Sunteți pe pagina 1din 363

1

INTRODUCERE
Aceast lucrare este destinat studenilor seciei de Electronic aplicat a Facultii de
Automatic, Calculatoare i Electronic care parcurg n anul II prima parte a disciplinei
"Dispozitive i circuite electronice". Cartea s-a nscut att din necesitatea existenei unui
suport de curs ct i din dorina mea de a oferi un material de studiu studenilor care s
prezinte ntr-o nlnuire logic cunotinele de baz despre dispozitivele electronice
semiconductoare: structura fizic i fenomenele fizice corespunztoare acestora, modelarea
teoretic a structurilor i fenomenelor fizice i dezvoltrile matematice ce conduc la
determinarea celor mai utilizate modele pentru descrierea comportrii dispozitivelor n
diferite condiii de lucru, polarizarea i exemple de folosire a modelelor pentru determinarea
performanelor circuitelor n care aceste dispozitive sunt utilizate. Ea a fost scris cu credina
c este mai important nelegerea n profunzime a funcionrii i realizrii dispozitivelor
dect o prezentare sumar i de suprafa a caracteristicilor i parametrilor acestora att
pentru utilizarea real a acestora n diverse circuite, interpretarea datelor obinute n urma
simulrii funcionrii unui circuit cu un program specializat, conceperea i modelarea
dispozitivelor i circuitelor electronice ct i n formarea unor abiliti i tehnici de abordare a
fenomenelor legate de dispozitivele i circuitele electronice n ansamblu i nu numai.
Pe parcursul ntregii cri am ncercat, att ct a fost posibil pentru a nu crete
substanial volumul acesteia, s evideniez mai degrab fenomenele fizice fundamentale ce
stau la baza diverselor dispozitive electronice dect rezultate intermediare, astfel nct
studenii s poat nelege calitativ i rezolva cantitativ aproape orice noi probleme ce apar n
acest domeniu aflat n continu dezvoltare. O educaie inadecvat n acest domeniu
fundamental slbete abilitatea lor de a nelege i nsui noutile n domeniu. De asemenea
m-am strduit, n egal msur, att s realizez legturile cu cele nvate de ei la disciplinele
fundamentale (fizic, matematic, chimie) ct i s prezint ntr-o form coerent i clar noile
cunotine i, de ce nu, s sdesc n ei dorina unor dezvoltri proprii, dorin tot mai mai
puin prezent astzi.
n pregtirea studenilor electroniti, cursul de "Dispozitive electronice" este completat
cu cele de "Circuite electronice analogice", "Circuite integrate anologice" i "Circuite
numerice" motiv pentru care subiectele ce in de aceste discipline nu au fost abordate.
n continuare prezint structura pe capitole a acestei lucrri. Subliniez faptul c
urmtoarea secven este prezent n toate capitolele dedicate prezentrii i studierii

Cap. 1. Introducere

funcionrii dispozitivelor semiconductoare fundamentale: structura i fenomenele fizice


corespunztoare acestora, modelarea teoretic a structurilor i dezvoltarea unor modele de
curent continuu (caracteristicile statice ideale), abateri de la caracteristicile ideale, polarizare,
studiul regimului dinamic i dezvoltarea unor modele de regim dinamic de semnal mic i de
semnal mare, aplicaii elementare ale structurii studiate.
Capitolul 2 se constituie ca o sintez a noiunilor de fizica semiconductoarelor, menit
s furnizeze instrumentele calitative i cantitative utilizate n studiul proceselor fizice ce au
loc n dispozitivele i circuitele semiconductoare n diverse condiii.
Capitolul 3 este dedicat studiului jonciunilor omogene de tip p-n i jonciunilor
eterogene metal-semiconductor, structuri ce se regsesc n aproape toate dispozitivele
semiconductoare. n mod voit au fost excluse din acest capitol heterojonciunile
semiconductor-semiconductor i metal-oxid-semiconductor pentru a fi prezentate pe larg n
deschiderea capitolelor consacrate dispozitivelor semiconductoare n a cror structur sunt
integrate i a cror funcionare este puternic bazat pe prezena acestora.
Capitolul 4 reprezint continuarea logic a capitolului 3, fiind dedicat celor mai
simple dispozitive active a cror component de baz este o jonciune semiconductoare p-n:
diodele semiconductoare. Sunt prezentate principalele tipuri de diode semiconductoare
mpreun cu caracteristicile i parametrii principali ce descriu funcionarea i performanele
acestora. Finalul capitolului este rezervat exemplificrii modului n care cunotinele i
modelele nsuite prin parcurgerea capitolelor 3 i 4 pot fi utilizate pentru analiza circuitelor
cu diode semiconductoare.
Capitolul 5 trateaz, urmrind secvena prezentat mai sus, tranzistorul bipolar cu
jonciuni. Dei n prezent acesta nu mai este cel mai folosit dispozitiv semiconductor, fiind
detronat de tranzistorul MOS datorit utilizrii pe scar larg a acestuia n computerele
moderne i chiar n aplicaiile industriale, am preferat aceast ordonare clasica
dispozitivelor semiconductoare deoarece, din punct de vedere didactic, o consider mai
adecvat.
Tot din considerente didactice n capitolul 6 este prezentat i analizat tranzistorul cu
efect de cmp cu gril jonciune, care conceptual difer de tranzistorul bipolar cu jonciuni
fiind mai aproape de tranzistorul MOS, familiariznd astfel cititorul cu principiul de
funcionare al tranzistoarelor unipolare, dar care din punct de vedere structural se bazeaz tot
pe jonciunea p-n.
Capitolul 7 este consacrat studiului tranzistorului MOS. n introducerea acestui
capitol, n scopul uurrii prezentrii i nelegerii fenomenelor fundamentale n aceste
dispozitive, este prezentat i analizat capacitorul MOS. Practic acesta este ultimul capitol
dedicat structurilor semiconductoare fundamentale, a cror prezentare i analiz au fost fcute
urmrind riguros secvena specificat mai sus.
n capitolul 8 se prezint dipozitivele multijonciune. Abordarea acestui capitol, ca i a
capitolelor urmtoare 9 i 10, este diferit de cea a capitolelor anterioare deoarece, aa cum
am specificat anterior, structurile de baz deja au fost analizate. Astfel, se vor prezenta numai
aspectele specifice legate de funcionarea i caracteristicile dispozitivelor studiate n aceste
seciuni.

Cap.1. Introducere

Capitolul

este dedicat studiului diverselor dispozitive semiconductoare


optoelectronice. n debutul capitolului se prezint i analizeaz heterojonciunile
semiconductor-semiconductor utilizate pe scar larg n realizarea acestor tipuri de
dispozitive. Apoi sunt prezentate principalele tipuri de surse luminescente utilizate n prezent,
elemente de afiaj cu cristale lichide i n final diverse tipuri de detectori cuantici.
n capitolul 10 sunt prezentate diversele tipuri de dispozitive semiconductoare
corespunztoare domeniului microundelor, insistndu-se n special pe componentele ale cror
principii de funcionare sunt diferite fa de cele prezentate anterior.
Capitolul 11 trateaz regimul de comutare a structurilor semiconductoare
fundamentale iar n capitolul 12 se abordeaz, fr pretenia de a o epuiza, problematica
zgomotului intern al dispozitivelor semiconductoare.
n continuare consider utile cteva precizri asupra termenilor generali ce definesc
tematica acestui curs. n general prin termenul de dispozitiv electronic se nelege acel
component al circuitului electronic a crui funcionare se bazeaz fie pe controlul micrii
purttorilor de sarcin mobili n corpul solid, n gaze sau n vid, fie pe controlul injeciei sau
generrii de purttori de sarcin n zonele active ale acestuia. La cele mai multe din
dispozitivele electronice acest control se exercit prin cmpul electric determinat prin
aplicarea unor tensiuni ntre bornele dispozitivului sau printr-un flux luminos incident pe o
suprafa a dispozitivului.
Caracterizarea funcionrii dispozitivelor electronice se face n regim static prin
caracteristicile statice I V (I j = I j (V 1 , ..., V n1 ), j = 1, n , unde I j i V j reprezint curentul la
terminalul j, respectiv tensiunea ntre terminalul j i cel de referin, iar n este numrul de
terminale ale dispozitivului) i n regim dinamic prin circuite echivalente, numite modele
dinamice. Trebuie subliniat faptul c toate dispozitivele electronice au caracteristici statice
neliniare. De asemenea, trebuie remarcat faptul c la toate dispozitivele electronice exist
parametri funcionali (adic parametri ce caracterizeaz funcionarea dispozitivelor n diverse
regimuri de funcionare) controlabili pe cale electric.
Dispozitivele electronice se mpart n dou categorii generale: active i pasive.
Dispozitivele electronice active sunt acele dispozitive care pot asigura transformarea puterii
absorbite de la sursele de alimentare n curent continuu n putere de semnal util. Cu alte
cuvinte se poate afirma c dispozitivele active amplific n putere semnalele utile aplicate la
poarta de intrare a acestora.
Prin circuite electronice se nelege un set de dispozitive electronice compatibile ce
sunt interconectate pentru a servi unui anumit scop funcional. Scopurile funcionale majore
ale circuitelor electronice converg ctre dou direcii principale: controlul i conversia
energiei, respectiv prelucrarea i transmiterea semnalelor electrice purttoare de informaie.
Pe parcursul acestei lucrri este folosit i termenul de reea electronic. Termenii de
circuit i reea accentueaz aspecte diferite ale aceleiai entiti fizice. Astfel, atunci cnd
modul n care dispozitivele electronice sunt interconectate este de prim importan, se
folosete termenul de reea.

2
NOIUNI DE
FIZICA
SEMICONDUCTOARELOR

2.1. Generaliti
Dispozitivele electronice moderne, pasive i active, i circuitele integrate sunt realizate
pe baza a trei tipuri de materiale solide, cunoscute sub numele de materiale electronice solide :
conductoarele, semiconductoarele i izolatoarele. Dispozitivele electronice moderne i
circuitele integrate conin, n mod uzual, mai multe straturi suprapuse subiri din materiale
conductoare, semiconductoare i izolatoare. Datorit faptului c performanele electronice ale
dispozitivelor i circuitelor electronice sunt determinate, n principal, de conducia electric
prin straturile lor semiconductoare, acestea sunt cunoscute sub denumirea generic de
dispozitive i circuite semiconductoare.
Analiza i proiectarea dispozitivelor i circuitelor semiconductoare depind de
nelegerea profund a noiunilor de fizic corespunztoare acestor trei tipuri de materiale
electronice solide. Studiul funcionrii acestora implic studiul comportrii materialelor
electronice solide att n prezena unor factori externi perturbatori (cmpuri electrice, cmpuri
magnetice, radiaii electromagnetice sau nucleare etc), ct i n absena acestora. Pentru
aceasta se introduc dou concepte: echilibru termodinamic i neechilibru termodinamic.
Echilibrul termodinamic reprezint o condiie global ce const n ndeplinirea simultan a
patru condiii de echilibru:
echilibru termic ce const n pstrarea unei temperaturi uniforme i constante n tot
volumul materialului;
echilibru electric ce const n absena factorilor externi ce ar conduce la apariia unui
curent electric net prin material sau la generarea, recombinarea i captura oricrui tip
de purttori de sarcin;
echilibru chimic ce const n absena unui flux net de particule prin material i a
reaciilor ntre diferitele tipuri de particule atomice neutre;
echilibru mecanic ce const n considerarea unei presiuni hidrostatice constante.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Nendeplinirea uneia din cele patru condiii de echilibru plaseaz materialul n situaie
de neechilibru termodinamic.
Un material solid conine n jur de 10 23 particule (electroni, ioni i atomi neutri) n
unitatea de volum (centimetrul cub), particule ce prezint distane extrem de mici ntre ele.
De aceea, comportarea acestora se studiaz pe baza a dou extensii ale fizicii clasice: cuantica
probabilistic, ce rezolv problema distanelor mici dintre particule, i mecanica statistic, ce
rezolv problema numrului mare de particule. Aceste extensii furnizeaz principalele
instrumente de studiu ale materialelor implicate n realizarea dispozitivelor i circuitelor
semiconductoare, i anume:
modelul benzilor energetice dezvoltat pe baza a dou postulate fundamentale cu
privire la caracterul dual al particulelor materiale i al radiaiei electromagnetice:
condiia lui Planck - absorbia i emisia radiaiei electromagnetice se realizeaz n
cuante discrete, cunoscute sub numele de fotoni ; energia unui foton este dat de
relaia:
~

E = h f = h
unde f reprezint frecvena radiaiei electromagnetice, h = 6, 6262 10 34 [J s ]
~
(sau h = 4, 1357 [eV fs ] ) reprezint constanta lui Planck i h = h /(2 ) ;

ipoteza lui de Broglie - impulsul unei particule und (foton) este invers
proporional cu lungimea sa de und:

p = h;

statistica Fermi-Dirac ce furnizeaz distribuia electronilor n funcie de energia


cinetic a acestora la echilibru termic.
Un alt instrument important n studiul acestor materiale l reprezint modelul chimic
al legturilor. Acest model introduce dou noi particule conceptuale: electronii (ce au aceeai
sarcin ca i particulele reale i o mas efectiv m ) i golurile (particule ce au sarcina egal
dar de semn contrar celei a electronului real i o mas efectiv m + , diferit n cele mai multe
cazuri de cea a electronului m ), menite s descrie i s fac posibil analiza matematic a
proprietilor a aproximativ 10 23 electroni i atomi reali existeni n unitatea de volum.
Curentul continuu sau instantaneu ce apare prin dispozitivele sau circuitele
semiconductoare sub aciunea unor ageni externi perturb att echilibrul electric ct i pe cel
termic. Efectele agenilor perturbatori sunt descrise calitativ de modelul chimic al legturilor
i cantitativ de modelul benzilor energetice, iar analiza i reprezentarea matematic a acestora
se realizeaz folosind ecuaiile lui Shockley, ecuaii dezvoltate pe baza modelului benzilor
energetice. Distribuia n spaiu a particulelor, viteza i energia lor se determin n
conformitate cu statistica Fermi-Dirac.
Corpurile solide se pot clasifica n funcie de proprietile lor geometrice, mecanice i
electrice. n funcie de configuraia reelei atomice corpurile solide se mpart n solide
cristaline, solide policristaline i solide amorfe. Solidele cristaline au o structur cristalin cu
atomii i moleculele distribuite ntr-o reea regulat, n care unitatea structural a reelei (cub,

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

tetraedru, etc) se repet periodic. Aceast periodicitate a reelei cristaline, n corpurile solide
reale, este ntrerupt aleator de defecte fizice (dislocarea unui atom din locul su din structura
cristalin) i de prezena unor atomi de impuritate. Solidele policristaline se compun din
multe cristale legate ntre ele i orientate aleator. Solidele amorfe au atomii i moleculele
plasate aleator i deci nu au n structura lor cristale.
n funcie de energia de legtur a atomilor din reea, corpurile solide se pot clasifica
din punct de vedere al proprietilor lor mecanice astfel:
Cristale bazate pe interaciune dipol-dipol (fore Van der Wall);
Cristale ionice la care energia de legtur este de 8 10 eV (fore electrostatice);
Cristale covalente la care energia de legtur este de 0,5 5 eV;
Cristale metalice la care concentraia electronilor delocalizai este mare;
Cristale bazate pe legturi de hidrogen la care energia de legtur este de 0,1 eV.
Semiconductoarele prezint legturi covalente sau slab ionice.
Din punct de vedere al proprietilor electrice corpurile solide se pot clasifica funcie
de conductivitatea electric sau rezistivitatea electric a acestora. O astfel de clasificare este
prezentat n continuare:

Tipul materialului

Densitatea
Rezistivitate electronilor de
[ohm-cm]
conducie

Exemple

[cm-3]
Superconductor

Sn, Pb la temperaturi cuprinse ntre


0,1...4 K.

la temperaturi joase

10 23

Superconductor
la temperaturi nalte

10 23

Oxizii la temperaturi nalte.

Conductoare bune

10 6 10 5

10 22 10 23

Metale ca Na, K, Cu, Au.

Conductoare

10 5 10 2

10 17 10 22

Semi-metale ca As, B, grafitul

Semiconductoare

10 2 10 9

10 6 10 17

Ge, Si, GaAs, GaP, InP, GaxAsyPz

Semi-izolatoare

Izolatoare

10

10

10

14

10 14 10 22

10 10
1 10

Si amorf
Diamantul, SiO2, Si3N4, dielectricele

2.2. Modele electronice pentru corpurile solide


n solide, electronii i proprietile lor electrice pot fi descrise folosind:
modelul calitativ al legturilor chimice i

modelul cantitativ al benzilor energetice.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

2.2.1. Modelul legturilor chimice


Modelul legturilor chimice ofer o reprezentare ilustrativ lucid a electronilor i
proprietilor chimice ale atomilor, moleculelor, polimerilor i solidelor amorfe i de aceea
este foarte popular n rndul chimitilor. Odat cu descoperirea tranzistorului n 1948 el a
nceput s fie folosit i de ctre fizicieni i electroniti ca model efectiv pentru ilustrarea
proprietilor electrice ale electronilor i, implicit, a particulelor fictive (electroni i goluri) ce
deriv din el, n semiconductoare i izolatoare.
n semiconductoarele elementare cristaline ca C (diamantul), Si i Ge forele de
legtur ntre atomi sunt asigurate de legturile ce apar ntre perechi de electroni de valen.
Fiecare legtur conine doi electroni de valen cu spini opui de la doi atomi vecini. De
aceea, aceste legturi se numesc covalente sau homo-polare. n reeaua cristalin a
semiconductoarelor elementare fiecare atom se nvecineaz la distan minim cu patru atomi
uniform distribuii n spaiu (figura 2.1.a). Legturile covalente sunt cele care conduc la
realizarea acestei structuri simetrice ce confer cristalelor o deosebit rigiditate i duritate.
Reprezentarea simbolic a acestei reele, ilustrat n figura 2.1.b pentru Si, este cunoscut ca
modelul Shockley pentru semiconductoarele elementare. n acest model legturile covalente
sunt reprezentate prin dou linii paralele pe care se indic sau nu prezena electronilor.
Cercurile, n care s-a inscris cifra +4, simbolizeaz atomii reelei fr electronii de valen
prini n legturile covalente, n conformitate cu figura 2.1.c.
o

0,5A
+4

+4

+4

+4

Si

Si

Si

Legtur
covalent

2,35A

Si

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Orbita sp

Si

a)

b)

2A

-4
-10
+14

-4
+4

c)
Figura 2.1. Modelul legturilor chimice
a) Reeaua cristalin spaial; b) Modelul Shockley;
c) Reprezentarea atomilor din nodurile reelei.

0,5A

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Ruperea unei legturi covalente se realizeaz prin transmiterea energiei de activare


unui electron al acesteia. Transmiterea energiei de activare se poate face fie prin excitarea
semiconductorului cu un agent extern, fie prin creterea temperaturii semiconductorului.
Creterea temperaturii semiconductorului conduce la creterea energiei de vibraie termic a
reelei atomice a acestuia. Prin ruperea unei legturi covalente unul din cei doi electroni ai
legturii devine electron liber n spaiul dintre atomii reelei i legturile covalente (figura
2.2). Prin plecarea electronului apare un exces de sarcin pozitiv, de valoare +q (-q
reprezint sarcina elementar a electronului), atomul care a pierdut acest electron devenind
ion pozitiv. Aceast sarcin pozitiv, ce reprezint o legtur covalent nesatisfcut, se
numete gol. Se observ c prin ruperea unei legturi covalente este generat o pereche
electron - gol.

+4

+4

+4

Electron

+4

Gol
+4

+4

+4

+4

Figura 2.2. Generarea unei perechi electron-gol.

Modelul legturilor chimice de valen poate fi folosit cu succes i n cazul unor


semiconductoare compuse (ex. GaAs, GaP etc) n ciuda caracterului lor uor ionic. n schimb,
pentru izolatoarele tip oxid i semiconductoarele compuse cu caracter ionic pronunat
modelul prezentat anterior nu mai este valabil deoarece legturile ntre atomi sunt de tip ionic
sau heteropolar.

2.2.2. Modelul benzilor energetice


Modelul legturilor chimice de valen nu poate constitui un punct de plecare pentru
dezvoltarea unei teori cantitative asupra proprietilor semiconductoarelor deoarece nu ofer
informaii cu privire la variaiile spaiale ale potenialului electric i cmpului electric n
semiconductor. De aceea, studiul micrii electronilor n cmpul periodic al ionilor reelei
monocristaline se realizeaz folosind legile mecanicii cuantice. Principalul rezultat al acesteia
l constituie modelul benzilor energetice.
Punctul de plecare n dezvoltarea acestui model l constituie diagrama energiei
poteniale a unui electron ntr-un atom izolat i apoi generalizarea acesteia pentru cazul mai
multor atomi. Considernd astfel cazul unui cristal de Si format din 11 atomi, s vedem cum
se repartizeaz din punct de vedere energetic cei 14 11 electroni ai cristalului la 0 o K . n
acord cu principiul de restricie al lui Pauli numai doi electroni pot avea aceeai energie i
funcie de und. n consecin, electronii se vor distribui cte doi pe nivelele energetice
determinate de strile energetice 1s, 2s, 2p, 3s i 3p corespunztoare Si astfel:

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

cei 140 de electroni ce intr n componena centrilor ionici ai reelei


22 de electroni pe cele 11 stri 1s,
22 de electroni pe cele 11 stri 2s,
66 de electroni pe cele 33 stri 2p,
i cei 44 electroni de valen
22 de electroni pe cele 22 stri 3s,
22 de electroni pe 22 stri din cele 66 stri 3p.
Aceste nivele energetice formeaz benzi energetice permise separate ntre ele de benzi
energetice interzise. Din enumerarea de mai sus se observ c nivelele energetice
corespunztoare strilor 1s, 2s, 2p i 3s sunt integral ocupate cu electroni, iar nivelele 3p sunt
parial ocupate cu electroni. Diagrama benzilor energetice corespunztoare electronilor de
valen n acest caz este ilustrat n figura 2.3.a. Convenia de semne cu privire la energia
electronului este:
E< 0 pentru electronii din interiorul materialului i
E> 0 pentru electronii extrai din material.
Evident, n studiul comportrii electronilor de valen, ce reprezint purttorii de
sarcin reali n mecanismele de conducie, intereseaz numai spectrul energiilor negative. Aa
cum relev figura 2.3.a, la 0 o K electronii de valen ocup integral o band permis
(alctuit, pentru Si, din nivelele energetice corespunztoare strilor 3s i 3p) numit band
de valen. Energia nivelului superior al benzii se noteaz cu E V iar energia nivelului inferior
al acestei benzi se noteaz cu E V . nlimea energetic a benzii de valen pentru Si este de
E V E V = 12 eV .
Banda permis format din o parte din nivelele energetice corespunztoare strii 3p
care la 0 o K nu este ocupat cu electroni se numete band de conducie. Energia nivelului
minim al benzii de conducie se noteaz cu E C , iar energia nivelului maxim cu E C . nlimea
energetic a benzii de conducie se numete afinitate electronic i se noteaz cu . Afinitatea
electronic pentru Si este Si =E C E C = 4, 02 eV . ntre cele dou benzi permise se gsete o
band energetic interzis a crei nlime energetic se noteaz cu E G =E C E V i a crei
valoare pentru Si este E G Si = 1.18 eV .
ntr-un cristal de 1cm3 sunt n jur de 1022 atomi i deci benzile de valen i de
conducie vor conine n jur de 1023 nivele energetice. De aceea, n descrierea fenomenelor ce
apar n dispozitivele semiconductoare se folosete o diagram energetic simplificat ce este
cunoscut sub numele de diagrama energie-distan sau diagrama benzilor energetice E-x i
care este prezentat n figura 2.3.b.

Izolatoarele au acelai model de benzi energetice ca i semiconductoarele, dar au


nlimea energetic a benzii interzise mult mai mare. n general, solidele ce respect modelul
benzilor energetice prezentat anterior i au nlimea energetic a benzii interzise similar sau
mai mic dect energia unui foton din spectrul vizibil sau infrarou, adic n jur de 0, 1 pn
la 3 eV , se ncadreaz n categoria semiconductoarelor, iar solidele ce au nlimea benzii
interzise de cteva ori mai mare dect 3 eV se ncadreaz n categoria izolatoarelor. Dac ns
se consider ca materiale izolatoare cele ce nu prezint electroni liberi n spaiul dintre
nodurile atomice al reelei cristaline i legturile chimice ale acestora, atunci grania dintre
izolatoare i semiconductoare devine imprecis, depinznd foarte mult de temperatur.

10

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

'C

= E'C- EC
= 4,02eV

Banda de
conducie

Si

'

EC

EG=EC -EV V

EG=1,18eV

E20

EC
Banda
interzis E
V

E15

~
Si=12eV

E5
E'V

a.

Banda de
conducie Si =4,02eV
= E' - E
C
C
Si
Banda interzis

E G =E C-E V
=1,18eV

Banda de
~ 12eV
( EV - E'V)Si=
valen

Banda de
valen

E10

E'V
b.

Figura 2.3. Diagrama benzilor energetice E-x: a) corespunztoare unui cristal format
din 11 atomi de Si; b) diagrama simplificat folosit n descrierea fenomenelor ce apar
n dispozitivele semiconductoare.

La metale diagrama benzilor energetice este compus dintr-o singur band energetic
parial ocupat cu electroni numit band de conducie. Aceast band conine un numr mare
de electroni liberi (sau electroni de conducie), independent de temperatur. De aceea,
metalele sunt bune conductoare de electricitate, conductibilitatea lor fiind puin dependent
de temperatur.
O alt diagram des folosit n descrierea proprietilor electrice ale
semiconductoarelor, mai ales n optoelectronic, este aa numita diagram E-k sau
energie-factor de und. Punctul de plecare pentru determinarea acestei diagrame l constituie
ecuaia lui Schrdinger, dup care dezvoltarea se poate realiza folosind unul din cele dou
modele puse la dispoziie de fizic i anume:
modelul electronului aproape liber i
modelul legturilor compacte.
Ambele modele sunt excelente unelte pedagogice ce ajut la nelegerea conceptelor
de electron i gol i cu ajutorul crora pot fi anticipate i analizate caracteristicile
dispozitivelor electronice. Rezultate teoretice furnizate de modelul electronului aproape liber
pentru cazul 1-d i 3-d pentru Si sunt prezentate n figura 2.4. Figura 2.4.b prezint
dependena E-k numai pentru dou direcii ale vectorului k: <111> i <100>, dar i aa
ilustreaz complexitatea acestei diagrame n cazul solidelor reale tridimensionale (3-d). n
conformitate cu conveniile fizicienilor energiile n punctele de nalt simetrie sunt notate cu
litere greceti la k = 0 i cu litere romane la k = (kx, ky, kz) 0.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

E'C

EC
EV

E[eV]

11

E[eV]
2'

E[eV]
x E'C

EC
EV

E'V

k= /a
a.

5
4
3
2
1,18
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12

L1

15

x1

25'

L3'
x4

<111> k=0 <100>0,85 1

b.

kmin

k
2/a

Figura 2.4. Diagrama E-k (energie-factor de und) pentru:


a) cazul 1-d (unidimensional); b) cazul 3-d (tridimensional).

Poziiile relative ale nivelelor energetice E C i E V n spaiul k au un efect esenial


asupra proprietilor optice ale solidelor. Astfel, n funcie de configuraia acestor nivele,
semiconductoarele se mpart n:
semiconductoare la care minimul nivelului E C i maximul nivelului E V sunt dispuse
n acelai punct al zonei Brillouin (n mod obinuit n punctul k = 0) ca GaAs, ZnS,
InP etc., cunoscute sub numele de semiconductoare "direct energy gap" sau "direct
band gap" sau semiconductoare cu benzi "aliniate";
semiconductoare la care minimul nivelului E C i maximul nivelului E V sunt situate la
k diferite ca Si, Ge, GaP etc., cunoscute sub numele de semiconductoare "indirect
energy gap" sau "indirect band gap" sau semiconductoare cu benzi "nealiniate";
Materialele semiconductoare folosite cu precdere n realizarea dispozitivelor i
circuitelor optoelectronice sunt cele "direct energy gap" ce prezint o eficien mai mare att
n generarea ct i n absorbia undelor luminoase.
n figura 2.5. sunt prezentate cteva diagrame E-k pentru materialele semiconductoare
cel mai des folosite n construcia dispozitivelor i circuitelor semiconductoare.

12

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Figura 2.5. Diagrame teoretice E-k pentru diverse materiale semiconductoare:


a) Si; b) Ge; c) GaAs; d) InP; e) GaSb; f) ZnS.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

13

2.2.3. Electroni i goluri n semiconductoare


n subcapitolul anterior am artat faptul c dac unui electron, prins ntr-o legtur
covalent, i se transfer o energie egal cu energia sa de activare, legtura covalent a
acestuia este rupt iar electronul este eliberat n spaiul reelei cristaline ce nu este ocupat de
ionii din ochiurile acesteia i de legturile covalente. Modul n care se descrie acest fenomen
cu ajutorul diagramei E-x este prezentat n continuare.
Un electron situat pe un anumit nivel energetic poate trece pe un nivel energetic
superior dac:
nivelul energetic superior este liber i
electronului i se transmite energia necesar saltului.
Saltul energetic n sens invers, de pe un nivel energetic superior pe unul inferior este
un proces natural, spontan, condiionat numai de existena unui nivel energetic inferior
neocupat.
Din cele expuse mai sus rezut faptul c pentru ca ntr-un corp solid s existe electroni

liberi, i deci acesta s permit fenomene de conducie, este necesar s existe cel puin o
band permis incomplet ocupat cu electroni.
Pentru semiconductoare, la temperaturi diferite de 0 o K , electronii ce primesc, de la
reea, energie egal sau mai mare dect energia de activare trec n banda de conducie
devenind electroni liberi sau electroni de conducie. n felul acesta apar dou benzi permise
parial ocupate cu electroni: banda de valen i banda de conducie. Locul rmas liber pe
nivelul energetic corespunztor din banda de valen poate fi ocupat de un alt electron dintr-o
alt legtur covalent. Ca urmare, la aplicarea unui cmp electric extern, prin semiconductor
pot circula cureni electrici datorit a dou mecanisme de conducie diferite, corespunztoare
celor dou benzi permise parial ocupate:
deplasarea dirijat a electronilor de conducie i
deplasarea dirijat a electronilor din legturile covalente spre locurile libere din
legturile covalente incomplete ce au furnizat electronii de conducie.

Conducia curentului electric prin aportul a dou benzi energetice este specific
semiconductoarelor.
Pentru descrierea fenomenelor macroscopice de conducie s-au dezvoltat modele ce
folosesc particule fictive. Astfel:
micarea electronului liber n banda de conducie este descris de o particul fictiv,
numit tot electron, ce are aceeai sarcin ca particula real (notat cu q ) i o mas
efectiv m ;
micarea electronului n banda de valen (electronul care se desprinde dintr-o
legtur covalent pentru a ocupa locul liber dintr-o alt legtur covalent rupt) este
descris de o alt particul fictiv numit gol, particul cu sarcin electric egal cu
cea a electronului (notat cu +q ) i cu masa efectiv m + .
n concluzie, n semiconductoare conducia curentului electric este asigurat de dou

tipuri de purttori de sarcin mobili, electronii i golurile.

14

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

2.3. Semiconductoare omogene la echilibru termodinamic


n acest subcapitol se prezint proprietile electronilor i golurilor att n
semiconductoarele pure ct i n cele impure. Pentru nceput ns se definete termenul de
omogen i se stablilesc aspecte fizice legate de termenul de echilibru termodinamic.
Un semiconductor este omogen cnd compoziia sa atomic este uniform distribuit n
spaiu, adic:
distana ntre atomii alturai ai reelei de baz este constant n cristalele pure,
unitatea structural a reelei se repet n ntregul cristal,
impuritile n semiconductor sunt uniform distribuite n ntregul cristal.
Prin impuriti uniform distribuite se nelege c acestea au concentraiile locale sau
macroscopice invariante funcie de poziia de observaie n solid.
n general, termenul de echilibru nseamn c proprietile aflate sub observaie nu se
modific n timp i deci transferul de energie este zero. n cazul nostru, ceea ce intereseaz
este echilibrul macroscopic (deci definit pentru valorile medii ale proprietilor de interes).
Acesta este un echilibru dinamic deoarece electronii i golurile se afl n continu micare.
Din punct de vedere operaional echilibrul macroscopic se mparte n:
echilibru electronic, ce se refer la echilibrul electrodinamic al electronilor i golurilor
i reprezint condiia ca ntre dou contacte conectate la solid curentul i tensiunea
msurate s fie zero;
echilibru atomic sau termodinamic al crui neles a fost prezentat ntr-o seciune
anterioar.
Din cele 4 aspecte ale echilibrului termodinamic se vor detalia numai dou: echilibrul
chimic i echilibrul termic.
Echilibrul chimic const n absena unui flux net de particule prin material i a
reaciilor ntre diferitele tipuri de particule atomice neutre. Aceasta se traduce n termeni
matematici n invariaia concentraiei de particule, notat generic cu c, att n timp ct i cu
direcia de observaie, adic:
c = 0
t

c = 0

(sau c = 0 pentru cazul unidimensional)


x

(2.1)

Echilibrul termic const n pstrarea unei temperaturi uniforme i constante n tot


volumul materialului, deci a unui transfer nul de cldur. Transferul de cldur se realizeaz
prin propagarea undelor de vibraie atomic produse de oscilaia aleatoare a atomilor reelei n
jurul poziiei lor de referin din unitatea structural. Acestor unde de vibraie le sunt asociate
particule numite fononi (n mod similar cu asocierea fotonilor cu undele de energie
electromagnetic). Temperatura reelei descrie cantitativ energia cinetic medie de vibraie a
atomilor reelei. Astfel, ntr-un semiconductor pur condiia de echilibru termic este definit
cantitativ ca egalitatea ntre energia cinetic medie a elecronilor i ionilor reelei:

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Ee = Ei

Ee = 3 k Te

k
TR
3

ER =
2

Te = TR

15

(2.2)

n care k reprezint constanta lui Boltzmann, T e reprezint temperatura electronilor iar T R


temperatura ionilor reelei sau temperatura reelei.
Echilibrul termic ntre dou sau mai multe tipuri de particule ntr-un semiconductor
pur sau impur se exprim astfel:

T R = T n = T p = T D = T A = ...

(2.3)

n care T n reprezint temperatura electronilor, T p este temperatura golurilor, T D este


temperatura ionilor de impuritate provenii din atomi ce au o valen superioar atomilor
reelei de baz numii atomi donori i T A este temperatura ionilor de impuritate provenii din
atomi ce au o valen inferioar atomilor reelei de baz numii atomi acceptori.

2.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci)


Un semiconductor pur este un semiconductor ce nu prezint n nodurile reelei
cristaline atomi de impuritate i nu prezint defecte cristaline. Semiconductoarele pure poart
denumirea de semiconductoare intrinseci. Aa cum am artat n seciunile anterioare la
temperaturi sczute foarte puine legturi covalente sunt rupte deoarece energia termic de
vibraie a atomilor reelei este mic. Astfel, foarte puini electroni i, respectiv, foarte puine
goluri se vor gsi n banda de conducie, respectiv n banda de valen, explicnd
conductivitatea redus a semiconductoarelor la temperaturi mici. Pe msur ce temperatura
crete, crete i energia de vibraie a reelei, iar o parte din aceast energie este transmis
elecronilor prini n legturile covalente. Electronii ce primesc o energie egal sau mai mare
ca energia de activare prsesc legturile covalente, aceast rupere a legturilor covalente
fiind echivalent cu generarea de electroni n banda de conducie i goluri n banda de
valen. Electronii i golurile generate pe aceast cale se numesc electroni i goluri intrinseci
i sunt responsabili de conductivitatea intrinsec a semiconductoarelor.
Datorit faptului c prin ruperea unei legturi se formeaz o pereche de particule
fictive electron-gol, concentraiile acestora n semiconductoarele intrinseci vor fi egale.
Notaiile standard pentru aceste concentraii sunt:
n [numr/cm3] pentru concentraia electronilor i
p [numr/cm3] pentru concentraia golurilor,
iar valoarea lor comun pentru semiconductoarele intrinseci se numete concentraie
intrinsec i se noteaz cu n i . Se poate deci scrie:

n = p = ni

(2.4)

Concentraia intrinsec depinde puternic de temperatur i de lrgimea benzii interzise


E G . La 300 o K concentraia intrinsec n i este n jur de 1, 4 10 10 cm 3 pentru siliciu i n jur
de 2 10 13 pentru germaniu.

16

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

2.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci)


Materialele semiconductoare reale difer de semiconductoarele intrinseci tocmai prin
puritatea chimic limitat i prin prezena unor defecte ale reelei cristaline. Prezena
impuritilor n concentraii controlabile i omogene n semiconductor este benefic deoarece
realizarea dispozitivelor electronice impune obinerea unor semiconductoare fie cu exces de
electroni, fie cu exces de goluri. Acest lucru se realizeaz prin procedee de impurificare
controlat ca:
dopare cu impuriti pe durata procesului de cretere a cristalului semiconductor;
difuzia impuritilor ntr-un cristal pur la temperaturi nalte;
implantarea ionilor de impuritate n straturile de suprafa ale unui cristal;
doparea cu impuriti pe parcursul creterii epitaxiale a unui cristal;
alierea cu un metal ce prezint valena necesar sau un metal ce conine impuritile
corespunztoare.
Controlul precis al concentraiei impuritilor este foarte important deoarece aceasta
influeneaz att mrimea conductivitii semiconductorului ct i tipul de conductibilitate al
acestuia. Dac datorit dopajului n semiconductor avem exces de electroni, adic n > p ,
coductivitatea semiconductorului este de tip n (conducia curentului electric este asigurat n
principal de electroni), iar semiconductorul poart numele de semiconductor extrinsec de tip
n. Dac ns, semiconductorul este dopat astfel nct s avem exces de goluri, adic p > n ,
conductivitatea semiconductorului este de tip p (conducia curentului electric este asigurat n
principal de goluri), iar semiconductorul se numete extrinsec de tip p.
Un atom de impuritate se poate plasa:
fie ntr-un nod al reelei cristaline, nlocuind un atom al reelei de baz, caz n care se
numete impuritate de substituie,
fie n spaiul dintre atomii din nodurile reelei de baz, caz n care se numete
impuritate interstiial.
Impuritile interstiiale au un efect redus asupra proprietilor electrice ale
semiconductorului.
Impuritile de substituie sunt cele ce dau att tipul ct i valoarea conductivitii
semiconductorului. Exist dou tipuri principale de astfel de impuriti: impuriti donoare i
impuriti acceptoare. n figura 2.6, pe sistemul periodic parial, sunt sintetizate posibilitile
diverselor elemente de a se constitui n impuriti de substituie donoare sau acceptoare, n
raport cu semiconductoarele elementare.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

17

Impuritile donoare i acceptoare n


semiconductoarele elementare
I

II

III

IV

VI

VII

Li*

Be*

Na* Mg*

Al

Si

Cl

Cu

Zn

Ga

Ge

As

Se

Br

Ag

Cd

In

Sn

Sb

Te

Au

Hg

Tl

Pb

Bi

Po

At

Acceptor triplu

Donor triplu

Acceptor dublu

Donor dublu

Acceptor simplu

Donor simplu

* Impuriti interstiiale

Atomii reelei de baz


i
Captori izoelectronici

Figura 2.6. Impuritile de substituie i captorii izoelectrici


n semiconductoarele elementare.

Se numesc impuriti de substituie donoare (sau donori) impuritile ce prezint o


valen superioar celei a atomilor reelei de baz. n funcie de diferena ntre valena
donorilor i cea a atomilor reelei de baz, donorii pot fi simpli, dubli i tripli. Aceast
diferen caracterizeaz capacitatea donorilor de a furniza electroni de conducie fr ruperea
unor legturi covalente, deci fr generarea simultan de goluri, caz n care avem n > p , iar
semiconductorul obinut prin impurificare cu donori este extrinsec de tip n. Pentru a explica
aceast proprietate a donorilor se consider cazul siliciului care pentru obinerea unei
conductiviti de tip n se dopeaz cu elemente din coloana a V-a a sistemului periodic (P, As,
Sb i Bi), ce sunt pentavalente (au cinci electroni de valen). Atomul donor va avea deci 4
electroni de valen prini n legturi covalente cu atomii vecini ai reelei de baz i un
electron de valen neprins ntr-o legtur covalent (figura 2.7.b). Energia de activare
necesar acestui electron, n exces fa de cei necesari formrii legturilor covalente cu atomii
reelei de baz, este mult mai mic dect a electronilor prini n legturile covalente (deoarece
acesta se gsete pe un nivel energetic superior). Modul n care un donor modific local
diagamele energetice E-x i E-k este ilustrat n figura 2.8.a. Energia de activare
corespunztoare electronului n exces este definit de relaia:
E 1 =E C E D 44 meV (pentru P)

(2.5)

i are o valoare mult mai mic ca E G dar apropiat de cea a energiei de vibraie a atomilor
reelei de baz la temperatura camerei (E i = (3/2) k T 39 meV la T = 300 o K).

18

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Dac electronului n exces i se transfer energia necesar activrii pe cale termic,

optic sau prin impact, acesta devine electron de conducie fr ns a se genera i un gol n
banda de valen ca n cazul ruperii unei legturi covalente (figura 2.7.a), iar donorul devine
ion pozitiv de sarcin +q . n cazul n care nivelul energetic E D este ocupat de un electron, se
spune c impuritatea donoare este deionizat sau neutr, iar electronul respectiv se numete
electron capturat (figura 2.7.a).
Se numesc impuriti de substituie acceptoare (sau acceptori) impuritile ce prezint
o valen inferioar celei a atomilor reelei de baz. n funcie de diferena ntre valena
atomilor reelei de baz i cea a acceptorilor, acceptorii pot fi simpli, dubli i tripli. Similar,
aceast diferen caracterizeaz capacitatea acceptorilor de a furniza goluri n banda de
valen fr ruperea unor legturi covalente, deci fr generarea simultan de electroni, caz n
care p > n , iar semiconductorul impurificat cu acceptori este extrinsec de tip p. Pentru a
explica aceast proprietate a acceptorilor se consider din nou cazul siliciului care pentru
obinerea unei conductibiliti de tip p se dopeaz cu elemente din coloana a III-a a sistemului
periodic (B, Al, Ga, In i Tl), ce sunt trivalente (au trei electroni de valen). Atomul acceptor
va avea deci cei 3 electroni de valen prini n legturi covalente cu atomii reelei de baz i
o legtur covalent a unui atom al reelei de baz rmne nesatisfcut (figura 2.7.d).
Energia de activare necesar unui electron prins ntr-o legtur covalent pentru ocuparea
locului liber din legtura covalent nesatisfcut de impuritatea acceptoare este mult mai mic
dect cea de trecere n banda de conducie. Modul n care un acceptor modific local
diagramele energetice E-x i E-k este ilustrat n figura 2.8.b, c.
Energia de activare corespunztoare electronului este definit de relaia:
E 1 =E A E V 45 meV (pentru B)

(2.6)

i are o valoare mult mai mic ca E G dar, aa cum am artat mai sus, apropiat de cea a
energiei de vibraie a atomilor reelei de baz la temperatura camerei.
Dac unui electron prins ntr-o legtur covalent i se transfer energia E 1 prin unul
din mecanismele amintite anterior, acesta va ocupa nivelul energetic E A genernd astfel un
gol fr ns a genera i un electron n banda de conducie (figura 2.7.c), iar impuritatea
acceptoare creia i aparine nivelul energetic devine ion negativ de sarcin q . n cazul n
care nivelul energetic este ocupat de un gol, se spune c impuritatea donoare este deionizat
sau neutr, iar golul respectiv se numete gol capturat (figura 2.7.c).
Impuritile de substituie ce au aceeai valen ca atomii reelei de baz se numesc
captori izoelectronici.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

19

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+5

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+5

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

a.

b.

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

c.

d.

Figura 2.7. Modelul legturilor chimice pentru Si dopat cu:


impuriti donoare a) ionizate, b) neutre i impuriti acceptoare c) ionizate, d) neutre.

20

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

E
EC
ED

EC

44meV

x
EV

a.

ED

ED

EV
E

EC

EC
b.

x
EV

EA

EV

EA

EA

45meV
E

EC

EC
c.

x
EV

EA

EV

EA

EA

45meV

Figura 2.8. Diagramele benzilor energetice E-x i E-k pentru Si impurificat cu:
a) atomi donori (stnga-donorul a ionizat, dreapta-donor neutru);
b) i c) atomi acceptori (stnga-donorul a ionizat, dreapta-donor neutru).

2.3.3. Concentraiile electronilor i golurilor la echilibru termic


Aa cum am artat n seciunea 2.3.1 n semiconductoarele intrinseci concentraiile
celor dou tipuri de purttori de sarcin, electroni i goluri, sunt egale iar valoarea lor comun
se numete concentraie intrinsec, n i . Pentru determinarea acestei concentraii la echilibru
termic se utilizeaz dou concepte:
probabilitatea ca un nivel energetic E s fie ocupat de un electron sau funcia statistic
de distribuie Fermi-Dirac i
densitatea nivelelor energetice relativ la unitatea de energie dE i unitatea de volum,
D(E).
Conform statisticii Fermi-Dirac probabilitatea ca un electron s ocupe un nivel
energetic E la echilibru termic este:

f (E) =

1
E EF
1 + exp
kT

unde E F este energia (sau nivelul) Fermi, definit ca energia la care f (E F ) = 1/2.

(2.7)

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

21

Mrimea energiei Fermi depinde de temperatur i de modul de dopare a


semiconductorului. La echilibru termic nivelul Fermi este constant n tot volumul
semiconductorului. Funcia de distribuie Fermi-Dirac dat de relaia (2.7) este prezentat n
figura 2.9.
o

f(E)

T=0 K

1
T2
T2 >T1

T1

0,5
E

Figura 2.9. Funcia de distribuie Fermi-Dirac.

Funcia de distribuie, ce caracterizeaz probabilitatea ca un nivel energetic E s fie


ocupat de un gol, conform statisticii Fermi-Dirac este:

g = 1 f (E)

(2.8)

n concordan cu cele prezentate mai sus concentraia electronilor n banda de


conducie este:

n 0 = E f (E) D (E) dE = N C exp


EC
C

EC EF
,
kT

(2.9)

iar concentraia golurilor n banda de valen este:

p 0 = E [1 f (E)] D (E) dE = N V exp


EV
V

EF EV
kT

(2.10)

n care N C i, respectiv, N V reprezint densitile efective ale nivelelor energetice din


unitatea de volum din banda de conducie, respectiv din banda de valen, introduse prima
dat de Shockley, i care depind de temperatur n conformitate cu relaiile:
3/2
N C = const 1 T [cm 3 ]
300
3/2
N = const T [cm 3 ]

(2.11)

300

Folosind relaiile (2.4), (2.9) i (2.10) se obine expresia concentraiei intrinseci pentru
semiconductoarele pure:
EC EV
EG
=
= N C N V exp

kT
2 k T
3/2
EG
= const T exp
300
2kT

n i = n 0 p 0 = N C N V exp

(2.12)

22

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Din relaiile (2.4), (2.9) i (2.12) se obine relaia analitic a energiei nivelului Fermi
pentru semiconductoare intrinseci, notat cu E Fi :
E + EV k T
N
E Fi = C
+
ln C
(2.13)
2
2
NV
Relaiile (2.9) i (2.10) au fost determinate att pentru semiconductoare pure ct i
pentru semiconductoare impure. De aceea, putem afirma c la echilibru termic produsul

concentraiilor celor dou tipuri de purttori de sarcin este egal cu ptratul concentraiei
intrinseci indiferent de tipul semiconductorului (pur sau impur):
n 0 p 0 = N C N V exp

EG
= n 2i

kT

(2.14)

Folosind relaiile anterioare se pot exprima concentraiile purttorilor de sarcin la


echilibru termic pentru semiconductoare extrinseci n funcie de mrimile n i i E Fi :

E F E Fi
n 0 = n i exp k T

p 0 = n i exp E Fi E F
kT

(2.15)

Pentru a stabili relaiile analitice ale concentraiilor electronilor i golurilor funcie de


concentraiile impuritilor donoare, N D , i acceptoare, N A , se pleac de la condiia de
neutralitate a semiconductorului la echilibru termic, exprimat prin relaia:
V = p 0 n 0 + N D N A = 0

(2.16)

n care V reprezint densitatea de sarcin de volum ([C/cm3]), iar N D i N A reprezint


concentraiile ionilor de impuritate pozitivi, respectiv negativi, la temperatura considerat.
Folosind relaia (2.14) sub forma:

n2
p 0 = n i0

(2.17)

i nlocuind-o n relaia (2.16) se determin concentraiile de electroni i goluri la echilibru


termic n semiconductoarele extrinseci:
de tip n

n 0 = 1 N D N A + (N D N A ) 2 + 4 n 2i
2

n 2i
p0 = n0

(2.18)

de tip p

p 0 = 1 N A N D + (N A N D ) 2 + 4 n 2i
2

n 2i
n0 = p0

(2.19)

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

23

Un semiconductor i pstreaz caracterul extrinsec att timp ct este ndeplinit


relaia:
pentru semiconductoare de tip n

N D N A 10 n i ( 10 11 cm 3 pentru Si la T = 300 o K)

(2.20)

pentru semiconductoare de tip p

N A N D 10 n i ( 10 11 cm 3 pentru Si la T = 300 o K)

(2.21)

n semiconductoarele impure exist dou surse de purttori de sarcin:


o surs intrinsec, reprezentat de ruperea legturilor covalente, i
o surs extrinsec, reprezentat de ionizarea impuritilor semiconductorului.
Raportul dintre concentraiile purttorilor de sarcin generai intrinsec i extrinsec (n
conformitate cu relaiile 2.20 i 2.21) d caracterul semiconductorului: intrinsec sau extrinsec.
Aa cum am artat n seciunile precedente pe msur ce temperatura
semiconductorului crete, energia de vibraie a reelei crete i n consecin tot mai multe
legturi covalente se rup i impuriti ionizeaz. La o anumit temperatur toate impuritile
vor fi ionizate i concentraia purttorilor de sarcin generai pe cale extrinsec va rmne
aproximativ constant chiar dac temperatura va crete peste acest valoare. n schimb,
concentraia purttorilor de sarcin generai pe cale intrinsec va crete, astfel nct la o
anumit temperatur, numit temperatur intrinsec T i , semiconductorul i va pierde
caracterul extrinsec. Temperatura intrinsec este un parametru foarte important pentru
materialele semiconductoare i, implicit pentru dispozitivele semiconductoare, fiind definit
de relaia:
10 (N D N A ) cand N D > N A

10 (N A N D ) cand N A > N D

n i (T i ) =

(2.22)

Pentru nivele de impurificare a semiconductorului mai mici de 10 18 cm 3 i n


condiiile ndeplinirii relaiei (2.20) sau (2.21), n funcie de tipul semiconductorului,
concentraiile purttorilor de sarcin devin:
semiconductor extrinsec de tip n

n 0 = 1 N D N A + (N D N A ) 2 + 4 n 2i
2
n2
n 2i
p 0 = n i0
ND NA

N N N N la T = 300 o K
D
A
D
A

(2.23)

semiconductor extrinsec de tip p

p 0 = 1 N A N D + (N A N D ) 2 + 4 n 2i N A N D N A N D la T = 300 o K
2

n2
n 2i
n 0 = p i0
NA ND

(2.24)

24

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

La nivele ridicate ale concentraiilor purttorilor de sarcin i la nivele ridicate de


dopare cu impuriti (> 10 18 cm 3 ) apar fenomene ce modific relaiile de determinare a
concentraiilor purttorilor de sarcin prezentate anterior.
Astfel, cnd concentraiile purttorilor de sarcin devin mai mari ca 0.1 N C , respectiv
0.1 N V , caz n care semiconductoarele se numesc degenerate, relaiile (2.9) i (2.10) i
nceteaz valabilitatea, iar concentraiile electronilor i golurilor ntr-un semiconductor sunt
date de relaiile:
EF EC
C
kT
EV
E EF
p 0 = E [1 f (E)] D (E) dE = N V F 1/2 V
kT
V

n 0 = E f (E) D (E) dE = N C F 1/2


EC

(2.25)

n care F 1/2 () reprezint integrala Fermi-Dirac de ordin 1/2 definit, de exemplu, pentru
banda de conducie, prin:

F 1/2 () = 2 0

E EC
=
kT

d
1 + exp ( )

(2.26)

n acest caz produsul concentraiilor purttorilor de sarcin este diferit de ptratul


concentraiei intrinseci:

n 0 p 0 = N C N V F 1/2

EF EC
E EF
E
F 1/2 V
< N C N V exp G = n 2i (2.27)

kT
kT
kT

i nu mai este independent de concentraiile purttorilor.

La nivele ridicate de dopare cu impuriti apar dou fenomene ce i pun amprenta


asupra expresiilor de calcul ale concentraiilor de purttori de sarcin n acest caz:
deionizarea impuritilor i
apariia unei benzi energetice a impuritilor n interiorul benzii interzise.
Astfel, datorit apariiei acestei benzi energetice a impuritilor, crete probabilitatea
ocuprii nivelelor intermediare cu purttori de sarcin. n consecin relaiile vehiculate
anterior, i anume N D N D , respectiv N A N A , nu mai sunt valabile la temperatura
T = 300 o K . Acestea vor fi nlocuite cu relaiile:
N D = (1 f D ) N D
(2.28)

N A = (1 f A ) N A
n care f D i f A sunt factorii de ocupare (probabilitile de ocupare) cu purttori de sarcin a
nivelelor energetice corespunztoare impuritilor, date de relaiile:
1
f =
D
E EF
1
1 + g D exp D

kT

1
f A =
E EA

1 + g1 exp F
A
kT

unde g A i g D sunt factorii de degenerare corespunztori impuritilor folosite.

(2.29)

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

25

La neechilibru, nici una din relaiile prezentate n aceast seciune nu mai este
valabil. Totui, pentru a se pstra formalismul relaiilor (2.15) Shockley a introdus dou
nivele energetice fictive (de calcul), numite cvasinivele Fermi, ce au valori diferite pentru
electroni i goluri i variaz n interiorul semiconductorului. Astfel concentraiile purttorilor
de sarcin la neechilibru sunt date de relaiile:

E Fn E Fi
n = n i exp k T

E E Fp
p = n i exp Fi

kT

(2.30)

2.4. Fenomenele de generare, recombinare, captur i efect tunel ale


purttorilor de sarcin
Aa cum am artat n seciunile anterioare electronii i modific permanent starea
energetic. Generarea reprezint fenomenele de trecere dintr-o stare energetic n alta a
purttorilor de sarcin prin care electronii ajung n banda de conducie (generarea de
electroni) iar golurile n banda de valen (generare de goluri). Prin recombinare se definesc
fenomenele de schimbare a strii energetice a purttorilor de sarcin prin care dispar
electronii din banda de conducie i golurile din banda de valen. Fenomenele de captur
reprezint att fenomenele de deionizare a impuritilor din semiconductor ct i de trecere a
purttorilor de sarcin pe un nivel energetic corespunztor unui defect al reelei cristaline.
Efectul tunel reprezint fenomenul de trecere a purttorilor de sarcin printr-o barier de
potenial.
Majoritatea acestor fenomene implic schimbarea energiei purttorilor de sarcin i,
de aceea, se numesc inelastice. Exist ns i mecanisme (efectul de tunel elastic) n care
energia purttorilor de sarcin nu variaz, mecanisme cunoscute sub numele de elastice.
Mecanismele de schimb energetic n procesele inelastice pot fi: termice, optice, de impact
Auger i colective. De asemenea n aceste procese conteaz mult i variaiile impulsurilor
purttorilor de sarcin.
Tranziiile purttorilor de sarcin n aceste fenomene pot fi:
tranziii band-band sau interband sau directe ce nseamn trecerea direct a
purttorilor de sarcin ntre banda de valen i banda de conducie (recombinrile i
generrile interband a perechilor de electroni i de goluri),
tranziii indirecte sau tranziii band - nivel intermediar - band (recombinri i
generri indirecte datorate fenomenelor de emisie i de captur a purttorilor de
sarcin de impuriti sau de defectele cristaline),
tranziii ntre nivele intermediare sau tranziii internivel.
Simbolurile IEEE referitoare la fenomenele enunate mai sus sunt:
ratele de desfurare a mecanismelor, n sensul numrului de particule care se
genereaz/recombin/captureaz/emit n unitatea de volum i n unitatea de timp, se

26

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

noteaz cu: g-viteza de generare, r-viteza de recombinare, c-viteza de captur i


e-viteza de emisie a purttorilor de sarcin de pe nivelele intermediare (centre de
captur);
particularizarea acestor viteze pentru cazul electronilor sau golurilor se realizeaz prin
folosirea indicilor n, pentru electroni, i p, pentru goluri (de exemplu: gn-viteza de
generare a electronilor);
indicarea mecanismelor energetice implicate n desfsurarea fenomenelor se
realizeaz prin scrierea n partea superioar a simbolului pentru viteza fenomenului de
interes a literei ce simbolizeaz mecanismul: t-termic, o-optic, i n sau p, n funcie de
particula de impact, pentru impact Auger.

Procesele interband de generare/recombinare pe cale termic a purttorilor de sarcin


sunt cele ce determin concentraiile intrinseci n i , corespunztoare echilibrului termic, n
semiconductoarele pure (intrinseci). n aceste procese electronii i golurile apar i dispar n
perechi, deci:

g nt ,i = g pt ,i
r nt ,i = r pt ,i

(2.31)

Energia necesar trecerii electronilor n banda de conducie (deci generrii de electroni


i goluri) este preluat de la reea, iar energia rezultat n urma recombinrii este cedat
reelei sub form de cdur. Aceste procese sunt descrise pe diagramele energetice E-x i E-k
n figura 2.10. Ratele de desfurare a proceselor de generare g nt ,i = g pt ,i n cazul siliciului sunt
foarte mici deoarece pentru fiecare tranziie este necesar aciunea simultan a mai mult de 20
de fononi (energia unui fonon este de aproximativ 60 meV n comparaie cu nlimea
energetic a benzii interzise a Si de 1, 2 eV ).
Timpul mediu de via pe care un electron l petrece n banda de conducie nainte de a
se recombina cu un gol se numete timp de via al electronilor i se noteaz cu n 0 . n mod
analog, timpul de via al golurilor, p 0 , reprezint timpul mediu ct exist un gol n banda de
valen. innd seama de modul n care s-au definit concentraiile purttorilor de sarcin i
vitezele de recombinare, se pot scrie relaiile:

n
r nt ,i = n00
p
r pt ,i = p00

[m 3 s 1 ]

a.

(2.32)

E
k

EC
EV

Emisie
fononi

b.
Absorbie
fononi

Emisie
fononi

Absorbie
fononi

Figura 2.10. Procesele interband de generare/recombinare pe cale termic


reprezentate pe diagramele: a) E-x, b) E-k.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

27

Procesele interband de generare/recombinare pe cale optic sunt cunoscute sub


denumirea de absorbia optic interband sau intrinsec i, respectiv, recombinarea radiativ
interband sau intrinsec. Absorbia intrinsec const n ruperea unei legturi covalente prin
preluarea energiei de activare de la un foton. Procesul invers este recombinarea radiativ
intrinsec n care energia rezultat n urma acestui proces este eliberat sub forma unui foton.
i n aceste procese electronii i golurile apar i dispar n perechi, deci:

g no,i = g po,i
r no,i = r po,i

(2.33)

Aa cum artat n seciunea introductiv eficiena optic a unui material este dictat de
poziiile relative ale nivelelor energetice E C i E V n spaiul k deoarece n cazul
interaciunilor dintre radiaiile electromagnetice i purttorii mobili de sarcin din
semiconductor acioneaz att legea conservrii energiei ct i legea conservrii impulsului,
adic:
~

k f =h k o = h k f h k i

(2.34)

unde po i ko reprezint impulsul i factorul de und al fotonului, iar kf, respectiv ki, reprezint
factorul de und iniial, respectiv final al purttorului mobil de sarcin.
La materialele semiconductoare cu benzi aliniate, deoarece extremele benzilor de
valen i de conducie sunt situate la acelai punct n spaiul k, k = kf ki = 0 i deci
eficiena optic este mare.
Siliciul i germaniul sunt materiale semiconductoare cu benzi nealiniate, la care pe
lng schimbarea energiei purttorilor de sarcinmobili se schimb i impulsul acestora
deoarece minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen se afl, pe diagrama E-k,
la k diferii, deci k 0 . Aceast variaie a impulsului purttorilor de sarcin cu greu poate fi
preluat sau cedat de un foton, explicndu-se astfel valoarea redus a ratelor de
generare/recombinare intrerband pe cale optic.
Aceste raionamente sunt ilustrate n figura 2.11 pentru cazul recombinrilor radiative
a purttorilor de sarcin. Astfel, pentru siliciu, impulsul pe care l-ar putea prelua un foton ar
fi:

po = h =

h
h c
EG

= 4 10 11 eVscm 1

(2.35)

iar schimbarea impulsului unui electron este


~

p =h k = h 2 a = 4 10 7 eVscm 1 >> po.

(2.36)

Pentru ca recombinrile radiative interband s aib loc este necesar o alt particul
care s preia acest impuls al electronului. De regul, aa cum este indicat i n figura 2.11,
aceast particul este un fonon.

28

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Kelectron

x
EC

Emisia unui
fonon
Emisia unui
foton

EV
a.

EC

x
Emisia unui
foton

EV
b.

Figura 2.11. Procesele interband de generare/recombinare pe cale optic reprezentate


pe diagramele E-x i E-k pentru semiconductoare cu benzi:
a) nealiniate, b) aliniate.

Procesele interband de generare/recombinare prin impact/efect Auger sunt specifice


att semiconductoarelor crora li se aplic un cmp electric intens (jonciunilor p-n polarizate
invers), ct i semiconductoarelor puternic dopate i implic intervenia unei particule,
electron sau gol, care s cedeze, respectiv s preia, energia corespunztoare tranziiei. Aceste
procese au fost modelate de Shockley, iar modelul dezvoltat se numete modelul balistic.
Deoarece n urma acestor procese electronii i golurile apar i dispar n perechi avem:

g nn,im = g np.im
p
p
g n,im = g p.im
r nn,A = r pn.A
p
p
r n,A = r p.A

(2.37)

Tranziiile termice indirecte de generare/recombinare/captur au fost studiate i


modelate analitic de Shockley, Reed i Hall. Impuritile i defectele reelei cristaline joac
un rol important n aceste procese. n funcie de poziia n sistemul periodic, acestea introduc
nivele energetice suplimentare n interiorul benzii interzise situate fie n imediata vecintate a
marginilor benzilor de conducie sau de valen (nivele superficiale introduc impuritile
clasice pentru Si: B, Al, P, As, etc.), fie aproape de mijlocul benzii interzise (nivele profunde
introduce Au n Si). Nivelele profunde sunt centre de generare-recombinare mai eficiente
dect cele superficiale. Nivelele intermediare pot fi implicate n urmtoarele procese:
recombinarea unui electron cu un gol se petrece cnd capturarea unui electron (figura
2.12.b) este urmat de capturarea unui gol (figura 2.12.c), caz n care impuritatea sau
defectul ce a introdus nivelul respectiv poart numele de centru de recombinare
electron-gol;
generarea unei perechi electron-gol se petrece cnd emisia unui electron (figura
2.12.a) este urmat de emisia unui gol (figura 2.12.d);
capturarea unui electron;
capturarea unui gol.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

29

E
x

a . b.

c.

d.

Figura 2.12. Cele patru procese de tranziie indirecte caracteristice majoritii


semiconductoarelor impure.

n funcie de aceste procese, impuritile i defectele reelei cristaline se pot clasifica


n: centre de recombinare electron-gol, centre de generare electron-gol, centre de captur a
electronilor i centre de captur a golurilor.
Tranziiile termice indirecte de generare/recombinare electron-gol sunt descrise
satisfctor de modelul SRH (de la numele autorilor: Shockley, Read i Hall). Conform
acestui model vitezele nete de recombinare corespunztoare celor dou tipuri de purttori de
sarcin sunt date de relaiile:

R n,SHR = R p,SHR = U =

p n n 2i
n 0 (p + p t ) + p 0 (n + n t )

R n,SHR = r n,SHR g n,SHR


R p,SHR = r p,SHR g p,SHR

(2.38)

n care n 0 i p 0 sunt dou constante ce reprezint timpii medii de via ai electronilor,


respectiv golurilor, iar n t i p t reprezint concentraii fictive de electroni, respectiv goluri
pentru un semiconductor n care nivelul Fermi se suprapune peste nivelul energetic
suplimentar (E F = E t ).
Din relaia (2.37) se desprind urmtoarele concluzii:
la echilibru termic (n p = n 2i ) viteza net de recombinare este nul;
la neechilibru, n condiii de exces de purttori de sarcin (n p > n 2i ) viteza net de
recombinare este pozitiv (U > 0 ), deci predomin recombinarea;
la neechilibru, n condiii de lips de purttori de sarcin (n p < n 2i ) viteza net de
recombinare este negativ (U < 0 ), deci predomin generarea.
Ca atare, se poate concluziona c un semiconductor aflat la neechilibru i dezvolt
mecanisme care tind s-l readuc la echilibru.
Pe baza acestor observaii pentru vitezele nete de recombinare s-au dezvoltat
formalisme mai simple i anume:
nn
Rn = n 0
(2.39)
pp
Rp = p 0
n care n i p se numesc timpi de via ai purttorilor de sarcin n exces fa de situaia de
echilibru termic. Aceti timpi de via reprezint o caracteristic important a unui
semiconductor i au valori de ordinul (10 3 10 9 ) s.

30

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Tranziiile optice indirecte de generare/recombinare/captur au fost de asemenea


studiate i modelate analitic de Shockley, Reed i Hall, iar modelul prezentat anterior (SRH)
este aplicabil i acestor fenomene.

Tranziiile indirecte de captur Auger, respectiv emisie prin impact implic prezena
unui purttor de sarcin care s preia energia de captur corespunztoare trecerii unui purttor
de sarcin pe nivelul intermediar, respectiv s cedeze energia de emisie necesar eliberrii
unui purttor de sarcin de pe nivelul intermediar. Exist 8 posibiliti de astfel de tranziii ce
sunt ilustrate n figura 2.13.

a.

b. c. d.

e. f.

g.

h.

Figura 2.13. Tranziiile indirecte de captur Auger, respectiv emisie prin impact.

Procesele de efect de tunel elastice prin tranziii interband, indirecte i internivel sunt
ilustrate n figura 2.14. Trebuie subliniat faptul c variaia de energie a purttorilor de sarcin
implicai n aceste procese este nul. Aceste mecanisme prezint importan n funcionarea
memoriilor EPROM i sunt principalele mecanisme implicate n mbtrnirea i defectarea
tranzistoarelor submicronice MOS din Si.
E
x
E C2
EV2

EC1
EV1
a.

E C2
EV2

EC1
EV1
b.

Figura 2.14. Procesele de efect de tunel elastice prin tranziii:


a) interband, b) indirecte.

Procesele de efect tunel inelastice necesit prezena unei a treia particule care s preia
sau s doneze energia necesar acestora i de aceea ratele de desfurare corespunztoare
acestora sunt mai mici ca cele corespunztoare tranziiilor elastice prin efect tunel. n total
sunt 9 astfel de mecanisme, dar n figura 2.15 sunt ilustrate cele mai importante dintre
acestea.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

31

Fonon
Foton

EC1

Fonon

EC2

E C1

EV2

E V1

E C2
EV2

EV1

EC1
EV1

b.

a.

EC2
EV2

c.

Figura 2.15. Procesele interband de efect tunel inelastice:


a) termice, b) optice, c) impact Auger.

Tranziiile cu mecanism energetic colectiv se refer la tranziiile interband, indirecte


sau internivel la care energia necesar procesului, respectiv energia rezultat n urma
procesului, este furnizat, respectiv preluat, de aa numitele unde energetice colective
corespunztoare ansamblului electronilor de valen din solid. Undele energetice colective
sunt i ele cuantizate, iar cuanta de energie este cunoscut sub denumirea de plasmon (i este
n gama de 4 eV30 eV ).

2.5. Mecanismele de transport corespunztoare purttorilor de sarcin


n semiconductor
ntr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii i golurile sufer
doar o micare de agitaie termic ce are un caracter haotic i este nsoit de ciocniri cu
reeaua. Aceast situaie duce la absena curenilor electrici macroscopici de conducie
(cureni medii nuli).
Starea de echilibru a unui semiconductor poate fi perturbat prin expunerea acestuia la
un agent fizic extern: cmpuri electrice, magnetice i electromagnetice, fluxuri de particule
etc. n funcie de micarea purttorilor de sarcin, mecanismele de transport la neechilibru se
pot clasifica n urmtoarele categorii fundamentale:
drift - deplasarea purttorilor de sarcin sub aciunea unui cmp electric;
difuzie - deplasarea purttorilor de sarcin este determinat de gradienii
concentraiilor purttorilor de sarcin;
generarea - recombinarea purttorilor de sarcin;
capturarea
captu
rarea - emisia purttorilor de sarcin;
efectul tunel.
Curentul de drift (sau de cmp) predomin n tranzistoarele unipolare, iar curentul de
difuzie n tranzistoarele bipolare i n jonciunile p-n. G enerarea, recombinarea, capturarea,
GRCT)
emisia i efectul de tunel (GRCT
GRCT cauzeaz curenii de pierdere n jonciunile p-n, n

32

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

tranzistoarele bipolare i sunt responsabile de instabilitatea, mbtrnirea i strpungerea


dispozitivelor electronice. Deoarece n seciunea anterioar au fost prezentate mecanismele
GRCT,
GRCT n acest subcapitol se vor analiza doar mecanismele de drift i de difuzie mpreun cu
modelarea matematic a acestora.

2.5.1. Micarea purttorilor de sarcin sub aciunea cmpului electric


(drift)
n prezena cmpului electric purttorii de sarcin i pstreaz micarea haotic
datorat ciocnirilor cu atomii reelei de baz i cu cei de impuritate, dar se deplaseaz i n
direcia cmpului. Deplasarea n sensul cmpului are loc datorit faptului c n intervalul ntre
dou ciocniri apare o cretere a componentei de vitez orientat n sensul cmpului. Acest
efect de antrenare a purttorilor de sarcin n sensul cmpului electric se numete drift.
Antrenarea n sensul cmpului a purttorilor de sarcin se realizeaz cu o vitez medie
numit vitez de drift, v dn i v dp . Considernd un model unidimensional n care v dn = v nx ,
electronii ce se deplaseaz dintr-un volum Adx de semiconductor n direcia +x (vezi figura
2.16), n intervalul de timp dt , produc un curent electric I nx :
dQ n q n A dx
I nx =
=
= q n A v nx ,
(2.40)
dt
dt
iar densitatea curentului I nx este:

J nx =

I nx
= q n v nx .
A

(2.41)

Judecnd n mod similar i pentru goluri, se obine:

I px =

dQ p q p A dx
=
= q p A v px
dt
dt

(2.42)

I px
Jpx =
= q p v px
A
y

vx

dx

Figura 2.16. Sistemul de coordonate i elementul de volum folosite pentru calculul


curentului de drift.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

33

n scopul determinrii vitezelor de drift corespunztoare celor dou tipuri de purttori


de sarcin s considerm mai nti deplasarea, supus legii lui Newton, a unui electron ntre
dou ciocniri succesive. Viteza final a acestuia, cptat n urma deplasrii, este dat de
relaia:

q
v x = v 0 m E x fn

(2.43)

n care fn reprezint timpul dintre dou ciocniri succesive i v 0 reprezint viteza iniial
avut de electron nainte de deplasarea sub aciunea cmpului electric, cunoscut sub
denumirea de vitez termic.
Mediind att asupra ciocnirilor ct i asupra numrului de electroni de conducie din
unitatea de volum se obine:

v x =v 0 m E x fn = m E x n = v dn

(2.44)

Aa cum se observ, n relaia de mai sus valoarea medie a vitezei termice a fost
considerat nul deorece direciile lui v 0 sunt aleatoare datorit vibraiilor aleatoare ale
atomilor reelei i a ionilor de impuritate. n realitate, media vitezei termice este diferit de

zero, aceasta fiind cauza zgomotului termic n semiconductoare.


Mobilitatea electronului se definete ca viteza sa medie de drift pe unitatea de cmp
electric:
n =

q n
v dn
m
Ex

(2.45)

Combinnd relaia (2.44) cu (2.45) expresia vitezei medii v dn devine:

v dn = n E x

(2.46)

Judecnd n mod similar i pentru goluri, se obine:


p =

v dp
q p
m+
Ex

v dp = p E x

(2.47)
(2.48)

Mobilitile purttorilor de sarcin sunt un rezultat al ciocnirilor acestora cu atomii


reelei de baz i cu atomii de impuritate. Mobilitile depind deci de concentraia de
impuriti, de temperatur i de intensitatea cmpului electric aplicat. Datorit condiiilor
specifice n care se deplaseaz purttorii de sarcin mobilitatea electronilor este mai mare ca
mobilitatea golurilor, adic n > p .
n figura 2.17 se prezint dependena mobilitilor purttorilor de sarcin funcie de
concentraia total de impuriti. Se observ c mobilitile scad odat cu creterea
concentraiei de impuriti deoarece crete numrul ciocnirilor cu atomii de impuritate iar
drumul mediu ntre dou ciocniri consecutive scade.

34

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Electroni

1000

[cm2 /Vs]

500
Goluri
200
100

14

15

10

16

10

10

17

10

18

-3

10

19

10

20

10

21

10

N[cm ]
Figura 2.17. Dependena mobilitilor purttorilor de sarcin n funcie de concentraia
total de impuriti pentru semiconductorul impur de Si la 300 o K .

Determinarea dependenei cu temperatura a mobilitiilor purttorilor de sarcin se


poate face folosind regula lui Matthissen:
1
1
1
= 1 + 2

(2.49)

n care 1 reprezint mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii de impuritate i 2


reprezint mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii reelei de baz.
Mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii de impuritate crete odat cu creterea
temperaturii n conformitate cu relaia generic:
1 = AI 0 T

3/2

(2.50)

unde A I 0 reprezint o constant (A I 0n pentru electroni i A I 0p pentru goluri) i N


concentraia ionilor de impuritate.
Mobilitatea determinat de ciocnirile cu atomii reelei de baz depinde de undele
longitudinale de vibraie ale reelei cristaline. Aceste unde longitudinale sunt de dou
categorii: cu frecvene cuprinse n gama acustic de frecvene, numite unde longitudinale
acustice, i cu frecvene mai nalte cuprinse n gama infrarou a spectrului optic, numite unde
longitudinale optice. Astfel, mobilitatea 2 este relevat de expresia generic:
1
1
1
(2.51)
2 = A + O
n care A reprezint mobilitatea determinat de undele longitudinale acustice de vibraie:
A = A A T 3/2 ,

(2.52)

O reprezint mobilitatea determinat de undele longitudinale optice de vibraie:

O = AO T

1/2

h O
exp
,
kT

(2.53)

iar A A i A O sunt constante ce au valori diferite pentru cele dou tipuri de purttori de
sarcin.

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

35

Dependena de intensitatea cmpului electric a mobilitilor purttorilor de sarcin este


relevat de relaia empiric generic dezvoltat de Shockley:
0
=
(2.54)

1+
EC
n care E C reprezint valoarea critic a intensitii cmpului electric pentru care apare o
saturare (limitare) a vitezei de drift a purttorilor de sarcin, iar este o constant empiric.
Micorarea mobilitilor purttorilor de sarcin odat cu creterea intensitii cmpului
electric se datoreaz scderii timpului de accelerare (ntre dou ciocniri succesive). n figura
2.18 este ilustrat dependena vitezelor de drift ale purttorilor de sarcin funcie de
intensitatea cmpului electric aplicat.

vn >vp [cm/s]

Electroni
7

10

Goluri

10

10

10

10

10
E [V/cm]

10

10

Figura 2.18. Dependena vitezelor de drift n funcie de intensitatea cmpului electric


aplicat pentru purttorii de sarcin din Si la 300 o K .

n consecin, densitatea curentului de drift total este:

j c = j nc + j pc = q ( p v p n v n ) = q (p p + n n ) E =
1 E
= ( n + p ) E = E =

(2.55)

n care reprezint conductivitatea semiconductorului iar rezistivitatea acestuia.


Relaia
1 E ,
jc=

(2.56)

n care
=

q (p p + n n )

(2.57)

reprezint legea lui Ohm pentru semiconductoare.


Aa cum relev relaia (2.57) rezistivitatea semiconductoarelor este puternic
dependent de temperatur. Figura 2.19 prezint calitativ aceast dependen.

36

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

[cm]

II

300 K

III

T[ K]

Figura 2.19. Dependena de temperatur a rezistivitii unui semiconductor impur.

La 0 o K semiconductorul este izolator perfect. La creterea temperaturii (poriunea I a


curbei) impuritile ionizeaz, deci concentraiile purttorilor de sarcin cresc, iar
rezistivitatea scade. La temperaturile uzuale de lucru (poriunea II a curbei) aproape toate
impuritile au ionizat, concentraiile de purttori de sarcin rmnnd practic constante, dar
mobilitile electronilor i golurilor scad, conducnd astfel la o uoar cretere a rezistivitii.
La temperaturi ridicate (poriunea III a curbei) crete n mod semnificativ numrul legturilor
covalente rupte, semiconductoarele i pierd caracterul extrinsec, generarea de perechi
electron-gol, pe aceast cale, conducnd la creterea concentraiei de purttori de sarcin i
deci la scderea rezistivitii.

2.5.2. Difuzia purttorilor de sarcin


Difuzia purttorilor de sarcin n volumul unui semiconductor apare atunci cnd exist
o distribuie neuniform a purttorilor de sarcin. Fluxul de purttori de sarcin ce se

deplaseaz din regiunile cu concentraie mai mare a acestora ctre regiunile cu concentraie
mai mic se numete flux de difuzie, iar procesul se numete difuzie. Rata de difuzie a
purttorilor de sarcin este determinat de aceleai mecanisme de ciocnire cu atomii reelei de
baz i cu ionii de impuritate i de vibraie acustic i optic a atomilor reelei i a ionilor de
impuritate. Parametrul care msoar i caracterizeaz rata de difuzie este coeficientul de
difuzie, notat cu D n pentru electroni i cu D p pentru goluri. Deoarece difuzia i driftul sunt
controlate de aceleai mecanisme, ntre constantele de difuzie i mobiliti exist o legtur
strns relevat de relaiile lui Einstein:

D n = k q T n = V T n
D p = k q T p = V T p

(2.58)

Mrimea V T = (k T)/q ce apare n relaia (2.58) se numete tensiune termic i are


valoarea de aproximativ 26 mV la temperatura de 300 K .

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

37

Astfel, pentru cazul unidimensional, numrul de particule care traverseaz o suprafa


unitar perpendicular pe direcia de transport n unitatea de timp este dat de relaia:

F x = D dc
dx

(2.59)

Generaliznd obinem urmtoarea relaie ntre fluxul de particule F i gradientul


concentraiei de impuriti c :

F = D c

(2.60)

Multiplicnd aceast relaie cu sarcina electronului, respectiv golului, obinem


expresiile densitilor de curent de difuzie:

j nd = q F n = q D n n
j pd = q F p = q D p p

(2.61)

2.6. Ecuaiile de baz ale unui semiconductor


Orice dispozitiv semiconductor, ale crui caracteristici depind de un numr mare de
particule, poate fi descris cu ajutorul unui sistem de ecuaii liniare i difereniale, numite
ecuaiile lui Shockley, n condiiile precizrii condiiilor la limit, iniiale, de dopare cu
impuriti i de mediu. Acest sistem cuprinde trei tipuri de ecuaii:
ecuaiile de densitate a curentului,
ecuaiile de continuitate i
ecuaia lui Poisson.

Ecuaiile de densitate a curentului exprim analitic transportul purttorilor de sarcin


prin drift i difuzie. Astfel, n cazul aplicrii unui cmp de intensitate constant i a existenei
unor gradieni de concentraii de purttori de sarcin, densitatea total de curent este relevat
de expresiile:

j =j n +j p
j n = j nc + j nd = q n n E + q D n n
j p = j pc + j pd = q p p E q D p p

(2.62)

n cazul aplicrii unor cmpuri de intensitate variabil n timp, expresia densitii


totale de curent devine:

j =j n +j p +j d
_

j d = E
t
unde j d reprezint densitatea de curent de deplasare.

(2.63)

38

Cap. 2. Noiuni de fizica semiconductoarelor

Ecuaiile de continuitate descriu analitic variaia n timp a concentraiilor de purttori


de sarcin. Cauzele variaiei n timp a concentraiei de purttori pot fi:
generarea datorat unor ageni externi,
generarea-recombinarea intern,
fenomene de transport (prin intermediul curenilor),
iar aceast dependen este exprimat analitic astfel:
n = G R + 1 j
Ln
n
n
q
t
p
= G Lp R p 1q j p
t

(2.64)

unde G Ln i G Lp reprezint ratele de generare pentru electroni i goluri sub aciunea unui
factor extern.
Un caz particular al acestor relaii, ntlnit la majoritatea dispozitivelor
semiconductoare, este dat de absena sau de posibilitatea neglijrii efectului agenilor externi (
G L = 0 ), de cazul unidimensional (desfurarea proceselor dup o singur direcie) i de
considerarea unor relaii simplificate pentru vitezele nete de recombinare. Astfel, ecuaiile
(2.64) devin:
n = n n 0 + 1 j n
q x
n
t
p
p p 0 1 j p
=
q
p
t
x

(2.65)

Ecuaia lui Poisson se refer la legtura dintre potenialul electrostatic, u , dintr-un


semiconductor i densitatea volumic macroscopic de sarcin, V :
V
u =
(2.66)
V = q (p n + N D N A )
Relaia ntre cmpul electric i potenialul u este:

E = u

(2.67)

Dispozitivele semiconductoare de dimensiuni submicronice, cu numr redus de


purttori de sarcin, pentru care statisticile folosite n dezvoltatea relaiilor precedente nu sunt
valabile, se analizeaz pornind direct de la legile mecanicii cuantice.

3
JONCIUNI
ALE CORPURILOR SOLIDE

3.1. Introducere
Jonciunea ntre dou corpuri solide reprezint interfaa sau regiunea de grani ce
separ doumateriale solide ce au compoziii fizico-chimice diferite. Acestea se mpart n
jonciuni omogene (homojonciuni) i jonciuni neomogene sau eterogene (heterojonciuni).
La jonciunile omogene materialele de baz din cele dou pri ale acestora sunt
identice din punct de vedere chimic, fizic i atomic. Jonciunea p-n, ce reprezint o structur
fizic realizat ntr-un monocristal care are dou regiuni vecine, una de tip p i alta de tip n,
este clasificat, n mod uzual, ca jonciune omogen.Aceasta reprezint elementul principal
al diodelor semiconductoare p-n ct i al unor amplificatoare i comutatoare
semiconductoare multijonciune/multiterminal ca tranzistoarele cu efect de cmp,
tranzistoarele bipolare, diodele p-n-p-n, structurile multiterminal n 4 straturi p-n-p-n.
La jonciunile eterogene materialele de baz din cele dou pri ale acestora sunt
diferite. Heterojonciunea ntre un metal i un semiconductor este cea mai veche jonciune
studiat i folosit n aplicaii. Cnd heterojonciunea metal/semiconductor are proprieti
redresoare, aceasta este elementul principal al diodelor cunoscute sub denumirea de diode
Schottky (sau diode cu barier de suprafa), folosite att ca detectoare de semnal n prima
transmisie radio (n anul 1930), ct i ca elemente redresoare de putere n conversia
curentului alternativ n curent continuu. n anii '40 au fost folosite n construcia
receptoarelor radar ca detector al semnalelor de microunde, iar n anii '60 au fost elementele
cheie n construcia circuitelor integrate TTL cu vitez mare de rspuns. Heterojonciunea
metal/semiconductor ce nu are proprieti redresoare este cunoscut sub denumirea de
contact ohmic. Heterojonciunile ntre dou semiconductoare compuse sunt utilizate pe larg
n optoelectronic n scopul creterii eficienei emisiei fotonice a dispozitivelor uzuale i a
obinerii unor laseri semiconductori cu emisie controlabil i eficient. n ultimii ani ns,
heterojonciunile multiple ntre dou semiconductoare compuse sunt folosite pentru
concentrarea purttorilor mobili de sarcin n straturi n care acetia au o mobilitate maxim
n scopul obinerii unor tranzistoare ultrarapide i ca nlocuitor al jonciunii, p-n clasice, de

40

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

emitor n tranzistoarele bipolare n scopul obinerii unor ctiguri mari n curent ( > 10 3 ) i a
unor frecvene de tiere mai mari de 100 GHz . Tot n categoria heterojonciunilor se
ncadreaz i jonciunile metal-oxid i oxid-semiconductor prezente n construcia
capacitoarelor i tranzistoarelor MOS.
n acest capitol vom studia numai homojonciunea p-n, heterojonciunea
metal-semiconductor cu caracter redresor i contactul ohmic. Heterojonciunile
semiconductor-semiconductor vor fi studiate n capitolul dedicat dispozitivelor
optoelectronice, iar heterojonciunile metal-oxid i oxid-semiconductor n capitolul dedicat
tranzistoarelor MOS.

3.2. Jonciunea p-n


n structura dispozitivelor semiconductoare sunt incluse att regiuni de tip p, ct i
regiuni de tip n. ntre aceste regiuni de conductibilitate diferit apare o variaie a distribuiei
impuritilor. Dac aceast variaie se face pe o poriune mare, nu apar proprieti deosebite
i cele dou semiconductoare se comport ca semiconductoare gradate. Dac variaia
concentraiei de impuriti se face ntr-un domeniu de cel mult 10 6 m se obine o jonciune

p-n.
Studiul jonciunii p-n se va realiza n mai multe etape. Mai nti se vor deduce
caracteristicile electrice ale jonciunii p-n la echilibru termodinamic. Acestea vor fi utilizate
ca baz pentru determinarea efectelor ce apar n cazul aplicrii unor cmpuri electrice
externe, mai nti continue i apoi variabile n timp. Comutaia jonciunii p-n nu va fi
abordat n acest capitol, ci va fi studiat pe larg n capitolul dedicat comutrii dispozitivelor
electronice.

3.2.1. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic


n determinarea proprietilor electrice ale jonciunii p-n se pornete de la cele ase
ecuaii ale lui Shockley. Rezolvarea analitic a acestora este imposibil fr efectuarea unor
aproximaii, iar rezolvarea numeric a acestora nu prezint importanpentru scopul propus.
Efectuarea unor aproximaii adecvate este esenial pentru obinerea unor soluii analitice i
pentru evidenierea proprietilor electrice ale jonciunii p-n.
Studiul jonciunii p-n se va face pe baza urmtoarelor aproximaii de baz:
folosirea unui model unidimensional pentru jonciune;
grosimea domeniilor p i n este mare n raport cu lungimea de difuzie a electronilor
n domeniul p, respectiv a golurilor n domeniul n, adic avem o jonciune groas;
lungimea de difuzie este definit ca L n (p) = n (p) Dn (p) ;
profilul impuritilor dopante este abrupt, adic n regiunea n se gsesc numai
impuriti donoare n concentraie constant ND , iar n regiunea p se gsesc numai
impuriti acceptoare n concentraie constant NA ;
jonciunea este izoterm.

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

41

Aceste aproximaii generale vor fi completate pe parcursul dezvoltrilor analitice i


de alte aproximaii specifice situaiei analizate.
n figura 3.1 este prezentat un model unidimensional al jonciunii p-n, precum i
reprezentarea profilului abrupt de impuriti al acesteia. Linia de demarcaie dintre cele dou
domenii de conductibiliti diferite se numete jonciune metalurgic. La jonciunea
metalurgic concentraia de impuriti net este 0. Electronii din regiunea n i golurile din
regiunea p se numesc purttori majoritari iar golurile din regiunea n i electronii din zona p
se numesc purttori minoritari.

n
Jonciune
metalurgic
NA - ND
NA
0
x

- ND
Figura 3.1. Modelul unidimensional al jonciunii p-n i
variaia concentraiei nete de impuriti.

Dac cele dou regiuni semiconductoare, n i p, ar fi fost independente, concentraiile


purttorilor de sarcin ar fi fost date de relaiile:
n regiunea p : p p 0 N A i n p 0 =

n 2i
;
NA

(3.1.a)

n regiunea n : n n 0 N D i p n 0

n 2i
.
ND

(3.1.b)

ntr-o jonciune p-n aflat la echilibru termic, datorit fenomenelor de difuzie ce apar
n structur, concentraiile de purttori de sarcin difer de cele date n relaiile de mai sus.
Aceast diferen este pregnant n special n zonele adiacente jonciunii metalurgice unde
se constat o scdere apreciabil a concentraiei de purttori majoritari i, respectiv, o
cretere apreciabil a purttorilor de sarcin minoritari fa de cele date de relaiile (3.1).
Datorit concentraiilor foarte diferite ale purttorilor mobili de sarcin de un anumit tip
ntre cele dou regiuni semiconductoare, electronii din regiunea n difuzeaz n regiunea p,
unde concentraia lor este mai mic, disprnd prin recombinare cu purttorii majoritari ai
acestei regiuni n timpul mediu n 0 , iar golurile din regiunea p difuzeaz n domeniul n unde
se recombin cu electronii majoritari. Evident, procesele de difuzie ncep cu purttorii din
apropierea jonciunii metalurgice. Astfel, n regiunile adiacente jonciunii metalurgice, prin
plecarea golurilor majoritare din regiunea p apare un exces de sarcin negativ reprezentat
de sarcina fix a ionilor acceptori, i, respectiv, prin plecarea electronilor majoritari din
regiunea n, apare un exces de sarcin pozitiv reprezentat de sarcina fix a ionilor donori.

42

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Existena celor dou sarcini electrice de semn contrar determin apariia unui cmp electric
intern orientat de la regiunea n spre regiunea p i apariia unei bariere interne de potenial,
numit barier de potenial incorporat. Regiunea, ce cuprinde jonciunea metalurgic, n
care concentraiile sarcinilor fixe sunt mai mari dect cele ale sarcinilor mobile se numete
regiune de trecere sau regiune de sarcin spaial. Cmpul electric intern transport golurile
din regiunea n n regiunea p, respectiv electronii din regiunea p n regiunea n, deci n sens
contrar fluxului de difuzie. Ca urmare, procesul de scdere a concentraiei de purttori
majoritari nu se continu pn la uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de
difuzie), ci se autolimiteaz la valori care asigur, n conformitate cu condiia de echilibru
termodinamic, egalitatea fluxurilor de difuzie i de drift:

j nc = j nd
j pc = j pd

(3.2)

Reprezentarea grafic a situaiei de echilibru termodinamic a unei jonciuni p-n este


ilustrat n figura 3.2.
-

p
pp0

Regiunea
neutr p

+ +
- E+ +
+ +
+ +
Regiunea
de trecere

n
Regiunea
neutr n

a.

n, p
nn0
pn0

np0
-l p0

q.ND

xi

b.

l n0

-l p0

c.

l n0
-q.NA
u(x)

B0

d.
x

-l p0

l n0

Figura 3.2. Jonciunea p-n la echilibru termic:


a) zonarea jonciunii p-n; b) variaiile concentraiilor purttorilor de sarcin;
c) variaia densitii de sarcin V ; d) variaia potenialului electrostatic.

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

43

Descrierea analitic a fenomenelor din jonciunea p-n este laborioas chiar i pentru
aproximaiile enunate anterior. Dezvoltarea analitic a fost simplificat considerabil de
Shockley prin introducerea unei noi aproximaii numit aproximaie de golire. Conform
acestei aproximaii jonciunea se mparte n trei regiuni: o regiune de golire
(corespunztoare regiunii de trecere) i dou regiuni neutre (vezi figura 3.2.a). Aproximaia
de golire const n faptul c n regiunea de trecere se neglijeaz concentraiile de electroni i
de goluri fa de concentraiile de impuriti, iar regiunile neutre n i p au o comportare
identic cu aceea a dou semiconductoare separate. Deci, n regiunile neutre nu exist
sarcin electric net. Toate fenomenele specifice jonciunii p-n la echilibru termic se petrec
n regiunea de golire.
n regiunea de sarcin spaial, n conformitate cu aproximaia de golire, densitatea
de sarcin de volum este dat de relaia:
q N A pentru
v =
q N D pentru

lp 0 < x < 0
0 < x < ln0

(3.3)

Distribuiile de cmp electric i de potenial electric se deduc din rezolvarea ecuaiei


lui Poisson:
2 u = V ;
(3.4)

x 2
i folosirea relaiei E = u/x, cu condiiile la limit:

E (x = l n 0 ) = E (x = l p 0 ) = 0
u (x = l n 0 ) = B 0 ; u (x = l p 0 )

(3.5)

unde B 0 reprezint nlimea barierei de potenial interne.


Prin rezolvarea ecuaiei lui Poisson obinem variaia intensitii cmpului electric i a
potenialului n interiorul regiunii de sarcin spaial:
q N A
(x + l p 0 );

E 0 ( x) =
q N D ( l n 0 x) ;

pentru x [l p 0 ; 0]

(3.6)

pentru x [0 ; l n 0 ]

q NA
(x + l p 0 ) 2
pentru x [l p 0 ; 0]

u 0 ( x) =
B 0 q N D (l n 0 x) 2 pentru x [0 ; l n 0 ]

(3.7)

Reprezentarea grafic a variaiei acestor mrimi este dat n figura 3.3.c i d.


n scopul determinrii expresiei analitice a nlimii barierei de potenial B 0 se
traseaz diagrama energetic a jonciunii p-n la echilibru termodinamic. n capitolul anterior
am artat c la echilibru termodinamic potenialul Fermi este constant n tot volumul
semiconductorului, iar diagrama energetic la poziii x situate n regiunile neutre este de
forma prezentat n figura 3.3.a. Aceast diagram energetic arat c nivelele energetice
E C , E V i E I corespunztoare zonei neutre p sunt superioare celor corespunztoare zonei
neutre n, astfel nct avem o treapt energetic de la regiunea n la regiunea p, benzile

44

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

energetice curbndu-se n regiunea de trecere (vezi figura 3.3.b). nlimea barierei de


potenial corespunztoare este dat de relaia:
B 0 =

E C (l n 0 ) E C (l p 0 )
q

(3.8)

Concentraiile electronilor, la echilibru termic, n cele dou regiuni neutre n i p sunt


(vezi capitolul 2.3.3):
E C (l n 0 ) E F

kT
E C (l p 0 ) E F
n p 0 = N C exp

kT

n n 0 = N C exp

(3.9)

Relaiile (3.9) permit determinarea expresiilor nivelelor energetice E C (l n 0 ) i


E C (l p 0 ) n funcie de concentraiile electronilor din cele dou regiuni. nlocuirea acestor
expresii n relaia (3.8) conduce la urmtoarea expresie pentru nlimea barierei de
potenial:

N N
n
N N
B 0 = k q T ln n np 00 = k q T ln A 2 D k q T ln A 2 D
n
n
i

(3.10)

Valoarea maxim a intensitii cmpului electric se obine la x = 0 i este dat de


expresia:

E 0max = E 0 (x = 0) =

q NA

lp 0 =

q ND

ln 0

(3.11)

Neutralitatea global a semiconductorului se exprim prin:

NA l p 0 = ND l n 0

(3.12)

Aceast relaie indic ptrunderea mai accentuat a regiunii de sarcin spaial n


regiunea mai slab dopat.
Din condiia de continuitate a potenialului electric la x = 0 obinem o nou expresie
pentru nlimea barierei de potenial:
q
B 0 =
N l 2 + N D l n20
(3.13)
2 A p0
Din relaiile (3.12) i (3.13) se poate determina lrgimea regiunii de sarcin spaial:

l 0 = l n 0 + l p 0 = 2 q ( 1 + 1 ) B 0
N A ND
NA
N
B 0
ln 0 = l 0
= 2 q A
NA + N D
N D NA + N D
ND
N
B 0
lp 0 = l 0
= 2 q D
NA + N D
N A NA + N D

(3.14)

Folosind relaiile (3.14) n relaiile (3.11) intensitatea maxim a cmpului electric


devine:

E 0max =

2q
1
1
( N A + ND ) B 0

(3.15)

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

45

Regiunea
neutr p
p
EC
p
EFi

-l p0

Regiunea
de trecere

Regiunea
neutr n

l n0

EC
EF
EnFi

EF
p
EV

a.

EV

x=0

E C(x)
EF
EFi (x)

xi

b.

EV(x)

x=0
E0(x)

l n0

-l p0

c.

-E 0max
u0(x)
d.

B0
-l p0

l n0

Figura 3.3. a) Diagramele energetice ale celor dou regiuni neutre n i p ;


b) Diagrama energetic a jonciunii p-n ; c) Variaia intensitii cmpului electric;
d) Variaia potenialului electric.

Dac una din regiuni este mai slab dopat ca cealalt, atunci lrgimea zonei de
golire va fi dat de regiunea cea mai slab dopat. Cazul cel mai des ntlnit n practic este
cel al jonciunii asimetrice p + n , la care NA >> ND , iar

l 0 l n 0 2q 1 B 0
ND

(3.16)

3.2.2. Jonciunea p-n polarizat electric


Cnd unei jonciuni p-n i se aplic o tensiune continu extern VA , echilibrul existent
ntre curenii de drift i de difuzie se stric i prin structur va circula un curent net nenul.
Pentru aplicarea tensiunii la capetele jonciunii se consider dou contacte metalice ideale.
Contactele ideale sunt acele contacte ce permit trecerea curentului n ambele sensuri fr a
determina cderi de tensiune pe ele. Tensiunea aplicat din exterior se repartizeaz pe
regiunile jonciunii p-n astfel: cderea de tensiune pe regiunea neutr n, notat cu Vn ,
cderea de tensiune pe regiunea neutr p, notat cu Vp , i cderea de tensiune pe regiunea de
trecere, notat cu Vj . Datorit faptului c regiunea de trecere este srcit n purttori de

46

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

sarcin, rezistivitatea sa electric este mai mare ca cea a regiunilor neutre n i p . n


consecin, pentru valori mici i medii ale curentului se poate considera c tensiunea aplicat
din exterior cade n totalitate pe regiunea de trecere, adic VA Vj .
Sensurile convenionale pentru tensiunea aplicat din exterior VA i pentru curentul
net, I A , pe care aceasta l produce sunt prezentate n figura 3.4.

p
IA

n
VA

Figura 3.4. Jonciunea p-n polarizat cu o tensiune aplicat din exterior.

Dac tensiunea continu extern se aplic cu polaritatea pozitiv pe domeniul p i cu


polaritatea negativ pe domeniul n, sensul acesteia coincide cu cel convenional i VA > 0 .
Acest tip de polarizare se numete polarizare direct. Dac tensiunea continu extern se
aplic cu polaritatea negativ pe domeniul p i cu polaritatea pozitiv pe domeniul n, sensul
acesteia este opus celui convenional i VA < 0 . Acest tip de polarizare se numete polarizare
invers. Notaiile IEEE sunt:
V = VF
pentru cazul polarizrii directe: A
IA = IF
V = VR
pentru cazul polarizrii inverse: A
I A = I R

n cazul jonciunii p-n polarizat direct cmpul electric n regiunea de sarcin


spaial scade la valoarea E 0 E F , E F reprezentnd intensitatea cmpului electric
corespunztor tensiunii externe directe aplicate, bariera de potenial se reduce la valoarea
B 0 VF , iar diagrama benzilor energetice a domeniului n se deplaseaz cu q VF n sensul
pozitiv al axei energetice. Cmpul electric n regiunea de trecere se modific la valoarea:
E (V F ) = E 0 1

VF

B 0

(3.17)

Micorarea valorii cmpului electric pune n eviden o reducere a sarcinii electrice


n regiunea de trecere. Cum concentraia ionilor de impuritai nu depinde de polarizarea
jonciunii, ci numai de doparea cu impuriti, nseamn c reducerea cmpului electric este
posibil numai prin micorarea dimensiunilor regiunii de golire. Acest lucru este ilustrat i
de relaia (3.14) n care se modific numai nlimea barierei de potenial, adic

V
l F = l n F + l p F = 2 q ( 1 + 1 ) (B 0 VF ) = l 0 1 F
B 0
N A ND
NA
N VF
V
ln F = l F
= 2 q A B 0
= l nF 0 1 F
B 0
NA + N D
N D N A + ND
ND
N VF
V
lp F = l F
= 2 q D B 0
= l pF 0 1 F
B 0
NA + N D
N A N A + ND

(3.18)

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

47

De asemenea, micorarea cmpului electric duce la micorarea curenilor de cmp i


mrirea celor de difuzie, rezultnd un curent I F nenul. Toate aceste efecte corespunztoare
polarizrii directe a jonciunii p-n, precum i distribuiile purttorilor de sarcin, sunt
ilustrate n figura 3.5.A.
Deplasarea golurilor spre regiunea n, respectiv a electronilor spre regiunea p n
cantiti mai mari dect la echilibrul termic se numete injecie de purttori minoritari .
Existena unui excedent de concentraii de purttori n aceste regiuni duce la creterea ratei
fenomenelor de recombinare. Regiunile n care concentraiile de purttori minoritari sunt
diferite fa de cele corespunztoare echilibrului termic (deci g > g 0 sau r > r 0 ) poart
numele de regiuni active. n consecin, jonciunea p-n va cuprinde dou regiuni neutre, o
regiune de sarcin spaial i dou regiuni active situate de o parte i de alta a regiunii de
sarcin spaial.
n regiunile active este ndeplinit condiia de cvasineutralitate electric, adic
distribuiile purttorilor de sarcin n exces fa de cele ale echilibrului termodinamic
satisfac n orice plan condiiile:

p (x ) = n (x )
p (x ) = p (x ) p 0 (x )

(3.19)

n (x ) = n (x ) n 0 (x )
n cazul jonciunii p-n polarizat invers, cmpul electric n regiunea de sarcin
spaial crete la valoarea E 0 + E R , E R reprezentnd intensitatea cmpului datorat polarizrii
inverse, bariera de potenial crete la B 0 + VR , iar diagrama benzilor energetice se
deplaseaz cu q VR n sensul negativ al axei energetice. Cmpul electric n regiunea de
trecere se modific la valoarea:
E (V R ) = E 0 1 +

VR

(3.20)

B 0

Mrirea valorii cmpului electric pune n eviden o cretere a sarcinii electrice n


regiunea de trecere i deci o cretere a dimensiunilor regiunii de golire:

l R = l n R + l pR = l 0 1 +

NA
V
= l nR 0 1 + R
B 0
NA + N D
ND
V
= lR
= l pR 0 1 + R

N A + ND
B0

ln R = l R
l pR

VR

B 0

(3.21)

Creterea cmpului electric duce la micorarea curenilor de difuzie n favoarea


curenilor de cmp. n regiunile active concentraiile de electroni i goluri vor fi mai mici
dect la echilibru termic, deci vor domina fenomenele de generare. Condiia de
cvasineutralitate n regiunile active este:

n (x ) = p (x )

(3.22)

Efectele corespunztoare polarizrii inverse a jonciunii p-n, precum i concentraiile


purttorilor de sarcin, sunt ilustrate n figura 3.5.B.

48

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

VF

A.
IF

-lp 0 l n
n, p

pp0 p'(-lp )

n n0

p'( l n ) p

np0 n'(-lp)

b.

n0

x
ln

ln

p'( l n )
pn0

n'(-lp )
np0

x
ln

q .VR

EC
EFn

u(x)

c.

B0

-lp0 -lp

l n ln0

EV
VR
B0

B0-VF

-lp0 -lp

n'( l n )
n n0

p'(-lp )

EFp
EV

EV

VF

-lp -lp0

l n ln0

-lp -lp0

l n0 l n

Reg.
neutr

Jdn(-lp) Curent
de

Jdp(l n ) electroni
Reg.
Reg.
trecere neutr

E max
E 0max
Curent
de
goluri

B0 +VR

l n0 l n

d.

EC

EC
EFn

u(x)

e.

0
n, p

-lp

q.VF

EFp
EV

pp0

a.

-lp

IR

-lp
n'( l n )

EC

VR

B.

E 0max
Emax
JF
Reg.
neutr

Jdn(-l p)
Jdp(l n )
Reg.
trecere

Regiuni active
Regiuni active
(generare)
(recombinare)
Figura 3.5. Jonciunea p-n n polarizare: A. direct; B. invers.
a) Distribuiile purttorilor de sarcin; b) Diagramele E-- x;
c)Variaia potenialului electric; d) Variaia intensitii cmpului electric;
e) Densitatea de curent prin structur.

JR
Reg.
neutr

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

49

Notnd cu B = B 0 VA , n care VA = VF pentru polarizare direct i VA = VR


pentru polarizare invers, relaiile ce descriu jonciunea p-n n cazul polarizrii acesteia sunt:
q N A
(x + l p ); x [l p ; 0]

E ( x) =
q N D ( l n x) ; x [ 0 ; l n ]

(3.23)

q NA
(x + l p ) 2 ;

u ( x) =
B q N D ( l n x) 2 ;

(3.24)

x [l p ; 0]
x [0 ; l n ]

V
l = l n + l p = 2q ( 1 + 1 ) B = l 0 1 A
B0
N A ND

(3.25)

3.2.3. Caracteristica static ideal a jonciunii p-n


Determinarea caracteristicii statice ideale se va face n continuare pe baza
aproximaiei de golire completat cu dou aproximaii specifice situaiei de neechilibru:

Nivel mic al injeciei de purttori minoritari, adic


n (l p ) << p p 0 , n (l p ) << n p 0
p (l n ) << n n 0 , p (l n ) << p n 0

(3.26)

Acest fapt are urmtoarele consecine:


a) Concentraia de purttori majoritari din regiunile neutre nu difer de cele de la
echilibru termic, iar pentru regiunile active variaia este foarte mic.
b) Cmpul electric din regiunile neutre i active este foarte mic. Pentru purttorii
majoritari el nu poate fi neglijat ntruct reprezint singura modalitate de transport n
condiiile n care concentraia s-a presupus constant. Pentru purttorii minoritari, n
regiunile active, se neglijeaz curenii de cmp fa de cei de difuzie. Ca urmare,
putem aproxima:

j p (x l n ) j pd
j n (x l p ) j nd

(3.27)

n regiunea de sarcin spaial avem o situaie de cvasiechilibru. Conform acestei


ipoteze produsul concentraiilor de electroni i goluri este constant n tot volumul
regiunii de sarcin spaial, la fel ca la echilibru termic:
n p = ct. n i2

(3.28)

Caracteristica static ideal a jonciunii p-n este cunoscut sub numele de ecuaia
Shockley a diodei. Determinarea acesteia se face pornind de la ecuaiile de continuitate ale
purttorilor minoritari, care pentru cazul unidimensional i regim staionar sunt:

50

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

p n p n 0 1 j p
+q
=0

p
x
np n p 0
1 j n = 0

n
q x

(3.29)

Folosind aproximaia de injecie mic putem exprima densitile de curent ale


purttorilor de sarcin minoritari din regiunile active ca fiind:
j (x l ) j = q D p n
n
pd
p
p
x

j n (x l p ) j nd = q D n n p
x

(3.30)

Introducnd expresiile (3.30) n ecuaiile (3.29) se obin relaiile:

2pn p n pn 0

=0
x 2
L 2p
2np n p np 0

=0
x 2
L 2n

(3.31)

unde L p i L n reprezint lungimile de difuzie ale golurilor, respectiv electronilor, n


regiunile active ale jonciunii:
L p = Dp p

L n = Dn n

(3.32)

Ecuaiile (3.31) furnizeaz concentraiile purttorilor minoritari din regiunile active


i implicit, prin relaiile (3.30), a densitilor de curent ale acestora. Soluiile generale ale
ecuaiilor (3.31) sunt:

p n p n 0 = A exp x + B exp x
Lp
Lp
x
n p n p 0 = C exp + D exp x
Ln
Ln

(3.33)

Determinarea constantelor A, B, C i D impune cunoaterea condiiilor la limit,


p n (), n p (), p n (l n ), i n p (l p ) , corespunztoare geometriei date a jonciunii, profilului de
impuriti i tensiunii aplicate jonciunii.
Primele condiii la limit referitoare la concentraiile purttorilor minoritari din
regiunile neutre, n cazul n care lungimile de difuzie n regiunile active sunt mult mai mici
dect lungimile tehnologice ale regiunilor n ip (L n << W Ep , L p << W Cn ), sunt:
p n () = p n 0
.
(3.34)

n p () = n p 0
Acestea conduc la determinarea constantelor A i D. Astfel A = D = 0 , iar relaiile
(3.33) devin:

p n = p n 0 + B exp x
Lp
n p = n p 0 + C exp x
Ln

(3.35)

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

51

Urmtoarele condiii la limit se refer la concentraiile purttorilor minoritari de


sarcin la interfeele dintre regiunea de sarcin spaial i regiunile active ale jonciunii.
Din condiia de cvasiechilibru n regiunea de sarcin spaial se determin:
E Fn E Fp
= const.
kT

n p = n 2i exp

(3.36)

n aceast regiune, E Fn E Fp =const.= q V A . Deci condiiile la limit cutate sunt:


E Fn E Fp
q VA

E E Fi
n (l ) = n i exp Fn
= n p 0 exp
= n p 0 exp

p p
kT
kT
kT

p n (l n ) = n i exp E Fp E Fi = p n 0 exp E Fn E Fp = p n 0 exp q VA


kT
kT
kT

(3.37)

Din egalitatea relaiilor (3.35) i (3.37) la x = l n , respectiv x = l p , se determin:

q VA
l
1 exp n
kT
Lp

lp
q

V
A
C = n p 0 exp
1 exp
kT
Ln

B = p n 0 exp

(3.38)

n consecin soluiile ecuaiilor de continuitate vor fi:

x ln

q VA

p n (x l n ) = p n 0 + p n 0 exp k T 1 exp L p

n p (x l p ) = n p 0 + n p 0 exp q VA 1 exp x + l p
kT
Ln

(3.39)

Din aceste distribuii se pot deduce densitile curenilor de difuzie:


n p (x ) q D n n p 0
x + lp
q VA

(
)
j
x
=
q

=
exp
1 exp
n
d
n

x
Ln
Ln
kT

j p d (x ) = q Dp p n (x ) = q Dp p n 0 exp q VA 1 exp x l n
kT
x
Lp
Lp

i prin particularizarea acestora la l = l p , respectiv l = l n , se obin relaiile:

q Dn n p 0
q VA

exp
1
j n d (l p ) =
Ln
kT

q D p pn 0
q

V
A
j p d (l n ) =
exp
1

L
k

T
p

(3.40)

(3.41)

Densitatea curentului total rezult ca suma densitilor curenilor de difuzie i de


cmp, pentru goluri i electroni, n orice seciune a jonciunii p-n. Datorit neglijrii
fenomenelor de generare-recombinare din regiunea de sarcin spaial (aproximarea de
golire), este mai comod s se determine densitatea total a curentului prin jonciune la
graniele regiunii de trecere. Astfel, prin sumarea densitilor de curent j n d (l p ) i j p d (l n ) ,
se obine cunoscuta ecuaie a lui Shockley:

q VA
q Dp p n 0 q Dn n p 0
+
exp
1
(3.42)

Lp
Ln
kT


Considernd Aj aria seciunii regiunii de trecere, curentul total prin jonciune este:
j A = j p d (l n ) + j n d (l p ) =

52

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

I A = Aj j A = I 0 exp

q VA
1
kT

(3.43)

unde:

Lp p n 0 Ln n p 0
D p pn 0 D n np 0
+
= q A j p + n

Ln

Lp

I 0 = q Aj

(3.44)

II

reprezint curentul de saturaie al jonciunii p-n.


Cele dou forme alternative de exprimare a curentului de saturaie relev cele dou
mecanisme ce controleaz mrimea acestuia: difuzia purttorilor de sarcin n regiunile
active (injecia de purttori minoritari) i generarea-recombinarea purttorilor de sarcin
injectai n regiunile active (mecanismele de generare-recombinare termic
Shockley-Read-Hall). Aa cum am artat n subcapitolul 3.2.2., n regiunile active n
polarizare direct predomin fenomenele de recombinare, iar n polarizare invers
predomin fenomenele de generare.
Reprezentarea grafic a relaiei (3.43), dat n figura 3.6, este caracteristica static
ideal a jonciunii p-n.
IA

I0

IR

VA
-I R

Figura 3.6. Caracteristica static ideal a unei jonciuni p-n.

Pentru tensiuni de polarizare direct VA = VF 4 k q T 0, 1V, la temperaturi n jur


de 300 K, n relaia (3.43) predomin termenul exponenial i curentul direct prin jonciunea
p-n se poate determina cu relaia:

I A I 0 exp

q VA
kT

(3.45)

Acest curent datorat difuziei i recombinrii purttorilor minoritari injectai n cele


dou regiuni active este cunoscut sub denumirea de curent de injecie.
Pentru tensiuni de polarizare inverse VA = VR 4 k q T 0.1 V, la temperaturi
n jur de 300 K, n relaia (3.43) termenul exponenial poate fi neglijat i curentul invers prin
jonciune este dat de relaia:

I A = I R I 0

(3.46)

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

53

Acest curent, datorat n principal fenomenelor de generare n regiunile active este


cunoscut sub denumirea de curent de pierderi sau curent de saturaie. Jonciunile p-n utilizate
n dispozitivele de putere mic se caracterizeaz prin cureni de saturaie de ordinul nA
pentru Si i A la germaniu.
Aa cum relev relaiile (3.45) i (3.46) caracteristica jonciunii p-n este puternic
neliniar n gama de tensiuni VF , V R 100 mV.

3.2.4. Abateri de la caracteristica static ideal a jonciunii p-n


Ecuaia Shockley pentru jonciuni p-n a fost dedus pentru nivele mici de injecie
(tensiunile directe i inverse aplicate jonciunii au valori mici i moderate) i n condiiile
simplificatoare ale neglijrii proceselor de generare-recombinare n regiunea de trecere i a
efectelor de la suprafaa semiconductorului. n caracteristica static real a jonciunii p-n
apar abateri fa de caracteristica static ideal att n sens direct, ct i n sens invers.
Caracteristica static real a unei jonciuni p-n este prezentat, comparativ cu
caracteristica ideal, n figura 3.7. Din punct de vedere al abaterilor de la idealitate, n
polarizare direct, deosebim pe caracteristica static real patru regiuni. n polarizare
invers, pentru tensiuni de valoare moderat, curentul invers prin jonciune este mai mare
dect curentul de saturaie (I R > I 0 ) i depinde de valoarea tensiunii inverse aplicate.
Fenomenele fizice ce stau la baza acestor abateri vor fi prezentate n continuare. ntr-un
subcapitol separat vor fi tratate fenomenele ce apar n polarizarea invers cu tensiuni de
valoare ridicat.
real

ideal
IA[mA]
Vj
VA

I
Iinv I 0

IV
III
II

VA

IR [nA]

Figura 3.7. Caracteristica static real a unei jonciuni p-n.

Ecuaia (3.43) a fost dedus neglijnd fenomenele de generare-recombinare din


regiunea de sarcin spaial. La echilibru termodinamic rata fenomenelor de recombinare,
r n,p , este egal cu cea a fenomenelor de generare, g n,p . Cnd se aplic o tensiune exterioar
acest echilibru este distrus i rata net de recombinare va fi pozitiv n polarizare direct
datorit creterii ratei de recombinare (R n,p = r n,p g n,p > 0 ), respectiv negativ n polarizare
invers datorit creterii ratei de generare (R n,p = r n,p g n,p < 0 ). Aceat inegalitate ntre
ratele fenomenelor de generare i recombinare n regiunea de trecere produce un curent
adiional prin jonciune, cunoscut sub denumirea de curent de generare-recombinare, I gr .

54

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Curentul de generare-recombinare datorat regiunii de sarcin spaial este format din


dou componente: componenta datorat fenomenelor de generare-recombinare din volumul
regiunii de sarcin spaial I grv i componenta datorat fenomenelor de
generare-recombinare de la suprafaa acestei regiuni I grs . Astfel:

I gr = I grv + I grs

(3.47)

Determinarea lui I grv


n conformitate cu modelul Shockley-Read-Hall prezentat n capitolul 2.4, expresia
vitezei nete de recombinare n volumul regiunii de sarcin spaial este:

U=

n p n i2
.
n 0 (p + p t ) + p 0 (n + n t )

(3.48)

nlocuind n aceast expresie produsul concentraiilor purttorilor de sarcin cu


relaia (3.36) i innd cont de faptul c E Fn E Fp = q V A obinem:

q VA
1
kT

.
U=
n 0 (p + p t ) + p 0 (n + n t )
n i2 exp

(3.49)

Analiznd expresia de mai sus se observ c viteza net de recombinare U este


maxim pentru nivele energetice intermediare Et situate la mijlocul benzii interzise (E t = E i )
. Deci p t = n t = n i . Pentru o astfel de situaie putem considera egalitatea timpilor de via ai
purttorilor de sarcin ce ocup aceste nivele energetice: n 0 = p 0 = 0 .
n consecin, relaia (3.49) devine:

U=

q VA
1

kT

0 (p + n + 2 n i )

n i2 exp

(3.50)

Variaia concentraiilor purttorilor de sarcin n i p n funcie de poziia x n


interiorul regiunii de sarcin spaial a fost prezentat n figura 3.5. n ipoteza situaiei de
cvasiechilibru, n p =constant, maximul expresiei (3.50) are loc pentru abscisa x i la care
n = p . Folosind expresiile (2.30) pentru exprimarea concentaiilor, precum i relaia
E Fn E Fp = q V A se obine:

q VA
E Fn E Fi = E Fi E Fp =
2
q VA

n = p = n i exp
2kT

(3.51)

Viteza net maxim de recombinare devine:

Umax

q VA
1
ni
kT
=

2 o
q VA
exp
+1
2 k T
exp

(3.52)

Densitatea de curent corespunztoare fenomenelor de generare-recombinare n


volumul regiunii de trecere se determin plecnd de la ecuaiile de continuitate n care
R p = R n = U . Se obine astfel:

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

j grv = j n (l n ) j n (l p ) = q

ln
l p

55

U dx

(3.53)

Datorit dependenei concentraiilor purttorilor de sarcin de abscisa x integrala din


relaia (3.53) este dificil de calculat. Rezultate mulumitoare se obin nlocuind n relaia de
mai sus viteza net de recombinare prin Umax :
q VA
exp
1
ln
ni
kT
j grv = q l Umax dx = q

l.
(3.54)
p
2 o
q VA
exp
+1
2 k T
n consecin:

q VA
1
kT
I grv = Aj j grv = I grv 0
(3.55)
q VA

exp
+1
2 k T
n
n care I grv 0 = q Aj i l .
2 o
Pentru tensiuni aplicate situate n gama VA 3 k q T relaia (3.56) se poate
exp

aproxima prin:

I grv I grv 0 exp

q VA
1
2 k T

(3.56)

Determinarea lui I grs


Suprafaa semiconductorului reprezint o "defeciune" major a structurii cristaline,
prin ntreruperea periodicitii reelei. Din punct de vedere tehnic suprafaa este i sediul
unor impuriti suplimentare, active electric. Din aceste motive la suprafaa
semiconductorului vitezele de generare i recombinare cresc.
Conform modelului Shockley-Read-Hall, viteza net de recombinare la suprafa este
dat de relaia:

Us = s0

p s n s n i2
ns + p s + 2 n s

(3.57)

n care s0 [cm/s] reprezint viteza efectiv de generare-recombinare la suprafa, iar n s i p s


reprezint concentraiile de purttori la suprafaa corespunztoare regiunii de sarcin
spaial. Parametrul s0 caracterizeaz suprafaa din punct de vedere al fenomenelor de
generare-recombinare ntr-un mod analog cu modul n care parametrul 0 caracterizeaz
volumul semiconductorului.
Procednd ca n cazul anterior se determin curentul de generare-recombinare de
suprafa pentru tensiuni de polarizare VA 3 (k T/q):
q VA
I grs 1 q n i s0 AS exp
1
(3.58)

2
2

unde AS reprezint aria suprafeei semiconductorului cuprins n regiunea de sarcin


spaial.

56

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

n consecin, curentul total de generare-recombinare n regiunea de sarcin spaial,


pentru tensiuni VA 3 (k T/q) este:
q VA
q VA
l Aj

I gr 1 q n i 0 + s 0 AS exp
1 = I gr 0 exp
1 (3.59)

2
2kT
2kT

Curentul total prin jonciune este, n condiiile considerrii fenomenelor de


generare-recombinare, suma ntre curentul dat de ecuaia Shockley i cel furnizat de relaia
(3.59):

I A = I 0 exp

q VA
q VA
1 + I gr 0 exp
1

kT
2kT

(5.60)

Ponderea celor dou componente n relaia de mai sus definete o mrime des folosit
n exprimarea caracteristicilor redresoare ale unei jonciuni p-n i anume tensiunea de prag
V. Astfel, tensiunea de prag reprezint tensiunea direct la care componenta Shockley a
curentului este egal cu componenta de recombinare:

I 0 exp

q V

q V

1 = I gr 0 exp
1
kT
2 k T

(5.61)

n consecin expresia aproximativ a tensiunii de prag este:

I gr 0
V 2 kq T ln
I0

(5.62)

n polarizare direct curentul de recombinare prezint importan la nivele foarte


mici de injecie (regiunea notat cu I pe caracteristica reprezentat n figura 3.7), cnd
caracteristica static real este situat sub caracteristica static ideal reprezentat punctat n
figura 3.7. n domeniul curenilor medii (regiunea notat cu II), nivele de injecie mici i
medii, componenta de recombinare devine neglijabil, iar curentul este practic dat de ecuaia
ideal.
La nivele mari de injecie (regiunile notate cu III i IV) pentru jonciunea polarizat
direct relaiile determinate n capitolele 3.2.3 i 3.2.4 nu mai sunt valabile. Modelele care
descriu nivelul mare de injecie sunt complicate i nu vor fi prezentate n cadrul acestei
lucrri. Fenomenul fizic cel mai notabil este legat de apariia unor cmpuri electrice n
regiunile neutre, cmpuri care nu se mai pot neglija. n consecin, tensiunea VA aplicat
jonciunii p-n nu se va mai regsi n totalitate pe regiunea de sarcin spaial, aceasta
repartizndu-se ntre regiunile neutre, active (Vn,p ) i regiunea de sarcin spaial (VJ ) . De
asemenea, panta caracteristicii statice reale este mult mai puin abrupt dect cea ideal
corespunztoare tensiunii Vj ce este aplicat regiunii de trecere. Aceast scdere a pantei
este modelat prin introducerea unui coeficient m n expresia caracteristicii statice
Shockley:
q Vj
I F = I 0 exp
1
(3.63)
m k T

Valoarea coeficientului m variaz ntre 1 i 2. n consecin, tensiunea pe jonciunea


p-n este datde relaia:

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

57

IF
I
+ (R n + R p ) I F = m VT ln F + R S I F
(3.64)
I0
I0
n care R n i R p reprezint rezistenele regiunilor neutre i active n ip. Suma celor dou
rezistene se noteaz cu R S i poart denumirea de rezisten serie a structurii. Trebuie
remarcat c valoarea rezistenei serie din relaia de mai sus nu este o constant. Valoarea
rezistenei serie R S depinde de concentraiile purttorilor de sarcin n i p, care depind la
rndul lor de nivelul de polarizare al structurii.
VF = Vj + V n,p = m VT ln

Pentru tensiuni inverse moderate curentul invers prin jonciune va fi o sum de


componente:
I R = I inv = (I 0 + I gr 0 )

(3.65)

Curentul invers prin jonciune depinde de tensiunea invers aplicat prin intermediul
componentei I gr 0 , ce depinde de lrgimea l(VR ) a regiunii de sarcin spaial.
Multe dispozitive semiconductoare de larg consum, al cror grad de prelucrare a
suprafeei nu este prea avansat, au caracteristicile statice dominate de curentul de
generare-recombinare la suprafa. Aceasta duce la creterea excesiv a curenilor inveri i
la instabilitatea n timp a caracteristicilor statice.

3.2.5.
3.2.5 . Strpungerea jonciunii p-n
Aa cum am artat n subcapitolul anterior jonciunea p-n polarizat invers cu
tensiuni de valori medii i mici este parcurs de un curent de valoare mic. Datorit acestui
fapt, cderile de tensiune pe domeniile neutre p i n pot fi neglijate i putem considera c
toat tensiunea exterioar este aplicat regiunii de trecere.
Pe msur ce tensiunea VR crete curentul invers crete uor, iar cnd aceasta atinge
o anumit valoare, notat cu VBR , curentul invers crete puternic i rapid, tinznd ctre
infinit dac acesta nu este limitat de circuitul exterior. Acest fenomen poart denumirea de
strpungere, iar tensiunea invers VBR la care se produce se numete tensiune de
strpungere. Dac circuitul exterior limiteaz curentul prin jonciune la o valoare care nu
duce la distrugerea structurii prin nclzire excesiv, fenomenul de strpungere este
reversibil.
Principalele fenomene fizice ce stau la baza strpungerii jonciunii p-n sunt:
generarea interband, n perechi, a purttorilor de sarcin prin impact,
efetul de tunel,
generarea termic a perechilor electron-gol.
Primele dou fenomene se datoreaz cmpului electric de valori mari, de peste
7
10 V/m , din regiunea de trecere, iar cel de-al treilea este legat de creterea puterii disipate
urmat de creterea temperaturii n anumite puncte din structura jonciunii. Reprezentarea
strpungerii jonciunii p-n, pe caracteristica static, prin cele trei mecanisme este ilustrat n
figura 3.8.

58

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

-VR

VBR

c
a

-I R
Figura 3.8. Strpungerea jonciunii p-n prin: a) multiplicare n avalan;
b) efect tunel; c) efect termic.

Pentru jonciunile p-n ce au concentraii de impuriti mai mici de 10 18 cm 3 ,


strpungerea jonciunii p-n este determinat de fenomenul de generare interband prin
impact, n perechi, a purttorilor de sarcin n regiunea de trecere. Acest tip de strpungere
poart demunirea de strpungere prin multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin.
n cazul n care intensitatea cmpului electric n regiunea de trecere atinge valori de
aproximativ 2 10 7 V/m , acesta poate imprima purttorilor de sarcin ce traverseaz regiunea
de trecere o energie cinetic de cteva ori mai mare ca nlimea energetic a benzii
interzise E G , astfel nct n urma ciocnirii cu atomii reelei cristaline s-i ionizeze. Purttorii
de sarcin astfel formai sunt accelerai la rndul lor de cmpul electric puternic i cnd
energia lor cinetic este suficient vor forma noi perechi electron-gol .a.m.d. Acest proces
regenerativ conduce la producerea unui numr infinit de perechi electron-gol i deci a unui
curent invers infinit. n prezena procesului cumulativ de multiplicare n avalan numrul
purttorilor de sarcin, de un anumit tip, care ies din regiunea de trecere este mult mai mare
ca numrul purttorilor de sarcin care intr n regiunea de trecere. Raportul acestor dou
categorii de purttori de sarcin definete factorul de multiplicare n avalan M ce permite
descrierea cantitativ a fenomenului prin relaia:

I R = M I 0 1 exp

q VR
q VR
+ M I gr 0 1 exp

kT
2 k T

(3.66)

Coeficientul M poate fi estimat folosind relaia empiric:

M=

1
n
V

1 R
VBR

(3.67)

n care n este un coeficient cuprins ntre 4 i 7, valoarea sa depinznd de rezistivitatea


semiconductorului.
Pentru tensiuni VR < 0, 7 V BR coeficientul M este aproximativ unitar, dar pentru
tensiuni inverse ce depesc aceast valoare devine necesar folosirea relaiei (3.66) pentru
determinarea curentului prin structur.
Valoarea tensiunii de stpungere prin avalan depinde de mai muli factori ca:
temperatur, dopare cu impuriti, geometria structurii, tehnologia de fabricaie etc.

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

59

Pentru concentraii mari de impuritii ( > 10 18 cm 3 ) lrgimea regiunii de sarcin


spaial scade iar valoarea maxim a intensitii cmpului electric n polarizare invers
crete, putnd atinge valoari de ordinul 5 10 7 V/m , astfel nct curentul invers crete foarte
mult pentru tensiuni inverse mai mici. Cnd concentraiile de impuriti sunt suficient de
mari pentru ca tensiunea la care are loc strpungerea jonciunii s fie mai mic de 7...6 V,
generarea interband prin impact devine ineficient datorit faptului c lrgimea regiunii de
sarcin spaial este prea mic pentru ca purttorii de sarcin astfel creai s aib ansa
generrii unor noi perechi electron-gol i un alt fenomen fizic devine responsabil de
creterea puternic a curentului invers. Bariera de potenial a jonciunii este, n acest caz,
att de subire nct probabilitatea ca purttorii de sarcin s o treac prin efect de tunel
crete foarte mult. Deci noul fenomen fizic responsabil de strpungerea jonciunilor puternic
dopate este efectul de tunel , iar strpungerea n acest caz poart numele de strpungere
Zener. n cazul strpungerii prin efect Zener curentul invers variaz mai lent. Trebuie
subliniat faptul c, spre deosebire de fenomenul de generare interband prin impact,
fenomenul de efect de tunel nu este un proces regenerativ. Regiunea de strpungere a
caracteristicii statice inverse, unde tensiunea este practic independent de valoarea
curentului, se numete i regiune de stabilizare.
Atunci cnd jonciunile p-n prezint multe defecte sau cnd, datorit materialului
semiconductor din care sunt confecionate, prezint cureni inveri de valoare ridicat
strpungerea acestora se poate realiza datorit fenomenului de generare termic a
purttorilor de sarcin. n cazul jonciunilor cu defecte, intensitatea cmpului electric n
centrele de defect poate fi foarte mare i temperatura semiconductorul n aceste puncte
crete foarte mult. Creterea temperaturii antreneaz creterea concentraiilor de putrtori de
sarcin datorit generrii pe cale termic a acestora, dar creterea concentraiilor de purttori
de sarcin conduce la o cretere suplimentar a temperaturii .a.m.d. Acest proces
regenerativ conduce la distrugerea structurii prin topirea local a semiconductorului.
n cazul jonciunilor ce prezint cureni inveri de valoare ridicat puterea disipat pe
jonciune conduce la nclzirea structurii. Aceast nclzire determin generarea pe cale
termic a purttorilor de sarcin, i deci creterea curentului prin structur. Creterea
curentului conduce la o nou cretere a temperaturii, .a.m.d., acest proces fiind i el
regenerativ. n acest caz tensiunea de strpungere poate fi evaluat cu formula:

VBRth =

1
I inv R th A

(3.68)

n care R th este rezistena termic ntre jonciune i mediul ambiant i A [ o C 1 ] repezint un


coeficient termic ce caracterizeaz semiconductorul.
Trebuie subliniat faptul c fenomenul de cretere a concentraiilor purttorilor de
sarcin pe cale termic poate conduce la scderea tensiunii pe jonciunea p-n, deci la
existena unei regiuni de rezisten negativ pe caracteristica static la strpungere termic
(vezi figura 3.8).

60

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Observaii
Strpungerea jonciunii p-n poate fi cauzat i de compunerea fenomenelor
prezentate
mai sus. Creterea curentului prin multiplicare n avalan sau prin efect de tunel poate fi
urmat de o strpungere termic a structurii datorit creterii puterii disipate pe jonciune i
deci a temperaturii acesteia. Aceasta este cauza pentru care, n unele cazuri, n caracteristica
static poriunea aproape vertical corespunztoare strpungerii prin avalan (sau efect de
tunel) este urmat de o poriune ce prezint rezisten negativ.
Suprafaa semiconductorului are un rol important n strpungerea jonciunii p-n.
Dac suprafaa prezint imperfeciuni majore tensiunea de strpungere devine instabil n
timp i caracteristica structurii din apropierea strpungerii prezint un cot moale.

3.2.6.
3.2.6 . Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii

p-n
Caracteristica static a jonciunii p-n depinde puternic de temperatur. Calitativ
aceast dependen se manifest prin creterea curentului prin jonciune, att n polarizare
direct ct i n polarizare invers, i prin modificarea tensiunii de strpungere a structurii
odat cu creterea temperaturii.
Dependena de temperatur, n polarizare direct , a caracteristicii statice a
jonciunii p-n este dat n figura 3.9. Curentul prin jonciune depinde de temperatur att
prin intermediul mrimilor n i , Dp , Dn , L n i L p , ce definesc curenii I 0 i I gr 0 , ct i prin
termenii exponeniali corespunztori celor dou componente ale curentului: Shockley i de
recombinare. Dependena de temperatur a celor dou componente se poate exprima prin
relaiile:

I F Shockley T exp

q VA
E q VA
EG
exp
= T exp G

kT
kT
kT

I 0 /const

I F recombinare

q VA
E q VA
EG
T exp
exp
= T exp G

2kT
2kT
2kT

(3.69)

I gr 0 /const

n care 2, 5 i 1, 5 .
n domeniul curenilor medii predomin efectul componentei Shockley, iar pentru a
determina influena temperaturii asupra caracteristicii statice directe se utilizeaz
coeficientul:

cVF =

dVF
dT

I A =ct.

E
I
V
= d k q T ln F = G F
q T T
dT
I0

(3.70)

Coeficientul c V F este cuprins ntre (1 3) mV/ o C , dar n practic este utilizat


valoarea medie de 2 mV/ o C .

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

61

IA

T2

T1

IA1( T2 )

T1 < T2

IA1( T1 )
VA1 = ct.

VA

Figura 3.9. Influena temperaturii asupra caracteristicii directe a jonciunii p-n.

n polarizare invers, variaia temperaturii jonciunii produce modificri ale


caracteristicii statice datorit variaiei att a curentului invers ct i a tensiunii de
strpungere.
Dependena de temperatur a curentului invers este dat n principal de n i , termen ce
apare att n I 0 (n i2 ) ct i n I gr 0 (n i), i poate fi evaluat cu relaiile:
E
I 0 T exp G
kT
(3.71)
EG

I gr 0 T exp
2 k T
Pentru mecanismele, ce determin caracteristica static a unei structuri, care au o
dependen de temperatur de tipul exp [E/(k T )] se folosete termenul de procese
activate termic, iar E se numete energie de activare termic. n cazul nostru energia de
activare termic pentru curentul I 0 este E G , iar pentru I gr 0 este E G /2.
Dependena de temperatur a tensiunii de strpungere a jonciunii p-n este
determinat de tipul acesteia: prin multiplicare n avalan sau Zener. La structurile la care
strpungerea este prin multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin, tensiunea de
strpungere crete odat cu creterea temperaturii. Explicaia acestui fapt este urmtoarea.
La creterea temperaturii se accentueaz vibraia termic a atomilor din nodurile reelei
cristaline i deci drumul mediu dintre dou ciocniri consecutive scade. Pentru ca un purttor
de sarcin s acumuleze energia necesar ionizrii prin oc trebuie ca valoarea intensitii
cmpului electric n regiunea de sarcin spaial s fie mai ridicat, deci VBR va crete cu
creterea temperaturii (figura 3.10.a.). Cnd strpungerea jonciunii este de tip Zener,
tensiunea de strpungere scade odat cu creterea temperaturii (figura 3.10.b).
I A [pA]
0 VA

VBR2 VBR1

T1

T2 >T1
T1

a.

IA[ A]
0

T2 > T1
b.

Figura 3.10. Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii p-n n


polarizare invers pentru strpungere de tip: a) avalan, b) Zener.

VA

62

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

3.2.7. Regimul dinamic al jonciunii p-n


Regimul dinamic reprezint regimul de funcionare a structurii n cazul aplicrii unor
semnale de polarizare variabile n timp. Metoda cea mai folosit n analiza regimului
variabil const n stabilirea unor circuite echivalente care modeleaz comportarea jonciunii
n condiiile de lucru date i care nlocuiete structura n schema electric n care
funcioneaz. Circuitul echivalent nu este unic, el depinznd, de regul, de specificul
semnalului variabil aplicat.
n funcie de amplitudinea semnalului variabil aplicat deosebim:
regimul variabil de semnal mic ce const n aplicarea unui semnal compus dintr-un
semnal variabil de amplitudine mic suprapus peste un semnal de polarizare de
curent continuu,
regimul variabil de semnal mare ce const fie n aplicarea unui semnal compus
dintr-un semnal variabil de amplitudine mare suprapus peste un semnal de polarizare
de curent continuu, fie n aplicarea numai a unui semnal variabil de amplitudine
mare.
Una din cele mai ntlnite situaii n funcionarea dispozitivelor este cea n care
semnalul variabil de amplitudine mic este alternativ. Acest caz va fi studiat n continuare,
att n condiiile de regim cvasistaionar (frecven joas a semnalului alternativ), ct i n
condiiile unui regim nestaionar (frecvene medii i nalte ale semnalului alternativ).

Rspunsul jonciunii la semnal mic n regim cvasistaionar


n cazul regimului variabil de semnal mic, tensiunea la bornele jonciunii este:

v A (t ) = V A + v a (t )

(3.72)

n prezena componentei variabile jonciunea i modific starea staionar prin


modificarea dimensiunilor regiunii de trecere, a barierei de potenial i distribuiei
purttorilor minoritari din regiunile active. Aceste procese sunt legate de variaia sarcinilor
electrice din regiunea de trecere i din regiunile active i necesit un anumit timp pentru a se
dezvolta. Dac variaia n timp a componentei v a (t ) , considerat a fi alternativ, este lent
(cazul frecvenelor joase) se poate presupune c mrimile instantanee v A (t ) i i A (t ) sunt n
aceeai relaie ca i n regim staionar, respectiv:

i A (t ) = I 0 exp

q v A (t )
1 .
m kT

(3.73)

Deci, acest mod de funcionare consider c jonciunea lucreaz n regim staionar


pentru toate strile intermediare posibile. De aceea, acest mod de funcionare se numete
regim cvasistaionar.
Funcionarea unei jonciunii p-n n cazul regimului cvasistaionar de semnal mic este
ilustrat n figura 3.11.

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

63

iA

vA (t)
p
iA(t)

+ -

~
VA va(t)

ia
t

IA
VA
0

va

vA

t
Figura 3.11. Jonciunea p-n n regim cvasistaionar.

Condiia de semnal mic pentru jonciunea p-n se poate deduce din relaia (3.73) prin
introducerea expresiei tensiunii totale (3.72):

q (VA + v a (t ))
q VA
q v a 1 (3.74)
1 =I 0 exp

exp

m k T
m kT
m kT

i A (t ) = I 0 exp

Termenul exp [q v a /(m k T)] poate fi dezvoltat n serie Taylor de puteri. Pentru a
putea neglija termenii de ordin superior trebuie ndeplinit urmtoarea condiie:

v a (t ) = Va sin ( t ) << m qk t sau V a << m qk t = m V T

(3.75)

care definete de fapt condiia de semnal mic.


Aceast condiie permite deci aproximaia :
exp

q va
q va
1+

mkT
m kT

(3.76)

i deci:

q VA
q va
q VA 1 =
+

exp

m k T
m kT m kT

V
q

v
A
a
= I A + I 0 exp

m k T m k T

i A (t ) = I 0 exp

(3.77)

Aceast relaie arat faptul c n condiii de semnal mic se poate considera rspunsul
jonciunii ca o suprapunere a dou efecte: componenta static I A (ca efect al aplicrii
tensiunii VA ) i componenta variabil i a (t ) (ca efect al aplicrii tensiunii v a (t ) ), dat de
relaia:

i a (t ) =

IA + I 0
v (t ) = 1 v a (t )
mkT a
Ri
q

(3.78)

Relaia de mai sus relev faptul c ntre componentele variabile ale tensiunii i
curentului exist o relaie liniar. Mrimea R i definit de relaia:
m VT IA >>I0 m VT
Ri =

(3.79)
I 0 + IA
IA
se numete rezistena intern sau diferenial a jonciunii.

64

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Din punct de vedere grafic, condiia de semnal mic este echivalent cu aproximarea
caracteristicii, n jurul unui punct static de funcionare M, cu tangenta la caracteristic n
acel punct:
1 = dI A = I 0 exp VA = I A + I 0
(3.80)
m VT m V T
R i dVA m VT
n polarizare invers, curentul prin jonciune este foarte mic (I inv I 0 + I gr 0 ) i
m VT
m VT
rezistena intern devine foarte mare (R i
=
).
I inv + I 0
I gr 0
n cazul curenilor mari, rezistena intern devine comparabil cu rezistenele de
volum introduse de regiunile neutre, iar circuitul echivalent n regim cvasistaionar va trebui
completat i cu aceste rezistene.
Circuitul echivalent al jonciunii pentru regim cvasistaionar de semnal mic este dat
n figura 3.12.
ia (t)

rp

Ri

rn

va(t)
Figura 3.12. Circuitul echivalent al jonciunii p-n pentru
regim cvasistaionar de semnal mic.

Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii n regim nestaionar


dv a
este mare, iar n
dt
jonciunea p-n apar efecte dinamice, legate de variaia n timp a sarcinii electrice din
regiunile active i din regiunea de trecere.
Modelul echivalent al jonciunii n regim nestaionar de semnal mic se determin
folosind aa-numita metod de analiz de control prin sarcin al crei rezultat este cunoscut
sub numele de modelul de control prin sarcin. n determinarea acestuia se neglijeaz
urmtoarele surse de ntrziere ale semnalului:
ntrzierea curenilor de drift i difuzie prin regiunile neutre ale jonciunii p-n,
ntrzierea curenilor de drift i difuzie prin regiunea de sarcin spaial,
ntrzierea datorat fenomenelor de captur i generare n centrele de defect
interband situate n toate regiunile jonciunii.
Cnd componenta variabil are variaii rapide, viteza de variaie

n conformitate cu metoda mai sus menionat, elementele modelului echivalent al


jonciunii n regim nestaionar de semnal mic se determin prin diferenierea curentului i
sarcinii prin jonciune funcie de tensiunea aplicat.
Curentul prin structur n condiiile unui regim variabil este:
q vA
q vA
i A (t ) =I 0 exp
1 +I grv 0 exp
1 + A j E
(3.81)

t
kT
2kT
curentul Shockley

curentul de generare-recombinare

curentul de deplasare

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

65

Aceast relaie este justificat de condiia de cvasiechilibru ce rmne valabil pn


la frecvene foarte nalte, deoarece traversarea regiunii de sarcin spaial de ctre purttorii
de sarcin se face ntr-un timp foarte scurt ( 10 11 s ). Deosebirea ce apare n distribuiile
purttorilor de sarcin din regiunile active fa de regimul cvasistatic const n faptul c
acestea nu mai pot urmri modul de variaie al concentraiilor p n (l n ) , respectiv n p (l p ) .
Acest lucru, relevat n figura 3.13, se datoreaz faptului c modificarea distribuiilor se
realizeaz prin fenomene de generare-recombinare, fenomene relativ lente.

pn
pn(VA )

np

id

R id

t
pn0

t
np(VA )

Cd
np0
x

ln

-l p 0

Figura 3.13. Modul de variaie n timp a distribuiei spaiale a concentraiilor de


goluri respectiv electroni.

Folosind relaia (3.81) se obin conductanele corespunztoare fenomenelor de difuzie


din cele dou regiuni active i de generare-recombinare din regiunea de sarcin spaial:

Lp p n 0 q
q v A = q A j Jp 0 exp q v A

exp
kT kT
kT
p k T
Ln n p 0 q
q vA q A j
q vA
Gn = q Aj

exp
=
Jn 0 exp

n
k T
kT
kT
kT
q
q vA
n
Ggr = q A j i l
exp
+

2 0
2kT
2 k T
q vA
n
+ q A j i exp
1 dl
2 0
dv A
2 k T
Gp = q Aj

(3.82)

Relaiile (3.82) relev faptul c putem asocia curentului Shockley rezistena:

R Shockley

VT
,
I 0 + I AShockley

(3.83)

iar curentului de generare-recombinare de volum rezistena:


2 VT

R gr
I grv

I grv 0
VT
1+
+
I grv VA B 0

(3.84)

Conductana total a jonciunii este suma conductanelor celor trei zone:

G = G Shockley + Ggr

(3.85)

Elementele capacitive, corespunztoare fenomenelor de difuzie din regiunile active i


de generare-recombinare din regiunea de sarcin spaial, se determin cu relaiile:

66

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

dQp
q
V
Aj
p n 0 L p exp A = Gp p
VT
VT
dv A
dQn
q
V
Cn =
Aj
n p 0 L n exp A = Gn n
dv A
VT
VT
dQgr
q
V
C gr =
Aj
n i l exp A +
dv A
2 VT
2 VT
V
+ Aj q n i exp A 1 dl = G gr 2 0
2 VT

dv A

Cp =

(3.86)

n care Qp i Qn reprezint sarcinile minoritare acumulate n exces fa de situaia


echilibrului termodinamic n regiunile active de tip p, respeciv n, date de relaiile:

VA
1

VT

,
l p
V

A
Qn = q Aj [n p (x) n p 0 ] dx = q n p 0 L n exp 1
VT

Q p = q Aj [p n (x) p n 0 ] dx = q p n 0 L p exp
l

(3.87)

iar Qgr reprezint sarcina electronilor i golurilor din regiunea de trecere, dat de relaia:

Qgr = q

0
l p

n p (x)dx + q p n (x)dx = q n i l exp


ln

VA
1

2 VT

(3.88)

obinut prin folosirea relaiei (3.51) pentru concentraiile purttorilor de sarcin.


n literatura de specialitate capacitatea ce modeleaz variaiile sarcinii electrice din
regiunile active este numit capacitate de difuzie, C d :
(I + I )

o
C d = C n + C p = G n n + G p p GShockley 0 =
= o Ad od
(3.89)
2 2 R Shockley
2 VT

Elementele conductive i capacitive ale modelului de regim nestaionar de semnal


mic datorate componentelor de curent Shockley i de generare-reconbinare au valori
semnificative n polarizare direct, iar n polarizare invers efectul lor este neglijabil.
Curentul de deplasare depinde de distribuia cmpului electric. Pentru o variaie mic
a tensiunii de polarizare dv A regiunea de sarcina spaial sufer o modificare a lrgimii ei dl
, iar cmpul electric o variaie a intensitii dE (figura 3.14).
E

dl
Cb
dE

jonciune nesimetric
l n>>lp

ideplasare

Figura 3.14. Modificarea intensitii cmpului electric i a lrgimii regiunii de sarcin


spaial n cazul unei modificri dv A a tensiunii aplicate jonciunii p-n.

Modificarea lrgimii regiunii de sarcin spaial conduce la variaia sarcinii din


volumul Aj l :
N ND
dQB = q Aj NA dl p + q Aj N D dl n = q A j A
dl
(3.90)
NA + ND

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

67

Elementul capacitiv asociat acestui fenomen este dat de relaia urmtoare:

Cb =

dQB
Aj
N N
= q Aj A D dl =

dv A
NA + N D dv A
l

Cb 0 =

Cb 0
VA

Aj

B0

(3.91)

l0

i poart denumirea de capacitate de barier.

Efectul acestui element capacitiv al circuitului echivalent este pregnant n polarizare


invers. n polarizare direct capacitatea de barier se poate neglija.
n consecin, circuitul echivalent corespunztor fenomenelor fizice din regiunile
active i de sarcin spaial ale jonciunii p-n este format dintr-o rezisten intern R i (care
ine seama de efectele staionare ale tuturor componentelor curentului) i o capacitate
C j = C d + C gr + C b C d + C b , toate n paralel. n funcie de polarizarea n curent continuu a
jonciunii p-n acest circuit echivalent capt forme particulare. Figura 3.15 prezint aceste
forme particulare. Se observ c elementele datorate componentei de generare-recombinare
a curentului au fost neglijate datorit faptului c mrimile lor sunt neglijabile att n
comparaie cu elementele datorate componentei Shockley ct i cu capacitatea de barier.
n polarizare direct ( 0,6 0,7 V )
Ri

Ri
Cb

Cd

Cd

n polarizare invers
Cb

Figura 3.15. Circuitul echivalent de semnal mic n regim nestaionar corespunztor


structurii active a jonciunii.

La nivele mari de injecie schema echivalent a jonciunii prezentat n figura 3.15 se


completeaz cu rezistenele serie de volum ale regiunilor neutre n i p, R sn i R sp . Suma
acestor dou rezistene se noteaz cu R S i poart denumirea de rezisten serie a structurii.
Figura 3.16 prezint circuitul echivalent complet al jonciunii p-n pentru regim nestaionar
de semnal mic. Acest circuit este valabil pentru frecvene < 1/ 0 .

RS

Ri
Cj = Cd +Cb

Figura 3.16 Circuitul echivalent complet al jonciunii p-n pentru regim nestaionar de
semnal mic.

68

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Jonciunea p-n n regim variabil de semnal mare


Pentru amplitudini Va mari ale semnalului variabil curentul prin jonciune i
tensiunea aplicat acesteia se modific n limite largi. La frecvene joase ale semnalului,
adic pentru regim cvasistaionar, analiza se poate face grafic pe caracteristica static a
jonciunii p-n, aa cum este ilustrat n figura 3.17.
Jonciunea p-n n regim cvasistaionar de semnal mare este un element neliniar,
caracterizat prin conducia curentului practic numai ntr-un singur sens. Modelarea
comportrii jonciunii n acest caz se realizeaz, n mod uzual, prin aproximarea
caracteristicii statice prin dou segmente de dreapt. Tensiunea la care are loc mbinarea
celor dou drepte, precum i panta dreptei situat n ntregime n domeniul tensiunilor
pozitive determin elementele modelului de semnal mare i regim cvasistaionar VD i R D .
iA
RD
>
VD

n polarizare direct
RD + -

vA

VD

vA
Figura 3.17. Modelul de semnal mare i regim cvasistaionar al jonciunii p-n.

3.3. Heterojonciunea metal-semiconductor


m etal-semiconductor
Contactul metal-semiconductor este o structur fizic ce intr n componena tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa funcie este de a contacta diverse regiuni
semiconductoare n vederea conectrii terminalelor capsulei. n acest caz contactul trebuie
s prezinte o rezisten foarte mic n ambele sensuri de polarizare; un astfel de contact se
numete contact ohmic.
Contactul metal-semiconductor poate avea i conducie unilateral, caz n care poart
denumirea de contact redresor. Contactele redresoare stau la baza construciei diodelor
Schottky. Proprietile contactului metal-semiconductor au fost descoperite de F. Braun nc
din 1874, dar teoria heterojonciunilor metal-semiconductor (M-S) redresoare a fost corect
dezvoltat abia n 1942 de Hans Bethe i nu de Schottky-Mott-Davydov cum greit apare n
multe publicaii. Datorit propagrii pe scar larg a acestei confuzii diodele a cror
structur se bazeaz pe contactul M-S redresor au fost numite diode Schottky i nu diode
Bethe aa cum ar fi fost normal. Folosirea pe scar a diodelor Schottky pentru comutarea
rapid ntr-o gam larg de cureni a nceput n anii 1980. Problemele de reproductibilitate
i uniformitate a performanelor contactului M-S redresor au restrns folosirea acestuia
numai n structurile dispozitivelor discrete, nepermind utilizarea lui n circuitele integrate
pe scar larg. O alt aplicaie a heterojonciunilor M-S este reprezentat de jonciunea de
gril a tranzistoarelor MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) folosite cu

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

69

precdere n domeniul microundelor i a cror integrare pe scar larg a nceput timid n


1991 dup cteva decade de eforturi ale inginerilor fizicieni.
Obinerea funciei ohmice sau redresoare a contactului metal-semiconductor se face
prin alegerea metalului, a semiconductorului i a gradului de impurificare.

3.3.1. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor la


echilibru termic
Determinarea diagramei energetice a contactului M-S la echilibru termic este util
deoarece aceasta este utilizat n determinarea caracteristicilor statice, de semnal mic i de
comutaie ale heterojonciunilor M-S redresoare.
Primul pas n construirea diagramei Ex la echilibru termodinamic pentru contactul
M-S const n relevarea diagramelor energetice Ex ale metalului i semiconductorului n
vecintatea suprafeei.

Diagrama energetic a semiconductorului n vecintatea suprafeei


Suprafaa semiconductorului reprezint o discontinuitate a structurii periodice din
interiorul monocristalului deoarece, pe lng faptul c atomii de la suprafaa
semiconductorului nu mai au vecini n exterior pentru formarea legturilor covalente,
aceasta este i sediul unor centre de defect de tip impuritate. Aceste defecte, ce afecteaz
continuitatea i puritatea semiconductorului n vecintatea suprafeei, se traduc prin apariia
n banda interzis a unor nivele energetice numite stri rapide de suprafa. Aceste nivele
energetice sunt relativ dese, iar numrul lor pe unitatea de suprafa i energie se numete
densitate energetic i se noteaz cu Dst . Aa cum este ilustrat n figura 3.18, la echilibru
termodinamic numai poriunea q 0 din strile rapide de suprafa este ocupat cu
electronii de la suprafaa semiconductorului.
EC
EG

q 0

EV

Figura 3.18. Ocuparea cu electroni a strilor rapide de suprafa.

Existena strilor rapide de suprafa produce modificri n regiunea adiacent


acestora, modificri ce nseamn de fapt apariia unei regiuni de sarcin spaial (numit i
regiune golit). Mecanismul formrii regiunii golite este prezentat n continuare pentru
ambele tipuri de semiconductoare n i p.
Pentru semiconductoarele de tip n, electronii de conducie din apropierea suprafeei
tind s ocupe strile rapide de suprafa i deci, pe msur ce acestea se ocup cu electroni,
la suprafa se acumuleaz sarcin negativ, iar n regiunea din vecintatea suprafeei, prin
plecarea electronilor, vom avea o sarcin pozitiv, egal cu cea negativ a suprafeei,

70

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

datorat ionilor donori. Apariia acestei regiuni golite, cu sarcin spaial de semn contrar
celei de la suprafaa semiconductorului, determin apariia unui cmp electric care se opune
transferului de electroni la suprafa. Astfel la echilibru numai o fraciune din strile rapide
de suprafa sunt ocupate cu electroni. Aceast situaie este ilustat n figura 3.19.a.
Lrgimea regiunii de sarcin spaial se determin din condiia de neutralitate global a
semiconductorului:
s = q ND l n 0

(3.92)

n care l n 0 reprezint lrgimea regiunii de sarcin spaial la echilibru termic, iar s


reprezint densitatea superficial a sarcinii negative de la suprafa.
Densitatea superficial a sarcinii negative de la suprafa este dat de expresia:
s = q Dst (E G q 0 q Bn )

(3.93)

n care Bn reprezint nlimea barierei de potenial pentru electroni n sensul dinspre


exterior spre semiconductor.
Pentru semiconductoarele de tip p, electronii care ocupau deja strile rapide de
suprafa din intervalul q 0 trec n banda de valen ocupnd nivelele energetice libere.
Astfel, prin ionizarea impuritilor acceptoare, n vecintatea suprafeei apare o sarcin
spaial negativ, iar la suprafaa semiconductorului de tip p se acumuleaz sarcin pozitiv
(golurile ce ocup strile rapide de suprafa). Aceast situaie este ilustrat n figura 3.19.
La fel ca n cazul precedent lrgimea regiunii de golire se determin pornind de la condiia
de neutralitate global a semiconductorului:

q Dst (q 0 q Bp ) = q N A l p 0

(3.94)

n care Bp reprezint nlimea barierei energetice pentru goluri n sensul dinspre exterior
spre semiconductor.

E
+
+
+
+

+
+
+
+

+
+
+
+

S
n

'
0 ln0

S
p

'
0 l p0

x
EC

q.'Bn

EC
EF
EG

q.0

q.'Bp

......

.........

q.0

E
-

EF
EV

EV
Figura 3.19. Diagramele Ex , la echilibru termodinamic, la suprafaa unui
semiconductor intrinsec: a) de tip n; b) de tip p.

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

71

Diagrama energetic a metalelor la echilibru termic


Metalele au o diagram energetic relativ simpl. Ele prezint o band de conducie
ocupat cu electroni pn n dreptul nivelului Fermi aa cum relev figura 3.20. Mrimea
notat cu E M n aceast figur se numete energia de extracie a electronilor din metal
("electron work function in the metal"):
E M = q M =E VL E F M0

(3.95)

i reprezint energia ce trebuie consumat n scopul extragerii unui electron din metal i
deplasrii lui la infinit. n relaia (3.95) cu E VL s-a notat nivelul energetic al vidului.
E VL
E FM0

x
E=q. M

Figura 3.20. Diagrama energetic Ex a unui metal.

Prin contactul dintre metal i semiconductor au loc transferuri de electroni ntre cele
dou pri care modific barierele energetice i sarcinile nete de la suprafaa de contact i
din vecintatea semiconductoare a acesteia .
Condiia de echilibru termic impune ca nivelul Fermi s fie constant n toat
structura.

Contactul metal-semiconductor de tip n


Contactul metal-semiconductor de tip n poate s aib att un caracter redresor ct i
unul ohmic. Pentru obinerea unui caracter redresor util metalul folosit trebuie s prezinte
o energie de extracie a electronilor din metal mare. Pentru a descrie cantitativ ct de mare
trebuie s fie E M se definete, n mod similar, i pentru semiconductor energia de extracie a
electronilor din semiconductorul de tip n:
E Sn = q Sn =E VL E Fn

(3.96)

Astfel, pentru obinerea unui caracter redresor util trebuie ca E M >E Sn , fapt ce
faciliteaz obinerea unei bariere de potenial importante, necesar pentru restricionarea
transferului de purttori majoritari ntre cele dou regiuni. Transferul electronilor ntre cele
dou regiuni const n trecerea acestora din banda de conducie a semiconductorului spre
metal i din metal spre strile rapide neocupate de la suprafa. Aceste transferuri
accentueaz starea de golire de purttori majoritari a regiunii din vecintatea suprafeei i
deci intensitatea cmpului electric intern crete. Diferena intern de potenial pe care o
ntmpin electronii ce trec dinspre semiconductor spre metal poart denumirea de barier
de potenial de contact i se noteaz cu Vbi . nlimea barierei de potenial pe care o
ntmpin electronii ce trec dinspre metal spre semiconductor se noteaz cu B i reprezint
principala caracteristic a acestui tip de contact.

72

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

n figura 3.21 este ilustrat diagrama benzilor energetice la echilibru termodinamic


corespunztoare heterojonciunii metal-semiconductor de tip n i modul de construcie al
acesteia.
Semiconductor
de tip n

M
E

EVL
EM

E S0

q . S

- +
- +
- +
E

+
+
+

EC
E Fn
EV

E FM

M
E VLL
EM
E FM

Semiconductor
de tip n

ln0

q .S
q .B

a.

q .Vbi

q .S

b.

E VLR
EC
EV

E S0
E F0

Figura 3.21. Diagrama benzilor energetice a contactului metal-semiconductor de tip n.

Pe aceast diagram Ex s-au folosit nivele energetice diferite de referin pentru


metal i pentru semiconductor. Diferena ntre cele dou nivele este egal cu diferena ntre
energiile de extracie ntre metal i semiconductor:
E VLL E VLR =E M E Sn

(3.97)

Lrgimea regiunii de golire se poate determina folosind urmtoarea relaie:

l n 0 = 2 q 1 Vbi
ND

(3.98)

Caracterul ohmic pentru contactul metal-semiconductor de tip n poate fi obinut pe


dou ci:
prin micorarea pn la anulare a barierei de potenial de contact Vbi prin alegerea
unui metal cu o energie de extracie mic (de exemplu Al); condiia de Vbi = 0
necesar obinerii unui contact ohmic ideal poart numele de condiie de benzi
netede;
prin doparea puternic a semiconductorului astfel nct lrgimea regiunii de sarcin
spaial s devin suficient de mic, i deci transferul de electroni ntre cele dou
regiuni s se realizeze prin efect de tunel.

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

73

Contactul metal-semiconductor de tip p


Contactul metal-semiconductor de tip p are n mod natural un caracter ohmic .
Aceasta pentru c:
semiconductorul fiind de tip p, electronii acestuia sunt purttori minoritari i nivelul
transferului lor n metal este extrem de redus, iar
electronii transferai din metal ocup strile rapide de suprafa, conducnd la
micorarea sarcinii pozitive existente aici nainte de contact.
Din aceste motive poate chiar s apar la suprafaa de contact un excedent de sarcin
negativ ce conduce la dispariia regiunii golite de barier i formarea unui strat de
acumulare de goluri n imediata vecintate a suprafeei aa cum este ilustrat n figura 3.22.

S(p)

M
p+
q. B

EC
EF
EV

Figura 3.22 Contactul metal-semiconductor de tip p.

3.3.2. Caracteristica static a heterojonciunii metal-semiconductor


Descrierea corect a comportrii heterojonciunii metal-semiconductor n regim de
polarizare electric a fost fcut de Bethe, iar modelarea dezvoltat de acesta este cunoscut
sub denumirea de teoria emisiei.

Caracteristica static a heteojonciunii metal-semiconductor de tip n


Diagrama simplificat a benzilor energetice corespunztoare polarizrii acestei
heterojonciuni este ilustrat n figura 3.23. Pe aceast caracteristic se observ c nlimea
barierei de potenial pentru electronii ce trec dinspre metal spre semiconductor este
independent de polarizare, valoarea sa fiind egal cu cea corespunztoare situaiei de
echilibru termodinamic B , iar nlimea barierei de potenial pentru electronii ce trec
dinspre semiconductor spre metal este Vbi V A , deci dependent de polarizare. nlimea
barierei de potenial pentru electronii ce trec dinspre semiconductor spre metal scade n
polarizare direct (Vbi V F ) i crete n polarizare invers (Vbi + V R ).

74

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Semiconductor

M
E VLL
EM
E FM

ln

x
q.(Vbi -VF) E C
E Fn
EV

q . B

de tip n

E VLL

ln

E VLR

E VLR
EM
E FM

q . B

q.(Vbi +VR)
EC
E Fn
EV

a.

b.
Figura 3.23. Diagrama Ex n regim de polarizare electric:
a) polarizare direct; b) polarizare invers.

Curentul prin structur este rezultatul superpoziiei a doi cureni:


curentul de electroni dinspre metal spre semiconductor, notat cu I MS , i care, dup
cum am artat mai sus, nu depinde de polarizare, respectiv
curentul de electroni dinspre semiconductor spre metal, notat cu I SM , a crui valoare
este dependent de polarizare.
Deci:

I A = I SM I MS .

(3.99)

Curentul I MS este dat, n conformitate cu teoria emisiei, de ecuaia cunoscut sub


denumirea de ecuaia Richardson-Dushman:
q B
I MS = Aj J TH exp
(3.100)
kT
n care JTH reprezint aa numitul coeficient de curent termoelectronic definit prin relaia:

2
JTH = 120 m
(3.101)
m T = A T A/cm
Curentul I SM este format din electronii ce posed o energie mai mare ca
q (Vbi VA ) i viteza v x imprimat de cmpul electric din semiconductor. Astfel:

I SM = Aj (q) (v x )dn
n care dn reprezint densitatea electonilor dat de relaia:
dn = f (E) 2 1 3 dk x dk y dk z
(2 )

(3.102)

(3.103)

cu f (E) funcia de distribuie Fermi-Dirac.


n urma efecturii calculelor se obine:

q (B VA )
I SM = Aj J TH exp

kT

(3.104)

Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

75

n consecin curentul prin structur este:

I A = I SM I MS = I MS exp

q VA
1
kT

(3.105)

n figura 3.24.a este reprezentat calitativ caracteristica static a heterojonciunii


metal-semiconductor de tip n cu caracter redresor.
IA

IA

I MS

0,3 V

VA

a.

VA

b.

Figura 3.24. Caracteristica static a heterojonciunii metal-semiconductor de tip n


cu caracter: a) redresor; b) ohmic.

n cazul contactului metal-semiconductor de tip n cu caracter ohmic, obinut prin


doparea puternic a semiconductorului, ecuaia caracteristicii statice este:

q VA
1
(3.106)
kT

n care JTN reprezint coeficientul de curent de tunel. JTN este cu cteva ordine de mrime
mai mare dect JTH.
n figura 3.24.b este reprezentat caracteristica static ce corespunde acestui tip de
heterojonciune.
I A = AJ J TN exp

Contactul metal-semiconductor de tip p


Contactul metal-semiconductor de tip p are caracteristica static bidirecional.
Aceasta poate s fie aproximat prin:

IA = 1 V A
RC
n care R C reprezint rezistena intern a structurii.
Rezistena R C este de valoare mic.

(3.107)

4
DIODE

4.1. Clasificarea diodelor semiconductoare


Din punct de vedere al aplicaiilor lor, diodele pot fi clasificate n urmtoarele grupe:
1. Diode redresoare, folosite n redresarea curentului alternativ de diferite frecvene i
puteri.
2. Diode detectoare . Aceste diode sunt folosite pentru demodularea semnalelor radio,
video etc. Funcia lor este asemntoare redresrii, dar semnalele prelucrate au, de
regul, frecvene mari (de ordinul MHz - GHz) i puteri nesemnificative. De aceea,
structurile au arii mici n vederea micorrii capacitilor asociate jonciunii p-n.
3. Diode de comutaie, folosite n circuite de impulsuri.
4. Diode pentru microunde. Aceste diode sunt folosite n circuitele de demodulare i de
conversie corespunztoare domeniului microundelor. Ele trebuie s ndeplineasc
cerine specifice referitoare la impedan i nivel intrisec de zgomot. Diodele Gunn,
IMPATT ( IMPact Ionization Transit Time) i PIN fac parte din aceast categorie.
5. Diode tunel, folosite n generarea i amplificarea semnalelor de frecven mare.
6. Diode Zenner, folosite pentru stabilizarea tensiunii.
7. Diode varcap. Aceste diode se folosesc ca elemente cu capacitate controlabil pe
cale electric.
8. Diode Schottky, folosite n detectoare i redresoare ce lucreaz la frecvene mari.
Din punct de vedere al tipului de jonciune p-n folosit n realizarea diodelor putem
diferenia:
1. diode cu jonciune plat;
2. diode cu contact punctiform;
3. diode cu jonciune punctiform;
4. diode cu jonciune barier de suprafa.
La diodele cu jonciune plat dimensiunile ce determin aria sa sunt mult mai largi
dect grosimea jonciunii. Din aceast categorie de diode fac parte diodele redresoare.
La diodele cu contact punctiform dimensiunile ce determin aria sa sunt mai mici
dect lrgimea regiunii de sarcin spaial. Diodele cu jonciune punctiform prezint
aceleai dimensiuni reduse ale jonciunii, singura diferen fa de cele cu contact

Cap. 4. Diode

77

punctiform fiind aceea c jonciunea metalurgic este plat. Aceste tipuri de diode sunt
folosite, de regul, pentru detecia semnalelor de frecvene mai mari de 10 8 Hz.
n diodele cu jonciune barier de suprafa una din regiunile jonciunii este obinut
prin formarea unui strat de inversie la suprafaa semiconductorului.

4.2. Metode de producere a jonciunilor p-n


n funcie de modul n care se produc electrozii diodelor, acestea se mpart n diode
cu jonciune difuzat i diode cu jonciune aliat.
O jonciune aliat se formeaz prin fuzionarea ntr-un semiconductor a unui metal
sau aliaj adecvat urmat de recristalizarea acestuia. Materialul dopant conine impuriti
acceptoare sau donoare n funcie de tipul semiconductorului de baz. Astfel, o diod aliat
pe germaniu se realizeaz prin fuzionarea unui aliaj indiu-galiu ntr-un semiconductor de tip
n sau a unui aliaj pe baz de arsenic ntr-un cristal de tip p.
La jonciunile difuzate impuritaile sunt introduse n semiconductor prin difuzie,
utiliznd vapori de material dopant. Atomii de impuritate difuzai n semiconductor
formeaz la suprafaa acestuia un strat subire cu conductibilitate de tip opus fa de cea a
semiconductorului de baz. Adncimea acestui strat depinde de temperatura i de durata
procesului de difuzie. Aceast metod este capabil att s produc jonciuni p-n cu arii
variind ntre m 2 pn la civa cm2, ct i s ofere un control riguros al adncimii stratului
difuzat i al distribuiei densitaii impuritailor n cristal. Figura 4.1 ilustreaz seciuni
transversale prin cele dou tipuri constructive de jonciuni prezentate anterior.
A

A
p

p+

Si n

Ge n
C

Si n+
C
Figura 4.1. Tipuri constructive de jonciuni:
a) jonciune aliat; b) jonciune difuzat.

n afar de diodele difuzate i aliate, exist i diode cu jonciune aliat - difuzat. n


acestea, jonciunea se formeaz n dou etape:
mai nti prin fuzionarea unui metal dopant n semiconductor i apoi,
prin difuzia atomilor metalului dopant n semiconductor de la stratul subire format
prin recristalizarea metalului.
Aceast metod combin simplitatea i costul redus al tehnicii alierii cu avantajele
tehnicii difuziei.

78

Cap. 4. Diode

n diodele cu contact punctiform unul dintre electrozi este realizat prin presarea unui
ac metalic n suprafaa semiconductorului. n scopul mbuntirii calitii i stabilitii
caracteristicilor contactului se aplic un proces electric formator ce const n a aplica
structurii impulsuri de putere mare att n sens direct ct i n sens invers. Puterea i durata
acestor impulsuri trebuie s fie suficiente pentru a se realiza conectarea punctiform a acului
metalic cu semiconductorul. Pe perioada procesului de formare, stratul semiconductor ce se
ntinde de-a lungul contactului cu acul metalic i schimb tipul de conductibilitate ca
rezultat al procesului de fuzionare de suprafa, produs de trecerea impulsurilor de putere
mare, formnd o jonciune p-n abrupt. O seciune transversal printr-o astfel de jonciune
este ilustrat n figura 4.2.
p

Semiconductor de tip n

Figura 4.2. Jonciune cu contact punctiform.

Comparativ cu diodele difuzate, diodele cu contact puntiform prezint o rezisten


serie mai mare (de sute de ) i o gam mai redus a curenilor i tensiunilor ce se pot aplica
structurii (puteri mai mici de 10 mW i cureni direci ntre 10 mA i 20 mA). Datorit ariei
mici a jonciunii, diodele cu contact punctiform prezint, la aceleai tensiuni de lucru,
densiti de curent mai mari fa de diodele difuzate. Din acest cauz, pentru diodele bazate
pe acest tip de jonciune, relaia (3.43) nu mai este valid la cureni mici. n ceea ce privete
polarizarea invers, diodele cu contact punctiform prezint urmtoarele caracteristici:
un curent invers de valoare mai mare dect cele difuzate datorit densitii de curent
mai mare i capacitii reduse de a evacua cldura;
strpungerea este, n general, termic conducnd la obinerea unei rezistene
difereniale negative pe poriunea de caracteristic corespunztoare acesteia
(figura4.3).
-V

0
Strpungerea
termic

-I
Figura 4.3. Caracteristica I-V pentru polarizarea invers a unei diode cu contact
punctiform.

Cap. 4. Diode

79

O corecie a acestor dezavantaje, dublat de pstrarea unei arii mici a jonciunii, este
realizat de aa numitele diode cu micro-jonciune (sau diode cu jonciune micro-aliat).
Procesul tehnologic de realizare a acestui tip de jonciune difer doar prin forma electrodului
metalic ce se preseaz pe semiconductor (figura 4.4).
Electrod metalic
p+
Semiconductor de tip n
Metal
Figura 4.4. Seciune printr-o jonciune micro-aliat.

Aria jonciunii n aceste diode este doar de 2 3 ori mai mare dect n cele cu contact
punctiform (dar de sute de ori mai mic dect n diodele tipice cu jonciune difuzat sau
aliat), pstrndu-se astfel la nivel redus capacitatea jonciunii. Totui, aceast cretere a
ariei este suficient pentru a mri gama tensiunilor i curenilor ce pot fi aplicate structurii n
polarizare direct i de a mbunti caracteristica invers a diodei n sensul micorrii
curentului invers.
n diodele tip "barier de suprafa" stratul de inversie este format prin corodare
electrochimic a suprafeei semiconductorului. Inversia tipului de conductivitate a stratului
din imediata vecintate a suprafeei tratate astfel se realizeaz prin capturarea electronilor de
conducie de nivele energetice plasate n interiorul benzii interzise, aprute n numr mare n
urma tratamentului electrochimic. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor
n acest caz este ilustrat n figura 4.5.
E
E

q.V0

q. B

Strat de inversie
de tip p

EF
EG

Metal

q. B

Semiconductor
de tip n
a)

q.V0
EF

EG
2

EG
2
Metal

EG

Semiconductor
de tip n
b)

Figura 4.5. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor:


a) fr corodare electochimic; b) cu corodare electrochimic.

80

Cap. 4. Diode

4.3. Diode redresoare


Diodele redresoare utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a conduce curentul
electric practic numai atunci cnd este polarizat direct. Ele sunt folosite pentru redresarea
curentului alternativ de frecvene mici i medii. Tipic, diodele redresoare se realizeaz din
Ge i Si.
Diodele redresoare realizate pe Si, datorit faptului c Si prezint o lrgime
energetic a benzii interzise mai mare ca a Ge, prezint att o gam mai larg a curenilor
direci permii ct i o temperatur de lucru maxim admisibil mai ridicat (125 oC 150 oC).
Rezistivitatea diodelor cu Si i tensiunea de prag V a acestora sunt, tipic, de 1,5 2 ori mai
mari dect la diodele cu Ge. Acest lucru se datoreaz faptului c mobilitile purttorilor de
sarcin sunt mai mici n Si dect n Ge. Din acelai motiv, puterea disipat, la cureni direci
egali, este mai mic n diodele pe Ge dect la cele pe Si.
De asemenea, diodele realizate pe Si prezint un curent invers mai mic dect cele pe
Ge deoarece curentul invers al unei jonciuni p-n descrete odat cu creterea lrgimii
energetice a benzii interzise.
Comparativ cu diodele realizate pe Ge, diodele realizate pe Si prezint tensiuni de
strpungere V B R mult mai mari. De asemenea, probabilitatea producerii unei strpungeri
termice n diodele pe Si este mic datorit lrgimii energetice mari a benzii interzise i astfel
operarea n imediata apropiere a regiunii de strpungere este stabil.
Datorit faptului c strpungerea la aceste diode se realizeaz prin fenomenul de
multiplicare n avalan, tensiunea de strpungere crete cu creterea temperaturii.
n ciuda faptului c i la diodele realizate pe Ge strpungerea se realizeaz prin
acelai fenomen, totui, datorit creterii accentuate a curentului invers la creterea
temperaturii, strpungerea termic ncepe s se dezvolte i tensiunea de strpungere scade.
n figura 4.6 sunt ilustrate comparativ caracteristicile statice tipice ale unei diode pe
Si i ale unei diode pe Ge.
Dioda redresoare
realizat pe Ge
Dioda redresoare
realizat pe Si

I[mA]

-V[V]

-200

-100
0,2 0,6

V[V]

-5
-10

[]
Figura 4.6. Caracteristicele statice tipice pentru diode redresoare
realizate pe Si i pe Ge.

Cap. 4. Diode

81

n continuare sunt prezentai, pe scurt, principalii parametri ai diodelor redresoare.


Parametrii statici ai diodei sunt: tensiunea direct de prag V , curentul de polarizare
direct maxim admisibil I F M , tensiunea invers maxim admisibil V R M i curentul invers
maxim I R M .
Tensiunea direct de prag V reprezint tensiunea pe diod la un curent direct de
0, 1 % din curentul direct maxim admisibil I F M .
Curentul invers maxim I RM reprezint curentul invers prin structur msurat la
tensiunea invers maxim-admisibil VRM (mai mic dect tensiunea de strpungere).
Parametrii dinamici ce caracterizeaz performanele diodei ca element redresor sunt:
Curentul direct mediu, I FAVM , definit prin relaia :
T
I
= 1 i ( t ) dt
(4.1)
FAVM

pentru condiii specificate de temperatur la frecvena reelei.


Curentul direct efectiv, I FRMS , definit prin relaia

I FRMS =

1 i 2 ( t ) dt
F

(4.2)

pentru aceleai condiii ca cele menionate mai sus.


Curentul direct de suprasarcin repetitiv, I FR M , reprezentnd supracurentul ce poate
trece periodic prin diod n sens direct.
Curentul direct de suprasarcin accidental I FSM , reprezentnd supracurentul direct
maxim ce poate parcurge structura, n condiii specificate de temperatur i de durat
(n general 10 mA).
Tensiunea invers maxim repetitiv, URRM .
Tensiunea invers de suprasarcin, URSM , specificat pentru condiii date, de
temperatur i durat.
Rezistena dinamic R d a diodei, specificat pentru condiii date de curent direct i
temperatur.
Capacitatea jonciunii, C j , definit pentru condiii specificate de polarizare i
temperatur.
Frecvena de tiere, f c , ce reprezint frecvena la care redresarea este posibil fr
micorarea curentului redresat.
Din punct de vedere termic diodele sunt caracterizate de urmtorii parametri:
Gama temperaturilor de lucru, [T min , T max ] , limitat de condiile de operare maxim
permise pentru diod i dictat de dependena de temperatur a conductivitii
semiconductorului i de proprietile mecanice i termice ale metalelor din care sunt
confecionai electrozii.
Rezistenele termice ce caracterizeaz regimul termic al diodelor.
Prin analogie cu trecerea curentului electric printr-un circuit electric, regimul termic
al diodei poate fi caracterizat prin relaia:

Pev =

Tj T a
R th

(4.3)

82

Cap. 4. Diode

n care Pev reprezint puterea evacuat din dispozitiv, putere ce n regim termic
staionar este egal cu puterea disipat de aceasta, Tj reprezint temperatura
jonciunii, Ta reprezint temperatura mediului ambiant, iar R th reprezint rezistena
termic total corespunznd evacurii cldurii prin semiconductor, capsul i
eventual radiator n mediul ambiant. Aceast rezisten termic nsumeaz rezistena
termic jonciune-capsul R th,j c i rezistena termic capsul-ambiant R th,c a (sau,
n cazul folosirii unui radiator, a rezistenei termice capsul-radiator R th,c r i a
rezistenei termice radiator-ambiant R th,r a ).
Circuitul termic echivalent al diodei este reprezentat n figura 4.7.
Tc

Tj Rth,j-c Tc
R th,c-a

Pev

Rth,c-r
Tr
Rth,r-a
Ta

Figura 4.7. Circuitul termic echivalent al diodei.

Gama temperaturilor de stocare ce reprezint gama de temperaturi la care se


stocheaz diodele fr ncrcare electric sau solicitri macro-climatice i care nu
afecteaz performanele lor.
Un alt parametru important al diodelor redresoare l reprezint puterea total maxim
disipat n regim permanent, Ptot max . Puterea total disipat n regim permanent de o diod
este dat de relaia:

Ptot = PF + P R + PRR

(4.4)

unde PF reprezint puterea disipat n polarizare direct, PR reprezint puterea disipat n


polarizare invers i PRR reprezint puterea disipat n comutaie.
n condiii de ncrcare normale i la frecvene sczute se poate aproxima:

Ptot PF

(4.5)

La frecvene ridicate ncep s conteze i puterea disipat n regim de comutaie PRR ,


iar la tensiuni de blocare mari i temperaturi mari crete i contribuia puterii disipate n
polarizare invers.

4.4. Diode de comutaie


n toate circuitele de impulsuri de vitez mare, cu o perioad a semnalului mai mic
de 1 s, se folosesc diode speciale ce ofer un rspuns rapid, numite diode de comutaie.
Aa cum am artat n capitolul anterior, la polarizarea direct a diodei n regiunea n
sunt injectate goluri, proces numit de acumulare de purttori minoritari. Aceste goluri
difuzeaz n baz i dup o perioad de timp se distribuie n conformitate cu relaia:

Cap. 4. Diode

83

p n (x) = p n 0 + p n 0 exp

VA
x ln
1 exp

Lp
VT

(4.6)

Durata acestui proces de distribuire a golurilor minoritare n regiunea n este


dependent de timpul de via al purttorilor de sarcin i determin viteza proceselor
tranzitorii n polarizare direct.
La aplicarea unei polarizri inverse, durata procesului tranzitoriu este dictat de:
evacuarea golurilor aflate n exces n regiunea n fa de situaia de echilibru termic
att prin recombinare ct i prin ntoarcerea golurilor n regiunea p datorit cmpului
electric puternic corespunztor polarizrii inverse;
distribuia purttorilor minoritari n regiunea n la polarizare invers.
Din punct de vedere tehnologic mbuntirea timpilor de comutare se poate realiza
prin micorarea timpilor de via ai purttorilor mobili de sarcin i prin micorarea
dimensiunilor jonciunii. Micorarea timpilor de via ai purttorilor mobili de sarcin se
realizeaz prin impurificarea structurii cu diverse materiale (Au n cazul Si). n acest mod
micorarea timpilor de via a purttorilor de sarcin n Si ajunge pn la valoarea de 10 10 s .
De acelai ordin de mrime este timpul de via al purttorilor de sarcin n GaAs, material
semiconductor folosit pe scar larg n diodele de comutaie.
O alt metod de mbuntire a timpilor de comutare n polarizare invers o
constituie realizarea unor profile de impuriti speciale, de regul neuniforme. Acest tip de
profil conduce la apariia unui cmp electric intern mai puternic, care se opune difuziei
purttorilor, astfel nct sarcina stocat este nmagazinat n imediata apropiere a regiunii de
trecere.
Realizrile actuale n domeniul diodelor de comutaie cu jonciune p-n stabilesc
timpi minimi de comutaie de circa 5 ns.
Procesul de comutare al diodei semiconductoare bazat pe jonciunea p-n va fi studiat
pe larg n capitolul dedicat comutaiei dispozitivelor semiconductoare.
Parametrii principali specifici ai acestor diode sunt cei ce descriu procesul de
comutare:
Timpul de comutare invers, t rr , reprezint timpul msurat ntre trecerea prin zero a
curentului direct la comutaia din conducie n blocare i atingerea de ctre curentul
invers a valorii de 0, 1 I RRM , n conformitate cu figura 4.8.
iA
IF
~I0

-0,1.IRR
-I RRM

trr

Figura 4.8. Caracteristica de comutare din conducie n regim de blocare a unei


diode.

84

Cap. 4. Diode

Curentul maxim de comutaie, I RRM , reprezint curentul invers maxim ce poate fi


susinut n regim de comutaie invers.
Capacitatea total a diodei, C tot , reprezint capacitatea msurat ntre terminalele
diodei, nglobnd capacitatea jonciunii, capacitatea capsulei i capacitile parazite.
Capacitatea capsulei, C p .

4.5. Diode Zener


Diodele Zener, numite i diode stabilizatoare de tensiune sau diode cu avalan,
utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a avea la borne, atunci cnd lucreaz n regiunea de
strpungere, o tensiune invers aproximativ constant.
Diodele stabilizatoare se realizeaz din Si deoarece jonciunile p-n realizate din acest
material sunt caracterizate n special de strpungerea n avalan sau tunel, iar printr-o
dopare corespunztoare cu impuriti se obine un curent invers de valori reduse i cu o
dependen slab de valoarea tensiunii inverse. Caracteristica tipic curent-tensiune
corespunztoare polarizrii inverse a unei diode Zener este dat n figura 4.9.
Valoarea tensiunii de stabilizare este determinat de lrgimea jonciunii p-n. Astfel o
mai mare rezistivitate a materialului semiconductor conduce la o tensiune de strpungere
mai mare. Diodele Zener cu tensiune de stabilizare mic, sunt realizate prin doparea
puternic cu impuriti i prin utilizarea unor jonciuni nguste, ceea ce cauzeaz strpungere
prin efect tunel. Diodele Zener realizate pe jonciuni p-n largi i care au rezistiviti crescute
ale regiunilor jonciunii prezint tensiuni de stabilizare de valori ridicate, bazate pe
fenomenul de multiplicare n avalan.
VZ VZMVZN VZm

I Zm
I Z
I ZN

VZ

I ZM
IZ

Figura 4.9. Caracteristica I-V corespunztoare polarizrii inverse


a unei diode Zener.

n diodele Zener probabilitatea unei strpungeri termice este neglijabil.


Diodele Zener sunt caracterizate de urmtorii parametri specifici:
Tensiunea de stabilizare nominal VZN (sau VZT ) specificat la un curent nominal
I Z N (sau I Z T ) dat, cu o toleran dat.

Cap. 4. Diode

85

Tensiunea de stabilizare minim VZm (sau VZk ), sub care proprietile de stabilizare
nu mai sunt garantate.

Tensiunea de stabilizare maxim VZM , peste care proprietaile de stabilizare nu mai


sunt garantate.

Coeficientul de temperatur al tensiunii stabilizate, CTUZ (sau VT ) , caracterizeaz


dependena de temperatur a caracteristicii statice n polarizare invers:
U Z
CTUZ = 1
U Z T

I Z = ct.

(4.7)

Diodele Zener puternic dopate care se strpung prin efect tunel (VZN < 5V ) au
coeficient de temperatur negativ, iar diodele Zener slab dopate ce se strpung prin
multiplicare n avalan (UZ > 7V ) au un coeficient de temperatur pozitiv.
n structurile diodelor cu tensiuni de stabilizare cuprinse ntre 5 V i 7 V se dezvolt
att mecanismul de multiplicare n avalan ct i mecanismul de strpungere tunel.
Dependena coeficientului de temperatur cu valoarea tensiunii nominale de
stabilizare este prezentat n figura 4.10.
CTUz [%/C]

0,05

10

20

30

VZN

-0,05

Figura 4.10. Variaia coeficientului de temperatur CTU Z


cu valoarea tensiunii nominale de stabilizare V ZN .

n scopul reducerii valorii CTUZ , sunt conectate n aceiai capsul o jonciune p-n cu
proprieti de stabilizare cu CTUZ > 0 i una sau mai multe jonciuni p-n ca n figura
4.11. Se pot obine astfel diode Zener cu un coeficient de temperatur mai mic de
0, 001 %/ o C.

IZ

A
VZ

Figura 4.11. Diode Zener compensate.

Rezistena diferenial de stabilizare r ZN (sau r ZT ), definit ca raportul ntre


tensiunea i curentul rezultat prin aplicarea unui semnal alternativ de amplitudine
sczut (de semnal mic), cu frecvena de 1 KHz ntr-un punct static specificat
(I ZN , V ZN ) de pe caracteristica de stabilizare. n cataloage se specific valoarea
maxim pe care productorul o garanteaz n punctul de funcionare (I ZN , V ZN ).
Curentul nominal de stabilizare, I ZN .

86

Cap. 4. Diode

Gama curenilor n care se pstreaz proprietile de stabilizare (I Zm , I ZM ) .


Curentul de stabilizare de suprasarcin I ZSM , ce reprezint valoarea amplitudinii unui

impuls de curent de form rectangular i durat 10 ms a crei apariie provoac o


depire a valorii limit maxim a temperaturii jonciunii i care se poate produce de
un numr limitat de ori pe toat durata de funcionare a diodei.
Rezistena de semnal mare R Z definit n conformitate cu relaia (vezi figura 4.12):
V VZ 0
(4.8)
R Z = ZN

I ZN

VZ VZN VZ0

I ZN
IZ
Figura 4.12. Evidenierea mrimilor utilizate n definiia rezistenei de semnal mare.

Astfel modelul de semnal mare pentru o diod Zener polarizat invers se poate
compune dintr-o rezisten R Z i o surs ideal de tensiune VZ0 ca n figura 4.13.

iZ

VZ0

RZ

vZ
Figura 4.13. Modelul echivalent de semnal mare
pentru o diod Zener polarizat invers.

4.6. Diode varicap


Aa cum am artat n capitolul anterior, capacitatea de barier a jonciunii p-n este
dependent de tensiunea invers aplicat i practic orice diod semiconductoare poate servi
ca i capacitor controlabil pe cale electric. Diodele semiconductoare folosite ca i capaciti
controlabile neliniar pe cale electric i care prezint pierderi reduse n banda de frecvene
de operare se numesc diode varicap (sau varactor). Diodele varicap sunt folosite n circuitele
acordate, oscilatoare, filtre, pentru amplificarea microundelor i, n general, n controlul
automat al sistemelor, datorit faptului c:
factorul de calitate al acesteia este suficient de bun,
capacitatea de barier a jonciunii p-n nu depinde de frecven,
nivelul de zgomot este redus.

Cap. 4. Diode

87

Observaie
Capacitatea de difuzie a unei jonciuni p-n dei are o valoare mai mare ca cea de
barier i poate fi controlat pe cale electric, nu poate fi utilizat n acelai mod n circuite
deoarece are un factor de calitate redus i prezint un nivel de zgomot ridicat (datorat
fluctuaiilor curentului de difuzie).
Schema echivalent de semnal mic a acestei structuri este ilustrat n figura 4.14, n
care R S reprezint rezistena serie a regiunilor neutre, iar R r reprezint rezistena regiunii de
sarcin spaial i a regiunilor active n polarizare invers. Circuitul poate fi completat prin
adugarea n serie a unei inductane L c , corespunztoare teminalelor diodei i a unei
capaciti C c , corespunztoare carcasei diodei varicap, ce ar unta circuitul prezentat.
Contribuia acestor elemente este ns neglijabil n domeniul de frecvene considerat.
Cb

Rs

Rr
Figura 4.14. Schema echivalent de semnal mic a unei diode varicap.

Impedana circuitului echivalent al structurii este:


1
Rr
j Cb
R 2 C b R r2 + R s + R r j C b R r2
Z=
= s
1 + 2 C b2 R r2
Rr + 1
j C

(4.9)

Reactana capacitiv a acestui circuit este:

Xc =

C b R r2
1 + 2 C b2 R r2

(4.10)

Folosind relaiile de mai sus putem determina factorul de calitate al diodei varicap:

X I2 X
Cb R r
Q = Puterea reactiva a circuitului = C 2 = C =
(4.11)
XR
R
Puterea disipata in circuit
XR I
1 + s + 2 C b2 R s R r
Rr
Dependena de frecven tipic a factorului de calitate este ilustrat n figura 4.15:

10

10 3
10

10
1

2
3
4
5
6
10 10 10 10 10 10

f
[kHz]

Figura 4.15. Dependena tipic de frecven a factorului de calitate al


unei diode varicap.

88

Cap. 4. Diode

La frecvene joase cnd sunt ndeplinite relaiile:

Rs
<< 1
Rr
R s << 1
Cb
R r << 1
Cb

(4.12)

expresia (4.11) devine

Q C b R r,

(4.13)

iar la frecvene nalte cnd


2 C b2 R r R s >> 1 +

Rs
Rr

(4.14)

expresia (4.11) devine

1
.
Cb R s

(4.15)

Expresia (4.15) relev faptul c o diod varicap de calitate trebuie realizat dintr-un
material cu rezistivitate mic. Totui, rezistivitatea nu poate s scad extrem de mult pentru
c acest lucru conduce la scderea tensiunii de strpungere i deci a gamei de variaie a
capacitaii de barier a diodei. Ca atare, o diod varicap se realizeaz dintr-un platou, extrem
de subire, de semiconductor tip n, cu rezistivitate sczut, pe care se depune un strat cu
rezistivitate mare de acelai tip de conductibilitate, obinndu-se astfel o structur n n + . Pe
aceast structur se realizeaz prin difuzie cu impuriti acceptoare jonciunea p + n ,
obinndu-se n final o structur cu o rezisten serie, R S , de valoare mic. Pentru a realiza o
variaie maxim a capacitii de barier la o variaie dat de tensiune, se realizeaz un profil
hiperabrupt al concentraiei de impuriti al jonciunii n conformitate cu figura 4.16.
p+

n
ND- NA

n+
ND(x) ~= a.xm
~
= m<0
x

-NA

Figura 4.16. Profilul concentraiei de impuriti corespunztoare unei diode varicap.

Principalul parametru specific al unei diode varicap este frecvena de tiere, f Q ,


definit ca frecvena la care factorul de calitate Q are valoarea 1, deci

fQ =

V
1
1
=
1+ R ,
B0
2 C b Rs 2 Cb 0 Rs

specificat la o tensiune invers dat.

(4.16)

Cap. 4. Diode

89

Frecvenele de operare ale diodelor varicap se ntind pn n domeniul microundelor


(vezi figura 4.15).
Cel mai adesea diodele varicap sunt folosite n amplificatoarele parametrice. Un
amplificator parametric se obine prin plasarea unei diode varicap, polarizat corespunztor,
n paralel cu un inductor L (figura 4.17).
Cbmax

Cb

Cbi
Cbmin
L

Cb

vC

a.

t
vC

b.
t
t1

Figura 4.17. Amplificator parametric:


a) schema electric; b) formele de und ce caracterizeaz funcionarea acestuia.

Se amorseaz oscilaiile n circuit i la momentul t 1, cnd tensiunea pe capacitor este


maxim, se comand reducerea capacitii la valoarea minim. Sarcina acumulat n
capacitor n intervalul [0, t 1 ] este dat de relaia:

Q = C b max dv C = C b max Vc max

(4.17)

Datorit schimbrii brute a valorii capacitii C b , cum sarcina acumulat nu se poate


evacua att de rapid, tensiunea pe condensator va crete instantaneu la valoarea:

Vc max =

Q
C b min

(4.18)

Cu alte cuvinte, energia cheltuit pentru reducerea capacitii este convertit n


energie de cmp electric n capacitor.
Cnd capacitatea C b este apoi setat din nou la valoarea C b max , tensiunea pe
capacitor va scdea din acelai motiv. Astfel energia consumat pentru variaia capacitii
este transformat n energie a ciruitului oscilant. Este evident c frecvena de schimbare a
capacitii trebuie s fie de dou ori mai mare ca frecvena oscilaiilor ce vor fi amplificate.

4.7. Diode tunel


Diodele tunel se deosebesc de diodele analizate anterior prin prezena n
caracteristica static a unei regiuni cu rezisten diferenial negativ, fapt ce permite
acestui dipozitiv s genereze i s amplifice semnalele periodice. Astfel, caracteristica
static n polarizare direct a acestor dispozitive este n form de N. Figura 3.18 prezint
caracteristici I-V tipice pentru diode tunel realizate din Si, Ge, GaAs, InSb, precum i
simbolurile utilizate pentru aceste dispozitive n circuite.

90

Cap. 4. Diode

IF[mA] i Ftunel
P

IP
VR

IF/IP [%]

IV

100
V

InSb
Ge Si GaAs

50

VP VV VFOR1 VF[V]

iRtunel
a.

0,2 0,4 0,6 0,8 1

IR

VF[V]

b.
A

C
c.

Figura 4.18 Dioda tunel:


a) caracteristica static i punctele caracteristice acesteia;
b) caracteristici statice pentru diode tunel realizate din diferite materiale semiconductoare;
c) simboluri utilizate pentru diodele tunel.

Constructiv dioda tunel este format dintr-o jonciune tip p ++ n + , adic o jonciune
ale crei regiuni semiconductoare sunt puternic dopate cu impuriti ( N (10 25 10 26 ) m 3
). Datorit concentraiilor mari de impuriti, nivelul Fermi corespunztor acestei structuri la
echilibru termic se deplaseaz n banda de valen n regiunea p i n banda de conducie n
regiunea n (vezi figura 4.19.a). Asemenea structuri semiconductoare poart numele de
structuri semiconductoare degenerate. Nivelul degenerrii, n condiii de echilibru
termodinamic, este dat de expresia:
E d = min (E V E F ; E F E C ).

(4.19)

n acelai timp, tot datorit concentraiilor mari de impuriti, regiunea de sarcin


spaial are o lime foarte mic (mai mic de 100 ), fapt ce conduce la posibilitatea
parcurgerii acesteia de electronii din banda de conducie corespunztoare regiunii n prin
efect tunel n polarizare direct. Curentul de tunel este proporional cu numrul de nivele
energetice, ce posed o probabilitate mai mare sau egal cu 0,5 de a fi ocupate cu electroni,
i care, dei se gsesc n banda de valen pentru regiunea p, respectiv n banda de conducie
pentru regiunea n, se suprapun ca nivel energetic cu cele din banda de conducie a regiunii n,
respectiv cu cele din banda de valen a regiunii p, (vezi figura 4.19), ce posedo
probabilitate de a fi ocupate cu electroni mai mic de 0,5.
Astfel, cnd structura este polarizat invers nivelul Fermi corespunztor regiunii n,
E Fn ,se deplasez n sensul negativ al axei enegetice, iar electronii din banda de valen aflai
pe nivelele energetice descrise anterior vor trece n banda de conducie ocupnd nivelele
libere (figura 4.19.b). Se observ c pe msur ce tensiunea invers VR crete, numrul
nivelelor energetice implicate n efectul de tunel crete i deci crete i curentul invers de
tunel i R tunel (figura 4.18.a). Curentul invers de tunel n diodele tunel este foarte puternic,
difereniind astfel aceste structuri de jonciunile p-n obinuite.

Cap. 4. Diode

EC

91

Regiunea p++

R.S.S.

Regiunea n+

EV
EC
EV

EC
q .VR

EV
E Fp

EC
EV
E Fp

a.

E Fn
EC

b.

EV
q .VF1

EFn
EC

c.

EV
EC
EV
E Fp

q .VF2

VF2 > VF1


VF2 = VP

EFn
EC

d.

EV
EC

q .VF3

EV
E Fp

VF3 > VF2


VF3 = VV

EFn
EC
EV

EC
EV
E Fp

q .VF4

e.

EFn
EC
EV

f.

Figura 4.19. Efectul tunel n jonciunile tip p ++ n + . Diagrame energetice:


a) la echilibru termic; b) pentru polarizarea invers;
c), d), e) i f) pentru polarizarea direct la diverse valori ale tensiunii.

La polarizarea direct a jonciunii p ++ n + , nivelul Fermi corespunztor regiunii n, E Fn


, se deplaseaz n sensul pozitiv al axei energetice, iar electronii din banda de conducie a
regiunii n, aflai pe nivelele energetice descrise mai sus, trec n banda de valen a regiunii p
ocupnd nivelele energetice neocupate (figura 4.19. c, d, e). Rezult astfel un curent direct
de tunel, i F tunel , ce se suprapune peste curentul direct obinuit al jonciunii p-n ( figurat cu
linie ntrerupt n figura 4.18.a).

92

Cap. 4. Diode

Aa cum este ilustrat att n figura 4.18.a ct i n figura 4.19.c, d, e, pe msur ce


tensiunea aplicat VF crete, numrul nivelelor energetice implicate n efectul de tunel i
implicit, nivelul curentului direct de tunel, cresc pn la atingerea unor valori maxime
(figura 4.19.d ), corespunztoare tensiunii directe VP , i apoi scad pn la 0 la atingerea
tensiunii directe VV . Dac tensiunea direct depete valoarea VV curentul prin jonciunea
p ++ n + devine, n principal, curent de difuzie ( vezi figura 4.19.f ).
Principalii parametri specifici ai diodei tunel sunt:
tensiunea de vrf VP ;
curentul de vrf I P ;
tensiunea de vale VV ;
curentul de vale I V ;
tensiunea direct VFOR ;
rezistena diferenial negativ R d ;
Tensiunile VV i VP depind de valorile nivelelor Fermi corespunztoare regiunilor n
i p (date n principal de tipul de semiconductor i gradul de dopare al acestuia). Curentul de
vale I V depinde de densitatea nivelelor energetice intermediare din banda interzis.
Tensiunea VFOR reprezint tensiunea direct, superioar tensiunii VV , la care curentul
direct I F (V FOR ) este egal cu curentul de vrf I P . Valoarea acestei tensiuni depinde de
lrgimea energetic a benzii interzise a semiconductorului.
Trebuie menionat faptul c diodele tunel comut extrem de rapid. Limitrile
timpului de rspuns sunt datorate capacitilor corspunztoare jonciunii p ++ n + i carcasei
dipozitivului. Viteza de variaie a tensiunii aplicate structurii depinde de raportul dintre
curentul de vrf I P i capacitatea jonciunii p ++ n + , C t .
Datorit regiunii cu rezisten diferenial negativ prezent n caracteristica I V ,
dioda tunel poate fi folosit n circuite ca element activ. Dioda tunel poate fi folosit ca
amplificator dac se ndeplinete condiia

R d > R l

(4.20)

n care R l reprezint rezistena de sarcin.


Frecvena de tiere, f c , pn la care dioda poate opera se determin prin egalarea cu
zero a impedanei caracteristice diodei cnd funcioneaz ca element activ:

R d
1

2 R C R 1 cand R d 2 R s
t
s
d
fc
(4.21)
1

cand R d 2 R s
4 Rs C
Valorile tipice ale f c sunt de ordinul GHz.
n funcie de aplicaiile n care sunt folosite, diodele tunel se pot mpri n diode
amplificatoare, diode generatoare i diode de comutaie. n funcie de tipul aplicaiei
caracterizarea performanelor diodelor tunel se realizeaz cu parametrii diferii. Astfel
pentru diode tunel de comutaie principalii parametri sunt: diferena ntre tensiunile de vale
i de vrf (VV V P ) , raportul ntre curenii de vrf i de vale (I P /I V ) i capacitatea structurii
C t , iar pentru diodele tunel generatoare principalii parametri sunt: puterea util maxim

Pu 0, 12 (V V Vp ) (I p I V )
i frecvena de tiere f T .

(4.22)

Cap. 4. Diode

93

4.8. Diode Schottky


Diodele Schottky sunt dispozitive electronice ce utilizeaz proprietile contactului
redresor metal-semiconductor de tip n.
Aa cum am prezentat n capitolul anterior, conducia curentului n cazul structurilor
metal-semiconductor este asigurat de purttorii majoritari de sarcin. n felul acesta,
trecerea curentului nu mai este nsoit de fenomene de difuzie i de generare - recombinare.
Astfel, modelul echivalent de semnal mic pentru aceste dispozitive este ilustrat n figura 4.20
n care rezistena diferenial R d i capacitatea de barier C b sunt definite i calculate ca la
jonciunea p-n.

Rd

ia

Cb
va

Figura 4.20. Modelul echivalent de semnal mic al diodelor Schottky.

De aici rezult i principalul avantaj al diodelor Schottky, n comparaie cu diodele


realizate pe baza jonciunii p-n, i anume posibilitatea de lucru la frecvene foarte nalte, de
zeci de GHz. Limitrile n frecven sunt date de timpul de tranzit al electronilor prin
regiunea de sarcin spaial, astfel c timpii de comutaie ai diodelor Schottky pot ajunge la
valori de 100 ps.
n figura 4.21 sunt ilustrate att un exemplu de realizare constructiv ct i simbolul
i caracteristica static corespunztoare diodelor Schottky. Electrodul din Al realizeaz
efectul redresor n contact cu semiconductorul de Si de tip n. Electrodul de Au n contact cu
semiconductorul de siliciu tip n + realizeaz un efect ohmic.
A Metal (Al)
SiO2

iF[mA]
A
iA

vA
n+

I0

vR[V]
0,1

Si
C
C

vF[V]

0,2 0,3

iR []

a.
b.
c.
Figura 4.21. Dioda Schottky: a) seciune printr-o realizare constructiv;
b) simbol; c) caracteristic static.

94

Cap. 4. Diode

Cderea de tensiune direct pe o diod Schottky este de numai (0, 3 0, 5) V fa de


(0, 5 0, 8) V la jonciunea p-n din Si. La tensiuni inverse mari i dioda Schottky prezint
fenomenul de strpungere n aceleai condiii ca la jonciunea p-n. Totui, geometria
specific acestei structuri conduce la tensiuni de strpungere mai mici ca la jonciunea p-n.
Diodele Schottky sunt utilizate n: detectoarele de frecvene nalte, redresoarele de
putere ce lucreaz la frecvene ridicate i n circuitele integrate logice pentru creterea
vitezei de comutaie a tranzistoarelor bipolare.

4.9. Circuite de limitare cu diode


Aa cum am artat n subcapitolele precedente aplicaiile diodelor sunt multiple:
redresare, amplificare, detecie, circuite de comutaie, oscilatoare etc. Toate acestea se vor
prezenta n capitolele specializate. n acest capitol se va prezenta modul general n care se
analizeaz diferite tipuri de circuite cu diode i apoi, circuitele de limitare cu diode.
Analiza circuitelor cu diode semiconductoare se poate face grafic sau analitic. Pentru
analiza grafic trebuie s se cunoasc caracteristica electric a diodei (din foaia de catalog
sau trasat experimental) i ecuaiile ce caracterizeaz comportarea circuitului analizat.
Rezolvarea analitic, n sensul determinrii valorilor instantanee ale curentului i
tensiunii pe elementele circuitului se bazeaz pe expresiile analitice ale caracteristicilor
elementelor de circuit i pe modelarea comportrii acestora n funcie de condiiile de
funcionare. Analiza se realizeaz utiliznd principiul superpoziiei. Acesta const n analiza
separat, static i dinamic, a circuitului i sumarea rezultatelor. Dei principiul
superpoziiei const n analiza independent a efectelor statice i dinamice, ntre acestea
exist totui o legtur, n sensul c, n general, parametrii circuitelor echivalente utilizate n
analiza regimului dinamic depind de valorile mrimilor ce definesc punctul static de
funcionare (caracteristicile electrice ale diodelor sunt neliniare).
Analiza static a circuitului permite determinarea punctului static de funcionare.
Analiza dinamic a circuitului urmrete determinarea componentelor variabile ale
curenilor i tensiunilor corespunztoare elementelor de circuit. Funcie de tipul semnalului
dinamic aplicat (semnal mic, semnal mare, periodic, neperiodic, de frecven joas, medie
sau nalt) se modeleaz dioda cu circuitul echivalent corespunztor. Acest circuit va nlocui
dispozitivul n circuitul de analizat. Pentru exemplificare se consider circuitul din figura
4.22.a.
C
R1

~ e(t)
+
-E

R1+R2

R2

R1
i a(t)

IF
D

+
-E

VF

~ e(t)

c.
a.
b.
Figura 4.22. Circuit cu diod i schemele echivalente de regim static (b),
respectiv dinamic (c).

v (t)
Rd a

Cap. 4. Diode

95

Semnalul variabil are amplitudinea Eg mult mai mic dect valoarea tensiunii
continue E > 0 , iar frecvena acestuia este mic. Astfel putem considera condiiile de
funcionare ale circuitului ca fiind de regim cvasistaionar i de semnal variabil mic.
Circuitul echivalent n regim static este cel din figura 4.22.b. Dioda este polarizat
direct, iar punctul static de funcionare al acesteia se determin din sistemul alctuit din
expresia analitic a caracteristicii statice i dreapta de sarcin corespunztoare circuitului:

VF
1
I F = I 0 exp

E = I F (R 1 + R 2 ) + V F

(4.23)

Sistemul transcendental se rezolv iterativ, prin aproximri succesive. Se presupune


iniial VF = 0 i se determin punctul static de funcionare la pasul (0) :
(

(0)

(0) VF 0) = 0; I F =

(0)

E VF
E
=
R1 + R 2 R 1 + R2

(4.24)

Cu aceast valoare a curentului se recalculeaz tensiunea pe diod folosind expresia


analitic a caracteristicii statice:
I (1)

(1) I F(1) = I F(0); VF(1) = m VT ln F + 1


I0

(4.25)

Apoi, se continu:
(2)

(1)

(2)

(2) VF = V F ; I F

(2)

E VF
=
R1 + R 2

I (3)

(3)
(2)
(3)
(3) I F = I F ; VF = m VT ln F + 1
I0

...

(4.26)

pn cnd valorile obinute pentru mrimile corespunztoare punctului static de funcionare


la dou iteraii succesive sunt aproximativ egale, eroarea de aproximare fiind foarte mic:
(n)

(n+1)

IF I F

(n)

(n + 1)

; VF VF

(4.27)

Trebuie remarcat faptul c acest calcul iterativ converge extrem de rapid.


Analiza dinamic a circuitului se realizeaz pe circuitul echivalent din figura 4.22.c,
obinut prin pasivizarea sursei de tensiune cuntinu i nlocuirea diodei cu modelul su de
curent alternativ de semnal mic i regim cvasistaionar. Neglijarea grupului paralel R 2 - C
este posibil datorit reactanei foarte mici a condensatorului C n banda de frecvene de
interes. Rezistena diferenial a diodei se determin cu relaia:

Rd =

m VT
IF

(4.28)

i, apoi, se pot calcula valorile instantanee ale tensiunii i curentului prin dispozitiv:

Eg
e (t )
; Ia =
R1 + R d
R 1 + Rd
R
Rd
d
v a (t ) = Va sin ( t ) =
e (t ); I a =
E
R1 + R d
R1 + R d g
i a (t ) = I a sin ( t ) =

(4.29)

96

Cap. 4. Diode

Aceste rezultate se admit numai dac este ndeplinit condiia de semnal mic:

Va << m VT

(4.30)

pe baza creia s-a elaborat circuitul echivalent din figura 4.22.c.


n continuare se prezint cteva circuite de limitare cu diode, circuite ce reprezint
cele mai simple aplicaii ale acestora.
Circuitele de limitare se pot clasifica n funie de:
caracteristica de transfer a circuitului n:
circuite de limitare cu prag jos,
circuite de limitare cu prag sus i
circuite de limitare cu prag jos i prag sus;
prezena unor surse de tensiune continu n circuit n:
circuite de limitare fr surse de tensiune continu i
circuite de limitare cu surse de tensiune continu.
n figura 4.23 sunt prezentate cele mai uzuale circuite de limitare mpreun cu
caracteristicile lor de transfer determinate n condiiile simplificatoare R d << R, R L .
Pentru exemplificarea modului de analiz a circuitelor de limitare se consider
circuitul din figura 4.23.f. Pentru obinerea caracteristicii de transfer considerm semnalul
aplicat la intrare ca fiind liniar cresctor n timp, de tipul v I = k I t cu k I = constanta i
suficient de mic pentru a putea plasa circuitul n condiii de regim cvasistaionar. n aceste
condiii, modelul folosit pentru diod este cel de semnal mare, prezentat n figura 4.24.
Analiznd circuitul se observ c pentru orice valoare v I < 0 dioda D2 este blocat
astfel nct circuitul se reduce la cel prezentat n figura 4.25.a, iar pentru orice valoare v I 0
dioda D1 este blocat, circuitul echivalent fiind cel din figura 4.25.b. Tot n figura 4.25 sunt
prezentate i circuitele echivalente de semnal mare corespunztoare celor dou subcircuite.
Astfel, pentru v I < 0 dioda D1 este blocat att timp ct tensiunea v AC 1 V i
conduce att timp ct tensiunea v AC 1 > V . Cnd dioda D1 este blocat i n condiii de gol la
ieire (R L ), tesiunea la ieirea circuitului este egal cu cea de la intrarea circuitului v I ,
adic v 0 = v I . Tensiunea pe diod este:

v AC 1 = v A 1 v C 1 = E 1 v 0 = E 1 v I V

(4.31)

Din relaia (3.27) se determin tensiunea de intrare pentru care dioda D1 este blocat:

v I E 1 V

(4.32)

Dioda D1 conduce pentru v I < E 1 V , iar din circuitul echivalent prezentat n


figura 4.25.a deducem expresia tensiunii de ieire aplicnd teorema potenialelor nodurilor:

v I E V
+
R
Rd
Rd
v0 =
=
v I R (E + V )
1+ 1
R + Rd
R + Rd
R Rd
Considernd R >> R d , relaia (4.33) devine:
R
v 0 d v I (E + V ) (E + V ) = VP0
R

(4.33)

(4.34)

Cap. 4. Diode

97

VP0 ~
=V

a. vI

v0

VPI ~
=V
+~
VP0 =V

~
-VPI = -V

R
b. vI

D1

v0

D2

~ +V
VP0 =V
Z1
DZ1

~
-VPI =
-V -VZ2

v0

DZ2

+
VP0

d. vI

vI

v0
+

VPI ~
=V
~
-VP0= -V

c. vI

v0

v0

v0

+
VPI ~=V +VZ1 vI

-VP0 ~= -V -VZ2

v0
=E

-V

vI

VPI ~=E-V

vI
v0

-VPI ~=-E-V

e . vI

v0

-V

VP0 = -E

E
+

~ +E
VP0 =V
2

R
D1

f . vI
E1

vI

v0

D2

-VPI ~= -V -E1

v0

E2

+
VPI ~=V +E2
~
-VP0 =
-V -E1

vI

Figura 4.23. Circuite uzuale de limitare cu diode.

iA
A iA

-1

vAC
V

tg = (Rd)

vAC

vAC>V
A V Rd
vAC V
C
A

Figura 4.24. Circuitul echivalent de semnal mare folosit cel mai adesea n analiza
circuitelor de limitare.

98

Cap. 4. Diode

Pentru v I > 0 dioda D2 este blocat att timp ct tensiunea v AC 2 V i conduce att
timp ct tensiunea v AC 2 > V . Cnd dioda D2 este blocat i n condiii de gol la ieire

v0 vI
.
v AC 2 = v A 2 v C 2 = v 0 E 2 = v I E 2 V

(4.35)

Din relaia (4.35) se determin tensiunea de intrare pentru care dioda D2 este blocat:

vI E 2 + V .

(4.36)

Deci, dioda D1 conduce pentru v I > E 2 + V i din circuitul echivalent prezentat n


figura 4.25 deducem:

v I E 2 + V
+
R
Rd
Rd
v0 =
=
v I + R (E 2 + V )
1+ 1
R + Rd
R + Rd
R Rd

R >>R d

v 0 E 2 + V = V+P 0 (4.37)

Folosind relaiile deduse anterior s-a trasat caracteristica de transfer a circuitului,


prezentat n figura 4.23.f, caracteristic ce indic tipul circuitului de limitare: circuit de
limitare cu surse de tensiune continu i cu prag sus i prag jos.
R

D1

vI<0

Rd
V
E1

vI <-E1-V

E1

v0

R
v0

-E1-V vI <0
a.

R
0 v E2+V

R
vI 0

D2
E2

v0

v0

v0
R

v > E2+V

Rd
V
E2

b.
Figura 4.25. Circuitele echivalente ce caracterizeaz funcionarea circuitului
prezentat n figura 4.23.f.

v0

5
TRANZISTOARE
BIPOLARE
CUJONCIUNI

5.1. Generaliti
Tranzistoarele bipolare cu jonciuni au fost primele dispozitive semiconductoare
folosite ca amplificatoare i comutatoare comandate fabricate pe scar larg. Odat puse
bazele teoretice ale acestuia de ctre William Shockley prin publicarea teoriilor sale
referitoare la injecia de purttori minoritari n 1947, respectiv la tranzistorul cu jonciuni
p-n n 1949, producia de tranzistoare bipolare cu jonciuni a demarat rapid i s-a dezvoltat
continuu att sub form discret, ct i integrat. ncepnd cu anul 1985 aceast producie a
fost devansat de cea bazat pe tranzistoarele cu efect de cmp cu gril izolat (MOSFET)
care au devenit dispozitivele dominante att n aplicaiile ce folosesc dispozitive discrete,
ct i n cele ce folosesc circuite integrate. n prezent piaa dispozitivelor i circuitelor
integrate bipolare s-a restrns numai la domeniile frecvenelor nalte i al vitezelor de
rspuns foarte mari, domenii n care practic acestea nu au concureni serioi. Dezvoltarea
ncepnd cu anul 1984 a tehnologiei tranzistoarelor bipolare cu heterojonciuni
semiconductoare a fcut posibil lucrul la frecvene de peste 100 GHz i obinerea unor timpi
de rspuns mai mici de 10 ps.
Denumirea de tranzistor provine din reunirea cuvintelor tran sfer-rezistor i care
relev principala proprietate a dispozitivelor ce poart aceast titulatur. Denumirea de
bipolar provine din faptul c n funcionarea dispozitivului intervin dou tipuri de purttori
de sarcin de semn diferit: electronii i golurile. Tranzistoarele bipolare utilizeaz
proprietiile jonciunii semiconductoare p-n (omogene sau heterogene) i pot fi realizate cu
o singur jonciune, caz n care poart numele de tranzistoare unijonciune (prescurtat TUJ),
i cu mai multe jonciuni. n acest capitol se prezint numai tranzistoarele bipolare cu dou
jonciuni semiconductoare p-n omogene. De aceea, termenul de tranzistor bipolar se va referi
cu precdere la acest tip de dispozitiv. Tranzistorul unijonciune va fi studiat n cadrul
capitolului intitulat "Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune", iar
tranzistoarele bipolare cu heterojonciuni semiconductoare vor fi studiate n cadrul
capitolului dedicat comutaiei dispozitivelor semiconductoare.

100

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Tranzistoarele bipolare cu jonciuni sunt dispozitive electronice cu trei borne:


emitorul, baza i colectorul, ce fac legtura la trei regiuni semiconductoare de
conductibiliti diferite (n sau p). Tranzistorul bipolar cu jonciuni (prescurtat TBJ) poate s
fie o structur de tip npn sau de tip pnp. Cele dou structuri precum i simbolurile
corespunztoare acestora sunt reprezentate n figura 5.1. Sgeata din simbol corespunde
jonciunii p-n emitor-baz, sensul acesteia fiind ntotdeauna de la regiunea p la regiunea n i
indicnd sensul normal pozitiv al curentului prin structur. Tot n aceast figur sunt indicate
i conveniile de sens pentru curenii i tensiunile corespunztoare celor dou tipuri de
tranzistoare.
Baz

Baz
a.

p+

Emitor

Colector

Emitor (E)

Colector (C)

n+

Colector

Emitor
Emitor (E)

Colector (C)

Baza (B)

Baza (B)

vEC
C

E
iE

vCE

iB
B

iC

vEB

iE
vCB

b.

c.

iC

vBE

iB

vBC

Figura 5.1. Structuri principale de TBJ i reprezentarea simbolic a acestora:


a) structurile TBJ: npn i pnp; b) reprezentarea simbolic n circuit; c) sensul
convenional al curenilor i tensiunilor.

n analiza circuitelor cu tranzistoare, n cele mai multe cazuri, aceste dispozitive sunt
considerate ca diporturi. Un diport este o reea ce are dou porturi: unul de intrare i unul de
ieire. Deoarece tranzistorul bipolar cu jonciuni are numai trei borne, una trebuie s fie
comun intrrii i ieirii. Borna comun definete conexiunea tranzistorului. Conexiunile
fundamentale ale unui tranzistor sunt: baz comun (BC), emitor comun (EC) i colector
comun (CC); figura 5.2. prezint aceste conexiuni.
Aa cum relev i figura 5.1.c pentru descrierea comportrii tranzistorului se pot
defini trei cureni i trei tensiuni. Cum numai patru dintre aceste sunt independente, putem
deci descrie complet comportarea tranzistorului n regim staionar i cvasistaionar folosind
dou tensiuni i doi cureni sub forma a dou a familii de caracteristici independente:

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

101

i 1 = i 1 (v 1 , v 2 )
i 2 = i 2 (v 1 , v 2 )

(5.1)

Familiile de caracteristici ce descriu tranzistorul se pot exprima pentru toate


conexiunile fundamentale ale acestuia i, pentru fiecare dintre acestea, n funcie de
apartenena mrimilor implicate la porturile conexiunilor, pot s fie: caracteristici de intrare,
caracteristici de transfer i caracteristici de ieire. Figura 5.2 prezint, pe lng conexiunile
fundamentale ale tranzistorului, toate tipurile de caracteristici corespunztoare acestora.
Caracteristica de
intrare

Caracteristica de
transfer

Caracteristica de
ieire

Baz comun
E iE

i C = i C (v BC )

iC C

vBE

iB

vBC

i E =i E (v BE )

VBC = ct.

i C =i C (v BE )

VBC = ct.

v BE = ct.

sau

i C = i C (v BC )

i E = ct.

i C = i C (v CE )

v BE = ct.

Emitor comun
iC C

B iB
vBE

iE

vCE

i B =i B (v BE )

VCE = ct.

i C =i C (v BE )

VCE = ct.

sau

i C = i C (v CE )

i B = ct.

Colector comun
iE E
B iB

i E = i E (v CE )

v BC = ct.

vBC
C

iC

vCE
C

i B =i B (v BC )

VCE = ct.

i E =i E (v BC )

VCE = ct.

sau

i E = i E (v CE )

i B = ct.

Figura 5.2. Conexiunile fundamentale pentru un tranzistor npn i familiile de


caracteristici corespunztoare acestora.

Figura 5.1 arat faptul c structura tranzistorului bipolar cu jonciuni cuprinde dou
jonciuni semiconductoare. n funcie de modul n care sunt polarizate aceste jonciuni,
direct sau invers, se definesc regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar:
regimul normal de lucru sau activ normal (prescurtat RAN) este obinut prin
polarizarea direct a jonciunii emitor-baz i polarizarea invers a jonciunii
colector-baz;
regimul inversat de lucru sau activ invers (prescurtat RAI) este obinut prin
polarizarea invers a jonciunii emitor-baz i polarizarea direct a jonciunii
colector baz;

102

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

regimul de saturaie

(prescurtat RS) este obinut cnd ambele jonciuni sunt

polarizate direct;

regimul de blocare sau de tiere (prescurtat RB) este obinut cnd ambele
jonciuni sunt polarizate invers.

5.1.1. Principiul de funcionare al tranzistorului bipolar cu jonciuni


Un tranzistor bipolar cu jonciuni este alctuit din dou jonciuni semiconductoare,
jonciunea emitor-baz i jonciunea colector-baz, ce mpart o regiune comun, regiunea
bazei. Nu orice dou jonciuni alturate formeaz un tranzistor. Pentru a putea forma acest
dispozitiv electronic, cele dou jonciuni formate prin alternana, pe acelai monocristal, a
trei domenii semiconductoare de conductibiliti diferite trebuie s fie cuplate electric.
Cuplarea electric a jonciunilor se realizeaz atunci cnd sunt ndeplinite urmtoarele dou
condiii:
jonciunea emitor-baz trebuie s fie puternic asimetric, adic emitorul s fie mult
mai puternic dopat cu impuriti dect baza, astfel nct la polarizarea direct a
acestei jonciuni curentul ce o parcurge s fie practic n ntregime alctuit din
purttorii de sarcin majoritari ai regiunii emitorului;
regiunea bazei, comun celor dou jonciuni, s fie mult mai subire dect lungimea
de difuzie a purttorilor minoritari ai acesteia, astfel nct fluxul de purttori de
sarcin majoritari ai regiunii emitorului, obinut prin polarizarea direct a jonciunii
emitor-baz, s ajung aproape n ntregime la regiunea de sarcin spaial a
colectorului.
Tranzistorul bipolar funcioneaz ca amplificator n regim activ normal. Funcionarea
acestuia n RAN (efectul de tranzistor) va fi explicat calitativ pentru o structur de tip pnp n
conexiune baz comun folosind figura 5.3. n figur, sgeile indic sensul n care circul
fluxurile de purttori de sarcin, iar mrimea sgeiilor indic mrimea componentelor de
curent reprezentate.
Considernd polarizri de valori moderate, cderile de tensiune pe rezistenele de
volum ale regiunilor cvasineutre se pot neglija i tensiunile de polarizare VEB > 0 i VCB < 0
se regsesc pe regiunile de sarcin spaial corespunztoare celor dou jonciuni. Ca atare,
barierele de potenial pe aceste regiuni sunt (BE0) VEB , respectiv (BC0) + VCB . La
jonciunea emitor-baz, deoarece regiunea emitorului este mult mai puternic dopat dect
cea a bazei, predomin injecia de goluri din emitor. Pentru a caracteriza cantitativ injecia
golurilor din emitor n baz se introduce coeficientul E numit eficiena emitorului care
reprezint fraciunea curentului util de goluri injectate n baz din curentul de emitor:
E =

i Ep
i Ep
=
=
i E i Ep + i En

i
1 + En
i Ep

(5.2)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

103

lE
p+

IE

lC

Flux de
goluri n
colector

Flux de
goluri n
emitor
Recombinare
n emitor

IB
E

p+

Recombinare n baz
n

VEB
+

IC

I CB0

VCB
+
B

Figura 5.3. Fluxurile de purttori de sarcin printr-o structur de tranzistor bipolar cu


jonciuni de tip pnp polarizat n RAN.

n baz, golurile injectate sunt purttori de sarcin minoritari i curg prin difuzie pn
la grania regiunii de trecere a jonciunii colectorului. Datorit faptului c regiunea bazei are
o lrgime mult mai mic ca lungimea de difuzie a golurilor n baz i o dopare cu impuriti
redus, recombinarea golurilor cu electronii majoritari din baz este limitat. Golurile aflate
la grania regiunii de trecere a jonciunii colectorului sunt antrenate, peste aceast regiune,
de cmpul puternic al regiunii de sarcin spaial a colectorului i formeaz n colector un
curent de goluri, notat cu i Cp , aproximativ egal cu cel al emitorului. Astfel, caracterizarea
transportului purttorilor minoritari prin baz se realizeaz printr-un coeficient t , numit
coeficient de transport, definit prin relaia:
t =

i Cp
i Cp
=
=
i Ep i Cp + i R

i
1+ R
i Cp

(5.3)

Curentul de colector poate fi deci exprimat sub forma:

i C i Cp + I CB 0 = t i Ep + I CB 0 = t E i E + I CB 0 = F i E + I CB 0 i E

(5.4)

n care I CB 0 reprezint curentul de saturaie (sau rezidual) propriu jonciunii colectorului


polarizat invers, iar F = t E reprezint factorul de amplificare n curent n sens direct,
n conexiune baz comun.
Deci, mecanismul principal dintr-un tranzistor n regim normal de funcionare este

transferul curentului de la emitor, prin baz, n colector, adic dintr-o zon cu rezistivitate
mic (jonciunea emitor-baz polarizat direct) ntr-o zon cu rezistivitate mare (jonciunea
colector-baz polarizat invers), constituind aa-numitul efect de tranzistor . Acest lucru
relev faptul c tranzistorul amplific n putere .

104

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

5.1.2. Tehnologia de fabricare a tranzistoarelor bipolare cu jonciuni


Tranzistoarele se fabric ntr-o gam foarte variat de tipuri constructive prin
utilizarea unor procedee tehnologice ca: tragerea din topitur, alierea, difuzia, creterea
epitaxial, implantarea ionic etc.
Primul tranzistor bipolar fabricat pe scar larg a fost tranzistorul cu contact
punctiform ce avea ca suport semiconductor germaniul de tip n. Din anul 1950 a nceput
fabricarea la scar industrial a tranzistoarelor bipolare de tip pnp cu jonciuni p-n obinute
prin aliere. TBJ aliate se realizeaz prin alierea a dou bile de indiu la o plcu de germaniu
de tip n. Aceast aliere produce o topire local a semiconductorului, care apoi recristalizeaz
nglobnd atomi de In, care constituie un dopant de tip p pentru Ge, formndu-se astfel
regiunile emitorului i colectorului (vezi figura 5.4.b). Se obine n final o structur de tip
p + np + cu o grosime a bazei n jur de 10 25 m .
Tranzistoarele de tip npn pe suport de Ge au nceput s fie fabricate din anul 1951
folosind procedeul tehnologic al creterii epitaxiale (cristalul de Ge se cretea epitaxial
schimbnd de trei ori tipul de dopare cu impuriti: n+, p i apoi n). Cam n acelai timp,
pentru a putea satisface cerinele impuse n aplicaiile de nalt frecven, ncepe s fie
produs pe scar larg aa numitul tranzistor cu barier de suprafa (vezi figura 5.4.d), ce
folosea proprietile jonciunii metal-semiconductor.
Dezvoltarea tehnologiei de impurificare a semiconductoarelor prin difuzie a condus
la fabricarea din 1956 a tranzistoarelor MESA difuzate i, apoi, a tranzistoarelor planare
dublu difuzate att sub form de componente discrete ct i, ncepnd cu anul 1960, sub
form integrat, reprezentate n figura 5.4. e , f.
E

Ge

metal
E

semiconductor
p
n

Ge-n
B
a.

B
E

b.

c.

SiO 2
C
p n
p

C
d.
e.
f.
Figura 5.4. Ilustrarea istoric a diverselor tipuri tehnologice de tranzistoare bipolare:
a) tranzistorul cu contact punctiform; b) tranzistorul cu jonciuni obinute prin aliere;
c) tranzistorul obinut prin cretere epitaxial; d) tranzistorul cu barier de suprafa;
e) tranzistorul dublu difuzat tip MESA; f) tranzistorul dublu difuzat planar.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

105

Secvenele tipice de fabricaie ale tranzistoarelor planare dublu difuzate moderne


sunt ilustrate n figura 5.5. Ctigul net al acestei tehnologii a fost obinerea unui control mai
precis al grosimii bazei, i posibilitatea micorrii spectaculoase a acesteia (< 0, 5 m ). n
figur este ilustrat procesul tehnologic pentru un dispozitiv discret i de aceea contactul de
colector este figurat pe spatele plcuei de Si. n circuitele integrate contactul de colector se
realizeaz pe aceeai fa a plachetei ca i cele corespunztoare emitorului i bazei, i pentru
obinerea unei rezistene a contactului ct mai mici, contactarea se face pe o zon de tip n +
difuzat n regiunea n a colectorului n acelai etap n care se realizeaz difuzia de emitor.
SiO2
Si - n
a)

p
SiO2

n
b) SiO2 crescut termic: 1000C.
fotorezist
n
c) Aplicarea fotorezistorului.

n
d) Fotorezistorul este expus
i developat.

n
h) Reoxidarea suprafeei.
p
n
i) Practicarea ferestrei pentru difuzia
de emitor n SiO2 prin repetarea c)-f).
n+
p
n
j) Difuzia impuritilor de tip n+ de emitor.
p
n
k) Reoxidarea suprafeei.
p

n
e) Este practicat fereastra pentru
difuzia de baz n SiO2 .

n
l) Practicarea ferestrelor pentru contactele
de emitor i baz prin repetare c)-f).
p

n
f) Fotorezistorul este nlturat.
p
n
g) Difuzia inpuritilor de tip p
de baz.

n
m) Depunere de Al.
Baza
Emitor
p
n
Colector
n) Ataarea terminalelor i ncapsularea.

Figura 5.5. Ilustrarea etapelor de fabricaie a tranzistoarelor planare dublu difuzate


prin reprezentarea secvenial a seciunilor corespunztoare unei structuri.

106

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

5.2. Teoria tranzistorului n regim staionar, la nivele mici de


injecie
n acest capitol se vor determina expresiile curenilor prin tranzistorul bipolar cu
jonciuni, precum i circuitele echivalente acestuia pentru regimul staionar. Se va ncepe cu
analiza unui tranzistor ideal (modelare unidimensional), urmat de analiza efectelor
bidimensionale (2-d), corespunztoare structurii reale, folosind modele unidimensionale cu
valabilitate regional.

5.2.1. Ecuaiile Shockley pentru tranzistorul bipolar cu jonciuni


ideal
Ecuaiile curent-tensiune obinute de Shockley au fost dezvoltate folosind un model
unidimensional pentru transportul purttorilor de sarcin prin structur. Ipotezele
suplimentare pe care se bazeaz teoria sunt:
jonciunile tranzistorului sunt abrupte, iar concentraiile de impuriti n cele trei
regiuni semiconductoare ale tranzistorului sunt uniforme;
regiunile de emitor i de colector sunt suficient de groase n raport cu lungimile de
difuzie ale purttorilor de sarcin, iar grosimea bazei este mult mai mic dect
lungimea de difuzie a purttorilor minoritari ai acesteia;
se neglijeaz complet efectele datorate geometriei reale a dispozitivului i se admite
c jonciunile sunt plane, egale ntre ele i cu efecte de margine neglijabile;
se neglijeaz, de asemenea, efectele care au loc la suprafaa tranzistorului;
nu exist alt excitaie extern n afara tensiunilor aplicate structurii, iar mrimea
acestora este restricionat pentru asigurarea unor nivele mici de injecie a
purttorilor de sarcin;
se neglijeaz fenomenele de generare-recombinare din regiunile de sarcin spaial
ale celor dou jonciuni.
Structura caracterizat de ipotezele de mai sus poart numele de tranzistor bipolar cu
jonciuni ideal. Ecuaiile curent-tensiune se vor determina pentru o structur ideal de tip
pnp, reprezentat, mpreun cu principalele caracteristici ale acesteia la echilibru
termodinamic, n figura 5.6.
Curenii de emitor i de colector vor fi evaluai la jonciunile respective, unde,
profitndu-se de faptul c densitile de curent ale purttorilor de sarcin sunt constante n
regiunite de sarcin spaial, componentele lor de goluri i electroni vor fi evaluate n
regiunile n care purttorii respectivi de sarcin sunt purttori minoritari. Aceast strategie
este adoptat deoarece, la nivele mici de injecie, curentul de purttori minoritari poate fi
exprimat ca un curent de difuzie (vezi capitolul 3.2.3).

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

107

p+

a.
x
-l E0 0

W0 W0 + l C0

ND - NA
b.

(B)

ND

(C)

-NA

(E)

-NA

V
+

-l E0

c.

0
-

u
(C)

B0

(E)

d.

B0

-l E0 0

W0 W0 + l C0

Figura 5.6. Tranzistorul bipolar cu jonciuni ideal de tip pnp:


a) structura; b) concentraiile de impuriti; c) variaia densitii de volum a sarcinii n
tranzistor; d) variaia potenialului.

n consecin, curenii prin structur sunt dai de urmtoarele relaii:

I E = Aj j p (0) + Aj j n (l E )
I C = A j j p (W ) + A j j n (W + l C )
IB = i E i C

(5.5)

n care l E i l C reprezint grosimile regiunilor de sarcin spaial ale emitorului, respectiv


colectorului.
ncepem prin a determina distribuia purttorilor minoritari de sarcin n baz
folosind rezultatele obinute, n capitolul al treilea, pentru o jonciune p-n polarizat. Astfel,
ecuaia de continuitate corespunztoare golurilor minoritare n baz:
2p n pn pn 0

= 0,
x 2
L 2p

a crei soluie general este

(5.6)

108

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

p n (x) p n 0 = A exp x + B exp x ,


Lp
Lp

(5.7)

completat cu condiiile la limit ale lui Shockley:

q VEB
kT
q V CB ,

p n (W ) = p n 0 exp
kT
p n (0) = p n 0 exp

(5.8)

furnizeaz expresia distribuiei golurilor minoritare n baz:


sh W x
sh x
Lp
Lp
p n (x) = p n (0)
+ p n (W )
.
W
W
sh
sh
Lp
Lp

(5.9)

Avnd n vedere condiia de semnal mic, densitatea curentului de goluri datorat


injeciei de purttori minoritari n baz este:


ch W x
ch x

Lp
Lp
q Dp
dp
j p (x) = q Dp n =
p n (0)
p n (W )
.
Lp
dx

W
W

sh
sh
Lp
Lp

(5.10)

Prin particularizarea acestei relaii pentru punctele de interes obinem:

q D p

1
j p (0) =
p (0) cth W p n (W)
Lp
L p n

sh W
Lp

q Dp
j p (W ) =
p (0)
L p n

(5.11)


1
p n (W) cth W
Lp

sh W
Lp

Observaie
n cazul n care baza este extrem de subire (W << L p ) funciile hiperbolice ce apar n
expresiile (5.9) i (5.10) pot fi aproximate cu primul termen din dezvoltarea lor n serie:

p n (x) p n (0) 1 x + p n (W ) x
W
W
q Dp
j p ( x)
[p n (0) p n (W )]
W

(5.12)

Relaia (5.12) relev faptul c, n acest caz, putem considera c distribuia golurilor
n baz este liniar (vezi figura 5.7).

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

109

pn (x)
aproximativ

pn (x)
nEp (x)

(C)

Ln

x
(E)
Ln -l E

W+lC Regiunea
activ a Regiunea
Regiunea Regiunea activ Regiunea Regiunea activ Regiunea colectorului neutr
neutr a
a emitorului de sarcin
a bazei
a colectorului
de sarcin
emitorului
spaial a emitorului
spaial a colectorului
Figura 5.7. Distribuia purttorilor minoritari n baz n RAN.

Concentraiile de purttori minoritari n exces n regiunile emitorului i colectorului


sunt date de expresia (3.39) dedus n capitolul trei, deoarece condiiile la limit nu sunt
diferite de cele corespunztoare unei jonciuni p-n, adic:

q V EB
x +l
(E )
(E )
n p (x l E ) = n p 0 + n p 0 exp
1 exp (E )E

T
Ln

q VCB
x (W + l C )
(C )
(C )
n p (x w + l C ) = n p 0 + n p 0 exp
1 exp

(C )

Ln

(5.13)

n consecin, densitile curenilor de electroni minoritari n regiunile emitorului i


colectorului sunt:
(E )

q Dn n p (l E )

x + l
exp (E )E
Ln
Ln
,
(C )
q D n n p (W + l C )
x (W + l C )
j n (x W + l C ) =
exp

(C )
(C )

Ln
Ln

j n (x l E ) =

(E )

(5.14)

i particulariznd n punctele de interes obinem:

q D n(E ) n p (l E )

( )

( )

q DnE n pE0
q V EB
j n (l E ) =
=
exp
1
(E )
(E )

Ln
Ln
(C )
(C )
(C )
q Dn n p 0
q D n n p (W + l C )
q VCB
j n (W + l C ) =
=

exp
1
(C )
(C )

kT

Ln
Ln

(5.15)

nlocuind expresiile (5.11) i (5.15) n relaiile (5.5) obinem ecuaiile simplificate ale
curenilor prin structur determinate de Shockley n 1949 i care i poart numele:

110

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

q Dn(E ) n (pE0) q D p p n 0
q VEB

I E = Aj
+
cth W exp
1
(
E
)

L
k

p
p
Ln

q D p pn 0
q V CB
1
Aj

exp
1

Lp
k


sh W
Lp
q Dp p n 0
q V EB
1
I C = Aj

exp
1

Lp
kT


sh W
Lp
(C )
(C )
q Dn n p 0 q D p p n 0
q V CB

A j
+
cth W exp
1
(
)
C

L
L
k

p
p
Ln

(5.16)

Aceste relaii pot fi puse sub forma urmtoare:

q V EB
q VCB
I E = a 11 exp
1 a 12 exp
1

kT
kT

.
q V EB
q V CB

I C = a 21 exp
1 a 22 exp
1
kT
kT

(5.17)

Comparnd relaiile (5.16) i (5.17) se constat imediat c:

a 21 = a 12 ,

(5.18)

relaie ce va fi utilizat ulterior.


Calculm acum mrimile E
tranzistorului n regim activ normal:
E =

1
1+

I En
I Ep

1
=
j n (l E )
1+
j p (0)

1
(E )

1 + Dn

Dp

(E )

1

sh W
(E )
Dn n p (l E ) L p
Lp
1+

(E )
Dp

Ln
p n (0) ch W p n (W )
Lp
1
=

L p np 0 W

(E ) p n 0
Lp
Ln

I Cp j p (W )
t =
=
=
I Ep
j p (0)

i t ce caracterizeaz eficiena funcionrii

(B )

(E )

ND
1 + Dn W
(E )
(E )
Dp

Ln

(5.19)

NA


p n (0) p n (W ) ch W
Lp
1



p n (0) ch W p n (W ) ch W
Lp
Lp

W<<L p

1
2
W
1
1+
2 Lp

Aceste relaii relev nc o dat necesitatea ca jonciunea emitor-baz s fie puternic


asimetric (NA(E ) >>> ND(B )- cu cateva ordine de marime) i ca grosimea bazei s fie mult mai
mic dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari corespunztori acestei regiuni (n
cazul nostru W << L p ) pentru ca cele dou mrimi de eficien, E i t , s fie apropiate de
unitate.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

111

5.2.2. Ecuaiile Sah-Noyce-Shockley pentru tranzistorul bipolar cu


jonciuni intrinsec
Ecuaiile lui Shockley (5.16) conin numai curenii de difuzie-recombinare din
regiunile active corespunztoare celor dou jonciuni ale TBJ. Curenii corespunztori
fenomenelor de generare-recombinare din regiunile de sarcin spaial ale jonciunilor de
emitor i de colector au fost inclui n ecuaiile statice curent-tensiune de ctre Sah, Noyce i
Shockley n 1957. Astfel, diferenele suprtoare existente ntre rezultatele teoretice i cele
experimentale (mai ales n cazul TBJ realizate pe suport de germaniu) au fost diminuate
simitor.
n dezvoltarea teoretic, cu excepia considerrii
fenomenelor de
generare-recombinare din regiunile de sarcin spaial, toate ipotezele simplificatoare ale lui
Shockley au fost meninute. Structura caracterizat de ipotezele rmase poart numele de
tranzistor bipolar cu jonciuni intrinsec. Contribuia fenomenelor de generare-recombinare
din regiunile de sarcin spaial poate fi uor estimat folosind rezultatele obinute n
capitolul 3.2.4 pentru o jonciune p-n. Astfel se obin relaiile:

q V EB
l E exp
1
2 0
2 k T

q VCB
ni

= q Aj
l C exp
1

2 0
2kT

I gr EB = q Aj
I gr CB

ni

(5.20)

Ecuaiile Sah-Noyce -Shockley (SNS) pentru un tranzistor bipolar intrinsec sunt:

q VEB
I exp q VCB 1
I E = [I E 0 + I grEB 0 + I B 0 ] exp

B
B0

kT
kT

(5.21)
q

v
q

V
EB
CB
1
1 (I C 0 + I grCB 0 + I B 0 ) exp
I C = B I B 0 exp

kT

kT

n care coeficienii folosii sunt definii astfel:


( )

IE 0 = A j

( )

q D nE n pE0
(E )

Ln

q n i lE
q VEB
2 0 exp
+ 1

2kT

q D p pn 0
W
IB 0 = A j
cth
Lp
Lp
I gr EB 0 = Aj

1
= t
W
ch
Lp
( )
( )
q D nC n pC0
IC 0 = A j
(C )
B =

Ln

I gr CB 0 = Aj

q ni l C
q V CB
2 0 exp
+ 1

(5.22)

112

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Considerm tranzistorul n regim activ normal i calculm din nou eficiena


emitorului:
E =

I Ep
I Ep + I En + I gr EB

( )
N DB I grEB
1 + D n(B ) W

+
(E )
(E )
I Ep
Dp
L n NA
(E )

(B )

(E )

N
1 + D n(B ) W
D(E ) +
(E )
Dp

Ln

NA

(5.23)

(B )

ND lE W
q VEB
(B )
2 0 Dp n i exp
+ 1
2kT

Relaia (5.23) relev clar dependena de polarizare a eficienei emitorului, att


funcie de tensiunea VEB ct i funcie de tensiunea VCB (prin intermediul grosimii bazei
W ) . Dependena puternic funcie de tensiunea VEB determin , n condiii de injecie mic,
creterea eficienei emitorului cu creterea curentului principal prin tranzistor. Astfel, la
tensiuni de polarizare pozitive mici ale jonciunii emitorului, componenta de recombinare
are o pondere important i eficiena emitorului scade simitor.
Prezena mrimilor n i , NA(E ) i ND(B ) n relaia (5.23) arat dependena eficienei
emitorului de materialul semiconductor suport, precum i de gradul de impurificare al
regiunilor acestuia. Se observ faptul c efectul componentei de recombinare va fi mai
important dac semiconductorul are o concentraie intrinsec n i mic i la temperaturi mai
coborte.

5.2.3. Modelul Ebers-Moll pentru TBJ


Ecuaiile (5.16) corespunztoare unui TBJ ideal n conexiune baz comun au fost
puse ntr-o form compact n 1954 de Ebers i Moll. Ecuaiile generale obinute, ce poart
numele de ecuaiile Ebers-Moll pentru TBJ ideal (sau ecuaiile Ebers-Moll originale), sunt:

VEB
I exp VCB 1

R
CS

VT
VT

V
V
I C = F I ES exp EB 1 I CS exp CB 1
VT
VT

I E = I ES exp

(5.24)

Parametrii implicai n relaiile (5.24) sunt:

I ES = I E 0 + I B 0
I CS = I C 0 + I B 0
IB 0
R = B
= B C
IC0 + IB0
IB0
F = B
= B E
IE0 + IB0
IB0
C =
IC 0 + IB 0
IB 0
E =
IE 0 + IB 0

(5.25)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

113

Parametrul I ES reprezint curentul de saturaie al diodei emitor-baz msurat cu


colectorul scurtcircuitat la baz, iar I CS reprezint curentul de saturaie al diodei
colector-baz msurat cu emitorul scurtcircuitat la baz.
Parametrii F i R reprezint coeficienii de amplificare n sens direct, respectiv n
sens invers, n conexiune baz comun cu ieirea n scurtcircuit (colectorul scurtcircuitat la
baz pentru sensul direct de transport, respectiv cu emitorul scurtcircuitat la baz pentru
sensul invers de transport).
Factorul B este factorul generalizat de transport al purttorilor minoritari injectai n
baz i reprezint fraciunea de purttori minoritari, injectai n baz prin activarea unei
jonciuni, ce reuesc s scape procesului de recombinare pe durata transportului prin
difuzie-drift prin acest regiune i sunt colectai de cealalt jonciune.
n tranzistoarele reale, datorit efectelor produse de cmpurile electrice interne
datorate gradienilor concentrailor de impuriti, valoarea lui B va fi diferit n funcie de
direcia de transport a purttorilor minoritari. Astfel, pentru sensul direct de transport (de la
emitor ctre colector) avem:
F = BF E
1
BF =
,

W
ch F

Lp

(5.26)

iar pentru sensul invers de transport (de la colector la emitor) avem:


R = BR C
1
BR =
,

W
ch R

Lp

(5.27)

unde F i R reprezint factorii de accelerare, respectiv ncetinire a purttorilor de sarcin


minoritari n baz.
n cazul unei baze extrem de subiri (W << L p ), BF i BR se pot aproxima prin
primii termeni ai dezvoltrii lor n serie:
2

(
W )2

t
R
BF sau BR 1 1 F sau R W = 1 F sau (RB )
= 1 BFsau
.
B
2!
Lp
2 D p B

(5.28)

Mrimea

t BF sau R =

(F sau R W ) 2
(B )

2 Dp

(2.29)

poart numele de timp de transport al purttorilor minoritari difuzai n baz.


O dependen similar, funcie de direcia de transport, apare i n cazul parametrului
I B 0 , ce caracterizeaz curentul purttorilor minoritari injectai n baz, atunci cnd
concentraiile de impuriti n regiunile caracteristice tranzistorului nu sunt constante.
Parametrii E i C reprezint eficienele generalizate de injecie ale purttorilor
minoritari n baz corespunztoare celor dou jonciuni ale tranzistorului emitor-baz i
colector-baz.

114

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Comparnd relaiile (5.24) cu (5.17) se obine urmtoarea relaie:


F I ES = R I CS

(5.30)

ce arat interdependena parametrilor relaiilor Ebers-Moll.


Dac n relaiile Ebers-Moll originale se incorporeaz i contribuiile fenomenelor de
generare-recombinare din regiunile de sarcin spaial ale jonciunilor tranzistorului se obin
aa numitele ecuaii extinse Ebers-Moll. Acestea pstreaz formalismul relaiilor (5.24), dar
parametrii implicai se modific astfel:

I ES = I E 0 + I grEB 0 + I B 0
I CS = I C 0 + I grCB 0 + I B 0
IB0
R = B
= B C
I C 0 + I grCB 0 + I B 0
IB0
F = B
= B E
I E 0 + I grEB 0 + I B 0
IB 0
C =
I C 0 + I grCB 0 + I B 0
IB 0
E =
I E 0 + I grEB 0 + I B 0

(5.31)

Notnd cu:

VEB
1

VT

,
VCB

= I CS exp
1

VT

I DE = I ES exp
I DC

(5.32)

curenii caracteristici jonciunilor tranzistorului, ecuaiile Ebers-Moll pot fi puse sub forma:

I E = I DE R I DC
.
I C = F I DE I DC

(5.33)

Circuitul echivalent corespunztor acestor ecuaii, dat n figura 5.8.a, se numete


modelul Ebers-Moll cu generatoare de curent comandate de cureni prin diode sau modelul
de semnal mare de tip diport (cuadripol) neliniar cu parametri y pentru TBJ n conexiune
BC. Parametrii I ES , I CS , F i R se ntlnesc i sub denumirea de parametrii de cuadripol de
scurtcircuit.
Ecuaiile Ebers-Moll pentru un tranzistor de tip npn sunt formal aceleai, diferind
doar sensul tensiunilor aplicate pe tranzistor:

VBE
I exp VBC 1

R
CS

VT
VT

.
V
V
I C = F I ES exp BE 1 I CS exp BC 1
VT
VT

I E = I ES exp

(5.34)

Circuitul echivalent corespunztor ecuaiilor (5.34), corespunztoare TBJ de tip npn,


este reprezentat n figura 5.8.b.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

R.I DC

115

R.I DC

F .I DE

IE E

C IC
I DE

B
IB

F.I DE

IE E

I DC

C IC
I DE
b)

a)

B I DC
IB

Figura 5.8. Modelul Ebers-Moll cu generatoare de curent comandate de curenii prin


diode pentru TBJ n conexiune baz comun: a) de tip pnp; b) de tip npn.

Prelucrnd forma iniial a relaiilor Ebers-Moll pentru un TBJ de tip pnp n


conexiune BC, prin eliminarea n prima relaie a curentului I DC i n cea de-a doua relaie a
curentului I DE , obinem aa numitele ecuaii de diport hibride:

I E = (1 F R ) I ES exp

VEB
1 + R I C =
VT

V
= R I C + I EB0 exp EB 1
VT

.
V

CB

I C = F I E (1 F R ) I CS exp
1 =
VT

VCB

= F I E I CB 0 exp
1
VT

(5.35)

Parametrii

I EB 0 = (1 F R ) I ES
I CB 0 = (1 F R ) I CS

(5.36)

reprezint curenii reziduali (de saturaie) ai jonciunilor emitorului i colectorului msurai


cu colectorul, respectiv emitorul, n gol.
Circuitul echivalent acestui tip de ecuaii poart denumirea de model Ebers-Moll cu
generatoare de curent controlate de curenii la borne sau modelul de semnal mare de tip
diport (cuadripol) neliniar hibrid pentru TBJ n conexiune BC i este reprezentat n figura
5.9.

F.I E

R.I C
IE E

C IC

IEB0. exp(VEB )-1


VT

V
B I CB0. exp( CB) -1
VT
IB
a)

F.I E

R.I C
IE E
I EB0. exp(VBE ) -1
VT

C IC
B ICB0 . exp(VBC) -1
VT
IB
b)

Figura 5.9. Modelul Ebers-Moll cu generatoare de curent controlate de curenii la


borne pentru TBJ n conexiune baz comun: a) de tip pnp; b) de tip npn.

116

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Ecuaiile (5.35) pot fi rearanjate pentru a exprima curentul de la o born funcie de


curentul i tensiunea de la cealalt born. Vom avea astfel pentru un TBJ de tip pnp n
conexiune BC:

I CB0
V
I E = ( F ) 1 I C +
exp CB 1
F
VT

(5.37)

ecuaia de diport de transmisie direct, respectiv


I
V
I C = ( R ) 1 I E EB0 exp EB 1
R
VT

(5.38)

ecuaia de diport de transmisie invers.


Cea mai folosit conexiune a TBJ este conexiunea emitor comun. De aceea, toate
tipurile de ecuaii prezentate anterior pentru conexiunea BC se vor rescrie pentru conexiunea
EC. Acestea se vor obine simplu prin nlocuirea n ecuaiile corespunztoare a mrimilor
I E i VCB , n cazul unui tranzistor pnp, prin:

IE = IC + I B
VCB = VCE + V EB

(5.39)

Obinem astfel:

ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri y de scurtcircuit


VEB
V + VEB
1 + (1 R ) I CS exp CE
1 =

V
V

T
T
I ES
V EB
I CS
VCE + V EB

=
exp
1 +
exp
1
1 + F
VT
VT
1 + R
(5.40)
V
V + V EB
=
I C = F I ES exp EB 1 I CS exp CE

VT
VT

F
VEB
VCE + VEB

=
I exp
1 I CS exp
1
1 + F ES
VT
VT

I B = (1 F ) I ES exp

ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri hibrizi


I B = (1 R ) I C + I EB 0 exp

V EB
1 =
VT

=
+ I EB 0 exp EB 1
1 + R
VT

F
I CB 0
V
+ VEB

IC =
IB
exp CE
1 =
1 F
1 F
VT
V + V EB
= F I B (1 + F ) I CB 0 exp CE
1

VT

IC

(5.41)

ecuaiile de diport de transmisie


(1 F )
I CB 0
V CE + VEB 1 =

F I C + F exp

VT

IC 1 + F
V
+
V
EB

= +
I CB 0 exp CE
1
F
F
VT

IB =

(5.42.a)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

117

1 I + I EB0 exp VEB 1 =

VT
1 R B 1 R

V EB

= (1 + R ) I B + (1 + R ) I EB 0 exp
1

IC =

(5.42.b)

n ecuaiile de mai sus au fost folosii parametrii


F
F =
1 F
R
R =
1 R

(5.43)

cunoscui sub denumirea de factori de amplificare n curent n sens direct, respectiv invers,
n conexiune EC.
Modelele echivalente de cuadripol pentru TBJ n conexiune EC, corespunztoare
ecuaiilor (5.40) i (5.41), sunt reprezentate n figura 5.10. Parametrul I CE 0 folosit n aceast
figur are urmtoarea semnificaie:

I CE 0 = (1 + F ) I CB 0

(5.44)
TBJ de tip npn
C
IC

TBJ de tip pnp


C
IC
B

IB
E

I DE
IC
1+ R

I EB0.
E

R.IDC

IE
E

F.I DE

IB

IE

I DC

I DE

F.I DE
C

I DC

R.I DC

E
a.

IC
1+ R

F.I B
B

C
exp(VEB ) -1 I CB0. exp(VCB + VEB) -1
VT
VT

I EB0.

F.I B

C
exp(VEB ) -1 I CB0. exp(VCB +VEB) -1
VT
VT

E
b.

Figura 5.10. Modelele echivalente de cuadripol pentru TBJ n conexiune EC:


A) de tip pnp; B) de tip npn;
a) circuitul echivalent cu parametri y; b) circuitul echivalent cu parametri hibrizi.

118

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

5.2.4.
5.2.4 . Modelarea tranzistorului intrinsec n diverse regimuri de lucru
Ecuaiile prezentate n subcapitolul anterior sunt ecuaii generale, valabile pentru
orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior. n cele ce urmeaz vor fi prezentate
simplificrile ce apar n circuitele echivalente ale TBJ intrinsec, att n conexiune BC ct i
n conexiune EC, n cele patru regimuri de funcionare ale acestuia. Dezvoltrile teoretice se
vor face pe un TBJ de tip pnp.

Regimul activ normal


n RAN jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colector-baz
este polarizat invers. n consecin, pentru tensiuni VCB 4 V T , curentul I DC devine:

I DC = I CS ,

(5.45)

iar ecuaiile corespunztoare de cuadripol pentru tensiuni VEB 4 VT sunt:


n conexiune BC
ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri y de scurtcircuit

VEB
+ R I CS
VT
V
I C = F I ES exp EB + I CS
VT
I E = I ES exp

(5.46)

ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri hibrizi


I E = R I C + I EB0 exp

VEB
VT

(5.47)

I C = F I E + I CB0
ecuaiile de diport de transmisie
I E = ( F ) 1 (I C I CB 0 )
I C = ( R ) 1 I E I EB 0 exp

V EB
VT

(5.48)

n conexiune EC
ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri y de scurtcircuit

I ES
V
I
exp EB CS
1 + F
VT
1 + R
F
V
IC =
I ES exp EB + I CS
1 + F
VT
IB =

(5.49)

ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri hibrizi


IB =

IC

V
+ I EB0 exp EB

1 + R
VT
I C = F I B + (1 + F ) I CB 0

(5.50)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

119

ecuaiile de diport de transmisie


1 + F
I
IB = C
I CB 0
F

I C = (1 + R ) I B + (1 + R ) I EB 0 exp

(5.51)

V EB
VT

Circuitele echivalente simplificate utilizate cel mai adesea pentru un TBJ n RAN
sunt reprezentate n figura 5.11.

pnp
IE
BC

IB

R.I CS

npn

EC

IE

F . I
I
F+1 DE + CS
E

I EB0. exp(VEB )
VT

C
IB

E
C

I CS
1+ R
E

IDE

F .I
DE + I CS

F+1

IC
1+ R

F.IB + ( F +1) .I CB0

IC
1+ R

F.I DE+I CS
B

IE

I DE

R.I CS

C
E
.
V
EB
.
IEB0 exp( ) F I E +I CB0
VT
B
B
IC

I CS
1+ R
E

IB

IC

R.I C

I DE

b.

B
IB

a.

F.I E +I CB0

C
IEB0. exp(VEB )
VT
B
IC

b.

E
B

F.I DE+I CS

R.I C

IE

I DE

a.

IC

IEB0. exp(VEB )
VT

Figura 5.11. Modelele echivalente de cuadripol corespunztoare unui TBJ n RAN n


BC i EC: a) cu parametri y de scurtcircuit; b) cu parametri hibrizi.

120

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Regimul activ invers


n RAI jonciunea emitor-baz este polarizat invers, iar jonciunea colector-baz
este polarizat direct. n consecin, pentru tensiuni VEB 4 V T , curentul I DE devine:
(5.52)
I DE = I ES ,
iar ecuaiile corespunztoare de cuadripol pentru tensiuni VCB 4 VT sunt aceleai ca n
RAN dar cu indicii E i C schimbai ntre ei.

Regimul de blocare
Cnd ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate invers, iar tensiunile aplicate
ndeplinesc condiia VEB , VCB 4 V T , prin cele dou jonciuni ale tranzistorului
intrinsec circul numai curenii reziduali corespunztori acestora. n consecin vom avea:
n conexiune BC
ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri y de scurtcircuit

I E = I ES + R I CS = (1 F ) I ES
I C = F I ES + I CS = (1 R ) I CS

(5.53)

ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri hibrizi


I E = R I C I EB 0
I C = F I E + I CB 0

(5.54)

ecuaiile de diport de transmisie


I E = ( F ) 1 (I C I CB 0 )
I C = ( R ) 1 [I E + I EB 0 ]

(5.55)

n conexiune EC
ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri y de scurtcircuit
I ES
I
CS
1 + F 1 + R
F
I
IC =
I ES + I CS = (1 F ) I CS = CS
1 + F
1 + F
IB =

(5.56)

ecuaiile de diport (cuadripol) cu parametri hibrizi


IC
I EB 0
1 + R
I C = F I B + (1 + F ) I CB 0
IB =

(5.57)

ecuaiile de diport de transmisie


IC 1 + F

I CB 0
F
F
I C = (1 + R ) I B (1 + R ) I EB 0
IB =

(5.58)

Circuitele echivalente simplificate folosite cel mai adesea pentru un TBJ n RB sunt
reprezentate n figura 5.12.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

121

pnp
IE
BC

C
IB

a.

npn
IC

B
E

C
IB

(1- F ).I ES (1- R ).I CS

R.I C -IEB0

IE

F.I E +I CB0

(1- F ).I ES

IC

(1- R).I CS

C
B

R.I C -IEB0

F.I E +I CB0

b.

IC

EC

IC

B
IB

IE

I ES
I
- CS
F+1 R+1

B
IB

I CS
F +1

E
I ES
I
- CS
F+1 R+1

IE

I CS
F +1

a.

IC
.
.
-I
1+ R EB0 F I B+ ( F +1) I CB0
E
C

IC
. + (F +1).ICB0
-I
1+ R EB0 F I B
E
C

b.

Figura 5.12. Modelele echivalente de cuadripol corespunztoare unui TBJ pentru RB


n BC i EC: a) cu parametri y de scurtcircuit; b) cu parametri hibrizi.

Regimul de saturaie
n RS ambele jonciuni sunt polarizate direct i nu sunt posibile simplificri ale
modelelor prezentate n subcapitolul 5.2.3.

5.2.5.
5.2.5 . Caracteristicile statice ideale ale T.B.J. intrinsec
n aceast seciune se vor prezenta caracteristicile statice ideale corespunztoare
aa-numitului tranzistor intrinsec, obinut prin ignorarea geometriei reale a structurii fizice,
n dou din cele mai folosite conexiuni ale acestuia: BC i EC. Ecuaiile pe baza crora se
vor trasa aceste caracteristici sunt ecuaiile deduse n subcapitolul 5.2.3 pentru o structur de
tip pnp.

122

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

n conexiune BC
Caracteristicile de intrare, I E = I E (VEB ) V CB =ct., se traseaz plecnd de la relaiile
(5.24.). Pentru VCB = 0 obinem o caracteristic similar cu cea a unei jonciuni p-n:
i E = I ES exp

VEB
1

VT

(5.59)

Pentru VCB < 0 ; VCB 4 V T avem:

VEB
V
1 + R I CS = I ES exp EB I ES (1 F ),

VT
VT

iar pentru inversarea polaritii tensiunii de colector , VCB > 0 , vom avea:
V
i E = i E V CB =0 R I CS exp CB 1 .
VT

i E = I ES exp

(5.60)

(5.61)

Familia de caracteristici de intrare pentru toate aceste situaii, ce plaseaz


tranzistorul n toate regimurile de funcionare, este ilustrat n figura 5. 13.
IE
RAN

VCB < 0
VCB = 0

scar
marit pentru i E
RB

VCB > 0
RS
VEB

IES ( 1 F).ES
RAI
Figura 5.13. Caracteristicile statice ideale de intrare ale unui TBJ intrinsec de tip pnp
n conexiunea BC.

Caracteristicile de transfer, I C = I C (VEB ) V CB =ct. , se determin tot pe baza relaiilor


(5.24). Procednd ntr-un mod similar cazului precedent obinem:
pentru VCB = 0
I C = F I ES exp
pentru VCB

<0

I C = I ES exp

V EB
1
VT

VEB
+ I (1 R )
VT CS

(5.62)

(5.63)

pentru VCB > 0

IC = IC

V CB =0

V
I CS exp CB 1
VT

Familia caracteristicilor de transfer este ilustrat n figura 5.14.

(5.64)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

123

VCB < 0
VCB = 0

IiE

scar mrit
RB

RAN

VCB > 0

(1R).I CS

RS
VEB

F.IES

RAI
Figura 5.14. Caracteristicile statice ideale de transfer ale unui TBJ intrinsec de tip
pnp n conexiunea BC.

Caracteristicile de ieire, I C = I C (VCB ) pot fi reprezentate att pentru VBE = ct. , ct


i pentru I E = ct.. n primul caz se pornete de la ecuaiile Ebers-Moll, iar n cel de-al
doilea de la ecuaiile de diport hibride (5.35). Pentru a trasa primul set de
caracteristici se procedeaz la fel ca n cazurile precedente. Trasarea celui de-al
doilea set de caracteristici ncepe cu trasarea caracteristicii corespunztoare lui
IE = 0:
V
I C = I CB 0 exp CB 1
(5.65)
VT

Celelalte caracteristici se obin prin translaia pe vertical la distane corespunztoare


F I E (presupunnd c F este independent de curentul i de tensiunea de colector).
n figura 5.15 sunt reprezentate ambele tipuri de caracteristici precum i zonarea
acestora pe diferitele regimuri de funcionare.
I C [mA] V

I C[mA]

EB3 = VEB2 + VEB

Regim activ normal


Regim
de
saturaie

Regim activ normal

VEB2 = VEB1 + VEB


VEB2
F.I ES.exp( V
)
T
VEB1 >0
VEB=0
I CS
Regim de
blocare
a.

I E3 = I E2 + I E

-VCB [V]

Regim
de
saturaie

I E2 = I E1+ I E

F .I E2
I CB0
Regim de
blocare
b.

I E1

F.I E1 I E =0
-VCB [V]

Figura 5.15. Caracteristicile statice ideale de ieire ale unui TBJ intrinsec de tip pnp n
conexiunea BC: a) pentru V EB =ct. ; b) pentru I E =ct..

124

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

n conexiune EC
Caracteristicile de intrare, I B = I B (VEB ) V CE =ct. , se traseaz folosind relaiile (5.40).
Caracteristica corespunztoare unei tensiuniVCE = 0 este de tip diod:
IB =

I ES
I

V
+ CS
exp EB 1
1 + F 1 + R
VT

(5.66)

Dac tensiunea de colector este suficient de negativ ( VCE 4 V T + VEB ) atunci


I
V
I
I B = ES exp EB 1 CS
(5.67)
1 + F
VT
1
+ R

i teoretic vom avea o singur caracteristic.


Dac tensiunea pe colector este pozitiv atunci:

IB =

I ES
V
I
V + VEB
exp EB 1 + CS exp CE
1

1 + F
VT
1
+

R
T

(5.68)

i curentul de baz crete.


n figura 5.16 este reprezentat familia de caracteristici teoretice de intrare.
IB

VCE =0

VCE >0
VCE <0
[(1- F ).I ES+(1- R ).I CS]
VEB
Scar mrit
Figura 5.16. Caracteristicile statice ideale de intrare ale unui TBJ intrinsec de tip pnp
n conexiunea EC.

Caracteristicile de transfer, I C = I C (VEB ) V CE =ct. , sunt date tot de relaiile (5.40) i se


traseaz n acelai mod ca cele de intrare. Familia caracteristicilor de transfer este
dat n figura 5.17.
IC
VCE<0

(1- R).I CS

VCE =0
VCE >0

VEB

(1- R) .I CS
Figura 5.17. Caracteristicile statice ideale de transfer ale unui TBJ intrinsec de tip
pnp n conexiunea EC.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

125

Caracteristicile de ieire, I C = I C (VCE ), pot avea ca parametru att tensiunea VEB , ct


i curentul I B . Caracteristicile I C = I C (VCE ) IB =ct. sunt cele ce sunt furnizate de
productorii de tranzistoare n cataloagele de specialitate. Relaiile folosite pentru
trasarea acestor caracteristici sunt (5.41):
I C = F I B (1 + F ) I CB 0 exp

VCE + V EB

1 .
VT

Trasarea caracteristiclor de ieire ncepe cu trasarea caracteristicii corespunztoare


luiI B = 0 . Celelalte caracteristici se obin prin translaia pe vertical la distane
corespunztoare F I B . Familia de caracteristici obinut astfel este reprezentat n
figura 5.18.
I C [mA]

IB3
IB2

RS

IB1
RBI
-VEC [V]
I B =0
I
IB2 B1
IB3

RAN

I B =0
-VCE [V]
RB

RAI

-I E [mA]

Figura 5.18. Caracteristicile statice ideale de ieire ale unui TBJ intrinsec de tip pnp
n conexiunea EC.

5.2.6.
5.2.6 . Modele statice pentru TBJ reale
Pentru obinerea unor modele statice care s poat fi utilizate n analiza i
proiectarea structurilor TBJ reale, trebuie ca la modelul, original sau extins, Ebers-Moll s
fie adugate elementele parazite datorate efectelor bidimensionale (2-d) sau tridimensionale
(3-d).
n ecuaiile unidimensionale Shockley sau Sah-Noyce-Shockley (SNS) ariile celor
dou jonciuni ale tranzistorului au fost considerate egale. n structurile reale (vezi figura
5.19.a), n scopul realizrii contactului de baz, aria colectorului este mai mare ca cea a
emitorului (AC > AE ). Astfel ecuaia curentului de colector trebuie s fie extins pentru a
include i curentul ce trece prin jonciunea colector-baz, de arie AC A E , ce nu este
acoperit de jonciunea emitor-baz. Aceast jonciune adiional este cunoscut sub
denumirea de jonciunea colector-baz nesuprapus (non-overlapped sau underlap).
Grosimea regiunii n corespunztoare acestei jonciuni este W Bul = x E + l E + W. Astfel,
ecuaia curentului de colector al unui tranzistor real conine dou pri: una corespunztoare
curentului de colector a tranzistorului intrinsec ce are ambele jonciuni de arii egale ( A E) i
una corespunztoare curentului jonciunii colector-baz nesuprapuse de arie AC A E . n

126

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

RAN contribuia jonciunii colector-baz nesuprapuse este nesemnificativ (jonciunea fiind


polarizat invers), dar devine important n regim de saturaie i n regim de comutaie din
saturaie n blocare. Reducerea sau chiar eliminarea ariei acestei jonciuni a constituit
obiectivul principal al inginerilor proiectani de TBJ rapide pentru microprocesoare,
deoarece prezena acesteia mrete timpul de comutaie invers al TBJ real.
De asemenea, modelul Ebers-Moll permite incorporarea unor efecte fizice neglijate
pn acum. Tensiunile aplicate din exterior jonciunilor tranzistorului nu cad n ntregime pe
regiunile de sarcin spaial corespunztoare jonciunilor tranzistorului, aa cum s-a
presupus n modelul unidimensional. Aceste tensiuni se distribuie i pe rezistenele de volum
ale regiunilor neutre, pe rezistenele de difuzie ale regiunilor active ale tranzistorului i pe
cele de contact, iar o cdere suplimentar de tensiune are loc datorit curgerii transversale a
curentului de baz (pe o direcie perpendicular pe fluxul principal de purttori de sarcin).
Rezistena datorat curgerii transversale a curentului de baz are un caracter distribuit i
poate avea valori importante deoarece, n general, regiunea bazei, n scopul obinerii unor
frecvene de lucru i viteze ridicate n regim dinamic, are rezistivitate mare i este subire.
Modelarea efectelor 2-d descrise anterior, pentru TBJ bine proiectate i la nivele mici
de injecie, poate fi realizat prin circuitul echivalent cu elemente concentrate prezentat n
figura 5.19.b. Simbolul de TBJ a fost folosit aici pentru a simboliza structura intrinsec,
descris de ecuaiile Ebers-Moll originale sau extinse.
Totui, aproximaia unei rezistene de baz r bb constante nu rezist, nici chiar pentru
TBJ bine proiectate, cnd nivelul curentului de baz determin o cdere de tensiune mai
mare ca VT pe r bb . Aceasta deoarece curentul prin jonciunea emitor-baz este puternic
neliniar i astfel, densitatea de curent la marginile jonciunilor (unde curentul este
determinat de aproape ntreaga tensiune aplicat VEB ) este mult mai mare dect n centrul
acestora (unde curentul este determinat de tensiunea VEB I B r bb ). Aceast distribuie
neuniform a curentului prin structur invalideaz i caracterul constant i concentrat al
rezistenelor de colector r cc i de emitor r ee . Figura 5.19. c ilusteaz modelul distribuit al
unui TBJ de tip pnp.
Descrierea prin ecuaii a modelului prezentat n figura 5.19.b este urmtoarea:

VE B
V
1 R I CS exp C B

V
VT

T
V
V
I C = F I ES exp E B 1 I CS exp C B

V
VT

V
+ I CS exp CB 1
VT

VE B = VEB I B r bb I E r ee
VC B = VCB I B r bb I C r cc
I
I gr CB 0
I
I CS = (AC A E ) C 0 + B 0 +
AE A E
AE
q D p pn 0
W Bul
IB 0 = A E
cth
Lp
Lp
I E = I ES exp

1 +

(5.69)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

B
xE

E
ree'

rbb'

WB-ul lE
W

127

rbb'

AE

rcc'

AC

a.

b.
E

ree'
B

rbb'

rbb'

rcc'

ree'

ree'

rbb'

rbb'

rcc'

r cc'

c.

ree'

ree'

rbb'

rcc'

r cc'

Figura 5.19. Modele statice pentru o structur TBJ dublu difuzat de tip pnp:
a) seciune transversal printr-o structur real; b) modelul static cu elemente
concentrate; c) modelul static cu elemente distribuite.

Din aceast analiz simpl este evident faptul c putem obine un model static realist,
pentru o structur TBJ real, prin simpla combinare a ecuaiilor extinse Ebers-Moll ale TBJ
intrinsec cu ecuaiile unidimensionale ce modeleaz diferitele elemente parazite. Aceast
metod poate fi folosit cu succes i n cazul structurilor de TBJ cu o geometrie mai
complicat: se partiioneaz, n mod inteligent, structura n mai multe regiuni n care
modelele 1-d s fie valide; n regiunile obinute se folosesc modele unidimensionale
corespuntoare (tranzistor, diod, rezisten, etc.) i prin combinarea adecvat a acestora se
obin ecuaiile statice ce modeleaz n mod realist funcionarea structurii. Efectele datorate
liniilor de cmp electric de margine neparalele i curgerii divergente a fluxului de purttori
de sarcin sunt neglijate n modelele unidimensionale. Dar aceste efecte pot fi aproximate
prin ajustarea corespunztoare a ariilor regiunilor considerate.

128

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

5.2.7.
5.2.7 . Abateri de la caracteristicile ideale ale TBJ intrinsec
n subcapitolul 5.2.3 au fost determinate ecuaiile de cuadripol pe baza crora,
considernd parametrii acestora ( F , R , B , F , I CS , I ES ...) constani, s-au trasat, pentru un
TBJ intrinsec, caracteristicile ideale. Aa cum s-a artat n subcapitolele precedente, chiar n
cazul considerrii TBJ intrinsec modelat unidimensional, parametrii acetia depind de
propietile materialului semiconductor i de geometria structurii.
n acest subcapitol se va prezenta dependena acestor parametri de polarizare i de
modificrile ce apar n caracteristicile statice ca urmare a efectelor acestei dependene. Deja
modelul Ebers-Moll extins, prin ncorporarea fenomenelor de generare-recombinare din
regiunile de sarcin spaial a jonciunilor tranzistorului, a relevat o cauz a dependenei de
polarizare a parametrilor mai sus menionai. Alte cauze ce determin dependena de
polarizare a parametrilor de cuadripol sunt:
modularea grosimii bazei cvasineutre, fenomen cunoscut sub numele de efect Early;
modularea conductivitii bazei, efect ce apare la nivele mari de injecie;
efectul Kirk, efect invers efectului Early, ce apare la nivele ridicate ale curenilor
prin structur.

Efectul Early n TBJ


Spre deosebire de caracteristicile ideale, caracteristicile de ieire ale TBJ n
conexiune BC sau EC ridicate experimental, pentru nivele de curent prin structur mici i
moderate, relev, n RAN, o conductan de ieire finit (vezi figura 5.20.). Creterea
curentului de colector i conductana de ieire finit se datoreaz scderii grosimii bazei
cvasineutre odat cu creterea tensiunii inverse aplicate jonciunii colectorului. Acest
fenomen a fost modelat n 1952 de Early i de aceea poart denumirea de efect Early. Pentru
structurile reale sunt de fapt dou efecte Early, cunoscute i sub numele de efecte de
modularea grosimii bazei cvasineutre:
curentul de colector este mai mare dect cel indicat de caracteristicile ideale i are o
dependen mult mai acentuat cu tensiunea VCB ;
rezistena bazei laterale crete odat cu micorarea grosimii bazei ca urmare a
creterii tensiunii inverse aplicate jonciunii colector-baz.
Modularea grosimii bazei cvasineutre poate fi minimizat dac regiunea colectorului
este mult mai slab dopat ca cea a bazei, astfel nct regiunea de sarcin spaial a jonciunii
colectorului s se ntind mai mult n aceast regiune. Acest concept de colector slab dopat a
fost introdus de Early n 1954 i se poate implementa fie prin introducerea unei regiuni
intrinseci la interfaa dintre baz i colector, obinnd astfel o structur de tip pnip sau npin,
fie prin folosirea unei structuri de tip p++ n+ p sau n++ p+ n. Dintre aceste dou soluii cea mai
utilizat este cea a intercalrii unei regiuni intrinseci n structur, care ofer att performane
mai bune din punct de vedere al micorrii pn la dispariie a efectelor modulrii grosimii
bazei, ct i o tensiune de strpungere mai mare i o capacitate a jonciunii colector-baz
mai mic.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

500

129

25

T=25C

10 5 mA
4 mA
3 mA

IC [mA]

400

2 mA

300
200

1 mA

VA

100
0

I B =0 mA
-8

-6

-4

-2

VCE [V]

10

Figura 5.20. Caracteristicile de ieie n conexiune EC ale unui tranzistor npn de


ctig ridicat ce prezint un efect Early pregnant.

Modularea grosimii bazei poate fi pus n eviden folosind relaiile (3.18) i (3.21).
Astfel, pentru o structur de tip pnp, se obin urmtoarele expresii:
W = W 0 (0, 0) W(V EB , V CB ); VCB < 0
W = W jm l n,E l n,C = W (VEB , VCB )

l n,E =

(E )

(E )

(C )

(C )

V EB
2 NA B 0 VEB = l
n,E 0 1
q
(B )
(E )
(B )
(E )
ND NA + ND
B 0

N
+ VCB
VCB
l n,C = 2 q A(B ) B(0C )
(B ) = l n,C 0 1 +
( )
ND
NA + ND
BC0

RAN
V
V CB
W = l n,E 0 1 EB

1
+
l

1
+

1
n
,
C
0


(E )
(C )
B 0
B 0

RAN
V
l n,C 0 1 + CB

(C )
B 0

(5.70)

Relaiile (5.70) relev clar micorarea grosimii bazei cvasineutre odat cu creterea
tensiunii inverse aplicate jonciunii colector-baz. Efectul Early privitor la micorarea
rezistenei bazei laterale odat cu creterea tensiunii inverse aplicate colectorului poate fi
pus n eviden folosind un model unidimensional cu parametri concentrai:

r bb = (Rezistivitate) (latime) (grosime lungime) 1


(5.71)
W
Pentru a determina efectul modulrii grosimii bazei asupra curentului de colector n
cele dou conexiuni BC i EC facem apel la relaiile (5.22), (5.28), (5.31) i (5.43):
1

(F W ) 2
(B )

2 D p B
F
1 expresie 1 W expresie 2 W 2
(I E 0 + I grEB 0 )
1+
W
Aj q Dp p n 0

(5.72.a)

130

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

( F W ) 2
( )
2 DpB B
F
F =

1
2
1 F
W
(I E 0 + I grEB 0 )
( W )
W + F (B )
Aj q Dp p n 0
2 D p B

(5.72.b)

Se observ c att F ct i F cresc pe msur ce grosimea bazei cvasineutre scade,


conducnd la creterea curentului de colector. Dependena lui F de tensiunea invers
aplicat jonciunii colectorului la nivele mici de injecie este ilustrat n figura 5.21.
F

|VCB|
Figura 5.21. Dependena lui F de tensiunea invers aplicat jonciunii colectorului
la nivele mici de injecie.

Prin extrapolarea caracteristicilor de ieire ale TBJ n conexiune EC (vezi figura


5.20) se poate defini o mrime des folosit n modelarea efectului Early i anume tensiunea
Early:

VA =

IC
dVCE
= W
I C
dW
VCE

(5.73)

n RAN, influena efectului Early asupra caracteristicilor de semnal mare se poate


modela astfel:

V
V
I C 1 + CE I ES exp EB ,
n VA
VT

(5.74)

iar conductana de ieire corespunztoare acestei modelri este:

g0 =

I C
VCE

I B= ct.

IC
n VA

(5.75)

n relaiile (5.74) i (5.75) coeficientul n [1, 2] este dictat de dependena lrgimii


regiunii de sarcin spaial a jonciunii colectorului de tensiunea invers aplicat acesteia.

Efectele SNS n TBJ


n subcapitolul 5.2.2 s-au prezentat ecuaiile SNS pentru TBJ i s-a evideniat efectul
fenomenelor de generare-recombinare asupra eficienei emitorului (vezi expresia 5.23).
Scderea eficienei emitorului la cureni mici conduce, conform relaiilor (5.25), la scderea
valorii parametrilor F i F la cureni mici. Legat de aceste efecte, numite efecte SNS,
tensiunea emitor-baz la care eficiena emitorului scade la E = 0, 5 se definete a fi

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

131

tensiunea de prag de injecie a jonciunii emitor-baz (emitter injection threshold voltage),


notat cu VEB it . Expresia acestei tensiuni este:
(B )

l E W ND
VEB it 2 kq T ln

2 n D(B )
i

I gr EB 0

(5.76)

Curentul de colector obinut n condiiile aplicrii tesiunii VEB it i al egalitii


= I B 0 poart numele de curent de colector al pragului de injecie i este dat de relaia:

I C it

( )
q l E Aj
q DpB
B
(B )
2 0
W ND

(5.77)

Modularea conductivitii bazei cvasineutre


La nivele mari de injecie eficiena emitorului scade odat cu creterea curentului de
colector i, deci, vor scdea i factorii de amplificare n curent i . Acest efect este mai
pregnant la TBJ de putere ce lucreaz la cureni mari i la TBJ cu vitez mare de rspuns.
Dou cauze stau la baza scderii factorilor de amplificare la cureni mari:
datorit injeciei puternice de purttori minoritari n baz concentraia acestora
devine comparabil cu cea a purttorilor majoritari, sau chiar mai mare;
concentrarea curentului principal al structurii spre marginile (perimetrul)
jonciunii baz-emitor datorit cderii de tensiune pe rezistena bazei laterale.
Cnd concentraia de purttori minoritari din baz devine comparabilcu cea a
purttorilor majoritari, concentraia de purttori majoritari n baz trebuie s creasc pentru a
asigura neutralitatea acestei regiuni. Ca urmare, curentul de electroni corespunztor acestei
jonciuni crete (raportul I E 0 /I B 0 crete), conducnd astfel la scderea lui E i deci a
factorilor de amplificare n curent F i F . Acest efect poate fi micorat tot prin
introducerea unei regiuni slab dopate (aa numita regiune intrinsec) n structur. n plus
creterea concentraiei de purttori de sarcin n baz conduce la scderea rezistenei bazei i
la o puternic dependen a acesteia de tensiunea emitor-baz, deci de nivelul curentului prin
structur.
Pentru exprimarea cantitativ a domeniului de tensiuni i cureni la care apare acest
efect se face apel la relaia (2.16) i (3.36). n conformitate cu acestea concentraia de
purttori minoritari n regiunea bazei pentru o structur de tip pnp este:
2

p n ( x) =

V (x )
(B )
(B )
ND + ND + 4 n i2 exp EB

VT
2
( )
NDB
V (x )
(
)
exp EB
pentru
p
x
<
n

10
VT

n i2
(B )

ND
(B )

n i exp VEB (x ) pentru p n (x) > N D


10
2 VT

(5.78)

132

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Astfel, tensiunea jonciunii emitor-baz la care p n (0) = ND(B )/10 se numete tensiunea
de prag de nivel de injecie nalt (sau tensiunea de prag de nivel nalt). Relaia de calcul a
acesteia este:
(B ) 2
n (nB0)
ND
VEB hl = V T ln
=
V

ln
T

2
(B )
10 n i
10 p n 0

(5.79)

Densitatea de curent de emitor sau de colector corespunztor acestei tensiuni n RAN


poart numele de densitate de curent de prag de nivel nalt i este dat de expresia:

JC hl J E hl

q D p(B ) p (nB0)
cth W
(B )
(B )
Lp
Lp

q Dp(B ) ND(B )
V
exp EB hl
VT
10 W

(5.80)

Rezistena bazei laterale produce concentrarea curentului principal al structurii spre


marginile (perimetrul) jonciunii baz-emitor. Astfel, la marginile jonciunii se atinge i
depete mai repede densitatea de curent de prag de nivel nalt plasnd acele regiuni sub
efectele fenomenelor descrise anterior. n consecin eficiena emitorului i factorii de
amplificare n curent scad.

Efectul Kirk n TBJ


La nivele foarte mari de injecie densitatea curentului de colector se mrete foarte
mult, iar densitatea purttorilor minoritari n regiunea de sarcin spaial a jonciunii
colector-baz devine comparabil cu concentraia ionilor de impuriti dintr-o parte sau
chiar din ambele pri ale jonciunii metalurgice. Astfel, densitile efective de sarcin
pentru o structur de tip pnp devin:
J
(B )
(B )
(B )
(B )
n = q p n n n + N D = q p n + N D = q q vCmax + ND > q ND

J
(C )
(C )
(C )
(C )
p = q p p n p N A = q p p N A = q q vCmax + NA < q NA

(5.81)

n relaiile (5.81) pentru calculul concentraiilor de purttori mobili de sarcin s-au


folosit relaiile corespunztoate curentului de drift n regiunea de sarcin spaial (2.49) i
(2.55).
Creterea sarcinii efective n regiunea de sarcin spaial a jonciunii colectorului ce
se ntinde n partea dinspre baz conduce la scderea lrgimii acestei regiuni (l n,C ) , deci la
creterea grosimii bazei cvasineutre i n conformitate cu relaiile (5.72) la scderea
factorilor de amplificare n curent F i F . Acest efect, al creterii grosimii bazei
cvasineutre la nivele foarte mari de injecie este cunoscut sub numele de efect Kirk. Ca i n
cazul efectului Early, efectul Kirk este important n cazul TBJ de nalt frecven i vitez
mare.
Scderea sarcinii efective n regiunea de sarcin spaial a jonciunii colectorului ce
se ntinde n partea dinspre colector conduce la creterea l p,C , deci la micorarea grosimii
regiunii cvasineutre a colectorului i a rezistenei serie corespunztoare acesteia.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

(C )

NA

133

Evaluarea cantitativ a efectului Kirk se poate face nlocuind n relaia (5.70) ND(B ) i
J
J
(B )
(C )
prin q vCmax + ND , respectiv q vCmax + NA . Se obine astfel:

J
(C )
q vCmax + N A (C ) + VCB
2

l n,C = q
B(C0 )
(B )
JC
(B )
NA + ND
q v max + ND

JC
1
( )
q v max NAC

W = l n,C l n,C 0 = l n,C 0


JC
1+

(B )
q v max ND

W < l n,C 0 1 + CB

(C )

B
0

V
1 + (CB
C)

B 0

(5.82)

Dependena lui F de nivelul curentului de colector sau de emitor n RAN este


ilustrat n figura 5.22, evideniindu-se astfel toate efectele prezentate anterior.

320

400

VCE =10V

350

240

100 oC

200
160

25 oC

120
80
40

-55 oC

0
0,001 0,01 0,1

300

125 oC

250

25 oC

200

-55 oC

150
100

10 100 500

I C [mA]
a) npn 2N696

50
0
0,1

10

102 103 104

IC [ A]
b) npn integrat cu AC=6 m

Figura 5.22. Variaia lui F funcie de curentul de colector pentru un TBJ n RAN.

5.2.8. Strpungerea tranzistorului bipolar cu jonciuni


Multiplicarea n avalan la jonciunea colectorului
Tranzistoarele bipolare cu jonciuni sunt folosite ca amplificatoare n regimul de
funcionare activ normal. Astfel, tensiunile inverse mari se aplic jonciunii colector-baz,
unde poate s apar procesul de multiplicare n avalan. La tranzistoare, strpungerea este
asemntoare cu cea a jonciunii p-n, cu meniunea c fenomenele sunt dependente de
conexiunea TBJ, i deci mai complexe. Modelarea strpungerii unei jonciuni prin
multiplicare n avalan a fost prezentat n subcapitolul 3.2.5. n consecin, purttorii de
sarcin ce traverseaz regiunea de sarcin spaial a jonciunii colectorului pot produce

134

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

perechi electron-gol prin ionizare prin impact determinnd multiplicarea curentului iniial cu
factorul M, a crui expresie este:
1
M=
(5.83)
n
V

CB
1
VCBBR
n care VCBBR reprezint tensiunea de strpungere a jonciunii colector-baz determinat cu
emitorul n gol (i de aceea se noteaz cu VCB 0 ).

Procesul de strpungere n cazul unui TBJ de tip pnp n conexiune BC este


prezentat n figura 5.23.A.a. Curentul de colector ce iese din regiunea de sarcin spaial este
de M ori mai mare ca cel care intr, adic:
I C = M ( F I E + I CB 0 )

(5.84)

Cnd tensiunea invers aplicat jonciunii colectorului se apropie de VCB 0 , curentul


de colector crete brusc fr o limit aparent. Strpungerea jonciunii colector-baz, n
cazul cnd tranzistorul lucreaz la cureni I E = ct. 0, are loc la tensiuni mai mici ca VCB 0 ,
dar apropiate de aceasta (vezi figura 5.23.A.b). n acest caz tensiunea de strpungere a
jonciunii colector-baz se noteaz cu VCBR . Curentul de baz va fi dat de expresia:

I B = I E I C = I E (1 F M ) M I CB 0

(5.85)

Relaia (5.85) relev faptul c pentru valori ale lui M 1/ F curentul de baz i
schimb semnul.
Trebuie remarcat faptul c multiplicarea n avalan nu afecteaz, n acest caz, dect
jonciunea colectorului.

Procesul de strpungere n cazul unui TBJ de tip pnp n conexiune EC este


pezentat n figura 5.23.B.a. Spre deosebire de cazul precedent, cnd fenomenele se dezvoltau
sub condiia de I E = ct. (dat de circuitul exterior), n conexiune EC curentul de baz este
constant (I B = ct.), iar fenomenele devin mai complicate deoarece meninerea la o valoare
constant a curentului de baz nu permite evacuarea purttorilor majoritari n baz, rezultai
din fenomenul de multiplicare n avalan. n acest caz susinerea avalanei se realizeaz
prin creterea curentului de emitor.
O descriere matematic simplificat se poate face nlocuind n relaia (5.84) pe I E cu
I C + I B i explicitnd curentul de colector. Astfel se obine:
M F IB
M I CB 0
IC =
+
(5.86)
1 M F 1 M F
Curentul de colector tinde ctre infinit cnd este ndeplinit condiia:

M(VCE ) F (I C , VCE ) = 1.

(5.87)

Introducnd n aceast condiie relaia (5.83) se obine expresia tensiunii


VCE V CB la care I C , tensiune ce poart denumirea de tensiune de susinere i este
notat cu VCE 0 :
RAN

VCE 0 V CB 0 (1 F ) 1/n =

VCB 0
(1 + F )

1/n

(5.88)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

135

n figura 5.23.B.b sunt prezentate caracteristicile de ieire ale unui tranzistor pnp n
conexiune EC a crei tensiune VCB 0 = 75 V . Aa cum relev i aceste caracteristici, n
practic tensiunea de susinere este de 3 10 ori mai mic ca tensiunea de strpungere a
jonciunii colector-baz VCB 0 . Datorit variaiei factorului de amplificare F cu nivelul
curentului prin structur i tensiunea de susinere variaz funcie de nivelul curentului de
baz.
A.
p

B.

a.
B

B curent de multiplicare
-1

A
0,3
5m
2
,
0
i E=
A
0,2m
0,2 i E= mA
0 ,1 5
i E=
mA
i E= 0,1

0,1

iE=0,05mA
iE=0mA

0 20 40 60 80 100
-VCB [V]

8
6

A
0,05m
0,04mA

0,03mA
0,02mA

0,01mA

0
0

T=25C

IC /ICB0

10 0,06mA

IC [mA]

b.

IC [mA]

0,4

IB =0mA

10 20 30 40 50
VCE [V]

10
-2
10
-3
10
-4
10 I
valley
10-5
10-6
-7
10 I
PEAK
-8
10-9
Vvalley
10
0,6
0,7

0,8

0,9

VCE/VCE0 VPEAK

Figura 5.23. Strpungerea TBJ de tip pnp: A) n conexiune BC; B) n conexiune EC.
Figura relev: a) curenii prin tranzistor; b) caracteristici statice experimentale.

Caracteristicile de ieire experimentale pentru conexiunea EC din figura 5.23.B.b


relev, de asemenea, un efect de tip multi-mecanism pentru I B = 0 i anume existena unei
regiuni de rezisten negativ pe aceast caracteristic. Acest form a caracteristicii I B = 0
se datoreaz combinaiei a dou mecanisme:
creterea lui F cu creterea curentului de emitor, respectiv colector;
multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin din regiunea de sarcin spaial a
jonciunii colectorului.
Caracteristica cuprinde trei regiuni importante, i anume:
regiunea 0A a curenilor de valori foarte reduse i tensiunilor de valori mici, ale crei
limite sunt date de relaiile aproximative:
1/3

I p 4 I CB
0 I C it
n
1/3
1/3 1
Vp 1 I CB 0 1 + I C it

4 I C it
2 I CB 0
VCB 0

(5.89)

regiunea AB de rezisten negativ n domeniul curenilor medii, ale crei valori


limit sunt:

136

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

I v I C it I 2/4
CHL

1/3

cu I CHL = I C ( F = 1)

n
1/3
1/3
Vv 1 1 + I C it + I C it

VCB 0
2 I CHL
4 I CHL

(5.90)

regiunea BC de rezisten diferenial mic i pozitiv n domeniul curenilor mari.

Concluzionnd, n legtur cu limitrile n tensiune de care trebuie s se in seama


n utilizarea TBJ i care apar ca date de catalog, reinem:
tensiunea de strpungere colector-baz cu emitorul n gol, VCB 0 , este tensiunea cea
mai mare pe care o poate suporta tranzistorul i de care trebuie s se in seama
atunci cnd acesta funcioneaz n conexiune BC;
atunci cnd tranzistorul funcioneaz n regim de comutaie i se blocheaz
jonciunea emitor-baz prezint importan i tensiunea de strpungere emitor-baz
cu colectorul n gol, VEB 0 , care datorit concentraiilor diferite de impuriti ale
regiunilor tranzistorului, dictate de funcionarea eficient a TBJ, are valori
substanial mai mici;
tensiunea de susinere, VCE 0 , care este numit n cataloage tot tensiune de
strpungere, i care corespunde de fapt situaiei de I B = 0 ; pentru un I B 0
cataloagele furnizeaz tensiunea de susinere VCER obinut n condiiile conectrii
unei rezistene R ntre baz i emitor; tensiunea de susinere reprezint tensiunea
maxim de care trebuie s se in seama n funcionarea TBJ n conexiune EC.
Strpungerea secundar a TBJ
Fenomenele ce au loc n tranzistoarele bipolare cu jonciuni la tensiuni i cureni de
valoare ridicat au fost descrise folosind un model unidimensional. n realitate, n
tranzistoare exist gradiente transversale de cmp electric i de temperatur, care pentru
tranzistoarele de putere, tranzistoarele ce lucreaz la tensiuni nalte i tranzistoarele de
frecven nalt devin importante.
Existena gradientelor transversale de tensiune i temperatur determin concentrarea
purttorilor de sarcin corespunztori fluxului principal prin structur n anumite regiuni,
caracterizate fie de o intensitate a cmpului electric mai mare, fie de o temperatur mai
ridicat (vezi figura 5.24.a). Dar aceste concentrri locale de curent vor determina creteri
ale temperaturii regiunilor n cauz, care la rndul lor vor determina creterea concentraiilor
locale i aa mai departe. Pentru a menine constant curentul de colector, tensiunea
emitor-baz scade i astfel densitatea curentului din regiunile cu temperatur mai mic va
scdea i mai mult. Drept urmare, distribuia transversal a densitii fluxului principal prin
structur va fi neuniform, majoritatea curentului fiind concentrat n aa-numitele pete
fierbini. Singura indicaie extern a acestui proces regenerativ este scderea tensiunii
baz-emitor atunci cnd se formeaz o pat fierbinte. Temperatura semiconductorului n
aceste pete fierbini poate atinge sute de o C i semiconductorul se poate topi local, fapt ce
conduce la scderea brusc a tensiunii colector-emitor. n acest caz, chiar dac tranzistorul
nu se distruge, caracteristicile sale sufer o modificare definitiv.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

137

n figura 5.24.b sunt prezentate caracteristicile statice de ieire corespunztoare unui


anumit tip de tranzistor pnp care, sub diferite condiii de funcionare, a dezvoltat fenomenul
regenerativ de strpungere secundar. Se constat o dependen clar a fenomenului de
puterea disipat n tranzistor. Astfel, pe msur ce curentul de colector al dispozitivului
crete tensiunea colector-emitor la care are loc strpungerea secundar scade . Totui, curba
de producere a strpungerii secundare, ilustrat n figur cu linie punctat, nu este o
hiperbol de putere constant, ea fiind mai apropiat de axa orizontal n zona tensiunilor
mari. Trebuie menionat faptul c fenomenul nu apare instantaneu , ci are nevoie de un
anumit timp pentru a se dezvolta.
Pentru a evita posibilitatea apariiei strpungerii secundare productorii de
tranzistoare bipolare cu jonciuni, indic o arie de siguran (safe operating area - SOA) pe
caracteristicile de ieire corespunztoare dispozitivelor, n care trebuie s se ncadreze
funcionarea dispozitivului n orice condiii.
Regiune de B
sarcin
p
spaial

I
Concentraie C
de purtatori
mobili de sarcin

Strpungere secundar
Strpungere primar

Pete fierbini
n+

a.

b.

VCE

Figura 5.24. Strpungerea secundar a TBJ: a) seciune transversal ce ilustreaz


neuniformitatea distribuiei densitii de curent n structur; b) caracteristici statice
experimentale ce ilustreaz fenomenul strpungerii secundare.

5.2.9. Variaia cu temperatura a caracteristicilor statice ale TBJ


Caracteristicile statice ale tranzistoarelor se modific odat cu modificarea
temperaturii deoarece principalii parametri ce caracterizeaz funcionarea TBJ variaz cu
temperatura. Influena temperaturii se apreciaz de obicei n planul caracteristicilor de ieire
i de intrare n conexiune EC (vezi figura 5.25). Curentul de colector n RAN, n aceast
conexiune, este dat de relaia binecunoscut:

I C = F I B + ( F + 1) I CB 0,
ce pune n eviden modificarea curentului de colector odat cu modificarea valorilor
parametrilor F i I CB 0 cu temperatura.
Factorul de amplificare n curent F crete odat cu creterea temperaturii (vezi
figura 5.26). Aceast cretere se explic n principal prin modificarea timpului de via al
purttorilor de sarcin n baz. Creterea temperaturii conduce la intensificarea micrii de
agitaie termic a centrelor de recombinare i astfel scade probabilitatea capturrii
purttorilor de sarcin de ctre aceste centre.

138

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

10 0,06mA

4
2
0
0

10

IC[mA]

0,04mA
0,03mA
0,02mA

0,04
0,02
0

0,01mA
IB=0mA

10

20 30
VCE [V]

0,04mA

40

T=25C

50

-0,2

6
0,02mA

0,04

0
0

0,2

VCE > 0,4V

T=100C

IB=0mA

10

0,4 0,6 0,8


VBE [V]

0,02

0,01mA

0,08 VCE= 0V
VCE = 0,1V
0,06

T=100C

0,03mA

VCE = 0,1V
VCE= 0V
VCE > 0,4V

0,06
IB [mA]

0,05mA

IB [mA]

I C [mA]

0,08

T=25C

20 30
V
a. CE [V]

40

-0,2

50

0,2

0,4 0,6 0,8


VBE [V]

b.
Figura 5.25. Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale unui TBJ pe Si
de tip npn n conexiune EC: a) caracterstici de ieire; b) caracteristici de intrare.

Creterea timpului de via conduce la scderea curentului de recombinare n baz i


deci la creterea lui F . n general, dependena de temperatur a factorului de amplificare
direct n curent n conexiune EC este dat n cataloagele de profil. Dac ns aceast
dependen nu este dat n catalog, se poate utiliza o relaie aproximativ:
TT
F (T ) = F (T 0 ) 1 + c 0
(5.91)
unde c = 100 o C pentru Si i c = 50 o C pentru Ge.
F

Ge

200

Si

150
100
50

50

100

150 T[C]

Figura 5.26. Variaia lui F cu temperatura.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

139

Curentul rezidual al jonciunii colectorului, I CB 0 , crete odat cu creterea


temperaturii dup o lege dificil de exprimat teoretic, deoarece aceasta are mai multe
componente influenate de factori greu controlabili (de exemplu starea suprafeei
dispozitivului). Totui, I CB 0 depinde n principal de concentraia purttorilor minoritari din
regiunile cvasineutre ale jonciunii colectorului care crete exponenial cu temperatura. De
aceea, atunci cnd cataloagele nu furnizeaz dependena I CB 0 = I CB 0 (T ) se utilizeaz
urmtoarea relaie de calcul aproximativ:
I CB 0 (T ) = I CB 0 (T 0 ) exp [a (T T 0 )]

(5.92)

n care coeficientul de temperatur a 0, 12 o C pentru Si i a 0, 08 o C pentru Ge.


Aa cum se observ n figura 5.25, i aa cum era de ateptat n conformitate cu cele
prezentate n subcapitolul 3.2.6, caracteristicile de intrare se deplaseaz spre stnga odat cu
creterea temperaturii. De obicei, aceast deplasare se exprim cantitativ prin rata de
micorare a tensiunii VEB la curent constant, care are valori tipice cuprinse n intervalul
2 2, 5 mV/ o C .

Ambalarea termic
Din cele prezentate mai sus reiese clar faptul c odat cu creterea temperaturii
curentul de colector crete. Dac circuitul n cadrul cruia funcioneaz tranzistorul permite
creterea puterii disipate odat cu creterea curentului de colector, atunci temperatura
structurii active, T j , crete conducnd la o nou cretere a curentului de colector, .a.m.d.
Aceast nlnuire a fenomenelor poate conduce la o cretere substanial a temperaturii i
tranzistorul se poate distruge rapid. Acest mecanism poart denumirea de ambalare termic.
Pentru descrierea cantitativ a fenomenului de ambalare termic trebuiesc
determinate att puterea disipat, ct i puterea evacuat, corespunztoate diverselor
regimuri termice ale TBJ. Puterea disipat n TBJ poate fi considerat cu aproximaie ca cea
disipat pe cele dou regiuni de sarcin spaial ce prezint rezistiviti mult mai mari ca
cele ale regiunilor active i neutre. n RAN puterea disipat ntr-un TBJ de tip pnp este:

Pd = v EB i E + v BC i C v BC i C

(5.93)

Se observ faptul c n planul caracteristicilor de ieire curbele de putere disipat


constant sunt hiperbole. Puterea evacuat din TBJ se poate determina cu relaia
aproximativ:

Tj T a
(5.94)
R th
n care R th reprezint rezistena termic total corespunznd evacurii cldurii prin
semiconductor, capsul i eventual radiator n mediul ambiant, adic
Pev =

R th = R th,jc +R th,cr + R th,ra

(5.95)

R th,ca

unde R th,jc este rezistena termic semiconductor-capsul, R th,cr este rezistena termic
capsul-radiator, R th,ra este rezistena termic radiator-ambiant i R th,ca este rezistena
termic capsul-ambiant.

140

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

n regim termic staionar puterea disipat n TBJ este egal cu puterea evacuat din
structur, adic Pd = Pev . Aceast relaie permite exprimarea puterii disipate maxime n
structur:
T j,max T a
Pd,max
(5.96)
R th
unde T j,max reprezint temperatura maxim permis pentru structura activ. Dependena
Pd,max = Pd,max (T a ) este, cel mai adesea, dat n cataloage.
n regim termic nestaionar Pd Pev , iar T j crete dac Pd > Pev i scade dac
Pd < Pev . Dac dup o evoluie termic oarecare se ajunge la un regim termic staionar,
corespunztor unei anumite temperaturi T j1 < T j,max , pentru ca temperatura structurii s nu
creasc excesiv i s se produc ambalarea termic a dispozitivului trebuie ca regimul termic
s satisfac condiia de stabilitate dinamic:
P d
T j

<
T j =T j 1

Pev
= 1
T j R th

(5.97)

Aceast condiie poate fi scris i sub forma:


P d I C

I C T j

< 1
T j =T j 1

R th

(5.98)

I C
> 0 i deci, o condiie
T j
suficient (dar nu i necesar) pentru a satisface condiia de stabilitate (5.97) i pentru
evitarea ambalrii termice este:

n conformitate cu cele artate n acest subcapitol

P d
<0
I C

(5.99)

Aceast condiie trebuie avut n vedere cnd se dimensioneaz reeaua de polarizare


n vederea asigurrii unui punct static de funcionare n planul caracteristicilor de ieire.

5.2.10. Limitri n funcionarea TBJ


Limitrile domeniilor tensiunilor de polarizare sau a curenilor corespunztori
acestora se definesc, cel mai adesea, n planul caracteristicilor de ieire. Pentru un tranzistor
pnp n conexiunea EC aceste mrimi sunt prezentate n figura 5.27.
Punctul de funcionare al unui TBJ reprezint un punct de coordonate (v EC , i C ) situat
n planul caracteristicilor de ieire asigurat printr-o anumit polarizare a jonciunilor
tranzistorului. Cnd tensiunile de polarizare nu variaz, punctul corespunztor acestora, de
coordonate (VEC , I C ) , se numete punct static de funcionare. Punctul static de funcionare al
unui TBJ ce lucreaz ca amplificator trebuie s fie situat n regiunea permis . Atunci cnd
tranzistorul este folosit drept comutator prezint importan i tensiunea invers maxim ce
se poate aplica jonciunii emitorului.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Saturaie

ICmax

141

IC
Hiperbola
de disipaie
Regiunea
permis

VCE
Tiere

VCEmax

Figura 5.27. Prezentarea regiunii permise de polarizare a unui TBJ de tip pnp n
conexiune EC.

Curentul prin TBJ nu trebuie s depeac valoarea limit I C max deoarece, din
procesul de fabricaie, cele dou jonciuni ale tranzistorului nu rezult perfect omogene.
Astfel, n unele regiuni neomogene apar concentrri ale fluxului de purttori de sarcin,
astfel nct, la depirea curentului maxim admisibil, densitatea de curent n aceste regiuni
crete foarte mult conducnd la distrugerea jonciunilor prin efecte locale.
Tensiunile maxime pn la care poate lucra tranzistorul sunt dictate de apariia
procesului de multiplicare n avalan i sunt reprezentate de tensiunile de strpungereVCB 0
i VEB 0 pentru conexiunea BC i de tensiunea de susinere VCE 0 .
Observaie: Pentru TBJ cu baza foarte ngust tensiunea maxim colector-emitor la
care acesta poate lucra este determinat de un fenomen asemntor strpungerii i anume
creterea rapid a curentului de colector datorit ptrunderii regiunii de sarcin spaial a
colectorului pn la emitor.
Aa cum am artat n subcapitolul precedent puterea disipat de un TBJ apare pe
cele dou regiuni de sarcin spaial. n cazul folosirii TBJ n RAN, jonciunile sunt parcurse
practic de acelai curent, dar tensiunile aplicate acestora sunt foarte diferite. Deci putem
aproxima: Pd VCE I C . Puterea electric disipat pe tranzistor trebuie s fie limitat sub
valoarea maxim admis Pd max . Aceasta nseamn de fapt situarea punctului static de
funcionare sub hiperbola de disipaie descris de ecuaia:

Pd max = V CE I C

(5.100)

Observaie: Pentru TBJ de putere, n domeniul curenilor de colector mari, poate s


apar strpungerea secundar i, de aceea, punctul de funcionare al acestora trebuie s se
situeze, n orice condiii, n aria de siguran a funcionrii (SOA) indicat de firmele
productoare.
Temperatura de funcionare a TBJ este limitat att superior, ct i inferior.
Limitarea inferioar a temperaturii este dat de necesitatea ionizrii impuritilor donoare
sau acceptoare corespunztoare diferitelor regiuni ale TBJ. Limitarea superioar a
temperaturii este dat de degradarea caracterului extrinsec al semiconductorului odat cu
creterea acesteia, semiconductorul putnd deveni intrinsec. Temperatura cea mai ridicat a
unei structuri TBJ se obine n regiunea care are cea mai important contribuie la puterea
disipat a TBJ. n cele mai multe din cazuri aceasta este jonciunea colectorului.

142

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Observaie: Nu numai temperaturile de funcionare sunt limitate inferior i superior,


ci i temperaturile de stocare ale dispozitivelor. Temperatura minim de stocare este dictat
de contracia termic diferit a materialelor componente ale dispozitivului ce determin
apariia unor tensiuni mecanice ce pot conduce la distrugeri ale "mbinrilor" unor pri
componente ale dispozitivului. Limitarea superioar a temperaturii de stocare este impus
de: nmuierea sudurilor, degradarea strii suprafeei semiconductorului datorit creterii
activitii chimice a diverselor impuriti etc.

5.2.11. Circuite de polarizare


Tranzistorul bipolar cu jonciuni poate fi utilizat n circuite n oricare din regimurile
de funcionare prezentate. Cel mai frecvent, n circuitele analogice, tranzistorul este folosit
ca amplificator de semnal mic, situaie n care TBJ trebuie polarizat n RAN. Dispozitivul
polarizat n RAN poate fi caracterizat cu aproximaie de urmtorii parametri: v EB , F , F i
I CB 0 . Dispersia parametrilor de la un exemplar la altul, precum i variaia acestora cu
temperatura, a determinat cutarea unor circuite de polarizare care s ofere o sensibilitate ct
mai mic a punctului static de funcionare al TBJ fa de variaia acestor parametri.
Variaiile cele mai importante ale punctului static de funcionare al TBJ, odat cu
modificarea parametrilor mai sus menionai, se obin n conexiune EC. n continuare, se vor
prezenta comparativ divese circuite de polarizare a TBJ n conexiune EC, analizndu-se
stabilitatea punctului static de funcionare corespunztoare fiecrei soluii de polarizare.
n figura 5.28.a. este prezentat un circuit elementar de polarizare n RAN a unui
TBJ de tip pnp n conexiune EC, n care polarizarea dispozitivului se realizeaz de la dou
surse de tensiune.
IC

RC

VCC
RC

RB IB

IC [mA]
IBmax

VC C

VBB

M2(VECmin ,I Cmax )
IC

M1(VECmax ,I Cmin )
VEC

a.

b.

dreapta de sarcin

VCC VEC[V]

Figura 5.28. Polarizarea elementar a unui TBJ de tip pnp n conexiune EC:
a) Circuit de polarizare; b) Analiza grafic a circuitului n planul (V CE , I C ) .

Se ncepe prin a scrie ecuaiile lui Kirchhoff corespunztoare ochiurilor de intrare i


de ieire ale schemei:
VBB = VEB + I B R B
.

VCC = VEC + I C R C

(5.101)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Prima din ecuaiile (5.101) furnizeaz expresia curentului de baz:


V V EB
I B = BB
,
RB

143

(5.102)

iar cea de-a doua ecuaie, ce poate fi reprezentat n planul caracteristicilor de ieire, poart
denumirea de dreapt de sarcin.
Funcionarea dispozitivului n RAN este caracterizat de ecuaia corespunztoare
caracteristicii de ieire:

I C = F I B + ( F + 1) I CB 0
Punctul static de funcionare al dispozitivului se gsete la intersecia caracteristicii
de ieire de I B = ct., furnizat de ecuaia (5.102), cu dreapta de sarcin (vezi figura 5.28.b) i
este caracterizat de urmtoarele coordonate n planul (VEC , I C ) :
I = V BB VEB +
C
( F + 1) I CB 0
F
RB
(5.103)

VEC = VCC I C R C

Relaiile (5.103) relev clar modificarea punctului static de funcionare odat cu


modificarea parametrilor ce caracterizeaz funcionarea TBJ. Pentru a descrie cantitativ
aceste variaii se introduc factorii de sensibilitate ai curentului de colector n raport cu
parametrii mai sus menionai:
I
I C
I C
S = C ; S I =
; S =
(5.104)
F
I CB 0 V VEB
Aceti factori permit exprimarea variaiilor curentului de colector att la dispersia
parametrilor, ct i la variaia acestora cu temperatura:
I C = S F + SI I CB 0 + SV V EB
F
I
VEB
I C = S
+ SI CB 0 + SV
T
T
T
T

(5.105)

Particulariznd relaiile de mai sus pentru circuitul din figura 5.28.a se obin
expresiile:
F
I
V V EB
I C
I C
(5.106)
S = C = BB
; SI =
= ( F + 1); SV =
=
F
RB
I CB 0
VEB
RB
Variaiile tensiunii VEC se deduc uor difereniind relaia (5.103.b):
VEC = I C R C

(5.107)

Remarcm sensibilitatea accentuat a punctului static de funcionare la variaiile


parametrilor considerai. Pentru insensibilizarea punctului static de funcionare la variaiile
parametrilor este necesar completarea circuitului de polarizare cu elemente suplimentare.
Metodele de insensibilizare a punctului static de funcionare la dispersia parametrilor i la
modificarea condiiilor de funcionare se mpart n dou categorii: metode bazate pe
introducerea de elemente liniare i metode bazate pe introducerea de elemente neliniare.

mbuntirea stabilitii punctului static de funcionare al TBJ se poate realiza prin


introducerea unei rezistene (element liniar) n emitorul tranzistorului (figura 5.29.a).

144

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

I C RC

VCC
RC

RB I B
VBB

RE

I C [mA]
M2(VECmin,I Cmax)
IBmax

VCC
IC

I Bmin
M1(VECmax,I Cmin)
VEC

a.

VEC [V]

b.

Figura 5.29. Polarizarea n RAN a unui TBJ de tip pnp n conexiune EC:
a) Circuit de polarizare cu rezisten n emitor; b) Analiza grafic a circuitului n
planul caracteristicilor de ieire.

Aceast rezisten introduce o reacie negativ n circuitul de intrare. Astfel, o


cretere a curentului de baz, datorat modificrii parametrilor, determin o cretere a
curentului de colector i deci o cretere a cderii de tensiune pe rezistena R E . Aceast
cretere produce scderea tensiunii VEB i, n consecin, scderea curentului de colector.
Ecuaiile de circuit n acest caz sunt:
VBB = I E R E + VEB + I B R B = [( F + 1) (I B + I CB 0 )] R E + VEB + I B R B

VCC = I E R E + VEC + I C R C

(5.108)

din care rezult expresia curentului de baz:

IB =

VBB V EB ( F + 1) R E I CB 0
R B + ( F + 1) R E

(5.109)

nlocuind relaia (5.109) n ecuaia caracteristicii statice de ieire obinem:

V BB VEB ( F + 1) R E I CB 0
+ ( F + 1) I CB 0 =
R B + ( F + 1) R E
F (VBB VEB ) + ( F + 1) (R E + R B ) I CB 0
=
R B + ( F + 1) R E

IC = F

(5.110)

n condiiile n care R B << ( F + 1) R E , iar F >> 1 expresia curentului de colector


devine:

IC

F
(V V EB ) (R E + R B )
BB
+
I CB 0
RE
RE
( F + 1)
(V BB VEB ) (R E + R B )
+
I CB 0

R B<<( F +1)R E

F >>1

RE

F >>1

(5.111)

RE

Calculnd sensibilitile obinem:


(R + R B )
I
I C
I C
S = C 0; SI =
= E
; SV =
= 1,
F
I CB 0
RE
VEB
RE

(5.112)

Comparnd aceste expresii cu relaiile (5.106) observm faptul ca ele sunt mult mai
mici, deci punctul static de funcionare este mult mai puin sensibil la variaiile parametrilor
de interes.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

145

Tensiunea VEC i variaiile acesteia sunt strns legate de valoarea, respectiv


variaiile, curentului de colector:
F >>1

VEC = VCC I E R E I C R C V CC I C (R E + R C )
F >>1
VEC I C (R E + R C )

(5.113)

Utilizarea a dou surse de polarizare constituie o soluie neeconomic i de aceea


schemele practice folosesc o singur surs de alimentare pentru polarizarea bazei i a
colectorului. n figura 5.30 sunt prezentate trei variante de circuite de polarizare ce vor fi
studiate comparativ.

RB

RC

R1

RC

VCC

RE
a.

VCC
R2

RB

RC
VCC

RE
b.

c.

Figura 5.30. Circuite de polarizare ce folosesc o singur surs de alimentare.

Pentru varianta din figura 5.30.a expresiile coordonatelor punctului static de


funcionare se obin simplu folosind relaiile (5.110), (5.111) i (5.113) n care se nlocuiete
tensiunea VBB cu VCC . Obinem astfel:
F (V CC VEB ) + ( F + 1) (R E + R B ) I CB 0 R B<<( F +1)RE
IC =

R B + ( F + 1) R E
F >>1
F
(V V EB ) (R E + R B )
(5.114)

CC
+
I CB 0
RE
RE
( F + 1)
F >>1 (V CC V EB )
(R + R B )

+ E
I CB 0
RE
RE
Trebuie menionat faptul c dimensionarea rezistenei R B conduce, n general, la
valori mari, condiia R B << ( F + 1) R E , necesar pentru stabilizarea punctului static de
funcionare, devenind astfel mult mai greu de ndeplinit.
O soluie mai bun este circuitul cu divizor pe baz din figura 5.30.b. Analiza acestei
scheme se realizeaz uor dac se aplic teorema Thvenin la stnga dreptei punctate. Se
obine astfel:
R2
R R
(5.115)
V = 1 2 I + VEB + R E I E
R 1 + R 2 CC R 1 + R 2 B
Notnd cu:

146

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

R2
V
R 1 + R 2 CC
R R
RB = 1 2
R1 + R 2
VBB =

(5.116)

se poate echivala schema din figura 5.30.b cu cea din figura 5.29.a a crei analiz a fost deja
fcut.
Pentru schema de polarizare din figura 5.30.c ecuaiile de circuit sunt:

VCC = VEB + I B R B + (I C + I B ) R C = VEB + I B R B + ( F + 1) (I B + I CB 0 ) R C


F + 1
(5.117)
VCC = VEC + (I C + I B ) R C = V EC +
IC
F

Combinnd aceste relaii cu ecuaia corespunztoare caracteristicii statice de ieire se


obin expresiile coordonatelor punctului static de funcionare:

V CC VEB ( F + 1) I CB 0 R C
+ ( F + 1) I CB 0 =
R B + ( F + 1) R C
F (VCC VEB ) + ( F + 1) (R B + R C ) I CB 0 R B<<( F +1)R C
=

R B + ( F + 1) R C
(5.118)
F >>1
F
(R B + R C )
(R B + R C )

(V CC VEB ) +
I CB 0 (VCC VEB ) +
I CB 0
RC
RC
( F + 1)
F + 1
VEC = VCC
IC
IC = F

Se observ c i cu aceast schem se obin factori de sensibilitate mici dac este


ndeplinit condiia R B << ( F + 1) R C .
Pentru a arta cum trebuie alese elementele schemei atunci cnd circuitul trebuie s
lucreze ntr-o gam larg de temperaturi [T 1 , T 2 ], se revine la circuitul din figura 5.30.b. Se
tolereaz o anumit variaie a curentului de colector I C [I C min ; I C max ] . Deoarece curentul
de colector crete odat cu creterea temperaturii este clar corespondena I C (T 1 ) = I C min ,
I C (T 2 ) = I C max . Folosind relaia (5.110) n care semnificaia mrimilor R B i VBB este cea
furnizat de relaiile (5.116) se poate scrie:
F min + 1
F min + 1
RB

+
R E = V BB VEB max +
(R E + R B ) I CB 0 min
F min

F min
F min
(5.119)
F max + 1
F max + 1
RB

I C max
+
R E = V BB VEB min +
(R E + R B ) I CB 0 max
F max

F max
F max

I C min

n care F min = F (T1 ), F max = F (T 2 ), ICB 0 min = ICB 0 (T1 ), I CB 0 max = I CB 0 (T2 ), V EB max = V EB(T 1 ) i
VEB min = V EB (T 2 ) .
Considernd F min >> 1 i scznd cele dou relaii se obine:
I
I

R B C max C min I CB 0 + R E (I C max I C min I CB 0 ) = VEB max VEB min (5.120)


F max F min

n care I CB 0 = I CB 0 max I CB 0 min .


Explicitnd pe R B obinem:
R (I
I
I CB 0 ) (VEB max V EB min )
R B = E C max C min
I C min
I
+ I CB 0 C max
F min
F max

(5.121)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

147

Notm cu:
VEB = VEB max VEB min
I C = I C max I C min I CB 0

A=

I C min

F min

+ I CB 0

I C max

(5.122)

F max

Datorit faptului c variaiile lui I C sunt mult mai mici ca cele ale lui F mrimea A
este o mrime pozitiv (A > 0). De asemenea, datorit faptului c diferena ntre I C i I CB 0
este de cteva ordine de mrime, I C > 0.
Dar R B trebuie s fie pozitiv. Aceast condiie furnizeaz valoarea limit inferioar
pentru R E :
V EB
R E R E critic =
(5.123)
I C
Se alege o valoare pentru R E n conformitate cu relaia (5.123), avnd grij totui ca
i n cazul cel mai nefavorabil pe ea s cad o tensiune de aproximativ 2 V , adic
R E I C min 2 V . Aceast valoare se nlocuiete n expresia (5.121), determinndu-se
valoarea rezistenei R B . Aceaste relaii pot fi folosite i n cazul cnd se dorete obinerea
unei sensibiliti reduse a punctului static de funcionare la dispersia parametriilor TBJ. Dei
n acest caz variaiile parametrilor nu mai sunt corelate, totui valorile maxime i minime ale
lui I C se obin pentru aceeai combinaie de parametri extremi, i anume
I C max = I C ( F max , I CB 0 max , VEB min ) , respectiv I C min = I C ( F min , I CB 0 min , VEB max ) .
Rezistenele R 1 i R 2 corespunztoare rezistenei echivalente R B se determin din
sistemul (5.116), n care VBB se determin din relaia (5.115) n care se folosesc valorile
nominale pentru curenii de emitor i de baz. n practic, pentru calculul rezistenelor
divizorului se folosete prima relaie a sistemului (5.116) completat de condiia:
V CC
I div =
10 I B max
(5.124)
R1 + R 2
Atunci cnd rezistena de colector nu este rezistena de sarcin a circuitului, valoarea
acesteia se determin n conformitate cu cerinele ce decurg din funcionarea circuitului ca
amplificator de semnal mic. Aceast problem va fi abordat n subcapitolul corespunztor
amplificatoarelor de semnal mic cu TBJ.
n schemele electronice sunt utilizate frecvent generatoare de curent continuu
pentru polarizarea TBJ i stabilizarea punctului static de funcionare. Aceast metod de
polarizare, mpreun cu metodele de compensare termic ce vor fi prezentate n seciunea
urmtoare, fac parte din clasa metodelor neliniare de stabilizare a punctului static de
funcionare. n figura 5.31 sunt prezentate mai multe variante de generatoare de curent
continuu, precum i caracteristicile de ieire corespunztoare acestora.
Circuitul de intrare (sau de baz) al generatorului de curent continuu din figura 5.31.a
este identic cu cel al circuitului din figura 5.30.b i va fi tratat n mod similar prin echivalare
Thvenin. Expresia curentului de colector, pentru o funcionare n RAN a TBJ, este similar
cu (5.114).

148

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

V0

V0

R1

V0max

I0

VCC

RB
RE

R E VBB

I1

V0

VCE0

VEE

VBB

I1

V0

VCC
R

I2

T1

T2
T1

RE
I0 I

I0 I

a.
VCC

T
R2

V0
V0
I 0 VCB0

V0

VBE
I2

R1

b.

V0
I2
T2
R2

c.

VCE0+ I2.R2

V0

VBE+ I2 .R2
d.

I2 I

Figura 5.31. Generatoare de curent continuu.

Neglijnd termenul corespunztor curentului rezidual I CB 0 , deoarece n cele mai


multe cazuri acesta este cu cteva ordine de mrime mai mic dect primul termen, se obine:
(V V EB )
I C BB
(5.125)
RE
TBJ funcioneaz n regim activ normal dac potenialul colectorului, notat cu V0 pe
caracteristica de ieire a circuitului, nu scade sub VBB I B R B VBB (caz n care VCB = 0,
tranzistorul aflndu-se la grania dintre regimul activ normal i cel de saturaie), respectiv nu
depete valoarea V0 max R E I C + V CE 0 .
Dac dispunem de nc o surs de tensiune, de polaritate diferit se poate folosi
generatorul de curent continuu din figura 5.31.b. Acesta este caracterizat de relaiile:

VEE = VBE + I E R E = VBE + ( F + 1) (I B + I CB 0 ) R E


,
V0 = VCE + I E R E V EE = V CB

(5.126)

din care se obine:

VEE V BE ( F + 1) I CB 0 R E
( F + 1) R E
F (V EE VBE ) + ( F + 1) I CB 0 R E
IC =
( F + 1) R E
V0 min = 0; V0 max = VCB 0
IB =

F >>1

V EE VBE
RE

(5.127)

n figura 5.32 este prezentat un exemplu de utilizare al unui astfel de generator de


curent continuu pentru polarizarea unui circuit cunoscut sub denumirea de etaj diferenial.
Dac tranzistoarele T1 i T2 sunt perfect identice, avnd n vedere simetria circuitelor de
baz corespunztoare acestora, curentul furnizat de sursa realizat cu tranzistorul T3 se
mparte n mod egal ntre cele dou tranzistoare.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

149

VCC
RC
VBB

RC

RB

T1

RB

T2

T3
RE
-VEE
Figura 5.32. Polarizarea unui etaj diferenial folosind un generator de curent
continuu.

n figura 5.31.c i d. sunt prezentate dou tipuri de generatoare de curent folosite pe


scar larg n circuitele integrate. Vom analiza doar circuitul din figura 5.31.d deoarece prin
setarea la zero a rezistenelor R 1 i R 2 n expresiile caracteristice acestuia se obin cele
corespunztoare circuitului din figura 5.31.c.
Considernd c tranzistoarele au factori de amplificare n curent F >> 1, se poate
aborda o tratare simplificat a circuitului prin neglijarea contribuiilor curenilor de baz fa
de cele ale curenilor de colector n expresiile curenilor din circuit. Se obin astfel
urmtoarele ecuaii de circuit:

I1 IC 1 I E 1

VCC VBE 1
R + R1

(5.128)

I2 = IC 2
VBE 1 + I 1 R 1 V BE 2 + I 2 R 2

Folosind ecuaiile Ebers-Moll pentru descrierea funcionrii TBJ n RAN se poate


scrie:

V BE 1
VT
V
I ES 2 exp BE 2
VT

I 1 I E 1 I ES 1 exp
I2 IE 2

(5.129)

Explicitnd expresiile tensiunilor baz-emitor din relaiile de mai sus se obine:

I I
VBE = VBE 1 VBE 2 = VT ln 1 ES 2
I 2 I ES 1

I
VT ln 1

T1 T2

I2

(5.130)

Combinnd aceast relaie cu (5.128.c) se determin urmtoarea expresie:

I2 R1
VT
I
=
+
ln 1
I1 R2 R 2 I1
I2

I 1 1 mA

R1
R2

(5.131)

Dac se dorete obinerea unei surse de curent de valoare foarte mic este suficient ca
n acest circuit s se nlture rezistena R 1 (R 1 = 0) .

150

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Din categoria metodelor neliniare de insensibilizare a punctului static de


funcionare fac parte i tehnicile de compensare termic, care pentru atingerea acestui scop
utilizeaz dispozitive sensibile la temperatur cum ar fi: diode, tranzistoare, termistoare etc.
n figura 5.33 sunt prezentate cteva astfel de metode. Se observ c aceste circuite sunt
prevzute cu elemente liniare de stabilizare termic, iar elementele neliniare mbuntesc
aceste performane.
VCC

VCC

RC

R1
RB

R2

RB

T
RE

RC

R1

R2

VCC
R1

T
RE

T
T

a.

b.

RC

RE

c.

Figura 5.33. Tehnici de compensare termic.

n figura 5.33.a rezistena R 2 a divizorului a fost nseriat cu o diod D. La


modificarea temperaturii ambiante, tensiunea pe dioda polarizat direct scade cu 2 mV/ o C ,
compensnd astfel scderea tensiunii baz-emitor a TBJ. n acest mod curentul de colector
devine insensibil la variaiile tensiunii VBE , deoarece aceste variaii nu mai au influen
asupra curentului de baz.
Compensarea variaiei cu temperatura a curentului rezidual I CB 0 se poate realiza prin
folosirea unei diode, din acelai material semiconductor, polarizat invers, aa cum este
indicat n figura 5.33.b. Dac se alege dioda astfel nct curentul su rezidual I inv s fie
aproximativ egal cu I CB 0 , atunci curentul rezidual al jonciunii colectorului nu va mai
influena punctul static de funcionare al TBJ. Analitic, aceast afirmaie se demonstreaz
astfel:
se aplic teorema potenialelor nodurilor n nodul A:
VCC 0 V
+
(I B + I inv )
R1 R 2
VA =
= VBB (I B + I inv ) (R 1 R 2 )
1 + 1
R 1 R2
n care VBB i R B au semnificaia dat de relaiile (5.116);
se aplic Kirchhoff II n circuitul de intrare al bazei:

VA = VBB (I B + I inv ) (R 1 R 2 ) = VBE + ( F + 1) (I B + I CB 0 ) R E;


expresia curentului de baz, rezultat din relaia de mai sus, se introduce n ecuaia
caracteristicii statice de ieire a TBJ:

IC = F

F >>1 F (V BB V BE )
V BB VBE I inv R B ( F + 1) I CB 0 R E
+ ( F + 1) I CB 0
R B + ( F + 1) R E
R B + ( F + 1) R E

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

151

O compensare mai general se poate realiza introducnd n divizorul de polarizare un


termistor (vezi figura 5.33.c). Termistoarele sunt elemente de circuit a cror rezisten scade
la creterea temperaturii. n consecin, la creterea temperaturii tensiunea de polarizare
aplicat bazei scade contracarnd astfel tendina de cretere a curentului de colector.
Problema stabilizrii punctului static de funcionare se pune i pentru
amplificatoarele cu etaje cuplate direct. Stabilizarea punctelor statice de funcionare n cazul
acestor amplificatoare este esenial deoarece marea majoritate a parametrilor dinamici de
semnal mic, ce caracterizeaz funcionarea n regim dinamic a TBJ, au valorile dependente
de punctul static de funcionare. O stabilizare eficace a acestora se obine prin aplicarea unei
reacii negative globale de curent continuu (vezi figura 5.34). Schema din figura 5.34.a
folosete o reacie negativ de curent ce funcioneaz astfel: creterea curentului de colector
al primului tranzistor duce la scderea potenialului bazei celui de-al doilea tranzistor, ce
determin scderea curentului de emitor I E 2 , scderea curentului de baz I B 1 i deci a lui
I C 1 . Schema din figura 5.34.b folosete o reacie negativ de tensiune: creterea lui I C 1
determin creterea cderii de tensiune pe rezistena R E 2 , creterea curentului de emitor I E 2 ,
creterea curentului I C 2 , creterea tensiunii pe rezistena R E 1 , scderea tensiunii VBE 1 i
deci a curentului I C 1 .
VCC

VCC
R1

RC1
T1

R2

RE1

R C2
T2

RC1

R C2

T1

T2
RB

R E2

RE1

"

R E2

VCC
R1

R2

RC1

R E2

T1

T2

RE1

R C2

a.

R'E2

VCC
R1

R2

RC1

R E2

T1

T2

RE1

R C2

Figura 5.34. Stabilizarea punctelor statice de funcionare ale TBJ din amplificatoarele
cu etaje cuplate direct, prin reacie negativ n curent continuu:
a) de curent; b) de tensiune.

b.

152

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

5.3. Tranzistorul bipolar cu jonciuni n regim dinamic


Regimul dinamic al unui TBJ reprezint regimul de funcionare n care tensiunile
aplicate acestuia variaz. Teoria general de regim dinamic trebuie s porneasc de la
ecuaiile difereniale ce descriu fenomenele fizice din semiconductoare i evoluia n timp a
acestora. Funcionarea tranzistorului este puternic neliniar. Singura metod de analiz
capabil s furnizeze soluii analitice pentru diverse tipuri de regim dinamic este metoda de
control prin sarcin. Modelul oferit de aceasta poate fi folosit att pentru studiul regimului
dinamic de semnal mic, folosit de regul n amplificatoarele de semnal mic, ct i pentru
studiul regimului de comutare (semnal mare) al TBJ. Metoda de control prin sarcin a fost
introdus de SEEC (Semiconductor Electronics Education Committee) n 1960 pentru
studiul regimului dinamic al TBJ deoarece este capabil s evidenieze fenomenele fizice
corespunztoare diferitelor componente ale modelului i formele de und corespunztoare
dependenei spaiu-timp a transportului (conductane) i stocrii (capaciti) purttorilor de
sarcin n diferite regiuni ale tranzistorului. Componentele modelului rezultat n urma
acestei analize sunt neliniare. n cazul limit al funcionrii la semnale mici, mrimea
acestor capaciti nu depinde de nivelul semnalului variabil aplicat, dar depinde de punctul
static de funcionare al dispozitivului.
n acest capitol se vor deduce ecuaiile corespunztoare modelului de control prin
sarcin cel mai folosit n scopuri didactice, precum i limitele de validitate ale acestuia. Prin
particularizarea acestuia, n conformitate cu condiiile de semnal mic, se va determina apoi
aa numitul model natural de semnal mic (sau model Giacoletto) al TBJ. Tot aici, se va
indica modul n care acesta se utilizeaz n analiza unui amplificator de semnal mic cu TBJ
i se vor defini factorii de merit ce caracterizeaz funcionarea TBJ la frecvene nalte.

Condiiile de semnal mic pentru un dispozitiv electronic multiterminal ( 3 ) impun ca


amplitudinea semnalelor variabile de tensiune (sau curent) aplicate structurii la o pereche de
terminale (uzual terminalele de intrare) s fie att de mic astfel nct curenii (sau
tensiunile) de intrare de rspuns i tensiunile i curenii de rspuns la toate celelalte
terminale s fie proporionale (funcii liniare) cu amplitudinea semnalului aplicat. Exist
dou metode de determinare a circuitelor echivalente de semnal mic pentru un dispozitiv:
metoda exact ce utilizeaz dezvoltarea n serie a expresiilor mrimilor ce caracterizeaz
funcionarea TBJ i particularizarea modelului obinut prin metoda de control prin sarcin la
condiiile de semnal mic. Analiza exact cere soluii simultane pentru ecuaiile difereniale
pariale de semnal mic deduse din cele ase ecuaii generale Shockley prin expandare liniar
de tipul: x A (t ) = XA + x a (t ) X A + Xa () exp (j t) pentru o mrime sinusoidal, n
care XA reprezint valoarea de curent continuu sau valoarea medie a mrimii de interes, iar
Xa () reprezint amplitudinea complex a semnalului variabil. Cea de a doua metod, ce
deriv din analiza de control prin sarcin, este o metod aproximativ ce determin
elementele modelului de semnal mic astfel:

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

153

r = dv =lim v
di
i
i0
g = di =lim i
v
dv
v0
dQ
Q
C=
=lim
v
dv

(5.132)

v0

5.3.1. Modelul de control prin sarcin al TBJ


Modelul de semnal mare ce va fi prezentat n acest subcapitol, ca rezultat al analizei
de control prin sarcin, este unul aproximativ, unidimensional. Modelul corespunztor TBJ
intrinsec va incorpora numai efectele datorate fenomenelor din regiunea activ a bazei i
cele corespunztoare variaiei sarcinii din regiunile de sarcin spaial datorit modificrilor
dimensiunilor acestora odat cu modificarea tensiunilor aplicate structurii. Neglijrile fcute
cu privire la efectele datorate fenomenelor din regiunile active ale emitorului i colectorului,
precum i la efectele datorate fenomenelor de generare-recombinare din regiunile de sarcin
spatial, sunt justificate datorit ponderii reduse a componentelor de curent corespunztoare
acestora n comparaie cu cele corespunztoare fenomenelor ale cror efecte sunt incluse n
model. Transportul purttorilor de sarcin prin regiunile neutre ale emitorului i colectorului,
mpreun cu alte elemente ce in de structura real a TBJ vor fi incluse ulterior, sub form de
elemente parazite.
n dezvoltarea urmtoare vor fi folosite dou tipuri de ecuaii pariale:
ecuaia diferenial de continuitate
p ( x, t )
p ( x, t ) p 0 1 j p ( x, t )
=
q
, sau
p
t
x
n ( x, t )
n ( x, t ) n 0 1 j n ( x, t )
=
+q
;
p
t
x

(5.133)

ecuaia diferenial de control prin sarcin, a crei variabil este reprezentat de


sarcina acumulat n regiunea de interes (x 1 , x 2 )
x2

Qp (x 1 , x 2 ) = A q [p (x, t ) p 0 ]dx ,
x

(5.134)

x2

i care este obinut prin integrarea, A q [expresie]dx , ecuaiei (5.133):


x
1

Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
+
= i p (x 1 , t ) i p (x 2 , t ) .
p
t

(5.135)

Trebuie subliniat faptul c n aceste ecuaii timpul de via al purttorilor de sarcin


(p sau n ) este considerat constant.
Se ncepe prin determinarea modelul de control prin sarcin pentru un TBJ ideal,
caracterizat de ipotezele menionate la nceputul seciunii 5.2.1, de tip pnp n conexiune BC.

154

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

n aceste condiii aplicnd relaiile (5.133) (5.135) regiunii bazei cvasineutre se obine
urmtoarea ecuaie de control prin sarcin:
QB (0, W, t ) Q B (0, W, t )
+
= i p (0, t ) i p (W, t )
(5.136)
p
t
n care QB (0, W, t ) reprezint sarcina acumulat n baza cvasineutr.
n conformitate cu relaiile (5.5) avem: i p (0, t ) = i E p (t ) i i p (W, t ) = i C p (t ).
Presupunnd c tensiunile pe jonciuni se schimb suficient de lent astfel nct
distribuia purttorilor de sarcin n exces n regiunea cvasineutr a bazei se schimb ca o
succesiune de distribuii statice (distribuia particular obinut la un moment dat este
identic cu distribuia staionar obinut pentru tensiuni statice egale cu tensiunile
instantanee corespunztoare momentului de timp considerat) i innd seama de faptul c
baza este subire comparativ cu lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin minoritari n
baz (adic W << L p ) , putem considera c distribuia purttorilor de sarcin minoritari n
baz este liniar i cvasistatic. Ea este determinat de tensiunile aplicate jonciunilor n
conformitate cu relaiile:
q v EB
p n (0) = p n (0) p n 0 = p n 0 exp
1

kT
(5.137)
q v CB

p n (W ) = p n (W ) p n 0 = p n 0 exp

kT
Deoarece am admis o relaie liniar sarcin-curent i cunoscnd faptul c n sistemele
liniare rspunsurile la diferitele excitaii sunt aditive, sarcina determinat de purttorii de
sarcin minoritari injectai sau extrai din regiunea bazei n conformitate cu tensiunile
aplicate este aditiv. Astfel, rspunsul final poate fi considerat ca o sum a dou rspunsuri:
rspunsul direct obinut prin considerarea ca terminale de intrare a bazei i a
emitorului, determinat de aplicarea unei tensiuni v EB (t ) 0 n condiiile n care
v CB (t ) = 0, i ale crui componente primesc indicele F n conformitate cu notaiile
IEEE;
rspunsul invers obinut prin considerarea ca terminale de intrare a colectorului i a
bazei, determinat de aplicarea unei tensiuni v CB 0 n condiiile n care v EB = 0 , i
ale crui componente primesc indicele R n conformitate cu notaiile IEEE;
n concordan cu cele de mai sus distribuia purttorilor minoritari de sarcin din
baz poate fi considerat ca fiind format din dou componente (vezi figura 5.35): una
direct i una invers. Astfel, sarcina acumulat n exces n regiunea bazei este:

QB (0, W, t ) = QBF (0, W, t ) + Q BR (0, W, t )


q A j W p n (0, t )
QBF (0, W, t ) =
2
q A j W p n (W , t )
QBR (0, W, t ) =
2

(5.138)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

155

pn (x)
Sarcina injectat
n sens direct

Sarcina injectat
n sens invers

x
0

Figura 5.35. Distribuia de purttori minoritari n baz pentru v EB > 0 i v CB > 0 .

Ecuaia de control prin sarcin (5.136) se poate deci sparge n dou ecuaii:
QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
+
= i EF p (t ) i CF p (t )
p
t
QBR (0, W, t ) Q BR (0, W, t )
+
= i CR p (t ) i ER p (t )
p
t

(5.139)

Se determin mai nti componentele directe ale modelului, produse de aplicarea


tensiunii v EB , i apoi, prin analogie, putem obine simplu componentele inverse ale acestuia,
produse de aplicarea tensiunii v CB , innd seama c rolurile emitorului i colectorului sunt
schimbate.
Astfel, particulariznd (5.15) pentru v CB = 0, se obine:
( )

q DpB p n (0, t )
i CF (t ) = Aj

(B )
Lp

1
W
sh (B)
Lp
(
)
(
Q BF 0, W, t
Q BF 0, W, t )
=
=
t BF
W2
(B )
2 Dp

( )

W<<L pB

( )

q Aj D pB p n (0, t )
=
W
(5.140)

SEEC introduce o nou constant de timp, notat cu F , care este definit de relaia:
QBF (0, W, t )
i CF (t ) =
.
(5.141)
F
Dup cum se observ aceast constant reprezint chiar timpul de trecere a
purttorilor minoritari difuzai n baz, adic F = t BF .
Considernd i CF (t ) i CFp (t ) i nlocuind relaia (5.141) n (5.139.a) se determin:
QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
+
= E i EF (t ) i CF (t ) = E [i CF (t ) + i BF (t )] i CF (t )
p
t
1 Q BF (0, W, t ) + QBF (0, W, t ) = i (t ) + 1 1 i (t )
(5.142)
BF
E
p

E CF
t

QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t )


QBF (0, W, t )
i BF (t )
+
1 1E

F
p
t

Notnd cu
BF =

1
=
1 + 1 1 1
p F E

( )

B
(E )
2 Dn ND
+
2
W L (nE ) NA(E )
L (pB )
(B )

Dp

= F F

(5.143)

156

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

se obine nc o component direct a modelului de control prin sarcin:


QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t )
i BF (t )
+
.
BF
t

(5.144)

Componenta direct a curentului de emitor se determin simplu prin nsumarea


componentelor directe ale curentului de baz i de colector:

i EF (t ) = i BF (t ) + i CF (t ) =

QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) QBF (0, W, t )


+
+
BF
F
t

(5.145)

n consecin, componentele directe i inverse ale modelului de control prin sarcin


ale unui TBJ ideal sunt:

i CF (t ) =

QBF (0, W, t )

F
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t )
i BF (t ) =
+
BF
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
i EF (t ) =
+
+
BF
F
t

(5.146)

QBR (0, W, t ) QBR (0, W, t ) Q BR (0, W, t )


+
+
BF
R
t
QBR (0, W, t ) QBR (0, W, t )
i BR (t ) =
+
BR
t
QBR (0, W, t )
i ER (t ) =
R

(5.147)

i C (t ) = i CF (t ) i CR (t )
i B (t ) = i BF (t ) + i BR (t )
i E (t ) = i EF (t ) i ER (t )

(5.148)

i CR (t ) =

Trebuie subliniat faptul c F difer de R numai pentru TBJ cu baz gradat dopat n
care apare un cmp electric intern ce accelereaz, respectiv frneaz, micarea purttorilor
de sarcin injectai n funcie de direcia de deplasare a acestora.
Acest model poate fi completat lund n considerare variaia sarcinii din regiunile de
trecere ale TBJ. Atunci cnd tensiunea aplicat jonciunii emitorului crete un flux net de
purttori de sarcin trebuie s curg n direcia stratului de sarcin spaial, de ambele pri,
pentru a compensa sarcina spaial fix. Acestui flux net i corespunde componenta q VE /t
ce se adaug curentului de emitor. Sarcina q VE reprezint diferena dintre sarcina spaial
fix QBE (v EB ) a regiunii de trecere a emitorului corespunztoare unei tensiuni v EB 0 i
sarcina spaial fix QBE (0) a regiunii de trecere a emitorului corespunztoare unei tensiuni
v EB = 0, adic q VE (v EB ) = QBE (0) Q BE (v EB ).
La jonciunea colectorului situaia este analoag, dar avnd n vedere convenia de
semn, componenta q VE /t se adaug cu semnul minus la expresia curentului de colector. Ca
i n cazul anterior sarcina q VC este dat de relaia q VC (v CB ) = QBC (0) Q BC (v CB ).
n consecin ecuaiile modelului de control prin sarcin sunt:

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

157

Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) q VC

F
BR
R
t
t
Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) q VE q VC
(5.149)
i B (t ) =
+
+
+
+
+
BF
BR
t
t
t
t
Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) q VE
i E (t ) =
+
+

+
BF
F
R
t
t

i C (t ) =

Q BF (0, W, t )

Particulariznd acest model pentru cazul static (/t = 0 ) se obin ecuaiile:


Q BF (0, W ) Q BR (0, W ) QBR (0, W )
IC =

F
BR
R
QBF (0, W ) QBR (0, W )
IB =
+
BF
BR
QBF (0, W ) QBF (0, W ) Q BR (0, W )
IE =
+

BF
F
R

(5.150)

innd seama de relaiile (5.137), (5.138), (5.140), (5.141) i (5.143) se poate


demonstra c expresiile (5.150) sunt similare relaiilor Ebers-Moll originale. Legtura ntre
ecuaiile Ebers-Moll i (5.150) este dat de relaiile:

I ES = QBF 0 1 + 1
BF
F
1
I CS = QBR 0 + 1
R

Q BF 0

BR

(5.151)

F I ES = F

Q BR 0

R I CS =
R

n consecin, circuitul echivalent corespunztor componentelor de curent cuprinse n


relaiile (5.150) este similar circuitului echivalent Ebers-Moll. Termenii variabili n timp pot
fi reprezentai prin capaciti neliniare obinnd astfel circuitul echivalent complet ilustrat n
figura 5.36.
QBR/R
E'
iE

r ee'

Q BF/ F

QBF

QBR

q.VC

q.VE
+

DEB

C'

r cc'

C
iC

B' DCB
r bb'

iB

Figura 5.36. Modelul corespunztor regimului variabil de semnal mare.

158

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Fenomenele de transport ale purttorilor de sarcin din regiunile neutre ale emitorului
i colectorului pot fi modelate prin rezistene echivalente de semnal mare (rezistenele de
volum ale acestor regiuni), r EE i r CC . Cderea transversal a curentului de baz se poate
modela tot printr-o rezisten de semnal mare r BB , iar jonciunea parazit colector-baz
nesuprapus poate fi reprezentat ntr-un mod similar jonciunii active colector-baz, innd
bineneles seama de diferenele de arie existente ntre acestea. Toate aceste elemente au fost
reprezentate punctat n figura 5.36.
Dezvoltarea acestui model s-a bazat pe relaia liniar dintre sarcin i curent,
asigurat de distribuia cvasistaionar liniar a purttorilor minoritari, n exces fa de
situaia de echilibru termodinamic, din regiunea cvasineutr a bazei. Pentru ca aceast
distribuie s i pstreze forma liniar trebuie ca valoarea instantanee a curentului bazei
i b (t ) s rmn mic i n regim variabil. Aceast condiie se poate exprima analitic astfel:
QB q VE q VC
QB
+
+
<< p , sau
t
t
t
1 QB << 1
p
t
QB

(5.152)

5.3.2. Modelul natural de semnal mic al TBJ


Circuitele analogice opereaz n cele mai multe cazuri cu semnale al cror nivel este
mic n comparaie cu tensiunile i curenii de polarizare. n aceste condiii, se pot elabora
modele incrementale sau de semnal mic care permit determinarea performanelor de interes
fr a mai fi necesar includerea tensiunilor i curenilor ce definesc punctul static de
funcionare.
Deoarece n amplificatoare TBJ sunt polarizate n RAN, prezint interes
determinarea modelului echivalent de semnal mic al TBJ numai n acest regim de
funcionare. n cele ce urmeaz vom considera un tranzistor de tip pnp cruia i se aplic
tensiuni de tipul:

v EB = VEB + v eb = VEB + V eb sin ( t ) = VEB + v EB


v CB = VCB + v cb = V CB + Vcb sin ( t ) = VCB + v CB

(5.153)

n care variaiile v EB i v CB ndeplinesc condiiile de semnal mic expuse n introducerea


capitolului 5.3.
n consecin, rspunsul funcional al structurii va fi proporional cu variaiile
tensiunilor aplicate acesteia, iar factorii de proporionalitate vor fi elementele circuitului
echivalent de semnal mic. Vom nota cu x(v) = x (V + v ) x(V ) variaiile ce apar n
mrimile x ce caracterizeaz rspunsul structurii la variaiile v ale excitaiei.
Folosim ca punct de plecare ecuaiile modelului de control prin sarcin (relaiile
(5.149)). Variaiile ce apar n curenii prin structur pot fi scrise sub forma:

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni


Q BF (v EB ) [Q BR (v CB )] Q BR (v CB ) Q BR (v CB ) [q VC (v CB )]

F
BR
R
t
t
[Q BF (v EB)] Q BF (v EB) [Q BR (v CB )]
i B (t ) =
+
+
+
BF
t
t
Q BR (v CB ) [q VE (v EB)] [q VC (v CB )]
+
+
+
BR
t
t
[Q BF (v EB)] Q BF (v EB) Q BF (v EB) Q BR (v CB ) [q VE (v EB)]
i E (t ) =
+
+

+
BF
F
R
t
t

159

i C (t ) =

(5.154)

n care:

q A j W p n (0, v EB )
2
q Aj W p n (W, v CB )
QBR (v CB ) =
2
(B )
(E )
NA ND
(
)
(
)
(v EB )
q VE v EB = QBE v EB = q A j (B )
( ) l E
NA + NDE
(B )
(C )
N ND
q VC (v CB ) = QBC (v CB ) = q A j (AB )
l C (v CB )
(C )
NA + ND
QBF (v EB ) =

(5.155)

Se observ c n aceste relaii nu a fost luat n considerare efectul modulrii grosimii


bazei active, considerndu-se W constant.
Relaiile (5.137) permit determinarea variaiilor de sarcin din regiunea bazei
cvasineutre n condiii de semnal mic i pentru RAN:

q (VEB + v EB )
q (VEB )
p n (0, v EB ) = p n 0 exp
1 p n 0 exp
1 =

T
k

q VEB
q v EB
v EB

=p n 0 exp
exp
1 p n (0, VEB )
VT
kT
kT

(5.156)
p n (0,v EB) p n (0,V EB)
v EB

VT
(
)
q

V
+

v
CB
CB
p exp q V CB 1
p n (W, v CB ) = p n 0 exp

n0

kT
kT

p n 0 + p n 0 = 0

Incorporarea efectului modelrii grosimii bazei cvasineutre se poate realiza n felul


urmtor, sugerat n figura 5.37. n locul variaiei reale a lui W cu v CB se poate presupune c
W rmne constant, iar concentraia p n (W, v CB ) 0. Considernd condiii de semnal mic
este evident c variaia real a grosimii bazei W este mult mai mic ca W i c se pot scrie
relaiile:
p n (W, v CB ) p n (0, V EB ) p n (0, VEB )
=

W
W + W
W

W
W
v CB
v CB

(5.157)

160

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

p'n (x)

p'n (x)
p'n (0)

p'n (0)

W=

W .
VCB
VCB

p'n (W)

p'n (W)

W+ W x

Figura 5.37. Distribuia purttorilor de sarcin minoritari n baz n regim dinamic


cvasistaionar pentru un TBJ de tip pnp polarizat n RAN.

Variaia concentraiei p n (W, v CB ) poate fi pus sub forma:


p (0, V EB )
p (0, VEB ) W
p n (W, v CB ) = n
W n

v CB
(5.158)
W
W
v CB
sau introducnd o nou mrime , cunoscut sub denumirea de factor de modulare a
grosimii bazei, definit de relaia:
V
= T W ,
(5.159)
W v CB
sub forma:
p n (W, v CB )

p n (0, V EB ) V T W
p (0, VEB )

v CB = n
v CB
VT
W v CB
VT

(5.160)

n conformitate cu relaia de mai sus, se poate afirma c efectul variaiei tensiunii


aplicate jonciunii colectorului este similar cu cel al variaiei tensiunii aplicate jonciunii
emitorului dar sensibil mai mic deoarece valoarea factorului este extrem de mic, cuprins
ntre 105 i 103 .
Folosind relaia (3.25) determinm variaiile lrgimilor regiunilor de sarcin spaial
n condiii de semnal mic:

v
l E = l E (VEB + v EB ) l E (V EB ) = l E (V EB ) 1 (E ) EB
1
B 0 VEB

2
lE0
v EB
l E (V EB )
=
v EB
(E )
(E )
2 B 0 VEB
2 l E (V EB ) B 0

v
l C = l E (VEB + v EB ) l E (V EB ) = l C (V CB ) 1 (C ) CB
1
B 0 VCB

2
lC0
v CB
l C (VCB )
=
v CB
(C )
(C )
2 B 0 V CB
2 l C (VCB ) B 0

n consecin, expresiile (5.155) devin:

(5.161)

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

QBF (v EB )

q A j W p n (0, VEB )

161

v EB

VT

= QBF (VEB )

v EB

2
VT
p n (0, V EB )
q Aj W
v CB
VT
v
QBR (v CB )
= QBF (VEB ) CB
(5.162)
2
VT
(B )
(E )
2
Aj
N ND
lE0
q VE (v EB ) q A j (AB )

v EB =
v EB
(E )
(E )
l E (VEB )
NA + ND 2 l E (VEB ) B 0
( )
( )
Aj
N AB N DC
l C2 0
q VC (v CB ) q A j (B)

v CB =
v CB
(C )
(C )
l C (V CB )
NA + ND 2 l C (V CB ) B 0
nlocuind expresiile (5.162) n relaiile (5.154) se obin ecuaiile:

QBF (VEB ) v EB Q BF (VEB )


Aj (v CB )

F
t
VT
VT
l C (V CB )

Q BF (V EB ) Q BF (VEB ) v CB

+
V
BR
R

T
QBF (V EB ) (v EB ) Q BF (VEB ) v EB QBF (VEB ) (v CB )
i B (t ) =

+
BF
t
t
VT
VT
VT
(5.163)
A j (v EB )
A j (v CB )
Q BF (VEB ) v CB
+

BR
t
t
VT
l E (VEB )
l C (V CB )
QBF (V EB ) (v EB ) QBF (VEB ) Q BF (VEB ) v EB
i E (t ) =

+
+

F
BF
t
VT

VT
Q BF (VEB ) v CB
A j (v EB )

R
t
VT
l E (VEB )
i C (t ) =

n RAN, componenta invers a sarcinii acumulate n exces n regiunea bazei neutre


QBR (VCB ) este extrem de mic i, de aceea, relaiile (5.150), corespunztoare modelului de
control prin sarcin n regim staionar, devin:

IC
IB =

Q BF (0, W )
F

QBF (0, W )

BF
QBF (0, W ) QBF (0, W )
IE =
+
BF
F

(5.164)

Folosind relaiile (5.164) n exprimarea relaiilor (5.163) se obin expresiile:


Aj (v CB )
IC
I
I F + 1
v EB C F +
C
v CB

VT
V
(
)

t
V
F
l C VCB

T
T
I
(v EB ) I C 1
I
(v CB )
i B (t ) = C F
+

v EB + C F
+
t
t
VT
VT F
VT
(5.165)
Aj (v EB )
Aj (v CB )
IC 1
+

v CB +

t
t
VT F
l E (V EB )
l C (VCB )
Aj (v EB )

+
1
(
v
)
I
I
F
I
EB
i E (t ) = C F
+ C
v EB C v CB +

t
F
t
VT
VT
VT
l E (VEB )
i C (t ) =

innd cont de modul de determinare al elementelor modelului de semnal mic al TBJ


(vezi relaiile 5.132) i folosind relaiile (5.165), definim urmtoarele mrimi ce

162

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

caracterizeaz funcionarea TBJ n regim dinamic de semnal mic ntr-un punct static de
funcionare (I C , V CE ) situat n RAN:
transconductana sau panta TBJ, g m :
I
(5.166)
gm = C
VT
conductana de ieire a TBJ, notat cu g 0 sau g ce :
I
g0 = C = g m
(5.167)
VT
conductana bazei active n sens direct, notat cu g sau g be :
gm
I
(5.168)
g = C 1 =
VT F F
conductana bazei active n sens invers, notat cu g sau g bc :
I
g = C 1 = g
(5.169)
VT F
capacitatea de difuzie a jonciunii emitorului, C dE :
I
C dE = C F = g m F
(5.170)
VT
capacitatea de difuzie a jonciunii colectorului, C dC :
I
C dC = C F = C dE
(5.171)
VT
capacitatea de barier a jonciunii emitorului, C bE :
Aj
C bE =
(5.172)
l E (V EB )
capacitatea de barier a jonciunii colectorului, C bC :
Aj
C bC =
l C (V CB )

(5.173)

Folosind aceste elemente precum i relaiile (5.153), ecuaile (5.165) devin:


(v )
i c (t ) = g m v eb (C dC + C bC ) cb (g 0 + g ) v cb
t
RAN

C C bC

i b (t ) =(C dE + C bE )
RAN

C C dE

i e (t ) =(C dE + C bE )
C

(v eb )
(v )
+ g v eb +(C dC + C bC ) cb + g v cb
t
t

(5.174)

(v eb )
+ (g m + g ) v eb g 0 v cb
t

Circuitul echivalent de semnal mic corespunztor unui TBJ intrinsec cu punctul static
de funcionare situat n RAN, caracterizat de relaiile (5.174), este reprezentat n figura 5.38.
Modelul din figura 5.38 permite incorporarea rezistenelor de volum corespunztoare
regiunilor neutre ale emitorului i colectorului ale TBJ intrinsec, precum i a unor elemente
extrinseci, corespunztoare particularitilor constructive ale TBJ reale.

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

163

r
C
B

C
r

V
- eb

gm.V
- eb

r0

Figura 5.38. Circuitul echivalent de semnal mic corespunztor unui TBJ intrinsec
polarizat n RAN.

Astfel, efectul curgerii transversale a curentului de baz este modelat cu o rezisten,


r bb , iar efectul jonciunii de suprapunere, polarizat invers n regim activ normal al TBJ
intrinsec, este modelat cu o capacitate C sc , numit capacitate de suprapunere. Circuitul
echivalent astfel completat este reprezentat n figura 5.39. Tot n aceast figur apar i valori
reprezentative ale elementelor modelului corespunztor unui TBJ de mic putere polarizat n
RAN la I C = 1 mA.
CSC (1pF)
r (2M)
B

rbb'
(sau rx) B'

C (5pF)

(100)

Ve'b'

(2,5k)

C
(200pF)

C'

gm.V
-e'b'

r0

r cc'
(50100 )

(20 k)

E'

ree'
E

(1050)

Figura 5.39. Modelul natural de semnal mic al TBJ polarizat n RAN.

Circuitul echivalent al unui TBJ de tip npn nu difer dect prin sensul tensiunii de
semnal v be i deci implicit al generatorului comandat g m v be .
Circuitul echivalent din figura 5.39 poart numele de circuit echivalent natural al
TBJ deoarece elementele sale ilustreaz fenomenele fizice corespunztoare dispozitivului.
De asemenea el poate fi ntlnit i sub denumirea de circuit echivalent de tip Giacoletto.

5.3.3. Specificarea rspunsului n frecven al TBJ


Performanele la frecvene nalte ale TBJ, ce lucreaz n condiii de semnal mic, se
apreciaz, n marea majoritate a cazurilor, prin valoarea unor frecvene caracteristice care se
definesc plecnd de la expresiile coeficienilor compleci de amplificare n curent n
conexiunile EC i BC:

164

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Ic
Ib

; =
V ce= 0

Ic
Ie

=
V cb = 0

1+

(5.175)

Pentru determinarea expresiilor acestor factori de amplificare folosim circuitul


echivalent natural de semnal mic al TBJ pentru a modela funcionarea TBJ n conexiunea
EC, cu ieirea n scurtcircuit. Circuitul echivalent rezultat este reprezentat n figura 5.40.
Pentru a simplifica analiza am neglijat efectul elementelor r cc , r ee i C sc .
C
C

B I b r bb'

B
Veb'

vBE
E

B'
r

Ic C
gm.Veb'

r0

Figura 5.40. Circuitul echivalent de semnal mic pentru TBJ cu ieirea n scurtcircuit
n conexiune EC.

Aplicnd Kirchhoff I n nodurile de intrare i de ieire ale circuitului din figura 5.40
obinem urmtoarele expresii pentru curenii de interes:

I b = (g + j C ) Veb + (g + j C ) Veb
I c = g m V eb (g + j C ) V eb

(5.176)

i deci
F g

Ic
Ib

g m g +j C

=
=
(g + j C ) + (g + j C )
V ce= 0
g [ F (1 + j r C )]
=

g [(1 + j r C ) + (1 + j r C )]
F

1 + j r (C + C )

Notnd cu

1
f =
= 1
2 2 r (C + C )

(5.177)

(5.178)

frecvena la care modulul factorului de amplificare n sens direct n conexiune EC scade la


1/ 2 = 0, 707 din valoarea sa de frecvene joase, relaia (5.177) devine:

1+j

(5.179)

Frecvena f este cunoscut sub denumirea de frecven limit superioar a factorului


de amplificare n curent direct .
Folosind expresia (5.179) n relaia (5.175), aceasta devine:

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

165

I
= c
Ie

V cb = 0

=
=
1+

1+j
F

=
=
F
1
+

+
j

F
1+

1+j
.

(5.180)

F
1 + F
F
=
=

1+ j
1+j

(1 + F )

Se observ faptul c frecvena la care modulul factorului de amplificare n sens direct


n conexiune BC scade la 1/ 2 = 0, 707 din valoarea sa de frecvene joase, , este de
(1 + F ) ori mai mare ca , ceea ce justific folosirea conexiunii BC la frecvene nalte.
Frecvena de tiere a unui TBJ se definete ca frecvena la care modulul amplificrii
n curent n sens direct, , devine unitar. Egalnd cu unitatea expresia factorului de
amplificare
F
F
(5.181)
=
=
=1
T
T 2
1+j

1+

i innd seama de faptul c ( T / ) >> 1, se obine:


gm
.
T F =
(C + C )

(5.182)

Caracteristicile modul-frecven corespunztoare factorilor de amplificare i sunt


reprezentate n figura 5.41.

F
0,707.F

F~
=1

fT f

Figura 5.41. Caracteristicile modul-frecven () i () .

Este interesant de examinat constanta de timp T , asociat pulsaiei T , exprimat de


relaia:

C + C C
C
T = 1T = g m = g m + g m

(5.183)

innd seama de expresiile

C = C dC + C bC
C = C dE + C bE
i de relaiile (5.170) (5.173) se obine urmtoarea relaie pentru T :

(5.184)

166

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Aj
C
C
1
1
T = F (1 + ) + gbE + gbC F +
V T
+
m
m
(
)
(
IC
l C V CB )
l E VEB

(5.185)

Relaia (5.185) arat c T (respectiv f T ) este dependent de condiiile de funcionare


(punct static de funcionare, temperatur). n figura 5.42 este prezentat dependena
frecvenei de tiere de nivelul curentului de colector pentru un TBJ integrat de tip npn.
Relaia simpl (5.185) prezice att creterea frecvenei de tiere cu creterea curentului de
colector pentru nivele mici i medii ale acestuia, ct i scderea acesteia la nivele mari ale
I C datorit efectului Kirk (de cretere a grosimii bazei cvasineutre W ) ce conduce la
creterea constantei de timp F , prezis de relaia simp (5.185).
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1

f T [GHz]

IC

10 A 100 A 1 m A 10 mA
Figura 5.42. Dependena tipic f T (I C) pentru un TBJ integrat de tip npn de nalt
frecven.

Se relia calculul amplificrii n curent pentru conexiunea EC dar n condiiile


conectrii unei sarcini R L 0 . Circuitul echivalent de semnal mic corespunztor acestui caz
este reprezentat n figura 5.43.
C
C

B I b r bb'

B
RL

vBE
E

Vi

Veb'

Ic C

B'
r

gm.Veb'

Figura 5.43. Circuitul echivalent de semnal mic al unui TBJ de tip pnp
n conexiune EC cu rezisten de sarcin R L 0.

r 0 V0 R L

Aplicnd Kirchhoff I n nodurile de intrare i de ieire ale circuitului din figura 5.43
se obin urmtoarele expresii pentru curenii de interes:

I b =(g + j C ) V eb + Veb + R L I c (g + j C )
y

I c = Veb + R L I c (g + j C ) +g m Veb

r0

r +R
0
L

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

167

y V + g m V r 0
eb
eb r + R

0
L
I b = y V eb + V eb + R L
y
R

r
L
0

1 + y

r0 + R L
y V + g m V r 0
eb
eb r + R

0
L
Ic =
RL r0
1 + y
r 0 + RL

(5.186)

Expresia amplificrii n curent devine:


(y + g m)

I
AI = c =
Ib

r0
r0 + RL

R L r0
RL r 0

y
(y + y ) 1 + y
(
+ g m) y
r0 + RL
r 0 + RL
r0
F
r 0 + RL

R r
1 + j r C + C 1 + g m L 0
r0 + RL

iar frecvena limit superioar scade, fiind dat de expresia:

1
f S (sau f H ) = S = 1
2 2
R r
r C + C 1 + g m L 0
r

0 + RL

(5.187)

(5.188)

Notnd cu

AI 0 = F

r0
r0 + R L

(5.189)

amplificarea la frecvene joase, expresia amplificrii n curent devine:


AI 0
AI =

1+j

(5.190)

Se observ dependena de sarcin att a valorii de joas frecven a amplificrii n


curent, AI 0 , ct i a frecvenei limit superioare a amplificrii n curent, f S . Ambele valori
scad odat cu creterea rezistenei de sarcin, R L .
Folosind relaia (5.187) putem determina i expresia amplificrii n tensiune a TBJ n
conexiune EC:
V
R L Ic
RL
RL
AV = 0 =
=
A I =
A I
(5.191)
Vi r bb I b V eb
Veb
r bb + Z in,T
r bb +
Ib
unde cu Z in,T am notat impedana de intrare n TBJ intrinsec, dat de expresia:

Z in,T

V
= eb =
Ib

1 + y

R L r0
r0 + R L

R r
R r
y 1 + y L 0 + y 1 + g m L 0
r0 + R L
r 0 + RL

(5.192)

168

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

RL r 0
r 0 + RL
AV =

r
R L r0
R L r0

L
0

r bb y 1 + y
+ y 1 + gm
+ 1 + y
r0 + R L
r 0 + R L
r0 + R L

RL r 0
g m

(5.193)
r 0 + RL
1

=
r bb
1 + r 1 + j r bb r C + C 1 + g m R L r 0

r bb + r
r 0 + RL
AV 0
A
=
= V 0 ideal
1 1

1 + in 1 + out
1+j
1+j
(y + g m )

unde parametrii implicai reprezint:


AV 0 - amplificarea n tensiune la frecvene joase,
R r
r
AV 0 = g m L 0
;
r 0 + R L r + r bb

(5.194)

AV 0 ideal - valoarea ideal a amplificrii n tensiune la frecvene joase corespunztoare


TBJ intrinsec ideal,
AV 0 ideal = g m R L ;

(5.195)

in i out - abaterile relative ale amplificrii n tensiune la frecvene joase fa de cea


corespunztoare TBJ intrinsec ideal,

in = rbb

R
i out = r 0L ;

pulsaia corespuztoare frecvenei limit superioare a TBJ,


1
S = (2 f S ) =
.
r bb r
RL r 0

C + C 1 + gm
r bb + r
r 0 + R L

(5.196)

(5.197)

n cazul unui amplificator, ce are o sarcin oarecare, frecvena la care modulul


amplificrii devine unitar poart denumirea de produs amplificare-band (sau frecven de
tiere). n cazul nostru produsul amplificare-band, notat cu PBW este:
R r
gm L 0
R L
r0 + RL
1
(5.198)
PBW = 1

2
2

r
R L r0
bb C

r bb C + C 1 + g m
r 0 + R L

Se observ c aceast frecven depinde de sarcin, n sensul creterii acesteia cu R L ,


iar valoarea maxim se obine pentru situaia de gol la ieire. Constanta de timp
corespunztoare lucrului n gol corespunde ncrcrii capacitii de barier a colectorului
prin rezistena distribuit a bazei. Expresia acesteia sugereaz modul n care PBW poate fi
crescut i anume prin reducerea valorilor elementelor r bb i C .

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

169

5.3.4. Exemplificarea utilizrii modelului natural de semnal mic al


TBJ
Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu TBJ n conexiune EC
O schem practic de amplificator cu TBJ n conexiune EC este reprezentat n
figura 5.44. Generatorul de semnal, a crui rezisten intern a fost notat cu R G , este separat
de etajul de amplificare printr-o capacitate C B , numit capacitate de blocare, ce blocheaz
trecerea componentei continue ntre etaj i generator. Sarcina R L este cuplat la ieirea
etajului printr-o capacitate C C , numit capacitate de cuplaj a sarcinii, ce permite
transmiterea numai a componentelor alternative ctre aceasta. Capacitile C B i C C asigur
deci independena punctului static de funcionare al etajului n raport cu elementele externe
cuplate la intrarea, respectiv ieirea, acestuia, adic generatorul de semnal i sarcina.
Rezistena de stabilizare a punctului static de funcionare R E este decuplat n curent
alternativ (n scopul obinereii unei amplificri n tensiune ct mai ridicat) printr-o
capacitate C E , numit sugestiv capacitate de decuplare. Toate aceste capaciti trebuie s se
comporte ca nite scurtcircuite la frecvenele de interes (frecvenele de lucru).
VCC
R1
CB

RC

CC

RG
+

Vg ~

RL
R2

RE

CE

Figura 5.44. Amplificator de semnal mic cu un TBJ n conexiune EC.

Datorit liniaritii implicate de condiiile de semnal mic analiza circuitului se poate


realiza separat pentru componentele continue i alternative ale tensiunilor i curenilor
schemei. n consecin, studiul acestui etaj de amplificare de semnal mic se realizeaz prin
parcurgerea urmtoarelor etape:
analiza n curent continuu, ce are ca punct final determinarea punctelor statice de
funcionare ale dispozitivelor schemei;
determinarea parametrilor dinamici de semnal mic corespunztori dispozitivelor
circuitului;
determinarea schemei echivalente de semnal mic n curent alternativ;
determinarea performanelor de interes ale amplificatorului prin analiz pe schema
echivalent de semnal mic.

170

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Schema echivalent de curent continuu a etajului este de tipul celei din figura 5.30, a
crei analiz a fost efectuat n seciunea 5.2.11, cu excepia tipului de tranzistor utilizat.
Prin inversarea corespunztoare a polaritilor tesiunilor schemei i a sensului de curgere a
curenilor relaiile obinute n acel caz i menin valabilitatea i, de aceea, nu se mai reface
analiza. Odat coordonatele punctului static fiind determinate se trece la verificarea
funcionrii n RAN a TBJ. Aa cum este polarizat TBJ, acesta, n funcie de valoarea
tensiunii sursei de alimentare VCC , poate s funcioneze fie n RAN, fie n RS. Grania dintre
cele dou regimuri, numit saturaie incipient, este la VBC = 0. Pentru VBC > 0 TBJ
funcioneaz n RS, iar pentru VBC < 0 TBJ funcioneaz n RAN. Drept urmare, verificarea
funcionrii n RAN a TBJ se realizeaz prin compararea tensiunii VCE cu VBE n
conformitate cu relaia:
<0

VCE = VCB + V BE =V BC +VBE > V BE


>0

(5.199)

>0

Odat determinat punctul static de funcionare al TBJ i verificat regimul acestuia de


funcionare se poate trece la cea de-a doua etap. Determinarea parametrilor dinamici se
face n conformitate cu relaiile (5.166) (5.173) pe baza informaiilor referitoare la
condiiile de lucru (punctul static de funcionare, temperatur) i la parametrii dependeni de
construcia i tehnologia de fabricaie a TBJ (parametrii de proces). Atunci cnd parametrii
de proces nu sunt cunoscui n totalitate, pentru parametrii dinamici ce nu se pot determina
se adopt valorile ideale ale acestora. Valorile ideale ale parametrilor dinamici dependeni
de proces sunt: r bb 0, r cc 0, r ee 0, r 0 , r , C 0, C sc 0.
Determinarea schemei echivalente de semnal mic se realizeaz n dou etape, aa
cum este indicat n figura 5.45:
mai nti se pasivizeaz sursele de curent continuu din circuit i se nlocuiesc, acolo
unde este posibil (n funcie de gama de frecvene de interes), reactanele externe
prin scurtcircuite sau ntreruperi (vezi figura 5.45.a); pasivizarea unei surse de curent
continuu nseamn nlocuirea acesteia cu rezistena sa intern, iar dac aceasta nu
este cunoscut se adopt valoarea ideal a acesteia (nul pentru sursele de tensiune,
infinit pentru cele de curent);
apoi se nlocuiesc dispozitivele cu circuitele echivalente de semnal mic
corespunztoare gamei de frecvene de lucru (vezi figura 5.45.b i c).
La frecvene joase efectele capacitive interne ale TBJ sunt neglijabile iar schema
echivalent de semnal mic a amplificatorului este cea din figura 5.45.b. Pentru a uura
analiza acestei reele vom aplica teorema lui Miller.

Teorema lui Miller permite evaluarea efectului unei impedane Z conectate ntre
dou noduri ale unei reele (vezi figura 5.46.a) asupra curenilor din aceste noduri atunci
cnd se cunoate amplificarea n tensiune relativ la nodurile respective, i anume:
V
(5.200)
K = 2r ct.
V 1r

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

171

RG

RB =
R1// R2

Vg ~

RC

a.

RL

RLech
RG

rx

Ig B

Vg ~

RB
E
Ig

RG

B'

Vg ~

Ig

rx

RB

Vbe'

r0

RL V0

RC

b.

E
gm.Vbe'

r Vbe'

RB

RG

gm.Vbe'

r Vbe'
rx

Vg ~

I0

r0

RLech V0

b'.

I0

gm.Vbe'

r1

r0

r2

RC

RL V0

b''.

C
rx

RG I g
Vg ~

RB

RG I g
RB

Vg ~

Vbe'

I0

gm.Vbe' r0

RC

rx
Vbe'

RL V0

c.

I0

r1

C1

gm.Vbe' r0

RC

R L V0

c'.

Figura 5.45. Determinarea schemei echivalente de semnal mic pentru amplificatorul


de semnal mic cu un TBJ n conexiune EC.

n conformitate cu aceast teorem efectul impedanei Z poate fi echivalat cu efectul


a dou impedane Z 1 i Z 2 , conectate ntre nodurile de interes i cel de referin (vezi figura
5.46.b), n conformitate cu expresiile:

Z1 =

1K
Z
Z2 =
1 1
K

(5.201)

172

Cap. 5. Tranzistoare bipolare cu jonciuni

Z
I1

I2
V2r
V1r

K=

V1r
r

2
V2r

V1r

nod de referin

1
Z1

I1

I2
Z2

V2r
K=
V1r

V2r

Figura 5.46. Teorema lui Miller.

Demonstraia acestei teoreme este simpl. Calculm curenii I 1 i I 2 ce ies din


nodurile 1 i 2 i curg prin impedana de interes Z:

V1 V 2
1 K V1
= V1
=
Z
Z
Z1
1 1
V2 V 1
K V2
I2 =
= V2
=
Z
Z
Z2
I1 =

(5.202)

Ca urmare, dac se conecteaz impedanele Z 1 , respectiv Z 2 , ntre nodurile 1,


respectiv 2, i nodul de referin, prin acestea vor circula aceiai cureni I 1 i I 2 care circul
prin Z n circuitul original.

Duala teoremei lui Miller permite evaluarea efectului unei impedane comune la
dou ochiuri de circuit (vezi figura 5.47.a) asupra bilanului de tensiuni din buclele
respective cnd se cunoate amplificarea n curent relativ la cele dou ochiuri, i anume:
I
KI = 2 ct.
(5.203)
I1
n conformitate cu aceast teorem cele dou ochiuri se pot separa prin echivalarea
efectului impedanei comune Z prin efectul a dou impedane Z 1 i Z 2 , conectate ca n
figura 5.47.b, date de relaiile:

Z 1 = Z 1 KI

(5.204)

Z 2 = Z 1 1
KI

1' I 1

Z
r

2
3

I2 2'

1'
Z1= Z.(1-KI)

2
3

2'
Z 2= Z. (1- 1 )
KI

I
KI= - I 2
1

nod de referin r

nod de referin

Figura 5.47. Duala teoremei lui Miller.

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

173

Aplicnd teorema lui Kirchhoff II ochiurilor de interes se obin relaiile:

V1 r = V13 + Z I 1 + I 2 = V 13 + Z I 1 1 K I = V13 + Z 1 I 1

V2 r = V23 + Z I 1 + I 2 = V 23 + Z I 2 1 1 = V23 + Z 2 I 2
KI

(5.205)

ce demonstreaz teorema mai sus menionat.


n continuare se revine la analiza amplificatorului a crui schem echivalent este
reprezentat n figura 5.45.b. Transformarea impedanei z = 1/g , conectat ntre nodurile
de intrare i de ieire ale TBJ intrinsec, n conformitate cu relaiile (5.200) i (5.201) are un
caracter aproximativ i poart numele de unilateralizare a TBJ, respectiv a amplificatorului.
Aceasta se poate realiza dac, prin impedana al crei efect se dorete a fi echivalat, curentul
este neglijabil n raport cu restul contribuiilor de curent la nodul de ieire (sau nodul 2 din
schema 5.46). Deci, unilateralizarea unui TBJ se poate realiza dac:

y << g m i y << y L .

(5.206)

La TBJ operaia de unilateralizare se poate realiza, n cele mai multe cazuri, pn la


frecvene f < f T /10 .
Considernd ndeplinit condiia (5.206) referitoare la sarcin, amplificatorul de
semnal mic se poate unilateraliza, obinndu-se astfel schema echivalent din figura 5.45.b//.
Valoarea aproximativ a impedanelor echivalente r 1 i r 2 se determin din relaiile
(5.201) n care amplificarea n tensiune K , relativ la nodurile de intrare i de ieire ale TBJ
intrinsec, se aproximeaz cu amplificarea V0 /Vb e determinat pe schema 5.45.b/. Se obin
astfel relaiile:

V0

K
= g m r 0 R C R L = g m (r 0 R L ech )
Vb e

RL ech
r
r 1 =
1 + g m (r 0 R C R L )
gm (r 0 R C R L )>>1
r
r 1 =

r
1+

(5.207)

g m (r 0 R C R L )

n care am notat generic cu x y = (x y)/(x + y) expresia impedanei echivalente a dou


impedane legate n paralel.
Se pot determina acum pe schema echivalent din figura 5.45.b// unele performane
ale amplificatorului de semnal mic:
amplificarea n tensiune,

V 0 g m V b e (r 0 r 2 R C R L )
=
=
V g r x + (r r 1 ) R G + R B

Vb e
RB
(r r 1 )
g m R L
A V 0 ideal
=
=

(1 + in ) (1 + out )
rx RG
RL
1 +
1 + R 1 +

r 0 r 2 R C
(r r 1 )
AV = AV 0 =

(5.208)

174

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

n care

AV 0 ideal = g m R L
rx
R
rx
R
in =
+ G+
G
(r r 1 ) R B (r r 1 ) R B
RL
out =
r 0 r 2 R C
RB = R1 R 2

(5.209)

amplificarea n curent,

r 0 r 2 R C
I
R L + r 0 r 2 R C
AI = AI 0 = 0 =
=
I g R B + r x + (r r 1 )
Vb e

RB
(r r 1 )
g m r
AI 0 ideal
=
=
r x + (r r 1 )
(1 + in ) (1 + out)

r
RL
1
+

1
+

1
+


r 1 r 0 r 2 R C
RB

(5.210)

AI 0 ideal = g m r =
r x + (r r 1 ) r r x + (r r 1 ) r
in =
+ r 1 +
r 1
RB
RB
RL
out =
r 0 r 2 R C

(5.211)

g m Vb e

n care

amplificarea n putere,

V0 I 0
= A V AI = AV 0 AI 0
Vg I g

AP =

(5.212)

Schema echivalent de semnal mic pentru frecvene nalte este reprezentat n figura
5.45.c i prin unilateralizarea tranzistorului bipolar obinem schema echivalent din figura
5.45.c/. n conformitate cu teorema lui Miller elementele echivalente impedanei z sunt
date de relaiile:

r
1 K 1 + g m (r 0 R C R L )
= C (1 K) = C [1 + g m (r 0 R C R L )]
g m (r 0 R C RL )>>1
r
r

r 1 =
C 1

r 2 =

1 1

1+

(5.213)

g m (r 0 R C R L )

g m (r 0 R C R L)>>1
1
C 2 = C 1 1 = C 1 +

K
g m (r 0 R C R L )

Dac este ndeplinit condiia g m (r 0 R C R L ) >> 1 relaiile corespunztoare


elementelor impedanei z 2 se simplific n modul sugerat mai sus.

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

175

Se determin i n acest caz mrimile de interes:


amplificarea n tensiune,

V0
=
Vg

AV =

g m V b e

(r 0 r 2 R L ech )
1 + j C 2 (r 0 r 2 R L ech )

(r r 1 )
rx +
1 + j (C + C 1 ) (r r 1 ) R G + R B

Vb
RB
(r r 1 )
1 + j (C + C 1 ) (r r 1 )

=
e

r r 1
RB

r x + r r 1 R G + R B
=
=
[1 + j C 2 (r 0 r 2 R L ech )] [1 + j (C + C 1 ) (r x r r 1 )]
AV 0
=

[1 + j C 2 (r 0 r 2 R L ech )] [1 + j (C + C 1 ) (r x r r 1 )]
AV 0
AV 0

=
1 + j {C + C [1 + g m (r 0 R L ech )]} (r x r r 1 ) 1 + j
g m (r 0 r 2 R L ech )

(5.214)

n care
r 1 >>r x , r
r 0 >>R C , R L

S =

{C + C [1 + g m (r 0 R L ech )]} (r x r r 1 )
1

[C + C (1 + g m R L ech )] (r x r )

(5.215)

amplificarea n curent,

AI =

gm V b e

z0

I0
R L + z0
=
=
Ig RB + r x + z V b e
z
RB

g m (r r 1 )

{1 + j C in [r r 1

r 1 >>r
r 1 >>R B +r x

r 0 r 2 R C
R B + r x + r r 1 R L + r 0 r 2 R C

(R B + r x )]} [1 + j C 2 (r 0 r 2 R L ech )]
RB

(5.216)

AI 0
1 + j C in [r (R B + r x )]

n care

r 0 r 2 R C
1 + j C 2 (r 0 r 2 R C )
r r 1
z =
[1 + j (C 1 + C ) (r r 1 )]
C in = C + C 1 = C + C (1 + g m R L ech )
z0 =

(5.217)

176

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

amplificarea n putere,

AP = AV A I

A V 0 AI 0
[1 + j C in (r x r r 1 )] {1 + j C in [r (R B + r x )]}

(5.218)

nainte de a aborda proiectatea de principiu a acestui etaj este necesar s se


delimiteze n planul caracteristicilor de ieire ale TBJ dreapta de sarcin dinamic. n
conformitate cu condiiile de semnal mic punctul de funcionare al TBJ este definit de
relaiile:

i C (t ) = I C + i c (t )
v CE (t ) = VCE + v ce (t )
VCE = VCC I C R C I E R E VCC I C (R C + R E )
v ce (t ) = i c (t ) R L ech

(5.219)

Ultima din relaiile (5.219) reprezint ecuaia dreptei de sarcin. Reprezentarea celor
dou drepte n planul caracteristicilor de ieire este dat n figura 5.48.

VCC
R C+RE

I C, i C
i c (t)

vce(t) = -R'L. ic (t)


Caracteristica de sarcin
dinamic
vce (t)
Dreapta de sarcin
static
VCC VCE, vCE

Figura 5.48. Reprezentarea dreptelor de sarcin, static i dinamic, n planul


caracteristicilor de ieire ale TBJ de tip npn n conexiune EC.

Caracteristica dinamic propriu-zis este un segment al dreptei de ecuaie (5.219) a


crui lungime depinde de amplitudinea semnalului dinamic. Pentru determinarea
amplitudinii semnalului (n condiii de semnal mic) se ignor neliniaritatea caracteristicilor
n RAN i se pun condiii de evitare a intrrii TBJ n RS i n RB. Inspectnd schema din
figura 5.45.a se constat c potenialul colectorului v C (t ) poate s creasc pn cnd TBJ
intr n blocare sau atinge valoarea tensiunii de alimentare VCC . n momentul atingerii
valorii maxime a v C , curentul de colector devine nul (i C = 0 ) i amplitudinea maxim a
curentului instantaneu de colector I c max este I C (i C = I C + i c = 0 I c max = I C ). n consecin,
amplitudinea maxim a semnalului de ieire n semialternana pozitiv este:
R L

V0+max = I c max R L ech = I C (R C R L ) R C I C

(5.220)

Potenialul v C (t ) poate s scad pn la intrarea n saturaie a TBJ. n consecin,


amplitudinea maxim a semnalului de ieire n semialternana negativ este:

V0max = V CE VCE sat inc = VCE V BE

(5.221)

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

177

Amplitudinea maxim a semnalului de ieire este dat de cea mai restrictiv din cele
dou condiii, (5.220) i (5.221), adic:

V0 max = min (V0+max , V 0max )

(5.222)

Proiectarea unui etaj amplificator pune probleme legate de alegerea i stabilizarea


punctului static de funcionare. Poziia punctului static este aleas pe baza a trei considerente
principale:
funcionarea TBJ n RAN i meninerea unei funcionri liniare a acestuia n condiii
de semnal mic;
controlul parametrilor de semnal mic;
controlul puterii disipate.
Funcionarea n RAN a TBJ i meninerea unei funcionri liniare a acestuia n
condiii de semnal mic este legat de amplasarea punctului static de funcionare i a dreptei
de sarcin dinamic n interiorul regiunii permise n regiunea liniar a caracteristicilor
statice. Condiia de amplasare a ntregii drepte dinamice n regiunea permis furnizeaz
limitele n care trebuie ales curentul static de colector n regiunea permis. Figura 5.49 este
destinat evalurii acestor limite.
iC
VCC
RC+R E

Dreapta de sarcin
static

Tmin

iC
VCC
R C+RE
ICmax

Dreapta de sarcin
dinamic

V0max

Tmax

M
Dreapta de sarcin
static

ICmin

Dreapta de sarcin
dinamic

V0max
VCC

vCE

VCEsat inc

VCC

vCE

b.

a.

Figura 5.49. Evaluarea limitelor curentului static de colector:


a) limita minim; b) limita maxim.

Evaluarea curentului static de colector mimim I C min se face n planul caracteristicilor


de ieire corespunztoare temperaturii minime de lucru a TBJ sau valorilor minime a
paramerilor principali ce caracterizeaz funcionarea n RAN, F min i I CB 0 min , (vezi figura
5.49.a). Caracteristica dinamic este limitat inferior de regiunea de tiere ( axa orizontal)
i, dac V0 max este amplitudinea maxim impus, atunci:

I C > I C min =

V0 max
R L ech

(5.223)

Curentul static maxim de colector I C max se determin n planul caracteristicilor de


ieire corespunztoare temperaturii maxime de lucru a TBJ sau valorilor maxime ale

178

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

parametrilor principali ce caracterizeaz funcionarea n RAN, F max i I CB 0 max , (vezi figura


5.49.b). Caracteristica dinamic este limitat superior de regiunea de saturaie, deci:
V CE

I C < I C max

V CC (V 0 max + V CE sat inc )


RC + RE

(5.224)

Controlul parametrilor de semnal mic este necesar ntruct la modificarea poziiei


punctului static datorit modificrii condiiilor de lucru se modific i valoarea parametrilor
de semnal mic. Stabilizarea punctului static de funcionare cu temperatura duce la
meninerea constant a poziiei acestuia, deci la limitarea variaiilor parametrilor de semnal
mic. Modul de proiectare al reelei de polarizare a TBJ pentru a asigura insensibilizarea TBJ
la variaiile temperaturii a fost prezentat ntr-o seciune anterioar.
Controlul puterii disipate pe TBJ este necesar deoarece temperatura la care lucreaz
structura semiconductoare depinde de valoarea curentului de colector din punctul static de
funcionare. n consecin, punctul static de funcionare trebuie s se plaseze sub hiperbola
de disipaie, iar n cazul tranzistoarelor de putere sau de tesiuni nalte n SOA, evitndu-se
ambalarea termic. Evitarea ambalrii termice se face prin alegerea unui punct static astfel
nct Pd TBJ /I C < 0 , adic

Pd TBJ I C V CE I C [VCC I C (R C + R E )]
Pd TBJ
V CC
= VCC 2 I C (R C + R E ) < 0 I C >
I C
2 (R C + R E )
Extrgnd expresia lui I C din dreapta de sarcin se obine:
V V CE
I C CC
RC + R E
i introducnd aceast relaie n condiia (5.225.b) se determin:
V V CE
VCC
V
I C CC
>
VCE < CC
RC + R E
2 (R C + R E )
2

(5.225)

(5.226)

(5.227)

5.3.5. Parametrii de cuadripol ai TBJ


Aa cum am artat ntr-o seciune anterioar, TBJ indiferent de conexiunea n care
este utilizat n regim dinamic, poate fi tratat ca un cuadripol (vezi figura 5.50). Parametrii de
cuadripol realizeaz o caracterizare general, formal, valabil pentru orice dispozitiv activ
i care nu reflect o legtur simpl cu structura i principiul de funcionare al dispozitivului.
Parametrii de cuadripol depind de punctul static de funcionare, temperatur i frecvena de
lucru i se pot msura cu uurin la bornele TBJ, servind astfel la determinarea parametrilor
modelului natural de semnal mic al TBJ. n acest sens, n condiii de semnal mic, se definesc
urmtoarele seturi de parametri de cuadripol msurabili direct:

Parametrii admitan sunt definii prin setul de ecuaii liniare i omogene:


Ii = yi V i + yr V 0
I0 = yf V i + y0 V 0

(5.228)

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

179

Parametrii compleci y i , y r, y f i y 0 au dimensiunile unor admitane, fapt ce justific


denumirea acestui set de parametri. Mrimea y i este dat de relaia:

yi =

Ii
Vi

(5.229)
V 0=0

i reprezint admitana de intrare cu ieirea n scurtcircuit.


Mrimea y r este dat de relaia:

yr =

Ii
V0

(5.230)
V i=0

i reprezint admitana de transfer invers cu intrarea n scurtcircuit.


Mrimea y f este dat de relaia:

yf =

I0
Vi

(5.231)
V 0=0

i reprezint admitana de transfer direct cu ieirea n scurtcircuit.


Mrimea y 0 este dat de relaia:

y0 =

I0
V0

(5.232)
V i=0

i reprezint admitana de ieire cu intrarea n scurtcircuit.


Circuitul echivalent corespunztor ecuaiilor (5.228) cu parametri admitan este dat
n figura 5.50.
1 Ii

1 Ii

I0 2

Vi

V0

TBJ
1'

2'

a)

Vi

I0 2
yi

1'

y r.V 0

y f.Vi

V0

y0

b)

2'

Figura 5.50. Circuitul echivalent de cuadripol cu parametri admitan.

Parametrii impedan
imped an sunt definii prin setul de ecuaii liniare i omogene:
Vi = z i I i + z r I 0
V0 = z f I i + z 0 I 0

(5.233)

n care parametrii compleci implicai au dimensiunile unor impedane i reprezint:

zi =

Vi
Ii

I 0=0

zr =

Vi
I0

I i=0

- impedana de intrare cu ieirea n gol;

(5.234)

- impedana de transfer invers cu intrarea n gol;

(5.235)

180

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

zf =

V0
Ii

z0 =

V0
I0

- impedana de transfer direct cu ieirea n gol;

(5.236)

- impedana de ieire cu intrarea n gol.

(5.237)

I 0=0

I i=0

Circuitul echivalent corespunztor ecuaiilor (5.233) cu parametri impedan este dat


n figura 5.51.
1 Ii

zi

z0

z r. I0 ~

Vi

I0 2

~ z f . Ii

V0

1'

2'

Figura 5.51. Circuitul echivalent de cuadripol cu parametri impedan.

Parametrii hibrizi sunt definii prin setul de ecuaii liniare i omogene:


Vi = h i I i + h r V 0
I 0 = h f I i + h 0 V0

(5.238)

n care parametrii compleci implicai i-au ctigat popularitatea datorit legturii simple
cu parametrii modelului natural de semnal mic al TBJ, mai ales la frecvene joase, i
reprezint:

hi =

Vi
Ii

V 0=0

hr =

Vi
V0

I i=0

hf =

I0
Ii

V 0=0

h0 =

I0
V0

- impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit;

(5.239)

- factorul de transfer n tensiune invers cu intrarea n gol;

(5.240)

- factorul de transfer n curent direct cu ieirea n scurtcircuit;

(5.241)

- admitana de ieire cu intrarea n gol.

(5.242)

I i=0

Circuitul echivalent corespunztor ecuaiilor (5.238) cu parametrii hibrizi este


reprezentat n figura 5.52.
1 Ii

hi

I0 2

.
~ h r V0

Vi
1'

h f.I i

h0

V0
2'

Figura 5.52. Circuitul echivalent de cuadripol cu parametri hibrizi.

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

181

Parametrii g sunt definii prin setul de ecuaii liniare i omogene:


I i = g i Vi + g r I 0
V0 = g f V i + g 0 I 0

(5.243)

n care parametrii compleci implicai reprezint:

gi =

Ii
Vi

I 0=0

gr =

Ii
I0

V i=0

gf =

V0
Vi

I 0=0

g0 =

V0
I0

V i=0

- admitana de intrare cu ieirea n gol;

(5.244)

- factorul de transfer n curent invers cu intrarea n scurtcircuit;

(5.245)

- factorul de transfer n tensiune direct cu ieirea n gol;

(5.246)

- impedana de ieire cu intrarea n scurtcircuit.

(5.247)

Circuitul echivalent corespunztor ecuaiilor (5.243) cu parametrii g este reprezentat


n figura 5.53.
g0

1 Ii
Vi

gi
1'

g r. I0

I0 2

.
~ gf V i

V0
2'

Figura 5.53. Circuitul echivalent de cuadripol cu parametri g .

n cataloagele de tranzistoare, n general, pentru TBJ de joas i medie frecven se


dau parametrii hibrizi, iar pentru tranzistoarele de frecvene nalte sunt dai parametrii
admitan. Modelarea cu parametrii de cuadripol se aplic tranzistorului n orice conexiune,
dar pentru analiza unui circuit nu este necesar s folosim mai multe seturi de parametri
hibrizi, unul singur fiind suficient.
Aa cum am artat mai sus parametrii hibrizi de cuadripol sunt cei mai utilizai
pentru descrierea TBJ la frecvene joase datorit legturii simple cu parametrii circuitului
natural de semnal mic al acestuia. n continuare se relev aceast legtur pentru un TBJ n
conexiune EC, folosind schemele echivalente prezentate n figura 5.54.
Din schema echivalent 5.54.a se deduce impedana de intrare cu ieirea n
scurtcircuit a TBJ:

hi =

Vi
Ii

= rx + r r r x + r.
V 0=0

(5.248)

182

Cap. 5. Tranzistorul bipolar cu jonciuni

rx

Ii

Vi

hie
Ii

r0

V0

I0
gm.V b'e r 0

V
Vi hre = Vi

b.

Vb'e

I i=0

gm.V b'e r

a.
rx

rx

I
hre = I i

r V b'e

c.

I0
gm.V b'e

r0

V0

d.

hoe

Figura 5.54. Relevarea legturii dintre parametrii h i parametrii naturali ai TBJ


de tip npn n conexiune EC.

Factorul de transfer n tensiune invers cu intrarea n gol al TBJ se determin din


schema 5.54.b:

hr =

Vi
V0

=
I i=0

r + r

(5.249)

iar factorul de transfer n curent direct cu ieirea n scurtcircuit se deduce din schema
echivalent 5.54.c:

hf =

I0
Ii

=
V 0=0

gm V b e
r
.
= g m (r r ) = F
r + r
Vb e
r r

(5.250)

Schema echivalent din figura 5.54.d conduce la urmtoarea expresie pentru


admitana de ieire cu intrarea n gol:
Vb

h0 =

I0
V0

I i=0

V0
V0
V0 r
+
+
g

m
r0 r + r
r + r 1 F + 1
=
= r0 +
.
r + r
V0

(5.251)

6
TRANZISTOARE CU
EFECT DE CMP CU
GRIL JONCIUNE

6.1. Generaliti
Tranzistoarele n care conducia electric este asigurat de un singur tip de purttori de
sarcin se numesc tranzistoare unipolare. Datorit faptului c funcionarea tranzistoarelor

unipolare se bazeaz pe principiul modulaiei conductivitii unei regiuni semiconductoare,


numite "canal", prin aplicarea unui cmp electric transversal (ce modific fie dimensiunile,
fie concentraiile purttorilor mobili de sarcin corespunztoare canalului), acest tip de
tranzistoare se numesc i tranzistoare cu efect de cmp. Pentru aceste dispozitive se folosete
curent prescurtarea de TEC sau FET (Field Effect Transistor). Tranzistoarele cu efect de
cmp pot fi grupate astfel:
n funcie de compoziia grilei sau porii (elementul de comand prin care se aplic
cmpul transversal ce moduleaz conductivitatea canalului) avem trei tipuri de FET:
cu poart de tip barier Schottky metal-semiconductor, tranzistoarele numindu-se
MESFET;
cu poart de tip metal-izolator-semiconductor (MOS), tranzistoarele numindu-se
MOSFET sau TECMOS;
cu poart de tip jonciune p-n, tranzistoarele numindu-se JFET sau TECJ;
n funcie de geometria grilei avem dou tipuri de FET:
cu grila poziionat pe o singur parte a structurii semiconductoare;
cu grila situat pe dou fee ale structurii semiconductoare;
n funcie de compoziia regiunii semiconductoare a canalului avem:
FET cu canal indus i
FET cu canal iniial, dopat;
n funcie de omogenitatea structurii semiconductoare:
FET omogene;
FET heterogene.
Dintre tranzistoarele cu efect de cmp, acest capitol trateaz pe cele cu poart de tip
jonciune p-n, prezentndu-se caracteristicile statice ideale, circuitele tipice de polarizare,

184

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

modele de semnal mare i de semnal mic corespunztoate JFET. Tranzistoarele MOSFET vor
fi prezentate n capitolul urmtor. Tranzistoarele FET heterogene sunt utilizate cu precdere
n aplicaiile optoelectronice de mare vitez i n cele de comutaie i nu vor fi prezentate n
cadrul acestei lucrri.
Tranzistorul cu efect de cmp cu gril de tip jonciune (JFET sau TECJ) a fost
inventat teoretic de Shockley n 1952 n scopul nlturrii problemelor de instabilitate i
reproductibilitate a caracteristicilor tranzistoarelor MESFET, datorate strii suprafeelor de
contact metal-semiconductor, i fabricat pentru prima dat n 1953 de Decay i Ross. Acest
dispozitiv este n esenun rezistor (o regiune semiconductoare de tip n sau p numit canal
conductiv sau coductor) a crui seciune este controlat de grosimea regiunii de sarcin
spaial a unei (sau a dou) jonciuni p-n. n figura 6.1. este prezentat un JFET
planar-epitaxial cu canal conductiv de tip n. Canalul conductiv are grosimea delimitat de
regiunile de sarcin spaial corespunztoare jonciunilor poat-canal i substrat-canal, aceasta
fiind de 10 100 ori mai mic ca lungimea canalului, iar cele dou capete ale sale sunt
conectate prin contacte ohmice la dou terminale numite dren (D) i surs (S). n cele mai
multe cazuri substratul este legat la acelai potenial cu grila, obinndu-se astfel un "efect de
cmp" aproximativ simetric fa de axa longitudinal. Totui, electrodul corespunztor
substratului poate fi folosit independent, caz n care se obine tetroda cu efect de cmp. Un

control eficace al seciunii canalului se obine dac jonciunile poat-canal i substrat-canal


sunt polarizate invers, deoarece astfel dimensiunile regiunilor de sarcin spaial se modific
semnificativ odat cu modificarea tensiunilor aplicate.

Surs

Dren

Gril

z
y
x

n+

p+

n+

Substrat p+
Substrat

Figura 6.1. Seciune printr-un JFET planar-epitaxial cu canal conductiv de tip n.

Simbolurile grafice folosite pentru cele dou variante de tranzistoare cu efect de cmp
cu gril jonciune planar-epitaxiale, precum i sensul convenional al curenilor i tensiunilor
corespunztoare acestora, sunt reprezentate n figura 6.2. Sgeata din simbolul grafic indic
tipul conductibilitii canalului. Polarizarea normal, pentru funcionarea ca amplificator, a
JFET este de asemenea ilustrat n figura 6.2. Aa cum am menionat anterior pentru un
control eficient al conductibilitii canalului trebuie ca jonciunile poart-canal i
substrat-canal s fie polarizate invers. Astfel, curentul de gril corespunde curentului unor
jonciuni polarizate invers, practic putnd fi considerat nul (I G 0) . n polarizare normal

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

185

curentul de dren I D , avnd sensul convenional, este pozitiv i este aproximativ egal cu cel
de surs I S .
JFET cu canal p
iD D

JFET cu canal n
D
iD
i G _~ 0
G
VGS <0

VDS >0
S

i G _~ 0

VDS <0

G
VGS>0

Figura 6.2. Simbolurile grafice, sensurile convenionale ale tensiunilor i curenilor i


polarizarea normal corespunztoare celor dou tipuri de JFET.

Conexiunile fundamentale ale JFET, atunci cnd acesta este privit ca un diport, sunt:
dren comun (DC), surs comun (SC) i gril comun (GC). De regul, att expresiile
analitice, ct i reprezintrile teoretice i experimentale ale caracteristicilor statice
corespunztoare JFET sunt date pentru conexiunea SC.
Tranzistoarele cu efect de cmp cu gril jonciune au avantaje importante fa de
tranzistoarele bipolare cu jonciuni, din care enumerm urmtoarele:
rezistena de intrare pe electrodul de poart este foarte mare (sute sau mii de M )
permind astfel realizarea unor amplificatoare cu rezisten de intrare foarte mare;
prezint cel mai mic zgomot 1/f i 1/f 2 la frecvene joase dintre toate tranzistoarele
bipolare i unipolare realizate n tehnologii uzuale;
dependena de temperatur a caracteristicilor statice este mult mai redus.
Totui, n comparaie cu tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cmp nu
amplific n curent i, datorit pantei mici a caracteristicilor statice, amplificarea lor n
tensiune este mic.

6.2. Teoria JFET n regim staionar


n aceast seciune vor fi prezentate caracteristicile statice corespunztoare modelului
simetric idealizat al JFET, abaterile comportrii reale a JFET de la aceste caracteristici ideale,
variaia cu temperatura a caracteristicilor statice i circuitele de polarizare tipice ale JFET.

6.2.1. Caracteristicile statice ale JFET


Analiza funcionrii structurii semiconductoare a JFET se va face pentru dispozitivul
cu canal conductiv n n conexiune SC, folosind un model numit "simetric idealizat", prezentat
n figura 6.3.a, ce implic:
neglijarea rezistenelor regiunilor cvasineutre ale drenei i sursei;
jonciuni p+-n asimetrice abrupte;
canal uniform dopat avnd pe fiecare parte dou grile simetrice.

186

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

x
D

2b

Canal n
L

2a

VDS=0

a.

G
VGS

G
S

l(y)

Canal n
V(y)

b(y)
l(y)

b.

VDS
VDS=VDSsat +V

G
VGS
Figura 6.3. Modelul simetric idealizat folosit pentru studiul funcionrii JFET.

Pentru fiecare jonciune exist o regiune golit care n absena tensiunilor de


polarizare prezint o diferen intern de potenial
N N
B 0 = V T ln A 2 D
ni

(6.1)

i o lrgime:

l 0 l n 0 (2 B 0 )/(q N D )

(6.2)

Considernd terminalele dren i surs legate la mas i polarizarea grilei la un


potenial negativ (V GS < 0 ), potenialul canalului conductiv va fi practic nul, iar profilul
acestuia uniform aa cum indic figura 6.3.a. Utiliznd aproximaia de golire lrgimea
regiunii de sarcin spaial a unei jonciuni p-n a grilei este:

l = a b ( y) l n

2 ( V )
B0
GS

q ND

(6.3)

Dac tensiunea aplicat grilei se negativeaz puternic grosimea canalului, b (y) , poate
deveni nul. Tensiunea gril-surs corespunztoare acestei nchideri a canalului conductiv se
numete tensiune de prag sau de tiere i este dat de relaia:

VP = B 0

q ND
2

a2

(6.4)

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

187

Atunci cnd tensiunea V GS devine egal cu tensiunea de prag V P , ideal canalul este
golit n totalitate de purttori, iar curentul care curge ntre dren i surs este nul. Aceast
situaie corespunde intrrii n regim de tiere sau blocare a JFET. n consecin, plaja de
tensiuni V GS corespunztoare unei funcionri eficace a JFET este:

V P < V GS < 0 .

(6.5)

n acest domeniu de tensiuni, considernd n continuare terminalele surs i dren


conectate la mas, conductana canalului este dat de relaia:

G = q n ND
= q n ND

2 b ( y) W

2 a

2 ( V ) W
B0
GS
q ND

( B 0 V GS )
= q n ND 2 a W 1
=
( B 0 V P )
L

( B 0 V GS )
= G0 1
( B 0 V P )

n care W reprezint limea canalului, iar mrimea G 0 dat de relaia:


G =q N 2 a W = 2 a W
0

(6.6)

(6.7)

poate fi considerat cu aproximaie conductana maxim a canalului, obinut pentru V GS = 0 .


Se consider acum situaia n care pe gril se aplic o tensiune negativ V GS , cuprins
n gama dat de relaia (6.5), iar pe dren o tensiune pozitiv V DS , sursa fiind legat la mas.
n aceast situaie potenialul canalului nu mai este uniform, n dispozitiv existnd un cmp
transversal datorat tensiunii V GS i un cmp longitudinal datorat aplicrii tensiunii V DS .
Determinarea analitic a distribuiei bidimensionale a cmpului electric este dificil i, de
aceea, pentru simplificarea analizei funcionrii structurii Shockley a propus o aproximaie,
cunoscut sub denumirea de aproximaia gradual a lui Shockley, care consider c
modificarea lrgimii canalului se realizeaz suficient de lent astfel nct, n fiecare seciune
transversal a acestuia, s poat fi aplicat modelul unidimensional. n conformitate cu acesta,
notnd cu V(y) potenialul canalului la distana y de surs i folosind relaiile (6.3) i (6.4),
lrgimea canalului la aceast coordonat este:

2 b (y) = 2 [a l (y)] = 2 a 2 [ B 0 + V(y) V GS ] =


q ND

B 0 + V(y) V GS
= 2 a 1

B 0 VP

(6.8)

Legea lui Ohm pentru conducia curentului n canal n cazul n care acesta este deschis
indiferent de coordonata y considerat, adic V GS V(y) > V P , y [0, L], este:

Jy = E y

(6.9)

unde J y reprezint densitatea de curent la coordonata y , E y este componenta pe axa y a


cmpului electric, iar conductivitatea canalului.

188

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

Relaia (6.9) se poate scrie i astfel:


dV(y)
I D
=
dy
W 2 b ( y)

(6.10)

Integrnd expresia de mai sus n lungul canalului se obine:


L

V (L)

0 I D dy = W V (0) 2 b (y) dV(y)

(6.11)

nlocuind expresia (6.8) n relaia (6.11), integrnd i innd seama c V(0) = 0 i


V(L) = V DS se obine:

( B 0 + V DS V GS ) 3/2 ( B 0 V GS ) 3/2

3
B 0 VP

I D = G 0 V DS 2

(6.12)

Aceasta este ecuaia ce permite determinarea caracteristicilor statice corespunztoare


JFET. Astfel, caracteristicile de transfer corespunztoare dispozitivului sunt date de relaia
I D = I D (V GS ) V DS = ct. , iar caracteristicile de ieire de relaia I D = I D (V DS ) V GS = ct. .
Mai nti se vor trasa caracteristicile de ieire teoretice. Pentru tensiuni de dren mici
( V DS << B 0 ) , tranzistorul se comport ca un rezistor aproximativ liniar. Pentru tensiuni
V DS mai mari, extinderea regiunii de sarcin spaial lng dren ngusteaz canalul,
conducnd la creterea rezistivitii acestuia i, deci, la curbarea accentuat a caracteristicilor.
nchiderea canalului la dren se produce pentru tensiunea V DS furnizat de ecuaia:

b (L) = a 1

B 0 + V(L) V GS
B 0 + V DS V GS
= a 1

=0
B 0 VP
B 0 VP

(6.13)

Soluia acestei ecuaii este:

V DS = V GS V P

(6.14)

Crescnd tensiunea de dren peste aceast valoare ce corespunde nchiderii canalului


(vezi figura 6.3.b), n concordan cu aproximarea de golire aplicat regiunilor de sarcin
spaial ale dispozitivului, curentul de dren rmne teoretic constant, electronii majoritari
traversnd regiunea de sarcin spaial format la dren exact n acelai mod n care electronii
minoritari din baza unui TBJ de tip npn traverseaz regiunea de sarcin spaial a
colectorului. Dac tensiunea de dren crete i mai mult, regiunea golit de lng dren se
ngroa, ceea ce conduce la o scurtare a canalului conductiv, L < L , dar potenialul
canalului V(L ) este tot V GS V P i, n consecin, curentul de dren este cu aproximaie tot
acelai. De aceea, tensiunea de dren dat de relaia (6.14) poart denumirea de tensiune de
saturaie :

V DS sat = V GS V P

(6.15)

Astfel, curentul corespunztor situaiei de nchidere a canalului la dren, determinat


prin nlocuirea relaiei (6.15) n expresia (6.12), este:

( B 0 V P ) 3/2 ( B 0 V GS ) 3/2

3
B 0 VP

I D sat = G 0 V GS V P 2

V DS

(6.16)

Valoarea maxim teoretic a curentului de dren, notat I DSS , se obine pentru


V DS sat i V GS = 0 i este dat de urmtoarea expresie:

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

189

( B 0 V P ) 3/2 ( B 0 ) 3/2

3
B 0 VP

I D SS = G 0 V P 2

(6.17)

Caracteristicile statice teoretice de ieire sunt reprezentate n figura 6.4.a.


Caracteristicile statice de transfer I D = I D (V GS ) V DS = ct. se deduc tot din relaia (6.12).
Acestea prezint interes numai pentru tensiuni V DS V DS sat , regiune n care acest tranzistor
este folosit ca amplificator i care poart denumirea de regiune de saturaie sau regiune de
nchidere a canalului la dren. Trebuie remarcat faptul c termenul de saturaie la JFET are o
cu totul alt semnificaie dect la TBJ, regiunea de saturaie a JFET corespunznd practic
regiunii active normale a TBJ. Cum expresia curentului de dren n regiunea de saturaie nu
mai depinde de tensiunea de dren, teoretic, tranzistorul n aceast regiune are o singur
caracteristic de transfer dat de relaia (6.16). Caracteristicile statice teoretice de ieire sunt
reprezentate n figura 6.4.a., iar cea de transfer n figura 6.4.b.
JFET cu canal n
ID

JFET cu canal p

Saturaie

-VP

VGS =0

VDS

VGS2

VGS1 <0

VGS1 <VGS2

VGS2 <VGS1
VGS3

VGS =0

VP

VP

Saturaie

VDS

ID

ID

a.

IDSS

ID

VP >0

VGS

VGS
VP <0

b.

-IDSS

Figura 6.4. Caracteristicile statice teoretice ale JFET:


a) caracteristica de ieire; b) caracteristica de transfer.

6.2.2. Abateri de la caracteristicile statice ideale ale JFET


Abaterile de la caracteristicile ideale ale JFET se datoreaz att ignorrii geometriei
reale a structurii, ct i aproximrilor funcionale folosite pentru deducerea acestora. n figura

190

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

6.5 sunt prezentate caracteristicile statice experimentale de ieire I D = I D (V DS ) V GS = ct. pentru


cele dou tipuri diferite de JFET, unul discret cu canal n i altul integrat cu canal p.
ID 12
[mA]

VGS =0V

10

-0,5V
-1V

a.

-2V

-2,5V

-3,5V
0

-7

-6

-5

-4

VGS=1V
0,5V

-3

-2

-1

10

ID [mA]

15 20

VDS
25 30 [V]

VDS
[V]

-0,5
-1
-1,5

0V

b.

-2
-2,2

Figura 6.5. Caracteristicile statice experimentale de ieire:


a) pentru un JFET discret cu canal n; b) pentru un JFET integrat cu canal de tip p.

n funcie de mrimea tensiunii de dren pe caracteristicile statice de ieire distingem


mai multe regiuni: regiunea liniar a caracteristicilor pentru V DS (0, 1 0, 2)V , regiunea
neliniar pentru tensiuni de dren cuprinse n intervalul V DS [(0, 1 0, 2)V;V DS sat ],
regiunea de saturaie pentru V DS [V DS sat , V (BR )DS ] i regiunea de strpungere.
La JFET reale regiunea de liniaritate este puin mai extins dect cea prezis de teorie
datorit cderilor de tensiune suplimentare pe regiunile cvasineutre ale drenei i sursei ce nu
sunt "acoperite" de jonciunea grilei, iar dependena pantei caracteristicilor de tensiunea V GS
este mai accentuat.
n regiunea neliniar caracteristicile reale difer foarte puin de cele prezise de teorie,
diferenele minore datorndu-se cderii transversale a curentului principal al structurii pe
regiunile rezistive corespunztoare drenei i sursei, ce face ca tensiunea ce cade pe canalul
conductiv intern s fie mai mic ca cea aplicat din exterior. Crescnd tensiunea V DS peste
limita corespunztoare nchiderii canalului se constat c, spre deosebire de prediciile teoriei,
n regiunea de saturaie curentul de dren are o uoar cretere. Aceast cretere este

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

191

rezultatul cumulrii mai multor cauze dintre care cele mai semnificative sunt: creterea
conductanei canalului G 0 datorit micorrii lungimii acestuia, efect ce poart denumirea de
modulaia canalului, i contribuia curentului de generare-recombinare corespunztor regiunii
de sarcin spaial din regiunea drenei.
Atunci cnd tensiunea V DS crete foarte mult, la captul de lng dren, unde canalul
s-a nchis, apare strpungerea prin multiplicare n avalan a jonciunii poart-canal.
Deoarece JFET este un dispozitiv a crui funcionare nu depinde de concentraiile de purttori
minoritari, procesul de strpungere este lipsit de complicaii. Strpungerea are loc atunci cnd
tensiunea gril-canal atinge i depete valoarea critic V BR , corespunztoare strpungerii
jonciunii. Astfel pentru un JFET cu canal n vom avea:

V (BR)DS V GS = V BR ,

(6.18)

obinnd tensiunea de strpungere dren-surs uor cresctoare cu V GS :

V (BR)DS = V GS + V BR

(6.19)

Dintre toate JFET, cele realizate prin implantare ionic au cele mai mari tensiuni de
strpungere dren-surs.

6.2.3. Modele statice de semnal mare pentru JFET


Rezultatele obinute pn acum permit elaborarea unor modele statice de semnal mare
pentru JFET n cele dou regiuni de interes n care acesta este folosit cu preponderen:
regiunea liniar i regiunea de saturaie. Aceste modele se folosesc pe scar larg n calculul
punctelor statice de funcionare corespunztoare JFET.

n regiunea liniar, JFET este asimilat unui rezistor a crei valoare este comandat
electronic de tensiunea gril-surs, n conformitate cu relaia:
I D = G V DS

(6.20)

n care G reprezint conductana canalului dat de relaia (6.6).

n regiunea de saturaie, caracteristica de ieire este modelat de relaia:


I D = I DSS 1

V GS 2 (
1 + V DS )
VP

(6.21)

iar caracteristica de transfer de relaia:

V GS 2
(6.22)
VP
Semnificaia parametrului , negativ pentru un JFET cu canal p i pozitiv pentru un
JFET cu canal n, este ilustrat n figura 6.6.b. Acesta modeleaz, n principal, efectul
modulaiei lungimii canalului conductiv i corespunde inversului tensiunii Early de la TBJ.
Valoarea tipic a acestui parametru este de 10 2 V 1 .
Modelele teoretice prezentate mai sus sunt ilustrate n figura 6.6 att sub forma unor
caracteristici idealizate, ct i sub forma unor circuite echivalente dispozitivului studiat.
I D = I DSS 1

192

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

ID V
GS3 >VGS2
VGS2 >VGS1
VGS1

ID

Regiune de
saturaie

ID

VGS=0V
VGS1

VGS VDS

VGS2 <VGS1

VGS =VP VDS


1

a.
1
0,8

ID
IDSS

b.

G
VGS <0

Legea ptratic

0,6

Caracteristica TECJ
cu jonciuni abrupte

0,4

1 VGS

VP

c.

VGS 2
)
VP

- IDSS .(1-

nJFET

G= VDS >0
S

VGS >0
0,2 0,4 0,6 0,8

IDSS .(1-

S
G

0,2
0

VDS

pJFET

VGS 2
) G= VDS <0
VP

d.

Figura 6.6. Modele statice de semnal mare pentru JFET:


a) caracteristici statice i circuitul echivalent pentru regiunea liniar; b) caracteristica
static de ieire idealizat; c) caracteristica static de transfer idealizat valabil n
regiunea de saturaie; d) circuite echivalente pentru JFET n regiunea de saturaie.

6.2.4. Efectul variaiei temperaturii asupra caracteristicilor statice ale


JFET
Pentru acest tip de dispozitiv efectul variaiei temperaturii se apreciaz n planul
caracteristicilor statice de transfer, caracterizate de cei doi parametri importani n
funcionarea JFET: curentul maxim la saturaie I DSS i tensiunea de prag V P .
Odat cu creterea temperaturii, I DSS scade deoarece G 0 scade datorit scderii
mobilitii purttorilor de sarcin (vezi subcapitolul 2.5.1), iar modulul tensiunii de prag
crete datorit scderii diferenei interne de potenial B 0 . n consecin, variaia
caracteristicilor de transfer cu temperatura este cea ilustrat n figura 6.7.
Se observ c n funcie de plasarea punctului static de funcionare al JFET pe
caracteristic, coeficientul de temperatur al JFET

cI =

I D
T

V GS = ct.

(6.23)

poate s fie negativ (poriunea MI DSS a caracteristicii), pozitiv (poriunea V P M a


caracteristicii) i nul (punctul M al caracteristicii).

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

193

ID
IDSS1
IDSS2

VP2

ID 0

VP1

VGS

Figura 6.7. Variaia caracteristicilor statice de transfer cu temperatura.

Zona preferat de lucru este cea corespunztoare curenilor mari (regiunea MI DSS a
caracteristicii de transfer), corespunztoare relaiei I D I D 0 , zon n care i panta
tranzistorului

gm =

di D
dv GS

(6.24)
v DS = ct.

este mai mare. Deoarece n aceast regiune coeficientul de tempetatur c I este negativ rezult
c la JFET problema ambalrii termice nu se pune. Coordonata I D 0 corespunztoare
punctului M, n care c I = 0 , este indicat uneori n catalog sau se poate calcula cu formula
aproximativ:

I D 0 0, 43

I DSS
V P2

(6.25)

6.2.5. Circuite de polarizare pentru JFET


Circuitele de polarizare ale JFET trebuie s asigure polarizarea acestuia ntr-un anumit
punct de funcionare n regim static (punct static de funcionare), caracterizat de coordonatele
(I D , V DS ), i meninerea funcionrii JFET n acest punct n condiiile unei temperaturi
variabile i a unei dispersii de fabricaie a parametrilor structurii semiconductoare. Aa cum
am artat n subcapitolul precedent, se recomand a se dimensiona reeaua de polarizare
pentru un curent de dren I D I D 0 , asigurnd astfel evitarea problemelor legate de disiparea
puterii n dispozitiv, iar n cazul n care curentul de dren este apropiat ca valoare de I D 0 ,
chiar o stabilitate termic n funcionarea JFET. Dispersia de fabricaie a parametrilor JFET
este foarte mare, raportul valorilor extreme poate s fie uneori de 5/1, i de aceea se
recomand ca n proiectare s se in seama de acest fapt.
Cele mai uzuale circuite de polarizare ale JFET sunt reprezentate n figura 6.8 pentru
un dispozitiv cu canal n.

194

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

VDD

VDD

RD
T

a.
RG

VGS

RD

R1

b.
R2

RS

VGS

RS

Figura 6.8. Circuite tipice de polarizare ale JFET: a) circuit de polarizare automat a
grilei; b) circuit de poarizare cu divizor rezistiv pe poart.

n circuitul de polarizare prezentat n figura 6.8.a polarizarea grilei se realizeaz prin


cderea de tensiune dat de curentul de surs I S = I D pe rezistena R S i de aceea circuitul se
numete de polarizare automat a grilei. Tensiunea de polarizare se aplic pe gril prin
rezistena R G , care are valori de ordinul M . Relaiile ce caracterizeaz circuitul sunt:

V GS = R S I D
V DD = I D (R D + R S ) + V DS

(6.26)

Prima relaie a ecuaiilor (6.26) definete dreapta de polarizare a JFET ce se figureaz


n planul caracteristicii de transfer a acestuia. Cderea de tensiune pe rezistena de gril R G a
fost neglijat deoarece valoarea acesteia este foarte mic n comparaie cu R S I D , n ciuda
valorii ridicate a R G . De exemplu, pentru I G = 10 9 A cderea de tensiune pe R G este de
ordinul mV.
Dispozitivul este caracterizat n regiunea de saturaie de caracteristica de transfer a
acestuia:

I D = I DSS 1

V GS 2
VP

(6.27)

Intersecia ntre dreapta de polarizare i caracteristica de transfer determin punctul


static de funcionare al dipozitivului. Rezolvarea analitic (respectiv numeric) a sistemului
de gradul doi format din ecuaiile (6.26.a) i (6.27) conduce la determinarea a dou soluii,
una adevrat i una fals, aa cum este ilustrat n figura 6.9.a. Evident, numai soluia
corespunztoare unei tensiuni V GS (V P , 0) este corect. Astfel, ecuaia

I D2
I +1 =0
2
1 +
D
2
I DSS ( V P /R S )
( V P /R S )

(6.28)

furnizeaz soluiile:
2

I D ,

1 +
1 +
2
2 4
1

I
I
V
/
R
V
/
R
DSS
DSS
P
S
P
S
( V P /R S ) 2
=
1
2
( V P /R S ) 2

2
1 +

I
V
DSS
P /R S

, (6.29)

iar relaia (6.26.a) furnizeaz tensiunile de gril corespunztoare:

V GS , = R S I D ,
i folosind criteriul prezentat mai sus se alege soluia corect.

(6.30)

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

195

Datorit dispersiei parametrilor de fabricaie ai JFET, caracteristica static furnizat de


catalog este nesigur (vezi figura 6.9.b n care s-au reprezentat caracteristicile extreme), iar
proiectarea unui circuit de polarizare de acest tip care s menin n limite dorite (de obicei
impuse de aplicaiile n care dispozitivul este folosit) curentul de dren este dificil, dac nu
imposibil cnd aceste limite sunt foarte mici. n figura 6.9.b este relevat acest fapt, prin
reprezentarea a dou tipuri de limite corespunztoare punctului static de funcionare: (A, B)
pentru care este posibil gsirea unei drepte corespunztoare de polarizare care s treac prin
origine (deci a unui circuit de autopolarizare) i (B', B) pentru care nu se poate asigura
polarizarea cu acest tip de circuit.
ID

Soluie fals
VGS = RD.I D

ID

V
ID= IDSS .(1- GS )2

IDSSmax

VP

Soluie adevrat

IDSSmin
VGS = RD.I D

A
B'

VGS
VP

Caracteristic real
a.

IDA
IDB'
IDB

VPmax VPmin
b.

VGS

Figura 6.9. Reprezentarea n planul caracteristicilor de transfer a dreptei de polarizare


corespunztoare unui circuit de autopolarizare.

Circuitul de polarizare care permite meninerea variaiei curentului de dren n limite


strnse odat cu variaia parametrilor tehnologici ai JFET este ilustrat n figura 6.8.b.
Ecuaiile ce caracterizeaz acest circuit sunt:

V GS = V GG R S I D ; V GG =
V DD = I D (R D + R S ) + V DS

R2
V
R 1 + R 2 DD

(6.31)

Prezena a dou grade de libertate, V GG i R S , n dreapta de polarizare (6.31.a), face


posibil gsirea unei soluii chiar n cazul unor limite foarte strnse impuse variaiei
curentului de dren. Reprezentarea n planul caracteristicilor de transfer a dreptei de
polarizare corespunztoare acestui tip de circuit este dat n figura 6.10. Determinarea
punctului static de funcionare se realizeaz n mod similar cazului anterior, nlocuind n
expresia caracteristicii de transfer pe cea a dreptei de sarcin (6.31.a) i rezolvnd ecuaia de
gradul doi rezultat.
Dimensionarea acestei reele de polarizare (R 1 , R 2 , R S , R D ) astfel nct curentul de
dren s se modifice ntre limitele impuse I D max i I D min , iar tensiunea medie dren-surs s
fie V DS med , cnd parametrii tehnologici ai JFET variaz este urmtoarea. Particulariznd
ecuaia 6.27 pentru aceste valori extreme, putem gsi coordonatele punctelor statice de
funcionare din planul caracteristicilor de transfer prin care trebuie s treac dreapta de
sarcin a curentului de dren:

V GS max = V P max 1

I D max

I DSS max

; V GS min = V P min 1

I D min

I DSS min

(6.32)

196

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

ID
IDSSmax
IDSSmin
A
B

IDmax
IDmin

VGS =VGGRD.I D

VPmax VPmin VGSmax VGSmin

VGS

Figura 6.10. Reprezentarea n planul caracteristicilor de transfer a dreptei de polarizare


corespunztoare unui circuit de polarizare cu divizor rezistiv n gril.

Cu aceste date se pot determina parametrii corespunztori dreptei de sarcin:

RS =
V GG

V GS max V GS min
I D max I D min
= V GS max + R S I D max

(6.33)

Folosind ecuaia

V GG =

R2
V
R 1 + R 2 DD

(6.34)

i impunnd o anumit valoare rezistenei de intrare a schemei:

RG = R1 R2
se deduc valorile rezistenelor divizorului de intrare R 1 i R 2 .
Ecuaia (6.31.b) poate furniza valoarea rezistenei de dren R D :
V VD 0
R D = DD
RS
ID 0

(6.35)

(6.36)

6.3. Regimul dinamic al JFET


Proprietile dinamice ale JFET sunt determinate de sarcina din regiunea porii. n
consecin modelul static dat de ecuaiile (6.12), (6.16) i (6.17) sau ecuaiile (6.20) i (6.21)
poate fi extins pentru a include i variaiile rapide ale tensiunii jonciunilor prin adugarea
unei nmagazinri de sarcin care s reflecte suplimentul de curent la terminalul porii atunci
cnd variaz sarcina nmagazinat n regiunile de sarcin spaial ale jonciunilor gril-canal
(sau gril-canal i substrat-canal). Deoarece cmpul n regiunea de sarcin spaial depinde
neliniar de tensiunea de poart, fenomenele de nmagazinare de sarcin nu se vor putea
modela n general printr-o capacitate liniar. Sarcina care se asociaz regiunii golite a
jonciunii poart-canal este dat de relaia:

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

197

Q j = W q N D 0 [a b (y)] dy =
V DS
dy
a
b (y)]
dV =
= W q ND
[
0
dV
V DS
W 2 b (V )
[a b (V )]
= W q ND
dV =
0
ID
V DS
b (V )
G
= W q N D 0 [a b (V )] a dV
0
ID

(6.37)

Folosind expresia (6.8) i integrnd se obine expresia sarcinii Q j care poate fi folosit
n determinarea capacitilor gril-surs i gril-dren de semnal mare. De exemplu,
capacitatea gril-surs se determin cu relaia:
1
C GS = v

C gs dv GS
GS f v GS i v GS i
dQ j
C gs =
dv GS V DS = ct.
v GS f

(6.38)

n acest fel modelele statice reprezentate n figura 6.6 pot fi completate prin adugarea
capacitilor C GS i C GD ce modeleaz variaia sarcinii acumulate n structur i a capacitii
C DS , capacitate parazit datorat geometriei reale a JFET. Se obine astfel:

i D (v GS , v DS ) = I D (v GS , v DS ) C GD
dv GS
i G (v GS , v DS ) = C GS
dt

dv DS
dt

v GS = ct.

dv DS
+ C GD
dt
v DS = ct.

(6.39)

v GS = ct.

6.3.1. Regimul dinamic de semnal mic al JFET


Determinarea unui model de semnal mic pentru JFET se poate realiza prin utilizarea
unor metode similare acelora folosite la TBJ. Deoarece aceast structur este folosit ca
amplificator n regiunea de saturaie a caracteristicilor statice, circuitul echivalent de semnal
mic se va determina pentru funcionarea n aceast regiune. Folosind ecuaiile modelului de
control prin sarcin al JFET, prin aplicarea relaiilor (5.131) se obin elementele modelului
echivalent de semnal mic. Difereniind ecuaia (6.39.a) i (6.37) se obin urmtorii parametri:
transconductana de semnal mic sau panta JFET

gm =

I D
V GS

=
V DS = ct.

2 ID
2 I DSS
V

1 GS ;
V GS V P
VP
VP

(6.40)

conductana de ieire de semnal mic


gd =

I D
V DS

= I DSS 1 GS

VP
V GS = ct.

capacitatea gril-surs de semnal mic


dQ j
C gs =
,
dv GS V DS = ct.

2 V <<1
DS

ID ;

(6.41)

(6.42)

care n cazul unui profil de impuriti gradat (nu abrupt) poate fi determinat cu
formula aproximativ:

198

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

C gs =

C gs 0
, C gs 0 = C gs
1 + V GS

(6.43)

V GS =0, V DS =ct.

B0

capacitatea gril-dren de semnal mic


dQ j
C gs =
,
dv DS V GS = ct.

(6.44)

care n cazul unui profil de impuriti gradat (nu abrupt) poate fi determinat cu
formula aproximativ:

C gd =

C gd 0
, C gd 0 = C gd
1 + V GD

(6.45)

VGD =0, V GS =ct.

B 0

Relaia (6.40) relev dependena liniar a transconductanei g m de tensiunea V GS i


faptul c valoarea acesteia este dictat att de curentul de polarizare ct i de dimensiunile
JFET, n particular de raportul W/L. De asemenea trebuie observat faptul c la cureni de
polarizare egali (I D = I C ), transconductana JFET este simitor mai mic dect
transconductana TBJ.
n figura 6.11 este prezentat circuitul echivalent de semnal mic complet al unui JFET,
valabil pentru ambele tipuri de tranzistoare: cu canal n i cu canal p. Alturi de elementele
prezentate mai sus, n aceast figur au fost reprezentate cu linie punctat i elementele
parazite de semnal mic corespunztoare structurii reale a JFET: rezistenele serie ale drenei i
sursei i capacitarea dren-surs. Valorile tipice ale elementelor modelului de semnal mic
sunt: g m [0, 1; 10] mA/V , r d = 1/g d [50; 100] K , C gs 0 [1; 4] pF, C gd 0 [0, 3; 1] pF ,
C ds [0, 1; 1] pF, r serie d , r serie s [50; 100] .
G
Vgs
S'

rserie d D

Cgd
Cgs

gm. Vgs

rd

Cds

rserie s

S'

Figura 6.11. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET.

6.3.2. Specificarea rspunsului n frecven al JFET


Performanele la frecvene nalte ale JFET, ce lucreaz n condiii de semnal mic, se
apreciaz, n marea majoritate a cazurilor, prin valoarea unor frecvene caracteristice:
frecvena de tiere a tranzistorului, f T , i produsul amplificare-band, PBW .
Folosind circuitul echivalent din figura 6.12 determinm expresia amplificrii n
curent a tranzistorului cu ieirea n scurtcircuit, la frecvene nalte.

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

I0 D
G Ig

Cgd
Cg s

Vgs

Vgs

199

DI0
gm. Vgs

rd

Cds

Figura 6.12. Circuitul echivalent de semnal mic pentru JFET n conexiune SC


cu ieirea n scurtcircuit.

Aplicnd Kirchhoff I n nodurile de intrare i de ieire ale circuitului echivalent de


semnal mic din figura 6.12, se obin expresiile curenilor de interes:

I g = j (C gs + C gd ) V gs
I 0 = g m V gs j C gd V gs

(6.46)

i deci

AI =

I0
g m j C gd
=
I g j (C gs + C gd )

<<

gm
C gs

gm
j (C gs + C gd )

(6.47)

n consecin expresia frecvenei pentru care modulul ctigului n curent devine


unitar (frecvena de tiere) este:
gm
fT = 1
(6.48)
2 C gs + C gd
Cellalt factor de merit al JFET se determin din expresia amplificrii n tensiune a
JFET (vezi figura 6.13). Aplicnd teorema lui Miller se obine circuitul echivalent din figura
6.13.b, n care:

C gd = (1 K) C gd
K >>1

C gd = 1 1 C gd C gd

K
K g m (r d R L ) = g m R L ech
G
Vgs
S

Cgd

D
gm. Vgs r d

Cg s
a.

Cds
S

(6.49)

Teorema G
lui
Miller
RL

Vgs
S

D
Cgs C'gd

gm. Vgs rd Cds C"gd RL V0

b.

Figura 6.13. Circuitul echivalent de semnal mic pentru JFET n conexiune SC cu


sarcin conectat pe ieire.

200

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

n consecin, din analiza pe circuit deducem expresia amplificrii n tensiune:

V0
g m R L ech
=
=
V gs

1 + j C gd + C ds R L ech
AV 0
A V 0ideal
=
=

1 + j S (1 + out ) 1 + j

AV =

(6.50)

n care parametrii implicai reprezint:


A V 0 - amplificarea n tensiune la frecvene joase,

A V 0 = g m R L ech ;

(6.51)

A V 0ideal - amplificarea ideal n tensiune la frecvene joase,


A V 0 ideal = g m R L ;

(6.52)

out - abaterea relativ a amplificrii n tensiune la frecvene joase fa de cea


corespunztoare JFET ideal intrinsec,

out = r dL ;

(6.53)

S - pulsaia corespunztoare frecvenei limit superioare a JFET,


K >>1
1
1
S =

C + C ds R L ech
C + C ds R L ech
gd

gd

(6.54)

Produsul amplificare-band este dat de expresia analitic:


K >>1
gm

PBW = A V 0 S =

2 2 C + C
K >>1

gm
2 C gd + C ds

gd

C ds 0

ds

gm
2 C gd

(6.55)

6.3.3. Exemple de utilizare a modelului de semnal mic al JFET


Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu JFET n conexiune SC
O schem practic de amplificator cu JFET n conexiune SC este reprezentat n
figura 6.14. Ca i n cazul amplificatoarelor cu TBJ, capacitile C G i C D se numesc
capaciti de cuplaj deoarece au rolul de a cupla generatorul de semnal, respectiv rezistena de
sarcin, iar capacitatea C S se numete capacitate de decuplaj, avnd exact acelai rol ca i
capacitatea C E la amplificatoarele cu TBJ. La frecvenele de lucru aceste capaciti trebuie s
prezinte impedane neglijabile, adic trebuie s se comporte ca nite scurtcircuite.

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

201

VDD
RD

R1
CG

Rg Ig

Vg

RL

Rg
Vg ~

CD

RG

RS CS

R2

D
gm. Vgs r d RD

Vgs

RL V0

Zout

b.

a.

Rg Ig
RG

Vg

G Cgd

Cgs Vgs

gm. Vgs r d Cds RD

S
Rg Ig
Vg

S
c.

Zout
D

gm. Vgs r d Cds C"gd RD

Cgs + C'gd Vgs

RG

RL V0

d.

RL V0
Zout

Figura 6.14. Amplificator de semnal mic cu JFET n conexiune SC.

Analiza acestui etaj de amplificare necesit parcurgerea acelorai etape ca i n cazul


TBJ, adic:
analiza n curent continuu, ce are ca punct final determinarea punctelor statice de
funcionare ale dispozitivelor schemei;
determinarea parametrilor dinamici de semnal mic corespunztori dispozitivelor
circuitului;
determinarea schemei echivalente de semnal mic n curent alternativ;
determinarea performanelor de interes ale amplificatorului prin analiz pe schema
echivalent de semnal mic.
Analiza de curent continuu se reduce la determinarea soluiilor sistemului de ecuaii
format din relaiile (6.31) i (6.27). Odat ce au fost determinate coordonatele punctului
static, se trece la verificarea funcionrii n regim de saturaie a JFET. Aceast verificare se
realizeaz prin compararea tensiunii dren-surs cu tensiunea corespunztoare pragului de
saturaie, adic:

V DS = V DD I D (R S + R D ) V DS sat = V GS V P

(6.56)

Schemele echivalente de semnal mic i frecvene joase, respectiv nalte, determinate n


urma parcurgerii celor dou etape prezentate n capitolul 5.3.4, sunt date n figura 6.14.b, c.
Unilateralizarea JFET, respectiv a etajului de amplificare, este prezentat n figura 6.14.d.
Impedanele de intrare i de ieire la frecvene joase sunt:

202

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

Vg
= RG + Rg
Ig
V
Z out 0 = 0
=r R
I 0 V =0 d D
Z in 0 =

(6.57)

Amplificarea n tensiune la frecvene joase este dat de expresia:


R L ech

V 0 g m V gs (r d R D R L ) g m R L ech
=
=
=
Vg
Rg + RG
Rg + RG
V gs
RG
RG
A V 0 ideal
g m R L
g m R L ech
=
=
=
Rg
Rg
R L (1 + in ) (1 + out )

1+
1+
1+

RG
RG
rd RD

AV 0 =

(6.58)

La frecvene nalte capacitatea de intrare, considerabil mrit prin efect Miller, tinde
s scurtcircuiteze intrarea i din aceast cauz amplificarea n tensiune scade. Expresia
capacitii de intrare a etajului este:
C in = C gs + C gd = C gs + C gd (1 K ) = C gs + C gd (1 + g m R L ech )

(6.59)

iar expresiile impedanelor caracteristice amplificatorului sunt:

Vg
RG
= Rg +
Ig
1 + j C in R G
.
V
r d RD
Z out = 0
=
I 0 V =0 1 + j C + C r R
g
D)
gd ( d
ds
Z in =

(6.60)

Amplificarea n tensiune a etajului este:


g m V gs

V
AV = 0 =
Vg

=
=
=

R L ech
1 + j C ds + C gd R L ech

RG
Rg +
1 + j C in R G
V gs
RG
1 + j C in R G
g m R L ech

Rg

[1 + j C in (R g R G )] 1 + j C ds + C gd R L ech
1+

RG
AV 0

[1 + j C in (R g R G )] 1 + j C ds + C gd R L ech

AV 0

1 + j 1 + j
out

in

n care pulsaiile caracteristice intrrii i ieirii, in i out , sunt:

(6.61)

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

203

1
C in (R g R G )
1
=

in =
out

(6.62)

C ds + C R L ech
gd

Frecvena limit superioar a etajului se determin din condiia:


2
2
f S
f S
2 = 1+j
1+j
f in
f out

(6.63)

i este
2
2
f in2 + f out

f 2 f out
1 + 1 + 4 in2

2
2


f in + f out

f S =

(6.64)

Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu JFET n conexiune DC


O schem practic de amplificator cu JFET n conexiune DC este reprezentat n
figura 6.15.a. Schemele echivalente de semnal mic corespunztoare domeniilor de frecvene
joase, respectiv nalte, sunt date n figura 6.15.b,c.
VDD
R1

Rg Ig G Vgs S

CG

Rg
Vg ~

R2

RS

gm. Vgs r d

RS

RG

RL V0

RL

Zout

b.
Vgs

a.

Rg Ig
RG

Vg

Rg Ig
Vg

Vg

CS

RG

Cg s S

Vgs

gm. Vgs rd Cds

RS

Cgd

c.
S

Cgd+ C'gs

Zout

gm. Vgs rd Cds + C"gs

RS

d.

RL V0

RL V0
Zout

Figura 6.15. Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu JFET n conexiune DC.

204

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

La frecvene joase impedanele de intrare i de ieire sunt:


Vg
= RG + Rg
Ig
V
V0
V0
=
Z out 0 = 0
=
=
,
I 0 V =0
V0
V0
g
g m V gs
+ gm V0
rd RS
rd RS
g m (r d R S )>>1 1
rd RS

=
gm
1 + g m (r d R S )
Z in 0 =

(6.65)

iar amplificarea n tensiune este:

g m V gs (r d R S R L )
V0
=
=
Vg RG + Rg
V gs + g m V gs (r d R S R L )
RG
g m (r d R S R L )
=
=
Rg

[1 + g m (r d R S R L )]
1+

RG

AV 0 =

A V 0ideal

(6.66)

gm RL
1 + gm RL

Rg
RL

1+
1 +

R G (r d R S ) (1 + g m R L )

A V 0ideal

(1 + in ) (1 + out )

R g <<R G
g m (r d R S R L)>>1

Se observ c amplificarea n tensiune la frecvene joase este subunitar, tinznd ctre


1 atunci cnd sunt ndeplinite condiiile specificate mai sus. Acesta este motivul pentru care
circuitul prezentat n aceast seciune se numete repetor pe surs.

La frecvene nalte unilateralizarea TECJ conduce la circuitul echivalent din figura


6.15.d, n care expresiile elementelor echivalente sunt:

C gs
1 + g m (r d R S R L )
C gs

C gs = C gs 1 1 =

K
g m (r d R S R L )
g m (r d R S R L )
K=
1 + g m (r d R S R L )
C gs = C gs (1 K) =

(6.67)

Impedanele de intrare i de ieire sunt:

Z in =

Vg
RG
= Rg +
Ig
1 + j C in R G ;
C in = C gd + C gs

(6.68.a)

Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune

Z out =

V0
I0

=
V g =0

V0
rd RS

205

V0

=
g m V gs

1 + j C ds + C gs (r d R S )

(6.68.b)

r d RS
1 + g m (r d R S )
Z out 0
=

1
+
j

C ds Z out 0 ]
[

r d RS
1 + j C ds

1 + g m (r d R S )

Amplificarea n tensiune la frecvene nalte este:

AV =

V0
AV 0
=
V g 1 + j 1 + j
out
in

1
;
C gd + C (R G R g )
gs

1
out =
(r d R S R L )
C ds + C
gs

1 + g m (r d R S R L )
in =

,
g m (r d RS R L )>>1

(6.69)

1
C ds + C 1
gs g m

iar frecvena limit superioar se poate determina utiliznd formula (6.64).


Se observ c pentru etajul DC polii corespunztori intrrii i ieirii sunt situai la
frecvene mult mai nalte dect polii corespunztori etajului SC i, n consecin, frecvena
limit superioar a acestuia este mult mai mare dect cea corespunztoare etajului SC.

7
TRANZISTORUL
METAL-OXID-SEMICONDUCTOR

7.1. Generaliti
Tranzistorul MOS (sau MOSFET) este un dispozitiv electronic ale crui caracteristici
electrice sunt determinate de modulaia conductivitii unei regiuni, numit canal, situate n
vecintatea semiconductoare a interfeei oxid-semiconductor, prin intermediul unui cmp
electric perpendicular pe lungimea canalului, aplicat printr-un electrod izolat de
semiconductor (poarta). Izolatorul folosit este un strat subire de oxid (SiO 2 ) crescut prin
oxidare termic la suprafaa siliciului. Aa cum am artat i n capitolul precedent, principiul
de funcionare bazat pe modulaia conductivitii unei regiuni semiconductoare situeaz acest
dispozitiv n clasa dispozitivelor cu efect de cmp.
Pentru nelegerea i determinarea caracteristicilor electrice ale MOSFET sunt
suficiente cunotinele legate de proprietile fundamentale ale materialelor semiconductoare
completate de cele legate de drift n gama tensiunilor i curenilor mici i medii i de cele
legate de difuzie i generare-recombinare-captur-emisie n gama curenilor foarte mici. La
fel ca la celelalte dispozitive studiate pn acum, la tensiuni inverse mari aplicate jonciunilor
p-n corespunztoare structurii trebuie considerate mecanismele de generare prin impact.

Curentul dominant n MOSFET (la tensiuni i cureni mici i medii) este asigurat de
un singur tip de purttori de sarcin: electronii n dispozitivele MOSFET cu canal n
(n-MOSFET sau n-MOS) i golurile n dispozitivele MOSFET cu canal p (p-MOSFET sau
p-MOS). Acesta este motivul pentru care aceste dispozitive se ncadreaz n clasa
dispozitivelor unipolare. n funcie de modul de formare a canalului conductiv exist dou
tipuri de MOSFET:

cu canal indus, la care canalul conductiv se formeaz nunai la aplicarea unei tensiuni
prin inversarea tipului de conductibilitate a regiunii din vecintatea interfeei
oxid-semiconductor;
cu canal iniial, caracterizate prin existena unui canal conductiv chiar n lipsa
aplicrii unei tensiuni pe poart.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

207

n funcie de tipul conductibilitii canalului exist tot dou tipuri MOSFET: cu canal
n i cu canal p.
n figura 7.1.a este reprezentat un tranzistor MOS cu canal indus i substrat de tip p,
iar n figura 7.1.b sunt reprezentate etapele de fabricaie tipice ale acestuia. Cele dou regiuni
de tip n + reprezentate n figur au fost denumite de Shockley dren i surs. Pentru
tranzistoarele MOS simetrice cele dou regiuni n + i regiunile adiacente corespunztoare
porii izolate sunt simetrice, iar sursa i drena sunt interschimbabile. n cele mai multe cazuri
aria drenei este diferit de aria sursei, iar regiunile de oxid adiacente lor sunt diferite din
punct de vedere al densitii oxidului i densitii nivelelor de captur din oxid. Poarta este
realizat dintr-un material conductor care poate fi Al (n cele mai multe cazuri), dar poate fi
realizat i din Si puternic dopat, metale refractare (tungsten), silicai (TiSi, MoSi, TaSi,
WSi) sau un sandvi din acestea. n figura 7.1.a, pentru simplificarea geometriei structurii,
grosimea oxidului a fost considerat aceeai att sub electrodul de poart ct i n regiunile
corespunztoare drenei i sursei. n realitate, grosimea oxidului n regiunile corespunztoare
o

drenei i sursei este n jur de 5000 A , mult mai mare dect cea corespunztoare oxidului
o
porii de 50 2000 A. Conducia se realizeaz ntre dren i surs, la suprafaa substratului de
Si corespunztor interfeei oxid-semiconductor, prin inversarea tipului de conductibilitate a
acesteia datorit tensiunii aplicate porii. n cele mai multe cazuri substratul este legat la
acelai potenial cu sursa. Totui, electrodul corespunztor substratului poate fi folosit i
independent, caz ntlnit mai ales n structurile integrate.

Dimensiunile critice ale MOSFET, adic dimensiunile ce influeneaz n mod decisiv


caracteristicile statice ale dispozitivului, sunt: grosimea oxidului x 0 , lungimea canalului L ,
limea canalului W i grosimea canalului d C . Din punct de vedere al acestor dimensiuni
exist trei tipuri de structuri MOSFET:
tranzistoarele de dimensiuni mici folosite n circuitele rapide i de putere mic
integrate pe scar larg, foarte larg i extrem de larg (VLSI, ULSI i ELSI) n care:

W L , L > (2...3) x 0 , x 0 > 10 d C ;


tranzistoarele cu canal scurt folosite n circuitele VLSI, ULSI i ELSI rapide i de
putere medie n care:

W >> L , L > (2...3) x 0 , x 0 > 10 d C ;


tranzistoarele cu canal lung folosite n circuitele discrete i integrate de vitez medie,
putere mic i medie i tensiuni de alimentare medii, n care:

W >> L , L >> x 0 , x 0 >> d C .


De fapt, condiia de mai sus impus dimensiunilor critice ale tranzistoarelor MOS
poart denumirea de lege de scalare sau condiie Dennard.

208

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

surs

n+

x0

VGS

gril

VDS

n+
dc canal de
tip n
L
substrat Si(p)
VBS

dren

SiO 2

a.

substrat

n+

p-Si
1.

n+

p-Si
5. Depunerea metalului
prin evaporare pe
suprafeele structurii

p-Si
2. Creterea SiO2 pe
ambele suprafee

n+

n+

p-Si

b.

6. nlturarea surplusului
de metal i definirea
contactelor prin litografie

p-Si
3. Practicarea ferestrelor
de dren i surs prin
fotolitografie
n+
p-Si

Surs
n+

n+

4. Difuzia sau implantarea


ionic pentru formarea
jonciunilor de dren i surs

Gril

Dren
n+

p-Si
Substrat
7. Conectarea pinilor
corespunztori structurii

Figura 7.1. Structura unui MOSFET cu canal indus de tip n.

Simbolurile grafice folosite pentru cele patru variante de tranzistoare MOS, precum i
sensul convenional al curenilor i tensiunilor corespunztoare acestora, sunt reprezentate n
figura 7.2. Sgeata din simbolul grafic indic tipul conductibilitii substratului. Polarizarea
normal, pentru funcionarea ca amplificator a MOSFET, este de asemenea ilustrat n figura
7.2. Curentul static de gril este nul datorit prezenei izolatorului. n polarizare normal
curentul de dren, avnd sensul convenional, este pozitiv i egal cu curentul de surs.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

209

ID

ID
B

VGS >0

G
VDS

a.

VGS >0

b.
D

G
VDS

VGS <0

VDS

c.

ID

VGS <0

ID

VDS

d.

Figura 7.2. Simbolurile IEEE pentru MOSFET: a) cu canal indus de tip n;


b) cu canal indus de tip p; c) cu canal iniial de tip n; d) cu canal iniial de tip p.

Conexiunile fundamentale ale MOSFET, atunci cnd acesta este privit ca un diport,
sunt: dren comun (DC), surs comun (SC) i gril comun (GC). De regul, att expresiile
analitice, ct i reprezentrile teoretice i experimentale ale caracteristicilor statice
corespunztoare MOSFET sunt date pentru conexiunea SC.
Pentru a uura nelegerea funcionrii tranzistorului MOS vom studia pentru nceput
capacitorul MOS. Avnd ca baz teoria dezvoltat pentru capacitorul MOS se vor determina
apoi caracteristicile ideale ale MOSFET i, aa cum am procedat cu dispozitivele studiate
pn acum, se vor puncta diferenele fa de cazul ideal i se vor modela principalele efecte
2 - d i 3 - d . Prezentarea circuitelor de polarizare caracteristice dispozitivului va fi urmat de
studiul dinamic al MOSFET ce va include modelul de control prin sarcin, modelul de
semnal mic i comportarea la nalt frecven.

7.2. Capacitorul MOS


n figura 7.3 este reprezentat o seciune printr-un capacitor MOS (MOSC) i
modelarea acesteia pentru determinarea caracteristicilor ideale. Structura MOSC este alctuit
din trei heterojonciuni determinate de cele patru straturi ale acestuia: metalul porii, izolator (
SiO 2 ), semiconductor de tip p sau n, metalul de contact al substratului.

210

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Gril
M
SiO 2

SiO2

Si p sau n
Substrat
a.

S
Si(p sau n)

x0

b.

Figura 7.3. Seciune transversal printr-un capacitor MOS.

Importana structurii MOSC este relevat de larga sa utilizare n tranzistoarele discrete


i n circuitele integrate. Structura MOSC a fost propus pentru prima dat n 1959 de ctre
Jhon Moll pentru a fi folosit ca o capacitate controlabil pe cale electric (varicap). Astzi ea
este folosit n dispozitivele cu transfer de sarcin, ca structur de comand n tranzistoarele
MOS etc., evolund de la suprapunerea a patru straturi Al/SiO2/Si/metal, propus de Moll, la
suprapuneri de tipul Al/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si/Al, utilizate pentru stocarea sarcinii
(informaiei) n DRAM (dynamic random access memory).

7.2.1. Capacitorul MOS ideal


Pentru a uura nelegerea fenomenelor ce au loc n MOSC la aplicarea unei tensiuni
externe se consider mai nti o structur ideal caracterizat de urmtoarele ipoteze:
comportarea la suprafa a semiconductorului este identic cu cea din volum;
absena oricror sarcini n oxid sau la interfaa oxid-semiconductor.
Construcia diagramei energetice a structurii este relevat n figura 7.4. Astfel, n
figura 7.4.a sunt reprezentate diagramele energetice ale straturilor izolate corespunztoare
MOSC: metal (Al), oxid de Si i semiconductor de tip p. Figura 7.4.b arat diagrama E-x
corespunztoare celor trei straturi alturate. n ciuda diferenei ntre energiile de extracie a
electronilor din metal i din semiconductor nu are loc nici un transfer de electroni ntre cele
dou materiale datorit prezenei izolatorului (SiO2) ntre ele. Diferena ntre aceste energii de
extracie se noteaz cu E MS i este dat de relaia:
E MS = q MS = q ( M S )

(7.1)

Modul n care se modific diagrama energetic a structurii atunci cnd metalul este
scurtcircuitat la semiconductor (pentru a asigura condiia de echilibru termodinamic) este
prezentat n figurile 7.4.c i 7.4.d. Electronii metalului trec n semiconductorul de tip p,
datorit energiei lor superioare, ncrcnd negativ semiconductorul. Teoretic, oxidul de siliciu
nu are nici un rol n acest transfer de particule deoarece, datorit nlimii energetice mari a
benzii interzise (> 8 eV ), generarea termic a purttorilor de sarcin la temperatura camerei
este practic nul. Datorit excesului de electroni (primii din metal) benzile energetice ale
semiconductorului se curbeaz la interfaa SiO2/Si. Regiunea pe care acestea se curbeaz
poart denumirea de regiune de sarcin spaial de suprafa, iar grosimea acesteia se
determin cu formula binecunoscut:

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

xd 0 =

211

2 VS 0
q NA

(7.2)

unde V S reprezint potenialul suprafeei semiconductorului la interfaa SiO2/Si i care, n


cazul de fa al echilibrului termic, este chiar diferena ntre potenialele de extracie
corespunztoare metalului i semiconductorului,V S 0 = MS .
n conformitate cu teorema lui Gauss, sarcina negativ existent la suprafaa
semiconductorului este compensat de sarcina pozitiv de la suprafaa metalului la interfaa
metal/SiO2. Datorit concentraiei mari a electronilor n metal, regiunea de sarcin spaial de
la suprafaa metalului este foarte ngust. Limea acesteia este cunoscut sub denumirea de
lungime Debye i este notat cu L DB .
M
VL

SiO2
VL

Semiconductor

M SiO2
VL

VL

EC0

q.S
EC E
FM
EFp
EV

q. F

EFM

VL

EF0

Semiconductor
VL
S
EC

EF0

EFp
EV

EV0

EV0

E'V0

E'V0
E'V

VL

EFM

M SiO2

a.
Semiconductor

. .

.
c.

VL

E'V

VLL

M SiO2

b.
Semiconductor

E FM =E F

VLR

E Fp =EF

EFp

Metal

d.

Figura 7.4. Construcia diagramei energetice corespunztoare structurii MOSC ideale.

212

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Aa cum am artat mai sus o caracteristic principal a structurii MOSC o reprezint


diferena ntre energiile (sau potenialele) de extracie a electronilor din metal i din
semiconductor, E MS (sau MS ). Figura 7.5 prezint diagrame energetice posibile pentru
MOSC ideal n funcie de semnul i mrimea acestei diferene.
V00=0

MS= M - S=0
S =S+VCF

MS= M - S <0
S =S+VCF

V00>0

VS0 =0 VCF
EF

EC
EF

VS0>0

EF

EV

EV
b.

a.
V00<0
M

EC
EF

MS= M - S >0

VS0<0
EC
EF

EF

EV
c.
Figura 7.5. Diagrame energetice posibile ale MOSC ideal cu semiconductor de tip p.

Efectul polarizrii asupra diagramei energetice a unui MOSC ideal cu semiconductor


de tip p i MS < 0 este ilustrat n figura 7.6. Dac tensiunea aplicat porii este negativ
(V G < 0) , are loc o acumulare de goluri la suprafaa semiconductorului (prin efectul atraciei
electrostatice) i, n funcie de mrimea tensiunii aplicate, regiunea de sarcin spaial
negativ de suprafa existent se micoreaz pn la dispariie, formndu-se o regiune de
sarcin pozitiv (vezi figurile 7.6.a,b,c). Datorit calitii de bun izolator a oxidului, curentul
prin structur este practic nul i deci nivelul Fermi din semiconductor este constant (ca i la
echilibru termodinamic). Sarcina acumulat la suprafaa semiconductorului, Q S , i gsete
corespondentul n sarcina acumulat la suprafaa metalului la interfaa metal/SiO2, Q G , adic:

Q G = Q S

(7.3)

Tensiunea V FB , fa de care se raporteaz tensiunea negativ V G aplicat, reprezint


(aa cum sugereaz i figura 7.6.b) tensiunea de benzi netede, care pentru structura MOSC
ideal este:

V FB ideal = MS .

(7.4)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

213

Dac tensiunea aplicat MOSC este pozitiv, V G > 0 , i dac mrimea tensiunii
aplicate nu depete o anumit valoare, numit tensiune intrinsec i notat cu V GI , adic
V G < V GI , golurile de la suprafaa semiconductorului vor fi respinse, mrindu-se astfel
regiunea de sarcin spaial negativ de la suprafaa semiconductorului la interfaa SiO2/Si.
Acest regim de lucru al capacitorului MOS se numete regim de golire. Diagramele
energetice ale MOSC corespunztoare acestui caz, mpreun cu variaia densitilor de sarcin
n structur, sunt prezentate n figura 7.6.d. Se observ creterea curbrii benzilor energetice
la interfaa SiO2/Si i creterea diferenei de potenial pe semiconductor fa de situaia de
echilibru termodinamic, de la V S 0 la V S . Sarcina negativ datorat ionilor acceptori din
regiunea golit, pentru cazul n care semiconductorul este uniform dopat, poate fi determinat
cu relaia:

Q S = q N A x d ,

(7.5)

n care cu Q S s-a notat sarcina acumulat la suprafaa semiconductorului pe unitatea de arie,


iar x d reprezint grosimea regiuni de golire dat de relaia:

xd =

2 S VS
q NA

(7.6)

Dac tensiunea pozitiv aplicat structurii depete valoarea V GI (corespunztoare


unui potenial al suprafeei egal cu potenialul Fermi, adic V S = F ), benzile energetice se
curbeaz i mai mult, astfel nct la suprafaa semiconductorului nivelul Fermi se va plasa
deasupra nivelului Fermi intrinsec (E F >E F i ) i deci n vecintatea [0, d c ] a interfeei SiO2/Si
semiconductorul devine de tip n (vezi figurile 7.6.e,f). Acest fenomen este cunoscut sub
numele de inversie a conductibilitii semiconductorului. Sarcina acumulat la suprafaa
semiconductorului (Q S ) este format att de ionii acceptori (Q B ) ct i de electronii din
stratul de inversie de suprafa (Q n ) :

Q S = Q B + Q n = q N A x d + Q n

(7.7)

n regim de inversie, dependena sarcinii Q n de potenialul V S este exponenial (vezi


relaia 2.30), iar dependena sarcinii Q B este parabolic (vezi relaiile 7.5 i 7.6), astfel nct
la creterea tensiunii aplicate acumularea electronilor la suprafaa semiconductorului este
mult mai accentuat dect creterea sarcinii corespunztoare regiunii de sarcin spaial.

Tensiunea V G pentru care concentraia purttorilor de sarcin mobili din stratul de


inversie de suprafa (electroni n cazul de fa) devine egal cu concentraia purttorilor de
sarcin majoritari ai semiconductorului substratului se numete tensiune de prag i se noteaz
cu V P .
Pentru tensiuni V G > V P se poate considera c extinderea regiunii de sarcin spaial
este nesemnificativ, deci:

Q B (V G > V P ) Q B (V P ) = q N A x d max
2 S V S (V P )
x d max =
q NA

(7.8)

Tensiunea de prag V P reprezint un parametru important att pentru capacitorul MOS


ct, mai ales, pentru tranzistorul MOS.

214

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

VG <VFB
VG < 0

VG =VFB
VG < 0
EFM

EFM

EC

EFi
EFp
EV

F>0

EFi
EFp
EV
VS<0

EC

VS =0
b.

a.

EC
EC
EFM

VG =0
VS >0

EFi
EFp VG =VGI
EV V >0
G
EFM

VS = F
VS >0
d.

c.

EC

EC

VS=2. F
VS >0

EFM

EFi
EFp
EV

EFi
EFp
EV
VS =2.F +2.VT
VS >0

EFi
EFp
EV

VG =VP
VG >0
EFM

VG >VP
VG >>0

e.

f.

Figura 7.6. Efectul aplicrii unei tensiuni V G asupra benzilor energetice ale unei
structuri MOSC cu semiconductor de tip p i MS < 0 .

Calculul tensiunii de prag ncepe de la relevarea modului de distribuie a tensiunii


aplicate structurii pe straturile acesteia. Astfel, expresia tensiunii de gril este:

V G = V 0 + MS + V S
unde V 0 reprezint tensiunea ce cade pe stratul de oxid.

(7.9)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

215

Potenialul suprafeei pentru care concentraia purttorilor mobili de sarcin din stratul
de inversie de la suprafa este egal cu concentraia purttorilor de sarcin de tip opus din
volumul semiconductorului se determin din sistemul de ecuaii:
q V S = E F i (inv) E Fi p

E F E Fi (inv) = n exp E F ip E F
i
n = p n i exp

kT
kT

(7.10)

n consecin, potenialul suprafeei corespunztor tensiunii V P este:

V S (V P ) = 2 F .

(7.11)

Deoarece s-a presupus absena oricror sarcini n stratul de oxid i la suprafaa


oxidului de la interfaa SiO2/Si, cmpul electric n aceast regiune este constant (E 0 ) , iar
tensiunea ce cade pe stratul de oxid poate fi expimat prin relaia:

V0 = E0 x0

(7.12)

n conformitate cu teorema lui Gauss aplicat structurii ideale a MOSC se poate scrie:
dV 0
V
= oxx 0 = C 0 V 0 = Q S = S E S ,
(7.13)
0
dx
n care ox = K ox 0 i S = K S 0 , cu K ox i K S constantele dielectrice ale izolatorului,
respectiv semiconductorului, iar 0 permitivitatea spaiului liber, E S reprezint intensitatea
cmpului electric la suprafaa semiconductorului, iar cu C 0 s-a notat capacitatea specific (pe
unitatea de arie) a stratului de oxid, adic:

C 0 = xox0
(7.14)

Q G = ox E 0 = ox

Din relaia (7.13) rezult expresia tensiunii pe oxid:

V0 =

Q S
E
= S S
C0
C0

(7.15)

Tensiunea de poart este deci legat de caracteristicile regiunii de sarcin spaial de


suprafa prin relaia:

VG =

Q S
+ MS + V S .
C0

(7.16)

n consecin, expresia tensiunii de prag pentru structuri ideale este:

Q S
Q B + Q n
(7.17)
VG =
+ MS + 2 F =
+ MS + 2 F .
C0
C0
Datorit faptului c pentru V S = 2 F sarcina din stratul de inversie poate fi neglijat
n raport cu sarcina ionilor de impuritate din regiunea de golire (Q n << Q B ) , expresia
tensiunii de prag devine:

Q B
q N A x d max
+ MS + 2 F =
+ MS + 2 F =
C0
C0
2 q N A S V S (V P )
.
=
+ MS + 2 F =
C0
4 q NA S F
+ MS + 2 F
=
C0

VP

(7.18)

216

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

7.2.2. Capacitorul MOS real


Parametrii capacitorului MOS real (i implicit ai MOSFET) au expresii diferite de
cele determinate anterior. Aceaste diferene apar datorit existenei unor sarcini n volumul
oxidului i la suprafaa oxidului corespunztoare interfeei SiO2/Si. Apariia acestor sarcini
este inerent procesului tehnologic de fabricaie al acestor dispozitive. Astfel, incorporarea
unor impuriti sau formarea unor defecte cristaline n procesul de cretere a oxidului de
siliciu determin apariia unor sarcini repartizate aleator n volumul SiO2, suma acestora
purtnd denumirea de sarcina nmagazinat n nivelele de captur ale oxidului sau, mai scurt,
sarcina oxidului. Densitatea volumic a sarcinii oxidului, notat cu OT (x), are o variaie
aleatoare i extrem de lent n timp i de aceea aceast sarcin este numit de tehnologi
sarcina fix a oxidului. Totui, variaia acesteia este cauza instabilitii electrice a
dispozitivelor i circuitelor integrate realizate n tehnologie MOS. Suprafeele
heterojonciunilor metalurgice sunt i ele sediul unor defecte ce se constituie n nivele de
captur pentru purttorii mobili de sarcin. Densitatea acestor nivele de captur de suprafa
variaz cu tensiunea aplicat heterojonciunii. n cazul de fa sarcina nmagazinat n nivele
de captur de la suprafaa oxidului se noteaz cu Q IT . Distribuia densitii de sarcin n
interiorul structurii MOSC este reprezentat n figura 7.7.
M

VG >0
(x)
0T (x)
Q IT
x

QG

xp

Qn
x0

xi

QB

xd

Figura 7.7. Distribuia densitii de sarcin n structura MOSC.

Efectul acestor sarcini asupra parametrilor structurilor MOS poate fi incorporat prin
adugarea unor termeni suplimentari n expresiile acestora. Termenii suplimentari se
determin prin aplicarea teoremei lui Gauss unui MOSC i din condiia de neutralitate global
a structurii. Se obine astfel:

Q G + Q OT + Q IT + Q S = 0 Q G = (Q OT + Q IT + Q S )
dV
V
Q G = ox E 0 = ox 0 = oxx 0 0 = C 0 V 0
dx

(7.19.a)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Q S = S E S
x0
Q OT = 0 xx0 OT (x) dx

217

(7.19.b)

n consecin, expresia cderii de tensiune pe stratul de oxid pentru o structur MOSC


real este:

V0 =

S ES

C0

Q OT Q IT

C0
C0

(7.20)

nlocuind n relaia (7.9) expresia (7.20) se obine:

VG =

S ES

C0

Q OT Q IT
Q OT Q IT S E S

+ MS + V S = MS

+ VS
+

C0
C0
C0
C0
C0

(7.21)

Din relaia (7.21), prin anularea mrimilor E S i V S se poate deduce expresia tensiunii
de benzi netede corespunztoare structurii reale:

V FB = MS

Q IT Q OT
.

C0
C0

(7.22)

n general, penru tehnologia MOS standard V FB < 0.


n aceste condiii expresia tensiunii de prag devine:

VP

4 q NA S F

C0

+ V FB + 2 F

(7.23)

Aa cum este ilustrat n figura 7.8.a se consider mai nti structura MOSC polarizat
cu o tensiune continu V G (prin trecerea comutatorului K de pe poziia 1 pe 2) i apoi
considerm c tensiunii continue V G i se adaug o component alternativ cu amplitudinea
V g << V T (prin trecerea comutatorului de pe poziia 2 pe 3). n regim permanent, pentru
primul caz, din condiia de neutralitate global a structurii i prin aplicarea teoremei lui Gauss
se obine urmtoarea relaie:
0 = Q G + Q OT + Q IT + Q S = C 0 V 0 + Q OT + C IT V S + C S V S ,

(7.24)

din care rezult modelul echivalent n curent continuu corespunztor MOSC reprezentat n
figura 7.8.b.
Capacitile de semnal mare ce apar n acest model sunt:
C IT , ce reprezint capacitatea de curent continuu a interfeei SiO2/Si;
C S , ce reprezint capacitatea de curent continuu a oxidului.
Tensiunea V BI prezent n model incorporeaz diferena de potenial datorat
prezenei sarcinii nmagazinate n volumul oxidului Q OT i diferena ntre potenialele de
extracie ale metalului i semiconductorului.
n scopul obinerii modelului de control prin sarcin, necesar determinrii comportrii
la semnal mic a MOSC, difereniind relaia ce descrie neutralitatea structurii i relaia (7.9) se
obine:
0 = dQ G +dQ OT +dQ IT + dQ S = dQ G + dQ IT + dQ B + dQ n

=0
(dQ IT

d QB +dQ n

+ dQ B + dQ n )
dQ G =
dv G = dv 0 +d MS +dv S = dv 0 + dv S
=0

(7.25)

218

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Astfel capacitatea de semnal mic a structurii este:

Cg =

dQ G
dQ G
1
1
1
=
=
=
=
1 +
1
dv 0
dv G dv 0 + dv S
dv S
dv S
1
+
+

C
C
+
dQ G dQ G C 0 (dQ IT + dQ S )
0
s C it

(7.26)

unde capacitile implicate n relaie sunt:


C s - capacitatea de semnal mic ce modeleaz variaia sarcinii n semiconductor:
dQ S
Cs =
;
(7.27)
dv S

C it - capacitatea de semnal mic ce modeleaz variaia sarcinii la interfaa SiO2:


dQ IT
C it =
.
(7.28)
dv S
Capacitatea C s este rezultatul variaiei a dou tipuri de sarcin: electroni i goluri. n
conformitate cu cele dou variaii de sarcin modelate, capacitatea C s poate fi exprimat
astfel:
dQ S
dQ n dQ B
Cs =
=

= Cn + Cp
dv S
dv S dv S
dQ
Cn = n
dv S
dQ B
Cp =
dv S

(7.29)

Expresiile generale ale sarcinilor acumulate la suprafaa semiconductorului pe unitatea


de arie sunt:

Q n = q 0 [n(x, v S ) n 0 ] dx = q v [n(v, v S ) n 0 ] dx dv
S
dv

d
x

Q B = q 0 [p(x, v S ) p 0 ] dx = q 0 [p(v, v S ) p 0 ] dv
dv
n consecin, expresiile generale ale capacitilor C n i C p sunt:

dQ B q [p(V S ) p 0 ]
q [ p( V S ) p 0 ]
=
=
E S
dv S
dv
dx v =VS
dQ n
q [ n( V S ) n 0 ]
Cn =
=
ES
dv S

(7.30)

Cp =

(7.31)

Modelul echivalent de semnal mic corespunztor structurii MOSC este prezentat n


figura 7.8.c.
Relaiile generale (7.31) pot cpta forme particulare n funcie de frecvena
semnalului variabil aplicat i n funcie de aproximrile ce se efectueaz pe parcursul
dezvoltrilor analitice. n figura 7.9 este ilustrat dependena teoretic a capacitii structurii
n funcie de diversele condiii de lucru i de aproximare.
Astfel pentru cazul ideal, n care Q OT = Q IT = 0 i pentru regiunea de sarcin spaial
este folosit aproximaia de golire cu forarea C s C p , se obine dependena notat cu C golire
n figura 7.9.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

219

VG

~ Vg
VG

dQG

(x)

0T(x)

~
~

dQ IT
QIT

QG

dQB
dQn QB

Qn
G

C0

a.
CS

VBI

C iT
G

b.

C0

Cp

Cn
Cit
c.
Figura 7.8. Modelele echivalente ale MOSC pentru:
b) polarizarea cu o tensiune continu V G > 0 ; c) condiii de semnal mic.

C
VG

Cg (pF)

M
O
p-Si S

10
CLF
9
Cgth Co
8 Cfb
CHF
7
Cg
Ci
6
CD
5
p-Si MOSC
4

NA=1,45 1016cm-3
x0 =0,2m

-4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
VG [V]
Figura 7.9. Dependena teoretic C g = C g (V G ) pentru o structur MOSC cu
semiconductor de tip p.
Expresia intensitii cmpului electric la interfaa SiO2/Si este dat de ecuaia lui
Poisson, completat de condiiile la limit: E (x d ) = 0 , V (x d ) = 0 i V (x = 0) = V S . Se obine
astfel:

ES =

q NA xd
S

2 q NA VS
S

(7.32)

220

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

ntroducnd n expresia (7.9) relaia (7.15) se obine expresia tensiunii ce cade pe


semiconductor, V S , n funcie de tensiunea aplicat pe gril:

q NA
S q NA
V S = V G V FB + S

2 C0
2 C 02

2
= V G V FB + V AA V AA
q NA
V AA = S
2 C 02

(7.33)

n consecin, n regim de golire capacitatea ce modeleaz variaia sarcinii n regiunea


de sarcin spaial este:

Cp =

q [ p( V S ) p 0 ]
q NA
q NA S

= xSd =
=
E S
q NA xd
2 VS
S

V AA C 02
VS

= C0

V AA
VS

V G V FB

= C0
+ 1 1
V AA

(7.34)

Atunci cnd semnalele aplicate au frecvene nalte (> 1 MHz ) sarcina acumulat la
interfaa SiO2/Si, adic Q IT i Q n , nu poate urmri variaiile tensiunii alternative iar
dependena capacitate-tensiune aplicat este cea notat cu C HF n figura 7.9. Capacitile
particulare ce apar punctate pe aceast curb sunt:
capacitatea de semnal mic corespunztoare tensiunii de prag

C g th =

C 0 C s th
=
C 0 + C s th

1+

C0
;
C0
q NA S
4 VF

(7.35)

capacitatea asimptotic de semnal mic de nalt frecven

Cg =

C0 Cs
=
C0 + Cs

1+

C0
.
C0
q NA S
2 (2 V F + 3 V T )

(7.36)

Atunci cnd semnalele aplicate au frecvene mici n relaia (7.26) nu mai pot fi
efectuate neglijri. Intensitatea cmpului electric la interfaa SiO2/Si se determin din ecuaia
lui Poisson completat cu condiiile la limit:
2
2

S dE = S d V2 = S dV d dV = S d dV
2
dx
dx
dx
dx
dV
dV
dx
S d dV 2
S dE 2
= q (p p 0 n + n 0 ) q (n + n 0 )
=
2
2 dV
dV
dx
S dE 2

q n 0 exp V 1
VT
2 dV

V(x = 0) = V S ; V() = 0; E(x = 0) = E S ; E() = 0

(7.37)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

221

Integrnd se obine expresia intensitii cmpului electric la interfaa SiO2/Si:


2qn
V
E S = S 0 V T exp S 1 + V S
VT

(7.38)

Folosind relaia (7.21) n care E S se nlocuiete prin expresia de mai sus se determin
dependena tensiunii V S de tensiunea aplicat structurii, V G . n consecin, nlocuind
dependena gsit, V S = V S (V G ) , n expresia intensitii cmpului electric la interfaa SiO2/Si
se obine dependena E S = E S (V G ) i deci expresiile capacitilor C n i C p :

q n( V S ) n 0
ES
q p p0
Cp =
ES
Cn =

(7.39)

7.2.3. Inversia conductibilitii semiconductorului n prezena unei


jonciuni
Structura tranzistorului MOS, prezentat n figura 7.1, incorporeaz pe lng o
structur MOSC i dou jonciuni p-n+ ce stabilesc practic lungimea canalului tranzistorului.
Prezena i polarizarea acestor jonciuni modific procesul de inversie a conductibilitii la
suprafaa semiconductorului. Analiza acestui proces se va realiza pe un model simplificat
prezentat n figura 7.10.
Tranzistorul ideal MOS este un dispozitiv bidimensional (2- d ). Cele dou direcii ce
trebuiesc considerate n analiza unui MOSFET ideal sunt direcia perpendicular, x , i
direcia paralel, y , relativ la canalul conductiv. Din tipurile dimensionale prezentate n
introducerea acestui capitol numai tranzistoarele MOS cu W L fac excepie de la aceasta,
fiind dispozitive tridimensionale. Analiza tuturor tranzistoarelor MOS ce ndeplinesc
urmtoarea condiie referitoare la dimensiunile critice:

W >> L >> x 0 >> d C ,

(7.40)

numit lege de scalare sau condiie Dennard, poate fi descompus n dou analize
unidimensionale. Acest descompunere este posibil deoarece pentru dispozitivele cu
L >> x 0 , n oxid, pe aproape ntreaga lungime a canalului, cmpul electric principal este pe
direcia x i este contolat de tensiunea aplicat pe gril. Mai mult, n aceste condiii,
intensitatea cmpului electric la interfaa SiO2/Si pe direcia x ( V G /x 0 ) este mult mai mare
dect cmpul electric de drift pe direcia y produs de tensiunea de dren ( V D /L) .
Astfel, n conformitate i cu aproximaia gradual a lui Shockley se poate considera c
n fiecare plan perpendicular pe direcia y se pot aplica rezultatele modelului unidimensional
dezvoltat pentru capacitorul MOS. Singura diferen fa de acesta este faptul c atunci cnd
se aplic o tensiune pe o jonciune potenialul suprafeei semiconductorului variaz n funcie
de coordonata y. n consecin, ntr-o seciune a structurii aflat la coordonata y potenialul
suprafeei semiconductorului devine:

222

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

V S (y) = V S V(y),

(7.41)

iar expresia tensiunii de prag n seciunea y este:

V P ( y)

Q B (V Sinv )
Q (V )
+ V FB + V S inv (y) = B S inv + V FB + 2 F V(y )
C0
C0

(7.42)

Pentru ca inversia conductibilitii semiconductorului s se realizeze pe toat lungimea


canalului este necesar ca tensiunea aplicat pe gril V G s ndeplineasc condiia:

V G > max V P (y )

(7.43)

y[0;L]

n practic, exist situaii n care substratul tranzistorului MOS se polarizeaz cu o


tensiune V BS , aplicat ntre surs i substrat, astfel nct jonciunea surs-substrat s fie
polarizat invers. n aceste condiii tensiunea de prag corespunztoare structurii crete, fapt
cunoscut sub denumirea de efect de substrat ("body effect"), i este dat de:

V GB inv = V GS inv + V SB = V P + V SB
Q B (2 F ) 1 +
V GS inv = V P =

V SB
2 F

C0

Q B (2 F ) 1 +
= VP 0

Q B (V Sinv )
+ V FB + 2 F + V SB
C0
+ V FB + 2 F =

V SB
Q B (2 F )
2 F
=
C0

(7.44)

2 q NA S

2 F + V SB 2 F =
C0
= V P 0 + 2 F + V SB 2 F
= VP 0 +

unde cu V P 0 s-a notat valoarea tensiunii de prag pentru V SB = 0, iar parametrul , cunoscut
sub denumirea de constanta de efect de substrat, este dat de relaia:
=

2 q NA S
C0

(7.45)
G

VG >0

SiO2
VSB >0
S

n+

p
R.S.S.

Figura 7.10. Modelul simplificat pe care se realizeaz analiza inversiei conductibilitii


semiconductorului n prezena unei jonciuni.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

223

7.3. Teoria MOSFET n regim staionar


n acest capitol, mai nti, vor fi relevate caracteristicile statice corespunztoare
tranzistoarelor MOS ideale cu canal indus. Apoi se vor prezenta abaterile de la idealitate
pentru diferitele tipuri dimensionale de MOSFET, inclusiv conducia sub prag. De asemenea,
pentru diferite tipuri de MOSFET se vor prezenta cele mai utilizate modele de curent
continuu i circuitele tipice de polarizare corespunztoare acestora.

7.3.1. Caracteristicile statice ideale ale tranzistorului MOS cu canal


indus
Pentru a deduce caracteristicile teoretice I V ale MOSFET cu canal indus ne folosim
de o structur cu substrat de tip p al crei model este prezentat n figura 7.11. Atunci cnd
sunt ndeplinite condiiile lui Dennard se poate face urmtoarea aproximaie referitoare la
cmpul electric n structur: n oxid cmpul elecric este n principal pe direcia x, E x , iar n
canal cmpul electric ce produce curentul de drift este n principal pe direcia y, E y . Aceast
separare, aa cum am mai spus, descompune i simplific problema bidimensional n dou
probleme unidimensionale rezolvabile analitic. n analiza ce va urma se va presupune c sursa
este legat la mas i c pe celelalte terminale se aplic tensiunile V GS , V DS i V BS . Dac
tensiunea V GS este mai mare ca tensiunea de prag, la suprafaa semiconductorului se
formeaz un canal conductor de tip n i aplicarea unei tensiuni V DS conduce la apariia unui
curent de la dren la surs, a crui densitate de curent, n conformitate cu separarea
cmpurilor, poate fi aproximat prin componenta de drift pe axa y, J y . Polarizarea negativ a
jonciunii dren-substrat este mai puternic dect polarizarea negativ a jonciunii
surs-substrat i, n consecin, adncimea regiunii golite este mai mare lng dren. Pentru
ca inversia conductibilitii semiconductorului la suprafa s se produc pn la dren, n
conformitate cu (7.42), tensiunea V DS trebuie s ndeplineasc urmtoarea condiie:
Q B (V Sinv )

+ V FB + 2 F = V GS V P

C0

V DS < V GS

(7.46)

n canal, la coordonata y tensiunea fa de surs este V(y ) . Folosind ecuaiile lui


Shockley pentru semiconductoare, curentul de dren, aproximat prin curentul de drift al
electronilor n direcia y, poate fi exprimat prin relaia:

I D = J ny dx W q n n(x, y ) E y dx W =
dC

= q n n(x, y) dV dx W n dV W q n(x, y) dx =
0
0
dy
dy

= n dV W Q C (y)
dy

(7.47)
unde cu Q C s-a notat densitatea superficial de sarcin n canal, adic:

224

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor


dC

Q C (y) = 0 q n(x, y ) dx .

(7.48)

VGS >0
D

VDS>0
SiO2

n+

n+
-

canal

V(y)

R.S.S.

y
dy

x
Substrat Si - p

a.

B
VBS <0
Jn (y)

canal n

SiO 2

dy
b.

Substrat Si - p
x=0 x=d c

C0

Cn

c.

S
Figura 7.11. Modelele folosite pentru studiul unui MOSFET cu canal n.

n relaia (7.47) pe lng neglijarea curentului de difuzie au mai fost fcute


urmtoarele dou aproximri: mobilitatea electronilor n canal a fost considerat constant,
independent de coordonata x, i cmpul electric longitudinal E y este presupus constant
pentru x [0; d C ] .
n scopul eliminrii mrimii Q C (y) se face urmtoarea aproximare:

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor


dC

225

Q C (y ) = 0 q n(x, y ) dx q 0 [n(x, y ) n 0 ] dx = Q n (y )

(7.49)

Din condiia de neutralitate global a structurii i aplicnd teorema lui Gauss se obin
urmtoarele relaii:

Q n + Q B
+ V S + V(y )
C0
Q n (y )
Q B (y )

= V GS V FB
+ V S + V(y ) =

C0
C
0

Q B (y)

+ 2 F + (V S 2 F ) + V(y ) =
= V GS V FB
C0

(
)
Q
Q
V
+
V
+
V
S
SB

= V GS V P + B inv B
+ (V S 2 F ) + V(y ) =
C
C
0
0

+
V
F
Q B inv 1 + S
1

+
V

F
SB

V GS V P
+ V(y )
C0

V GS = V FB

V GS [V P + V(y )]

(7.50)

n care Q B inv = Q B (V Sinv ) = Q B (2 F + V SB ), iar Q B (y ) = Q B (V S + V SB + V ) .


Din relaia (7.50) se obine expresia densitii superficiale de sarcin Q n (y ):

Q n (y ) C 0 [V GS V P V(y )]

(7.51)

Eliminnd Q C (y ) n relaia (7.46) prin utilizarea aproximaiilor (7.49) i (7.51) se


obine ecuaia diferenial fundamental pentru o structur MOSFET unidimensional:

I D = n C 0 W [V GS V P V(y )] dV , sau
dy
I D dy = n C 0 W [V GS V P V(y )] dV.

(7.52)

Soluia ecuaiei difereniale a MOSFET cu canal lung se poate obine prin integrarea
acesteia de la surs (y = 0 , V(y = 0) = 0 ) la dren (y = L , V(L) = V DS ). Se obine astfel:
L

V DS

0 I D dy = 0

n C 0 W (V GS V P V ) dV

V DS
I D = W n C 0 0 (V GS V P V ) dV =
L

V2
= W n C 0 (V GS V P ) V DS DS =
2
L

V
= 2 (V GS V P ) V DS DS
2

(7.53)

unde = W n C 0 este un parametru constructiv al tranzistotrului MOS.


2L
Relaia (7.53) este valabil numai atunci cnd canalul exist n totalitate de la dren la
surs, adic este ndeplinit relaia (7.46). Creterea tensiunii V DS duce la micorarea sarcinii
Q n din dreptul drenei, pn la completa dispariie a canalului n aceast regiune Q n (L) = 0 , ca
la JFET. Aceast tiere a canalului se obine, n conformitate cu (7.51), pentru:

V DS = V DS sat = V GS V P .

(7.54)

226

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Pentru tensiuni V DS > V DS sat calculele anterioare nu mai sunt valabile. Lungimea
canalului se scurteaz la L < L , potenialul su la captul dinspre dren fiind V S inv + V DS sat .
Astfel, tensiunea aplicat ntre dren i surs cade n principal pe regiunea de sarcin spaial
a drenei, tensiunea ce cade pe canalul conductor meninndu-se la o valoare constant
V(L ) V(0) = V DS sat . Ca urmare, curentul de dren nu mai este controlat (teoretic) de
tensiunea V DS , meninndu-se la o valoare constant:
I D I D sat = I D (V DS = V DS sat ) = (V GS V P ) 2.

(7.55)

Teoria fcut pentru tranzistoarele MOS cu canal indus de tip n se poate adapta cu
uurin i pentru tranzistoarele cu canal de tip p.
Caracteristicile statice teoretice de ieire ale unor MOSFET cu canal indus, lung, sunt
prezentate n figura 7.12.a. Relaia (7.55) reprezint expresia caracteristicii de transfer a
MOSFET n regiunea de saturaie, a crei reprezentare grafic este prezentat n figura
7.12.b.
5

VGS =6V

5V

3
2
1

4V
3V
2V

1 2

3 4 5 6
VDS[V]

7 8

ID [mA]

ID [mA]

VDS =6V

4
3
2

VP

3
5
4
6
VDS[V]
a.
b.
Figura 7.12. Caracteristicile statice teoretice pentru o structur MOSFET
cu canal indus de tip n: a) de ieire; b) de transfer.
0

7.3.2. Abateri de la caracteristicile statice ideale ale MOSFET cu canal


indus
Caracteristicile ideale ale MOSFET au fost determinate n condiiile simplificatoare
ale neglijrii componentei de difuzie a curentului de dren, neglijrii modulaiei lungimii
canalului pentru tensiuni V DS > V DS sat , neglijrii variaiei mobilitii cu coordonatele pe axele
x, y i chiar z pentru tranzistoarele de dimensiuni mici, neglijrii variaiei vitezei de drift i a
intensitii cmpului electric cu coordonata x etc.
Principalele efecte produse asupra caracteristicilor I V de aceste neglijri sunt listate
n continuare:
conducia sub prag datorat curentului de difuzie;
aa numitele efecte de cmp electric intens:
efectul de saturare a vitezei de drift a purttorilor de sarcin n raport cu
intensitarea cmpului electric longitudinal;

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

227

scderea mobilitii purttorilor de sarcin odat cu creterea cmpului electric


transversal;
apariia unui curent de gril (i creterea celui de substrat), datorit efectului de
tunel Fowler-Nordheim prin care electronii trec prin bariera de potenial SiO2/Si,
odat cu creterea intensitii cmpului electric transversal;
creterea tensiunii de prag datorit creterii sarcinii din interiorul oxidului prin
capturarea electronilor ce traverseaz aceast regiune prin efect de tunel;
distorsionarea caracteristicii I V a MOSFET datorit variaiei longitudinale a
sarcinii nmagazinate n volumul oxidului i la interfaa SiO2/Si;
aa numitele efecte de tensiune nalt ce se ntlnesc n unele structuri MOSFET chiar
i atunci cnd cmpul electric nu este foarte intens:
modularea lungimii canalului conductor;
modularea limii electrice a canalului datorit efectelor de margine ale cmpului
electric;
creterea curentului de substrat (i chiar apariia unui curent de poart) datorit
generrii prin impact a purttorilor de sarcin la tensiuni inverse mari aplicate
jonciunii dren-substrat;
modificarea tensiunii de prag datorit fenomenelor de captur i generare de
purttori de sarcin, din volumul i de la suprafaa oxidului, produse de electronii
accelerai ai "avalanei";
distorsionarea caracteristicii statice a MOSFET datorit variaiei longitudinale a
sarcinii nmagazinate n volumul oxidului i la interfaa SiO2/Si.
n aceast seciune, din toate aceste abateri de la idealitate, vor fi analizate cele ale
cror efecte asupra caracteristicii I V pot fi exprimate analitic.

Conducia sub prag a MOSFET


Analiza funcionrii statice a MOSFET cu canal n din seciunea precedent a fost
fcut pentru cazul aplicrii unor tensiuni V GS mai mari ca tensiunea de prag, adic pentru
cazul existenei unui canal conductor bine definit. Totui, atunci cnd tensiunea aplicat grilei
este mai mic dect cea de prag (adic V S < 2 F ), prin structur circul un curent de
purttori minoritari (electroni pentru MOSFET cu substrat de tip p). Acesta este cunoscut sub
denumirea de curent sub prag, iar regiunea de pe caracteristica I V corespunztoare acestuia
este cunoscut sub denumirea de regiune de conducie sub prag sau sub denumirea puin
forat de regiune de inversie slab. Purttorii minoritari sunt injectai de jonciunea n + p a
sursei, difuzeaz prin canalul superficial i sunt colectai de jonciunea n + p a drenei,
polarizat invers. Este practic acelai mecanism, ntlnit i la TBJ, de injecie de purttori
minoritari-difuzie-colectare. Diferenele majore constau n faptul c difuzia nu are loc ntr-o
regiune subire (regiunea bazei neutre), ci ntr-o regiune de sarcin spaial de lungime mare,
care din punct de vedere al conductibilitii poate fi intrinsec sau uor de tip p, i c
modalitatea de control a injeciei purttorilor minoritari la MOSFET se realizeaz prin
scderea barierei de potenial a jonciunii sursei prin intermediul tensiunii aplicate pe gril.
n analiza anterioar a structurii MOSFET acest curent de difuzie a fost neglijat pentru
a simplifica relaiile analitice i deoarece componenta de difuzie este neglijabil n raport cu

228

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

componenta de drift atunci cnd suprafaa semiconductorului este n regim de inversie


puternic. i n regim de inversie slab curentul de difuzie are o valoare foarte mic.
Regiunea de conducie sub prag este delimitat de urmtoarele relaii:
0 VS 2 F

(7.56)

sau

Q B (V SB )
Q B (V SB + 2 F )

+ V FB V GS
+ V FB + 2 F.
(7.57)
C0
C0
Pe msur ce tensiunea V GS crete de la limita sa inferioar la cea superioar (n
conformitate cu 7.57), jonciunea surs-canal se schimb din n + p n n + i , apoi n n + n
i n final n n + n .
Curentul sub prag poate fi aproximat prin curentul de difuzie i astfel poate fi calculat
folosind relaia:


I D = 0 Jny dx W = W D n d Q n
dy

Jny q D n dn
dy

Q n = q 0 [n(x, y ) n 0 ] dx

(7.58)

Integrnd relaia (7.58) i folosind expresia lui Boltzmann pentru a exprima


concentraia purttorilor de sarcin la suprafaa semiconductorului se obine:

Q B sp

V
GS
FB

C0
V DS =
I D I D 0 exp
1 exp
VT
V T

V
V
I D 0 exp GS 1 exp DS
n VT
VT

(7.59)

n care parametrii implicai sunt dai de relaiile:

ID 0

1
2

1
Dn q n0 xC
= W

Q B sp
L
V + V SB V FB
GS
C0

Q B sp = 2 q S N A (V GS + V SB V FB )
V + V SB V FB V GS + V SB V FB
,
1 exp GS

1
VT
VT
xC = d C
2 (V GS + V SB V FB )/V T

(7.60.a)

(7.60.b)

unde x C reprezint grosimea efectiv a canalului la conducia sub prag.


Pentru a se ilustra acest efect n figura 7.13 este reprezentat caracteristica unui
tranzistor cu canal n ce are W = L = 20 m folosindu-se dou scri diferite. Graficul din
figura 7.13.a reprezint dependena I D n funcie de V GS . Reprezentrile grafice de acest
tip sunt folosite curent pentru determinarea experimental prin extrapolare a tensiunii de prag.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

229

Panta caracteristicii reprezint parametrul 2 . Abaterea de la liniaritate observat n


vecintatea tensiunii de prag corespunde zonei de conducie sub prag. n reprezentarea din
figura 7.13.b s-a folosit scar logaritmic pentru I D pentru a evidenia graniele zonei de
conducie sub prag, corespunztoare regiunii liniare a caracteristicii.
Funcionarea sub prag a MOSFET se utilizeaz pe scar larg n aplicaiile de putere
foarte mic. Principalul dezavantaj al lucrului n regiunea de conducie sub prag l constituie
scderea dramatic a frecvenei de tiere a dispozitivului.

ID [(A)1/2]
20
15

VDS =5 V
W=20 m
L=20m

10
5
0

3
VP extrapolat =0,7 V

log ID [A]

10- 3
10-4
10-5
10-6
10-7
10-8
10-9
10-10
10-11
10-12

5 VGS [V]

Regiunea
corespunztoare
caracteristicii
ptratice

Regiune
exponenial VDS=5V
de conducie W= L=20m
sub prag

0,5

1,5

a.

VGS [V]
b.

Figura 7.13. Caracteristica de transfer a unui MOSFET trasat ca:


a) I D funcie de V GS ; b) log I D funcie de V GS .

Efectele de cmp electric intens i de tensiune nalt asupra caracteristicii I-V a


MOSFET
Creterea intensitii cmpului electric i a tensiunilor aplicate afecteaz funcionarea
structurilor dispozitivelor semiconductoare deoarece parametrii ce caracterizeaz transportul
(prin drift sau difuzie), generarea-recombinarea, emisia-captura i efectul de tunel depind de
cmpul electric din dispozitiv.
Astfel, aa cum am artat n capitolul 2, mobilitile i constantele de difuzie ale
purttorilor mobili de sarcin scad odat cu creterea intensitii cmpului electric aplicat
dispozitivului datorit pierderilor de energie cauzate de creterea frecvenei ciocnirilor
acestora cu atomii reelei cristaline aflai n vibraie. De asemenea, odat cu creterea
intensitii cmpului electric crete energia cinetic a purttorilor mobili de sarcin i deci
cresc ratele de generare, de emisie i de trecere prin efect de tunel a unei bariere de potenial
ale purttorilor mobili de sarcin, iar cele de recombinare i de captur scad. n consecin, se
poate afirma c att performanele dispozitivelor semiconductoare ct i timpul de via al
acestora pot fi micorate de aplicarea unor cmpuri electrice de intensitate mare.
Datorit numrului mare de heterojonciuni, precum i a imperfeciunilor materialelor
ce le alctuiesc, funcionarea tranzistoarelor MOS este mai mult influenat de intensitatea
cmpului electric dect cea a tranzistoarelor bipolare sau cu efect de cmp cu gril jonciune.

230

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Efectele dependenei mobilitii purttorilor mobili de sarcin de intensitatea


cmpului electric asupra caracteristicii I-V a MOSFET
n canalul conductor mobilitatea purttorilor de sarcin este influenat att de
intensitatea cmpului longitudinal ct i de intensitatea cmpului transversal. Cele dou
mecanisme de reducere a mobilitii sunt: creterea vibraiei optice a atomilor reelei
semiconductoare cu creterea intensitii cmpului longitudinal i ngrmdirea purttorilor
de sarcin la interfaa SiO2/Si odat cu creterea intensitii cmpului transversal. Exprimarea
analitic a acestor mecanisme conduce la urmtoarele relaii:
0
=
1

Ey
1 + E
CL

(7.61)
0
=

Ex
1 + E
CT

n care 0 reprezint mobilitatea purttorilor de sarcin la intensiti mici ale cmpului


electric, E CL intensitatea critic a cmpului electric longitudinal, E CT intensitatea critic a
cmpului electric transversal, i sunt parametri empirici ce teoretic variaz cu intensitatea
cmpului aplicat i cu temperatura.
Intensitatea critic a cmpului electric transversal este n jur de 100 kV/cm i
reprezint intensitatea maxim a cmpului electric la interfaa SiO2/Si. Parametrul variaz
de la 0, 5 pn la 2 odat cu creterea tensiunii aplicate pe gril.
Intensitatea critic a cmpului electric longitudinal este dat de viteza de saturaie a
purttorilor mobili de sarcin, n conformitate cu relaia:
v
(7.62)
E CL = sat0
Valoarea parametrului empiric este cu aproximaie 2.
n scopul determinrii efectului variaiei mobilitii cu intensitatea cmpului
longitudinal se introduce expresia (7.61.a) n relaia (7.52.a). Se obine astfel urmtoarea
ecuaie diferenial:

ID
= (V GS V P V )
n 0 C 0 W E CL

dV

dy

2
+ dV
E CL
dy

(7.63)

Notnd cu

ID N =

ID
,
n 0 C 0 W E CL

(7.64)

ridicnd la ptrat ecuaia diferenial (7.63), i separnd termenii ce conin (dy) 2 de cei ce
conin (dV ) 2 se obine urmtoarea relaie:
2
(I DN ) 2 E CL
(dy ) 2 = (V GS V P V ) 2 (I DN ) 2 (dV ) 2.

(7.65)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

231

n consecin ecuaia diferenial ce descrie funcionarea MOSFET n condiiile


aplicrii unor cmpuri transversale puternice este:

I DN E CL dy = [V GS V P V(y )] 2 (I DN ) 2 dV

(7.66)

Integrnd i folosind relaia:

x 2 a 2 dx = 1 x x 2 a 2 a 2 ln x + x 2 a 2
2
se obine urmtoarea ecuaie transcedental:

(7.67)

2 I DN E CL L = (V GS V P ) (V GS V P ) 2 (I DN ) 2
(V GS V P V DS ) (V GS V P V DS ) 2 (I DN ) 2

(V GS V P ) + (V GS V P ) 2 (I DN ) 2

2
(I DN ) ln
(V GS V P V DS ) + (V GS V P V DS ) 2 (I DN ) 2

(7.68)

Aceast ecuaie, dei complicat, relev totui scderea curentului de dren la


intensiti crescute ale cmpului electric longitudinal. n general, chiar dac tensiunea aplicat
pe dren este departe de a produce un cmp electric intens n cea mai mare a canalului, totui
lng dren intensitatea cmpului este destul de mare i curentul de dren al dispozitivului va
fi mai mic dect cel prezis de ecuaia teoretic (7.53). Ecuaia teoretic unidimensional
(7.53) conduce la erori mici fa de situaia real dac este indeplinit condiia:

V DS
<< E CL
(7.69)
L
Relaia (7.69) ne arat c la tranzistoarele MOSFET cu canale de lungimi L 1 m
efectul dependenei mobilitii purttorilor mobili de sarcin de intensitatea cmpului electric
longitudinal este pregnant. De aceea, acest efect se mai numete i efect de canal scurt.
Pentru a reliefa mai clar acest efect se consider un tranzistor cu canal scurt la care
intensitatea cmpului electric este apropiat de cea critic n aproape tot canalul. n aceast
situaie se poate considera c viteza purttorilor de sarcin s-a saturat, adic:
(7.70)
n dV = v sat = ct.
dy
Astfel, n condiii de saturaie (V DS = V DS sat = V GS V P ) se obine pentru curentul de
dren urmtoarea expresie:
(7.71)
I D = C 0 W v sat (V GS V P )
L
Se constat astfel c pe msur ce lungimea canalului scade, caracteristica I V a
MOSFET tinde spre o funcie liniar.
Efectul variaiei mobilitii cu cmpul electric transversal asupra caracteristicii I V a
MOSFET se poate determina procednd ntr-un mod asemnator celui anterior. Astfel,
pornind de la expresia

ID =

0

dV W Q C (y )
1 + E x /E CT dy

(7.72)

232

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

i folosind relaiile

Q C (y ) Q n (y )
Q S = S E x = Q n + Q B

= S E CT
Q CT

(7.73)

se obine urmtoarea ecuaie diferenial:

I D dy 0 W Q CT

Q n
dV

+ Q n + Q B
Q CT

(7.74)

innd seama de expresiile densitiilor superficiale de sarcin i integrnd (7.74) se


obine expresia curentului de dren n condiiile aplicrii unor cmpuri transversale intense.
Micorarea curentului de dren nu este la fel de mare ca n cazul anterior, dar poate deveni
suprtoare n aplicaii.

Efectele modulrii lungimii i a limii electrice a canalului conductor asupra


caracteristicii I-V a MOSFET
n abordrile anterioare dimensiunile canalului, W i L , au fost considerate constante
geometrice, determinate de procesul tehnologic. n realitate, mrimile W i L ce intervin n
expresiile analitice ale caracteristicilor I V ale MOSFET corespund dimensiunilor
electronice ale canalului, depinznd de tensiunile aplicate structurii. Aceast dependen este
mai accentuat pentru dispozitivele ce au dimensiuni geometrice submicronice.

Modularea lungimii canalului devine sesizabil la aplicarea unor tensiuni pe dren


V DS > V DS sat . La astfel de tensiuni, lungimea electric a canalului se micoreaz datorit
prezenei regiunii de sarcin spaial ntre punctul de nchidere al canalului i regiunea de
dren (vezi figura 7.14.a). Micorarea lungimii canalului are urmtoarele efecte: creterea
curentului de dren odat cu creterea tensiunii aplicate pe dren (conductana de dren la
saturaie este nenul) i creterea transconductanei structurii.
n conformitate cu figura 7.14.a lungimea electronic a canalului este dat de relaia:
LE = L yD yS L yD

(7.75)

iar y D este dat de relaia:

y D = 2 q 1 ( B 0 + V R ) = 2 q 1 ( B 0 + V n V p ) =
NA
NA
=

2 1 [ + V (V V )]
B0
DS
GS
P
q NA

(7.76)

n care B 0 reprezint bariera intern de potenial corespunztoare jonciunii p-n a drenei, iar
V n i V p reprezint potenialele fa de surs ale regiunilor n i p corespunztoare aceleiai
jonciuni.
n consecin curentul de dren n regiunea de saturaie este dat de expresia:

I D W n C 0 (V GS V P ) 2
2 LE
iar conductana n regiunea de saturaie este:

(7.77)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

I D
L E
W 2 n C 0 (V GS V P ) 2
=
V DS

V DS
2 LE
y D
y D
I
= D
= W 2 n C 0 (V GS V P ) 2
V DS L E V DS
2 LE

233

gd =

(7.78)

Relaia (7.78) relev faptul c se poate defini o tensiune similar tensiunii Early de la
TBJ:

V A(MOSFET) =

1
y
q
ID
= L E D = L E y D N A
V DS
I D /V DS

(7.79)

Pentru tranzistoarele MOSFET parametrul cel mai utilizat pentru a caracteriza


conductana de ieire este:
1
= 1 = q 1
VA
N A (L y D ) y D

(7.80)

Acest efect este relevat de caracteristica real a unui tranzistor MOS cu canal n
reprezentat n figura 7.14.b. Valorile tipice pentru se plaseaz n gama (0, 05 0, 005) V 1 .
Micorarea acestui efect se poate realiza prin incorporarea unei regiuni slab dopate lng
regiunea drenei la interfaa SiO2/Si (vezi figura 7.14.c) care face ca lungimea electronic a
canalului s fie insensibil fa de creterea tensiunii aplicat drenei.
Micorarea tensiunii de prag se datoreaz regiunii de sarcin spaial de la jonciunea
sursei (vezi figura 7.14.a) ce nu este controlat de tensiunea aplicat porii. Aceast micorare
a tensiunii de prag este foarte important n tranzistoarele cu canal scurt i este cunoscut sub
denumirea de efect Yau. Analitic aceast micorare poate fi exprimat prin relaia:
V P =

q NA
y S x d =y S S (2 F + V SB )
x d (y = 0)
=
C0
2L
C0 L

(7.81)

Efectele variaiei limii electronice W E a canalului cu tensiunile aplicate sunt:


micorarea curentului de dren pentru valori ale tensiunii V GS apropiate de tensiunea de prag
datorit faptului c W E < W , mrirea curentului de dren i a conductanei de dren la valori
foarte mari ale tensiunii V GS datorit creterii limii electronice a canalului (W E > W ) i
creterea tensiunii de prag. Primele dou efecte sunt ilustrate n figura 7.15.
Creterea tensiunii de prag se datoreaz micorrii limii electronice a canalului cu
grosimile regiunilor de sarcin spaial ale jonciunilor drenei i sursei. Expresia analitic a
acestei creteri este:
q N A x d (y = 0) z S x d =z S
Q B z S
V P = 2
=2

C0
2W
C0 2 W
x d =z S 2 S
=
(2 F + V SB )
C0 W

(7.82)

Efectul micorrii limii electronice a canalului asupra caracteristicii I V , pentru


tensiuni V GS apropiate de tensiunea de prag, poate fi analizat prin nlocuirea dimensiunii
geometrice W cu cea electronic W E :

I D = n dV W E Q C (y ) = n dV W E Q n (y )
dy
dy
V DS
I D L = 0 n W E Q n (y ) dV

(7.83)

234

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

n+

n+
canal L
E
L

yS
p - Si

a.

yD

B
ID

-1

yS
p - Si

Regiunea
de tip
triod

b.

D
p-

canal L
E
L

ideal
real
ideal
real
ideal
VDS

n+

Regiunea
de saturaie
real

n+
c.

yD

B
Figura 7.14. Modularea lungimii canalului i ilustrarea efectului acestui fenomen
asupra caracteristicilor I V ale MOSFET.

Sarcina suplimentar incorporat n relaia caracteristicii ideale I V poate fi evaluat


prin relaia:

Q B z S
= q N A x d (y ) z S = q N A x 2d (y ) =
2
= 2 S [2 F + V SB + V(y )]

Q n (W W E ) = 2

(7.84)

n consecin expresia curentului de dren devine:

I D = 1 0
L

VDS

= I D ideal

n { W Q n (y) + 2 S [2 F + V SB + V(y)]} dV =

V2
2 S
n (2 F + V SB ) V DS + DS
L
2

(7.85)

Relaia (7.85) relev scderea curentului de dren la valori mici ale tensiunii V GS i
implicit scderea conductanei de dren.
Atunci cnd tensiunea aplicat pe gril are valori mari, limea regiunii de sarcin
spaial controlat de aceast tensiune crete, devenind la un moment dat mai mare ca limea

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

235

geometric a grilei (W E > W ). Aceast sarcin suplimentar conduce la creterea curentului


de dren i a conductanei acesteia. Calculul creterii marginale z se poate face astfel:
2

z(y ) = x 02z (y ) x 02 = x 0

[V GS V(y )]
x 02z
1 x0
1
2
x0
V P2

(7.86)

Creterea marginal maxim se obine la y = 0 :

zM = x0

2
V GS
1
V P2

(7.87)

Efectul acestei creteri poate fi estimat astfel:


2 n V DS zM
I D = I D ideal
Q (z, V ) dz dV =
L 0 0 n
2 n V DS z M
C [V GS V P V(y )] dz dV =
= I D ideal +
L 0 0 0z
z
M
[V GS V P V(y )] 0

dV =

d
z

0
2

2
x0 + z

2
zM + x + z 2
2 0 n V DS
0
M

= I D ideal +
V
[
dV =
GS V P V(y )] ln

x
0
0
L

2
2
V
2 0 n
V
V GS
GS
(V GS V P ) V DS DS ln

1
+
= I D ideal +

2
2
L
VP

VP
= I D ideal +

2 n
L

V DS

G
n+
LE

xS

yD

WE

B
S

n+

B
G

S
n+

a) la tensiuni V GS

zS

WG

a.

zM

xS
zS

(7.88)

n+
yS

WE

Figura 7.15. Modularea grosimii canalului:


apropiate de V P (W E < W ) ; b) la tensiuni V GS foarte mari (W E > W ) .

b.

236

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Curentul de substrat al MOSFET


La valori mari ale tensiunii aplicate pe dren poate s apar n regiunea golit a
acesteia procesul de ionizare prin oc prin care se genereaz perechi electron-gol. Astfel,
pentru un MOSFET cu canal n unele din golurile rezultate "curg" spre substrat iar electronii
ctre terminalul de dren dnd natere unui curent de substrat. Valoarea acestui curent de
substrat depinde de tensiunea pe regiunea golit a drenei (datorit faptului c energia
purttorilor de sarcin este determinat de aceasta) i, de asemenea, de valoarea curentului de
dren (ce determin concentraia purttorilor de sarcin din canal ce intr n regiunea golit).
Acest efect este mai puin important pentru tranzistoarele MOSFET cu canal p deoarece
eficiena cu care golurile din canal genereaz perechi electron-gol este mult mai mic dect
cea a electronilor. Caracterizarea acestui curent de substrat se face cu urmtoarea relaie
empiric:

K2

(7.89)
V DS V DS sat
n care K 1 i K 2 sunt parametri dependeni de procesul de fabricaie al MOSFET.
Efectul major al acestui fenomen asupra performanelor de circuit este apariia unei
conductane parazite ntre dren i substrat:
I DB = K 1 (V DS V DS sat ) I D exp

I DB
I
V DS
I DB
= DB
=
V DB V DS V DB V DS V DS sat

K2
1 +

V DS V DS sat

(7.90)

Creterea excesiv a valorii tensiunii de dren conduce la strpungerea jonciunii


dren-substrat prin procesul de multiplicare n avalan.

Observaie
La valori mari ale tensiunii aplicate pe gril poate s apar strpungerea oxidului
grilei, proces destructiv pentru tranzistor. Valorile tipice ale tensiunii de stpungere a oxidului
V 0 sunt de aproximativ (25 50) V . Datorit faptului c oxidul este un bun dielectric,
electrodul de poart poate s acumuleze sarcini, astfel nct strpungerea oxidului poate avea
loc chiar prin simpla atingere a electrodului de poart cu mna sau cu obiecte electrizate. De
aceea, unele tranzistoare MOS au o diod Zener, conectat ntre poart i surs, incorporat n
structur. Simbolul unui astfel de tranzistor este reprezentat n figura 7.16. Dezavantajul
major al acestei soluii const n micorarea impedanei de intrare a tranzistorului.
Tranzistoarele MOSFET neprotejate trebuie s fie manipulate cu grij pentru a se evita
strpungerea acestora.
D
ID
G

.
S
Figura 7.16. Simbolul folosit pentru structurile MOSFET protejate.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

237

7.3.3. Modele statice de semnal mare pentru MOSFET cu canal indus


Rezultatele obinute pn acum permit elaborarea unor modele statice de semnal mare
pentru tranzistoarele MOSFET cu canal indus. Aceste modele se folosesc pe scar larg n
calculul punctelor statice de funcionare corespunztoare MOSFET.
Tranzistoarele MOS moderne se realizeaz ntr-o varietate constructiv larg. Una din
principalele direcii de evoluie este legat de creterea vitezei de lucru. n acest sens canalul
se realizeaz din ce n ce mai scurt, iar la suprafa se formeaz un cmp electric intern
printr-o dopare neuniform a substratului. Efectele acestor modificri au fost prezentate pe
larg n subcapitolul anterior.
Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus lung (L 5 m ) caracteristicile statice
reprezentate n figura 7.17 se pot modela folosind urmtoarele expresii analitice:
pentru MOSFET cu canal n
n regiunea de blocare V GS < V P

ID 0

(7.91)

n regiunea de tip triod V GS > V P , V DS < V DS sat


V
I D 2 V GS V P DS V DS
2
n regiunea de saturaie V GS > V P , V DS V DS sat

(7.92)

I D (V GS V P ) 2 (1 + V DS )

(7.93)

pentru MOSFET cu canal p

n regiunea de blocare V GS > V P


ID 0

(7.94)

n regiunea de tip triod V GS < V P , V DS < V DS sat


V
I D 2 V P V GS + DS V DS
2
n regiunea de saturaie V GS < V P , V DS V DS sat

(7.95)

I D (V P V GS ) 2 (1 + V DS )

(7.96)

Semnificaia parametrului , negativ pentru un MOSFET cu canal p i pozitiv pentru


un MOSFET cu canal n, este ilustrat n figura 7.17.a. Acesta modeleaz, n principal, efectul
modulaiei lungimii canalului conductiv i corespunde inversului tensiunii Early de la TBJ.
Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus scurt (L < 2 m ) caracteristicile statice
reprezentate n figura 7.17.b se pot modela folosind urmtoarele expresii analitice:
pentru MOSFET cu canal n
n regiunea de blocare V GS < V P

ID 0
n regiunea de tip triod V GS > V P , V DS < V DS sat
2
V
ID
V GS V P DS (1 + V DS )
1 + 1 (V GS V P )
2

(7.97)

(7.98)

238

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

n regiunea de saturaie V GS > V P , V DS V DS sat


ID

(V GS V P ) 2 (1 + V DS )
1 + 1 (V GS V P )

(7.99)

pentru MOSFET cu canal p

n regiunea de blocare V GS > V P


ID 0

(7.100)

n regiunea de tip triod V GS < V P , V DS < V DS sat


2
V
ID
V V GS + DS (1 + V DS )
1 + 1 V DS P
2

(7.101)

n regiunea de saturaie
ID

(V P V GS ) 2 (1 + V DS )
1 + 1 (V P V GS )

(7.102)

Parametrii implicai n aceste expresii sunt dai de relaiile:

WE
C
2 LE n 0 .
1
1 =
L E E CL
=

(7.103)

n unele cazuri, pentru regiunea de saturaie n locul expresiilor prezentate mai sus se
folosete o relaie mult simplificat:

I D = (V GS V P ) m (1 + V DS )

(7.104)

unde m este un coeficient ce depinde de procesul tehnologic i de dimensiunile MOSFET i


care are valori cuprinse ntre 1 i 2 (m [1, 2] ).
Efectul dat de procesul de ionizare prin oc la jonciunea drenei poate fi modelat
printr-un generator de curent plasat ntre drena i substratul tranzistoarelor aa cum se indic
n figura 7.17.c.

Observaie
n cazul tranzistoarelor cu canal iniial, ale cror caracteristici sunt reprezentate n
figura 7.18, n locul parametrului , folosit pentru MOSFET cu canal indus, se folosete
valoarea curentului de dren pentru V GS = 0 i V DS sat , adic:

I DSS = V P2

(7.105)

Astfel, expresiile folosite pentru a modela caracteristicile MOSFET cu canal iniial n


sunt:
0
pentru V GS < V P

V
V
V
2 I DSS GS 1 DS DS pentru V GS > V P , V DS < V DS sat
VP
ID =
2 VP VP
2

I DSS 1 V GS (1 + V DS )
pentru V GS > V P , V DS V DS sat

VP

(7.106)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

239

MOSFET cu canal n
D
ID
ID [mA]

5
4
3
2
1

5V

3
S

7 VDS[V]

5V

4V

2
1
3

7 -VDS[V]

5V

VGS[V]

ID [mA]
5
4
3
2
1
-6 -5 -4 -3

MOSFET cu canal n
b.

-2 -1 0 VGS[V]

a.
D
Efecte de
canal scurt

4V
3V
2V
0

Regiunea
activ
VGS=6V

ID [mA]

5
4
3
2
1

3V
2

VGS=6V

MOSFET cu canal p
D
ID

ID [mA]

ID [mA]

4V
3V
2V
0

VGS=6V

I DB
B

7 VGS[V]

S
c.

Figura 7.17. Caracteristicile statice ale MOSFET: a) cu canal lung; b) cu canal scurt.
c) Modelarea fenomenului de ionizare prin oc la jonciunea drenei.

n mod similar se pot obine i expresiile caracteristicilor statice ale MOSFET cu canal
iniial de tip p.
Tranzistoarele MOS cu canal iniial pot lucra cu tensiuni de poart att pozitive ct i
negative. Dac V GS > 0 pentru MOSFET cu canal n, respectiv V GS < 0 pentru MOSFET cu
canal p, regimul de lucru se numete regim de mbogire, datorit creterii concentraiei de
purttori mobili de sarcin n canalul conductor. Dac V GS < 0 pentru MOSFET cu canal n,
respectiv V GS > 0 pentru MOSFET cu canal p, regimul de lucru se numete regim de srcire,
deoarece concentraia de purttori mobili de sarcin n canalul conductor scade.

240

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

MOSFET cu canal iniial de tip n


ID [mA]

VGS =2V

ID [mA]

VGS =1V

VGS =0V

VGS =-1V
VGS =-1,2V

10 VDS[V]

-3 -2 -1 0

VGS [V]

MOSFET cu canal iniial de tip p


ID[mA]

ID [mA]

VGS =-2,5V

VGS =-1,5V

VGS=0V
VGS =0,5V

2
0

10 -V [V]
DS

2
-3

-2

-1

Figura 7.18. Caracteristici statice I V pentru MOSFET cu canal iniial.

VGS[V]

7.3.4. Efectul variaiei temperaturii asupra caracteristicilor statice ale


MOSFET
Din punctul de vedere al dependenei de temperatur, tranzistoarele MOS prezint
aceleai avantaje ca i tranzistoarele JFET.
Odat cu creterea temperaturii, I D scade deoarece scade datorit scderii mobilitii
purttorilor de sarcin (vezi subcapitolul 2.5.1). Zona preferat de lucru a MOSFET folosit ca
amplificator este cea corespunztoare saturaiei. Deoarece n aceast regiune coeficientul de
temperatur este negativ rezult c la MOSFET problema ambalrii termice nu se pune. De
asemenea, tranzistoarele MOS nu vor prezenta niciodat fenomenul de ambalare termic.

7.3.5. Circuite de polarizare pentru MOSFET


Circuitele de polarizare ale MOSFET trebuie s asigure funcionarea acestuia ntr-un
anumit punct de funcionare n regim static (numit punct static de funcionare), caracterizat de
coordonatele (I D , V DS ), i meninerea funcionrii MOSFET n acest punct n condiiile unei
dispersii de fabricaie a parametrilor structurii semiconductoare. Alegerea unui punct static de
funcionare se face n funcie de scopul urmrit: obinerea unei anumite pante
g m = (I D /V GS ) VDS =ct. , folosirea unei regiuni ct mai liniare a caracteristicilor etc.

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

241

Circuitele de polarizare pentru MOSFET cu canal indus trebuie s asigure aceeai


polaritate a tensiunilor aplicate pe dren i pe surs, iar circuitele de polarizare pentru
MOSFET cu canal iniial trebuie s asigure pentru tensiunile aplicate pe dren i pe surs fie
aceeai polaritate n cazul cnd se dorete funcionarea MOSFET n regim de mbogire, fie
polariti diferite pentru funcionarea n regim de srcire.
Cele mai uzuale circuite de polarizare ale MOSFET sunt reprezentate n figura 7.19
pentru un dispozitiv cu canal n.
+VDD
R1

RD

+V DD
R1

RD
T

T
R2

R2

a.

RS

b.

Figura 7.19. Circuite uzuale de polarizare pentru MOSFET.

Circuitul din figura 7.19.a poate fi folosit pentru MOSFET cu canal indus i pentru
MOSFET cu canal iniial atunci cnd se dorete funcionarea lui n regim de mbogire,
deoarece ofer aceeai polaritate pentru tensiunile aplicate pe poart i pe dren.
Relaiile ce caracterizeaz circuitul sunt:

R2
V
R 1 + R 2 DS
= V DD R D I D

V GS =
V DS

(7.107)

Prima relaie a ecuaiilor (7.107) definete dreapta de polarizare a MOSFET ce se


figureaz n planul caracteristicii de transfer a acestuia.
S considerm c tranzistorul MOS pe care dorim s-l polarizm pentru a funciona n
regiunea de saturaie este cu canal lung i c are valoarea parametrului extrem de mic.
Astfel, ecuaia caracteristicii de transfer a acestuia devine:

I D = (V GS V P ) 2

(7.108)

Intersecia ntre dreapta de polarizare i caracteristica de transfer determin punctul


static de funcionare al dipozitivului. Rezolvarea analitic (respectiv numeric) a sistemului
de gradul doi format din ecuaiile (7.107.a) i (7.108) conduce la determinarea a dou soluii,
una adevrat i una fals, la fel ca n cazul JFET. Evident, numai soluia corespunztoare
unei tensiuni V GS > 0 este corect.
Circuitul din figura 7.19.b poate fi folosit pentru toate tipurile de tranzistoare
MOSFET deoarece este capabil a aplica pe poart att tensiuni pozitive ct i negative.

242

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

Relaiile ce caracterizeaz circuitul sunt:

R2
V I R
R 1 + R 2 DS D S
= V DD (R D + R S ) I D

V GS =
V DS

(7.109)

i n acest caz intersecia ntre dreapta de polarizare (dat de relaia 7.109.a) i


caracteristica de transfer determin punctul static de funcionare al dipozitivului.

7.4. Regimul variabil de semnal mic al MOSFET


Proprietile dinamice ale MOSFET sunt determinate de sarcinile acumulate n
structur care depind de tensiunile aplicate pe electrozii dispozitivului. n consecin,
modelele statice determinate anterior pot fi extinse pentru a include i variaiile rapide ale
tensiunii jonciunilor prin includerea unor componente care s reflecte suplimentul de curent
la terminalele dispozitivului atunci cnd sarcina nmagazinat n acesta variaz. Aceste
componente pot fi determinate prin analiza sarcinii acumulate sau analiza de control prin
sarcin.
Astfel, sarcina stocat n canalul conductor de lungime L i W este dat de relaia:
L

V DS

Q C = W 0 Q n (y )dy = W 0

Q n (y )

dy
dV
dV

(7.110)

Folosind relaia (7.47) i innd cont de egalitatea (7.49) se obine urmtoarea


expresie:
n Q n (y ) W
dy
=
ID
dV

(7.111)

nlocuind aceast relaie n (7.110) se obine:

Q C =

n W 2

ID

VDS
0

[Q n (y)] dV ,

(7.112)

iar utilizarea relaiei (7.51) n (7.112) conduce la determinarea expresiei dependenei sarcinii
acumulate n canal de tensiunile aplicate structurii:

QC =

n W 2 C 02

ID

V DS
0

2
[V GS V P V(y )] dV =

2
3
3 (V GS V P ) 2 V DS 3 (V GS V P ) V DS
+ V DS
=
2
2 (V GS V P ) V DS V DS
2
3 (V GS V P ) 2 3 (V GS V P ) V DS + V DS
= 2 W L C0
2 (V GS V P ) V DS
3

= 2 W L C0
3

(7.113)

Sarcina stocat la gril poate fi obinut printr-o procedur similar:


L

Q G = 0 C 0 V 0 (y) W dy = 0 [C 0 (V P MS 2 F ) Q n ] W dy =
V DS
dy
= W L C 0 (V P MS 2 F ) W Q n (y)
dV =
0
dV
= W L C 0 (V P MS 2 F ) Q C

(7.114)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

243

Se pot calcula acum variaiile sarcinii existente n canal i la gril n funcie de


variaiile tensiunilor aplicate structurii.
Determinarea unui model de semnal mic pentru MOSFET se poate face prin utilizarea
unor metode similare acelora folosite la TBJ. Deoarece aceast structur este utilizat ca
amplificator n regiunea de saturaie a caracteristicilor statice, circuitul echivalent de semnal
mic se va determina pentru funcionarea acesteia n aceast regiune.
n consecin elementele corespunztoare circuitului echivalent n regim cvasistaionar
(regim variabil valabil pentru frecvene joase) se pot obine prin diferenierea relaiilor (7.93),
respectiv (7.99), n funcie de lungimea canalului conductor. Se obine astfel:
transconductana de semnal mic sau panta MOSFET

gm =

I D
V GS

pentru MOSFET
2 ID
(V V )
cu canal lung
GS
P

2 + 1 (V GS V P )
ID

V DS = ct.

(
)
V GS V P 1 + 1 (V GS V P )

pentru MOSFET
cu canal scurt

(7.115)

conductana de ieire de semnal mic


gd =

I D
V DS

V GS = ct.

ID

(7.116)

Circuitul echivalent de semnal mic n regim cvasistaionar pentru cazul n care


tensiunea ntre substrat i surs nu variaz este reprezentat n figura 7.20. Substratul
tranzistoarelor MOS se leag fie la cel mai negativ potenial al circuitului (sursa de tensiune
negativ) dac este cu canal n, fie la cel mai pozitiv potenial al circuitului (sursa de tensiune
pozitiv) dac este cu canal p. Totui, n foarte multe cazuri, sursa tranzistorului poate avea
un potenial de curent alternativ semnificativ. Astfel, tensiunea ntre substrat i surs variaz
afectnd tensiunea de prag a tranzistorului i deci influennd curentul de dren. Ca urmare se
poate considera substratul ca o a doua gril de comand, iar transconductana corespunztoare
acesteia este:

g mb =

I D
V BS

V P
2
(V V ) I D V
GS
P
BS

=
2
V GS V P 1
V P
ID

V BS
[1 + 1 (V GS V P )]

pentru MOSFET
cu canal lung

(7.117)

pentru MOSFET
cu canal scurt

Din relaia (7.44) se obine prin derivare rata de variaie a tensiunii de prag fa de
variaia tensiunii dintre substrat i surs:

V P
=
=
(7.118)
V BS
2 2 F + V SB
care se constituie i ca relaie de definiie pentru parametrul . Acest parametru exprim
raportul dintre cele dou transconductane ale dispozitivului, adic:
g mb
(7.119)
gm =

244

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

nlocuind expresia (7.118) n (7.117) se obine:

g mb =

I D
V BS

2 ID

2 (V GS V P ) 2 F + V SB
=

1
+ 1 I D

V GS V P 2

[1 + 1 (V GS V P ) ] 2 F + V SB

pentru MOSFET
cu canal lung
(7.120)
pentru MOSFET
cu canal scurt

Circuitul echivalent de semnal mic i regim cvasistaionar corespunztor acestui caz


este reprezentat n figura 7.20.b.
D

G
gm.Vgs

Vgs

rd= g1

1
gmb.Vbs rd= gd

S
B

a.

gm.Vgs

Vgs

S
V bs
b.

Figura 7.20. Circuite echivalente de semnal mic pentru MOSFET n regim


cvasistaionar.

Atunci cnd viteza de variaie a tensiunilor aplicate structurii crete, circuitul


echivalent de semnal mic trebuie completat cu elementele capacitive ce modeleaz variaia
sarcinii acumulate n structur. La saturaie expresia sarcinii acumulate n canal devine:
(7.121)
Q C = 2 W L C 0 (V GS V P )
3
Astfel, capacitatea de semnal mic vzut ntre gril i surs cu drena scurtcircuitat la
surs se determin din relaia:

C g scc =
Q C
V GS

Q G
V GS
V DS=ct.

=
V DS=ct.

Q C
V GS

V DS=ct.

= 2 W L C0
3

= 2 W L C0
3

(7.122)

iar capacitarea de semnal mic vzut ntre dren i surs cu grila scurtcircuitat la surs este
dat de relaia:

C d scc =

Q C
V DS

=0

(7.123)

V GS=ct.

Presupunnd c n modelul de semnal mic ntre terminalele structurii sunt capacitile


C gs , C gd i C ds , expresiile acestora pentru un model unidimensional i pentru funcionarea n
regim de saturaie se determin din relaiile:

C gs + C gd = C g scc = 2 W L C 0
3
C ds + C gd = C d scc = 0

(7.124)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

245

Rezolvarea acestui sistem ne conduce la:

C ds = C gd = 0
C gs = 2 W L C 0
3

(7.125)

Dei n urma analizei unidimensionale efectuat anterior, la saturaie, capacitatea


funcional C gd este nul, totui ntre aceste dou terminale exist o capacitate parazit
constant de suprapunere i o capacitate funcional datorat efectelor 2- d . n consecin,
circuitul echivalent de semnal mic la frecvene nalte pentru cazul cnd tensiunea
substrat-surs nu variaz este reprezentat n figura 7.21.a. Dac ns aceast tensiune variaz,
circuitul echivalent complet este ilustrat n figura 7.21.b. Capacitile C sb i C db corespund
regiunilor de sarcin spaial substrat-surs, respectiv substrat-dren. Expresiile acestora sunt:

C sb =

S A SJ
C sb 0
; C sb 0 =
l 0S
V SB
1+ S
B0

(7.126)

S A DJ
C db 0
C db =
; C db 0 =
l 0D
V
1 + DB
D
B0

unde A SJ i A DJ reprezint ariile jonciunilor drenei i sursei, iar l 0S i l 0D reprezint lrgimile


regiunilor de sarcin spaial corespunztoare jonciunilor drenei i sursei.
Capacitatea C gb modeleaz capacitatea format ntre materialul de contact al grilei,
oxid i substrat n afara ariei active a tranzistorului. Valorile tipice pentru toate aceste
elemente apar tot n figura 7.21.b.
G

Cgd
Cgs

Vgs

D
gm.Vgs

Cgd (1. 10)fF

G
Vgs

rd

C. gb

(1. 5)fF

V bs
a.

gm Vgs
gmb Vbs rd
Cgs
.
.
.
.
(1. 100)fF (1. 10)mA/V (0,1. 3)mA/V (10 .100)k
.Cdb
(1. 30)fF
C
. sb
(1. 50)fF
b.

Figura 7.21. Circuite echivalente de semnal mic i frecvene nalte pentru MOSFET.

7.5. Rspunsul la frecvene nalte al MOSFET


Performanele la frecvene nalte ale tranzistoarelor MOS, ce lucreaz n condiii de
semnal mic, se apreciaz, n marea majoritate a cazurilor, prin valoarea unor frecvene
caracteristice: frecvena de tiere a tranzistorului, f T , i produsul amplificare-band, PBW .
Folosind circuitul echivalent din figura 7.22 determinm expresia amplificrii n
curent a tranzistorului cu ieirea n scurtcircuit, la frecvene nalte.

246

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

I0
Ig
Vg

G Ig

Vgs

Cgd
Cgs

D
gm.Vgs

rd

I0

S
S
Figura 7.22. Circuitul echivalent de semnal mic pentru MOSFET n conexiune SC
cu ieirea n scurtcircuit.

Aplicnd Kirchhoff I n nodurile de intrare i de ieire ale circuitului echivalent de


semnal mic din figura 7.22, se obin expresiile curenilor de interes:

I g = j (C gs + C gd ) V gs
I 0 = g m V gs j C gd V gs

(7.127)

i deci

AI =

I0
g m j C gd
gm
=

I g j (C gs + C gd ) j (C gs + C gd )

(7.128)

n consecin expresia frecvenei pentru care ctigul n curent devine unitar


(frecvena de tiere) este:
gm
fT = 1
(7.129)
2 C gs + C gd
Presupunnd c termenul intrinsec C gs este dominant, expresia (7.129) se poate scrie
pentru dispozitivele cu canal lung i sub forma:
g
1, 5 n
(7.130)
fT = 1 m =

(V GS V P )
2 C gs 2 L 2
Cellalt factor de merit al MOSFET se determin din expresia amplificrii n tensiune
(vezi figura 7.23). Aplicnd teorema lui Miller se obine circuitul echivalent din figura 7.23.b,
n care:

C gd = (1 K) C gd
K >>1

C gd = 1 1 C gd C gd

K
K g m (r d R L ) = g m R L ech

(7.131)

Din analiza pe circuit se deduce expresia amplificrii n tensiune:

V0
g m R L ech
=
=
V gs
1 + j C gd + C ds R L ech
AV 0
A V 0ideal
=
=

1 + j S (1 + out ) 1 + j

AV =

n care parametrii implicai reprezint:

(7.132)

Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor

247

A V 0 - amplificarea n tensiune la frecvene joase,


A V 0 = g m R L ech ;

(7.133)

A V 0ideal - amplificarea ideal n tensiune la frecvene joase,


A V 0 ideal = g m R L ;

(7.134)

out - abaterea relativ a amplificrii n tensiune la frecvene joase fa de cea


corespunztoare MOSFET ideal intrinsec,

out = r dL ;

(7.135)

S - pulsaia corespunztoare frecvenei limit superioare a MOSFET,


K >>1
1
1
S =

C + C ds R L ech
C + C ds R L ech
gd

gd

(7.136)

Produsul amplificare-band este dat de expresia analitic:


K >>1
gm

PBW = A V 0 S =

2
2 C + C
K >>1

gm

gd

C ds 0

2 C gd + C ds

ds

I0
Ig
Vg

G Ig

(7.137)

gm
2 C gd

RL

Cgd
Cgs

Vg =Vgs

D
gm.Vgs

rd

~
D

G
Cgs +C'gd

Vg =Vgs
S

a.

gm.Vgs

b.

C"gd RLech
S

Figura 7.23. Circuitul echivalent de semnal mic pentru MOSFET n conexiune SC cu


sarcin conectat pe ieire.

RL

8
DISPOZITIVE
MULTIJONCIUNE I
TRANZISTOARE UNIJONCIUNE
Dispozitivele multijonciune sunt dispozitive electronice a cror structur
incorporeaz trei sau mai multe jonciuni. Din aceast categorie de dispozitive fac parte
diodele pnpn, tiristoarele, diacele, triacele etc.
Sub denumirea de tranzistoare unijonciune (TUJ) se ntlnesc dispozitive electronice
realizate n diverse variante constructive dar ale cror caracteristici I V sunt asemntoare.
Astfel, structura de baz a acestora poate fi o jonciune p-n sau, n ciuda denumirii, poate s
fie de tip pnpn. n acest ultim caz putem include aceste structuri n clasa dispozitivelor
multijonciune.
Toate dispozitivele prezentate n acest capitol au caracteristici I V ce prezint dou
sau trei regiuni de stabilitate n funcionare i ca atare pot fi folosite n circuitele de
comutaie, n circuitele de conversia energiei, n circuitele de impulsuri etc.

8.1. Dioda pnpn


8.1.1. Generaliti
Dioda pnpn este o structur de siliciu monocristalin cu patru regiuni de
conductibiliti alternate p-n-p-n, cunoscut n literatur i sub denumirile de dinistor, diod
Shockley, diod cu patru straturi. Simbolul, caracteristica static i modelul unidimensional
corespunztoare acestei structuri sunt prezentate n figura 8.1.
Regiunile extreme, puternic dopate, p++ (sau p+) i n+ ale structurii poart denumirea
de emitori. Emitorul p++ (sau p+) se mai numete i anod, iar emitorul n+ - catod. Regiunea
median de tip n+ (sau n) poart denumirea de baz groas, iar regiunea median de tip p
poart denumirea de baz subire. Cele trei jonciuni ale structurii sunt plasate la distane
mici ntre ele astfel nct jonciunile J1 J 2 , respectiv J3 J 2 , s poat ndeplini funcia de
tranzistor.

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

J1 J2 J3
p1+

n2 p3

iA

n+4

a.
A iA

249

VBR

IL
IH
IB0
0

A iA

vA

vA
b.

VH VL

VB0 vA

c.

Figura 8.1. Dioda pnpn: a) modelul unidimensional; b) simboluri utilizate;


c) caracteristic static.

Dioda pnpn prezint interes prin forma caracteristicii sale n polarizare direct , form
tipic elementelor de comutaie cu dou stri funcionale stabile. Dac aplicm o tensiune
pozitiv ntre anodul i catodul dispozitivului atunci jonciunile extreme J1 i J3 se
polarizeaz direct, iar jonciunea median J2 se polarizeaz invers. Curentul prin structur
are valori mici, fiind practic curentul invers al jonciunii J2 . Aceast situaie corespunde
regiunii 0A a caracteristicii statice, numit regiune de blocare, n care funcionarea structurii
pnpn este stabil. Datorit fenomenului de multiplicare n avalan la jonciunea J2 , la o
anumit tensiune VB 0 , numit tensiune de amorsare sau de aprindere sau de ntoarcere,
curentul prin structur crete brusc iar tensiunea ce cade pe structur scade. Astfel
dispozitivul trece n cealalt stare de funcionare stabil creia i corespunde regiunea BC a
caracteristicii statice, numit regiune de conducie. Coordonatele punctului B de intrare n
conducie n condiii de stabilitate a funcionrii sunt notate, n conformitate cu standardele
IEEE, cu (I L , V L ) i se numesc curent i tensiune de "nchidere" (latching). Poriunea
intermediar AB a caracteristicii statice, ce corespunde unei funcionri instabile a diodei
pnpn, relev o rezisten dinamic negativ. Comutarea invers, din starea de conducie n
starea de blocare, are loc atunci cnd curentul sau tensiunea pe dispozitiv scad sub valorile
notate cu I H , respectiv VH , numite de meninere.
n polarizare invers jonciunile J1 i J2 sunt polarizate invers, iar jonciunea J3 este
polarizat direct. n consecin curentul prin structur are valori mici de ordinul curentului
invers printr-o jonciune p-n. Datorit fenomenelor de multiplicare n avalan la cele dou
jonciuni polarizate invers, la o tensiune notat cu VBR i numit tensiune de strpungere
curentul prin diod crete brusc.
Valorile parametrilor de catalog corespunztori caracteristicii I V ai diodelor pnpn
variaz n funcie de realizrile tehnologice i de destinaia acestora. Astfel, tensiunea de
amorsare VB 0 variaz de la zeci la sute de voli, iar curentul corespunztor acesteia I B 0 de la
microamperi pn la civa miliamperi. Rezistena corespunztoare strii de blocare poate
lua valori cuprinse ntre civa M pn la sute de M . n starea de conducie curentul prin
structur poate avea valori de la civa miliamperi pn la civa amperi, iar coordonatele
punctului de meninere n conducie pot varia ntre limitele (1 mA; 0,5 V)(50 mA; 20 V) .
Rezistena corespunztoare strii de conducie este foarte mic, diodele pnpn de mic putere
prezentnd cea mai ridicat valoare a acesteia (aproximativ 10 ).

250

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

Caracteristica static a diodei pnpn este puternic dependent de temperatur. Att


tensiunea de amorsare ct i curenii de meninere i nchidere scad odat cu creterea
temperaturii. n figura 8.2. este reprezentat caracteristica static a unei structuri pnpn de
putere mic la dou temperaturi de lucru.
IA[mA]
T1
T2
-30 -20 -10
10
T1

T2

20 30 40 V [V]
A

Figura 8.2. Variaia cu temperatura a caracteristicii statice a diodei pnpn.

Datorit caracteristicii sale cu dou stri funcionale stabile, dioda pnpn este utilizat
n circuitele de comand a porii tiristoarelor, n circuitele de protecie la supratensiuni, n
generatoarele de impulsuri de relaxare etc.

8.1.2. Determinarea caracteristicii I-V a diodei pnpn


n acest subcapitol se vor prezenta procesele fizice ce au loc n dioda pnpn, procese
fizice caracteristice funcionrii tuturor dispozitivelor multijonciune, i pe baza acestora,
partiionnd i modelnd n mod corespunztor structura, se va determina expresia
caracteristicii statice a dispozitivului.
Modelul folosit n analiza funcionrii structurii este cel propus de Ebers i prezentat
n figura 8.3. n conformitate cu acesta structura pnpn se descompune n dou structuri de
tranzistor, T1 de tip pnp i T2 de tip npn, conectate ca n figura 8.3.b. Jonciunile periferice J1
i J3 constituie jonciunile emitor-baz ale tranzistoarelor T1 i T2, iar jonciunea median
J2 corespunde jonciunilor colector-baz ale celor dou tranzistoare. Relaiile ce
caracterizeaz acest model sunt:

IA = IE 1 = I E 2 = IC 1 + I C 2
IC 1 = I B 2; I C 2 = IB 1

p+1

(8.1)

J1 J2
n2 p3

n+4

n2 p3
J2 J3

iA= i E1 T1 iC1=iB2

iB1=iC2 T2

+ VA

Figura 8.3. Modelarea structurii pnpn.

iE2=iC

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

251

Polariznd direct structura cu o tensiune VA < VB 0 , jonciunile J1 i J3 se polarizeaz


direct, iar jonciunea J2 se polarizeaz invers. Astfel, tranzistoarele modelului funcioneaz
n regim activ normal. Tensiunea aplicat structurii se repartizeaz astfel pe cele trei
jonciuni:

VA = VEB 1 VCB 1 + V BE 1 = VEB 1 V BC 2 + V BE 1

(8.2)

Tensiunea invers pe jonciunea median poate avea valori ridicate astfel nct
fenomenul de multiplicare n avalan la aceast jonciune trebuie considerat n exprimarea
curenilor de colector ai celor dou tranzistoare. n conformitate cu modelul Ebers-Moll
curenii de colector ai tranzistoarelor structurii pot fi exprimai astfel:

I C 1 M ( F 1 I E 1 + I CB 0,1 )
I C 2 M ( F 21 I E 2 + I CB 0,2 )

(8.3)

n care F 1 i F 2 sunt factorii de amplificare n curent direct, M factorul de multiplicare n


avalan la jonciunea central, iar I CB 0,1 i I CB 0,2 curenii inveri ai jonciunilor de colector
ai tranzistoarelor T1 i T2.
Introducnd relaiile (8.3) n ecuaia (8.1.d) se obine urmtoarea expresie pentru
curentul prin structur:

I A M ( F 1 I E 1 + F 21 I E 2 + I CB 0,1 + I CB 0,2 ) = M [( F 1 + F 2 ) I A + I 02 ]

(8.4)

adic:

IA

I 02
M

(8.5)

( F 1 + F 2 )

Factorul de multiplicare n avalan este dat de expresia:

M=

n
V
1 CB 1
VBR 2

V
1 A
VBR 2

(8.6)

unde VBR 2 reprezint tensiunea de strpungere a jonciunii J2 .


Relaia (8.5) relev posibilitatea creterii puternice a curentului prin structur dac
este ndeplinit condiia de amorsare:
F 1 + F 2 = 1

(8.7)

Introducnd relaia (8.6) n (8.7) se obine expresia tensiunii de amorsare:

VB 0 = V BR 2 1 ( F 1 + F 2 )

(8.8)

Pentru a evidenia fenomenele fizice ce stau la baza amorsrii diodei pnpn relaia
(8.7) poate fi scris sub forma:
1
M(VA )
(
I A = I A VA )

F 1 (I A ) + F 2 (I A ) =

I A I 02

(8.9)

Astfel se poate afirma c dependena factorilor de amplificare F de curentul prin


dispozitiv i dependena factorului de multiplicare n avalan de tensiunea aplicat pe
dispozitiv stau la baza amorsrii structurii pnpn. Forma dependenei factorilor de amplificare

252

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

n curent F pentru dou tranzistoare, unul de tip pnp i altul de tip npn, ce au aceiai
parametri constructivi este reprezentat n figura 8.4.
La tensiuni directe de valoare mic curentul prin dispozitiv este foarte mic, fiind
determinat de jonciunea central polarizat invers. Astfel factorii F au valori mici, M este
aproximativ unitar i n conformitate cu (8.5) I A I 0 2 . Mrind tensiunea anodic curentul
rezidual crete i odat cu acesta cresc i valorile factorilor F . De asemenea, la creterea
tensiunii directe aplicate crete i valoarea factorului M . Creterea valorilor factorilor de
amplificare n curent direct conduce, aa cum relev ecuaiile (8.3), la creterea curentului
prin dispozitiv i n consecin la o nou cretere a factorilor F . Are deci loc un proces
regenerativ ce conduce la ndeplinirea condiiei de amorsare.

F1+ F2
F2

0.8
0.6

F1

0.4
0.2

-3 -2
10-5 10-4 10 10 10-1 1 10 10 2 iA [A]

Figura 8.4. Dependena factorilor F de curentul prin structur.

Creterea curentului prin structur datorit procesului regenerativ determin scderea


barierei de potenial a jonciunii centrale i deci scderea tensiunii pe dispozitiv. Scderea

tensiunii pe dispozitiv concomitent cu creterea curentului prin structur determin regiunea


de rezisten negativ a caracteristicii I V .
Pentru a putea explica procesele ce au loc n dispozitiv este necesar s se revin la
expresia (8.5), determinat n condiiile simplificatoare ale aproximrii curentului jonciunii
centrale cu suma curenilor reziduali I CB 0,1 i I CB 0,2 . De fapt relaia exact este:
I 2
=
M 1 ( F 1 + F 2 )
V
V
I CB 0,1 exp CB1 1 I CB 0,2 exp BC2 1 I gr 2
VT
VT

=
1
M ( F 1 + F 2 )

IA =

(8.10)

n care I gr 2 reprezint curentul de generare-recombinare al jonciunii mediane dat de relaia:

I gr 2 = I gr 0,2 exp

VA 2
1
2 VT

(8.11)

n regiunea de rezisten negativ a caracteristicii, pe msur ce curentul prin


dispozitiv crete, tensiunea pe dispozitiv scade determinnd scderea valorii factorului M
pn la 1. Astfel, la un moment dat, semnul expresiei de la numitorul relaiei (8.10) devine
negativ iar tensiunea ce cade pe jonciunea central devine pozitiv, tranzistoarele T 1 i T2
saturndu-se. n consecin, dispozitivul trece n a doua sa stare funcional stabil creia i
corespunde pe caracteristic regiunea de conducie. n acest caz expresia (8.10) devine:

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

253

( F 1 + F 2 ) 1
V
V
V
I CB 0,1 exp CB1 + I CB 0,2 exp BC2 + I gr 0,2 exp A 2
VT
VT
2 VT

( F 1 + F 2 ) 1

IA =

(8.12)

Comutarea n sens invers, din conducie n blocare, este caracterizat de coordonatele


punctului de meninere. Curentul de meninere poate fi definit drept curentul la care
tensiunea pe jonciunea central devine zero sau este ndeplinit condiia de meninere:
F 1 (I H ) + F 2 (I H ) = 1

(8.13)

Tensiunea corespunztoare curentului I H , numit tensiune de meninere , se poate


determina cu aproximaie din ecuaia:

I H I 0,2 exp

VH
VH
+
I
gr 0,2 exp
2 VT
VT

(8.14)

8.1.3. Amorsrile parazite ale diodei pnpn


Dioda pnpn poate fi prematur amorsat, la o tensiune mai mic ca VB 0 , prin creterea
temperaturii sau printr-o variaie brusc a tensiunii aplicate structurii. Aceste amorsri poart
denumirea de amorsari parazite.
La creterea temperaturii curentul invers prin jociunea median crete conducnd la
creterea valorilor factorilor F i deci la accelerarea procesului regenerativ, adic la
ndeplinirea condiiei de amorsare (8.7) la o tensiune direct mai mic. Dependena de
temperatur a factorilor de amplificare F , prezentat n figura 8.5, relev faptul c
dispozitivul comut din starea de blocare n starea de conducie la o tensiune cu att mai
mic cu ct temperatura este mai ridicat.

1
0,8
0,6
0,4
0,2

a.

b.
-5

-4

-3

-2 -1

10 10 10 10 10 1 10
iA[A]

80
60
40
20

VB0 [V]

50 100 150 200

T[oC]

Figura 8.5. Dependenele de temperatur ale:


a) factorilor de amplificare n curent Fnpn i Fpnp ; b) tensiunii de amorsare.

Amorsarea prematur a structurii se poate realiza i la temperatur normal dac


tensiunea direct aplicat are o vitez de cretere foarte mare. Aceast amorsare parazit
poart denumirea de efect dv /dt . Aceast comportare a dispozitivului i are explicaia n
apariia unei componente de curent suplimentare, adic a componentei de deplasare
i d = C j 2 (dv A /dt), care crete valoarea curentului ce parcurge jonciunea median. n
consecin, relaia (8.5) corespunztoare regiunii de blocare a caracteristicii devine:

254

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

dv A
dt
IA
1
M ( F 1 + F 2 )

I 02 + M 1 C j 2

(8.15)

unde C j 2 reprezint n principal capacitatea de barier a jonciunii mediane J2 .


Creterea curentului prin jonciunea central determin creterea valorilor factorilor
de amplificare F , procesul regenerativ conducnd la o valoare a tensiunii de amorsare mai
mic dect VB 0 . Cu ct viteza de variaie a tensiunii directe aplicate structurii este mai mare
cu att tensiunea de amorsare este mai mic.
Evitarea amorsrilor parazite se realizeaz fie prin limitri impuse temperaturii
maxime de lucru i vitezei maxime de variaie a tensiunii aplicate, fie prin soluii
tehnologice la nivelul structurii fizice. Cele mai utilizate soluii tehnologice constau n
untarea jonciunii J3 cu o rezisten sau cu o capacitate, astfel nct curentul de deplasare s
evite aceast jonciune i s nu afecteze valoarea lui F 2 care are o variaie mai pronunat
n funcie de curent (vezi variaia npn din figura 8.4).

8.2.
8.2 . Diacul
Diacul este un dispozitiv multijonciune ce prezint conducie bidirecional.
Dispozitivul are cinci straturi cu conductibiliti alternate i patru jonciuni. Modelul
unidimensional al structurii este prezentat n figura 8.6.a, iar simbolul dispozitivului este
reprezentat n figura 8.6.b. Cei doi electrozi ai dispozitivului se numesc terminale.
Modelarea funcional a structurii se poate realiza folosind dou structuri pnpn conectate
antiparalel ca n figura 8.6.c. Notnd cu I A 1 i I A 2 curenii prin cele dou structuri pnpn se
poate exprima curentul prin dispozitiv ca fiind:

IT = IA 1 IA 2

(8.16)

La aplicarea unei tensiuni VT > 0 structura pnpn I este polarizat direct, iar structura
pnpn II este polarizat invers. n consecin, curentul prin structur este dictat de structura
pnpn I, adic

I T = I A 1 + I inv 2 I A 1 ,

(8.17)

iar tensiunea de amorsare corespunztoare acesteia se noteaz cu VBD sau VB+0 .


Cnd tensiunea aplicat VT devine negativ structura pnpn II este polarizat direct
iar structura pnpn I este polarizat invers. Curentul prin structur este dat de relaia:

I T = I inv 1 I A 2 I A 2 ,

(8.18)

dispozitivul comutnd n conducie la tensiunea de amorsare corespunztoare structurii II,


notat cu VBR sau VB0 .
n consecin, caracteristica static a dispozitivului, prezentat n figura 8.6.d, este
caracterizat de dou regiuni stabile de conducie, una n polarizare direct i alta n
polarizare invers. n general, tensiunile de amorsare n sens direct i invers sunt aproximativ
egale, valoarea lor comun notndu-se cu VB 0 .
Datorit caracteristicii sale bidirecionale, diacul se folosete n circuitele de curent
alternativ pentru comanda tiristoarelor i dispozitivelor triac.

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

T2

T2

T2

iT

p
n

iT

n
p
n
p

vT

p
n
p
n

n
T1

T1
a.

255

- vBR

vBD vT

T1
c.

b.

d.

Figura 8.6. Diacul: a) structur; b) simbol; c) modelare funcional;


d) caracteristic static.

8.3.
8.3 . Tiristorul
8.3.1. Tiristorul convenional
Tiristorul convenional este un dispozitiv electronic realizat dintr-o structur pnpn
completat cu un electrod de comand numit poart, conectat la regiunea median de tip p.
Modelul unidimensional i simbolul acestui dispozitiv sunt prezentate n figura 8.7.
vA
A

p+1 n2 p3 n+4

C A

C
iA

iG

G
a.

G
b.

vG

iA

iC1
T1

iG

T2
i B1 =i C2

iB2
iA=iG

G
VGG
C

+ VAA

R
c.

Figura 8.7. Tiristorul convenional: a) structur; b) simbol; c) modelare.

Funcionarea tiristorului atunci cnd electrodul de poart este lsat n gol este
similar cu cea a diodei pnpn. Tensiunea de amorsare corespunztoare acestui caz se
numete tensiune de autoamorsare i se noteaz cu VB 0 . Rolul electrodului poart este de a
permite injectarea unui curent n jonciunea J3 a structurii pnpn i deci de a controla n acest
mod tensiunea de amorsare a dispozitivului.
Analiza proceselor fizice ce au loc la amorsarea tiristorului prin injectarea unui
curent pe poart se poate face folosind modelul funcional propus de Ebers pentru structura
pnpn (vezi figura 8.7.c). Relaiile ce caracterizeaz acest model sunt:

I A = I E 1 = I C1 + I C 2
IA + I G = I E 2
I B1 = I C 2
IB 2 = I C 1 + IG

(8.19)

256

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

Pentru tensiuni VA pozitive i mai mici ca tensiunea de amorsare, notat cu VB ,


tranzistoarele modelului sunt polarizate n RAN. n consecin, curenii de colector ai
tranzistoarelor T1 i T2 sunt dai de relaiile:

I C1 M ( F 1 I E 1 + I CB 0,1 ) = M ( F 1 I A + I CB 0,1 )
I C 2 M ( F 2 I E 2 + I CB 0,2 ) = M [ F 2 (I A + I G ) + I CB 0,2 ]

(8.20)

Astfel, curentul prin structur se determin din relaia:

I A = I C1 + I C 2 M [( F 1 + F 2 ) I A + F 2 I G + I CB 0,1 + I CB 0,2 ]

(8.21)

de unde

IA

F 2 I G + I 0,2
M 1 ( F 1 + F 2 )

(8.22)

Relaile anterioare arat faptul c injecia unui curent prin jonciunea catodului are ca
efect creterea curentului I C 2 i a factorului F 2 . Aceste creteri conduc la creterea
curentului prin structur i deci procesul regenerativ conduce la o tensiune de amorsare
VB < VB 0 . Este evident faptul c valoarea tensiunii de amorsare se micoreaz pe msur ce
curentul injectat prin electrodul de poart crete. Dependena factorilor de amplificare n
curent direct stau i n acest caz la baza amorsrii dispozitivului.
Procesele fizice ce se petrec n perioada de comutare sunt aceleai ca la dioda pnpn i
deci n regiunea de conducie tranzistoarele structurii se vor satura, iar relaia ce descrie
funcionarea dispozitivului este:

I2 F 2 IG

( F 1 + F 2 ) 1
V
V
V
(8.23)
I CB 0,1 exp CB1 + I CB 0,2 exp BC2 + I gr 0,2 exp A 2 F 2 I G
VT
VT
2 VT

( F 1 + F 2 ) 1

IA =

Caracteristica I V a tiristorului este ilustrat n figura 8.8.a. Se observ dependena


tensiunii de amorsare de curentul injectat pe poart. Atunci cnd curentul injectat I G
depete o anumit valoare amorsarea se produce direct (vezi curba punctat OB), ca la
jonciunea p-n. n polarizare invers dispozitivul se comport ca o diod pnpn, prin el
trecnd un curent mic.
Comutarea n sens invers, din conducie n blocare, se realizeaz n mod uzual prin
scderea curentului I A sau tensiunii VA sub valorile de meninere. Teoretic, blocarea
tiristorului se mai poate realiza i prin extragerea unui curent prin poart (adic I G < 0 ).
Efectele aplicrii unui curent negativ pe poart constau n creterea curentului i tensiunii de
meninere precum i a tensiunii de amorsare (vezi figura 8.8.b). Practic, este ineficient
blocarea tiristorului convenional n acest mod deoarece valoarea curentului invers necesar
pe poart ar fi comparabil cu valoarea curentului principal prin dispozitiv i deci s-ar pierde
unul din avantajele principale ale porii: comanda unor cureni mari n circuitul anodic prin
valori mici ale curentului de poart.

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

iA

VBR

257

iA
i G2 i G1 i G =0 i'G <0
i''G <0

i G2 i G1 i =0 I''
H
G
IH'
IH
VB2 VB1VB0 vA

IL
IH
VHVL

0
a.

vA

b.

Figura 8.8. Caracteristicile statice ale tiristorului convenional.

Aprinderile parazite prin creterea temperaturii i prin efect dv /dt se ntlnesc i la


tiristoare. Evitarea acestora se obine fie prin limitri impuse valorilor maxime ale
temperaturii de lucru i a vitezei de variaie, fie prin soluii tehnologice. Cea mai folosit
soluie tehnologic, prezentat n figura 8.9.a, este structura cu unt pe emitor. Modelarea
acestei structuri este prezentat n figura 8.9.b. Prezena rezistenei R gc modereaz
dependena factorului de amplificare F 2 de valoarea curentului prin dispozitiv prin
realizarea unei rute suplimentare pentru acesta.
iG

vG
n+4
p3
n2
p+1
A

J3

Rgc
J2

T2

J1
T1
A

Figura 8.9. Structura de tiristor cu unt pe emitor i modelarea acesteia.

Tiristorul poate fi alimentat att cu o tensiune continu ct i cu o tensiune


alternativ. Comportarea tiristorului la aplicarea unei tensiuni alternative ntre anod i catod
este asemntoare cu cea a unei diode semiconductoare, cu deosebirea c pragul de intrare n
conducie poate fi modificat prin aplicarea unei comenzi adecvate pe electrodul de poart.
Semnalul de comand poate fi att un semnal continuu ct i un impuls de polaritate
corespunztoare. Comutarea tiristorului din blocare n conducie i invers se realizeaz
ntr-un timp finit, fiind legat de procese fizice ca injecia i extracia de purttori minoritari.
De aceea, impulsurile de comand trebuie s aib o durat minim care pentru comutare
direct poart denumirea de timp de meninere pe poart, iar pentru comutare invers de
timp de revenire pe poart. Timpii de comutare direct i invers cresc cu temperatura i cu
curentul anodic i scad cnd modulul amplitudinii semnalului de comand crete. Timpii de
comutare variaz de la zeci de nanosecunde, n tiristoarele rapide, la microsecunde n
tiristoarele lente. n general, timpul de blocare al unui tiristor este mai mare ca cel de
amorsare.

258

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

Comanda porii tiristoarelor se poate realiza prin dou tehnici i anume: comanda pe
vertical sau prin amplitudine i comanda pe orizontal sau prin faz. n cazul comenzii prin
amplitudine, tensiunea de comand este n faz cu cea aplicat ntre anodul i catodul
dispozitivului, amorsarea la tensiunea dorit realizndu-se prin modificarea amplitudinii
tensiunii de comand. Un exemplu simplu de polarizare a tiristorului n curent alternativ
folosind un astfel de circuit de comand, mpreun cu formele de und corespunztoare, este
prezentat n figura 8.10.a. Timpul de conducie t C al tiristorului este caracterizat uzual prin
unghiul = t C ce poart denumirea de unghi de conducie. Unghiul de conducie al
tiristorului poate fi modificat prin intermediul semnalului aplicat pe poart. Acest mod de
comand este imperfect deoarece nu permite un reglaj complet al unghiului de conducie, ci
numai n intervalul 90 o 180 o , ceea ce se traduce prin faptul c valoarea medie a curentului
nu poate fi variat pn la zero ci numai pn la 1/2 din valorile maxime respective.
Posibilitatea unei comenzi care s permit un reglaj aproape total al unghiului de conducie
este oferit de comanda prin faz. n acest caz, pe poart se aplic o tensiune de amplitudine
constant dar de faz variabil. Exemple de comand prin faz mpreun cu formele de und
ce caracterizeaz funcionarea circuitelor sunt prezentate n figurile 8.10.b i 8.10.c.
Circuitul R C C reprezint un circuit defazor care permite obinerea unei tensiuni de
comand pe poart avnd faza variabil prin intermediul variaiei rezistenei R C .
vA ,iA

iA(t) Rs
Tr

R
vA(t)

a.

Vac

C
b.

vC(t)

Rs
Tr

RC
C

vA(t)

RcI

Xc

Tr

RC

VGG

Rs

vA(t)

vA(t)
iA(t)

vc

VB

V -V
T1 =R. C.ln GG H
VGG-VB

VH
~ .T1
c.

Figura 8.10. Posibiliti de comand a tiristorului:


a) comanda prin amplitudine; b) i c) comanda prin faz.

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

259

8.3.2. Tiristorul tetrod


Tiristorul terod este un dispozitiv electronic realizat dintr-o structur pnpn
completat cu doi electrozi de comand: unul conectat la regiunea median de tip p numit
poart catodic i altul conectat la regiunea median de tip n numit poart anodic. Modelul
unidimensional i simbolul acestui dispozitiv sunt prezentate n figura 8.11.

A
p1+

C GC A
n+4 p3

n2

GA
a.

p1+
GC

p1
n2
p3
n4

A
iA

C
b.

iGA

GA

GA

T1
vA

GA
GC

vGA

iGC
vGC

GC

T2

C
c.

C
d.

Figura 8.11. Tiristorul tetrod: a) structur; b) model unidimensional; c) simbol;


d) modelare funcional.

Spre deosebire de tiristorul convenional acest dispozitiv poate fi amorsat la o


tensiune VB < VB 0 n trei moduri:
aplicnd o tensiune sau un impuls pozitiv pe poarta catodic,
aplicnd o tensiune sau un impus negativ pe poarta anodic,
aplicnd tensiuni sau impulsuri corespunztoare pe ambele pori.
Folosind modelul funcional propus de Ebers pentru structura pnpn (vezi figura
8.11.c) se obine urmtoarea relaie

I A = I C1 + I G 2 + I C 2 I G 2 + M [ F 1 I A + I CB 0,1 + F 2 (I A + I G1 I G 2 ) + I CB 0,2 ] (8.24)


din care se determin curentul prin structur:

IA =

F 2 I G1 + (M 1 F 2 ) I G 2 + I 0,2
M 1 ( F 1 + F 2 )

(8.25)

Expresia (8.25) relev faptul c amorsarea pe poarta anodic necesit un curent mai
mare dect pe poarta catodic.
Amorsrile parazite se pot evita folosind aceleai metode ca la tiristorul convenional
dar i prin metode specifice datorate existenei porii anodice. n figura 8.12 sunt prezentate
dou din aceste metode. n schema din figura 8.12.a influena efectului dv /dt este diminuat
prin ncrcarea capacitii de barier a jonciunii centrale C j 2 la aproximativ tensiunea
anodic, prin intermediul porii anodice, nainte de alimentarea circuitului anodic. n schema
din figura 8.12.b influena efectului dv /dt este anulat prin ncrcarea capacitii C j 2 la o
tensiune mai mare ca tensiunea anodic nainte de alimentarea circuitului anodic.

260

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

+VAA1

+VAA
k

R1

R2

A
T1

R1

R2

A
T1

GA
R1

Cj

GC

VAA2 >VAA1

GC

GA
Cj

T2

T2

R1
a.

b.

Figura 8.12. Metode de evitare a amorsrilor parazite aplicabile tiristoarelor tetrod.

Existena porii anodice extinde posibilitile de utilizare ale tiristorului tetrod n


raport cu acelea ale tiristorului convenional. Principalele dezavantaje ale acestui tip de
dispozitiv constau n valorile relativ reduse ale tensiunilor de lucru i ale puterilor disipate
maxim admisibile.

8.3.3.
8.3.3 . Tiristorul bioperaional
Tiristorul bioperaional, numit i tiristorul cu blocare pe poart, este un dispozitiv
electronic ale crui caracteristici principale sunt identice cu cele ale tiristorului
convenional, dar a crui poart nu i pierde rolul de electrod de comand n comutarea
invers, din conducie n blocare, a dispozitivului.
Pentru a explica de ce poarta anodic i pstreaz calitatea de electrod de comand
n blocarea dispozitivului trebuie prezentate mai nti cauzele ce mpiedicau blocarea
tiristorului convenional prin aplicarea unui impuls negativ pe poart de amplitudine
comparabil cu cea corespunztoare impulsului pozitiv de amorsare. Aa cum artat n
seciunea dedicat tiristorului convenional pentru blocarea acestuia trebuie ca tensiunea
aplicat pe poart s l scoat din starea n care F 1 + F 2 1 . Datorit faptului c n
regiunea de conducie variaia factorilor de amplificare n curent F cu valoarea curentului
anodic este lent, aplicarea unui impuls pe poart de amplitudine comparabil cu cea a
impulsului pozitiv aplicat pentru amorsare nu reuete s micoreze sub unu valoarea sumei
( F 1 + F 2 ). Pentru a se putea bloca tiristorul convenional prin aplicarea unui impuls
negativ pe poart, amplitudinea acestuia trebuie s fie mult mai mare dect amplitudinea
unui impus pozitiv ce ar amorsa direct dispozitivul (vezi curba punctat 0B din figura 8.8).
Acest lucru conduce la concluzia c este ineficient folosirea porii la blocarea tiristorului
convenional, adic la acceptarea ideii c poarta i pierde calitatea de electrod de comand
dup amorsarea dispozitivului.
Tiristorul bioperaional rezolv problema variaiei lente a sumei factorilor de
amplificare n curent n sens direct prin diverse soluii tehnologice. Astfel, o posibilitate de
cretere a variaiei sumei ( F 1 + F 2 ) cu valoarea curentului anodic const n nlocuirea

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

261

jonciunii J3 a catodului printr-un contact metal-semiconductor cu caracter redresor. n acest


fel se obine un heterotranzistor T2 al crui factor de amplificare F 2 variaz, n regiunea de
conducie a dispozitivului, foarte brusc n funcie de valoarea curentului anodic. n figura
8.13 sunt prezentate variaiile n funcie de curentul anodic ale factorilor F 2 , F 1 i sumei
( F 1 + F 2 ) .

F2

-1

10

-2

10

-3

10

-1

10

F1

1
0,8
0,6
0,4
0,2
2

10 10

iA[mA]

-1

10

F1 + F2

2,5
2
1,5
1
0,5
2

10 10

iA[mA] 10-2 10-1 1

2
10 10 iA[mA]

Figura 8.13. Variaia factorilor de amplificare de n curent n sens direct n funcie de


valoarea curentului anodic pentru o heterostructur de tiristor bioperaional.

O alt variant tehnologic de tiristor bioperaional este prezentat n figura 8.14.a.


Modelarea funcional a acestei structuri este prezentat n figura 8.14.b. La aplicarea pe
poart a unui impus pozitiv amorsarea structurii se produce aproximativ la fel ca i n cazul
tiristorului convenional. Datorit intrrii n conducie i a tranzistorului T3 variaia factorilor
F cu valoarea curentului anodic este mai lent dect n cazul unei structuri convenionale.
n schimb, la aplicarea unui impuls negativ pe poart tranzistorul T3 se blocheaz i astfel
aria activ a jonciunii colectorului tranzistorului T1 se micoreaz, micornd astfel
valoarea factorului F 1 . Realizarea condiiei de blocare F 1 + F 2 < 1 implic ns ca
amplitudinea tensiunii aplicat pe poart s depeasc valoarea tensiunii statice de
strpungere n avalan a jonciunii poart-catod. De aici rezult imposibilitatea blocrii
dispozitivului prin aplicarea unei tensiuni negative continue pe poart. Blocarea structurii
folosind electrodul de poart se realizeaz numai prin aplicarea unor impulsuri negative de
amplitudine corespunztoare a cror durat se limiteaz la valori ce nu permit depirea
temperaturii maxime admisibile a jonciunii poart-catod.
A

A
p1
T3

n2
p3

n4

T1
T2

C
a.

b.

Figura 8.14. Exemplu de realizare structural a tiristorului bioperaional.

262

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

n general, tiristoarele bioperaionale sunt dispozitive de mic i medie putere ai


cror timpi de comutare sunt mai mici dect ai tiristoarelor convenionale de puteri similare.
Aria aplicaiilor acestui dispozitiv coincide cu cea a tiristorului convenional dar utilizarea
acestuia prezint avantajele urmtoare: electrodul de poart se poate folosi eficient pentru
blocarea dispozitivului i dup amorsarea sau blocarea dispozitivului nu mai este necesar
prezena unei tensiuni pe electrodul de comand.

8.4. Triacul
Triacul este un dispozitiv electronic care spre deosebire de tiristor posed
proprietatea de conducie bidirecional. Structura dispozitivului, al crei model
unidimensional este prezentat n figura 8.15.a, conine cinci straturi i este echivalent cu
dou tiristoare conectate antiparalel n acelai monocristal de siliciu, ce au o singur poart
de comand. Simbolul corespunztor acestui dispozitiv, mpreun cu sensurile convenionale
pentru cureni i tensiuni, sunt prezentate n figura 8.15.b. Cei doi electrozi ntre care circul
curentul principal se numesc terminale i se noteaz cu T 1 i T 2 .
Caracteristica I V , prezentat n figura 8.15.c, are forma corespunztoare
caracteristicii unui tiristor pentru polarizare direct n ambele polariti ale tensiunii v T . De
aceea, triacul este ntlnit i sub denumirea de tiristor bidirectional. Comanda pe poart
(gril) se poate face cu semnale de ambele polariti pentru fiecare din cele dou sensuri ale
curentului principal i T . Tensiunile de amorsare n sens direct i invers sunt notate cu VB+0 i
VB0 pentru v G = 0 i cu VB+ i VB pentru v G 0 . Dei n figura 8.15.c tensiunile de
amorsare n sens direct i invers sunt considerate egale, n practic acestea difer n proporie
de 10 % .
T2
n5

p1

n2

VT

nG

n4

T1
a.

iT

T2

- VB0 - VB

i G1= 0 iG= 0

+
IH

-IH

G
VG

VB+ VB0

vT

T1
b.

c.

Figura 8.15. Triacul: a) model unidimensional; b) simbol; c) caracteristic static.

n funcie de polaritile tensiunilor aplicate structurii, v T i v G , se disting patru


moduri de funcionare, prezentate n figura 8.16.

Modul I de funcionare este determinat de aplicarea unor tensiuni pozitive structurii,


adic v T > 0 i v G > 0 . n acest mod de funcionare comportarea dispozitivului este
determinat de structura p1n2p3n4 de tiristor convenional, stratul p3 avnd rolul de poart
catodic. Structura p3n2p1n5, conectat antiparalel, este blocat.

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

263

Modul II de funcionare este determinat de aplicarea unei tensiuni v T > 0 i a unei


tensiuni v G < 0 . Structura p1n2p3n4, polarizat direct, este comandat prin electrodul de tip
jonciune nG-p3. La aplicarea potenialului negativ pe poart, datorit unturilor determinate
de electrozii T 1 i G , pe stratul intern p3 apare o cdere de tensiune i astfel ntre regiunea p3
din vecintatea electrodului T 1 i nG circul un curent i G (vezi figura 8.16.b), jonciunea
corespunztoare p3-nG fiind polarizat direct. Acest curent amorseaz tiristorul auxiliar
p1n2p3nG i astfel jonciunile compuse din regiunea p3 din vecintatea superioar a regiunilor
nG i n4 i din regiunile n2 i n4 devin polarizate direct, iar tiristorul principal p1n2p3n4 se
amorseaz.
Modul III de funcionare corespunde aplicrii unor tensiuni negative structurii, adic
v T < 0 i v G < 0 . n acest mod de funcionare structura p3n2p1n5 este polarizat direct iar
structura p1n2p3n4 conectat antiparalel invers. Comanda de amorsare a structurii pnpn
polarizate direct se face prin emitorul auxiliar nG. Astfel, la aplicarea potenialului negativ
pe poart, jonciunea format din regiunea p3 corespunztoare structurii p3n2p1n5 i regiunea
nG se polarizeaz direct, amorsnd tiristorul auxiliar p3n2p3nG (vezi figura 8.16.c). Jonciunea
p3-n2 se polarizeaz direct i astfel se amorseaz i tiristorul principal p3n2p1n5. n consecin,
n modul III de funcionare comanda se face indirect pe poarta anodic n2 .
Modul IV de funcionare corespunde aplicrii unei tensiuni v T < 0 i unei tensiuni
v G > 0 . Structura principal p3n2p1n5, polarizat direct, se amorseaz indirect prin "comand
de la distan" a porii anodice n2. Astfel, tensiunea pozitiv aplicat pe poart polarizeaz
direct jonciunea format din regiunea p3 corespunztoare porii G i regiunea n4. n acest fel
se injecteaz electroni din regiunea n4 n regiunea p3 (vezi figura 8.16.d). Aceti electroni
difuzeaz n regiunea p3 corespunztoare terminalului T1, fiind colectai de jonciunea p3-n2
corespunztoare structurii principale. Creterea curentului prin aceast jonciune conduce la
amorsarea tiristorului p3n2p1n5.
T2
Mod I
vT >0
vG >0

iG

G
T2
Mod III
vT <0
vG<0

iT
nG

iG

Mod II
vT >0
vG <0

n5
p1
n2
p3
n4

iT
nG

T2

nG

T1
n5
p1
p3
n4

n2

n5
p1
n2
p3
n4

iT
iG

G
T2
Mod IV
vT <0
vG >0

iT
nG

iG

G
T1
G
Figura 8.16. Modurile de funcionare corespunztoare tiristorului.

T1
n5
p1
p3
n4

n2

T1

264

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

Modurile de funcionare I i II corespund caracteristicii statice din cadranul I, iar


modurile de funcionare III i IV corespund caracteristicii din cadranul III. Valoarea
curentului principal influeneaz valoarea curentului de comand i astfel sensibilitatea la
semnalul de comand este mai mare cnd cei doi cureni circul n sensuri opuse.
Triacul se folosete n circuitele de reglare i comand a puterii n curent alternativ.
Tensiunea de autoamorsare trebuie s fie mai mare dect valoarea de vrf a tensiunii aplicate
triacului ntre terminalele T1 i T2 pentru a asigura amorsarea dispozitivului pe poart la
orice valoare instantanee a tensiuni de alimentare. Un circuit de comand prin faz a
triacului este prezentat n figura 8.17.
RL
Tr

RC
VA

VGG

Figura 8.17. Circuit de comand prin faz a triacului.

8.5. Tranzistorul unijonciune


Tranzistorul unijonciune (TUJ) este un dispozitiv electronic a crui funcionare se
bazeaz pe proprietile unei jonciuni p-n situat ntre contactele ohmice a dou terminale
numite baze i a crei polarizare se realizeaz prin intermediul unui electrod numit emitor
conectat la regiunea p. Modelul unidimensional al tranzistorului unijonciune este prezentat
n figura 8.18.a. Datorit structurii sale tehnologice, tranzistorul unijonciune se mai numete
i dioda cu baz dubl. Simbolul i sensurile convenionale pentru curenii i tensiunile ce
caracterizeaz funcionarea TUJ sunt prezentate n figura 8.18.b.
B2

B2

p 0
n

IE

IB2

VBB

VE

B1
B1
Figura 8.18. Tranzistorul unijonciune: a) model unidimensional; b) simbol.

Caracteristica static de interes pentru funcionarea TUJ este caracteristica static de


V BB =ct. , prezentat n figura 8.19. Caracteristica static de intrare are
forma tipic a caracteristicilor statice corespunztoare dispozitivelor de comutaie cu dou
stri de funcionare stabile. Regiunea AP a caracteristicii corespunde strii de blocare a

intrare I E = I E (VE )

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

265

dispozitivului i n consecin se numete regiune de blocare. Punctul P, de coordonate


(I P , V P ) , se numete punct de vrf al caracteristicii. Curentul de vrf este de ordinul a
2 25 A . Regiunea PV a caracteristicii statice prezint rezisten dinamic negativ i
corespunde unei funcionri instabile a dispozitivului. Punctul V, de coordonate (I V , V V ) se
numete punct de vale al caracteristicii statice. Curentul de vale I V este de ordinul a
1 8 mA . Regiunea VB corespunde strii de conducie a dispozitivului i se numete regiune
de conducie sau de saturaie. Coordonatele punctelor de vrf i de vale depind de tensiunea
VBB aplicat TUJ. Astfel, tensiunea de vrf VP crete odat cu creterea tensiunii VBB , iar
curentul de vrf I P scade odat cu creterea tensiunii VBB . Coordonatele punctului de vale
(I V , V V ) cresc odat cu creterea tensiunii VBB .
iE
VBB = 0

iE

VBB1<VBB2 < VBB3


IV

VP1 VP 2VP3

vE

V
P

IP

VV V0

VP

vE

Figura 8.19. Caracteristica static de intrare a TUJ.

Modelarea funcional n regim static a structurii TUJ este prezentat n figura 8.20.
Dioda D reprezint joncinea p-n, a emitorului, iar rezistenele r B 1 i r B 2 reprezint
rezistenele distribuite ale monocristalului de Si de tip n ntre cele dou baze i un punct
interior notat cu 0, situat aproximativ n dreptul jonciunii de emitor (vezi figura 8.18.a).
Suma celor dou rezistene ce modeleaz rezistenele distribuite ale structurii se numete
rezisten interbaz i se noteaz cu r BB , adic

r BB = r B 1 + r B 2 ,

(8.26)

iar raportul acestora

= r BBB1

(8.27)

se numete raport de divizare intrinsec , valoarea acestuia fiind 0, 5 atunci cnd dioda D
este blocat.
Pentru o tensiune VBB = 0 modelul echivalent al TUJ se simplific devenind o diod
n serie cu o rezisten de valoare r ech = r B 1 r B 2 . Astfel, caracteristica static de intrare a
TUJ corespunztoare acestei situaii va fi carateristica unei diode ce prezint o rezisten
serie mai mare (r B 1 r B 2 ) .
Pentru tensiuni VBB > 0 , dioda D este polarizat invers dac VE < V0 i polarizat
direct dac VE > V0 , unde tensiunea V0 este definit de relaia:

V0 = VBB .

(8.28)

Atunci cnd dioda D este polarizat direct, deschiderea acesteia are loc numai dup
ce tensiunea ce cade pe ea depete tensiunea de prag V . Tensiunea de emitor VE la care
are loc deschiderea diodei D se numete tensiune de vrf VP i este dat de relaia:

Vp = V0 + V = VBB + V .

(8.29)

266

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

iB2
a.

E
VE

B2

rB2

iE

rS
VBB

0
V0

rN

B1

b. 0

rB1
B1
Figura 8.20. Modelarea funcional a TUJ.

Pn n punctul P prin diod trece un curent mic, negativ cnd VE < V0 i pozitiv
cnd V0 < VE < VP . Atunci cnd dioda D se deschide curentul de emitor crete i are loc o
injecie puternic de goluri n regiunea 0B1 a monocristalului de tip n. Astfel are loc o
scdere a rezistivitii acestei regiuni, deci a rezistenei r B 1 , fenomen cunoscut sub
denumirea de modulaie a conductivitii bazei 0B1. Tensiunea VE n aceast situaie este
dat de relaia:

V E = V A + r B 1 (I E ) (I E + I B 2 )

(8.30)

n care VA reprezint tensiunea ce cade pe dioda D deschis.


Datorit faptului c rezistena r B 1 scade mai repede dect crete curentul I E ,
tensiunea VE scade, iar pe caracteristic apare o regiune de rezisten negativ PV. Scderea
rezistenei regiunii OB1 poate fi modelat prin nserierea unei rezistene pozitive constante
r S cu o rezisten negativ r N care scade n modul odat cu creterea curentului de emitor,
aa cum este indicat n figura 8.20.b.
Odat cu creterea curentului de emitor scade durata de via a purttorilor de sarcin
injectai n regiunea bazei 0B1 i deci, n conformitate cu relaiile (2.45) i (2.46), scad
mobilitile acestora, asfel nct, la un moment dat, creterea concentraiei purttorilor
minoritari este compensat de scderea mobilitii lor i conductivitatea nu mai variaz cu
valoarea curentului. Acest stabilizare a valorii conductivitii regiunii 0B1 se ntmpl n
punctul de vale V i se poate modela prin anularea rezistenei negative r N . Astfel n regiunea
de saturaie expresia tensiunii VE devine:

V E = V A (I E ) + r S (I E + I B 2 )

(8.31)

Valorile tipice pentru rezistena pozitiv r S se situeaz n intervalul [5; 15] .

Caracteristicile de ieire i B 2 = i B 2 (V BB )

prezentate n figura 8.21, se aseamn


cu caracteristicile de ieire ale unui TBJ. Dependena curentului de ieire de cel de intrare se
datoreaz n principal fenomenului de modulaie a conductivitii regiunii 0B1.
I B2

I E =ct. ,

IE3 > I E2
IE2 > IE1
IE1 > 0

IE = 0
VBB
Figura 8.21. Caracteristicile de ieire ale TUJ.

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

267

Dependena de temperatur a parametrilor TUJ-ului nu este pronunat i deci alura


caracteristicii de intrare este puin influenat de temperatur.
Timpul de comutaie al tranzistorului unijonciune este determinat de timpul necesar
golurilor pentru a strbate distana l ntre emitor i baza B1, adic

tC =

l2
p V E

(8.32)

n regim variabil, TUJ-ul se folosete n majoritatea aplicaiilor de comutaie, la


comanda tiristoarelor i n generatoarele de oscilaii. Asemnarea caracteristicii sale de
intrare cu cea a unei diode pnpn n polarizare direct a condus la descrierea TUJ-ului n
regim de comutare prin schema echivalent prezentat n figura 8.22, dei aceasta nu
corespunde proceselor fizice ce se petrec n dispozitiv
B2

R B1
T1

A
R B2

T2

B1

Figura 8.22. Schema echivalent a TUJ folosit n regim de comutare.

n figura 8.23.a este prezentat o aplicaie a TUJ i anume comanda unui tiristor.
Formele de und caracteristice funcionrii circuitului sunt prezentate n figura 8.23.b. La
aplicarea tensiunii E , condensatorul C se ncarc prin rezistorul R V , constanta de ncrcare
fiind = R V C . n momentul cnd tensiunea pe condensator u C (t ) depete tensiunea de
vrf VP , tranzistorul comut n starea de saturaie i condensatorul se descarc rapid prin
rezistena r E B 1 r S de valoare mic pn la atingerea tensiunii de vale cnd TUJ-ul se
blocheaz, formnd astfel impulsul de tensiune u P (t ) folosit pentru comanda porii.

uC(t)

+V

RV

VP

R2
Th

uC(t)

(tiristor)

R1

VV

up(t)

uP(t)
t

Figura 8.23. Comanda tiristoarelor folosind tranzistorul unijonciune.

268

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

8.6. Tranzistorul unijonciune programabil (TUJP)


(TUJP )
Tranzistorul unijonciune programabil este un dispozitiv cu o structur asemntoare
unui tiristor de mic putere cu poart anodic care permite obinerea unei caracteristici
statice I A = I A (VA ) asemntoare cu cea a tranzistorului unijonciune. Modelul
unidimensional, simbolul i caracteristica static corespunztoare structurii sunt prezentate
n figura 8.24. Deoarece structura sa este asemntoare celei corespunztoare unui tiristor,
electrozii dispozitivului se numesc: anod, catod i poart. Acest dispozitiv se numete
programabil deoarece parametrii caracteristicii statice pot fi modificai n funcie de dorina
utilizatorului prin modificarea valorii rezistenelor R 1 i R 2 montate n exterior. Aceste
rezistene exterioare joac rolul rezistenelor distribuite r B 1 i r B 2 ale tranzistorului
unijonciune, anodul corespunde emitorului, iar catodul corespunde bazei B1.
A

A
p
n
p
n

iG

iA

iA
G

G
vG

C
a.

VG1

IV1

vA
C
b.

IP1

VV1

.V

VP1

S1

vA

c.

Figura 8.24. Tranzistorul unijonciune programabil: a) model unidimensional;


b) simbol; c) caracteristic static.

Modelarea funcional a TUJP este prezentat n figura 8.25. Inspectnd schema


echivalent din figura 8.25.b putem scrie urmtoarele relaii:

VA = VEB 1 (I A ) + VG
V + 0V I
G
R1
R2 R 1
VG =
=
V (R 1 R 2 ) I G
1 + 1
R1 + R2
.
R1 R2
IG = IC 2 IB 1
IB 2 = I C 1

(8.33)

Folosind notaiile:

VG G =

R1

R 1 + R2
RG = R1 R 2

V=V

(8.34)

relaia (8.33.a) devine:

VA = VEB 1 (I A ) + VGG R G I G = V EB 1 (I A ) + V R G I G

(8.35)

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

A E

B2

A E
IA

R2
G
R1
C B1

VA

A E

B2
IG

T1
T2

269

T1

R2
G
R1

+
V

RG

+
-

VA

C B1

Figura 8.25. Modelarea funcional a TUJP.

T2

VS

C B1

Se observ c att timp ct VA < V jonciunea emitor-baz a tranzistorului T1 este


polarizat invers i tranzistoarele T1 i T2 sunt blocate, iar curentul I G 0. n momentul n
care tensiunea VA depete pragul
(8.36)

VP = V + V

jonciunea emitor-baz a tranzistorului T1 se deschide fiind parcurs de un curent care, prin


reacia regenerativ dintre tranzistoarele T1 i T2, conduce la amorsarea structurii pnpn.
Asfel, amorsarea TUJP-ului i regiunea de rezisten negativ a caracteristicii statice se
explic prin reacia regenerativ a structurii pnpn i nu prin efectul de modulaie a
conductivitaii bazei ca la TUJ.
Aa cum relev relaiile (8.35) i (8.36) parametrii de interes ai acestui dispozitiv pot
fi modificai, pentru o tensiune V de valoare constant, prin intermediul rezistenelor R 1 i
R 2 . Trebuie remarcat faptul c valorile curenilor de vrf i de vale depind de valoarea
rezistenelor externe n sensul c aceti cureni scad cnd R G crete.
Datorit faptului c au o caracteristic I V programabil, utilizarea acestor
dispozitive n diferite aplicaii implic mai puine constngeri. Fa de tranzistoarele
unijonciune, ele prezint tensiuni inverse maxime anod-catod mai mari, de aproximativ
40 100 V , cderi de tensiune n conducie mai mici i timpi de comutaie mai mici (zeci de
nanosecunde). De asemenea, tensiunile de alimentare pot fi foarte mici (de cca 2 V ), iar
puterile de impuls pot fi mari datorit rezistenei lor interne foarte mici (civa ohmi).
O aplicaie similar celei din figura 8.23, de comand a unui tiristor, folosind ns un
TUJP este prezentat n figura 8.26. Dup alimentare, capacitatea C se ncarc prin
rezistena R V , iar cnd tensiunea v A atinge valoarea de vrf TUJP se amorseaz i
capacitorul C se descarc rapid prin rezistena sczut a regiunii anod-catod pn la
tensiunea de vale VV , cnd TUJP se blocheaz. n catod, pe rezistena R , se obine un impuls
de tensiune pozitiv.
+V
R2

RV

G
R1

C
R

8.26. Comanda tiristoarelor folosind TUJP.

270

Cap. 8. Dispozitive multijonciune i tranzistoare unijonciune

8.7. Tranzistorul unijonciune complementar (TUJC)


Tranzistorul unijonciune complementar poate fi privit drept complementul unui TUJ
avnd, n comparaie cu el, aceeai comportare pe care o are tranzistorul npn fa de cel pnp.
Structura, simbolul mpreun cu sensurile convenionale pentru curenii i tensiunile ce
caracterizeaz funcionarea TUJC i caracteristicile de intrare sunt prezentate n figura 8.27.
B1

B2

n p

B1

iE

VE

VBB2 < VBB1


- VBB2

VB B

iE

SB

iB2
- VP2 -VP 1

B2
b.

a.

- VBB1
- vE

c.

Figura 8.27. Tranzistorul unijonciune complementar: a) structur; b) simbol;


c) caracteristica static de intrare.

Modelarea funcional a structurii TUJC este prezentat n figura 8.28, unde


rezistenele R 1 i R 2 reprezint rezistenele interbaze ale regiunilor p3-p1 i p3-p2. Aa cum
relev structura de tip pnpn a TUJC, dei proprietile electrice ale dispozitivului sunt
asemntoare cu cele ale tranzistorului unijonciune, procesul fizic ce st la baza funcionrii
acestuia este procesul regenerativ caracteristic structurii pnpn. Ct timp tensiunea negativ
aplicat emitorului rmne, n valoare absolut, mai mic dect VBB , jonciunea EB a
tranzistorului T2 este polarizat invers i structura este blocat. Cnd aceast tensiune atinge
valoarea de vrf

v E = VP = v BB + V

(8.37)

jonciunea emitor-baz a T2 se deschide, procesul regenerativ realiznd comutarea structurii


n regiunea de saturaie.
B1
SB

T1

R1

T2
R2
E

B2

Figura 2.28. Modelarea funcional a structurii TUJC.

9
DISPOZITIVE
OPTOELECTRONICE
Dispozitivele optoelectronice reprezint o categorie de dispozitive electronice a cror
funcionare presupune existena radiaiei electromagnetice n domeniul optic att ca rezultat
al regimului electric ct i ca factor perturbator.n aceste dispozitive transformarea energiei
electrice n energie a radiaiei electromagnetice i invers se face n mod direct.
Fenomenele fizice care stau la baza funcionrii dispozitivelor optoelectronice sunt
recombinarea radiativ a purttorilor mobili de sarcin n structurile semiconductoare i
absorbia radiaiei electromagnetice de ctre semiconductoare asociat cu transferul acestei
energii ctre reeaua cristalin.
n acest capitol se vor prezenta att sursele luminescente ct i detectorii cuantici
utilizai n mod frecvent n circuitele electronice. De asemenea, dintre dispozitivele
optoelectronice cu funcionare pasiv se vor prezenta elementele de afiaj cu cristale lichide.

9.1. Surse luminescente


9.1.1. Generaliti
Emisia radiaiei luminoase rezult ntotdeauna din existena unui dezechilibru n sens
termodinamic, adic existena electronilor posednd energia E 2 , atunci cnd nivelele de
energie E 1 < E 2 nu sunt complet ocupate. Vorbim de emisia prin incandescen, cnd acest
dezechilibru se datoreaz numai unui efect termic i de emisie prin luminescen n celelalte
cazuri. Astfel, sursele de lumin pot fi clasificate n: surse cu incandescen (corpurile negre,
corpurile gri) i surse luminescente. Procesul de producere a dezechilibrului termodinamic
este numit proces de excitare sau mai simplu excitaie.
n funcie de originea excitaiei, se disting urmtoarele tipuri de luminescen:
fotoluminescena, la care excitaia se realizeaz pe cale optic;
catodoluminescena, la care excitaia se realizeaz prin bombardament cu fascicul de
electroni;
triboluminescena, excitaia fiind mecanic n acest caz;
radioluminescena, produs ca efect al expunerii substanei la raze x sau ;
electroluminescena, produs ca efect al aplicrii unui cmp electric.

272

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

Emisia de lumin n semiconductoare apare ca efect al recombinrii radiative a


purttorilor de sarcin. Inducerea fenomenelor de luminescen (excitarea) n
semiconductoare presupune generarea unei cantiti n exces de purttori mobili care, apoi,
se recombin. Procedeul de excitare utilizat cu precdere n semiconductoare este aplicarea
unui cmp electric structurii, rezultatul fiind deci electroluminescena.
Modul n care cmpul electric aplicat conduce la apariia dezechilibrului n
semiconductor a condus la urmtoarea clasificare a modurilor de excitaie corespunztoare
electroluminescenei:
excitaie intrinsec, specific unor semiconductoare omogene impurificate cu
elemente numite activatori care, sub aciunea unui cmp electric alternativ,
ionizeaz;
excitaie prin injecie de purttori minoritari, specific jonciunilor p-n polarizate
direct;
excitaie prin multiplicare n avalan, care apare n diodele polarizate invers;
excitaie prin efect tunel, la care excesul de purttori mobili de sarcin apare prin
efect tunel.
Recombinarea purttorilor mobili de sarcin, obinui n procesul de excitare, se
poate realiza radiativ prin emiterea unui foton de energie E f = h f sau neradiativ, energia
eliberat transferndu-se reelei cristaline sub form de cldur (vezi figura 9.1).
Recombinarea purttorilor mobili de sarcin prin intermediul unui nivel energetic plasat n
banda interzis este caracteristic semiconductoarelor cu benzi energetice nealiniate (vezi
subcapitolul 2.4). Materialele semiconductoare utilizate n mod frecvent n realizarea
surselor luminescente sunt cele cu benzi energetice aliniate ("direct bandgap") ca GaAs,
InAs, AlGaAs i GaAsP, care permit recombinarea direct a straturilor excitate prin emisia
de fotoni.

E3
Excitaie

=>

E2

h .f E
n

Transfer
de energie
neradiativ

h .f

Transfer
de energie
neradiativ

E1
E3
Excitaie

=>
E1

Transfer (banda
de energie
neradiativ

de conducie)

Transfer
de energie
neradiativ

a.

(banda de valen)
(banda de conducie)

h .f

b.
(banda de valen)

Figura 9.1. Moduri de recombinare a purttorilor de sarcin n semiconductoare:


a) n cazul semiconductoarelor cu benzi energetice aliniate; b) n cazul
semiconductoarelor cu benzi nealiniate.

n sursele electroluminescente emisia luminoas poate s fie spontan, stimulat sau


o combinaie a celor dou numit super-radian sau superluminescen.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

273

Se vorbete despre emisie spontan atunci cnd procesele de recombinare radiative


sunt n totalitate aleatoare. Pentru emisia spontan fiecare caz de recombinare radiativ este
independent de un altul, altfel spus exist o posibilitate foarte mic ca un foton emis s
interacioneze cu un alt strat excitat pentru a cauza emiterea unui al doilea foton. Din aceste
motive limea spectral a sursei dominate de emisia spontan este, n general, destul de
mare i este determinat de aa numitele efectele de lire. Limea spectral exact va fi
determinat de interaciunea cu diveri factori mecanici, de temperatur i de presiune .
Emisia stimulat se bazeaz pe tranziia radiativ stimulat ce necesit prezena unui
foton inductor n procesele sale. Astfel, un foton posednd o energie E f egal cu aceea a
lrgimii benzii interzise E G este susceptibil s induc o tranziie radiativ cu producerea
unui al doilea foton de aceeai frecven f i, n consecin, de aceeai energie E f ca fotonul
inductor (vezi figura 9.2). n plus, fotonul indus posed aceeai faz ca fotonul inductor.
Acest proces constituie emisia stimulat. Emisia stimulat i absorbia unui foton sunt
fenomene inverse unul altuia, n sens strict. Emisia spontan, caracterizat de tranziiile
nestimulate, nu necesit prezena unui foton, procesele sale depinznd numai de hazard.
_

E3
EG=h.f =Ef
E1

h .f

h.f

h .f
+

Figura 9.2. Emisia stimulat.


Cazul intermediar ntre emisia stimulat i emisia spontan, care poate fi obinut n
unele caviti optice ce au nivel suficient de ridicat al emisiei spontane pentru ca fluxul de
fotoni rezultat s determine emisia stimulat, poart numele de super-radian.
Din punct de vedere constructiv, structura de baz a unei surse electroluminescente
poate fi: homojonciune, heterojonciune, dubl-heterojonciune sau dubl-heterojonciune
cu cavitate optic lrgit.

Homojonciunea
Homojonciunea este o jonciune p-n omogen a crei prezentare a fost fcut n
capitolul 2. n scopul creterii eficienei emisiei radiative homojonciunile utilizate n sursele
electroluminescente se realizeaz din materiale semiconductoare cu benzi aliniate. Regiunile
ce prezint importan n emisia luminoas sunt regiunile active ale jonciunii omogene p-n
polarizat direct, regiuni n care recombinarea purttorilor mobili de sarcin se poate realiza
radiativ (vezi figura 9.3).
ntinderea unei zone de recombinare este un parametru esenial al proceselor de
tranziie electroluminescente. Dac aceasta este prea mic, interaciunile fotoni-purttori de
sarcin minoritari sunt importante i diminueaz producia net de fotoni, iar dac este prea
mare, permite creterea recombinrilor neradiative i limiteaz, de asemenea, eficiena
dispozitivului.

274

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

A p
GaAs

C
goluri

VF

electroni
goluri
injectate

electroni
injectai

EG= 1,42 eV

EC

regiune
neutr

regiune
neutr

VF =0

EV

Regiune
de golire
EC
zon de recombinare
h.f VF>0 zon de recombinare
(electroni
majoritari)
(goluri majoritare)
EV

h.f

Figura 9.3. Homojonciune p-n pe GaAs.

Heterojonciunea
O heterojonciune simpl este o jonciune p-n realizat ntre dou semiconductoare
de natur foarte diferit. Prezena de o parte i de alta a jonciunii a dou materiale diferite
creaz posibiliti remarcabile pentru concepia de dispozitive electroluminescente. Aceste
posibiliti rezult din existena a dou benzi interzise de lrgimi diferite, i de doi indici de
refracie de valori diferite.
n figura 9.4 este prezentat modelul unidimensional mpreun cu diagrama E-x i
profilul indicelui de refracie al unei heterostructuri GaAs-AlxGa1-xAs.
VF
p

(a)

n
AlxGa1-xAs

GaAs

VF=0
(b)

1,42 eV

VF>0

EC

EG

EG 1,87 eV

h .f

(c)
+

(d)

EV

h .f

EC

EV

0,1

Figura 9.4. Heterojonciunea p-n: a) model unidimensional;


b) diagrama E-x la V F = 0 ; c) diagrama E-x la V F > 0 ;
d) profilul indicelui de refracie.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

275

Discontinuitatea lrgimii benzii interzise a jonciunii permite o retragere a


purttorilor de sarcin la interfaa cu regiunea de sarcin spaial atunci cnd jonciunea este
polarizat direct, i o cretere a ratei de recombinare. n plus, diferena indicilor de refracie
ntre regiunile p i n constrnge lumina s se propage n mediul unde ea este mai puin
atenuat. Rezult o ameliorare a randamentului global pentru energia radiant.

Dubla heterojonciune
Dubla heterojonciune const n principal n plasarea unui strat de semiconductor cu
lrgime mic a benzii interzise ntre dou regiuni semiconductoare cu band interzis mai
larg. n figura 9.5 este prezentat un exemplu de dubl heterojonciune la care regiunea
activ (regiunea central) este de tip n, dar exist i structuri dubl heterojonciune la care
regiunea activ este de tip p. Regiunea central a structurii (vezi figura 9.5) are grosimea
xC < L p (L p reprezint lungimea de difuzie a purttorilor minoritari n regiunea central n)
i n consecin concentraia purttorilor minoritari pn este superioar celei de la echilibru
termodinamic pn 0 n ntreaga regiune. Acesta este motivul pentru care aceast regiune
central, n care recombinarea radiativ a purttorilor mobili de sarcin are o eficien
crescut, poart numele de regiune activ a structurii.

a.

GaAs
xC
-

b.

p+

n+
Ga1-xAl x

h.f

Ga1-yAsy
x C <(0,12 0,3)m
EC

+ +

EV

c.

d.

d=1 m

Figura 9.5. Exemplu de dubl heterojonciune: a) model unidimensional;


b) diagrama E-x la polarizare direct; c) profilul indicelui de refracie;
d) intensitatea modului fundamental al luminii emise.

Avantajele dublei heterojonciuni sunt urmtoarele:


a) Purttorii minoritari injectai n regiunea n sunt "oprii" de a doua heterojonciune
n n+ i constrni s se recombine n regiunea activ n datorit discontinuitii energetice a
benzii interzise;

276

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

b) Stratul intermediar n posed un indice de refracie uor mai ridicat dect straturile
ce-l nconjoar. Cele dou heterojonciuni delimiteaz n acest fel un ghid de und dielectric
pentru lumina generat n zona activ. Densitatea fotonilor este crescut n aceast zon,
ceea ce este fundamental pentru asigurarea unei bune eficiene a dispozitivului ce utilizeaz
aceast structur.

larg
Dubla heterojonciune cu cavitate optic larg
Acest tip de structur mbin avantajele dublei heterojonciuni cu posibilitatea de
ghidare a fasciculului optic rezultat, ntr-o regiune care depete cu mult marginile regiunii
active a structurii, permind obinerea unei densiti de flux de radiaie mult mai mici fa
de structurile dubl heterojonciune.
O seciune printr-o astfel de structur este prezentat n figura 9.6. Structura const,
n principal, din dou regiuni din (AlGa)As intercalate cu alte dou regiuni mai slab dopate,
din GaAs.
Regiunea activ (2), de tip p, a structurii primete electroni injectai din regiunea (3),
de tip n, dopat moderat i genereaz radiaie laser, n urma recombinrilor. Grosimea x2 a
regiunii active, la fel ca la structurile dubl heterojonciune, este extrem de redus,
permind emisie laser la o densitate de curent foarte mic.
EG
p +(AlGa)As
p GaAs
n GaAs
n (AlGa)As
n GaAs

(1)
(2)

x2

(3)
(4)

x3

(substrat)

a.

b.

c.

Figura 9.6. Seciune printr-o structur dubl heterojonciune cu cavitate optic larg:
a) modelul unidimensional; b) variaia lrgimii benzii interzise;
c) variaia indicelui de refracie.

Fasciculul optic generat n regiunea (2) trece i n regiunea (3), de tip n, al crei
coeficient de absorbie este mic fa de regiunea adiacent (4). Se formeaz astfel un ghid de
und optic, de lime x = x 2 + x 3 , cu indice de refracie mare i coeficient de absorbie mic,
ceea ce permite obinerea unui randament cuantic extrem de ridicat i a unei densiti de flux
optic reduse. De aici rezult o durat de via ridicat i puteri de ieire mari. Pierderile de
fotoni n regiunile (2) i (4) sunt limitate de indicele de refracie sczut al acestor regiuni.
n continuare se vor prezenta principalele tipuri de surse electroluminescente bazate
pe emisia spontan, emisia stimulat i super-radian, precum i principalele caracteristici
funcionale i constructive ale tuburilor catodice.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

277

9.1.2. Sursele luminescente bazate pe emisia spontan


Diodele

electroluminescente sunt

dispozitive ce emit lumin datorit


recombinrilor radiative ale purttorilor minoritari injectai n regiunile active ale unei
jonciuni semiconductoare omogene sau eterogene polarizat n sens direct.
Diodele electroluminescente emit spontan un fascicul optic, n urma excitrii n
curent direct n domeniul 0 5 A, cu un randament de 1 %. Domeniul spectral al radiaiei
emise de diodele electroluminescente se gsete n gama 350 16000 nm. n funcie de
spectrul de emisie, diodele electroluminescente se mpart n:
LED-uri pentru lungimi de und (350 750) nm i
IRED-uri (Infrared Emitting Diode ) pentru (750 1600) nm.
Banda spectral a LED-urilor i IRED-urilor este cuprins ntre 20 i 45 nm la o
temperatur T = 25 o C .
Lungimea de und central de emisie este dat de relaia:
c = h c

(9.1)

EG

unde E G reprezint lrgimea benzii interzise a semiconductorului, h constanta lui Planck i c


viteza de propagare a luminii.
Caracteristica spectral a radiaiei emise, al crei aspect tipic este prezentat n figura
9.7, depinde deci de lrgimea benzii interzise i de tipul impuritilor folosite. Pentru ca
spectrul emis s se situeze n domeniul vizibil, se folosesc semiconductoare cu band
interzis mai larg (ex: GaAs, GaAsP etc.). Intensitatea radiaiei luminoase I R depinde de
curentul direct prin structur.

I0

IR

40nm

800

850

900

950

[nm]

Figura 9.7. Exemplu de caracteristic spectral a unei diode electroluminescente.

Structurile de baz ale diodelor electroluminescente pot fi homojonciunea,


heterojonciunea simpl i heterojonciunea dubl. Din punct de vedere constructiv diodele
electroluminescente se mpart n:
diode electroluminescente cu emisie de suprafa i
diode electroluminescente cu emisie lateral.

278

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

n figura 9.8 sunt prezentate simbolul diodelor electroluminescente i dou exemple


de astfel de dispozitive ce au la baz structura dubl heterojonciune. Aceste exemple
ilustreaz cele dou tipuri constructive de LED sau IRED: cu emisie de suprafa i cu
emisie lateral.
Electrod metalic
Oxid
izolator
Regiune
p GaAs:Ge
de
As:Ge
p
Al
Ga
0,3 0,7
recombinare
. . . . . . . .
n Al0,1Ga 0,9 As
n Al 0,3Ga0,7As:Sn
GaAs
Regiune ce emite lumin
(substrat)

Electrod metalic
n
p
p
a.

Al y Ga 1-y As
GaAs
AlxGa1- x As

Electrod metalic
Electrod metalic
c.
b.
Figura 9.8. Diode electroluminescente: a) simbol; b) cu emisie de suprafa;
c) cu emisie lateral.

Caracteristica static a unui astfel de dispozitiv este asemntoare cu cea a unei


jonciuni p-n dar deplasat ctre dreapta deoarece rezistena serie a acestor structuri este mai
mare. Astfel, valoarea tipic a tensiunii pe acestea n polarizare direct este de 1,5 V.
Circuitul echivalent n regim dinamic al unei diode luminescente este prezentat n
figura 9.9.

Ls
Cj

Ri

Rs
C0

Figura 9.9. Circuitul echivalent al unei diode electroluminescente.

Elementele Ri i Cj reprezint jonciunea p-n caracteristic tuturor structurilor.


Elementele L s , R s i C0 depind de contacte, de carcas i de poriunile de semiconductor
din afara jonciunii.
Diodele electroluminescente sunt folosite att ca elemente n circuitele afioare
(structurile tip homojociune i heterojonciune cu emisie la suprafa) ct i n senzorii de
poziie (IRED-urile) i n circuitele de transmisie a informaiei prin fibr optic (structurile
dubl heterojonciune cu emisie la suprafa i lateral).

9.1.3. Sursele luminescente bazate pe emisia stimulat


stimulat
Sursele luminescente bazate pe emisia stimulat sunt diodele laser. Radiaia laser
posed cel puin proprietile specifice urmtoare: cvasi-monocrominan, coeren spaial
i temporal mare, directivitate ridicat i radian mare.
Pentru a nelege funcionarea diodelor laser trebuie mai nti s lmurim nelesul
termenilor de inversie de populaie, ctig optic i densitate de curent de prag.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

279

Inversia de populaie
ntr-un sistem, exist inversie de populaie ntre dou nivele energetice E 1 , respectiv
E 2 , atunci cnd probabilitatea p2 de prezen a unui electron pe nivelul energetic superior
E 2 este mai mare ca probabilitatea p1 ca el s se gseasc pe nivelul energetic inferior E 1 :

p2 > p1

(9.2)

Utiliznd statistica Fermi-Dirac, probabilitatea de ocupare a unui strat energetic este


dat de expresia (2.7). Astfel, relaia (1.25) devine:
E F 2 E F 1 >E 2 E 1

(9.3)

n care E F 1 i E F 2 sunt cvasinivelele Fermi corespunztoare electronilor celor dou nivele


energetice la neechilibru termodinamic.
Relaia (9.3) se numete condiia Bernard-Duraffourg. Aceast inegalitate fixeaz
benzile energetice ntre care se produce inversia de populaie, deasupra i sub banda
interzis.

Ctigul optic
Rata volumic a produciei nete de fotoni t f [m 3 s 1 ] ntr-o structur rezult din
bilanul ratelor volumice ale emisiei spontane, emisiei stimulate i absorbiei (t sp , t st i t abs ):

t f = t sp + t st t abs

(9.4)

Atunci cnd rata volumic a produciei nete de fotoni t f este mai mare ca rata
volumic a emisiei spontane t sp , situaie care se petrece atunci cnd n structura analizat
exist inversie de populaie, se poate afirma c exist ctig optic. Ctigul optic, notat cu g
depinde de densitatea de curent direct prin structur. Maximele curbelor de ctig g (EE G )
cresc cvasiliniar cu densitatea curentului direct J [A/cm 2 ] :

gmax = (i xJ J0 )

(9.5)

unde i este randamentul cuantic intern al emisiei spontane, x este grosimea zonei de
recombinare, [cm m /A] este coeficientul de ctig i J0 [A/cm 2 m] este densitatea
volumic de curent de prag care este o caracteristic de material.

Densitatea de curent de prag


Prin definiie, densitatea de curent de prag JP [A m 2 ] a unei surse laser este
densitatea curentului minim ce permite obinerea unei radiaii laser. Densitatea de curent de
prag a unei structuri semiconductoare depinde n principal de dimensiunile regiunii active i
de temperatur.

Diodele laser
n principiu o diod laser const dintr-o jonciune p-n, cu o rezisten serie ct mai
mic, plasat ntr-o cavitate optic rezonant. Cavitatea optic rezonant este aproape
ntotdeauna de tip Fabry-Perot, constituit din dou oglinzi plane paralele plasate la o
distan L una de alta. Modurile longitudinale proprii create prin aceast cavitate rezonant
trebuie s permit conservarea unei densiti suficiente de fotoni de aceeai faz astfel nct

280

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

s ntrein oscilaiile laser. n funcie de performanele dorite, diodele laser pot fi: cu
monojonciune, cu heterojonciune, cu dubl heterojonciune, i cu dubl heterojonciune cu
cavitate optic larg.
Din punct de vedere practic, structurile laser nu difer de structurile
electroluminescente dect prin prezena contactelor metalice importante, necesare pentru
asigurarea unei densiti ridicate de purttori mobili injectai i obinerea inversiei de
populaie. Aceste contacte se prezint adesea sub form de panglic cu lime de civa
microni i sunt situate deasupra zonei active, motiv pentru care structurile ce posed astfel
de contacte poart denumirea de structuri cu geometrie de band. Din punct de vedere
constructiv structurile laser pot fi:
cu ghidaj prin ctig la care limea contactului metalic anodic determin pe cea a
zonei active unde densitatea de curent J este mai mare dect densitatea de curent de
prag JP i
cu ghidaj prin indice n care se realizeaz un ghidaj optic pasiv n regiunea activ.
Exist numeroase variante constructive ale structurilor cu ghidaj prin ctig, ele fiind
n principal realizate din GaAs-(AlGa)As i InP-InGaAs:P. Figura 9.10 prezint cteva
structuri de diode laser cu ghidaj prin ctig.
metal
izolant
GaAs:p+
AlxGa1-xAs:p
GaAs:nAlxGa1-xAs:n

regiuni bombardate
cu H +

GaAs:n+
(substrat)
metal
a.

b.
Au

p+: InGaAs

Ti

p : InP
n- :InGaAsP

c.

n : InP
n+: InP
metal

Figura 9.10. Structuri de diode laser cu ghidaj prin ctig la care localizarea curentului
se realizeaz: a) prin utilizarea unui izolant; b) prin bombardament cu protoni;
c) prin diode Schottky.

Figura 9.11 prezint tipuri constructive de diode laser cu ghidaj prin indice. Diferena
de indice de refracie necesar pentru ghidajul optic este cel mai adesea obinut prin variaii
ale grosimii stratului activ. Cavitatea rezonant a diodei laser se poate obine prin dou
metode de baz: clinarea i polizarea (lefuire mecanic). Clinarea ofer avantajul obinerii
unor perei perfect paraleli deoarece cristalul GaAs clineaz uor de-a lungul planului
cristalografic 110. Pereii reflectorizani se pot sau nu arginta.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

281

regiune difuzat
metal
p + : GaAs
p: (AlGa)As
p: GaAs
n: (AlGa)As
n+ : GaAs

oxid

regiune bombardat cu
protoni (H+)

indice

indice

a.

b.

InP : p+

metal
izolant
InP : p
InP : n
InP : p
InP : n

InP : p

InGaAsP : n-

InP : n+

c.

Figura 9.11. Structuri de diode laser cu ghidaj prin indice:


a) diod laser DH - "ridge" (MESA); b) diod laser "D.B.S."
c) diod laser cu geometrie de band ngropat.

Caracteristica putere radiant - curent a unei diode laser este prezentat n figura
9.12. Se remarc dou regiuni distincte. n prima regiune dioda funcioneaz ca un LED,
puterea emis fiind relativ redus. n a doua regiune, dioda emite o radiaie coerent, deci
este un laser.

P(mW)
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0

regiune de instabilitate

regiune LD

regiune LED
Pmax

Emisie spontan
Emisie stimulat
Is
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90 100

I[mA]

Figura 9.12. Puterea radiant a unei diode laser cu ghidaj prin ctig printr-o fa a
structurii n funcie de curentul de alimentare.

282

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

Cunoaterea puterii maxime emise P max este adesea util pentru aplicaii. Ea depinde
de tipul structurii diodei laser. n cazul structurilor cu ghidaj prin ctig, n jurul puterii de
8mW, se observ delocalizarea modului fundamental odat cu apariia altor moduri i cu
stricarea liniaritii. Puterile superioare (>10 mW) antreneaz deteriorri ireversibile ale
structurii. Diodele cu ghidaj prin indice cu geometrie de band ngropat au un
comportament mai bun n putere. Problemele de neliniaritate nu se fac simite dect la puteri
Pmax 20 mW.
La temperatura camerei, diodele laser cu homojonciune i cele cu heterojonciune
simpl lucrez numai n impulsuri emind puteri de ordinul W(< 15 20 W ) n impuls i cu
un coeficient de umplere, D, de maxim 0,1%. Frecvena maxim de repetiie la diodele
homojonciune care lucreaz la temperatura camerei nu poate depi 80 kHz .
n multe aplicaii cu diode laser, n special n comunicaii, sunt necesare frecvene de
repetiie a impulsurilor de ordinul zecilor i chiar sutelor de MHz, att pentru transmisiile
prin atmosfer ct i prin fibre optice. Diodele laser dubl heterojonciune (DH) i dubl
heterojonciune cu cavitate optic lrgit (DH-LOC) sunt cele mai indicate pentru aceste
aplicaii. n prezent cu diode laser DH-LOC s-au obinut puteri de emisie n impuls de 7 W la
un curent de prag de numai 4, 85 A la temperatura camerei.
Diodele laser DH i DH-LOC pot lucra i n regim continuu la cureni de ordinul
sutelor de miliamperi i la tensiuni directe de 2...3 V. Puterea maxim emis n regim
continuu de ctre diodele laser DH cu geometrie de band a ajuns n prezent la aproape
100 mW. Astfel, o diod DH-MESA a emis un fascicul laser de 80 mW, la un curent direct
de numai 660 mA.
Pe lng utilizarea lor n domeniul comunicaiilor, diodele laser se folosesc i n
realizarea senzorilor cu fibr optic, datorit coerenei luminii pe care o emit.

9.1.4. Diode superluminescente


Diodele superluminescente sunt dispozitive cu emisie de tip super-radian. Structura
diodei superluminescente este asemntoare cu cea a unei diode laser cu geometrie de band
i dubl heterojonciune, exceptnd faptul c regiunea activ este mai scurt dect lungimea
cristalului (vezi figura 9.13) n scopul eliminrii unei reacii optice de cuplaj ntre cei doi
perei clinai semireflectorizani ai cristalului semiconductor.
L

SiO 2
2.b.

regiune activ

...........

Figura 9.13. Structura unei diode superluminiscente cu geometrie de band.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

283

Fasciculul optic emis printr-o faet lateral este necoerent i const ntr-o emisie
fotonic spontan ce este amplificat printr-o singur trecere prin regiunea activ a
jonciunii. n general, dioda superluminescent ar trebui s aib caracteristici similare cu a
unei diode electroluminescente la nivele de putere mai ridicate.
Dependena puterii emise de curentul direct prin structur este ilustrat n figura 9.14.

300

Zon de
tranziie cu
cot moale

200
100
0

Procentajul
emisiei stimulate
crescut

P[mW]

Procentajul
emisiei spontane
crescut
0 10 20 30 40

50 60 70 80 90 100 110 120 130

I[mA]

Figura 9.14. Dependena puterii emise de valoarea curentului direct prin structur.

Diodele superluminescente prezint urmtoarele avantaje: pre de cost moderat,


durat de via superioar diodelor laser i performane funcionale net superioare diodelor
electroluminescente. Aceste caracteristici le recomand n comunicaiile prin fibre optice
multimodale, la distane relativ mari, de peste 1km.

9.1.5. Tubul catodic. Cinescopul


Tubul catodic este un dispozitiv optoelectronic bazat pe fenomenul de
catodoluminescen. El este folosit n construcia osciloscoapelor catodice, a display-urilor
grafice i a televizoarelor, caz n care tubul catodic poart numele de cinescop.
n construcia tubului cinescop intr balonul de sticl, tunul de electroni, ecranul i
sistemele de deflexie a fasciculului de electroni (vezi figura 9.15).
Balonul de sticl este vidat, iar n interiorul acestuia, pe partea frontal pe care se
focalizeaz fascicolul de electroni emis de tunul electonic, se depune o substan numit
luminofor, care devine luminescent sub aciunea bombardamentului cu electroni, i care
formeaz ecranul.
Tunul electronic are rolul de a emite un fascicul de electroni focalizat, cu o
intensitate controlabil. Sursa de electroni a tunului electronic este un termocatod K ce are
forma unui cilindru cu suprafaa frontal activat cu oxizi n scopul uurrii emisiei
electronilor din metalul catodului.Controlul intensitii fascicului electronic se face prin
potenialul electric, negativ n raport cu catodul, aplicat unui electrod G1, ce are forma unui
cilindru gurit n partea frontal care nconjoar termocatodul. Electrodul G1 se numete
gril de comand sau cilindru Wehnelt.

284

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

Balon
de sticl
vidat
tun electronic

anod
Sistem
deflexie

ecran

G1

G2

A1
- +

A2

y x
anod

Figura 9.15. Construcia tubului catodic.


Focalizarea fasciculului electronic se face cu un sistem de lentile
electrostatice(format din anozii A1 i A2) i cu o lentil electromagnetic (bobin scurt)
plasat n gtul tubului i strbtut de curent continuu.Aciunea lentilelor electrostatice se
bazeaz pe faptul c fasciculul electronic se refract la trecerea printr-o suprafa
echipotenial curb.Electrozii A1 i A2 au forma unor cilindri cu nervuri interioare pentru a
genera cmpuri electrostatice cu simetrie circular. n afar de rolul de lentile electrostatice,
anozii, gsindu-se la poteniale pozitive ridicate fa de catod, servesc i la accelerarea
fasciculului electronic pn la o energie a electronilor de 120 KeV.
Prima lentil electrostatic, format din grila G1 i anodul A1, are o distan focal
foarte mic i de aceea ea concentreaz fasciculul electronic ntr-un punct situat n interiorul
anodului A1. Acest punct servete drept surs de electroni pentru cea de-a doua
lentilelectrostatic format ntre anozii A1 i A2. Aceasta are o distan focal mare i
fasciculul electronic este focalizat ntr-un punct situat pe ecranul tubului catodic.
Pentru a obine un spot luminos de dimensiuni mici (1m), focalizarea electrostatic
este asociat cu una magnetic. Cmpul magnetic generat de bobin nu acioneaz asupra
electronilor ce se deplaseaz n direcia axei bobinei, deoarece viteza electronilor este
paralel cu direcia induciei magnetice. Aceasta va aciona (prin fora Lorentz) numai
asupra electronilor care nu se deplaseaz dup axul bobinei, dirijndu-i pe direcia acestui
ax.
Tuburile cinescop utilizeaz deflexia magnetic. Aceasta se realizeaz cu ajutorul a
dou bobine cu miezuri de ferit situate pe gtul tubului. Deflexia magnetic are avantajul
unei sensibiliti crescute n comparaie cu deflexia elecrostatic i permite unghiuri de
deflexie mai mari. Deviaia magnetic fiind proporional cu raportul q/m va afecta foarte
puin ionii negativi care se formeaz n tub din urmele de gaz. Pentru a evita deteriorarea
stratului de luminofor, datorit aciunii ionilor negativi, acesta se protejeaz printr-un strat
de aluminiu, ce ofer i avantajul unei creteri a strlucirii spotului prin reflectarea luminii.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

285

Tuburile cinescop prezint diferene constructive importante n funcie de destinaie


(alb-negru sau color).

Tubul cinescop alb-negru


Tubul cinescop alb-negru utilizeaz un singur fascicul de electroni. Substana
fosforescent din care este realizat ecranul conine substane activatoare, astfel nct n urma
excitrii s emit lumin alb. Tonurile de gri se obin prin comanda intensitii fasciculului
de electroni emis de termocatod.

Tubul cinescop color


Tubul cinescop color poate asigura redarea oricrei culori prin amestecul n proporii
diferite a trei culori primare: rou (R), verde (G) i albastru (B). Astfel, fiecare punct al
imaginii este realizat prin contribuia a trei zone foarte mici de luminofor, fiecare astfel de
zon fiind specializat pe o culoare primar. Forma zonelor de luminofor poate fi circular
(punctiform) sau dreptunghiular, iar numrul lor este foarte mare: 12 milioane.Tubul
cinescop prezint trei tunuri electronice i, ca urmare, trei fascicule de electroni. Aceste
fascicule sunt baleiate simultan, fiecare fascicul fiind specializat pe cte o culoare primar.
Prin reglarea intensitii fasciculelor ntr-o anumit proporie, se obin strluciri diferite ale
culorilor primare, pe care ochiul le interpreteaz ca o senzaie de culoare global.
Problema fundamental a tuburilor cinescop color este asigurarea traiectoriei corecte
a fasciculelor de electroni, astfel nct fiecare fascicul s cad numai pe zona
corespunztoare de luminofor. Acest lucru se obine prin plasarea n calea fasciculelor de
electroni,n apropierealuminoforului, a unei mti perforate, fiecare perforaie
corespunznd unui "triplet" de zone de luminofor. n figura 9.16 sunt prezentate dou
variante de rezolvare a problemei mai sus enunate: luminofori dispui n delta i luminofori
dispui n benzi.
Luminofor
Luminofor
Masc

Fascicule
de electroni

a.

RG
BR

GB

Masc

b.

Figura 9.16. Modaliti de asigurare a traiectoriei corecte a fasciculelor de electroni:


a) luminofori dispui n delta; b) luminofori dispui n benzi.

286

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

9.2. Elemente de afiare cu cristale lichide


Cristalele lichide sunt lichide anizotrope care se afl ntr-o stare intermediar situat
ntre starea solid i cea lichid, numit stare mezomorf. Cristalele lichide sunt substane
organice i aparin compuilor aromatici sintetizai pe cale chimic (trans-stiben, tolan,
azo-benzen etc.). Cristalele lichide pot fi mprite n dou grupe generale:
cristale lichide termotrope, pentru care starea de lichid se afl ntre dou temperaturi;
cristale lichide liotrope, pentru care starea de lichid se afl ntre dou concentraii.
Cristalele lichide termotrope pot exista n mai multe stri fizice: nematic, smectic
i colesteric. Aceste stri se deosebesc prin modul de dispunere a moleculelor cristalului
lichid. Sub aciunea unui cmp electric extern dispunerea moleculelor se modific i n
consecin se modific i proprietile optice ale materialului.
Elementele de afiare cu cristale lichide folosesc cristale lichide nematice i
funcionarea acestora se bazeaz pe fenomenul de mprtiere dinamic a luminii sau pe
efectul de rotire natural a planului de polarizare a luminii incidente atunci cnd le este
aplicat un cmp electric. Spre deosebire de afiajele cu diode electroluminescente care emit
radiaie luminoas, acestea sunt afiaje pasive ce nu genereaz lumin.
n cazul cristalelor lichide ce mprtie dinamic lumina, atunci cnd este aplicat un
cmp electric extern lumina incident va fi difuzat n toate direciile i cristalul lichid apare
opac. n cazul cristalelor lichide a cror funcionare se bazeaz pe schimbarea planului de
polarizare a luminii (vezi figura 9.17) se folsesc doi polarizori optici P1 i P2, ncruciai,
ntre care se afl cristalul lichid (CL). Prin aplicarea cmpului electric extern, cristalul lichid
nu mai rotete lumina polarizat vertical i cristalul apare opac.
CL

lumin
a)

P1

P2

CL

lumin
b)

Oglind

P1

Oglind
P2

suport
sticl

sticl

c)
Polarizor
fa

Electrozi
tanspareni

Cristal
lichid

Electrod
Polarizor
comun
spate
transparent

Figura 9.17. Principiul de funcionare al elementelor de afiare cu cristale lichide ce


rotesc planul de polarizare al luminii incidente:
a) fr tensiune aplicat; b) cu tensiune aplicat; c) detalii constructive.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

287

Din punct de vedere constructiv exist dou tipuri de baz de elemente de afisaj cu
cristale lichide:
reflexive, care folosesc lumina dinspre privitor;
transmisive, cu iluminare din spate.
Trebuie specificat faptul c mai exist i un al treilea tip de afia, intermediar ntre
cele dou tipuri de baz mai sus menionate, numit transreflexiv, care combin proprietile
acestora.
Comanda afiajelor cu cristale lichide se face n curent alterativ (25 Hz ...1 kHz ) ntre
electrodul comun i segmente, sau cu impulsuri dreptunghiulare cu factor de umplere 50%.
Deoarece curentul continuu produce reacii electrochimice care reduc timpul de funcionare
a unui cristal lichid, componenta continu trebuie meninut la un nivel mai mic de 50 mV.
Tensiunea de funcionare (5...20 V ) i puterea necesar afiajului (de cca. 10 W/cm 2 arie de
segment activ) face posibil comanda acestora cu circuite implementate n tehnologie MOS.
Rspunsul optic al afiajului cu cristale lichide este n funcie de tensiunea aplicat, care
trebuie s fie mai mare dect un anumit prag deoarece dac tensiunea aplicat scade sub
acest prag contrastul este necorespunztor. Tensiunea de prag crete cu frecvena de lucru i
scade odat cu creterea temperaturii. Temperatura de lucru uzual este ntre -10 oC i +60 o
C. Timpii de comutare sunt de ordinul sutelor de ms i scad cu creterea temperaturii. Durata
de via a unui astfel de afiaj este de 5000 ore.
In prezent tehnologia de realizare a afiajelor cu cristale lichide a evaluat foarte mult,
realizndu-se afiaje cu cristale lichide cu memorie care menin informaia afiat mai mult
timp i afiaje cu cristale lichide de mai multe culori.

9.3. Detectori cuantici


Funcionarea unui detector cuantic este bazat pe interaciunea foton-electron.
Electronul i schimb brusc nivelul de energie prin capturarea unui foton incident. Acest
fenomen, ce poart denumirea de efect fotoelectric, este, n totalitate, invers celui de emisie
ntlnit n sursele luminoase electroluminescente.
Se disting dou categorii de efecte fotoelectrice:
efectul fotoelectric de suprafa sau efectul fotoemisiv, care const n "smulgerea"
electronilor dintr-un metal prin furnizarea ctre acetia a unei energii superioare
energiei de extracie a electronilor din metal; este utilizat n tuburile cu vid;
efectul fotoelectric de volum, ce prezint dou variante:
efectul fotoconductor: care const n variaia rezistenei electrice a detectorului
atunci cnd este supus unei radiaii;
efectul fotovoltaic: care const n generarea unei perechi electron-gol n regiunea
de golire a unei jonciuni p-n sub aciunea unei radiaii.
n cele ce urmeaz se vor prezenta doar detectorii cuantici bazai pe efectul
fotoelectric intern, adic detectorii cuantici semiconductori.

288

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

n marea lor majoritate dispozitivele optoelectronice sunt realizate din materiale


semiconductoare. De aceea se prezint cele patru moduri specifice de absorbie a radiaiei
electromagnetice n semiconductoare, fenomen ce st la baza efectului fotoelectric:
absorbia intrinsec implic preluarea energiei fotonilor h f >E G de ctre electronii
de valen, cu trecerea acestora n banda de conducie; n felul acesta se formeaz o
pereche electron-gol;
absorbia radiaiei luminoase de ctre impuritile semiconductorului (absorbia
extrinsec) implic ionizarea atomilor donori sau acceptori, formndu-se astfel
numai un singur tip de purttori mobili de sarcin, electroni sau goluri; energia
necesar acestei absorbii este foarte mic;
absorbia radiaiei luminoase de ctre purttorii mobili de sarcin duce la creterea
energiei cinetice a acestora n interiorul benzii energetice unde se afl;
absorbia parazit consum energia radiaiei electromagnetice incidente fr a putea
fi folosit n scopuri utile; astfel, energia radiaiei electromagnetice poate fi
transformat n energie de vibraie a reelei (generare de fononi) sau poate genera un
exciton (structur fizic format dintr-o pereche de purttori mobili de sarcin,
electron-gol, care graviteaz unul n jurul celuilalt la fel ca un electron n jurul unui
nucleu pozitiv).

9.3.1. Detectorii fotoconductori


Efectul utilizat n acest gen de detectori este variaia rezistivitii semiconductorului
ca urmare a creterii numrului de purttori mobili de sarcin atunci cnd acesta este expus
radiaiei luminoase.
Fotoconductivitatea poate fi studiat cu ajutorul unui model simplu. Fie o plcu de
semiconductor, polarizat cu o tensiune V (vezi figura 9.18). Variaia conductivitii
semiconductorului la aplicarea unei radiaii luminoase este:
= q ( n n + p p)

(9.6)

Ecuaiile de continuitate n acest caz sunt:


n = G R + 1 j
L
n
n
q
t
p
= G L Rp 1
q j p
t

(9.7)

h .f

V I

y
L
Figura 9.18. Modelul utilizat pentru studiul fotoconductivitii.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

289

Rata de generare pe cale optic a purttorilor mobili de sarcin atunci cnd


semiconductorul este expus unui flux luminos monocromatic este dat de expresia:
(1 r s ) i
GL =
(9.8)
hfA
unde r s reprezint coeficientul de reflexie a luminii la suprafaa expus a semiconductorului,
este coeficientul de absorbie definit ca raportul dintre numrul fotonilor absorbii de
material i numrul fotonilor ce ptrund n material, i este randamentul cuantic intern
definit ca raportul dintre numrul purttorilor mobili de un tip generai i numrul fotonilor
absorbii, iar A este aria semiconductorului supus fluxului luminos.
Atunci cnd concentraiile purttorilor mobili de sarcin sunt mai mari ca variaia
acestora sub aciunea fluxului luminos (situaie ntlnit n cazul doprii puternice cu
impuriti a semiconductorului), adic n >> n , respectiv p >> p , putem afirma c
recombinarea este aproximativ liniar i exprexia acesteia este:
nn
Rn = n 0
(9.9)
pp
Rp = 0
p

Substituind n relaiile 9.7 concentraiile purttorilor mobili de sarcin cu variaiile


acestora sub efectul iluminrii, n cazul n care curenii de drift sunt neglijabili, se obine:
(n)
G L n
n
t
(p)
p
G L p
t

(9.10)

Condiiile iniiale corespunztoare relaiilor (9.10) sunt n = p = 0, iar soluiile


obinute sunt date de urmtoarele relaii analitice:
n = G L n 1 exp t
n

p = G L p 1 exp
p

(9.11)

Valorile finale corespunztoare unui anumit nivel de iluminare sunt:


n st = G L n
p st = G L p

(9.12)

Dac iluminarea se ntrerupe brusc relaiile (9.10) devin:


(n)
n
n
t
(p)
p
p
t

(9.13)

Ecuaiile (9.13) poart denumirea de ecuaii de relaxare. Condiiile iniiale ale


acestor ecuaii sunt relaiile (9.12), iar soluiile sunt:
n = G L n exp t
n
p = G L p exp t
p

(9.14)

290

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

Utiliznd relaiile (9.11) i (9.14) se poate determina rspunsul unui semiconductor la


aplicarea unui impuls dreptunghiular de iluminare. Definind timpii de cretere, respectiv
descretere, pentru fotoconductivitate ca timpii n care concentraia purttorilor mobili de
sarcin crete de la 0, 1 c st la 0, 9 c st , respectiv scade de la 0, 9 c st la 0, 1 c st , se
constat c n acest caz t crn,p = t dscn,p = 2, 2 n,p . n figura 9.19.a este reprezentat rspunsul
unei plcue semiconductoare de tip n la un impuls dreptunghiular de iluminare pentru cazul
recombinrii liniare.
1

n/nst

a.

n/nst

b.

2 4 6 8 10

lumin

ntuneric

2 4 6 8 10 12

lumin

ntuneric

Figura 9.19. Rspunsul fotorezistenei la un impuls luminos dreptunghiular:


a) n cazul recombinrii liniare; b) n cazul recombinrii ptratice.

n cazul n care concentraiile purttorilor mobili de sarcin n lipsa iluminrii sunt


mai mici dect variaia acestora sub aciunea radiaiei luminoase (situaie ntlnit pentru
semicoductoarele slab dopate cu impuriti sau cnd nivelul iluminrii este foate ridicat)
recombinarea purttorilor de sarcin se realizeaz dup o lege ptratic, i, pentru cureni de
drift neglijabili, ecuaiile (9.7) devin:
(n)
G L n (n) 2
t
(p)
2
G L p (p)
t

(9.15)

n care n , respectiv p , sunt coeficienii de recombinare ai purttorilor mobili de sarcin.


Soluiile ecuaiilor (9.15) cu condiii iniiale nule sunt:
n =
p =

GL

n tanh t GL n

GL
p

tanh t GL p

(9.16)

Ecuaiile de relaxare n acest caz sunt:


(n)
n (n) 2
t
,
(p)
2
p (p)
t

(9.17)

cu condiiile iniiale n st = GL / n , p st = G L / p i soluiile:


n =
p =

GL

1
n t G + 1
L
n

GL
p

t G L p + 1

(9.18)

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

291

n acest caz timpii de cretere i de descretere definii anterior sunt diferii, adic
t cr < t dsc (vezi figura 9.19.b).
n consecin se poate afirma c durata impulsurilor luminoase aplicate unui
semiconductor au o limit inferioar.
Introducnd n relaia (9.6) relaiile (9.12), valabile pentru recombinarea liniar i
valori mici ale curenilor prin structur, se obine:
= q ( n n st + p p st ) q GL ( n n + p p ) ,

(9.19)

i deci conductivitatea semiconductorului este:


= 0 + q ( n n 0 + p p 0 ) + q G L ( n n + p p )

n aceste condiii rezistena plcuei n condiii de iluminare devine:


1
R = 1 L =
L
y l q ( n n 0 + p p 0 ) + q GL ( n n + p p ) y l

(9.20)

(9.21)

Dac recombinarea se realizeaz dup o lege ptratic rezistena plcuei va fi:


1
R = 1 L =
L
yl
yl
q ( n n 0 + p p 0 ) + q n G L / n + p GL / p
(9.22)
1

L
yl
q n GL / n + p GL / p
Parametrii caracteristici fotorezistenelor sunt:
rezistena de ntuneric R d , definit ca rezistena structurii n absena iluminrii;
sensibilitatea integral S , definit ca raportul ntre fotocurent i fluxul luminos
aplicat , adic
I Id
S=
,
(9.23)

n care I i I d sunt curenii prin structur n prezena, respectiv n absena luminii, iar
dac iluminarea se face cu lumin monocromatic se obine sensibilitatea spectral:
I I
S = d ;
(9.24)

sensibilitatea specific S0 , definit ca sensibilitatea integral pentru o tensiune V


aplicat pe fotorezistor:
I Id S
S0 =
= ;
(9.25)
V V
sensibilitatea fotorezistorului SR , definit prin relaia:
R Rd
(9.26)
SR =
Rd
unde R i R d sunt rezistenele fotorezistorului la iluminare cu fluxul i respectiv la
ntuneric;
timpii de cretere i de descretere;
caracteristica spectral a sensibilitii S = S ().

292

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

9.3.2. Detectorii fotovoltaici


Efectele fotovoltaice, efecte ce stau la baza detectorilor fotovoltaici, reprezint o
clas de fenomene fotoelectrice n care energia luminoas este convertit direct n energie
electric. n aceast seciune, din aceast categorie de dispozitive, se vor prezenta cteva
tipuri de fotodiode, fotoelementul, fototranzistorul i fototiristorul.

Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat pe baza unei jonciuni p-n
(omogene sau eterogene) sau a unui contact metal-semiconductor ce se polarizeaz invers.
Dac o jonciune p-n este iluminat, caracteristica ei curent-tensiune se modific n funcie
de intensitatea i lungimea de und a radiaiei incidente i de direcia de inciden a radiaiei
fa de planul jonciunii. Relativ la direcia radiaiei incidente se pot considera dou cazuri
mai des ntlnite n practic:
iluminare perpendicular pe planul jonciunii i
iluminare paralel cu planul jonciunii.
n ambele cazuri ecuaia caracteristicii curent-tensiune are aceeai form general,
dar dependena unor mrimi de dimensiunile geometrice i de parametrii fizici ai jonciunii
este diferit.

Principiul de funcionare
n figura 9.20 sunt prezentate cele dou cazuri de iluminare, mai sus amintite, ale
unei jonciuni p-n. Jonciunea p-n este polarizat invers astfel nct n lipsa iluminrii
curentul prin structur este:
I A = I R = I 0 exp

VA
I 0 .
m VT

(9.27)

n prezena luminii n structur apare o generare suplimentar de purttori mobili de


sarcin i deci un curent suplimentar numit fotocurent i notat cu i f . n consecin relaia
general a curentului printr-o fotodiod este:

i A = i R I 0 i f

(9.28)

Perechile electron-gol formate prin absorbia fotonilor n zona de golire sunt separate
de cmpul electric existent n jonciune.
n cazul n care iluminarea este perpendicular pe planul jonciunii, generarea de
purttori se face aproape n tot volumul structurii. Purttorii de sarcin generai n regiunile
neutre i active ale dispozitivului se deplaseaz spre regiunea de sarcin spaial prin cureni
de cmp i difuzie. Datorit fenomenelor de recombinare numai o parte din acetia ajung n
regiunea de sarcin spaial i particip la formarea curentului I f . Perechile electron-gol
generate prin absorbia fotonilor n zona de golire sunt separate de cmpul electric existent
n jonciune i contribuie n totalitate la fotocurent.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

293

xn

xp
x
y
p

l Lp

Ln

y
p

xa
a.

VR

b.

VR

Figura 9.20. Posibiliti de iluminare a unei jonciuni p-n: a) iluminare perpendicular


pe planul jonciunii; b) iluminare paralel cu planul jonciunii.

Astfel, se poate considera c numai purttorii generai n regiunea de dimensiune x a


(vezi figura 9.20.a) situat de o parte i de alta a regiunii de sarcin spaial a jonciunii
metalurgice particip la formarea fotocurentului:

i f = q G L x a A j = q G L (l + l n + l p ) A j

(9.29)

unde l reprezint lrgimea regiunii de golire, iar l n i l p , aproximativ egale cu lungimile de


difuzie ale purttorilor de sarcin L p i L n , reprezint lrgimile regiunilor "active" din punct
de vedere al fotocurentului.
n cazul iluminrii paralele cu planul jonciunii, sub aciunea luminii n apropierea
suprafeei se genereaz perechi electron-gol a cror concentraie scade treptat de la suprafa
spre interior. Fluxul luminos spectral sufer o atenuare, n funcie de distana parcurs x n
mediul dat, conform legii:
= (x = 0) (1 r) exp{ x} = (x = 0) exp ( x)

(9.30)

unde r este coeficientul de reflexie la suprafaa incident i este coeficientul de absorbie


al mediului pentru radiaia cu lungimea de und , i n consecin rata de generare a
purttorilor de sarcin devine:

GL = GL (x = 0) exp ( x)

(9.31)

Dac distana de la locul apariiei perechilor este mai mic dect aproximativ
lungimea de difuzie a acestora, purttorii mobili de sarcin ajung n regiunea de sarcin
spaial participnd astfel la formarea fotocurentului. Expresia ce se obine pentru fotocurent
n acest caz este:

i f = q A j G L (x = x p ) (L 1 + L 2 )

Lp

exp ( x n )

x
L1 =
Lp
1 th n
2
x
n
Lp
ch

( L p ) 1
Lp

(9.32)

exp ( x p )
xp
Ln
L2 =
L n 1

th

2
x
p
L n
( L n ) 1

ch
Ln

n figura 9.21 este prezentat o fotodiod la care iluminarea este paralel cu planul
jonciunii. Pentru a obine un bun randament cuantic (definit ca raportul ntre numrul de
purttori mobili de sarcin de un tip generai i numrul de fotonii incideni n unitatea de

294

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

timp) trebuie: s se minimizeze pierderile prin reflexie la suprafa, s se minimizeze


pierderile prin absorbie n stratul de tip p, s se maximizeze absorbia n regiunea de golire,
s se minimizeze recombinarea purttorilor de sarcin generai. Pentru satisfacerea acestor
exigene: se depun straturi antireflex pe suprafaa stratului de tip p (n general SiO2), se
realizeaz un strat de tip p ct mai subire posibil i se crete lrgimea regiunii de golire.

h .f
A

fereastr
C
Band

VA<0 hf

Emax

R.S.S

R.S.S

oxid

conducie

Band
valen

n
x

contact
metalic

Figura 9.21. Fotodiod la care iluminarea este paralel cu planul jonciunii.

Parametrii specifici unei fotodiode sunt:


curentul de ntuneric I 0 ;
rezistena static de ntuneric, definit pentru tensiunea VR = 1V , adic R dk = 1/I 0 ;
rezistena dinamic R d =dV/dI ;
tensiunea invers maxim admis VR max < V BR ;
sensibilitatea spectral S = (I I d )/ ;
timpii de rspuns la aplicarea unui impuls de curent.
Caracteristica tensiune-curent corespunztoare unei fotodiode este prezentat n
figura 9.22.a., iar circuitul echivalent al fotodiodei corespunztor unui regim dinamic este
prezentat n figura 9.22.b. Aceast schem cuprinde: o surs de curent ce reprezint n
principal fotocurentul, rezistena dinamic a diodei R i , capacitatea jonciunii C j i rezistena
serie a fotodiodei R S .
I[A]
-6

-5

-4

-3

-2

-1

Id

RS

0.05 0.1 0.15 0.2 0.25

-20
-40

scar mrit
VA [V]

Ri

Cj

-60
-80
-100

a.
Figura 9.22. Fotodioda: a) caracteristica I V ;
b) circuitul echivalent de semnal mic al structurii;

b.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

295

Fotodioda PIN
Cum le indic i numele, fotodiodele PIN au o regiune semiconductoare intrinsec
cuprins ntre zonele p i n. Introducerea acestei regiuni intrinseci are rolul de a crete
eficiena structurii prin creterea dimensiunilor regiunii n care cmpul electric este
important (vezi figura 9.23.b). Atunci cnd sub influena radiaiei luminoase purttorii
mobili de sarcin sunt generai ntr-o regiune n care cmpul electric este important ei se vor
deplasa rapid (pn la o vitez limit) i vor produce un fotocurent important (curentul este
proporional cu produsul dintre viteza purttorilor i intensitatea cmpului electric).Dac
perechile electron-gol sunt generate n afara zonei de golire purttorii vor difuza aleatoriu i
ajungncet n zona de golire formnd un curent ntrziat care diminueaz eficiena deteciei.
Profunzimea de penetraie a luminii incidente definete zona de absorbie; ea depinde
de material i de lungimea de und a luminii incidente. n general, pentru a avea un rspuns
rapid i o eficien intern ridicat trebuie ca zona de golire s fie mai mare sau aproximativ
egal cu zona de absorbie. Aceast condiie se ndeplinete n fotodioda PIN.
n figura 9.23.a este prezentat o astfel de structur. Se observ c regiunea de tip p
este foarte ngust, iar regiunea intrinsec este de lrgime mare astfel nct absorbia
fotonilor s se realizeze n principal ntr-o regiune n care cmpul electric are valori
importante. Inelul de gard este prevzut pentru reducerea pierderilor de curent n regim
fotoconductiv.
Circuitul echivalent de semnal mic al acestui dispozitiv este identic cu cel al unei
fotodiode normale. Trebuie menionat faptul c, datorit distanei mari existente ntre
regiunile de sarcin spaial n i p, capacitatea C j a diodei PIN este mult mai mic ca cea a
unei fotodiode p-n.
SiO 2
inel de
gard
p
p

+
i
n

h .f
-

E
contact
metalic
x

Figura 9.23. Fotodioda PIN: a) structura; b) modelul unidimensional i


profilul cmpului electric n dispozitiv.

296

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

Fotodioda cu avalan
Fotodioda cu avalan este echivalentul semiconductor al tubului fotomultiplicator.
Ea are un mecanism de amplificare intern prin ionizare prin impact a purttorilor mobili de
sarcin generai optic, un randament cuantic intern mare, un produs ctig-band mare i un
timp de cretere mic, combinnd deci detecia semnalului optic cu efectul de multiplicare
intern a fotocurentului.
n figura 9.24 este prezentat n seciune structura unei fotodiode cu avalan precum
i profilul cmpului electric n structur n polarizare invers. n regiunea corespunztoare
jonciunii metalurgice p-n, prin polarizarea invers a acesteia la tensiuni apropiate de
tensiunea de strpungere, se formeaz un cmp electric intens. Perechile electron-gol
generate prin absorbia fluxului incident n stratul p sunt puternic accelerate i prin ionizare
prin oc produc noi perechi electron-gol. Astfel, fiecare pereche electron-gol produs prin
absorie produce la rndul su, n final, cel puin M noi perechi electron-gol. M se numete
ctig al fotodiodei cu avalan.

E (x )

n
p

p-()
p+

x
Figura 9.24. Fotodioda cu avalan.

Dezavantajul principal al acestui dispozitiv este instabilitatea performanelor sale.


Deoarece procesul de multiplicare prin avalan este un proces statistic ctigul fotodiodei
cu avalan variaz foarte mult cu temperatura i cu tensiunea de polarizare invers. Un
ctig prea ridicat este adesea instabil i produce un zgomot suplimentar. Un compromis
ntre ctig i stabilitatea diodei este atins pentru valori moderate ale valorii lui M. Pentru
diodele de avalan cu Si, valorile tipice pentru M sunt ntre 50 i 150, pentru cele cu Ge
factorul M este mai mic, de ordinul 30.
Curentul de ntuneric I d al diodei cu avalan este de asemenea multiplicat prin
factorul M. Valoarea tipic pentru curentul de ntuneric al unei diode cu avalan
implementat pe Si este 10 nA pentru un ctig M = 100 . Aceast valoare (dat la 20 C) se
dubleaz la creterea temperaturii cu 8 o C . Utilizarea fotodiodelor cu avalan este chiar
delicat atunci cnd se cere o stabilitate mare a rspunsului.
Relaiile stabilite anterior pentru fotodiode se generalizeaz i la diodele cu avalan
prin introducerea factorului de multiplicare M:

i A = i R = M (I 0 + i f )

(9.33)

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

297

Receptorii optici trebuie s opereze i la nivele foarte sczute (de ordinul nW) ale
puterii luminoase incidente. Dac pentru receptarea semnalelor ce au puteri optice mici se
folosesc fotodiode normale sau PIN fotocurentul rezultat este rapid necat n zgomotul
etajelor amplificatoare urmtoare detectorului. Fotodiodele cu avalan permit obinerea de
cureni mai importani pentru aceleai puteri optice.

Fotoelementul
Fotoelementul este un dispozitiv semiconductor optoelectronic care realizeaz
conversia direct a energiei luminoase n energie electric (prin apariia la borne a unei
tensiuni electromotoare). Constructiv, fotoelementul este identic cu fotodioda, doar c aria
sa este mult mai mare n scopul obinerii unei tensiuni semnificative la borne. Circuitul de
lucru al fotoelementului nu mai cuprinde surse exterioare de tensiune ci numai rezistena de
sarcin R L (vezi figura 9.25). Simbolul fotoelementului este prezentat n figura 9.25.b.

h .f

(+)

p
a.

VA

b.
(-)

RL
Figura 9.25. Fotoelementul: a) model unidimensional; b) simbol.
n conformitate cu modelul simplu al unei jonciuni p -n iluminate, caracteristica
I V a fotoelementului poate fi scris sub forma cunoscut:
v
i A = I 0 exp A 1 i f
(9.34)
m VT

Curentul prin sarcin i L este dat de relaia i L = i A i n consecin caracteristica de


ieire a fotoelementului este:

v L = v A = m VT ln

i f iL

+ I0
I0

(9.35)

Caracteristica de ieire a unui fotoelement din Si pentru un flux luminos cu


intensitatea de 75 mV/cm2 este prezentat n figura 9.26.
120
100
80
60
40
20

iL [mA]

RL=0 (iL=if )
RL= (iL= 0)

vL=vA [mV]
100 200 300 400 500 600
Figura 9.26. Caracteristica de ieire a unui fotoelement.

298

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

Pe lng parametrii prezentai pentru fotodiod, un parametru specific acestui


dispozitiv este randamentul de conversie a energiei luminoase n energie electric, definit
ca:
P
conv = m
(9.36)

unde Pm este puterea debitat pe rezistena de sarcin n regim optim de funcionare, adic
Pm = i Lm v Lm n care i Lm este soluia ecuaiei P/i L =ct. = [i L v L (i L )]/i L if =ct. = 0 i
v Lm = v L (i Lm ) , iar este puterea radiaiei incidente.

Fototranzistorul
Fototranzistorul, ca i tranzistorul obinuit, este realizat dintr-o plcu
semiconductoare monocristalin n care se succed alternativ trei regiuni de conductibiliti
diferite (npn sau pnp), iar regiunea bazei poate fi iradiat cu lumin. Jonciunile
fototranzistoarelor pot fi omogene sau eterogene. La fel ca n cazul fotodiodelor baza
tranzistorului poate s fie iluminat fie paralel fie perpendicular pe planul jonciunilor
dispozitivului. De asemenea fototranzistoarele pot fi realizate cu sau fr electrod de baz.
n cazul cnd acesta exist este utilizat pentru stabilizarea unui punct static de funcionare.
Purttorii mobili de sarcin generai sub incidena luminii n baz se constituie ca sarcin
acumulat n regiunea bazei. n consecin curentul de colector al fototranzistorului este dat
de relaia:
(9.37)

i C = ( F + 1) (i f + I CB 0 )

Structurile npn corespunztoare celor dou moduri de iluminare (paralel sau


perpendicular pe planurile jonciunilor) mpreun cu simbolul acestui tip de dispozitiv sunt
prezentate n figura 9.27.

h .f

h .f
C

n
n+

n+

p
n

C
C

p+

sau

B
E

B
a.
b.
c.
Figura 9.27. Fototranzistorul: a) structura npn cu iluminare perpendicular pe
planul jonciunilor; b) structura npn cu iluminare paralel cu planul
jonciunilor; c) simbolul fototranzistorului npn.
Principalii parametri ai fototranzistoarelor sunt: sensibilitatea spectral, tensiunile
maxime de lucru, curentul de ntuneric, timpii de rspuns la un impuls luminos
dreptunghiular, puterea disipat maxim admisibil.

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

299

Sensibilitatea i liniaritatea fototranzistorilor sunt funcii de puterea incident.


Fototranzistorii nu sunt liniari i n consecin sunt puin folosii n msurrile directe de
putere incident. Din contr, ei convin pentru aplicaiile de comutaie (prezena sau absena
radiaiei). n acest caz, n scopul creterii vitezei de comutare, este adesea necesar folosirea
fototranzistorului n montaje cu impedan de intrare sczut.

Fotranzistorul cu efect de cmp


Constructiv, fototranzistorul cu efect de cmp este realizat ca un JFET obinuit cu
excepia unei ferestre optice n regiunea grilei (vezi figura 9.28). Iradierea regiunii porii are
ca efect generarea de purttori mobili de sarcin ce determin un curent de gril. Cderea de
tensiune pe rezistena R G produs de acest curent (vezi figura 9.28.b) conduce la
modificarea tensiunii VGS . Variaia tensiunii de gril determin intrarea n conducie a
JFET, care n condiii de ntuneric era blocat, i stabilirea unui curent de dren n
conformitate cu expresia analitic a caracteristicii I V determinat n capitolul 6.

h .f

VDD

h .f

RD

RG
n
p

VG
a.

b.

Figura 9.28. Fototranzistorul cu efect de cmp: a) structur cu canal n; b) circuitul


tipic de utilizare.

Foto-JFET-ul are o serie de avantaje n comparaie cu foto-TBJ:


eliminarea zgomotului datorat recombinrii;
prag de sensibilitate reglabil prin alegerea rezistenei R G ;
posibilitatea de compensare cu temperatura prin alegerea punctului static de
funcionare;
un ctig n putere;
un rspuns mai bun n frecven.

Fototiristorul
Funcional, fototiristorul este foarte asemntor tiristorului convenional, deosebirea
venind din faptul c amorsarea acestuia este realizat pe cale optic. n cele mai multe
cazuri iluminarea se realizeaz perpendicular pe planul jonciunilor (vezi figura 9.29), astfel
nct semnalul optic de declanare ptrunde prin emitorul n + , o fraciune din acesta ajungnd
n regiunea de sarcin spaial a jonciunii J3 i determinnd apariia unui fotocurent. Legea
de amorsare a tiristorului n prezena fotocurentului este:

300

Cap. 9. Dispozitive optoelectronice

IA

F 2 (I G + i f) + I 0,2
M 1 ( F 1 + F 2 )

(9.38)

n care semnificaia parametrilor utilizai este aceeai ca n seciunea 8.3.1 n care s-a
prezentat tiristorul convenional.
Evident, tensiunea de aprindere scade odat cu creterea intensitii fluxului luminos.
Din punct de vedere electric parametrii fototiristorului sunt similari cu cei ai tiristorului
convenional, iar din punct de vedere optic sunt similari cu cei ai dispozitivelor fotovoltaice
prezentate anterior.
A

h .f

VA
n+ p
J3

n
J2
a.

p+

hf
G

J1

C
b.

Figura 9.29. Fototiristorul: a) modelul unidimensional; b) simbol.

10
DISPOZITIVE
DE MICROUNDE

10.1. Generaliti
Microundele sunt oscilaii electromagnetice cu frecvene cuprinse ntre 1 GHz i
300 GHz . Aplicaiile cu microunde sunt n principal n domeniul radiocomunicaiilor i
radiolocaiei. Dispozitivele electronice clasice specifice microundelor (clistronul reflex,
magnetronul, tubul cu und progresiv etc.) se nscriu n clasa tuburilor electronice ce
exploateaz timpul finit de tranzit al sarcinii electrice ntre electrozi. Acestea nu fac obiectul
acestui capitol.
Apariia dispozitivelor semiconductoare a marcat schimbri calitative i n domeniul
frecvenelor foarte nalte. Astfel, diodele i tranzistoarele generatoare de microunde au gabarit
mic, durat de via crescut, fiabilitate mai bun, exploatare mai comod, concurnd
puternic dispozitivele clasice n domeniul puterilor mici i medii.
Diodele semiconductoare sunt primele din clasa dispozitivelor semiconductoare
utilizate n acest domeniu, acestea ntlnindu-se n toate domeniile de aplicaie. Tot diodele au
mpins limitele de frecven din ce n ce mai sus, n domeniul zecilor i sutelor de GHz. Au
urmat apoi tranzistoarele bipolare, depite din punct de vedere al limitelor de frecven de
tranzistoarele cu efect de cmp, dintre care astzi MESFET-urile pe GaAs sunt cele mai
utilizate datorit benzii mari de frecven, ctigului i factorului redus de zgomot. Cu toate
c, n ultimii ani, n domeniul tranzistoarelor s-au nregistrat evoluii deosebite, diodele sunt
n continuare utilizate cu prioritate n acest domeniu, motiv pentru care acest capitol le va fi
dedicat n totalitate. Accentul se va pune n principal pe dispozitivelele ce au principii de
funcionare diferite de cele prezentate n capitolele precedente sau care structural difer de
cele studiate pn acum.
n domeniul microundelor tranzistoarele sunt folosite mai ales n amplificatoare i mai
rar n oscilatoare. Construcia tranzistoarelor de microunde este deosebit pentru atingerea
unor frecvene de lucru ridicate. n capitolul 5 s-au evideniat parametrii ce influeneaz
frecvena de tiere a unui tranzistor bipolar. Principalii parametri constructivi ai TBJ ce
influeneaz f T sunt materialele semiconductoare folosite, nivelul doprii i materialele

302

Cap. 10. Dispozitive de microunde

folosite n acest scop, grosimea bazei i aria jonciunilor. Aceast listare evideniaz i
principalele direcii pe care se acioneaz n scopul obinerii unor dispozitive funcionale n
domeniul microundelor. Astfel, se micorez ariile jonciunilor pentru micorarea
capacitilor de regim dinamic i se folosesc diverse tehnici de fragmentare a emitorului
pentru a evita obinerea unor densiti de curent mari. Frecvenele maxime de lucru ale
TBJ-urilor moderne pot atinge zeci de GHz.

Tranzistoarele unipolare de tip MESFET pot atinge frecvene mai nalte ca TBJ-urile.
Dispozitivele MESFET sunt de fapt tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune de tip
metal-semiconductor. Drept material semiconductor se folosete GaAs deoarece mobilitatea
electronilor n acest material este mult mai mare dect n Si.
Aa cum am specificat mai sus diodele sunt folosite pe scar larg n domeniul
microundelor n toate tipurile de aplicaii. Astfel, amplificarea i generarea microundelor se
poate face cu diode cu rezisten negativ ca dioda tunel, dioda Gunn, dioda IMPATT, diode
BARITT i dioda step-recovery.
Dioda tunel a fost studiat n cadrul capitolului 4. Zona de rezisten negativ a
caracteristicii acesteia poate fi folosit pentru a compensa pierderile dintr-un circuit rezonant,
asigurnd astfel ntreinerea oscilaiilor. Puterea generat de acest dispozitiv este mic, de
ordinul mW, la frecvene de ordinul 10 GHz . Puteri mult mai mari i frecvene mult mai
nalte se pot atinge cu diodele Gunn i cu diodele IMPATT. Principiul de funcionare al
acestor dispozitive este complet diferit de cel al dispozitivelor studiate pn acum i va fi
prezentat n paragrafele urmtoare.
Diodele BARITT (BArier Injection Transit Time) se utilizeaz pentru generarea i
amplificarea microundelor de puteri mici, fiind larg utilizate n aplicaiile de zomot mic.
Structura acestei diode este compus din trei straturi p+-n -p+, semnnd cu cea a unui TBJ cu
baza inaccesibil din exterior. n funcionarea acestui dispozitiv timpul de tranzit al
purttorilor de sarcin joac un rol esenial.
Diodele step-recovery (SRD) sunt diode cu o structur de tip p -i -n , folosite ca
generatoare de impulsuri scurte. Datorit coninului bogat de armonici al acestor impulsuri,
SRD sunt utilizate ca generatoare de armonici i n circuite de multiplicare a frecvenei.
n controlul electric al frecvenei oscilatoarelor, pentru multiplicarea frecvenei, pentru
amplificarea parametric se folosesc diodele varactor. Diodele varactor sunt jonciuni p-n,
folosite n polarizare invers, care se comport ca nite capacitoare a cror capacitate electric
este controlat n tensiune.
Pentru detecie i mixare se folosete caracteristica redresoare a diodelor Schottky.
Aceste dispozitive se realizeaz cu capacitate mic, pentru a evita efectul de scurtcircuitare la
frecvene nalte.
Diodele varactor i diodele Schottky au fost studiate pe larg n capitolul 4 i nu se va
reveni asupra lor n acest capitol.

Cap.10 Dispozitive de microunde

303

atenuatoarele programabile, sistemele de control automat al nivelului


generatoarelor de microunde, comutatoarele rapide comandate electric etc. sunt utilizate pe
scar larg diodele PIN. Acest tip de diode va fi prezentat n finalul acestui capitol.
n

10.2. Dispozitive Gunn


Dispozitivele Gunn se bazeaz pe fenomenul transferului de electroni de conducie,
dintr-o zon a benzilor de conducie n alta, care apare n anumite materiale semiconductoare
ca GaAs, InP etc., atunci cnd, local, intensitatea cmpului electric depete o anumit
valoare critic.
Teoria corpului solid arat c anumite materiale semiconductoare, de tipul celor
enumerate mai sus, au practic dou benzi de conducie i dou categorii de electroni liberi:
unii ce prezint o mobilitate mai mare, numii electroni uori, i alii ce prezint o mobilitate
mai mic, numii electroni grei. Electronii grei se gsesc pe nivele energetice mai ridicate
dect electronii uori. Distribuia energetic a electronilor de conducie din cele dou benzi se
modific cu intensitatea cmpului electric aplicat. Pe msur ce aceasta crete ponderea

electronilor grei crete i ea. Ca urmare, viteza medie de drift a electronilor liberi, v n , va
depinde de intensitatea cmpului energetic aplicat E n conformitate cu figura 10.1. La

intensiti mici i moderate ale cmpului electric, v n va crete odat cu E datorit creterii

energiei cinetice a electronilor de conducie, atingnd un maxim v n max la intensitatea E M . n

momentul n care ponderea electronilor grei devine important, v n ncepe s scad odat cu
creterea intensitii E a cmpului electric, pe grafic aprnd o regiune ce prezint mobilitate
diferenial negativ (dv n /dE < 0) . Aceast regiune a caracteristicii este exploatat n

dispozitivele Gunn. La intensiti mari ale cmpului electric v n are o valoare practic
constant deoarece aproape toi electronii de conducie sunt electroni grei, iar viteza lor
ncepe s se satureze.
vn[cm/s]
2 107
107
0 EM 5

10

15

20 E [kV/cm]

Figura 10.1. Dependena vitezei medii de drift a electronilor de conducie de


intensitatea cmpului electric aplicat n cazul GaAs.

Diodele Gunn sunt structuri semiconductoare de tip metal -n + -n sau n + -n -n +


contactate la capete cu doi electrozi numii anod i catod. Deci, aceste dispozitive ce nu
conin jonciuni p -n pot fi considerate rezistoare semiconductore i de aceea sunt ntlnite i
sub denumirea de diode cu efect de volum.

304

Cap. 10. Dispozitive de microunde

Efectul Gunn
Dac unei astfel de structuri i se aplic o tensiune, curentul ce apare n dispozitiv este
aproximativ un curent de drift i n conformitate cu relaia (2.41) acesta este proporional cu
viteza de drift. n consecin, forma caracteristicii I V ar trebui s fie o replic a

caracteristicii v n = v n (E) . n realitate, atunci cnd E > E M , n semiconductor au loc


fenomene calitativ noi.
n structura n+-n-n+, la cele dou limite ale zonei n, datorit diferenelor de
concentraii ntre domenii, apare fenomenul difuziei, care conduce la apariia unor sarcini
spaiale. n conformitate cu mecanismul de relaxare dielectric, dispariia sarcinii spaiale
mobile dintr-un conductor ascult de o lege exponenial cu constanta r = / . Pentru un
semiconductor de tip n, cu concentraia impuritilor donoare N D , cruia i se aplic o tensiune
oarecare, dinamica micilor deviaii de la neutralitate este descris de un parametru numit timp
de relaxare diferenial, d , definit de expresia:

d =
(10.1)
q ND d
n care d reprezint mobilitatea diferenial dat de relaia:
dv
d = n
(10.2)
dE
Cnd d > 0 sarcina spaial scade pn la dispariie dup o lege exponenial cu
constanta d . Cnd d < 0 , constanta de relaxare diferenial devine negativ, iar deviaiile de
la neutralitate cresc exponenial cu constanta de timp d , producnd neuniformiti n
distribuia cmpului electric. Acest fenomen este utilizat n generarea impulsurilor de
microunde.
Timpul de tranzit al electronilor prin regiunea n de lungime L este dat de relaia:

t L = L
vn

(10.3)

Atunci cnd d < 0, dac se ndeplinete condiia t L << d , adic

N D L <<

vn
,
dv n
q
dE

(10.4)

neuniformitile cmpului electric, produse de deviaiile de la neutralitate, nu au timp s se


dezvolte. Ca urmare, la aplicarea unei tensiuni continue la bornele dispozitivului, distribuia
obinut pentru intensitatea cmpului intern este stabil.
n cazul n care condiia (10.4) nu este ndeplinit, atunci eventualele neuniformiti
ale cmpului electric se dezvolt apreciabil pe durata tranzitului purttorilor de sarcin. n
figura 10.2 este reprezentat un astfel de fenomen, adic distribuiile cmpului electric la
momente de timp succesive, precum i modificrile n distribuia concentraiei electronilor ce
au condus la apariia neuniformitilor n distribuia cmpului electric. Astfel, la aplicarea
unei tensiuni v (E M L), intensitatea cmpului electric este mai mare ca E M , iar tot
semiconductorul este un mediu cu conductibilitate diferenial negativ. Fenomenele de
difuzie, ce au loc la aplicarea tensiunii pe structur, determin formarea unui strat dipolar (un
strat dublu constnd dintr-o acumulare de electroni la stnga i un strat de srcire de

Cap.10 Dispozitive de microunde

305

electroni la dreapta) cruia i corespunde mica neuniformitate reprezentat pe distribuia 1 a


cmpului electric. Acest strat dipolar se propag odat cu purttorii de sarcin, extinzndu-se
tot mai mult datorit acumulrii de electroni pe parcurs. Aceast acumulare se datoreaz
faptului c electronii din faa stratului de acumulare, gsindu-se ntr-o regiune n care
intensitatea cmpului electric este mai mare, au o vitez mai mic dect cei din "coada"
stratului de acumulare (vezi figura 10.1). Ca urmare neuniformitatea distribuiei cmpului
electric crete, stabilindu-se la o anumit form atunci cnd, n afara domeniului
corespunztor stratului dipolului, intensitatea cmpului electric scade sub valoarea E M . n
momentul n care dipolul de form stabil ajunge la electrodul colector, se constat un impuls
de curent n circuitul exterior. Dup dispariia domeniului intensitatea cmpului electric
depete din nou valoarea E M datorit faptului c tensiunea aplicat din exterior
dispozitivului este constant i mai mare ca E M L . Se formeaz un nou domeniu, care se
deplaseaz prin dispozitiv .a.m.d. n consecin, aplicnd o tensiune continu structurii,
obinem oscilaii ale curentului din circuitul exterior. Frecvena oscilaiilor este invers
proporional cu lungimea L a regiunii n i poate s fie extrem de ridicat.

E
E

4 5

EM

3
1

2
A cu m u la r e

Srcire
0

ND

a.
b.

Figura 10.2. Efectul Gunn:


a) Distribuia intesitii cmpului electric la momente de timp succesive;
b) Stratul dipol i efectul acestuia asupra distribuiei intensitii cmpului electric.

Caracteristica curent-tensiune a diodei Gunn este reprezentat n figura 10.3. Aceasta


are o regiune aproape liniar sub tensiunea de prag E M L i o regiune corespunztoare
domeniilor de form stabil. Domeniul se formeaz atunci cnd tensiunea aplicat structurii
depete tensiunea de prag E M L i dispare nainte de a atinge contactul catodului atunci
cnd tensiunea coboar sub tensiunea de susinere v min .
i

Vmin EM L

Figura 10.3. Caracteristica i v a diodei Gunn.

306

Cap. 10. Dispozitive de microunde

Atunci cnd tensiunea la bornele diodei oscileaz, punctul instantaneu de funcionare


se deplaseaz dup cum arat sgeile de pe caracteristica din figura 10.3. n aceste condiii
dioda se poate modela cu un rezistor neliniar n paralel cu o capacitate (vezi figura 10.4).
Diodele Gunn pot furniza puteri de zeci sau sute de miliwai la frecvene cuprinse
ntre civa GHz i zeci de GHz.
rN
A

Cj
Figura 10.4. Circuitul echivalent al diodei Gunn n regim dinamic.

10.3. Diodele IMPATT


IMPATT
Diodele IMPATT sunt dispozitive la care efectul de rezisten dinamic negativ se
obine datorit fenomenului ionizrii prin oc i timpului de tranzit al purttorilor de sarcin
rezultai. La aceste diode efectul de rezisten negativ nu poate fi observat pe caracteristica
static curent-tensiune, efectul manifestndu-se numai n regim dinamic i numai ntr-o
anumit band de frecvene determinat de particularitile constructive ale diodei. Diodele
IMPATT pot fi realizate n mai multe variante, ncepnd cu structura clasic p-n i pn la
structuri mai puin obinuite cum ar fi p+nin, p+ipnin etc., iar materialul utilizat poate fi Si,
GaAs, InP etc.
Pentru a explica funcionarea dispozitivului se va utiliza o structur de tip p+nin+ (vezi
figura 10.5). Regiunea notat cu i reprezint un domeniu intrinsec n care, practic,
concentraia de impuriti este nul. Regiunea p+ se numete anod, iar regiunea n+ se numete
catod.
Se aplic structurii o tensiune invers, V AC < 0 , suficient de negativ pentru a provoca
strpungerea prin multiplicare n avalan la joncinea p+-n, prin intermediul unui generator
de curent constant. Un exemplu de astfel de circuit de polarizare este prezentat n figura 10.6.
Distribuia intensitii cmpului electric n dispozitiv este reprezentat n figura 10.5.b. Peste
tensiunea continu V AC V BR aplicm o tensiune sinusoidal de foarte nalt frecven.
Astfel tensiunea total v AC (t ) la bornele structurii va oscila n jurul tensiunii de strpungere
V BR . n timpul alternanei pozitive a tensiunii v AC (t ) densitatea purttorilor de sarcin
generai prin ionizare prin oc la jonciunea p+-n va crete rapid n timp, iar n alternana
negativ densitatea purttorilor de sarcin astfel generai ncepe s scad. n consecin,
densitatea curentului de electroni injectai de jonciunea p+-n n regiunea intrinsec i prezint
un maxim n momentul n care tensiunea trece prin valoarea medie (vezi figurile 10.5.c i
10.5.d). Datorit faptului c intensitatea cmpului intern este foarte mare, electronii generai
i injectai n regiunea intrinsec au o vitez aproximativ constant i aproape egal cu viteza
limit de saturaie. De aceea, pachetul de electroni injectai n regiunea intrinsec nu se
disperseaz n timpul tranzitului prin dispozitiv.

Cap.10 Dispozitive de microunde

p+

307

n+

V >0

a.

E
b.
x
v
c.

VB
~
t

ia

d.
t
i indus
t

e.

Figura 10.5. Dioda IMPATT: a) structur; b) distribuia intensitii cmpului electric;


c) forma tensiunii aplicate pe dispozitiv; d) curentul de avalan;
e) curentul indus n circuitul exterior.

Curentul indus n circuitul exterior de acest pachet de electroni n tranzit are forma
unui impuls dreptunghiular. Dac timpul de tranzit al purttorilor generai n regiunea de
sarcin spaial a jonciunii p+-n prin regiunea i este egal cu jumtate din perioada oscilaiei
de nalt frecven, atunci fundamentala curentului indus n circuitul exterior este n antifaz
cu tensiunea la borne. Acest defazaj asigur comportarea tip rezisten negativ a
dispozitivului n regim dinamic. Defazajul rezult din efectul combinat al ntrzierii produse
de generarea n avalan i de transportul purttorilor de sarcin prin dispozitiv.
R

+
T1

D1

D2

T2

E
R'
-

Figura 10.6. Exemplu de circuit de polarizare pentru dioda IMPATT.

308

Cap. 10. Dispozitive de microunde

Un parametru important al acestui dispozitiv l reprezint eficiena de generare ,


definit ca raportul dintre puterea instantanee generat n circuitul exterior i puterea
absorbit de la sursa de curent continuu. Valoarea optim a acestui parametru se obine pentru
timpul de tranzit dat de expresia:
t t = 0, 74 T

(10.5)

unde T reprezint perioada semnalului de foarte nalt frecven aplicat.


Deoarece timpul de tranzit al pachetului de electroni este fixat prin construcie, pentru
fiecare realizare constructiv vom avea o frecven optim bine determinat.
Circuitul echivalent al structurii n regim dinamic, prezentat n figura 10.7., const
dintr-un rezistor cu rezisten negativ n paralel cu un capacitor corespunztor jonciunii p+-n
polarizate invers.
rN

Cj
Figura 10.7. Circuitul echivalent n regim dinamic al structurii IMPATT.

Diodele IMPATT genereaz puteri de civa W n regim continuu de oscilaie, iar


frecvenele de lucru pot ajunge la cteva sute de GHz. Ele sunt folosite mai ales ca oscilatoare
de putere mic sau medie, cu randament mediu de aproximativ 10 % . Datorit faptului c
aceste dispozitive lucreaz la densiti mari de curent i la tensiuni inverse mari, ele sunt
prevzute din construcie cu radiatoare dispuse ct mai aproape de zona activ a
dispozitivului. Un inconvenient al diodei IMPATT este zgomotul su, sensibil mai mare ca al
diodei Gunn.

10.4. Dioda PIN


Denumirea acestei diode provine de la structura sa de tip p-i-n, adic o structur ce
conine o regiune intrinsec i de rezistivitate mare, mrginit de regiuni puternic dopate cu
impuriti de tip p+, respectiv n+. Teoretic, la tensiune de polarizare nul, regiunea central
este complet lipsit de purttori, iar n regiunile adiacente se formeaz sarcini spaiale egale
dar de semn opus la fel ca la jonciunea p-n (vezi figura 10.8). Distribuia intensitii
cmpului electric, prezentat n figura 10.8.d, relev faptul c n regiunea central intensitatea
cmpului electric este constant i are valoarea maxim.
Atunci cnd dioda PIN este polarizat direct, n regiunea central sunt injectai
purttori de sarcin mobili: goluri din regiunea p+ i electroni din regiunea n+. Astfel, n
conformitate cu relaia (2.57) rezistena regiunii centrale se micoreaz foarte mult, dioda PIN
polarizat direct comportndu-se ca o rezisten a crei valoare este controlat de curentul ce
trece prin dispozitiv. Este evident faptul c pe msur ce curentul prin dispozitiv crete
rezistivitatea regiunii centrale scade.

Cap.10 Dispozitive de microunde

309

p+

n+

NA- N D
NA
ND
+q.ND

-q.NA

E
x

Figura 10.8. Dioda PIN: a) structur; b) profilul doprii cu impuriti;


c) densitatea de sarcin n structur; d) distribuia cmpului electric.

n polarizare invers regiunile de sarcin spaial se mresc, curentul prin structur


fiind practic nul.
Modelul echivalent de regim dinamic al acestui dispozitiv depinde evident de
polarizare. n polarizare direct dioda PIN se echivaleaz cu o rezisten pur, iar n
polarizare invers se echivaleaz cu o mic capacitate independent de mrimea tensiunii
inverse aplicate.
Dioda PIN este utilizat n realizarea comutatoarelor rapide comandate electric,
atenuatoarelor programabile, sistemelor de control automat al nivelului generatoarelor de
microunde etc.
O variant a structurii pin, optimizate n vederea funcionrii ca generator de
impulsuri scurte, o reprezint dioda cu revenire n treapt sau step-recovery (SRD). Generarea
impulsurilor este legat de fenomenele specifice ce apar n structur la comutarea ei din starea
de conducie n starea de blocare i de aceea va fi prezentat mai pe larg n capitolul dedicat
comutrii dispozitivelor semiconductoare. Datorit prezenei regiunii intrinseci, sarcina
acumulat n structur n conducie nu dispare dect dup un anumit timp. Aceasta nseamn
c dioda conduce i n sens invers nc un anumit interval de timp, pn la evacuarea sarcinii
din structur, dup care curentul devine nul. n figura 10.9. este prezentat un generator de
impulsuri cu SRD mpreun cu formele de und caracteristice funcionrii.

310

Cap. 10. Dispozitive de microunde

u
t
R

Tr
i

ui

u0

t
u0
t

Figura 10.9. Generator de impulsuri cu SRD.

11
REGIMUL DE
COMUTARE
COMUTARE AL DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE

11.1. Generaliti
Regimul de lucru al unui dispozitiv semiconductor n care, sub aciunea unei comenzi
exterioare, acesta trece din starea de blocare n cea de conducie sau invers se numete regim
de comutare. Comutaia se numete direct dac trecerea se face din regim de blocare n
regim de conducie i invers dac trecerea se face din regimul de conducie n cel de
blocare.
Regimul de comutare este un caz particular al funcionrii dispozitivelor n regim
variabil de semnal mare, unde comportarea neliniar a dispozitivelor semiconductoare nu
mai poate fi neglijat. Acest regim este ntlnit n aplicaiile legate de formarea, generarea i
prelucrarea impulsurilor. Cei mai importani parametri ce descriu regimul de comutare sunt
timpii de comutare: direct i invers, n concordan cu tipul comutrii. Determinarea
acestora implic evidenierea proceselor tranzitorii ce au loc n dispozitive i obinerea de
soluii analitice pentru problemele neliniare ce le corespund. n tratarea regimului de
comutare putem folosi una din urmtoarele metode:
metoda rezolvrii aproximative a ecuaiei de continuitate n regim variabil;
metoda circuitului echivalent de semnal mare;
metoda de control prin sarcin sau, mai scurt, metoda sarcinii;
metoda numeric.

Metoda rezolvrii aproximative a ecuaiei de continuitate n regim variabil const


n liniarizarea ecuaiei de continuitate prin utilizarea urmtoarelor aproximaii:
model unidimensional al structurii;
aproximaia de golire prin care dispozitivul se mparte n zone de sarcin spaial,
zone active i zone neutre;
nivel mic de injecie ce implic neglijarea curentului de drift al purttorilor
minoritari;
condiii la limit impuse unor mrimi asupra crora nu avem un control direct.

312

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

Forma liniarizat a ecuaiei de continuitate este cunoscut sub denumirea de ecuaie


de difuzie. Ecuaiile de difuzie corespunztoare celor dou tipuri de purttori mobili de
sarcin, cosidernd direcia x ca fiind caracteristic modelului unidimensional, sunt:
n p
2 np
np n p 0
= n
+ Dn
t
x2
p n
p p
2 pn
= n n 0 + Dp
p
t
x2

(11.1)

n care n p i p n reprezint concentraiile de purttori mobili de sarcin n exces fa de


situaia de echilibru termic, adic n p = n p n p 0 , p n = p n p n 0 .
Condiiile iniiale pentru aceste ecuaii sunt repartiiile staionare corespunztoare
strilor funcionale dinainte de comutare. Condiiile la limit se impun fie concentraiilor de
purttori minoritari la interfeele cu regiunile de sarcin spaial (vezi condiiile la limit ale
lui Shockley), fie gradienilor concentraiilor purttorilor de sarcin.
Soluia analitic obinut, pe lng faptul c este aproximativ, are o form
neatractiv deoarece conine funcia eroare, erf ().

Metoda circuitului echivalent, const n utilizarea circuitului echivalent de semnal


mare de regim dinamic pentru dispozitivul al crui regim de comutare se studiaz. Folosind
transformatele Laplace ale ecuaiilor de circuit se determin relaiile pentru curenii i
tensiunile ce descriu regimul de comutare. Dezavantajul principal al acestei metode const
n faptul c valabilitatea circuitelor echivalente de semnal mare este limitat superior n
frecven.

Metoda sarcinii const n descrierea funcionrii dispozitivului prin relaii ntre


curenii la terminalele dispozitivului i sarcina acumulat n exces n dispozitiv fa de
situaia de echilibru termic, adic prin modelele de control prin sarcin.
Ecuaiile modelului de control prin sarcin sunt forme integrale ale ecuaiilor de
continuitate scrise pentru purttorii minoritari din regiunile active i neutre ale
dispozitivului. Astfel, considernd un model unidimensional pentru dispozitiv i notnd cu Q
sarcina de purttori minoritari n exces fa de situaia de echilibru termic n regiunea
considerat [x 1 , x 2 ] , adic:
x2

Q = q A c dx
x1

(11.2)

unde A este aria transversal a regiunii considerate i c concentraia purttorilor minoritari


n exces, se obine ecuaia sarcinii n regiunea de interes:
dQ
Q
+ p.m.
(11.3)
dt
n care i p.m. (0) i i p.m. (W ) sunt curenii de purttori minoritari la extremitile zonei, iar p.m.
este timpul de via al purttorilor minoritari.
Ecuaiile modelului de control prin sarcin sunt ecuaii difereniale liniare i ordinare
i de aceea metoda sarcinii este folosit pe scar larg n tratarea analitic a regimului de
comutare.

i p.m. (0) i p.m. (W) =

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

313

Metoda numeric rezolv problema neliniar a funcionrii dispozitivului n regim


de comutare fr a folosi nici una din aproximaiile ntrebuinate n mod uzual n abordrile
anterioare. Ecuaiile lui Shockley sunt scrise pentru ntregul dispozitiv, condiiile la limit
impunndu-se numai la contacte asupra curenilor i mai rar asupra tensiunilor.
n acest capitol se vor evidenia procesele tranzitorii i timpii de desfurare ai
acestora pentru urmtoarele structuri principale ce se ntlnesc n componena a aproape
tuturor dispozitivelor semiconductoare: jonciunea p-n, tranzistorul bipolar, tranzistoarele cu
efect de cmp cu gril jonciune i MOS.

11.2.
11.2 . Regimul de comutare al jonciunii p-n
Diodele bazate pe jonciunea p-n au aplicabilitate larg n circuitele de comutaie.
Timpii de comutare direct i invers sunt bineneles cei mai importani parametri ai si ce
stabilesc limita superioar a vitezei de rspuns a circuitului n care acestea sunt folosite.
Aceti timpi sunt controlai n principal de fenomenele de difuzie i recombinare ale
purttorilor de sarcin minoritari. Formele de und pentru curentul i tensiunea la bornele
diodei n regim de comutaie sunt determinate de viteza cu care purttorii de sarcin
minoritari sunt injectai n regiunile active i, respectiv, de viteza cu care sarcina de purttori
minoritari acumulat n regiunile active este evacuat.
Cele mai utilizate metode de analiz a regimului de comutare a jonciunii p-n sunt
metoda rezolvrii aproximative a ecuaiei de continuitate i metoda sarcinii, metod ce se
constituie ca un excelent instrument didactic i care va fi prezentat n continuare.

11.2.1. Modelul de control prin sarcin al jonciunii p-n


Modelul de control prin sarcin este folosit pe scar larg n descrierea fenomenelor
ce au loc n jonciune n regim de comutare a acesteia din regim de conducie n regim de
blocare i invers.
Considerm o structur asimetric de tip p+-n. Modelnd unidimensional aceast
structur, ecuaia de continuitate pentru golurile minoritare injectate n regiunea n devine:
p n ( x, t )
p ( x, t ) p n 0 1 j p ( x, t )
= n
q
p
t
x

(11.4)

Ecuaia de control prin sarcin a unei jonciuni p-n se determin prin integrarea
ecuaiei de continuitate (11.4) ntre limitele regiunii cvasineutre n, x 1 i x 2 :
x 2 p n ( x, t )
x 2 p n ( x, t ) p n 0
x 2 j p ( x, t )
Aj q
dx = Aj q
dx A j
dx

x1
x1
p
x1
t
x
Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
+
= i p (x 1 , t ) i p (x 2 , t )
p
t

n care

(11.5)

314

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare


x2

Qp (x 1 , x 2 ) = A j q [p n (x, t ) p n 0 ]dx
x

(11.6)

reprezint sarcina acumulat n exces n regiune.


Ecuaia (11.5) reprezint de fapt bilanul fluxurilor de purttori minoritari n regiunea
cvasineutr n (regiunea activ n + regiunea neutr n). Astfel Qp (x 1 , x 2 , t )/p reprezint
componenta ce compenseaz sarcina pierdut prin recombinare, iar Qp (x 1 , x 2 , t )/t
componenta de ncrcare a capacitii de difuzie. Curentul i p (x 2 , t ) reprezint curentul de
goluri ce iese din regiunea n pe la contactul de anod. Majoritatea contactelor reprezint
suprafee cu vitez mare de recombinare i n cazul n care x 2 x 1 >> L p se poate considera
i p (x 2 , t ) 0 . Totui, pentru a include i cazul jonciunilor subiri (x 2 x 1 << L p ), se
consider c

i p (x 2 , t ) =

Q p (x 1 , x 2 )
s

(11.7)

n care s reprezint timpul de via al purttorilor minoritari la interfaa catodului.


nlocuind (11.7) n (11.5) se obine:
Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 )
+
+
=
p
s
t
Q p (x 1 , x 2 , t )
=
+ Qp (x 1 , x 2 , t ) 1 + 1 =
p
s
t
Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
=
+
ef
t

i p (x 1 , t ) =

(11.8)

n care
ef =

1
1 + 1
p s

(11.9)

reprezint timpul de via efectiv al purttorilor de sarcin minoritari care ine seama att de
recombinarea n volum ct i de cea de la interfaa catodului.
n regim tranzitoriu variaz att sarcina din regiunile cvasineutre ale structurii ct i
sarcina QB+ = Q B din regiunea de trecere. Acestor variaii le corespund urmtorii cureni de
purttori majoritari:
dQ B
dQ
= B
dt
dv j
+
dQ B
dQ +B
+
in =
=
dt
dv j

i p =

dv j
dv j
= C b (v j )
dt
dt
dv j
dv j

= C b (v j )
dt
dt

(11.10)

unde C b (v j) reprezint capacitatea de barier a jonciunii, iar v j tensiunea ce cade pe


regiunea de sarcin spaial.
Aceti cureni sunt importani atunci cnd jonciunea p -n este polarizat invers i se
pot neglija cnd aceasta este polarizat direct. Relaia (11.10) este neliniar, dar se poate
liniariza introducnd un nou parametru, capacitatea de barier de semnal mare , notat cu C B
sau cu C j i definit de relaia:
v j final
1
Cj = v

C b (v j )dv j
(11.11)

v j initial
j initial v j final

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

315

Astfel, avnd n vedere c jonciunea este de tip p+-n i neglijnd cderea de tensiune
pe regiunile cvasineutre ale structurii, se poate aproxima curentul jonciunii i A prin
urmtoarea relaie:

i A i p (x 1 , t ) + i p =

Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
dv
+
+ Cj A

ef
t
dt

(11.12)

cunoscut sub denumirea de ecuaia de control prin sarcin.

11.2.2.
11.2.2 . Comutarea direct a jonciunii p -n
Analiza regimului de comutare a jonciunii p -n se va face pentru o structur cu profil
de impuriti abrupt i asimetric i concentraie uniform a impuritilor n cele dou regiuni
ale sale, conectat n circuitul prezentat n figura 11.1. Rezistena de sarcin R L este mult
mai mare ca rezistena diferenial a jonciunii R d .
Regim de blocare
p+

K
+
-

VF

n
p(x)

p+

vI

n(x)

RL

VL

Comutare
invers
p+ n(x)

Comutare
direct
n
p(x)

VR
Regim de conducie
Figura 11.1. Circuitul utilizat pentru analiza regimului de comutare
al unei jonciuni p -n.

La t = 0 , prin trecerea comutatorului K din poziia 0 n poziia 1, jonciunea este


polarizat direct cu o tensiune VF , tensiune ce corespunde unui nivel mic de injecie.
Formele de und ce se obin pentru mrimile de interes sunt prezentate n figura 11.2.a.
Curentul prin structur este dat de urmtoarea relaie:
VF
la t = 0
RL
V v (t )
i F (t ) = F A
la t (0, t cr )
(11.13)
RL

V F VA
la t t cr
RL

Datorit faptului c R d << R L se poate considera c v A << VF i, n consecin,


curentul prin structur este:

IF =

VF V A VF

= i F (t = 0)
RL
RL

(11.14)

316

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

Formele de und relev clar faptul c la t = 0 dispozitivul comut n curent . Problema


care se pune este: de ce exist o ntrzie n stabilirea tensiunii pe jonciune la valoarea
corespunztoare curentului ce o parcurge:

VA = VT ln

IF
+ 1 .
I0

(11.15)

Aceast ntrziere se datoreaz timpului necesar acumulrii sarcinii injectate n


regiunea activ de tip n, fenomen modelat prin ncrcarea capacitilor jonciunii
(capacitatea de difuzie i capacitatea de barier). Capacitarea de barier este foarte mic n
polarizare direct i de aceea efectul acesteia poate fi neglijat. n consecin ecuaia de
control prin sarcin n cazul polarizrii directe a jonciunii devine:
Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
+
(11.16)
ef
t
Condiia iniial a acestei ecuaii este Qp (x 1 , x 2 , 0 ) = 0 . Variaia n timp a sarcinii
acumulate n regiunea cvasineutr n poate fi determinat rezolvnd ecuaia (11.17). Se
obine astfel:

i A IF

Qp (x 1 , x 2 , t ) = I F ef 1 exp t

(11.17)
ef

Timpul, notat cu t cr , n care sarcina acumulat n exces fa de situaia de echilibru


termodinamic ajunge la 0,9 din valoarea sa final Qp (x 1 , x 2 , ) = I F ef , poart denumirea
de timp de cretere. Expresia analitic a acestuia este determinat n continuare:

t
Qp (x 1 , x 2 , t cr) = I F ef 1 exp cr = 0, 9 I F ef
ef

t
cr
exp = 0, 1
ef

t cr

= ln 0, 1 = ln 1 = ln 10
ef
10
t cr = ef ln 10 2, 3 ef

(11.18)

n acest caz, cnd comutarea are loc din situaia de echilibru termodinamic, timpul de
comutare direct, notat cu t cd , este chiar timpul de cretere t cr . Dac ns comutarea direct
ar fi avut loc din regiunea de blocare, timpul de comutare direct ar avea dou componente:
timpul de ntrziere, datorat descrcrii capacitii de barier de la tensiunea VR la
tensiune nul, notat cu t d , i timpul de cretere t cr , corespunztor acumulrii sarcinii n
regiunea activ de tip n. n consecin, timpul de comutare direct este dat de expresia:

t cd = t d + t cr

(11.19)

Dac tensiunea direct aplicat la intrarea circuitului este mare (nivel mare de
injecie) formele de und ale tensiunii i curentului se modific (vezi figura 11.2.b).
Supracreterea tensiunii la bornele structurii se explic prin variaia rezistivitii regiunilor
jonciunii i saltului mare de curent prin dispozitiv, i F (0) = VF /R L . Astfel, rezistivitatea
regiunilor neutre ale jonciunii la t = 0 este cea dat de concentraiile corespunztoare
situaiei de echilibru termic. Pe msur ce concentraia purttorilor minoritari n regiunile
cvasineutre crete datorit injeciei i difuziei rezistivitatea regiunilor cvasineutre scade.

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

317

vI

vI
VF

VF

t
0

iA

iA
IF

IF
t
0 t cr=t cd
vA

t
0

VA

vA

VA
t

0 t cr=t cd
. Q(x1 ,x 2 )

t
0

t cd

IF F
0,9 .I F.F

t
0 t cr=t cd
a.

b.
Figura 11.2. Comutarea direct a jonciunii p -n:
+

a) la nivel mic de injecie; b) la nivel mare de injecie.

11.2.3.
11.2.3 . Comutarea invers a jonciunii p -n
Prin trecerea comutatorului K din poziia 1 n poziia 2 dioda este comutat invers.
Modelul de control prin sarcin va fi folosit i n acest caz pentru determinarea timpului de
comutare invers. Formele de und caracteristice acestui proces tranzitoriu sunt prezentate n
figura 11.3. Se observ c formele de und sunt mai complicate n acest caz.
Considernd ca moment iniial momentul trecerii comutatorului pe poziia 2, se poate
afirma c la t = 0 curentul prin diod va comuta imediat la valoarea:
V + VA VR
i R (0) = I R = R

(11.20)

RL

RL

Tensiunea pe diod nu poate varia brusc deoarece sarcina acumulat n exces fa de


situaia de echilibru termic n regiunile active ale jonciunii se evacueaz ntr-un timp finit.
Evacuarea acestei sarcinii se realizeaz prin curentul invers i R (t ) i prin recombinare.
Timpul t s n care tensiunea pe jonciune v A (t ) rmne pozitiv, adic v A (t ) 0, poart
denumirea de timp de stocare. Analitic timpul de stocare se poate defini prin relaiile:
v A (t s ) = 0 sau p n (x 1 , t s) = 0 .

318

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

vI
VF
t
-VR
iA
IF

I0

ts

-0,1. IR
-I R

t
t dsc

vA
VA
t s+ t dsc =t ci

ts

-VR+I0.R L
Figura 11.3. Comutarea invers a jonciunii p-n.

Curentul prin structur n acest interval este dat de relaia:


V + v (t ) V
i R (0 t t s) = R A R I R

RL

(11.21)

RL
Astfel, se poate considera c n intervalul de timp [0, t s] curentul invers prin structur
este constant. Folosind aceast aproximaie ecuaia de control prin sarcin pentru acest
interval de timp devine:
I R

Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
+
ef
t

(11.22)

Condiia iniial a acestei ecuaii este:

Qp (x 1 , x 2 , 0 ) = I F ef

(11.23)

i, n consecin, variaia sarcinii acumulate n exces fa de situaia de echilibru


termodinamic n regiunea cvasineutr de tip n n intervalul [0, t s] este:

Qp (x 1 , x 2 , t )= I R ef + (I F + I R ) ef exp t .
ef

0t ts

(11.24)

Folosind relaia analitic de definiie a timpului de stocare v A (t s ) = 0 , innd cont de


relaia (3.39) n care l n x 1 i adoptnd implicit aproximaiile ce au condus la obinerea
acestei relaii, suplimentate de cea a regimului cvasistaionar, se obine:
x2

Qp (x 1 , x 2 , t s) = A j q [p n (x, t ) p n 0 ] dx
x
1

q v A (t s )
x x1
1 exp
dx =

Lp
kT

x2
x x1
= Aj q p n 0 [1 1] exp
dx = 0
x1
Lp
Aj q

x2

x1

p n 0 exp

(11.25)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

319

n consecin folosind relaiile (11.24) i (11.25) se deduce expresia timpului de


stocare:
t
Qp (x 1 , x 2 , t s ) = I R ef + (I F + I R ) ef exp s = 0
ef

t s = ef ln 1 +

IF
IR

(11.26)

n realitate sarcina Qp (x 1 , x 2 , t s ) este diferit de 0 i, de aceea, aceast expresie a


timpului n care tensiunea pe jonciune rmne pozitiv conduce la valori mai mari dect
cele obinute experimental. n acest caz expresia obinut prin rezolvarea aproximativ a
ecuaiei de continuitate:
2

I
t s = ef erf F < t s ,
IF + I R

(11.27)

conduce la valori mai apropiate de cele experimentale.


Odat evacuat sarcina acumulat n exces din regiunea cvasineutr n, tensiunea
v A (t > t s ) devine negativ, rezistivitatea regiunilor jonciunii crete i curentul invers ncepe
s scad ctre I 0 . Timpul necesar ncrcrii capacitii de barier a jonciunii de la 0 la
tensiunea invers VR I 0 R L poart denumirea de timp de descretre i este notat cu t dsc .
Ecuaia de control prin sarcin pentru intervalul (t s , t s + t dsc ] devine:
Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
dv (t )
i R (t )
+
Cj R
(11.28)

ef
t
dt
Aplicnd Kirchhoff II circuitului din figura 11.1 se obine:

v R (t ) = V R i R (t ) R L

(11.29)

nlocuind (11.29) n (11.28), aceasta devine:


Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
di (t )
+
+ Cj RL R
(11.30)

ef
t
dt
Din relaia de definiie (11.6) a sarcinii Qp (x 1 , x 2 , t ) se observ c n intervalul de
timp (t s , t s + t dsc ] aceasta este foarte mic i se poate neglija n expresia (11.30):
di (t )
i R (t ) C j R L R
(11.31)
dt
i R (t )

Condiia iniial a acestei relaii difereniale este:

i R (t s ) = I R ,

(11.32)

iar soluia corespunztoare este:


t ts
Cj RL

i R (t ) I R exp

(11.33)

Uzual se consider c la t = t s + t dsc curentul invers prin structur a sczut la valoarea


0, 1 I R i deci expresia lui t dsc se determin din egalitatea:
t

0, 1 I R I R exp dsc
Cj R L

(11.34)

ce conduce la:

t dsc = 2, 3 C j R L

(11.35)

320

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

n consecin, timpul de comutare invers al jonciunii p-n, notat cu t ci , este dat de


expresia:

t ci = t s + t dsc ef ln 1 +

IF
+ 2, 3 C j R L
IR

(11.36)

11.2.4.
11.2.4 . Metode de micorare a timpilor de comutare
Relaiile (11.18) i (11.36) arat clar faptul c timpii de comutare t cd i t ci depind
att de modul tehnologic de realizare a diodei (timpii de via ai purttorilor minoritari,
capacitatea de barier), ct i de circuitul exterior, prin valorile curenilor I F i I R .
Trei metode tehnologice sunt n general folosite pentru reducerea timpilor de
comutare:
creterea densitii centrelor de recombinare a purttorilor de sarcin; doparea cu Au
reduce ef al purttorilor de sarcin n Si la 10 10 s ;
micorarea dimensiunilor structurii: micorarea ariei jonciunii conduce la scderea
capacitii de barier, iar micorarea lrgimii regiunii de tip n, x 2 x 1 , conduce la
scderea timpului de via efectiv al purttorilor de sarcin;
folosirea unor structuri de tipul p + -n -n + n care regiunea de tip n este foarte subire,
cunoscute sub denumirea de structuri cu contact de purttori majoritari (majority
carrier contact);
O diod specializatpentru lucrul n regim de comutare este dioda cu revenire n
treapt, step recovery diode, prezentat pe scurt n capitolul dedicat dispozitivelor de
microunde. Structura este de tip p -i-n , cu un profil de impuriti neuniform, ce determin
formarea unui cmp electric intern ce se opune difuziei purttorilor minoritari, astfel nct
sarcina stocat este nmagazinat n imediata apropiere a regiunii de trecere. Ca urmare
sarcina stocat, care nu se disperseaz datorit prezenei regiunii intrinseci, este eliminat
rapid aproape n ntregime n timpul de stocare. Deoarece capacitatea de barier este mic i
pentru c, n acest caz, erorile aproximrii Qp (t s ) 0 sunt extem de mici se obine o form
de und pentru curent aproape dreptunghiular (vezi figura 11.4), de unde i denumirea
acestui dispozitiv. Timpii de tranziie obinui cu acest dispozitiv sunt de ordinul
10 9 10 11 s.
vI
VF
-VR

iA
IF
ts

-I R
Figura 11.4. Forma de und corespunztoare curentului la comutarea invers a unei SRD.

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

321

O alt categorie de diode specializate pentru lucrul n regim de comutaie l


constituie diodele Schottky, care, fiind structuri a cror funcionare se bazeaz pe transportul
purttorilor majoritari, nu mai acumulez sarcin, astfel nct t s = 0 . Aceste diode au fost
prezentate pe larg n capitolele 3 i 4.
O metod de circuit menit s reduc timpii de comutare invers ai diodelor este
prezentat n figura 11.5. Prin legarea n paralel cu rezistena de sarcin R L a unui
condensator C se poate reduce parial sau total timpul de stocare. Condensatorul C poart
denumirea de condensator de compensare sau de accelerare.
D
vI

RL

Figura 11.5. Exemplu de metod de circuit folosit pentru reducerea timpului de


comutare invers a unei diode p-n.

La t = 0 , datorit saltului de tensiune la intrarea circuitului i tensiunii mici pe


dispozitiv, condensatorul C se poate ncrca cu sarcina QC C (VF + VR ) . Dac aceast
sarcin QC este mai mic ca cea stocat n dispozitiv la acest moment Qp (x 1 , x 2 , 0 ) = I F ef
, numai o parte din sarcina stocat este preluat de condensator, sarcina rmas
Qp (x 1 , x 2 , 0 ) QC fiind evacuat ntr-un timp t s < t s (t s fiind timpul de stocare
corespunztor situaiei n care condensatorul C lipsete din schem). Dac sarcina QC este
egal cu Qp (x 1 , x 2 , 0 ) ntreaga sarcin stocat este transferat condensatorului C i timpul
de stocare devine nul. Aceast situaie corespunde alegerii unui condensator cu capacitatea:

I F ef
V F ef

= C critic
(V F + V R ) R L (V F + V R )

(11.37)

Dup preluarea complet a sarcinii stocate, tensiunea pe capacitor scade ctre zero cu
constanta de timp C C R L (dac se neglijeaz capacitatea de barier a jonciunii diodei i
se consider c n conducie invers R d ).

11.3.
11.3 . Regimul de comutare al TBJ
11.3.1. Generaliti
Funcionarea tranzistorului bipolar n regim de comutaie implic trecerea brusc a
acestuia din starea de blocare n starea de conducie (comutare direct) sau din starea de
conducie n starea de blocare (comutare invers). Comutarea TBJ se poate realiza pentru
oricare conexiune a sa i cu un semnal de excitaie att de tip tensiune ct i de tip curent.
Bineneles c timpii de comutare ai TBJ difer n funcie de conexiune i n funcie de tipul
sursei de semnal ce comand comutaia. Trebuie subliniat faptul c, indiferent de conexiunea
de funcionare a TBJ, rspunsul acestuia la aplicarea unui semnal treapt de valoare mare pe

322

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

intrare, este considerabil mai lent dect rspunsul la aplicarea unei trepte de semnal mic.
Acest lucru este perfect logic deoarece, n momentul n care se iniiaz regimul tranzitoriu
de semnal mic, TBJ este deja polarizat ntr-un punct static de funcionare, valorile
elementelor de semnal mic ce modeleaz funcionarea acestuia fiind astfel constante bine
definite.
TBJ satisface cel mai bine cerinele unui comutator comandat, respectiv ale unui
inversor logic, n conexiune EC. Avantajele oferite de aceast conexiune: putere de comand
mic, rezisten de ieire mic n conducie i mare n starea de blocare, curent rezidual mic
etc., au impus folosirea acesteia pe scar larg n realizarea circuitelor mai sus menionate.
De aceea, studiul comutaiei TBJ se va face pe un astfel de circuit, prezentat n figura 11.6.
-VC C
RC
RB i
B

iC

vI

Figura 11.6. Circuit inversor cu TBJ n conexiune EC.

Timpii de comutare direct i invers ai TBJ se vor determina folosind modelul de


control prin sarcin. Acesta este un model de regim cvasistaionar i ca atare nu poate pune
n eviden timpul de tranzit prin difuzie al purttorilor minoritari prin baz. Ecuaiile
generale ale modelului de control prin sarcin pentru TBJ intrinsec de tip pnp, deduse n
capitolul 5, sunt:
Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) q VC

F
BR
R
t
t
Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) q VE q VC
(11.38)
i B (t ) =
+
+
+
+
+
BF
BR
t
t
t
t
Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) q VE
i E (t ) =
+
+

+
BF
F
R
t
t

i C (t ) =

Q BF (0, W, t )

Dac tranzistorul bipolar funcioneaz n RAN i eficiena E a acestuia este mare, se


poate considera cu o bun aproximaie c QBR (0, W, t ) 0 i deci relaiile (11.38) devin:
QBF (0, W, t ) q VC
i C (t ) =

F
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) q VE q VC
(11.39)
i B (t ) =
+
+
+
BF
t
t
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) q VE
i E (t ) =
+
+
+
BF
F
t
t
De asemenea, introducnd capacitile de barier de semnal mare ale jonciunilor
structurii (vezi relaiile 5.155, 11.10 i 11.11), ecuaiile (11.39) devin:

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

323

QBF (0, W, t )

v
C jC CB
F
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t )
v
v
i B (t ) =
+
+ C jE EB + C jC CB
BF
t
t
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
v
i E (t ) =
+
+
+ C jE EB
BF
F
t
t

i C (t ) =

(11.40)

Datorit faptului c n RAN jonciunea emitor-baz este polarizat direct, capacitatea


de barier C jE este mic i efectul acesteia este neglijabil:
QBF (0, W, t )
v
i C (t )
C jC CB
F
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t )
v
(11.41)
i B (t )
+
+ C jC CB
BF
t
t
QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
i E (t )
+
+
BF
F
t
Atunci cnd TBJ funcioneaz n regim de saturaie sarcina acumulat n exces n
regiunea bazei neutre poate fi descompus n dou componente n dou moduri diferite:

QB (0, W, t ) = QBF (0, W, t ) + QBR (0, W, t ),

(11.42)

aa cum s-a procedat la deducerea modelului de control prin sarcin (vezi figura 11.7.a);

QB (0, W, t ) = QB SI(0, W, t ) + Q S (0, W, t ),

(11.43)

unde QB SI(0, W, t ) reprezint sarcina acumulat n regiunea bazei neutre, n exces fa de


situaia de echilibru termodinamic, la saturaie incipient (v EB > 0 , v CB = 0 ), iar QS (0, W, t )
reprezint sarcina acumulat n exces fa de cea acumulat la saturaie incipient (vezi
figura 11.7.b)
p'n (x)

QB

QBF

QBR
a.

x
0

p'n (x)

QB

QBSI

QS

b.

x
0

Figura 11.7. Cele dou posibiliti de descompunere a distribuiei de purttori de


sarcin minoritari acumulai n exces n regiunea bazei neutre.

324

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

nainte de a trece la dezvoltarea unui model de control prin sarcin pentru regiunea
de saturaie bazat pe descompunerea (11.43) trebuiesc lmurite cteva aspecte legate de
constantele de timp corespunztoare purttorilor minoritari de sarcin n sens direct i invers
prin structur. Pentru tranzistoarele ideale intrinseci F = R = t B i BF = BR = B . Aceste
constante de timp difer doar atunci cnd doparea bazei nu este uniform i n aceast
regiune exist un cmp electric intern care, n funcie de direcia de transport, accelereaz
sau ncetinete deplasarea purttorilor de sarcin. Totui, pentru a descrie timpul de via al
purttorilor minoritari n baz B , respectiv timpul de transport al acestora prin baz t B ,
SEEC a introdus constantele de timp empirice BF i BR , respectiv F i R , pentru a
include i recombinarea la suprafa (caracterizat de timpi de via ai purttorilor de sarcin
diferii fa de cazul recombinrii n volum) i pierderile datorate geometriei reale a
structurii (jonciunea colector-baz nesuprapus). Aceste constante nu corespund unei
realiti fizice i o reprezentare mai corect ar fi partajarea structurii reale a TBJ, modelarea
separat a partiiilor, sumarea corespunztoare a componentelor obinute prin modelarea
partiiilor i apoi adugarea recombinrii parazite de suprafa, dect introducerea unor
constante de timp empirice.
Urmnd aceeai linie de introducere a unor constante de timp empirice pentru
includerea unor efecte parazite, SEEC a introdus o nou constant de timp empiric S ,
valabil numai n regim de saturaie, care s includ efectele de nivel mare de injecie i de
pstrare a curentului de colector n regim de saturaie la o valoare aproximativ constant
(dat de circuitul exterior). Constanta de timp S poart denumirea de timp de via
echivalent al purttorilor de sarcin minoritari n regim de saturaie. Relaia de definiie
pentru timpul de via echivalent al purttorilor minoritari la saturaie este:

QS (0, W )
(11.44)
I B I B SI
unde s-a notat cu I B SI curentul de baz corespunztor saturaiei incipiente, dat de expresia:
I
I B SI = C SI ,
(11.45)
S =

n care I C SI reprezint valoarea curentului de colector la saturaie incipient.


Folosind relaiile de mai sus i innd cont de faptul c n saturaie se poate neglija
efectul capacitilor de barier de semnal mare i de limitarea impus de circuitul exterior
curentului de colector (i C sat I C SI ), ecuaiile modelului de control prin sarcin pentru
regimul de saturaie devin:

QB SI(0, W, t )
i C (t ) I C SI =
F
QB SI (0, W, t ) QS (0, W, t ) dQS (0, W, t )
i B (t ) =
+
+
.
BF
S
dt
QB SI (0, W, t ) QB SI (0, W, t ) QS (0, W, t ) dQ S (0, W, t )
i E (t ) =
+
+
+
F
BF
S
dt

(11.46)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

325

11.3.2.
11.3.2 . Comutarea TBJ n, respectiv din, regim activ normal
Considerm c atacm etajul din figura 11.6 cu un semnal v I (t ) prezentat n figura
11.8.a. Nivelele VF i VR sunt alese astfel nct s fie mult mai mari ca V i s
ndeplineasc condiia:

VF
I
< I B SI = C SI
F
RB

(11.47)

n care

I C SI =

VCC V EC SI VCC VEB


=
,
RC
RC

(11.48)

astfel nct TBJ s comute n regim activ normal.


Rspunsul circuitului la acest semnal mpreun cu variaia n timp a distribuiei
purttorilor minoritari i excursia punctului de funcionare al TBJ sunt prezentate n figura
11.8. n stare blocat (punctul B de pe caracteristica static de ieire prezentat n figura
11.8.) ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate invers, tranzistorul fiind parcurs de
un curent rezidual mic. La t = 0 polaritatea semnalului de intrare se schimb, iniiindu-se
astfel procesul de comutare direct n regim activ de funcionare a TBJ. Din punct de vedere
al fenomenelor fizice comutarea direct poate fi mprit n dou faze:
faza I rapid datorat descrcrii capacitilor de barier ale structurii prin fluxuri de
purttori majoritari ai regiunilor implicate n proces;
faza II mai lent datorat difuziei purttorilor minoritari n baz.
Cnd timpul de ntrziere datorat fazei II este mult mai mare dect cel datorat fazei I
atunci cele dou fenomene pot fi separate i tratate independent. n acest mod se va proceda
n continuare pentru determinarea unei expresii analitice pentru timpul de comutare direct.
Totui, n tranzistoarele moderne de comutaie, timpii de ntrziere datorai celor dou faze
sunt comparabili i de aceea fenomenele nu se pot separa i nu se pot trata independent.

ntrzierea datorat fazei I se poate determina neglijnd fenomenele corespunztoare


purttorilor minoritari. n consecin, modelul de control prin sarcin furnizeaz urmtoarea
relaie pentru curentul de baz:
dv EB
dv
+ C jC CB
(11.49)
dt
dt
unde v EB i v CB reprezint cderile de tensiune pe jonciunile corespunztoare
tranzistorului intrinsec.
n intervalul de timp corespunztor acestei faze curentul de colector poate fi
considerat nul i deci

i B (t ) = C jE

v EC VCC = v EB + v B C
.
0 = dv EB + dv B C
dv CB = dv B C = dv EB

(11.50)

326

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

vI

pn (x)
VR
t

a.

(e)

t3
t2

-VF

VF
RB

=
IBF ~

iB

pn0 t
1
t'dsc

b.

t4

t6

t
t7

- IBF = -

iC

ICF
0,9. ICF
0,1. ICF

BF.IBF

VR
RB

t -4

t4

t5
t dsc
t ci

t45
t5

t6
pn0
VCC
RC

t
t 1 t2 t3
t d t cr
t cd
QBF

t6

t7
iC

x
W
IB4
IBF
IB3
Dreapta

de sarcin
IB2

g.

IB1
VCE

d.
t
t2 t3

0
p n(x)
+
t4

f.

c.

t-4

t4

VCEsat

vCE

VCC

t5 t 6

Figura 11.8. Comutarea TBJ n/din regim activ normal:


a), b), c), d) formele de und caracteristice comutrii; e) distribuii ale concentraiei
purttorilor minoritari n baz la diferite momente corespunztoare comutrii directe;
f) distribuii ale concentraiei purttorilor minoritari n baz la diferite momente
corespunztoare comutrii inverse; g) excursia punctului de funcionare al TBJ.

n consecin ecuaia (11.49), pentru acest circuit, devine:

i B (t ) = (C jE + C jC )

dv EB
dt

(11.51)

Expresia curentului de baz furnizat de circuit (vezi figura 11.6) este determinat n
continuare:

R B i B (t ) = v I (t ) v EB (t ) = v I(t ) v EB (t ) r bb i B (t )
i B (t ) =

v I(t ) v EB (t )
R B + r bb

(11.52)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

327

Ecuaia (11.51) devine pentru t 0 :


dv
dv
VF = v EB (t )+(R B + r bb ) (C jE + C jC ) EB = v EB (t ) + C EB
dt
dt

(11.53)

cu condiia iniial v EB (t = 0) = V R i soluia:

v EB (t ) = V F 1 exp t VR exp t =
C

= VF (V F + VR ) exp tC

(11.54)

Considernd c faza I dureaz pn cnd tensiunea v EB corespunztoare


tranzistorului intrinsec devine egal cu tensiunea de deschidere a jonciunii E-B V , se
determin ntrzierea corespunztoare acestei faze:

t
v EB (t d 1 ) = V = VF (V F + VR ) exp d 1
C

t d 1 = C ln

VF + V R
V + VR
= (R B + r bb ) (C jE + C jC ) ln F
VF V
VF V

(11.55)
(11.56)

n continuare se determin ntrzierea datorat fenomenelor fizice ce in de difuzia


purttorilor minoritari, adic ntrzierea corespunztoare fazei II. Atunci cnd tensiunea v EB
devine pozitiv ncepe injecia de purttori minoritari n regiunea bazei, astfel nct la
finalul fazei I sarcina acumulat n regiunea bazei neutre, neglijat n dezvoltarea anterioar,
este mic dar diferit de zero (vezi distribuia corespunztoare n figura 11.8.e). Timpul
necesar acestor primi purttori de sarcin injectai n baz s ajung la colector se evalueaz
la 1/3 din timpul de tranzit al purttorilor minoritari prin baz, adic:

t d 2 1 t B = 1 F
3

(11.57)

n consecin, timpul dup care curentul de colector ncepe s creasc vizibil este dat
de expresia:
V + VR 1
t d = t d 1 + t d 2 (R B + r bb ) (C jE + C jC ) ln F
+
VF V 3 F

(11.58)

Dup ce tranzistorul intr n RAN, curentul de colector nu crete brusc la valoarea


I CF = F I BF F (VF /R B ). ntrzierea este cauzat de timpul necesar formrii distribuiei
corespunztoare I CF (vezi figura 11.8.e). Intervalul de timp n care curentul de colector
crete de la 0, 1 I CF la 0, 9 I CF se numete timp de cretere sau de ridicare i se noteaz cu
t cr . Expresia analitic a lui t cr se deduce folosind ecuaiile modelului de control prin sarcin
valabile n RAN (11.41) completate cu relaiile de circuit:

v EC = V CC R C i C
V
i B (t t d ) I BF = F
RB

(11.59)

Considernd c t cr este considerabil mai mare ca t d 1 se poate neglija componenta de


purttori majoritari C jC R C (i C /t ) a curentului de colector i folosind relaiile (11.59)
obinem:

328

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

i C (t )

QBF (0, W, t )

F
QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
i C
I BF
+
+
C
jC R C

BF
t
t
Eliminnd QBF (0, W, t ) ntre cele dou relaii rezult ecuaia diferenial:
i C (t )
I BF
i

+ C,
F + C jC R C BF + F C jC R C t

(11.60)

(11.61)

cu condiia iniial i C (t = t 2 ) = 0, 1 I CF i soluia:

t t2

BF + F C jC R C

i C (t ) = F I BF 1 0, 9 exp

(11.62)

Introducnd relaia (11.62) n ecuaia (11.60.a) se determin expresia analitic a


variaiei sarcinii de purttori minoritari acumulate n exces n baz la comutare direct:

t t2

BF + F C jC R C

QBF (0, W, t ) = BF I BF 1 0, 9 exp

(11.63)

Timpul de cretere se deduce din egalitatea:

i C (t 3 ) = 0, 9 I CF ,

(11.64)

de unde se obine:

t cr = t 3 t 2 = (BF + F C jC R C ) ln 9 = 2, 2 ( BF + F C jC R C )

(11.65)

n consecin, timpul de comutare direct a TBJ n RAN este:

t cd = t d 1 + t d 2 + t cr

(11.66)

La t = t 4 polaritatea semnalului de intrare se schimb, iniiindu-se astfel procesul de


comutare invers din regim activ de funcionare n regim de blocare. Din punct de vedere al
fenomenelor fizice comutarea invers poate fi mprit n dou faze:
faza III datorat evacurii sarcinii acumulate n baza neutr prin trecerea purttorilor
minoritari napoi n emitor i prin recombinare cu purttori majoritari asigurai de
curentul de baz;
faza IV datorat ncrcrii capacitilor de barier ale structurii.
Faza III este caracterizat de timpul de cdere, notat cu t dcr , definit ca timpul n care
curentul de colector se micoreaz de la 0, 9 I CF la 0, 1 I CF .
La comutarea invers curentul de baz variaz prin salt la valoarea:

i B (t t 4 ) = I BR

VR
RB

(11.67)

Expresia analitic a timpului de cdere se determin din ecuaiile modelului de


control prin sarcin completate cu relaiile de circuit (11.59.a) i (11.67):

i C (t )

QBF (0, W, t )

F
QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
i
I BR
+
+ C jC R C C
BF
t
t
Eliminnd QBF (0, W, t ) ntre aceste ecuaii se obine:

(11.68)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

i C
,
t
cu condiia iniial i C (t 4 ) = F I BF i soluia:
F I BR i C + (BF + F C jC R C )

329

(11.69)

t t4

BF + F C jC R C

i C (t ) = F I BR + F (I BR + I BF ) exp

(11.70)

Din relaiile

i C (t 0,9 ) = 0, 9 I CF
i C (t 0,1 ) = 0, 1 I CF
t dcr = t 0,9 t 0,1

(11.71)

se deduce expresia timpului de cdere:

t dcr = (BF + F C jC R C ) ln

0, 1 I CF + F I BR
F I BR + 0, 9 I CF

(11.72)

Timpul de cdere este cu att mai mic cu ct raportul I BR /I BF este mai mare.
Introducnd relaia (11.70) n ecuaia (11.68.a) se obine expresia analitic a variaiei sarcinii
QBF (0, W, t ):

t t4

BF + F C jC R C

QBF (0, W, t ) = BF I BR + BF (I BR + I BF ) exp

(11.73)

Timpul de comutare invers, notat cu t ci , se definete ca intervalul de timp scurs ntre


momentul aplicrii semnalului de comand a comutaiei inverse circuitului bazei i
momentul cnd curentul de colector scade la 0, 1 din valoarea sa iniial (adic la 0, 1 I CF ).
n consecin timpul de comutare invers din regiunea activ este:

t ci = t dsc

(11.74)

Expresia timpului de comutare invers nu include i ntrzierea dat de fenomenele


fazei a IV-a datorat ncrcrii capacitilor de barier. i aceast ntrzire se poate
determina prin utilizarea modelului de control prin sarcin:

i B (t ) C jE
i C (t ) = 0

dv EB
dv
+ C jC CB
dt
dt

(11.75)

Din ecuaiile de circuit se deduc relaiile:

v EC VCC = v EB + v B C
0 = dv EB + dv B C
,
dv CB = dv B C = dv EB
i B (t ) (R B + r bb ) V R = v EB (t )

(11.76)

ce conduc la ecuaia diferenial:


di B (t )
dt
cu condiia iniial i B (t = t 6 ) = I BR (V R /R B ) i soluia:

i B (t ) (C jE + C jC ) (R B + r bb )

t t 66
(C jE + C jC ) (R B + r bb

i B (t ) = I BR exp

(11.77)

(11.78)

330

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

Expresia analitic a ntrzierii corespunztoare fazei IV se deduce din relaiile:

i B (t 7 ) = 0, 1 I BR
,
t dcr = t 7 t 6

(11.79)

t dcr = 2, 3 (C jE + C jC ) (R B + r bb )

(11.80)

i este

11.3.3.
11.3.3 . Comutarea TBJ n, respectiv din, regim de satutaie
Dac atacm etajul din figura 11.6 cu un semnal v I (t ) , prezentat n figura 11.9.a, ale
crui nivele VR i VF sunt alese astfel nct s ndeplineasc condiiile:

VF , V R >> V
,
VF
I
> I B SI = C SI
F
RB

(11.81)

comutarea TBJ se va face n, respectiv din, regim de saturaie.


Rspunsul circuitului la acest semnal, mpreun cu variaia n timp a distribuiei
purttorilor minoritari i excursia punctului de funcionare al TBJ sunt prezentate n figura
11.9. Din punct de vedere al fenomenelor fizice i n acest caz comutarea direct poate fi
mprit n dou faze: faza I corespunztoare descrcrilor capacitilor de barier i faza II
corespunztoare proceselor legate de difuzia purttorilor de sarcin minoritari n baz. Se
observ c la comutarea direct curentul de colector se limiteaz la valoarea

I C sat

V CC
.
RC

(11.82)

Fenomenele ce se petrec n structur n intervalele de timp t d 1 i t d 2 sunt similare


celor de la comutarea direct n regim activ normal i de aceea expresiile analitice ale
ntrzierilor corespunztoare sunt date tot de relaiile (11.56) i (11.57).
Intervalul de timp n care curentul de colector crete de la 0, 1 I C SI la 0, 9 I C SI se
numete timp de cretere sau de ridicare i se noteaz cu t cr . Considernd c n acest interval
de timp tranzistorul funcioneaz n RAN i c t cr este considerabil mai mare ca t d 1 se poate
neglija componenta de purttori majoritari a curentului de colector i folosind relaiile de
circuit se reobin relaiile (11.60), respectiv (11.61). Condiia iniial a ecuaiei (11.61) este
n acest caz i C (t = t 2 ) = 0, 1 I C SI i conduce la soluia:

t t2

+
BF + F C jC R C

t t2

+ 0, 1 I C SI exp
BF + F C jC R C

i C (t ) = F I BF 1 exp

(11.83)

Timpul de cretere se deduce din egalitatea:

i C (t 3 ) = 0, 9 I C SI,

(11.84)

de unde se obine:

t cr = t 3 t 2 = (BF + F C jC R C ) ln

F I BF 0, 1 I C SI
F I BF 0, 9 I C SI

(11.85)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

331

Se observ c timpul de cretere scade pe msur ce curentul I BF crete.


Timpul de comutare direct n saturaie este:

t cd = t d 1 + t d 2 + t cr

(11.86)

vI
VR

pn (x)

t
VF
iB

IBF=

a.

e.

t1

VF
>I
RB BSI

t8

t5

0
pn (x)
t +5

t6

VR
RB

I Csat

I CSI
0,9 . I CSI

t9

-I BF =

iC

t4

t b.
0

t2

t3

t -5

f.

t -5

t7

t8
t9
c.

0,1. I CSI

t 2t 3 t 4
t d t cr
t cd

QB

t5

t 6 t7t8
tS
t dcr

VCC
RC

t ci

x
0

iC
A

QS
Q SS

Q BSI

t2 t4

t5

t 6 t8

I'B3
IB3
IB2

g.

IB1

d.
t

IBF

|VCEsat |

VCC |vCE |

Figura 11.9. Comutarea TBJ n/din regim de saturaie:


a), b), c), d) formele de und caracteristice comutrii; e) distribuii ale concentraiei
purttorilor minoritari n baz la diferite momente corespunztoare comutrii directe;
f) distribuii ale concentraiei purttorilor minoritari n baz la diferite momente
corespunztoare comutrii inverse; g) excursia punctului de funcionare al TBJ.

332

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

La momentul t 4 cnd curentul de colector atinge valoarea I C SI tranzistorul intr n


regim de saturaie. Sarcina QBF (0, W, t ) acumulat pn n acest moment n regiunea bazei
neutre este QB SI(0, W ) = F I C SI = BF I B SI . Folosind ecuaiile modelului de control prin
sarcin valabile la saturaie (relaiile 11.46) n care i B (t ) = I BF , cu condiia iniial
QS (0, W, t 4 ) = 0 , se obine expresia analitic a sarcinii acumulat suplimentar fa de
sarcina QB SI(0, W ) corespunztoare saturaiei incipiente:
tt
QS (0, W, t ) = S (I BF I B SI ) 1 exp 4
(11.87)
S

Procesul de acumulare de sarcin n regiunea bazei neutre continu pn la atingerea


valorii finale QS S (0, W ) = S (I BF I B SI) dac t << S .
La t = t 5 polaritatea semnalului de intrare se schimb, iniiindu-se astfel procesul de
comutare invers din regim de saturaie n regim de blocare. Curentul de colector rmne la
valoarea I C sat I C SI i dup momentul t 5 de aplicare a semnalului de comutare, pe o durat
denumit timp de stocare, t S , necesar evacurii sarcinii QS S (0, W ) acumulate la saturaie.
De asemenea, n acest interval de timp tranzistorul este n regim de saturaie. Curentul de
baz variaz prin salt la valoarea:

i B (t ) = I BR

VR
RB

(11.88)

Folosind ecuaiile modelului de control prin sarcin (11.46) valabile n regim de


saturaie cu i B dat de relaia (11.88) i cu condiia iniial QS (0, W, t 5 ) = Q S S (0, W ) se
obine expresia variaiei sarcinii QS (0, W, t ) n intervalul n care TBJ rmne nc n regim
de saturaie:
t t
QS (0, W, t ) = S (I BR + I B SI ) + S (I BF + I BR ) exp 5
(11.89)
S
Din relaiile:

QS (0, W, t 6 ) = 0
,
tS = t6 t 5

(11.90)

se deduce expresia analitic a timpului de stocare:

I BF + I BR
(11.91)
I BR + I B SI
La momentul t = t 6 tranzistorul intr n regim activ normal i din ecuaiile modelului
de control prin sarcin ce caracterizeaz funcionarea TBJ se obine:
t S = S ln

F I BR i C (t ) + (BF + F C jC R C )

i C (t = t 6 ) = I C SI = F I B SI

i C
t

(11.92)

Soluia ecuaiei difereniale (11.92) este:

t t6

,
BF + F C jC R C

i C (t ) = F I BR + F (I BR + I B SI) exp

(11.93)

iar expresia sarcinii QBF (0, W, t ) devine:

t t6
.
BF + F C jC R C

QBF (0, W, t ) = BF I BR + BF (I BR + I B SI ) exp

(11.94)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

333

Folosind definiia timpului de cdere t dsc enunat n subcapitolul anterior se


determin:

I B SI
I BR
t 0,1 = (BF + F C jC R C ) ln
I
1 + 0, 9 B SI
I BR
1 + 0, 1

t dcr = t 0,9

(11.95)

Relaia (11.95) relev faptul c timpul de cdere poate fi micorat prin creterea
curentului invers I BR .
n consecin, timpul de comutare invers din regim de saturaie n regim de blocare
este:
t c i = t S + t dc

(11.96)

Desigur, procesul de comutare continu prin ncrcarea capacitilor de barier ale


structurii. ntrzierea corespunztoare acestei faze se poate deduce folosind relaia (11.80).

11.3.4.
11.3.4 . Metode de reducere a timpilor de comutare a TBJ
Relaiile deduse anterior arat clar faptul c timpii de comutare direct i invers
depind de att de modul tehnologic de realizare al TBJ (timpi de via ai purttorilor
minoritari, capaciti de barier etc.), ct i de circuitul exterior prin valorile curenilor I BF ,
I B SI i I BR . n consecin, reducerea timpilor de comutare pentru acest dispozitiv se poate
realiza att prin creterea vitezei intrinseci a TBJ via tehnologie, ct i prin utilizarea unor
tehnici de circuit.

Micorarea timpilor de comutare via tehnologie se poate realiza prin urmtoarele ci:
creterea densitii centrelor de recombinare a purttorilor de sarcin n baz;
doparea cu Au reduce timpul de via al purttorilor de sarcin n baz;
micorarea dimensiunilor structurii i a rezistivitii bazei: micorarea ariei
jonciunilor conduce la scderea capacitilor de barier, iar micorarea rezistivitii
bazei TBJ conduce la micorarea rezistenei r bb i deci la scderea constantei de
timp r bb (C jC + C jE ) ;
folosirea unor structuri eterogene de tipul Si/Ge x Si 1x /Si , Al x Ga 1x As/GaAs/GaAs
etc.;
Reducerea timpilor de via ai purttorilor de sarcin minoritari n baz prin doparea
cu Au a fost utilizat pentru prima dat n 1962 pentru creterea vitezei circuitelor TTL
(transistor-transistor logic). Aceast metod de micorare a timpilor de comutare prin
creterea densitii centrelor de recombinare are urmtoarele limitri:
temperatura nalt la care difuzeaz Au limiteaz micorarea timpilor B , respectiv
BF i BR , la aproximativ 1ns ;
cu excepia Au este dificil obinerea unor concentraii mari de impuriti fr a
genera defecte n structura dispozitivului;

334

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

doparea cu Au a regiunii bazei i uneori a regiunilor din imediata vecintate a


jonciunilor determin reducerea factorului de amplificare n curent F , mai ales n
cazul tranzistoarelor pnp.
n tehnologia clasic de realizare a TBJ creterea vitezei intrinseci a acestuia se
realizeaz prin micorarea ariilor jonciunilor structurii i a grosimii bazei. Micorarea
ariilor jonciunilor structurii are ca efect micorarea capacitilor de barier. Micorarea
grosimii bazei conduce la scderea timpului de tranzit a purttorilor de sarcin minoritari n
baz, t B , respectiv F i R . Totui, micorarea dimensiunilor regiunii bazei conduce la
creterea rezistenei r bb i deci la creterea constantei de timp r bb (C jC + C jE ) . n
consecin, cerina de cretere a vitezei intrinseci a TBJ a condus la dezvoltarea unei noi
tehnologii n 1980, cunoscut sub denumirea de self aligned polysilicon-emitter technology .
Aceasta combinat cu tehnologia izolrii dielectrice, a condus la elaborarea structurii
prezentate n figura 11.10.

C LC

B LE E

B E B

LE=LC

WC
WC
E

n+
l CB

n-

+
B n E

p+ p p+
n-

SiO2

SiO2

n+

n+
l CS
p(a)

(b)

Figura 11.10. Seciune transversal printr-un TBJ realizat n: a) tehnologie clasic;


b) tehnologie self aligned polysilicon-emitter i cu izolaie dielectric.

Avantajele obinute cu aceast tehnologie sunt urmtoarele: dimensiuni reduse ale


ariilor jonciunilor TBJ, doparea puternic cu impuriti a emitorului fr a introduce defecte
n structur, fapt ce conduce la obinerea unui F de valoare mare, obinerea unei rezistene
r bb mici, prin izolare dielectric aria jonciunii colector-baz nesuprapuse se micoreaz i
n consecin i efectele parazite introduse de aceasta etc. Inovaiile aduse n geometria
structurii de aceste tehnologii pot reduce constanta de timp r bb (C jC + C jE ) la aproximativ
1ps .

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

335

Aa cum am prezentat n subcapitolul anterior principalii parametri ce limiteaz


performanele TBJ intrinsec sunt: eficiena emitorului, timpul de tranzit prin difuzie-drift al
emitorului, timpul de tranzit prin difuzie-drift al bazei, timpul de ncrcare/descrcare al
capacitilor de barier ale structurii prin rezistena lateral a bazei r bb , timpul de tranzit
prin drift prin regiunea de sarcin spaial a colectorului.
Cele mai multe din limitrile acestor parametri, ce apar n TBJ omogene, pot fi
depite prin utilizarea unor structuri eterogene n care emitorul, baza i colectorul sunt
realizate din materiale diferite. n acest fel cele trei regiuni ale TBJ vor avea valori diferite
ale dimensiunilor benzilor energetice, constantelor dielectrice, concentraiilor intrinseci,
concentraiilor impuritilor donoare sau acceptoare, timpilor de via i mobilitilor
corespunztoare celor dou tipuri de purttori de sarcin. Astfel de TBJ eterogene au fost
fabricate cu succes pe un singur cristal semiconductor sub form discret ncepnd cu anul
1972, ajungndu-se n prezent la performane deosebite n ceea ce privete rspunsul n
frecven, f T 400 GHz pentru structuri de tip n-InP/p-InGaAs/n-InGaAs/i-InP. n ceea ce
privete tehnologia integrat performanele obinute au fost mai modeste datorit
nemperecherilor ce apar ntre reelele cristaline ale materialelor utilizate. Direciile urmate
n tehnologia integrat au avut la baz structuri bazate pe: (1) Ga x As1x , (2) Ga x Al y Asz , (3)
Si/Ge x Si 1x /Si . Dintre acestea, structurile bazate pe Si/Ge x Si 1x /Si sunt cele mai
promitoare datorit urmtoarelor motive: vitezei intrinseci de rspuns foarte mare,
frecvenei de tiere mare, valorii mari ale factorului de amplificare n curent F datorit
mobilitii ridicate a purttorilor mobili de sarcin i a unei lrgimi energetice mai mici a
benzii interzise n baz, uurinei integrrii acestor structuri n circuitele integrate bazate pe
Si.
ncepnd cu anul 1980 integrarea TBJ eterogene de tip Si/Ge x Si 1x / Si s-a dezvoltat
rapid graie a trei tehnologii de fabricaie:
MBE (Molecular Beam Epitaxy) elaborat n principal de John C.Bean la ATT Bell
Laboratories n anii 1984-1986 i care nu se constituie ca o tehnologie de mas, fiind
mai mult utilizat n toate laboratoarele industriale i universitare de profil;
LRP-CVD (Limited Reaction Process) elaborat de James F. Gibbons la Stanford
University n 1989;
UHV-CVD-LTE (Ultrahigh-Vacuum/Chemical Vapor Deposition Low-Temperature
Silicon Epitaxy) inventat i perfecionat de Bernard S. Meyerson la IBM-Yorktown
Heights Research Laboratories n anii 1986-1990, folosit cu precdere n realizarea
circuitelor integrate digitale ultrarapide i analogice de nalt frecven.
Parametrii tehnologici ce asigur performane electrice superioare structurilor
Si/Ge x Si 1x /Si sunt:
diferena ntre lrgimile energetice ale benzilor interzise ale emitorului i bazei (
E GE i E GB )
E G =E GE E GB > 0,

asigur o eficien ridicat (apropiat de 1) a emitorului;

(11.97)

336

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

diferena E G apare n principal ca discontinuitate n banda de valen a structurii de


tip npn
E V EB E G (150 200) meV
,
E CEB 20 meV

(11.98)

respectiv n banda de conducie a structurii de tip pnp;


prin gradarea concentraiei de Ge x n baz se poate obine o tranziie lin ntre
nivelele energetice E V E i E V B , respectiv E C E i E C B , i deci se pot elimina
discontinuitile ce ncetinesc procesele de difuzie i de drift ale purttorilor
minoritari n baz;
gradarea concentraiei de Ge x n baz n sensul scderii acesteia ctre colector
determin apariia unui cmp electric intern ce micoreaz substanial timpul de
tranzit al purttorilor minoritari n baz;
doparea cu impuriti a regiunii emitorului se poate realiza la nivele mai mici fa de
TBJ omogene, asigurndu-se astfel o tensiune de strpungere VEB 0 mare, o
capacitate de barier C bE mic i prevenind ngustarea benzii interzise a emitorului
ca efect al doprii puternice, fapt ce crete de asemenea eficiena emitorului;
doparea cu impuriti a regiunii bazei se poate realiza la nivele mai ridicate fa de
TBJ omogene obinndu-se astfel o rezisten r bb mic i deci o cretere a frecvenei
de tiere i a vitezei intrinseci a TBJ; de asemenea, o concentraie mare a
impuritilor dopante n baz reduce curentul de purttori minoritari injectat n baz
din regiunea colectorului atunci cnd jonciunea colectorului este polarizat direct i
permite micorarea grosimii bazei crescndu-se astfel viteza i frecvena de tiere i
micorndu-se efectul Early;
creterea mobilitii purttorilor mobili de sarcin n stratul Ge x Si 1x micoreaz
rezistena r bb i timpul de tranzit n baz t B ;
doparea cu impuriti a regiunii colectorului se poate realiza la nivele mai sczute
fa de structurile omogene permind astfel obinerea unei capaciti de barier C bC
mici i a unei tensiuni VCB 0 mari.
n figura 11.11 sunt prezentate benzile energetice ideale ale structurilor dubl
heterojonciune corespunztoare TBJ de tip npn i pnp pentru dou profile ale concentraiei
de impuriti n baz. Se observ c pentru structurile ideale de tip npn E CEB = E B = 0
i deci discontinuitatea apare numai n nivelul energetic E V (x) , iar pentru structurile ideale
de tip pnp E CEB 0 i E V EB = 0.
Creterea eficienei emitorului structurilor Si/Ge x Si 1x /Si este ilustrat pentru o
structur de tip pnp cu profil constant al concentraiei de Ge. n conformitate cu relaia de
definiie a eficienei emitorului, neglijnd componenta de generare-recombinare
(aproximaie valabil pentru acest tip de structuri, dar care nu poate fi aplicat altor
semiconductoare compuse, n special combinaiilor ntre materiale aparinnd grupelor III i
V) i utiliznd relaia (5.19) se obine:
E =

I Ep
I Ep + I En + I gr EB

( )

n pE
D
W
n
1+

Dp L (nE ) p n
(E )

(11.99)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

p-Ge x Si1-x
+

(E)

(B)

ND

NA

337

n-Ge x Si1-x
+

(C)
ND

NA

(E)

x
x

Ge

EV

x
Ge x

p
(B)

ND

(C)

NA

hetero-TBJ

Ge

(a)

homo-TBJ

E C

(b)

Ge x

(c)
(d)

(e)

(f )

Figura 11.11. Diagramele energetice ale structurilor Si/GexSi1-x/Si de tip npn i de tip pnp
a) profilele concentraiilor de impuriti; b) diagramele energetice ideale pentru profil
constant al concentraiei de Ge; c) diagramele energetice ideale pentru profil gradat al
concentraiei de Ge; d) diagramele energetice reale pentru profil constant al concentraiei
de Ge; e) diagramele energetice reale pentru profil gradat al concentraiei de Ge;

Raportul ntre concentraiile purttorilor de sarcin minoritari n emitor i n baz se


poate evalua folosind relaiile (2.12) i (2.14):
n (E )
i

(E )

2
2

E
(B )
exp G E
(B )
ND
ND
k

=
2 =
2
(E ) =
E G B N A(E )

n (B )
n (B ) NA
exp
i
i
kT
(B )
ND
( )
(B )
NDB
E G E E G B N D
E

= (E ) exp
= (E ) exp G EB =

kT
kT
NA
NA
(B )
N
E
= D(E ) exp C EB
kT
NA

np
pn =

(E )

NA

n (E )
i

(11.100)

338

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

nlocuind n (11.99) raportul n p(E )/p n prin expresia (11.100) se obine:


1
E
(B )
(E )
N
E
1 + Dn W
D(E ) exp C EB
(
E
)
Dp L n NA
kT

(11.101)

Relaia (11.101) arat modul n care diferena ntre benzile interzise ale regiunilor
emitorului i colectorului asigur micorarea raportului I En /I Ep i deci creterea eficienei
emitorului. Prezena termenului exponenial n expresia raportului I En /I Ep face posibil
(B )
(E )
(B )
creterea raportului ND /NA prin creterea concentraiei ND n baz i micorarea
concentraiei NA(E ) n emitor, obinndu-se astfel avantajele menionate anterior.

Micorarea timpilor de comutare ai TBJ via circuit exterior se poate realiza prin
urmtoarele metode:
utilizarea unor semnale de comand cu nivele VF i VR mari astfel nct curenii
I BF , I BR i I B SI s creasc i n consecin timpii de comutare s se micoreze;
folosirea unui capacitor de accelerare n circuitul de intrare;
utilizarea unei diode Schottky legat n paralel cu jonciunea colector-baz care s
mpiedice saturarea profund a TBJ;
utilizarea unei surse de curent constant n emitor, de valoare mai mic ca cea
corespunztoare saturaiei TBJ, care s fie activat de semnalul de comand.
Folosirea unui capaciti de accelerare n circuitul de intrare este una din cele mai
utilizate metode de cretere a vitezei de comutaie a TBJ. Circuitul utilizat i formele de
und corespunztoare sunt prezentate n figura 11.12.
Curentul de baz la comutarea direct are iniial valoarea i B (t = 0) = I BF 0 = VF /R B1
(tensiunea pe condensatorul C fiind nul la t = 0), scznd dup aceea ctre valoarea de
regim staionar i B (t 1 ) = I BF = VF /(R B1 + R B2 ) < I B SI. Considernd valabile urmtoarele
inegaliti R B1 << R B2 i VF << v EB , curentului de baz n acest interval de timp devine:
v
dv
V v
i B (t ) = i R B 2 + i cond = C + C C F C ,
(11.102)
R B2
R B1
dt
obinndu-se urmtoarea ecuaie diferenial

V F = v C + (R B 1 R B 2 ) C

dv C
dt

(11.103)

cu soluia

t
.
(R B 1 R B 2 ) C

v C (t ) = VF 1 exp

(11.104)

Din egalitatea

v C (t 1 ) = V F

R B2
R B1 + R B2

(11.105)

se obine expresia timpului n care condensatorul de accelerare se ncarc de la 0 la valoarea


final QC (t 1 ) = C V F R B2 /(R B1 + R B2 ) :
R + R B2
t 1 = (R B1 R B2 ) C ln B1
(11.106)
R B1

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

vI

339

-VF
IBF0 i B (t)

-VCC
vC

IBF

RC

iB
vI R B1

R B2

-IBR
-IBR0

v0

vEB

-VCC +ICF.RC

v0

-VCC
Q BF

t
Figura 11.12. Creterea vitezei de comutare a TBJ prin utilizarea unei
capaciti de accelerare.

Sarcina injectat n baz pn la momentul t 1 este:

QBF (0, W, t 1 ) = QC (t 1 ) = F i C (t 1 ),

(11.107)

iar valoarea curentului de colector la t 1 este:


CV
R B2
i C (t 1 ) = F F
R B1 + R B2

(11.108)

Pentru t t 1 , la comutare direct, modelul de control prin sarcin furnizeaz


urmtoarea ecuaie:
F I BF i C (t ) + ( BF + F C jC R C )

i C
t

(11.109)

cu condiia iniial (11.108) i soluia:

VF

t
1 exp
+
BF + F C jC R C
R B1 + R B2
CV
R B2

t
+ F F
exp
=
BF + F C jC R C
R B1 + R B2
C R B2

t
= I + I
1 exp

i C (t ) = F

BF

BF

BF

(11.110)

BF + F C jC R C

Analiznd relaia (11.110) se observ c dac este ndeplinit condiia:

C R B2 = BF ,

(11.111)

340

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

atunci

i C (t t 1 ) = F I BF,

(11.112)

iar timpul de ntziere al curentului de colector n aceast etap devine nul. n practic,
datorit capacitilor i inductanelor parazite, dependenei factorului F de valoarea
curentului prin dispozitiv i timpului de tranzit al purttorilor mobili de sarcin prin baz, se
obine o mic ntrziere n stabilirea curentului la valoarea F I BF . n consecin:
R + R B2
t cd t 1 = (R B1 R B2 ) C ln B1
(11.113)
R B1
La momentul t 2 nivelul semnalului de intrare se schimb i ncepe procesul de
comutare invers a TBJ. Curentul de baz variaz prin salt la valoarea:
R B2
V R + VF
V + v (t )
R B1 + R B2
i B (t 2 ) = I BR 0 = R C 2 =
(11.114)
RB 1
RB1
i scade exponenial ctre I BR = VR /(R B1 + R B2 ) cu constanta de timp (R B1 R B2 ) C .
De la momentul t 3 curentul de baz scade ctre 0 cu o constant de timp mult mai
mic determinat de capacitatea C jE .

Pentru a preveni intrarea n saturaie adnc a TBJ se poate conecta o diod Schottky
n paralel cu jonciunea colector-baz a acestuia (vezi figura 11.13). Motivele sunt
urmtoarele: curentul direct n jonciunile metal-semiconductor de tip n este format din
purttori majoritari i tensiunea de deschidere a acesteia este mai mic ca cea
corespunztoare unei jonciuni p-n. Astfel, n regim de saturaie al TBJ, dioda Schottky
limiteaz cderea de tensiune pe jonciunea colector-baz la valori mici (mai mici ca V ),
astfel nct sarcina QS (0, W, t ) acumulat n baz este foarte mic i timpul de stocare este
aproape eliminat.
vI

-VCC
SD
RB
vI

RC

-VF
v0

t
fr diod Schottky
cu diod Schottky

Figura 11.13. mbuntirea vitezei de comutaie al TBJ


prin utilizarea unei diode Schottky.

A patra metod de cretere a vitezei de comutaie a TBJ este prezentat n figura


11.14. n acest caz semnalul de intrare comand calea de curgere a curentului constant
furnizat de sursa I EE , ce are valoarea selectat astfel nct s menin dispozitivul n RAN,
ntre TBJ ce trebuie comutat i un al doilea TBJ sau o diod.

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

341

Aceast metod este folosit n circuitele logice ECL (Emitter Coupled Logic) i se
ntlnete sub denumirea de CLM (Current Mode Logic). Structura unui astfel de circuit este
similar unui amplificator diferenial. Stabilirea cii de curgere a curentului I EE se
realizeaz prin compararea nivelului tensiunii de intrare cu o tensiune de referin VREF .
Astfel, cnd v I << VREF tranzistorul T1 se blocheaz i curentul circul prin dioda D sau
tranzistorul T2, iar cnd v I >> VREF tranzistorul T1 comut n RAN i dioda D sau
tranzistorul T2 se blocheaz.
VCC

VCC

RC

R C2 =R C1

R C1

vO
T2

T1
VREF

vI

T3

vI

I EE

I EE
a.

VREF

-VEE
b.

Figura 11.14. Creterea vitezei de comutare prin comutarea unui curent ntre dou
ci: a) TBJ T1 i dioda D; b) TBJ T1 i TBJ T2.

11.4. Regimul de comutare al tranzistoarelor cu efect de cmp


Tranzistoarele cu efect de cmp, n special tranzistoarele MOSFET, sunt cele mai
fabricate dispozitive datorit folosirii lor pe scar larg n inversoarele logice i n memoriile
logice.
Viteza de comutare a tranzistoarelor cu efect de cmp n circuitele integrate digitale
este determinat de dou mecanisme ale cror timpi de desfurare sunt cunoscui sub
denumirile de: timp de ntrziere intrinsec sau timp de tranzit datorat timpului finit de
traversare a canalului de purttorii de sarcin majoritari i timpul de ntrziere extrinsec
datorat sarcinii capacitive i elementelor parazite capacitive ale FET. Cele dou mecanisme
au loc simultan n dispozitiv, iar timpul de comutare total este numit timp de ntrziere al
porii. n marea majoritate a circuitelor de comutaie i logice sarcina tranzistoarelor cu efect
de cmp este n principal capacitiv (circuitul de poart al tranzistorului cu efect de cmp
comandat). Astfel, timpul de ntrziere extrinsec este datorat: ncrcrii sau descrcrii unei
capaciti i ntrzierii R C datorate liniilor de conexiune ntre cele dou FET-uri.
Timpii de ntrziere, intrinsec i extrinsec, ai FET pot fi micorai prin micorarea
dimensiunilor dispozitivului i prin scurtarea liniilor de conexiune. n circuitele integrate,
aceste msuri conduc la creterea densitii de integrare a dispozitivelor i deci la creterea
puterii disipate pe unitatea de arie. Pentru a descrie performanele tranzistoarelor cu efect de
cmp, n acest caz, este definit un nou criteriu de performan cunoscut sub denumirea de
produs putere-ntrziere (power-delay product) sau energie de comutare: Pd t d .

342

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

n acest subcapitol se vor analiza mecanismele intrinseci i extrinseci


corespunztoare comutrii tranzistoarelor cu efect de cmp i se vor determina expresii
analitice pentru timpii de ntrzire (intrinsec i extrinsec) i produsul putere-ntrziere. Mai
nti ns se vor reaminti principalele proprieti ale FET care le deosebesc net de
tranzistoarele bipolare:
rezistena de ieire n stare blocat este foarte mare, aproximativ (108 10 12 ) ;
rezistena de ieire n stare de conducie este mai mare ca la TBJ, de aproximativ
(104 10 5 ) pentru TECJ i (103 10 4 ) n regiunea de saturaie, respectiv
(1 103 ) , n funcie de valoarea tensiunii gril-surs, n regiunea liniar;
rezistena de intrare este de aproximativ (108 10 3 ) pentru TECJ i de
(1012 10 14 ) pentru TECMOS;
tranzistoarele cu efect de cmp funcioneaz cu purttori majoritari i de aceea nu
sunt afectate de fenomenele de acumulare de sarcin, rspunsul lor intrinsec fiind
mai rapid ca al TBJ.
Datorit largii lor utilizri n circuitele integrate digitale, analiza se va efectua pe un
tranzistor MOS cu canal n. Pentru restul tranzistoarelor cu efect de cmp analiza se poate
efectua ntr-un mod similar.

11.4.1. Timpul de ntrziere intrinsec


Considerm circuitul de test reprezentat n figura 11.15.a, ce reprezint de fapt un
circuit inversor. ntre sarcina acumulat n canal i curentul de dren al MOSFET exist
urmtoarea relaie:
dQC
(11.115)
dt
La comutarea direct a dispozitivului sarcina n canal variaz ntre 0 i valoarea
final QC f corespunztoare unui punct de funcionare stabil caracterizat de coordonatele
(I D , V DS ) n planul caracteristicilor de ieire ale MOSFET. Integrnd relaia (11.115) se
obine:
ttr
QCf
1 dQ
t tr = dt =
(11.116)
C
0
0
i D (t )

i D (t ) =

Datorit faptului c nu se cunoate dependena exact ntre i D i QC integrala de mai


sus nu poate fi evaluat exact. Folosind o aproximaie cvasi-dinamic, prin care se consider
c QC este proporional cu i D pe ntreaga perioad de tranzit, i utiliznd expresiile (7.53)
i (7.113), deduse n capitolul 7, se obine:
2
2
2 W L C 3 (V GS VP ) 3 (V GS VP ) V DS + VDS
0
QC f 3
2 (VGS V P ) VDS
t tr
=
2
ID
W C (V V ) V VDS
P
DS
2 L n 0 GS
2
2
2 (V GS V P ) 2 (V GS V P ) V DS + V DS
=8 L

n
[2 (VGS V P ) VDS ]2 VDS

(11.117)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

343

Atunci cnd comutaia se face din regiunea de blocare n regiunea de saturaie


expresia timpului de tranzit capt urmtoarea form particular:
2
t tr 8 L
n

1
(VGS V P )

(11.118)

Valoarea timpului de tranzit este foarte mic, maxim zeci de ns.


vi

+VDD

VGG

RD

t1

vi

C L VD

RG

vGS
VP +VGG

+ -

VP

VG = VP

ID sat

.2 V

.
4.

GS=

.5

VDS,sat=VGS -Vp

t
b.

a.
iD

VP +VGG

tg =RD
1
VDS

VDD

G
VGS

C GS

iD (VGS,VDS)

CL

c.

VD
S

d.

Figura 11.15. Circuitul utilizat pentru evaluarea timpului de comutate al MOSFET.

11.4.2. Produsul putere-ntrziere


Expresia general a acestui criteriu de performan se poate determina cu uurin
nlocuind n expresia de definiie relaiile (11.117) i (7.113). Se obine astfel:

E comutare = i D (t ) v D (t ) dt I D VDS t tr V DS QC f =
2
,(11.119)
3 (V GS VP ) 2 3 (V GS VP ) V DS + VDS
= 2 W L C0
VDS
3
2 (VGS V P ) VDS
iar pentru comutarea n regiunea de saturaie
E comutare st. = 2 W L C 0 (VGS VP ) 2 .
(11.120)
3
Valoarea acestui parametru poate varia ntre 0, 25 fJ pentru tranzistoarele cu canal
scurt i 120 500 fJ pentru MOSFET cu L [1; 5]m.

344

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

11.4.3. Timpul de ntrziere extrinsec


Pentru determinarea timpului de ntrziere extrinsec utilizm din nou circuitul de test
din figura 11.15. Nivelul 0 al semnalului de intrare menine tranzistorul MOS blocat, iar la
t = 0 schimbarea nivelului semnalului de intrare la VGG determin comutarea direct a
dispozitivului, tensiunea aplicat ntre gril i surs fiind VGG + V P .
Excursia punctului de funcionare al MOSFET este prezentat n figura 11.15.c. La
aplicarea tensiunii de comand a comutrii directe , curentul de dren se stabilete aproape
instantaneu deoarece timpul intrinsec de tranzit al purttorilor majoritari prin canal este
neglijabil n raport cu timpii de ntrziere extrinseci i punctul de funcionare trece din
poziia 1 n poziia 2. Tranzistorul MOS comut astfel din stare de blocare (poziia 1) n stare
de saturaie (poziia 2) deoarece v DS (2) = V DD > V DS sat = VGS VP . Considernd c relaia de
dependen i D = i D (v GS , v DS ) de regim staionar poate fi aplicat i n regim tranzitoriu,
curentul de dren al MOSFET n punctul static 2 este:
2
I D (2) = (VGS V P ) 2 = VGG

(11.121)

De aici ncepe procesul de descrcare a capacitii de sarcin C L , astfel nct


tensiunea pe condensator scade de la valoarea iniial VDD la valoarea final VDS (4)
corespunztoare punctului 4 (aflat la intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica static
v GS = VGG + V P ) din planul caracteristicilor statice de ieire. Aceast excursie a punctului de
funcionare poate fi mprit n dou subetape:
din punctul de funcionare 2 n punctul de funcionare 3 (corespunztor saturaiei
incipiente, VDS (3) = V GS VP = VGG ), tranzistorul fiind n regim de saturaie pe
ntreaga period de variaie a tensiunii dren-surs;
din punctul 3 n punctul 4, excursia punctului de funcionare realizndu-se n
regiunea neliniar a caracteristicii statice de ieire corespunztoare VGS = VGG + V P .
Timpul de ntrziere extrinsec, notat cu t d ex , va fi deci suma ntre timpul
corespunztor excursiei punctului de funcionare de la 2 la 3, t 23 , i timpul corespunztor
excursiei punctului de funcionare ntre 3 i 4, t 34 , adic:

t d ex = t 23 + t 34

(11.122)

Neglijnd componenta de curent prin rezistena R D , din relaiile de circuit se obine:


dv
i D C L DS
(11.123)
dt
Excursia punctului de funcionare ntre 2 i 3 se realizeaz la curent constant,
tranzistorul MOS fiind n regim de saturaie:
2
i D = I D sat = (VGS V P ) 2 = VGG

n consecin timpul de comutare ntre 2 i 3 este:


V DS (3) V DD C L (VDD VGG )
t 23 C L
=
2
I D sat
V GG

(11.124)

(11.125)

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

345

Excursia punctului de funcionare ntre 3 i 4 se realizeaz n regiunea liniar n care


curentul de dren este dat de expresia:

i D = 2 (VGS V P ) VDS

2
V DS

(11.126)

nlocuind (11.126) n (11.123) se obine o ecuaie diferenial de tip Riccati:

v2
dv
2 (VGS V P ) v DS DS = C L DS ,
(11.127)
2
dt

cu condiia iniial v DS (t = 0) = V DS (3) = VDS sat = VGS V P = V GG .


Substituia variabilei v DS prin 1/z conduce la o ecuaie diferenial liniar n z:
CL
1
z
dz =
,
(11.128)
2 (VGS V P ) dt 2 (V GS VP )

cu condiia iniial z 0 = 1/VDS sat = 1/V GG .


Notnd cu
CL
=
,
(
2 V GS VP )

(11.129)

se obine urmtoarea soluie pentru ecuaia (11.128):

z=

1
1 exp + t + z 0 exp + t .
2 (VGS V P )

(11.130)

n consecin, legea de variaie a tensiunii dren-surs este:


1
v DS (t ) =
=
1

1 exp + t + 1 exp + t
VDS (3)
2 (V GS VP )
,
(11.131)
VGG exp t
=
1 exp t 1 + 1

2

iar timpul de comutare ntre punctele 3 i 4 se determin din condiia VDS (4) = v DS (t 34) i
este dat de urmtoarea expresie analitic:
2 (VGS V P )
V DS (4)
CL
t 34 =
ln
2 (V GS VP )
2 (VGS V P )
1
.
V GG
CL
2 V GG

=
ln
1
VDS (4)

2 VGG
1

(11.132)

Valoarea tensiunii VDS (4) se determin din sistemul urmtor:


2

V DS
(4)
2 (VGS V P ) VDS (4)
= I D (4)
2

VDD = VDS (4) + R D I D (4)

(11.133)

Timpul de comutare direct este:


t cd = t tr + t d

ex

= t tr + t 23

(11.134)

346

Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare

La momentul t 1 nivelul semnalului de intrare devine din nou 0 i ncepe procesul de


comutare invers. Punctul static de funcionare se va deplasa aproape instantaneu (t 45 t tr )
n punctul 5, iar din punctul 5 n 1 ntr-un timp finit, t 51 , necesar ncrcrii condensatorului
de sarcin C L astfel nct tensiunea v C s devin egal cu 0, 9 V DD . Legea de variaie a
tensiunii dren-surs se determin din ecuaia urmtoare:

i D +i C = i C = C L
0

dv DS V DD v DS
=
RD
dt

(11.135)

Se obine astfel:

v DS (t ) = VDD (VDD V DS (5)) exp

R D CL

(11.136)

Din condiia

v DS (t 51 ) = 0, 9 VDD

(11.137)

rezult expresia analitic a timpului de ntrziere extrinsec la comutare invers:

t i ex = t 51 = R D C L ln

(VDD VDS (5))


0, 1 VDD

(11.138)

n consecin, timpul de comutare invers al MOSFET este:

t ci = t tr + t iex = t tr + t 51

(11.139)

12
ZGOMOTUL
ELECTRIC

12.1. Generaliti
n general prin zgomot electric se nelege orice semnal perturbator indiferent c este
generat de o surs intern sau extern dispozitivului sau circuitului studiat. n acest capitol se
trateaz numai zgomotele care i au originea n fenomenele fizice microscopice ce au loc n
elementele de circuit i se las la o parte zgomotele care rezult prin captarea unor semnale
generate de diverse surse externe. Astfel, prin zgomot nelegem un semnal electric fluctuant
(tensiune sau curent), cu o variaie aleatoare n timp.
Existena zgomotului constituie o consecin fundamental a faptului c sarcina
electric nu este continu, transportul ei realizndu-se n mod aleator, n cantiti discrete,
egale cu sarcina electronului. Rezult c zgomotul este asociat direct proceselor fundamentale
din componentele i dispozitivele semiconductoare.
Studiul zgomotului este important deoarece zgomotul impune limita inferioar a
valorii unui semnal electric care mai poate fi amplificat de un circuit fr o deteriorare
semnificativ a calitii semnalului. De asemenea, tot considerente de zgomot impun i limita
superioar a valorii ctigului unui amplificator (dac ctigul este prea mare etajele de ieire
ale amplificatorului vor ncepe s limiteze din cauza amplificrii zgomotului dat de etajele de
intrare).
Semnalele de zgomot electric se caracterizeaz printr-o anumit densitate spectral.
Dac un semnal de zgomot are densitatea spectral uniform ntr-o band larg de frecvene,
acesta se numete zgomot alb.
n acest capitol se descriu diversele surse de zgomot electronic care apar n structurile
de baz ale dispozitivelor uzuale: jonciunea p-n, tranzistorul bipolar cu jonciuni i cele dou
tipuri de tranzistoare cu efect de cmp, cu gril jonciune i MOS, i se prezint circuitele
echivalente de semnal mic ale acestora care conin generatoare de zgomot. n final se prezint
cteva metode uzuale de specificare a performanelor de zgomot ale unui circuit.

348

Cap. 12. Zgomotul electric

12.2. Natura zgomotului electric


12.2.1. Zgomotul de alice
Zgomotul de alice este prezent n toate dispozitivele ce conin jonciuni p-n i contacte
metal-semiconductor de tip redresor, fiind asociat ntotdeauna cu trecerea unui curent
continuu. Pentru a explica originea zgomotului de alice se va considera o jonciune p-n. Aa
cum s-a artat n capitolul 3, curentul prin jonciune, I, se compune din golurile din zona p i
electronii din zona n care au suficient energie pentru a nvinge bariera intern de potenial i
care, dup ce au traversat regiunea de sarcin spaial, difuzeaz mai departe ca purttori
minoritari. Astfel, trecerea fiecrui purttor peste regiunea de sarcin spaial este un
eveniment pur aleator (dependent de faptul c purttorul mobil de sarcin are att o energie
suficient ct i o vitez corespunztoare) i, ca urmare, curentul I din circuitul exterior care
apare ca fiind constant este, de fapt, compus dintr-un numr mare de impulsuri de curent
aleatoare, independente. Fluctuaiile curentului I sunt denumite zgomot de alice.
n general zgomotul de alice se specific prin variaia ptratic medie a curentului prin
jonciune fa de valoarea sa medie I A :
T

(I I A ) 2 dt = 2 q I A f
T 0

i 2 = (I I A ) 2 = lim

(12.1)

unde q este sarcina electronului, iar f este banda de frecven n care are loc msurarea
exprimat n Hz.
Densitatea spectral a curentului de zgomot definit prin relaia:
2
S i = i = 2 q I A A 2 /Hz ,
f

(12.2)

este independent de frecven i n consecin zgomotul de alice este un zgomot alb.


Deoarece zgomotul este un semnal pur aleator, valoarea sa instantanee nu poate fi
prezis pentru nici o valoare a timpului. Singura informaie disponibil pentru a fi utilizat n
calculele de circuit se refer la valoarea ptratic medie a zgomotului dat de relaia (12.1) n
care banda de frecven f este determinat de circuitul n care acioneaz sursa de zgomot.
Expresia 12.1 este valabil pn la frecvene comparabile cu inversul timpului de
trecere a purttorilor mobili de sarcin prin regiunea de sarcin spaial a jonciunii, adic
pn la frecvene de ordinul GHz.
Efectul zgomotului de alice se poate reprezenta n circuitul echivalent de semnal mic
al unei jonciuni p-n prin includerea n paralel cu jonciunea a unui generator de curent (vezi
figura 12.1.a) caracterizat prin valoarea efectiv:

I z = 2 q I A f
i care, deoarece semnalul de zgomot are o faz aleatoare, nu are polaritate.

(12.3)

Cap. 12. Zgomotul electric

349

Curentul de zgomot produs prin mecanismul de zgomot de alice are o amplitudine


care variaz aleator n timp, specificarea acestei amplitudini fiind posibil numai printr-o
funcie de densitate de probabilitate.

12.2.2. Zgomotul termic


Zgomotul termic este generat printr-un mecanism complet diferit de acela al
zgomotului de alice. El i are originea n micarea termic aleatoare a electronilor i nu este
afectat de prezena sau absena unui curent continuu, deoarece viteza tipic pe care o capt
un electron care se mic ntr-un conductor sub influena cmpului electric este mult mai
mic dect viteza sa termic. Fluctuaiile de energie ale electronilor liberi determin apariia
unui curent fluctuant prin orice structur rezistiv sau, n mod echivalent, a unei tensiuni
fluctuante la borne. Energia cinetic medie a electronilor este proporional cu temperatura T
i deci zgomotul termic este direct proporional cu T.
Media n timp a curentului fluctuant sau a tensiunii fluctuante de zgomot este zero, dar
mediile ptratice ale acestora sunt diferite de zero:

i 2 = 4 k T f
R
2
v = 4 k T R f

(12.4)

unde k este constanta lui Boltzmann, T temperatura structurii rezistive, R rezistena structurii
i f banda de frecven n care se realizeaz msurtorile.
Se poate arta c zgomotul termic al unei structuri cu rezistena R se poate reprezenta
printr-un generator de curent i 2 conectat n paralel cu structura rezistiv (vezi figura 12.1.b)
sau printr-un generator de tensiune v 2 conectat n serie cu structura rezistiv (vezi figura
12.1.c). Aceste dou reprezentri sunt echivalente, valorile efective ale generatoarelor sunt:

I z = 4 k T f
R
V z = 4 k T R f

vA

iA

Ri Cj

vA=VA +va
iA=IA+ia

a.

i2=2.q.IA.f

(12.5)

Iz= 4.k.T.f
R

b.

Vz= 4.k.T. R.f


R
c.

Figura 12.1. Circuitele echivalente de semnal mic care includ: a) zgomotul de alice
pentru o jonciune p-n; b) i c) zgomotul termic pentru un rezistor.

Se observ c expresia 12.4.b a generatorului echivalent Norton se poate obine din


expresia 12.4.a:

v 2 = R2 i 2

(12.6)

350

Cap. 12. Zgomotul electric

Densitatea spectral a zgomotului termic este independent de frecven i, n


consecin, zgomotul termic este un zgomot alb.
n figura 12.2 se indic modul n care se poate calcula zgomotul a dou rezistoare
legate n serie, respectiv n paralel. La legarea n serie a dou rezistene tensiunea
generatorului echivalent de zgomot este dat de relaia:

v 2 = v 12 + v 22 ,

(12.7)

iar la legarea n paralel a acestora expresia curentului generatorului echivalent de zgomot


este:

i 2 = i 12 + i 22

(12.8)

Vz1
Vz
R

Vz2

Vz = 4.k.T. R. f
R=R1+R 2
Vz1= 4.k.T. R1. f
Vz2= 4.k.T.R2.f
a.

R1

Iz1

R2

Iz2

Iz

Iz= 4.k.T.f
R
R=R1//R 2

Iz1 = 4.k.T. f
R1
...
Iz2 = 4 k T f
R2

b.

Figura 12.2. Modul de determinare a generatoarelor de zgomot echivalente n cazul: a)


legrii n serie a dou rezistoare; b) legrii n paralel a dou rezistoare.

Zgomotul termic este un fenomen fizic fundamental prezent n orice rezistor liniar
pasiv. Aceast categorie de rezistoare include rezistoarele convenionale, rezistena de radiaie
a antenelor, difuzoarele, microfoanele. n cazul difuzoarelor i microfoanelor sursa de zgomot
o constituie micarea termic a moleculelor de aer. n cazul antenelor sursa de zgomot este
dat de radiaia de corp negru a obiectului spre care este ndreptat antena.

12.2.3. Zgomotul de licrire (zgomotul 1/f )


Zgomotul de licrire, este un tip de zgomot care se ntlnete n toate dispozitivele
active i n unele componente pasive discrete cum ar fi, de exemplu, rezistoarele cu carbon.
Proveniena zgomotului de licrire este variat. n tranzistoarele bipolare zgomotul de licrire
este determinat n principal de nivelele de captur, asociate diverselor impuriti i defectelor
reelei cristaline, existente n regiunea de sarcin spaial emitor-baz. Capturarea i generarea
purttorilor de sarcin de ctre aceste defecte se realizeaz n mod aleator. Valoarea
constantelor de timp asociate procesului de capturare i generare de purttori de sarcin face
ca zgomotul care ia natere s aib energia concentrat la frecvene joase.

Cap. 12. Zgomotul electric

351

Zgomotul 1/f este asociat ntotdeauna cu trecerea unui curent continuu i poate fi
reprezentat printr-un generator de curent cu valoarea ptratic medie dat de expresia:
a

i 2 =const. I b f
f

(12.9)

n care f este o band de frecvene joase centrat pe frecvena f , I este curentul continuu
prin structur, a este un parametru cu valoarea cuprins n intervalul [0, 5; 2] , b este o
constant cu valoarea aproximativ unitar, iar constanta notat cu const. este caracteristic
unui anumit tip de dispozitiv.
Dac n relaia (12.9) parametrul b=1, densitatea spectral a zgomotului are o
dependen de frecven de forma 1/f , dependen care justific denumirea de zgomot 1/f
i care arat c zgomotul de licrire va avea efectul cel mai important la frecvene joase.
Aceast surs de zgomot poate s fie semnificativ chiar pn la frecvene de ordinul MHz.
Aa cum am artat n seciunile anterioare zgomotul de alice i zgomotul termic au
valori ptratice medii bine definite care se pot exprima n funcie de intensitatea curentului
continuu, respectiv de rezisten, i de un anumit numr de constante fizice bine cunoscute.
Pentru zgomotul de licrire situaia se schimb, expresia(12.9) coninnd o constant
necunoscut dependent de tipul de dispozitiv utilizat. n unele cazuri aceast constant poate
varia foarte mult chiar i pentru diferite exemplare de tranzistoare sau circuite integrate care
provin din aceeai plachet de siliciu i care au parcurs acelai proces de fabricaie. Aceast
comportare se datoreaz dependenei zgomotului de licrire de contaminarea cu impuriti i
de imperfeciunile cristalului.

12.2.4. Zgomotul de explozie (zgomot de floricele)


Originea zgomotului de explozie nu este pe deplin lmurit, fiind legat n principal
de contaminarea semiconductorului cu ioni ai metalelor grele. Astfel dispozitivele dopate cu
aur prezint un nivel foarte ridicat al zgomotului de explozie.
Zgomotul de explozie este caracterizat printr-un generator de curent cu valoarea
ptratic medie de forma:

i 2 =const.

Ic
f
2
f
1+
fc

(12.10)

unde I este curentul continuu al structurii, c este un parametru cu valoarea cuprins n


domeniul [0, 5; 2] , iar f c este o valoare particular a frecvenei pentru procesul considerat.
Valoarea constantei ce apare n definiia (12.10) depinde de tipul dispozitivului
considerat i de aceea trebuie determinat experimental.

12.2.5. Zgomotul de avalan


Zgomotul de avalan este determinat de apariia fenomenelor de multiplicare n
avalan i efect Zener ntr-o jonciune p-n.

352

Cap. 12. Zgomotul electric

n cazul strpungerii prin avalan, golurile i electronii pot cpta n regiunea golit a
jonciunii p-n polarizat invers suficient energie pentru a genera prin ciocnirea cu atomii de
siliciu noi perechi gol-electron. Acest proces este cumulativ, ducnd la producerea unei serii
aleatoare de vrfuri mari de zgomot. Zgomotul de avalan este ntotdeauna asociat cu
trecerea unui curent continuu, fiind mult mai mare, pentru aceeai valoare a curentului
continuu, dect zgomotul de alice, deoarece un singur purttor poate declana un proces de
avalan. Acest tip de zgomot nu intervine n mod obinuit n dispozitivele discrete i n
circuitele integrate deoarece tensiunile inverse aplicate acestora se aleg mai mici ca tensiunile
de strpungere.
Situaia cea mai obinuit n care se pune problema zgomotului de avalan este aceea
n care n circuit se utilizeaz diode Zener i ca urmare utilizarea lor n circuitele de zgomot
mic trebuie i este n general evitat.
Zgomotul de avalan al unei jonciuni poate fi reprezentat printr-un generator de
tensiune legat n serie cu aceasta, v 2 . Valoarea ptratic medie a generatorului v 2 este greu
de prezis, deoarece depinde de structura dispozitivului. Valoarea tipic msurat pentru
densitatea spectral a zgomotului de avalan pentru o diod Zener parcurs de un curent
continuu de 0, 5 mA este S u = v 2 /f 10 14 V 2 /Hz .

12.3. Zgomotul dispozitivelor semiconductoare


12.3.1. Dioda semiconductoare
Circuitul echivalent complet al unei jonciuni p-n ce include sursele de zgomot este
reprezentat n figura 12.3. Sursele de zgomot modelate iincluse n circuitul echivalent sunt:
zgomotul termic al resistenelor serie ale regiunilor neutre n i p:

v s2 = 4 k T (r n + r p ) f = 4 k T R S f ;

(12.11)

zgomotul de alice al jonciunii p-n:

i a2 = 2 q I A f

(12.12)

zgomotul de licrire reprezentat printr-un generator de curent legat n paralel cu


rezistena diferenial R i a jonciunii:

i 1/2 f const.

I Aa
f
f

(12.13)

Iz=
Vz=

vs2 R
s

2
i2a+i1/f

Ri
Cj

Figura12.3Circuitul echivalent de semnal mic al unei jonciuni p-n completat cu


sursele de zgomot caracteristice acesteia.

Cap. 12. Zgomotul electric

353

12.3.2. Sursele de zgomot n tranzistoarele bipolare i modelarea


acestora
Tranzistoarele bipolare sunt caracterizate n principal de zgomotul de alice, asociat
emisiei sarcinii electrice ce susine curenii caracteristici acestora. Van der Ziel a calculat
teoretic, pentru prima dat, zgomotul asociat cu fluctuaiile aleatoare n curenii terminali ai
jonciunilor tranzistorului. Astfel, n regim activ normal, densitile spectrale ale surselor de
zgomot asociate curenilor de baz, de colector i de emitor sunt date de relaiile:

i B2 /f = 2 q I B
i C2 /f = 2 q I C
i E2 /f = i B2 /f + i C2 /f + 2 Re{ i B i C }/f = i B2 /f + i C2 /f

(12.14)

n care Re{ i B i C }/f reprezint partea real a spectrului de corelaie ntre curenii respectivi.
Tranzistoarele bipolare prezint i zgomot termic asociat rezistenelor serie
corespunztoare regiunilor neutre i rezistenelor de contact ale terminalelor. Cea mai
important dintre sursele de zgomot termic este cea asociat rezistenei bazei. Minimizarea
acestei surse de zgomot poate fi realizat prin tehnici de layout (contacte multiple pentru
baz, distane laterale mici ntre emitor i baz, folosirea de emitoare multiple). Rezistena
serie a colectorului, r cc , poate s fie la fel de mare ca cea a bazei dar fiind plasat n serie cu
nodul de impedan mare al colectorului, efectul zgomotului termic al acesteia devine
neglijabil i de aceea nu mai este inclus de obicei n model. Rezistenele r , r i r 0 din
circuitul echivalent de semnal mic al TBJ fiind un rezultat exclusiv al modelrii nu prezint
zgomot termic.
De asemenea, tranzistoarele bipolare prezint i zgomot 1/f . Experimentele au
confirmat pentru acest tip de zgomot modelul fluctuaiei densitii purttorilor mobili de
sarcin implicai n procesele de generare-recombinare, n volumul i la suprafaa
semiconductorului, n regiunea de sarcin spaial a jonciunii emitor-baz, propus de
McWhorter. n conformitate cu acest model, densitatea spectral a sursei de zgomot 1/f din
baz poate fi exprimat n RAN prin:
A

i 1/2 f /f

KF IB F
=
f

(12.15)

unde K F i A F reprezint parametri ce depind de tehnologia de fabricaie.


Tot experimental s-a constatat existena unui zgomot de explozie asociat curentului de
baz al tranzistorului bipolar. Mecanismul de apariie a acestui zgomot nu este nc pe deplin
neles, dar experimentele evideniaz faptul c acesta este legat de imperfeciunile structurii
cristaline. Densitatea spectral a acestuia, n RAN, este:
2
i BB
/f =

KB IB
2
f
1+
fc

(12.16)

354

Cap. 12. Zgomotul electric

unde K B este o constant dependent de procesul tehnologic, iar f c reprezint rata principal
de repetiie a semnalului. n tehnologiile moderne de integrare acast form de zgomot poate
fi, n mare msur, eliminat.
n consecin modelarea surselor de zgomot corespunztoare tranzistoarelor bipolare,
n regim activ normal, este ilustrat n figura 12.4.
4.k.T.f
rbb'

r
C

rbb'

IzB= i2B

V b'e

Iz1/f = i21/f

C
gm. V b'e

IzC= i2C

r0
E

E
Figura 12.4. Circuitul echivalent de semnal mic al TBJ care include
sursele principale de zgomot.

n practic este mult mai convenabil folosirea modelului cu generatoare de zgomot


echivalente la intrare, model reprezentat n figura 12.5.
r
Vzi= vi2

rbb'

Izi= i2i

r V b'e

C
gm. V b'e

r0

Figura 12.5. Circuitul echivalent de semnal mic al TBJ cu generatoare de zgomot


echivalente la intrare.

Expresiile analitice ale valorilor ptratice medii ale acestor generatoare sunt:

i i2 = i 2B + i 1/2 f + i C2
2

v i = (i B +

i 1/2 f

i 1/2 f
2

r bb

g + j (C + C )
gm
2

+ i r ) r bb
2

i B2 + i 1/2 f +

i C2

j
1+
2

r
+ 1 + rbb + j r bb (C + C )

+ 4 k T r bb + 1

2 gm

i C2
2
gm

(12.17)

(12.18)

n care parametrii implicai sunt:


frecvena la care modulul factorului de amplificare n sens direct n conexiune EC, ,
scade la 1/ 2 din valoarea sa de frecvene joase F :
1
=
;
r (C + C )

Cap. 12. Zgomotul electric

355

valoarea ptratic medie a zgomotului termic al rezistenei serie a bazei:

k T f .
i r2 = 4 r bb
Se observ c valorile ptratice medii ale ambelor generatoare de zgomot echivalente
la intrare depind de i 1/2 f i de i C2 . n consecin, ntre i i2 i v i2 exist corelaie. Aceast
corelaie se manifest pregnant numai la frecvene foarte joase unde zgomotul 1/f este
dominant i la frecvene foarte nalte la care factorul de amplificare n curent direct n
conexiune EC, , al TBJ scade n mod semnificativ i efectul corelaiei devine semnificativ.
De asemenea, se observ c, n conformitate cu (12.18), densitatea spectral a tensiunii
echivalente de zgomot la intrare este independent de frecven.
Acest circuit este valabil att pentru tranzistoare bipolare de tip npn ct i pentru cele
de tip pnp.
S presupunem c TBJ este utilizat ntr-un etaj amplificator. Dac impedana sursei de
semnal cu care este atacat amplificatorul este mic, generatorul de zgomot v i2 devine
important, iar generatorul de zgomot i i2 tinde s fie scurtcircuitat. n aceste condiii este clar
c obinerea de performane de zgomot bune impune reducerea valorii rezistenei
R ech = r bb + 1/(2 g m ) . Aceast minimizare se obine prin proiectarea tranzistorului astfel
nct s se obin o valoare mic pentru rezistena r bb i prin utilizarea tranzistorului la
cureni de colector mari pentru a reduce valoarea termenului 1/(2 g m ) .
n circuitele n care tranzistorul este comandat de o surs de impedan mare
generatorul de curent de zgomot echivalent la intrare este dominant. n aceste condiii, pentru
obinerea unor performane de zgomot bune, trebuie folosit un tranzistor cu factor de
amplificare F mare i este necesar polarizarea acestuia la cureni mici.

12.3.3. Sursele de zgomot i modelarea acestora n tranzistoarele MOS


La tranzistoarele MOS se disting dou surse importante de zgomot: zgomotul termic
asociat canalului conductiv rezistiv i zgomotul 1/f datorat mecanismului de conducie la
suprafa.
Mecanismul zgomotului termic al canalului este binecunoscut. Micarea aleatoare a
purttorilor de sarcin mobili n interiorul acestuia genereaza zgomot termic la terminalele
dispozitivului. n acord cu teorema lui Nyquist, densitatea spectral a curentului de zgomot
termic, de scurtcircuit, al canalului, corespunzatoare tranzistoarelor MOS ce opereaz n
regiunea de saturaie este:

i d2 /f = 4 k T g m

(12.19)

n care k este constanta lui Boltzman, T este temperatura absolut, g m este transconductana
MOS-ului, iar reprezint o funcie foarte complex ce depinde de parametrii de baz ai
tranzistorului i de condiiile de polarizare.
Micarea aleatoare a purttorilor de sarcin prin canal genereaz i un curent de
zgomot de gril, via capacitatea gril-canal, a crui densitate spectral este:

356

Cap. 12. Zgomotul electric

i g2 /f 4 k T

1 (2 f ) 2 C = 4 k T g m f
gs
5 fT
5 gm

(12.20)

n care f T reprezint frecvena de tiere caracteristic tranzistorului.


Comparativ cu i d2 , efectul curentului de zgomot de gril este important numai la
frecvene mai mari ca f T i, n majoritatea cazurilor practice, acesta poate fi neglijat.
Mecanismul implicat n producerea zgomotului 1/f a constituit subiect de disput pe
perioada ctorva decenii. Diferite teorii i modele fizice au fost propuse pentru a explica
fenomenul zgomotului 1/f n MOSFET-uri. Dintre acestea se disting dou modele de baz:
modelul fluctuaiei mobilitii purttorilor de sarcin exprimat prin relaia empiric a lui
Hooge i modelul fluctuaiei numrului de purttori mobili de sarcin, asociat fenomenelor de
captur i emisie a acestora la interfaa oxid-semiconductor, propus de McWhorter.
Folosirea primului model conduce la urmtoarea relaie, valabil numai n regiunea de
saturaie, pentru densitatea spectral a tensiunii de zgomot 1/f la intrare:
q f (V GS V p )
v 21/f /f = l
(12.21)
2 eff C ox W L f
n care f reprezint mobilitatea efectiv de zgomot 1/f , eff este mobilitatea efectiv a
purttorilor de sarcin majoritari n canalul conductiv n acord cu teorema lui Matthiessen, iar
C 0 reprezint capacitatea oxidului pe unitatea de arie.
Totui, aceast teorie, n majoritatea covritoare a cazurilor, nu este confirmat de
rezultatele experimentale n ceea ce privete dependena de condiiile de polarizare i de C 0 .
n schimb, experimentele confirm modelul propus de McWhorter, ceea ce conduce la
ideea c apariia zgomotului 1/f se datoreaz n principal fluctuaiei densitii purttorilor
mobili de sarcin. Conform acestei teori, pentru un tranzistor ce funcioneaz n regiunea de
saturaie, valoarea ptratic medie a curentului de zgomot 1/f de dren se calculeaz uor cu
relaia:

i d21/f =

K F I DS
C0 W L f

(12.22)

iar valoarea ptratic medie a generatorului de zgomot 1/f echivalent la intrare cu relaia:

v 1/2 f =

Kf
KF
= 2
2
2 C0 W L f C0 W L f

(12.23)

n cele mai multe cazuri practice, folosirea celor dou surse principale de zgomot
(zgomotul termic i zgomotul 1/f ) este suficient n estimarea performanelor de zgomot ale
circuitelor CMOS. Totui, pentru aplicaiile n care cerinele de zgomot sunt drastice, aceste
dou surse de zgomot pot fi minimizate i astfel alte surse de zgomot pot deveni importante.
Sursele de zgomot adiionale sunt:
zgomotul termic asociat grilelor rezistive tip "poly", modelat printr-o surs de curent
echivalent la ieire cu densitatea spectral dat, la saturaie, de expresia:

i d2th = 4 k T

Rg
g m2
12 n 2

(12.24)

Cap. 12. Zgomotul electric

357

n care R g este rezistena total a porii, g m este transconductana total a


MOSFET-ului considerat i n reprezint numrul de fii ce compun grila;
zgomotul termic asociat substratului rezistiv, modelat printr-o surs de curent de
zgomot cu densitatea:
2
2
i dB
= 4 k T B b g mb
W

(12.25)

unde B reprezint o constant de proporionalitate, b este limea substratului


considerat, iar g mb este transconductana substratului la saturaie dat de expresia:

g mb = g m
(12.26)
2 2 F + V BS
n care reprezint constanta de efect de substrat dat de relaia (7.45);
zgomotul de alice asociat cureniilor de pierderi ai jonciunilor dren-substrat i
surs-substrat polarizate invers, care, datorit valorii reduse a acestuia, poate fi
neglijat n majoritatea cazurilor.
Modelul de semnal mic de zgomot al tranzistorului MOS, valabil n regiunea de
saturaie, este reprezentat n figura 12.6.
4.k.T.f
Rg
G

Rg
V gs

Cgd
Cgs

gm. V gs

gm.V bs

D
rd

I zd= i2d

Iz1/f = i21/f
Cbs
S
Cbc

V bs

Cbd
B

Rb

4.k.T.f
Rb
Figura 12.6. Modelul de semnal mic al MOSFET ce include i
sursele principale de zgomot.

n acest model curenii de zgomot termic i 1/f asociai capacitii gril-canal au fost
neglijai deoarece acetia devin importani la frecvene mai mari dect frecvena de tiere a
tranzistorului.
La fel ca n cazul tranzistorului bipolar performanele de zgomot ale MOSFET sunt
cel mai adesea reprezentate prin dou generatoare de zgomot echivalente la intrare cu
densitile spectrale, v i2 i i i2 . Astfel, n figura 12.7 este reprezentat circuitul de zgomot mic
al MOSFET n care apar generatoarele de zgomot echivalente la intrare.

358

Cap. 12. Zgomotul electric

Vzi= vi2
G

Cgd

Rg
Izi= i2i V gs

Cgs

D
gm. V gs

gm.V bs

rd

Cbs

S
Cbc

V bs

Cbd
B

Rb

Figura 12.7. Modelul de semnal mic al MOSFET cu generatoare de zgomot


echivalente la intrare.

Expresiile analitice ale densitilor spectrale ale celor dou generatoare de zgomot
echivalente la intrare sunt:
2

v i /f =
2

2
(i d2 + i d21/f + i dB
)

g m j C gd

+ 4 k T Rg

i i /f = j (C gs + C gd )

(12.27)

2
(i d2 + i d21/f + i dB
)

g m j C gd

(12.28)

Aa cum se observ din relaiile de mai sus, primii termeni ai v i2 i i i2 depind puternic
de acelai set de surse de zgomot, ceea ce nseamn c aceti termeni sunt 100% corelai.

12.3.4. Sursele de zgomot i modelarea acestora n JFET


Sursele de zgomot ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune sunt n cea
mai mare parte aceleai cu cele ale tranzistoarelor MOS. De aceea, prezentarea acestora va fi
succint.
Deoarece materialul canalului este rezistiv el va avea un zgomot termic care constituie
sursa major de zgomot n JFET. Acest zgomot se poate reprezenta printr-un generator de
curent de zgomot, i 2d , plasat n circuitul echivalent de semnal mic al JFET ntre dren i surs.
De asemenea, dup cum s-a determinat experimental, n dispozitiv apare i un zgomot 1/f
datorat fenomenelor de generare-recombinare n regiunile de sarcin spaial ale jonciunilor
gril-substrat. Zgomotul de licrire se poate reprezenta printr-un generator de curent i d21/f
plasat ntre dren i surs. Aceste dou surse de zgomot sunt caracterizate prin urmtoarele
relaii analitice:

i d2 = 4 k T 2 g m f
3
a
I DS
2
i d1/f = K f
f
f

(12.29)

unde K f este o constant dependent de tipul dispozitivului, iar a este o constant cu valoarea
cuprins ntre 0,5 i 2.
Alt surs de zgomot n JFET o constituie zgomotul de alice generat de curentul
rezidual de gril, modelat printr-un generator de curent i g2 plasat ntre gril i dren:

Cap. 12. Zgomotul electric

359

i g2 = 2 q I G 0 f

(12.30)

unde cu I G 0 s-a notat curentul invers de saturaie al jonciunii gril-canal.


n mod obinuit acest zgomot este foarte mic. El devine semnificativ numai atunci
cnd impedana sursei de semnal conectat la gril este foarte mare.
Circuitul echivalent de semnal mic al JFET ce include principalele surse de zgomot
este prezentat n figura 12.8.
Cgd
G

D
I zg= i2g V gs

Cgs

gm. V gs

rd

Iz1/f = i21/f

I zd= i2d

S
Figura12.8.Circuitul echivalent de semnal mic al JFET, care include i
sursele de zgomot.

Circuitul de zgomot mic al JFET n care apar generatoarele de zgomot echivalente la


intrare este prezentat n figura 12.9.

Vzi= vi2

Cgd
D
I zi = i2i V gs

Cgs

gm. V gs

rd
S

Figura 12.9. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET cu generatoare de zgomot


echivalente la intrare.

Expresiile analitice ale densitilor spectrale ale celor dou generatoare de zgomot
echivalente la intrare sunt:
2

v i /f =

(i d2 + i d21/f )

g m j C gd

2
2

i i2 /f = 2 q I G 0 + j (C gs + C gd )

(12.31)

(i d2 + i d21/f )

g m j C gd

La ambele tranzistoare cu efect de cmp, la frecvene joase, densitatea spectral a


generatorului de curent de zgomot echivalent la intrare are o valoare foarte mic. n
consecin, n cazul n care impedana sursei de semnal este mare, tranzistoarele cu efect de
cmp au performane de zgomot cu mult mai bune dect acelea realizate de tranzistoarele
bipolare, deoarece, n aceste condiii, generatorul de curent de zgomot la intrare este
dominant.
Trebuie totui subliniat c densitatea spectral a generatorului de tensiune de zgomot
echivalent la intrare al unui tranzistor bipolar este tipic mai mic dect cea corespunztoare
generatorului de tensiune de zgomot echivalent la intrare al TEC deoarece pentru o aceeai

360

Cap. 12. Zgomotul electric

valoare a curentului static valoarea tranconductanei tranzistorului bipolar este mai mare dect
cea a tranzistorului cu efect de cmp. Ca urmare, pentru surse de impedan mic tranzistorul
bipolar realizeaz n general performane de zgomot superioare acelora ale TEC.

12.4. Specificarea performanelor de zgomot ale circuitelor electronice


Semnificaia performanelor de zgomot ale unui circuit este dat de fapt de limitarea
pe care zgomotul o impune asupra valorii celei mai mici a semnalului care mai poate fi
acceptat fr ca zgomotul s degradeze calitatea semnalului de la ieire. Din acest motiv
funcionarea n condiiile n care se ine seama de zgomot se exprim n mod uzual n
termenii unui semnal de zgomot echivalent la intrare, care furnizeaz la ieire acelai zgomot
ca i circuitul n discuie. n acest fel zgomotul echivalent la intrare se poate compara direct
cu semnalele aplicate, efectul zgomotului asupra acestor semnale fiind apoi uor de
determinat.
Aceast metod de caracterizare a performanelor de zgomot se poate extinde
obinndu-se o reprezentare mult mai general i de mare utilitate, n care performanele de

zgomot pentru orice diport sunt descrise prin intermediul a dou generatoare de zgomot
echivalente la intrare.
Situaia este descris n figura12.10 unde un diport care conine diverse generatoare
de zgomot este echivalat prin aceeai reea, dar cu toate generatoarele de zgomot pasivizate (o
reea fr zgomot) i cu dou generatoare de zgomot, unul de tensiune, v i2 , i unul de curent,
i i2 , conectate la intrare. Aceast reprezentare este valabil pentru orice valoare a impedanei
sursei de semnal, cu condiia de a ine seama de corelaia existent ntre cele dou generatoare
de zgomot. Includerea corelaiei n modelrile de zgomot introduce o cretere considerabil a
complexitii calculelor i n cazul n care corelaia este important este de multe ori mai
convenabil s se revin la reeaua iniial cu surse interne de zgomot. Totui pentru marea
majoritate a circuitelor corelaia este mic i se poate neglija. De asemenea neglijarea
corelaiei este posibil dac unul din generatoarele de zgomot echivalente de la intrare este
dominant.
Valorile ptratice medii ale generatoarelor de zgomot echivalente la intrare din figura
12.10 sunt uor de determinat. Algoritmul este urmtorul: mai nti se scurtcircuiteaz
intrrile ambelor circuite i prin egalarea zgomotului de la ieire determinat pentru fiecare caz
n parte se calculeaz v i2 ; apoi, se las n gol intrarea fiecrui circuit i egalnd zgomotul la
ieire determinat pentru fiecare circuit n parte se calculeaz i i2 .
Vzi= vi2
Reea
zgomotoas

I zi = i2i

Reea
fr
zgomot

Figura 12.10. Reprezentarea zgomotului unui circuit prin generatoare de zgomot


echivalente la intrare.

Cap. 12. Zgomotul electric

361

n acest mod au fost determinate expresiile analitice ale generatoarelor de zgomot


echivalente la intrare ale tranzistoarelor bipolare i unipolare prezentate n seciunile
anterioare.
n mod curent performanele de zgomot ale dispozitivelor i circuitelor electronice se
specific printr-un parametru numit factor de zgomot. Dezavantajul acestei metode const n
faptul c ea se preteaz numai la aplicaiile n care impedana sursei este rezistiv.
Definiia factorului de zgomot F al unui circuit este urmtoarea:

F ==

( S /N ) i
raportul semnal zgomot la intrare
P i /P zi
=
=
raportul semnal zgomot la ieire P 0 /P z 0,tot (S /N ) 0

(12.32)

unde P i este puterea semnalului la intrare, P 0 este puterea semnalului la ieire, P zi reprezint
puterea zgomotului la intrare corespunztoare generatorului (sau circuitului) de atac al
amplificatorului i P z 0,tot este puterea total de zgomot la ieire.
Factorul de zgomot se exprim de obicei n decibeli (dB), adic
10 lg F = 10 lg (P i /P z ) 10 lg (P 0 /P z,tot )
.
F dB = (S /N ) i dB (S /N ) 0 dB

(12.33)

Dac se conecteaz n cascad mai multe etaje amplificatoare atunci zgomotul cel mai
important este cel al primului etaj de amplificare deoarece acesta este amplificat de toate
celelalte etaje.
Expresiile analitice ale valorilor ptratice medii corespunztoare generatoarelor de
zgomot echivalente la intrare deduse n seciunile precedente pentru diverse tipuri de
tranzistoare relev faptul c acestea depind de frecven. n consecin, pentru determinarea
factorului de zgomot este necesar a se preciza banda de frecvene pentru care se face calculul.
Exist situaii n care factorul de zgomot se specific pentru o band ngust f , centrat pe o
frecven f c (f << f c ), denumirea acestuia n acest caz fiind de factor de zgomot de band
ngust. Astfel, performanele de zgomot ale amplificatoarelor acordate i amplificatoarelor
urmate de circuite selective n frecven sunt caracterizate prin factorul de zgomot de band
ngust. Pentru restul amplificatoarelor se specific un factor de zgomot mediu, determinat
pentru ntrega band de frecvene de interes.

Rezistena optim a generatorului de semnal


Generatorul de semnal este n acelai timp i o surs de zgomot datorit impedanei
interne a generatorului. Dac impedana sursei de semnal este o rezisten pur generatorul
furnizeaz un zgomot termic. n acest caz exist o rezisten optim a generatorului din punct
de vedere al zgomotului introdus de amplificator. Aceast rezisten optim se determin
utiliznd circuitul din figura 12.11.b. Zgomotul intern al amplificatorului este reprezentat prin
cele dou generatoare de zgomot echivalente la intrare v i2 i i i2 , iar zgomotul termic al
generatorului de semnal este reprezentat printr-un generator de tensiune de zgomot v g2 n
serie cu rezistena R g . Amplificarea circuitului se noteaz cu A V , iar rezistena de sarcin a
acestuia cu R L . Pentru a uura calculele presupunem c n gama frecvenelor de interes cele
dou surse de zgomot ale amplificatorului (v i2 i i i2 ) sunt necorelate.

362

Cap. 12. Zgomotul electric

2
2
R g Vzg= vg Vzi= vi

Rg
Reea
zgomotoas
AV

Ug ~

RL

I zi = i2i

Ug ~

a.

Reea
fr
zgomot
AV

RL

b.

Figura 12.11. Circuitul echivalent de zgomot al amplificatorului cu


surs de semnal rezistiv.

Pentru a determina rezistena optim a generatorului de semnal trebuie mai nti gsit
expresia factorului de zgomot n funcie de rezistena generatorului, iar apoi determinate
extremele acestei expresii prin rezolvarea ecuaiei:
F = 0
R g

(12.34)

i, n final, aleas dintre aceste extreme R g opt pentru care factorul de zgomot este minim.
Expresia factorului de zgomot poate fi simplificat astfel:

F=

P z 0,tot
P z 0,tot
P i /P zi
P P z 0,tot
= i
=
=
A P P zi
Pz 0
P 0 /P z 0,tot P 0 P z

(12.35)

unde P z 0 reprezint puterea de zgomot la ieire corespunztoare sursei de zgomot a


generatorului sau circuitului de atac al amplificatorului.
Zgomotul la poarta de intrare a amplificatorului datorat surselor interne ale acestuia se
determin aplicnd teorema superpoziiei i este:

Rg
Zi
V zi +
I Z
Zi + Rg
Z i + R g zi i
2
Rg Z i
Zi 2
2
=
+

v
i zi2
zi
2
2
Zi + Rg
Zi + Rg

V ziA =
2
v ziA

(12.36)

Zgomotul la poarta de intrare a amplificatorului datorat zgomotului rezistenei


generatorului este:

Zi
V zg
Z i + Rg
Zi 2
2
v zg
=
2
Zi + Rg

V zgA =
2
v zgA

(12.37)

Puterea total de zgomot la ieirea amplificatorului este:

P z 0,tot =

AV 2 2
A 2 2
v ziA + V v zgA
,
RL
RL

(12.38)

iar puterea de zgomot la ieire corespunztoare zgomotului rezistenei serie a generatorului de


semnal este:

Pz 0 =

AV 2 2
v zgA
RL

(12.39)

Cap. 12. Zgomotul electric

363

n consecin factorul de zgomot este dat de relaia:

AV 2 2
A 2 2
2
2
v ziA + V v zgA
2
v ziA
+ v zgA
v ziA
P
RL
RL
F = z 0,tot =
=
=
1
+
=
2
2
Pz 0
AV 2 2
v
v
zgA
zgA
v zgA
(12.40)
RL
v zi2 + R g2 i zi2
v zi2 + R g2 i zi2
v zi2
R g i zi2
=1+
=1+
=1+
+
2
4 k T R g f 4 k T f
4 k T R g f
v zg
Prin derivarea expresiei (12.40) i egalarea cu 0 a derivatei obinem expresia analitic a
rezistenei optime a generatorului pentru care factorul de zgomot este minim:
2

v zi
i zi
F =
+
=0
2
R g
4 k T R g f 4 k T f
v2
zi2 + i zi2 = 0
Rg
2

R g opt =

v zi2
i zi2

(12.41)

(12.42)

Acest rezultat este valabil chiar i n cazul n care corelaia ntre semnalele v zi2 i i zi2
este semnificativ. Trebuie subliniat faptul c rezistena optim din punct de vedere al
zgomotului nu corespunde transferului maxim de putere.