Electronica Analogica, Dispozitive Si Aplicatii

Adrian Virgil CRCIUN
ELECTRONIC ANALOGIC
Dispozitive i aplicaii
Cuprins
Editura Universitii Transilvania din Braov 2010
2010 EDITURA UNIVERSITII TRANSILVANIA DIN BRAOV Adresa: 500091 Braov, B-dul Iuliu Maniu 41A Tel:0268 476050 Fax: 0268 476051 E-mail : editura@unitbv.ro
Toate drepturile rezervate Editur acreditat de CNCSIS
Adresa nr.1615 din 29 mai 2002
Refereni tiinifici: Prof. univ. Dr. Florin Sandu Prof. univ. Dr. Petre Ogruan Conf. univ. Dr. Gheorghe Pan
ISBN 978-973-598-802-9
Prefa
Aceast lucrare de cercetare i sintez studiaz dispozitivele semiconductoare utilizate de electronica analogic i aplicaiile de baz ale acestora. Lucrarea este util att studenilor din primii ani de studiu ct i inginerilor de profil electric. La elaborarea acestei lucrri s-au presupus cunoscute noiunile de matematic i de circuite electrice la nivel de liceu. Parcurgerea prealabil a unui curs n domeniul circuitelor electrice constituie un avantaj, dar nu este absolut necesar, deoarece noiunile fundamentale de circuite electrice sunt prezentate n primul capitol. Recomand parcurgerea materialului n succesiunea din lucrare, cel puin la prima lectur.
Lucrarea este structurat pe 4 capitole. Capitolul introductiv prezint configuraiile fundamentale de circuit, principiile modelrii i cteva metode de obinere a circuitelor echivalente Noiunile prezentate trebuiesc nelese n profunzime deoarece materialul este necesar pentru capitolele urmtoare. Urmtoarele trei capitole care studiaz diodele semiconductoare, tranzistoarele bipolare i tranzistoarele cu efect de cmp sunt structurate n dou pri: - n prima parte se introduc modelele cele mai simple ale dispozitivelor studiate i sunt analizate aplicaiile fundamentale (pe baza modelelor simplificate), - n partea a doua se analizeaz construcia i funcionearea dispozitivelor respective, modele mai complexe, se introduc modele de simulare SPICE i noiuni avansate de utilizare a dispozitivului respectiv. Pentru cititorul interesat de aspectele strict aplicative este posibil parcurgerea primei pri a fiecrui capitol i eventual parcurgere sumar a noiunilor de fizica semiconductoarelor i despre funcionarea intern a dispozitivelor (prezentate n partea a doua a fiecrui capitol). Majoritatea aplicaiilor studiate sunt nsoite de exemple de circuite practice, calculate complet i cu explicaii detaliate. Pentru cei ce vor s aprofundeze materialul, recomand ca dup parcurgerea subiectului teoretic s rezolve independent exemplele de analiz sau proiectare propuse, fr a citi rezolvarea. Abia dup ce se ncearc rezolvarea problemei respective se va analiza i rezolvarea propus. Prin aceast metod se obine implicarea direct a cititorului i se scurteaz calea spre nelegerea aplicaiilor simple de electronic, acesta fiind primul pas al viitorului inginer electronist. Consider c deosebirea dintre un matematician i un inginer este aceea c matematicianul efectueaz calculele exacte, precizia fiind principalul deziderat; n timp ce rezolvarea problemelor inginereti se face prin gsirea aproximaiei optime, nelegerea i modelarea fenomenului fiind scopul principal. Aplicarea metodelor matematice exacte la studierea aplicaiilor de electronic este principial posibil, dar conduce cel mai adesea la pierderea legturii cu fenomenul studiat, din cauza complexitii prea mari la care se ajunge pentru a avea o precizie foarte bun. n prima etap se utilizeaz modele ct mai simple care permit nelegerea fenomenului, calculele exacte se pot face n a doua etap a analizei, cu ajutorul calculatorului, pe baza unor modele ct mai precise. De aceea n studiul dispozitivelor i al circuitelor electronice de electronic analogic sunt utilizate diferite niveluri de detaliere, de la cele mai simple modele utilizate la calcule manuale i pn la cele mai precise (dar complexe) modele utilizate la simularea pe calculator. La unele dintre exemplele de calcul se analizeaz nivelul de detaliere necesar la modelarea dispozitivelor electronice, fie prin compararea rezultatelor obinute cu ajutorul diferitelor modele, fie comparnd rezultatele calculate cu cele determinate experimental. Domeniul electronicii analogice abordat, partea de dispozitive i aplicaii, constituie doar fundamentul electronicii i nu studiaz sistemele electronice, ci pregtete cititorul pentru astfel de studii ulterioare. Abordarea sistemelor electronice actuale oblig la o prezentare simplificat datorit complexitii deosebite i a dezvoltrii foarte rapide a acestor sisteme. Prezentarea noiunilor fundamentale din electronic aduce ansa de a lucra ntr-un domeniu relativ stabil, care permite realizarea unui studiu aprofundat i dezvoltarea unei metode de analiz sistematic i clar a realitii care ne nconjoar.
Un vechi proverb chinez spune c este de preferat s nvei pe cel flmnd s pescuiasc n loc s i dai petele gata pescuit. Transpus n domeniul dinamic i complex al electronicii i calculatoarelor aceasta nseamn c un adevrat specialist trebuie s cunoasc chestiunile fundamentale din domeniu i s le adapteze la situaiile concrete care apar n practic. Formarea unor deprinderi, sau a unor obiceiuri ntr-un domeniu att de dinamic ca electronica nu este o strategie eficient, deoarece o dat cu modificrile, care apar foarte des n acest domeniu, trebuiesc adaptate sau chiar modificate deprinderile anterioare. Prin urmare consider ca fiind foarte important crearea unei baze, a unui fundament relativ stabil i asta se poate realiza prin dezvoltarea unui complex de metode de nelegere sistematic i profund a realitii nconjurtoare. n ultim instan modul cum se ajunge la o astfel de nelegere este mai puin important i eu propun prin aceast lucrare studierea dispozitivelor electronice i a aplicaiilor acestora. Din punctul de vedere al specialistului, crearea unui fundament de metode i de cunotine este o investiie pe termen lung. Valorificarea cunotinelor fundamentale presupune oricum cunoaterea situaiei la zi din domeniul respectiv, ceea ce conduce la dificultile inerente cauzate de dinamismul i complexitatea electronicii. Aceast etap dificil pentru orice specialist presupune o informare continu i un studiu susinut care se poate face pe baza fundamentelor, ntrun mod adaptiv i creativ, sau ntr-un mod superficial, care poate s duc la rezultate satisfctoare doar pe termen scurt. Am ncercat s fac din aceast lucrare un instrument ct mai util pentru actualii i viitorii electroniti. Concepia i redactarea materialului se bazeaz pe referinele bibliografice date la sfritul fiecrui capitol. Alegerea materialelor, modul de abordare a subiectelor tratate i majoritatea problemelor sunt originale, multe din ele bazndu-se pe realizri experimentale concrete. ntruct redactarea i corectura mi aparin, mi asum responsabilitatea eventualelor erori care poate au rmas n lucrare. i rog pe cei ce au observaii sau corecturi de fcut s mi le trimit pe adresa de e-mail de mai jos i le mulumesc anticipat. Mulumesc de asemenea soiei care m-a sprijinit n perioada dificil de realizrii a acestei cri, mulumesc recenzenilor i colegilor de la Catedra de electronic i calculatoare a Universitii Transilvania din Braov. Viitorilor studeni i tuturor celor care vor avea rbdarea s studieze aceast lucrare le mulumesc anticipat. Braov, noiembrie 2010
Confereniar Dr.Ing. Adrian Virgil Crciun
e-mail: craciun@vega.unitbv.ro
CUPRINS
CAP. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE .......................... 5 1.1 INTRODUCERE .................................................................................................... 5
1.1.1 Analiza i sinteza circuitelor electrice .............................................................................................. 5 1.1.2 Principiile generale ale modelrii ..................................................................................................... 6
1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT ........................................................................................ 6

1.2.1 1.2.2 1.2.3 1.2.4 1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.3.4 Rezistena electric ......................................................................................................................... 6 Capacitatea electric ....................................................................................................................... 8 Inductivitatea.................................................................................................................................... 8 Sursa ideal de tensiune i sursa ideal de curent.......................................................................... 9 Rezistene n serie i divizorul de tensiune .................................................................................... 10 Rezistene n paralel i divizorul de curent .................................................................................... 11 Circuite cu mai multe surse teorema superpoziiei ..................................................................... 11 Circuitul RC n regim tranzitoriu ..................................................................................................... 12
1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT ....................................... 10
1.4 CIRCUITE ECHIVALENTE I TEOREME DE ECHIVALEN ......................................... 14

1.4.1 Echivalarea unui uniport pasiv cu o rezisten............................................................................... 14 1.4.2 Teoremele lui Thvenin i Norton .................................................................................................. 15
1.5 NOIUNI ELEMENTARE DE SEMNALE ELECTRICE ................................................... 16

1.5.1 Convenia de notaii ....................................................................................................................... 18
1.6 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 18 CAP. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE......................................................................... 19
2.1 NOIUNI FUNDAMENTALE ................................................................................... 19

2.1.1 Dioda ideala................................................................................................................................... 19 2.1.2 Dioda cu tensiune de prag ............................................................................................................. 20
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE............................................................... 21

2.2.1 Redresorul monoalternan ........................................................................................................... 21 2.2.2 Redresorul cu transformator .......................................................................................................... 23 2.2.3 Redresorul cu transformator cu punct median ............................................................................... 26 2.2.4 Redresorul n punte ....................................................................................................................... 27 2.2.5 Redresorul monoalternan cu filtru capacitiv................................................................................ 29 2.2.6 Redresoare bialternan cu filtru capacitiv .................................................................................... 33 2.2.7 Circuite de limitare cu diode .......................................................................................................... 35 2.2.8 Circuite de refacere a nivelului de curent continuu (cc) ................................................................. 38 2.2.9 Multiplicatoare de tensiune ............................................................................................................ 39 2.2.10 Circuite de minim i de maxim; pori logice cu diode.................................................................... 41
2.3 NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR - JONCIUNEA PN............................... 43

2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 2.4.1 2.4.2 2.4.3 2.4.4 2.4.5 Semiconductoare intrinseci............................................................................................................ 43 Semiconductoare extrinseci........................................................................................................... 44 Curentul electric n semiconductoare............................................................................................. 44 Procese fizice la jonciunea pn ...................................................................................................... 45 Jonciunea pn polarizat................................................................................................................ 47 Caracteristica static a jonciunii pn............................................................................................... 49 Aflarea psf prin metoda grafo-analitic ......................................................................................... 52 Modelul diodei exponeniale .......................................................................................................... 52 Metoda aproximaiilor succesive.................................................................................................... 54 Modelul liniarizat cu tensiune de prag i rezisten serie............................................................... 55 Alegerea modelului pentru diode ................................................................................................... 56
2.4 POLARIZAREA DIODEI N CIRCUIT ........................................................................ 51
2.5 DIODA STABILIZATOARE..................................................................................... 57

2.5.1 2.5.2 2.5.3 2.5.4 Parametrii diodei zener.................................................................................................................. 57 Stabilizatorul de tensiune parametric............................................................................................. 59 Limitator de tensiune bilateral cu diod zener (DZ) ....................................................................... 61 Circuit de deplasare de nivel cu DZ ............................................................................................... 62
2.6 DIODA N REGIM DINAMIC ................................................................................... 63

2.6.1 Dioda idealizat la joas frecven ................................................................................................ 63 2.6.2 Comportarea diodei la nalt frecven .......................................................................................... 64 2.6.3 Schema echivalent la semnal mic................................................................................................ 65
2.7 MODELAREA DIODEI N SPICE........................................................................... 67

2.7.1 Modelul de simulare al diodei ........................................................................................................ 67 2.7.2 Simularea unui alimentator cu diod zener.................................................................................... 69
2.8 DIODE SPECIALE............................................................................................... 76

2.8.1 2.8.2 2.8.3 2.8.4 2.8.5 Dioda varicap................................................................................................................................. 76 Dioda Schottky............................................................................................................................... 77 Dioda tunel .................................................................................................................................... 78 Fotodioda....................................................................................................................................... 79 Dioda fotoemisiv .......................................................................................................................... 80
2.9 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 81 CAP. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE ........................................................................... 82

Tranzistorul bipolar n regim activ normal (RAN) ........................................................................... 83 Tranzistorul bipolar n regim de blocare......................................................................................... 85 Modele simplificate ale TB valabile n RAN i n blocare ............................................................... 85 Tranzistorul bipolar n saturaie...................................................................................................... 86 Inversorul cu tranzistor bipolar....................................................................................................... 87 Circuit de comand al unui releu cu tranzistor bipolar ................................................................... 90 Sursa standard de curent constant ................................................................................................ 92 Stabilizator de tensiune cu tranzistor ............................................................................................. 95 Amplificator de tensiune cu tranzistor ............................................................................................ 97 Polarizarea tranzistorului n conexiunea emitor comun (EC) ....................................................... 100 Polarizarea tranzistorului n conexiunea baz comun (BC) ....................................................... 101 Polarizarea de la o singur surs de alimentare.......................................................................... 101 Variaia psf cu parametrii tranzistoarului...................................................................................... 101 Circuit de polarizare cu RE i cu divizor de polarizare n baz .................................................... 102
3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE ................................................................................... 82

3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.1.4 3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.2.4 3.2.5 3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4 3.3.5
3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR ........................................................... 87
3.3 CIRCUITE DE POLARIZARE ............................................................................... 100
3.3.6 Determinarea psf la circuitele cu mai multe tranzistoare ............................................................. 105
3.4 TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC .................................................................... 107

3.4.1 Regimul dinamic la semnal mic ................................................................................................... 108 3.4.2 Modele de semnal mic ale tranzistorului bipolar .......................................................................... 110
3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR ........................................ 111

3.5.1 3.5.2 3.5.3 3.5.4 3.6.1 3.6.2 3.6.3 3.6.4 3.6.5 3.6.6 Modelul fundamental al amplificatorului de tensiune ................................................................... 112 Etaj de amplificare cu un tranzistor n conexiune EC................................................................... 112 Repetorul pe emitor ..................................................................................................................... 115 Etaj de amplificare cu rezisten nedecuplat n emitor............................................................... 119 Funcionarea tranzistorului n regim activ normal (RAN) ............................................................. 123 Funcionarea tranzistorului inversat ............................................................................................. 125 Modelul Ebers-Moll ...................................................................................................................... 125 Modelul de transport .................................................................................................................... 127 Funcionarea tranzistorului n saturaie........................................................................................ 127 Comutarea tranzistorului.............................................................................................................. 130
3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI ............................................ 123
3.7 CARACTERISTICI ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR ................................................ 134

3.7.1 3.7.2 3.7.3 3.7.4 3.8.1 3.8.2 3.8.3 3.8.4 3.8.5 3.8.6 3.8.7 3.8.8 Caracteristicile statice.................................................................................................................. 134 Caracteristicile de catalog ale TB ................................................................................................ 136 Factorul de amplificare n curent.................................................................................................. 138 Factorul de zgomot al tranzistorului ............................................................................................. 140 Capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor ............................................................................... 141 Rezistena de ieire ..................................................................................................................... 141 Modelul fundamental de semnal mic al TB .................................................................................. 142 Elementele parazite ale modelul de semnal mic.......................................................................... 143 Circuitul echivalent complet de semnal mic ................................................................................. 144 Capacitile interne ale TB........................................................................................................... 144 Frecvena de tiere a tranzistorului.............................................................................................. 145 Modelele de cuadripol.................................................................................................................. 149
3.8 ELEMENTELE SUPLIMENTARE ALE MODELULUI DE SEMNAL MIC ............................ 140
3.9 MODELAREA TB N SPICE.............................................................................. 153

3.9.1 Modelul SPICE al TB ................................................................................................................... 153 3.9.2 Exemple de simulare; Etaj de amplificare cu TB.......................................................................... 155
3.10 BIBLIOGRAFIE................................................................................................. 158 CAP. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP....................................................... 159

Tranzistor cu efect de cmp (TEC) cu canal indus de tip n ......................................................... 160 TEC cu canal iniial de tip n ......................................................................................................... 161 TEC cu canal de tip p .................................................................................................................. 162 Comparaie TEC - TB .................................................................................................................. 163 Surs de curent constant ............................................................................................................. 163 Rezisten controlat n tensiune................................................................................................. 163 Comutator analogic cu TEC......................................................................................................... 167 Amplificator de tensiune .............................................................................................................. 171
4.1 NOIUNI FUNDAMENTALE ................................................................................. 159

4.1.1 4.1.2 4.1.3 4.1.4 4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4
4.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP............................. 163
4.3 CIRCUITE DE POLARIZARE ............................................................................... 175

4.3.1 Polarizarea TEC cu gril jonciune (TEC-J) ................................................................................. 175 4.3.2 Polarizarea TEC cu canal indus................................................................................................... 179
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE ....................................................................... 183

4.4.1 4.4.2 4.4.3 4.4.4 4.4.5 4.4.6 4.5.1 4.5.2 4.5.3 4.5.4 4.5.5 4.6.1 4.6.2 4.6.3 4.6.4 Tranzistorul cu efect de cmp cu gril jonciune .......................................................................... 183 TEC metal-oxid-semiconductor (MOS) cu canal indus ................................................................ 186 TEC-MOS cu canal iniial............................................................................................................. 190 Efecte secundare la TEC-MOS.................................................................................................... 191 Tranzistoare MOS cu canal de tip p............................................................................................. 194 Simbolurile detaliate ale tranzistoarelor MOS .............................................................................. 194 Circuitul echivalent pentru domeniul frecvenelor joase............................................................... 195 Parametrii de semnal mic ai TEC ................................................................................................ 195 Modelarea efectului de substrat................................................................................................... 198 Circuitul echivalent pentru domeniul frecvenelor nalte............................................................... 198 Frecvena de tiere a tranzistorului.............................................................................................. 199 Structura D-MOS ......................................................................................................................... 200 Caracteristicile statice ale tranzistoarelor MOS de putere ........................................................... 201 Efecte ale temperaturii................................................................................................................. 201 Comparatia cu tranzistoarele bipolare ......................................................................................... 202
4.5 REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC LA TEC ...................................................... 194
4.6 TEC-MOS DE PUTERE, D-MOS...................................................................... 200
4.7 MODELUL SPICE AL TEC-MOS ..................................................................... 202 4.8 BIBLIOGRAFIE................................................................................................. 203
1.1 INTRODUCERE
CAP. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

1.1 INTRODUCERE
Electronica este tiina care se ocup de studiul i aplicaiile fenomenelor legate de micarea purttorilor de sarcin electric n semiconductoare, n vid i n gaze rarefiate. Ca tiin fundamental, electronica are ca scop principal cunoaterea dispozitivelor electronice existente i elaborarea unor noi dispozitive. Ca tiin aplicat, electronica se ocup de studiul circuitelor electronice, care pot fi privite ca aplicaii ale dispozitivelor electronice. Acest prim capitol i propune s familiarizeze cititorul cu cteva concepte de baz i cu terminologia utilizat. Se prezint: principiile modelrii, elementele de circuit mai importante, configuraiile fundamentale de circuit i modalitile de obinere a circuitelor echivalente. Se presupun cunoscute noiunile de matematic i noiunile de circuite electrice la nivel de liceu. La analiza circuitelor se vor utiliza cu precdere legea lui Ohm i legile lui Kirchhoff aplicate n curent continuu (cc) dar i n curent alternativ (ca).
1.1.1
Analiza i sinteza circuitelor electrice
Circuitele electrice reprezint pri componente ale unor sisteme tehnice complexe realizate prin interconectarea unor componente electrice i electronice. La o analiz riguroas, parametrii circuitelor nu sunt localizai numai n anumite poriuni distincte ale circuitului respectiv; totui, pentru o mare categorie de circuit electrice nu rezult o abatere semnificativ de la realitate prin considerarea parametrilor circuitelor ca fiind concentrai n componente de circuit, cum ar fi de exemplu rezistoarele, condensatoarele, bobinele i dispozitivele electronice. Activitatea principal a inginerilor de profil electric const din analiza i sinteza circuitelor electrice. Scopul activitii inginereti este adesea sinteza (sau proiectarea) sistemelor care rezolv o problem tehnic dat. Partea din proiect care revine inginerului electronist este proiectarea circuitelor electronice necesare sistemului, circuite pentru care trebuiesc precizate intrrile, ieirile i funcia pe care trebuie s o realizeze. Proiectarea circuitelor electrice este o activitate creatoare care cere experien, pricepere, intuiie dar i o bun cunoatere a proprietilor pe care le au n circuit componentele disponibile, precum i capacitatea de a putea prevedea comportarea circuitelor formate prin interconectare acestor componente. De aceea, proiectantul de circuite electrice trebuie s cunoasc att dispozitivele disponibile ct i circuitele electronice, cel puin pe cele mai simple i mai des utilizate. Practic, proiectarea se reduce cel mai adesea la alegerea unei structuri de circuit cunoscute i determinarea parametrilor componentelor de circuit care se interconecteaz. Rezultatul se regsete n schema electric de principiu a circuitului respectiv. Schema de principiu este o reprezentare simbolic a componentelor (pentru care se utilizeaz simboluri grafice convenionale) i a modului de interconectare a acestora. Proiectarea este urmat de regul de analiza circuitului propus, care se face cel mai adesea pe baza schemei de principiu. Rezultatele analizei arat dac circuitul respectiv realizeaz funcia cerut, cu ce precizie, n ce condiii concrete i deci dac rspunde cerinelor proiectului iniial. Studiul circuitelor, att pentru proiectare ct i pentru analiz, se face cu ajutorul teoriei circuitelor i pe baza conceptul de modelare.
Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE
1.1.2
Principiile generale ale modelrii
Prin modelare se nelege orice descriere a comportrii electrice a unui dispozitiv sau circuit considerat la bornele sale. Modelarea unei componente se poate face prin msurarea comportrii electrice la bornele sale; rezultatele pot fi prezentate sub form grafic, tabelar sau cu relaii funcionale stabilite empiric. nelegerea modului de funcionare a componentei modelate, din punctul de vedere al mecanismelor fizice interne de baz, permite alegerea msurrilor eseniale pentru caracterizarea componentei respective i crearea unui model compact, precis i cu o larg aplicabilitate. Utilizarea acestor modele presupune adesea metode numerice sau grafice de analiz a circuitelor, metode nesatisfctoare pentru majoritatea aplicaiilor. Pentru a putea utiliza metodele analitice de analiz i mai ales metodele specifice circuitelor liniare se prefer modelele simplificate. Aceste modele reprezint o idealizare prin care se elimin detaliile, astfel nct s rmn caracteristicile principale ale obiectului studiat. Simplificarea modelului este posibil cu condiia de a admite un anumit grad de imprecizie i se face prin aproximarea funciilor cu altele mai simple (de preferat liniare sau mcar liniarizate pe poriuni). Modelul simplificat este de fapt un circuit echivalent care se obine prin interconectarea unor elemente de circuit idealizate.
1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT

Elementele de circuit sunt abstracii idealizate care reflect o singur proprietate a unei componente i sunt caracterizate de obicei de funcii matematice simple (preferabil liniare). Este necesar s se fac o distincie clar ntre componentele de circuit sau dispozitive pe de o parte i elementele de circuit pe de alt parte: componente sunt toate dispozitivele fizice folosite n circuite iar elementele sunt nite abstracii idealizate. Astfel, un rezistor, un condensator, un tranzistor sau o baterie sunt componente, n timp ce o rezistent (definit de legea lui Ohm, u = R i ), o capacitate (definit prin i = Cdu/dt ) sau o surs de tensiune (definit prin u = f (t) ) sunt elemente. Simbolurile utilizate pentru elementele de circuit uzuale sunt prezentate n figura 1.1. Aceste simboluri sunt folosite adesea i n locul componentelor de circuit asociate (a cror principal proprietate este definit de elementul de circuit respectiv de exemplu R pentru rezistor).
U
Fig. 1.1. Simbolurile grafice utilizate n schemele electrice pentru: rezistene, capaciti, inductiviti, surse de tensiune i surse de curent.
1.2.1
Rezistena electric
Rezistena electric (sau mai simplu rezistena) este un parametru electric global al unor sisteme fizice pe care le caracterizeaz din punctul de vedere al conduciei electrice, respectiv al transformrilor de energie care au loc. Cu o exprimare mai simpl, rezistena este proprietatea unui mediu conductor de a se opune trecerii curentului electric. Rezistena se noteaz n general cu R (sau cu r) i este caracterizat de legea lui Ohm care poate fi scris n dou forme:
u = R i sau i = G u ,
(1.1)
unde u este tensiunea la bornele rezistenei, i este curentul prin rezisten, iar G este conductana electric (inversul rezistenei G =1/R, cu unitate de msur siemens S =1/). Unitatea de msur a
rezistenei se numete ohm =V/A. n electronic se folosesc adesea multiplii acestuia, kilo-ohmul i mega-ohmul: 1k =103 i 1M =106 . Relaia (1.1) reprezint caracteristica static a rezistorului. n general, caracteristica static este relaia dintre tensiunea ntre terminale i curentul care circul prin acele terminale. Rezistena este un element pasiv n sensul c primete energie (de la circuitul exterior) pe care o transform n cldur, sau se spune c o disip. n unele cazuri o parte din energia electric absorbit se transform i n alte forme de energie; de exemplu becul electric produce i energie luminoas iar difuzorul energie sonor. Puterea electric P primit de o rezisten este:
u2 (1.2) . R Pentru rezistenele normale, pozitive, puterea absorbit de rezisten este o mrime pozitiv deoarece depinde de ptratul curentului (sau al tensiunii). Rezistene cu valori negative sunt utilizate ocazional pentru a modela unele dispozitive speciale. P = u i = (R i ) i = R i 2 sau P = u (G u ) =
Rezistorul
Componentele electrice de circuit fabricate pentru a avea o anumit valoare a rezistenei se numesc rezistoare. Acestea se comport aproape ca i o rezisten (ideal). Diferenele apar datorit condiiilor concrete de exploatare. Rezistena rezistorului real depinde ntr-o oarecare msur de temperatur. Curentul care parcurge rezistorul produce o nclzire a acestuia (datorit puterii disipate), ceea ce conduce la o oarecare modificare a rezistenei, deci relaia tensiune-curent nu mai este strict liniar. Deoarece aceste modificri sunt relativ mici se poate nlocui rezistorul cu rezistena lui, sau altfel spus, rezistena este modelul cel mai simplu al rezistorului. Dependena de temperatur a rezistenei rezistorului se poate modela prin introducerea unui parametru suplimentar, coeficientul de temperatur al rezistorului (variaia normat a rezistenei cu temperatura):
K =
1 dR R 1 . R dT T R
(1.3)
Un alt parametru specificat pentru rezistor este puterea disipat nominal, care arat puterea disipat maxim admis de un rezistor n condiii specificate, pentru care temperatura intern a rezistorului nu depete limita permis i pentru care rezistorul nu se defecteaz. O observaie important din punct de vedere practic este aceea c rezistoarele se fabric cu o anumit toleran, abaterea maxim de la valoarea nscris pe rezistor fiind de 510% pentru rezistoarele uzuale. Rezistoarele de precizie, fabricate cu o toleran de 0,11% (uneori chiar mai bun) au un pre mare i se folosesc numai la aplicaii pretenioase i scumpe. Valoarea precis msurat a rezistenei unui rezistor este corect doar n condiiile de msurare concrete; depinde, de exemplu, de temperatur i se modific n timp datorit aa-numitului fenomen de mbtrnire a rezistorului. Din toate aceste motive, pentru aplicaii obinuite, un model a crui precizie este de ordinul procentelor este considerat ca fiind bun. La frecvene ridicate de lucru modelul rezistorului se complic datorit efectelor inductive i capacitive, care devin semnificative cu creterea frecvenei i care pot fi modelate de o inductan n serie, respectiv de o capacitate n paralele cu rezistena. Efectul inductiv este mai important pentru rezistoarele de valoare mic (sub 100) fiind determinat n principal de inductivitatea terminalelor (i deci de lungimea lor; se poate considera o valoare estimativ de 10nH/cm). Efectul capacitiv este mai pregnant pentru rezistoarele de valoare mai mare (se poate considera o valoarea estimativ a capacitii dintre terminale de 1pF). Pentru a determina importana efectului inductiv sau capacitiv pentru un rezistor dat, se calculeaz reactana inductiv, respectiv capacitiv, la frecvena de lucru i
se compar cu valoarea rezistenei rezistorului. De exemplu pentru un rezistor de 1k cu o lungime total a terminalelor de 2cm, la o frecven de 1MHz efectele parazite sunt neglijabile: 1 1 = = 159k 6 2 f C 2 10 10 12 deoarece XL <<R i XC >>R (reactana serie este mult mai mic i reactana paralel este mult mai mare dect rezistena). Pentru acelai rezistor la o frecven de 100MHz: X L = 2 f L = 2 10 6 2 10 8 = 0,126 , XC = 1 1 = = 1,59k 8 2 f C 2 10 10 12 Efectul inductiv se poate neglija i la aceast frecven (XL reprezint 0,13% din R ), dar efectul capacitiv este important (1/XC reprezint 63% din 1/R ), fiind comparabil cu rezistena. Orientativ, efectele parazite ale rezistoarelor se pot neglija dac: X L = 2 f L = 2 10 8 2 10 8 = 12,6 , XC =
R > 10 , respectiv XL XC > 10 . R
(1.4)
Aceste calcule sunt estimative dar adesea suficiente n practic; dac este nevoie, valoarea exact a inductivitii i/sau a capacitii parazite se poate msura cu o punte RLC.
1.2.2
Capacitatea electric
Capacitatea electric (uzual denumit capacitate), notat cu C, este elementul ideal de circuit care nmagazineaz o sarcin electric proporional cu tensiunea u ce i se aplic la borne:
Q = C u .
(1.5)
Capacitatea electric este proprietatea principal a condensatorului electric, component de circuit care const din dou armturi conductoare separate de un izolator electric. Prin derivarea n raport cu timpul a relaiei (1.5) se obine caracteristica static a capacitii: dQ du =C , dt dt i= dQ dt i=C du . dt (1.6)
Deoarece curentul electric circul doar la modificarea tensiunii, capacitatea este o ntrerupere de circuit n cc. Curentul (datorat variaiilor de tensiune), care aparent circul prin capacitate, nu se poate nchide fizic prin izolatorul dintre armturi i este de fapt un curent de circulaie care modific sarcina electric nmagazinat de capacitate; capacitatea se ncarc sau se descarc printr-un curent (de circulaie) pozitiv, respectiv negativ (curent n sensul, respectiv n sens contrar tensiunii). Capacitatea este un element de circuit pasiv i reactiv, pasiv deoarece nu produce energie, reactiv n sensul c energia pe care o primete poate fi stocat sub form de sarcin electric i poate fi cedat circuitului exterior dup un timp oarecare (teoretic orict de lung). Unitatea de msur a capacitii este faradul; practic se utilizeaz submultiplii acestuia, cei mai ntlnii fiind microfaradul i picofaradul: 1F =10 -6 F i 1pF =10 -12 F.
1.2.3
Inductivitatea
Inductivitatea (sau inductana) L este un element ideal de circuit a crui caracteristic static este complementar (sau dual) caracteristicii statice a capacitii: u=L di , dt (1.7)
deci tensiunea pe o inductivitate este proporional cu variaia n timp a curentului. La circuitelor de cc curentul este constant, rezult o tensiune nul pe inductivitate i deci inductivitatea se nlocuiete n cc cu un scurtcircuit. Unitatea de msur a inductivitii se numete henri (amper pe metru). Inductivitatea este proprietatea principal a bobinei, care se realizeaz prin bobinarea unui conductor, de obicei n jurul unui miez din material magnetic (n general un aliaj feros). Curentul care circul printr-un conductor produce un cmp magnetic n jurul conductorului. Cmpul magnetic produs de curentul prin bobin este concentrat n principal n centrul bobinei (eventual n miezul feromagnetic, dac acesta exist). La modificarea curentului, cmpul magnetic se modific i induce o tensiune n circuitul aflat sub influena cmpului. Tensiunea indus se opune ntotdeauna variaiei curentului care a produs cmpul magnetic (i se numete tensiune de autoinducie dac este tensiunea de pe bobina care a produc respectivul cmp magnetic). Studiul detaliat al fenomenelor legate de cmpul magnetic este obiectul principal al electrotehnicii i st la baza mainilor electrice. Din punctul de vedere al circuitelor electronice prezint interes bobina ca i component de circuit i transformatorul electric, care este un ansamblu de bobine cuplate magnetic. Deoarece sunt realizate dintr-un conductor, bobinele sunt caracterizate de inductivitatea proprie i de rezistena conductorului din care a fost realizat acea bobin (cu excepia bobinelor realizate din materiale superconductoare anumite metale sau aliaje care au o rezisten nul la temperaturi foarte joase, apropiate de zero Kelvin). Modelul unei bobine va fi deci inductivitatea bobinei n serie cu rezistena conductorului. De obicei rezistena conductorului este mic i n majoritatea aplicaiilor se poate neglija.
1.2.4
Sursa ideal de tensiune i sursa ideal de curent
Sursa ideal de tensiune este elementul de circuit care are tensiunea la borne independent de curentul care circul prin surs. Tensiunea la borne u este egal cu tensiunea la mers n gol (care apare fr nimic conectat ntre borne) iar curentul prin surs poate avea orice valoare. Valoarea curentului care circul prin surs este determinat de circuitul exterior (la care este conectat sursa de tensiune). Astfel, dac se consider conectat la surs rezistena R (sau un circuit caracterizat de rezistena echivalent R) atunci curentul prin surs este determinat de legea lui Ohm:
u R Cu alte cuvinte tensiunea este determinat de surs i exist ca potenialitate indiferent de circuitul extern, iar pentru ca prin surs s apar un curent (care s valorifice aceast potenialitate) trebuie s existe un circuit conectat la surs; cauza tensiunii este sursa iar cauza curentului este att circuitul extern ct i sursa de tensiune. O astfel de modalitate de interpretare a relaiilor de calcul (legea lui Ohm n acest caz) i implicit a circuitelor caracterizate de relaiile respective este foarte important pentru nelegerea funcionrii circuitelor electronice. i=
Sursa ideal de curent este elementul de circuit parcurs de un curent care este independent de tensiunea dintre borne. Curentul prin surs este egal cu valoarea curentului de scurtcircuit (care apare la conectarea unui conductor ideal ntre borne). Tensiunea dintre bornele sursei poate avea orice valoare (este arbitrar) i este determinat de circuitul exterior (la care este conectat sursa). Sursele independente a cror valoare nu depinde de alt mrime electric din circuit, pot avea mrimea de ieire constant sau variabil, cu o lege de variaie precizat. Un exemplu din prima categorie este sursa de tensiune continu (sursa idealizat care modeleaz o baterie electric) iar un exemplu de surs variabil este sursa de tensiune sinusoidal (sursa idealizat pentru reeaua de alimentare de ca, cu o tensiunea efectiv de 220V i o frecven de 50Hz).
10
Pasivizarea surselor (care se va aplica surselor independente) este operaia de anularea a valorii mrimii de ieire a acestora. Astfel: - o surs de tensiune ideal pasivizat va avea o tensiune nul i se va nlocui cu acel circuit care are o tensiune nul indiferent de curentul care l parcurge, adic un scurtcircuit; - o surs ideal de curent pasivizat va avea un curent nul i se va nlocui cu acel circuit pentru care la orice tensiune rezult un curent nul, adic cu o ntrerupere de circuit. Sursele dependente, a cror mrime de ieire (tensiune sau curent) depinde de cel puin o mrime electric din circuit (tensiune sau curent) se mai numesc i surse comandate. Astfel de surse sunt utilizate pentru modelarea dispozitivelor electronice active (care pot controla energia care le parcurge). n mod tipic, la aceste surse mrimea de ieire depinde de o singur mrime electric: fie de tensiunea dintre dou noduri ale circuitului (cel puin unul diferit de bornele sursei) fie de un curent printr-o ramur de circuit (alta dect cea unde este conectat sursa). Sursele comandate pot fi de 4 tipuri n funcie de tipul mrimii de ieire i n funcie de tipul mrimii de comand: - surs de tensiune comandat n tensiune (SUcU ), - surs de tensiune comandat n curent (SUcI ), - surs de curent comandat n tensiune (SIcU ), - surs de curent comandat n curent (SIcI ).
1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT

1.3.1 Rezistene n serie i divizorul de tensiune
Se consider circuitul din figura 1.2, format dintr-o surs de tensiune la care sunt conectate dou rezistene n serie.
i 1 R1 uS u1 i2 u2 R2
Figura 1.2. Divizorul de tensiune; Tensiunea la ieire u2 este o parte a tensiunii sursei uS , care depinde de raportul celor dou rezistene.
Deoarece circuitul nu prezint nici o ramificaie, conform primei teoreme a lui Kirchhoff, T1K (referitoare la cureni), curenii prin cele dou rezistene au aceiai valoare: i1 = i2 = i. Conform teoremei a doua a lui Kirchhoff, T2K, n forma clasic, suma (algebric) a tensiunilor de-a lungul unei bucle de circuit este nul; T2K se poate exprima i n modul urmtor: cderea de tensiune ntre dou noduri de circuit este aceiai indiferent de calea pe care se nsumeaz tensiunile. n circuitele electronice se prefer a doua variant, T2K scris gravitaional (de sus n jos) de obicei de la borna de alimentare la referina de potenial.
Referina de potenial sau masa (electric) a circuitului reprezint traseul electric de potenial nul, fa de care sunt referite n mod normal tensiunile dintr-un circuit electric. Simbolurile mai des utilizate pentru traseul de mas sunt prezentate n figura alturat. De regul, masa electric este o legtur comun tuturor circuitelor care alctuiesc un sistem electric i poate fi legat sau nu la pmnt (prin borna de mpmntare a reelei de alimentare cu energie electric, de exemplu). n cazul n care traseul de mas este diferit de cel de mpmntare, se folosesc simboluri diferite Simboluri pentru masa pentru cele dou trasee, de exemplu primul dintre simboluri (electric) a circuitului. pentru traseul de mas i cel de-al doilea pentru mpmntare.
n cazul circuitul analizat, tensiunea de la bornele sursei este egal cu cderea de tensiune pe cele dou rezistene din circuit:
11
u S = u1 + u 2 = R1 i1 + R2 i2 = (R1 + R2 ) i i (= i1 = i2 ) =
uS ; R1 + R2
(1.8)
tensiunile pe rezistene s-au nlocuit conform legii lui Ohm i a rezultat curentul (unic) din circuit. Ecuaia (1.8) arat c valoarea curentului prin cele dou rezistene este aceeai ca i curentul care ar circula printr-o singur rezisten cu valoarea (R1 + R2 ). De aceea se spune c rezistenele n serie se adun sau rezistena echivalent rezistenelor nseriate este suma rezistenelor respective. Curentul prin circuit fiind cunoscut, se poate calcula tensiunea pe fiecare rezisten cu legea lui Ohm:
u1 = R1i = R1 uS , R1 + R2 u2 = R2 uS . R1 + R2
(1.9)
Tensiunea total pe rezistenele nseriate se distribuie proporional cu valoarea fiecrei rezistena. Circuitul considerat se numete divizor de tensiune; tensiunea u2 de la ieirea divizorului se determin cu relaia (1.9) care se numete regula divizorului de tensiune. Deoarece apare frecvent n circuitele electronice, este util recunoaterea divizorului de tensiune i aplicarea direct a regulii divizorului de tensiune.
1.3.2
Rezistene n paralel i divizorul de curent
Se consider circuitul format dintr-o surs de curent conectat la o reea care conine dou rezistene n paralel, conform figurii 1.3.
i1 u R1 i2 R2
Figura 1.3. Divizorul de curent; Curentul de ieire i2 este o parte a curentului sursei iS , care depinde de raportul celor dou rezistene.
iS
Conform T1K aplicat ntr-unul din nodurile circuitului combinat cu legea lui Ohm aplicat fiecreia dintre cele dou rezistene:
iS = i1 + i2 =
1 1 R1 + R2 u u u = + =u + u= , R R1 R2 R1 R2 Rep 1 R2
R1 R2 . R1 + R2
(1.10)
unde Rep este rezistena echivalent grupului paralel al celor dou rezistene:
1 1 1 = + Rep R1 R2
sau
Rep =
(1.11)
Conform relaiei (1.10), curentul sursei de curent se divide ntre cele dou rezistene invers proporional cu valoarea acestora. Cu tensiunea calculat din relaia (1.10) rezult:
i1 = R2 u = iS , R1 R1 + R2 i2 = R1 iS . R1 + R2
(1.12)
Circuitul din figura 1.3 este cunoscut i sub numele de divizor de curent iar relaia dintre curentul de ieire i2 i curentul de intrare iS reprezint regula divizorului de curent. Recunoaterea acestei structuri i aplicarea direct a regulii divizorului de curent simplific rezolvarea circuitelor.
1.3.3
Circuite cu mai multe surse teorema superpoziiei
Calcularea direct a circuitelor care conin mai multe surse poate fi o problem dificil. O metod de rezolvare a acestor circuite, aplicabil circuitelor liniare, const din nsumarea efectelor produse de fiecare surs considerat separat. Aceast metod se bazeaz pe teorema suprapunerii de efecte sau teorema superpoziiei care se poate enuna astfel:
12
Curentul care se stabilete ntr-o ramur a unei reele liniare n care acioneaz mai multe surse, este egal cu suma algebric a curenilor pe care i-ar stabili n acea ramur fiecare dintre surse n ipoteza c ar aciona singur n reea, cu celelalte surse pasivizate (anulate). Teorema superpoziiei este o consecin a caracterului liniar al teoremelor lui Kirchhoff aplicate circuitelor electrice liniare. Prin aplicarea teoremei superpoziiei calculele ntr-un circuit la care acioneaz mai multe surse simultan se simplific, deoarece se consider doar efectul unei singure surse la un moment dat.
Exemplu de calcul
S se determine curenii prin circuitul din figura 1.4.a.

i 1 R1 u0 iS i2 R2 i 1a u0 R1 i2a
Intrerupere
i 1b R1 R2
Scurtcircuit
iS
i2b R2
a)
b)
c)
Fig. 1.4. Exemplu de aplicare a teoremei superpoziiei: a) Circuitul complet; b) Circuitul cu sursa de curent pasivizat; c) Circuitul cu sursa de tensiune pasivizat.
Pentru rezolvarea circuitului se calculeaz rspunsul fiecrei surse considerate separat, presupunnd cealalt surs pasivizat (anulat) i apoi se nsumeaz efectele. a) Se anuleaz sursa de curent; sursa de curent se nlocuiete cu o ntrerupere de circuit (se pasivizeaz) i circuitul se simplific conform figurii 1.4.b. Cele dou rezistene nseriate u0 i1a = i2a = sunt parcurse de acelai curent: . R1 + R2 b) Pentru cazul cu sursa de tensiune anulat, circuitul rezultat este cel din figura 1.4.c, adic un divizor de curent. Conform regulii divizorului de curent aplicat succesiv celor dou R2 R1 ramuri de circuit rezult: i1b = i S , i2b = iS . R1 + R2 R1 + R2 n final prin suprapunerea efectelor se obin valorile totale ale curenilor prin rezistene:
i1 = i1a + i1b = u 0 i S R2 , R1 + R2 i 2 = i2a + i 2 b = u 0 + i S R1 . R1 + R2
Verificarea rezultatelor obinute prin aplicarea direct a teoremelor lui Kirchhoff se propune ca tem; se vor obine aceleai rezultate cu un efort de calcul mai mare (prin rezolvarea unui sistem de dou ecuaii cu dou necunoscute).
1.3.4
Circuitul RC n regim tranzitoriu
Prin regim tranzitoriu se nelege regimul de funcionare care apare n circuite care conin elemente reactive, la modificarea brusc a unei mrimi electrice sau a unui parametru al elementelor de circuit. De exemplu, la conectarea sau deconectarea sursei de alimentare a unui circuit electric care conine cel puin o capacitate (sau o inductivitate) apare un regim tranzitoriu, a crui durat depinde de valoarea capacitilor (i/sau a inductivitilor) din circuitul respectiv. De fapt, orice circuit electric real prezint capaciti i inductiviti, deoarece orice conductor parcurs de un curent
13
are o inductivitate i orice element sub tensiune are un efect capacitiv asociat. Scopul analizei urmtoare este determinarea parametrilor circuitelor simple n regim tranzitoriu. Se va considera cel mai simplu circuit n regim tranzitoriu, o capacitate ncrcat cu o tensiune iniial, conectat n paralel cu o rezisten, ca n figura 1.5.a.
K
+
i
+ _
a)
Figura 1.5. Circuite RC simple: a) la descrcarea i b) la ncrcarea capacitii. Comutatorul K se deschide, respectiv se nchide la momentul t =0.
R i u C
b)
La momentul iniial t =0 comutatorul K se deschide i tensiunea pe capacitate este egal cu tensiunea sursei: u (0 ) = U . (1.13) Din T2K: u + R i = 0 i relaia (1.6), relaia tensiune curent pentru capacitate:
i=C du dt rezult u + RC du =0 dt sau du 1 = u . dt RC
(1.14)
Ecuaia diferenial obinut exprim faptul c variaia tensiunii (funcie de timp) este proporional cu tensiunea n fiecare moment. Aceast proprietate o are funcia exponenial: d ax e = a eax dx
( )
sau altfel scris
d exp(ax ) = a exp(ax ) , dx
(1.15)
unde e 2,718 este baza logaritmului natural i a este o constant. Prin identificare relaiei (1.15) cu (1.14) i pentru a se ndeplini condiia (1.13) soluia ecuaiei difereniale este: t t u ( t ) = U exp = U exp , RC unde =RC se numete constant de timp a circuitului. Conform relaiei (1.16), tensiunea pe capacitate scade exponenial spre zero ca n figura 1.6; sarcina nmagazinat pe capacitate scade datorit curentului prin rezisten iar tensiunea este proporional cu sarcina stocat pe capacitate. Linia punctat din figur reprezint panta iniial a curbei exponeniale i intersecteaz axa timpului la t = . La acest moment de timp funcia exponenial a sczut la: exp(-1) = 1 / e 0,37 din valoarea iniial. Pentru fiecare interval de timp , funcia se reduce cu un factor 1/e conform tabelului din figur. Dup t = 5 , funcia scade la circa 1% din valoarea iniial i se poate considera ca fiind practic nul. Deci se poate spune c durata regimului tranzitoriu este de circa cinci constante de timp (cu o eroare de 1%).
1,0
(1.16)
u/U
Figura 1.6. Descrcarea exponenial a capacitii; =RC este constanta de timp a circuitului. t exp(-t/ ) 0 1
exp(-t/ )
0,37
2 0,13
3 0,05
4 0,02
5 0,01
0,37 0,13 0
2 3 4 5
14
n cazul circuitului din figura 1.5.b dac se nchide comutatorul K la t =0, capacitatea se va ncrca de la zero la tensiunea U tot dup o funcie de tip exponenial: t t u ( t ) = U 1 exp = U 1 exp , RC a crei valoare este iniial nul u(0) = 0 i n final (practic dup 5 ) u() = U. n general, pentru o variaie brusc a tensiunii de alimentare, tensiunea pe o capacitate (sau curentul printr-o inductivitate) se modific de la valoarea iniial la valoarea final dup o curb exponenial de tip exp(-t/ ), deoarece aceast funcie este caracteristic modificrii n timp a energiei nmagazinate n elementul reactiv (capacitatea sau inductivitatea) din circuit. (1.17)
1.4 CIRCUITE ECHIVALENTE I TEOREME DE ECHIVALEN

Circuitele echivalente sunt modele simplificate compuse din elemente de circuit idealizate. Se vor analiza circuitele cu o singur poart de acces sau unipori. Prin poart se nelege o pereche de borne pentru care suma algebric a curenilor este nul (curentul care intr printr-o born este egal cu cel care iese prin cealalt born). Circuitele modelate pot fi pasive dac primesc energie de la circuitul exterior sau active dac debiteaz energie ctre circuitul extern legat la unica lor poart. Doi unipori sunt echivaleni dac relaia dintre curentul i tensiunea la poarta unuia este identic cu relaia dintre curentul i tensiunea la poarta celuilalt. Doi unipori echivaleni au aceiai comportare la poarta lor i deci efectul asupra circuitului exterior nu se schimb cnd nlocuim un uniport cu un altul echivalent cu el.
1.4.1
Echivalarea unui uniport pasiv cu o rezisten
Prin aplicarea legii lui Ohm la poarta unui uniport pasiv se poate obine cel mai simplu uniport echivalent, care este rezistena echivalent a uniportului respectiv. Se numete rezisten echivalent static RE a unui uniport rezistena determinat prin aplicarea legii lui Ohm n cc la poarta uniportului considerat; conform figurii 1.7.a: u i iar G E = ; (1.18) i u GE este conductana echivalent static a uniportului. La un uniport liniar caracteristica static este o dreapt care trece prin origine, a crei pant este: RE = G E = k S tg ,
(1.19)
conform figurii 1.7.b. n relaia anterioar kS este factorul de scar; kS se msoar n 1/ i permite trecerea de la mrimea adimensional tg la conductan. Dac lungimea segmentelor care definesc funcia tg este exprimat n uniti electrice (de intensitate, respectiv de tensiune), atunci ks = 1.
i u a)
uniport
i IP u c) P P Ge tg p p u GE tg P
0
RE = u / i b)
GE tg
Fig. 1.7. a) Rezistena echivalent static a unui uniport pasiv. Interpretarea geometric a conductanelor echivalente la un uniport: b) liniar, c) neliniar.
1.4 CIRCUITE ECHIVALENTE I TEOREME DE ECHIVALEN
15
Dac uniportul este neliniar, caracteristica lui static este neliniar (curbilinie), un astfel de exemplu este artat n figura 1.7.c. Rezistena echivalent este i ea neliniar, adic depinde de intensitatea curentului care strbate uniportul, IP . Conductivitatea echivalent static este egal (mai exact proporional) cu panta dreptei care unete originea axelor cu punctul P de pe caracteristica static. Punctul P se numete punct static de funcionare ( psf ) i este definit de mrimile electrice de cc de la bornele uniportului. Se numete rezisten echivalent diferenial Re a unui uniport pasiv rezistena rezultat prin aplicarea legii lui Ohm pentru diferenialele semnalelor la poarta uniportului considerat:
Re =
du u . di i
(1.20)
Relaia aproximativ de mai sus s-a obinut prin nlocuirea diferenialelor cu diferene finite i este corect pentru variaii mici. Conform acestei relaii, rezistena diferenial Re poate fi interpretat ca fiind rezisten echivalent pentru variaii mici. Pentru determinare practic a Re se introduce o variaie cunoscut a unei mrimi (de exemplu a tensiunii la bornele uniportului) i se msoar variaia celeilalte mrimi (variaia curentului prin uniport, pentru cazul exemplificat). Conductana echivalent dinamic a uniportului Ge:
Ge = di = k S tg p . du (1.21)
este proporional () cu panta caracteristicii statice n punctul considerat, ca n figura 1.7.c. Rezistena echivalent se poate determina i n cazul uniporilor activi. Pentru uniporii activi liniari este ns frecvent folosit echivalarea lor cu un uniport format din dou elemente: o surs ideal i o rezisten, conform teoremei lui Thvenin sau conform teoremei lui Norton.
1.4.2
Teoremele lui Thvenin i Norton
Se consider un uniport liniar activ oarecare cu sensurile tensiunilor i ale curentului la poarta sa asociate conform conveniei de la generatoare, ca n figura 1.8.a. Deoarece uniportul este liniar, caracteristica lui (figura 1.8.b) este o dreapt i deoarece este activ, dreapta nu trece prin origine; uniportul activ are o tensiune pozitiv U 0 la un curent nul (n gol) i un curent pozitiv I SC la o tensiune nul (n scurtcircuit). Ecuaia prin tieturi a caracteristicii statice este: u i + = 1. U 0 I SC
i
Uniport liniar activ u
(1.22)
I SC u
i RO U0 u IS C GO
i u
a)
b)
U0
c)
d)
Fig. 1.8. Teoremele lui Thvenin i Norton: a) uniport liniar activ oarecare, b) caracteristica static a uniportului liniar activ; c) sursa echivalent Thvenin, d) sursa echivalent Norton.
Dac se noteaz:
RO =
U0 I SC
respectiv
GO =
I SC , U0
(1.23)
atunci ecuaia prin tieturi poate fi scris sub una din urmtoarele dou forme:
16
u = U 0 i R0
sau
i = I SC u GO .
(1.24)
Aceste relaii reprezint caracteristicile statice ale uniporilor din figura 1.8.c, respectiv figura 1.8.d. Aceti unipori sunt echivaleni cu uniportul considerat, ceea ce se poate exprima sub forma teoremelor urmtoare.
Teorema lui Thvenin: Un uniport liniar activ oarecare este echivalent cu un uniport format dintr-o surs de tensiune avnd tensiunea la borne U 0 , nseriat cu o rezisten de valoare RO . Schema din figura 1.8.c se va numi surs Thvenin. Teorema lui Norton: Un uniport liniar activ oarecare este echivalent cu un uniport format dintr-o surs de curent avnd curentul la borne I SC , legat n paralel cu o conductan de valoare GO . Schema din figura 1.8.d se va numi surs Norton.
Poarta unui uniport activ se numete uneori ieire pentru a sublinia faptul c uniportul este folosit de obicei pentru a furniza putere ctre exterior pe la poarta sa. Corespunztor, rezistena RO se numete rezisten (static) de ieire (litera O este iniiala cuvntului englezesc output ieire). Rezistena RO are i alt interpretare dect cea din relaia (1.23): este rezistena echivalent a uniportului dat, dup ce s-au pasivizat toate sursele (independente) din interiorul lui. n circuite este adesea mai simpl determinarea RO ca fiind rezistena vzut la bornele uniportului dup pasivizarea (anularea) surselor interne independente. Aceste teoreme pot fi aplicate att la circuitele de cc ct i la circuitele de ca; la analiza circuitelor de ca, n locul semnalelor de cc se folosesc semnale instantanee sau de ca iar la schema surselor echivalente se nlocuiete rezistena cu impedana i conductana cu admitana.
1.5 NOIUNI ELEMENTARE DE SEMNALE ELECTRICE

Semnalul este orice mrime fizic susceptibil de a purta informaie. Semnalul electric este o mrime electric, de obicei tensiunea sau curentul electric. Transmitana sau factorul de transfer reprezint raportul a dou semnale (de la ieirea, respectiv de la intrarea unui circuit electric) care au n general aceiai form sau deriv unul din altul. Factorul de transfer poate fi adimensional (amplificare, atenuare) sau poate avea dimensiunea unei impedane sau a unei admitane. Semnalele pot fi clasificate dup mai multe criterii. Semnalele care descriu o funcie continu n timp se numesc semnale analogice, iar cele care au valori nenule doar la valori discrete de timp sunt aa-numitele semnale discrete. Un exemplu de semnal analogic i semnalul discret corespunztor este reprezentat n figura 1.9. Dac se reprezint amplitudinea fiecrui eantion al semnalului discret cu un numr finit de digii atunci se spune despre semnal c este cuantizat sau digitizat. rezult amplitudinea semnalului nu ceea ce se numete un semnal digital. u
a)
u
b)
Fig. 1.9. Exemplu de semnal: a) analogic, b) discret.
n funcie de evoluia n timp semnalele pot fi periodice (sau de regim permanent), descrise de o funcie periodic (forma semnalului se repet dup o anumit perioad), de regim tranzitoriu
1.5 NOIUNI ELEMENTARE DE SEMNALE ELECTRICE
17
(periodice amortizate sau aperiodice) i singulare. Exemple de astfel de semnale sunt: n figura 1.6 un semnal de regim tranzitoriu aperiodic i n figura 1.9.a un semnal singular. Semnalele periodice pot avea diferite forme de und; semnalele periodice mai des ntlnite sunt cele sinusoidale, dreptunghiulare (de fapt aproximativ trapezoidale), triunghiulare, n dini de fierstru sau cu form de impulsuri scurte de comand. O caracterizare foarte util a unui semnal sau n general a oricrei funcii de timp se realizeaz prin spectrul su de frecven. Descrierea semnalelor n acest mod se realizeaz pe baza seriilor Fourier i a transformatei Fourier, care permit reprezentarea unui semnal oarecare ca o sum de semnale sinusoidale de amplitudini i frecvene diferite. De aceea semnalul sinusoidal este unul dintre cele mai importante semnale. uA Ua_vf 0 T 2T
Figura 1.10. Semnal sinusoidal;
Mrimi caracteristice: Ua_vf tensiunea de vrf, T perioada semnalului.
Un semnal sinusoidal, ca cel din figura 1.10, este caracterizat de funcia: u a (t ) = 2 U a sin t = U a _ vf sin 2 f t . (1.25)
unde Ua reprezint valoarea efectiv i U a _ vf = 2 U a valoarea de vrf (msurate n voli), iar este frecvena unghiular n radiani pe secund =2 f , f este frecvena semnalului n hertzi i T =1 / f este perioada acestuia. Un semnal sinusoidal este complet caracterizat de amplitudine, frecven i defazaj (fa de o referin de timp aleas arbitrar). Un semnal periodic oarecare, poate fi exprimat ca o sum infinit de funcii sinusoidale a cror frecvene sunt multiple ntregi ale frecvenei semnalului analizat. De exemplu semnalul dreptunghiular simetric din figura 1.11.a poate fi exprimat ca o sum de funcii sinusoidale: u (t ) = 4U 1 1 sin 0 t + sin 3 0 t + sin 5 0 t + ... . 3 5 (1.26)
unde U este amplitudinea semnalului dreptunghiular i 0 =2 / T este frecven unghiular fundamental (T fiind perioada semnalului dreptunghiular). u T +U 4U 3 4U
t U a) b)
4U 5 5 0
4U 7
K
0
3 0 7 0
(rad/s)
Fig. 1.11. Semnal dreptunghiular simetric: a) forma de und n timp, b) spectrul de frecven.
18
Componentele sinusoidale ale seriei din ecuaia (1.26) reprezint spectrul de frecvene ale semnalului dreptunghiular. Acest spectru poate fi reprezentat grafic ca n figura 1.11.b. Semnalul dreptunghiular are foarte multe armonice superioare. Deoarece amplitudinea armonicelor scade, seria infinit poate fi trunchiat, rezultatul fiind o aproximaie a semnalului dreptunghiular.
1.5.1 Convenia de notaii

n general, o mrime electric are o component de curent alternativ (sau de semnal), suprapus peste componenta de curent continuu (sau de polarizare), ca de exemplu n figura 1.12. uA ua Ua_vf
UA 0 -
uA = UA + ua
Figura 1.12. Convenia de notaii; Semnalul sinusoidal ua suprapus peste tensiunea de polarizare UA .
Pe parcursul acestei cri se utilizeaz urmtoarea convenie de notaii: mrimile instantanee se noteaz cu liter mic i indice liter mare: uA , iC ; componenta de curent continuu (cc) sau de polarizare, constant n timp (sau valoarea medie a mrimii instantanee variabil n timp), se noteaz cu liter mare i indice liter mare: UA , IC ; componenta de curent alternativ (ca) sau de semnal, variabil n timp (care are o valoare medie nul), se noteaz cu liter mic i indice liter mic: ua , ic ; valoarea efectiv a componentei de ca se noteaz cu liter mare i indice liter mic: Ua , Ic .
Semnificaia acestor notaii reiese din figura 1.12, n care s-a considerat un semnal sinusoidal ua suprapus peste o tensiune de cc UA .
1.6 BIBLIOGRAFIE
[1] Crciun A.V: - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Univ. Transilvania Braov, 2003; [2] Damachi E. .a. Electronica, E.D.P. Bucureti, 1979; [3] Gray P.E., Searle C.L. Bazele electronicii moderne, Ed.Tehnic. Bucureti, 1973;
[4] ora C. Bazele electrotehnicii, E.D.P. Bucureti, 1982;

[5] Senturia Stephen, Wedlock Bruce Electronic Circuits and Applications, J.Willey&Sons, 1975; [6] Malvino A.Paul Electronic Principles, Tata Mc.Grow-Hill Publ.Co., New Delhi, 1982; [7] Radu Ovidiu Componente electronice pasive, Ed. Tehnic, Bucureti,1981; [8] Costin Miron Introducere n circuite electronice, Ed.Dacia, Cluj-Napoca, 1983; [9] Sedra Adel, Smith Kenneth Microelectronic Circuits, Oxford University Press, New York, 1998.
2.1 NO IUNI FUNDAMENTALE
19
CAP. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE

n prima parte a acestui capitol se introduc modelele cele mai simple ale diodelor i cu ajutorul acestora se analizeaz aplica iile mai importante ale diodelor redresoare. n continuare se prezint no iuni de fizica semiconductoarelor, se analizeaz jonc iunea pn i se introduc modele mai precise, dar mai complexe ale diodelor. Pe baza analizei jonc iunii pn se analizeaz celelalte tipuri de diode semiconductoare i se prezint aplica iile tipice ale acestora.
2.1 NO IUNI FUNDAMENTALE

Dioda semiconductoare (sau mai simplu, dioda) este un dispozitiv electronic cu 2 terminale care con ine o jonc iune pn, jonc iune care se formeaz la contactul unei regiuni p cu o regiune n a aceluia i cristal semiconductor. Descrierea jonc iunii pn se va face ntr-un paragraf urm tor.
p n
iA
a)
A
c)
K
uA
b)
d)
Fig. 2.1. Dioda semiconductoare: a) con ine o jonc iune pn, b) simbolul ei este o s geat de la anod la catod; c) M rimile electrice asociate diodei sunt n sensul s ge ii i d) catodul diodei este marcat cu o band colorat .
Proprietatea principal a diodei este conduc ia unilateral . Aceasta const din aceea c dioda permite trecerea curentului ntr-un sens i blocheaz curentul n cel lalt sens. Simbolul diodei este n esen o s geat orientat de la zona p la zona n a semiconductorului (figura 2.1.b), s geat care arat sensul n care dioda permite trecerea curentului electric, respectiv sensul de referin al tensiunii i al curentului prin diod (figura 2.1.c). Terminalul conectat la zona p a diodei (cel cu s geat ,) se nume te anod, iar cel conectat la zona n, catod; aceste denumiri s-au p strat de la dioda cu vid. n cazul diodelor de mic putere, terminalul catodului este marcat cu o band (de culoare alb pentru capsule negre din plastic, figura 2.1.d) sau un grup de benzi colorate (mai apropiate de catod, la unele diode cu capsul de sticl ). Experimental, curentul iese din diod prin terminalul marcat cu band (catodul diodei).
2.1.1
Dioda ideala
Dioda ideal este cel mai simplu model al diodei care pune n evident conduc ia unilateral a acesteia. Comportarea diodei ideale poate fi descris analitic cu ecua iile:
i A = 0 pentru u A < 0 (comutator deschis) u A = 0 pentru i A > 0 (comutator nchis)
(2.1)
Func ionarea diodei ideale poate fi explicat pe baza ecua iilor de mai sus. Daca se aplic diodei o tensiune negativ (fa de direc ia de referin ) atunci prin diod nu circul nici un curent, dioda se comport ca o ntrerupere de circuit i se spune c este polarizat invers. n polarizare invers , curentul printr-o diod ideal este nul i dioda este blocat . Dac se aplic diodei un curent pozitiv (fa de direc ia de referin ) c derea de tensiune pe diod este nul . n acest caz, numit polarizare direct , dioda ideal se comport ca un scurtcircuit i dioda este n conduc ie sau deschis .
20
Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Aceste relaii arat c dioda ideal este de fapt un comutator care se deschide sau se nchide n funcie de sensul mrimilor electrice care apar din circuitul exterior. Circuitul exterior este acela care determin curentul direct prin dioda n conducie i tensiunea invers pe dioda blocat. Relaiile (2.1) reprezint o funcie liniar pe poriuni Reprezentarea grafic a acestei funcii reprezint caracteristica static a diodei ideale i const din dou semidrepte n unghi de 90o care se ntlnesc n origine ca n figura 2.2. Pentru dioda ideal se va folosi simbolul din figura 2.2. iA uA
iA uA
Fig. 2.2. Caracteristica static i simbolul diodei ideale. Dioda ideal este un element (ideal) de circuit, cel mai simplu model al diodei, cu tensiunea nul n conducie i curent nul n blocare.
0 Oricare dintre modurile de descriere a diodei (prin ecuaii, prin analiza funcionrii sau prin caracteristica static) reprezint un model al diodei ideale. n cazul unei diode reale curentul n blocare este nenul, dar foarte mic (cu valori uzuale de nanoamperi pn la microamperi) iar cderea de tensiune n conducie este relativ mic (mai mic de 1V). Valorile foarte mici ale curentului invers (pentru dioda blocat) pot fi considerate zero pentru majoritatea aplicaiilor practice. Cderea de tensiune direct (pentru dioda n conducie) poate fi considerat ca fiind nul (modelul diodei ideale) doar la o analiz de principiu a unui circuit sau dac tensiunile din circuit sunt mult mai mari dect 1V. Pentru a ine cont i de cderea de tensiune care apare pe diod n conducie se introduce modelul diodei cu tensiune de prag.
2.1.2
Dioda cu tensiune de prag
Cea mai simpl modalitate de a ine seama de cderea de tensiune care apare pe diod n conducie este considerarea unei surse de tensiune constante UD n serie cu dioda ideal. Circuitul echivalent i caracteristica static a acestui model al diodei, numit model cu tensiune de prag, sunt prezentate n figura 2.3. Sursa de tensiune din schema echivalent nu poate furniza energie n circuitul exterior datorit sensului de conectare a diodei ideale, care nu permite trecerea curentului de la surs spre circuitul extern. iA Fig. 2.3. Simbolul i caracteristica static a diodei cu UD iA +
uA
uA 0 UD
tensiune de prag. Cel mai utilizat model al diodei, cu tensiunea constant n conducie i curent nul n blocare.
Comportarea diodei cu tensiune de prag poate fi descris i analitic:

pentru u A 0
(2.2)
Conform acestor ecuaii: - curentul prin diod este nul dac tensiunea este mai mic dect tensiunea de prag (dioda blocat); - tensiunea pe diod are o valoare constant dac prin diod circul un curent (dioda n conducie). Dac se traseaz experimental caracteristica static a diodei, se pot constata urmtoarele: pentru o tensiune direct mai mic dect tensiunea de deschidere (circa 0,5V la dioda cu siliciu) curentul prin diod are valori sczute, apropiate de zero; pentru variaii destul de mari ale curentului prin diod, modificarea tensiunii pe diod este destul de mic (0,60,8V la dioda cu siliciu).
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE
21
innd seama de aceste valori ale tensiunii, se consider c tensiunea pe dioda n conducie are o valoare constant, de exemplu UD =0,7V la siliciu. S-au prezentat valorile msurate la dioda cu siliciu deoarece este dioda cea mai utilizat n practic. Modelul diodei cu tensiune de prag poate fi utilizat n aproape toate cazurile practice. Ca metod de analiz a circuitelor cu diode este de preferat adesea analiza funcionrii circuitului considernd iniial modelul diodei ideale, pentru a pune n eviden ceea ce este esenial i apoi se analizeaz circuitul cu ajutorul modelului cu tensiune de prag. Cea de-a doua analiz este mai exact, dar evident mai complicat i de aceea este posibil s se scape din vedere aspectele fundamentale ale funcionrii circuitului. Prin caracteristic liniarizat (pe poriuni) se nelege o caracteristic format din semidrepte i eventuale segmente de dreapt. La analiza unui circuit care include cel puin un dispozitiv cu o caracteristic liniarizat pe poriuni (cum ar fi dioda ideal sau dioda cu tensiune de prag), n cazul n care semnalul aplicat dispozitivului trece prin unul dintre punctele de frngere ale caracteristicii, se determin mai nti nivelul semnalului la care are loc trecerea dintr-o regiune liniar n alta i apoi se analizeaz separat comportarea circuitului pentru fiecare poriune liniar a caracteristicii.

Cele mai utilizate diode sunt aa-numitele diode redresoare iar aplicaiile mai importante ale acestora sunt: redresoarele, limitatoarele i circuitele de refacere a nivelului de cc. Redresoarele transform energia de curent alternativ n energie de curent continuu i pot fi utilizate ca circuite de conversie a puterii electrice sau ca circuite de prelucrare a semnalelor. Redresoarele vor fi analizate pornind de la cel mai simplu circuit, redresorul monoalternan fr filtru pn la redresorul n punte cu filtru capacitiv (redresorul tipic utilizat pentru alimentarea sistemelor electronice). O categorie aparte de redresoare sunt unele multiplicatoare de tensiune.
2.2.1
Redresorul monoalternan
Redresorul monoalternan este compus dintr-o simpl diod conectat n serie ntre sursa de tensiune alternativ i sarcin ca n figura 2.4. Se analizeaz cazul sarcinii rezistive, R.
uA ui
Gen. D
iO
uO
R
Sarc.
Fig. 2.4. Redresorul monoalternan - dioda D. Circuitul include sursa de tensiune alternativ la intrare i sarcina la ieirea redresorului.
Redr.
Cazul diodei ideale

Dac se consider dioda ca fiind ideal, atunci n timpul alternanei pozitive a tensiunii de intrare dioda va fi polarizat direct i va permite trecerea unui curent dinspre surs spre sarcin. Cderea de tensiune pe dioda ideal deschis va fi nul i tensiunea pe sarcin va fi egal cu tensiunea sursei. n timpul alternanei negative a semnalului de intrare, tensiunea pe diod va fi negativ, dioda (polarizat invers) va fi blocat i nu va permite trecerea curentului de la surs spre sarcin. Formele de und ale tensiunilor sunt prezentate n figura 2.5. Tensiunea de ieire, uO (uO (ideal) n figur) are o valoare medie nenul (component de curent continuu). Pentru o tensiune de intrare sinusoidal, u i = 2 U i sin t , valorile medii ale tensiunii i curentului la ieire sunt:
22
UO
1 = 2
2 U i sin t d t =
2 U i ,
IO =
UO . R
(2.3)
2 U i = U vf ;
Dioda utilizat trebuie s suporte curentul direct IO i tensiunea invers
tensiunea maxim care apare pe dioda blocat este egal cu tensiunea de vrf a alternanei negative. Parametrii de catalog corespunztori ai diodei: IF (indicele provine de la cuvntul englez forward tradus prin direct) i VR R M (reverse repetitive maximum voltage tensiune invers repetitiv maxim) trebuie s fie acoperitori fa de valorile din circuit:
I F I O , V RRM 2 U i .
(2.4)
u
Uv UD uO (ideal) uO 0 UD
2
t
Uinv_max
(D blocat)
ui
Fig. 2.5. Formele de und de la redresorul monoalternan
Rezultatele obinute cu modelul diodei ideale sunt suficient de corecte pentru tensiuni redresate mari, de ordinul zecilor de voli. Dac tensiunea redresat are valori mici (mai mici dect circa 10V) atunci erorile introduse de modelul diodei ideale sunt n general inacceptabile i se analizeaz circuitul considernd i cderea de tensiune pe diod.
Efectul tensiunii de prag

Cderea de tensiune pe dioda n conducie UD se va considera constant, conform modelului diodei cu tensiune de prag. Dioda este n conducie pentru o tensiune de intrare mai mare dect tensiunea de prag, condiie din care se poate calcula unghiul de conducie al diodei, : ui U D , 2 U i sin = U D
= arcsin
UD 2 U i
(2.5)
Forma de und a tensiunii la ieirea redresorului este reprezentat cu linie discontinu n figura 2.5. n conducie, tensiunea de ieire este: u O = u i u A = u i U D iar tensiunea medie la ieire se calculeaz prin integrarea tensiunii de ieire pe o perioad:
UO 1 = 2

2 U i sin t U D d t =
2 U i 2 . cos U D 2
(2.6)
Dac << , ceea ce nseamn UD <<Ui , atunci ecuaia precedent se poate simplifica:
23
UO
2 U i U D . 2
Exemplu
(2.7)
S se determine tensiunea medie la ieirea redresorului monoalternan, calculat cu modelul diodei ideale i cu modelul diodei cu tensiune de prag (UD =0,7V), pentru o tensiune sinusoidal de intrare cu valoarea de vrf de 5V i de 10V. S se compare rezultatele obinute prin diferite metode. Rezultatele calculelor sunt prezentate n tabelul urmtor. Pentru a evidenia ct mai exact erorile datorate diferitelor metode de calcul s-au calculat 4 cifre semnificative. n practic, o astfel de precizie a calculelor nu se justific datorit aproximrilor inerente dintr-un circuit concret, unde apar erori de cel puin cteva procente (la exemplul prezentat eroarea tensiunii UD poate fi de circa 0,1V iar tensiunea de intrare poate avea o eroare tipic de 5%).
2 Ui
UO, rel.(2.6) 1,257 V 2,841 V
UO, rel.(2.7) 1,242 V 2,833 V
1 (%) -1,24 -0,28
UO, rel.(2.3) 1,592 V 3,183 V
2 (%) +26,6 +12
5V 10 V
Se constat c erorile de calcul sunt mai mici dac tensiunile din circuit sunt mai mari. Erorile 2 introduse cu modelul diodei ideale n cazul unor tensiuni mici sunt inacceptabile. Pentru tensiuni mai mari de 10V erorile sunt mai mici de 12% i pot fi acceptate uneori. Erorile 1 datorate relaiei simplificate de la modelul diodei cu tensiune de prag sunt mici i de aceea, n practic, nu se justific utilizarea relaiei exacte (care presupune calcule trigonometrice).
2.2.2
Redresorul cu transformator
La circuitele de alimentare se utilizeaz adesea un transformator la intrare ca n figura 2.6. nfurarea primar a transformatorului este conectat la sursa de tensiune alternativ (de obicei reeaua de ca) i nfurarea secundar la redresor. Transformatorul permite modificarea tensiunii la intrarea redresorului n funcie de necesiti i izoleaz electric sursa de energie de redresorul propriu-zis. Este vorba de aa-numita izolare galvanic (fr legtur direct ntre circuite) care reduce pericolul de electrocutare n cazul alimentrii de la reeaua de curent alternativ.
Tr.
iO ui
D
Tens. de la retea
uO
Fig. 2.6. Redresorul monoalternan cu transformator (Tr.).
u 20
La un transformator fr sarcin (n gol), tensiunea de ieire (de la nfurarea secundar) depinde de raportul numrului de spire i de tensiunea din primar (de la reea) u 1 conform
u 20 = n2 u1 , n1
relaiei:
(2.8)
unde n 2 i n 1 reprezint numrul de spire al nfurrii secundare, respectiv al nfurrii primare.
24
La conectarea sarcinii, tensiunea din secundar scade datorit rezistenei nfurrilor i inductanelor de pierderi. ntr-o prim aproximaie se poate neglija aceast modificare a tensiunii. La un calcul mai precis se ine seama de rezistena nfurrii secundare i primare, r 2 i respectiv r 1. Dac transformatorul este solicitat n limite normale, atunci se pot neglija inductanele de pierderi, iar rezistena echivalent a transformatorului (privit n secundar) R tr permite calculul tensiunii secundare conform legii lui Ohm:
n Rtr = r2 + r1e = r2 + r1 2 n 1 ,
2
u 2 = u 20 i 2 Rtr .
(2.9)
r 1e este rezistena primarului echivalat (sau privit) n secundar. Schema echivalent a transformatorului, conform cu aceste ecuaii, este prezentat n figura 2.7.b. r1e r2
u1
n1 r1
n2 r2
u20
u20
b)
u2
Fig. 2.7. Transformatorul n gol (cu parametrii nfurrilor) i schema echivalent n sarcin.
a)
Prin nfurarea secundar a transformatorului utilizat la redresorul monoalternan circul curentul continuu IO care conduce la nrutirea condiiilor de funcionare ale transformatorului. n plus se poate arta c randamentul energetic (raportul ntre energia de cc de la ieire i energia de ca absorbit la intrare) n cazul redresorului monoalternan este mai mic dect 40%, datorit armonicelor care circul n sarcin. Din aceste motive transformatorul trebuie supradimensionat. Redresorul monoalternan poate fi utilizat numai atunci cnd curenii redresai au valori reduse din cauza celor dou dezavantajele principale: greutatea mrit a transformatorului i pulsaiile mari ale curentului. n practic sunt frecvent utilizate redresoarele bialternan: cu transformator cu punct median sau n punte.
Problem de proiectare
La ncrcarea bateriilor alcaline se suprapune o component alternativ peste curentul continuu pentru a evita polarizarea electrolitului. S se dimensioneze circuitul de ncrcare din fig. 2.8.a pentru a obine un curent mediu de ncrcare I =120mA i un curent mediu de descrcare Id = 40mA (curentul net de ncrcare este dat de diferena celor doi cureni). Se consider un grup de 2 baterii cu o tensiune total UB =3,5V, cderea de tensiune pe dioda n conducie UD =0,7V, tensiunea alternativ n secundarul transformatorului U 20 =14V (valoarea efectiv n gol) i rezistena echivalent a transformatorului vzut n secundar R t r =17.
Rezolvare Prin dimensionarea circuitului se nelege calcularea componentelor de circuit care nu se cunosc, n acest caz cele dou rezistoare (i eventuala alegere a diodei). La un rezistor trebuie calculat valoarea rezistenei i eventual puterea maxim disipat.
Primul pas este analiza funcionrii circuitului. Dup cum s-a artat n paragraful 2.1.2, la analiza unui circuit cu modelul liniarizat al diodei, se determin iniial nivelul semnalului la care are loc trecerea dintr-o regiune liniar a caracteristicii n alta i apoi se analizeaz separat comportarea circuitului pentru fiecare poriune liniar. Se consider iniial dioda blocat i se obine schema echivalent a circuitului prezentat n figura 2.8.b, n care dioda s-a nlocuit cu o ntrerupere de circuit. Dioda se menine blocat ct timp tensiunea pe diod, uA , este mai mic dect tensiunea de prag, UD . Tensiunea uA se calculeaz cu regula divizorului de tensiune aplicat rezistenelor din circuit:
25
u A = u R 2 = (u 20 U B )
R2 UD Rtr + R1 + R2
u 20
Rtr + R1 + R2 U D + U B U D + U B . R2
Aproximaia din relaia precedent va fi verificat dup obinerea rezultatelor finale.

R2 R1
u U 2v
UB
UB +UD
+
u1
a)
n1 r1
n2 r2
u2
R2 R tr R1
0
uA UB
d)
+
-
Conducie D (ncrcare)
2
Blocare D (descrcare)
t
2+
u20
b)
u2
R2
u20
Fig. 2.8. ncrcarea bateriilor alcaline; a) Schema de principiu b) Schema echivalent la descrcare (D blocat) c) Schema echivalent la ncrcare (D conduce) d) Formele de und
R tr
R1
u20
c)
u2
Pentru simplitate se noteaz UBD =UB +UD =4,2V. Limita intrrii n conducie a diodei este uA =UD ; n acest punct se determin valoarea tensiunii u 20 i unghiul de conducie:
u 20 = 2 U 20 sin t = U 2v sin t ; U 2v sin = U BD , = arcsin U BD = 0,214 radiani. U 2v
Circuitul echivalent cu dioda n conducie este prezentat n figura 2.8.c, n care dioda s-a nlocuit cu sursa de tensiune echivalent UD . Dioda conduce pn cnd tensiunea u 20 devine mai mic dect UBD , ceea ce are loc la unghiul de blocare , conform formelor de und din figura 2.8.d. Blocarea diodei dureaz pn la noul unghi de conducie, 2+ , dup care procesul de conducie/ blocare al diodei, respectiv de ncrcare/descrcare al bateriei se reia. Curentul de descrcare se calculeaz n schema din figura 2.8.b din legea lui Ohm aplicat celor trei rezistene din circuit. Pentru aceasta se determin iniial tensiunea medie pe rezistene n timpul descrcrii, prin integrare conform relaiei:
U med
1 = 2
2 +
U 2v cos 1 1 (U 2v sin t U B ) d t = (U 2v sin U B ) d = U B 2 + 2
Curentul prin baterie se consider n sensul diodei astfel nct curentul de descrcare va fi negativ.
U med Id = R1 + R2 + Rtr
Curentul de ncrcare se calculeaz n schema din figura 2.8.c cu ajutorul tensiunii medii pe R1 care apare la ncrcare:
+ U med =
(U 2v sin U BD ) d =
UD
UB
U med 8,15 R1 + R2 = Rtr = 17 = 187 . Id 0,04
U 2v cos 1 U BD , 2
I =
+ + U med U med U + D R1 + Rtr R2 R1 + Rtr
26
Aproximaia din relaia precedent va fi verificat dup obinerea rezultatelor finale. Din relaia aproximativ rezult valoarea lui R1:
R1 =
+ U med 4,35 Rtr = 17 = 19,2 20 , I 0,12
R2 = (R1 + R2 ) R1 = 187 20 = 166 160 .
Valorile alese pentru rezistoare au fost rotunjite la valoarea standardizat cea mai apropiat. n final se vor calcula curenii rezultai i se va verifica n ce msur aproximaiile fcute au afectat rezultatele. Vor fi acceptate devieri de ordinul procentelor fa de valorile din enun, deoarece rezistoarele reale au tolerane uzuale de 510%. Unghiul de conducie este:
= arcsin
1 U 2v
Rtr + R1 + R2 U D + U B = 0,221 R2
iar curenii de descrcare i ncrcare:
+ U med U med U D 8,145 4,345 0,7 = = 41,3 mA , I = + = + = 121,8 mA . Id = Rtr + R1 + R2 17 + 20 + 160 R1 R2 17 + 20 160
Deoarece diferenele fa de valorile cerute n enun sunt mici (mai mici de 3,3%) calculele nu mai trebuie reluate. Calculul puterii disipate n rezistoare se face considernd valoarea efectiv a curentului care le parcurge. Pentru exemplificare se calculeaz puterea disipat n R1, PdR1:
I R1 _ ef =
1 (R1 + Rtr )
1 (R1 + R2 + Rtr )
2
U 2 v sin U BD R1 + Rtr
U 2 v sin U B 1 d + R +R +R 2 tr 2 1
d =
I1 + I 2 ,
I1 =
I2 =
2 sin 2 2 U 2 v + 2U 2vU BD cos + U BD = 0,233m 168 = 0,0391 4 4 2 2

2 sin 2 2 U 2 v + 2U 2vU BD cos + U BD = 8,2 158 = 0,0013 4 2 2 4
2 I R1 _ ef = 0,0391 + 0,0013 = 0.0404 = 0.201A , PdR1 = R1 I R1 _ ef = 20 0,0404 = 0,81W .
2.2.3
Redresorul cu transformator cu punct median
Redresorul cu transformator cu punct median const din dou redresoare monoalternan cu o sarcin comun i un transformator cu dou seciuni identice ale nfurrii secundare ca n figura 2.9.a. Cele 2 diode lucreaz n antifaz. Pe durata alternanei pozitive a intrrii, tensiunea u21 este pozitiv i u22 (= u21) este negativ, dioda D1 este polarizat direct i D2 este polarizat invers; curentul prin sarcin circul de la surs prin D1. Pe durata alternanei negative a intrrii, D2 polarizat direct furnizeaz curentul prin sarcin i D1 este blocat. Formele de und ale tensiunilor sunt prezentate n figura 2.9.b. Considernd diodele ideale, tensiunea i curentul mediu de ieire pentru o intrare sinusoidal ( u 21 = u 22 = 2 U 2 sin t = U vf sin t ), se pot calcula cu relaiile:
UO 1 =
0
2 U 2 sin t d t =
2 2 U 2 2 U vf = ,
IO =
UO R
(2.10)
i sunt duble fa de redresorul monoalternan. La calculul tensiunii medii s-a considerat o perioad a semnalului de ieire (jumtate din perioada semnalului de intrare, conform figurii 2.9.b).
27
Diodele utilizate trebuie s suporte cel puin jumtate din curentul direct, IO /2 i o tensiune invers egal cu tensiunea de vrf din toat nfurarea secundar, 2 2 U 2 . Tensiunea invers maxim pe dioda blocat apare la vrful sinusoidei i este practic tensiunea de pe toat nfurarea secundar deoarece cealalt diod, n conducie, poate fi considerat ca fiind un scurtcircuit.
Dac se ine seama i de efectul tensiunii de prag atunci tensiunea medie la ieire poate fi calculat cu relaia aproximativ (conform cu cea de la redresorul monoalternan):
UO
Tr.
2 U vf U D .
(2.11)
iO
u21 u1
u
U vf
D1 D2
uO
u22
Fig. 2.9.a. Redresorul cu transformator cu punct median; bornele polarizate ale nfurrilor sunt marcate cu puncte.
uO (ideal) UD
UD
D1 conduce D2 conduce D1 blocat
uO
t
Uinv_max
(D1 blocat)
u21
u22
Fig. 2.9.b. Formele de und de la redresorul cu transformator cu punct median.
2.2.4
Redresorul n punte
La redresorul n punte, prezentat n figura 2.10.a, cele patru diode redresoare sunt conectate n punte, astfel nct curentul s treac prin rezistena de sarcin (conectat n una din diagonalele punii) totdeauna n acelai sens, indiferent de polaritatea tensiunii de intrare. Pentru alternana pozitiv a tensiunii de intrare (ui >0) diodele D1 i D3 sunt polarizate direct i curentul trece de la surs spre sarcin prin aceste diode. n acest timp diodele D2 i D4 sunt blocate, fiind polarizate invers. n cazul alternanei negative a tensiunii de intrare curentul va trece prin diodele D2 i D4, polarizate direct, iar diodele D1 i D3 vor fi polarizate invers i deci blocate. Formele de und ale tensiunilor sunt prezentate n figura 2.10.b. Deoarece sunt cte dou diode nseriate ntre intrare i ieire (fa de o diod n cazul circuitului anterior), tensiunea de ieire uO , va fi mai mic fa de cea de intrare cu cderea de tensiune pe dou diode. Tensiunea medie de ieire se calculeaz prin integrarea pe o perioad a semnalului de ieire (o semiperioad a semnalului de intrare). Dac se consider diodele ideale:
UO 1 =
2 U i sin t d t =
2 2 U i 2 U vf = ,
IO =
UO . R
(2.12)
28
Considernd modelul diodelor cu tensiune de prag se obine o tensiune medie de ieire: UO 1 =

(U vf sin t 2U D ) d t =
2U vf 2 cos 2 U D ,
(2.13) (2.14)
pentru un unghi de conducie al diodelor:
= arcsin
2U D . U vf
Dac << , ceea ce nseamn 2UD <<Ui , atunci ecuaia precedent se poate simplifica:
2 U vf 2U D . (2.15) Analiznd acest rezultat se constat c tensiunea calculat este tensiunea din cazul ideal, conform relaiei (2.12), din care se scade cderea de tensiune pe diodele aflate n conducie. UO
D4 _ D3 D1
+
ui
iO uO R
D2
Redr.
a)
Gen.
Fig. 2.10. Redresorul n punte diodele D1D4: a) Schema de principiu completat cu sursa de tensiune la intrare i cu sarcina la ieire; b) Formele de und ale redresorului n punte.
Sarc.
U vf
2UD
0 D2, D4 blocate
D1, D3 conduc
D2, D4 conduc
uO
D1, D3 blocate 2
ui b) Avantajele acestui redresor (versiunea cu transformator) fa de redresorul cu transformator cu punct median sunt: consumul redus de cupru din secundarul transformatorului (necesit jumtate din numrul de spire) i reducerea la jumtate a tensiunii inverse maxime pe diodele blocate. Tensiunea invers pe dioda D1, de exemplu, poate fi determinat din bucla D1 R D4 ca fiind: u D1 (invers) = u O + u D 4 (direct) . Valoarea maxim a tensiunii uD1 apare la vrful tensiunii uO i rezult din relaia: U inv _ max = (U vf 2 U D ) + U D = U vf U D . (2.16) Diodele utilizate trebuie s suporte cel puin jumtate din curentul direct, IO /2 (fiecare diod conduce o jumtate din timpul total de conducie) i o tensiune invers mai mare dect Uinv_max: I F I O 2 , V RRM U inv _ max 2 U i .
(2.17)
Cele 4 diode conectate n punte sunt disponibile comercial ncapsulate mpreun ca puni redresoare. Pe capsul cele 4 borne sunt marcate cu simbolurile ~ pentru bornele de intrare i
29
+ respectiv pentru bornele de ieire. Curentul direct i tensiunea invers suportate sunt date n catalog, iar uneori rezult din numele componentei, de exemplu: 1PM8 suport 1A i 800V.
Exemplu
S se determine tensiunea medie la ieirea redresorului n punte, calculat cu modelul diodei ideale i cu modelul diodei cu tensiune de prag (UD =0,7V), dac tensiunea sinusoidal de intrare are amplitudinea de 5V, 10V i 20V. S se compare rezultatele obinute prin diferite metode. Rezultatele calculelor sunt prezentate n tabelul urmtor.
2 Ui
UO, rel.(2.13) 1,91 V 5,03 V 11,36 V
UO, rel.(2.15) 1,78 V 4,97 V 11,33 V
1 (%) -6,6 -1,2 -0,3
UO, rel.(2.12) 3,18 V 6,37 V 12,73 V
2 (%) +67 +27 +12
5V 10 V 20 V
Se constat c erorile de calcul sunt mai mici dac tensiunile din circuit sunt mai mari. Erorile 2 introduse cu modelul diodei ideale n cazul unor tensiuni mici sunt inacceptabile. Pentru tensiuni mai mari de 20V erorile sunt mai mici de 12% i pot fi acceptate uneori. Erorile 1 datorate relaiei simplificate de la modelul diodei cu tensiune de prag sunt suficient de mici pentru ca n practic s se utilizeze relaiei aproximativ (2.15), care nu presupune calcule trigonometrice.
2.2.5
Redresorul monoalternan cu filtru capacitiv
Tensiunea continu pulsatorie obinut cu redresoarele anterioare poate fi folosit doar la ncrcarea acumulatoarelor, alimentarea motoarelor de cc i n alte cteva aplicaii. Alimentarea circuitelor electronice, de exemplu, necesit o tensiune ct mai constant, cum este cea furnizat de baterii sau de acumulatoare. Pentru a realiza o astfel de tensiune, semnalele pulsatorii trebuie netezite (filtrate variaiile de ca ale semnalului pulsatoriu). Filtrele utilizate pot fi filtre de tip LC sau RC. Cele mai simple filtre sunt filtrele cu inductan (L), care netezesc variaiile curentului i filtrele capacitive (C) care netezesc variaiile tensiunii. n practica alimentrii circuitelor electronice cele mai folosite filtre sunt filtrele capacitive, care constau dintr-o capacitate de valoare mare, conectat n paralel cu circuitul de sarcin. Se va analiza iniial cazul redresorului monoalternan, din figura 2.11.a, pentru a ilustra principiul i apoi se va extinde conceptul la redresorul bialternan. Formele de und ale tensiunii (n regim permanent), pentru cazul unui semnal sinusoidal de intrare sunt prezentate n figura 2.11.b. Componentele circuitului (sursa, dioda i condensatorul) s-au considerat ideale iar sarcina s-a presupus a fi pur rezistiv (R). n cazul n care rezistena de sarcin R lipsete, condensatorul se va ncrca la valoarea maxim a tensiunii de intrare (n timpul primei alternane pozitive). Dup atingerea valorii de vrf, tensiunea de intrare scade i dioda se blocheaz. Teoretic, sarcina nmagazinat n condensator i deci i tensiunea pe condensator rmn constante. Astfel, tensiunea de ieire va fi egal cu valoarea de vrf pozitiv a intrrii i de aceea circuitul se mai numete i redresor de vrf. Tensiunea invers maxim pe diod este dublul tensiunii de vrf de la intrare.
30
n cazurile practice, n care rezistena de sarcin are o valoare finit, condensatorul se ncarc tot la valoarea de vrf pozitiv a intrrii, ns, odat cu blocarea diodei (datorit scderii tensiunii de intrare) condensatorul se va descrca prin rezistena de sarcin R. Condensatorul se descarc pn cnd tensiunea la intrare depete tensiunea pe condensator. n acest moment dioda se deschide din nou i condensatorul se ncarc la valoarea de vrf a intrrii dup care procesul se repet. Pentru a menine tensiunea la ieire ct mai constant condensatorul trebuie ales ct mai mare astfel nct constanta de timp RC s fie mult mai mare dect timpul de descrcare (timp care este ceva mai mic dect perioada semnalului T ).
iO ui D C uO R
Fig. 2.11.a. Redresorul monoalternan cu filtru C; Circuitul este completat cu sursa de tensiune la intrare i cu sarcina la ieire.
Uvf Ur_vv uO
T/2 t1 t 2 t
durata de conducie
T T+t1 t ui
Fig. 2.11.b. Formele de und de la redresorul monoalternan cu filtru capacitiv (cazul ideal cu RC =5T)
Analiza n detaliu a circuitului permite determinarea mrimilor de interes: valoarea minim i medie a tensiunii de ieire i factorul de ondulaie. Dioda conduce n intervalul de conducie t ntre momentele t1 i t2 (conform figurii 2.11.b). n acest timp tensiunea de ieire va fi egal cu cea de intrare (pentru o diod ideal) i condensatorul se ncarc la valoarea de vrf a tensiunii de intrare. Deoarece RC >>T, durata de conducie a diodei este mult mai mic dect perioada semnalului (t << T ). Curenii din circuit sunt:
iO = uO , R i A = iC + iO = C du i + iO dt
(uC
= u O = u i , dioda ideal conduce) .
(2.18)
Dioda se blocheaz la momentul t2, imediat dup maximul tensiunii de intrare. Valoarea exact a lui t2 poate fi calculat anulnd curentul iA prin diod, n ecuaia (2.18). ntre momentele t2 i T+t1 dioda blocat izoleaz sursa de sarcin i condensatorul se descarc exponenial pe R: t t u O = 2 U i exp . = U vf exp RC RC (2.19)
Deoarece t << T, descrcarea condensatorului dureaz aproape ntreaga perioad a semnalului: T+t1 t2 =T t T. La sfritul perioadei de descrcare tensiunea la ieire va fi minim: T T t u O min = U vf exp . U vf exp RC RC (2.20)
31
ntruct T << RC, se poate utiliza aproximaia: exp( T RC ) 1 T RC i se obine (din relaia anterioar) valoarea vrf la vrf a tensiunii de ondulaie (sau riplu): T u O min = U vf U r _ vv U vf 1 RC U r _ vv U vf T . RC (2.21)
Tensiunea medie la ieire se poate calcula ca medie a valorilor extreme ale uO:
UO =
U r _ vv U vf + u O min T = U vf = U vf 1 . 2 2 2 RC
(2.22)
Factorul de ondulaie al unei tensiunii este valoarea efectiv a componentei pulsatorii raportat la valoarea medie (componenta de cc) a acelei tensiuni. Componenta pulsatorie a tensiunii de la ieirea redresorului cu filtru capacitiv are o form aproximativ triunghiular. Se poate
demonstra c pentru o tensiune triunghiular: U vf U ef = 3 . Factorul de ondulaie este:
U r _ ef UO
U r _ vv 2 3 UO
3 (2 RC T )
T 1 . 2 3 RC
(2.23)
Se observ c pentru a obine un factor de ondulaie ct mai mic trebuie maximizat produsul RC. Deoarece durata de blocare a diodei este de fapt mai mic dect perioada, rezultatele obinute sunt acoperitoare, deci factorul de ondulaie real este mai mic dect cel calculat. O alt metod de calcul se bazeaz pe calcularea variaiei sarcinii primite de condensator n timpul ncrcrii i a variaiei sarcinii cedate de condensator n timpul descrcrii:
Qnc = C u C = C U r _ vv , Qdesc = I O t desc I O T .
I O T 2 I O = = 2 I O X C . C C
(2.24)
Pe baza principiului conservrii sarcinii electrice se obine variaia tensiunii pe sarcin:

Qdesc = Qnc U r _ vv =
(2.25)
Calculnd tensiunea medie de ieire se obine caracteristica extern a redresorului, care arat dependena tensiunii medii de ieire de curentul mediu de ieire: (2.26) = U vf I O X C = U vf I O Ri . 2 Caracteristica extern a redresorului, conform cu ecuaia precedent, este reprezentat n figura 2.12. Rezistena intern a redresorului monoalternan ideal (alctuit din elemente ideale) este proporional cu reactana capacitiv a condensatorului: R i = XC. UO Uvf U1 =Ri .I1
Fig. 2.12. Caracteristica extern a redresorului ideal cu filtru capacitiv; S-au figurat tensiunea medie U1 i cderea de tensiune U1 pe Ri , care apar la curentul I1.
U O = U vf
U r _ vv
U1 0
IO
I1 Observaie: Durata de conducie a diodei t se poate determinarea cu uO min calculat din (2.21), u T t T u O min = U vf cos , = arccos O min i t = (cu in radiani). Cu: U r _ vv = se pot 2 U vf RC calcula mai exact parametrii redresorului. n practic, un astfel de calcul nu se justific datorit impreciziei componentelor (tolerana la un condensator de filtrare cu Al poate fi 10%+50%).
32
Efectul rezistenei interne a sursei i al tensiunii de prag a diodei

n cazul cel mai des ntlnit n practic, al redresorului cu transformator de intrare, rezistena intern a sursei poate fi considerat egal cu rezistena echivalent a transformatorului vzut n Ri = Rtr . (2.27) secundar, Rtr din relaia (2.9): Pentru simplitate se va considera cazul unui condensator infinit i al unei diode ideale, caz n care ondulaiile la ieire sunt nule, conform relaiei (2.21). Formele de und pentru acest caz sunt prezentate n figura 2.13.a, n care s-au reprezentat tensiunile n funcie de unghiul t. Dac se noteaz cu semiunghiul de conducie al diodei (conform figurii) atunci tensiunea i curentul de ieire se pot determina cu relaiile:
U O = U vf cos , IO = U O U vf cos = . R R
(2.28)
u
UO
Uvf
Fig. 2.13. Redresorul cu C infinit i Ri finit
uO
a) Formele de und b) Schema echivalent valabil n timpul ncrcrii capacitii
0 2
Conducie D ncrcare C
2
Blocare D Descrcare C
t
ui > Uo
Ri UO
+
Uvf cos t ui a) b)
Schema echivalent n timpul ncrcrii, pentru ui >UO, este prezentat n figura 2.13.b. Pentru a calcula semiunghiul de conducie , se va folosi principiul conservrii energiei electrice aplicat sursei de tensiune echivalent de la ieirea redresorului. Surplusul de curent primit de sursa echivalent pe durata unei perioade este egal cu curentul furnizat de aceeai surs ctre sarcin. Curentul de ncrcare se determin prin integrare conform schemei din figura 2.13.b: I nc U 2 U vf cos t U vf cos dt = vf (sin cos ) . = Ri 2 0 Ri
Ri tg = = ki . R
(2.29)
Prin egalarea celor doi cureni Inc=Idesc (=IO ) se obine:

U vf U cos (sin cos ) = vf Ri R
(2.30)
Raportul dintre rezistena intern i rezistena de sarcin s-a notat cu ki. Unghiul se poate determina din reprezentarea grafic a funciei ki ( ). Explicitarea funciei inverse se poate face prin liniarizarea funciei reprezentat la scar logaritmic. Pentru ki =0,030,4 funcia aproximat este: = 0,96 lg k i + 2,4 [radiani] . (2.31)
Pentru a ine seama de cderea de tensiune pe diod, UD, se consider o tensiune maxim redus la intrarea redresorului: (Uvf UD) n locul tensiunii Uvf .
33
2.2.6
Redresoare bialternan cu filtru capacitiv
Redresoarele bialternan pot fi realizate folosind schema cu transformator cu punct median sau schema n punte. Pentru a obine redresoare cu filtru capacitiv se completeaz circuitele din figurile 2.9.a sau 2.10.a cu o capacitate la ieire, n paralel cu sarcina R. Capacitatea trebuie s fie mare, astfel nct constanta de timp a circuitului s fie mult mai mare dect perioada semnalului de la ieire: RC>>T/2. Frecvena ondulaiei de la ieire este dublul frecvenei semnalului de intrare; forma semnalului la ieire este prezentat n figura 2.14. Rezultatele de la redresorul monoalternan se pot utiliza innd seama de modificarea perioadei ondulaiilor de la ieire; n principiu se nlocuiete perioada semnalului de intrare T cu T/2.
Uvf Ur_vv
uO
| ui | t 0 t1 t2 T/2 T/2+ t1 T perioada semnalului de intrare
Fig. 2.14. Formele de und la redresorul bialternan cu filtru capacitiv (cazul ideal cu RC 2,5T )
Tensiunea vrf la vrf a ondulaiei (riplului) se poate calcula cu relaia: U r _ vv U vf T 2 RC i valoarea efectiv Ur U r _ vv 2 3 , (2.32)
de unde rezult tensiunea medie i factorul de ondulaie la ieire:

U O = U vf U r _ vv 2 T = U vf 1 , 4 RC
Ur T UO 3 (4 RC T )
1 T . 4 3 RC
(2.33)
Dac se compar aceste expresii cu cele de la redresorul monoalternan se observ c este necesar o capacitate cu valoare njumtit pentru a obine acelai efect de filtrare.
Efectul tensiunii de prag a diodelor i al rezistenei interne a sursei

Analiza precedent a presupus implicit un circuit realizat cu elemente ideale. Dac se ine cont de tensiunea pe diode, tensiunea de vrf a sursei Uvf trebuie nlocuit cu (Uvf UD) pentru redresorul cu transformator cu punct median, respectiv cu (Uvf 2UD) pentru redresorul n punte. La redresoarelor cu transformator, rezistena intern a sursei (R i R tr) devine un element definitoriu al tensiunii de ieire: U O = U vf cos , (2.34) unde este semiunghiul de conducie al diodelor. Cu metoda de la redresorul monoalternan, se obine o relaie ntre ki (raportul dintre rezistena intern i rezistena de sarcin) i :
Ri tg = 2 , sau 0,48 lg k i + 1,2 [radiani] . R Relaia aproximativ este valabil pentru ki =0,040,3 cu o eroare mai mic dect 2%. ki =
(2.35)
Relaiile precedente care presupun un condensator de filtrare de valoare foarte mare (teoretic infinit) se dovedesc a fi suficient de exacte i n cazul circuitelor uzuale (cu condiia ca RC >>T ).
34
Problem de analiz
Dac tensiunea de intrare este: ui =30 sin100 t (V) i componentele redresorului din figur se presupun ideale: a) s se determine tensiunea pulsatorie i tensiunea medie de ieire precum i factorul de ondulaie;
ui
iO uO
300
C
220 F
b) s se redimensioneze condensatorul de filtrare pentru a obine un factor de ondulaie de 1%.

Rezolvare: Punctul a) presupune o aplicare direct a relaiilor (2.32) i (2.33). Astfel tensiunea ondulatorie vrf la vrf i efectiv este:
U r _ vv U vf
U r _ vv 20m T = 30 = 30 0,15 = 4,5V , U r = = 1,3V , 2 300 220 2 RC 2 3

Ur 1 .3 = = 0,047 = 4,7% . U O 27.7
iar tensiunea de ieire i factorul de ondulaie sunt:

T 0,15 U O = U vf 1 = 30 1 = 27,7V , 4 RC 2
Punctul b) este n fapt o problem de proiectare. Capacitatea care conduce la un anumit factor de ondulaie se calculeaz din formula (2.33) prin explicitarea lui C din formul. Se va utiliza indicele b pentru valorile specifice punctului b.
Cb = T 1 + 1 4R 3 b 20m 1 = 1 + = 16,7 58,7 = 979F 1000 F . 4 300 3 0,01
O metod mai expeditiv, cu grad de aproximaie rezonabil, se bazeaz pe proporionalitatea (aproximativ) dintre capacitile de filtrare i inversele factorilor de ondulaie: Cb = C
4,7 = 220 = 1034F 1000 F . b 1
Verificarea metodei:
Rezultatele obinute prin simularea circuitului (din figura alturat) difer destul de mult de cele calculate. Astfel la punctul a) valoarea vrf la vrf a tensiunii ondulatorii este de 3,6V fa de 4,5V ct a rezultat din calcul. n procente aceast diferen este: U r _ vv (calc) U r _ vv (sim) U r _ vv (sim) 100 = 0,9 = +25% 3,6
Aceast diferen se datoreaz neglijrii duratei de conducie a diodelor. S-a presupus c timpul de descrcare al condensatorului (ntre dou ncrcri succesive) este jumtate din perioada semnalului de intrare, T/2 =10ms. Dac se ine seama de durata de conducie a diodelor, care este de circa 1,6ms (conform simulrii), durata descrcrii condensatorului este de 8,4ms (restul semiperioadei); tensiunea de ondulaie vrf la vrf corectat este: U r _ vv (cor) = U r _ vv (calc) t C (sim ) T 2 = 4,5 8,4m = 3,8V = U r _ vv(sim) + 5% . 10m
35
Concluzia care se impune este c rezultatele obinute conform metodei de calcul prezentate pot avea o eroare relativ mare (25% n acest caz). Rezultatele sunt ns ntotdeauna acoperitoare, n sensul c ondulaia calculat este mai mare dect cea realizat, deoarece la calcule se consider durata de descrcare maxim posibil. Practic, alegerea unui condensator mai mare dect cel necesar conduce la ondulaii mai reduse (dect cele calculate) ceea ce este mai convenabil. Un calcul mai exact ar fi dificil i nu se justific practic datorit toleranelor mari ale condensatoarelor de filtrare (de exemplu pentru condensatoare electrolitice cu Al tolerana poate fi: 10%+50%).
2.2.7
Circuite de limitare cu diode
Pentru a tia poriuni ale unui semnal deasupra sau dedesubtul unui anumit nivel se pot utiliza circuite cu diode numite limitatoare sau circuite de tiere. Caracteristica de transfer a unui limitator pasiv (fr elemente active de amplificare) este dat n figura 2.15.a. Pentru simplitate se consider cazul unui circuit cu factor de transfer unitar (pentru tensiunile aflate ntre limitele extreme). Aceast caracteristica poate fi exprimat analitic astfel:
u O = U O + dac u I U O + dac U O < u I < U O + . u O = u I u = U O dac u I U O O
(2.36)
uO
UO +
45 o
uI
UO + 0 UO uO ui
0 UO
a) Caracteristica de transfer,
b) Efectul asupra unui semnal sinusoidal
Fig. 2.15. Limitator bilateral simetric pasiv:
Cel mai simplu limitator de acest tip se poate realiza cu dou diode conectate ca n figura 2.16.a. Considernd tensiunea de prag a diodelor UD, funcionarea circuitului poate fi descris cu ecuaiile:
u O = U D u O = u I u = U D O dac dac uI U D u I U D ; conduce D1, D 2 este blocat dac U D < u I < U D ; ambele diode sunt blocate ; conduce D 2, D1 este blocat
(2.37)
iO = 0
D1 D2
iO = 0
D1
uI
uO
uI
UP
uO
a) Limitator bilateral b) Limitator cu tensiune de prag Fig. 2.16. Limitatoare simple cu diode
36
Rezistena R este introdus n circuit pentru a prelua diferena de tensiune dintre intrare i ieire atunci cnd tensiunea de intrare este n afara valorilor limit. Dac tensiunea este ntre cele dou valori limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece curentul prin R este nul (curenii prin diodele blocate au valoarea practic zero i curentul de ieire este nul ieirea este n gol): i R = i D1 i D 2 + iO = 0 0 + 0 = 0 uO = u I u R = u I R i R = u I . Circuite de limitare bilaterale cu diode sunt utilizate la intrarea amplificatoarelor de semnal mic (pentru a limita impulsurile accidentale la cel mult 0,7V, protejnd astfel amplificatorul) sau la intrarea voltmetrelor electronice pentru a reduce pericolul de distrugere al acestora n cazul aplicrii unei tensiuni n afara domeniului de msur. Dac tensiunile normale la intrarea circuitului protejat au valori mai mari dect tensiunea de deschidere a diodei, atunci se poate utiliza limitatorul cu tensiune de prag, care este prezentat n figura 2.16.b n varianta unipolar (care limiteaz tensiunile pozitive, n acest caz). i acest limitator lucreaz n gol, adic fr sarcin conectat la ieire (eventualul circuit conectat la ieire are o rezisten intern foarte mare i absoarbe un curent practic nul). Cele dou stri posibile ale circuitului depind de starea diodei. Considernd modelul diodei cu tensiune de prag rezult:
u O = u I u O = U D + U P dac dac uI < U D + U P uI U D + U P ; dioda este blocat ; dioda conduce
(2.38)
Caracteristica de transfer a limitatorului cu tensiune de prag, trasat n figura 2.17.c, este graficul funciei descris pe poriuni de relaiile precedente. Schemele echivalente ale limitatorului din figura 2.17.a i b sunt utile la analiza circuitului.
R iR = 0 iO = 0 uA
+
R iR > 0 iO = 0
+ +
uO
UP +UD
45 o
uI
UP
uO uI
b)
UD UP
uO
c) 0
uI
a)
UP +UD
Fig. 2.17. Limitatorul cu tensiune de prag. Schemele echivalente: a) cu dioda blocat, b) cu dioda n conducie. c) Caracteristica de transfer
Analiza circuitului este principial identic cu cea de la problema definit n figura 2.8. Se consider iniial dioda blocat i se nlocuiete cu o ntrerupere de circuit, figura 2.17.a. Dioda se menine blocat ct timp tensiunea pe diod uA , este mai mic dect tensiunea de prag UD .
u A = u I R i R U P < U D , D este blocat, i A = 0 , i R = i A + iO = 0 i din:
u A = u I U P < U D u I < U D + U P i uO ( = u I R i R ) = u I . La limita intrrii n conducie a diodei, uA =UD , curentul prin diod este nc nul, cderea de tensiune pe R este nul, uA = uI R .iR UP = uI UP i uI =UD +UP . Creterea tensiunii de intrare peste aceast valoare conduce la apariia unui curent prin rezisten i prin diod; dioda n conducie se nlocuiete cu sursa de tensiune UD , ca n figura 2.17.b:
u I > U D + U P i R = i A > 0 , D conduce, u A = U D ,
uO ( = u A + U P ) = U D + U P .
Circuitele de limitare pot avea diferite configuraii n funcie de nivelele semnalului care trebuie ndeprtate. Un exemplu de circuit de limitare este analizat n problema urmtoare.
37
Problem de analiz
Pentru circuitul din figura 2.18.a se consider UD =0.6V i U 1 =3V. a) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer uO (uI ) a circuitului; b) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic tensiunea de ieire pentru o tensiune de intrare sinusoidal: u i = 2 U i sin t = 6 sin (100 t ) V . iO =0 R2 iA1 D1
R2 iR2 =0 iO =0 uA
+
uI
Fig. 2.18.
R1
D2
U1
uO
uI
a) Schema de principiu,
b) Schema echivalent cu D1 n conducie i D2 blocat
Rezolvare: Primul pas este analiza problemei. Circuitul este compus din redresorul monoalternan D1-R1 i limitatorul cu tensiune de prag R2-D2-U1 . Se noteaz cu uM tensiunea median, dintre cele dou circuite. O posibilitate de analiz ar fi studierea succesiv a celor dou circuite i combinarea rezultatelor. Varianta propus va analiza circuitul n totalitate n funcie de strile posibile ale celor dou diode.
O observaie util pentru nelegerea funcionrii se refer la relaiile cauz-efect din circuit; cauza apariiei curenilor n circuit sunt sursele de tensiune. n acest caz sursa de tensiune se presupune c exist implicit la intrare, chiar dac nu este figurat ca atare. Sursa U1 este o surs pasiv datorit diodei D2; aceasta nseamn c U1 nu poate furniza curent dect atunci cnd o surs extern (uI ) deschide dioda D2. La ieirea circuitului, notaia uO nu semnific existena unei surse de tensiune ci este doar denumirea care permite identificarea respectivei tensiuni (se poate imagina un voltmetru ideal care msoar respectiva tensiune). Deoarece circuitul conine dou diode i fiecare diod poate avea dou stri (blocat sau n conducie) sunt posibile patru variante, care vor fi analizate n continuare. Dac ambele diode sunt blocate, curentul prin acestea este nul, iA 1=iA 2=0. Sursa U1 nu poate furniza curent prin dioda D2 blocat. Curentul spre ieire este i el nul conform datelor iniiale ale problemei (circuitul lucreaz n gol). De aceea, ct timp D1 este blocat curentul prin R1 este nul: iR 2 = iO + iA 2 = 0, iR 1 = iA 1 iR 2 = 0 i tensiunea median este nul: uM = R 1 . iR 1 = 0. Pe de alt parte curentul prin R2 este nul, de aceea i tensiunea de ieire va fi nul: uO = uM R 2 . iR 2 = 0. D1 este blocat pentru uA 1 <UD , adic uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI <UD . La limita intrrii n conducie a diodei D1, curentul prin diod este nc nul i cderea de tensiune pe R1 este nul: uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI =UD . Pentru uI >UD D1 intr n conducie, uA 1 =UD i tensiunea median uM = uI uA 1 devine uM = uI UD . Limitatorul cu tensiune de prag, R2-D2-U1 , are tensiunea uM la intrare i uO la ieire i funcioneaz conform relaiilor (2.38). Pragul de conducie al diodei D2 este la tensiunea uM = U1 +UD = uI UD adic uI = U1 +2UD . Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile:
u O = u M = 0 u O = u I U D u = U + U D 1 O dac dac dac uI < U D u I 2 U D + U1 , ambele diode sunt blocate; , conduc ambele diode. U D u I < 2 U D + U 1 , conduce D1; D 2 este blocata;
Cea de-a patra combinaie principial posibil, D1 blocat i D2 n conducie nu se poate realiza n cazul acestui circuit; pentru D1 blocat, uM =0, situaie n care i D2 este blocat.
UD R 1
uM
U1
uO
38
innd seama de valorile tensiunilor date n enunul problemei caracteristica static este descris analitic de ecuaiile:
dac u I < 0,6V u O = 0 u O = u I 0,6V dac 0,6V u I < 4,2V . u = 3,6V dac u I 4,2V O
Reprezentarea caracteristicii de transfer a circuitului din figura alturat este de fapt o reprezentare grafic a acestui sistem de ecuaii (o funcie matematic descris pe poriuni). Forma analitic a tensiunii de ieire se obine nlocuind tensiunea uI , n sistemul de ecuaii anterior, conform enunului. Unghiurile de deschidere ale diodelor i respectiv momentele de timp la care diodele se deschid se calculeaz cu relaiile: u i1 = 6 sin 1 = 6 sin (100 t1 ) = 0,6 1 = arcsin u i 2 = 6 sin 2 = 6 sin (100 t 2 ) = 4,2 2 = arcsin 0,1 0,6 = 0,1 rad , t1 = = 0,32 ms , 100 6 0,78 4,2 0,78 rad , t 2 = 2,5 ms . 100 6
uO
3,6
(V)
(V)
4,2 6V
uO
45 o
uI
4,2
0,6
0 0,6
(V)
0
0,32
10
20
t
(ms)
6V
ui
Fig. 2.19. a) Caracteristica de transfer, b) Reprezentarea grafic a tensiunii de ieire
Tensiunea de intrare i tensiunea de ieire sunt reprezentate n figura 2.19.b. Se observ c tensiunea de ieire poate fi obinut din tensiunea de intrare prin translatarea acesteia cu 0,6V n jos i tierea valorilor negative i a celor care depesc 3,6V.
2.2.8
Circuite de refacere a nivelului de curent continuu (cc)
Acest tip de circuit fixeaz vrful (negativ sau pozitiv al) semnalului la aproximativ zero voli. Dintr-un alt punct de vedere, circuitul adaug la semnalul de ca o tensiune de cc (aproximativ egal cu tensiunea de vrf a semnalului) sau reface nivelul de cc al unui semnal de ca. Circuitul prezentat n figura 2.20. poate fi privit ca fiind redresorul cu filtru capacitiv (din figura 2.11.a.) la care tensiunea de ieire se preia de pe diod i nu de pe condensator. Datorit polaritii diodei, condensatorul se ncarc la tensiunea uC egal cu valoarea de vrf negativ a tensiunii de intrare (mai puin cderea de tensiune pe diod UD ): uC =Uv UD . Dac rezistena de sarcin lipsete, tensiunea pe condensator rmne constant (dup ncrcare) i dioda se blocheaz. Practic, constanta de timp a circuitului trebuie s fie mult mai mare dect perioada semnalului: R C >> T , sau mai concret R C 5 T . (2.39)
39 2Uv UD
uI
0 Uv
Uv
uC
uO
C D
uI
uO
Uv UD
0 U D
Fig. 2.20. Circuit de refacere a nivelului de cc cu semnal sinusoidal i fr sarcin (R foarte mare)
n acest caz descrcarea condensatorului n timpul unei perioade (pn la o nou ncrcare) este nesemnificativ (mai mic dect 1% din nivelul semnalului). Deoarece tensiunea de ieire este: u O = uC + u I = (U v U D ) + u I , (2.40) forma de und de la ieire va fi identic cu cea de la intrare, dar deplasat cu o tensiune constant: uC =Uv UD , dup cum se vede n partea dreapt a figurii 2.20. Prin inversarea sensului diodei, semnalul va fi deplasat cu o tensiune negativ, vrful pozitiv al semnalului fiind fixat la o tensiune aproximativ nul (mai exact +UD ). Acest circuit este folosit la polarizarea amplificatoarelor n clas C, la refacerea nivelului de alb n receptoarele de televiziune i la demodularea semnalelor modulare n impulsuri.
Prin canalul de comunicaie se transmite doar componenta de ca a semnalului modulat n impulsuri (PWM pulse width modulation). La recepie se reface nivelul de cc i apoi, la ieirea unui filtru trece-jos RC simplu, se obine semnalul modulator (proporional cu valoarea medie a semnalului transmis).
2.2.9
Multiplicatoare de tensiune
Aceste circuite sunt de fapt redresoare care multiplic tensiunea de vrf de la intrare de un numr ntreg de ori: de dou ori dubloarele de tensiune, de trei ori triploarele .a.m.d.
Dubloare de tensiune
Circuitele de dublare a tensiunii ndeplinesc funcia de detector vrf la vrf, deci tensiunea de ieire este aproximativ egal cu valoarea vrf-la-vrf a tensiunii de intrare: UO =Ui_vv . n figura 2.21 sunt prezentate dou versiuni de dubloare de tensiune.
uC1
D2 C1 D1 C2 D1 C1 D2
ui
a)
uO
b)
ui
uO
C2
Fig. 2.21. Dubloare de tensiune: a) cu punct de mas, b) sursa dubl de tensiune.
Primul dublor de tensiune este alctuit din dou seciuni nseriate: un circuit de refacere a componentei de cc (C1-D1) i un redresor monoalternan (D2-C2). Acest dublor de tensiune se caracterizeaz prin existena unui punct comun intrrii i ieirii, punct care poate fi utilizat ca referin de tensiune i care reprezint masa electric a circuitului respectiv. La analiza de principiu a circuitului se consider diodele ideale i tensiunea de intrare sinusoidal: u i =Uv sint. n timpul alternanei negative, dioda D1 este polarizat direct i D2 este polarizat invers. Condensatorul C1 se ncarc la valoarea de vrf negativ a tensiunii de intrare u C1 =Uv . n timpul alternanei pozitive, dioda D2 este polarizat direct i D1 este polarizat invers.
40
Tensiunea de pe condensatorul C1 se adaug la tensiunea pozitiv de intrare i condensatorul C2 se ncarc la suma valorilor de vrf ale tensiunii de intrare: u O = u C 2 = u C1 + u i , U O = U C1 + U v = 2 U v . (2.41) Dac ieirea este n gol, C2 rmne ncrcat la aproximativ 2Uv. Dac se conecteaz o sarcin la ieire, C2 se va descrca prin sarcin pn la urmtoarea alternan pozitiv cnd se va ncrca din nou la 2Uv. Rezistena de sarcin R trebuie s fie destul de mare pentru a nu descrca semnificativ condensatorul. Practic, cele dou condensatoare nseriate trebuie s ndeplineasc o condiie de tipul celei din relaia (2.39). Tensiunea invers maxim pe fiecare diod este 2Uv. Pentru o tensiune de intrare cu valori mai mici dect cteva zeci de voli trebuie s se in seama i de tensiunea pe diode UD. Tensiunea de ieire n gol poate fi considerat: 2Uv -2UD. Cel de-al doilea dublor de tensiune (din figura 2.21.b) este compus din dou redresoare monoalternan: (D1-C1) pentru alternana pozitiv i (D2 -C2) pentru alternana negativ. Dac ieirea este n gol, fiecare condensator se ncarc la respectiva tensiune de vrf a intrrii. Tensiunea de ieire se preia de pe cele dou condensatoare nseriate i reprezint valoarea vrf la vrf a tensiunii de intrare. La conectarea unei sarcini R, trebuie ca cele dou condensatoare n serie s ndeplineasc o condiie de tipul relaiei (2.39) pentru ca descrcarea acestor condensatoare s nu fie semnificativ. Pentru tensiuni mici de intrare trebuie s se in seama i de tensiunea pe diode. Dublorul de tensiune din figura 2.21.b nu are un punct comun intrrii i ieirii dublate, n schimb prin conectarea la mas a nodului dintre cele dou condensatoare se poate obine o tensiune pozitiv (UC1) i una negativ (UC2) fa de respectivul punct de mas. Privit astfel, acest circuit reprezint o surs dubl de tensiune. Dubloarele de tensiune pot fi utilizate la demodularea (sau detectarea) semnalelor modulate n amplitudine cu o eficien dubl fa de redresorul monoalternan. O alt utilizare posibil este alimentarea unor interfee cu consum redus direct de la ieirile de semnal ale unui calculator. Un exemplu posibil este folosirea unei ieiri a portului paralel la care se genereaz (din calculator) un semnal dreptunghiular cu frecven relativ mare, a crui amplitudine este de circa 5V, semnal care redresat cu un dublor de tensiune permite obinerea unei tensiuni de alimentare de circa 8V sau a unei surse duble de 4V n funcie de versiunea de dublor folosit. O alt utilizare a celui de-al doilea montaj este obinerea unei surse duble (pentru alimentare unui amplificator operaional de exemplu) de la o singur nfurare a unui transformator.
Triplorul de tensiune
Triplorul de tensiune se obine prin adugarea unei seciuni diod-condensator (D3 -C3) suplimentare dublorului din figura 2.21.a, conform schemei din figura urmtoare.
uO
u C1 u C3
C1 D1 D2 C3 D3
ui
C2
Fig. 2.22. Triplorul de tensiune; Prin conectarea de seciuni C-D suplimentare (la liniile punctate, respectnd succesiunea din figur) se poate multiplica tensiunea de intrare de un numr ntreg de ori.
u C2
Circuitul funcioneaz astfel: pentru alternanele negative ale intrrii, C1 se ncarc la Uv prin dioda D1. n timpul alternanelor pozitive, C2 se ncarc la 2Uv prin dioda D2 conform cu cele artate la dublorul de tensiune.
41
n timpul urmtoarelor alternane negative, C3 se ncarc la 2Uv prin dioda D3: u C 3 = u C 2 u i u C1 = 2 U v ( U v ) U v = 2 U v , pentru : u i = U v . Ieirea triplorului este preluat de pe condensatoarele C3 i C1 nseriate: u O = uC 3 + u C1 = 2 U v + U v U O = 3 U v . (2.42)
Prin conectarea de seciuni suplimentare se poate obine multiplicarea tensiunii de intrare de un numr ntreg de ori. Pentru tensiuni multiplicate de un numr par de ori ieirea se ia fa de borna de jos a sursei, iar pentru un numr impar, ieirea se ia fa de borna de sus a sursei (ca n figur). Cu ct se adaug mai multe seciuni suplimentare, cu att curentul absorbit de sarcina conectat la ieire trebuie s fie mai mic. Tensiunea invers maxim pe fiecare diod este 2Uv. O aplicaie tipic a triplorului de tensiune este la receptoarele de televiziune color, pentru obinerea tensiunii nalte (cu valori de peste 20kV, utilizat la accelerarea fascicolului de electroni la tubul cinescop) prin triplarea tensiunii de ieire din transformatorul de linii (de peste 7000V). n acest caz, datorit problemelor de izolaie impuse de tensiunile foarte mari, triplorul este o unitate funcional compact. O alt aplicaie a multiplicatoarelor de tensiune este la sistemele de ionizare a aerului. Ionizarea aerului produce ozon i are loc la o tensiune foarte mare (peste 30kV) aplicat unor electrozi ascuii plasai la distan redus. Aceast tensiune se obine de la reeaua de ca, cu Uv de circa 300V, multiplicat de mai mult de 10 ori. La astfel de aplicaii cu tensiuni foarte mari, mai ales la cele alimentate direct de la reeaua de ca, trebuie luate msuri speciale de izolare i respectate strict regulile de protecia muncii.
2.2.10 Circuite de minim i de maxim; pori logice cu diode

Circuite realizate cu diode i rezistene pot fi utilizate pentru a selecta cea mai mare sau cea mai mic tensiune dintre tensiunile aplicate la intrare. Dou exemple de astfel de circuite, cu cte trei intrri fiecare, sunt prezentate n figura 2.23.
uiA uiB uiC

a)
D1 D2 D3 R
UAA uO
R
uiA uiB uiC
D1 D2 D3
uO
b)
Fig. 2.23. Pori simple cu diode: a) Circuit de maxim: la ieire apare cea mai mare tensiune de la intrri; b) Circuit de minim: la ieire apare cea mai mic tensiune de la intrri.
Pentru simplitatea analizei diodele vor fi considerate iniial ca fiind ideale. Pentru circuitul de maxim, din figura 2.23.a, dac la un moment dat tensiunile de intrare se afl n relaia: u iA > u iB > u iC (> U D ) , atunci u O = u iA , deoarece dioda D1 n conducie se comport ca un comutator nchis i transmite tensiunea de la intrarea A la ieire. Celelalte diode sunt polarizate invers, deci blocate, deoarece celelalte tensiuni de intrare (de la anodul diodelor) sunt mai mici dect tensiunea de la ieire (de la catodul diodelor). Datorit simetriei circuitului, analiza de mai sus este valabil pentru oricare dintre intrri i deci intrarea care are valoarea maxim apare la ieire, prin dioda n conducie de la acea intrare. Celelalte diode, blocate de tensiunile de intrare mai mici, izoleaz intrrile respective.
42
La circuitul de minim, catozii diodelor sunt spre intrri i se va deschide dioda la catodul creia se aplic tensiunea cea mai mic (care trebuie s fie mai mic dect tensiunea UAA ). Prin dioda deschis, tensiunea minim apare la ieire (la anozii diodelor) i blocheaz celelalte diode. Dac se consider modelul diodelor cu tensiune de prag, funcionarea circuitelor este identic, dar tensiunea de ieire difer de tensiunea de intrare cu cderea de tensiune pe dioda n conducie. n exemplul de la circuitul de maxim, tensiunea de ieire va fi: u O =u iA UD . Circuitul de maxim poate fi utilizat pentru tensiuni pozitive mai mari dect tensiunea pe o diod n conducie, UD, iar circuitul de minim poate fi utilizat pentru tensiuni mai mici (cu cel puin UD 0,7V) dect sursa de tensiune utilizat (UAA n figur). Aceste circuite permit obinerea simpl a funciei logice SI respectiv a funciei logice SAU. Se consider un sistem cu logic pozitiv cu UAA=5V, la care tensiunile apropiate de 0V corespund nivelului logic 0 i tensiunile apropiate de 5V corespund nivelului logic 1. Circuitul din figura 2.23.a are trei intrri, u iA , u iB i u iC ; variabilele logice corespunztoare se noteaz cu A, B, C i cu Y se noteaz variabila logic de ieire. Dioda conectat la 1 logic (+5V) va conduce i va fixa ieirea la nivel logic 1 (uO +5V). Tensiunea pozitiv de la ieire menine blocate diodele ale cror intrri sunt la 0 logic (u i 0V). Astfel, ieirea va fi la nivel ridicat, 1 logic, dac una sau mai multe intrri sunt n 1 logic i ca urmare circuitul implementeaz funcia logic SAU:
Y = A+ B+C
(+ semnific operatorul logic sau).
Pentru circuitul de minim din figura 2.23.b, oricare dintre intrri conectat la 0 logic aduce ieirea n 0 logic. Pentru ca ieirea s fie n 1 logic, trebuie ca toate intrrile s fie n 1 i deci acest circuit implementeaz funcia logic SI: Y = A BC (. semnific operatorul logic i). Ca pori logice aceste circuite prezint dezavantajul degradrii nivelului logic de la ieire datorit cderii de tensiune pe rezistena R (produs de curentul furnizat de ieire ctre circuitul urmtor, n cazul n care toate diodele sunt blocate) sau datorit cderii de tensiune pe diode (n cazul n care cel puin o diod este deschis). Porile logice clasice refac nivelurile logice la ieire cu ajutorul unor circuite de amplificare. Circuitele de minim i maxim se pot utiliza ca pori logice cu recomandarea ca s nu fie utilizate mai multe astfel de circuite succesiv, deoarece degradarea nivelurilor logice ale semnalelor digitale se cumuleaz. Redresorul cu transformator cu punct median poate fi privit ca un circuit de maxim cu dou intrri (tensiunile de la cele dou seciuni ale nfurrii secundare a transformatorului). Circuitul de maxim cu trei intrri (din figura 2.23.a) se poate utiliza i ca redresor trifazat (aa-numitul redresor cu punct neutru), R fiind sarcina redresorului iar tensiunile aplicate la intrare fiind cele trei faze (R, S, T). La borna superioar a sarcinii apare n fiecare moment cea mai mare dintre faze, astfel nct la ieire apare componenta de cc cea mai mare posibil. Fiecare diod conduce o treime din perioada semnalului de intrare iar pulsaiile de la ieire vor avea frecven tripl. Analiza n detaliu a redresoarelor trifazice depete scopul acestei cri, fiind un subiect specific electronicii de putere.
2.3 NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR - JONCIUNEA PN
43

n aceast seciune se prezint noiunile fundamentale de fizica semiconductoarelor i se analizeaz pe scurt procesele fizice care stau la baza funcionrii diodelor semiconductoare. Dioda semiconductoare este format dintr-o jonciune pn conform figurii 2.24. Jonciunea pn se formeaz la contactul unei regiuni de tip p cu o regiune de tip n a aceluiai cristal semiconductor. Regiunile p i n sunt create prin doparea diferit cu impuriti a celor dou regiuni; trecerea de la o regiune la alta se face pe o distan foarte mic, de ordinul fraciunilor de micron. La regiunile p i n sunt ataate terminale prin care se conecteaz dioda n circuit.
Contact metalic Contact metalic
Semiconductor Anod de tip p de tip n Catod
Fig. 2.24. Structura fizic simplificat a jonciunii pn.
Pe de alt parte, jonciunea pn este elementul de baz al tranzistoarelor bipolare i joac un rol funcional important la tranzistoarele cu efect de cmp. De aceea, analiza jonciunii pn este important pentru nelegerea funcionrii tuturor dispozitivelor semiconductoare.
2.3.1 Semiconductoare intrinseci

La fabricarea dispozitivelor semiconductoare se pot utiliza siliciul sau germaniul (Si, Ge elemente chimice tetravalente) sau compuii intermetalici de tip galiu-arsen (GaAs). Semiconductorul pur se mai numete semiconductor intrinsec. Fiecare atom formeaz patru legturi covalente cu atomi din jur i de aceea semiconductorul are o structur cristalin regulat. Datorit ionizrii termice unele legturi covalente se rup i apar astfel perechi de purttori de sarcin electric: electroni liberi i goluri. Electronul liber este un electron de conducie iar golul reprezint lipsa unui electron de valen. Prin ocuparea poziiei libere de ctre un electron de valen apropiat, apare o deplasare a golului care se comport ca un purttor de sarcin pozitiv, ncrcat cu aceeai sarcin electric cu cea a electronului. Electronii liberi i golurile, formai datorit ionizrii termice, sunt perechi i de aceea, n semiconductorul intrinsec, numrul lor este identic. Implicit concentraia de electroni liberi n este egal cu concentraia de goluri p, n = p = ni . (2.43)
Cu ni s-a notat concentrai electronilor liberi i a golurilor n semiconductorul intrinsec. La temperatura camerei (T = 300K), pentru siliciu, ni 1,5x1010 purttori/cm3. Cristalul de siliciu are circa 5x1022 atomi /cm3 i deci, la temperatura camerei, doar un atom din trei mii de miliarde este ionizat. Concentraia intrinsec, ni, depinde foarte mult de temperatur; pentru temperaturi uzuale se poate considera c aceast concentraie se dubleaz la creterea temperaturii cu circa 10C. Materialelor cu patru electroni de valen se numesc semiconductoare deoarece au o conductivitate intermediar ntre cea a metalelor i cea a izolatoarelor. Conductivitatea lor depinde de concentraia de purttori de sarcin electric i de aceea variaz puternic cu temperatura: la temperaturi coborte sunt izolatoare, iar la temperaturi nalte pot deveni conductoare destul de bune.
44
2.3.2
Semiconductoare extrinseci
Prezena n reeaua cristalin a semiconductorului a unui numr infim de atomi strini, denumii impuriti, modific mult conductivitatea electric a acestuia. Introducerea impuritilor se numete dopare. Semiconductoarele dopate cu impuriti se numesc semiconductoare extrinseci. Dac atomii de impuritate introdui sunt pentavaleni (atomi de fosfor de exemplu), atunci patru dintre electroni de valen formeaz legturi covalente cu atomii din reeaua cristalin a semiconductorului, iar al cincilea electron de valen devine electron liber. Atomii pentavaleni de impuritate denumii donori, doneaz cristalului un electron mobil, fr a lsa n urma lui un gol (ci un ion pozitiv de impuritate, fix n reeaua cristalin a semiconductorului). De aceea majoritatea purttorilor de sarcin sunt electroni ncrcai negativ, iar semiconductorul obinut se numete semiconductor de tip n. Dac se noteaz cu ND concentraia atomilor donori (care de obicei este cu cteva ordine de mrime mai mare dect concentraia intrinsec), purttorii majoritari au o concentraie nn0 , (electroni liberi negativi, n zona n primul indice, la echilibru termic indicele suplimentar 0): n n0 N D (>> ni ) . (2.44) Conform fizicii semiconductoarelor, n condiii de echilibru termic, produsul concentraiilor de electroni liberi i de goluri rmne constant: n n0 p n0 = ni2 . (2.45)
Ca urmare concentraia golurilor, pn0 (goluri pozitive, n zona n, la echilibru termic), care sunt generate prin ionizare termic, este foarte mic:
p n0 ni2 (<< ni ) = ND
(2.46)
i de aceea, n semiconductorul de tip n, golurile se numesc purttori minoritari. Deoarece ni depinde de temperatur, concentraia purttorilor minoritari este dependent de temperatur, n timp ce concentraia purttorilor majoritari (care depinde n principal de ND) nu depinde de temperatur.
Semiconductoarele de tip p se produc prin impurificare controlat cu atomi trivaleni (de exemplu bor). Atomii trivaleni se numesc acceptori pentru c fiecare atom accept un electron de valen de la cristalul semiconductor i formeaz astfel cele patru legturi covalente necesare pentru a se ncadra n structura cristalin a semiconductorului.
La echilibru termic, concentraia golurilor majoritare depinde de concentraia atomilor acceptori, NA , iar concentraia electronilor minoritari, generai termic, se determin din (2.45):
p p 0 N A (>> ni ) , n p0 = ni2 << p p 0 . NA
(2.47)
Cristalele semiconductoare extrinseci sunt neutre din punct de vedere electric deoarece sarcina purttorilor majoritari mobili (electroni n semiconductorul de tip n i goluri n cel de tip p) este compensat de sarcina ionilor de impuritate fixai n reeaua cristalin.
2.3.3
Curentul electric n semiconductoare
n cazul semiconductoarelor sunt posibile dou mecanisme prin care electronii liberi sau golurile se pot deplasa prin cristal difuzia i driftul.
Difuzia este asociat cu micarea aleatorie datorat agitaiei termice. Dac concentraia de purttori n semiconductor este uniform, aceast micare aleatorie nu produce o deplasare net de sarcin electric, deci nici curent electric. Dac printr-un mecanism oarecare apare o concentraie
45
mai ridicat de purttori mobili (de exemplu goluri) ntr-o zon a semiconductorului, atunci golurile vor difuza din regiunea cu concentraie mai mare spre regiunea cu concentraie mai mic. Acest proces de difuzie produce o deplasare net de sarcin sau curent de difuzie. Valoarea curentului de difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de purttori: J p = q D p dp , dx (2.48)
unde cu J p s-a notat densitatea de curent (curentul pe unitatea de arie), q este sarcina electronului iar D p este constanta de difuzie a golurilor. Semnul apare deoarece difuzia are sens opus creterii concentraiei; s-a presupus cazul n care concentraia scade pe direcia axei Ox. n cazul electronilor liberi difuzia apare datorit gradientului de concentraie al electronilor i densitatea de curent a electronilor se poate calcula cu o relaie similar: J n = q Dn dn , dx (2.49)
unde D n este constanta de difuzie al electronilor liberi. Constanta de difuzie a electronilor este de aproape trei ori mai mare dect cea a golurilor, D n 3D p (pentru cristalul de siliciu intrinsec). Cel de-al doilea mecanism de conducie n semiconductoare este driftul ntr-un cmp electric creterile de vitez uniforme cu caracter dirijat n sensul cmpului electric: r r vdrift = E unde este mobilitatea purttorilor de sarcin i E este cmpul electric din semiconductor. Densitatea curentului de drift este proporional cu concentraia de purttori de sarcin: J drift = q p p + n n E = E .
(2.50)
Aceast relaie reprezint legea lui Ohm n semiconductoare, iar este conductivitatea electric a semiconductorului (proporional cu concentraia purttorilor mobili de sarcin: p + n ). Factorul de difuzie i mobilitatea purttorilor de sarcin sunt legate prin relaia lui Einstein: Dn Dp kT = UT , q
(2.51)
unde k este constanta lui Boltzmann i U T tensiunea termic. La temperatura camerei U T 25mV. Mobilitatea electronilor este mai mare dect cea a golurilor: n 3 p (la siliciu).
2.3.4
Procese fizice la jonciunea pn
Figura 2.25 prezint un model fizic simplificat al jonciunii pn n condiii de echilibru termic i electric, fr cmpuri energetice exterioare. Purttorii majoritari sunt simbolizai cu semnul + pentru golurile din zona p respectiv pentru electronii liberi din zona n iar sarcina necompensat a ionilor de impuritate fici din zona de trecere este reprezentat prin ncercuirea semnului sarcinii respectiv. Pentru a uura nelegerea fenomenelor din jonciune sunt reprezentate, de asemenea, concentraia purttorilor mobili i distribuia potenialului de-a lungul jonciunii.
Curentul de difuzie
n vecintatea jonciunii se produce difuzia purttorilor majoritari; golurile din regiunea p difuzeaz n regiunea n i electronii liberi din regiunea p difuzeaz n regiunea n. Acesta dou componente formeaz mpreun curentul de difuzie ID , a crui direcie este de la zona p la zona n.
46 I0
Goluri
Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE ID Fig. 2.25. Jonciunea pn n gol.

Electroni
Reg.Sarc.Spa.
+++++ +p+++ +++++
+ + + p NA
Curentul de difuzie ID i curentul de drift I 0 sunt egali; curentul net e nul. Modelul unidimensional al jonciunii evideniaz cele 3 regiuni: - Regiunea de sarcin spaial, RSS, sau regiunea golit de purttori, - Dou regiuni neutre, una n zona p i cealalt n zona n, x Sunt prezentate i variaiile: concentraiei de goluri p, concentraiei de electroni liberi n, potenialului u, de-a lungul jonciunii. Sarcinile necompensate ale ionilor din RSS sunt reprezentate prin suprafee haurate vertical, indicndu-se i semnul lor. -
Regiune neutr Regiune golit Regiune neutr
pp 0
n ND
ln
pn 0
np 0
lp
+ u
nn 0
U0 lJ
Regiunea de sarcin spaial

Datorit difuziei (i parial datorit recombinrii purttorilor mobili), n imediata vecintate a jonciunii apare o regiune golit de purttori mobili. n aceast regiune sarcina ionilor fici din reea nu mai este echilibrat de sarcina purttorilor mobili (care au difuzat) i de aceea regiunea din vecintatea jonciunii devine o regiune de sarcin spaial (se va nota cu RSS ). Sarcina necompensat a ionilor de impuritate din RSS duce la apariia unui cmp electric orientat de la zona p la zona n. Acest cmp electric se opune difuziei purttorilor majoritari. De fapt, cderea de tensiune pe RSS acioneaz ca o barier de potenial care trebuie depit de golurile care difuzeaz spre zona n i de electronii care difuzeaz spre zona p. Cu ct bariera de potenial este mai mare cu att mai puini purttori mobili o vor nvinge. De aceea curentul de difuzie ID depinde esenial de cderea de tensiune U 0 pe regiunea golit. Zona p i zona n din afara RSS se numesc regiuni neutre i se comport practic ca un cristal extrinsec de tip p, respectiv n. Prin urmare la o jonciune pn apare RSS i dou regiuni neutre.
Curentul de drift i starea de echilibru

mpreun cu curentul ID datorat difuziei purttorilor majoritari, prin jonciune trece i un curent de drift datorat purttorilor minoritari. Astfel, o parte dintre golurile generate termic n zona n ajung la limita regiunii golite i, datorit cmpului electric din RSS, aceste goluri trec n regiunea p. n mod analog, electronii minoritari generai termic n zona p care ajung n vecintatea RSS, trec n zona n, datorit cmpului electric intern. Aceste dou componente formeaz mpreun un curent de drift I 0 a crui direcie este dinspre zona n spre zona p. Deoarece curentul de drift I 0 este un curent de purttori minoritari generai termic, valoarea acestuia depinde puternic de temperatur; pe de alt parte I 0 este practic independent de valoarea diferenei interne de potenial U0 . n condiii de echilibru i fr cmpuri exterioare aplicate nu apare nici un curent n afara jonciunii; de aceea cei doi cureni, care au sensuri opuse prin jonciune, trebuie s fie egali: I D = I0 . (2.52)
47
Aceast condiie de echilibru este meninut de bariera de tensiune U0 . Dac, dintr-un motiv oarecare, de exemplu, curentul ID devine mai mare dect I 0 , atunci crete sarcina necompensat de ambele pri ale jonciunii, RSS devine mai lat i tensiunea U0 va crete. Se restabilete astfel echilibrul prin micorarea curentului ID (datorat creterii barierei de potenial U0 ).
Diferena intern de potenial

Dac nu se aplic o tensiune din exterior, se poate demonstra c tensiunea pe jonciune este: N N U 0 = U T ln A 2 D n i , (2.53)
unde NA i ND sunt concentraiile de impuriti acceptoare din zona p, respectiv donoare din zona n. U0 depinde de concentraia de impuriti (sau gradul de dopare cu impuriti), de temperatur i de tipul semiconductorului. Tensiunea U0 este cunoscut sub numele de diferen intern de potenial i are valori tipice pentru siliciu cuprinse ntre 0,6 i 0,8V (la temperatura camerei). Aceast tensiune nu poate fi pus n eviden la bornele externe ale jonciunii deoarece este echilibrat exact de tensiunea de contact la interfeele metal-semiconductor. n caz contrar, s-ar putea extrage energie din jonciune, ceea ce ar duce la violarea principiului conservrii energiei.
2.3.5
Jonciunea pn polarizat
Prin polarizare se nelege aplicarea unei tensiuni continue (sau curent continuu) unui dispozitiv electronic, n acest caz unei jonciuni. Polarizarea jonciunii poate fi: - direct, cu borna (+) a sursei externe conectat la zona p sau - invers, cu borna (+) a sursei externe conectat la zona n. Datorit polarizrii se modific diferena de potenial pe RSS fa de tensiunea U0 care asigur echilibrul curenilor de difuzie i de drift. Se noteaz cu uA tensiunea de polarizare (cu sensul de la p la n, conform figurii 2.26). Modificarea tensiunii pe jonciune uJ , fa de U 0 : uJ U0 uA , conduce la modificarea limii lJ a regiunii golite (RSS ). Se poate demonstra [3] c: lJ U0 uA (simbolul semnific proporional cu). (2.54)
Curentul de drift al purttorilor minoritari nu depinde de tensiunea aplicat deoarece nu depinde practic de valoarea cmpului electric intern ci numai de sensul acestuia. Sensul cmpului electric intern nu se schimb dac uA < U 0 . ( O analiz mai detaliat a fenomenelor din jonciune arat c i
dac aceast inegalitate nu se respect, sensul cmpului intern nu se schimb, deoarece la creterea tensiunii curentul prin jonciune crete mult ceea ce duce la creterea tensiunii care apare pe regiunile neutre ale jonciunii.)
iA
UJ (<U0) p n lJ (<lJ 0) I0 iD
iA (<0)
UJ (>U0) p n lJ (>lJ 0) I0 iD
uA
uA (<0)
Fig. 2.26. Jonciunea pn polarizat direct i invers
Curentul de difuzie depinde foarte mult de tensiunea pe jonciune fiind determinat de concentraia purttorilor majoritari care reuesc s nving bariera de potenial (barier care depinde
48
de tensiunea pe jonciune i implicit de tensiunea de polarizare aplicat din exterior). Conform statisticii Boltzmann, concentraia purttorilor de sarcin care nving o diferen de energie W, W = qU J = q (U 0 u A ) , depinde exponenial de W i de aceea curentul de difuzie depinde exponenial de tensiune: W i D exp , kT iD0 = iD
u A =0
qU 0 q uA i D exp exp ; kT kT , qU 0 i D 0 exp . kT
(2.55) (2.56)
Curentul de difuzie are acelai factor de proporionalitate n ambele relaii precedente. Pe de alt parte, conform relaiei (2.52), curentul de difuzie la polarizare nul este egal cu curentul de drift: iD0 = I 0 . Prin nlocuirea ultimelor dou relaii n (2.55), rezult:
i D = i D 0 exp u q uA q uA = I 0 exp = I 0 exp A , kT kT UT
(2.57)
unde UT este tensiunea termic, conform (2.51). La temperatura T = 290K = 17C, U T 25mV. La polarizare direct, curentul electric prin jonciune se datoreaz difuziei purttorilor majoritari, care dup traversarea RSS i devin purttori minoritari n exces n regiunea neutr respectiv. Datorit recombinrii, concentraia purttorilor minoritari din regiunile neutre scade exponenial de la jonciune spre contactul zonelor neutre, conform figurii 2.27. pn , np pn (ln )
Zona neutr p Zona neutr n Excesul de concentraie
RSS
np (lp ) np (x) np 0 lp 0 pn 0 ln
pn (x)
Concentraia de echilibru
Fig. 2.27. Distribuia purttorilor minoritari la o jonciune pn polarizat direct n cazul unei jonciuni asimetrice ( NA 3 ND ).
Ecuaia jonciunii idealizate

Curentul net prin jonciune este dat de diferena ntre curentul de difuzie i cel de drift:
i A = iD I 0 , u i A = I 0 exp A 1 . UT
(2.58)
Ecuaia rezultat este ecuaia jonciunii idealizate; n jonciunea real se produc i alte fenomene care vor fi analizate ulterior i care au fost neglijate n aceast analiz simplificat.
49
Curentul de drift I 0 reprezint curentul invers (prin jonciunea polarizat invers). Acest curent se mai numete i curent invers de saturaie al jonciunii, deoarece pentru tensiuni inverse (u A <0) mult mai mari n modul dect tensiunea termic (u A << UT ), curentul invers conform relaiei (2.58) se satureaz, adic ajunge la o valoare constant, i A = I 0 . Valoarea acestui curent este de ordinul microamperilor (10-6A) pentru diodele cu germaniu i de ordinul picoamperilor (10 12A) pentru diodele cu siliciu. Curentul I depinde exponenial de temperatura absolut conform 0 relaiei (2.56). Se poate considera c la temperaturi uzuale I 0 se dubleaz la creterea temperaturii cu circa 10C.
Jonciunea pn asimetric
Dac gradul de dopare al celor dou zone ale jonciunii pn este diferit se spune c jonciunea este asimetric. Distribuia purttorilor minoritari la o astfel de jonciune este prezentat n figura 2.27 (pentru NA 3 ND ). Jonciunilor asimetrice au urmtoarele particulariti: Regiunea golit se extinde mai mult n zona mai slab dopat a jonciunii, limea regiunii golite este invers proporional cu gradul de dopare al zonei respective. Astfel, dac se noteaz cu l p i cu l n limea regiunii golite din zona p respectiv din zona n i cu A aria transversal a jonciunii, atunci condiia de egalitate a sarcinii n cele dou pri ale jonciunii se poate scrie: q l p A N A = q ln A N D lp ln = ND . NA (2.59)
La polarizare direct, curentul va fi format n majoritate din purttorii majoritari ai regiunii mai puternic dopate. Pe baza statisticii Boltzmann, se pot calcula curenii de difuzie de goluri i de electroni (i p i i n ), care sunt proporionali cu concentraia purttorilor majoritari respectivi: ip in = p p0 nn0 NA . ND (2.60)
2.3.6
Caracteristica static a jonciunii pn
Caracteristica static a jonciunii pn idealizate este graficul funciei i A (u A ), relaia (2.58). Caracteristica static determinat experimental (figura 2.28 pentru cazul jonciunii cu siliciu) difer de cea ideal. Se remarc existena celor trei regiuni de: iA - polarizare direct, pentru uA >0, polarizare invers, pentru uA <0, strpungere, pentru uA <US t r .
Scal comprimat 0 0,5V 0,7V
p n
iA
UStr
uA
Fig. 2.28. Caracteristica static a jonciunii pn, cu scala negativ a tensiunii uA comprimat i scala negativ a curentului iA expandat, pentru a pune n eviden detaliile.
Scal
uA
expandat
50
Regiunea de polarizare direct

Regiunea de polarizare direct (sau mai simplu regiunea direct) este caracterizat de o tensiune pozitiv (de la zona p la zona n) i poate fi mprit n trei subregiuni n funcie de valoarea curentului direct care trece prin jonciune. n domeniul curenilor mici i medii dependena tensiunii de curent este exponenial. Deoarece scalele de reprezentare sunt liniare, curentul pe caracteristica static apare neglijabil de mic pentru o tensiune mai mic dect circa 0,5V (la siliciu). Aceast tensiune se numete tensiune de deschidere (sau de prag). Pentru o tensiune mai mic dect tensiunea de deschidere curentul prin jonciune poate fi considerat ca fiind practic nul. O alt consecin a caracteristicii de tip exponenial este creterea rapid a curentului cu tensiunea. Astfel, pentru un domeniu foarte larg de cureni modificarea tensiunii pe jonciune este relativ mic; la o diod redresoare de 1A de exemplu, tensiunea pe diod variaz de la circa 0,6 la 0,8V pentru o variaie a curentului de la 1mA pn la 100mA (dou decade). Pentru simplitate se poate admite c tensiunea pe dioda n conducie este aproximativ constant i are circa 0,7V. n domeniul curenilor mari tensiunea pe jonciune este mai mare dect valoarea rezultat din caracteristica exponenial. Tensiunea uA aplicat jonciunii se divide, o parte uB revenind RSS i restul uS regiunilor neutre i contactelor ohmice, care mpreun formeaz rezistena serie, rs : u A = uB + uS , u S = rs i A , rs rsn + rsn . (2.61) Tensiunea uB este cea care modific bariera de potenial din RSS i determin valoarea curentului prin jonciune (condiia uB <U0 este ndeplinit n toate situaiile, chiar dac uA >U0 ). ntruct n relaia (2.58) att I 0 ct i UT sunt funcii de temperatur, caracteristica direct a jonciunii depinde de temperatur dup o funcie de tip exponenial. Deoarece i variaia curentului cu tensiunea este exponenial, se poate arta c, la un curent constant prin jonciune, tensiunea direct scade cu aproximativ 2mV pentru fiecare grad Celsius cretere a temperaturii. Liniaritatea tensiunii direct cu temperatura este utilizat la unele termometre electronice. iA T2 > T1
2mV/C
I uA
Fig. 2.29. Influena temperaturii asupra caracteristicii directe a jonciunii; La curent constant, tensiunea scade cu cca. 2 mV pt. fiecare grad Celsius de cretere a temperaturii.
Regiunea de polarizare invers

Conform ecuaiei jonciunii idealizate, (2.58) curentul invers prin jonciune nu depinde de tensiunea invers aplicat (dac u A << UT ). Practic ns, curentul invers crete odat cu creterea tensiunii inverse, deci nu se satureaz. Aceast cretere se datoreaz generrii termice i efectelor de suprafa care depind de tensiunea invers aplicat. Generarea termic se refer la purttorii minoritari generai termic n RSS care nu mai sunt compensai prin recombinare, deoarece purttorii majoritari cu care ar trebui s se recombine au o concentraie foarte mic n RSS, golit de purttori. Apare astfel un curent de generare IG , care depinde de limea RSS i implicit de tensiunea invers aplicat. Fenomenele care duc la creterea curentului invers au o importan practic destul de redus deoarece curentul invers, chiar crescut fiind, rmne neglijabil pentru majoritatea aplicaiilor.
2.4 POLARIZAREA DIODEI N CIRCUIT
51
Regiunea de strpungere
La tensiuni inverse mari, se constat o cretere foarte mare a curentului prin jonciune. La o anumit tensiune, numit tensiune de strpungere UStr , curentul crete abrupt ctre infinit i el trebuie s fie limitat din circuitul exterior pentru a nu depi valoarea la care jonciunea s-ar distruge. Mecanismele care pot cauza strpungerea sunt efectul Zener i multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin.
Efectul Zener const din ruperea unor legturi covalente dintre atomii reelei cristaline datorit unui cmp electric foarte intens (concentrat n RSS a jonciunii). Se genereaz astfel perechi electron-gol, fenomen ce conduce la strpungerea jonciunii. Acest tip de strpungere are loc la jonciuni foarte nguste, realizate din semiconductoare puternic dopate (NA , ND >1018 atomi /cm3 ). La aceste jonciuni nguste cmpul electric de valori foarte mari apare pentru tensiuni reduse, de ordinul volilor; pentru US tr <5V este preponderent strpungerea prin efect Zener. Tensiunea de strpungere scade cu temperatura deoarece o dat cu creterea temperaturii crete agitaia termic i este necesar un surplus de energie mai mic pentru a rupe legturile covalente. Coeficientul de temperatur este negativ i este mai mare (n modul) pentru tensiuni de strpungere mai mici.
n majoritatea cazurilor strpungerea se datoreaz multiplicrii n avalan. Sub aciunea cmpului electric intens purttorii mobili dobndesc o energie suficient pentru a produce ionizarea atomilor cu care se ciocnesc i apar astfel noi purttori suplimentari, care pot ioniza la rndul lor ali atomi. Curentul crete astfel foarte mult datorit multiplicrii n avalan a purttorilor n RSS. Acest tip de strpungere este specific jonciunilor realizate din semiconductoare cu un grad de dopare mic sau mediu (NA , ND =10141017 atomi /cm3 ) pentru care limea regiunii golite este comparabil cu drumul liber mediu al purttorilor de sarcin. Tensiunea de strpungere datorat multiplicrii depinde de temperatur deoarece la creterea temperaturii scade drumul liber mediu i pentru a obine aceeai energie este necesar un cmp electric de accelerare i deci o tensiune mai mare. Coeficientul de temperatur este pozitiv cu o valoare tipic de circa 0,1% pe grad Celsius.
Fenomenul de strpungere este nedistructiv; distrugerea jonciunii poate s apar ns datorit efectelor termice asociate depirea puterii disipate admisibile a dispozitivului respectiv.

Dioda semiconductoare ca dispozitiv electronic este realizat cu o jonciune pn ncapsulat i prevzut cu dou terminale pentru conectarea n circuit. Un astfel de dispozitiv este ceea ce se numete o component discret de circuit. n circuitele integrate, dioda este realizat mpreun cu foarte multe alte dispozitive semiconductoare pe aceeai plachet de siliciu (cip); acest cip va fi ncapsulat ca atare i capsula va fi prevzut cu terminale pentru conectare n circuit. n funcie de fenomenele fizice din jonciune pe care dioda le exploateaz, exist mai multe tipuri de diode. Cele mai utilizate tipuri sunt: diodele redresoare, care se bazeaz pe conducia unilateral (datorat diferenei foarte mari dintre curentul direct i curentul invers prin jonciune) i
diodele stabilizatoare de tensiune, numite i diode zener, care exploateaz relativa independen a tensiunii inverse fa de curent, specific regiunii de strpungere a jonciunii.
Cel mai simplu circuit de polarizare a diodei este prezentat n figura 2.30 i este realizat cu o surs de tensiune, un rezistor i o diod. Acest circuit poate fi rezultatul nlocuirii unei eventuale reele liniare care alimenteaz dioda cu circuitul echivalent Thvenin al reelei. Sursa de tensiune sa notat conform conveniei de dublare a indicelui atribuit terminalului alimentat de acea surs (anodul diodei n acest caz). Rezolvarea circuitului const din aflarea curenilor i tensiunilor din
52
circuit. Perechea de puncte {UA , IA }, determinate n cc, reprezint punctul static de funcionare al diodei i va fi notat simplu cu psf.
R
+
iA uA
D
UAA
Fig. 2.30. Circuit simplu cu diod; Sursa de tensiune i rezistena pot s reprezinte circuitul echivalent Thvenin al unei reele liniare.
2.4.1
Aflarea psf prin metoda grafo-analitic
Se presupun cunoscute toate elementele circuitului din figura 2.30, respectiv n cazul diodei se presupune cunoscut caracteristica static a acesteia. Caracteristica static a diodei se poate trasa experimental sau se poate utiliza caracteristica din foaia de catalog a diodei. Partea liniar a circuitului impune o legtur ntre curentul i tensiunea diodei:
u A = U AA R i A .
(2.62)
Aceast relaie se poate reprezenta grafic i poart numele de dreapt de sarcin. Aceast dreapta se traseaz cel mai uor prin cele dou puncte de intersecie cu axele (figura 2.31):
u A = 0 , i A = U AA R ; i A = 0 , u A = U AA .
La intersecia dintre dreapta de sarcin i caracteristica static a diodei se obine psf, IA i UA . iA

UAA /R psf
IA
Dreapta de sarcin
uA
0 UA UAA Fig. 2.31. Metoda grafic de aflare a psf, pentru circuitul din figura 2.30.
Analiza grafic este de folos pentru vizualizarea modului de funcionare al circuitului; ns, efortul presupus de aceast metod nu se justific n practic, mai ales n cazul circuitelor complexe. Simplificarea metodei de analiz presupune nlocuirea diodelor cu modele de circuit mai simple, care se comport aproximativ la fel. n funcie de aplicaia concret i de precizia dorit, aceste modele (sau circuite echivalente) pot avea diferite grade de complexitate. Cele mai simple modele ale diodelor au fost deja prezentate n prima parte a acestui capitol. Modelele de diode prezentate n continuare sunt mai precise, dar implicit i mai complexe.
2.4.2
Modelul diodei exponeniale

Ecuaia diodei idealizate este:
u i A = I 0 exp A 1 . n UT
(2.63)
Se constat c fa de ecuaia jonciunii idealizate (2.58) difer prin indicele suplimentar n =12 care ine seama de abaterile de la idealitate ale caracteristicii directe a diodei. La diodele integrate se poate considera n =1, iar la diodele discrete indicele n are o valoare apropiat de 2. O denumire mai potrivit pentru curentul invers de saturaie al diodei I 0 este aceea de curent de scalare, deoarece acest curent este proporional cu aria transversal a diodei. Astfel
53
dublarea ariei unei diode conduce la o valoare dubl a lui I 0 i conform ecuaiei diodei idealizate, curentul prin diod iA se va dubla pentru aceeai tensiune pe diod uA . Tensiunea termic UT la temperatura ambiant t = 1727C este U T 2526mV. Dac curentul direct prin diod este semnificativ, mai precis pentru i A >>I0 , ecuaia (2.63) se poate aproxima cu relaia exponenial: u i A I 0 exp A . (2.64) nU T i u A = nU T ln A . Relaia poate fi exprimat i n forma logaritmic: (2.65) I0 Pentru dou puncte de pe caracteristica diodei {U1 , I1 } i {U2 , I2 } se pot scrie ecuaiile:
I1 = I 0 exp U1 , nU T I 2 = I 0 exp U2 , nU T I1 U U2 = exp 1 . I2 nU T I1 . I2
Ultima ecuaie poate fi rescris cu logaritmul natural, respectiv zecimal, dup cum urmeaz:
U 1 U 2 = nU T ln I1 , I2 U 1 U 2 = 2,3 nU T lg
(2.66)
Ecuaia anterioar se poate exprima astfel: pentru o decad (factor 10) de variaie a curentului tensiunea pe diod se schimb cu 2,3nUT , care este 60mV pentru n =1 i 120mV pentru n =2. Dac la trasarea caracteristicii se gradeaz logaritmic axa curentului, atunci caracteristica static a diodei va fi liniar, cu o pant de 2,3nUT pentru o decad de variaie a curentului (I1/I2 =10). Dac valoarea lui n nu se cunoate (ea poate fi obinut experimental conform celor artate anterior) atunci se poate considera o valoare convenabil UA 0 =0,1V/decad pentru panta caracteristicii statice a diodei. Pentru a defini caracteristica mai este necesar un punct; pentru o diod discret se poate considera c la un curent IA0 =1mA tensiunea pe diod este UA0 =0,6V. Considernd aceste valori se poate determina tensiunea pe diod la un anumit curent conform ecuaiei: u A = U A0 + U A0 lg iA . I A0 (2.67)
Valoarea de referin a tensiunii, UA0 , se poate obine cu un multimetru digital care indic (pe poziia marcat cu simbolul diodei) tensiunea pe dioda polarizat direct cu un curent de circa 1mA.
Exemplu
n tabelul urmtor se compar tensiunea calculat conform relaiei (2.67) cu tensiunile obinute experimental pentru dou diode uzuale: o diod redresoare de 1A (cu indicativul 1N4001) i o diod de comutaie de 100mA, 1N4148: IA (mA) Rel (2.67) UA (V) 1N4001 1N4148 0,1 0,5 0,47 0,5 1 0,6 0,58 0,61 10 0,7 0,69 0,73 100 0,8 0,8 0,91 1000 0,9 0,93 -
54
Se constat c diferenele sunt destul de mici, mai ales n zona curenilor medii. La cureni mari tensiunea msurat este mai mare dect cea teoretic datorit cderii de tensiune pe rezistena serie a jonciunii, conform relaiei (2.61). (Noiunea de curent mare are semnificaie
diferit n funcie de tipul diodei i este o valoare mai mic pentru diode cu curent nominal mai mic.)
Modelul exponenial al diodei, definit conform relaiei (2.58) sau (2.67), se poate utiliza pentru calculul psf prin metode aproximative.
2.4.3
Metoda aproximaiilor succesive
Pentru circuitul din figura 2.30 se consider modelul exponenial pentru dioda D. La o tensiune UAA suficient (mai mare dect cteva zecimi de volt), curentul prin diod este mare, mai precis i A >>I0 i se poate utiliza relaia aproximativ (2.64). Sursa i rezistena din circuit impun o relaie liniar (2.62) ntre curent i tensiune. Psf este soluia sistemului de ecuaii transcedental : uA i A = I 0 exp nU T . u = U R i AA A A (2.68)
Un sistem dintre o relaie liniar i una exponenial nu admite n general soluie exact, dar se poate rezolva prin metoda aproximaiilor succesive ilustrat grafic n figura 2.32. iA
(1)
UAA /R
(0)
(1) (4) (3) (2)
uA
0 UAA Fig. 2.32. Calculul psf prin metoda aproximaiilor succesive.
Prima aproximaie se consider a fi punctul notat cu (0) pe figur, de coordonate: u ( 0) = 0 , A

( i A0) = U AA R . ( i A0)
Conform figurii, se calculeaz tensiunea n punctul (1) din ecuaia diodei i apoi curentul n punctul (2) din ecuaia dreptei: u (1) = nU T ln A I0 ,
( i A2) =
U AA u (1) A R
Calculul se poate continua pn la atingerea preciziei dorite cu formulele de recuren: u ( k ) = nU T ln A

( i Ak 1)
I0
( i Ak +1) =
U AA u ( k ) A R
(2.69)
Indicele din paranteza superioar reprezint punctul i ordinea n care se face calculul, respectiv pasul algoritmului. Algoritmul este rapid convergent; dou trei iteraii sunt suficiente n majoritatea cazurilor. Calculul se oprete atunci cnd diferena ntre dou aproximaii succesive ale aceleai mrimi este suficient de mic.
55
Modelul exponenial al diodei este un model precis dar neliniar i aceast neliniaritate complic mult calcularea circuitelor cu diode. Acest model este utilizat mai ales de ctre programele de simulare a circuitelor, implementate cu ajutorul calculatorului; n acest caz complexitatea calculelor nu mai este un impediment. Simplificarea calculelor, pentru o proiectare sau analiz manual, se realizeaz cu ajutorul modelelor liniarizate ale diodelor.
2.4.4
Modelul liniarizat cu tensiune de prag i rezisten serie
Pentru obinerea acestui model se traseaz o pereche de semidrepte care aproximeaz ct mai bine caracteristica exponenial a diodei ca n figura 2.33, o semidreapt cu panta nul i una cu panta 1/rD , unde rD este rezistena diferenial a diodei. Este evident c alegerea celor dou segmente de dreapt nu este unic; aproximarea ct mai exact a caracteristicii exponeniale se face prin considerarea unui domeniu de cureni ct mai restrns. Domeniul de cureni considerat trebuie s includ n principiu curenii care parcurg dioda n aplicaiile unde se utilizeaz modelul. Acest model are doi parametrii: tensiunea UD 0 i rezistena rD . UD 0 este tensiunea n punctul de intersecie al celor dou semidrepte i se numete tensiune de deschidere, cu valori uzuale ntre 0,5 i 0,7V (pentru diodele cu siliciu, valori mai mari pentru diodele care lucreaz la cureni mai mari). Rezistena diferenial a diodei rD se poate determina experimental sau grafic din panta secantei la caracteristica diodei. Considernd cele dou puncte de intersecie (1) i (2) rezult:
rD = U A2 U A1 u A . = I A2 I A1 i A
Valorile uzuale pentru rezistena diferenial sunt de ordinul ohmilor (de la fraciuni de ohmi la diodele de curent mare pn la zeci sau chiar sute de ohmi la cureni mici). O alt metod posibil, care va fi utilizat la analiza diodei n regim dinamic, const din evaluarea pantei tangentei la caracteristica diodei ntr-un punct, prin calcularea derivatei funciei exponeniale n acel punct. iA
Panta =1/rD
IA2
(2)
iA
UD
rD uA
IA1
0
(1)
uA
UD 0 UA2
Fig. 2.33. Modelul cu tensiune de prag i rezisten serie: caracteristica static (comparat cu caracteristica exponenial) i circuitul echivalent.
Caracteristica diodei cu tensiune de prag i rezisten serie se poate descrie i analitic prin ecuaiile semidreptelor:
i A = 0 , pentru u A 0
(2.70)
Aceste ecuaii pot fi reprezentate i sub form de circuit echivalent conform figurii 2.33. Schema echivalent a diodei include i o diod ideal care permite curentului s circule doar n sens direct; ca urmare sursa de tensiune inclus n model se comport ca o surs pasiv care nu poate furniza energie n circuitul exterior. Un model liniarizat al diodei mai simplu este dioda cu tensiune de prag, iar cel mai simplu model este modelul diodei ideale. Aceste modele au fost prezentat n prima parte a acestui capitol.
56
2.4.5
Alegerea modelului pentru diode
Modelul cel mai potrivit pentru o aplicaie dat este acela care realizeaz compromisul cel mai bun ntre precizie i complexitate. Selectarea celui mai potrivit model este o chestiune de experien i practic n electronic. n ceea ce privete modelarea diodelor, se vor utiliza modele cu att mai complexe cu ct circuitul n care este conectat dioda este mai sensibil la modificarea tensiunii. Pentru tensiuni mari, de exemplu n cazul redresoarelor la tensiuni de sute de voli, modelul diodei ideale este suficient de precis. Pentru aplicaiile uzuale modelul diodei cu tensiune de prag este preferat cel mai adesea.
Exemplu de calcul
S se determine punctul static de funcionare al diodei conectat n circuitul din figura 2.30 dac UAA =3V i R =100. Pentru diod se vor considera urmtoarele modele: a) dioda ideal; b) dioda cu tensiune de prag, UD =0,7V; c) dioda cu tensiune de prag i rezisten serie, UD =0,6V, rD =5; d) dioda exponenial cu tensiunea pe diod UA0 =0,6V la un curent IA0 =1mA cu o variaie a tensiunii UA0 =0,1V/decad; e) dioda exponenial cu I0 =50pA i n =1,5.
Rezolvare:
a) Dioda ideal polarizat direct este un scurtcircuit, UA =0 i curentul prin circuit este:
I A = U AA R = 3 100 = 0,03 = 30mA .
b) n cazul diodei cu tensiune de prag UA =UD =0,7V i curentul este:

I A = (U AA U D ) R = 2,3 100 = 23mA .
c) Tensiunea pe dioda cu tensiune de prag i rezisten serie se calculeaz din schema echivalent din figura 2.33 iar curentul din legea lui Ohm aplicat celor dou rezistene:
IA = U AA U D 0 2,4 = = 22,9mA , R + rD 105 U A = U D 0 + rD I A = 0,6 + 0,114 = 0,714V .
Calculul cu modele exponeniale se va face prin aproximaii succesive. n cazul d) se va utiliza succesiv ecuaia dreptei de sarcin (2.62) pentru a calcula curentul i ecuaie (2.67) pentru a calcula tensiunea pe diod:
( i A0) =
i ( 0) U AA 3 30 = = 30mA , u (1) = U A0 + U A0 lg A = 0,6 + 0,1 lg = 0,748V , A 100 1 R I A0 R = 22,5 mA , u (3) = U A0 + U A0 lg A

( i A2)
( i A2) =
U AA u (1) A
I A0
( i A4)
= 0,6 + 0,1 lg = 0,6 + 0,1 lg
22,5 = 0,735V , 1 22,65 = 0,7355V . 1
( i A4) =
U AA u (3) A R
= 22,65 mA , u (5) = U A0 + U A0 lg A
I A0
Se observ c ultimele dou soluii sunt foarte apropiate i se rein ca soluie ultimele valori calculate (dac se mai face o iteraie se constat c se obin practic aceleai ultime rezultate).
2.5 DIODA STABILIZATOARE
57
n cazul e) se utilizeaz ecuaiile (2.69) considernd ca prima aproximaie valoarea curentului obinut cu modelul diodei ideale:
u ( 2) A = nU T ln
(1 iA)
I0
I0
30m = 1,5 25m ln = 758 mV , 50p

= 1,5 25m ln 22,4m = 747 mV , 50p
( i A3)
U AA u ( 2) A R
U AA u ( 4) A R
3 0,758 = 22,4 mA , 100

3 0,747 = 22,5 mA . 100
u ( 4) = nU T ln A
( i A3)
( i A5) =
i n acest caz se rein ultimele soluii deoarece sunt foarte apropiate de soluiile anterioare. Din acest exemplu se constat c utilizarea modelelor exponeniale presupune calcule laborioase i de aceea n practic se va prefera utilizarea modelelor liniarizate pentru calcule directe. Modelele exponeniale, mai precise, se vor utiliza cu programe de calculator (la care dificultatea calculelor nu mai este o problem) n etapa de analiz a circuitelor electronice.

Dioda stabilizatoare sau dioda zener este o jonciune pn a crei tensiunea de strpungere este controlat tehnologic ct mai precis. Aceste diode sunt utilizate n polarizare invers n zona de strpungere a caracteristicii statice, regiune n care tensiunea rmne practic constant la variaii apreciabile ale curentului. Domeniul tensiunilor de lucru al diodelor zener este de 3300V.
iZ uZ iZ uZ
a) Simbolurile i mrimile electrice I U b) Caracteristica static IZT
iA
UZ0 UZ UZm 0 IZm
iZ
uA
UZ0
+
rZ
uZ
c) Schema echivalent valabil pt.
IZm< iZ < IZM.
Fig. 2.34. Dioda stabilizatoare: simboluri, caracteristica invers i schema echivalent.
Denumirea de diod zener este de fapt improprie pentru c efectul Zener explic numai funcionarea diodelor cu tensiuni de stabilizare pn la aproximativ 5V. La tensiuni mai mari de stabilizare, funcionarea diodelor se bazeaz pe efectul de multiplicare n avalan. Simbolurile diodei stabilizatoare sunt cele din figura 2.34.a. Sensul mrimilor electrice asociate diodei zener este invers fa de sensul convenional al jonciunii pn, astfel nct iZ i uZ s aib valori pozitive la aplicaiile normale (unde dioda este polarizat invers).
2.5.1
Parametrii diodei zener
Caracteristica static a diodei n zona de strpungere, cu unele detalii utile pentru definirea parametrilor diodei, este schiat n figura 2.34.b.
Tensiunea de stabilizare este cel mai important parametru al diodei stabilizatoare. n datele de catalog tensiunea UZ (sau UZT ) este specificat la curentul de test IZT i la temperatura ambiant
58
de referin T0 (de obicei 25C). Fa de valoarea nominal a tensiunii exist o dispersie tehnologic de fabricaie; n catalogul de diode se dau valorile limit: minima i maxima admis.
Rezistena diferenial (sau dinamic) rZ indic variaia tensiunii de stabilizare n funcie de variaia curentului (variaii determinate la curentul IZT ):
rZ = d uZ d iZ
.
IZ T
Aceast rezisten are o valoare mic, uzual de ordinul ohmilor (cu variaii de la fraciuni de ohm pn la sute de ohmi n funcie de tipul diodei i de curentul care circul prin diod). Din punct de vedere grafic rZ este inversul pantei tangentei la caracteristica static. ntruct caracteristica static este neliniar, rezistena diferenial va depinde de curentul prin diod. La creterea curentului, rezistena dinamic scade conform unor curbe date n cataloage. Din aceste curbe se poate pune n eviden o proporionalitate (aproximativ) ntre logaritmul rezistenei dinamice i logaritmul curentului prin diod, din care rezult:
rZ 1 IZ mai exact : r = a + b , cu p = 0,3...1 i a, b constante . Z p IZ
n practic se prefer aproximarea rezistenei difereniale cu o valoare constant, adic liniarizarea caracteristicii diodei. Caracteristica liniarizat a diodei este trasat cu linia punctat tangent la graficul din figura 2.34.b, iar rezistena dinamic se poate calcula din panta acestei drepte:
rZ = U I .
(2.71) (2.72)
Ecuaia caracteristicii statice liniarizate a diodei zener, u Z = U Z 0 + rZ i Z , st la baza modelului acesteia, prezentat n figura 2.34.c sub forma unei scheme echivalente. Dioda ideal din schema echivalent nu permite circulaia curentului dinspre sursa echivalent UZ0 spre circuitul exterior diodei (i de aceea UZ0 este o surs pasiv). Schema echivalent este valabil pentru un curent prin diod cuprins ntre curentul minim i curentul maxim de stabilizare.
Curentul minim de stabilizare IZm este curentul la care dioda zener nc mai funcioneaz n regim de stabilizare. Acest curent depinde de aplicaia concret prin valoarea maxim admis pentru rezistena diferenial. O prim estimare poate fi: IZm = (0,050,1)IZM . Curentul maxim de stabilizare IZM este impus de regimul termic staionar al diodei zener, astfel nct temperatura diodei s fie mai mic dect temperatura maxim admisibil. Valoarea lui IZM corespunde puterii maxime care poate fi disipat de diod, PD adm (specificat la T0 =25C):
I ZM = PD adm U Z .
(2.73)
Puterea disipat admisibil PD adm are valori uzuale de 0,550W n funcie de tipul diodei.
Coeficientul de temperatur VZ reprezint variaia normat a tensiunii cu temperatura:
d uZ 1 dT U Z % C .
VZ =
(2.74)
Coeficientul de temperatur este negativ pentru diode cu UZ <56V, pozitiv pentru tensiuni mai mari i minim pentru UZ = 56V. Exist i dispozitive speciale de stabilizare a tensiunii la care sunt folosite tehnici speciale de compensare termic. Cu ajutorul coeficientului VZ se poate calcula tensiunea de stabilizare la o temperatur T:
59
U Z (T ) = U Z (T0 ) [1 + VZ (T T0 )] .
(2.75)
Dioda zener este folosit mai ales ca element de referin n stabilizatoarele de tensiune sau ca element activ n stabilizatoarele parametrice. Alte aplicaii uzuale ale diodelor zener sunt limitatoarele de tensiune i circuitele de deplasare de nivel.
2.5.2
Stabilizatorul de tensiune parametric
Stabilizatorul de tensiune este circuitul care menine ct mai constant tensiunea la ieire n raport cu variaia tensiunii la intrare, a curentului de ieire i a temperaturii. Stabilizatorul de tensiune parametric const dintr-o rezisten conectat n serie i o diod zener conectat n paralel cu sarcina, conform figurii 2.35. Denumirea acestuia provine de la faptul c valoarea tensiunii stabilizate depinde direct de parametrii diodei zener. Rezistena din circuit se mai numete rezisten de balast deoarece preia surplusul de tensiune dintre intrare i ieire. Pentru a analiza funcionarea de principiu a circuitului, se nlocuiete dioda zener cu modelul simplificat, modelul din figura 2.34.b cu rZ = 0. Anularea rezistenei difereniale este posibil datorit valorilor mici ale acesteia; rezult astfel modelul diodei stabilizatoare ideale, la care tensiunea nu depinde de curent. La determinarea variaiilor tensiunii de ieire va trebui s se ia n considerare ns i rezistena diferenial a diodei, neglijat iniial. Dioda ideal din figura 2.34.b s-a nlocuit cu un scurtcircuit deoarece curentul prin diod este pozitiv, iZ > 0.
R
+
iR iZ uZ
iO uO uI
RL
iR iZ UZ
+
iO uO
uI
a)
b)
IZm< iZ < IZM
Fig. 2.35. Stabilizatorul parametric; schema de principiu i schema echivalent simplificat.
Pe baza circuitului simplificat din figura 2.35.b se determin limitele pentru care circuitul funcioneaz corect. Dac se presupune n prima faz a analizei curentul de ieire constant, atunci limitele posibile ale tensiunii de intrare rezult din limitele admise ale curentului prin diod:
I Zm i Z I Z M , i Z = i R iO =
(2.76)
uI U Z iO u I = U Z + R (i Z + iO ) (2.77). R Cu liter mic se noteaz mrimile electrice din circuit, cu liter mare parametrii diodei sau mrimile constante. Pentru iO = constant = IO , limitele posibile ale tensiunii de intrare sunt: U Z + R ( I Zm + I O ) u I U Z + R I Z M + I O .
(2.78) (2.79)
n orice caz condiia foarte simpl:
uI > U Z
este absolut necesar; circuitul poate s reduc tensiunea de intrare dar nu poate s o mreasc. Pentru a calcula limitele curentului de ieire se presupune c tensiunea de intrare este constant uI = constant = UI i c respect cel puin relaia (2.79). Curentul maxim de ieire rezult pentru curentul minim de stabilizare IZm prin diod:
uI U Z U UZ i Z iO M = I I Zm . (2.80) R R La un curent nul prin sarcin rezult un curent maxim prin diod iar puterea disipat va fi maxim. Se verific dac puterea disipat n diod este mai mic dect puterea maxim admis, PD adm. iO =
60
UI UZ , PdZM = U Z i ZM < PD adm . (2.81) R Dac aceast condiie nu se ndeplinete, atunci se calculeaz valoarea minim admis a curentului de ieire: iOm = (U I U Z ) R I ZM i se impune condiia suplimentar: iO > iOm sau se alege o alt i ZM =
diod zener cu o putere disipat admisibil PD adm mai mare.

Variaia tensiunii de ieire este variaia tensiunii pe dioda zener. Conform (2.71) rezult:
u O rD i Z = rD (i ZM i Zm ) .
(2.82)
Curenii, minim i maxim, care circul efectiv prin diod, iZm i iZM, se calculeaz considernd limitele extreme de variaie ale tensiunii de intrare i ale curentului de ieire. Variaia simultan a tensiunii de intrare i a curentului de ieire este analizat n exemplul urmtor.
Exemplu de proiectare
a) S se determine parametrii (UZ 0 i rZ ) unei diode stabilizatoare pentru care s-au msurat: UZ1 = 6,3V la IZ1 = 50mA i UZ2 = 6,4V la IZ2 =100mA. b) Utiliznd aceast diod s se proiecteze un stabilizator parametric care s funcioneze corect pentru uI =1215V i iO = 2080mA. Se admite IZm = 5mA, PD adm = 1W i rZ 0. c) S se determine limitele extreme ale tensiunii de ieire pentru rZ calculat la punctul a.
Rezolvare:
a) Schema echivalent a diodei zener din figura 2.34.c conduce la relaia (2.72). Pentru a calcula parametrii diodei, UZ 0 i rZ , (considerai ca fiind constante), se scrie relaia (2.72) de dou ori succesiv pentru cele dou puncte (de pe caracteristica diodei) din enun:
U Z 1 = U Z 0 + rZ I Z 1 . U Z 2 = U Z 0 + rZ I Z 2
Cele dou ecuaii sunt un sistem de ecuaii cu necunoscutele UZ 0 i rZ . Rezult:

rZ = U Z 2 U Z 1 6,4 6,3 = 2 , = I Z 2 I Z1 0,1 0,05 U Z 0 = U Z 1 + rZ I Z 1 = 6,2V .
b) Prin proiectarea stabilizatorului se nelege determinarea componentelor stabilizatorului parametric cu schema din figura 2.35.a, adic aflarea valorii i a puterii disipate de rezistorul R. Deoarece se neglijeaz rZ , calculele se pot face pe schema echivalent din figura 2.35.b. Pentru ca stabilizatorul s funcioneze corect, curentul prin diod trebuie s fie mai mare dect curentul minim pentru orice valoare a tensiunii de intrare i a curentului de ieire:
i Z = i R iO = uI U Z 0 iO I Zm . R
Cele mai defavorabile condiii n ecuaia precedenta apar pentru o valoare minim n stnga inegalitii adic pentru tensiunea de intrare minim i curentul de ieire maxim, UIm i IOM : U Im UZ0 R I OM I Zm R U Im UZ0 I OM + I Zm = 12 6,2 68 . (80 + 5) m
61
Puterea disipat de rezistor este maxim pentru o tensiune de intrare maxim:

PdR M =
(U IM
U Z 0 )2 (15 6,2 )2 = = 1,14 W R 68
Se poate alege un rezistor de 68/2W. n final se verific dac puterea maxim disipat n dioda zener este mai mic dect puterea maxim admisibil: UIM UZ0 15 6,2 I Om = 6,2 PdZM = U Z 0,02 = 0,68W < 1W = PD adm . R 68
c) Pentru a determina limitele tensiunii de ieire trebuie s se ia n considerare i rZ prin utilizarea schemei echivalente din figura 2.34.c n locul diodei. n circuitul echivalent rezultat astfel, figura 2.36, se calculeaz tensiunea de ieire i apoi se consider cazurile extreme:
uO = U Z 0 + rZ [(u I R ) iO ] 6,2 + 2[(12 68) 0,08] 6,2 + 2[(15 68) 0,02] = L = 6,21K 6,413V 1 + rZ R 1 + 2 68 1 + 2 68
R uI
iR iZ rZ UZ0
+
iO uO
Fig. 2.36. Stabilizatorul parametric: schema echivalent utilizat pentru determinarea variaiilor tensiunii de ieire.
Calculul simplificat se poate face conform urmtoarei metode: se calculeaz curentul prin dioda zener fr a considera rezistena diferenial a diodei (aproximaie posibil deoarece rZ << R i iZ < iR ) i apoi se determin tensiunea de ieire considernd i rezistena rZ :
u U Z0 u O = U Z 0 + rZ i Z U Z 0 + rZ I iO R
n acest caz limitele extreme ale tensiunii de ieire vor fi: 12 6,8 15 6,8 u O 6,2 + 2 0,08 L 0,02 = 6,211K 6,419V 68 68 Se poate constata o diferen nesemnificativ ntre rezultatele celor dou metode de calcul; calculul aproximativ este preferabil n practic deoarece este mai simplu.
2.5.3
Limitator de tensiune bilateral cu diod zener (DZ)
Diodele zener pot fi utilizate n aplicaii de curent alternativ (ca) pentru a fixa niveluri limit de tensiune care nu trebuie depite. Stabilizatorul de tensiune (fr sarcin) poate fi privit ca un limitator de tensiune care limiteaz alternana pozitiv la tensiunea de stabilizare UZ i alternana negativ la tensiunea unei diode polarizate direct UD . Stabilizatoarele cu diode zener pot fi privite ca limitatoare cu tensiune de prag unipolare (prezentate n paragraful 2.2.7) pentru UP UZ . Un limitator specific diodelor zener este obinut prin conectarea n opoziie a dou diode zener n serie, cu anozii (sau catozii) comuni, ca n figura 2.37. Circuitul limiteaz ambele vrfuri ale semnalului conform figurii 2.15 cu UO+ =UZ 1 + UD i UO = UZ 2 UD . R i R iO = 0 iZ Fig. 2.37. Limitatorul bilateral de tensiune realizat cu dou diode zener (conectate D1 uO uI n opoziie). D2
62
Tensiunea de ieire depinde de starea diodelor care pot fi: blocate cu iA 0, n conducie direct cu uA UD sau n strpungere cu uA UZ . Astfel:
u O = U Z 1 + U D dac u I U Z 1 + U D ; D2 conduce direct, D1 ca diod zener . u O = u I dac U Z 2 U D < u I < U Z 1 + U D ; ambele diode sunt blocate u = U U dac u U U ; D conduce direct, D ca diod zener Z2 D I Z2 D 1 2 O
(2.83)
Rezistorul R preia diferena de tensiune dintre intrare i ieire atunci cnd diodele conduc. Dac tensiunea este ntre valorile limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece diodele sunt blocate i circuitul lucreaz n gol: i R = i Z + iO 0 + 0 = 0 u O = u I u R = u I R i R = u I .
2.5.4
Circuit de deplasare de nivel cu DZ
Circuitul de deplasare de nivel modific nivelul de cc al unui semnal, astfel nct tensiunea de ieire este mai mic (sau mai mare) dect tensiunea de intrare cu o valoare constant. Astfel de circuite pot fi utilizate pentru cuplarea etajelor de amplificare din interiorul unui circuit integrat. Un circuit de deplasare de nivel i caracteristica de transfer realizat sunt prezentate n figura 2.38.
iZ uI D uZ iO = 0
R
uO
UD 0
UZ
uO
a)
Fig. 2.38. Circuit de deplasare de nivel: a) Schema de principiu, b) Caracteristica de transfer.
45 o
uI
b)
Tensiunea de ieire depinde de starea diodei i poate fi exprimat analitic ca fiind: uO = u I u Z sau u O = R i R = R (i Z iO ) = R i Z , (iO = 0, ieirea este n gol). 1. Pentru uI > UZ dioda D lucreaz ca diod zener, uZ = UZ i uO = uI UZ ( < uI ). 2. Dac uI < UD atunci dioda D este polarizat direct, uZ = UD i uO = uI +UD ( > uI ). 3. Dac uI este ntre cele dou limite, atunci dioda D este blocat, iZ 0 i uO 0 . Circuitul poate fi privit i ca detector de prag, cu pragul pozitiv UZ (i pragul negativ UD ) n sensul c la ieirea circuitului apare o tensiune doar dac tensiunea de intrare depete tensiunea UZ (sau este mai mic dect UD ). n primul caz (dintre cele trei situaii posibile) circuitul realizeaz deplasarea nivelului de cc cu tensiunea UZ , n sensul c tensiunea de ieire este mai mic dect cea de intrare cu UZ (n cc). Semnalul de intrare const din variaiile tensiunii de intrare. Aceste variaii se transmit la ieire practic nemodificate (deoarece tensiunea pe dioda zener se menine aproximativ constant uZ UZ , indiferent de variaiile tensiunii de intrare, ct timp uI > UZ ).
2.6 DIODA N REGIM DINAMIC
63

n unele aplicaii, peste componenta de polarizare, de curent continuu (cc), se suprapune un semnal de curent alternativ (ca). n aceste cazuri prezint interes determinarea componentei de ca a curentului presupunnd cunoscut tensiunea de ca, sau identificarea unei scheme echivalente a diodei utilizabil n ca. Cel mai simplu circuit cu diod la care apar att mrimi de cc ct i de ca este prezentat n figura 2.39.a. uA ua Ua_vf iA
ua
+
UA
uA
a)
D
b)
UA
uA = UA + ua
Fig. 2.39. a) Circuit de principiu pentru studiul regimului dinamic al diodei; b) Semnalul sinusoidal ua suprapus peste tensiunea de polarizare UA .
Conform circuitului, tensiunea aplicat diodei n fiecare moment (component total sau instantanee) este o sum a tensiunii de polarizare (componenta de cc) i a tensiunii semnalului (componenta de ca): u A = U A + ua . (2.84) Tensiunea pe diod i componentele acesteia sunt puse n eviden n figura 2.39.b pentru cazul unui semnal sinusoidal.
2.6.1
Dioda idealizat la joas frecven
Termenul de joas frecven se refer la un regim de funcionare cvasistaionar, adic un regim care poate fi descompus ntr-o succesiune de regimuri staionare. Trecerea de la un psf la altul nu este afectat de efectele capacitive din circuit; timpii de trecere de la un regim la altul sunt mult mai lungi dect constantele de timp asociate capacitilor i regimurile tranzitorii se pot neglija. Ecuaia diodei idealizate pentru iA >>I0 , (2.64), este valabil att n de cc ct i pentru mrimile instantanee: U u I A = I 0 exp A , i A = I 0 exp A . (2.85) nU T nU T Dup nlocuirea tensiunii instantanee conform relaiei (2.84) se obine:
u u u U + ua U 1 u = I 0 exp A exp a = I A exp a = I A 1 + a + a i A = I 0 exp A nU T nU T nU T nU T nU T 2! nU T Dac aa numita condiie de semnal mic: u a << nU T , (2.86) este valabil, atunci termenii superiori din dezvoltarea n serie a exponenialei pot fi neglijai i se obine o relaie liniarizat din care se poate exprima componenta de ca a curentului:
iA I A + I A ua u = I A + ia ia = I A a . nU T nU T
2 + K .
(2.87)
Se constat c dac se aplic diodei o tensiune de polarizare combinat cu un semnal mic, se pot separa cele dou componente ale curentului, una de polarizare i una de semnal; comportarea diodei este liniar i circuitului i se poate aplica o versiune modificat a teoremei superpoziiei. Metoda de analiz care rezult const din calcularea separat a mrimilor de cc pe baza schemei
64
echivalente de cc (n care sursele independente de ca sunt pasivizate) i apoi a mrimilor de ca, pe baza schemei echivalente de ca (n care sursele de cc sunt pasivizate). n final se obin mrimile electrice instantanee, prin nsumarea celor dou componente ale fiecrei mrimi. Aceast metod se poate aplica pentru circuitele care se comport liniar, cel puin n condiii de semnal mic. Din punct de vedere practic, condiia de semnal mic nseamn c amplitudinea componentei de ca trebuie s fie mai mic dect circa 10mV: (2.88) ceea ce conduce, la temperatura camerei, la o eroare mai mic de 27% (funcie de valoarea lui n). Liniaritatea relaiei dintre mrimile de ca nseamn c diodei se comport rezistiv (n ca):
rD =
U a _ vf < 10 mV ,
du A u a = rd , ia di A
rd =
nU T . IA
(2.89)
Conform relaiei anterioare, rezistena diferenial a diodei rD este aproximativ egal cu rd rezistena dinamic (sau rezistena intern) a diodei n condiii de semnal mic.
2.6.2
Comportarea diodei la nalt frecven
La frecvene nalte apare un regim de funcionare nestaionar, la care efectele capacitive din circuit nu mai pot fi neglijate. La o diod se pot constata dou efecte capacitive majore care se modeleaz cu dou capaciti: capacitatea de barier i capacitatea de difuzie.
Capacitatea de barier
Dac se analizeaz structura unei jonciuni pn din figurile 2.25 i 2.26 se remarc o structur de condensator plan: un izolator (regiunea golit de purttori mobili) ntre dou armturi (regiunile neutre, conductive). Capacitatea, numit de barier, a acestui condensator plan este: Cb = AJ 1 1 1 = , lJ U0 uA U0 1 uA U0 (2.90)
unde AJ este aria jonciunii, este permitivitatea dielectric a siliciului i U0 este potenialul electric intern al jonciunii. La relaia precedent s-a utilizat dependena (2.54). Proporionalitatea se pstreaz indiferent de tensiunea aplicat diodei deci i la polarizare nul: Cb0 = Cb U
A =0
AJ 1 lJ 0 U0
Cb =
Cb 0 1 uA U0
(2.91)
n condiii de semnal mic, variaia de tensiune este mic i poate fi neglijat, u A = U A + u a U A pentru u a << U A , deci capacitatea de barier poate fi considerat constant. Valoarea acestei capaciti depinde ns de psf, fiind funcie de tensiunea de polarizare UA . Relaia mai precis de calcul a Cb : Cb =
(1 U A
Cb0
U 0 )m
(2.92)
introduce un coeficient suplimentar care depinde de tipul jonciunii, numit factor de gradare, m 0,5 pentru jonciuni abrupte i m 0,33 pentru jonciuni gradate (la care trecerea de la o majoritate de impuriti acceptoare la o majoritate de impuriti donoare se face gradat; este cazul jonciunilor obinute prin difuzie). La polarizare direct precizia relaiei precedente este nesatisfctoare i va fi nlocuit de o relaie empiric: C 2C (2.92)
b b0.
65
Capacitatea de difuzie
Capacitatea de difuzie se datoreaz sarcinilor electrice acumulate n regiunile neutre ale jonciunii. La polarizare direct, curentul electric prin jonciune se datoreaz difuziei purttorilor majoritari care dup traversarea RSS devin purttori minoritari n regiunea neutr respectiv. Concentraia purttorilor minoritari de sarcin din regiunile neutre este schiat n figura 2.27. La modificarea tensiunii pe jonciune, se modific concentraia purttorilor majoritari i curentul prin jonciune. Modificarea sarcinii electrice (a purttorilor minoritari din regiunile neutre, a cror concentraie s-a modificat) cu modificarea tensiunii este specific unei capaciti. Modelarea acestui efect capacitiv (complet diferit de efectul de stocare a sarcinii n RSS) se face cu ajutorul capacitii de difuzie: di dQ Cd = , dQ = T d i A C d = T A = T , (2.93) du A du A rD unde T este timpul mediu de tranzit al diodei. La dispozitivele practice, cu jonciunii asimetrice, acest timp reprezint timpul de via al purttorilor regiunii mai puternic dopate, de exemplu pentru cazul NA >>ND , ip >> in , Qp >>Qn , Q Qp i T p , adic timpul mediu de tranzit este aproximativ egal cu timpul de via al golurilor n zona n (purttori minoritari, dup traversarea jonciunii). n condiii de semnal mic, rD rd , iA IA i utiliznd (2.89), pentru n =1, rezult:
Cd =
T IA, UT
(2.94)
unde IA este curentul de polarizare n psf. Capacitatea Cd este direct proporional cu IA i de aceea este foarte mic la polarizare invers (n general pentru tensiuni mai mici dect tensiunea de prag a diodei). Pentru a obine o capacitate de difuzie ct mai mic, n cazul diodelor de nalt frecven, timpul de tranzit se reduce prin metode tehnologice speciale (de exemplu dopare cu aur).
2.6.3
Schema echivalent la semnal mic
Reunind elementele prezentate anterior rd , Cb i Cd rezult schema echivalent de semnal mic a diodei, prezentat n figura 2.40.
Cd rs rd Cb
Fig. 2.40. Schema echivalent a diodei n regim dinamic la semnal mic.
Rezistena rs este rezistena serie a diodei i reprezint n esen rezistena regiunilor neutre ale jonciunii conform relaiei (2.61), cu valori de ordinul ohmilor de la fraciuni de ohm la diodele de curent mare i pn la zeci (sau chiar sute) de ohmi la diodele de curent mic. Schema echivalent se simplific n funcie de regimul de funcionare al diodei: Pentru cureni mici i medii prin diod, rezistena serie rs se poate neglija, deoarece rd >>rs . La polarizare direct, capacitatea de barier Cb ( 2Cb0 ) se poate neglija, deoarece Cd >>Cb . La polarizare invers, Cd 0, rd este foarte mare i din schema echivalent rmne doar Cb . La joas frecven dioda are caracter rezistiv; reactanele capacitive sunt mici i se pot neglija.
66
Aplicaie
Pentru circuitul din figura 2.41.a cu ug = 0,5sin t (V), se consider o diod cu UD = 0,6V; UT = 26mV i n = 1. S se determine tensiunea la bornele diodei i curentul care trece prin diod. La frecvena semnalului, condensatorul are o reactan foarte mic (poate fi considerat un scurtcircuit din p.d.v. al semnalului) i se pot neglija efectele capacitive din diod. C a)
ug
+
R1
5k
R2
10k
iA uA
D
b) R1
+
R2 UA
IA UD ug
+
c)
R1
ia ua rd
U = 20V
Fig. 2.41. Aplicaie la regimul dinamic al diodei. a) Schema de principiu i schemele echivalente: b) de cc; c) de ca.
Rezolvare:
Se presupune iniial c este ndeplinit condiia de semnal mic, (2.86) sau (2.88) i deci dioda are o comportare aproximativ liniar. Ca urmare se poate utiliza versiunea modificat a teoremei superpoziiei, care const din calcularea separat a mrimilor de cc pe baza schemei echivalente de cc i apoi a mrimilor de ca, pe baza schemei echivalente de ca. Mrimile electrice instantanee se obin prin nsumarea celor dou componente ale fiecrei mrimi. n schema echivalent de cc din figura 2.41.b: sursa independent de ca este pasivizat (se anuleaz, deci se nlocuiete cu un scurtcircuit), dioda este nlocuit cu modelul cu tensiune de prag (model sugerat de forma n care se dau datele problemei) i condensatorul este nlocuit cu o ntrerupere de circuit (nu mai apare n schema de cc, deoarece nu are nici un efect n cc). Schema echivalent de ca din figura 2.41.c se obine prin: pasivizarea sursei de cc, nlocuirea diodei cu schema echivalent de semnal mic, joas frecven i nlocuirea condensatorului cu un scurtcircuit.
Determinarea psf al diodei se face n schema echivalent de cc. Dioda ideal din schem se nlocuiete cu un scurtcircuit, deoarece este n conducie, parcurs de un curent pozitiv:
IA = U U D 20 0,6 = = 1,3 mA . 15k R1 + R2 rd = nU T 26m = = 20 . IA 1,3m
Conform 2.89, rezistena dinamic a diodei este:
Tensiunea de ca pe diod se determin cu regula divizorului de tensiune n schema de ca: ua = rd 20 ug = 0,5 sin t = 2 103 sin t (V) . rd + R1 5020
Se constat c este ndeplinit condiia de semnal mic:
2.7 MODELAREA DIODEI N SPICE
67
u a < u a max = 2mV << nU T = 26mV i deci presupunerea iniial (de comportare liniar a diodei) este validat. Componenta alternativ a curentului prin diod se determin din legea lui Ohm n ca: ia = u a 2 10 3 sin t = = 0,1sin t (mA) . rd 20
Mrimile instantanee (tensiunea pe diod i curentul prin diod) se obin prin nsumarea componentei de cc cu cea de ca pentru fiecare mrime n parte:
u A = U A + u a = 0,6 + 2 10 3 sin t (V), i A = I A + i A = 1,3 + 0,1sin t (mA).
La aceast problem s-a folosit metoda superpoziiei n cc utiliza intensiv pentru calcularea circuitelor electronice. Modul echivalente (de cc i de ca) a fost prezentat sistematic i poate fi liniar (sau liniarizat n condiii de semnal mic). Se observ echivalente este foarte simpl.
i ca, metod care se va de obinere a circuitelor utilizat la orice alt circuit c rezolvarea circuitelor

Utilizarea calculatorului la simularea funcionrii circuitelor electrice este un pas important al proiectrii. Aceasta permite proiectantului s verifice dac proiectul va respecta specificaiile, n condiiile n care se vor utiliza componente reale de circuit. De asemenea, permite proiectantului s analizeze mai precis funcionarea circuitului i s ajusteze proiectul final naintea intrrii acestuia n fabricaie. in s subliniez c simularea circuitului cu ajutorul calculatorului nu poate nlocui n nici un caz nelegerea funcionrii circuitului respectiv, trebuie utilizat ntr-o faz avansat a proiectrii i n orice caz numai dup ce s-au determinat componentele circuitului printr-un calcul simplificat. De altfel, simularea circuitului este un instrument de analiz, care necesit definirea prealabil a structurii i componentelor circuitului simulat. Alegerea la ntmplare a componentelor circuitului, fr a nelege funcionarea acestuia, este o metod de lucru mare consumatoare de timp i n general sortit eecului (datorit numrului imens de combinaii posibile). Devenit programul standard de simulare electric cu calculatorul n ntreaga lume, SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis program de simulare orientat spre circuitele integrate) a fost dezvoltat la Universitatea din California, Berkeley n anii 1970 i a cunoscut multe versiuni comerciale. Modul de utilizare a programelor de tip SPICE nu se prezint n aceast lucrare; pentru cei interesai, o carte de referin n domeniu este scris de unul dintre dezvoltatorii programului SPICE, Andrei Vladimirescu SPICE, editura Tehnic, 1999 (traducere dup The SPICE Book / Andrei Vladimirescu aprut n editura John Willey & Sons n 1994).
2.7.1
Modelul de simulare al diodei
Valoarea rezultatelor simulrii pentru proiectant depinde direct de calitatea modelelor utilizate pentru componentele de circuit n general i pentru dispozitivele electronice n special. Cu ct modelul reprezint mai exact caracteristicile dispozitivului real, cu att vor fi mai apropiate rezultatele simulrii de comportarea circuitului real. Deci pentru a putea vedea efectul diferitelor imperfeciuni ale funcionrii dispozitivului asupra performanelor circuitului, va trebui ca aceste imperfeciuni s fie incluse n modelul de dispozitiv utilizat de simulator. Este evident c aceste observaii se aplic la orice dispozitive i nu numai la diode.
68
Programul SPICE include un model intern pentru diod. Acesta este un model de semnal mare al diodei prezentat n figura 2.42. Comportarea static a diodei este modelat de ecuaia exponenial a diodei (2.63) i comportarea dinamic este reprezentat de capacitatea neliniar CA . Aceasta este suma dintre capacitatea de difuzie Cd i capacitatea de barier Cb a jonciunii, capaciti calculate cu relaii aproape identice cu (2.94) i (2.92). Rezistena serie rs include efectul rezistenei regiunilor neutre ale jonciunii (2.61) i are valori tipice de ordinul ohmilor pn la zeci de . Pentru analiza de semnal mic, SPICE utilizeaz rezistena incremental a diodei rd i valorile incrementale (sau difereniale) ale capacitilor Cb i Cd .
rs
iA
uA
CA
u i A = I 0 exp A 1 n UT Cb 0 C A = T iA + UT (1 u A U 0 )m
Fig. 2.42. Modelul diodei n SPICE
Tabelul 2.1 prezint lista celor mai importani parametrii ai modelului diodei, utilizai de SPICE. Sunt listate, de asemenea, valorile implicite ale acestor parametrii (utilizate de SPICE n absena unor valori specificate de utilizator) i valorile practice pentru dioda redresoare 1N4001 (literele reprezint multiplicatori: p pico,10-12; n nano,10-9; u micro,10-6).
Tab. 2.1. Parametrii modelului de diod din SPICE
Numele Parametrul modelului SPICE IS N RS VJ CJ0 M TT BV IBV Curentul de saturaie Coeficientul de emisie Rezistena serie parazit Diferena intern de potenial Capacitatea la polarizare nul Coeficientul de gradare Timpul de tranzit Tensiunea de strpungere Curentul invers la UZ0
Simbol I0 n rs U0 Cb0 m
Unitatea de msur A V F s V A
Valoarea Exemplu predefinit (1N4001) 1E 14 1 0 1 0 0,5 0 1E 10 14.1n 1.984 0.034 0.3245 25.9p 0.44 5.7u 75 10u
T
UZ 0 IZ m
Modelarea dispozitivelor presupune pe de o parte utilizarea unui model (circuit echivalent) corespunztor i pe de alt parte determinarea valorilor parametrilor modelului. Determinarea acestor valori este o problem dificil, care presupune combinarea parametrilor procesului de fabricaie cu msurtori efectuate asupra dispozitivelor reale. Actualmente, astfel de modele exist pentru majoritatea dispozitivelor uzuale, fiind grupate n biblioteci de componente (create cel mai adesea de productorii de dispozitive). Modelul utilizat de SPICE nu descrie foarte exact funcionarea diodelor n regiunea de strpungere. n locul diodelor zener se poate utiliza circuitul echivalent al diodei din figura 2.43 (derivat din schema echivalent a diodei zener din figura 2.33.c). Dioda ideal D_id poate fi implementat n SPICE prin fixarea unei valori foarte mici pentru indicele n al diodei (de exemplu
69
n = 0,01) i dioda D_dir este o diod redresoare utilizat pentru a modela polarizarea directe a diodei zener (la aplicaiile n care diodei zener este polarizat doar invers dioda D_dir poate lipsi).
Fig. 2.43. Model pentru dioda zener. Acest model poate fi utilizat n SPICE ca subcircuit n locul diodei zener. Dioda ideal D_id poate fi aproximat n SPICE considernd n = 0,01.
D_id
= UZ0
rZ
2.7.2
Simularea unui alimentator cu diod zener
n exemplul urmtor se simuleaz un alimentator tipic de mic putere compus din dou circuite: redresor n punte cu filtru capacitiv i stabilizator de tensiune cu diod zener. Aceste circuite au fost analizate separat ca aplicaii ale diodei redresoare, respectiv ale diodei zener. Cuplarea celor dou circuite conduce la necesitatea de a adapta metodele de analiz specifice fiecrui circuit. n prima etap se va face o analiz simplificat a circuitului, care va permite apoi simularea acestuia n SPICE. Dac rezultatele simulrii difer mult de rezultatele analizei simplificate, se poate relua analiza circuitului cu metode mai precise i se reface simularea. n anumite situaii, se pot obine prin simulare rezultate care nu pot fi obinute prin metode convenionale de analiz; de exemplu se pot determina ondulaiile tensiunii pe condensator dac sursa de tensiune alternativ de intrare prezint o rezisten intern semnificativ. Exemplul de simulare prezentat n continuare a fost conceput ca s pun n eviden aceste etape de analiz.
Problem de analiz i exemplu de simulare n SPICE
Alimentatorul din figura 2.44.a este echipat cu diode redresoare de tip 1N4001 i cu o diod zener PL5V1Z ai crei parametrii UZ = 5,1V i rZ = 4 sunt determinai la IZ = 50mA. Sursa de la intrare are o tensiune efectiv Ui =12V la frecvena industrial f = 50Hz. Cderea de tensiune pe o diod n conducie se estimeaz a fi UD 0,8V. n condiiile n care dioda zener lucreaz corect, s se determine: curentul continuu maxim ce poate fi furnizat de acest circuit ntr-o sarcin rezistiv, ondulaiile tensiunii pe condensator i la ieire, pentru: a) o rezisten intern nul a sursei de la intrare Ri 0; b) o rezisten a sursei de la intrare Ri =10.
3
D_dir
ui
Ri
+ 2
4
R
50
0
iO
RL uC
iR R
C b)
+
C
500 F
DZ uO
UZ
a)
Fig. 2.44. Alimentator cu diod zener: a) schema de principiu; b) circuitul echivalent de la ieirea redresorului.
Rezolvare: a) Prin condiia ca dioda zener s lucreze corect se nelege c dioda zener funcioneaz n regiunea de strpungere i deci n fiecare moment prin aceast diod circul un curent iZ >0 (de la catod la anod). Aadar, maximul curentului continuu de ieire se va determina din condiia ca valoarea instantanee a curentului prin dioda zener s fie pozitiv:
70
i Z = i R iO > 0
sau mai precis
i Z min = i R min iO max > 0
iO max < i R min .
ntr-o prim aproximaie tensiunea pe dioda zener uZ = uO este constant, ceea ce face ca i curentul prin sarcin s fie constant (pentru o rezisten de sarcin fixat). De aceea, curentul de ieire maxim din relaia precedent se refer la maximul ce poate fi atins pentru diferite valori ale rezistenei de sarcin, iar minimul curentului prin rezistena R se refer la valoarea instantanee minim care apare pentru o anumit rezisten de sarcin. ntr-o prim aproximaie curentul prin rezistena R nu depinde de valoarea rezistenei de sarcin (deoarece tensiunea de ieire este meninut aproximativ constant de dioda zener) i curentul minim prin rezistena R poate fi determinat din legea lui Ohm:
iR = uC uO R i R min = u C min u Z u C min U Z 0 = . R R
S-a considerat cazul limit n care curentul prin dioda zener este nul (iO = iR min ) caz n care uZ = UZ0 . Din analiza formei de und a tensiunii uC (care este practic identic cu forma de und de la redresorul bialternan cu filtru capacitiv din figura 2.14) tensiunea uC min rezult: u C min (= U vf U r _ vv ) = u C max u C cu u C max U i _ vf 2 U D = 2 U i 2 U D .
Variaia tensiunii pe condensator se determin cu ajutorul relaiei (2.21) modificate. Din U r _ vv U vf T , RLC pentru
U vf I RL u C I T , 2C
unde I este curentul mediu prin sarcin (aproximat n relaiile de mai sus pentru cazul redresorului fr dioda zener). n cazul redresorului cu diod zener, sarcina redresorului poate fi considerat conform circuitului echivalent din figura 2.44.b i curentul mediu rezult: I= U C U Z uC max U Z = R R 2U i 2U D U Z 17 1,6 5,1 = = 0,206A . R 50
Pentru simplitate tensiunea medie pe condensator UC a fost aproximat cu tensiunea maxim uC max (aceast estimare poate fi aproximaia iniial a unui eventual calcul iterativ). Variaia de tensiune i tensiunea minim se determin conform relaiilor anterioare: u C I T 0,206 = 10m = 4,12V , C 2 0,5m u C min = u C max uC = 15,4 4,1 = 11,3V .
Curentul minim prin rezistena R i rezistena de sarcin care corespunde acestui curent (n cazul limit iO = iR min ) sunt:
i R min = u C min U Z 0 11,3 4,9 = = 0,128A , R 50 R L min = U Z0 4,9 = 38 . i R min 0,128
UZ0 , tensiunea din schema echivalent a diodei zener (figura 2.34.c sau 2.43), reprezint intersecia caracteristici liniarizate a diodei zener din figura 2.34.b cu axa tensiunilor. Aceast tensiune se calculeaz din relaia (2.72) particularizat pentru datele din acest exemplu: U Z 0 = U Z rZ I Z = 5,1 4 50m = 4,9V . Dup ce s-a determinat rezistena RL min se poate simula circuitul (la descrierea cruia sunt necesare toate componentele acestuia deci i RL min). O parte din rezultatele simulrii sunt prezentate n figura 2.45. Fiierul care descrie circuitul simulat este listat n figura 2.46.
71
Fig. 2.45. Rezultatele simulrii: V(2) tensiunea pe condensator V(1) tensiunea de ieire n caset sunt date limitele tensiunii uC i timpii corespunztori.
* Redr.in punte cu filtru C si stab.cu DZ Vi D1 D2 D3 D4 R RL C Did rz Vz0 D5 3 3 4 0 0 2 1 2 1 5 9 0 4 2 2 3 4 1 0 0 5 9 0 1 sin (0 17 50) D1N4001 D1N4001 D1N4001 D1N4001 50 38 .5m IC=14 D_id 4 4.9 D1N4001 ; Ui=12Vef Ui_vf17V, f=50Hz ; ; | <- cele patru diode care alctuiesc ; | puntea redresoare ; ; condiii iniiale: la t=0, tensiunea pe C este Uc=14V ; - diod ideal (din modelul diodei zener) ; | ; | <- modelul diodei zener din figura 2.43 ; -
.model .model + .tran .end 10u
D_id D(Is=.1n n=.01) D1N4001 D(Is=14n N=1.98 Rs=34m Ikf=94.8 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=26p M=.44 Vj=.3245 Fc=.5 Bv=75 Ibv=10u Tt=5.7u) .1 .06 50u UIC ; pas 10s (max. 50s), afiare 60100ms, utilizare IC
Fig. 2.46. Fiierul (de tip text, comentat) care descrie: circuitul simulat, modelele diodelor i parametrii regimului tranzitoriu simulat. S-a utilizat numerotarea nodurile circuitului din figura 2.44.a. Tab. 2.2. Comparaie simulare calcul ; tensiuni uC i parametri pentru calcul. (RL =38)
uC max (V) 15,26 15,4
uC min (V) 12,57 11,3
uC (V) 2,69 4,1
tnc (ms) 2,1 0
tdesc (ms) 7,9 10
UD (V) (la uC max ) 0,85 0,8
Simulare Calcul (estimativ)
n tabelul 2.2 se compar rezultatele simulrii cu rezultatele calculului teoretic aproximativ. Se constat c pentru variaia tensiunii pe condensator diferenele sunt mari. Cauza principal este neglijarea timpului de ncrcare al condensatorului tnc. La recalcularea sarcinii minime RL min (necesar pentru o simulare mai apropiat de soluia exact) trebuie s se mbunteasc precizia calculului teoretic innd seama de tnc. n acest scop se reface analiza teoretic a redresorului cu filtru capacitiv pornind de la relaia (2.25):
72
Qnc = Qdesc ,
C u C = I desc t
UC U Z t desc R
u C =
UC U Z t desc . RC
Tensiunea medie pe condensator (sau componenta de cc) este:

U C = u C max u C U UZ t desc = u C max C 2 2 RC UZ0 i R min UC = u C max 2 RC + U Z t desc . 2 RC + t desc
Rezistena minim de sarcin necesar pentru simulare rezult ca i la calculul estimativ:

R L min = cu i R min = u C min U Z 0 U C u C 2 U Z 0 . = R R
Timpul tdesc poate fi preluat din prima simulare, se recalculeaz RL min dup formulele de mai sus i se simuleaz din nou circuitul. Procedura se poate repeta apoi dac este cazul. O alt procedur de lucru const din determinarea tdesc printr-un calcul iterativ. Se consider iniial tdesc =T/2(=10ms), se calculeaz UC , uC i uC min apoi se calculeaz unghiul de conducie al diodelor i timpul tdesc . Din relaiile anterioare: UC = 15,4 2 50 0,5m + 5,1 10m = 13,7 V , 2 50 0,5m + 10m
u C min = U C
u C =
13,7 5,1 10m = 3,44V , 50 0,5
u C 3,44 = 13,7 = 12V . 2 2
Din analiza formei de und de la redresorul cu filtru capacitiv (figura 2.14) se calculeaz unghiul de conducie al diodelor :
u C min (= U vf cos ) = u C max cos ,
= arccos
u C min 12 = arccos = 0,68 rad u C max 15,4
i apoi cu regula de trei simpl se determin timpul de descrcare al condensatorului: t desc = T 0,68 = 10m = 7,8ms . 2
Cu tdesc astfel obinut (sau preluat din simularea precedent, tdesc=7,9ms) se recalculeaz tensiunea pe condensator, rezistena de sarcin i curentul continuu maxim de ieire: UC = 15,4 2 50 0,5m + 5,1 7,8m = 14V , 2 50 0,5m + 7,8m
u C 2,78 = 14 = 12,6V , 2 2 UZ0 4,9 = 32 i R min 0,154
u C =
14 5,1 7,8m = 2,78V , 50 0,5
u C min = U C
i R min =
u C min U Z 0 12,6 4,9 = = 0,154A R 50 UZ 5,1 = 0,16A . R L min 32
R L min =
IO =
Pentru a determina ondulaiile tensiunii la ieirea alimentatorului se va analiza circuitul de stabilizare a tensiunii a crui schem echivalent este prezentat n figura 2.47.a. Schema echivalent de ca din figura 2.47.b (rezultat prin pasivizarea surselor de cc) permite calcularea variaiilor de tensiune la ieire cu regula divizorului de tensiune:
uo = uc rZ || R L rZ || R L + R sau u O = u C rZ || R L 4 || 32 = 2,78 = 0,185V . rZ || R L + R 4 || 32 + 50
73
R iR
iO iZ rZ uO
RL
UC uc
uC
UZ0
uc
rZ
uo
RL
a) cc+ca b) ca Fig. 2.47. Scheme echivalente ale stabilizatorului cu diod zener.
Valoarea efectiv a ondulaiilor pe condensator i la ieire se determin innd seama de forma (aproximativ) triunghiular a acestor tensiuni; conform relaiei (2.32): Ur U r _ vv 2 3 Uc u C 2 3 = 2,78 2 3 = 0,8V i U o u O 2 3 = 185 2 3 = 53mV
Factorul de ondulaie (de riplu) se reduce de la condensator la ieire de circa 5 ori:
c =
U c 0,8 = = 5,7% , U C 14
o =
U o 0,053 = 1,1% , UO 5
c 5,7 = = 5,4 . o 1,1
Cu rezistena de sarcin minim recalculat se reia simularea; n fiierul de descriere a circuitului se nlocuiete linia RL=38 cu RL=32. Formele de und ale tensiunilor rezultate n urma simulrii sunt prezentate n figura 2.48. n tabelul 2.3 se compar tensiunile obinute prin simulare cu cele determinate prin calcul. Deoarece rezultatelor simulrii i cele teoretice sunt apropiate, se poate concluziona c metoda de calcul dezvoltat este corect. Rezultatele calculului sunt precise, dar aceasta intereseaz doar n cazul idealizat n care se cunosc cu precizie toate elementele circuitului. Deoarece n practic exist imprecizii de cel puin 510%, o metod de calcul foarte precis, care de obicei este mult mai complicat, nu se justific. n acest exemplu a fost dezvoltat o metod precis pentru a ilustra o modalitate de utilizare a programelor de simulare.
Tab. 2.3. Comparaie simulare calcul. (RL =32)
uC max (V) 15,26 15,4
uC min (V) 12,54 12,6
uC (V) 2,72 2,78
Tnc (ms) 2,05 2,2
tdesc (ms) 7,95 7,8
uO (V) 0,189 0,185
Simulare Calcul (iterativ)
Fig. 2.48. Rezultatele simulrii: V(2) tensiunea pe condensator V(1) tensiunea de ieire n caset sunt date limitele tensiunii uC i timpii corespunztori.
74
Fig. 2.49. Tensiunea de ieire pentru diverse rezistente de sarcin.
Cu uC min din figura 2.48 se calculeaz curentul minim prin dioda zener:
i Z min = i R min iO = u C min U Z 0 U 12,54 4,9 4,9 Z0 = = 0,1528 0,1531 0 . R R L min 50 32
Acest curent este practic nul i deci rezistena de sarcin cu care s-a fcut simularea (32 ) este intr-adevr valoarea minim admis (pentru care rezult curentul continuu maxim de ieire la care dioda zener nc mai funcioneaz corect, adic n orice moment iZ >0). n figura 2.49 sunt prezentate formele de und ale tensiunii de ieire pentru diferite valori ale rezistenei de sarcin. Se constat c pentru rezistene de sarcin suficient de mari ondulaia la ieire are practic aceeai form de und, iar pentru rezistena de sarcin de 30 (mai mic dect RL min ) forma de und prezint ondulaii suplimentare (dioda zener nu mai lucreaz ca stabilizator, iZ =0 n intervalele de timp cnd tensiunea de ieire scade mai mult).
Rezolvare b) Dac sursa de la intrare are o rezisten intern semnificativ, atunci tensiunea medie pe condensator i semiunghiul de conducie al diodelor (n radiani) se calculeaz cu relaiile (2.34), respectiv cu relaia (2.35) rescrise:
U C (= U vf cos ) = u C max cos ,
0,48 lg
Ri + 1,2 . RC
Cu RC =
UC IR
s-a notat rezistena echivalent la ieirea redresorului (la bornele capacitii). Aflarea oricreia dintre mrimile de mai sus presupune rezolvarea unui sistem de ecuaii transcedental. Se va utiliza o metod iterativ de calcul plecnd de la o valoare iniial estimat pentru tensiunea UC . Datorit rezistenei interne a sursei, tensiunea pe condensator va fi mai mic dect la punctul a al problemei. Se va estima UC =12V (n loc de 14V ct a fost la punctul a):
IR = U C U Z 12 5 = 0,14A , R 50 RC = UC 12 = = 86 , IR 0,14
0,48 lg
10 + 1,2 = 0,75 rad , 86
U C = 15,4 cos 0,75 = 11,3V .
Dac se estimeaz c variaia tensiunii pe condensator uC este cea de la punctul a, atunci:
75
u C min = U C
u C 2,7 11,3 = 10V , 2 2 UZ0 = 48 , i R min
i R min =
u C min U Z 0 10 4,9 = = 0,102A . R 50 UZ 5,1 = = 106mA . R L min 48
Rezistena minim de sarcin i curentul continuu maxim prin sarcin rezult:

R L min = I O max =
Circuitul simulat va fi completat cu rezistena Ri=10 (se va introduce un nod suplimentar ntre sursa ideal Vi i Ri) iar rezistena de sarcin se modific: RL=48. Rezultatele simulrii de la 0 la 60ms sunt prezentate n figura 2.50.
Fig. 2.50. Rezultate ale simulrii: V(2) tensiunea pe condensator, V(1) tensiunea de ieire.
Tab. 2.4. Rezultatele simulrii pentru alimentatorul cu Ri nenul. (RL =48, Ri =10)
uC max (V) 11,8 -
uC min (V) 10,4 (10)
UC (V) 11,1 11,3
uC (V) 1,4 (2,7)
tnc (ms) 3,75 -
uO max (V) 5,03 -
UO min (V) 4,93 4,9
uO (V) 0,1 (0,18)
Simulare Calcul (iterativ)
Simularea circuitului s-a fcut considernd o tensiune iniial nul pe condensator. n figura 2.50 se disting cele dou regimuri de funcionare: regimul tranzitoriu (n care tensiunile medii se modific, cresc n acest caz) i regimul permanent (cu tensiuni medii constante i forme de und periodice). n tabelul 2.4 sunt prezentai parametrii de regim permanent ai alimentatorului. Tensiunea medie pe condensator UC calculat teoretic este apropiat de valoarea obinut n urma simulrii. Celelalte mrimi electrice calculate (scrise ntre paranteze n tabel) reprezint doar estimri fcute pe baza analizei alimentatorului cu Ri =0. Se observ c variaiile de tensiune pe condensator i la ieire au valori sensibil mai mici n prezena Ri (uC i uO n cazul b sunt jumtate fa de cazul a) iar durata de conducie a diodei crete (aproape se dubleaz, de la 2,1ms n cazul a la 3,8ms n cazul b). Tensiunea minim la ieire trebuie s fie mai mare dect UZ0 dar ct mai apropiat de aceast valoare. Aceasta indic un curent iZ (prin dioda zener) pozitiv dar apropiat de zero. Rezultatele simulrii permit determinarea curentului minim prin dioda zener:
76
i Z min = i R min iO =
u C min u Z min u Z min 10,4 4,93 4,93 = = 0,109 0,103 = 6mA . R RL 50 48
Deoarece acest curent este apropiat de zero, se poate considera c rezistena de sarcin cu care a fost simulat circuitul (48) este RL min . Folosind rezultatele simulrii se pot calcula cerinele problemei pentru punctul b. Curentul continuu maxim ce poate fi furnizat de circuit este:
I O max = I R = U C U Z 11,1 (5,03 + 4,93) / 2 11,1 4,98 = = = 122mA . R 50 50
Valoarea efectiv a ondulaiilor pe condensator i la ieire se determin cu relaia (2.32): Uc u C 2 3 = 1,4 2 3 = 0,4V i U o u O 2 3 = 0,1 2 3 = 29mV .
Raportul ntre tensiunea ondulaiilor pe condensator i la ieire este:

u C 1,4 = = 14 u O 0,1
practic acelai cu cel din cazul a
u C 2,7 = = 15 . u O 0,185
Concluzii: 1. Utilizarea programelor de simulare presupune cunoaterea modului de funcionare a circuitului simulat pentru a calcula unele valori de componente necesare la simularea circuitului (rezistena de sarcin RL min n acest caz) i mai ales pentru a interpreta rezultatele simulrii i a extrage din multitudinea de rezultate puse la dispoziie de simulator pe cele necesare la calcularea cerinelor problemei respective. 2. Comparnd cele dou cazuri analizate n problem, a i b, se constat c dac n unele situaii (cazul a) problema poate fi rezolvat i fr simulare, n alte situaii (cazul b) analiza detaliat a funcionrii ar conduce la ecuaii foarte complexe, care nu pot fi simplificate i pentru care efortul de calcul este nejustificat de mare. n primul caz simularea circuitului este util att pentru verificarea rezultatelor obinute (i implicit a metodei de calcul) ct i pentru reducerea efortului de calcul manual. n cel de-al doilea caz simularea circuitului devine o necesitate, n lipsa simulrii i cu un efort rezonabil de calcul se pot obine doar nite estimri ale rezultatelor a cror eroare este apreciabil.
2.8 DIODE SPECIALE

n afara diodelor redresoare i a diodelor zener, prezentate anterior, n practic se utilizeaz multe alte tipuri de diode. n continuare se vor prezenta sumar cele mai utilizate dintre acestea.
2.8.1
Dioda varicap
Dioda varicap se comport ca o capacitate controlat n tensiune. Aceste diode sunt n esen jonciuni pn polarizate invers. Dependena capacitii de barier de tensiune este dat de relaia (2.92); n cazul aa-numitelor jonciuni hiperabrupte, utilizate adesea la diodele varicap, indicele m 0,75. Simbolul i schema echivalent a diodei sunt prezentate n figura 2.51.
Fig. 2.51. Dioda varicap; simbolul i schema echivalent la semnal mic n polarizare invers.
rs
Cb
2.8 DIODE SPECIALE
77
Dependena capacitii de tensiunea invers este prezentat n cataloagele de diode sub form grafic. Valorile uzuale ale capacitii sunt de ordinul picofarazilor sau zeci de pF, pentru tensiuni inverse de pn la 30 de voli (capacitatea scade cu creterea tensiunii inverse). Rezistena serie este minimizat prin mijloace tehnologice i are valori de ordinul fraciunilor de ohm. Diodele varicap se utilizeaz n domeniul frecvenelor radio: pentru reglarea frecvenei de acord a circuitelor rezonante (reglarea automat a frecvenei, circuite de telecomand, reglarea simultan a mai multor circuite acordate), la modulatoarele de frecven, .a.
Aplicaie tipic
n figura 2.52 se prezint un circuit acordat de nalt frecven utilizat la receptoarele radio. Frecvena de rezonan fr a circuitului acordat este determinat n principal de inductana L i de capacitatea echivalent C dintre bornele inductanei:
fr = 1 2 LC , C = C1 + Cb C 2 C1 + C b , Cb + C 2
(2.95)
relaie valabil pentru C2 >> Cb . Condensatorul C2 (ntrerupere de circuit n cc) este introdus pentru ca bobina L s nu scurtcircuiteze dioda n cc. Rezistena R de polarizare a diodei (de ordinul zecilor de k), este parcurs de curentul invers foarte mic al diodei (de ordinul nA). Cderea de tensiune pe rezisten este foarte mic i tensiunea de polarizare UR se regsete practic nemodificat pe diod.
Tr IN
Co L C1 C2 Cb
R D
OUT
+
UR
Fig. 2.52. Circuit acordat cu diod varicap.
Avantajele modificrii frecvenei de rezonan prin intermediul unei tensiuni de cc sunt: posibilitatea acordului pe diferite posturi se prestabilesc tensiunile de acord necesare i apoi se selecteaz tensiunea (corespunztoare postului dorit) cu un comutator; miniaturizarea circuitului (fa de condensatoarele variabile clasice, de dimensiuni mari); posibilitatea comenzii de la distan, deoarece tensiunea continu de comand este mai puin sensibil la eventualele semnale parazite (care pot fi filtrate cu un condensator suplimentar); posibilitatea de modificare sau selecie a tensiunii UR prin telecomand.
Astfel de circuite se utilizeaz n benzile de ultra nalt frecven UIF la receptoarele radio sau de televiziune. De exemplu, dioda BB122 care are Cb = 112pF pentru UR = 325V, cu C1 =16pF i inductana L = 0,12H, permite reglarea frecvenei de rezonan ntre limitele: fr = 1 2 LC = 2 0,12 (16 + 11K 2 ) p 1 88K108 MHz ,
practic domeniul de UIF pentru radio n norma FCC.
2.8.2
Dioda Schottky
Dioda Schottky este realizat dintr-o jonciune metal semiconductor de tip n. -
iA uA
Fig. 2.53. Simbolul diodei Schottky i mrimile electrice asociate.
Fa de o diod cu siliciu convenional, dioda Schottky se caracterizeaz prin: timpi de comutare foarte mici,
78
tensiuni de deschidere mai mici UD = 0,30,4V, capacitate total mic, de ordinul picofarazilor (sau chiar fraciuni de pF), cureni inveri mai mari, de ordinul zecilor de nA, tensiuni de strpungere mai reduse (nu depesc 40 50V, uzual 10 15V).
La conducie particip doar purttorii majoritari, electronii; la polarizare direct electronii trec din zona n spre metal. Faptul c purttorii minoritari nu particip la conducie (electronii nu devin minoritari n metal, ca la o jonciune pn), conduce la timpi de comutare foarte mici, datorit absenei timpului de stocare. Prin timp de comutare se nelege timpul dinte momentul inversrii tensiunii pe diod i momentul inversrii curentului prin diod.
La comutarea unei diode convenionale din conducie n blocare este necesar un timp, numit timp de stocare, pentru evacuarea surplusului de sarcin datorat purttorilor minoritari aflai n exces n regiunile neutre ale jonciunii.
Datorit timpului de comutare foarte mic, diodele Schottky se folosesc la aplicaiile de nalt frecven (pn la 2GHz, de exemplu) i la circuitele de comutaie. Timpii de comutare foarte mici i tensiunile mai reduse n conducie recomand diodele Schottky la aplicaiile de electronic de putere (ca redresoare cu eficien ridicat).
2.8.3
Dioda tunel
Dioda tunel este format dintr-o jonciune p++ n++, cu regiunile p i n puternic dopate cu impuriti. Datorit impurificrii puternice a celor dou regiuni, limea regiunii de trecere (RSS) a jonciunii este foarte mic, de ordinul nanometrilor. n aceste condiii se petrece fenomenul cuantic denumit efect tunel care const din traversarea statistic a barierei de potenial de electroni cu o energie mai mic dect nlimea barierei. iA
iA
B Rd < 0 C 0 A Curent de difuzie Curent tunel
a)
uA
b) uA
Fig. 2.54. Dioda tunel: a) Simbolul i sensul mrimilor electrice asociate, b) Caracteristica static.
Simbolul i caracteristica static a diodei tunel sunt prezentate n figura 2.54. La tensiuni mici (ntre punctele A i B ale caracteristicii) apare curentul tunel, dioda conduce, iar tensiunea de strpungere este practic nul. ncepnd din punctul B, la creterea tensiunii directe apare o barier de potenial i curentul tunel scade cu creterea tensiunii directe. Apare astfel o regiune de rezisten dinamic negativ:
rD = du A < 0; diA
(2.96)
creterea tensiunii duce la scderea curentului, invers dect la legea lui Ohm. ncepnd din punctul C, curentul de difuzie al jonciunii crete ca la orice dioda polarizat direct. Diodele tunel sunt realizate din germaniu sau galiu-arsen i se utilizeaz n oscilatoare de frecven foarte nalt, de ordinul gigahertzilor, sau n circuite de comutaie foarte rapid.
Oscilator cu diod tunel

Schema de principiu a unui oscilator cu diod tunel este prezentat n figura 2.55.
2.8 DIODE SPECIALE
79
R1
+
R2
Rp
uo
Fig. 2.55. Oscilator cu diod tunel; - circuit rezonant paralel: L, C, Rp; - circuit de polarizare: U, R1, R2.
Dac se aplic un puls de tensiune circuitului rezonant paralel L-C-Rp (fr diod), n circuit apare o oscilaie pe frecvena de rezonan a circuitului. Datorit energiei disipate pe rezistorul Rp amplitudinea oscilaiei scade n timp, adic oscilaia este amortizat. Dac se conecteaz dioda tunel n serie cu circuitul rezonant (conform figurii 2.55) i se polarizeaz n centrul zonei de rezisten negativ a caracteristicii statice, atunci la ieirea circuitului vor rezulta oscilaii ntreinute (cu amplitudine constant, neamortizate). Principial, rezistena dinamic negativ a diodei compenseaz rezistena (pozitiv) a circuitului rezonant. Polarizarea diodei este realizat de divizorul de polarizare R1, R2 alimentat de la sursa de tensiune continu U; tensiunea de la ieirea divizorului (de pe R2) se regsete pe diod (deoarece inductana L este un scurtcircuit n cc). Din punct de vedere energetic, energia de cc a sursei de tensiune U este transformat n energie de ca furnizat circuitului rezonant.
2.8.4
Fotodioda
ntr-o jonciune pn expus la radiaii luminoase are loc generarea direct a purttorilor de sarcin, electroni i goluri, care sunt separai sub aciunea cmpului electric intern E (electronii se deplaseaz dinspre RSS spre zona n i golurile dinspre RSS spre zona p). Fenomenul este reprezentat schematic n figura 2.56. Fotodiodele sunt n esen jonciuni pn, a cror capsul are o fereastr pentru accesul luminii (adesea sub form de lentil pentru focalizare) n RSS a jonciunii.
E i + R p n h (lumin)
iA < 0 R
uA
a)
b)
Fig. 2.56. Fotodioda: a) Purttorii datorai luminii i separai de E conduc curentul i prin rezistena R, b) Simbolul i sensurile convenionale ale tensiunii i curentului pentru fotodiod.
Diodele lucreaz ca generatoare (sau n regim fotovoltaic) dac uA > 0 i iA < 0 (ca n figura 2.56.b) i n acest caz se mai numesc celule fotovoltaice dac aria jonciunii AJ < 1cm sau celule solare dac AJ > 1cm. Aceste dispozitive realizeaz conversia direct a energiei luminoase n energie electric. Randamentul tipic al conversiei este =1015%, tensiunea n gol pe o celul este U0 0,55V iar curentul de scurtcircuit ISC 35mA/cm2 la E = 1000lux (iluminarea exterioar specific unei zile noroase). Curentul de scurtcircuit este proporional cu iluminarea (mai exact cu incidana luminoas E) pentru un domeniu foarte larg de iluminri, ISC = k E . Contribuia purttorilor de sarcin generai datorit iluminrii este pus n eviden din punct de vedere electric de curentul datorat iluminrii, IL = ISC = k E . Ecuaia jonciunii idealizate devine:
u i A = I 0 exp A 1 I L , UT cu I L = iA
u A =0
= I SC
(2.97)
i reprezint ecuaia fotodiodei. Din aceast ecuaie se poate calcula tensiunea la mers n gol:
uA
i A =0
= U 0 = U T ln (I L I 0 1) .
(2.98)
80
Fotodioda polarizat invers funcioneaz n regim fotoconductiv i poate fi utilizat ca fotodetector; curentul prin diod depinde de iluminare. Curentul I0 se numete n acest caz curent de ntuneric. Un astfel de circuit este prezentat n figura 2.57.a. n figura 2.57.b sunt trasate caracteristicile statice ale fotodiodei (pentru diferite valori ale fluxului luminos) i dreapta de sarcin. Tensiunea pe rezisten este proporional cu fluxul luminos :
u R = R ( i A ) R I L = R k
Frecvena maxim la care poate fi utilizat fotodioda (de ordinul sutelor de kilohertzi pentru diode uzuale) depinde de timpul de rspuns al fotodiodei. Fotodiodele cu multiplicare, utilizate pentru transmisiile pe fibre optice, pot lucra la o frecven maxim de peste 30MHz. iA iA < 0 U0 D uA U 0 a) b) 1V U I0 R 1 u A < 0 uR
+
2 (>1) Fig. 2.57. Fotodioda ca fotodetector: a) Schema de principiu la polarizare invers, b) Caracteristicile statice i dreapta de sarcin. (>2) U/R IL
Caracteristicile optice mai importante ale fotodiodelor sunt: caracteristica spectral care arat sensibilitatea diodei n funcie de frecvena radiaiei incidente (fotodiodele pot avea maximul de sensibilitate la lumina vizibil sau n infrarou); caracteristica de directivitate, arat sensibilitatea diodei n funcie de unghiul de iluminare.
2.8.5
Dioda fotoemisiv
Dioda fotoemisiv se numete prescurtat LED (Light Emitting Diode diod cu emisie de lumin). Funcionarea acestor diode are la baz electroluminiscena, care comport dou etape: un proces de excitare, care const din injectarea de purttori minoritari ntr-o jonciune polarizat direct i un proces de recombinare cu emisie de lumin. Materialele uzuale folosite la fabricarea diodelor fotoemisive sunt: galiu-arsen (GaAs) cu emisie n infrarou (IR), galiu-arsen-fosfor produce lumin roie sau galben i galiu-fosfor (GaP) care produce lumin roie sau verde. Siliciul i germaniul nu se utilizeaz pentru LED-uri deoarece, n cazul lor, recombinarea produce mai ales cldur iar emisia de lumin este practic inexistent. LED-ul emite lumin dac i se aplic un curent direct suficient de mare; cantitatea de lumin produs este direct proporional cu valoarea curentului direct ca n figura 2.58.a.
I =/ (mW/sr)
3 2 1 30 20
iA (mA)
R
+
IA
D
rd mic
IA (mA)
10 20 30 40
10
uA (V)
1 UD
c)
a) 0
b) 0
Fig. 2.58. Dioda fotoemisiv LED. a) Intensitatea luminoas (= flux luminos / unghi solid) funcie de curentul direct; b) Caracteristica static; c) Schema de alimentare i simbolul LED-ului.
2.9 BIBLIOGRAFIE
81
Conform caracteristicii statice din figura 2.58.b tensiunea pe diod se modific foarte pu in la modificarea curentului i este aproximativ constant : UD = 1,82,4V (valoarea ei depinde de tipul diodei). Ca urmare rezisten a dinamic a diodei rd = duA /diA are o valoare redus i de aceea este contraindicat alimentarea LED-ului direct de la o surs de tensiune o mic modificare a tensiunii (sau a caracteristicii diodei) conduce la o modificare apreciabil a curentului (iA depinde exponen ial de uA ) i chiar la distrugerea diodei (dac se dep e te puterea maxim admis ). Solu ia de circuit cea mai simpl este limitarea curentului prin LED cu un rezistor ca n figura 2.58.c:
U uA U UD . (2.99) R R Curentul prin LED se alege de obicei n domeniul: IA = 5mA40mA, n func ie de tipul diodei i de nivelul intensit ii luminoase dorit. IA =
Avantajele utiliz rii LED-urilor ca indicatoare luminoase sunt: fiabilitatea ridicat (durata de func ionare ajunge pn la 100.000 de ore), pre redus, montare u oar n circuit, dependen liniar a intensit ii luminoase de curent. Dezavantajul principal al acestor diode este randamentul foarte redus al conversiei energiei electrice n energie luminoas : = 0,020,1% tipic (maxim 1% pentru diodele comerciale), ceea ce le face improprii pentru utilizarea ca surse de lumin . Alte dezavantaje sunt sensibilitatea la ocuri electrice i dependen a de temperatur a caracteristicilor. Tensiunea invers suportat de LED-uri este mic , cu valori uzuale de circa 5V.
2.9 BIBLIOGRAFIE
[1] Cr ciun A.V: - Dispozitive i circuite electronice , Ed. Univ. Transilvania Bra ov, 2003; [2] Sedra Adel, Smith Kenneth Microelectronic Circuits, Oxford University Press, New York, 1998; [3] Floyd Thomas Electronic Devices, Merrill Publishing Co. Columbus, Ohio, 1988; [4] Piringer R. .a. Dispozitive electronice, Editura Didactic [5] Damachi E. .a. Electronic , Editura Didactic [7] Sporea Dan, Brc i Pedagogic Bucure ti,1976; i Pedagogic (EDP) Bucure ti, 1979;
[6] Petru Alex. Dan .a. Diode cu siliciu, catalog, Editura Tehnic , Bucure ti, 1986; tefan Optoelectronic , dispozitive i aplica ii, Editura Militar , Bucure ti,1983.
82
Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
CAP. 3
TRANZISTOARE BIPOLARE
n prima parte a acestui capitol se introduc modelele cele mai simple ale tranzistoarelor bipolare i cu ajutorul acestora se analizeaz cteva aplicaii uzuale i circuitele de polarizare ale tranzistoarelor. Studiul regimului dinamic permite introducerea modelelor simple de regim dinamic, cu care se analizeaz etajele de amplificare realizate cu un tranzistor. Pe baza analizei structurii interne se explic funcionarea tranzistorului, se analizeaz caracteristicile statice i se introduc modelele mai precise ale tranzistorului, modele utilizate la simularea circuitelor cu tranzistoare.
3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE

Tranzistorul bipolar (TB), este realizat dintr-un cristal semiconductor compus din trei regiuni dopate diferit, care se succed n ordinea: p-n-p sau n-p-n i care satisfac condiiile: 1) regiunea de mijloc, numit baz, are o lime mic (fraciuni de microni pn la civa microni) fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari care o parcurg i 2) una din regiunile extreme, numit emitor, are un grad de impurificare mult mai mare dect baza. Cea de-a treia regiune a tranzistorului se numete colector.
n cadrul structurii de tranzistor se formeaz dou jonciuni pn. Regimurile de funcionare ale tranzistorului rezult dup cum sunt polarizate aceste jonciuni. Cele patru cazuri posibile sunt prezentate n tabelul 3.1. Polarizarea jonciunii: E-B C-B Directa Invers Direct Direct Invers Invers Invers Direct Regimul de funcionare Activ normal Saturaie Blocare Activ inversat
Tabelul 3.1 Regimurile de funcionare ale tranzistorului n funcie de polarizarea jonciunilor.
Funcionarea n regim activ normal (prescurtat RAN) este ntlnit n cazul aplicaiilor liniare. n saturaie tranzistorul se poate aproxima cu un comutator nchis (uCE 0), iar n blocare cu un comutator deschis (iC 0). Tranzistorul se utilizeaz n aceste dou regimuri la aplicaiile din electronica digital i la circuitele de comutaie. Regimul activ inversat este ntlnit foarte rar. Tranzistorul va fi analizat n regim activ normal. n RAN, jonciunea emitorului, dintre emitor i baz, este polarizat n sensul conduciei. Jonciunea fiind asimetric (condiia 2), curentul prin aceast jonciune se va datora ndeosebi purttorilor minoritari injectai n baz din emitor. Aceti purttori vor difuza prin baz i cea mai mare parte a lor vor traversa baza fr a se recombina (datorit condiiei 1) ajungnd la ce-a dea doua jonciune pn (numit jonciunea colectorului), pe care o vor traversa, deoarece n RAN este polarizat invers (fiind favorizat astfel conducia purttorilor minoritari). Astfel, prin jonciunea colectorului, dei polarizat invers, va trece un curent mare, aproape ntreg curentul care trece prin jonciunea emitorului (care este polarizat direct). Trecerea unui curent mare printr-o jonciune polarizat invers, datorit prezenei unei jonciuni polarizat direct n vecintatea ei, constituie efectul de tranzistor. Aceste tranzistoare se numesc tranzistoare bipolare deoarece funcionarea lor se bazeaz pe ambele categorii de purttori (majoritari n regiunile extreme i minoritari n regiunea de mijloc).
Simbolurile tranzistoarelor de tip pnp, respectiv npn sunt prezentate n figura 3.1.
83
uEB iB B
a) pnp
E iE iC C
B iB uBE
b) npn
C iC iE E
Fig. 3.1. Simbolurile tranzistoarelor bipolare. Sgeata din simbol indic emitorul tranzistorului. Sensul sgeii indic sensul jonciunii emitorului (de la p la n) i sensul de circulaie al curenilor prin tranzistor. Tranzistorul pnp este reprezentat cu emitorul n sus astfel nct s rezult o circulaie a curenilor de sus n jos.
3.1.1
Tranzistorul bipolar n regim activ normal (RAN)
n regim activ normal jonciunea emitorului este polarizat direct i jonciunea colectorului este polarizat invers. Pentru fixarea ideilor se va considera tranzistorul npn, caz n care: u BE > 0 ; u BE > U D 0 ; u BC < 0 . u CE > U CEsat , (3.1) (3.2) n cazul aplicaiilor uzuale condiiile anterioare devin: unde UD0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD 0 0,5V la siliciu) i UCEsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului (cu o valoare uzual de cteva zecimi de volt). n aceste condiii, datorit efectului de tranzistor, curentul de colector este aproape egal cu cel de emitor: cu = 0,98...0,998 , i = i (3.3)
C E
unde este factorul de amplificare n curent dintre colector i emitor. Efectul de tranzistor poate fi modelat printr-un generator de curent comandat n curent. Curentul de emitor circul prin jonciunea de emitor polarizat direct i depinde exponenial de tensiunea de polarizare a jonciunii conform unei ecuaii de tipul ecuaiei exponeniale a diodei, relaia (2.64). Tranzistorul poate fi privit ca o diod ntre baz i emitor i ca un generator de curent (comandat n curent) n colector. Circuitul din figura 3.2.a este echivalent unui tranzistor npn.
E iE IS /
iE
iC
E iE
iE
UBE
+
iC
iB UBE
iC
iB
B B E a) b) c) Fig. 3.2. Modele de semnal mare n RAN pentru tranzistoare npn; a) circuit cu diod, b), c) circuite echivalente simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.
Din particularizarea relaiei (2.64) pentru jonciunea emitorului i din relaia (3.3), care arat c iC iE , se obine ecuaia exponenial a tranzistorului. Pentru tranzistorul npn aceasta este: u iC = I S exp BE , (3.4) UT unde IS este o constant numit curent de saturaie al tranzistorului i UT (25mV la 290K) este tensiunea termic. Curentul IS are valori tipice n domeniul 10 1510 12A (funcie de dimensiunea tranzistorului) i depinde de temperatur (se dubleaz la circa 5C cretere a temperaturii). O simplificare a schemei echivalente din figura 3.2.a, se obine nlocuind dioda dintre baz i emitor cu o surs de tensiune constant. Aceast nlocuire este posibil deoarece tensiunea bazemitor se schimb relativ puin la modificarea curentului de colector. Astfel, pentru un curent prin tranzistor IC = zecimi de mA sute de mA, rezult UB E =0,60,8V(n cazul tranzistorului cu siliciu). Se consider cel mai adesea o tensiune constant: UB E 0,7V i se obine astfel modelul simplificat al TB din figura 3.2.b, care asigur o precizie suficient pentru circuitele uzuale.
84
n majoritatea aplicaiilor tranzistorul este utilizat ca un dispozitiv comandat. Modelul din figura 3.2.b (sau a), este convenabil dac tranzistorul este comandat din emitor, adic circuitul de comand fixeaz valoarea curentului de emitor. Exist adesea situaii n care tranzistorul este controlat din baz. Pentru aceste cazuri este preferabil circuitul din figura 3.2.c, (echivalent cu circuitul din figura 3.2.b), Trecerea de la curentul de emitor la curentul de baz se face cu ajutorul relaiei dintre curenii prin tranzistor, aa-numita ecuaie de continuitate a tranzistorului:
i E = iC + i B ,
(3.5)
care se nlocuiete n relaia (3.3). Rezult succesiv: i C = i E = iC + i B ; iC (1 ) = i B ; iC = i B ; iC =
i B sau 1
(3.6) (3.7)
, 1
reprezint factorul de amplificare n curent dintre colector i baz. innd seama de valorile pentru , relaia (3.3), rezult = 50500 cu valori uzuale =100300. Se observ dispersia mare a amplificrii colector-baz i se reine faptul c aceast amplificare este mult supraunitar. La tranzistoarele pnp se inverseaz sensul tensiunilor i al curenilor, conform cu sensurile din figura 3.1.a. Astfel, se inverseaz indicii tensiunilor din relaiile (3.1) (3.2) i (3.4); de exemplu, pentru ca tranzistorul pnp s fie practic n RAN relaia (3.2) devine: u EB > U D 0 ; u EC > U ECsat ,
u EB . UT
(3.8)
iar ecuaia exponenial a tranzistorului pnp devine:

iC = I S exp
(3.9)
Relaiile referitoare la cureni (3.3), (3.5) i (3.6) nu se modific (deoarece sensul de circulaie al curenilor prin tranzistorul pnp se consider inversat fa de tranzistorul npn curentul intr n emitor i iese prin colector). n cazul tranzistoarelor pnp, schemele echivalente din figura 3.2 devin:
E iE IS / a) B
iE
iC C
E iE UEB
+
iE
iC C
B
UEB
iB
c)
b)
iB
iC
Fig. 3.3. Modele de semnal mare n RAN pentru tranzistoare pnp; a) circuit cu diod, b), c) circuite echivalente simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.
Indiferent de tip, tranzistorul bipolar n RAN este un dispozitiv care controleaz curentul de colector. Controlul liniar al curentului de colector se poate realiza n dou moduri: - prin curentul de emitor i - prin curentul de baz. La analiza unui circuit cu tranzistoare, se identific modalitatea de control (din emitor sau din baz), se utilizeaz unul dintre modelele din figura 3.2 sau 3.3 i se verific, cu relaiile (3.2) sau (3.8), n ce msur tranzistorul i pstreaz regimul activ normal de funcionare la eventuala modificare a semnalelor.
85
O alt modalitate de control a tranzistorului, prin intermediul tensiunii baz-emitor, se poate analiza cu ecuaia exponenial a tranzistorului, relaia (3.4) sau (3.9). Acest mod neliniar de control va fi utilizat la analiza funcionrii tranzistorului n regim dinamic.
3.1.2
Tranzistorul bipolar n regim de blocare
n regim de blocare ambele jonciuni ale TB sunt polarizate invers (conform tabelului 3.1). n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE < 0 i u BC < 0 .
(3.10)
n practic se admite c tranzistorul este blocat chiar dac jonciunile tranzistorului sunt polarizate direct dar cu o tensiune mai mic dect tensiunea de deschidere a diodelor respective, ceea ce se reduce n cazul tranzistorului npn, la relaiile: u BE 0 , (3.11) unde UD0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD0 0,5V la siliciu). n acest caz curenii prin tranzistor sunt foarte mici, cel mult de ordinul microamperilor, neglijabili pentru majoritatea aplicaiilor practice. Se pot utiliza relaiile aproximative: iB 0 , iC 0 , iE 0 , (3.12) ceea ce este echivalent cu a considera tranzistorul ca o ntrerupere de circuit. La tranzistorul pnp sensul tensiunilor se inverseaz i relaiile (3.11) devin: u EB 0 , (3.13)
n concluzie, un tranzistor blocat nu are nici un efect n circuitul n care apare i poate fi ters din acel circuit.
3.1.3
Modele simplificate ale TB valabile n RAN i n blocare
Trecerea din regimul de blocare n regim activ normal are loc gradat prin modificarea tensiunii pe jonciunea emitorului de la UD 0 0,5V la UD 0,7V i poate fi analizat cu ajutorul ecuaiei exponeniale a tranzistorului, relaia (3.4) sau (3.9). Caracterul neliniar al acestei ecuaii face nepractic utilizarea ei n la analiza circuitelor obinuite. Modelele simplificate din figura 3.4 i 3.5 pot fi utilizate att n regim de blocare ct i n regim activ normal. Trecerea de la un regim la altul are loc prin modificarea strii diodei ideale din circuitul echivalent (ca i la modelul diodei cu tensiune de prag). Aceast simplificare conduce la micorarea preciziei mai ales n domeniul curenilor mici, la limita dintre blocare i RAN.
E iE
iE i C C
UD
a)
+
iB
+
iC C
iC uBE
c) 0 UD
UD
B
iB
E
uCE >UCEsat
b)
Fig. 3.4. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare npn valabile n RAN i n blocare, comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.
Circuitele echivalente prezentate nu sunt valabile n saturaie i n regim activ inversat, ceea ce impune o condiie suplimentar: u CE > U CEsat pentru npn, respectiv u EC > U ECsat pentru pnp , (3.14)
86
unde UCEsat sau UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului npn, respectiv pnp (cu o valoare uzual de cteva zecimi de volt). iC E u >U
EC ECsat
E iE
+
UD
iE
iC C
UD iB
0 UD c) B a) B b) C Fig. 3.5. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare pnp valabile n RAN i n blocare, comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.
iB iC
uEB
3.1.4
Tranzistorul bipolar n saturaie
n regim de saturaie ambele jonciuni ale TB sunt polarizate direct (conform tabelului 3.1). n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn: u BE > 0 ; u BC > 0 . (3.15) Tranzistorul bipolar intr n regim de saturaie dac n baza tranzistorului se foreaz din exterior un curent mai mare dect curentul de baz necesar pentru meninerea curentului de colector al tranzistorului: i iB > C , (3.16)
Surplusul de curent din baz iB = iB (iC / ) deschide jonciunea baz-colector a tranzistorului. Deoarece ambele jonciuni ale tranzistorului sunt deschise, tensiunea dintre colectorul i emitorul tranzistorului este mic: uCE = uBE uBC (0,7 0.40,6=0,10,3V). Dac se consider aceast tensiune aproximativ constant, n locul unui tranzistor npn saturat se poate utiliza circuitul echivalent din figura 3.6.a.
B
+ +
B
+
C
+
UBEsat
a) E
UCEsat
UBE
UEBsat
UECsat
C
B E b) c) Fig. 3.6. Scheme echivalente pentru tranzistorul bipolar saturat: a) tranzistor npn, b) schem simplificat pentru npn, c) tranzistor pnp.
Tensiunea de saturaie a tranzistorului UCEsat are o valoare uzual de cteva zecimi de volt; n cazul tranzistoarelor de mic putere se poate considera UCEsat 0,2V. La o analiz simplificat a circuitelor care conin tranzistoare saturate se poate considera tensiunea de saturaie a tranzistorului ca fiind nul, mai ales dac tensiunile din circuitul colectorului au valori mai mari dect civa voli. n acest caz circuitul echivalent al tranzistorului se simplific i devine cel din figura 3.6.b. Tensiunea baz-emitor a tranzistoarelor n saturaie are de obicei valori mai mari dect n RAN UBEsat = 0,7...0,9V. Pentru simplitate se consider tensiunea baz-emitor cu aceeai valoare din RAN: UBEsat UBE 0,7V. Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, raportul dintre curentul de colector i cel de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul exterior tranzistorului):
fortat =
se alege de obicei
iC <, iB
(3.17) (3.18)
fortat = 10 K 20 << .
3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR
87
n cazul tranzistoarelor pnp sensul tensiunilor se inverseaz i se poate utiliza circuitul echivalent din figura 3.6.c, unde UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului (cu valori uzuale de cteva zecimi de volt, ca i la tranzistorul npn).
n concluzie, tranzistorul este saturat datorit unui curent excesiv n baz i se comport ntr-o prim aproximare ca un comutator nchis (ntre colector i emitor). Mai exact, tensiunea dintre colector i emitor are o valoare mic, de cteva zecimi de volt.

n acest subcapitol se prezent cteva aplicaii ale tranzistoarelor bipolare: inversorul de tensiune, un circuit de comand al unui releu, sursa standard de curent constant, stabilizatorul de tensiune cu regulator serie i un circuit de amplificare n tensiune cu tranzistor. Aceste aplicaii relativ simple ale tranzistorului sunt nsoite i de exemple de calcul i au ca scop s familiarizeze cititorul cu elementele fundamentale ale tranzistorului prezentate anterior. Circuitele studiate sunt dintre cele mai des utilizate n implementrile cu componente discrete.
3.2.1
Inversorul cu tranzistor bipolar
Inversorul de tensiune n forma lui cea mai simpl este prezentat n figura 3.7. Sursa de tensiune de la intrare se conecteaz ntre baz i emitor (prin intermediul rezistenei RB ) iar ieirea se preia ntre colector i emitor. Emitorul este conectat la mas i este comun intrrii i ieirii; se spune despre tranzistor c este n conexiunea emitor comun.
i C RC
+ +
RB UCC uI
iB
+
iC
RC uO UCC
+
RB iB
+
uI
uBE
uO
UBE
iB
a) b) Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu, b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.
Tranzistorul este utilizat ca amplificator de curent, iar rezistenele realizeaz conversia curent-tensiune. Rezistena RB transform tensiunea de intrare n curent de baz conform T2K pe bucla de intrare: u u BE (3.19) . u I = RB i B + u BE i B = I RB Rezistena RC transform curentul de colector n tensiune de ieire conform T2K pe bucla de ieire: u O = U CC RC iC , (3.20) unde cu UCC s-a notat tensiunea sursei de alimentare a circuitului. Se consider cazul uzual n care este ndeplinit condiia, U CC >>UD 0 , (3.21) unde UD 0 0,5V este tensiunea de deschidere a unei diode cu siliciu (jonciunea baz-emitor). Pentru tensiuni de intrare mici (u I <UD0 ) tranzistorul este blocat, curenii prin tranzistor sunt neglijabili i tensiunea de ieire are o valoare ridicat: u O = U CC RC iC U CC ,
(iC
0) .
(3.22)
Pentru tensiuni de intrare suficient de mari, tranzistorul intr n saturaie. n acest caz tensiunea de ieire este mic: u O = U CEsat ( 0,2V) , (3.23)
88
i curentul de colector atinge o valoare apropiat de valoarea maxim posibil:

iC = U CC U CEsat U CC (= I C max ) . RC RC
(3.24)
Intrarea n saturaie a tranzistorului are loc dac se injecteaz n baza acestuia un curent mai mare dect cel necesar pentru a susine curentul din colector. Condiia (3.16), de intrare n saturaie, devine: R u U BE iC U CC > u I > U BE + B U CC . iB = I (3.25) RC RC RB Tensiunea baz-emitor a tranzistorului s-a considerat constant, UB E (=UD 0,7V). Cele dou situaii extreme: tranzistorul blocat i respectiv tranzistorul saturat sunt utilizate la circuitele care lucreaz n comutaie sau n cazul circuitelor logice. n acest ultim caz, dac se aloc valoarea logic 0 pentru tensiuni mici (apropiate de zero voli) i valoarea logic 1 pentru tensiuni ridicate (apropiate de UCC ) se observ c valoarea logic de ieire este inversul valorii logice de intrare; circuitul cu tranzistor realizeaz funcia de inversare sau negare logic. Dac tensiunea de intrare are valori medii, atunci tranzistorul va funciona n regiunea activ normal (RAN). Tranzistorul se comport ca o surs de curent controlat din circuitul bazei i de aceea se prefer utilizarea schemei echivalente din figura 3.3.c. Schema echivalent a inversorului este prezentat n figura 3.7.b. Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile (3.6), (3.19) i (3.20), relaii din care se obine caracteristica de transfer a circuitului:
u O = U CC RC i B = U CC RC u I U BE . RB
(3.26)
Exemplu
S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer a inversorului din figura 3.7.a pentru: RC =1k, RB =10k, uI =05V i UCC =5V. Se consider modelul tranzistorului din figura 3.4.b cu UB E (=UD ) =0,7V, =100 i UCEsat =0,2V.
Rezolvare: n blocare: i B 0, u BE = u I R B i B u I . Tranzistorul este blocat dac
dioda baz-emitor este blocat: uB E <UD adic uI <UD . Dac tranzistorul este blocat, iC 0 i conform (3.22) rezult: u O = U CC RC iC U CC = 5V , pentru u I < 0,7 V . Pentru uI >0,7V dioda baz-emitor este n conducie i tranzistorul poate fi n RAN sau n saturaie. Dac uO >0,2V, tranzistorul este n RAN i caracteristica de transfer este dat de (3.26):
u O = 5 1k 100 u I 0,7 = 12 10 u I [V] , pentru 12 10 u I > 0,2 u I < 1,18V . 10k
n saturaie, conform (3.23): uO =0,2V pentru uI >1,18V relaia (3.25). Caracteristica de transfer a circuitului pentru ntreg domeniul de variaie a tensiunii de intrare este reprezentat grafic n figura 3.8. Pentru comparaie, s-a reprezentat cu linie ntrerupt caracteristica obinut prin simulare.
89
Caracteristica de transfer este descris analitic de funcia liniarizat pe poriuni: uO [V]

RAN
5
Saturaie
Blocare
pentru u I < 0,7 V uO = 5 V u O = 12 10 u I V pt. 0,7 u I < 1,18 V u = 0,2 V pentru u I 1,18 V O
Fig. 3.8. Caracteristica de transfer a inversorului cu tranzistor ; cu linie ntrerupt este schiat caracteristica de transfer obinut prin simulare.
0,2 0
uI [V]
0,7 1 1,18 2 5
a) S se dimensioneze circuitul inversor din figura 3.9, astfel nct s realizeze: uO UCC pentru uI =01V, uO =UCEsat 0 pentru uI = 25V.
+
RC
1k
+UCC
+5V
R1 uI
iC iB R2 uBE uO
Parametrii tranzistorului se consider UD 0 =0,5V, UB E =0,7V i =100. b) S se determine tensiunea de intrare de la care tranzistorul intr n saturaie dac =300.
Rezolvare:
Fig. 3.9. Inversor logic cu tranzistor
a) Dimensionarea circuitului se reduce la aflarea valorilor rezistenelor R 1 i R 2 . Pentru tranzistorul blocat, divizorul de tensiune lucreaz n gol (iB 0) i deci:
u BE = u I R2 sau R1 + R2 uI R = 1+ 1 . u BE R2
La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE =UD 0 =0,5V i trebuie ca uI =1V (conform enunului). Din relaia precedent rezult:
R1 u 1 = I 1 = 1 = 1 0,5 R2 u BE R1 = R2 .
La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), conform relaiei (3.25), curentul iB necesar este:
iB U CC 5 = = 0,05 mA . RC 100 1k
90
Curentul necesar prin R 1:
i R1 = i R 2 + i B =
U BE + iB , R2
obinut din T1K,
se poate determina i din legea lui Ohm: iR1 =

u U BE U BE + iB = I , R2 R2
u I U BE . R1
innd cont c R 1 =R 2 , rezult:

u I 2U BE 2 2 0,7 = = 12k iB 0,05m
R2 i B = u I 2U BE , R2 =
O alt modalitate de rezolvare este nlocuirea circuitului conectat la intrare (ntre baz i emitor) cu sursa Thvenin echivalent conform figurii alturate. Parametrii sursei Thvenin sunt: R1 RTh iB iB R2 uI = , uTh = u BE i =0 = u I B R1 + R2 2 uI uTh uBE R2 uBE
+
RTh = R1 || R2 =
R2 . 2
Fig. 3.10. Echivalarea Thvenin la intrare
Prin nlocuirea circuitului de la intrare cu sursa Thvenin echivalent, schema circuitului devine identic cu cea din figura 3.7.a, cu uTh n loc de uI i R Th n loc de R B . Relaia (3.25) permite calcularea rezistenelor din circuitul bazei la limita intrrii n saturaie:
uTh U BE U CC u U BE 1 0,7 RTh RC Th = 100 1k = 6k , R2 = R1 = 2 RTh = 12k RTh RC U CC 5
b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:
iB U CC 5 = = 0,0167 mA , RC 300 1k
iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate calcula din:
u I U BE U BE = + iB R1 R2 u I = R1i B + 2U BE = 12k 0,0167 m + 2 0,7 = 1,6V .
Folosind sursa Thvenin echivalent se obine acelai rezultat (cu mai puine calcule): uTh = RTh i B + U BE = 6k 0,167m + 0,7 = 0,8V , u I = 2 uTh = 1,6V
n concluzie circuitul analizat poate fi utilizat ca inversor logic. Intervalele de tensiuni corespunztoare nivelelor logice la intrare sunt:
pentru 0 logic : uI =01V depinde de tensiunea de deschidere a tranzistorului UD 0 i de raportul rezistenelor de la intrare (nu depinde de factorul al tranzistorului); pentru 1 logic : uI = 25V pentru =100 i uI = 1,65V pentru =300 depinde de factorul de amplificare n curent al tranzistorului. Pentru ca circuitul s funcioneze cu orice tranzistor care are 100, se va considera intervalul de tensiuni care asigur saturarea tranzistorului pentru minim, deci uI = 25V, saturarea tranzistoarelor care au mai mare fiind asigurat implicit.
3.2.2
Circuit de comand al unui releu cu tranzistor bipolar
Dimensionarea circuitului de comand cu tranzistor bipolar se face pe baza unui exemplu concret. Circuitul din figura 3.11 declaneaz un releu electromagnetic la scderea iluminrii
91
ambiante sub un anumit prag. Contactele de for ale releului pot fi utilizate de exemplu pentru cuplarea automat a sistemului de iluminare de siguran. Ca senzor de lumin este utilizat fotorezistena FR component semiconductoare a crei rezisten scade la creterea iluminrii (datorit purttorilor de sarcin generai optic). Prin modificarea rezistenei R 1 se poate ajusta pragul de declanare. Dioda D are rolul de a crea o cale de curent pentru tensiunea de autoinducie care apare la decuplarea releului (n momentul blocrii tranzistorului). n lipsa diodei aceast tensiunea ar putea duce la strpungerea tranzistorului.
+UCC Rel.
S se calculeze rezistena R 1 pentru ca releul s cupleze la acea iluminare pentru care fotorezistena are valoarea RFR = 5k, dac UCC =12V, UB E =0,7V, =100. Rezistena releului este RRel = 1k iar tensiunea de prag (la care cupleaz releul) este UP =6V. La ce valoare a fotorezistenei va cupla releul dac =200?
R1 iB
FR uBE
iC
Fig. 3.11. Releu optic
Rezolvare:
Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu. Curentul prin releu este curentul de colector al tranzistorului i poate fi calculat cu legea lui Ohm (la cuplarea releului dioda D este blocat). Curenii prin tranzistor sunt:
iC = UP 6 = = 6mA , R Rel 1k iB = iC
6m = 0,06mA . 100
Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin fotorezisten i rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea succesiv a legii lui Ohm:
i FR = U U BE U BE 0,7 11,3 = = 0,14mA , i R1 = i B + i FR = 0,2mA , R1 = CC = 56k . i R1 0,2m R FR 5k
Dac factorul de amplificare crete, curentul necesar n baza tranzistorului scade, curentul prin R 1 nu se modific i deci cuplarea releului se va produce pentru o alt valoare a fotorezistenei:
i FR1 = i R1 iC
= 0,2m
6m = 0,17 mA , 200
R FR1 =
U BE 0,7 = = 4,12k . i FR1 0,17 m
Analiza circuitului s-a fcut cu schema echivalent a tranzistorului presupus implicit. Schema echivalent a circuitului (care utilizeaz explicit schema echivalent a tranzistorului) este reprezentat n figura alturat.
iR1 R1 iFR RFR iB

+
UBE Observaii: 1. Pentru aplicaia propus modificarea fotorezistenei de la 5k la circa 4k este acceptabil; declanarea releului optic se va produce la un nivel de iluminare ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al tranzistorului este mai mare.
iB
2. Echivalarea Thvenin a circuitului din baza tranzistorului nu conduce la o simplificare a calculelor deoarece, n acest caz, att uTh ct i R Th depind de fotorezisten.
iC
RRel UCC
92
3.2.3
Sursa standard de curent constant
Sursa de curent constant menine curentul ntr-o ramur de circuit la o valoare fixat. Teoretic, valoare acestui curent nu depinde de tensiunea dintre bornele sursei de curent. Sursele de curent se pot realiza prin conectarea sarcinii n circuitul de colector al unui tranzistor bipolar care funcioneaz n RAN i la care curentul de emitor este meninut constant. Funcionarea unui astfel de circuit se bazeaz pe egalitatea dintre curentul de colector i curentul de emitor la TB n RAN. Sursa de curent constant poate s absoarb curent (pe care l conduce de obicei la mas) sau poate s furnizeze curent de la o surs de tensiune spre circuitul de sarcin (sarcin care de obicei este conectat la mas). Schemele bloc ale unor astfel de configuraii sunt prezentate n figura 3.12.a i b (circuitele de sarcin sunt reprezentate simbolic de rezistena RL ). Circuitele cu tranzistoare absorb un curent constant IC din sursa de tensiune UCC prin sarcina RL spre mas (cazul a), respectiv furnizeaz un curent constant din sursa de tensiune prin sarcina conectat la mas (cazul b). Din punct de vedere energetic circuitele realizeaz conversia tensiune-curent, preiau energia de la o surs de tensiune i o transform n curent prin sarcin.
UCC
IC RL a) b) D R2 c) RE RL IC T D D2 d) RE e)
+UCC
R1
RL IC
R1
RL IC T
+UCC
R2 D
RE T
+UCC
R1
IC RL
Fig. 3.12. Surse de curent constant cu TB: a), b) scheme bloc; scheme de principiu: c), d) cu tranzistoare npn absorb curent i e) cu tranzistor pnp injecteaz curent.
Schemele de principiu ale surselor standard de curent constant care absorb, respectiv injecteaz curent sunt prezentate n figura 3.12.c, d respectiv e. La dimensionarea acestor surse trebuie respectate urmtoarele condiii: Tranzistorul trebuie s fie nesaturat (se asigur astfel egalitatea curenilor prin tranzistor: IC IE , deoarece tranzistorul nesaturat are un factor de amplificare mare, sau 1); condiia de nesaturare este relaia (3.14) corespunztoare tipului tranzistorului utilizat. Curentul prin circuitul de polarizare al bazei trebuie s fie mult mai mare dect curentul de baz; o condiie rezonabil este: I R1 > 0,1 I C . (3.27)
Aceast condiie asigur o dependen redus a curentului de ieire de factorul de amplificare al tranzistorului, ct timp acest factor este suficient de mare (tipic: 100 IR1 10 IB1 ). Calcularea curentului de ieire n funcie de elementele schemei se face considernd implicit modelul tranzistorului din figura 3.4.a (respectiv 3.5.a pentru pnp), fr a mai redesena schema echivalent. Aceasta revine la a considera tensiunea emitor-baz constant i IC = IE IE . Pentru schema din figura 3.12.c sunt valabile urmtoarele relaii: IE = U RE RE , U RE + U BE = U R 2 + U D ; U D U BE U RE U R 2 i I E
U R 2 = R2 I R 2 ;
U R2 . RE pentru
n circuitul de polarizare al bazei:
93
I R1 >> I B I R 2 = I R1 I B I R1
i n final se obine:
IC I E
U CC U D R (U U D ) , U R 2 = 2 CC R1 + R2 R1 + R2 U U D R2 . CC R1 + R2 RE
(3.28)
Jonciunea baz-emitor i dioda D se comport aproximativ identic, dependena de temperatur a celor dou jonciuni este aproximativ identic i implicit curentul de ieire este relativ independent de temperatur. Circuitul funcioneaz i fr dioda D (nlocuit cu un scurtcircuit), dar crete dependena de temperatur a curentului de ieire. Condiia de nesaturare a tranzistorului din relaia (3.14) impune: fie tensiunea de alimentare UCC minim pentru o sarcin dat: U CE = U CC (R L + R E ) I C > U CEsat U CC > U CEsat + (R L + RE ) I C , (3.29) fie cderea de tensiune maxim pe circuitul de sarcin (sau valoarea maxim a rezistenei de sarcin) dac tensiunea UCC este impus: U U CEsat RE . U RL < U CC U CEsat R E I C sau R L < CC (3.30) IC
n cazul generatorului cu tranzistor pnp din figura 3.12.e relaiile precedente nu se modific exceptnd nlocuirea tensiunii UCEsat cu tensiunea de saturaie specific tranzistorului pnp, UECsat . Relaia de calcul a curentului de ieire din surs (3.28) este aceeai indiferent de tipul tranzistorului. Din aceast relaie se remarc proporionalitatea dintre curentul de ieire i tensiunea de alimentare; aceasta indic dependena curentului IC de tensiunea UCC . Pentru a obine o relativ independen a curentului de ieire de tensiunea de alimentare, se poate utiliza schema din figura 3.12.d (n locul celei din figura 3.12.c). Se poate demonstra uor c:
IC UD , RE
(3.31)
unde UD este cderea de tensiune pe dioda D2; se poate considera UD 0,7V. Dac n schema din figura 3.12.e se nlocuiete R1 cu o diod (sau diod zener) se obine i n cazul schemei cu tranzistor pnp o relativ independen a curentului de ieire de tensiunea UCC .
a) S se dimensioneze circuitul de ncrcare al unui acumulator cu Ni (cadmiu-nichel, CdNi, sau nichel-metal hidrid, NiMH) cu tensiunea nominal de 3,6V (format din trei elemente nseriate) i cu o capacitate nominal de 1Ah (amper-or). Curentul de ncrcare se alege Inc = 0,1A(=Q/10h, aa-numitul regim de ncrcare lent; n acest regim, randamentul tipic al ncrcrii este de circa 70% i timpul de ncrcare a acumulatorului complet descrcat este de circa 14 ore). Se va utiliza circuitul din figura 3.12.e (cu acumulatorul conectat la mas) cu tensiunea sursei de alimentare de 12V. Cderea de tensiune pe rezistena din emitor se alege URE = 23V i IR1 = (1020)IBmax . Se consider factorul de amplificare n curent al tranzistorului 100 i UD =UEB = 0,7V. b) Pentru sursa de curent constant rezultat, s se determine puterea maxim disipat de tranzistor (n cazul unei tensiuni nule pe sarcin scurtcircuit la ieire) i tensiunea maxim care poate s apar pe sarcin (n cazul n care sursa furnizeaz curentul nominal), dac se consider o tensiune de saturaie a tranzistorului UECsat = 0,3V.
94
Rezolvare:
Schema echivalent a circuitului este reprezentat n figura alturat. S-a utilizat schema echivalent a tranzistorului n RAN iar acumulatorul s-a nlocuit cu sursa de tensiune echivalent. Curentul de emitor al tranzistorului este practic egal cu cel de colector deoarece >>1: +1 = IC I C = I nc . RE se dimensioneaz cu legea lui Ohm: I E = IC + I B = IC + IC RE = U RE IE U RE I nc =
IR2 R2
+
IE
+
RE
UCC
UD IR1 R1
IB
UEB Iinc Acu

+
IB
2...3 = 20...30 . Se alege valoarea standardizat: RE =22. 0,1
2 Puterea disipat de rezistena de emitor este: PdRE = R E I nc = 22 0,12 = 0,22 W .
Curentul maxim n baza tranzistorului rezult pentru factorul de amplificare minim:

I B max =
min
IC
min
I nc
0,1 = 0,001A = 1mA 100
Din T1K scris n baza tranzistorului: I R 2 + I B = I R1 i I R1 >> I B I R 2 I R1 = (10...20 ) I B max = 10...20mA

RE I nc 22 100m = = 220...110 . 10...20m I R2 RE I nc 22 100m = 15mA . R2 150
Pentru UEB =UD , din T2K scris pe bucla: RE jonc.E-B D R2 :

R E I nc + U EB = R2 I R 2 + U D R E I nc = R2 I R 2 i R2 =
Se alege valoarea standardizat R2 =150 a..: I R1 I R 2 =
Rezistena R1 se determin din T2K scris pentru divizorul din baza tranzistorului:
U CC = R2 I R 2 + U D + R1 I R1 R1 U CC U D 12 0,7 R2 = 150 = 603 . I R1 15m
Se alege valoarea standardizat R1 =620. b) La calcularea puterii disipate de tranzistor se poate neglija puterea din circuitul bazei deoarece att curentul ct i tensiunea de baz sunt mici:
PDT = I C U EC + I BU EB I C U EC , PDT max = I nc (U CC R E I nc ) = 0,1 (12 22 0,1) 1W .
Puterea disipat maxim s-a calculat considernd cazul cel mai defavorabil, un scurtcircuit n locul acumulatorului, caz n care tensiunea UEC este maxim. Tensiunea maxim care poate s apar pe sarcin n regim normal de funcionare se calculeaz din T2K atunci cnd tranzistorul este la limita practic a RAN (uEC = UECsat ): U C max = U CC RE I nc U ECsat = 12 22 0,1 0,3 = 9,5V .
n concluzie, tranzistorul trebuie ales astfel nct s poat disipa 1W i acest circuit poate furniza un curent constant de 0,1A dac tensiunea pe sarcin este mai mic dect 9,5V.
95
3.2.4
Stabilizator de tensiune cu tranzistor
Stabilizatorul de tensiune este un circuit la ieirea cruia se obine n mod ideal o tensiune constant. Practic, tensiunea de ieire trebuie s depind ct mai puin de curentul furnizat sarcinii, de tensiunea de intrare i de temperatur, cu condiia ca acestea s se ncadreze ntre anumite limite. Tranzistorul este elementul regulator n sensul c preia variaiile tensiunii de intrare i ale curentului de ieire. El poate fi conectat ntre sursa de intrare i sarcina de la ieire (n serie cu sarcina), caz n care circuitul este denumit stabilizator serie, sau poate fi conectat n paralel cu sarcina, caz n care circuitul se numete stabilizator paralel (sau derivaie). Schemele de principiu pentru aceste configuraii sunt prezentate n figura 3.13.a i respectiv b. Tensiunea de referin URef este o tensiune constant care determin tensiunea de ieire n cele dou cazuri conform relaiilor: a ) u O = U Ref U BE ,
T
+
b) u O = U Ref + U BE .
R iO URef
b)
(3.32)
Fig. 3.13. Scheme de principiu pentru: a) configuraia serie b) configuraia paralel.
iO
+
uI
URef
a)
uO RL
uI
u T O
RL
ntruct tensiunea UBE este aproximativ constant, rezult o tensiune de ieire uO care este aproximativ constant. Avantajul adus de aceste configuraii de circuit este curentul mic solicitat din sursa de tensiune constant URef . Aceast surs este realizat practic ca stabilizator de tensiune cu diod Zener sau cu ajutorul unui circuit integrat specializat de mic putere. n figura 3.14 este prezentat stabilizatorul serie tipic, cu diod zener. iB iO iO
+
a) b) Fig. 3.14. Stabilizatorul de tensiune serie cu tranzistor i diod Zener: a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru iZ >IZm ).
Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor din figura 3.14.a se bazeaz pe circuitul din figura 3.13.a, la care sursa de tensiune de referin URef este nlocuit cu stabilizatorul parametric compus din R i D. Curentul de ieire pentru stabilizatorul parametric este curentul de baz al tranzistorului iB , iar curentul de ieire din stabilizator iO este curentul de emitor al tranzistorului. Relaia dintre curentul de emitor i curentul de baz al tranzistorului se obine din (3.5) i (3.6): iO = i E = iC + i B = i B + i B = ( + 1) i B i deci iB = iO . +1 (3.33)
Tensiunea de la ieirea stabilizatorului se poate calcula cu relaia (3.32.a) care devine: u O = U Z U BE , iar puterea disipat de tranzistor se poate calcula cu relaia: PdT = u CE i E = (u I u O ) iO . (3.35) Stabilizatorul parametric i implicit stabilizatorul cu tranzistor funcioneaz corect dac prin dioda zener circul un curent ntre limitele admise (conform relaiei de la stabilizatorul parametric):
I Zm i Z I Z M ,
uI
UZ
uO
RL
uI
iR iB
iZ
UBE UZ uO
RL
(3.34)
96
unde IZm este curentul minim de stabilizare i IZM este curentul maxim de stabilizare. Pe baza schemei echivalente din figura 3.14.b se pot calcula limitele tensiunii de intrare i ale curentului de ieire pentru care circuitul ndeplinete funcia de stabilizator de tensiune. Astfel, pentru un anumit curent de ieire IO , considerat constant, tensiunea de intrare trebuie s fie: I u I U Z + R I Zm + O , +1 iar pentru o anumit tensiune de intrare UI , constant, curentul de ieire trebuie s fie: U UZ iO I I Zm . R Variaia simultan a tensiunii de intrare i a curentului de ieire este analizat ntr-un:
(3.36)
(3.37)
a) S se determine rezistorul R astfel nct stabilizatorul de tensiune din figura 3.14.a s funcioneze corect i ncrcarea diodei zener s fie minim dac uI =1215V i iO = 00,5A. Pentru dioda zener (de tip DZ6V8) se consider UZ = 6,8V, IZm = 5mA i IZM = 70mA iar pentru tranzistor 100 i UBE = 0,7V. Pentru R = 470 s se determine: b) puterea maxim disipat de tranzistor i de dioda zener dac limitele uI i iO sunt cele de la punctul precedent i c) puterea maxim disipat de tranzistor n cazul unui scurtcircuit la ieire dac =50 (pentru IC = 1 2 A; scade la creterea IC ).
Rezolvare
a) Determinarea rezistorului R presupune aflarea valorii rezistenei i a puterii disipate maxime. Rezistena trebuie astfel dimensionat nct cel mai mic curent prin dioda zener s fie cel puin egal cu IZm :
iZ = iR i B = u I U Z iO ; R i Z min = u Imin U Z iO max I Zm . min R
Din relaia anterioar rezult rezistena maxim (pentru care stabilizatorul funcioneaz corect i ncrcarea diodei zener este minim):
R u I min U Z 12 6,8 = = 0,52k = 520 . I Zm + iO max min 5m + 500m 100
Puterea disipat de rezistor i valoarea maxim a acesteia sunt:

PdR =
(u I
U Z )2 , R
PdR max =
(u I max
U Z )2 (15 6,8)2 = 0,13W . R 520
Se verific dac dioda zener suport curentul maxim care poate s apar: i Z max = u I max U Z iO min 15 6,8 = 0 16mA < I ZM (= 70mA ) . R 520
b) Puterea maxim disipat de tranzistor se calculeaz particulariznd relaia (3.35): PdT max = (u I max U O ) iO max = [15 (6,8 0,7 )] 0,5 = 4,45W . Puterea maxim disipat de dioda zener se calculeaz cu ajutorul curentului maxim care poate s apar prin dioda zener (calculat cu rezistena R de la punctul b):
97
U Z iO min u PdZ max = U Z i Z max = U Z I max R
15 6,8 = 6,8 0 0.12 W . 470
c) n cazul unui scurtcircuit la ieire tensiunea pe tranzistor este egal cu tensiunea de intrare i curentul prin tranzistor crete foarte mult:
u CEsc = u I u O = u I 0 = u I , iCsc = i Bsc = u I U BE R
ceea ce determin o cretere apreciabil a puterii disipate pe tranzistor: U BE 15 0,7 u PdT max sc = u I max I max = 15 50 = 15 1,52 = 22,8W . 470 R S-a utilizat valoarea mai mic a factorului de amplificare deoarece curentul prin tranzistor are o valoare mare (1,5A), valoare la care factorul scade (conform enunului).
Observaii: 1. Circuitul se dimensioneaz astfel nct curentul prin dioda zener s fie mai mare dect curentul minim admisibil, ct timp tensiunea de intrare i curentul de ieire se menin n limitele prestabilite. 2. Pentru stabilizatorul serie, tranzistorul este componenta de circuit care preia diferena de putere dintre intrare i ieire. n cazul unui scurtcircuit la ieire, puterea disipat de tranzistor crete foarte mult (de circa 5 ori la circuitul analizat) i pentru a prentmpina distrugerea tranzistorului, n circuitele reale trebuie prevzut un mecanism de limitare a curentului de scurtcircuit.
3.2.5
Amplificator de tensiune cu tranzistor
Prin amplificare se nelege operaia de mrire a puterii unui semnal n condiiile pstrrii formei acestuia. Mrirea puterii unui semnal electric se face pe seama energiei furnizat de sursa de alimentare. Circuitul electronic care realizeaz operaia de amplificare se numete amplificator. Unul dintre cele mai simple amplificatoare poate fi realizat cu ajutorul inversorului cu un tranzistor. Dup cum s-a artat n paragraful 3.2.1, dac tranzistorul din circuitul inversor funcioneaz n regim activ normal, atunci caracteristica de transfer a circuitului este liniar, relaia (3.26), ceea ce indic o proporionalitate ntre semnalul de ieire i cel de intrare al inversorului. Pentru a transforma inversorul cu tranzistor n amplificator trebuie s se aplice semnalul variabil la intrarea inversorului i s se preia variaiile semnalului de la ieire. Un astfel de inversor, modificat pentru a funciona ca amplificator, este prezentat n figura 3.15.a.
RC RB ui UI
+
iB u BE
iC uO uo
UCC ui UI
+
uI
uI
UBE
iB
uO
a) b) Fig. 3.15. Amplificator de tensiune obinut prin modificarea inversorului cu tranzistor: a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru uI >UBE ).
Prin nserierea surselor la intrare se obine o tensiune uI care are o component UI de cc (sau de polarizare) i o component ui de ca (sau de semnal, cu o valoare medie nul):
RB iB
RC iC UCC
98
u I = U I + ui .
(3.38)
Tensiunea de ieire uO care rezult este i ea format dintr-o component UO de cc i o component uo de ca: uO = U O + uo . (3.39) Componenta de semnal de la ieire este separat de componenta de cc cu ajutorul condensatorului de cuplaj C a crui capacitate are o valoare mare (teoretic infinit). Calcularea mrimilor electrice din circuit se poate face cu ajutorul schemei echivalente a circuitului din figura 3.15.b, n care tranzistorul a fost nlocuit cu schema echivalent simplificat:
u O = U CC RC iC = U CC RC i B = U CC RC U I + u i U BE . RB
(3.40)
Mrimile de cc se obin considernd tensiunea de semnal la intrare nul (ui =0):

U O = U CC RC U I U BE . RB
(3.41)
Din relaiile (3.39), (3.40) i (3.41) se pot determina tensiunea de semnal la ieire i amplificarea n tensiune realizat de circuit:
u o = u O U O = RC ui , RB au = uo R = C . ui RB
(3.42)
Semnul din expresia amplificrii indic un defazaj de 180 ntre semnalul de ieire i semnalul de intrare n amplificator (de exemplu, atunci cnd semnalul de intrare atinge valoarea maxim amplitudinea pozitiv, semnalul de ieire va atinge amplitudinea negativ). Valoarea amplificrii n tensiune depinde de rezistenele din circuit (RC i RB ) i de factorul de amplificare n curent al tranzistorului . Pentru a obine o amplificare ct mai mare trebuie ca rezistena RB s fie ct mai mic (conform relaiei precedente, amplificarea devine infinit pentru RB =0). Dac RB =0, atunci semnalul de intrare se aplic direct n baza tranzistorului i tensiunea uBE se modific (datorit tensiunii variabile ui ). Conform modelului simplificat al tranzistorului, utilizat anterior, tensiunea uBE =UBE =ct. nu se modific. Aceast aparent imposibilitate (ca uBE s fie variabil i constant n acelai timp) indic de fapt c modelul simplificat al tranzistorului nu poate fi utilizat (pentru RB mici) i trebuie utilizat un model mai precis, de exemplu modelul exponenial, dat de ecuaia (3.9) a tranzistorului. Pe baza modelului exponenial se va face analiza funcionrii tranzistorului n regim dinamic (ntr-un paragraf urmtor). Limitele ntre care amplificatorul funcioneaz liniar sunt date de intrarea tranzistorului n blocare (uO UCC ), respectiv n saturaie (uO 0). Pentru a obine un domeniu maxim de variaie a tensiunii de ieire, n cazul unui semnal simetric (de exemplu sinusoidal), trebuie ca tensiunea de ieire fr semnal UO (tensiunea de polarizare la ieire) s aib valoarea medie a celor dou limite:
U CC . (3.43) 2 Dup cum se poate constata din relaia (3.40) tensiunea continu UO (de polarizare la ieire) depinde de tensiunea de polarizare a intrrii UI i de factorul de amplificare al tranzistorului . UO
99
Exemplu de analiz
a) S se determine amplificarea n tensiune au , tensiunea static la ieire UO i limitele extreme ale tensiunii de ieire uO pt. un semnal sinusoidal de intrare cu amplitudinea Ui_vf =0,2V, dac pentru amplificatorul din figura 3.15.a se cunosc: RB =10k, RC =2k, UCC =20V, UI =1,2V, UBE =0,7V i =200. b) Cum se modific au i UO dac se modific cu 50% ( =100 respectiv =300)?
Rezolvare a) Amplificarea n tensiune se determin cu relaia (3.42):
au = RC 1k = 200 = 20 RB 10k
i tensiunea static la ieire, calculat cu relaia (3.41), are valoarea:

U O = U CC RC U I U BE 1,2 0,7 = 20 200 1k = 10V , RB 10k
optim conform relaiei (3.43). Valorile extreme ale tensiunii la ieire calculate cu (3.40) (pt. ui = Ui_vf = 0,2V) sunt: u O min = 20 200 1k 1,2 + 0,2 0,7 = 6V , 10k uO max = 20 200 1k 1,2 0,2 0,7 = 14V . 10k
Inversarea fazei la ieire fa de intrare (indicat de semnul din expresia amplificrii), se constat prin faptul c, de exemplu, valorii maxime a tensiunii de intrare (1,2+0,2V) i corespunde valoarea minim a tensiunii de ieire (6V). b) Pentru =100 amplificarea scade i tensiunea static la ieire crete: au = 100 1k = 10 , 10k 1k = 30 , 10k U O = 20 100 1k 1,2 0,7 = 15V , 10k 1,2 0,7 = 5V . 10k
iar pentru =300, amplificarea crete i tensiunea static la ieire scade: au = 300
Concluzii: 1. Circuitul analizat este un amplificator inversor; amplific semnalul de intrare (de cteva zeci de ori n exemplul analizat) i inverseaz faza semnalului de ieire fa de semnalul de intrare. 3. Acest amplificator utilizeaz dou surse de alimentare (UCC i UI ) pentru polarizarea tranzistorului; n practic sunt preferate amplificatoarele cu o singur surs de alimentare. 2. La acest amplificator realizat pe baza inversorului cu tranzistor, ambele mrimi de interes, att amplificarea ct i tensiunea de polarizare a ieirii, depind pronunat de factorul de amplificare n curent al tranzistorului .
U O = 20 300 1k
Circuitele electronice robuste i precise sunt acelea a cror funcionare depinde ct mai puin de variaiile posibile ale componentelor de circuit n general i de valoarea factorului n special. Studierea amplificatorului realizat pe baza inversorului cu tranzistor (ai crui parametrii depind foarte mult de ) va fi aprofundat n dou direcii: prin studiul circuitelor de polarizare a tranzistoarelor i prin analiza funcionrii n regim dinamic a tranzistoarelor.
100
3.3 CIRCUITE DE POLARIZARE

Circuitele de polarizare asigur funcionarea tranzistorului n punctul static de funcionare dorit. Punctul static de funcionare ( psf ) reprezint valoarea mrimilor electrice din tranzistor, msurate n curent continuu. Fiind un dispozitiv cu trei terminale, tranzistorul este caracterizat n cc de 3 cureni i 3 tensiuni. Definirea psf se face cu o mulime de 4 mrimi electrice, doi cureni i dou tensiuni, uzual {IC, UCE, IB, UBE}, celelalte dou mrimi electrice rezult din cele dou teoreme ale lui Kirchhoff aplicate tranzistorului. Adesea se consider suficient precizarea psf cu ajutorul perechii tensiune-curent dintre colector i emitor {IC, UCE}. Pentru polarizarea tranzistorului n RAN trebuie asigurat polarizarea direct a jonciunii E-B i polarizarea invers a jonciunii C-B. Cea mai direct soluie de polarizare este utilizarea a dou circuite de polarizare distincte pentru baz i colector.
3.3.1
Polarizarea tranzistorului n conexiunea emitor comun (EC)
Circuitul de polarizare prezentat n figura 3.16.a a fost utilizat i la inversorul cu tranzistor. Varianta acestui circuit pentru tranzistorul pnp este prezentat n figura 3.16.c. Tranzistorul pnp este reprezentat inversat, cu emitorul n sus, conform conveniei de desenare n urma creia rezult o circulaie a curenilor de sus n jos, iar liniile cu poteniale mai mari sunt plasate n partea de sus a figurii (tensiunile sunt pozitive de sus n jos).
iB UBB
a)
UCC
UBB
UBE
iB
iC RC
c)
b)
Fig. 3.16. Circuite de polarizare cu dou surse de alimentare. a) schema de principiu pentru TB npn, b) schema echivalent simplificat, c) schema de principiu pentru pnp, (tranzistorul este figurat inversat cu E sus).
Mrimile electrice specifice tranzistoarelor (curenii n acest caz) sunt notate n figur cu liter mic (cu indice liter mare) pentru a simboliza caracterul variabil al acestora, n sensul c, aceste mrimi (de cc sau cc+ca) sunt determinate de componentele circuitului. Curenii i tensiunile de polarizare, fiind mrimi de cc, se vor nota n formule cu liter mare (cu indice liter mare). Punctul static de funcionare se poate determina din schema echivalent (simplificat) a circuitului, reprezentat n figura 3.16.b. Se presupun cunoscui parametrii statici ai TB, i UBE. Dac nu se cunosc, se pot considera valori n intervalele: UBE = 0,6...0,8V i = 100...500 pentru tranzistoarele uzuale (siliciu, de mic putere). Se observ dispersia mare a valorii factorului de amplificare . n lipsa unor informaii mai precise despre parametrii TB, se poate considera o estimare iniial pentru acetia la o valoare medie a intervalelor precizate. Curentul de baz se determin aplicnd T2K pe bucla de intrare: IB = U BB U BE . RB (3.44)
Curentul de colector este fixat (conform schemei echivalente) de generatorul de curent comandat din colectorul tranzistorului conform relaiei: IC = I B . (3.45)
RB
RC iC
R B iB B
RC iC
UCC
UBB RB iB UCC
101
Tensiunea colector-emitor rezult din T2K aplicat pe bucla de ieire:

U CE = U CC R C I C .
(3.46)
La tranzistoarele de tip pnp, calculele se fac cu relaiile de mai sus, n care tensiunile pe tranzistor se consider cu sensul schimbat astfel nct s rezulte n mod normal pozitive: UEB > 0 n loc de UBE i UEC > 0 n locul tensiunii UCE. Sensurile curenilor sunt inversate (curentul intr n E i iese prin C) conform figurii.
3.3.2
Polarizarea tranzistorului n conexiunea baz comun (BC)
Polarizarea tranzistorului conectat cu baza la mas se poate realiza cu schemele din figura 3.17. Pentru determinarea psf n cazul tranzistoarului npn se pot utiliza relaiile: RC RE UCC UEE iC iE U EE U BE IE = , RE (3.47) IC = I E I E , iE iC UEE UCC RE RC U CB = U CC R C I C .
+ +
La tranzistorul pnp, tensiunile pe tranzistor n relaiile anterioare se consider cu sens inversat, astfel nct s rezulte n mod normal pozitive: UEB > 0 n loc de UBE i UBC > 0 n locul tensiunii UCB.
a) npn b) pnp Fig. 3.17. Circuite de polarizare n conexiunea BC
3.3.3
Polarizarea de la o singur surs de alimentare
Dezavantajul evident al circuitelor de polarizare prezentate n paragrafele precedente este utilizarea a dou surse de alimentare. Pentru circuitele din figura 3.16, n locul celor dou surse se poate utiliza o surs unic att pentru polarizarea bazei ct i a colectorului, ca n figura 3.18.
RB iB RC UCC iB RB
a)
+
iC
RB iC UCC RC iB
RC iC
+UCC iB RB
d)
+UCC iC RC
b) c) Fig. 3.18. Circuite de polarizare cu surs de alimentare unic.
Circuitele de polarizare din figura 3.18 a) i c) sunt pentru tranzistoare npn, iar cele de la b) i d) pentru tranzistoare pnp. n schemele c) i d) n locul sursei de alimentare s-a notat potenialul bornei de alimentare a circuitului (fa de mas). Acest mod de a nota sursele de alimentare se va utiliza n continuare pentru a simplifica schemele. Pentru calcularea psf se nlocuiete UBB cu UCC n relaia (3.44): IB = U CC U BE , RB IC = I B , U CE = U CC RC I C . (3.48)
3.3.4
Variaia psf cu parametrii tranzistoarului
Considerarea factorului ca fiind constant este o aproximaie utilizat pentru a simplifica analiza circuitelor. n cazul tranzistoarelor reale, factorul depinde n primul rnd de exemplarul de tranzistor utilizat; chiar i n cazul tranzistorelor de acelai tip este posibil o variaie de la simplu la
102
dublu (sau chiar mai mare) a valorii factorului datorit dispersiei de fabricaie a componentelor (de exemplu n catalogul IPRS-Bneasa la tranzistoarele de tip BC107B =240500). Pentru un tranzistor dat, factorul depinde de temperatur i de curentul prin tranzistor (mai ales n domeniul curenilor foarte mici sau foarte mari). La tranzistoarele integrate tipice, se poate considera c crete cu 7% la o cretere a temperaturii cu 10C i deci coeficientul de variaie a amplificrii cu temperatura este k 0,7%/C. Prin urmare, factorul este constant doar pentru un anumit tranzistor, la o anumit temperatur i pentru cureni medii prin tranzistor. Tensiunea baz-emitor este de fapt tensiunea pe o jonciune. Ca i la diode, aceast tensiune depinde logaritmic de curentul prin tranzistor (datorit ecuaiei exponeniale a tranzistorului) i liniar de temperatur. Valoarea tipic a coeficientului de temperatur este de 2mV/oC. Modificarea acestor parametrii ai TB duce la modificarea psf. n circuitele de polarizare prezentate, tensiunea UBE are o importan relativ redus (deoarece de obicei UBE << UBB) i deci variaia acesteia cu temperatura nu va influena semnificativ curentul IB. Pentru IB constant variaia factorului de amplificare cu temperatura va duce la modificarea n aceeai msur a valorii curentului de colector deoarece I C = I B . Astfel, la o variaie T = 30C, variaia curentului va fi IC = 0,7% .30 .IC = 0,21. IC, variaie inacceptabil n majoritatea aplicaiilor practice. Pentru a elimina acest dezavantaj s-au conceput circuite de polarizarea care asigur o relativ insensibilitate a psf cu temperatura. Procedeele de stabilizare termic pot fi mprite n dou categorii: - procedee liniare, care utilizeaz n circuitul de polarizare componente liniare (rezistoare); - procede neliniare sau de compensare, care utilizeaz componente ale cror caracteristici sunt dependente de temperatur (termistoare, diode). Procedeele liniare nu asigur o compensare perfect, dar pot reduce foarte mult variaia psf cu modificarea parametrilor TB (cu temperatura sau datorate dispersiei tehnologice de fabricaie). Procedeele neliniare pot asigura o compensare complet a variaiilor cu temperatura, dar necesit o reglare minuioas i nu pot compensa dispersia tehnologic a caracteristicilor tranzistoarelor. n continuare se va prezenta soluia cea mai utilizat la circuitele discrete cu tranzistoare.
3.3.5
Circuit de polarizare cu RE i cu divizor de polarizare n baz
Reducerea influenei parametrilor tranzistoarelor asupra psf se realizeaz prin introducerea rezistorului RE ntre emitorul tranzistorului i mas. Circuitul de principiu pentru tranzistorul npn este prezentat n figura 3.19.a, iar circuitul practic cel mai des utilizat este cel din figura 3.19.c.
RB
+
UCC RE
iB
RC iC
+UCC RB RC
B
IDiv R1
RC
+UCC
IDiv
+UCC RB iB B uB UBB
d)
R1 iB B R2
A
UBB
a)
R2 RE
b) A c)
RE
uB
A
Fig. 3.19. Circuite de polarizare cu RE; Schema principial: a) cu dou surse, b) cu surs unic; c) Schema utilizat practic i d) echivalarea divizorului de polarizare a bazei (pentru cazul c).
Prin nlocuirea divizorului de polarizare a bazei cu sursa Thvenin echivalent (fig. 3.19.d) circuitul de polarizare echivalent devine cel din figura 3.19.a. Parametrii sursei Thvenin sunt:
103
U BB = U R2
iB = 0
R2 U CC , R1 + R2
R B = R1 || R2 .
(3.49)
Stabilizarea psf fa de variaiile factorului de amplificare n curent al tranzistorului are loc dup urmtorul mecanism: La creterea lui (datorat de exemplu creterii temperaturii sau nlocuirii tranzistorului cu altul cu mai mare) curentul de colector crete: tensiunea n emitorul tranzistorului crete: iar curentul de baz al tranzistorului scade: IC = I B ,
U E = R E I E = R B ( + 1)I B , IB = U BB U BE U E RB
(3.50) (3.51) (3.52)
compensnd o parte din creterea curentului de colector n relaia (3.50) crete, IB scade.
Curentul de colector rezult prin nlocuirea relaiei (3.51) n (3.52) i apoi a relaiei (3.52) n (3.50): (U BB U BE ) (3.53) IC = . R B + R E ( + 1) Pentru RB << RE (condiie care se poate realiza deoarece este de ordinul sutelor), curentul de colector practic nu mai depinde de :
IC
(U BB U BE ) U BB U BE . R E ( + 1) RE
(3.54)
Efectul variaiei tensiunii UBE (de exemplu variaia cu temperatura este de circa 2mV/C) este nesemnificativ dac numrtorul expresiei (3.54) este mult mai mare dect respectiva variaie. n final se verific dac tranzistorul este n regim activ normal; tensiunea n colector trebuie s fie mai mare dect n baz, sau cel puin UCE >UCEsat . UCE se calculeaz din T2K cu relaia: U CE U CC (RC + RE ) I C .
Exemplu de analiz
(3.55)
S se determine limitele de variaie ale psf {IC, UCE} pentru circuitul din figura 3.19.c dac se consider UBE = 0,60,7V i =100300. Valorile rezistenelor din circuit sunt: R1 =30k, R2 =10k, RC = 2k, RE =1k i tensiunea de alimentare este UCC =12V.
Rezolvare:
U BB = U CC
Parametrii sursei echivalente Thvenin, de polarizare a bazei, sunt:

R2 10k = 12 = 3V , R1 + R2 30k + 10k R B = R1 || R2 = 30k 10k = 7,5k . 30k + 10k
Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53) innd seama de limitele extreme: IC = 100 (3 0,7 ) 300 (3 0,6) L = 2,12 K 2,33mA 7,5k + 101 1k 7,5k + 301 1k
Se observ c pentru o variaie foarte mare a lui , (-50%+50% fa de media valorilor), variaia IC este mult mai mic: 5%+3,5%. Influena variaiei tensiunii UBE este oricum foarte mic deoarece numrtorul relaiei (3.54) este mult mai mare dect aceast variaie: 2,3V>>0,05V (s-a considerat variaia fa de media tensiunilor UBE).
104
Conform cu relaia (3.55) limitele tensiunii UCE sunt: U CE = 12 (2k + 1k ) (2,12 K 2,33)m = 5,64 K5,01V . Calculele cu inecuaii i estimarea erorilor sunt o necesitate n practica inginereasc datorit variaiilor componentelor de circuit (mai ales a dispozitivelor semiconductoare). Rezultatele obinute cu relaia aproximativ de calcul (3.54) sunt acceptabile:
IC U BB U BE 3 0,65 = = 2,35mA , RE 1k U CE = 12 3k 2,35m = 4,95V ,
curentul obinut este ceva mai mare (ca pentru = ). innd seama de precizia cu care sunt cunoscute valorile componentelor n practic, acest calcul este de obicei satisfctor.
Dimensionarea circuitului de polarizare

Pentru ca valoarea factorului s nu influeneze semnificativ psf, la proiectarea circuitului de polarizare trebuie ca rezistena de emitor s fie suficient de mare RE >>RB / . innd seama c la circuitele practice R2 >RB , rezult o condiie mai convenabil la proiectare (deoarecce se refer direct la componentele circuitului): R E >> R2 . (3.56) Condiia (3.54) este echivalent cu neglijarea rezistenei RB n schema din figura 3.19.a sau cu alte cuvinte tensiunea n baza tranzistorului uB nu depinde de curentul de baz iB . Din punctul de vedere al curenilor din circuit, aceasta se reduce la a alege prin divizor un curent suficient de mare: I Div >> I B , sau I Div > I E 10 . (3.57) (3.58)
o condiie echivalent, mai uor de utilizat practic (valabil deoarece IE /IB >>10). Cele trei relaii anterioare sunt aproximativ echivalente (pentru >100). La dimensionarea circuitului de polarizare se utilizeaz oricare dintre ele n funcie de datele de proiectare disponibile. Din ecuaia de continuitate a tranzistorului, pentru un factor suficient de mare se obine: 1 (3.59) = I C + , >> 1 I E I C . Acestui curent (aproximativ identic n colector i n emitor) i se spune curentul prin tranzistor. Aproximaia din relaia precedent se folosete adesea la calculul circuitelor cu tranzistoare. I E = IC + I B = IC + IC Pentru a reduce dependena curentului de polarizare a colectorului IC de variaiile tensiunii UBE cu temperatura, rezistena RE se alege astfel nct tensiunea de emitor s fie UE >> UBE sau:
U E = U RE R E I C = 0,5V K U CC 3 .
(3.60)
S se dimensioneze circuitul de polarizare al tranzistorului bipolar din figura 3.19.c astfel nct s se obin: IC = 3mA, UCE = UCC /3, pentru UBE = 0,6V, 200 i UCC =9V. Se sugereaz alegerea IDiv 0,1IC i UE UCC /3.
105
Rezolvare:
RE =
Rezistenele din circuit pot fi dimensionate utiliznd legea lui Ohm:

RC = U CC U CE U E 9 3 3 = = 1k IC 3m
UE UE 3 = = 1k , IE IC 3m
Curentul prin divizorul de polarizarea al bazei se alege conform sugestiei: IDiv = 0,1IC = 0,3 mA, i cu acest curent se pot determina rezistoarele de polarizare a bazei:
R2 U U BE U E U BE + U E 0,6 + 3 = = 12k , R1 = CC = 18k I Div I Div 0,3m
La rezolvarea problemei nu s-a utilizat explicit factorul al tranzistorului; s-a inut seama implicit de faptul c >>1 deoarece s-a considerat IC IE , conform relaiilor (3.59).
3.3.6
Determinarea psf la circuitele cu mai multe tranzistoare
Determinarea punctelor statice de funcionare la circuitele cu mai multe tranzistoare (rezolvarea circuitelor) se bazeaz pe scrierea ecuaiilor lui Kirchhoff n nodurile i pe ochiurile circuitului respectiv. Sistemul de ecuaii care rezult poate fi rezolvat cu ajutorul determinanilor. Aceast metod de calcul are ca dezavantaje complexitatea destul de ridicat a calculelor i dificultatea de identificare a elementelor definitorii pentru funcionarea circuitului respectiv. Cu ct calculele i analiza unui circuit sunt mai simple cu att mai uor se pot identifica componentele de circuit care influeneaz funcionarea acestuia i se pot efectua modificrile eseniale pentru a obine rezultatul scontat; simplificrile trebuie fcute n sensul eliminrii amnuntelor mai puin importante pentru a ne putea focaliza atenia asupra a ceea ce este esenial n circuit. Conform acestei strategii de analiz, la circuitele cu tranzistoare se fac de obicei urmtoarele aproximri: - se consider tensiunea baz-emitor constant: UBE ct. (cu valori uzuale UBE =0,60,8V), - se consider curentul de emitor aproximativ egal cu cel de colector IC IE , conform (3.59). Pentru calcularea circuitelor cu mai multe tranzistoare se determin n prima etap curenii de colector i apoi tensiunile colector-emitor. Pentru determinarea curenilor IC se identific buclele de circuit care conin ct mai multe elemente cunoscute, care includ tensiunile UBE i se evit terminalul de colector al tranzistoarelor (deoarece tensiunile UCE i UCB nu se cunosc iniial). Aceast metod de calcul se aplic pentru tranzistoarele care funcioneaz n regium activ normal (UCE >UCE s ). n cazul tranzistoarelor n saturaie se cunoate i tensiunea UCE de saturaie (cu valori uzuale UCE s =0,20,4V) i metoda de calcul se modific n consecin.
Exemplu de calcul R C1 R C2 +UCC
+9V
Tranzistoarele din schema alturat au 300. n psf se cunosc UBE1 = 0,6V i UBE2 = 0,65V. S se determine psf {IC, UCE} pentru cele dou tranzistoare.
Rezolvare: Se va aplica metoda simplificat de calcul propus anterior. Mai mult, se vor presupune iniial curenii de baz neglijabili fa de curenii de colector chiar i pentru tranzistoare diferite, presupunere care va trebui verificat nainte de finalizarea calculelor.
10k
2k
T2 T1
RB
1k
RE1
51k
680
RE2
Fig. 3.20. Schema cu polarizare automat.
106
T1K se poate scrie n trei noduri (curentul care intr n masa montajului nu trebuie calculat i deci T1K nu se aplic n nodul de mas). Scrierea T1K n nodul de alimentare (+UCC ) nu prezint interes la aceast problem, iar neglijarea curenilor de baz fa de cei de colector face inutil T1K n colectorii tranzistoarelor sau mai exact T1K se reduc la:
I RC1 = I C1 + I B 2 I C1 pentru I B 2 << I C1 ; I RE 2 = I E 2 + I B1 I C 2 pentru I B1 << I C 2 .
Dac se ocolesc tensiunile UCE i UCB (care nu se cunosc iniial) mai rmn trei bucle pe care se poate scrie T2K: +UCC RC1 UBE2 RE2 mas; mas RE2 RB UBE1 RE1 mas; +UCC RC1 UBE2 RB UBE1 RE1 mas.
Primele dou bucle exprim relaiile cauzale din circuit; curentul de polarizare a bazei tranzistorului T2 este furnizat de sursa de alimentare (prin RC1), iar rezistena din emitorul lui T2 (de valoare mic) acioneaz ca o surs de polarizare a bazei lui T1 (prin RB). Cea de-a treia bucl este de fapt o combinaie a primelor dou. Pentru a determina curenii prin cele dou tranzistoare este necesar un sistem de dou ecuaii cu dou necunoscute; pentru a rezolva circuitul se pot utiliza ecuaiile scrise pe oricare dou bucle dintre cele trei artate mai sus. Conform T2K pe primele dou bucle rezult:
U CC = RC1 I C1 + U BE 2 + R E 2 I C 2 R E 2 I C 2 = R B (I C1 ) + U BE1 + R E1 I C1 ( a) ( b)
n (b) s-a inut seama c IC1 = IB1. Dac se substituie (b) n (a) se obine: U CC = RC1 I C1 + U BE 2 + R B (I C1 ) + U BE1 + R E1 I C1 Se observ c aceast relaie reprezint de fapt T2K scris pe bucla a 3-a i are o singur necunoscut, curentul prin T1:
I C1 = U CC U BE 2 U BE1 9 0,65 0,6 7,85 = = = 0,7 mA . RC1 + R E1 + R B 10k + 1k + 51k 300 11,17 k U CC RC1 I C1 U BE 2 9 10k 0,7 m 0,65 1,35 = = = 2mA . RE 2 680 0,68k
Curentul se poate calcula din oricare ecuaie a sistemului. Din (a) rezult:
IC2 =
Presupunerile iniiale se dovedesc a fi corecte: I B2 = IC2
2m = 6,7A << I C1 = 700A , 300
I B1 =
I C1
0,7m = 2,3A << I C1 = 2mA . 300
Tensiunile pe tranzistoare UCE se calculeaz din T2K aplicat pe buclele de ieire ale tranzistoarelor, care includ tensiunile respective: U CE 2 U CC I C 2 (RC 2 + RE 2 ) = 9 2m 2,68k = 3,64V , U CE1 U CC I C1 (RC1 + R E1 ) = 9 0,7 m 11k = 1,3V .
3.4 TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC
107
Ambele tranzistoare se afl n RAN deoarece UCE >UBE . Circuitul analizat este cunoscut sub numele de schem cu polarizare automat , deoarece tranzistoarele vor fi polarizate n RAN (de exemplu UCE1 2UBE ) pentru limite largi ale tensiunii de alimentare UCC.

Tranzistoarele sunt folosite n regim liniar mai ales ca amplificatoare. Pentru a func iona ca amplificator, tranzistorul trebuie polarizat n RAN cu un circuit de polarizare care are rolul de a fixa un curent continuu prin tranzistor. Prin analiza regimului dinamic al tranzistorului se n elege analiza func ion rii acestuia din punctul de vedere al varia iilor m rimilor electrice prin tranzistor. Analiza comport rii tranzistorului la varia ii se poate face cu ajutorul caracteristicilor acestuia sau cu ajutorul modelelor de regim dinamic ale tranzistorului, modele utile pentru analiza func ion rii tranzistorului n ca. La cel mai simplu circuit n care tranzistorul func ioneaz ca amplificator (de tensiune) de ca, cel din figura 3.21.a, semnalul de ie ire poate fi analizat utiliznd caracteristica de transfer a tranzistorului ca n figura 3.21.b. iC RC iC iB ui
+
uC UCC
+
IC
ic
UBE
a)
0
Fig. 3.21. Func ionarea tranzistorului n regim dinamic a) Schema principial , b) Analiza func ion rii pe caracteristica de transfer. Un semnal mic de intrare ui suprapus peste o tensiune de polarizare UBE produce o varia ie a curentului de colector cu aceea i form de und .
uBE b) UBE ui
Caracteristica de transfer a tranzistorului din figura 3.21.b este o caracteristic de tip exponen ial, conform ecua iei tranzistorului (3.12). Pentru a ob ine o func ionare ct mai liniar trebuiesc ndeplinite dou condi ii: tensiunea variabil de intrare ui (numit semnal de intrare) trebuie suprapus peste o tensiune continu UBE (numit tensiune de polarizare a intr rii) i nivelul semnalului de intrare trebuie s fie suficient de mic pentru a putea aproxima curba exponen ial cu o dreapt .
Tensiunea de polarizare a intr rii determin pozi ia punctului static de func ionare ( psf ) P, valoarea curentului continuu prin tranzistor i implicit valoarea tensiunii statice la ie ire UCE . La aplicarea semnalului variabil la intrare, tensiunea instantanee de intrare se modific i punctul de func ionare al tranzistorului se deplaseaz n jurul psf. Dup cum se vede n figura 3.21.b, curentul prin tranzistor se modific i implicit se va modifica i tensiune de colector a tranzistorului: u C = U CC RC iC .
108
Tensiunea de colector scade atunci cnd curentul de colector crete (cretere cauzat de creterea tensiunii semnalului de intrare) i deci semnalul de ieire (variaia tensiunii de colector) este n antifaz cu semnalul de intrare. Tensiunea de polarizare a intrrii UBE trebuie aleas astfel nct semnalul de ieire s nu fie limitat. Situaia cea mai convenabil apare atunci cnd tensiunea de alimentare UCC este mprit n mod egal ntre tranzistor i rezistena de colector: UCE =UCC /2. n acest caz amplitudinea semnalului la ieire poate atinge valoarea maxim (teoretic UCC /2). Pe de alt parte, cu ct semnalul de intrare este mai mare cu att semnalul de ieire va avea abateri de form mai semnificative (fa de forma semnalului de intrare) i se spune c este distorsionat. Metoda de analiz grafo-analitic prezentat se utilizeaz uneori la analiza de semnal mare a amplificatoarelor cu tranzistoare. Dac nivelul semnalului de intrare este suficient de mic, se folosesc metode de analiz analitice i liniare. Liniarizarea apare prin aproximarea exponenialei cu o dreapt (tangenta n psf ) i tranzistoarele pot fi nlocuite cu modele (sau scheme echivalente de regim dinamic) liniare, atunci cnd se analizeaz circuitele din punctul de vedere al semnalului.
3.4.1
Regimul dinamic la semnal mic

Se consider circuitul din figura 3.22, cel mai simplu circuit cu tranzistor n regim dinamic. iC
iB
+
Fig. 3.22. Circuit simplificat pentru determinarea parametrilor de regim dinamic ai tranzistorului.
u be UBE
+
uBE
UCE
Tensiunea de colector este fixat de sursa UCE Tensiunea n baz uBE are o component de cc UBE i o component de ca ube: uBE = UBE + ube .
Tranzistorul este polarizat n RAN, UCE >UBE. Se va analiza dependena curenilor prin tranzistor de tensiunea variabil ube, cu scopul de a identifica un circuit echivalent de regim dinamic pentru tranzistorul bipolar. Curenii n psf se determin fr semnal la intrare, ube =0 . Conform (3.4) i (3.6):
I C = I S exp U BE , UT IB = IC
(3.61)
Transconductana
Pentru o tensiune de semnal nenul, conform ecuaiei exponeniale a tranzistorului (3.4):
iC = I S exp U BE + u be u u U = I S exp BE exp be = I C exp be . UT UT UT UT
(3.62)
Dac se dezvolt exponeniala n serie de puteri i se rein primii termeni, rezult: u 1 u iC = I C 1 + be + be U T 2! U T u be << U T 1 u + be 3! U T
2 3 u + K I C 1 + be . U T
(3.63)
Aproximaia din relaia precedent este valabil doar dac: ( practic se poate admite : u be < 10mV) . (3.64) Inecuaia de mai sus este denumit condiie de semnal mic. Dac se consider condiia mai concret ube <10mV (i pentru UT 25mV la temperatura camerei), atunci eroarea introdus de aproximaia din relaiei (3.63) este mai mic de 10%.
109
Curentul de colector al tranzistorului este: iC =IC + ic . Din relaia (3.63) rescris:

iC = I C + IC u be , UT
(3.65)
rezult componenta de semnal a curentului: I ic = C u be = g m u be , UT i I gm = c , gm = C , unde u be UT
(3.66) (3.67)
se numete transconductana sau panta tranzistorului. Transconductana este variaia curentului de colector iC raportat la variaia tensiunii uBE . Din punct de vedere grafic, transconductana poate fi interpretat ca fiind panta caracteristicii de transfer a tranzistorului determinat n punctul static de funcionare P (vezi figura 3.21.b):
gm = d iC . du BE
(3.68)
Conform relaiei (3.66), n ca la semnal mic, tranzistorul se comport ca o surs de curent controlat n tensiune.
Rezistena de intrare n baz

Pentru a determina rezistena vzut de surs, se va determina curentul de baz din (3.6) i folosind ecuaia (3.65):
iB = iC
IC
1 IC u be , i B = I B + ib UT
ib =
1 IC u be . UT
(3.69) (3.70)
innd seama de relaia (3.67) se obine:
ib =
gm
ube .
Rezistena de semnal mic dintre baz i emitor, privind dinspre baz, este prin definiie:
r = du BE di B sau r = u be ; ib
(3.71)
Din relaia (3.70) rezult c rezistena de intrare n baz: r =
gm
(3.72)
este direct proporional cu i invers proporional cu IC (curentul de polarizare al tranzistorului). Din (3.69) i innd seama de (3.61) rezult i o alt expresie pentru r:
r = UT . IB
(3.73)
Rezistena de intrare n emitor

Conform relaiei (3.3) i innd seama de (3.65), curentul total de emitor n RAN este:
iE = iC IC 1 IC u be , i E = I E + ie UT du BE di E IC g u be = m u be . U T
ie =
(3.74)
Rezistena de semnal mic dintre baz i emitor, privind dinspre emitor, este prin definiie:
re = sau re = u be ; ie
(3.75)
110
Din relaia (3.74) rezult cele dou modaliti (echivalente) de calcul a rezistenei de emitor:
re =
gm
1 gm
sau
re =
UT ; IE
(3.76)
re depinde numai de curentul de polarizare IE ( IC, deoarece 1). Relaia dintre re i r poate fi determinat din definiiile lor (3.71), respectiv (3.75): u be = ib r = ie re , r = (ie ib ) re , deci r = ( + 1) re . (3.77)
3.4.2
Modele de semnal mic ale tranzistorului bipolar
Conform analizei din paragrafele anterioare, se constat c fiecare tensiune i curent prin amplificatorul cu tranzistor are o component de cc i o component de ca. Componentele de cc se determin cu ajutorul circuitului echivalent de cc. Circuitul echivalent de cc se obine prin nlocuirea sursei de ca cu un scurtcircuit (deoarece are valoarea medie nul) iar eventualele condensatoare din circuit se nlocuiesc cu ntreruperi de circuit. Analiza de cc a circuitelor s-a fcut la studiul circuitelor de polarizare a tranzistoarelor. Analiza funcionrii circuitului din punctul de vedere al semnalului, sau analiza de regim dinamic (analiza variaiilor mrimilor electrice) se poate face pe baza schemei echivalente de ca. Schema echivalent de ca se obine prin eliminarea surselor de cc, care se nlocuiesc cu scurtcircuite. Se observ c tensiunea unei surse de tensiune continu ideal nu se schimb, variaia de tensiune va fi nul i de aceea tensiunea semnalului ntre terminalele sursei va fi nul. Din acest motiv sursele de tensiune continu: UCC, UBE i UCE se nlocuiesc cu scurtcircuite. Dac circuitul ar conine surse ideale de curent, acestea s-ar nlocui cu ntreruperi de circuit. Circuitul din figura 3.23 este util doar pentru determinarea tensiunilor i a curenilor de semnal, nu este circuitul real al amplificatorului deoarece nu conine circuitele de polarizare.
iC iB u be
Fig. 3.23. Circuit pentru analiza de regim dinamic. Sursele de tensiune continu sunt pasivizate (nlocuite cu sc.c.) n schem apar doar mrimile de semnal; Acest circuit este doar o reprezentare a funcionrii dinamice, nu este circuitul real.
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic, adic tensiunea de semnal ube este conform cu relaia (3.64), atunci relaiile ntre curenii i tensiunile din circuit sunt liniare. Relaiile liniare dintre mrimile electrice specifice tranzistorului pot fi reprezentate prin circuite echivalente ale tranzistorului. Echivalena se pstreaz ct timp semnalul aplicat este mic i aceste circuite se numesc circuite echivalente de semnal mic sau modele de semnal mic ale tranzistorului bipolar.
Modelul n
Un astfel de circuit echivalent este prezentat n figura 3.24.a; tranzistorul este reprezentat ca o surs de curent controlat n tensiune (SIcU) care include rezistena de intrare n baz r .
b ib r ube ic c
g m ube
gm
I = C UT
ib r
ic
m e e a) b) Fig. 3.24. Circuite echivalente de semnal mic pentru tranzistorul bipolar; tranzistorul ca: a) surs de curent controlat n tensiune, b) surs de curent controlat n curent.
r =
ib
3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR
111
Curenii prin circuitul echivalent sunt n conformitate cu relaiile (3.66) i (3.71):

ic = g m u be , ib = u be . r
Un model uor diferit se poate obine prin exprimarea curentului de ieire ca o funcie de curentul de baz conform relaiilor:
g m u be = g m (ib r ) = ( g m r ) ib = ib ;
tranzistorul este reprezentat ca o surs de curent controlat n curent (SIcI ) ca n figura 3.24.b.
Modelul n T
Modelul n poate fi folosit pentru analiza de semnal mic a oricrui circuit; totui, n unele situaii este mai convenabil utilizarea unui alt circuit echivalent, denumit modelul n T (denumirea se refer la desenarea circuitului echivalent cu emitorul n stnga i baza n jos). Cele dou variante ale acestui model sunt prezentate n figura 3.25. n ambele circuite echivalente apare rezistena dintre baz i emitor vzut dinspre emitor re.
ic b ib u be c g m ube re e
gm = re =
IC UT
ic b ib ie
ie
re
UT = IE gm
e b) a) Fig. 3.25. Circuite echivalente de semnal mic n T pentru tranzistorul bipolar; Circuitul este: a) o surs de curent controlat n tensiune, b) o surs de curent controlat n curent.
Curenii prin circuitul din figura 3.25.a sunt n conformitate cu relaiile (3.66) i (3.75):
ic = g m u be , ie = u be . re
Tranzistorul din figura 3.25.b, reprezentat ca o surs de curent controlat n curent (SIcI ), se obine prin exprimarea curentului de ieire ca o funcie de curentul de emitor conform relaiilor:
g m u be = g m (ie re ) = ( g m re ) ie = ie ;
Modelul simplificat de semnal mic din figura 3.25.b poate fi privit ca fiind versiunea incremental a modelului de semnal mare din figura 3.2; n locul diodei apare rezistena dinamic a acesteia, iar sursa de curent este comandat de variaia curentului (ie n loc de iE).
Observaii: 1. Parametrii modelelor de semnal mic: gm , r i re , depind de curentul static de colector IC, conform relaiilor din figurile precedente. 2. Toate modelele de semnal mic se pot utiliza i pentru tranzistoarele de tip pnp, fr a fi necesar schimbarea polaritii surselor i a tensiunilor din schema echivalent (aceste schimbri sunt posibile, dar nu sunt necesare; rezultatul obinut va fi acelai, deoarece se schimb n acelai timp att polaritatea sursei comandate, ct i a mrimii de comand).

Cele mai simple aplicaii la care se utilizeaz modelele de semnal mic ale tranzistoarelor sunt amplificatoarele de semnal mic cu un tranzistor. Se vor analiza configuraiile mai des utilizate
112
cu tranzistorul n conexiunea EC i respectiv CC. O analiz sistematic presupune cunoaterea celor mai importani parametri ai amplificatoarelor.
3.5.1
Modelul fundamental al amplificatorului de tensiune
Modelul unui amplificator se utilizeaz pentru analiza de semnal i poate fi reprezentat sub forma a doi unipori, numii simplu intrare i respectiv ieire. Din punctul de vedere al semnalului, amplificatorul este pasiv la intrare i activ la ieire; uniportul activ de la ieire se echivaleaz cu o surs Thvenin (sau Norton), iar cel pasiv de la intrare cu o rezisten dinamic. La amplificatorul de tensiune, att semnalul de la intrare ct i cel de la ieirea amplificatorului sunt tensiuni. Ca urmare, modelul fundamental al amplificatorului de tensiune, prezentat n figura 3.26, const dintr-o surs de tensiune controlat n tensiune, cu un factor de amplificare Au0, o rezisten de intrare R i i o rezisten de ieire R o, aceste trei elemente fiind de fapt parametrii cei mai importani ai amplificatorului.
Rg ui Ri Ro
A u0 u i amplificator
Fig. 3.26. Modelul amplificatorului de tensiune schema echivalent. Amplificatorul este completat cu un generator de semnal la intrare i cu o rezisten de sarcin la ieire.
ug
uo
RL
generator
sarcina
Dac se conecteaz la ieire o sarcin rezistiv R L, atunci tensiunea de ieire i amplificarea n tensiune se pot calcula aplicnd regula divizorului de tensiune:
u o = Au 0 u i RL , R L + Ro Au = uo ui Au = Au 0 RL . R L + Ro
(3.78)
Pentru amplificatorul fr sarcin, R L = , rezult A u = A u0 . De aceea A u0 se numete amplificare de tensiune n gol (sau la mers n gol). Din relaia precedent se observ c prezena sarcinii reduce amplificarea. Pentru ca diminuarea amplificrii s fie minim:
A u A u0 ,
trebuie ca
Ri = u g k ui , Ri + R g
R o << R L .
(3.79)
Rezistena de intrare a amplificatorului R i , introduce o atenuare a semnalului la intrare:

ui = u g
(3.80)
unde k ui este factorul de cuplaj n tensiune la intrare. Pentru ca atenuarea la intrare s fie minim:
ui ug,
trebuie ca
R i >> R g .
(3.81)
Amplificatorul de tensiune ideal ar trebui s aib R i = i R o =0. Pentru ca atenuarea semnalului la intrarea i la ieirea amplificatorului s fie neglijabil, este suficient s fie ndeplinite inegalitile (3.79) i (3.81).
3.5.2
Etaj de amplificare cu un tranzistor n conexiune EC
Schema clasic a unui etaj de amplificare realizat cu tranzistor discret n conexiune EC este prezentat n figura 3.27.
113
R1 Rg ui CB
RC
+UCC CC uo RL
ug
R2
RE
CE
Fig. 3.27. Schema de principiu a amplificatorului cu un tranzistor discret n conexiune EC. Tranzistorul este polarizat cu divizor n baz i rezisten n emitor. Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca.
La analiza circuitului n cc, condensatoarele se consider ntreruperi de circuit. Circuitul de polarizare cu rezisten n emitor i divizor de polarizare a bazei a fost studiat ntr-un paragraf anterior (3.3.5). Curentul de colector I C se determin conform relaiei (3.53) i cu ajutorul acestui curent se pot determina parametrii de regim dinamic ai tranzistorului (care depind de I C). Condensatoarele din circuit au o capacitate suficient de mare astfel nct reactana capacitiv a acestora s fie neglijabil (fa de rezistenele cu care sunt nseriate) pentru domeniul frecvenelor de interes. Condensatoarele din baz i din colector se numesc condensatoare de cuplaj fiind utilizate pentru cuplarea generatorului de semnal la intrare, respectiv cuplarea sarcinii la ieire. Condensatorul din emitor se numete condensator de decuplare i are rolul de a decupla rezistena din emitor n ca, sau cu alte cuvinte are rolul de a pune emitorul la mas n ca. Se realizeaz astfel, din punctul de vedere al semnalului, conexiunea emitor comun (EC) pentru tranzistor (emitorul conectat la mas prin CE este comun intrrii i ieirii amplificatorului). Analiza de regim dinamic (sau de ca) se face cu ajutorul schemei echivalente de regim dinamic din figura 3.28.a, care s-a obinut prin nlocuirea condensatoarelor i a sursei de tensiune continu cu scurtcircuite. Aceast schem poate fi utilizat i pentru semnale mari, considernd modelul de semnal mare al tranzistorului (sau ecuaia exponenial a tranzistorului).
uo ui R1 R2 RC ug ui RB Rg
Ri R ib
b
ib r
ic
c
Ro i o
g m ube
e
ube
RC u o
RL
(R B = R 1||R 2) b) a) Fig. 3.28. Scheme echivalente de ca ale amplificatorului cu un tranzistor n conexiunea EC: a) C i U CC nlocuite cu scurtcircuite, b) tranzistorul liniarizat, n condiii de semnal mic.
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64), tranzistorul se poate nlocui cu una dintre schemele echivalente liniarizate; n figura 3.28.b s-a utilizat schema simplificat n . Acest circuit permite determinarea prin calcul a parametrilor amplificatorului.
Amplificarea de tensiune n gol (fr R L ) este direct proporional cu transconductana i cu rezistena de colector: i R g m u be RC u Au 0 = o = c C = = g m RC . (3.82) ui ui u be
Semnul rezult datorit sensului diferit al tensiunii i al curentului prin R C i semnific faptul c amplificatorul este inversor, adic semnalul de ieire este n antifaz cu semnalul de intrare (defazat cu 180 ).
Rezistena de intrare este rezistena vzut de generatorul de semnal:
114
Ri = R B || Rib ,
R B = R1 || R2 ,
Rib =
ui = r . ib
(3.83)
Rezistena de ieire este rezistena sursei Thvenin echivalente, rezistena vzut de sarcin dup pasivizarea surselor independente (u g =0 n acest caz):
Ro = uo io = RC
u g =0
(ug = 0
u be = 0
g m u be = 0 .
(3.84)
Pasivizarea sursei de semnal conduce la anularea sursei comandate de curent (conform relaiilor din parantez), iar sursa de curent anulat este echivalent cu o ntrerupere de circuit. Parametrii tranzistorului i implicit parametrii amplificatorului depind de psf. Astfel, la creterea curentului static de colector IC , transconductana gm crete, rezistena de intrare n baz r scade i ca urmare amplificarea n tensiune Au 0 crete iar rezistena de intrare Ri scade. Amplificarea n tensiune n prezena sarcinii se poate determina cu ajutorul relaiei (3.78), iar efectul rezistenei generatorului asupra amplificrii poate fi calculat cu relaia (3.80). innd seama de aceste relaii se poate determina amplificarea global n tensiune:
Aug = u o u o ui = u g ui u g Aug = Au 0 Ri RL . RL + Ro Ri + R g
(3.85)
Pentru a obine o amplificare global ct mai mare A ug A u0 , trebuiesc ndeplinite inecuaiile (3.79) i (3.81). Dup cum se va vedea din exemplul urmtor, amplificarea n tensiune n gol are valori destul de mari, dar amplificarea global este redus semnificativ datorit rezistenei de intrare moderate i a rezistenei de ieire destul de mari a acestui tip de amplificator.
Exemplu
1. n condiii de semnal mic la intrare, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug pentru amplificatorul cu emitor comun din figura 3.27 dac: =100, IC =1mA, RC =5k, RB (= R1 || R2 ) =10k, Rg =6k. 2. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru o sarcin RL =500 cuplat capacitiv la ieire. 3. Ct este amplitudinea semnalului la ieire pentru o amplitudine la generator Ug_vf =20mV? Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:
1. Se calculeaz parametrii de semnal mic ai tranzistorului cu relaiile (3.67) i (3.72):

gm = IC I mA = C = 40 I C = 40 1m = 40 , U T 25m V r =
gm
100 = 2,5k 40m
Parametrii amplificatorului se calculeaz conform relaiilor (3.82 3.85), cu R L = :

Au 0 = g m RC = 40m 5k = 200 , Ro = RC = 5k , Aug = Au 0 Ri = RB || r = 10k || 2,5k = 2k
Ri 2k = 200 = 200 0,25 = 50 Ri + R g 2k + 6k
115
2. Deoarece sarcina este cuplat capacitiv la ieire, nu influeneaz psf tranzistorului, deci parametrii tranzistorului i ai amplificatorului nu se modific la conectarea sarcinii. Amplificrile n tensiune n prezena sarcinii se calculeaz conform relaiilor (3.78) i (3.85):
Au = Au 0 RL 500 1 = 200 = 200 = 18,2 R L + Ro 500 + 5k 11
Aug = Au 0
Ri RL 1 1 = 200 4,5 Ri + Rg RL + Ro 4 11
Aceste relaii au fost determinate folosind modelul amplificatorului de tensiune din figura 3.26 i innd seama de cele dou divizoare de tensiune care apar n schema respectiv. 3. Se verific iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Astfel, valoarea maxim a tensiunii baz-emitor este amplitudinea semnalului de intrare n amplificator, calculat innd seama de divizorul de tensiune de la intrare, conform relaiei (3.80):
U be _ vf = U i _ vf = U g _ vf Ri 1 2k = 20m = 20m = 5mV < 10mV . Ri + R g 4 2k + 6k U o _ vf = AuU i _ vf 18,2 5m = 91mV ;
Amplitudinea semnalului la ieire se determin innd seama de amplificrile n tensiune:

U o0 _ vf = Au 0U i _ vf = 200 5m = 1V ,
cu indicele 0 s-a notat tensiunea n gol (fr RL ). Amplificrile s-au considerat n modul, deoarece defazajul dintre semnalul de ieire i semnalul de intrare nu are importan la calculul amplitudinii i o valoare negativ a amplitudinii nu are sens.
Concluzii:
Amplificarea n tensiune obinut cu un singur tranzistor este mare. Rezistena de intrare relativ mic i cea de ieire relativ mare, conduc la apariia a dou efecte de divizare a semnalului de tensiune la intrare i la ieire (cu un factor 1/4=0,25 la intrare, respectiv cu un factor 1/110,091 la ieire). De aceea amplificarea global se reduce de 44 de ori n exemplul dat, de la 200 la circa 4,5 (n modul). Prin urmare, datorit rezistenelor de intrare i de ieire ale amplificatorului cu valori necorespunztoare (neadaptate cu rezistena generatorului, respectiv cu rezistena de sarcin), se reduce apreciabil amplificarea global.
3.5.3
Repetorul pe emitor
Repetorul pe emitor, sau amplificatorul cu tranzistor n conexiunea CC, este o configuraie de circuit frecvent utilizat att la amplificatoarele de semnal mic i la cele de semnal mare ct i la circuitele digitale. Circuitul de baz cu tranzistor discret este prezentat n figura 3.29.a.
RB Rg CB CE ug ui RE uo RL ug ui +UCC Rg
Ri R ib
b
ib
ib
e
ic c
R oe Ro i o
RB
ioe
RE u o
RL
b) a) Fig. 3.29. Repetorul pe emitor: a) schema de principiu; b) schema echivalent de ca cu tranzistorul liniarizat (ca SIcI), n condiii de semnal mic.
116
Colectorul tranzistorului este conectat la sursa de alimentare, care este i mas de semnal. De aceea, circuitul se mai numete amplificator cu colectorul la mas sau cu colector comun (intrrii i ieirii). Intrarea circuitului se conecteaz n baza tranzistorului i ieirea se preia din emitor. Generatorul de semnal i rezistena de sarcin sunt conectate prin condensatoare suficient de mari ca s poat fi considerate scurtcircuite din punctul de vedere al semnalului. Curentul de colector IC din psf se determin cu relaia (3.53), cu UBB = UCC , iar parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67) i (3.72) (relaiile din figura 3.24). n condiii de semnal mic, (3.64), se poate utiliza oricare dintre schemele echivalente de semnal mic ale tranzistorului. n figura 3.29.b s-a utilizat modelul n simplificat cu tranzistorul privit ca o surs de curent controlat n curent (conform cu figura 3.24.b). Parametrii amplificatorului se determin pe baza schemei de ca din figura 3.29.b. Pentru a calcula amplificarea n tensiune n gol se consider circuitul fr sarcin, R L = . Se exprim tensiunea de ieire i de intrare funcie de curentul de baz (mrimea de legtur ntre ieire i intrare, care apare att n circuitul de ieire ct i n cel de intrare):
u o = R E ie = R E (ib + ic ) = R E ( + 1 ) ib , u i = u be + u o = r ib + R E ( + 1 ) ib .
(3.86)
Amplificarea n tensiune n gol rezult subunitar deoarece tensiunea de intrare este mai mare dect cea de ieire (pe care o include):
Au 0 =
uo uo ( + 1 ) R E = = = u i u be + u o r + ( + 1 ) R E
1 r 1+ ( + 1 ) RE
Au 0 1 .
( Au 0 < 1 ) .
(3.87)
Valoarea amplificrii este apropiat de unitate deoarece:

r << ( + 1 ) RE
(3.88)
Deoarece tensiunea n emitor repet tensiunea din baz (A u0 1, u e u b n ca), acest amplificator se numete repetor pe emitor. Faptul c tensiunea din baz se repet n emitor este o proprietate general a unui tranzistor care lucreaz n RAN i care are o rezisten conectat n emitor (chiar dac colectorul nu este conectat la masa de ca). La conectarea sarcinii, cele dou rezistene din emitor apar n paralel (n ca). Rezistena de emitor n ca i amplificarea n tensiune devin:
Re = R E || R L , Au =
( + 1 ) Re uo = = u i r + ( + 1 ) Re
1 . r 1+ ( + 1) Re
(3.89)
Deoarece R e < RE rezult A u< A u0 ; amplificarea scade n prezena sarcinii.

Rezistena de intrare a amplificatorului este rezistena vzut de generatorul de semnal n prezena sarcinii: u Ri = R B || Rib , Rib = i = r + ( + 1 )(R E || R L ) = r + ( + 1 ) Re . (3.90) ib
Dac sarcina lipsete, atunci va fi nlocuit cu o rezisten infinit R L = i rezult R E || R L = R E . Valoarea rezistenei de intrare este relativ mare i depinde de rezistena conectat n emitorul tranzistorului. Dac se nlocuiete r n relaia precedent conform relaiei (3.77), se obine regula de reflectare a rezistenelor din emitor n baz:
Rib = ( + 1 ) re + ( + 1 ) Re = ( + 1 )(re + Re ) ,
(cu
Re = RE || R L ) ,
(3.91)
117
regul care se poate exprima astfel: Rezistena vzut n baza unui tranzistor este rezistena total din bucla emitorului multiplicat cu +1.
Rezistena de ieire este rezistena sursei Thvenin echivalente adic rezistena vzut de sarcin dup pasivizarea surselor independente (u g =0 n acest caz):
Ro = uo io = R E || Roe .
u g =0
(3.92)
Rezistena vzut n emitorul tranzistorului Roe (de ieire din emitor) este rezistena sursei Thvenin echivalente tranzistorului privit dinspre emitor rezisten vzut de RE . Pentru calculul acestei rezistene se presupune aplicat la ieire o tensiune uo (de ca) i se pasivizeaz sursa ug . Cderea de tensiune pe bucla bazei este tensiunea uo , iar curentul spre emitorul tranzistorului este inversul sumei curenilor de baz i de colector:
Roe = uo ioe =
u g =0
r ib R B || R g ib ib i b
r + R B || R g
+1
(3.93)
Rezistena de ieire din repetorul pe emitor este relativ mic i depinde de rezistena intern a generatorului conectat la intrare. Rezultatul obinut se poate exprima ca fiind regula de reflectare a rezistenelor din baza n emitorul unui tranzistor, regul care se enun astfel: Rezistena vzut spre emitorul unui tranzistor este rezistena total din bucla bazei divizat cu factorul +1. Deoarece rezistena de intrare a amplificatorului depinde de sarcin i rezistena de ieire depinde de rezistena intern a generatorului, modelul general al amplificatorului de tensiune trebuie folosit cu precauie, deoarece repetorul pe emitor nu este o entitate independent, parametrii lui depinznd i de configuraia circuitului exterior. Modalitatea practic de lucru este urmtoarea: dac se analizeaz circuitul la ieire, atunci trebuie considerat generatorul conectat la intrare, dac se analizeaz circuitul la intrare, atunci trebuie considerat sarcina conectat la ieire. Se poate concluziona c repetorul pe emitor se comport ca un transformator de impedane (rezistene n ca) cu o amplificare n tensiune aproximativ unitar, o rezisten de intrare mare i o rezisten de ieire mic. Acest montaj poate fi utilizat pentru a conecta o sarcin de valoare mic la o surs de semnal cu rezisten intern relativ mare. Amplificarea n tensiune global, n prezena sarcinii se poate determina utiliznd relaia (3.80):
Aug = u o u o ui = u g ui u g Aug = Au Ri . Ri + R g
(3.94)
Rezistena de intrare Ri se calculeaz n prezena sarcinii, cu relaia (3.90). Efectul de cuplare al sarcinii la ieirea amplificatorului este inclus implicit n Au (deoarece la calcul s-a utilizat Re = RE ||RL ). Rezistena de intrare fiind mare, n cazurile practice obinuite, se obine o amplificare global A ug A u, apropiat de unitate. La prima vedere, o amplificare unitar este lipsit de interes practic. Exemplul urmtor pune n eviden utilitatea unui repetor pe emitor n cazul n care sarcina are o valoare mult mai mic dect rezistena intern a generatorului de semnal.
Exemplu
1. Pentru repetorul pe emitor din figura 3.29.a, s se calculeze curentul static de colector IC dac UCC =10V, RE =5k, RB = 430k, =100 i UBE =0,7V. 2. Pentru Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0.
118
3. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru Rg =6k i RL =500 (cuplat capacitiv la ieire) i s se compare cu factorul de transfer obinut prin conectarea direct a generatorului de semnal cu sarcina. 4. Ct este amplitudinea semnalului pe sarcin dac Ug_vf =100mV? Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:
1. Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53), la care se consider UBB = UCC :

IC =
(U CC U BE ) 100 (10 0,7 ) = = 0,995m 1mA . R B + ( + 1)R E 430k + 101 5k

IC 1m mA = = 40 , U T 25m V
2. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67) i (3.72):

gm = r =
gm
100 = 2,5k . 40m
Amplificarea n tensiune fr sarcin se determin cu relaia (3.87):

Au 0 = 1 1 1 = = = 0,995 . 2,5k r 1,00495 1+ 1+ 101 5k ( + 1 ) R E
Rezistena de intrare se determin cu relaia (3.90) particularizat pentru RL = :

Rib = r + ( + 1 ) R E = 2,5k + 101 5k = 507,5k ; r + R B || R g Ri = R B || Rib = 430k || 507k = 233k .
Rezistena de ieire se determin cu relaiile (3.92) i (3.93):

Roe =
+1
2,5k + 430k || 6k 8,4k = = 83 , 101 101
Ro = RE || Roe = 83 || 5k = 82 .
Relaia (3.94) este folosit pentru calcularea amplificrii globale fr sarcin:

Aug 0 = Au 0 Ri 233k = 0,995 = 0,995 0,975 = 0,97 . Ri + R g 233k + 6k Re = R E || R L = 5k || 500 = 454,6 ;
3. n prezena sarcinii, rezistena de emitor n ca devine: iar parametrii tranzistorului nu se schimb pentru c sarcina este cuplat capacitiv i nu influeneaz psf. Amplificarea n tensiune devine:
Au = 1 1 1 = = = 0,948 . 2,5k r 1,0545 1+ 1+ 101 0,455k ( + 1)Re
Se recalculeaz rezistena de intrare i apoi se calculeaz amplificarea global n tensiune cu relaiile (3.90) i (3.94):
Rib = r + ( + 1)Re = 2,5k + 101 455 = 45,9k , Aug = Au Ri = RB || Rib = 430k || 45,9k = 43,5k ,
Ri 43,5k = 0,948 = 0,948 0,89 = 0,84 . Ri + R g 43,5k + 6k
119
Factorul de transfer direct dintre generator i sarcin (fr amplificator) rezult din regula divizorului de tensiune aplicat circuitului din figura 3.30.a:
K ug = uo RL 500 1 = = = = 0,077 = 7,7 % . u g RL + R g 500 + 6k 13
Fa de cuplajul direct, amplificarea obinut prin intermediul repetorului pe emitor este de Aug / Kug =0,84 / 0,077 =11 ori mai mare. Pentru o nelegere mai concret a funcionrii repetorului pe emitor, n figura 3.30.b i respectiv 3.30.c, s-au reprezentat circuitele echivalente obinute prin reflectarea rezistenelor n emitor i respectiv n baz, conform regulilor de reflectare prezentate anterior.
Rg RL
a)
R g ||R B +1
re
R oe
Rg uo ui
Ri
R ib r
ug
uo
ug
ui u be
Re
ug
RB
( +1) Re
uo
b) c) Fig. 3.30. a) Cuplajul direct al generatorului cu sarcina. Scheme echivalente de ca ale repetorului pe emitor obinute prin reflectare: b) n emitor, c) n baz.
4. Pentru a calcula amplitudinea tensiunii pe sarcin se verific dac tensiunea de intrare ndeplinete condiia de semnal mic relaia (3.80), pe baza circuitului din figura 3.30.b:
U be _ vf = U g _ vf
re Re + re + R g || R B
= 100
25 4,6mV< 10mV 455 + 25 + 59
+1
i apoi se calculeaz amplitudinea tensiunii la ieire cu ajutorul amplificrii globale: U o _ vf = Aug U g _ vf = 0,84 100m = 84mV .
Concluzii: - Amplificarea n tensiune a repetorului pe emitor este subunitar i apropiat de unitate, mai ales n cazul amplificatorului fr sarcin exterioar (A ug0 , A u0 1).
Rezistena de intrare este mare i depinde de rezistenele din emitor, iar rezistena de ieire este mic i depinde de rezistenele din baz. De aceea, cuplarea n tensiune printr-un repetor pe emitor este mult mai bun dect cuplarea direct a generatorului cu sarcina. Calcularea circuitului se face fie dinspre ieire spre intrare (caz n care se include sarcina n rezistena de emitor), fie dinspre intrare spre ieire (caz n care se ine seama de rezistena intern a generatorului conectat la intrare). Metoda cea mai convenabil de calcul utilizeaz schema echivalent obinut prin reflectarea rezistenelor din circuitul bazei n emitor (sau din circuitul emitorului n baz).
3.5.4 Etaj de amplificare cu rezisten nedecuplat n emitor

Schema unui astfel de etaj de amplificare este prezentat n figura 3.31.a. Semnalul de intrare se aplic n baz iar semnalul de ieire se preia din colector ca i la etajul cu emitor comun. n cazul acestui circuit ns, emitorul nu este conectat direct la mas (din punctul de vedere al semnalului), ci prin intermediul unei rezistene, care poate fi chiar rezistena RE de polarizare a emitorului (cazul mai simplu prezentat n figur) sau o alt rezisten. Existena rezistenei de emitor n ca, Re , conduce la posibilitatea ajustrii unora dintre parametrii amplificatorului.
120
R1 Rg CB
RC
+UCC CC
ic c Rg RL
Ri R ib
b
Ro
ib ie
ie
re
e
RC u o
RL
uo ug ui R2 RE
a)
ug
ui
RB
b)
Re = RE
Fig. 3.31. Etaj de amplificare cu rezisten nedecuplat n emitor; a) Schema de principiu, b) schema de semnal mic cu modelul n T al tranzistorului.
n condiii de semnal mic, se poate utiliza oricare dintre modelele tranzistorului; utiliznd modelul n T se obine schema echivalent de ca din figura 3.31.b.
Rezistena de intrare se poate determina cu regula de reflectare a rezistenelor din emitor n
baz, (3.91):
Rib = ( + 1 )(re + Re ) ,
u i = ie (re + Re ) ,
R B = R1 || R2 ,
ie , 1+
Ri = RB || Rib ,
ui = ( + 1)(re + Re ) . ib
(3.95)
Aceast regul poate fi demonstrat i cu ajutorul circuitului n T din figura 3.31.b astfel:
ib = ie (1 ) = Rib =
Multiplicarea rezistenei din emitor cu factorul ( +1) se datoreaz faptului c n baz curentul este de ( +1) ori mai mic dect n emitor. Ca urmare introducerea unei rezistene suplimentare n emitor Re poate conduce la creterea apreciabil a rezistenei de intrare. Dac se compar relaiile (3.95) cu (3.83), innd cont de (3.77) i de (3.76) se obine:
Rib ( cu Re ) ( + 1 )(re + Re ) ( + 1 )(re + Re ) R = = = 1 + e 1 + g m Re , ( + 1) re Rib ( fara Re ) r re
(3.96)
Rezistena de ieire nu depinde de Re i se poate determina direct din figura 3.31.b:
Ro = RC ,
u i = ie (re + Re ) ,
( pentru u g = 0
ib = 0 ie = 0 .
u o RC RC , = u i re + Re re + Re
(3.97)
Amplificarea n tensiune n gol se obine din expresia tensiunilor de intrare i de ieire:

u o = ie RC , Au 0 =
(3.98)
innd seama c 1. Amplificarea n prezena sarcinii depinde de Rc (=RC ||RL ), conform relaiilor:
u o = ie Rc , Au = uo Rc ui re + Re
( cu
Rc = RC || R L ) .
(3.99)
Rezultatele din relaiile precedente pot fi exprimat ntr-o form uor de reinut:
Amplificarea n tensiune ntre baz i colector este egal cu raportul dintre rezistena total n colector i rezistena total din emitor.
Dac valoarea rezistenei conectat n emitor este suficient de mare:

Re >> re sau Re >> U 1 1 , = T gm IC 40 I C Rc R || R L C . re + Re Re
(3.100)
atunci amplificarea se poate calcula direct prin analiza circuitului conform relaiilor:
Au 0 = RC R C , re + Re Re Au =
(3.101)
121
n cazul unui etaj de amplificare cu Re , se poate calcula direct valoarea amplificrii utiliznd doar rezistenele din circuit, conform relaiei anterioare. Pentru a verifica n ce msur calculul direct este corect, trebuie estimat IC i apoi se poate aprecia inegalitatea din relaia (3.100). Dac se compar relaia (3.98) cu (3.82) se constat c prezena rezistenei Re conduce la reducerea amplificrii cu un factor (1+ gm Re ):
Au 0 (cu Re ) RC 1 1 , = Au 0 (fara Re ) re + Re g m RC 1 + g m Re
(3.102)
Nivelul tensiunii ube , dintre baza i emitorul tranzistorului, este cel care determin gradul de liniaritate al amplificrii, conform figura 3.21 i relaiei (3.64). Ca i repetorul pe emitor, etajul cu Re poate manevra tensiuni de intrare mai mari dect etajul cu tranzistor n conexiune EC (cu Re =0), deoarece doar o fraciune din semnalul de intrare apare ntre baza i emitorul tranzistorului: ube re 1 , = (3.103) ui re + Re 1 + g m Re Se observ c factorul de reducere al amplificrii (1+ gm Re ) relaia (3.102), este acelai cu factorul de cretere al rezistenei de intrare n baza tranzistorului relaia (3.96) i cu factorul de reducere al nivelului semnalului de intrare relaia (3.103). Proiectantul circuitului poate optimiza parametrii amplificatorului prin alegerea rezistenei de emitor Re celei mai convenabile. Circuitul cu Re are o comportare intermediar ntre etajul cu un tranzistor n conexiunea EC i repetorul pe emitor, gradul de apropiere de unul sau altul dintre circuite depinznd de valoarea rezistenei Re .
Problem de analiz
1. Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze curentul static de colector IC dac =100 i UBE =0,7V 2. Dac rezistena intern a generatorului este: Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0, pentru: a) Re =1k respectiv b) Re =100. (practic, n primul caz comutatorul este deschis: Re =RE , respectiv n al u g doilea caz este nchis: Re = RE ||RE1)
Rg ui
820k
RB
RC
5k
+UCC
+10V
CB RE
1k
CC
K CE
110
RE1
uo
3. Ct este amplitudinea la ieire dac amplitudinea la generator este Ug_vf =50mV? Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:
1. Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53), la care se consider UBB =UCC :

IC =
(U CC U BE ) 100 (10 0,7 ) = = 1,01m 1mA . R B + ( + 1)R E 820k + 101 1k
2. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67), (3.76) i prin explicitarea factorului din relaia (3.7):
gm = IC 1m mA = = 40 , V U T 25m re =
gm
1 1 = = 25 , g m 40m
+1
= 0,99 .
Amplificarea n tensiune (fr sarcin) se determin cu relaia (3.98):
122
Au 0 =
RC uo = : ui re + Re
RC : Re
a ) Au 0( a ) =
0,99 5k = 4,83 , 25 + 1k 5k = 5 , 1k
b) Au 0(b ) =
0,99 5k = 39,6 . 25 + 100
Calculul amplificrii cu relaia aproximativ (3.101):

Au 0 = a ) Au 0( a )~ = b) Au 0(b )~ = 5k = 50 , 100
conduce la o eroare:
= Au 0~ Au 0 100 [%] : Au 0 a = 5 4,83 = 3,5 % , 4,83 b = 50 39,6 = 26 % , 39,6
acceptabil (de ordinul procentelor, mai mic de 5%) n primul caz; n cazul al doilea eroarea este apreciabil, deoarece inegalitatea (3.100) nu este de fapt ndeplinit: Re ( a ) Re ( a ) = 1000 >> 25 = re , = 40 ; r e
Rib = ( + 1 )(re + Re ) : Ri = R B || Rib :
Re (b ) Re (b) = 100 , = 4 < 10 . r e
Rezistena de intrare se determin cu relaia (3.95):

Rib ( a ) = 101 (25 + 1k ) = 103,5k , Rib (b ) = 101 (25 + 100 ) = 13,6k , Ri (b) = 13,6k || 820k = 13,4k .
Ri ( a ) = 103,5k || 820k = 91,9k ,
Rezistena de ieire nu depinde de Re i se determin cu relaia (3.97): Ro = RC = 5k . Cu relaia (3.80): Aug = Aug ( a ) = 4,83 uo uo ui Ri = = Au 0 se determin amplificarea global: u g ui u g Ri + R g Aug (b) = 39,6 13,6k = -39,6 0,694 27,5 . 13,5k + 2,5k
103,5k 4,6 , 103,5k + 6k
Se observ c amplificarea mai mic obinut n cazul a) se modific mai puin la conectarea generatorului (deoarece rezistena de intrare a amplificatorului este mai mare). 3. Se determin iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Pentru aceasta se determin tensiunea ube cu ajutorul relaiilor (3.103) i (3.80): u be = re re Ri ui = ug . re + Re re + Re Ri + R g
Amplitudinea tensiunii ube n cele dou cazuri este: U be _ vf ( a ) = 25 91,9k 50m = 0,024 0,94 50m = 1,15mV < 10mV , 25 + 1k 91,9k + 6k 25 13,4k 50m = 0,2 0,69 50m = 6,9mV < 10mV . 25 + 100 13,4k + 6k U o _ vf ( a ) = 4,6 50m = 230mV, U o _ vf (b) = 27,5 50m = 1,375V .
U be _ vf (b) =
Amplitudinea tensiunii la ieire se determin cu amplificarea global calculat anterior: U o _ vf = Aug U g _ vf :
Semnul negativ al amplificrii semnific un semnal de ieire n antifaz cu cel de intrare. La calcularea amplitudinii la ieire s-a considerat amplificarea n modul, ntruct amplitudinea unui semnal este o mrime pozitiv (indiferent de defazajul semnalului).
3.6 CONSTRUC IA I FUNC IONAREA TRANZISTORULUI
123
3.6 CONSTRUC IA I FUNC IONAREA TRANZISTORULUI

n figura 3.32 se prezint o sec iune printr-un tranzistor bipolar realizat prin dubl difuzie. Aceast tehnologie de realizarea a tranzistoarelor permite realizarea simultan a unui num r mare de tranzistoare pe o plachet de siliciu. O tehnologie asem n toare este utilizat i pentru realizarea circuitelor integrate bipolare.
Izol ri SiO2
Metaliz ri
E
p+
Difuzia de baz
Difuzia de emitor Tranzistorul intern
Strat epitaxial
p+
Substrat
C
Fig. 3.32. Sec iune printr-un tranzistor pnp realizat prin dubl difuzie. Tranzistorul este realizat pornind de la o pastil de siliciu de tip p cu conductivitate ridicat (foarte puternic dopat cu impurit i, notat cu p+) a c rei grosime este de cteva zecimi de mm. Conductivitatea este ridicat pentru a reduce rezisten a serie a colectorului. Pe acest substrat se cre te un strat epitaxial, cu grosime de c iva microni, a c rui concentra ie de impurit i este mult mai redus dect a substratului. n acest strat epitaxial se realizeaz dou difuzii succesive: prima este difuzia de baz prin care se ob ine un semiconductor de tip n slab dopat, iar cea de-a doua este difuzia de emitor prin care se ob ine o regiune de tip p puternic dopat (p+). Se depune apoi un strat de oxid de siliciu izolator care se corodeaz n zonele ferestrelor de contact. n aceste zone se depun metaliz rile prin care se conecteaz tranzistorul la circuitul extern.
3.6.1
Func ionarea tranzistorului n regim activ normal (RAN)
O sec iune transversal prin tranzistorul intern (eviden iat n figura 3.32) este reprezentat n figura 3.33. Sec iunea este rotit cu emitorul n stnga. n structura tranzistorului se formeaz dou jonc iuni pn: jonc iunea emitorului (Je, ntre E i B) i jonc iunea colectorului (Jc, ntre C i B).
Je p+ iE i pE i nBE
Ei Ee
WB
Jc
Ei
p
Ee
i pC i pR
I CB0
iC
+ UEB (zecimi V)
W B0
iB
+ UCB (V, zeci V)
Fig. 3.33. Sec iune prin tranzistorul intern. Sursele UEB i UCB polarizeaz Je respectiv Jc astfel nct tranzistorul pnp func ioneaz n RAN. n figur se indic cmpurile electrice (interne - Ei i externe - Ee) din jonc iuni i curen ii care circul prin tranzistor. WB0 reprezint l imea metalurgic i WB l imea efectiv a bazei. WB <WB0 datorit regiunilor golite de purt tori ale jonc iunilor (ha urate).
124
Considernd emitorul n gol, deci cu sursa de alimentare UEB deconectat, prin jonciunea colectorului polarizat invers va circula curentul invers al jonciunii respective, notat cu ICB0 (curentul dintre colector i baz cu emitorul n gol). Acesta este un curent de drift al purttorilor minoritari datorat cmpului electric extern (Ee), ca la orice jonciune polarizat invers. Prin jonciunea emitorului polarizat direct (datorit sursei UEB) circul curentul de difuzie al purttorilor majoritari (goluri din emitor i electroni din baz). Acest curent depinde exponenial de tensiunea UEB, ca n prima relaie din sistemul (3.107) Deoarece jonciunea emitorului este asimetric, cu emitorul mult mai puternic dopat dect baza, curentul va fi datorat n principal golurilor care difuzeaz din emitor n baz ipE i ntr-o msur mult mai mic electronilor care trec din baz n emitor inBE, conform relaiei (2.60) de la studiul jonciunilor asimetrice. Golurile sunt purttori minoritari n baz. Concentraia golurilor n vecintatea emitorului este mare (golurile fiind injectate dinspre emitor) i aceste goluri difuzeaz spre regiunile de concentraie mai redus, adic spre colector. Toate golurile care ajung n regiunea de sarcin spaial a colectorului sunt antrenate de cmpul electric din Jc prin curent de drift i de aceea concentraia golurilor la captul dinspre colector al bazei este nul. Datorit grosimii mici a bazei (fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari), recombinarea n baz este redus i curentul de recombinare ipR este mic, astfel nct aproape toate golurile (emise de emitor) trec prin baz i sunt captate (colectate) de colector. innd seama de explicaiile precedente i de figura 3.33, curenii prin tranzistor sunt:
i E = i pE + inBE iC = i pC + I CB 0 . i pE = i pC + i pR Se noteaz:
i pC iE = i pC i pE = tB E = N , i pE i E
(3.104)
(3.105)
unde: tB = ipC /ipE este factorul de transport n baz, E = ipE /iE este eficiena emitorului, iar N = ipC /iE este factorul normal de amplificare n curent n conexiunea BC; N este acelai factor de amplificare care n prima parte a capitolului a fost notat cu (fr indice). Deoarece aproape tot curentul din emitor ajunge n colector valoarea factorului de amplificare N este practic unitar:
N = 0,98 ... 0,998 .
(3.106)
Pentru dioda emitor-baz polarizat direct i innd seama de relaiile (3.104) i (3.105) se pot scrie relaiile care definesc funcionarea tranzistorului n RAN:
u EB 1 i E = I SE exp , UT i = i + I N E CB 0 C
(3.107)
unde ISE este curentul invers de saturaie al Je (valoare teoretic de ordinul a 10 -1510 -12 A). Schema echivalent a tranzistorului din figura 3.34.a este conform cu sistemul de ecuaii (3.107); n locul curentului ICB0 s-a reprezentat dioda baz-colector prin care circul acest curent.
3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI
125
N iE
E
a)
I (-iC )
iC C
E iE
b) IEB0
iE
ISE
iC C B
ISC
ICB0
Fig. 3.34. Scheme echivalent de semnal mare pentru tranzistorul pnp: a) n RAN, b) n RAI. Alturi de diode s-a notat curentul invers de saturaie al jonciunilor.
3.6.2
Funcionarea tranzistorului inversat
Tranzistorul funcioneaz n regim activ inversat (RAI) prin inversarea rolului emitorului cu cel al colectorului. n principiu aceast inversiune este posibil datorit relativei simetrii a structurii tranzistorului bipolar. Din cauza gradului de dopare relativ redus al colectorului (fa de baz), eficiena de injecie a colectorului (care lucreaz ca emitor) este redus, astfel nct factorul de amplificare inversat al tranzistorului este sensibil mai mic dect unitatea, cu valori uzuale I = 0,20,9. Cu excepia acestei observaii, tranzistorul funcioneaz la fel ca i n cazul regimului activ normal. Ecuaiile care descriu funcionarea TB n acest caz sunt: u CB 1 iC = I SC exp , UT i = ( i ) + I I C EB 0 E (3.108)
unde ISC este curentul invers de saturaie al jonciunii colectorului i IEB0 este curentul dintre emitor i baz cu colectorul n gol. Sensul curenilor s-a considerat conform conveniei din figura 3.1.a iar schema echivalent conform cu relaiile (3.108) este cea din figura 3.34.b.
Observaie: Pentru tranzistoarele de tip npn schemele echivalente sunt aceleai cu cele din figura 3.34, dar se inverseaz sensul diodelor, al generatoarelor de curent i al curenilor.
3.6.3
Modelul Ebers-Moll
O abordare formal a funcionrii tranzistorului se poate face cu ajutorul unui model de semnal mare al TB, cunoscut sub numele de modelul Ebers-Moll (EM). Modelul nu este nici att de simplu, nici att de intuitiv ca modelele prezentate la nceputul capitolului, ns are un grad mare de generalitate i descrie funcionarea tranzistorului indiferent de regimul de funcionare al acestuia. n plus el st la baza modelului de simulare al TB din SPICE. Modelul EM este un model de joas frecven care se bazeaz pe faptul c tranzistorul este compus din dou jonciuni pn i care exprim curenii prin terminalele TB ca o suprapunere a curenilor din aceste jonciuni pn. n figura 3.35 este prezentat modelul EM pentru un tranzistor npn.
C iC B iB iE
a) DC
C
ISC
iC
iDC iB i DE
DE b)
N iDE I iDC
iE
Fig. 3.35. a) Un tranzistor npn i b) modelul Ebers-Moll corespunztor. Pentru tranzistorul pnp se inverseaz sensul diodelor, al curenilor i al surselor de curent.
ISE
126
Modelul conine dou diode, dioda de emitor DE i dioda de colector DC (care nlocuiesc cele dou jonciuni pn) i dou surse de curent controlate n curent care modeleaz efectul de tranzistor n sens normal i n sens inversat. Curenii prin diode depind exponenial de tensiuni:
u i DE = I SE exp BE 1 , UT u i DC = I SC exp BC 1 , UT
(3.109)
unde ISE i ISC sunt curenii de saturaie sau de scalare ai celor dou diode. Deoarece jonciunea de colector are o arie mai mare dect jonciunea de emitor, curentul ISC este de obicei mai mare dect ISE (cu un factor de 2 pn la 50). Dup cum s-a artat la analiza funcionrii tranzistorului n RAN, aproape tot curentul din jonciunea de emitor se regsete n colector. Acest curent este modelat prin sursa N iDE , unde factorul normal de curent N este foarte apropiat de unitate. n mod analog o parte din curentul care parcurge jonciunea de colector traverseaz baza i se regsete n emitor. Aceast component a curentului de emitor este modelat de sursa I iDC , unde factorul invers de curent I are valori sensibil subunitare. Cei patru parametrii ai tranzistorului sunt legai prin relaia:
N I ES = I I CS = I S ,
(3.110)
demonstrat n [1], unde IS este curentul de saturaie al tranzistorului. La tranzistoarele de mic putere IS este de ordinul a 10 -1510 -14 A i este proporional cu aria jonciunii emitor-baz. Pe baza figurii 3.35 se pot exprima curenii prin terminalele tranzistorului n funcie de tensiunile aplicate ntre terminalele acestuia: i E = i DE I i DC , iC = iDC + N iDE , iB = (1 N ) iDE + (1 I ) iDC . Dac se nlocuiesc iDE i iDC din relaiile (3.109) i utiliznd relaia (3.110) rezult:
iE = IS u u exp BE 1 I S exp BC 1 , N UT UT
(3.111) (3.112) (3.113)
(3.114)
I u u iC = I S exp BE 1 S exp BC 1 , UT UT I iB = I IS u u exp BE 1 + S exp BC 1 , N UT UT I
(3.115)
(3.116)
unde N i I sunt factorii (de amplificare n curent dintre colector i baz) normal i respectiv inversat:
N =
N , 1 N
I =
I . 1I
(3.117)
Factorul (fr indice) este o notaie simplificat pentru factorul N i are valori tipice de ordinul sutelor, iar factorul I are valori mici (0,0210, uzual cteva uniti). Pentru tranzistorul npn n RAN, cu uBE >>UT i uBC <0, din (3.115) i (3.116) rezult relaiile (3.4) i (3.6), care au stat la baza modelelor simplificate ale tranzistorului:
I u u iC = I S exp BE 1 S (0 K 1) I S exp BE , UT UT I iB = I IS I i u u exp BE 1 + S (0 K 1) S exp BE = C UT UT N N N I
sau
iC = i B .
127
3.6.4
Modelul de transport
O variant ceva mai simpl a modelului EM este prezentat n figura 3.36.a. Curenii de saturaie ai diodele DBE (dioda baz-emitor) i DBC (dioda baz-colector) sunt (IS / N ) i respectiv (IS / I ). Curentul de baz este acelai cu cel din relaia (3.116):
i B = i BE + i BC = I IS u u exp BE 1 + S exp BC 1 , N UT UT I
iar curentul prin sursa de curent controlat iT este:

u u iT = I S exp BE 1 I S exp BC 1 , UT UT
(3.118) (3.119)
sau
C
DBC
iT = N i BE + I i BC ,
ceea ce conduce la modelul controlat n curent din figura 3.36.b.

iC B iB iBE iT
IS / N DBE
B iB
iBC
DBE a)
IS / I
iBC
DBC
iC C
iBE
N iBE
b)
I iBC
iE
iE
Fig. 3.36. Modelul de transport al tranzistorului npn. Acest model este echivalent exact cu modelul Ebers-Moll din fig.3.35. Alturi de diode este notat curentul de saturaie al acestora. Sursa iT din a) este detaliat n b) conform relaiei (3.119).
Se poate constata c iT reprezint componenta curentului iC i iE care apare ca rezultat al efectului de tranzistor n jonciunea de colector, respectiv de emitor; altfel spus, iT se datoreaz transportului purttorilor minoritari ce traverseaz baza, de aici i numele de model de transport. Se poate arta uor c iC = iT iBC conduce la relaia (3.115) i respectiv iE = iT + iBE la relaia (3.114). Concluzia este c modelul de transport este identic cu modelul Ebers-Moll. Modelul de transport st la baza modelului de tranzistor bipolar utilizat n SPICE.
3.6.5
Funcionarea tranzistorului n saturaie
n regim de saturaie jonciunile TB sunt polarizate direct, ceea ce n cazul tranzistorului npn nseamn: uBE > 0 i uBC > 0. Se va considera circuitul din figura 3.37 care permite aducerea tranzistorului n saturaie. n partea a doua a figurii este reprezentat circuitul echivalent obinut prin nlocuirea TB cu modelul de transport (din figura 3.36.b). i C RC
+ +
RB UBB
iB iBE
DBE
iBC
DBC
iC
RC UCC
+
RB iB
+
UBB
a)
UCC
N iBE
b)
I iBC
Fig. 3.37. a) Inversorul cu TB, b) schema echivalent pentru studiul saturaiei.
Dup cum s-a artat la studiul inversorului cu TB, circuitul analizat permite tranzistorului s funcioneze n regim de blocare, n RAN sau n saturaie n funcie de valorile componentelor. Se consider circuitul de polarizare al colectorului fixat (UCC i RC nu se modific). Regimul de funcionare al TB se poate modifica din circuitul de polarizare al bazei (UBB i/sau RB).
128
Conform tabelului 3.1, tranzistorul este blocat pentru UBB = 0 i se afl n RAN pentru uBC < 0 (sau uCE > uBE ). La trecerea din RAN n saturaie uBC = 0 i uCE = uBE . La limita intrrii n saturaie a TB curenii prin tranzistor sunt:
I C sat0 = U CC u BE , RC I B sat0 = I Csat0
(3.120)
Curentul de baz s-a determinat din schema echivalent innd cont c dioda baz-colector DBC este polarizat la o tensiune nul (uBC = 0, limita intrrii n saturaie), curentul prin aceast diod este nul iBC = 0, deci iBE = iB i iC = N iBE . Pe de alt parte curentul de baz este determinat n principal de circuitul de polarizare al bazei conform T2K aplicat pe bucla de intrare a TB (cu uBE aproximativ constant uBE UBE ):
IB = U BB U BE . RB
(3.121)
Creterea curentului de baz peste valoarea IBsat0, prin creterea UBB sau scderea RB, conduce la intrarea tranzistorului n saturaie. Surplusul de curent care apare IB = IB IB sat 0 deschide dioda DBC. n aceste condiii, diodele DBE i DBC sunt deschise amndou i ntre colectorul i emitorul tranzistorului apare o cale de joas impedan (diodele deschise pot fi echivalate cu surse de tensiune cu rezisten intern mic). Ca urmare, tensiunea colector-emitor UCE este mic:
U BC > 0
U CE = U BE U BC < U BE .
(3.122)
Modelele tranzistoarelor saturate sunt cele prezentate la nceputul capitolului, n figura 3.6. Curentul de colector n saturaie este aproximativ constant. Pentru circuitul din figura 3.37, limitele curentului IC sat se determin pentru cazurile limit, uBC = 0 i respectiv uCE = 0:
I C sat0 I C sat < I C max sau U CC U BE U I C sat < CC ; RC RC
(3.123)
pentru UBE <<UCC (cazul uzual), curentul de saturaie ICsat este aproximativ constant. Un criteriu de apreciere al saturaiei, utilizabil n cazul circuitelor practice este: I C sat I B > I B sat N sau IB > U CC , RC N (3.124)
cu IB calculat conform relaiei (3.121). La ndeplinirea criteriului de mai sus tranzistorul este saturat, n caz contrar este n RAN. Gradul de saturaie se poate aprecia prin factorul de supracomand n baz: SB = IB I B sat0 IB RC N U CC (n saturaie S B > 1 ). (3.125)
Un alt parametru utilizat pentru a determina gradul de saturaie este raportul dintre curenii de colector i de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul extern tranzistorului):
fortat = I C I B .
(3.126)
TB este n saturaie dac forat < N . Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, se alege adesea forat =1020. Tensiunea colector-emitor n saturaie UCEsat scade odat cu scderea factorului de amplificare forat.
129
Tensiunea UCEsat se poate calcula pe baza modelului Ebers-Moll. Deoarece tensiunile UBE i UBC sunt ambele pozitive i mult mai mari dect UT , n ecuaiile (3.115) i (3.116) termenii exponeniali sunt mult mai mari dect unitatea. Cu aceste aproximaii i dac se nlocuiete iB = IB i iC = forat IB rezult un sistem de dou ecuaii care se poate rezolva pentru a obine UBE i UBC , iar tensiunea UCEsat este diferena acestor dou tensiuni:
U CE sat = U T ln 1 + ( fortat + 1) I . 1 fortat N
(3.127)
Aceast relaie poate fi utilizat pentru a calcula dependena tensiunii UCEsat de forat .
Exemplu
a) S se determine tensiunea UCEsat la un TB ai crui factori de amplificare sunt N = 200 i I = 2 pentru forat = 1801 (900,5% din N ). Cum se modific tensiunea de saturaie, UECsat , dac tranzistorul este conectat inversat, pentru forat =1,80,1 (905% din I ) ? b) S se refac analiza de la punctul a) pentru un tranzistor cu N = 200 i I =10. Tensiunea de saturaie UCEsat se calculeaz cu relaia (3.127). Rezultatele pentru punctul a) se centralizeaz n prima parte a tabelului urmtor (primele dou linii). Pe baza acestor rezultate s-a trasat i graficul alturat, n care s-a reprezentat variaia tensiunii de saturaie UCEsat n raport cu forat .
UCEsat
[V]
0,2
50mV UCEofs 0 10 30
0,1
forat
0
N = 200, I = 2
forat
UCEsat [mV]
200
195 207 1,95 93 195 168 1,95 5,8
180 170 1,8 58 180 131 1,8 5,3
150 143 1,5 35 150 104 1,5 4,4
100 116 1 18 100 78 1 2,9
50 89
30 74
10 48
2 23
1 17
0 10
forat (invers)
UECsat [mV]
0,5 0,3 0,1 7,4 4,2 1,4 50 52 30 39 10 2 1 0
200
N = 200, I =10
forat
UCEsat [mV]
20 6,8 4,7 2,4
forat (invers) 1,99

UECsat [mV]
5,9
0,5 0,3 0,1 1,5 0,9 0,4
130
Deoarece iC = forat IB , pentru IB constant, forat este proporional cu iC i curba din figur este practic caracteristica uCE iC pentru un curent de baz IB constant (pentru domeniul curenilor iC mici). Valoarea infinit a tensiunii UCEsat obinut n tabel (i n grafic) pentru forat = N semnific faptul c tranzistorul este n RAN. Figura arat n plus i independena tensiunii uCE de iC n regim activ de funcionare. Pe msur ce forat se reduce, tranzistorul intr n saturaie mai profund, UBC crete i UCEsat scade. Pentru forat =0, ceea ce corespunde colectorului n gol (iC =0), se obine o valoare mic a tensiunii UCEsat . Aceast valoare reprezint tensiunea remanent (de ofset) UCEofs pe tranzistorul care funcioneaz ca un comutator (conform zonei detaliate a figurii). n figur s-au trasat cu linie punctat i posibile caracteristici liniarizate, cu care se poate aproxima curba analizat. Se poate constat c aceste caracteristici liniarizate estimeaz o valoare mai mare a tensiunii de ofset. Trebuie precizat c tensiunea UCEsat calculat cu (3.127) este mai mic dect tensiunea de saturaie msurat, deoarece nu ine seama de cderea de tensiune pe rezistena serie a materialului semiconductor al regiunii de colector rC, cdere de tensiune proporional cu curentul IC . Tranzistorul funcioneaz inversat atunci cnd are colectorul legat spre mas i emitorul legat printr-o rezisten (RC n cazul circuitului din figura 3.37.a) spre plusul sursei de alimentare. n acest caz forat = IE /IB . Pentru a determina tensiunea de saturaie UECsat a acestui circuit, se poate utiliza relaia (3.127) n care se schimb ntre ele valorile factorilor de amplificare: N I . Rezultatele obinute sunt prezentate n liniile 3 i 4 ale tabelului anterior. Se remarc valorile sensibil mai mici ale tensiunilor de saturaie obinute n acest caz, fa de cazul saturaiei pentru tranzistorul conectat normal. Pentru a obine aceste tensiuni mici trebuie s fie utilizat un curent de comand mult mai mare dect curentul comandat IB >>(IE ), de exemplu forat = 0,1 nseamn IB =10(IE ), caz n care rezult o tensiune UECsat ceva mai mare de 1mV. Datorit tensiunii de saturaie foarte mici, tranzistorul conectat inversat poate fi utilizat pentru comutarea semnalelor analogice n circuite de conversie a datelor. Dezavantajul unei astfel de regim de funcionare al tranzistorului este timpul relativ lung de comutare din saturaie n blocare. Pentru un tranzistor al crui factor I este mai mare, tensiunile de saturaie rezultate sunt mai mici, dup cum se poate constata dac se compar cea de-a doua parte a tabelului cu prima parte a acestuia (linia 6 cu linia 2 i linia 8 cu linia 4). Prin urmare, tranzistoarele de comutaie, a cror tensiune de saturaie trebuie s fie mic, au un factor I relativ mare i o rezistena serie (a materialului semiconductor din regiunea de colector) rC ct mai mic. Parametrii tranzistorului considerat la punctul b) al problemei corespund unui astfel de tranzistor (2N2222).
3.6.6
Comutarea tranzistorului
Se consider inversorul cu tranzistor bipolar (TB) din 3.38.a cruia i se aplic la intrare o tensiune uI variabil n trepte ca n figura 3.38.b. Prin comutare direct se nelege trecerea tranzistorului din blocare n saturaie i prin comutare invers trecerea din saturaie n blocare. Analiza comutrii tranzistorului se poate face destul de exact pe baza ecuaiilor metodei sarcinii, obinute prin integrarea ecuaiilor de continuitate pentru purttorii minoritari scrise n regiunile neutre ale bazei i colectorului [1]. n locul acestei metode laborioase, care presupune cunotine de fizica corpului solid care depesc cadrul acestei lucrri, se prefer analiza simplificat a fenomenelor, urmat de simularea circuitelor (pentru validarea rezultatelor). n figura 3.38 s-au reprezentat formele de und ale curenilor prin tranzistor sincrone n timp cu forma de und a tensiunii de intrare. Atunci cnd tensiunea de intrare uI crete de la zero la U1 , se constat c apare un curent de colector semnificativ doar dup un timp td (timp de ntrziere
131
delay time n englez). Aceast ntrziere este timpul necesar pentru ncrcarea capacitii de intrare a
tranzistorului de la zero pn la tensiunea de polarizare direct uBE 0,7V. Urmeaz apoi o cretere exponenial a curentului de colector spre valoarea final N IB 1 , unde IB1 este curentul injectat n baz de circuitul exterior: U U BE . I B1 = 1 (3.128) RB Datorit saturaiei, curentul de colector nu va ajunge la N IB1 , ci se va limita la IC sat UCC /RC . Viteza de comutare direct poate fi apreciat cu ajutorul timpului de cretere tr (rise time n englez) sau prin intermediul timpului de deschidere al tranzistorului ton , a cror valoare se determin conform figurii. (S-au preluat indicii de la denumirile din limba englez deoarece n limba romn termenii cretere i cdere au aceiai iniial). uI
U1 CB RC
0
U2 b)
t
+ uI
RB
iB
iC + UCC
iC
0,9IC sat
ton
toff
a)
0,5 IC sat
IC sat
0,1 IC sat
t td tr
c)
ts
iB
IB1
tf
0
IB 2 d)
Fig. 3.38. Timpii de comutare ai TB conectat ca inversor (a), pentru o intrare variabil n trepte (b). Formele de und (c) i (d ) sunt obinute prin simulare pentru: RC =20, RB =1k, UCC =5V, U 2 = 2V, U 1 = 5V, i pentru un tranzistor 2N2222 cu: N =150, I =7, ( rC =1, forat =55). Timpii rezultai prin simulare sunt: td =8ns, tr =44ns, ts =53ns, tf =39ns, ton=22ns, toff =75ns. (IC sat =230mA, IB1=4,2mA, UCE sat =0,35V, UBE sat =0,85V)
Durata mare de blocare se poate explica dac se analizeaz distribuia purttorilor minoritari din baza tranzistorului, schiat n figura 3.39. Purttorii minoritari difuzeaz prin baz (dinspre emitor spre colector) i, conform relaiei (2.49), curentul de difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de impuriti, deci cu panta dreptei care arat profilul de impuriti n baza tranzistorului. Deoarece jonciunea colectorului este i ea polarizat direct, concentraia purttorilor minoritari n vecintatea colectorului va fi nenul. Sarcina suplimentar din baz, haurat n figur, nu particip la formarea curentului de colector, ci se datoreaz surplusului de curent injectat din circuitul exterior n baza tranzistorului (pentru a-l aduce n saturaie). Cu ct este mai mare factorul de supracomand n baz, cu att este mai mare excesul de purttori n baz. De fapt, aceast
132
sarcin, numit sarcin n exces n baz (sau de saturaie) Qs, este proporional cu surplusul de curent n baz, IB = IB1 IBsat (cu IBsat = IC sat /N ): Qs = s IB = s (IB1 IB sat ), unde s este un parametru al tranzistorului, numit constant de timp de stocare. (3.129)
RSS a Je
Baza
RSS a Jc
(1)
(2)
x
a)
(3) (4)
x
b)
Fig. 3.39. a) Profilul concentraiei purttorilor minoritari n baza unui tranzistor saturat. Aria haurat reprezint sarcina n exces (de saturaie). b) La blocarea tranzistorului sarcina n exces trebuie s dispar prima. n acest timp profilul se schimb de la dreapta (1) la dreapta (2). Apoi profilul scade spre zero dreapta (4), iar curentul de colector scade exponenial spre zero.
Timpul de stocare
Comutarea invers a tranzistorului ncepe din momentul n care tensiunea de comand uI comut la valoarea negativ U2 . Curentul de colector nu se modific pe durata extragerii din baz a sarcinii n exces. n acest timp, numit timp de stocare ts , profilul purttorilor minoritari din baz se modific conform figurii 3.39.b, de la dreapta (1) la dreapta (2). Dup cum se constat din figura 3.38.d, curentul de baz devine negativ, deoarece uBE rmne aproximativ 0,7V n timp ce tensiunea uI devine negativ, uI = U2. Curentul invers I2 ajut la ndeprtarea mai rapid a sarcinii suplimentare Qs din baz (n absena acestui curent, sarcina Qs dispare doar datorit recombinrii). Se poate arta [1] c timpul de stocare poate fi calculat cu relaia:
t s = s ln I B1 I B 2 , I Bsat I B 2
unde
I Bsat =
I Csat
U CC . N RC
(3.130)
IB 2 este negativ conform figurii 3.38.d: IB 2 = (U2 UBE )/RB (cu U2 0). Pentru exemplul din figura 3.38, IB 2 = (2 0,85)/1k= 2,85mA, IB sat = 230m/1501,53mA i s se poate exprima din (3.130): s = 53n/ln[(4,2m + 2,85m)/(1,53m + 2,85m)]=111ns. Dup ce sarcina suplimentar a fost extras, curentul de colector scade exponenial cu o constant de timp care depinde de capacitile jonciunilor. n acest timp panta profilului de impuriti scade spre zero, conform figurii 3.39.b. n final, iB scade la zero, atunci cnd capacitatea jonciunii de emitor Je se ncarc la tensiunea negativ U2 (la blocare Je va fi polarizat invers). O metod de reducere a timpilor de comutaie, const din introducerea unui condensator CB n paralel cu rezistena RB (figura 3.38.a). Valoarea acestuia se calculeaz astfel nct variaia sarcinii n condensator (la comutaia invers) s fie cel puin egal cu sarcina stocat n baz: QC Qs sau CB (U1 U2 ) s (IB1 IB sat ), de unde rezult:
133
CB
U 1 U BE U CC U1 U 2 RB N RC
(3.131)
Pentru exemplul din figura 3.38, rezult: CB 111n (4,2m 1,53m)/7= 42pF. Dac se simuleaz din nou circuitul din figura 3.38.a, cu CB = 47pF, se constat (figura 3.40.c) c timpii de comutare direct se reduc practic la zero: td =0 i tr , ton<1ns. Accelerarea comutrii directe se datoreaz impulsului de curent de comand care apare la ncrcarea capacitii CB , produs de frontul abrupt al tensiunii de intrare. Fa de situaia fr condensator (comparnd figurile c i b), se constat c timpul de cdere tf rmne practic nemodificat (la 39ns) i timpul de blocare toff scade de aproape trei ori (de la 75ns la 27ns) pe seama scderii apreciabile a timpului de stocare ts (de la 53ns la 5ns; n figur, timpul de stocare este timpul de la frontul cztor al uI , 300ns, la cursorul C2). Formele de und rezult pentru un impuls de intrare cu timpi de cretere i de cdere neglijabili de mici fa de timpii de rspuns ai tranzistorului i considernd c sursa de intrare poate furniza impulsuri de curent apreciabile (care apar prin condensatorul CB n timpul comutaiilor), sau cu alte cuvinte, pentru o surs cu rezisten intern neglijabil. Nici una dintre aceste ipoteze nu este satisfcut de multe dintre circuitele practice. Efectul rezistenei finite a sursei de semnal (RG =200, 20% din RB , considerat n serie cu tensiunea uI din figura 3.38.a) este prezentat n figura 3.40.d. Comparnd aceast situaie cu situaia idealizat din figura 3.40.c (cu RG = 0) se constat o cretere a timpilor de comutare direct: tr =19ns, ton= 6ns, timpul de blocare toff =24ns scade puin, i timpul de stocare crete, ts =12ns. n orice caz, condensatorul CB conduce la o reducere semnificativ a timpilor de comutare.
Fig. 3.40. Inversorul cu TB saturat. Variaia curentului de colector n timp pentru diferite configuraii la intrare.
n concluzie, pentru tranzistorul bipolar n saturaie, cel mai important element de limitare a vitezei de comutare a tranzistorului este timpul de stocare ts , a crui valoare este proporional cu gradul de saturaie al tranzistorului. Pentru a obine circuite care comut rapid, saturaia trebuie evitat, sau gradul de saturaia trebuie s fie ct mai redus, sau se utilizeaz un condensator de accelerare n circuitul bazei.
134
3.7 CARACTERISTICI ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR

3.7.1 Caracteristicile statice
Caracteristicile statice ale tranzistorului exprim legtura dintre tensiunile aplicate i curenii care circul prin tranzistor n regim static (n curent continuu cc). Trasarea caracteristicilor statice se face experimental, prin conectarea tranzistorului ntr-un circuit care permite msurarea tensiunilor i curenilor prin tranzistor. Tranzistorul, considerat ca fiind o "cutie neagr", adic un obiect la care prezint interes comportarea la borne, poate fi ncadrat n categoria cuadripolilor. Cuadripolii sunt circuite cu 4 borne de acces. n cazul de fa prezint interes cuadripolii cu dou pori denumite intrare i ieire. Mrimile electrice de la bornele de intrare, respectiv ieire sunt marcate n figura 3.41.a cu indicii I , respectiv O .
Fig. 3.41. TB privit ca un cuadripol. a) schema bloc a unui cuadripol, b) TB tip npn n conexiunea EC.
iI uI
IN a) OUT
iO uO uBE
iB
iC u CE
b)
Caracteristicile statice ale cuadripolilor reprezint relaia (grafic) dintre trei mrimi: una n abscis, una n ordonat i cealalt considerat ca parametru. Caracteristicile cuadripolilor pot fi: de ieire: iO = f ( uO ) cu II parametru (iI =constant pentru fiecare curb), sau cu UI parametru, de intrare: iI = f ( uI ) cu UO parametru, de transfer: iO = f ( iI ) cu UO parametru. n general caracteristica de transfer este o mrime de ieire funcie de o mrime de intrare cu cealalt mrime de ieire parametru.
Pentru a putea considera TB ca un cuadripol este necesar ca un terminal s fie comun intrrii i ieirii cuadripolului. Acest terminal reprezint masa electric a montajului i va fi considerat referin de potenial. Terminalul conectat la mas determin conexiunea tranzistorului. n cazul conexiunii emitor comun (EC), emitorul este la mas, intrarea este ntre baz i emitor iar ieirea ntre colector i emitor, conform figurii 3.41.b. Pentru trasarea caracteristicilor statice, schema simplificat din figura 3.41.b este completat cu surse de alimentare reglabile i aparate de msur. La tranzistorul de tip npn, caracteristicile statice (obinute prin simularea circuitului realizat cu un tranzistor de tip 2N2222) sunt prezentate n figurile 3.42 i 3.43. n planul caracteristicilor de ieire din figura 3.43.a s-a trasat cu linie punctat i curba UCE =UBE, care delimiteaz regiunea activ normal (RAN, cu UCE >UBE) de saturaie.
40
I B [A]
Fig. 3.42. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului npn n conexiunea EC. - Caracteristica de intrare este de fapt caracteristica unei diode. Variaia tensiunii UBE cu IC este mic (UBE =0,50,7V pentru IC =0,0240mA). - Modificarea tensiunii UCE, parametru la care se traseaz curba, produce un efect nesemnificativ; Caracteristica etichetat n figur cu UCE =10V este practic aceeai pentru UCE =0,5...20V (n RAN).
UCE =0,1V
20
UCE =10V
UBE [V] 0
0,4 0,8
135
10
I C [mA]
I B = 50A I B = 40A
10
I C [mA] UCE = 6V UCE = 1V
UCE = UBE
5
I B = 30A
5
I B = 20A I B =10A
UCE = 0,1V
UCE [V] 0
I B [A]
0 2 4 6 50 Fig. 3.43. Caracteristicile statice ale TB (npn, n conexiunea EC): a) de ieire, b) de transfer. - Caracteristicile de ieire n RAN (UCE >UBE) depind puternic de IB i foarte puin de UCE. - Caracteristica de transfer n RAN depinde puin de UCE, n saturaie dependena este mai accentuat. - La ambele familii de caracteristici se observ proporionalitatea curentului de colector fa de IB.
Determinarea psf din caracteristicile statice

Pentru polarizarea tranzistorului n RAN trebuie asigurat polarizarea direct a jonciunii de emitor i polarizarea invers a jonciunii de colector. Cea mai direct soluie de polarizare este utilizarea a dou circuite de polarizare distincte pentru baz i colector ca n figura 3.37.a. Dac se cunosc caracteristicile statice ale tranzistorului atunci punctul static de funcionare (psf) poate fi determinat prin metoda grafo-analitic (care va fi prezentat n continuare). T2K scris n circuitul de intrare reprezint ecuaia unei drepte n planul iB, uBE :
U BB = RB i B + u BE .
(3.132)
Familia caracteristicilor de intrare se reduce practic la o singur caracteristic, deoarece valoarea tensiunii de ieire UCE nu influeneaz semnificativ intrarea (conform figurii 3.42). La intersecia dintre dreapta definit de ecuaia (3.132) i caracteristica de intrare rezult (grafic) mrimile de polarizare ale circuitul de intrare al tranzistorului (UBE i IB) ca n figura 3.44.a.
40 30
i B [A]
UCC RC
10
iC [mA]
IB
10 0
UBB RB
IC
I B = 20A
uBE [V]
0
uCE [V]
0
5
UBE 1
a)
UBB 5
b)
UCE
15
UCC
Fig. 3.44. Determinarea psf din caracteristicile statice ale TB: a) la intrare, b) la ieire. Dreptele corespunztoare circuitelor de polarizare s-au trasat prin "tieturi"; punctele de coordonate {0, UBB /RB} i {UBB, 0} la intrare, respectiv {0, UCC /RC} i {UCC, 0} la ieire.
136
T2K aplicat n circuitul de ieire, numit dreapt de sarcin static (n cc), este:
U CC = R C i C + u CE .
(3.133)
La intersecia dintre dreapta static de sarcin i caracteristica de ieire corespunztoare curentului IB determinat anterior, rezult coordonatele psf n circuitul de ieire (IC i UCE), ca n figura 3.44.b. n cazul n care nu exist nici o caracteristic avnd ca parametru valoarea curentului IB, se traseaz o astfel de caracteristic prin interpolarea caracteristicilor existente. Metoda grafo-analitic se utilizeaz rar deoarece este laborioas i presupune cunoaterea prealabil a caracteristicilor statice ale tranzistorul. n practic, se prefer metodele analitice de calcul ale psf care utilizeaz modelele liniarizate de semnal mare ale TB prezentate anterior.
3.7.2
Caracteristicile de catalog ale TB
n cataloagele de componente electronice sunt precizate cel puin valorile limit admisibile, tipul capsulei i unele dintre caracteristici electrice i termice ale tranzistoarelor. Foile de catalog detaliate conin i curbe de variaie ale unor caracteristici tipice ale tranzistorului. nelegerea acestor caracteristici permite alegerea tranzistoarelor celor mai potrivite pentru o anumit aplicaie. Un tranzistor se conecteaz n circuit innd seama de configuraia terminalelor i de tipul capsulei. Pe desenul capsulei din catalog sunt trecute i dimensiunile mecanice ale acesteia.
Valorile limit absolute reprezint valorile maxime ale tensiunilor ce pot fi aplicate, a curenilor pe care i suport sau a puterii disipate admisibile pentru un anumit tranzistor (identificat cu un anumit cod). Aceste valori limit sunt suportate de orice component cu codul respectiv. Unele dintre componentele marcate cu acel cod vor suporta i valori mai mari (dect cele date n catalog), ns productorul nu garanteaz acest lucru i de aceea trebuie ca circuitele s fie proiectate astfel nct mrimile din circuit s nu depeasc valorile precizate n catalog. Tensiunile admisibile dintre dou terminale sunt precizate cu indicarea strii celui de-al treilea terminal: - VCB0 tensiunea colector-baz cu emitorul n gol (Collector-Base Voltage, IE =0);
VCE0 tensiunea colector-emitor cu baz n gol (Collector-Emitter Voltage, IB =0); VCES (VCER) tensiunea colector-emitor cu baz scurtcircuit la emitor (Collector-Emitter Voltage, UBE =0), sau cu o rezisten precizat conectat ntre baz i emitor; VEB0 tensiunea emitor-baz cu colectorul n gol (Emitter-Base Voltage, I C =0),
Aceste tensiuni sunt mai mici dect tensiunea de strpungere a jonciunii respective i au valori pozitive pentru tranzistoarele npn i negative pentru tranzistoarele pnp. S-a notat i traducerea n limba englez deoarece este utilizat n majoritatea cataloagelor i justific indicii folosii. Sensul curenilor este considerat a fi sensul de intrare n terminalele respective; curenii din catalog, pozitivi pentru tranzistoarele npn i negative pentru pnp, sunt: - I C curentul maxim de colector, valoare de curent continuu (Collector Current, dc); I CP (I CM) curentul maxim de colector, valoare de vrf (Collector Current, peak or pulse); I B curentul maxim de baz (Base Current); Valorile limit termice se refer la puterea i temperaturile maxime suportate astfel: Ptot (PC) puterea maxim admisibil la o temperatur a capsulei TC 25C sau o temperatur ambiant Tamb 25C, (Total Dissipation, or Collector Dissipation, at TC or Tamb 25C); TJ temperatura maxim admisibil a jonciunii (Maximum Operation Junction Temperature), la tranzistoarele cu siliciu este de obicei 150C; Tstg temperatura maxim de stocare (Storage Temperature), de obicei Tstg = 65C150C.
137
La specificarea puterii maxime sunt posibile dou cazuri: dac se indic temperatura capsulei (de obicei la tranzistoarelor de putere medie sau mare), se presupune existena unui radiator infinit care menine temperatura capsulei la 25C; dac se precizeaz temperatura ambiant, atunci puterea indicat poate fi disipat fr radiator.
n cazul n care temperatura capsulei (sau temperatura ambiant) este mai mare dect 25C, puterea admisibil se reduce corespunztor. n practic, puterea ce poate fi disipat de tranzistor, cu un radiator rezonabil i fr ventilator, este de circa trei ori mai mic dect puterea de catalog (dat ca n primul caz de mai sus, pentru TC 25C). n foile de catalog ale tranzistoarelor este trasat curba (de fapt o dreapt, Derating Curve n englez) care indic reducerea puterii admisibile n funcie de temperatura capsulei (sau n funcie de temperatura ambiant), figura 3.45.a.
Caracteristicile termice sunt precizate adesea i ca valori (de obicei maxime) ale rezistenei termice jonciune-capsul Rthj-c (utilizat la dimensionarea radiatorului) i/sau ale rezistenei termice jonciune-ambiant Rthj-a (zecisute de C/W pentru tranzistoarele fr radiator, valori mai mari pentru capsule mai mici). Funcia liniar care face legtura ntre temperaturi i puterea disipat Ptot (figura 3.45.a) este:
TJ TC = Ptot Rthj-c
sau
TJ Tamb = Ptot Rthj-a.
(3.134)
a)
b)
Fig. 3.45. Exemple de caracteristici de catalog ale TB (npn, medie putere, tip BD135,137,139): a) Reducerea puterii disipate maxime cu temperatura (Ptot =12,5W la TC 25C), b) Ariile de siguran n cc i n regim de impulsuri (I C =1,5A, I CP =3A, VCE0 =60V la BD137).
Aria de siguran (Safe Operating Area) reprezint limitele valorilor tensiunilor VCE i curenilor I C pentru care tranzistorul prezint un regim termic stabil i este reprezentat n foile de catalog ca un domeniu al planului I C VCE cu axele gradate logaritmic (3.45.b). Domeniul cel mai restrictiv este pentru cazul funcionrii tranzistorului n cc. Sunt trasate i domenii admise pentru funcionare n regim de impulsuri. Aceste domenii sunt limitate de curentul I C maxim, tensiunea VCE maxim, puterea admisibil Ptot i curba strpungerii secundare. Strpungerea secundar se manifest prin scderea brusc a tensiunii VCE , apare n general la tensiuni mari i se datoreaz creterii densitii de curent n anumite puncte datorit neregularitilor de structur, compoziie sau form ale tranzistorului. Existnd o densitate local mare de curent cristalul se nclzete mai mult n acel punct, ceea ce i crete conductivitatea, deci curentul prin aceast zon crete i mai mult, nclzirea local i ea, apare astfel un proces regenerativ. Factorii care favorizeaz apariie strpungerii secundare n regim de impulsuri sunt energia impulsului i temperatura jonciunii.
138
Caracteristicile electrice date n cataloagele de tranzistoare indic valorile unor parametrii ai tranzistorului care sunt msurai la productor n condiii precizate. n general se indic valorile limit garantate de productor sau limitele unor parametrii care delimiteaz categoriile comerciale de selecie ale tranzistoarelor. Sunt precizate (tabelar) valorile maxime ale curenilor de blocare i ale tensiunilor de saturaie msurate la o temperatur a capsulei TC = 25C (uneori se dau i valorile msurate la temperatura maxim admis TJ ):
I CB0 curentul de colector n blocare cu emitorul n gol, msurat la tensiunea VCB maxim (Collector Cut-off Current, IE =0); I CE0 curentul de colector n blocare cu baza n gol, msurat la tensiunea VCE maxim admis (Collector Cut-off Current, IB =0); VCE(sat) tensiunea colector-emitor de saturaie la un curent dat I C i pentru un anumit raport I C /IB (=10, de obicei) (Collector-Emitter Saturation Voltage); VBE (sau VBE(on) ) tensiunea baz-emitor n RAN, msurat la I C i VCE precizate.
Factorul static de amplificare n curent N (DC Current Gain), simbolizat hFE , este dat la o anumit valoare a (sau pentru mai multe valori ale) curentului de colector. De obicei se indic valoarea minim, uneori limitele extreme i valoarea tipic. Limitele extreme se dau ntotdeauna atunci cnd se face o clasificare a tranzistoarelor n categorii comerciale (marcate pe capsul cu o litere sau cu un grup de cifre suplimentar), n funcie de factorul de amplificare. Simbolul hFE provine de la numele de factor hibrid de amplificare direct n conexiunea EC (Forward hybrid Factor for Common Emitter) i reprezint un parametru de cuadripol al tranzistorului. Frecvena de tiere fT (sau produs amplificare-band, Transition Frequency, Current Gain Bandwidth Product) reprezint frecvena la care factorul static de amplificare n curent N devine unitar (n modul). De obicei se precizeaz valoarea minim a acestei frecvene (cu valori uzuale de la 1MHz la 1GHz) la un anumit curent de colector (de obicei curentul la care fT este maxim).
Parametrii de mai sus sunt dai n aproape toate cataloagele. Uneori, mai ales pentru tranzistoare folosite la aplicaii speciale (comutaie, nalt frecven), se dau i ali parametrii electrici, ca de exemplu: capacitile interne, timpii de comutaie, factorul de zgomot. n foile de catalog ale tranzistoarelor, caracteristicile electrice sunt completate adesea cu dependene grafic ale valorilor tipice ale parametrilor: VCE(sat)-I C, VBE-I C, fT-I C, hFE-I C i altele.
3.7.3
Factorul de amplificare n curent
Amplificarea n curent dintre colector i baz poate fi exprimat static N (ca raport al curenilor) sau dinamic 0 (ca raport al variaiilor de curent):
N =
IC IB
respectiv
0 =
diC . di B
(3.135)
Curenii, respectiv variaiile curenilor, sunt considerate ntr-un psf din RAN. n condiii obinuite, factorii de amplificare nu depind semnificativ de psf i de aceea sunt considerai constani. Dac tranzistorul funcioneaz ns la variaii mari ale mrimilor electrice aplicate sau pentru variaii mari ale factorilor de mediu (de exemplu a temperaturii T ), atunci variaia ctigului n curent poate s fie important. Analiza detaliat a funcionrii tranzistorului [1] arat c N =f (I C, UCE, T ). Dependena de temperatur i de IC a amplificrii n curent este ilustrat n figura 3.45, n care se prezint curbele tipice pentru un tranzistor npn (tip 2N2222) la trei temperaturi diferite. Factorul N crete cu creterea temperaturii (coeficientul termic poate fi de exemplu kT =0,7%/C).
139
N
300
Zona I
Zona I I
Zona I I I
T = 125 C
200
T = 25 C
100
T = -55 C
0 10A
IC
0,1mA 1mA 10mA 0,1A 1A Fig. 3.45. Curbele de dependen N IC (tipice) pentru diferite temperaturi.
Caracteristicile sunt obinute prin simulare (pentru tranzistorul npn de tip 2N2222). Axa curentului IC este gradat logaritmic pentru a vizualiza un domeniu larg de cureni.
Variaia lui N cu curentul de colector, evideniat n figura 3.45, poate fi mprit n trei zone. Zona I este zona curenilor mici, n care N scade odat cu scderea curentului (la cureni de colector foarte mici N este proporional cu I C ). n zona II, care corespunde valorilor medii ale curentului, N este aproximativ constant. Zona III este zona de curent mare n care N scade odat cu creterea curentului (la cureni foarte mari factorul de curent este proporional cu 1/IC). O consecin direct a variaiei lui N este faptul c 0 are o valoare diferit de N. Relaia dintre factorii de amplificare poate fi obinut prin diferenierea funciei iC = N iB n raport cu iB . Folosind relaiile (3.135) se obine:
0 =
N . d N iC 1 d iC N
(3.136)
Aceast relaie arat c dac N depinde de iC , atunci 0 N (derivata din relaia de mai sus este nenul). Astfel, n zona curenilor mici (zona I, unde derivata este pozitiv), 0 >N iar n zona curenilor mari (zona III, unde derivata este negativ), 0 < N . n zona curenilor medii, N fiind aproximativ constant, derivata din relaia precedent este practic nul i 0 N . n calculele uzuale se consider o valoare unic pentru factorii de amplificare, notat simplu cu . Un exemplu numeric poate fi edificator pentru nelegerea implicaiilor practice ale variaiei factorului N cu curentul de colector. Se consider tranzistorul cu caracteristicile din figura 3.45 la temperatura normal T=25C. La cureni medii (5mA 50mA), 0 N 180. Amplificrile scad semnificativ la cureni mari; la IC1=0,13A, N1150 i la IC2 =0,5A, N2 100. Aproximnd diferenialele din relaia (3.136) cu diferene finite rezult:
02
N2 100 = 60 , = 150 130 0,5 N I C 2 1 1 0,5 0,13 100 iC N 2
deci factorul dinamic de amplificare la iC2 =0,5A este doar o treime din cel de la cureni medii.
140
Dependena lui N de tensiunea UCE este datorat aa numitului efect Early: creterea tensiunii UCB (=UCE UBE ) duce la creterea limii regiunii golite a Jc i la micorarea grosimii efective a bazei (WB n figura 3.33). Ca urmare se reduce recombinarea n baz, scade curentul de baz pentru acelai curent de colector i crete N (ca raport al curenilor IC /IB ). N depinde cu att mai mult de UCE cu ct tranzistoarele au baza mai ngust i implicit un factor N mai mare (amplificarea n curent este mare deoarece recombinarea n baza ngustat este mic). Deci pentru ca efectul Early s fie mai puin important, trebuiesc utilizate tranzistoare cu factorul N mai mic.
3.7.4
Factorul de zgomot al tranzistorului
Zgomotul este semnalul nedorit care apare ntr-un circuit electronic i care este independent de semnalul util. Ceea ce conteaz n practic este raportul semnal-zgomot. Tranzistorul prezint zgomot n tot spectrul de frecven. Zgomotul este de mai multe tipuri: zgomot de alice, cauzat de distribuia statistic a fluxului de purttori n jonciunea colectorbaz, deoarece trecerea fiecrui purttor prin jonciune este un eveniment pur aleator (este un zgomot alb deoarece densitatea spectral a acestui zgomot este independent de frecven), zgomot termic, datorat agitaiei termice a purttorilor (este un zgomot alb, prezent n orice rezistor, indiferent de prezena curentului electric i este proporional cu temperatura absolut), zgomot de scintilaie (de licrire), atribuit generrii-recombinrii la suprafaa dispozitivului, are densitatea spectral proporional cu 1/f, deci este preponderent n domeniul frecvenelor joase.
n consecin, zgomotul propriu al tranzistorului este mare la frecvene foarte joase, scade pn la circa 1kHz, rmne constant pn la frecvene apropiate de frecvena de la care amplificarea tranzistorului scade, de unde zgomotul ncepe s creasc (relativ la semnalul util). Aprecierea zgomotului propriu al tranzistorului se face cu ajutorul factorului de zgomot F, exprimat de obicei n decibeli i care se definete ca fiind raportul dintre raportul semnal-zgomot la intrare Si /Ni i raportul semnal-zgomot la ieire So /No :
F=
raportul semnal/zgomot la intrare S i N o , = raportul semnal/zgomot la iesire Ni So
(3.137)
unde S reprezint puterea de semnal i N puterea de zgomot. Puterea de zgomot la intrare Ni se consider c este dat de zgomotul din rezistena sursei, iar puterea de zgomot de la ieire No este puterea total de zgomot care include att contribuia circuitului ct i zgomotul transmis de la rezistena sursei. Factorul de zgomot ofer o msur a degradrii determinat de circuitul cu tranzistor a raportului semnal-zgomot (S/N). De exemplu, dac raportul S/N la intrarea circuitului este de 50dB iar factorul de zgomot este de 5dB, atunci raportul S/N la ieire va fi de 45dB. Factorul F este specificat fie pe un domeniu de frecvene, fie pentru o band ngust f, centrat pe o frecven f (cu f <<f ); n al doilea caz devine factor de zgomot de band ngust.
3.8 ELEMENTELE SUPLIMENTARE ALE MODELULUI DE SEMNAL MIC

Modelele de semnal mic ale TB introduse la analiza tranzistorului n regim dinamic sunt modele simplificate care conin parametrii de semnal mic eseniali ai tranzistorului i care permit studiul simplificat al circuitelor. Analiza mai detaliat a fenomenelor care au loc n tranzistor se concretizeaz n elemente suplimentare ale modelelor de semnal mic. Modelele obinute astfel sunt mai complete (dar mai complexe) i permit analiza mai exact a circuitelor cu tranzistoare.
141
3.8.1
Capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor
Variaia sarcinii purttorilor minoritari n baz dQb , datorat variaiei tensiunii aplicate jonciunii de emitor duBE , este modelat prin capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor:
C de =
dQb , du BE
(3.138)
La definirea Cde intervin doar purttorii minoritari din baz, deoarece curentul prin jonciune este de fapt curentul de drift al purttorilor care trec din emitor n baz (curentul purttorilor care difuzeaz din baz n emitor este neglijabil, deoarece gradul de dopare al bazei este mult mai mic dect cel al emitorului).
Sarcina electric poate fi exprimat ca produs curent-timp. Sarcina din baza tranzistorului i variaia acesteia pot fi exprimate ca fiind: Qb = F I C , respectiv dQb = F diC (3.139) unde F reprezint timpul mediu de tranzit al purttorilor minoritari prin baz (pentru funcionare n RAN). nlocuind (3.139) n (3.138) i innd seama de (3.68) i de (3.67) rezult:
C de =
F d iC
du BE
= F gm
C de = F
IC . UT
(3.140)
Deci capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor este proporional cu curentul de colector din psf.
3.8.2
Rezistena de ieire
Rezistena de ieire a tranzistorului (n conexiunea EC) este:
ro =
du CE , diC
(3.141)
Conform ecuaiei tranzistorului n RAN, (3.4) sau (3.107), curentul de colector nu depinde de tensiunea uCE . O analiz mai detaliat a fenomenelor din tranzistor pune n eviden ns o astfel de dependen. La creterea tensiunii de colector uCE , pentru o tensiune de baz constant UBE , crete tensiunea de polarizare a jonciunii de colector uCB = uCE UBE . Ca urmare, crete limea RSS a Jc, scade limea efectiv a bazei (WB din figura 3.33), scade recombinarea n baz i crete curentul de colector. Din acelai curent de emitor (determinat de tensiunea UBE constant), datorit micorrii recombinrii, o fraciune mai mare ajunge n colector; n sistemul de ecuaii (3.107) iE este constant, N i iC cresc datorit creterii factorului de transport n baz tB din relaia (3.105). Acest fenomen este cunoscut sub numele de efect Early i poate fi pus n eviden n caracteristicile statice de ieire ale TB, trasate cu UBE parametru. Dac se extrapoleaz aceste caracteristici, ele se vor ntlni n punctul de coordonate {0, UA }, ca n figura 3.46. iC
UBE 4
IC
UBE 3 UBE 2 UBE 1
uCE
UA
UCE
Fig. 3.46. Tensiunea Early UA pus n eviden din caracteristicile de ieire ale TB.
142
Tensiunea UA este un parametru al tranzistorului, numit tensiune Early, cu valori uzuale de zeci de voli. Panta tangentei caracteristicii de ieire, determinat geometric (ntr-un anumit psf din RAN, funcie de tensiunea Early) i relaia (3.141), permit calcularea rezistenei de ieire:
IC I d iC = C , du CE U A + U CE U A ro UA IC
(3.142)
S-a considerat cazul uzual UCE <<UA , care simplific relaia de calcul. Rezistena de ieire a tranzistorului este invers proporional cu curentul de colector din psf i se poate exprima n funcie de gm , la fel ca i ali parametrii de semnal mic: ro = 1 , gm (3.143)
unde = UT /UA este factorul Early (de exemplu = 2,5 x10-4 pentru T = 290K i UA =100V).
3.8.3
Modelul fundamental de semnal mic al TB
Reunirea elementelor de circuit incluse n modelul simplificat din figura 3.24 (gm i r ), cu elementele descrise anterior, conduce la modelul de semnal mic al tranzistorului din figura 3.47. Acest model, valabil n RAN att pentru tranzistorul npn ct i pnp, este denumit modelul -hibrid. Evaluarea elementelor acestui model presupune determinarea prealabil a curentul static de colector IC i cunoaterea unui numr relativ mic de parametrii ai tranzistorului: 0 , F i UA .
b r ube
Cde
c gm ube e ro
Fig. 3.47. Circuitul echivalent de semnal mic, fundamental, al tranzistorului bipolar.
gm =
IC , UT
r =
0
gm
C de = F g m ,
ro =
UA IC
n continuare, acestui model i se vor aduga elemente suplimentare care modeleaz efectele parazite i cele de ordinul doi (mai puin importante).
Rezistena colector-baz
Un efect de ordinul doi este dat de variaiile tensiunii UCE asupra sarcinii de purttori minoritari din baz. Creterea tensiunii UCE determin creterea limi regiunii golite a jonciunii de colector, i deci, reducerea grosimii bazei (prin efect Early). Ca urmare sarcina total de purttori minoritari n baz se micoreaz, ceea ce corespunde unei scderi a curentului de baz IB (scade recombinarea n baz). Deoarece o cretere duCE a tensiunii UCE determin o scdere diB a curentului IB , acest efect se poate modela prin introducerea unei rezistene r ntre colector i baz. innd cont de relaiile (3.135) i (3.141), valoarea acestei rezistene este:
r =
du CE duCE diC = = ro 0 . di B d iC d i B
(3.144)
Aceast relaie este corect dac se consider curentul de baz ca fiind identic cu curentul de recombinare n baz. La tranzistoarele moderne, valoarea curentului de recombinare poate s reprezinte doar 10% din curentul de baz (componenta de difuzie a purttorilor majoritari din baz spre emitor fiind determinant pentru IB ). Ca urmare valoarea pentru r poate fi 10 0 ro , iar valoarea indicat de relaia (3.144) reprezint limita inferioar pentru r . Datorit valorii foarte mari a acestei rezistene (Msute de M) ea este de obicei neglijat.
143
3.8.4
Elementele parazite ale modelul de semnal mic
Elementele circuitului echivalent de semnal mic descrise pn acum sunt fundamentale n sensul c i au originea n fenomenele fizice eseniale din tranzistor. Limitrile impuse de procesul tehnologic de fabricaie introduc elemente parazite care se adug circuitului echivalent. Fiecare jonciune pn prezint o capacitate de barier: Cbe pentru jonciunea de emitor i Cbc (notat i cu C ) pentru jonciunea de colector. n cazul tranzistoarele din circuitele integrate (care sunt izolate de substrat printr-o jonciune polarizat invers) apare i capacitatea de barier a jonciunii colector-substrat Ccs. n circuitul echivalent de ca aceast capacitate apare conectat la mas, deoarece substratul unui circuit integrat este conectat la sursa cea mai negativ de tensiune din circuit (pentru a izola componentele ntre ele printr-o jonciune polarizat invers). Alte elemente parazite care pot fi adugate modelului de ca al tranzistoarelor discrete sunt inductivitatea terminalelor i capacitile parazite dintre terminale. Acestea au un efect semnificativ doar la frecvene foarte mari i n general sunt neglijate. De altfel, capsulele tranzistoarelor de foarte nalt frecven sunt realizate astfel nct s reduc la minim capacitile parazite dintre terminale i inductivitatea terminalelor (terminalele sunt scurte i amplasate pe laturi diferite ale capsulei). Ultimele elemente parazite care trebuiesc adugate modelului tranzistorului sunt rezistenele parazite. Aceste rezistene sunt determinate de valoarea finit a rezistenei siliciului din zona cuprins ntre punctul de contact de la suprafaa siliciului i tranzistorul intern (vezi figura 3.32). n serie cu terminalul emitorului apare o rezisten cu valoare foarte mic (deoarece emitorul puternic dopat are o conductivitate mare, iar distana de la terminalul extern la emitorul intern este foarte mic). Aceast rezisten, numit rezistena serie a emitorului se noteaz cu rex i se neglijeaz ntruct are o valoare foarte mic (fraciuni de ohmi).
Rezistena serie a colectorului are o valoare mult mai mare dect rex deoarece distana de la colectorul tranzistorului intern la terminalul de colector este relativ mare i conductivitatea regiunii de colector mic (mult mai mic dect a emitorului). Deoarece cderea de tensiune care apare pe aceast rezisten la cureni mari duce la creterea tensiunii de saturaie a tranzistorului, se iau msuri constructive speciale pentru reducerea ei, astfel nct s ajung la valori de ordinul ohmilor. De exemplu, la tranzistoarele discrete realizate prin dubl difuzie (ca cel din figura 3.32), substratul tranzistorului are un grad de dopare foarte mare i implicit o conductivitate mare.
Deoarece rezistivitatea regiunii bazei este mare (baza avnd un grad de dopare redus), rezistena serie a bazei, notat cu rb (sau rx, sau rbb) are o valoare semnificativ (zeci de ohmi). Valoarea rezistenei rb variaz semnificativ n funcie de curentul de colector IC din cauza efectului numit aglomerarea emitorului. Acest fenomen este o consecin a cderii de tensiune ce apare pe materialul semiconductor al bazei datorit curgerii curentului de baz n regiunea de sub emitor (transversal fa de sensul curentului prin tranzistor, care curge de la emitor la colector). Aceast cdere de tensiune lateral face ca polarizarea jonciunii baz-emitor s fie neuniform, fiind maxim de-a lungul perimetrului emitorului. La cureni de colector mari, cderea de tensiune lateral nu mai este neglijabil; ca urmare curentul de emitor se aglomereaz pe periferia emitorului, nemaifiind uniform distribuit pe ntreaga suprafa a emitorului. Deci efectul de tranzistor tinde s aib loc pe perimetrul emitorului i nu sub emitor. Ca urmare distana de la contactul bazei la regiunea activ a bazei se reduce, iar rezistena seria a bazei se micoreaz la cureni de colector mari (la cureni foarte mari scade cu pn la un ordin de mrime din valoarea de la cureni mici). Ordinul de mrime al rezistenelor parazite a fost dat pentru tranzistoarele de medie putere; la tranzistoarele de mic putere aceste rezistene pot fi cu un ordin de mrime mai mari, iar la tranzistoarele de putere mare cu un ordin de mrime mai mici.
144
3.8.5
Circuitul echivalent complet de semnal mic
Dac se adaug la circuitul fundamental de semnal mic din figura 3.47 rezistenele i capacitile parazite se obine circuitul echivalent complet de semnal mic din figura 3.48. Nodul intern al bazei este notat cu b, diferit de contactul extern al bazei b.
r b rb r b'
C C
rc ro
Ccs
c
Fig. 3.48. Circuitul echivalent de semnal mic, complet, al unui tranzistor bipolar.
ub'e
gm ub'e rex e
3.8.6
Capacitile interne ale TB
Capacitatea C este compus din capacitatea de difuzie Cde i cea de barier Cbe a jonciunii de emitor: C = C de + Cbe . (3.145) La jonciunea de emitor (Je) polarizat direct, capacitatea de difuzie Cde se calculeaz cu relaia (3.140) i capacitatea de barier Cbe se poate estima cu relaia (2.92): Cbe 2Cbe0, unde Cbe0 este capacitatea de barier a Je la polarizare nul. La un curent mediu sau mare prin tranzistor, capacitatea de barier Cbe este neglijabil fa de cea de difuzie Cde. n cazul jonciunilor polarizate invers capacitatea de difuzie este practic nul i capacitatea de barier se poate calcula particulariznd relaia (2.92). Astfel, la tranzistorul npn: C = C 0
(1 U BC
U 0 )m
(3.146)
unde C0 este capacitatea de barier la polarizare nul, U0 este diferena intern de potenial, UBC este tensiunea de polarizare n sens direct i m este un exponent a crui valoare este cuprins ntre 1/3 (la jonciuni gradate) i 1/2 (la jonciuni abrupte); toate aceste valori se refer la jonciunea colector-baz. Capacitatea Ccs a tranzistoarelor integrate se determin cu o relaie de acelai tip.
Exemplu
S se deduc elementele circuitului echivalent de semnal mic pentru un tranzistor bipolar care lucreaz n punctul static de funcionare: IC =10mA i UCB =5V, pentru UT =25mV. Parametrii tranzistorului (estimai pe baza datele de catalog ale tranzistorului 2N2222) sunt hfe =200, F =0,6ns, UA =70V, Cob0 =8pF (la UCB =10V), Cib0 =30pF (la UEB =0,5V), rb =20, rc =2 i r =2 0 ro . Cele dou jonciuni se consider ca fiind gradate cu m=1/3 i U0 =0,6V. Semnificaia notaiilor de catalog folosite este: hfe (= 0) factorul de amplificare n regim dinamic (parametrul hibrid este notat n regim dinamic cu indici litere mici), Cob0 capacitatea de ieire n conexiunea baz comun cu emitorul n gol (Common Base Output Capacitance), Cib0 capacitatea de intrare n conexiunea BC cu colectorul n gol (Common Base Input Capacitance, IC =0). Capacitatea dat de obicei n catalog este C , notat cu: Cob, Cob0, C12e, sau Cre (Common Emitter Reverse Capacitance).
145
La jonciunea de emitor polarizat direct, capacitatea de difuzie Cbe se estimeaz prin dublarea valorii Cbe0 (2.92): Cbe2Cib0 60pF. Fiind un calcul estimativ, s-a considerat valoarea capacitii dat n catalog, msurat la 0,5V polarizare invers, ca fiind aceiai cu Cbe0 (la polarizare nul a jonciunii emitor-baz). Din Cob0 =C , dat la UCB =10V, se determin C0 din (3.146) i apoi cu aceiai relaie se calculeaz C la tensiunea de polarizare UCB =5V:
C 0 U 3 10 = 8p 2,6 = 21pF , = C ob0 1 + CB = 8p 3 1 + 0,6 U0
1
C =
21p
3 1+
5 0,6
21p = 10pF . 2,1
Din (3.67) se obine transconductana:
gm =
I C 10m A mA = = 0,4 = 400 . V V U T 25m
Capacitatea de difuzie a jonciunii de emitor se calculeaz cu relaia (3.140): C de = F g m = 0,6n 0,4 = 0,24nF = 240pF , iar C cu relaia (3.145): C = C de + Cbe = 240p + 60p = 300pF .
r =
Din (3.72) rezult rezistena de intrare: Rezistena de ieire este dat de (3.142): iar rezistena colector-baz este:
0
gm
200 = 500 . 0,4
ro =
70 = 7k , 10m
r = 2 0 ro = 2 200 7k = 2,8M .
Circuitul echivalent cu valorile elementelor de semnal mic ale tranzistorului este dat n figura urmtoare.
2,8M 20 500
b'
10 pF 0,4 ub'e
2 7k
300 pF
ub'e
Fig. 3.49. Circuitul echivalent de semnal mic, complet, al unui tranzistor 2N2222 la IC =10mA i UCB =5V.
3.8.7
Frecvena de tiere a tranzistorului
Funcionarea tranzistorului la frecvene nalte este influenat de capacitile circuitului echivalent din figura 3.48. n practic, performanele de frecven ale tranzistorului sunt specificate prin valoarea frecvenei la care ctigul n curent, n conexiunea EC, n condiii de scurtcircuit la ieire, devine unitar. Aceast frecven notat fT, se numete frecvena de tiere (sau de tranziie) i constituie o msur a frecvenei maxime la care tranzistorul mai poate fi utilizat ca amplificator. Valoarea frecvenei se poate msura i calcula cu circuitul de ca din figura 3.50.a. Un curent sinusoidal de semnal mic ib este aplicat n baz i se msoar curentul de colector ic , cu colectorul n scurtcircuit (din punct de vedere al semnalului). Circuitul echivalent de semnal mic pentru aceast configuraie, din figura 3.50.b, s-a obinut plecnd de la circuitul din figura 3.48 n care s-au neglijat rezistenele rex, r i rc.
146
ic ib
a)
rb ib ub'e r
C b)
gm ub'e
ro
Ccs
ic
Fig. 3.50. Determinarea frecvenei de tiere a tranzistorului fT : a) schema de curent alternativ, b) circuitul echivalent de semnal mic.
Datorit scurtcircuitului de la ieire, ro i Ccs nu au nici o influen asupra circuitului. La frecvene joase condensatoarele din circuit pot fi neglijate i 0 se obine din (3.72):
0 = r g m =
gm g
(cu notaia g =1/r ).
(3.147)
Mrimile electrice din circuit fiind sinusoidale se poate face calculul circuitului n complex. Factorul de amplificare n curent al tranzistorului se definete ca fiind raportul curenilor cu ieirea n scurtcircuit:
0 =
Ic Ib
.
uce =0
(3.148)
T1K aplicate n colector i n baz permit calcularea amplificrii complexe:
I c = g m j C U b'e g m U b 'e I b = [ g + j (C + C )] U b 'e g m j C g + j (C + C )
(3.149)
0 =
gm ; g + j (C + C )
(3.150)
n colector, curentul prin C a fost neglijat n raport cu curentul datorat transconductanei. innd seama de (3.147) rezult:
0 =
0
1 + j
C + C g
1 + j r (C + C )
(3.151)
La frecvene nalte partea imaginar a numitorului este dominant i deci:
0 ( j )
j r (C + C )
r g m gm . = j r (C + C ) j (C + C )
(3.152)
Din (3.152) rezult pulsaia i frecvena de tiere a tranzistorului pentru | 0 (j)| =1:
T =
gm C + C
sau
fT =
gm 1 . 2 C + C
(3.153)
Modulul amplificrii, calculat din (3.152) i innd seama de (3.153), este:
0 ( j )
gm = T . (C + C )
(3.154)
Acest rezultat semnific faptul c produsul amplificare-band (de frecvene) este constant i egal cu frecvena de tiere:
0 ( j ) = T ,
sau mai simplu,
0 ( f ) f = fT .
(3.155)
147
Relaia anterioar este adevrat pentru frecvene suficient de mari, mai concret dac partea imaginar a numitorului din relaia (3.151) este mult mai mare dect unitatea:
r (C + C ) >> 1 ,
adic
>>
gm 1 = = T = , r (C + C ) 0 (C + C ) 0
(3.156)
unde reprezint pulsaia de frngere, pulsaia la care partea real este egal cu partea imaginar a lui 0 (j). Prin urmare se definete ca fiind pulsaia la care modulul amplificrii n curent scade la 0 / 2 (scade cu 3dB fa de amplificarea de la frecvene joase). Dependena amplificrii n curent de frecven poate fi ilustrat ca n figura 3.51. | 0 ( ) | [dB]
0
3dB
caracteristica asimptotic
Fig. 3.51. Dependena de frecven (pulsaie) a modulului ctigului n curent la semnal mic.
Caracteristica asimptotic este funcia | 0 ( )| liniarizat pe poriuni, format din semidreptele care se ntlnesc n punctul { 0 , }.
20 dB 20dB/dec
(scar logaritmic)
0 dB
0,1 T
Determinarea experimental a pulsaiei (frecvenei) de tiere se face prin msurarea mrimii | 0 (j)| la o pulsaie la care valoarea sa este de 510, iar T se calculeaz din relaia (3.155). n figura 3.51 s-a reprezentat cazul n care | 0 (j)| =10(=20dB), caz n care =0,1 T . Caracteristica n zona n care se face msurarea are o pant de 20dB/decad, adic amplificarea scade cu 20dB pentru o cretere a frecvenei cu un factor 10 (o decad). innd seama (3.153) i de (3.140), constanta de timp T asociat pulsaiei de tiere este: C + C gm C C de Cbe C C , + + = F + be + gm gm gm gm gm
T =
(3.157)
expresie care arat c T este dependent de curentul de colector IC din psf (prin intermediul lui gm ) atingnd o valoare constant la valori mari ale curentului de colector. La valori mici ale curentului IC termenii care conin capacitile Cbe i C sunt dominani, determinnd o cretere a lui T i respectiv o scdere a frecvenei fT, odat cu scderea curentului IC . Aceast comportare este ilustrat n figura 3.52 care reprezint o curb tipic a dependenei frecvenei fT de curentul static de colector IC . Aceast teorie simpl nu prevede scderea frecvenei fT la cureni mari de colector; scdere datorat creterii constantei T ca urmare a efectelor de nivel mare de injecie (la cureni mari, concentraia purttorilor minoritari din baz devine comparabil cu concentraia purttorilor majoritari). Practic, din caracteristica de catalog fT -IC se determin valoarea maxim a frecvenei de tiere fTmax (sau se poate considera valoarea de catalog fT ca fiind fTmax ). Folosind aceast mrime, se poate calcula constanta F (necesar la determinarea capacitii de difuzie Cde din baza tranzistorului): 1 F = . (3.158) 2 f T max
148 400 fT [MHz] 300
VCE =20V TJ = 25C
200
Fig. 3.52. Dependena tipic fT (I C) pentru tranzistorul 2N2222 (trasat pe baza caracteristicii de catalog).
100
0 1 10 IC [mA] 100
Exemplu
a) La un curent de colector IC 1 =1mA, tranzistorul a crui caracteristic este dat n figura 3.52, are o frecven de tiere fT 1 =90MHz, iar la IC 2 = 4mA, fT 2 =200MHz. S se calculeze T i Cbe, presupunnd c ambele mrimi sunt constante. Se consider C = 8pF, UT = 25mV i se neglijeaz efectele legate de nivelul mari de injecie (valorile fiind din zona curenilor mici). b) Considernd fTmax=320MHz s se calculeze T cu relaia (3.158) i s se compare cu rezultatul obinut prin metoda precedent.
Rezolvare: a) Valorile constantelor de timp corespunztoare frecvenelor de tiere sunt:
T1 =
1 = 1,76ns , 2 f T 1
T 2 =
1 = 0,8ns . 2 f T 2
nlocuind aceste date n (3.157) i cu gm calculat din (3.67), rezult sistemul de ecuaii: 1,76n = F + 25 (C + Cbe ) 0,8n = F + 6,25 (C + Cbe ) ,
din care se determin Cbe (scznd a doua ecuaie din prima) i F : C + C be = 0,96n 18,75 51pF , C be = 51p 8p = 43pF , F = 1,76n 25 51p = 0,48ns . b) Din (3.158) rezult: F = 1 (2 f M ) = 1 (2 320M ) = 0,5ns , valoare practic egal cu cea determinat la punctul precedent.
n concluzie, relaia simplificat, (3.158), este suficient de precis pentru calculul T .
n final trebuie precizat c modelul complet al tranzistorului bipolar (care a fost utilizat n aceast analiz) este potrivit numai pentru frecvene mai mici dect circa 0,2 T , pentru frecvene mai mari, rb i C trebuiesc considerai ca elemente cu parametrii distribuii. O alt observaie referitoare la modelul de nalt frecven al tranzistorului din figura 3.48, este c la frecvene mai mari dect circa 10 , se poate ignora rezistena r (capacitatea C fiind dominant, XC<<r). Rezistena rb rmne singurul element rezistiv la intrare i are un rol major n ceea ce privete comportarea tranzistorului la frecvene mari. De aceea, determinarea precis a rezistenei rb se poate face printr-o msurtoare la nalt frecven.
149
3.8.8
Modelele de cuadripol
Modelele tranzistorului prezentate pn acum se numesc modele naturale deoarece au fost obinute n mod natural, prin analiza fenomenelor fizice din tranzistor. O alt metod de analiz, principial diferit, este utilizarea teoriei cuadripolilor pentru modelarea tranzistoarelor. Dac semnalele aplicate unui tranzistor sunt suficient de mici, atunci comportarea acestuia este liniar i tranzistorul se poate aproxima n ca cu un cuadripol liniar activ, n care intrarea i ieirea au o born comun (figura 3.53.a). Modelul de cuadripol este un model matematic, care are la baz ecuaiile cuadripolului scrise ntre cele patru mrimi de ca: ui , ii , uo , io . Exist ase moduri posibile n care pot fi alese variabilele independente, la care corespund ase sisteme de ecuaii, fiecare sistem fiind caracterizat de patru parametrii, numii parametrii de cuadripol. Dintre aceste sisteme, la tranzistoare cel mai utilizat este sistemul cu parametrii hibrizi (h):
u = h11 i1 + h12 u 2 a) 1 , i2 = h21 i2 + h22 u 2
sau
ui = hi ii + hr uo ; b) io = h f ii + ho uo ii = yi ui + yr uo . b) io = y f ui + yo uo
(3.159)
iar n domeniul frecvenelor nalte se folosesc ecuaiile cu parametrii admitan (y):

i = y11 u1 + y12 u 2 , a) 1 i2 = y 21 u 2 + y 22 u 2
sau
(3.160)
Modul consacrat de notare n ecuaiile de cuadripol este cu indicii 1 i 2 pentru variabilele de intrare i de ieire i cu indicii matriciali pentru parametrii de cuadripol (a). Se va prefera utilizarea notaiilor mai descriptive (b): indicii i i o pentru variabilele de intrare i de ieire iar indicii parametrilor de cuadripol vor fi notai cu iniialele unor cuvinte din limba englez: i de la intrare (input), r de la invers (reverse), f de la direct (forward) i o de la ieire (output). Parametrii de cuadripol depind de temperatur i de punctul static de funcionare. n general, ei variaz i cu frecvena, fiind mrimi complexe. La frecvene joase pot fi considerai ca mrimi reale, independente de frecven. Spre deosebire de parametrii naturali, parametrii de cuadripol depind de conexiunea tranzistorului. Pentru a indica conexiunea la care se refer parametrii, acestora li se mai adaug nc un indice: e pentru conexiunea emitor comun (EC), b pentru conexiunea baz comun (BC) i c pentru conexiunea colector comun (CC). Pe baza ecuaiilor (3.159) se obine modelul cu parametrii h din figura 3.53.b. Prima ecuaie indic conectarea n serie (T2K) a rezistenei de intrare cu o surs de tensiune (controlat de tensiunea de ieire), iar cea de-a doua ecuaie indic legarea paralel dintre o surs de curent (controlat de curentul de intrare) i conductana de ieire (T1K).
ii ui
in a) out
io uo
ii ri ui
hr uo
io hf i i
b) 1
ho
uo
Fig. 3.53. Cuadripol n regim dinamic: a) Schema bloc cu mrimile electrice de cuadripol, b) Circuitul echivalent cu parametrii h.
Din relaiile (3.159) rezult semnificaia parametrilor h: u hi = i impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit; ii u =0 o
150
u hr = i factorul de transfer invers n tensiune, cu intrarea n gol (factor de reacie); uo i = 0 i i hf = o factor de transfer direct n curent, cu ieirea n scurtcircuit (amplificare n curent); ii u = 0 o i ho = o admitana de ieire cu intrarea n gol. uo i = 0 i Parametrii hibrizi sunt diferii din punct de vedere dimensional i se obin prin msurtori efectuate n condiii de gol sau de scurtcircuit pentru componenta de ca (de semnal). n unele cataloage se dau valorile parametrilor h la joas frecven (1 kHz), pentru un anumit psf (de exemplu IC =1mA i UCE =5V) i o anumit temperatur (25C). De asemenea, n foile de catalog se dau uneori curbe tipice de variaie, care prezint modificarea relativ a parametrilor fa de valoarea de referin.
Relaiile dintre parametrii hibrizi i parametrii naturali

Parametrii de cuadripol depind de psf, temperatur, frecven i de conexiunea tranzistorului. Parametrii naturali, ai modelului -hibrid de exemplu, sunt obinui pe baza analizei modului de funcionare al tranzistorului i nu depind de conexiunea tranzistorului sau de frecven (n anumite limite). Se cunoate, de asemenea, modul cum se modific aceti parametrii cu psf al tranzistorului. Din aceste motive, modelele naturale sunt preferate la proiectarea circuitelor cu tranzistoare. Parametrii hibrizi sunt folosii n principal pentru determinarea parametrilor modelului natural. n continuare se va prezenta o metod de msurare a parametrilor h i se vor introduce formulele care permit trecerea de la parametrii h la parametrii modelului -hibrid. Ecuaiile cu parametrii h pentru tranzistorul n conexiunea EC (cu intrarea n baz i ieirea n colector) devin: u b = hie ib + hre u c ; ic = h fe ib + hoe u c (3.161)
Pentru msurarea parametrilor hie i hfe , se poate utiliza circuitul din figura 3.54.a. La acest circuit condensatoarele au valori suficient de mari pentru a putea fi considerate scurtcircuite la frecvena de lucru (teoretic au valoare infinit). Rezistena de polarizare a bazei RB are o valoare mare, iar rezistena RC este dimensionat pentru a fixa tensiunea de colector dorit. Rezistena de sarcin RL este mic, astfel nct colectorul s fie practic scurtcircuitat la mas:
u ic io = c . RL
(3.162)
+UCC CC
uc
RB Rg
ug a)
RC ic ib
+UCC CC io RL uc
RB CB ub
b)
RC ic
ii
CB ub
Fig. 3.54. Circuite pentru msurarea parametrilor hibrizi: a) hie , hfe i b) hre .
151
Semnalul de intrare ii este determinat din legea lui Ohm aplicat rezistenei Rg de valoare cunoscut. Dac RB este mare, atunci: u g ub ib ii = . (3.163) Rg Tensiunea de semnal de la intrare ub poate fi msurat n baza tranzistorului. Folosind curenii determinai anterior, se pot calcula parametrii hie i hfe :
u hie = b ib
i h fe = c . ib
(3.164)
Msurarea hre se poate face cu circuitul din figura 3.54.b. i la acest circuit RB trebuie s fie mare (mult mai mare dect r ) iar tensiunea de intrare ub se msoar cu un voltmetru a crui rezisten intern este mare, asigurndu-se astfel condiia de mers n gol la intrare. Parametrul hre se calculeaz conform definiiei:
u hre = b . uc
(3.165)
Rezistena de ieire hoe este prin definiie panta caracteristicilor de ieire ale tranzistorului i de aceea poate fi determinat din caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiunea EC. (Determinarea hoe din circuitul din figura 3.54.b este principial posibil, ns erorile de msur pot fi mari, deoarece hoe poate fi mult mai mare dect rezistena RC cu care apare n paralel, n regim dinamic.) Pentru a obine legtura dintre parametrii hie i hfe i parametrii modelului -hibrid, se folosesc relaiile obinute din schema echivalent din figura 3.55.a:
hie = rb + (r || r ) rb + r
(3.166) (3.167)
h fe = g m r .
Se poate observa c, prin definiie, hfe este identic cu 0 i c relaia (3.167) este identic cu formulele utilizate anterior pentru 0 , de exemplu (3.147).
b
ub
rb r
b'
r gm ub'e ro
b ib=0 rb
b'
r gm ub'e
c ic
ub'e
e
uc =0 ic
e
ub
e
ub'e
r
b)
ro
e
uc
a)
Fig. 3.55. Circuite echivalente de ca utilizate pentru a obine relaiile dintre parametrii hibrizi i parametrii naturali: a) pentru hie i hfe ; b) pentru hre (i hoe ).
Expresiile pentru hie i hfe se pot calcula din circuitul echivalent din figura 3.55.b: r r hre = (3.168) r + r r i hoe 1 0 + . ro r (3.169)
Expresiile de mai sus pot fi utilizate pentru a calcula parametrii modelului -hibrid cu ajutorul parametrilor hibrizi msurai: I gm = C , (3.170) UT
152
r =
h fe gm
(3.171) (3.172) (3.173)
rb = hie r , r r = , hre
1
h fe = VA . (3.174) ro = hoe r IC Deoarece rb << r , ecuaia (3.172) nu va duce la o determinare precis a rezistenei rb . De fapt, deoarece rezistena serie a bazei rb are un rol major la nalt frecven (dup cum s-a artat ntr-un paragraf anterior), ea se poate determina precis printr-o msurare de nalt frecven.
Exemplu
Se consider circuitul din figura 3.54.a cu Rg =10k, RB =100k, RC =10k i RL =100. Valorile efective ale tensiunilor alternative, msurate la joas frecven sunt: Ug =15mV, Ub =5mV i Uc =20mV.
a) S se calculeze hie i hfe att aproximativ (conform relaiilor anterioare) ct i exact (innd seama i de curenii care circul prin RB i prin RC ). b) Dac rb = 50 (determinat pe baza unei msurtori suplimentare efectuat la nalt frecven), s se calculeze r , re , gm i IC . c) Circuitului modificat conform figurii 3.54.b i se aplic un semnal Ug = 5V cu frecven foarte mic. Dac s-a msurat Ub =1mV s se calculeze hre . d) Cu rezultatele de la punctul c i b s se calculeze r . S se determine frecvena la care reactana condensatorului C =10pF este egal cu r .
Tensiunea termic este UT =25mV i condensatoarele se consider scurtcircuite n ca.

Rezolvare: a) Valorile efective ale componentelor de ca ale curenilor prin tranzistor, calculate aproximativ conform (3.162) i (3.163), sunt:
Ic Io = U c 20m = = 0,2mA R L 100
Ib Ii =
U g Ub Rg
15m 5m = 1A . 10k
Parametrii hie i hfe , calculai aproximativ conform (3.164), sunt:

hie = U b 5m = = 5k 1 Ib
I h fe = c = 200 . Ib
Valorile exacte ale curenilor, calculai innd seama i de rezistenele RB i RC , sunt:

Ic = Io Uc Uc Uc 20m = = 0,2m = 198A 10k RC R L RC
Ib = Ii
U b U g U b U b 15m 5m 5m = = = 0,95A 10k 100k RB Rg RB
Parametrii hie i hfe , calculai conform (3.164) considernd valorile exacte ale curenilor:
3.9 MODELAREA TB N SPICE
153
hie =
5m = 5,26k 0,95
h fe =
198 = 208,4 0,95
sunt cu 5,2%, respectiv cu 4,2% mai mari dect valorile calculate aproximativ. Diferena destul de mic dintre valorile exacte i cele aproximate permite utilizarea relaiilor aproximative (pentru RB >> hie i RC >> RL ).
b) Din (3.166) se determin r : h fe r r = hie rb = 5260 50 5,2k .
Pe baza relaiilor (3.171) i (3.170) se determin gm i IC :

gm = =
mA 208 = 40 5,2k V
I C = g m U T = 40m 25m = 1mA . re
Rezistena de intrare n emitor re se poate determina din (3.76):

c) Din (3.165) se calculeaz hre : d) Din (3.168) se determin r :
hre = U b 1m = = 2 10 - 4 . 5 Uc
1 = 25 . gm
r 5,2k = 26M . r = = hre 0,2m
Se remarc valoarea foarte mare a acestei rezistene. Reactana condensatorului C este egal cu r la o frecven destul de mic: 1 1 1 X C = = r f = = = 612Hz . 2 f C 2 C r 2 10p 26M Astfel, pentru ca eroarea datorat capacitii C (care apare n schema echivalent a tranzistorului n paralel cu r ) s fie nesemnificativ, msurtoarea de la punctul c trebuie efectuat la o frecven mult mai mic dect frecvena de mai sus (de exemplu la o frecven de 100 de ori mai mic, 6Hz n acest caz, deci o frecven foarte mic).

Consideraiile generale referitoare la modelare i la programul de simulare SPICE care au fost prezentate n subcapitolul 2.6 (despre modelarea diodelor n SPICE) se aplic i tranzistoarelor i nu vor mai fi reluate. n continuare sunt prezentate modelele utilizate de simulator pentru tranzistoarele bipolare i un exemplu de simulare.
3.9.1
Modelul SPICE al TB
Modelul SPICE de semnal mare al TB are la baz schema echivalent din figura 3.56. Sursele de curent iB i iC sunt controlate de uBE i de uBC conform relaiilor date la modelul de transport al tranzistorului (3.116) pentru iB i (3.118) pentru iC .
B
rx
CBC
u BC iB iC rE
E
rC
CCS S
C
Fig. 3.56. Modelul de semnal mare al TB folosit n SPICE.
uBE
CBE
154
Modelul diodei exponeniale, relaia (2.63), conine un indice suplimentar n, care ine seama de abaterile fa de caracteristica ideal a jonciunii. La ecuaiile modelului de transport acest indice, numit coeficient de emisie, a fost considerat unitar. Modelul SPICE al TB permite definirea unor coeficieni de emisie neunitari, cte unul pentru fiecare jonciune. Dup cum se poate vedea din figur, modelul SPICE include rezistenele ohmice ale celor trei regiuni ale tranzistorului: rC pentru colector, rx pentru baz i rE pentru emitor. Funcionarea dinamic a tranzistorului este modelat de cele dou capaciti neliniare CBE i CBC , care sunt compuse fiecare dintr-o capacitate de difuzie i una de barier. La tranzistoarele din circuitele integrate se utilizeaz i capacitatea de barier a jonciunii colector-substrat CCS . Pentru analiza de semnal mic n RAN, modelul SPICE se reduce la circuitul echivalent complet din figura 3.48. Modelul SPICE al TB include peste 40 de parametrii. Cei mai importani dintre acetia sunt dai n tabelul 3.2. Sunt listate, de asemenea, valorile implicite ale acestor parametrii (utilizate de SPICE n absena unor valori specificate de utilizator) i valorile pentru tranzistorul 2N2222 (literele reprezint multiplicatori: f fempto,10-15; p pico,10-12; n nano,10-9; u micro,10-6).
Tab. 3.2. Parametrii mai importani ai modelului de tranzistor bipolar din SPICE
Numele Parametrul modelului SPICE IS BF BR NF NR VAF VAR RC RB RE TF TR CJE VJE MJE CJC VJC MJC CJS VJS MJS Curentul de saturaie Ctigul n curent direct Ctigul n curent invers Coeficientul de emisie direct Coeficientul de emisie invers Tensiunea Early direct Tensiunea Early invers Rezistena serie a colectorului Rezistena serie a bazei Rezistena serie a emitorului Timpul de tranzit direct Timpul de tranzit invers Capacitatea B-E la polarizare nul Diferena intern de potenial a Je Coeficientul de gradare al Je Capacitatea B-C la polarizare nul Diferena intern de potenial a Jc Coeficientul de gradare al Jc Capacitatea C-S la polarizare nul
Simbol
IS
Unitatea de msur A V V

Valoarea Exemplu predefinit (2N2222) 1E 16 100 1 1 1

14.37f 150 6 74 1 10 411p 46.9n 22p 0.377 7.3p 0.34 -
N , I
n UA
rC rx rE
0 0 0 0 0 0 0,75 0,33 0 0,75 0,33 0 0,75 0
F
Cbe0 -
s s F V F V F V -
C0 U0 m Ccs0
Diferena intern de potenial a jonciunii colector-substrat (Jcs) Coeficientul de gradare al Jcs -
155
3.9.2
Exemple de simulare; Etaj de amplificare cu TB
Pe parcursul acestui capitol au fost folosite rezultatele simulrilor unor circuite cu tranzistor bipolar la: caracteristicile statice ale TB, curbele de dependen N IC i la analiza comutaiei. Aceste simulri pot fi reluate ca exerciii de simulare a unor circuite simple cu tranzistoare. Se recomand simularea regimului tranzitoriu al circuitului din figura 3.38.a (folosind modelul tranzistorului 2N2222 cu parametrii din paragraful anterior) i compararea rezultatelor (obinute pentru diferite valori ale componentelor de circuit) cu rezultatele din figura 3.40. n continuare se vor compara rezultatele calculului simplificat cu rezultatele simulrii pentru un circuit de amplificare de semnal mic cu TB.
Exemplu de simulare
a) Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze psf pentru un tranzistor 2N2222 cu =150, UBE = 0,7V i s se compare cu psf obinut prin simulare. 1 +UCC Dac generatorul de la intrare are amplitudinea R1 RC +10V Ug_vf = 20mV i rezistena intern Rg = 5k, s se 5k 82k 7 2 determine amplificarea n tensiune a circuitului cu CC Rg 5 CB 3 6 RL = 2k (Aug ) i cu RL = (Au0 ), pentru: CE 4 8 uo R L R2 b) Re1 = 0 (etaj n conexiune EC), RE ui 17k ug Re1 1k c) Re1 = 110 (amplificator cu Re 100),
att prin calcul simplificat ct i prin simulare. S se explice diferenele dintre cele dou metode. Tensiunea termic este UT =26mV i condensatoarele se consider scurtcircuite n ca.
Rezolvare: Se vor utiliza metode de calcul manual ct mai exacte (fr aproximri), astfel nct eventualele diferene s fie determinate n principal de modelele tranzistorului.
a) Parametrii sursei echivalente Thvenin, de polarizare a bazei, sunt: R1 17 k R B = R1 || R2 = 14k . U BB U CC = 10 = 1,72V , R1 + R2 99k
Curentul de colector se calculeaz cu (3.53) i tensiunea UCE cu (3.55):

IC =
(U BB U BE ) 150 1,02 = = 0,93mA , ( + 1)RE + RB 151k + 14k
U CE = U CC (RC + R E ) I C = 10 6k 0,93m = 4,4V .
n urma simulrii circuitului descris cu fiierul text din figura 3.57, se obine:
UBE = 0,644V, N =154, IC =0,977mA, UCE =0,413V.
Dac se recalculeaz psf folosind datele (UBE i N ) din simulare:

IC =
154 (1,72 0,644) = 0,98mA , 155k + 14k
U CE = 10 6k 0,98m = 4,12V ,
rezultatele obinute sunt practic identice cu rezultatele simulrii. Diferenele dintre calculele manuale i simulare se datoreaz valorilor diferite ale datele iniiale, UBE i N ; metoda de calcul nu introduce erori semnificative. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se calculeaz din (3.67), (3.72) i (3.77):
156
I 0,98m mA , gm = C = = 37,7 UT 26m V
r =
gm
150 = 4k , 37,7 m i
re =
r 4k = = 26,5 . + 1 151
b) Amplificarea n tensiune i rezistena de intrare calculate cu (3.82) i (3.83) sunt: Au 0 = g m RC = 37,7m 5k = -188,5 Ri = RB || r = 14k || 4k = 3,1k .
Amplificarea n tensiune referitoare la generator se calculeaz din (3.85):

Aug = Au 0 Ri RL = 188,5 0,286 0,383 = 20,65 R L + Ro Ri + R g
(cu Ro RC = 5k ).
n urma simularea circuitului parametrii de semnal mic ai tranzistorului sunt:
0 =170, gm = 37,6mA/V, r = 4,52k, ro = 79,3k,

iar din analiza de ca cu Ug = 20mV se obin (figura 3.57): Uo0 = V(7) =1,437V (fr RL ),
Uo = V(7) =0,4287V (cu RL = 2k), Ub = V(3) =8,133mV i Ii = I(Rg) =1,796A.
Cu aceste tensiuni i cureni se pot calcula parametrii amplificatorului (rezultatele simulrii):

Ri = Ub = 3,43k , Ii Au 0 = U o0 = 176,7 Ub
Aug =
Uo = 21,4 . Ug
Diferenele dintre calculul manual i simulare sunt relativ mici i se datoreaz valorii diferite a amplificrii 0 i neglijrii rezistenei de ieire ro . Dac se consider parametrii tranzistorului din simulare, atunci se obin prin calcul manual rezultate practic identice cu cele obinute prin simulare:
Au 0 = g m (RC || ro ) = 37,6m 4,7 k = 176,7 ,
Aug = 176,7 0,299 0,406 = 21,45
Ri = R B || r = 14k || 4,52k = 3,42k ,
(cu Ro = RC || ro = 4,7k ).
Metoda de calcul manual a parametrilor amplificatorului n conexiune EC nu introduce erori, eventualele diferene apar datorit neglijrii rezistenei de ieire a tranzistorului.
c) Amplificarea n tensiune i rezistena de intrare calculate cu (3.101) i (3.95) sunt:
Au 0 = RC 5k = = -39,5 26,5 + 100 re + Re
Ri = R B || ( + 1)(re + Re ) = 14k || 19,1k = 8,1k .
Amplificarea global n tensiune se calculeaz din (3.85):

Aug = Au 0 Ri RL = 39,5 0,286 0,618 = 7 R L + Ro Ri + R g
(cu Ro RC = 5k ).
Simularea de ca a amplificatorului cu Re conduce la urmtoarele rezultate:

Ri = 8,34k (fr RL ), Ri = 8, 46k (cu RL ), | Au0 | = 39,06 i | Aug | = 7,08.
Din analiza schemei echivalente de ca din figura 3.31, se poate observa c introducerea rezistenei de ieire a tranzistorului ro ar conduce la complicarea metodei de calcul manual a amplificatorului. Deoarece diferenele dintre rezultatele obinute prin simulare i prin calcul manual sunt foarte mici, aceast complicare a metodei de calcul nu se justific. Rezultatele calculului manual i ale simulrii sunt centralizate n tabelul 3.3. Se constat pe de o parte diferena mic dintre rezultatele manuale i simulare iar pe de alt parte, dac se compar rezultatele celor dou configuraii (cu EC i cu Re ), se constat c la amplificatorul cu Re amplificarea n tensiune este mai mic dar rezistena de intrare este mai mare.

Tab. 3.3. Comparaie simulare calcul.
157
N
Calcul iniial Simulare Calcul refcut 150 154 154
0
150 170 170
r (k)
IC (mA)
Re1 = 0
Re 100
| Au0 | 188,5 176,7 176,7
Ri (k) | Aug |
| Au0 | 39,5 39,06 -
Ri (k) | Aug |
4 4,52 4,52
0,93 0,997 0,98
3,1 3,43 3,42
20,65 21,4 21,45
8,1 8,4 -
7 7,08 -
Amplif. cu TB in cnx.EC (cu Re=0 sau Re=100, cu RL=2k sau fara RL) Vcc Vg Rg Cb R1 R2 Q Rc RE Ce Re1 *Re1 Cc RL *RL 1 6 6 5 1 3 2 1 4 4 8 8 2 7 7 7 0 0 0 0 5 3 3 0 3 2 0 8 0 0 4 10 ac 20m 5k 1 82k 17k Q2N2222 5k 1k 1 1m 110 1 2k 1G
; Re10 , etaj cu un tranzistor n conexiunea EC, ; cu rezistena de sarcin RL=2k
.model Q2N2222 NPN(Is=14.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74 Bf=256 Ne=1.307 + Ise=14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1 + Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22p Mje=.377 Vje=.75 + Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10) .op .ac lin 1 1k 1k ; analiza de ca la 1kHz. .print .end ac V(7) V(3) V(6) I(Rg) Ib(Q)
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS NAME MODEL IB IC VBE VBC VCE BETADC GM RPI RX RO CBE CBC BETAAC FT **** Q Q2N2222 6.36E-06 9.77E-04 6.44E-01 -3.49E+00 4.13E+00 1.54E+02 3.76E-02 4.52E+03 1.00E+01 7.93E+04 5.18E-11 4.04E-12 1.70E+02 1.07E+08 AC ANALYSIS V(7) 4.287E-01 V(3) 8.134E-03 TEMPERATURE = V(6) 2.000E-02 I(Rg) 2.373E-06 27.000 DEG C IB(Q) 1.796E-06
FREQ 1.000E+03
Fig. 2.46. Selecii din fiierul de ieire (comentat). Este descris circuitul simulat, se dau modelul i parametrii tranzistorului precum i rezultatele simulrii n ca. S-a utilizat numerotarea nodurile circuitului din schema de principiu. Trecerea la celelalte configuraii de circuit se face prin mutarea asteriscului (care indic o linie-comentariu) ntre cele dou linii de fiier care ncep cu Re1, respectiv cu RL.
158
3.10 BIBLIOGRAFIE
[1] A.V. Crciun - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Universitii Transilvania Braov, 2002. [2] Sedra S.Adel, Kenneth C.Smith Microelectronic circuits, Oxford University Press, New York, 2-nd Edition 1987, 4-th Edition 1998; [3] Thomas L.Floyd - Electronic Devices, Merrill Publishing Company, Columbus, Ohio, 1988; [4] E. Damachi, A. Tunsoiu, L. Dobo, N. Tomescu - Electronic, Ed. Did. i Pedag. Bucureti, 1979; [5] R. Piringer, Gh. Samachi, S. Cserveny - Dispozitive electronice, Ed. Did. i Pedag. Bucureti, 1976; [6] P. Gray, C. Searle - Bazele electronicii moderne, Editura Tehnic, Bucureti, 1973; [7] T.M. Agahanean - Electronica cu tranzistori, Editura tiinific i Enciclopedic, Bucureti, 1980; [8] Adrian V.Crciun - Large signal model for bipolar transistors, Proceedings of the 4-th International Conference on Optimization of Electric and Electronic Equipments, vol.2, p.187-190, Braov 1994; [9] A. Vtescu, .a. Dispozitive semiconductoare, Manual de utilizare, Ed. Tehnic, Bucureti, 1975; [10] Paul R.Gray, Robert G.Meyer - Circuite integrate analogice, Analiz i proiectare, Ed.Th. Buc. 1997; [11] Keneth R.Laker, Willy M.C.Sansen Design of analog integrated circuits and systems, McGrawHill Book Co. Singapore, 1994; [12] D. Dasclu, s.a. - Dispozitive i circuite electronice - Probleme, Ed. Did. i Pedeg. Bucureti, 1982; [13] V. Croitoru, .a. - Electronic - Culegere de probleme, Ed. Didactic i Pedagogic Bucureti, 1982;
159
CAP. 4
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
n subcapitolul urmtor se introduc modelele cele mai simple ale tranzistoarelor cu efect de cmp i cu ajutorul acestora se analizeaz cteva aplicaii simple. n partea a doua a capitolului se analizeaz diferitele tipuri de tranzistoare cu efect de cmp din punct de vedere constructiv i funcional i se introduc modele mai precise, precum i modelele de ca.

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cmp funcioneaz doar pe baza unui singur tip de purttori de sarcin (electroni sau goluri) funcie de tipul tranzistorului (cu canal n sau cu canal p) i de aceea se mai numesc i tranzistoare unipolare. Dac tranzistoarele bipolare pot fi considerate n esen dispozitive controlate n curent, tranzistoarele cu efect de cmp sunt dispozitive controlate n tensiune; curentul prin tranzistor este controlat de un cmp electric aplicat perpendicular pe suprafaa semiconductorului i pe direcia curentului. Controlul curentului electric de ctre cmpul electric se numete efect de cmp i este realizat prin modificarea conductivitii canalului semiconductor prin care circul curentul. Tranzistoarele cu efect de cmp se noteaz prescurtat TEC (sau uneori FET prescurtare de la denumirea n limba englez: Field Effect Transistor). La analiza de principiu a acestor tranzistoare se va considera cazul dispozitivelor cu trei terminale (unele TEC au patru terminale, studiul acestora se va face ntr-un alt paragraf). Cele trei terminale sunt: drena, sursa (D, S, terminalele conectate la capetele canalului) i grila (G, terminalul de control). Curentul prin tranzistor iD circul ntre dren i surs, iar tensiunea de control uGS se aplic ntre gril i surs. Grila este izolat de canal: - printr-o jonciune polarizat invers n cazul tranzistoarelor cu gril jonciune, TEC-J, sau - printr-un strat dielectric subire de SiO2 n cazul tranzistoarelor metal - oxid - semiconductor, TEC-MOS. Deoarece grila este izolat de surs, curentul de gril al TEC este practic zero (nA la TEC-J i pA la TEC-MOS): iG 0 . (4.1) Tranzistoarele cu efect de cmp se pot clasifica n mai multe categorii: cu gril jonciune (TEC-J), sau cu grila izolat (cu oxid de siliciu, TEC-MOS); cu canal de tip n sau cu canal de tip p; cu canal indus (canalul apare la aplicarea unei anumite tensiuni de control) sau cu canal iniial.
Simbolurile tranzistoarelor cu efect de cmp prezentate n figura 4.1 sunt utilizate n cazul TEC cu trei terminale.
D G
iD
NMOS
iD
TECJ n
G S a)
iD
uSG
G
uSG
G
uSG
G
iD
S b)
uGS
uGS
uGS
S c) d)
PMOS
iD
D
TECJ p
iD
D
e)
f)
Fig. 4.1. Simbolurile TEC i sensurile de referin ale curenilor i tensiunilor pentru: a), b) TEC-MOS cu canal indus, respectiv iniial de tip n, c) TEC-J cu canal n; d), e) TEC-MOS cu canal indus, respectiv iniial de tip p, f) TEC-J cu canal p.
160
Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Elementele grafice ale simbolurilor au urmtoarele semnificaii: la toate tipurile de TEC sgeata este plasat n apropierea sursei; la tranzistoarele MOS sgeata arat sensul curentului (de dren) prin tranzistor; la tranzistoarele TEC-J sgeata indic sensul jonciunii gril canal (este orientat spre zona p); canalul conductor este sugerat de o linie ngroat, n cazul MOS cu canal iniial aceast linie este ngroat suplimentar (ntre dren i surs); la tranzistoarele MOS izolarea gril-canal este sugerat de spaiul dintre linia grilei i canal; tranzistoarele cu canal p sunt reprezentate de obicei inversat, cu sursa n partea de sus, astfel nct sensul curenilor (i al tensiunilor) s fie de sus n jos.
n paragrafele urmtoare sunt date ecuaiile de funcionare ale TEC n diferite regimuri de funcionare. Se consider iniial TEC-MOS cu canal indus de tip n deoarece este unul dintre cele mai utilizate tipuri de tranzistoare.
4.1.1
Tranzistor cu efect de cmp (TEC) cu canal indus de tip n
Dup cum i spune i numele, la acest tip de tranzistor canalul conductor este indus de ctre tensiunea de control uGS . Canalul apare la aplicarea unei tensiuni de gril mai mare dect tensiunea de prag UP. La tranzistorul cu canal indus de tip n, tensiunea de prag este pozitiv:
UP > 0.
(4.2)
Dac tensiunea de control este mai mic dect UP, atunci tranzistorul este blocat i curentul de dren este nul: iD 0 , pentru uGS < U P . (4.3)
iD
Regiunea rezistiv UGS 3 (= 4UP)
Regiunea de saturaie
iD
UGS 2 (= 3UP)
(IDSS )
UGS 1 (= 2UP) UGS 0 ( UP) UDS sat2 (=UGS 2 UP)
uDS
(UP) 0 UP
uGS
Fig. 4.2. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal indus de tip n: a) Caracteristicile de dren, b) Caracteristica de transfer n saturaie, (caracteristica de transfer trasat cu linie ntrerupt este a unui TEC cu canal iniial de tip n).
Dac tensiunea de control este mai mare dect UP, prin tranzistor circul curentul de dren iD pozitiv (pentru o tensiune uDS pozitiv) i tranzistorul se afl n conducie. Caracteristicile de dren ale tranzistorului, trasate experimental n figura 4.2.a, pun n eviden regimurile de funcionare ale TEC-MOS. Pentru fiecare caracteristic (trasat la uGS = UGS =constant), la tensiuni uDS suficient de mari (n dreapta liniei punctate dat de relaia 4.4), se poate considera curentul de dren ca fiind constant. Acest regim de funcionare se numete saturaie deoarece curentul nu mai crete (se satureaz) dac uDS crete peste valoarea de saturaie:
UDSsat = UGS UP ,
(4.4)
n saturaie curentul de dren depinde numai de tensiunea gril-surs conform funciei parabolice:
161
k i D = n (u GS U P )2 , 2
pentru
u DS > uGS U P ,
(4.5)
unde kn este factorul de conducie pentru tranzistorul cu canal n (se mai numete parametru de transconductan). Saturaia la TEC-MOS (la TEC n general) are un neles diferit de saturaia de la tranzistoarele bipolare; aceast situaie neplcut nu mai poate fi schimbat deoarece ntreaga literatur electronic utilizeaz aceast terminologie. Funcia (4.5) reprezint caracteristica de transfer n saturaie i este trasat n figura 4.2.b. Relaiile (4.1) i (4.5) definesc circuitul reprezentat n figura 4.3. Acesta este de fapt circuitul echivalent de semnal mare al TEC n saturaie, un generator de curent controlat n tensiune.
G iG=0
iD
kn (u GS U P )2 2
uGS
S
Fig. 4.3. Circuitul echivalent de semnal mare al TEC-MOS cu canal n n saturaie pentru:
uDS
uGS >UP i uDS > uGS UP.
Pentru tensiuni uDS mici, n stnga liniei punctate din figura 4.2.a, curentul de dren iD depinde i de tensiunea uDS , tranzistorul se comport ca o rezisten (neliniar) controlat de tensiunea uGS ; acest regim de funcionare se numete rezistiv sau nesaturat. Curentul de dren se poate calcula cu relaia:
u2 iD = kn (uGS U P ) u DS DS , 2
pentru
u DS < uGS U P .
(4.6)
Se observ c pentru uDS = uDSsat (= uGS UP), din relaia (4.6) se obine relaia (4.5), deci valoarea curentului n punctul de tranziie de la o regiune la alta poate fi calculat cu oricare dintre relaiile specifice celor dou regiuni, funcia care descrie TEC fiind continu. Dac tensiunea uDS este foarte mic, termenul ptratic devine nesemnificativ i relaia (4.6) se poate simplifica:
i D = k n (uGS U P ) u DS ,
pentru
u DS << uGS U P .
(4.7)
n acest regim liniar de funcionare, conductana echivalent a TEC depinde liniar de tensiunea de control uGS i are o valoare fix pentru o tensiune UGS constant:
g DS = iD = k n (U GS U P ) , u DS
pentru
u DS << U GS U P .
(4.8)
Comportarea liniar a tranzistorului se menine i pentru tensiuni uDS negative (apropiate de zero). Prin urmare, pentru tensiuni uDS mici, TEC se comport ca o rezisten controlat n tensiune.
4.1.2
TEC cu canal iniial de tip n
Acest tip de tranzistor se deosebete de TEC-MOS cu canal indus prin existena unui canal conductor la o tensiune de control uGS nul. Canalul conductor dispare (se nchide) la o tensiune de prag (sau tensiune de ptrundere a canalului) negativ n cazul TEC cu canal n:
UP < 0.
(4.9)
innd seama de aceast diferen relaia (4.9) fa de relaia (4.2) regimurile de funcionare ale TEC cu canal iniial sunt aceleai cu cele ale TEC cu canal indus i funcionarea
162
acestuia este descris cu aceleai relaii: (4.3) n blocare, (4.5) n saturaie, (4.6) n regim rezistiv, (4.7) i (4.8) n regim liniar. Caracteristica de transfer n saturaie pentru TEC-MOS cu canal iniial de tip n este trasat cu linie ntrerupt n figura 4.2.b. Curentul de dren n saturaie la polarizare nul a grilei este IDSS (curentul dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs) i este un parametru al tranzistoarelor cu canal iniial. Din relaia (4.5), pentru uGS =0, se obin legturile dintre IDSS i kn :
k 2 I DSS = n U P 2
respectiv
kn =
2 I DSS
2 UP
(4.10)
Cu parametrul IDSS , caracteristica de transfer n saturaie (4.5) devine:

u i D = I DSS 1 GS U P ,
2
pentru
u DS > uGS U P ,
(4.11)
Tranzistoarele cu efect de cmp cu canal iniial pot fi de tip MOS (cu grila izolat), sau TEC-J (cu gril jonciune). Relaia (4.11) este utilizat de obicei pentru tranzistoarele TEC-J. Deoarece izolarea grilei de canal se realizeaz prin jonciunea gril-surs polarizat invers, tensiunea de control a unui TEC-J cu canal n trebuie s fie negativ:
u GS 0 .
(4.12)
Se pot admite tensiuni uGS pozitive pentru TEC-J cu canal n doar dac au valori mai mici dect tensiunea de deschidere a unei diode (circa 0,5V la siliciu).
4.1.3
TEC cu canal de tip p
Funcionarea acestor tranzistoare poate fi descris cu aceleai relaii ca i cele utilizate n cazul tranzistoarelor cu canal n cu excepia faptului c tensiunile schimb de semn: uGS i uDS sunt negative iar tensiunea de prag este negativ pentru TEC cu canal indus i pozitiv pentru TEC cu canal iniial. De asemenea, curentul iD are sensul inversat, intr n surs i iese prin dren. Datorit inversrii sensurilor curenilor i al tensiunilor (i deoarece n calculele manuale este mai convenabil utilizarea tensiunilor pozitive n formule), se prefer reprezentarea TEC cu canal p cu sursa n sus i drena n jos, ca n figura 4.1 (d, e, f ), astfel nct curentul s circule de sus n jos i tensiunile s fie pozitive de sus n jos (excepie face tensiunea uSG n cazul TEC-J cu canal p, care este negativ, pentru a asigura polarizarea invers a jonciunii gril-surs). Relaiile de la TEC cu canal n se pot utiliza cu urmtoarele modificri: - se schimb sensul tensiunilor dintre terminalele tranzistoarelor: uGS se nlocuiete cu uSG , uDS se nlocuiete cu uSD , se schimb semnul cu care este considerat tensiunea de prag i factorul de conducie kn se nlocuiete cu kp.
De exemplu, pentru TEC-MOS cu canal indus de tip p, curentul de dren n saturaie poate fi calculat cu relaia (4.5) modificat conform indicaiilor de mai sus:
iD = kp
(u SG + U P )2 ,
pentru
u SD > u SG + U P ,
(4.13)
unde kp este factorul de conducie pentru tranzistoarele cu canal p.

Se poate concluziona c, indiferent de tip, tranzistoarele cu efect de cmp sunt dispozitive care controleaz curentul de dren prin intermediul tensiunii gril-surs i la care curentul de gril este nul.
4.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP
163
4.1.4
Comparaie TEC - TB
Ambele tipuri de tranzistoare au trei terminale, dou ntre care circul curentul prin tranzistor, numite adesea terminale de ieire (dren-surs la TEC i colector-emitor la TB) i un terminal de control, sau de intrare (grila la TEC i baza la TB). Curentul prin TEC este controlat de tensiunea dintre gril i surs (curentul de gril poate fi considerat nul) iar curentul prin TB este controlat de curentul de baz (tensiunea baz-emitor poate fi considerat aproximativ constant). Din punctul de vedere al strii iniiale, att TB ct i TEC cu canal indus sunt blocate n lipsa mrimii de control; curentul prin ele crete cu creterea mrimii de control (cu condiia ca tensiunea de intrare s depeasc un anumit prag). n principiu, la aplicaiile din capitolul anterior, TB pot fi nlocuite cu TEC cu canal indus (cu redimensionarea circuitelor de intrare). TEC cu canal iniial sunt o categorie aparte, la care, n lipsa mrimii de control, tranzistorul se afl n conducie. Prin modificarea mrimii de control, curentul prin tranzistor scade (la TEC-J i la TEC-MOS cu canal iniial) sau crete (la TEC-MOS cu canal iniial). Datorit particularitilor acestora, exist unele aplicaii specifice tranzistoarelor cu canal iniial care vor fi prezentate n continuare; aplicaiile de la TB pot fi realizate n principiu i cu tranzistoare cu canal indus i de aceea nu vor mai fi analizate n detaliu.

4.2.1 Surs de curent constant
Sursele de curent constant sunt cele mai simple aplicaii ale tranzistoarelor cu canal iniial. Conform (4.11) pentru o tensiune nul de control uGS =0 (scurtcircuit ntre gril i surs), curentul prin tranzistor este constant: iD = IDSS . (4.14) Astfel de surse simple de curent se obin prin scurtcircuitarea grilei cu sursa i conectarea circuitului de sarcin n dren ca n figura 4.4; circuitul de sarcin este simbolizat de rezistena RL . n locul TEC-J se pot utiliza TEC-MOS cu canal iniial, fr nici o modificare a circuitelor.
RL
+
IDSS
IDSS RL
Fig. 4.4. Surse simple de curent constant cu TEC-J:
a) cu canal n, absorb curentul constant IDSS din U prin RL , b) cu canal p, injecteaz curentul constant IDSS din U n RL .
a)
b)
Relaiile (4.11) arat c tranzistorul trebuie s fie n regiunea de saturaie; pentru uGS =0 trebuie ca: (4.15) u >U la TEC cu canal n i u > U la TEC cu canal p.
DS P SD P
Introducerea unui circuit suplimentar de polarizare a grilei permite modificarea curentului la TEC cu canal iniial precum i utilizarea ca surse de curent constant a TEC-MOS cu canal indus.
4.2.2
Rezisten controlat n tensiune
Conform (4.8), pentru tensiuni uDS foarte mici (n modul), conductana echivalent a TEC (ntre dren i surs) depinde liniar de tensiunea de comand ( uGS la TEC cu canal n respectiv uSG la TEC cu canal p). Aceast dependen permite utilizarea TEC ca rezisten controlat n tensiune. n continuare se va analiza cazul unui tranzistor TEC-J cu canal n cu ajutorul unui exemplu.
164
Exemplu
Se consider un tranzistor TEC-J cu canal n cu parametrii: IDSS =4mA i UP = 2V, alimentat cu o tensiune dren-surs foarte mic uDS 0.
a) S se calculeze conductana i rezistena echivalent dintre drena i sursa tranzistorului pentru uGS =0 (n cazul scurcircuitrii grilei cu sursa). Cu ct se modific rezistena echivalent dac se modific tensiune dren-surs la UDS = UP /4 ? b) S se reprezinte grafic conductana i rezistena echivalent dintre drena i sursa tranzistorului (raportate la valorile calculate anterior) n funcie de tensiunea uGS (raportat la tensiunea de prag UP ) pentru uGS =0UP .
Rezolvare:
Factorul de conducie al tranzistorului se determin din (4.10):

kn =
2 I DSS
2 UP
2 4m
( 2)2
=2
mA V2
Conductana echivalent a TEC se calculeaz cu (4.8) (pentru tensiuni uDS foarte mici) iar rezistena echivalent se calculeaz ca fiind inversul conductanei.
a) Pentru uGS =0, din (4.8) rezult conductana echivalent maxim (de semnal mic, pentru uDS 0 i care va fi notat cu indici litere mici): g ds max = k n ( U P ) = 2m ( ( 2)) = 4mS
rds min =
1
g ds max
1 = 250 . 4m
Pentru o tensiune dren-surs UDS = UP /4, TEC este n regiunea nesaturat deoarece este ndeplinit condiia (4.6): UDS < UP (UDS = UP /4= 0,5V, UP =2V). Se va folosi indicele 1 pentru tensiunea UDS pozitiv i indicele 2 pentru cea negativ. Curenii prin TEC se calculeaz cu (4.6):
u2 0,5 2 = 1,75mA , i D1 = k n ( U P ) u DS DS = 2m 2 0,5 2 2 i D 2 = 2,25mA
iar rezistenele echivalente se determin din legea lui Ohm:

u 0,5 = 286 , rDS1 = DS1 = i DS1 1.75m
respectiv
u 0,5 = 222 . rDS 2 = DS 2 = i DS 2 2.25m
Diferenele dintre aceste rezistene i cea calculat anterior, exprimate n procente, sunt destul de mari:
1 =
rDS1 rds min 36 100 = 100 = 14% 250 rds min
respectiv 2 =
28 100 = 11% . 250
b) Conductana (respectiv rezistena) echivalent dintre drena i sursa TEC, raportat la valoarea ei maxim (respectiv minim), pentru uDS 0, se determin pe baza relaiei (4.8):
k (u U P ) u = u GS = 1 GS g ds max k u ( U P ) UP g ds
rds rds min
1 g ds = 1 g ds max
1 . uGS 1 UP
Graficele acestor funcii se traseaz prin puncte conform tabelului urmtor.
165
uGS /UP gds / gds max rds / rds min gds

1 3/4 1/2 1/4
0 1 1
1/4 3/4 4/3
1/2 1/2 2
3/4 1/4 4
rds rds min
12 8 4
7/8 1/8 8
11/12 1/12 12
1 0
gds max
uGS /UP
0 1/4 1/2 3/4 1
1 0 1/4 1/2 3/4 1
uGS /UP
Fig. 4.5. Conductana i rezistena dren-surs funcie de tensiunea gril-surs, pentru uDS 0. Datorit normrii, caracteristicile pot fi utilizate pentru orice TEC cu canal iniial.
Se remarc liniaritatea conductanei dren-surs cu tensiunea de comand pe un domeniu foarte larg, de la gds max pn la zero, rezultat valabil pentru uDS 0 sau mai precis pentru uDS << uGS UP . Aceast condiie este cu att mai greu de ndeplinit cu ct uGS se apropie de UP . n figura 4.6 se prezint rezultatele simulrii cu tranzistorul din exemplul anterior, pentru tensiuni uDS = 0,5V, comparativ cu cazul unui semnal mic uDS = 10mV. Din grafic, este evident influena tensiunii uDS asupra valorii conductanei gDS i asupra liniaritii acesteia.
Fig. 4.6. Dependena conductanei gDS de uGS pentru diferite tensiuni uDS n cazul unui TEC-J cu canal n. Se remarc modificarea apreciabil a conductanei echivalente cu tensiunea uDS .
Parametrii tranzistorului simulat sunt IDSS =4mA i UP = 2V.
Rezisten controlat n tensiune cu TEC i cu divizor de tensiune

Pentru a extinde domeniul pentru care gDS depinde liniar de uGS , se adaug un divizor rezistiv conectat ntre dren i borna de control, conform figurii 4.7.
R R uCda u GS iD uDS rDS
Fig. 4.7. TEC-J cu canal n ca rezisten controlat n tensiunea: rDS (uCda ). Rezistenele R din divizor au valori foarte mari (rezult iR << iD ).
166
Rezistenele din divizor se aleg de valori foarte mari (M, alegere posibil datorit curentului de gril foarte mic, iG 0) i de aceea curentul prin aceste rezistene poate fi neglijat fa de curentul iD prin tranzistor. Scopul analizei urmtoare este obinerea funciei rDS (uCda). Curentul de gril al TEC este foarte mic ( iG 0) i prin cele dou rezistene circul acelai curent (iR >> iG ). Din legea lui Ohm aplicat succesiv celor dou rezistene egale rezult:
u u GS u GS uCda = i R = DS R R
u + u Cda u GS = DS . 2
(4.16)
Se consider c TEC lucreaz n regiunea rezistiv. Prin nlocuirea relaiei precedente n (4.6) se obine: i u u i D = k n Cda U P u DS g DS = D = k n Cda U P , i (4.17) u DS 2 2 o relaie liniar ntre gDS i uCda. Liniaritatea se pstreaz pe ntreg domeniul de valabilitate al relaiei (4.6), adic pentru uDS < uGS UP. nlocuind uGS din (4.16) rezult:
uCda > u DS + 2 U P .
(4.18)
La TEC-J, grila trebuie s fie polarizat invers. La TEC-J cu canal n , uGS <0. innd seama de (4.16) rezult: uCda U P
i din (4.16):
u Cda > 2 U P u DS .
(4.20)
Din condiiile anterioare se obin limitele tensiunii de comand uCda n funcie de valorile posibile ale tensiunilor din circuit (de exemplu, la TEC cu canal iniial de tip n tensiunea UP este negativ iar tensiunea uDS poate fi pozitiv sau negativ).
Exemplu
Parametrii TEC-J din figura 4.7 sunt IDSS =4mA i UP = 2V. Dac se folosesc dou rezistene egale R =1M, s se determine:
a) limitele ntre care conductana echivalent a TEC gDS se modific liniar cu tensiunea de comand uCda, dac uDS variaz ntre uDS min = 1V i uDS max =1V. b) Ct devin aceste limite dac domeniul de variaie al tensiunii aplicate tranzistorului se reduce de 10 ori (la uDS = 0,10,1V).
Rezolvare: Se determin domeniul de valabilitate al relaiei liniare gDS (uCda) prin analiza condiiilor (4.18), (4.19) i apoi se calculeaz limitele ntre care se modific gDS i rDS . Factorul de conducie al tranzistorului se determin din (4.10):
kn =
2 I DSS
2 UP
2 4m
( 2)2
=2
mA V2
a) innd seama de limitele tensiunii uDS , din condiiile:
(4.18): uCda >2UP uDS = 4 (11) = 35V
(4.19): uCda < uDS = 11V,
167
considernd situaiile cele mai restrictive, rezult limitele tensiunii de comand: 2UP uDS min < uCda < uDS max adic
uCda = 31V.
Din (4.17) rezult limitele conductanei i ale rezistenei echivalente:

u 3... 1 g DS = k n Cda U P = 2m + 2 = 1K3 mS 2 2
rDS =
1
g DS
= 0,33K1 k .
Plaja de variaie a rezistenei echivalente a TEC este de 1:3.

b) Dac limitele de variaie ale tensiunii se reduc, limitele tensiunii de comand devin:
2UP uDS min = 3,9V, uDS max = 0,1V

3,9K 0,1 g DS = 2m + 2 = 0,1K3,9 mS 2
adic
uCda = 3,9 0,1V
i plaja de variaie a rezistenei echivalente a TEC crete la 1:39 (de 13 ori) : i

rDS =
1
g DS
= 0,26 K10 k .
Rezistenele din divizor au fost neglijate deoarece sunt mult mai mari dect cea mai mare rezisten echivalent a TEC (1M >>10k). La circuitele practice se poate atinge o plaj de variaie a rezistenei echivalente (n condiii de liniaritate) ceva mai mare dect cea calculat, deoarece TEC-J poate lucra i cu o uoar polarizare direct a grilei. n figura 4.8 sunt prezentate rezultatele simulrii circuitului pentru uCda = 2 UP uDS min 0 = 50V. Din simulare rezult un domeniu de variaie de 1:4,5 ( gDS = 0,813,7mS pentru o eroare de 1% valorile date de poziia celor dou cursoare din figur); respectiv un domeniu de variaie de 1:3,6 ( gDS = 13,6mS pentru o eroare nedetectabil. Eroarea a fost considerat ca fiind diferena normat a valorii obinute pentru uDS max =1V fa de cea obinut n condiii de semnal mic, pentru uDS =10mV). La simularea pentru uDS max = 0,1V, rezult un domeniu de variaie de 1:47 ( gDS = 0,0854mS) pentru o eroare de 1% i un domeniu de variaie de 1:40, foarte apropiat de cel obinut prin calcul ( gDS = 0,14mS), pentru o eroare nedetectabil.
Fig. 4.8. Dependena conductanei gDS de uCda pentru diferite tensiuni uDS n cazul circuitului cu TEC-J (cu IDSS =4mA i UP = 2V) i cu divizor de tensiune. Se remarc domeniul de liniaritate al dependenei gDS (uCda ) (conform rezultatelor din chenar), n cazul unor variaii relativ mari ale uDS .
Rezistene controlate n tensiune cu TEC pot fi folosit la: circuite de modulare, controlul automat al amplificrii, reglarea automat a amplitudinii, oscilatoare comandate n tensiune .a.
4.2.3
Comutator analogic cu TEC
La limit, rezistena controlat n tensiune devine comutator. Astfel tranzistorul blocat (cu o rezisten echivalent foarte mare) este echivalent cu un comutator deschis, iar tranzistorul n conducie (cu o rezisten echivalent mic) poate fi considerat un comutator nchis. Sunt posibile diferite configuraii n funcie de tipul i modul cum este conectat tranzistorul (la mas sau flotant).
168
n continuare se analizeaz una dintre cele mai simple configuraii, realizat cu un TEC-J cu canal n conectat la mas, ca n figura 4.9.a. Tranzistorul deconecteaz sau conecteaz la mas rezistena de sarcin RL care este conectat la rndul ei la sursa de semnal u . Semnalul de control este aplicat n grila tranzistorului. Cnd acest semnal este nul, TEC este n conducie i comutatorul este nchis. Rezistena RL i sursa de semnal u asigur funcionarea TEC n regim rezistiv (RL >> rDS i/sau u are valori mici). Figura 4.9.b prezint caracteristica de ieire a TEC pentru uGS = 0 i cteva drepte de sarcin trasate pentru diferite valori (pozitive i negative) ale tensiunii sursei de semnal u . Circuitul poate fi dimensionat astfel nct TEC s funcioneze n regim liniar, cu uDS << UP . n acest caz tranzistorul poate fi considerat ca fiind o rezisten rDS =1/ gDS (figura 4.9.c). Conductana gDS este panta caracteristicii TEC n origine i se poate calcula cu (4.8) pentru uGS = 0 . Rezistena n conducie a tranzistorului are valori uzuale de ordinul zecilor de ohmi.
iD
0
RL uDS
a)
iD
u
panta = gDS P
uGS = 0
Drepte de sarcin de pant 1/ RL pt. diferite tensiuni u.
UP
u GS
u
RL D
u
RL D d)
b)
Fig. 4.9. Funcionarea TEC-J ca comutator.
uDS
0 u1 u2
rDS
c)
Blocarea tranzistorului, sau deschiderea comutatorului, se realizeaz conform (4.3) prin aplicarea unei tensiuni de comand mai negative dect tensiunea de prag. Curentul prin TEC este foarte mic, de ordinul nanoamperilor (sau chiar sutimi de nA), astfel nct drena este practic deconectat de surs (figura 4.9.d). Rezistena comutatorului n stare deschis este foarte mare. Fa de tranzistorul bipolar, comutatorul cu TEC are avantajul c nu prezint tensiune de ofset (caracteristicile statice ale TEC sunt liniare la trecerea prin zero, n timp ce caracteristicile TB sunt neliniare i cu o tensiune de ofset de ordinul zecilor de milivoli). Acest avantaj al TEC permite utilizarea acestuia la comutarea semnalelor analogice, caz n care se numete comutator analogic. Pentru a nelege importana liniaritii caracteristicii statice n cazul comutrii semnalelor analogice se va analiza circuitul de principiu din figura 4.10.a. Spre deosebire de circuitul anterior, n acest caz rezistena de sarcin RL are o born conectat la mas, iar comutatorul este conectat ntre sursa de semnal analogic u i sarcin. n cazul n care semnalul analogic are valori mari, comanda comutatorului este mai dificil de realizat deoarece tensiunea din sursa tranzistorului urmrete semnalul, poate fi att pozitiv ct i negativ (nu mai este nul ca n cazul anterior).
rDS u
a)
Fig. 4.10. Comutatorul analogic conecteaz sarcina RL la semnalul analogic u (a);
uO
RL
u
b)
uO
RL
b) Schema echivalent cu comutatorul nchis.
169
n conducie, tranzistorul trebuie s se apropie ct mai mult de un scurtcircuit. Rezistena comutatorului nchis formeaz mpreun cu rezistena de sarcin un divizor de tensiune (figura 4.10.b). Amplitudinea semnalului de ieire uO depinde de rezistena rDS a comutatorului nchis:
uO = u A RL , RL + rDS
(4.21)
ceea ce face s apar o atenuare a semnalului, datorit rezistenei rDS . O problem suplimentar apare dac rezistena comutatorului depinde de tensiunea u . n acest caz, raportul divizorului de tensiune depinde de nivelul semnalului u i semnalul de ieire va avea distorsiuni neliniare. n plus, deoarece tensiunea u poate fi pozitiv sau negativ (de exemplu n cazul unui semnal alternativ), comutatorul trebuie s conduc n ambele direcii, deci trebuie s fie bidirecional. Pentru a asigura o rezisten n conducie mic i relativ constant pentru ntreg domeniul de tensiuni admise, n practic se folosesc grupuri de dou tranzistoare MOS cu canal indus, unul cu canal p i altul cu canal n, care compun aa-numita poart de transmisie care transmite sau blocheaz semnalul analogic spre circuitul de sarcin, conform figurii 4.10. Poarta de transmisie este realizat cu tranzistoare cu efect de cmp cu patru terminale i va fi analizat ntr-un paragraf urmtor. Un exemplu concret poate fi relevant pentru a nelege limitrile i avantajele comutatorului analogic cu TEC.
Exemplu de analiz
Se consider circuitul din figura 4.9 cu o surs de semnal sinusoidal u cu amplitudinea Uvf = 10V i o sarcin RL =10k . Parametrii TEC-J sunt IDSS =4mA i UP = 2V. Dac UGS = 0:
a) S se determine amplitudinea pozitiv i cea negativ a tensiunii pe sarcin i erorile datorate comutatorului analogic. b) S se calculeze rezistena de sarcin maxim pentru care tranzistorul este n regim rezistiv i erorile introduse de comutatorul analogic n acest caz. c) Ct poate fi RL pentru ca atenuarea introdus de comutatorul analogic s fie sub 1%?
Rezolvare:
Factorul de conducie al tranzistorului se determin din (4.10):

kn =
2 I DSS
2 UP
2 4m
( 2)
=2
mA V2
a) Pe baza relaiei (4.6) se determin dependena conductanei gDS de uDS :

g DS = iD , u DS
u g DS = k u U GS U P DS . 2
u . g DS = k u U P 2 (1 + g DS R L )
(4.22)
Din (4.21) se obine relaia dintre uDS i u i apoi relaia gDS (u) pentru UGS = 0:
u DS = u , 1 + g ds R L
Prin rezolvarea ecuaiei (de gradul 2 n gDS ) precedente pentru valorile maxime i minime ale tensiunii sursei de semnal (notate cu indicele 1, respectiv 2 ) rezult:
gDS 1 =3,74mS, gDS 2 =4,23mS,
rDS 1 = 267,4 ,
rDS 2 = 236,4 .
170
innd seama de limitele tensiunii u, din (4.21) se obin limitele tensiunii pe sarcin:
uO = u RL u = , RL + rDS 1 + 1 ( g ds RL ) uO1 = 9,74V, uO2 = 9,77V.
Erorile, privite ca diferene ntre amplitudinile (pozitive) ale semnalelor de pe sarcin i de intrare raportate la amplitudinea semnalului de intrare, sunt:
| u Ovf | U vf 100 % , U vf
1 = 2,6%,
2 = 2,3%.
Eroarea de neliniaritate, datorat amplitudinilor diferite ale celor dou alternane pe sarcin, se calculeaz ca diferena amplitudinilor (n modul) raportat la amplitudinea medie:
n =
| uO 2 | uO1 (uO1 + | uO 2 | ) 2
0,03 = 0,31% . 9,755
Aceast eroare este proporional cu coeficientul de distorsiuni al semnalului pe sarcin.

b) Tensiunea maxim pe TEC uDS max apare atunci cnd tensiunea este maxim la sursa de semnal: umax = Uvf . La limita dintre regimul rezistiv i regimul de saturaie al TEC, pentru UGS = 0, din (4.11) rezult: iD = IDSS ( = iD max ) i uDS = UP ( = uDS max ).
Legea lui Ohm aplicat rezistenei de sarcin n aceste condiii:

RL = u u DS , iD R L max = U vf + U P , I DSS
(4.23)
conduce la RL max =(102)/4m=2k . Conductanele echivalente ale TEC i erorile circuitului se determin ca la punctul a:
gDS 1 =2mS, gDS 2 =4,67mS,
1 = 4,76%,
2 = 2,1%,
n = 2,75%.
Se observ erorile mari ale tensiunii pe sarcin i mai ales eroarea de neliniaritate apreciabil care apare n acest caz.
c) Din calculele anterioare se observ c erorile mai mari apar pentru alternana pozitiv iar eroarea este determinat de cderea de tensiune pe TEC, uDS 1 . Pentru 1 = 1%= 0,01 rezult o tensiune: uDS 1 = 1 Uvf = 0,1V i din (4.22) rezult conductana TEC: u g DS1 = k u U P DS1 = 2m (2 0,1) = 3,9 mS . 2
Din regula divizorului de tensiune aplicat divizorului rDS 1 RL 1 , se obine:

u 1 1 = DS1 = = 0,01 1 + g DS1 R L1 U vf
R L1 =
101 101 = 27k . g DS1 3,8m
Concluzia este c regimul limit de funcionare (b) al TEC trebuie evitat; TEC trebuie s funcioneze cu tensiuni ct mai mici (c) pentru a introduce erori minime, sau trebuie ca RL s fie mult mai mare dect rezistena echivalent a TEC, RL >> rDS 0 ( = 1/ kn UP = 0,25k ).
Comutatoarele analogice pot fi utilizate la aplicaii cum ar fi convertoarele analog-digitale i digital-analogice, circuite cu capaciti comutate, atenuatoare i amplificatoare programabile .a.
171
4.2.4
Amplificator de tensiune
Cel mai simplu amplificator de tensiune se poate realiza cu un TEC-MOS cu canal iniial deoarece acesta nu necesit circuit de polarizare a grilei, figura 4.11. Un circuit practic conine i rezistena RG care asigur condiia de scurtcircuit a intrrii n lipsa sursei de semnal de la intrare (sau dac aceast surs nu asigur o cale de nchidere a curentului continuu). Rezistena RG poate avea valori mari deoarece curentul de gril este foarte mic (uzual de ordinul picoamperilor) de exemplu pentru RG =1M la un curent de gril de 1nA (=1000pA), cderea de tensiune pe RG este practic nul: (4.24) UGS = RG IG =1M . 1n =1mV ( 0). Deoarece curentul de gril al TEC este foarte mic ( iG 0), rezistena de intrare n gril Rig i rezistena de intrare a amplificatorului Ri au valori foarte mari:
u Rig = i ig
8
Ri = RG || Rig RG .
(4.25)
RD
iD
iG=0
UDD
Fig. 4.11. Amplificator de tensiune cu TEC-MOS cu canal iniial de tip n.
uO uo
ui
RG
RG asigur un potenial nul n gril, C asigur separarea componentei de ca la ieire.
Condensatorul de cuplaj de la ieire, notat cu C , are o valoare suficient de mare (teoretic infinit) pentru a se comporta ca un scurtcircuit din punctul de vedere al semnalului (practic, reactana capacitiv a acestuia trebuie s fie neglijabil fa de rezistena de dren). La analiza circuitului se va considera cazul uzual n care tranzistorul lucreaz n saturaie. n acest caz, caracteristica de transfer a tranzistorului i condiia de saturaie sunt date de relaiile (4.11). Curentul de polarizare n dren i tensiunea static la ieire se obin pentru o tensiune de intrare nul, ui (= uGS ) =0:
ID = IDSS
U DS = U DD R D I DSS = UO .
(4.26)
Centrarea psf la ieire

Cazurile limit de funcionare sunt intrarea n blocare i ieirea din saturaie a TEC. La blocare curentul prin TEC este nul, iD =0 i tensiunea de ieire este:
uO = UDD .
(4.27)
uO = UP .
Conform condiiei (4.11) i pentru uGS =0, TEC este n saturaie dac:
uDS > UP ,
iar la limita ieirii din saturaie

U DD U P . 2
(4.28)
Centrarea punctului static de funcionare ( psf ) presupune alegerea mediei tensiunilor limit:
U O = U DS =
(4.29)
Egalnd (4.29) cu (4.26) rezult rezistena de dren necesar pentru a centra psf:
RD = U DD + U P . 2 I DSS
(4.30)
172
Amplificarea n tensiune
n prezena semnalului de intrare, tensiunea de ieire se poate calcula folosind (4.11):
u uO = U DD R D I DSS 1 i U P = U DD R D I DSS + u o = U O + u o ,
2 2
(4.31)
iar tensiunea de semnal uo este:

2u u u o = R D I DSS i i U P U P .
(4.32)
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic:

ui << | UP |,
(4.33)
atunci termenul ptratic din relaia precedent poate fi neglijat, caz n care tensiune de ieire i amplificarea n tensiune a circuitului pot fi calculate cu relaiile:
u o R D I DSS 2u i UP
u 2I Au = o = DSS R D . ui UP
(4.34)
Din analiza relaiei precedente se constat c amplificarea depinde direct de parametrii TEC i de rezistena de dren. Amplificarea are o valoare negativ, deoarece tranzistorul MOS cu canal n are o tensiune de prag negativ, conform (4.9). Semnificaia valorii negative a amplificrii este c amplificatorul este inversor, adic semnalele de ieire i de intrare sunt n antifaz. Dac psf este centrat (conform celor artate anterior) atunci RD ndeplinete condiia (4.30) i amplificarea n tensiune devine:
Au = 2 I DSS U DD + U P U DD = + 1. 2 I DSS UP UP
(4.35)
Din relaia anterioar se constat c amplificarea n tensiune depinde direct de raportul dintre tensiunea de alimentare i tensiunea de prag a tranzistorului cu efect de cmp.
Amplificarea maxim
Amplificarea n tensiune maxim n condiii de semnal mic se obine cu (4.34), pentru o rezisten de dren maxim. Din (4.26) se constat c o rezisten RD maxim conduce la o tensiune UDS (= UO ) minim. Tensiunea UO minim apare la ieirea din saturaie a TEC, conform (4.28). Din (4.28) i (4.26) rezult rezistena de dren maxim:
RD = U DD + U P . I DSS
(4.36)
n condiii de semnal foarte mic la ieire, din (4.34) i (4.36) rezult amplificarea maxim:
U Au = 2 DD + 1 . U P
(4.37)
Prin compararea (4.37) cu (4.35), se constat c amplificarea n tensiune poate fi cel mult dubl fa de amplificarea calculat n condiii de centrare a psf la ieire. n practic, amplificarea maxim nu poate fi realizat, deoarece, pentru o variaie negativ a semnalului la ieire, TEC intr n regim nesaturat. n regim nesaturat, neliniaritile amplificatorului cresc, deoarece curentul de dren depinde neliniar i de tensiunea de ieire (nu numai de tensiunea de intrare ca n saturaie).
173
Exemplu de analiz
Pentru amplificatorul din figura 4.11 cu UDD =12V i RG =1M, tranzistorul MOS cu canal iniial de tip n cu parametrii: IDSS =10mA i UP = 3V, funcioneaz n saturaie.
a) S se determine rezistena de dren pentru care psf este centrat la ieire (n dren). b) Dac semnalul la intrare are o amplitudine Ui_vf = | UP /3| = 1V s se determine limitele tensiunii de ieire i amplitudinea celor dou alternane la ieire, cu RD de la punctul a. c) S se calculeze amplificarea n tensiune a circuitului n condiii de semnal mic, cu RD de la punctul a i cu rezistena de dren maxim. Ct este amplitudinea semnalului la ieire n cele dou cazuri, dac amplitudinea semnalului de la intrare este Ui_vf = 0,1V?
Rezolvare: a) Pentru a centra psf n dren trebuie ca tensiunea de dren s fie media tensiunilor de blocare i de ieire din saturaie a TEC, conform (4.30):
RD = U DD + U P 12 3 = = 0,45k = 450 . 2 I DSS 2 10m
Punctul static de funcionare al TEC este definit de mrimile de cc:

UGS = RG IG =0, ID = IDSS =10mA i U DS = U DD R D I DSS = 12 0,45k 10m = 7,5V . b) Curentul de dren n cele dou situaii limit: uGS = Ui_vf = | UP /3| , se calculeaz cu relaia (4.11), innd seama de rezultatul de la punctul a: RD IDSS =( UDD + UP )/2, iar limitele tensiunii de ieire rezult din T2K aplicat pe bucla de ieire.
- Pentru alternana pozitiv la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:

U P i D = I DSS 1 3 U P
u DS = U DD
16 = I DSS = i D max = 17,8 mA i 9
U 16 8 8 I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = DD U P = uO min = 4V . 9 9 9 9
Deoarece uO min > UP , condiia de saturaie este ndeplinit i deci calculul este corect. - Pentru alternana negativ la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:
UP i D = I DSS 1 3 U P u DS = U DD 4 = I DSS = i D min = 4,44mA i 9
2
4 2 7 2 I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = U DD U P = uO max = 10V . 9 9 9 9
Amplitudinile semnalului la ieire pot fi calculate ca diferene ntre valorile limit i valoarea din psf a tensiunii de ieire:
( U o+ ) vf = u o max U O = 2,5V _
( U o) vf = U O u o min = 3,5V . _
Semnalul de ieire este distorsionat deoarece amplitudinile acestuia sunt inegale. Eroarea este cauzat de nivelul prea mare al semnalului i poate fi apreciat cu diferena dintre amplitudini i media acestora, raportat la medie:
174

( ( U o+ ) vf + U o) vf _ _ U o _ med = = 3V , 2 ( U o) vf U o _ med _
U o _ med
0,5 = 0,167 = 16,7% . 3
Eroarea calculat reprezint de fapt coeficientul de distorsiuni al semnalului la ieire.

c) Amplificarea n tensiune se poate calcula cu (4.34). Pentru RD = 0,45k rezult:
Au = 2 I DSS 2 10m RD = 0,45k = 3 . UP 3
Valoarea negativ a amplificrii arat faptul c semnalul de ieire este n antifaz cu cel de la intrare. Se remarc valoarea mic a modulului amplificrii (comparativ cu cea a unui amplificator identic echipat cu tranzistor bipolar). Astfel, la un amplificator cu TB n condiii echivalente: IC =10mA i RC = 0,45k, rezult din (3.82): Au = 40IC RC =180, o amplificare de 60 de ori mai mare (n modul). Pe de alt parte, amplificatorul cu TEC are o rezisten de intrare Ri = RG =1M mult mai mare fa de amplificatorul cu TB, a crui rezisten de intrare este mai mic de 1k, (de cel puin 1000 de ori mai mare). Rezistena de dren maxim se obine la limita ieirii din saturaie a TEC, conform (4.36), iar amplificarea corespunztoare rezult din (4.34):
RD = U DD + U P 12 3 = = 0,9k , 10m I DSS Au = 2 I DSS 2 10m RD = 0,9k = 6 . UP 3
Amplificarea maxim obinut, n condiiile unei tensiuni statice de ieire la limita saturaiei: U DS = U DD R D I DSS = 12 0,9k 10m = 3V ( = UP ). este dubl fa de amplificarea calculat anterior Condiia de semnal mic (4.33) fiind ndeplinit: amplitudinea tensiunii la ieire este:
U o _ vf = | Au | U i _ vf = 3 0,1 = 0,3V pentru RD =0,45k,
Ui_vf (=0,1V)<< | UP |(=3V),
respectiv Uo_vf = 0,6V pentru RD =0,9k. Tensiunea la ieire n al doilea caz variaz n jurul valorii din psf (UDS ) astfel: uO = UDS Uo_vf =3V 0,6V=2,43,6V. Tranzistorul iese din saturaie (uO < UP ) pentru semialternana negativ a semnalului de ieire. n aceast situaie, pe de o parte, relaia de calcul a amplificrii nu mai este corect i pe de alt parte, apar distorsiuni suplimentare ale semnalului de ieire (deoarece curentul de dren va depinde i de tensiunea de ieire). Pentru a obine o amplificare ct mai mare fr distorsiuni, se ridic tensiunea static de ieire (n acest caz la: UDS > UP + Uo_vf =3,6V), prin reducerea corespunztoare a rezistenei de dren: RD =( UDD UDS )/ IDSS (RD < 0,84k, n acest caz). Pentru a putea utiliza un TEC-J ca amplificator, trebuie introdus un circuit suplimentar de polarizare a grilei, astfel nct, indiferent de polaritatea semnalului de intrare, jonciunea gril-surs s fie polarizat invers de exemplu la TEC-J cu canal n, tensiunea n gril trebuie s fie negativ. Toate aplicaiile prezentate n acest subcapitol pot fi adaptate i pentru TEC cu canal indus, prin introducerea unor circuite suplimentare de polarizare a grilei tranzistoarelor. n subcapitolul urmtor vor fi prezentate astfel de circuite de polarizare att pentru TEC-J ct i pentru TEC-MOS.
175

Circuitele de polarizare impun mrimile electrice de cc (sau de polarizare) prin tranzistor sau se mai spune c fixeaz punctul static de funcionare ( psf ) al tranzistorului. Deoarece TEC este n esen un dispozitiv care controleaz curentul de dren, la dimensionarea circuitului de polarizare, principala mrime de interes este curentul static de dren ID . De exemplu, la un amplificator cu TEC, trebuie ca psf n dren s fie caracterizat de un curent ID stabil i predictibil, iar tensiunea de polarizare UDS trebuie s asigure funcionarea TEC n saturaie pentru toate nivelurile normale ale semnalului de intrare. Valoarea curentului ID este determinat de parametrii tranzistorului i de tensiunea de polarizare a intrrii UGS , fixat de circuitul de polarizare al grilei. Un curent de polarizare ID stabil este acela care depinde ct mai puin de parametrii TEC: UP i kn respectiv kp (pentru tranzistoarele cu canal n, respectiv pentru cele cu canal p). Problema stabilitii psf este important la TEC deoarece parametrii acestora au variaii tehnologice apreciabile, dup cum se poate vedea din cataloagele de tranzistoare.
4.3.1
Polarizarea TEC cu gril jonciune (TEC-J)
Parametrii TEC-J se modific datorit temperaturii. O variaie mult mai important este ns aa-numita variaia tehnologic a parametrilor; astfel, tranzistoare diferite care aparin aceluiai tip pot avea parametrii foarte diferii. Spre exemplu, foaia de catalog a tranzistorului de tip 2N3221 (TEC-J cu canal n) indic o variaie posibil a curentului IDSS de la 2 la 6mA, iar limitele de variaie ale tensiunii de prag UP se pot estima ca fiind de la 1 la 3V, deci ambii parametrii au un domeniu de variaie de 1:3 (sunt cazuri cnd domeniul de variaie al parametrilor este de 1:10 i chiar mai mult). Dac se nlocuiete un anumit tranzistor cu un altul de acelai tip, circuitul de polarizare trebuie astfel conceput nct curentului static ID s nu se modifice semnificativ. Problema polarizrii tranzistoarelor reale admite totui o simplificare, n sensul c TEC-J care au un curent IDSS mare tind s aib i tensiunea de prag | UP | mare, respectiv cele cu un curent IDSS mic au i tensiunea de prag | UP | mic. Astfel, pentru exemplul precedent, se poate estima c circuitul de polarizare trebuie s asigure funcionarea pentru dou tranzistoare limit: unul (va fi notat cu min) caracterizat de valorile limit minime: IDSS 1=2mA, UP 1= 1V i cellalt (notat cu max) caracterizat de valorile limit maxime: IDSS 2 =6mA, UP 2 = 3V. Caracteristicile de transfer a celor dou tranzistoare extreme sunt trasate n figura 4.12.
iD (mA)
6 (a) TEC-J min, T1: IDSS 1=2mA, UP 1= 1V TEC-J max, T2: IDSS 2 =6mA, UP2 = 3V
4
(c) panta = 1/ RS (b) T1 3 2 1 0 T2
ID 2 ID1
panta = 1/ RS UGG 2 4
uGS (V)
Fig. 4.12. Caracteristicile de transfer limit pentru TEC-J (cu canal n, de tip 2N3221). Sunt desenate i dreptele de sarcin pentru polarizare: (a) cu tensiune constant, (b) cu negativare automat i (c) cu negativare automat i divizor de tensiune.
176
Polarizare cu tensiune constant

Cel mai simplu circuit de polarizare se obine prin introducerea unei surse de tensiune ntre gril i surs ca n figura 4.11.a. Pentru un TEC-J cu canal n, limitele tensiunii UGS sunt:
UP <UGS <0.
(4.38)
Dac se ine seama de dispersia tehnologic, n formula de mai sus trebuie considerat tensiunea de prag cea mai mic n valoare absolut, UP 1 pentru cazul prezentat anterior. Dac tensiunea UGS este cuprins ntre UP 2 i UP 1 tranzistorul min va fi blocat, (deci unele tranzistoare de tipul respectiv vor fi blocate). n cazul reprezentat n figur, cu UGS = 0,5V, rezult o dispersie foarte mare a curenilor: de la 0,5 la 4,17mA, un raport mai mare dect 1:8. Deoarece este necesar o surs suplimentar (cu polaritate invers fa de sursa de polarizare a drenei) i datorit dispersiei foarte mari a curentului ID , aceast metod nu se folosete n practic.
+UDD RD ID UGS
+
+UDD RD ID iG=0 RG b) RS UDS

+
+UDD R1 iG=0 UGG R2 c) RS d)

+
+UDD RD ID UDS RS
RD
UDD
UDS
a)
Fig. 4.13. Circuite de polarizare (pentru TEC-J cu canal n): a) cu tensiune constant, b) cu negativare automat, c) cu negativare automat i divizor de tensiune i d) schema echivalent pentru c (divizorul de tensiune este echivalat cu sursa UGG ).
Polarizare cu negativare automat

Circuitul de polarizare cu negativare automat (sau cu auto-polarizare) este prezentat n figura 3.13.b. Circuitul include rezistena RS ntre surs i mas. Cderea de tensiune pe aceast rezisten US = RS ID reprezint chiar tensiunea de polarizare invers UGS :
UGS = RS ID ,
(4.39)
grila fiind legat la mas prin rezistena RG , UG 0 i UGS = UG US = US . Chiar dac rezistena RG are valori mari (de ordinul megaohmilor) cderea de tensiune pe ea este foarte mic deoarece curentul care o parcurge este practic nul, iG 0 (cu valori uzuale mai mici de un nanoamper). Negativarea automat se refer la apariia unei tensiuni negative de polarizare a grilei UGS prin punerea grilei la mas i ridicarea potenialului sursei (datorit curentului care trece prin dispozitiv i prin rezistena RS ). Un astfel de circuit este posibil doar la dispozitive care sunt normal deschise, de tipul TEC cu canal iniial (la tranzistoarele normal blocate, cum ar fi TB sau TEC cu canal indus, aceast auto-polarizare nu este posibil). Ecuaia (4.39) combinat cu caracteristica de transfer n saturaie (4.11) conduce la:
I R I D = I DSS 1 + D S UP .
2
(4.40)
Soluia acestei ecuaii poate fi obinut pe cale grafic. Pe graficul din figura 4.12, relaia liniar (4.39) este dreapta (b) care trece prin origine. Valoarea curentului prin TEC se modific de la ID 1 pentru tranzistorul min la ID 2 pentru tranzistorul max, o modificare mult mai redus
177
dect n cazul polarizrii cu tensiune constant. Pentru a reduce variaia curentului ID trebuie aleas o rezisten RS ct mai mare (o valoare mare pentru RS conduce la o pant mic a dreptei). Cu o valoare mare pentru RS rezult ns un curent ID nepractic de mic (mai ales n cazul TEC min). De exemplu, pentru o rezisten RS de 1k i considernd caracteristicile din figura 4.13, rezult ID = 0,5mA, UGS = 0,5V pentru TEC min i ID = 1,5mA, UGS = 1,5V pentru TEC max, o variaie de 1:3, mai mic dect la circuitul cu tensiune constant, dar totui inacceptabil.
Polarizare cu negativare automat i divizor de tensiune

Din figura 4.12 se observ c pentru a reduce variaia curentului, caracteristicile de transfer trebuie s fie intersectate cu o dreapt a crei pant s fie ct mai mic. Utilizarea unei surse de tensiune pozitiv n gril UGG conduce la o astfel de dreapt, marcat (c) pe figur:
uGS = UGG RS iD .
(4.40)
Ecuaia de mai sus poate fi implementat cu circuitul din figura 4.13.d care se realizeaz practic cu ajutorul unui divizor de tensiune, rezultnd astfel circuitul din figura 4.13.c, la care: R2 U GG = U DD . (4.41) R1 + R2 Curentul ID se poate determina prin nlocuirea tensiunii uGS din (4.40) n (4.11). La toate circuitele de polarizare analizate, rezistena RD trebuie aleas astfel ca tranzistorul s rmn n saturaie (indiferent de exemplarul de tranzistor sau de nivelul semnalului de intrare), conform condiiei (4.11). Condiia de saturaie poate fi scris ntr-o form mai simpl:
u DS > uGS U P , uDS uGS = uDG ,
u DG > U P ,
(4.42)
ceea ce semnific faptul c potenialul n dren trebuie s fie mai mare dect n surs cu |UP |. Tensiunea UDS sau rezistena RD se determin din ecuaia dreptei de sarcin la ieire:
uDS = UDD ( RD + RS ) iD .
(4.43)
S se dimensioneze circuitul de polarizare din figura 4.13.c dac caracteristicile TEC-J sunt cele din figura 4.12, pentru o tensiune de alimentare UDD = 10V.
Rezolvare: Pentru a obine un curent ID ct mai mare i o variaie a acestuia ct mai mic, trebuie utilizate valori ct mai mari pentru UGG i RS . Pe de alt parte, cu ct UGG este mai mare cu att se va reduce cderea de tensiune pe RD (deoarece conform condiiei (4.42) potenialul n dren trebuie s fie mai mare dect n gril cel puin cu |UP |, pentru a menine TEC-ul n saturaie). Pentru un anumit ID , o tensiune mai mic pe RD conduce la o valoare mai mic pentru RD i implicit, conform (4.30), o amplificare n tensiune mai mic a circuitului. Dac se alege o tensiune UGG = 4V, atunci tranzistorul min trebuie s aib o tensiune de dren de cel puin UG UP =5V i mai rmn 5V pentru RD , iar tranzistorul max trebuie s aib o tensiune de dren de cel puin 4+3=8V i mai rmn 2V pentru RD .
Pentru a maximiza curentul ID , RS se alege astfel nct s rezulte curentul ID maxim pentru tranzistorul min: ID = IDSS 1 = 2mA, ceea ce corespunde unei tensiuni UGS = 0 pentru respectivul tranzistor. n acest caz, semnalul aplicat la intrare poate s aduc jonciunea grilsurs n polarizare direct, care poate fi admis cu condiia ca tensiunea de polarizare direct s fie mai mic dect tensiunea de deschidere a jonciunii (UD 0 , circa 0,5V la siliciu).
178
Rezistena RS se determin din T2K scris pe bucla de intrare pentru UGS = 0 :

U GG = U GS + RS I D = RS I DSS1 ,
RS = U GG 4 = = 2 k . I DSS1 2m
Curentul prin tranzistorul max se calculeaz prin nlocuirea (4.40) n (4.11) i rezolvarea ecuaiei ptratice:
U R = 1 GG + S i D U I DSS 2 U P2 P2 iD
2
din care rezult
ID =2,53mA,
Variaia curentului ID =22,53mA este mult mai mic dect n cazul polarizrii cu negativare automat (unde s-a obinut ID =0,51,5mA; variaia, normat la valoarea medie, este de circa patru ori mai mic: 12% fa de 50%).
Polarizarea TEC-J cu canal p

Metodele de polarizare prezentate pentru TEC-J cu canal n pot fi utilizate i pentru TEC-J cu canal p cu inversarea sensului tensiunilor. Se prefer reprezentarea tranzistoarelor inversat (cu sursa n sus, pentru ca sensurile tensiunilor i ale curenilor s fie de sus n jos) ca n figura 4.14.
+USS RG RS R2 +USS RS
Fig. 4.14. Circuite de polarizare pentru TEC-J cu canal p:
ID RD a)
R1 b)
ID RD
a) cu negativare automat, b) cu negativare automat i divizor de polarizare n gril.
Condiia de saturaie la TEC cu canal p, (4.13), poate fi rescris ntr-o form mai simpl:
u SD > u SG + U P , u SD u SG = uGD , uGD > U P ,
(4.44)
Semnificaia fizic a relaiei (4.44) este c potenialul n gril trebuie s fie mai mare dect n dren cu o tensiune egal cu UP (care este pozitiv n cazul TEC-J cu canal p). Relaiile de calcul de la TEC-J cu canal n pot fi adaptate la TEC-J cu canal p conform regulilor indicate la prezentarea tranzistorului cu canal p (paragraful 4.1.3). Astfel, pentru circuitul de polarizare cu negativare automat, relaiile (4.39) i (4.40) devin:
USG = RS ID ,
respectiv
I R I D = I DSS 1 D S UP
(4.45)
La circuitul de polarizare cu negativare automat i divizor n gril relaiile (4.41), (4.40) i (4.43) devin: R2 U GG = U SS , uSG = UGG Rs iD , (4.46) R1 + R2 respectiv
uSD = USS ( RD + RS ) iD .
(4.47)
Curentul ID se poate determina prin nlocuirea tensiunii uSG din (4.46) n (4.11) rescris pentru TEC-J cu canal p: 2 u (4.48) i D = I DSS 1 + SG . UP
179
4.3.2
Polarizarea TEC cu canal indus
Tehnicile de polarizare de la TB sunt folosite i la tranzistoarele cu canal indus, deoarece ambele tipuri sunt dispozitive normal nchise i circuitul de polarizare trebuie s asigure la terminalul de control o tensiunea mai mare dect tensiunea de deschidere a tranzistorului. Exist i unele deosebiri: TEC are un curent de intrare n gril practic nul iar tensiunea de deschidere este mai mare pentru tranzistoarele MOS discrete i cu o dispersie de fabricaie mult mai mare dect la TB; din analiza datelor de catalog ale TEC-MOS cu canal indus, se constat c valorile uzuale ale tensiunii de prag sunt UP =24 V (sau UP =13 V) ceea ce indic limite de variaie ale UP aflate n raport de 1:2 (pn la 1:3). n continuare se vor prezenta particularitile circuitelor de polarizare ale TEC-MOS discrete.
Circuit de polarizare cu divizor n gril

Se vor prezenta circuitele de polarizare pentru TEC cu canal indus de tip n care au tensiunea de prag pozitiv (4.2). Tensiunea pozitiv n gril poate fi obinut cu un divizor de tensiune (alimentat de la sursa pozitiv de tensiune UDD ), conform figurii 4.15: R2 U GG = U DD . (4.49) R1 + R2 La varianta mai simpl de circuit din figura 4.14.a UGS = UGG . Fiind fix, tensiunea UGS determin cureni diferii (ID1a i ID2) pentru tranzistoare care au parametrii diferii, cazul (a) din figura 4.16; n figur s-au considerate tranzistoarele limit, cu limite de variaie ale tensiunii de prag UP aflate n raport de 1:2.
+UDD R1 iG=0 R2 a) RD ID UDD
+
+UDD R1 iG=0 R2 b) RD ID ID RS
c) UGG
+
+UDD RD ID
UDS
RS
Fig. 4.15. Circuite de polarizare pentru TEC-MOS cu canal indus (de tip n) cu tensiune constant n gril: a) cu UGS constant; Cu tensiune constant i rezisten n surs: b) circuitul practic (cu divizor de tensiune) i c) schema echivalent (divizorul este echivalat cu UGG ).
iD
ID1a (b) ID1 ID2 UP1 UP2
TEC1 (a) TEC2
UP 2 2UP 1 UGG 4UP 2
panta = 1/ RS
uGS
0 UGG a UGG
Fig. 4.16. Caracteristicile de transfer limit pentru TEC-MOS cu canal indus de tip n i dreptele de sarcin pentru polarizare: (a) cu tensiune UGS constant, (b) cu UGG i RS .
180
Pentru a reduce variaiile curentului de polarizare din dren, se introduce rezistena RS i se mrete tensiunea UGG ; circuitul rezultat este cel din figura 4.15.b. Pentru calcularea circuitului se nlocuiete divizorul de tensiune din gril cu sursa de tensiune UGG , conform schemei echivalente din figura 4.15.c. Structura circuitului este identic cu cea de la TEC-J (din figura 4.13.c i d ) i n ambele cazuri rezistena RS stabilizeaz psf, datorat influenei pe care o are curentul de dren ID asupra tensiunii de polarizare UGS (apare o aa-numit reacie negativ local). Deoarece tensiunea de prag are semn diferit (la TEC-MOS fa de TEC-J), funcionarea celor dou circuite este oarecum diferit, prin aceea c la TEC-J rezistena RS asigur negativarea grilei iar aici nu. Metoda de calcul a celor dou circuite este ns identic; astfel, tensiunea uGS depinde de curentul de dren conform relaiei (4.40) iar curentul de polarizare n dren ID se determin prin nlocuirea (4.40) n (4.5) i rezolvarea ecuaiei ptratice care rezult:
k i D = n (U GG U P RS i D )2 . 2
(4.50)
S-a considerat cazul uzual n care TEC funcioneaz n saturaie, adic tensiunea uDS calculat din (4.43) ndeplinete inegalitatea (4.5). Condiia de saturaie poate fi scris i conform (4.42), ceea ce semnific faptul c: uD > uG UP (potenialul n dren trebuie s fie mai mare dect diferena dintre potenialul grilei i tensiunea de prag). Din figura 4.16 se constat o variaie mult mai mic a curentului de polarizare n dren, (de la ID2 la ID1) n cazul b fa de cazul a ( ID2 ID1a) i se poate concluziona c circuitul de polarizare cu rezisten n surs este mult mai puin sensibil la modificarea parametrilor TEC.
Polarizarea cu rezisten dren-gril

La circuitul de polarizare din figura 4.17 cderea de tensiune pe rezistena gril-surs RG este nul deoarece curentul iG care circul prin RG este nul. De aceea, tensiunea de dren este practic egal cu tensiunea de gril uDS = uGS . Aceasta asigur saturaia TEC-MOS (conform inegalitii de la (4.5 )) i permite calcularea curentului de dren prin nlocuirea tensiunii de dren:
uDS = UDD RD iD (= uGS )
(4.51)
n ecuaia (4.5) a tranzistorului cu canal indus:

k i D = n (u DS U P )2 . 2
(4.52)
Aciunea de stabilizare a psf realizat de acest circuit se poate explica printr-un exemplu ipotetic. La apariia unei tendine de cretere a curentului de dren (de exemplu datorit creterii UDD ), tensiunea de dren se reduce conform (4.51), ceea ce conduce la o tendin de reducere a curentului iD conform (4.52), astfel nct creterea global a curentului de dren este mult mai mic dect tendina iniial. Acesta este un mecanism specific reaciei negative prin care efectul (curentul iD ) influeneaz cauza (tensiunea uGS ) n sensul micorrii efectului.
+UDD RD ID
Fig. 4.17. Circuit de polarizare pentru TECMOS cu canal iniial de tip n .
RG
iG=0
UGS
UDS
Este folosit la tranzistoarele discrete. La acest circuit: UDS = UGS .
181
Datele de catalog ale unui TEC-MOS cu canal iniial, de tip 1N7002, indic un domeniu de variaie a tensiunii de prag UP =12,5V, cu o valoare tipic UP =2,1V i un curent maxim de gril IGS max =10nA (pentru UGS <15V). Pentru uDS >3V (TEC saturat), din caracteristicile statice (tipice) rezult un curent ID =0,36A la o tensiune UGS =3V. Se consider UDD =12V.
a) S se dimensioneze circuitul de polarizare cu divizor n gril i rezisten n surs, pentru a obine un curent de dren de 10mA i s se determine variaia ID pentru variaia posibil a UP . Se va considera o amplitudine maxim a tensiunii la ieire de 3V. b) S se dimensioneze circuitul de polarizare cu rezisten dren-surs pentru a obine un curent de dren de 10mA i s se determine variaia ID pentru variaia posibil a UP . S se determine variaia maxim posibil a tensiunii n dren n funcie de valoarea tensiunii de prag.
Rezolvare:
Din datele de catalog i (4.5) se determin factorul de conducie al TEC:

kn iD 0,36 A = = = 0,1 2 (u GS U P )2 (4 2,1)2 V2
Deoarece n catalog sunt date caracteristicile tipice s-a considerat valoarea tipic a tensiunii de prag. Pentru cazurile limit se va aduga indicele suplimentar 1 pentru TEC cu UP minim i indicele 2 pentru TEC cu UP maxim.
a) Tensiunea UGS necesar pentru un curent ID =10mA se determin din (4.5):
U GS U P = ID = kn 2 0,01 = 0,316 V , 0,1
UGS = 2,1+ 0,316 2,4V
Alegerea tensiunilor de polarizare n surs i n dren trebuie s asigure funcionarea TEC n saturaie indiferent de nivelul semnalului. Fiind mai multe posibiliti, alegerea unei variate se face pe baza unui compromis ntre stabilitatea psf i maximizarea amplificrii n tensiune. Un compromis acceptabil este alegerea unei tensiuni n surs:
US = (1/41/3) UDD = 34V.
Pentru o tensiune US = 3V rezult rezistena din surs RS i tensiunea n gril UG :

RS = US 3 = = 300 I D 10m
UG = UGG = US + UGS = 5,4V.
La dimensionarea divizorului de tensiune din gril se neglijeaz curentul de gril:

U DD R1 + R2 R 12 = = 1+ 2 = = 2,22 U GG R1 R1 5,4
sau
R2 =1,22 R1 .
Relaia precedent impune raportul rezistenelor, valoarea lor trebuie aleas astfel nct curentul prin divizor s fie mult mai mare dect curentul de gril. Pe de alt parte, pentru ca amplificatorul s aib o rezisten de intrare mare, rezistenele trebuie s fie ct mai mari. De exemplu pentru R1 =1M rezult R2 =1,2M iar curentul prin divizor este:
IR = U DD 12 = = 5,5 A = 5500nA = 550 I G max , R1 + R2 2,2 M
mult mai mare dect curentul de gril. Rezistenele din divizor ar putea fi alese chiar de 10 ori mai mari (caz n care IR = 55 IG max , deci inegalitatea IR >> IG nc ar fi ndeplinit).
182
Rezistena de dren RD trebuie s fie aleas astfel nct TEC s rmn n saturaie indiferent de nivelul semnalului n dren; amplitudine acestuia este Ud_vf =3V. Rezult o tensiune minim n dren UDS min = UDS Ud_vf i din condiia de saturaie a TEC cu canal n, uDS > uGS UP , se obine legtura dintre tensiunea minim n dren i tensiunea n surs:
U DS > U GS U P + U d _ vf
sau
UD > US +
ID + U d _ vf . kn 2
Pe de alt parte, tensiunea maxim de dren trebuie s permit variaia pozitiv a semnalului i rezult astfel limitele posibile ale tensiunii de dren:
U D max = U DD U d _ vf
i deci
6,32 < UD < 9 [V] .
Rezistena RD se determin din T2K aplicat n circuitul de dren i limitele RD vor fi:
RD = U DD U D 12 (6,32 K 9) = = 568K 300 . 10m ID
Amplificarea n tensiune este proporional cu RD i de aceea alegerea unei rezistene mai mari conduce la o amplificare mai mare. Se alege de exemplu RD = 470 . Variaia curentului de dren cu variaia tensiunii de prag se calculeaz din (4.50):
k I D1 = n (U GG U P1 RS I D ) = 0,1 (5,4 1 300 I D1 ) 2 I D 2 = 0,1 (5,4 2,5 300 I D 2 )
ID1 =13,5mA,
ID2 = 9,6mA.
Ecuaiile de gradul doi n ID dau dou soluii. Se consider soluia pentru care UGS > UP . Variaia curentului de dren fa de cazul tipic (cu UP = 2,1V) este de 4%+35%, iar fa de valoarea medie a curenilor limit este de 17%. Dac s-ar utiliza polarizarea fr rezisten n surs, variaiile curentului ar fi extrem de mari. Astfel, pentru o tensiune constant n gril UGG = UGS = 2,4V (la care ID =10mA pentru tensiunea UP tipic), variaiile curentului ID , calculate cu (4.5) ar fi de la:
k I D1 = n (U GS U P1 )2 = 0,1 (2,4 1)2 = 196 mA 2 un astfel de circuit de polarizare fiind inutilizabil.
la
ID2 = 0 (pentru UGS < UP2 ),
b) Pentru dimensionarea circuitului de polarizare din figura 4.17, se determin rezistena de dren din (4.51) cu UGS = 2,4V (de la punctul a pentru UP tipic):
RD = U DD U DS U DD U GS 12 2,4 = = = 0,96 k . 10m ID ID
Se alege o rezisten RD =1k, caz n care se obine ID = 9,59mA (pentru tranzistorul tipic) prin rezolvarea ecuaiei ptratice rezultat dup nlocuirea (4.51) n (4.52):
k I D = n (U DD R D I D U P )2 . 2 Limitele curentului ID calculate cu aceiai ecuaie sunt: ID1 =10,7mA i ID2 = 9,2mA, adic o variaie de 4%+11,5%, iar fa de valoarea medie variaia este de 7,5%.
Fa de cazul a, variaia curentului de dren este mai mic, dar domeniul de variaie posibil al tensiunii de dren este i el mai mic Ud_vf = UP.
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE
183

La tranzistoarele cu efect de cmp conductivitatea canalului este controlat de tensiunea aplicat unei capaciti. Constructiv, aceast capacitate poate fi a regiunii golite de purttori a unei jonciuni i atunci tranzistorul este cu gril jonciune TEC-J, sau a unui strat subire de oxid de siliciu i atunci tranzistorul este de tip metal-oxid-semiconductor TEC-MOS.
4.4.1
Tranzistorul cu efect de cmp cu gril jonciune
n figura 4.18 se prezint n seciune o structur tipic a unui tranzistor cu efect de cmp cu gril jonciune (TEC-J). Pe un substrat puternic dopat p+ se crete prin epitaxie o regiune de tip n (slab dopat) care va constitui canalul; exemplul ales se refer la un tranzistor cu canal n. O difuzie p+ realizeaz jonciunea gril-canal (de tip p+n). Difuziile n+ de la contactele de surs (S) i dren (D) sunt prevzute pentru a obine contacte ohmice, adic pentru a anula efectul redresor al jonciunilor metal-semiconductor (diodele Schottky care apar ntre un metal i un semiconductor n). Cele dou regiuni p+, grila G i substratul (suportul, baza) B, sunt legate de obicei mpreun. Canalul dintre surs i dren este delimitat de regiunile golite de purttori (RSS) ale jonciunilor pe care le formeaz cu grila i cu substratul.
Sursa (S) Grila (G)
Jonciuni difuzate
Drena (D)
n+ n
g0
p+
L
n+
Strat epitaxial
Fig. 4.18. Seciune transversal printr-un tranzistor cu efect de cmp cu gril jonciune, planar-epitaxial, cu canal n.
Substrat p+
Contacte metalice
Canalul are o grosime iniial g 0 (distana dintre gril i substrat) i o lungime L (de obicei mult mai mare dect grosimea: L >>g 0).
Baza (B)
La polarizarea invers a acestor jonciuni, regiunile golite se extind n zona mai slab dopat, deci n canal, i reduc grosimea acestuia. Datorit reducerii grosimii g a canalului (fa de distana g0 dintre jonciuni), seciunea canalului conductor se reduce i scade implicit i conductivitatea acestuia. Controlul efectuat de cmpul electric asupra conductanei canalului (prin intermediul limii RSS, determinat de tensiunea invers aplicat jonciunilor) constituie efectul de cmp. La aplicarea unei tensiuni dren-surs uDS mici (cteva zecimi de volt cel mult) tensiunea gril-canal are aceiai valoare la ambele capete ale canalului i canalul are o grosime uniform, figura 4.19. Curentul de dren iD , care circul prin canal, depinde direct de conductana acestuia.
UG 0 S G
Regiuni golite de
iG =0 purttori mobili iD iD D
UD >0
p+
G S
p+
UG =UP (<0 )
iS = iD
US =0 a)
p+ n p+
iD =0
D UD >0
UG
b)
UG
Fig. 4.19. Funcionarea TEC-J cu canal n pentru tensiuni uDS mici (US =0, UD >0, UD 0) n cazul unei tensiuni UGS negative: a) mai mari sau b) egale cu tensiunea de prag UP .
184
Cnd tensiunea de polarizare invers a jonciunilor atinge valoarea de prag UP , (o valoare negativ n cazul TEC-J cu canal n) regiunile golite penetreaz toat grosimea canalului, astfel nct conductana acestuia scade la zero i curentul de dren se anuleaz, situaie schiat n figura 4.19.b. Caracteristicile statice din figura 4.20.a corespund utilizrii TEC-J ca rezisten controlat n tensiune rDS (UGS ), (VVR voltage variable rezistor). Liniaritatea caracteristicilor se menine i pentru tensiuni de dren negative i mici. iD UGS =0 iD I
UGS =0 UGS2 <0
DSS
Regiunea rezistiv
UGS =UP
uDS
UGS 1=UP /3 (<0) UGS 2 =2UP /3 (<UGS 1 ) uDS UGS UP
a) tensiuni uDS mici, zona liniar a caracteristicilor
UDS sat2
UP
( = UGS 2 UP)
b)
Fig. 4.20. Caracteristicile statice de dren pentru TEC-J cu canal n.
Dac tensiunea dintre dren i surs crete semnificativ, UDS >>0, dependena curentului de dren de tensiunea de dren devine neliniar, deoarece canalul nu mai este uniform (se ngusteaz la captul dinspre dren, conform figurii 4.21.a) i rezistena acestuia crete cu creterea tensiunii uDS . Aceast neuniformitate este cauzat de tensiunea dintre gril i canal, care scade de la surs spre dren; valoarea minim apare la captul dinspre dren al canalului: UGD (= UGS UDS )< UGS . La o anumit tensiune de dren UDS sat (la care UGD = UP , tensiune gril-canal de penetrare a canalului), regiunile golite ale celor dou jonciuni penetreaz complet canalul la captul dinspre dren (unde potenialul este maxim), n seciunea A din figura 4.21.b; UGD (= UGS UDS sat )= UP conduce la: UDS sat = UGS UP . (4.53)
G S
n p+ p+
UG 0
UG 0
A
iD D
UD >>0 UG
p+ n p+
iD D
UD ( UG UP )
a)
b)
UG
Fig. 4.21. Funcionarea TEC-J cu canal n pentru tensiuni uDS mari (US =0, UD >>0) n regim: a) nesaturat (rezistiv), UDS <UDS sat ( = UGS UP ) i b) saturat, UDS UDS sat .
Dac tensiune de dren crete n continuare, apare o poriune n care canalul semiconductor este ntrerupt (la captul dinspre dren). Curentul trece prin aceast poriune de canal datorit cmpului electric longitudinal produs de diferena dintre uDS i UDS sat . Lungimea acestei poriuni de canal ntrerupte va crete cu uDS UDS sat (la fel ca orice RSS care preia o tensiune invers mai mare), ceea ce va conduce la micorarea lungimii canalului conductor. n general, aceast micorare este mic fa de lungimea canalului. Dac se neglijeaz reducerea lungimii canalului cu creterea tensiuni de dren, forma canalului (i conductana acestuia) nu se schimb cu uDS , iar cderea de tensiune pe acest canal, UDS sat , este constant i de aceea nu se modific nici curentul iD prin
185
canal. Regiunea caracteristicilor pentru uDS >UDS sat , n care iD rmne constant, se numete regiune de saturaie (figura 4.20.b). n realitate, din cauza micorrii lungimii canalului conductor, iD va crete cu tensiunea uDS i pentru uDS >UDS sat . Aceast cretere este n general slab, fiind mai pronunat la dispozitivele cu canal mai scurt, deoarece efectul relativ al aceleiai micorri absolute de lungime de canal este mai important.
Curentul de dren n saturaie, pentru uDS >UDS sat , se poate calcula cu relaia (4.11) completat cu un termen care include coeficientul de modulaie a lungimii canalului :
u i D = I DSS 1 GS U P
(1 u DS ) .
(4.54)
n cazurile uzuale i pentru calculele manuale se va utiliza relaia simplificat (4.11), deoarece valoarea coeficientului (=1/UA ) este mic (tipic 0,01V-1). Acest coeficient se va utiliza la modelarea tranzistorului n regim dinamic i la modelele de simulare ale TEC. Parametrii IDSS i UP ai TEC-J se dau de obicei n foile de catalog ale tranzistoarelor i reprezint curentul dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs n saturaie i respectiv tensiunea de prag (de nchidere a canalului). Experimental, ambii parametrii se detemin n saturaie, pentru UDS > UP , IDSS prin msurare direct (cu UGS =0) i UP se poate determina prin extrapolarea caracteristicii de transfer n saturaie liniarizate a TEC:
iD
IDSS UDS >UP
iD (uGS ) ca n figura 4.22.b.
iD
UDS >UP I DSS
I D1
Fig. 4.22. a) Caracteristica de transfer n saturaie pentru TEC-J cu canal n;
ID1 ID 2 uGS
I D2
UP UGS 2 UGS 1 0
uGS
b) liniarizarea caracteristicii de transfer pentru a determina tensiunea de prag UP .
UP UGS 2 UGS 1 0
a)
b)
Din catalogul de tranzistoare se constat c parametrii TEC-J au dispersie de fabricaie mare. Motivul principal este dificultatea tehnologic de a controla cu precizie grosimea g0 a canalului (care rezult ca diferen dintre grosimea stratului epitaxial n i a celui difuzat p+). Din analiza funcionrii tranzistorului, se constat ns c dac, de exemplu, grosimea canalului este mai mare, atunci att curentul IDSS ct i tensiunea de prag UP (n modul) au valori mai mari (deoarece un canal cu grosime mai mare are pe de o parte o conductan mai mare i va rezulta un curent IDSS mai mare i pe de alt parte tensiunea de prag UP necesar pentru nchiderea complet a unui canal mai gros este mai mare, n modul). Dispersia de fabricaie se poate reduce prin nlocuirea difuziei p+ cu implantarea ionic a impuritilor acceptoare, procedeu tehnologic care permite un control mai precis al adncimii stratului implantat i deci al grosimii canalului. n regiunea rezistiv a caracteristicilor statice, iD depinde de conductana canalului conductor i se poate calcula prin integrare n lungul canalului, innd seama de dependena limii regiunilor golite ale jonciunilor de tensiunea invers aplicat. Dac se consider doar componenta longitudinal a cmpului n canal i doar cea transversal n RSS, se obine o relaie simplificat:
u i D = I DSS 2 1 GS UP u DS u DS U U P P
2
(4.55)
186
Din relaia anterioar, la limita intrrii n saturaie, uDS = uGS UP , se obine relaia (4.11). Pentru tensiuni uDS mici, (4.55) poate fi aproximat prin neglijarea termenului ptratic:
iD = 2 I DSS U P u GS 1 UP u DS .
(4.56)
Aceast relaie liniar reprezint caracteristicile statice n jurul originii, din care rezult conductana liniar gDS , care depinde de tensiunea uGS :
g DS = iD 1 = , u DS u mic rDS DS
g DS = 2 I DSS U P u GS 1 U P .
(4.57)
Valoarea maxim a conductanei apare la o tensiune uGS nul, deci TEC-J este un dispozitiv normal deschis prin el circul curent n absena unei tensiuni la intrare. La aplicarea unei tensiuni uGS negative de intrare, curentul prin tranzistor scade pn la anulare (pentru cazul n care tensiunea de intrare este mai mic dect tensiunea de prag UP ). Deoarece jonciunea gril-canal este polarizat invers, curentul de gril este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) i puternic dependent de temperatur (la temperatura camerei se dubleaz la circa 10 grade cretere a temperaturi). Aplicarea unei tensiuni uGS pozitive conduce la creterea apreciabil a curentului de gril. Acest regim de funcionare poate fi admis doar pentru tensiuni mai mici dect tensiunea de deschidere a jonciunii gril-surs (UD0 ,circa 0,5V la siliciu), uGS <UD0 . Tranzistorul cu canal p funcioneaz principial la fel ca cel cu canal n; purttorii de sarcin prin canalul p vor fi golurile iar tensiunea aplicat grilei uGS , care reduce curentul prin tranzistor, este pozitiv. Tensiunea de prag UP (care nchide complet canalul) este de asemenea pozitiv. Se utilizeaz conveniile de sens i de reprezentare prezentate n paragraful 4.1.3.
4.4.2
TEC metal-oxid-semiconductor (MOS) cu canal indus
Cel mai utilizat tip de tranzistor este TEC-MOS cu canal indus. Din analiza structurii interne a unui TEC-MOS cu canal n se vor deduce relaiile care definesc funcionarea acestui tranzistor. n figura 4.23 este schiat o seciune printr-un TEC-MOS cu canal idus de tip n, sau NMOS. Tranzistorul este fabricat pe un substrat de tip p care asigur suportul fizic al tranzistorului (sau al ntregului circuit n cazul circuitelor integrate). n substrat sunt realizate dou regiuni de tip n puternic dopate, care constituie sursa i drena tranzistorului. Regiunea dintre surs i dren de la suprafaa semiconductorului este acoperit cu un strat subire (0,020,1 m) de dioxid de siliciu SiO2, care este un excelent izolator. Metalul depus peste acest strat de izolator formeaz grila (sau poarta) tranzistorului. Contacte metalice sunt depuse de asemenea i pe regiunile de surs, dren i substrat. TEC-MOS are patru terminale: grila (G), sursa (S), drena (D) i substratul sau baza (B). Numele acestui tranzistor: metal-oxid-semiconductor, MOS, deriv de la structura fizic a acestuia. Acelai nume se utilizeaz i pentru dispozitivele moderne de acest tip, chiar daca acestea utilizeaz pentru terminalul grilei polisiliciul (siliciu foarte puternic dopat) n locul metalului. Datorit izolaei realizat de stratul de oxid, curentul de gril al TEC-MOS este extrem de mic (de ordinul a 1015 A). Substratul formeaz cu regiunile de dren i de surs dou jonciuni pn. Dac se aplic o tensiune drenei (fa de surs) i dac nu se aplic tensiune grilei i substratului atunci cel puin una dintre aceste jonciuni este blocat i prin tranzistor (ntre dren i surs) nu apare curent. La aplicarea unei tensiuni suficient de mari grilei, sub gril apare un canal conductor care permite trecerea unui curent prin tranzistor. Acest canal, cu o lungime L i o lime W (de la width din englez) are dimensiuni de ordinul micronilor. Exist i TEC cu dimensiuni submicronice care se utilizeaz cu precdere la aplicaiile digitale de nalt vitez.
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE Sursa (S)

Oxid (SiO2 )
187
Grila (G)
Drena (D)
gox
n+
L
Substrat p
n+
Jonciuni difuzate
Fig. 4.23. Structura fizic a unui tranzistor cu efect de cmp de tip metal-oxid-semiconductor (TEC-MOS) cu canal de tip n:
Contacte metalice
a) Seciune, b) Vedere de sus.

Parametrii unui TEC-MOS tipic sunt: - grosimea stratului de oxid, gox =0,020,1m; - lungimea canalului, L =110m; - limea canalului, W =2500m.
a) L
Baza (B)
Ferestre contact (metal)
Sursa
Grila (metal sau polisiliciu)
Drena
b)
n prima etap se va analiza funcionarea TEC-MOS pentru cazul n care substratul este conectat la surs, caz n care TEC-MOS poate fi considerat un dispozitiv cu trei terminale. Substratul (implicit i sursa tranzistorului) se consider referina de potenial. La aplicarea pe gril a unei tensiuni pozitive, n izolatorul grilei apare un cmp electric E, cu sensul conform figurii 4.24.a. Pentru valori moderate ale acestei tensiuni, la suprafaa dinspre gril a semiconductorului apare o regiune golit de purttori de sarcin (datorit cmpului electric, golurile majoritare sunt mpinse n substrat iar electronii liberi minoritari sunt atrai din substrat i se recombin cu golurile). Dac tensiunea aplicat grilei are o valoare mai mare dect tensiunea de prag UP , atunci la suprafaa semiconductorului apare un strat de inversiune (datorit cmpului electric intens, concentraia electronilor liberi atrai din substrat depete concentraia golurilor i tipul semiconductorului de sub gril se inverseaz). Apare astfel un canal de tip n ntre dren i surs, canal indus de tensiunea aplicat grilei, ca n figura 4.24.b. Grosimea stratului de inversiune depinde de valoarea cmpul electric din izolator i implicit de valoarea tensiunii aplicate grilei.
S
US =0
0< UG < UP G
E
n+
Substrat p
UD >0 iD =0 n+
S UP < UG G iG =0 iS = i D
n+
D UD >0
iD >0
n+
Regiune golit de purttori mobili
L
Substrat p
Canal n indus
a)
UB =0
b)
Fig. 4.24. Funcionarea TEC-MOS cu canal n pentru tensiuni UDS mici (US =0, UD >0, UD 0) n cazul unei tensiuni UGS pozitive: a) mai mic i b) mai mare dect tensiunea de prag UP .
188
La aplicarea unei tensiuni pozitive ntre dren i surs uDS apare un curent iD care circul prin canal. Curentul se datoreaz deplasrii electronilor liberi de la surs spre dren i se consider prin convenie c circul n sens contrar deplasrii purttorilor negativi de sarcin (electroni), adic de la dren spre surs. Se remarc egalitatea dintre curentul care intr n dren i cel care iese din surs (iD = iS ) datorat curentului de gril nul (iG = 0).
Pentru o tensiune uDS mic, curentul depinde de densitatea electronilor din canal, care la rndul ei depinde de valoarea tensiunii uGS . Pentru o tensiune uGS = UP , canalul tocmai apare i curentul iD este neglijabil de mic. Curentul prin canal va depinde de conductana acestuia (intuitiv depinde de grosimea canalului) care depinde de surplusul de tensiune (uGS UP ), numit i tensiune efectiv de gril. De aceea, curentul de dren iD este proporional cu tensiunea uGS UP (care influeneaz conductivitatea canalului) i cu tensiunea uDS (datorit creia apare acest curent). Canalul conductor este indus de tensiunea aplicat grilei, de unde i numele de TEC cu canal indus, iar creterea tensiunii de gril peste tensiunea de prag conduce la nbogairea canalului cu purttori, de unde i numele de tranzistor cu mbogaire (enhancement-type MOS-FET n englez). La o tensiune de dren uDS mare tensiunea n canal crete de la surs spre dren (de la 0 la uDS ) iar tensiunea ntre diferite puncte ale grilei i surs este diferit (scade dinspre surs spre dren, de exemplu uGD = uGS uDS < uGS ). Deoarece grosimea canalului depinde de tensiunea dintre gril i canal n fiecare punct, rezult c grosimea canalului va fi neuniform, va scdea dinspre surs spre dren cu att mai mult cu ct tensiunea uDS este mai mare, conform figurii 4.25. Datorit acestui fenomen rezistena canalului va crete cu creterea tensiunii uDS .
uDS = UGS UP
Sursa Canal
Fig. 4.25. Modificarea grosimii canalului n funcie de tensiunea uDS pentru UGS = ct.
uDS
Drena
UDS =0
La atingerea valorii uDS = UGS UP , canalul se nchide ntr-un punct la captul dinspre dren.
Caracteristicile statice de ieire iD (uDS ) trasate la uGS =constant(= UGS ), i vor reduce nclinaia cu creterea tensiunii uDS , ca n figura 4.26.a. Dac tensiunea la captul dinspre dren scade la valoarea UP , atunci grosimea canalului la captul dinspre dren se reduce la zero i canalul se nchide ntr-un punct (la captul dinspre dren).
iD
Regiunea rezistiv
UGS 3 (= 4UP)
iD
UGS 2 (= 3UP)
UGS 1 (= 2UP) UGS 0 ( UP) UDS sat2 (= UGS 2 UP)
uDS
0
uGS
UP
Fig. 4.26. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal indus de tip n: a) Caracteristicile de dren, b) Caracteristica de transfer n saturaie (UDS > uGS UP ).
189
La TEC-MOS uzuale, lungimea canalului este mare fa de grosimea acestuia i creterea tensiunii de dren peste valoarea de nchidere a canalului are un efect redus asupra formei canalului (punctul de nchidere al canalului se apropie de surs, dar efectul este puin sesizabil la canalelele lungi). Prin urmare, deoarece forma canalului (i deci conductana acestuia) practic nu se schimb iar cderea de tensiune pe canal este constant (egal cu tensiunea de prag UP ), rezult un curent constant prin canal; apare fenomenul de saturare a curentului de dren. Tensiunea uDS la care apare saturarea curentului se numete tensiune dren-surs de saturaie UDS sat (cea la care apare nchiderea canalului la captul dinspre dren). Aceast tensiune se calculeaz din:
UGD sat = UGS UDS sat = UP , de unde UDS sat = UGS UP , rezultat conform cu relaia (4.4).
Relaiile teoretice care descriu funcionarea TEC-MOS

Ecuaiile care descriu funcionarea TEC-MOS n regiunea liniar a caracteristicilor statice se obin pentru: uGS > UP , uDS >0, uDS 0 (mai exact uDS << uGS UP ). Capacitatea grilei se determin din relaia de la condensatorul plan:
Cg =
A WL = = C oxWL , g ox g ox
C ox =
, g ox
(4.58)
unde: este permitivitatea electric a SiO2, A este aria grilei i Cox este capacitatea specific (pe unitatea de arie). Sarcina electric a purttorilor mobili din canal depinde de tensiunea efectiv de gril:
Q = C g (U GS U P ) = C ox W L (U GS U P ) .
(4.59)
Timpul de tranzit al purttorilor mobili prin canal este: =

L L L L2 = = = , u DS n u DS v n El n L
(4.60)
unde: n este mobilitatea purttorilor de sarcin (electroni n cazul NMOS) i El este cmpul electric longitudinal (de-a lungul canalului, determinat de tensiunea uDS ). O observaie util se poate face n legtur cu mobilitatea electronilor liberi i a golurilor: n 2,5 p . Curentul de dren se obine ca raport ntre sarcina din canal i timpul de tranzit:
iD = Q Cox W L (U GS U P ) W = n u DS = nCox (U GS U P ) u DS , 2 L L
' iD = k n
(4.61) (4.62)
sau
W (U GS U P ) u DS = k n (U GS U P ) u DS , L
unde: k'n = nCox este factorul de conducie intrinsec, kn = k'n ( W / L ) este factorul de conducie i W / L este factorul dimensional (geometric) al TEC-MOS. n cazul proiectrii circuitelor integrate cu TEC-MOS factorul de conducie intrinsec este un parametru al tehnologiei (fixat de procesul tehnologic utilizat) iar factorul geometric este un parametru care poate fi ales de proiectant. Canalul leag sursa de dren prin intermediul sarcinilor mobile din canal i acioneaz ca o rezisten (ntre dren i surs). Valoarea rezistenei canalului n zona liniar a caracteristicilor statice este:
u 1 1 . rDS = DS = = W iD k n (U GS U P ) ' k n (U GS U P ) L
(4.63)
190
Ecuaia care descrie funcionarea TEC-MOS n regiunea neliniar a caracteristicilor statice rezult prin integrarea curentului de la surs la dren innd seama c tensiunea dintre gril i canal are valori diferite n diferite puncte ale canalului (scade de la surs spre dren n cazul unei tensiune uDS semnificative). Deoarece grosimea medie a canalului scade, conductana canalului scade (fa de cazul unei tensiuni uDS mici) i caracteristicile de ieire (trasate pentru UGS constant) vor avea o pant mai mic (devin neliniare) o dat cu creterea tensiunii uDS (ca in figura 4.26.a). Rezultatul integrrii este:
u i D = k n U GS U P DS u DS , 2
(4.64)
Ecuaia care descrie funcionarea TEC-MOS n regiunea de saturaie se obine din ecuaia anterioar considernd limita de trecere din regiunea neliniar n saturaie, uDS = UDS sat = UGS UP :
k i D = n (U GS U P )2 . 2
(4.65)
Aceast ecuaie indic valoarea curentului constant din saturaie (pentru UGS =constant). Dac se consider tensiunea UGS ca o variabil, uGS , ecuaia (4.65) reprezint caracteristica de transfer a TEC. Conform ecuaiei iD (uGS ), TEC este n esen o surs de curent controlat n tensiune.
4.4.3
TEC-MOS cu canal iniial
Constructiv tranzistorul MOS cu canal iniial difer de TEC-MOS cu canal indus prin canalul conductor implantat n partea superioar a substratului, sub gril. Pentru un NMOS, acest canal fizic dintre drena i sursa tranzistorului este un semiconductor de tip n care realizeaz legtura electric ntre drena i sursa de tip n+. Datorit acestui canal, la aplicarea unei tensiuni uDS ntre dren i surs, va circula un curent iD chiar dac uGS =0. Grosimea canalului i conductivitatea acestuia sunt controlate de tensiunea uGS la fel ca i la TEC cu canal indus. Dac se aplic o tensiune uGS pozitiv atunci canalul se mbogete datorit electronilor suplimentari atrai din substrat. n cazul acestui tip de TEC se poate aplica i o tensiune uGS negativ care ndeprteaz electronii din canal astfel nct grosimea i conductivitatea canalului scad. O tensiune uGS negativ produce srcirea canalului (n sarcini electrice) de unde i numele de tranzistoare cu srcire (depletion-type MOS) dat acestora. La o anumit tensiune negativ, numit tensiune de prag UP , canalul se nchide datorit ndeprtrii tuturor purttorilor de sarcin electric din canal. Un tranzistor MOS cu canal iniial poate funciona att pentru tensiuni uGS pozitive (n regim de mbogire) ct i pentru tensiuni uGS negative (n regim de srcire). Caracteristicile de ieire iD (uDS ) i de transfer iD (uGS ) ale acestui tranzistor (figura 4.27) sunt identice cu cele ale TEC cu canal indus doar c tensiunea de prag este negativ (pentru NMOS).
iD
Regiunea rezistiv
UGS = 1V
iD
UGS = 0
IDSS
UGS = 1V UGS 2V(= UP) UDS sat = 2V(= UP)
uDS
UP
0
uGS
Fig. 4.27. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal iniial de tip n.
191
Ecuaiile de funcionare ale TEC-MOS cu canal iniial sunt aceleai cu cele pentru TEC cu canal indus. n cazul tranzistoarelor cu canal iniial ecuaiile se pot scrie i funcie de IDSS (curentul dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs) ca i la TEC-J. Curentul IDSS se poate calcula conform relaiei (4.10).
4.4.4
Efecte secundare la TEC-MOS
Dintre factorii mai importani care afecteaz funcionarea TEC-MOS se vor analiza efectul tensiunii uDS n saturaie, efectul de substrat, efectele temperaturii, strpungerea, efectul de canal scurt i conducia sub prag.
Efectul tensiunii uDS n saturaie

Dac se consider efectul reducerii lungimii canalului datorit creterii tensiunii uDS peste UDS sat , atunci n ecuaia (4.65) apare un termen suplimentar (ca i n cazul TEC-J):
k i D = n (uGS U P )2 (1 + u DS ) , 2
(4.66)
unde este coeficientul de modulaie a lungimii canalului, =1/UA (inversul tensiunii Early de la tranzistoarele bipolare). Coeficientul depinde de L iar tensiunea UA este direct proporional cu L; pentru a avea o dependen ct mai redus a curentului iD fa de uDS , trebuie ca lungimea canalului s fie ct mai mare (rezult astfel o pondere mic a modificrii lungimii canalului fa de lungimea L, i implicit un mic). Efectul modulrii lungimii canalului de ctre uDS se neglijeaz n calculele manuale, dar se consider la simularea i la modelarea tranzistorului n regim dinamic.
Efectul de substrat
n multe aplicaii substratul este conectat la surs, caz n care jonciunea pn care apare ntre substrat i canal nu este polarizat i de aceea substratul nu are nici un efect, existena acestuia putnd fi ignorat (ca n analizele de pn acum); acesta este de regul cazul TEC discrete. n cazul circuitelor integrate, substratul este comun mai multor tranzistoare i pentru a menine condiia de blocare pentru jonciunile substrat-canal ale tuturor tranzistoarelor, substratul este conectat de regul la cel mai negativ potenial din circuit. Polarizarea invers care apare la tranzistoarele a cror surs este conectat la un potenial mai ridicat (USB la NMOS) va avea un efect semnificativ asupra funcionrii respectivelor tranzistoare. Acest efect poate fi pus uor n eviden prin modificarea tensiunii de prag a tranzistorului (fa de valoarea UP 0 a TEC cu US B =0) conform relaiei:
U P = U P0 +
2 f + U SB 2 f ,
(4.67)
unde UP 0 este valoarea de prag pentru US B =0; 2f este un parametru fizic cu o valoare tipic de 0,6 V; i este un parametru al procesului de fabricaie calculat conform relaiei:
= 2q N A s C ox
(4.68)
unde NA este concentraia golurilor din substratul de tip p i s este permitivitatea siliciului (circa 1012 F/cm). Parametrul are o valoare tipic de 0,5 V1/2. Ecuaia (4.67) indic faptul c o cretere a tensiunii US B conduce la o cretere a tensiunii de prag UP , care la rndul ei conduce la creterea curentului iD . Se poate spune c substratul acioneaz ca o a doua gril a tranzistorului MOS; fenomenul este cunoscut ca efect de substrat iar parametrul este cunoscut ca factor de substrat al TEC-MOS.
192
Efectele temperaturii
Cei doi factori principali ai TEC-MOS sunt dependeni de temperatur astfel: UP scade cu circa 2 mV pentru o cretere a temperaturii cu 1C (ceea ce conduce la creterea curentului iD ) iar k' are un efect dominant i scade cu creterea temperaturii. Rezultatul net este o scdere a curentului iD cu creterea temperaturii. Ca o consecin direct, la TEC-MOS nu apare ambalarea termic (spre deosebire de tranzistoarele bipolare) ceea ce permite utilizarea tranzistoarelor MOS la circuitele de putere fr a fi necesare circuite speciale de eliminare a ambalrii termice.
Strpungerea electric
La TEC-MOS pot apare diferite tipuri de strpungeri electrice i anume: La creterea tensiunii de dren peste o anumit valoare apare fenomenul de strpungere a jonciunii pn dintre dren i substrat; tensiunea uzual de strpungere este de 50100 V i conduce la creterea rapid a curentului. La dispozitivele moderne cu canal scurt apare strpungerea la o tensiune de dren relativ redus (circa 20 V) la care regiunea golit a drenei se extinde prin canal pn n regiunea sursei, ceea ce conduce la o cretere apreciabil a curentului de dren. n mod normal aceast strpungere nu conduce la distrugerea tranzistorului. Un alt tip de strpungere apare atunci cnd tensiunea gril-surs depete aproximativ 50 V. Strpungerea oxidului care apare duce la distrugerea definitiv a TEC-MOS. Cu toate c tensiunea de 50 V pare mare, s nu uitm c rezistena de intrare a TEC-MOS este foarte mare, ceea ce face ca o sarcin static relativ mic acumulat pe capacitatea mic a grilei s duc la depirea acestei valori a tensiunii de strpungere.
Valorile de tensiune indicate sunt pur orientative i se refer n principal la TEC-MOS discrete; cu ct tehnologia avanseaz cu att se produc tranzistoare cu dimensiuni (L, W, g) mai mici la care tensiunile de strpungere sunt mai reduse. Pentru a evita acumularea sarcinilor statice pe grila tranzistorului MOS trebuie luate msuri speciale de manipulare i montare a acestora n circuit. O metod relativ complicat, dar sigur, const din conectarea unui fir izolat la surs i apoi la gril (dac este posibil fr a scoate tranzistorul din suportul conductor n care a fost livrat), apoi se conecteaz tranzistorul n circuit (circuit care prevede o rezisten ntre gril i surs) i apoi se dezleag firul conductor. Metodele de manevrare sunt diferite n funcie de capsula tranzistorului; ceea ce trebuie avut n vedere este s nu se creeze o cale de apariie a sarcinilor statice pe gril. n cazul tranzistoarelor MOS de putere precauiile de manevrare nu sunt att de severe deoarece capacitatea de gril a acestora este mare. Pentru TEC-MOS de la intrarea circuitelor integrate se prevd de obicei circuite speciale de protecie, mai exact circuite de limitare cu diode.
Efectul de canal scurt

Evoluia tehnologiilor de fabricaie a circuitelor integrate conduce la o reducere continu a dimensiunilor dispozitivelor active, realizndu-se astfel creterea numrului de tranzistoare dintr-un circuit integrat i creterea performanelor de frecven a dispozitivelor active (timpul de tranzit al purttorilor prin dispozitiv i capacitile parazite scad cu dimensiunile dispozitivului). Pentru toate tipurile de TEC apar efecte semnificative de canal scurt pentru lungimi ale canalului mai mici de 1 m. Principalul efect const din modificarea formei caracteristicii de transfer de la forma clasic ptratic la o form liniar, efect datorat saturrii vitezei purttorilor n canal. Trebuie observat c totui, chiar i la procesele submicronice, multe din TEC folosite ntr-un circuit integrat analogic sunt fcute la dimensiuni mai mari dect detaliul minim i de aceea pot fi
193
aproximate bine de modelul ptratic. La valori mari ale intensitii cmpului electric viteza se satureaz atingnd o valoare constant:
vlim = n Ecrit ,
(4.69)
unde: Ecrit =1,5x106 V/m iar n =0,07 m2/Vs este valoarea mobilitii electronilor n cmpuri slabe. n cazul TEC cu canal scurt cmpul critic apare de la tensiuni mici (de exemplu pentru L =1 m, la o tensiune uDS =1,5 V, valoarea medie a intensitii cmpului electric este egal cu Ecrit ). Influena saturaiei vitezei purttorilor asupra caracteristicilor de semnal mare ale TEC se poate modela prin introducerea unei rezistene RSX n serie cu sursa unui tranzistor ideal. Ca rezultat, n zona curenilor mari, caracteristica de transfer n saturaie iD (uGS ) devine liniar.
Conducia sub prag

Pentru tensiuni de gril mai mici dect valoarea tensiunii de prag UP , prin tranzistorul cu canal indus trece un curent finit (dar mic). Electronii din regiunea n+ a sursei pot depi bariera de potenial fa de substratul de tip p ajungnd n regiunea canalului. Acest proces este similar cu conducia prin tranzistoarele bipolare iar caracteristicile TEC n aceast regiune de funcionare, numit regiune de inversie slab, sunt exponeniale ca i cele ale tranzistorului bipolar. n saturaie, regim realizat practic pentru uDS >0,2 V, curentul de dren al MOS este:
iD = u W I D 0 exp GS nU L T ,
(4.70)
unde ID0 este un curent constant (cu valori uzuale de zeci de nA) iar coeficientul n1,5. Caracteristica
iD (uGS ) din figura 4.28.a este aproximativ o dreapt ceea ce arat c TEC
are o caracteristic de transfer apropiat de caracteristica ptratic ideal. Reprezentri grafice de acest tip sunt utilizate pentru determinarea tensiunii UP (prin extrapolarea dreptei) i a factorului k' (din panta caracteristicii). Se remarc c n apropierea tensiunii de prag caracteristica se abate de la dreapta care corespunde caracteristicii ptratice. Aceast zon reprezint conducia sub prag i este pus n eviden n figura 4.28.b prin folosirea unei scri logaritmice pentru curent. Panta zonei drepte a caracteristicii pentru tensiuni uGS < UP permite determinarea coeficientului n.
iD
lg iD
Regiune cu caracteristic ptratic
uGS
0
Regiune exponenial de conducie sub prag
uGS
UP
a)
UP
b)
Fig. 4.27. Caracteristica de transfer a unui tranzistor TEC-MOS cu canal iniial de tip n trasat pentru a pune n eviden: a) caracteristica ptratic, b) conducia sub prag.
Funcionarea sub prag se folosete la aplicaiile care cer o putere foarte mic i accept o frecven de lucru sczut (frecvena de tiere fT are valori foarte mici la cureni iD foarte mici).
194
4.4.5
Tranzistoare MOS cu canal de tip p
Structura TEC-MOS cu canal p este identic cu a celor cu canal n, dar la construcia lor se utilizeaz semiconductori diferii. Substratul (sau baza) este de tip n, zonele de dren i de surs constau din semiconductori de tip n puternic dopai. Funcionarea tranzistoarelor PMOS este identic cu a celor NMOS cu excepia faptului c la conducie particip golurile (n locul electronilor liberi), canalul conductor de sub gril este de tip p i sensul tensiunilor i al curenilor se schimb. Relaiile care descriu funcionarea tranzistoarelor PMOS se modific conform observaiilor de la paragraful 4.1.3.
4.4.6
Simbolurile detaliate ale tranzistoarelor MOS
Simbolurile TEC-MOS cu canal indus sunt prezentate n figura 4.28.a i c. Linia vertical continu semnific grila, linia vertical ntrerupt semnific canalul; aceast linie este ntrerupt pentru a evidenia lipsa canalului n absena polarizrii grilei. Simbolurile TEC-MOS cu canal iniial sunt prezentate n figura 4.28.b i d, iar n acest caz canalul este reprezentat cu o linie continu deoarece el exist i n cazul unei tensiuni nule aplicate grilei. La toate cele patru simboluri spaiul dintre cele dou linii reprezint izolaia dintre gril i canal iar polaritatea jonciunii substrat-canal este pus n eviden de direcia sgeii de la linia care indic substratul (sau baza). n cazul a i b, sgeata este orientat de la substrat la canal (de la zona p la zona n) prin urmare substratul este de tip p i canalul de tip n, deci tranzistorul este de tip NMOS. Chiar dac tranzistorul MOS este simetric, n circuite este util s se indice care terminal este sursa i care drena. Aceasta se realizeaz prin desenarea liniei terminalului grilei mai aproape de linia terminalului sursei. Cercurile simbolurilor reprezint capsulele tranzistoarelor discrete; tranzistoarele din circuitele integrate se reprezint fr aceste cercuri.
D G a) S NMOS G b) S D S PMOS S
G c) D
G d) D
Fig. 4.28. Simbolurile complete ale TEC-MOS cu canal indus (a, c) i cu canal iniial (b, d); de tip n (NMOS: a, b) i de tip p (PMOS: c i d).
Simbolurile din figura 4.28 sunt descriptive dar destul de complexe i de aceea, adesea, se utilizeaz simboluri simplificate cum ar fi cele din figura 4.1.a, b, d i e, utilizabile n cazul n care substratul este conectat la sursa tranzistorului.
4.5 REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC LA TEC

Tranzistoarele sunt utilizate n regim liniar mai ales ca amplificatoare. Pentru a funciona ca amplificator TEC trebuie polarizat n regiunea de saturaie (regiune activ). Analiza circuitelor de polarizare s-a fcut anterior. Analiza de regim dinamic a TEC se refer la analiza funcionrii acestuia din punctul de vedere al variaiilor mrimilor electrice prin tranzistor. Aceast analiz se poate face, ca i la tranzistorul bipolar, fie prin metode grafo-analitice (cu ajutorul caracteristicii de transfer) fie prin metode analitice, cu ajutorul modelelor liniarizate (de semnal mic) ale TEC. n continuare se vor deduce modelele liniarizate de regim dinamic ale TEC pe baza ecuaiilor de funcionare ale acestora n saturaie. Deoarece ecuaiile au aceiai form pentru toate tipurile de TEC se va face iniial o analiz general i apoi se va particulariza pentru diferitele tipuri de TEC.
195
4.5.1
Circuitul echivalent pentru domeniul frecvenelor joase
Regimul dinamic la frecvene nu prea mari poate fi considerat ca o succesiune de regimuri statice, astfel nct comportarea tranzistorului poate fi dedus din expresia caracteristicilor statice iD (uGS , uDS ). La variaii mici n jurul punctului static de funcionare (psf ) P, dezvoltarea n serie n jurul psf a acestei funcii se reduce la termeni de prim ordin (termenii superiori ai dezvoltrii n serie pot fi neglijai deoarece au valorii foarte mici):
i iD = iD P + D u
GS P
duGS +
iD du DS , u DS P
(4.71)
unde iD |P = ID ; pentru semnale mici d uGS = ugs , iar d uDS = uds . (valorile instantanee ale semnalelor, sau variaiile acestora n psf sunt suficient de mici pentru a putea fi aproximate cu diferenialele). Din relaia precedent se poate separa componenta de ca a curentului de dren:
id = i D i u gs + D u ds = g m u gs + g d u ds , uGS P u DS P
(4.72)
Derivatele pariale calculate n psf sunt parametrii ai circuitului de semnal mic care se calculeaz cu formule care rezult din relaia anterioar. Cei doi parametrii au dimensiunea unor conductane i se numesc: - transconductan (sau pant):
gm =
gd =
i D , uGS P, u = 0 ds
iD , u DS P, u = 0 gs
(4.73)
- conductan de dren (sau de ieire):
(4.74)
Relaia (4.72) definete circuitul echivalent de dren al TEC, compus dintr-un generator de curent controlat n tensiune gm ugs i conductana gd . Rezistena de intrare este considerat infinit ntruct grila este izolat cu o jonciune polarizat invers n cazul TEC-J i cu un izolator propriuzis n cazul TEC-MOS. Rezult astfel circuitul echivalent de semnal mic din figura 4.29.
g ig =0 u gs gm ugs s id g
d
Fig. 4.29. Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven al TEC const: - Dintr-un generator de curent controlat n tensiune la ieire (ntre dren i surs) i - o ntrerupere de circuit la intrare (gril-surs).
4.5.2
Parametrii de semnal mic ai TEC
Parametrii de semnal mic depind de psf i pot fi calculai conform relaiilor anterioare innd seama de expresiile curentului n saturaie la TEC-J i respectiv la TEC-MOS.
Conductana de ieire se calculeaz din (4.74) i (4.54) pentru TEC-J, respectiv (4.66) pentru TEC-MOS. Rezult aceiai relaie pentru ambele tipuri de TEC:
g d = I D , respectiv rd =
U 1 1 = = A. gd I D ID
(4.75)
Pentru calculul rezistenei de ieire se poate utiliza relaia identic cu cea de la tranzistoarele bipolare (cu tensiunea Early U A ), ns la TEC se utilizeaz de obicei parametrul .
196
Deoarece coeficientul de modulare a lungimii canalului este mai mic pentru canale mai lungi (este invers proporional cu lungimea canalului), pentru a obine o rezisten de dren ct mai mare (conductan de dren ct mai mic) trebuie ca lungimea canalului L s fie ct mai mare.
Transconductana
Din (4.73) i (4.54) rezult transconductana pentru TEC-J:
gm = 2 I DSS UP U GS 1 UP ,
(4.76)
i din (4.73) i (4.66) rezult transconductana pentru TEC-MOS:

g m = k n (U GS U P ) .
(4.77)
Aceast relaie arat c transconductana (sau panta tranzistorului) depinde liniar de tensiunea efectiv de gril (valoarea cu care tensiunea de polarizare a grilei depete tensiunea de prag) i de factorul de conducie kn , care se mai numete i parametru de transconductan. La tranzistoarele MOS integrate se poate nlocui factorul de conducie conform (4.62) i se obine:
' gm = kn
W (U GS U P ) , L
(4.78)
relaie din care se observ c transconductana acestora depinde liniar de factorul de conducie intrinsec (parametru al procesului de fabricaie) i de factorul dimensional W / L care poate fi controlat de proiectant. Pentru a obine o transconductan mai mare trebuie ca limea W s fie mare i lungimea L s fie redus. Pe de alt parte ns, conform celor artate n paragraful anterior, o lungime redus conduce la o rezisten de ieire mare. La proiectarea tranzistoarelor MOS integrate va trebui aleas lungimea optim n funcie de rolul tranzistorului respectiv. Transconductana este cel mai important parametru al tranzistorului MOS deoarece reflect eficiena tranzistorului de la intrare la ieire. Un criteriu mai bun, care arat ct de eficient este folosit curentul pentru a genera transconductan, este raportul gm /ID . Acest raport rezult din expresia pentru gm care se obine prin nlocuirea tensiunii efective de gril conform relaiei (4.65):
gm = 2 kn I D =
' 2 kn
W L
ID .
(4.79)
Aceast expresie care arat c: pentru un anumit TEC-MOS transconductana este proporional cu la un curent dat gm este proporional cu
W L.
I D i
Dac se compar aceste rezultate cu cele de la tranzistorul bipolar (TB) se observ dou diferene majore: la TB valoarea transconductanei este proporional cu valoarea curentului de polarizare i nu depinde de dimensiunile i forma tranzistorului. Diferena dintre cele dou tipuri de tranzistoare se poate pune n eviden printr-un calcul al transconductanei la acelai curent de polarizare. Conform ecuaiei (4.79), la un curent I D =1mA, un TEC-MOS integrat cu k'n =20 A/V2 i W / L =1 are gm = 0,2 mA/V iar pentru W / L =100 rezult
gm = 2 mA/V. n contrast, un TB polarizat la acelai curent de colector de 1 mA are o pant mult mai mare, gm = 40 mA/V.
Prin nlocuirea factorului de conducie din (4.65) n relaia (4.76) se obine:

gm = 2 ID ID = . U GS U P (U GS U P ) 2
197
(4.80)
Aceast relaie arat c transconductana este raportul dintre curentul de dren i o jumtate din tensiunea efectiv de gril UG-ef = UGS UP , expresie similar cu cea de la TB, unde gm = I C / UT . Dac UT = 25 mV, (UGS UP )/2 trebuie ales mai mare dect 0,1 V, ceea ce arat din nou c panta la TB este sensibil mai mare dect la TEC. Pe de alt parte, chiar dac panta TEC este relativ mic, tranzistorul TEC-MOS are alte avantaje, cum ar fi: impedana de intrare foarte mare, dimensiunile mici, puterea disipat mic i procesul de fabricaie mai simplu.
Transconductana n regim de inversie slab

Pentru regimul de inversie slab (sau de conducie sub prag), curentul prin TEC este foarte mic i transconductana se obine prin calculul derivatei curentului iD fa de uGS n relaia (4.70):
gm = ID . nUT
(4.81)
Transconductana n cazul acestui regim de funcionare este proporional cu curentul de dren (ca i n cazul TB, cu diferena c apare coeficientul n1,5 iar curenii prin tranzistor sunt foarte mici). Raportul gm /ID este constant i atinge valoarea maxim n acest regim, conform figurii 4.30. Pentru a obine amplificri mari cu TEC, regimul de inversie slab este preferabil. Pe de alt parte, datorit valorilor foarte mici ale curentului prin tranzistor, frecvena limit a TEC atinge o valoare mic, ceea ce limiteaz domeniul de utilizare a acestui regim doar la aplicaii de joas frecven.
gm sat gm
panta = 1/2 panta = 0
panta = 1 Inversie accentuat
Saturarea vitezei purttorilor
a)
Inversie slab
ID
gm ID
n UT
Fig. 4.30. a) Transconductana gm i b) gm /ID , ca funcii de curentul de polarizare a drenei ID n saturaie.
panta = 1/2
panta = 1
b)
ID
Transconductana la cureni mari

La cureni mari, purttori de sarcin din canal ating viteza maxim conform relaiei (4.69) i caracteristica de transfer a TEC iD (uGS ) devine liniar. Ca urmare, transconductana ajunge la o valoare constant, dup cum se arat n figura 4.30. Aceast limitare a pantei apare la tranzistoarele cu canal scurt i/sau la cureni mari. Valoarea limit a pantei este un parametru de catalog al tranzistorului MOS de putere. Pentru ca TEC s fie utilizat la frecvene ct mai mari, curentul prin el trebuie s fie ct mai mare. n orice caz, este inutil depirea curentului la care apare limitarea pantei i se recomand utilizarea tranzistorului la un curent de 810 ori mai mic dect respectiva valoare.
198
4.5.3
Modelarea efectului de substrat
Efectul de substrat apare intr-un TEC MOS atunci cnd substratul nu este legat la surs, ci este conectat la sursa negativ de alimentare. Substratul va fi conectat astfel la masa de semnal, n timp ce sursa nu mai este conectat la mas; n sursa tranzistorului apare o tensiune de semnal usb nenul, indicele b provine de la body corp (alt nume pentru substrat din limba englez). Substratul acioneaz ca o a doua gril pentru TEC-MOS; datorit acesteia apare o component suplimentar a curenului de dren: gmb usb unde gmb este transcondutana de substrat definit conform relaiei:
g mb = iD . u SB u , u = 0 gs ds
(4.82)
ind seama de relaiile (4.5), (4.67) i (4.77) rezult:

g mb = g m ,
(4.83) . (4.84)
unde:
U P = U SB 2
2 f + U SB
Valorile tipice ale parametrului sunt ntre 0,1 i 0,3.

G D B
Fig. 4.31. Circuitul echivalent de semnal mic al unui TEC-MOS la care substratul nu este conectat la surs.
u gs
g m u gs
S
rd
g mb ubs
ubs
n figura 4.31 este prezentat modelul tranzistorului MOS care include efectul de substrat; acest model se va utiliza atunci cnd sursa nu este legat la substrat.
4.5.4
Circuitul echivalent pentru domeniul frecvenelor nalte
Prin introducerea n circuitul echivalent de joas frecven a capacitilor parazite dintre gril i surs Cgs i dintre gril i dren Cgd , rezult circuitul echivalent din figura 4.32, care modeleaz satisfctor comportarea TEC la frecven nalt.
G Cgs Cgd D
Fig. 4.32. Circuitul echivalent de nalt frecven la semnal mic al unui TEC-MOS (substratul este conectat la surs i capacitatea dren-substrat este neglijat).
u gs
g m u gs
S
rd
Efectul capacitiv al grilei

Efectul capacitiv al grilei poate fi modelat de capacitile Cgs i Cgd , care se pot calcula astfel: 1. Dac TEC-MOS funcioneaz n regiunea neliniar (de tip triod) la tensiuni uDS mici, canalul are o grosime uniform (ntre surs i dren) i capacitatea grilei poate fi modelat prin mprirea egal ntre sursa i drena tranzistorului:
C gs = C gd = 1 WLC ox (n regiunea neliniar). 2
(4.85)
199
Aceast aproximaie se poate aplica cu rezultate bune pentru operarea n regiunea de tip triod, chiar dac tensiunea uDS nu este mic.
2. Dac TEC-MOS este n saturaie, atunci grosimea canalului la captul dinspre dren se reduce la zero (conform figurii 4.25), Cgd este nul i ntreaga capacitate a grilei se regasete n Cgs :
C gs = 2 WLC ox , C gd = 0 (n saturaie). 3 C gs = C gd = 0 (n blocare).
(4.86)
3. Dac TEC-MOS este blocat, canalul dispare i ca urmare ambele capaciti sunt nule: (4.85)
4. n toate formulele precedente mai trebuie adugat o componenta capacitiv mic datorat extinderii difuziei de dren i de surs sub oxidul grilei. Dac lungimea acestei suprapuneri este notat cu Lov (de la overlap) atunci aceste capaciti suplimentare (de suprapunere) sunt:
C ov = WLov C ox .
(4.85)
Valoarea tipic: Lov = 0,1 0,2 m; aceata poate fi o fracie semnificativ a lungimii canalului n cazul tehnologiilor CMOS moderne, sub-micronice.
4.5.5
Frecvena de tiere a tranzistorului
Funcionarea tranzistorului la frecvene nalte este influenat de capacitile circuitului echivalent din figura 4.32. Performanele de frecven ale tranzistorului sunt specificate prin valoarea frecvenei de tranziie fT. Aceasta este frecvena la care ctigul n curent n condiii de scurtcircuit la ieire, n conexiunea surs comun, devine unitar. Se poate observa c definiia este identic cu cea de la tranzistorul bipolar. n figura 4.33 se prezint modelul de nalt frecven a tranzistorului MOS cu sursa conectat ca terminal comun intrrii i ieirii. Pentru a determina ctigul n curent la scurt-circuit, la intrare se aplic o surs de curent alternativ i se scurtcircuiteaz terminalele de ieire.
Cgd
Fig. 4.33. Determinarea frecvenei de tiere fT , circuitul echivalent de semnal mic.
ig
u gs
Cgs
g m u gs
rd
id
T1K aplicate n colector i n baz permit calcularea amplificrii complexe:

I d = g m j C gd U gs g m U gs I g = j (C gs + C gd ) U gs Id gm ; I g j (C gs + C gd )
(4.86)
(4.87)
Din (4.87) rezult pulsaia i frecvena de tiere a tranzistorului pentru care ctigul n curent devine unitar:
T =
gm C gs + C gd
sau
fT =
gm 1 . 2 C gs + C gd
(4.88)
Deoarece frecvena fT este direct proporional cu panta gm i invers proporional cu capacitile interne ale tranzistorului, Cgs i Cgd, o valoare mai mare pentru fT indic o amplificare
200
mai eficient la nalt frecven (realizat cu tranzistorul respectiv). Valorile tipice ale frecvenei de tranziie sunt de la circa 100 MHz (la tehnologiile mai vechi) pn la valori de zeci de GHz la tehnologiile moderne (submicronice).
4.6 TEC-MOS DE PUTERE, D-MOS

n acest subcapitol se va prezenta structura i caracteristicile tranzistoarelor MOS de putere. Se va prezenta n detaliu structura DMOS. O alt structur care merit amintit, dar nu va fi prezentat n detaliu, este tranzistorul MOS cu canal n V, utilizat naintea descoperirii structurii DMOS. Aceste tranzistoare au fost nlocuite de tranzistoarele DMOS, cu excepia unor aplicaii speciale de nalt frecven.
4.6.1
Structura D-MOS
Tranzistorul MOS cu canal indus prezentat anterior (n paragraful 4.4.2) nu este potrivit pentru aplicaiile de mare putere. Curentul de dren al unui tranzistor MOS cu canal indus de tip n n saturaie este:
k W iD = n 2 L 2 (uGS U P ) .
(4.81)
Pentru a mri curentul tranzistorului MOS trebuie ca acesta s aib o lime W ct mai mare i o lungime L ct mai mic. Reducerea lungimii la structura MOS standard duce la o micorare accentuat a tensiunii de strpungere. Ca urmare un astfel de dispozitiv nu va putea controla tensiuni ridicate, specifice aplicaiilor de putere. De aceea, sunt utilizate structuri speciale pentru a obine tranzistoare MOS cu canal scurt (1..2 micrometri) cu o tensiune de strpungere mare. Cea mai utilizat structur pentru tranzistorul MOS de putere este tranzistorul cu dubl difuzie sau DMOS prezentat n figura 4.31. Dispozitivul este fabricat pe un substrat de tip n slab dopat, cu regiunea inferioar puternic dopat pentru contactul de dren. Se realizeaz dou regiuni difuzate, una pentru regiunea bazei de tip p si cealalt pentru regiunea sursei de tip n.
Sursa Grila
SiO2
n+ p+
Substrat n
Surs n+ p+
L _
Baz
n+
Fig. 4.32. Circuitul echivalent de nalt frecven la semnal mic al unui TEC-MOS (substratul este conectat la surs i capacitatea dren-substrat este neglijat).
Curgerea curentului
Drena
Tranzistorul DMOS functioneaz astfel: La aplicarea unei tensiuni pozitive pe gril uGS , mai mare dect tensiunea de prag UP, apare un canal lateral de tip n n regiunea bazei de tip p imediat sub stratul de oxid al grilei. Canalul care rezult astfel este scurt, cu lungimea notat cu L n figur. Curentul este produs de electronii de la surs care se deplaseaz prin canalul scurt spre substrat i apoi vertical prin substrat spre dren. Conducia vertical a curentului este diferit de conducia lateral care apare la un tranzistor MOS standard, de semnal mic.
4.6 TEC-MOS DE PUTERE, D-MOS
201
Cu toate c tranzistorul are un canal scurt, tensiunea de strpungere poate fi foarte mare (pn la 600 V) deoarece regiunea golit de purttori dintre substrat i baz se extinde n principal n zona slab dopat a substratului i nu n canal. Tranzistorul MOS rezultat poate controla un curent mare (50 A sau chiar mai mult) avnd n acelai timp i o tensiune de strpungere mare. Un avantaj suplimentar al structurii verticale este utilizarea eficient a ariei de siliciu.
4.6.2
Caracteristicile statice ale tranzistoarelor MOS de putere
Chiar dac structura tranzistoarelor MOS de putere este diferit, caracteristicile statice sunt similare cu cele ale TEC MOS de semnal mic. n continuare vor fi prezentate diferenele care apar. Tranzistoarele MOS de putere au tensiunea de prag de 2 la 4 V, ceea ce permite comanda acestora cu tensiuni digitale de tip TTL. n saturaie, apare o relaie ptratic ntre curentul de dren i tensiunea de gril uGS . Dup cum se poate observa n figura 4.33 caracteristica de transfer iD-uGS devine liniar pentru valori mari ale tensiunii uGS . Poriunea liniar a caracteristicii de transfer apare datorit valorii mari a cmpului electric care apare n canalul scurt i care conduce la atingerea limitei superioare sau saturaia vitezei purttorilor de sarcin. n aceste condiii curentul de dren este:
iD = 1 Cox W Vsat (uGS U P ) , 2
(4.81)
Vsat este valoarea de saturaie a vitezei (5 . 106 cm/s la electroni n siliciu). n zona liniar a caracteristicii de transfer, transconductana gm este constant i proporional cu W; deoarece limea W are o valoare mare la tranzistoarele de putere, tranzistoarele MOS de putere vor avea o valoare mare a transconductanei. iD
Linear
Fig. 4.33. Caracteristica de transfer tipic a unui tranzistor MOS de putere
Dependen ptratic
UT
Exponenial (sub prag)
uGS
4.6.3
Efecte ale temperaturii
La proiectarea circuitelor de putere cu tranzistoare MOS prezint interes comportarea acestora cu temperatura prezentat n figura 4.34. Se poate observa c la o anumit valoare a tesniunii uGS (4...6 V la majoritatea tranzistoarelor MOS de putere) coeficientul de temperatur a curentului iD este nul. Pentru valori mai mari ale tensiunii uGS , iD are un coeficient de temperatur negativ; ca rezultat tranzistoarele MOS nu prezint fenomenul de ambalare termic pentru cureni mari.
202
iD (A) 5
4 3 2 1 0 +125C
Fig. 4.34. Caracteristica de transfer a unui tranzistor MOS de putere (IRF 630) la diferite temperaturi ale capsulei
UDS = +15 V
Punct cu coeficient de temperatura nul
55C
+25C
uGS (V) 1 2 3 4 5 Ambalarea termic este totui posibil n zona curenilor mici (pentru coeficieni de temperatur pozitivi). Coeficientul de temperatur al iD este pozitiv n domeniul curenilor mici deoarece este determinat de coeficientul de temperatur negativ al tensiunii de prag UP (cu valori de -3 la -6 mV/grdC).
4.6.4
Comparatia cu tranzistoarele bipolare
Tranzistoarele de putere MOS nu au nevoie de curenii mari de comand din baza tranzistoarelor bipolare. Pe de alt parte circuitul de comand al tranzistorului MOS de putere trebuie s fie capabil s furnizeze un curent suficient de mare pentru incrcarea / descrcarea capacitii de intrare (care are o valoare mare i neliniar) n timpul disponibil. n plus tranzistoarele MOS de putere permit o frecven de operare mai ridicat dect tranzistoarele bipolare de putere. Aceste proprieti fac tranzistoarel MOS de putere potrivite pentru aplicaiile de comutaie, de exemplu n cazul circuitelor de control a motoarelor electrice.
4.7 MODELUL SPICE AL TEC-MOS

Consideraiile generale referitoare la modelare i la programul de simulare SPICE care au fost prezentate n subcapitolul 2.6 (despre modelarea diodelor n SPICE) se aplic i tranzistoarelor MOS i nu vor mai fi reluate. n continuare este prezentat unul dintre modelele utilizate de simulator pentru tranzistoarele MOS. Cel mai simplu model utilizat n SPICE este modelul LEVEL=1. La acest model sursa de curent iDS este controlat de uGS conform relaiilor date la modelul tranzistorului (4.64) pentru regiunea neliniar i (4.65) pentru saturaie. Modelul SPICE semnal mare al TEC-MOS cu 3 terminale (cu substratul legat la surs) are la baz schema echivalent din figura 4.35. Modele SPICE pentru TEC-MOS mult mai complexe, care incorporeaz i efecte de otrdinul doi sunt descrise n ANEXA A a lucrrii [*] (A.Vladimirescu SPICE, 1999). rD
G CGD CGS D
uGS
iDS rS
S
Fig. 4.35. Modelul de semnal mare al TEC cu 3 teminale folosit n SPICE.
4.8 BIBLIOGRAFIE
203
Dup cum se poate vedea din figur, modelul SPICE include rezistenele ohmice ale drenei i sursei: rD i rS . Funcionarea dinamic a tranzistorului este modelat de cele dou capaciti CGS i CGD . Valorile acestor capaciti se calculeaz n funcie de dimensiunile geometrice ale TECMOS, W i L, indicate la declararea tranzistorului MOS. La tranzistoarele din circuitele integrate se utilizeaz i capacitile neliniare dintre substrat (baz) i cele trei terminale: CBD , CBS , CBG , care nu sunt incluse n figura precedent. Cei mai importani parametrii ai TEC-MOS sunt dai n tabelul 4.1.
Tab. 4.1. Parametrii mai importani ai modelului de tranzistor MOS din SPICE
Numele SPICE VTO KP GAMMA PHI LAMBDA RD RS
Parametrul modelului Tensiunea de prag Parametrul de transconductan Factorul de substrat Potenialul la suprafa Parametrul de modulaie a lungimii canalului Rezistena serie din dren Rezistena serie din surs
Simbol
UP kn
Unitatea de msur V AV2 V1/2 V V1

Valoarea Exemplu predefinit 0 2.0 x 105 0 0.6 0 0 0 1 1.0E3 0.5 0.7 1.0E4 10 10
kn
RD rS
4.8 BIBLIOGRAFIE
[14] Sedra S.Adel, Kenneth C.Smith Microelectronic circuits, Oxford University Press, New York,, 4-th Edition 1998; [15] Paul R.Gray, Robert G.Meyer - Circuite integrate analogice, Analiz i proiectare, Editura Tehnic, Bucureti, 1997; [16] Keneth R.Laker, Willy M.C.Sansen Design of analog integrated circuits and systems, McGraw-Hill Book Co. Singapore, 1994; [17] * * * Data on Disk - ST Microelectronics, Italy, 1998; [18] Andrei Vladimirescu - SPICE, Editura Tehnic, Bucureti, 1999;

Electronica Analogica, Dispozitive Si Aplicatii

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronica Analogica, Dispozitive Si Aplicatii

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Adrian Virgil CRCIUN

Editura Universitii Transilvania din Braov 2010

Toate drepturile rezervate Editur acreditat de CNCSIS

Adresa nr.1615 din 29 mai 2002

1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT ........................................................................................ 6

1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT ....................................... 10

1.4 CIRCUITE ECHIVALENTE I TEOREME DE ECHIVALEN ......................................... 14

1.5 NOIUNI ELEMENTARE DE SEMNALE ELECTRICE ................................................... 16

1.6 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 18 CAP. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE......................................................................... 19

2.1 NOIUNI FUNDAMENTALE ................................................................................... 19

2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE............................................................... 21

2.3 NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR - JONCIUNEA PN............................... 43

2.4 POLARIZAREA DIODEI N CIRCUIT ........................................................................ 51

2.5 DIODA STABILIZATOARE..................................................................................... 57

2.6 DIODA N REGIM DINAMIC ................................................................................... 63

2.7 MODELAREA DIODEI N SPICE........................................................................... 67

2.8 DIODE SPECIALE............................................................................................... 76

2.9 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 81 CAP. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE ........................................................................... 82

3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE ................................................................................... 82

3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR ........................................................... 87

3.3 CIRCUITE DE POLARIZARE ............................................................................... 100

3.3.6 Determinarea psf la circuitele cu mai multe tranzistoare ............................................................. 105

3.4 TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC .................................................................... 107

3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR ........................................ 111

3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI ............................................ 123

3.7 CARACTERISTICI ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR ................................................ 134

3.8 ELEMENTELE SUPLIMENTARE ALE MODELULUI DE SEMNAL MIC ............................ 140

3.9 MODELAREA TB N SPICE.............................................................................. 153

3.10 BIBLIOGRAFIE................................................................................................. 158 CAP. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP....................................................... 159

4.1 NOIUNI FUNDAMENTALE ................................................................................. 159

4.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP............................. 163

4.3 CIRCUITE DE POLARIZARE ............................................................................... 175

4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE ....................................................................... 183

4.5 REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC LA TEC ...................................................... 194

4.6 TEC-MOS DE PUTERE, D-MOS...................................................................... 200

4.7 MODELUL SPICE AL TEC-MOS ..................................................................... 202 4.8 BIBLIOGRAFIE................................................................................................. 203

CAP. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

Analiza i sinteza circuitelor electrice

Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

Principiile generale ale modelrii

1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT

1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT

Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT

Sursa ideal de tensiune i sursa ideal de curent

Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT

1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT

Rezistene n paralel i divizorul de curent

Circuite cu mai multe surse teorema superpoziiei

Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

S se determine curenii prin circuitul din figura 1.4.a.

Circuitul RC n regim tranzitoriu

1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT

sau altfel scris

Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

1.4 CIRCUITE ECHIVALENTE I TEOREME DE ECHIVALEN

Echivalarea unui uniport pasiv cu o rezisten

1.4 CIRCUITE ECHIVALENTE I TEOREME DE ECHIVALEN

Teoremele lui Thvenin i Norton

Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE

1.5 NOIUNI ELEMENTARE DE SEMNALE ELECTRICE

Fig. 1.9. Exemplu de semnal: a) analogic, b) discret.