiperconductor, hiperconductorul fiind un bun conductor de electricitate
(Cu, Ag) nu prezint fenomenul de supraconductibilitate.
Rezisten a hiperconductorului scade cu temperatura, dar r mne
considerabil mai ridicat dect a unui supraconductor veritabil.
Aliajele supraconductoare pe baz de niobiu se ob in prin procedee
metalurgice. Au fost realizate aliaje pe baz de niobiu cu (22-33) % Zr sau cu
(55-80) % Ti. De asemenea au fost realizate supraconductoare ternare de tipul
Nb-Ti-Zr, Nb-Ta-Ti.
Dificult ile tehnologice cele mai mari au constat mai ales n alegerea
unei tehnologii optime de laminare i trefilare. n acest sens s-a aplicat o
placare prealabil cu Cu a suprafe ei supraconductorilor, urmat apoi de
laminare i trefilare.

138

Pe lng aceasta au fost aplicate i alte procedee pentru mbun t irea

tehnologiilor de prelucrare :
- folosirea unor tipuri noi de filiere cu protec ie de Cu-Ni, care s permit
o finisare superioar a suprafe ei.
- mbun t irea regimului termic de recoacere al aliajelor
supraconductoare n procesul de trefilare aplicat concomitent pe ma ini de
trefilare cu recoacere continu
- ob inerea supraconductorilor compu i: V3Si i V3SixC1-x cu structur A15
sub form de straturi sub iri, topite n
arc, n atmosfer de argon i cu fascicul de
electroni, n vid, la presiunea de 10-6 torri
- realizarea aliajelor de tip NB3Sn di faz de vapori, aplicnd evaporarea
n vid cu fascicul de electroni prin nc lzirea substratului din monocristalul de
safir la 750-760 C la presiunea de 2,7 . 10-6 torri.
O tendin actual n realizarea unor noi tipuri de aliaje supraconductoare o
constituie posibilitatea de func ionare a supraconduc-torilor la induc ii
magnetice mari de 8,5 T i temperaturi de 4,2 K pn la induc ii magnetice de
10 T la temperatura de 2,17 K. n cmpuri magnetice de induc ie 5 T
densitatea critic de curent este de ordinul a 1,5 . 109 A/m2.
Pe aceast baz s-au realizat aliaje de Nb 3Sn, aplicabile n cmpuri
magnetice de induc ie 10 T la care aliajele Nb-Ti nu pot func iona.
S-au ob inut de asemenea aliaje de V3Ga cu o mare densitate critic de
curent, care de i au temperatur critic Tc=15 K mai mic dect a Nb3Sn care e de
18 K, totu i pot func iona n cmpuri magnetice de induc ie 12-16 T.
ntruct realizarea V3Ga se face la 700 C iar a Nb3Sn la 900-1000 C
ob inerea V3Ga se face cu un grad mai mare de omogenizare.
Aplica iile supraconductibilit ii n transportul feroviar, n construc ia
garniturilor de cale ferat cu pern magnetic permit nu numai m rirea vitezei
comerciale a trenurilor dar i reducerea substan ial a consumurilor energetice n
compara ie cu transportul feroviar conven ional.
Trac iunea feroviar pe pern magnetic se face prin ac iunea for elor
magnetice Lorentz create n sistemul criomagnetic al echipamentului rulant i
n calea de rulare.
M rimea acestor for e se determin cu rela ia :

F iB N m
L

(3.15)

unde, I=intensitatea curentului continuu care circul n nf urarea magnetic a

criomagne ilor ; B=induc ia magnetic .
Deplasarea unui tren echipat cu criomagne i supraconductori, n condi ii
optime, impune ca intersti iul dintre criomagne i i calea de rulare s nu dep easc
1 cm.
139

Cercet rile n domeniul aplic rii fenomenului supraconduc iei n

construc ia ma inilor electrice de curent continuu i curent alternativ efectuate
n SUA, Rusia, Anglia, Germania i Fran a au fost orientate c tre realizarea
unor tipuri de ma ini electrice de curent continuu heteropolare i homopolare i
de ma ini sincrone utilizate n construc ia de turbogeneratoare.
A fost realizat o gam larg de ma ini electrice de curent continuu
heteropolare pentru puteri de 1-10.000 KV n Anglia (firma International
Research and Development - IRD) i Germania (firma Siemens).
Cercetarea tiin ific n acest domeniu e orientat c tre realizarea de
turbogeneratoare cu mari puteri aparente de peste 10.000 MVA, precum i a
unor tipuri specifice de ma ini sincrone cu nf ur ri supraconductoare pentru
tehnici de vrf (tehnica spa ial i energetica nuclear ).
n electronic , telecomunica ii i tehnic de calcul cercetarea tiin ific a ob
inut rezultate importante prin realizarea i aplicarea jonc iunilor Josephson care
i-au g sit un larg cmp de aplica ii n realizarea de magnetometre pentru m sur
tori n biomagnetism i geomagnetism; m surarea susceptibilit ii magnetice; m
sur tori de precizie a tensiunilor electrice de ordinul a 10 -15 V; m sur tori
tensometrice, efectuate la temperaturi foarte joase de ordinul a 10 -2-10 K ;
producerea de circuite integrate pentru calculatoare electronice cu timp de r
spuns de 10 -12 s i puteri consumate foarte mici de ordinul a 10 -6-10-9 N ; m
sur tori de frecven e n domeniul microundelor de ordinul THz n cazul
oscilatorilor i detectorilor ; robotic i automatiz ri industriale.
Utilizarea fenomenelor de supraconduc ie, n aplica iile tehnice, asociat
cu criza actual de energie i materii prime a impulsionat intensificarea cercet
rilor fundamentale i aplictive n acest domeniu. S-au efectuat i se desf oar n
continuare ample cercet ri pentru aplicarea supraconductorilor n construc ia
marilor sisteme electroenergetice pentru transmiterea f r pierderi sau cu
pierderi minime a puterilor electrice la valori de peste 700 MVA, pn la 3.000
4.000 MVA i de la tensiuni dep ind tensiunea de 400 KV pentru atingerea
unor nivele de 3.000 KV, sisteme r cite cu heliu lichid (cabluri electrice,
accesorii de cabluri, transformatoare i ma ini electrice).
n diferite ri se fac cercet ri privind utilizarea magne ilor
supraconductori n: biologie (la cre terea plantelor, p s rilor i animalelor);
chimie (pentru conducerea reac iilor chimice i catalitice) ; medicin (pentru
vindecarea anevrismelor f r interven ii operatorii); fizica Corpului solid,
microscopia electronic i studiul cercet rii metalelor, producerea energiei n
energetica termonuclear i n instala iile magnetohidrodinamice cu magne i
supraconductori.
140

Alte domenii de cercetare sunt: tratarea apelor reziduale, ecranarea i

formarea cmpurilor magnetice cu ajutorul foliilor supraconductoare; n fizica
energiilor nalte; accelerarea particulelor elementare prin magne i dipolari i
cvadripolari, n cmpuri magnetice cu induc ia de ordinul a T si cu energii de
circa 800 MJ.
Deci se poate spune c supraconductibilitatea are un rol esen ial n
dezvoltarea gradului de tehnologizare, deschiznd o nou er n acest domeniu, i
merit toat aten ia de care se bucur din partea celor mai mari laboratoare i
cercet tori ai lumii.

3.2. PROPRIET I TERMOELECTRICE ALE

CONDUCTOARELOR.
Fenomenele ce au loc la punerea n contact a semiconductorilor se reg
sesc, n parte pe acelea i baze fizice, i n cazul metalelor i aliajelor de naturi
diferite, avnd drept consecin apari ia unei diferen e de poten ial ntre
corpurile respective.
Elementele metalice au fost aranjate ( de c tre Volta) ntr-o succesiune,
numit seria lui Volta: Al, Zn, Sn, Cd, Pb, Sb, Bi, Hg, Fe, Cu, Ag, Au, Pt, Pd,
astfel c la punerea n contact a dou (sau mai multora) dintre ele, cel ce se afl
mai n fa ob ine poten ialul mai electropozitiv. Apari ia diferen ei de poten ial
ntre piesele metalice aflate n contact, la o temperatur dat (T) este determinat
de energiile de extrac ie a electronilor, diferite de la un metal la altul i de
diferen a ntre concentra iile de electroni liberi. Diferen a de poten ial variaz
cu temperatura.
Dac se consider dou metale (sau aliaje) diferite (A) i (B) nainte de
punerea lor n contact, zonele de conduc ie i respectiv nivelele Fermi diferite,
se vor situat pe scara energiilor ca n fig. 3.8, n care s-a notat cu (A=
respectiv (B) energia de extrac ie a electronului din atomul metalului
respectiv. S-a considerat c (B < A).
Dup punerea n contact a celor dou metale admi nd c modific rilor
energiei i poten ialului sunt reprezentate numai de c tre metalul (B), cum (B
< A), va avea loc difuzia de electroni dinspre (B) spre (A).

141

Figura 3.8. Nivelele energetice ale metalelor naintea punerii n contact

Difuzia se continu pn cnd se stinge echilibrul termodinamic, cnd
nivelele Fermi (FA) i (F B) coincid. Diferen ei energiilor de extrac ie, care
apare i corespunde o diferen de poten ial, astfel c se poate scrie:
(3.16)
A B eVA VB eUAB
unde s-a notat cu UAB VB VA .
n fig. 3.9. este reprezentat diagrama nivelelor de energie corespunz toare metalelor (A) i (B) dup punerea lor n contact.

Figura 3.9. Nivele energetice ale metalelor n contact

142

Dac se consider i concentra iile de electroni (n A) i (nB) ale celor dou

metale ca fiind diferite, de exemplu nB > nA, rezult c aceasta constituie o nou
cauz a difuziei de electroni din (A) spre (B) ceea ce determin apari ia a nc
unei diferen e de poten ial (U"AB) . n ipotezele admise pentru energiile de
extrac ie i pentru concentra iile de electroni rezult c metalul
(B) pierde electroni, r mnnd cu un exces de sarcin pozitiv (deci ca poten ial
pozitiv), iar metalul (B) primind electroni va ob ine un poten ial negativ.
Cmpul electric de difuzie care apare stabile te echilibrul ntre cmpul de
difuzie i concentra iile electronilor se poate stabili mai operativ apelnd la
teoria clasic , deci asimilnd electroni liberi cu gazul perfect.
Din teoria cinetic a gazelor se deduce c pentru un gaz cu n molecule pe
unitatea de volum, avnd fiecare energia medie (W), presiunea pe care gazul o
exercit asupra unit ii de suprafa (de exemplu considernd incinta ca fiind un
cub cu aria for ei egal cu unitatea), innd seama de cele trei grade de libertate
ale moleculei, ca fiind:
p 2 nW
(3.17)
3

sau cum energia medie a moleculei, la temperatura (T), este:

W 3 kT
2
rezult c (3.17) devine:

(3.18)

p = nkT

(3.19)
Dac se consider un tub elementar de lungime (dx) i sec iunea (sD) plasat
n zona de frontier dintre metalul (A) i metalul (B) astfel ca baza (a) a acestuia
s se afle n (A) iar baza (b) n (B), rezult c dac n (a) concentra ia este (n) iar
presiunea (p), n (b) concentra ia va fi (n+dn) iar presiunea (p+dp), nct pe
baza rela iei (4.36) rezult :
(3.20)
p dp kTn dn
sau:
dp = kT dn

(3.21)
For a care deplaseaz surplusul de molecule (respectiv electroni) din (b)
spre (a) este de natur mecanic i rezult din:
dn d D = kT dn dS
(3.22)
Pe de alt parte apari ia, n urma difuziei, a diferen ei de poten ial i a
cmpului electric de difuzie (F = dV/dx), asupra electronilor va ac iona for a
de natur electric
qE = n dx dS e E
(3.23)
143

Cum cele dou

rezult c :

for e (4.39) i (4.40) la echilibru sunt egale

dV

kT dn

i opuse,
(3.24)

e n

Integrnd (4.41) ntre (V"A) i (V"B) respectiv (nA) i (nB) se ob in

kT n A
diferen a de poten ial:
ln
(3.25)
U"AB
e

nB

Diferen a de poten ial rezultant , innd seama de (3.16) i (3.25) este:

(3.26)
UAB UAB U"AB

Figura 3.10. Principiul termocuplului

Datorit faptului c (U"AB ) este func ie de temperatura (T) a suprafe ei de
contact dintre metale, rezult c se poate constitui o m sur a temperaturii. Deci
contactul ntre dou metale sau aliaje diferite poate constitui un traductor
pentru m surarea temperaturii pe cale electric .
Tensiunea (UAB) dependent de temperatur se mai nume te i tensiune
termoelectromotoare de contact (prescurtat: t.t.e.m.c.).
Traductorul de temperatur a c rui func ionare are la baz rela ia (3.26) se
nume te traductor termoelectric sau termocuplu i poate fi utilizat pentru m sur
ri de temperaturi de la (1015) K pn la cteva mii de grade.
n principiu utilizarea rela iei (3.26) pentru etalonarea termocuplului
deriv din considerarea acestuia pentru cazul unui circuit nchis, format de cele
dou metale (A) i (B), ca n fig. 3.10. Se consider c temperatura (T 1) este mai
mare dect (T2). n punctul cald (1), cum i se spune suprafe ei de contact (1),
tensiunea termoelectromotoare de contact este:
kT n
U AB1 U AB U" U AB
(3.27)
1 ln A
AB1

iar n punctul rece (2) este:

14
4

enB

UAB2 UAB

kT2

ln

(3.28)

n
A

La ambele suprafe e de contact (UAB) fiind aceea i rezult c

(t.t.e.m.c.) ca sum geometric ntre (UAB1) i (UAB2) este:

U U

AB1

AB2

T T

ln

nA

e nB

(3.29)

n care:
k este constanta lui Boltzmann;
e este sarcina electronului.
Notnd factorii parantezei cu o constant (A0) rezult c (3.29) devine:
(3.30)
U A0 T1 T2
sau dac se realizeaz (T2 = 0) rezult c U m soar numai temperatura punctului
cald (1) i:
(3.31)
U f T1
Termocupla se ob ine n principiu, prin deschiderea circuitului din fig.
3.10 n punctul (2) i conectarea capetelor libere la un milivoltmetru, care dup
etalonare este gradat direct n unit i de temperatur . Reprezentarea conven
ional a termocuplului se face n fig. 3.11. La utilizarea n practic a
termocuplului se men ine constant temperatura (T2) sau chiar nul , nct
tensiunea m surat s fie func ie numai de temperatura punctului cald (1)
introdus n incinta a c rei temperatur se m soar .
innd seama de (3.30) este necesar ca pentru termocuplele s se
utilizeze metode i aliaje care s asigure liniaritatea acestei dependen e i s
determine o sensibilitate ct mai mare. Ca metale se utilizeaz : Fe, Cu, Ag, Ni,
Ir, W, Cr, Pt etc. De asemenea se utilizeaz aliaje, n special n practic se
remarc : 1. Constantanul (40% Ni + 60% Cu), 2. Copelul (44% Ni + 2%
Mn+Cu); 3. Alumelul (95% Ni+Al, Si, Mg); 4. Cromelul (90% Ni + 10% Cr),
sau aliajul pe baz de platin rhodiat (90% Pt + 10% Rh). Perechile de aliaje
alese n practic depind de valoarea temperaturii ce urmeaz a fi m surate. Ca
exemple se consider : 1) Fe Constantan; 2) Ag Copel; 3) Cromel Copel,
toate pentru 600 [C]; 4) Cromel Alumel 1000 [C]; 5) PtRh Pt 1600 [C];
WWM0 1800 C i 7) Ir IrRt 2300 C.
Pentru temperaturi criogene se folose te Cu Constantan pn la ( 257
[C] sau elemente din aliaje nobile pn la (255 C) avnd ns o sensibilizare
mai mare dect primele. De obicei primul element al perechii este cel care ob
ine poten ialul mai electropozitiv i este reprezentat n fig. 3.11 cu linie mai
groas .
145

Figura 3.11. M sura temperaturii cu termocuplul

3.3. MATERIALE DE MARE CONDUCTIVITATE
Dup valoarea conductivit ii electrice, materialele conductoare de ordinul
I se mpart n dou grupe: 1. conductoare, de mare conductivitate i 2.
conductoare de mare rezistivitate.
Conductoarele de mare conductivitate, cum este cuprul i aluminiul, se
utilizeaz pentru bobinele ma inilor, transformatoarelor i aparatelor electrice. n
alte situa ii se utilizeaz materialele de mare conductivitate cu destina ie condi
ionat , cum sunt: argintul, fierul, zincul, staniul, volframul, molibdenul,
platina, aurul, nichelul, cromul, etc.
3.3.1. CUPRUL.
Cel mai utilizat dintre metalele de mare conductivitate este cuprul,
datorit att propriet ilor electrice ct i mecanice, foarte potrivite pentru
scopurile urm rite n electrotehnic . Astfel se remarc rezistivitatea mic ,
rezisten a mecanic corespunz toare, rezisten a la coroziune i oxidare bun ,
maleabilitatea i ductibilitatea foarte bun etc.
Extragerea cuprului se face din minereuri sulfuroase cum sunt
calcopirita, calcozina; bornita i tetraedrita, sau din minereuri oxidice,
cum sunt: cuprita; malachita i azurita.
Pe o adncime de 3 [km] din scoar a terestr , s-a determinat c nu exist
mai mult de 0,01% Cu, ceea ce l face att de deficitar.
146

Extragerea cuprului se face prin rafin ri repetate, n atmosfere

reductoare, pentru a se elimina impurit ile, mai ales O, Bi, Pb, P, Sb i As, care
au repercusiuni foarte nefavorabile asupra propriet ilor cuprului. n
electrotehnic se utilizeaz cuprul ob inut pe cale electrolitic a c rui puritate
poate ajunge, n faza industrial , pn la 99,993% Cu (STAS 27062), ceea ce
corespunde scopurilor practice.
Se constat c pentru cuprul tras la rece, propriet ile mecanice sunt substan
ial mbun t ite. Totu i pentru unele utiliz ri n electrotehnic propriet ile
mecanice ale cuprului nu sunt corespunz toare, cum ar fi de exemplu liniile de
transport de energie electric , liniile de contact n trac iunea electric ,
contactele de rupere de mare putere, colectoarele ma inilor electrice etc.
Pentru asemenea scopuri se realizeaz aliaje ale cuprului urm rindu-se
mbun t irea propriet ilor mecanice f r a se afecta necorespunz tor cele
electrice.
Tabelul 3.4. Caracteristicile cuprului
Caracteristici

U.M.

Masa specific (densitatea)

Temperatura de topire
Rezisten a
la
rupere
(ntindere)
Alungirea
relativ
(la
rupere)
Duritatea Brinell
Modulul de elasticitate
Temperatura de recoacere
Temperatura de cristalizare
Coeficientul de dilata ie
termic (24300) C
Conductivitatea termic

kg/dm3
C
kgf/mm2

Cu
(recopt)
8,95
1083
2025

5030

42

kgf/mm2
kgf/mm2
C
C
1/C

4050
1170012600
400600
250300
17,7106

80120
1220013000
400600
250300
17,7106

cal/cmc.s. 0,941 la 20 C
0,9 la 100 C
cal/g C
0,092

0,941 la 20 C
0,9 la 100 C
0,092

C ldura specific

moale Cu tare (tras la

rece)
8,95
1083
4049

Pentru cteva sorturi de cupru, n raport cu cel electrolitic se prezint n

tabelul 3.5. principalele propriet i electrice.

147

Tabelul 3.5. Propriet ile electrice ale principalelor sorturi de cupru.

Caracteristici

U.M.

Conductivitatea
relativ al 20 C
Conductivitatea
standard la 20 C
Rezistivitatea
20 C

Coeficien i
temperatur
rezistivit ii

m
Wmm2
la Wmm2
m
de1/C
al

Cupru
Cupru
electrolitic dezoxidat
99,94% Cu
0,02% P
100
84,93

Cupru
foarte pur
99,993%
Cu
103,06

Cupru
tehnic
99,92% Cu
0,04% O
97,16

58

49,26

59,77

56,35

0,01724

0,0203

0,01673

0,01774

3,39 103 3 103

20 C
(20
300) C

3,9 103
(20
300) C

Principalele aliaje ale cuprului, numite i bronzuri, care se utilizeaz n

electrotehnic sunt realizate cu Cr, Sn, Cd, Be, sau alamele cu Zn. Bronzul de
Cd are mare rezisten mecanic mult mai mare dect Cu, iar bronzul de Be mult
mai mare. Rezistivitatea bronzului de Cd nu dep e te cu mult pe cea a cuprului
i de aceea este preferat fa de cel de Be.
n tabelul 3.6. sunt prezentate propriet ile principale ale ctorva bronzuri
mai frecvente utilizate n practic .
Datorit costului ridicat, dar mai ales r spndirii sale deficitare, s-a trecut
la nlocuirea cuprului cu aluminiu pe scar tot mai larg , n ultimele trei decenii.
n practic este uneori dificil utilizarea cuprului mai ales n prezen a
elementelor care l atac (sulful, azotul, acidul azotic i sulfuric, clorul i s rurile
de clor). Din cauza sulfului din cauciucul vulcanizat, de exemplu,
conductoarele de cupru se protejeaz prin cositorire sau cu mpletitur de
bumbac de a fi cauciucate.
La punerea n contact cu alte metale, dat fiind c poten ialul cuprului
devine pozitiv el este protejat de majoritatea metalelor. n schimb aluminiul,
n contact cu cuprul, ob innd poten ial negativ este distrus prin coroziunea
electrochimic .
Protec ia cuprului mpotriva coroziunii se realizeaz cu lacuri, mase
plastice, acoperirii metalice sau vopsele pe baz de ulei. Agentul coroziv care
distruge n cel mai scurt timp cuprul este clorul, deoarece produsul coroziunii
este volatil i metalul r mne descoperit.

148

Tabelul 3.6. Caracteristicile principalelor sorturi de bronz.

Caracteris- U.M.
tici
Masa specif
Rezisten a
la rupere
1) recopt
2) tare
3) t ria
resort
Conductivitatea
termic
Coef. de dilatare liniar
Rezistivitatea
Uliliz ri

Bronz
fosforos
99,75% Cu
1.25% Sn
8,89

Bronz
94% Cu
6% Sn
8,80

Bronz
Bronz Bronz
2.5% Be 2% Be 0,9% Cd
0,25%
Co
8,20
8,23

2832
3545
4655

3850
6090
35110

49,5
90
120

49
31
75140 73

0,49

0,12

0,20

0,25

107/C 178

175

166

mm2
m

0,036

0,15
0,17

0,075

0,068
0,098

0,0181
0,0207

Resoarte,
contacte,
arcuri pentru ntrerup toare

Conductori ae-Conductori
deCondensatori
rieni, fire tro-mare
rezistenaerieni,
fire
ley, electrozi de mecanic ,
arcuritroley, lamele
sudur , lamele conductoare, con- decolector,
de
colector,tacte glisante, e-contacte
contacte
lectrozi de sudur

kg/dm3
kgf/mm2

cal/cm
c.s.

3.3.2. ALUMINIUL.
Al doilea metal dup cupru, ca r spndire i utilizare n electrotehnic , este
aluminiul. De i din unele puncte de vedere este cu mult inferior cuprului,
aluminiul prezint avantajul economic net, c se afl n scoar a terestr n propor ie
de peste 7,5%.
Aria sa de utilizare este mai restrns ca element conductor, ns n general n
industrie ocup un loc prioritar. Se utilizeaz n electrotehnic pentru nf ur ri n
transformatoare, ma ini de induc ie, linii de transport i distribu ie a energiei
electrice, pentru turnarea coliviei rotorice la ma inile de induc ie, iar n ultimii
ani chiar i pentru bobinarea generatoarelor sincrone.
149

Extragerea aluminiului se face prin rafin ri n atmosfere reductoare, din

dou feluri de minereuri: 1. bauxita (trioxidul de Al) i 2. Criolita (dubl fluorur
de Al i Na). n ara noastr se prepar alumina (Al 2 O3) la Oradea, din
minereurile extrase din zona Bihorului i se prelucreaz n combinatul de la
Slatina, ca aluminiu pentru electrotehnic i industrie. Impurit ile care d uneaz
aluminiului, sunt cele men ionate pentru cupru, dar n general rafinarea sa
electrolitic este mai preten ioas .
Principalele propriet i ale aluminiului sunt cuprinse n tabelul 3.7., de
unde se poate observa c spre deosebire de cupru caracteristicile mecanice sunt
mult inferioare iar conductivitatea electric este redus pn la 62% din cea a
cuprului electrolitic standard. Rezistivitatea aluminiului este foarte intens
influen at de unele elemente de aliere cum sunt: Va, Mg, Si, Mn, Fe, Ti, Ag
etc. Din aceast cauz la turnarea coliviilor rotorice pentru ma ini electrice de
induc ie trebuie evitat impurificarea accidental deoarece aceasta are
repercusiuni asupra caracteristicilor func ionale i n special asupra
caracteristicii mecanice a ma inii.
Pentru aplica ii n care prezint importan nivelul propriet ilor mecanice cum
este cazul nf ur rilor pentru ma ini electrice mari, sau linii de transport de
energie electric , sau chiar i liniile de distribu ie a energiei electrice, se
realizeaz aliaje ale aluminiului urm rindu-se ns nealterarea propriet ilor
electrice.
Tabelul 3.7.
Caracteristici
Masa specific
Temperatura de topire
Rezisten a de rupere
Alungirea relativ
Duritatea Brinell
Modul elasticitate

Unit. de
m sur
kg/dm3
C
kgf/mm2
%
kgf/cm2
kgf/cm2

Al moale
2,7
658,7
711
3045
1525
5800
6600

Al tare (tras la
rece)
2,7
659,8
1528
28
3570
7200

Coef. de dilata ie (20

100) C
Conductivitatea termic

1/C

200450

cal/cm
C

C ldura specific
Rezistivitatea 20 C

cal/g C 0,214
Wmm2
m

a(j) la 20 C

1/C

0,52 la 20 C
0,475 la
200 C
0,2259
0,028
(0,02655)
pentru Al pur
4,83 103

150

Al
turnat
2,56
660,2
912
1325
2432

Prin alierea aluminiului cu unele elemente (Fe, Si, Mg) se poate dubla
rezisten a la rupere fa de Al pur.
Cel mai utilizat aliaj al aluminiului este aldrey-ul care con ine: (0,3
0,5)% Mg, (0,40,7)% Si i (0,20,31%) Fe fiind n general destinat liniilor de
transport de energie electric . Cum conductivitatea electric specifice a
aluminiului pur este de 38 [m/mm2], prin aliere cu elementele specifice
aldrey-ului ea scade la (3033) [m/mm2] ceea ce corespunde pentru multe
aplica ii n electrotehnic
Un aliaj similar aldrey-ului, denumit condil a fost utilizat cu succes la
construc ia unui generator sincron de 200 [MVA], 20 [kV] i 3600 [rpm], n
SUA, dovedindu-se compatibilitatea acestui metal cu cerin ele ma inilor
electrice de puteri mari. n paragraful (4.1.2.1.1.) au fost prezentate avantajele
utiliz rii aluminiului la temperaturi criogene la care propriet ile sale att
electrice ct i mecanice se mbun t esc substan ial.
Din punct de vedere economic rezult avantajele nlocuirii cuprului cu
aluminiul, f cnd compara ia ac iunilor i a greut ilor a dou linii de aceea i
lungime i aceea i rezisten electric total . Se g se te c sec iunea liniei de
aluminiu este cu 62% mai mare dect a cuprului (iar diametrul firului rotund
cu 30% mai mare) n schimb greutatea acesteia este numai 50% din cea a
cuprului. Cre terea diametrului la linii de transport conduce la reducerea
pierderilor prin efect corona, iar mic orarea greut ii ieftine te construc ia liniei,
necesitnd stlpi mai supli i mai distan i. De asemenea dac se compar
conductivitatea electric c tre masa specific determinat separat pentru Cu i Al,
rezult avantajul nlocuirii cuprului cu aluminiu. Pentru transformatoare de
putere mijlocie i ma ini electrice de curent alternativ, nlocuire Cu cu Al se
poate realiza f r nr ut irea caracteristicilor, iar la aceasta se adaug avantajul
reducerii greut ii construc iei.

3.3.3. ALTE MATERIALE CONDUCTOARE.

Pe lng Cu i Al se utilizeaz n electrotehnic n special Fe pentru linii de
telecomunica ii sau pentru asigurarea rezisten ei mecanice necesare liniilor de
transport de energie confec ionate din aluminiu. Liniile de telecomunica ii se
realizeaz din fier zincat pentru al proteja mpotriva coroziunii. Fierul are
rezisten mecanic foarte bun , ns n curent alternativ prezint efect pelicular
pronun at.
151

Ca urmare nu este posibil compensarea valorii mari a rezistivit ii ( =

0,1~0,13 mm2/m) prin majorarea sec iunii, cu inten ia de a reduce rezisten a
total a liniei deoarece se ob in efecte inverse. n telecomunica ii la frecven e n
domeniul de (2000~8000) Hz se utilizeaz firele de Fe acoperite cu un strat de
Cu care asigur conductivitatea ridicat .
Metalul cu cea mai mare conductivitate este Ag care poate asigura att
protec ia mpotriva coroziunii ct i a rezistivitate redus n construc iile de
curen i slabi destinate comut rii circuitelor cum sunt releele i microreleele,
microntrerup toarele, sau chiar contactele fixe din circuitele de curen i tari. n
tabelul 3.8. sunt prezentate cteva caracteristici ale diferitelor metale utilizate
n electrotehnic , pe lng Cu i Al.
Tabelul 3.8. Propriet ile unor materiale conductoare
Metalul

Densitatea 20 C
kg/dm3
mm2/m

C ldura
specific
cal/g C

Conductivitatea
termic
cal/cm cs

Ag
Au
Fe
Pb
Mg
Hg
Ni
W

10,5
19,3
7,86
11,3
1,74
13,55
8,9
19,3

0,0575
0,031
0,111
0,0309
0,25
0,0332
0,109

1,01
0,07
0,174
0,085
0,338
0,021
0,215
0,35

0,0162
0,023
0,105
0,21
0,046
0,96
0,09
0,06

3.4. MATERIALE CONDUCTOARE DE MARE REZISTIVITATE.

Pentru unele aplica ii n electrotehnic sunt necesare conductoare care s
prezinte rezisten electric mare la un volum relativ reduc. n aceste cazuri
trebuie s se utilizeze materiale cu rezistivitate mult mai mare dect a
conductoarelor obi nuite, ceea ce se realizeaz prin elaborarea de aliaje special
destinate acestor scopuri.
Dup domeniile c rora le sunt destinate aliajele de mare rezistivitate se
grupeaz astfel:
152

1) aliaje pentru rezisten e etalon, rezisten e de precizie, unturi i rezisten

e adi ionale pentru instrumente electrice
2) aliaje pentru reostate
3) aliaje pentru elemente de nc lzire electric .
Condi iile ce se impun acestor materiale depind de domeniul de
utilizare. Pentru metalele din grupa (1) este necesar s prezinte (t.t.e.m.c.) fa de
cupru ct mai mic pentru a influen a m rimile m surate, mai ales cnd acestea
sunt foarte mici. Totodat trebuie sp aib coeficient de temperatur al rezistivit ii
ct mai mic, orice aliaj destinat celor trei grupe, pentru a se asigura men inerea
constant a temperaturii la varia ia temperaturii. n plus materialele pentru
grupa (2) trebuie s suporte nc lzire pn la 250 [C] f r a deveni casante la r
cire, iar cele din grupa (3) s - i men in aceste calit i pn la 1500 [C].
n prima grup se utilizeaz manganinele (Cu 80% + Mn + Ni sau Al) a c
ror rezistivitate ajunge la 0,43 [mm2/m] iar (t.t.e.m.c.) fa de cupru U = 2
[V/C], sau aliaje pe baz de Ag + (10% Mn + 8% Sn) care are rezistivitatea =
0.55 mm2/m.
Pentru grupa a doua se utilizeaz materiale de tipul constantanului, cum
sunt::
1) Neusilber (Cu+Zn+Ni), nicheli (Cu, Zn, Ni) sau 2) Nichelina
(Cu+Ni+Mn), aceasta din urm fiind superioar celorlalte deoarece nu con ine
Zn (care determin casan a dup r cire).
Pentru grupa a treia se folosesc materiale pe baz de Ni i Cr cum sunt
Nicromul i Feronicromul; sau aliaje pe baz de fier care con in pe lng ni sau
Cr i Al sau Si elemente ce asigur cre terea substan ial a rezistivit ii n combina
ie cu Fe. Aliajele e baz de de Ni au rezistivitatea cuprins n limitele (1.051,1)
[mm2/m] iar cele pe baz de Fe ntre (0,9 2,2) [mm2/m]. Dintre aliajele pe
baz de Fe cele mai utilizate sunt Feronichel (Fe, Ni, Cr), Fecral (Fe, Cr 15%,
Al 5%), Kantal (Fe, Cr 21%, Al 5%), Cromal (Fe, Cr 30%, Al 4,5%), aliajul
Kornilov nr. 4 (Fe, Al, Cr peste 69%) care are temperatura de regim de 1500
[C] i rezistivitatea de 2,2 [mm2/m]. Aliajele din grupa treia se utilizeaz
pentru aparte electromecanice etuve i cuptoare de laborator, cuptoare
industriale etc.
3.5. MATERIALE PENTRU CONTACTE ELECTRICE.
Materialele destinate contactelor electrice glisante, sau celor de rupere
de mic putere sau de mare putere trebuie s aib mare rezisten la eroziune
electric (sub ac iunea aerului) duritate mare, conductivitate electric i termic
mare, deci s ndeplineasc condi ii uneori contradictorii.
153

Pentru contacte de rupere de mic putere se utilizeaz metale nobile

(ag, Au, Pt, Os, Ir) care au neajunsul c sunt scumpe, iar Ag i Au prezint tendin
a de a forma pun i de leg tur foarte sub iri (sub ac iunea fitingurilor A i B) care
sudeaz contactele.
n cazul contactelor de rupere de mare putere se utilizeaz pl cu e din
materiale sinterizate, sau impregnate (o component greu fuzibil de exemplu
W, Or, Cd, cu una de mare conductivitate cu Ag, Cu, Ni, sau bronzuri de be i
de Cd. La contactele electrice de rupere de mare putere apare necesitatea
ruperii curen ilor inten i (pn la 30004000 A) sau a unor curen i mai mici dar
sub tensiuni nalte (61000 kV). Ca urmare materialele pentru aceste contacte
trebuie s prezinte propriet i corespunz toare. Astfel, combina iile WCu cu
rezistivitate redus , duritate i temperatur de topire mari, suport presiuni mari
de contact i sunt recomandate a func iona n ulei.

154

Pentru verificarea cuno tin elor din acest capitol r spunde i n mod
concis la urm toarele ntreb ri:
1. Ce este un material conductor?
2. n ce domeniu variaz conductivitatea unui material conductor?
3. Defini i coeficientul de varia ie cu temperatura a rezistivit ii?
4. Ce este un material conductor de ordinul I?
5. Cine sunt purt torii de sarcin ntr-un material conductor de ordinul I?
6. Ce este un material conductor de ordinul II?
7. Cine sunt purt torii de sarcin ntr-un material conductor de ordinul II?
8. Da i exemple de materiale conductoare de ordinul I.
9. Da i exemple de materiale conductoare de ordinul II.
10.Ce este un material supraconductor?
11. Ce este un material hiperconductor?
12.La ce temperaturi apar propriet ile supraconductoare ale materialelor?
13.Ce propriet i magnetice au materialele supraconductoare?
14.Ce este scara lui Volta?
15.Ce componente intr n tensiunea termoelectromotoare de contact?
16.Ce este un termocuplu?
17.Ce materiale se folosesc la realizarea termocuplelor?
18.Care sunt cele mai utilizate materiale conductoare?
19.Ce aliaje ale Cuprului cunoa te i?
20.Ce aliaje ale Aluminiului cunoa te i?
21.Ce materiale se folosesc la realizarea contactelor electrice de for ?
22.Ce materiale se folosesc la realizarea contactelor electrice de mic
putere?.
23.Defini i un material conductor de mare rezistivitate.
24.Clasifica i materialele conductoare de mare rezistivitate
25.Ce propriet i au materialele folosite la realizarea rezisten elor etalon?
26.Ce materiale se folosesc la realizarea rezisten elor etalon?
27.Ce propriet i au materialele folosite la realizarea rezistoarelor
industriale?
28.Ce materiale se folosesc la realizarea rezistoarelor industriale?
29.Ce propriet i au materialele folosite la realizarea elementelor de nc lzit
electrice?
30.Ce materiale se folosesc la realizarea elementelor de nc lzire electrice?

155

156

4. MATERIALE MAGNETICE
Materialele magnetice prezint proprietatea de a modifica cmpul
magnetic exterior n care sunt introduse, concentrnd liniile de cmp n
interiorul corpului. Materialele magnetice, permeabile cmpului magnetic
i datoreaz aceast proprietate modific rii propriei lor st ri de magnetizare sub
ac iunea unui cmp magnetic exterior.
Starea de magnetizare este datorat mi c rilor microparticulelor din
constitu ia corpurilor, adic a electronilor i nucleelor atomice.
4.1. MAGNETIZAREA CORPURILOR
Mi c rii orbitale a electronului, ntr-un corp solid metalic, n jurul
nucleului i respectiv momentului cinetic orbital i corespunde un moment
magnetic orbital determinat de rela ia:
Mmo e Mco
2m

(4.1)

unde: e este sarcina electronului; m masa acestuia iar M co momentul

cinetic orbital.
De asemenea mi c rii spin a electronului, deci momentului cinetic de
spin (Mcs) i corespunde un moment magnetic de spin:
Mms e Mcs
(4.2)
m

Dup rela ia (4.2), rezult c momentul magnetic de spin al electro-nului

este mai mare dect momentul magnetic orbital (4.1).
Similar electronului se stabile te momentul magnetic de spin al
nucleului atomic, ns cum masa acestuia este de aproximativ (10 3) ori mai
mare dect cea a electronului, rezult innd seama de (4.2) c momentul s u
magnetic de spin este neglijabil.
Dac se ia n considerare faptul c mi carea orbital a electronilor este
puternic influen at de atomii vecini din re eaua cristalin , rezult c orientarea
momentelor cinetice orbitale ale electronilor dup un cmp magnetic
exterior, este extrem de redus , nct contribu ia acestor momente la
magnetizarea atomului este neglijabil .
157

Prin urmare magnetizarea atomului este datorat cu prec dere momentelor magnetice de spin ale electronilor.
Cum starea energetic a electronului este cuantificat i momentele
magnetice de spin sunt cuantificate.
Momentul cinetic de spin al electronului conform teoriei cuantice,
poate avea numai dou direc ii de orientare n raport cu direc ia unui cmp
magnetic exterior i anume:
h
Mcs 1
(4.3)
2

unde: h este cuanta de energie (adic constanta lui Plank).

nlocuind (4.3) n (4.2) rezult c momentul magnetic de spin al electronului
poate avea valorile cuantificate:
M ms = 1
h e = 1
(4.4)
2

2 m

unde valoarea momentului magnetic de spin s-a considerat drept unitate de

m sur i se nume te magneton ProcopiuBohr, dup numele fizicianului
romn tefan Procopiu (care a stabilit n 1913 momentul magnetic orbital al
electronului) i fizicianul N. Bohr. Din (4.4) rezult c valoarea unui magneton
ProcopiuBohr este 1 = 9,27 1024 [Am2].

Momentul magnetic propriu al atomului Mp rezult ca sum cuantic a momentelor magnetice ale electronilor i nucleului.
n consecin elementele ale c ror electroni i compenseaz reciproc
momentele magnetice de spin, ca i cele orbitale, cum sunt atomii care au
straturile electronice complet ocupate, prezint moment magnetic al
atomului nul. Elementele de tranzi ie ns , cum sunt Fe, Co i Ni posed
straturi electronice incomplete, astfel c atomii acestora prezint momente
magnetice ale electronilor necompensate. Fierul de exemplu, posed pe
stratul (3d) cinci electroni de spin pozitiv (+5) i un electron de spin negativ
(1) deci un moment magnetic propriu avnd valoarea (4 ). La fel pentru
Co exist trei electroni necompensa i, iar Ni are doi electroni necompensa i.

Deci condi ia ca un atom s posede moment magnetic propriu mp

rezid n existen a electronilor cu spini necompensa i, n structuri electronice
incomplete.
Vectorul de magnetizare

M al corpului, n func ie de m rimile

microscopice (adic specifice microparticulelor din atom) rezult ca sum a

momentelor magnetice proprii ale atomilor din unitatea de volum.
M mp

(4.5)
158

La nivelul m rimilor macroscopice, starea de magnetizare a unui corp

izotrop, omogen i cu temperatura constant n toat masa sa, lipsit de polariza
ie magnetic proprie, cnd este introdus ntr-un cmp magnetic
exterior de intensitate H este determinat

n fiecare punct al corpului de

vectorul induc ie magnetic B conform legii de leg tur n cmp magnetic:

(4.6)

B 0 H 0 M

unde: m0 = 4p 107 [H/m] este permeabilitatea magnetic a vidului;

c = 1 n S.I.U. i cu (4p) n sistemele nera ionalizate, constituie o
constant de propor ionalitate. Pentru corpurile cu polariza ie magnetic
temporar liniar vectorul de magnetiza ie este de forma:
(4.7)

M m H

unde: cm constituie susceptivitatea magnetic a corpului. nlocuind (4.7) n

(4.6) pentru (c = 1) rezult
(4.8)
B 0 1 m H
sau notnd:
(4.9)
r 1 m
care constituie permeabilitatea magnetic relativ , (4.8) devine:
(4.10)

B 0r H H

unde: m este permeabilitatea magnetic absolut a materialului. Din (4.7) i

(4.9) se ob ine vectorul de magnetiza ie sub forma:
(4.11)
M = r -1 H
dependent de m rimile macroscopice determinabile pe cale experimental ,
sau leg tura ntre acestea i m rimile microscopice:
(4.12)
r 1H mp
pentru concentra ia (n0) dat a atomilor suma

din (4.12) poate fi

dup direc ia

determinat , considernd valoarea medie a proiec iei mp

cmpului magnetic exterior.

Magnetiza ia M poate avea o component temporar Mt care este

diferit de zero numai dac (H 0) corespunz tor rela iei (4.7) pentru medii
liniare, sau o component permanent Mp diferit de zero i n absen a
cmpului magnetic exterior.

159

4.2. CLASIFICAREA MATERIALELOR MAGNETICE

Dup orientarea momentelor magnetice proprii ale atomilor, respectiv
dup valoarea susceptibilit ii magnetice (sau a permeabilit ii
magnetice relative) corpurile solide se
clasific n 1. diamagnetice,
2. paramagnetice,
3. feromagnetice,
4. antiferomagnetice
i
5. ferimagnetice. n tabelul 4.1.este prezentat ansamblul general al acestei
clasific ri.
Din tabelul 4.1 se observ c pentru materialele diamagnetice i
paramagnetice, cum (mr @ 1) i (cm @ 0) n (4.10) se poate considera m = m0,

adic

B depinde liniar de H.
Tabelul 4.1. Clasificarea materialelor magnetice

Felul
Momentul
Orientarea momentelor
cm
materialului magnetic
magnetice ale atomilor
propriu mp
al atomului
1.Diamag- mp = 0

105
netice
2.Paramag- mp 0
haotic
+103
netice
3.Feromag- mp 0
homopolarele pe dome- foarte
netice
nii
mare
4.Antifero- mp 0
Antiparalele pentru dou
magnetice
sisteme de atomi diferi i
Smp = 0
5.Ferimag- mp 0
Idem dar Smp 0
mare
netice

m Exemple
r

1 H, C, Ne,
Ag, Cu, Hg
1 Al, Pt, Cr
oxizi
Fe, Ni, CO
1 Oxizi de Mn,
Fe, Co, fluor
amestecuri de
oxizi metalici

n cazul materialelor feromagnetice care constituie mpreun cu cele

feromagnetice categoriile cele mai importante pentru practic , legea
polariza iei magnetice (4.10) prezint o varia ie neliniar .
Diamagnetismul este caracterizat printr-o susceptibilitate magnetic
mai mic dect zero ( m <0), respectiv o permeabilitate mai mic dect
unitatea ( <1). Susceptibilitatea acestor substan e este de ordinul 10 6 . Ele
au un coeficient de magnetizare negativ. Substan ele diamagnetice
introduse ntr-un cmp magnetic sunt slab respinse de acesta. Repulsia este
propor ional cu intensitatea cmpului magnetic. Magnetiza ia substan elor
diamagnetice este independent de temperatur .
160

Din grupa substan elor diamagnetice fac parte: Ag, Au, Hg, Si, Ge,
Sn, Pb, B, Be, Cu, As, Sb, Bi, S, Se i altele.
Substan ele paramagnetice au o susceptibilitate magnetic mai mare
dect zero ( >0) i o permeabilitate pu in mai mare dect unitatea ( >1).
Susceptibilitatea lor este de ordinul 10-3 10-6 i variaz cu temperatura n
general dup legea lui Curie.
cm =

(4.13)

n care: C este o constant iar T temperatura absolut .

Substan ele paramagnetice introduse ntr-un cmp magnetic sunt slab
atrase. For a de atrac ie este propor ional cu intensitatea cmpului magnetic.
Din aceste substan e fac parte: Al, Ba, Li, Na, Mg, Ca, Ti, Zr, V, Ta, W, Pt,
Re, Cr i altele.
Feromagnetismul este un caz special al paramagnetismului
caracterizat prin susceptibilitate i permeabilitate mare. Apari ia
feromagnetismului este condi ionat de electroni necompensa i i de distan
interatomic limitat .
Susceptibilitatea acestor substan e variaz puternic cu temperatura.
Fierul, cobaltul, nichelul, gadoliniul, precum i o serie de aliaje ale acestor
elemente sunt feromagnetice. Fierul are 4, cobaltul 3 i nichelul 2 electroni
necompensa i pe stratul trei.
Manganul de i are 5 electroni necompensa i nu este feromagnetic.
Datorit neliniarit ii, caracterizarea materialului se poate face cu
ajutorul mai multor clase de permeabilitate relativ i numai n jurul unei st ri
date, corespunz toare unei perechi date de valori B i H. Se definesc
conform figurii 4.1:
a) permeabilitatea relativ static :
(4.14)
mr = 1 B
m0

b) permeabilitatea relativ diferen ial :

m = 1 lim B
rdif

(4.15)

m0 H0 DH

Dac punctul n care se define te coincide cu nume originea O, ea se

te permeabilitatea relativ ini ial .
c) permeabilitatea relativ reversibil :

mrrev = lim
m0 H0 DH
161

(4.15)

Dac se revine cu H n punctul P ini ial (din care s-a efectuat varia ia
H<0) se ob ine un mic ciclu de histerezis h care se poate asimila cu o
dreapt ; panta acestei drepte este propor ional cu r rev. Valoarea maxim a
lui r rev este notat obi nuit cu r max. n origine r dif = r rev= r ini-3ial.
Susceptibilitatea substan elor antiferomagnetice este de ordinul 10
i variaz cu temperatura; ea cre te pn la o temperatur critic i apoi scade
brusc. Temperatura la care dispare antiferomagnetismul se nume te
temperatura Nel. Substan e antiferomagnetice sunt: Mn, MnO, NiO, CoO,
CaO, NiCl2, CuCl 2, etc.

Figura 4.1. Permeabilit i magnetice

Ferimagnetismul apare atunci cnd momentele magnetice paralele i
de sens opus au valori diferite. n cazul unui antiparalelism total al spinilor
i compensarea momentelor magnetice avem cazul antiferomagnetismului;
ferimagnetismul poate fi privit ca un antiferomagnetism necompensat. Ionii
metalici ai feritelor sunt situa i n re elele i subre elele cristaline A i B fiind
nconjura i de 4 6 ioni de oxigen. Trei feluri de interac iuni pot ap rea, i
anume: A-A, B- B i A-B. Se consider c interac iunile A-A i B- B sunt
pozitive i slabe, iar interac iunea A-B este negativ i puternic . n acest caz
spinii necompensa i sunt antiparaleli cu spinii B. n cazul cnd momentele
au valori diferite, rezult un moment magnetic propor ional cu diferen a lor.
Feritele sunt compu i de forma M 2 O 2 Fe 22 O 32 n care M 2 este un

ion al unui metal bivalent ca Ni, Mn, Co, Cd, etc. pentru ferite moi i Ba, Sr,
Pb pentru ferite dure.
162

Feritele sunt materiale cu propriet i semiconductoare. Ele au, deci,

rezistivit i mult mai mari dect corpurile feromagnetice, care sunt metale, i,
din aceast cauz , prezint pierderi prin curen i turbionari mult mai mici dect
acestea din urm , calitate deosebit pentru aplica iile practice, feritele putnd
fi folosite pentru construc ia miezurilor magnetice care sunt str b tute de
fluxuri magnetice rapid variabile n timp (frecven e nalte, de exemplu). Ele
se folosesc pe scar larg ca materiale magnetice moi i dure.

4.3. MATERIALE FEROMAGNETICE

Proprietatea fundamental a corpurilor feromagnetice este aceea c au
magnetiza ie spontan , adic magnetiza ie nenul chiar i n cazul absen ei
cmpurilor magnetice exterioare.
Pentru explicarea magnetiza iei spontane, adic magnetiza ie nenul
chiar i n cazul absen ei cmpurilor magnetice exterioare, n teoria lui Weiss
se admite c materialele feromagnetice sunt formate din p r i
submacroscopice, avnd dimensiunile liniare de ordinul sutimilor de
milimetru, numite domenii magnetice sau domeniile lui Weiss (fig.4.2.);
ele sunt, fiecare, la T=0 K, magnetizate la satura ie i prezint magnetiza ie
spontan . Deci n fiecare domeniu Weiss atomii (moleculele, ionii) au
momente magnetice m p homoparalele, la T=0 K.
Problema fundamental a unui domeniu Weiss se refer la interac iunile dintre
atomii polari care determin starea de satura ie magnetic spontan a
domeniului, ea se reduce la problema interac iunii dintre spinii electronilor
care confer atomilor calitatea de a avea momente magnetice permanente.

Figura 4.2. Domenii Weiss

163

Sub anumite temperaturi, caracteristice, materialele feromagnetice

prezint magnetiza ie spontan (nenul chiar n lipsa cmpurilor magnetice
exterioare). Prezent m o teorie simplificat a acestei magnetiza ii, incluznd
ns i magnetiza ia pe care o prezint feromagneticele peste temperatura critic
, la care magnetiza ia spontan se anuleaz .
n fig.4.3. este reprezentat celula elementar , cubic centrat , a Fe la
temperatura T=0 K, n care momentele magnetice spontane mP ale atomilor
sunt orientate homoparalel. Energia cristalului este minim atunci cnd
vectorii m P sunt paraleli cu muchiile cubului; din aceast cauz magnetizarea
corpului poate fi realizat cu aport mic de energie, din exterior, dac
intensitatea cmpului magnetic are direc ia uneia dintre muchii.
Direc iile muchiilor spunem c sunt de u oar magnetizare. Folosind
indicii cristalografici ai lui Miller, direc ia, este de u oar magnetizare. Direc
iile diagonalelor principale, ca, sunt de grea magnetizare, iar cele ale fe
elor, ca, de medie dificultate de magnetizare.

Figura. 4.3. Magnetizarea dup axele cristalografice.

Anizotropia de magnetizare a cristalelor rezult din interac iunea
mediat prin intermediul momentelor magnetice orbitale, a momentelor de
spin ale electronilor din atomii vecini.
mp r irea corpurilor n mai multe domenii Weiss, neconstituirea sa
ntr-unul singur, se poate explica: dac el ar fi format dintr-un singur
domeniu ca n fig. 2.4.a. n care magnetiza ia M este antiparalel cu cmpul
magnetic demagnetizat Hd, energia sa magnetostatic ar fi maxim i configura
ia sa ar fi dezavantajoas .
164

Cum m rimea Hd corespunde sarcinilor magnetice repartizate pe

suprafe ele S1 i S2 cu densit ile ms , rezult c Hd poate fi anulat dac
materialul are o configura ie n care ms=0, ca aceea din fig. 2.4.b. unde
corpul este format din mai multe domenii Weiss. n schimb, energia
corespunz toare for elor cuantice de schimb se m re te la mp r irea n
domenii; forma i num rul domeniilor corespund deci minimului sumei celor
2 energii. Cnd corpul este demagnetizat, domeniile sunt orientate aleatoriu,
astfel nct suma magnetiza iilor lor este nul .
Men ion m c procesul de formare a unui domeniu Weiss, descris mai
sus pentru un monocristal, se produce n fiecare cristalit al unui corp
policristalin; domeniile Weiss nu se confund deci cu cristalitele.
La aplicarea unui cmp magnetic aceste substan e se magnetizeaz
puternic i p streaz n oarecare m sur magnetismul la ncetarea cmpului
magnetic exterior. Magnetizarea lor nu variaz liniar n func ie de
intensitatea cmpului exterior aplicat. Substan ele feromagnetice sunt n
num r foarte mic i cele practic folosite sunt fierul, cobaltul i nichelul.

Figura 4.4. Cicluri de histerezis.

165

Materialele magnetice cuprind materiale feromagnetice i ferimagnetice. Materialele feromagnetice se clasific n:

materiale feromagnetic dure;
materiale feromagnetic moi.
Dup forma ciclului histerezis, materialele magnetice se deosebesc ca
n figura 4.4. n moi i dure.
Cre terea temperaturii intensific mi carea de agita ie termic a
particulelor i ngreunnd orientarea momentelor magnetice rezultante ale
domeniilor Weiss provoac o reducere a magnetiza iei corpului. Pentru
valori ale temperaturii superioare temperaturii Curie materialele i pierd
propriet ile feromagnetice i trec n stare paramagnetic .
n cazul materialelor magnetice moi apare o reducere a permeabilit ii
magnetice i a induc iei magnetice de satura ie; la materialele magnetic dure,
cre terea temperaturii determin o reducere a energiei magnetice
nmagazinate i a induc iei remanente Br.
Impurit ile deformeaz re eaua cristalin a corpurilor producnd
tensiuni mecanice interne. Aceste eforturi mpreun cu ac iunea de fixare a
pere ilor Bloch de c tre impurit i ngreuneaz deplasarea pere ilor Bloch i,
deci, magnetizarea materialului i mpiedic revenirea pere ilor Bloch n pozi
ia ini ial , contribuind astfel la m rirea induc iei remanente i a cmpului
coercitiv. Impurit ile care formeaz cu materialele feromagnetice solu ii
suprasaturate ies, cu timpul, din solu ii. Se modific astfel tensiunile interne i
se distrug, local, re elele cristaline, ceea ce determin varia ii ale propriet ilor
magnetice ale corpurilor.
Permeabilitatea magnetic este mai redus n cazul materialelor cu
structur format din cristalite mici.
n func ie de natura, procesul tehnologic i destina ia materialelor
magnetice, impurit ile existente pot fi considerate favorabile sau d un toare.
Astfel, n cazul materialelor magnetic moi, sulful, fosforul, manganul,
azotul, hidrogenul, oxigenul, carbonul, etc., determin o reducere a propriet
ilor magnetice, constituind impurit i d un toare, pe cnd Ni, Co, Si, Al, Cr,
Mo, etc. constituie impurit i favorabile.
n cazul materialelor magnetic dure, o serie de elemente considerate
ca d un toare pentru o grup de aliaje sunt favorabile pentru altele. De
exemplu: Mn, S, Si, Se, etc., sunt d un toare aliajelor Alni, Alnico, dar
favorabile aliajelor cu structur columnar . ntotdeauna carbonul este
considerat ca element nefavorabil, aliajele cu un con inut mare de carbon
avnd induc ie remanent , cmp coercitiv i indice de calitate redus.
Sub ac iunea for elor mecanice are loc rearanjarea momentelor
magnetice ale corpului i apari ia unor tensiuni mecanice locale care frneaz
deplasarea pere ilor Bloch.
166

Se produc deci varia ii ale propriet ilor magnetice, importan a lor

depinznd att de natura i structura materialului, ct i de m rimea i direc ia
for ei perturbatoare fa de direc iile de cristalizare ale corpului.
Corpurile a c ror permeabilitate magnetic variaz sub ac iunea unor
solicit ri mecanice i modific i dimensiunile dac sunt introduse ntr-un
cmp magnetic. Acest fenomen numit magnetostric iune este utilizat pentru
producerea ultrasunetelor.
n urma opera iilor tehnologice de tan are, t iere, ndoire, g urire, etc.,
re eaua cristalin a corpului sufer deforma ii importante. Apar astfel tensiuni
mecanice interne care nr ut esc caracteristicile magnetice, efectul fiind cu
att mai important, cu ct materialul are propriet i mai bune i dimensiuni
mai reduse. Pentru nl turarea acestor efecte materialele magnetice se supun
unor tratamente termice ale c ror caracteristici depind att de tipul,
dimensiunile i structura materialului, ct i de specificul circuitului magnetic
n care acesta urmeaz a fi folosit.
n urma acestor tratamente se elimin tensiunile interne din corp, se
reface structura cristalin i scade cmpul coercitiv, rezistivitatea electric i
pierderile prin histerezis. n cazul magne ilor permanen i ob inu i prin
turnare se efectueaz mai nti un tratament termic de omogenizare (ex:
11001300 C pentru Alni i Alnico) i unul de revenire (600 C pentru
Alni).
Tratamentul de c lire durific materialul devenind material magnetic
dur. n urma tratamentului de recoacere, materialul devine magnetic moale.
Cmpurile magnetice exterioare determin o reducere a magnetiza iei
corpurilor (mai ales a magne ilor permanen i), efectul demagnetizant al
acestora depinznd att de m rimea intensit ii lor, ct i de caracteristicile
punctelor de func ionare ale magne ilor.
Radia iile nu modific caracteristicile magnetice, dar magne ii supu i
unor asemenea solicit ri pot deveni radioactivi.
4.3.1. MATERIALE FEROMAGNETICE MOI
Materialele magnetice moi sunt caracterizate prin ciclul histerezis
ngust; ele au permeabilitate magnetic mare, cmp coercitiv mic, se
magnetizeaz puternic n cmpuri magnetice de intensitate mic i i i pierd
magnetismul la ncetarea ac iunii cmpului exterior.
Dac materialul magnetic moale este supus unui cmp magnetic
exterior H care variaz de la H la +H induc ia magnetic variaz dup ciclul de
histerezis din figura 4.5.
167

Materialul ini ial nemagnetizat parcurge curba de magnetizare

ini ial de la 0 la Hmax, Bmax dup care sc znd cmpul H pn la 0 induc ia
scade pn la valoarea Br (induc ie remanent ). Sc znd n continuare
cmpul induc ia dispare la valoarea Hc (cmp magnetic coercitiv) dup care
parcurge n continuare ciclul de histerezis pn la valoarea Hmax, Bmax.
Ciclul de histerezis este o curb neunivoc i neliniar a c rui arie este
propor ional cu pierderile de putere activ (teorema lui Warburg). Locul
geometric al vrfurilor ciclurilor de histerezis se nume te curb de
magnetizare i se aproximeaz n practic cu curba de prim magnetizare.
Materialele magnetice moi sunt folosite att n domeniul curen ilor
slabi, n curent continuu i n curent alternativ, de frecven e industriale, pn
la frecven e nalte i foarte nalte.

Figura 4.5. Ciclul de histerezis al unui material magnetic moale.

Acestor materiale li se cere,dup scop, induc ie de satura ie mare,
permeabilitate ini ial sau maxim mare, permeabilitate constant sau variabil
cu temperatura, ciclul histerezis normal sau dreptunghiular i n orice caz
pierderi minime.
n cmpuri alternative, materialele magnetice moi trebuie s asigure
pierderi minime de energie. Aceste pierderi se compun din:
pierderi prin histerezis
pierderi prin curen i turbionari,
pierderi reziduale.
Pierderile prin histerezis se datoreaz deform rilor re elei cristaline
cauzate de incluziunile nemagnetice (corpuri str ine).
168

Pierderile prin curen i turbionari pot fi deduse din legea induc iei.
Reducerea lor se ob ine prin mic orarea grosimii materialului sau prin m
rirea rezistivit ii lui prin aliere cu elemente corespunz toare scopului.
Pierderile reziduale apar la varia ia temporar a induc iei i sunt propor
ionale cu frecven a i intensitatea curentului. Aceste pierderi se datoreaz , ca
i pierderile histerezis, deform rilor re elei cristaline prin incluziuni
nemagnetice; migr rile atomilor de carbon n solu ie i prezen a azotului sunt
factori importan i pentru apari ia pierderilor reziduale. Cu descre terea
impurit ilor scad pierderile reziduale i la un material pur ele sunt practic
inexistente.
n corpurile feromagnetice se dezvolt c ldur dac n ele variaz , n
timp, cmpurile magnetice exterioare. Se produc deci pierderi de putere
activ . Acestea sunt de 2 feluri:
Pierderile prin histerezis magnetic sunt propor ionale cu frecven a i
cu aria ciclului de histerezis. Ele pot fi calculate cu expresia lui Steinmetz.
p n = f h Bmaxn

(4.16)

pn c ldura dezvoltat (pierderile) n unitatea de timp i n unitatea de

volum a materialului
f frecven a
o constant de material numit constanta lui Steinmetz
Bmax induc ia magnetic maxim
n exponentul lui Steinmetz (1,6 < n > 2)
Materialele magnetic dure (arie mare a ciclului de histerezis) prezint
pierderi mari prin histerezis.
Materialele magnetic moi (arie mic i valori mici ale lui Hc) au
pierderi cu att mai mici cu ct ciclul de histerezis este mai ngust.
Pierderile prin curen i turbionari se datoreaz efectului Joule-Lenz
care nso e te inducerea de curen i electrici n corpurile feromagnetice de c
tre fluxurile magnetice variabile n timp. ntr-o tol cu arie mare, de grosime
i de rezistivitate electric , se dezvolt , n unitatea de timp i de volum, c
ldura:
p = k D2 f 2 Bmax2
(4.17)
f

r
Pierderile totale n fier au deci expresia:
k D2 f 2 Bmax2 = a f + b f 2
pFe = pn + pf
n
= f h Bmax +
r
Constantele a, b se pot determina experimental.
169

(4.18)

n practic , pierderile n fier se raporteaz la unitatea de mas a

materialului, exprimndu-se n W/kg.
Materialele magnetice moi se clasific n mod ra ional dup compozi ie,
lundu-se ca baz elementul principal de aliere, care impune caracteristicile
specifice ale materialului, de exemplu tabl silicioas slab sau bogat aliat .
Materialele magnetice moi sunt: diferite sorturi de fier, fonta i otelul, aliaje fiersiliciu, aliaje fier-siliciu texturate, aliaje fier-siliciu sinterizate, aliaje fier-siliciualuminiu (Alsifer), aliaje fier- aluminiu (Alfenol), aliaje nichel-fier (Permalloy),
aliaje cu permeabilitate mare, aliaje cu permeabilitate constant , aliaje cu ciclu
histerezis dreptunghiular, aliaje cu induc ie de satura ie mare, aliaje termocompensatoare, aliaje magnetostrictive, pelicule metalice magnetice, materiale
nemagne-tice.

Impurit ile din materialele feromagnetice moi sunt:

Carbonul este elementul cel mai d un tor pentru materialele
magnetice moi. El se dizolv n fierul topit i r mne fie sub forma de solu ie
solid , fie sub form de pulbere grafitic ; el m re te cmpul coercitiv, mic
oreaz permeabilitatea i produce mb trnirea materialului.
Oxigenul se dizolv n fier i i influen eaz n m sur mai mic propriet
ile magnetice dect carbonul: el influen eaz plasticitatea materialului.
Hidrogenul influen eaz propriet ile magnetice n m sur mai mic dect
oxigenul; el se elimina la temperaturi de peste 650 C. Hidrogenul poate
servi, n anumite mprejur ri, ca dezoxidant, devenind astfel un element util.
Azotul are o influent asem n toare carbonului, ns n m sur mai mic ;
el favorizeaz mb trnirea magnetic .
Sulful m re te cmpul coercitiv i pierderile prin histerezis. Fosforul
m re te pierderile prin histerezis i influen eaz mai pu in
cmpul coercitiv.
Manganul favorizeaz formarea cementitei n fier; influen a lui ca
element d un tor este mai slab dect a fosforului i sulfului.
Siliciul ca solu ie solid , n fierul pur, produce sc derea induc iei de
satura ie.
Dintre adausurile cu efecte favorabile amintim:
Nichelul influen eaz favorabil permeabilitatea magnetic i reduce
cmpul coercitiv.
Cobaltul este singurul element care m re te induc ia de satura ie.
Siliciul m re te rezistivitatea materialului, deci mic oreaz pierderile
prin curen i turbionari, favorizeaz m rirea granulelor m rind astfel
permeabilitatea; mic oreaz precipitarea carbonului n grafit i contribuie
astfel la reducerea cmpului coercitiv i a pierderilor prin histerezis.
170

Aluminiul mic oreaz energia cristalin n fier; un adaos de 0,1-0,2% n

fier previne mb trnirea; n procente mai mari pn la 16% (Alfenol)
imprima caracteristici magnetice foarte bune, n special permeabilitate
maxim i cmp coercitiv comparabil cu cele ale permalloyului. Materialul
este ductil i poate fi laminat la dimensiuni foarte reduse, de ordinul
micronilor.
Cromul, molibdenul i cuprul sunt elemente forabile de aliere n
anumite aliaje fier-nichel, imprimnd materialului caracteristici speciale.
Prelucr rile mecanice ca: t ierea, tan area, presarea, ndoirea, g
urirea etc., i n general solicit rile mecanice, nr ut esc calit ile magnetice
Cu ct solicit rile mecanice sunt mai pronun ate, cu att mai mult se nr ut
esc calit ile magnetice. Materialele cu permeabilitate foarte mare i cmp
coercitiv foarte mic devin, la eforturi mecanice pronun ate, uneori complet
inutilizabile. Materialele care au suportat eforturi mecanice trebuie tratate
termic la un regim corespunz tor aliajului. Anumite prelucr ri mecanice
degro ri pronun ate, deform ri plastice avansate) imprim materialelor
magnetice caracteristici speciale prin texturare; materialele astfel prelucrate
devin anizotrope n direc ia efortului.
Tratamentele termice constituie un factor hot rtor pentru ob inerea
unor caracteristici magnetice i mecanice, att dup elaborarea materialului
ct i dup prelucr ri mecanice. Prin tratamente termice se pot restabili total
sau par ial caracteristicile magnetice care au fost mic orate prin eforturile
mecanice suportate de piese.
Scopul tratamentelor termice, aplicate la materialele magnetice moi,
este n primul rnd de a reduce tensiunile interne care iau na tere la
eforturile mecanice; prin tratamente termice se ob ine i m rirea granulelor.
Prin reducerea tensiunilor interne i m rirea granulelor scade cmpul
magnetic coercitiv. Este important ca tratamentele termice s fie corect
conduse, cu respectarea strict a temperaturilor de tratare, dup specificul
materialului de tratat.
Unele materiale magnetice moi, tratate n cmp magnetic, cap t
caracteristici magnetice optime; permeabilitatea materialelor tratate se m re
te, iar cmpul coercitiv descre te i de asemenea scad pierderile.
Denumirea de fier i nu de o el, este men inut pentru fierul cu con inut
sc zut de carbon; este cel mai ieftin material feromagnetic folosit curent n
electrotehnic cnd nu i se cere puritate prea mare. El este folosit n special
n curent continuu, n diferitele circuite magnetice; este relativ u or de
produs i se livreaz sub diferite forme i dimensiuni ca bar sau tabl , eav etc.
171

Fierul chimic pur are caracteristici magnetice foarte bune, fiind ns un

material scump, nu prezint interes din punct de vedere practic.
Fierul tehnic pur se ob ine prin nc lzirea fierului pn aproape de
punctul de topire, n atmosfer de hidrogen, eliminnd prin difuziune impurit
ile. El nu prezint interes pentru produc ie.
Fierul electrolitic se ob ine prin electroliz i poate s ating un grad de
puritate mare. Elaborarea lui nu ntmpin dificult i de ordin tehnic.
Fierul carbonil se ob ine sub form de pulbere fin din pentacarbonilul
de fier lichid care introdus ntr-un vas sub presiune, formeaz monoxid de
carbon i fier; gazul se pompeaz , iar fierul r mne la fundul vasului,de unde
se scoate. Particulele au forma sferic , ceea ce prezint un avantaj la izolare,
ntruct nu str pung izola ia. Tehnologia de fabrica ie este complicat i
costisitoare, elaborarea nu renteaz dect pentru cantit i mari.
Fierul carbonil are pierderi prin curen i turbionari reduse i pierderi
prin histerezis de asemenea mici; con inutul de carbon este uneori destul de
mare i se reduce prin tratare n hidrogen; la tratarea termic pierderile
magnetice nu scad,cre te ns permeabilitatea magnetic . Pentru pupinizare i
bobine de radiofrecven fierul carbonil s-a folosit pe scar larg ; el este
nlocuit ast zi cu materiale superioare din punct de vedere magnetic.
Fierul carbonil este folosit pe scar larg la producerea magne ilor
sinteriza i din aliajele Alni i Alnico.
Fierul Armco, fierul suedez i fierul s rac n carbon.
Aceste sorturi de fier se deosebesc prin procentul de impurit i i sub
denumirea de fier Armco se n elege deseori fierul cu con inut s rac n
carbon, de unde i vine i numele.
Fierul suedez se ob ine din font extrapur i are con inut de carbon
redus (~0,03%); de asemenea, celelalte impurit i sunt n cantit i reduse
(P~0,04%, S~0,005%, Si~0,07%).
Fierul Armco de calitate se elaboreaz de preferin din fier suedez cu
insuflare de oxigen. Caracteristicile magnetice se mbun t esc odat cu
reducerea impurit ilor. Fierul Armco are o zon critic de prelucrare cuprins
ntre 815-1050 C, de aceea se evit prelucr rile n aceast zon . Forjarea i
laminarea se fac la o temperatur de 1200 C. Acest material devine fragil n
intervalul de temperatur cuprins ntre 260-430 grade C de care trebuie inut
seama.
Fierul s rac n carbon, denumit i fier moale sau fier moale s rac n
carbon, este mai pu in pur dect fierul Armco.
Caracteristicile magnetice ale diferitelor sorturi de fier sunt:
fier chimic pur monocristale: permeabilitate ini ial 14000,
permeabilitate maxim 1450000, cmp coercitiv 0,025
172

 fier tehnic pur: permeabilitate ini ial 4000, permeabilitate maxim

180000, cmp coercitiv 0,025
fier elaborat n vid cu con inut de carbon 0,01%: permeabilitate ini
ial 600-1000, permeabilitate maxim 20000, cmp coercitiv 0,2-0,1,
intensitatea de magnetizare la satura ie 21500
fier Armco: permeabilitate ini ial 500-1000, permeabilitate maxim
7000-20000, cmp coercitiv 0,1, intensitatea de magnetizare la satura ie
22000
fier electrolitic: permeabilitate ini ial 250, permeabilitate maxim 15000,
cmp coercitiv 0,4
fier suedez: permeabilitate ini ial 250-500, permeabilitate maxim
2500, cmp coercitiv 1,0, intensitatea de magnetizare la satura ie 22000.
fier carbonil: permeabilitate ini ial 2000-4000, permeabilitate
maxim 20000, cmp coercitiv 0,08, intensitatea de magnetizare la satura ie
22000.
fier s rac n carbon: cmp coercitiv 1-2, intensitatea de
magnetizare la satura ie 2100
Diferitele sorturi de fier moale se folosesc la construc ia pieselor
polare, la juguri pentru electromagne i, la miezuri pentru bobine, la relee, la
blindaje, la frne i cupluri electromagnetice, la platouri electromagnetice, la
arm turi la difuzoare cu magne i permanen i, la aparatele de m surat etc.
Materialul se livreaz laminat la cald sau la rece; el poate fi u or ndoit
sau tan at i piesele avnd suprafa a neted pot fi nichelate.
Aliajele fier-siliciu cu con inut mai mare de 5% siliciu, sunt casante i
nu pot fi prelucrate; ele nu sunt folosite n practic . Caracteristicile
magnetice se mbun t esc la m rirea procentului de siliciu. Piesele din aceste
aliaje se pot produce prin sinterizare, folosind tehnologia metalurgiei
pulberilor. Piesele produse sunt de dimensiuni reduse.
Aliajul denumit Alsifer are caracteristici magnetice foarte bune, ns
prezint dezavantajul c este casant i practic nu poate fi prelucrat, dect cu
greu, prin rectificare cu pietre abrazive. Caracteristicile magnetice optime
se ob in la un aliaj cu 9,5 % siliciu i 5,5 % aluminiu, restul fier. Piesele din
Alsifer au un coeficient negativ de temperatur al permeabilit ii, permi nd
ob inerea unor compensa ii utile la diferite combina ii.
La aliajul cu un con inut de aproximativ 16 % aluminiu i restul fier,
denumit Alfenol, materialul cap t caracteristici magnetice optime:
permeabilitate ini ial 4000 Gs/Oe,
permeabilitate maxim 100000 Gs/Oe,
cmp coercitiv 0,024 Oe,
induc ie de satura ie 8000 Gs.
173

Pierderile prin histerezis sunt foarte mici, aproximativ 0,1 W/ kg la

50 Hz i 5000 Gs. Alfenolul este folosit i la transformatoare de medie
frecven i la transformatoare de impuls. Alfenolul poate fi lipit prin
cositorire.
n domeniul materialelor magnetice moi un loc de frunte ocup aliajele
pe baz de nichel-fier (Permalloy), deseori cu anumite adaosuri, care imprim
aliajelor caracteristici speciale. Aliajele nichel-fier pot fi mp r ite n cteva
categorii i anume:
aliaje bogat aliate cu nichel, cu 70-80 % nichel, care, de obicei, con
in adaosuri ca crom, molibden, cupru sau siliciu. Aceste aliaje au cele mai
bune performan e magnetice dintre materialele magnetice moi; cmpul lor
coercitiv este foarte mic, n schimb induc ia de satura ie i rezistivitatea au
valori reduse, ceea ce constituie un dezavantaj;
aliaje cu con inut de nichel ntre 45-50%. Acestea au
permeabilitate mai sc zut dect aliajele cu ob inut de nichel cuprinse ntre
70-80%, n schimb induc ia lor de satura ie este mai mare.
aliaje cu con inut de nichel de 36%. Sunt caracterizate prin
permeabilitate mai mic dect aliajele men ionate, n schimb permeabilitatea
lor este mai pu in sensibil la varia ia cmpului. Ele au i o rezistivitate mare
ceea ce mic oreaz pierderile prin curen i turbionari.
Tratamentele termice au un rol important asupra caracteristicilor
magnetice ale aliajelor de tip Permalloy. Aceste tratamentele termice se fac
la temperaturi de 1100-1300 C, n atmosfer de hidrogen pur sau n vid,
urmate de o revenire la temperaturi pn la 600 C.
La unele aliaje de acest tip, tratamentele termice n cmp magnetic
aduc mbun t iri sensibile ale caracteristicilor magnetice.
Aliajele cu permeabilitate mare sunt bogat aliate cu nichel, 70-80% i
con in deseori, pe lng nichel i fier, i adaosuri care aduc anumite avantaje.
Aceste aliaje i cele cu con inut mai redus sunt deseori denumite Permalloy
sau au diferite alte denumiri comerciale.
Tratamentul termic joac un rol important n ce prive te caracteristicile
magnetice ale aliajului. Pentru recristalizare se face un tratament la o
temperatur ridicat , peste 1000 C, n hidrogen sau atmosfer neutr .
Tratamentul final const n r cirea materialului de la temperatura de 600 C.
n timpul tratamentului se produce un strat sub ire de oxid, care serve te la
izolarea tablei i reduce astfel pierderile.
Permalloyurile sunt foarte sensibile la solicit ri mecanice, de aceea se
recomand folosirea pieselor n dimensiunile lor finale, gata tratate, f r folosirea
eforturilor mecanice pronun ate. Permalloyul se produce i prin metalurgia
pulberilor, folosind pulberile ob inute prin reducerea oxizilor amesteca i de nichel
i fier sau prin sf rmarea aliajului.
174

Supermalloy Compozi ia acestui aliaj este de 79% Ni, 5% Mo, 0,5%

Mn i Si, restul fier.
Pentru eliminarea impurit ilor r mase din turnare, materialul este
supus unui tratament termic la o temperatur nalt ,1300 grade C, i n
atmosfer de hidrogen pur.

Figura 4.6. Ciclul de histerezis a materialelor Permalloy

Supermalloyul este materialul care are valorile cele mai ridicate ale
permeabilit ii ini iale i maxime dintre aliajele practic folosite ast zi; de
asemenea, are cele mai sc zute pierderi histerezis. Caracteristicile
magnetice sunt:
permeabilitatea ini ial 80000-120000 Gs/Oe;
permeabilitate maxim 800000-1000000 Gs/Oe
cmp coercitiv 0,003-0,009 Oe;
induc ie remanent 4000-5500 Gs;
raportul induc iilor 0,05-0,8
pierderi histerezis 5 erg/cm-5000 Gs.
Supermalloyul se produce prin laminare la rece la dimensiuni foarte
reduse i este folosit la transformatoare pentru telecomunica ii, pentru
amplificatoare magnetice i diferite dispozitive unde se cer pierderi minime i
permeabilit i mari.
Aliaje cu permeabilitate constant . Anumite condi ii impun
folosirea unor materiale cu permeabilitate constant , la diferite aparate
acustice, la bobine Pupin, etc. Exist o gam larg de aliaje cu permeabilitate
constant , din care unele au permeabilitate constant numai n cmpuri slabe,
iar altele i n cmpuri mai intense.
175

Aliajele cu permeabilitate constant sunt cunoscute sub denumirea de

Perminvar, permeabilitate invariabil , sau Isoperm.
Permeabilitatea constant se ob ine prin laminare la rece urmat de revenire i
apoi din nou laminare la rece.
Con inutul de nichel pentru aceste aliaje este n general mai redus;
dar poate fi i mai mare la aliere cu cobaltul. Aliajele n a c ror compozi ie
intr cobalt i molibden au constan i n cmpuri relativ mai intense. Trebuie
men ionat c la aliajele cu permeabilitate constant nu trebuie dep it cmpul
maxim prescris, altfel materialul se degradeaz i trebuie retratat. Toate
aliajele cu permeabilitate constant sunt forjabile i laminabile la dimensiuni
foarte reduse. Acestor materiale li se cer pierderi prin histerezis reduse;
pierderile cresc cu m rirea cmpului.

Figura 4.7. Ciclul de histerezis a materialului Permivar

Materialele cu ciclul histerezis dreptunghiular se folosesc n anumite
dispozitive ca ma ini de calculat electronice, amplificatoare magnetice,
bobine de oc cu ac ionare rapid , etc. Ciclul histerezis dreptunghiular apare
la unele aliaje prin texturare cristalografic cum este cazul tablei silicioase
cu 3% Si, laminat la rece sau la aliaje cu 50 % Ni i restul fier, de asemenea
cu textura cubic .
La aproximativ 480 C se ob ine o permeabilitate mare i cmp
coercitiv. n intervalul 430450 C permeabilitatea este mult mai mic i
cmpul coercitiv ceva mai mare. Pentru ob inerea ciclului dreptunghiular
este necesar men inerea materialului la o temperatur de revenire, timp mai
ndelungat dect este necesar pentru ob inerea unei permeabilit i mai
ridicate.
176

Aliajele fier-nichel au o sensibilitate mare i cu alte adaosuri n func ie

de tratamentele termice n special n domeniul critic de la 300600 C.
Temperaturile optime sunt n func ie de aliajul respectiv i trebuie
respectate cu precizie, micile varia ii putnd duce la reducerea sensibil a
valorilor optime.
Dinamax Acest material face parte de asemenea din familia
permalloyului, con ine ns elemente favorabile de aliere, avnd compozi ia:
65% Ni, 2% Mo, 0,3% Mn, rest Fe.
Aliajul se elaboreaz n cuptor cu induc ie, n vid, din materii prime
extrapure. Adaosul de mangan serve te la u urarea lamin rii, care se face la
cald sau la rece.
Tablele ob inute prin laminare sunt supuse unui tratament termic de
recristalizare ntre 700-900 C de durat scurt , apoi nc lzite timp de 4 ore la
1100-1200C n atmosfera de hidrogen i supuse unui cmp magnetic de 10
-12 Oe, r cindu-le lent de la 650 C sub influen a cmpului, cu o vitez de
150 grade C/h.
Caracteristicile ob inute sunt:
permeabilitate maxim 1530000-1780000 Gs/Oe
cmp coercitiv 0,005 Oe
induc ie remanent 11950 Gs.
Curba histerezis are o form dreptunghiular .
n anumite cazuri se cere o induc ie de satura ie mare de exemplu la piesele
polare unui electromagnet, la tole pentru rotorul sau statorul unei ma ini cu
randament mare, la generatoare ultrasonore, juguri pentru accelerarea
particulelor, membrane telefonice, n optica electronic , la transformare de impuls
pentru p r i ale releelor care trebuie s asigure putere mare de atrac ie i re inere la
excita ii mici, amplificatoare magnetice, transformatoare mici etc. Materialul cu
induc ie de satura ie maxim este pe baz de cobalt-fier, cobaltul fiind singurul
element care m re te induc ia. Aliajul cu 50% cobalt, restul fier este cunoscut sub
denumirea de Permendur, dar este foarte dur i casant i nu poate fi practic
prelucrat. Prin aliere cu 2% vanadiu, se ob ine un aliaj cu 49% cobalt, 49% fier i
2% vanadiu, care are caracteristici magnetice foarte apropiate de cel cu 50%
cobalt, n schimb nu mai este casant i poate fi prelucrat. Acela i aliaj, elaborat n
condi ii speciale i tratat n cmp magnetic are caracteristici magnetice mult
superioare n ceea ce prive te cmpul coercitiv i permeabili-tatea maxim .
Acest material, cu caracteristici superioare, este cunoscut sub denumirea de
Supermendur. Elaborarea se face n atmosfer de hidrogen pur, n cuptor cu induc
ie avnd grij ca purificarea s se fac n timpul topirii, pentru a ob ine un material,
practic lipsit de impurit i.
177

Caracteristicile magnetice optime ob inute sunt:

induc ia de satura ie 24000 Gs
induc ia remanent 22150 Gs
cmp coercitiv 0,20 Oe
permeabilitate maxim 92000 Gs/Oe.
Aliajele termocompensatoare sunt caracterizate prin permeabilitate
variabil cu temperatura, satura ie magnetic pronun at n func ie de
temperatur i punct Curie sc zut. Cu sc derea temperaturii, permeabilitatea
acestor aliaje cre te, ceea ce permite ca materialele s fie folosite pentru
compensarea erorilor de temperatur a magne ilor permanen i.
Aliajele termocompensatoare sunt pe baz de nichel-fier; nichel-cromfier; nichel-cupru; nichel-siliciu-fier.
Permeabilitatea depinde de intensitatea cmpului magnetic
Aliajele termocompensatoare sunt cunoscute sub diferite denumiri
comerciale ca: Termalloy, Carmalloy, Thermoflux, Thermoperm,
Kompentherm.
Prin magnetostic iune se n elege varia ia dimensiunilor fizice a unui
material feromagnetic sub ac iunea cmpului magnetic.
Magnetostric iunea se noteaz cu i este definit ca fiind raportul varia
iei lungimii fa de lungimea ini ial .
Magnetostric iunea depinde i de tratamentul termic suportat de
material, dar nu depinde de sensul cmpului aplicat.
Frecven a de rezonan mecanic se determin prin dimensiunile
geometrice ale probei i datele elastice. Aceste frecven e sunt cuprinse n
limitele de la 5100 kHz. Randamentul oscilatorului, raportul ntre energia
acustic i energia electric absorbit este cuprins ntre 3060%. Uneori
randamentul se raporteaz la energia mecanic n func ie de energia
magnetic .
Energia acustic maxim este de aproximativ 10 W/ cm2.
Materialele pronun at magnetostictive sunt cobaltul, cu magnetostric
iune pozitiv i nichelul, cu magnetostric iune negativ , precum i o seri de alte
aliaje a acestor elemente. Nichelul ca material magnetostrictiv are avantajul
c nu este supus coroziunii.
Supermendurul este un material magnetostrictiv, care nu con ine
elemente deficitare, este aliajul de tipul Alfenolului, ns cu un con inut de
13% aluminiu, cu magnetostric iunea destul de pronun at .
Aliajele magnetostrictive se folosesc la generatoare sonore i
ultrasonore. Materialul este folosit sub form de tole care se lipesc ntre ele,
grosimea acestora depinznd de frecven a generatorului.
178

Materialele magnetostrictive se folosesc sub diferite forme. Pentru

evitarea pierderilor mari prin curen i turbionari, este indicat folosirea
acestor materiale sub form de tabl sub ire. Tolele sunt izolate ntre ele de
obicei prin oxidare, avnd grij ca stratul de oxid s adere bine, dar s nu p
trund n adncime, pentru c ar duce la degradarea materialului.

4.3.2. TABLA ELECTROTEHNIC

Tabla electrotehnic (tabla silicioas ) este o tabl sub ire de o el cu
con inut mare de siliciu (pn la maximum 4,5%) caracterizat prin pierderi
magnetice mici.
Tabla electrotehnic este cel mai utilizat material magnetic pentru
construc ia miezurilor magnetice pentru rotoarele ma inilor electrice i a
transformatoarelor electrice.
Tabla electrotehnic laminat la cald este ntrebuin at pentru construc ia
miezurilor magnetice care func ioneaz la frecven industrial ; este de fapt un
o el cu siliciu, deoarece con ine, din fabrica ie, i un mic procent de carbon.
Pentru sc derea pierderilor prin curen i turbionari, avnd n vedere
valoarea coeficientului din expresia acestor pierderi, pe de o parte se mic
oreaz grosimea a tablelor la 0,5 sau 0,35 mm, iar pe de alt parte se m re te
rezistivitatea a materialului prin ad ugarea unui procent de siliciu care
ntre 0,4 i 4 %. Se ob in astfel table electrotehnice slab, mediu i supraaliate,
nsemnate cu E I, E II, E III i E IV, c rora le corespund anumite valori ale
pierderilor P10 i P15 (adic la 1 respectiv 1,5 Tesla) la 50Hz, n W/kg.
Standardele impun de asemenea anumite valori maxime ale acestor
pierderi dup mb trnirea materialului (executat tot conform Standardelor de
stat), precum i cteva puncte din curba de magnetizare, pentru diferitele
categorii de table. Sunt impuse i anumite condi ii mecanice, termice etc.,
care trebuie ndeplinite de tabla electrotehnic .
Procentul de siliciu este limitat la 4%, i anume pentru tabla de
transformatoare, deoarece o dat cu cre terea acestui procent scade mult
plasticitatea materialului, precum i induc ia la satura ie (figura 4.8.).

179

Figura 4.8. Varia ia induc iei de satura ie cu con inutul de Si.

n afar de siliciu, introdus deci pentru m rirea rezistivit ii, tabla
electrotehnic mai con ine, din procesul de fabrica ie, i alte impurit i. n afar
de carbon, a c rui influen e bine cunoscut , mai pot exista n propor ii foarte
mici: oxigen, sulf, mangan i fosfor; toate nr ut esc propriet ile
electromagnetice ale tablei.
Hidrogenul. dac este prezent, se nl tur u or prin nc lzirea tablei la
500-700C.
Ca pentru toate materialele magnetice moi, propriet ile tablei depind
de m rimea gr un elor i de orientarea axelor acestora fa de direc ia cmpului
magnetizant.
Tabla electrotehnic obi nuit poate fi laminat la cald sau la rece. Tabla
texturat , laminat la rece, n condi ii speciale, permite o
dirijare ct mai complet a uneia din axele monocristalelor de fier, care
constituie agregatul policristalin, n direc ia lamin rii, rezultnd o structur ca
cea reprezentat n figura 4.9 a. Dac se aplic cmpul magnetizant n direc ia
lamin rii, adic n direc ia unei axe de simetrie a cubului elementar a re elei
fierului, care este direc ia de magnetizare u oar , pierderile n material vor fi
cele mai mici. S-a ajuns n prezent la cifra P 10 0,6 W/kg, fa de P10 = 1
W/kg ct prevede standardul pentru tabla E IV de cea mai bun calitate.
De observat c tabla texturat con ine ceva mai pu in siliciu dect
maximum admisibil pentru tabla supraaliat , prima avnd din aceast cauz o
induc ie la satura ie mai mare dect ultima. Dac s-ar ntrebuin a ns tabla
texturat astfel ca direc ia lamin rii s nu coincid cu direc ia cmpului
magnetizant, s-ar ob ine pierderi chiar mai mari dect pentru tabla
supraaliat laminat la cald.
180

Tabla texturat se poate fabrica foarte sub ire de circa 0,03mm grosime
(hipersil), pentru utilizare n frecven e nalte

a) Tabl simplu texturat

b) Tabl dublu texturat

Figura 4.9. Tabl silicioas laminat la rece.

Tabla texturat nu trebuie deci utilizat n ma inile rotative unde fluxul
i schimb mereu direc ia. Totu i, aceasta va deveni posibil, ntrebuin nd o
tabl texturat cu structur de cuburi, reprezentat n figura 4.9 b, care va
reprezenta pierderi reduse att n direc ia lamin rii ct i n direc ia
perpendicular pe aceasta. n orice caz, pentru a ob ine pierderi ct mai
reduse n orice tabl electrotehnic , este recomandabil s fie recoapt dup tan
are, opera ie n urma c reia se nas tensiuni interne n material, tensiuni care
trebuie anulate prin recoacere.
Izolarea tablelor ntre ele poate fi realizat prin oxidare, prin l cuire, cu
ajutorul unei hrtii speciale foarte sub iri sau, n special la tablele texturate,
cu izola ii de tip ceramic (carlit) sau pe baz de fosfa i.
Izolarea prin oxidarea for at a tablelor este satisf c toare n cazul cnd
nu se lucreaz la induc ii prea mari (sub 1,82 T), deoarece oxidul nc lzinduse din cauza pierderilor dielectrice ar deveni semiconductor.
Izolarea cu hrtie, lipit pe o parte a tablei, a dezavantajul unui
coeficient de umplere redus i nu se utilizeaz dect n cazuri speciale.
Izolarea cu lac este cea mai obi nuit pentru tabla laminat la cald, dar
solu ia cea mai bun este desigur utilizarea noilor procedee men ionate,
singurele aplicate pentru tabla texturat i care formeaz la suprafa a tablei o p
tur izolant sub ire, uniform , aderent i de rezistivitate mare, care asigur o
bun izola ie a tablelor ntre ele.

181

4.3.3. MATERIALE FEROMAGNETICE DURE

Materialele magnetic dure sunt caracterizate prin ciclu histerezis de
form lat , avnd un cmp coercitiv mare. Nu exista nici o norma pentru
valoarea cmpului coercitiv minim de la care un material este considerat
magnetic dur. Principala utilizare a acestor materiale este aceea de magne i
permanen i. Ele sunt folosite pe larg n cele mai diferite domenii ale tehnicii
i, n special, n construc ia de aparate: instrumente de m sur electrice,
difuzoare, aparate pentru nregistrarea sunetului, telefoane, gene-ratoare
electrice, lentile magnetice pentru microscopie electric , osci-lografe
catodice, busole magnetice etc.
Calitatea unui material care urmeaz sa fie folosit ca magnet
permanent este caracterizat cel mai bine de curba energiei magnetice BH
=f(B) asociat curbei de demagnetizare a materialului respectiv.
Din curba energiei magnetice trasate n figura 4.10 se vede c condi
iile de lucru sunt optime atunci cnd punctul n care dreapta de deplasare
intersecteaz curba B(H) este n acela i timp i punctul n care produsul
energetic BH are valoarea maxima (BH) max.
Magne ii sunt folosi i, de obicei, pentru a crea cmp magnetic n
ntrefierul dintre piesele polare.

Figura 4.10. Punctul optim de func ionare a unui magnet permanent.

Materialele magnetice dure pot fi mp r ite, conven ional, n 7 grupe:
1) Oteluri magnetice care pot fi c lite la martensita (oteluri-carbon
aliate);
182

2) Aliaje magnetice dure care se durific prin difuzie: aliaje care se

ordoneaz (n structuri mixte cu parametrii cristalini foarte apropia i),
derivate din sistemul ternar Fe-Ni-Al prin impurificarea cu adaosuri mici de
Co, Cu, Ti, Nb i altele. Din aceast grup se remarc n mod deosebit o
subgrup a aliajelor anizotrope, cu propriet i magnetice mbun t ite prin
tratament termomagnetic.
3) Aliaje magnetice dure care se durifica prin precipitare: aliaje n
special din sistemele Fe-Co-Mo, Fe-Ni-Cu i Fe-Co-V, care pot fi uzinate
prin prelucrarea mecanic la cald sau la rece;
4) Materiale magnetice compactizate prin presare i sinterizare din
pulberi de aliaje metaloceramice i de alte aliaje i compu i (Fe-Co, CrO2,
-Fe2O3, MnAl etc.);
5) Aliaje magnetice dure cu componen i metale nobile, de tipul CoPt, Fe-Pt, Ag-Mn-Al, MnBi;
6) Ferite cu for a coercitiv mare (ferite de cobalt, de bariu, de
stron iu);
7) Aliaje cu for a coercitiv mare constituite din metale de exemplu,
aliajul Co5Re.
Materialele magnetice folosite n tehnica modern sunt extrem de
variate i cu propriet i fizice dintre cele mai diferite. Acest fapt este ct
firesc, fiindc i problemele pe care tehnica le rezolv cu ajutorul materialelor
magnetice sunt extrem de diverse.
Gama for elor coercitive ale materialelor magnetice deja folosite n
tehnic se ntinde de la 10-3 Oe pn la 104 Oe, iar cel al permeabilit ilor
maxime, de la 1 Gs/Oe pn la 5106 Gs/Oe.

4.4. MATERIALE FERIMAGNETICE

Ferimagnetismul este proprietatea unor substan e de a prezenta o
orientare antiparalel a momentelor magnetice vecine, dar la care valorile
acestor momente sunt neegale. Diferen a ntre valorile momentelor
magnetice provine fie din faptul ca atomii din subre elele substan ei
respective au naturi diferite, fie din aceea ca num rul atomilor din subre ele
este diferit. Ca urmare apare un moment magnetic total nenul al substan ei
ca ntreg ceea ce conduce la existen a unei magnetiz ri aparente a
cristalului.
Un astfel de antiferomagnetism necompensat se nume te ferimagnetism iar substan ele respective se numesc ferite.
183

O ferit se comport n exterior exact ca i un feromagnet, dar datorit

deosebirii ntre structurile lor interne dependen a de temperatur a intensit
ilor de magnetizare poate fi complet diferit .
n unele cazuri particulare, la ferite intensitatea de magnetizare poate
descre te nemonoton cu cre terea temperaturii, trecnd prin zero nc nainte
de atingerea punctului Curie.
Efectul de magnetostric iune apare diferit la diverse ferite. Astfel la
feritele cu temperatura Courie sc zut apare un efect de magnetostric iune
mai pu in pronun at.
Dup propriet ile i aplica iile lor, feritele pot fi mp r ite n urm toarele
grupe:
ferite magnetice moi;
ferite cu ciclu de histerezis dreptunghiular;
ferite magnetic dure.
Forma ciclului histerezis caracterizeaz cele dou categorii importante
de magnetice i anume: cele magnetice dure (avnd ciclu histerezis lat) i cele
magnetic moi (cu ciclului histerezis ngust). Denumirea de ferite dure i moi
referindu-se la caracteristicile lor mag-netice, nu la cele fizice.
Forma curbei histerezis a feritelor variaz de la material la altul n
func ie de caracteristicile magnetice, care la rndul lor depind de o serie de
factori i pot fi influen ate prin:
compozi ia chimic a aliajului;
modul de elaborare;
tratamente termice;
prelucr ri mecanice.
Prin metodele ar tate se pot varia:
magnetizarea;
energia cristalin ;
anizotropiile;
magnetostric iunea;
textura, forma i m rimile particulelor.
Stabilirea unor rela ii care s permit determinarea influen ei exacte a
factorilor enumera i asupra formei curbei de histerezis este complicat
deoarecepot interveni mai mul i factori i nu se cunoa te exact ponderea fiec
ruia i efectul ac iunii comune.
Feritele folosite n tehnic se mai numesc i oxiferi, subliniind prin
aceasta faptul c ele reprezint substan e feromagnetice combinate cu oxizi
metalici. O alt denumire a feritelor este i aceea de ferroexcub , care
subliniaz structura cubic a re elei acestor materiale.
184

Tehnologia de fabrica ie a feritelor are o mare influen asupra propriet

ilor finale ale produselor finite.
Principalele etape ale acestuia sunt: prepararea prafului de ferit
format din oxizii metalelor m cina i m runt i bine amesteca i. La acesta se
mai adaug un plastifiant, (de obicei o solu ie de alcool polivinilic) i din
masa ob inut se preseaz sub presiune mare piese avnd forma necesar .
Apoi piesele sunt supuse sintetiz rii la temperatura de 1100-1400C. Astfel
se produce coacerea lor i formarea solu iilor solide de ferite. Sintetizarea
trebuie s se fac obligatoriu n mediu oxidant (de obicei n aer).
Existen a chiar a unei cantit i mici de hidrogen n spa iul de func
ionare al cuptorului poate duce la restabilirea par ial a oxizilor, ceea ce duce
la cre terea brusc a pierderilor n aliajul magnetic. Contrac ia feritelor la
sintetizare este foarte mare (pn la 20%).
Feritele sunt materiale dure i fragile care nu suport prelucr ri prin a
chiere, ele pot fi numai lefuite i lustruite.
Efectul de magnetostric iune apare diferit la diverse ferite. Astfel,
feritele cu temperatura Curie sc zut au un efect de magnetostric iune mai pu
in pronun at .
Tabelul 4.2. Principalele propriet i fizice ale feritelor.
Propriet i
Densitate
Capacitatea termic specific
Conductibilit i termice specifice
Coeficientul termic de dilatare
liniar
Rezisten a electric specific

Unitate
de Valoare numeric
masur
3-5
g/cm3
Cal/ggrad
0,17
Cal/cmsgrad
10-2
Grad-1
10-5
cm

10-10-7

Varia ia permeabilit ii magnetice a feritelor n func ie de tempera-tur

este prezentat n figura 4.11. Dup cum se vede din curbele date a cre te o
dat cu cre terea temperaturii pn la punctul Curie i apoi scade brusc. n
acest caz cu ct este mai mare valoarea permeabilit ii ini iale, cu att scade
punctul Curie al acestei ferite. Cu ct este mai mare valoarea ini ial a
permeabilit ii magnetice, cu att este mai mic frecven a la care se constat sc
derea sa. Feritele cu valoare mare a lui ef au i o valoare mare a tg , care
arat o cre tere mai rapid cu m rirea frecven ei.
Feritele au o permeabilitate dielectric relativ mare depinznd de
frecven i de compozi ie. O dat cu cre terea frecven ei, permeabilitatea
dielectric a feritelor scade.
185

Figura 4.11. Varia ia permeabilit ii magnetice efective n func ie

temperatur
1-oxifer 2000; 2-oxifer 1000; 3-oxifer 400;
4-oxifer 200; 5-aliaj de Fe-Ni 50NXC -0,1mm
Astfel, de exemplu ferita de Ni-Zn cu permeabilitate ini ial a =200 la
frecven a de 1kHz are =400, iar la frecven a de 10MHz permeabilita-tea
lui dielectric este =15. Valorile mari ale lui corespund feritelor de MnZn i Li-Zn.

f [Hz]
Figura 4.12. Schema orientativ a utiliz rii feritelor la diferite frecven e
Aceste ferite se folosesc n diferite game de frecven , care sunt
determinate orientativ de valorile permeabilit ii magnetice i de pierderi
(figura 4.12.)
Feritele magnetice moi si -au g sit aplica ii la fabricarea bobinelor din
circuite, a bobinelor de filtraj i a ecranelor magnetice.
186

Pentru verificarea cuno tin elor din acest capitol r spunde i n mod
concis la urm toarele ntreb ri:
1. Ce este un material magnetic?
2. Care mi care a particulelor atomice determin propriet ile
magnetice ale materialelor?
3. Ce este un magneton i ce valoare are?
4. Clasifica i materialele magnetice.
5. Defini i un material diamagnetic..
6. Da i exemple de materiale diamagnetice.
7. Defini i un material paramagnetic.
8. Da i exemple de materiale paramagnetice.
9. Defini i un material feromagnetic.
10. Da i exemple de materiale feromagnetice.
11. Defini i un material antiferomagnetic.
12. Da i exemple de materiale antiferomagnetice.
13. Defini i un material ferimagnetic.
14. Da i exemple de materiale ferimagnetice.
15. Care sunt unit ile de m sur pentru B,H. i M?
16. Care este legea leg turii dintre B,H i M?
17. Care este teorema lui Warburg?
18. Ce este cmpul magnetic coercitiv?
19. Ce este induc ia magnetic remanent ?
20. Defini i permeabilitatea magnetic diferen ial .
21. Ct este permeabilitatea magnetic a vidului?
22. Ce este un material magnetic moale?
23. Da i exemple de materiale magnetice moi?
24. La ce se folosesc materialele magnetice moi?
25. Ce este un material magnetic dur?
26. Da i exemple de materiale magnetice dure?
27. La ce se folosesc materialele magnetice dure?
28. Clasifica i materialele ferimagnetice?
29. La ce se folosesc materialele ferimagnetice moi?
30. La ce se folosesc materialele ferimagnetice dure?
31. Ce tipuri de tabl silicioas cunoa te i?
32. Ce sunt curen ii turbionari (Foucault)?
33. Cum se modeleaz matematic pierderile prin curen i turbionari?
34. Cum se modeleaz matematic pierderile prin histerezis?
35. Ce aliaje feromagnetice speciale cunoa te i?
36. Ce rela ie exist ntre susceptivitatea magnetic i permeabilit.
magnetic ?
187

188

5. FIBRE OPTICE
De peste o sut de ani, undele electromagnetice i-au demonstrat
utilitatea pentru transmitere informa iilor. Aceasta reiese din faptul c ele nu
au neap rat nevoie de un conductor metalic pentru a se propaga ci se pot
propaga cu viteze ridicate n vid sau n medii dielectrice.
Fibra optic este un mediu de propagare a radia iei luminoase, realizat
din sticl sau mase plastice, n care ghidarea radia iei este asigurat de
profilul indicelui de refrac ie n sec iune. Fibrele optice sunt formate, de
regul , dintr-un miez pe care este ghidat radia ia luminoas i un nveli al c rui
indice de refrac ie este mai mic dect al miezului.Comunica iile prin fibr
optic utilizeaz lungimi de und n infraro u (lungimi de und de la 800 pn la
1600 nm), de preferin lungimile de und de 850, 1300 i 1550 nm.
Undele electromagnetice se propag n vid cu viteza luminii:
c0=299792,456 km/s (valoarea rotunjit de 300000 km/s =3 x 10 8 m/s) este
suficient de exact pentru a descrie propagarea luminii n aer).
ntr-un mediu f r pierderi i de dimensiune infinit , unda
electromagnetic este, ca i lumina, o und transversal . Cmpul electric i
magnetic al undei transversale oscileaz perpendicular pe direc ia de
propagare .
Dac cmpul electric i magnetic oscileaz ntr-un plan, atunci s geata
vectorului cmpului de intensitate electric /magnetic descrie o dreapt (und
de polarizare liniar ).
5.1. PROPAGAREA UNDELOR ELECTROMAGNETICE
Consider m o und ca fiind propagarea unei st ri sau a unei excita ii
ntr-un mediu, f r ca masa sau materia acestui mediu s fie transportate. n
cazul undei electromagnetice starea este cmpul electromagnetic care se
propag ntr-un mediu transparent optic. O func ie sinusoidal descrie forma
cea mai simpl a propag rii n timp i spa iu a undei plane, care se
propag n direc ia z:

unde : a

a A sint kz A sin 2

(5.1)
devia ia undei plane,
189

amplitudinea,
frecven a unghiular ,
t timpul,
k num rul de und ,
z lungimea n direc ia z, T
perioada de oscila ie.
La baza func ion rii fibrei optice st fenomenul de reflexie total a
undelor electromagnetice. Reflexia total apare cnd o raz luminoas se
propag sub unghiuri de inciden crescnde, dintr-un mediu mai dens (cu
indice de refrac ie n1) ntr-un mediu mai pu in dens (cu indice de refrac ie
n2). Se ajunge ca pentru un unghi de inciden 0 (figura 5.1.), unghiul de
refrac ie s fie 0 = 900. n acest caz, raza luminoas se propag n paralel cu
suprafa a de separare dintre cele dou medii, iar unghiul de inciden este
numit unghi limit 0.
Pentru unghiul limit 0 este
valabil rela ia:
n
sin0
(5.2)
2

Raze incidente

Axe de inciden

2
Mediul 1
Mediul 2 n2

n1

Figura 5.1. Reflexia total

Rezult c unghiul limit depinde de raportul indicilor de refrac ie ai
celor dou medii. Pentru toate razele luminoase avnd unghiul de inciden
mai mare ca unghiul limit 0, nu mai exist raze refractate n mediul mai pu in
dens. La suprafa a de separare dintre cele dou medii aceste raze luminoase
se r sfrng n mediul mai pu in dens (fenomenul de reflexie total ). Reflexia
total poate avea loc doar n cazul trecerii unei raze luminoase dintr-un
mediu mai dens ntr-un mediu mai pu in dens, invers nu este posibil.

190

ntr-o fibr optic se folose te fenomenul reflexiei totale pentru a ghida

raza luminoas . Acest ghidaj se ob ine instalnd un miez de sticl sau mas
plastic (indice de refrac ie n1) ntr-un nveli de sticl sau mas plastic (indice
de refrac ie n2), n 1 fiind ales mai mare ca n2. Condi ia de func ionare este
ca n1>n2 (n1=1,48 i n2=1,46).
Analiznd expresia (5.2) putem concluziona c toate razele luminoase
care nu deviaz mai mult de 0 fa de axa fibrei vor fi ghidate prin sticla
miezului.

Figura 5.2. Propagarea undei electromagnetice cu reflexie total

Injectnd din exterior o raz luminoas n miez, unghiul de injec ie
dintre raza luminoas i axa fibrei poate fi determinat aplicnd legea refrac
iei:
sin
n1
(5.3)
sin900 0 n0
aceasta implicnd c sin n1 cos0 n1 1 sin 2 0
Condi ia pentru unghiul limit ( sin0 n2
n

.
) ne conduce la expresia:

(5.4)
Unghiul de injec ie maximal max este numit unghiul de acceptan al
fibrei optice, iar el depinde doar de indicii de refrac ie n 1 i n2. Sinusul
unghiului de acceptan este numit apertura numeric a fibrei optice:
AN = sin max
(5.5)
sin n 1 n
3

Aceast valoare este de o caracteristic esen ial pentru injec ia luminii

prin fibr . Astfel dac un fascicul de und electromagnetic intr ntr-o fibr optic
la una din extremit i, o parte nsemnat din aceast energie va fi captat n
interiorul fibrei i va fi ghidat spre cel lalt cap t al ei. Ghidarea se ob ine
datorit fenomenului de reflexie intern total a razelor pe pere ii fibrei.
Reflexia total este o condi ie esen ial , deoarece n cazul unor reflexii
par iale repetate, energia ini ial concentrat n miezul fibrei s-ar mpr tia n
exterior.
191

Diametrele caracteristice miezurilor fibrelor optice sunt cuprinse ntre

10100 m i care sunt mai mari dect lungimea de und a luminii
transportate, care este de 1 m. Pentru transmisia prin fibre optice este
necesar s se g seasc o surs luminoas ct mai coerent . Undele luminoase
capabile s se propage ntr-o fibr optic sunt numite moduri (unde naturale).
Aceste moduri pot fi determinate matematic prin ecua iile lui
Maxwell. Acest sistem de ecua ii, de obicei utilizat pentru unde
electromagnetice, poate fi simplificat n mod considerabil n ceea ce prive
te fibrele optice, dac nu inem seama dect de undele slab ghidate. Este
vorba de unde care se propag aproape de direc ia axial a fibrei optice. Ele
apar dac indicii de refrac ie ai sticlei miezului n 1 i sticlei nveli ului n2 difer
prea pu in.
M sura acestei diferen e n refrac ie este diferen a relativ de indice ,
definit astfel:
2
2
n 1 n 2 n n
(5.6)
2

2n

Propagarea modurilor n fibra optic depinde de forma profilului

indicelui de refrac ie. Varia ia indicelui de refrac ie urmeaz o lege de forma:
2

r n

1 2

(5.7)

n22

pentru r < a n miez i n (r) =

= constant pentru r a n nveli , unde: n1
indice de refrac ie pe axa fibrei,
diferen a relativ
de indice,
r distan a radial de la axa fibrei, n m, a raza
miezului fibrei, n m,
g
exponentul profilului,
n2 indice de refrac ie al undei nveli ului.
Diferen a relativ de indice depinde de apertura numeric i de indicii de
refrac ie n1 i n2:
2

n 12 n
2A2nN 21 2n
1

(5.8)
Se men ioneaz urm toarele cazuri excep ionale: g =1 pentru profil
triunghiular; g = 2 pentru profil parabolic; g profil cu indice n treapt .

192

5.2. MODURI ALE FIBRELOR OPTICE

Cele mai des utilizate tipuri constructive sunt: fibrele optice cu index
variabil n trepte i fibre cu index gradat. Fibrele cu index variabil n trepte
sunt formate dintr-un miez cilindric de sticla, silic sau plastic cu indicele de
refractie n1, acoperite cu un inveli sub ire cu indice de refrac ie mai redus n
2. Fibrele cu indice gradat au indicele de refrac ie variabil de la o valoare
ridicat n centru pn la o valoare redus la margine. Aceasta face ca razele s
se propage ca n figura 5.3.

Fibr optic cu index treapt

Fibr optic cu index gradat

Figura 5.3. Principalele tipuri constructive de fibre optice

Sec iunile prin cele dou tipuri constructive de fibre optice sunt
prezentate n figura 5.4.
Indice de

Indice de
refractie

refractie

Distant

Distant
Miez

Miez
Cmas

Cmas

Fibr optic cu index treapt

Fibr optic cu index gradat

Figura 5.4. Varia ia indicelui de refrac ie n fibrele optice

Doar n ultimul caz pentru profilul cu indice n treapt , indicele de
refrac ie este constant n miez. Pentru toate celelalte profile cu indice de
refrac ie n miez n(r), cre te propor ional de la valoarea n2 n nveli .
Din acest motiv, aceste profile sunt denumite profile cu indice gradat.
Aceast denumire a fost special adoptat pentru profilul parabolic deoarece
aceste fibre optice au propriet i tehnice bune n ghidarea luminii.
193

O alt valoare important care descrie fibra optic este parametrul V,

numit frecven normal de t iere. Ea depinde de raza a, de apertura numeric
AN a fibrei i de lungimea de und sau de num rul de und K. Parametrul V
este adimensional:
V 2 a AN KaAN
(5.9)
unde : a

raza miezului,
lungimea de und ,
AN apertura numeric , K
num rul de und .
Num rul N de moduri de ghidare prin miez depinde de acest
parametru, pentru un profil de indice la o putere oarecare cu un exponent de
profil g avem, aproximativ urm toarea rela ie:
2 g
(5.10)
NV
2g 2

Pentru profilul cu

indice n treapt (g) num rul de moduri

V

ghidate este aproximativ: N 22 . Pentru profilul cu indice gradat, num rul

V
modurilor este aproximativ: N 2
4

O astfel de fibr optic care ghideaz mai multe moduri este numit fibr
optic multimod. Dac vrem s reducem num rul de moduri, adic s reducem
parametrul V, trebuie fie s diminu m diametrul miezului 2a, fie s mic or m
apertura numeric sau s m rim lungimea de und . Cantitatea de lumin care
poate fi injectat n fibr depinde n mod substan ial de apertura numeric .
Dac pentru o fibr optic cu indice n treapt (g ) parametrul V devine
mai mare dect constanta Vc = 2,405, atunci un singur mod se poate
propaga. Numim o astfel de fibr optic fibr optic monomod .
Lungimea de und calculat , c reia i apar ine valoarea limit V c este
numit lungime de und de t iere c.
c 2a AN
(5.11)
Vc

Pentru toate lungimile de und c, doar un singur mod este n stare s se

propage n miezul unei fibre considerate. Aceast fibr este o fibr optic
monomod pentru lungimile de und superioare lui c.
Pentru ca lumina s fie ghidat n sticla miezului unei fibre optice cu
indice n treapt , trebuie ca la interfa a miez-nveli indicele de refrac ie n 1 al
miezului s fie u or superior indicelui de refrac ie al nveli ului n2.
Dac indicele de refrac ie n1 al sticlei miezului este constant pe toat
sec iunea transversal a miezului, vorbim de profil cu indice n treapt ,
194

c ci indicele de refrac ie cre te la interfa a nveli -miez n form de treapt i r

mne apoi constant.
O astfel de fibr optic este numit fibr optic cu indice n treapt .
Aceasta poate fi fabricat simplu. Dimensiunile tipice ale unei fibre optice
multimod cu indice n treapt :
- diametrul miezului 2a = 100 m,
- diametrul nveli ului D = 140 m,
- indicele de refrac ie al miezului n1 = 1,48,
- indicele de refrac ie al nveli ului n2 = 1,46.
Distorsiunea care produce diferen ele de timp n modurile individuale
este numit dispersie modal . Fibra optic monomod este fibra optic cu indice
n treapt i cu pierderi mici. Dimensiunile tipice pentru fibrele optice
monomod:
- diametrul cmpului de mod 2D0 = 10 m,
- diametrul nveli ului D = 125 m,
- indicele de refrac ie al miezului n1 = 1,46,
- diferen a relativ de indice = 3%.
Apertura numeric AN a unei fibre optice monomod este dat de:
AN n1 2 1,46 2 0,113
(5.12)
sin A

0,113 6,50

unde este unghi de acceptan .

Trebuie notat c ntr -o fibr monomo, nu numai diametrul miezului dar
i apertura numeric i deci unghiul de acceptan , sunt substan ial mai mici,
comparate cu o fibr optic multimod. Din acest motiv injec ia de lumin
devine relativ dificil .
Razele care oscileaz n jurul axei fibrei optice au ntotdeauna, de
parcurs traiectorii mai lungi dect raza care se propag n lungul axei dar, ca
urmare a diminu rii indicelui de refrac ie dincolo de ax ele se propag cu
viteze mai ridicate i exist n acest fel o compensare. De fapt timpii de
ntrziere dispar aproape complet.
Dac forma parabolic i profilului este fabricat cu suficient precizie, nu
se mai observ , pe o distan de 1 km i deci pentru un timp de propagare al
luminii de 5 s, dect timpii de ntrziere n jur de 0,1 ns.
Acest timp de ntrziere, minim pentru fibrele cu indice gradat, este
datorat nu numai dispersiei materialului dar, de asemenea, i dispersiei
profilului. Aceasta i g se te explica ia n faptul c indicii de refrac ie ntre
miez i nveli variaz n diferite feluri n func ie de lungimea de und i prin
urmare, att diferen a relativ de indice , ct i exponentul de profil g, sunt
func ie de lungimea de und .

19
5

sin r

n1

r n

AN

AN

(5.13)

Dispersia ntr-o fibr monomod este o combina ie a dou tipuri de

dispersie. Este vorba de dispersia materialului care rezult dintr-o dependen
a indicelui de refrac ie de lungime de und n= n( ) i astfel de viteza lumini c
= c( ) i pe de alt parte de dispersia ghidului de und , care rezult din
dependen a reparti iei luminii pe sticla miezului i nveli ului (diferen a
relativ de indice = ( )).
Profilul indicelui de refrac ie al unei fibre monomod obi nuit este un
profil cu indice n treapt cu o diferen relativ cu indice . Pentru acest profil
simplu, suma dintre dispersia materialului i dispersia ghidului de und este
egal cu zero pentru o lungime de und n jur de 1300 nm.
Dac vrem s deplas m acest punct de zero al dispersiei c tre alte
lungimi de und , trebuie schimbat dispersia ghidului de und i n consecin
trebuie schimbat structura profilului. Aceasta ne conduce la profile
segmentate sau cu multiple trepte de indice. Cu ajutorul acestor profiluri
este posibil s se fabrice fibre optice n care dispersia nul s fie decalat spre
1550 nm (fibre optice cu dispersie decalat ) sau care au valorile de dispersie
foarte slabe n gama de unde de 1300 i 1550 nm (numite fibre optice cu
dispersie compensat sau aplatizat ).
Dispersia cromatic n func ie de lungimea de und determin diverse
profiluri:
a) f r decalaj de dispersie:
- profil cu indice n treapt simpl ,
- profil cu indice de refrac ie redus n nveli .
b) cu decalaj al dispersiei:
- profil segmentat cu miez triunghiular,
- profil triunghiular,
- profil segmentat cu indice n treapt dubl n nveli .
5.3. PARAMETRII FIBREI OPTICE
n fibrele optice exist dou tipuri de dispersie, ce limiteaz l imea de
band a semnalului: dispersia de material si dispersia modal .
Dispersia de material este datorat propag rii undelor de diferite
lungimi de unda cu viteze diferite, chiar in acela i mediu de propagare. In
consecin unde cu lungimi de und diferite emise de sursa nu vor ajunge la
receptor simultan si vor avea o dispersie in timp datorit propag rii in durate
de timp diferite. Acesta fenomen este redus folosind un emi tor cu spectru
ingust de emisie, de genul unui laser.
196

Dispersia modal este produs de diferen a de drum de propagare

dintre modurile de ordin redus si cele de ordin inalt. Modurile de ordin nalt
au o durat de propagare mai ridicat dect cele de ordin redus si simultan
razele de lumin sufer o dispersie la recep ie. La fibrele cu index variabil n
trepte dispersia modal poate fi redus prin sc derea aperturii numerice pentru
a permite numai modurilor de ordin redus s se propage. La fibrele cu index
gradat efectul este redus deoarece modurile de ordin nalt se propag cu
viteza mai mare prin regiunile de index mai redus, astfel ca diferen a de
timp dintre modurile de ordin nalt i cele de ordin redus nu este att de mare
ca la fibrele cu index variabil n trepte.
Fiecare surs luminoas pentru o fibr optic , emite lumina sa nu numai
pe o lungime de und unic , ci ntr-un spectru distribuit n jurul acestei
lungimi de und .
Dispersia este datorat diferen ei relative de indice care depinde de
lungimea de und = ( ).
Dispersia materialului este o m sur a varia iei indicelui de grup ng
pe diferite lungimi de und : M 0 =1 dng
(5.14)

c d

Dispersia ghidului de und este important pentru fibra optic monomod.

Aceasta se datoreaz faptului c distribu ia luminii n sticla miezului i a nveli
ului este o func ie de lungimea de und M1.
Dispersia cromatic reprezint suma dintre dispersia materialului i
dispersia ghidului de und : M = M0 + M1
Dispersia este n general o problem numai la distan e mari de
comunica ie i consecin pentru aceste aplica ii se folosesc fibre cu index
gradat mpreun cu emi toare laser, de i pre ul acestor fibre este mai mare
dect al celor cu index variabil n trepte.
La distan e scurte (< 500m) sunt preferate fibrele cu index
variabil n trepte, cu band mai redus , datorit costului sensibil mai
redus i a metodelor de cuplare mai simple.
Exist patru cauze principale de pierderi n fibrele optice:
absorb ia n material,
mpr tierea n material,
neregularit i la interfa a miez/nveli ,
curbur .
Absorb ia n material este datorat impurit ilor moleculare din miezul
fibrei, care absorb anumite lungimi de und . Procesele de purificare
avansate aplicate n faza de elaborare a materialului reduc semnificativ
aceste fenomene, dar sunt costisitoare. O alt solu ie este utilizarea unui

197

emi tor care s aib vrfurile spectrului de emisie n domeniul spectral cu

transmisie maxim a materialului.
Spre exemplu, fibrele din plastic au absorb ie minim ntre 630 i 670
nm i sunt de aceea recomandate a fi utilizate cu emi tori n lumina ro ie
(spectrul vizibil).
mpr tierea n material este produs de impurit i sub forma de
particule i de fluctua ii n temperatur i compozitie (mpr tierea Rayleigh)
care ntrerup traiectoria razelor de lumin . O comportare similar poate fi
produs i neregularit ilor la interfa a miez/nveli ce conduc la transmisie n
nveli i la piedere de energie datorit reflexiei par iale.
Curbura fibrei poate fi deasemenea o cauz de pierderi. Dac curbura
este prea mare unele raze vor atinge suprafa a de separare miez/nveli la
unghiuri mai mici dect unghiul limit de reflexie i vor fi absorbite n nveli ,
conducnd la o pierdere de reflexie. Cauzele de pierderi men ionate
contribuie la atenuarea global , evaluat n dB/km.
Calitatea unui cablu cu fibr optic , se verific cu metode de m sur
standardi-zate. n acest scop devine indispensabil pentru parametrii fibrei o
standardizare.
Lumina care se propag ntr-o fibr optic , sufer o atenuare, adic are loc
o pierdere de energie. Aceste pierderi trebuie s r mn mici, pentru a putea
parcurge mari distan e. Atenuarea fibrei optice este un parametru important
pentru proiectarea instal rii cablurilor optice. Ea se datoreaz , n principal,
fenomenelor de absor ie i difuzie. Importan a acestor pierderi depinde de
lungimea de und a luminii injectate.
M surarea atenu rii fibrei optice se face n func ie de luingimea de
und .
Datorit faptului c difuzia rezult din fluctua iile densit ii (lipsa de
omogenitate) n fibra optic i cum aceasta are dimensiuni mai mici dect
lungimea de und a luminii, putem apela la rela ia empiric de difuzie a lui
Rayleigh. Aceasta spune c dac lungimea de und cre te, pierderile prin difuze
scad:
1/ 4
(5.15)
Dac se compar de exemplu pierderile prin difuzie n lungimile de und
cele mai utilizate n comunica ii (850, 1300, 1550 nm) se poate observa c la
1300 nm pierderile nu ating dect 18% din valoare pe care o aveam la 850
nm (iar la 1550 nm au n jur de 9%). Rezult c este avantajos s se utilizeze
cablurile cu fibr optic la aceste lungimi de und .

198

Dac se observ propagarea luminii ntr-o fibr optic se poate constata c

puterea luminii P descre te exponen ial cu lungimea L a fibrei optice:
L

(5.17)

PL = P010 10

unde: -P(0) este puterea luminii injectate n fibra optic ,

-P(L) este puterea luminii care se calculeaz la lungimea L, este coeficientul de atenuare.
Al doilea parametru important pentru definirea propriet ilor de
transmisie ale unei fibre optice este banda de trecere B .
Banda de trecere reprezint o m sur a fenomenului de dispersie. Odat
cu cre terea frecven ei de modula ie (f m) se diminueaz amplitudinea undei
luminoase n fibr pn la dispari ia total . Fibra las s treac semnale de
frecven joas i le atenueaz pe cele de frecven nalt (filtru trece jos).
Modulul func iei de transfer este dat de rela ia:
Hfm=

P2

fm

(5.18) Deci pentru fiecare frecven de modula ie (fm), amplitudinile puterii

la intrarea P1 i ie irea P2 a fibrei optice, este o func ie de frecven de
modula ie fm.
Banda de trecere este intervalul de frecven n care amplitudinea
(puterii optice) comparat cu valoarea sa la frecven a 0, a sc zut cu 50%
(adic 3 dB).
H f m = B = 0,5
(5.19)
H 0
Impulsurile luminoase se propag n fibra optic cu o vitez de grup:
cg = c
(5.20)
n

Unde ng este indicele de refrac ie de grup al sticlei miezului care depinde de

lungimea L.
Banda de trecere a fibrelor cu indice gradat este limitat prin dispersia
modal i prin dispersia materialului. Dispersia materialului predomin dac se
utilizeaz diode electroluminiscente cu mare l rgime spectral pentru
lungimea de und = 850 nm.
Dispersia modal predomin dac se utilizeaza diode laser de o l rgime
spectral n mod sensibil mai mic pentru lungimea de und de func ionare =
1300 nm.
Atenuarea i banda de trecere a fibrei optice utilizate, ca i valorile de
atenuare ale jonc ion rilor sunt parametrii cei mai importan i de luat n
199

considera ie din punct de vedere al transmisiunii n timpul proiect rii

re elelor pe cabluri optice.
Calculul atenu rii pentru fibre optice monomod sau multimod se face
cu rela ia:
ac = L fib + naj
(5.21)
unde : ac
atenuarea unei leg turi pe cablu,
L
lungimea cablului,
coeficient de atenuare,
fib
n
num r de jonc ion ri,
aj
atenuarea de jonc ionare.
Datorit faptului c instala ia de cabluri optice sunt concepute pentru
durate lungi de utilizare trebuie ca n cursul proiect rii s se prevad rezerve
pentru jonc ion ri de repara ie. Aceast rezerv este cuprins ntre 0,1 0,6
dB/km.
Lungimea de und de t iere desemneaz cea mai joas lungime de und
de func ionare. Sub lungimea de und de t iere c, fibra optic este multimodal
iar pentru lungimi de und > c monomodal .
Distribu ia luminoas ntr-o fibr monomod, are un rol important n
evaluarea pierderilor de injec ie, de curbur sau datorate mbin rilor.
5.4. TEHNOLOGIA DE FABRICA IE A FIBRELOR OPTICE
Prin fibr optic n elegem un mediu optic transparent, de mare
lungime, ]nconjurat de un alt material cu indicele de refrac ie mai mic,
pentru ca la suprafa a de separare s se poat produce fenomenul de reflexie
total (intern ) a luminii.
De i preocup ri de ob inere a fibrelor optice au existat mai
demult, abia dup 1950 s-au putut ob ine fibre optice cu aplicabilitate
practic . In prezent exist o mare varietate de fibre optice cu
numeroase domenii de utilizare.
Ca materiale de fabricare a fibrelor se folosesc diferite sortimente de
sticle, sticle de cuar cu con inut de siliciu, cuar topit, ca atare sau dopat cu
diverse elemente. n prezent se foloseasc tot mai mult pentru realizarea
fibrelor optice materialele plastice.
In domeniul fibrelor optice, eforturile de cercetare sunt ndreptate n
dou direc ii principale: g sirea unor materiale cu caracteristici superioare i
punerea la punct a unor tehnologii i instala ii ct mai performante, capabile
s asigure calitatea dorit , la costuri ct mai accesibile.
Indiferent de compozi ia aleas , materialul utilizat pentru ob inerea
fibrelor optice trebuie s r spund urm toarelor cerin e generale:
200

s aib tranparen ct mai bun la lungimea de und a semnalului luminos

folosit,
s posede stabilitate chimic ct mai bun n timp,
s fie u or prelucrabil n toate fazele procesului tehnologic.
Pe baza experien ei produc torilor de fibr optic , materialele cu cea
mai larg utilizare se pot grupa n trei categorii :
bioxid de siliciu pur i amestecuri ale acestuia cu al i oxizi n cantit i
mici, denumi i si dopan i,
sticle multicompozite,
materiale plastice.
Cu toate c utilizarea materialelor plastice nu numai pentru nveli ul
optic este avantajoas din punct de vedere economic, caracteristicile optice
net inferioare n raport cu cele ale sticlei le recomand numai pentru
transmisii la distan e mici, unde atenuarea semnalului optic de-a lungul
fibrei are doar o importan secundar .
Este evident superioritatea primelor dou tipuri de materiale (anume
sticlele pe baz de siliciu si cele multicompozite), care au aceea i component
de baz - bioxidul de siliciu. Deosebirile dintre cele dou grupe de materiale
apar cnd se pune problema alegerii tehnologiei de prelucrare pentru ob
inerea fibrei optice.
Performan ele produsului final - fibra optic - depind n mod direct de
materialul ntrebuin at, dar i de tehnologia utilizat . Exist ns i restric ii prin
care materialul condi ioneaz tehnologia de prelucrare, astfel nct s rezulte
fibra optic cu parametrii dori i.
Dat fiind evantaiul larg de compozi ii pornind de la bioxidul de siliciu
pur, pn la sticlele multicompozite, grani a dintre cele dou grupe de
materiale este greu de precizat, compozi iile cele mai utilizate situndu-se
ns la capetele intervalului.
Att bioxidul de siliciu pur, ct i sticla multicompozit au o structur
amorf , sunt anizotrope i sunt ductile (se trag n fire), din stare lichid la
temperaturi nalte. R cirea rapid a materialului topit duce la formarea unei
sticle stabile i omogene, n pofida tranzi iei printr-un domeniu termic n
care este posibil apari ia (nedorit ) a cristalelor.
Dintre toate tehnologiile actuale depunerea chimic din faza de vapori
este cea care permite ob inerea unei game largi de compozi ii chimice, de la
bioxidul de siliciu pur pn la sticla multicompozit rezultat prin ad ugarea n
concentra ii considerabile a unor substante de aditivare cu scopul modific
rii sensibile a indicelui de refrac ie.
Dat fiind varia ia continu i previzibil a propriet ilor fibrei optice n
func ie de compozi ia chimic , parametrul care deosebe te net sticla cu

201

con inut nalt de SiO2 de cea multicompozit este temperatura de topire i

implicit, de tragere a fibrei.
n timp ce temperatura de topire a sticlei multicompozite se situeaz n
intervalul 500-1200C, bioxidul de siliciu se tope te la circa 2000C.
Fibrele optice din sticle multicompozite se pot realiza utiliznd o gam
larg de materiale, cu condi ia de a se asigura propriet ile optice necesare i
prelucrabilitatea cerut de procesul de fabrica ie.
n literatura de specialitate se men ioneaz utilizarea materialelor pe
baz de bioxid de siliciu n amestec cu oxizi de Al, Ge, sau a materialelor
alcaline, foarte r spndit fiind sistemul SiO2-B2O3-Na2O.
Dintre tehnologiile de fabrica ie, n prezent, metoda cu dublu
creuzet este utilizat din ce n ce mai pu in ntruct fibrele optice multimod
din sticl multicompo-zit astfel ob inute au parametrii tehnico-calitativi
inferiori celor ai fibrelor optice pe baz de bioxid de siliciu cu aplica ii n
sistemele de telecomunica ii la distan e mari.
Materialele cu indice de refrac ie diferit pentru miezul i respectiv
nveli ul optic al fibrei se introduc n cele dou creuzete dispuse concentric,
unul n interiorul celuilalt, prev zute la partea inferioar cu cte o duz
circular prin care are loc curgerea sticlei, Centrele celor dou orificii fiind
situate pe axa de tragere a fibrei optice.
n general, faza de tragere este precedat de prepararea sticlei cu
compozi ia dorit n alt creuzet la temperatura de 800C, ntr -un cuptor obi
nuit. n acest creuzet confec ionat de obicei din cuar se realizeaz topirea
substan elor componente i tratarea topiturii astfel nct materialul rezultat s
aib compozi ie omogen , f r incluziuni i bule de gaz.
Prin procedeul acesta a fost posibil fabricarea de fibre optice cu
atenuarea de circa 5 dB/km pentru lungimea de und = 0.83 m a luminii
transmise. Fibrele cu indice trept de refrac ie produse astfel pot avea
apertura numeric de maxim 0,3.
Tehnologia tij n tub de ob inere a fibrelor optice const n
introducerea unei tije din sticl cu indice de refrac ie mare, ntr-un tub din
sticl cu indice de refrac ie mai mic. Ansamblul astfel format constituind
semifabricatul din care, n interiorul unui cuptor, se trage fibra optic .
Dac tija i tubul se consum n timpul tragerii cu aceea i vitez liniar ,
fibra rezultat reproduce prin raportul dintre diametrul miezului i cel al
nveli ului optic raportul dintre dimensiunile respective ale tijei i tubului
utilizate.
Metoda prezentat , n pofida avantajelor conferite de simplitate i de
absen a contamin rii sticlei care se produc n celelalte cazuri prin contactul
cu dublul creuzet, prezint riscul ca la interfa a dintre miez i nveli ul
202

optic s apar bule de gaz sau alte incluziuni. Cuptorul n care are loc tragerea
poate fi nlocuit de laseri, arz toare cu gaz sau de nc lzire prin curen i de
nalt frecven .
Tehnologia cu separare de faz const n prepararea, pentru nceput, a
unei sticle cu puritate medie urmat de o purificare pe cale termic i chimic .
Sticla astfel separat este tratat cu o solu ie acid care dizolv faza ionic i
elimin impurit ile.
Cu ajutorul acestei metode rezult baghete de sticl poroas care sunt
consolidate ulterior pentru a se ob ine preforma pezentnd pierderi foarte
reduse datorate absorb iei. Varia ia indicelui de refrac ie poate fi determinat
prin introducerea unui dopant, fie n sticla de baz , fie n bagheta poroas .
Aceast metod permite relizarea fibrelor optice cu indice trept sau gradat de
refrac ie.

Figura 5.5. Tehnologia de tragere a fibrelor optice

n figura 5.5. este prezentat schematic tehnologia de tragere a
fibrelor optice, care con ine echipamentele:
1- sistem de alimentare (de avans al preformei ;
2- surs de c ldur ;
3- pirometru;
4- regulator de temperatur ;
5- echipament de m sur a diametrului fibrei;
6- sistem de reglare a vitezei de tragere n func ie de diametrul fibrei;
7- sistem de realizare a nveli ului protector al fibrei;
203

8- cuptor tubular pentru uscarea materialului nveli ului protector al

fibrei;
9- tambur de tragere si nf urare a fibrei.
Fabricarea pe scar tot mai larg a fibrelor optice a impus perfec
ionarea surselor de c ldur pentru temperaturi peste 2000C. Pentru nc
lzirea preformei se pot utiliza mai multe tipuri surse de c ldur :
- arz toare cu oxigen i hidrogen,
- cuptoare electrice cu rezisten ,
- cuptoare electrice cu induc ie.
- laser cu bioxid de carbon.
Din punctul de vedere al utilizatorului, sunt foarte importante att
calitatea fibrei optice n conformitate cu cerin ele impuse de aplica ia
considerat ct, mai ales, constan a n timp a valorilor parametrilor optici i
mecanici ce caracterizeaz fibra. n acest scop suprafa a ei se protejeaz
mpotriva deterior rii ce pot ap rea ca urmare a unei solicit ri mecanice sau
a unor agen i corozivi afla i n mediul de lucru.
Substan a de protec ie se aplic ntr-un strat sub ire i poate fi din
clasa r inilor sintetice sau un material plastic. Caracteristicile tehnice ale
acesteia sunt:
-filmul depus trebuie s aib grosime uniform n sec iunea transversal ,
deci s fie concentric cu fibr optic pentru a prentimpina apari ia n
momentul solidific rii a unor tensiuni interne care ar putea duce la curbarea
fibrei;
-nveli ul de protec ie trebuie s aib rezisten bun la abraziune i
stabilitate chimic n timp;
-coeficientul de dilatare al substan ei utilizate trebuie s fie ct mai
aproiat de cel al sticlei pentru a prentmpina tensionarea i ruperea fibrei ca
urmare a varia iei temperaturii mediului de lucru;
-n vederea opera iilor de corectare a fibrelor, materialul respectiv
trebuie, de asemenea, s fie u or dizolvabil cu ajutorul unui solvent.
Pe plan mondial au fost experimente mai multe metode de realizare a
acoperirii de protec ie, dintre care cel mai r spndit procedeu const n
trecerea fibrei printr-un creuzet care con ine n stare lichid materialul de
acoperire.
Acoperirea este corect dac se respect pe parcursul ntregului proces o
anumit rela ie ntre viteza de deplasare a fibrei i vscozitetea solu iei.
Opera ia final a procesului de acoperire de protec ie a fibrei este
uscarea r inii imediat dup aplicare. n general aceast opera ie se realizeaz
ntr-un cuptor cilindric.

204

Temperatura de lucru nu trebuie s dep easc valoarea de la care are

loc fierberea solventului, pentru a se prentmpina apari ia bulelor de
vapori.
Fibrele optice trase din preform au o rezisten mecanic destul de
ridicat , dar exist totu i destui factori externi care sl besc aceast rezisten .
Dintre ace ti factori putem men iona torsion rile puternice, cu raze de
curbur mici, frec rile dintre fibr i mediul materialului ncojur tor sau dintre
ele, atacul coroziv al unor agen i chimici.
Diminuarea rezisten ei mecanice a fibrei optice este nso it de regul
de modific ri ireversibile ale structurii i geometriei acesteia, microfisuri i
microde-form ri, varia ii locale ale diametrului, modific ri care influen eaz
negativ transmisia radia iei prin fibr .
ntr -o fibr optic supus unor for e de deformare solicit rile mecanice
se concentrez n defectele de turnare, n microfisurile de tragere, astfel nct
vrful fisurii cre te de cteva ori, for a de coeziune a materialului este dep it
iar peste un anumit prag fibra se rupe. Aplicarea unui nveli de protec ie din
material plastic la sfr itul procesului de tragere a fibrei men ine rezisten a
mecanic a acesteia i n plus, reduce pierderile de radia ie n afara fibrei.
5.5. CABLURI DE FIBRE OPTICE
Un cablu optic este format dintr-un num r relativ mare de fibre optice
i alte componente care asigur o protec ie bun fibrelor optice i caracteristici
tehnice adecvate.
Fibrele optice n sistemele de comunica ii pot fi cablate unifilar sau
multifilar. Sistemele actuale folosesc cabluri cu fibre n m nunchiuri de
cteva sute de fibre, cu c m i de plastic.

Figura 5.6. Structura unui cablu de fibre optice

205

Cele mai importante cerin e impuse cablurilor optice sunt:

dimensionarea corespunz toare pentru mic orarea pierderilor optice
introduse de ocurile mecanice;
rezisten mare la ntindere;
rezisten la p trunderea vaporilor de ap ;
stabilitate termic n gama temperaturilor de lucru;
flexibilitate la ncovoiere la rece;
rezisten la agen i chimici i casare;
usurin la interconectare i instalare;
pre sc zut i ntre inere ieftin .
De i fibra optic simpl are o mare flexibilitate, datorit faptului c
energia si cantitatea de informa ie transmise prin fibr sunt limitate, n
transmisiile de date se folosesc cabluri alc tuite din mai multe fibre optice
simple.
Cablurile de fibre optice sunt de dou feluri:
a) cabluri necoerente sau ghiduri de lumin , care se folosesc atunci
cnd semnalul transmis de o fibr optic simpl a cablului nu este corelat cu
semnalele transmise se celelalte fibre simple ale cablului. n astfel de
cabluri nu este important pozi ia relativ a diferitelor fibre simple care alc
tuiesc cablul.
b) cabluri coerente, folosite n special pentru transmiterea
imaginilor. La asemenea cabluri pozi ia relativ a diferitelor fibre simple
care intr n componen a acestora este de o importan vital .
Cablurile necoerente au func ia de a transmite lumina dintr-un loc n
altul. Avantajele lor fa de alte dispozitive optice care pot ndeplini acela i
rol sunt flexibilitatea, eficien a ridicat , compactitatea i posibilitatea de
modelare a sec iunii transversale a fasciculului luminos. Flexibilitatea
permite ghidarea luminii dup drumuri complicate far s fie necesar folosirea
oglinzilor sau a prismelor.
Eficien a ridicat poate avea valori mai mari dect unul. Cu ajutorul
cablurilor optice se poate modifica att forma sec iunii transversale a unui
fascicul luminos ct i num rul de fascicule transmise.
Un singur fascicul de lumin poate fi divizat n mai multe fascicule de
lumin separate, sau mai multe fascicule de lumin pot fi combinate ntr-un
singur fascicul de lumin .
Structura de aranjare a fibrelor optice simple ntr-un cablu poate fi
sau hexagonal sau p tratic .
ntr-un montaj hexagonal fibrele optice ocup o frac iune egal cu /2 3
=0,9069 din suprafa a unui element de re ea, dac nu se ia n considera ie
grosimea stratului protector de material, i ocup o frac iune
206

egal cu o,9069 R0 /R1 dac se consider i grosimea stratului protector (R 1

fiind raza sec iunii transversale corespunzatoare stratului protector). ntr
-un aranjament p tratic frac iunea este de /4=0,785, ceea ce determin c
transmitan a acestor cabluri s fie mai mic dect cea a cablurilor cu
aranjament hexagonal de 2/ 3 =1,115 ori.
Diametrul fibrelor optice de sticl folosite pentru alc tuirea cablurilor
poate ajunge pn la 0,15 mm f r ca flexibilitatea cablului s se reduc prea
mult. Dac se folosesc fibre optice de material plastic, diametrul maxim
poate fi de cca 1,5 mm.
Prin curbarea (ndoirea) cablurilor, cele mai solicitate sunt fibrele
optice exterioare. Astfel de solicit ri duc la mic orarea transmitan ei
cablului. In cazul cablurilor de sticl transmitan a se stabilizeaz la o valoare
cu cca 1% sau 2% mai mic dect cea ini ial dup aproximativ 100 de solicit
ri, pe cnd la cablurile din fibre de material plastic transmitan a continu s se
reduc cu cre terea num rului de solicit ri.
Temperatura pn la care se folosesc cablurile de sticl depinde de
materialul stratului protector i de materialul folosit pentru unirea fibrelor i
poate fi de pn la 400C, iar temperatura maxim la care se mai pot folosi
cablurile de plastic este impus de materialul plastic folosit pentru ob inerea
fibrelor.
Deoarece fiecare fibr optic simpl , componenta cablului, poate
transporta o anumit cantitate de energie, corespunz toare unui anumit
element de suprafa a obiectului, independent i f r influen a fibrelor vecine,
cablurile coerente servesc pentru transmiterea imaginilor dintr-un loc n
altul.
Fibra optic este extras din furnal pe un tambur, avnd ns grij de a
pozi iona spirele succesive ale elicoidului unele lng altele f r s se
suprapun . Dup ce s- a ob inut l timea dorit , se depune un nou strat prin
inversarea sensului de spiralare a fibrei, num rul straturilor depinznd de
num rul de fibre care trebuie s alc tuiasc cablul. Dup ce s-a realizat num rul
dorit de straturi, fibrele de pe tambur se taie paralel cu axa tamburului.
Procedeul nu permite ob inerea unor fibre mai sub iri de cca 20 m, motiv
pentru care se procedeaz la reinc lzirea cablului i ntinderea sa ob inndu-se
fibre cu diametre de cca 5 m.
Datorit grosimii finite a materialului nveli ului protector, o anumit
cantitate de energie se pierde. Ambele fenomene contribuie la trecerea
luminii dintr-o fibr n alta. n cazul cablurilor nocoerente aceasta duce, n
cel mai r u caz, la mic orarea fluxului luminos.
n cazul cablurilor coerente ns trecerea luminii dintr- o fibr n alta
este nso it de mic orarea contrastului din imaginea final , motiv pentru

207

care fibrele se acoper cu un strat metalic protector sau cu un strat opac de

sticl .
n general, cele dou tipuri de cabluri optice, coerente si necoerente,
au propriet i optice similare, de i din anumite puncte de vedere pot ap rea
deosebiri. De exemplu, folosirea izola iei pentru prevenirea trecerii luminii
dintr-o fibr optic n alta face ca apertura numeric a cablurilor optice
coerente s fie mai mic din cauza cre terii atenu rii razelor de lumin mai
nclinate fa de ax . n plus, de interes deosebit devine func ia de propagare
efectiv .
Izola ia dintre fibre nu este perfect i ntre fibre poate ap rea lumina
parazit . Cnd iluminarea suprafe ei de intrare a cablului se men ine n
conul de lumin cu semiunghiul la vrf i < i max, lumina parazit se poate
datora uneia din urmatoarele cauze:
- p trunderea luminii prin materialul dintre miezul fibrei;
- abaterea de la reflexia intern total ;
- mpr tierea luminii n fibr sau la suprafa a ei;
- curbarea cablului.
Orice defect constructiv al fibrelor optice poate duce la distorsionarea
imaginilor. Aceste distorsiuni includ punctele ntunecoase datorate fibrelor
rupte sau sparte i deform rile imaginilor datorate alinierii incorecte a
fibrelor n cablu. De cele mai multe ori abaterile de la alinierea axial
determin o deplasare lateral a imaginii.
Fibrele optice pot fi folosite doar pentru realizarea de conexiuni punct
la punct. Pentru realizarea acestor conexiuni sunt necesare dispozitive optoelectronice: emi toare si receptoare. Atenuarea semnalului luminos depinde
de lungimea de und a acestuia.
Pentru comunica iile optice se folosesc lungimi de und din afara
spectrului vizibil, i anume n gama 750-1600 nm.
Pentru re elele locale sunt folosite urm toarele categorii de cabluri cu
fibra optic :
cablul "tight" - utilizat pentru cablarea interioar a cl dirilor;
miezurile sunt protejate de mantale rezistente la foc i cu degajare
redus de gaze toxice; n centrul cablului se afl un material dielectric;
cablul "loose" - folosit pentru cabl ri n exteriorul cl dirilor; trebuie
protejat mpotriva umidit ii;
cablul "slotted core" - folosit tot pentru cabl ri n exteriorul cl
dirilor, rezistent la umiditate.
La realizarea conect rii fibrei optice se folosesc dou tipuri de interfe
e:

208

 Interfa pasiv este realizat cu ajutorul a dou conectoare baionet ,

nfipte n conductor; unul con ine un LED pentru transmiterea
datelor, iar cel lalt con ine o fotodiod pentru recep ionarea
acestora;
Interfa a activ (sau repetor activ) cuprinde trei a a-numite etaje:
1) etajul care recep ioneaz semnalul optic i l transform n semnal
electric;
2) etajul care amplific semnalul electric;
3)etajul care transform semnalul electric amplificat n semnal optic i l
trans- mite pe fibr .
n cazul interfe elor active, c derea unei componente nu va afecta
transmiterea datelor pe tronson, ci doar va intrerupe conectarea acesteia la
tronson. Datorit caracteristicilor enumerate, transmisiile prin fibr optic cunosc
aplica ii din cele mai variate, cum ar fi: transmisii de date n re ele de comunica ie
de medie i mic ntindere, aplica ii medicale (dispozitive de investigare n lumina
vizibil ), iluminare microscoape sau aplica ii industriale (dispozitive de
investigare), etc.
n figura 5.7. este prezentat un cablu multifilar, de rezisten mic , de tip LD
(Light Duty) folosit n transmisile de date. El poate con ine 719 fibre optice cu
nveli de plastic sau cu nveli din siliciu. Fibrele optice sunt nf urate ntre ele n
timpul cabl rii. Cablul optic nu con ine nici un element de rezisten , fibrele optice
fiind ncapsulate ntr-o c ma din poliuretan.
n figura 5.8 este prezentat un cablu unifilar consolidat, de diametrul mic,
tip S1, folosit n interiorul cl dirilor i n conducte subterane etc. Fibra optic este
nconjurat de c tre 6 elemente de rezisten , ntreg ansamblul fiind ncorporat ntr
-o c ma a din material plastic. Greutatea specific a cablului este de numai 6 kg /
km, raza minim de curbur de numai 2,5 cm, iar diametrul s u exterior de 2,5 mm.
Cmasa extern a cablului
Gel protector

1.4

2.5

0.5

Fibr optic

Figura 5.7. Cablu multifilar de tip LD (Light Duty)

209

Cmasa extern a cablului

Element de rezistent

1.4

2.5 0.5

Fibr optic

Figura 5.8 Cablu unifilar consolidat S1

Fibr optic
Cmasa extern a cablului
Cmasa fibrei optice

Cmas intrn
Element de rezistent

Gel protector

Cmas extern
2.5
0.5

Fibra optic

Figura 5.9. Cabluri multifilar consolidat

Avantajele acestor cabluri multifilare cu apertur numeric mare este
randa-mentul ridicat de cuplaj cu sursa i fotodetectorul, u urin a interconect
rilor i redundan a fibrelor. Deficien ele lor sunt atenuarea

210

extrem de mare i banda de trecere ngust din care motiv leg turile optice se
f ceau pe distan e scurte.
Fire te c utilizarea cablurilor optice se va face impreun cu conectorii
meni i a realiza leg turile fie ntre un sistem optic i altul, fie pentru cuplare
la circuitul receptor sau emitor. Aceastea aduc un mare avantaj, deoarece se
elimin munca destul de dificil a mont rii conectorilor, lucru ce necesit scule
speciale, i deasemenea se garanteaz calitatea conexiunii, diminund la
maxim pierderile la conectare.
n prezent se folosesc diferite tehnici de mbinare prin lipirea cu un
adeziv transparent care ac ioneaz n acela i timp i ca egalizator de indici de
refrac ie sau prin topirea celor dou capete cu ajutorul unor dispozitive de
nc lzire cu arc electric, dar aceste conexiuni au pierderi de
0.14dB/conexiune pn la 0.29 dB/conexiune.
Astfel performan ele leg turilor prin cablu optic pe distan e mici pot fi
maximizate, cablurile cu conectori deja monta i avnd caracteristici
garantate. Nu vor putea fi prezentate n acest referat toate tipurile de cabluri
cu conectori monta i, deoarece sunt foarte multe posibilit i, acoperind
practic necesarul oricaror aplica ii.
Alegerea va depinde de tipul de cablu dorit, lungimea sa (exist
lungimi ntre 2 i 100 m), i perechea de conectori ce se doresc la capetele
cablului.
Cele mai utilizate cabluri optice sunt:
A. Cablu optic LSF Simplex care sunt cabluri optice multimodale,
de nalt calitate, utilizabile pentru aplica ii de LAN. Suport o serie intreag
de protocoale de comunica ie precum Ethernet i Token Ring, precum i
servicii de transmisie imagine i sunet.
LSF Simplex are o singur fibr optic , este de tip "tight" LSF/0H (Low
Smoke and Fume, Zero Halogen Sheath - protejat de o manta rezistent la
foc i cu degajare redus de gaze toxice) Se recomand utilizarea pentru
cablarea interioar a cl dirilor. Fibra este nconjurat cu fire de Kevlar pentru
sporirea protec iei i rezisten ei.
B. Cablu optic LSF Duplex este similar cu cel anterior, numai c
este vorba de dou fibre optice pentru conexiunea duplex.
C. Cablu optic Intern/Extern LSF este un cablu cu 8 fibre optice
(62 5/125mm), nemetalic, protejeazaz fibrele mpotriva umidita ii, i este
realizat din material cu emisie redus de fum. Aceste caracteristici l fac util i
pentru cablare n mediul exterior.
D. Cablu optic LSF Light Duty este tot un cablu de nalt calitate
potrivit pentru aplica ii de tip LAN. Con ine 4 fibre i este realizat cu scopul
de a oferi flexibilitate, rezisten i diametrul exterior mic. Acestea permit
cablurilor s fie instalate n tuburi foarte sub iri sau canale de cablu
211

din PVC, montate aparent pe perete. Fibrele din interiorul cablului sunt
protejate individual de mantale colorate de 900mm inconjurate cu fire de
aramid. Cablurile sunt de emisie slab de fum (Low Smoke and Fume/Zero
Halogen). Fibrele sunt deasemenea protejate cu fire de Kevlar pentru a ad
uga protec ie i rezisten .
E. Cablu optic universal LSZH este pentru aplica ii de LAN. Cele 4
fibre optice sunt protejate de mantale primare colorate (250mm), protejate
la rndul lor de un material de tip gel polyester aflat ntr-un tub central.
Acesta este nconjurat de fire de Aramid ce ofer rezisten , invelite ntr-o
manta neagr LSF/OH. Rezistent la ap i la UV.
F. Cablu optic simplu/dublu din polimer este un cablu, produs de
Fibre Data, reprezint o fibr din polimer simpl sau dubl (pentru aplica ii
duplex) . Atenuarea este tipic 200 dB/km la 665 nm (atenuarea cre te peste
aceast valoare, la 820 nm, ajungnd la 1500 dB/km).
Caracteristicile de transmisie pentru acest cablu optic sunt astfel
gndite nct cel mai bine se lucreaz n lumina vizibil .
Fibra este nvelit n polietilen neagr pentru protec ie. Temperatura de
lucru este:-30C la +85C.
Cu ajutorul acestor cabluri optice se pot dezvolta sisteme n lumin
vizibil ro ie, ieftine, pentru leg turi de date de lungime mic , sisteme de
laborator pentru mediul educa ional, sisteme de iluminare la microscoape,
iluminare zone greu accesibile etc.
n cazul transmisiilor de date se realizeaz viteze de 10 Mbits/s la
distan e de sub 20 m.
Cnd se folosesc n tehnica iluminatului , fibrele optice prezint mai
multe avantaje fa de sistemele clasice cum ar fi:
a) Fibrele optice permit separarea sursei de lumin de suprafa a ce
trebuie iluminat , fapt de o importan esen ial n special n aparatele optice
medicale introduse n organism pentru inspec ia vizual a diferitelor organe
interne. Metodele clasice de observare bazate pe folosirea l mpii cu
incandescen complic mult sistemul optic, nu permit ob inerea unor ilumin ri
suficiente i prezint riscuri din punctul de vedere al conexiunilor electrice.
Toate aceste dificult i se nlatur dac iluminarea se va face cu o fibr optic sub
ire.
b) Cablurile optice permit miniaturizarea, o problema crucial n
aplica iile care implic folosirea mai multor surse de lumin .
c) Fibrele optice se pot folosi pentru iluminarea instrumentelor de m
sura i control. De exemplu, un sistem optic poate ncorpora mai multe
instrumente care, din punct de vedere clasic, se ilumineaz separat folosind
becurile cu incandescen . Folosirea unui cablu optic de fibre optice iluminat
de o singur surs de lumina poate diviza fasciculul de lumin n
212

mai multe fascicule, fiecare dintre acestea folosindu-se pentru iluminarea

unui instrument.
d) Metoda de cuplare sau decuplare a diferitelor conexiuni electrice,
bazat pe folosirea fibrelor optice, asigur o protec ie ridicat i cap t o
extindere tot mai mare.
e) Controlul surselor de lumin localizate n locuri greu accesibile
deschide un cmp larg de aplica ii pentru cablurile optice.
f) Se tie c sursele de lumin ntinse prezint o eficien mic de iluminare
a unor suprafe e mici, n special cnd acestea sunt fantele dreptunghiulare
ale aparatelor optice. Folosirea unor cabluri optice a c ror sectiune
transversal variaz continuu de la forma circular la forma alungit prezint un
avantaj poten ial.
g) Fibrele optice pot fi folosite pentru ob inerea unor corelatori
multicanal, fasciculele provenite din diferite locuri putnd fi nsumate sub
forma unui singur semnal.
Cnd se folosesc n tehnica sistemelor de comunica ii, fibrele optice
ofer avantaje multiple fa de sistemele clasice. Asfel de aplica ii trebuie ns s
ia n considera ie nu numai posibilit ile de distorsionare a semnalelor
transmise ci i posibilit ile de distrugere n timp a cablurilor de fibre optice,
n special datorit fragilit ii fibrelor de sticl .
Protec ia cablurilor optice trebuie asigurat fa de abraziune si
contaminare, fa de tensiunea la ntindere, i fa de tensiunea datorat ndoirii.
Straturile protectoare, folosite pentru asigurarea condi iilor impuse de
folosirea n condi ii de securitate a cablurilor optice, pot ocupa o parte
important din intregul volum al cablului. Intruct func ia unui sistem de
comunica ii este aceea de a transmite informa ii, asemenea sisteme trebuie
apreciate i comparate n raport cu capacitatea de informare a unui canal.
Din acest punct de vedere, m rimea capacit ii de informare este legat de mic
orarea impr tierii impulsului, datorat att dispersiei de material ct i
dispersiei modale, i de cresterea puterii de transmisie sub un raport
semnal/zgomot convenabil.
Ct prive te posibilitatea de a folosi cablurile optice coerente pentru a
transmite imaginile dintr-un loc n altul, trebuie pornit de la faptul c este
imposibil s se a eze fibra optic n contact cu obiectul. Procedeul este de a
forma imaginea obiectului pe fa a de intrare a cablului folosind mijloace
clasice. Adesea este necesar ca imaginea format pe fa a de ie ire a cablului s
fie marit , folosind tot mijloace clasice.
Combina ia obiectiv-cablu coerent de fibre optice-ocular este
cunoscut sub denumirea de fibroscop.

213

Fibroscoapele au deja multiple aplica ii att n medicin ct i n

industrie, n special pentru controlul suprafe elor interne la care accesul
prin mijloace clasice nu este posibil.
Exist nc multe aplica ii ale fibrelor optice pentru ob inerea imaginilor
n m rime natural , pentru realizarea tuburilor convertor cu fascicul baleiat
sau n fotografia ultrarapid . Progresele din domeniul fibrelor optice deschid
calea dezvolt rii unui nou domeniu de vrf al opticii, optica integrat .
Fa de transmiterea datelor prin cabluri din materiale conductoare,
cablurile cu fibre optice prezint urm toarele avantaje i dezavantaje:
Principalul avantaj fa de cablul de cupru este c transmiterea informa
iei ntre dou puncte pe cablul clasic se face pe distan e de pn la 2 km, fa de
70 km n cazul fibrelor optice, iar cantitatea de informa ie este net inferioar
n cazul cablului clasic.
Se pot acoperi distan e foarte mari ntre beneficiari, f r a fi nevoie s se
regene-reze semnalul. O fibr optic obi nuit are o atenuare de aproximativ
0.25 dB/km la o lungime de und de 1550 nm.
Capacitatea de transmisie este practic nelimitat , singura limitare este
aceea a sistemelor electronice.
Greutate proprie foarte mic . Dintr-un singur kilogram de material
proform se confectioneaz circa 38 km de fibr optic . Aceste fibre sunt
grupate ntr-un cablu, iar greutatea cablului optic este mult mai mic dect a
unui cablu echivalent din cupru.
Fibrele optice fiind construite din materiale non-metalice sunt imune
la interfe-ren e de natur electromagnetic .
Solu iile cu fibr optic sunt mult mai ieftine, iar securitatea
comunica iei este asigurat odat prin forma digital a semnalului, iar pe de
alt parte prin faptul c n interiorul cablului nu se poate conecta n deriva
ie dect n cazuri speciale, i cu ntreruperea traficului pe durata lucr rii
Dintre dezavantajele transmisiilor de date cu fibre optice amintim:
Fibra optic nu permite transportul de energie.
Instala iile trebuie s protejeze ochii: cantitatea de energie optic emis
din sursa de lumin i n final prin extremitatea fibrei sunt suficiente pentru a
afecta retina nainte ca victima s observe.
Este indispensabil purtarea ochelarilor de protec ie infraro u pentru a
lucra deasupra unui dispozitiv aflat n func iune
Performan ele n domeniul cerecet rilor fibrei optice sunt numeroase i
eu consider c aceste cercet ri se vor extinde i se vor ob ine rezultate net
superioare celor existente

214

Pentru verificarea cuno tin elor din acest capitol r spunde i n mod
concis la urm toarele ntreb ri:
1. Ce este o fibr optic ?
2. Ce fenomen st la baza transmiterii informa iei prin fibre optice?
3. Care este ecua ia de propagare a undei plane?
4. Care este viteza undei electromagnetice n vid?
5. Care este expresia unghiului limit ?
6. Cnd apare reflexia total ?
7. Defini i unghiul de acceptan .
8. Defini i apertura fibrei optice.
9. Defini i un mod optic.
10. Ce diametre au fibrele optice?
11. Defini i indicele de refrac ie al unei fibre optice.
12. Cum se ob ine o fibr optic cu index gradat?
13. Cum se ob ine o fibr optic cu index treapt ?
14. Defini i frecven a normal de t iere.
15. Defini i o fibr optic multimod.
16. Defini i o fibr optic monomod.
17. Care este expresia lungimii de und de t iere c.
18. Ce tipuri de dispersii apar n fibrele optice?
19. Defini i o fibr optic cu dispersie compensat .
20. Defini i dispersia de material.
21. Defini i dispersia modal .
22. Defini i dispersia cromatic .
23. Ce fenomene duc la pierderi n fibrele optice?
24. Defini i atenuarea fibrei optice.
25. Care sunt cele mai utilizate lungimi de und pentru fibrele optice.
26. Ce reprezint banda de trecere?
27. Defini i Lungimea de und de t iere.
28. Ce materiale se folosesc la fabricarea fibrelor optice?
29. Care sunt cerin ele generale impuse materialelor utilizate la
fabricarea fibrelor optice?
30. Ce influen eaz calitatea fibrelor optice?
31. Ce tehnologii de fabricare a fibrelor optice cunoa te i?
32. Ce rol are substan a de protec ie a fibrei optice?
33. Ce caracteristici tehnice are substan a de protec ie a fibrelor optice ?
34. Defini i un cablu de fibr optic .
35. Care este structura unui cablu de fibr optic ?
36. Ce caracteristici tehnice au cablurile de fibr optic ?
215

37. Defini i un cablu coerent de fibr optic .

38. Defini i un cablu necoerent de fibr optic .
39. Ce aplica ii au cablurile coerente de fibr optic ?
40. Ce aplica ii au cablurile necoerente de fibr optic ?
41. Ce categorii de cabluri cu fibra optic se utilizeaz n re elele locale?
42. Ce interfe e se folosesc la realizarea conect rii fibrei optice?
43. Care este structura unei interfe e active?
44. Care este structura unui cablu multifilar de fibre optice?
45. Care este structura unui cablu unifilar consolidat?
46. Ce rol au conectorii cablurilor de fibre optice?
47. Da i 5 exemple de cabluri optice.
48. Ce aplica ii ale fibrelor optice cunoa te i?
49. Ce aplica ii ale cablurilor de fibre optice cunoa te i?
50. Ce dezavantaje au transmisiile prin cabluri de fibre optice?

216

BIBLIOGRAFIE
1. Agaston K., Materiale electrice i electronice , Editura Universit ii
Petru Maior, 2001.
2. Bunget I.,"Fizica dielectricilor", Editura Tehnic , 1995.
3. Bunget I., Popescu I.," Introducere n electronica corpului
solid" Editura Academiei, 1992.
4. Burzo E., Magne i permanen i , Editura Academiei, Bucure ti,
1987.
5. Chioreanu V., Materiale electrotehnice , Universitatea Politehnic
Timi oara 1996.
6. Cruceanu M., Fibre optice , Ed. tiin ific , 1987.
7. Cruceru C., Supraconductibilitatea i aplica iile ei , E.D.P.
Bucure ti, 1985.
8. Doicaru V., Prvulescu M., Transmisii prin fibre optice , Editura
Militar , 1994
9. H tte, Manualul inginerului, Fundamente , Editura tehnic
Bucure ti, 1995.
10. Ifrim A., Materiale electroizolante , Editura Tehnic Bucure ti,
1982.
11. Kittel Ch., Introducere n fizica corpului solid , Editura Tehnic
Bucure ti, 1982.
12. Lic V., Materiale electroizolante , Editura Tehnic Bucure ti,
1992.
13. Nicula Al.,"Fizica semiconductorilor", Editura Scrisul
Romnesc, 1988.
14. Prvulescu M., Doicaru V., Transmisii prin fibre optice
,Ed. Militar , 1994.
15. Doicaru V., Transmisia prin fibre optice ,Ed. militar , Bucure ti
1996.
16. Popescu Ch., Materiale electrotehnice , Editura tehnic , Bucure ti,
1984.
17. Schlett Z., Hoffamn I., Cmpeanu A., Semiconductoare i aplica ii ,
Editura Facla, Timi oara, 1981.
18. R dulescu T., Telecomunica ii , Editura Teora, Bucure ti, 1997.
19. Voiculescu E., Marita T., Optoelectronica , Editura Albastra, Cluj
Napoca, 2001.
20. *** Cabluri cu fibre optice , ROMTELECOM, Centrul de instruire
i documentare, 1992
217