Deea1 1 PDF

CUPRINS
Prefat5...... 3
1. Dioda redresoare 5
2. Dioda Zener. Stabilizator de tensiune cu diodi Zener........ 13
3. Studiul redresoarelor monofazate cu diode 22
4. Studiul tranzistorului bipolar in conexiune emitor comun....... 34
5. Circuite de polarizare a tranzistorului bipolar....... 40
6. Comportarea tranzistorului bipolar la semnal mic............ 49
7. Repetorul pe emitor 55
8. Amplificatoare cu tranzistoare bipolare.. 62
9. Tranzistoare cu efect de cAmp cu joncliune (TEC-J).. 71
10. Tranzistoare cu efect de cAmp Metal-Oxid-Semiconductor. 81
1 1. Studiul tiristorului.. 90
12. Studiul dispozitivelor multijoncliune - triacul 9i diacul.... 97
1 3. Dispozitive optoelectronice..... 104
14. Stabilizatoare liniare de tensiune. 118
15. Circuite de alimentare 125
1 6. Prezentarea gi testarea dispozitivelor semiconductoare utilizate
in aplicalii practice 134
17. Probleme cu diode semiconductoare........ 152
18. Probleme cu tranzistoare bipolare.... 157
19. Circuite de polarizare a tranzistorului bipolar - probleme 166
20. Modelarea functionirii tranzistorului bipolar la semnal mic gi
frecvente joase....... 177
21. Probleme cu tranzistoare cu efect de c6mp......... 189
22. Anexd. 196
23. Referinle bibliografice . 219
Electronici analogici - aplicalii
PREFATA
Electronica este gtiinla care se ocupa cu studiul 9i aplicaliile

migcirii sarcinilor electrice intr-un gaz, vid sau semiconductor. Electronica
este considerati o parte a electrotehnicii, tehnicile electronice aplicandu-
se in cele mai diverse domenii de activitate - industrie, comunicalii,
medicind, apirarea militard 9i divertlsment. Practic, in zilele noastre
electronica este omniprezenti. in aceste condi!ii, ultimele decenii
au
incoronat Electronica ca regind incontestabild a revoluliei tehnico-
gtiinlifice, avAnd in vedere dinamica sa de dezvoltare, impactul exercitat
asupra celorlalte domenii de activitate, pornind de la gtiinli 9i tehnologie
panS la viala sociali. Realizirile actuale, ca 9i cele care se anunli pentru
viitorul apropiat in aplicaliile industriale, economice 9i sociale, conduc
la
afirmalia ci procesul de dezvoltare a electronicii nu S-a incheiat'

lmplicarea electronicii in aplicaliile tehnice, medicale 9i sociale
legate de echipamente laser, echipamente pentru prelucr}ri optice,
biochimie, biofizici, lesuturi vii cu funclii electronice etc., duc electronica
printr-
la un nou nivel in societate, caraclerizat atOt prin scopuri noi, cAt 9i
un nou mod de abordare. Oarecum pe nesimlite, in fiecare zi, au crescut
atat criteriile de evaluare a performanlelor cat 9i nivelul cerinlelor fali de
echipamentele 9i sistemele electronice'
in ultimul deceniu, aproape in fiecare zi au aperut sisteme 9i
componente electronice noi, care au deschis noi cdi de conectare dintre
nivelurile tehnic biologic Social, absolut necesare in prezent
pentru
- -
prelucrarea unei cantitdli enorme de informalie, care apoi s6 poati fi
accesibild creierului uman. in acest context, electronica prezentului este
de fapt electronici funclional5, fdri de care societatea actuali nu ar mai
putea si se mai dezvolte.
concomitent, societatea prezentului se confruntd cu o probleme
gravi din punct de vedere tehnic - utilizatorii 9i chiar, inginerii care
folosesc diverse sisteme electronice sunt preocupali foarte pulin de
structura acestora, dar foarte mult de funcliile indeplinite de acestea si de
prelul de cost, deoarece, din pdcate, triim intr-o lume conduse de mediul
financiar.
in aceste conditii, autorii doresc si atragd atenlia' in special celor
care se formeazi in acegti ani pentru viala activi, ci ignorarea
practicii
Electronicd analogici - aplicalii
1. DIODA RE
ingineregti, poate avea urmeri dezastruoase asupra formirii ca
specialist,
1.1. Obiect.
at|t din punct de vedere al formirii competentelor specifice, cAt 9i al , e
formdrii capacitilii de analizd 9i sintezd a cunostinlelor dob3ndite'

al
Y r-_ i
dezvoltirii unei capacitili de comunicare corespunzdtoare' Observaliile ^l.--- -.
noastre au evidenliat una dintre cauzele deficienlelor apirute in

practica ) ^^-
inglnereasci - in ultimii ani domeniul electronicii analogice este
abordat
superficial de viitorii specialigti in electronici, calculatoare si
sisteme
ve'' :,: -
Regretabill
electrice, ba chiar este Vezut ca o ,,cenusireasi" a electronicii' e e::-:=
este faptul cd deseori, aceasta tendinla vine chiar din 9coal6 -
licee 9i
universitdli - unde adesea se doregte reducerea activitililor aplicative' 1.2. Cons c=r'
Considerdm absolut necesare aplicaliile din domenrul electronicii
aspectele 1.2.1. Gene'=
analogice pentru orice specialist, cartea prezentAnd echilibrat
I
conceptuale gi fenomenele fizice, pe care se bazeazi diferite tipuri de --: -

[-
dispozitive 9i circuite fundamentale tratate. Lucrarea permite asimilarea adesea r: ::-
permilAnd
unor tehnici de analizi cantitativd a diferitelor solulii de circuit, lt-
U. -. li
ulterior abordarea unor probleme mai complexe de proiectare a circuitelor neliniare = :,:
gi subsistemelor electronice, folosite in numeroase aplicatii industriale' (permite :-=::?-
automatizdri, telecomunicalii etc. redresoa'= :=
Autorii consideri ce parcurgerea cd(ii 9i realizarea aplicaliilor energte 3= : _:
propuse pot constitui o bazi consistentS 9i stabild de cunogtinle, o Hz)
investilie pe termen lung, necesare celor care se iniliaz| in domeniul I- ^----= :
electronicii, lucrarea contribuind la imbogilirea procesului de instruire doud te- -::

practicd a studenlilor. ilustrat ln = :--
Autorii
+
Suceava, iulie 2016
4
Electronicd analogicd - aplicalii
1. DIODA REDRESOARE
1.1. Obiectivele aplicaliei
- prezentareafunclioniriidiodei redresoare;
- observarea influen[ei temperaturii asupra caracteristicii statice a
diodei redresoare;
- prezentarea principiului de func[ionare al ohmmetrului analogic ai
verificarea unor diode redresoare prin mdsurarea rezistenfei
electrice in conduc[ie directd gi inversi.
1 .2. Consideratii teoretice

1.2.1. GeneraliGti
Dioda redresoare este un dispozitiv electronic fundamental, foarte
adesea utilizat in realizarea circuitelor electronice.
Utilizirile diodei redresoare se datoreazd atilt caracteristicii sale
neliniare (Figura 1.1), cit gi proprietifilor sale de dispozitiv unidirecfional
(permite trecerea curentului intr-un singur sens). in generar, diodere
redresoare se folosesc la transformarea energiei de curent alternativ in
energie de curent continuu, iar frecvenfele de lucru sunt joase (50...60
Hz).
Dioda redresoare se bazeazd pe o joncliune pn, previzuti cu
doui terminale - anod (A) gi respectiv catod (K). Simbolul diodei este
ilustrat in Figura 1.2.
lo(mA)
Ur(V) U.t, 2OO 1OO
0.2 0.4 0.6
Ge lr(mA)
Figura 1.1 Caracteristica curent-tensiune a unor diode redresoare
5
Electronici analogicd - aplicalii
in aces: :,-
+t 5
Figura 1'2 Simbolul grafic al diodei redresoare

aceasta perrr:= "=
aproximativ e ,t--:
tensiune direc: = :
prag.
Tens --==
in Figura 1.3 sunt ilustrate cAteva dintre cele mai utilizate capsule deschide o c::: :
pentru diode redresoare. in general, catodul unei diode este reprezentat din care este ': = : ,
c6nd nu
printr-un inel colorat distinct fa!5 de restul suprafetei diodei, atunci
firmelor de prag este -:-.
este marcat simbolul grafic. ldeal, trebuie consultate cataloagele siliciu tensir '= = -:
pentru to1in"t", oricdror informatii (terminale, parametri
producitoare Dioc= ':: :
etc.) cAnd borna :-: .
Diodele de mici 9i medie putere se incapsuleazS in material iar borna r::=' .
plastic sau sticld, iar diodele de putere au capsuld metalicS, forma rezistorul c: : ':
capsulei permi[and fixarea diodei pe un radiator utilizat pentru ricire'
diodi este ': = -
=-
a diodele :- :: - =
oaloreazi -::::-.
aceste cc-: ' _: -.
=
egald cu r:-: - -: =
T^--
rite in -:-:-..
Figural'3Diversecapsulealediodelorredresoare
cuterea cs::: :.
-!^^ ^ L : -
l.2.2.Polarizareadirectigiinversdadiodeiredresoare
se consideri cd o diodd este polarizatd direct, atunci cind borna
rezistor
pozitivd a unei surse este conectatd la anod, prin intermediul unui - :- d .= : - - i
de limitare a curentului (Figura 1.4a)' 'a-'a

=
RloRlr
=--::= -;
, ==( 1: ia-. ^= - _ -:
-.-..-
- - i --_:
ab -
-:-_: _ :::: :i :
Figura 1.4 Polarizarea directS 9i inversa a unei diode redresoare
Electronicd analogicd - aplicatii
in acest caz, rezistenta electrici a diodei este destul de mici, iar

aceasta permite trecerea unui curent direct (/a) relativ mare, care variazd
aproximativ exponential cu tensiunea aplicati la borne. Ciderea de
tensiune directd (la bornele diodei) este aproximativ egali cu tensiunea de
prag.
Tensiunea de prag este tensiunea minimi necesari pentru a
deschide o diodi redresoare, a cirei valoare depinde de semiconductorul
din care este realizatd dioda. Astfel, pentru diodele cu germaniu tensiunea
de prag este uzual cuprinsi in plaja 0,15...0,35 V, iar pentru diodele cu
siliciu tensiunea de prag ia valori cuprinse intre 0,6...0,8 V.
Dioda redresoare se consideri ci este polarizati invers atunci
c6nd borna pozitivd a sursei de tensiune este conectati la catodul diodei,
iar borna negativd a sursei la anodul diodei (Figura 1.4b). in acest caz,
rezistorul de limitare a curentului nu este necesar, deoarece curentul prin
diodi este foarte mic, putdnd fi considerat practic nul (curent de ordinul prA
la diodele cu germaniu 9i de ordinul nA la diodele cu siliciu). Acest fapt se
datoreazi rezistentei electrice foarte mari a diodei polarizati invers. in
aceste condilii cdderea de tensiune inversi poate fi consideratd ca fiind
egali cu tensiunea sursei de alimentare.
Tensiunile aplicate unei diode redresoare nu pot depigi anumite
limite. in conduclie directi, curentul prin diodi ar cregte foarte mult gi
puterea disipati pe diodi Po=Uo.lo at depdgi puterea de disipalie
admisibili Pan, dioda distrugandu-se termic. in conduclie inversi, pentru o
tensiune Ur ptea mare (in valoare absolut5), dioda este stripunsi,
curentul prin ea cregte brusc ai necontrolat, dioda putandu-se distruge,
daci acest curent nu este limitat de o rezisten[5 serie exterioard. Valoarea
Usr' a tensiunii Ur la care are loc stripungea diodei este specificati de
firma producdtoare, in cataloagele sale (tipdrite sau on-line), gi nu trebuie
depigiti in timpul funclionirii.
Principalii parametri ai diodelor redresoare sunt curentul direct
maxim admisibil /o,v gi tensiunea inversd maxim adimisibili tJru.in prezent,
se fabrici diode redresoare cu curenti direcli cupringi intre 500 mA 9i sute
de amperi, respectiv tensiuni inverse cuprinse inlre 100 V gi cAliva kV.
in practici, este important de relinut ci orice diodi poate fi
verificati cu ohmmetrul (analogic sau digital). in acest rationament, daci
marcajul diodei este gters. se pot identifica terminalele anod gi catod prin
mdsuritori cu ohmmetrul. DacE dioda prezinti o rezistenli de valoare
Electronicd analogici - aPlica$i
micd, aceasta inseamni ci este polariza6 dired., iat terminalul legat la

"plusul" ohmmetrului este anodu! diodei. De remarcat, ci in cazul folosirii
unui multimetru analogic, Tn fundionarea @ ohmmetru polaritatea
bornelor este inversatS.
1.2.3. Principiul de funclionare al ohmmetrului analogic

Schema electricd simplificati a unui ohmmetru analogic este
prezentatd in Figura 1.5.
lnstrumentul de misuri indicd valoarea curentului din circuit, care
depinde de valoarea rezistenlei necunoscute R, (rezistenla de misurat,
de exemplu, rezistenla diodei redresoare). Putem scrie relalia.
E
t- Rr+R*
(1 .1)
cum Rx este invers propo(ional in raport cu curentul /, rezulti

doui proprietiti ale scalei ohmmetrului:
- scalaohmmetruluiesteneliniarS;
- zeroul scalei ohmmetrului este in partea dreapti a aparatului, in
stare liberi acul aparatului indicind rezisten[i maximd (rezistenli
care tinde la infinit). --= -
cu ajutorul poten[iometrului Rp se regleazd curentul maxim prin
instrumentul de misurd (pentru Rx=o, l/,|r*=E/Re), realizandu-se astfel
calibrarea ohmmetrului (reglarea zeroului). in acest fel este posibild
folosirea aceleiagi scale pentru toate gamele de mdsuri'
\: -i: -: : --: -
:::: -::-::t
Figura 1.5 Schema electrici simplificati a unui ohmmetru analogic
8
intr-adevdr, daci doui game de mdsuri ?u lmaxz=n-lnaxr, urrda

lnan=E/Rpr gi l,n2r2=E/Rpz, atunci Rpr=tt 'Rez gi cele doui rezistente Rxr
gi Rxz, care dau aceeagi devia[ie pe cele doui game (12=n./r) vor fi in
raportul:
(1 2)
(1 3)
Practic, inaintea efectuirii unei masurdtori cu ohmmetrul analogic
este necesari calibrarea aparatului (aducerea acului indicator la ,,zeto"),
prin scurtcircuitarea testerelor de mdsurd (Rx=0) gi ajustarea valorii lui Rp.
Calibrarea trebuie refdcuti la orice trecere dintr-o gami in alta.
1.3. Aplicalie practici
1. Se vor misura rezistentele electrice ale unor diode cu Ge gi respectiv

Si, in conductie directi gi inversi, pe cel pulin patru game de misuri
ale unui ohmmetru. Rezultatele obfinute se vor nota in Tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
R TO/ Germaniu Siliciu
Gama Direct lnvers Direct lnvers
2. Se realizeazi montajul din Figura 1.6 pentru trasarea caracteristicii

diodei in conduc[ie directi. lnilial se fixeazd E=0. Se conecteazi in
circuit o rezisten!5 de limitare a curentului, in valoare de 330Q.
Miliampermetrul se comuti pe o gami de minim 25mA gi voltmetrul pe
o gami de minim 7 V Voltmetrul se va conecta in pozi(ia 7 pentru
curen[i mai mici de 1mA 9i in pozilia 2 pentru curenli mai mari sau
egali cu 1mA. Se va regla tensiunea E, spre valori superioare,
urmirind valorile prestabilite ale curentului /o din Tabelul 1.2. Se vor
citi valorile lui Uo pentru curenlii prestabilili /o nota[i in Tabelul 1 .2.
'1 z
Tabelul
-,
6 a ctri,"i, o" ri st i ci i d io d e i
F is u ra 1 - S ch e m e Ie
:"$', :,.ff: l",l"l?J'
caracteristicii statice a diodei'

3. Se observi influenla temperaturii asupra
utilizindstaliadelipitlaotemperaturSde2SC0C.Astfe],pentru
lo=llmAseVapuneincontactdirectvirfulsta[ieidelipitcuun
Io' inainte
valorile lui
Uo 9i
terminal al diodei timp de 20s. se observS
Tabelul 1'3'
9i dupi incdlzire' Se compleleazd
Tabetul 1.3
Germaniu Siliciu
Cald Rece Cald
Rece
10 10
Conduclie lo [mA]
directi Uo [V]
4.Pentrutrasareacaracteristiciiinconduc[ieinversiseinlocuiegte
se inverseazdgozifia diodei, in
rezisten[a de 3300 cu alta de lkQgi
conformitatecumontajuldinFigural.T.Voltmetrulseconecteazdin
pe o gami de minim 25V 9i
pozilia 1. Se lixeazd E=O,iar voltmetrul
miliampermetrulpeogamdordinulpA(deexemplu'50ttA)'Se
modificdcrescdtortensiuneaEdela0la24VgisecompleteazS
Tabelul 1.4.
10
Electronici analogici - aplica[ii
Tabelul 1.4
Ur[V] 0,4 06 08 1 2 5 10 15 20 24
ItfttA] Ge
Si
\\\
E
L
+
Figura 1.7 Schema electricd pentru trasarea caracteristicii diodei

redresoare in polarizare inversd
5. Proba de incdlzire pentru polarizare inversE se efectueazd pentru

Ur=2V in aceleagi conditii ca la polarizarea directS. Rezultatele
obtinute se trec in Tabelul 1.5.
Tabelul 1.5
Germaniu Siliciu
Rece Cald Rece Cald
Conduc[ie It[ttA]
inversi ut[v] 2 2
6. Se vor identifica parametrii diodei redresoare de tip 1N4007. Gisili un

tip de diodi echivalenti
I .4. Evaluarea cunogtintelor
1. Utilizarea diodei redresoare

2. Care sunt condiliile necesare pentru ca o diodi redresoare si intre
in conduclie directd?
11
Electronic5 analogici - aplicafii
3. in ce condi[ii s-ar putea produce stripungerea diodei redresoare? 2. DIODA fiN{E

4. Notali Tn ce constau fenomenele fzice care produc strSpungerea
D]ODA ZE\==
diodei redresoare.
5. Preciza[i valorile tensiunii de prag pentru diodele cu Ge 9i si. 2.1. Obiect '= e =,:r
6. ArgumentAnd rispunsul, preciza[istarea de conduclie a uneidiode
cu Si, dacd tensiunea sa de polarizare este mai mica decit - S'-:: :: --
tensiunea de Prag'
7. Care sunt avantajele utilizdrii diodelor cu sifa[d de cele cu Ge?
::-: - -n --
lndicali dacd urmitoarele afirma[ii sunt adevSrate, argumentand
rispunsurile:
2,2, Cons ::-: E
2.2,1. Ge-e-
8. O diodi realizati din si, polarizati cu ,,+" pe anod, cu o tensiune
=:
- -'-= -: ':' I
de 0,35V este polarizatd direct 9i ,,deschisi"' .^-.=..:::.--'-
g.Curentul/oprintr-odiodicuSi,scadeexponen[ialcutensiunea
aplicati direct.
10. in conduclie directi, dioda cu Si are rezistenld foarte
mici (zecimi =
:: I :'=.I--
de ohm). =':
este
11. Deoarece dioda este o componenti unidirec[ionald, anodul
-5
::-:: : -=- -=-

situat in stAnga catodului.
12. Dioda redresoare se poate mdsura cu voltmetrul
(analogic sau
digital).
13. DacS aparatul de mdsurS indicS o(zero),la verificarea unei
diode --:-
'=-S :: -=-:--=
redresoare, atunci dioda este intreruptS' --
14. Tensiunea de strSpungere a diodelor cu Si are valoarea de
220V'
15. in regiunea polarizirii inverse, caracteristica unei diode redresoare
este liniard.
12
2. DIODA ZENER. STABILIZATOR DE TENSIUNE CU

DIODA ZENER
inlelegerea funclionirii unei diode Zener,
studierea unui stabilizator de tensiune cu diodi Zener;
determinarea principalilor parametri ai unui stabilizator de
tensiune cu diodd Zener.
2.2. Consideratii teoretice

2.2.1. Generalititi
Dioda Zener este o diodi de constructie speciald, realizatd din Si,
conceputd sd func[ioneze in regiunea de strdpungere fird a se distruge.
in compara[ie cu dioda redresoare, la care stripungerea are ca efect
distrugerea iremediabili a jonctiunii, la dioda stabilizatoare de tensiune
o
are loc stripungere nedistructiv5. Aceastd strdpungere este
caracterizatd de o cregtere puternicd a curentului invers prin diod5, Tn
condiliile men[inerii aproximativ constante a tensiunii inverse la
terminalele diodei.
De obicei, dioda Zener este utilizati pentru stabilizarea tensiunii in
sursele de alimentare de curent continuu (c.c.), pentru realizarea unor
tensiunide referinld, in circuite de proteclie la supratensiuni.
Simbolurile diodei Zener sunt ilustrate in Figura 2.1.
Figura 2 1 Simbolurile diodei Zener
ldentificarea termrnalelor se face in acelagi mod cu cel descris

pentru dioda redresoare Constructiv, diodele Zener sunt aseminitoare
cu diodele redresoare obignuite avdnd diferit doar materialul
semiconductor, care are o concentratie mai mare de impuriti[i. AlegAnd in
13
ln c: =--: :=
mod corespunzdtor geometria joncliunii 9i nivelul de dopare in procesul de
SUfSel Se ---: :--
fabricalie, se pot construi diode Zener cu tensiunea de stripungere de la
aproximativ 1,8V la cAliva kV. Puterea disipatd admisibild pe diodele
strdpunge-i --:'
uner Jonc: _- :: .'
zener depinde de tipul capsulei (Figura 2 2) gi variazd de la 0,25w la
.
strdpunge'. l--= -
peste 50W. Firmele producitoare mentioneazd in foile de catalog,
in regtu^== := , : -
parametrii importanti ai diodelor Zener. cum ar fi: tensiunea nominali de
..
stabilizare Uz (tensiunea la care apare regimul de strdpungere), curentul "todrfici '=- =- : - .

n rapol :_ : :
invers maxim lzmax, pulatea maxim admisibili Porrr. De relinut cd este
,
'eziste^::::-:: -
foarte important ca tensiunea de stabilizare sd depindd cAt mai pulin de
lePa$r 3-':':: : .
temperaturd. j nni nn:-: - --- r r -
-::: := - -
,J -1'
't'
2 2,2, StraE - - ;: ': i :
Figura 2.2 Diverse capsule ale diodelor Zener
Reprezentand grafic dependenla curentului prin dioda Zener, in

funclie de tensiunea aplicatd la bornele ei, rezultS o caracteristicd care
este ilustratd in Figura 2.3.
lzro
Figura 2.3 Caracteristica curent-tensiune a unei diode zener
14
Electronicd analogici - aplicatii
in polarizarea inversi a diodei Zener (atunci cAnd borna pozitivi a

sursei se conecteazd la catodul diodei), se observi ci pini la
stripungere, curentul prin diodi este foarte mic (egal cu curentul invers al
unei jonc[iuni obiqnuite), acesta crescand brusc la atingerea tensiunii de
stripungere. Dupd ce punctul static de functionare al diodei zener a ajuns
in regiunea de strdpungere, tensiunea Uz de la bornele ei practic nu se
modifici, riman6nd aproximativ constanti, varialia alJz fiind foarte mici
in raport cu variatia relativ mare a curentului invers prin diodi. printr-o
rezistentd serie exterioari valoarea curentului trebuie limitati pentru a nu
depdgi puterea disipatd admisibili maximi pe diodi. Rezulti cd in
func[ionare normalS dioda Zener trebuie polarizatd invers.
in polarizare directi, caracteristica unei diode Zener este identici
cu cea a unei diode redresoare obignuite, unde curentul depinde
exponenlial de tensiunea aplicati, in sens direct, la terminalele diodei.
2.2.2. Stripungerea diodei Zener
Stripungerea nedistructivi a diodei Zener este caracterizati prin

cresterea puternici a curentului invers /2, in condiliile menlinerii aproape
constante a tensiunii inverse uz la bornele sale. Aceasti comportare este
rezultatul a doud efecte: efectul Zener 9i efectul multiplicdrii in avalansi.
Efectul Zenet, numit gi efect tunel, este un fenomen fizic care se
produce predominant pentru diodele zener cu tensiuni de strdpungere
cuprinse intre 7,8v 9i d7v. stripungerea prin efect zener se produce
datoriti acliunii campului electric intens, dat de cresterea tensiunii de
polarizare inversS, asupra electronilor de valentS, av6nd drept consecinli
formarea perechilor electron-gol. in esenli, fenomenul consti in trecerea
electronilor prin regiunea de tranzi[ie a jonc[iunii p-n, chiar daci au o
energie mai mici decAt cea necesard depigirii barierei de potenlial.
Multiplicarea in avalangd este un fenomen fizic care se produce la
diodele zener cu tensiuni de strdpungere mai mari de 8 v. Datoriti
tensiunii mari aplicate, se va crea un cdmp electric foarte intens, care va
accelera electronii, iar acestia vor acumula suficientd energie pentru ca
prin ciocnire cu atomii retelei cristaline s5 produci ionizarea acestora,
adici eliberarea altor electroni care, la rdndul lor, vor provoca noi ioniziri,
curentul rezultat crescAnd rapid (in avalangi).
15
t-
PentrudiodeleZenercutensiunidestrSpungerecuprinseintre
5,1 V gi 8 V, stripungerea joncliunii se
poate produce prin oricare dintre
Rez-:i :=
cele doui efecte.
E _=
2.2.3. Stabilizator de tensiune cu dioda Zener

R,n'
DeoareceinregiuneadestrSpungeretensiuneadelabornele
curentului prin dioda'
diodei zener nu se modifici pentru varialii mari ale E
Lr
va fi alimentati la o
rezulta c5 0 sarcind conectatd la bornele diodei zener
zener realizeazd o
tensiune aproximativ constanta. Cu alte cuvinte, dioda R-
stabilizare a tensiunii pe sarcini'
Rolul unui stabilizator este s5 asigure o tensiune
la iegire c6t mai
de intrare
stabili, in conditiile Tn care curentul prin sarcind sau tensiunea
principiald a unui
(de alimentare), variazS Tntre anumite limite. Schema
astfel de circuit este prezentati in Figura2'4'
Rllu
lz
'o, ) u, Rr-
Figura2.4Schemaprincipialsaunuistabilizatordetensiunecu
diodd Zener
ProiectareaunuicircuitstabilizatorcudioddZenerconstiin
determinarea valorii rezistenlei serie de limitare a
curentului (R), care
asigura func[ionarea diodei zenerin regiunea de
stripungere, atunci cind
a curentului
se cunosc limitele de variatie a tensiunii de alimentare E 9i
pe ochiul de intrare
prin sarcind Ii. Aplicind teorema a ll-a a lui Kirchhoff
putem scrie:
(2.1)
E = R.Qr+ lr)+L/,
curentului prin sarcini scade
Jinand cont de faptul c5 la cregterea
pentru o valoare E datd:
curentuiprin diodd, suma lor este constantd
16
ElectronicS analogicd - aplica(ii
l,+l-=
LZR
E -U.L
(2.2)
Rezulti c5.
E -r* : R . (l r-,, t / r-",)* U, (2.3)
R.n=F-"-U' (2.4)
lLri, llrr*
E.in = R.(lr-o + lr-,r)+ l), (2.5)
D Err-U,
,,m2x (2.6)
lr_r, *1._,n
Valoarea lui R se va alege in intervalullRîn, R^rrl.

in concluzie, stabilizarea tensiunii in raport cu variatia sarcinii, are
la baza urm5torul rationament: cand Rr Scade, curentul prin sarcini /r
creste, iar curentul prin dioda zener /z scade. Dioda zener continui si
menlind tensiunea constanti, pAni c6nd tz alinge valoarea minimd lz,in.
Acum curentul prin sarcini va fi maxim [Fro, 03]. curentul total prin I
rezistenta R, va rimAne practic constant.
in schimb, stabilizarea tensiunii in raport cu varialia tensiunii de
intrare se bazeazd pe urmdtoarele: cand tensiunea de intrare E variazd,
curentul prin dioda Zener lzvariazd propo(ional cu tensiunea de la intrare.
Limitele intre care variazd tensiunea de intrare sunt impuse de valorile
rninimd si respectiv maximd ale curentului la care poate functiona dioda
Zener (lzîn qi lz^"r).
Performanlele unui stabilizator de tensiune se pot exprima
procentual, evidenliind in ce misuri stabilizatorul este eficient.
Stabilizarea procentuali in raport cu varialia sarcinii arati varia{ia tensiunii
de iesire (u1) fale de o gami de valori in care poate varia curentul prin
sarcind (/r):
IRVCS=(+),oo^ (2.7)
unde:
- sRycs stabilizarea tensiunii in raport cu variatia curentului prin
-
sarcind;
- Uaot - tensiunea pe sarcini (de iesire), in gol (firi sarcini);
17
Electronicd analogicS - aplicatii
- lJtoin - tensiunea pe Sarcini (de iesire) la sarcind minimd (curent 25eC S: : .=.' = ,
maxim prin dioda Zenet 12,,,), Tabeu 2-

Stabilizarea procentuale in raport cu varia[ia tensiunii de intrare Tabelul2 2
este raportul dintre variatia tensiunii pe sarcini (de iegire) 9i varialia
tensiunii de alimentare (de intrare) exprimat in procente.
sRvrt =(o-!t).too% (2 8)
(Ê,/
7. Se realizeazi circuitul din Figura 2.5 pentru trasarea caracteristicii

diodei Zener in conductie inversi completindu-se Tabelul 2.1. --=
,= :=1:
Voltmetrul va fi pozi[ionat pe o gami de minim 10V, iar

miliampermetrul pe o gami de minim 25mA. Determinirile se fac cu
voltmetrul in pozi[ia 7 pentru curenti mai mici de 1 mA 9i cu voltmetrul
in pozi[ia 2 pentru curenli egali sau mai mari de 1mA.
68001L \-/ L,
E+
-,
Figura 2.5 Schema electrici pentru trasarea caracteristicii unei diode
Zener in polarizare inversi
Tabelul 2.1
lz[mA] 05 08 1 2 3 5 8 10 15 25
Uz[V]
8. Pentru lz=l1mA se citegte cu precizie valoarea Uz a tensiunii Uz,

apoi se va pune in contact direct vArful sta[iei de lipit cu un terminal al
diodei timp de 20s (se regleazi statia de lipit la o temperaturi de
18
Electronicd analogicd - aplicafii
25eq. Se citegte valoarea finald Uzz a tensiunii Uz. Datele se trec in

Tabelul2.2.
Tabelul2.2
Un [V] Uzz[V] CTUz
Se efectueazd calculul coeficientului de temperaturi al tensiunii de

stabilizare:
CTUZ = (2.e)
9. Se inverseazd dioda Zener gi se traseazd caracteristica in polarizare

directi (Figura 2.6). Voltmetrulva fi pozi[ionat pe o gama de minim 7V,
iar miliampermetrul pe o gami de minim 25mA. Determinirile se fac
cu voltmetrul in pozifia 7 pentru curenfi mai mici de 1mA gi cu
voltmetrul in pozi[ia 2 pentru curen[i egali sau mai mari de 7 mA. Se
completeazd Tabelul 2.3.
Tabelul 2.3
lo[mA] 05 1 3 5 10 15 20 25
Uo[V]
6800lL \-/
L,
\
E
l_
f
Figura 2.6 Schema electricd pentru trasarea caracteristicii unei diode

Zener in polarizare directd
10. se realizeazd circuitul din Figura 2.7, trasand caracteristica de iegire
Ut=f(lt) a stabilizatorului pentru E=20 V, completind Tabelul 2.4.
19
Tabelul 2.4
pe o gami de cel pulin

Aparatele de misuri se pozilioneazi astfel. mAr -
va avea
|00mA, mAzpecel pulin 2,mAgivoltmetrul pe cel pulin 70V. Se
grijd ca la conectarea sursei, potenliometrul Rr- si nu fie reglat pe minim
(zero ohmi).
:-T
2 ! :;.m5
=,'2 -2-=i
Dz Ru
_-.-[
r'
--=-- = -
Figura2'TSchemaelectriciastabilizatoruluicudioddZener -r- -= -_m

(cu sarcini variabili) -. -:_: - *T
11. Se inlocuiegte potenliometrul Rr. cu o rezisten[5 fixi de 1ka'

ajustind
realizindu-se circuitul Oin Figrt, 2'8. Se citesc valorile lui Ur-'
valoarea tensiunii de alimentafe E, conform Tabelului
2'5' Aparatele
de misurd rdm6n pozilionate ca la punctul nr. 4 al aplicaliei.
Tabelul 2.5
15 18 20 22 24
E
tV] 12
Ut[V] -::: _.:J*rd
20
Electronici analogicd - aplica[ii
Dz Rl
1ko
Figura 2.8 Schema electrici a stabilizatorului cu diodd Zener

(cu tensiunea de alimentare variabili)
2.4. Evaluarea cunogtintelor
16. Dependenfa curentului printr-o diodd zener in funclie de tensiunea

invers aplicati.
17 . De ce este necesari conectarea In serie cu dioda Zener a unei
rezistente?
18. Diferentele dintre o diodd Zener gio diodd redresoare.
19. Enumera[i parametrii caracteristici importanfi ai unei diode Zener.
2A.Precizati modul normalde lucru al uneidiodei Zener.
21. Explica[i functionarea unei diode Zener Tn polarizare inversi.
22. Utilizdrile diodei Zener.
lndicafi daci urmitoarele afirma[ii sunt adevirate, argumentAnd

rispunsurile:
23. Tensiunea de stabilizare a unei diode zener este tensiunea care

se aplici direct diodei.
24.La stripungerea diodei Zenet, curentul lzrdmilne constant.
25. Puterea disipati maximi la o diodi Zener este o func[ie de
temperaturi.
26. Dioda Zener poate avea rol de protec[ie la supracurenti.
27. Diodele Zener se pot monta in serie.
28. Tensiunea de stabilizare a doui diode zener montate in serie este
diferen[a dintre cele doud tensiuni de stabilizare.
21
Electronici analogici - aPlicafi
3. STUDIUL REDRESOARELOR TIONOFMATE GU DIODE

3.1 . Obiectivele aPlicatiei
- analiza functionarii redresoarelor monofazate monoalternanld 9i
dubli alternanld (bialtemanti);
- analiza funclionSrii filtrelor de netezire atagate redresoarelor
filtre;
monofazate 9i evidenlierea efedelor diferitelor tipuri de
- vizualizarea cu ajutorul osciloscopului a formelor de undd,
corespunzitoare varialiei in a
timp tensiunii sau curentului
redresat.
3.2. Gonsideralii teoretice

3.2.1. Generalitili 3 2"2 Rec"es:-- *rrl
intrucAt dioda redresoare este un dispozitiv unidireclional,
adici
electronice sunt
conduce curentul doar in sens direct, aceste dispozitive
energia de
utilizate pe scard largi in circuite electronice care transformd
curent alternativ In energie de curent continuu. in toate sursele de
tensiune continud alimentate cu tensiune alternativi de la releaua
electrici de 22OV 50H2, care asigurS distribufia citre consumatorii
casnici, se gisesc redresoare monofazate'
Sursa de alimentare de tensiune continud este un etajfundamental t
de calcul'
al oricdrui sistem sau aparat electronic, ca de exemplu' sisteme
!
laptop-uri, telefoane, tablete, televizoare, sisteme audio' circuite

electronice ale echipamentelor electrocasnice (combine frigorifice,
aspiratoare, magini de spilat rufe/vase etc.), echipamente
de laborator
etc. schema bloc simplificati a unei surse de alimentare de tensiune
continui este ilustrati in Figura 3.1'
+
legire
Transformator Redresor Filtru
de c.c.
Sarcini
220Y c.a.
50Hz
Figura 3.1 Schema simplificati a unei surse de tensiune continud
22
Utilizarea transformatorului este impusd de aspecte importante

precum modificarea tensiunii de curent alternativ de relea la nivelul
necesar pentru a obline tensiunea continui doriti 9i respectiv asigurarea
separirii galvanice a aparatului/echipamentului electronic respectiv de
releaua de curent alternativ.
cu ajutorul redresorului se obline o tensiune pulsatorie de curent
continuu redresatd mono- sau bialternanfd (se obline atat o componenti
continud, cAt gi o componenti alternativd - ondulatie).
Filtrul are rolul de a elimina pulsaliile tensiunii redresate, furnizAnd
la iegirea sa o tensiune continud relativ constanti. in acest scop se vor
utiliza filtre trece-jos, cu frecventa de tiiere foarte joasi.
3.2.2. Redresorul monoalternanli

Redresarea monoalternan[d este cel mai simplu circuit de
redresare, avind labazd schema din Figura 3.2.
^\r
u2 Rr-
Figura 3.2 Schema redresorului monoalternanti
si observim func{ionarea redresorului monoalternanti pentru o

perioadi a tensiunii din secundarul transformatorului uz. Atunci c6nd
tensiunea u2 este pozitivi, dioda este polarizati direct 9i permite trecerea
curentului prin rezistenta de sarcini Rr. curentul care trece prin R1
determini la iegire o tensiune tJt, a cdrei formi de undi reproduce forma
tensiunii de la intrare pe semiperioada pozitivi a acesteia (Figura 3.3). in
a doua semiperioadi a tensiunii din secundarul transformatorului, dioda
va fi polarizatd invers, curentul nu circuli prin R1, iar ciderea de tensiune
pe rezistenta de sarcind este de 0v. Deoarece, tensiunea de iegire nu-gi
schimbi polaritatea, se poate spune cd la iesirea redresorului apare o
23
Electronici analogicd - aplicatii
aqa cum se observi

balternar':i :-:-. : -:rr*
tensiune continud pulsatorie cu frecventa de 50H2, centru u' - :-,
din Figura 3.3.
==
'eOfeSa:e
= =-=- =-:=
_itM
Figura 3.3 Tensiunile de intrare 9i iegire pentru un

redresor monoalternan[i
este
Valoarea medie a tensiunii de iegire redresate monoalternan!5
valoareacarearfimisuraticuunvoltmetruc.c.Dinpunctdevedere
matematic, aceasta se determini calculand aria de
sub curbd, pentru o
perioadS completi 9i impi(ind-o apoi la numirul de
radiani dintr-o
perioadi (2fi. Se ob[ine:
(3
u."a:*Ir,-'sino ot =uT 1)
=:--= - - j':=m
: -; grl!
oredresarebuniestecaracterizatddepulsa[iicAtmaimici.Din
prezinti o eficienli
acest punct de vedere, redresorul monoalternanfd
-:
redusa. Pentru imbunSti[irea performantelor se folosesc redresoare -: - frfl]!ryll
L',=-= : -- -E
bialternant5. --
-l: -=- :: := - m
:: i---r - i-: -9 :
3.2.3. Red resoru I bialternanli (d u bli a lternanli)
4-l!i -: ! ^ffi
Redresorul bialternanti se deosebegte de
redresorul
.-:---=--J
alternanle,
monoalternanli prin faptul ci se obline o redresare a ambelor ?-i':= -: :--
de sarcine a unui
ceea ce presupune fuinizarea la iegire, pe rezistenfa :+ -: - 1'- :+ . -!E.g
semnalului de la
semnal pulsatoriu cu frecvenla dubli fala de frecvenfa
semnalului redresat
intrare. Deoarece numirul aliernanlelor pozitive ale
24
Electronici analogici - aplica{ii
bialternan!5 este dublu fald de cel oblinut prin redresarea monoalternanti,

pentru un interval de timp dat, valoarea medie a tensiunii oblinute prin
redresare bialternanli va fi 9i ea dubl6, adicd:
(3.2)
Redresoarele bialternanli sunt de doui tipuri:

- redresor bialternanld cu pr:izi medianS;
- redresor bialternan!5 in punte.
Redresorul bialternanli cu prizd mediani utilizeazd un
transformator cu prizi mediani, la care secundarul este realizat din doui
infSguriri identice care au un punct comun (priza mediani) 9i care
furnizeazd in secundar doui tensiuni alternative egale in amplitudine, dar
defazate cu 18@. La cele doud inf5gurdri din secundar se conecteazd
doui diode redresoare fu g Dz (Figura 3.4).
Figura 3.4 Schema redresorului bialternan!5 cu prizi mediani 9i

forma tensiunilor de intrare uzr, uzz si de iegire Ur
Pe timpul alternan[ei pozitive a tensiunii ur, polaritilile tensiunilor

alternative din secundar sunt cele prezentate in Figura 3.4. Astfel, in acest
moment dioda Dr este polarizatd direct, iar dioda Dz este blocati, fiind
polarizatd invers. Pe timpul altemantei negative a tensiunii ur, polaritSlile
tensiunilor ux gi uzzschimbi de semn, ceea ce duce la inversarea stdrilor
de conduc[ie dioda Dz v? conduce, iar dioda Dr y" fi blocatS. De
-
remarcat, ci prin rezistenta de sarcini Rr, cUt€otul trece in acelasi sens,
pe timpul ambelor alternante.
25
Redresorulbialternant6inpunteul\|izeazdpatrudiodeconectate
punte redresoare"' deoarece
ca in Figura 3.6. Circuitul este cunoscut ca
monobloc' cu patru
din punct de vedere practic circuitul este fabricat
uzuale'
t"rrinrt". in Figura 3.5 sunt prezentate citeva dintre capsulele
puntelor redresoare
Figura 3.5 Diverse capsule uzuale ale
Dr
Figura 3.6 Schema redresorului bialternanld

in punte 9i
forma tensiunilor de intrare u7' l'€sp€ctiv de iegire
UL
Pe timpul alternanlei pozitive a tensiunii de

intrare ur' diodele Dr 9i
Dsconduc,fiindpolarizatedirect,iardiodeleQ2giDlsuntblocate.Pea
starea de conductie
timpul alternanlei negative a tensiunii de intrare,
Dz Qi Dr' sensul
perechilor de diode se inverseazS, conducand diodele
de tensiune pe rezisten(a de sarcind Rr va
rdmine insi acelagi'
cdderii
Deoarecetensiuneadelaiegirearedresoarelor(atAt
monoalternanli,citgibialternan!5)estedeformdpulsatorie,pentru
necesitdlilecurentedealimentareaechipamentelorelectroniceeste
necesarionetezireputernicsatensiuniiredresate.Prinurmare,in
practici se utilizeazi filtre de netezire'
26
Electronrcd analogic5 - aplicatii
- ; 4, Filtre pentru redresoare monofazate

Filtrele de netezire sunt de obicei, filtre trece jos care elimini
-etic) fluctuatiile de tensiune de de la iesirea redresoarelor
=:
- --cfazate, livrAnd o tensiunecontinui de nivel aproximativ constant.
Filtrele sunt necesare deoarece aparatele electronice necesitd
:-s Jne continui si curent continuu pentru o funclionare corectd. Filtrele
i-'-?tzeazd cu condensatoare, bobine sau combinatii de condensatoare
: - :3 I''le.
: : 4 1, Filtre capacitive
in Figura 3.7, este prezentat un redresor monofazat
-:-ra ternantS, previzut cu un filtru capacitiv. Se observS, conectarea
: -:ersatorului C in paralel cu rezistenta de sarcini Rr.
D
\r
u2 c Rr-
= gura 3.7 Schema redresorului monoalternanti cu filtru capacitiv
In funclionare, pentru valorile pozitive din primul sfert de perioadi

: ':-s unii alternative de intrare, condensatorul se incarci rapid prin
-=--.ediul diodei D, la valoarea de vArf a tensiunii din secundarul
=': r-matorului. CAnd tensiunea de intrare incepe sd descreascd,
-= -
--::rsatorul rimAne incircat, iar dioda D va fi polarizatd invers (si deci

". ,: cloca) deoarece potenlialul catodului este mai pozitiv fatd de cel al
-::-rri in a doua jumitate de perioadi, condensatorul se poate
:; . -:'ca lent numai prin rezistenla de sarcini Rr_. Descdrcarea
--::rsatorului este exponen[ial5, dar pentru o constanti de timp Ri.C
: -': de mare, tensiunea scade practic liniar (Figura 3.8).
=.rt
Cu cAt constanta de timp este mai mare, cu atit condensatorul se
= ::scdrca mai pulin.
27
Electronicd analogicd - aplica[ii
-'ll:-- -rr-.lt;rurG
UL fdri C
Figura 3.8 Forma tensiunilor de de iegire Ur cu $ifari filtru capacitiv

in Figura 3.9 este ilustrat un redresor monofazat bialternanli
cu
rezistenlei de
filtru capacitiv gi forma tensiunii de iegire de la bornele
sarcini Rr.
.Dr
Uu fird C
Ur-
-dfr
Figura3.gSchemaredresoruluibialternanlScuprizimediandcufiltru
(cu gifiri filtru) m'r',lll
capacitiv giforma tensiunilor de iegire uL -E,u
SeobservdcStensiuneapesarcindseapropiemultdeceaideali, -rffi
de ondulalie este
constanti, deci factorul de ondulalie 7 scade. Factorul
dintre ondulalia
un indice al eficienlei filtririi 9i se definegte ca raportul
'r,J ', ,A,l -"1
a tensiunii valoarea medie a tensiunii continue

varf-la-v6rf 9i
de la iegirea - =---..,. ! - drrll
in Figura 3'10' ' '- ."

filtrului, asa cum se observi i'-:= - :: .il-; : l],]I
(3.3) llufli: ,i ;* '' "-". - .::",..:"',r,

,,Ju[il.e ,- .i -- = :: d -
llmF iiEi :.:. a -... I -Pg
Figura 3.10 Determinarea factorului de

ondulalie 7
28
::!2 Filtreinductive
=unclionarea acestora se explici prin acumularea de energie in
=-:- electromagnetic al bobinei gi cedarea acesteia in sarcini, pe
'.
- ='.: ternanlei negativd in Figura 3.11 sunt ilustrate schema
-:.:=:'u ui monoalternanti cu filtru inductiv gi formele de undi ale
i-: -- redresate firi filtru inductiv (linie intrerupti), respectiv cu filtru
-: :cntinui). Se observd conectarea filtrului inductiv in serie cu
:- :-.-:a de sarcini Rr.
7,r I
U2 Rr- Uu
il D
= :-'a 3 11 Schema redresorului monoalternantd cu filtru inductiv gi

forma tensiunii de iesire Ui
r general, filtrul inductiv nu se folosegte la redresarea

- -'.z:ernanti. El devine cu at3t mai eficient cu cAt pulsatia este mai
-:-: leci. filtrele inductive se folosesc pentru redresoare bialternan[i.
- =::- Ce filtraj se mai poate explica prin micaorarea curentilor de inalti
-=: =-;5 de citre bobind, a cdrei impedanld este propo(ionald cu
-=-'=-'.a,
r Figura 3.12 sunt prezentate schema redresorului bialternanti cu
:':= -ediani 9i filtru inductiv gi respectiv, formele tensiunilor redresate,
:': s :u filtru inductiv. Se observi ci factorul de ondulalie y scade o
;. . :- 'nicaorarea sarcinii RL (deci cu cregterea curentului prin rezistenta
rn :=': ni), cu cregterea inductantei gi cregterea pulsa[iei.
29
Dr -rttlP ryilfi'liilU|l]fl1ru[ Jfli tr

^\r llut' ]mllllllllflliltfltl,iluiflti mmTlilIfiil,,tlilt',rfiR f,
rll5illllilltilltiil flIIIt :Ilfiil, rqTlllFdll]ll]llt llMlE
u21
Rr_
L ilfiflltit Jtilnlilil]ti _qilflfl11]]llqfiilfllfriiilr @
E rllllllMlllMlllllllllli
ilffimmffilililurrurui
i Wlfln'lllllllltlliilttl|"'l l[f
ru,[rxul]filtifrillfltiltillllnfih !
rltll
Ur_
u22 Iffi0lltffifltllilllt]lltffiffl'lllllilltl1 :ffi erytxllflId
.lffillilllltrmf,,lilillt1#,
1r iffiWruflilfliilfl]lrft il
7t mmrlllllf,mi rilllilffiilflf]rt!' ilnrlffiil,"Ifllllllumtr
Dz
"l]1-iil]ilfil- ' {sllTllinllnr :l I
Figura 3.12 Schema redresorului bialternanta cu prizd mediar- :- r*llilffifr1til tmp 'rTlllr$tr:tu ,Dr
filtru inductiv si forma tensiunilor de iegire UL flm[ullNlllllll;m ,ffirrIrl' Jrsr imrrmxlmd
]ffifififlillt iiflll]lfii!.+ illif"itrlmiiltrxiG G

lllil@lllffifit ilulutilliiilfltff@ -r]llffE inq
3.2.4.2. Filtre combinate
fiffiflfififl, ii0it, - .lllmflF'lTflflrm
]M
Filtrarea poate fiimbundtititd utilizAnd filtre LC, r sau f.
fiilt umUt*luoumrr
^!r!rtrriu@!z:
Redresor
Lr t
rmp flilut "'mltltfii;m ilItfi-ilM
Figura 3.13 Filtre LC, r si T
Filtrul LC realizeazd o atenuare mai pronunlatd a ondulatiilor -= :

frecvenld a ondulatiilor de 100H2, bobina are reactan!5 mare z
reactanla capacitive va fi mai mici atAt fali de reactanla induclivi '-.='
=
in raport cu rezistenla de sarcinS. in acest caz, cele doui reactan:. ,: ,i,,flnlfli]lt
'llffi' - .,,,:,ftr_r,-" ii {,l*E
crea un divizor de tensiune alternativS, care va reduce destul de - -'
ondulaliile fald de filtrul capacitiv, deoarece o mare parte din tens --::
jlilli q*iHlli:::"q{tF,"-:- jil::lF
alternativd cade pe reactanla inductivi Xi. insd, se va reduce si va::==
.Jitut- il]:-rg.::s=-i,,.:um
medie a tensiunii redresate (componenta continui) de la intrarea i- '---
ffillllfiilllr]lllilfllllflilflU :nm5il& ell-esffid{
datoriti rezistentei infSguririi bobinei [Flo, 03].
30
Electronicd analogici - aplicafii
De remarcat ci un redresor cu filtru LC, furnizeazd pe rezistenla

gcind o tensiune continud aproximativ egali cu valoarea medie a
imii de intrare redresate, in comparalie cu tensiunea continud de la
rea unui redresor cu filtru capacitiv care este egal5 cu tensiunea
rini a tensiunii de intrare (valoarea de v6rf). in schimb, tensiunea
=-- ='. va pulsatorie de la iegirea unui redresor cu filtru LC este
=:=-Centd de rezistenla de sarcinS, depinzind doar de reactanlele
-:: ,e si capacitive, fali de iegirea unui redresor cu filtru capacitiv care
:- -:3 nvers propo(ional de rezistenla de sarcinS.
Un filtru ,zeste o combinatie dintre un filtru capacitiv 9i un filtru LC.
:-: O. se incarcd la tensiunea maximd a tensiunii de intrare si se
r' sarcini pe restul perioadei semnalului de intrare. insi,
''". prin
=::='.a lent
-- -a are tendinfa de a se opune descircirii, ceea ce va avea ca
Aplicafie practici
l. Se identifici componentele schemei electrice din Figura 3.14.
Dr
Frgura 3.14 Schema electrici pentru studiul redresoarelor monofazate
2. Se realizeazi schema redresorului monoalternanti firi filtru.

3. Se conecteazi voltmetrul pe o gami de minim 20V gi se misoard
ensiunea medie redresati monoalternanld Umea in gol.
31
Electronici analogici - aplicafii
4.Se realizeazi o conexiune (un jumper) intre punctele 2 9i 6. Se

misoari tensiunea medie redresati bialternantd Umeo in gol.
5. Se realizeazd conexiunile dintre punctele 2-3 (se realizeazd
conexiune spre sarcina circuitului) 9i J-Z (se scurtcircuiteazi bobina) 9i se
conecteazd osciloscopul intre punctele 7 Si 8. Se vizualizeazd forma
tensiunii redresate pentru cele doui tipuri de redresoare (monoalternanf5
gi bialternan[5), fdrd filtru.
6. Se introduce in circuit filtrul inductiv (inductanla t). Se vizualizeazd
pe osciloscop efectul produs pentru redresorul bialternanti, variind
curentul mediu redresat lmeo, cu ajutorul reostatului R.
7. Se scurcircuiteazd din nou inductanla L 9i se conecteazd
condensatorul de filtraj Cr (conexiune 5-n. Se vizualizeazd efectul
filtrajului pentru redresorul bialternan[i, variind curentul mediu redresat.
8. Se deconecteazd condensatorul Ct, se reintroduce in circuit
inductanla L 9i se conceteazd Cz. Se vizualizeazd cu ajutorul
osciloscopului efectul filtrului LC pentru redresorul bialtemantd'
9. Se introduce in circuit si Cr, realizAnd un filtru a. Se vizualizeazd
cu ajutorul osciloscopului efectul filtrului pentru redresorul bialtemanli.
10. Se traseazd caracteristica Uned=f(lmea) pentru redresoarele
monoalternanti gi bialternan[i, cu filtru capacitiv Cz. Curentul /mea S€
misoari cu ajutorul miliampermetrului conectat Tn circuit.

1. Ce sunt redresoarele?
2. Clasifica[i redresoarele monofazate.
3. Utilizirile redresoarelor monofazate.
4. Ce este factorul de ondulatie?
5. Explica[i func[ionarea redresoarelor monofazate bialternanti cu
transformator cu prizd mediand.
6. Ce sunt filtrele? Care este rolul lor?
lndicali daci urmitoarele afirmatii sunt adevirate, argument6nd

rispunsurile:
7. Efectul de redresare a unei tensiuni alternative consta Tn netezirea
formei tensiunii alternative.
32
-: -:'area unui redresor monoalternante se conecteazi primarul

-
- :'ansformator de alimentare.
-= -- redresor monofazat bialternanli in punte, diodele conduc
:-:= 3 alternante.
:.:-:sarea este procesul prin care un semnal continuu este
- rmat in semnal alternativ
= s'3
- - ' :'J capacitiv utilizeazd proprietatea condensatorului de a se

'.
- -'. varialiilor de curent.
- - ' :ru inductiv utilizeazd proprietatea bobinei de a se opune
:- ::r lor de tensiune.
- - 'edresor performant are un factor de ondulatie mare.
- = -i se intrerupe sarcina unui redresor bialternanti cu
-: - sf ormator cu prizd medianS, tensiunea de iegire va fi nuli.
JJ
4. STUDTUL TRANZISTORULUI BIPOLAR in COUeXIUNE

EMITOR COMUN
4.1. Obiectivele aPlicaliei
ffi
. descrierea structurii 9i principiului de funclionare al tranzistorului
biPolar;
o evidenlierea regimurilor de funclionare ale unui tranzistor bipolar;
o ridicarea familiilor de caracteristici statice pentru un tranzistor de Si
de tip nPn;
4.2. Gonsideratii teoretice

4.2.',. Generalitiili
-:-:'--- :-il
Tranzistorul bipolar conline doui jonctiuni pn, astfel ci acest : - ---:-:::]5i
dispozitiv semiconductor se prezinti ca un ,,Sandvig" alcituit dintr-un
singur strat de tip n cuprins intre doud straturi de tip p, fiind numit
tranzistor pnp. Cu o dopare complementari se ob[ine tranzistorul npn'
Regiunea semiconductorului care este comuni celor doui
joncliuni este numitdbazd. Cele doui regiuni vecine acesteia se numesc
emitor, resPectiv colector. lE
in Figurile 4.1 9i 4.2 se prezinti structura, polarizarea normal6 a
celor doud joncliuni, sensurile curen[ilor 9i simbolurile grafice ale celor {__ -3:---E:E*-nnc
doui tipuri de tranzistoare bipolare - pnp 9i npn'
Ucr
pnp
Figura 4.1 Structura, polarizarea normali, sensurile curentilor 9i

simbolul grafic pentru tranzistorul bipolar pnp
34
Electronicd analogicd - aplica{ii
= :-'z 4 2 Structura, polarizarea normali, sensurile curenlilor gi

srmbolul grafic pentru tranzistorul bipolar npn
-:^structiv, tranzistoarele se realizeazd intr-o gami largi de

:;;:: - : '^ 'unclie de destinalia lor.
L
Figura 4.3 Diverse capsule ale tranzistorului bipolar
-: : iegimurile de funclionare 9i conexiunile tranzistorurui bipotar

^ functie de tensiunile care polarizeazd cele doud jonctiuni ale
'=-:: :-l ui bipolar, se pot stabili patru regimuri de functionare. Daci
.:;- :::xemplu, tranzistorul detip npn,vom avea [lon, 12]:
i -.9 m activ normal, atunci cAnd jonc[iunea emitor-bazi este
-: alzald direct, iar jonctiunea colector-bazd este polarizatd
^,,ers (Uae > 0, Uec<0), ceea ce constituie de fapt, regimul normal
:e functionare, in care tranzistorul lucreazd ca amplificator;
. -egim activ invers, atunci cAnd jonctiunea emitor-bazi este
=ctarizatd
invers, iar jonctiunea colector-bazi este polarizati
: rect (Uer<O, Uec>0); in acest caz, emitorul joaci rolul
:clectorului 9i invers; tranzistoarele sunt folosite foarte rar astfel
tolarizate deoarece factorul de amplificare in curent este mult mai
35
mic in raport cu cel din regim normal; acest regim este uneort
utilizat in comutalie;
oregimulsaturat,atuncic6ndambelejonctiunisuntpolarizatedirect
(Uee>O,Uec>O),Geeaceducetranzistorulinregiuneade )
saturalie,undeseconstatSocregtereimporta-ntSacurentului/e;
pentrumenlinereaconstantialui/atrebuiescdzutStensiuneaUae
scdderea rapidd
gi astfel in domeniul de valori lUol < lUrrl are loc
a curen|ilor /E gi ,c; Valoarea tensiunii Uce de saturalie are valoare
micd;inregimdesaturalietranzistorulbipolarseprezinticaun
comutator inchis:
oregimuldeblocare,atuncic6ndambelejoncliunisuntpolarizate
invers(Uee<0,lJac<0);inacestcazprintranzistorcirculddoar
foarte mici; in
curen[ii reziduali ai celor doui joncliuni, de valoare
acestcazuntranzistorbipolarSecomporticauncomutator
deschis.
Av6nd Tn vedere funclionarea in regim activ normal, presupune
ci
tranzistorul realizind funclia de amplificator, cataloagele
firmelor
dF' fie
producitoare prezintd fie factorul de amplificare colector-emitof
factorul de amplific are bazd-colector Br:
(4 1)
Br=ft
cu trei terminale'
Degi tranzistorul este un element activ de circuit
la care intrarea
in schemele practice el poate fi privit ca un cuadripol activ
gi iegirea au o bornS comuni' Dupi cum a@astd borni este
baza'
de a conecta
emitorul sau colectorul, existd trei moduri fundamentale
tranzistoarele Tn montajele practice:
. cu emitorul comun (EC);
. cu baza comund (BC);
. cu colectorulcomun (CC)'
i bi polar
4.2.3. Garacteristicile statice ale tranzistorulu
dinfe
Caracteristicile statice reprezinti grafic interdependenta
curen[ii tranzistorului 9i tensiunile aplicate intre
terminale'
36
Figura 4.4 Curenlii gitensiunile unuitranzistorului bipolar npn
Aceste caracteristici sunt specificate de citre firmele producdtoare

D cdaloage, in func[ie de tipul conexiunii gi de tipul tranzistorului.
Conform teoremelor lui Kirchhoff se poate scrie:
i== le + lc (4.2)
U=c=Uec-Uae (4.3)
Pentru conexiunea emitor comun (EC) se definesc urmitoarele
z- oe caracteristici:
. familia caracteristicilor de intrare ls=f(uee) cu lJce ca parametru;
reprezintd dependenta curentului bazei /a, in funclie de tensiunea
bazi-emitor uee, avand ca parametru tensiunea colector+mitor
Uci,
. familia caracteristicilor de iegire lc--f(tJce) cu /a drept parametru;
reprezinti dependenta intensitdtii curentului de colector /c in
funclie de tensiunea colector-emitor lJce, avand ca parametru de
intrare curentul bazei le;
. familia caracteristicilor de transfer, lc=f(te) cu lJe drept parametru.
in cazul conexiunii EC, tranzistorul bipolar trebuie si funclioneze
: - :ensiuni de colector ridicate pentru a se evita regimul de saturalie,
::est regim fiind utilizat numai atunci cand se lucreazi in regim de
- : - utatie.
I 3. Aplicalie practici
' Schema pentru trasarea experimentali a caracteristicilor statice ale
unui tranzistor npn in conexiune EC este ilustrati in Figura 4.5,
37
5A -r! .::: - r-r!t
":_-:_ - -'- - !
/
Figura 4.5 Schema circuitului pentru trasarea caracteristicilor statice
in conexiune emitor comun
_ - ,-Al
=._:
2 Se identificd componentele montajului gi se analizeazi corectitudinea := :i-: +ffi
realizdrii contactelor. La conectarea apaatelor de misurd se va urmiri

ca polaritatea bornelor sd corespundi cu cea ceruti de schema
electrici.
3 Se traseazd caracteristicile de intrare la un tranzistor de tip npn cu
siliciu, de mici putere. La punerea sub tensiune a montajului,
tensiunea Uce rimAne la zero (sursa Er). Se modifici apoi tensiunea
Uae (sursa Er) inspre valori superioare pAni la baleierea completi a
scalei microampermetrului. Se va nota un set de valori pentru Uae gi /e.
Se va ajusta tensiunea Uce la 7 V 9i se repeti citirile in corelatie cu
UeE. Apoi, se reiau citirile pentru Uce=5V, 10V gi 15V. Este necesar
ca in timpul varia[iei lui /a, tensiunea Uce si rimdnd absolut constanti.
Se va ridica familia de caracteristici, la scari corespunzitoare, pe
h6rtie milimetricd, pentru curbele obtinute la Uce-0V, 1V, 5V, 10V gi
respectiv 75 V.
4. Se traseazi caracteristicile de iegire pentru acelagi tranzistor. Dupi
alimentarea montajului, se va regla curentul /e la 10pA. Se va ajusta
tensiunea Uce de la 1 V la 15V gi se vor nota valorile corespunzdtoare
ale lui /c. Se vor relua citirile curentului /c in coresponden[5 cu Uce,
stabilind in fiecare caz urmitoarele valori pentru curentul de bazd'.
38
-: ,A 301t4, 401tA, 501tA gi de asemenea 0pA. Se vor trasa la scard

::'espunzitoare, pe hArtie milimetrici, curbele astfel oblinute.
:= ridici caracteristicile de transfer in curent, lc=f(la) cu lJce ca
aametru. Astfel, dupd punerea sub tensiune a circuitului, se regleazd
le=1 V. Se va regla /a la 10pA, 201tA, 301tA, 401tA, S01tA citindu-se
&rile corespunzitoare pentru /c. Se vor relua citirile pentru lJce=5V,
0v,15v.
Evaluarea cunogtintelor
- si se reprezinte grafic caracteristicile statice teoretice ale unui
banzistor bipolar in conexiune EC.
- Semnificafia curentului /cao.
" care dintre caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar
reprezinti o dependenld liniari intre doi parametri?
-: Sd se calculez@ dr ? unui tranzistor bipolar, dacd Br=200.
: Sd se caracterizeze regiunea de blocare.
: Cum este curentul de colector la saturatie? Dar la blocare?
- Care este dependenla dintre curentul de colector 9i curentul de
cazd?
?q
5. CIRCUITE DE POLARIZARE A TRANZISTORULUI illrffi*l" lltnurrc rE-rEE G s

BIPOLAR .,, *, E
5.1. Obiectivele aplicaliei ..;

,.' ',,1,
- reprezentarea grafici a dreptei de sarcini qi determinaree -.: ::
parametrilor ei; l: .-
),
- definirea punctului static de functionare al tranzistorului bipolar;

.l u ,.i!ri:::*5fii i *1;::.-iran; .m
- rolul circuitelor de polarizare; fffllrfl]F- ,JE::t::,; :.- -': p
- configuralii ale circuitelor de polarizare gi performantele acestora.
lllldlf, ]1il|,$lliltflG ,l.Hji,i if ,;i :ilg]i E
=
r
,iulullll]]ll[umiillillmil--llllfiir;t;ff r* ;:r @*.!!ir:^]-fl!E

5.2. Consideratii teoretice qmrl:-*h +r- :11+" :" ltr : '- 5
5.2.1. Polarizarea tranzistorului bipolar pentru funcfionare ca r Lt, '-]f"-'- l:lri* ::i"-]J,[l]l@
amplificator flffimlllfll{1,t"_r t,_ffi : - +,."__J;i-; l
Tranzistorul bipolar poate fi asimilat cu un cuadripol, in care unul

din terminale se consideri electrod de referinli, comun at6t circuitului de
intrare cit gi celui de iegire. in conexiune emitor-comun (EC), circuitul de
intrare este conectat la terminalele bazi gi emitor, iar circuitul de iegire la
colectorul 9i emitorul tranzistorului.
Dispersia parametrilor de la un tranzistor la altul, cauzeazi unele
probleme in aplicaliile practice, deoarece in proiectare nu se pot evalua
prin calcule precise caracteristicile statice. in conexiune EC, polarizarea
unui tranzistor in regim activ normal, poate fi caracterizat aproxim3nd
parametrii Uae, 9r si /cao, cu o dispersie micS a lui Uee, dar cu dispersii
foarte mari pentru Br ji lceo. Considerim schema de polarizare din Figura
5.1.
+ Vcc
='t
Figura 5.1 Schema de polarizare a unui tranzistor bipolar in conexiune EC
40
Etectronici analogici _ aplicafii
rcaEa statici de sarcini 9i punctul static de functionare

n circuitul din Figura 5.1 vom avea ecuatiile:
= l= .Rs+ Ust
=, (5.1)
! _ = lc 'Rc+ Uce (5.2)
= 3='le+ lceo (s 3)
I - aceste ecualii se poate calcula punctul static de functionare
::: :: od un punct de coordonate (/c, lJce), in planul caracteristicilor
- :: -= :are se va gisi la intersectia dintre dreapta statici de sarcind si
r : - i- s: ca ce corespunde curentului fixat. Mai exact, dreapta staticd de
i, , -; :s:e descrisi prin ecuatia (5.2), adicd prin aplicarea teoremei
a ll_
: : - ('chhoff pe circuitur de iegire, iar curentur de bazd re, va fi
+ : - -at din ecualia (5.1), din aplicarea teoremei all-a a lui
Kirchhoff pe
ul de intrare:
ls=(Ea- Uee)/Rs (5.4)

cu alte cuvinte, dreapta statici de sarcini unegte punctul de
or punctul de saturafie (Figura S.2)
lc
Ec
Rc
C(sat) Mz PSF2
lez>le
Ivl (PSF)
la
, le1<lB
ts blocare
Uce(sat) Uce Ec Uce
Figura 5.2 Determinarea puncturui static de functionare
Asa cum se observd din Figura 5.2, modificarea curenturui de

:=- 1 va duce la deplasarea psF-ului pe o alti caracteristicd.
dar
'.-iînd tot timpul pe dreapta statici de sarcini.
Daci se presupune dreapta staticd de sarcini datd, adici
:-S;iea de alimentare si rezistenta din colector bine precizate, atunci
41
fixarea punctului static de functionare inseamnd imobilizarea acestuia int-

o pozilie bine determinat5. De exemplu, pentru amplificatoarele in
tensiune de semnal mic, PSF-ul se va fixa aproximativ la jumitatea il lr ']lllliltll' : Tll
dreptei statice de sarcini, pentru o valoare Uce=Ec/2. lllliilliiilllfllil: r:il :: i Ii
La cregterea temperaturii, factorul de amplificare Br altranzistoruhi
cregte. $i, de asemenea, /cao cregte. in consecin[i, curentul de colectq
16=pe.ls+(pr+1).lcBo cregte. Rezultd o deplasare in sus, spre zona de
saturatie, a caracteristicilor de iegire ale tranzistorului bipolar. Ca urmare.
se deplaseazd 9i PSF-ul pe dreapta de sarcini gi nu se va mai situa h
mijlocul acesteia. Daci deplasarea este prea mare, tranzistorul nu md
B,
-<
poate func[iona corect ca amplificator, excursia in sus a PSF-ului, fiind
limitatd la o valoare mai mici (Figura 5.3).
lc
EC
Rc __ td
le2>lB
le
le1<lB
0 gc Uce
Figura 5.3 Deplasarea caracteristicilor de iesire la cresterea temperaturii
Elementele de circuit care concuri la stabilirea curentului de bazi

corespunzitor PSF-ului ales pe dreapta de sarcini, constituie circuitul de
polarizare. Cerinta esen[iali la care trebuie si rispundi un circuit de
polarizare, este aceea de a pistra cdt mai constant PSF-ul in raport cu
varia[iile temperaturii sau la dispersia tehnologici de fabricalie a
parametrilor tranzistorului, adicd de a stabiliza PSF-ul.
in Figura 5.4 este ilustrat circuitul simplu de polarizare, unde
curentul de bazd /e este asigurat prin intermediul rezistenlei Ra de valoare
mare, conectatd la borna pozitivi a sursei Ec. Valoarea ei poate fi
calculatS pornind de la ecuatia tensiunilor pe ochiul de intrare:
Ec= la'Re+ Uee (5.5)
42
D -Er-U*
t\B - (5 6)
lB
-:-
.t=z=0,6V la Si. Circuitul este cu adeverat simplu, asigurand o
:3re slaba a PSF-ului.
Fgura 5.4 Schema circuitului simplu de polarizare in conexiune EC
Rezulti ci trebuie sd apeldm la scheme de polarizare care si

l+i efectele acestor dispersii.
in Figura 5.5 s-a addugat in emitor o rezistenli Re, c?r€ intervine
rts eficient in stabilizarea PSF-ului. Valoarea ei se poate calcula in
Hb de stabilizarea necesari a PSF sau se alege empiric, astfel incit
trea de tensiune pe Re si fie de Q - QV.
= gura 5.5 Schema unui circuit de polarizare in conexiune EC cu

rezistenti in emitor
se observi ci cu cregterea temperaturii, va creste curent' I
rezidual lceo, caa? ce conduce la o crestere a curentului de colect:-

(conform ecuatiei 5.3) gi implicit a curentului de emitor (ecualia 5.7):
lE=ls+ !. (5'7)
.---<
Prin cregterea curentului /E, va cregte 9i cdderea de tensiune
pe
rezistenla Re (deci 9i potentialul emitorului fali de masi cregte)' Dar

cu- 1
r,i
potenliaiul bazei fald de masi nu a fost influenlat de cregtere=

temperaturii, el rimanand constant, rezultS ci tensiunea Uee va scac3 I
ScizAnd Uae, implicit scade /e 9i deci si /c, r€sP€ctiv /E, compensAnd asf=
cregterea iniliala. Din punct de vedere practic, aceste fenomene c=
cregtere gi scddere a curentului de colector /c sunt de fapt tendinle
c=
varialie, fenomenele desfSsurflndu-se foarte rapid, astfel incat curentul

c:
colector rdmAne aproape nemodificat cu temperatura'
o metodd care asigura cea mai mare stabilitate a PSF-ului es::
circuitul practic de polarizare ilustrat in Figura 5.6, deoarece divizor--
rezistiv din bazd, format din rezistentele Rar 9i Raz, asigure in
plus =
pdstrarea constanti a potentialului bazet'
,illlllilll-u.l .- I
Figura 5.6 Schema unui circuit practic de polarizare in conexiune EC
5.3. Aplicafie Practici

1. Se realizeazi montajul din Figura 5.7 9i se citesc valorile lui Uca
completandu-se prima parte a Tabelul 5.1. Valoarea curentului Ic $
regleaze cu ajutorul poten[iometrului P din baza tranzistorului.
44
:UI Se inlocuiegte rezistenla de 2,2k4 din colector cu alta de 1K) gi se

or ca la punctul nr. 1, notind datele experimentale in Tabelul
='ccedeazd
le
m P
?a 4,7MrJ
le.
fel Ra
82 kO
le
Ce
Ce
le
;te
rul
î
)r
= :-'z 5 7 schema unui circuit simplu de polarizare in conexiune EC, cu

potenliometru in baza tranzistorului
-=:e - 5'1
Rc=2,2ko Rc= 1 kA
Ec= 10V
Ec= 1 2V
- circuitul din Figura 5.7, pentru Rc=2,2ke gi Ec=10V se fixeazi

- -==5 vgi se citegte valoarea lui /c. se observd influenla temperaturii
:s-rpra tranzistorului bipolar, utilizind stalia de lipit la o temperaturd de
..ec. Pentru aceasta se va pune in contact direct varful staliei de lipit
:- baza tranzisorului timp de 20s. se citesc valorile curentului /c si
:=rsiunii Uce gi se trec in Tabelul 5.2. se va completa apoi, in
atr -:regime Tabelul 5.2.
QA
AE
-abelul 5.3
Tabelul 5'2
: [mA]
, -=Nl
: [mA]
.) lc/ lc
(5.8)
(ece)
*) (cald)' c
l'iif
I
I c= I c
4 5
,DE u;tt':r''--
5e il.r \.,vuvv "' I
:"J:'lI ].
t=:r l':,,T
gi
fil
::,':
t" :,
r'"ror". H'rlli
iJ", n t?1".11":-9,.:
" se misoara misoar
-r cu ohmmetrut
i ohmmetrul 9t ''"::::a^tt'r'adeincilzire
proba t
valoare
valoare ^ r, ri I^ si
V. se
5v.
5 citeete no'"''""lol'''l':"!*
Se ctteqre """',;;',;;Jr-." Taletul *€Gctueazi
5.3. ";'L
ca la Punctul 3' com .
+Ec
P
4,7MO
Re
82ko
le
EC, cu
"#t1
F gu ra 5 I S h em a,'J,:
Potenliomett
;:::l;YJ[:;, ff]i :f 5JU:I
46
-abelul 5.3
Rc=2,2kQ, Ec=10V Rc=1k4, Es=12Y
-)lc/lc
Se realizeazi circuitul din Figura 5.9, se misoari tensiunile tJce gi Um

gi se calculeazd lc--Uae/Re. Apoi se efectueazd proba de incilzire ca
la punctul 3 gi se completeazi Tabelul 5.4.
Rer
82 kO
Rez
10ko
i
FBura 5.9 schema unui circuit de polarizare in conexiune EC, cu divizor
rezistiv inbaza tranzistorului 9i rezistenli in emitor
f&elul5.4
47
: 3Cilt'iPOF-1==-a
Cuajutoruldatelorexperimentaleculeselapunctelenr'19inr.2se S filr;\At M 3
pe hartie milimetricd, dreptele de sarcind
in coordonale uce,
traseazS
/".sedeterminSdingraficpuncteledeintersecliealeacestordrepte v! Ur
cu axele de coordonate'
considerAndcdputereadisipatiadmisibildpentrutranzistorulfolosit
estede300mW,s-adepdgitaceastdvaloareintimpulmisurStorilor?
1. lnfluen[a temperaturii asupra tranzistorului bipolar' Rr intervine in - lonsidera;

2. Explicali deialiat modul in care rezistenla ^^-^.^ .:-
stabilizarea PSF cu temPeratura'
3. Ce este dreaPta de sarcini?
4.Ceparametriaidrepteidesarcinisemodificsprinintroducerea
rezistenleide emitor?
5. Ce este punctul static de funclionare?
6. Procedee pentru stabilizarea PSF-ului'
7'Explicalimodulincaredivizoruldinbazatranzistoruluiintervinein
stabilizarea PSF'
PSF-ului'
8. tndicali cel pulin o cauzd a instabilitilii
lndicalidacdurmitoareleafirma|iisuntadevSrate,argumentAnd
rdsPunsurile:
iar curentul de bazd

9 Dacd un tranzistor lucreazd ca amplificator'
cregte, atunci tensiunea UcE cregte'
10 Principalul parametru al unui
tranzistor care se modifici cu
temperatura este tensiunea de alimentare'
11 Punctulstaticdefunclionareestedeterminatdecurentulgi
tensiunii de alimentare a
tensiunea de intrare, corespunzator
: : $o:: - :-:'- :'=
circuitului.
l2.CunoscAndcircuiteledepolarizare'dacdcurentuldecolector
cregte, atunci tensiunea Uce cregte'
l3.PunctulstaticdefunclionaredepindedecircuituldepolarizareEi
nu depinde de tipul tranzistorului'
48
Electronicd analogicd - aplicafli
6. COMPORTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR LA

SEMNAL MIC
- definirea parametrilor hibrizi care caracterizeazd comportarea
tranzistorului bipolar la varialii;
- determinarea parametrilorhibrizi;
- realizarea circuitelor echivalente pentru semnal mic ale unui circuit
cu tranzistoare 9i componente pasive de circuit.
i2. Gonsideratii teoretice

i21. GeneralitSli
Circuitele echivalente de semnal mic pentru tranzistoarele bipolare
p pot realiza in funclie de frecvenla de lucru. Ambele metode conduc la
releagi concluzii, in legituri cu comportarea tranzistorului bipolar in
egim variabilde semnal mic.
Circuitul echivalent la semnal mic modeleazd comportarea
rrzistorului la mici varia[ii ale curentilor gi tensiunilor in jurul punctului
latic de functionare. Daci tranzistorul functioneazd in regiunea activi
srnalS, atunci condi[ia de semnal mic este:
tvulu+:u, (6 1)
Parametrii circuitului echivalent natural (prima metodi) sunt

=-=mina[i in func[ie de fenomenele electronice din tranzistor gi depind de
=-:retrii constructivi gi de material ai acestuia.
intre parametrii hibrizi gi cei naturali ai tranzistorului bipolar se pot
:: relatii de legituri astfel incAt, prin misurarea parametrilor hibrizi,
= ::t determina 9i cei naturali.
- 2, Modelu! tranzistorului bipolar !a frecvenle inalte

Circuitul echivalent natural la frecvenle inalte ale semnalului de
' ';-e (pentru montajul EC) este ilustrat in Figura 6.1. in cazul
=:, entelor inalte, va trebui si se !ind cont de capacitSlile parazite care
::- Modelul prezentat in Figura 6.1 este valabil pentru un tranzistor care
49
:: -C ! i limitd ce ' a
lucreazi in regim de amplificare, daca este Tndeplinitd condilia de semnal
mic, precizati in ecualia (6.1).
=:-lcircuit) fLn: -=:-
in circuitul echivalent natural roo' (uneori notatd r') - rezistenta
-::- Dntre ca'a-:-
zali sunt oa'z-.-
intrinseci a bazei (rezistenla intre contactul bazei 9i baza intrinseca), rae
(notatd gi r, - rezistenla joncliunii emitorului polarizati direct, Co'" -
capacitaiea de difuzie a joncliunii emitorului polarizati direct (notati 9i
C,), rb,c - rezistenla joncliunii colectorului polarizatd invers, Co', -
capacitatea jonc[iunii colectorului polarizati invers (notatd gi Cp),
g^ -
transconductanla (modeleazi efectul de tranzistor) 9i rc" - rezistenta
colector-emitor. F j-'=: - --=;
1*
Figura 6.1 Circuitul echivalent natural al unuitranzistor bipolar in

conexiune EC
V
comportarea unui tranzistor bipolar la inaltS frecvenli se poate

estima utilizlnd parametru important, prezentat de firmele
un --- -^:ia.-
= - - v - :-' 3
producitoare in cataloage gi anume, frecvenla de tiiere (fr). Frecvenla de

tdiere este frecven[a la care un tranzistor bipolar are amplificarea in curent
Qc--;---
e'g-=--=3 : ---
unitard, dacd iegirea este in scurtcircuit, in conexiune EC' Expresia lui fr --=E
este dati de ecualia (6-2): U.

9, (6 2)
- 2orr(cr*C,)
6.2.3. Modelul tranzistorului bipolar la frecvente ioase

in acest caz, circuitul echivalent consti in a considera tranzistorul
ca un cuadripol (Figura 6.2). Parametrii de cuadripol ai TB sunt definili in
50
condi[ii limitd de funclionare (doi dintre ei cu intrarea in gol, respectiv in

scurtcircuit), fiind ugor de simulat practic. Acegti parametri se pot misura
ugor. Dintre parametrii de cuadripol de joasi gi medie frecven[d cei mai
utiliza[i sunt parametrii hibrizi.
Tranzistor
bipolar
Figura 6.2 Tranzistorul bipolar vizut ca un cuadripol
Parametrii hibrizi sunt parametri de cuadripol, care determini

ircuitul echivalent din Figura 6.3.
u,,:htt.i,,+hrr-u* (6.3)
i* = hrr . i,n + hr. uo* (6.4)
iin hr r
: gura 6.3 Circuitul echivalent cu parametri hibrizi al unui tranzistor bipolar
Semnifica[iile parametrilor hibrizi gi conditiile in care sunt pugi in

=, dentd sunt urmitoarele:
- 1.r = ?li, = h, ct) t)out=O - rezistenla de intrare cu iegirea in scurtcircuit,
'1.2 = !' = h, cu iin=0 - coeficientul de transfer in tensiune inversa cu

Uort
''.iatea in gol;
5'1
i --{
- coeficientul de transfer in curent direct cu
- ho,=4=h, cu gout--y
+
lin
iegirea in scurtcircuit;
- h,, =
i*' - ho cu iin=o -conductanta de iegire cu intrarea in gol'
U out
Valoareaparametrilorhdepindedeconexiuneaincarelucreazl <
tranzistorul,motivpentrucareparametrilorliseatageazSindici,care
BC). in Tabelul 6.1 se prezinti indicii
indica tipul conexiunii 1rc, cc sau
circuit'
parameirilor hibrizi, in cele trei configura[ii de
Tabelul 6.1
Configuralie Parametri hlbrlzl
hie, hre, hre,hoe
ilmnorcomun (EC)
11i"; hrc, hr";ho"
Cotector comun (CC)
ilaze comuna (BC) hio, hro, fisl,hoo
\: -=- ==-=
lntre parametrii naturali 9i parametrii hibrizi sunt
stabilite :-:
.-:-:_rl:-_ _ ::_ 3-
urmatoarele relatii:
/ ^ _9. (6.5) . '--- - -:=- -=:
vo'" - O, -:----=-= I
*-
(6.6) :^-3-'2=::::E
L=g0,"=hp.go,"
ft,"
. I (6.7)
fn'=hrr- h2
%
.l
(6.8)
L=9""-h22-hr,'90',
f""
t 9. /-
_ vb,c (6.e)
- b'e 2l 'f,
und€ gm=4 0' lc, iar fr - frecvenla de tdiere a TB'
6.3. Aplicalie Practici

grija se se respecte
1. se realizeazS montajuldin Figura 6.4. Se va avea r:
polaritatea condensatorului electrolitic'
52
Electronici anatogicd - aplica{ii
Ec =+ 10V
P
5MO
Re
82 kO
l Rs 100ko
Cc 100nF
Rr-
Figura 6.4 Circuit cu tranzistor biporar

in conexiune EC
pentru studiul parametrilor hibrizi
Se regleazi din potentiometrut Re punctul

static de funcfionare al
tranzistorului bipotar, astfel inc6t lJce=4,6Vgi
deci lc=2mA.
se aplici un semnar us cu nivetur efectiv de
300mv 9i frecven[a de
1 kHz. Se misoari Ltin gi
uout.
se realizeazd circuitur echivarent cu parametri hibrizi
pentru schema
din Figura 6.4. Se determind hz gi hrr
cu ajutorul relafiilor:
(6.10)
ltui, (6.11)
un
se realizeazd circuitut din Figura 6.5, nemodificand pozi(ia

potenfiometrului Re. Se verifici
faptul cd lJ6s=l,6fZ. Se aptic d us=1V"1
gi se citegte uin. Se determini
hrz cu relalia:
hrz= ltin/lts
53
Electronici analogice - aplica[ii
Ec=+10V 7. REPETORUL ==
=
P 7,1. Obiectivele ac :-a
5MO Rc
2,2k4
- determ 'a-=. :' - :
Re CL'100pF
- analiza '- -:- : - 3.-
82kO emitor
Rs 100ko - vizual ze-az r:-
Us oscilosc:: _ _
Cc 100nF - deter -z-=2 -=-J

- 2. COnSideratr, ._a:"-5
i^
t ^-^v : -i-----= - --== -
O
Figura 6.5 Circuit pentru studiul parametrilor hibrizi i -; !
-
----^-; ^^-^.: -:-- _-
6 Se scoate potentiometrul Rs din montaj 9i se misoari valoarea
rezistentei.
----^^.:
7 Se calculeazd Rn gi R ,r cu parametrii hibrizi determina[i experimental a ^^--
gi se verificd indeplinirea conditiilor de misuri:
Rs>>R, gi Rrc<<Rout.
8 Se calculeaze paametrii naturali ai tranzistorului bipolar. Se cunosc
fr=300MH2, Co'"=6PF.

1. Circuite echivalente de semnal mic.
2. Conditia de semnal mic.
3. Semnificatia parametrilor hibrizi.
4. Cu ce parametru hibrid este echivalent factorul de amplificare Br?
5. Semnificatia parametrilor naturali.
6. Rela[ii de corespondenti dintre parametrii naturali 9i parametrii
hibrizi.
: :--I=
54
7. REPETORUL PE EMITOR
7,1. Obiectivele aplicaliei
- determinarea principalilor parametri ai conexiunii colector-comun;
- analiza func[ionirii in c.c. gi in semnal mic a unui repetor pe
emitor;
- vizualizarea semnalelor de intrare9i iegire cu ajutorul
osciloscopului;
- determinarea amplificirii in tensiune a repetorului pe emitor.
72. Considerafii teoretice

in amplificatoarele cu mai multe etaje apare frecvent cerinla de a
dapta o impedantd de iegire mare la o impedanti de intrare mic5. La
aasti cerinti rispunde etajul de amplificare cu tranzistor Tn conexiune
colector-comun, denumit si repetor pe emitor. Acest etaj prezinti o
mpedanti de intrare mare gi impedan[5 de iegire micd.
Schema uzuald e repetorului pe emitor este ilustratd in Figura 7.1.
1,*
Figura 7.1 Schema principiali a repetorului pe emitor
Bazatranzistorului este polarizatd prin rezisten[a Re de la sursa de

mentare. Semnalul se aplici pe bazd gi se culege pe rezisten[a Re din
55
Electronici analogic6 - aplicalii
emitor. Polarizarea bazei poate fi realizatd 9i cu ajutorul unui

divizor
rezistiv, de la sursa Ec.
in regim sta[ionar se pot scrie rela[iile:
(7.1)
Ec= Re' le + lJee+ (Fr+ 1)' Re' la
(7.2)
Ec= lJce+ (Fr+ 1)' Re' la
(7 3)
1"=Br.le
Aceste relalii se pot folosi, fie pentru determinarea rezistentelor
Ra
gi Rr daci se cunoagte punctul static de funclionare Ec, fie

gi pentru
determinarea PSF daci se cunosc

p', Re, Fe Qi Ec' Circuitul poate fi
proiectat pentru ca tranzistorul si lucreze intr-un PSF impus. a"
SchemarepetoruluipeemitordinFiguraT.lprezintiobuni
practic constant
stabilitate a PSF, chiar dacd curentul de bazd /a hu €St€
(aproximativ egal
Astfel, orice tendinld de variafie a curentului de emitor
pe rezistenta
cu curentul de colector) determini prin cdderea de tensiune
RE o modificare a potenlialului bazei 9i a curentului de
baza, astfel inc6t
o stabilizare
tendinla de deplasare a PSF va fi pa(ial compensati. Pentru
poate fi polarizati prin intermediul unui
,,totalii' a pSF, baza lranzistorului
potenlialului
divizor rezistiv de tensiune, ceea ce va determina o fixare a
de intrare'
bazei. Dar, in acest caz aparc dezavantajul scdderii rezistenlei
in Figura 7.2 se prezintd schema echivalenti de semnal mic a
repetorului pe emitor, folosind pentru tranzistor circuitul echivalent
simplificat cu parametri hibrizi.
Re
Us
Ir :' - - +-ri:
Figura 7.2 Schema echivalenti a repetorului pe emitor
56
Electronicd analogici - aplica(ii
Pe baza acestei scheme se pot calcula expresiile amplificirii in

:rsiune, rezisten[ei de intrare gi rezistentei de iegire.
Pentru amplificarea in tensiune se obline expresia (7.4):
Au -uo't - (7.4)
Uin
(7 5)
Dacd Bp=hx=100, iar htt=2,ikC), se obtine Ar=0,995, adicd

rnplificarea este aproximativ unitard, circuitul reproducand la iegire
rarialiile tensiunii de intrare, atit ca amplitudine, cdt si ca fazd. De aici gi
denumirea de etaj repetor pe emitor.
Analiza ficuti este valabild pentru frecvenfe ale semnalului la care
reactanlele capacitive din circuit sunt neglUabile.
Pentru calculul rezistenlei de intrare vdzuld in baza tranzistorului
rcm utiliza relalia (7.6):
E) _ ui, _ i, .1h,, +(hr, +l).Rrr11= hrr +(h" +1)'R"
' -n - --l- (7'6)
t b t b
Rezistenta de iegire se calculeazS, pasivizAnd sursa de semnal ur.
irn acest caz, se consideri rezistenta interni a sursei de semnal Rn in
paralel cu Re:
Rou, : u*t _-iu'Rga-iu'hn (7 7)

i*t -io(1+hr,).R,
rde
(7.8)
Relafiile oblinute evidenliazi calitatea repetorului de emitor de

::aptor de impedanfe pentru un transfer maxim de tensiune. Pentru Rn S€
::1in valori putin peste 100kO, iar pentru Rourvalori sub 700Q. Din rela{iile
- 4), (7.6) gi (7.7) se observ5 ci parametrii repetorului sunt cu at6t mai
: -ni, cu cAt valoarealui hu (fr) este mai mare. O solulie poate fi utilizarea
-anzistoarelor de tip Darlington (a9a cum sunt ilustrate in aplicalia 16) sau
-' tzatea unui circuit cu doui tranzistoare conectate in montaj Darlington.
- reori, la unele scheme practice, in paralel cu joncliunea emitorului
-anzistorului Darlington, se conecteazd o rezistenld (de cdliva kQ pentru
57
tranzistoarele de mici putere sau de sute de O pentru tranzistoarele de

:, . :
Se regleazi
putere), in scopul cregterii vitezei de comutare. lkHzqin.= --: a
Deoarece amplificarea in tensiune este ugor subunitard, s-ar pirea de vedere :: := - -i:
ci etajul repetor pe emitor nu poate introduce distorsiuni. in realitate el compara :- -::- --fI
distorsioneazi semnalul de intrare daci acesta variazd Tn limite largi. Se creste - ,: - s
Printre cauze men[ionim: leqlre apa-: ::'--s,
tr deoarece dependenla lui /c cu /e este liniard numai in domenii 9r se co.r=a'= _ - -
mici de variatie a lui /c rezultd ci la varia[ii mari ale acestuia, Br 4 Cu u"=5 =- ,: :: '
nu mai este constant gi semnalul de iegire apare distorsionat; situalie R-=3, :":
tr dacd uin variazd Tn limite prea largi, este posibil sd determine Se calc- =,-:: -n
blocarea gi (sau) saturarea tranzistorului, adici limitarea (deci obtinut ex:€- -:-=
distorsionarea) semnalului de iegire;
Er daci rezistenta de sarcini este de valoare mici, este posibil ca, 100Q. SE ::-r-:-=
la niveluri mari ale semnalului de intrare (deci gi de iegire), prin calc- ':: - -E
curentul cerut de sarcini si fie mai mare dec6t curentul /c din este ma - a'a :==
PSF, deci semnalul de iegire va fi distorsionat. o Pentru ris---==='
de semra -, = --
7.3. Aplicalie practici in locul sa- :,: r
apropiat- :: :.:= :
1. Se realizeazi circuitul din Figura 7.3. Se regleazi Ra, astfel Tncdt
nostru 62-- - 3tr
Une=5V. Se mdsoard Re gi Re. cu R, De:: -:: = r,
+ Ec= 10V 100 nF z- '-=.3-
aproxima:"':,'
condensa::- :- :-
Rs2MO tantal deca-=:: a=
Cc 100nF mal mlc ::: =' E
influenteazi . ? -:
metoda oe -:: -
-+ Semnal "'
'- : : -=
generato'- - :: -
Re mdsoara 'a -= .=
2,2k4 =
rezistenla ri €i -:
I,"" valoarea aa :- 1.
='a
7. Se comple: a=- 2 - z
8. Se deterr -i =-:r
Figura 7.3 Circuit aplicativ pentru studiul repetorului pe emitor pe emitor
58
Electronici analogici - aplica(ii
Se regleazi R, la zero gi se aplici de la generator un semnal de

1 kHz gi nivel 45 %r. Se misoarS uour gi se calculeazd Au din punct
de vedere experimental. Se calculeazd A, pe cale teoretici gi se

compard cu rezultatul oblinut experimental.
Se cregte nivelul semnalului de intrare pAni cAnd semnalul de
iegire apare distorsionat. Se noteazi amplitudinea acestui semnal
gi se compari cu UcE din PSF.
Cu un=0,SVer se regleazd R, p6nd cind uin=us/2. in aceasti
situa[ie Ri,=Rs.Se scoate Rrdin montaj gi ise misoar5 valoarea.
Se calculeazd pe cale teoreticA Ri, gi se compari cu rezultatul
obtinut experimental.
q
Cu us=0,5%r gi Re=0 se conecteazi ca sarcini o rezistentd de
100C, Se constati ci tensiunea de iegire este limitati. Se verificd
prin calcul faptul ci valoarea maximi a curentului cerut de sarcini
este mai mare decAt /c din PSF.
Pentru misurarea rezistentei de iegire se pasivizeazi generatorul
de semnal (us=O), deci se indepirteazi generatorul de semnal 9i
in locul seu se introduce in montaj o rezistenli de valoare
apropiati de cea a rezistentei de iegire a generatorului, in cazul
nostru 620A. in acest caz, in baza tranzistorului avem Cc in serie
cu Rs. Deoarece, in aceastd situatie, condensatorul Cc are numai
100nF, iar reactan(a lui la frecvenla de lucru de lkHz este de
aproximativ 1,6kQ (mai mare ca R ), acesta se inlocuiegte cu un
condensator cu tantal de 10nF (se utilizeazd un condensator cu
tantal deoarece are curentul de fugi foarte mic (pierderi mici), mult
mai mic dec6t la condensatoarele electrolitice gi astfel nu
influenleazd le al TB, din PSF, care este de ordinul pA). Se aplici
metoda de misurd a rezisten[ei de iegire utilizAnd un generator de
semnal u, in locul sarcinii. Se mdsoari in gol 500mV.r la bornele
generatorului de semnal, se conecteazd in locul sarcinii RL 9i se
mdsoard noua valoate uin a tensiunii la bornele sale. Se calculeazi
rezisten[a de iegire cu relalia (7.7) 9i se compari acest rezultat cu
valoarea calculati teoretic.
7 Se completeazd Tabelul 7.1.
I Se determind amplificirile in curent gi in putere a etajului repetor
pe emitor.
59
9. Se vor reproduce la scard semnalele vizualizale la punctele 2, 3 9l

4 ale aplicaliei practice, trigAnd concluziile care se impun'
Tabelul 7.1
1. Si se realizeze schema principiali a repetorului pe emitor.

2. Si se explice tipul conexiunii tranzistorului, in cazul circuitului
repetor pe emitor.
3. Utilizarea etajului repetor pe emitor.
4. Care sunt avantajele conexiunii cu colectorul comun?
5. Si se realizeze o schemi in conexiune colector comun, cu
tranzistorul bipolar polarizat prin divizor de tensiune. se se
determine punctul static de func[ionare al tranzistorului.
6. Pentru cregterea rezistenlei de intrare a repetorului pe emitor, se
consideri schema in conexiune bootstrap (Figura 7'4)'
+ Ec= 10V
Re 6200
Cc 10pF
CL 100;tF
Cr 10PF
Rer Re
15kO 5ko
I,""
Figura 7.4 Repetor pe emitor cu conexiune bootstrap
60
7 Se calculeazd PSF-ul 9i Rr, Rout, Ar gi Ai.

8 UtilizAnd schema principiali a repetorului pe emitor, se impune un
PSF cu lc=lmA gi Uce=5V. Se gtie ci Fr=100, iar pentru o
excursie maximd simetrici a tensiunii de iegire, se alege cdderea
de tensiune pe Re egali cu Uce. Ce valoare trebuie si aibd Ra?
Utilizdnd circuitul echivalent simplificat cu parametri hibrizi pentru
schema de la punctul precedent, si se calculeze Rir, Rout, Ar gi Ai
(firi valori numerice).
Si se identifice parametrii importanli ai tranzistorului 8C576 9i
explicali daci acesta se poate utiliza intr-o schemi de timp repetor
pe emitor.
61
S.AMPLIFIGAToAREcUTRANZISToAREBIPoLARE
8.1. Obiectivele aPlicaliei
gi rezistentei de iegire,
- determinarea amplificirii, rezisten[ei de intrare
lafrecvenlemedii,pentrudiferiteetajeechipatecuuntranzistor
bipolar;
-evidenliereainfluen[eicondensatoarelordecuplareqidecuplare
joase;
frecventelor
asupra caracteristicii de frecven!5 in domeniul
-vizualizareaSemnalelordeiegirecuajutorulunuiosciloscop.
8.2. Consideratii teoretice

in Figura 8.1 este prezentatd schema unui amplificator cu unal
static de func[ionare
tranzistor npn in conexiune emitor comun. Punctul pr, Rl, Ro' Rz 9i
tranzistorului este determinat de valorile rezistenlelot
lJae' Condensatorul
sursa E6, plecUffi 9i de parametrii tranzistorului' Fr 9i
filrd a modifica
Ca Permite apticarea semnalului dat de generator'
curent continuu a
polarizarea bazei lranzistorului, asigurind separarea in
generatoruluidesemnaldecircuituldepolarizare.Condensatoru]CE
Acest
rezisten[a Rz incepand de la o anumiti frecventi'
scurtcircuiteazd
condensator se incarci la potenlialul emitorului'
+Ec
U
i*'
A R, B Rz.C
Br = Bz)
(Er = H)
F ^ -:
Dacd c'.I -: - -E
. -': ent de ra'= ='-' :
-=; ate Scie-: : l
EC - : t,i'']d tra^z s:: -- : -
Figura 8.1 Amplificator cu tranzistor in conexiune
62
Similar, condensatorul Cr_ separe in curent continuu circuitul de

f,arizare de rezistenla de sarcinS, incircAndu-se la o tensiune egali cu
potenlialul colectorului. in aceste condilii, condensatoarele Ce 9i Cr se
rumesc condensatoare de cuplaj, deoarece acestea permit trecerea
-mnalului variabil de la sursa ue spre amplificatorul propriu-zis gi
soectiv, de la amplificator spre sarcina Rr. intruc6t condensatorul CE
^leazd (decupleazd) pentru semnal variabil rezistenta RE, acesta se
regte condensator de decuplare.
UtilizAnd modelul Giacoletto pentru tranzistor, se obtine pentru
:uitul din Figura 8.1, circuitul echivalent ilustrat in Figura 8.2.
Caracteristica amplificare-frecventd va fi determinatd de cele patru
-densatoare din circuit Coe, Co,r, Ce gi Ca. in funclie de aceste valori,
s:unsul amplificatorului in frecvenld poate fi impi(it in trei domenii:
domeniul frecventelor medii, in care amplificarea este practic
constantS;
domeniul frecven[elor joase, caracterizat printr-o reducere a
amplificdrii datoritd prezenlei condensatoarelor Ce gi Ca,
domeniul frecventelor inalte, in care amplificarea scade datoriti
:ondensatoarelor 666 gi Cor.
Rrz Ce Coc Cr-
''"ll
RsllRr
Rz ECe
Figura 8.2 Schema echivalenti cu model Giacoletto
Dacd presupunem frecvenfa semnalului de amplificat ca fiind

---: ent de mare, atunci reactanlele condensatoarelor Ce, Ce 9i CL pot fi
:: ate. Schema simplificati pentru semnal mic se poate obline
- ::.,l nd tranzistorul cu modelul siu simplificat cu parametri hibrizi, sursa
F_
de tensiune continud Ec, condensatoarele Ce, Ce 9i CL fiind reprezentate n
prin scurtcircuite. in schemd cu Ra s-a ilustrat conexiunea paralel dintre Rs a--
gi Ru. Schema echivalenti cu parametri hibrizi este ilustratd in Figura 8.3. Semnr ^---: = f
:: -= < tnl tn:-'i:-: -=-:
Rin Rinr Rour
Se ooa:::::-: :
Relata =-='.
aa
urmare 'a=:a---='
a-=' cato'L'- :=':- -i
:,:-^l srq. non'.
Ye --a
.
,
-
-=-=' care) C a--a
=--z.;
Din pu^:::: :--
: ' S;nt rez S::-': ::
-= - -:E
Figura 8.3 Schema echivalenti simplificati cu parametri hibrizi ==-âlului de es
-z:t)leazA rez s:= --a : '
Din schema echivalentd se poate calcula rezistenta de intrare ::: ându-se -- :'= . -
,,vdzutd" dinspre bazatranzistoru|ui la masi (8.1):

-r-are se mares::
=-
.-:
R,r, :'= = hrt (8 1) R-
lb
Calculul rezistenlei de intrare in tranzistor hr S€ poate face cu:
25[mVJ
hr, = hr,' (8.2)
l, [mAJ
unde hn iar le=lc poate fi determinat din calculul PSF-ului.
=Br,
Rezistenta de intrare ,,vdzutd" de la sursa de semnal are expresia:
*, =3 = R, + R, + R)1R,", (8 3)
Calculele numerice ar trebui si evidenlieze o valoare mice a

rezistenlei de intrare in circuit, datoritd valorii reduse a lui R,r.
I IUJ .
Amplificarea in tensiune rezulti observind cd Ltir=so"'. '
Ar= - (&ll R,)' e.'u* =9. (RrttR,) (8.4)

r*fu= ui Din schera =:- a
unde
64
n- hr, : l, [mAJ
sn- = 4ol^
---u (8 5)
h- 2St W
Semnul minus al amplificdrii denoti cd semnalele de intrare 9i de
egire sunt in antifazd (defazate cu 1$tr).
Se poate calcula si amplificarea in raport cu sursa de semnal us:
A's:?:tZ-A'''=ou #e (8.6)
Relalia (8.6) arati cd lA,gl <lA,l, daci R, este suficient de mare.

=' n urmare, neadaptarea dintre sursa de semnal gi intrarea
:rplificatorului determind pierderi semnificative de amplificare (de
:remplu, pentru Rs=1k{), se poate ajunge 9i chiar la 25o/o pierdere de
=rplificare). O bund adaptare presupune ca Rin> Ro, astfel inc6t Aus=As.
Din punct de vedere practic, dezavantajele circuitului din Figura
: I sunt: rezistenla de intrare scizuti 9i eventuala distorsionare a
.emnalului de iegire. Ambele neajunsuri pot fi practic eliminate daci nu se
:=cupleazi rezistenla din emitor Rz (condensatorul CE hu va fi conectat),
::tinAndu-se un etaj cu sarcind distribuitd. in acest caz, rezistenla de
-:rare se miregte, iar amplificarea scade.
Rn Rnr Rout
Re Ube
Figura 8.4 Schema echivalenti simpliflcati pentru

etaj cu sarcini distribuiti
Din schema echivalenti ilustrati in Figura 8.4, se obfine rela[ia:
65
Electronici analogicd - aplica{ii
Pentru circr*t
Rinr :?: h,, +(t + hr,) R, (8.7) rnplificarea va deven
lb
Daci Rr si Rz ar lipsi, rezistenla de intrare in circuit R,n ar fi A,, =uou
" =
u,n
aproximativ egali cu Rs, adicd intrarea amplificatorului ar fi guntati la
masi de rezistenlele de polarizare ale bazei. Din punct de vedere al Avantajul a::s'i a:
comportirii circuitului la varialii, s-ar impune o rezistenli Re c6t mai mare. :- tor. se poate *a="'-.= -J
in acest caz, nu s-ar mai putea neglija curentul de bazd lsfald de curentul Pentru a a--=
prin divizorul rezistiv format din rezistentele Rs gi Rr. Ar fi necesar ca -=: stentei de intra-: := ::;
acest curent si fie cel pulin egal cu 10.1a, adicd hx.Rt210.Ra. Aceste
considerente reprezinti solulii de compromis pentru o funclionare bund a
circuitului atAt in curent continuu, cAt 9i la semnal mic.
La etajul cu sarcini distribuitS, amplificarea va fi:
A =u* =-\nullnr)'g.'u,
"'- u - A*g,.Rr).u,n=RullR,
(8.8)
R7
Se observi ci amplificarea nu mai depinde de 9,,, adici o sursi
de distorsiuni este eliminatd. De asemenea, cresterea rezistenfei de
intrare va asigura cd Aus=Ag. insi aceste imbunitiliri se oblin cu prelul
sciderii destul de mari a amplificirii.
Solulia practicd (de fapt, un alt compromis) este decuplarea
parlial5 a rezistentei din emitor (Figura 8.5).
Figura -:
: 3. Aplicatie pracr:i
Se realize::i -:-
Ec= 10 V'
Se mdsoa-i ::":-
UE,PTeCU-S =:"3t
Se calcu ea-i --i
lucreaza i' -3: --=j
tr
t _ -j -,-
,C
/ \-_
Figura 8.5 Circuit cu decuplarea partiald a emitorului vcE-\J_- -=
66
Electronici analogici - aplicatii
Pentru circuitul din Figura 8.5, PSF-ul rimAne acelasi, dar

rnplificarea va deveni:
A, =!lo"- =
R'! (8.9)
" rJ,, RrllR,
Avantajul acestei scheme este ci modificind doar rezistenla din
anitor, se poate modifica amplificareafdrd modificarea PSF.
Pentru a elimina influen[a rezisten[elor de polarizare asupra
rezbtenleide intrare se poate utiliza schema bootstrap din Figura 8.6.
+Ec
Figura 8.6 Circuit bootstrap cu TB in conexiune EC
3. Aplicalie practici
1. Se realizeazi montajul experimental din Figura 8.7 9i se fixeazi

Ec=10V.
Se misoari poten[ialele continue ale colectorului Uc
Uc, emitorului
UE, precUffi gi la capetele rezisten[ei Rs (Uar gi Uaz).
Se calculeazi urmitoarele valori, verificAnd astfel ci tranzistorul
lucreazd in regiunea activi normali.
(8.10)
(8.11)
67
Electronicd analogici - aplica{ii
-abelul 8.1
(8.12)
.i _i
J3-W1.WF-W4
^ -/\
Se realizeazi schema cu tranzistor bipolar in conexiune emitor ^_^.

t3-92,VE-\t5
comun (conform Figurii 8.1), prin efectuarea conexiunilor Br-Bz, ^_^,^_^
Ja-w1,wE-v5
B-C, iar Ce=Cr gi CE=Cs). Se fixeazd frecven[a generatorului de
semnal f=20kHz 9i se regleazd amplitudinea sursei de semnal
pentru a obtine un= 10mV"r. Se misoate us 9i uorr 9i se determind:
. 5. Misuritorile
amplificarea la frecven[e medii pentru toate
(8.13)
Au= llout /llin 6. Pentru Ca=
. rezistenta de intrare frecven[a ge
P,n= gi,1/iin= Rr ltin / (ug- un) (8.14) 8.2.
Se va completa Tabelul 8.1. Tabelul 8.2

flkHz'.
Rg wts-w2
Rz Cz
vE-w4
B I F
Ca=Cz
UE-(/5
u o":ll'.
Se m6sca'i - --e:
relatia (8 ': ==-
7 Se rea z='=-= :.=.r
Figura8':='?
l=ZUKH: --=---
A, gi R-.- ': =- r=
A -:+
u-
Se comp e:::-: -;
Se real zez-2 -.:-
Figura 8.7 Aplicalie practicd pentru TB in conexiune emitor comun
conexiur'= I :
us=10C '^.': j -
relatia
68
Electronicd analogici - aplica[ii
-abelul 8.1
^ _^.i _^
Ja-\)1,wE-w4
^_^.^_^
-:-w2,wE-w5
Misurdtorile 9i determinirile de la punctul precedent se reiau

pentru toate seturile de valori Ce gi Ce indicate Tn Tabelul 8.1.
Pentru Cs=Cr, CE=Cz gi men[inAnd uin=10mVer se modificS
frecven[a generatorului de semnal la valorile indicate in Tabelul
8.2.
8.2
=celul
-=-V4
_:-L/5
Se misoari in fiecare c?Z usu1, deterrninindu-se A, cu expresia din

relalia (8.13). Rezultatele se trec in Tabelul 8.2.
7 Se realizeazd configuratia de etaj cu sarcini distribuiti (cel din
Figura 8.1, dar fdri condensatorul Ce gi cu Cs=Cr). Se fixeaz5
f =20kHz, un=100mV"r gi se misoari Ltin, Ltbe gi uorr. Se determini
Augi Ri, cu relaliile (8.13) si (8.14), iarA,r cu rela[ia:
Ar, =%
ui,
(8.15)
Se completeazd Tabelul 8. 3.
Se realizeazi configura[ia de etaj bootstrap din Figura 8.6 (se fac
conexiunile E-Br gi Cr-H, iar CB=C1). Se fixeazd f=2lkHz,
us=100mV.r gi se mSsoari ug gi uo". Se determind Au gi Rin cu
relalia:
69
9. TRANZISTOARET
R,n:(R, + Rr). ui' (8.16)
(TEC-J)
us-u^
Rezultatele se trec in Tabelul 8.3. 9.1. Obiectivete .pd
Tabelul 8.3 o pr€Zehtarea silrl
Experimental Teoretic pentru trarztsf
us= 100
1mV"rl
Us Ube Uout
A, Aur
Rin
A, Aut
Ri, o trasarea card
lmvj lmvl lmvl P.al wal transfer ale rnil
Etaj cu . analiza functiqfl
sarcini o pleZ€htarea *
distribuiti in tensiune sr ql
Etaj
bootstrap 9.2. Consideralii te{
9. Se compari valorile determinate experimental pentru amplificarea 9.2.1. GeneraliGiti
la frecvenfe medii Au gi rezistenta de intrare Rin a etajului cu Func[ionarea TEI
tranzistor in conexiunea cu emitor comun (vezi Tabelul 8.1) cu cele adici controlul cond.f
calculate cu rela[iile (8.3) gi (8.4), considerind rm,=0. electric transversal apE
10. Pe baza datelor din Tabelul 8.2 se reprezinti pe acelagi grafic canalul este determhna
variatia amplificirii A, in func[ie de frecventi, pentru seturile de (cei majoritari). mciliv pc{
valori date pentru Ca gi Ce. d
Tranzistoareb
11. Se compari valorile obtinute experimental in cazul etajului cu importante: ^
sarcini distribuiti pentru Rin, Au gi Au (Tabelul 8.3) cu cele o prezintd rezistrf

calculate cu relatiile (8.7), (8.8) 9i (8.9), luAnd roo,=0. 10'0t4, nino csri
12. Se compari valoarea ob[inutd experimental pentru Au in cazul o pot 1 a1p-e d
etajului bootstrap cu valorile date de relafia (8.9). tehnologie intEgr/
la rezistenfa ddd
8.4. Evaluarea cunogtintelor o din punct de (
1. Realizarea schemelor principiale pentru etaj de amplificare cu tranzistoareb fi
tranzistor in conexiune emitor comun, pentru etaj cu sarcini in aceste confi
distribuitd, pentru etaj cu decuplarea pa(iali a emitorului gi etaj ooi
'ealizarea ci rcu itelor
bootstrap. in practica erecll
2. Care sunt diferenfele Tntre etajele mentionate mai sus? lnba englezi - JFET {.I
3. Factorii care influenleazd rispunsul amplificatoarelor mentionate. Tranzistoareb TEI
ar canalp. in Figura g.t r
n- Se observi o bai Gr
70
9. TRANZTSTOARE CU EFECT DE CAIVIP CU JONCTIUNE

[rEc-J)
9.1 . Obiectivele aplicaliei
o pr€Z€htarea structurii, principiului de func[ionare si a simbolurilor
pentru tranzistoarele TEC-J ;
o trasarea caracteristicilor statice de dreni si a caracteristicilor de
transfer ale unui TEC-J;
. analiza funclionirii unui amplificator cu TEC-J;
o pr€zehtarea aplicaliilor specifice cu TEC-J (rezisten!5 comandati
in tensiune gi sursi de curent constant).
92. Considerafii teoretice

t,21. Generalititi
Func[ionarea TEC-J se bazeazi pe principiul efectului de cimp,
dci controlul conductiei unui canal semiconductor, de cdtre un cimp
cbctric transversal aplicat din exterior. Curentul electric care stribate
cztalul este determinat de circulatia unui singur tip de purtdtori de sarcini
ffid majoritari); motiv pentru care TEC-J sunt dispozitive unipolare.
Tranzistoarele cu efect de cimp au urmitoarele proprietili
4ortante:
o prezinti rezistenli de intrare foarte mare (uneori chiar peste
1O'o{4, fiind dispozitive comandate in tensiune;
o pot fi utilizate ca rezistenle comandate in tensiune, iar in
tehnologie integrati, ocupi o rezistenld de arie mai mici raportat
la rezistenla clasici echivalentS;
o din punct de vedere fizic, prezinti o arie mici in raport cu
tranzistoarele bipolare.
in aceste condifii, aceste proprietdli le fac de neinlocuit pentru
ffirea circuitelor complexe, cum ar fi: microprocesoare, memorii etc.
in practica electronicS, se utilizeazd frecvent prescurtarea din
Fa englezi - JFET (Junction Field Effect Transisto).
I
t^ franzistoarele TEC-J sunt de doui tipuri: cu canal n si respectiv,
p, anal p. ln Figura 9.1 se prezinti structura lizici a unui TEC-J cu canal
lr S" observi o bari de siliciu, previzuti la cele doud capete cu doui
71
contacte ohmmice. Unul din acestea este numit sursi (S), iar celilalt Dacd Uos=0 (grila legfrl
drend (D). Pe ambele p5(i ale canalului este format un material de tip p canal circuli un curen I
prin difuzie. Se vor creea astfel, doui joncliuni pn, ale ciror regiuni p sunt canalului se micAoreai t
conectate impreuni, formAnd poarta (grila) dispozitivului. potential este mai rrEtre-r
regiuni de epuizare se I
dispari(ia canalului se rrr
cu lUu"l >
lu"l curentr/ |r
Daci Uas dept
stripungere. poladtama r
funcfionarea trarzi#rl
tehnologice, pentru @
Uos hanzistoarele cu cand n (
Daci pe grilii
secliunea transversalii a c -
Figura 9.1 Structura gi polarizarea unui TEC-J
varia[ia curentului li o, I
limitarea sa se prodr.rce hr
/o este gi ea mai n*:- a
in funclionare normalS, joncliunile sunt polarizate invers, incAt prin
terminalul grild va circula un curent invers foarte mic. CAnd avem
lo=f(Uos), pentru mai nr-t
tensiunea Uos<0, in jurul jonc[iunilor se vor forma regiuni de sarcini
caracteristici statice deci
spalial5 siricite in purtitori de tip n (zonele hagurate din Figura 9.1).
Aceste regiuni vor determina ingustarea canalului de tip n, prin care trec
electronii furnizali de sursi pentru a fi colectali de dreni. Deci, curentul de
dreni /o este controlat de tensiunea gril5 - sursd Ues. Cu alte cuvinte,
TEC-J-ul este un dispozitiv comandat in tensiune, spre deosebire de
tranzistorul bipolar care este un dispozitiv comandat in curent.
Simbolurile folosite pentru un TEC-J de tip n, respectiv p sunt
urmitoarele:
0
S
Figura 9.2 Simbolurile grafice pentru TEC-J (canal n 9i canal p)

Figura 9.3 Fa- z a
72
laci Uos=0 (grila legati la sursi), la aplicarea unei tensiuni Uos#0, prin
:anal circul5 un curent /o propo(ional cu Uos. Sectiunea transversald a
:analului se micgoreazd mai mult in dreptul drenei, unde diferen[a de
::tenlial este mai mare. Valoarea tensiunii Uos pentru care cele doud
'=giuni de epuizare se intrepitrund pe toati lungimea, conduc6nd la
: sparilia canalului se numegte tensiune de prag Up. Pentru tensiuni Ues
-- Unrl>lUrl curentul /o este zero, oricare ar fivaloarea tensiunii Uos.
Daci Uos depdgegte o valoare limiti, tranzistorul intrd in
::-dpungere. Polaritatea tensiunii Uos nu este determinantd pentru
- rclionarea tranzistorului cu efect de cAmp. Din considerente
=.nologice, pentru tranzistoarele cu canal p se preferi Uos<0, iar pentru

-arzistoarele cu canal 11, Uos>0.
Daci pe grili se aplici o tensiune negativi fati de surs5,
-=:!iunea transversald a canalului se micgoreazi pe toati lungimea sa,
:ratia curentului lo cu tensiunea av6nd aceeagi formi, numai cd
- tarea sa se produce la o tensiune Uos mai mici, iar valoarea curentului
, oste gi ea mai mici decAt in cazul Ues=0. Tras6nd grafic variatia
:=f(Uos), pentru mai multe valori ale tensiunii Uos, Se obtine o familie de
::'acteristici statice de iegire, ilustrati in Figura 9.3.
Uos = Uos- Up
Regiunea Regiunea
liniari , de saturati
Uos=-1V
Uos> Ucs- Up
Ues=4V
Uos(V)
Figura 9.3 Familia caracteristicilor de dreni ale unui TEC-J
73
intrucAt rezisten[a de intrare in tranzistor este foarte mare (de fapt,

o diodd polarizatd invers), curentul de grild /o este foarte mic in
compara[ie cu curentul de dreni lo, iar caracteristicile de intrare nu se pd
determina.
Valoarea limiti a curentului de dreni cAnd U6s=0 se numeEt
curent de dreni de saturatie /ass.
in regiunea de saturalie, caracteristicile de iegire, respecti or
foarte buni aproximatie, o lege pitraticd de forma:
ro:ro""l, -$-)'
uP
(e 1)
\ )
De remarcat c5, intotdeauna tensiunile Uos gi Ues sunt opuse :.=
semn.
in Tabelul 9.1 se prezinti simbolurile pentru tranzistoarele cu efe:
de cAmp cu joncliune, polaritatea bornelor pentru func[ionare normali = /
sensul real al curentului de dreni.
Tabelul 9.1
\
;fr
9.2.2. Gircuite aplicative cu TEC-J

9.2.2.1. Circuit de amplificare cu TEG-J
TEC-J-urile pot fi folosite in circuite de amplificare. Etaje
= r
amplificare cu TEC-J au avantajul unei rezistente de intrare foarte r-3- !,
prin alegerea corespunzitoare a PSF, a unei bune comporta- r;

temperatura. Amplificarea realizald este relativ mici, dec=== ---:
tilr-; - _ :: -=
transconductanta g, la TEC-J este cu un ordin de mirime mai micE :+:m
cea a tranzistorului bipolar.
74
in Figura 9.4 se prezinti un etaj de amplificare in conexiune sursa

@muni, cu TEC-J tip BFW11. Rezistenfele Rs gi Ro asigurd polarizarea
automati a grilei fa[i de sursd prin cdderea de tensiuhe Rs./o produsi de
Ie pe Rs gi legarea grilei prin Ro la potenfialul masei. NeglijAnd ciderea de
tensiune Pe Ro, Uos=-Rs'/o. Condensatoarele se aleg astfel incAt ele si
fie scurtcircuitate la frecven[a de lucru. Se observi cd rezisten[a de intrare
ln montaj este practic egalS cu R6, deoarece RinrEcr = *.
+ Voo = 10V
Ro
2,7krl
Cc100nF Cr-
"-l 22yF
Rr_
Rc
Un 2MO trS
10ko
100pF
Figura 9 4 Amplificator cu TEC-J
i 2,2,2. Rezistenti controlati in tensiune

in regiunea nesaturatS, adici pentru tensiuni Uos mici, inclinarea
.-:cteristicilor (care reprezintd conductan[a TEC-J intre dreni gi sursi)
,:': dependenti de tensiunea Uos (Figura 9.5). TEC-J poate fi folosit ca o
=: stenti a cirei valoare poate fi controlati de o tensiune continui, deci
: -::e fi controlat5 electric. Cu aceasti func[ie, TEC-J-urile se folosesc de
-:- d in circuitele de stabilizare a amplitudiniiin oscilatoare.
Schema din Figura 9.6 pune in evidenld comportarea unui TEC-J
. -ezistenli comandati in tensiune. Schema reprezinti un divizor al
+-ralului de intrare ur, intr-un raport controlat prin tensiunea continui U.
75
: .,,zare din relat a

Ucs = 0V
-axim5, tensiunea
Ucs=-1V spozitivul in aces:
Uos = -2V -rentului de grilS =
,2,2.4. Sursi de cu
TEC-J ir' :-:-
'entul /o care p't: -:
-
Figura 9.5 Familia caracteristicilor de transfer ale unui TEC-J
Rr 10kO
-Ec=-10V
J,
Figura 9.6 Comportarea TEC-J ca rezistentd comandat5 in tensiune
Daci se noteazi cu R=R(U)rezistenla echivalenti dintre sursi s

dreni, atunci se poate scrie:
uo* R(u)
ui,=n, + A(U)
(e.2)
Rezistenla Rr se alege intre cdteva sute de ohmi si 100 kO, pentru

un bun compromis intre rezistenla de intrare Ri,=Rr+R(U) si raportul de
76
- " zate din relalia (9.2). in unele aplicalii, pentru a se obtine atenuare
-:xrm5, tensiunea de control poate fi ugor pozitivS. Pentru a proteja
: -:ozitivul in acest caz se poate introduce o rezistenli de limitare a
- --entului de grili (Rz=10kQ).
)22.4. Sursi de curent constant

TEC-J in circuitul din Figura 9.7 are grila polarizatd automat de
rrentul lo c"ra produce o cddere de tensiune pe Rs Deci, Uos =- Rs' /o.
+ Voo
lo
Rs
Figura 9.7 Funclionarea TEC-J ca sursi de curent constant
Dar lo (care produce Uos) gi Uos sunt legate prin legea pitratici a
caracteristicii in regiunea de saturalie:
/o =/oss' (1 -Uas/ue)2 (e 3)
EliminAnd Uos intre cele doue rela[ii:
'"=+l(;7"--1ffil ''n
Relatia obtinuti este complicati ca formi, dar pune Tn evidenti un
hpt interesant: curentul /D pentru un TEC-J, nu depinde decit de
rezisten[a Rs gi este independent de tensiunea de alimentare. Deci,
circuitu! este o sursd de curent constant a cirei valoare se fixeazi prin
abgerea rezistentei Rs.
Dezavantajul major al TEC-J ca sursd de curent constant este ci misura amp :-: -r:
nu Se poate gti exact valoarea curentului generat, TntrucAt existd o c6nd se cons:::= -
dispersie a parametrilor Up si /oss. Rezistenla Rs permite ajustarea distorsiondr r s.- -i
curentului de dreni. pentru Rs=0, oblinem /o=/oss. Astfel, se poate Spune redevine sinus: :a
ci funclionarea TEC-J ca sursi de curent constant este corespunzitoare va determina s
=
pentru curenli /o </oss. daci pentru - = -- i
rezulti ci ,R ,- , ---:
9.3. Aplicalie practici -abelul 9.3
1. Se determini /oss 9i Up pentru un TEC-J cu canal tip n, BF245A. UN]
2. Se realizeazd montajul din Figura 9.8 gi se traseazi caracteristicile Uout
statice de iegire le=f(Uos), completindu-se Tabelul 9.2.

4 Se realizeazi
=--tt
amplitudine a , 2- -E
forma de va- -
=--.
5 Se reprezi^:- ;-=e
date.
b Se vizualize=-= -a
cu canal - :.
Observati c=== f
orizontale
3,4. Evaluarea cu n cs:ilI

Figura 9.8 Schema pentru determinarea caracteristicilor statice de iegire 1 Se se expl 3.= ---=
Tabelul9.2 2. Si se desc-: -,: a
UaslVl 0 1 2 3 4 6 8 10 15 20 CAte jonc; -- =-: -
Uas=0 Curentul ce:'=-::
Uos=-1V Si se desc-: ::-e:
lo Tensiunea , :' r-z
Uas=-2V
lmAI TEC-J cu ca-: --
Uos =-3 V =
Ce este /--..-
Uas=-4V
Un TEC-J :- :.:-3
din sursi F. ' :'.
3. Se realizeazi montajul din Figura 9.6 utilizind Rz=O (scurtcircuit), ==
Circuitul ec- .: =-
deoarece tensiunea U ia doar valori negative. Se aplici la intrare
Cum funcr :-a='=
un semnal sinusoidal uin de amplitudine 0,5Vv-v. Se vor stabili
pentru U valorile corespunzdtor cu cele din Tabelul 9.3 si se va
78
mdsura amplitudinea v6rf-la-v6rf a semnalului de iegire usd, pdnd

cAnd se constate un efect de limitare a acestuia. Explicali motivul
distorsionirii semnalului uout si faptul pentru care semn?lul ttout=ttin
redevine sinusoidal, la o tensiune U cuprinsi intre -8 V 9i -10 V. Se
va determina si reprezenta grafic dependenla R(U) (de exemplu,
daci pentru U=0 % s-a misurat uout=0,07 Vv-v, din relalia (9.2)
rezultd cit R(0 V) / 50 = 200 O).
=fu
-abelul 9.3
4 Se realizeazi amplificatorul din Figura 9.4. Se aplici un semnalcu

amplitudinea vdrf-la-vArt de 2 V si frecvenla de 1kHz. Se observi
forma de varialie in timp si valoarea semnalului de iegire.
5 Se reprezinti grafic caracteristicile /o =f(Uos) conform tabelelor de
date.
o Se vizualizeazd caracteristicile de dreni (de iegire) ale unui TEC-J
cu canal n, de tip BF245A, cu ajutorul unui caracteriscop.
Observali dacd pentru Uos>Uassar, caracteristicile sunt practic
orizontale.

1. Si se explice functionarea unuiTEC-J.
2. Si se descrie polarizarea unuiTEC-J.
3. CAte jonctiuni are un TEC-J?
4. Curentul de dreni al unui TEC-J.
5. Sd se descrie caracteristicile de dreni ale unuiTEC-J.
6. Tensiunea Uos trebuie si fie pozitivd sau negativi, pentru ca un
TEC-J cu canalp si funclioneze?
7. Ce este /oss?
8. Un TEC-J cu canal n, ate curentul de drend de 12mA 9i rezistorul
din sursi Rs de 1204. Si se calculeze Uos.
9. Circuitul echivalent de semnal mic al unuiTEC-J.
10. Cum func[ioneazd un TEC-J ca sursd de curent constant?
7eI
I
11. Se se descrie utilizarea unui TEC-J ca rezistenta comandati in 10. TRANZISTOARE ;

tensiune si ca sursd de curent constant. SEMICONDUCTOR'E
12. Ce valori poate sd ia tensiunea Uas pentru oblinerea fenomenului
10.1. Obiectivele apl -:r
a
de saturalie curentului de dreni lo, in condilii de gril5
nepolarizati? o prezehtarea s: - - :- --r
13. Ce valoare poate si ia
curentul de dreni lo, dacd tensiunea Uos pentru tranz s: : =-='=
este nuli? Care este compartamentul dispozitivului in aceste . trasarea cata:-:- :--. :
condi!ii? tipuri de tranz -'
a analiza funct:-
a se descriu rr i s
'0,2. Consideratii te
'0.2.1. GeneraliGli
Aceste disp::' : :'

-, C-semiconductcr -:':
= ::tric la supra'a:: :: -
:=^rmirea MOS a : s: ::
: i :n cAmp electr : : ,-: - :.
Tranzistoa':=-:- '
. rezistentd :: -' ==
. COnSUm ff : :: : --=
. dimensiun ': :: - :
de dispozt,= '= a
contine un '
. frecvente de
Avind in ''=:='= 1
::-ponentd utiliza:i - ::
in funclie de ^.::
a cu canal ind"s
a cu canal in t a
TEC-MOS
r;u d, substratu
80
Electronic6 analogici - aplicafii
IO. TRANZISTOARE CU EFECT DE CAMP METAL.OXID.

SEMTGoNDUCTOR (TEC-MOS)
o preZertarea structurilor, principiilor de functionare gi simbolurilor
pentru tranzistoarele TEC-MOS (cu canal indus si cu canal inifial);
o trasarea caracteristicilor de transfer pentru fiecare din cele patru
tipuri de tranzistoare TEC-MOS;
. analiza funclion5rii unor amplificatoare cu TEC-MOS;
o se descriu misurile de protecfie a tranzistoarelor TEC-MOS.
I 0.2. Gonsideratii teoretice

10.2.1. GeneraliGiti
Aceste dispozitive electronice sunt realizate pe o structuri metal-

oxid-semiconductor, care funclioneazd pe baza conducliei curentului
ebctric la suprafala semiconductorului. Aceasti structuri determini
denumirea MOS a dispozitivului, iar efectul de cdmp se datoreazi faptului
ci un cdmp electric extem determini conduclia in tranzistorul MOS.
Tranzistoarele TEC-MOS se fac remarcate prin urmitoarele:
o rezistenli de intrare foarte mare;
. consum mic de putere;
. dimensiuni fizice mici (se pot realiza microprocesoare cu milioane
de dispozitive, fali de cip-urile cu tranzistoare bipolare care pot
con[ine un numdr cu pini la doui ordine de mirime mai mic);
o frecvenle de lucru foarte mari gizgomot propriu redus.
Avdnd in vedere aceste avantaje, TEC-MOS-uI este principala
componenti utilizatd in realizarea circuitelor digitale, dar 9i analogice.
in funclie de modul de operare, TEC-MOS-urile se impart in:
. cu canal indus (n sau p);
. cu canal initial (n sau p).
10.2.2. Structura, simbolul gi funclionarea TEC-MOS

TEC-MOS are structura tehnologici prezentati in Figura 10.1. De
reguld, substratul este legat electric intern la sursi. Substratul 9i grila
81
Iormeazl un capacitor (condensator), avAnd ca dielectric, oxidul care se

comporta ca un izolator.
metal
oxid
substrat de tip p A-1
substrat B (body)
Figura 10.1 Structura unui TEC-MOS cu canal n indus
in absenla unei tensiuni aplicate pe grili, sursa 9i drena sunt

separate de doui jonc[iuni p-n* in opozitie, fapt ce nu permite circulatia
unui curent intre cele doud terminale.
Dacd pe grild se aplici o tensiune pozitivd in raport cu sursa, in
semiconductor, in imediata vecinitate a stratului izolator de oxid, se
acumuleazd o cantitate corespunzdtoare de sarcini negativi, adicd cregte
concentralia de electroni, care sunt purtitori minoritari. Daci Uos este
suficient de mare, concentralia de electroni depdgegte pe cea de golun
realizAndu-se o inversare a tipului de semiconductor la suprafala sa. in
aceste conditii, se formeazi un canal indus de tip n care permite circulalia
unui curent intre sursi gi dreni. Din punct de vedere fizic, in circuitele
analogice, l5limea canalului poate fi 9i de o mie de ori mai mare decAt
lungimea, in scopul oblinerii unui c69tig mare in tensiune' [Red' 09]
Valoarea minimd a tensiunii de grild pentru care se formeazS
canalul indus se numegte tensiune de prag Up. De remarcat ci TEC-MOS
funclioneazi pentru Cu alte cuvinte, tensiunea de prag este
lUn"lrlUrl
de fapt, valoarea tensiunii Ues p€ntru care lo se anuleazi.
Caracteristicile statice de iegire sunt prezentate in Figura 10.2.
Pentru tranzistoarele TEC-MOS cu canal indus, de tip n Sau p, curentul de
dreni /o se poate scrie, in conformitate cu regiunea de functionare:
82
in regiunea liniard, caracterizatd de relafi" lu*l.lU^,",|, curentul

de drend este propofiional cu diferenla (UorUe):
I o = K -[2 .(Un" - u r) U r" - U3"] (10.2)
in regiunea de saturalie, adicd pentru lU*lrlU^",,1, dependen{a
corespunzdtoare
lo=K-(u*-ur)' (10.3)
- :e K= ( 1-10) fmA/\fl este un parametru constructiv al tranzistorului.
lo(A)
2
Ucs= 10V
1.6 9V
1.2 8V
7V
0.8
6V
0.4 5V
4V
40 Uos(V)
gura 10.2 Caracteristici statice de iegire ale TEC-MOS cu canal indus
de tip 85170
=: -ta 10.3 Caracteristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal n indus
83
TEC-MOS cu canal indus funcfioneazd in regim de imbogdlire,

deoarece tensiunea aplicatd pe grild conduce la cregterea concentrafiei de
purtitori fati de situafia corespunzind Uos =0.
in schimb, TEC-MOS cu canal ini[ial, la care canalul este oblinut
prin procesul de fabricatie, poate funcliona atAt in regim de imbogdfire, cilt
9i in regim de sdrdcire, deoarece tensiunea Uos poate lua valori atAt
pozitive cAt gi negative. Structura unui TEC-MOS cu canal initial este
ilustrati in Figura 10.4.
metal
=
="ta'10
5 Caracie-s-" :: =
canal initial n
-=:elul 10.1
oxid
substrat de tip p canal n
substrat B (body)
Figura 10.4 Structura unuiTEC-MOS cu canal n initial
Canalul inilial existd chiar 9i pentru Uos=0. Pentru Uos>0 se va

induce in substrat (de fapt, in canalul inilial) sarcind negativi, ceea ce
conduce la reducerea rezistenlei prezentate de canalul, iar curentul de
dreni /o cregte fa!6 de valoarea corespunzid lui Uos=0. in acest caz. canal n
tranzistorul lucreazi in regim de imbogSlire. Dimpotrivi, daci Uos<0,
sarcina indusi in substrat va fi pozitivS, canalul se va ingusta, rezistenta
lui cregte, iar curentul de dreni scade fali de valoarea sa la U6s=0. Ca
urmare, tranzistorul lucreazi in regim de sirdcire.
Caracteristicile statice de iegire sunt identice cu ale TEC-MOS cu
=
canal indus, dar caracteristica de transfer ilustreazi ambele regimuri de
funclionare - imbogilire gi siricire (Figura 10.5).
in Tabelul 10.1 se prezinti simbolurile pentru TEC-MOS
polaritatea bornelor pentru functionare normali 9i sensul real al curentului 3:servatie practrci
de dren5. Pentru ca -= : -',' : :
: -:r t, terminale e s--' -=
.':- cl tresi meta :i :,: -
84
Regim de imbogilire
Regim de sdricire + Ucs
pentru TEC-MOS cu canal n initial

=
=tta 10.5 Caracteristica de transfer
-=celul 10.1
canal n canal p
lo lo
D D
G Uos G
+c>
Uos S
+
1,";
canal p
GS
- :servatie practici
Pentru ca TEC-MOS-uI si nu fie avariat cdnd nu este plasat in
, :-t, terminalele sunt frecvent conectate impreunS, printr-o foili de
'=- cl, tresi metalici sau burete conductor care previne inc5rcarea cu
sarcine a grilei. Producitorii recomandd ca atunci cAnd se lucreazi --

TEC-MOS-uri sd nu fie scoasi foita p6nd cAnd dispozitivul nu este pa==
in circuit gi ca uneltele si fie legate la masd (pistol/stalie de lipit. c =."
etc ).

7. Se determind Up pentru un tranzistor TEC-MOS cu canal n ir':-:
tip KF 521.
8. Se realizeazd montajul din Figura 10.6 gi se vor:':::

a
caracteristicile statice de iegire lo=f(Uos), ale unui TEC-MOS :-

canal indus, completindu-se Tabelul 10.2.
Figura 10.6 Circuit aplicativ pentru trasarea caracteristicilor de iesire

Tabelul 10.2
9. Pentru trasarea caracteristicii de transfer lo=f(Ues) a unui TEI-

MOS cu canal inilial n, se realizeazd montajul din Figura '13 -
Sursa Ut furnizeazi tensiuni pozitive 9i negative. Se reglee-=
86
tensiunea Uz astfel incAt Uos=ljV si se menline la valoare

constanti. Apoi, reglim tensiunea Ur, conform cu Tabelul 10.3.
Figura 10.7 Circuit aplicativ pentru trasarea caracteristicii de transfer

fabelul 10.3
UoslVl 0 -1 -2 -3 -4 -5 -6
, --' IY] lolmAl
10. Se realizeazd montajul din Figura '10.8. Se variazd tensiunea de

alimentare Voo li se completeazdTabelul 10.4, mdsurAnd valorile
corespunzitoare curentului de dreni lo 9i tensiunii Uos. Se
analizeazd valorile 9i se trag concluzii.
f$elul 10.4
11. Se realizeazd montajul din Figura 10.9. Se variazd tensiunea de

alimentare Voo li se completeazi Tabelul 10.5, misurind valorile
corespunzitoare curentului de dreni /o 9i tensiunilor Uos gi Ues.
Se analizeazd valorile 9i se compari cu cele oblinute cu
precedentul circuit de polarizare.
87
-::elul '10.5
+Voo VoolV
lolmAl
UoslVl
UoslVl
12. Se deseneazi r{
datele experimefl{
I
10.4. Evaluarea cr.lnq(
Figura 10.8 Circuit aplicativ de polarizare a unuiTEC-MOS

hdicali daci ,,r, --
+Voo "n{
r*punsurile: l
La tranzistc:-: : -
de functio-:-= =
'=
statici de es = l
La un trarz s:: -=
dependenta --=- -
Figura 10.9 Circuit aplicativ de polarizare a unuiTEC-MOS
88
Electronici analogicd - aplicafii
-abelul 10.5
12. se deseneazi schemere utilizate in aplicalie gi se analizeazd

datele experimentale.
10.4. Evaluarea cunogtinletor

1. Explicati funcfionarea tranzistoarelor TEC_MOS.
2. Descrieli cauza distrugerii accidentale a unui rEc-Mos, care nu
este montat in circuit.
3. Care sunt avantajele si dezavantajele utilizdrii tranzistoarelor TEC-
MOS?
dcati daci urmitoarele afirmafii sunt adevirate, argumentand

ispunsurile:
La tranzistoarele TEC-Mos se traseazi trei caracteristici statice

de funclionare: caracteristica statici de intrare, caracteristica
statici de iesire 9i caracteristica statici de transfer.
La un tranzistor TEC-Mos, caracteristica de transfer este dati de
dependen!a lo=f(l6).
89
1 1. STUDIUL TIRISTORULUI
1 1.1. Obiectivele aplicaliei
- prezentarea structurii 9i principiului de funclionare al unuitiristor;
{
- punerea in evidenti a caracteristicilor curent-tensiune ale unui
tiristor;
- determinarea pe cale experimentald a curentului de men[inere gi a
celui de acrogare (agSlare).
\
11 .2. Cons iderafi i teoretice
11.2.1. Structura, simbolul 9i funclionarea tiristorului
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor format din patru straturi Fig u'a
semiconductoare dopate complementar, dispuse alternant, ce contin trei

joncliuni pn. in constructia normald are trei electrozi: anodul A, catodul K
gi electrodul de comandi (poartd sau grilS) G.
Aceastd structuri cu treijoncfiuni, permite tiristorului si lucreze la
tensiuni 9i curen[i mari, at6t in regim de c.c., cAt 9i in regim de c.a.. Se
utilizeazl in diverse circuite de comandd a motoarelor (invertoare,
redresoare sau convertizoare statice), in circuite de reglare a puterii, in
circuite de comandi a releelor gi in circuite de protecfie la supratensiune.
Structura gi simbolizarea tiristorului sunt ilustrate Tn Figura 11.1.
GG
Figura 11 .1 Structura 9i simbolul grafic al tiristorului
Ca 9i tranzistoarele, tiristoarele sunt realizate Tn diverse capsule,

de obicei din material plastic. Tiristoarele de putere au capsule metalice
prevdzute cu gurub de fixare pe radiatoare (Figura 11.2).
Structura interni a unui tiristor poate fi asimilatd cu cea a und
circuit format din dou6 tranzistoare, ca in Figura 11.3.
in func[ie de modul de polarizare, se disting citeva regimuri de
functionare, aga cum se observi pe caracteristica curent-tensiune ilustrati
in Figura 11.4.
90
I
Electronici analogici - apticalii
Figura 11.2 Capsule diferite ale tiristoarelor
Figura 1 1. Circuitul echivalent al unui tiristor
in polarizare directi, aplic3nd o tensiune continui (Un) cu ,+,, pe

.-:: gi ,,-" pe catod, la un curent de grili nul (/o=0), tiristorul prezint5
-: -i stdri stabile de funclionare:
- blocare directi (po(iunea OA din caracteristici)
- conduc[ie (po(iunea BC).
La atingerea tensiunii de amorsare (lJeo), tiristorul trece in starea
-': :cnductie, iar curentul /n cregte brusc la valoarea /r (curent de
:-:'sare), pentru ca apoi si creasci aproximativ liniar, odatd cu mirirea
;-s rnii aplicate ue. ca urmare, curentul poate atinge valori periculoase
:.-:"rr dispozitiv. De aceea, in practici se inseriazd cu tiristorul, o
=-: s:enti de limitare a curentului.
91
Tiristorul aflAndu-se in stare de conductie 9i scdzflnd tensiunea

- l'osecunde a': -: - f
pOni -:-utare directi
aplicatd in sens direct, curentul va scade sub valoarea de acrogare,
la o valoare /s (curent de men[inere). ScSzAnd in continuare tensiunea, '' ,2.2. Circuite ap !-?i"*{
curentul scade brusc lazero.
Tiristoa'=
=
coman32::-=
vil v9 t!
in Figura 1
-st circuit este u

-- ^:-a ^^ ---
Figu ra 1 I .4 Caracteristica curent-tensiune a tiristorului

220V,,
*r
I
Atunci cAnd le>0, pentru tensiuni tJe<lJeo, tiristorul intri i'
conduclie caracteristica fiind asemindtoare (po(iunea DQ, dar tensiunea
de intoarcere este cu atSt mai mica cu cit curentul de grili este mai mare
in polarizare inversi, tiristorul se comportd ca o diooi Fr$ra fi
semiconductoare obignuiti polarizata invers. Dispozitivul va rimdne
blocat, p6nd la atingerea tensiunii inverse maxime, c6nd se va produce c !
in func$onae.
cregtere rapidd a curentului invers, ceea ce duce la distrugerea tiristorulu trtrici, condersdur4l
prin efect termic. uidul tiristorului Gn
Semnalul de comandi pentru amorsarea tiristorului poate fi ati' :s*e condilii, se E q
semnal continuu, cat gi discret in timp (impulsuri de polaritate orductiv. Curenfulfrrri
corespunzStoare). comutarea directi 9i blocarea tiristorului au loc
in timc Enpd, asigurAnd o€reEr
finit, ele fiind legate de procese fizice ale purtitorilor de sarcini' in momenhll in t
Timpul de comutare directS cregte cu temperatura 9i cu curentu qrdensatorul se incd
anodic, dar scade odati cu cregterea amplitudinii semnalului de comandi rfiesate bialtemartil'li
La tiristoarele rapide, timpii de comutare sunt de ordinul a cdteva
microsecunde, iar timpul de blocare este in general mai mare decit cel de
comutare directd.
11.2.2. Circuite aplicative ale tiristorului

Tiristoarele sunt utilizate in diverse aplicalii, cum ar fi:
- comanda conectirii 9i deconectirii unor echipamente;
- comanda redresoarelor de Putere;
- circuite de proteclie la supratensiune;
- sistem de iluminat de avarie.
in Figura 11.5 este prezentat un sistem de iluminat de avarie.
Acest circuit este utilizat deseori in practici, el activAnd iluminatul interior
dunci cAnd se produce o avarie la sistemul energetic.
Figura 11.5 Sistem de iluminat de avarie
in funclionare, la aparilia unei intreruperi la releaua de energie

= =otrici,
condensatorul Cr se va descdrca prin Rr, Ds $i Rs. Astfel,
:=:cdul tiristorului devine mai pulin pozitiv in raport cu anodul 9i grila. in
=:.:ste condilii, se vor crea condifiile de amorsare, iar tiristorul va deveni
. : ^ductiv. Curentul furnizat de acumulatorul E va circula prin tiristor 9i prin
=..pe, asigur6nd oarecum continuitatea ilumindrii.

in momentul in care furnizarea energiei electrice se va relua,
::-Censatorul se incarci pAni la valoarea de vArf a tensiunii alternative
=:'esate bialternanti. Tiristorul se va bloca, iar acumulatorul va incepe
93
va fi alimentati cu energia voltmetru valoa'e:'=-:

si se reincarce. Tiristorul fiind blocat, lampa
Voltmetrul se VC - -tl
primitd de la releaua de 220Ver 50H2.
dupi ce tiristor- =---:
voltmetrului.
1 1.3. Aplicatie practici
1. Se realizeazi montajul din Figura 1 1.6.
Figura 1
Figura 11.6 Circuit aplicativ pentru studiul tiristorului

: SA se analizez= : =':i:
2 Cu ponten[iometrul pe o valoare mici se apasi butonul de comandd - Se va trasa ca'e:-:-s
K. Se observi la ampermetrul A daci tiristorul a intrat in conductie. U" gi rezisten;a : - s-: -
Apoi se mdregte rezistenta potenliometrului P 9i se va citi valoarea AU,
curentului la care tiristorul iese din conduclie (curentul cade brusc la
,r-
r--
al ,
zero). Aceasta este curentul de mentinere /p. - Cu datele obi'-:= ;:
Pentru determinarea curentului de acrogare se pune potentiometrul P relalia
pe valoarea maximS. Se apasi pe butonul K, observdnd dacd tiristorul
P' =U- i-
rimAne in conduc[ie dupi deschiderea lui K. Se micaoreazd P.
repetSnd operalia p6nd cind tiristorul rSmane in conduc[ie dupS lnde /rev rePre: --: "'
deschiderea lui K. Valoarea minimd a curentului la care tiristorul valoareaefec,=? -:t
rimAne in conduclie dupd deschiderea lui K este curentul de acroqare
/r. Atit pentru lu, CAt 9i pentru /r S€ VoI face trei misurdtori, luAndu-se ' 1 ,4, Evaluarea c!':s
in considerare valoarea medie. ' Se se des:-: --,-
4. se realizeazi montajul din Figura 11.7. Cu P pe valoarea maximi se 2 Modelul e:- ' = +-
apasa Kr un timp scurt, constantAnd amorsarea tiristorului prin 3 Functiona'e= ---
trecerea curentului prin ampermetrulA, chiar dupd eliberarea lui Kr. Se c Conditia 3= :-:=
fixeazd cu P valoarea dorita a curentului 9i se inchide apoi K, citind pe
94
voltmetru valoarea tensiunii pe tiristor (tensiunea dintre anod 9i catod).

Voltmetrul se va introduce in circuit prin apisarea butonului K, numai
dupd ce tiristorul este in conduc[ie!!! Altfel existi pericolul deterioririi
voltmetrului.
10A 12V
lI
P
160
Figura 11.7 Circuit aplicativ pentru amorsarea tiristorului
Sd se analizeze datele experimentale culese.

Se va trasa caracteristica directi gi se va determina tensiunea de prag
Ue gi rezistenla tiristorului cu relatia:
,, aln (1 1.1)
'= aln
Cu datele oblinute se va ridica caracteristica de pierderi Pr=f(lnv) cu
relaIia
lf*r,
P, = Ur - lrnn * r, - (11.2)
unde /rnv reprezintd valoarea medie a curentului prin tiristor, iar /rnnrs-
valoarea efectivd a curentului prin tiristor.

1. Si se descrie structura tiristorului.
2. Modelul echivalent al tiristorului.
3. Functionarea tiristorului in polarizare directd.
4. Condifia de amorsare a unui tiristor.
95
5. Condifia de blocare a unuitiristor aflat in conductie. 12. STUDIUL D SF

6. Ce se TntAmplS cu tensiunea de basculare a tiristorului, dacd TRTACUL $t DtAc u _
tensiunea de comandi pe grili cregte?
12.1. Obiectivele ap :e
7. Sd se realizeze un circuit cu tiristor pentru reglarea curentului
alternativ de alimentare a unei instalalii de iluminat. - familiarizarea c_ :
8. Sa se realizeze un circuit cu tiristor pentru proteclia la - studiul modali=: :- :
=
supratensiune a unei surse de alimentare in c.c. - punerea in e,, ::-=
aceste dispoz : ,:
- trasarea caracl:-:-:
1 2.2. Considerali i tec..s

12.2.1.T riacut (TRtAC . -R
Triacul este _- :s
.onctiuni), care este 3t.- ,n
:revizute cu un sing,- ::-
Simbolul utiiz=. - ;
:erminalele triacului s: -
3.ild G.
Figura 12.1
Triacul este ur
- zate unei sarcin
96
Electronicd analogicd - aplica{ii
12. STUDTUL DTSPOZTTIVELOR MULTTJONCTTUNE

TRTACUL 9r DTACUL
12.1. Obiectivele aplicafiei
- familiarizarea cu dispozitivele semiconductoare multijonctiune;
- studiul modaliti[ilor de comandd pe grili a unui triac;
- punerea in eviden[5 a fenomenului de conduc[ie bidirectionalS
aceste dispozitive;
- trasarea caracteristicilor statice de funcfionare.
lL2. Consideratii teoretice

lL2.1.Triacu! (TRIAC - TRlode Alternating Current)
Triacul este un dispozitiv multijonc[iune (cu cinci sau mai multe
grdiuni), care este echivalent cu 2 tiristoare montate antiparalel gi
fevizute cu un singur terminal de comandi (Figura 12.1).
Simbolul utilizat in electronici este ilustrat in Figura 12.1, unde
:rnrinalele triacului se numesc anozi sau electrozi (Ar gi Az) gi respectiv
rre G.
Figura 12.1 Circuitul echivalent 9i simbolul grafic altriacului
Triacul este utilizat in circuite de reglare gi comandi a puterii medii

- zale unei sarcini. Comanda grilei se face prin tensiune continud,
97
intre Ar giAz. De rernan{

tensiune alternativd redresati (neflltrati), tensiune alternativi sau in in intervalul de timp ciil
impulsuri. semnalului din gril5. .E
spre deosebire de tiristor, triacul are proprietatea de conduc[ie sem ia lterna nle i respecF.r
bidireclionali, in funclie de polaritatea tensiunii aplicate intre cei doi anozi
At gi Az. Triacul are caracteristica staticd de funclionare simetricd (in 12.2.2. Diacul
cadranele I si lll) gi este identicd cu a unuitiristor (Figura 12.2).
Din grafic se poate remarca cd poten[ialul de basculare scade la Diacul este un (
cregterea curentului de grild. Triacul se blocheazS atunci cand curentul cerre nu are grili. Ceb t
anodic scade sub valoarea curentului de mentienere /n. Prin urmare, se electrozi fu gi Az. S.lf
poate Spune ci unica modalitate de a aduce un triac in stare de blocare ecfrivalent al diacului od
este de a reduce curentul care-l parcurge pand la o valoare suficient de deosebirea ci nu erisi gl
scizuti.
Figura 12 3
Deoarece, #-a
m fi simebica fi il
/tl
Figura 12.2 Caracleristica statici a unui triac
in regim de curent alternativ, triacul se afl6 in stare de blocare ftn

ambele sensuri), atflt timp cAt curentul de grili este nul 9i tensiunea -
aplicati intre anozii Ar gi Az fru depdgegte tensiunea de basculare Ut
:_3
Pentru a controla triacul cu ajutorul grilei, este necesar ca tensiunea C

basculare si fie mai mare decAt amplitudinea tensiunii alternative aplic#
98
intre Ar giAz. De remarcat,ci odati amorsat, triacul rim6ne in conducfie,

in intervalul de timp cAnd pe grilS este aplicat semnal. La Tntreruperea
semnalului din grili, triacul rimine in conduc[ie pAnd la sfirgitul
semialternanfei respective.
12.2.2. Diacul
Diacul este un dispozitiv multijoncliune, aseminitor cu triacul, dar
care nu are gril5. Cele doui terminale ale diacului se numesc anozi sau
#rozi Ar gi Az. Simbolul este prezentat in Figura 12.3. Circuitul
ecfiivalent al diacului cuprinde patru tranzistoare, la fel ca si la triac, cu
bosebirea ci nu existi grili.
Figura 12.3 Circuitul echivalent si simbolul grafic al diacului

Deoarece, diacul este o componenti bidirec[ionali, caracteristica
m fi simetrici fati de origine gi este situati in cadranele I gi lll (Figura
4)
Diacul intri in conduc[ie cdnd se atinge valoarea tensiunii de
-.:rlare, indiferent de polaritatea anozilor. Dup5 depSgirea tensiunii de
=rrlare, sensul curentului depinde de polaritatea tensiunii aplicate intre
- nale. Diacul intri in starea de blocare, atunci cind curentul scade
:'raloarea sa de men[inere.
Diacul este utilizat in circuite de comandi prin impulsuri pentru
:: sau tiristor.
99
Condensatoru! G !
diacului, moment in cae (
ne@sar amorsirii trEnt
incircare a condensd
an Cz are rol de fillru- Ptil
semialternanlelor Pozfrc I
6rrul fiecdrei treceri gr,r {
scade sub valoare, G t,,!
12.3. Aplicalie pracH

1. Se realizeazd r@
cum urmeazi:
i. ,*" I
pe A-
ii. ,,+' Pe A'i
iii. ,-" P€ A. Ei,
iv. ,,-n Pe A'1i.
Figura 12.4 Caracteristica statici a unui diac
12.2.3. Circuit aplicativ cu triac 9i diac

in Figura 12.5 se prezinla o schemS de variator de curent
altemativ, realizatcu un triac, comandat de un diac'
Rr
Figura '. - :
220Yet
2 Pentru cazul a s3 =
alimenteazd a-:+e
potenliometru as-"
in conductie ca': :*
mdsuri(mA,-: '
Figura 12.5 Variator de curent alternativ cu triac 9i diac
100
Condensatorul Cr se incarci p6ni la tensiunea de amorsare a

diacului, moment in care diacul se deschide asigurind curentul de grilS
necesar amorsirii triacului. Prin rezistenfa Rr se regleazi durata de
incircare a condensatorului Cr, rezistenla Rz limiteazi curentul prin diac,
ar Cz are rol de filtru. Practic, triacul este blocat pe un anumit interval al
semialternanlelor pozitive gi negative, mai exact acesta se blocheazd in
prul fiecirei treceri prin zero a semnalului alternativ (curentul prin triac
scade sub valoarea de menfinere).

't. Se realizeazi montajul din Figura 12.6 gi se polarizeazi triacul dupi
cum urmeaz6:
i. ,*" pe At gi ,,+" pe G
ii. ,r" p€ A7 9i ,,-" pe G
iii. ,-" pe A7 gi ,,+" pe G
iv. ,-" pe Ar gi ,,-" pe G
Figura 12.6 Circuit aplicativ pentru studiultriacului
rentru cazul a. se regleazi poten[iometrul P la valoare minimd 9i se

, menteazi ambele circuite cu +15V. Se ajusteazi ugor din
::tentiometru, astfel incAt curentul /o incepe si creascS. Triacul intri
- conduc(ie cdnd becul de control se aprinde. Se citesc aparatele de
- isuri (mAr - la, V - Ueo gi mAz - le).
101
11. Se determind crrerq

3 Pentru cazul b. se aplicd o tensiune de -75Vpe grild (se inverseazi
polaritatea sursei Er) 9i +15V intre anozi. Se repetd misuritoarea in
conduc[ie ale triao-tr {
12. Se traseazi caracErq
acelagi mod ca la punctul 2 gi se citesc valorile la, Ueo 9i /n pentru
13. Se determini tensin{
intrarea in conductie a triacului.
Figura 12.7, Penru r{
4. in cazul c. se va aplica o tensiune de -15Vintre anozii triacului (se
inverseazi polaritatea sursei E) 9i o tensiune de +75V pe grili. Se
repeti algoritmul de la punctul 2, se citesc aparatele de mdsurS 9i se 12.4. Evaluarea cunql
noteaze datele exPerimentale.
5. in ultimul caz de polarizare, se aplica tensiuni negative de -75V (se
inverseazd polaritatea ambelor surse), atit intre anozi, cAt 9i grilei
triacului. Se lucreazd identic cu punctul 2 9i se noteazi valorile
mirimilor mdsurate.
6 pentru cazurile a. gi c., se variazd tensiunea Ez intre 0...18v 9i se 6. Condilia de inr-l
traseazi caracteristica statici de func[ionare a triacului. 7. Si se real@ ol
7. Se realizeazi montajul din Figura 12.7. Se regleazi tensiunea de vedere alfundd
alimentare E in plaja 0...30v gi se citesc aparatele de misurS, in 8. Descrielid""""Ui
I
vederea ridic5rii caracteristicii de functionare a diacului.
lndicali daci urrtul
rispunsurile: I
12. Triacul I
gidia't
de conduQb til
Figura 12.7 Circuit aplicativ pentru trasarea caracteristicii diacului
8. Se inverseaze anozii diacului 9i se repetd algoritmul de lucru de la

punctul 7, pentru determinarea caracteristicii de functionare in celilalt
sens de conductie.
9. Se analizeazi datele experimentale culese.
10. Se ridici caracteristica curent-tensiune a triacului.
102
11. Se determini curentii de menfinere, pentru ambele sensuri de

conduc[ie ale triacului studiat.
12. Se traseazi caracteristica de func[ionare a diacului.
13. Se determini tensiunea de basculare a diacului utilizAnd schema din
Figura 12.7, pentru ambele sensuri de conduclie.
12.4. Ev aluarea cu nogti ntelor

1. Caracteristica statici de funcfionare a unui triac.
2. Ce este tensiunea de basculare a unuitriac?
3. Circuitul echivalent al unui triac.
4. Condi[ia de blocare a unuitriac.
5. Utilizirile dispozitivelor multijonc[iune.
6. Condifia de intrare in conductie a unui diac.
7. Si se realizeze o comparalie ?ntre diac 9i tiristor, din punct de
vedere al funcfionirii.
8. Descrieli deosebirile dintre un triac si un diac.
hdicati daci urmitoarele afirmatii sunt adevirate, argumentind

r*punsurile:
9. Un triac in conduc[ie poate trece in blocare, aplicind un impuls

pozitiv pe grili.
10. Un diac poate intra in starea de conductie aplic6nd un impuls
pozitiv pe grili.
1l.La intrarea Tn conduc[ie a unui triac, tensiunea de la bornele
anozilor scade la valori mici.
12. Triacul gi diacul sunt dispozitive multijonc[iune care au proprietatea
de conductie bidirecfionali, controlati de grili.
103
a compugi din famil a 3=

13. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE ;u lilrmea benzii intez =:
13.1. Obiectivele lucririi
I 3.2.2. DisPozitive o Ptce
- prezentarea dispozitiveloroptoelectronice;
1 3.2.2.1. Fotorezisto ru
-studiulcircuitelorsimplecudispozitiveoptoelectronice.
Fotorezistoru l
1 3.2. Considerafii teoretice :olicristalini dePusi .€
'uxului luminos. re: :::-
13.2.1. Generalitili
MO) gi este de'-- -=
l
Dispozitiveleoptoelectronicesuntdispozitivecaretransformi -minos se genereaT= =+'
energiaelectricSinradialieopticdsauinvers.Dispozitivele 'ezisten[a scade Pa-i -=
semiconductoare optoelectronice pot fiimpd(ite in

trei categorii:
=igura 1 3.1 .
o
fotodetectoare care detecteazd semnalele optice prin procese
- gifototiristorul);
electrice (fotorezistorul, fotodioda, fototranzistorul
. in radialie
electroluminiscente - care transformd energia electrici
optici (dioda fotoemisivd - LED-ul 9i dioda laser);
o respectiv celula
alte dispozitive optoelectronice: celula fotovoltaici,
solard,caretransformdenergiaradialiiloropticeinenergie
electricd,optocuplorul,fibraopticd,cristalelelichide. Figura lt
Labazafunc[iondriidispozitiveloroptoelectronicegiacelulelor i
solare std procesul de generare a purtStorilor mobili

sub actiunea PrinciPalii rrzi
intern' Dac6 un electron de intuneric Ro, sersita
radia[iilor. Acest efect este numit efect fotoelectric
ciocnit de un
din banda de valenld a unui material semiconductor este cilrent continuu, fotuczi
func[ie de fluxul luniu
atunci
foton cu o energie mai mare decat li[imea benzii interzise,
electronul trece Tn-banda de conduclie, rezultAnd
astfel doi purtitori mobili
brusci a iluminirii. c[
desarcini:unelectroninbandadeconduc[iegiungolinbandade destul de lent, fotorezi*
valentS.
procesul
La baza f unc[ioniri i dispozitivelor electrolu m niscente sta
i
13.2.2.2. Fotodioda
semiconductor'
de recombinare radiativi a purtStorilor in exces dintr-un Fotodioda e# I
prin injectie cu ajutorul
concentralia de purtitoriin exces se poate realiza polarizare inversi- Gc
unei joncliuni pn. La trecerea unui electron din
banda de conduc[ie in
cantitate de energie carc metalice sau din md
banda de valen[i se pune in eviden!5 o anumitd forma unei ferestrefi
sau poate fi
poate fi cedati relelei cristaline sub formi de energie termici
luminii cdtre jondiurE I
emisi sub formS de energie luminoasd. Raportul dintre
numirul
Curentul irner.
recombindrilorradiativegineradiativedepindedenatura
mai mare
foarte mic, fiind generati in interiord q
semiconductorului. La Ge 9i si acest raport este
104
: :lmpugi din familia Ga 9i As. Energia fotonilor emigi este practic egali
- e!rmea benzii intezise.
, 2,2. Dispozitive optoelectronice fotodetectoare
. 2,2.'1. Fotorezistorul
Fotorezistorul consti dintr-o peliculS semiconductoare
:: :.istalind depusi pe un suport izolator (Figura 13.1). in absen[a
-',,lui luminos, rezistenta peliculei fotoconductoare este foarte mare
','O) gi este denumiti rezisten!5 de intuneric. in prezenla unui flux
- - nos se genereazi perechi electron-gol prin efect fotoelectric intern, iar
=:stenta scade p6nd la circa 100a. simbolurile grafice sunt ilustrate in
::rra 13.1.
\
-G
b
Figura 13.1 Fotorezistor 9i simboluri grafice
Principalii parametri de catog ai unui fotorezistor, sunt rezistenla

:: intuneric Ro, sensibilitatea si inertia. Montat in circuitul unei surse de
:-rent continuu, fotorezistorul igi schimbi valoarea rezistenlei electrice in
--':ctie de fluxul luminos care cade pe suprafala sa activi. La o varialie
:'usci a iluminirii, concentratia purtdtorilor in semiconductor variazi
:=stul de lent, fotorezistorul av6nd o ine(ie relativ mare (7...10ms).
'3.2.2.2. Fotodioda
Fotodioda este o jonctiune pn fotosensibili, care funclioneazi in
inversS. Constructiv, fotodiodele sunt introduse in capsule
=olarizare
retalice sau din masd plastici, previzute cu o fantd transparenti, sub
'1(ma unei terestre p(ane sau a unei \enti\e, care perm\te pltrunderea
Curentul invers este controlat cu ajutorul perechilor electron-gol

;enera[i in interiorul regiunii de tranzi[ie 9i in vecinitatea ei. in absenla
105
parcursd de curentul de Joncliunea e- -.:--

fluxului luminos, jonc[iunea polarizatS invers este rntermediul efectul" -:
golurile produse de
saturalie denumit gi curent de intuneric. Electronii 9i circuld, doar curent- :.
fluxul luminos Tn regiunea de tranzilie sunt trecu[i de citre
campul existent
loeo=(Qr+l )'/cBo, ge.3-:' =
in cele doud regiuni neutre' nA) in funclionare :.3-,:
nagtere un curent ca :,-=
Tfi-. urmare, apare un cu'3-- f:
.< l6=Be.l;
frul- Spre deoseb': ::

'nai mare, dar in sc' -: :
de ordinul microsec- - :e :
Figural3.2Diversecapsuledefotodiodegisimbolurigrafice Fototranzistca -: :
:ircuitele cu relee -: =
Purtdtorii minoritari produgi in regiunile neutre difuzeazS
cdtre rumirarea unor oD
==:
sunt treculi de camp
regiunea de tranzilie 9i cei care ajung la marginile ei automatizare.
in cealalti regiune neutri, contribuind astfel la cregterea curentului prin in circuitele e =-,:
joncliune. Prin urmare, o cregtere a intensitilii luminii, exprimati in 'ctoelectronic num : -: ---r
mwicm2, produce o cregtere propo(ionali a curentului invers' :onsti dintr-un mon:: =E
'-
in practicd, la conectarea in circuit fotodioda se conecteaz5 :'anzistor obisnuit. c= =r
prin fotodiodd'
intotdeauna in serie cu un rezistor care limiteazi curentul
1 3.2.2.3. Fototranzistoru I
joncliunea colectorului
Fototranzistorul este un tranzistor care are
fotosensibili, expusi la lumini printr-o lentilS incastrati
in capsula
regiunii fotosensibile
tranzistorului, care focalizeazdfluxul luminos asupra Figura 13.4I
variante: cu doud sau
(Figura 13.3). Constructiv, fototranzistorul are doud
ir Datoriti ca$iffal
.rir"i terminale. in configuralia cu trei terminale, baza se conecteazd
circuit gi asigurd o stabilitate mai buni a punctului static
de funclionare rn curent de colector n{
fa!5 de varialiile de temperaturi' tsli de fototranzistorid di
13.2,2.4. Fototirisbnl
rc Fototiristoru
';otului ci poate f
-::ctiristoare, poarta
__-t.
Figura 13.3 Capsule tipice 9i simbolul grafic al fototranzistorului
106
Jonctiunea emitorului are rolul de a amplifica fotocurentul prin

-.ermediul efectului de tranzistor. in absen[a luminii, prin tranzistor
- -luli, doar curentul de intuneric, care este de fapt curentul rezidual
=(Bp+l)'lcBo, generat termic, fiind de valoare foarte mici (de ordinul
':= in func[ionare, cAnd lumina cade pe joncliunea colectorului, ia
-:s:ere un curent de bazi /i, propo(ional cu intensitatea luminii. Ca
-'-.are, apare un curent de colector propo(ional cu /r:
lc=Brlt (13.1)
Spre deosebire de fotodiodi, fototranzistorul are sensibilitatea mult
-: mare, dar in schimb are vitezi de rispuns mai micd decdt fotodioda
:: :rdinul microsecundelor, fata de nanosecunde in cazulfotodiodei).
Fototranzistoarele au o gamd largi de aplicatii, printre care
:':-rtele cu relee utilizate pentru deschiderea automati a ugilor,
'--irarea unor obiecte gi diverse tipuri de sisteme de alarmi 9i de
-:matizare.
in circuitele electronice de curenli mari, se utilizeazd un dispozitiv
:eectronic numit fotodarlington. Configuralia numiti fotodarligton,
-std dintr-un montaj de tip Darligton realizat cu un fototranzistor gi un
-zistor obignuit, ca in Figura 13.4.
Figura 13.4 Structura gi simbolul unui fotodarlington

Datoriti cAgtigului mare [n curent, acest tip de dispozitiv prezinti
anrent de colector mult mai mare 9i o fotosensibilitate mai pronunlati
i de fototranzistorul clasic.
22.4. Fototiristorul
Fototiristorul functioneazd,in principiu, ca orice tiristor, cu exceplia
.::- ui ci poate fi amorsat gi printr-un flux luminos. La cele mai multe
; ::'istoare, poarta este accesibili 9i printr-un terminal extern, pentru ca
107
sub formd de cilduri g 11

dispozitivul sa poati fi amorsat 9i prin impulsuri electrice, similar
suprafate liberd de dimefr
tiristoarelor conven[ionale (Figura 1 3.5)' formi de lumini in {
electroluminiscenli. in n
pentru a impune lungin eet
luminoase produse # U
curentului direct prin ir
determind culoarea lwri-
(infrarogu). in prezent. pt
culorile aferente:
- -{
rogu, infrarogu
Figura 13.5 Capsule uzuale 9i simbolul grafic alfototiristorului
- verde - AIGaP Fd
Fototiristorul prezinti cea mai mare fotosensibilitate cu

grila Tn gol' - rogu-orange, orq
grild 9i
Pentru reducerea sensibilitSlii, se conecleazd un rezistor, Tntre aluminiu-galiu-hq
catod. Utilizirile fototiristorului sunt Tn sisteme de alarma 9i de - ro$u, rogu{rxEE
supraveghere, sisteme de automatizare etc' galiu);
- rogu, galben, YErG
13.2.S.Dispozitiveoptoelectroniceelectroluminiscente - verde, verdesrrE
13.2.3.1. Dioda electroluminiscenti - ultraviolet aprofiat
Diodaelectroluminiscenti(LED-LightEmiftingDiode)esteo galiu); i
diodi semiconductoare ce emite radialii luminoase cand este

polarizati - albastru - ZnSe (r
direct. - ultraviolet - Dianr
- de la ultraviohi 1
AIGaN (nitruri G I
Tensiunea de de#
uilor, astfel incAt ace#l
E mai mare decS[ in r:a
1.2...3,2 V, in fundie de q
g$en 2...2jY, af
-
Figura 13.6 Capsule uzuale 9i simbolul LED-ului #pungere este mult rnd
jonc[iunea p- 3...10V).
Electronii unui dispozitiv polarizat direct traverseazi LED-urile se -:
plecinddinregiuneangiserecombinicugoluriledinregiunea: :€'tru o gami largd c:
Electronii liberi se afld in banda de conduc[ie, la un^
nivel energet :
: oele de laborator
superior celui al golurilor din banda de valen[i' in
procesul c:
elibereazd energ -=D-uri este celula
recombinare, electronii care se recombind cu golurile =
sub formi de cilduri gi luminS. Un strat de material semiconductor cu o

suprafatd liberi de dimensiuni relativ mari permite eliberarea fotonilor sub
formi de lumini ?n spectrul vizibil. Acest proces se numeste
electroluminiscenld. in procesul de dopare se adaugi diverse impuritili
pentru a impune lungimea de undi a luminii emise. lntensitatea radiatiilor
luminoase produse de LED sunt direct propo(ionale cu intensitatea
curentului direct prin jonctiunea pn a LED-ului. Lungimea de undi
Cetermini culoarea luminii gi apartenenta la spectrul vizibil sau invizibil
infraroqu). in prezent, putem vorbi despre urmitoarele tipuri de LED-uri gi
oulorile aferente:
- rogu, infrarogu - AlGaAs (arseniuri de aluminiu-galiu);
- verde - AIGaP (fosfuri de aluminiu-galiu);
- rogu-orange, orange, galben, verde AlGalnP (fosfuri de
aluminiu-galiu-indiu);
- rogu, rogu-orange, orange, galben - GaAsP (fosfoarseniuri de
galiu);
- rogu, galben, verde - GaP (fosfuri de galiu);
- verde, verde-smarald, albastru - GaN (nitruri de galiu);
- ultraviolet apropiat, albastru-verzui, albastru - lnGaN (nitruri indiu-
galiu);
- albastru - ZnSe (seleniuri de zinc);
- ultraviolet - Diamant (C) (Carbon);
- de la ultraviolet apropiat pana la ultraviolet indepdrtat - AlN,
AIGaN (nitruri de aluminiu, nitrurd de aluminiu-galiu).
Tensiunea de deschidere Uo este tensiunea directi aplicati LED-
-ilor, astfel incAt acestea si emiti radialii luminoase. Aceasta trebuie si
=e mai mare decdt in cazul diodelor cu siliciu gi are valori cuprinse intre
'2...3,2V, in functie de culoarea luminii emise: rogu 1,2...1,6V, verde--
;alben - 2...2,4V, albastru -
2,8...3,2V. insi, tensiunea inversi de
=:rdpungere este mult mai mici la LED-uri, fa!5 de o diodi cu siliciu (tipic
: .10v).
LED-urile se utilizeazi la lSmpile indicatoare gi la cifrele de afigaj
:entru o gamd largi de instrumente, de la aparatele electrocasnice p6ni
a cele de laborator. Un tip foarte rispindit de dispozitiv de afigare cu
-lD-uri este celula de afigare cu gapte segmente. Aceasta este un
109
Lungimea .lo-:, - -
ansamblu de 7 diode fotoemisive, ale ciror catozi sau anozi sunt comuni.
luminii emise. La un- : -
Prin combinalii ale segmentelor se formeazd cele zece cifre, de la 0 la 9,
reflectanti, iar la -
eventual punctul de separatie al p5(ii zecimale (Figura 13-7). = =-
lustruirea materialerc' - :J
l-l _l _l t_ t_ -l t_l t_l

Pe misuri ce elect':- -
exact ca la o orc:: s='
l
I
recombind cu golur : :--
t_l I t_ I I t_l I I
atomi care la rAndu :- ?
regiunea goliti pdtr,-: -:
numSr mai mare oe':':-
deplaseazi haotic '- -=;-
reflectantS. Acegtia ':, -
fotoni suplimenta[r ]-- =-
fotonilor se amplifici
=.
i 3
tormeazd un fasc :- l=
Figura 13.7 Celula de afigaj cu 7 segmente
suprafata pa(ial ref e :- -=
=
Diodele care emit in infrarogu intrd in componen[a aparatelor care Diodele lase' :--- :
folosesc cuplaje optice, adeseori aldturi de fibre optice. Aplicatiile lor sunt Astfel, la curenti ma -:,- :
dioda comportAndu-s=
diverse: prelucrdrile 9i comenzile tehnologice din industrie, sesizoarele de = -t
pozilie, cititoarele de coduri de bare, comutatoare optice, telecomenzi etc. Diodele lase' =---
:ititoarele de CD--- :,=-
13.2.3.2. Dioda laser
:nregistrati digital :€ : -c
sanluri gi suprafete -=-=r
Termenul /aser vine de la acronimul LASER - Light Amplification
diodi pe suprafata I l--r
by Stimulated Emission of Radiation. Lumina laserului este
entila gi fasciculu ::e
monocromatici, adici de o singuri culoare, nefiind un amestec de culori. servomotor. Lumina es?- :
Dioda laser este un dispozitiv semiconductor care con[ine o
DVD-ului, printr-un s s =-
jonc[iune pn format5 din doui straturi de arseniuri de galiu dopatS. nfrarogu. Semnalu :n
=
'eproducerea sunetr - -=
13.2.4. Alte dispozitive :,e

13.2.4.1. Celula fotovc ia:
Celula fotovc:: ::
Figura 13.8 Dioda laser (capsulS uzuali 9i simbol) cuprinsi intre citiva
uminos, produce o ::-.s
3enerati prin efect for:+ +=
110
Electronicd analogici - aplica(ii
Lungimea jonctiunii pn determini cu exactitate lungimea de undi a

:minii emise. La unul din capetele jonctiunii se aflS o suprafati puternic
-eflectanti, iar la celSlalt capit, una pa(ial reflectantd, oblinute prin
tstruirea materialelor. in funclionare, joncliunea pn este polarizati direct.
re misuri ce electronii traverseazd jonc[iunea are loc si recombinarea,
:xact ca la o diodd semiconductoare obignuiti. Cdnd electronii se
-ecombini cu golurile sunt eliberali fotoni. Fotonii emigi pot ciocni alti
::cmi care la rAndul lor, elibereazi fotoni. C6nd curentul direct cregte, in
':giunea goliti pdtrund mai multi electroni, ceea ce duce la emisia unui
-.lmir mai mare de fotoni. La un moment dat, cA[iva dintre fotonii care se
::plaseazd haotic in regiunea goliti, ciocnesc perpendicular suprafata
':flectanti. Acegtia revin in regiunea golitd, ciocnind alli atomi gi eliberind
'::oni suplimentari, prin efectul de avalangS. Migcarea de ,,du-te-vino" a
':ionilor se amplificd gi ei se acumuleazd ca intr-un bulgire, pind cAnd se
':meazd un fascicul laser foarte intens, care pdrdsegte dioda prin
-crafata partial reflectantd a jonctiunii pn.
Diodele laser sunt caracterizate de un nivel de prag al curentului.
stfel, la curenti mai mari decAt nivelul de prag, efectul laser va fi anulat,
oda comportAndu-se ca un LED.
Diodele laser sunt folosite in blocul de culegere a semnalului la
, ioarele de CD-uri sau DVD-uri. lnformatia audio sau video este
-'egistrati digital, pe suprafata CD-ului sau DVD-ului, sub formi de

:^turi gi suprafete netede. O lentilS focalizeazd fasciculul laser de la
: :Ci pe suprafata CD-ului/DVD-ului. CAnd CD-ul/DVD-ul se rotegte,
=-tila gi fasciculul laser urmdresc pistele, fiind actionate de un
.='vomotor. Lumina laser este reflectatd de starea suprafetei CD-ului sau
- , D-ului, printr-un sistem optic cu lentile, cdtre fotodiodele detectoare in
-"arogu. Semnalul de la iegirea fotodiodelor este apoi utilizat pentru
'
: : roducerea sunetului inregistrat digital.
3,2.4. Alte dispozitive optoelectronice

' 3.2,4.1. Celula fotovoltaici
Celula fotovoltaici - constd dintr-o joncliune pn de arie mare
--crinsd intre c0liva mm2 si cAliva cm2) care, sub acliunea unui flux
-- nos, produce o tensiune electromotoare (Figura 13.9). Purtitorii
;=-erali prin efect fotoelectric intern in regiunea de tranzitie sunt treculi de
111
fotovoltaic, cu putere -;-=

cAmpul electric in regiunile neutre, electronii in regiunea n, iar golurile in
'nodule. De exemp - =
regiunea p. La acegtia se adaugi purtitorii minoritari produgi in regiunile
caracteristica ansam: - -
neutre in imediata vecinitate a regiunii de tranzi[ie care sunt trecu[i de
camp in regiunile neutre opuse. in felul acesta in regiunile neutre se
nici valoare a celo' : -;
acumuleazi sarcini spatiale, ce determini apari[ia unei diferen[e de suma tensiunilor inc , :-=
potential intre regiuni. ansamblui'i mai mar ::-:
sute de wali (Figura' : ' -
Figura 13.9 Celula fotovoltaicd - dispozitiv 9i simbol
Conectarea unui rezistor in circuit di nagtere unui curent electric,

numit fotocurent, de sens opus curentului care apare in circuit in cazul
polarizdrii directe cu o tensiune externS. CAnd celula fotovoltaici nu este
ilurninatd, ea are o comportare aseminitoare cu o diodi obisnuiti. 13.2.4.3. Optocuploru
Optocuploru .: : -,r
13.2.4.2. Gelula solari -eceptor de lumini :s=jsr
Celula solari reprezinti o celuli fotovoltaicd cu menliunea ci :apsuli. Un semna :.: -I

radialia incidentd provine de la soare 9i are o construclie optimizatd pentru :-ansformat in radra:: --r
-econstituie semna
utilizarea ca generator de energie eleclrici. - :+:
-adia!ie) folosite in ::':,=-
Aria suprafelei active este de ordinul cm2 san) zecilor de cm2. '- --=-
Mecanismul de funclionare este acelagi ca la o celuli fotovoltaici. soectrul vizibil sau
Parametrul principal care definegte calitatea unei celule solare este Circuitele de :. -=
randamentul conversiei ca fiind raportul dintre puterea electrici maximd 'rtodiode, fototrar':s-:a
furnizati de celu16 P, gi puterea radianti incidenti pe suprafala 'ctotiristoare. Desi S--i tts
fotosensibild Pn: :otice 9i fotodetectoa-: ::
(13.2) -n optocuplor este s-:,-=
n=P^/Pin=Vtlr/Pin soectrale de emisie : s-=
Datoriti valorilor mari de curenli generali 9i a ariei fotosensibile ^ practicd s-au in :-s tr
mari, celulele solare au o serie de particularitili constructive fa!5 de 'rtotranzistor (Figura' :''
celulele fotovoltaice. De remarcat ci, celulele solare se fabrici cu Optocuploare e -
suprafele cAt mai mari in scopul oblinerii unor valori ridicate pentru =
;n
= ectrici totald intre --
curenlii debitali. Oblinerea unor generatoare electrice, bazate pe efectul
btovoltaic, cu putere mare la iegire implici asamblarea celulelor solare in

module. De exemplu, la conectarea a doui celule solare in serie,
aaracteristica ansamblului are curentul de scurtcircuit egal cu cea mai
rnici valoare a celor doud celule, in timp ce tensiunea rezultantd este
suma tensiunilor individuale. La rAndul lor, modulele se grupeazd in
ansambluri mai mari (panouri) pentru a putea obline puteri de ordinul a
sute de wali (Figura 13.10).
Figura 13.10 Panouri cu celule solare
' 3, 2.4.3. Optocuplorul

Optocuplorul este un dispozitiv hibrid format dintr-un emilitor gi un
.:oeptor de lumini agezate fa!5 in fa!i, la o distanli mici, in aceeasi
: aosuld. Un semnal continuu sau alternativ aplicat la intrare este
-ansformat in radialie luminoasd. Acesta ajunge la fotodetector, unde se
'::onstituie semnalul electric inilial. Circuitele de intrare (sursele de
':3ia[ie) folosite in optocuploare sunt de obicei LED-uri cu emisie in
=:ectrul vizibil sau in infrarogu.
Circuitele de iegire (fotodetectoarele) utilizate sunt fotorezistoare,
':todiode, fototranzistoare, celule fotovoltaice, fototranzistoare,
'::otiristoare. Degi sunt posibile o mullime de combinatiiintre diferite surse
:ctice gi fotodetectoare, condilia obligatorie pentru imperecherea lor intr-
-" optocuplor este suprapunerea, cel pulin parlia15, a caracteristicilor
::ectrale de emisie a sursei cu sensibilitatea spectrali a fotodetectorului.
-
practici s-au impus doar c6teva configuralii: LED-fotodiodi, LED-
'::otranzistor (Figura 13.1 1) 9i LED-fototiristor.
Optocuploarele au fost concepute pentru a realiza o izolare
= ectrici totalS
intre un circuit de intrare gi unul de iegire. Scopul izolirii
113
J Se mdsoari cure-:-
este protejarea anumitor elemente de circuit de virfurile de tensiune
o fotodiodd, folos ':
tranzitorie, de supratensiunile accidentale sau de zgomotul de joasd
frecven!5, care ar putea avea ca efect un semnal de iegire eronat sau
deteriorarea unui dispozitiv. Optocuploarele mai permit realizarea unei
interfe[e intre circuite cu niveluri de tensiune diferite sau cu potenliale de
mase diferite.
Figura 13.1 1 Diverse capsule 9i structura interni a unui optocuplor

Figura 13.13 Ciru.tl
I 3.3 Aplicalie practici
Se introduce o ffifr
1. Se misoari valoarea unei fotorezisten[e la intuneric 9i la diferite grade 13.14 9i se mdsd
de iluminare, utilizAnd diverse filtre colorate. iluminirii fotodioclet
2. Se introduce fotorezistenla in circuitul prezentat in Figura 13.12 9i se
misoard varia[iile poten{ialului de colector la varia[ia iluminirii
fotorezistentei.
E"=+ 10V
\
\l
Figura 13.12 Circuit cu fotorezistenli
114
Se misoari curentul de intuneric, la diferite grade de iluminare, pentru

o fotodiod5, folosind circuitul din Figura 13.13.
10v
Figura 13.13 Circuit pentru determinarea curentuluide intuneric
Se introduce o fotodiodi intr-un circuit de forma celui ardtat in Figura

13.14 gi se misoari variatia potentialului de colector la variatia
iluminirii fotodiodei.
10v
Figura 13.14 Circuit cu fotodiodi
'115
5. in circuitele din figurile 13.13, 9i respectiv 13.14, se inlocuiesc 5. Cdderea de tensrrr

fotorezistenla gifotodioda cu un fototranzistor. Se reiau misurdtorile si 6. Ce este curentd Gl
se compard cu cele oblinute la punctele 3 gi 4. 7. Ce semnifica{ie aer
8. Prin ce se deoseE
10v 10v 9. f
Un fototranzistor
10. Care sunt cei E
tranzistorului f ch H
11. Ce este optoorplsra
12. Ce diferen(5 eSE i
dioda laser?
Figura 13.15 Circuite cu fototranzistor
6. Sd se proiecteze un circuit pentru comanda unui dispozitiv digital de

afigare cu gapte segmente care si poatd afiga orice cifri de la 0 la 9.
Fiecare segment va fi parcurs de un curent de 20mA+10%o, it
alimentarea se va face de la o sursi c.c. de +12V.
7 Si se proiecteze un circuit pentru activarea iluminatului exterior h
lisarea intunericului.
8. Si se proiecteze un minisistem de comandi a unei alarme care se
activeazd la intreruperea fluxului luminos.
I 3.4 Evaluarea cunogtinfelor

1. Utilizirile dispozitivelor semiconductoare optoelectronice.
2. Clasificarea dispozitivelor optoelectronice.
3. Funcfionarea fotodiodei.
4. Ce se intAmpli cu emisia de lumind a unui LED la cregterea
curentului direct?
116
5. Ciderea de tensiune directi pe un LED este 0,6... 0,7V?

6. Ce este curentul de intuneric?
7. Ce semnifica[ie are cuvdntul LASER?
8. Prin ce se deosebesc fototranzistoarele de tranzistoarele bipolare?
9. Un fototranzistor poate lucra la intuneric?
10. Care sunt cei factori de care depinde curentul de colector al
tranzistorului f din Figura 13.15?
11. Ce este optocuplorul?
12. Ce diferen[i este intre dioda care emite in spectrul infrarogu gi
dioda laser?
117
de::-: --r
referinta
14. STABILIZATOARE LINIARE DE TENSIUNE constantd'a:--=+
14.1. Obiectivele aplicaliei curentului oe :: -:
blocul de :: =- =
-
- inlelegerea conceptului de stabilizare a tensiunii;
prOprlu-zls 3a -=;
- prezentarea principiilor stabilizSrii de tensiune de tip serie 9i
Performa n:e : :" ::
=
paralel;
coeficientul := --;:,
- familiarizarea cu funcliile elementelor active ale unui stabilizator
1 AU.
serie de tensiune;
- vizualizarea diferitelor forme de undi;
so au.
- punerea in evidenli a performanfelor stabilizatorului serie de la /o,r gi f :=-'-. ='-
tensiune; rezistenta ci :: -: :
Att
- prezentarea citorva circuite de stabilizare de tip liniar. ,\D -
au:-
"al
1 4.2. Considerafi i teoretice la U,gi f cc-=-:-:
4.2.1. Ge neral itiili coeficientu ::-:-:rl
'l
Un stabilizator de tensiune mentine tensiunea de iegire constantS,

\ AU ..
--
,AT
independent de varialiile tensiunii de intrare, a curentului prin sarcind 9i la Uin 9i /c-. I I - S- : -li
temperaturS.
DupS modul de funclionare, stabilizatoarele de tensiune se impart
in:
- stabilizatoare parametrice (cu diode sau/gitranzistoare);
- stabilizatoareliniare:
o
stabilizatoareserie;
o
stabilizatoareParalel.
-
stabilizatoare in comutalie.
De asemenea, stabilizatoarele se mai pot clasiflca in funclie de Figura 14.1 E[wri
tehnologia de realizare:
-
stabilizatoare cu componente discrete;
,q
-
stabilizatoare integrate (Figura 14.1a-b); 11.2.2.Sta bi I izatot * Il
-
stabilizatoare hibride (Figura 14.1c);
-
stabilizatoare monolitice (Figura 14.1d). Pentru a se ofi
Stabilizatoarele liniare sunt circuite electronice la care elementd curentului de sarcini. oea!
de reglaj, aclioneazd continuu, pentru a asigura o tensiune constanti h Ensiune. Stabilizarea srl
iegire. in structura unui stabilizator liniar, apar cel pufin doui blocuri: serie cu rezistenla de sd
118
referinla de tensiune, care este un circuit care asiguri o tensiune

constantd la bornele sale, pentru un domeniu restrAns de varialie a
curentului de iegire;
blocul de comandd 9i reglaj care conline pe l6ngd elementul
propriu-zis de reglaj gi un amplificator de eroare.
Performanfele stabilizatoarelor de tensiune sunt urmitoarele:
coeficientul de stabilizare So:
I _ AUo,t (14.1)
so au,,
la /our gi f (temperatura) constante;
rezistenfa de iegire Ro:
Ro: AUo, (14.2)

Al out
la Uin gi f constante;
coeficientul de temperaturi Sr:
s,,AT
=
aly (14.3)
la Uin gi /our constante.
Figura 14.1 Diverse capsule ale stabilizatoarelor de tensiune

(integrate, hibride, monolitice)
*2-2. Stabilizator de tensiune de tip serie
Pentru a se obtine tensiuni reglabile, relativ constante la varia[ia

arentului de sarcin6, cea mai mare utilizare o au stabilizatoarele serie de
Stabilizarea serie consti in plasarea elementului regulator in
=nsiune.
-rh cu rezisten[a de sarcini RL (Figura 14.2).
119
l
cu o tensiune de refe'--: :
comPensare, Pentru a -=1

ELEMENT in Figura 14 L ;=
REGULATOR sene.
Figural4.2Schemablocsimplificatiastabilizatoruluidetensiune
de tiP serte
in acest caz, elementul regulator se comportd ca o rezistenld

tensiunea de iegire uout lo
variabilS a cSrei marime este controlati de
tensiunea Uo,r tinde si
bornere 2-3., candtensiunea de intrare Uin cregte,
asupra elementului regulator Figura'!::=
urmSreasci aceasti cregtere 9i aclioneazi
care-gimdregterezistenlaprezentatiintrebornelel-2,Evident,inacest
modcregtereatensiuniilaintrarevaficompensatddecidereade Mecanism' :::
la iegire va reveni la
tensiune dintre bornele 1-2 gi astfel, tensiunea centru un stabiliza::- :: l
la intrare, rezistenla dintre de P- -:
valoarea anterioari. cu scSderea tensiunii de cdrui schemi : '-
bornele 1-2igimicaoreazd valoarea, astfel incat tensiunea de la iegire si
rImAnd neschimbati'
o reprezentare ceva mai completd a unui stabilizator liniar de tip
serie este ilustrati in Figura 14'3
ELEMENT
REGULATOR
AMPLIFICATOR CIRCUIT DE
TENSIUNE DE
DE EROARE CONTROL
REFERINTA
Figura 14 5 S:-e
tensiune de tip serie

Figura 14.3 Schema bloc a unui stabilizator de
in schena : -
de iegire sesizeazS varialiile
circuitul de control al tensiunii regulator serie t'a - - =-
tensiuniideiegire.Amplificatoruldeeroarecompardtensiuneadecontrol
cu o tensiune de referinld gi impune elementului regulator si actioneze in

compensare, pentru a menfine constanti tensiunea de ieqire.
in Figura 14.4 se prezinti c3teva tipuri uzuale de stabilizatoare
sefle.
Figura 14.4 Scheme practice ale stabilizatoruluiserie
Mecanismul de stabilizare a tensiunii redresate va fi prezentat

pentru un stabilizator de tensiune serie, cu tensiunea de iegire reglabilS, a
cirui schemd de principiu este ilustrati in Figura 14.5.
Figura 14.5 Schema unui stabilizator de tensiune de tip serie

(cu iegire reglabili)
fr
in schema din Figura 14.5, tranzistorul reprezinti elementul
regulator serie, tranzistorul Iz este amplificatorul de eroare, dioda Zener
121
2 Cu ajutoru
Dz stabilegte tensiunea de referin[fl, rezistenla Rr este rezisten[a de condensatoa'a = - r
sarcind a lui Tz, rezistenta Rz asiguri curentul diodei Zener
in zona de
Prin interme: -
polarizeazd baza
stabilizare a acesteia, iar grupul format din Rs, P gi Rr tensiunii de a -:-';=
tranzistorului amplificator Tz, cu o tensiune propo(ionald cu valoarea tensiunit U' z
exact =="=
tensiunii de iegire (u*;). cu ajutorul potentiometrului P se stabilegte -aoelul 14.1
valoarea tensiunii de polarizare a bazei lui Tz, adici chiar valoarea u"^1v1]| 180
tensiuniide iegire.
Tranzistorul serie Tr lucreazd ca o rezisten[d variabilS func[ie de
tensiunea de comandi pe care o primegte in baza. se va ardta
in
continuare modul de stabilizare a tensiunii de iegire'
si presupunem c5 tensiunea de intrare Uin cregte. Tensiunea de
iegire Uout tinde de asemenea si creascd. Aceastd cregtere a tensiunii
se
transmite in mod propo(ional in baza tranzistorului Tensiunea

Tz' de
emitor a lui Tz are o valoare fixi stabilitd de dioda Zener Dz' Creqterea
tensiunii din baza lui Tz este echivalenti cu cregterea tensiunii baz*
emitorUae,decicucregtereacurentuluiprinlzgicuscidereapotentialulti
din colector a lui Tz. sciderea potenfialului din colector, inseamr$
Scaderea potenlialului bazei tranzistorului f1, inseamni in continuare
scdderea tensiunii lJee ? lui fr, ceea ce conduce la reducerea curentulti
prin fr, la cregterea rezistentei colector-emitor, deci la o cidere mai mare
pe I'
de tensiune pe tranzistorul serie. Cdderea suplimentard de tensiune
determind reducerea tensiunii de iegire, aducand-o la valoarea initiali'
in cazul in care tensiunea de intrare scade, fenomenele aretate
mai sus se petrec Tn mod invers, conducdnd la o scidere a rezisten[ei
colector-emitor a lui fr, determinAnd in final o cregtere a tensiunii de
iegire.
in mod similar se poate demonstra mentinerea constante a
Variatia
tensiunii de iegire gi cand apar variatii ale rezisten[ei de sarcine.
sarcinii produce variatia tensiunii bazd-emitor lJeela Iz 9i imediat varia[ia
curentuluilet,C?laautomatmodificecurentulprintranzistorulregulata
serie, ceea ce are ca efect readucerea la normal a tensiunii de iegire'
14.3. Aplicatie Practice

Modificali sa': -: '
1. Se identificd componentele montajutui din Figura 14'6 9i se explica nu sg moot:'= itq
func[ionarea stabilizatorului serie' maximd. Tras=: ;:
122
ElectronicE analogici - aplicafii
2. Cu ajutorul unui voltmetru se mdsoari tensiunea pe

condensatoarele Co gi Ce.
3. Prin intermediul unui autotransformator se produce o variatie a
tensiunii de alimentare, ceea ce conduce la o variatie diferentiali a
tensiunii Ur la iegire.
-abelul 14.1
U"rirlV 180 190 200 220 230 240
Ut tvl
Dg
Ra
Ra
Cg
T
72OYer
frHz 0
I si,
Figura 14.6 Circuit aplicativ
4. Modifica[i sarcina montajului astfel incAt tensiunea Ur de iegire si

nu se modifice. Nota[i un set de valori intre limita minimi gi
maximi. Trasa[i graficul de depend enld U r = f(l t).
123
5. Cu ajutorul semireglabilului Rrr, modifica[i tensiunea de iegire t5. CIRCUITE DE AII

notAnd limitele minimi gi maximi.
15.1 . Obiectivele
6. Se vor vizualiza formele de undl Tn punctele de misuri 1 9i 2, dh "pf:f
Figura 14.6. - familiarizarea cu fi.ncfi
7. Explicafi rolul fiecirei componente din circuitul prezentat in Figura - trasarea caracleristicr C
14.6. - evidentiereaperform{
8. Se determind performantele stabilizatorului serie de tensiure j
studiat. I 5.2. Consideratii teod

15.2.1. Generaliti$
ATENTTE!!!
Deoarece tensiunile misurate in acest circuit sunt periculoase, NU Circuitele de
atingeti voluntar / involuntar pi(i ale circuitului aflat sub tensiune tsnsiuni continue, cu af.d
PERICOL DE ELECTROCUTARE!!! active, existente in orie 1
acestora.
1 4.4. Evaluarea cu nogti nfelor Aceste circuite trtt-
mai importante sunt:
1. Cerintele unui circuit de alimentare. - menlinerea con*r{
2. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune de tip serie. maxim 1-2%), cil I
3. Mecanismul de stabilizare a tensiunii de tip serie. (!15%);
4. Explica[i funcfionarea circuitului din Figura 14.6, atunci cind dioda - rezistenla interrii a {
Zener se scurtcircuiteazi. mici de SOnC- {
5. Realizali un studiu asupra stabilizatoarelor integrate, hibride 9i - asigurarea componr{
monolitice. Prezentati cAteva circqite aplicative cu fiecare dinte se suprapune pes! |
ele. redusi (maxim 2-q
tensiunii de ieqie trct
- perturbatiile prod.t
alimenteazi gr rEil
introducerea uru E
standardele in vrgo-
- asigurarea unui rn{
7o%);
- stabilizatorul tehrc I
- la cuplarea sau deq
apari supraore{,
echipamentele aH
124
15. CIRGUITE DE ALIMENTARE

- familiarizarea cu funcliile elementelor unui circuit de alimentare;
- trasarea caracteristicii de transfer a unui stabilizator de tensiune;
- evidentierea performan[elor stabilizatorului de tensiune.
15.2. Considerafii teoretice

15.2.1. Generalititi
Circuitele de alimentare au drept scop principal asigurarea unor
ensiuni continue, cu ajutorul cirora se polarizeazd elementele electronice
dive, existente in orice aparat electronic, pentru a permite functionarea
-estora.
Aceste circuite trebuie sd satisfaci o serie de cerin[e, din care cele
mai importante sunt:
- menlinerea constanti a tensiunii de iegire (se admit variafii de
maxim 1-2%), c6nd tensiunea de relea variazi in limitele prescrise
(x15%);
- rezistenla internd a stabilizatoarelor de tensiune trebuie si fie mai
mici de 50mQ;
- asigurarea componentei alternative reziduale (brum de retea), care
se suprapune peste tensiunea continuS, la o valoare suficient de
redusi (maxim 2-3%) sau altfel spus, componenta alternativd a
tensiunii de iegire trebuie si fie sub 20mV;
- perturbatiile produse circuitelor aparatului electronic pe care il
alimenteazi gi refelei de alimentare cu curent alternativ, prin
introducerea unor tensiuni parazite, si fie minime gi incadrabile in
standardele in vigoare;
- asigurarea unui randament energetic cAt mai ridicat (mai mare de
7o%);
- stabilizatorul trebuie protejat la scurtcircuit sau la suprasarcini,
- la cuplarea sau decuplarea circuitului de alimentare nu trebuie si
apari supracurenfi sau supratensiuni, care at periclita
echipamentele alimentate.
125
folosegte patru dioc= :=-

Circuitele de alimentare sunt formate in principiu din doud blocuri:
avea nevoie de p. z2 -:=
redresor gi stabilizator de tensiune (Figura 15.1), avind ca sarcini
rezistenta Rr.
Transformator --
22OVer Rr_
50Hz
Figura 15.1 Schema bloc simplificatd a unuicircuit de alimentare
Stabilizatorul de tensiune are rolul de a mentine constanti

Figura 15.2 SdE
tensiunea de iegire in raport cu anumi[ifactori perturbatori, ca de exemplu:
varialiile tensiunii de relea, ale rezistenlei de SarcinS, ale temperaturii
Filtrul are ro[-d G
mediului ambiant etc., in domenii specificate prin standarde sau norne
poate avea o intrare idr
Regulatorul esD
tehnice.
constantS, indifererl &
in funclie de modul de aclionare a elementului regulator se disting:
r
la cap orrentului de sarcini

- stabilizatoare cu actiune continui (stabilizatoare liniare),
in procesul de sri
elementul regulator funclioneazi continuu;
comutalie), h tshnici principale: staE
- stabilizatoare cu ac{iune discontinud (stabilizatoare in
care elementul regulator func[ioneazi in
regim de comutalb, Stabilizarea
==r,Gl
cu rezistenta de sarci€f
incircdnd un element acumulator de energie (un condensator), care
Stabilizarea pa{
fumizeazd tensiunea de iegire pe sarcina pe durata cAnd incdrcarea
paralel cu sarcina. h e
condensatorului este intrerupti.
dnamici foarte mici g r
produce schimbiri nctatl
15.2.2. Stabilizatoare de tensiune liniare
Schema bloc a unui stabilizator de tensiune liniar este prezentd 15.2.3. Gircuite de prul
in Figura 15.2.
Chiar 9i in ceh r
Transformatorul de re[ea are doud roluri principale:
* ntoducerea unor ciu,f
- izoleazd releaua de 220V"r 50Hz de liniile de curent continuu
ciruit de alimentare pd
echipamentului electronic;
- modificS nivelul de tensiune in curent alternativ de la valoarea releli
trii) gi pe linia de c c r
vileza de Tntrerupere r
la valori necesare tensiunii de iegire in curent continuu'
Redresorul realizeazd conversia energiei de curent altemf
rcgulator serie, daci d
(iliza diverse circuile d
furnizati de re[ea, in energie de curent continuu, solicitati C
consumatori. Cel mai utilizat redresor este puntea redresoare, Ct fezentat in Figura 15.3-
126
'olosegte patru diode pentru a realiza redresarea pe intregul ciclu, fdrd a

/ea nevoie de prizi mediani a transformatorului de retea
legire c.c.
stabilizati
Regulator
+
,.. 1z
Figura 15.2 Schema bloc a unuistabilizator de tensiune liniar
Filtrul are rolul de a netezi impulsurile primite de la redresor. Filtrul

:cate avea o intrare inductivd sau o intrare capacitivi.
Regulatorul este folosit pentru a pistra tensiunea de iegire
:cnstanti, indiferent de modificirile tensiunii de re[ea sau de varia[iile
:lrentului de sarcinS.
in procesul de stabilizare liniari a unei tensiuni, se utilizeazd doui
ehnici principale: stabilizarea serie 9i stabilizarea paralel.
Stabilizarea serie consti in plasarea elementului regulator in serie
:r rezisten[a de sarcini (Figura 14.2), fiind descrisi in aplicalia nr. 14.
Stabilizarea paralel constd in plasarea elementului regulator in
aralel cu sarcina. in acest caz, elementul regulator are o rezisten!5
namicd foarte mici gi astfel, varia[iile curentului care il stribat, nu vor
:'oduce schimbiri notabile ale tensiunii la bornele sale
' 5.2.3. Circuite de protectie in stabilizatoarele liniare

Chiar 9i in cele mai simple circuite de alimentare este necesard
'troducerea unor circuite de protectie, pe lingi sigurantele standard. Un
: rcuit de alimentare poate avea sigurante pe retea (pe fazd, pe nul sau pe
rii) gi pe linia de c.c. nestabilizati. Dar, sigurantele uneori nu asiguri
, teza de intrerupere suficient de rapidi pentru a proteja tranzistorul
-:gulator serie, daci iegirea stabilizatorului este scurtcircuitatd. Se pot
I
-:rliza diverse circuite de limitare a curentului, un circuit simplu fiind

: -ezentat in Figura 15.3.
127
1 5.2.4. Stabi I izatoareI &

Stabilizatoareb t1
sarcina mici gi nrcd t<l
probleme legate Oe trrrrnfl
- randament (E I
tranzistorul regll{l
- fiabilitate;
- gabarit (surfr q
tranzistorul regrE
in aceste cortr" J
stabilizatoarele care hirl
tensiunii de iegire se re{
Figura 15.3 Circuit de limitare a curentuluiintr-un stabilizator liniar serie perioadi dati. Ca unnrc,l
stabilizatorului gi, sm.lf
Prin rezistenla Rs de valoare mici, trece curentul de iegire. La o co m ponenta stabitiz*nl
cregtere peste o valoare prestabilite a acestui curent, cdderea de tensiune Schema Otoc a J
deschide Is, cor€ la randul luiva bloca regulatorul serie rr. ilustrati in Figura '15.5
Proteclii la supratensiune pot fi realizate 9i cu circuite care preiau Tranzistorul cfi'r{
tensiunea de iegire a stabilizatorului gl o compard cu o tensiune de canal indus n gi poarti d
referinte (Figura 15.4). frecven[a cuprinsd IrE I
t- I
tranzistorului este Oor ol
Tr I
I Ca urmare. conexirEr i
I
realizeazd intr-un tlnp
,l
Th,,l'I
gi deci
-
consumuldgi
I
r l(5 __-t
I saturat pe durata Im F {
Uout
Starea de blrer
zero, iar starea de s*{
de sarcini gi o cidere I
disipati intr-un cidu C'
puterea disipati de E
tensiune, unde in perntr
valori considerabile.
Figura 15.4 Proteclie la supratensiune a stabilizatorului liniar serie Prin urmare. sr
randament ridicat. Cfirf
energie (bobini serie. bd
128
I
15.2.4. Stabilizatoare de tensiune in comutafie

Stabilizatoarele de tensiune liniare se utilizeazd pentru puteri in
sarcind mici 9i medii (<100W. La acest tip de stabilizatoare apar
grobleme legate de urmitoarele aspecte:
- randament (doar 30-50%, datoriti cdderii de tensiune pe
tranzistorul regulator) ;
- fiabilitate;
- gabarit (sunt necesare radiatoare cu suprafali mare pentru
tranzistorul regulator pe care se disipd o putere importanti).
in aceste conditii, alternativa la stabilizatoarele liniare o reprezintd
silabilizatoarele care lucreazi in comutalie. La aceste circuite controlul
ensiunii de iegire se realizeazd numai un anumit interval de timp dintr-o
perioadd dat5. Ca urmare, se reduce puterea disipatS, cregte randamentul
Sabilizatorului si, simultan, se diminueazi timpul in care dispozitivele din
oomponenla stabilizatorului sunt solicitate termic.
Schema bloc a unui stabilizator de tensiune in comuta[ie este
fustrati in Figura 15.5.
Tranzistorul comutator de putere poate fi bipolar sau MOSFET cu
aanal indus n gi poart6 izolati. Acestuia i se aplicd un tren de impulsuri cu
frecven[a cuprinsi intre 15-200kH2. Perioada de conductie Tox a
tranzistorului este doar o parte din perioada unui ciclu de func[ionare T.
Ca urmare, conexiunea dintre redresorul de re{ea gi consumator se
realizeazd intr-un timp limitat, reduc0ndu-se energia absorbiti de la retea
$ deci consumul echipamentului conectat. Tranzistorul va avea doud stiri:
saturat pe durata Ioru gi blocat pe durata lorr.
Starea de blocare se caracterizeazd printr-un curent aproximativ
Ero, iar starea de satura[ie printr-un curent a cirui valoare este impusd
de sarcini gi o cidere de tensiune foarte mici pe tranzistor. Puterea
dbipatd intr-un ciclu de funcfionare este mult redusi comparativ cu
puterea disipati de tranzistorul serie din stabilizatoarele liniare de
Ensiune, unde in permanen[d curentul de colector /s gi tensiunea UcE au
ralori considerabile.
Prin urmare, sursa de alimentare in
comuta[ie va avea un
randament ridicat. Comutatorul este legat la componenta ce acumuleazd
energie (bobini serie, bobind paralel sau transformator chopper).
129
Transferul de cl
urmitoarea perioacli e I
perioadei To+in care il
Deoarece abscrtfl
ltermitent, tensiu-= :: a
=
are forma unor -:_:,-
T=Toy+Torr. Ters -- = :
:ransformatorulu 3- :::i- :
lf cbtinAndu-se tens
Stabilizarea
rtrare variazS. se
-- -r
::
Redresor Comutator Acumulare energie Redresor

:onditiile existente
re!ea (tranformator tensiuni iegire
sau bobini) :urentului care par:--::
Tor.rf lTorr 3onectarea redresc --
rare depind de
JI]J-L* Circuit de control -
oscilator, amplificator de
eroare, modulator de
:onvertoarele de
rodificarea durate
impulsuri
:online un oscilato
:'anzistorului com u:a:: - :
Figura 15.5 Schema bloc a unui stabilizator de tensiune in comutalie 15.3. Aplicalie praar
-
' Se realizeazit r:--: -l
Energia acumulatd cAmpul magnetic al bobinei sa.l
in punctele de tes: i=
transformatorului (t) depinde de valoarea curentului / care parcurge
teoretice.
infdgurarea bobinei sau primarul transformatorului pe durata de condudb
Ioru o Golnutatorului: - Se alimenteaza :-::,r
autotransformat:' : _ {
w =1-.Lt' (15 1) stabilizare, confc- -:
2 voltmetru la ies re= :t
Pe durata lorv c6nd tranzistorul este saturat, la bornele bobinei sa- -abelul 15.1
infdguririi primare a transformatorului se aplici tensiunea redresatd L"
care este aproximativ constantd. Conform legii induc[iei electromagnetice
curentul I care va circula prin infigurarea primard a transformatorului sa-
JtzolV
prin bobini va avea o formi liniar crescitoare in timp. Se traseazi cara;:-;.:
Se vor realiza -as--=:
U =L.4L= ai (15 2
12V. Se noteaz5 '3:--=
AT
unde, At=ToN gi Ai=l.
Transferul de energie cdtre consumator se realizeazd pe

urmitoarea perioadd a ciclului de funcfionare, respectiv in timpul
perioadei Torrin care tranzistorul se afl5 in stare blocati.
Deoarece absorbtia curentului de la redresorul de retea are loc
htermitent, tensiunea de la bornele primarului transformatorului chopper
are forma unor impulsuri cu frecventa perioadei de func[ionare
T=Ton+Torr. Tensiunile care se ob[in in infigurdrile secundare ale
transformatorului chopper sunt redresate (monoalternan[5) 9i apoi filtrate
ob[inAndu-se tensiuni continue de iegire (Uo").
Stabilizarea tensiunii de iegire c0nd sarcina sau tensiunea de
ntrare variazd, se poate face prin adaptarea duratei de conduc[ie lorrr la
conditiile existente in fiecare moment. Astfel, se modificd amplitudinea
curentului care parcurge primarul chopper-ului gi deci energia acumulatd.
Conectarea redresorului la sarcini se face pe durate de timp variabile Iorv
c.lre depind de valoarea consumului sau a tensiunii de retea. La
convertoarele de tensiune SPMS (Switch Mode Power Supply),
rnodificarea duratei Ioru Se face cu ajutorul unui etaj de control care
contine un oscilator, un modulator in lStime a impulsurilor pentru comanda
fanzistorului comutator gi un amplificator de eroare.

1" Se realizeazi montajul din Figura 15.6 gi se mdsoari tensiunile in
punctele de test. Se compard rezultatele experimentale cu cele
teoretice.
Z Se alimenteazi stabilizatorul Tn comutalie prin intermediul unui
autotransformator cu iesire reglabilS 9i se verifici parametrii de
stabilizare, conform indica[iilor din Tabelul 15.1. Se conecteazi un
voltmetru la iegirea de 120V9ise realizeazd misuritorile necesare.
Tabelul 15.1
_. lv"r) 170 180 190 220 225 230 235 240 245 250
,olVl
Se traseazi caracteristica de transfer Urzo=f(U").
Se vor realiza misurStori corespunzitoare pentru iegirile de 20V 9i
12V. Se noteazi rezultatele si se formuleazd concluzii.
131
15.4. Evaluarea ci..r- rs:n
d
3P E
l: o
iffi
\Ez
E
.f
.lt
c
+ o
Jil. oo)
L
o
(5
ro@F-o .N
<P
o6 -o
FS .E .g
(/)E-
$(rN l5
>c
aro
:c)O
o-
o
.=
f,
o
.=
C)
q
lr)
(5
L
f
.9)
LL
dn
N
o
Electronica analogici - aplicalii
1 5.4. Evaluarea cunogtintelor

1. Cerintele unui circuit de alimentare.
2. Schema bloc a unui stabilizator convenfional de tensiune gi rolul
elementelor componente.
3. Diferenla dintre stabilizatorul serie qi cel paralel.
4. Diferen[a dintre stabilizatorul liniar gi celin comuta[ie.
5. Protec[iile la supracurent gi la supratensiune.
6. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune in comutalie.
7 . Realizali o analizd comparativi intre stabilizatoarele liniare si cele
Tn comutatie.
133
16. PREZENTAREA gt TESTAREA DtSPOZITIVELOR diode '3 - -=::

curent a'=- =
SEMTGoNDUCTOARE UTILIZATEIT ApUCATil PRACTICE
. diode :: :: -
starea:: ::-
o diode :. -
- familiarizarea cu dispozitivele semiconductoare parametri, extrag -:
=
caracteristici, tipuri de capsule, diverse date de catalog; UdlU '=
- identificarea dispozitivelor semiconductoare; o diode s'=
-=
-
- identificarea terminalelor dispozitivelor semiconductoare; term'=..:
=
- verificarea stirii func[ionale a dispozitivelor semiconductoare prin
metoda ohmmetrutui.
I 6.2. Gonsideratii teoretice

16.2.1. Diode
Diodele, continAnd o singuri joncfiune p-n, sunt cele mai simpb
dispozitive semiconductoare. ln funcfie de locul utilizirii au fost concepute
mai multe tipuri de diode cu parametri specifici aplica[iei respective.
Clasificarea diodelor se face dupi mai multe criterii, dupi cum
urmeazd:
Foile de ca'.2 : - '
a) dupi natura materialului semiconductor folosit:
. cferi informalti oe:a =': =
diode cu siliciu;
folosite in mod ac3:,: -
. diode cu germaniu.
ouprinde valori - =' -.
b) dupi tehnologia de fabricafie:
eventual, diagrarne =a '=-e
o diode cu contact punctiform;
Parametn :"==-'
o diode realizate prin tehnica alierii; redresoare sunt
. diode difuzate; o te's --aa -
. diode epitaxiale. o tens --:::E
c) dupi putere: o cure-:- : -
o diode de micd putere, pentru curenfi medii redresa[i mai . cu'e-:- --E
micide 34; o ters --:: tr
o diode de medie putere, pentru curenli cupringi intre o te^s --i= =
3A...30A;
o . va'3a-:: -
diode de putere, pentru curenti cupringi intre 30A...200A;
Marcarea =:=::-
o diode de mare putere, pentru curenlide peste 200A.
imprimate Pe caPS- : ::n
d) dupi utilizare:
este rePrezentat P--:--: :r
134
. diode redresoare, utilizate pentru conversia de energie de

curent alternativ in energie de curent continuu;
o diode de comuta[ie, care realizeazd trecerea rapidi de la
starea de conduc[ie la cea de blocare;
. diode de semnal (detectoare), utilizate in circuite de
extragere a informa[iilor con[inute Tntr-un semnal electric,
carevariazi in timp, ca de exemplu de detec[ie gi amestec;
o diode stabilizatoare de tensiune (Zener), care asigurd Tntre
terminalele lor o tensiune constantd, intr-o gamd de curen[i
specificati;
o diode varicap, denumite gi diode cu capacitate variabili, la
care capacitatea variazd cu tensiunea aplicati;
o diode traductoare, care cuprind: fotodiode 9i diode
electroluminiscente (LED);
. diode speciale, incluz6nd diode tunel, diode Schottky,
diode pentru microunde (Gunn, IMPATT, BARITT
BARrier lnjection Transit Time, TRAPATT - TRApped
Plasma Avalanche Triggred Transit), diode PlN, diode
sTEP-RECOVERY).
Foile de catalog (in englezi, data sheef) ale fabrican[ilor de diode
derd informafii detaliate asupra produselor, pentru ca acestea si poati fi
Hosite in mod adecvat in diverse circuite. in general, o foaie de catalog
orprinde valori maxime, caracteristici electrice, detalii mecanice 9i
wentual, diagrame de variatie a unor parametri.
Parametrii caracteristici cei mai importanfi pentru o diodi
rcdresoare sunt:
. tensiunea inversi repetitivi maximi Unnna;
. tensiunea de strdpungere Uen;
o curentul direct prin diodi /a;
o curentuldirect mediu redresat maxim /o;
. tensiunea directi Uo;
o tensiunea directd de prag Uao;
o valoarea instantanee maximi a curentuluidirect /oryr.
Marcarea diodelor se face printr-o succesiune de litere gi cifre
inprimate pe capsula diodei. ln cazul diodelor de mici putere, catodul
este reprezentat printr-o bandi coloratd, iar in cazul diodelor de putere pe
135
capsula diodei este marcat simbolul diodei, orientat in mod corespunzitor. Puntea redresq
in electronicd se utilizeazd mai multe sisteme de marcare. conectate in montaj ptnf
Sistemul european este prezentat in Figura 16.1, iar Tn Figura 16.2 este montaj mai simplu, de fu
ilustrat sistemul american. 8...C1500 etc.).
Diodele redresre r
Prima literi - material
alternative sau de inp.s r
(A - germaniu sau
B - siliciu) Acestea diferi de dkr& r
comutare mic (f<500nsL I
anod 1-- catod rapidS, in circuite de fu
A doua literi - tipul

receptoare TV etc. Dio&l
diodei: sunt produse in mai nilt I
A - diodi redresoare de lndicatii diverse
. diode cu gern€ilr
micd putere . diode cu siliril i
B - diodi varicap 8Y299, DRR11/t
E - diodi tunel Serie de identificare
o diode cu selerir (r
Y - diodi redresoare de
putere Diodele de srrl E
Z- dioditZener comuta[ie foarte mirj t2 .l

raPide giin circuite 6s.-i
Figura 16.1 Sistemul european de marcare a diodelor
A doua literi - material

(A - germaniu sau
N - siliciu)
constantd la bome, dtrE

{
plaji largi de varia,tie a o.r
Prima cifrd - tipul
dispozitivului: Diodele Zener s{
1 - diodd bnsiune. Clasificindub hl
2 - tranzistor, tiristor . de Q,3W(|CZMJ
3 - TEC-MOS
4 - dispozitiv optoetectronic Serie de identificare
o de 0,4W (D72\II "q
. de |W(PL3IBZ il
Figura 16.2 Sistemul american de marcare a dispozitivelor electronice . mai mari de lW a
Diodele redresoare normale sunt de doud tipuri:
echipamenteb ida
o Parametrii electti I
diode cu germaniu (EFR 115, EFR135 etc.); Ensiune sunt:

o diode cu siliciu (F057.. .F4O7 , 1N4001 ... 1 N4007 etc.). . tensiunea de st&
136
Puntea redresoare reprezinti patru diode redresoare normale,

conectate in montaj punte, In aceeagi capsuli. Se asiguri astfel un
montaj mai simplu, de dimensiuni mici gi bine echilibrat (1PM...,3PM...,
8...C1500 etc.).
Diodele redresoare rapide sunt utilizate la redresarea tensiunilor
alternative sau de impuls cu frecven[a cuprinsi intre I kHz 9i 100kHz.
Acestea diferi de diodele redresoare normale prin faptul ci au timpul de
comutare mic (t<500ns). Se utilizeazd in echipamente pentru comutare
rapidi, in circuite de alimentare in comutatie, in sisteme de calcul, in
receptoare TV etc. Diodele redresoare rapide, la fel ca 9i diodele normale,
sunt produse in mai multe variante:
. diode cu germaniu, de semnal gi comutalie (AA..., EFD... etc.);
. diode cu siliciu (rapide 9i ultrarapide) (8A157, 8A159, 8Y228,
BY299, DRR114, 6DRR4P etc.)
. diode cu seleniu (de inalti tensiune) (TV13, TV18, KYX30).
Diodele de comutatie reprezintd o categorie de diode cu timpi de
comutatie foarte mici (2...5ns) (1N4148 etc.). Sunt utilizate in comutirile
rapide giin circuite de detec[ie din echipamentele audio-video.
Diodele de comutare se utilizeazi in comutarea benzilor de
fiecventi ale circuitelor de acord de la 10MHz la 1000MH2. Se
caracterizeazd prin rezistentd directi foarte mici pentru un domeniu larg
de frecven[i gi curent. Principalele tipuri sunt 8A243 9i 8,4244.
Diodele stabilizatoare de tensiune (diode Zener) utilizeazd
proprietatea jonctiunii p*n de a avea o tensiune inversi aproximativ
constanti la borne, atunci cind lucreazi in regiunea de stripungere, pe o
plaji largi de variafie a curentului prin diodi.
Diodele Zener sunt utilizate ca referin[e 9i stabilizatoare de
Ensiune. ClasificAndu-le in func[ie de putere se pot aminti urmitoarele:
. de 0,3W(TC22V4...5V1, ZTC33 etc.);
o de 0,4W(D22V7...51 etc.);
. de 7 I4I(PL3V3Z...PL200Zetc.);
o mai mari de lW: de 4W, 10W,20W gi 50W(folosite doar in
echipamentele industriale).
Parametrii electrici importanli ale diodelor stabilizatoare de
tsnsiune sunt:
. tensiunea de stabilizare Uzr,
137
o curentul de control al tensiunii de stabilizare lzr', . diodePlN___:

. curentul Zener maxim lzu. utilizate in :: - =
Diodele varicap sunt acele diode care utilizeazd dependenla . diode ultra-=: : .
capacititii de barieri a unei jonctiuni de tensiunea inversi de polarizare dopare scdz=-:

aplicati, in scopul oblinerii unei capaciti{i variabile. Sunt utilizate in circuitele ca ': = -
acordul circuitelor de unde ultrascurte (radio) gi televiziune. cele mai . diode tune ':,
cunoscute sunt BB109, 8B139 gi 88125. dopare pu:. - -
in Figura 16.3, sunt prezentate cele mai importante capsule ale amplificatca-=:
diodelor.
16.2.2. Tranzistoa re
Tranzisto._ ::
:rectronicd,'fdra a :=' _
^ ci pe departe n,..
-:
Tranzistoa -:
= :
rmeazd'.
f. infuncliece:--.
o tranzistc= -: :
L doud t p-- :=
)
Figura 16.3 Diverse capsule ale diodelor
- a -- :
in circuitele electronice moderne, se intilnesc si urmitoarere tipur t,-'
li !
de diode. -
o diode schottky (onctiune metal-semiconductor, in locul joncliur

l--
pn) utilizate in circuitele de inalti frecventi, comutare rapidd sa_
circuite digitale;
t_
138
diode PIN (doud regiuni n gi p, separate de o regiune intrinsecd)

utilizate in domeniul microundelor;
diode ultrarapide (realizate prin dopare progresivd, nivelul de
dopare scizind pe mdsura apropierii de jonc(iunea pn) utilizate in
circuitele de foarte inalti frecventi gi de comutare rapidi;
diode tunel (realizate din arseniurd de germaniu sau galiu, prin
dopare puternici a regiunilor n 9i p) utilizate in oscilatoare gi
amplificatoare de microunde.
16.2.2. Tranzistoare
Tranzistorul este componenta cea mai reprezentativd din

electronicS, fdrd a cdrui aparifie, electronica ar fi existat, dar nu ar fi atins
nici pe departe nivelul extraordinar de dezvoltare la care a ajuns astdzi.
Tranzistoarele se pot clasifica dupi diverse criterii, dupd cum
urmeazd:
.
f in funclie de principiul de funclionare:
o
tranzistoare bipolare, la care funclionarea se datoreazi celor
doui tipuride purtitori de sarcini (electroni gi goluri):
otranzistoare cu doui jonc[iuni:
' npn;
' pnp.
o tranzistoare unijonc[iune TUJ (ROS 11, 2N1671 etc.).
o
tranzistoare unipolare (tranzistoare cu efect de cimp), la care
funclionarea se datoreazi unui singur tip de purtitor de
sarcini (fie electroni, fie goluri):
o. cu efect de cAmp cu joncfiune TEG-J (in englezi,
' JFET) (ROS104, BFW10 etc.):
! cu canal n;
r cu canal p.
o cu grili izolatd (cu metal-oxid-semiconductor) TEC-
MOS (in englezi, MOS-FET) (ROS01, BFR&4 etc.),
care la r6ndul lor pot fi:
r cu canal ini[ial (in regim de sdrdcire):
. cu canal n;
. cu canal p.
. cu canal indus (in regim de imbogS[ire):
. cu e,rnal ni in pararel *
.
cu canal p. L:;|at" 1
2 Dupi tipul semiconductorului utilizat:
o tranzistoare cu germaniu (AC..., EFT..., AD..., AU... etc.);
o tranzistoare cu siliciu (8C..., 8D..., 8F..., 8U..., 2N..., etc.).
3 Dupi frecvenla de lucru:
.
.
de joas5 frecven!5 (BC107, BD135, 2N3055 etc.);
de inalti frecvenli (8F200, BU208 etc.).
4 Dupi puterea totalS disipatS:
. de mici putere (BC107, 8C177 etc.);
@l -
o de medie putere (BD135, AD155 etc.);

. de putere (2N3055, 8U208, BU508 etc).
Dupi regimulde lucru:
r tranzistoare utilizate in regim de amplificare (BC107, BD139,
Din neces '.=':= -,i
2N3055 etc.);
tranzistor (o sr-:--= :::l=
o tranzistoare utilizate in regim de comutatie (BSW21, BSV90,
furnizeazd tranz s:.='- --a
2N2905 etc.) caracterizate prin timpi de comutatie foarte mici
factorul de amp ':.:-=
(de ordinul ns).
amplificare indrv:-:
Parametrii caracteristici cei mai importanli pentru un tranzistor
Pe lAngd ::::-= ::
bipolar sunt:
de comutare. in e:-::-=
o tensiuni continue intre electrozi Uss, Uac, Use, Uceoetc.;
aga-numitele tra-: :-: :=
a curenti continui lc, le, le; comandate dig:a ,-
a putere totali disipati PatlWl; bipolar gi doud rez :'::-=
a temperaturd maximi a jonctiunii TilCl; 16.5. Aceste trarz S:3-: l
timpi de comuta[ie ton, tor.
a nivel logic 0 sau ' '-.=
O formi ppeciali de tranzistor cu efect de cimp este tetroda TEG
=: -
uzualesuntserr e=-=
MOS, avAnd doui grile plasate una dupi alta (8F907...910...960...961).
Parametrii caracteristici cei mai importan[i pentru un tranzistor
unipolar sunt:
otensiuni continue intre electrozi Uos, Uos, Uoo etc.;
ocurenti continui lo, ls, lai
.timpi de comutalie ton, tor.
in capsula unor tranzistoare de putere (de ex., BU508D), sunt
inglobate diode dumper paralel, montate Tn contrasens cu curentul de Figura 16.5 S -::
colector gi rezistenfe (25...35(4, de evacuare a sarcinii stocate in bazd,
140
montate in paralel pe jonctiunea emitorului, aga cum se vede in Figura

16.4a.
Figura 16.4 Circuite echivalente -

tranzistor de putere cu diodi dumper (a)
tranzistor Darlington (b)
Din necesitatea miririi factorului de amplificare, folosind un singur

tranzistor (o singurd capsuld), in etajele finale, firmele producitoare
fumizeazd tranzistoare Darlington (Figura 16.4b). La aceste tranzistoare,
factorul de amplificare in curent este egal cu produsul factorilor de
amplificare individuali.
Pe lAngi aceste tranzistoare utilizate pe scari larg6, in circuitele
de comutare, in echipamentele de divertisment 9i televiziune se folosesc
aga-numitele tranzistoare digitale, adici tranzistoare care pot fi
comandate digital. Un tranzistor digital este format dintr-un tranzistor
bipolar gi doui rezistoare (un divizor de tensiune) conectate ca Tn Figura
16.5. Aceste tranzistoare pot fi comandate direct in bazd cu tensiuni de
nivel logic '0 sau 7 (adici 0 sau 5 V). Dintre tranzistoarele digitale, cele mai
uzuale sunt seriile BCR..., DTA..., DTC... etc.
Figura 16.5 Simbolul 9i circuitul echivalent al unuitranzistor digital
141
Constructiv, tranzistoarele se realizeazd lntr-o gami largd de

capsule, in functie de destinatia lor. cele care se monteazi pe distanliere Tiristoarele s -
-'
sau radiatoare sunt tranzistoare de putere. Tranzistoarele de putere mici 'eprezentative su.: ::
sau medie au capsule mai mici, din metal sau material plastic. Cele ma Tiristoarele de putere a-
importante capsule sunt prezentate in Figura 16.6. flxare pe radiator.
g 16.2.4. Testarea compqr

diod
16.2.4.1. Testarea
a Mdsurdtori cu r -' - .
. Cazul 1 re: s'=-
(Figura 16 -= :
C (capsuld) 16.7b)- dic:i -- - -
TO3 . Cazul 2'. re= ='= -
sensufl-c::=:
. Cazul 3, .e: ='=-
este intrerL,c:i
. Cazul 4. rez s':- :
rezistentS r3:-:
(diferiti de -'- -
CBE
E B!C BCE BCE
TO 39 soT 186 TO 92 soT 126
Figura 16.6 Diverse capsule 9i identificarea terminalelor

tranzistoarelor bipola re
1 6.2.3. Alte d ispozitive sem icond uctoa re

Tiristorul este o componentd semiconductoare cu o structuri pnpn
cu trei terminale, numite anod A, catod K 9i grilS (poartd) G.
in funclie de timpul de comutafie, se pot clasifica in tiristoare
normale gi rapide.
Caracteristicile mai importante sunt:
.
tensiunea directi de intoarcere Uaar -
tensiunea de Ia care
Figura
tiristorul intri in regiunea de conduc[ie directi;
r
curentul de menlinere lui
142
Electronici analogicl - aplicafii
. tensiunea inversi de strdpungere Uenn.

Tiristoarele sunt realizate sub diverse forme, din care cele mai
reprezentative sunt asemdnitoare cu capsulele tranzistoarelor.
Tiristoarele de putere au capsuld metalici, previzut5 cu gurub pentru
fixare pe radiator.
16.2.4. Testarea componentelor 9i depistarea defectelor

16.2.4.1. Testarea diodelor redresoare / comutalie
a. Mdsurdtori cu multimetrul analogic (pe gama de x 1K sau x 10 K)
o Cazul 1: rezistentd de aproximativ 4...10kO in conduc[ie directi
(Figura 16.7a) 9i rezisten!5 infiniti in conduc[ie inversi (Figura
16.7b) - diodi funclionalS;
. Cazul 2: rezistenld zero sau aproximativ egali cu zero in ambele
sensuri - dioda este in scurtcircuit;
Cazul3: rezisten[5 foarte mare (infiniti) in ambele sensuri - dioda
este intreruptd;
Cazul 4: rezistenli de aproximativ 4...10kO in conduc[ie directi 9i
rezistenti de ordinul zecilor sau sutelor de kQ in conduc[ie inversd
(diferiti de infinit) - diodd cu rezistenld inversi micaoratS.
Figura 1 6.7 Testarea diodelor redresoare/comutatie
4 A')
oBSERVATTE 1
In cazul utilizdrii multimetrelor analogice, bomele acestora sunt inversate
16.2.4.2. Testarea Pt-;':r !
ca polaritate, in regim de ohmmetru. Puntile redres: =-: --=.i

se mdsoari identc -- :::E
oBSERVATTE 2 misurdtorile pentr- ':: =-= : :
Uneori, Tn practicd, aceste mdsurdtori nu sunt suficiente pentru a depista o diode inseamni PUr'':. -":--;
diodl defecti. Astfel, se va comuta instrumentul de misurd pe gama
redusi (de exemplu, x 7) gi se va misura rezisten[a diodei in conduc[ie
direct5. Daci instrumentul va indica o valoare de aproximaliv 20Q, dioda
este bund. Dacd instrumentul va indica o valoare de 40A sau mult mai 4
mare, dioda are rezistenla dinamici mdritd gi deci este defecti. Datoriti
faptului ci misuritoarea se face pe gama de x1, verificarea diodei se
poate face (de cele mai multe ori)fdri a o deconecta din montaj.
I
b. Mdsurdtori cu multimetrul digital (pe gama pentru joncfiuni)
in acest caz, mdsurdtorile se fac in volti (adici cideri de tensiune pe
joncliunea pn), valorile obfinute variind de la un multimetru la altul.
o Cazul l: aparatul indicd o cidere de tensiune cuprinsi intre 0,5V
gi 0,SV in conduc[ie directi 9i nici o cddere de tensiune Tn
conducfie inversi - dioda este funcfionali (Figura 16.8);

. Cazul 2: in ambele sensuri, aparatul indicd o cddere de tensiune
cuprins! intre 0...0,4 v - jonc(iunea este in scurtcircuit 9i evident Figu'a'=:--:-s-
dioda este defecti; : - - -,1i[
o {.azul 3: in ambele sensuri, aparatul nu indici nici o cidere de
tensiune (de obicei, pe afigaj va apare 0L) - dioda este intreruptS; 16.2.4.3. Testarea : :i:*+4:!r
. Cazul4: aparatul indici o cidere de tensiune cuprinsi intre 0,4V a. Misurdtori c- -- - -:- -- ,
gi q6V Tn conduclie directi (adici cu minusul multimetrului pe Verificarea diooe :- :-= I

catod gi cu plusul pe anod) gi o cidere de tensiune de aproximativ observa[ia ci droc= = ]= -+ :
0,7...0,8V in conduclie inversi - diodi cu rezisten[i inversi vor avea in con:-:-: - €r'
micgoratd. tensiunea de stab ::-- =:= :
OBSERVATIE
b. Mdsurdtori cL --- ----
Verificarea se face := -' - =
Daci sunt dubii asupra diodei, se poate comuta aparatul pe gama de Ogi
de 0,5...0,8 V in c. -: - -- = rr
se va mdsura rezistenla in conduc[ie inversi. O rezistentd mai mici de
conductie inversi'-s3=- - : :
3MO inseamnd o diodi cu rezistenta dinamicd mdriti 9i deci diodi
defecti.
144
Electronici analogici - aplica(ii
16.2.4.2. Testarea punfilor redresoare

Pun[ile redresoare (care inglobeazd 4 diode intr-o singuri capsulS)
se misoard identic cu diodele redresoare cu observalia cise repetd
misurdtorile pentru fiecare diodi in parte. Astfel, defectarea unei singure
diode inseamnd punte redresoare defectd.
o
l.
0.5 ll t
1. Se deconedeazd dioda din
circuit (sau se verificd cu
voltmetrul, lipsa tensiunii in
circuit)
2. Se comutd multimetrul pe
gama pentru joncliuni
3. Se testeazi dioda in
conducfie directd
4. Se testeazd dioda in
conductie inversd
Figura 16.8 Testarea diodelor redresoare/comutatie

cu multimetrul digital [Flu, 16]
16.2.4.3. Testarea diodelor Zener

a. Misuritori cu multimetrul analogic (pe gama de x 1K sau x 10 K)
Verificarea diodelor Zener se face ca gi in cazul celor normale cu
observa[ia ci diodele Zener cu tensiunea de stabilizare mai mici de 5,6V,
vor avea Tn conductie inversd o rezisten[i cu at6t mai mici cu cAt
tensiunea de stabilizare este mai mica.
b. Misuritori cu multimetrul digital (pe gama pentru joncliuni)
Verificarea se face ca gi in cazul diodelor normale - o cidere de tensiune
de 0,5...0,8V in conductie directi gi lipsa oricirei cideri de tensiune in
conduclie inversi inseamni diodd Zener bund.
145
16.2.4.4. Testarea diodelor de inalti tensiune Datoriti structur :-

misuritorile jonc _- :
Verificarea acestor diode se poate face aliment6nd dioda cu o
tensiune mai mare decAt tensiunea de deschidere (ex.: tensiunea de
. joncliun ee .- - :
deschidere a unei diode TV18 este de cca. 180 V), misurind tensiunea cu
voltmetrul. in acest caz, mdsurdtorile cu ohmmetrul sunt inutile, aceste
diode avand tensiunile de deschidere mult mai mari decAt tensiunea de
alimentare a multimetrului. de aprox -= , -
incondu::= -:
16.2.4.5. Testarea diodelor cu germaniu
a. Misuritori cu multimetrul analogic (pe gama x10)
. Cazul 1: rezisten[i de aproximativ 20...100O in conduc[ie directi
rezistenta dinan :.i
gi rezistenfi infiniti in conduc[ie inversi - diodi funclionald; =
in regiunea de s:-i: --
. Cazul2: rezistenld zero sau aproximativ egald cu zero in ambele
sensuri - dioda este in scurtcircuit;
. Cazul 3: rezisten[5 foarte mare (infiniti) Tn ambele sensuri - dioda
este intrerupt5;
. Cazul 4: rezistentd de aproximativ 20...100A in conduc[ie directi
gi rezisten!5 diferiti de infinit in conducfie inversi - diodi defecti.
b. Misuritori cu multimetrul digital (pe gama pentru jonc[iuni)

c Cazul 1: aparatul indici o cidere de tensiune cuprinsi intre
0,15...0,35 V in conduc[ie directi gi nici o cidere de tensiune Tn
conductie inversi - dioda este functionalS;
Cazul2: Tn ambele sensuri, aparatul indicd o cidere de tensiune
cuprinsi intre 0...0,3V - jonc(iunea este in scurtcircuit gi evideni
dioda este defecli;
Cazul 3: in ambele sensuri, aparatul nu indici nici o cidere de
Figura 16 9 Tes:a-:: --fi
tensiune (de obicei, pe afigaj va apare 0L) - dioda este intreruptd,
oBSERVATil
Cazul4: aparatul indicd o cidere de tensiune cuprinsi intre 0,75 !
qi 0,35V in 1. La fel ca = - :;-
conductie directi gi o cidere de tensiune de
oricdror d _:
aproximativ 0,7...0,8V in conductie inversd - diodi cu rezistentE exemplu ?=-
=: il
inversd micaorati. =
s :-+:n
emitorului
16.2.4.6. Testarca tranzistoarelor bipolare cu siliciu
Dacd apaia'._
joncliunile
s--'
a. Misuritori cu multimetrulanalogic (pe gama de xl Ksau x10K) 40Q saun-'.'
146
Datoriti structurii lor, un tranzistor bipolar este considerat bun daci la

misuritorile jonc[iun ilor se ob[in urmdtoarele:
o joncliunea emitorului (bazi-emitor) trebuie si aibd o rezistenlS de
aproximativ 4...10kO Tn conduc[ie directd gi rezisten!5 infiniti in
conductie inversi (Figura 16.9);
o jonc[iunea colectorului (baz5-colector) trebuie si aibi o rezisten[i
de aproximaliv 4...10kA in conductie directi gi rezisten[5 infinitd
in conduc[ie inversd;
o intre terminalele colector gi emitor trebuie sd aibd rezistenld infiniti
in ambele sensuri.
Altfel, tranzistorul este considerat in scurtcircuit, intrerupt sau cu
rezistenfa dinamici a jonc[iunilor modificati (rezistenla internd a joncliunii
in regiunea de stripungere).
t\
\
\2
Figura 16.9 Testarea tranzistoarelor bipolare cu siliciu npn (a) si pnp (b)
oBSERVATil
1. La fel ca la misurarea diodelor redresoare, pentru eliminarea
oriciror dubii, se va comuta multimetrul pe o gamd redusi (de
exemplu, gama x 7) gi se vor misura rezistentele joncliunilor
emitorului gi colectorului ale tranzistorului in conductie directi.
Daci aparatul va indica o valoare de aproximativ 10...20O
jonctiunile sunt bune. Dacd instrumentul va indica o valoare de
40O sau mult mai mare, jonctiunile sunt defecte.
147
2. Un tranzistor de putere cu diodi dumper incorporati este o intre colect:- : =-l

considerat funclional daci multimetrul indici intre colector 9i deaproxira'..'.--
emitor, intr-un singur sens, o rezisten[d de aproximativ 4...10kO.
3. La misurarea unui tranzistor de putere cu rezistenli de eriminare
OBSERVATIE
a sarcinii stocate in bazd (de fapt, este o rezistenli conectatd in
paralel pe joncliunea emitorului), multimetrul trebuie sd indice intre Uneori, existd caz--
bazd gi emitor, in ambele sensuri, o rezisten[i de aproximativ aceastd reguli s :--
20...400. inlocuit cu altul fu^:; : -
b. Mlsur5tori cu un multimetru digital (pe gama pentru jonc[iuni) b. Misuritori cu -- ----

in acest caz, un tranzistor este considerat bun daci la misuritorile in acest caz, un t.:-- : :.
jonctiunilor se ob[in urmitoarele: mdsuritorile jonc-- :- -
. in conduc[ie directi, pe jonctiunea emitorului, o cidere de tensiune . in conduc:: : ==
cuprinsi intre Q5...Q8v gi nici o cidere de tensiune in condudie tensiune c-:--::
inversS; conductie -.:--=
. in conduc[ie directi, pe jonctiunea colectorului, o cidere de . in conduc - : -=;
tensiune cuprinsi intre 0,5...Q8V gi nici o cidere de tensiune in tensiune c-:--:: -
conduc[ie inversd; conductie - .: =
--
. in ambele sensuri, intre colector si emitor, nici o cddere de o cole::' . =-
intre
tensiune. 0,15.0.4.=-_--
oBSERVATIE 16.2.4.8. Testarea -r!

'--=
un trarlzistor de putere cu diodi dumper incorporati este consideril a. Mdsuritori ci, -.- --
functional daci multimetrul indicd intre colector 9i emitor, intr-un singur Datoriti structun :- _-
sens, o cidere de tensiune de aproximativ 0,5...0,8V. a misurdtorile d r':-: -:-
=
r-
o intre grili s :-1-;

16.2.4.7. Testarea tranzistoarelor bipolare cu germaniu sensul,
a. Mdsurdtori cu multimetrul analogic (pe gama x 1) . intre gril6 S S--:E
Un tranzistor cu germaniu este considerat functional daci ta misuritorile sensun;
joncliunilor se ob[in urmitoarele: o intre sursa s :-=i
o joncfiunea emitorului trebuie si aibi o rezistenfi de aproximativ 4...10kO i-:---- =a
4...100 in conductie directi gi rezistenti infiniti in condudb Altfel, tranz s::-_
=
inversi; rezisten[a dinamic6 -: : -- f,
o jonctiunea colectorului trebuie si aibd o rezistenfi de aproximativ
b. Misuritori cu -- ----r
4...100 Tn conducfie directi 9i rezistentd infinitd in condudie
=-- :--
Un tranzistor unrpc
inversS; dintre terminale se c: _-
148
I
o intre colector 9i emitor trebuie si prezinte intr-un sens o rezisten[i

de aproximativ 1 kQ, iar in celilalt sens o rezistentd infiniti.
oBSERVATTE
Uneori, existi cazuri de tranzistoare cu germaniu care nu confirmi
aceasti reguld gi prin urmare un tranzistor considerat suspect trebuie
inlocuit cu altul funcfional.
b. Misuritori cu un multimetru digital (pe gama pentru jonc[iuni)
in acest caz, un tranzistor cu germaniu este considerat functional dacd la
misuritorile jonc[iunilor se ob[in urmdtoarele valori:
. Tn conductie directd, pe jonc[iunea bazd-emitor, o cddere de
tensiune cuprinsi intre 415...0,3 V gi nici o cidere de tensiune in
conduc[ie inversd;
. in conductie directS, pe jonctiunea bazd-colector, o cddere de
tensiune cuprinsi intre 415...0,3 V gi nici o cidere de tensiune in
conductie inversi;
. intre colector gi emitor, intr-un sens o cddere de tensiune de
0,15...0,4 Vgi nici o cSdere de tensiune in celilalt sens.
16.2.4.8. Testarea tranzistoarelor TEG-MOS

a. Mfsuritori cu multimetrul analogic (pe gama de xlK sau x10t9
Datoriti structurii lor, un tranzistor unipolar este considerat functional dacd
h mdsurdtorile dintre terminale se obtin urmitoarele:
o intre grilS gi dreni trebuie sd fie rezisten[i infiniti in ambele
sensuri;
o intre grili gi sursd trebuie si fie rezisten[d infiniti Tn ambele
sensuri;
o intre sursi 9i dreni trebuie si fie o rezisten[d de aproximativ
4...10kO intr-un sens gi rezistenti infiniti celilalt sens.
Altfel, tranzistorul este considerat Tn scurtcircuit, intrerupt sau cu
rezisten[a d inamici modificatd.
b. Misuritori cu un multimetru digital (pe gama pentru jonctiuni)
Un tranzistor unipolar este considerat func(ional dacd la misur5torile
dintre terminale se obtin urmitoarele:
149
o intre grild gi dreni nu trebuie si fie cidere de tensiune (in ambele 6. Pentru identifisea ci
sensuri); l6ngiohmmetruFcl
. intre grili gi sursd nu trebuie si fie cidere de tensiune (in ambele conecteazi rezsrcrnl
sensuri); terminal se va .-.rGd
o intre sursd 9i drend trebuie sd se obtini 0,5...0,8V intr-un sens gi ohmmetrului esE cil
nici o cidere de tensiune in celdlalt sens. misurati este nlrci {
colector. ConsiJeral d
16.2.4.9. Testarea tiristoarelor emitor, dacd nu dq-
fi ralionamentulsr Ei
a. Misurdtoricu multimetrul analogic (pe gama de x10)
7. Se vor misura di.€r-t
Misuritorile efectuate intre grili gi catod trebuie si indice o rezisten[i
intre 30...100A pentru un tiristor funcfional. La toate celelalte mdsurdtori,
8. Pentru componenet i
importanti gise vu oi
anod-catod sau anod-grili aparatul trebuie si indice o rezistenli foarte
mare (infiniti).
9. Desenati cele dot6 r{
emitor, pentru ceb fl
b. Mdsuritori cu un multimetru digital (pe gama pentru jonc[iuni)
Pentru un tiristor considerat funclional, misuritorile efectuate intre gril6 gi
catod trebuie si aibd ca rezultat obfinerea unei tensiuni de aproximativ
16.4. Evaluarea crnrofi
o,o3...o,oo v. lntre celelalte terminale nu trebuie si fie cidere de tensiune. 1. Defectele jonqir.rk gJ
OBSERVATIE
Excep[ie fac tiristoarele care au incorporati diodi de protec[ie, montatii
antiparalelintre anod 9i catod.
4. Cerintele identifti.i ul
1 6.3. Aplicalie practici tiristor). I
1. Se vor misura diode cu germaniu gi siliciu, in conduc[ie directi $

5. Gisiti componenE edl
BU2O5, BU2O7. B"EI
inversd, identific6nd pe cele defecte. Se vor compara datele
8F199, 8F458, T3ic I
experimentale ob[inute cu cele teoretice.
2. Alegeti un lot de cinci diode cu marcajul gters gi identifica[i catodl
pentru fiecare in parte. Explicati rafionamentul pe care v-a[i bazat.
3. Se vor misura tranzistoare bipolare cu germaniu gi siliciu, comparind
cu datele teoretice. Se vor identifica tranzistoarele defecte.
4. Se vor misura tranzistoare Darlington, tranzistoare cu efect de c6m:
observAnd diferenta fatd de celelalte tranzistoare.
5 Alege[i un lot de 5 tranzistoare cu marcajul gters gi identifica(i baz:
pentru fiecare tranzistor. De asemenea, numiti tipul tranzistorului (n;
sau pnp).
Pentru identificarea colectorului 9i a emitorului, aveli la dispozi[ie pe

lingi ohmmetru gi o rezistenli de 47 kQ. Pentru tranzistoarele npn, se
conecteazi rezistenfa intre bazi gi un terminal la alegere. Tot la acest
terminal se va conecta 9i borna ,,*" a ohmmetrului. Borna ,,-,, a
ohmmetrului este conectati la terminalul rimas liber. Daci rezistenta
misuratS este mic5, atunci borna ,,t" a aparatului este conectatd la
colector. Considerali ci se poate determina terminalul colector sau
emitor, daci nu dispuneli de rezistenla de 47 kA? Explicali care poate
fi ralionamentul gi demonstrali practic.
Se vor misura diverse tiristoare gi se vor identifica cele defecte.
Pentru componentele gisite func[ionale, se vor identifica parametrii
importanli gi se vor identifica componente compatibile.
Desena[i cele doui scheme de identificare a terminalelor colector gi
emitor, pentru cele doui tipuri de tranzistoare - npn gi pnp.
I 6.4. Evaluarea cunogtinlelor

1. Defectele jonc[iunilor pn.
2. Compuneti un algoritm de misuri pentru un tranzistor bipolar gi
pentru un tranzistor cu efect de cimp.
3. Ce va indica ohmmetrul analogic la mdsurarea unui tranzistor digital 9i
a_ unui tranzistor Darlington?
L Cerinfele identificirii unei componente echivalente (diodd, tranzistor,

tiristor).
5. Gisifi componente echivalente pentru urmitoarele: BC107, BD136,
BU205, B,U207, BU508, 1N4002, BD440, 2N30055/1, SDT9204,
8F199, 8F458, T3N6, utilizind cataloagele firmelor producitoare.
151
ur:-k.T
q
17. PROBLEME CU DIODE SEMICONDUCTOARE Pentru tens _- - i-
1 7.1. Scurte considerafii teoretice (u.
exDt
'(u--
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic cu dou6
terminale - anod (A) gi catod (K). pentru tensiuni aplicate cu plusul pe Pentru po a'::-: - i
anod gi minusul pe catod (Figura 17.1a), dioda se afli in conduclie directd
(u.
gi permite trecerea unui curent relativ mare care variaza aproximativ
exponenlial cu tensiunea aplicati la borne. pentru tensiuni aplicate cu
' -
eXDl
lu-
'= :
plusul pe catod gi minusul pe anod (Figura 17.1b), dioda se afli in De aserne-:= :.:S
conduc[ie inversi gi curentul care trece este foarte mic, putindu-se punctul static de f,-:: : -=.= ,
considera nul. D-
' q'(/'-
17.2. Aplicalii
ab 17.2.1.Se consioe.z _ ::--..

Fi g u ra 17 .1 P olarizatea d iode i se m icondu ctoare fdrd varia! ::- :: ;
tensiunea aa _.a.: : -:
Pentru a intra in conduc[ie, o diodi semiconductoare trebuie de opt ori rr= -:-: f=
polarizatd direct; o;r o tensiune minimi (numitd tensiune de prag ue) a 17.2.2.in circuitur : - =:_-
cirei valoare depinde de semiconductorul din care este realizati dioda realizatd oe
= =- =
_-r
Astfel, pentru diodele cu germaniu tensiunea de prag este cuprinsi inte ls=100nA Si s= -: -
0,15...0,35v, iar pentru diodele cu siliciu tensiunea de prag ia valod pentruE='j,: ::-
cuprinse intre 0,6...0,8v. La cregterea tensiunii peste valoarea de pragq
curentul prin diodi va cregte exponen[ial cu valoarea acesteia.
caracteristica teoretici a unei diode semiconductoare este de
forma:
tn:tsl*r(#),1 (17,1'
unde, /s - curent de saturalie, lJe - tensiunea aplicatd la borne, T -

temperatura absoluti, k=8,02.1asev/K (constanta lui Boltzmanr-
q = 1,6. 1 O1e C (sarcina elementari a electronului).
Se definegte tensiunea termicd (aproximativ 26 mV la T = 3001g 17.2.3.in circuitut v ^ - --- :
lsr=1ltA, alI w --= _
=
152
U-:K.T
,q (17.2)
Pentru tensiuni inverse mariin raport cu Ur atunci:

exp (17.3)
Pentru polarizare in sens direct, dacd Ue>Ur, atunci.
"-(?.)Dt =tn=t, "*o+ (17 4)
De asemenea, rezistenta interni a diodei semiconductoare in

:unctul static de functionare este dati de relatia (17.5\'.
(17.5)
17.2. Aplicalii
17.2.1.Se consideri o diodi semiconductoare, care se afld intr-o incinti
firi variatii termice, la o temperaturd T=300K. Si se determine
tensiunea aplicati direct diodei Un, dacd prin diodd curentul este
--de
opt ori mai mare decAt curentulde satura[ie al diodei.
17.2,2.in circuitul din Figura 17.2, dioda semiconductoare cu siliciu este
realizati pe baza unei jonc[iuni pn cu un curent de saturatie
ls=100nA. Si se calculeze punctul static de func(ionare al diodei,
pentru E=10 V gi R= 7 kO.
Figura 17.2 Aplicalia 17.2.2
J7.2.3.in circuitul din Figura 17.3, dioda Dr ?r@ un curent de satura[ie

lst=1ltA, iar dioda Dz {a lsz=1ltA. Pentru E=100V gi R=7kQ si
tcJ
se calculeze cdderile de tensiune la bornele celor doud diode gi

curentul prin circuit.
Dr
Dz
Figura 17.3 Aplicalia 17 .2.3
17.2.4. Se di circuitul din Figura 17.4 cu E--200 V gi Rr =Rz=1 Me. DacZ

se consideri cele doui diode identice, si se calculeze ciderile de
tensiune la bornele celor doui diode.
Dr Dz
17.2.5.in circuitul din Figura 17.5 se consideri diodele Dr gi Dzcu siliciu.

Curentii de satura[ie sunt ls=2pA gi /sz=6pA. $tiind cd E=100V
gi R= 1kA, sd se calculeze tensiunea la bomele diodelor gi curenf,
ce le strdbat.
17.2.6.Se di circuitu! din Figura 17.6, in care Rz gi &
se numesc
rezisten[e de egalizare gi au valoarea de 22A. Si se calculea semnatul funEt Cl
curen[ii prin cele doui diode gitensiunile de la bornele lor, gtiind ci calculeze pund, I
E=100 VgiRr =1ld). semnalului la bo(
diodi /,. Se consil
154
17.2.7.in Figura , diodele Dr gi Dz

17 .7 curen[ii de saturafie /sr = 1 1tA gi
"u
ls=1ltA. Si se giseasci cele doud puncte statice de func{ionare,
daci Rr =1kA, Rz=100kAgi E=20V.
17.2.8.in Figura 17.8, dioda D (cu siliciu), are curentul de saturalie
ls=lltA. Sursa de tensiune continud E fwnizeazd 20V, iar
semnalul furnizat de generator vs ate amplitutinea Vs=0,5 V. Si se
calculeze punctul static de func{ionare al diodei, amplitudinea
semnalului la bornele diodei % 9i amplitudinea curentului prin
diodd /r. Se considera ci la frecvenla semnalului generat de vs se
155
pot neglija efectele produse de capacititile de difuzie gi de barierd 18. PROBLEME C, -i

ale diodei, precum qi
reactanla condensatoarelor. Valorile
18.1. Scurte cons oe=:[
rezistenlelor Rr Rz Sunt egale cu 10k4.
gi
18.1.1. Punctul statr: a: -:r
np-
Rr Rz
156
18. PROBLEME CU TRANZISTOARE BIPOLARE

1 8.1. Scurte consideratii teoretice
18.1.1. Punctul static de functionare a! tranzistorului bipolar
npn pnp
Uce
Figura 18.1 Curenlii gitensiunile la terminalele unuitranzistor bipolar
intr-un tranzistor bipolar se pot scrie relaliile:

lr=le+lc (18.1)
1"=Br le (18.2)
Dar,
I 6= | s-
r-Or - I z- I cao= (1 - or). I e- I cao
| 1 (18.3)
"=
ConsiderAnd dp=1 gi lceo<</c, in practicd se folosegte rela[ia
aproximativS:
le = lc =Bp le (18.4)
in problema, l)ez=0,6V (la siliciu), iar factorul de amplificare Br
:oate lua valori cuprinse intre 20...1000.
Determinarea punctului static de functionare al tranzistorului
: polar, presupune calculul curentului de colector /c ai a tensiunii colector
- emitor Uce. Aceste calcule se fac utiliz6nd schema de curent continuu,
-re rezulti din schema electrici, in urma pasivizirii sursei de semnal 9i a
: iminirii condensatoarelor.
Curentul de colector /c se determini scriind teorema a ll-a a lui
( rchhoff, pe acele ochiuri de circuit care conlin tensiunea bazd - emitor
-isE gi nu con[in tensiunea colector -
emitor UcE Sau tensiunea bazd -
:clector Uac.
Tensiunea colector - emitor Uce se determini scriind teorema a ll-
a a lui Kirchhoff, pe acele ochiuri de circuit care contin tensiunea colector
157
- -
emitor UcE, €vehtual tensiunea baze emitor lJee, dar nu con[in Adici,
tensiunea bazd - colector Uec. I
il,,
---
Pentru simplificarea calculelor, curentul debazd /a poate fi neglijat, 'L - -
-
atunci cAnd pe ramura ,,bazl - primul nod" nu existi rezisten[e.
Apoi. perr'- :: _- _
ochiul ce cc-: -: -
1 8.2. Probleme rezolvate
v^-=,- -
LL
18.2.1. in circuitul din Figura 18.2, tranzistorul este cu siriciu 9i are $i deci
Br=100, Uez=0,6V. CunoscAndU-s€ Rs=g60k1, Rc=1,2kQ li
Vcc=12V, sd se giseasci punctul static de func[ionare al
u^__. - :
tranzistorului L Rezultat- ::'-- :
problema es:: -:::
=
Vcc
18.2.2. Completar: : -:
circuitul o - =:_-: :
Uee=0.6'v I --:;;a-
V6s=l$\t si ]:
=
tranzistoru , -
Rezolvare
Se figureazi :--: :
pentru pu.::_ !-:T r I
scrieteore-:; ..
Figura 18.2 Aplicalia 18.2.1 Re, Uer. R-= - ,
l/=
Rezolvare 'CC - --- : - -
=
Dar,
se figureazi curentii prin tranzistor gi se aplici regulile de calcrl
pentru punctul static de func[ionare. Astfel, pentru calculul lui Ic se t^- .
scrie teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce conline tJee (+Vn
Deci:
Re, Uee, -Vcc).
Vcc:l, R,+U* (18 5) LL
Dar,
Adicd:
l"
"F,
r" = (18 6) , llt\, '-
,c____---
$i deci:
v""=!.Rr-u*
wv /
(18.7)
0,
158
Adicd,
t" =(v""-!:r)'F,
'c RB =(rr:!._u):rroo
56o.los
= 2 ntA (18.8)
Apoi, pentru calculul UcE vorr scrie teorema a !l-a a lui Kirchhotf pe
ochiul ce contine Uce (+Vcc, Rc, Uce, -Vcc):
Vc":l,'R,+Uu (18.e)
$i deci:
Ucr =V""-1"'Rc =12 -2'10-3'1,2'103 =9,6V (18.10)
Rezultatul ob[inut respecti condifia Uce<Vcc ai prin urmare
problema este rezolvati.
18.2.2. CompletAnd circuitul precedent cu o rezisten[5 in emitor, vom avea

circuitul din Figura 18.3. Tranzistorul este cu siliciu 9i are Pr=200,
Uae=0,6 V. Cunosc6ndu-se Re=620kQ, Rc= 1kQ, Re--470A gi
Vcc=18V, si se giseasci punctul static de func[ionare al
tranzistorului L
Rezolvare
Se figureazd curentii prin tranzistor gi se aplici regulile de calcul
pentru punltul static de funcfionare. Astfel, pentru calculul /c se
scrie teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce contine Uae (+Vcc,
Rs, Uee, Re, -Vcc)'.
Vcc:lr.R"*U"r+lr-R, (1 8.1 1)
Dar,
lB _lc gi lr=1" (18.12)

F,
Deci:
vcc=ft n"*urr+1".R, (18.13)
Qa -o,o).zoo = 5,6 mA (18.14)

620.103 + 470
159
'18.3.2.in circuitr, :- ::
Uee=0,6V s =
-.
astfel inca: :-= - - :-l
normale (Rl',
Apoi, pentru calculul Uce vom scrie teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe -:-
ochiul ce con[ine Uce (+Vcc, Rc, Uce, Rt, -Vcc):
18.3.3. in Figura 1E : "=--s
Vcc:1"-R"*Ucr+lr.R, (18 15) static de fu
$i deci: Rs=2,2kA
Uce :V"" - l.-(R" * Rr):9,76V (18 16 r 18.3.4. Circuitul : -
18.3. Probleme
18.3.1.in circuitul din Figura 18.4 tranzistorul bipolar T are urmitori
parametri: Bp=100, lceo=1pA, iar lJae=O,7V. Se cunosc
Vcc=12V, Rc=1kA. Se se determine curenlii aferenfi 9i regimulde
funclionare al tranzistorului.
+*
160
18.3.2. in circuitul din Figura 18.5, se cunosc Rc=10k4, Be=100,

Uee=0,6V 9i Vcc=12V. Si se determine valoarea rezistenlei Ra,
astfel inc6t tranzistorul si fie polarizat la mijlocul regiunii active
normale (RAN)
Vcc
18.3.3. in Figura 18.6 tranzistorul f are dr=0,992. Sa se calculeze punctul

static de functionare altranzistorului, dacd fu=330kO, R2=4,7k4,
Rs=2,21A, Vee=6V Qi Vss=12Y.
-
18.3.4. Circuitbt din Figura 18.7, are urmitoarele componente:
fu=220kQ, Rz=2kC), Re=470C) gi Vcc=12V. Dacd cele doui
tranzistoare au Fn--Frz=200, iar Ueet=Ueez=0,6V, sa se
calculeze cele doui puncte statice de lunctionare.
Rz
Figura 18 6 Aplicalia 18.3.3
to I
Electronicd analogic6 - aplica[ii
+ Vcc
18.3.5. Si se calculeze punctele statice de funcfionare ale tranzistoarelq

din Figura 18.8, dacd Bn=Brz=100, lJeer=0,6V, l)eez=-0,6V,
Rr=2,2MC), Rz=5,6kCI, Rs=2,2kQ, Ra=430Q gi Vcc=15V.
18.3.6.in Figura 18.9 se cunosc urmitoarele: Rr=3,3MC1, Rz=11<{\
Re=12'k6, Rt=1kC) gi Vcc=l|V. Tranzistoarele au urmetqr-
parametrii: Fn=100, Brz=50, Ueer=lJeez=0,6y. Sa se calculeze
18.3.7. in circurr, - - :
cele doui puncte statice de funcfionare.

Brr=81='l- -,. r
+ Vcc Rz= 3,3 kC - : ---

,
staticede.---:-=-
18.3.8. Sd se ca c, : _-T
=-:
'= '
din Figura :
Rr=ljkQ -- =_-ir
Vcc= 9 V.
Rs=3,3kO .:-. =:-

=Uaes=16, :: -
tranzistoare :- -
162
+ Vcc
t8.3.7. in circuitul din Figura 18.10, tranzistoarele bipolare au

Fn=9rz=100, Usil--0,6V, Uazz=-0,6V. Se cunosc Rr=1,8MC),
Rz=33k4, R3=7,5kO 9i Vcc=l8V. Si se calculeze punctele
statice de functionare ale tranzistoarelor bipolare.
18.3.8. Si se calculeze punctele statice de funcfionare ale tranzistoarelor
din Figura 18.11, dacd pn=Frz=300, Ueet=0,4V, lJeez=0,6V,
Rr=15kCl, Rz--0,6kA, Rs=2,2kC), Rt=O,ikC), Rs=S?kC) gi
Vcc=9V.
It.3.9. Cunoscdndu-se Rr=1 MC), Rz=2,2kC), Rs=5kO, Rt=2,2k(1,
pu = 3, 3kO, Ver-- 5 V, V cc 1 0 V,
= Bn = Frz = Brs= 1 00 gi l) aer = lJ aez=
=Uaes=0,6V, sd se calculeze punctele statice de func{ionare ale
tranzistoarelot Tr, Tzgi Ts (Figura 18.12).
163
Electronici analogic5 - aplicalii
Figura 1 8.10 Aplicalia 18.3.7
Figura 18.1 1 Aplica{ia 18.3.8
164
Electronicd analogici - aPl cat
+ Vcc
Rr
Tg
oc
19. CIRCUITE DE POLARIZARE A TRANZISTORULUI

BIPOLAR . PROBLEME
19.1. Scurte considerafii teoretice preliminare
19.1.1. Divizorul de tensiune
' 19.2. Problemi re .4.- |
1,, in aplica: : :
tensiune tranz s::-_
circuitul echivale-: :
f,,
Figura 19.1 Divizorul de tensiune
t
E=t-(n,+nr) (1e l)
'Lt, Rr'l G
= (1e 2)
t
Din ecua[iile (19.1) gi (19.2) se obline:
tt - R2
r___E (1e 3)
' R,+R,
Si similar,
R' .E
u.=R,+R, (19 4r
19.1.2. Divizorul de curent in circuitu 3r- .:,?-.,r
E
F
" R._=
Lp
-
lr lz R.=R'+
K.--
Rr
U
Utiliz6nd c.:_-_ :=
este relativ simplu s:- -: rx
9i pe circuitul de res -= --=-

relalia:
Figura 19.2 Divizorul de curent E'e:Ra'/.--.=-
l-D I: _::
- R
l=lr+lz (1s 5
166
R,'1, = Rr'1, (1e.6)
t.=-&-.1
' Rr+R,
(1e.7)
l-: R' .l (1s.8)

' Rr+R,
I 9.2. Problemi rezolvati

in aplicalia din Figura 19.3, divizorul rezistiv, care polarizeazdin
tensiune tranzistorul bipolar, se poate echivala Th6venin, ob[inAndu-se
circuitul echivalent din Figura 19.4.
+ Vcc
Figura 19.3 Aplicalie rezolvati
in circuitul echivalent vom avea:

R"
Ea= p,*4 vrc (1e.e)
P - Rr'R,
,,,_ (1e 10)
R,+R,
UtilizAnd circuitul echivalent, calculul punctului static de funclionare
este relativ simplu, scriind teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe circuitul bazei
9i pe circuitul de iegire. Astfel, pentru determinarea curentului /c vom ov€?
relalia:
Ee = Re'1, +Uo + Ro'1, (1e 11)
167
+ Vcc
}-
Figura 19.4 Circuit echivalent pentru aplica[ia 19.3
$tiind cE /, _lc 9i /. = 1", vom avea:

F,
tr _lt iE_
tc = -:___: (19.12't
nF
*R.
9, }-
lar pentru calculul tensiunii UcE, putem scrie teorema a ll-a a lu
Kirchhoff pe un ochi corespunzitor:
V"" =1" .R, + U", + l, .Ro (19.13;
Adicd,
Uce :V"" - 1".(A, + Ao) (19 14 r
19.3. Probleme
19.3.1.in circuitul din Figura 19.5, tranzistorul T are lJss=46ysi Fr=2ao- 19.3.3.in circurt- :- r1r
Si se calculeze punctul static de func[ionare, daci Vcc=2|V, identice s ::-:-E
Rr = 20 lA, Rz= 1 0 l<0, Rs= 2,2 lA, Rt- 2,2 lA. asemenea S= : -.- tr
19.3.2.in Figura 19.6, se cunosc urmatoarele'. Br=50, lJeB=0,2V, lcso= gi Vc6=78, l: =
=1ltA, fu=13010, Rz=331A, Rs=7 kA, Rt=2kA gi V66=-25y. 5a celor doui :-:- - =-=
se calculeze punctul static de funcfionare altranzistorului L 19.3.4. Si se gasea: --.= ::
TrQiTz o- ==--
CU Br,=P'=-=---
numerice c,:--- ::l
Rs=5,6kO :-=r -{
168
+ Vcc
19.3.3.in circuitul din Figura lg.T,lranzistoarele Tr gi Tz se consideri

identice 9i parametrii: Fn=Frz=200 gi Ueet=Uaez=0,6V. De
asemenea, Se cunOSC Rr=5kO, R2=12kA, Rs=12kQ, Rt=2,7kA
gi Vcc=18V. Si se calculeze punctele statice de funclionare ale
celor doui tranzistoare.
19.3.4. Si se giseasci punctele statice de func[ionare ale tranzistoarelor
Tt gi Tz din Figura 19.8. Tranzistoarele sunt considerate identice
cu Fn=Brz=200, Ueer=Uaez=0,6V. Se dau urmitoarele valori
numerice pentru componentele circuitului: Rr - 5,6kA, Rz=5,6kO,
pr=5,6kQ, Rt=4,7kA, Rs=11kQ, Ra--1?kQ gi Vcc=18V.
169
+ Vcc
19.3.6. Circuitut dir.

Rz=4,7 kO
+ Vcc Vcc=15V. D::.i
Uatr = Uee z= 3 i
funclionare
Tr Tz

19.3.5.in Figura 19.9 se cunosc urmitoarele: Rr =100kQ, R2='','e.-.
Re=1,2k4, Rq=10kC), Rs=1kQ, Ra=430Q 9i Vc:=' :
Tranzistoarele au urmatorii parametri: Bn=100, E,_= i, =:--:
Uset=0,6V gi Ueez=-0,6y. Se se calculeze punctele sta:::: il* '3 3.7.in circuitul din :._-=
functionare a le tra nzistoarelor. Rs=2,2kA, R.=-._-_
170
+ Vcc
_ Figura 19.9 Aplicalia 19.3.5

19.3.6. circuitul din Figura 19.8, are urmitoarele componente: Rr =47kc),
Rz=4,7kQ, Rs=3,3kA, Rt=470Q, Rs=1kC), Ra-2,2[A gi
Vcc=lSV. Daci cele doui tranzistoare au Bn=Frz=100, iar
UBer=Uerz=0,6V, si se calculeze cele doui puncte statice de
functionare.
+ Vcc

E 19.3.7. incircuitul din Figura 19.11 se cunosc: Rt=l?kC), Rz=100ke,
Rs=2,2kA, Rt=1kQ, Rs=lkC), Ra=3,6kA gi
Vcc--l|V.
171
Tranzistoarele au urmEtorii parametri: Fn= 150, Frz= 10A Brz=2AC s --. =

Uaer=0,6V gi Uee2=-0,6V. Se se calculeze punctele statice de de funci:-=-:
=?
func[ionare ale tranzistoarelor.
+ Vcc
}_
Figura 19.1 1 Aplicalia 19.3.7
19.3.8. Sise geseasce punctele statice de func[ionare ale tranzistoarelc-

Tr 9i Tz din Figura 19.12. Tranzistoarele sunt considerate identice
cu Fn=9rr=100, iar Ueil=lJerz=Q6V. Se dau urmitoarele valo-
numerice pentru componentele circuitului: Rr =12ke, Rz=12kc
Rs=12kA, Rt=4,7kQ, Rs=1,8kO, Ro=3,6kO gi Vcc=18V.
19.3.9.in circuitul din Figura 1g.13, tranzistoarele rr gi rs se consideri
identice gi parametrii: Fn=Frs=200 gi lJazt=lJees=0,6\
Tranzistorul Tz ata Frz=100 gi lJaez=-0,6v. De asemenea, Se
cunosc Rt=2kC), Rz=0,6kA, Rs=5,6kO, Rt=2kC), Rs=1,2kC
Ra=l,2kQ, R6=470A gi Vcc=llV. Se se calculeze punctee
statice de funclionare ale celor trei tranzistoare.
19.3.10. in Figura 19.14 se cunosc' Rr=5,6kO, R2=S,6kA, Rs=2,2kC
Rt=1kC), Rs=3,3kA, Ra=3,6kQ, Rt=2,2kQ, lJz=6,2V ,.
Vcc=18V. Tranzistoarele au urmitorii parametri: Fn=2OC
a)
172
Electronici analogicE - aplicalii
Frz=200 9i Uau=Ueez=Q6V. Si se calculeze punctele statice

de func[ionare ale tranzistoarelor.
+ Vcc
Figura 19.12Aplicalia 1 9.3.8
173
+Vcc
Figura 19.14 Aplicafia 19.3.10
19.3.11. Se se gdseasci punctele statice de func[ionare ae

tranzistoarelor din Figura '19.15. Tranzistoarele sunt considera:e
identice cu Bn=Frz=Frs=100, iar lJes=lJBEz=Uaes=0,6V. Se
dau urmitoarele valori numerice pentru componentele circuitulu
Rt=1 M(), Rz=2,2kA, Re=4,7kQ, Rt=4,7kO, Rs=2,2kC
Ra= 2 kC), Rt= 4,7 kQ qi Vcc= 1 8V.
19.3.12. in circuitul din Figura 19.16, tranzistoarele fr gi Iz se considera
identice cu parametrii: 9n=Frz=200 9i lJaer=lJeez--0,6i
Tranzistoarele Is gi I+ au $rs=$ra=100 gi lJeee=lJeEt=-0,6V. D=
asemenea, se cunosc Rt = 20 kA, Rz= 10 k{), Rs= 4,7 kC.
Rt=3,6kQ, Rs =5,6kQ, Ra=3,3kA, Rt=1kC), Ra=1 kC-
Rg=1,8kQ, Rto=1kQ 9i Vcc=21y. Se se calculeze punctele
statice de functionare ale celor patru tranzistoare.
174
+ Vcc
Figura 19.1 5 Aplicalia 19.3.1 1
+ Vcc
Rs
Tr
1 9.16 Aplicalia 19.3.12
175
19.3.13. Se se giseasci punctele statice de func[ionare ale

tranzistoarelor din Figura 19.17. Tranzistoarele au 20. MODELAR
="1
Fn = Frz= Frs=Bre= 100, Uea =0,6V, Ueez= Uses= Uaea=-0,6V- BIPOLAR LA S E r,r \a*
Se dau urmitoarele valori numerice pentru componentele
circuitului: Rr=1MO, Rz=560kQ, R3= 1,?kA, Rt=1kC), 20.1. Scurte cons :3-:i
Rs=1,21A, Ra=4,7kA, Rt=1,2kA, Ra=5,61A, Rs=5,61A, 20.1.1. Modelul tra-: :=rru
Rrc= 5,6 kA, R11 = 1 00 kA, Rtz= 1,2 kO, Rrs= 5,6kA ei Vcc=25V.
Degi are ---=
=
daci una din bc--= :: '=tra
Parame:. -:-- :,"
circuitul echivae-': - =:_-
U': h"
/-:h--
z-
Figura2i'_ ._--
Semniflca: i t.i:-="-[
eviden(i sunt uri- a:: : -: =
.u.
-h,,=-:h
,, l, 1
C---=---=
- h,,=U' =o-
U2 r
r- =-- - =
Figura 19.17 Aplicalia 19.3.13 intrarea in gol;
. t^
- h",='-h, c- -'=-- -
l1
iegirea in scurtcircu:
176
20. MODELAREA FUNCTIOTArul TRANZISTORULUI

BTPOLAR LA SEMNAL MIG 9l FRECVENTE JOASE
20.1. Scurte considerafii teoretice
20.1.1. Modelul tranzistorului cu parametri hibrizi
Degi are numai trei borne, un tranzistor poate forma un cuadripol
daci una din borne se regisegte at6t la intrare, cAt gi la iegire.
Parametrii hibrizi sunt parametrii de cuadripol, care determind
circuitul echivalent din Figura 20.1.
Ur = hrr 'lr + hr'U, (20.1)
lz = hrr 'lr + ho'U, (20.2)
l____ ______l
Figura 20.1 Circuitulechivalent al TB cu parametri hibrizi
Semnificatiile parametrilor hibrizi gi conditiile in care sunt pugi Tn

eviden[i sunt urmdtoarele:
- htr =f = n, cu lJz=0- rezistenla de intrare cu iegirea in scurtcircuit;
- hrz =t=h, cu lr=0 - coeficientul de transfer in tensiune inversd, cu
intrarea in gol;
- hzr=l=n, cu lJz--T - coeficientul de transfer in curent direct, cu
iegirea in scurtcircuit;
177
- hzz : = ho culr = 0 - conductan[a de iegire cu intrarea in gol.

h
in func[ie de borna comuni aleasi vor rezulta trei tipuri de
conexiuni:
-
conexiunea emitor comun EC;
-
conexiuneabazd comuni BC;
-
conexiunea colector comun CC.
conexiunea emitor comun este ilustrati in Figura 20.2, iar rela[iile
(20.3) 9i (20.4) descriu funcfionarea cuadripolului in
acest tip de
conexiune. t
f
lz C
u1l Iu,
Pentru corEr
E L________: E Figura 20.5.
Figura 20.2 Conexiunea emitor comun a TB
, .U2
U, = hrre) .1, + hor, (20.3)
lz=hrr@.lr+horr.U2 eO.4)
Modelul de tranzistor Tn conexiune emitor comun este considerd
un model de referin[i gi de aceea parametrii sii vor fi folosili fdri indiceb Fgra
care arati tipul de conexiune. Neglijind efectul produs de parametrii hrz fl
hzz, S€ prezintd un model simplificat al tranzistorului pentru aceasE Relatiile cae
conexiune, in Figura 20.3. U, = hrrr a-1,
l, :4rr q-1,
Consideril
caracterizeazi sut
- rezistenla := - :==
- rezistenta :: :,: -: :
Figura 20.3 Modelul simplificat al TB cu parametri hibrizi
- amplificate.' - ':- s -
178
in cazul conexiunii bazd comund, baza apa(ine at6t circuitului de

intrare, cAt gi circuitului de iegire, aga cum este ilustrat in Figura 20.4.
Putem scrie urmitoarele relatii:
U, : h,,( ul ' l, + h,, , 'U, (20.5)
lz : hrr( .
o1 11 + hor ol U, (20.6)
f -l
I lzC
U,I
B L________r
Figura 20.4 Conexiunea bazd comuni a TB
Pentru conexiunea colector comun cuadripolul este prezentat in

Figura 20.5.
r --------l
I tz E
lr I
I
U,J Uz
C L--------i C
€ Figura 20.5 Conexiunea colector comun a TB
Relatiile care se pot scrie pentru aceastd conexiune sunt:

rE
Ur:h,( (20.7)
"l.L+hur ").U,
lz = hr( (20.8)
"t.Lthor d.U,
ConsiderAnd un cuadripol (ca in Figura 20.6), mirimile care
1
caracterizeazi sunt:
- rezistenfa de intrare R^ =? (20 e)
- rezistenlade' rt
regrre R* =tlr,
I
(20 10)
=o
- amplificarea Tn tensiune A.. =!Jr- (20.11)
"U,
179
-)
amplificarea in curent ,{, :1, (20.12)

20.2. Probleme r€r r,,nu
l1
20.2.1.incirc-:- : - r :r
Se cur:s: -- = - ,
Ro I
l/
lz 'uU _= :E
tranzistc-__ ::li.l
rezister:::= -l=!
vs
,,J T Rr t\Out. d - : - :,:-::
consice-i :z =
scurtc .c_ ::
Figura 20.6 Cuadripol gi mirimile caracteristice
Pentru analiza circuitelor electronice trebuie respectate citeva

etape, dupi cum urmeazd:
1. se deseneazi schema de c.c. a circuitului. pentru aceasta sursele
de energie dependente de timp se pasivizeazi, iar
condensatoarele se consideri ci nu permit trecerea c.c., deci vor
intrerupe ramura pe care se afld;
2. in schema de c.c. se determini punctere statice de funclionare ale
- dispozitivelor semiconductoare din circuit;
3. se deseneazi schema de c.a. a circuiturui. in acest caz sursele de
curent continuu se pasivizeazd, iar condensatoarele se inlocuiesc
cu scurtcircuite (se presupune reactanla condensatoarelor la Rezolvare
frecventa de lucru foarte mici). Dispozitivere semiconductoare se
Pentru ce:i- -
modeleazi prin circuitele lor echivalente de semnal mic. in cazul =:_:
schema c: : _ -=- :
diodelor Zenet, rezistenta dinamici se poate neglija;
semnal r..r- I ,: : ::r-.1
4. in circuitul de c.a. analiza poate fi ficuti cu teoremele clasice ale De asen e-:= : , c
electrotehnicii. Astfel, pot fi calculate mirimile care caraclerizeazit
echivaleaza --€ ,:_.- -
acest circuit: rezistenta de intrare, rezistenla de iegire, amplificarea
in tensiune, amplificarea in curent. E
L_=-
- = _=
Etapele prezentate pentru analiza circuitelor electronice sun:
valabile at6t timp cdt functionarea circuitului in curent continuu nu este D
influen[atd de componentele de curent alternativ.
180
20.2. Probleme rezolvate

20.2.1.in circuitul din Figura 2o7,tranzistorur r are rJsE=0,6v gi
Be=100.
Se cunosc: Rr=10kQ, Rz=20kA, R3=4k{), Rt=2,2kO, R5=4,7kO,
vcc=l?v. sa se determine punctul static de funclionare al
tranzistorului bipolar, rezistenfa de intrare in tranzistor Rnr,
rezisten[a de intrare in circuit Rin, rezistenla de iegire din circuit
Rour, amplificarea in curent A; 9i amplificarea in tensiune Ar. se
consideri cd la frecvenfa de lucru, condensatoarele sunt
scurtcircuite.
+ Vcc
io
R"\
-/ u"
Rezolvare
Pentru determinarea punctului static de func[ionare, se va figura
schema de curent continuu (Figura 2o.g), pasivizAnd sursa de
semnal mic u, 9i considerand condensatoarele ca fiind intreruperi.
De asemenea, divizorul rezistiv care polarizeazd tranzistorul se
echivaleazi Th6venin gi se pot scrie relaliile:
(20.13)
(20.14)
181
+ Vcc
+
+__<F
Figura 20.8 Schema in c.c. a aplicafiei 20.2.j
Pentru determinarea curentului /c vom avea ecualia: $tiino c- -
Ee: Ra-1" +Uo + Ro.l, (20.15 D

,l
u)t- --1'.-
$tiind ce tB = ,, t, = t", vom avea: Reziste^:::: ---==
h
, o E=2,38tttA c
'c--Er-U, (20 16
?*Ro Reziste^:a :: ::
F, =
este:
lar pentru calculultensiunii Uce putem scrie:
Vcc:1".R, iUc, + l, .Ro (20.1 t
'Rt
Adici,
:V"" - 1".(R, * Amplificaea
Uce Ro)= 3,24V (20 1e
Pentru calculul rezistenfei de intrare in tranzistot Rinr, rezisten;= h
de intrare in circuit Rn, amplificirii in tensiune A, gi amplificin '- A -'o

"i-
_
/n
curent Ai Se v? realiza schema echivalentd in semnal mic (Figu-=
20.9). Pentru aceasta se pasivizeazi sursa de curent continu-
condensatoarele se consideri scurtcircuite, iar tranzistorul se ,: Amplificaree -'i-,S,r
modela simplificat prin circuitul echivalent in funclie de parame:- t/=
A j
-'c =- -
hibrizi (se neglijeazi efectele produse de hn gi hzz). V. :
Rezistenla de intrare in tranzistor este:
D
"inT- -vn, -io'hr,
- ,-=fitt- (20 1'y
lb lb
182
Electronicd analogice - aplicatii
Rn Rnr Rout
s b o
Figura 20.9 Schema echivalenti in semnal mic
gtiind cd h,, = = gi hzr = F,atunci h,, =1,05 ke . Deci,

Z h
Rinr =1,05 kO.
Rezistenta de intrare ln circuit va fi:
R,, :n* = is' RBllRi,r : *' R:t- = 0,g ko (2o.zo)

is is R,+R*
Rezistenfa de iegire Rour definiti cu intrarea in scurtcircuit (vn=@;
este:
'R,,, io',R'
=v,o
lo
- lo
= R., = 4 k0 (20.21)
Amplificarea in curent Ai este:

Rs
h-..i-.
''b-
h . R-. R_
R3 + R,
=L="21 (20.22)
Amplificarea in tensiune Auvafi
A,=b=- !''!u =-A.Ru

" ,n in.Rr, ' ''
R^,
=-44.7 (20.23)
183
)
20.3. Probleme
20.3.1.in Figura 20.10, tranzistorul f are lJee=0,6V gi Br=200. Se
cunosc: Rr=561A, Rz=12kO, Rs-2,2ke, Rt=0,5/dlgi V66=1gy.
SE se determine punctul static de funclionare al tranzistorului
bipolar, rezisten[a de intrare in tranzistor Rinr, rezistenla de intrare
Tn circuit R;,, rezisten[a de iegire din circuit Reu,, amplificarea in
curent Ai 9i amplificarea in tensiuna Au. se consideri ci la
frecventa de lucru, condensatoarele sunt scurtcircuite.
+ Vcc

R- R.i!t
20.3.2. Tranzistoarele din Figura 20.11 au parametrii lJeer = lJeez=0,6v, id l{s f-} f-
Bn=Brz=100. se se calculeze punctele statice de funcfionare ale
tranzistoarelor bipolare, rezistenfa de intrare in tranzistorul rt,
Rinn, t€zistenta de intrare a circuitului Rn, amplificarea in curent r{
gi amplificarea in tensiune A,. Se cunosc: fu=100ke, R2=1Ot<e
Re=15kQ, Re=1kO, Rs= 1kil, R6=lkCl, Rz=5kO, Rs=4rl<Q $
Vcc=20V.
20.3.3.ln circuitul din Figura 20.12, se cunosci R1= loke, Rz=100K\
Rs = 1 k(1, Re = 2, 5 kC), Rs= 2 k(), pu = Q 5kQ, Rt = 4,7 ke, Rs 0, 1 kq
=
Vcc=21V, Ueer=0,6V, lJeez=-0,6V, Bn=100, prz=50. Sd se
determine punctele statice de func[ionare are tranzistoarelor rr g
rz, rezistenfa de intrare in tranzistorul rr, Rinrr, rezistenla de
intrare in circuit Ra, ?rnplificarea in curent Ai gi amplificarea in
tensiune A, a circuitului.
184
+ Vcc
Figura 20. 1'l Aplicalia 20.3.2
+ Vcc
20.3.4. Circuitul din Figura 20.13, are urmatoarele componente:

Rr=33kC), Rz=4,7kC|, Rs=3,3kC[, Rt=470C), Rs=330O,
Ra=2,2kC), Rs=0,1kO 9i Vcc=12V. Dacd cele doui tranzistoare
du Fn=Frz=100, iar lJeer=Ueez=0,6V, si se calculeze cele doui
puncte statice de func[ionare, rezistenta de intrare in tranzistorul fr
Rinn, raZistenla de intrare in circuit Rir, amplificarea in curent Ar gi
amplificarea in tensiune Au a circuitului.
185
+ Vcc
20.3.5.in circuitul din Figura 20.14 se cunosc. Rr=50kC), R2=1OOhO,

Rs=2,2k{1, Rt=7 kC), Rs=lkC), pu=3,6kO, Rs=0,1 kC) gi
Vcc=18V. Tranzistoarele au urmitorii parametri: Fn=200,
Frz=100, Uaer=0,6V gi Uaez=-0,6v. Si se determine punctele
statice de functionare ale tranzistoarelor, rezistenfa de intrare in
tranzistorul Tr, Rinn, rezisten[a de intrare in circuit Rin, amplificarea
in curent Ai gi amplificarea in tensiune Au a circuitului.
20.3.6. Sd se calculeze punctele statice de funclionare ale tranzistoarelor
din Figura 20.15, rezistenfa de intrare in circuit R,in, amplificarea in
curent Ai gi amplificarea in tensiune Au a circuitului, daci
Fn=Frz=200, Ueet=0,6V, Uss2=0,6V, Rr-5,6kO, Rz=5kC),
Rs=43kQ, Rt=1,SkC), Rs=3kO, Ra=2,7kC\, Rs=0,1kC) gi
Vcc=12V.
20.3.7-in circuitul din Figura 20.16, se cunosct Ry= |OOAQ, Rz=l}kCL
Rs=5kQ, Rt=SkC), Rs=5kQ, Ra=10kCl, Rs=0,1kC), Vcc=2|V,
Ueer=0,6V, Uaez=0,6V, Bn=Frz=100. Se se determine punctele
statice de functionare ale tranzistoarelor Tr gi Iz, rezisten[a de
intrare in tranzistorul Tr, Rinn, raZisten[a de intrare in circuit Rr,,
amplificarea in curent Ai gi amplificarea Tn tensiune A, a circuitului.
186
+ Vcc
Figura 20.14 Apticalia 20.3.5
E
"'4.
F I
j-/
Figura 20.15 Apticalia 20.3.6
187
-= l
+ Vcc
21. PROBLEME - 13
21.1. Scurte cons c:

2'1.1.1. Modelarea -i l
Curentu -- ::: -
io=ia(u -, -
Modela'e:-l -
relaliei (21 1) r'.---::
Se folos==: --
- transcc-:-:':-
- conducta- ,= - I
ln -.Flgura -
i
::
mic de joasi s -: :
cuprinsd in ':e-.: -
ordinul zecilo' 3: '.-
tr
F gu'e -
21.1.2. Modelarea -I,

Casr la-=- -
tensiunea Lt:: 2'--'--

Pdstr5^: -:'z'
indus, cit si pe-:-- -:
transco't---:- :
188
21. PROBLEME CU TRANZISTOARE CU EFECT DE CAMP

21.1. Scurte consideratii teoretice
21.1.1. Modelarea TECJ la semnal mic fioasi 9i medie frecvenfi)
curentul depinde atat de tensiunea ues, c6t 9i de tensiunea uDs:
rb
io=io(uas, uos) (21.1)

Modelarea TEC-J la semnal mic se realizeazd prin riniarizarea
relaliei (21.1) in jurul PSF-ului, in regiunea de saturalie.
Se folosesc urmitoarele relatii:
- transconductanla n,=?ff? tr) (21.2)
- conductanla TEC- t n* =* (21.3)
in Figura 21.1 este prezentat circuitul echivarent ar rEC-J la semnal

mic de joasi si medie frecven!5. De obicei, transconductanfa gm €Ste
cuprinsi in intervalul 1...10mAN, iar rezistenta de dreni ras este de
ordinulzecilor de kO.
Go
Figura 21.1 Circuitulechivalent aITEC-J la semnal mic
21.1.2. Modelarea TEc-Mos la semnal mic ffoasi 9i medie frecvenfi)

Ca 9i la TEC-J, curentul rb depinde atAt de tensiunea uos, cAt 9i de
tensiunea uos, cohfoffi relaliei (21.1).
Pistrdnd notaliile de la TEC-J, atat pentru TEc-Mos cu canal
indus, cAt 9i pentru TEC-MOS cu canal ini(ial vom avea:
- transconductanfa o. e1 .4)
=
ffi
'gg
determrrê:--r- 5;
- rezistenla de dreni rr" (21 5)
de functrc-:-= = ?--
A'lo
circuitul echivalent al rEC-Mos la semnal mic de joasd si medie
frecven!5 este acelagi prezentat pentru TEC-J (Figura 21.1).
21.2. Probleme rezolvate

21.2.1. Pentru circuitul din Figura 21.2 se cunosc: Voo=15V, lo=SmA
Ro=1k{), Rs--220(), Re=10MA. Si se calculeze Uos gi U6s.
+Voo
Potentia; : - :- = -E
Rezolvare
lntruc6t curentulde grilS /o-=0, potenlialulde poarti lJavafi:
U6=-ft616=Q (21 6t
!ar, potentialul terminalului sursi:
Us=Rs'lo=1,1V (21 7t
Deci, tensiuoe? Ucs vo fi:
Uas=Ua-Us---1,1 V (21.8)
AplicAnd teorema a ll-a a lui Kirchhoff pe ochiul de iesire vo- 9r
avea:
Un_
Rezolvind s
Voo=lo'Rp+Ups+/p 'ftg (21.9',
Uos= Voo- lo'( Ro+fts) =8,9 V
Uos=6V, Uoo*r=1V :: ::s
(21 lC
este in regiunea adi
21.2.2. incircuitul din Figura 21.3 se cunosc: Voo=12V, Rt=30MC

Rz=10MQ, RD=SkO, Rs=1kA, Up=1V, 9=1mAtV gi ).=0. SE s=
190
determine punctul static de functionare al tranzistorului si regimul

de functionare [Rdd, 09].
+ Voo
Figura 21 .3 Apticalia 21.2.2
Potenlialul din grila TEC-MOS este:
Rr+R,.
" =-Ez
un .voo (21 .11)
AplicAnd teorema a ll-a lui Kirchhoff vom avea

-Ua+ Uos+Rs.lo=0 (21.12)
De asemenea, curentul de dreni va fi:
le= B.(Uas- lJe)2 (21.13)
Pe ochiul de iegire aveml
Uoo=gor+(Ro+Rs), (21.14)
gi
L/Dssat= Ues-Up (21.15)
Rezolv6nd sistemul de ecualii se obline cd: lo=1mA, tJas=2V,
Uos=6V, UDr""t= 7 V. Se observi cd Uossar<Uas. prin urmare, TEC-MOS-uI
este in regiunea activd (de saturalie).
191
21.3. Probleme
21.3.1. Pentru circuitul din Figura 21.4 se cunosc: Voo=12V, Re =10M(\
Uo=6 % /oss= 12mA, iar tensiunea de prag este Up=-3 V. Si se
calculeze Uos 9i Uos. Sd se calculeze valorile lui Ra gi Rs pentru
care punctul static de funclionare este situat aproximativ central.
+Voo
21.3.3. Pentru a-: ' :: _ --,

21 6 se :_-:::
Tranz s:: -_ : :
Se co-s:=-= :: :
Figura 21 .4 Aplicalia 21 .3.1 echivaa'.=:_:_--:-
a) Rs ::-'-- : -" -
21.3.2.Pentru circuitul din Figura 21.5 se cunosc: Voo=30V, Rn=10ilA, b) reg -- :: -- r,:
Us=-6V, Ro=101A, Rs=4k{). Tranzistorul are /oss=?mA, Z c) arr^ :. r
tensiunea de prag esle Up=-4V. d) rez s::-': :: --

Si se determine:
a) punctul static de func[ionare al tranzistorului (/o, Uos gi Uas). St
se verifice daci tranzistorul lucreazi in regiunea de satura$e;
b) rezistenla Rs c?re asiguri acelagi PSF ca la punctul precedert
dar Us=O'
c) ampliflcarea in tensiune A, pentru ambele variante G
polarizare.
192
Electronrcd analogicd - aplicalii
+Voo
Figura 21 .5 Aplicalia 21.3.2
21.3.3. Pentru amplificatorul cu TEC-J in montaj sursi comuni, din Figura

21.6 se cunosc: Voo=l2V, Ra=10M{), Ro=33kA, Rs=4ka.
Tranzistorul are /ps5= 12mA, iar tensiunea de prag este Up=-4V.
Se consideri cd la frecvenlele de lucru, condensatoarele sunt
, echivalate cu scurtcircuite. Se cer urmitoarele:
a) Rs pentru lo--2mA;
b) regimul de funclionare aITEC-J;
c) circuitul echivalent in semnal mic;
d) rezistenfa de intrare Ri, 9i amplificarea in tensiune A,.
+Voo
out
193
I
21.3.4. Pentru circuitul din Figura 21.7 se cunosc: Voo=12V, Rr=30M{),

Rz=10MA, Ro=2kA, Rs=1kO, Up=-lV, /oss=45mA $ 2=0. Sd
se determine punctul static de funclionare al tranzistorului 9i
regimul de funclionare [Rdd, 09].
+ Voo
Figura 21 .7 Aplicalia 21 .3.4
21-3.s-Pentru circuitul din Figura 21.8 se cunosc: voo=sv, Rr=10M(\

Ro=500A, Rs=1kA, Up=1V, F=1 mAtV gi ),=0. Si se determirrc
punctul static de func[ionare al tranzistorului 9i regimul de
funclionare [Red, 09].
21.3.6.in circuitul din Figura 21.9 se cunosc: Voo=12V, fu=30M(\
Rz=10MA, Ro=5lrd), Rs=/ kA, Rt=5kA, Up=lV, g=t metV A
2=0. Sd se determine urmitoarele:
a) punctul static de functionare al tranzistorului 9i regimul de
funclionare;
b) schema echivalenti in semnal mic, la frecvenle joase san
medii;
c) rezistenla de intrare gi amplificarea in tensiune.
194
\:
.-;
lrl
-'-
--: Figura 21.9 Aplicalia 21.3.6
195
ElectronicS analogici - aplicalii
I I
22. ANEXA -l
t
UIE=l-t:- -. ::-
22.1. lntroducere in electronica 22.1.5. Unititi de n:s-- rr

22.1.1. Sarcina elernentari Unitd!ie :: -ii--=
Electronul este simbolizat prin litera g gi are valoarea 1,6. 1C1s C. amperul (A) vc:, :
sau multiplii ur':i: :- :: :,a
22.1.2. Cu rentu I electric (7d), mega M ,- :" tn-= -:
Considerdnd doui puncte alese aleatoriu pe un fir conductor gi 22.1.6. Legea lui C'-
daci in punctul A existi o concentratie mare de electroni, in compara[ie
cu un punct B, se spune ci existi o diferenti de potential (tensiune lntens ta:e= : -': *:-
electric6) intre punctele A gi B (Una sau Uan). Asist5m la o deplasare a tensiunea elecr- :.= : - :--
electronilor [n exces din punctul A citre punctul B. Aceasti migcare de circuit.
electroni formeazi curentul electric (Figura 22.1).
+
Degielectronii se deplaseazi de la punctulincircat cu sarcini mai
negativi spre punctul pozitiv, considerdm curentul electric ca fiind
deplasarea sarcinor pozitive, de la ,,+" la ,,-" (sens conven[ional). Aceastii
reguli a fost acceptatd in timpuri cAnd nu se gtia nimic despre electroni,
ca particule negative, sau de migcarea ordonati a acestora. ,U
,_
R
A Sensulcurentului B
+ 22.1.7. Gruparea -cJ s::,aE

etecironi ,6""r"E*on, ln prac: 2 =:-:- =
Figura 221 Curentul electric - in serre
- in para e
22.1.3. Rezistenp electrici Se cons := -= :.a :::l
serie, daci apa: - :i: =
rezistoarele sL-: : r -i:=-i
Rezistenta electrici este proprietatea unui material de a se opune =
trecerii curentului electric.

curent electric = :--: -- -
22.1.4. Diferenta de potential

Diferen[a de potenlial (ciderea de tensiune) intre doud puncte ale
unui circuit electric este diferen[a de poten[ial al acelor puncte calculate in
raport cu un punct de referintS, care in principiu va fi masa sau pdmintrl
(consid6rate ca puncte de potenfial0V).
Pentru Figura 22.1. putem scrie:
196
Electronici analogici - aplica!ii
l)ne=lJn-Us Sau Uan=Ue-Ua (221)
22.1.5. Unitiili de misuri in sistem internalional (Sl)

uniti[ile de mdsurS pentru curent, tensiune 9i rezistenti sunt
amperul (A), voltul (V) gi ohmul (O). in practicS, se folosesc ai submultiplii
sau multiplii uniti[ilor de bazd, adici mili m (1O1, micro P (10"), kilo k
(7d), mega M (O\. Mai rar, nano n Ua\, pico p UA'19i giga C (1d).
22.1.6. Legea lui Ohm

lntensitatea curentului electric este direct propo(ionali cu
tensiunea electricd gi invers propo(ionali cu rezisten[a prezentatd de
circuit.
R
+-
I \--r
U
Figura 22.2 Legea lui Ohm
l:uR = tJ = R.l Q2.2)
22.1.7. Gruparea rezistoarelor

in practica electronici, rezistoarele se pot grupa in doud moduri:
- in serie;
- in paralel.
Se considerd ci doui sau mai multe rezistoare sunt legate Tn
Serie, daci apa(in aceleagi ramuri ale unui circuit electric sau altfel spus,
rezistoarele sunt conectate in serie, daci prin acestea circulS acelagi
curent electric (Figura 22.3).
Rr Rz
.-
\..tt-....-Uru,'
U
Figura 22.3 Conectarea Tn serie a rezistoarelor
197
Electronicd analogicd - apliealii
in aces caz, rezistenfa totali (echivalenti) va fi egali cu suma asemenea crrcu i ::-:: =i:
rezistenfelor inseriate: circuite compone-:: -=-L
Rs=ft1 +ft, (22.3) acestea. Un ase-.-:: --
gi respectiv, reprezinti in sc-3-= :--i:
corespunzitor ce - --
=- -: E
U=Ur+Uz (22.4) 'es::- : =
interconexiunile
se consideri ci doui sau mai multe rezistoare sunt legate in Fiecare ::- ---:-
paralel, daci sunt conectate intre aceleagi doui noduri ale unui circuit elemente de c -:-' ---rs
electric (Figura 22.4).lnversul rezistentei totale (echivalente) va fi egali ar transformatoare e:: : : -:
suma inverselor rezistentelor conectate in paralel. De remarcat faptul ci, reprezinti-pr. s-:: -- J
-
rezistenta totald a doui rezistenfe in paralel este totdeauna mai mici interconexiunile :' :: ---s
dec6t rezistenfa cea maimicS. Simbolu' ='=' -:
= =E
electronicS, su^: --:-::=-=
lr Rr
clasificate de cc := - -:-r
+U bobine) 9i dispoz: ,= :nr:
tiristoare etc.)
Circuitele s:-- :: ;*
Figura 22.4 Conectarea in paralel a rezistoarelor relea. Nodul este -':-==:.:
un contur inchis 'a- z- : -
111 =
(22.5)
RP Rt R2 22.1.'10. Teoremele - " :f
Teorema l-a
(22 6) Suma a;3:-:: = -
zero, adici, cu a:= : - --=
egalS cu suma c--=-: : -.a=
22.1 .8. Puterea electrici
Teorema a ll-a
cand curentultrece printr-o rezisten[i se pierde energie sub fonrE
Suma te-s -- : :*:
de cilduri. Puterea este datd de rela[ia:
cu suma tuturor '-2:=- : := r
P=U'l=R.12 (22.7)
Unitatea de misuri pentru puterea electrici este watt-ul (t&).
22.1.11. Curentu I a i=-u:'q

22.1.9. Circuite electrice 9i simboturi grafice
Curent a',=- :- --
t
Un circuit electric poate fi definit ca o interconectare de
periodic. Acest c-':-' :,:
componente electrice si electronice, prin care circuli diversi curenli =-:
la un generator ce s:- -:
electrici 9i care indeplinegte o funclie Tn cadrul unui circuit complex. un
198
asemenea circuit complex electronic se poate descompune intr-o serie de

circuite componente [inandu-se seama de func[iunile indeplinite de
acestea. un asemenea circuit, cu rol funclional de sine stdtitor, se
reprezinti in scheme printr-un contur inchis, previzut cu un numir
corespunzitor de intrdri gi iegiri. o schemi incluzAnd aceste blocuri gi
interconexiunile respective se numegte schemi bloc.
Fiecare bloc funclional la rAndul lui este constituit din diferite
elemente de circuit (tranzistoare, rezistoare, condensatoare, bobine,
transformatoare etc.) conectate intre ele intr-un anumit mod. schema
care
-
reprezinti prin simboluri grafice toate aceste componente, precum
- 9i
interconexiunile lor se numegte schemi principiali.
Simbolurile grafice ale elementelor de circuit, int0lnite de obicei in
electronici, sunt reprezentate in Tabelul 22.L Aceste elemente sunt
clasificate de obicei in componente pasive (rezistoare, condensatoare,
bobine) gi dispozitive electronice semiconductoare (diode, tranzistoare,
tiristoare etc.).
circuitele electrice sunt formate din noduri de re[ea gi ochiuri de
re[ea. Nodul este intersecfia a cel pulin trei laturi de circuit, iar
ochiut este
un contur inchis format din cel pu[in trei ]aturi.
22.1.10. Teoremele lui Kirchhoff

Teorema l-a
Suma algebrici a curenlilor intr-un nod de relea este egali cu
zero, adici, cu alte cuvinte, suma curenfitor care intri intr-un nod
este
egali cu suma curenfilor care ies din acel nod.
Teorema a ll-a
suma tensiunilor electromotoare pe un ochi de circuit este egali
cu suma tuturor ciderilor de tensiune pe acel ochi.
22.1.11. Curentu! alternativ
curent altemativ (c.a.) este curentul cirui direclie se schimbi

periodic. Acest curent poate fi furnizat de la refeaua
220i"r 50Hz sau de
la un generator de semnal.
199
Tabelul 22.1 simboluri grafice utilizate in circuitele electronice
Nr Simbol Semnificatie Nr Simbol Semnificalie

1
-* Rezistor fix 18.
+F Diodi redresoare
2.
E Poten[iometru
3
+ Rezistor
variabil
19
22.1.12. Semnale s --s:,r=

F M
+o
4 Termistor 20
-L
>F Fotodiodi
-+
in funcr a^.-=: : -:-r
5 Varistor 21
Diodi electrolumi- curenti etc) ra-=-i: --:
6
_Jrrrn_
_G Bobini
(fdri miez) 22 +\ niscenti (LED)
Tiristor
variatia in timc . _-= -:--
Forma :: _ - :: :.:=
semnalul sinuso :: -
7
Bobin5 cu
miez de fier
Bobini cu
23
-.1 F
Z
Diac s(t)= 7 '
'
-+
8
miez de feriti 24 -l I -1
Triac unde, A este a-: -__
iar rp este laza - -.
-== !
-lF Condensator = =
I (nepolarizat) 25 .@ Tranzistor bipolar
pnp
10
Condensator
variabil 26 .e Tranzistor bipolar
npn
11
12
{}-={F
-€t-
Condensator
electrolitic
Siguranli
27.
K Fototranzistor
Tranzistor
Conexiune la 28 unijonctiune
13
pdm6nt (ruJ)
Tranzistor cu
Conexiune la
14. J. masi
29 efect de cimp I !-
=
__ _
= -.'
(TEC-J) canal p
15 + Conexiune la
carcasi
30 -G Tranzistor cu
efect de cdmp
(TEC-J) canal n
Semna; s -__:: :=
negativi. Valoa.=: :=
valoarea maximi 3 ii-
:- -
-:
=
200
Nr Simbol Semnifica[ie Nr. Simbol Semnificatie
16
lr Susi de
tensiune (c.c.)
31
G
TEC-MOS cu
canal inilial
(canal n)
Susd de TEC-MOS cu
17.
+( tensiune
variabili (c.c.)
32
G canal indus
(canal n)
22.1.12. Semnale si n usoidale

in funclionarea circuitelor electronice, mirimile electrice (tensiuni,
curenti etc.), variazE si nu rimAn constante in timp. Se numegte semnal
varialia in timp a unei mirimi electrice.
Forma de undi cea mai comuni pentru curentul alternativ este
semnalul sinusoidal. Un semnal sinusoidal are expresia generali:
s(t)=4.sin(at+cp) (22.8)
ar2n.f=2r/T (22.9)
unde, A este amplitudinea, ,r este pulsalia, f este frecvenla, f- perioada,
iar p este faza iniliali.
Figura 22.5Yalorile efectivS, maximi 9i vArf-la-virf
Semnalul sinusoidal are doud alternante egale, una pozitivi gi una

negativi. Valoarea de virf este cunoscutd sub numele de amplitudine sau
valoarea maximi a semnalului sinusoidal (Umu).
201
Valoarea virf-la-varf a semnalului sinusoidal este diferen[a de ll
poten[ial dintre vdrful pozitiv givArful negativ giva fi deci:

K=-LJ
I
Uv-v=2'Ura, (2210) in care U este :e-s --=: r
spre deoseblre de curentul continuu, care are o valoare constantd elementul, iar - '=: --:-: =r
,R
care poate fi folositi pentru orice tip de calcule, un curent alternativ Rezisten;s: -- ::-.=E
variazd continuu in timp gi nu are o valoare fixi. pentru a depigi aceastd in circu te = = =.': - f
dificultate, pentru curentul alternativ in calcule se folosegte o valoare sarcini, ca d v z.z-= :n =-
"constanti" numitd valoare efectivd. polarizare etc
Valoarea efectivi a unui curent alternativ sau a unei tensiuni Parametr' -= -:--3
alternative este valoarea continud echivalenti care produce aceeagi - reziste^= -:- '=- : :
putere ca gi valoarea alternativd originali. aceste a = a= a'=-- :
Pentru semnalul sinusoidal, valoarea efectivi este dati de relatia: procente -i : : -:r:
'-
normal zz'.a :-:--=.

u" :? =0,707 .(J.", (22.11) rezistoa.e : - :' : - ::'---;
urmdtoa'e: ---==
22.1.13. Ciclul, frecvenfa gi perioada
- puterea :: :::=-n
ciclul este partea din forma de undi care se repeti. Frecven[a UZUa e S:e-:=':--= S
este numirul care arati de cite ori se repeti un ciclu intr-o secundi. se 6; 7 1C 'i. --. i$
noteazi cu f, iar unitatea de mdsurd este hertz-ul (Hz), cu multiplii kilo

kHz, mega MHz, giga GHz. Timpul necesar pentru a parcurge un ciclu * rE:
22.2.'1.2. Clasifi --sE
complet se numegte perioada formei de undi gi se noteazd cu r. De
-=:
remarcat ci perioada este inversul frecvenlei gi viceversa. Unitatea de Clasrfl --=: =-:;-=.r
mdsuri este secunda s, cu submultiplii mili ms sau micro ps. utilizate sunt
1) Dupi
22.2. Componente pasive de circuit
Componentele pasive de circuit sunt acele elemente de circuit care
pot realiza diverse funclii de prelucrare a semnalelor electrice (filtrare,
integrare, derivare), dar care nu pot acliona asupra energiei semnalelor.
Acestea sunt rezistoarele, condensatoarele si bobinele.
22.2.1. Rezistoare
2)
22.2.1.1. General itifi
Rezistoarele sunt elemente de circuit liniare caracterizate de
rezisten[d electrici (de unde gi denumirea de,,rezisten!i',): a-
202
n=!I (22.12)
in care U este tensiunea aplicatd la borne, /- curentul ce stribate

elementul, iar R - rezisten[aelementului.
Rezistenlele nu decaleazi curentul / in raport cu tensiunea U.
in circuitele electronice rezistoarele sunt folosite ca elemente de
sarcini, ca divizoare de tensiune Sau ca elemente ale circuitelor de
polarizare etc.
Parametrii mai importanti ai rezistoarelor sunt:
- rezisten[a nominali R, (exprimati in A, kQ sau MO) 9i toleran[a
acesteia (abaterea de la valoarea nominali, exprimatd Tn
procente); firmele producitoare furnizeazd rezistoare avAnd valori
normalizate cuprinse uzual intre 10a...10Ma;girul de valori ale
rezistoarelor standardizate se obline inmullind cu puteri ale lui 70
urmitoarele numere: 10, 11,12, 13, 15, 16, 18,20,22,24,27,30,
33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91, 100.
- puterea de disipa[ie nominale Pn (exprimati in wali); puterile
uzuale standardizate sunt: 0,05;0,1;0,125; 0,25; 0,5; 1;2; 3;4; 5;
6;7; 10; 12; 17....100W.
22.2.1 .2. G lasifi ca rea rezistoarelo r

Clasificarea rezistoarelor se face dupi mai multe criterii, cele mai
utilizate sunt:
1) Dupi tipul constructiv:
o
rezistoare fixe (a ciror rezisten[i stabilitd Tn procesul de
fabrica[ie rim6ne constanta pe intreaga perioadi de
functionare a rezistorului) ;
o
rezistoare variabile (a ciror rezisten[d poate fi modificati,
in anumite limite, in timpulfunc[ionirii):
o
Potentiometre;
o
semireglabile.
2) Dupi elementul conductor:
o
rezistoare pentru curen[i slabi (utilizate in electronici);
o
rezistoare liniare:
o
peliculare:
o
cu peliculi de carbon;
203
o cu peliculi metalicd
22.3.
: ::T:il,;
o -=':,"i:illi::J;
o varistoare
/
o fotorezistoare. Tabelul2l.3
o rezistoare pentru curen[i tari (utilizate in electrotehnicd Culoare
energetici).
s) Dupi destinatie: Argintiu
oprofesionale; Auriu
ode uz general. Negru
4) Dupi posibilitatea conectirii in circuit: Maro
ocu terminale axiale; Rogu
ocu terminale radiale; Portoca lu
ocircuite integrate hibride; Galben
orelele giariide rezistoare. Verde
Albastru
22.2.1 .3. Marca rea rezistoarelor Violet
Marcarea rezistoarelor se poate face in clar, codificat (in codul Gri
culorilor) sau prin simboluri alfanumerice codificate internafional (cod
literal). in Tabelul 22.2 se indici codificarea literali a rezistenlei nominale Nici o cu ca':
gi a toleranfei.
Tabelu I 22.2 Coditicarea itera ld a rezistoa relor
I
in Tabelul 22.4s-'-. -:-==:
Factor de multiplicare Litera Toleran[a Litera Tabel 22.4 Exer.3 : :: - =-=
o/o
Valoarea
1 R t 0,1 B rezisten!ei
103 K 10,25 c
106 M 10,5
0,75Qt5%
D
10s G r1 F
1012 T !2 \,
120 A! 10%
r5 J
4,7kQ!20%
+10 K
t20 M 560kr)!10%
+30 N
204
Marcarea rezistoarelor in codul culorilor este ilustrati in Tabelul

22 3.
Tabelul 22.3
A doua Coeficient de
Culoare Prima cifri Toleranta
cifri multiplicare
Argintiu 10'2 !10o/o
Auriu 10-1 !5o/o
Negru 0 1
Maro 1 1 10 t 10/o
Rogu 2 2 102 t2o/o

Poftocaliu 3 3 103
Galben 4 4 104
Verde 5 5 105
Albastru 6 6 106
Violet 7 7 107
Gr I 8 108
Atb I 9 10e
Nici o culoare !2Oo/o
in Tabelul 22.4 sunt ilustrate exemple de marcare ale rezistoarelor.

Tabel 22.4 Exemple de marcare a rezistoarelor
Codificarea cu litere Codificarea in codul
gi cifre culorilor
0.75
0,754x5% R75J
5o/o
120
1204!10% 12ORK
t10o/o
4,7 kAt20o/o 4K7M 4.7K

560K
560koil0% 560K
t100/o
205
21.2.1.4. Misurarea rezistoarelor - condensatoa'= -3: =: E
Rezistoarele se pot mdsura cu ohmmetrul sau cu multimetrul

- condensato:-: :-{
radioreceP:c a':
(analogic, respectiv digital), respectAnd algoritmul de misuri specific
aparatului de mdsuri respectiv.
22.2.2.3. Marcarea c c' : : - sa
22.2.2. Condensatoare Cel mai ac3:=: ::-f
producdtoare noia-: := :-:
22.2.2.1. Ge nera I ititi
condensatoarele ::-:- :: ==
Un condensator este o componenti pasivi de circuit caracterizati culorilor, cu 3 4 s:-: :;--
de capacitate. Un condensator constd din suprafele conductoare agezate disc Ai placheti : :':: :: 3:
fa[i in fafi (numite armituri), despS(ite de un material izolant numit pentru condensa:::-= :-: :
dielectric. codificatesunt:a:= - -: -"
Proprietatea de bazd a unui condensator este capacitatea sa de a ppm/oC -Pd( ce ^. :- := =
stoca energie electricd sub formi de sarcini electrice. prin urmare, putem
spune ci un condensator se opune varia[iilor de tensiune.
Unitatea de misuri pentru capacitate este faradul, dar de obicei
se folosesc submultiplii: 1tF, nF gi chiar pF.
cand doui condensatoare sunt conectate in paralel, capacitatea
lor totald este suma celor doui capacitd[i, iar daci doui condensatoare
sunt conectate in serie, inversul capacitdtii totale este suma inverselor Tabelul22.5
celor doui capacititi.
Parametrii principali ai condensatoarelor sunt:
- capacitatea nominald Cn gi toleran[a;
- tensiunea nominal5 U, (tensiunea continui maximi sau tensiunea
altemativi efectivi care poate fi aplicati condensatorului).
22.2.2.2. lasifi carea condensatoarelor

C
clasificarea cea mai uzual5 a condensatoarelor este din punct de
vedere constructiv:
-condensatoare fixe:
o condensatoare nepolarizate:
o
condensatoare cu micS;
.
condensatoare cu hirtie;
.
condensatoareceramice;
o
condensatoare cu peliculi de polistiren.
o condensatoare polarizate (electrolitice).
206
Electronici analogicd - aplica{ii
condensatoare reglabile (trimere);

condensatoare variabile (condensatoarele de acord dn
radioreceptoare).
22.2.2.3. Marca rea condensatoa relor

Cel mai adesea condensatoarele se marcheazd in clar, firmele
producitoare not6nd pe lSngi capacitate gi tensiunea nominali. Doar
condensatoarele ceramice sau de tip placheti se marcheazd Tn codul
culorilor, cu 3, 4 sau 5 benzi colorate. La condensatoarele ceramice tip
disc ai plachetd, citirea se face incepdnd de la terminale. Codul culorilor
pentru condensatoare este cel prezentat in Tabelul 22.5, iar valorile
codificate sunt date in pF. Coeficientul de temperaturi este exprimat in
ppm/oC - pe(i pe milion pe grad Celsrus.
Tabelul 22.5
Coeficient A Coeficient
Prima
Culoare de doua de Toleranla
cifri
temperaturi cifri multiolicare
Negru 0 0 0 1 t200/o
Maro -33 1 1 10 t1o/o
Rogu -75 2 2 102 t2o/o
Portocaliu -1 50 3 3 103 !2,5
Galben -220 4 4 104 !100o/o
Verde -330 5 5 10s t5%
Albastru -470 6 6
Violet -750 7 7
Gri -2200 8 8 10'2 -20Yo 30o/o
Atb +120 I I 10-1 r.10%
Auriu +1 00
207
22.2.2.4. Misura rea condensatoarelor lnductan[a ure

condensatoarele se misoari forosind capacimetrul digital. in lipsa dimensiunile condufu
unui astfel de aparat de misuri, se poate folosi un ohmmetru, dar doar cazul bobinelor cu rJo
pentru identificarea unui condensator in scurtcircuit sau specialigtii cu magneticd a miezuhi.

ceva experien[i pot aproxima (dar cu destule erori) curentul de incircare Pentru a wita
exterioare (sau perilru
9i descircare (eventual folosind un condensator etalon).
cAmpului magne: : --::--
22.2.3. Bobine realizate din -a:e-: = -= : -i
mumetal etc)
Bobina este o componentd pasivi de circuit, realizatd prin Prin cres:3-== -=. r
Tnfdgurarea unui fir conductor pe carcase de diferite secliuni
9i proprieti$ ecranare scade ::::: :- - :
dielectrice foarte bune (avand un miez magnetic sau aer). Firul conductor De aceea la "a:,: --- - l
poate fi din cupru (monofilar sau multifilar), cupru argintat sau aluminiu. nemagnetice c- :.:-:--:r
Bobina este caracterizatd de o mirime numiti inductanli L (Figura 22.6). cimpurile pertu.:::: a'= :=:n
22.2.4. Reactan!a
Bobinee s ::-:--':€
Reactanla X. ca-e;:-:: :.: :
Figura22.6 ohmi. Reactanla ::: -,:€ :E
unei bobine
frecvenla semna
lnductanta bobinei se opune oricdror varialii de curent. lnductanla O bob ni : :::-3
unei bobine depinde de numirul de spire, de dimensiunile conductorului, Xt=2r t -=-
de forma bobinei 9i de modul de bobinare.
Un cor.oe--::-:- :-=j
,o
L-- (22.13)
frecven!a:
i x __
unde @ - fluxul magnetic creat de bobini, iar i este curentul ce stribate z--
J^
spirele bobinei.
Unitatea de misurd pentru inductanfi este henry H, cu submultiplii 22.2.5.lmpedan!a
mH sau pH.
Bobinele se realizeazd fdrd miez magnetic (bobine cu aer) sau Un circu: :"=-= :::-:Fr
daci este necesari o inductanfi mare, pe miezuri magnetice de diferite rezistenli prez^'.2 - r--=a
forme. Din punct de vedere constructiv, bobinele se impart in bobine fixe suma fazoriald a'==:=-" t
(cu L=const.) gi bobine regrabire. in al doilea caz, inductanfa poate fi Z=tX'-=-

variati, prin deplasarea unui miez de feritd in interiorul bobinei sau prin
modificarea inductan[ei mutuale M intre doui bobine cuplate, agezate pe
acelagi suport.
208
lnductan[a unei bobine cu aer depinde de numdrul de spire, de

dimensiunile conductorului, de forma bobinei 9i de modul de bobinare. in
cazul bobinelor cu miez, inductanla depinde 9i de permeabilitatea
magneticd a miezului.
Pentru a evita ac[iunea perturbatoare a cAmpurilor magnetice
exterioare (sau pentru a proteja alte elemente de circuit de ac[iunea
c6mpului magnetic propriu) bobinele se inchid in ecrane magnetice
realizate din materiale feromagnetice de inaltd permeabilitate (permalloy,
mumetaletc).
Prin cregterea frecven[ei cAmpurilor perturbatoare ac[iunea de
ecranare scade odati cu micgorarea permeabilitatii materialului magnetic.
De aceea, la frecven[e ridicate ecranele se realizeazd din materiale
nemagnetice cu conductibilitate ridicati (Cu, AI) care micgoreazi
cAmpurile perturbatoare datoritd ac[iunii curen[ilor turbionari.
22.2.4. Reactanta
Bobinele gi condensatoarele se opun trecerii curentului alternativ.
Reactanta X, caraderistici circuitelor de curent alternativ, se mdsoard in
ohmi. Reactanla depinde de valoarea bobinei sau a condensatorului gi de
frecven[a semnalului electric.
O bobini are o reactanti inductivS, care cregte cu frecven[a:
Xt= 2t.f .L=u.L (22.14)
Un condensator prezinti o reactanti capacitivi, care scade cu
frecven[a:
xc (22.15)
2n .f .C
22.2.5.lmpedanfa
Un circuit care con[ine o reactan[5 (capacitivi sau inductivd) gi o
rezisten[i prezinti in curent alternativ o impedanti Z. lmpedan[a este
suma tazoriald a reactanteiXgi a rezistentei R:
Z_ X2 +R2 (22.16)
209
22.3. Transformatoru! 22.4.1. Surse de :e- s - -€

Transformatorul este un erement de circuit, realizat din doud in."-.,. _:-.-_ : -!
infdgurdri separate, numite primar gi secundar (Figura 22.7). infiguririi energia e ec:- aa := :_-=- :
,,prima/'ii este aplicati tensiunea de intrare (in general, tensiunea refelei continua s:ac zz'.2 I
220v"r c.a. 50Hz), care va produce un cdmp magentic variabil. Acest =_-= :
constanta te-s --:: _-: :":
cOmp magnetic va induce in infigurarea secundari, o tensiune de curent =
(tensiune a? -'.-=-: : =-: - :
altemativ de aceeagi frecven[i cu tensiunea de intrare. Amplitudinea =
in o.a: :"i
tensiunii din secundar va fi determinatd de de numirul de spire, at6t din triple Surse e :-: = ::-:- - :
secundar, cit gidin primar. de tensr-^3 ::-: -_i : z: -=

ttb cele ple :c-: - s : :
trr -=: 3
dOUd S,-.Se -:=:€-::-: :z
Tensiunea de Tensiunea
intrare c.d. ur de iesire
22QY.r 50Hz
EEI
C,d. UZ
Figura 22.7 T ransformatorul
uzual, se noteazi tensiunea de intrare in primar cu u1, tensiunea

de iegire GU Uz, curentul din primar cu i1, curentul din secundar cu iz,
numirul de spire din primar cu Nr, numirul de spire din secundar cu N2,
atunci se poate scrie relalia care definegte raportul de transformare n:
u, i" N.
n- '=--4-=----L (22.17)
u2 it N2
.= __ r l:__
l_ta
'Y-----
22.4. Aparate de laborator. Scule 9i unelte
in Asa cr,- >: :ls=-,:
aplicaliile practice, in vederea studiului experimental al independente e'.
dispozitivelor 9i circuitelor electronice, este absolut necesar5 deprinderea ='.,:-_-: =
de a utiliza aparatura de laborator, care este formati din surse de ,,-". De asemeêa :.: a :: _: ;_
pentru impdm3^:=-=
tensiune, multimetre analogice, multimetre digitale, generatoare de
semnale, osciloscoape etc. De asemenea, aplicaliile practice presupun
22.4.2. Multimetru | 6 -; ,-,,;,1;
indemanarea in folosirea sculelor si uneltelor de laborator statii si
-
pistoale de lipit, gurubelnite, patenti, clegti, pensete etc. Multimet.,
=-=::: -
ciruia se pot -is--= -: -J
tensiuni. De asen-=-:: _-+E
cum se poate obse-,: - = :_-
210
22.4.'1. Surse de tensiune
in general, pentru alimentarea circuitelor electronice este necesari

energia electricd de curent continuu, furnizati de sursele de tensiune
continui stabilizati. O sursd de tensiune stabilizatd are rolul de a menline
constantd tensiunea de iegire la varialia intre anumite limite a unor mirimi
(tensiune de intrare, sarcinS, temperaturi etc.).
in practici se folosesc surse de tensiune simple, duble sau chiar
triple. Sursele duble conlin in aceeagi carcasi doud surse, independente,
de tensiune continui stabilizatd, reglabile (de obicei, 0-30V/0-3A), iar
cele triple conlin gi o a treia sursd de tensiune independenti de celelalte
doud surse independente, dar fixd (5 V/1 A).
Figura 22.SPanoulfrontal al surselor HY3005 si 14108
A9a cum se observi in figura 22.8, fiecare dintre cele trei surse
independente, are previzute cite doud borne de iegire, rosu ,,+" si negru
,,-". De asemenea, cele doui surse reglabile 0-30V au prevdzutd 9i bornd
pentru impimintare.
22.4.2. M ultimetru I analogic

Multimetrul analogic este un aparat de misurd, prin intermediul
ciruia se pot misura mai multe mirimi electrice: rezistenle, curenli 9i
tensiuni. De asemenea, unele multimetre pot mdsura si frecvenle aga
cum se poate observa in Figura 22.10.
211
22.4.2.1. Misurarea ':: s': -

Se utr ze a=a :: - :
ohmmetrului ca'a -: -' -:
x100k 9i verif ca-.)- - --
De rer:-::' -
principale - ne - =' '= =

ca lungime ne:: = -:
scale existd ca:: : :
pozilia in drea::: =:; =
Deret--'.-z-=
deconectarea 2
*:-'=
10
Pentru -::- :
urmetoarele ope':
7 - l2-3: 2'=
^nmt
ganle :- :: - :: -
- calib'a'a= a-. =
SUUIL- -- = == :
(5)
l'l13Sq'3'a= -'- -
dtUl.l--=-
- - -==
apata'.-
corr-:a::'- =
sau -3:::-- :
Figura 22.10 Multimetru analogic Voltcraft VC_SOSO

22.4.2.2. Mistlta'..'. -: --
in Figura 22.10, se prezinte panoul frontal al unui multimetru Se -: ===-= : -:
analogic, unde se observi urmdtoarele: 1 - panoul cu scale de misurare | --
conline urrri:: z-= . : =-
-
2 borne de tip mamd pentru conectarea testerelor, 3 testere de
- Pentru mis--i::- :: :::
-
mdsurare (negru ,,-", rosu ,,+"), 4 comutator pentru selectia gamelor de
-
misurare, 5 potenliometru pentru calibrarea multimetrului in regim de - pentr- J=- = ::
ohmmetru (reglarea zeroului scalei ohmmetrului), 6 - domeniul de - penl'-a2-.: .:
mdsurare al ohmmetrului, 7 - domeniul de mdsurare pentru tensiune - Pentr-JZ-:=-: -:
continuS, 8 - domeniul de misurare pentru curenli continui, 9 - domeniul Qnrc e ^:î:- : ':
vyl
voltmetru sunl ' .'.
de misurare pentru tensiune alternativd, 10 - borni de tip mami pentru -
-
si ca valoare a' -": : : -

gama de 10A c.c..
=
212
22.4.2.1. Misu rarea rezistentelor

Se utilizeazi pentru aceste misurdtori domeniul de misurare al
ohmmetrului, care conline mai multe game - x1, x10, x100, x1k, x10k,
x 1 00ksi verificarea continuitilii previzuti cu buzzer"ll.
De remarcat, cd scala ohmmetrului are doui caracteristici
principale - neliniaritatea (adici, scala este impi(iti in diviziuni inegale
ca lungime, inegale ca valoare, iar intre doui valori marcate numeric pe
scali existd c6te n diviziuni, unde n poate lua valorile 1,2, 3, 4, 5, 10) qi
pozilia in dreapta scalei a zeroului.
De refinut ci misuritorile in regim de ohmmetru se fac doar dupd
deconectarea alimentdrii circuitului, respectiv a componentei de mdsurat.
Pentru mdsurarea in regim de ohmmetru sunt necesare
urmitoarele operalii:
- comutarea aparatului, cu ajutorul comutatorului pentru seleclia
gamelor de misuri, pe gama de f2 doritS;
- calibrarea aparatului, adici aducerea acului indicator la zero, prin
scurtcircutarea celor doud testere si reglajul fin din potenliometrul
(5);
- misurarea propriu-zisd, care are ca rezultat produsul dintre pozilia
acului indicator pe scala ohmmetrului (scala de deasupra oglinzii
aparatului - cea mai de sus) 9i gama de misurare pe care se afli
comutatorul; va rezulta o rezistenti de ordinul ohmilor, kiloohmilor
sau megaohmilor.
22.4.2.2. Misurarea tensiunilor continue

Se utilizeazi domeniul de mdsurare corespunzitor (7) care
contine urmitoarele game de misur5.0.05,0.5,2.5, 10,50,250, 500V.
Pentru misuritori se folosesc cele trei scale de misurare situate sub
oglinda aparatului - 0...10,0...50,0...250, dupd cum urmeazS:
- pentru gama 10V se folosegte scala 0...10;
- pentru gamele 0.05, 0.5, 50, 500 Vse folosegte scala 0...50;
- pentru gamele 2.5, 250 V se folosegte scala 0...250.
Spre deosebire de scala ohmmetrului, cele trei scale pentru
voltmetru sunt liniare, fiind impi(ite in diviziuni egale, atAt ca lungime, c6t
si ca valoare, iar intre doui valori marcate numeric pe scali, existi cite
213
zece diviziuni. De remarcat ci scala 0...2s0 se utilizeazi si in regim de

ampermetru.
Pentru mdsurarea cu multimetrul in regim de vottmetru sunt
necesare urmitoarele operalii:
- comutarea aparatului, cu ajutorul comutatorului pentru seleclia
gamelor de misurare, pe gama de V doriti;
- misurarea propriu-zisi, care are ca rezultat observarea poziliei
acului indicator pe scala corespunzitoare, in funcfie de gama de
misurare utilizatS.
22.4.2.3. Misurarea curentilor continui
*1
Se utilizeazd domeniul de misuri corespunzdtor (g) care conline arS---
urmdtoarele game de misur5: 251tA, 0.20, 2.s, 2i0mA. pentru misuritori =, = ,
se foloseste scala de misurare situati sub oglinda aparatului 0...2s0. Figura 22.11)lt
Fiind o scali comund cu regimul de voltmetru, prin urmare vorbim de o
scali liniari. Muftinrefieb cSBq
dar nu nnai preziE rol r
Pentru misurarea cu multimetrul in regim de ampermetru sunt
calibrarea ohmrnefulr. o a
necesare urmitoarele operalii:
- comutarea aparatului, cu ajutorul comutatorului pentru seleclia frontal cuprinde barE lI
gamelor de m6surare, pe gama de mA doriti;
- misurarea propriu-zisd, care are ca rezultat observarea poziliei
acului indicator pe scala 0...200, in funclie de gama de misurare
Misurdtorle cu
utilizatS.
-
misurare, prestJprn fu ats
De observat ci pentru mdsurarea curenlilor mai mari de 2s0mA,
testerul va fi conectat in borna de 10A (10 din Figura 2210), iar scala de
- comutaea aprall-l
misurare vafi 0...10.
- mdsurarea fryu_i
afigajutui.
22.4.3. Mu ltimetru ! d igital
22.4.4. Generatonf de
Multimetrul digital este un aparat electronic cu ajutorul ciruia se
Generatorul& sertl
pot misura rezisten[e, tensiuni gi curen[i (atat de c.c., cat gi c.a.). pentru -
diverse bome de iesre q
semnalele de curent alternativ sinusoidal este misurati valoarea efectivi.
(sinusoidala, dreptLnglrq.
Prelucrarea semnalelor gi afigarea rezultatelor este digitali (Figura 22.11).
duod dorinla a unor f-ts
etc. Generatorul se folosepl
electronice care se sfi-dzi q
panoul frontd d
prezentat in Figura nltz
!F
214
a) cu autoscalare b) cu domenii de misurare prestabilite

Figura 22.11Muttimetre digitare Murtimetrix
DMM24o gi Mastech My65
au acelasi scop ca multimetrele anatogice,

darnu 9i
cu scale de mdsurd 9i potenliometrul p*tru
calibra ste prevdzut cu afigaj digital. in rest, panoul
frontal tip mamd pentru conectarea testerelor,
comutator pentru sereclia gameror de
mdsurare, domenii de misurare
(ohmmmetru, ampermetru, vortmetn,
eventuar capacimetru, termometru
sau frecventmetru), borna pentru mSsurare
curenli mari (10A).
Mdsurdtorire cu murtimetrur digitar,
indiferent de gama de
misurare, presupun doar doui operalii (inclusiv
la ohmmetru):
- comutarea aparaturui pe domeniur gi respectiv gama necesard;
- mdsurarea propriu-zisi care are ca rezurtat observarea
atentd a
afigajutui.
22.4.4. Generatorul de semnale

Generatorur de semnar este un aparat
erectronic care
furniz eazd ra
diverse borne de iegire semnare variabire
cu diferite forme de undi
iulari etc.), permilind modificarea
tudine, frecven[i, factor de umplere
rea de semnale variabile in circuitele
ntal.
Panoul frontal al generatorului Thurlby
Thandar TG23O este
prezentat in Figura 22.12.
215
22.4.5. Osciloscopu
^^^ ^^^^-
z{if^..^ ^. -;- -
m5rim rt ac - a:
Figura 22 12 Generator de semnal Thurlby Thandar TG230
Generatorul de semnale Thurlby Thandar TG230 contine:

partea de reglare a frecvenlei semnalului generat (FREQUENCY
RANGE), cu doud tipuri de reglaje: in trepte (butoane pentru trepte
cuprinse intre 2Hz gi 2MHz), respectiv un reglaj fin cu
poten[iometru (stAnga jos pe panoul frontal);
partea de reglare a amplitudinii semnalului generat (AMPLITUDE)
cu doui tipuri de reglaje: brut (se modifici valoarea atenuirii
introdusd de aparat - un buton de atenuare -20d8 fiecare) gi un
reglaj fin (un potenliometru); de asemenea, se poate regla
componenta continui a semnalului generat (OFFSET) prin
apisarea butonului ON/OFF 9i actionarea potentiometrului
corespunzdtor;
trei butoane pentru selectarea formei semnalului de iegire
(FUNCTTON);
o tastd Display Select pentru trecerea afigajului din regim afigare a
frecvenlei semnalului furnizat, in tensiune virf-la-vdrf;
borni de iesire semnal MAIN OUT (dreapta jos pe panoul frontal)
pentru conector de tip BNC.
216
22.4.5. Osciloscopul
osciloscopul este un aparat electronic care serveste la

vizualizarea pe ecranul lui a curbelor care reprezintd variafia in timp a
diferitelor mirimi sau a curbelor ce reprezinti dependen[a dintre doui
mdrimi. lmaginile ob[inute pe ecran se numesc oscilograme.
Osciloscopul poate fi utilizat pentru:
- vizualizarea variatiei in timp a tensiunilor electrice, precum gi
mSsurarea parametrilor acestora: valoare v6rf-la-v6rf, amptitudine,
valoare componenta continui, perioadi 9i respectiv, frecvenli;
- vizualizarea rela[iei dintre doui tensiuni variabile in timp, putind
determina raportul frecvenfelor tensiunilor gi defazajul dintre ele
etc.
Axa X (abscisa) este axa timpului, iar axa y (ordonata) este axa
reprezentirii amplitudinilor semnalelor de misurat (observat).
Panoul frontal al osciloscopului rektronix 220s este prezentat in
Figura 22.13.
Osciloscopul Tektronix 2205 permite vizualizarea alternativi sau
concomitenti a doui semnale de tensiune, av6nd doui canale pentru
aplicarea acestora (CH 1 gi CH 2).
Fiecare canal are:
- borni BNC de intrare semnal (de ex. CH 1);
- un potentiometru de modificare a scirii de reprezentare pe
verticali (VOLTS/DlV);
- cAte un potentiometru pentru pozifionarea axelor X 9i y
(POStTtON);
- un buton (AC/DC) pentru vizualizarea semnalului cu componenti
continui (AC), respectiv firi componenti continud (DC).
comun ambelor canale este un potenliometru de modificare a
scirii de reprezentare pe orizontali (SEC/DIV).
217
23. REFERTNTE BtBL

1 . [Bre, 13], G. =:,
electronice funoa-
2. [Cir, 12], Cons.=-
electronicii ana .=
3 [Das, 82], Da- _
electronice, Eo:_-=
4 [Das, 83], Da- _
probleme, Edit--= .
5 [Din, 89] -.
Componente -.
Figura 22.13 Osciloscop Tektronix 2205 Bucuregti, 19- -

6 [Dra, 90] N :_
ABC Electro,- ::
7 [Flo, 03] --: -
Teora Bucu.==-
8 [Flu 16]
9 [Gaz 86] ,1: -

indrumar pe- -- =
TehnicS Bu:--=:
1 O [Ger 08: _:
olaniranine
vrvvt vtrrw!
I- -
1' lGra 971 :.' =-

'-=
C u.1-Napccz
12 lGra 151 ::- z'
lia ca f ='- =
1 3 |on C8l iz
218
23. REFERINTE BIBLIOGRAFICE
3 -:-:=
1 [Bre, 13], Gheorghe BREZAN, Florin DRAGHIC!
electronice fundamentale, Editura Niculescu, Bucuregti,
20'1 3
6.
7
Teora, Bucuregti, 2003
8.
9. U, Cezar CONSTANTINESCU'
indrumar pentru electronigti, Radio 9i televiziune, vol.
1, Editura F
TehnicS, Bucuregti, 1986

10. [Ger, O8], Zolian GERMAN-SALLO, Dispozitive 9i circuite
Llectronice, Editura Matrix ROM, Bucuregti, 2008
11.[Gra,97],AdrianGRAUR,Bazeleelectronicii,EdituraMediamira,
Cluj-NaPoca, 1997
12.|Gra,15],AdrianGRAUR,Nicolae-DumitruALEXANDRU,Sorin
'pOHOn,iE,
Fundamentals of Analog Electronics, Druk Art Printing
House, Cernduli, Ucraina, 2015
13.fion,O8],Daniela-SmarandalONESCU'Gircuiteelectronice'
Editura Matrix ROM, Bucuregti, 2008
14. ilon, 121, Sabin loNEL, lnginerie electronicd,
Editura Politehnica'
Timigoara,2012
Editura Teora'
1S. [lbr, bt1, X.f. IBRAHIM, lntroducere in electronici,
Bucuregti,2001
16. [Lov, 01], George LOVEDAY, gefectele electronice
- manual de
iiagnosticare, Editura Teora' 2001
ttv
17. [Nea, 05], Camelia NEAC$U, Marin SARACIN, Componente si

dispozitive electronice, Editura Matrix ROM.Bucuregti, 2005
18. [Poh, 07], Sorin POHOAT,A, Adrian GRAUR, Dispozitive
electronice si electronicd analogicS, Editura Universitdlii Suceava,
Suceava, 2007
19. [Red, O9], Marian nADUCU, Electronici analogici. Teorie 9i
aplicalii, Editura Matrix ROM, Bucuregti, 2009
20. [Pag, 04], Sever PA$CA, Niculae TOMESCU, lstvan
SZTOJANOV, Electronici analogici gi digitali vol. l, Editura
Albastrd, Cl uj-Napoc a, 2004
21.[Vas, 81], Gabriel VASILESCU, $erban LUNGU, Electronicd,
Editura Didactici 9i Pedagogici, Bucuregti, 1981
220

Deea1 1 PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Deea1 1 PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CUPRINS

Electronica este gtiinla care se ocupa cu studiul 9i aplicaliile

afirmalia ci procesul de dezvoltare a electronicii nu S-a incheiat'

formdrii capacitilii de analizd 9i sintezd a cunostinlelor dob3ndite'

noastre au evidenliat una dintre cauzele deficienlelor apirute in

conceptuale gi fenomenele fizice, pe care se bazeazi diferite tipuri de --: -

electronicii, lucrarea contribuind la imbogilirea procesului de instruire doud te- -::

1 .2. Consideratii teoretice

Ur(V) U.t, 2OO 1OO

0.2 0.4 0.6

Figura 1.1 Caracteristica curent-tensiune a unor diode redresoare

Figura 1'2 Simbolul grafic al diodei redresoare

de limitare a curentului (Figura 1.4a)' 'a-'a

in acest caz, rezistenta electrici a diodei este destul de mici, iar

micd, aceasta inseamni ci este polariza6 dired., iat terminalul legat la

1.2.3. Principiul de funclionare al ohmmetrului analogic

cum Rx este invers propo(ional in raport cu curentul /, rezulti

Figura 1.5 Schema electrici simplificati a unui ohmmetru analogic

intr-adevdr, daci doui game de mdsuri ?u lmaxz=n-lnaxr, urrda

1.3. Aplicalie practici

1. Se vor misura rezistentele electrice ale unor diode cu Ge gi respectiv

2. Se realizeazi montajul din Figura 1.6 pentru trasarea caracteristicii

caracteristicii statice a diodei'

Figura 1.7 Schema electricd pentru trasarea caracteristicii diodei

5. Proba de incdlzire pentru polarizare inversE se efectueazd pentru

6. Se vor identifica parametrii diodei redresoare de tip 1N4007. Gisili un

I .4. Evaluarea cunogtintelor

1. Utilizarea diodei redresoare

3. in ce condi[ii s-ar putea produce stripungerea diodei redresoare? 2. DIODA fiN{E

::-:: : -=- -=-

2. DIODA ZENER. STABILIZATOR DE TENSIUNE CU

2.2. Consideratii teoretice

Figura 2 1 Simbolurile diodei Zener

ldentificarea termrnalelor se face in acelagi mod cu cel descris

stabilizare Uz (tensiunea la care apare regimul de strdpungere), curentul "todrfici '=- =- : - .

2 2,2, StraE - - ;: ': i :

Figura 2.2 Diverse capsule ale diodelor Zener

Reprezentand grafic dependenla curentului prin dioda Zener, in

Figura 2.3 Caracteristica curent-tensiune a unei diode zener

in polarizarea inversi a diodei Zener (atunci cAnd borna pozitivi a

2.2.2. Stripungerea diodei Zener

Stripungerea nedistructivi a diodei Zener este caracterizati prin

2.2.3. Stabilizator de tensiune cu dioda Zener

Valoarea lui R se va alege in intervalullR^in, R^rrl.

maxim prin dioda Zenet 12,,,), Tabeu 2-

7. Se realizeazi circuitul din Figura 2.5 pentru trasarea caracteristicii

Voltmetrul va fi pozi[ionat pe o gami de minim 10V, iar

8. Pentru lz=l1mA se citegte cu precizie valoarea Uz a tensiunii Uz,

25eq. Se citegte valoarea finald Uzz a tensiunii Uz. Datele se trec in

Se efectueazd calculul coeficientului de temperaturi al tensiunii de

9. Se inverseazd dioda Zener gi se traseazd caracteristica in polarizare

Figura 2.6 Schema electricd pentru trasarea caracteristicii unei diode

pe o gami de cel pulin

Figura2'TSchemaelectriciastabilizatoruluicudioddZener -r- -= -_m

11. Se inlocuiegte potenliometrul Rr. cu o rezisten[5 fixi de 1ka'

Figura 2.8 Schema electrici a stabilizatorului cu diodd Zener

2.4. Evaluarea cunogtintelor

16. Dependenfa curentului printr-o diodd zener in funclie de tensiunea

lndicafi daci urmitoarele afirma[ii sunt adevirate, argumentAnd

23. Tensiunea de stabilizare a unei diode zener este tensiunea care

3. STUDIUL REDRESOARELOR TIONOFMATE GU DIODE

3.2. Gonsideralii teoretice

laptop-uri, telefoane, tablete, televizoare, sisteme audio' circuite