INTRODUCERE

Tranzistorul este un convertor static din categoria semiconductoarelor folosit pentru a

amplifica și comuta semnale electrice și putere electrică. .Tranzistoarele pot fi folosite în
echipamente electronice precum: amplificatoare, modulatoare, demodulatoare, filtre, etc.
Tranzistorul bipolar cu poartă izolată (IGBT), a fost introdus la începutul anilor 1980, devenind
un dispozitiv de success datorită caracteristicilor sale superioare. IGBT este un dispozitiv
semiconductor cu 3 terminale care este utilizat pentru a controla energia electrică. Multe aplicații
noi nu ar fi fost puse în practica dacă nu ar fi apărut IGBT-ul.

Înainte de apariția IGBT, tranzistoarele cu joncțiune bipolară de putere (BJT) și

tranzistoarele tip metal oxid semiconductor cu efect de câmp (MOSFET) au fost utilizate pe
scară largă în aplicații de joasă , medie și de înaltă frecvență, unde viteza tiristoarelor nu a fost
adecvată . BJT-urile de putere au caracteristici bune în timpul funcționării, însă au timpi mari de
comutare, în special la oprire. Acestea sunt dispozitive controlate cu curent, având o mare
capacitate de blocare a tensiunii. Așadar, pentru a asigura curentul de bază în timpul functionarii
ele necesită circuite complexe de bază, fapt care duce la cresterea pierderilor de putere. Pe de altă
parte, MOSFET-urile de putere sunt dispozitive controlate de tensiune, care necesită un curent
foarte mic în timpul perioadei de comutare , prin urmare, au cerințe simple de acționare a porții.
MOSFET-urile de putere sunt dispozitive de transport, care prezintă viteze foarte mari de
comutare. Dar natura unipolară a puterii MOSFET-urilor generează caracteristici inferioare de
conducție, deoarece tensiunea nominală crește peste 200V. S-a convenit la integrarea fizică a
MOSFET-ului și a BJT-ului în aceeași regiune a semiconductorilor. Astfel au luat naștere
IGBT-urile, dispositive cu caracteristici superioare de stare, cu o viteză de comutare mai bună și
cu o operare sigură. Acestea înlocuiesc MOSFET-urile în aplicațiile de înaltă tensiune având un
avantaj important si anume prezintă pierderi reduse de conducție. Un alt avantaj il reprezintă
faptul că pentru puteri nominale similare IGBT-urile au o suprafață de siliciu mai mică decât
MOSFET-urile. Prin urmare IGBT-urile sunt folosite pentru a înlocui MOSFET-urile de putere
deoarece prezintă o eficacitate ridicată și costurile sunt reduse.
 În această lucrare se va discuta despre studiul, modelarea și simularea unor circuite
electrice utilizând tranzistorul IGBT. Lucrarea este împărțită în patru capitole.

În primul capitol se vor regăsi noțiuni generale despre dispozitivul semiconductor IGBT.
Noțiunile generale despre care s-a discutat sunt: structura și funcționarea de bază a IGBT-ului,
comutarea IGBT-ului, principalii parametri, modele de circuite cu IGBT.

În capitolul doi se vorbește despre utilizări ale IGBT-ului. Acesta este folosit cel mai
frecvent în invertoare, convertoare curent continuu - curent continuu (choppere de curent
continuu, convertoarele Buck, Boost, Buck-Boost, Cuk). Acesta poate fi folosit și la turbinele
eoliene, la convertoarele de putere dispuse pe mai multe niveluri, etc.

În capitolul trei se regăsesc informații generale despre Matlab, Simulink și

SimPowerSystems. De asemenea în acest capitol s-a creat un nou model în Simulink fiind
prezentați toți pașii privitori la realizarea acestui model. De asemenea sunt redate librariile de
unde sunt luate componentele modelului.

În capitolul patru s-au realizat simulari a unor circuite folosind IGBT. S-au realizat
simulări pentru chopper-ul într-un cadran, în două cadrane și în patru cadrane. În cadrul fiecărui
model s-au realizat diferite teste prin modificarea parametrilor de ieșire.