COLEGIUL “ŞCOALA NAŢIONALĂ DE GAZ” MEDIAŞ

Oscilatoare cu circuite integrate

Elev:

BUCUR PAUL GABRIEL

Clasa a XII-a Tehnician în automatizări

Îndrumător:

Prof. MOLDOVAN MARIA RODICA

2020

1
 Cuprins

Cuprins.........................................................................................................................2
Memoriu justificativ.....................................................................................................2
Capitolul I : Generatoarele de semnal.......................................................................4
Capitolul II. Oscilatoare..............................................................................................5
Capitolul III: Oscilatoarele cu reacţie........................................................................6
Capitolul IV: Circuite integrate. Generalităţi.............................................................8
Capitolul V: AO integrat............................................................................................10
Capitolul VI:Procesul tehnologic de realizare a circuitului..................................13
Capitolul VII: Masuri de sanatate si securitate in munca (protectie impotriva
pericolului de electrocutare)....................................................................................18
Concluzii.....................................................................................................................20
Bibliografie.................................................................................................................21

2
 Memoriu justificativ

Datorită utilizărilor sale vaste, tehnica impulsurilor pătrunde tot mai mult,
aproape în toate domeniile electronicii, cu precădere în calculatoare , radiolocaţie,
telecomunicaţii, transmisia şi prelucrarea de date, sisteme de reglare automată,
osciloscopie, etc.

Aceasta poate şi explica ritmul de creştere accelerată a lucrărilor consacrate

acestui domeniu în care îşi fac apariţia tot mai multe dispozitive electronice şi metode
de obţinere şi prelucrare a semnalelor de impulsuri.

În această lucrare sunt tratate problemele specifice generatoarelor de

impulsuri cu durate foarte mari (de ordinul orelor sau chiar al zilelor ) şi a celor cu
durate foarte mici (de ordinul zecilor de nanosecunde) folosind elemente logice şi
analogice în prezent disponibile. Lucrarea mai conţine şi nişte scheme practice de
generatoare de impulsuri.

Studiul generatoarelor de impulsuri ma ajutat să aprofundez cunoştinţele

necesare pentru a le putea folosi în diverse aplicaţii.

Pregătirea profesională intră adeseori în contact cu generatoarele de impulsuri

, şi de aceea este obligatorie cunoaşterea construcţiei, funcţionării şi a diverselor
utilizări ale generatoarelor de impulsuri.
Prin realizarea acestui proiect am consultat o bibliografie prin care mi+am
lărgit cunoştinţele în studiul generatoarelor de impulsuri. De aceea această lucrare
va constitui un bogat material de studiu pentru elevii dornici de a se specializa în
domeniul electronicii şi al automatizărilor.

3
 Capitolul I : Generatoarele de semnal

Notiuni teoretice :

Generatoarele de semnal sunt aparate electronice care genereaza ( produc ) tensiuni

electrice de valori relativ mici de o anumita forma si marime numite semnale.

In principiu un generator de semnal transforma energia electrica de curent continuu a

sursei de alimentare in tensiune alternativa cu parametrii variabili.

Generatoarele de semnal (GS ) se utilizeaza pentru verificarea, reglarea si

depanarea aparatelor si echipamentelor electronice.

In functie de conditiile fundamentale de producere a semnalului GS se impart in doua

categorii :

- oscilatoare

- generatoare comandate

4
 Capitolul II. Oscilatoare

Definiţie: Oscilatoarele sunt generatoare de oscilaţii electrice întreţinute, cu

frecvenţă proprie (funcţionează fără semnal de intrare).

a. Parametrii oscilatoarelor

 Forma semnalului generat

 Domeniul de frecvenţă în care lucrează
 Stabilitatea frecvenţei de oscilaţie
 Amplitudinea semnalului de ieşire
 Stabilitatea amplitudinii semnalului de ieşire
 Coeficientul de distorsiuni neliniare impus

b. Clasificarea oscilatoarelor

Nr. Criterii de clasificare Tipuri de oscilatoare

crt.

1 După forma semnalului generat - oscilatoare sinusoidale

- oscilatoare nesinusoidale

2 După domeniul de frecvenţă în - oscilatoare de audiofrecvenţă ( j. f)

care lucrează
- oscilatoare de radiofrecvenţă (î. f)

- oscilatoare de foarte înaltă frecvenţă

3 După natura componentelor din - oscilatoare RC

reţeaua selectivă
- oscilatoare LC

- oscilatoare cu cuarţ

5
 Capitolul III: Oscilatoarele cu reacţie
Definiţie: Oscilatoarele cu reacţie sunt amplificatoare cu reacţie pozitivă care
generează un semnal sinusoidal de forma u = U max sin ωt .

Valoarea frecvenţei de oscilaţie se obţine cu ajutorul unui circuit acordat LC sau cu o

reţea selectivă RC

Schema de principiu

Fig. 4.1 Oscilator cu reacţie – schema de principiu

Relaţii specifice

 Valoarea amplificării cu reacţie este

A
A r= Ar - amplificarea circuitului cu reacţie
1−β A
β– factor de reacţie sau de transfer

A - amplificarea circuitului fără reacţie

 Condiţia de oscilaţie sau de reacţie pozitivă

1- β A = 0 sau β A = 1 - Relaţia lui Barkhausen

Amplificarea cu reacţie Ar = ∞ şi amplificatorul devine oscilator

6
 Relaţia lui Barkhausen este echivalentă cu două condiţii : condiţia de amplitudine şi
condiţia de fază ce rezultă din forma de exprimare în complex a amplificării şi a
factorului de transfer.
jϕ A jϕ β
A=|A|e , j=√−1 β=|β|e

|A | . |b | = 1 Condiţia de amplitudine

j A + jb = 0, 2 p, 4p.... Condiţia de fază

φA - defazajul produs de amplificator ; φβ - defazajul produs de circuitul de

reacţiec

7
 Capitolul IV: Circuite integrate. Generalităţi

Prin integrare se înţelege tehnica de realizare a unor circuite electronice având

componentele interconectate electric inseparabil şi plasate în aceeaşi capsulă.
Componentele din structura circuitelor integrate semiconductoare se realizează în
cadrul proceselor de fabricaţie bazate pe tehnicile prezentate în capitolele anterioare.

Caracteristici şi clasificări

Există o mare diversitate de structuri semiconductoare şi peliculare utilizate în

construcţia de circuite integrate. După modul de realizare, circuitele integrate pot fi:
semiconductoare, peliculare sau hibride.

Circuitele integrate semiconductoare sunt structuri formate în interiorul sau pe

suprafaţa unei porţiuni de material semiconductor monocristalin. Dintre acestea,
circuitele tip monolitic au elementele de circuit formate într-o singură structură
semiconductoare (cip), iar cele fragmentare se realizează din mai multe structuri
monolitice, interconectate între ele. Toate componentele din structura acestor circuite
integrate se realizează în acelaşi timp, în cadrul operaţiilor tehnologice specifice la
care sunt supuse plachetele semiconductoare.
Circuitele integrate peliculare sunt structuri realizate prin depunerea unor
pelicule pe suprafaţa unui material dielectric, peliculele fiind fie subţiri (sub 1 µm), fie
groase (peste 10 µm).

Circuitele integrate hibride sunt structuri în care unele elemente de circuit se

montează pe un substrat dielectric, iar restul elementelor se realizează prin depuneri
pe suprafaţa suportului dielectric.

În cele ce urmează se vor face referiri numai la prima categorie de circuite

integrate, care sunt cele mai răspândite şi anume circuitele integrate monolitice,
numite generic circuite integrate (C.I.). Dimensiunile cipurilor variază în funcţie de
complexitatea circuitului integrat în intervalul 1,25 - 10 mm 2 sau chiar mai mult.
Circuitele integrate monolitice prezintă o fiabilitate ridicată, deoarece conexiunile
dintre componente sunt realizate în interiorul capsulei.

Elementele componente din structura circuitelor integrate monolitice:

tranzistoare, diode, rezistoare, condensatoare se realizează printr-o succesiune de
procese tehnologice specifice tehnologiei planare. Într-un circuit integrat monolitic
toate componentele se execută simultan. Procesul tehnologic poate fi optimizat
numai pentru un singur tip de componentă. În cazul circuitelor cu tranzistoare
bipolare este optimizat procesul tehnologic al tranzistoarelor npn. Operaţiile de
realizare a componentelor din structura circuitelor integrate se aseamănă, în mare
măsură, cu cele folosite la realizarea tranzistoarelor discrete

8
 Probleme specifice care apar la tehnologia circuitelor integrate monolitice sunt:
- izolarea componentelor din structura aceluiaşi cip (unele faţă de altele);
- aducerea la faţa superioară a structurii (cipului) a contactelor
componentelor, inclusiv a contactelor de colector ale tranzistoarelor;
- interconectarea dispozitivelor realizate pe structura semiconductoare
conform schemei electrice a circuitului.

Pentru marea majoritate a circuitelor integrate analogice procesul de fabricaţie

constă din şase sau şapte etape de mascare şi patru difuzii. În cazul în care sunt
necesare performanţe speciale, unii parametri se pot îmbunătăţi prin introducerea de
etape suplimentare în procesul tehnologic.

Parametrii componentelor dintr-un circuit integrat prezintă variaţii datorită

factorilor perturbatori din procesul tehnologic. Pentru majoritatea parametrilor
distribuţia valorilor se apropie de cea gausiană.

- Componentele integrate au unul sau mai multe straturi de material comune,

ceea ce duce la apariţia efectelor parazite. Minimizarea efectelor parazite se
poate obţine pe baza regulilor de proiectare specifice tehnologiei de realizare a
circuitului integrat.

9
 Capitolul V: AO integrat

Amplificatoarele operaţionale AO reprezintă o categorie de circuite analogice

amplificatoare cu performanţe deosebite.
Denumirea are o justificare istorică fiind datorată faptului că au fost create şi
utilizate pentru realizarea unor operaţii matematice în calculatoarele anlogice.
Primele tipuri de AO aveau componente discrete şi performanţe relativ modeste.
Tehnologia circuitelor integrate a condus la variantele actuale de AO care au
performanţe spectaculoase.

Un AO integrat este un circuit integrat monolitic care conţine tranzistoare, diode,

rezistoare şi condensatoare realizând:
- O amplificare în tensiune de valoare ridicată : în buclă

- deschisă, în regiunea liniară de funcţionare: A0 104 106 ;

- O impedanţă de intrare foarte mare : Zin 106 1015  ;

- O impedanţă de ieşire foarte mică : Zieş 102 103  ;

- O bandă de trecere începând din curent continuu şi cuprinsă uzual între 0Hz
106 Hz ;

- Două intrări şi o ieşire pentru semnal: intrarea neinversoare la care un semnal

aplicat este regăsit la ieşire cu aceeaşi fază şi intrarea inversoare la care
acelaşi semnal aplicat este regăsit la ieşire defazat cu  ;

- Un raport semnal zgomot foarte bun în procesul de amplifi-care ;

- Sensibilitate deosebită la intrare : 108 106 Vef ;

- Consum redus de putere şi alimentare la tensiuni joase 12V 

În fig.5.1 este prezentată schema bloc a unui AO. Aceasta conţine trei blocuri distincte,
fiecare putând fi constituit din unul sau mai multe etaje de amplificare realizate cu
tranzistoare.

10
 Fig.5.1 Schema bloc a unui AO : AD-amplificator diferenţial de intrare ; AI
-amplificator intermediar ; AE - amplificator de ieşire.

Blocul de intrare, (AD), este un amplificator diferenţial numit astfel deoarece amplifică
diferenţa semnalelor
 
Vin şi Vin .

Acesta este cel mai important bloc realizând o amplificare ridicată în condiţii de
derivă minimă şi un raport semnal-zgomot favorabil.
Blocul de intrare, prin structura sa , permite şi amplificarea semnalelor de curent
continuu , fapt extrem de important în multe aplicaţii. Blocul intermediar, (AI), are rol
de adaptare spre blocul de ieşire, (AE), care trebuie să asigure curenţi tipici de
ordinul zecilor de miliamperi.
O particularitate a AO este alimentarea cu tensiune simetrică faţă de masă astfel
încât atât tensiunile de intrare cât şi tensiunea de ieşire pot fi pozitive sau negative.
În fig.5.2 se prezintă simbolul AO în care sunt figurate bornele de conexiune
principale. (Toate tensiunile sunt aplicate faţă de masa comună ; AO nu are de
regulă bornă de masă).

Fig 5.2.. Simbolul AO cu principalele borne de conexiune.

IN- -intrarea inversoare ; IN+- intrarea neinversoare; E - ieşirea; +V cc , bornă
alimentare cu tensiune pozitivă; - Vcc , bornă de alimentare cu tensiune negativă.
Amplificarea.

Pentru un AO tensiunea de ieşire este de forma :

V0 A0Vd  AMCVMC VD0

unde :

 A0 reprezintă amplificarea diferenţială pe modul diferenţial şi simetric de excitaţie

în buclă deschisă ;

11
 AMC reprezintă amplificarea pe mod comun de excitaţie în buclă deschisă ;

 Vd reprezintă tensiunea de excitaţie pe modul diferenţial şi simetric de excitaţie ,

V V V


d in in

- VMC este tensiunea de excitaţie pe modul comun de excitaţie ;


VMC  Vin Vin
 
/ 2

 VD0 este o tensiune de decalaj care apare la ieşire când tensiunile de intrare sunt
nule.

Neliniaritatea amplificării este definită ca abaterea maximă a tensiunii de ieşire

faţă de răspunsul liniar ideal : V0  A0Vd , măsurată pe întreg domeniul de variaţie al Vd .

12
 Capitolul VI:Procesul tehnologic de realizare a circuitului
Circuitele integrate constau dint-un ansamblu de dispozitive active şi pasive
interconectate pe suprafaţa cristalului semiconductor
. Pentru o bună funcţionare a circuitului, dispozitivele componente trebuie să fie
izolate între ele cât mai bine. Izolarea componentelor dintr-un circuit integrat a fost
una dintre problemele cele mai importante în tehnologia circuitelor integrate.
Creşterea densităţii de integrarea a accentuat rolul tehnicilor de izolare.
Procedeele eficiente de izolare trebuie să se caracterizeze prin următoarele:

 curentul de pierderi dintre dispozitivele active să fie neglijabil;

 distanţa dintre dispozitivele active să fie minimă;
 suprafaţa ocupată de partea de izolare să fie minimă;
 procedeul de izolare să nu afecteze parametrii dispozitivelor.

Dintre metodele de izolare a componentelor se pot enumera: izolarea prin joncţiuni

polarizate invers, izolare cu strat de bioxid de siliciu localizat (LOCOS), izolarea
dielectrică (prin corodarea substratului).
a) Izolarea prin joncţiuni p-n polarizate invers
Izolarea prin joncţiuni p-n polarizate invers se obţine prin realizarea pe pastila
de siliciu a unor zone cu conductibilitate diferită de conductibilitatea
substratului, a unor “insule”, care sunt izolate de substrat prin joncţiuni p-n
care vor trebui polarizate invers, aşa cum se arată sugestiv în figura 6.1.

Fig. 6.1 Izolarea electrică prin joncţiuni p- n polarizate invers a zonelor din structura
unui C.I

Izolarea prin joncţiuni prezentată poate fi realizată în mai multe feluri, fiecare
cu propriile avantaje şi dezavantaje. O modalitate de izolare a două tranzistoare de
tip npn se obţine în urma difuziilor de colector într-o plachetă de siliciu de tip p
(fig.6.2).

Placheta de siliciu de tip p (fig.6.2.a) este oxidată (fig.6.2.b), urmând ca în

stratul de oxid să se fotograveze (masca 1) ferestre (fig. 6.2.c). În ferestrele

13
realizate se difuzează (difuzie de tip n) colectorul celor două tranzistoare. După
reoxidarea plachetei (fig. 6.2.d) printr-un nou proces fotolitografic (masca 2) se
deschid ferestrele de bază (fig. 6.2.e). Se oxidează din nou placheta (fig. 6.2.h) şi
prin procesul fotolitografic (masca 3) se deschid ferestrele de emitor, după care se
difuzează emitoarele tranzistoarelor (fig. 6.2.h). Se deschid ferestrele contactelor
(masca 4) şi se metalizează structura (depunere Al). Se gravează stratul de Al
(masca 5) şi se realizează contactele (fig. 6.2.i). Colectoarele celor două
tranzistoare, astfel realizate sunt separate galvanic prin joncţiunea n-p pe care o
formează fiecare colector (zona n) în raport cu substratul de tip p.

O altă modalitate de izolare a structurilor, mai frecvent utilizată este cea care
realizează regiuni izolate (insule) în stratul epitaxial de tip n depus pe placheta
semiconductoare (substrat) de tip p. Etapele realizării "insulelor" sunt următoarele:

- creşterea unui strat epitaxial de tip n pe substratul de siliciu (de tip p) şi

apoi oxidarea stratului depus (fig. 6.3.a);

- deschiderea ferestrelor pentru difuziile de izolare (fig. 6.3.b);

- difuzia cu impurităţi de tip p pe adâncime mai mare decât stratul epitaxial (fig.
6. 3.c);
- reoxidarea suprafeţei şi pregătirea etapelor de realizare a elementelor din
structura C.I. (în stratul epitaxial al regiunilor izolate).

14
 Prin parcurgerea etapelor enumerate anterior (fig.6.3) se ob ţin regiunile n, care
reprezintă insulele, în care urmează să se realizeze componentele circuitului
integrat. Dimensiunile zonelor izolate sunt în funcţie de dimensiunile componentelor
care urmează a se realiza în interiorul lor, de precizia poziţionării măştilor şi de
precizia de localizare a straturilor dopate (difuzie sau implantare).
Separarea componentelor se obţine prin conectarea zonelor, care conţin difuzii
de izolare sau a substratului, la cel mai negativ potenţial din circuit, iar stratul
epitaxial de tip n din regiunile izolate (insule) trebuie să fie polarizat la potenţialul cel
mai ridicat din circuit.

Izolarea galvanică cu joncţiuni p-n polarizate invers permite obţinerea unor

rezistenţe de izolare mari (rezistenţa inversă a joncţiuni). Tranzistoarele bipolare npn
şi pnp, izolate în acest fel, sunt limitate din punct de vedere al frecvenţei maxime,
datorită capacităţilor parazite ale joncţiunilor de izolare, capacităţi care pot introduce
cuplaje parazite între componentele învecinate.
La circuitele integrate de frecvenţă mare izolarea componentelor se realizează cu
alte tehnici cum ar fi: cu strat de bioxid de siliciu localizat (LOCOS) sau prin
corodarea substratului.

b) Tehnici de realizare a tranzistoarelor bipolare din C.I.

Dintre elementele componente ale circuitelor integrate tranzistoarele ocupă o

pondere ridicată. Etapele principale de realizare a tranzistoarelor planar epitaxiale
din C.I. sunt asemănătoare cu cele de la tranzistoarele discrete, dar intervin şi
operaţii suplimentare. Operaţiile suplimentare care apar sunt determinate de:

- izolarea între ele a dispozitivelor implementate;

- aducerea contactului de colector în planul de conexiuni (faţa superioară a
plachetei);
- reducerea rezistenţei echivalente serie.
Tranzistoarele integrate prezintă o dispersie mai mare a parametrilor decât
omoloagele lor discrete.

De exemplu: tensiunea de saturaţie UCEsat la tranzistorul integrat este mai mare

decât la cel discret, deoarece colectorul se conectează pe aceeaşi parte a cipului ca
şi ceilalţi electrozi (baza, emitorul) şi prin aceasta creşte rezistenţa serie de colector.

Simultan cu realizarea tranzistoarelor npn, în regiunile izolate (insule) ale

cipurilor de pe plachetă, se realizează şi alte elemente necesare unui circuit integrat
analogic sau logic:

- tranzistoare pnp laterale sau de substrat;

- rezistoare difuzate;
- condensatoare de valori mici (pF, zeci pF).

15
 În figura 6.6 se indică o secţiune printr-o zonă a unui circuit integrat, care pe
substratul de tip p, în stratul epitaxial, conţine două zone izolate (Zona 1 şi Zona 2).

În interiorul zonei 1 s-a realizat un tranzistor tip npn şi în zona 2 un strat difuzat
care poate constitui baza unui viitor tranzistor sau elementul rezistiv al unui rezistor
difuzat. Componentelor sunt izolate între ele prin joncţiunile care în funcţionare se
vor polariza în sens invers. Straturile puternic impurificate n+, situate sub stratul
epitaxial (strat îngropat) au rolul de reducere a rezistenţei serie de colector. Într-un
circuit integrat după implementarea componentelelor, în interiorul insulelor, se

realizează legăturile electrice (conexiuni) între contactele metalizate ale acestora.

Fig. 6.6 Secţiune printr-o parte a structuri unui circuit integrat

c) Tehnologii moderne în fabricaţia tranzistoarelor din C.I

Elementul de circuit cel mai utilizat, care intră în structura unui C.I. este
tranzistorul bipolar tip npn, motiv pentru care procesul tehnologic a fost încontinuu
perfecţionat pentru ob ţinerea performanţelor optime. Caracteristicile T.B. din
structura C.I. au devenit comparabile cu cele al T.B. discrete.

Tendinţele din fabricaţia C.I. moderne sunt:

- creşterea frecvenţei de lucru; această cerinţă impune realizarea unei baze
subţiri (wB din relaţia 8.1) pentru reducerea timpului de tranzit a purtătorilor
de sarcină;
- scăderea dimensiunilor dispozitivului; prin aceasta se reduc capacităţile
parazite ale structurii.
Pentru realizarea acestor cerinţe a fost dezvoltată o nouă tehnologie bipolară
care se caracterizează prin:

- creşterea unui strat epitaxial mai subţire şi mai puternic dopat;

- izolarea structurilor cu oxid (LOCOS) şi nu cu joncţiuni polarizate invers;
- folosirea unui strat de siliciu policristalin care serveşte ca sursă de dopare
a

16
 emitorului;

Structura care se obţine după oxidarea localizată (SiO 2 de izolare) pentru

izolarea regiunii de zonele învecinate şi delimitarea contactului de colector se

prezintă în figura 6.11. Oxidul de izolare se extinde până la substratul p, izolând

astfel între ele regiunile epitaxiale de tip n (şanţuri).
Se efectuează apoi următoarele operaţii:

- implantare ionică în zona de colector; zona implantată este redistribuită

prin difuzie până la stratul îngropat, obţinându-se astfel o cale de
rezistenţă mică către colector.
- procesul fotolitografic pentru deschiderea ferestrelor de implantare a
bazei;
- Implantare ionică tip p (implantare de Bor ) a zonei bazei

Pentru acest tip de tranzistor o problemă dificilă, din punct de vedere

tehnologic, o reprezintă formarea zonelor de grosime foarte mică pentru bază şi
emitor şi asigurarea unui contact ohmic de mică rezistenţă pentru bază şi emitor.

Rezolvarea acestor probleme se face prin utilizarea ca sursă de dopare a

siliciului policristalin. În acest caz, succesiunea operaţiilor specifice este
următoareae:

- depunerea unui strat de polisiliciu;

- proces fotolitografic de mascare şi corodare a siliciului policristalin cu

excepţia zonei emitorului;

17
 - difuzia din siliciu policristalin a impurităţilor de tip n în regiunea cu grosime
foarte subţire ce formează emitorul (n+);
- implantarea de tip p de concentraţie mare a zonei bazei, a părţilor care nu
sunt acoperite cu polisiliciu; implantarea are rolul de formare a zonelor cu
rezistenţă mică pentru contactarea bazei (formarea structurii autoaliniate);
Alinierea bazei faţă de emitor se realizează automat şi nu depinde de
precizia de aliniere a măştilor.

- Metalizarea contactelor de bază şi de colector, contacte care pot să se

extindă şi peste stratul de oxid, deoarece şanţurile sunt umplute cu oxid
de siliciu; în acest fel se reduc dimensiunile minime permise pentru bază
şiemito

Capitolul VII: Masuri de sanatate si securitate in munca (protectie

impotriva pericolului de electrocutare)

Pentru protectia impotriva electrocutarii prin atingere directa (atingerea directa a

cablurilor ne izolate, a bornelor sau a altor piese conductoare, care in mod normal se
afla sub tensiune)  trebuie sa se aplice masuri tehnice si organizatorice. Masurile
organizatorice le completeaza pe cele tehnice in realizarea protectiei necesare.

Masurile tehnice care pot fi folosite pentru protectia impotriva electrocutarii prin
atingere directa sunt urmatoarele:    

a) acoperiri cu materiale electroizolante ale partilor active (izolarea de

protectie) ale instalatiilor si echipamentelor electrice;    
b) inchideri in carcase sau acoperiricu invelisuri exterioare;    
c) ingradiri;    
d) protectia prin amplasare in locuri inaccesibile prin asigurarea unor
distante minime de securitate;    
e) scoaterea de sub tensiune a instalatiei sau echipamentului electric la
care urmeaza a se efectua lucrari si verificarea lipsei de tentiune;    
f) utilizarea de dispozitive speciale pentru legari la pamant si in
scurtcircuit;    
g) folosirea mijloacelor de protectie electroizolante;    
h) alimentarea la tensiune foarte joasa (redusa) de protectie;    
i) egalizarea potentialelor si izolarea fata de pamant a platformei de lucru.

Masuri organizatorice care pot fi aplicate impotriva electrocutarii prin atingere directa
sunt urmatoarele:    

a) executarea interventiilor la instalatiile electrice (depanari, racordari, etc.)

trebuie sa se faca numaide personal calificat in meseria de electrician,
autorizat si instruit pentru lucrul respectiv;    
b) delimitarea materiala a locului de munca (ingradire);    
c) elaborarea unor instructiuni de lucru pentru fiecare interventie la instalatiile
electrice;    
d) organizarea si executarea verificarilor periodice ale masurilor tehnice de
protectie impotriva atingerilor directe

18
Pentru protectia impotriva electrocutarii prin atingere indirecta (atingerea carcaselor
sau a altor componente metalice care in mod normal nu se afla sub tensiune)
trebuie sa se realizeze si sa se aplice numai masuri si mijloace tehnice nu si masuri
organizatorice.

Pentru evitarea electrocutarii prin atingere indirecta trebuie sa se aplice doua masuri
de protectie : o masura de protectie principala, care sa asigure protectia in orice
conditii, si o masura de protectie suplimentara, care sa asigure protectia in cazul
deteriorarii protectiei principale.     Cele doua masuri de protectie trebuie sa fie astfel
alese incat sa nu se anuleze una pe caelalta. In locurile putin periculoase din punct
de vedere al pericolului de electrocutare este suficienta aplicarea numai a unei
masuri de protectie, considerata principala.

Masurile de protectie pentru atingerea indirecta pot fi:    

a) folosirea tensiunilor foarte joase de securitate;    

b) legarea la nulul de protectie;    
c) legarea la pamant;    
d) izolarea suplimentara de protectie, aplicata utilajului atuncea cand se
fabrica;    
e) izolarea amplasamentului;    
f) separarea de protectie;    
g) egalizarea si/sau dirijarea potentialelor;    
h) deconectarea automata in cazul aparitiei unei tensiuni sau a unui curent de
defect periculoase;    
i) folosirea mijloacelor de protectie electroizolante 

19
 Concluzii

Se numeşte proces oscilatoriu (oscilaţie) variaţia în timp, după o lege

periodică sau cvasiperiodică a mărimilor fizice caracteristice unui sistem, variaţie
corelată cu o conversie a energiei dintr-o formă în alta.

Exemple: oscilaţii mecanice (sistem mecanic oscilant într-un mediu elastic),

oscilaţii electromagnetice (într-un circuit “RLC” alimentat la tensiune sinusoidală),
oscilaţii termice, electromecanice, magnetomecanice.

Oscilatoarele sunt generatoare de oscilaţii electrice întreţinute, cu frecvenţe

proprie (care deci funcţionează fara semnal de intrare).
Faţă de amplificatoare, oscilatoarele prezintă asemanari şi deosebiri.

Asemanarea constă în proprietatea comună de a transforma energia de curent

continuu a sursei de alimentare in energie de curent alternativ a semnalului generat.

Deosebirea constă, in primul rand, in faptul ca pentru executarea acestei

operaţii amplificatoarele necesită un semnal de comandă, pe când oscilatoarele
lucrează fară semnal exterior de comandă.

În al doilea rând, semnalul de ieşire al unui amplificator are frecvenţă dată de

semnalul de intrare, pe când semnalul generat de oscilator are frecvenţa dată de
parametrii circuitelor care il compun.

20
 Bibliografie

1. https://biblioteca.regielive.ro/cauta.html?s=Amplificatorul+opera
2. TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE- T.E.-Cap.9
3. Laurenţiu Frangu, Circuite Electronice Fundamentale – 2008 105
4. Nicoleta_Eseanu_-_Fizica_TET_Anul_1_(2014)/Cap.II.Oscilatii.pdf
5. http://n-referate.blogspot.com/2008/09/referat-generatoare-de-semnal.html
6. Gabriel Oltean, "Circuite electronice", Editura U.T. Press, Cluj-Napoca, 2007;
7. Ovidiu Pop, Gabriel Chindis, Ana Rusu, "Proiectare asistata a circuitelor
electronice", Editura Casa Cartii de Stiinta, Cluj-Napoca, 2019;
8. Ovidiu Pop, Curs Proiectare Asistata de Calculator;
9. http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/cef/cef.htm
10. http://www.mce.utcluj.ro/pac.html#

21