Relee statice construite cu tranzistoare MOS-FET

Releele electomagnetice au fost inventate cu mult inaintea componentelor semiconductoare (diode,

tranzistoare etc.) ns cu toate acestea nc sunt des folosite n practic. Principalul motiv pare a fi
faptul c releul electromagnetic este perceput ca fiind singurul dispozitiv care poate manipula
simplu cureni electrici alternativi. ns, dup un mic studiu documentar i unul experimental am
aflat c tranzistoarele MOS-FET, legate corespunztor, pot i ele conduce cureni alternativi. Aa c
astzi i voi arta cum poi folosi acest lucru pentru a obine relee statice, adic o alternativ mai
ieftin, mai fiabil i mai versatil dect aceea a utilizrii de relee electromagnetice.
Ce este un releu electromagnetic ?
Ce este un tranzistor MOS-FET ?
Relee statice avantaje/dezavantaje.
Relee statice cu componente discrete.

nainte de a atinge miezul problemei vreau s m asigur c nelegi modul de funcionare a

componentelor aflate n discuie. Aa c:

Ce este un releu electromagnetic ?

Ca sens general, un RELEU electric este un dispozitiv de transmitere a informaiei ntre un circuit
de mic putere i unul de mare putere. Releele electrice sunt folosite aproape exclusiv ca i
ntreruptoare electrice comandate electric: n funcie de prezena sau lipsa semnalului aplicat
circuitulului de intrare, circuitul de ieire devine nchis sau deschis.
n ceea ce privete releul electromagnetic, aa cum se observ i din figura 1, acesta este format din:
un electromagnet (o bobin realizat pe un miez de fier). Bornele electromagnetului
reprezint bornele circuitului de intrare a releului;
un set de ntreruptoare electrice. Bornele acestora reprezint bornele circuitului de ieire a
releului.
 Figura 1. Funcionarea releului electromagnetic.
Principiul de funcionare a releului electromagnetic este simplu:
n stare normal (atunci cnd nu se aplic nici o tensiune ntre bornele de intrare), lamela
violet din figura 1 este meninut de un arc ntr-o poziie de repaos. n acest caz circuitul de
ieire al releului este deschis (nu poate trece curent electric prin el);
atunci cnd ntre bornele de intrare se aplic o tensiune suficient de mare, electromagnetul
releului atrage lamela violet din figura 1 nchiznd circuitul de ieire al acestuia.
Aa cum am menionat i mai sus, principalul avantaj al releului electromagnetic este acela c poate
fi folosit att n lucrul cu curent continuu ct i n lucrul cu curent alternativ. Ba chiar pn i
semnalul de intrare poate fi reprezentat de o tensiune alternativ. n plus, ofer avantajul separrii
complete a circuitului de intrare de cel de ieire, fapt deosebit de important atunci cnd circuitul de
ieire lucreaz cu tensiuni mari i nu doreti ca riscul electrocutrii s se transmit i n circuitul de
intrare.
Toate par bune i frumoase pn ajungem la capitolul dezavantaje:
la fel ca orice alte componente mecanice, contactele releului se uzeaz n timp;
electromagnetul releului consum o anumit cantitate de energie electric care uneori nu
poate fi neglijat. Un exemplu frecvent este cazul n care dorim s comandm releul de la
montaje de foarte mic putere (cum ar fi de exemplu cele cu microprocesor);
sunt voluminoase (ocup mult spaiu pe PCB);
sunt mult mai lente decat dispozitivele semiconductoare. n cazul n care este vorba de un
circuit de protecie, releul electromagnetic poate deconecta circuitul protejat mult prea
trziu, cnd acesta s-a defectat deja;
produc scntei. Din acest motiv, releele destinate lucrului n atmosfere cu potenial exploziv
trebuie s aibe o construcie special i implicit sunt mai scumpe.
Ce este un tranzistor MOS-FET ?
Un tranzistor MOS-FET este n esen un sandwich alctuit din dou straturi numite Surs (S) i
Dren (D) fabricate din acelai material (zonele verzi din figura 2). Sursa i drena sunt separate de
un al treilea strat fabricat dintr-un material diferit. Perpendicular pe aceste straturi dar izolat electric
de acestea, este amplasat o foi metalic numit Poart (P) sau Gril (G) (zona galben din figura
2). n mod normal curentul electric nu poate circula ntre surs i dren. Cnd ns ntre poart i
surs este aplicat o tensiune de circa 4 10 V, ntre surs i dren apare o bre, un canal, prin
care curentul electric poate circula. Dac vrei mai multe detalii despre acest subiect am scris aici un
articol mult detaliat pe aceasta tem.

Figura 2. Structura unui tranzistor MOS-FET cu canal N.

Revenind la ce ne intereseaza pe noi acum, faptul c sursa i drena sunt fabricate din aceleai
materiale ne conduce la concluzia c n acest caz nu are cine s creeze vreun efect de supap
(specific jonciunilor PN). Asta practic nseamn c atunci cnd MOS-FET-ul este comandat
corespunztor, curentul electric poate circula att de la surs la dren ct i invers. Aceast
concluzie ne sugereaz faptul c tranzistoarele MOS-FET pot comanda cureni electrici alternativi
i implicit pot nlocui cu succes releele electromagnetice.
Relee statice avantaje/dezavantaje.
Chiar dac eu abia ieri m-am gndit mai atent la concluzia de mai sus, muli fabricani de
componente electronice mi-au luat-o nainte i de ani buni produc aa zisele Relee Statice sau Solid
State Relay (denumirea din limba englez).
Aa cum probabil c bnui deja, un releu static este un releu fabricat doar cu componente
semiconductoare (tranzistoare, tiristoare, diode etc.). Denumirea de static vine de la faptul c nu are
nici o component n micare, comutarea (trecerea) din starea nchis/deschis i invers fcndu-se
prin intrarea sau ieirea din conducie a unor dispozitive semiconductoare. Acest lucru conduce la
urmtoarele avantaje:
fiabilitate foarte mare. Practic, utilizate corespunztor, releele statice nu au moarte;
vitez de comutaie foarte mare motiv pentru care pot fi folosite cu succes n circuite de
protecie cu aciune rapid;
volum specific mai mic dect n cazul releelor electromagnetice;
sensibilitate foarte redus la vibraii sau ocuri mecanice, temperaturi extreme, umiditate,
praf etc.;
nu produc scntei, motiv pentru care pot fi folosite fr probleme i n atmosfere cu potenial
exploziv.
Urmrind preurile de aici, pot spune c principalul dezavantaj al releelor statice este faptul c sunt
mai scumpe dect releele electromagnetice. Motivul nu-l tiu. Probabil tehnologia de fabricaie nu a
ajuns nc la maturitate sau cine tie.
Alte dezavantaje importante ar fi:
de multe ori rezistena de contact (rezistena electric din starea nchis) este mai mare
dect n cazul unui releu electromagnetic. Din acest motiv, n releul static pot apare pierderi
importante sub form de cldur;
nu ofer ntotdeauna o separare complet a circuitului de intrare de cel de ieire.

Nu este cazul s ne descurajm de dezavantajele menionate mai sus pentru c acestea sunt valabile
doar pentru releele statice disponibile n magazinele de specialitate. n continuare vom vedea cum
putem scpa uor i ieftin de multe din dezavantajele menionate mai sus construind noi nine relee
statice, folosind componente discrete.

Relee statice cu componente discrete.

Acestea ar putea fi foarte simplu de construit utiliznd un simplu tranzistor MOS-FET. Aa cum se
observ i din figura 3, poarta i sursa MOS-FET-ului ar fi bornele circuitului de intrare iar drena i
sursa ar fi bornele circuitului de ieire.

Figura 3. Schem de releu static construit cu un tranzistor MOS-FET.

n practic ns, apare o mare problem: marea majoritate a tranzistoarelor MOS-FET au ntre surs
i dren montat o diod. Cu alte cuvinte, n realitate schema din figura 3 ar arta aa ca n figura 4.

Figura 4. Schem de releu static construit cu un tranzistor MOS-FET frecvent ntlnit n comer.
Varianta de releu din figura 4 va funciona corect doar atunci cnd tensiunea aplicat n circuitul de
ieire polarizeaz dioda n sens invers, blocnd-o complet (caz n care dioda este ca i cum nici nu
ar exista). Cnd ns pe bornele circuitului de ieire apare o tensiune care polarizeaz dioda n mod
direct, aceasta se deschide i las s treac curent prin circuitul de ieire indiferent dac aplicm sau
nu un semnal in circuitul de intrare. n concluzie, schema din figura 3 nu va funciona corect n
curent alternativ.
Pentru a scpa de aceast problem, prima dat m-am gndit s caut MOS-FET-uri care nu au n
capsul acea diod afurisit. Nu am gsit asa ceva printre tranzistoarele MOS-FET ieftine sau mcar
acceptabile ca pre iar printre cele prea scumpe nu avea rost s caut. Aa c m-am decis s mi
imaginez o schem care s rezolve n alte moduri problema diodei. Rezultatul este prezentat n
figura 5.

Figura 5. Schem de releu static cu componente discrete.

Se observ c am folosit dou tranzistoare MOS-FET cu canal N montate astfel nct indiferent de
polaritatea tensiunii aplicate circuitului de ieire, diodele fiecruia s nu poat conduce singure
curent electric. Datorit modului lor de funcionare, tranzistoarele MOS-FET pot rmne activate
doar de ctre sarcina electric acumulat ntre poart i surs. Pentru a ne asigur c aceast sarcin
este eliminat complet atunci cnd nu aplicm nici un fel de semnal de intrare, am montat ntre pori
i surse cte o rezisten (R1 i R2).

n continuare n schem observm prezena unui tranzistor PNP (T3) i a unei diode (D). Pentru a
nelege rolul lor cel mai bine este s prezentm cum se comport schema n cele 4 situaii posibile:
prezena semnalului de intrare ( > 10V), tensiune pozitiv aplicat la ieire (+ pe
sursa lui T1 i - pe sursa lui T2). n acest caz, semnalul de intrare trece prin jonciunea
EB a lui T3 i ajunge n poarta lui T2 care astfel se satureaz (se deschide complet). Avnd
curent prin jonciunea EB, tranzistorul T3 va conduce curent i prin jonciunea EC i implicit
va livra tensiunea de intrare i pe poarta tranzistorului T1 (bineneles, prin dioda D). Dac
T2 se satureaz, asta nseamn c dioda acestuia este untat (scurtcircuitat) i c dioda lui
 T1 are acum catodul legat la - , adic este polarizat direct i deci va conduce curent
electric. Cum o diod n conducie are pe ea circa 0,7V, asta nseamn c pe sursa lui T1 vom
aveam 0,7V iar pe poarta acestuia aproape 10V. Vom avea deci circa 9V ntre sursa i drena
lui T1, tensiune suficient de mare pentru a comanda saturarea acestuia. n acest mod, T1 i
T3 sunt saturate i deci circuitul de ieire este nchis;
prezena semnalului de intrare ( > 10V), tensiune negativ aplicat la ieire (- pe
sursa lui T1 i + pe sursa lui T2). Lucrurile se petrec similar cazului precedent.
Tensiunea de intrare ajunge prin T3 n poarta lui T2 comandnd astfel saturarea acestuia. n
urmtoarea fraciune de secund T1 va avea pe poart circa 10V (adui prin intermediul lui
T3 i D) iar pe surs o tensiune negativ, caz n care T1 va intra imediat in saturaie. n acest
caz, din nou, T1 i T2 sunt saturate i deci circuitul de ieire este nchis;
lipsa semnalului de intrare ( <0,5V ), tensiune pozitiv aplicat la ieire (+ pe sursa
lui T1 i - pe sursa lui T2). De aceast dat nu mai are de unde s apar vreo tensiune
care s-l poat deschide pe T3. Din acest motiv ctre porile lui T1 i T2 nu poate circula nici
un fel de curent electric i implicit acestea rmn blocate (nu conduc curent electric). n
aceast situaie prezena diodei D capt sens: fr ea, tensiunea pozitiv de pe sursa lui T1
s-ar transmite prin R1 i jonciunea CB a lui T3 pn n poarta lui T1 comandnd astfel
deschiderea acestuia. n acest caz tragem concluzia c T1 i T2 sunt complet blocate i deci
circuitul de ieire este nchis;
lipsa semnalului de intrare ( <0,5V ), tensiune negativ aplicat la ieire (- pe sursa
lui T1 i - pe sursa lui T2). Fr semnal de intrare T3 nici de aceast dat nu poate livra
nimic nimnui. Porile lui T1 i T2 rmn conectate doar la surse prin rezistenele R1 i R2
care elimin rapid orice eventual reminiscen a semnalului aplicat la intrare. T1 i T2 sunt
complet blocate i deci circuitul de ieire este nchis.
Alegerea valorilor componentelor din figura 5 se face n modul urmtor:
pentru T1 i T2, caui dou tranzistoare MOS-FET cu canal N care s suporte tensiunile i
curenii cu care viitorul releu static va trebui s lucreze. Te poi inspira de aici;
pentru T3, faci rost de un tranzistor PNP care s suporte ntre colector i emitor (VCE)
tensiuni mai mari dect tensiunea de lucru a viitorului releului static;
pentru R1 i R2 i recomand s alegi valori de 10K;
avnd n vedere specificaiile majoritii MOS-FET-urilor, pentru o funcionare sigur releul
static din figura 5 trebuie comandat cu minim 8-9Vcc (Vcc tensiune continu) i maxim
15-16Vcc.
Un lucru foarte important de care trebuie s ii cont atunci cnd alegi MOS-FET-urile este rezistena
de saturaie (rezistena ntre surs i dren atunci cnd tranzistorul este saturat). Dac vrei s
construieti un releu static care s suporte peste 10A este bine s te orientezi ctre MOS-FET-uri
care au rezistena de saturaie mai mic de 100m (0,1 ). n caz contrar MOS-FET-urile se pot
nclzi att de mult nct nu le vei putea folosi dect montate pe radiatoare de rcire din aluminiu.
Prezena diodei n capsula MOS-FET-urilor comerciale a complicat puin schema de realizare a unui
releu static cu componente discrete. De aceea schema din figura 5 presupune costuri de dou ori
mai mari dect varianta din figura 3. ns chiar i aa, din punct de vedere al preului, releul static
cu componente discrete rmne o opiune foarte tentant.
Exemplu:
ntr-un proiect de sistem audio aveam nevoie de un releu care s-mi deconecteze boxele n
caz de avarie. Era vorba de maxim 10A i maxim 60V de voli i astfel am ales s folosesc
acest releu cu contacte duble: FINDER 40.52.9.012.0000, care luat de pe net cost circa 9 lei
(fr TVA);
a fi putut nlocui acel releu cu unul static construit cu 4 buci MOS-FET-uri AP9987GJ, 4
rezistene de 10K i 2 tranzistoare 2N3906. Aceast variant m-ar fi costat mai puin de 5 lei
(fr TVA).
Menionez c schema din figura 5 nu ofer o separare complet ntre circuitul de intrare i cel de
ieire. Asta nseamn c dac foloseti schema din figura 5 pentru a conecta/deconecta
echipamente alimentate de la priza de 220V/50Hz, bornele circuitului de intrare prezint risc
de electrocutare ! Bineneles, exist soluii i pentru eliminarea acestui dezavantaj (cum ar fi de
exemplu utilizarea unui optocuplor i a unei surse de alimentare auxiliare pentru acesta), ns despre
astfel de mbuntiri ale a schemei vom vorbi cu alt ocazie.
Eu personal inentionez ca n toate proiectele mele viitoare s nu mai folosesc relee
electromagnetice ci doar relee statice construite dup schema din figura 5. Astfel, m astept s obin
proiecte mai ieftine, mai performante i mai durabile.
Pledoaria mea asupra releelor statice cu componente discrete te-a convins ? Atept parerea ta,
indiferent de rspuns !