Dispozitive Electron Ice Si Circuite Analogice

UNIVERSITATEA DIN CRAIOVA
Facultatea de inginerie în electromecanică, mediu şi

informatică industrială
EUGEN SUBłIRELU
DISPOZITIVE ELECTRONICE
ŞI
CIRCUITE ANALOGICE
2009
DISPOZITIVE ELECTRONICE ŞI CIRCUITE ANALOGICE - CURS
PREFAłĂ
Materialul prezentat constituie o extensie a suportului de curs şi se adresează studenŃilor
anului II (FR) ai FacultăŃii de Inginerie în Electromecanică, Mediu şi Informatică Industrială din
cadrul UniversităŃii din Craiova.
Domeniul la care se referă acest curs este cel al electronicii analogice în general, cu
prezentarea principalelor dispozitive electronice şi al unor aplicaŃii ale lor în circuite analogice
curente.
În prezentarea fiecărui dispozitiv s-a urmărit o tratare pragmatică, insistându-se pe
aspectele practice-aplicative ale definirii şi funcŃionării acestuia, neintrând în noŃiuni de definire
la nivelul fizicii semiconductoarelor. S-au descris totuşi şi câteva fenomene la nivel “micro”
pentru a înŃelege unele noŃiuni care stau la baza funcŃionării tuturor dispozitivelor electronice
active bazate pe semiconductoare .
Capitolul 1 prezintă câteva noŃiuni generale despre semnale analogice (definire, notaŃii
folosite mai departe în curs) şi componente de bază pasive din construcŃia circuitelor electronice
(rezistenŃe, condensatoare, bobine).
Capitolul 2 descrie primul dispozitiv electronic care foloseşte o joncŃiune
semiconductoare şi anume dioda semiconductoare (redresoare, stabilizatoare). Este prezentat
simbolul, principiul de funcŃionare, modele folosite în proiectare şi câteva aplicaŃii.
Capitolul 3 se referă la cel mai utilizat dispozitiv electronic activ şi anume tranzistorul
bipolar: structură, funcŃionare, tipuri de conexiuni, scheme de polarizare, relaŃii fundamentale
între curenŃi şi teensiuni. Sunt evidenŃiate etapele care trebuiesc parcurse la proiectarea,
respectiv analiza circuitelor cu tranzistoare bipolare.
Capitolul 4 este dedicat unor dispozitive electronice cu performanŃe deosebite, folosite
atât în circuite integrate cât şi sub formă de componente distincte în circuite care necesită
impedanŃă mare de intrare, liniaritate bună, zgomot redus. Sunt prezentate tranzistoarele cu efect
de câmp (TEC) şi anume cele cu baza joncŃiune (TEC-J) şi cele cu baza izolată (TEC-MOS)
împreună cu câteva aplicaŃii representative.
Capitolul 5 prezintă alte dispozitive electronice, ca şi componente elementare folosite
în aplicaŃii de electronică de putere (tiristorul, GTO-ul, triacul, etc.) precum şi în aplicaŃii care
folosesc radiaŃia luminoasă, atât pentru afişare cât şi pentru transmiterea semnalelor (dispozitive
optoelectronice).
Capitolul 6 se ocupă de unele din cele mai utilizate circuite electronice, realizate în
tehnologie integrată azi şi anume amplificatoarele operaŃionale. Este prezentată funcŃionarea lor,
o serie de parametrii specifici precum şi aplicaŃii liniare: amplificatorul inversor, neinversor,
sumator, diferenŃial, integrator, derivator. Sunt prezentate circuitele care fac trecerea de la
domeniul analogic al valorilor continue la domeniul deciziilor, al valorilor binare: este vorba de
comparatoarele simple (cu un singur prag) sau cu histerezis (cu memorie). De asemenea sunt
prezentate aplicaŃii neliniare ale AO şi anume redresorul monoalternanŃă şi redresorul
bialternanŃă.
Cei interesaŃi în înŃelegerea aprofundată a structurii interne, a parametrilor electrici
precum şi a altor performanŃe ale diverselor dispozitive electronice, precum şi a unor relaŃii de
calcul mai complexe necesare în cercetarea funcŃionării circuitelor electronice analogice trebuie
să consulte bibliografia prezentată.
Craiova, 30 ianuarie 2009

Autorul
2
Cuprins
1. INTRODUCERE ÎN ELECTRONICA ANALOGICĂ .............................................................. 6
1.1. Semnale analogice ................................................................................................................ 6
1.2. Elemente pasive de circuit.................................................................................................... 8
2. DIODA SEMICONDUCTOARE ............................................................................................. 12
2.1. Dioda redresoare ................................................................................................................ 12
2.1.1. Caracteristica tensiune curent a diodei redresoare ...................................................... 12
2.1.2. Rezolvarea unui circuit simplu cu diodă. Dreapta de sarcină şi punctul de funcŃionare
al diodei ................................................................................................................................. 13
2.1.3. Modele aproximative ale caracteristicii diodei ........................................................... 15
2.1.3.1. Dioda ideală (modele de semnal mare) ................................................................... 15
2.1.3.2. Comportarea diodei la semnal mic. RezistenŃa dinamică (modelul de semnal mic) 16
2.2. Dioda stabilizatoare ............................................................................................................ 17
2.3. AplicaŃii ale diodelor semiconductoare .............................................................................. 18
2.3.1. Circuite de redresare.................................................................................................... 18
2.3.1.1. Redresorul monoalternanŃă...................................................................................... 18
2.3.1.2. Redresorul dublă alternanŃă în punte ...................................................................... 20
2.3.1.3. Sursa dublă de tensiune............................................................................................ 20
2.3.1.4. Multiplicatorul de tensiune ...................................................................................... 21
2.3.2. Circuite de stabilizare .................................................................................................. 21
2.3.3. Alte aplicaŃii ale diodelor semiconductoare ................................................................ 22
2.3.3.1. Circuite de limitare .................................................................................................. 22
2.3.3.2. Circuite formatoare de impulsuri ............................................................................. 23
2.3.3.3. Circuite pentru refacerea componentei continue ..................................................... 23
3. TRANZISTORUL BIPOLAR................................................................................................... 24
3.1. Structura şi funcŃionarea TB .............................................................................................. 24
3.2. RelaŃii fundamentale; modelul static al TB ........................................................................ 25
3.3. Conexiunile şi caracteristicile TB ...................................................................................... 26
3.4. Dreapta de sarcină statică, punctul de funcŃionare static şi regiunile de funcŃionare ale TB
................................................................................................................................................... 28
3.5. Circuite de curent continuu cu TB ..................................................................................... 30
3.6. Comportarea TB la semnal mic. Modele dinamice ............................................................ 35
3.7. FuncŃionarea TB ca amplificator de semnal mic ................................................................ 39
3.8. Comportarea TB la înaltă frecvenŃă ................................................................................... 41

4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP (TEC) ................................................................... 42

4.1. Tranzistoarele TEC-J ......................................................................................................... 42
4.1.1. Structura şi funcŃionarea TEC-J .................................................................................. 42
4.1.2. Tranzistoarele TEC-J. AplicaŃii .................................................................................. 44
4.1.2.1. Divizor rezistiv controlat în tensiune ....................................................................... 45
4.1.2.2. Sursa de curent constant .......................................................................................... 45
4.1.2.3. Repetor de tensiune compensat termic..................................................................... 45
4.1.2.4. Amplificator de semnal mic cu TEC-J ..................................................................... 46
4.2. Tranzistoarele TEC-MOS .................................................................................................. 47
4.2.1. Structura şi funcŃionarea TEC-MOS ........................................................................... 48
4.2.2. Tranzistoarele TEC-MOS. AplicaŃii ........................................................................... 50
4.2.2.1. Inversorul CMOS ..................................................................................................... 51
4.2.2.2. Amplificator cu TEC - MOS ..................................................................................... 52
5. ALTE DISPOZITIVE ELECTRONICE ................................................................................... 53
5.1. Alte dispozitive semiconductoare cu joncŃiune ................................................................. 53
5.1.1. Tiristorul...................................................................................................................... 53
5.1.1.1. FuncŃionarea tiristorului......................................................................................... 53
5.1.2. Tiristorul cu blocare pe poartă (GTO-Gate Turn Off) ................................................ 55
5.1.3. Triacul ......................................................................................................................... 56
5.1.4. Diacul .......................................................................................................................... 56
5.1.5. Tranzistorul unijoncŃiune (TUJ).................................................................................. 57
5.2. Dispozitive optoelectronice................................................................................................ 59
5.2.1. Fotodetectori şi fotoelemente ...................................................................................... 59
5.2.1.1. Fotorezistor (LDR – Light Dependent Resistor) ...................................................... 59
5.2.1.2. Fotoelementul (celula fotovoltaică) ......................................................................... 60
5.2.1.3. Fotodiodă ................................................................................................................. 61
5.2.1.4. Fototranzistorul ....................................................................................................... 62
5.2.2. FotoemiŃători ............................................................................................................... 62
5.2.2.1. Dioda electroluminiscentă ....................................................................................... 62
5.2.2.2. Afişoare cu diode electroluminiscente ..................................................................... 64
5.2.3. Alte dispozitive de afişare ........................................................................................... 65
5.2.3.1. Afişaje (display-uri) cu cristale lichide .................................................................... 65
5.2.3.2. Afişaje (display-uri) cu plasmă ................................................................................ 67
5.2.4. Optocuploare ............................................................................................................... 68
6. AMPLIFICATOARE OPERAłIONALE (AO) ....................................................................... 69
6.1. FuncŃionare. Parametrii specifici. AO ideal ....................................................................... 69
6.2. AplicaŃii liniare ale AO ...................................................................................................... 73
4
6.2.1. Circuitul repetor de tensiune ....................................................................................... 73

6.2.2. Amplificator neinversor .............................................................................................. 73
6.2.3. Amplificator inversor .................................................................................................. 74
6.2.4. Amplificator sumator .................................................................................................. 75
6.2.5. Amplificator diferenŃial ............................................................................................... 76
6.2.6. Circuit integrator ......................................................................................................... 77
6.2.7. Circuit derivator .......................................................................................................... 79
6.2.8. Circuit comparator....................................................................................................... 80
6.2.8.1. Comparatoare simple (fără memorie)...................................................................... 81
6.2.8.2. Comparatoare cu histerezis (cu memorie) ............................................................... 82
6.3. AplicaŃii neliniare ale AO .................................................................................................. 84
6.3.1. Redresor monoalternanŃă............................................................................................. 84
6.3.2. Redresor bialternanŃă................................................................................................... 85
BIBLIOGRAFIE ........................................................................................................................... 85
5
1. INTRODUCERE ÎN ELECTRONICA ANALOGICĂ

În acest capitol sunt prezentate câteva noŃiuni elementare despre semnale analogice,
elemente de circuit pasive şi active, circuite electrice şi circuite electronice.
1.1. Semnale analogice

Prin semnal se înŃelege o anumită formă de variaŃie în timp a unei mărimi electrice. În
continuare se vor prezenta câteva noŃiuni generale despre cele mai întâlnite semnale în practica
electronică.
ConvenŃie de notare a semnalelor
În general, un semnal este exprimat ca o mărime instantanee şi este format dintr-o
mărime continuă plus o mărime variabilă.
Din notaŃia unui semnal trebuie să rezulte dacă este vorba de componenta sa continuă
(constantă) , de componenta variabilă sau de mărimea instantanee (totală) a acestuia.
În (fig.1.1) este prezentat un semnal oarecare (de exemplu: curentul din colectorul unui
tranzistor).
iC
IcvM
icv
I0C iC
IC
t
0
Tranzistor fără semnal Tranzistor cu semnal

(polarizat)
Fig. 1.1 ConvenŃii de notare a semnalelor
NotaŃiile folosite în continuare în curs vor exprima:
-valorile instantanee (totale) vor fi notate cu litere mici şi indici formaŃi din litere mari
(Expl: iB, uBE, iC, etc.).
-componentele continue şi valorile medii ale diferitelor mărimi se notează cu litere mari
şi indici formaŃi din litere mari (Expl: IB, UBE, IC, etc.); partea dreaptă a figurii. Componentele
continue corespunzătoare punctelor statice de funcŃionare (fără semnal) PFS ale dispozitivelor
electronice se marchează şi cu un indice superior zero (Expl: I0C, U0CE); partea stângă a figurii.
-variaŃiile în jurul valorii medii sau în jurul unor nivele de referinŃă continue se notează
cu litere mici şi indici formaŃi tot din litere mici, plus sufixul “v” de la „variabil” (Expl: icvar,
ubevar, icvar, etc.).
Cu aceste notaŃii, valoarea instantanee a semnalului din (fig. 1.1) se scrie:
iC = I C + icv (1.1)
unde:
icv = I cvM ⋅ sin ω t (1.2)
6
este componenta variabilă, cu evoluŃie sinusoidală şi care are valoarea maximă I cvM .
Semnale sinusoidale
Sunt frecvent utilizate atât în descrierile teoretice, cât şi în experimentele practice
privind dispozitivele şi circuitele electronice. Un semnal sinusoidal are expresia generală dată de
relaŃia:
s ( t ) = A ⋅ sin( ω t + ϕ ) (1.3)
unde: A este amplitudinea semnalului; (ωt+φ) este faza semnalului
2π
ω = 2πf = este pulsaŃia [rad/sec]; f este frecvenŃa [Hz]; T este perioada
T
semnalului [sec]
ϕ este faza iniŃială a semnalului [rad]
Dacă semnalele sunt tensiuni sau curenŃi, amplitudinea se măsoară în volŃi sau amperi.
Semnalele sinusoidale sunt utilizate pe larg deoarece răspunsul unui sistem liniar la
semnal sinusoidal este tot un semnal sinusoidal, dar cu amplitudine şi fază diferite faŃă de
semnalul de intrare (de excitaŃie). Pentru a determina comportarea sistemului liniar la aplicarea
unui semnal sinusoidal, deci cum îi modifică amplitudinea şi faza se utilizează caracteristicile de
frecvenŃă.
FrecvenŃa semnalelor sinusoidale este cuprinsă de obicei între câŃiva herŃi (Hz) şi câŃiva
megaherŃi (MHz). Expl: - frecvenŃe audio corespund undelor acustice care pot fi auzite de om:
20 Hz÷20 kHz (practic 16 kHz); microunde: sute de MHz, cu particularităŃi referitoare la
generare, amplificare, radiaŃie, propagare şi recepŃie a oscilaŃiilor.
Cel mai adesea amplitudinea se exprimă prin valoarea efectivă. În general, valoarea
efectivă a unui semnal este egală cu valoarea tensiunii (curentului) continuu care dezvoltă într-o
rezistenŃă dată aceeaşi putere ca şi tensiunea (curentul) periodic considerat.
În cazul semnalelor sinusoidale, între valoarea efectivă U ef şi amplitudinea U m a unei

tensiuni există relaŃia:
U
U ef = m ≅ 0.707 U m (1.4)
2
Puterea disipată pe o rezistenŃă, în regim sinusoidal este dată de expresia:
U ⋅I
P = U ef ⋅ I ef = m m (1.5)
2
Semnale rectangulare (dreptunghiulare)

Deoarece sunt specifice electronicii digitale, nu vom insista prea mult asupra lor în
cursul de faŃă. Sunt denumite şi impulsuri, fiind definite prin durată (lăŃimea impulsului) şi
amplitudine.
FuncŃionarea circuitelor digitale este caracterizată de secvenŃe de impulsuri, de regulă
neperiodice. Aceste circuite lucrează cu semnale (tensiuni) având două nivele logice: 1 logic
(nivel superior, HIGH) şi 0 logic (nivel inferior, LOW).
Alte tipuri de semnale sunt:

-semnal treaptă unitate;
-semnal dinte de ferăstrău;
-semnal triunghiular, etc.
7
1.2. Elemente pasive de circuit

Sunt acele elemente de circuit care nu pot realiza funcŃii de amplificare. Dintre acestea
cele mai importante sunt: rezistorul, condensatorul, bobina.
Rezistorul este elementul de circuit cel mai utilizat. Simbolul este prezentat în (fig. 1.2)
I R
U
Fig. 1.2 Rezistorul – simbol şi relaŃia U/I
RelaŃia de proporŃionalitate dintre tensiunea aplicată la bornele rezistorului şi curentul
care îl străbate este dată de legea lui Ohm:
U = R⋅I (1.6)
Principalul parametru al unui rezistor este rezistenŃa nominală.
În circuitele electrice se folosesc rezistoare legate în serie sau paralel. Trebuie reŃinut că
la legarea în serie, rezistenŃa echivalentă este mai mare decât cea mai mare din rezistenŃele
individuale, în timp ce la conectarea în paralel se obŃine o rezistenŃă echivalentă a circuitului mai
mică decât cea mai mică din rezistenŃele individuale.
Prin conectarea rezistoarelor în serie sau paralel se obŃin divizoare de tensiune, respectiv
curent.(fig. 1.3)
R1 R1 E1 I1 I2
E U
R1 R2
R2 U R2
E2
a) b) c)
Fig. 1.3 Divizoare de tensiune şi curent realizate cu rezistoare
În (fig. 1.3 a) este prezentat un divizor de tensiune la care una din rezistenŃe este legată
la masă. RelaŃia dintre tensiuni este:
R2
U =E⋅ (1.7)
R1 + R2
Dacă nici una din rezistenŃele divizorului nu sunt legate la masă (fig. 1.2 b) atunci
scriind T2K pe ochiul mic şi pe cel mare:

0 şi (1.8)

Dacă se înlocuieşte valoarea curentului în prima ecuaŃie rezultă relaŃia între tensiuni:
R2 R1
U = E1 + E2 (1.9)
R1 + R2 R1 + R2
8
În (fig. 1.3 c) cele două rezistenŃe sunt legate în paralel, obŃinându-se astfel un divizor
de curent; relaŃiile între curenŃi sunt:

; ; · rezultă · (1.10)
·
Înlocuind tensiunea în ecuaŃiile curenŃilor rezultă relaŃiile dintre aceştia:

· şi · (1.11)

Se observă că tensiunea “divizată” este proporŃională cu valoarea rezistenŃei de pe care

se culege (relaŃia 1.7) în timp ce curentul “divizat” este proporŃional cu valoarea celeilalte
rezistenŃe a divizorului (relaŃiile 1.11).
Condensatorul este elementul care are proprietatea de a acumula (înmagazina) sarcina

electrică Q (măsurată în coulombi C) atunci când i se aplică la borne o tensiune U (V).
Fig. 1.4 Condensatorul - Simbol şi relaŃia U/I

Cel mai important parametru al unui condensator este capacitatea C. Capacitatea C se
defineşte ca raportul dintre sarcina electrică Q înmagazinată şi tensiunea aplicată la bornele sale:
Q
C= sau Q = C ⋅ U (1.12)
U
unde C este capacitatea condensatorului şi se măsoară în farazi (F).

Deoarece în practică coulombul şi faradul sunt unităŃi foarte mari, principalul parametru
al condensatorului este capacitatea nominală, exprimată în µF(10-6), nF(10-9) sau pF(10-12).
Conform legii conservării sarcinii electrice, curentul iC prin condensator este
determinat de variaŃia în timp a sarcinii electrice de pe armăturile condensatorului conform
relaŃiei:
dQ
iC = (1.13)
dt
Derivând relaŃia (1.12) se obŃine legătura dintre tensiune şi curent în cazul unui
condensator:
dQ dU du ∆U
=C ; i=C⋅ ; I =C⋅ (1.14)
dt dt dt ∆t
Se observă că valoarea curentului prin condensator este proporŃională cu viteza de

variaŃie a tensiunii la bornele sale. Expl: Dacă avem un condensator de 1 µF care se încarcă cu
un curent constant de 10 mA atunci într-un interval de timp ∆t=1 ms tensiunea la bornele sale
creşte cu ∆U=10 V.
La conectarea condensatoarelor în serie sau paralel se obŃin capacităŃi echivalente cu
formule invers ca la rezistenŃe (serie capacităŃi cu paralel rezistenŃe şi invers).
9
Pe lîngă capacitatea nominală, alŃi parametri caracteristici condensatoarelor sunt:

toleranŃa, coeficientul de temperatură, tensiunea nominală, rezistenŃa de izolaŃie, curentul de
fugă. Definirea acestora se va face în cadrul laboratorului.
Încărcarea condensatorului la un curent constant
Acest montaj care foloseşte încărcarea/descărcarea unui condensator se utilizează în
circuite de temporizare, întârziere, oscilatoare de relaxare, etc. pentru stabilirea unor anumite
intervale de timp.
i C , uC
uC
i
I iC
I C uC
tgα=I/C
α t
a) b)
Fig. 1.5 Creşterea tensiunii pe un condensator sub un curent continuu constant
Se foloseşte schema din (fig. 1.5 a), unde condensatorului C i se aplică un curent
constant I de la o sursă de curent continuu. Încărcarea se poate face şi de la o sursă de
tensiune continuă, constantă prin intermediul unei rezistenŃe.
Rezultă:
dQ du I
i= = C ⋅ C = I = ct. sau duC = dt (1.15)
dt dt C
Integrând rezultă:
I
uC = ⋅t (1.16)
C
Aceasta reprezintă ecuaŃia unei drepte de pantă tg α = I / C
Bobina
Un alt element de circuit fundamental, pasiv este bobina (fig. 1.6).
Fig. 1.6 Bobina – Simbol şi relaŃia U/I

Cel mai important parametru al bobinei este inductanŃa L care se măsoară în Henry (H),
respectiv mH sau µH. InductanŃa L se defineşte ca raportul dintre fluxul magnetic al bobinei Φ L
şi intensitatea curentului prin bobină:
Φ
L= L (1.17)
iL
RelaŃia dintre tensiunea la bornele bobinei şi curent rezultă din legea inducŃiei
electromagnetice:
10
di ∆I 1
u = L⋅ ; U = L⋅ sau i = ∫ u dt (1.18)
dt ∆t L
Dacă se aplică o tensiune U constantă (de la o sursă de tensiune continuă) la bornele

bobinei se constată o creştere liniară a curentului prin bobină, de la zero către infinit.(fig. 1.7)
iL, uL
i
i
U
U L uL
tgα=U/L
α t
a) b)
Fig. 1.7. Creşterea curentului într-o bobină sub o tensiune continuă constantă
Bobina ideală nu permite salturi de curent la bornele sale deoarece i(t) trebuie să fie o
funcŃie continuă (bobina realizează astfel o netezire a curentului prin ea).
Bobina în curent continuu:

di
- deoarece i=ct, rezultă = o şi u=0, deci bobina se comportă în curent continuu ca
dt
un scurtcircuit (o rezistenŃă de valoare nulă).
Bobina în curent alternativ, sinusoidal:

- dacă curentul i(t) prin bobină are forma:
i = I ⋅ sin ω t (1.19)
Derivând şi înlocuind în relaŃia (1.18) se obŃine expresia tensiunii la bornele bobinei:
 π  π  π
u = ωL ⋅ I ⋅ sin ω t +  = X L ⋅ I ⋅ sin ω t +  = U ⋅ sin ω t +  (1.20)
 2  2  2
Se observă că tensiunea este defazată cu π/2 înaintea curentului care străbate bobina.
Se spune că o bobină “întârzie” curentul care o străbate.
În curent alternativ bobina este caracterizată printr-o rezistenŃă aparentă numită
reactanŃă inductivă XL (exprimată în ohmi):
X L = ω L = 2π f ⋅ L (1.21)
Se observă că la frecvenŃe mari (f→∞) bobina ideală se comportă ca un circuit deschis

(XL→∞, IL→0). Bobina ideală nu disipă energie; ea poate transmite şi înmagazina energie
electrică. Cantitatea de energie electrică acumulată de o bobină prin care trece curentul iL este
dată de relaŃia:
L i2
WL = L (1.22)
2
11
2. DIODA SEMICONDUCTOARE
Dioda semiconductoare este privită din punct de vedere al comportării la borne şi al
aplicaŃiilor; de asemenea sunt menŃionate câteva noŃiuni de fizica joncŃiunii semiconductoare.
2.1. Dioda redresoare

Este un dispozitiv electronic cu două terminale, anod (A) şi catod (K) (fizic, catodul este
marcat printr-o bandă colorată) (fig.2.1 c). În interior, dioda redresoare este de fapt o joncŃiune
pn.(fig. 1.a)
ID K
A K
UD A
ioni fixi in retea

purtatori mobili de
sarcina b) c)
a)
Fig. 2.1 JoncŃiunea pn şi simbolul diodei semiconductoare
Prin joncŃiune se înŃelege zona de trecere de la semiconductorul (dopat) de tip p la

semiconductorul de tip n, în aceeaşi reŃea cristalină continuă. Purtătorii mobili de sarcină (goluri
+ şi electroni-) se găsesc într-o mişcare continuă, aleatoare printre atomii reŃelei. Odată
joncŃiunea formată, o parte din electronii liberi din zona de tip n traversează joncŃiunea şi se
combină cu golurile din zona de tip p. Această mişcare are ca rezultat faptul că în imediata
apropiere a joncŃiunii, în zona de tip n rămâne o porŃiune cu sarcină fixă pozitivă +, iar în zona
de tip p se formează o porŃiune cu sarcină fixă negativă -. Între aceste două zone se formează,
la nivelul joncŃiunii o barieră de potenŃial care, la echilibru se opune migrării în continuare a
electronilor din dreapta spre stânga.
Această barieră de potenŃial poate fi controlată prin tensiunea aplicată din exterior între
terminalele diodei. Astfel dacă tensiunea UD are plusul la anod A (terminalul aferent zonei de
tip p) şi minusul la catod K (terminalul aferent zonei de tip n), bariera de potenŃial scade şi prin
diodă trece un curent ID care creşte cu tensiunea aplicată. Spunem că dioda este polarizată
direct. DependenŃa curentului direct de tensiunea directă aplicată este neliniară. O diodă cu
siliciu începe să conducă (se deschide, intră în conducŃie) pentru UD>0.45 ÷0.6 V. (Diodele cu
germaniu conduc la tensiuni directe mici de aprox. 0.2 V).
Dacă tensiunea aplicată din exterior are plusul la catod şi minusul la anod, bariera de
potenŃial creşte, împiedecând trecerea semnificativă a curentului prin diodă (tipic aprox.1 nA).
Spunem că dioda este polarizată în sens invers sau că este blocată. Dioda este deci un dispozitiv
electronic unidirecŃional, pasiv, care conduce curentul într-un singur sens, de la anod spre catod.
2.1.1. Caracteristica tensiune curent a diodei redresoare

Se mai numeşte şi caracteristica statică deoarece pentru fiecare pereche (UD, ID)
determinată, UD şi ID sunt mărimi constante. RelaŃia care modelează această caracteristică este:
 UD 
 mU T 
ID = IS ⋅ e − 1 (2.1)
 
 
12
Unde: IS este curentul de saturaŃie (rezidual) al diodei polarizată invers (0 pentru dioda
ideală; nanoamperi pentru diode cu Si; miliamperi pentru diode de putere); UT este tensiunea
termică şi are o valoare de 25 mV la 25 °C; m este un coeficient dependent de tehnologia de
realizare a diodei, cuprins între 1 şi 2.
Considerând m=1, relaŃia (2.1) poate fi aproximată pe porŃiuni astfel:
UD
-dacă U D ≥ 4 ⋅ U T = 0.1 V rezultă că e UT

» 1 şi atunci comportarea diodei în stare
de conducŃie este dată de relaŃia:
UD
ID ≅ IS ⋅ e UT
(2.2)
UD
UT
-dacă U D < -0.1 V rezultă că e « 1 şi atunci comportarea diodei în stare de blocare
este dată de relaŃia:
ID ≅ − IS (2.3)
În aceste condiŃii caracteristica statică a diodei reale este prezentată în (fig. 2.2).
Fig. 2.2 Caracteristica statică a diodei

Se consideră că la fiecare creştere a temperaturii cu 10 °C, curentul rezidual se
dublează. De asemenea se observă că dacă temperatura creşte, acelaşi curent direct prin diodă ID
corespunde unei tensiuni UD mai mică. Această comportare se reflectă printr-un coeficient de
temperatură negativ pentru Si:
∆U D
la I D = ct = − 2,5 mV °C (2.4)
∆T
2.1.2. Rezolvarea unui circuit simplu cu diodă. Dreapta de sarcină şi punctul

de funcŃionare al diodei
Presupunem circuitul simplu cu o diodă alimentată de la o baterie sau sursă electrică de
tensiune constantă E printr-un rezistor R (fig. 2.3). Valorile numerice sunt orientative.
Comportarea diodei este descrisă prin caracteristica neliniară tensiune curent (relaŃia
2.1); se poate spune astfel că dispozitivul (dioda) impune o dependenŃă între tensiunea UD şi
curentul ID.
Datorită caracteristicii neliniare, dioda este un element de circuit neliniar.
13
R
2 kΩ ID
E
10 V UD
Fig. 2.3 Circuit simplu cu diodă

Pe de altă parte, scriind teorema a doua a lui Kirchhoff (T2K) de-a lungul conturului
ochiului de reŃea din figură rezultă relaŃia:
RI D + UD − E = 0 (2.5)
DependenŃa dintre tensiunea UD şi curentul ID impusă de circuitul electronic se numeşte
dreapta de sarcină şi are ecuaŃia:
E = R ID + UD (2.6)
Deoarece curentul prin diodă şi tensiunea la bornele ei trebuie să satisfacă simultan

relaŃiile 2.1 şi 2.6 rezultă că aceste valori sunt soluŃia sistemului format din cele două ecuaŃii.
Acest sistem poate fi rezolvat prin două metode:
-grafic;
-numeric.
Pentru rezolvarea grafică, se ridică experimental caracteristica tensiune curent a diodei
şi se trasează dreapta de sarcină prin tăieturi la cele două axe (pentru ID=0 rezultă UD=E , iar
pentru UD = 0 rezultă ID = E/R ). Deoarece mărimile UD şi ID nu variază, dreapta de sarcină se
0
numeşte statică. Punctul de intersecŃie P(U D , I D0 ) se numeşte punct de funcŃionare static (PFS)
al diodei. (fig. 2.4).
ID [mA] caracteristica
diodei
E/R1
dreapta
E/R de sarcină
ID0
E1/R
UD
0 UD0 E1 E
Fig. 2.4 Dreapta de sarcină şi PFS al diodei
Analizând graficul se observă că:
-valoarea rezistenŃei R este panta dreptei de sarcină a diodei şi orice modificare a lui R
determină o modificare a acestei pante;
- valoarea tensiunii E este punctul de intersecŃie al dreptei de sarcină cu axa Ox şi orice
modificare a sa determină o translatare a dreptei paralel cu ea însăşi.
Ridicarea experimentală a caracteristicii statice a diodei presupune determinarea
valorilor ID0 şi UD0 pentru PFS obŃinute la diferite valori ale tensiunii E.
Pentru rezolvarea numerică ecuaŃiile sistemului se transformă devenind:
-din caracteristica diodei:
I 
U D = U T ⋅ ln D + 1 (2.7)
 IS 
14
-din ecuaŃia dreptei de sarcină:
E −UD
ID = (2.8)
R
Se foloseşte o metodă iterativă de calcul, parcurgându-se pas cu pas următorul algoritm:

-pasul 1: se consideră iniŃial UD=0 V şi rezultă din relaŃia (2.8) curentul prin diodă ID ;
-pasul 2: se înlocuieşte acest curent în relaŃia (2.7), Ńinând cont de tipul diodei şi
temperatură (prin IS şi UT), rezultând o nouă valoare pentru tensiunea pe diodă UD; această
valoare devine valoarea iniŃială pentru pasul următor.
Calculul iterativ este rapid convergent datorită funcŃiei logaritmice, astfel că după 4-5
iteraŃii valorile pentru UD şi ID se stabilizează, fiind reŃinute ultimele valori obŃinute.
Rezolvarea grafică se foloseşte în cazul când nu se cunosc valorile exacte ale
elementelor din schemă; rezolvarea numerică se foloseşte atunci când sunt cunoscute valorile
elementelor din schemă şi este o metodă rapidă şi precisă dar rezultatele sunt dependente de
variaŃia temperaturii ambiante.
2.1.3. Modele aproximative ale caracteristicii diodei

Scopul realizării acestor modele este acela de a analiza rapid comportarea diodelor în
diferite circuite electronice pentru a aprecia funcŃionarea corectă a acestora. Cu ajutorul acestor
modele se simplifică schema, obŃinându-se rapid informaŃii fără să se Ńină cont de parametrii
diodei sau de rezolvarea sistemului de ecuaŃii.
Deoarece pentru simplificarea analizei circuitelor, caracteristicile diodelor sunt
aproximate prin segmente de dreaptă, modelele obŃinute se numesc “liniare pe porŃiuni”.
2.1.3.1. Dioda ideală (modele de semnal mare)

O diodă ideală are caracteristica tensiune curent prezentată în (fig. 2.5 a).
ID K(UD)
ID
A K
UD UD
0
a) b)
Fig. 2.5 Caracteristica tensiune curent şi simbolul diodei ideale
Dioda ideală este asimilată unui comutator comandat de polaritatea tensiunii aplicate
diodei UD. Când dioda conduce, tensiunea UD = 0 şi se comportă ca un scurtcircuit, curentul
fiind limitat de circuitul exterior (comutator închis). Când dioda este blocată (UD < 0), curentul
ID = 0 (comutator deschis). Spre deosebire de un comutator, dioda fiind un dispozitiv electronic
unidirecŃional conduce curentul într-un singur sens, de la anod la catod.
Deoarece în unele aplicaŃii nu se poate neglija căderea de tensiune directă pe diodă
numită tensiune de prag UD0 (aprox. 0,2…0,4V pentru Ge, respectiv 0,6…0,8V pentru Si),
caracteristica diodei este prezentată în (fig. 2.6 a) . Această tensiune se consideră în serie cu
dioda ideală (fig. 2.6 b).
15
ID
ID UD0
UD
UD
0 UD0
a) b)
Fig. 2.6 Caracteristica tensiune - curent a) şimodelul diodei cu
considerarea tensiunii UD0 b)
2.1.3.2. Comportarea diodei la semnal mic. RezistenŃa dinamică (modelul de semnal mic)
Prin semnal mic se înŃelege acel semnal la care variaŃia curentului sau tensiunii vârf la
vârf este mică în raport cu componenta continuă (valoarea medie) a acestei mărimi. În (fig. 2.7)
este prezentată caracteristica unei diode polarizată direct de către un astfel de semnal.
Fig. 2.7 Comportarea diodei la semnal mic

Dacă lipsesc micile variaŃii, dioda lucrează în punctul de funcŃionare stabilă (PFS) de
coordonate (UD0, ID0) (punctul P). Se observă că în jurul PFS caracteristica statică a diodei se
aproximează printr-o dreaptă; deci ea se comportă ca o rezistenŃă şi se numeşte rezistenŃa
dinamică a diodei.
Dacă se scriu componentele variabile ale tensiunii şi curentului prin diodă:
uD = U D0 + ud = U D0 + I d max ⋅ sin ωt ; iD = I D0 + id = I D0 + U d max ⋅ sin ωt (2.9)
rezistenŃa dinamică se determină cu formula:
u U
rd = d = d max (2.10)
id I d max
Se observă că rezistenŃa dinamică depinde de poziŃia PFS. Dacă se Ńine cont de definiŃia
pantei unei drepte şi de faptul că ea arată cât de “înclinată” este în raport cu abscisa rezultă
relaŃia:
∆U D
tgα = = RD (2.11)
∆I D
Dacă m este panta dreptei de aproximare, rezistenŃa dinamică este inversul pantei:
∆I D 1
m= rezultă RD = (2.12)
∆U D m
16
În (fig. 2.8) este prezentat modelul diodei cu caracteristica liniarizată. În conducŃie

dioda este echivalentă cu o sursă de tensiune UD0 în serie cu rezistenŃa RD.
α
ID tgα=RD
ID UD0 RD
P
UD
UD
0 UD0
a) b)
Fig. 2.8 Caracteristica liniarizată şi schema echivalentă a diodei
2.2. Dioda stabilizatoare

Dacă se aplică unei diode redresoare o tensiune inversă mare, datorită multiplicării în
avalanşă a purtătorilor de sarcină curentul invers creşte brusc ducând la distrugerea diodei prin
străpungere. De asemenea străpungerea diodei se mai poate produce datorită efectului Zener
(interacŃiunea directă dintre câmpul electric intern cu electronii din legăturile covalente). Acest
efect dă şi numele folosit deseori (impropriu*) pentru dioda stabilizatoare şi anume diodă Zener.
Tensiunea la care se produce acest fenomen se numeşte tensiune de străpungere sau de avalanşă.
(*) -efectul Zener apare la tensiuni inverse între 2,7 şi 5 V;
-efectul multiplicării în avalanşă apare la diode cu dopări reduse, la tensiuni peste 7V.
ID [mA] ID
[V] UZ A K
UD [V] UD
A K
Iz
IZ[mA] A K
Uz
a) b)
Fig. 2.9 Caracteristica şi simbolurile diodei Zener
Spre deosebire de dioda redresoare, la dioda stabilizatoare se produce fenomenul de

străpungere nedistructivă, caracterizat prin creşterea bruscă a curentului invers (Iz) în condiŃiile
menŃinerii aproape constante a tensiunii inverse (Uz) pe diodă.(fig. 2.9)
Valoarea tensiunii Uz poate fi controlată prin tehnologie, având o dispersie mare. De
aceea în cataloage este dată valoarea maximă, minimă şi nominală pentru această tensiune. La
funcŃionarea în regiunea Zener nu trebuie depăşit curentul maxim IZM. De asemenea Uz este
dependent de temperatură prin coeficientul de temperatură al tensiunii Zener, αVZ prevăzut în
cataloage. Pentru diodele cu UZ < 5V, αVZ este negativ, adică UZ scade cu creşterea temperaturii.
Pentru diodele cu UZ > 5V, αVZ este pozitiv şi tensiunea Zener UZ creşte cu temperatura. Pentru
diodele cu UZ cuprins între 5….8V coeficientul αVZ poate fi negativ sau pozitiv.
În (fig. 2.10) este prezentat modelul diodei stabilizatoare cu caracteristica liniarizată. În
zona Zener (cadranul IV) dioda este echivalentă cu o sursă de tensiune UZ0 în serie cu rezistenŃa
RZ. Dacă este polarizată direct (cadranul I), dioda Zener se comportă ca o diodă redresoare.
17
ID
UD
∆iD ID UD0 RD
UZ UZ0 ∆uD UD
∆uZ UD0 RZ UZ0 IZ
0
∆iZ
RZ=∆uz/∆iz RD=∆uD/∆iD UZ
IZ
a) b)
Fig. 2.10 Caracteristica liniarizată şi schema echivalentă a diodei stabilizatoare
2.3. AplicaŃii ale diodelor semiconductoare

2.3.1. Circuite de redresare
Redresoarele intră în componenŃa surselor de alimentare, asigurând conversia puterii de
curent alternativ în putere de curent continuu.
2.3.1.1. Redresorul monoalternanŃă

În (fig. 2.11) este prezentat un redresor monoalternanŃă, fără filtru (a) şi cu filtru RC
(b), precum şi formele de undă ale tensiunilor de intrare şi ieşire (c).
D D
u2 t[ms]
C cu C
u1 u2 RS uS u2 R S uS uS fără C
R t[ms]
20 40
a) b) c)
Fig. 2.11 Redresorul monoalternanŃă

La analiza funcŃionării se foloseşte modelul diodei ideale care funcŃionează ca un
întrerupător închis-deschis, după cum tensiunea din secundarul transformatorului de reŃea Tr este
pozitivă sau negativă. Din formele de undă (c) se observă că alternanŃa pozitivă a tensiunii u2 se
regăseşte pe rezistenŃa de sarcină Rs. În alternanŃa negativă, dioda fiind blocată, prin Rs nu circulă
curent, deci tensiunea us este zero.
Dacă tensiunea u2 este de forma:
u2 (t ) = U max sin ω t (2.13)

şi are o valoare medie egală cu zero, tensiunea us pe rezistenŃa de sarcină va avea o
componentă continuă (valoare medie) de forma:
1 π U max
US = ∫ U max sin ω t d (ωt ) = (2.14)
2π 0 π
Deci reprezintă aproximativ o treime din valoarea maximă a tensiunii din secundarul
transformatorului. Tensiunea pe sarcină us este o tensiune continuă (în sensul că nu are
componente negative) dar nu este constantă (este pulsatorie). Pentru a deveni constantă se face o
18
filtrare cu ajutorului unui condensator C şi eventual o rezistenŃă R, în paralel cu sarcina.

Condensatorul C este electrolitic şi trebuie respectată polaritatea din figură.
Într-un interval de timp ∆t (relativ mic faŃă de perioada T a tensiunii u2) dioda este în
conducŃie, tensiunea pe condensatorul C şi pe sarcina Rs urmăreşte tensiunea u2. Condensatorul
C se încarcă la valoarea maximă a tensiunii u2. În tot restul intervalului, deoarece u2 va fi mai
mic decât us rezultă că dioda se blochează şi condensatorul C se descarcă exponenŃial pe
rezistenŃa de sarcină. Tensiunea us scade de la valoarea Umax cu ∆us . VariaŃia ∆us se numeşte
tensiune de ondulaŃie.
În practică se pune problema calculării valorii condensatorului care asigură o anumită
tensiune de ondulaŃie ∆us . Pentru aceasta se porneşte de la sarcina acumulată în condensator pe
timpul ∆t când conduce dioda:
∆Q = C ⋅ ∆u S (2.15)
Conform teoremei conservării sarcinii, sarcina acumulată de condensator în timpul ∆t
când dioda conduce este egală cu sarcina evacuată de acesta în timpul (T-∆t)≈T când dioda este
blocată:
U
∆Q ≅ I S ⋅ T unde I S ≅ max (2.16)
RS
Egalând cele două relaŃii de mai sus rezultă:
U max 1 U max
C ⋅ ∆u S = ⋅ iar C = (2.17)
RS f RS ⋅ ∆u S ⋅ f
Cu ajutorul acestei formule se poate calcula şi valoarea ondulaŃiei tensiunii pentru o
valoare dată a condensatorului C:
U max
∆u S = (2.18)
RS ⋅ C ⋅ f
Cu cât RS şi C sunt mai mari, cu atât filtrarea este mai bună, adică ondulaŃia ∆us este mai
mică. Filtrarea prin condensator se recomandă la curenŃi de sarcină slabi.
Exemplu: Pentru C=22 µF, Rs=5 kΩ,Umax=30 V, f=50 Hz rezultă ∆us ≈5,5 V. Invers, dacă se
impune tensiunea de ondulaŃie ∆us =1 V rezultă condensatorul de 120 µF.
Pe lângă valoarea C, la alegerea condensatorului trebuie precizată tensiunea nominală

şi curentul de ondulaŃie.
łinând cont de ∆us , valoarea componentei continue a tensiunii pe sarcina RS la
redresorul monoalternanŃă prevăzut cu filtru capacitiv este dată de formula:
∆u S U max
U Scont. ≅ U max − ≅ U max − (2.19)
2 2 f ⋅ RS ⋅ C
Atunci când se aleg diodele redresorului trebuie Ńinut cont că o diodă suportă periodic o
tensiune inversă egală cu 2Umax (deoarece în alternanŃa negativă tensiunea din secundarul Tr
ajunge la -Umax în timp ce condensatorul rămâne practic încărcat la +Umax). În proiectare se
impune condiŃia ca VRRM >4Umax.
De asemenea pentru reducerea ondulaŃiilor se mai folosesc în practică bobine de şoc
sau filtre LC şi RC trece jos.
19
2.3.1.2. Redresorul dublă alternanŃă în punte

În redresorul monoalternanŃă din (fig. 2.11) este folosită numai alternanŃa pozitivă a
tensiunii alternative u2. Pentru a utiliza ambele alternanŃe se foloseşte redresorul dublă alternanŃă
în punte. (fig. 2.12)
u2
t[ms]
C
u1 u2 RS uS fără C cu C
R uS
t[ms]
20 40
a) b)
Fig. 2.12 Redresorul dublă alternanŃă în punte
Se observă că în alternanŃa pozitivă a tensiunii din secundarul Tr intră în conducŃie
diodele D2 şi D4, în timp ce D1, D3 sunt blocate. În alternanŃa negativă se schimbă starea diodelor
dar sensul tensiunii pe sarcină rămâne acelaşi. Dacă tensiunea de alimentare este de 50 Hz, se
observă că frecvenŃa tensiunii redresate este dublu acesteia şi anume de 100 Hz. Conform acestei
observaŃii, înlocuind frecvenŃa cu dublul acesteia se obŃine:
U max
∆u S = (2.20)
RS ⋅ C ⋅ 2 f
deci ondulaŃia scade la jumătate faŃă de redresorul monoalternanŃă.

Valoarea componentei continue a tensiunii pe sarcina RS la redresorul monoalternanŃă prevăzut
cu filtru capacitiv este dată de formula:
∆u S U max
U Scont. ≅ U max − ≅ U max − (2.21)
2 4 f ⋅ RS ⋅ C
La valori mici ale amplitudinii Umax nu se poate neglija căderea de tensiune pe cele două
diode aflate în conducŃie (aprox. 2x 0,6 V = 1,2 V). Deci US va fi cu aprox. 1,2 ÷2 V mai mică
decât tensiunea Umax.
2.3.1.3. Sursa dublă de tensiune

În multe aplicaŃii sunt necesare surse duble de tensiune care să asigure tensiuni
simetrice faŃă de zero. Astfel de surse se pot obŃine dacă transformatorul de alimentare este
prevăzut cu priză mediană ca în (fig. 2.13).
+Umax
D1 D 2 C1
u2 0V
u1
u2 D4 D3 C2
Tr -Umax
Fig. 2.13 Sursă dublă de tensiune
Cele două tensiuni simetrice din secundarul Tr sunt exprimate prin relaŃia (2.13).
20
2.3.1.4. Multiplicatorul de tensiune

În alte aplicaŃii sunt necesare surse care să furnizeze tensiuni mari la curenŃi de sarcină
mici (expl.: alimentarea tuburilor catodice; ionizatoare de aer; contoare de particule, etc.).
Acestea se numesc multiplicatoare de tensiune şi au ca schemă de bază dublorul de tensiune
format, pe lângă transformatorul de tensiune din condensatoarele C1, C2 şi diodele D1, D2.
(fig.2.14).
Umax
C1 C3
D1 D2 D3
D4
u1 u2 C2 C4
Tr
2Umax 2Umax
Fig. 2.14 Multiplicator de tensiune ( x 4Umax)
Pe condensatorul C2, după câteva perioade ale tensiunii u2 se regăseşte o tensiune egală
cu 2 Umax. Dacă se repetă schema dublorului (în fig.2.14 o dată) se obŃine o multiplicare de un
număr par de ori a tensiunii din secundarul transformatorului Umax (în cazul prezentat în figură de
4 ori, fiecare din condensatoarele C2, C4, …C2n încărcându-se la o tensiune de 2Umax).
2.3.2. Circuite de stabilizare

O sursă de tensiune continuă, pe lângă transformator, redresor şi filtru trebuie să conŃină
şi un stabilizator care să asigure o tensiune pe sarcină cât mai stabilă (constantă), dacă tensiunea
de intrare Ui , curentul de sarcină IS sau temperatura variază între anumite limite.
Cel mai simplu stabilizator de tensiune este prezentat în (fig. 2.15)
R IR UZ IZmin
IZ IS Ui·(RS/R+RS) P
Ui UZ RS
US α IZmax
Ui/R
IZ
a) b)
Fig. 2.15 Stabilizatorul de tensiune a), caracteristica statică şi dreapta de
sarcină pentru dioda Zener
FuncŃionarea acestui circuit se bazează pe proprietatea diodei stabilizatoare de a
menŃine constantă tensiunea la borne UZ=US pentru variaŃii largi ale curentului IZ, cu condiŃia ca
dioda să fie polarizată în regiunea Zener. Astfel curentul prin diodă trebuie să fie cuprins între
IZmin (tipic 5 mA) şi IZmax.
Dacă se înlocuieşte dioda Zener cu modelul său liniarizat pe porŃiuni prezentat în (fig.
2.10) aceasta va fi caracterizată de sursa UZ0 în serie cu rezistenŃa dinamică RZ.
Dacă se scrie T2K se obŃine:
U − U Z U i − (U Z 0 + I Z RZ )
U i = RI R + U Z rezultă R = i = (2.22)
IR IZ + IS
Dacă se trasează prin tăieturi la axe dreapta de sarcină, aceasta are coordonatele:
21
RS
-cu axa Ox: ( U i ⋅ , 0);
R + RS
Ui
-cu axa Oy: (0, )
R
Dacă RS=const.; tgα = R ║ RS = const. şi la variaŃia tensiunii Ui dreapta de sarcină se
deplasează paralel cu ea însăşi. Punctul P este punctul de funcŃionare stabil PFS.
2.3.3. Alte aplicaŃii ale diodelor semiconductoare

În continuare sunt prezentate câteva dintre aplicaŃiile diodelor semiconductoare şi
anume utilizarea lor în circuite electronice de limitare, formatoare de impulsuri şi pentru
refacerea componentei continue a unui semnal rectangular.
2.3.3.1. Circuite de limitare

Se mai numesc şi limitatoare de amplitudine deoarece limitează tensiunea de ieşire la
anumite valori precizate. În (fig. 2.16) este prezentată schema unui limitator superior cu diodă.
Semnalul de intrare este o tensiune sinusoidală Ui.
R R Uo Ui
U0
Ui UD0
Uo Ui Uo
t
5V UD0 Ui
a) b) c) d)
Fig. 2.16 Circuit limitator cu diodă a). extinderea limitei superioare b).
caracteristica de transfer c). forme de undă d)
Pentru înŃelegerea funcŃionării se înlocuieşte dioda cu modelul său (rezistenŃa dinamică
în serie cu o sursă de tensiune UD0 = 0,6 V). În (fig.2.16a) limita superioară este la aproximativ
0,6 V. În (fig. 2.16 b) limita superioară este extinsă prin înserierea cu dioda a unei tensiuni de
referinŃă furnizată de o surse de tensiune continuă (expl.: pentru o sursă de 5 V rezultă o limitare
superioară de aprox. 5,6 V). De asemenea această tensiune de referinŃă poate fi obŃinută de pe un
divizor de tensiune.
Circuitul prezentat este un limitator unilateral. Pentru a se obŃine un limitator bilateral ,
adică pentru limitarea superioară şi inferioară la anumite tensiuni se foloseşte o diodă
stabilizatoare .(fig. 2.17)
R Uo Ui
UZ0 UZ0 U0
Ui
Uo -UD0
-UD0 t
UZ0 Ui
a) b) c)
Fig. 2.17 Circuit limitator bilateral cu diodă Zener
Pentru scăderea limitei inferioare se introduce în serie şi în opoziŃie cu dioda
stabilizatoare o a doua diodă stabilizatoare. Astfel se poate obŃine un limitator simetric.
22
În (fig. 2.18) este prezentată schema unui astfel de limitator. Acesta se foloseşte la
protejarea instrumentelor de măsură şi a intrării amplificatoarelor cu amplificare mare.
R
Ui D1 D2 Uo
Fig. 2.18 Limitator simetric cu diode
2.3.3.2. Circuite formatoare de impulsuri

În practică diodele se mai folosesc în circuite formatoare de impulsuri, cu ajutorul
cărora se obŃin impulsuri ascuŃite, pozitive pentru fiecare front crescător al unui semnal
rectangular de intrare. (fig. 2.19)
Circuitul este format dintr-un derivator (filtrul RC trece-sus). Dacă se mai montează şi o
diodă cu catodul spre U2, aceasta va lăsa să treacă numai impulsurile negative. Amplitudinea
impulsurilor la ieşirea acestor circuite este cu aproximativ 0,6 V mai mică decât a impulsurilor
de intrare datorită căderilor de tensiune pe diode.
C D U2
0 t
RS
R US
Ui U2
US
0 t
a) b)
Fig. 2.19 Circuit formator de impulsuri
2.3.3.3. Circuite pentru refacerea componentei continue

În (fig. 2.20) este prezentat un circuit cu diodă folosit pentru obŃinerea unui tren de
impulsuri cu o valoare medie pozitivă U0, dintr-un tren de impulsuri aplicat la intrare care este
axat faŃă de zero Ui.
C
D t
Ui U0
Fig. 2.20 Circuit pentru refacerea componentei continue a unui semnal

Dacă se inversează polaritatea diodei D, se obŃine la ieşire un tren de impulsuri cu o
valoare medie negativă. (Expl.: D = 1N4148; C = 0,1 µF). Valoarea medie este dependentă de
amplitudinea semnalului de la intrare.
23
3. TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul bipolar (TB) a fost descoperit în anul 1948. Spre deosebire de diodă care
este un element pasiv, TB este un element activ deoarece permite realizarea funcŃiei de
amplificare.
3.1. Structura şi funcŃionarea TB

Este un dispozitiv electronic cu trei terminale: emitor (E), bază (B) şi colector (C).
Structural este format din trei zone semiconductoare, dopate diferit cu purtători de sarcină
(pozitivi şi negativi). Zona centrală – baza – este mult mai subŃire în comparaŃie cu celelalte două
regiuni (aprox. 1µm). În funcŃie de poziŃionarea acestor zone, tranzistoarele sunt de două
categorii: de tip npn şi de tip pnp. (fig. 3.1.a şi b)
Fig. 3.1 Structura şi simbolul tranzistoarelor npn (a), pnp (b) şi identificarea
terminalelor pentru capsula TO-92 plastic
Cele trei zone sunt separate de două joncŃiuni, joncŃiunea emitor-bază (jBE) şi
joncŃiunea colector-bază (jBC). Astfel structura tranzistorului poate fi reprezentată prin două
diode montate în opoziŃie. (fig. 3.2)
C C
B B
npn pnp
E E
Fig. 3.2 Structura tranzistorului cu două diode în opoziŃie
Această structură este utilă în cazul testării tranzistoarelor, identificării bazei şi stabilirii
tipului acestora cu ajutorul unui ohmetru.
Totuşi funcŃionarea tranzistorului ca dispozitiv electronic este diferită de cea a două
diode montate în opoziŃie; funcŃionarea se bazează pe efectul de tranzistor.
Dacă se consideră un tranzistor de tip npn polarizat conform (fig. 3.3). Tensiunea
EC>EB. Cele două zone ale emitorului şi colectorului sunt puternic dopate cu impurităŃi de tip n
(donoare de electroni). Regiunea bazei este slab dopată cu impurităŃi de tip p (acceptoare de
electroni). Câmpul electric creat de sursa EB injectează electroni din emitor în regiunea bazei, la
fel ca în cazul unei diode polarizată direct. Datorită îngustimii şi a slabei dopări a bazei, puŃini
electroni liberi injectaŃi din emitor se recombină în bază, cei mai mulŃi difuzând în zona
colectorului. JoncŃiunea CB nu se comportă ca o diodă, ci lasă să treacă un curent important spre
24
colector, curent de electroni liberi (curentul de colector). Acesta este în principal efectul de
tranzistor sau de bază subŃire.
Electronii recombinaŃi în bază ar duce treptat la “negativarea” acesteia şi deci la
modificarea polarizării joncŃiunii EB. Acest lucru nu se întâmplă deoarece plusul sursei EB va
furniza continuu câte un gol care va compensa electronul fixat în bază prin recombinare. Astfel
prin terminalul bazei circulă permanent un curent de goluri (curentul de bază).
Datorită faptului că funcŃionarea tranzistorului se bazează pe circulaŃia celor două tipuri
de purtători de sarcină (electroni-purtători negativi-curent de colector şi goluri-purtători pozitivi-
curent de bază) tranzistorul se numeşte bipolar.
În mod normal joncŃiunea emitor-bază este polarizată direct, iar joncŃiunea colector-
bază este polarizată invers. Se spune că tranzistorul bipolar este polarizat în regiunea activă
normală (RAN) şi funcŃionează ca amplificator. Cu ajutorul unui curent de bază mic se poate
comanda un curent de colector mare.
3.2. RelaŃii fundamentale; modelul static al TB

În (fig. 3.3) este prezentat simbolul unui tranzistor de tip npn, împreună cu notaŃiile
referitoare la curenŃi, potenŃiale şi tensiuni.
C
IC
IB
B
UCE VC
UBE IE
E VE
VB
Fig. 3.3 Simbolul şi notaŃiile mărimilor curenŃilor şi

tensiunilor pentru tranzistorul npn
Cu notaŃiile din figură, mărimile care caracterizează funcŃionarea tranzistorului npn
sunt:
-VE, VB, VC sunt potenŃialele emitorului, bazei şi colectorului faŃă de un potenŃial de
referinŃă (masa circuitului);
-IE, IB, IC sunt curenŃii prin terminalele emitorului, bazei şi colectorului;
-UBE, UBC, UCE sunt tensiunile dintre terminale, exprimate prin relaŃiile:
U BE = VB − VE

U BC = VB − VC (3.1)
U = V − V
 CE C E
În simbolul tranzistorului, printr-o săgeată este indicat sensul real al curentului de

emitor, atunci când acesta funcŃionează în regiunea activă.
Curentul de emitor IE se datorează electronilor injectaŃi din emitor în bază şi conform
convenŃiei prin care s-a ales ca sens al curentului sensul de mişcare al purtătorilor pozitivi de
sarcină (golurile), deci sensul opus mişcării electronilor, curentul iese din emitor.
* Conform acestei convenŃii, un curent are sensul de la un potenŃial mai ridicat către un
potenŃial mai scăzut, deşi electronii circulă în sens invers.
Curentul de colector IC este dat de electronii care, datorită bazei subŃiri au trecut din
bază în colector. (la fel sensul este contrar deplasării electronilor)
25
Curentul de bază IB este format din golurile care înlocuiesc electronii care se
recombină şi se fixează în bază. CurenŃii de bază şi colector intră în tranzistor. Astfel dacă se
consideră tranzistorul ca un nod şi se scrie T1K rezultă:
I E = I B + IC (3.2)
Dacă se defineşte câştigul static în curent sau raportul static de transfer al curentului
h21E sau β prin relaŃia:
I
h21E = β = C (3.3)
IB
Acest parametru se mai notează cu hFE sau β F şi se numeşte factor de amplificare în
curent continuu (DC current gain) şi are valori uzuale cuprinse între 10…..1000.
Rezultă:
IC = β ⋅ I B (3.4)
Se observă că în colector tranzistorul se comportă ca un generator de curent la care
curentul de colector este comandat (este dependent) de curentul de bază.
Înlocuind în (3.2) rezultă că:
I E = I B + β I B = I B (1 + β ) (3.5)
În practică se poate aprecia că:

IC ≅ I E (3.6)
Cum joncŃiunea emitor-bază se comportă ca o diodă şi dacă se înlocuieşte dioda cu

modelul său pentru polarizare directă se obŃine modelul static pentru tranzistorul funcŃionînd în
regiunea activă (fig. 3.4):
IB IC βIB IB IC βIB
B « C B « C
UBE0
IE IE
E E
a) b)
Fig. 3.4 Modelul static pentru tranzistorul npn
Tensiunea UBE este de 0,6 V în cazul tranzistoarelor cu siliciu. În cazul tranzistoarelor
pnp se schimbă sensurile curenŃilor şi tensiunilor precum şi sensul diodei şi al tensiunii UBE.
3.3. Conexiunile şi caracteristicile TB

Dacă se priveşte un tranzistor ca un diport (cuadripol), acesta poate lucra în trei tipuri de
conexiuni şi anume:
-conexiunea emitor comun (EC): -mărimi intrare (IB, UBE);
-mărimi ieşire (IC, UCE) (fig. 3.6 a);
-conexiunea bază comună (BC): -mărimi intrare (IE, UBE);
-mărimi ieşire (IC, UCB) (fig. 3.6 b);
-conexiunea colector comun (CC): -mărimi intrare (IB, UBC);
-mărimi ieşire (IE, UEC) (fig. 3.6 c).
26
Terminalul comun aparŃine atât circuitelor de intrare cât şi circuitelor de ieşire.

Semnalul (tensiunea) de intrare se aplică prin partea stângă, iar cel de ieşire se obŃine în partea
dreaptă.
În (fig. 3.5) sunt prezentate tipurile de conexiuni în care poate funcŃiona un tranzistor
npn. În cazul tranzistorului tip pnp se inversează sensurile tensiunilor şi curenŃilor.
INTRARE IEŞIRE INTRARE IEŞIRE INTRARE IEŞIRE

IC IE IC IE
IB IB
UCE UBC UEC
UBE
UBE UBC
a) b) c)
Fig. 3.5 Conexiunile tranzistorului npn: EC-a, BC-b, CC-c

Pentru a aprecia comportarea în curent continuu a unui tranzistor bipolar trebuie trasate
caracteristicile acestuia, în funcŃie de tipul conexiunii. Acestea sunt:
-caracteristici de ieşire prezintă dependenŃa dintre mărimile de ieşire; această
dependenŃă este parametrizată în funcŃie de una din mărimile de intrare; pentru fiecare valoare a
parametrului rezultă o caracteristică, astfel încât în final rezultă o familie de caracteristici.
Aceste caracteristici de ieşire fac parte din specificaŃiile de catalog ale tranzistoarelor.
Expl: -pt. conexiunea EC avem I C = f (U CE ) I B = ct unde IB este parametru;
-pt. conexiunea BC avem I C = f (U CB ) I E = ct unde IE este parametru;
În (fig. 3.6) sunt prezentate caracteristicile de ieşire I C = f (U CE ) I B = ct pentru
tranzistoare npn (a) respectiv pnp (b), în conexiune EC.
IC
IC [mA]
UCE
IBk>IB1
IB1
[V]
0 UCE
a) b)
Fig. 3.6 Caracteristici de ieşire IC=f(UCE) cu IB parametru: a) pentru un transistor

npn b) pentru un transistor pnp
În cazul modelului idealizat din (fig. 3.6 b) curentul IC=βIB nu depinde de tensiunea
UCE şi caracteristicile de ieşire ar trebui să fie paralele cu axa tensiunilor. În realitate ele prezintă
o uşoară creştere.
Caracteristicile sunt reprezentate în cadranul întâi pentru tranzistorul de tip npn şi în
cadranul trei pentru tranzistorul de tip pnp. La tranzistorul pnp UCE<0 (potenŃialul colectorului
VC este mai scăzut decât potenŃialul emitorului VE). De asemenea se Ńine cont de sensul de
27
referinŃă standardizat care spune că un curent este pozitiv dacă “intră” în tranzistor şi negativ
dacă ”iese”. În cataloage se reprezintă şi caracteristicile de ieşire pentru tranzistoarele pnp tot în
cadranul întâi deoarece sunt reprezentate în coordonate (-IC, -UCE).
-caracteristici de intrare prezintă dependenŃa dintre mărimile de intrare; această
dependenŃă este parametrizată în funcŃie de una din mărimile de ieşire.
Expl: -pt. conexiunea EC avem I B = f (U BE ) U BC = ct unde UBC este parametru;
-pt. conexiunea BC avem I E = f (U CB ) U BC = ct unde UBC este parametru;
În (fig. 3.7) este prezentată caracteristica de intrare pentru un transistor funcŃionând în
conexiunea EC. Aceasta este de fapt caracteristica unei diode semiconductoare.
IB [mA]
UBC1 UBC2>UBC1
0 [V]
0,6 UBE
Fig. 3.7 Caracteristica de intrare în conexiunea EC
3.4. Dreapta de sarcină statică, punctul de funcŃionare static şi

regiunile de funcŃionare ale TB
Se consideră tranzistorul npn funcŃionînd în conexiune EC prezentat în (fig. 3.8 a):
IC
+EC EC/RC
IB1>IB0
PFS1
IC
PFS
IB0
∆IC C0I
RC α PFS2 IB2 <IB0
IB RB
+EB UCE
UCE
UBE 0
UCE0 EC
∆UCE
a) b)
Fig. 3.8 Tranzistor npn în conexiune EC a) şi aflarea punctului static de
funcŃionare PFS b)
Pentru analiza comportării tranzistorului se trasează caracteristicile de ieşire IC=f(UCE) .
Sunt trasate trei caracteristici, pentru trei valori ale curentului de bază IB. Legătura impusă de
circuitul exterior mărimilor IC şi UCE este dată de dreapta de sarcină care se obŃine scriind T2K
în ochiul EC:
EC = I C RC + UCE (3.7)
Particularizând ecuaŃia dreptei de sarcină (3.7) pentru UCE=0 şi IC=0 se obŃin
intersecŃiile cu axele (Oy) respectiv (Ox) (dreapta prin tăieturi) (fig. 3.6 b).
28
Punctul de funcŃionare static (PFS) de coordonate (UCE0, IC0) se obŃine la intersecŃia

dintre dreapta de sarcină şi caracteristica de ieşire a tranzistorului.
Pentru a afla valoarea curentului de bază fixat se scrie T2K în ochiul bazei:
E B = I B R B + U BE (3.8)
Rezultă:
E − U BE
IB = B (3.9)
RB
Unde UBE ≈0,6 V pentru tranzistoare cu siliciu.
Se observă că dacă se creşte valoarea curentului de bază la IB1 > IB0 PFS se deplasează
spre stânga, în PFS1. Dacă curentul de bază scade la IB2 < IB0 , PFS se deplasează, pe dreapta de
sarcină spre dreapta-jos în PFS2.
Dacă se iau două puncte de pe dreapta de sarcină, se defineşte panta dreptei de sarcină
astfel:
∆I c 1
tgα = =− (3.10)
∆U C RC
Analizând caracteristicile de ieşire din (fig. 3.9 a) se disting următoarele regiuni (zone)
de funcŃionare distincte:
-regiunea de saturaŃie;
-regiunea activă normală (RAN);
-regiunea de blocare;
-regiunea de străpungere în avalanşă.
Se observă că pentru valori mici ale tensiunii UCE (<0,2 V) curentul de colector IC creşte
rapid. Aceasta este regiunea de saturaŃie a funcŃionării tranzistorului. La saturaŃie UCEsat are
valori tipice de 0,1…0,2 V pentru tranzistoarele de mică putere, respectiv 1…2 V pentru
tranzistoarele de mare putere.
Pentru valori mari ale tensiunii UCE (aprox. 45 V) curentul de colector creşte brusc,
tranzistorul distrugându-se prin străpungere în avalanşă. Aceasta este regiunea de străpungere.
Zona cuprinsă între regiunea de saturaŃie şi regiunea de blocare se numeşte regiune
activă normală (RAN) , punctele A-B.
IBSat IC [mA] IBSat
IC [mA]
ICM
A RAN RAN
SaturaŃie Pdmax
IB=0
IB=-ICB0
B
[V] [V]
0 UCE 0 UCE
Blocare Blocare UCE0
Fig. 3.9 Regiunile de funcŃionare ale tranzistorului bipolar
Dacă TB lucrează în RAN, cu joncŃiunea BE polarizată direct iar joncŃiunea BC
polarizată invers, PFS se află între punctele A-B, pentru un anumit curent de bază IB. Dacă acest
curent creşte, PFS se deplasează spre punctul A (IC creşte iar UCE scade); în momentul în care
UCE =UBE (UBC=0) PFS iese din regiunea activă şi intră în regiunea de saturaŃie. Particularizând
relaŃia (3.7) pentru punctul A rezultă:
29
EC − 0,6
I CSatA = (3.11)
RC
Curentul din bază pentru care se intră în saturaŃie va fi:
I
I BSatA = CSatA (3.12)
β
La un tranzistor saturat tensiunile între terminale pot fi considerate neglijabile iar
curenŃii sunt practic fixaŃi numai de circuitul exterior. Tranzistorul saturat poate fi astfel
aproximat ca un scurtcircuit sau ca un comutator închis.
FuncŃionarea tranzistorului în regiunea de blocare se caracterizează prin polarizarea
inversă a celor două joncŃiuni (UBC<0 şi UBE<0 în cazul tranzistorului npn). La blocare, UBE=0,
IE=0. În aceste condiŃii rezultă IC=ICB0 (curent rezidual de colector, cu emitorul întrerupt;
depinde mult de temperatură) şi IB=-ICB0. Pentru a se asigura blocarea fermă a tranzistorului nu
este sufficient ca IB=0 şi se aplică o tensiune de polarizare inversă joncŃiunii BE. La polarizări
inverse, joncŃiunea BE se comportă ca o diodă Zener, cu tensiunea de străpungere UEB≈6 V.
Această tensiune este limitată la aprox. 1 V prin montarea unei diode de protecŃie ca în (fig.
3.10).
Fig. 3.10 Dioda de protecŃie joncŃiune EB

în cazul blocării tranzistorului
La un tranzistor blocat curenŃii sunt neglijabili iar tensiunile între terminale sunt fixate
de circuitul exterior. Tranzistorul blocat poate fi modelat printr-un comutator deschis, deci ca o
întrerupere de circuit.
Puterea disipată medie este:
1T
Pdmed = ∫ iC ⋅ uCE dt (3.13)
T 0
Puterea disipată în PFS este:
Pd0 = I C0 ⋅ U CE
0
(3.14)
Puterea disipată în tranzistor nu poate depăşi o valoare maximă dată Pdmax (fig. 3.7),
pentru o anumită temperatură ambiantă.
3.5. Circuite de curent continuu cu TB

Pentru a putea funcŃiona (îndeplini anumite funcŃii) TB trebuie mai întâi polarizat. În
legătură cu schemele de polarizare se pun două tipuri de probleme şi anume:
-proiectarea circuitului;
-analiza circuitului.
Proiectarea circuitului de polarizare constă în impunerea unui PFS pentru tranzistor şi
calcularea elementelor exterioare acestuia (EC, RB, RC).
Analiza circuitului presupune cunoaşterea elementelor EC, RB, RC şi determinarea PFS
în care lucrează tranzistorul.
Tranzistorul este dat prin coeficientul β. Datorită dispersiei lui tehnologice, poziŃia PFS
se modifică funcŃie de tipul fiecărui tranzistor, prin β . O altă cauză majoră pentru instabilitatea
PFS este temperatura.
30
Instabilitatea PFS prin modificarea lui β prin dispersie tehnologică

În (fig. 3.11) este prezentată schema de polarizare a bazei prin rezistenŃa RB.
+EC
RB RC
IB
UCE
UBE
Fig. 3.11 Schema de polarizare pentru tranzistorul npn
La proiectarea circuitului de polarizare se impune un anumit PFS pentru un tranzistor
dat (IC=IC0 şi UCE=UCE0). De exemplu pentru un tranzistor tip BC171 IC=IC0=2 mA şi
UCE=UCE0=5 V. Coeficientul β=h21=125…900 (în calcule se ia valoarea medie 500).
Pentru alegerea tensiunii continue de alimentare se pune condiŃia ca PFS să se afle la
jumătatea RAN, pentru a asigura excursia simetrică maximă a tensiunii de ieşire UCE în jurul
PFS dat de UCE0. Pentru aceasta alegem o sursă cu tensiunea dublă tensiunii UCE0 :
Ec ≅ 2 ⋅ UCE0 (3.15)
Cunoscând EC şi scriind T2K în circuitul colectorului rezultă:

E − U CE 0
RC = C (3.16)
IC0
În mod analog, scriind T2K pentru circuitul bazei rezultă:

E − U BE 0
RB = C (3.17)
I B0
Cum UBE0 « EC şi IC=βIB rezultă:

EC β EC
RB ≅ = (3.18)
I B0 IC0
Astfel a fost proiectat circuitul de polarizare al tranzistorului care asigură funcŃionarea
cu β=500 în PFS impus. Se pune întrebarea ce se întâmplă în cazul în care, datorită dispersiei
tehnologice valoarea β ia o altă valoare?
Din relaŃia (3.16) , impunând rezistenŃa de polarizare a bazei RB rezultă că circuitul
exterior fixează curentul de bază la valoarea constantă:
E
I B 0 ≅ c = ct . (3.19)
RB
Dacă se folosesc alte tranzistoare de acelaşi tip dar având β diferit, ecuaŃia pentru UCE0
va fi (din relaŃia 3.16):
 R 
U CE 0 = EC − β I B 0 RC = EC ⋅ 1 − β ⋅ C  (3.20)
 RB 
Şi se vor obŃine alte PFS deplasate, astfel încât excursia de tensiune se micşorează.
31
Deci în cazul circuitului de polarizare prezentat, PFS este puternic dependent de factorul
β al tranzistorului.
În (fig. 3.12) este prezentată schema de polarizare a bazei cu stabilizarea
parŃială a PFS.
+EC
RC
RB
IB UCE
UBE
Fig. 3.12 Schema de polarizare cu stabilizare parŃială a PFS

Se parcurg aceiaşi paşi ca în cazul precedent (se impune PFS, se alege β, se stabileşte
tensiunea sursei de alimentare), se calculează rezistenŃele de polarizare cu formulele:
E − U CE 0 EC − U CE 0
RC = C ≅ (3.21)
I C 0 + I B0 IC0
şi
U − U BE 0 U CE 0 β U CE 0
RB = CE 0 ≅ = (3.22)
I B0 IC0 IC0
β
Din relaŃia (3.22), fixând valoarea rezistenŃei RB se calculează valoarea curentului prin
bază la funcŃionarea tranzistorului în PFS cu formula:
U − U BE 0 U CE 0
I B 0 = CE 0 ≅ (3.23)
RB RB
Se observă că în acest caz, curentul de bază nu este fixat ci este dependent de tensiunea
colector emitor în PFS, U0CE .
Dacă se exprimă U0CE din (3.21) şi folosind (3.23) rezultă:
0
U CE
U CE = E C − RC ⋅ I C = EC − RC ⋅ β ⋅ I B = E C − RC ⋅ β ⋅
0 0 0
RB
EC
0
U CE = (3.24)
R
1+ β ⋅ C
RB
Dacă se înlocuieşte β cu valori egale cu cele din exemplul precedent de polarizare, PFS
se deplasează, dar cu o valoare mai mică (reflectată prin modificarea tensiunii U0CE ).
Stabilizarea PFS se realizează prin următorul lanŃ cauzal:
Dacă
(3.3) (3.23) (3.22) (3.3)

β=h21 I0C U0CE I0B I0C
32
Astfel prin reacŃia negativă în curent continuu are loc o compensare a modificării
factorului β care iniŃial duce la creşterea curentului I0C pentru ca, în final curentul I0C să scadă.
În (fig. 3.13 a) este prezentată schema de polarizare a bazei cu stabilizarea totală a PFS.
Pentru polarizarea bazei se foloseşte divizorul rezistiv format din rezistenŃele RB1, RB2. Dacă se
scrie ecuaŃia dreptei de sarcină statică a tranzistorului:
EC = I C ⋅ ( RE + RC ) + UCE (3.25)
Această dreaptă este trasată prin tăieturi în (fig. 3.13 b):

EC
-pentru UCE=0 rezultă I C = ;
RE + RC
-pentru IC=0 rezultă UCE = EC
+E +EC
IC [mA]
RC
RB1 RC
IC IB RB βIB
IB PFS EB
UCE I0C
UBE0
RB2 RE RE
UCE [V]
0
U0CE
a) b) c)
Fig. 3.13 Schema de polarizare cu stabilizare totală a PFS a), dreapta de sarcină b),
circuitul echivalent (modelul tranzistorului) c)
Pentru a asigura o excursie simetrică a tensiunii de ieşire UCE se alege PFS la mijlocul
RAN. Acest lucru se traduce prin următoarele două condiŃii:
1
0
U CE = ⋅ EC (3.26)
2
1 EC
I C0 = ⋅ (3.27)
2 RE + RC
Dacă ne propunem proiectarea circuitului trebuie parcurse etapele:
Etapa 1:
Se alege tipul tranzistorului, de exemplu BC 171.
Etapa 2:
Se impune poziŃia PFS prin (U0CE , I0C ). (Expl: U0CE =5 V şi I0C=2 mA)
Etapa 3:
Folosind (3.26) se alege sursa de alimentare:
EC = 2 ⋅ U CE
0
(3.28)
33
(Expl: EC=10 V)
Folosind (3.27) se obŃine suma RE+RC :
E
RE + RC = C0 (3.29)
2 ⋅ IC
(Expl: RE+RC=2,5 kΩ)
Etapa 4:
Pentru alegerea rezistenŃei RE se alege potenŃialul emitorului VE de aprox. 1 V. Un
potenŃial VE prea mic sensibilizează PFS cu temperatura (datorită UBE0), în timp ce un potenŃial
prea mare limitează excursia tensiunii de ieşire UCE.
V V
RE = E ≅ E0 (3.30)
I E IC
(Expl: RE=1V/2mA=0,5kΩ)
Etapa 5:
Se calculează potenŃialul bazei cu formula:
V B = V E + U BE (3.31)
(Expl: VB=1+0,6=1,6 V)
Etapa 6:
Se calculează valoarea maximă a curentului de bază care s-ar obŃine pentru βmin al
tranzistorului. În exemplul considerat, pentru BC171 βmin este 125 şi rezultă:
I0
I B0 max = C = 16µA
125
Etapa 7:
Baza tranzistorului este polarizată prin divizorul format din RB1 şi RB2. Pentru ca
potenŃialul bazei să fie independent de curentul din bază se alege un curent prin divizor egal cu:
I div = 10 ⋅ I B0 max (3.32)
(Expl: Idiv=0,16mA)
În acest caz potenŃialul bazei va fi calculat cu formula:
RB 2
VB = EC ⋅ (3.33)
R B1 + R B 2
Etapa 8:
Se determină rezistenŃele care formează divizorul bazei cu formulele:
V
RB 2 = B (3.34)
I div
EC − VB
EC − VB
RB1 = ≅ (3.35)
I div + I B0
I div
(Expl: RB2=1,6V/0,16mA=10kΩ şi RB1=(10-1,6)/0,16mA=52,5kΩ)
Valorile rezistenŃelor se aleg din valorile normalizate (Expl: 10kΩ şi 51kΩ). DiferenŃele
faŃă de valorile calculate, toleranŃele acestora şi faptul că nu s-a Ńinut cont de UCEsat face ca PFS
să nu fie chiar în centrul RAN.
Se observă că pentru Idiv ≥ 10 IB , PFS nu depinde de β al tranzistorului.
34
Dacă se cunosc elementele circuitului (EC, RB1, RB2, RC, RE) se poate face analiza
circuitului. Acest lucru înseamnă determinarea PFS. Pentru aceasta:
-din (3.31) se calculează VB;
-din (3.30) se calculează VE;
V
-se calculează: I C0 = E
RE
0
-se calculează: U CE = EC − I C0 ⋅ ( RE + RC )
Instabilitatea PFS prin modificarea parametrilor tranzistorului datorită temperaturii

Parametrii tranzistorului care sunt dependenŃi de temperatură sunt:
-câştigul de curent β=h21 creşte odată cu creşterea temperaturii;
-tensiunea U BE0 scade cu 2,5 mV/°C;
-curentul rezidual de colector ICB0 (este curentul invers al joncŃiunii CB dacă emitorul
este în gol) creşte cu temperatura;
3.6. Comportarea TB la semnal mic. Modele dinamice

Comportarea TB la semnal mic interesează în special la studiul amplificatoarelor.
Semnal mic înseamnă variaŃiile mici ale mărimilor în jurul valorilor ce caracterizează PFS.
Parametrii importanŃi care caracterizează comportarea TB la variaŃii mici sunt:
1. Câştigul în curent la variaŃii mici h21e (măsurat cu tranzistormetrul)

∆I i
h21e = c = cv (3.36)
∆I B ibv
Acest parametru se mai notează cu hfe şi se numeşte factor de amplificare în curent
alternativ (AC current gain) şi are valori uzuale mai mari decât hFE = h21E .
DefiniŃia acestui parametru este ilustrată în (fig. 3.14) pentru un β = 500.
IC[mA]
∆IC
5 ∆IB
IB[µA]
10
Fig. 3.14 DependenŃa curentului de colector de curentul bazei h21e
2. ImpedanŃa de intrare h11e
Dacă semnalul de intrare se aplică între BE atunci tranzistorul se poate afla fie în
conexiunea BC, fie în conexiunea EC (fig. 3.15); în prima variantă impedanŃa de intrare h11e este
“văzută” dinspre emitor, iar în a doua variantă dinspre bază.
35
UBE UBE
BC EC
Fig. 3.15 ImpedanŃa de intrare h11e văzută dinspre emitor (BC) sau dinspre bază (EC)
Tranzistorul funcŃionează în PFS şi i se aplică un semnal de variaŃii mici în jurul acestui
PFS. Pentru conexiunea BC, rezistenŃa (impedanŃa) “văzută” va fi:
∆ U BE u 25
re = = bev ≅ (3.37)
∆IE i ev I E [ mA ]
Pentru conexiunea EC (cum icv ≅ iev , se înmulŃeşte şi se împarte cu aceşti curenŃi)

impedanŃa de intrare va fi :
∆ U BE u i i u
h11 e = = bev ⋅ cv = cv ⋅ bev ≅ h 21 e ⋅ re (3.38)
∆I B ibv iev ibv iev
Dacă pentru regimul static relaŃia dintre curenŃi este:

I E = IC + I B
Pentru regimul de semnal mic devine:
iev = icv + ibv = h21e ⋅ ibv + ibv ≅ h21e ⋅ ibv (3.39)
Sintetizând relaŃiile între variaŃiile de tensiune şi curent rezultă:
i
-Din h21e = cv rezultă: icv = h21e ⋅ ibv (sursă de curent) (3.40)
ibv
u
-Din h11e = bev rezultă: ubev = h11e ⋅ ibv (3.41)
ibv
- iev = ibv + icv (3.42)
Dacă se reprezintă ultimele trei relaŃii sub formă de circuit se obŃine modelul în parametri h
simplificat al tranzistorului bipolar (fig. 3.16):
ibv icv
B C
h11e h21e·ibv
iev
E
Fig. 3.16 Modelul dinamic în parametri h simplificat pentru TB
Astfel TB este un dispozitiv electronic comandat în curent, generatorul de curent

variabil din colector fiind dependent (comandat) de curentul din bază (de intrare).
Dacă se exprimă curentul colectorului în funcŃie de tensiunea variabilă de intrare se
obŃine:
36
ubev h21e
icv = h21e ⋅ ibv = h21e ⋅ = ⋅ ubev = g m ⋅ ubev (3.43)
h11e h11e
Parametrul g m se obŃine din relaŃia:

icv
h21e i i 1
gm = = bv = cv = (3.44)
h11e ubev ubev re
ibv
şi se numeşte transconductanŃă (este inversa rezistenŃei re).

Înlocuind în (fig. 3.16) se obŃine modelul Π simplificat al tranzistorului bipolar (fig.
3.17):
ibv icv
B C
h11e
gm·ubev
ubev iev
E
Fig. 3.17 Modelul dinamic în Π simplificat pentru TB
Modelul în Π simplificat poate fi completat (adaptat) pentru a descrie comportarea TB la

înaltă frecvenŃă.
Pentru semnale de amplitudine mică se consideră TB ca un cuadripol liniar (fig. 3.18):
cuadripol
icv
ibv
ubev ucev
Fig. 3.18 TB privit ca un cuadripol

Comportarea tranzistorului la semnal mic poate fi descrisă prin relaŃiile liniare între
curenŃii şi tensiunile de intrare, respectiv ieşire:
ubev = h11e ⋅ ibv + h12e ⋅ ucev

 (3.45)
icv = h21e ⋅ ibv + h22e ⋅ ucev
sau matricial:
ubev h11e h12e ibv
= ⋅ (3.46)
icv h21e h22e ucev
Folosind aceste ecuaŃii se poate desena pentru TB modelul în parametri h complet (fig.
3.19):
37
ibv icv C
B
h21e ·ibv
h11e 1/h22e
ubev h12e·ucev ucev
E
Fig. 3.19 Modelul dinamic în parametri h complet pentru TB
Indicele e vine de la conexiunea emitor comun; pentru bază comună se foloseşte b iar
pentru colector comun litera c. Indicii numerici vin de la numărul liniei şi coloanei respective.
Litera h vine de la hibrid şi sugerează faptul că fiecare parametru din cei patru are o altă
dimensiune. Astfel:
-h11e are dimensiune de rezistenŃă (Ohm, Ω);
-h22e este admitanŃă de ieşire (Siemens, 1/Ω);
-h12e , h21e sunt parametri adimensionali.
Pentru întocmirea schemei echivalente pentru semnal mic a TB se foloseşte circuitul din
(fig. 3.20), fără a se mai figura şi rezistenŃele de polarizare a bazei pentru ca TB să funcŃioneze în
PFS.
+EC
RC
iB iC
uCE
uBE
Fig. 3.20 TB în circuit EC

Tensiunea de intrare uBE este formată dintr-o componentă continuă, corespunzătoare PFS
0
UBE şi o componentă variabilă ubev . Astfel pot fi scrise toate mărimile de intrare-ieşire:
u BE = U BE0
+ ubev

i B = I B0 + ibv
 (3.47)
uCE = U CE + ucev
0

iC = I C + icv
0
Pentru întocmirea schemei echivalente a funcŃionării TB la semnal mic se elimină

0
componentele continue ( U BE , I B0 , U CE
0
, I C0 ) şi se păstrează componentele variabile (
ubev , ibv ucev , icv ).
Din punct de vedere grafic, în planul caracteristicilor de ieşire se înlocuieşte sistemul de
coordonate (iC, uCE) cu sistemul (icv, ucev) având originea în PFS.
La întocmirea schemei echivalente pentru semnal mic a TB se consideră că sursele de
tensiune continuă şi condensatoarele reprezintă scurtcircuite pentru semnale de variaŃii.
38
În (fig. 3.21) este prezentată schema echivalentă pentru circuitul de mai sus, TB fiind
reprezentat prin modelul în parametri h complet.
ibv icv C
B
h21e ·ibv
h11e 1/h22e RC
ubev h12e·ucev ucev
E
Fig. 3.21 Circuit cu TB în conexiune EC - Modelul dinamic
în parametri h complet
Se observă conectarea rezistenŃei RC între colector şi masă deoarece sursa EC este

considerată un scurtcircuit (segment îngroşat).
3.7. FuncŃionarea TB ca amplificator de semnal mic

Se consideră TB din circuitul de amplificare prezentat în (fig. 3.22). Pentru polarizarea
tranzistorului se folosesc rezistenŃele RB1, RB2 pentru bază, RC pentru colector şi RE pentru
emitor. Cu ajutorul acestor rezistenŃe tranzistorul lucrează în PFS caracterizat prin UCE0 şi IC0.
Semnalul variabil aplicat la intrare este furnizat de o sursă de semnal (tensiune) având
rezistenŃa internă Rg şi tensiunea electromotoare eg. Acest semnal este aplicat sarcinii RS.
Condensatoarele C1 şi C2 se numesc condensatoare de cuplaj deoarece permit trecerea
semnalului variabil de la sursa de semnal la amplificatorul format din TB, respectiv de la
amplificator la sarcină (valorile tipice sunt 0,1 µF).
Condensatorul C3 se numeşte condensator de decuplare deoarece are rolul de decuplare
(şuntare) a rezistenŃei RE în cazul semnalului variabil. Valoarea tipică este de 100 µF.
+EC
RB1 RC C2
C1 iC
iB
uCE RS
Rg us
RB2
ui C3
eg RE
Fig. 3.22 TB amplificator cu stabilizarea PFS
Schema echivalentă a circuitului se obŃine înlocuind tranzistorul cu modelul său în π

simplificat, cu sursa EC şi C1...3 reprezentate ca scurtcircuite, cu linie groasă (fig. 3.23).
39
Ri C Rint ibv icv iies Ries

1
gm·ubev
h11e C2
Rg
ui
RB1 RS
RB2 ubev ucev RC us
eg uies
C3
Fig. 3.23 Schema echivalentă pentru TB amplificator

Din schema echivalentă se calculează rezistenŃa de intrare “văzută” între baza
tranzistorului şi masă:

(3.48)

RezistenŃa de intrare “văzută” dinspre generatorul de semnal este:

| | || (3.49)
Unde RB se obŃine din rezistenŃele RB1 şi RB2 în paralel.

Amplificarea în tensiune este dată de relaŃia (se Ńine seama că ubev este egal cu ui) :
# $% ||& '·()

" $* ||+ ' · ,- (3.50)

Semnul minus din expresia amplificării arată că semnalul de ieşire, amplificat este în
antifază (defazat cu 180°) faŃă de semnalul de intrare.
Se poate defini amplificarea în raport cu tensiunea eg a generatorului de semnal:
& & &
"( · · " · (3.51)
. . . .
Se observă că |Aug|<|Au|. Se spune că avem de a face cu o neadaptare a sursei de semnal

cu intrarea amplificatorului. Pentru o bună adaptare trebuie îndeplinită condiŃia:
( / 0 012345ă / ( (3.52)
Rezultă deci necesitatea creşterii lui Ri, în special prin creşterea lui Rint.
RezistenŃa de ieşire a amplificatorului rezultă din relaŃia:
ş
ş ş
* (3.53)
Amplificatorul din (fig. 3.20) are două dezavantaje: rezistenŃă de intrare scăzută şi
distorsionarea semnalului la ieşire. Ambele neajunsuri pot fi eliminate dacă nu se decuplează
rezistenŃa din emitor RE cu ajutorul condensatorului C3. În acest caz schema echivalentă se
modifică astfel (fig. 3.24):
40
Rint ibv icv iies Ries

(gm·ubev)
h11e h21e·ibv C2
ui ubev RS
ucev RC us
RB1||RB2 RE uies
Fig. 3.24 Schema echivalentă fără decuplarea rezistenŃei RE

În acest caz, rezistenŃa de intrare creşte:

$1 '
9 ·
(3.54)

& () ·% ||& % ||&

" 9 (3.55)
() ·: :
Se observă că amplificarea nu depinde de gm , deci este eliminată această sursă de

distorsiuni. Dar acest lucru duce la scăderea importantă a amplificării.
Pentru a realiza un compromis între cele două condiŃii (amplificare bună şi distorsiuni
reduse) se realizează o decuplare parŃială a rezistenŃei din emitor, prin cuplarea unei rezistenŃe
în serie cu condensatorul de decuplare.
3.8. Comportarea TB la înaltă frecvenŃă

La aplicarea unui semnal mic, tranzistorul răspunde instantaneu la variaŃiile semnalului.
În cazul în care creşte frecvenŃa, tranzistorul răspunde cu o anumită “inerŃie” la aceste variaŃii.
Pentru descrierea comportării la frecvenŃe înalte se foloseşte modelul în π completat cu două
capacităŃi echivalente Cbc şi Cbe (fig. 3.25):
Cbc
ibv icv
B C
Cbe h11e h21e·ibv

(gm·ube)
ubev iev
E
Fig. 3.25 Modelul TB pentru comportarea la înaltă frecvenŃă
Capacitatea intrinsecă bază-emitor Cbe determină scăderea, la frecvenŃe înalte a
câştigului în curent pentru semnal mic. Pentru frecvenŃe înalte, reactanŃa capacităŃii Cbe şuntează
rezistenŃa de intrare h11e . Astfel pentru aceeaşi variaŃie a curentului de bază ibv variaŃia lui ubev
scade. Ca urmare scade şi variaŃia lui ;*< ,- · 3=< , deci şi ;*< ⁄;=< scade .
FrecvenŃa ? ?@ pentru care 1⁄2B?C= , se numeşte frecvenŃă de tăiere
(pentru conexiunea EC). Datorită capacităŃii Cbe tranzistorul se comportă ca un filtru RC trece
jos.
Capacitatea intrinsecă bază-colector Cbc nu determină scăderea câştigului în curent h21e
la frecvenŃe înalte în cazul în care ucev≈0
41
4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP (TEC)

Tranzistorul unipolar se mai numeşte şi tranzistor cu efect de câmp (TEC). A apărut
după tranzistorul bipolar. Aceste tranzistoare sunt de două tipuri: cu poartă (grilă) joncŃiune
(TEC-J) şi cu poartă (grilă) izolată , în structură metal-oxid-semiconductor (TEC-MOS). Practic
se folosesc şi denumirile din limba engleză, respectiv: FET (Field-Effect Tranzistor), JFET şi
MOSFET.
Toate aceste dispozitive electronice sunt dispozitive unipolare deoarece funcŃionarea lor
presupune un singur tip de purtători de sarcină.
4.1. Tranzistoarele TEC-J

TEC-J se folosesc ca şi componente distincte în circuite electronice de amplificare a
semnalelor mici de joasă şi înaltă frecvenŃă, în domeniul HIFI datorită performanŃelor lor
(impedanŃă mare de intrare, liniaritate bună, nivel de zgomot redus). De asemenea se folosesc pe
post de comutatoare de semnal analogic în circuite de eşantionare-memorare (SH-Sample and
Hold) sau la multiplexarea şi demultiplexarea semnalelor analogice şi generatoare de curent
continuu fix.
La variaŃii mici de tensiune şi curent se folosesc ca rezistenŃe a căror valoare poate fi
controlată de tensiunea grilă-sursă. Pentru puteri mari se foloseşte tranzistorul cu efect de câmp
cu poartă izolată TEC-MOS.
4.1.1. Structura şi funcŃionarea TEC-J

La TEC-J canalul este realizat în volumul semiconductorului de siliciu. Există două
tipuri de TEC-J şi anume: canal n şi canal p. Simbolurile lor sunt prezentate în (fig. 4.1).
Fig. 4. 1 Simbolurile tranzistoarelor TEC-J

O structură de TEC-J canal n este arătată în (fig. 4.2) şi aceasta va fi analizată în
continuare. Dacă se inversează tipurile de semiconductor pentru fiecare zonă se obŃine un TEC-J
cu canal p.
Terminale
metalice
canal
Izolator Substrat Siliciu

(SiO2)
a) b)
Fig. 4. 2 Structura unui tranzistor TEC-J canal n a)
şi detaliu canal la VDS medii b)
42
Între contactele ohmice (terminale) sursă (S) şi drenă (D) este realizat fizic un canal din
siliciu de tip n . Lateral acestui canal sunt create două joncŃiuni de tip p , una puternic dopată p+
numită grilă (G) sau poartă (P) şi una mai puŃin dopată p- numită substrat (Sb) sau bază.
ConducŃia curentului se face de la sursă către drenă şi se face de către un singur tip de
purtători (electroni în acest caz). Pentru a ajunge la drenă, curentul trece prin canalul n , între
zona dopată p+ şi zona dopată p-. În funcŃie de lăŃimea acestei zone, conducŃia este uşoară sau
mai dificilă. Tensiunea aplicată între grilă (zona p+) şi substrat (zona p-) modulează conducŃia
canalului şi valoarea curentului drenă-sursă al TEC-J.
Este un dispozitiv electronic cu trei terminale (caz în care grila G şi substratul Sb sunt
conectate intern) sau cu patru terminale când există acces la fiecare contact în parte G, S, D, Sb.
Pentru funcŃionare normală, cele două joncŃiuni (legate împreună) sunt polarizate invers,
deci UGS<0. De aici vine şi denumirea de tranzistor cu efect de câmp : ca efect al câmpului
electric al acestei tensiuni, în jurul joncŃiunilor se creează regiuni de sarcini sărăcite în purtători
de tip n. Aceste regiuni se comportă ca straturi izolatoare care determină îngustarea canalului de
tip n prin care trec electronii “furnizaŃi” de sursă pentru a fi “colectaŃi” de drenă.
Practic curentul de drenă ID este controlat de tensiunea grilă-sursă UGS . Deci TEC-J
este un dispozitiv controlat în tensiune ID=f(UGS), spre deosebire de TB care este un dispozitiv
comandat în curent (IC=βIB).
Pentru ridicarea caracteristicilor statice ale unui TEC-J canal n (tip BFW-10) se
foloseşte schema din (fig. 4.3):
ID
D
G
UDS
UGS S
Fig. 4.3 Schema pentru ridicarea caracteristicilor statice TEC-J canal n

Tensiunea grilă-sursă este negativă UGS<0 şi tensiunea drenă-sursă este pozitivă UDS≥0.
În (fig. 4.4) este prezentată familia caracteristicilor de ieşire:
D ?$D+ '|E+ F5G (4.1)
unde tensiunea grilă-sursă UGS este considerată parametru şi este constantă.
ID [mA] UDS =UDSsat

N S UGS =0
UGS =-0,3V
M
UGS <0
UDS [V]
Fig. 4.4 Caracteristicile de ieşire ale TEC-J canal n
43
Se observă trei zone (regimuri) de funcŃionare şi anume:

-pentru UDS mici (între ± 300 mV) tranzistorul se comportă între drenă şi sursă ca o
rezistenŃă liniară a cărei valoare este controlată de UGS ; cele două tensiuni UGS şi UDS sunt
aproximativ egale în zona M din figură, caracteristicile sunt drepte a căror pantă este variabilă,
dependentă de UGS; pentru UGS=0 se obŃine panta cea mai mare; ca aplicaŃii ale funcŃionării în
zona liniară a caracteristicii, TEC-J se foloseşte ca rezistenŃă variabilă în atenuatoare controlate
în tensiune sau în circuite pentru reglarea automată a amplificării (RAA);
-pentru UDS de valori medii funcŃionarea este neliniară; zona N din figură, în care UGS şi
UDS nu mai sunt egale; acest regim nu are o aplicaŃie practică;
-pentru UDS ≥UDssat tranzistorul se comportă faŃă de drenă ca un generator de curent
constant ID comandat de tensiunea UGS şi independent de tensiunea drenă-sursă UDS ; zona S din
figură în care are loc saturaŃia curentului de drenă al TEC-J; dacă tensiunea UGS devine mai
negativă decât o tensiune de prag Up (numită tensiune de blocare grilă-sursă) atunci tranzistorul
se blochează şi curentul de drenă ID devine nul.
Imaginea grafică a dependenŃei neliniare dintre curentul din drenă ID şi tensiunea grilă-
sursă UGS, pentru parametrul UDS constant se numeşte caracteristica de transfer (fig. 4.5):
D ?$E+ '|D+ F5G (4.2)
RelaŃia aproximativă pentru caracteristica de transfer în regiunea de saturaŃie va fi :
I&
D D++ H1 K (4.3)
J
pentru: L M E+ M 0
ID[mA]
IDSS
UGS=-IDRS
ID0
UGS[V]
UP UGS0
Fig. 4.5 Caracteristica de transfer a unui TEC-J canal n
Tensiunea de prag UP creşte în modul odată cu creşterea temperaturii.

Valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de drenă se notează cu IDSS şi se
numeşte curent de drenă de saturare şi se obŃine pentru UGS=0 şi UDS>|UP| (este notat în
cataloage).
4.1.2. Tranzistoarele TEC-J. AplicaŃii

În continuare vor fi prezentate câteva din schemele folosite în aplicaŃiile cu tranzistoare
TEC-J. Acestea ilustrează funcŃionarea în zonele (regimurile) de funcŃionare ale tranzistorului
prezentate mai înainte.
44
4.1.2.1. Divizor rezistiv controlat în tensiune

În (fig. 4.6) este prezentată schema în care tranzistorul este folosit ca o rezistenŃă
variabilă, controlată de o tensiune de comandă Ucda (zona M din fig. 4.4). Circuitul reprezintă un
divizor al semnalului de intrare ui într-un raport controlat de această tensiune de comandă.
Dacă se notează rezistenŃa echivalentă între drenă-sursă cu R=R(Ucda), din relaŃia
divizorului rezultă valoarea raportului de divizare a tensiunii:
ş $OPQ '

N (4.4)
$OPQ '
ui ui
uieş
Ucda=UGS uieş
Fig. 4.6 TEC-J canal n folosit ca divizor comandat

Pentru UGS=0 raportul k are cea mai mică valoare, deci uieş este o parte mică din ui.
Pentru UGS=UP raportul k tinde spre valoarea maximă, egală cu 1, deci uieş =ui.
4.1.2.2. Sursa de curent constant

În (fig. 4.7) este prezentată schema de principiu în care tranzistorul TEC-J este folosit ca
sursă de curent constant (zona S din fig. 4.4).
+ED
UGS
Fig. 4.7 TEC-J canal n folosit ca sursă de curent constant

RezistenŃa RS se foloseşte pentru negativarea grilei faŃă de sursă, astfel încât:
E+ D · + (4.5)
PFS caracterizat prin (ID0, UDS0) se poate determina fie grafic, la intersecŃia dreptei
exprimată prin ecuaŃia (4.5) cu caracteristica de transfer dată de ecuaŃia (4.3) fie analitic prin
rezolvarea sistemului format din cele două ecuaŃii.
4.1.2.3. Repetor de tensiune compensat termic

În (fig. 4.8) este prezentată o schemă în care tranzistorul TEC-J este folosit ca repetor
de tensiune compensat termic. Această schemă asigură o impedanŃă de intrare mare, redând la
ieşire semnalul (tensiunea) de intrare fără a fi influenŃat de diferenŃa de temperatură dintre T1 şi
T2. Pentru aceasta funcŃionarea trebuie să fie la saturaŃie, la ID cu derivă termică zero.
45
ui ID1=ID2
uieş=ui
Fig. 4.8 Repetor de tensiune compensat termic
Polarizarea se face de la o sursă dublă ±10 V. O altă condiŃie care trebuie

îndeplinită este ca cele două tranzistoare să fie identice, adică să aibă aceeaşi
tensiune de prag UP şi acelaşi curent IDSS.
Deoarece TEC-urile nu au curent de grilă rezultă ID1=ID2=ID. De asemenea
tensiunile grilă-sursă sunt egale:
E+ E+ 1 · D (4.6)
Folosind T2K rezultă:
3 E+ 1 · D 3ş (4.7)
Înlocuind UGS1 rezultă imediat ui=uieş.

4.1.2.4. Amplificator de semnal mic cu TEC-J
În (fig. 4.9) este prezentată schema de principiu în care tranzistorul TEC-J este folosit ca
amplificator.
RezistenŃa din grilă RG are valori mari, 1...10 MΩ. Tensiunea UGS este dată de relaŃia
(4.5). Cunoscând valorile rezistenŃelor se poate face o analiză a circuitului, calculând PFS al
tranzistorului şi formularea unei concluzii cu privire la poziŃionarea acestuia (în saturaŃie sau nu).
+ED
Ri Rieş
uieş
ui
Fig. 4.9 TEC-J canal n folosit ca amplificator de semnal mic
46
Pentru a descrie funcŃionarea TEC-J la variaŃii ale semnalului aplicat la intrare ui se

defineşte transconductanŃa (panta) gm (folosind şi relaŃia 4.3):
· UD++ · D G
RS
,- TD+ F5 (4.8)
RI& J
Schema echivalentă pentru variaŃii este prezentată în (fig. 4.10):

Ri Rieş
gmugs
ugs
ui uieş
Fig. 4.10 Schema echivalentă pentru TEC-J canal n folosit ca amplificator

de semnal mic
Se obŃin următoarele expresii pentru amplificarea în tensiune, rezistenŃa de intrare şi
rezistenŃa de ieşire:
() ·S
" ( (4.9)
· ) &
E (4.10)
ş D (4.11)
Dacă se decuplează (şuntează) rezistenŃa RS cu un condensator atunci amplificarea

creşte, rezultând:
" ,- · D (4.12)
În comparaŃie cu tranzistorul bipolar, TEC-j are dezavantajul unei amplificări mai mici
şi faptul că transconductanŃa gm depinde (prin parametrii UP şi IDSS) de tipul particular al
tranzistorului folosit. Avantajul major al TEC-J este impedanŃa mare de intrare şi distorsiuni de
neliniaritate mici faŃă de TB.
4.2. Tranzistoarele TEC-MOS

TEC-MOS se folosesc foarte mult, atât ca dispozitive active cât şi ca rezistenŃe şi
capacităŃi în circuitele integrate, în special în cele digitale de tip LSI şi VLSI datorită gradului
înalt de integrare. Datorită faptului că au grila izolată, asigură impedanŃe de intrare foarte mari de
ordinul a 1014 Ω. Zgomotul mare al acestor tranzistoare nu le recomandă pentru aplicaŃii în care
nivelele semnalelor sunt mici. Se folosesc cu precădere la puteri mari deoarece nu prezintă
fenomenul de ambalare termică şi au o bună liniaritate (mai bună decât TB). Se mai folosesc în
comutatoare de putere, deoarece comută mai repede decât TB (acestea au o anumită întârziere
datorită intrării în saturaŃie). Sunt mai scumpe decât TB.
Sunt cunoscute două tipuri de bază şi anume:
-TEC-MOS cu canal iniŃial, de tip n (NMOS) sau p (PMOS);
-TEC-MOS fără canal iniŃial, de tip n (NMOS) sau p (PMOS).
47
De asemenea pot fi cu îmbogăŃire (enhancement) sau cu sărăcire (depletion). Deosebirea

dintre ele este că primul tip nu conduce curent la UGS=0 în timp ce al doilea conduce. Fiecare din
acestea este cu canal n sau cu canal p.
4.2.1. Structura şi funcŃionarea TEC-MOS

Simbolurile pentru cele două familii de MOSFET-uri (cu şi fără canal iniŃial), cu canal
de tip N sau de tip P, cu acces la substratul de bază Sb (cu 4 terminale) sau fără acces la Sb (cu 3
terminale) sunt prezentate în (fig. 4.11).
ID ID ID ID
UDS UDS UDS

UDS
UGS
UGS UGS UGS
a) b) c) d)
Fig. 4.11 Simbolurile TEC-MOS (MOSFET)
Se observă că la dispozitivele cu trei terminale substratul de bază Sb este conectat intern
la sursă.
O structură de TEC-MOS cu îmbogăŃire canal p este arătată în (fig. 4.12) şi aceasta va fi
analizată în continuare. Simbolul său este prezentat în (fig. 4.11, d).
a) b)
Fig. 4. 12 Structura unui tranzistor TEC-MOS cu îmbogăŃire (fără canal
iniŃial),substrat n, canal p a) şi detaliu canal la UDS medii b)
În substratul semiconductor (Sb=substrat de bază) slab dopat (n-) se difuzează două

regiuni puternic dopate (p+) care constituie sursa (S) şi drena (D), prevăzute cu terminale
metalizate. Peste substratul semiconductor n se pune un strat subŃire izolator din oxizi de siliciu
48
SiO2. Peste acest strat izolator se formează al patrulea electrod metalic, grila (G). De la această
succesiune vine şi numele tranzistorului MOSFET (MetalOxidSemiconductor).
După cum se poate observa din (fig. 4.12 a) între drenă şi sursă avem două diode
conectate în serie, în opoziŃie. Indiferent de semnul tensiunii aplicate, între drenă şi sursă nu
circulă curent deoarece una din cele două diode va fi blocată.
Se consideră substratul Sb conectat la sursă (dispozitiv cu trei terminale). Dacă se aplică
o tensiune negativă între grilă şi sursă UGS<0, aceasta determină într-o zonă îngustă de la
suprafaŃa semiconductorului respingerea electronilor şi atragerea golurilor. Pentru o valoare a
tensiunii suficient de mare (UP =tensiune de prag), numărul golurilor devine mai mare decât
numărul electronilor; astfel se formează un canal “indus” de tip p între drenă şi sursă (fig. 4.12
b). În acest moment, dacă se aplică o tensiune drenă-sursă diferită de zero, prin canal circulă
curent.
În (fig. 4.13 a, b) sunt ilustrate caracteristicile de ieşire şi caracteristica de transfer
pentru tranzistorul descris mai sus.
ID[mA] ID[mA]
SaturaŃie
Liniara
UGS1
UDS<0
UGS2<UGS1
UDS[V] UGS[V]
UP<0
a) b)
Fig. 4. 13 Caraceristicile de ieşire a) şi caracteristica de transfer b) pentru un TEC-

MOS cu canal indus, de tip p
Ca şi în cazul tranzistoarelor TEC-J, se pot delimita două zone de funcŃionare şi anume:
zona de saturaŃie şi o zonă liniară, separate în figură de o linie trasată punctat a cărei ecuaŃie este
dată de relaŃia:
D+ E+ |L | (4.13)
În zona liniară tranzistorul se comportă ca o rezistenŃă controlată de UGS. Tensiunea de

prag UP este valoarea tensiunii UGS pentru care curentul ID se anulează.
Sensurile curenŃilor şi tensiunilor sunt la tranzistorul TEC-MOS cu canal indus p:
UGS<0, UDS<0, UP<0, iar curentul ID circulă de la sursă la drenă, în acelaşi sens cu golurile (fig.
4.11, d).
La un tranzistor TEC-MOS cu canal indus n sensurile tensiunilor şi curenŃilor sunt
inverse faŃă de unul cu canal p, adică: UGS>0, UDS>0, UP>0, iar curentul ID circulă de la drenă la
sursă, contrar sensului de deplasare al electronilor (fig. 4.11, c).
În (fig. 4.14) este prezentată caracteristica de transfer pentru un tranzistor TEC-MOS cu
canal indus n. Se observă că atunci când potenŃialul grilă-sursă UGS este zero, prin tranzistorul
MOS nu trece curent. În acest caz, vor exista foarte puŃini electroni la suprafaŃa substratului de
siliciu p, fapt care nu permite trecerea purtătorilor (în acest caz electroni) între drenă şi sursă
49
(regiuni de tip n, cu mulŃi electroni liberi). Crescând UGS în valoare absolută (pozitivă pentru
NMOS şi negativă pentru PMOS) conducŃia începe la o anumită valoare de prag UP (tipic 1,5 V).
ID[mA]
UDS>0
UGS[V]
UP
Fig. 4. 14 Caraceristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal indus n
În cazul dispozitivelor cu patru terminale, substratul Sb se conectează la cel mai pozitiv
potenŃial din circuit (pentru TEC-MOS cu canal p), sau la cel mai negativ potenŃial din circuit în
cazul TEC-MOS cu canal n. De regulă substratul Sb se conectează la sursă.
În cazul tranzistoarelor TEC-MOS cu canal iniŃial p, între sursă şi drenă există un canal
de tip p chiar şi pentru tensiuni UGS=0. Dacă UGS>0 în substratul semiconductor se induce o
sarcină negativă, canalul se îngustează, rezistenŃa sa creşte şi curentul de drenă ID scade faŃă de
valoarea avută la UGS=0. Se poate spune că pentru UGS>0 tranzistorul lucrează prin “golire”,
sărăcire (depletion).
Dacă UGS<0 atunci în substratul semiconductor se induce o sarcină pozitivă, canalul se
lărgeşte, rezistenŃa sa scade şi curentul de drenă creşte faŃă de valoarea avută pentru UGS=0 (fig.
4.15 a). Se spune că pentru UGS<0 tranzistorul lucrează prin “îmbogăŃire” (enhancement).
ID[mA] ID[mA]
UDS<0
UDS>0
“golire” “golire”
“îmbogăŃire”
“îmbogăŃire”
UGS[V] UGS[V]
UP >0 UP <0
a) b)
Fig. 4. 15 Caracteristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal iniŃial de tip p
a) şi cu canal iniŃial de tip n b)
Aceeaşi comportare o are şi TEC-MOS-ul cu canal iniŃial de tip n, dar pentru polarităŃi
inverse ale tensiunii UGS.
Simbolurile tranzistoarelor TEC-MOS cu canal iniŃial evidenŃiază continuitatea
(existenŃa) canalului şi implicit a curentului de drenă când UGS=0.
4.2.2. Tranzistoarele TEC-MOS. AplicaŃii

În continuare vor fi prezentate câteva aplicaŃii simple ale tranzistoarelor TEC-MOS.
Una din principalele aplicaŃii ale acestor tranzistoare o constituie folosirea lor la realizarea
familiei de circuite integrate CMOS. Familia circuitelor CMOS foloseşte tranzistoare MOS în
simetrie complementară, adică un tranzistor tip NMOS, cuplat în aceeaşi plachetă (substrat) de
50
siliciu cu un tranzistor PMOS (C de la Complementary - symetry MOS). Primele circuite

integrate CMOS au fost dezvoltate în anii 1960 în laboratoarele firmei RCA din SUA.
4.2.2.1. Inversorul CMOS

În (fig. 4.16) este prezentat simbolul, schema electrică şi tabela de adevăr pentru un
inversor CMOS. Acesta constituie blocul fundamental al circuitelor integrate CMOS.
A A Intrare Ieşire
Sus (VDD) Jos (VSS)
Jos (VSS) Sus (VDD)
a) b) c)
Fig. 4. 16 Inversorul CMOS : simbol a), schema electrică b),
tabela de adevăr intrare-ieşire c)
O tensiune pozitivă (Sus - VDD) aplicată terminalului comun al celor două grile G duce
la deschiderea tranzistorului NMOS şi la blocarea celui PMOS; astfel ieşirea va fi comutată la o
valoare scăzută a tensiunii (Jos – VSS).
Similar, pentru o tensiune redusă sau nulă se deschide tranzistorul de sus PMOS şi se
blochează cel de jos NMOS; la ieşire se obŃine o tensiune ridicată (Sus – VDD). Vss se mai
numeşte potenŃial de referinŃă (zero volŃi).
Caracteristicile de transfer Uieşire=f(Uintrare) şi curentul de drenă ID=f(Uintrare) sunt
prezentate în (fig. 4.17 a, b).
Uieşire ID
I II III IV V I II III IV V
VDD
UpN UpP
Uintrare Uintrare
VDD VDD
a) b)
Fig. 4. 17 Caracteristicile de transfer ale inversorului CMOS
Se pot pune în evidenŃă un număr de cinci zone distincte. Cu UpN, UpP s-au notat
tensiunile de prag ale tranzistorului cu canal n, respectiv cu canal p. În zona I (Uintrare <UpN)
NMOS este blocat şi PMOS este în regiunea liniară.
51
În zona II, NMOS este saturat iar PMOS este încă în regiunea liniară. În zonele V şi IV
stările tranzistoarelor sunt inverse faŃă de cele din zonele I şi II.
În zona III ambele tranzistoare lucrează în regiunea de saturaŃie. În această zonă are loc
comutaŃia, curentul de drenă creşte şi aici inversorul CMOS poate fi folosit ca amplificator de
semnal mic.
Se observă că tensiunile de ieşire sunt VDD sau VSS (0 V) iar curentul prin tranzistoare
este nul. De aici rezultă principalul avantaj al familiei CMOS şi anume consumul infim de putere
(aprox. 10 nW/poartă).
4.2.2.2. Amplificator cu TEC - MOS

În (fig. 4.18) este prezentat un amplificator cu TEC-MOS.
uieşire
uintrare
Fig. 4. 18 Amplificator cu tranzistor TEC-MOS

RezistenŃele R1...R5 se folosesc pentru polarizarea tranzistorului a.î. PFS al
tranzistorului să fie situat în regiunea de saturaŃie. Semnalul (tensiunea) de intrare se aplică prin
intermediul condensatorului C2 în grila tranzistorului. Semnalul de ieşire este obŃinut după
separarea componentei continue prin condensatorul C1.
OBSERVAłIE !
Grila (poarta) şi substratul semiconductor al unui MOS formează un condensator
minuscul. Conform relaŃiei (1.12) rezultă:
V
(4.14)
*
Astfel, pentru o valoare mică a capacităŃii C , o sarcină Q stocată poate duce la apariŃia
unor tensiuni mari între armăturile condensatorului. La tensiuni de peste 100 V dielectricul
format din stratul izolator de SiO2 se străpunge. Acest lucru se poate întâmpla chiar la simpla
atingere cu mâna a terminalului de grilă (poartă).
De aceea la utilizarea TEC-MOS-urilor trebuie avute în vedere câteva măsuri de
protecŃie a intrărilor:
-pinii dispozitivelor MOS vor fi scurt-circuitaŃi printr-un fir conductor până după
introducerea lor în circuit;
-toate intrările neutilizate (la circuitele integrate) se vor conecta la masă, la VDD sau la
VSS;
-operatorul care manipulează MOS-uri trebuie să evite îmbrăcămintea care poate
acumula sarcini electrostatice (lână, mătase, materiale sintetice) şi să poarte la mână o brăŃară
metalică conectată la potenŃialul de referinŃă;
-carcasa dispozitivului de lipire a componentelor (pistol sau staŃie de lipit) trebuie de
asemenea conectată la masă;
-nu se vor introduce sau scoate dispozitive din circuite aflate sub tensiune.
52
5. ALTE DISPOZITIVE ELECTRONICE
5.1. Alte dispozitive semiconductoare cu joncŃiune

În capitolele precedente au fost prezentate câteva din cele mai utilizate dispozitive
electronice semiconductoare folosite în circuitele electronice: dioda, tranzistorul bipolar,
tranzistorul unipolar (cu efect de câmp). În continuare vor fi prezentate şi alte dispozitive
electronice semiconductoare cu joncŃiune: tiristorul, diacul, triacul, tranzistorul unijoncŃiune.
5.1.1. Tiristorul
Tiristorul este un dispozitiv electronic multijoncŃiune (trei joncŃiuni), cu patru straturi
semiconductoare pnpn în serie. Cele două straturi din mijloc sunt dopate mai slab decât straturile
de la extremităŃi. Terminalele metalice ale tiristorului se numesc: anod A montat pe stratul p1,
catod K montat pe stratul n4 şi terminalul de comandă G (grilă de comandă sau poartă sau gate
în lb.engleză) montat pe stratul p3. Se observă că tiristorul este echivalent cu trei diode
semiconductoare legate în serie, grila de comandă fiind montată între diodele j2-j3 (fig. 5.1 c).
De asemenea este un dispozitiv unidirecŃional deoarece permite trecerea curentului într-
un singur sens, de la anod la catod.
A A
iA p
j1
uAK iG n
j2
P(G) P(G) p
n j3
uGK
K K
a) b) c) d)
Fig. 5. 1Tiristorul: simbol a), structură internă b),modelul cu trei joncŃiuni-

diode în serie c), modelul cu două tranzistoare în serie d)
5.1.1.1. FuncŃionarea tiristorului

Dacă se polarizează tiristorul în mod direct (tensiune pozitivă la anod şi negativă la
catod), cele două joncŃiuni marginale sunt polarizate direct iar joncŃiunea din mijloc invers;
rezultă că prin dispozitiv va circula un curent foarte mic şi spunem că tiristorul este blocat. Dacă
se schimbă polaritatea tensiunii aplicate între anod şi catod se observă că diodele marginale sunt
polarizate invers şi dioda D2 este polarizată direct, deci tiristorul este tot blocat, prin el circulând
un curent mai mic decât la polarizarea directă.
Deci tiristorul blochează trecerea curentului în ambele sensuri prin el atâta timp cât
asupra porŃii nu se aplică nici un potenŃial electric.
În (fig. 5.1 d) tiristorul este modelat folosind două tranzistoare bipolare complementare
(pnp şi npn). Scriind relaŃiile între curenŃi se obŃine:
-pentru T2: E * (5.1)
W * E * * (5.2)
-pentru T1: X * * (5.3)
53
Înlocuind (5.3) în (5.2) rezultă:
W E X (5.4)
Folosind definiŃiile curenŃilor IC1 şi IC2:
* YZ X *[ ; * Y W *[ (5.5)
unde αp , αn , ICB01 , ICB02 sunt factorii de amplificare în curent emitor-colector, respectiv

curenŃii reziduali de colector ai tranzistoarelor T1 şi T2.
Înlocuind IC1 şi IC2 în (5.3) şi notând cu ICB0=ICB01+ICB02 curentul rezidual care străbate
joncŃiunea centrală j2, rezultă curentul prin tiristor:
\ ^ ^%_`
X $\
] I
(5.6)
a \] '
Se observă dependenŃa dintre curentul prin tiristor şi curentul de comandă injectat prin
grila tiristorului.
În (fig. 5.2) este ilustrată dependenŃa curentului prin tiristor de tensiunea aplicată pe
acesta, la diferite valori ale curentului de comandă injectat în grilă.
iAD 2
3
iG2 >iG1>iG=0
4
iL
uAKR iH uAKD
UAK2 UAK1 UAK0
1
iAR
Fig. 5.2 Caracteristica statică curent-tensiune a tiristorului
Se disting următoarele regimuri (caracteristici) de funcŃionare ale tiristorului:
• Caracteristica 1 de blocare la polarizarea directă. Este reprezentată prin
porŃiunea 1 a caracteristicii, tiristorul fiind polarizat direct (anodul A pozitiv şi catodul K
negativ) şi necomandat (IG=0). Curentul prin tiristor este foarte mic. Crescând tensiunea anod-
catod curentul rămâne în continuare redus. Aceasta până când se atinge valoarea tensiunii de
autoaprindere UAK0 (este tensiunea la care tiristorul se autoaprinde, fără impuls de comandă pe
grilă). În acest moment se produce autoamorsarea tiristorului, cu creşterea bruscă a curentului
prin tiristor, până la valoarea iL (numit curent de acroşare a tiristorului) simultan cu scăderea
bruscă a tensiunii pe tiristor UAK. FuncŃionarea tiristorului trece de pe caracteristica de blocare 1
pe caracteristica de conducŃie 2. Dacă se comandă grila cu curenŃi IG2>IG1 >IG atunci tiristorul se
amorsează la tensiuni de blocare directă mai mici decât în cazul în care este necomandat.
După intrarea în conducŃie tensiunea UGK poate să devină zero, tiristorul rămânând în
conducŃie.
• Caracteristica 2 de conducŃie. Este reprezentată prin porŃiunea 2 a caracteristicii
iA=f(uAK) după ce tiristorul a fost amorsat (aprins). Valoarea curentului de acroşare IL este
54
curentul prin tiristor în momentul aprinderii. Din acest punct curentul prin tiristor creşte liniar,
valoarea sa fiind limitată numai de rezistenŃa exterioară a circuitului în care este montat
tiristorul. Dacă se scade tensiunea pe tiristor UAK se observă menŃinerea curentului prin tiristor
şi sub valoarea curentului de acroşare IL până la un punct notat IH numit curent de menŃinere.
Valoarea tensiunii pentru acest punct se numeşte tensiune de prag. Dacă se continuă scăderea
tensiunii pe tiristor acesta se blochează (se stinge); prin tiristor nu circulă curent.
Se observă că pentru polarizarea directă, cu cât curentul aplicat pe grilă este mai mare
(IG2>IG1>IG=0) cu atât scade teniunea pe tiristor UAK la care se deschide tiristorul.
• Caracteristica 4 de blocare la polarizarea inversă. Reprezintă dependenŃa dintre
curentul invers prin tiristor şi tensiunea inversă aplicată între anod şi catod. Tiristorul este blocat
şi indiferent de mărimea curentului de comandă tiristorul nu se aprinde (amorsează).
Pentru o funcŃionare normală, tiristorul trebuie să intre în conducŃie numai la comandă,
atunci când primeşte un anumit curent în grilă, continuu sau sub formă de impulsuri. Există însă
şi situaŃii nedorite în care tiristorul se amorsează şi anume: odată cu creşterea temperaturii sau
prin variaŃii bruşte în timp ale tensiunii anod-catod (efectul du/dt). Împotriva acestui efect se
montează în paralel cu tiristorul grupuri RC.
5.1.2. Tiristorul cu blocare pe poartă (GTO-Gate Turn Off)

Tiristorul cu blocare pe poartă încearcă să înlăture un dezavantaj al tiristorului obişnuit
şi anume acela că , odată intrat în conducŃie în circuite de curent continuu nu mai poate fi scos
din această stare fără folosirea unor circuite suplimentare (condensator plus un tiristor secundar
de stingere care să inverseze tensiunea pe tiristorul principal, astfel încât acesta să poată fi
blocat). La fel ca tiristorul, GTO-ul are patru straturi semiconductoare pnpn în serie şi trei
terminale: anod A, catod K şi terminalul de comandă G (P) (fig. 5.3 a). GTO are o structură
internă diferită în comparaŃie cu tiristorul convenŃional.
Prin posibilitatea comenzii (blocare-amorsare) pe grilă se poate spune că GTO-ul
reuneşte avantajele tiristorului obişnuit cu cele ale tranzistorului bipolar.
iG
A
t
iGC 0
G(P) UAK
iGB
tC tB
T
a) b)
Fig. 5. 3 GTO: simbol a), forma impulsului de curent în grilă (poartă) pentru intrarea
în conducŃie şi pentru blocare b)
Pentru amorsare se aplică o tensiune pozitivă între grilă şi catod (se injectează curent în
grilă). Pentru blocare se aplică o tensiune negativă grilă-catod (se extrage curent din tiristor prin
grilă). Dacă se defineşte factorul de umplere ε prin relaŃia:
55
% %
b (5.7)
% _ c
unde tC este perioada de conducŃie iar tB este perioada de blocare .

Pentru 5* de0, gh bde0,1h rezultă astfel posibilitatea reglării perioadei de conducŃie,
respective de blocare a tiristorului.
5.1.3. Triacul
Triacul este un dispozitiv electronic cu trei terminale având şase straturi
semiconductoare. Spre deosebire de tiristor care nu poate conduce decât într-un singur sens,
triacul este un dispozitiv bidirecŃional dacă este comandat pe poartă cu impulsuri de polarităŃi
diferite pentru fiecare din sensurile curentului principal. Deşi se observă că triacul este
echivalent cu două tiristoare montate antiparalel; funcŃionarea sa este diferită de cea a două
tiristoare.
i
A1 A1(+) A1(-)
n n
p p
n n u
P(G) n p p
G(+) G(-) n
n n
A2 A2(-) A2(+)
a) b) c)
Fig. 5. 4 Triacul: simbol a), structură internă b), caracteristica curent-tensiune c)
Deoarece poate conduce în ambele sensuri, se foloseşte în circuite de curent alternativ
pentru reglarea valorii efective a tensiunii de alimentare a unei sarcini-consumator de c.a.
5.1.4. Diacul
Diacul este un triac fără poartă. Este un dispozitiv bidirecŃional, cu cinci straturi
semiconductoare şi două terminale (fig. 5.5 a). Cele două terminale numite anozi (A1 şi A2) sunt
echivalente.
I conductie
A1
amorsare
I
IH U
UREZ UBO
U blocare
A2
a) b)
Fig. 5. 5 Diacul: simbol a), caracteristica curent-tensiune b)
În (fig. 5.5 b) este prezentată caracteristica statică a diacului. Se observă că aceasta este
neliniară şi simetrică; de asemenea sunt porŃiuni în care panta sa este negativă.
∆
Pe aceste porŃiuni, în diferite puncte se defineşte rezistenŃa dinamică 0R ∆^ care este
negativă (la creşterea tensiunii, curentul scade). Această proprietate este esenŃială în funcŃionarea
şi utilizarea diacului.
56
La creşterea tensiunii U aplicate, diacul este blocat până în momentul atingerii tensiunii
de ’întoarcere’, când acesta se amorsează. Această tensiune se numeşte tensiune de aprindere sau
de amorsare (UBO =breakover voltage). După amorsare, tensiunea pe diac rămâne practic
constantă la valoarea UREZ numită tensiune reziduală. DiferenŃa dintre UB0 şi UREZ se numeşte
tensiune dinamică de amorsare şi are o valoare de aprox. 5-7 V.
AplicaŃia principală a diacului este generarea unor impulsuri de curent pentru comanda
grilelor tiristoarelor şi triacelor (fig. 5.6).
+EC
Fig. 5. 6 Utilizarea diacului pentru comanda unui triac

Exemplu: Date catalog pentru diac
Cod Tensiune de întoarcere Curent întoarcere maxim Tensiune de salt minimă

UB0 [V] IB0M [µA] (la IS=10 mA)
minimă maximă US [V]
DC32 28 36 300 5
DC50 46 54 300 7
Obs. RezistenŃa negativă a diacului apare la IB0 şi dispare la curenŃi de (2.....5)A
5.1.5. Tranzistorul unijoncŃiune (TUJ)

Tranzistorul unijoncŃiune este un dispozitiv cu trei terminale: emitor (E) şi două baze
(B1 şi B2) (fig. 5.7). La capetele unei bare semiconductoare de Si slab dopată cu impurităŃi (deci
având un caracter predominant n) sunt fixate terminalele metalice care constituie bazele B1 şi
B2. În zona centrală a blocului semiconductor se realizează o joncŃiune pn. Zona p+ puternic
dopată cu impurităŃi se numeşte emitor.
B2 IB2 IE UEB
B2
IB P
nSi IE
IE
E UB2B1
E p+ UEB1 IV V
V
IP P UEB
UBB
0 UV UP 0 IE
B1
B1
a) b) c) d)
Fig. 5.7 TUJ: simbol a), structură internă b), modelul echivalent c), caracteristica statică
de intrare d)
Dacă se aplică între baze o tensiune UBB>0 atunci potenŃialul din dreptul joncŃiunii
emitorului va fi:
57
_

(5.8)
_ _
_
unde: j d$0,5 … .0,8' este factorul (raportul) de divizare intrinsec
_ _
iar 9 10 NΩ este rezistenŃa interbază (de valoare mare)
FuncŃionarea TUJ se bazează pe modificarea rezistenŃei RB1 dintre baza B1 şi joncŃiunea
emitor prin tensiunea aplicată pe emitor UEB1. Se observă pe caracteristica de intrare o porŃiune
de rezistenŃă diferenŃială negativă (cuprinsă între punctele PV). Punctul P de coordonate (UP, IP)
se numeşte punct de vârf (peak-point). Punctul V de coordonate (UV, IV) se numeşte punct de
vale (valley-point).
JoncŃiunea pn se deschide atunci când se atinge tensiunea de vârf:
L [ j (5.9)
După depăşirea tensiunii de prag şi implicit a tensiunii de vârf UP, RB1 scade foarte mult,
caracteristica având rezistenŃă negativă.
Aceste tranzistoare se folosesc frecvent pentru comanda aprinderii tiristoarelor,
generând impulsuri scurte, de energie mare şi consumând curent mic de la sursa de alimentare. O
altă aplicaŃie tipică este oscilatorul cu TUJ (fig. 5.8).
a) b)
Fig. 5.8 Oscilator de relaxare cu TUJ: schemă a), diagrame de semnal b)
La aplicarea tensiunii de alimentare EA condensatorul C se încarcă exponenŃial prin

rezistenŃa R până la valoarea de vârf UP=ηEA. La această tensiune joncŃiunea EB1 se polarizează
direct şi rezistenŃa dinamică devine negativă.
Condensatorul C se descarcă rapid prin joncŃiunea EB1, generând un impuls pozitiv de
tensiune pe sarcina R1.
Când tensiunea pe condensatorul C scade până la valoarea UV , TUJ trece în starea
blocată şi condensatorul reîncepe să se încarce exponenŃial.
Exemplu: Date catalog pentru TUJ
Cod IE UEB1 UBB η RBB[kΩ] IEB0[µA] IP[µA] Iv[mA] UEB1sat[V]

[mA] [V] [V] min max max max min min
ROS11 70 30 35 0,6 2,5 10 12 25 1 5
2N2160 50 30 35 0,47 4 12 12 25 8 5
58
5.2. Dispozitive optoelectronice

Dispozitivele optoelectronice se bazează, în majoritate pe efectul absorbŃiei sau al
emisiei radiaŃiei luminoase în medii semiconductoare speciale pe bază de siliciu (Si), galiu (Ga),
arseniu (As), fosfor (P), etc. Fenomenul care apare în acest caz se numeşte efect fotoelectric şi
are ca efect eliberarea electronilor liberi sub acŃiunea radiaŃiei luminoase. Poate fi:
-efect fotoelectric extern dacă electronii, după ce au absorbit radiaŃia luminoasă sunt
extraşi din interiorul solidului (este cazul dispozitivelor de afişare cu descărcări în gaze, vid);
-efect fotoelectric intern dacă electronii, după ce au absorbit radiaŃia luminoasă sunt
doar desprinşi din atom, devenind purtători liberi de sarcină chiar în interiorul reŃelei în care se
găsesc (specific semiconductoarelor).
Dacă este vorba de absorbŃia luminii, dispozitivele se numesc fotodetectori şi pot fi
fotodiode, fotorezistori sau fototranzistori. De asemenea pot fi fotoelemente cum sunt celulele
solare.
Dacă este vorba de emisia luminii, dispozitivele pot fi fotoemiŃători folosiŃi cel mai mult
în dispozitive de afişare, realizate cu diode electroluminiscente (LED) sau cu afişoare cu LED-
uri.
Există dispozitive care înglobează şi efectul emisiei şi al absorbŃiei luminoase,
optocuploarele.
În ultimul timp se folosesc din ce în ce mai mult dispozitive de afişare (display-uri) cu
cristale lichide (LCD-uri) sau cu plasmă.
În (fig. 5.9) este prezentat spectrul radiaŃiei electromagnetice. Acesta include şi spectrul
radiaŃiei luminoase (ultraviolet, lumină vizibilă, infraroşu). La rândul său, domeniul luminii
vizibile cuprinde culorile: violet, albastru, verde,galben,portocaliu, roşu fiecare cu lungimile de
undă respective.
10 390 455 492 577 597 622 770 106
λ [nm]
Ultraviolet Violet Verde Portocaliu
Albastru Galben Roşu Infraroşu
Lumină
vizibilă
Raze cosmice Raze X
Raze Gama Unde mm Unde radio FrecvenŃe audio
10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 1 102 104 106 1010 1014
Lungime de
undă λ [µm]
Fig. 5.9 Spectrul radiaŃiei electromagnetice
5.2.1. Fotodetectori şi fotoelemente

5.2.1.1. Fotorezistor (LDR – Light Dependent Resistor)
Se bazează pe fenomenul de fotoconductivitate prin care sub influenŃa radiaŃiei
luminoase sunt eliberaŃi electroni liberi care cresc conductivitatea electrică a semiconductorului
şi implicit scad rezistenŃa rezistorului(este o aplicaŃie a efectului fotoelectric intern) .
Sensibilitatea unui fotorezistor poate varia în funcŃie de materialul semiconductor din
care este realizat (fig. 5.10a). FuncŃionarea nu depinde de semnul tensiunii aplicate.
În (fig. 5.10 b,c) este prezentat simbolul şi modul de utilizare într-un circuit de detecŃie.
59
Valoarea curentului prin fotorezistor, la o tensiune dată U depinde de nivelul de

iluminare conform caracteristicii curent – tensiune (fig. 5.10 d).
I E2>E1
E1
0 U
a) b) c) d)
Fig. 5.10 Fotorezistor: structura a),simbol b), mod de utilizare c), caracteristica I/U d)
Parametrii specifici unui fotorezistor sunt:
-valoarea rezistenŃei electrice la întuneric;
-tensiunea maximă admisă la borne;
-puterea maximă disipată;
-sensibilitatea la lumină (se defineşte ca raportul dintre variaŃia curentului şi variaŃia
iluminării E, la o tensiune constantă aplicată):
∆^ -X
p ∆
q rs t (5.10)
5.2.1.2. Fotoelementul (celula fotovoltaică)

Este un dispozitiv optoelectronic format dintr-o joncŃiune pn şi care funcŃionează pe baza
efectului fotovoltaic . Efectul fotovoltaic este o aplicaŃie a efectului fotoelectric intern prin care
energia radiaŃiei luminoase (a fotonilor) este transformată direct în energie electrică.
I [µA]
U0C U 0,3 1 U
0 AK
E=0 RS=∞
ISC
s E
E=500 lx I
RS
RS=0
a) b) c)
Fig. 5.11 Fotoelement: structura a), simbol şi mod de utilizare b), caracteristica I-U c)
Spre deosebire de o diodă obişnuită, la celula fotovoltaică suprafaŃa frontală (activă) nu

este acoperită de contactul metalic (faŃă) ci de un strat reflectant; dispozitivul are o fereastră prin
care poate pătrunde lumina.
Dacă suprafaŃa activă este iluminată (fig. 5.11), la borne apare o tensiune de polaritate
pozitivă (+) la regiunea p (Contact faŃă-Anod) şi negativă (–) la regiunea n (Contact spate-Katod)
dacă se conectează un voltmetru la capetele joncŃiunii acesta ar arăta o tensiune U0C numită
tensiune de circuit deschis.
Această tensiune aplicată unei rezistenŃe R determină apariŃia unui fotocurent care este de
sens contrar curentului care ar circula prin circuit în cazul polarizării directe de la o tensiune
externă.
Din analiza caracteristicii curent-tensiune se disting următoarele zone de funcŃionare:
60
-cadranul unu: celula fotovoltaică nu este iluminată, necesită polarizare directă exterioară
(regim de diodă obişnuită);
-cadranul trei: celula fotovoltaică este iluminată şi polarizată invers de la o tensiune
externă;
-cadranul patru: este zona de funcŃionare caracteristică celulei fotovoltaice; sub influenŃa
luminii joncŃiunea devine o sursă de tensiune (de aici şi denumirea de fotoelement); valoarea
rezistenŃei R determină univoc curentul şi tensiunea prin circuit.
Cei mai importanŃi parametrii ai unei celule fotovoltaice sunt:
-curentul de scurtcircuit ISC;
-tensiunea de circuit deschis U0C;
Celula solară este un fotoelement cu o construcŃie optimizată pentru captarea energiei
solare în vederea generării de energie electrică. Contactul faŃă (Anodul+) este format dintr-o
grilă metalică pentru a mări eficienŃa colectării purtătorilor fotogeneraŃi şi de a micşora rezistenŃa
celulei. SuprafaŃa activă este cît mai mare pentru a obŃine curenŃi debitaŃi cât mai mari. Mai
multe celule sunt asamblate în module, iar mai multe module în panouri solare pentru obŃinerea
unor tensiuni de sute de wati. La legarea a două celule solare în serie, modulul rezultant va avea
curentul de scurtcircuit de valoarea cea mai mică (din cele două) în timp ce tensiunea rezultantă
va fi egală cu suma celor două tensiuni.
5.2.1.3. Fotodiodă
Este un dispozitiv optoelectronic constituit dintr-o joncŃiune pn, polarizată la tensiuni
inverse de la o sursă exterioară. Pot funcŃiona în IR (Infraroşu) sau în spectrul luminii vizibile,
funcŃie de materialul filtrant prin care pătrunde radiaŃia luminoasă către semiconductor.
FuncŃionarea se bazează pe efectul fotovoltaic.
I
U1 0 U
E=0
E>0
U/R
a) b) c)
Fig. 5.12 Fotodioda: simbol a), mod de utilizare b), caracteristica U-I c)
Se disting trei regiuni de funcŃionare (fig. 5.12 c):
-cadranul unu: polarizare directă (regim de diodă obişnuită);
-cadranul patru: polarizare exterioară nulă (regim de fotoelement în care curentul prin
diodă depinde de fluxul luminos incident);
-cadranul trei: polarizare externă inversă (regim de fotodiodă în care curentul prin
diodă, numit curent de iluminare este proporŃional cu intensitatea luminoasă E [lx]); fotodioda se
comportă ca o sursă de curent constant, la aceeaşi iluminare E.
Parametrii specifici unei fotodiode sunt:
-curentul de întuneric (este valoarea curentului prin diodă la iluminare nulă);
-tensiunea inversă maximă (este valoarea tensiunii inverse maxime aplicată diodei fără
ca aceasta să se distrugă);
-rezistenŃa dinamică la polarizare inversă: Rd=∆U/∆I;
-sensibilitatea: SE=∆I/∆E [µA/lx]
61
5.2.1.4. Fototranzistorul
Este un tranzistor la care curentul de colector este comandat prin iluminarea uneia dintre
regiunile semiconductoare (baza, emitorul sau colectorul). Contactul bazei se foloseşte numai ca
stabilizare la variaŃia temperaturii. Cea mai utilizată configuraŃie este aceea în care tranzistorul
este npn şi comanda (prin flux luminos) se face în baza tranzistorului.
IC[mA]
IC E=ct
UCE E=0
UCE[V]
a) b) c)
Fig. 5.13 Fototranzistorul: simbol a), mod de utilizare b), caracteristica IC-UCE c)
Avantajul unui fototranzistor faŃă de o fotodiodă este sensibilitatea mare la lumină
datorată amplificării în curent β. Ca dezavantaj se observă valoarea mare a curentului de colector
în absenŃa iluminării (curentul de întuneric); acesta este motivul pentru care fototranzistorul se
foloseşte în circuitele de sesizare a luminii şi nu în cele de apreciere a diferitelor nivele de
iluminare.
Parametrii principali ai unui fototranzistor sunt:
-curentul de întuneric;
-tensiunea maximă colector emitor suportată UCEmax ;
-curentul maxim de colector ICmax;
-sensibilitatea spectrală (se defineşte ca dependenŃa dintre curentul de colector şi
lungimea de undă a radiaŃiei incidente).
5.2.2. FotoemiŃători
În continuare se vor prezenta câteva dispozitive care folosesc fenomenul emisiei
luminoase la trecerea curentului electric prin medii semiconductoare.
5.2.2.1. Dioda electroluminiscentă

Dioda electroluminiscentă este un dispozitiv foarte utilizat în aplicaŃiile electronice.
Astăzi sunt comercializate becuri cu LED-uri (18-24 Led-uri, la 230 V AC, 12 V DC, diverse
culori); module, tuburi sau baghete cu LED-uri obişnuite sau SMD. Pot avea diverse dimensiuni
şi forme. Cele obişnuite au două terminale (o culoare) dar pot fi şi cu mai multe (bicolore, etc).
IF[mA]
IF
20
UAK
UAK[V]
1 2
Fig. 5.14 LED-ul: simbol a), mod de utilizare b), caracteristica IF-UAK c)
LED (Light-Emitting-Diode) este o diodă semiconductoare (joncŃiune) care emite un
flux luminos atunci când este străbătută de un curent electric la o polarizare directă. Culoarea
luminii emise depinde de materialul semiconductor şi de impurităŃile de dopare folosite (GaAs,
GaAsP, GaAsSi).
62
În (tab. 5.1) sunt prezentate câteva exemple de LED-uri care emit lumină în diverse
culori (lungimea de undă) în funcŃie de tensiunea aplicată şi materialul semiconductor din care
sunt alcătuite:
Tab. 5.1
Culoare Lungime de undă Tensiune Material semiconductor
λ [nm] [V]
Infraroşu λ>760 ∆U<1,9 GaAs; AlGaAs
Roşu 610<λ<760 1,63<∆U<2,03 AlGaAs; GaAsP
Portocaliu 590<λ<610 2,03<∆U<2,10
Verde 500<λ<570 2,18<∆U<4
Ultraviolet λ<400 3,1<∆U<4,4
AplicaŃiile LED-urilor sunt foarte diverse începând de la elemente indicatoare de

semnalizare, la afişoare numerice, alfanumerice sau grafice (imagini). Cele care emit în infraroşu
sunt folosite la transmiterea datelor prin fibre optice, la transmiterea unor comenzi către
aparatura audio-video-TV sau în instalaŃii de securizare, la detectarea mişcărilor pe timp de
noapte, etc. De asemenea LED-urile care emit în spectrul ultraviolet sunt folosite în instalaŃii şi
dispozitive de sterilizare şi desinsectie.
În (fig. 5.15) sunt prezentate câteva circuite pentru alimentarea şi comanda aprinderii
LED-urilor.
a)
b) c)
Fig. 5.15 Comanda LED-urilor: la curent constant a), din circuite logice open colector b),
cu tranzistoare legate în anod (sus) sau în catod (jos) c)
Calculul rezistorului care limitează curentul prin diodă se face cu relaŃia:
uOO v %:#Qw
(5.11)
^v
unde: UF [V] şi IF [A] sunt tensiunea şi curentul direct (din catalog)

Caracteristici principale ale LED-urilor:
-caracteristici de luminozitate şi culoare (lungimea de undă λP la intensitatea luminoasă
maximă);
63
5.2.2.2. Afişoare cu diode electroluminiscente

Pentru a afişa rezultatele diferitelor prelucrări efectuate asupra datelor (măsurări,
achiziŃii de date, etc.) se folosesc afişaje digitale realizate în diferite tehnologii: afişaje
incandescente, tuburi fluorescente, dispozitive cu descărcare în gaz (tuburi NIXIE), afişaje cu
diode electroluminiscente, afişaje cu cristale lichide. În prezent sunt folosite ultimele două
tehnologii.
Dispozitivele de afişare cu diode electroluminiscente sunt de mai multe feluri: afişaje
hibride cu şapte segmente; afişaje monolitice cu lupă pentru mărirea cifrei; afişaje alfanumerice
cu matrice de puncte (pixeli).
a) Afişaje cu segmente: sunt obŃinute din LED-uri îngropate în canale din materiale
opace şi a căror lumină este reflectată şi difuzată spre suprafaŃa exterioară transparentă. LED-
urile pot fi legate intern cu anodul comun (AC) sau catodul comun (CC) (fig. 5.16).
a) b)
Fig. 5.16 Afişor 7 segmente: un digit anod comun a), comanda b)
Atunci când trebuie comandaŃi un număr mai mare de digiŃi (>4) se foloseşte comanda
multiplexată (strobe) la un curent de vârf mare şi cu un factor de umplere mic. Această metodă
duce la creşterea eficienŃei unui LED şi la micşorarea puterii medii disipate în comparaŃie cu
comanda în c.c. Un astfel de circuit este prezentat în (fig. 5.17).
Fig. 5.17 Multiplexarea a 8 afişoare cu 7 segmente, anod comun AC

Făcând referire la (fig. 5.17) elementele de care trebuie Ńinut cont în proiectare sunt:
-având 8 digiŃi rezultă un factor de umplere ε=1/8;
-pentru o intensitate luminoasă aleasă se stabileşte un curent mediu pe segment IF;
-curentul de vârf prin segment va fi IP=IF/ε;
-rezistoarele de limitare se calculează cu formula:
u%% v %:#Qw SOx&.
^J
(5.12)
64
unde: UF este tensiunea directă pe LED la un curent egal cu Ip;

UDec este tensiunea la ieşirea decodificatorului de 7 segmente.
Când toate segmentele unui digit sunt aprinse (cifra 8), curentul maxim printr-un
tranzistor este IT=7 IP. Se alege un tranzistor de putere, cu tensiune de saturaŃie mică şi curent de
colector mai mare decât IT.
În prezent pentru multiplexarea afişajelor electroluminiscente se folosesc circuite
integrate logice sau sisteme cu microprocesoare.
b) Afişaje monolitice cu segmente diferă de cele precedente prin faptul că segmentele
individuale sunt formate prin difuzia separată de joncŃiuni semiconductoare de diode
electroluminiscente pe un singur substrat de GaAsP. Prin această tehnologie rezultă caractere
mici care sunt mărite cu ajutorul unor lentile exterioare. Aceste afişoare se folosesc în special în
calculatoarele de buzunar.
c) Afişaje alfanumerice cu matrice de puncte (dot matrix) au în special dimensiunea de
5x7 puncte. Fiecare punct (pixel) este format din câte un LED. Toate sunt apoi legate având un
anod (catod) comun. Pot afişa orice caracter alfabetic sau cifric. Comanda lor este mai complexă
decât a celor cu 7 segmente. Pot conŃine în aceeaşi capsulă şi comanda: memoria datelor,
decodificatorul, etc.
Fig. 5.18 Afişor matrice 5x7 puncte anod comun

În (fig. 5.18) matricea este formată din LED-uri care au legaŃi anozii împreună (5
coloane, legate la terminalul AC) iar catozii sunt accesibili la terminalele L1.....L7 (7 linii). În
funcŃie de comandă, prin alimentarea corespunzătoare se poate aprinde oricare din cele 35 de
puncte ale matricei.
Există matrici cu diferite combinaŃii: 4x4, 5x8, 8x8, 16x16, etc., cu AC sau CC, cu acces
la linii sau coloane, unicolore sau multicolore.
5.2.3. Alte dispozitive de afişare

5.2.3.1. Afişaje (display-uri) cu cristale lichide
Cristalul lichid este un lichid anizotrop (prezintă caracteristici fizice diferite în funcŃie
de direcŃia de măsură şi observare), aflat într-o stare intermediară între cea solidă de cristal şi
lichidă. După modul de dispunere a moleculelor, cristalele lichide pot fi în stare: nematică,
smectică şi colesterică.
Datorită consumului şi dimensiunilor reduse LCD-urile (Liquid Crystal Display) au fost
folosite iniŃial ca afişoare pentru ceasurile şi calculatoarele de mână. Apoi au fost folosite din ce
în ce mai mult în telefonie, instrumente de măsură, echipamente de bord la automobile, etc.
LCD-urile sunt afişaje pasive deoarece nu generează lumină ci au nevoie de o sursă de
lumină. Ele pot fi :
-transmisive: transmit lumina primită din spate, prin suprafaŃa posterioară, de la o sursă
de lumină artificială către privitor (fig. 5.19);
-reflective: folosesc lumina primită din mediul ambiant, dinspre privitor, pe care o
reflectă printr-o oglindă (fig. 5.20);
Principiul de funcŃionare al celor două tipuri de LCD-uri sunt prezentate în continuare.
65
Un LCD este un panou tip sandwich (acolada orizontală) format din următoarele
elementele principale:
-un strat de cristal lichid (CL) situat între două panouri de sticlă pe care se găsesc
electrozi transparenŃi: un electrod comun (EC) şi un număr de electrozi egal cu numărul
segmentelor (în cazul afişajelor 7 segmente) sau al pixelilor care trebuie afişaŃi; între aceşti
electrozi se aplică sau nu o tensiune de comandă UCS; această comandă poate fi făcută în curent
alternativ (25Hz....1kHz) sau cu impulsuri dreptunghiulare cu factorul de umplere ε=50%;
-două filtre de polarizare FPO=filtru de polarizare orizontală spate şi FPV=filtru de
polarizare verticală faŃă;
-o sursă de lumină artificială (SL) situată în spatele LCD-ului (la cele transmisive).
Suport Suport
P FPVfaŃă Sticlă CL Sticlă FPOspate SL
Raza
incidentă
Electrozi UCS(a....g) Electrod
transparenŃi Comun (EC)
Segmente (ES) transparent
transparent
Fig. 5.19 Principiul de funcŃionare al LCD-urilor transmisive
Prin (P) s-a figurat poziŃia observatorului (privitorului) faŃă de display-ul LCD. Atunci
când se aplică o tensiune de comandă între EC şi electrodul segmentului a (de exemplu), sub
influenŃa câmpului electric exterior cristalul lichid nu mai roteşte lumina polarizată orizontal cu
FPOspate şi atunci segmentul a al digitului rămâne opac (lumina nu trece de FPVfaŃă).
P SL FPVfaŃă CL FPOspate O
Raza
incidentă Segment
transparent
Raza
reflectată
-fără tensiune de comandă-
Seg. opac
-cu tensiune de comandă-
Fig. 5.20 Principiul de funcŃionare al LCD-urilor reflective

În (fig. 5. 20) LCD-ul fiind reflectiv, sursa de lumină (SL) este chiar lumina ambientală,
situată în faŃa LCD-ului, ca şi privitorul (P). Pentru simplificare nu au mai fost figuraŃi electrozii
segmentelor şi cel comun. Se observă că în absenŃa tensiunii de comandă (a câmpului exterior
produs) cristalul lichid (CL) roteşte lumina polarizată vertical cu filtrul FPVfaŃă. Acestă lumină
este reflectată de oglinda (O), segmentul fiind transparent.
Dacă se aplică tensiune de comandă, cristalul lichid nu mai roteşte lumina polarizată
vertical cu FPVfaŃă şi astfel datorită FPOspate lumina nu ami ajunge la oglindă pentru a fi
reflectată spre privitor, segmentul respectiv rămâne opac.
Pentru LCD-uri simple, cu număr redus de segmente (simboluri) se foloseşte comanda
directă a acestora. În cazul LCD-urilor complexe când panoul este format dintr-un număr mare
de pixeli dispuşi matriceal se foloseşte comanda multiplexată a electrozilor (linii x coloane).
66
Pentru a se obŃine display-uri color se folosesc filtre color sau din spate LCD-ul este
iluminat de o lumină colorată (verde, albastru, etc.).
Pentru ca imaginea să fie color, fiecare pixel este împărŃit în trei subzone (RGB –
RedGreenBlue), fiecare cu câte un filtru de culoare fundamentală. Prin combinaŃia acestor trei
culori se pot obŃine aproximativ 8 miliarde de culori).
Tensiunea de funcŃionare mică (5-15 V) şi puterea necesară afişajului face posibilă
comanda acestora cu circuite MOS. Tensiunea aplicată trebuie să fie mai mare decât o valoare de
prag; dacă tensiunea este mai mică decât această valoare de prag scade contrastul. Tensiunea de
prag creşte cu frecvenŃa tensiunii de comandă şi scade cu creşterea temperaturii.
Temperatura uzuală pentru LCD-uri este între -10°C şi +60°C. Timpii de răspuns de
ordinul zecilor de ms scad cu creşterea temperaturii.
La avantaje se poate specifica faptul că sunt ecologice (nu emit radiaŃii) iar la
dezavantaje faptul că necesită o sursă de lumină exterioară.
5.2.3.2. Afişaje (display-uri) cu plasmă

Afişajele cu plasmă (PDP – PlasmaDisplayPanel) sunt larg folosite în prezent în special
acolo unde sunt necesare dimensiuni mari (diagonale peste 100 cm) pentru monitoarele de
televiziune.
Un afişaj cu plasmă este alcătuit din milioane de celule de sticlă umplute cu amestecuri
de gaze rare (neon-xenon sau heliu-xenon). În (fig. 5.21) sunt prezentate câteva din elementele
principale ale unui astfel de monitor.
SubstanŃă
fosforescentă
Cij
Lij
Fig. 5.21 Elementele constructive principale ale unui display cu plasmă
Se remarcă cele două panouri paralele din sticlă (faŃă-spate) între care se găseşte un
“figure” format din celule umplute cu gaz. Pe suprafeŃele interioare ale panourilor se găsesc
dispuse (perpendicular unele pe altele) două reŃele de electrozi: verticali în faŃă şi orizontali în
spate. La intersecŃia dintre un electrod vertical şi unul orizontal se formează un pixel care va fi
iluminat când se aplică o tensiune de comandă între cei doi electrozi (Cij pentru coloane şi Lij
pentru linii).
Prin străpungerea gazului la alimentarea celor doi electrozi Cij x Lij se formează plasma
(a patra formă de agregare a materiei, formată dintr-un amestec de particule neutre, ioni pozitivi
şi electroni) care emite lumină vizibilă sau ultravioletă. Deoarece se emite lumină descărcarea se
numeşte luminiscentă.
67
În cazul display-urilor color (figură) fiecare celulă (pixel) este formată din trei
subdiviziuni. Fiecare din aceste subcelule sunt “căptuşite” cu un strat dintr-o substanŃă
fosforescentă în cele trei culori fundamentale (RGB).
Prin descărcare, plasma emite lumină UV care excită substanŃa fosforescentă
corespunzătoare unei anumite culori. Lumina vizibilă în respectiva culoare este transmisă prin
placa faŃă spre privitor.
Amestecul de gaze este separat de electrozi printr-un strat de dielectric şi de oxid de
magneziu.
Diplay-urile cu plasmă pot fi alfanumerice (1....4 linii cu câte 24 caractere fiecare) sau
ecrane plate cu rezoluŃia de 3 megapixeli.
Printre avantajele PDP-urilor se pot enumera: culori strălucitoare, contrast puternic,
luminozitate, aprox. 68 miliarde culori faŃă de 8 miliarde la LCD-uri, diagonale mari.
Ca dezavantaj major: consum mare, degaje căldură, nu este ecologic (s-a pus problema
interzicerii viitoare în UE a unor variante care nu îndeplinesc anumite condiŃii).
5.2.4. Optocuploare
Sunt dispozitive care înglobează într-o singură capsulă un emiŃător şi un receptor de
radiaŃie luminoasă. EmiŃătorul poate fi un bec cu incandescenŃă sau un LED cu emisie în spectrul
vizibil sau IR. Fotodetectorul poate fi: fotorezistor, fotoelement, fotodiodă, fototranzistor,
fototiristor, etc.
În practică se folosesc mai ales următoarele configuraŃii: LED-fotodiodă; LED-
fototranzistor; LED-fototiristor.
Principalul scop al utilizării optocuploarelor în diferite montaje electronice este acela de
a realiza transferul unei comenzi cu izolare galvanică între intrare şi ieşire.
IC[mA]
IF IC
IF[mA]
a) b) c)
Fig. 5. 22 Optocuploare: simboluri a), mod de utilizare b), caracteristica de transferIC-IF

c)
Parametrii principali ai optocuploarelor sunt:
-raportul de transfer în curent (definit ca raportul exprimat în procente, între curentul de
ieşire şi curentul de intrare) CTR – Current Transfer Ratio;
-caracteristica de transfer a optocuplorului (grafic); poate fi liniară sau neliniară;
-capacitatea intrare-ieşire;
-rezistenŃa de izolaŃie.
Exemplu optocuplor (fig. 5.23):

- tip 4N25;
-producător: Fairchild Semiconductor;
-1 canal ; capsulă DIL 6;
-detector: UCE0=70 V
-emiŃător: IF=100 mA;
-CTR:min20%;
-Riz=1011Ω; C=0.5pF
Fig. 5.23 Exemplu optocuplor 4N25
68
6. AMPLIFICATOARE OPERAłIONALE (AO)

Amplificatorul operaŃional este cel mai răspândit şi utilizat circuit integrat liniar.
Denumirea de operaŃional vine de la faptul că iniŃial acesta a fost utilizat pentru realizarea
analogică a operaŃiilor matematice (adunarea, scăderea, înmulŃirea, scalarea, integrarea, etc.).
6.1. FuncŃionare. Parametrii specifici. AO ideal

Pentru a înŃelege funcŃionarea unui AO trebuie cunoscută schema acestuia cu elemente
discrete, în care sunt specificate circuitele componente ale acestuia (fig. 6.1 a).
intrare alimentare ieşire

re
+V+
IB1
ui
ui +
IB2 RS
uo
ui ui - u0
-V-
a) b)
Fig. 6. 1 AO – Structura simplificată cu componente discrete a) şi simbol b)
Se disting următoarele circuite (componente) interne uzuale:

-etajul amplificatorului de intrare diferenŃial realizat cu tranzistoarele T1 şi T2;
-generatorul de curent constant realizat cu tranzistorul T3 (asigură un IC3≈2mA);
-etajul amplificatorului intermediar liniar realizat cu T4 (pnp, fiind complementar faŃă
de T1) permite obŃinerea unui potenŃial nul la ieşire u0=0 dacă ui+ = ui- = 0; sarcina
amplificatorului intermediar este un generator de curent constant realizat cu T5 (sarcină activă)
care asigură un IC5≈2mA;
-etajul amplificatorului de ieşire care este un etaj cu tranzistoarele complementare T6 şi
T7 funcŃionând în contratimp (montaj push-pull, adică “împinge-trage”; în alternanŃa pozitivă a
tensiunii de intrare T7 este blocat, iar curentul de emitor al tranzistorului T6 este forŃat “împins”
să se închidă prin sarcina conectată în circuitul exterior la masă; dimpotrivă în alternanŃa
negativă a tensiunii de intrare T6 este blocat, iar T7 absoarbe “trage” curent de emitor prin
rezistenŃa de sarcină RS exterioară din masă); acest etaj asigură o impedanŃă de ieşire mică pentru
AO; cele şase diode asigură o stabilizare a PSF în raport cu variaŃiile de temperatură care apar.
Toate aceste elemente sunt integrate tehnologic într-un singur circuit monobloc.
Semnalul la ieşire u0 este în fază cu semnalul ui+ care se aplică pe baza lui T1; din acest
motiv această intrare notată cu “+” se numeşte intrare neinversoare.
Semnalul la ieşire u0 este în antifază cu semnalul ui-; din acest motiv această intrare
notată cu “-” se numeşte intrare inversoare.
69
Parametrii specifici AO:

- Se defineşte semnalul (tensiunea) de intrare diferenŃial:
3R 3 3 (6.1)
şi semnalul (tensiunea) de intrare în mod comun:
z {
3y* (6.2)

Expresia generală a tensiunii de la ieşirea AO în funcŃie de tensiunile de la intrare este:
$z { '

3[ "R $3 3 ' "y* "R · 3R "y* · 3y* (6.3)

unde: "R G ` T

este amplificarea de tensiune diferenŃială (când uMC=0)
P |% }[
"y* G ` T

iar: este amplificarea de tensiune de mod comun (când uid=0)
|% P }[
În mod curent, Ad=100 000 (100 dB) şi AMC=1 (0 dB).
-Se defineşte factorul de rejecŃie a modului comun CMRR (Common Mode Rejection
Ratio) ca raportul dintre amplificarea diferenŃială şi amplificarea de mod comun, în condiŃiile în
care tensiunea de ieşire u0 rămâne constantă (pentru aceeaşi tensiune pe ambele intrări):
20 log[ G
XP |%
C~$' T (6.4)
X|% P }
`
CMRR se mai poate defini ca raportul dintre tensiunea de intrare de mod comun şi
tensiunea de intrare diferenŃială (de decalaj) ce trebuie aplicată la intrare pentru a menŃine
constantă tensiunea de ieşire.
-Se defineşte impedanŃa de intrare în amplificator (Input Impedance) ca impedanŃa

văzută dinspre sursa de semnal la intrarea amplificatorului; este o impedanŃă diferenŃială (Rid) şi
o impedanŃă de mod comun (RiMC) definite conform (fig. 6.2).
V+
+
2RiMC Rid u0
+ Aduid -
R0
uid Rid V-
- u0 V+
2RiMC +
u0
RiMC -
V-
Fig. 6. 2 Definirea impedanŃelor de intrare AO
70
ImpedanŃa de intrare poate fi în domeniul 50 kΩ...10 MΩ şi poate ajunge chiar la GΩ.

Uzual impedanŃa de intrare de mod comun este mai mare decât cea diferenŃială.
-Se defineşte rezistenŃa de ieşire R0 ca raportul dintre variaŃia tensiunii de ieşire şi
variaŃia corespunzătoarea a curentului de ieşire pentru un semnal diferenŃial nul la intrare uid=0;
uzual este în jur de 50 Ω.
-Se defineşte curentul de polarizare a intrărilor (Input bias current) ca valoarea medie
a celor doi curenŃi continui de bază IB1 şi IB2:
^_ ^_
(6.5)

Valoarea tipică este de 100 nA pentru AO cu tranzistoare bipolare şi 10 pA pentru AO

cu TEC-J şi 1 pA pentru AO cu TEC-MOS. Aceste valori trebuie să fie cât mai mici.
-Se defineşte curentul de offset (Input Offset Current I0S ) ca modulul diferenŃei
curenŃilor de polarizare şi pentru care tensiunea de ieşire este zero:
[+ | | (6.6)
-Se defineşte tensiunea de offset (Input Offset Voltage U0S) ca tensiunea care trebuie
aplicată la intrare pentru a obŃine zero la ieşire. OperaŃia se numeşte compensarea offsetului.
Depinde de temperatură şi timp.
u0
u0max
uid
0
U0S
u0min
Fig. 6. 3 Caracteristica de transfer AO – Tensiunea de offset U0S
Dacă se unesc intrările, uid = 0 , tensiunea de ieşire va fi pozitivă sau negativă, la valori
mergînd până la tensiunea de alimentare +V sau –V.
-VariaŃia cu temperatura şi în timp a tensiunii şi curentului de offset (Input Voltage

Drift, Input Current Drift) se mai numesc derivă termică (thermal drift) şi respectiv derivă pe
termen lung (long term drift). Aceşti parametrii, exprimaŃi în µV/°C, pA/°C respectiv */lună, an
sunt foarte importanŃi pentru precizia amplificatoarelor.
-Se defineşte amplificarea în buclă deschisă (Open Loop Gain) ca raportul dintre
variaŃia tensiunii de ieşire şi variaŃia tensiunii de intrare diferenŃiale, în condiŃiile funcŃionării la
frecvenŃe joase şi medii, cu ieşirea în gol, fără reacŃie; odată cu creşterea frecvenŃei are loc o
scădere a amplificării şi apariŃia unui defazaj între intrare şi ieşire (amplificarea este invers
proporŃională cu frecvenŃa).
-Se defineşte viteza (panta) maximă de variaŃie a tensiunii de ieşire (Slew Rate) dintr-un
AO pentru un semnal treaptă aplicat la intrare (fig. 6.4).
Dacă semnalul este sinusoidal, acest parametru limitează amplitudinea maximă a
semnalului de ieşire, la o anumită frecvenŃă dată. Cu alte cuvinte SR stabileşte relaŃia dintre
amplitudinea şi frecvenŃa semnalului care poate fi redat fără distorsiuni la ieşire.
71
Astfel, dacă semnalul de ieşire este unul sinusoidal de forma:
3[ [ · ;5 atunci acesta are viteza (panta) maximă de variaŃie de forma:
|3[ ⁄5|-s [ 2B?[ .
Pentru a putea reda fără distorsiuni acest semnal trebuie ca AO să aibă SR mai mare:
p 2B?[ (6.7)
ui
0 t
u0 ∆t+ ∆t-
u0max
0 t
∆u0
u0min
Fig. 6. 4 Definirea vitezei de variaŃie a ieşirii SR – slew rate pentru AO
Cunoscînd Uo se determină frecvenŃa maximă fmax şi invers. De exemplu, pentru un AO
la care se cunoaşte din catalog SR=1 V/µS, o tensiune sinusoidală cu amplitudinea de 10V este
redată corect la ieşire, fără distorsiuni dacă are frecvenŃa de maxim 15,9 kHz.
Unele AO rapide au SR de sute (mii) de volŃi pe µS.
Amplificatorul AO ideal
Pentru simplificarea analizei schemelor bazate pe astfel de amplificatoare, se consideră
că AO ideal are următoarele caracteristici principale:
a) Amplificare diferenŃială infinită: Ad = A = ∞

b) Amplificare de mod comun nulă: AMC = 0 rezultă:
3[ " · $3 3 ' (6.8)
c) Intrările AO se află la acelaşi potenŃial: 3 3 (din 6.8, dacă A=∞, u0 este finit
numai dacă $3 3 ' = 0)
d) ImpedanŃa de intrare este infinită, rezultă curenŃii de intrare sunt nuli: ; ; 0;
e) ImpedanŃa de ieşire (fără reacŃie) este nulă;
f) Viteza de variaŃie în timp a ieşirii (SR-Slew Rate) este infinită (ieşirea se modifică
instantaneu);
g) Tensiunea de ieşire u0 este nulă dacă intrările sunt la acelaşi potenŃial 3 9 3
Dintre acestea, cele mai importante sunt (c) şi (d):
-prin ambele terminale de intrare nu circulă curent ; ; 0 (Proprietatea P1);
-tensiunea de intrare diferenŃială este zero uid=0 (Proprietatea P2).
72
Amplificatorul AO real
Un AO real se abate de la aceste caracteristici ideale. Astfel pentru un AO tip A741
parametrul SR = 0,5 V/µS maxim. Unele AO nu sunt compensate intern şi necesită o compensare
externă cu ajutorul unui condensator exterior C=1…30 pF. Cu cât C este mai mic, cu atât SR este
mai mare.
Un AO real nu este perfect echilibrat (din motive tehnologice); a.î. dacă se unesc
intrările 3 şi 3 (se pun la acelaşi potenŃial) ieşirea va fi pozitivă sau negativă la valori
mergând până la valoarea tensiunii de alimentare (contrar relaŃiei (6.3) conform căreia u0=0).
Pentru aducerea în zero a ieşirii se face o compensare a offsetului cu ajutorul unui potenŃiometru
exterior AO.
6.2. AplicaŃii liniare ale AO

În continuare vor fi prezentate pe scurt cele mai importante montaje şi aplicaŃii ale AO.
În analiza funcŃionării lor se folosesc parametrii AO ideal, în special proprietăŃile P1 şi P2.
6.2.1. Circuitul repetor de tensiune

Repetorul de tensiune (fig. 6.5).are o amplificare în tensiune unitară, la o impedanŃă de
intrare foarte mare şi o impedanŃă de ieşire mică.
Fig. 6. 5 Circuitul repetor de tensiune cu AO

Dacă se aplică la intrarea neinversoare (+) o tensiune sinusoidală de la o sursă US , cum
uid=0 rezultă că tensiunile pe cele două terminale de intrare sunt egale; deoarece ieşirea este
legată cu intrarea (-) rezultă că U0=US.
Acest montaj se foloseşte ca separator şi adaptor de impedanŃe între diverse etaje ale
unei scheme electronice.
Erorile care apar se datorează mărimilor de intrare de decalaj (de offset) care la AO real
nu sunt zero, CMRR şi amplificării finite a AO real.
6.2.2. Amplificator neinversor

Pentru ca un AO să asigure funcŃia de amplificare trebuie ca uid=0, deci trebuie să existe
o reacŃie negativă dominantă. Schema unui AO neinversor este prezentată în (fig. 6.6).
Tensiunea faŃă de masă pe intrarea inversoare (-) se obŃine cu divizorul R2, R1:

· [ (6.9)

Dar tensiunea de intrare diferenŃială este zero ,3R =0 rezultă + .

Înlocuind în relaŃia (6.9) valoarea tensiunii de ieşire se calculează cu relaŃia:

[ · + + · H1 K (6.10)

amplificarea fiind: " 1 (6.11)

73

[ + 1
" 1

Fig. 6. 6 Amplificator neinversor cu AO

După cum îi spune şi numele AO în această configuraŃie nu inversează faza semnalului
de intrare şi are o impedanŃă mare de intrare. RezistenŃa prin care se conectează sursa de semnal
la intrarea (+) trebuie să fie egală cu R1 în paralel cu R2 pentru a compensa inegalitatea curenŃilor
de polarizare, chiar dacă temperatura de lucru variază. Amplificarea depinde de rezistenŃele din
bucla de reacŃie.
6.2.3. Amplificator inversor

Dacă se modifică schema circuitului neinversor ca în (fig. 6.7) se obŃine un amplificator
inversor.

[ + ·

"

Fig. 6. 7 Amplificator inversor cu AO

Deoarece intrarea (+) este legată printr-o rezistenŃă la masă se poate spune că potenŃialul
său este zero, adică 3 0. Folosind una din cele două ipoteze simplificatoare pentru AO ideal
(tensiunea de intrare diferenŃială nulă) rezultă că şi intrarea (-) este la potenŃial zero, 3 0 ; se
spune că este o masă viruală.
Din aceste condiŃii se pot scrie relaŃiile:
+ · şi [ · (6.12)
Din care, explicitând curenŃii rezultă:
74
& `
şi (6.13)

Folosind T2K pentru nodul curenŃilor I1 şi I2 şi a doua ipoteză simplificatoare (curenŃii

de intrare sunt nuli) rezultă:
&
rezultă
` deci [ + · H K (6.14)

amplificarea fiind: " (6.15)

Acest montaj realizează o amplificare în antifază a tensiunii de intrare US (tensiunea de

ieşire este defazată cu 180° faŃă de tensiunea de intrare). În cazul particular, dacă R1=R2 se obŃine
un inversor de tensiune. ImpedanŃa de intrare este aproximativ egală cu R1.
Montajul permite controlul uşor atât al impedanŃei de intrare cât şi al amplificării în
buclă închisă.
6.2.4. Amplificator sumator

Un amplificator inversor cu mai multe intrări se transformă într-un amplificator sumator
(fig. 6.8).

[ + + +

Fig. 6. 8 Amplificator sumator

Folosind T2K pentru nodul curenŃilor masei virtuale U - se obŃine relaŃia:
&
& & ` (6.16)

Explicitând rezultă tensiunea de ieşire:

[ + + + (6.17)

Tensiunea de ieşire este suma tensiunilor de intrare (US1, US2, US3), fiecare ponderată cu
raportul dintre R2 şi rezistenŃa corespunzătoare R1i.
În cazul particular R11......13=R2 tensiunea de ieşire este suma tensiunilor de intrare, cu
semnul minus.
75
Folosind schema unui amplificator neinversor (fig. 6.6) se poate obŃine un sumator prin
introducerea tensiunilor pe intrarea neinversoare (+).
6.2.5. Amplificator diferenŃial

Schema unui amplificator cu intrare diferenŃială este prezentată în (fig. 6.9). Ea
reprezintă o combinaŃie între amplificatorul inversor şi neinversor realizat cu AO. Într-adevăr
dacă se pune intrarea 1 la masă se va obŃine un amplificator neinversor cu uieş1 . Dacă se pune
intrarea 2 la masă atunci se obŃine un amplificator inversor cu uieş2 . Când semnalele de intrare
acŃionează simultan, la ieşire se suprapun efectele (principiul superpoziŃiei): uieş=uieş1+uieş2=U0.

[ $ + '
+
Fig. 6. 9 Amplificator diferenŃial

-Dacă se consideră Us1=0 (pusă la masă), AO este neinversor cu intrarea US2 (fig. 6.10a):
a) b)
Fig. 6. 10 Principiul superpoziŃiei la un AO diferenŃial

În această situaŃie:

· [ şi · + (6.18)

Folosind prima ipoteză simplificatoare pentru AO ideal (uid=0, U- = U+) rezultă:

[ 3ş + · · (6.19)

-Dacă se consideră Us2=0 , intrarea 2 se consideră la masă (fig. 6.9 b) şi AO este în

configuraŃia de amplificator inversor. În această situaŃie, U+ este la masă (prin rezistenŃele R3,4 )
şi U- va fi o masă virtuală (are potenŃial zero, chiar dacă fizic nu este conectată la masă) :

[ 3ş + · (6.20)

76
În final, suprapunând efectele (principiul superpoziŃiei) rezultă:

[ 3ş 3ş + · · + · (6.21)

În cazul particular în care:

(6.22)

Prelucrând coeficienŃii tensiunilor de intrare :

rezultă şi înlocuind în (6.18) rezultă:

[ · $+ + ' (6.23)

Tensiunea de ieşire este dependentă de diferenŃa tensiunilor de intrare, amplificarea fiind

egală cu A=R2/R1.
Principalul dezavantaj al schemei îl constituie impedanŃele de intrare mici şi inegale.
Practic rezistenŃele de intrare trebuie să fie de precizie, împerecheate cât mai bine. Pentru a
creşte impedanŃa de intrare se cuplează înaintea intrărilor AO repetoare de tensiune (fig. 6.11).
Fig. 6. 11 Creşterea impedanŃei de intrare la un AO diferenŃial
6.2.6. Circuit integrator

Pentru a realiza operaŃia analogică de integrare se foloseşte un AO inversor la care
rezistenŃa de reacŃie este înlocuită de un condensator C (fig. 6.12).
Schema de bază este fără rezistenŃa R2 în paralel cu condensatorul C. Deoarece intrarea
U+ este la masă (prin rezistenŃa R) şi intrarea inversoare U- este virtual la masă (P2) şi rezultă:
&
+ · rezultă (6.24)

Scriind T2K pentru nodul curenŃilor (intrarea inversoare U-) :
rezultă (P1)
77

1
3[ $5' 3+ $5' · 5
C
[
Fig. 6. 12 Amplificator integrator cu AO
Dacă se scrie curentul care circulă prin condensator (în valori instantanee, cu litere
mici):
R`
; C · (6.25)
R
prin egalitatea cu i1 rezultă:
& R` R`

C · · 3+ $5' 3[ $5' * [ 3+ $5' · 5 (6.26)
R R *
Conform ultimei formule, tensiunea de ieşire este proporŃională cu integrala tensiunii de

intrare, acest lucru dând şi numele circuitului (T=R1C este constanta de timp de integrare) .
Problema care apare la acest circuit este în cazul integrării unor semnale de intrare
dreptunghiulare de durată T (fig. 6.13 a). În acest caz o tensiune de dezechilibru minimă între
intrări, integrată în timp duce la saturarea ieşirii (uieş=ct). Pentru evitarea acestui fenomen,
valoarea rezistenŃei R se ia egală cu R1 şi se reglează offsetul; în plus se conectează o rezistenŃă
R2 în paralel cu C pentru reducerea amplificării la frecvenŃe joase (în curent continuu).
uS |A| dB
t
T -20dB/decadă
U
u0
lg f
g
C fmin f0 fT
t
b)
a)
Fig. 6. 13 Răspunsul integratorului la un impuls negativ de durată T-analiza în
domeniul timp a)şi caracteristica amplitudine-frecvenŃă-analiza în domeniul
frecvenŃă b)
Pentru determinarea domeniului de frecvenŃă în care circuitul funcŃionează corect se
compară caracteristica de frecvenŃă a unui AO ideal (o dreaptă cu pantă negativă -20 dB/dec,
amplificarea A infinită) cu a unui AO real (caracterizată prin amplificarea A finită şi frecvenŃele
f0 şi fT). Se observă că pentru f<fmin factorul de transfer al AO este mai mare decât amplificarea A
a AO ceea ce este imposibil într-un circuit real unde amplificarea provine exclusiv din AO. În
78
aceste condiŃii frecvenŃa minimă a semnalului de intrare pentru care circuitul se comportă ca
integrator trebuie să fie:

?- (6.27)
X *
Se observă că valoarea frecvenŃei minime se poate controla din constanta de timp R1C.
FrecvenŃa limită superioară este dată de frecvenŃa fT la care amplificarea este egală cu unitatea,
A=1. CondiŃia de bună funcŃionare ca integrator este deci ca semnalul de intrare să aibă frecvenŃa
cuprinsă între [fmin, fT].
Circuitul prezentat face parte din categoria integratoarelor cu acŃiune continuă. Există şi
integratoare cu acŃiune discontinuă la care condensatorul de pe calea de reacŃie este descărcat
periodic cu ajutorul unui comutator electronic (realizat de exemplu cu un tranzistor TEC cuplat
în paralel cu C) înainte de începerea fiecărui nou ciclu de integrare.
6.2.7. Circuit derivator

Pentru a realiza operaŃia analogică de derivare se foloseşte tot un AO inversor la care se
montează un condensator C în serie cu tensiunea de intrare US (sau într-un circuit integrator se
schimbă locul condensatorului cu al rezistenŃei). Varianta de bază este fără rezistenŃa R1 în serie
şi condensatorul C1 în paralel (fig. 6.14). Spre deosebire de integrator, circuitul de derivare are o
bună stabilitate statică. Dezavantajul său este că la frecvenŃe înalte este instabil. De asemenea
este sensibil la perturbaŃiile suprapuse peste semnalul de intrare. Pentru micşorarea acestor
dezavantaje, în structura de bază a circuitului se introduce rezistenŃa R1 şi condensatorul C1.
3+
3[ $5' C ·
5
Fig. 6. 14 Amplificator derivator cu AO

Dacă U- este o masă virtuală şi curenŃii de intrare sunt nuli (P1) rezultă relaŃiile:
R&
; C · ; ` (6.28)
R
Rezultă, în condiŃii iniŃiale nule :
R&
3[ $5' C · (6.29)
R
Tensiunea de ieşire este proporŃională cu viteza de variaŃie a semnalului de intrare.

Acest circuit permite obŃinerea unor impulsuri ascuŃite dintr-o tensiune dreptunghiulară aplicată
la intrare (expl. Fig. 2.19) sau transformarea unui semnal triunghiular de intrare într-un semnal
dreptunghiular.
79
6.2.8. Circuit comparator

De multe ori în aplicaŃiile practice se pune problema determinării care dintre două
tensiuni (semnale) este mai mare sau cum sunt acestea situate faŃă de un nivel de referinŃă Uref
sau de prag Up .
Se poate spune că circuitele comparatoare fac legătura dintre domeniul mărimilor
analogice şi domeniul mărimilor digitale. Astfel, în timp ce tensiunea de intrare (generată de o
sursă uS) variază continuu într-o gamă de valori, tensiunea de ieşire din comparator poate lua
doar două valori care pot reprezenta cele două variabile booleene L (Low) şi H (High).
În (fig. 6.15) este prezentată caracteristica de transfer pentru un comparator ideal.
Acesta este caracterizat de următoarele proprietăŃi simplificatoare:
-tensiunea de ieşire ia numai două valori U0H şi U0L, funcŃie de semnul lui uid ;
-curenŃii de intrare în comparator sunt nuli, i+ şi i- =0;
-timpul de răspuns al comparatorului ideal este zero, ceea ce dă caracterul de circuit fără
memorie pentru comparator , adică valoarea la un moment de timp pentru tensiunea de ieşire este
independentă de valorile sale anterioare.
U0
U0H≈V+
Uid
0
U0L≈V-
a) b)
Fig. 6. 15 Comparator ideal cu AO a), caracteristica de transfer b)
Dacă potenŃialul (U+) < (U-), atunci uid < 0 şi ieşirea U0 “comută”, ia valoarea U0L≈V-.
Se observă diferenŃa dintre un amplificator operaŃional şi comparator: în timp ce la AO
ieşirea variază continuu şi proporŃional (între U0max şi U0min) cu intrarea , la un comparator
ieşirea nu are decât două valori U0H şi U0L.
Comparatoarele reale se deosebesc de cele ideale prin abaterile date de proprietăŃile lor.
De exemplu trebuie Ńinut cont de parametrii de intrare: tensiunea de offset (compensarea ei cu
temperatura), de curenŃii de polarizare I+ şi I- care nu sunt zero în cazul real şi de parametrii de
ieşire : nivelele logice de ieşire U0H şi U0L, capacitatea de comandă la ieşire (fan out). Dintre
parametrii de transfer vom defini: amplificarea finită în buclă deschisă şi timpul de răspuns.
-Amplificarea finită în buclă deschisă A0 se mai numeşte şi câştig în buclă deschisă. În
(fig. 6.16 a) este prezentată caracteristica de transfer a unui comparator real.
U0 uSi
U0H 0 t
tg α=A0
α uid
-x u0
+x U0H
U0L
U0L ti tf t
tr tr=ti+tf
a) b)
Fig. 6. 16 Caracteristica de transfer comparator real a), timpul de răspuns b)
80
Se observă că trecerea de la nivelul Low (U0L) la nivelul High (U0H) nu se face brusc, în
momentul în care tensiunea diferenŃială de intrare este zero. Această trecere a ieşirii de la U0L la
U0H se face odată cu variaŃia intrării în domeniul [-x, +x]=[-U0L/A0, +U0H/A0]. Acest interval se
numeşte interval de incertitudine. Cu cât amplificarea A0 este mai mare, cu atât intervalul de
incertitudine este mai mic şi precizia comparaŃiei este mai bună. Intervalul de incertitudine[-x,
+x] exprimă rezoluŃia comparatorului ∆UR şi reprezintă cea mai mică treaptă de tensiune de
intrare care poate fi sesizată de comparator:
` `
∆ (6.30)
X`
-Timpul de răspuns (tr=ti+tf) este un alt parametru important pentru comparatoare; el

caracterizează viteza de răspuns a circuitului la modificarea intrării (fig. 6.15 b) şi este format
din două componente: timpul de întârziere (ti) şi durata frontului impulsului de ieşire (tf).
Timpul de răspuns este cu atât mai mic cu cât variaŃia intrării este mai mare.
Timpul de răspuns şi amplificarea sunt doi parametrii ai comparatoarelor care sunt în
antifază: un timp de răspuns mic (comparator rapid) implică un comparator cu o variaŃie a
intrării mare, deci o amplificare A0 mică, deci un interval de incertitudine, rezoluŃie mare
(comparator mai puŃin precis) şi invers.
La alegerea unui comparator pentru o aplicaŃie trebuie făcut un compromis între viteza
de răspuns şi rezoluŃia acestuia.
6.2.8.1. Comparatoare simple (fără memorie)

Cel mai simplu comparator este realizat cu un AO fără buclă de reacŃie (fig. 6.17).
Semnalul de comparat US se cuplează fie la intrarea inversoare (-) fie la intrarea neinversoare (+)
a AO, acest lucru dând caracterul inversor, respectiv neinversor al comparatorului; tensiunea de
prag Up = Uref , obŃinută de pe cursorul unui potenŃiometru se cuplează la cealaltă intrare. În (fig.
6.17 a, b) este prezentată schema unui comparator inversor, cu prag diferit de zero, respectiv
caracteristica sa de transfer U0=f(US). În (fig. 6.17 c, d) comparatorul este neinversor.
U0 U0
U0H U0H
0 US US
0
Up Up
U0L U0L
a) b) c) d)
Fig. 6. 17 Comparatoare simple cu prag diferit de zero:

inversor+caracteristica transfer a, b) , neinversor+caracteristica transfer c, d)
La comparatoarele din figură tensiunea de intrare este uid=|Up-US|. CondiŃia ca uid =0 se

realizează când US=Up.
AO are o amplificare foarte mare (neavând reacŃie); de aceea la fiecare trecere a
tensiunii uS peste nivelul tensiunii de prag Up sau de referinŃă Uref , ieşirea comută 3[ 9 ;
dacă tensiunea uS este sub nivelul tensiunii Uref , ieşirea comută 3[ 9 . Acest comparator este
inversor deoarece dacă intrarea creşte peste nivelul de referinŃă, ieşirea scade (şi invers). Dacă
tensiunea de referinŃă se aplică la intrarea inversoare şi semnalul de comparat la intrarea
neinversoare, comparatorul este de tip neinversor.
81
6.2.8.2. Comparatoare cu histerezis (cu memorie)

Un comparator cu histerezis se obŃine dintr-un comparator simplu prin introducerea unei
reacŃii pozitive (fig. 6.18). Deoarece tensiunea de intrare de la sursa de semnal uS se conectează
la intrarea inversoare comparatorul este inversor.
Comparatorul cu histerezis se mai numeşte trigger Schmitt.
Comparatoarele cu histerezis au două tensiuni de prag, de valori diferite: tensiunea de
prag inferioară UPI (sau Low UPL) şi tensiunea de prag superioară UPS (sau High UPH) . La un
moment de timp numai una din aceste tensiuni este activă. SelecŃia pragului activ o face
comparatorul în funcŃie de starea de ieşire, dată de valorile anterioare (evoluŃie) ale tensiunii de
intrare. Din acest motiv comparatorul se numeşte cu memorie (atunci când tensiunea de intrare
este cuprinsă între cele două praguri, pentru a şti valoarea tensiunii de ieşire trebuie cunoscută
starea anterioară a ieşirii comparatorului, din momentul tranziŃiei).
După cum se observă din (fig. 6.18 a) la intrarea neinversoare (+) se conectează, prin
intermediul unei rezistenŃe R1 o tensiune de referinŃă Uref a cărei valoare poate varia între [-V,
+V] cu ajutorul unui potenŃiometru (nefigurat).
u0
V+
UPI Uref UPS us
V-
a) b)
Fig. 6. 18 Comparator inversor cu histerezis a) , caracteristica de transfer b)

Aproximând cu ±V cele două niveluri ale tensiunii de ieşire din comparator U0H=+V şi
U0L=-V, pentru a obŃine valorile celor două tensiuni de prag şi ale lăŃimii zonei de histerezis se
scriu relaŃiile (Ńinând cont că uid = 0, i+ = i- = 0) :
& & `

; ; (6.31)

Din relaŃia (6.27) rezultă US=f(U0):
· ·`
+ (6.32)

Cum circuitul este cu memorie, UO este U0H sau U0L în funcŃie de starea în care se află
circuitul în momentul efectuării tranziŃiei. În acest caz:
-pentru + L+ L ; [ rezultă:

· ·u
L+
(6.33)
82
- pentru + L^ L ; [ rezultă:

· ·u
L^ (6.34)

-lăŃimea zonei de histerezis (∆Ui) va fi:

· u
∆ L+ L^ (6.35)

În (fig. 6.19) este prezentat cazul particular în care Uref = 0. Sunt ilustrate cazurile
comparatoarelor cu histerezis inversoare şi neinversoare precum şi caracteristicile de transfer
respective.
Pentru a afla valorile tensiunilor de prag superioară UPS şi inferioară UPI în cazul
comparatorului inversor se înlocuieşte în relaŃiile (6.29), (6.30) Uref = 0.
U0 U0
U0H U0H
0 US 0 US
UPI UPS UPI UPS
U0L U0L
a) b) c) d)
Fig. 6. 19 Comparator cu histerezis: inversor a) , caracteristica de transfer b),

neinversor c) , caracteristica de transfer d) pentru Uref=0
În cazul comparatorului neinversor (fig. 6.18 c) se scriu relaŃiile (uid=0, i+=0):
&
;
; ` (6.36)

Rezultă:

+ · [ (6.37)

Punând condiŃiile: US=UPS şi U0=U0L=-V respectiv US=UPI şi U0=U0H=+V rezultă:

L+ · [ · şi L^ · [ · (6.38)

Pentru o mai bună înŃelegere a funcŃionării, în (fig. 6.20) sunt prezentate caracteristicile
de transfer şi răspunsurile comparatoarelor inversoare (a) şi neinversoare (b) la un semnal de
intrare triunghiular (în timp).
Se poate urmări cum evoluează ieşirea la modificarea (creşterea – scăderea) semnalului
de intrare US. Se observă comutările ieşirii în momentul atingerii de către tensiunea de intrare a
pragurilor UPS şi UPI .
83
US US
U0 UPS U0 UPS
U0H t U0H t
UPI UPI
0 US 0 US
UPI UPS U0 UPI UPS U0
U0H U0H
U0L U0L
t t
U0L U0L
a) b)
Fig. 6. 20 Caracteristica de transfer şi răspunsul la un semnal triunghiular de
intrare pentru un comparator cu histerezis: inversor a) , neinversor b
6.3. AplicaŃii neliniare ale AO

Deoarece la toate montajele prezentate, pe calea de reacŃie au fost folosite elemente cu
caracteristici liniare, circuitele respective constituie aplicaŃii liniare cu AO.
Dacă AO au în bucla de reacŃie elemente neliniare ele formează aplicaŃii neliniare. Ele
nu mai intră în categoria amplificatoarelor, realizând transformări neliniare ale semnalului de
intrare (transformări de tip funcŃie).
6.3.1. Redresor monoalternanŃă

În (fig. 6.21 b) este prezentată schema unui redresor monoalternanŃă realizat cu un AO.
Acesta se foloseşte în locul unui redresor clasic cu o diodă (fig. 6.21 a) atunci când tensiunea de
intrare (furnizată de sursa de semnal) este mai mică decât căderea de tensiune pe diodă. În acest
caz dioda nu se deschide şi nu se poate face o redresare a semnalului de intrare.
US
U0
t
US U0
a) b) c) d)
Fig. 6. 21 Redresorul monoalternanŃă: clasic cu diodă a), cu AO b),

caracteristica de transfer c), evoluŃii temporale d)
AlternanŃa pozitivă a lui US deschide D1 ; AO o inversează a.î. în anodul lui D2

tensiunea va fi zero. AlternanŃa negativă blochează D1 , AO va avea la ieşire alternanŃa pozitivă
care, deschizând dioda D2 se regăseşte în U0 este redresată. Tensiunea de ieşire U0 va fi:
0 1503 + 0 G
[
+ 1503 + 0
(6.39)
84
6.3.2. Redresor bialternanŃă

În (fig. 6.22 a) este prezentată schema unui redresor bialternanŃă format dintr-un
redresor monoalternanŃă urmat de un sumator inversor.
US
t
Uredr
t
U0 t
a) b)
Fig. 6. 22 Redresorul bialternanŃă: schema a), diagrame temporale b
Dacă US este tensiunea sinusoidală aplicată redresorului monoalternanŃă (AO1) şi intrării
cu ponderea unu a sumatorului (AO2); Uredr este tensiunea redresată şi aplicată pe intrarea cu
ponderea doi a sumatorului (AO2), pentru a afla U0 se scrie relaŃia dintre intrare – ieşire a unui
amplificator sumator inversor (adaptarea relaŃiei 6.17):

[ · + · R $+ 2 · R ' (6.40)
Se observă că semnalul rezultat este redresat, bialternanŃă şi de polaritate negativă
datorită inversării dată de sumatorul inversor.
* Ce ar trebui modificat în schemă pentru a obŃine un semnal redresat pozitiv? (Să
se justifice grafic şi matematic soluŃia propusă).
BIBLIOGRAFIE
[1] Sever Paşca, Niculae Tomescu, István Sztojanov – Electronică analogică şi digitală –
Dispozitive şi circuite electronice fundamentale, Editura Albastră, Cluj Napoca, 2004
[2] Sever Paşca, Niculae Tomescu, István Sztojanov – Electronică analogică şi digitală –
Circuite analogice, Editura Albastră, Cluj Napoca, 2004
[3] Edmond Nicolau (coord.) – Manualul inginerului electronist, Editura Tehnică, Bucureşti,
1988
[4] István Sztojanov, Sever Paşca – Analiza asistată de calculator a circuitelor electronice – Ghid
practic Pspice, Editura Teora, 1997
[5] Eugen SubŃirelu – Dispozitive electronice şi circuite analogice, NotiŃe pentru curs - anul II
Electromecanică, Informatică Industrială, Ingineria şi protecŃia mediului în industrie, 2008-
2009
85

Dispozitive Electron Ice Si Circuite Analogice

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Electron Ice Si Circuite Analogice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN CRAIOVA

Facultatea de inginerie în electromecanică, mediu şi

Craiova, 30 ianuarie 2009

3.8. Comportarea TB la înaltă frecvenŃă ................................................................................... 41

4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP (TEC) ................................................................... 42

6.2.1. Circuitul repetor de tensiune ....................................................................................... 73

1. INTRODUCERE ÎN ELECTRONICA ANALOGICĂ

1.1. Semnale analogice

Tranzistor fără semnal Tranzistor cu semnal

Cu aceste notaŃii, valoarea instantanee a semnalului din (fig. 1.1) se scrie:

În cazul semnalelor sinusoidale, între valoarea efectivă U ef şi amplitudinea U m a unei

Semnale rectangulare (dreptunghiulare)

Alte tipuri de semnale sunt:

1.2. Elemente pasive de circuit

Înlocuind tensiunea în ecuaŃiile curenŃilor rezultă relaŃiile dintre aceştia:

Se observă că tensiunea “divizată” este proporŃională cu valoarea rezistenŃei de pe care

Condensatorul este elementul care are proprietatea de a acumula (înmagazina) sarcina

Fig. 1.4 Condensatorul - Simbol şi relaŃia U/I

unde C este capacitatea condensatorului şi se măsoară în farazi (F).

Se observă că valoarea curentului prin condensator este proporŃională cu viteza de

Pe lîngă capacitatea nominală, alŃi parametri caracteristici condensatoarelor sunt:

Aceasta reprezintă ecuaŃia unei drepte de pantă tg α = I / C

Fig. 1.6 Bobina – Simbol şi relaŃia U/I

Dacă se aplică o tensiune U constantă (de la o sursă de tensiune continuă) la bornele

Bobina în curent continuu:

Bobina în curent alternativ, sinusoidal:

Derivând şi înlocuind în relaŃia (1.18) se obŃine expresia tensiunii la bornele bobinei:

Se observă că la frecvenŃe mari (f→∞) bobina ideală se comportă ca un circuit deschis

2.1. Dioda redresoare

ioni fixi in retea

Prin joncŃiune se înŃelege zona de trecere de la semiconductorul (dopat) de tip p la

2.1.1. Caracteristica tensiune curent a diodei redresoare

-dacă U D ≥ 4 ⋅ U T = 0.1 V rezultă că e UT

Fig. 2.2 Caracteristica statică a diodei

2.1.2. Rezolvarea unui circuit simplu cu diodă. Dreapta de sarcină şi punctul

Fig. 2.3 Circuit simplu cu diodă

Deoarece curentul prin diodă şi tensiunea la bornele ei trebuie să satisfacă simultan

-din ecuaŃia dreptei de sarcină:

Se foloseşte o metodă iterativă de calcul, parcurgându-se pas cu pas următorul algoritm:

2.1.3. Modele aproximative ale caracteristicii diodei

2.1.3.1. Dioda ideală (modele de semnal mare)

Fig. 2.7 Comportarea diodei la semnal mic

În (fig. 2.8) este prezentat modelul diodei cu caracteristica liniarizată. În conducŃie

2.2. Dioda stabilizatoare

Fig. 2.9 Caracteristica şi simbolurile diodei Zener

Spre deosebire de dioda redresoare, la dioda stabilizatoare se produce fenomenul de

Fig. 2.10 Caracteristica liniarizată şi schema echivalentă a diodei stabilizatoare

2.3. AplicaŃii ale diodelor semiconductoare

2.3.1.1. Redresorul monoalternanŃă

Fig. 2.11 Redresorul monoalternanŃă

u2 (t ) = U max sin ω t (2.13)

filtrare cu ajutorului unui condensator C şi eventual o rezistenŃă R, în paralel cu sarcina.

Pe lângă valoarea C, la alegerea condensatorului trebuie precizată tensiunea nominală

2.3.1.2. Redresorul dublă alternanŃă în punte

deci ondulaŃia scade la jumătate faŃă de redresorul monoalternanŃă.

2.3.1.3. Sursa dublă de tensiune

2.3.1.4. Multiplicatorul de tensiune

Fig. 2.14 Multiplicator de tensiune ( x 4Umax)

2.3.2. Circuite de stabilizare

2.3.3. Alte aplicaŃii ale diodelor semiconductoare

2.3.3.1. Circuite de limitare

Fig. 2.18 Limitator simetric cu diode

2.3.3.2. Circuite formatoare de impulsuri

2.3.3.3. Circuite pentru refacerea componentei continue

# $% ||& '·()

& () ·% ||& % ||&

D ?$D+ '|E+ F5G (4.1)

D ?$E+ '|D+ F5G (4.2)