Explorați Cărți electronice
Categorii
Explorați Cărți audio
Categorii
Explorați Reviste
Categorii
Explorați Documente
Categorii
NTULUI
dr. ing. DAN DASCALU
dr. ing.l\tl. RCEL PROFIRESCU
lucr. dr. ing. ADRIAN I U
I luer. dr. ing. lOAN COSTE
a fost analizata aprobati: de colcctivul Catedrei
de dispozitive, circuite aparate electronice, de Consiliul profesoral
a1 Facultlfii de ElectronicA de Biroul Senatnlui
Institutului Politebnk
Redactor : ing MONICA URSEA
Tehnoredactor: ION MIREA
Grafician: VICTOR WEGEMAN
PREFATA
. . de fafc'"i reprezinta cursul de Dis oziti
$t czrcutte elcctron1'ce predat la ani". II III .PF ve
t
vt . . El t . "' . " S't a-z, acul-
a, tt ec ron tea $t T elecomunicatii (ting' ') A
P P
. , " 1-nert . cest curs
a are entru prtma oara in forma sa co,npleta El
a fast elaborat de ttn grup de cadre didact. d. c' t
d d d p . . tee ,tn a e-
ra e ts ozttzve, ctrcutte c:i aparate ele t .
I
. . . . Y c rontce a
nstttutulut Polttehn1c Bucurest1. Co
1
"tr;b t t
l
"' , . " " u za au orL-
or, este urntatoarea: con'. dr. ing D D. a "l
. '1 . sea u -
- captt?lele 1, 5 (partial). 6, 9, 12, 73, 14, 16, 17;
$.l. dr. A. Rusu -. capitolele 2, 3, 4, 7, 10;
$.l. dr. tng. l'vl. D. Proftrescu - capitolele 8, 11, 15;
$ l. dr. ing. I I. Costea \ - capitolul 5 (partial).
. VCursul ,DisP?z.itive $1. circuite electro}tice" pre-
Z1.nta jLzzcc stau la baza principalelor
spoz:ttve. sem:tconductoarc,. c?1np?rtarea acestor dispo-
ztttve tn ctrcutte, precztJn SL cz rcuttele de baza care rea-
. ,
lzzcaza anumite functii electronice.
Conccptul de tnodel de circuit al dispoziti\ului
cs!c esen!ial. rlcest cste puntea strict 1tecesara
care duce de la iufelrgerea je110111enelor electronice in
se nz iconductoare la ; JZfelegerea electrice din
circu itcle t:lectron ice.
0 altc1 idee intporta1tta este aceea a strinsei iu.tor-
dcpe ndenfe dispozit-iv- circuit. u,t circuit bine conceput
tnaschea."!a J ,defectcle'' d1. spozitivttl1lt se1n1'cond uctor $i ii
exploateazc'i , ,calitiif,ile". J)tspcr ia para111ctrlor de la 'lln
excutplar la altul dc pcdenf.a ace tor parametri. de con-
diti ilc de (unct1onarc sint intr-adevar defecle maJorc ale
d/spoziti1ielor 'scuuconductoare. E t: .cuzt 1lnele
di 1z aceslc defecte a par atentlale 111 uztegrate:
Circ11tele ca atare nf' fac obtectul cur ulus
de fat a. S-a itzsa ca prezetztarea tnodelelo'
$i a C'i1Cft'itclor ele11lC1tiare sa pregateasca Jnfelegerea
chc1nelor de c1'rcutc i11tegrate.
t uto1i i lpr ci "'a co?Jtributia .
d Cc7d1'C d1clact1.Ct care lucreaza la
elt ct on7cc'' la itt1loirea contnt4a a acesteJ . dtsctpltne.
ObsrrvaJHle colcgilor de catedrd ) i in . pec!al ale $.l.
dr. i11g. uca 1 a11olescu i $.l. ing. 1 M1hul au fosl
d rral?i utilt'l ate.
.4UTORII
3
atJ. 1.
cl p. 2.
'l'A JJE
. . .. ' - 9'
1.1. Obiectul cu.rsului . . .. . .........
. . . . ' . . . . .
1.2. J>roprirld(ilc dispozitivl'lor eleclronice .. . . .. . .
1.3. Studiul circuitc/or rlcctronice . . .
NOTIUNI UE SEl\IICONDUCl'OAI\lU ..Oil . . . . . . . . . . . .
2.1. I ntroducere . . . . . . . . . . . .. . .
2.2. Teoria de benzi encrgetice a corpului solid
2.3. Electroni goluri !n semiconductoare
2.4. Statistica purtatorilor de sarcina . .. . ...
2.5. Fenomene de transport . . . , . . , . , . . .. ., .. .. ..
"- 2.5.1. Curenti de dn1p . 4 _
1z.5.2. Cnren1i <le difuzie . . ...
....
. .. .. . ..
.. .. . . ;
curentilor iu ___ .... .. . . . ..
2.6. Gencrarea rccontbinarea purtiltorilor de sarcintl . .. . . . . . .
12.7. Ecuafii de continuitate . . . . . . . . . . . . .....
2.8. Ecuafiilc de bazil ale dispozitivelor semiconductocre . . . . . . . .
Cap. 3. JONCTIUNEA 1n . . .
3.1. Introducere . . .
t 3.2. ] oncliunea pn la echilibru termic
. .. ... ..
_?3.3.
Caracteristica statica a joncfiunii pn . . .
3.3.1. Fenomene fizice in jonctiunea pn polarizatl
. ... . .
3.3.2. Determinarea caracteristicii statice . . . . . . . . . .
3.3.3. Efectnl suprafetei semiconductorului asupra ltatJce
y3.3.4. Efecte la nivel mare de injectie . . . . . . . . . . . ..
"3.3.5. Strapungerea jonctiunii pn . . . . . . . . . . . .
3.3.6. Dependenta de temperatura a caracteristicii statiee . . .
3.4. Rcgimul dinamic al jo-ncfiunii pn . . . . . . . . . . ..
3.4.1. Raspunsul jonctiunii la semnal mic joasl flecventl .
(
3.4.2. Circuitul echivalent de semnal mic al jonctiunH la aesta-
. . .
. .
. .
tionar . . . . . . . . . . . . . . .
3.5. Diode semiconductoare realizate pe baza joJzcfiunii P.
. . ... .. . ..
3.5.1. Diode redresoare
. . . ..
3.5.2. Diode detectoare
. . . . . ..
-
,.,. . ...
-
.. .
. . . . .
3.5.3. Diode de comutatie
. . . . . . . .... .
3.5.4. Diode varicap
. .. . . ...
-
. .
. . . . . . . . .
3.5.5. Diode sta bilizatoare
(Zener)
. . . . .. . . . . .
..
3.5.6. Diode tunel
. . . .. .. .. .. .. .
. . ..
. . . . . . . .
-
3.6. Ci1cuite diode
sem iconductoare
. . ..
. . .
Ctt
.
. . . .
Caj>. 4. CONTALTUL 1\IETAL-SEl\IH;ONDUCTOit . .
4.1. Diagrama energetictl a semiconductoruhti i,, veciniUtJIMI lfi/WJ/IIIIri :
I
. l . dU&Uw ,. ..... . .
4.2. Diagrama energetictl a contactu ut. meta -sem.aaon
l
13
14
16
g.
2(}
22
23
2:;
26
28
28
29
31
31
33
33
33
37
3i
39
46
.7
48
50
51
sz
54
57
58
58
58
59
59
59
60
63
63
65
4.8. fatictl a contactului metal-srmicoJldttr.tor .
4.4. DiOik Schottky. . . . . . . .
TRANZISTOBUIJ Dli'OJ, R . . . .
. . . .
1.1. . . . . . . . . .
. .
5.1.1. notatii, tipuri de carncterist id. .
5.1.2. Principiul de fuuctionare (dectul de tranzbtor) . . . . . . . .
5.1.3. tranzistoarclor hipolarc . . . . .
.5.2. Rt-lalii tnfrt prt' 11 tra11zistor . . . . .
5.2. 1. CompotH'nleh' n n:n 1 ilor prin tranzbtor
5.2.2. EfidPn1a emitornlui . . . . . . . .
5.2.3. Factornl d' . . . . .
5.2.4. Descricrc>a fuucpon:lrii tranzbtorului in regiuuea activi't norwa11 .
5.3. Ttort:a tf'an:istoJ ului til l'tgim sta(ionar, Ia nivele '!zici de injecfie
5.3.1. l\todelul folosit in calcule . . . . . . . .
5.3.2. Distrilm t ia purtatorilor tninori tari in Laz{L
5.3.3. Exprcsia curcntilor prin tra11zistor
. . . . . . .
5.3.4. grosimii bazei (cfectul Early)
5.3.5. Eft'ctul gener:'irii rccon1binilrii in reginnca de trecerc
5.4. ltfodelul Ebt'Ys-Jllo/1 . . . . . . . . . . . . . .
5.4. I. :Model cu gcHeratoare ck curent control ate de curcntii la borne
5.4.2. :Model en gencratoare de ron1andnte de cnrenpi prin diode.
5.4.3. Detern1inarea cxperinH.:ntala a parametrilor . . . . .
5.4.4. Efectul distribuite a bazci . . . . . . .
5.4.5. !\Iodclarea tranzistorului in dhcrsc regiuni de I ucnt
5.4.6. Modelul Ebcrs-:Moll pentru un tranzistor 11 pn . . .
5.5. Catacte.risticilt> statice ale tranzi slorului bipolar . . .
5.5.1. Caracteristicilc statice in conexiunea baza rornnna ( BC) . . .
5.5.2. Caracteristicile statice in concx:innea cmitor cotnun (EC)
5.5.3. PoJarizarl;a tranzistorului intr-1111 punct dnt de functionare, in
rcginnea actha normala
. . . . . . . . . . .. . ' . . . . . . .
5.5.4. Tranzistorul in scheme de comutatie - limitari la tensiuni mici
5.5.5. Tensiuni tjpicc pe tranzistorului. . . . . . . . . . .
/ 5.5.6. Multiplicnrea in la jonctinnea colcclorului . . . .
5 Limitari tn funr{to'Jiare datoeitd varza{iei trmperaluru si disipafiei dr
5 6 1 I . t: . . , putere
,lmJ an Jll t mpcrntura de stoc-arc si cea de funcfionare
56 2 v ',
0
' 0 I )-
0
0
'
a elect rice ('ll hm peratnra . . . . . . .
5
3
Stahi!Jzurca punctulni de fHllC\ iouarc in raport cu variatiile de
temperatura .....
. . . . . . . . .
5.6.4. Alegerca clcnwntdor rc1clci de polarizarc
5
5
Con1p(ns:1rea terntidi
5.6.6. Amhalarca tcrtnidi . . . . .
r 5.6.7. JnstnbiliHqi jutcru . . .
;s 7. TranzistoruJ i1z rrgim dhzatJuc d l I d . . . . . . . . .
5 7 l F . ' tno e u e cotzlrol /Jrin sarcittd . . . . .
. . . unc1tonarea iu regim dinamic . . .
5.7.2. Rar('ina st :t>: ,. 1
. . ocn .._t lll )aza neutra. a tr(tnzistorn1ui . .
5. 7.3. tatea modch tlui de control prin sn rcin a in r<!gim vnr;nl; i1 : .
5.7.4. arclJia in reghntile de . .
5
.7.5. finale
. . . . .
5.8. Circuitul ecldvalent ,.naluJa/" Pentru f. . . . . . . . . . . .
5 8 1 M d 1 " c, la sunna/e nzici
. . . o e area ri'ii-!pttusnlui Ia sctnnaJ tnic p,. . . .
1 ... hazn fcnomenclor care nu
oc Jn nagiuuilc l1 ntr<-
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . ,. .
. . . .
. . . .
...
I
73
7-t
76
78
87
87
8R
9
90
91
82
95
97
102
10-t
106
109
109
109
1 1 1
114
114
I 17
11
... Q __
121
I :! I
127
Cap. 6.
5.8.2. Cotnpletarca circnilului cchivalc11t al tronz.ist<,ruln; . . , . .. ..
5.8.3. Efcctul n10dularii grosirnii lJazei . . . . . . .
. .
. . .
5.9. ExeHJplc de utilizarf. a circuit-ului cchivalent la frecvcn{e . .
5.9.1. Etaj de amplificnre cu emitorul co1nun
. . . . . . ,. . . . . .
5.9.2. Caractcristica dinamidi limitarca amplitudinii semnalului . . .
5.9.3 . .Alcgerl'a punctnlui static de functionare .......... .
5.9.4. Analiza regiruului dinamic la semnale mid nl unni circuit cu traazla-
toare . . . . . . . . .
. . . .
5.9.5. Teorema Miller 9i duala sa . . . . . . ....
5.10. T1'anzistorul la fnalta frecven{a . . . . . . .
5.1 0.1. Amplificarea de curent in scurtcircnit (conexiunea emitor oomun)
5.1 0.2. J>rodusul amplificare-banda . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.11. DetcrJJ1inarca experimentala a paratnctrilo1 circuitului echivalent nalwlll
5.11.1. Parametrii de cuadripol . . . . . . . . . . . .
5.11.2. Parametrii hibrizi . . . . . . . . . . . . . . . .
5. 11.3. Determinarea e::lementelor circuitului echivalent . . . . .
DE C}l\IP W JONCTIUNE .( """":'d-).
6.1. Gcncraltla{t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.1.1. Construc1ie, principiu de functionart . . . . .
6.2.
6.1.2. Simboluri, notatii, tipuri de caracteristici statice . . .
Caracteristicile statice curent-tensiu ne . . . . . . .
. .
6.2.1. l\1odelul simetric idealizat . . . . . . . . . . . .
6.2.2. Functionarea la tensiuni drena-sursa mid . . . . . . .
6.2.3. Caractcristicile de drena . .
6.2.4. Caracteristica de transfer . .
. . . . . . .
6.2.5. Efectul variatiei temperaturii
6.3. Polarizarea TEC] . . . . . . . .
. . . .
. . . .
. . .
6.4. Cucuitul cchivalc1ll de sl'mnnl mic .
I
6.4.1. Circuitul t:chivaleut b fn:cnu\ jnr-1. e
6.4.2. Circuitul echiYalcnt la iualtc
6.5. Tranzistontl ctt eject de cfmp cu jonc(ill1lt Jolosit fn
6.5. 1. Etaj sursrl cotuuna
6.5.2. Etaj drenrl
#
. . . . . .
. . .
etaje de amplificue
. . . . .
. . . . . . .
. . . . .
13e
132
135
135
137
140
142
144
147
147
149
151
151
153
156
158
158
158
15P
t6V
100
160
162
164
164
165
166
16&
167
168
168
169
Cap. 7.
TRANZIS1'0HlliJ . . .
7.1. Capacitoi'ul i\105 . . .
. . .. . ...
171
176
176
180
182
182
184
185
186
ap. R.
7.2. 1 semiconduclontlui fn p1czrn(a ;'o'ttc(iHtzi
7.3. Caraclc1 isticile statice ale f1atz zislorultti JIIO ....
7.4. Ti pu1'i dt 11 anzisloarc J.11 0 " iwboltt1 i
7.5. Htgimul variabil dt' sem11al 1nic .
tt aucistom tlor 11IOS
7.6. Alimcntarca fn CZ4'1'C111 contnmu a
. . . ..
. . . . . .
. . . . . . - .
. . . . .
. . .. .. .. .
. . . .
7.7. DisjJotilite cu ttatt:>fer di' sarci1za A
7.7. 1. l npudtontl )\ iu rcgim a golin: achndi . . ......
. . . . ., ... a"' ( , cu tre1 faze .
7.7.2. 1 Hsp(lZlll\" cuplatc pnn s.1r 111
' I JtSt.fll ,
JHSI'OZ ITJVE SEl\lltU JHJt:I 0 Ill.. t l
. .
. . . .
. . . .
. . .
. . . .
. . . .
8. 1. l utrotluco c . . .
.2. Dioda jmf)n
. . . .
. . ' . .
. . . .
. 2. I. aru t ' I ist i a st n t idi nr cni-tl'nsi unc
8.2.2. l,ro< cs lZ.i \.! iu liocl .. pupn . . .
8.2.3. 1 in nl
. . . . .
. . .
. . . .
8.3. Tiristorttl . . . . .
. . . .
. . . .
. .
. . . . . . . .
. . . . .
. . .. .
. . .
. . .
. . . .
. .
. . . e
. . . . .
Ill
. . 8.3. J. Tirist n1l io11nl
. . .
. . . .
8.3 2. 'l'h istorul t trodA
188
188
188
188
190
194
195
195
198
7
Cap.
. . . . . . .. . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .
IW_illlll,., -'Jottc/' "" . . .
. . . ' .
1 fnuaK fidce in Tt J. ' rncteristi 1 t'
. . . . .
t.l. Tnaalatorut UDlJ nctiune prognun" hil .
4..8. T.randst.orul unij nctinne coinplenH'ntnr
..... am DE IIICBOU
1 c. el'itlfi . . . . . . .
I..L .Di'Millw Gn . . . . . . .
. . . . .. .
1.1 a ,, 1111 PA TT .
. . . . . .
4 .DMMM PIN . . . . . . . . . . .
. . . .
818P0ZITIVE OPTOEI.tECTR ONJ(:E
18.1.. ,,. ... . . . . . . . . . . .
J 2. rlldia/iei tlectromagnetice fn. cot'pul solid . .
I optoekclnmice bazate pe efrctul fotorlectric intern . .
10.3.1. Potorezistent& . . . .
10.3.2. Fotodioda . . . . . . . . . . .
Jo.3.8. FotoelementuJ .
..3.4. Fototramistont1
IO.S.S. Fotot.iristorul .
. . . .
t .. EfflisUI luminoase tn scm iconductoare . . .
10.$. optoelectrice h1minescentd . . . . .
10.5.1. DJoda electrolutninescenta (LED) . . . . . . . .
10.5.2. Tubul catodic. Cinescopul. . . . . . . . .
optoekct-ronice de cu uistale lichide . . . . . . .
1 IIB&DIUL DE CO.HUTARE AL DISPOZITIVELOR SEliiC.ONDUCTOARE
. . . . . . . . . . . . . ..
11..2. Refifll tl6 tomutare al diode/or semz'conductoare . . .
11.2.1 . .&uaJ1a metodei sarcinii pentru"')onctiunea pn . . . . . .
11.2.2. Comutarea directA a jonctiunii pn . . . . . . . . . . . . .
11.2..3. Comutarea inversa a jonctiunii pn . . . . . . . . . . . . .
.3. Rqi...Z lk eomutare al tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . .
11 ..3.1. llcuatlle ttletodei sarcinii pentru tranzistorul bipolar
IJ.3.2.. Comutarea tranzistorului bipolar in regiunea activa . . . . . .
Comutarea tranzistorului bipolar in regiunea de saturatie . . .
.4. tle GOMulare al tranzistoarclor cu eject de cimp . . .
11 Z80KOTUL ELECTRIC
I I I
ll.l. N,.. qOMDtul electric
. . . . .
. . .
l2.1.J. Ge.raeralitltf . . . . . . . . . . . .
12.1.2.. ZgoiaotuJ tertnJc .
l2.l.3. ZRomotul de alie : . . . . .
12.1.4. Zgomotnl 1ff . . . .
1.2.2. ZPflttJIMI h amplificatoa'Ye . . . . . . . . .
12.
2
1
Factorul de zgomot . . . . . .
12
2
ltezistenta opti1nA a generntorului
1
.3. ZtDIIUJ!Iwl lisporitivelor semico1zductoare . . . .
l2..a.l.
tran t 1 b'
-&".u.w zts oru n1 tpolar
12 3 2 . . ' . . . .
. . . . . .
. . . . . . .
. . . .
. . .
. . ..
. .
. . . . . . . . . .
. . . . .
c.p. ''
Zgotnotul tranzlstoarelor cu efect de chnp
AIIPI.tiPICATOMlELE SEMNAJJ . . . . . . .
13.1. G....-,.li . . . . . . . . . . . . . .
l3.1 .. I. Amplfficatoare . . . . .
.. . . . . . . . . . . . .
201
202
204
20
!..07
2 >9
210
210
211
214
2L7
217
217
220
220
()I) 1
,:...,.
224
225
'J')7
........
233
233
235
237
240
240
241
243
246
250
250
250
251
252
255
255
>-7
-"
257
13.1.2. A nq lifieCltnurc lc :-1l'llut..ll 111 ic. Distorsiuni
13.1.3. Clnsificnrc
. . . . "
l3.l.4. I<.lnje de
13.1.5. Cttph,rea Pt:,jdor
. .
. . .
. . .
. . .. . .
. . . . .
. . . . ..
. .. . . . . . . .
13.2. Amplijicatorul tratat ca u.n cuadHJJol (DJPORT)
13.2.1. Circuitul echivalent. Paraw trii de cuadripol
1 :3.2.2. Antplificatoarc unilatera1e . . . . . .
. . . .
. .
.. . . . ..
13.2.3. Anq1lifirntoare ideale . . . . .......... e
13.2.4. 0 a.plica\ie a conceptului de an1plificator ideal de teasiune: dr6'dbt
elcmentare cu amplificator
13.3. Etaje cH fJ'anzistoa1'e bipolare . . ......
. . . . .
13.3.1. Introducere . . . . . . . . . . . . . . .
. . .
13.3.2. Etnjul en tranzistor in concxiunea emitor commt (BC)
1 Etaj cu sarcina distribuita . . . . . . . . . . . . .. .
Etaj cu tranzistor in conexiunea CC (repetor pe emitor) .
13.3.5. Etaj cu tranzistor in conexiunea"'baza-comnnl (Bq ......
#,
13.4. Etaje compuse cu tranzistoare bipolare ....... *
13.5.
13.6.
13,4,1, Etaje compuse CC - EC CC- CC .. "' .. .
13.4.2. Etaj com pus EC- BC (cascod) . . . . . & ..
Etaj compus CC- BC (cu cuplaj pe emitor) .. .. . .
Etajc cu impedanfa de intrare mare . . . . . . . .. . ..
13.5.1. Schema bootstrap cu tranzistor bipolar . . . . . .. .
13.5.2. Schema lJootstrap cu tranzistor cu efect de dmp .
13.5.3. Scheme cu TECJ tranzistor . . . .
Etajc de amplificare COJllpuse c11 tranzistoare cu eject de cflfl/> ..
13.5.1. Etaj cascod cu tranzistoare cu efect de cimp. ..
1:{.6.2. Etaje cascnd cu TEC trnnzbtor bipolar .. ..
1 Altc an1plificatoarc en TEcJ tranzistor bipolar. ... ... "
13.7. A mjJ!?ficatoarc select ivc . . . - . . . ..
13.7.1. Etaj en tranzistur in conexiu.nca EC ctrcuit re m
t ukrtor . . .
. .. .. . . . .. . ... ..
3
... <> Ali11krca 1 ./ .....
. . . . - . . .
c .. ..
13.7.:1. . . .
13.7.4. Etnj aconlat cu cuplatc prin e ........ .
14. BEACTIA iN J\At l,LJFH:ATOARE . . . . . . . . . . . . c ..
14.1. Proprictiifi gt:nerale ale rearfiei " : : : : -
14
.1.1. Anlplificatnar\! cu rcactie . ..
> J)esensihilizarca : - "
d' unilor .., ..
J
. rcactid n gatiYt; asupra tstorSl . ..
14 .. . aleloc ... .
J
H u ..l rene iti ncgu.tiv . a;;;;upro. scmn ..
14. 1.4. . t! - ..
A
mel inrHna ri\sptundui in free vent .. : . . . . -
l L l. 5 .. .. -
' hHlifj 'r de intrare 1
14.
14.2.
.. - .
Tof'ologia ci'cttilelor ct4 teacfie . . . . . : : ..
14
.
2
. 1. Tipuri de renc\ie .
l'f' .. t r d tcnshu1e cu reac\le "' .. c. ..
J\lllP 1 tea v x act.ie ... - .... -
A Hlplifkatot cu r
t
f d compatare " .
Rrar.{ia cu rsaulionme 1l 1lO d . 1 .. .. ..
' mctri de run npo
1
3 1 }Jescx ierea cu para .,.. .. .. ..
'f. t 1"' pc hucla de reac)te
4
o o \llllht era a d cl .-...rde fa .,a . ..
l tionarc in no 'i.
"J' rl .. t ctid cu .. -
14-
11
j ClJ '-' "' l' .. .. .. -
. " . '. i .. .
de aplicare n teor cl
J4.a.4. l
l4.:t
Z1
!78
t
233
285
28-lL
2 ..
Q i.
3
01
Sl
!l
1
l
Sl
!1
Sit
16.5.2. Osdlatoare LC cu tran . t . . . . . . . . . . . . . .
. . . . .
. . . . . . . . . . .
. .. . . '
e p bwcld . . . . .
.... -.. unuf amplificator de tensiune . . . . . .
IJjlm de apl.icare a teoriei unui amplificntor cu dona
tratutstoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . .
; ....... - aflliOtNH In buclll comptnare l11 nod . . . . . . . .
I. Teoria reactiei seric-paralel . . . . . . . . . . . . . . . .
14.6.1. Bzemplu de circuit cu doui\ tranzistoare bipolare . . .
-BSOARB $1 ST . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.1. RMI-esoart nwn . . . . . . . . . . . . . .
15.2.1. Redresor monoalternanta fara filtnt . . . . . . . . . .
15.2.2. Redresoare dubBi fara filtru . . . . . . . . .
15.2.3. Redresonre en filtru capacitiv . . . . .
15.2.4. cu fi.ltru in r. . . . . . . . . .
15.2.5. cu n1ultiplicarea tensiunii . . .
11.3. SUJbilizatoare de ten.siune . . . . . . . . . . . . . . . .
15.4.
J5.3. I. Gener.11itt!ti il . . . . . . . .
15 3.2. StahHizatnr r:1rUn1etric cu stabilizatoare . . . .
15.3.3. Stabiliz.:1toarc cu reactie Hira amplificator de eroare.
. . .
Stabili snie cu amplzficator eroare . . . . . . . . . . .
15 4.1. 1: irPa perforn1antelor stabilizatorului prin reactie nega-
tna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15.4.2. StaLi1iz.1.toare serie cu I'f' t d f atup 1 tea or e eroarc per ectionate.
16. OSCILATOAHE .
16.1. lntrod11cere . . . . .
16.1. l. GcnLr. litJt i
1 6.1.2. Oscilatorul.
cu reactie pozitiva. Relatia
Barkhaust.n .,
16.1.3. . . . . . .
16.2. Problcmt alt anuli ..c' f
1
. ... ..
6 9 , . ... unc lonaru oscilatoarclor
I .... 1. 1 eond nMilatoarelor armonice . . . . . . . . .
16.2.2. Exemplu de aplicare teoriei . . . . . . . . . . . .
1823 Teoria C\' asiHniara
16.3. Limitarea amfJlilttdi;;ii de . . . . . . . . . . . . . . . .
16.3. l. Gcneralit.:iti . . .
16.3.2. Controlnl mt t .
16 3
,., ':\ o ..na al nmplifidlrii cu TEC
.3. Elcmeu te ell
. . e Clmtrol cu tcrnlica
16.3.4. .unplitudinii cu diod, . . . . .
J 6 3 5 I t c . . . . .
. . . <4Jnu ar '1 rin . . . . , . . . . . . .
16.4. Oscilatoare RC . . p nelJntantatca clementului amplifica.tor
)6.4. J Gencralit!!}i . : . . . . .
16 4 '> 0 'I t . . . . .
. ... sct a or cu \Vien .... (os.c:J.at.or. cu.
16.4.3.
16.4.4.
punte . . . ""
. . . .
Osdlator cu ntca \V' . . . . . . .
0
.
1
t len atnplificator de ctuent
scJ a oan: cu retea dnhlu T ntnplificator d . . . .
16.5. Oscilatoare LC tensiunc
16.5.1. Lhnitarc.a .l . . . . . . . . . . . . . . . . . .
{ c o:-;dlatie iu osdlatoare 1-C C\t lrr-Itzt'.:i-
toan hi pr,larc . . . - u :J
' . ,. .. . . . . . .
. . . . . . . .. .
32
32
325
32S
326
329
329
330
330
334
336
339
342
342
345
350
n-o
360
360
360
362
362
364
:366
366
366
:J68
369
:169
369
371
374
37f
Cap.
16 5 3 0 zs oare b1polare 1
. . . scllatoare ,in trei puncte" c . cup aJ prin traaafon ntGc
16.5.4. Polarizarea dinaDll' " i . u tranztstoare bipolare .
ca n oscllatoarele t .
dmp . . . . . . cu ran:ustoare cu efeet de
Oscilatoare ,in trei. .. . . . . . . . . . . . . . . . .
1 6.6. Stabtlztatca f'rccventei de .
1
. cu tranzistoare cu efect de ._.___
.. .. osc1 afte -....,
16.6.1. Gcneralitii\i . . . . . . . .
16.6.2. Stabilitatea ndirectl". . . . . . . . . .........
1 6.6.3. Stu bilitatca
1
ndt'r t" .. . .
.. ec a "'C'n 't
16.7. Osdlatoare cu Cl'istal de en enu de stabilitate ..
. cuart . . .
I 6. 7 .1. Cnstalul de cuart . . . .
16.7. 2. Oscilatoare care utilize a x ..
. . . . .
. . . .
6
. ZC:i. rezonanta sene
1 ' .3. OscJlatoare care utilizeaz: 1 1 d . . .
. a lllO( u e rezonanrl. paralel
17. AIODULAHEA SI IN .. . ...
I
17.1. J\1odula1'ca in amplitudine (.NIA) . .
17.1.1. Spectrul semnalului MA
de modulare in
17 .2. Jltl ulhplt.carea analogictJ . . . . . . .
. . .
17 .2.1. 0 solutie de principiu . . . .
17 .2.2. !\Iultipicator analogic cu TEC
17 .3. Jl.1odularea prin "choppare,. . . . . . . . . . . .
17 .3.1. Principiul modularii prin ,choppare"
17.3.2. Scheme cu de diode ..
17.4 . . lv!odularea ,ncliniara" ..... .
.. . . . . . .
. . . . .
. . . . .
. . .
17.4.1. Principiul moduHirii neliniare . . . . . . .
17.4 .2. :M.odulator cu tranzistor cu eftct dt.: . . . .
17.5. l\1odularca dircctii. (liniard) . . . . .
17.6. Dtiectcrul de nzedic . . . . . . . . . . .
17.6.1. Generalitati . . . . . . . . .
17.6.2. Principiul de al de 'aloare medie , .
17 .6.3. Circuitc de detectie
'
. . . .
17.7. Detcctorul de vl1j ....
. .
17 .8. Drtec{ia sincronii ( coe1 e1ttd J
. . . .
. . .
Auxe
Ill
-
-
118
-..
...
897
398
..
899
401
402
402
402
403
.f05
405
406
407
407
408
413
413
414
418
411
411
418
419
422
...
A ue.:ra 3.1.. adoptate pentru simbolurile bterale ale tensmnilor ti
Anexa 5.1. Efectul doparii neuniforme a bazei . . . ....
A 'uxa 5.2. l)oruPniul de frecvente in care este ya}abil cin:tutul echivaleat aatant.
A 11cxa 5.3. parnmetrilor clrcuitului echivalent natural de coaditfile de liiCI'a
A rzexa 6.1. Tcoria trru1zistorului cu efect de clmp cu poartl jonctJluae
Anexa 8.1. Alte dispozitive sem.konductQare cu JonctitUti
A ne ;t a 7 7. 7. Diode seJniconductoare pentrn comutare
A nexa 11.2. 'fruuzistoarc bipolare pentru comrtnrc .
Anexa 73.1. Distorsiuui. Clase de functiouare .
Anexa 13.2. Eft:ctul cond ustoarclor dln drcuit Ia free en1e Joue
A ttr :fa 7 6.1. Condi\in de oscilatic pentru un circuit electrollic
Ant-"G 16.2. Oscilatoa.rc pe r tea dublu '1' tl amplihcator '- cun:at ..
Ancxa 16.3. J ..itnitnrca amplitudinU de 06dla'ie In oacllatoarele cu tra11zistoare bit
7
.Ant.1a 16.4. l,ropriet61i ale circuitelor reJ.Ollante LC
4'4 ttt xa 17. t. 'reoria detectoruluJ de mf .
l
Capitolul 1
INTRODUCERE
1.1. OBIECTUL CURSULUI
Cursu rile :, t::ispoziti vc circuite electronice" i ,eircuite integrate
prtdate succes1v 111 patru setuestre, asigura cunoqterea bazelor electronicli.
l\{anualul de fata acopera disciplina ,Dispozitive circuite electronice.
. !>i.pozifve.le_ Jectronice snt acele componente ale ci,cuitelor eleo-
:rzcc a caror se baz:aza.pe controlul purtatorilor de
2 n corp1tl san v;-d. Aproape toate dispozitivele electronice
folosesc conduct.1a tn corpul sohd, de regula in semiconductoare.
'l'ern1enul de , ,electronic" este asociat meeanilmului eleetrooie ..
cund
'
! n tu.burile electronice conductia are loc prin deplasarea electronilo1
in vid, intre electrozi metalici pe care se aplica o de potential.
Vidul este de fapt un gaz foarte rarefiat, in care parcursulliber mijlociu al
electronilor este mult tnai mare decit intre electrozi.
! n sentico1tductoare natura conductiei este, dupa cum se va vedea in
capitolul 2, tot electronica. Aici fenomenele sint insa ceva mai complexe.
Se apeleaza la o descriere mai intuitiva care folosete, alaturi de conceptul
de electron liber in corpul solid, conceptul de gol - _particula
Eoarta o sarcina egaHi dar de sem.n opus cu a electronului se poate depla-
- sa sub ac}tunea cimpului electric
In deiinitia de mai sus a dispozitivului electronic se
dec Este vorba de f:mt fie de_fontrolul saciwl.
fie de controlul inJecJiei de purtatoY'i de sarcina in Z Lacti:Yl_ a dis1?2zitivului.
- Acest con troT se 2oa e exerc1fa E_ri!! cJ!!JPul electrio
unei diferetite de potenfia . n Telul
controleaza marimea curentului electrtc care curge pnn dispoztttv 1 este
extras la borne.
Controlul n1aritnii cureutului poate fi realizat alta cale,
j>rin ul ltJtlt i flux ltuninos asupra de purtatori de
clintr-o nnurnita zonrt a clispozitivului electromc. Acesta este cazul parttcu-
lar al d ispoziti vel or optoclectronice.
e Rdativ recent, 111 clectronicl au inceput sl ae foloeeucl .. .,..auwe rt ...
al l'l'Lrur principil1 d este mult diferit de eel prezeatat mai sus. Cele mai iDapor-
tantc a111111
- dispotitiuele dielectrice cu undil (care bazeazl pe propagarea
" u1 diel tri aub coatrolul uaor electrosf uaet.-
uude dt! 111 ::;tratul tle suprafatl al un ec c.
Jid pe a('eastu suprafnta) ;
13
(
are folosesc
0
re
1
8 d nli "i d nu:'llii de magnetizure
_ cv btll "'agntJu;t c
tonnate indhidua.l, separat, .in l;orpnll.sollld). if' 41oiti1 t' r/tCf1'011iCC c f!1ll1ll'SC <'il'
Circuitclc cleclrtce ca1c ,o osesc ..
euite eleetronicf. . t de a
1
ealiza antuuite functii eJct!-
Rapun a de a cXJsta a d functii vom cit a pe ace lea care
trooiee specifice. Ca .e .. e as e e ,
lac obiectul lUISttlru nostru .
- amplifica.rc a / . . . . .
- gctzcra1 ca de osc1J.a/11 artnonzce ,
red 1 esarc a ;
- stabilt'zarca te11suu ./
- tJ.odtJla1'e.a J.
- dcnzodt.tlarea ( detech'a). . . .
Functiile electronice fi asociate. l.a doua categorn 1nar1 de a Ilheatn :
- COfli1'0lul C01tVCYS1U11CQ Cttergzcz / . .., .
- prelucrarea sau tra11S11lt.ferea se1n11alelor elcctr z cc pttrtatoarc de z
fllie. . . . (t f w
Circuitele de redresare sint un exen1plu dtn prn11a categorte rans orrna
puterea electrica de curent alternativ in put ere de curent continuu). Circui-
tele de modulare sint un exemplu din categoria celor ce prelucreaza infor-
marta. Distinctia nu poate fi absoluta deoarece aspectul ,energetic" i eel
se intrepatrund. 1ntr-un an1plificator, de pilda, este impor-
ca forma semnalului sa nu fie distorsionata (pentru a nu pierdc din
1nformapa continuta in semnalul original). Dar tot a tit de important este
ca puterea semnalului Ja sa fie mult mai tnare decit cea a setnnalului
de la intrare.
_llispez.liive}e eJectr.onice pot fi rtP J .
trit:e Acestea sint de reguHi ca. __e ... ale ..lec
... 1 1 ortne ln regtm cvasistat
marlmllt <::]ecttice care a r ]' ,lona . a
tronic circuit sint curenti el t I?a; .a chntre dlspozitivul elec-
Daca d. 't. uJ .r ec net tenstutu electrice
15
POZld\'" eJectronic (fi 1 1 ) .
trozl, terminalc::), atunci el este .. ' a are doua borne {elec-
curentul care 11 striibate i t . ctenzat. de care existii iutre
'in cele doua borne, v.
... ; C } <> ;xn m , atunci -
0
z(v) apa;e Jn mod
m aceastii deprndent' s/atzcii. Daci'i
0 inseamna ca dl'poJ 1 a apa!e 91 tinlpUJ : i = 1'(v . t)
u respect1v t "'
ractrristica stati '"' . poa st oca c-nergi v. Cn-
d
. . ca nu nlat . f' . ....
<:sc11e d1spozitivu1 A - su lcH:nta pcntru a
I
ll
c t ( . .. Sint nee sar.. ,1
1
.
a e Clrcuitul . "h e IlJOu ) 111a1 con1-
n
cc 1Va1ent "' t
1spozitiv1.
1
1 Jr.:. "'t . cs e un astfel de tnode 1)
Po t f
. fOlllC CU t , 1 . .
a e 1 descris ..
1
el )Oruc: (ftg 1 1 h)
. prn1 re1atn1c . .., ,
. aitnu electricc . d ) . care ex1sta intre J)at 1 tt
(
0
1 curen tt ( ) .
se l i _vl v2). Se obscrva 1.1 tt '2 !Jl. doutt tvll -
]
0
J;lne 111 funci
1
'n.
a ul tre1lea cu1 nt
a rr.rc b x ., .._ :.h.;. ai1 d
n(ca a curen}i1or CQ.l :. c..
....
te ? proprietate anal L: ll}t
1
a .l
11
d1spozitiv
D.Sluru). oaga este valabila pentru
Ft.&. 1.1
Caracteristicil<; st aticc descriu cotnplet f
t' . t 1 " .. uncponarea acestut
poz1 1v LU )Orn s1nt dotta func+ii de dou"" b.l d
c >- a van a 1 e, e pilda:
. il == il('L't, V2) ; i2 = i2(v1, v
1
). 11.1
Este tnteresant de ren1arcat c1. n majorit t, z
de ale dispozUivclor electronice< pot fi
ticile sl at'ice. cu reJ er,re a caracter4a-
. ? prhna a dispozitivelor electronice este earaetera
b}f To ate electronice au caraclc..,JstlcJ t t
c t " t r .,; ' f fl II s a lee ne
ens. 1ca . ne
1
1n1
1
ara a sem1conductoare, de pilda, permite redre-
ea nn1:1 .sei?na a alte functii electronice care se bazea-
za "car.,;acter1stlcilor dispozitivelor electronice. in alte situat:H
, e.ste s?paratoare se evita alegind pe.ntru functionare
por}1un1 aprox1mat1v hn1are ale caracteristicilor.
e .o a dona proJ?rietate este eterul_ arametrie al_unor dis
Un al dispozitivulut f controlat elec-
trtc. eztsten}a tranz1storulu1 cu efect de cimp intre Bursa drena poate
fi controlata de tensiunea continua aplicata intre poarta sursa. Aceastl
controlata .poa!e. fi folosita in reglajul automat al amplificarii.
0 JOnc}:.Iune pn polar1zata 1nvers se comporta ca o capacitate electrica a
carei marime este controlata de tensiunea continua aplicata la borne
Aceasta proprietate poate fi utilizata pentru modificarea pe cale electric
a frecYentei de rezonan}a a unui circuit LC.
e 0 a treia proprietate importanta pe care o prezinta unel dispozi-
tive electronice este caracterul lor activ.
N"uni1m aisozitive eleclro;ilce acele disp.p_zitjve care pot asigtU
transfor1narea p1iferll ab.SOibite de 1a SUTSele de alimentare in curen.t CQU-
ttnUU in putere de semnal. Pentru a c]arifica aceasta notiune, vom aleg
ca exen1plu tranzisloruLhiP,olar, cu simbolul din figura a. Enuntam
fara demonstratie urtnatoarelc proprieta}i: . ... . ...
curentul de colector i este controlat de tens1unea baza-emtto
( r g. L 2, a) prin tr -0 lege ddinit a dt:: n umi ta cara..:teristi di de tran -
fer} reprezentata in fignra 1,2, b ; . .
- aceasta lege este corccta numai da\;a tcnstunea
veE nu scade sub o anumita valoare, VcB. sfll;
1
t
- curentul de baza i
8
este ncglijabil fata de curentul d co ec or.
P L trauzistorul se omportii en un gen rator d . nt
t l'cJJE Ge;1eratorul c mandat est nn , }
1
"" df") e11denta nehntara t,. = v HB
chspoz1t1\elor ncttvc. Retnarcanl )t
1
. r . ""' .
1
cu
0
!n figurn 1.2, c tranzistt rul ap'lT' l!ltr-un f1
f zistent rt }( 0 SllfSU de urent ontliH.Ul, CC t el de
" c. d l'f ctnualul dA 1ntrarees e Vss. .,
1 nv11 ca nn c1rcu1t c a1np
1
lear \ b+-' f losind caracteristica ic =-
st 1 CH 1: "pend n1 a t'cE s
0
rtn!l
0
lui Kirchhoff:
1'c(v oF' pn supn:-;1 ( unoscutrt 71 t or ma a -a a (l
f" cc l?cic -t VeE
.
1
.:-- , uu po tc cobori ub VeE, ui (tr n-
a ,\ s . 1 inc 111< ] iaptu at t c]Bl a upra lui ,i ) atuoci . obpn
""'H c })1 rde con ro u c I C) d l' rcl111
7.1 t 01 ul . ,s StLt ur az.t ' . "t
1
i ca ce a din figura 1...,, d
1
n car. t ri.. t i :t d t r tlll t r a cu tll
11
u
A
npli t ,1.
st. p pricl tc r zult
diu (lepend nt' nclinl rl\ a. sardnii toe te d t llSlwaee
15
.., v ...
t..
r ' Rc
r,
0
0
b
c
FJg. 1.2
0
d
.m ltinga &us core&punde tranzistorului ,blocat" (ic = 0), iar eel din clrealJ-
ta tranEistorului ,saturat". Daca aplicam vBE = V BE +
undc: J.T BE
este o continua potrivit aleasa (fig. 1.2, d), iar - un setnnal
de nu Yom ?b}ine la ieire un senmal 6.vcE
;:e lut flvBE (stntem 1n regiunea liniara din mijlocul
.. actenshcn ftgura 1.2, d), dar /dvcE I I BE I deci variatia t ensin-
JW apare ampliftcata. '
electronic este nu amplificarea in tensimw (can
cu un tran.sformator), ci in putere. Puterea
varia+t.et t pe Rc drept reztsten}a de sarcina corespundc
,. pu eru tnstantanee d1s1pa te t "' .... ' .
provocata de tranz t . rczls en}a. Aceasta var1atie este
IIDui curent mai nu! or, ac}toneaza ca un venti1 permi}ind t;ecerea
aeglijabiliJ (II!J.i I mtc. Comanda - acestui ventil se face cu o putere
iefire, absOrbita J VBE I ji!J.vcE p. Puterea semnalului de la
1l1&i lllU d . . . e a sursa de ahmentare + V t
e} ea ctrcwtul cu tranzistor a
1
.f . .., cc. es e cu n1ult
mp 1 1ca 111 put ere.
1.3. STUDIUL CIRCU
EI.(EC'l'RONJCE
Ketodele ge 1
fa CUJ'&u1 d nera e de analiza a , . .
Cllr8uJ de .. Semnale, circuite siste c!,rcmtelor electrice sc
Aceasii ::lectrotehnicii". me pe baza ecua1iilor d1' dtt. (' !11
'-'U ct1cflitelor til' de regula la circuit I . . . . .
Cflitelor llntare nu este a <: Strtct vorbiud,
._ . p tla ctrctntelor electron icc.
e till llllei polarizlri ini
f'rJHittw cle cit restrictia . . .
elor aeHpt&ft. Pftltru func;sonarea HniarA ( x upra D1ihJnJn sint
rctSJtlllS JJrcrortic 11al cu l:Xcitatia)
ca Y,?ate da(a dispozitivelor elcctronice at
, pr!n .hn1anzare uproximarea JtnlarA
8
earaete-
rJstledor tn \'eeinatatrn unor punete mdii de fun io
nar('. tn aceasta s1tua11e se 1mpune o rcstric+ie privitoare la x ef
1
]
... t . . t mi:lrtmea semna-
u ut, ca1e. se e cond111e de semnal m
1
c.
. Descr1erea se face in 1nod concentrat folo-
SJnd C1rC'lt1l de semnal m1c. Acest circuit echivalent
este LOtnpus elen1ente de circuit: generatoare d t
... e t re t t t"' . E . e enstune
Sa tl Ctlr D , ZlS C'l}, l', _capact a}l. a unc)e diferente : generatoare-
](: d.c setnnal nu stnt tnd.ependente ct cotnandate, iar parametrii de circuit
de de. func}ionare. Aceste diferente nu impiedica
apltcarca teortet ctrcuttelor hniare.
_0 de lncr'-! este acee_a de 1mpar1ire a circuitelor elec-
trontce mat cornplcxe tn blocurt sau ctaJe. Aceste blocuri se calculeaza
separat, ceea ce asigura:
unele simplificari in calcul,
- in}elegerea mai buna a rolului fiecarui element din schema
. ,
- a]egerea mat UOara a valorii elementelor de circuit in cazul unci
pro blen1c de proiectare. .
Exista considerente practice care fac inutil un calcul numeric foarte
precis: este vorba de imprecizia cu care sint parametrii dispozi-
tivelor electronioe (unii parametri importan}i, cutn este factorul de amplifi-
care in curent al tranzistorului, sufera de o dispersie in1portanta), la care
se n1ai adauga toleran}ele pentru elementele de circuit
ten}e, de pilda). Din aceste motive, in calculele de circuit se fac. aproxtmaru
frecvente, cum ar fi neglijarea curentilor de baza in raport ce1 de colector.
Tre buie in}eles ca accste aproxima}ii gasesc o justificare in
liti'c al marin1ilor elcctrice din schema : ne:glijarile de care v-orbtm permtt
calculul pe anumitc portiuni din intreaga schema, deci rezolvarea unor
sistcn1e de ecua}ii tnai simple. . .
r. Exist a cireuite rJectiODice a carol' iunctionu_Ie este ne_hm
ara 1a care teoria gcnc:raHi a circuitelor nu se n1a1 poate aphca_..
al circnitelor neliniare conduce la rezolvarea unor ecuatn diferen-
tiale neliniare problema pentru care nu exist a standardbl Dar
"i in reg,hn statiouar rezolvarea ecuatii1or de cucutt pune pr.otx emt.e
' t. t dente neccst C:i u 1-
de calcul. Rezolvarea numerica a unor ecua,u
1
d _
. . . . . p t al 1 . expedtttve sc fo osesc a e
hzarea aproxtmat1ilor succestve. c en c. . ale dis ozitivelor.
sea aproximatii seYere ale caractertsttctlor ncluuare . "' P
1
. z de cir-
.:, . . . 1 blv t olt'arca Dra'1ca a ccua u or
0 metoda prn1ctp1a post 1 a es e
0
,. v
1
nor aspecte
cu1't. Reprezentarea grafidi este pentru
unor solutii
ale functionarii, dar ca estc rar a pe:ntru de e dar caracteristicile
Jmmericl'. Nu numai di utilizarea grah<:lor au un caracter
ncliniare ale dispozitivclor cutn
a r. in practica
cu totul orient ativ. Pc de alta parte, apt oape
111
tc
10
1
caracteristicilc fiecarut
. . . d t . x CXl>ennlt n a c
tngnlC'rul elcctrotust nu e ertmnu
digpozitiv cu care lucreaza. . ,.
1 1 1
rcuitelor
d
t d f
olo,tte 1n ca cu u (l 1
e Din arscualul tne o ; . ... . . re rtiuni a earaeteristatl or
111ai face parte i metoda aproxmiru !ama .tJ!C linic frinta). tn cazul
dispozitivelor (caracteristica realli este p(Jltru a detcrmina
rcgimului variabil este necesara a anahza a .en functioneaza intr-o anunutl
valul de timp iu care dispozitivul electrontc
portiune a caracteristicii.
17
2 - 011pozltive '' cir cuate elect 1 mce
varietab.:a de 1nodele de 1uetode de calcul folosite face dificil calculul
circuitelor electronice, soli ita un studiu atent aprofundat. !n cazut
sclletnelor mai conlple.J-e se justifica utilizarea calcnlatorului electronic,
111
ai a]es pentru proie tarca circuite1or integrate.
Din cele de 1nai sus cititorul a retinut ca, in studiul circuitelor electro ..
nice, Ja dificultatile 1naten1atice de calcul se adauga itnprecisa
a caracteristicilor paratnetrilor dispozitivului, fara a mai vorbi de varia ..
j:ia acestora cu conditiile de func}ionare. Se poate pe buna dreptate pune
1ntrebarea cutn este posibil in aceste conditii sa se utilizeze astfel de circuite
in aplicatii de n1are precizie, cu1n ar fi de pilda aparatura electronica de
1nasurat. 0 tnetoda de ameliorare puternica a performantelor circuitelor
este - cum se va vedea in capitolele urmatoare - reactia. Ea asigura
de pilda stabilizarea punctului 1nediu de func}ionare al unui tranzistor
sau a valorii atnpliiicarii unui circuit. !n fine, pentru a aduce o marime
electrica sau un parametru la valoarea dorita se mai folosesc reglaje (ajus-
tari la pun ere a in functiune a circuitului).
-
Capitolul 2
NO'fiUNI DE FIZICA
2.1.
. .electronice act':lale s1nt realizate, in 111 area
1
najoritate,
matertale dt?tre ... acestea siliciui (Si) ocupind eel
1
nai
1mportant loc. Alte n1ater1ale folos1t<: s1nt germaniul (Ge), galiu-arsen (GaAs),
indiu-fosfor (InP) etc.
Rezistivitatea electrica a semiconductoarelor se situeaza in gan1a 10-1
: 10
3
Qcm. Aceste valori sint mai mari decit cele corespunzatoare n1etalelor
(sub
Qcm) mai mici decit cele coresj)unzatoare izolan}ilor (peste
10
14
D.cm) ..
Proprieta}ile electrice remarcabile ale n1aterialelor se1niconductoare
se obtin numai pentru o ordonare cit tuai perfecta a atornilor in tot volu-
mul ordinc cunoscuta sub nun1ele de monocnstal. De ectele
re}e:lci cristaline, accC'ptate de monocristale, sint numai cele .punctuale sau
liniare ( disloca}ii), dar acestea intr-un nun1ar red us.
punctuale adtnise, cele n1ai intilnite sint legate de .ato1rulor de lmpun-
tate atomi introdusi in tnod voit. Pentru a se aprecta desnnea
trc cunoscutc ) concentra}iile uzuale de i1npnritati:
-:-
si coucentra}ia atonulor de semiconductor: 10
22
ctn
3
; rezulta, ca
de impuritate (defect punctual) reYine la 10
8
-:- 10
4
aton11 de senll-
conductor. . . . . d t c csh de
Re}eaua cristahna a pr1nctpalelor 1natcnale sen11 on uc.
0 1
., ..
tip diainant. In aceast a rclca, Iiecare atonl s inYC in aza la
. . ' d. b t. ,. af u 0 rcpr zcnta1c Sllll 1ca
1na L u patru ato1n1 u1uforn1 tstn u
1 11
! ;P
. ?
1
C 1 in care s-a
bidin1C11sionaHi a a.ce. stci rc} le este data ...
11
: figut a -.: d r ?u { n+a (de p.
,.. . . 4 . b r ... tODltll fara clectiOllll e \a t
c1fra + , snu a. . . ) abile te
0
legatura covalenta.
ult11nul strat). Intre do1 atonn 111\ . clna}l
5
st
1
ul deJa fiecn.rc
..... ... f )erech . d cle tro1u, ct e tu ...
1.-cgatura covalent a se ac \. cu o 1 . . sint teti avalentc, utseatn-
atotn. l,uiud cazul silicittlnt sau ca: . i:?i va imp5.rti
nrt crt \111 at 01\1 a vind pr_11 1"11 1 ctJ
0111
de \a enra .. tl"U a ]egatun]or
t to 1 1
\'CC111l, } 1l
t1oni. tl1 tllllll, cu l'l pa rna Il
oval nt . . . . . d tont . itnpun<:_ tudiul
} uu 1i nn1 a dt. p z1hvelo_r nncou . de sar ina in n1ccatn tnel.
tru ii clectrotli]or d V l Ula, Cl .pwi.u ...
llasar a scnuconductorulul
d. ondu ii. cl tii ii. A . t studlU .. sau a Iacliafiilor nuclcare
> t b ac1lunea uuurut . . t n
in c.:iinpuli lcctn \ tnague l A:
. tor agcnti e o et -
te. Un caz pa1ii ular il on t1tut" ab ".uta
1
5
. a c itucaza senucoudu.c-
1 ratura uniforn1 .. iu tot 'yolutnultnat. ut, Jle scurt echt'lt.bY1' ternnc.
" . . . d 1 tb . tcrnlOdlnannc saul ,
torul 111 ondttll
11 1 1
u .... d ne
"J'oate lelalt situal:ii tnunesc stall \;
19
E
0
Fig. 2.1
Fig. 2.2
Bantio ..
. ..
perm1so
}
Banda
z;so
2.2. DE BENZI ENERGETICE A CORPULUI SOLID
.Aplicarea mecanicii cuantice la studiul electronilor in cimpul
periodic a1 ionilor re}elei monocristaline arata ca nivelele de energie permise
sint ele for1neaza benzi energetice permise, separate 1ntre
--e1e-pnn benzi energetice interzise. In figura 2.2 se 12rezinta calitativ o dia-
grama energetica. Conven}ia de semne cu privire la energia electronului (E)
este: E < 0 QCQ.tru electronii din interiorul materialului (electroni Iegati)
E-:>- 0 pentru electronii liberi din material). fn studiul conduc-
tiei electrice intereseazii, evident, doar spectrul energiilor negative. Ocupa-
rea nivelelor energetice de ciitre electroni se face de jos in sus (in spiritul
figurii 2.2); pe miisura ocupihii tuturor uivelelor unci benzi se trece la
banda de deasupra Electronii de valentii sint eel mai slab legati
de at?mi poziti:i lor periferice ca urmare, ocupii ultimele benzi
perm1se (cele __mat de energia zero). .
. au postbtlttatea modifice energia (sii treacii de pe un
mvel e_n:rgebc pe altul) in anumite conditii . Astfel, dacii electronului i se
comumca poate trece pe un nivel energetic superior cu conditia
ca _mvel sa fte neocupat d<' alt electron, iar energia comunicatii sii fi e
pentru saltul energctic considerat. In schimh, saltul energct ic
10
sen_s tnvers est.e proces natural, spontan est e conditionat numai
de existen!a. m.vel onergetic inferior neocupat. Salturile energetice
face m :vele apartinind la douii benzi pormise diferite. El ' C-
ronu ot )!lUll energ1e dr-;.. la r .. t ( t "::1. t
1
... "' erea re,..eaua are encrgte de vthraite utr\:!C
propor}1oua a cu te1nrn t t -
1
r '
d ... .t .. era ur--a Jlla erta u1tu) san de Ja ag nti fLdci x.t rn1,
e exemplu, un cnup electric.
Pentru ca u n corp solid ... j . . . ....
sa existe eel . t sa Jlt ' de courlttcfic electricri,
1Jaca o
0
banda mcomjJlt/. ocuj>atr'i cu l'lcctro/11
. . a es Ocu I)'lt;" t 1 " .
n1untca o , , '-. <.t
111
egra, c1rnpul nc nu o-
rr ... a a all s._uu bln hll dn ol(l ' t . . . ..
"'" curent electr1'c s
1
. "''- "'"c 10111 ca urt11an. nu J)Oat p"t-
. .. \. .. ( .. XC U d .. 1 d ... , . ,.. ' .
mtense care produc t , . , . t.:
011
tscutte cazul nnor ctmpun t n ee
r e c fl a }0 <.' I e <:t ro t'l . . 1' . ,_ . ..., . 4 1
n ot <tnt r-o baud .. pcrnusa, Inqla
20
complet oct;patii, in alta bandii permisa, ceea ce reprezinta strapungerea
n
1
aterialuluL
e Pentru un intrinsec (pur) aflat la 0 K electronii
de valenta o ...banda (vezi fig. 2.3), nu:Wta banda
de tttlcnfa. a b.enzn de valentii se noteaza E . Deasupra
acestei:; s': ma1 afla o _Permtsii nUJ_nita bandii de conduqie
al carel ntvel energet1c m1n1m se noteaza cu E . Intre aceste doua benzi
se afla banda interzisa de largime energetica EG ' E - E ; E = 1 12 eV
pentru siliciu EG = 0,67 eV pentru celgr
mai sus, un semtconductor la 0 K nu perrmte fenomene de conductie, deci
este izolator perfect. Acest lucru se explica fizic prin faptul ca toti electronii
de valenta sint in legaturile covalente ; intrucit nu sint purt.atori
. de sarcina liberi, nu pot aparea curenti electrici de conductie.
La tern peraturi diferite: de 0 K, unii electroni din banda de valenta
pot trece in banda de conductie datorita energiei primite de la retea (apor-
tul energetic trebuie sa fie mai mare ca Ec) 1n felul acesta apar doua benzi
pern1ise partial de de ca ur-
mare, prin mater1al pot elect:tct!de conductte. Fenom:nnl:
fizic care sta la baza aceste1 sttuatu energettce este ruperea legatun
covalente. Un electron care legatura este
de atomul de la care provine se poate deplasa hber 1n 1nter1orul
cristaline (vezi fig. 2.4). Acest electron se de 1
ocupa un niYel energetic din banda de conduc}te. ramas hber poate
fi ocupat de un alt electron din alta legatura . . ...
La aplicarea unui citnp electric, apar electnc1 a
tnecanisme de conductie diferite, corespunzatoare celor doua benzt perm1se
par}ial ocupat e : . . .
- deplasarea dirijata a electrotulor conduc}1e '.
- deplasarea dirij ata a diu
locurile libere din legiituri mcomplete tceasta d P
este insotitii de mutarea in 111\ e:s a rupte e te
La cre9terea temperatum, numarul legatunlo . b' e curentul elec-
din ce in ce mai tnarc ) ....en1i onductorul conduce tnat ln
tric.
E
0
Bondtlde
- contlucjie
Bondti
interziso
Bondtio'e
voll'nlo
1
,. 2
. lK. ..,
I
=::e
, . 2.4
J
e::
21
1
el t " pr
1
u a1 ortul a doua beHzi tncrg(-!ticH
Conductia u1 cntu u1 ec .nc - '-
E'Stl pccifi, 1ni ondu toarelor. . .. . ....
Ln Jllt' tole' xi. 13. 0 si ngu ra- band a' I'll e rgd I Ul ocu pat a )i
b
"' da dn
011
duc' t
1
' o. 1\ceast a banda este ocupaL:l cu ttn nun1ar
a 111111e <"ll \,., L ) '-- "' 1 ' .
niare de 1 :.ct
1
oni '- independent de (c nar 91 ln
0 K)
0
De acc<a, met ak k slut bunc condudtoare ekct nCit at<', conduc-
lor fiind pu}in dcpcndcnta de tetnpcratura.
e Jzolatoarele au n1odel de benzi encrgcticc ca
toatelc, dar au largi1nea bcnzii interzise (EG) tnai 1nare, ccea ce face putin
probabiHi ruperii legaturilor coya}ente.
2.3. ELECTRONI GOLURI 1:01"
Concentratule purtatorilor de sare. "" .
Conform discutate i b . Ina se noteaza cu n, respecti v jJ.
intrins
11
su capttolul 2 2 i t
ec, pnn ruperta unei leg"'t . 1 . , n r-un seJntconductor
rrou-gol. Deci concentra}iilc se formeaza o pereche elec-
oarea lor comuna se uumestc n/.Pu:t sint egale . ''a-
J -... (n
1
) : '
n = p == nt.
intrinsc-ca ..
benzu 1nterzise ( E )
' G confonu relatiei:
(2.1)
(T) )i de
3
n = A T
2
exp ( - /t_, G ) ,
unde A este
0
21?-T (2.2)
P
e f constanta ia '
ra.:-ura de 300 K , r R cste const t .
em-Il genJ;;;;i:ore/a!oarea 1,45 0 l ,a tem-
l
(aproximahv 1022 c _
3
) at a concentrai' d pentru st11c1u si 2 . 1 ()13
ente este f
111
, rezulta )7 f >-
1
a e atonti d . . '
oarte pu}in b . ca enunlenu] d"' c scnlH (Hid uc1 or
:Rea1izarea disl .... pro abll. rupcre a lcgaturilor CO\' a -
toare cu exc JO:t;t ti e1ectr . .
goluri (p . es de (11 ':::. , otnce. unpun<: ob1incr .
deul _seo_l1conductor semzconductor de tipea senlJcondu<'-
tJ1CarH couh'(J/a/(' tzp p). u act ast "') sau cu d .
22 a procc-
e ry4.'''lizarta unui semiconductor de t.i I n se
folosesc onpurztatl o numite donoare (de exem- o
1
E
phl fosforul, arsc:t nul, st1lnul). Itnpuritate;a clonoare substi- -t----
tuie un atotn de s< 1niconcluctor din rete.a.. l'atrn dintre clec-
tronii de valf-'nta fonneazrt legaturilc 'cova1entc en atomii
,oe ini ;
0
al cit!cilca estco kgat, astfel di Ja temperatura Ec .l
cmneret el suftctentoa energie pentru a se desprinde Eo ...
de atomul .donor a deveu1 electron de conduc}ie. Forma-
r<:a electron nu a fost insotita de a pari unui
gol (loc hber intr-o legatura covalenta). SemiconCl.uctorul 7_ l 'Zz2
contine insa goluri, formate prin mecanisn1ul descris la
se1niconductorul intrinsec, dar in concentratie 1nica. /L .rrr
In figura 2.5 se prezinta diagrama energetica a unui
se1niconductor de tip n. Electronul suplimentar al atomu-
lui de impuritate ocupa in banda interzisa un nivel ener- Fig. 2.5.
gctic E v foarte apropiat de banda de conduc}ie. Acest
energetic nu apartine 1ntregului cristal, ci este localizat veci "'. -
tatea atomilor de impuritate ; de aceea nu a fost reprezentat cu hnte conti-
nua. La t emperatura camerei, electronii de pe nivelu1 ED tree, pr/actic in
totalitate, in banda de conductie. ,
e Realizarea unui de tip p i1npune folosirea
t(#ilor trivalente, numite (de boruol, alumi-
niul) 0 Atomul de impuritate ;;ahsface numat tret covalent:
cu atomii Yecini, raminind o legatura covalent a nesat1sfacuta.
leg1itnrii se poate completa cu nn electron legiitura covalell;ta vecma.
care lasa in urma lui un gol. Acest mecatusm de .formare a gol nu a
fast insotit de aparitia nnni electron de condouctteo .. conduc-
tie in numl'tr mult mai mic ca golurile, apar pnn mecamsmul specttlc mate-
' ,
ri alului intrinsec. . " t "n
Benzile energctice ale unui semiconductor de ttp t smt
1
figura 2 6 Legatnra covalcntan<::satisfacuta a aton1ulu1 accentor
1nce
d t .... f t c anroa1)e de banda uc Yalcn-
un nivel eneraet1c E A .n bau a 111 er z1sa, oar ' r ,. ,.
t
"'a La fE"l ca'='nlvclnl E si acest nivel este 1ocah.zat tUJ.lllttl lll v-eeul-a:
--- v ' t elelc tcceptoare
atomilor de impuritateo La h:mt:Jeratnra cameretj prac de valen-
ale tuturor atolnilor acccp:_ori sint ocurwate .ct curet,ltUltti 'elec-
v D lt b 11 valenta pc1tr11ec n l ,.
ta. e .area cnz.r e . e.....l ate afi.rJna, tnode-
tric pr1n tnC'canlSnlul ..,peel lC aces Ct .. -l o1 .
lnlui adoptat, dt banda de \'al a --a
g E
ni "dcle cnergdic<' :mpcrioare In Jocnl elect rom lor .:a <
ocupat nivelele a ceptoar .
...., l)lt SARCINA
2.4. S'l'A'l'IS'l'IC \ "
.. d t .
Statistic a s cu ' t nuna tc la chilibn.l ter-
e 1c\ troni $i goluri 1n se supu'n sta-
t nil. .de sarczna dal statistici. probabilita-
tisticii l'(cr1n1- l)nac: ... onfornl ac .
1
nergetic estc:
tt a , un ocnp .. tl11 nlV
1
(2.3)
f( 'n - - - EF)
1 + . k]"
t;
T
fig. 2.6.
23
.. ..
f'{E}
!l
Pig. 2.1.
E
und EF n )1gja ui \' t'hll)
l ..a e l1ilil1u t ltllt ' au .. t uiY(l e: t-c cou ..
tant 111 1 t , .(lhll11U1 111at rialu1ni c<. Hi si ..
d 1at. l\farjllH)a 11 rgiri F<:r111i depi n ck
t lllj) rattH a )i th: lllOduJ dt: dopare a S<.' Llli-
OlldUctoru1ui. .:stc o tll ttri ...
111 dt:. ca1Lu1 poat e fi situa t atit in in-
teriornl bct1 zilor p<- "\ l'lnise, ctt 1n i t1t eriort1l
bcnzi lor
Functia de distribu}ie rae,
de prczcnt ata in figu-
ra Se ca probabilitatca ocu-
parii niYclului E F de catre un electron cstc
0,5 independent de t en1peratura.
in fapt, a unui nivel energetic depinde de distribu}ia nivelelor energetice
care, cutn se este nul a in int eriorul benzilor inter zise.
Golurile asculta tot de statistica Fermi-Dirac ; probabilitatea ca un gol
sa ocupe nire1u1 E este data de func}ia I -f(E).
e Calculele mecanicii cuantice i ndica urmatoarele expresii pcntru
concentra}iile de electroni goluri la echilibru termic { n
0
9i P
0
) :
n = exp - c F .
(
E - E) .
0
r: kT '
(2.4)
P
7\T ( EF - E" )
o = J. v v exp - k T '
(2.5)
un de ... : a TS/2. _J.-l ________ ____
- Pentru un semiconductor intrinsec nivelul F ern1i se noteaza E mav11.-
, 1 '
mea lu1, rezultind din su bstituirea r ela}iilor (2.4) (2. 5) in r e1atia (2. 1),
este data de : '
JE, = E, + E. + kT ln N, . (2.6)
2 2 NV
1Vv au v alori apropiatc , r ezult a ca Fern1i
Intnnsec este sttuat practic I a mijlocul benzii interzise .
Concentra+iile de ele t 1 . . .
il E . ' c ront go ur1 se pot expr1n1a , prtn folos1rea tnari-
m or c 1 n,, cu relatiile :
no = n,exp F i (2.7)
(
E - E)
h 1' '
o = 11, ex p ' .J F
P
(
E - E )
hT
(2.H)
Conform acestor relatii un . , . . . .
deasupra mijlocului be' .. .sennc?nd:lctor de ttp n are ntvelul Fcrnn s tt uat
velul Fermi situat
un dc \tip }1 ate t Ji -
1111) ocu h "' l1Zl1 tntc\rztsc.
24
R l"atiil.\;; (2.5) (2.7),. (2.8) fa c o 'legrttura intre concentraliile
de a t ?r1 dtagra n1C' le l)e nt r_u a st a!)ili concentratiile de pur-
t at orl 111 atonn donon (N D) de atomi accep-
t ori (N _.) se pleaca de la dou a relatn fundan1c.: nt ale. Prima relatie:
(2.9}
1
u n rezultat al tennodinatnicii a plicate pentru un semiconductor,
nedegenerat, aflat l a echilibru t cnuic. A doua relat-ie:
- I
( fro - n0 + - = 0 J {2.\0)
ex prima neutralitatea se1niconductorului, tot la echilibru termic, marimile
N; r eprezinta de ioni
care au eliberat al ctnctlea electron) , respect1v de 10111 acceptor1 negat1v1
(atomi acceptori "care" completat. a"patra legatura covalenta cu
tron dintr-o legatura covalenta vectna). Pentru te1nperatura camere1, se
'OJ N' "' N . N. I"V 1\ I
aprox1meaza D = D A
1
' . ,..
Un exemplu de rezolvare a ststem11fu1 de ecuatu (2.9) (2.10) 11 c?n-
st ituie cazul unui semiconductor de t1p n (No n, ; N ... = 0) ; se obttne
2
n
0
"' N D Po :: ni JN D' .. "
e La neeehilibru, nici una dintre .111
itol nu mai este valabild.. Pentru a se
- fz 7) (2.8) se introduc dona nivele energettce .de . cal.cul, flcttve,
cv.aslnivele Fermi. Aceste cvasinivele au.
1 (E ) variaza in tntenorul semtcon uc oru ut. n
-
(EFn) pentru .go urt . . Fp
1
. ( )
1
"de aoluri (p) la neechilibru
felul acesta, cpncentratule de e ectront n o
s int date de relatiile :
(
EFn- E,).
n = n1 exp kT ,
(2.11)
I
I ( E, - EFp)
p = n, exp kT
(2.12)
. '" " " continuare tnijlocul benzii interzise.
Mari mea E
4
semn1f1ca tn
-
2.5. DE 'l'R
. aflat la echilibru termic, .electronii
Intr-un setntconductor oxnogen, .t . Aceasta are
d agt atte e " di
i gol urile sufera doar o e . ocuiri cu aceea, tn me e,
un caractc r haotic este tnsottta de Cl t r . aceasta corespunde
. . . 1 "1 fer a o deplasare ne a , .
elcctronu go un e nu . .
a b , "n}.ei cure n}ilor electrtcl \: d tie in semiconductoare
. . t 1 cl ctr1cl de con uc t
1
t gra-
Cauzele apnn ttel curenyl or. e ") ciinpul e ec Y d
1
. . t"' tortlor de sarcnta ,L d t --unls e
(datorati tra n portu n1 pur a... .
5
rciua. CtlrenJn e .., i-
dien1 nl con l! ntratiilor f:.p !au de drift, iar cure1f/:i '!:f::e.
cimfml el,ctric se numesc
l ee se 11 Umesc cureofl e
ua{i de gradientul concentraf.nlor t '
Aplican.:a unui cin1p asupra unui setnicouductor face ca pur ..
tatorii de sarcina sa capete o vitezii 1ncdie (neta) pe direc}ia cin1pulnj
proportionala cu intensitatea citnpului :
- -
(2.13)
(2.14)
- -
unde v", v, sint vitezele de citn drift) ale electronilor, respcctiY
-
iar .s este intensitatea cilnpului electric. Coeficientii de propor}ionalitate
(J.. ,1 fl, se nutnesc mobilitatea elect!onului, respectiv a lui.
.., .enfa vitezelor de drift e intens1 a tea cimpului (']ectric csl<2
prezentata tn ftgura 2.8 (cazul siliciului). De aici se deduce ca 1nobilitatea
la cil?Pu.ri electricc n1ici scade odata cu
cun.pu1uL La c1mpun electr1cc tntcnse, viteza electronilor si vitcza golurilor
acestei comportiiri stii in ta'ptul cii mi:;;carc:a
deteJ J?lnata de c11np se suprapune peste de agita}ie termica f
are medi.e in de . 1 ?
7
ctn/s 1a 300 K). \
. La cz1np.urt. electrzcc ntzcz, viteza de drift este nesctnnificativa fat a de
agttafte tennicii; ca urmare, dmpul electric influenteazii uumai
purtato:i1or de sarcina nu ac}ioneaza asupra timp{llui de atce-
t3mpul dintre doua ciocniri consecutive. in fc1ul acesta
VI ezla proportionala cu intensitatea electr1c
.,a cz1npurt el 1 - -
lor de sarcin.., d . :-c ..,component a de cinlp a viteze] purt:ttori-
mica"' deci crea t conJpal ablla cu componenta miscarii de agitatie ter-
' ..$ e v1 eza tot 1 1 " . ' . r
terea valorii acceler j:' . . a a ' a ekctnc, odata cu cre:;;-
doua ciocniri consec:t!Cl )arJ
1
?c scaderea de accelerare (dintn:
e Mob.lit t ' eel se produce hmitarea vitezei de cimp.
I a ea })UrtatorJJor de strcn..- .. t . . .
acestora cu l ' J a es e un rezultat al c1ocntrllor
fn figura 2 9resereaua de SCJniconductor 9i cu ionii de in1puritatc
prez1nta depend f b t ...
Purtati (acceptc" ..... d en a ?no t 1f.aj.t1 df Goncctllrafta lotal('i, d'
domin'ante ci
onoaP). La mi<.:i de impuritati sint pt -
crete frecveJ1o1caJllJ! e re}eaua : ]a a concentratiei de {n1J)U ritaij
. c ClOClllfJ Or C , t .1 ' y
Din punctul d d u ttces c"a, o Cl scadc 1nohilitat .. a
e ve er al d 'j d /.
1
Dllnata de ciocniriJ.. t, )
11
en .. r.
1
( c Lt 1Jlj;eralurli, 1nobilitatea dcter-
e cu J< 1 aua sc.:ad Ia I -a 1 raturH (f.L ,_ 7"-'1.,5)
::11.:
:..t: 2
Golvrt
o x 'o"
e (v/;my
Fig. 2.8.
1(1
ig. 2.0.
iar mobilitatea detertninata de ciocnirile cu ... ..
cre!lterea tempcratnrii (!L _ T's). La
1
cte!lte odata
conductoarele uzuale prezinta o scadere a Inobrt"t .. lde lucru semt-
tenlperaturii.
1 1
a,
11
g o a e la
e Rezistivitatea. Cunoscute fiind vit-zelr t t 1 d
"' t: "' pur a on or e sarctna, se
poate exprtma n1ar1n1ea curenti lor de c : .
1111p J "c 1 J pc
- -
Jttc== -quv,.;
+- -
jpc = qpv'P.
J)ensitatea curentului de ci1np total este:
- - - -
. . . - - 1
Jc == Jtc + )pc = -qnv,. + qpvP = q(nll. - = - i:
p
(2.15)
(2.16)
(2.17)
in f:lul se ? btine dintre urentul de chnp 1 in-
tensttatea c1tnpulu1 electrtc (legea hu Ohtn), rezistiYitatt:a etniconductoru-
lni (p) fiind data de:
1
::, =------
. + PlLP)
(2.18)
Rezistivitatea estc una dintrc cele 111ai in1portant , c ra t ri ti i ale
tnaterialelor setniconductoare. Controlul tehnologic al ac t ia fa e prin
inter1nediul in figura 2.10 pr zinta dtpeuden(a rezistivi-
tclfii de couce11tra{ia de 1ntpur1'ta!, c ptoa1e au don -= r '. JX'ntru .. ili iu,
la 300 IZ.
I.Zezisti\'itat(la s 1nicondu toar r
p
I
Fig. 2.11.
fin. 2 10
; aici, semiconductoarele picrd caracterul de tip n sa
11
de (p . u. . n.)
r,._.,..na de relafta {2.2), se exphca scaderea puterntca a r ezistt vttf'tlii
temperaturii.
2.5.2. de difuzie
Prezenta unor concentra}ii ncunifortne de electroni sau goluri deter ..
mina transportul acestora, cu tendinta de uniformizare a distributiei lor.
Acest fenomen, de difuzie, indica proportionalitatea dintre fluxul de par ..
....
ticule F gradientu1 concentratiei de impurita}i (VC), confor1n relatiei;
-+
F = -D VC. (2.19)
....
Fluxul F reprezinta numarul de particule care trayerseaza o suprafata uni,
tara, aezata perpendicular pe direc}ia de transport, in unitatea de t irnp:
factorul de propor}ionalitate D se coef i c-ient de dijuzie. Aplicind
rela}ia {2.19) pentru electroni (C = n) pentru goluri (C = p), se ob}in
-+ .......
expresiile densitatilor de curent de difuzie, j1t
4
, respectiv jptJ;
- -+
jnd = (- q)Fn = qDn Vn;
- -+
}pd = ( + q)F
11
= - qDP Vp.
( 2. 20)
(2.21)
difuzie pentru e1ectroni (D ") pentru goluri (D
11
) slnt
lega}1 de mobilita}tle corespunzatoare conform relatiilor lui Einstein:
kT k T
Dn = - fLn; DP = - fJ.p (2.22)
q q
2.5.3. Eeuatiile eurentilor in semieonduetoare
. totala de curent (j} intr-un semiconductor reprezinta con
trtbu}ta atit a electronilor, cit a golurilor:
(2.23)
d!ntr.e .densita}ile de curent J,. }; se a tit efectulni de cimp,
c1t difuztet ; conform rela}iilor (2.15), (2.16), (2.17) (2.20), (2.21
se o }tne:
-+ -+ -+
j, = j,( + j,d = qn(-L, + qDn \111; (2.24
-+ -+ -+ -+
j11 = jPt + ipd = qfJtJ.p s - qiJP vp.
. tn unor cin1puri electrice varia bile in ti n1p, r "la1:ia (2.23) v. cit
pr1nde un termen cor spunzator densita1 ii d urc nt de :
28
.....
.... - .... a\
j = j n -f J 11
ct
(2.
Fonnularea nat urii tuturor con P
1 1 onente (T . .
tatea compararu accstora cu ruecanistn 1 d t m sennconductoare da posibiti-
. . .. e e e ransport in metal L
explicat, cahtabv, 1n subcapitolul 2 2 cond ... e. a metale, cum s-a
. . . ' uc)'ta curentului electric d .
nilor de conductte, dec1 nu apare curentul d
1
. D se numat electro-
e go un. e asemen
tale contine numai termenul de cimp !n tal ea, curentul de electroni Ja me-
. me e nu a par curenf.. d dif .
P
ot realiza concentratii neuniforme de electr . . . . )'
1
e uz1e pentru ca nu se
ont once d nif .
electronilor este anihilata rapid de curen+t' elect . . . t . e neu orm12are a
)' net tn pentr tal 1
electridi foarte mica. Se ca sem. d u c me e e au o rezistivitate
., tcon uctoarele puttrnic dop t . . .
centratii mari de electroni sau goluri) au comport , . a e . cu
1
mpuratd/J (con-
t l l
a1ca 1n conducfte electrtca astmdndtoare cu
ce a a me a e or.
2.6. GENERAREA REC011BINAREA PURT A.TORILOR
DE S.ARCIN
Fizica semiconductoarelor a aratat ca electronii modifica penna-
nent in mod natural nivelul energetic.
e Generarea reprezinta fie fenomenul de trecere a unui electron al
re}elei cristaline in banda de conductie, fie de parasire a benzii de valenta.
Primul fenomen duce la generarea de electroni de conducfie, iar al doilea -
la generarea de goluri. 1n cadrul primului proces, electronul pleaca de pe un
nivel energetic din banda de valenta sau din banda interzisa {fig. 2.21,
in acest ultim caz este vorba despre un nivel (E,) local, creat de defecte
ale re}elei cristaline sau de impuritati donoare, acceptoare sau altele, intro-
duse special de constructor.
Pentru procesul de generare a golurilor, din. banda de.
pleaca pe nivele energetice din banda de conduc}ie sau dtn banda 1nterz1sa
(fig. 2.12, b). .
e Recombinarea reprezinta procesul prin care un electron al re}el}
cristalinc banda de conductie sau trece in banda de
1n, primul caz dispare un electron de. iar In al
un gol. Mecanismul salturilor energet1 e
111
figura ;
1
_
(a - pentru electroni, b - pentru golun), . unllar cu tnecaul lllUl d g
rare.
E
h 0
Ec r.-a-A-..... J
Generore
a
Ev
<)
gol
b
Fi ' 2 12.
E
u
,.
,.
Ev :..._..._. __
0
'
r
Ev...._. ......... -
c
:nore
9"'
IJ
Pig. 2.13.
Trebuie deci remarcat ca de .
conduc la aparitia - disparitia de
viabile in electnca, vtabthtate gar
cnergetica a clectromlor dm retea. . .
e Ratek de dcsfa9urare a patru m se.
de particule (electroni sau g?lun) care se gcn;reazafrecombinl
de volum
111
unitatea de tunp, se numesc VIt ze e v .._.....
9
i se noteaza respecti v g n, g
11
, r ,, r p Generarea de.
se poate datora si unor cauze externe (exemplu: sub tnfluenta unet r
luminoase) in a'cest caz, vitezele de generare corespunzatoar:- se no. e
G
G tie regula GL = == GL). De asemenea, se def1nesc tnt
Ln LP !' y } 1
nete lle reco1rzbnare, Rn 91 RP, conform re at11 or:
2.
R
11
= r
11
- g
11
2.
e Semiconductoarele prezinta o diversitate de modalitiiti d d
rare a proceselor de generare-reeombinare. Cel mai simplu este gene-
rarea-reco1nbtzarea directa (banda-banda), care se prtn trecerea
electronilor direct din banda de valenta in banda de conductie in r
Se observa (\-ezi fig. 2.12 fig. 2.13) ca. generarea se face pe perechi electron-
gol, iar dispari}ia electronului de conductie se face simultan cu disparitia
golului (recombinare). In aceste conditii: gn = g
11
; r" = r
11
R" = R .
Silicitu, eel mai reprezentati\r material semiconductor actual, prezinta
un indirect, prin intermediul nivelelor energetice din banda
interzisa. Trecerea unui electron dinr-o banda in alta se face prin doua sal-
turi, folosind nivelul intermediar E,. Sint situa}ii cind acest retine elec-
tron?! un timp lung (nivel de captura) atunci, nu se mai
egalttatea v .. itezelor de generarejrecon1binare pentru electroni pentru
goluri : _gn --1- gp ; r n =I= r
11
R n =I= Rp .
. ... IaJOrltatea dispozitivelor actuale, realizate din siliciu, sint descrise
gener3.riifrecombin3.rii printr-un singur nivel energe-
1ntermed1ar, fara ruvele energetice de captura, model cunoscut sub denu-
ml.rea SRH la numele at1torilor: Shockley, Read Hall). Conform aces-
model, net a de recombit1are se noteaza cu U ( R = R = U
este data de felatia ; n II
U = p-n- n:
'
'r no(P + p,) + T,o(1t + n,)
ur:de ... no smt const?-nte reprezinta timpii de viata ai electronu
lm, golulm, ;ar -n, P, sint concentratii fictive de electroni de
g<;>lun pentru in care nivelul Fermi se suprapune peste
n1velul energet1c tntermedtar (E F = E,).
0 - Din (2.29) se desprind urm8.toarele trei coneluzii :
este .echthtbrlu (pn :- = n:), viteza neta de recombinart
, aces ucru 1nsea1nna g - r "i g f"' ..
viteza sa fie nule . . ,. - n ., p = rJ, ara ca aceste pat
'
U >b
0
) la in conditii de exces de purt8.tori (pn > se ob+-iue
, respect1 v r > g ,i r > d. ..., d . ..., , t
)
n ,. ., 11 gp, a tea pre omtna recombinarea
U < cO la neech.lhbru, in de lipsa de purt8.tori (pn < n') b .
, respect1 v r < g
r < d. ..., se o
" " 11 gp, a tea predomina generarea.
30
Aceste conform direia un semicon-
ductor aflat la 1zeectl'Z 1 ru ezvolta care tt'nd sii.-l readucii la echi-
p baza acestor observajii, s-a cautat sa se dea o forma simpla a vite-
zelor uete de reco111binare i anu111e :
R == 11 - 1z 0
n
(2.30)
(2.31)
unde -r. -r., se numesc timpi de Yiteza ai purtatorilor in exces. Aceasta for-
ma de. de_finire satisface de mai sus, dar miirimile -r., 't" n
nu ma1 smt constante (stmphtatea relatnlor este formalii !)
<_.7. ECUA'fii DE CONTINUITATE
'- auzele varia}iei in timp a concentratiilor de purtiitori pot fi :
generarea datorata unor agenti externi;
- enerarea-recombinarea interna;
- fenornene de transport (prin inter111ediul curentilor).
Ecua}iile care stabilesc dependen}a prezentata mai
e ua ii de continuitate si au forma:
se numesc
I
a1t 1 7
-==GL-R --L-n;
ot n I q \' .n ,
(2.32)
ap 1 -;
- == GL - Rp - - v . )p.
at q
(2.33)
Un caz particular al acestor ecua}:ii este dat de situa}ia: GL = 0, model
unidimensional alegerea relatiilor (2.30) ;;i (2.31) lpentru ,-itezele nete de
r 0111binare. Atu11ci forma de continuitate este :
' J
--+
on 1Z, - 11 1 a;, .
- ==- 0+-
'
at
q
ax
n
-+
ap
P- Po
1 ajp
--- -- - .
-
at
."'r,
q a.'t
2.8. ECUATIILE DE BAZA ALE DISPOZITIYELOR
SEMICO TDUCTOARE
(2.34)
(2.35)
_ semiconductor poate fi descr.isv unui
hmare diferentiale, in conditiile prec1zar11 cond1}11.l.or la
lntttale de dopa] (N N ). Acest sistem cuprinde ecua}11 dupa cuin
urmeaza : D'
fUl/st.le dt cu' nt ;
.
1
11z 1. "- qD, Vn ,
-.
.
-+ --+ .....
j j, + j,, -1
ecztatiile de C01ttt.1zztit ate :
'
,.. .
c:..-
, '
ct
1 -
GL - J(n + - V j ;
q
ecuatia lui Poisson :
,
D. u = - !l ( p - n + ND - 1 A).
In ecua}la lui Poisson s-a notat cu u poten}ialul electri
iar aproximatia ttzuala pe11tru concentra}iile de io11i este
NA NA.
.._.
(J =
T. ,.....,
D = "" D
0 Observatie. Unele dispozitive semiconductoare actuale func}ione:azJ
la dimensiuni submicronice, deci cu colective recluse de particule. fn ace-te
situa}ii descrierea macroscopica oferita de acest sistem de ecua}ii nu mai
corespunde si se apeleaza la alte moduri de formulare 111atematica a functio-
....., J """
nar11, legate d1rect de mecan1ca cuanttca.
32
Cap1/olul 3
3. 1. 'fRODUCERE
ni. yozi.ti nk . in _coustructi.a lor regiuni ale reteki
111
<
1
r "'rlstal:tle ctl. 1111J)llrlflcarl at1t :a mar1n1e a concentratiei, cit
a iJJ de 1111pttr1tate. JTOil '}lUtlea n reprez1nta o structura ,., realizata
111
r-u rnot1ocri ta.l ca:e a e Otla regltt111 vecttle, ur1 e 1p p . i alta de tip n.
111
e arcatte e otta realtltll se e one, tune me r
1
figura -3.1 p 1 a ur1 1110 e tlllldltll ona a JOncttutlli pn, precizin-
11rofilul conce11tratiei 11ete de i1npuritati (N A - N n). Pe11tru abscise
.X < obser\'"a ca iVA > N D deci se ob}itle 0 zona de tip p ; pentru X > 0
do area cu irll})ttrita}i are 1V n > 1\ ... A deci se forrneaza o zona de tip n.
Jotlcfiutlea rnetalurgica e realizeaza la x == 0, pentru care concentratia
11 a de illll tlritati este nula.
::\fare a 111ajoritate a dispoziti \"'elor semiconductoare con tin una sau 111ai
111ult el n1ai si1n )lu dispozitiv electronic, realizat cu o singt1ra
on june. .. te d-io a se1n icoJt , . t, e.
I -
_ ... u trehuie facuta confuzia intrel>uintrtrii echivalente a termenilor d.e jonctiune pn
;:t semicon(1uctoare, pentru ca dioda semicondnctoare poate fi realizata pe baza altor
:truct 1:-i fizice. de exen1plu contactnl Inetal-setniconductor. !n plus, dioda semiconductoare
te un an-- ainblu telmic care cuprincle, pe linga structura fizica care o (jonctiune
p au c ntact 1netal-se1niconductor), alte structuri cum sint contactele ohmice, sistetne1e
( e prindere 'i de eyacuare a caldurii (capsula) etc.
Cunoai'terea fenomenelor din jonctiutlea p1t serve9te la intelegerea
t lt or fenomene cum sint cele legate de suprafata semiconductorului, de con-
t ct e etc.
tudittl jonc}iunii p1z se face 1)e un caz particular de itnpurificarc
a11ume pe profilul abru1)t al concentra}iei de in1pu1tita}i. Confortn acestu1
1 rofil, in zona p se gasesc 11u1nai i1npurita}i
ptoare, i11 cot1centra}ie cot1stanta N A, iar
111 zona 1z. se gasesc 1111mai itnpurita}i dot1oare,
111. concentratie constanta N D Alegerea aces-
tul profil faciliteaza intelegerea 9i descrierea
111at 1natica a fet1omenelor fizice.
w nomenele fiziee din jonctiunea pn.
IJacct cele dozta reg1unz, p n, ar j1. Jost i1z-
d ente, con centra tiile de gol uri electroni
ar f1 fost date de (confortn relatiilor 2.9
2.10) : I
PPo N A; 11/JO A'
ln r giunea p :
(3.1)
(3.2)
1 ''po t v cucuite el<-( l on1ce
,.......--- r----.----
l
; ,0 tl 1
N-N
A :0
fig. 3.1.
33
r unea " (indicele A,O" .
" i golurile in zona p s!nt m_aJorttart. ,
nii in zona p sint . .
!ntr-o jonc!iune pn ajlata la termtc, ntr
tori mobili de sarcina difera de valonle (3.1_ !jt 3 2)
ta diferenta este mai puternica in zona J?.nctmnu u
stata sciiderea apreciabila a concentra}til?r de purtaton. ma)ontar
apare un cimp electric orientat de la regmnea n spre regmnea .
Acest lucru se datoreaza difuziei purtatorilor mobili de arcina
golurile din p, aflate .in mari, pre r.
1
z t
111
de concentrat1a lor este ma1 mtca; a1c1 ele se recombtna datort
I
dintei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul (caracter z
o mica de goluri, Pno). In mod similar, electronii din z
dift1zeaza sPre zona p. Procesele de qifuzie incep, evident, cu pu
din apropierea jonc}iunii metalurgice. In zona p adiacenta jonctiuni
lt1rgice, prin plecarea golurilor apare un exces de sarcina negati a dator
ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonc}iunii meta ttr
capata o sarcina in exces pozitiva, prin procedeu. Ca urmar
stabileste un ci c t e
J
.. . " . . .ectric golurile . dins pre regiunea spre regiun a
electron11 d1nspre reg1unea p spre regtttnea n, deci in sens contrar fluxur-
lor. de <?-ifl!zie: Ca urmare, r 1tra}iilor de pu
tori n1a]or1tar1 11u ftbentra r
, . , autolimiteaza nn enerarea d d .
lute-tg) la"'* Yalon ..:::. curel!}ilor (fluxurilor) de
de : Juc . - jnd ; jpc == - jPd. Aceasta situatk"CO!espllnde unill
nul pr1n structura, rezultat compatibil cu conditia de echilibru t
1111C. '
..
1
matematica exacta- a fenomenelor din ionctiunea p1
10
51
ste.mul ecuajiilor de baza ale .. dispozitivelor f
0
1
tot .dv?ltt
1
nu.l Jonct.iunii , calculele sint laborioase chiar pentru u11 ... rnod
un1 1mens1onal s1 un prof11 abr t 1 ""
b , up a concentrat1e1 de 1mpuntah 51 f
pe aza unor programe pentru calculatoare electronice. ' ;I
Rezultate foarte bune s bt. " t . .
numitii . . t" d r e
0
. ,lll 1ll r-o .reprezentare aprox lmahv
jonctiunea se lm a ::t e o Ir .acestel aproxima}ii (fig. 3.2, a
. _P z e mx trel : de trecere (in jurul jonc}iUDJl
l
)ecifice J. t.
1
< < lno) 9
1
dozta 1"' g1 u11i 11e11tre. Toate fenomene
one tun11 a ech
1
"}
1
"bru t ,... .
' . . er1111C retrec lll regtunea de trecer
P
-
_ l ____
Ppo
38
tJ
p,n
b
+l
n
Fig. 3.4.
Pno
a
b
I
n1 I I
t
.. 0 a l
I
I
.- IRdn
-,
l
I
I
j
... I
o e
., IRg
I
t
I
I
-
I
-..[Rdp --
I
I
I I
_j
I
-
+
JR
I
Ppo Po
----....-J,
. '
I '
.
JP
.
I
Fig. 3.5.
11
1
i mi 'i d la echilibru termic
. z. i tiJ. - ) datorit a citllpu-
1 el "1 t r r cut, car" extrage
uzil di11 regiunea 11 i elec-
tro11ii d"r1 re2iunea p. a ttrtlla-
J. 'i.!01' p1 cdo ll'i za fe'll01neuele de
cuf a1 t ; odata <Ye erata p r -
J
1
ea elc Lror1-gol e te
1rin aiJtrei1ar a d catre ciilll) a
i olttlu Ul n...,ttri
..
.r
- z
conJ rar . tl Ja locul unde
11 re aza 1 e a el
Fig. 3.6.
....
a
1 11 ui i
1
tn r
u
l lcctronilor I Rd,,. dat rat g ..A 1er arii 111
1 :tlui r ,in di11 far)tltl ca trallSI)Or ttll elect ro-
11 I)f 11 i I al p ri n difuzi
t l I Rdp datorat ger1erari i 111 regi1111C:a.
I R datorat Ittrtatorilor g 11era}i i11 regitlllea
1 1 . i11 , - dere J 1)rczet1t ate 111ai sus, se 1)oate ge r1 era-
d JJOlarizar e ct1re11tul prin joncjit111ea se da-
le i11 reaiur1ea de .... ar cina spatiala_. cit celor di11 regi-
e ar ina '""l) a}iala curentul se datoreaza proceselor
, electrot1jlor golurilor fiind deter-
.. -i ent aici (Ig, ) !n regiunile neutre l curer_t ul
J de ae11erare-reC0111binare, dar Illecanismt:! de
_ difuzia purtatorilor minoritari. (I dP I d ..) .
e de ase111e11ea in mod unit ar. ca
re regiunea p cat re regiu11ea 1'l C011tributia go-
ade cresc1nd coresptlnzator contribtttia electro-
pr ze11tate in figura 3.6 ; j A est . detl-
Inpurle din curentul de go1uri jp d
) baza figurii 3.6 se dedt1ce densitatea cttreiit tl-
.. ( di11 i11 riorul rr.) giunii de arcir1a spa}iala) :
(3.18)
:. ra fac , 111 C011t i11t1ar , 1) 1Jaza
a u dona apro.im3ri ifi e situatiei
r " iu11il ,. neutr ctlilOSCttta su"'b
a ta presupune ca injectia de
- ma ura ar p rmite neglijarea concentratnlor
1.. llurta orilor 111ajoritari, adica :
(3.19)
39
pentru notatii, vezi 3. ) . Este .
sint critice la Rcla!ule ( . ) _re
sul di aportul de arcma uphn.en tn regtuntl n
t fapt arc unnatoare!c . n : . . . .
- con cntratiilc purtaton maJon an dtn r gturule
sen ibil de cazul c hilibrului ermic :
= 1
p(x
pr1n n lin
int:rt ardni de mn ntr r an ru a
,n entratiil ,r t urt t r1l r tlllJ Jfl
- itnpul 1 tri din r . riuuil.
d .. ,.rtatori majoritari, 1 m 1
mod litate d tr n 1 xt in 01 dt iil n
Ill ant a (v zi r latia 3 ) . It chim
I a n glija urentul de imp a a d
jarE:: are in v d r a tit 'aloar a n
al purHi.torilor tninori ari.
j.(x - lP = j , , (
A doua aproximar r f 1 r giun
itnalia d a ieehilibru. onfonn a 1
dt e ... de goluri t on tan v
1
pa iala. la f 1 ca la hilil rul rmi ; a
0
r
d
..
,. t.
linli 1 r git111ii d
P 1 r u in t 11 it t
( ) =
tar pe ntru potentialul 1
fl{ ) -
.
n
I ,. .
1
< j
< <
r I U dit T
J.
a 1
<x<
Ill) - v .. - q I) (l. -
< < l.
E
(3.Zl
(;1
tntre rtlarlrnile l,. l,
relatia:
'T l = /'.TD l,,
...4"
exist a
(3.26)
. grositnta regiunii de sar-
1 ar 1 ""' t d t"" de
a"'
5
patta a es e a a .
cttJ ,
l==
,. obserdl di in polarizare
directii l < l
0
, iar in polari-
zare itrversa l > lo.
Calculul curentilor de di-
fuzie impune con-
cetltratiilor a e electroui i goluri
in regimzile 1teutrc p, respectiv
n unde acestia sint miuoritari:
' J
n(x - lp) = np(x) p(x
.
1
I]
p
..
u
u
!
0
0
l,J = p" (x). Pentru con-
de goluri, se apelea-
za la ecuatia de coutinuitate
.., Et -L
p
-
\ - 1 wrf
I
(2.35) pentru caz stationar
( ap/at==O) :
E; /- ........ - 7 .
I E- , ,_l
dte g(e
2
n
32
) sau (2.33) scrise pentru regim stationar
.. 1 d "ontlllUlta e . .., R R y t "
de 1a ecuatu e e c O) . G = 0; cttno ci 1d ca p == = .1 ,1111n
(
oll ;at = O, anp;at = . L
l n ..... d. (3 18) se obttne:
. 111 a e , ,
+ 1,.
. . (l ) - . ( -l ) = q s
Jgr=J1J ' u Jn '.P
dx.
-111
d. 1-a ,de 111ai sus este di icil de calculat datorita depet
It1teurala lll re a}-1 t t. 1 p (3 4
t:> U d bscisa x priu intennedml concen ra,n or I n .
ltu.t ... se rezuitatc satisHiditoare ' nJocuind e U u . o r
1.n p1 ac 1ca t _ .
,sa 11axitna data de (3.4/) ; atune!
. -
exp
k1'
- . == A 'JZ, l -------
Igr - A, Jer J q ')- . ( V
"'"''
0
exp q .A
2kT
ell
or pr
,
(3 ... ;
iar Io
1
r este curentul de saturatie enom nelor de generart""
recot11binare :
(3.56
ln Polariuu-c 1nver li, la tensiuni r II > 3 k T J urentul are expre::.ia.
In = iod -L logr == lo,
mde cu s-a notc_t ur ntul d saturatie, denumire justificat" de sl.1
d "l a acestut curent de tensiunea V numai urt'nt
I.ocr .depu:de _ten iune prin largimea l a re.idunii de tre ;re (3.27 . 1?
}lumle dm thclU au cur ntul de saturatie determinat pra ti numat
fen en 1 de generare (1 0 = I r:r). Pei{tru germanin,' ele do'ud
0111
lfJOjJA
1/JpA -
'
\.
I
J/]jlA r
ljlA
I
[PA1
10/JnA
i !OnA
(
I
"4
ct: r
i
...,. f t l I
I
I
/,7A
-I
4 '
I
J
1 I.' r
,
.
t
lOOp A
'tltlpAt
- .
!
J
;
I
t
t
I
t
J
1 i I
I
'Pt: i
I
!0
2
I I r J
( . -.,
/0-1 10
10 v
I
42 O,'t 0,8 0,8
!/ _ IV)
Vc (V}
Fig. 3.8.
Fig. 3.9.
uente pot deveni comparabile. Un exemplu de caracteristidi statica in
polarizare in,rersa (pentru siliciu) este dat in figura 3.8.
In. polarizare directa, la tensiuni V F < 3 kTfq, curentul este dat de:
IF I
0
d exp (qV F) + I orr exp (q V F) . (3.57)
kT 2kT
. '
. La dispozitivele din germanin predomina curentul de difuzie. La dispozi-
cu siliciu, la tensiuni V F mici predomina curentul de recombinare
1ar 1 te11sittni mari- eel de difuzie (vezi figura 3.9).
I_ ealcule in scheme electrice, relatia: (3.54) se apro:ximeaza cu
una ina1 11npla :
coeficientul m ia valori cuprinse intre
1 fi gura 3.10 se prezinta intr-o sin-
gll!a caracteristica statica pentru
e .1 presupusa C011star1ta ;
iliciu, t a acest eia V pentru
ta As. Se gernl:amu 91 1 y pentru
arata ca tetlstunea pe JOnc}iutl-
.......
(3.58,
/A .
(mA)t
7001
80
60
tr-0 I
I
!Ia
20.J '
I
( j
....
45
..
01
I
I
fig. 3.10.
45
- - -
...
-,
--:='1S
---
- ..
--
--
- - -:. --
---
-
-
..._- -., .. .......... .....
--
-- -
... -
---
" ,
tiL,
3.. 1
1
'
..
a .. r::
"'*
y
( 0)
(3.61
3.30 , se poate
(3.6
.
cxpzema
3.63)
CureDtuJ de
n
'f
procesului . de la este data
de v]tez,?- de w la Us,. care semnifica numarul
de purtaton _care se pe umtatea de in
ullitatea de ttmp. Expresta acestet martmi, dedusa pe baza u i model de
tip SRH. este :
unde reprezinta efectiva pra
iar Ps tts - cotlCetltralttle de purtator1 la UJ)ra at .
(3.& 0 Precizare. Relatia (3.65) a fost scrisa in ipot za unui in r ni 1 n
-
d
con
1
1,inare la suprafata, situat la ntijlocul benzii interzi e.
Para111etrul s
0
, a cartli t1nitate de 111asura ste tn/ , r _ eriz z
stare a suprafe}ei di11 punctul de vedere a fet10111enelor de ge11 -
nare intr-un mod analog ctttn face 1:
0
pe11tru volutnul se1nico 1 u
Utilizind 111odele, ale tli,relului mic de injec ie
librului, expresia cttretltultti de get1erare-recotnbinare la
1 VA i > 3 -k T fq) este :
Ig,. "'_!_qn,s
0
As[exp(qVA)- 1].,
s 2 2kT
1111de """-is reprezinta aria suprafe}ei setnicondttctorttlui cuprir1 a de 1,.,
de sarcina spatiala. Atut1ci, curentul total de generare-recombn
Ig, = ,
1
qn,(lA, + s
0
As)[exp(qv.,.) - 11.
2 "ro 2kT
O Trebuie remarcat ea multe dispozitiye setnicondtl toar
cot1sum, al caror grad de prelucrare a suprafetei nu este prea a a ...,
caracteristicile statice dominate de curentul de generare-re 0111b
sul)rafata. duce la excesiva a curen}ilor itl\"er i ,
tabilitatea in titnp a caracteristicii statice.
/
/
.. ctl 01rentulu prin jonctiunea pol rz ,
t11le (3.19) ntl se mai indeplinesc ; se tree a tf 1, la reoinltll
inj_ectie. In aceste cot1di}ii, nici ipoteza de cyasie hilibr n
fi: apltca t a. 1'Iodelele care descri tl ni 'rel tll lllar d inj I i lllt . . .
eel ,mai notabil este legat de a par# mor . n. rz . c r e
tn neu,tre, cttnpuri care nu se 111ai l)Ot 11eglij ; tttn 1, d n ten ...
VA apli_cata jouctiunii, numai o parte V
1
, apli v ntre lim t 1 regi
1
.
de . .Jarctna Sl)atiala, iar cade p r zi-tentele r giunilor neutre (R .
Rsp C_?nform figurii 3. 11, a). Suma c lor doua rezisteute e note zv vu R .
1
poarta de11U111irea cle rezistet1ta seri a '"'tfll tttrii. Pr #
curl-entul IF tetl ... i llllea T7 I ra ;lll11e ' alabil'"' 0 dep -"llder1ra d crer ul r 1 tl
1
re z ulta :
47
--
I
I
IJ
I
'
p
I
. . .
! Rsn
Rsp a
!
Ir
-
I
.
I
1
Relatia de 1nai StlS it1dica a
caracterislicii IF(V F) de la leQea
nentiala cre$terea Pe
; aceste efecte sin t sugera.
te de ftgttra 3.11, b.
-
YF I 0 Trebuie remarcat ea valoart l
rezistentei serie din nu
este o Intr-adevar, la
terea curentului prin structura, ere
concentratiile de electroni goluri
scade 1naterialului (\rtzi
1 elatia 2.18) ; ca urmare, ,.a scadea ,i
a
} .
: ezisten}a ser1e.
Fenomenul electric de strapunge-
b re a jonctiunii pn consta din
Fig. 3.11. puternica a curentului in polar1zare
inversa la o anumita tensiune, a,a
cum rezulta din figura 3.12. In dreptul tensiunii V BB' numite tensi'lt1ze de
strapungere, curentul I R tinde catre infinit.
0 Observatie. Daca circuitul electric exterior limiteaza curentul
prin jonctiune o valoare care nu duce la prin lndil-
zire excesiva, fenomenul de strapungere este revers1bil.
Strapungerea jonctiunii poate fi explicata prin dona efeete, amindoua
fiind legate de valorile mari ale intensita}ii cimpului electric Ia tensiuni in-
mar1.
e Pentru marea majoritate a cazurilor, strapungerea este determi:
nata de multiplicarea in a purtatorilor de sarcina. La tensiulll
inYerse ridicate, dmpul electric din regiunea de sarcina spatiala atinge n-
lori mari imprima o energie crescuta purtatorilor de sarcii1a care tree pc
acolo. In urma ciocnirii cu atomii re}elei cristaline, un purtator de sarcinli
poate avea s?ficienta pentru a forma o pereche electron-gol
rupuea une1 legatun covalente. , Ace;;ti purHitori de sarcina suplimentan
a?-trenati la rindul lor de cimpul elec
1
j tnc pot forma noi perechi electron-go.
VR A / d., ducind la curentului. La
de strapungere, multiplicarea
:..c 1 -- -;--- 0 L-A purtatonlor este practic infinita, dudnd Ia
\
Pig. 3.12.
48
cr nelimitata a ct1rentrilui.
Di11 punct de a11titati''", prc-
fen01._nenului de multiplicare
luat m consideratie prin inmultirea yaJont
cure11ttllt1i in\rers I
0
(in abse111 ac tui iL-
nom:_t1) cu un coeficie11t A1 de nltt1tif>11-
care 1n :
(3.69)
Co ficittltul .J! poate fi calculat cu o relatie
1
M= V ,.'
1
- (vB:)
. . "'
emp1r1ca:
. (3.70)
unde n este un exponent cupritlS intre 4 9i 7, \Taloarea sa depi
11
zind de se
1
ni-
conductor de modul de impurificare. Pe11tru ''alori ale tensiunii i
11
, .. erse
v. < 0,7 V BB coeficientul !J (este aproximativ unitar rela}ia I R = J
0
pastreaza valabilitatea. In apropierea tensiunii de strapu11gere, n
1
aritnea
lui ]f este i111portanta utilizarea rela}iei (3.69) de\line necesara. Di11 rclatia
J3.70) reZtllta faptt11 ca_ pentru v R == v bR' coeficienttt] JI tinde IJrc
infinit.
te11siu11ii de strapungere depit1de, in acest caz, de n1ai 111t1lti
,
factori : doparea cu impurita}i, geometria structurii, tehnologia de fabri-
catie etc. De exemplu, la o jonctiune planara difuzata (v. fig. 3.22), Ti"eR
sea de la lui r J Figura 3.13 prezinta dependenta tensiu11ii de
strapungere a unei jonctiuni abrupte asitnetrice, plane, func}ie de concen-
tratia de impuritati (C B) din regiunea slab dopata a jonctiunii.
e Pentru concentra}ii mari de impuritati (> 10
18
cm-
3
) stra
1
1unge-
rea jonc}iunii nu se mai face pri11 multiplicare in ci prin eiect
Zener. consta in apari}ia untli numar crescut de purtatori de sarci -
na prin ruperea unor legaturi co,Talente sub directa a citnl)ului
electric. Efectul Zener apare la un numar redus de tipuri de jonc}iu11i
anume la acelea cu tensiuni mici: de strapungere ( < SV).
Regiunea de strapungere a caracteristicii electrice in,rerse, unde tetl-
siunea este practic independenta de valoarea cure11tultti se nume9te i rcg:-
uue de stabilizare.
uprafa}a semiconductorului poate jt1ca un rol important in straf .. l11.l-
?erea jonc}iunii. Daca suprafa}a prezinta imperfec}iuni n1ajore (de exen1pll1.
tmpurita}i nedorite), tensittnea de strapungere devine instabila in titlliJ
caracteristica statica din apropierea strapttngerii prezinta ur1 cot moale.
1)3
l
I
I
102 i
'=-
-.:.
10
l
JO's
11]
18
10
17
1/Jl-'
N(cm-J_J
Fig. 3.13.
4 - D spozitive 1 .
' Ctrcu1te
d temperatura a caraeteristieii statiee
3.3.6. Depend nta. e
. ...., . t"
11
ii pn depinde puternic de temperatur
. t" stattca a JOllC ttl d
Caractens tea v . 'd }a se manife ta prin er t r1 u
e Calitativ, d(;pe ) n
i in polarizarea inv r a (I R), odata
atlt in polarizarea dl!_ecta F Cl , .
t t etnperaturll . ... "
cr :1 rea . . . . pu depind :. de telnperat ur a t tl pe
Ctirentul in\r r al tr
1
0
eci de purtat ori 1z,. Co1nponcnta
. d 1 COtlC ntra}lCl 111 v d
1
)rin tntertne_ tn _ ... ) TO rtiotlala cu :n: ; eel lalte 11arlt111 epi
cl((u:.ie (r .- latta..., Dt }J fl L . in a d. nden a te 1 ba (r Ia
d .. tcnl l)eratttra s1nt J" n ... P
2.22' 3.31 _, i 3.32) .
CutlOSctlld d I nd
1
!ta d
latia 2.2) , e J)Oate scr1
,
I Od "'
1111 tur::- a
. . . ,. .
011 e11 r
1 111 rttl e 1
I
le factorul y.:x inglobeaza a tit pe T
3
diu expr> ia_ lu 1t . i.
unde factorul T(3 inglobeaza pe T
3
1
2
din lui zt ;
peratura a grosimii l a regiut1ii de sarcina spajiala (
t )TO
de1)inde in prir1cipal de temperatura tot 1)rin int r1nediul orultti e.
11et1tial. In figura 3.8 se prezinta cantitativ rezultat l unor 11 urari
pra dependentei caracteristicii inverse de te1nperatur (p 11tru 'ilit:.
cle exemp 111 inter\ralul 25 oc - 175 C, cttretl tttl e ir a on
fiecare sooc sau, echi,ale11t , sc dttbleaza la ir l t rezu
si11t _foarte bun a .cot1cordat1t a ctt r elaj i a (3. fii11d fa1
la SlllCltl cttretltttl lt1\
7
ers est e for111at pra ti nu 111p 11<:11
ger1erare.
'-'
in polarizare dincta int rYin nta .,i f torul c.-pone
leg_at de tensitlllea aJ1li at a. r!' ini11d a til.., d ( - ) ( - )
(
3 ?) , . 1 , . 1..... Jrecum
.b , cotnponenta de d1ju, ie (I Fd) depi11d d 111 r tt1ra ttb forma
.
1ar co1npo1"e:11ta de
,. ' r con 1 b i 11 a 1" e (I )
Fr
T -p - Ec - q T A) .
- kT
Obsen md r la tii k ( 73) (S
tnr3. a cun.:ntnlui dire t t t : !4:), ca. depeudenta de te
curentt1l i1
1
firrur
3
t:
0
ex1).
11
e
11
t
1
ala, dar 1nai pttti11 in ten a
t t ,::, <-l ... e prez1nta a t ..
r1 e etlll>er aturi alL J. Hh.'ti rae er1 t1ca dire ta pet1tru
. tlllll.
50
I ractica nu intereseaza insa curentului la te11siune data,
. ""dn tensiunii directe la curent constant; acest fenomen este masurat
c1 sea e ..
pritltr-un coef1c1et1t :
(3.75}
Considerind compot1e11ta de difuzie a cure11tult1i direct. co fici :.11tul
C
e
ste dat de :
VF
c - - - v ) . ;3.7 )
VF - q A
1
.,'
relatia de mai StlS s-a ob}inttt prin 11eglijarca factorulu1 Ta. aloare 11cdi
utili'zata in practica pentrtt acest coeficient -2 n1\Tj C.
e Un alt paratnetrtt al caracteristicii statice de1)ende11t d'" t 111JJ
tttra este tensiunea de strapttngere. Daca fe110IJ1ei1t11 de stra])ung .. r te
detern
1
inat de multiplicarea in te11sit1nea de trapunger .. cr .. t
c
11
tetnperatura (de ordinul (5-:- 10) I0-
4
/ C). Fenomenul Zener deter-
n1ina tensiuni de strapungere care scad odata cu tem1Jeratur"i
((- 2-:- - 8) . I0-
4
/C).
0 Precizare. Temperatura T care intervine in rela}iile de tnai u
trebuie masurata la jonctiune (T
1
); ea este, de regula, mai mare dect
temperatura ambianta (T A), datorita disiparii de putere electrica (P D ==
== V .. I .. ) :
.
TJ == TA + Rthj-a PD.
(3.7 )
Coeficientul de propor}ionalitate Razj-a se rc::.istenf.ii tcrnzica
inglobeaza proprieta}ile de conduc}ie a caldurii de la jonc}iune la 111
ambiant.
3.4. F-GIMUL DINAMIC AL pu. -
reprezinta junct1.o1za1ca cazul aplcarii
unor sc1nnale 'L'ar1ab1le f1mp. Metoda cca 111ai folosita C011sta i11 stabili-
rea unor circuite electricc ech1valc1ttc cu care sa se ir1locuiasc2 jot1c}iu11e 1n
schema unde functioneaza. Circuitul echi,Talent ntt este u11iL,. 1 depit1z111d
de rEgula, de specifict1l semnalt1lui yariabil aplicat .
. in cazul aplicarii unei tensit111i altcrnati,-e ,d sa fr y 11
(flg. 3.14: a), un circuit cchiYalent posibil cste prezcntat in fj ura 3.14. b.
ln .imcrsa (altcrnanta ncgatiYU a t tkinnii), neglij:ind ur 1tul
oarte 1n:c al JOI1c}iunii, circuitt1l echiyalc11t c t repreze11tat de o i11tr ru-
infinita). I11 polarizare directa (alt r11an}a J)Ozitiya a tetlsi-
unnJ,. JOnc}lUllca se i11loct1i ste cu o r zist c11t q 1\d a a ta or ... Jtlnde
caracteristicii c11 o drea}Yt; are' tre J-1Iii1 orto-111
0 , (fig. a). Coordonatelc _( Ao
alv Jf
0
Mar b 111c1t c:ror1lc 111trodt1.. de al)rox11nar- a ta t1ta f1e 1111111111e ..
lmea rez1stentei Rd cste de :
R
_UAo
d-
semnT . . . . . I Ao ,
1
1ca}1a reziste11te1 de cure11t cot1tltltlllll1})lll1 tul 11
0
.
( .79)
51
..
----- p /}
,
11. <0
c::
b
a
ig. .1
. "i ](
! n uuele caznri este suficienta i pro '"llll t =- , <: t
ont nt tor ideal ; 1ntrerupt, in polarizare inver A curtcircuit tn
U
11
a di11tre situa}iil le 1nai it1t1lt1.te i11 fu_ ...
ace a a pr lucr arii untli se1nnal de. 1 _ t
peste un, seuz n al co1tti11.1t1l ; ace t caz ''a 1 ud1a 11 c 1
3.4.1. .ion tiunii la emu, 1
e Conditia de se1nnal de i1ee . oasa. Fu c . o re
i11
yariabile, va (t), este ilt1str ata 111 figL1r a 3.15. i r1ea
'Z.
1
(t) .. xa 3.1), este dat a de :
ia r C0111p011e:1ta yari al)ila se consid ra. de obi
== T
1
a '""' in (vt . Daca frec\'-enta sen1naltllt1i '"'llf. ie 1t
(t )
---- ..,!
I
P n
52
..
Fig. 3.15.
I'
a
...
. (t =I
.l\ 110 de "u11
'""idera, de i, o-in1
a o succe it1ne de
}i011are ; de a eea ..
n1e te .. i regint cv
Paragraful llrm'"' tor
...,
Ill ur antita i , ...
111axi1ne de fre ,T
11
t
are acest regim este valabil. lnlocuind rclatia (3.80) in relatia (3.81), .r
obtinc :
1
iit) = 1
0
[ exp exp 1] .
(3,82)
e 0 alta presupunere a regimului de functio11are este condiJia de sem-
nuJ mic; aceasta considera ca amplitudinea v. a sen1nalului variabil sa i -
face inegalitatea :
1nl?. T
q
Conditia de se1n11al n1ic 1)e rn1ite ar)roxi1narea exponen}ialei corespunza-
toare din (3.82) ctl pritr1ii doi ter111eni ai dez\roltarii in serie; ca urmare
.
st:: poate scr1e :
I
0
[exp(qVA)- lj-+-I
0
exp(qVA) qv".
nz,'lT mkT kmT
In felul acesta, curentul instanta11eu prin jonctiune, i .. (t), se poa e
desco1npune intr-o con1ponenta conti11ua, I A' o componenta variabla,
ia (t). Intre componentele variabile ale curentului tet1siunii prin struc ura
o relatie liniara :
. 1
1 == -v
. a "'
Ri
--
unde R, poarta denun1irea de rezisfe1tfa i11-ter;zc'i a jonctiu.n,ii. Expre ia
acesteia, rezt1ltata di11 (3.84), este :
ql o
q (1.
1
-f- l o) (3. 6
Ri 1"' \ nz I< T nzh T
Din pu11ct de vedere grafic (fig. 3 .15), de setiliJal 111ic h:-
,Tale11ta Ctl aproximarea caracteristi cii cli11 jttrttl l)Unctultti stati de f 111 , io-
11are (..11 o) ctt t angent a la caract eristica in accl pur1ct. i ntr-ad _,-a.r :
= i a = d i A ! = q I o ( q T7 _... ) , { . 7
Rl Va dJ
7
A J'tl
0
'JJlk T 111-k T
1
in concordanta cu rel atia (3.86).
In polar1zarc in versa (I A - I
0
), rezist enta i11ter11a -t oart 11 r
Ri ; \"alorile finite care se o b}in, pentr u R, se d tore- ' de n-
,.
a curentultti I
0
de t e11sittnea ap1icata (VR), dep :}a n u
c?r!_s
1
derare 1n calculele di11 relati a (3 .R7). Calctlltll reziste11t 1 1 1t r11e pr :"i -
Zlnta lntere i11 polarizare direct a (1 ... === IF I
0
) se face cu r lat-ia
R; = mk T . (3.
qJF
1
e n L.t rel.. tia (:3. )7) ju:;tifica, pentru rezi"'teuta 1nterna .;t
< & n nnu rea d t:: r e ... l s., L ... d f . I - . , - l . . ..,
- LP-Il, a ' :?re;tfta a rt :Lsft. n{a. c: .nanuta.
dir. Circuitul echivahnt a l jon<' tiunii
1
mnalul ri bil 111
11
de SC111r1al 1nic r gi111 C\Tasistationar. , dedtl 'e di11 r(:Iati (3. 5
53
ec:te deci constituit dintr-o rezistmJii, R,. Functionarea 8:,
nii 'ste separata de cea staticli ; separarea este formala,
ca r zi t nta intern a depinde direct de valoarea stattca a curentulut.
mnal mi al :on tiunii In
;(. 3.4.2. ir uitul cbhalent d
mportar a jonc}iunii pu in regim variabil, la oricc fre venta, nu maf
poat I 1 a de la caract tica taticli. Punctul d pi ar il con tituie ecu
!iil fundam ale mjc Andu ara n' lija: a deri at lor partiale
m . tnnpul. . or r.a.nnn , m ontJ!luar:, ala btl apro_ima ia de go1
.,t ondtt:a de. va ntru unpl at, a con id ra o jonc _
unt ,tlJru pta, 1111 tr1 a p t.
Curentul prin tru turU ,.a cal u1a cu r Ia ia 2
ci a x = z : 1 ntru a
r ..,
a
E-
el
X l
T E-
Cf
=l
rv A l[jpil ) T jgr T E..::_ 1
ct =
data p_rjn uzi calcul
cuatia dlf( rentiaHi : aza p baz
Il
- apn- P - Puo
at - _ - D 1J --=-
JJroveuit a dill e t' 'p c x-
1 a 1 ua la d co t
11111ta ..
111
t a " . 11 liltlltate (( 3-) .
a ... 1 ca . -
" Ill re llllul ta i .
.
ll
,
p (oo) = p ,
r( l
.
lY .
P.(l.) -
..
1
3.
Al
..
n
+ -
Pn
a
.. .
c"
.. 11---_.
ide piasa re
b
Fig. 3.16.
Calcule laborioase asociaza co1nponet1tei variabile a curenttllttltti de
difuzie un circt1it echivale11t con1p11S din rezistenta diferentiala Ria (la fel
,.. .
ca 1n reg1tnt1l c\rasistatic) :
kT
l?.id == ------'
q(JAd + lod)
(3.93)
n paralel CU 0 car)acitate, C d, 111.1111ita capacitate de dij1t{.Z'ie !]i data de :
......
C
_ "7o (lAd+ fod)
d- '
2Rid 21?-T
(3.94)
circnit t'>t(' valabil pentru frecventa c.u 1/'r
0
<'
urentul de getlerare-l'eeoml)inart:. 11u clc regttlft, luat 111 co11 'idt:-
In po directa, la tensiuni normalc de lucru, l,.,_ !::!1. l Aa I .,
15
. d se de fenottletltle de
t. e lntro u 1 d d 1
v efectele reac 1:' troduse de curentu . e. el? asar
1
. are iuversa, rt cu cele tn b) deplnde de d1str1butta citn
. ,.. po atlZ . " ra po 3 16 . \.J '
tar tn A t . neglijabtle tn {vezi figura . .' tie foarte mtca a tenstunu 11:
rare de d} 0 dV A = - lre}g
. lectric (re ayl . tnlC - '"' . .1. el dl iar Clffi})U e ec rtc -- r
P
ulnl e dt" .. de . largttnl ' n' (0 l ) )
. tiUtlC (con lylef v 0 wodiftcare a trU orice punct X E ' n ; acest,;
spatial a dl.9 constant a pen
. t ns
1
tatll, ' .
tie a tn e ' rela}la
vana, A t legate pnn N
variatii
5111
qN dln = ql D dl,.. (3.9
1
dlS ::::::= x=ln ::=::: g S
1
are expresia :
. cnretltul de dep asare
.'\tunct, d$ dl,.
---Crl == A Jq:V D
i A deplasare ---"(., 'J. 1 dt dt
1
v l a regi unii de
. . +n(N }> N D)' argtmea n
Pentru o Jonc}mne p . . A 3 16) .
spa}iala este (conform rela}tel _ _ _ _____ _
l,. l = v [<l>Bo- VA(t)].
Folosind acest rezultat in relatia (3.96), se o btine :
. e:A J dv A = cb dv A '
dePlasare === l dt dt
t1nde C reprezinta capacitatea de bariera * a jonctiunii pn. ;
rela tia ei de
'
calcul :
C
__ eA;
b-
l
(3.99)
este valabila pentru orice profil de 1mpuritati si este similara formulei ca-
unui condensator plan cu distan}a din'tre pHici egala cu l. Pentru
o Jonqiune abrupta, asimetrica, capacitatea de barierii are expresia :
Cb = Cbo , (3.100)
"'/1 VA
v --:- <1> BO
unde Cbo este valoarea
capacttatti pe11tru VA === 0 :
Cbo = A "\ / qe:ND (3.I tli
1
V 2<DBo
. Acum se poate co t't . . . . l
va fl format dintr _
0
r t ns
1
. Ul CirCUitul eehi valent al jonefiunii pn ;
onare ale tuturor enta lnterna, R, (care tine d _ efectele statJ
in .. Paralel (fig. cl.oua capacitati, Cd _Co
Slructuru, data de neo
11
se noteaza cu C; capacitatea totala J
cj = cd + cb
* D .
enuiutrea <le bano,a .
c ) . . . prov
111
- de la fapt 1 ... "
b se bariera de t u a lll regiunea de sarcillli (und. "
Po ential 4]") B. ..
56
K,.
Ct1
-CIJ
I
I
-
ig .. 3. 17 ..
g.
)
k1
R. = I< d = -
ql _
re p ctiY:
l n polari:..arc im.ersa (rR > 3kTfq) apaci a a d
biHi. n a r c011teaza numai a1)acitat a d bar rv .
na e considera i11finita .
. 0 re izare. che na ecMvalenta a _ionct .m s co
.. tr1c a slructurii cotlfOTill ial1rii 3 9 a a till
3
. s t:> ' .I
.3.4, 1'ez i tc nt l s ri 1110d rlea l eject le a e l l. ' l
3.5. DIOl E E tri .lo.. ".1.
l
u1z dispoz1t v el ctro z c
alti'ala ,. b _ . .
d: JO .
1
111 olul dwd 1 te pr z ntat
<:i .1 ul ui numes anod (A) i
nca e t a d la a 110d cat d.
n 1
I
.. I
Pig. 3.1 9.
ig. 3.20.
-
I
A
A
Si, n_,.
c
Fig. 3.21.
fig. 3.22.
t t dt'odelor eiilicotlductoare e te realizata pe
1\Jiar a nlaJorl a e a
jonc}i unii pn. . . . - d . d z ...., ( .
Tipurile coiistruct1ve cele J?-1al repre.zentati\ e 1_11t ,.a a zata_ f1g. 3
i dioda difuzatd (fig. 3.22). Dtodele al1ate se real12eaza 1n pectal pe
iar cele difuzate pe siliciu.
Diodele semiconductoare se realizeaza intr-C? mare , .. arietate de tip
111 functie de utilizarile care li se da u in circuite. In cele ce urmeaza
J
zinta cu titlu informativ citeva dintre acestea, in scopul ublinierii spectrul
larg de aplicatii. Nu s-au inclus fotodiodele, diodele electrolumine c
) diodele pentru microunde, care se analizeaza in capitolele pe ializat .
3.5.1. Diode redresoare
_ Diodele folosite la transjormarea curentului altcnzafit in cun nt c :full
se nun1esc diode redr
8
F
frec,etlta t"nd t . 1 'W e e. recven}a semnalelor redre ate e te de re
, us rta a ( 00j60 H ) p 1 . . . '
oare int curentul A
1
. z . nr:ctpa u. parametn at d10delor redrt
in polaizare admi. SIF_\f ). ;i ten ..
de triipungere). Realiz8.ril t .(! RM - :nat mtca dectt ten t\1111:
lor de amperi si tensiuni Ve ac dua e Rermtt curen}t IFM pina la ordinu1 ute
, RM e 11111 de ,
0
1 ti
:1
3-? n
lode detectoare
Diodele detecto
video t f are sc /olosesc p t d
e c. ,d unc}ia lor e te asemawn""'t en rl-t e?nod1tlarea Se'IJlllalelor riJiio
c. a tt e re 1'"' a oare red v d
nesen1nif!. t' gu a' frec,ente mar
1
( t d re artt, ar semn ale1e preht-
tca 1 \re D J 11 e e kH MH .
capacit8.tilor a. . e structurile au .. .z-:- z-GHz) p
, soctate Jonctiunii Pn. aru mtct, m vederea mi
3.5.3 n
. lode de eomutatie
Dtodele de eomuta .
parametri fiind tit . . fte jolosite in 0 0
inversa in sens de( comutatie din de impul llri, pri
rar vezi capitolu} II) anzare directa m
58 . Pentru marirea vit z i
. -edtlS til Ill ttl d viata al pur-
t
alj tr but
1
.
1
1
de sar i 11rt ( 't'
0
) ; acest lucr11
"1 r ulo Jl 1 . . . .f.
t
ato1l l .., t 1JUO]Ogi c l )flll llllpttfl tcarea
, 1' aza . (d 1
) 1 a lZ.. :J
. In at: st z :
c I Sa fi e aChCa ( t) 1
1
c(t)
(/)
l in <uf
Sc l 1 :
l",
J? 1
U,
I'
t tnarinu, tr but . d t
. t
dih.r n
llllill t: l Z.l
utiu . hnlul al to . i (3 .. ) :
dl
. dl'i <. < ntonn t la, ,
' .. , ()''
nrk1 ' ...
I
1?, ql f1 10
l i \
Atubcl, va rezulta I. 0,05 utA v. l ,95 nt\T; se ohst.t t:a SA
k1"' '
ctl condtft de setnnal ntic T - . Aduuind nzultatl1<, se ohtinl.::
t'
A
q
IA I. <of J + 0,05 sin <l)t [1u \];
J .. ..- 1. sin <ui = 0,54 + 0,()()195 sin <vt [\'].
0 Obsf'rlafii. principiul superpozi1ici co11stJ in aualiza
a
dtnta a efecte]or celor don:i surse de tensiune, se constata totu:;-i o legtttura
111 stn ul ca paratnetrii cir uitului cchivalent (in cazul de fa l?.c) se
c.:uleaz:i in functie de utarin1iie din punctul static de functionare ; U(\-'st
1ncru de fapt. caractcru1 ncliniar al function5rii diodei.
Capitolul 4
I! CON'fACTUL METAL-SEMICONDUCTOR
Contactul n1etal-sen1iconductor este o structura"' ft"zt"c"' _. t " ..
d" a care 1n ra 1n
construct1a electronice. Principala sa functie este de
a contacta dr:rersc regn1n1 sem1conductoare 1n vederea conectarii la ternli-
nalele capsule1. in acest. caz trebuie sa prezinte 0 rezistenta foarte
1
uica in sensur1 de ; uu astfel de contact se
cotttact oh1ntc. poate avea conductic: uni-
lateraHi, atunc1 purt1nd denumuea de contact redt'csor. Contactele redre-
soarc stau la baza constructiei diodelor Schottky. Ob}inerea functionarii
oluuice san redresoare a contactului metal-setnicondutor se face prin al
n
1
ctalului, a sen1iconductorului a gradului de in1purificare.
4.1. DIAGRAJYIA ENERGETICA A
iN VECIN.A.T.A.TEA SUPRAFETEI
Suprafata sen1iconductorului reprezinUi o di continuitatL a .
periodice dil{ interiorul monocristalului. In plus atotnii ?e la
conductor-ului nu mai au vecini in exterior pentru
covalente Toate acestea se traduc prin apari1ia in banda lntcrztsa u.
. . . t.., . p 'l., i, S"tP1'arfa(c'l (fig 4 1) . \cest, t 1\ ll.
ntvele energet1ce num1te s an ra H {;; l t ' J'. 4 , r, , lH _
sint relativ dese astfel in cit se o a lOr, lJ t: t 1 ..
zinta numarul de nivele pe unit a tea de ... ..,t d t'i .cr. r:m
1
11
.. ort
1
u
1
H.' q<l> d1n tn\
de la suprafa!a setnicouductorulut ocupa
0
P td dor ,a'"ri in
E
.... -
1
d d su
1
)rafata pro U('l'
1110 1
H:
xtstenta start or rap1 C) e . . rr iuni Jolitt'. 1\Ie<.. ui nn.tl
adiacenta, care se traduc pnu aparln Y
4 2
fornl:-'lfii regiunilor aolite stc prez ntat lll ilgnru ..
(a _.: pentru lUI tor de tip II ; b r- ntU
uu setniconductor de ti] p ; alaturi, . zcnta n ( Hl- =
. ... .
1 1
fX
1
.r
1
a 11 1n eontact en -
gratna c11ergettca a utnn tne n u (. =
S<!llticondtH:tor).
1
lc<.:ttonii dt =
un cJnieondtutur de tap ' '
1
=
f
1
f d s1 \1111} C COlll -
\.:Otldu 1i .. din aJ Jopi rPa .. upra 5:' Pl 111 , I a ttnlplcrii =
l
.... 1 .d d rafata . pe ' -
p l't c 1 npt e ... up t
1
, ... . r
1
1
i negative --
t
1
f'"1; e a un111 d c ' '
ac s ora, a supra .1 .1
1
r donoti) \pare
ia1 in vohun -sarcini p,,ziti ve (ale ..
0
iJnp :tric
tst fll o rtgitHlP golit u },1 ::;upraf;lla
tr su}>f tfU\<l
j 1
ti d . trotu \.a '-
arl s< opun<. t1 ans c.I u t .. b A. r
11
a {arti,l sint
Se ohlinl' o situali( de _.:Chlh
Hi-
tunplutc nutuai o parte. <hntrc :t"n
flq. 4J.
c &
--
CJ
-
+ +
+'
8 '
+ I
s
- -
s
)
-
+:
+
- +
+
-
+ I
fJ +
-
-I
+ + +
I /}
+
I
lij
zero (viti)
Ec
'S- '
Ec
EFm
t
:
-
(.:)!
EF
F
Ev
Ev
..
-1<
.
'
a
b
fig. -1.2.
1 in1ik tratulni golit se detcnniua la fel ca la jonc}iunca P +Jl, ple-
cind Ja arc ina iva inchisa in suprafata. a carei densitate supericia-
1:1 ( t, :
( 4.1)
H.elatia de 1nai sns a presu pus o dcnsitate a starilor (D st) constant Ct ; 1na-
riu1 a reprezinta 1nal1 i 111 a barierc:i pentru electroni in sensnl dinspre
c x1 erior spn: L> e1 ui con o nc1 or. l)i 11 coud itia d =- ueutralitat c global a a
1 ezult.'i :
(4.2)
este Hi!iillCa goliie ]a "chilibru t nuic.
e _Jn .. se o regiune golitr1 lu un !lorniconduc
h)J p . ..!\.tel. 1ctronn care ocupau deja str1rile rapide ch supraf ..qa
(d 111 q <I> 0 ) t r c 1n ba 11da vale uta, unde slnt n i v ll! cnerget ice
!1be1r ...( cu prezen1a goluri]or). Suprafrqa svtuiconductorului s
1ncarct1 pozttn, Jar voJtHnul St 111i oudnctorului n ga1iv. . glo ..
bala a sarcinii itn pun
(4.3}
l J) dt <l>np r ..zinta bari ..] a n it: a p 11 tru go hu i .
. n Jg,.1il:a a supraf""lvi S"niicoudtt toJ ttllli po. b Ji
pnn dl\ er e ]JIOccde 1 hnoJogic , .... Jnplu, 1 rin rt alizar a unui .... t 1 t
ub}ir de oxid.
td
v ., 4.2. fJIAGRAMA ENERGETICA A CONTACTULUJ
LA ECHILIBRU TERM1C
an o relativ simpla: ele prezinta o ha11(Hi
de conductle cu p1na in dreptul nivelului Fe:nni (EFm)
J)iagn:nna e;1erget1ca .a tnetal.ulut este prez.:ntata in fiecare cEntre tigurile
4.2.a b, 111 corelat1e cu d1agramele corespunzatoare
Hir{1 a fi, in acesta (s-a considerat cazul alutniniului, iar pe:ntru
c;ctniconductor - s1hc1ul).
Prin contactul dintre n1etal 9i setniconductor au loc transfc:ruri de e:lt:c-
troni intre cele doua parti, care 1nodifica barierele energetice sarcinilc:
nctc din sistem (hnplicit, situatia regimurilor de golire). CoHdi{ia de cchi-
lihru tcrm1c 1'1np une ca nivelul F enni sii fie constant in to alii strztclztra.
e Astfel, Ia contactul dintre un metal un semieonduttor de tip n
bariera energetica este in fig'!ra 4.3. La obtinere:a ei a contribuit
transfcrnl de electron1 1n doua sensur1 :
_ din banda de conductie a semiconductorului spre n:eta1. (
teudiu}"ci naturale a electronului de-a ocupa niYele hbere tnal
din mc:tal pe starile rapide (ni\clu\ Fermi
d. se
1
niconductor este situat sub nnrelul Fenn1 tnc:tal). . ...
111
Aceste transferuri accentueaza de a ... suprafete
1
.: tn_tr-o
tf 1e situatie, structura prezinta o d1fereuta 1nterna de .1. la
as e. c . r' ... a pn va avea o condnctie unilaterala: decl, aast. contact
fel ca la Principala caracteristica a contactului inaltitnea
arc. car:tcdtcJ J <I> considerata pentru electroni in sensul dnl pre lnetal
banerel <.; po enr B' t dins re semiconductor pre lllt:tal
spre Electrodnu otatpdiferen}a interna dl!
1ntilnpina o bartera q V o, un e cu o a n
din senucouductor. . . .. Juieonduetor de tip pat . lo
La un contact dintre un tnet,ll figuril. 4.2. f;
d 1 t
dinspre 1netal spre :sc1n1 ..
transfern1 <..: t: cc ront .. . . ractic nu are electron1 at .
si 4.4). tund hp f' d" metal ocupa stiiril 1 a1?1dl
fie transferati lll metal. El ronn trans .I xist nt aici inautt .
de duc1nd la d ... sar\,.:ina u gativa la supta.
de contact Sc 1 oate cn .. a clnat un_ l't (d bari ra) i fonnar a unul
. } a - r'it'a tegHlllll go 1
fata; aceasta due a
1
pa
1
)
I
s -
I
+
.. t
:
.;
+ (n) M
+
; + +
-t I
lo
fag. 4.
ig. 4.3.
5 U t-[l: B '
65
66
strat de aculntllare de goluri ]a suprafafa. Un ase1ncuea contact 1netal-semL-
cond11ctor a1e cotnporl arc olln1icii. . .
CaJ nlul inaJ}imii barierci ( <l>n)
0
cunoa7tere
ro' co nporta""rti suprafetet semtconductorulut a metalulu1. .in prac-
JlUtlJttd a 1 c. ' .... " d.
tica, en se detertnina experilncntal prtn masurart tverse.
4.3. CARACTERISTICA STATICA A
METAL-SEMICONDUCTOR
Descrierea con1portarii fn regim polarizat electric a contactului metal-
sc1niconductor se poate face conform mai n1ultor teorii, cea mai apropiata
de realitate fiind t&oria cmsici. Se presupune un contact nletal-semiconduc-
tor 1t, ca 1n figura 4.5, unde sc preC'izeaza 9i sensul de defini}ie al t ensiuuii
rrA $i curentului I A
e ([>! o a practic independenta
fnal}nnea barteret de P?ten}ta1 pentru clectronii care tree
dn1spre sen11c.on?11ctor sprc dep1nde de polarizare este egaHi cu
.Vo-: v ... ; d.ec1, 1.11 dtrecta (VA == Vp), are expresi a V
0
- V
1ar 1n polanzare (VA .... - VR) are expresia V
0
+ VR. f:t
pr1n structura este un rezultat al superpozi}iei curentului
d1nspre :neta1 spre sen1icouductor, I MS' 9i a curentului de
eJe:ctront spre metal, IsM, adica IA == IsM - I .
_<1>11 1111 cl ep1n ... de de rczulta ca 1narimea curentului I
ea Jndepc: n?enta de po1anzare. La echilibru t.cr11lic ( f/ == O) c t
5
1 I
est c JJu], deci : A ' uren u ..
1 MS =- 1 sM(U.., = 0).
l_n jJolarizarc d1'n clu sint favoriza}i eJectronji care tree s t 1
datont scader11 bnrien:i c orcs punzatoare . re, "' I pre tne a
1,.. > 0 ; In l)()larizarc 1.Jl 7Jersr'i curcntu1 I ' est .. zu da ca .sM >
' ,(: re us constderab1l, astf<l,
_ ...
M I
s
---
b
-
0
I ig. 4.5.
(!7)
(
ca I "' f
.11 = - Ms = - I
0
== con r.;t.
_\nn: ntuJ !n }JOJarizare invers a
decJ, ! enotnenul de
1
!t
1
de putere care lucreaza la frecvenje ridicatt ..
. Jrcul e ln _egrate (T'fL - Scl1ottk")
t 1
.J p ntru a nitezei d( co-
lDU a)e a hipolare.
Capitolul 5
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1. lNTROlJ TC'ERE
/ s.l.l. Simholuri, nolalii. tipuri de caral'hristici
1'ranzis1.oru1 cstc nn elctro1 ic trci bonK : nnitorul, -l
colcctoru I. Al <:ste t n.:i borne (II terlnina1eH sau u<=lCLtrozi '') {a lgatcra la
trci regi un i n1ico nd net oan: de conductibilit dif rit ( u j o.le
aceluiasi cr1st al sc:rniconductor.
I
Tranzistnrul hit)olar (nutnit a a d oar .. '(.' oJZcfuctia t s t nsiguratl'i dt
dozu'l tipuri de purlrltori de sarcina cu d< SCHUl d. fi rzl . i
golur) poate fi o structura de t1p pnp (flg. dt tp Hjln (tlg. ::>. l.b
e In figura 5.1 sc arata iinbolu.l'ih \ CPl_? l!Ontt
Sag a diu sin1bol corcspund JOnc1tunn j>H \ ufu
;:,Etgeti1 1ntotcL:auna de la zona p la z. na n) . Ea n.d
po;it1, al C'nHntului pi1n<ipal 111i11 1. Cou\t'tl\1(] dt n:, I tru
curl'nti t:stt! indicata in fi,-,-ura 5.2. 'I'ot ai i ar ..tt:l :,i d: uotan.
J
0
. ""' d'f t"" d l)Ot u.ttal lUtH: d lll1
ste scll!ia ca o t r"'u.t,t "' !.. )
punct1, in ordi11 de indici. . . . .. t t uni
t:u1u\xiunih 1runzi torulni. , pot dcfuu u. 1 "Ul ntt ':'1 a
1
tn
clnr pcn1rtt dv.., 1i J( t compotCtrii t1anzi tmuhu m. ,.,tllt
11
1
d<...'t:St\. "'asl ... 1i1ni . 'J\nsiunil sint lgnt pnn u.l,tl
11
I
I
CIJ
Bazi
I
n 'p
n
I
p
.}J
p
\
\
\
'
\
\
\ \
I
Emllor
I
I
a
b
I
..
fol
0
b
iar cun. n}ii satisfac conditia
iE = ic + is
(5.2)
(tranzistorul poatc fi cu nod in care
sun1a alge brica a cste ze1 <:>). ,.ca
nun
1
ai doua tens1un1 !$1 clot s1nt n1antn1
indcpcndcnte." . . . . .. ) _.
A Iegere a tna:uudor care de:c11u
portarca traHztstorulut se poate face 111 m?dun
diferite. Criteriul estc unnatorul : sc constdera
tranzistorul ca un diport (un bloc cu doua borne
de intrare - poarta de intrarc - dona borne
de - poarta de peoarece tranzisto-
rul are nun1ai trei borne, una tre6u1e sa fte co-
Jnuna intrarii Borna con1una
conext'unea tranzistorulni.
f
. 52 1u figtua 5.3, de pilda, este reprezcnto.t uu tranzistor
Jg.
fntp in conexiunc baza comwnu. Pentru caracterizarea sa se
c don.1 mtirjmi de intrnre : 1E tiEB doua marimi de ic.5ire : t'c !Ji ucB
e TiJlUri de raract.eristici. Daca pentru a descrie dioda 1n regitn sta-
nar (curcnt continuu) sau cvasistan}ionar era snficienta o caracteristica
la tranzistor situatia este considerab]l 1nai cotnplicata.
P ntru un tranzistor dat rezulta atu11ci cind se dau tensiunile apli-
catc: pe jonctiuni. Alegind pentru ilustrare figura 5.3, vou1 avea
iE = Vca) ;
ic --= ic(vEB, Vca),
(5.3)
(5.4)
dtcj trebuie specificate;; douu ju1tcfl'l. de doua variabile. Grafic, acest(.; funct ii
c ll ( pund la doui! rle caracterist'l'c. '
!n tra1 zistor11lui se folosesc curent: caract ::.rjstic_:i de iutrare
caruct nsbc! de tra!lsf caract risflcj de ie$ir . Ace t a vnt fi fica1;.
tot cu ref nre Ja f1gura 5.3.
araeterj He.ilp dr intrnr sin1 ;
(5.5)
f(Jj ticiJe d hnn cr dnu c.:u1 ntul d icsir( t"J fttJl 11< 1
rit int 1a1 , , (t tnsu1nPa
I
'E8 I
' :
7
1...---\----- .J
01porf
ffq. 5.3
f
(
t(JJlll \ OJ l 1 1
dou tun d 1
J tlltJUlOilHHht l{l Jl ,
t
1
1
olosesc, dupa caz.J toate tipu-
se . t" . d .
1e de caractens 1c1 e rna1 sus,
n . 1 ..., ""
atit in )a.za cotuun.a
(BC), cit 1n eJnl -
tor-conlun (EC).
}
1
rincipiul de
(eleetul de trauztstor)
Ef(;ctul de trauzistor va fi
rxplicat pc 5.4, :onside-
rind un jnlf . .
Regiuni de
sarcina spa/tala ..
Bozti svbltre
Reg;une neufra
F g. 5.4
ra pnp cupn11cle J?nct1un1 . .
SE:Jnicond uctoaH:, JOllC}lunea <.:nutor-baza .1 jonc1Htn<:a col ctor-ba .
de diSJlozitiv. In junc{io1 art a ormal i, jnnl iun< a <:tni or-
baza estc polarizata dircct, jar jnnc1iunt a ol or-baLa < "t" pol nz :ttl
iuvers (fig. 5.4). J)aca
k1
'1. t'r n >.
1
at unci jouL 1 i unc-a <; n1it<?rl'tl u! at ... ur .. d un \:UI nt 1 r 1 \ 1n 1 1 n t
en cur<.nt rfzidual al 1ntr < l j t 1 I "' dt u utl
(paragraful 3.3.2) t:u v(_ loti ti1 i<.c.: tk Oidu1ul
0,3 \r (Ge). . .
Cat a t ri. ttca tt cl11Y.t to1 uhn t.
tiuni. ]Joua tonditiih: u1 it Lu1
iouclil
1
11Ca ( ntilorului st1 fie u t f
to
1
.utui' /)1lj). Ca ttttnatc, t ntul <it<. nttlt
1
\
c1P ( oluri ... \ dona ondtlt'- \, . !
1
lH?egi1Jrra d tllfu ,c I goll't h r unl Hat I
sa pt f. I tic lJl t.ot ht 1 r u
tontlui. d( pru t , g ,lun! . r t
d "- itn pul lt <. t 1 il: l tt ut H 1
, 1 ( U } d (; 111it 0 I tl f I t U] I
.
.-t f o t n l g 1i j t t L 1 1
"
..... t1
HJ
f t t
I J
t J
I
o.7 \ l 1
-
10
1
t
+
.. c::: 6 u nde i 11 Sl'!H: < u
ct
1
n hguta ,_,, .
. . . ] t
1
'l
11
z 1...; t oro lu1 au .t u :""t-
J011Lt1 tllll C (. " )
: t s rczis1tnh. I l!ntrn a
111 ro u t...: '.
1
" . ;:,. 1
. ll'"trtllllh: t'.t:: CtllCl Ul}l
det<:nHt1Ul 1 .
1
. 't . tll fol >..-;i e .,dl
ClfClll \O '""' - 0)
'.j' ,, Sl I 1>1<>-
dlspozt L1V '"
... : .-1 t
1
-:
1
ccnatii ,de cJrctnt''.
Ctll11 uO ' _..
.. \ccstca (lin unna slnt
Fig. 5.6
1
... _j 1:., I l === dat ;
l
. - Eh' -r \ E E "'
IE
(5.11)
( 5.12)
T ... cc = - T"cs + Rcl c
1
de c
111
itor 1n pnnctul static
't alLlllnl curentu nt
R lalia (5.11) 1'-nnl l'
:
'
J! EE- Jl EB
IE==-----
RE
( 5.13)
. , . --est curcnt este deternlinnt practjc de circuitu!
Daca VEE l Efl, atuncl ac . ) .
dl: intrcue (( stc de tranztstor .
VEE
RE
)iai departe, curcntul static de colector este
iar tensiuuea de colector
Vcn ==-Vee+ Rclc.
(5.14)
(5.15)
( 5 .16)
Calculul de
1
nai sns estt.: yaJabil daca V en < 0 (jonctiunea colectorulni
tn: buie sa f1e bJocata, iar curentu1 ei propriu-neglijabil). . .
CODl})Ottarea tranzistorului C.1 amplilieator. cu.nl .
tranz] ... toru] din figura 5.5? Deoarcce ic var1atule lu1 z E) nn c;e
punt: aici problema atnplificarii in curent.
An1plifiearea in tensinne. Sa presupunen1 ca tensiunc: a
mica varia tie 1 Aceasta provoaca varia1ia lui ic 1'-.J 1.E
In co1c:cior va shn11 o \'::triape de tensiune
l<c
f?E
T/ EE are o
si a 1 ui '"en
J
( 5 .17)
) n .-n1nalul" L\VEJJ va aparea an1pliiicat daca Rc > /(E. geznltatul llLl
est ;nsa edificator, deoarece a >licarea semnalului in S<!ri( eu batPrin ck
c ntare nu oCJoc lnspirata. ntr-adevar, in loc ( c a ata<:a
prin 1 serie l?E care lit nit azrt curentnl, pub.;u' srt apli(.:ara tensi ttll a
l" nal dir ct in emitor, printr-uu uudensator an? blch:heazrt curP1ttu1
01 ti u 1 rlar )C"flnitt tr }cerC"a s 1nnalului (dac& aces a ar .. o sttli
cH 1 l rap1drt). tunc1 sentnalul poate 1 consi l .. rat chiar 11vaiJ 1 >sign:
ca 1n cara teristi d intrare sh11pHiicn.tr1 (5.9) va 1 r, .. btH
ahdndonata: >losrnd cl ptndenla jxpo11cntin1:l d 1 ll"'H1llt
ft cur tn tulu1 pn 11 JOncti un a pn d s , his a sc ri 111 :
( 5. 18}
12
c
de prin difcrcn}iere, gasbn
- qlc
6.vEB - kT -= gm,
5. 19,
unde Ic curcntul coutinuu in jurul caruia au . . ..
sentnal, lay gm este panta sau transconductan a tr loc. \ ana}n_ll' prod (l
de fapt chtar panta caracteristic
1
1
de t f I . at:zlstoruhn. Acestea , :-,te
rans er 1 - 1 ('"' ) :1 t" d
1
.
(
5.18). Aceasta caracteristica este :.1 ... . c - . c (, EB r_a a e rt 1t1a
. .., ne1n1ara aprox11-uarea e
1
rri t ..
fste accc-ptalnla doar la sc1nnalc ;nici (pentru 6. .. , . ._kTJ
1
)
1
n fan2; nta
jonc}iunca j>n ; sc va reveni). Din relatia (5 1 '') I q. a cl l'a la
, . .... rc:z u a. apo1
=
=== (5.20}
deci. an1plificarea in tensiune este gr;nRc. Accasta a1nplificare poate lua valori
1nar1. .. kTjq = 0,025 T! lc == 1 111A objinetn p == 40 1:1.\ V
.A.tunc1 an1phhcarca este 80 pentru Rc = 2 k Q etc. o ' .
.. 0 cu ._Ic (Cm dar datil. Iucr:lm Ia u ... fc de
n;::;_ ... sa .:_aloan:a hd Rc. deoarece in caz contrar diderea de t
pe Rc uupune o exagt:raUi a t(usinnii de alinH:ntare, V CC
.A .. n1 aratat in celc de mai sus ca tranzistoru1 in conexiune baza COtnuna
fi folosita ca un a1nplificator de tensiune. De fapt, itnportant estc
faptul ca tranzistoruJ antpliiica in pulerP. Acest lucru e in}elege u r de-
oance amplificarca variatiei tcnsjuuii in circuitul de colector are loc 1n
'-nncli}iile in care variatia curentului este practic {die
deci puterea sen1nalului in circuitul de colector estc considerabil 1n ..... i
chcit cea necesara pentru con1anda trauzistorului in cn1itor.
Tranzistorul transfera cun.:ntul din circuitul d iutrare de
1nica in circuitul de de rezisten}a mare. De aici d t r t.ln
zist or (tra n s1's! or == fJ:.J!J.tsjer rt'.sistor, adica rezisten}a d trans1cr).
5.1.3. Constru tia trunzi lonrelor bipolare
e Trunzistorul jnzp u g ,,maniu din figura .5.7
nn a donfl dr- indiu la o p1:icup d nnatuu.
o topirc lol ala gcnuaniului. ," .Ini-
Cflllductorul re< ris1 alizcaza ch1p;t altlH
inglobind at 01ni de i ,, diu ut c on ti-
tuic un dopallt d<..: 1ip p . .. or
lll\
1
aza nlitornl '"'ol t nuL ", "-ll
svpa1atc dl; ba;.ttsul tit\ (JO 11
11lt 1 nlic ]L h,l . t {OJ1
1
..
Contact
rnefo!Jc
Ia
5-IOpm
-.l)c..,+4StJbslrol n +(tofeclor
Slrol epJIOI'JOI n
Otfi;zte p (bozo)
en g('rtnaniu. Jn figur.a con-
t
. ._.t
1 1
,
1
colector sc face pe
,l( u (; . . 'l' .
spatck de Sl ll't n.
'T --irluitele tntcgratc ...
Jll l
torul se conL.t<:teaza pc
l",n.J.ncl . _ t'n Ul. plac betel ca
, . I) t
'/nelo/;c ei.uitorul l)aza. ru ca
_ 1 1',,
mtJflJ h c --!---4 '
locolecl!lr n:l'istcula
.. sa he nnca,
. "
lo emdor ,
contactul se i ace p c o zona
11
+ difnzata in colectorul n
250pm
Tronz,sitJr plonor cu s!ltCttl n p!7
rf.'oh;ot pr1n r/lfuz;p .p ep; /onf'
Fig. 5.8
sitnultan cu ctnitorul. Supra-
fata siliciulni cstc in toate
ca'zurile protejata <.le nn strat
de bioxid de siliciu. in care se
decupeazrl ferestrc le de me-
tali7arc.
5.2. RELA'fii iNTRE CURENrfii PRIN
@ eurentilor prin tranzistor
Jn cele ce unneaza von1 considcra din non un tranzistor pup polarizat
11onnal, in conexiune BC (fig. 5.4). Votn analiza scparat curentii de clec-
troni respectiv de goluri la cele dona jonctiuni von1 discerne contri-
bu}ia lor la curentii cc cnrg prin borncle exterioarc.
Curentu) de emilor. Figura 5.9 punc in cvidcnta curentul de goluri
(predon1inant) curcntul d vlcct.roni la jonc}iunea en1itorului :
1' E = i I, j1 -t i /, n. ( 5. 21)
Cnrent.uJ de f!olef!1or. () parte din curc ntul de cl<..:ctroni injectat
dt: e1 nit?r. haza se pri ll recntubinarc Ur) Ca nnnarc, curentnl
de goJun lllJect ate de e1n 1 t nr col<"ctate colcct or est e
7
,
1'c
1
) = i, .. p - i
,, r.
En,flor pr !Jazd n
+
C'urenfdt? e/eclron/
propr/u ;oncliun;i' _....,......,
emllorulul (zf.,n) f is
Curenl de recomb;i,are, ir
Go lll'i
+ o- - anll'l!f'ale
. dt C!/niJ
,. ; <
v,p /fl colet/lor
Go/uri sl eleclront m;.nnrllarl
Fjg. 5.9
(5.22)
Curcut.ttl propriu. :d. 1 cno, l'St. c1, urti'lton
utinoritan, vlcctl<>llt golun (llg. 5.9). Cnn:ll1lll1otal clc col ctor
i c = i I I /J + I c DIJ.
e t:urentul de bazrt t')ste
(5.23)
. . .
1
J:J-
1
E-
1
c =
.. + lcoo (5.24)
si an.: dec1 t rei con1 ponenh: :
I iF, n - - ctnentn1 de electroni propriu jonc\intl11 1n1torului, curent ru
Sl' i
1
v:hidt.> pri n ba.z.rt ; .
i,. - cntcntul n:ccnnl)lnare, sustinnt de t=lectronii inj ctati 1
11
1n in1 ilnpi nat ea gol un lor cu care sc bi n8 :
- I en:-> - cttrentnl ( de propriu jon tiunii
colcc1 ornhn : la acesta attt lctr nn tninoritari injcctati din
colector in baza, cit golurilc 1ninoritare injectate din baza in colcctor.
e Factorul anl}lliiicurc in curcnt. 0 fuuc}ionare \ficace a tranzi -
torului are loc at unci ( ind curentul de co lector ste prac.tic egal cu cur \ntul
e1nitor .
0 pri1n;1 conditie nccesarrt estc ca 1.E sa fie aproxi1nativ un cunnt de
goluri.
in accst s us clc\finc*te o tjicicnfa a enzitorul1ti
care arc valorirea I' B = 1. . . . .
<) a dona conditie ste al:eea ca n1ajoritatca g lunlor 1n]e d \!HH-
I
a1i lll luugin1ca dL" difuzie a Plectronilor nduo.ritari tn en1itor,
1 ,., lte ipoh:zl" s1nt:
ll{ glij ..
1
rea fLnOtnenelor de gen rare rccOHlbinarc- in regittllla
dc.. 1 t ee>re ;
- ni\ 1<.: tni i de iuj ctie.
Figtn a 5.10 reprezinta cleettonitnr utinoritari
in fntilor. Concf\nh atia de pnrtaton nnnontan tn e.xcts cstc
tnn rczulta ea din ecuat1a de difuzie (cap. 3). t..'ttrcntnlui
de lectroni 1ninoritari (practic, cun:ut de difuzie) este
1 = Q ' =- ' exp x - lE
. D dnf, E qD,1np' E(-lE) (lE + x)
11
,. d X Ln, E Lp, E '
nt:glijind generarea-ret..Olnl)inarca purtatorilor in regiunea de
r zulta :
jn(-lE) = qDnn;,, E(-!E) = Jn(O).
Ln,E
(:1.:10)
tn.:ccre,
(5.31)
!)(ntru t.urentului de goluri Ia x = O, vom prcsu-
PI!n ca recon1b1nar.ea . tn baza foarte subJire (ipoteza suplimentara
H L,) este pur snnp] u neglijabiHi ; ca urmare, densitatea curcn-
Emltorp
(zona oeufrtl)
N(E)
'A
Bazti
neutrti
(No)
Flq. 5.1 o
Zontide
sore/no
ISpoliolti
'
tultli de difnzil' .t gnlnrilot 1nino1itar
("te
,
Pn(.x)
'IAF
e'J
iar J :,(x) -== i"(x) - /',,(, liniar
en distan!a. Folosi n1 cnnditiil(' la
111ni1 ;t (3 .38) :
l'olosilti
= p ... \ exp( - 1
(
qrLn) kT
k '[ />,,," 'V EB q :
Oislrlbu!la e.x11cltJ
Fig. 5.11
(5.33)
p;,(w) = /'"" [cxp - l] - Pno. VcB < t),
kT
I VcB! - (5.34)
q
(tens1nnile din exterior cad practic in p<.: regiunilv de
sarcin{t spa!iala). Luind p;l (vV) ,_ 0 (fig. 5.11) se poate scrie:
,_ {1 -
Jll
. (0) :.V : (TV) = .
]p - )p lV
e clC"finitia (5.25) a eiieienfei emitorului rezultrt:
1 l 1 I
Y E = = (0) = - n' (- l ) D ft.
1 + 1 E. !! 1 ..!- 1 + p,E I E . __!! . -
i J (0) p,.(O) L,,E
E,J' P
Folosind
( 5.33), relatia si tnilara
nf,,e( - !E) =
[ exp (q - ll
precu1n
I 1t:
(E) 1l i . p
1l /''I =--- 1\T(l') , .. o - -N I
D
:i
1
JJ)I 1.\.D
-
l),L,,Ej.
... E =---
, .
1
(5.35}
(5.36)
(5.37}
(5.38)
(5.39)
(5.40)
-- -- Jt tUtU uuca dedt lun,.;m
])L a r 4"lHl i CUlitorullll lit c.l Jl t. !!itt: mu JY,. in fvrnntla- 5 -40
'
1
n 11 ni anlocnit cu B
. t I ,. Llll td . F
dtfn .1e a clcC'tr Hlil ,r mmon .tn " u
.....
f I
0 Jftt,ifje iMportaf/Jt4 pe,.t,fl ca ejiciettla cm1'torului sa j1'c nprop'iatc'l
tMf.ttiU este
N <<< N'f,(cu citeva ordine de marime).
(5.41)
adicl jOfiiC#itme emitor-bui trebuic sii fie de tip p+n, putcrnic asimetricii.
5.2.3. Factorul de transport.
Rlmfntnd in cadrul aproxilnatiilor de mai sus, votn esthna un
earent de JMOmbinare presupus din start foarte n1ic (o simpHi corec}ie).
Cu liniara aproximatha (5.35) a golnrilor in exces in baza, sarci-
na total& a acestora este (fig. 5.11}
qt<.(O)W A
qF =
2
J (5.42)
unde A
1
este sec}iunea transversala a dispozitivului (aria jonctiunilor) .
Curentul de recombinare poate fi obtinut prin . multiplicarea sarcinii totale
goluri cu probabilitatea de recombinare a unui gol, 1/'t' , unde 't'p -este
ttmpul de viatli a1 golurilor minoritare in baza (relatia 2.31):
i, = .!_ qF = ..!_ W .A J
'tp 2 "rp
(5.43)
e Factorul de transport (5.26) devine
1 1
. - '
1 + 1 + _!_ (W)2
2 L,
(5.44)
unde L, = este lungimea de difuzie a golurilor in baza (cap. 3).
? Observafit. Aceasta formull nu este corecta decit entru w .
narea 111 baza nu este negliJ. bill t .
1
. P Lp . daca recom bt-
a a unct ca culul de mat sus nu este valabil.
5.2.4 Deserierea funeJionirii tranzistorulu I .. n regiunea aetiva normala
Cone:xiunea BC. Tranzistorul pnp polarizat nortnal ,
, Ctl VEB
hT'
q
de relatia (5.27), undc rt.F I cno s1ut.
v <' 0 I I kT
CB .... , VcB - , poate fi descris
q
prtsupuse constante.
De fapt a.p depinde de tensiunea ti de curentul de 1 al
va arata ulteri ul ucru tranzistorului, cu
111
sc
or, lat curent rezidual (invers) al un l . ._. i
constanti (cap. 3). e Jonc,.tun nu este nici d o n1lrbnc
La aceuta se adaugii iE AJjp(O) = const X e:xp 9
1
'EB .
h dcd o relatie de fonnn
(l.l8), latl pur ti ei.mplu "BB c011&1, cunoscut. T
Valoarea lui rt.F este de regula foart
de (0,98 ... 0,99
cbiar tnal tnult) 1 s-ar parea ca valoarea
sa exacta nu conteaza.
e Conexiunea EC. Dadi doritn sa
controUitn de co.lector prin
curentul de baza, (concxtunea entitor
cnrnun) situatia se schhnbrt radical. Sa exa-
111inrun de circnitul din figura 5.12.
La ecuatulc , ,de circuit''
Flg. 5.12
v DB = v EB + RBI B: (5.45)
V cc = - V CE + Rclc, (5.46)
se vor adaug?- EH ,....., const, dat, inca o relatie ,de dispozitiv" care leap
cnrentul I c de curentul de intrare .l B Folosind ecuapue (5.2)
(5.27) !gasun tl
I c = D + I CEO' (5.47)
undc
rt.F
= l _ - (5.48)
t-
este Jactorztl de amplificare in curent* (conexiunea emitor comun), iar
I
I c BO ( (5 AO\
cEo= = + 1) leBO= Ic I IB-o .,.,,
1 - rt.F
este curentul rezidual de colector in conexiunea EC (masurat cu baza iD
gol).
Noul factor de amplificare in curent poate fi mult mai ....,.. dedt
unitatea (zeci, sute). asemenea I cEo de,ine important (pentru.
tranzistoarele en siliciu - la temperaturi 1nai ridicate, iar pentru cele cu
germaniu -- chiar la ten1peratura camer:i). . ..
Deosebit de important este faptul ca vanafiile aparent
ale lui r:r.F S<: transforma in \'ariatii mari ale De
r:r.F = 0,99, dar este numai 49 r:r.F = 0,98. l'e
:::i (5.44) !)i presupunind atit yE cit !jl foarte aproptatc de tUlita:
prin neglijari snccesive
(
D lVN \[ 1
r:t.F 1 - VP' i .. ,.;TJll - 2 L, jlill
1 (W)
2
D. ll' N D
1 - - - - - - . N(
6
l '
- .2 t., D, L,., A
1
1 1 ri.F 1 - r.J.F -:- - D L .
) 2 L. , ...
(1 F r1.F
A ea ta torn1ula pun u1 'id( n1 t-l dt ft 1 d, 1tfl 'fttln fl a ltd (3p. de
ramtlru t H structitn dr tlltl Hal a1 t1a1 "'islotultu. Esb. dificil d'-' c nta Jnt
( rt pH 1 gtcs1n1ca baz i -..cu nttnliiJt de intptui1iiti. 'l'hnp_ii viatii
purtatorilot minotitau ( att tnt I :.t 111 lungin1ilor d clifuztc) siut
u reproductiblli.
0 oti. Obs I\ n1ia de 111ni Pst xtr 111 d ara teristica pent 1 u
.. ( l ttonH.a cu t1anzistoar . l ',tu1zislo111l bipola1' ojtta ttn 1nar fn
1,c,zt, dar nu sc poate conta pe valoarea exa.ct.ii don[t
1pt t. pun o amprenta clara asupra 1 cu-ctnt .lor u .
\(l h. circuite trebuie sa folo .. ascii proprletatea tranzlstoruhu de a 11 $i
uu atnplificator de curent, pe cit_ posibil ... d!sp rsit i
1 dispersie ine,1tab11a da1 oJJt a
tabncatiC'*
5.3. 'l'EORI.A TRANZIST RULUI iN REGII\I ST.A'fiONAR,
LA NIVBLE DE IN JEC'fiE
5.3.1. folosit in calcule
relua dezvolta calculele priYind curen}ii prin tranzistorul bipo-
lar Hira a mai face de aceasta data :
- restric}ii asupra tensiunilor aplicate pe jonc}iuni ;
- presupunerea ca baza este foarte sub tire ( deci recombinarea cste
nul a ....au foarte red usa). '
lpotezele pe care se bazeaza teoria sint :
. a) unidimensional, pe direc}ia de curgere a curentului principal
pru1 tranz1stor (perpendicular pe planul joncjiunilor) ;
b) de impuritaji (concentratii uniforn1e de in1purita}i
1n cele tre1 reg1uru ale tranzistorului) :
. c) de emitor colector suficient de groase in raport cu luncr1-
1lule de difuz1e ale purtatorilor n1inoritari ;
0
. ?) niYt:le mici de injec}ie (excesul de purtatori n1ajoritari poatc fi
L ( ghJat) ;
e:) se neglijeaza fenomenele de generare-recombinare in regiunea de
trccere
'
,. f) nu alta externa (radialie, gradient de tetnperatura)
111 afara tenstuntlor aphcate pe electrozi.
I poteza a presupune urn1atoarele :
c . - geometria reaHi a dispozitivului (fig. 5.7 5.8) se adtuitc
u JOncttunile plane cu efecte de n1argine neglijabile ;
se neghJeaza cotnplet ef<:ct 1:. , . ..
1
. .
tollllui (paragraful 3.3.
3
); e e caie au oc pe suprafata scnuconduc-
Un circuit electronic nu se conce e .
cu o valoare determ' tx 1 . . p pentru un trauzlstor nllutne (ca exemplar fil..it,
llla a. a Ul Cl pcntr .
nz t'"'
1
...
1
' u
1111
anumtt /7/J de halJzistur l..:tre t'btc canatl"-
ut; 0 P aJa argl de valori ale lui P
)
11Vb}ijc, 1J1 cadcT"a cle t<:nSiUll(' , ...
s.ilc .t nt11ltti ll bazU. cmes1mtnatoare ctng< rii tr.\nsH r
fn U ll>UtCZft d lHentionanl i fa t \ ..., . .
urcutului se poatt> ,, glija de tenJ ,P ca. Ia 1111 1 tl<
colectOL La int i mari de lurent [e ncutrt' de '1 11\01
l>iltl. Ma i Ill ul t. , 1t i ar i poteza imp1irtiri i t tf n u l . t
ncutre tegitmi dl.' sarciu5. spatiala golite (anzls oru m m ngJUm
1110
bil i n u m ai rezistrt 1 a cnrenti 'm ari. pro ape) complet de pu rt at Mt
itupn.tn1a cu ipotcz.a de nivel lnic de itl).e'"'l. n tl"f,t . . t" t"" .
""1 d .... . '"} ..... -.!lJUte tP 1nu a Sl t:xpn:-
sia e la limita sardnd
spu ttala hnuta ale" lu1 Shockley, care extrapo1eaza fonnulell
de la eclnhbrn ternuc prcsupuntnd de ascmenea inteusitati n1ici de curent ).
Calcule1e sc \'Or dezvolta pentru un lrauzislor j>np.
5.3.2. Dist1i hutia purtatorilor 1ninoritari in baza
In conditii de nivel 1nic de injec}ie, curentul de purtatori 1ninu1 itari
este practic un curent de Ca urmar.t
golurilor i_n exces m baza trm!Zlstorulm pnp va f1
din ecuat1a de d1fuz1e :
J
(5.52)
2 .
Lp
L == D -r ; p;,(x) == Pn(x) - Pno) valabila in _interiorul ueutre
(0 w, fig. 5.10). Conditiile Ia limit a ale lm Shockley smt (para-
graful 3.3.2) :
da
Integrarea ecuatiei ne
(
x)
sh I , . L,
sh- L
(5.53)
(5 S4)
(5.55)
p;,( :r) = ( ;;, ) + p,.(
11
) sh(.!!'_)
L p
fJ
.., stc ( H <.g Lf) .
" t onlent ca ha7.a <... din dczyolt,l.IL ,t
Presupuniud 111 aces .
111
att en pritnul ternlen
func1iilc hiperbolice pot ft apro::onl
" .
tn sene:
tl
"'J c\TOII t('e
6 - Dtspozltl\e ,., ctrcU e ...
)
x
+ 1r
- (1)
'l
d dislrtbfie liniard a golurt'lor i11 baza. Acest rezultat sitnplu corespuude
0
curent de difuzie constant in baza (0 x W) :
J
. (x) = -ql) = qD. - (5.57)
P p TV
d< ci unui curent de recontbinare neglijabil.
In cazul partieular al fnnefioniirii cu
kT
k T ..,... 0 I I - '
- , 'l'cB <.;;..,. , v q
q
(5.58)
(5.53) (5.54) redn\."' la
p.
0
exp , II') = -Puo "' 0,
(5.59)
deoarcce 1 1 este extretn de tnic fa}a de AtLunci,
(5.55) se va retine nutnai prinntl tennen .. Daca lr P' :eo ,lUCijl lS-
tributia triunghiulara (fig. 5. 11) a excesuhu de golur1 111 baza
p ;, ( x) ( I - r ) p ( 0) . ( 5. 60)
.Aceasta formula ignora insa recotnbinarca in baza.
Pentru a estitna eurentul de reeontbinare in baza in cazul polarizarii
,nonna1e" (conditiile 5.58), pornin1 de la distribu}ia (5.55) cu == 0
cal cuHin1
(5.61)
Pentru n.r Lp
ch- "'1 +- -
11' I {lV)2
Lp 2 Lp
astfel pe alta calc (5.44).
5.3.3. Exprtsia ur(ntilor prin tranzisl or
Cu:entuJ. emitor eel de colcctor ic vor fi evalua}i la jonctiuuile
Atc1 -prohta de ca j'P j,. sint constanti in regiunilc
dl! . spa}tala c du_1 paragraful 5.3.1), ti vor fi cvaluati dP-11
var; . Sl de r .. .dv spatialrl
1
acolo undc purtatOI ii c1 bal-
'll1cl r sptcttvl stnt ta. uivtle tnici de injecpc
(1po . za _d) pu.1 tat on 1.ntnontar1 poatc fl ( xprintat ca un cur nt
de In .fnv.' _.)tl <. vor h detertninati pt.: baza distributici
purtatonlor 1n ... distJilnt1ii clH dtApind liniLH
d( purt a ton 1 a h1111t d. ac rvgi uni, CLL tttinc.u e Sl ' L\
obtin o depPndent l niu;t a curcuti1or ptin ti.lnzistor d<' ..:oncenttatiil
il< purtatori la lin111.a rvgnLnilor de sarcinrt spati.t1a .
. )
J ...
t
turentul de emitor este (fig. 5.10 9i relatia 5.55)
i E = A _,jp(O) + A Jin( -lE) =
deci 0 relatie de forma iE = iE(VEB, VcB) n.
Similar (fig. 5.10)' curentul de eoleetor este .
. - AJqDfJP"o lexp(qvEB)- 11-
tc- kT
(5.63)
(5.64)
(5.6S)
_A [qDJIPno + qDj_, q;c;)- 1).
J LJI LJI " c . . .
. . stfel incit sa puna in eviden1ft. mtnn-
Relatille (5.64) (5.65) pot h a p:torilor minoritari. Astfel:
sed'i de purtatori, n,, timpii de at pur a
"' j D
11
E 1 +"' cUI.-i;) 1( exp( 1]-
iE =- v v -rp D
5
q.1p:"' /!!!.. I( n) \ t].
V -rp Nv sh I.;
nkA tentpcraturl (,apttvlul
,, . ,.., 2) .} d d J)(;Udt:n\R putH d rtD cotCtDtratiil de
se rt>nuucA 'E .- ,,- (snmlar 'c ., ' ' e sn t mahc V< rub:a ' p . l curen\ilt
tll drpendulll apar ' d na a
21. Subliuicm fnptnl c(L necns . d cinA pattal4 Ut'pt'
0
e , a nl,ftt
. iunllor e ar u {f t c \:
purtlitori miuoritnri ln hnut. l' "' rrm faJ tul ' E 'C
. d tn) l' eX}l 1lu
de trmptrnturll (la t{'n mtl1 n c t :nilor tn r
dif zle ale n
ntru {' n tan ttl d u de iDd de coW
\om {olll i uutath cllftr&t{' If 1Jibtul a ctr< ui1 r p
i , J, ) nw d u!1 rc.-giunJ
'i tn (D,. E' n:spc,t ' " L "ptu dihnt lu le o ul prin r ta
de mpuntl\i (capitulul 2) ti in l,nurl tc <"utent
1 ate detennwa t 1
Din ftrl(.'lfc, cucuitu po raatiile un
btlluud astfel aloarc-a &C't"f'tuHl
111
rap()rt cu 'a 83
t u 4e purt4tor' mn r tan. Desagur, curentul de emitor llngl contact, iu rcginuca p
._... t d - 1 - . .... , D - . . 1 t 't I . . " ' este
tr n porua :_go un lll&JOTh4re. ar nu atcl are oc 1m1 area curentu m. cJ 111 imedint
H 1natate a re.giunilor de arcinl spatialti nnde II viteza" de curgere n purUHurilor dl! S!U'dn:
nm ntari e te determinati de gra.dientuJ concentrapilor de purtatori.
0 Relatiik de n1ai sus pot fi pusc fonna
(5.67)
.
S1 (: COnStat a j tned]at crl
(El.69)
Jclatie care ya fi folosita ulterior.
5.3.4. Modulareu grosimii bazei (efectul Early)
1 , (5.67). .Par sa evidentieze o dependen}.a exponential"
curen:.-uOr e tenstunlle aphcate pe jonctiuni A t 1 . a
adt. Yarat deoarece coeficient ii a.. ( .. -,I 2 . ncru nu este riguros
-Jab) de tensiune prin .. , ) (este tnai
tmn regtunt or de sarctna s at 1"
\Yom referi ruai departe la f 13 p la a.
dl Ia jonctiunea pn) : Igura ;>. unde (pn.:luind rezultatele
lc= v 2s(<l>JJo,c n- kT ; N(C>N
q .. i\T ll ' 'V BO, C = A : D ( 5. 71)
. ni
.... 01 am ani (f - I
pentru a . Ig. 0) Sa alegen1 0 . . J 1
sene 1na1 cou1od dist ribut
1
. a 1nuta bazei neutre,
,la a Inlnontan 111 baz1. D. f t b .
o--
4
t E l (. . c a p aza
c nvtttra s gase!)tc la dis-
Fig. 5.13
I
I
tanta ln, J? de jouctiunca
etnitor-baztt,
tar
N(E)
A .... I
N[) ,
(5.72)
' I! z ,, . I - r- t p. f ? lp, 1
(v. n I. 3. 15).
Similar, extrentitat(.!a din dreapta a bazc t ., .
l . de jouctiuuea colectorului :
1
neu re se Ia d1stanta
" G
(5.73)
l,, c'
- - .,,
I p, c 1"' D
H' = l - l 1 - I c -- l' '( ..1 )
" :, 11, -- ( 7Jc n . (8.74)
J!"'ariafia grosintii ba;ci .. ncutrc. Cll tcusiunile aplicafe pe jonc!iuni se
tnodularen grosunu bazet (efect Early)
Sa cou-..ideranl tranzistorul polarizat normal cu em't 1 d 1
--, ( . t .. . , 1 oru esc 11s,
k1
1
q :]1 vE
8
= cous. 1ntr-o plaJa larga de curen+i) c::.i v < 0 51
,
1
..., (
1
. . y. c B n1 are
in valoarc auso uta vo t1 san zec.1 de vol}i) . .111 aceste W = l{vc8),
clcoa!ece _:le cstc ioartc s.la?.a*. urmare, modula}ia grosimii
bazet c.onst a de fapt 111 1Jazet neutre (grosime ,efectiva"
a hazel) la 1nodululu1 tenstunn de co lector.
Efect ul Early poate clc\cni in1portant in anu1nite situatii. Sa ou:;c:r-
vrnn de pildft Ca factorul de a1nplificare lll CUfl.:llt CU SCaderea lui
tV (relatia 5.51), deci crcste cu cn:sterca nl[tritnii tensiunii de colector
I J ' '
1 VcB J. !)i curentul clt.: 7.c ""BFi n en 1 vc8 I la 1s=coust.
5.3.5. Eieetul gencrarii recoinhinarii in regiunea de trecere Ia nivele
Initi de i njecl i'
sa cou;;ideram Ull tranzist<.>r p.>larizat normal. In regiunea de
svatiala a cmitorului nt exista tm _de sarduii in raport .::u
de la echilibru tennic iar curentul de 'mttor va avea o compouenta suph-
mentarii i,.c E datcllit recombinarii in accasta rc:giunc""*. AccasU com-
,
ponenta en v Bn dupa l<:gl.'a
'2k1'
1 q 1l i ! I . . tJl' H t1E lJ }> --
1
,I.e'
= - - r . } ' 1)
:. I) .. - .[ '2k r q
io.J ll
unde -r
0
cste u11 [d de timp Yiafi. . .:tl nt (paragr,tful 3.3.2)
Curcnt ul de t..: tni tor are trei co1n pout.ntL
. -
.
1ru,J:.,
, 1 '
tlintrc cate nutuai
)
1)
.. OVEB
if P?l' I ( xp 'J
ll ..\, J k r
(5./5)
(5./6)
\ 77)
, t . ,., l I ,...., I c , n t '\ C B c.1 &. , n r r L
l.: n tlpro ami\ t< n "" n C = t .tui d (l'k h>I at r
' 1 ntara a otnn tu 1 1
Va e bta o sup tme d infl mo 11la fat a l
d
. tt\ un cl ftdt safl
m ngiunea de trec-ere a colt cton1hrl. un e ex1s
tt rmic.
dica llUJnaj CUtentul de gohni ar"" difnz azr\ in baza reprezinta 0 COlllpo ...
Jl( nta utiltt pcntru efectul de tranzi A tit i,ec, E cit i curentu 1 de difu-
zic a.l <lect ronilor ]a 1nitor
q}J,, E1li .. -=-: ( qVEB)
?J , , rUi ) l J p k T'
L,. El\ A
I
(5.78)
det l'rior az?i eficicnt a orulni. ..\ceasta cste
"
lE, p
YE =. . .
1 E, p + 1 E. ,-, + l ,er, E
I + .LV D1 vI D tt, E + l E . l
D ,T(E)L (qt'EB)
P ... " E 2-r oni exp 2k
1
(5.79)
H.ezultatul uou interesant consta in dependenja de polarizare a ef
1
-
cicnfci c1n'itorului. Dependenta de Vcn prin W (efect Early) este relativ
slaba in comparatie cu dependenta de Eficienja va
cu cutcntul pri11cipal prin tranzistor (la ?.c rv t'E). Altfel spus, la curenti
1nici (nivel mic de injec}ie) a colo unde curentul de recotn bin are i,ec IE
are o pondere importanta, eficien}a e1nitorului este redusa considerabil.
. . Este in1portanta prezenta factorului n
1
in rela}ia (5.79). in conditii
s1nulare, rf ectul recon1bz.nari in rcgiunca de trecere va f ' ntai i1nportant
nt 1nai 1nic. Fenomenul va fi mai preg-
nant in siliciu decit in ger1naniu fjifsau
la tc1nperaturi mai coborite.
pop
E xpertmeala 1
/
/
,
/
L expfq Ve-e)
,' l2kT
,
/
'/
O/ 0.
2
O,J O,'t O,S O,t/ 0,7 08 09
J
Fig. 5.14
in context sint interesante rezultatele expe-
rimentale reproduse in figura 5.14. Se reprezinta
variatia cu vEB a lui iB ic pentru un tranzistor
jm p (la vcB -= 0).
Un priln rezultant important este dependeu-
ta 'c = co11st X exp( q:;B) pe mai mult de opt
decade de va.riatie a curentulni. .Aceasta concor-
clanp. en teoria Yerifica implicit conditia la
limit a ( eonccntratia purtatorilor injcctati). Depen-
de tensiunc a lui 'in <.ste tnai
(
qvEB
1
B -- const / - un<lc 111 ,...., 1 J 7 JJcutru 7otla
mh1 '
cu ren til or mid) . A <:cast a i u<iidt pon im por-
tanUi. ' l cnrcntt 1 i ' 1
1
u ',tr F 111 eonqHmtnta curcntu 111
de lJaztt. '
. , l)esigur, lui
la curcnP
af<-. ctcaza su hstan! i :-11 si val oar ea
lu1 [1p 1c/in-Dependeuta ]uj' fj, de cu-
r :. t t ' I<
en es e reprezentata In figura 5.15
fJf'Iltru trnnzistor j)}ljJ.
5
.
3
.6. Seaderea. eiieientei.
roitorului In n1vele mar1
c de injeetie
Figurile 5.14. i 5.15
d
. ;- tlll curent tc, respccttY
1ca d . .
7
A anortnal e 1n1c 111
tensiunilor .(curentilor) O,l
tnari (distat:ta
1
este propor}tonala cu n 1.1F..
Este vorba e.fect la n1-
\'L lc mari dt..: 1nJcc}te c ... are va
fi lomentat pe scurt 111 cele
100
pA
70 700 1
mA
Fig. 5.15
10 700 1
A
ce urmeaza. . . . . . . .
La n
1
vclc de injcctw mat ntar;, eftctenta deoarece
d ea curcntului d c cl cctroni tn curentul total de emttor.
er ce jonctiunea estc nesimetrica, concentratia de purtaton
eoare inea ; egiunii de trecere a jonctiunii emitorului ajunge mult .mal
I_a m;rg on
1
parabila cu cea a purtatorilor majoritari in bazii
1
e c concentratia de electroni n1ajoritari in baza trebute sa c;easca
Ca neutralitatea acestei regiuni. de electront ast.fE:!
t " chide decsigur prin ionctiunea emttorulut. ceea ce exphca
1
naJora se 111 . , . , . I
lui YE a ltu
t d in mod similar la
0 Nota. Recorr:binarea pe poa e uce
degradarea eficientei (a se vedea paragraiul 3.3.3).
. . 1 t ( n -a cum s-a mentionat in paragraful
0 alta restrictie a lno<lelulut t eorehc bazei este discutat in Anexa 5.1.
. t 1 dopant neum onne a
'5.3.1) de profilztl de unpttr t!af:. tl
- t MODELUL EBER tL
f1 j,'"t. J:
al e luodelul ui de senntal
. d a y a ri nnte
Vom prezenta in conttnnare ou,
d Uml
.t model Ebers-1\Ioll' '
mare, en , ,
1 t
1 cur4"n1 ii Ia borne
.. t . re de cur<nt (' ttnt ro a c ( e
Model eu gene a o,a
. (f'g 5 IG. a)
Curentul de colector ft sen... 1 .
ic = cxi' ir - I cno(c--p( ll,
. t.. cun.nt ul inju .. tat
(S.cO)
1 1
'} r1 H ptC7.1l1 ,l . al
r l'tnurnl a <
01
c lTCnt ul propnn
uncle \>ri nutl c. tn l\1 ctorut ui, L:u dl dotlea - lijicare u cur''!'
d(' 1111tor Ja ]OuC1 n111 a t
1
e t<: factor ttl dt .P <.: urtcin.: utt
. .. . 1 Pat an1C 1U (/.I ) ttl a1n
jonc11t11111 cole tot u nl. . cut nt d 1 c un) 1 cBo c tL
tli rrct (iE Ctll nt ch .tc.t at 1 l haz"t, d ccttodull cu etui-
(
- 6 ole toru 1 sc urtclt . .; . u nii <..Ol torn tll, tnd
vciJ ' ( 1 t u a-t al J011 tt
curntu1 c sa t: t
t ornl iu gol.
, ....
I
E
8
c
p
a
E 8
p
n p
t, .... , 016
E
c
lc
0 rclatic situilara poate fi scris"
Hicind bilantul curentilor la
nea Astfe1 {fig. 5.16, b):
-iE -I]
sau
( 5.8J)
1 = rxic + hno/ cxp( - 11 ,
J
(5.H2)
unde r;.R cst e un factor de a1JtPltficare
fn curcnt invt'rs pe colector
pe e1nitor) cit c1nitorul scur1
cui t at Ja baza, iar I EBO este curet1tul
d<: satura}ic a] jonctiunii en1itor-bazr
1
,
J etcnninat cu colcctorul in gol.
Figura 5.17 rcprczinta un circuit
cchi valent al trauzistorului care
pu.nde ecuatiilor (5.80) (5.82). E1 cu-
pnndc generatoan; curcnt cotnauda-
tc de: curen!ii ]a born(_Je dispozitivului.
I
lcoo / Model cu geoeratoare de cunnl
. de curenfii prin diode
und
.... ___.-/Vco
8
fJg. 5.11
I 1 5 [ l X p( qt I II)
ll1"
a/J ES ('XJ'( qvli, J
li1
an1 notat
"t8 ILS
I c
, ..
11
Rezolvind sistcrnu1 fortnat dt
(5.82) 1n raport cu
1e 1c, gas1m ecualiile Ebers-Moll :
17.H I ( \ t(X p(
ll1.
1 ., ;
I
11-
J U.>
cxpfLc").
I l '
kT
Jl: lJO
lcs
I CIJ()
I
I
(J.,F'X/1 l - aJ. t;/,n
(5
. JJ (Stt (UT( ntul d< . atur .. qic . I
dlo(l
1
t tnitor btll..l llhlsurat u l oh c
torul "ur1l1T Ia. lhtZlL I c l tt
r llh
1
t ul <h. at ura1a' .d diodt i l oh l
tor
1
1.. d tcrnun l:U ( 111itorul ut1
11\ utt t ].\ haza.
llHLntu) f.(lllv ltut
H .... ' u (5 H3) 1 (5 8)
1
lf'
1 l lH
Reroarcanl faptul ca r(_latiile
I
'.::; H3) (5.84) 5.t nt exact de forn1a
( 5.67) (5.68) ... Pnn cotnpararc rezul-
t:a parametn1 IEs rJ.R
t un.:1 ie de
de matenal. UtJhz.tnd n:lat1a
(5.69) gasin1
(J.F[ ES = (f.R/ CS (5.86)
deci cci paratuctri nu s1nt indc.:plnd,,n\i.
Fig. 5.19
patru parn.mct.ri nu sint marimi constaute. Dt: (!Xemplu, s-a arltat mal efet"
tnl tcnsiunii de colector (efectul Early) respectiv a\ curentult1i (efectnl reCOJDbblirH bl regiu-
nca de trecere a cmitorului) nsupra lui ':l.p.
'J'otu*i pcntrn simplitatc nu sc: va explicita dc1 ndcnta parametnl r 2p, las. Ics
conditiilc (lf .. 1 ucru. Ecuat iilc (5.83 (5.84) se ,vr folo i in a cu prer.1utii, um
mai jns.
@j; I'XjM'rimentalii a paramrtrilor
e Cunutn1 ll!.s poatc fi detenniu.1t cu sch tna din figura 5.19.
Circuitul echiYalent d]u figura 5.18, & punc in cl mi
carach:ristica diod i e1nitor-1J l;\ t"u col ctorul curtcrrcutt&t la bua
] )ioda an: cnal in
!1. ] ES( <Xj ( 11
:Ku n1asudhn p IEs ca p un cur nt d
polarizatii. in,crs est afectatii. de fl nomn
7
n lu
(er<:'a legi i <.. xponcntial(. 11 t
ttl01 ntal ... pc t dr i.n pttnul IT ..
\ titi a. apaarn
< xt 1 t cur .. tnici. 1 ul ._'
1 turenti lnh:i 111 l IUt l tl tr rl
cu siJil'iu) l.l. n i nlaTl ( t lt l..i Ul\
C t 1
1
1
, tl d l rnun unal .u
u reo u cs . or d
e )torRnutrul af d rnnn, t
I t ' nn1a.l 111 Ln :
I dt 1 c I 6. Ul Ollt
l.h l t 1 1
'1.1
1 o 1nunt
t
J
I
1.
t1anspo1t al goluiilor prin baza n1ai tnic (o bu
11
a
1 ru te dh1 golu1il inject at"' de s0 rcco1n biuu pc
f'"1ra a 111ai contribni lu ur ut ul d en11to1). Un a lt <.. furntzat
de tranzisf01'f,tl pla1la1' cptaxial diu de (difuzii
uc (\ iv in stratul care i dt"\ iH.' l \.lre co
11
,
ductibilitate) la uu co lector tnat ct: tnlpurtta_tt decit
baza. I)' aici o cfici,;) nF1 a co1ectonthn (tunc} 1ontnd ca etnttor).
5.4.4. Eiect.ul rezistenfei distribuit(\ a bazei
l\lodelul Ebers-1\{oll pern1ite .unuj
pina acun1. Este vorba de faptul ca. t enstunea dn: c::ter1or pe Jonc-
tiuni nu cade in intreghne pe rcgn1nea de sarctna spa}tala, cum s-a
presupus in tnodelul 0 de are loc.
transversale a curentulu1 de (pe o dtr ... ec1-le. pe
fluxul principal de purtatori in tranz1stor). Aceasta reztsten}a poate .'a :rea
Yalori in1portante (de pilda de deoarece cste
subt;ire. Trebuie re}inut caracterul al acestet reztsten}e ( dtstan-
par curse de electronii injecta}i prin contactul bazei sint diferite). Se
considera ca aceasta rezistenta apare intre borna exterioara a bazei (notata
cu B) un puuct interior , tnediu" B'. Circuitul echivalent din figura
5.17, de pilda. se considera \-alabil pentru ,tranzistorul intern" (conectat
intre bornele E. B' C), iar scl!e1na sc co1npleteaza cu rczistcnta distr1'buita
a 1'bb', ca in ftgura 5.20. Intre tensiunile interne VEn, vc
8
, 9i cele
aplicate din exterior exista rela}iile
V E B == V E B' + r bb' i
11
;
Vcs == VcB' + rbb'1.B,
(5.90)
(5.91)
]a ca1 e se adauga ecua}iile tranzistorulni intern ( cu v EB' vcB' inloc de VEB
'l'cB), precum ,i iE == 1.
11
+ 1c
5.4.5. 1\lodelarea tranzistorului in diverse rcuiuni de lucru
. este va]abil pentru orice polaritate a ten!:>iunilor
aphcate In eel<! cc unneaza consider[inl separat patru regiuni
de lucrt-t d1shncte, ca1'e st deosebcsc prin polaritcdl a tcnsiunaor aplicatc diu
cxtcn'or.
Tranz/slor inlern
r ------ --- - -
'
I
-- ----..,.
E
I
I
Se mai c1c regtU1lt. de l ucru. Hi-
d ud rcfcrire la a11umite zone ale caracteristirilor
sfaticr. (a se vcclea 5ttbcapituln1 5.S).
Pig. 5.20
90
p, .. ntru s itnplitat \' f>11l
rbb' - () (ut.: refPritn l a tra nzi s to-
rul inbrn).
e lluinaul dt hlucare (suu tii ...
iert) al unui tranzis1 or jntj) tstc ca-
r a 1.. t<: r i z at d v c n .... 0 , 1J
1
11
< 0 ( " 111
belt ' tnari I !?7.flJ, in Jnodnl).
:re n:ferin1 la tlludt ..lu] liu 1igu-
ra 5.18, unde . 1.R = - I .c5 ===
_ - I ES Folos1nd relat1a (5.86) SP
.-]. unge la circuitul echivalc:nt sinlpli-
'1 . 5 21
ficat din hgu ra . , a.
0 De remanut ta
1 - a.R
ic = (1 - a.R)Ics =
1
leBO
- a.pr:t.R
0
8
Td;ere
(blocare)
(5.92)
{)
deoarece rxp 1, in timp cc a.R difera conside-
rabil de unitate.
Pe de alta parte, in conditii
( 1 - rxp) a.Flcs
iE = (1 - a.F)IES =
r:t.R
a.p{1 - a.p )
- ___::._;_____ i c "-J
r:t.R( 1 - r:t.R)
IC
"-J ( 1 rx ) ic
= - F (1 )
a.R - a.R
(5.93)
c
(de exemplu, pentru a.p = 0,99 rxR = 0,5 cu-
rentul de e"mitor ya fi iE = 0,04 i
0
ic). Ca
1
n-mare, situa!ia din figura 5.21,a corespunde
8
Fig. 5.21
0
Aclivd
r:ormalti
ICs
Acfiva
inversd
c
cu 0 aproximatie destul de bund defini!iez care .
, 0 _ J ) 'frebuie sa pastram o rezerva Impt)rtauta
s-a dat antenor blocarn (tE = zc - CBO . 1 f rt It la curenti
.. t tan+-i De pilda r:t.F sea< e oa emu ""
asupra discut iei de mai sus : factoru rx nu s1n cons ' )'
mici in tranzistoarele cu siliciu.
.tt. __........- , d I (tc iuneu acti\a norrnala) este
e Regimul normal e .J .. i
1
. w) ,, < u ( joucttuuca
t d
>
0 (J'onctiunea emltor-haza c est usa ,
n za e v E B , 1,, 1... . b
1
d
..., . I, I .:___. in ftgura 5. 1 , lJt.. a
colector-b aza blocata). ..\dtn1te1n r u q
. ..., . . - -1 Cnrcntul de ok tor 1 c;
djn dreapta estc blocata are
1
n - CS . +
1
(1 _ ) I CJ o.
(
I ) + 1 c-- (I.F
1
E c F u kT
= rxpiF + I cs == CJ..F z E - an cs - ...
. . ..
1
, t d
1
fignra S.21 b. l>aca t'EB
de unde rezult a ci rctnt ttl a
11 11
tf
. ) .. de la intrar la cut
. . 1 1 g n"rat 01 uhu de cui nt t ctuitot 1
sc
1
)oat e ncgbJa cont n Jtl ta
1 11
at tc n1 ,c}elat 111 rc . '
1 . 1 ole c t o ru ) o l t r a 1c lc .
dc- 0ndtor. 'f' ranz1storu t t. at a de curcntul c a u t .
1 }"' \$t alae uz ) t aructcn-
1 )nzrt en o cliodrt tc e a '
1
.
4
,., nctivii inv{r a tS e \.: . . .
llttJitnul ht\'t'r. nt dt . aplic;t lationanlcnt<.'
) . . .... o (t ranz1st I
...
2
zr d v ..... . l yal nt din fJgtna . }, c. rlt sint ljosihil
1
) H1ru n PHSI 11 utt ul c
11
1
0 i t'cB 0.
o . a )are a t'I '
]lJituul d4' . atura:ltt c l' llul l.:Onlpkt.
1 1 t '1 lt l u 1110( (.
ci ill' ut ll '
t U I ntru un ll'(l llZi tor 1Zp1t
4 . t u d PI u I h be o . . d
'"
1
,)ica ten tUtU t.:
jup Ia uuul npn, "
0111
"''I ,. d 11111
rc ind d . )a Ull tt anzt tOI r d< n opus. onv<.:lltl . nd
1)01nrl
.t a" . O]lU. 9. 'i ,.o .. n .. t nh1inc cur ""11 1 1 noi lnal pozitiv ,ttunct Ct
l ., 1nod a utontat n n
pentru urcn1i schitnb,l
111
se tree I a rat!7istoru1 n,hn (fig.
5
.
2
l'entru tensntnl \'0111 t i nv seatna <}.:
F
C
"'E B - r. "' a l - - J' J' Cl ' -- ,.., 'l
) -:.. l , I '; c . ... ur tn a,
h .. n1odclul Ehel s- :\loll cu alourt
d" curent de. cu:entii ctv
Ia horuc ;;t reztstcn ta dtstr1 bui
ha1<.. i arat :1 ca in figura 5 ?2 0" a . . \')ltlt
'ala bile r<..\ la tiile
i
8
= hs[ exp( q;;E ) - 11 -
- x.l c>[ exp( q;;G ) - 1 J ;
Fig. 5.22
7 c == ocFI ES exp - 1 - I cs e xp B c - 1 . I (qvB'E) / [ (q'i.' I ) J
L T . . k 1' '
VB=- 'i.'JJIE -1 - l.c) ;
V BC == V B'C + rob'( 1.E - ic).
(6.94)
(5.95)
(5.9G)
(5.97)
CA 1<-ACTERISTICILE S'f:\ 1'ICE ALE
BIPOL ..\R
5.5.l. in conexiunea bazii comunii (BC)
l\1arilnj]e e1cctricc care caracteri -: . . "
baza coni una ( BC) s1"t1t . , 't 1 zeaza. tranzlstorul ln conexiunca
(
- ' ex a< e ce apar " t' 1
J Je exenl])l u (5 83)
1
0
t f' . ln ecuatll e Ebers-l\1oll ( 5.83) si
) t . _ . ) a e 1 tnterpretata ca ... . . I
1 n J u Vcu - co1JSI, care gcncrcazii familia d o !Ji = tE(VEo)
Ca1'acfcrist?"ca ,., _
0
t c caracterisflei de 1ntrarP.
( CB - es e o caracteri stica dt: diodft
1 E = I I c; ex p _:_ I:!!_ - 1
. ( (, ... . ) -1
I?'[ ' VciJ = 0.
].Jcntru 1Jcn < ()I l1't n I _1<_' 1_.
(a sv ,. dea figura 5.21
1
h)
( d< I>ild a 1 1Jl'1l 111 VtJJ < 0,1 V) gTISllll
rl.p)
.
111ft 1 Str .' (l.t
(l'J
.. 1-w
1 k apt I ES depin<lt- <lc vcn pri 11
intenncdiul lni W (efectnl Harly). !ntr-
ade\'rtr, cotnparind (5.65) en (5 ne-
glijind cnrentul de elect.roni al cmitoru-
lui
5
i arlmitintl TV Lp. pnl<!m scrie :
!qDpPno
JES ,-v TV .,1]. (5. 100)
Pentru VEB kTfq
/
.. -
I
I
\ 0
\ I
..... " - _..,
pnp
-vcs <O
Vca==O
(5. 101)
,.,... ----.......
qDpPno A { qvEB )
= 1 exp .
w h1
EYident, dependenta lui i E de vc8 este
mnlt mai slab a decit de vEE
Inversarea polaritatii ten-
siunii pe colector, adic5. vc8 >
> 0, determina o deplasare in
jos a caracteristicii (fig. 5.23),
confortn rclatici
I
', ," c....,
... ___ " llJ
D /.
.- ,.._ ,'
e/o tu
/
I I
I -.::::::._
'
'
'
Fig. 5.23
.....
'
.. ...
____ _..
,
,
(5.1 02)
circuitului echivalent din figura 5.18 b. lnYvrsarca scnntalului curentului
de emitor poate fi explicatii prin fapt ul ca jouctiuuea colcctoi-bazii polari-
zata direct, injecteaza in etnitor un curent de goluri care curg in opus
lui iE > 0. Vom insista putin asupra acestei situatii.
Pen tru sim pli tate \'Olll consiUcm un trun1.istor p + "P +. ac1idi un h auzistor cun Cl'tH! '" o
in .. senta cu golnri, indiferent de polaritatea tensiunilor aplicate pe
., J
1
t. I
1
" ;- d, f '- <zu tate c ar 1
.... ,. > cttn 111S<l e aptul c:--t }, . . . ...
norn1ala 1n satura!ic v.
0
JJ . .
1
d:- c. t legtuJha act t va
l
7
, . EB.- L P t c.t, d c o a r, e _ v . _
7
I t-
En, regiunea d<:- satura1t cor ':>spunz?ltoare vtriat': r .
1
CI!. . ( '/J
d(;p]a a spr d ... t ... ' (. ,1<
1 1
ll>l( a lut 1 s ,a
f
. . _
28
b) reap t..t !Jl s va stt ua la drcapta ax i VeE ...: 0 (
7
, ... < () q ()
lgtua o Pentrtl v I 0 cJ , 1c .... ,
en =- 'l.
1
CE --
1
'Iu < , 1 V ectt [qia (5. 111 ) d vine
() .
1
c :::: :J,, z 11 r
1
( r:, ' 1) l' - I I I
IF I (..;UU- I:JJ. II ( VJ
.J6
\ I I I " I 1... ....
rrp, l
feclorul Jn qo
6e
1
c 0 ;:..:--,.... --
2
/
7
_v1
rl/..
'r-:t!L
02 ,
I
I
!{} 20 :JO
a
'10 50
lE (mA)
Fig. 5.28
2
b
6 8 10
-vCE (V)
Caracteristica in == 0 nu este limita regiunii de taiere. Pentru a bloca
tranzjstornl estc necesar sa blocam jonctiunea ctnitor-baza.
Curbele in == const nn sint orizontale in planul ic - VeE cum
nzulta din relatia (5.112), deoarece depinde de W printr-o de
tipul (5.51). intr-ad:var, in plaja de curenti. de lucru v8 B .const, deci
1 'UcE 1 cre7te inseamna l Vca I W scade ( dec1 cu
1 VeE 1 la i
8
= const) . mchnare a este tlustrata de
figura 5.28 b (tot tranztstor pnp cu germantu). . . . .
0 alta difercnta care apare fata de teorebce. calculate
cu ecuatiile Ebers-Moll este modificarea distautei dmtre curbele z. =
Acest lucru s-: explid prin clep2ndenta lui de de
apropierea mai mare a zona man poate t1 expltcata
prin scaderea ]ui CU de lllJCC}lC.
. ttanzistorului int r .. un punct ... dat de i unct ionarc'
5.5.3. Polar1zarea . ..,
1
in rcgiunca aehva nonna u
' . . . . . .
1
. d.
1
un exctnplar la altnl fa')
1)isper-.,ia ti anzt;:,bJr n .utt .. eli') ' ... stttia (ccle date in catalo
v t" baza l>e caracten tct c ace . .., t
ca sa nu se poa a punc 1. : " bl't de dratnatlca ru
, ) S t 1a+1a st oeose . ...
trebu1e cons1derate tqnce
.t . .l.
1
,":olart'zat in a.ch\a.
EC }\t "'l chSJ)OZt tvu (. 1
tranzjstornl in conexntuea ., c . . cle r
1
araro trii vEB CB9
.. t , ro :<l nu1. t.te .t' (: f.l
norn1aHi poate h caractcnza en ap .. pc,rtanta ale lu1 1 coo
)
)
. 1 i ?.J t putrnuu ' . f' 5 12
(paragraful 5.2.4 . 1
u. EB t . 1de polarizarc dtn tgura '
s1nt foarte:: nutri. 1u l:trcuttnl dar loarea lui rJ.F valoare c re
c. d 1 tcnnc e va t-' '
punctul de fLt1ll t cp1nc c pu . . ..
nesigura. . .. va., ,a i la inter ec}ia caractcn ttcn
J:.>uncl1tl static c,lc fuuctzonarc se g
1.
1
= 1
11
= const, undc
J! - }/ EB
lllJ I
(5.113)
JB- R
11 "' d
' te dreapta e
. 5 28) care c n um
l.:U linia (5 46) (r pr zentata pc a . .; - I = const are pozttle
It A caractcns tc lJ -
8
satc1nli staticii. Pent ttl a . t-'F se schitnba.
pt111ctnl stati d unc1
1011
a
97
7 ll1 pozltl' 1 cue utto clectroniCC
hg. 5 ... 9
Daca presupnn 'Ill tl pta de in;t dn ..
Ui (Tl J?c bin prcc1zatc), fi .. are(
cc . .... . )) 't ,-alor t
(printr-o telnuca. ', .. J 11
..
1u] ui ] nsca tnua 11l1Jl0 pu11ctulu j
functiouarc intr-o poz1}1c b1ne deternl1nata
'e Circuit de Jolal'izare cu __ rezisten!tt in
cJnif:or. fu analiza .care urn1caza Yom ..
pune pentru sirnplitatc ca. I CB? 0. Atunci
1
c 1.E ((3p-+ 1) tE. \
sche
1
na din figura 5.29, care d1fera de cea
din figura 5.12 priu. .... un:i
.. Ac
1
ezistc
11
ta introduce o rcac(1c ncgaftva a1 ca1c1 ef<:ct
Ill ( ll)ll 01 . .."l l w )' "" 1 . . . .... .
poatt fi
1110
r in}clc.:s astfeJ. 0 tendinta de da tl! J?llll lui
cstc ra11ia1 de ca. e.n! c .. rezisttu}a
RE, droarect efect1v d1spon1 b1la pc.ntJ u. polaiizarea
11111
Hzjstenta. l?B .. _\phctnd. teoren1 __a a II-a _l.nt Ktrchhoff pe ocl11u1
c3.r( rupri11 de JOnc1 HllH?a. cm1tor-baza, putcn1 :-;cue
1 . 1J =._ T EJ, + R 1 l]J + 1? EJ E = v ED + [ 1\ II + ( F + 1 ) R E J 111 ( 5. 1 I 4)
V JJlJ - fl EB)
lc = f3Flll =
I< lJ, + + 1) [,>E
(5.115)
Sa obblrvrnn aiLi a 1 c' cnrentul de colector al tranzistorului prcsupus
funcj1ona in 1 cgtuuc a activa uormaHi, este de
j)kc f aruhu. Acebt h1c1 11 tr bui avut in vedere ]n analiza schetnclor 1nai
complicate: . e face un calcu1 din aproape in aproape, plecind-daca cste
posihil- de la un ochi care conti ue o singura jonc1 i une e1nitor-baza, de aici
s afHl I 11 bau 1 E' iar 1 c rezulta hnediat.
D1u p11nct de: Y d(r n1atcn1atlc, 1.c di11 (5. J 15) devitlc independent
d .. da(u ........ 00. I racti I cu 1 ob1]n( 111] c 1'.1 ind<:pf=JH.lent de
.r ntru
{r1 p -f- 1 ) I< E R lJ
"---=-----...:.
(5.116)
'
e' njnd la . . ( (5. !.14) ?hn ca inegalitatca de lltai revine in
fOJJd la L'a.lad.crll tc.ns1un J;c rezisttnJa J(w J-fa Jjn
1
it a, an1 putca
Ull R 11 = ) 1.11 < n c1utnl dln J 1 gu1 a 5.29. ])P fa pt 111 ac<s1 caz sc fjxcnza u n
l't;nt d UJllOl on, 1 ant
JJJ. l 011sl, ut d rJ,.. ] o.r a<.. ast a 1 olti
b 11nalul a1 "l'll\:
1
doutl hut 1 ii l r fi Sl urt dt
a
Fig. 5.30
cura 5.30, b. :\plicind teoretna Thevenin la
cu figura 5.29, uncle
1
V _ RzVcc .
IJU - R R ,
\1 + 2
"
t1nga punctelor a b
(5. 118)
Rczi-.,tentele R
1
, 1?.
2
pof fi alese de valoare suficicnt de mica ca
c::.atisfaca conditia (5.116).
j , e in elcctronice a par frecvent generatHan d eurcnt eon-
t.inuu lolositt) pentru polarizarea trunzistoarelor. Ele s1nt con truite la rindul
lnr cu unul sau tnai tnultc dispozitive electrouice. .
0 schen1a sitnplrl de de curent. este cea dl! JJ;a.!.,tzts_tor cz' .. rezts-
lt ufr'i in rnz.ilor $i divizor de olanzare. 111 ftgur.a
R.cz
1
s en . 111 )aza pot 1 alese m1c1 atunct b ..ze: fara de
masfl estc.. practic constant egal cu 11 Bll ( ch 111 1n f1gura.
5.31 h). Cllrcntul gene rat de circuit (in colectorul tr nz1 toruhn) e t\: atunct
Jl BB - 1' ED
lc :: J = Re
((5.119)
'Tranzistorul fnnc1 ioneaza nonu .. 1
e] 1/"'
0
, nu scade stlb l
118
(trebtn
c; 1 ot .. lul c)} f .d: m a,
vitata intr r a tranzt oruhn lU tu-
ra1 i ) ) . Designr,
% ]\ El 0 t (I CL
.
<'st 1 i n1i tat de t nsi u n a 111'" .
\'c..cJ a 111ai dl!I art ) . rnct n h ..
n pt< ze-n tat .. l in figuL r
0 b
1 at
un ti
J Jq J
r u I'tt rului (,L
1
r i t ur nt \,;
c
Cvrtnl
c11nslonl
Vo
RE
0
a
Fig. 5.32
fo
b
+Vas
RE
-VEE
Fig. 5.33
0 J C
..
11
a" si
1
nplli de aenerator dt: curent poatc Ji,.. rfalizatii d_ac(t di spunem
sc z , b d ;r . ..., I f. n2 t
dt f
11
cci
0
su1'sii de tens1.u11e, de polaritatc
. ,u cs e re-
prtzentata
0
sursa de curent avind caractertsttca ,de te?tre dtn
t
11
figura 5.33 se arata cum este folosita pentru unD:1 ct rcutt cu
dona tranzistoare care au emitorul comun (amphftcator dtferen}tal,. la care
nu s-au reprezentat bornele de culeger.e a semnaluluiJ. Daca
tranzistoarele T
1
T
2
sint perfect tdenttce, atunct curentulX dat de sursa
fealizata cu T
3
ar trebui sa se distribuie egal intre ce1e doua tranzistoare
cltiar atunci cind RB = 0. exista mici diferen}e intre caracteristici
atunci l' BEt == V BE
2
ne poate duce la I c
1
n1ult diferit de I c2 (ilustrare
in figura 5.34) , deci o distribuire inegala a curen}ilor. Adaugind insa rczis-
ten1t R
8
egale in cele dona baze (fig. 5.33) rezulta
RafBt + VnEt = RJB2 + VBE2 (5.121)
asigudim I Bl I B2 astfel in cit I cd I c
2
=
0 N.ota. Daca dona tranzistoare nu au fost alese cu un suicicnt
de atunct se poate folosi un reglaj al uneia dintre rezistcntele
de baza P ntru a egala curentii prin cele doua tranzistoarC'.
l
c
r,
72
R
Ic,
lc2
'1JE;= VBEz
a
PJg. 5.34
De regula nu sc foloscsc hatrii, i sun:
ele in aceasta lucrare) .
..
:
100 ; J!fr. '
. ..:
4
'
,..C'-1 ' I
I
..
..
. . .
9
v2
T,
---
2
'e 2
Pin. 5.35
tlt. eurrnt in titeuitele integrte 1)
1
'
11
f r
1
,
1
rt:, " .. 1
. . . , e c ..: , 111 ctrcu 1 T"
iutl'gl ate tranztstoarl'le chn acc<'a!11 schetnf1 (care s1nt vnc
1
11
e'' f.
} J ' d t ) ... , '-- lZtC , lll
cr1sta u senucon uc or pot f1 n.:ahzatc cu caracterist
1
ci foart a t
9 1 . , ' t t . 'J e pro p1 .
, ,.Llll p(:rcc 1crca ranzts oarelor se reahzc:aza astfe:l constructiv s
1
I
:) t t "' . . ... .} n u p n n
so;tare. TOl.JTH: a ca se in snrsa de curent din figura
5.35 a, !1 ca ... dto?a (coh:ctornl scurtcircuitat la haza).
Ce le dona stnt 1n tranzistorul T
2
, ,copiaz t"
rur.entul dl: cnutor 1 1, care cste cgal en [
1
prin
rcztstcnta R
Tl- v IJE v
11 == -
R R
(5.122)
si in final 12 rv IE2 = 11 - 1B2 rv 11rv VfR. Schetna din figura 5.35,a oin-
pe cea diu figura 5.3l,a.
0 sclzc1na nzai cvoluatc'i de surscl, de curcJZ! cste cea din figura 5.31 a.
Ea poate fi studiata riguros cu n1odelul circuitelc
lOl cspnnzatoare. 0 tratarc sitnplificata este unnatoarea :
(5.123
:'1
I
/? 7.. (I )
1 T 1JEl - v 11Ii2 = q I 11 1: .
(5.124
CcnnbiniEd ace ast[t nJa! ie cu
l
I 1-r> ] ' _......_, T .. JJ r:_>
lJ /. I 1 - \ l l c.
.I o
- ...
(5.1-=l
0 ht i l1l ' 111
I
leT' (l1)
. ht -
lJ 1 ..
(5.1:!(1
h 1 n1 \) 111
i \.'11 t d<
.
(dl. pi1<.1.'L 1
S l
l'' 11t ru
curcnt i Jl
sufi
111ait
I
'
b\
'
-
(5.12i}
1,
dt. curt 11/
1) lJ u a t 1tt Cl ,... :3f"' b
0 iu ( in.uttul chn flgu
1
' '
) Ill. < ndu J., <.u 1 I rtu.uJ lf J ur I dll ll
artc tnic.
( )urlitulud7.alri.
,l1ttJ \ i po,t1 lu ],
1
1
ff
P nru a tb(nr 1
2
\/
1
, unde k ste tantt, f'tt. sufici(.:ut
t h r a di 1 f1gur. 35, a dnr cu tranzis1 nrL de at ii .r<;
I
J dt
111
1 ,.,
11
n o a rii_,..:arud
kc ri{t r\1t trauz1storn1tn 1npo1ar -?1, nnphc t. 0 1 u:stra! a apll(at
11
r dczYoltatt pcntln nclSt
5.5.4. Tronzis1orul in sehr1ne de conurtafie; liinitari Ja tensiuui n1ici
0 alta utilizart: a trauzistorului estc pe post de co;nutator. Ln circuitu1
figura 5.36 t1 coin uta t:trentul prin rL .Rc : este
ocat, nu curge un urent 1111portant ; daca tranztstorul este deschts, atunci
rin Rc trrct cun.ntuJ de colector.
0 prinJa problen1a este ac a coulrolului stiir1z lraJ?s?'storuJui itnplicit
al lui ControluJ se poate facC' prin VBE sau .ZB. 1\tunci cind jonctiunea
baza-emitor este descl1isa. 111i jlocul eel mai eficacc de control eel in
curent (iii este lirnitat de o rezistenta serie din circuit).
0 a doua problema este cea a 1eprod uctibilita{ii curcntulu1: 1c Acesta este
ic .. in regiunea actiYa normalii, und( estc afectat de disper:,ie.
Dar ic este 1nult mai reproductib11 are Yaloarea 1naxi1na) daca tranzis-
toru} este saturat. .Atune)
I
- vcc- VeE, sat
C - t sat -
, R
c
( 5. 130)
. .. Tianzistorul - co1nutator va lucra de regal a in nnuatoarele doua stari :
n m (comutator de schis, nu curge curentul), fie in saturatie (co-
mutator mc.hts). A:;;a mai departe, funcj:ionarca lui it; regim
de comutat1e nu este perfecta dtn urn1atoarelc n1otive
. . -:;- tranzistorul dLschis arL o cildcre de tensiune ]a. borne V s1
fllSl pa putere : ' CE, sat
- la curent de 7.\'HJ tcnsiuuea pt: dispozitiv nu este nulii ;
- curentul la m.trare uu anuleaz{t cureutul principal prin dispozitiY.
a)oareaE:xacta a h11 l7CE IJOate ( t t ... (d ldv" ' }
1 :., sot ., I }J Jr an a <! pl a 111 Clf\..:111 te c
mtegrate d1g1tale, acolo nnu\:: Tt CE poa1 e con
1
a 1
1
Jt
ig. 5.36
t . ) J ' nc a ]One
1
ntnea unu1 n
1
o1n calcuta 1nat' val oarea V cE
cu aJulor_ttl mode.lului Ebcrs-M oll. .J)c aceast{t data
VOlH cxprllna 1 C11Slunea lH functi<; de V . .- =
. -- Tl (I I ) F t 1 .... } ' c L
- CE B c
1
np u ca I R (at unci c1nd tranz is-
to1 ul <- slt satnrat) 1 s7nt " t . ... . .
dt tcrln1na1j circt if . " i lln r-o prnna. aproxlnuql.
. ) l se 1nre cgc cu refc-nr ]'l c 1 ell
n1a1 sus.
t ensiunile lu fuue1 i . d. . , . o I
lice rv]a1nk (0.80) ( ... 82) .. . > < tllt. n11 ll
1 ,
1
, gasun {tranz1stor npn)
V, J. ItT ]n rxp I" I- ( 1 - a.a)l c
q (I.R a.F/n (l- (I.J.")fc
So l'd lc -GaL J}J va-
Se verifica i 111 diat ca Tf ca scad<.
111011uton en a lui I lJ Se
kT 1
Jin1 ll CE = ltJ - > 0. (5.132)
IIi-+ CO tj 'X n
S&: constatrt ar;oi cf1 vxpr('sia are sens
utunai pt:ntru
1 c -1- ( -1- 1 )I cno, (5.133)
cazul limit{t al egalitatii corespunzind
functionarii in ll giunea activa nor1nala.
situatie sc obtine pentru Tf cE -+ oo
'iO
30
10
in relatia (5.131) intr-adc:var, curentul 1.c Hg. c-.37
'asi1nptotic cu pe "' .. .
ristica JJ == In == canst. TJcfnund 1utrc..trll 111 (satura11.
cipienta) prin 0, se lc. . . Daca ==! {fa ...
abstractie pentru 1noment ca acesta deptnde put1n de d1--.poz1ttv -v_. r .a ..
tia ). atuuci de baza neccsar pc ntru a adnce
lin1ita de sat ura}-1c (stc*
J _ I C, suJ
n, sat - '
. 1 . ,- 131) )resla lui licE ' necrliiind
'Voln aCUlll dtn atla CXI I' .. , sa; b 'tc
reziduali (tnici fata de 1
11
I c) prcsupun1nd U.i I c == lc, sal e:s
circuit. \"E:ll1
1 I
kT I -;;;;I
q l _ l B, at J
\ II;
.. d 1 tcnsillni nli i a carat:hri tic-ilo
aura 5.37 a rat a zona e a . t . 1 sattn at cu rt.:a LUfi
1
t 1 :':)a
11
e tranz1s 01 u r .
n1odul cu1n scac e cns1u
... , t
1
dl ol ctor cstc 1 at ]:Jf
1
. , 1 Se obs\. rva ctnn UlCll u
(5. 34
u_r nti1
dat
( . 35
r l LOinan a B' \... t)
dnap1a de sarcjna ... cn u
1
d t
01
t ac Qn Uf' l f
. . t r (\al1t 'l I)f ZlSLl l . . .,
() J110I)f1Pta1. 111 e (,c t l, tLill.lUl c veE
U!'fil 111 i
1
d nt
tnttuor l'Urbv1or .1.1 clc ..
1
l dt rc{..t}i L lrH) f1 tnc [t'l
Pnnind 1 ta I -a Cl c .t
) b1 i Jl('J11
'
1
<..:1.. t a \'t dn c la
( 1
( 1
I
I
(5.1
{5.137
110
t c nl nuu hFE
l C 11 1 oat
f 1 1 ) t w l<Jl 1 1 ,
( I gul d ut 11 St. turat.
1
tc u nu
1 q r r1..t d ..\, t trau i t ru
+?
'-
' :t In (IX]" )
(5. 138)
l'un ' tttl dv <UllCU1\.'lt1 <l (I
, \ '} '" j' t , C I
-
T GE l' sc 81 <l oar l' aprlXlp\
__ nx,l ,)r1, P1U nL"t d ..._(1nrvl'C 1 c
1
ttt foar1L ndc. 1\.: n!'-;iunen f'cE
1
se
" .::J l ll{ti ltllshtJi!' dt'
.:l:_ cal a j (de '-'a 1
Fig. 5.38
teristicile 1
11
== co:zs'. nu bu.'
prin origin5, ci printr-nn pnnct
deplasa t \._ u !' cE
1
la d rea pta.
,... ura 5.38 ilu::-;ti l aza t ul ca r .. 111 jurul origiuii. I n
1 1 1'1 I .. pdr C'orcs1 unzfltoare in regiunca act i\a
11 \el-a t;:zR "-rtF) . Coth.ordan}a cu tcoria cstc 1nai l)l'ntru
't. u sihciu, efici<:n}a c1nitornJui scadc 1a curt:nti n1ici (factornl
an1plificare nu 111ai ]JOate fi considerat o
5.5.5. Tensiuni tipiee }ltl jonctiunilt' tranzistorului
(5.139)
l
- j Germo!l;u
JC-JCJ
.. ...
t!ZO.n
"- '/"CV;/) fc ,;, JCEO
(bald i'n go!)
/. :::.1, I
C' C8..?_. O? J
; I c I' I .c._, .....
-C.'-1-[)2-al Liv=O, J
..... - J,_...._J'alural;e
8.ocore acltvd
!Jesch;dere
( prog)
0
5.39
Ta tfl
-...... 'fcu:siuni (vn!p)
FeE, sat
v,,E
) '' V nE, sat-V a
rtgiunea activtl
V lJ deschidete
(V y)
l-' 1 1 , lt'here
I
Si
() r)
0,8
0,7 I .-
0,5
0,0
-l
-------
Ge 0,1
0,3 0 i)
(), 1 ....
-0 1
'
0 No'a : pcntru tranzisto:uete P11p se schitnba stmnul.
Luind k T Jq == 0,026 V (ten1peratura can1e::rei) Ct.F = 0,99, gasitn
v" BE = -120 111\T. Totu)i in zona foarte mici (/.F are valori Dlal
n11ci. Cu aF === 0,9 pentru un tranzistor cu germaniu gasim V BE = -60 m\".
A preciiDd aF 0 pentru siliciu (efect foarte pronuntat al generarii in
regiunea de sarcina spatiala cu degradarea catastrofala a eficientei emitoru-
kT
lui), gasim V BE "' ln 1 = 0 V. Coborirca tensiunii pe baza sub aceasta
q
va1oare reduce mai mult pe I c' dar scadc:rea este neesen}iaHi.
Adn1iten1 blocarea ., aclinca" a ambelor jrJnctitmi. Atnnci este Yalabil circuHu1 echivalent
din firrura 5.21, a (transpus insa pentru tranzistor Hpn). .
b . l 1 J - I I ...., 0 Cu aF -= 0 9 q
Pentru gern1atuu, consxdennr 'YF ,-v rezu a <; = E = . I
0
- ., _ o 91 1 c:i 1E = -0 IS /EBo ln cazul tranzbtoardor cu 81. aprecund
rt.R = ,;:,, gasun 1c - . CBO ,
rt.p "' 0. rxR ...v 0, gisiln I c "' 1 IE "' - ] EBO
Un alt punct itnportant al. din f1gura este
\ T BE === 0 (baza in sc urtcirc u it cu cnntorul ) .
1 1 o 1 'i 'E- 0 '' l I BCI
l)(.J - - '"" - ' t..
P.entru germanrul en aF =-
aR - t - . ...
. "'
1
"' 0 }.1 Imuta de
silhiu, cu r:xF ...v 0, o:R "'0 fc = CIO
1
E =
Cn bazc'i fn gr)l (l]j = 0). IF =- lc lu.o - L)IcBo =
Icrw/(1- cxF),
kJ' l aF( I - _ tY.R) J.
T"nE == In l -f cxR(I cxp)
q
. f r l i 111 f7C;;Otru gcrtlJdUi U ( a.f ,
I
r 11trtth l llanmu tn
1
' g. r. 1
1\. d u itH 1 .. '"n ''
11 0
H "
. t
1 1
,_ In ll
1 '-ntru -.ilidu (>:.tJ - lll7.R !71 F, f:I.R Bf q
rJ.R 0';;) I' E IJ - t;n 111 \' I r t H,.., p JlcLr alii dlrtCl
f I jt1HfZU1ta lh Mil I
= \ r-t \' ,l)u"'j a/UilCI r/nd [)an t Sic' 1Z t;t l
ut 111 , ... si ten prag.
\ ( 1.. - r ) , den n 1111t . . pl"lda
d.- dfs()ud n J I l,. un i frnc}tUnl date (d
t . . a vt cotespun< l s
0
Lh. calcula
1 rvhui <kfinit ft ar1J1 ral c.:.
1
.
1
cuicntuJ n1axt1n. <: P ' . c pe
J/ 1 d ] lCftl < n d a dl it n tun
1 dnt l:ttlfn1u l' t . . t . afectatn d. (.:,l crt . -
l , V t ustun<. tS '. "' "oU.tn1 faptul vt tr.anzts
t 1. at . o . f <.:t cLSttp1 a hn Y CJ. - ) au
0
rt J.sfe.f..a
ru . I k s1gur, ,.bl,' nu ar . . J1anar- pit ax1ala (flg. . u limen
1 t ,le cu silili u 111 coustruc p(:. I t t 1 CiidLr<:a de h.:n \.0 ,f" \
1 loan ll11pOI au ' . -!l I t JN Jn ...
St ri, de colrctor, ,. o c ' a
1 0 1
'\ pcntru r cc - :, c
LtJ.\ eat (d ..
ct; fon
1
ntla (5.135).
t 1
. d .., t .... 1 a . 'l c..: a u a .l
1' HH;} , aug a a
4
'
(5.140
"r l nsti il 1tnnzis1odrllor af, tate dt fJlOlll{:: ..
<K lUl 111 .t\ al.1117'i U 1 UI1 at o: i]or in;'t. ..
t de
11
npu1 t]cctric 1111ens d.111 ngntu a d --- sar.cu.l a .sJ?atJala.
"f 1unil
111
a1i sv nplil.t (h JH' joll "1 iHll .t col( c1 ortthtt !71 a1c1
1lll11tiplical a. ,. . , ( ..,
Modllul fcnc nH'nulu; a fo. t pr zlJdat 111 paragrafnl 3.3.5. Purtatorii
1i
1
n tcgjnnC'n ch :SdtTinn cn\'l'a;:i (ioni-
1.
1
rll'1l'1hlitdnd 1JI7tlfijJ/t carta ctncntulnt uut1al cu factorul
Jl
(5. 141)
u \1 r. este ten illlll'ct dl' a jonc}i nnii colcctorului (i\11.--.... Cl)
rcn/--+ l''a). iar II cste llll coeficient detenninat CXperjlllClltal.
e .\tunei chd ftanzistoruJ lncrcnza in couexiune baza enntnna,
ntul d ole 1or JWlltru iE = canst rnul t iplicrt clv i\1 ori
ia! pcn:ru I Vc n I --+ I nl ic a l)r u pt, ftl.rrt o litui t{t a
)f1 .... 5.40) .. A clrc1 1 cno1ncu t :I d< slr/i pu ngc rc prin 1n nlti plicarc in a va-
l.( la J:'nc1n1 n a c()lcctornlt.u. T_ c s de slrc'ipttugc rc c sfr aceca$i.
pendt. de curcnlul de cnn/.or uz JCC! at 111 t ra 1r:1:stor.
Un dct.aliu al n.< c unpc,rt:iri ste important : Pste suficie nt:i o 1nidi a lui JI
'aloarca ] I Ultl u ( .l tc sri valuarca lui iE curcntnl <lc 'i n = i E - ic sa
d \ n negativ. s,, JHtn l.L t ensi11 ni St'nsihil tuai co boritc dcdt f/ (f1,r 5 40) c- r
. a M' ...JCtHm-
ba .cmrmtuluz d hu::ii s (xplicrl Ct)lnrile :ji elcctronii gcncrati la jonctiuncJ.
t mJlut p1111 f llOillt'IIHI ,) , in avala.u.;:>'l trcl>ui\.! evLcnati l)L rtx t d t' 1
, , 'I< 1 U. () fll C . 1 P l1
. maJorH. rt 111 .. iJ1q'.i n5i in :ji cunlribuie la i
0
. Purtntoril
dt tft JJ) "'OJJU plltnulfl lll bal...t f-i llS\ Ill n.:c,,ull,inarca purtiHorilor minorita.ri de emitor
k" t JnCJt cure11hll dt 1Jaza . ,. lt 'tll ll' f> lJadJ. ]\/ . t 1
. . Ln'!J e tllll t, alnur1 pn>Cl'Snl de nntltiplicare
r o tnal mul t1 pnrtrtturi muj"ritari in bazrt dedt c.; . . . .. . .
. .. . .c llctcsan pt,n b n ahmcnta.rca recl)luht-
tit in lJazfl, cit 111 cnntor) intit !'\urplu ., 1 t 1
bjJulJii semnul (ill - 0). I ' re Jlttt prin dl! l>al.ii
0 rtnnJrfat faj,ful cc{ tt 'If' ..
a Cole t
,
11
. (. : ,.. '.
1
n
11
I ' J u,area Jilt afrc/.taztl. decit Jol! c/iu-
c 01 u d 1 1 r 1 .lti1 J n
lc(mA} \tuaui ilul 1ruz1'st 1 1 .... ...
a
' . nru 111
,.., flPH tJill(HI' 'fHitllll ' l . , .
1
'n coust, l(Jlotn<nek. <hVl ll
lllal I>tonncl' 7J ,., t- f"'ooJ
1 (' 7. ttl1 :1 .)/ _ ,_ ,. . c
?) C II - V IJ R = 7) t Ll'
'' . oo n .qnuxtlJl:-tlt p ntru lvrrl __.,fl.,.
1 ut 1111 JH'l' l 'S'LJ' r ' ... .
(
1l ) , sa St :lJttngH Ia str<.tpungl'r
: . --+-
1
.1)_) Ill Ccl S. produ a lllOdific(u i lllUI j .. 11'
Motivul st acl " ... j" ,. I t'
, 1 a l Oftlll( 111 n.t' t
llCJ .1 n 0 Vd) t.lfl" (.;01151 aut a a ) . . . .
. , . . ' "' u t t
8
n u 111, 1 1 n n 1 t 111
(.!Vd\.tHll a pur1?ltonloi tnaioritat ,. 1 "" ... .
., ,. l I 111 )t\Za, ptULtt ofl
at )JH'' 111 din 1 nnnJl' Jltl] l tnultt' 1' "' lti..
, " , . ... . 1 1 ar . u ,1
lll \ H ll
1
', t1 llll t l Ill d l COll Sf f !=ott ] , t
1
. ... If , L' ., r a u1 1 c r v-
HlH sn s Ia a , l11i i J) lt t 1
1 ' PIS 1l'H tll In
,
l a s upl
tarrt a 1 u1 1 c 1nunaru 1
de purtato:i
tl' I cref}te 1 E vtc. lu. felnl
accsta se poat<" ohtuH.: o
c r ($It r c 11 clint it . a . lui ... i
za 1.
8
=-= co11st, j11t1t, Jara
ca sa sc produca de fapt
strr1j)ungcrta j>ropriu-ztsa
( Jl -+ oo) la jonc/1u11ca co-
lcctorulut.
0 descriere tnat<:.: lnati-
ca glo bala n. fenotnenelor
se obtiue inlocuind iE =
=1'
8
+ .11,.1 (5 .. 142)
exphc1t1ud pe 1 c ( 18 =
CO ilS!, dat) :
Fig. 5.41
J1 (J.p1.B I CBO
lc = -1-----
1 - ]\1 r.l..p 1 - .nf CI.F
(5.143
obtinc ic ___.. ()') pentiU ntf (J.F == 1 fo}osind relatia (5. '-'t
1 VeE 1 '""' 1 'Vcn I, obtinc111 ten!:)iunea la can.: lc oo. Accasta .., nume t
tcusiuuc de sus{incrc :5i are
v
T . I r T ( 1 ) t
I
1
C E sttsfiune = s -= - ':1 F " - -( Q ----1-)-1/
,F
{5.144
r. = ...
10 3
5.41 ara1 caracteristi 1 c -
- C(J1lSl p<..ntrn nn tranzistor 1n1p car" a1 _1 ic.
cu ucE dcoarclc l'Stc Sl:Hsibil la c 1 n1a1 nuc.1 cfL';'lt'n
tnult1plican.: . Te:nsi unva Vs nn este rigtn sac ca71, dto,trc
cu
ic( t'cii) la. ..:.:.
pr
all factontl i
(J.f (i V .
u cur..:ntnl
"-
I ,. '
I l &l1 mit.: plul t cure:up
. 1
(
In zona in
111 ari (fig. SAl).
1 ){ f n 1 , t c l n rq i a
JJ (J.F
1 :111..
ttt t usi un<.. a
J 1 (1'
11
)rJ.
1
.(rc.
'c)
1
u
.
sus till 1
trcbu) "tlt
(
lion tii din figura 5.41 este ne.in?icatu, i'i distrug<ri
cone<.. ntrarea local a a curcntuhu supra1ncalz1 rea senuconductor11Jui
1 ra stor fcnon1<.. nc s ya revcni. rcnu1n.:d.n1 ca
dt lT la tt:ndin}a de aglo1nerare a curentulu1 111ai
11 ult prin n1ultiplicat c a colo ( ircula purt rt tnat n1u111, a( olo
ut curt ntnl <.. ste d<:ja 111ai 1nare). cr:ntra1a Ll (hg. S.SJ
', {.One ntra ptobabil un cun.:nt n1a1 Uu dc1 unportant este ca
al concentra1t: cste favorizat:l de 1B = co11st . eventual ncgativ.
Fhxul1najor de purt a tori se scurge direct .e1_n1tor. ;;1 Ca urtnare
r, din fonnula {5.144) corespnndc J011CtHlllll plane (la profilu1
dat de in1purita}i).
0 ObsPr\'atie . . Atune] ci'nd 7.
1
: = const curcntul de e. te
l rt t. at rl B ,1narginca, jonctiuuii planare arc 1111 rol JHult tnai itnvortnnt
,i ch tLrn ina o tcnsiun(: dL strapunger<: in concxiun a baza-conntna tnai
nlil; d ut ll'a con: punz:itoarc jonctiunii plane (eJect .. clc col}" la jonctiu-
planar d. paragrafuJ 3.3.5).
e In 1'-gatura cu Jirnitfirih in tensiune CHre trthuie s'"'t s< tin:-t s . , , ' "' t.a-
nla in u1Hiznr(a lrnnzi .. tnal'f\lor Jnlntionrun unnfttoan.: lc:
I
- l'" umrno (
1
l Jl.">iltllCG dL: SfntjJungerc colec/or-bazct Cll ('Jnitorul in
e! este JlguEi tcnsiunea cca 1nai 1nare JX.: care o snporta tranzis-
ton: l
I
r - (: tcusiune ..al cu colectorul in go!.
J.. 1 Lu. B1t.l.111ll< lH1} ortanta atunc1 c1nd tranz1storul folosit ca nn
t n1utato1. ;1_ lJ}c,chcazu jonc}iuura baza-etnitor. l)cntru tranzistoan:le
}J 1 are (f1g. ?8) J {ln)J:JJU l11tOtdcauna SCllSlbll 111ai tlliC decit V(BR)CIJU
t 1111toru1, baza coh:ctorul au succesiv dopari diu cc in ce 1nai
11 1C1) ;
P(
1
tru tr nzi to r It Ji 1 circuit le int'"rntc liniar\.! . l Jl1 "' l'
,.., . cc p fa, (1/R)EIJO 7\.
d' ... ,. JJRJl
1
, dvn
1111
litd h.1 tot tpnsiunc ch.: strttpung,n: *
1
_ell.. dr il1l5luuca de susl?'ncrc (5.164) a carei valoan.:
yadt ('
1
..t
1
u.. [
1 1
.
1
torului iar ba.za "St foart .. ). {odul d C 1 hu ft ln l \;\
de 1 di ipata in di. pozitiv vf,; fi di ut t n t P rt
5. .:!. \Tnrhat in cnr 1 teri ticilor
e l ,a 111 putul , c tui 1pitol tu
nrazn 111 rt'!Jiurun ncli' u norru (
p n ,l n t ri i
1
( s u '1 ) t 1
t( 111p T \tnt l \Oil\ pt( )u t I ult it 1 Ull l
\ t 1 \ t Ill ) I it t f <. l t
H \
\t(lJ\t1 d l\1
lu ut tt d
lul
u t anperotura
l
I
Atunci cind nu est data in lui cu telnperatura
poate fi estimata cu o formula emplrtca de ttpul
r
7' - To J ( 5. 146)
I ') = To) 1 + ]{ '
. le cu gcrmaniu K :::::
- 25oC K = lOOoC pentru tranztstoare .....
unde To - , . -.. r
c:: sooc pentru tranzlstoarele (U Sllctu.
110
'-e IJ. R
(mA)
0.6
0.
9,2
0 .
1
()
O,J ll
02/1 .
-..-..
I-
.....
II
,_
I
:::..,f...J
f--
1 .JV
V_
-a2 o 0.2 O.'J ao o,a
b
JBE ( V)
- 0.2 0 f12 (J.t, O.li 0. 8
"BE (V]
I
V
.1
CE .,
J lg. 5.42
10
80pA
I
GOp A
,
LftJpA
7 20ft A
2
,.
1-'"a =O..PA
1 2 3
d
Ill
'c
I
(mA)IJ
I
80pA
f-- -
I
f-
6/JpA
i
'fO)l A
2
if
20pA
.J
'(
I
J
l fl .--,__..__,_ __ --r--.--1
lc
fmA) 8
r
'
ca_:acteri statice cu este
ilustrata ttgura p::ntrn. un tranzistor npn cu silidu*. observa
dcplasarea .. d_ .. _spre stinga (v
8
E scade cu
1
(5.12') . uud) 2 1 - - BE,:t
zu t 1 tn IL d t 11
1
'tatuta (d
r aT _, l . ln (T l ... ) UH 0 t "\ Cll l:l p.... I.:!_Cl ..ll
d
8
1
E/ '
1
t in
1
._
1
th" liniat cu tcnlpl!raturu), s poate a ....IgLu
1
01 ea term n c <.4 .. 1 1(' -: d t
S
...a ... d ri i
1
ritnulu i t nuen p o plnJ a r } a tl v at g.1 ...:111per,L,
() co1npen an. a d t
1 uri prin a] :lg"' eel p trivit(l a clen1 n.t_elor . . "
0
alta utilizure a onlp..!nslrn a par atu11c1 ctnd 1
roblema deplasarii ni\reJului frnsiunii Uu est c1rcuitul
in figura 5.45
1
rl, nde poteu}tal ul bazet ln1 T sea de cu
terea tl:nSlUUea l z
fn acest fel se as
1
gura con1peusarea parttala a (l' BE):
atunci ciud
Tehnici sintilare se iutilnesc in circuitcle integrate, unde drept. dioda
z Ul r en l ...z = 7\T se - e ... n1itor (polarizata
iu a uuui tranzistor cu colectornl -curtctrctutat la baza sau cu colectorul
in ol. Co..!ficieutul de tetnpcratura al lui T'z este de +2,3 ruV/C. deci
egal ca tnaritne cu eel al jonctiuuii deschise c1nitor-baza, dar cu
sentu schilub..1t. Inserierea in opozi}ie a celor doua jonc}i uni duce la obti-
nerea unui co.:!ficient de tetnpcratura cu un ordin de 1naritne tnai tnic.
._, ._ .,.._ .._. --=- I -....., .. ..,.
e 0 alta tehnica se refera la eompensarea varia1iei cu temperatura
a lui I coo prin folosirea unei diode din n1aterial setnicondnctor. pola-
rizata inYers, func}ion1nd ca un generator de en rent ( curentul de saturatie.
I
0
, a1 diodei respective). In circuitul din figura 5.50 - v.-t == V
8
kT, deci ;zD = -1
0
1.
8
-== I- 1
0
I= (T""cc- Vs)/R
8
q
1
1
eel R
11
= canst. Se
c + 1)/cBo = + l)lcso (5.160)
un. I o _I cBo asigura 1.c = (independent de I cBo). Metoda poate
f1 aphcata daca in emitor exista o rezistenta. de sche1ne sint
utile. at!lnci_ cind tranzistoarele folosite sint cu ( aici curentii rczi-
duah smt aproximativ constanti cit de cit reproductibili) .
. ln . pentru compensare se pot folosi elemente rezisti ve
Ia _ vartafta temperaturii, cum ar fi de pilda terJnistorul. Circuitul
d1n f1gura 5.51 un termistor RT pentru a reduce variatia lui Ic
cu datorita variatiei parametrilor tranzistorului I( V BE,
I c1nd temperatura RE scade injecteaza un curcnt
tnat ma:e pr1n RE, ceea ce determina caderii de tensiune pe RE
cu tend1nta de a reduce 'i
8
. deci ic. Problema princi pial a care se pune
fig. 5.50 Fig. 5.51
I 1 ti
'
'">tc de a u. a efectului tcn1
1
1craturii
1
)("
0
l .... t .
1 L t t" ..,
1
.
1
. lJ aJa u 1na1 arga
111
ac<---st sco1 s st n .e tzeaza ( 1po de rczisten+c (d
1
11
tr
1
.
d t
" d t .... >- e care C( puttn
\ll
la dl'})Cll (!ll U C cart au 0 rllP'lllll.ta::' car' ct t ...
., , <. a ens tea nzt
telli a t chnralc11t a i uncttc d te1npcraturrL Caractcristica n<c"sa .... d.
1 1
} .,., "t ..," ... . . '- ra 1pouu1
..Lt l.ll 1-0 Ulltl1111 111 SC .dct:rtllll1a CXp'-!rinH::ntal, SUbS-
titllt11d cu
0
.. le.zts,te.nta vanabtla, 1nasurind rezistfnta
neccsara 1.ent 1 u a 1ncntn1e 1 c constant cu vanat1a te
1
nperaturi.i.
5.6.6. Ambalarea termica
'
Cre!}ten;a tetnperaturii semiconductorului, T
1
, determina
cure ntulni elL: co lector, deoarece :
- daca curcntul de baza este n1entinut constant, atunci ic
cre,tcdi lui cu tetnperatura;
- dacrt tcnsiunea baza-ctnitor este tnentinuta coustanta, atunci curen-
tul de baza rapid (caracteristica de intrare se deplaseaza spre tensiuni
1nai 1111ci) ;
- curentul rezidual I c
8
o cre9te cu temperatura.
l)aca crcsterca curentului de colE:ctor cu tetnpcratura duce la
lter1
si n:zi tenta )a
za rezistenta tcnuicrt
radiatic convecftc .:
hs ( l arl: include pt<.tnzatolfL' de tetnpera ura
.. t t t enui ,;--t corespn , ._
Sf' ntglij(azn rC'zts a .. . , radiator.
intn: capsuUt (ten11wratura 1 c)
(: ... stanta reprezinta
. o r ..con t rialelor (sili-
0 l u clu ti 'rita tea t<.:rnuca tna .e . l radiatic
1' f> d oan:cc con Hl. pterdcn prn ..
tHlllH.Ll o n pt o .... una J '" tcnlpcratura cxlS . 1 en 1' .
cinl in priuntl rind)
mai
. , . ti tnru tnare tn rlg1unt e
1 coreSI)tUlzatoare t:luhbtuhn tcnnt<.: " :x oritari
. . . d 't t . r ntului d purtaton 1n1n
la h:l va ft 111a1 n1nrc nst n ea <.:U va determina
l)ar concentrarea de cutPnt d tor nt anu!
111
te rcgtunTt a baza-
.. . <.:a nat d<.:parte enstune
o alt r .. l'rC' locaHi n t tn P rat nru
1
t). 1 poata rlmtne
('tnitor ... ;ul a p<'ntru (,\ lc .de. scadea. Distri-
( onstant si ,\'it kl dlnsitatul cunntuhu
1
11
;cgllltlt r va filn.eunifonnl, cu
huti.l trat;s, l'Tsal:i a dtn tt.ltii c c /,rtt) JWbilf/i.
na]oritat .. \ un:ntului 'Oil(:.
111
cste sclderea tensiuntt
tndh. nth n n utuformtt
tnt f b. t " Temperatura r>ate
haz.:.l (tnitur Lt \UH:i cind fortneazA
0
p t
1
:
tunct tenstttne
,\tinge sut d . ' !ji Jntl onductorul poate
0
P
1
..
d tWAcUt ,..u:u t.;.Je ..
Din p .. t " l '>D eAte Mil 5 d dreeaota ell-...:_.
pntc:r t"u aardn tr n form tur De pildl. petatru
laticl eat.e pru J>e u vertk I l belt "" "
11
,_
--
fig. 5.55
Fig. 5.56
avolcnse;
,
1 S'tr.ipl/lln '"e
I . \!
,
1
1
pr 1{'7 ...ra
I I \ I
I I .,..... \ .. \ f l. fJO
--,.
d 01
(to
1
brus (fig. Chiar daca tranzistorul nu se distruge,
l (. l' "-' . . d f' 't. "'
ticile sale electrice snfera o tnod1flcare e 1111 tYa.
"e con tata ca e:A.-Jsta o dependenta clara a curentului la care se pro-
dut cad tla de tensiune pe dispozitiv ( strapu11gcrc sccund ar(/) de
co lector (fig. 5.56). 1\ceasta este legata de neuniforn1itatea citnpului
t:lectric transve1sa!, asociat caderii de tensiune date de curentul de
Pt nt1 u ilustrare s-a reprezent at in figura 5.57 un tra uz is tor (de putere)
i11 co1zst1t1c{ie 1ncsa. Partea superioara a dispozitiYului este dccupata prin
orodare (chln1ica, de pilda), astfel incit jonc}iunea colector-baza este plana.
Aceasta elimina probletna strapungerii premature la ,col}urile" jonc}iunii
plane. Dcoarece diferen}a de potential aplicata intre baza i e1uitor (jonc}iunc
deschisa) scade pe tnasura ce avansan1 de la marginea jonc}iunii respective
spre centru, curentul de en1itor ( :i ca urtnare eel de colector) se va con-
Ja j_onc1iunii (figura 5.57 sugerc aza densitatea purtatorilor
locahzeaza petele fierbin}i).
este tnai _in tens la tensiuni V cE mai 1nari (fig. 5.56),
ca reg1un.ea de spa}iala se extinde ingustind 1narind
secundara apare mai U)or ]a t1 anzistoareh.:
de mat (dcoarece, dupa cun1 se va vedea, ele tn:buic sa aiba
o baza 1na1 sub}tre).
.Fenotnenul nu a pan: instan1 ?neu, ci necesita un antuuit 1 in1p ca sa se
dez' o_lte (ceea .. ce corespunde une1 anun1ite cnergii dezyoltat<: in tranzistor,
care '' t t t
t> " a r p a capacttatea termtca a structnrji sen1icouduc-
C(colector)
PeiB fierbin/1
n+
Fig. 5.57
120
, t ) S p lE "'i L1.1 H1lll'lll C tt S t T rq I tl11 g { t C a
t I),) \.: 1 ..j "'
\1 t1 dar rt a 1 a r . ( at () n u l tllllll 1111p u 1 s
st l l 1 t d "'
de
1
cnsi nnt L' co c
1
ort"' <
1
ot
1
ratri. Pent I u , c urn a c c cnntnata
ctl 1 1 t ""
1111pt1 s c <.: ens1unc extsta o
d " d i "' 1 . d
. ,
11
nit[t d(.;pen "' 11 >-a a curentu u1 e
an .... .. 1 d
sccunc are
t1nea ...111 1111 puls ( cnrba nn ... est
hi per bola de 1 >Ut('rc c011st ant a : ea
te
111
ai apropiatft de axa orizontal[t
'l ) C 1
" zona or n1an . urcntu
111 . d "' .
l "dpu,7:Jel'e
"unclard ln
.t:renl conf,7uu . .
regtunt . . . . _ c la a ;
1
'dual al
1
011
cttunu colectorulu1 , neghJarea fenornc:nt
1
J&rea curentu u1 rez1 , . 1 u
1
de modulare a grosinlii hazel ncutre.
Ultitna ipoteza ne sa ca iutegrarca are loc
1itnitc bine precizatc (ftxc ). Notam pun
( 5.1 G8)
sarcz'na de goluri nzinoritarc fn execs ituuagazinata in baza n n <.. utrJ. .. \\\_
111
de asemcnc.:a
Multiplicind ccuatia (5, l 67) pr]n q A
1
folosj11d ;e]a }i]]t: (5. 168)
gasim (figura 5.9) :
Mai departt, din f(la}iile (5.21), (5.25) (5.37), rczulttt
I+-w
L,., E
(5. I 69)
(5 169'
(5.17()
(5.1/1)
ic, P ic (I cJJo U). (5.172)
UJtim le doul relatii sint val a l "1 . ,.. . .
qs q,. Ecuatia (5.170)
111
reg?unea aclzta nur11zala, situatie in ca1c
Cousidcrind 0 r combin
unei distributi !l\ fld US,! ] ll )J.lz ::i ( W
xc< s, sc poate aerie:
1
nunghtular.. a t.Ollt n1 rat it i ch
qA D .
I W ,
(5.174
1
AfJ>:.(O) . K'' (5
122
de unde
qF 1 1r2
1c = TF, ":F = 2. v (5.176)
'P
Calculind _i a = iE -:;- _ic en relatiile (5.173) (5.176) " d factorul
YE cu un1tatea gastm . aproxtmtn
qF _J_ dqF_
I
"rBF dt
(5.177)
unde
1 1
i.'IJF = --------
1 1 ( 1 ) - l 2D np0()
_ _j__ --1 -=----
' --
"t'p "":p YE 't'p I H' L ... E p,.._1
(5.178)
:;;i (5. 1 77) care stabilesc o ric litziarii intre curenPi
tranztstorultn de in execs in baza, q,, definesc
de . pr1 n . 'ta (va completat ulterior prin considerarea
vanattet sarc1n11 du1 regtuntle de sarctna spa!iaHi). Deoarecc in regitn
nar ic ==
De aici rezulta
ca dqFfdt din rclatia (5.1 I') sa le .
dqF)
, qF dt I
(5.1 '5)
. .
1
lt trti nit s ptq ia Ia
,., i J't'(JI lUll 4' t I ""'.
5.7.4. n .. ... ': ,.
. . t definita in
a ou 1iunn P1l a t'aHi) in tnod snlu-
1c hat.H.! lti dJ baticra (de z( ,' trauzistoruluz.
.. r a " . .., l J012C/Ut1l1 01
CJll " . ct'tiitilc de banera (l e ....... lc tratului dipo-
lar se vor tntrodu (' capa ' d. tl c lc doua pattl a t: d tenninZt
.... ,.. ( ri ar 111 . t' car'-'
SarciJta s1 "at a 111 ? f 1nc1ic de t nsiunea EB f 1 53 4). \,.onl
. .. r ulna e. t o t . 1 3 'i 1 aragra u . . .
lar Ia nu
01
. ..,
5
JatiaHi ( Y. .t _. Jentru o
grosinl a r lc sa\, lna. a l.nu cclnh-
not a cu qvE cllfe_r a ln.t n:: lc art'> a ac 1 la.,l arcun
. , 1 va > "
oar an'" a t ns1unt1 ') 125
q
1
q u fpC)
15
?r
.. iO
5
0.5 1.0
-lu
ig. 5.60
bJttlni 1,nHic (v,:-,1 = 0). J)eci
qV:::::::
q J' fi ( 71 F R) q V E ( ()) = ().
Atunc1' cind 7'I:.n crC$1<!, tjv1. (rJrin dcf .
. "' J: - 1111-
p 7JF.n> 0) crc5te. In
11101
, orespnnzator, un flux net de l)llrt ':"t :.
. . . 1 . .... d (Jt 1
JnaJontan tr" >tll(' sa curga 111 directia st
t nlui d._ sa rei nil spaJ'iali'i, de ambelc pa_;;-
a conlJK:usa sarcina spatiala f
dm stratnl de (a dirui grosim
0
redllce en ln1 VE8 ). Accstui flux: ii
cornponcn1 a dqvr)dl a cnrentu-
lnl de ('tnltor: f\ccast.'t s<; .adauga la corn-
1 u! 1 E =- 1 c + 111 care rczulta
cltn (5.177). 1nc1t
clqp -l- (jp + q,.
d/ Tup 'Tp +
+
dl
(5.186)
l:.t .ioncfiunlu co)ccforu]ni situa1ia est<: atl"loag"'t S1' at(-,_
1
s duf t
q ( ) . . . . ( . c ( . \ ' c e
I C qvc Jat CUf<''tltll] SUJ>lll11C:1ltar care intra ltl e t d ;'1.
l u conventla de s("lJn n pen1 ru ic puteJYI scrie - s e qvc ct.
(5.187)
. r](l f.J l 1
I II = I p + F' __ l_ ( (I l . h ( (/ v ('
1 - -1--
dt T 11F cJ/ c]{
(5.188)
t nu ni cons )Ulld fl .. . . , , . . .
utonJu don011 lnniz"ti
1
] , 't
1
d' nx.nlu! dt- eJectiorn 'arc ueutrahzcaz{t
.-<- y IC,z1 JY 111 }JOt'fJ } . . 'J . . . .
c,tr sv <."bnd 1
11
baza. , Llllll; tegtttnt or d sarc11JTt spa!1atrt
(:a huricru en "t J
dt 'rJ, llttstza1rl rl figura 5 6c() ( U dOfiJ Ill. fJVJ;. .ar' (J (lep<.;lldentTt lH.:liJJiadi
q
( } C . un c sc Tt!]Jn\zln1r t . .
1 . .t unnatP L pr"\ n ru $1
I 1y J' /
cJ/
(5. l
undt capactatea dr IJarz'crt"'t a .
e1n1 lorului
est
oar
.
JIH
] 1(;
dvB11
l)
!u practh::rl \n poat fi iu r ...
vartntld. qv r q ("' )
1
Stt npl oxunnta u 0 c J1!jt { nb dv
S
. , VJ 'Ell llll l'S, pnt<JI1il'
llnllar sc d(,.fin cupruif t I . . IG.T,l.
0
Tot,rl J). d n t-o t fl h.lraer u coleetorului Cbc
I n n}--1 q (v )
P nttu un 1r.unistm ... /(!
1
ljl J
1
'(v
11
!) din figma , , 0 . int ti-
1 lt:ln v uu rL 1 ut r' (l'UJ ulele Lt
cutl' p<..:ntJ u 0 gradata li11iar ........ .. . r
() 5V . ' <.:ap1tolul 3) s b ,
pvntl 1)En ? ,.. va11a11a lu1 qF cu vEB este_ mult .. o se ...rY(i c. t
,ariatla hn qvE Ca urman:: curentul Col. ...n
1
a
1
dtclt
' b .... ' e::spunzator 1 "' ...
t
atii de artera a JOnc1Junii se I)Oate ngl t . ncarc.aru capaci-
' , . . ' '- 1 J a a u n c1 ,. d
dcscbistt Daca vE
8
< 0 45 v d' t . .., Cln JOn<:11unea tste
1 d
" , , , lmpo nva se I o t 1'.
cnrentu e 1ncarcare a 1Jazc:i neutre. ' ; a<... lJa
5.7.5. Obscrvatii i'inulc
e a plieat tranzistorului npn descris de eeuatiile:
qF = qA;Wnpolexp(qvBE) -11.
2 kT I J
(5.191)
_ qF dqvc.
1c-- ---
':F dt
(5.192)
2 E = dq F + q F + q F -t- V E
dt --;F B ": F dt '
(5.193)
dqF l '.IF + dyr __ dqrc
dt
T
'rFB d/ df
(5.194)
0 ()bservatit\. S\.:: schin ...ba scnsul ptntru cur n}i, dar ul plntru
dqvEfdt, dqvcfdt., deoarcce purtatorii de sa1 n1ajo1itaii carl:
sau dcscarca regiunca de sarcina spapala au senu1 opus: \.:a un rtn:,
ecua}iilc (5.192) - (5.194) a1ata la fcl ca (5.1 6)- (5.1
Ecuatiile prezcntate sint Yalabile atit tin1p cit jonctiunla l:Olectorului
este hlocata. Ele se a plica in reg1unca acti\'a nollnala '>i (<.:u qF ::: 0) in rl gn1
nea de blocare, dar nu sint valabil in Iegiun(a de 'cd a c l-
pitolnl 11). . ...
e Utilitateu nludflului. Populalitat u at sttll n1od 1 L .. 1 he" pnn
dq )(ndenta litJiara s1 abilitii intl e curen} i an:iui. El . fol. l ! s d u
CO?Jl1tlii1'1.i iranz?'sto1' Ul'U1. Faptul ca .b iu 1 t fi dct rnnu.a}l d Cl! (d
pildii se poatc aplica tJLapHi a ('Urt!ltului i (t)) '"t o nr \ m tan_t.L 'o:
rahilii. Mod lui s a Jli ii u or d an l putun tot Ia tatt:l
cu :;mcina din haz q (i ( tP p101 n.l lll qf) P1
3
} .
1
t. ttlor
: .. / F ]
1
1
a ,i d<: u lnnaut tLa
d han ra on1phca p1 o bltn a. . ) ..1 r ,.tn L an y
ac a1a ita1i
7
a1u1H.:it1 hut t .. 1 ., ..
1 d lui pont fi un bun . t rt !;>i p utili m.alJza tompor.arrz a semi a
111 i i.
s. '. CIH t l'l'l L EClllVAl.l. 'I' \'lTR.\L" :E. Tl't.:
Jf't1 'flO \ J \ 1 \Ll ..,
1
e buza ftnt Dll'Drlor
S.H.l. ru 1un uhn lu ti
111
..
1111
1
011
Jet "'
cure uu lot lu rPgiUUI e neu r ..
. . l i ' 1i Ji tt
f t pritna't 111 un tu < t '
8
od 1 1
Aul , lz.ut ' lE au . o . d. 1 I iuilol din trauzl tor (m e u
(n d lul El 1 toll), ft pnn
111
t
1111
HI a t 'd ra , ar ail al-.: t t
d
. . } } \U JU ,lZl'i \ Hl OU 1 ,
contt 1 pnn J.f 1nlt . Jll ' l (
1 .. 7
siuuilor
___.t.,_bC--....--o
!!o(! D9.,, icbt+Cdt
E
Fig. 5.63 Fig. 5.64
capata o n:.:zi int:rnft) .. $i acest fe1:omen (a carni discutie o am.inam
pr' ntrn __paragratul face parte d1ntre pe care le consideram
1n . de funct1onarea tranz1storului : ele corespund
nnnutnlu1 rra tntcrn.
E xista insa. extrinseei, asociate particularitatilor con-
structive ale tranz1storulu1. Unul dintre aceste elemente este rezisteta
care corespunde (dupa cum am mai aratat) caderii de tensiune
pe zona rezistiva ingusta a bazei (fig. 5.65). Datorita acestei
rczistente polarizarea directa a jonctiunii emitorului este mai slaba in
planul {uedian al l?e n:giunile ale
e
1
nitor-baz2 ... De a1c1 rezulta o d1str1but 1e neun1fortna a curentulm de
golnri care curge longitudinal de la emitor _la colector_. va _f,
aglomerat spre regiunile ext erioare ale. baze1 . (la margmea
Fenotnenul este cu atit tnai pregnant cu c1t tranztstoru_l .lucreaza curentt
111
ai mari (caderea de tensiune-transversaHi este l:nport .. at!ta).
.\glomera rea curentului de emitor nu poate f1 mclusa m mode
unidimensional. Efectul diclerii de tensiune transversale este modelat rudl-
Lonloclul
bi 7::ei
.
I
f?.7ZO
Re.QII.Jfll'O tit.,
tOt C1 70 .5
1
"0 j;-
a/d o colt'clo-
ru!. 1
E
Jane 1/vfleo
emJibrului
FltJ xvl o'e
;;urlti/cl'l
tnOJOI'I/01'1
Aglomeroreo
curpnlului de
n11lor
Jlq. .6 ..
1 1
Vb'
- e
E
B'
Fig. 5.66
Fig. 5.67
mentar cu o rezistenta rbb' introdusa in echiYalent _intre baza
un punct fictiv B' (o _?aza ".interna").' ca ftgu:a De !apt, ... rezis-
ten}a bazei cuprinde 1n. serte .o e.x!rtnseca
bazei neacoperite de emttor) alta <hstrtbtuta ( corespunzatoare zo1w
1
acti ,.e a bazei) *.
Figura 5.65 mai sugereaza ca i capacitatea-colector-baza trebuie sa
se imparta in doua. Capacitatea Cbc corespunde de fapt rcgiunii active
a bazei ;;i ea se incarca prin rbb' 1n afara de aceasta mai exista o capac1-
tate de sarci1ta spaf,iala a col ectorului c xtrinseca C sc, care corespunde ace lei
parti a colectorului situate in afara regiunii active, adica direct sub baza.
Aceasta capacitate se nume;;te capacitate de suprapune?'C (oyerlap) se
conecteaza in schema direct la borna exterioara (fig. 5.67).
De fapt, intre toate perecbile de_ borne exterioare apar capacitati parazite (reprezentate
cu linie intrerupHi).
5.8.3. modulariiY hazei
. in c?ntinuare un tranzistor pnp polarizat in regiunea
acttva norJ?ala. purtatorilor minoritari in exces Ja jonctiuuea
colectorulu1 va f1 cons1derata in continuare nuHi I".J O). Se va
considera insa W = W(vcn) (paragraful 5.3.4). Ef<::ctul variatiei lui lJt
cu VcB este ilustrat in figura 5.68, a. J
v ,. Distribu}i_a este reluata 1n f1gura 5.68. b. Sc.: sugerca:di
Ca lD Jocul yar1a}1e1 Teale a.lUl W CU Vcn Se poate presupune ca W rrllninc
tar concent:rat1a modifid\ en W). Aici (t. W
"' ))
----- = -- -- '
H
1
-t- IJ. vV t 1'
(5.214)
de unde 1ntr-ad panta dis1 ributi i fi t iv. '!St acA
cu cea a dtstrtbu}tel r .. a]". 0 Proar( s fac In )valuar a vari --i sar inii
Rezistenta incrt;m ntaH'L {d,. scmnal mi ) dt n1a d,. cur nt continuu ( sl
:mai midi), deoarece ac as1a diu tntull O<;pinde 1 ruJ 11t (b ad '- u rca cui
11
t
1
lui). J)L
ssen1en a, Ybb nu este constuntli cu fn.!CYt'nta.
132
, '
t ttl<.' in jvctatc in 1>azrt (fig. 5.GH, b)
1<:
1
: sart..1na ncglijatr\ (aria dnb1u
(l.l "' .
o ,. 1nar11ne 1n1crt, de
rdinul al do1lea 111 raport cu
1nici yariatii *
a1v
nW =
r
(, VcB
(5.215)
.
o rv
-- D..vcB ,..
(5.216)
C'VcB
Acest rezultat va fi con1parat cu
for1nnla (5.198). Puten1 scric
== j);l(O) _2_ - -
(
k1' 1 avv)
kT q W ovc
8
(5.217)
undc
kT' l aTV
'(J == - . - . > 0
q IV O'L'cn
0
b
Fig. 5.68
(5. l '
b s at afinna di <.:feet ul " t-
cl;.te jactorul dt nzodulan a grosz1n11 a.,.,t'l. ( P
0
e . . . . :
A ) t '}u cu ct 1 al yanatt 1 ten"-1 u t 1
riatiei tensiunii de colector (!J?lcn s c
511111
'
1
"' t
1
a tor t ,
' 1 t f toru .. L ...
de en1itor ) dar cste untltlp tea \.:U ... l . .
EB ' . " - s . 1 o-s) a unnarc' eject u t'cu liZ
1nult subuuiiar (cupnns lntre
10
..
1
z .. n ba""ii c tt. St.t i l
l
P
cl1'stribut1n pu1ta or? or
2
J;,
tensiuni1. de co .ector asu ra '. I) .
1
)fc t deYin cou1par bil
" l t de c1111 tor llllH
1
(
1nai '}}tic dcczt eel a cns11t
1111
.. rt i anutn
v "' t foru te l11UI 111 1 apo cu EB
en ulti1nu1 1111111a1 daca e b'l"' u 1/y,
. t 111all (. o 111p a 1 a 1 c . '. .
an1plificarea in tl\11-ltlllC es l c:; ' ,. I
6
1J lV) cfectul lut
' 1 1 Jl) i ( 6 tJ k 1 q I 1 d
ln condtin c ( s 'llllld . ... 1: I! . \ t f 1 yal iatia cuH utulul e
A 1 'I J . , <. lllhJna lunal . .J s
u Z'EB c a tll
1
11 ) t
... dt 1u111
(tnod1J1 at\:a pan1ll
1 11
' rJ lUI llU 111 i tn:but
Jl { Cl ptiU t ngentli
Ill l I
f I Jl I f 1 de
f/ I
1
,
f
J
1
fq. 5.0
{f
&:sc
'u li' 1 I
I
,,)
vt' l
(?()k(J)T
'
l
1
1
Jn. 'i. 10
( '1/e
Cz,r
11
1 't 'IJ {
1
11' .. hi ...
c
I tll (J r] i J j 1 J l1H 1( ], fj ..
ca a r j, L d I i J 11 it at a d c1 i "'t r i h u i r
( ar,it L tol'tl, aLJ. in btzt
J1,. ua1ia J va inlo< ui (
' r; '! ... B
Cin uitu1 (cbivaJent din Jig ua
5. 62 va fi h1l(Jcui t cu din
figura Ai<.:i nu sint lnorlt-
latc r]e< it exch1siv fcn<,lncnf ]c.
din n gi11nilt nc utn .. .
Circui111l rchivaJ nt ( cJnl-
J,kL tnlJUl' s8 irvludt:l. de.: a"ic-
J11r JJ( a r"": ( 1, 1.;., "P' pn:Ct1111 7i
(/fir (f J g. I) .r) J) . f J tJ lll d Sl. a 1t1 a
d1 ll1(Jrl111 a., ,l r!,I'C JSiJnii l,n.%vi (fig.
. ) ( ;k) , ( ' J ) ti 1 1 (; ' 1 1 c i r r, u t tIt f 1 r It , , , u -
I ltrtt r, ornjJ/t/ rlit 1 figtua 5.';(), ;:1ici,
J pt=n1 r u ,ilnp11fic<,n, .1111 facut
]l r,i nola1li, si ct11UJtlr
I I
/1
f' 1t
r
('l
(
(
- {JI)f)
(
- t Jrl ... )
.......-:">,
d <.:<a clr
rn n l
1lj;1l !St c ( :H1 tL r] t ,i .
11 at ural
l II ftl tOill('Jl }
' i1 uit ului IIi vnlc nt 1J.t1 ur ltl
ft11h'1ion.u<, lPJll]Hr.ttut.l) r
5.9 lJE U'llLIZAl(E A Cil(CUITULUI ECHIV ALE T
FltECVEI:T,_+E }OASE ... l
5.9.1. Etaj de cu emitor u) oomun
Figura 5.71.a arata nn etaj Er figura 5 71 t te
tran!:>fcr i c = 1c a tra!lZL,torului '<J 'iar -., .d
f ( )
. ' '-' - car nsttca
dt: trans (r - Vo v 1 a ctaJu1ul unde v
0
cste ten iutlE.'a de
1
p
., re u-
pun< 111 ta
7) At) = V
1
+ v,(t),
(
- 0'>6 ;:,, __
este iar vl(t) - componenta variabiHi
2
tc:nstunn de 1a 1ntrarea eta]ulut.
l<iisj/unsul in curent conlinuu (v,(t) :=: 0) se d<:duLt usor de pe l:ara
tc:ristica de transfer V
0
-= 1
0
( V
1
) (fig. 5.71, c). '
r)ci .jJUnsul 1'o(t) ar put ca 1i declus puuct CU punct de pe caracteristi
dl: .PnJc r grafic (ste greoi, in special I}Cntru circuitc: ma..:
C alculul an ali tic este el dificil datorita neliniaritatii c r
ttristic ]lor (s1nt uce(sare tehni ci nun1edce). ,0 situa}ie rnai simpla car
sc clc < rJns1derabiHi in1]Jurtanta practica t:S e aceea in care
Jucn azft 1nt r-o li11zitatc( a caractcrist1'cii de transfer, zona care poa
1
fi aj roxzrnufa j Jr intr-un scg11zcnt de dreaptii.
e 1\'lodul d al r aspunsului V
0
(t) cste urn1atorul. Se calcuh.:az:t
n1ai int1j jJunctul .'>Lalzc de junc{1'onare, anulind p ntru moment
variabib1 ;,(t) = 0. . .
111 a d(>ua tapa se calculcaza raspun. n} la. folost?d
nlarl:a lini ara a caractcristicii de tran'->f( r 111 Jlli ul punctulw itatic d
functi f,n a n.
i )< fapt n u cs1c.; sa dLielluin:.ttn caracterbtica d ...
cir< uit ulni ca at arc; <xact alcul c: poatl' aproxitniud hn1.a""
(p(n t n
1
:sufici(nt d< n1ici) dLpozitivului el;;,ctron1
nsul ] i ni ar a 1 d1sp ,ziti \rul ui poa fi in sa al u1at dir ct pc baz
< i1 ttj t ul ui l'chi vnknt. .
t:iruit ul \ahn1 In i'nt\'(lntt Jun r l)rntru bapoh;r
o.t1 cvl din figlll::t 5.72, a (au di p.llut to.tt carautll.tll diu s h n
uti" in ala). !] n a lc nl sin 1plifi< at po.tt 1 f.t n 1 r zist nt 1 ,.,
, 1 si I ' c1 1 cat . cofU:i)IIIIHI til l!llll.ttil gw'i uii h tzd {fig. 5.72, b
t i!' ( '1 N c cr.
lc
Vg
*c
lr, t
Rc
ltl(t) I
0
tJ vut
,,
b
c
{}
J lq. 71
13 ..
B
'6t/ 8'
rbc
8
8/ lc(tJ
c
o tb{t) I
j - ......
....
v;{t "1/e(t
, \l
krtJ
'-()
rbe
vbe(f}"
v
E
E
c
b a
8
r, ,,
OIJ
'-''
I
\
"[ (t)
vbe(t}
'l!e
'
E E
c
F:g. 5.72
Schtma de se11111al1nic p( ntru 1ntregul circuit diu figura 5. 71 J a
apare in tigura 5.72, c (sursa de ali:nentare V cc c:ste un scurtcircui t pcn-
tru sen1nal). Gasin1 sul cr:-;i v
amplificarea in tensi une cst e
A v = Voi:L = - g,,,rb'el(c
v,(t) rb'' + r bll
(5.229)
Etajul preztnt at umplifiea in curent. \Ta trcbui sa uc i nch ipuin1
ca circuitul <.st<; ataC'at cu un generator ideal d<.: curcnt, i
6
(t ). A vcn1
g.v, ,(t)
g,,,vb',(t)
Potri,it au stui nzultat, an1plifican a d< CUJ<..:nt Ja scn1nal 1nic t
idt 11tiea t u antplifi<. un a de curent la s<.'nlual nHu . pare: p('l f( c.:t
nOJiual, all st H.zultat (stc: dt fapt ... in<:xa<"t dcoar<lc( nu est< o
<.onstanta, ci d<:piJiii<. c.lP < un111, < c (a c. fa(< t. a nlnplifiear<a de Sl nJnal
nli<. sa diJ<n. d< <ho<.atndata ace' st dif<r<nlu, gasint
.rb., 80 0,95 7H.
Estt dl vazut ( ..l annplll icaroo In puttrf' < tt ( ntnal sinusuid tiJ
4
Ptttere cle setnnal debitate In
putere genera/4 de sursa de semnal
( 1)
, in cazul p rti( ular lou itlt rat 1nai an \ aloan.: ,\ A, 228 ,(
- 17 328 1,73 10. AnlplifilaH.t 111 put\'n: t: tt tnortn (pu r ab f
it de la ursa dt stn1nal (Sh "u totul ncglij hila fatA. de a dt:bit 1t
136
\
de tranzistor. in sar ci!1a) . ca tranzistorul preia puttfe le ,.
de currnt cont1nutt ( + l, ce) o transform a in putcre de
son11al )
J>entru a intclegc 1nai 1Jine lucrurile von1 face:
circu
1
tul de colcclo1' . 1n absenta semnalului ,
Vee = + RLie ;
multiplicind prin I c gasin1
1
7
ccl c = V eEl c +
_..__
put ere a
absorbita
ue la sur::;a
de ali-
_...__
puterea
disipata
pe
tranzistor
puterea
disipata
pe RL
(5.233)
In prc-zc- nt a sc- n1nalului altcrnatiY, puterea de cur( nt altenJ&tl
patii pe RL (medic pe 0 p<:rioadli.) trebuiC' a fie RLI!. unde I.
alnplitudinea alternatiY de co lector. Cum puterea absorbit
de I a sursa nu poat<; 11 decit tot l . eel c bilan}ul puterilor va fi
1 1., 1 R 12 I R I'
V I = V'c1 -- J(L ; +- L c T L Cr
cc c e 2 2
Puterc pnten disi1 :1t. l
a1)sorhittt tranzi t ,r
d l ]a sursa
pull n th 1patl
in I L.
5.9.2. c:aro('t .. ri ticu di rUlmi
prtn
c.
Ia f
..
e,
Rc
CL
Ca
I
Ra
fiL
Rc
.fL
1?2
Ra
0
b
Fig. 5.73
e eurflnt alternati v in figura 5.73 b
tlanziLtoruJ 1111 a inlocuit en :ircuitul sau cchi\alent). fn
stadiu 1>uten1 aplica rczultat ul oht,inut 111 ) d t
"' 1 rece en . cu unele
('( reclii sau tnodificari. totala in cole'<. tor \"i.l fi
]
:>' RLRc
\[ = ----
RL + Rc
(
- ()3-
::> . .o.J 0)
in Jocul lui RL din Jonnu1a (5.2.=)2). H.e/isten ta din baza
- putea fi iuglo bat[t in
l?JJ = R1R2 -
Rt -f R'!.
crc:ncrator
t"> (cu teorcn1a obtinind o
I?;, =
](G + RB (5.237)
care trebuie adaugata la rbl' lll l'ortnnla (5 229) \ rr -
cu aceste modificari ar r
1
)
1
f c ,
1
11P 1 1cat .A v calcu1ata
( <-' apt - V
0
f u ndc
' .. observa
1 .. 1 VI . ..
ceoarece;
Jni ct't d <.:i t in si t lt ati a ant
n o.uu.
- generatorul de ti ll st.
1
....
1
(J , .
ap1icata la iutrarea
.
5
;<.
1
1
;;t .
1
rf- ,o) 1 ' l1 s iun a fc tiv
d
,. ll d t Jilt< a < < ... ,1 . . . t
a geneT toru] Jucnnd 1u go I ; I H\ at o po,
A.ceasta amplificare t'sh caleulal.l 111 rapqt t ,.
11
t<.usi
11 11
)(
. to 1 d I ( . l lllaXuJI ''L pc " tt! o ponte fur-
nsza f enera ru e senma tln llllH'.t in 1-..JI 1',)
- a 5an.:h1a
. 1 . . - '" <.t a
tranz1storu 111 }Jrj11 puncrca
in }>nral<:l a sarc11111 pro111lu-zise r\' ,
d
. ] , l.'v cu
rczi:->tt:nl<=: 111 ..., co ector, 1\c. Ac( astft din
urn1a lCZlf-'tcn}a nu poatc 1i pr<.a ntare,
dcoa1 cce (la cunnt. 1 c dat) ca-
der('a de tens1une contun1u cor<.spunzr
1
toa-
curentnlui de polarizare 1
..... d 1 . c
ar antrcna sea < rc.:a 111 Pm etc.
0 Figura 5.74 r<: J>rczinta drlapta d
sarcina statica ; accasta are ccuatia
I
Fig. 5.'14,
ll,.c,c == Vcz:. + 1'cRc + iERE "' v'CE .. + (Rc + RE}ic
( dcoarece iE '""-/ 1 c).
{tJ
{5.24.0
Punctul instantaneu de functionare cu coordonatele i (t) v (t
a;,a-nun1ita caraetcristica dinanticu, care nu mai coi;cide aicl
2
cu
drcapta de sarci11a statica. Scrie1n:
1'c(L) == I c + ic(t.) :
VcE(t) == V CE + 'U,e(/).
(5.24
st) <araeteristicile dispozitiYului In jurul pun tu i
static de funtlionarc (I c' V cE), atunci Yaloarca n1edie a mirimilo,
elect rice: (care, bine1ntcle:s, nu litnitele regiunilor liniare consid
rate) nu depinde de atnp1itudinea wcrnnalului d<:ci este ca la .. m
zero (Jnlnctul n1ediu de in Yariabil c:>in?de _cu punctt.:l
static de function an: in absent a sen1nalulu1). In aceasta se t
J I
reprcz<.. nta locul gcon1''tric. iu tantancu de func}1onare u
planul 1.c(t) - <'ceU), plan dlf1111t de un H:ct:--.. de a .
cu ic - veE c 1, origi na 1n pnnct ul st abc dl functtonare. drept '
dt sarchut di1l(('IJllC( clin 110\1 }Jlrtn te
1'cc(l)
Caracteristica dinrunica p1 t.,n ttl al a . td
cgnlCl1t a carui }ung)nl:o depindc- <h ..1111} htttdlnla
l ( ne sar a cw
l
1
en/.ru a drl1'111ifa ca1'acic1'tSl1Ctl ' 11 ( 1 a l ..
pt
1 1 1 :--t ]HC 'tll unltll ca a st urn
an1phtndn1cn uslda}llJor l 111na u ttl. \ ' ... f 1 (5 () 2) m 1
f' b'l d ttl 111111 Ill LU ormu a -
sillusoida1. ..l\tuJH'l a1 1 posl
1
"'
1
.h tatea r)roi cti cara -
t
_,. }] d
1
]" UlH <..lhLTJUill,l' t
nutnva st nn1a u 111 l\ 1 . o w
1
d d(' al ul bazat lunan
t l'J i st il i i din r.un1 l.L' p< n .. onzont ala.
1
!
1
nd' tva dadl ntp i udir
1
1
]>On1c . .
1
7Uil'[L 1 1S ll.:l or, .,l' .' . .
1
.. 'tui ui atea
.... nlativ nuu<. s LHl '-llll\11 .tl .. r aeteristiei (in pi i'""
" . l) ju (lfl f'U II p( (JI l f
Ca hlllul .... .. ll f' 1 s1 nt pnul . . 1 ni far ... a n n1ai r n
. . . t"'
1
ii gt dHl t..lJJlhl} a ) Il
tlJ,,ll lJOll datou1n l(]lTll(lt d ' '
1
til
1
ic<.'' ori<..ntatl a
,.
1
. <1 au ( u a l h n "'f 1 <.. t , '
1 a Ll pt u 1 ( .l l u l .l L l () r l t 1 ')
a(hni1< 1n p1t l. tu ph (A: AL
(5.2
1t Ul l
( .d.tl
T' e(f
]\
.
1
b(t) ti ' nu-
. (I inu oidala th t uuina lltl l dl or on
in lunnt \"t da o1ut ..
.\( l f '-t.l ("''it. (l
13
dac:1 iB = co Jist. sint
lele (ceca ce nu "'st
' .... t
ca7ttl i.n 1>alitate). acestor
...unt 1 H.'. de
pot aparca ch:::-torsnun pe caracte ..
ristica d<-. i1 ..1t ran .. ( iB depinde puil'rnic
_ o'ioom;cti VBE 1ntr-o oarecare masura si
de
../ de :ntrare. .. 1nsa pulin
veE daca atnphtud1nca tens1unu b aza-c1ni-
tor este tnicrt fata de kTjq.
Fig. 5.75
e J...in1itarea amplitudinii setnna-
lului. Deoarece caracteristicile statice
i1nprccis cunoscutc, se sa se faca calcul<.: aproximative ignorind
nelin1aritatea dispozitivelor. Caractcristicilc adcsca uici nn -,c tnai deseneaza
R prezentarea punctului static de func}ionarc a
in 1Janul 1.c - 'VeE ,.gol" cstc HtiHi pentru a clct<.:rtniua 1najore
ll'gclh' de i ntrarca tranzist orul ui 1n taicrc (1i1nit a H.. , . jo.;;") sa u in sat uratz't
(li 111 j tare . ,
.-\.dtllitind ic(t) = wt vce(t) === - T""a cos ()/, uncle Vee ===
(re]a-ia pntt.:n1 scrie; (fig. 5.75)
J" - 17 - v 'l'
0, max- ce, - CE - CE, sat
(uude se poat luu. acopcritor, VeE, sat= 0,5 \ '). 1\ce;asta conditie este
ccrut a dt: llCC(l it at("() a saturatia. I
'
a nll. st patrunde in I'Cfjiunea dt:' blot:are ( dcfinita aproxlnla-
tiv de 1c- 0), 1111J>U11Cl11 J,, mrt .t = fc sau, din
V - T/ - R' l
o, J,ta.r - ce, max - L c
. . 0 r1 iucJc,ial.rt. clintrc ccle dou{t litnite (5.244) si (5.2-tS),
lz
a 1 o '"a a dt.: Itect>sl t a tea unor distorsiona ri gra \'c -..ste
data dr u a 111a1 rcstrict?'?ri diulrt cclc douc7 couditii.
'
.PlOi(t:Ltrt:J. unni t1'tJ. 'U11] lif' "'t
.. .- 1 ,.1 r . .c. ' } tc.t or puu 1 ''
1
at< de alegcn.: a
j
1
const X V
1
Putem scrie: '
v2 = - == gm 1'b'e ;
VI = rbe(l1 - !2) ; .L [ ' rJ
rb.l2 + + 1)(lt + !2) = 0
eliminam pe [
1
l
2
obtinind
Av = + l)RERc .
1'be r rb, + 2R E( --1- I) ].
(5.249)
(5.250)
(5.251)
(5.252)
Un rezultat interesant se ob}ine atunci c1nd in emitorul (Omun se
foJo un generator idea] de curent. Scrien1
Jhn Av
(5 .253)
RE- co 2rbi
Practic ace1a9i rezu1tat c (Jb}in"' atunci cind
+ I) rb,,
cond:i1ie care este de sat
5.9.S. 'f ortJnca ]\1
1
JJer s
1
tl
1 , uu a sn
(5.254)
0 analiza n1ai exact a a anJ
1
)
11
-J . t
1
.
""O "d . 1< a f JU Ul f]Jp Jl'() . 5 ,... <.) (
"'. ns1 eTar .. Jen1ent 1<) d :ls;onat
1
,. t;l11a . 1 .. t:nn HI 111
flgura . 5.80) est e mai g
1
oai 4 d
1
11
....
1
Pu
1
n at
111
l1 1na 1 l1i vnJ ut din
1 E
... . !JUJ1C11 dt \' dc.!JP a] ..
1
..
f!L Xlsta sttuatii ]n car VJ
..
3
... ' nt anJpu a 111 ., t Hl 11
c1rcuit fara a fac u
11
"
1
s
c.fc'l 1uJ ntJnJ ll 11t n1 c ch
- . n ca u auahb onlp] 1 .
fn ac st lnod run ploccdat d oJtf,t iu pmn rnful 5
folosh1d ampJifie:u n tajului <'nknlnHi . . . I, dud nut tl\nlunt dr dul hal 't/
, n fi llJJJ 1 ll nt , :.. , ,,, ->- r:J.J (t-J , _ )
ur ..,. (t 'tO:.
e 1'corema MiJJer j1erm1't C"Jaluarc , f. , 1 z
l ate intre nodur1'le 7 2 ale Uftu
1
a cJ
1
t '
11
tJ
1
ttne.t 1tnp.cdat {c Z cottec
asu "Jra c iT( 11/1/or duz ace 1 11oclru r
144
l
u nci ciud sc cunoa$1 e antpl1fica-
a l t .., l
rra .71 ten s1u_nc re a tva . a nodurilc
rcsj)cctivc, anume (flg. 5.81, aJ
VC) . d
}
(- =:::::.: rv const.1n ependentdeZ.
J7 --
_ 1
(5.255)
Curentul [
1
care iese din nodul
1 si curge prin impedanta Z se
, .
poate scr1e
v- v2
l
- 1 -
_l-
z
vl
-z-,
_l
(5.256)
undc
,
1
z-
_1-1 - J{.
cc
(4vJ)
Fi9. 5.80
BC
(-Av2)
(
,...
I
Ca urmarc, daca conectamp Z
1
1ntre nodul 7 nodul referiBtrt,
prin aceasta impedanta se va scurge 1
1
care circula prin
z in circuitul original (fig. 5.81, b). Ca urn1are, privind de la borncle d'
intrare putem echivala efectul lui Z cu ef ctul lui Z
1
conectat tnn
se indica in figura 5.81 , b. S1milar, privind de la bornele de ef<:ctul
Jui Z poatc fi cchiYalat cu Z
2
(fig. 5.81 ,b), care este parcursa de
curent, ! 2:
T7., T o Zl{
Z., =:::::.::. = -- -- ---
-- 1 '.!. ( T' - [1) I z ](. - 1
0 Precizart. I ui tc .conlinuta in figuz a 5. 1 .)
cct1 a1111e (5.257), (5.258). En est :. ntila 1H1111a1 dacu ... oatc t.: tiu1a s pa-
rat J(.
5.82 a rat a c1nn sr apl.icii f01 111a ft11U1. ctaj 1-4 C care arc
j)o/arizalr7jn11llr-o rc;.?'stcntli de 7a/oa1'C 1nar 1\ 11 (fi . 5. 2,a). ntr-o prnna.
aproximatic ace asH\ r zf. t n1 a nu af t A v . .t'f.t
1
. al < l!
I A
1
.1 1 ). in aproxin1a1ia urn1at ar . ar 1na taJuhn f1 co: n a
I \1 ]\ / (1 - Av1) J? 1\c H:. ] ul azu :1.,. l n1a lntr1Ull
11
-
1
. ... ... al 1 r z1 t "111 1 R I (
a t ranz1s1 ornhlt e 1110th fl a 1 llll pull r 1n pat (
11
- d v) (fig. 5. 2,b).
1':?
A'-
v,
,
v.
4
,
c
z
--
' 1-K
-
b
f lq ' I
1
0
Fig. 5.82
b
Ra
1
1--
Av
e Duala teoremei lui I\liller cste cu referi re la figura
5.83. Se considedi un circuit noclurile 1, 2 !?i 3. Intrc nodul 3 nodul
de rcferinta este concctata 1 tnpedanta Z care este con1una la doud. bncle,
cnn1 lse arabi in figu.ra ?.83, . a . . Sc ca A
1
=- [
2
/[
1
este cunoscut. C1rctntul d1n ::>.83,lJ cu. pn-
Inul din punctu1 de vederc al t('orc1ne1 a dona a lu1 Kirchhoff aphcata
ochiurilor parcurse de !
1
! '2 In aceste ochiuri -au
Z
_?_(!
1
+ [
2
)-Z(l-A) A =
'Jl - - " I , I
- T - - -
- 1
respectiv
Z .. == + l J =- z - ] .
!2 - J 1
(5.260)
J)uala teoren1< i 1 ui 11illt.=r constrt in c.: chi val an.: a din figura =1.83 in
rc:Ja}iile (5.259) (5.260).
- tln exe1'njJlu de aj;licarc a accslei leore1ne aparc 1n figura 5.84. In
figura 5.84, a est(.! repn::zentat nn ctaj r;;c care are rczisten}a R E
cuplata in curent alt rnativ, iar in figura 5.84)J - schen1a cchivalent a
in curent altcrnativ. JJact1 1
1
(ste curentul de bazrt, atnnci curentul prin
de colcctor est ! 2 =
= {!,,. r
1
/e, sc neglije azrt rbc)
H ..ez1stenta adaugat}i pt: ochinl ch: icsir cs1 -f- 1) H .JP-. R l{czi -
7'
-o/ 2
2'
J
I
:-!:..Z..=dol
-1 1 _,
0
Nod rle re!erinlo"
0
J4G
"{ I f r h t1 [ - f!.
7'
_:)
b
dg. 5.83
2'
2 o- --c=::J--o
J
A -1
z z-=-'-
-- A
-I
--l
' b
----.....c- __
['
Fig. 5.84
tl:n}a adaugata pc ochiul de intrare (fig. 5.84 c) este R (1 A )
w -.. d . l -
1
. ' E T t-JF
LOllSl e1 a Jl rez1sten}a de 1ntrare pe care o ofera etajuJ. De fapt
T' 1 "' RE(l + l!' f/2 = - Rcl2 =-
de unde rezulta
A v == }/ 21 T/ 1 ,.._ - J( c IRE.
5. 10. 'l'l<.J\NZIS'fORUL I,.-\ Fl .... 'fA
5.10.1. 1\ Dl})lificare.a de eurcnt in (( n xiunea eanitor conaun)
La frecvente inaltc con1po1t an.: a t1 ului va fi f .,.:taL.1 d ca1
tfl} ile din circuitul val (iig. 5.67). In edt u: ut 111 ... za Y
1
t 1
un ctaj EC, '"'u san:j11a t zj::,tiva, l?L. ( hha.l
iJJ fj gura 5.85. Ca 1 e1.1l an1pliJ icaH_ a ht l u1 nt u ll .111
( 1 .. =- 0). Circuit u] ]1C car . j all' l akulU
1
( "-tl (.:l l dlll \. l . 5. n 'b'
.tpai<: in paraJvl l u l'tr'r se , t. _I.ptul \ "'1
i: 1 j t_ <. t a 1 J 1 r j 11 !;1./, i C
1
r 1 a i i n_ .... 1 h 1 'h J n ' a it d ( \ l d1 t 11Hll
11 Zltl.
Cunnt ul ]Jl in
J, t illll })JificUJ'(\U iu
J J
ra 5
l
r
_llt
J; b't.
... turtcir(uit.
)L
1,
I
n t t l
N((
e und
(5 :l(il)
t I
1 l.U
J
tl
' c.z 2)
,..
;
)
t
(
llq 8
1 '7
e Atnplificarla ]a JOase ( <) - 0) est(!*
:J J(O) = == (3o,
iar variatia cu a in curcnt HOY nlatc la valoarea sa
,
de la joasa frcc\enla estc
unde
1
_ W ;3 _ _J__ . g b' e
Jf3---
2r: 27t (Cb'e + Cb'c)
-
- (5.263)
este frec,enta Ia care modulul ampliiicarii in curent sea de Ia 1/ ,J2 = 0,707
din sa de Ja joasii irecventA** Revenind la schema din fio-ura
5.86 la rela}ia (5.261), expliciim sdiderea amplificiirii prin
tensiunii Tib'e care co1nanda geueratorul de curent (la [ 1 == canst.) datorita
efectului de scurtcircuitare pc care il provoaca capacitatea de intrare
C, = Cb'c + Cb'e "' Cb'e (5.2GS)
Deoarece cb'c cb't Constanta de tilnp rbcC, care determina frecveuta
este practic constanta de hrnp a grupului RC d-intre baza
egala cu 'rBF
e Vom introduce acun1 i'recventa tle taiere, JT, definita
ca frecventa la care rnodulul amplificarii in curcnt <.:stc egal cu unitatea .
. A.ceasta se petrece 1 a f deci
--
0
I (5.266)
- 11 + I f
1
(3
Cu
I = l, = f = JT (prin definitie) putetn scr1e (fig. 5.87)***
f'J. = = Bo (5.267)
FoJosind (5.264) g
1
l, = gasiu1
.
J
!
- g,. rv Um
;r- =-
27t(Ct/c + Cbe ) '2r.(
11
,,
sean1a de (5.2()7) :ji (5.268) cJ duce
111
f 1/2 _ J) J7t lt'
2
,
dec1 frecvcn-ta de tatrrc: 1 . t ... .. , , - d .... .. 7t-r F - P
r - 5 llluepcll "uta d ur ut nl de polari zar
Acest rezultat cstl' vulabil in I'',J.drul moddului simplificrLt Cal'c n <lus lu , iJ nltul cchi
\'alent din paragraful 5.8.1. JJc f LLJ>t nm
1
)1if
1
car ., -
. , cu n1 <'Ur"ul alt rn.Llh Ia
dtfera decca de semual mmc, rcHni).
* DacU. Jn eureut .c m(L OLri'ltu d 10 lz {dB) l ' I A (
1
A I tun l
I Ji
" . .. . tH I\' i 1 I ' JJ) :lO lgl 1 I
la - r3 1n cunut .L sc.u.ut u dH fut d. , 1 .
_ . c a o rc s 1 d l JO (L fr vcur,.
Confonu rclat1d (5 tJ7) }, L r t t
' 1' I o.L
1
m crpretat c. un Potlus atnplljtr e-baudiJ ( mpliU
c ...Lr a la freev Jnas , m h ..mrl.1 1 lu ,1 u. b ud f _
0
=- fl ; lhn&t tt
dt fr,.C\'C'nta la c ..-4rc I I bC'Hd t <' II 3 dB). fB fi
cu atit rnai ridicata cu cit
c::, f . ..., b .
rroshnea e ectrva a aze1 este
circuitului cchivalent. Ca iJ
1
<
1
zul de setnnal
(paragra1u1 5.4.3). alternati va
. . d . ()
constttuH:' ctcnnn1an: a para
111
..
trilor accstu i circuit prin 1ncisu.
rc'itori clrctr/cc !a boruclc (termin .
d
. . l (/
cftncsc svtun c c para1nctri ,dv l c lc) disfc itvulu1:. In acest SLop se
cuadripol 'J tnasurabili dir<: c1.
e Pnrametrii adinitnnfu. 'rranzistoru1 poatt fi privit ca un cuadrij>ol
(sau d1'po1t). Una dintre borne (nu o prcciz{un inca) \pa fi con1una intrarii
(7, 7') ie)rii (2, 2'), ctnn se indica cu linic punctata in figura S.RH.
Doua dintre patru tnaritni electrice (T'?,, [, T
1
0
, [
0
) pot fi cal en.
zate in func}ie de cele1alte doua. Exist a 9ase posibilita}i di de a
I lege cele doua n1ari1ni date, dar dona dintre accste posibilita}i ( cind st
aau fie a1nbelc n1arin1i de intrarl', fie atnbele n1arinti de nu pn-
dnta inten:s. Un exctnplu de alegere este acela cind sc exprin1a curcntii
ii l 0 in v de. 9i V
0
(tnaritni date). Deoarece,
-;t1 vul func}toneaza l11nar, ecnat-ule care dau pe [, 9i [
0
yor fi ltniarr si
omogenc in fT, J!
0
: '
[, = YtT7, + YrVO;
lo = y,V, + YoVo,
(5.284)
(5.285)
uude y,, Yr, y,, Yo (in cazul general - nun1ere co1nplexe care au dimensi-
unea unei adn1itant-c se nun1csc para1nctri adnzitanfii).
(5.286)
de cu in scurtcircuit. Rela}ia (5.286) trcbuic
ca o rclatte de definitie, care precizeaza in acelasi timp
tn care se 1!-lasoara paran1etrul respcctiv. in caznl <le fatrl sc
generator tdeal de tensiune, V, la intrarea cuadr11)olului care
are rt ... ,. -
1
. scu c1rcuttata 111 curent alternativ se ntrLsoartl curcntul de
u:trare, !1. Conc.ret ins a, curcntul f, sc tnasoara indirect. dc1 er1nintlld
caderea de tensntne pe o rezistc-nta cunoscuta, R (fig. 5.90).
admitanfa de (U
Ceilalti doi
r
.;./,
.. R
lo
)' ()
1! o v -o
-
intraren in scurt,ircuit.
y,., sint n.dn1itan1 d" 1.
dtnitunJu
dirttt <.sh ..
Tronzi$-
Yt
! o I
lv.
rnero-
'
tor (I
dtti ( stt
d fin it
(
fig. 'i.{)O
t ul i 11t ft l'lllt I 1tt1 ch
15-!
(5.287)
t ran. Jrr
(5.288
(.ilt1
. cuit la iefjire tensiunea
ctr 1 t"' 1 t
cotnanda ap 1ca a a 1n ran:.
.Admitnnta de transfer invers
este
I,
'\' =-
_, r V
- _o _v, ==O
(5.289)
'l'oti paratnl'trii sint dcfin1ti
bi ;nasura}:i in conditii de s: nnt;ll
I
].
-l r----
_._.... ---------
- -
11'1 c.
e (?.284) (5.285) detintsc fapt un eireuit eehivalent
,.u Jtaran1etr1 adnutunfil, care reprezentat in fiaura .; 91 " t
f
. } 't b v. .L'"l.Ces ClfCUlt
puatc 1 to os1 pentru ecluvalan:a tranzistorului in d
1 . fw ..., l l . . . '- e semna
1111c, a. -r:ta1 ape a a ctrcuttul <.:chnalent natural. 0 astfel de tehnica
poatc f.1 _pentru rezol:_rarea problen1e (concret, parametrii
..:_ pot f1 fo}OSl r1 pentru stud1ul Ulltll atnphftcator d..: banda ingusta
onind la frec\pente dar are _dezaYantaj k sale. Fiecare para-
nlCtru estc care dep1nde: de setnnalului, d
punctul stat1c de iunct1onare de temperaturrt. Proiectantul d circuite
silit s[t. tnanipuleze un volun1 tnare datl, pierzind contactul intuitiv
cu probletna pe o trateaza.
Exista un set de paranzetri de .ioasa f!c:cvelzJ,i.,
1
aratnc.!.ti.i bjhrizi,
cc:tre popularitatea datorita 1egaturn siluple cu paratnetrii
ci1 cuitului natural. Ei se tnasoara con,cnabil siot Sp(:cificati in cataloag .
5.11.2. Parametrii hibrizi
-
e Ecna}iilc
lo
11
1
1,
pzcsupun <.:a !i sint dat(, jar ,.._
IJH:trii lz Jlarnntctrii hihrizi, dup ""1 ( Utt
fl zu t
El d t
11 I
- '
to
irn 1dnn1n dr iutrart tu at, lff'R
!, l 0
l' I II
_o
uchnitnnJn tlr cu iutrarta In gol
5 ))
-
(5.293
1 o 1
tau.lorul dr fro ftr
(d
aruplififtltt) lo eur ot daree&, u
I, ' '
urttireuil
J I
Ul\_.r , taU io&nli'M
pi
I rIa
I r
-
fatturol dtt Ira
J
(
-
l
h
T.
f.:!t
Fig . .:.92
de scurtcircuit estc dificil
tabila etc*.
e Rela}iile ( 5.290) ( 5.191)
n1etri hibrizi din figura 5.92.
1JL paratuct rii lz S(::
11
,
1 .... 1 1
14
..
s,)ara '1 SL' utl 1zeaza a rec,en te J
0
,
1
' 4sc
sint cd. 1l1.flJl t'!'c rca/e. E:i
au dinlcllSIUill hztce dtfL'flte - de a
1
.
. d f' . ] C']
denun1irea. $1 e uurea or are lo,
in condi}.ii diferite.: !z, ;i lz
1
(de
paratuctrii 1na1 sint
paran1ctri ,,de scurtctrcult'', iar h
I! r - paratnetri "de gol". .l\.ceast5
op}iune cste le.gata de
111asurare : la 1ntrarca tranziC)torului
intilnin1 (in oricc cone :xinnt) o jonctj ..
nne dcschisa, en rczistt:nta 1nica. Aici
de rea1izat, dar cca de gol accq)-
tircuitu] cu pura-
}.J odelarca czt prn:a nzctri sc a p!-icc7 f raJ!:. :sf or _n or_icc cor:c xiunt'.
pentru analiza de ctrcutt nu cste necesar sa lolosnn 111a1 tnulte
seturi de paran1etri hibr1z1 : unul singur .;:uficieut I dcoarcc'-' inloc'.1in it
tranzistoruJu1 1ntre cc1c trci horne cu oricarc cchiYalcnt <.stc. corrl-
plet independent a de n1odul de < onectare a trauzistorului in \._ircuit.
Sctul de paran1E:tri lz ales < :te eel corcspunzator <.oncxiunii EC, (fi g.
5.931 a) deoarece acca. ta estc: mai des 1ntiJnita. ParanJetrii respccti Yi
poarta un in dice suplin1< ntar (t?) sint iEdicati pc figura 5.93, b.
_ 1 n figura 5.94 se:: 1 cproducc pcntru con1odit at<' circuitul echivalent
?atpra] Ja frecveDtC jQasc (HiJ a capacita}i). PLntru llll('pUt ''0111 n<.:glij a
... r,/, r" ( d Slll ate punctat). Prin inspec}ie a figurilor
b rezulta
1zJ, = gmrb'e,
l lJ ti D1] J C<:: h, = 0 Jz
0
, = ().
R
.Y,
}
E
0
Jig.
f.,_
I
Condiita d gu1 1 int1.1r bt: lt nh, u&z
1
u an
1
cur nt comiaut (L1i1 0, 1, 0). SlurldH\Iil u <'UH
-
cont:: tare:: a und 6tu:; (1u 1< dt h u mnt .
154
(5.297)
I
_____ ., (7
... ,-
I
:)
(I
ol I ll U lJ 11 t II t I
tlJJ tl\ (l H h
Cotnpar1nd rclatiile
d
g :::: {!,1/e) (5. 297). ajun-
(
ttll e 7t
Ia concluzta
crc:m
0
(5.298)
amplificarea in curent la
dccl . . ,.
ale mic1 en 1n scurt-
setnn l"'
1
.
. ,..,
1
t (ht) {;Ste ega a en atnp t-
ell L t1
r.:ig. 5.94
I
(1
I I
1 I r.
y ce
f ... r<>a in curcnt la sctnnal<.:
stl fOnlrolall/'lo t!tcLric p1111
tll f H. ll1 , t d, pot .
1
q i ( tl c
1
< b t L
lilt H po u LL c:,tnt 1.
I. ' I t> Ml' f1 Ill\) uit l I Ull
1 I
IJJIL \ t Ill l Ll ' lll HHlll ll'l tl
lp ' Ifill I J 4 {iLf l I " ttA)
ltll ' ,t . 1 l p) t
1 1 { ) s r
1
Jlal , un t u t
L H tU t Ll o Ill 'liH m luc l )r) L
l q it )lU l 7
0 Notia. Si 1)-: p()atv 1i folosit ca e1 (.t1od
1
oarta. J)
l stc 1c gat 1 a potenr1al u.tun 1 5e 0
1111
,,efcct d_c c1n1p aprox11naby fata de axa longitudina11
dispozitivulut. Dar" substratul po.ate ft folosit ca uu a1 p trul elect rod,
indcpf ndent, caz 111 care St obt1ne tetroda cu eject de c.111
e de cu efect d<.: Lin1p cu jonc.:ti-
functtoneaza cu .Purtator? ma;ontan (elcctroni in canalul n in cazul
di
11
figura 6.1). El lace parte ( ca celelalte tip uri de tranzistoare cu
efect de cimJ..>) u111polare (a caror est.
bazata pe un s1ngur t1p de purtaton de sarcina, dupa caz fie electroni,
fie goluri).
Tranzistorul cu efect de cin1p cu jonctiune are aYantaje impor-
tante fat a de tranzistorul bipolar. Enu1neran1 :
_ dependenta de ten1peratura tnai rc=dusa a caracteri ...ticilor (aici
pu1 tatorii n1inoritari nu mai intervin) ;
- rczistcn}a de intrare (pe electrodul poarta, jonctiune blocata) foarte
n
1
arc (sute 1nii. de . M!?:), utila in ; ..
- inex1stenta tenstunn de deca1aJ (ten 1unea drena- este zero
la curcnt de drena zero) ;
- zgon1otuJ n1ai redus (se va revern in .. alt apito1). .. .
Pe de alta parte tranzistorul cu efcct d: cnnp a 1.n curent,
iar a
111
plificarea in pe .. o ..este lec-
tronice cu componente discrete sc 111t1lne, tc :,1 111 tranzt tor_ul
bipolar (scheme-- can: exploateaza ayanta]ele ambelor t1pun de tJ anz1 -
toar<.:).
6.1.2. tipuri de static
e
'] J ( J int :
rna l ,, t1c lt
( {t'I ) \1 t'L
t 1 n (uunut
dlt1tll):
1nlit( nlr
d tt rrt
Cl f I l
i ca1al rt
J 1 lf
t.
(/
1 iq ...
ta \.1 t' '"''
C ... \ 'T.\1'ICE CUREN'l'-'rENSIUNE
G.2.1. \lodelnl sitnetric idcalizat
... ;ualiz,
1
!unctionarii face pcntru trauzistorul czt canal n, l
rea tranzistornlui cu canal p fiind aualoaga.
uchi}a din figura 6.1 nn la scara: caualul podte ave_a o lungime
(pe zcci san chiar dr: snte de ori 1na1 mare decit
gros1n1ea sa.
e 0 sectiune cu !Jf)oJnetric idealizata este indicata in figura 6.3 a
Alegetn o sf1'Uclurii s?ncf1'1c/i, cleoarece c:ste rnai de analizat.
canalului intrc planel celor dona jonc}iuni (perpendiculare pe planul
de. .. dar efectiva a canalului conductiv este 1nai
tn1ca (2b) datonta 1ngustarn pc care o produc zonele de sarcina spatiaUL
e 0 incertitudine apare in Je;gatura en lungitnea L a canalului, 1notiv
care. s-a t:ecut la din figura 6.:) b.
cu n din vecinatatea
f'urstl respcchv a drene1 a caror conduct1v1tate nu este modu-
lata prin n1odificarra potcnt.ialului portii).
Se abruptc: asirnetrice jJ +n un canal uujfunn
do pat (1\ D don on 10nJzat1 pe cn1 ) .
6
2
1
2 . .
).
4
unctonarca Ia tens1uni rnici
, - dnli1iud VDs potential nJ canal ul ui n neu 1-ru cstc unifon n
eg51I
go1rc, grosnnea rcgiunu
M>la.t d JOt1(1H11111 p n ahrupte: cs1( .
a l; v 2e((l> TJ, - 7'c )
l\T '
D
p1 b
J. .)eg1onf! rA {) vr,s
SO/"CI/ltf spa-
polo
s
'o
n
1
0
G ' J
b
llq 6 4
1 ( ()
uude ci>
80
este difercnta interna de poten-
fial a P +n:
.mBo = kT 1n N _.N2 [)
'V N A ND. (6.2)
q n;
Daca va.rea portii. ( V Gs
scadc), atunc1 grosnnea efecttva a cana-
Jnlui, 2b, scadc, anuHndu-se pentru VGs =
V T' unde
T
/'Y -
T- (6.3)
t-ste tensiune prag* san tensiune de taiere
(bloc are).
fig. 6.4
Plaja dt> tensiuni care corespunde funcponani TEGJ este
VT < VGs < V,. (6.4
lilnitata supr::rior de 11 Y - tensiunea prag de deschidcr
fn n1od obi9nuit se asigura functionarea la VGs < 0.
e Con ductanJa G a canal ului (fig. 6.3, b) ste
n:ctangulare de lungimc L, gro im
prndi cular p'" plannl desenului) H':
2bli'
G = q(J-,.1 T
/...
Conductanta tna ...in1a (b I"V a) te
<:xp. ....i .. pro .. hnati ,. '-l
jtnd (J)
110
111 p1 in ( -,.3.) C,c
0
d G
0
r lUll uunli ti
e Corueteri 1 i U i.( '
,
I I
h t
I
l udu
I D
I
G(u '
u ulu1
c
!D
"
a jonct1unii pn ..
a unei bar
1 (per-
( .5
( .6)
bttn P li-
( 7
0
1nt d 1
v.
1 l
. '1 t a1: zistoruJ l in rcgiunea. Jiniara la Vns Inici
or1t.ntat1v - sub 0) '
7
), dar nu ca amphf1cator, <:1 La :e:1slc11/a cont1'olat(i
, fC11Sf.'UfU. Aici con d tH. tan} a dl na -sursa gd L stc !dcni'lca cu con duct ant
G a canalului 9i rzisb n}a drena-sursa este rd = rd(VGs) unde T
7
Gs est!
tensiunca continua poa11 a-sursa. Pentru calcule practice se poate a proxima
. . .
r, cu cxpreSla etn}nnca
l'o
}
, - ,
,;-
1- KVGs
(6.9)
unde r
0
este rezistenta pentru VGs = 0 - o constanta a tranzisto-
rului.
Dintre aplica}iile acestui mod de lucru citan1: controlul automat al
\:io.mplificarii (cu ajutorul semnalului redresat filtrat), atenuatorul corrlan-
dat in ten"iune. '
6.2.3. Caraeteristicile drcna
. figura 6.5 sjnt reprezentate caracteristicile expcrime11tale de drena
,. = 1 n('l'ns) penft1-t Z
1
G.s = con st. ale unui cu ca11al 1z. Aceste
sint Hniarc numai Ja tens1uni Vns foarte mici. Pentru tensiuni
fJns mal mari d1stingtm: 0 zona nel1'niari1 , 0 zona de saturatie a curentulu1
,
5 10
FJg. 0.5
s
l ig. G.6
2
{foa:te slab dependent de Vns) ; o
zona de crc$fcre abrupta a curenfu-
lui ( strapungere).
. e Zona neJiniara. Figura 6.6
prezn1ta o schi}.a a profilului de
spatia] a din canal la o ten-
Slune V DS < V DS, sat, Uncle Vv sal este
tensiunt a ( dcstu1 de i1nprec:is iudi-
cata p(;.. fignra 6.5) Ja care apare
satura11a cur ntului drenii. Po-
tcn}i a] ul analului treptat
?e la sursa ]a drena, polariz1ud
s din 1n ce tnai put ernie
a orespunzrttoar" a jonc-
}1Ulll1 j;n puarta ... canal. Ca urn1arc,
canalu1 c 1ngust r"Lza tr .
1
Jt 1 pc
DlflSUl a ( C Jl plt lll d d1 Ih l
. . pn .. u1'un 5 Yaliapa ...
gunn catJnlnlui s Ja ufi i n1 l
1( nt pc n1tu a in j <.:
1
pur,ct 1
( an.aluJui pont li u ilizn o a.-
n.ahza tutidjnn Hnioual L (aptv ztna-
fta g1adu d lui Sho(..kh y).
unn if , \ " 1 ul nz
11
ntd
shu 1 giunii d , r in 1
1HlHi ] 0 ist 11 ,1 O ..tr Ul
SUl (lJt lij_iud t f, t 1 cllll pul\11
< 1 ctt 1 lo1 g1t udiu 1) ,i
1
li <: ht 1
1
<:-aza curentul de c!n1p pe directia x (cat . t .
11
- ' 6 1 " .r < f..: "' < t gal tt z ) C 1 1 1
sint date 1n an ex a . . .n..lCl remarcam nutnai c.... . , u . u_
din figura 6.5 este de justificat. ln prinlul a
caract nsttcllo"'
C0
u
1
porta ca o rezistenta liniara deoarece grosln nn
nu se mat
..; - 1 d '1 "' d lea cana uhu nu . t
ttcifortna. In a ot ea rln ' cur bare a caracteristic. -t mal es e
rezisten}ei deoarece caderea de tensiune V ,
1
:
1
sens:ul Cff
ductiva a canalului. DS aza sc-ct1unea con-
Zona de saturatie. Urmarind 1nai
0
, .1.. x
ul t
. . } . I.- l:Ul ua. V - C01t.Sf
in sens eru ttl Vn
5
, constatam ca la un d t D.s -
(
b"l) '".: a ! nu tna1
ct e!jte aprec1a 1 cu VDs Aceasta cores pun de saturatiei "up:. + Dl . p .
:r f. 1'tte 1 . l tn. nn
oe 1n 1
(6.10
Teoria arata ca satura}ia corespunde in car. alul
t 1 t 1
" "' d .., * !\ can
este s rangu a 1nga rena .... "l.ceasta strangulare apare 1a rindul
1
at
1\ d d"f t d. t . 1 " . UllCI
ctn 1 ere.n. a e po ent1a 1ntre poarta i ertremitatea de lingil
a canaluhn (x == L) este egala cu tens1unea prag 6.3), dvci
sau
'l.'ns,sat == - Il,. t6.12
Fjgura 6.5 arabl cu1n vDs,s
111
cu Vcs F )!lUJ. 11idc'"ll \" car c-
teristicilor de dren a, en dclitnitarea zonei de atur
1
i\: '"t cur 1tului, a par
in figura 6.7.
0 discurie interc anta cstc legata de ituaJi: fizica in tranzi tor pen-
tru v
08
> Vos,snt G.<.: arata pr filul analului dupa saturati .
At unci ci.nd 'lJ
08
de vns,s
41
cu o tnica Ll: :ate, Llt', rcgiun a d
sarcina spatial a tra vt: rsat de cnrcntul d dr ua ar gro itu o .. Cadere
d'-! f ensiuue canalul coudL1ctiv ste vn , , d i de t_\:n 1un .
strabtl de sun ..'i na spap, Hi de gro itne (;! t.) t'. De 1 1 - UUU1
cin1p t:l ctriL longitudinal int ns car ntr nf pf r n
i 1 ra\ r giuu a d , r ina p 11lL tn l 1
0
()S
7
In u
' .
l 3
mod in car electronii minoritari in baza tllllll t1anzistor 1zpn siut:
Dati de cimpu1 electric peste regiunea de bariera a colectorului. ..
Dacii vDS mai mull, goljta de linga se
111
ai
pufin, ceea ce a trag o nnca sc.urt are a couductiv.
Diferenta de potential care cade pe Jung1mea canal este, prin
defirutie, tot r1vs,s curentul1 de; drena ramine tot deoarece nun
1
a...
:ru1 purtatorilor de sarcina care ajung Ja capatul canaluJui cste tot acelasi*
e Zona de stripungere .. fn sfirit (fig. 6.5), la it1tS1.U1lt' Vns n:ari
apare o cretere abrupta a lui i. datorita strapungerii prin multi plicare
n care apare la capatul de linga drena (x = L) al jonctiunii
JX>arta-cana1. Punind v(BR)DS - v GS = v., obtinenl tensiunca de I stra-
pungere drena.-sursa
v(BR)DS = Va + VGS'
(6.13)
deci Ty(BR)DS cu VG
5
, cum se arata in figura 6.5.
6.2.4. Caracteristiea de transfer
Dispozitivul este folosit ca amplificator in zona v > , A ..
1 DS (.., DS,sat 1U
f D,sat ,de Vns' COnform caracteristiciJor ideale iD =
-= !D(vns) din ftgura 6.7. Ca urmare, tranzistoru1 lucrind in zona de satu-
ratte a curentului are o utu:ca caracteristicu de transfer i =
1
(v )
1
nde-
d t"' d d"t r; D D GS '
pen en a .., e .... Vns, cu con lyta ca VDs i> Vvs,sat Ecua}ia acestei caracteristici
este. dedusa 1n 6.1. Pentru calcule de circuit se folosete lnsa aproxi-
tntzlca paraboltca fftg. 6.9) :
( )
I)
'lJ ...
t D = D,sat = 1 DSS 1 - ;: .
(6.14)
6.2.5. Efectul variatiei ten1 peratu1ii
Odata cu temperaturii I s d d t .t.... ..... .. . . ..., ..
purtatorilor d . a
1
. . ' ca e a ort a scaderu mobthta}ll
lui relattv lenta). 'l'otodata, <l>IO scade cu
<-aracteristicile de V"' (rela}ij]e 6.2 6.3) .. Ca urmarel'
mo 1 tea cun1 se vede in fignra 6.10.
72
0
0
Pig. 6.1
De fapt, Uf10ara ecurtarc a canalului determinl
0
slau
mental fn figura 6.5).
64
Fig. 6.10
Cl a et1nntului (t J o
[
'
zoua prcf ratrt de lucru este cea de la cure
11
t
1
1 . 1 . d . /d )" man, aco o unde pa t
tranztstorn u1 gm = VGs este mai mare At'c
1
cur t
1
d .,.. n
(1 en u sea e cu ere t
rea ten1pcraturu a VGs == canst.). Problema atnbal"' t
fn cazul TEC ]. arn ermtce "" se pune
6.3. POLARIZAREA TECJ
e Figura 6.11, a prezinta un circuit in care polarizarea p t t:-
..... t . t"' . ..., d or til Ja a
de sursa es e as1gura a prm ea erea de tensiune data de eurentul de s ':
t R A .., . ursti
1s 1v pe rez1s en.- s este aplicata 1pe poarta prin
rezistrnta RG, care are valon de ordtnul MQ. Valori mai mari nu sint
de?arece continu? invers de poarta, mic, da
cadere de tenstune aprectabtla r:ztstenta RG prea mare (de exemplu
zc === - 10 nAp: RG . MQ da. o de tenstune fl.vGS = - iGRG =
= 1 V). Aceasta var1a}1e a tenstun11 poarta-sursa este nereproductibila
rapid cu temperatura (deoarece iG este curentul invers a1 unei
jon c}i uni pn).
Deoarece
(6.15)
punC'tul de func}ionare in planul caracteristicii de transfer poate fi deter
minat prin interscctia cu , ,linia de polarizare" (6.15), cum se arata
1n figura 6.ll,b. Datorita dispersiei caracteristicilor* caracteristi<.'a , =
= i (v ) este insa nesigura. In figura 6.11,c sint reprezentate carac-
D GS " d " di . d J
teristici de transfer extreme care au 1n ve ere at1t spersta e a un
exemplar 1a celalalt, cit . cu un tip
tranzistor. Sa presupunetn ca 1;tt ... In corespunzator
static de functionare nu este dectt tntre I A I deternnn.a
punctele A B pe caractertsttctle extrctne. Ca urmare, hma de po1an
zare (6.15) trebuie sa .caracteristi ilc dt transfer intre punctel
A B, cun1 se arata tn ftgura 6.11 ,c. . .
PolarizaJie eu divizor rezi til' pe poartii. tartalut -
== I B - I ...c 1tnpusli cstc prca 1nicii, nu putcn1 ga l o bnH pnl
c
l ig 6 1
\ natJa lui 1 T de J1 d
F n
at rlt t
lui N D ti a (
(
J).
I
a
Fig. 6.12
treala corect printre punctc:lc .A B in titnp priu ori-
c In aceasta situa}ie circuitul de polarizare va fi tnodificat ca in figura
6.12, a, pcntru a asigura
V
. ]:.> T... - R 2 v DD
VGs = GG -
1
D \.5, v GG --R-
1
-+--R-
2
(6.16)
o potarizare corecta (figura 6.12, b).
6.4. ClRCUl'l'UL ECI-I1VALEN1' 1JE
6.4.1. Circuit nl etl1i ,a)ent ]a free vente joase
. t; free\' en fe joas . com porta rca tr an zis to rulu i est e cvas; statio 11 ar a
" mo
111
eJul de_ semnal tnJc IJOate fi d(;dus prin caracteri'sticilor
n JW unut punct de functionar1
:i
Definirea paranlctrilor c_chiva1(
4
nt sc face plccind de la
7.o = in( 1Jr;s ; v n-J.
e Difen:ntiind :
t eciud Ja variatii
(6.17)
(6.18)
(6.19}
(b.20)
(( 1)
r tt ri t h i lor r
i tu r giru d
saturatie ?- ' la V GS pauta
cste tnaxuna, tar de drena cste
foartc n1a_re (teorettc. tnflntta daca adtnitem o
ca saturatta curentulut este perfect a). Aceasta
este regiunea in care tranzistornl va fi folosit
ca atnplificator. '
in regiunea de satnratie, acceptind ex- o----..--..-.--{)
presia en1pirica (6.14) fig. &.13
sau
(
VGS)
g m = g mO 1 - V T ,
unde
- 2lvss 0 r; 0
--->I T<
V,.
este pauta tnaxir11a ( o btinuta la GS = 0). EYident, ot 1! m 11-
fica rnai puternic la curen}i de drena xnai n1ari.
e Circuitul echi valent din figura 6.13 corespunde relatiei 6.19
figura, varia}iile n1ari1nilor electrice pot fi inlo uite u fazo ii compon +
lor altcrnati ve corespunzatoarc (rl:gin1 de cut nt altc.. rnativ).
Circnitul echivalent cstc valabil la ii ufici ut d
1
ill i
bih:lor in jurul puuctu1ui de fuu tionarc. tuft d
ro
tulni, variatia lui iD cu v
05
la ''Gs co11 !. poat fi
P'' () plaj a I 1arga (fig. 6.5). J) pt nd -"111 a ( ).14) l. lui i. d
u1 ui punct de fnnc}ionar poate fi apr .. in1 t t lh i if
ufici nt de 1nic fa}a d 1
1
,..
\ alorilc uzualc p ntru g,. sint d ndi 1ul U, 1
r spc ctiv 0,1 - 1 {Q.
('UJt' lnalttl
I
10
t lq I 1
j
v
1
TR NZISTORUL CD ..I .. DE Cll\!P CU JON.CTIUNE
iN E'J' \JE DE AMPLIFIC .. \.R.E
..., .....
6.5.1. Etaj sursa co1nuna
1 f 6 15 est c.; reprezentat un ctaj an1 pljficare cu TECJ
11
tgu a. .... ,ace
111
u
11
a Sci
1
en1a f'ebivalfnta de curcut alternativ Ia
concx1u 1 sur:sa ,... . . ,.. J.. este
en}e joase apare in figura An1phftcan"'a 111 Lens1une
Av.t = V. = v . V, = - g,.RL . R (6.25)
v, v, 1 + gaRL R + Rc
R R1l(j(R1 + R2). Uzual 1/ga === rd RG R astfel iucit
(6.26)
0 Ol1serva1je. Expresja amplificarii in tensiune este i ca la
cu t1anzisto1 bi1 o1ar in conexiune EC. Panta este insa seusibil
mic .. 1 curent de lucru. !ntr-adevar, panta ntaxima la "fECJ
5t IDS IV.,!/2), undc Vr este de ordiuul a ci}iva volti, 1u titnp
at: bipolar tst lcf(kTJq), und<..: kTfq cste de 0,025 V la ttJnlJLra-
tura am r i.
e Lu freevente innlt , cireuitul tcbivaJent al 1ntregii scheme ard.ta
n figura 6.16, a. Aplicind teoren1a Miller capacita}ii C
14
, obtincrn cir-
h.valent din figura 6.16,b unde C, cste capacitatEn de intrare
(6.27
Ac asta 'Ja it at (;St consid( rabil maritli prin eject Miller (pentru Rr. =
r zulta c, -1- c,,, tind. a scurtcircuitez. iutrarca pcntru
t ma1. 1nalte ( f ctul t in11 oJtant d oar c r de iutrare
cv nt JO.a c .,t foa1t llHl.f ). D notat dejJendenfa cupaciftlfi de
f ,. T de arc111a l<t.
. lcul act pc titul diu figura .l6,b mdicU s M r n amph-
zcarn suglr ta de altf 1 1 d r f ctul d .. s< urtcircuitu1 nl lui C discutat
u)
'
(/
I q
D
a
s
V
b
rig. 6.16
... ""
6.5.2. Etaj dr(lna co1nnnu
Figura 6. 17, a arata etaj cu TECJ u xiuu 1
Schema de alternatlv apare in figur i,l, u
\ . "t 1 echivalcnt - ln 11 rura .17 c A
tranzistorului en u sau _ l/ i J? R e te
in tensiune calculata cu RL r d - g. G
T' g.RL
A o. f'V --=""
- v = = 1 g .. J;
_,
fJaca gmR L 1 _?-tunci I A vi 1' moti\ I
1
repetor pe sursa.
c
11
m t um
d
f pl. IlL nu poatt; fi foarte mare (RL nu pnat e mull. u
1
arit
dt lin1entm:e rDD ded :i.J' n 1 fi sensibH difl'l it (de
pa 'ta ca d intrar . cal ' ulat a La 1na t sus, -. tt:
Ci = C,d + Cgs(1 - .. ::-: C,a:
l 1. n ult mai dcc1t la etajul cotnunri ,
\ lta]
0
1
ti. Tranzist orul din figura 6. 17, a este cu l'anal jJ. Carac-
.. sa este data tOt dt- 0 lege de tipttl (6. 14), d ar aici vT > 0 Si
:lrnl deschis atunci ciudt .O < VGs < (fig. 6.17, d), UD scade
c1nJ
65
cre;;te). Daca. se circuitul echiva!en t .., in. 1:_1aniera din
1> 6.4.1, atunc1 generatorul de cureut trcbute s a a1ba sens opus
1 din figura 6.13, dar g,. calculat cu formula (6.22) v a fi negativ.
ptefera sa se reprczintt circuitul echivalent tot sub for tna din figura
luind 1nsa valoarea a pantei gm calcnlata confor tn d:finitiei.
Capitolul 7
TRANZISTORUL 1\'IOS
. este un a:spoz?:tiv electronic bazat pe condu,ct?'a Clt,.cf;W A_
clcctr1c la suprafafa senz1 conductorulu1. Proprietatile co Ia.
f t
d t
1
" , u '-wve a
supra e, e1 sen11con . u c
1
oru Ul cont rolat e de un cin
1
p dcctric ap at
de (poarta) .. A.ceste aspccte
vc: deftncsc famtha tranz1stoarelor cu ef7ct de cimp cu poarta
lata san, ccurt, TEC-:-MIS (de Ia t ranztstoare cu efect de chnp -
- n1e:tal - 1zolator- sennconductor). Dispozitivul sau,
sin1plu, MOS, este practic uni cul al act;stei farntl
(fig. 7. 1).
Izola!orul folosit cst e un strat sub}irc.- de oxid (Si0
2
) pr r
oxidarca rn1ica a suprafc:}ei siliciului.
Uneori se folosesc dona straturi de iu,btor supn1.}Jt.!:l{! : L'iPxirl ,le c::ilicht rle fiU' .u
tn care caz structura se t ranz!!'t or :r.:KOS.
Poarta C"stc n.:alizata, de regula, din altnuiniu. dar poate fi reaJi?.dt:t_
din alte 1nat cri alc, de ex( mpl u siliciu poli"-Ti:-,Ltb 1 puternic d pat.
Conduc}ia se n.:alizeaza la suprafa}a substralz1iu; de ou1
zone cu t ip df < onduct ivitate opus c.lui al .. tL 1 atulu1 ; Lt...l
1
se 1Jt1DlCSC S UYS(l (5) drcn(t (D).
In figura 7.1 s-a c. ousiderat un su bstrat ( S B) p P ; L cest te;
sursa si drena sint de tip u. Pentru a se putc a "tJ.luh _un curt nt .. eled
1nt rl' ;urs a si dreua, su prafa ta sc1ni ond u torul ui r"-l.nuc..: t r ' u ca tt
de conducti;itate, adica trebuie sa devina de t ip n. Iu accst <.:d.z, supr
fata apare nn caual co11ductor, de tip n, a1e leaga ur ?{' drtcn
1
1
ln' .r
' f i ' 1 con n u rezt.:r
sarca tipului de c nHluctivitate a upra t't{ 1, pr l:Ulll
1 lg. 7.1
1 ..
0 s
Fig. 7.:::
ti caualului s . face de catre
poa1ta. De ac a. un interes prin
1
or ...
dial pent ru __ st u?iu 11 o sectiuue
j pr1n tranztstor (vczi li-
puncta tc din figura 7.1) ; ace as ..
U'i st rn tura est ) cunoscuta sub de ...
de capacitor 1110s. Analiza
ca pacitorul ni l\'!OS sf era
interesului peat rn tranzistorul l\fOS
intrucit acesta este utilizat ca
i tn circuite integrate sau en
ductoa.relor.
dispozitiv de test al suprafe}ei sernicon-
7.1. CAP}\.CI'l'ORUL MOS
. capacitoru]ui l\iOS cstc prczentata in fiaura 7.2. Se cou-
un si.Jiciu, tip. p,, acoperit cu un s'trat de bioxid de
----U d p-os1me x
0
'lens1unea aphcata pe poarta in raport en substratul
no eala l' G.
7.1.1. Capaeitorul MOS ideal
de : Pt:ntn
1
inceput se considl=ra un capacitor lVIOS ideal, caracterizat
t..'lum omportarea 1a suprafata a setniconductorului identica cu cea din
,
= in oxid sau la interfata oxid-siliciu ;
n diferc:nte1 1ntcrne de potcn}in1 dintre n1etal si semicon-
a.a !n
"' A
.... c tn ac<. st l:az s1nt pr<z ntat
Fig. 7.3
172
,. iirrura 7.5. electrodnl 1nctalic sc gaN
ttl t') t ... Q 9
... sarctn_a poz1 r & .t_n ..
tor,
1
n rcgtunca o sarctna
ucgntiva .(Q
5
) 1?rulor acceptori;
,daca grostmea regtunu gohte este x
4
atunci
sarcina este data de relatia:
Qs = qN .tXrJ, (7 .1)
''-
,......, ___ _. ___________ E
o dopare a semicon-
ductorulul. Benztle cnergettce se curbeaza
la suprafata, pe semiconductor stabilin- 1"" ....------
du-se o diferent3. de potential <ll,; aceas- t"
ta 1nrni1ne se nu1ne9te potentialul supra-
fete] serniconductorului (in raport cu
contactului metalic al substra-
tnlui, considerat zero - vezi figura 7.2).
Dacii tensiunea V G o anumita
valoare, benzile energetice se curbeaza ast-
fel 1nc1t la suprafata nivelul Fermi trece in
jutnatatea de sus a benzii interzise (fig. 7 .6);
llg. f.C
in acest caz, suprafa}a sen1iconductorului
devine de tip n, adica arc loc inversia sem.iconductorului, iar sarCl
din semiconductor (Q
5
) cste data atit de ionii acceptori {Q.), cit de
clectronii din stratul de inversie de la suprafata (Q.). tn conditii de in--
versie, dependenta sarcinii Q" de potenfialul este expontnpala (vezi
in acest sens relatia 2.7), iar a sarcinii Q. - parabolica {la fel ca depen-
denta de tensiune a grositnii regiunii golite la o jonctiune pn) .. De aceea
in tnod practic, la o a tensiunii V G conteul numa1
I
0
,
s
--------Ec
._ .. --------- Ez ,.-
l")
-
..r-t--t-------EFs
Ev
Pig. 7.1
Pig. 9.5
et capitol ee refer 1 unitate de arie.
Toate s rdnile consttl rat ln
173
Q,.; ca urmare., se poate considera
ating valori maxime la inversie :
ca sarci11a Q 8 , r<: spe<:ti v
,
QB = - qN 4 Xd 111ax
(7.2)
independent de tcnsiune. fn aceste conditii, sarci11a din :senuconductor
(7.3)
I
e Pentru func}ionarea tranzistorului MOS intereseaza eaJculul tensi-
unii de poartii pentru care se instaleaza invcrsia; aceasta tensiune se
.,oteaza V poarta denumirea de te11siune de prag. Calculul tensiunii
de prag de la poten}ialului de suprafa}a in momentul
obtinerii inversiei. Se cousidera ca inversia se iu momentul in
are concentra}ia de purtatori din stratul de inversie (la suprafata) cste
gala cu concentra}ia de purtatori de sarcina de tip opus din volumul
semiconductoruJuj. Notind cu <I>F poten}ialul Fermi din volumul semi -
ronductorului
1?-T N A
<l>F= -Jn _,
q n,
Itzu}ta Ca potcn}ia]u] suprafetei in ll10mentu} lD\"Crsiei este :
<l> == 2 <1>F
Tcnsiunea aplicata pe poarta cste data de:
v G := v 0 + <J>S'
(7.4)
(7.5)
(7.6)
... V o care cade pe stratul de oxid. 1ntrucit nu se con
Stder_ a sarcm1 1n ox1d, chnpul elect ric in accasta regl.tltlr:. t t t (d' )
V
'- <:s (; cons an (flo ;
ens1unca
0
ste atunci :
(7.7)
Calculul c1mpului in ox1d se f' "' d "'
1 t
1
. ace lll unc11 r valoarca ctmpului
l
e '_c ncf a Seinlconductorului ($,) : 1n absent a orjcarci sarcini
a 1nt r ata OXId-semtconductor co t 1""
... , mponen a norma a a tnduc+1c1 1ectJ11C
consenra : r
lc 'o - ll
v I I' (7.8)
nnde ko I<, . .,]nt p --Jnlitivjt?J. til.. r lative 'l]f. ( d 1
nductoruluj, iaz l9 _ it
1 1
. c JXl u Ul 71. I :bJ) s<
. , ' . _
1
1 uJ Jccinc 1a s11p1afatn s .. nn n
1
du t<..>rnlur .
Apb<..:Jnd l<_gca fluxuhn printr-f) oup
1
nfn.}u in(,hisa car onPn
5uprafata 111 ludc nr d" ] t
1t
... t " a c 1na 111 t J 11 ou< uc ( 1,
TCZU a;
I )in a consid rtnt
74
-
Q,
' k,t
0
t n iun a p
(7 9)
(7 Hl)
0
nde s-a not at cu C 0 capacitatea specifica {pe unita'" a de ari ) a
t1 "d
}tll de OXl :
u
Co -== !:o&! .
Xo
(7 .11)
Tensiunea de poarta este legata deci de caracten:)ticile regiuni: gohte
de: la suprafa ta prin rela}ia :
VG=-=-
Co
{7.12
in motnentul instaHirii inversiei, sarcina din stratul de inversie poate
fi neglijata in raport en sarcina ionilor de impuritate, adica Qs Q ;
tiuind seatna de (7 .5), rc. zulta tensiunea de prag:
v1' = - QB + 2(1}F
Co
(7.13
Pentru detern1inarea completa a tensiunii de prag, trebuie cunoscuta
adincimea maxima a regiunii golite de la suprafata, x
4
,... (vezi relapa 7 .2}
Pentru aceasta sc determina mai 1ntii dependenta adincimii regiunii golite,
x
4
, de potentialulla suprafata <1>$. Utilizind de golire, la fel ca
la o jonctinne pn, se o b}ine :
"\ /2t, ""'
Xa = V qN s
(7.14
Rc-latia de tnai sus permite calculul lui XtJm.u
de invcrsare <f>su"") = 2 <DF.
7 .1.2. Capacitorol 0 real
p
(7.13
p cru
ar iru.
.I
17
hn
ul nt sill 1nlui J r
ndi tii t iuu . d J:r a v. 0
-q
1 17'
(7. 16)
: p
7.2. lN'' lA NDUCf
!N 1 1 J:ZEN1'A UNEI J NC'f'IUNJ
1 7 7 Stru tura tranzistorului 11:0S, prezentata
in figura 7.1
1
arata ca zona do sen1iconductor
in adrata int1 do11a jo11cpuni. l)rezcnla un i jonctiuni
t n iutl dt pra fa1ii d valoarea data de rela}ia (7.16).
1
Dis-
p un mod 1 in1plifi at, pr zen1 at in figura 7 .7*. J oncfiu-
a tz.-+; 5t cotz 11zvers = l'Jr), situa}ie care corespunde
fun 1J n rii non11al a tranzistoruluj MOS.
.Apll un i t nsiuni pe poart a face ca rcginnca d sarcina
p JtnHi a.. JOncthnlii sa s extinda ]a snprafata s Inicondnctorului, pe
t luu. ;!!Dl a. le de pourt a. t n aceastn situa}ie, realizarea unui
r 1 d r 1... pnn .aducer a 1 ctronilor la suprafat.a sen1icondnctorului
t . i.mp1 dl d extstenta unui gradi nt de potential de-a lungul supra-
{ 1 J var, un electron aflat la snprafa1 rt estc colectat de jonctiune,
la forn1arca urentului ei in polarizarc inversa. Acumulare2
l trotu supt a posibila nun1ai din ll10ln<:nt ul ]n care poten}ia-
lul l d Vlnt egal u V , c ea dncc Ja anularea gradientului
din n11 al d -a lun gu l su praf et ei. C ondi{ i a d c i 11sla tar c a in vcr sici d<'-
= V R + 2 <l>F,
(7. 17)
ldl fett 1.flt7ca de in noile condi1 ii, cstc dattt de :
Jl 1' = Jl F ll - Q
11
+ 2 <}> -f- V
(: F Jt'
'-' 0
(7.18)
0 IJ. er otic. Daca jonc1iunea 11u este 1
t nsiun a d. prag Tl'capata valoarea .. po arizata (VA = V R = 0) .
.. n \:. (7.16).
-4i 1111 trat1zistor MOS cu. c 1 1
** .., . .
Jn fi u a 7 .. Sursa b--" J .. aTa ]a . cna
.. : nl t St<
tc upal ]OJ (masli) 'l' . g .
1
rat !]l tonstJt 111 ' mvelul d rdennl n
zit]v . :> ntlu l ..rl 'I.e p<V)atta ( V cs) de drcna (V vs)
poa '"l GS < V nu 1 1 t
fn li f'i ca 1lflllar cuT ntul 1 .., .., 7' aparc can a a -
.,' ' c ur na (/ n) nnl.
Ac FJtnJchn rl po 1Hi. denutuiJ n dt> tli d
t f
1
i i d
0 c r.tt t)i 11n cli6J)ozitiv dt.:
upra (m con uctorului. '
Ttnnzi tonll :Mos e..:u COJJolf't Bt t]cto iduti ...
1 1 . '. m cat .. ll '-' bC ptd<rr\ ,ndm1fn ctt
l , d Jar c ten Iunde de ] on.ttrL F;i flp or ntl stnt puzit iv .
L
, n+ ,__
' I -----/ ._ ______
dy
xfY On ---t
Fig. 7.3
+ v
""'
' 1,.
0 '-'
... ______ ..
. Da .. ca de poarta valoarea de prag, intre sursa
dren ... a se f?rm.eaza un n. care permtte conduc}ia curentului electric
(cu at1t mat b1ne cu c1t tens1unea VGs este mai mare). 1ntrucit joncti-
unea. nu . este polarizata, tensiunea de prag este data de
relat1a (7.16). Daca tens1unea de drena este mica, canalul se intinde pina
la drena, adica aici se conditia de inversie data de relatia
unde V R = V DS
C aracterrsticile staticc ale tranzistorului reprezinta depende11ta curetztulu1
de drena de tensiunile de poartii $i de drcna :
ID == In(Vcs, Vvs).
Pentru deducerea lor tre buie exprimata rczistenta canalului : con-
centratia de purtiitori . din de y de-a lungu!
suprafetei, datorita ex1sten}e1 te.nstunn de:_ drena. Rez1 tenta dR a une1
sectinni infinitezimale a canalulu1 este data de :
lR == dy ,
cr(y)Zdc
(7 .19)
unde cr{y) reprezintii conductivitatea medie a (medierea c01;:
sidera de-a lungul axci x) Z este latimea canalulm, 1ar de este " ..groslmea
' c d t' t t ed1. e "e calculeaza confonn
acestu1a (vezt ftgura 7.6). on uc 1v1 a ea m ...
relatiei :
de 1 de Q,.(y)
o(y) = _!_ ( o(x, y)dx = d \ q11(x, .Y)tJ.,dX = -{!. d, '
dA ) r .)
.. ' "' 0
0
1 d
19
)
tltlC ,. s-a consi crat o u '"'
dv
dR = - .,
ZlJ.,.Q.(y)
(7.20)
devine:
(7.21)
Q,(y) rez11ltii din r Jajiile (7.3) (
7
12
): , (
7
.
22
)
Q,(y) = - [VGs- VFn- l>,(y) ]Co- Qs(;), .
. d t..'"'UZl neted
d .., de tens1unea e l)C
undt' s-n 1111ut s '} an1a d orec1
13
a
1
gu1 axei :Y se
Val iat in poten1 ialul ui d suprafa1 a 1 t1i uuinvcrs. !ntrudt canalu]
pt ?.c-ut i joncpuni i dr 11a-su bstrat, po anza
]77
12 - l) l podtlvc
01
, tr\.:1tlt i'Jlectrontco
ista pcntru oricc '\1 intre sursa dreua. <1>.. rezulta din conditia de
.1 .. lllVer ..
sarc (relat.ia 7 .17} :
(7.23)
unde V(y) ste tensiunea inversa diutr-o a canalului. .A.ceasta
tensiune are valorile limita V(O) = 0 la sursa V(L) = Vps la drena..
dependen}a ei de coordonata y rezulta din cadcrea de tens1une produsfi
de trecerea curentului I D prin canal.
Sarcina ionilor acceptori este data de :
(7.24)
in concordanta cu relatiile (7.14) (7.23) ; rezulta ca sarcina Q B din
regiunea golita de 1a sursa spre drena.
e Avind in vedere precizari1e facute mai sus, de-a lungul uuei
infinitezimale a canalului se o cadere de tensiune :
(7.25)
Integrind re1atia (7.25) de la sursa (y = 0; V(O) = 0) pina la clr
-== L; l'( L) = V Ds), rezulta :
lv = {L.co{[VGs- VFB- 2<DF- V;s ]vvs-
2 _J2k t qN }
- 3 C: _. ((V' DS + 2<1>p)3/2 - (2<f>F)3/2) '
ceea ce reprezinta ecuatia caracteristieii statice.
A ceasl4 ecuatie este valabil4 nu t d
dYen4
. t' a
apro.., ...1n1a tva :
l
'
rr DSs.:JI Jl GS - T' F JJ - 2 <1>F =
= VGs- v'J'.
l
t
3
It
l't;s (V)
FJg. 7.11
5 fi
(7.34)
e In zona de saturafie, curen ..
tul are o valoare constanta in raport
cu T' ns, data de relatia (7 .33) pen-
tru V DS = V DSs.:JI :
ID V2')
2
; V DS > V DSsal (7.35)
Dependenta de 1nai sus reprezinta expresia caraeteristicii de transfer
3
tranzistorului 1\IOS in regiunea saturafie. 7.1
caracteristica pentru tranztstorul ale cartu caractertstlCl stat1ce
(de sint date in figura 7.10. . ... " v
e Tranzistoarele moderne se reahzeaza tntr-o larga varietate
constructiva. Una dintre principalele direc}ii d<:: evolutie este legata de
vitezei de lucru. In acest sens, canalnl se realizeaza din ce in
ce mai scurt, iar la suprafata se creeaza un citnp electric intern priutr-o
dotare neuniforma a substratului ; toate acestea due la un timp de tran-
zit scazut al purtatorilor in drumul de la sursa la drena. Modificarile con-
structive due la modificari ale teoriei elementare. lata citeva dintre ele :
- dependen}a mobilita}ii de cimpul electric de la suprafa}a ;
- aparitia unui curent suplimentar prin regiunea de golire (in paralel
cu eel din canal) intr-un mod asemanator ca la fenotnenul de patrundere
la tranzistorul bipolar ;
- tensiunii de prag datorita contribu}iei drenei la
forn1area regiunii de golire de sub canal (pentru tranzistoarele cu canal scurt}.
De aceea, o exprimare tnai realista a caracteristicii de transfer in regiu-
nea de satura}ie este data de :
ID = V1')'"; V vs > V DSsat, (7.36)
unde nt estc:. un. coeficient cuprins intre 1 2.
La tenstun1 de drena mari, intervin fenomenele de multiplicare in
9i strapungere a dispozitivului datorate jonctiunii drena-substrat.
0 Nota. Din .Pu:1ctul de al dependen}ei de tetnperatura, tranzis-
toareJe MOS prez1nta deosebite fata de tranzistoarele bipolart
La ... .v vs. constante), curentul de drena scade,
dator1ta mobthtatn tntern1cdiul lui ; dlpendenta (;St\!
foa2te slaba. Ca . tranztstoarele MOS nu pr ziuta fenorncnclc de
strapungere secundara a1nbalar tennicrt.
7.4. 'riPURI DE 'J'H.ANZIS'r< AP .t\IOS. SIMBUCUJ{l
e cu cnual u are simbollll in Jigurn
De cele 1na1 tnulte on, substratul legnt la In int. riorul npsnl 1.
e 1n figura 7.13 est un tl'anzistor cu (!UJUtl 1
sin1bolul corespunzator (b) caracteristica de transfer (c) :
t ctlsiont,
1HO
( ) 6 ( ) D
llf. 7.12
-(
t
Io , ..
-
/ / /LAM II 1'1.' .t....:.. ,
,--:.y
L ',
\.. /!_.,. )
p--f ..J
6
n
0
-
J
c
a
Fig. 7.13
. V sint negative. i\ceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea
V GS s1 vs, d "t aloarea de prag
unci' tensiuni V GS mal rnarl h' ar v GS = 0 se numesc
Unele tranzistoare prezmta_ C?-talfc iutllne!?te in special Ia tran-
ti"tnzistoare cu canal initial.
51
?a,:et l' I mari (T' FB<O) tensiunea
cu canal n: datorita uuel . tl'FcBa d transfer forma din
d
ecrativa arac ens \; 7 14 b
de prag V T poate evenl n o : 1 . este prezentat in flgura , '..,.
figura 7 .14,a, iar simbolul olaritate a tensiunii de ..:
Un asenlenea tranzistor poate lucra regt'm de 1nbogaJire, datonta
Daca l/ GS > 0, regilnul lucr u .. nunle,l . daca I' GS < 0, regimul
crestcrii de ln cl ana erea couceutra+iei de electronl
. ' .., .., . 1 a sea r
denumirea de regtm de ? _ V ) .. ..,
din canal piua la dispant.
1
.a ltn
0
solutie moderua
0
ofe_ra
in scopul reduceru lnnguml ca s amana cu un
tranzistorul VMOS {fig. 7.15). Perctii V-ului sint acop:np
tor bipolar npn care preziut3.
0
coro Canalul se
cu oxid iar se tl '
1
deci are o lungin1e foa e mt
, . t"' b el tranzlstoru Ul,
regiunea p, ccluvah")n a az "
b .
a
llg. 7.14
181
FJg. 7o15 Fig. 7.16
( < 1 lJ.Ul). Zona echi\ alcnta colt ctorului ; aces.
teia p fm1dul plachetci evacuarea a calduru, cec-a ce
da structura pentru aplica}ii de putere. . . . ... ..
e Tranzistoare protejatt. Una dtntre problen1ele ut1hzaru tranzis-
toar lor este protcct.a i1ztriir. Datorita grosin1ii recluse a oxidului
l'o < 1 000 A), aceasta se strapunge ]a tensiuni de poarta lllici (VGs
60 \
1
). Strapungerea poate avea loc chiar prin sitnpla atingere a
dului de poa1ta cu min a sau cu obiectc de imbracamintc E<kctrizate , acl st
lucru este posibil deoarece electrodul de poarta acun1uleaza sarcini, oxidul
fiind un bun dielectric. De aceea, se iau precau}ii in manipularea tranzis-
toarelor MOS. In vederea lor, unele au o diodii Zener
i1z:structura conectat(1 intre poartii $i sursii. Simbolul unui tran-
ztStor protejat estc prezentat in figura 7.16. La creterea tensiunii de
poarta peste valoarea de stabilizare a diodei Zener, aceasta se deschide
limiteaza tensiunea aplicata (T'Gs = Vz). Dezavantajul utilizarii diodelor
de prot{ctic consta in itnpcdan}ei de intrare a tranzistorului.
7.5. VARIABIL DE SElVINAL 1\fiC
MOS in circuite de ampJificare
stabth:ra unet scheme ...ecl11valente pentrn regin1ul variabil de se1nnal tuic.
Tranztstorul lucreaza 1n regiunea de saturatie.
. __ sentnalului este joasa, se poate adopta ipotcza
J?otnv_1t care ia dependcnta intre valorilc inst antanec ale
manmllor electnce (7D, 'l'Gs, 'l'vs) este accca9i ca in curc:ntu] coutjnuu:
conform n (7.36} :
iD = VGS - V T)"' ; V DS < V DSJaJo (7
t,oarte n1ici ale 1cnsiunii de poartrt (dvGs)
VDs , se o t1n vanatn ale curfntului d<.! drena {diD) dat" de:
d
. aiv ai
z D - - d1'cs + ___p_ d'l .
av JJS ,
(7.38)
"' .. G.S UVJ)S
not1nd. 111ici d(o 'Llual : dv ... , . 0 ..
o relatl(> lntrc.: l:Ompon<. Yariab 1 0 v"' ... coh c.s = v, .d1 D - 'Jt rc zul1 a
1
e
1
r 1narun11or e lectrtc<: :
t- v }m 1 V I ( Tf
'l' I 1 , GS-
1
= g,. . v, 1- -
'r,t
182
D
Fig. 7.18
1
11
rela}i a (7 .39) s-au utilizat urmatoarele notatii :
g. _ panta tranzistorului la frecvente joase, data de :
tnln
g. = GS - V T)m-1 = V '
VGS-
(7.40)
rezisten}.a diferentiaHi a canalului in regiunea de :
-1 m - ID (7.41)
r d = ( V GS - V T) - (; ' !l
0
OVvs tJ uVvs
Rezistenta rd tine seama de varia}ia relativ slaba a curentului de
de tensiunea 'de drena, prin
Yalorile pentru r.,. la a mici pentru tranzistoarele cu
in ga1na zect-.sute ktloohml, un n1 t
cana1 scurt.
0
de tranzistoare MOS se
\T alorilc ti pice ale pantei la te decit valorile cores-
iuscriu in htnitele 1 -7- 10 mAf\T, seuslbll nlal scazu
punzatoare tranzistoarelor . . ,..
10
_
1
, ...:... 10-u A) datorita
d t
"' (
0
) val on foal te nucl (
1
.. "'
Curentul r e poar a . \:. . oliciu . de accea, el se neg lJeaza
calitatii de bun izolant a btox1dulul de
51
d' .. nfinita Pe baza acestet
echiYalent impedanta de intrare se etotrula de semnal mic
. . ' .
1
to' (7 39)
5
deduce c1rcu
observatu a re a> . .1e1 ... . l7
joasa frecventa, prezentat
1
n hgura
10 0
1
t se completeaza cu
. "'uitul echtva n ,., t
__ tnaJ Jnart,. Clfl: onfornl figuri 7.1 .. Panta, tn
Capaclta}tlc structnrll, C,f (&! c.ls u} tiln )U}Ui de tranz1t a} purtatoriJOI
caz. dcpinde de fr cvcn}n pnn cf< ct 1
de sarcina prin canal.
E
NT CONTINUU
7 6 AJ !N UR
. . " }\ 'fH.A TZIS'fOARELOR 10
. . . face in
. t tatic d, functlonarc it mai
AhgctL d u11u1 auunut pu!tc 't ])ant.. folo ir a un rcgtum c
d l opul do lit : oblin rca un
1
auutnl '
linian. a at J.<. tt ri ticilor tl".
1
. dus t
11
. iunile d poarta
1 eu cann
10
' poate
)l('nlru trnnzi e . . .. Ca urmare, p ntru 7 19).
fit cl drtnli tu "<:('c,tst ... de C'l' co,zhnuu (fig .
'J iJFttra ursa
i<l)o...,i zoz c1rc. urt stmplu, cu
0
e.
183
Pig. 7.19
+V..
...
I L'
IDS
Fig. 7.20
Tensiunea aplicata pe poarta este deter1ninata de divizorul rezistiv R
1
,
R,:
r V R2
., GS = DD
Rl + R2
(7.42)
Pe baza caracteristicii de transfer (7 .36) se poate determina curentul
I D; tensiunea de drena este atunci:
v DS = v DD - RDI D (7.43)
e Tranzistoarele eu eanal initial trebuie polarizate astfel incit tensiunta
de Sa poata capata atit valori pozitive, negative. !n figura 7.20 St.:
un astfel de circuit, care o singura sursa de a1itncutare.
Tenstunea de poarta se calculeaza cu :
'1 V Ra
GS - DD - R,I D'
Rt + Rz
(7.44)
cu expresia caracttristicii de transfer. Se observa posibilitatca
reab.zlrit pentru tensiunea de poart..
de polanzarc oerita de accst circuit num<:stc polarizarc
autom_ata (denumirea provinc de la unei tcnsiuni 'pe rczistenla
R, pnn trecerea curentului propriu al tranzistorului 1).
0 NotA. Circuitele de curent continuu ale tranzistoartlor MOS uu
au, regula, stabilizA.rii termice a punctclor staticc dP
datortta dependent-et slabe de temperaturA. a caracttristicilor st atice.
7.7. DISPOZITIVE CU TRANSFER DE SARCINA
eu traDal de relal ''Glitla tl t,ecerea 1111 caJIIIl11'
de "'cf.na mobil4 #ocata latr .. un UMteoiUfuclor spre uu tlrmtHJ dt
stocart similu aflat Itt ttct.n4tak', ca "'"'"'t a """' coffttNZt
, rl riotrrt
is zitivele cu de sB:rcina .. in U!ltll tapA
D
1
1iaJt. fiind reahzate mtr-o smgura pllicuta sub formi
ce ircuit integrat. Semnalul prelucrat este iu cantitatea de sarcina
de csferata circuitului este de intirzierc variabila a acestui semnal
tran '
1
...
1 in transferul de la o eel u a a alta.
pr Studiul dispozitivclor cu transfer de sarcina in cadrul acestui capitol
t determinata in primul rind de asemanarea tehnologica cu tranzist.Mtele
tn al doilea .rind, intelegerea unor fenonltne fizice este legati
aci torul si tranz1storul MOS.
cap Familia' dispozitivelor cu transfer de sarcina trei eategorii de
structu r1:
_ a
1
spozitive cuplatc prin sarcina (CCD -C zarge-Coupletl Dev-ices) ;
_ d
1
"spozitive bucket-brigade (BBD) ;
_ dispozitive cu injec!1e de sarcina (CID - Charge-Injection Demces).
1 1 ce urmeaza se va descrie capacitorul ca d\,;
: reg
1
mul de go lire ad inca un dispoziti\" cuplat prin sarctnl
a sarc1nn 1n .
cu comanda in tre1 fazt.
(P)
a
b
.UatuJ de tnv rsie, iar go1uril tr c spre volu.mu1 semicond
.-a-d df de golire. tn figuriJe 7.21, c d s-a reprezentet
... '"IU a ac1mea d . . (
dependenfa de timp a sarcinii din e tnverste Q.). a
,. ( } n-ocesul de T verur<. 1a ecbthbru durt::azA un ttmp T
goJire %tJ c l' x u1 . T 4
an proces tehnoJogic ingrijit, a ttmp este 1 s.
La
,. tuJ procesului de golire a tnca, capacttorul MOS
mcepu . ,. . . t-. di
de purtltori minoritari; daca stnt tnJectart n exterior,
este pregitit electric pcntru a-i primi Ja suprafata
ta este functia de stocare ; timpu1 de trc bute fie muJt
d
"t timpul T nPntru ca sarctnu stocate sa nu fie j ...............
ect l"'-
de purtltorii minoritari pnn :ermici.
0
uplimt:ntara se poate reahza pnn transfcrarca sarctnu 1nrnagazina
un slt condensator v< cin, care se af1a Ja inceputul rcgi1nului de
adinca
7. 7.2. DJJpozitfve cuplatft priD sarcfnii (CCD) eu trel faze
Schema de principiu a dispozitivului . t prezentata tn figura 7
ar diagramelc tensiunilor pe Jcctrozi - in figura 7 .22, b.
S< mnalul se printr-o jonctiunc 11 j de intrar( {DJ)
cu poartl (P/). st fac p alta jonc1iun 11-+p (IJE) <.:u
act:asta st po1arizata inv rs tJrin int r1nc diul sursti E ti
1
tenf<i de sarcinA R. Pc . oxidului, tntre c 1 doua
plasatt trt1 elcctrozi mttaliC:i, cont cta}i la potc11}iaJ<:l<: <b
1
tl>
2
cz,
da celor trei electrozi face J)( rind, cu sc n1nalc dreptunghiul:
front d acldt re lin.
f, 1l'gim de aJtepta,e, JOnctiun( a JJJ tbt
sub poarta PI nu tXi ta trat dt invtrsar(!
la joncfiunta dt itfire. '
d La momentull1 1e _!nscri inforDJalia prit <: d r a h n iumi DI; _...
..fl unt tu1 ub P.l ar .. ,un 1lc" (U sarcina prim
L
a n r g11 d gobr adn a <l
1
ar mare).
a ftf(jm ' ' '' t
c r a ..
1 1
tra11 f rA 1 ui d al doi 1 a cond
t ptat :II 'tJ Je nl d< W re din A t It ru t po ibtl prin
tor I ac
tnulte
1-)aza tructura
ln
entate; tranzistoruJ unijontiun conventional. tranz
1
"storul .?r
11
prc:-
bil
. >- uruJonct1u
programa 1 tranz1storuJ unijonctiune complcn1entar. ne
.. . Dis_pozitivele multijonc}iune tranzistoru1 uniJonc+iu11e se f 1
.. "1 ctr c t d 1 r o osesc
111 e . e 1mpu sun, ctrcu1te pentru conversia energiei electrice
Pe lingii aspectele fizice care stau la baza functiot y .'. cucuJte
f. t t . . . .
1
artt acestor
... , .. r 1 prezen a e aphca}u t1p1ce ale acestora in circuit.
8.2. DIODA p11pn
8.2.1. Caracteristica statica curent-tensiune
Dioda este o st t "' d z . . .
ernat
1
, dopate cu p ura c cu jJatrzt zone al-
IT' 1nt urz atz acceptoare $i d onoarc. -
111
flgura 8.1 a este .. . .
acestui dispozitiv' t . schematic modelul unidimensiOnal al I
mai puternic re
1
. (Jv ] 3). Zoncle extreme pt,ttt
baze Emitorul p+ '
torullul Tv jonctiunea J fii2 'd c? ec-
ti d 2 ll )OTIC- r'
, une. e co lector pentru ambelf'
tranzlstoare. Curentul de ba " :
tran t 1 T za ai
zts oru Ul 1 este curent de coke-
tor pentru tranzistorul T ('; _ )
911nvers = (fig. 8.4, b).
tranzlstoare sint alimentate in
regtunea activa normala. cure::ntii lor
de colector fiind : '
ic1 = ct..p1iEt + I cno.t ;
ic2 = aF2iE2 + I ceo 2, I
(8.2)
unde ap .sint de amplificare
1ar I cno sint curentu
rez1duah de col ector. Prin
centrala ]9 va trece curentul 1. :::::
... A
= -tc1 + ic2, deci:
i ... =ocFti.d +'' rJ.F2iA+loz (8.2, a)
,
unde I o,2 = I cno,t + I CBO,'l. este cu
1
rezidual al joHctinnii J
2
tcrii nehmttate a curen u u1
dispozitiv, daca este indepli-
condifia de amorsare:
+ (J.,F2 = 1 (8.4)
tutr-adevlir, din caracteristica sta-
IXF/1- f""
41"---- .... ,
,' '
7 --------1 fXF2
I I
t 8
0,6
0,2
I I
I
I
I
I
I
I
I
I
"
1
Ftg. 8.5
70
a" (fig. 8.2) rezulta ca curentul
t1 c ' "t d A d 1
.
0
ate cre9te or1c1 , con uc1n a
dispozitivnlui, dacli nu este limitat de circuitul exterior.
- Dependenta factorilor rxp de curentul prin dispozitiv sUi la baza
111110
rsiirii pnpn. dep_e?-denta in 8.5: La
v
4
curentul pnn dtspozttlv este nne, fund determmat dE: JOnc-
tiunea 1
2
alimentata invers. Ca urm.are, rx.p are valori m.id din relatia
(8.3) rezultii eli i A I
0
,
2
M iirind tensiunea anodicii, curentul rezidual Io,'l.
va cre9te odata cu acesta- factorii rJ.Ft 9i rx.F2, deci curentii de coleetor
ai celor douli tranzistoare, conform. relatiei (8.2). Cre9te num.iirul de purtli.-
tori majoritari injectati in cele douli baze, care vor com.pensa partial sarcina
spatialli a regiunii de treccre a jonctiunii 12, liirgim.ea acesteia se va
.-a Scadea bariera de potential - 9i teusiunea ce cade pe jonctiunea 1
2
Din
aeest motiv vor cre9te diderile de tensiune 11 9i] 3 {vor sclidea barierele lor de
potential, efect ce are loc, datoritli injectiei de purtlitori in zonele adiacente
acE-stor jonctiuni), ceea ce conduce la cre9terea curentilor iEt !ii 1.E2 a facto-
rilor de am.plificare in curent cxF
1
9i cxp2, a iujec?ei purtatori majoritari in
celt doua baze Are loc un proces regenerativ ce conduce sprc: lnde-
plinirea conditiei (8.4).
M iirind in continuare tensiunea v A la jonctiunea 1
2
a pare procesul de
nzultiplicare in avalanil a purt3.torilor, ce atrage dupa sine o pu-
ternic3. a curentului i,. astfel incit proctsul regenerativ amintit mai sus
este accelerat 9i conditia (8.4) va fi indep1inita. !n prezenta multiplidirii
in a relatia (8.2, a) devine :
i A = 1\! ( + rJ.Fz1.,. + I o,2),
und factorul de multiplicare in are expresie :
1
lY! = --- ---'
(8.5)
(8.6)
m care V m este tensiun a d str3.puug re a J
2
n - un parame- ;,
tru en valori cuprinse intre 4 !ji 7 pentru siliciu. Din relatia (8.5) rezult3.:
. 1\1 I o 2
1 --- ,
"..t - ,
1 - NI ( ctFI + o:Fl)
( .7)
d{c:i lOnditia de amorsare in prezenta mttltipliclirii in .:ste:
OCFl + rlF2 = ljM < 1.
88)
D1n condif:ia (8.8) fi relatia (8.6) rezulta tensiunea de amorsare in
multi plicii.rii in a ,alarujll : pr
f/ BO = J7 82 - ( 0C.FI + F2) < V 82.
Ace stll t nsiune, numita tcnsiune de autoamorsare, este mai .
Jnea de striipungere a jonctiunii centrale ] 2 Diferenta i
V
2
insii (8.8), mult mai ,u n :: ,,Y ..
condl}ta (8.4) decl vaJonJe JUI IXFJ :;;1 rY.F2 SlUt lllCii mici atuncr i Q.
zitivul se c nd diep...
Proccsul regenerattv ce are loc la autoatnorsarca diodei pnp
scii.derea baricrei de potential deci a tcnsiunii pe jonctiunea c n duoe Ia
La un moment dat, tensiunea V-42 i:;;i schimbii semnul :;;i toate
or fi pa1arizate. _7'1 T2 sint acum in
col ctoar 1 lor mJecteaza purtaton mmoritari in bazele adia ll
fel se faptul _eli pe dispozitiv in stare dc:u
foart;e lillCa,_ de ordmul de manme al tensiunii pe o
dlfl:Lt. Dm r Jatia (8.1), cu V-42 > 0 rezultii: v-4 = 2V BE - V p anzatA
A tit starca de blocare, cit ;;i cea de conductie slut teE, t' Ql: lV,
blo" re este foarte mic ;;i IXFt + <XF2 < 1 (fig. 8.5) n !s ar.ea de
p1oc. d cste intii conditia (8.8) n
01 ditia re.a. r:J.p cu cureutu1 prin
m '. ntul md (8.4) toate jonctiuni1e sint polarizat di; Ia
ztstoarele T
1
T
2
Intra in saturatie factorii tt scad conf e f" ct,
b D f t T T -- " F orm lgurij
. . e ap
1
2
Intra lll satu1 atte a tit cit este uecesar pent .
fac r a conditiei (8.4), cind proccsul regenerativ ia sfir"1t Dep"' .ru satlJ..
d (8 4 di .,. COD
1t1 1 . , a ca ('J.pJ + ('J.F2 > 1, nu cste astfel posibiHi; {83)
conduc Ja un cu;e_nt negativ prin dispozitiv, de valoare mare cee !"
nou nu _este postbil. _Stabilitatea sti:irii de blocare este deci 'asigt!:l
faptul la mtc apJ + ('J.p2 < I, iar stabilitatea starii de
st as1gurata de 1ntrarea in saturatie a tranzistoarelor T "i T 1 "1 2
. 0 Nof:B. cum am aratat,_ structurii pnpn cu dod
st stabll. sc. pc var1at1a factorilor d curent in func
u r tul pn . _dtspoZitiy, _ p10pri tate caracteristidi. siliciului. tn &
I predonuna curC'ntul d recombinar in rcgiunea de tr:ceft
a .. (:tnttorulul fara . cur ntul d( injcctic din etnitor in bazA ....
ar valor1 m1c1 La ger ' IOI.!Q
jat"l i a. : ' cun:ntul dC' r ste n
IXFt + a.F2 .< _Ia CUI Lll}i mici, astfcl di condit!J
st b1Ja trednd fl mdcpllmta i star a dr blocarc nu
p ; ru' car jin ad. de . . Ac<:sta estc motivul
n r;n sc J ac 11t
A1norsarca diod<..:i jnz'}
11
me ulnormal de functionaH E a tensiuuii anodic r pr z
pr t crest rca tempera/uri
1
? msa li
1
1 trazite d
l\mor ar a diod i pnpn ])Oj rtzn r o br14Sca a tensit4nii ,. 4
t V f. a ' a v )a Joe l t ,
" 1 1gma 8.6 s pr til a em;ratura l'tdtcall
u t m hmctie d cur ntul d .1. f uct 1 ilor d mplifl"'IIM
u t cun.:ntul ! , . d tspoztttv . la di vcrs t m ra-
z, 11 car C (siliciu) :;;i ur uttJ
1
!o,2 J?nc}iunii ntral dub18 ..
(8.3 . Fa torn de amplificarc in du>)IOZlbv va en , onform rcw..-
ur 1 tuJu1, cit cr t
ut 'or Il at1t d tori
pr su1 r rr ueJativ c ond ct ,t mp ratur ii. Ca urmar
uc a Ind plinir a onditi i d ,
(V)
1,0
00 ...,_ __
as
O,'r
0,2
Fig. 8.6
600
f00
200
50 TOO 150 200 Tf'e.
Plg. 1.7
. "ti\ul basculcaza m starea de lao tensiune cu atit mal mid
de autoaprindere, cu cit temperatura este mai mare
deCl _
(f1g 8./).
Amorsarea diodei pnpn poate avea loc la temperatura fi Ia
une v,. < V
80
dacii tensiunea aplicati.i Joarle ,.epede. f,eDODleiL111
cunoscut s?b figura 8.8 s-a
tructura inlocumd cele tre1 Jonctmm cu tre1 diode, D
1
, D
1
, D
1
Clad tens&-
nta aplicata variaza rapid, curentul de deplasare C 1dv .. fdt prin capacitate
1 ari rii a jonctiunii centrale,nu mai poate fi neglijat, astfel inctt cureutul
dispozitiv va fi dat [1] de
iA = lo.2 + C,dv .. fdt . ( .tO)
1 - ( 0CF1 + r'J.F_
Cure ntnl C
1
dv _.fdt va prin C
1
prin jonc?unil ] 1 !ji ]
3
, adiiugmdu-se
Ia cureutul I
02
care traverseaza. toate jonc?unile. Dad t nsiunea aplicatl
,ariaza rapid, atunci al doilea termen de la numad.torul r la?ei (8.10
pre domina, cureutul prin dispozitiv ere te, la fel factorii de curent, pro-
ce ul rcgcnerativ de comutare conduce la amor area structurii la o tensiuue
cu a tit mica cu variajia t n iunii aplicat te mai rapidl. C
1
poate
avta valon intre zec1 sute de picofarazi *i sdid rca tensiunii prind ft
devine importauta la varia}ii ale ten iunii anodic de ordinul ze i de volt
pc 1nicrosecunda.
e iirilor parazit mor aril parazite prin .. ----
t 1 tpcraturu sau pnn dcct d' dt pot vea loc 1 ten iuni 'anodic mici flrl
utC'n:cni su1 d.: multipli arc in av 1 . c t "amor lri
_11t .l v1tatC' in pi a tan.: a di pozttiv lor multtjoncjiune, tn
ht at1t t tnpLratur 1 1na itna de lucru cit viteza
Hl1t a t nsiunii ,lpli ..lt(. '
C pabilitat a un 1 tru turi d uporta variapi rapi e taa1DI&
L f1 unbunu.t l prin r a JOnctiunii J
1
cu o re .......,..
tt , .1 tf 1 1nc 1t ur ntul C dv dt nu trcul J
, .. \l l < lui r
1
'
1
\ ri, 1 n1 i >ronunt t
ur ntul (fi r d it Clp&
t lucru r ah az t h
l tc printr o
l cit z n
I
nt Ia am r
'
.2.3. in nJ
i eul ( Dl dr Alt rtratt.fl o 'Jl1'1 cnt) est un d7spoz
1
Nv
1
l ..
c rc a1 c p1 opri(filf,f.lt d-iodcf p1tp1r. fn a?nbclc sens1t1't. de cond
11
ctic
ar in i straturi patru jonctiuni, r prezentatc sch n1auc' in.f lSpozitivu]
in1 bolul t dat in figura 8.9.b. Po at fi ousid rat ca
R 9, a,
din don"' :structuri puptz a9 zate anti paralel In d
fi ' ".9,c) .. ar bidirectional a ; cei : .
51
liciu
utrc ar c1rcu1a urentul prtnctpal 1 !I' se nun1esc t :) rtniualu1 s
lui T .
1
1
t'ftntna ..
... .
Functionurea. La aplicarea. 'ttnci tens1uui pozitive v > 0 t
din dreapta este polarizata direct, se
4
an1orseaza ]a o v s ructura
teti tica I -l avind forma diu figura 8.10, cadranul 7. BD, carac.
C 11d polartatea se inverseaza, intra in conduciic: la te
' t t d. " '(f. 8 9 ) 1 " d J llStUuea
R s rue ura 1n st1nga tg. . ,c , rezn t1n ramura simetrica a
(fig. 8.1 0, adranul 3). carac.
de ... do_rit .l' BD Tl BR f'J Tl Bq, deci sa fie: siruetrica.
d1spoz1t1ve cu l' Bo de zec1 de vol}1, s1n1etna fiind garantata
1n hm1tele 10%.
. . Datorita sale diacul se iolose,te in
c1 rcu1tele de curent altenattv. Este un dtspoz1t1v de putere mica utilizat
in circuite]e de con1anda ale tiristoarelor dispozitivelor triac.
7?
-
n
p
n
I
. .
: p
.
...
\
n
0 b
Pig. 8.9
'r
,, r.
fJ
n
-
p
,
(
r,
a
!J
flg. 8.10
Pig. 8.11
194
N
1
r 0 caracleristidi bidireclionalii simetricii cz1 dottli stal le
. Qi .I
0
a.ohtiJ;C si elf 0 structura CU tre regiuni si1nilare CU a tranzistOYtllU'
l
t1."> t 1ac se 1 "' d .... d 1
1' fi . .ll,a). 'rehnologic, structura.., s"' cu CP 1
( egl tre
1
zone Jara contact de baza. 91 se 1au precautn ca C('l dott
\ l] 10 c . . . . .
ctiuni sa sc poattt strapunge nedistruct1v aphcarca un<t ,tutti
}
011
'
1
sens sau in ceHilalt, structura este strabatuta de curentul n ztdu 1
1ntr-ttt ... .., t "' lt" d It
1
cEo pina ce joncttunea allmentata se s. 111 un a .
de tensiune de orc!inul } 0 y. st rnetrtca 91 sHnbolul ac \stut
tip Lle diac siut aratatc 111 f1gnnlc 8.ll,b 91 c.
8.3. 'fiRISTORUL
8.3.1. l,iristorul conventional
'liristorul este o structure{ pnpn prevaz-uta cu electrod de co1nanda prin
<.on,ctarea zonei p adiacente catodului (fig. 8.12,a). Electrodul de co-
-. :- se not __eaza cu G .. In figura 8.12,b prezentam simbolul
tcestut dtspoz1t1v, 1111prcuna cu sensur1le pozitive peutru curen}i !?i tensiuni.
'J'iristorul dec;cris in acest paragraf se couve,:fional deoarece el cunstituie variauta
cc a mai des intilniHi.
.. Dispozitivu1 se poate atnorsa, priu lllJec-
t(.uea unut curent pe poarta (vG > 0), la o tensiune mai mica decit tensiu-
nta V so de autoatnorsare. Ac ... as-
ta functionare, asetnanatoarc cu J, J2 JJ
a unei_ triode cu gaz, i-a ad us A //
d(nnn1lfl'a: Tl !?a/ron trans/ .. _ P,
1
t /n; C
TOR. . c;
Anal iza pror.eS\.: lor fizil , Cl'
au. ]r atnorsar a 1 iristc rului
pnn
conduc}1e BC trebnie sa fie lhllitat de circui1ul ext rior pentru a prLVflll
Cl .. trug rea dispozitiYului pl ll1 l}aca C11Tl'l1ttt1 d poart rt cste lllUfl:
an ('
1
a poate av{:'a Joe la tensit1ni tnjc i Jlcstc o 8J1tnnita
t 1 d ' 1cla a
a uren u UJ e poarta an1orsarea cf ctuindu-s<. djrect pc tnba .. 'r
OB, 1a o jonc1iune p11. 1n functionare 11onnah\ tensiunea anodlra
tr bu1e s"' f' "' d " . . 1) " IJ'1i co1J
11
. a ... It mat. n:1ca ec1t tens1nnea de V no (
11
w;i ..
tare d
11
'ecta .se aphca pe poarta. u11 curent 1'c
1
, carnia 1i corespul1d(;
0
1
)orts
une d aprlndere vlJOl < v A' 111 polar?'zarf 1.117)CJ'Stl tiris1 ornl sc (DlllJ
11
. cl rt Jnl"J11 1)ri 11 v 1 . t 1 C'C i 11 d
U l) ( () t. / ' I
l
1
t nlic 1a 1<>1J Slltn a 111-
Jlltllll ' ...
11
v V dtC loc strapung<.:r 'rt
' l I t 1J
8
l4)
t' listondHi ( f1 g. . .
1
n bloca t HJ'U 1
1 ll
c
cnrcntulrA ast-
tl > t r. I ,.!'' . 1' v
c
.
1
C'l tn111Z1stoan.: '..! .1 , 2 sa v.
8
A
il' c ... ...
. .
1
x }n n g1unra actlva 110nna- __
1
..,
rc..:vu (..lo ) .. .. o v. v.
l(t -l-. trJJ2 . sa\ah,.ngt.,.a \ H 802 lJDf rnn
0
\'a loa rv : u Jll211 ... adr a.. 1 <
1
eas a
rcalbcaza 1 11 su J '\
1(
'lt<'a d<.:; 1net11Jnc:rc 1 ll sau sea-
), d' ... 1
zind tcnsiunca ano 1ca su ) va-
Fig. 8.14
Joarl'a Y:l
11
Jarg acc(ptat{t
ide ca ca duj){'i G1JlOYSarc fJoar/a
... sensul t<' nsiunii p anod. Daca senntalul de blocare est--. e daca
' rsam t .... , p d un
ta
0
dnrata a a estuta, nunu n ,1112 e 'I'C'i.'enirc P" Itn ..
b
e:n;_locarea
1
m ::ue Joe. lu tiristoarcl rapid timpii d.., com 'tt.-Poarta,
u care IP ... .
1 1
t d
1
. u s ...
d zecinll de micros { undii.. jar 111 tllstoare c cu c-;- c ore mnl a dtev . tnt
. cnnde. Timpnl de blo arc cstc in mm lllar dcdt eel dea
di t
w ..
c a. .
Tiri ... torul poalr fi cu o. tensnu1e co:1tinua sau 1
ativi. La alimeutarca tiristorului cu o pe anod
+ionarea lui cste asemiin!itoare cu a une1 d10de semtcouductoare cu ..
t " t" t"' " J eose
birea ca intrarea in conductete poa c 1 m 1rzta a m raport en ince
. . . putul
altemanf.et poz1t1ve.
Tiristoarele au capatat 0 folosire larga in COtnand t
. 1 d . _, . ,.. t ae
n circuitele de con1uta}1 , ce e e 1mptusur1, 111 genera oarele de te115 ' 1nne:
lirua:r-variabila etc.
de putere. supordta curet:r:ti def.:udtc de atnpcri 9i tensiuni
V
80
ptna la lt.. V, tensntnea e tnen ,1nere 1111 in j ur de 1 V. Raportul
ntre curentul con1andat eel de con1anda C'ste de ordinul 1 000.
, ! parazite p:in cre9terea prin efect dl'/dl
tf1:1stoar
8
e.
16
EYttarC'a acestor ... an1orsar1 sc ob}ine prin solutii
e no,IU'
6
JLce ca 1n 1gura . , a - structura cu de c1nz'tor. Curcntul :
pe circulii spre ca!od traus:rersal _re directia AC, strabath;(j
p
3
care se ca o Rgc n1ontata intre poarta
st ca!od Gde:ea ce 1a pe jonc}iunea cato-
direct din partea (fig. 8.16, a) a act::stli
JOncpuru, avmd ca efect o .de din zona nt in zona p3,
conduce la n.morsarca d1spoztt1vt.tluL Schetna echivalenta este data
n f1gnra 8.16, b.
. , ...... rue ur o u arcs. de e1n1tor), se poatc adauga o Pentm"o .. st t a b' (f" x ""
xtenoarl tntre. poarta cntod pentru a st:abilitatea termica 9i capabilitatea dv/dt.
e Fototiristorul. .._t\.tnorsa-
0--t-----1
G
J.
I
A
a
Fig. 8.1G
a
rea tiristorului sc poate face
1.,.
sub actiunea unui flux lutninos
I
care, intrind printr-o fercastra
practicata in capsula dispoziti-
vului, numit jototiristor,
reaza perechi <Jcctron-gol la JOnC
tiunea central a J 2' creind astfel
posibilitat a ca prin
C'llrcntului si a factorilor ap
se condi1 ia de. n-
morsarc. J)jspozitjvul sv pn.un
trt d tal1at in capitolltl 10.
8.3.2. 'firistnrul tttrodil
'fhistoruJ ht rodu c.::st
101
1
jHJZiUv pnpn la care se co1ttaclc d
i eel d, a l patru lea stral
1
A
A
J
2
o----
r; ..
c
c
a
b
Fig. 8.17
(lrrt' are tot rot de poarti1 (numita poartii a1todicci, G.... pentrn a o arose h..
de poarta catodicU, Gc) (fig. 8.17, a). Acest dispozitiv en patru terminal:
are doi electrozi dC' cotnanda. Simbolul lui, itnpreuna cu sensurile pozitivt
pentru curen}i 9i tensiuni, sint aratate in figura 8.17, b.
e Amorsarea. Pc poarta catod ica tiristorul tetrad a poate fi amorsat
ca tiristorul conventional, prin aplicarea unei tensiuni sau a unui impuls
pe poarta anodicU dispozitiyul se poate amorsa prin aplicarea
une1 tens1ttn1 san a unui i1upuls negatiY.
rresupunind Ca atnorsam tiristorul tetroda printr-O tensiune negatiYa
< 0 pe p_oarta G ,., jonc}iunile 1
2
13 vor fi str3.b1itute de curentul
z.A - 1GA, iar Jonctiunea J
1
- de curentul i.
4
; prin jonctiunea centraHl.
curentul este :
. .
l.t - 1GA
(8. 6
de u n de' :
( 1 -- <'l.J. 2) 7G.1 + I 0,-
t... = _______ ;_ __ __;;,..::_
1 - ( O:Fl - 0:I<2)
{8.17
en pe poarta anodica n cc
111(ll rn are d(cit pc poarta catodicli.
ita un curent de comanda
. J)acrt an1orsa r :la e fac si 1nultan pc atn btJ
(8.17) rt zultrt:
por}i, diu relatJ.ile (8. 13)
_ a.p;.iGc + (1 - _j-
1 - ( O:FJ + Cl]2)
[8.1
ist nta l i d -a d ua ri d d""
utilizal . nl . t' . t I . yo. rl c com an <L extmde posibilitatile
u 1,
1111 1
. _ ;;
1
18
/ 11 m .t tJ .m en a' ka ale tiristorului
- iu ac l. . 1 n1 lntposibll d r ahz t u tiri torul oonvenf.ional altelc
1 d
1
r m dar I :t!orman_t imbuni:itU.jite. Tiristorul
u dus . Jt unor 1 ut rt d1s1pat ,1 al unor tcnsiuni de lucru relativ
l
CJ. I
. in !'-\t 1t ob iuu 1 rin
tr. u 1 toar. "' 11. 111 1noutatc in
h t a ,, 1 r.1n d11 1171 tni 1 oroane tircu-
ut 1 t ru'- t uri d trat r p1 (fig. 8.1 a) .
"t l'hii ului ilit'iu l 1 d - 1 doilea tran;isto;
t. ' 1 t a , trtH.:turii t t pt\: { ututa tn figura .1 , b. Difu-
'l rt. hz( a.t:.... in n]tan. t1 Uctura llC fiind Jnai '"" Utnpa d cit nn
... nar.
t:l a an1 rs'"trii 1 arnzir JJrin "f et dr'dt. Ti1i toru1 e
nect In circuit ca un tiri tor conYenJiona1 a tionat pe poarta G
. In .. chetna din figura a. 19, a influenta t..fectului dt1/dt e te
{: ra a pnn in arcarea de bariera c1 a jonctiunii entralc la
1 prin R1 R , inainte de apiicarea t nsiunii pe anod. In scht-
a din c.l9. b t.fectul dt
1
dt anulat prin incarcar a capacitfitii C
1
::.a o tens1une mai n1are decit tensiunc a anodiciL 1 n an1 cazuriJ fen:)iu-
I c \
a
b
Fig. 8.19
z ell It a 1
", ,,,.urcl d t/
1 i ( ' ,, ll
") 'l itl'-.tOI\1} t tH tt po tt
(ltat (.1.\111 ttnttti tor zfu lU
L't )1\"'-l ' ' }' 1
l1 t
01
ul n 1) ( 1 .) 1 l 1 11 H o tl d.t h, ' l""
11
11
J\ (fig;. R 20). f.;,tn:ina UL poatt
I bl l 1) .A ' 1 . 1
1
t t :--l in cilL'tllt u poq n .. u o tc\,_ ; 1 ('7.1 ..
J t11011 "f l 1 . ...
Jl p 1ltbuh Scl lH: c \'aOfl.lt' nuc.t,
1c.:ttla \..,
1
tl._lnzistotl11 11pn 111
Ht Ill . . 1 1 . 1 d ..
P . lup 't S\.:111110. u tn c c con1a1ll '"'-
I.lltL tia ( J>ucrttcactia 11u '-st( pn,t pu-
)t l) ) d
7
c. d ... t . 1 1 t
1 . v ul a poa <..: 11 H:ts u a
t ru1c.:t1,
1
. . .
1
)1 i11 a1>licar a unu1 11n1nt s n<.:guttv
'-1 . . 1 . . . (
'I r"' s lU d nnul nnpu s P' zttl\ pt , ,.
pl I(
r,
8.3.3. Tirisforul lioptratjonul
r
'\
Ftg. 8.20
.
1
.. hioJlcraionnl poatc fi blucat f'riu aplicarca tt1! 1r t pul
1
; " "'1 1 d 1 t
t
,, pontt/i. Se 1na1 1nt1 ne9te su J <:nuuur a c e tr1stor c are
11t a lt.C t r 11 t' + 1 t b ..
P
;ar!c'i. fn
.-1: . T' 'Y (ll 'Y < 0 la u11 tranzistor 11pn) jonc}iunea ?:ceasta
fiind
1
1111
1lntd port "sttl regenerativ de con1utare a structurn. Dat
]. fiz' 1 PV "' .... t
1ninra . .
1
por )tune a de r z1st nt'a negattva es e aproape
I
111
a
1
1
1
ll1ln n1clinata fa1 a de ax a t nsiunii decit la un TU J
1J 8 .
sc J>t(.'ZJllt u cireuit cu dlspozitive n1ultijonctiune cu 'I'U J.
0
J)(j"llh y l
ctrcutt
20)
electron lee
C ap-itolttl 9
DISPOZITI\
7
E DE l\flCROUNDE
9.1. GENERi\LIT ...
1\ficroundele sint electrotnagnetice cu cuprinse
intre 1 GHz (1ungitne de unda de 30 em) 300 GHz (lungime de unda d
1 mm) *. Aplica}iile microundelor sint in principal in domeniul radiocomum-
cat]ilor radiolocajiei.
e n1axima de lucru a. bi a ajuns
in prezent In JUT de 10 GHz. Construc}1a tranztstoarelor de mlcrouude este
deo ebita pentru a asigura atingerea unor frecven}e de lucru ridicate.
In capitolul 5 atn asociat frecven}a de taiere, JT, timpului de difuzie
al purtatorilor minoritari prin baza am aratat ca JT atunci cmd
grosimea bazei scade. Dar grosimii bazei atrage rezis-
tentei distribuite a bazei (rbb'). Aceasta determina impreuna cu capacitatea
colector-baza o con tanta de timp care litniteaza performan}ele in ale
etaju1ui de amplificare (paragraful 5.10.2). capacitatilor tranzis-
torului inseamna reducerea ariei jonc}iunilor densitatii curentu-
lui. Se folosesc di\'erse tehn1'ci de fragnLentare a e1n1'torulu.i pentru a evita
coucentrarea excesiva a curentului de e1nitor (fenotnenul de aglomerare
1uentionat in paragraful 5.6.7).
e Tranzistorul unipolar poate a tinge frecventc mai inaltc .. E te
vorba de tranzistorul cu efect de c1tnp intr-o versiune in care joncttune.a
pn (capitolul 6) este inlocuita printr-un contact redresor (Schottky} polatt
zat invers. Drept tnat ..rial setniconductor se GaAs
dcoarece mobilitat a lectronilor este mult mai .,1nare decit in sthctu.
e Amplificarea generarea microundelor se poate face nu num
1
cu tranzistoare, ci cu diod cu rezi t nta negativil. Un prim
de astfel de dispozitiv st d1'oda tunel (paragraful 3.5.6). Aceasta dto
ofera o caracteristica curent-t nsiun in fonna d N, cu o portiunc d c;<.: n
. d 1 ta (fig. 9.1) in car r zist n}a dif
l !/.!_ < 0 11 )gativa. Ac ast a rczist nr poat C?DlJ>;
11
pl f I
dv d 1 il ;o dintr-uu ir uit r zonant,
1
1
intr }in r a ilatiilor ( , d 4 capttolu
Put r a g n rata d disp zitiv e t
1111
11
ordinul Inili\\attului, v ns inul
10
Put ti 1nult n1li u. ti
1
i f ' nlult
0 v in It pot (:;tiu u d1od' (..,ruzu u
llg 91 11. Prin tpiul d
1
""'"' f11
:ll )
. itive este complet diferit de cc:l al dispozitivelor tudiat<:
1
11
preze?tat. in paragrafel_e urmatoare. . "' .
,l Famiha diodel?r ... de est: lJ.lal larga. D1odele , ara tor
nt onc}iuui p11. folostte 1? t ... nversa care :e ca ni t
51
a a caror <:_ste prtn Est
desigur, de de ba:1e_;a a JOn.cjlunu p11. Pr1nt_:-un _pTofil
de iropurita}i cu o se o"?t:ne o_
nuntata capacitate-tenstune. Rez1stenta electr1ca trebu1e sa fte mtc .
Diodelc yaractor se !ol?sesc pentru co?trolul _al frecventei oscila-
toarelor, pentru amphf1carea *.
Pentru detec1:te ( cap1tolul 1) nnxare se
dresoare a diodelor Schottk!r (capttolul 4). Aceste dtspoztttve se reahzeaz;t.
capacitate mica, pentru a evita efectul de sc.rutcircuitare de la frecventt.:
}nalte.
e Un dispozitiv a parte este dioda pin, prezentata succint la
acestui capitol.
9.2. DI POZITI\TE GG_ ...J.
Dispozitil'ele Gunn sc bazeaza pe .fc1 o1ne1 ul 11 ausjrrul1.li de electro1
cafe apate t1t a1tU1nitc se1n'ico11d1tctoare (dintre care eel mai mare interE
prezinta galiul-arsen) se prin exi ... unei caracteristici
v. = t', ca cea din figura 9.2. \ iteza de drift a electronilor reprezentat:..
n func}ie de intensitatca cin1pului electric p1cziuta un maxim. Caracteri ti-
ca este prezen}a 1120bt'i'itaf.t'1" dtferenf'iale 1zegat "ve < 0).
I { t
11
ll {-
l
tr m1
i toarc nntonductoar
aJiz aza in pr ZEDt U
Gc s
2fJ
(&g. 2
I q n nt
l
'form) t
1
)roportiona1 u iuu(_)a a1licntn. J\n1. oL .
n c"" tpus unt " . OJ d N ( .. tin(\
t 1
0
rczist
0
nta 11 lini'"lr 1 cu ... 11,1 \;; 1 hg.
"'t Cl t"tld inten ltat 3 Inlpuhn 'aloar a .,de vuf'' il
..-1. Ull .... f 1' t t . . 0
9
?) elni onductor n lo 1nsa ne t: a 1 a 1 v 1101. . Re1uar ... " 11
tlg. . ... ' u :::s 1' 't 1 . . . "' catn
. t"' ...
111
nn +, la 11n1 e e zout:l n. apa1 e o sarc1na spa+t'
1
...
Ill a1 111 11 ca - . .
1
+ i\,... ... 1 d l r a a
d t
.t z
1
1
dtn zone e tt e rc art di l
a on a . .. ... " d .. t. . . . c ec-
tr1ca (cttnoscut din electrotehnlLH) consta 111 sarctnu spatiale
b
.
1
dintr-un conduct r 'tl "onstanta -r,. = ref <:S ( "t',. ftu:d tunpul de relax:ar
lllO 1 e . . 't t ) P t d t t
d
.
1
tr'ca"'
1
ar o- _ conducb\'rl n en . ru un senucon uc or de tip
1 c ec 1 , .
1
( ") d 1 n
dopar
>:\a [\T viteza el ctron1 or v, = v, lt, tnauuca rmc1 or deviat
1
1
t:U - D r . d l f. ; .f. '
de la neutralitate va fi des\.,risa d, nn hnzp e rc axare l -rd
d-v ,.
=-.
l
t
(9.1)
DaLl mobilitatea diferen}iala fld este negati va .. !impul de :elaxare
deYine negatiY fenomenul de relaxare dtelectrtca se transforma dt
I:pt in opusul san. Cu alte CUYinte, in loc ca de la sa
dispara, se v-a cresc expoD:enttal cu de tlll_lP -r
4
.A.cest fenotnen da une1 comportar1 extre1n de dtverse
de interesante. . . . .
Fie T ==L/t' timi)Ul de tranz1t al electron1lor pr1n zona n de lung1me L.
L " . J
Daca punem conditia T L I 't'd I, ceea ce rev1ne a
?\T L vn
J
ql dvnfd$J
(9.2)
atunci neuniformitatile cimpului ( deviatiile de la neutralitate) nu au
sa se dezvolte deoarece tranzitul sarcinii este foarte rapid. Ca urma:e,
cind se a plica o tensiune continua la bornele dispozitivului _se. oby1ne o d:s-
tribu1ie stabaa a c1npulu1 intern. Teoria arata ca are loc o lnJect:e
bila de sarcina cimpul nu este uniform. Ca urmare, caractertsttca 1-v
nu reproduce forma lui t'u = vn(&J). .
Daca, dimpotriva, eonditia (9.2) nu este satisfaeuta, atunc1 event_ua-
lelt neuniformita}i ale cimpuiui se dezvolta apreciabil pe durata
lui purtatorilor de sarcina. U n astfel de fenomen .este cu
la figura 9.3 .... !\lei se arata distribu}ii ale chnpultu electr1c la mo:ner: c
1
timp succesive. Initial cimpul electric este peste tot mai mare dec1t cunpu
212
, .. , ,., s
I
--> I \I \
I \
J .. , I I\ \
I \ I \
1
2 ,, I l I \ \
I I I
--- j- T-\-1---,-4--
---- I "-t----\-
I I \ '
\ ' ,...., --.-
.X
Fiq. 9.J
f,
t
tlf _ _.-
0
Acutmtllll'l'
n
1
Stiroc1rt'
-/-- -
-/
S
rJttuzrttor tuaxintlllui cnrb i v -= v ltig 9 2) 'I' t .
core ... .t: .i l' d 'b' n \ ' Q s 'lUlCOU
c.,,, t rt.tl estc un tncc 1 cu . con uct1 1htate d1feren+iala negatl'v"'
1
;--
dttL o . .... f . t t ... ...
1
. ... r a. 1gura
g 3 arata o tntc.a ncutndt ?I nllt _a Ee "'ta cttnilJU nlt ttl moluentul in.i}ial.
, . ttnde nnut stra tpo at. s e vor )U r e un dublu strat const" d 1'
cot(;Sp d
1
t 1 t" 1n c tn-
actnnularc c .e ec ronl a s 91 strat de la dreapta (fi
t1
4
) "cest strat d1polar se propaga odata en purtatorii de sarc
1
na"' D.
g. . ..'-1- f tu1 t 1 d. " . OSt'-
bit de interesant este ap .. ca s r_atu, ln se extinde tot
. mult deoarece electronu conttnua sa se acun1uleze la coada" ("'
nhll ' d t t f t
1
. ... ... ', sa tn
t
. ga) Aceasta se a e ap u Ul ca 111 stratul de acumulare elr..ctron
S 111 o 1 d t ) V A t A '- 11
fa}a" (mat a. a se gasesc 1n :r-un. c1mp de intensitate mai mare
''. au
0
viteza 1na1 ( < 0), 1n ttmp ce electronii din urma au
viteza arata cum_ cimpului elec-
tric apo1 s.e 1<1: o anu:xuta forma (aici cimpul din exterio-
rnl dipolulu1 s-a a .... azut sub valoarea Ca urmare,
se de ... domenn ca.rc calatoresc de la ttn electrod la celalalt.
in
1
nomentul 111 care aJunge electrodul colector, se constata
un itnpuls de. 111 c1r.cu1tul exterior._ Dupa dispari}ia domeniului,
citnpul . electrtc d1n. nou & M aplicata la bornele dispo-
zitivulu: este c?nstanta ma1 ca Jtf:, L este lungimea zonei
11 ). Sc formeaza un uou domen1u, de ob1ce1 la electrodul negativat,
acesta spre electrodul opus etc. In rezumat, aplicind o tensiu-
nc continua structurii, obfincm oscilafii ale curentului din circuitul exterior.
este obser_vat initial_ de Gun.n. Frecven}a oscila}iilor este
cu dlstanta L fl destul de ridicata (j = 1/ T L ,
daca se negl.lJeaza tnnpul necesar pentru :torn1area dispari}ia domeniilor;
TL = Lfvn f = 10 GHz pentru L == 10 p.1n V
11
== 10
7
cmfs).
0 Xota. Varietatea fenotnenelor intilnite in dispozitivele cu efect
Gunn est.: foarte deoarece eventuala forn1are, propagare disparitie
a : atit prin particularitatile de constructic
(a cartu ar1e transversal a sau do pare poate fi uenniforrna).
Cit pr:n alegerea potrivita a circuitului exterior care poate fi, de pildak
un cucu1t rezonant pc: o Irecventa oarecare, diferita de/= 1/TL.
tT Dioda Gunn propriu-zisa este un dispozitiv cu rezistenta negativa
u
1
IZat in circuitele d(_ tnicrounde. Cara<teristifa este
n:prezentat"' " f g - .
In ? .... -\.ceasta are o rcgiune aproape liniara (sub tenst-
;;t
0
r:gtune propagarii domeniilor stabile.
dr\sc atnnct cind v iunca prag 9i dis pare
sub ,a attnge . l _ctrodul colector) attUlLi c1nd tensiunea coboara
tunc a de su "'t-1 r; A . ... . d" d .
. t : !S1- lll'fe I min tUUCl C1Ud teustunea 1a bornele 10 Cl
ul de funLtionare deplaseaza dupa cun1 arabi
. 111 tgur1 l) 4 (" r
0
t'" h . .
nz1stor nellui\ ..c. .. a un J)Ioda St: poatc rnodela ca un
r
0
'nr
1
f4
1
I>?rall en o capacitate.
/>.(lru7rl .,.,c , .... '- ste al functioniirii intr-un circuit rezonant
zJt 1 " o r,.; cv< llf,a IJ T ( . ,
; . u. don1c: niilor) . a cu .r- p_enoada este cu tr_an-
.\c
0 1
. :\
1 1
a1 , r osctlatu ale curcntulu1 la fel ca tn c1rcuttul
(II)"' 't ' (a Slflt lt1S"" ttf "' ' ' "'
r .''- z1 IVtdui ( r r a -c.n an 'ly aza cu t ns1 unea oscilanta la
ll;t
1 1
'1
1
u
6
) .. t fcnon1cn poatl! fi descris pri u conceptul de
00
Stthqii). a care cotnpenseaza pierderilc din circuit (deci pennite
213
v
l
I
o'--------+--
;----t---t
l
1
L I
0
v
c..___ __________ t
Ffg. 9.5 Fig. 9.6.
In pral tic a. se P?ate ob}ine sincroll:ism. perfect prin lgalarea
perioadet de osctla}1e cu de reztsten}a negativa apare
fcnomen;tl ,se pr1n .. cfectul variatia
tensiunn la borne 11 are asupra , ,lansaru domenulor ( atunc1 c1nd
ML) i respecti, asupra disparitiei acestora (atunci cind v scade sub VJ
f1gura 9.5). Curcntul inregistreaza aceste fenomene (a se vedea
tica cu hysterezis din figura 9.5) se afla aproximativ in antifaza cu tensiu-
nea.
Diodele Gunn pot furniza puteri de zeci sau sute de tnilhYa}i la free
ven}e cuprinse intre ciriva gigaher}i zeci de gigaher}i.
9.3. J)IODELE IMPAT1'
Diodele IMPA1T sint dispozitive care se bazeazii pc ionizarca prin
i1"1npul de tranz1t (Il.Vll)act Ionization Transit Time == I lvf P A I'T). Elr
gencreaza puteri de c1}iYa wati in re:gi1n continuu oscilatie, iar frecvcn-
tele de lucru pot ajunge ]a c1teva sute de gigaher}i. .
e Funef.ionarea di vului est e explicata pe o strnct urrt ?e ..
11
P
p+nip (fig. 9.7, a), unde 1. stc 0 zonrl intrinseca (concelltral1a tfcchva de
impuritati est e neglijabila).
1
r
Sc ajJlica o tensiu11e ( cu j;lus pe n +) .suficir1lt. rlc n.zarc 1)
011
/
1
a provoca strapungerea 1nultiplicarc iu avala'1'l$ll ta JOncflt!nea .... P
chnpului (ste dcSCl:at lll 9.7, b. VOHl 'ach.n:,t"t can(al ll
poz1t1vul cstc: ... polanzat 111 cu ? :sursa d . .lHi dt
presu pun em ca la bornelc dJspoztt 1 vu h11 aJ>ar o tr>JJSlll 11<:
ll a
foarte inalta ft( cvrn}rt (fig. 'd.7, c) car .. oscil 1u jurnl tcnstunu c
th
pungerl! 11 JJ, atunci coust atazn g i111 rna a unor .HPr
1
ht n1 H'
purtatori de sar ina c:arc dau un < u1 ut in autifaz: en 1 n5tUll' n
111
nata mai sus.- " . . . . r fi ' f),7, )
Yntr-adevar, 111 tunvuJ J a ,t ,ns1unu ( g ,a] u
d
t t t .. t 1 d .. lt. 1; r 1n rt\
enst a ea pur a -.)Tl or r .. sarcn1u g u rt 1 J 1n 1111.1 Jp . ...
1 1
it t
va rapid in tin p. In altvrnanta n ga.tiv 1,
< ,
1
t Jul tl
t rt
""' t . " ""' J., JJ t t l' l' 11H l 1
ac(s or pu a or1 1n tp<: sa Sl:C.C a. c'- 1.1nnar , u ns, ' it11 1
l ct
. . . . d . . ,. . . . llt a un A
t e ron1 1DJecta}l J011C'1Iuneu i)-tn tn pr Z!
1
n (I
t 1
" ..1 I 1 ') Jlll r ](hlf
lnome11 u 1n car 1 nsnllll a ]a h 1rn ulO 1 1 1
214
..
9 7
c d). Pachetul de electroni
nu se disperseaza timpul
1nJec rtului prin regiunea deoare-
t ranspo t t"'
.t za acestora este cons an a
Ce Vl e . 1. 't"' (
e egala cu vtteza 1m1 a sa-
aprotay) Aceasta deoarece intensitatea
tnra a (f. 9 7 b) t
,. . lui electrtc 1g. . , es e
cunrtpu mare Curentul indus in cir-
foa <. h d
.t
1
exterior de acest pac et e
in tranzit (pina la
d
C
atre zona n +) are forma unm
lor c (f. 9 ""'" )
]s dreptungh1ular tg. . I, e .
nnpu 4 t 1
D
" timpul de tranz1t es e ega cu
ara d 1 t d
umatate din per1oa '!- osc1 1e1 e
frecven+a, atunc1 fundan1entala
1na a r " . .
1
t .
cunntului indus 1n ex ertor
, te in antifaza cu tenstunea la bor-
es . . ..., p t
t\ccst defazaJ astgura co1n or area
negativa a dispozitivului.
faptul defazajt;l r ...
din efectul al
prodnse de generarea 111
nspe<. tiv, de transportul purtator1lor.
1
"""
' ...
, .
..
0 Observatie. Daca se calculeaza
t .........
putcrta instantanee generata. se
raporteaza la puterea absorb1ta de
la sursa de curent continnu, atunci
s\: ob}ine o eficient-tt de g care
atinge Yaloarca optin1a peutru un
titnp de tranzit egal en nu1nai 0,74
p't
n
i nt
-
t
v
0
0
0
fig. 9.7
'
l
l
-o
v>
X
0
0
b
t
c
t
d
din s'- 1nj perioada oscila tici. Deoar
tin1pul d<:. tranzit cste fix at prin onstruc}:i<:. 1 ulta rtru fie care dispozitiv
o ophnu'i dctc1'1Jl inata.
. Circuitu1 cchivalC'nt ul dispozitivului uprinde o tenta ncgativJ.
( capacitatt in paralll. \., asta din ur1na st iu 1nod esen}ial capa-
Cltatea de bariPra a j n '!innii.
I 11 J\'I1.' r alizeuza eu sau G .. constructid. lor
pmw c1 o. cbit , legat \ \ rtgiinul critic de funcjionarc. 1'rebuie
d lgnJ a l Ult r a in nngl"r I a d n itt1 ri de curcnt. P ntru
n 1nuu t d t "
1
pu t a g 'll 1,11 :l, sL 111t1.r 1 utcr a di --lpatd pe tspozt 1 v p1n.1
a tr 111J>(r tux i }f lu rq , j H,L1iunii k 200 .
(. 1)
a
c
0
I
- v-
I
PI
I
I
Nl
01
I I
NA
'
l 'n
l
I
1"\
X
pig. r), la fel ca la jon t'
I 1 otiluJ citn pului Lle tric <. Hlnea Pn
C(;] din f
gura 9. . d. 1,
0 ro1a. In dispozit ivelc n:ale .
nea cct1trala nu poate fi r;g
1
u:
. J ,, d t"' \' . ... ...... ca t:t
n un1a1 s au opa a. 1 1c1 regi unea cc nt'r- "
Ya fi cornpl t golita d purtatori ])rtu u
1
l.a
. t . . . ap t
C'arca UllCl Cll:;lUlll Ul"gatlVC (lllillllS ,
. - .._ l)C yr.
g1unen p). "'
0 dioda pin 11olarizata r
1
Sl l Cltl (ROL- 41) (ste pte-
Sltnt
10. ;_ se considerrt o inten-
nxuhn Ju1n1nos ch 75 111 \V jcn1
2
,
p n
'I
Fig. 10.7
t ....
J iq.
w W/0 .51JlJ 6/ll
I'J
(+)
(-)
Fig. 10.9
,pun t r radiatici norn1al0. Se obscrva posibilitatea ..
11 1 put n 1uaxir11e in sarci_na de 35 111
0
fonna cvasirectangulara a ecranului. Constructia sa impune masuri
Peltculo til' olum'lltll
Lvmtn11/ilr
_=i r------.J
+
lg. 10. 15
FJg. 10.16
227
1 d c. ' 1 tar a i tn p 1 o i u .. u d... . u ti "-" o 1 .t h . ..._ i (' t t 1. 'l'u
1
.., dlft
1
Blt { ou-.;tJ u t n 11111 :1111 111 futh..:ll( d
JJ ( c.,OJ J f<._ 111 cl
1h n gtu oJor) . j. .
Tubul alb-llegru uttli (_ { . .1 Hll snJg1ll ns .leu} dt el
4
1
s ,
11
t
1
dJn a
1
'- haJJ at '-- 1 tUlul c n11n ......
1 t d 1 t ( h ' .. . t .. 1 . "' I L ""'
ti 1 l
"n :it iu urtlhl t'X 'lt nn < nu unnu l a a : actastltu
\3103H l d' .. tninl
1
atuJ LOlllJ)Untlii 1nai lllU1t r 1 a htln 111011o ron1attce. Ton .
t.. t l lt Zll 'l 11 d Utile
d l>1 lll(Jgtnd dl Ja ..tJb la nt nl. s o pnn on1an a tnteusiti. .
.. l g
1
1
'
111
u
1
ell houi. J..,nuljnofotul < 1nit hunina 111 toate direciik
dl su l u .
1
1
,
1
. t ... lt. ... ,. . a It
t. ti l .. t<..J ior. cit intc...11 1 t ; as a u 1.n1a antre-
1 c.tdeiL in
11
01
tant.l tr 1Ju 1111 poat(\ dct rnuna, prtn reflA:iJ
n<: ... ' "'d t t 1 D -..J. e
l Hlh:li ri ai .r a con e aceea, peste
hlnliuofor L su?ttre .. d en :ol oglinda.
Al ... p li ul:i lunnnoa"a, :c.upettnd lutntna emisa
dt: 1un
1
i
11
ofor ; totodata!. p l1cula d _est suftcten.t de
p ntru a ii tranSJ)arenta 1a tr a .c ..
TubuJ cineseop eo)or poate as1gura redarea oncar 1 culort pnn ameste-
.:ul in p1 oportii difltit f1'C1. c1.tlori pn1na1_e : ( R), (G) albastru
B). Pentru aceasta, ft care punct al unaguu1 stc reahzat prin contri-
bupa a t1 r 4011e foarte 111ici de lu1111.11ojor, fiecare specializata pe o culoare
prin1ara. F rma zoneJor de lutuinofor poate fi circulara (punctifortna),sau
111 benzi, iar nun1arul lor ste foarte n1are : 1 -:- 2 tnilioane. Tubul cine-
s op prt:zinta trei tunuri electronice ca ur111arc, trei fascicule de elec-
troni ; ace te fascicule sint baleiate sinulltan. Fiecare fascicul este speciali-
zat p cite o culoare primara. Prin reglarea intensitatii fasciculelor intr-o
anu1nita . se straluciri ale culorilor primare, pe
car och1ul 1 tnterpreteaza ca o senzajte de culoare globaHi.
. fundamentaHi a tuburilor cinescop color este asigurarea
tratectonet corecte a fasciculelor de clectroni, astfel incit fiecare fascicul
sa cad a nun1ai pe zona corespunzatoare de lun1inofor. Acest lucru se
ob}ine. prin cal:a fasciculelor de electroni, in apropierea lumino-
.a une1 matl pe;forate. Masca con}ine un numar foarte mare de
gaun, ftecare corespunztnd unui ,triplet" de zone de luminofor. Fasci-
culel: pentru lumi!1oforii triplet vor trece prin
gau:a a In figura 10.17 se prezinta doua varia1:1te
r alL/an a acestu1 procedeu : lu1ninojori d ispu $i in delta (a) luminofor't
FoJcicule elecfroni
(J
228
Fo.rctcule tie
Fig. 10.17
. t lntt i (b) l'tintul laZ {Stl tort.}nlnzator tubtwtlo' ...... ....
i
pu st .,.,, f + 1
, rs dt!ta''. I\lnst ..1 trl r ora,. 11 ctrcu art , e este realizatl
,rom 'j d( g1ostn1<: 0.1 : 0,15 nun 1 cup ind circa
de oje . fiecarc d.vind dia1netrul de circa 0.3 tnnt Di tanla dtntr
de tnnt. .Accst tip. de tub pun<: pr?blem( d in
1
cstc .. gcntei fasc1culelor (s1tuarC'a punctuh11 d(: convergcn+l a fuci
cotl\ cr ... .. f t ) ,.
in intcriorul p<.:lr OI a .1 . f 1 . "
Tubttrt'lc ctnescop a. umtno oru estc dtspus 1n benzi R u-.. ,.
ub denumirea .',In - .L1nc . Mas:a are dreptunghiulare !fi se r alt
din benzt
.
1
Acestf s1tsten1 o . convergenll IUpe noar
a fasciculelor ; rea or a J><?Sl 1 atorttA. progreselor t
in construc1in tununlor clcctrontce a ststetnelor dt reflexi
I0.6. OPTOELEC1'RONICE DE CU CRIST ALE
LICHIDE
e Crista1ele Iichide sint lichide anizotrope care se afUi intr-o
intL:nncdiadi, tnczotnorfa, situata intre starea solida, caracteristicl uuu
1
so}id cea lichida, lfnui lichid izotrop. Cristal
hclnde> s1nt .sn!)s ... tantc apartt.ntnd aromatici sintef
pe cal<:: clunuca, cutn stnt trans-sttlben, tolan, azo-benzeu etc. Star a
1nezon1orfa a accstor substan}.c intr-un limitat de
tctnp<::ratura.
Sub influe:1ta . electric extern, se modifica aranja tuentul
nwlecular. al _ducind la. modificarea proprietatilor opt
1
all: n.ccstuta ... C11stalul excttat electrtc nu emite lutnina. Functionar a
sa "baztaza pc reftexza sau transmisia lum1'ni1, deci este o
pasna. t
Termine/
c .. o77l'n
Ploco
Fig. 10.18
/ '
,Jpo_
1
/u f1C't. It/ crislo/ /,ch rJ
r
r ajn'tolul I I
REGIMUL DE COMUTARE AL DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE
11.1. IN1'RODUCERE
in capitolelc studiat ref?i1nul stafionar 9i
b z d scmnal 1nic al d1spoz1ttvelor sen11conductoare. Am vazut ca tn
1
cul ,ariabil de setnnal n1ic putem neglija comportarea neliniara a
rcgun . f'. d
1
. .
dispo
7
itivn1ui, raspunsul accsttua un . . .
j
11
accst capitol nc von1 ocupa de regunul de co1n.zttare al dispozttt ve-
lar sctniconductoare, prin aceasta in}elegind regin1ul in care dispozitivul
tree(' snccesiY din starca de b]ocare intr-o stare de conduc}ic puternica -
_ comutarca dircctr'i - invers - contutarea invcrsa. Ne vom referi in
mod deosebit la procesele tranzitorii care au loc in timpul con1utarii
direde si in\'crsc. Regitnul de cotnutare este intilnit in legate
de gz.nerarea prel ucrarea itnpulsurilor.
Regituul de con1 ntare este 1111 caz particular al funcfiottiirii dispozitivelor
fn regim de scnznal 1narc, nnde nu tnai putetn neglija comportarea
lor ncl1n1ara. In plus, sen1nalul de co1nanda variaza foarte rapid in titnp,
astfel di probletua de rezolvat este o problema neliniara la frecvente
mari. Intnin1 dcci difi(_ ulta}ile pe care le votn intilni in tratarea regimului
con1ntare, in care putem folosi una diutre metode1e care vor
ft prezentate in Lelc ce urtneaza.
1 1.1.1. llrtuda 3Jlroxiinative a ecuatiei de continuitate in
regim \aria bil
n .
1
.. Ecua}ia de continuitate fiind neliniara se fac urn1atoarele aproxi-
1''
11
pentru a put fi rezol vat a anali tic : '
ll(ut
1
:; lmparte dispoziti\ul in zon(! de sarcina :spatialli in zone
.
11
ntre SC U glijeazli curentul de cimp a} purtitorilor
ti\'rt st. pr re valabiUi la nivel 1uic de iujec}ie daca zona respec-
nntogenu) :
- s. itupuu "O d't" . . . .... .
un avc1n cont .
1
rn
1
tll 1ntj1ale la litnita unor 1naruni asupra carora
c
1
u c.tr ct) a de exe1nplu dcnsitatca de purtatori.
al u ac stc s l.f .....
c: ll! n liniara
1
I cart, de continuitate a purtatorilor (ecu-
u derivate partiale) devine liniara; ea este cunoscuti sub
231
urn
1
d PfUO in dr difuzic . P t u olurH n1in 1 in d'
l{ tl
aiin. dl 1t1n11) Oll' fotn1a: tntr ..
0
.... d( t1p 1 I t
'/ I lJr.(}P.p:,J :l
(. p. 'L, l ... (1
l.I)
1
' 011 nt ra1 in iu .. s fa1 a d hilibl ul t 1"11ll<.: : = p
Ulh l P 1l l l ' "" d' t d' ' " - p >
... d .
1
., f I! a ribut1a :st aj1o:u ara 111 s c;; r a lnatute dn
( 1 1 a , t t t . C d . . . "' com t
11
inut
1
priuh -o , 0 Juh \ d cui 11 011 tnuu. 011 tt1:zle la lim 't'" t,
T1...'
0
! a
1
nsuJ ra
d purtato1i la iute;fata
1
a se
Jnlpun Jn 1 t t (; t" ... . zona de
SflillG ndia nta, pn11 1E'll ltltlCa p a nas a ZOlla;
p;, (O, t) = - 1] (
1
1.
2
)
gl
ad1t n1uJui Jnlltatorilor, prin curentnl la interfata:
u 4.1s upra l }
],(0, t) = - qD,ap:.(x, t)ja.x lx=o (11.
3
)
nuali1ica, p ) fap_tu __l ca uu_ prca (contint
func t]a d ) c
1
oar ) , c .. te apro .... nnat1va, datonta presupullerilor tolosite in
I
r zol vare.
11.1.2. l\letoda circuitului echivalent
Pent
1
u regimului tranzitoriu de comutare al unui dispoziti\'
se po ate folosi circuitul eehilalent Ia semnal mare. Astfel, se .folosi [
un ci
1
cut der1'vat dn 1uodelul Ebers-M oll, con1pletat cu capacttatlle de
bariera ale jonc}iunilor un c!rcuit .in 1t, de. sen!nal mar.e,
Regin1ul de comutarc fund pr1n esen}a un
se gase folosind transfortnatele Laplace ale ecuatulor ataate cuctutulm
echiv alent.
0 ca circuitele echivalente de semnal mare (ca !]i cele de
st:n1nal 1nic) sint valabilc in regim variabil cvasistaJionar in r
calt: distribu}:iile la diverse motnente de timp sint
de distributii de regin1 ca urn1n.re, stnt lnnttate
upt:-rior in
11.1. 3. Metoda sareinii
Daca unui dispozitiv i se aplica un setnnal de cotnandrt a
f
\i d' cltspo
(Ctua o succes1une de comutar1 1recte tnverse, se con . ( i
zitivul n u raspunde instantaneu la semnalul de cotnandrt diu cauza ..
1
. D ... d 1 t"" d . fO'"CSl' 11ZICl'
u1. upa cum von1 ve ea, co1nutarea este ega a c P ": : .. ,- uil(
1 (
. d . ) d v ' " ' '1 t ;. Sl 111 H. gtll
.acumu are e .extractte e purtaton 111 reg1un1 <: ttcn t: .
de sarcina spatiaHi ale dispozitrvnlui. Daca 1n 1netoda
1 nt dispozitivu1 este descris printr-un set d .. (sau
l hlvalent) intre curentii tensiunil pe dispozitiv,
111
eto tl sl,ntil ttl
d
. p .t . l d . . l . . . . . J'' a a cum u
1s OZ1-'lVU este escr;zs pnn re.apr1. curen{u sarc1'
.xccs i11 dispozitiv, jata de l cll1}ibrul terntic. t
1
11
u1
, . . 1 . cu 11
Ecuotia metodei sareinii este for1na i ntegraHi a ecuat
1
'_.
1
c.;
111
1
11
ori
a purtatorilor. d<' ontinuitate a golull
01
232
. t ._
0
It gi u 11l\ 11 Jl( ll tl tl, flanc d dou a jonc}I Ull\ 1 \ t
tn
1
11
(
repr .
catodului. Majorita1 a contact lor r pr zmtii suprafet cu viteza contattu1
recombinare! d i in g ne!al nu .vom av a. cureut de goluritnare d, I
iai'iii .di?, r g:iuwa 11 u u1 ra, golunl' r com lmnnd-s' cu electronii sa
ta1 i UlJ ctali la contact. JOrt.
1
a diodele subtri W), =fi 0. Da.ca admitetn un t
.J ( W) tm
yjafii 1', Ja intcrfa1a x = W, putem sene = qf'r,. Notind P d'
lf'rJ = l/'r1' + 1/'r,,
( ll.SJ
und TJ r prezinta un timp de viata ef(tct iv care seama aft
r combinaree. in volum, cit de cea de Ia interfata x = W, relatia
devine: j
i,(O) = + '.L.
dt 'rJ
( 11.6)
Ecuatia {11.6) se refera la sarcina de golnri injectata in rcgiuuea n
.. apro:cimatia neutralita}ii, .rezulta. ca o egaHi
de electron1 va f1 lnJectata la x = W. 1n reg1m st a}.1onar
are caractPr local, astfel ca electronilor in exces va fi identica
cu (: a a golurilor in exces: p'(x) = n' (x). Daca dioda est e simetrica, atund
trcbui:;) sa tiuenl cont de sarcina de electroni in acumulaUi in
r ..giunea p ncutra.
..
Ecua11a sarcinii nu pune in evidenta varia}ia distributiei sarcinii in
r1gin1 tranzitoriu. Acest lucru ar putea fi dat numai de numerica ..
a cualiei de continuitate. Ca metoda circuitului echivalent, metoda
. arc1n ii adtn1"fc o aprox1mafic : descrierea analitica tranzitorie cu o singurd
consta nta de timj;.
In regim tranzitoriu variaza atit sarcina din regiunile neutre ale
diodli, cit sarcina q
1
din regiunea de trecere. Acestei varia}ii ii corespun
d un cure>nt de purtatori majoritari i
1
, care t rebnie a daugat Ia curentul
dat d cuatia ( 11.6) :
( 11.7)
t iu1
U1Jde: c
1
<stt apa.citatea joncpunii, jar 11 - t lJSiU1 lCa pe JOUCrO) l
Cur ntul 1'
1
<st im p01 1 a111 dnd dil.da 'st
1
Jll lariz1.t1i. ii2v (vi < (l
lu gcn raJ, s poai nglija ind dioda st polariza n dH ct (tit
,. t 1 d "" . . . . t ,] . u r u t tll nl
caz 111 cur 11 ..11 ptu t' t r1 lnaJOrJtarl s 11 1 a u . 1
d inj .at pt11t1itOJilor 11 i1Mita1i. t !alia (11.7)
1
)llll
1
1Joatc hn1ar1zn 1ntr >dn ind cajJacilrdea de ba?'vcr/1 clr c nzn tl t
1
d .
1
( J
1
,. 1.1."1nd caderca de tensiu-
eg
1
1 di d
... ncntre a e o _e1
ne r din rclatiile ( 11:6), ( ll. 1) '.
v A=== v),, zulta ccuaf.z a 1netodez
.. o d?oda p +n :
dq q dvA
. =-+-+ c,--.
dt 'rj rlt
( 11.9)
daugind la aceasta rc:l.atic.
}ia lui Kirchhoff pe
... . sc afHi inglobata tor a
t..:arc . . . (t) (t)
cunosc1nd vanatta 1... san vdA. ,
tc
n d(scric con1portarea 10-
}Jtl J - t .
dei in rcgiu1 de cornu are pr1n
,ariatia q(t)
1 J .2.2. Comutarea di recta a
.. . ..
JOBC!JUlliJ pn
111 un n ttHh.l uni-
diinC'nsional de dioda abrupta
asimetrica p -rn, cu oncentratie
uniforn1a a inlptnitatilor, care la
t 0 este co1nutata direct in
circuitu1 din figura 11.1, prin
trr"'erca con1utatorului [{ din
pozitia 0 1n pozitia 1.
ea RL
auolt 1nni tna rt' d(ci1 rtzistrn)a
in onducfit u diodei T(\znJta
la f 0 \on1 ave: a i 1 .. -
I' IJ-' . .A 1
1 \L (f1g. 11.2. b) .... \ r loc
(} cc:mutrnl -in ru1c111 a diod i.
Ln. Jnt tL.l.t x a i tan1 la o
111 f' J
1 c Cl g:')Jun, cate vot dr
fu a Hl r giuHPU 1l n utI ....
au lo hun ll u.
ut Joe
tunpul dt.
' cHntr
/(
1 0 2
n
\
+j_j1-
VF - 1 1,_---_vR __ \ ___ ____;\
!J
c
v
'
VF
'A
IF
VA
Fig. 11.1
,.,...._ ___ _
f
..
f
:: lf!Jn(!.! t \
g !, .
r- J
t
,
p' f
n , &
Pn {0 01) cPr.
11
(Q
"
t
lg. 11.2
t
- f
".t.
c
235-
j p'
0
..__ __
.,(
Ffq. I 1.3
,.,
tna
/
-----"-
--
Fig. 1 1.4
fn figura 1 1.4 se arata varia}ia in tin1p a distributiei goluri (
fi obtinuta rezolvind ccuatia de difuzie). Ciradientul Ja x =
0
ca
mc.:ntine constant, confonn rclatiei (11.3). Pe linga incarcar<>a
d< difuzie ( acutnularea de sarcina din figura 11 .4), are loc
, c1; de in general _este __ cincl sc polari-
Zt dtrcct. l)aca tnsa cOtllntarea d1recta ar f1 avut loc chn regiun1 a (k}
blol. .... proc<:sul de acu1nnlare de sarcina ar Ji Jost 1nt1rziat cu timpul
de t J dat de dcscftrcarea capacit a1ii de barit:rft de 1a tensinnea
-1 .,
11
la tensiunea zero.
in a sarcinii __poate fi __r ecua}ia
1 1.9) cu 111 = 1 p, 111 care neghJanl 111carcarc:-a capac1tatu de 1Jariera si
i1npuncn1 conditia initinHi q(O) = 0. R.ezultrt : J
fJ =- lp-rf[1 - c.xp( -t(r
1
)] (11.10)
rt:I rc zc:nta1 a in figura 1 1.2, c. T' '1njnd de crestcrt' sc: e diu q(tr) =
= 0,9 J I Tj n zu ]fa I,. Tf, ia r f i1Jljntf d; COJilllf (7 J'C d OJ't c/ (f l sh. ( n -
! d + t,..
, Ducu rniuuiluJ aJe diodci nu ste ne!JHjuhiJii,
Ja t = 0 apare un salt dt= tPusiunt= In ngnra J] .2, c, corcspunzator ca<h rii
de ttnsiunc pe regiuni1e ncutre. Accst salt cste neglija1Ji1 cind con1utatLU
tr . l?c nivtJ nile ell! el fiind in sa in1pc rtnnt la nivcl tuan
de lllJC":JH. !n figura 11.5 e:-.;tt reprezentata o astf<:l d<: situatic. n
t< J!l' dupa saltul ini}ial se dator n1odula}iei condudl-
ltalll l gntn11 n uc u1J ]Hju inj ctia de n1ajoritari la c )ntactul cnt.odu-
11 . ul llHll< d lllH.nt fa(:<.: ca ini}ia1 t nsiuu<.:a cin1pul m
ngluin]: u<ntJ t fjt 111:11 i, deci ur ntul stc asigurat de pu1 trttori JOrt-
lnJcytia ;i dl' ]JUrtato1i n1inoliL1r( fncP <.a ult Iior r_urc ntul
.a h aslf-'11lat dP purtutudi (sl'c.l cut('J11ll1 c.l< drift .Jl cn,t(
l{] dl difuziL).
( oulu/aJt a in c uu 1ll lJJ , 4- li ut ul < st lit11it
t ( ste> ..uu. ( az '-': . l n gt lH 1 ,d, vari t!L i (I)
r<. ut t . <. 1 t 1 d ( ch 1 o z 111 . l f n d t { L z H 1 u it .t < .1 c 111lll I a 1 a
lUHHt\!1 r!;t< dltCl1lll11U1 de dispoziti\ prit pH ( 1 I
) u1tJ(1 inJ(1ij (H' 11 \).
])a.,, l<t
4
'S'f' J11UIC Uta IHha elf( t t'Zi t<anfu dP (ondtH' h u (h ul
1
'
?I A
'l.It 1 u.H ,t uduJitc lll tlll titup dt CI n fuut tl iuapul ulu
< 1 J ru1 ( 1 < 'c v 1 n ct j n i 1 i d u n c.t n u t i 11 f i u it.
f
[
' l
h
l '
I
0
L---------t
FJg. 11.5
1_.----t
_____ _.,..t
P, ( .r./)
n
lg. 11.6
a
c
d
0
-VI?------
I
I
I ft I
____ --.
L_
-.11 tr
t,q -
/
,1(
"'--..
-
-- - ........ --- _..::::-:_
fig. 11.7
f(J f) r tt HU )Jlst LUt
h! tt 1 an titnp
(. ouf 11n Ic.In.ti 1
ttt1.. ntu] t a
( 11.2). Difuzia cc
radi _.ntu1 la x
..,
urm<;d.Za
h J 1Ji l ( 11., \
J I 2
UIIHI Uf a
r="'
l
o.
1 )
11 lu
.. .
3
..
111 Ji uuii JJn
, t ut torul
K
nt< rior diod
0
din fi rur 11.1
c afla in r )gitn
) ...
....
P. ,
fig. U.8
e uonaeuc ul 1 0 t
iuu a pl dioda, nc1 utiud 'v t '
1
.
1
"'
brusc (1 zist u1a RL :1: 0) r"'
p zitiva, iar prin d ioda 'va
cu1 entu1 (. = - 1 '"
11
f R =
(fig. 11.7) litnitat d1
1
"t 0 I t:){
t nor 1 tnnp t A -- I'ensiun ..
... d . . t. 1"' . ea v
ar0 o 1n1 1a a nncaidat::-
1
saltul curent I -l- J -:. tt
. . . F ' Jt pe ..
:::- nr. a <ll,nclL Corlspunzator
C'( nclntratla p,(O, O+) are
0 1
.:
...__ ... d
4
t .... l P' (< ntca
. "- n. 1 a, c , , O-). l )l'st .
b
. l ] . d . rt-
t l go nn le r .. gun sta}ion
de la I = 0 - 1;;1 schitnba nun
d
. ] ] l UI
gra tentu a 1nomentul t = 0+
.1 - 0 ptnbu ca rPJa}ia (I 1.3) sii fil satisf1icuta de curentul (. = _ 1
pB<:I rcazii acest gradient atit timp cit i ... r3.mine .. (fig. 11.8)..
1
La momentele urmiitonre are loc area a cumulat e in
1
t:giunea n neutra in exces fata de echihbrul term1c. Aceasta evacuare
SL face pe de o parte prin intoarcerea golurilor excedentare in regiunea
f -I B) pe de alta parte prin recon1binare.
l..a momt'ntu1 t = t
5
, numit thnp de stocare, concon1itent t
5
) = 0
(1
5
) = 0.
In momentele urmiitoare t'.t deYinc ncgativa. rezisteuta diodei
pe Rv curentul sea de catre Yaloarea de saturajie i A = - I
( -a presupus ca sursa V Jr < l' B' tensiunea de strapungere a diodei) .
aceast:t pert:Oada de sau de tranziJie, are loc evacuarea sarcinii
ex stocate catre contactul catodului incarcarea capacitatii
de banera de la valoarea zero la valoarea - VB + I
0
RL (efectul capaci-
tatii de bariera se neglijeaza in perioada de stocare 0 < t < t
5
, dnd
'lA > 0).
de stocare t
5
se poate gasi rezolvind ecuatia ( 11.9) in
care negh]am capacitatea de bariera, cu i A = - I B si cu conditia initial a
9(0) =- I F'rJ Rezulta:
q = -1BTJ+ (IF+ l
11
)'r
1
exp{- fj'r
1
), 0 < t < 1
5
.
(11.11)
condi}ia q(t
5
) = q
5
, unde q
5
este sarcina stocata la t = !
5
, rczulta
tnnpul de stocare:
t
- 1 (IF + I R) "CI
s- Tf n
qs + lB'rJ
(1 1.12)
. .1n func}ie de constructia diodei, sarcina q
5
poate sa fie (sau sa
in comportarea ulterioara din perioada de tranz1tic. Atuucl
Cind .. sarc1na aceasta este importanta, se constat a c .. al o dcpcn-
d(nta de forma:
undt: ?.R = - 1. pentr . 0 . "" . L I I
se poate scrie A q(t) _u
1
..t <. (t 'T'r este o constanta de. tilll)J.
1
a to
11
t.
dev
10
.. : 5 - qs = s -r, = ln'r,. Cu aceasta tllnpnl c (.: s t'
t
1 I /1
S = 'rJ )n F R
1 + 'r,f'rf
(11. 14
238
..
Aproxitna#tl uz1tald care s adn1ite stc q5
t s -= T I 111 ( 1 + I Fl I R) .
0, care due la :
(11.1 )
St
x aproxitnatie este echivalenta cu definirea thnpului de stoc
1
\ cea ;\ ar
din relatia q(ts) .= 0: .respechv adtmterea unui regim cvasistaponar de
tare al diode1 1n care la t = t 5 are loc q = 0 odata cu p'(O) =
0
cont po r . d d. f . ,.. . " .
Rezolvind ecuatta e 1 uzte 1n regtm variabil, sc poate determina
titupul de stocare din conditia ts) = 0 se obtine relatia imp1i-
cita:
1
er f V ;, == 1 + I Jr/ IF .
(11.16)
Conditia q(ts) == 0 cste indeplinita in timp dupa conditia ts) = 0
ca urtnare tiinpul dl' _dat de rela}ia (11.15) - curba 1 in figura
}1.9 _ cste in cxces fata de t11npul de stocare dat de relatia (11.16) _
_ curba 2 in figura 11.9. 'fitnpul de stocare poate fi redus prin
rra constantei 'rJ sau prin tnarirea raportului I Ill IF
Datorita dependentei timpului de viata al purtatorilor minoritari de curentul prin diodl
dt temperatura, relatiilc deduse se experimental numai aproximativ.
e Pentru a determina timpul de trebuie rezolvata ecuatia
(11.9). Elimintnd pe v _.. q intre relatiile { 11.9), (11.13) relatia Kirchhoff
vA == - va + RLiR, rezulta ecuatia:
diR l
dt + ( 1 + T r/ 'rJ) R == 0
T, + CJRL
( 11.17)
care, cu condi}ia ini}iaHi iR.(t
5
) = I R conduce la solutia :
iR exp [- (t- t
5
)(1 +
+ C
1
RL)], t > t
5
(11.18)
1
1'inlpul de descre9tere (cadere san tranzi}ie) t, se ob}ine din condit-ia
1 + I J' == 0 1 I
6 t ' lf
( 11.19)
.
1ar timpu! de
-
1
+ t coutultoc -i nvcrsa este t =
- S t 111 ' ljlfU .. 1 1 t' 0 off
c: "'
1
ta >-.I a q s = rezulta :
f=23Cn
t ' 1.1. \ L ( 11. 20)
in
01n'ta ul comuUirii inv .. t
.. rra in
1
. ... pu em cousid ra
f ens, utzc. (fi 1
orul rd fiei ( II ? . g. 1.1 0) : Pn(O,I} 0 COil
11 xc . . ... )
11
thnpul evacuarii
grndtent
1
SD.r\.:lnu
0 scud u cone utr .. tid d P'urt tori la
I . l r cur t 1 '
l i (11.3). c
1
u e lllicoreaz confornt rc-
.,, r
r
fig. 11.9
I
(J
/;
Pno
' "t
t
f 'A
, If
-t
tj
Iu ...\nc .. a 11.1 S(' Jnz= t "'
'al '- lll ... d
spcct c pcntru cotnutare "> lOdl
. . , precl,h
Cll"Clllte peutru reduccrea ti ttl ij......_tl
con1utarc ai diodelor semiconduPtoor d{
c are
'
11.3. REGil\ilJL DE COMUl'Al{E
AL 'rRANZIS1'0RULUI BIPOLAR
11.3.lt. Ec
1
u.nlii!et
sareinii
pen ru r&lDZJS oru nt btpolar
e In capitolul 5 s-au'"" dedus
fiile metodei sareinii pentru ... un tr::.a-
tor pnp bipolar functionin d in regiun
aetil7a normala : Pa
t = qB + dql3 + c d'l!CE.
E jc,....__
'rBF dt dt
1
(11.21 )
(11.22)
fn acestc ccuatii q n este sarcina de
------------ purtatori tninoritari acumulata in exces
x in baza tranzistorului fata de echili-
Fig. 11.10 l>rul termic, este durata lor de viaja,
. iar -rF = W
2
f2DB, unde DB est e coefi-
de dHuzie a purtatori]or m1noritari prin baza. Intre -rBF -rp
ex1sta rela}ia -r
8
p = Se un tranzistor planar cpitax1'al ln
c_f1cienta en1itorului este mare si se poatc neglija sarcina de purtatori
m1nontari injectata 1n co lector. tn de:: nHli sus se nc.:glijeaza in-
fhl( n}a capacitatii de bariera a C Je asupra regin1ului de ronlu-
taJl. al Ecua{ia (11.22) este valab1'lli nu1uai 1n regint t'a.-
ca atare nu poatc pu11e in ev1'dcn{a ti1npul de tranztl
pnn dtjuzte al purtatorilor j>rin baza.
. Ecua1ii1e {11.21) (11.22) se pot transfor1na pent ru n'giu!'ea dP-
utura1Je daca avem in ved rc ca in satura}:ie tirnpul de ri
<-"' T IJF ( datorita nesitnetrjei tra11zistorul ui, 1n sat ura 1 ie 1 co111 bllHLH'il
pe suprafa1n. lJazc .. i din jnrul <JJli1ottdui arc nn
[
Pig. U .11
rol importaut, ad5.ttg7Hd o se Ia r
volum) 71 faptul ert <.:HH.,llt \11 tl(
CO]cctor COJlSta11t Ja \'.l}(l . H'l sa < l
I
saturatil; 1 cs .
])
f
. . . . 'I . I 1 1 ita du11
r t 1 n 1111 rt lu 1a { 1t' 111c ' n t 11 11 1 '
w 1"" 1 s11Ufd\H
n:gntn a a tlva norn1u u s1 (' a t ,.
4
, ,. 1 c xr
.J..n satura1i s a unn1laza o :-,,tll'llt,t ll .. t
I 'l{J]Jl( Jl
q S j a} a de l C a a U J ll 1J] n t 1 d sat t1 l d 1 Hl l J
Q BS dr Cl q () lj j' >Utl 111 SC. 1 i{ ";l q
11 l . . . .
1
t l 1
q
1
" unl<lll)c.c.
1111
bazadHtSp1 nntor,1 1nJ (flp;.
'
'
. vcdcrv faptul. ca (11.21),. ( 1 .22) ( liniar, se p ) tt<
"vind 111 ... c! un ttnlp de 'rs def1n1t d1n rela11a q
5
__ 't's (i 1 )
. sa.rctn11 1s d b ... . . ... . . . .s ns
atnbt.ll _
1
/ , ( curentnl e aza (Orespunzator sat uratHl 1nc1pi\ utc).
cu l es -r
5
== (/.n! R) I ( 1 - 'Zpu..,n), constanta 't' R pun-
Sc ntrn cazul 1nJect1e1 dtn colector 111 baza. Avind 1n vcdt:n
zind 'rFt peprecun
1
si faptul cfi tn satura1ie puten1 nPglija efectu\ hn
rata c, ' l d
cele a . .
1
1
netodei sarctntt pentru regnnu c sa.turaf.ie sE scriu:
c e
Jt' iiJ = QBS + qS +
"rBF dt
0
Preciza re.
qs>O
Solutia (11.2.3) valabila
( 11.23)
(11.'!..-\-)
.
n tunal pen t n
11
.3.2. Comutntca tranzistorului bipolar in regiunea aetiva
Consideran
1
ttauzistor1tl din figura 11.12 .in conc:x-iuuca EC, haLct
.., . aplicam se1nnalul de comutare ('t {hg. 11.13). l)aca li""F r,.
carula "' t N. 1 1 f r n.
I
I
are loc o cotnutare 1n curcn . r lYe u R 1ucntn1e tranz1c; ornl
V BE ' V t .... t . t } .. . .
.. blocare iar niYclul
1
, con1u a ranz1s oru 111 reg1unea act1ya nor-
10 r. I '= v fRb < IBS = Ics = l'"cc Rc. Proccsele 1izice ilnpli-
mat )a ,., tBde ac:mularefextractie de purtatori n1inoritari in regiunile n utrL
ca e s1n . . ,.. .
1
d t -r f'
de purtatori m reg1_um :' recere. .m _11: 13 . iut
aratatc formele de ttncla tB, 1c! qll'. ...111 -- Va11at1a ln.ttmp
a dist ribu}:iei de purtatori 1111nor1t ar1 111 ... 1.1. 13. b s
definesc: timpul de datorat .. df .. ar11 . de .ban ra
la con
1
utarea directa., td
1
, tunpul de datorat difuL1Cl pr1n h:tza
a purtt1torilor minor1tnri J id'!..' tin1pul de I, c;.i ti1npul de: c(idcn. t 1 al
curentUh1j de colc:octor. 'fn- "'lHl i 0 bSLfYUt CU pentrU t < t;-, t > t: gradi<:utu}
purHltoril('Jr este zvro la col (i c . 0) st'- difc1.it d\: ntru
tt < t < t-;(1.c =1= 0). Cur ntul1
1
J poat<:_ f1 :1 &_att\ la t t, ?atortta tr 'Ht!l
a\.umulate 1n baza. Curcntnl d< .. l ,az'l rannn (tn - - 1 aR) at1t
timp dt < 1 ci la t 1
7
, cau: zero. In rt
is t
7
arc 1( c cv' cuat sarcinii actunnlat c'"'ttle JOn col torultti
1ncart;an .. a \.:apa it11i1 r 1 hari al j n titntilor. Evacudr 'a san.inii
a:u1nnJat 1u 1)azrt f'L' fn c prin trc cr pnrt:tto-
nlc'r nduuritat i 1n' I ui 11 c 1nitor !?i 1 1 in 1 l tnbi-
nat 'u J)tnta1< d n1a}ori1arj d de cur<."ntu1
Je hazj.
. ThnJHil d ntitzictr (luto1nt dt {iirciuii fa-
tnuhq ilo1 dt 1 u l'it'fll sv 1 oat al( uld. folosi nd
uu t od l n t u it t1 h 1 i ( chi\ ttl n t :
I 1 (1\
t t HhlU 1t ,.t d prag
T. R
I 'Y
(11.2:1)
a jout1 iuuii t n1i-
- f
('cc
'
CE.
Vj(f)
I iq. 11.12
. .t r
r
Q
t
-VF
'B
VF
laF .Iii
"
t
t
a
4 Is 1 1 ta
1
I ..... __
i ,_ I I 7
;tr '-JJFlatt
f '
I
I
I
I
I
o
I
Pig. 11.13
I
I
' I
I
I
-
Pn
t
Pno
IJ
PJg. 11.1
mpuJ de lnUrzitrp dalorut diluzi i In baz ( stc :
_ (tz ,..., t,f3 l/3w,.,
unde t, este ttmpul d t .
oar, iar <d,. ( tc fr tal. purtiitorilor prin baz
impul de er . a tranzi torului.
sarcinii (I 1.2t) c) se po
a care adlugim
(11
die + ic :::s ......... ii...
dt T BF + T11
,. d originea de timp la momentul t 1 (fig.
initiaHi ic(O) = 0 rezulta :
ic = sF[t - exp(- t )
'T BF +
Timpul de se din conditia ic(t,) =
tr = 2,3(TBF +
. dependent de curentul de comutare I BF
10
Timpul de comutare direeti In regi8DI
to,. = + ta + lr.
Din {11.22) (11.27) se obline
directa {reprezentata in figura 11.13, tl) :
= TsFlsF[1- exp(- t )l.
TsF + 'J
e Pentru a timpul d ei t1- se ...
cu is= -IsR. lutnd ortgtnea la momentul ' f1 cu
Rezulta:
ic = + + -l/{6f:R +
Timpul de cadere se din conditia ic(t
1
) == 0,
t1 = + ln ({Iu + la.}/(0 I.,+_. _ _.,_.....
de este cu atit mai mic c:u clt AJDOJ'tul
mat mare.
e Timpul de eomuta in r di
I off
. Din relatiik) (11.2'2) ( 11.31)
lnv r a (fig. 11, 13. d) :
q,
11.3.3.
mu
,..
..
c
I
I
- VR
I
f
.
'8
-----w fy =- > IB.r
Ht,
!/l
-IBo=- -R!J
I
----
. --r=
rfo- I
'/: I
/ I I
, I
-
t
-- -; ''--,:=-1--t
/ : : -&s(l.pn+l .
1
L { I
t, t
5
t
5
a
c
W A
....
,./ A
Fig. 11.15
Fiq. 11.16
destocaret
5
(fig. l115 c) 1.
Iatk. Pentru t < r:- ' +
11
mt:rvalul + ta trauzistorul cste in satu-
Ja x = W(. _ :l.' t .>
18
. gradlentul dtstrihu}iei purtatorilor este zero
tc - ,J cste dt f t d
l1 co lector I)l'\ t en zero pentru ti < t < t'i;. Gradientul
t 1 d b
., ... ,.. ., ""n ru 11101 nentcle t t t " d 1 C o
1 aza ramtne consta t (. - " ' ...' u, e, ctu 'c = cs ure .
0, dupa care scadr .
18
- - Inn) p1na la tn01ncntul t8, cind VsE
T. .. " d 1 C' zero.
unpu de lntlrziel'e t s t
I J. 25, a). dl ,
1
dl. Sl' calculeaza cu r latiile (11.25) i
. 'l'hn Jnd <h trf'sh i
H gmn .tdi\ ;
1 1
,
0
; llt tit s dl ttrmin1i din H (11.27) \' tlabJI
'" .. , lll t ouditia 'l.c(tr) 0,91 cs :
f1J (
1
1 I<c) lu (:!i
BF 0,9/ CS
( 11 44 al
lt
.. ca titnpul de la comutarea tn satu.ra+ie
Rczu a t r
cc curentul I BF e. di .x In
Timpul de comutare saturatle este dat de rela)la:
ton = ttll + ttl2 + t,. (ll ,34
variatia sarcinii pin[l __ Ia .. in < t.) este dati de
f . (lt .30), rcprczentata 111 ftgura 11.15, d. Sarctna In f!SC:e l
rda: actnnulata la saturatie i11cipienta Q85 = -t 811Iss 8e ..... :..;1.-
de cca . 1 I 1 " d . ""t . .Q'IIi;; IMI
ecuatia cu (!J) =
+ I BR) l xp [ -t/'fszt +
Ptuuud conditia 1'c(t
1
) U, 1 Ih rt:zult,\ timpul de clckre:
R) ln --
1
---
o 11
Ill I
Jlj
11
Ie1aliilt {11.22) (11.38) ob}jn valia1ia lui q11 dupa
11
lt
15
iuuea ac1iva :
qn = -"CBJ?]BR + 'rBr(f BS -f- J BR)nxp [-t.f-rnF -f-
F pn;Zl ntaf a Ill figura 1 d.
intrarca
(11.41)
111
Anexa A.ll.2 se prczinta tranzistoarc bipolarc pentru comut
. .1 d t . are
p!ll
11111
L'ircuitc pcntru reducerea 111np1 or e con1u :are pentru
, <a cu ns1 ant clor "r
8
F, "F' -rs.
ll.L JJE C07\fU1'ARE .AL CU EFEC'l'
DE Cti\1P
ln rt ieuJarif itt i.
'
n de co1nutare au
1'ranzis1 oarelc cu de chnp functionind in
o scri dl! pro1 1ricta}i care h.: dcosebcsc de tranzis-
1 o ..u k bipolare.
AstfeJ, lor de iJl stare bloc alii cstc 10
8
- 1012 Q, cu
2-3 ordi11C de 1IH1rhne Jnai n1are futa de tranzistoarelc l>ipoJarc. In stare
de conducfic ele preziuta o rezistenta de de 10
4
-- 10
5
p<.:ntru
TECJ si 10
3
- 10
4
Q pcntru in regiunea de saturat.ie 1 -
- 10s :(l .in regiunea liniara, unde de fapt se folosesc in regin1 de cotnu-
tarc pcntru ca tensiunea pe tranzistor Sa llllCa (tranzistoarelc bipolare:
au co1nparativ 1n regiunea de saturatic o rezisten} a de ntnnai de
1 - 30 .0). fu reginnea liniara rezistenta de estc functie de tensitttH:a
'-' J , )
pe poarta, care yariaza intre zero tensiunea de prag V P la TECJ,
putn1d Jua valor] de arnbele po1arita}1 la 'l'ECl\1.0S cu canal initial.
Iu cc priveste rrz1'ste11ta de intrarc, accasta este de 10
8
- 10
9
{i la
1 ,
TECJ si Joa- 10
14
n la TECMOS.
J(vf( ritor Ja j;roccsele I ra1H1't or i i cc a tt loc in J'( g11n dr co JllU I arc,
bi,c n fundan1cntalf't i'Htre 1'EC 1Jipolare c:ste aceea c8.
plinKle, functionind cu purtat ori 111ajoritari, nu sint de fcnomenclt.:
dt. < lll11U]ar de sarcirJa, raspunsul lor fjinrl lnai rap1c1. Intervin tnsrt,
dupa (. u1n vo1n vcdea, parazitl: cart.; infl t1enteaza cornportarca
in rcgin1 de comutarc. '
. . Proce cle iiziee in regina de eniUlJ1ure J,entru un Considerarn
de. COlnutar: din figura 11.17 en 1111 11IC J cu ca Jtal n.
- T GG 111.. t:n11ne lJlo<. at ( V CG > !11
1
, l), ]ar COllJU1 area dtre, t
sc fa_c catre Vc - 0: In reg11u du blocan canalul cstc stranguJat pc
lun!Slll1Ca sa. d bar]era a jonc}1unij poal1 a-canal, J)fCCUill
ta caualuhtl { iJ 'l f1 a jJf)ar1 au Ull l;f\f[tlh'l
dJstnbu1t, dar Jc }JUtcnL 1110d<:Ja cH leu1<.:ntc coJict.!u1Jatc a i11 figtua
l_].JH, 11nd J{r s1n1 de se1nnal nlar', 'a11 sc d 1in(:sc
'ont de t:XCU1s_1a JJU1Ictu1uJ d lntrc blo an
.st.:lllnalulul 31 djr c1 a la /. 0 produc. des U1L'tn n
"u
1
Cee !)Tlll astfc] ca ftns1yn )n P' &c nu vn.riaza i11s1ontancu: P
10
(_ de a. ... Joe in t]ulp fi1d (fiv. 11.17, c) Ll
'omutarea lnv rsa as1stan1 la 111 "al carl a lui C ca1 1 1 nsiun a d(' hlo
<are -V Tensi .,_, 'l'J"" () c(1 .t'd [l.l
. CG: . un<.a. ':ar1a )1 a t cst..! c(a "'OJ nan ;t d . '
<a.! c.t.lulul
d(.lct a1)an11a currn1ult1i d dte1 C1r )11tl1l c1 dr n fund
< < pu rt :- t -u
a on lllaJontanJ tstv con1anda1 n d' '!'c in twuf;ul "'
I
'
fJ
(
l
:t
I
I
.L
cpT
1
t
t
0 t,
I
t
Fig. 11.17
fig. 11.18
timpul de tranzit al purUitorilor majoritari ca1:al .
-i = i (v v ) de regitn stationar poate 1 aphcata 111 regun
J) D G,
0
d d. 1 d t1auosecundc (tnaxt-
toriu. Rezulta titnpi d.<' e or 1nu. zecl .e . , ..
lllUID) deci 111Ult 111a1 JlllLl d Clt ln tranZlStorul b1polar. fEC .
' 1 " 1 de "'apacl-
tine seama de el-..n1entcl parazite ale n1ontaJt1 Ul 1n P c1a L
tat:ea parazita C d p H.l gitnul tranzitoriu al acestor
pa1azite are o de: tin1p tlnlt nt,ti tnarc decit ca
toare regi1nului tranzitnriu nl t t an1ist )rului in in c n eclnt<l, co!n-
jHJrtarea Tl!C fn 1cgiH1 de co11lllftlll , sh dtft ru1inata dt:
.. glijind tiln1ul de ornut,tr 1 tvprin ,Ll tr,1nzi toruhu .1\ (hot
... r d . rctntul
hbtlla ll.] '), r gunul d H1lH1tUt' 1 <.:SCllS (U Cl
d1n figllra 11. }l.
l'rnt ru un ' 'EC:\1 0.'. Jtrof(';;!lt liz:itl' ;;jut a.cde.t';>i pe;
1
! ru
1
diu} l'tginHihti d t CHlHlt .. lit..; pull' HI 111t I 'hui n1 tt tot o,;Che OlU (. (.' ll\'" ,l 1.: t1 l.
din figuu1 11. 19.
(ursin tunutului d' ftuutionnrc
iJ ur!n llit t 111 ]ll nul ilot 1
"-L tnndu 111 n gin t r t.n:t itori u. P ntt t1
in a nint dt' poat
i ')if t h.'lati i 7t
0
- o(t'G tD}
l tzul 'I' J din flgur 1 ll 17
1
kt lucru t<..' tr lt 11 111 fi ur,t
Punl:tul I orc,lntnd d /,llaY l:U t'o lltc..c.L
di
1 1
t c h arcc.t tn
untt lll in 1 wd tn1 ,t 1 tn<uu Ht ll .._
1
'
1
1
n llllHtnl HlTlltionu tt lll"'tLntan\:U 1\l.,
G
OJJ
c
0
c--l
---o
c.,_
1 'D
. "'---
'
.
o-
0
0
cJ s
Fig. 11.19 Fig. 11.20
?r = I nss Ur1neaza proccsul de dcscarcarc a condensatorului C de la
tcnsiuuea V DD catre tensiunea corespunzatoare starii de conducfie "(punc-
tuJ 4, af1at la intersec}ia caracteristicii de vG == 0 cu drea pta de sarcina
Rd). Legea de variatie a lui Vn sc ob}ine din :
dvv
t'v --= -CP --
dt
1 n rcgi'U11ea de saturaJie iv este :
iD IDss(1 - ;:r Inss = G(Vo- Vp),
{11.42
(11.43)
undc: G este conductanta constructiva a canalului. In rcgiunea liniara
puten1 aproxitna caracteristicile de cu relatia :
tin =- c( 1 - _V_o_- __ v G_J' v lJ.
V
0
- Vp
(1 1.44)
Excursia intre punctcle 2 3 are Joe la curent constant iD -
= 1 DS lvG-=0 = I DSS avind in ca v 2 = v DD Va = Vns ''G-o=
= - V p, rezulta timpul de cornu tare intre punctele 2 3 :
t23 = C,(V DD + v p) Jl DSS (11.45)
!inlpu_l ?(' 5ntr( .l'unct<: ]v 4 sc folosi11d 1 ('latia (11.44)
In <:cualta Se o <cua1Jl' d1fen:ulia1ri liniara dl ordinul inth
can se cu courd1tia ,i nilialrt 'l'
1
AO) v
3
_ _ VI', iar t
3
, sc obtint
d
cu c ond1t1a v(t34) -= y, 4 ; V
4
n. zult r1 din iuttrsl'C1 j a drLI>t< i ( 11.44) rtt
naJ>ta V v 1 J> ']'"
1
DD - JJ 1 \a.ZJ>. unpt:I dv L0111nt an din.:c1 a ( st<. !
0
,. t,
.a4 La monlentu] i1 11.17) llHeJx co1nutar(a invcrsrt. lntrt.' pun<.:tt:lt
1
1
5 sc fact 1nstantancu (inc.:arcarea 1 ui C
1
, la teusi unea V GG
lntre punctele 5 9i 7 :-;c in tin1p finit (t } (Or spun7Ator
lncarlant C
11
de la t<"nsiunca l'
5
la t l'
1
V no
1
t1mpul de comutarc 1nversa est< t t
j . off 61
. . n ftgura 11.21, a se at a1 a un inl'er or cu a rein a I all
... ttt l( cclula de bazc'i a c1'rcuitlor inltgrall' digitale A1fJS. 'franzi tond
248
0
,,
-, .,
Fig. 11.21
I
y
2
reprezinta o sarcina activa pentru T
1
T
2
lucreaza in regiun a
saturatie (I v n2l = I vG2I > I VG2I - I V PI) i, datorita neliniaritatii car
teristicilor lui T
2
, in planul de al tranzistorului T
1
va
curba de sarcina (fig. 11.21, b). Sint cazuri in care T
2
lucreaza
Pentru aceasta, poarta lui se conecteaza la un potenlial V GC >
+ I V P I, (I v D2 = V DD -I v n I, I VG2I = V GG - I VD I, Vm f < t Val - f
0 Observatie. Ca in cazul studiat anterior, cu sarciai t'til.-t
titupii de comutare ai inYersorului sint mai mici decit constant& de ti
a elementelor parazite exterioare, n:prezentate prin CP.
. regin1ului de cotnutare se face in planul caracteri tici1or
d ... ale lui T
1
. Pc linga relatia (11.-42), sc $dauga pentrlJ T1
iv - Ins = ! (vG - V p)
2
c 1nd se afla in rc a ch. saturali :
ZGOIVIOTUL ELECTRIC
12.1. N.ATURA ZG01vi01'ULUI ELEC'l'RIC
l 2. 1.1. flencralitati
,
Exista o lin1ita a a1nplificadi care
uH a1nplif1cator. Fie
sc poate obtint d<
1 J - d
( 12.1)
au1plilican:a iu putere, definita ca raportul dintre puterea sen1nalului la
__ (P
0
).., la (P;) J:>o in1pusa pe
0
sarc1na data, 1ar etaJul de 1e!]1re al an1phftcatoruhu se pro1ecteaza in con-
secin}a. P
1
nu poate scadea snb orice nivel deoarece se1nnalul se ,1nead1"
in ,zgomot". Ca urn1are, la un P
0
== dat, .1:! p nu poate fi oridt
de 111are.
In scns restrins, prin zgon1ot. in}cJ(..\gc1n uu srJn nal electric (curcnt
sau tensiune) fluctuant, cu u varialie intmpliitoare n tintp. El i5i are orig!-
nea in fenomeneJe fizice microscopice care au loc in clctnentcle de circuit
(a se vedea paragrafcle urn1atoare).
fn sens mai larg, tennenul de zgomot se pentru orice fie111nal perturbator. De
pildrtl Qa-zisul zgomot de refea (sau brurnul) consHi de fapt in prezenia con1ponentelor altema-
tive ale:tensiunii de la rctea redresat imperfect filtrate in s11rsa de alin1<.:ntarc a circuitului
electroruc studiat.
. a spre PXC'n1pl u, un atnplificator audio fartt sen111al la
, cu .a_Iupliiicar<.:'a reglat tl J a 1naximun1. In difnzorul l..t
an1phf1catoruJui S<.: au de un ,fi:jiitn caractcrjstic (de aic1 -
1
1
1
enul de zgo1not). A<.:esta estr fect11l acnst1c al fluctua1iilor &.:lt:c1nu_.
din circuit, care apar ]a i ir an1plifica1e.
?-e zgon1ot (electric) fr iu douH __nin1 l.;ircui1t
<:lc_ction:ce: Jnd1ferent daca fh1ctua1jj}) c:l<: trice pot f1 pusv sau tnt m
t\ pe acustictL
Sursele de zgonJOt clectrj \ se caracterizea za print r-t 'l l)l11ll itrt
ta!t spcctrala. Daca. ac asta d( .. uniforn1a 1o1r-o banda
de: fr(cvente, avetn d '""-a fac t u un ;;aoJnot alb. Dcnuu>irca a npar ut P
1
01
1
a lo d t "' ... 1 ....
0
1 1 n u uo a
na _gt<.: 111 op H:a . un1Jna allJa t..:on1nH! 1 oa1 < culorJle (ra Ht1 u u
d( d1Yersc frecvenl<:).
l
I
12.1.2. Zgotnotul termie
uwtul t.crnzic csfr: asocial a_gila?ici !ennice a j)urtatorilor d sarCJn
v traJlsportul curenlutuz.
cllre astg
6
uraeratorul de zgomot eehivalent unui rezistor. Electronii hbl t
en d t ) " t f1
rt. ipa la con ttCrlC au tn unp ale (nergiei
1
n jurul
(care . mai probabile ca. d-
ica este aceea care detcrmtna cnergta ctne.t1ca a ele trcnnlor
agita}te
11
( deoare;cc con tine dispozitive electronice)
P
roi1Il tt sa t ::> t ...
Factornl de: zgotno es <::
F == P,.,tot > l
pn .. A,
(12.8)
(F =
1
cazului ideal al atnplificatorului fara zgotnot). R latia
(lZ.8) se ma1 sene
san
F =
p of p n,tot
1 () 1 g ( p
0
) = l 0 1 g ( ].J I ) - 10 1 g F
Pt1,tot pfl
Raportul
senlnal-
zgomot la
. . ,.
111
dcciheli (dB)
l' aportul
sctnnal-
zgotnot la
intrare, in
decibeli
-----....
1' a.ctorul
de
al amplift-
catorului,
in decibeli
(12 9)
( 12.10)
e Daca se cont)cteazii in easeadii mai multe amplifieatoare (etaj d
amplificare), atunci zgon1otul eel 1nai in1portant dill punctul de v dere
al intregnlui atnplificator est eel al prixnului bloc (etaj) de amplificar .
Aceasta se : zgotnotulni pritnului { taj este amplificat de toate
celdaltc: ctaje.
12.2.2. llrzLtrnttt optima a gt-nerntorului de eomal
G<.ncratoru) de SC'lllllal este in ac<:lac;:i timp 0 sursa de
on punzat ( t t )
lu t oarl ltztstcutei interne a acestui generator zgomo ..
e t parag1 a.f von1 arata ca cxista o rezistentA. optimA a gent---.......
B nda nm J'f'
tun lului d P
1
lcatontlul nu trebuie mldmea neceaarl. .. ,.._ ..
' eoarece zgomotul eate proportional cu banda.
'
I
I
+
Generblrlr
/
r--/-.,
I I
I I
1 r
I
I
"na ,
0
b
c
fig. 12.4
A tnl'ltliMior
cu sursl'
propt'li.
zgomol
Ampli/ii:oltJr
forti
ZJOfllO/
A mpl/ficolrJr
/tiri
Zf0111111
fo]<,sjnd r l<i!]ilc ( J :2.]])
de sctnln3:1 . di1t Pttnctul de "e.L-.:..
go?notu ut de amplifi ...,.-Ill
t---o Zgo11totul tnteru al un .
(fig. 12.4, a) poate llllPli ...
Ia 1ntrarr. Ac(st zgomot est
1
..
. ,.
t ... f. 2
ta 1n tgura 1 .4, b prin du ;--... ..
ratoare : un generator de cui'
parale1, !]i un generator :t
stune. Vn,a Zgotnotul termic at tt.n.
tcu}e1 generatorului este re l'tzta..
p ri u V n. Prezentat
Adn1ite1n ca cele doua s
o t l"f urse d
zg mo , ,a c atnp 1 tcatorut e
independente (zgomotele
8
int
zatoare sint necorelate). respun.
Pentru comoditate, se va .
duce o rezistenta de zaomot
v ... o sene
1\. 11 ,s . o reztstenta de zgom.ot '
ralel, Rp,s : pa.
. = 4k T Rn,,!:J.j; = Aj.
{12.11)
Accste tre ?uie considerate in
general ca notalii: zgo-
motul modelat in acest mod nu este
neaparat zgomot termic.
Aplicind principiul
(generatoare independente) teorema
'rhevenin, circuitul din figura 12.4, b
se transforma in eel din figura 12.4, c.
Conform factorului de zgo-
mot, se poate scrie
F = V!+ V!,.+ Rb 1!,.=
{12.12)
I -i c;:j2 +
F = 1 -1- -1- RG = F(RG), (12.13)
RG R,.,,
dt zgo1nu! al atnplij1catorului depinde intr-adev4r tle reziMeflla
111tcr11a a ge11t ratorultl1.
1
I?.G.
}Jresupunind 1?,,, R,.,, dat ", s pun probletna d
t \ (:Utuale valori optituc a lui RG. Calcul Jnatctnatic llt l t
dan
,
R R
1
R R
y- G = G, op,= '\1 tt, 1 "I' (12
ezistetz/a op_tinlii dt'n punctul de vcdere al zgomot.Zui ,..
R l . tnaxtm de p utere.
nsferu ""'
tra etajul (etajele) de intrare se optimizeazl din punctul de vedere al
ve fapt. . . t .. t t . -a..,_,_. ... Ia
1
a atingern pu eru cern e se pune pen ru eta]ul de iefire
. ce prob em
tJJJlP
12
.
3
. zGOMOT'UL SEMICONDUCTOAR.B
12.3.1. Zgon1otul tranzistorului bipolar
Z onlotul bipolar zgomot alb intr-o banda larga
La Jrecvenfe JOase (de pilda sute de kHz) se face sim1it zgo-
de
1
de tip 1 ff. Zgomotul de asemenea la jrecveftle ,.... (d
JllOtU _
ordinal d
In banda de frecvenJe me .,.,., tranztstorului poate fi r pre ..
zentat ca in figura 12.5. Compartnd cu figura 12.4, b i relapa (12.11).
rczulta
1?.,. , = rbb' +
1
; R . 1> =
, 2g. g.
(12.16)
Generatorul de tensiune de zgomot din figura 12.5 cumuleazl doui
efcctc : . .
_ zgomotul ternuc al lut rbb' ;
_ zgomotul de alice al curentului de colector (term nul a1 doilea
din expresia lui R,., ,)
G<:neratorul de curent de zgomot din figura 12.5 corespunde zgomotu-
lui de alice al curentului de baza.
Factorul de zgotnot 1ninin1 se din (12.14) p {12 16):
F
. _ I ,_ 1 + 2g.,,b,
'"'" - I
( 12 17)
pentru o rezt.stenfii a gcncratorului de semnal egala et1 t1alotw a
1
RG, opl- -
1
l'\ n1 ual , oftl ,_
2rwr . ,. l n one
nzibhula dl intJan.
t h u ,. ...... J r "'
l (W 1 , ,,.,.
111 ]tUU t U) dt \ l dl'r< }
r, ll ft. rtll . .
lll lll,l 1111 df' ]Hl-
1 dapt re), r zi tf uta
1
ro .a ' Jl< ratorului ("St
IJJl tl\ l atli
u ,..,,
g,.
E
r '
1
lg. I :Z.S
(121 )
I 1
,
1
t d J<zishHta ( 12. 19) din de .,
"
1
1 .._ t 1 c '"" 1
1
d . 'go lllot
. 'J'otu<.;i J)<ntlu 'ttr{.n1I lll' Cl' or nntl ,t citiYa '""'A lllf-.
tllnL
1
.
1
d' l ... . L.ll b
f 1
lti t ( 1 '> n-)) esh cnn1 pa 1 a >l ca o r 111 c e lll,trt lll <' cu va] ' q
0
( 1n n_ .. - ' .... . . t " .... . oare ._,
1\c < 1 cspunzJ.to:tH' adapL..tlll .. a cs t.? lnca un a , antaJ al coneltiunititti
S
te nrata c=-t i n <'clelalt cnnexiuui (CC B C) factorul de zgomot are C
... e poa ' Yalon
t R
'st nt-a R e te in a muli diferiHi de cea cor espunzat oarc adaptlrii &pro.
pw t ez1 t.: t< G, opt
Pcntru un RG oarecarc, prezinta un 1ninin1 la un anum 't
I
zcto
1
. Prcsu
1
luui nd ca RG sint date in cxpresia (12 cu"ent
( ( ((. (.. . '1 ( 12 16) . d . . Uttd
l
) J? " an din rela}u e . , prtn crtvarea lui F _:. P t
\, s . " ........ (11 )
, l 1 ) tj]) ( e..
I
d... unde i uu curc11t 1 c optin1 (F n1inim).
( 12.20)
\.dn1itind == Rc. opt i I c variabil, se obtine cca tnai mica val
1 ( 12 17) b .... .... " oare
1
>o:-.il iJa a lui F nli" : d1n expresta . o servan1 ca 111 zona curenri
nlld j . F,i!' e ...u lui ... = qlcfk! . .
1
l ur ntl n11c1 lut cu seader ea lu1 I c este unportanta
..
. F I E . t "' 1 t .... na
.. lll ul de al l.tn . min cu c: xls. a. o va op nna lui Ic cart:
l'Ort "'lund<: 1n1nnnulu1 1.u1 Fm;,, (deJa opt_tmtzat lut Acest
opti1 1 apan: la curenti ordtnul zecllor de tntcroa tupcrl. EtaJul de iu-
tl c1r (a <Jlrui contributic la faetorul de zgotnot al intrcgului amplificator
t.::sentiala) ya fi l!roicct at in consccin}a.
12.3.2. Zgon1otuJ tranzistoarelor eftet. de eilnp
d<: zgotuot in tranz]storu1 en efect de citnp en poarta-jonctiune
tnt :
- zgoJnot ul t cnni c al canalului ;
- zgotnotnl t enni c al r czistcn}clor p arazite in S( ric cu canalul (negli-
jat tnai :
- zgotnotul de alice a1 curentului de poarta ; . .. . ..
zgon1otuJ d<: gene rare - r ecotnbinare in regiunca de sarc1na
adjc:. nt ,1 ca11 tlului, c arc: s nJ an ca un zgon1ot in cxces la JOasa
11( C\ enta .
. t.rnzic al cana!ului sc n1odeleaza priutr-o rezist<:n}a de zgotnot
erie R,, s (paragrafuJ 12.2.:l). Ac(asta rezistcn}a es1e l: galrt cu J(jg,., und.
171
< t pauta t r anzistorului , iar J( - - un coefi ciLnt nn1netic (cotnparabtl
cu unit atca) can df.: pind< d pol arjzar a dispozit ivului . 1\ CC'St St:
poatc corecta cu un fact or \:an: ]nglobeaza zgotnotul in cxccs dt-> la Joasa
fn c' 1}a.
7 ao1nol1ll de al curentulut' de j>oartt1 sc tuodt leaza priutr-o
parah 1 de curent dl' zgon1ot 1n par ale] Ja ). Acest zgo
J()t iu g(uc.-ral ncglij ahil (<.<: 1 pu}in atit titllp ci1 rlzist t nta g( neratoru ..
lui nu 7tc sub: de kilooh1 ni).
0 . oti1. Tran istorul MOS l st caract liz at , de un. ZKf!:t
t 1111 al tanalului. La jons:1 111 r1 apat un zgun1ot 1/f asoct.at du
1 1 )f dl t aptut :t a pu l t at ori l<n ]a intet fata 0 td-senu<Oil
tor
Capitolul 13
AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC
13.1. GENERALIT A'fl
13.1.1. Amplifieatoare eleetroniee
. l3 1 a reprezinta un atnplificator. Se indica semnalul de
. de o(f). X, X
0
pot fi, inde-
tnttaret '
1
na de cealaltf1, tens1un1 sau curentt. Este necesar ca frwm"
)cnden
1
( w d "' d 1 a1
1
1 1
de la icstre sa o repro nca pc cea e a 1ntrare, eventu cu
q.: mna u ut .. . ,
w umt'ta 1nttrztcre, -r
0 an
(13.1)
Caracteristic atnplificatoarelor este faptul ca
d 1 (identic ca forma cu eel de la tntrare) are o putere ma1 fltiB't.
alificarca in putere este posibila cu ajutorul tranzistoarelor, tuburilor
sau a! diodelor c.u negativli. .9). Tranzistorul:
de pilda, joaca rolul unu1 , , care ... tn
aplicat, putcrea debitata in sarc1na de o sursa de tenstune conttnua (captto-
lul 1).
Datorit a faptului ca puterea de a unui etaj cu unul sau doul
tranzistoare se ob}ine in principal pc seama alimentlrii in curent con-
tinuu, valoarea amplificarii in putere a in multe nu.
importanta. niai des se caracterizeaza eta]ul pnn
semnalelor de respectiv intra re, adica prin mlrimea a,.plij1cirta,
141, definita de (13.1).
ln cele ce urmeaza folosim denumirea d bloc amplificatM : ace ta
te: format din unul sau n1ai 1nulte etaje
m (d cada.
l3 1.2 . .\Jnplifil tourt' dt . tmnul rnie.
J)i torsiuni
u Jlroport ton alit ntl'a t ntnalului d i ire
tt "-
1
dt. intran..-, confor1n relaf,iei (13.1),
ul lgu.rata nu1nai atunl.i cind amplificato ..
U lton azx l' }" d.
1 a 1o .. u . ou 1r. "nncltonarca tspo-
r
1
ttontc poat fi considt:rat A li-
,,
electro me
X
-I
A
Pig. 13.1
J<,(t}
--
-
5
niara 1n coudiJii de semnnl tttic (capitolul 5). A 1npl1jicatoa l
mc fac obicctul capitolului de faf,a. re e tle
in anzpl1j1catoa1ele de sc11111al 1narc :
- tranzi ... t?ar. le lu n:a_za Ja lin1ita fuuc}ionare din
vedcr al 1nannulor clectrxce (puter dtstpata pe tranzist PU!lct11J cit
n1axin1i) ; or,
. -. sc . ale de . pentru ca semnat
f1e d1storsxonat aprec1abtl chtar attmct ctnd func}ionarea d" ut. Sl nu
electronice este puternic neliniara. lSpozttiVelor
In cele ce urmeaza von1 defini tipurilc dt distorsiuni.
e D1"storsi111tle care apar datoritii nelitl1aritiifh. caracteristic
2
z .
twdor se numesc : e.dea anexa 13.1).or diSPon-
e etnnalele pot sufer1 diStOrSIUDI chiar in CO d'+
care a1uplificatorul lucreaza 1a sen1nale tnici. n
1
tllle tn
.. Pentru a ne vom la figura 13.1, b
raspunsul an1phficatorulut ltntar la un semnal Sinusoidal este car t
cu ajutorul functiei de transfer f{ (j<O), nun1ar complex: ac enzat
K = io = K(jcu) = K(<U) exp jcp(<U), (13.
2
)
__ f I
b(w) iar este faza. Sen1nalul de intrare apare la
1e _.l_JC niu]ttphcat. pnn. K(<O) defazat cu cp(<O) . Scntnalul sinusoidal t
setnnalned1stors1onat de ciitre un circuit liniar cu. o junclie de tra e
K( ) D ..... d . d... r tJS
1
e'
__ )W oarecare. aca ne e ptl a la un semnal periodic nesinu-
sotdal, F?urter ( armonicile) vor fi an1plificate defazate in
mod difertt, astfel tnctt forma sen1nalului de la va fi modificata.
,. ca un raspuns de forma (13.1) se daca sint
tudeplnnte condt}tile
K(w) = const., independent de w }
dcpfdc,} = const., independent de w
(13.3)
0
Daca nu sint satisfacute, a par urmatoarele douA. cate-
gorn de ltntarc (exen1plificate in anexa 13.1) :
:> datorate atnplificarii inegale a componente-
lor .de _frccve_nte d1fer1te ale unui semnal (de pilda armonicile unui semnal
p<:rlodtc nestnusoidal) ;
- .. de fazii (sau de intirzit:n:) datoratc modificarii relapei
d tntre de frecvcnta difcrita ale semna]ului.
Ftgura 132 repreztnta o posibila. caracterislica de amplitudinel K I.
lg/K/
---------
Plg. 13.2
258
= I !f(Jw) I a unui an1plificatoro Este delimtl
o amplificarc , , 1n banda" sau .,la fr cv at
I - ](
0
, corespunzAtoare pl toU
lut din figura . Sc tolereaza o scld re
Mo amplifi iirii la fractiunea
dtn an1plificar K
0
(d obi i a - ll'i
11
- 0,707). Coudi!ia aK, dtfi"--.c
lg r frecven1a limita d jos, f
1
, frc ,enJ;a :..talj.
f.s d sus, j,, banda B j, /
1
a a111pu-
<'atorului.
13.1.3. ClasitieaYe
. ta interes clasificarea amplificatoarelor in funcpe de
preZlU tw
sticii de frecvenra
a caror caracteristica are forma indicatl tn tlpta
)3.Z sint de audiofrecvenlii, care au banda cuprinai (orleata-
. ..-tr: citiva herti 20kHz (semnale ,audio: propriu-zise); 4iatOnkmi1e
uv) ;n., sint neimportante (urechea nu le sestzeaza)*;
de aza anzpl1jt'catoarcle de videofrecven!ii (sau de banda larga, sau fle i
-.) care au o banda cuprinsa intre herp mecaheqi
de MHz) ; sint folosite mai ales in televiziune, distorsiunile de
(sa rtat1ta"
f
r preztnta tmpo r ,
aza d f l ;
Daca j
1
_... 0, a:r.em cu un amp "f'cator '" ct'ent eott-
. (amplifica vartatn lente tn ttmp).
Mrutu d d 0 .t. .., . . ... d f d
A ntpl
1
j
1
"catoarele e ra 1-0
1
recvenla au o caractertsttca e e
f rezonant cu un maxim pronuntat o banda ingusta (de pild!l. JJ/1 <
1 ,2). Ele 'sc mai numesc amplificatoare selective.
13. 1.4. Etaje de amplifieare
1mpartirea circuitelor electronice in blocuri este preferatl:
_ din punctul de Yedere al proiectarii (este mult mai avantajos li
proiectam blocuri simple pe care le interconectam, decit sl proiec:tlm
un circuit complex ca un tot umtar) ;
- din punctul de vedere a1 executiei practice (de slnt mult
tnai de ecranat unitatile mici .. astfel, de redus capacitlpte paruite
fata de masa).
Un atnplificator fortnat dintr-o succesiune de etaje conectate in
cascada este reprezentat in figura 13.3. umlrul etajelor poate fi arbi-
trar. Fiecare etaj poate con tine unul sau mai multe tranzistoar . nttu
a fixa ideile, vom considera fiecare etaj ca un amplificator de teD u
Amplificarea -globala estc- (cazul particular a trei etaje)
-
A, = J =
4
J."', - AvsAV2Av1 (
Vs Vt - - -
{adnriten1 ca toatc amplificarile sint num r reate).
Se Ci$tigul tn ltnsiunt (mli urat in uci'bdt) ..
G. (dB) 20 lgl A,. t
cl!itigul ;, putrrr
G,(dB)
uud A A est
F an1 plifica
put 1 R lap a ( 13.4) sert(.a in
y
9
fnnna in :
-
1tJj. f
. v.
Eltlj 2
foj3
II
- t
A,,
1 -2
Av2
l'J
Av.
G,,(dB) = Gv
1
(dB) +
+ Gv2(dB) + G1,
3
(dBJ.
1
- -
Fig. 13.3
( 13.7)
(> l<Jatie sitnilura 1 oate fi scrisa pentru ci9tigul in putere.
ll pr zcntar a d 111ai SUS S-a ltl lllOd tacit ca , .. ..
'i7tig bine det rminat al fiedirui etaj. Etajul u cste proiectat ex.tsta un
ep rat ; el ar atnplificarea J1 vn pc care pastrea.za si dupa c
test at
" 1 1 d J"f" t" "' A "' 1" '" onectar
1n an1n c a1np 1 tcare . .111 prac 1ca 1nsa, a1np 1hcarea poate fi . .ea
A d t 1 t A '"' t" d 1 v mat nu ' ..
atunc1 c1n e aJU es e ,llh. area e eta]u ur1nator. t:ll
BJo 'ul a1npJificator a carui atnplificare este independent a de .
t. tu ior ,e amphficator ideal. Este un concept uti! in
circuitt.:lor ca culul
0 Ren1arciim ca senu1alele de intrare respectiv ale unu , .
ticator nu sint obligatoriu ambele tensiuni sau ambele curcntl
avea di1nensiuni fizice diferitc. Exist a in total patru situa+ii
1
t)o:
l
.f. t 1 t f t t'' A t A t tnc e
amp 1 tea oru poa e 1 ,a aca 1n enstunc san 1n curent "i in f'
,... t t 1 f" . . ,, f" A ' tecare
caz 111 par r. atnp 1 tea oru poate 1 ,c1t1t 1e 1n tens1une, fie in curent
Capitolul de fa}a va arata ca aceasta de situa+ii est - .. l"
" 1
1
. .r e 1ca a
111 cazu cu-ctnte or cu tranztstoare.
13.1.5. Cuplarea etajelor
Cnplarea etajelor*) se poate face : direct, pri11 condensator, prin trans-
jo1'1n at 01'.
e Cup.Iajul .direct este ilustrat de circuitele din figurile 5.50-5.52 (in
toa.te ca:urtle tranzistoarc amplificatoarc, fiecare cu propria
... de sarctna; 111 flgura 5.51, b mai aparc tranzistorul auxiliar T3,
care JOaca rolul de generator de curent).
Cuplajul direct est : singurul care poate fi folosit in cazul amplifica-
toar_elor de conttnuu .. Are dezavantajul intcrdependentei punctclor
tat1ce de funct_1onare proicctarea estc putin tnai dificila), dar o reactie
de curent prohletna (fig. 5.52). Cuplajul direct cste de
a. utJlizabil in circui!clc wtcgrale (undc condensatoarclc
se e' 1ta). A1c1 sche1na d an1plificator din figura 5 39
0 larga raspindire. ' . '
Cuplajul prin condensator se tnai llUJnestL: si cuj;laj 1\C,
de cnplaj, (C) fonneaza ctl n1'a intrar> lu et ai
1
!
1
urmator ea R) un circuit RC ca cd din figma 13.4. **). A est circuit
est uu dtvlZor de teusiun care arc- comport ar ,a mltli Jillru trece-sus: d
A vem iu veder . 1 tJI r 1
nu nun1:u cup area ctHJClor ill tJ c -.Jc (in cascudrt), Cl ,1 Cl '
ursa de semnal respectiv la :mrciufi. .
'I ot ... t J>C 1 btrn\
Ull cucul l :)e formeaz fi at unci cind 1111 <1aj ge11 rntor de c-ure u1 t fl'
7
tntcrna R se . ,, A t e t
. . pnu cunuensalorul C la o rc7.iSlr"' u1a de s arduit UL R. cc.,
un cucutt de cu1)1al in "'ur. '" t l ,. . en l e asculPlH'fl ('\1 1 com port an') de"' j1lt1 u tJr.cr - $1( $.
t
I
I
.
..
.... t ... ccn:a coHtponcutci co11titnte, as1- ( lt1J
. dtca .rc " " t t . . ' C f.t
itnptc tfcl sc
1
1ararea lll c.a. 111 re e a) ', 91 'J
,. d 'ls .. . E .
guflll ,r r\ JOaSC'. Ul10T
ntctlUl'
1
z
011
dvnsatoarc de cnplaJ stc una
f
1 de c ... ... 1
nst L: lc care dctern11na scac crca anl-
d
. trc canzc . * . d' tv ,.. f'
111. .., . .
1
frccvcn tc JOUSt.: 111 tea a 1 n 1 gn-
1
. f earn a 13 ())
p 1 1
2
( sc vcdea auexa Fig. 13.4
13 a t ...
ra Cuphtjnl prin .o1
.t .
11
t cu izolarea 111 curent cont1nuu, o cventuala an'Illifican.: in
nconll e 1 t t d "' S
co . . sau adapt are a rczts en, a <..: sarc1na. "e uttltzca7.tt 1nai in
1
,ti a in jrecvenfa pe care o capac1'tiifile tranzistorultu
xz ma v . ... t . l ..
ra juncf1onarz1 e aJU ,
tlsuP _ calculul este onc1ztat sjJ1'e i1t a tipului de amplij a-
, (de tensinnc, curcnt etc.) care descrte eel mat buze cotnportarca eta1tt u
/OJ ' { t . d l . .
dat $i utcracfutn1 t aces 111a cu sursa e semna cu sarctna.
l 1 3.3.2. Et;tjuLeu. ty'lnzistor in eonexiunea emitor eomun (EC)
T
Figura 13.7 reprezinta ;tn ;taj de tip EC. Se presupune ca atit con
dcnsatorul de decuplare C E, c1t condensatoarele de blocare a componentei
continue, CG C L' au capacitate a suficient de mare pentru ca sa se cotn-
porte practic ca ni9te scurtcircuitc la minima din banda. :Modul
de calcul al acestor condensatoare este prezentat in anexa 13.2.
Rczistentele divizorului din baza (R
1
9i R2), precum rezistenta din
cmitor ( R E) asignra polarizarea co recta stabilizarea punctului static de
function are, la o tensiune de alitnentare (V cc) data (a se vedea paragrafut
5.5.3.).
Pentru a ne fixa un punct de \Tedere asupra tipului de amplificator
care tnodelcaza eel n1ai acest etaj, von1 examina modul in care trebuie
,atacatc" ctajnl rcspectiv, in care trebuie ,citit" semnalul pe care ili.
e Pritnul lucru care ne in-
cste de iu-
tnue a etajului. Ea sc calculeaza
pe drcuitele echivalente din fi-
13.8. in figura 13.8,a v.. R11
!o
Yo
h11 =-- R1R'2f(Rx -f- ],
2
) V. _,\
"' "J \
I . _, _,
I
-
h.,
!'g
.. .
fig. 13.7
Fig. 13.8
tr
!o
\
At-
f tuJ Tl i t nt<.:lOl diu di\ izorul d' pole a 'l'ranz t
cu tua a 13.8, b .. observa
dmlt
It 0 (s ueghj azd H ..a 11a ntterua), atun 1 rezistenta d . daca se
re -. b) e tntr
trau (f1g. 13.(:, . a
R, r
I
.. inde1 en dent de }-( L
Ii -
(13.12)
iar ilnpcdan}a (I ... iut rare a taj ului
(13.13)
Efectul rezi::;t n}e1or de polarizare este red us ( l?.s = zeci de kQ
1
a
1
I d d
1 1 A d " ' r ,z "'
-c}1jya k.Q pentru. c e or 11111 a 111 ; aca tranztstorul lucreaztt la c
1
e ===,
) A 7 A R d d R "' .. A urent
1
1uai 111ar1, at1t ,z,e \B sea. , a ranune 111 general mare fata de lzi,}
Rezt"steufa de wtrarc a ctayu/111 EC an: o 11aloare modcratii. Etajul ).
Jj con-iderat fie atacat in tensiune, fie atacat in curent . poate
e Con::-idl'ranl ca sen1nalul de intrare est c curentul l; si definim
inl}H' rr zistt'nfa) de in consccin}a. I >uten1 scrie- (fig. 13.S,b):
f7
R
_ o
0 ==- -
I o I.=o
-'
(13.14)
Din nou atn neglijat efectul reac}iei interne ([
1
== 0 conduce la = 0
:cia. a h, = 0) .. Daca r.c-zistenta din colector .est e .n1icrt fata rezistenia de
a R 0, 1 1/ lz0 e, .at unct reztst enta de a etajului
este aprox1n1at1v egala cu reztst enta dtn col ector *. .... >\.ceasta reztstcnta are
0
.moderata ( citi:a kfl de de ordinul miliampe-
ru1ui) nu put em aftrtna cat egoric daca tranztstorul este citit in ten-
si nne sau in curent :
- daca RL Rc, atunci et ajul lucreaza aproape in scurtcircuit
urnizeaza sarcinii un curent aproape egal cu curcntul alternativ de co-
lector ;
. -. dacii dimpotriva, J? L l?c, atunci etajul lucreaza practic in gol
furn.1zeaza o tensiune foarte apropiata de cea tnaxima pe care o poate
da tta]u11a un semnal d intrare precizat
q ConcJnzie. Cutn in p racti ca, etajul EC este des intllnit in configura}ii
de eta17 EC in cascada, deoarece rezist en}a de intrare este R; ::: hie
d: ordtnul ?e tnarnne al rezist entei de R
0
"' Rc, nu putem
-ca ne aproptetn de unul sau altul dintre cele doua cazuri limita de n1a1 sus.
De .fapt, arc o anzpl1jicure -importanta atit i n rurent, cit $i in te.nsifl1U,
dcc1 a1!zpltj1ca -l.n fn"' terc acest a este a vantajul san pnnc1pal.
Cu ma1 rnulte etaJe EC in cascada se poat 1nrLri foar1 tnult pntcrc, L
s
u
Daca <::tajul din figura 13.8 est at acat de un gen de t
rezisttnta jnterna RG, atunci adlnitind a lz," 0, l?IJ h,e,
Da.i arcina ctajului estechlar R (R atu uci rezist e
11
t a de est c l /hot '
di
+' Jl C L er lt r
1&1' con t
1
a lc lflzot ne arata cr1 ctajul fsb:a dtit practic Iu curent (viiznt co. un gen
.aproape irlt- 1l d curc-nt).
268
r
. i'n(fig. 't3.10 a) !ji vom considera etajul atac:at C. tetJsitnU.
Jut ie'if! In se definee pentru
ul
aza din circu1tul aratat tn ftgura 13.11, a.
e .
pentru a calcula Ro, r vom scrtc
v2 = h,,l1) +
- hoe
R
2
(ht. + R(;)
Rs +h._+ RG.
'finind searna ca
1' R
-1 _ E
_________ ,
Rs + + RG
ob}inem:
Ro T = -==-=- = - 1 + JIIA" +
VI) 1 ( h P )
' l; v
1
... o h. fRa + It;. + R6
+ R(hu + RG) .
Rs +:nu + R(;
A vind in vedere di 1/ h,. este de regulli cu un or din de mirime peste celelalte
rezistente care intervin in formulli, iar este foarte mare. rezulti:
R _!_(t + ht.Ra )
o, T - ho Rs + Is;. + R(;
putem UOT R., r > 1/h.. (deci R., r = sute ck lEO).
Rc RIJ
R'
6
I'
-f
hie
0
I'
I
lg. l II
, I!;
I
He
I
I I
'
..
Rezisteu1 a d i a tajului ( daca 1\c est c inglohat in vi u ')
)
J Va fj (ft'P.
13. I I, a :
( 13.27)
Setnnalul de poatc fi insa cuJcs nu ntnnai in colect
rn cnJitor obpu a -tfe1 rezistenfa de (fig. 13.11, b) or, ci
R
,- Vs
0--
ls
v =0
-C
RE
RE ( 13.28)
Dupa calcnle sitnple, nPglijind de aceasta data lfectul lui h
I b)
or
0
hti nen1
(fig. 13.1 1 .
R' -3
o,T- ]'
-3
(13.29)
Pre upunind RG de ordinul kiloohtnilor, obtinetn d(: ordinul .
1
de ohn1i. Deoarece R;,r RE, din rela}ia (13.28) rezulta R' zRect ?r
. . .., t bt ( t R 0) o,T
tenta 1111111ma care se poa e o tne pen ru G == este
rezisten}a de intrare emitor-baza in conexiunea baza.
co1nuna (hoe """' 0).
(13.30)
,. 0. Concluziile 1a calculele de n1ai sus sini urn1atoarele : etajul se atadi
1n tenstune ;
- daca este in ernitor, atunci trebuie citit in tensiune;
- daca este in colector Rc nu face parte din etaj (trebuie
privita ca o rezistenta de sarcina) atunci etajul se in curent.
e Dacii Rc nu face parte din etaj, se poate defini o amplificare trans-
a dmitanta (fig. 13.12) :
A . = !2 = !2 = h 1 h1, """'
- V J' . V fe R T- (/; )R = R .
_l -1 _l t, lje -1- } E E
1
(13.31)
Expresia simpla a lui Ay cere o interpretare directa. Intr-adeYar, tensiunea
de intrare apare practic nemodificata (repetata) in emitor
Av = Va = (h,, + l)RE < 1
- E:1 hi -f- h(je + ] ) J?E ,.._
(s-a lui h
0
, in schema diu figura 13.10, b). Ca
tul de 1.dent1c cu curentul alternativ de colcctor aprox1111a1lv egal
cu eel dtn em1tor, estc ega] cu V
3
fJ(E VJ/I?R, de uud< Ay 1/RE. I .
.. . pac(! este i11clus in etaj, sen1nalul d" in c,]<c1or J
11
ato ft
CJht In tens1une. Defiuitn prin ur1nare amplifu:aru JJJ 1tu.
Av = = - lztt1<c l?c (
- V 1 hie+ (hj1 + 1) - (hfe-f. J) J 1:. [\ 1
(din nou s-a neglijat hoe in figura 13.1 U, b).
272
..
fig. 13.12
Fig. 31.13
Relatia ( 13.33) necc.sita un con1entariu special. Constatan
1
mai intii
A devine aproape Independent de paratnetrii tranzistorului.
pentru aceasta este reducerea tnarimii atnplificarii.
In capitolul urmator vom arata di de fapt am . ,desensibilizat" amplifica.rea printr-o
negativ! (aplicata prin RE)
Daca dorim sa ob}inem o amplificare ceva mai n1are, vom decupla
partial rezistenta to tala emit or,"' cum in_ figura 13.13. in
calculele de curent alternatrv ya aparea numa1 RE, care ta locul lui I<E in
formulele din acest paragraf. In acest fel putetn scrie lA ,.1 ,....., Ref RE: 1,
mentinind RE = RE: + R'E la o Yaloare suficient de mare pentru o stabtlizare
a punctului static de functionare.
0 a doua observa}ie interesanta estc urmatoarea. Daca alegem Rc =
= RE, atunci formula ( 13.33) da V
2
- l'
1
in timp ce (13.32))
V
3
,....., V
1
Ca urmare, in etnitor in colector puten1 simultan ten
de n1ari1ne, dar de faze opuse. In context eta]ul se eta]
cu sarc1'na distribuitii (in colector in etnitor) sau etaj Celc doua
tensiuni in antifaza s1nt utile pentru atacul altor circuite electronice*.
0 Observafie. Cele doua tensiuni plc\ in d la generatoare E:chiva-
lente cu rezisten}e interne con1pl t c a cc o lin1itare
i1nportanta (etajul nu poate fi ,in car at"' ]a f 1 in tnitor ) in colector)**.
13.3.4. l:tuj <u tr:anzi...tor in eonf iunt'R f:t (rt'petor pe emitor)
a un etaj d an1plificat cu in
t'Ollltttl (C ). l)ot .rizar a tranzist 1ului ca 1n conLxlu-
nPa 1!( 'ltla de cur nt c }t(rn tiv ap(. r in figura 13.14, b (toate condl'n-
s;,t ( r l din sLh 1nporttt c ni t urtcircuite). Este clar.
t (' a1 't nu 111ai tstc . p, rata d iL ,ir ( tajul nu estc un anlphfttator
umdtrt c!iona1), l .,i 1 a lia intern:t in tranzi.. tor s-a n glijat (h, ::: 0).
n locul unui tran furm tor u 1 nzd nHdi.mt.
lout jul po Ltc fi {1Ulp1 tat cu un r pd< r 1 c.: unttor oucct t Ill cult.:dorul tr-.w
t Iului dUt fJ., ful lS 3 4)
13 10, a. u cc pul d .. Tt' luct rt7Jstut1a de i ,1rc (.Paragr
Dirpozutv tl CH ufl
lcctronlc
'l-3
- l \
tlcc J
f.
:..(
liB
NL
v
!g
-g
.R,
a
Fig. 13.14
!/ ll;t'
1\
I
! t
I
I
If: ...
. '
I
I -l.
I
lil
I
I
e Ilezistenta de intrar se calcu1eazfi astfc 1 : ( 1 f lzoe R R )
L
R, T = v{ = hu + (h'e + 1) l?E/(L
' li I' RE + J?L {13.34)
R, = ll , = . l?al?1,; RB, l?B Ri,T.
[, 1\ B + Ri, T ..,.QI ( 13.35)
deci marimea ei estc: litn1tata de rezistentele divizorului din baz"
fd ca la e:tajul cu sar inli clistribuita, vom considera un atac in
tune.
e Rezi tenJa de se calculeaza exact a in paragraful prectdcnt
(fig. 1 3.11, b). Obj:inen1
d ci o reziste nJa de ?e$t'rt Joarlt ;n icii.
e n1plificarea in tPJJSiuru. Cu o rezistent ft de iutrare tnarc o rezi-
t u1a de n1ica, ac st circuit candidcaza J)""ntru titlul de anzpltf1cator
rdral de te1tsiunc. an1plificar a sa est sn buuitara
v (lz,. +
1
)1? ' ;S 1, = RERT.. (13.37)
lz,e -1- (hte l 1) Rn R E 1-
deci de fapt ctajul nu a1npl1j1'ca in tcnsi1Jne*.
e Amplificarea tn curent otP {fig. 13. 14, b)
I
-1.
A
-1
--=-- . ==---====--
I,
ca 0 palt. oin
pl rd prin divizar a cnt
I ac:i R.,r (hfe 1) J?;
R
n1plifi f r a iu ut nt
nt ului a tit la int1
, a1 un i
n
Dacu (life 1} I "'' l t ljul }JCMt 1
.!.7
J?. I
_.
8
L
al d 1i lea t cru1en se 1 oat e ncglij a.
)' 1 de est e
. .
Valoan:a 1naxunu a rt zt '-
.
poate atingc
( l<. o, T) mat ==- l?o,TI R -
1tiva rucgaohnd.
h
1
(. I 1 1
lz vc hoe
(13.45)
Amplificarea in curen1: C
1
u
8
rcezistenta intrare foarte mica .
t<.nta de ie!]ire oarte n1arc, ctaJu se apropte de un amplit.' fl ..
de curent. amplificarea in cureut a tranzistorului ideal
unitarii (h,,f(h
1
, + I) dadi se ncglijt'azii hoe) d_eci etajul nu poate aub-
ull a
1
nplificator de curent. , ,tdeal" al blocului
cc)nsta 1
11
independenta atnphf1carn 111 cun.:nt (subunitara) d Pl.tftcator
l xterior*. ' e Ctrcuitut
e .\
1
uplifieurc.'a in Etajul an1pl i fica 1u tensi unc. r .
)tu fig
13.17, d, cu hoe......, 0 se poate scr1e: ura
AT
. = V0 = -htefbRC hte
1
.,
-=- - \c 1. (1
- f! i -lz;tf b h1'e 3.46)
An
1
plifjcan:a in tensiune are expresie ca cea a etajului EC (
fuJ 13.3.2), cu exccp}ia sen1nului. paragra-
fn acest 1nowent estimam ejectul lui hoe Curentnl care se scurge prin aceastl
ta.nta cste lz
0
e(T'
0
- J!,) ""' h
01
V
0
, in timp ce generatorul de cureut ht Jb furni x eonduc
- - - 1 ' zeaz" curenttb
hj e rtflzte=heJV
0
/Avlz
1
,=hJ
1
V 0/hj1 Rc= V 0/Rc. Deoarecc - , curcntul prin d
- - - - - Rc con uctauta
h
01
se poate neglija.
. e B_C. care rezisten}a Rc ( deci R
0
R
mat putea ca un amphfiCator El
bornele unet reztsten}e l?.L Rc amplasate 1n paralel cu R 0 tens
[u ::: - lzfe! bR c li l<c l ;l?.c !ji deci c tune
v
Az = _o ,...., I<c
J.
-
(13.47)
13.4. E'fAJll COMPUSE CU
Exist a grupuri de cit doua taje care s" ]ntilncsc frecveut in schemele
amplif.icatoa_re (inclusiv in c Jc integrate). Este convcnabil sa le privim
ca un1c etaJ ,_con1pus", cu a tit n1ai n1ult en ]t polarizarea celor doul
tranz1stoare estc 1nseparabila.
13.4.1. Etuje co1npuse CC - JiG CC -CC
coleetor corraun (CC) - e1nitor comun (EC) est< r I r
Z(.ntata 1n 13.18, a. G neratorul d cur nt ontinuu, 1,, estc n l
polartzarca lui 1''. E1 poat .. fi r alizat in v r iunilt di ut t
tapttolul 5. fn fortna c a 111ai in1plu, ac st st o J ezisttntl. U 1
care curentul Colcctorullui T" va fi la tl n tu
d<: ahmentare printr-o rezist nta d ar ina oare arc.
Schema de cur nt altc'ruativ apar in figura 13.18, b.
Notlm roJJrcl41 11 rta;rlt, tn ca cad 1 (11roJHIDf'lll
xercitfuj.
278
I
I
I
I
l
CC I
Fig. 13.18
I
I,
[C
../C
r"
T"
cc
fig. 13.11
...
tl
,.
'finind seatna de proprieta}ile etajelor CC ti EC, putem afirma urml-
toarele. Etajul con1pus are o de intrare mare (sute de kQ) fioreaia-
de 1noderata (zeci de kO). Ca urmare, poate fi privit e&111lampli-
ficator transadtnitanta daca lucreaza pe o rezistentl de sarcinl de ordmut
kiloobmilor. 1\[aritnea atnplificarii cste practic egall cu panta celui de-al
doilea tranzistor, T" (primul tranzistor, T', mare,te impedanta de intra.re
permite atacul in teusiunc).
Ambele tranzistoare amplifica in curent, in tensiune numai a1 doilea
e Figura 13.19, a arata o combinatie -CC. Rezistenta de sarcinl
conecteaztt iu en1itorul c lui de al doilea tranzistor. Schema de curent
alternativ apare in figura 13.19, b.
de intrare este foarte tnare, iar cea de ic ire -
foarte.tnica. Circuitul stc aproape un amplifi-
cato.r Ideal d.. tensi un , dar cu nxnplifi are su-
bullltara. r .. o an1plifi n.r in curcnt foart
(am bel t ranzistoar an1 pli fi..: l).
can.cxiutzc J),lrlington (fig. 13.20,
ttpr 'ZlnUi un az parti nl r 1 cir 'ttitulni din
I ura 13. 1 , a. II
aznnl dt :u
I t t F n ralizat 111 ftgura
u r !tlar .' (on t 1 in faptut atlt
1 tntt )fUL int n1 prin ipiu
ntru ( nJ r l mna1ului d tt: ir .
,
c
'
>
f/V"
/ /
-,-y--
/
... , ;../ , !_
'v ll
' Of>
Fig. 13.21
de intrare se aplica intotdeauna pe baza. Von1 arata ca circui-
tul din figura 13.21. a poate fi echivalat cu un tranzistor (fig. 13.21, b)
cu corcspondenta indicata a borne1or.
I) T'. T" se cu circuitele echivalente (fig.
13._1, c) 71 se deterrruna paratnetrn htbrtzl corespunzatori tranzistorului
0 cheie este neglijarea lui fapt care permite
ehintnarea celut de-al patrulea electrod. Se imediat
I ig. 13.22
.:. (
(13.48)
z , T',
]' == lzje{hje + 1) ;
(13.49)
V1 =0
J
l !2 J"
Zoe === - = Zoe'
V., I - 0
-- 1
( 13.50)
deci tranzistorul echivalrnt a?'e 1'f21stenja de iJ! ..
1'-sire trare mult 111ai nzare factoru/ de arnptij1:f:ar:"
curent aproximat?v ega! cu p1'odus11/ jaclor:toJ
arnpiij1'ca1c in cttrcnl ai eel or do11a lranz1s!omt
0 Nota. Conexiunea .lJarlingtot! (Jip.
13.20, a) poate fi utilizata ca un tranz1stor
1
1
'
1
to ate c(:le trei con xiuni. Etajnl cu f>C' L'C u'
Darlington in conexiuuc EC (fig. 13 .. 22)
silnilar 1ajttlni co1npus. C '
dar prczinta urn1atoarele dczavantaJe:
. t'td a dt.: sea de datorita reacti.ei nvv"lt
1
,
rezts . '" '. ) r.n vc pru1 h
- '_ c--itatea de tntrnre datorita lui (' ( t o
1
-;)
capa (. . 1 t v b'c pen ru <.ar
-.. ca
0
capncttate c rcac,.tc.
lucreaza
13.4.2. Etaj eompus EC:-Bc (easeod)
111
figura 13.23, a. cste co1nbinatia de EC _ Br.
Rezistenta de tntrare. Dtn schc1na de curent alternat1v figura
13
.
23
, b,
rc: zulta
(13.51)
. ezistenta de intrare moderata.
decl : rRezistellta de ie!jire se determina de pe figura 13.23, c:
(13.52)
(uegliji1
1
d succesiv a poi hie). Se ob_tine a:tfel rezisten}a de re a
tranzistorului in conex1nnea BC, cu cmttorul 1n gol.
e Particularitati. Combinatia EC-BC poate fi privita eventual en.
un amplificator de curent. Cu presupunerile "' 0, ljhie 1
ob}inem A
1
.f"J Ca urmare, cu
similare unu1 eta] EC, cu except1a reztstenJet de 1e$1re care este 1leobl$1lUll
de mare.
Un al doilea avantaj al montajului cste acela ca teusiunea de la
poate a#nge valori mai mari decit in conexinnea EC (tensiunea li1nita in
conexiunea BC este apreciabil mai n1arc - , .. capitolul 5).
0 a treia particularitate a etajului cascod este legata de capacitalea
de intrare, care are valori 1nai tnici. Pentru a explica accst lucru. von1 calcula
r' r''
lesire
'
0
/esire
+
l_VSB
[C BC
If
f/ hoe
c
Fig. 13.23
:.91
\
13.24
l
.f. area in tensiune a eel or doua etaje pc circuitul di
11
r
an1p 1 lC .. " ... , ;- . .
1
") , . . , . . tgura
13
.
24
. Aici s-a presupus ca .T pe \c !)11 s-au negh]at
0
f'V 0. A
1
nplificarea celu1 de-al dollea eta] este ,
A* - J7 2 - lz/e R
- v - Tf - 1 c I
_J' 3 tlre
( 13.53)
. 1 "" 1")1' lz" I (It +
]n t imp prin1ul eta], care ncrcaza pe \.i == e fe 1)' are amplificarea
, l'l
, T7 3 hje 'tfe
.A.v=-==--.---
- T71 lzie hje -f- 1
( 13.5-t)
Pn.supunind, pentru sin1plitate, doua .an para-
hibrizj (figura 13.23, a arata ca ele 1ucreaza la acela91 curent pola-
rizan:), rczulta
hfeRc
hie
( 13.55)
Capadtatca dt intrarc a ctaj nlui, calculata cu tcorema Miller, este
( 13.56)
dL ci capacitatea de reac}ic baza-colector este n1ultiplicata abia cu 2 (slab
e: fC'l:t 1vt:iller).
J\Iai n1en}ionam inca o particularitat<: a <::tajului cascod, anunte
faptul ca a1nplificarea de tcnsi1t11f' iu gal arc vulor1'joartc r?'d?'catc. ]Jaca l '.! = 0,
atunci (fig. 13.23)
V,, (- Jzf"e !") = h/e V.
1
( 13.57)
11:e -
Pri1nuJ taj lucrPaztt pl: o n:zistvnttt cgaHi e n hie arc .:unpliticatea
- hjef/ie/h;J!. Ca unnare, totnlr.t 0sb
lz/ehfe
( t:t57')
,i poatv fi, d .. cu doua oJdjtlt d 1nari ute JtHli n1a1 d (.: 11 t:c'a fnauiz ttl
de un vtaj l!C (rela!ia 13.18) sau 13 (r latin l3.S< ).
1) ntru h[,. hj,. 100, hir. 2,5 kU, 50 krl, oh\iH ' Ill
1
2
106
F
f' , d... . .. I . 1.
" . c:a u1 a1 cl. g;ol a <''ll tn 1n" lll < lll _1 l') t fn rtt
st< postblla p o ,snr 1nu ar .. of ra flZ1.1t:H\
282
fnfrore
a
In !rare
0
Fig. 13.25
b
,. ent alternativ (se poate folosi un tranzistor pnp legat cu T"
rnare ln cur
co lector la co lector). " . . . .
F
. a l3 25 arata doua verstunt de polartzare a eta]ului casco d. 'l"'oa' c.
tgur . . . " d . l .__
d
to
arele sint scurtctrcu1te 1n omentul de frecvente de lucru.
con ensa
13.4.3. Etaj eompus CC-BC (eu euplaj pe emitor)
Figura 13.26, a reprezinta de a etaj cu lUplaj
pe emitor. Schema de curent alternatt\'" aparc 111 flgura 13.26, b. lnlocuind
tranzistoarele cu circuitele obtinern. circuitul din
Adn
1
item cain colectorullu1 T apare sarc1na Rc. NeghJam efectnl
. h' . h"
Ul ot oe
e Rezistenfa de intrarc in T" .stc lzie/ (hie -t- 1). Rezisten}a de in-
trare a etajului compus cste deci
R
f/ 1 /' ( J 1 1) hit.
i = ..,.-; :.:::: Zie + IZjt +
hje + 1
( 13.58)
J
+Vcc
lnfrnrt
o.- r'
7'' ll?s/rF
r''
,
+
]_- Vsa
a
cc
BC
Fig. 13.26
283
1' ,,
''Joe
1
l
0
!'
0---
\
\ \
-,
lt;e [
I
1
11 n' !'
I
/J
I I
hoe
J) hie
I 1-R,
fe-
- /
....
I I
j
I
I '
0
-- _J
Fig. 13.27
})aLa p..tratnetrii celor doua tranzistoare sint identici, atunci J-?, = 2 h' __
- 0J w k-
- - lie
e Arnplifiearea in tensiune. pritnu1ui etaj estc (aS<-
Yt dca rcla}ia (13.37)
( 13.59)
daca para1netrii s1nt cgali, n:zn1t a . 1 v = 1 '.!, cleci ctajnl CC nu 1nai
func}ioneaza ca repctor pe en1itor ( deoarcce 1'-:creaza pe o rezistenta de
sarcina foarte mica : rezistent n. de intrarc in c:taJul A[ BC). L-a fel ca la Inon-
tajul cascod, efectul Mi1Jer rcdus.
_t\.nJplificarea tot a J a estc
A
__ 2 _ l/ 2 f/ 3 _ hie J >
1
t '.
.. ---- - . -- - \c t r
- v 11 ,, v J II -
_1 _3 _l
dacd. paran1 .. t rii tranzistoareJor sint ide11tici,
hfe R gmRC .
'}/. . c - 2
- 1,.,
( 13.GO)
( J 3.60'}
e J\JnpJH.ieaJea in turcn1 a l1IOHtajului cuplaj p en1itor ste 1
ordinu] Jui hfr
e ]Jaca <:tajul es1 ataca 111 nHJn1, atull i rczi tflnla d (e'
Juata Ct1 intrarea lll go]: /' 0) cS1 (hie -f adi a l('ZlStrn}a <1
a tranzistorului T" 111 on 1'
JarlieulariHiti. PJO]>l i t:i}il .-ircuituh1i ' L1 U]laj 1 ' ImtoJI
a1)ropiate de cede ale nJontajului ca. od. Ar fala de , ta .tv.antHJll tn
tensiuni de alhuentar 111: i 111ici (cl d uu t1anzist Jl un llhl sutt ",u
tate in s ri , c] in para h.]).
l
1
igu1 a 13.28 r prezintrt o ((nnp1 t ''i.
f( alizat cu ajutoru] 1 zjst n1 i J? r, ]Yll cu1 de
2 4
t
11
. . .
tudiata provtne prtn ast-
Scbellla
5
hcmei de amplificator di-
. area sc f' - 39)
(a se yedea tgura .
ferent
1
a
1
1
itnului tranzistor este legat
colectoru prsa de aliment are ( deci la
t
la sur . )
,. rent alternattv . . ._
111
asa 1n cu cu cuplaj pe emttor, at1t
ilnetrica (am plificator dife-
in v.anant;
5
9
i in cea este
rent1al),
v in electronica. In afara de
fo]ost a "' t d
]arg . . t re
111
eut1onatn . c1rcu1 e e
l
iftca oa , , . . b
aniP setnnalulni, c1rcutte ascu-
litnitar(e a lificator cu reactie pozitiva),
l
ante amp '1 t
. 't Jo<Yice, oscJ a oare.
ClfCtll e b
Fig. 13.28
l3.5. ET.i\]E CU DE I.L ...TRARE
13.5.1. Schema bootstrap cu tranzistor bipolar
1 paragraful 13.3.4 am aratat cun1 i1np danta mare de intrare a tran-
. t u
11
1ui in conexiunea colector comun (repetor pe emitor) este scu1 tcircui-
ZlS or 1 d' b "" t d t f. 1
tatli de rezistentele UI 111 .aza ... ce _ezavan aJ poate 1 c 1nunat
rin modificarea circu1tulut de polar1zare a baze1.
P Schema de pola,rizare din figura 13.29, !"' :1 azii m cur n! \:Outinuu
cu cea din figura 13.29, c2:re este practtc u ... \:h rna
pu}in 1nai con1plicata dtn ftgura 13.29, este at1L.1:. va
fi aplicat tot in baza, dar punctul X va f1 scurt 1r u1tat la enutor prtntr-un
condeusator, cun1 se arata in sche1na couzplt. i l. din figura 13.30, a.
chema echivalenta in curent alt rnati\ ap .. rt: in figura 13.30, b,
uncle
d oatecc R
1
, R :int tnari, d
zoruiui, d I olarizar
I ) h.!
al rdit d 111 ri1nt t:a i 111 cazt l hvl-
a bCJ z i.
I ig. l .l9
8
+'
Ct !f
---
'
!r
R,
I
- y,
"
I c,
1?.1
C;;
t--:-o\
v
-1
2
I
J
R
a
'
I
Fig. 13.30
Rc zistcuta R
3
a pare in paralel cu rezistenta hie (tnult mai midi) d'
circu]tuJ echi\alent al tranzistorului. Putem presupune ca efectul lui In
amp1ificarii este redus. Ca ur1nare R
3
1
f7 . .,
- - I"J
/. I'==- =
- Jl
_ l
(hte + 1)RE
(13.63)
A.p1ic1nd teorctna lui Mi11er rezistentei R
3
din figura 13.30.b, se obtine
nta echi\"alenta din figura 13.30, c:
In1pedanta de jntrare cstc_. (fig. 13.30, c)
1'
l
J _l
\. -= --
1 T
- 1
7< i, r r h (J. 1) R' """'
1
... ' < i, T = 'it' + t fe -f- E -
+ <;, T (13.65)
Put<: 111 scri<:
(13.66)
hu. Ca ur1uar , 1?.; ::: J? ;, -r 9i ejechtl rt'felei cle polar?'zart a
hazei este practic elitninat.
Remarcam ca UE, Rft' nnul sinh f ct ,()
dt N
1
R
1
Jlll)l
t b 1 "' ( ])arh ugt Hl
tnart se po o tn1e ut1. 1ztnd un tranz1stor ' OtUI us on xtuue. Mil) uu
rezistcnta col baza a prixnului tranzistor (d ordtnul
poatc fi
2HO
d folosita (fig. a) nulne9tc lclzn,icii bootst P
potential. lntr-adevar, efectul lui asu ra sau tnetoda
.Jf1nartrtz tt t-tlegliJ. deoarece curentul care se ?
}f es e
1
t
1
.. d
1
. cc as a n:zts-
edus. Curentu .e 1n1c a r1n u h11 dcoarece v V (. .
+a cste r t.
1 1
baz"t) _2 - _l
tellt pot en >-ta n L .. '-
..,
52
Se)1ema bootstrap cu tranzistor eu efeet de e
1
mp
}3. . .
b 1
. ca sirnHara sc a plica ctajului drena COlllllna cu TECJ asa
0 te n 3 31 S h h. . 1 " " , , cunl
rata in figura 1 d. c Rem(af ect llval u: alternatiY apan:
a 13.31, b, un e. s = s e u ut R2 1n paralel cu R
5
tn neglijabil - d1fcrente de ord1ne de rnarune).
cu totu t ( 1 .,. d
Atnplificarea in tcnstnne cs e neg lJtn r d efectul lui Ra)
Av == V2 ,_ g,Rs
- v
_l
( 13.67)
Aplidnd teoren1a lui Miller, obtinenl la intrare (fig. 13.31, c)
= R
3
= (1 + gmRs)It3 R
3
.
1- Al'
( 13.68)
Desi efectuJ rezistentelor de polarizare estc mai redus prin aplicarea
tehnicii' bootstrap, exista unele 1notive de insatisfactie, anume:
_ rezistenta de intrare a tranzistorului, care este foarte mare (d \
exemplu 10a MQ), c.ontinua sa fie p:in efectul
de polarizare dtn (13.68) nu poate zec1 de megaohnn) ;
- re.zistenta de intrare Ri I?; depinde sensibil dt..
puuctul static de functionare prin lui g,. ;
- rezistenta de ie9ire a pe sursr1. este relativ mare: nzis-
tenta de a tranzistorul ui este 1/ g'" ( Yalori de ordinul sut lot de
ohmi).
R,
!.J._
r
0
Lf
\
Yt
T
\
-
l---o
J, 1?3
,
CJ l ,,
?
b
y2
R
ffs
2
R.s
a
(
lg. 13.31
287
L\ .
1 111 1i Inodifican d S\..h nH: i din fignra l3.3I
in uuui rlc cnn\nt pt.'utru stal)ilizarE'a })tlnctul,a.
"' 1 t "" 1 '> tn stat
(k futh. tionan; .11 . n:--a tnn :s ..1ra a 111 1gnra Ic
In din figura 13.13 trunzistorul bipolar t'Ste folosit e
d t d 1 a re peto
JU"' rlnirnr.
1
wntru a JllH'':l>ra 1n1pc an a e lCtn: a sc lC'nH ..i. Rezulta: r
Ro, "") .
R o --= Ra 1\u,
1. + R 5
( 13.69)
h;e + RG,2
Jx o r = ___ ____;_
'
1
hfe + 1
(13.70)
(13.71)
lkoare e an1plificarL'a in teu-,iunc a. repetorului practic egala
'U unitatea, iar rezistenta de sarcina a hu T
1
este aproxunativ c:gala cu
4
1 )uten1 scric
(13.72)
l)eoarece A1 este independent de sarcina, impedanta de intrare-practic
egala cu = R
3
j ( 1 - Av) - cste independenta de
Prju cuplarea celor doua repetoare in cascada se obtine un foarte bun
tra1_1Sf?rn1ator ?e impedanta ( diferenta intre impedan}a: de intrare cea
de K;ue este cnca ordine de n1ari1ne). De remarcat, ca o ,adaptare"
1?,
+ 'ioL
cr-1
1ft
I 0
1?5 -1 o--1
I
ct
Y,
!!
\
R2
y2
Cz
l
1?6
Rlj.
Fig. 13.32 fig. 13.33
1
. dtJtHl 1 CJ1t.:b .. dJ l' < tc favor iz"Lttt
cc 01 .
ltttl;l a . lir 'l;trl 'in cuHnt conbnun.
,; . LuplaFi 13.34 a rata. o varia uta
iu c, f(' trnnzastorul btpolur mli-
--h etna. ... 1,ECJ Da r " 1 I
dt' :,t. ta titCtl vu n Cd. s (;L egc 1
pan tuuci cureutul alteruattv de drcnrL, q--1
R;, h practic 1n 1ntregirne in baza \ .r-11---6-..l....__
[
11
, cste Rc trece curentul hfel a care este
ini Tz A R Dcoarece lzfe 1, curentul ce Y,
eta t tn
5
t h I
inJC . R este aprox1ma 1v
1
,_
4
= Al
trcce
1
5
privind la bornele lui R
5
,
:::::. g,t
1
!J T" t .. . l" . ampll tc.area
in curent a Jm es e ar,roape ega a cu umtatea, unplificaftlft 1o tensiune
1Jh baHi este
Av == Vz ""
- v
_j
iar amplificarea tl'ansadnlitanta este
i _ l2 ,..,_, I 1 qi c
:_Y - v = -gm, g'" =
_l kT
Dcoarece T" ofera o rczistenta de iutrare foarte mica, a.mplificarea
1n tensiune a priinului etaj este n1ult subnnitara
T l I
Av= _2 =-a' lie gm !A' I 1
- V om l 1 ,...._ - -, ' _y < .
_l lje+ g,.
{13.87}
1ar efectul Mill<:r este practic inexistent (C,. C + C,
4
).
Rezisten}a la ieire este cea a unui tranzistor in conexiunea BC {emi-
torul lui T" este practic in gol).
13.6.3. Alte an1plificatoare e.u tranzistor bipolar
. . Figura 13.41 reprezinti'i uu MlllJlliHeator casood ,pliat", pro-
dm modifil area !:-ch mei din figm a b. Tranzistorul cu efect
\ cnup cu canal 11 a fo!,t inlocuit cu un tratLzistor cu canal P (faptul cl
a .. rc l'H z n ta i m 1 t ranzi st or M 0. n u \.'!' t<- n t ial), iar cele doua tran-
Zlst oar ,.. t 1' . r . . . te
. . ... t Slll a llll 'L'llat ' lll I)araJt} <.:l> l>l'1JUite reducer&'\ mirimll n-
de ]' . ., ... " t d
t' n ll1JUJta1e. stproprHLttJk ch- urcnt alternativ sm 1 en-
t'll C'tl n al 1' . . . . 13 37 b
, c an1p dt<..:at rulu1 cas od d1n ftgura .
(a
. p,:i11 im1crsarca sm , i ctt drwa ol tine -cireuitul diD figora 13.4!
clllll\'ll i o } ' I fi "d t
a ]nc, _'h 1 iranz1stor ctl canal 11). nrcUlt poate c'ODSl
1ul . \ 1111 td dnt Htnplilicat Jrul u n
1
)1aJ 1) ctnitor (paragrafull3.4.3) pna
H Ulh a 1 . , . . . . .t _..... de ,.
1
auztst rulu1 de la 111trar L'Ll uu t 1 anz1stor cu ctmp.
11
1
)
1
,
10
}lJi a .estui ultin1 ampliticator slnt inrudite cu ale celui de
od c1 f
111 1
gura 1 37, b. Cu i m ).X'd auFl d(' intJ;.ate ;mare tmpt' ..-
J-oV
-2
--o
...
-If
'BB
r'
r" + \
R6
Y,
-Va
I
Fig. 13.41
Fig. 13.42
de mare, accsta _estc u:1 Analiza
fie face pe schema echtYal .. nta dtn f1gura 13.43. I ranz1storul 7'' ltt(H 'tz;
pe rezistenta de intrare R; a lui T". Putetn scril) :
11' a' R'
A
' _2 b m B rv g' R , n' J)' A l
V = - = = m , t;,nt \J; ,
- Tl I +
0
;11 R
_1
unde
deci
Ji efectul Miller este foartc rc:dus.
Alllpliftearea in tensiun tntaht rstc
'
A A
' A,. gm ( , /) )
_I'-= _ v -!!Y = -;- gm
gm
mplifiearea 1rntasadrui1anlit estc
'
l ig. 13.13
r/
tot m.
( 13.89)
(13.91}
A 1\lPLll;ICA'l'OA RE
t3.7 ..
s:EL
,. .
. tranzistor tn concxtune
Et4ll cu d . t -
13
.7.1. . ' t rrzonant ertva te tn
1 .. i c1rcUI
JJ, colectoi
. . l3.44,a un
F
lonfcl t A "'01_. 'tO *
;::- . 't rczonan 111 c ec r .
.
1
ctrcUl A
1
t:taJ d .
1
alcnta 111 curent a tcr-
1
na LC 11\ 3 44 l
SL' 10 '
1
A
11
figura 1 . ' , 'J.
. a
1
-,arc .
natl\ \T at
1
3
rcu jrecventa a tnlpe-
nri , Jr. 'T .
. tulu
1
rezonant. ranz1sto-
ctrCUl
dante ... porta ca un generator de
1
-c con1 . . t
1
ru l, care ataca. c1rcu1 u
. - slunea de ieslr<..: est e l/ == z I,
nt en ., 1
ua z s+e itnp<:danta c1rctntu u1 :
11
nde J e: l
1 G 1
1 _ -. :::: G -+ jwC + . == -
.. - ! Jt)L R
L ( 13.93)
(
La frecventa (unghiulara) de rezonan}a
1
(,) == ()o =- ,J LC ,
L
R,
a
I
z
fig. 13.
fl3JM)
rezulta Y = G (sarcina din colector se lOn1porta rezistiv). Netia4 cu 6)'
diftru1}a fa}a de frecvt nf,a de rczonaufii (} 0 ,
I
w = w- <do
(13.95)
prlsupunind <D' cu
0
, rcla}ia (13.93) d<:Yin<.:
Y G + jw
0
C + jw'C + . l_ +
1 <ll
0
L CiJ
8
L
118.
ia1 daca e tJ sr.a111a clc 1 .. pr SHl Ul <u
0
:
]
Y G -t 2J(v'C.
(1 .fl7)
, arc o an1plitudinc datrt dell frl'<-'' nta sa ia YaiM cliferite,
unu 'arutJta cu frc \'(ntn a tensiunii dt- ie., re dati 4e
l'
! l
jlS.
-
G 1 2j{u'C
l'(jw). w'
\ lU t'c d fr \" l""
" eu a
,
(t,) = {.!J
(I
l pnntr r k'tltl paralel ... &4
1
rie 1 , m 1 pt: fi ea al Jte Ia
. a teosiunii de scadc Ia 1/.J2 = 0,707 din valoarea d
atenuare de 3 dB). a:;;a cum este descns:: to..,
. .,.: roaimativl {13.98), cste stmetnca raport cu w0 Pentru f4e re)a..
J 0), Ia trecvenpi care core pun de lm < "
G
c.u' = CJ> - Wo - -
2C (13 100
te area este de asemenea de 3 dB. Ca urmare,. hl1gimca dt band. A
Cllf't teftsitmea de ie$irc 1111 sea de sub 3 d H dw raloar< a sa
cu Gf21CC. .
e faeteral e ealitate, Q, se ddHJ(;;te a tfcl
jrecvcttJa ccnlralii _ /o _ Wo _ w
0
C
Q = largtmea de batzdii - 6.f - llw - G
{ 13.101
J)acl d r .. a c te sufid t
Joasl pentru a se putca n"gltJa. mt !nc ale tranzistorul
atunci variapa cu a 11 111 Jurul hu (l)o o va rcprodu
a impedanf.ei ?, = 1/Y a ctrcmtulm . I
Daci ar l<?c. 1 a f rccven t mat cat , at unci capacit t1
tl'an.ri toruJuJ nu mat 1 t f1 1gn rat . J) fapt, htar frcc\(;nta de rczo
1
a
va fi af ctata (r ..amintin1 d p nd de: onditiile de lucru, a capacitll r
tTanziatorului). Ef ctul eel n1ai in11 ortant st c 1 a reacliei inle'nt in tr .
r.iitor, 11 car nu tnai poat i n glijata la frecv Ant ina]te. Ca urm
apar doni probl m j: alitzier a (aco1 dul p a a) fr a n1ai mult
circuit remnan in a atnp1ifi ator) esle 1nai dtjicild func(iourt
m ntaJului &vine in talabila (a par oscila1ii in an1plifi a tor).
Aastea vor fi xan innt in par graf 1 urn1at an:.
13.7.2. \linitr n
n1 .1 (. u n1.,i n1ultl
.
lf
....
t
tulu
Fi
r,
,---..../'-; ---; /j
c,
)"
(
Fig. 13.45
wC
1
c r
1 I I
J
.
13.lcrJt
1
1
{I 1
..
I
tabili o ftAJ .. ,., ....
Ia intrarc
y
-
.ft!lll-. uegtija rectul lui x . puuem rondifia ca
RJ&tia (13.107) si fie ncglijabil. De ai i -
y,.y,. neglijabil fata de (Yt + .vv)(Ys -r y.,.).
-- -
o-tiJia (13.108) se simplifi:a. Tse cazul eel mai
ti
88
aae- partea a doua muunl<l. \om lasa la o parte Yw. .,
_
1
- C.. Y, = (;
1
(ambele circuite la rezonanta). Atunci -
-
Jteducerea lui >t- j,., I Ia 10-20 0 din G1G, OIM-
e 4le pmiectare.
fig. 13.48
. . huna i.zolah .
l( "'1 1 <. s<. asigura
. tntr r
.. I ., Pnn u
zar a lllH 1 p(r clu de tr . 1-.
cuplatc prin cn
1
itor {;nztst r
13.4.3), a:;;a cutn Sl!
13 48
\ . . a tn ft
ra , . . r\lCt d u-
trarc estl! 10
C, =- Cb'c + - :: r
1
+
2
cb.,.
( 13 115
deci cf t ul Miller cste red us
0 imagi..e mai clara a 07'autaiulu1 ad-us de ultima schctna se ob1in
ha .. coruli/iei de aliniabilitale (13.109). In cazul unui ctaj EC, folosind r
fil p3.110) &
4
poat ri
(a
D
'
,wCllrf:m G1G2. ( 13.116
Io cazul amplificatorulni di 11 figura 13.48, gm trc: bui it.locuit cu
a relatia 13.60) : _.
,
.....
, .'Vfe --:: YJ - g,./2 ntt jo )
r/J/J ( 13.1 ti
' 1 (
co'r v."
L ";;,
fig I 41
transfer inv rs y,
llfJ' .. sA Cc: l ul aza pc circuitul
din figura 13.49, a (T
1
0). tn
ac scht. von1 face o n
d( n glij;ui. In pritnul rind se va
nc lij, d oar cc (stt
tit uit 1t t d r zist nta de i{\Jir
din 1 I. \or 1nuta grupuril
(I,, r' , ( b' 1nai intii ub nod
tuit or ului lui l"', Jnultiph indu
ptin 1, vor mut
t ul
. toarc idcnticL). (13.109} devine
cuat tts
(13.11
, d .
1
rclatia (13.116), constatam cl. membnd tatti s-a
conpannul J4r I 1 d i condiJia este ,..., ... lifO" .. ....
factor Tbtl b, , 'J
t-U :r t: Pcntru a b u ficia la maximum de avantajele aaestei scheme
0
o a. _,_. Se
.. pereche de tranzz.stoare aaprl Ultfe1 hapuedaerea
loS c;te
0
1 '-lo ......:..-
s to . --tor
1
n1nnntzarea cup r par ... ....:. tllttepat mal
e ,i gencratorul de curent din emitor tJ'eatit ca tnnzktoue)
" COJlylO '1 ul . d t-.-=---
paaL)e . lt, letnent al l:trcutt w e pouuu.&R:.
pr culll a
C apitolul 14
REAC'fiA IN AMPLIFICATOARE
14.1. PROPRIETA'fi GENERALE REACfiEI
14. I .1. Ao1plificatoare eu reaeJie
e Sebemo bloc o amplificatorului cu reactie est(
figura 14.1. Am.plifcatorul(de baza are an1plifican:. a a:
reprezentatl tn
rx2 = aX1 ,
(14.1)
unde X
1
, X
1
pot fi, fiecare in parte, curen}i sau tensiuni. Reteaua tle
cu de transfer f este realizatii de obicei sub forma' unui
4e p'ectzte 1
x, == fX 2 (14.2)
l'o Semna1u1 de reac}ie, X
1
, este scazut din sc n1nalul dat de generator X
mtr-un compa,al.o': ,
xl = x, - x,. (14.3)
e Amplifiearea globala (incluzind efectul rcactie:i) este
A
x2 a l
=- = (14.4)
1 + aj
ea fi in modul mai n1are sau mai n1ica decit cc-a a amplificatorului
de baza.
X!
302
e Tipuri de reacJie. Definim reacJia poz1'tivii pentru
lDmporotor
I
I
I
x1
Amp It ficol!)r dP
bozo. cv
.x.,
foorfl' more a
I
'-
I
Nefpouo tie reoche =
, .
tJ/'fnuolvr
dP preCIZIR (f)
JJlg. IC.l
I
,X,
4
I A I > I a I ; 11 + afl < 1
(14.5)
reactia 11egat1'va in cazul
I A I < Ia I : 11 + aft > 1
(14 6)
tn atnplificatoar se fol t
tc rt vll car , a,a
von1 vcdea tnal departe, P
imbunatatirea unor penor ta
te. Pretul pHitit eate
tea asiguri.\ unui dtti
httcatorului de baza (pentru
. in can.: amplificarea este red
4
11
l on lt
ti' L). particular important este aceta al tlllttl ft_,N ........... .
U n caz . b l 01 .,
. . transmista pe uc a
X
T=..J..=-af
XI
0
,.nt ru negativa), Dacl reacpa nep "
(f >
1
( lA 1 ja I) rezulta
a
A ;;; ;, =
1
1
= indepettdent4 de
T)>l '.1
0
Obser\'atie. Examinarea atentl
tuzia ca X
1
este ext rem de mic fata de X/.. ti aceaa
la replica semnalului dat de generator lX/ Ql
P
rac
1
d' t te d
ul
U
nui se.,nual de eroare 1n r-un sts m e autoft
ter
Amplificarea de (a) este set.ml
de func!ionare. 'va1rtaM tel118 ....
precun
1
la d1spers1a.
reacfii 1tcgative .Pttternz.ce, a1npl1jtcarea cu ...
re1eaua cu rcacf.te ( 14.8)), care este realizatl. de obi.c!t!l
atenua tor de prectzte.
Lu1nd in considerare lui A in raport cu a,
dA d ( a ) 1
da = da 1 + af = {1 + tl/)1
Din rela tiile (14.4) (14.9) rczulta
dA 1 Ida
A = 11 + afl -;
unde
1 jda
==1Ft -;
F = 1 + af= 1 + T
dt.' reacJie, sau factorul tle ,j1sefllibilu
relativa a amplificarii scade prin apij
10
.raportul in '-'(.\re scad<.: Mlrir a ....
pnn uu tna rut ni rlt t:tajc in timp a
atnphftcarii (d st..uhilizn.I<.\a autplifi arii) st un cfll'il .., .,, ..
14.1.3. Eftctul roocli i
dt
1
, \dtnitt.nt '- d '"ltnpliticatorul de bazl din
tHzs 'cr tz l
pe Par . . cl ra l a c<..a dtn 1
I
t poat<: aph a auahza din par
-3 t
------- -i
r
a
Fig. 14.2
1 )'. ...
Jr-
{
t I
r
___!_ .-L o_ -- -'-- -1.
0,1 o.io.J-;
!J
h
portiuni liniare. Ne ca amplificatoruJ cu rcac1ie negativa " ...
d f ult 1 "'rd 't ]'f' sa alba
0
caractenst1cli e tranl er m mat truaral ec1 a an1p 1 1catorului deb
deoarece reactia are tendinta de a reduce modifidirile care survin in
ficarea acestuia din tU'1l1l (datoritii variatiei amplifidirii
de baza).
AmplHicarea este pallta poJ1iUilllor liniare (l:lx2/ in fignra 14 .2,o, fJ.: ala cu HJ(J
poqinnea medie a caracterletidt o.Jatcadranul J). Da.cli se aplica o reactie l u j = 0,1,
pants devine 100/(1 + 100 O,l)f-= 9, 1. Pe portiunea din jnrul originii, cu a = 1 OOO
1
a\tJU
A -= 1 000/(1 + 1 000 . 0,1) -= 9.9. Variatia pnntei e;;st dtci redusii (9,PI la 9,1 in lu de
10 le. 1 iD amplificatoral fArl reacjie).
Caracteristica de transfer a amplifitatoJu]uj cu ltac1ie apatc in fi-
gura ] 4.2, b.
0 De reDlBre&t elfn rona de satura;1c a dr la2ii rcac{ia
tzegativa tttl mai a,e eject, deoarece amp1ifjcato11Jl cu rcactjc
c1 (in general este cu ati't n1ai 1)u1in <fit jt 1i 1 rt ct1 c11 anl}Jlificaaa
amplificatoruJui de baza este mai mica).
0 Obstrllafie. R marcfim in figu1a 14.2 L'fJrt]r d<: raioJt(a7'
a 6emnaJul de deoare marimea S1JJ11S ](ga1a d<
mrrimta te11siunii la .
cum 5 obs citcuitul redt,(Ct cjl dloUl(CC t dt
r-1aritat a caractcrib'ticilor 01 ulu i d( 1 [ "u t h1 c n 11 c difh at; d
r a<.ti{. Cu alte cuv1ntc an1plificatot uJ dt 1 , r c 1 t i1 t r1 for d '-1 < 1 '-i( t
tt CC SC petrt'Cf d fapt C6tC 0 pred1' 11l1 t a '-t l1 J d( ]a intI
1
amplifi atorult1i de baza, mval a1 lSt( difl rt 1 1n iJ,tJc. q 1111ah 1 < l
gen tat r tm11alul de r ac1j . 0 mitti di 1 < 1 f 111 nlulni d( H <
ITu\Ca(a 0 distorsionar imt> J1an1a a 1, 1t 11 i < i1< JtJ 1: ,tt
1
&D'JJ: ]jficatOTU] ne}illl2f : forma d 1llld a .I" if ( ] ]1 ( if h 4 1- lJ ( 1t { t
trC( rt a prin aDJ})Jificator l CR)JaJ a j l 111ft llf!il l t { (
1
t ],t rtt '
1
h J
.. PnfnJ pentru tmbtlnllta1iua t 1< HCH
1
1Ul
1
l
'aru S<: va 1ntrodu
4
ca t rwar u11 an1pli j t 01 1 JliU t 1 tat \ t J < }Ull
la bt mnal mi<.).
:Efrctul reactiei neg!'tive
t4J.4. rmnalelor paraz1te
asupra s
actia nE gativa nu poate
. I n efcct asupra rapor-
tulUl
5
t zgon
1
ot este tntrodus
a aces .
' I
01
I
f
dac . t in ace1as1 punct cu
. c1rcu1 I
111 - alul uti]. Fig. 14.3
sell11l r
. In continuarc vom exemp 1- . , . .
. .'f ajia in can sernrzalul paraz-zt aparc tn 1ntenorul anzplificato1ului
f1 a
51
adauga ]a intrare3: unui al doil<-a bloc an1plificator care intri 1n
anunle ampllficatorulut de baza, cum sc arata 1n figura 14.3. Pri-
estc un prcamplificator care Jucnaza la scmnale mici. Al doilea bloc
nlU -rnplificatorul de putere.
cstc . .
Se:rnnalul parazit X n poate h. de pllda, zgc motu\ de n:1ea brumul pro'\fnit din
n pefecHi a tensiunH de alimentare (obtinuta prin Ac<st zgC1mot este dtfdl
filtrarea 1 l .
de filtrat in cazul nnei de ahmcntare de rutt.re. Accsta est: n: oth ul pcntru care i-
r
11
n
1
ai anJpHficatornl de putere este nfectat de hnrm.
ttlll rd n p
Sernnalul la sc ob}ine prin suprapuntrl a tf(ctelor semnalului
d _ ]a generator (X g) a zgom.otului (X.). Scn1nalul util de la ieirc (Stt
+ a
1
a zf). Sc mnalul. de, la: iu;.in: < ste a2X ./(1 + a1a,f).
scn1nal-zgon,ot la rczu1ta
1j S X
(Nt- a 1 /. (14.12)
Pc.ntru a pUllC: jn C.\idcn}a iml dl n.al1i' \Onl pr-
upunc di (a1) f t it. t10dt S f< a r du:
c<.H a an1pllflcar11 dator1ta r act1c1 n gatlY(. An11 hhcar{ a 1n1ttala, {gala
n1 a . 11 a bujc 1 tt. 1.1 c. zc. Ca urn1a1 '--
1
(14 13)
Ra1 o1tul s n 1lc.l1-zgtt1 ot r nt1u < 111 hiH.a1t tttl it ili 1 {a t:ra X, X.
(Xe a plica chia1 la intrat (a lui a .. . A]li<. I a n.al:1i i lf scut ace t
u 1 01 t ( u f al t 1 ul a
1
l{t.. due J <.a ,i' gc n it uh i" . ..._ . pli 4. pi it rt d1 storsH;ttarca s mnalulut
c.l1 a< tt atnplii i t < ll 1 ( u { 1111 I t 1 t \ dt zgon t it '(. r at a (fenomen
( ' H (. analog u t 1 11 z 111 at in 1 agJ ful ant rior .
l)n1 1 UlH1 h ' h ll 11a 11 , rt du, l1tll t} tulu1 tH u1 n nal pa1a .t
I' tJ , c ac(ir 11t (d , 1 , , 1 c Ia ad at !l1 a z 11u an j ltftcal r de setnttal ""'
'h 1'u c 1111 /, t(clsta fcr1olaft(
14 l
1 t< un 1
h ](
t n1 }t( nh din fJFtlf 14 1 toat n nalel
't f 11 11 si f n 1 h it. t orul dt baza ar
o.
1 Q {om {i or.
4-
11 ,
- -"
l !J{U.J)
----- - - _ l _ __ , __ _.___,. __ _
r. J,s
Fig. 14.4
de a
este amplificarea in banda, iar (t)s est e o frccven}a litnita superi ..
u n 3 dB) D "" 1' +. .
oara (1a care atnplificarea scade cu . upa ap tcarea reacr1e1 se ob!iue
(/ = real) :
a
(14.1S) A
1 ' af T_
unde
Ao == ao '"<r!)s,f = ws(l + aof).
1 + aof
(14.16)
deci banda atnjl1jicatorului ( delimitata de w$/2TC) a crcscz: t . exact raporl u!
;
12
care a scazut anzplificarea (fig. 14.4). Efectul . reac}1e1
in controlul pe care 11 exercita asupra compronusulu1 a1nphflcare-band'
1
11
tor e ra cu tensiunea data de generatorul de semnal. Reaetia se
in nod eomparare pe bucla. '
Alte denumiri sint t'eac;ie de tensiune serie sau t'eactie se1'ie-paralel.
fn figura se o reaetie cu pe bucla ti com-
arare in nod. se apl1caA un curent de :eac!te care este un
P
1
curentului de Dtn modul1n care se constdera semnalele apare firesc
:a privim de baza ca 1:1n an1plificator de curent. Aceasta nu
inseamna insa ca. amphftcatorul este 1deal.
Reactia se mai de CU1'e11t paralel sau reacfie paralcl-seri.e.
,
e Figura 14.7 ilustreaza o reaetie cu in nod eomparare
tn nod aplicata unui amplificator transimpedanta (marimea de ieire -
tensinnea, marimea de intrare-curentu1).
Esanftonorp
Ampltlicoto
dP fensiune
Fig. 1 .5
mpl/lit:4k
di' cur" I
I
l.
fr
Fig. 14.1
E,so?ftonare
r ., I
I
I I
v
I
...
L -
C;; n'flo ro re
tsa n ft o flO tr?
. r
Yr
Arnplificolor ! 2
transodmlluntti
I
'---------_.) L - - ....J
Refea de
reuctie
Fig. 14.8
l
y
-!
-(.
Se mai t'eaclie de tensiune paralel sau reacJie paralel-paralel.
Figura 14.8 prezinta reactia cu pe bucla ' i companne
pe bucli, aplicata unui amplificator transadmitanta.
Alte denumiri : reactie de curent serie sau reaclie serie-serie.
fl
. o. tn dintre aceste (topologii) poate
pozttiva sau negattva.
Ca o introducere la teoria reac}iei von1 studia situa}ii in care :
amplificatorul este unilateral ,
generatorul este ideal ;
re}eaua de reac}ie este un ,a ten uator ideal".
14.2.2. A1nplificator de tensiune cu renctie
Cazul amplificatorului de tensiune este discutat cu rdcrire la. figura
14.9 .. simplitate, toate impedantelc sint considerate
.A.tnphftcatorul este tnodelat ca un generator de tcnsiunc cu amphftc
d t " ' d rea"' ..-e
e . tn gol_ Deoarcce impedanta de intrarc a retelet
<. stc 1nf1ntta, atnphfH:area va fi :
( 1 .17)
Rezisten!a de intrare
C
tt reactie" este
J I '
r. + E:,
Ri,t= T = I
-1 -1
L __ _ _L. I
---.. .._ --.
l?e;ft.o
Fig. 14.1
iar rezistenla de Ro, 1 se estimeaza cu V 1 = 0 gasim succesiv
(14.20)
V
2
= avoo V 1 + Rola = + R0! 1 ; {14.21)
v2 I Ro R,
Ro.t= !2 .Vg-o= 1 +favoo = 1+ T'
unde
(1 .23)
este tensiunea pc bucHi calculata in gol.
Sa presupnnem ea reactia este negativi: T > 0; F :::a 1 + T > 1
I I < I Rezistanla de intrare a amplificatorului cu reacpe eate RIIJ.LIUS'L
de intrare a amplificatorului de baza, Ri. multiplicatl prin F >
de R;.
Rczistcnfa de scade prin aplicarea negative > 0)
dar nu exact iu raportul in care scade amplificarea (factorul de reacpe
Prin d(! intrare 'i scaderea rezistenfei
ca u!marc aplidi.rii negative, amplificatorul poate fi
tcnsume rl'spcc:ti\ dtit in tensiune, deci este un
nsu"zc tna i luut.
d 0 . Precizure. plicarl.'a und pozitive iuveraeul
mat sus.
14.2.3 .. Amplificator transinlpedaurii cu reaeJie
Un a1 doilea exen1plu ales acela a] an1plificatorului tran
Amplificatorul de baza va fi privit, de 1a de ca
de tensiune controlat in. curcnt. Este .generator ,real" cu
0
rezistenta de R 0 (f1g ....1 4.1 0) . .t\.mphf1carea .. far a reactie'' (arn
rea amp1ifica1 oruJu1 de baza) cste : Pliftca
f7., ClzfY:l?L
az = I .. =
-l l?L + R (j
Trans1nisia pc bucla are (! 1 = f!:_':!)
!, I, J
T=- =--= (!;z,
- !l f/2 !1
( 14.25)
iar ampl1j-icarea ,cu "
__ 2 J. I)
A
_ ..
_z=J=
-I
It+ l
Conductanta de inf1'arc este
1
[g
c,,j= v-=
_1
1 + 1'
{14.26)
(14.27)
i datorita aplicarii unei rcactii ( 1''>0), deci rezistenta d
intrafe scade (in contrast cu rczultatul ob}1nut 1n cazul precedent). tn schirnb
formula
(14.28)
se reia in acest caz (topologia la an1plificato1 ului este
Rezt'stenfa de scade datorita reactiei negative.
Proprietatea de wai sus pnate fi explicaHi calitntiv in felul urmotor. tn cazul etantion3ru
in nod. prin aplicar<"a reactid ll(.>go.tivc s tin de sa se men1ina tcnsiunca de Ia coutanta
cind amplificarca az. Dar o cauza de Yariatie a 1ui f!z estc ,ariatia rezilteatci
RL. Ca urmarc l'
1
tinde, datoritfi aplic3rii reuc1ic1 ncgathc. sa maa pu-
IN!Zii
!r-/--- ------,
-I
'.ll
l. __ --- _7_j
- littft'tl
Pig. 14.10
310
I
rle sarcina RL l>t: aid tragt"m
eli rczistt:nta rle acade
renc1 iti 1wgnth e.
14.3. ltEAC'flA CU
'J'IO Alffi t.. NOD $I
f\IPA1{ RE 1 NOD
14.3.1. J ri
pu ro melri de C'd drl
1
Rt nuntind la 1 r
ril sintplifi atoan. diP pa J
brraf( lt pr c dtnt<, \OlD
-
-
_.-J
1_. -------- I
______ __,
,---------------,
I I
I
I tr
1
Yrf '!2
L-----------r-.J
R I'Pn tfp rt!'tl,.fl
Fig. 14.11
1 d S
cricrc:a cea 1nai generaHi a ainplificatorului d bazl a
Jr ... de reac}ie : YOin folosi parametrii de cuadripol. ..,.
Orke parametri se pot folo i in principiu dar e te r tional i al gem pe eel ean 1lf1lhUI
calculele. tn cazul topologici nod-n d tste indicata o r pr ntare paralel ... dapl ella
vn ndea imecliat.
<: la rcprc,.cntar(a c t parauz rz ad nitanl" tit pe tr:u
cator, cit p\,;ntru rt:t( aua de It:cl 1 i (tig. 14.11). Gen ratbtuf de RJUQU
apare sub fortna unui gc tH. rator d cur nt
S, tcon:nul I-a a lui Kirl hhoff in noduril de tntr
d i :
T, - (rc -." ,.
0 - (y
Eht intnd p J'
1
( 4 plicit:itn L a:
I,
1 2 l'ru n 111i in u nilu t ral
1 I
t
0
fi supuner car) poate bin 1 lerata in .
p circulafi j s 1nnalulu1 1ntr-un Sl'llS b1nc dcterminat pe bpracttca
t a ucla de
r acti :
_ de ]a intrar) i<. 'Jire pr1n a1nplificator :
_ d Ja _,pl<.: inti ate priu ircuitul de reactie.
Ca uru
1
a
1
e, , ..on1 neg]jja pt' 1_'11 in raport cu Y!a:
&le (l_JJ) 1 Qj,li{)I/J)
i pe 2.'r in raport cu .'\'rf
&lc(_'\'rf) Jilc (J
1
ra), (y,,) 2m (Yra)
( 14.33)
Formula (14.31) de,ine atunci
J'Ja
Az
- )'Ja)'rj- CYG + yu,. + YiJ)C}T L + Yoa + YoJ)
( 14.34)
fn acest moment 'on1 defini o a11zpltjicarc 11 bucla de rcacfie deschisii:
YJa
q_,=Asl,,-ro ==-
+ Yia + YiJ)(YL + Yoa +Yo!)
(14.35)
- - - -
ceea ce ne permite sa scrien1
a
A
- _z
:.!:2 -
1 + YrJf!.z
T
1 + 1"' ' - = y,Jq_z.
(14.36)
0 Precizare. Aceasta expresie prezinta o ascmcmanare fortnala cu rc-
la}ja (14.4) care da an1plificarea cu reac}ia in func}ie de atnplificarea fara
reac}ie de functia: de transfer a rete lei de reac}ie.
14.3.3. Teoria reaetiei cu nod
Cu inten}ia de a da un sens marin1ilor az !]i y,
1
din expresia (14.36),
vom modifica admitan}elor din schen1a echivalenta 1?,
figura 14.11 (Yra = 0 y
11
= 0), construi11d un arnpl1ficator ,modij1cat
cu amplificarea o re}:ea de reac}ie ,idealizata" care arc func!ia de
sfer y,
1
(fig. 14.12). Ne gasin1 astfelintr-o situatic foartc aprop1ata de c(a
descnsa in figura 14.10 ( sint nrn1atoarele : g 11C'ratorult de
are o admitanta intern a an1plificatorul este chivalat en un alt
De data aceasta care intervin in exprcsia ,cu rwcp\i
(mai bine - in bucla de ,-cacf.1'c fncldsa), A z, n u mai a so .1atc u110T.
reale. Acest fapt nu este tot un cu ondi1ta ca az
t
... d t . d ' . ' ' } d "t ' 1'tlll CODlj))t t .
tie poa a e erm1na c p .. c1rctnte n1a1 SlD1I e ct cu u a-
:ji ' se pot d termina dirl!ct (fiirii a apda lac 1;-
metrn de cuadr1pol) de p cir uitul din figura 14.13 (ech1val nt u ir
figura 14.12). Acesta c st arnplificatoru) 1n bucHi des hi sa. Nn c stc
11
n
312
..
Arnpltftcotor motltfl ot
-/-- -
tiP_ 6oza
r1
-,a
-----------J
,--------l
L------,
p
1
lrr '!2 Y2
I
L-------;--1 __, r--+-------J I
L -------L
Retea dP reoc/t'? tdPoliznlri
Fig. 14.12
- I
I
/ 0
Amplih'coforul
I I
k D
!'s tie !Jozi t
I
\.... ,_,)
\
I
11 \1
-
I
r.- rr
_,
Reteouo
r-o-
.!'2
de reoclie
-
=-
r-o- z
!g
a
-
. f
=it
-
lg
!,
fi'l'!POUII
tiP
'1'
T
-
I
-
Fig. 14.13
real (de observat di reateaua de reactie a pare de doul ori), ci un cir-
calcul, pe care se definesc se calculeaza
Va .
=
1
-I
{14.37)
tXnbu a fi fol . "'
ttaJ (in bucl
111
. fortnulele de calcul ale parametrilor amplificatorului
a r actie inchisa) .
(14 3 0 trageJn tt
7) 1111 au !alo'r japtului cil f
1
ft calculate Ctl jrw...W.
IJsi
1
e dtn ctrcmtul real (,.cu reacJie" ).
<u r gur, prhna a r . .-L.Ij
(Jrmula (
14
.3
6
). P
1
atl(; a acestei teorii este determinarea
I llp
r"danta sj d\ illtldlt.:.' }lOt fi , t
1 .._ r ) q 3 ( 1 . . . 1 a ad
uJtatele din paragraful 14....... aua ogta 111t1t 11gurn 14.10 fig aptltlct
de intrarc y,t fi sCJisli adaptind formula ( 14.27) : ura 14.12).
l f -- lr t' (1 + T
1
L
(14.38)
unde '"{7' '\' I \'
.! i = .; sa .,- tj
- - (14.39)
estc adn:titau}a de a. in bucltt dcschisa (f
sau a amplificatorulm ,.mod11Icat {f1g. 1-!. L). Pe de alta parte lg.
1
4.13)
T' = T IY =()
- - _r; (14.40)
deoarel.:e, e,;dent, in ca}cu1ul adrnitalltl'i de intrar<? ) rc. liU intervine (,
Jul se face atadnd amplificatoml cu un generator irl al de curent) D
formula (14.38) poate fi yerificatil. prin calcul direct F figura 14.12: estgur,
in1ilar, adn1itan}a Ot; este
unde
"tT - )' ' '\1
.! o - oa T .1 of
- -
(14.41)
(14.42)
este de ie1ire a a1nplificatorului in bucla deschisa (fig. 14.l:i), iar
T" = T IY L =0 (14.43)
este transmisia pt: bucHi calculata cu in gol (a se con1para cu relatia
14.28). I
14.3.4. Exe1nple de aplicare a teori('i
e Etajul de amplifieare din figura 14.14, a are o reaetie nod-nod (sau
paralel-paralel) prin rezistenfa R. Este o reactie negativa deoarece potentia-
lui colectorului rcspcctiy al varjaza in ant ifaza. Schetna de curu1t
alternativ apare in figura 14.14, b, rcdesenata astfc:l pentrn a pune in e\'i-
dl:nta amplificatorul I\:t Jaua de n.:actic. \ che1na 1n bucla de des-
chisa ( ste reprezentata in figura 14.14, c. Ea <:ste desenata dupa regula din
figura 14.13. Se obscna cum R lncard'l amplificatornl atit la intrare, cit i
la Vom face calculele pc schema din figura 14.14, d, undc tranzistorul
a fost inlocuit CU circuitu} sau echiva}ent (aici Y0111 ]ua h, 0 ho, 0).
Cu notatiile de pe figura, r<:zulta
a
v2 ' J?;;
_z = J = - 1t, \c -, ,
l?c -\- lz ,e
T=
Jz/,1?(;
J?(; + I<
J?'cR
J((;- -
J?'c -t- /?
r al ]>Ozitiv.
Daca h
1
, este suficicnt d( 1nar , atu1 i 1 l tia n gativa
? _puternica (T 1). Est p10babil c. RG ,... Jz .. , dar If
tnctt este necesar ca
314
(14.14)
(
r
(R
"j w
I
a
I Rn
R;:: Of
,, r ,"?,,.
I
..L
b
c
d
fig. 14.14
------ __ _J
r-- --
--r----,-- I
R
1
A plicind fonn ula ( 14 .36), o btinem a1n,plijt'carea fn bucl4 tle reaqil I
chi5c1
Az = & = -R
- 1+T-T .
ai
1
'
"'
1
.. . A 1
c; 1n cazu unc1 rcac}11 puterntce !!z -, un
10 tlqak I d. l_rl
uu.r u. a
11
c t Pl.' n t ru cu adri pol u1 de react,ie precizat ln figura 1
L d
0
!"t)''t-= -1/R, s r obtine rezultatul din relatia (14. 7) ceea
'1 P at.
uda _l>orim, d sigur, a R sa fie cit mai mare {pen
Ill , R .tun a C{fu U t
2
- A.z I
1
cu un curent I
1
c:tt JDai ....
u g ti, n.:a ntare atun i (14.46) nu mai e t
r 1 \.l 11 u ( stc f d
' vU lCH.:ll l puternicl pentrU a
Rc;:.t'stcnfa dt ittfrat't ru \2al ... .. ' u .ror
11
1t
1
]a
1 14
R, tezulta din figura 14.14, d (1 , RB h,c 111 parn1c1). tar . n
1
,
R'=
1\ I. -1- N .
veri fica
...,
T'>
T' deci pu t-l 111 PI'--supun( I
1. cd
....
ca ,
,.-
tl l
ll ....
1 1<.' hi
=lz
R h N,
+
N
R --- --
(14
.
,;- T' R' + lz,e
Ill
]\> I
\ c . I
'U z, (- R gasin1
(14.50)
onformitate cu inegalitatea 1 4 4l;;. I't: oarlcc rezisten }a de intrare a
\Ill l. l ( 7 R ) 1 -
etajului far a reac}ie estc v 1: 1r B , rezu ta clar redu'-x>
rea rezisten}ei de intrare dat :>rtta reac}1e1.
Rez1'ste.nla de 1c$irc i n bucla de reac}ie deschisa este (hoe 0)
R = RRc (14.51)
o R + Rc
Pentru aplicarea for n1ulei (14.41 ) a vern neYoie de
T" = T
(14.52)
deci
1?.0 1 - = - 1 + - -
R
0
R ( hie) R
' T" hfe R(; hfe
(14.53)
Rezisten}a de in absen}a r.eac}iei nu se confunda cu R o'
in bucla deschisa) est e I ? c. Dor1m, ca .Ro,f Rc AcE-asta
este satisHicuta, deoarece Rc Rfh
1
e dtn rela}1a (14.46), unde Rc > \c.
Vom verifica acun1 in ce masura condi}iile (14.32) (14.33) care stan
la baza teoriei din paragraful 4.3.3 sint intr-adevar satisHicute. Pentru
uadripolul de rEac}it diu f1gura 14.14, b se
1 (14
Y!f = Yrt = - -
- - 1-<
1
erificam
h /t I I 1
)'fa -= - gm Ytl 1 = - '
- l - 1?
l ft
condi}ie foart c1t 1nd' 1 lin it. A doua 'ondi1i cst e
I
h.. I
I )' ra = _:_ )'' f I
- lz ie
316
1
I<
( 14 6
+
,-
: \
.----, I Amn/t/Jr - ...... ,.
ru
\
I I
I !"2 ___ _J
Fig. 14.15
0
r
eactie nod-nod ca cea din figura 14 14 poate. fi
2
_
1
c t.;:-
r " . . {d } . .t
1
a a UDUJ
l
.f. ator cu mat mare e exen1p u cu tre1 eta]e EC) '\e nc n
.
l) 1 lC 1 } ru . - v re en
ca un al dollea exemp . a co Iguratta. Inversoare din ta belul
13
3
in figura 14.1? . .... operatlonal este an1plificatorul
r aza iar reac}ia ne&,atlva se prtn R2. Sen:nalulla intrare este curentul
b =' V
1
/Rt (R1 se m generator), 1ar amplificarea ceruta este
1, = v
2
;J,. DeoareCe a.mphflcarea es.te foarte Iez.ulta 4z l/}_'.t=
:: _ R
2
, ceea ce se ob}1ne dealtfel prn1 calcul d1rect (paragraful
t4.4. REACTIA CU E$ANTIONARE BUCLA PE
BUCL.A.
14.4.1. Teoria generala
Dez,yoltarea matematica asociata acestui tip de reacjie serie-serie
se bazeaza pe folosirea 1mpedanf.a ai celor doi cuadripoli,
cum se arata in figura 14. 16. Generatorul de semnal apare sub fonna
unui generator de tensiune, in conformitate cu conexiunea ,,tip bucHi"
de la intrare.
S0 scriu ecua}iile
T
7
, = (ZG + gia +
+ (g,f + g,a)l
2
; (14.57)
0 = (gja + ljf)[l + (ZL + go11 + go/)[2. (14.58)
Dtoan:ce (paragra ful 14.1. 1) n1arin1ca d este curc:ntul, iar marin1il{:
la intrare sint t ensiuni , este norn1al sa privin1 circuitul ca un ampli-
lrntor transadn1H anta. Se obline
(14.60)
{14.61)
317
Amplilicolur d'B l!ozti
...L---
,
?:oa
z I
-ra-t
--.
--'
r--- .-..-. ...... --- .......... -1
!, f
I
l
L _____ ------/..J.
KP!euuo Ill'
II
Fig. 14.16
I
'
Ca unnare
1 + f rJ!.1 1 -f- T
(14.62)
unde
- Z.ja
ay = Ayl,,
1
-o = ,.. )
- - - + gia + gil)(? L -f- ?'oa +
( 14.63)
este an1plifi llJ bncHi d<:\sc his a. Atit cit transtn1s1a pe bucla, T:
d tc:nnina de pe schen1a In deschlsa din 14.17.
cun1 s-a linut searna de 1n<'arcarea data de retcaua re.actte. atlt
in1raH:a, cit ]a re}el '"i dt: h:ac1.ie. Se verifh:a con.:ctttudtnea fonnnlet
(14.63), care uc: da = !
2
fT' . Sitnilar sc dctennina T' = f.tfV 1
La in eama citit(lrnlui formulclur
LG I
r-
r :::J ,
-.
Aff1pl//;cof!Jr
c-cv
tfp 6nt.ti
-.?fl
I'
l
f?p/f1QIJO, -'
I \
de ;Podlf.'
1
-.('
I
11'1
!.1
l9
1 fft-f iJ n
I rlfrocll
l
f
vJ
Plg. 14.17
318
I
2
li-l
I -'o
I
'
\
'f (I + 1''),
'!:i.,J :::::: !.! (
T' :::::2 r \z _I)
..- - ..G
(14.134)
(
uncle 7. =- 6. I r lf in bu.
-( -a .,. 17) l ret
de i "L. Figttt(L t4. ft
pectiv
'lio,1 .. 7;
0
(1 + T''), Z.o !o. +
T
,, T I .
+ ! Uf' =- z L -o
1\ acjia 11cg jJroclu r, ..
terea tlc. 1'ntrarc .,$' t ul ..
zist nf.e cl ie r t1nz'ind
1
1
cat orul original
amP
1
d
]l
.fjcator transa nn-
an1p
{ornle
1 "' b ...
un detaliu o serva:n
Ca te n1ai n1are dec1t
I
Z
. f I es " .... .... . . . "'U
ca -t"t datorita Jncarcalll s -
I
Z;o I a 1 1)roduse de Jeteaua
-. entare . ) "'t
v11l1
1
(Z = Zid + Cl
J aci lf' ...... - . d
dt fl' ;it-a sen1na1ulul e
#- 0). CP 1 de-a 1
act
1
e: (t <: stc spccij1'c
r f't 01 r
A mph
tie /Jozri
,.. I tJ
Refeouo
de reacfJt-
..__ ___ . __ _!i---1
]ea cf.ec. fie T' = T > 0).
11
r pattve ( Pig. 14.18
Nota. fn ....
0 trt'i in
1
pcdan}a deptnd de frecYenta. Este posibil ca ::n a .t
aran1e . .., +
1
. tv .... d . ... . .l num1 e
P
1
.
1
. de frecventa reacrta ap tea a sa ev1na pozttiva a tf
1 dornen . ' .... .. * , s t
l
t'tatea functlonarn .
st a >1 1 '
14.4.2. Pro blen1a punctului de masii
problema a punctului de n1asa apare 1n urmatorul con-
t(xt: d b ..., d
_ amplificatorul e aza are e regula un punct comun intre intrare
si care este de masa al intregului montaj ;
' _ exact s1tua}1e apare pcntru rcteaua de reactie;
-- generatorul de sen1nal are de re:guHi punct de masa ;
- sarcina Z L are de regula punct de n1asa.
In aceste condi}ii constatam ca nu putem 1nchidt but.:ln de intran.
respLctlv de ffira a scurtcircuita reteaua de fig. 14.18):
J\1odul de evitare a acestei dificultati a tit la intrarc. tit la
va n.zulta din exemp1e u]te:ioare (problema apare pentru
care 1.nclude ca in C1rc1H.tclc realc confi-
a corccta t-zp bucla uu sr 111a1 c ca ce itnpun precautit in
aj heart a tcort'n' rractie1. '
'
14.4.3. Un e .. de cir uit
1
. V
11
} Ielua caz11l ampl1jicatorttltli ctt sarct.flii distribUJtii fig. 14.19, 1),
lar"et'll vorn trata acutn a pe uu ci1cuit cu rcac1ie. S(h(.n1a de cun.:nt
1
ctar: a re el i d lt.a 1ic (rate cuprind , tYidcnt, p( RE'
. t n
1
a
0
s r1 d 'l artificii.
Flgtun 14 20 "d t
l a n u.itul p fac- calculul am const
c'
10
' = ). Adnut 11 a ( t tjul a carui marin1 d trebult.
ni':tuJ, lu r za pra ti in cu;t ir uit, cu < Rc, dcci curentul
apro imativ tgal cu cuHntul at\ de colector.
rol.ll Ill tnblhtA1ii
r t tn tl'm tf dec at.
bord uz in c-ur ul ( t 1r uttc i11tegrate lz ate f baza UDUJ
31
I
,,
'
Fig. 14.19
A t la r
indul lui este aproxitnativ egal cu curentul de etnitor C
ces a, ' . b
1
d a
unnare, reactia consta in Spe uc ta t...,e lltltf.ral re a tensiunii Rsl,
proportionate cu.rentul. de e cons a a as e prezenta unei reac:tii
de cnrent (tip sen:-s'-'=rtc). . . " . . r
Cuadripolul de cste tndtcat tn ftgura 14.20, b parametrii
. ;li se pot .. dtrect. , Cum . . . J cuadripolul
se ca 1n c. Apo1, .. pr1n lu.t RE!t
incarcarea :u RE attt .la tntrare la (fig.
l4.20, d), se pune 1n evtde.nta un cuadrtpol de reactte tdeahzat care
furnizeaza semnalul de reactte = REI<J . "
.A.mplificarea in bucla desch1sa se detenntna annllnd acest setnnal
de reactie:
RG +hie+ RE
( 14.66)
r "'}
..:. - _,
a
I
I f
I t
I
'DR
t[
r - - - , I
R
ol c I V
-2
e, ' 1
---o
I
I -
-------.
c
I
iq. I .20
320
P
c bucHi estc
1
1ranstnisia hi R
T = =
11
E
+ hu + Rll {\4.6?}
111ult supraunitara (lz.,eRE R + h ) Obtt.nem
l
)rcsupuncn1 J G
c;i 0
' - 1
A = -
_z 1 + T' RG + hie+ (hfe + 1)RJ: == RE (14.68)
1C. el trecerea de la figura 14.20, a la figura 14.20 d se f .
O Nohalll . . ' ace f1 prln apll-
. t remei 1 ut
dualel eo
cnren Obser,atie Designr, cu pot fi analizate
. 0 t rt' n aplicarea teore1nelor l ttl K1rchhoff. Teoria react-iei "t"1 de
dtrec , P ..
1
. r -t" mon-
91 .. tl'litatea 111 cazu unor c1rcu1te cu n1a1 multe eta]e Ea ast ...
t . ,aza u . .
1 1 1
, . . . gura
s tt:
1
sinll>hflcarea ca en u u1, <..:1 s1stetnat1zarea acestuia intr-o for ..
u uunla . 1 "' t 1 . . . rna
u nite esttn1area c ara a e cc u u1
care pt:n
14
.
5
. REACTIA CU IN ...:ron COMPARARE
PE BUCLA
14.5.1. u pli(:ttit unni atnp1ifieator de tensiune
in paragraful 14.2.2. aratat :a prin aplicarea unei reactii nega-
t
. , uoui atnplificator de tens1une se rezJstenta intrare scade
1\e c r -- 1 1 d ... ...
rezistenta de ie!?t:e. 1zan1 acum ca cu.e mo ebnd at1t ampli-
ficatorul de baza, c1t 91 reteaua de reac}1e cu a]utorul parametrilor de
cuadripol. JJeoarcce la iutrare aven1 o topologie de tip bucla, iar la
una de tip nod, von1 alege o C14 paraJnetri h. al cum se
araUi in figura 14.21. Se scriu itnediat ecuaiiile
....
J!t = (ZG + hia + /zit)! 1 + +
0 = !:Jt)fl + {l"L + +
AmpllftcafD,.,ul tN tJOza
r--/---- ---
I
!,
I
I
t
rz
hrot I
'--
_,
-,
I
\
I
L'oFt
,
I
J
..w
/
H dl' rt"otf'fe
,
Pig. 1t 21
CI CUlt
I tr ntr
(14.69)
(14.70)
Pn.:supunind din nou unidirectionalitatea t
(s neglijeazii h,. !!it}, obj:inem ransmlslei pe bucla de Tl'actie
Av !!:.,.
- (ZG + + L + !!.oa +
(14.71)
sau
A
t_!r
_v = ----=-- - ----
1 + lz,
1
a,. 1 + 1 ..
04.72)
(14.73)
T = h,
1
av determina pe circuitul in bucHi de deschisa dtn
figura 14.22.
PL' circuit sc determina in1pedan}a de intrart: z. resp<: f
impt danta de Z o in bucla deschisa. Formula ( 14.22)' a reziste
de se rda aid nra demonstratie nttl
Z - ?.o T" 1 ..
_o.t-
1
+ T" , - -= (14.74)
\ ingu1 a modificarc consta in faptul ca a tit Z o cit 9i T cuprind
incarcarii produse d reyeaua de reactie asupra an1plificatorului (la
ampliiicatorului mai apare ZG =I= 0).
Jconnu]a
Zi,f = + '['), [_' = 1 .. 0
st: d ]a icl ca )n paragraful 14.2.2.
() 4.75)
0 Con1parind n:zultatel oblinute pina acun1, ren1arcim eli forma
rclafiei care cxj;rimii corectarea imj;edattJei de intrare sau de
reacfici dcjJinde de tojJologia sche1nei. Daca topologia la t t
1
de 1 ip buclli, atunci imj;edanfa d intrar fi :;iH s > pnn
d<. r(actie E = 1 =1 r. J)a a top togia la int1 ar {_ st(_ ttp "
- (Ltunci dt. la 1utrar 'i
r---+----tr------- )r s l11Ultlph<. rt p1111 F I
322
Amplllicoforul
!Jozi
RtlM16
demclit
flg. 14.22
14 52 I
tnlplu de apUeart
1
. . . ur tor
tforifi u u Jru unui OJUt 'ft.,.
(u doni trunzi tonrr lpe
Fig 14.24
,
PJt I
.
..
uite
1
Raportnl R 1 RE e , ..a in de Jnaritnea ceruta
am] Jificarca in cur<>nt, A
1
. reztstentelor R :ji R se t
din urm3toarele considEr : !I RE. trebuie sa . fie suffcien:
pc ntrn a
11
u 1 ndirca apr ct a bJJ ! . 1 n en:J tor ( u;n de i lnic:t
"tn al doilea etaj si scade curentul Jnjectat 111 baza lut 1 2) R c.:i R tntrare ., ,.. .... , y E.
a fie suficicnt de tna_n a nu
1
1J?caTrca pr a n1 ult
enll a1 a 1n1 s urtctrctnta tntrarea u1
1
.
\ltliNttll' uumerkit. !
11
rzrcu.Itul din jigura 74.31 se ctuwsc R G 1 kfl, R B--
24
kQ R
= 4.7 kCl. Rc, - 33kQ. R 22 kQ, /II, 0.18 k1l. Rkt 10 kO, Reo 20 kO, RL'
Pmotnfhri ttan=istoarr.lot i uhntici) snt h(e. I kfl, hJe 100, h,, =
0
L ... ., 0
ircuitlll in curent alternativ este clesena.t in figura 14.35, unde ae iodici
anumite (schema in huclli Se
Rc hjeRG
f'V -
Rr; t- hu RG + hit
1 oo . 1
l -t I
33
--------- 3170.
33 r l + IOJ 0,18 =
1 ran misia pr. buc/{1 Jstc
(
R r\ 3 170 . o. 18
I I I + = 22' 18 - 25' 75 > 1'
tar amplijtcarra itl bucid fnchistl
- 3170
---- - - 118,5,
1 t- 25,75
m timp ce formula aproximativll (14.83) drt A1 - 123. nicl rezultatul aa
estc exact, din cauza neglijarilor fucute 111 figurn ) 4.35.
Rcz:z tenfa de ntra1r \'a fi alcuJatli ut formula ( 14. 78). in care l' - I peutru 1l(j 0 5I
1
O,fH ft kO,
___ .....,
1 t 51,5
' 1' + 1'
dt.cJ o rczist.entl de intrarc foarte midi.
lJetenninarea t'tti tenlli dt ire tr buie f ( utl1 u nH1rr . tl t artte Ia ..
avem o oorectl tip bucl . 1 mptod ant vllwtll Ia ttngu nrchn I R 1 tr datl de It,.
11
par aiel cu lmJl dan tn of rl tli II o 1
1
in , vi tnr. A ee ta dIn mull t f onn"l i 11flaltl deoiJ'C"
m C'IJn iderot hot 0. JJo.c 1 1 10 run ldt r t h
01
r1- 0, tun i 111 fn colf'('tor n f t
mult mai mare dt Jt l/11
0
, lntorit l, pt' d o J)art re tl 1 l )C ,), in ouit( n'l lui fa (a If
1
etn]ul cu arclnC. (h tnbnltli). I 1 I' nitA 11 rt r 111 1 tl\<" gl"hulr care tl .. clr
mr 11 mllr attcrl 1 u\a. u t: r . ., urm ,r,., rrzl li"U1t d It in din .,..upllfkakl'
up o"Xrn ul th U,
1
, lud<')l n dent J pll ar< r a t 1 i 11
11
t 1\ ,. 111 111.,!lr pllrl
n n peLt an.: tL topoloJ'h i tip huel .
II,,
IAfJ
ig I 3;J
Capitolul 75
REDRESOARE STABILIZ TOARE
15.1. I ..:T
Aparatura electronica arc neYoie: 1 f . ..
d
t n uncttonar .
lor, e enstunl conhnue de alimentar t , Jn UUlJOntatea azu -
tinuc se obtin prin ia puterii e.d n general aceste ten iutu ..............
50 liz in put rc de cun. nt cont inuu c e alternativ a ret 1
1
lor de tensiunc continua. ' reahzt-aza cu ajutorul
0 sursa dt (OntiUUU Sc COm une (f .
l un 01 un filtru un t Pbr tg. !15.1) dintr un tr n
ursa de ten ,. s a, ltzator. n lipsa hili t
1'1' . 'I Lonrnua Kl abl
r-.ta 1 tza1orulu1 pc arta d<;uutnin.:a de.: ...
1 1
...., tar n pr
4-uta. su' a tl lfhttN4
d
d
l
,tilt ,,l
U UDII f t fir
d t " .,,
,
... I I
IJ
t
d
1
0
ta
.........___.
Rl.
1 .2. )ARE
i N FAZATE
1 .2. 1. ll{'dtesur tnunoulte . ...
fiil'ii filtrn rn.tn1u
ln figura 15 :2 s arat"
... '-'- a scl
tna ttlltll I\: drC'sor 1110noaltr. , lC::
.f"' "" ..
1
"ara 11 tru, pn ..:cun1 forln
1
,
d
"" d' . . . ee
Ull a 111 Cll'CUlt. consid(r:-
t f t f
"" ,.. . lt un
rans onna or ara 1nerdcri cl. fl
1
. " . ux
a tmentat 111 prnnar de la t . '
V
.
nea V1 = 1 Slll wt, astfe] caw "
d
>J' lt1
secun ar gas1m tcns1unea :
l' . V2 = !! stn (t)l (15.1)
rezistenta de picrderi :
R T = r I (H 2 + r 2, H 2 == I , '!
n1 "1 rl
(15.2)
_, __ --1--_ _,_ ____ wt unde r
11
r
2
;;i n
11
H
2
sint rezistcn-
tele, respectiv nutnarul de spire
ale primarului ;;i secundarului.
e Intr-un rcdrcsor, dispozi-
tivul semiconductor lucreaza la
semnal mare, neliniarita}ile dispo-
zitivului prodncind eiectul de re
drcsare.
F
.
15 2
Pentru a face o tratarc
tg. . . "' 1'
tica accesibila, aproxtmam 1n1ar
pe po11iuni caracteristica neliniara a diodei asa cum se arata in figura 15.3, a.
Val01ile numerice pentru V Y 9i R
1
depind de tipul diodei folosite, pre-
cum 9i de amplitudinile tensiunii 9i curentului prin diodii. , ,
Astfel, pentru Ull curcnt maxim de 10 mA prin diodli, valori r<!zonabile sint Jfy == O,b
1
(0,2 \") 9i Rt = 15 OJ20 0) pentru Si (Ge), pe cind la un curent de 50 wA vom Jua
= o.ssv (0,3 V) R
1
= 5.5 n (6 n) .
a
I g. J 5.3
1 >aca atnplituditt "a tensiunii p. d" ...
. , e toda t
Jl "( )ta111 aproxnnarea din figura
15 3
s e 1n...are, t
foartc snuple. . , l,, caz lU caieu I*
'" d vin
0 Trebuie mentionat cii R est .
d
(
. . f ' 15 3 f c o reztslen,J"' d.
cca c c.c. vezt 1gura , a) precum . d ra iferentialii d i,j .
""" YJ V ,J(i,. + Io)- Rf in aproximafia / valoarea de de
5
tantii corespunde paramctrului d Jgura 15.3 are
0
val IC
teristiea f{alli ncliniarli. e semnal mare mediu de oare con-
l
. . pe carac-
Curen/u prtn rezulta ac ..
urn anahbc
undc
v
IM = 2 ,
R.+ RL
1ar R, est c rezistenta totaHi de pierderi :
R, == Rl + Rr.
(15.3)
{15.4)
{15.5)
( 15.6)
Curentul poate: reznlta grafic di . .
sfcr (fig. 15.4). Forma de unda a dinamidi de tran-
monoalternan}1i. Dczvoltind ln serie . Ul este redresarii
zulta : urler aceasta forma de unda, re-
. [ 1 1 ?i
1 o == I M - + - sin wt _ L; cos kmt ]
7t 2 1t k-2,4,6 ... (k + l)(k - 1) .
Tens1unca pc sarcina rezistiva RL este :
'Vo = RLio
'o
wf
I
.,
Fig. 15.4
(15.7)
(15.8)
1
\ . ur
1
na , curl'ntul t lett iunca medie ( rt!dresatli ) stnt :
To T., , o J>L I., RL . v .
1t 7t J?, t- RL 7t
{15.9)
Rt zulta d i on' r i t n iunii alt tt2 (d cornponenta .
1111
1. ) lntr-o t u iun unidi1 ti nal:i cu ompon nta medie nenula
( st< 1 ct ul d r dr TL l'c lingii componenta m di , a pare
(
1111
m ntJ ,alinbild, numitii ondtJlotie, dd init5 a : a o
-i
0
(f) io(l) - l o;
11
o(t.) = t'o(t) - l'o. {15.10)
it1f1
4
111
plitudi1u:a co71zpo1lC1tfc1 ju11da1ne1lfale a ottdula(1'ei (precun1 a
t lui e ,11" a l) r z ul t tt di n r 1 a ti a ( 15.7) :
fr C\ nta tensiunii 11
2
Atnplitudinile arn1onicelor
cu ordinul ace t ora (' r ela}ia 15.7) .
iuterescaza cficace a curentului total
T 1t
= _!_(ib dt = _!__ ( (vtd(w/)
T ) 21t)
0 0
(15.11)
de ordin superior
A w
ll'l sarctna :
(15.12)
p1 cnn1 valoarea efi cace a ondula!iilor :
(15.13)
= -
e Sinte1n acutn in n1asura sa definitn Jlrineipalele earaeteristiei ale
unui redresor:
- caractcr1shca c xterna ,
- randa1nentul .
- factorul de ondula(ic ;
- ?.Jalon'le ntaxhne ale cu.rcntului $i tensiunii pe diodii.
Eliminind pe RL in expresia lui V
0
data de relatia (15.9) de
( 15. ) scrisli pentru componenta me die (V
0
= R L I 0), rezultli earaeteristlel
extern&:
v2 I
V
0
= - - R,
0
,
7t
(15.14)
r pr<:zentata in figura 15.5 care arat5 di t cnsiunca rc_drcsatli
mlisura cc cr .!]t c curentul de sarcina, datorita pierdcnlor pe rezts ste
intcrna ! ( ,. Cu liniarizlirilc flicute, caractcristica din figura .
o dreapU:i. Rclajia (15.14) sugercaza de asemcnca schema ec "
{p ntru componcntele medii) de tip 1'bevcniu din fjgura 15.5, b. de
Uandamentnl redresiirii sc dcfine!]t ca raportul diutrc puterea
c.c. in sarcina put rea total a :
332
.,
j
4
1 < 40 o/o. ( 15.15)
--.
1 + R,/RL
r--
..
Rill
' -----,
r.
I
v2
:l
+
I
J& '
I
fgtXRi
-
I
.
L
---
0
r,
-
---
Q
6
Fig. 15.5
Valoarea rnaxitnli a randamenttdui este de 40o1
R
A R d c 1 d . . IO valoare ce se obi-ina
pcntru t v e
1
a p1er er1 m1c1 sau la . ,.LaM;
vatoarea scazutii a randmantului se datore!jte .sarctnl mici.
I JlollF = 2/7t < 1. Forma de undli redresatli. (fi nuct a raportului
0
valoare continua, aviud variaW mari intre : c)aleste de
. . t .,. 1 "' d t ul.. o '1 v oarea maxunl
precum tn er\ a e ctn es e n a. Acest lucru r ult"' '
ondulatie, paramctru cc caracterizeazli .,calitativ"
ca :
(15.16)
y subliniaza din nou calitatea slaba a redresarii
. fundamentaHi fiind mai mare declt v 1 _
rca med1e a tens1unn 1n sarctna. a oa
Se mai un alt factor de y':
y' = Vo,tf ll o = Io,tflo =
= 1,21. (15.17)
Valorile maxitne ale eurentului ti tensiunii pe diodi, importante in
alegrea accsteia, sint :
curentnl 1naxitn I A ,.x = IN ; trebuie ca I
11
< I .... , dat in cata-
log;
curentul 1nediu 1.-to == 1
0
< l .4oM, dat in catalog;
- maxitna pe dioda (fig. 15.2, d) care se in
dtoda nu conduce v
1
= - V1 (rut = 3 7tf2),
A H max = 1
1
2 < f/ A R.\1 dat lll catalog.
15 3
Da)ca'rr .. este de ordiuul , ..oltilor, va trebui sa tinem cont de V, (fig.
': a .1,.. n acest caz , .. a exista un unghi de intirziere cp a1 cu:rentului.
nu mat este 1n alternanta poztttva. ... este dtf:rita de zero
1n alternan}a negattva (flg. 15.6, b). Tratarea anahttca este dificila, dioda
se cu sa selllD:al mare, de atnpli-
tudinea cnrentulut prtn dtspoztttv. Pr1ntre modtftcartle care mai interv1n
men}ionam urmatoarele :
- rezisten}a R
4
va fi neliniara i ca urmare caracteristica externa
va rezulta tot neliniara ;
- scad valorile lui I
0
V
0
datorita conductiei inverse a diodei :
- scade randamentul redresarii;
- scade putin tensiunea inversa maxima pe dioda V AR .,.. ... = V2 -
- R L + R'l')l0
15.2.2. Redresoare dublii alternnntA lAra filtru
ln figura 15.7 se prezinta schema unui redresor dublii olternantit
eu prizi median& formele de unda din circuit. V alorile V 2J 11 2, r 2 sc refer a
la jumatate din secundarul transforn1atorului. Se observa ca circuitt1l
se compune din douli redresoare monoaltcrnan}li, astfel conectate incit
in alternanta pozitiva conduce D
1
, iar in negatiYr:t conduce /J1,
curentul prin sarcinli i
0
= il + i
2
avlnd ac s ns in amb lc altemnn1l'.
Se ob"tine forma d ,dubHi altcTnan}a" aratata in f1gura 15.7, c. .
Efeetul de redre ore. Daca adn1itcn1 1 .. , tJ u diod L a1 < t risticc dlU
figura 15.3, b, curen.tul in sarc1'na va av a
1
Xpr )sia an ali 1 i c tJ :
. I I . t 1 ( 15.20)
'f,o =
11
Slll en ,
cu Ziti dat de rela1ia {15.5). Dezvo1t1nd JJJ s ;\ ri :tou i :
io = 1 N 13_ - L; s luut 1
7t 1t 1c ... t 1) (ll - 1}
Curentul tc1tsi14-nea rrdr ata siut :
1
21,.
0 =--,
7t
7t
s. observa ca frecventa minima
a e ondulatiilor dubl.ul
. tei lui v
2
1 amplttuduule
'enr . f d t l ...
conzponcnte1 u,n afnen a e tn sar-
cinti siut :
41 M v - L 4
J =-, o2- -
o2 37t R, + RL 3r:
( 15.23)
Valoarca eficace a curcntulu1
;n sarcina cstc :
IoeF =
(15.24)
intocmai ca la un semnal sin u-
soidal, valoarea eficace
zind de semnal sem.nalulu1.
Caracteristicile redresorului.
Sbnilar cu paragraful precedent
cl ohtine caractcristica cxternii:
,..) J
)T ....
T! RI
v 0 - i 0
7t
(15.25)
din (are se \rede ca tensi unea in
gol V
00
= 2V
2
/1t este dubHi fata
de cnzul tnonoalternanta daca
fr losi 111 nn transforn1ator cu ten-
siull" du bHi in secu ndar (coinpa-
ra.tlv cu cazul ynonoalternauta).
Fnlosi ud tra n forn1ator
St Cuustata Ca teusiunea in gol
tt: anun1 ten i un...,"
d1n sccundar { l'
2
, r sp cti v ... l ,)
itnpart ita la 7t.
60
1?andanz Htul redrc ariz C'St
l?z.)
(N.+ Ul) 1;,, r
8 I
1 /t, }\ L
v
/0
()( l \t
rtor l d
(I .2 .)
'- t ullu L1l(c
nd ll li r l :
b
c
zul
y l'o /l' 0 2/
wf
flg. IS.?
no lt rn
0, 7,
(15.27
33
o111n
I g. J 5.8
C )a., i t U5iULl
a ., i in caznl
SolH 1tan d1odclor
1111 :
curt nlul tua :\ iu1 1
1
A "'" I
M;
11Ct 1fUl 11lt"(l i1l ] AO = lof
2
<
... l.AoM ; '
Rl
- fc11 iu11ca 1'1tvcr sii maxim ..
diodii l AI\' mtu = 2l' 2 - RI I'OtJ2Va Pe
l
Jl =
<. ! ARM P ut r u tensiune' i
s cundartll transforn1atorului (pn t n
d
v) . '-n ru
r r sa
1
tt . a A R ,.,t,u Ia dubla
monoa anun1e ens1unea maxima pe
... lt ll ll nt
!'\ c nu dar.
n figura 15. e pr. h 1na. unui alternanla
11 11
nnt In 1. onduc JJ1 1)3 ,"' 1ar 1n alternanta
11
ti' a _ Dtl
D
4
, obtnnndu-. ac fortn ... de unda ca la redresorul
dubla "lttrnanta u priza 1nediana 15.7)., l!1t rucit la. un 1noment dat
c ndu doua diod , r la}ia (15.6) dev1ne Ri = 2R, -t- Rr cu aceasta rela-
tlil a -it p utru cazu1 cu priza n1ediana se pastreaza, tensiunii
lll "(I
teu-
. "" ,.. . 1 . 'J R I < V (anlp lttt lne
este cupr1nsa tntre zero va oarea maxtma L M ""-. 2 ... . "' troducetn
siunii pe secundar) Este necesar ca intre redresor sarc1na sa
111
t
d 1 t ii rcdresa e
un filtr u, care are scopul de atenuare a on u a}:e! cca ttt.li
Filtrul eel mai des folosit este liJtrul sub tonna sa lternautii.
simpHi, prezentata ln figura 15.9, a pentru un monoda t
,.. . ... . ,.. . t 1 1 ' lnd dloda con uc , 1
Gondensator ul1nmagaz1neaza en rg1c 1n tn erva e e c "' . re titnptl
gie debitatii. ln sarcina atunci d nd dioda st e blocata ; ca
111111
a '
cit curentul trece prin sarcina iar ondulati11e se reduc. . . 111
{'ltru c]ua ryt "
0 ota. Trat area analitica exact a a uuui t <; dr sor
1
_.
1
ia datodl a
.... f "' 1"' d tor ec.te
)t
aceasta orma s1mp a - cu un stngur con ensa - >.}
0
o..--
c
Fig. 15.9
neliniaritatii ecuatiilor ce caracterizeaza circuitul. Ca urma .
. z;/. ..... . 't t . ' . re, St jac 0 Sl' rte
de t; zcart care perm1 ra art anahttce aproximative ca d , .
de o parte la in}elegerea fenomenului, pe de alta parte la obr: con pe
uf' t d b }1nerea unor
relatn s tcten e u ne pentru calcule
lntr-o prima aproximatie neglijam R, = 0 consideram un
condensator de valoare .... mare RL 1. In aceste condi}ii, pentru
redresorul ... nta, se ,..obttne de ..unda v
0
din figura 15.9, b.
Condensato.rul se 1ncarca spre vtrful v
2
ctnd dioda conduce (in inter-
valul 6 = 62 - {}1 ... Unghtu.} de interya} lll care
v
0
.= V2. dtoda (v2 de:rtne 1na1 mtc dec1t v
0
), C se de cardi
pnn . aprox1mat1v hntar daca wC RL 1. Cu cit aceasta ultitn5.
co.ndttte .. este bine indeplinita, cu atit unghiul de conductie 6 estc 1nai
n:lc declt unghtul de blocare 21t- e, astfel ca la linlita cind c _.. 00, 6 __. 0,
2Tt - 6 -+ 27t (rezulta din la care ne von1 referi in conti-
Ca e --+ 0 COnduce la 6
2
= 7!/2 deci descarcarea lui ( incepP }a
Ytrful tensiunii Daca {1
0
este an1plitudinea at unci :
l' 0 = v2 - l' o (15 28)
F" se detern1ina din condi}ia ca sarcina acumulata in C la incarcare :t
cgaHi cu cea pierduta la descarcare: l' o = 1
0
T = 2rtl0fw deci
Jf 0 = 1tl of (l)c. ( 15.29)
( 15.30)
/acto,ui de oudulafie :
y =
L\ J!
0
Vo
1t (1531)
=---
Dtapozlt
l\ $1 <"tr"' It I .
" t." eectllnir(l
<) , aloare utan: 1 u condensator reduLe ondulatiile pe d..
1
...
' 1 T " e a ta p
L_ < Hlnti
111
an ondul.1111 t' crcsc. t!llSlUll a 111 got fata de arte.
l1 ui Hirli fi11I u la YnloL r _a .. r 2. E stc dcci a vantajos sa
(_l<..'( ""t 1iltru Ia cur nt u<. sarctnn nuc.
Putt:
1
u curentul uzax11Jt pri n diodii. 1 A prns ..
,.. . . 6 ' . . ma%, '- upuntnd
(. <,
1
-..t
111
t 111 1ntervalul de ondul:tte f W, - condttta de sarcina pe U-1
..,,
1
1
01
1 A ma, 6/(t) = 2i:l
0
/<u. Unghiul de conductie rezulta din
1. (1 -cos 6) 11
2
0
2
/2 - nlotnentul 61 in figura 15.9, b. V a o:::::
.. I ;- . otn avea
dl{i e-= 2 -v V0 f 112 :: 2 "' y
( 15.32)
0 Ob ervaJie. Valoarea curentului de virf in dioda cste n1ult ntai tn
. . . .... d . . d are
dlc
1
t curentul medtu prtn sarctna, eoarece sarctna pter uta de condensat
" . d"') b . or
]a dc: scarcare pert?a a tre ute _intr-un tim
foane Dm acest motlv smt nerati
.., Dtn ftgura 15.9, b :_, ezulta ; aloarl a a tnve:rse pt.:
d
1
oda VARmaz = V
2
+ V
0
=2V
2
adtca dublul tenstuun tnaxtme pe secundar.
..L\.nalizind in ... alternanJii cu jil!ru
( (fig. 15. 10). rezulta pentru caractcrtsttca extern a factorul de ondulatie:
7t
V
0
= V2 - fo; (15.33)
y = 1t j 2wRLC, {15.34)
raportul I A '"axil Ao fiind dat de rela}ia (15.32). Ondula}iile au 2w.
\ Ta)oarea maxima a t ensiunii inverse pe diode este c:gala cu 2 V 2 la montajul
u priza 1ncdiana V
2
la llHJntajul in punte. Valoarea curentului de vir
p1 in dioda in 1non1entul conectarii tensiunii in prilnar I?are
1 A ,1 ax datorit a faptului ca C este descarcat, curcntul
dt' rlzist cn1a de pierderi l?i . I t:11tru li1nitarea acestui curent nuttal, se
dull o r ezist en}a serie dl' p rotecti c l?s (fig. 15. 10) care in calcule trebuH.'
fi 1nglobat a in valoar a lui J?, .
1\. proxiinatia uJmatoare con. t a in ne!JlijaJea R, = 0, renuu
tind insii Ia conditin wC RL iP I , dl:ci considerarea unm condcnsator
o 'aloar(' oarccar . Calr.:nlC' lc L011duc ]a forn1ele de unda din figura 15.
pcntru rc dresorul 1110nu(..d1 ernantrL
Rczultat le cnku1elor mnt implh H tP dau sub f.nma grnfid \ : 01. o . Vo/l' '
I A max/ I Ao functie u)R
1
.,C, a ti t p utrn mono- cJt t]i p ntr u tl uhH1 altcrnnnt rL.
lntr-o a tJeiu a pro.: ituutie sP co nsideru till condfusator
Jlrrtum JlitrdPrile R, <f. 0 dar constuutc in timJl prill Ji11iarizana diO
1
"
n
1
1
iq. t 5. 1 0
(fig. 15.3). o btin formele de \
da din f1gura 15.12 pentru
monoalternanta.
Rezultatele se dau din nou, impli-
. sub
1
forma graficA. : Vo/ll2 , y', !
0
cJt, .. f ._. d
.17 se
- Iant ele d'
gura 15. 18. Ln fi ..
15.3. S1'ABILIZA1'0ARE
DE 'l'EN SIUNE
15.3.1. tieneralitati
. -:_\ cJectronica ne-
Rl ccs1ta tens1un1 de alimentar::.
. e
pentr.u o
la unu1 rcdresor cu fi l-
tru are - pe linga com ponen-
ta continua (dcpendenta de
tensiunea retel<:i) - o com-
ponenta variabiHi - ondula-
tiile. in plus, aceasta teusittlll'
scad{ nJult cu curentului de sarcina (caracteristica <::xterna caza-
toare) ste dependenta de temperatura.
bilizatorul de tensiune estc 1tn C1.1'cuit ca1e, ideal, as1't!.'Zf1'a la 1.e$ire o
tc11S1.U11C 'lttdepe11dentii de fet7S1.1111Ca de 1'ntrare, de de isatcinii de
tc11zpcratura.
!n realit.ate, nu anulcaza, dar consiucrahH aceasta
lnterpus iutrc redresor sarcina, stabil1zatort11 transfor1na sursa dt
trnb]une uesta.bilizata 1ntr-o sursa de tensiunc slabilizata.
e 1,ipuri de sta bilizatoure. Una dintre c]asificarile stabiHzatoarelor de
t (siugun.:le la care nc vorr1 referj) are l'n prineipiul de
unclionare, est .. urmatoar a :
stabilizatoare paramctr1'ce ;
- stabil1'zatoare electronice cu reaclic ;
- stabilizatoarc regit11. de co1nuta{'ic. . ... . '1
Stabil1'zatorut para1nctr1c ar:. structttra cca n1ai sinl])1a 91
pe ncliniaritat .,a caractcristicii urent-t a dH>pozttl ..
\""Ului lectronic folosit, tin general - u dioda stahilizatoarc). . , .
Staln'lizatoarele cu fuuctia d stabjlizare pnntr-o
t
. d' 't' 1 J J 1 "' :1 1 cest sta }J l-
nega lVa, lSpOZ.l lVf C e ectl OJJl ' f<, OSltC l1Cl'lll0 1111QT , ,l "' ' {
" ,. t d . 1 . .. . l>o' 1' . 1. 1 lc 1 ro tll
za'"oar s1n Cl, cc pu1n1 1Ht1-o prnna apro:xn:ua 1 , If<.:tt
liniaH.:.
1
1 toaH? dt ' ..
i11 reJii111 de culnttlat.ie sh1t d( fap1 1o1 sta Jl 1za .( . ,
110
,., O , d . J(SlH
u r a 111 ca1,. insa 1 JIJ('lltul r gulato al t n.1un11 '; tul
1
1 ,. tf l 11 landa1n n
ucH.:aza 1111ar, c1 111 l gnn de <..'OlJlUtatJ . Cr :j1t.: a. 11111 -
abilizaiorului. l' t 10'
St.abilizatoarel d t<.:nsiu w mai 1101. fi ln:,ificat(' in : lablt ';iuuli
r ril dt r1'va(ie, dupil cutn .. rt ol . .. I Ji.-
"' tabil izntc S( nfla in nu ht dfri eu . tnlnhz llforu
1
e Prineipalii J)arantetri ai sta-
bilizatoarelor.
"cneraHi a 5tabtllzatorulut dtn Iigu-
g 1 =:; 19 lJentru care sc J >Oate scrie
1 [1 ....,. ' '
depeuden}a : . , .
v
0
== Vo ( v 1, ., o, 1 ) . ( 15 37) F.
ag. 15.19
J)
ac1. dift:ren}iem trecen1 la variatii finite (pr "
'- ' esupuntnd dec .
obtiuem: = (l/S)
6
.
1
vanat11 lnH.:i),
o vI - + Sr6. T, ,
v.o . (If S)v, - R
0
0
+ Srl:l T 15.38J
uncle an1 no tat cu S cocj"c1entul de slabilizare cu R . (1
lerna) si cu Sr coejicie ntul de tcntperatura def de ie$i,-e (in-
,
1
I ' lnttl e relatule :
- 0 v
s - t:J.v I I io. T = ct = v: i AT = 0 ;
tiv
0
- R=
0
fl. io v f, T = ct = - i v A
0
'
0 ,. ur -- .
fl.vo v
Sr = ----!..
( 15.39)
fl.T o vz, io=ct ilT v- i _
0
sint parametrii de baza care cxprima i
1
. b ..
Daca 1n relatia (15.38) consideram temperatura
0
e t d t b'l '
I
, 6.vr (.', ( R ) n e s a t
\.=
l1vo RL =ct - V
0
fCI o RL {
1
La un stabilizator R n are. valori foarte mici
9
i K s.
Un alt para met ru anx1bar numtt coeficient ten
1
perat .. . -..
1
Sr s
1 r . ut,t ca 'I
(tt: 1 p n u :
0
J<jg. l 5.20
lz ...
I (...
It
1H
lz t-----1
)
!Zm
PJg. 1.5.21
rea din regiunca de stabiliz.are, iar l.zM. est dit_1 considerente
dt put re: lzM = l)zM/V?). n;l;ntara a
e poate lin1ariza pe ca _f1g;tra 1 b. Yn plaJa de stabiliz.are
c poate scrie deci aproxlnlarea l1111ara :
t'z = V zo t- l<JJz, I Zm < i z < 1 ZM (15.42)
H.rzi:tt'nta dinanlica J(z a cliodei stabilizatoare are uu nnn11n in jurul lui
}Tz 1'\;. Cu cit ](
1
est" n1ai n1ica, atit jurul1u1 Vz este
1
nai Jnicu Ja o plaja dnttL. Valonlc no1nJnalc acces1btle pentru Vz slnt
de la citjva volli la z.eci de vo11i. re.ntru lz. de la la zeci de mili-
an1pcri, iar pentru I?% - de Ja ohnn la zec1 de obnn. Sul! cfe .. ctul de stra-
pungcr .. --ste efcct Zener, iar peste n\T efectul este de nlul_tlpltcare 111
Astfel se explica coefici ntul d .. tl'nlperaturrt nl'gatl v C Tz = -0,1 ('/o/C
pentru V z < 6V !jj pozitiv C '1'7. = +0, 1 %/C peHtru V z > 6\T, la diodek
cu l'z 6\T aCEf-,t COlficicnt avind \'a]ori aprop1atc de zero.
0 :rot.it. Dacri l st( .. 11 "VOi{' d tensiun1 n1ari stabi lizare sc pot leg a
iu ser1c 1nai rnul!f !'fiode slaln'Hzatoare. Jucru practica la ten-
shuJi relati\' 1n1ci, riiud d1o(1c.: en T rz :::: 6V pcntru a obtine rezistenp!
dillalnic& 9i coeficjelJt d( tcrnpcratu1 rt scLzu1. J.>eutrtt varia.t1i 1nici 1n jurul
lui T
7
z put C)1u cotlct.:ta j n ric 1111 a san 1uai nnflie d iodc: ali n1entate direct,
solutit adoptata la a 1 nsinni lrn de stabiHzare n1ici,. sub 1-2V.
Un co<.ficil'nt ck 1eJnptr'-1ud1 sA ol>tiu" in nluutaJul
p nsan: t flJllCa djn Hgura 1 5.22. CotTlJX:nsar a ar loc intre
de t (; 111]' a pozitj , al dio ci I)] (sc prt:Rt1punc v 1: 6\') co
n gati\'i ai 1 21 l)a, ]a 1111 antnnit cure nt r gl bil 1 rin u ,.
1n a c l'apsula. astf 1 d diod co1 J]J nsa1 .. t<.:rnJic !:iUb d nun1ir .. a de
dr 1'f'jC1'1.11fii.
.
e Partuntrii
tubilizu1orului. 1.) s h n1a din 1igu1 a 15.20 put tn sen(
0
'
lg. 15.22
al"-t}iil :
. .
1 J 1 z
111 J?i I
J ) a c in t 1 ac ( s tl.. r l ,1 ii
111llliill1 ]Jl' 1'
1
fji i (LU 1
1
' fl
r I
.. ,
u
/?
( 15 'I)
f'o
( 15 4 )
J( J I f i l ( 1:; 2) II
,1 l
1
0
), ohtiu 111
'o
J l
u,
(Hi
I
Conform de defi niti_e. { 15.39)
l
i
1
nem cocjiczcntul de stab1lzzare
0 ) )' . "' t h "1" '( 1 ..
rczisten!a 11t!crna a s a 1 tzatorului : v,
R --4- .!!_ . I< = R R Jl .....,
s=- , - R J o R -
1\.r: s + R,
rV R,. (15.46)
Fig. 15.23
u tru un S tuare este necesar R mare dar
. d lt.. t , aceasta duce
1
.
tensiune pc e a .. a par e, o Jnare pentru R a d.
d
. _ plaJ a de stabthzare I z,lf < tz < 1 n . scoate dioda
111 d d' . ZM 1n relatule (1,..
43
)
rczu]ta rela}1a e 1n1enstonare a J?: . (15.4-t}
R = vI - Vo t'I - V z
1.z + io - iz + io
Din figura 15.20 n:zulta ca ]a l z "" corespunde
1
..
. 1\'tC}!S la I z nuu corespunde Tl l Io R . I hfUt Io mA Rt114t I.
lJ - I JJUth M1ft
]\
> _ _T
1
z min - f/z R T! '' i 1 ,.. ,. - ...
- J , ,.,.,. = Z
z Hin + I o mat lz + I
MAr 0
(15 4 \
(
ell indicii. , , n1il_1" , ._n1a ..Y'.'' s-. au uotat valorile extretnr Iln.
1
1
) " .... care c atiua
curt)ntii tensnuu e 111 ClfCUlt .
Relatiile J 15.48) det :Annina plaja. core ptulzato re plaj lor
vI ,;,., 111 /1Uft I 0 mifll 10 fllltKt ... astfel ca dJod a atba Inaxitn ... l -
- lzm, I z =-= I l H. J)aca rezulta R.,..,, < R & al<;;g<_: N h"
l
>entrn a obttne un S n1ar . In caz ca rezulta I? R tr bu
1
.
1
' ...
1
, fnll't ffUU t '*' t. S
0 dioda cu lzm _111a1 nne sau zM 111a1 tnar. . R (\ .... 4 ) detcrn
1
in ..l, t
1
un R dat plaJa 1 z ,,n,, l z ma;t (ear<.: trebu1<: d. in<.adr\:z i
11
I 1 ) 1
. ... 1 . ... 1 . z,.. .l u 1
n anunnta p aJa a Ul 1JJ z
0
tc.
In ceca ce pr1 toejr'ct"ettlul de tcn1 Pt rdlura, d t' , , n.Lult
crt .. = Sz = cu rel .. tia (15 41). C
1
t
cocftc1entul de t :..n1peratura al tabtliz tout c pritnat in nt
pc "C.
0 Notu .. Pentru Jn;trir a \:O fiei
ilouii sau nzai uzulte c/ ajc in ctt , adi ,
S Rll? f l?r:al'J'.!' f?o
r"' r
pot
h\in
uauplifi<utor dt er arP
-
I
i
, I
I
!
!
I
b
a
Fig. 15.24
zatoarch. de tip deriva}ie (fig. 15.24, b) sen1nalul de eroarc produce ere t
rea curentului elementului de control, deci tensiunea pe rezt' t ..
1"' t d :s enta
st:r
1
e R 91 se reduce uu}ta a a enstunu e Elementul de '
"' A t 1 d "' 1 d " con-
trol
1ntre? ... u .. e tar cc tensi-
uuc de ]a ... er11 p<:: serie R, stabili-
zatoarele au eflcteuta nnca dec1t di11 urma
insa necestta ctrcutte de protectte Ja suprasarcu1a scurtctrcuit a ck111en-
t ului de control.
fn continuare nc votn referi la cazurile silnplc de stabi1izatoare en rvac-
tie de tip serie derivatie faxa amplificator de eroare.
Stabilizatoare serie. Seben1a cea 1nai si n1pHi a unui stabilizator
serie este data in figura 15.25. Intreaga te:nsiunc de v0 se con1para
cu tensiunea de referinta Vz data de o dioda stabilizatoare 1), direct pe baza
tranzistorului de control (regulator) T, t cnsiunca la intrarca accstuia fiind
VnE = ?Jz -
1
'o
( l5.49)
tensiunii vBE cste in antifaza cu variatia de- as1 ({Icc!
atunci cind aceasta din nrrna va tc"nsiuuea pe tranzistorul ll'-
guJator, cart va prelua varia }ia teusiunii de 1 >in rela ti a ('15. 49) t :i
l:a tensiunPa stabilizata 'V
0
I'J V z, tensiunea diodei referinlfL
n1ai nun1e9te stabilizat.or J'ej;etor pc entitor, intrucit trauzistorul T lucreaz[t 1n
t: Onlx]unc a CC pr. sarcina RL. D aceea, tr>ns1t1nea a1 rox1nJativ constaut ft l' z
aplicata 1ntr baza co lector se rrgase9te p sarci11 a 1Dtr cn1itor 7i colec1 w.
dinan1jci. Pe llnga (15.42) cores] unz
i referjnta, put u1 scrie rclatii1e :
( l
1
1'1
.
1o
/
1
! l u
I R iz Vo
(;
Fig. 15.25
346
?.z + 1 n;
}) .
(15
\ 1 + 'Vz ;
-+
1 )i J.
( 15.52)
-" ntJ c acestc ltc},qli pl L
7
t
1
. ' d " d "" I ,.,.; !11 Ol ,,
1 f-.1 a\'lll 111 vc r cu z 0'
1 ) r (. u t
n n1 1 '-la1i.l. v
0
?J
0
(v1, lo ( 11}
1
1 o1 d dur pal, mctdi dindllll I S
1
1 losin Hldliih d c1 fimli< (1:1
1
,<
11
1
cun1 111 1)] 1c dat lcL thihtttoru I'
u (\ ri .
0 alta 111r totlH 'c l4 dtdurt J ttl
f
Ji11a1ni i a 1tnto. huh r
stabilizato1 ului iu t . 1. la Hl TI 1
It l
J\ll'- 1
C
azul de __ fc:ta :1u mai este necesar sa fac
1 2
::. . , em calcuh:lc " t
figura ::> reiese . , tn rudt dir<.:l"t din
v I R I )
5 == - = _f I = I b;.& '- R
L\vo Aio=O vo ; =O R = -R ,
o r
( 1 S3 }
. r de a unui repetor pe em
1
t '
1a - or este :
R, II R + hie R. + h 7,.
R = "-i Je ,...., "te V
o hfe + 1 hfe + 1 = hfe + 1 f ,
0
V -.kT
7' ...._ -----
q
dc
ci dependenta de curentul continuu
1
)r
1
11
s . "'
arctna.
0 Nota. La relatiilor (15.53) (15.5
4
)
de ieire a redresorulut.
s-a negli].at
rrn .....tc nt t
Coeficientul de temperatura rezulta din relatia (l
5
.
49
):
51'= Sz- S,,
. S " t f. . .. d ( 15.f>S'
unde S z tr s1n coe lCtentn e ten1peratura ai
1
. d . .
rului, exprima}i in VJ C. Cum Se,. < 0 rezulta cc}o eJJ r '. pcctl\: tranJ.i:,to-
pensare termidi par}iata uumai cind de n:ahza ? -:n!U-
Sz < 0. lllyd cu dect Z( ncr:
in proiectarea de curent continuu ateutia p .
1
...
t t R 1 t br )' a indn!apt;
spre rezts en, a , ca a s a 1 tza torul para111etri c \stf<: 1 li
11
rl'
11
t iilc
(15.50), (15.51), (15.52) rezulta relatia de dhnen lui ri:
R = vi- Vz
1.z + + I).
( 15.5GJ
Adnri}ind plaje de variatie pentru 1.1 1. rJ
d " .., . 1, o,
1
z PF, r zultrt plaja pl11t1u
Ill mo asetnanator cu rcla}1ile (15.48) :
R
V f min - fl'"z
mlli" = R.,,.,,.
Z mw 0 ma;r t--' F mita -l-- 1 )
VI Mat v z
f Z tnta r f 0 "''"/ ( Hla
(15::i
1 Cl
"4
I' J , z
r 1 , dat in <. uL.Llog : ,, a
/ ( IJI/4"\ 10 ttl
1
.
f I
I z) l o t
1) ( ,! .
pout t
Ji.&a ,
11 11
, moHtaj DarltrJgton, ca in !igura 15.26. ln ace
Rczistenta R
1
are rolul d.c permtte curentulu.i
rl. astfd tnctt curcntul.'E al lut T 1 sl poatl
valoarea zero. Aceasta ct?d sc. lucreazlla
cu tranzistoare cu genttamu donm sa vanem curentul
ztro.
curentului i
8
sc yoate !ji cu tru,..,rtll:,._
jlgura 15.27, care doua tram:tstoare com
faptul ca montajul din figura 15.26 _are de
_c:;
1
_ 25,, pe dnd dm ftgura 15.27 S
deduse. sc cx!md folosim un t '
in regim static relafta ( se cu i
in regi m dinamic se f o Josesc para met n 1 h at t ranzistorului
0
\Xl"n!Uili
e tabilizatoare derivate. 1n figura 15.28 se reprai
stabilizator derivatie cu rcactic, fiirll. amplificator de eraaftl
serie R estc inglobatli rezistcnta de ic:;:irc a redrcsorului)
de ie,irc v
0
se com para cu tens!nnca de referintli Vz direci . ......., "''E
rului regulator, tc)tsiunea Ia mtrarca acestuia fiind:
VsE Vo - Vz.
Tensiunea fls!- estc in fazli cu tcusiunca de astfel tl
accasta din unnli crc9tc va crc!jtC curcntul prin
deci tensiunea pe rezistcuta R CfC9tl'' preluind
Din relatia (15.58) rezulta di tcnsiunca stabilizatli v
0
f
dt ""
Putcm scric urn1atoartlc rclatii :
1'
1
+ v
0
;
'
ic + iz l- io
tr
Vz
V Zo +
.
1c
.
i. + v BE!Rt
1z
Etiminind intrc: acrstl rdafii rclatia ( 15.58) pe i
1
, co
'( dc:rc .vz. ;; v
0
(V BB s a tonsid rat tm para ru,
la rt-latu ltmare), obtincm n:latia -.0 v0 (v
1
, i
0
).
I'
... 15.21
T
fig. J5.28
Parametril dinannici ii , ..0
ecbi,alenta liniarii de semn r ca Ia
+ t)Rl hy, se obtine : a true (fig. 15.
h,. + 1 R R
h;. i; , R.
CoefieientuJ de tern r
\'om obfine o compens1: rezuJtl di.a
(S
1
.? 0). ermtcl
ProiH1area de urent
R. diu relatiilc (15.59) in
R VI -
. .
'-d "' d
1
c +
.., .mtftn plaje de variatie o
R ID mod asemlnltor c pel v,, '" .._ l'et:uft
u re altile (1 . r ....
R.... VI ... ,. l'z
Ic + Io ... '
undr I c f.l I
limitat d;'i t-"f z .... dacA R
00
ranztstor din . l'ft .dJ
R d. """ l r n
dad S<- azA f
m .tranzistorul t t hi st I
prottctan i analiza t . Ra
Ltmi/tf,tlr
1
tmil r
rtln ' loruiNJ " t
tn urm
v
I
..
z
(J '
'''0
(I
I z)
lo
I II
v
I
R
t '4. IE \ f.ll,Il1'lC .. \ 'l' >P DE
J :=;
4
.
1
. rnlunatii
1
irf'H prrfornl;UIIt'lHr prin rcnetie uegatha
]
.. ...,1 rritul I'llt\.'dent 1h. ,lilt r\.ftrit la stahi1i zat onrl.lc l' U .
l P' a g . 1 I d 1' tact
J ,Jific;to
1
de l'to lll. u l e <' roare era .1p tent dirC'ct
t
'
1
t
1
1
11
..
011
.._
11
nl func1 in. de ..t.biliz'"u. c realizindu-s" priu efectul
11 Ul ( l {.:: } . f. d b' '-- C\tl'l
1
. E
11
'lctt
3
tc \ buch1 dt: r 'ac1"Ie poate 1 const. C'ra 11 111arita" d ...
1 1 ''L \. .. ... . d
1 1
.
1
. a..:a
1
j
. ....
111
"''-'Hl1
1
1
Jul Pll a11..' tnatntc c a- a p 1c.a e 1neutulu1 de cont .
1 11 q ' 1 h .1 .. b ;- t ...
1
lt . . ro .
l 1 e t
nnJC. .
1
za , ..
01
H Yedea c ..l 1 ut .111 1111 u llc.l a Hllt . pa ran1C'tru s s
1
R
11 l (. (. ( 1. f. "' . . l 1 d . 'J 0
...u ..., . lllizatol ulni prilt tunp tllc:.=u:_u pe a . e reactle.Ne VOtn
'- (
1
::,labi/,': l!Oart!-t: :'l a aror SC 1etna a a ,ost in fignra
1
:!--.. . ,.
111
priYl -1 a bthzatornl ca t:u atnphf1cator
fn figu1.:1 15.31 a redes nata schema ge.nerala.dtn 15.2-t,
,
1
I Lind in de A. v. reactta scrie
dt h
11
,.
1
,. Vo sh1t COlH-
)
1vl'\111 '- u "" .
Zlntr . .l c rt 'lbik' ale tuunnu- 1
tck 'a
ponen 1' (v - 1 1- 1'' 7'o = !
Jor 7'I o I
r + Vo)
:::::=
0
t . ,_
1
deduc{\ rn portul
pen ttl .. .
I
\
rOlll COtlSld<t a pe Vi
71 1
1
' totttbatic un senu1al pa- '
o pel , " 1. f. f
v.
t
(.t . Jicat uudeva 111 an1p 1 1-
razlt ap . Ef t 1 1 . v o-
1
ctt rc act H.:. ec u Ul i
catoru t
' . t're 1n prezenta reac1-1e1 es ,<:
la 1 lv
l . r con
1
ponenta vartn. )1 a V0 ,
L un. " "' t. d f t 1
Sc Obtl
.ne lllll)ar 111 e cc u
care .. , ,
rcactiei la 1 + :
ell' unde :
I
h,e
.R,
Fig. 15.32
la
. .
1es1re
J
al perturbatiei v,
S = !!.!__ = 1 + RLhoe (
1
+ Av R
2
V
0
RLhoe Rl + Rz
I
vo
,..
abscnta lll
( 15.69)
(15.70)
H.<:zistenta de iesire R se obtine impartind marimea corespunzatoare
) J 0 ) J.
far a rcactie (impedan}a de a repetorului T) la 1 + v:
Ro = hie+ RAo I (
1
+ hie -f- RAo . Rt + R2 , (l
5
.
7
l)
1 + hte R2
unde s-a notat cu RAo ilnpedanta de din an1plificatorul de
Din rela}iile (15.70) 9i (15.71) rezulta ca pentru a obtiue S tnare R
0
tnic
este necesar ca Av sa fie de valoare mare, RAo mic, rezistentele R
1
R
2
trebuie sa fie mici, iar tranzistorul de control sa aiba hie 9i hoe mici hf.t mare.
Expresiile lui S R
0
pot fi obtinute prin metodel t.! expuse in paragrafele
15.3.3.
. . ln 15.33 s-a inloeuit ampliiieatorul de eronre din sch<:tua de
"d1n .15.31 cu un tranzistor la care se aplica tensiunca de
refen.n}a 1n emtto! (1ntrare neinversoare) 9i teusiunea de
de reac_t1e).- baza (intrare in verso arc). Tranzistorul T' indepli-
rolul clrcultu:ul de con1parare (fig. 1 5.24, a), cit pe al amplifica-
t;>rulut de eroare. la int.rarea arnplificatorulni este data de rl1atia
v liB =
- Vz de unde
tcnsiunea stabilizata :
i'o = (vz-J-v8E)(lxt -i- 1<
2
)/1(
2
(15.72)
relaJit> put a fi
ob11nuUi din Il laJia
(15.h7) (' ..ac! a, { u vR = Vz,
,. l " = - 1'o/7.'na (se ohR--rva
din figura 15.31
ca tt' tl StunC:a de intrare
in ftl nplificatorul d eroare
Fig. 15.33
l
I
351
{_ t< t'J fjt'o pt in din figura 15.33 1 n s ittn\.'a d\. intrnn:
'I' q I "' ) "
IJ z 1 d' f" lt::.':13 It " 1
Funet innnrn !-iC H'lllel 111 a v.,-,.. a . tat : snn nalul .
11 01
m , 'b,. in f azii cu !!
0
, est l1 .Lt pc T a ph en t. 111 anti f aza pe h d'
H'JK'tm ului T, inchizin_du- c ast!.el_ hu_cl_a t:ega:t Ctt alte
(.'OtllpOnent ]e w 2 c ;'1 ]?.JJ :slnt
1
:n a ;;t ca
.._]unt:..- de
sn ap tea 111 ( 1agona a a pnn}tl n. ,, d.,, R !J d.
' J d ' 3o I 11}
cc ,
1
1.
1
1
1
;
1
diagonal [I cul . tenstt.lltea .., : 1 ntra n. a a n1plificatorului
d<' roarP .. \CP{lStU runt' 0 'tt..: dnnenstonata 111 astfel <:a Sa Satisfaca rela-
1 ;<
1
( 1 s. 72.) t:01H ponent:le de SetnnaJnl _de eroare
t n:-.iunea dl.' al acestut pnn}1. care ohttne pe baza lui T'
cin11 ('o ,ariaza la Tr
0
la T ..0 + ?'0
11.,; !. stl'll! <I R a. a ;l .: n tul . de n. a diodei D
si trLhnH-' d11n astiel !a zc, cure:1tul var1ab1l 1.(: prin
1' s; nu aft:ctPze tcustunea de refcnn}a T1 z (111 scop, R3 s-a conectat
ln stahilizata, in lui T). In acela!?i timp Ra trebuie sa
satisfaca rclatiilc :
R:l r1fiiA - (l'"o rnn - yz)/fz mr n; R3 min== (V'o mi11 - Tl z)Jfz mx (15.73)
In paragraful urmator vnm Vl"dca scheme care inlocuiesc rezisten R i cu uu generator
de c11rtnt
Rf::1'sten{a .R4. asigura curentul de polarizare a colectorului lui I'' ,i a
hazei lui T. Este, dupa cum se vede, conectata la tensiunea
::\u poate fi conectata in etnitorullui T la tensiunea stabilizaUi, astfel nepu-
tindu- e polariza corect baza-en1itor a tranzistorului de con-
troL F1ind conectata la tensiunea nestabilizata, R4 transn1ite la \'"ariatiile
'l', ale teusiunii v
1
(prin jonc}iunca de intrare a lui T) . . Astfel scade valoa-
rea parametrului 5. in plus. rezistenta R
4
(de Yaloare finita) nu permite
tran. n1iterea 1n totalitate a sen1nalului de eroare amplificat din colectorul
lui T' in baza lui T. scazind eficienta buc1ei de reac}ie (efectului de stabili-
1
contribuind la n1arirea parametrului R0
1nlvcuirea rezistentei Rrt cu o sursa de Clltcnt constant va ameliora aceasU. situatie dupa
cum vom vedea in paragraful urmator.
Rezultii cii, din con,;id:rente dinamice, R
4
trebuie sa aibii o valoare cit
m ai mare. Pe de alta parte R est e 1 i m ita ta superior din considerente statice.
asenlf,natoare cu celc 1ntllnitc 1n paragrafele precedente :
(15.74)
max == (VI nt iH - V HE - Vo) / f'c -f- f B max)
Rezislctt/elt R, $i R
2
al, circuitului de trebuie s1i fie
astfd indt i, ill, deci tensiunea e7antionatU
sa uu; fi< afectata
curentul de baza al tra11zistorului T . Din punct de veder" dinamic
1
.... , '"' f' t ... d O 1 / sa ftc ttHl -
ca sa 1e atacat pe oaza < 1111 generator c t<..:nsntn actca
...
plinita couditia:
U t \\ 1\2 lzi, 4- ( l + h/e) 1< :
in tin1p, R
1
R
2
sint inferior, prin
-z'
1
i
0
!n sfir!7it, 1?
1
1<'.!. satisfaca
A A v flo'i J'cacfie pentru e--ire nit ul din
d<:
352
(15.75)
lt> t rcclud tll' (tlfl'tlt
(f! 5. , 5 '"13 est( da t n
Jgnta . .
d
e rezist enta de in tnt rc a tranzistorului
tttl . regulator este :
1-?, = + (1 -t h ) R
fe L
'i tela+ia (15.76) s-a presupus ca rcac:pa serie . (15.77)
.1U r " R -. ut"'r ... "' e curent t
+a dinamtca ' es c p ntca !Jl ca atnplifi t tn rodusa d .
tcnr p trtt satt.siacr.rr"a d't' ca orul de c.r e rezts-
, tellstunc. en ..... "' con 1 .tel (15 75) ..... oare este t
1
d11 nceasta conduce la A v mic. ' R. trebuie sa fl'n a acat
ar ( ..... mare t
J5.4.2. Stabilizatoare serie eu nmp