Fizica Semiconductorilor

Capitolul II
FIZICA SEMICONDUCTORILOR
2.1 Clasificarea materialelor solide în funcţie de rezistivitate
2.2 Benzi de energie în semiconductori
2.3 Electroni şi goluri
2.4 Semiconductorul la echilibru termic
2.5 Semiconductor intrinsec. Semiconductor extrinsec
2.6 Fenomene de transport
2.7 Generarea şi recombinarea e- şi e+
2.8 Ecuaţiile de bază ale dispozitivelor semiconductoare
DE
2.1 Clasificarea materialelor solide în funcţie de

rezistivitate
Proprietăţile electrice ale materialelor variază pe multe ordine de mărime
•Exemplu: rezistivitatea  variază pe 30 de ordine de mărime
•Clasificarea materialelor solide după rezistivitate
–Conductori:   10-3  · cm
–Izolatori:   108  · cm
–Semiconductori: 10-3  · cm    108  · cm
• Semiconductori
• materialul de bază pentru dispozitive electronice şi circuite integrate
• două proprietăţi remarcabile:
a) rezistivitatea poate fi uşor modificată şi precis controlată
b) conducţia curentului e realizată cu 2 tipuri de purtători mobili: e- si e+
DE
+4 +4 +4
Atom de Si
+4 +4 +4
Leg. covalentă
+4 +4 +4
Fig. 2.1a Structura cristalină a Si

DE
T>0
• (a) – ruperea de legături covalente
• (b) – ocuparea golului lăsat de un alt electron dintr-o altă legătură covalentă;
mişcarea unui gol în sens invers
+4 +4
(a) Fig. 2.1b

(b)
+4 +4
DE
Capitolul II
DE

E nivel zero
0
banda de conducţie - BC
banda interzisă Fig. 2.2a
banda de valenţă - BV
• Electronii de valenta – slab legati de atom

(pozitie periferica) – ocupa cele mai apropiate
benzi de E=0, BV si BC
DE
Condiţii de trecere a electronilor de pe un nivel energetic pe altul
• nivelul să fie liber
• comunicarea unei energii suplimentare când se trece pe un nivel superior
• trecerea pe un nivel energetic inferior apare printr-un proces spontan, natural
Conducţie în semiconductori
• mişcarea dirijată a electronilor de valenţă dintr-o zonă în alta a

semiconductorului sub acţiunea unui agent extern, de ex. un câmp electric
• BV şi BC parţial ocupate de e-
• mişcarea dirijată a e- din BC şi/sau locurilor libere ( e+ din BV )
DE
Capitolul II
DE

Două particule "fictive"
• Miscarea electronului ca particula individuala in semiconductor - complet descrisa de
mecanica cuantica
• Conductia curentului electric in semiconductor -fenomen macroscopic, analizata cu legile
mecanicii clasice - doua particule "fictive"
• electronul ( e- ): particulă mobilă de sarcină -q ( q = 1,6  10-19 C ) şi masa
mn  m0 (mn- masa electronului în semiconductor; m0- masa electronului liber )
• e- folosit pentru descrierea mişcării electronilor de conducţie ( din BC )
• golul ( e+ ): particulă mobilă de sarcină +q şi masa mp  mn ( masa golului în

semiconductor )
• e+ folosit pentru descrierea mişcării electronilor de conducţie ( din BV )
• mn si mp depind de natura semiconductorului
DE
energia e- Diagrama energetică
E
Energia cinetică a e- de energie E : E - EC
EC energia potenţială a e-
EG = EC - EV energia benzii interzise
EV energia potenţială a e+
Energia cinetică a e+ de energie E : EV - E
energia e+
Fig. 2.3a
DE
Conducţie în semiconductori
T=0K T>0K
BC BC
e- energy
e- energy
BV BV
e+ energy
e+ energy
DE
Conducţie în semiconductori – analogie hidrodinamică
T=0K
BC
BV
DE
Conducţie în semiconductori – analogie hidrodinamică
T>0K
BC
BV
DE
Probabilitatea de ocupare
• a unui nivel energetic E
1
• pentru un e- : fn E  (2.1a)
 E  EF 
1  exp 
 kT 
• pentru un e+ : f p E   1  f n E  (2.1b)
• energia Fermi : nivelul a cărui probabilitate de ocupare cu e- sau e+ este aceeaşi

1
f n  EF   f p  EF  
2
DE
fn
1
1
2
E
EF
Fig. 2.3b
• la T = 0 K nivelele energetice situate sub nivelul Fermi sunt ocupate, iar

cele peste EF sunt libere
• la T > 0 K funcţia de probabilitate nu mai variază abrupt
DE
Capitolul II
DE
Echilibru termic pentru un semiconductor
• nu e sub incidenţa unui câmp electric sau magnetic, radiaţii luminoase sau nucleare
• temperatura uniformă în tot volumul său
Ecuaţia de echilibru
n0 p0  ni2  const (2.2)
ni - concentraţie intrinsecă
DE
Concentraţiile de e- şi e+ la echilibru
 EC  EF 
n0  N C exp    (2.3a)
 kT 
 EF  EV 
p0  NV exp    (2.3b)
 kT 
NC / NV - densităţile de stări energetice din BC / BV

3 3
 
19 T 
2 2
19  m p T 
N C  2 ,5  10  mn NV  2 ,5  10 
m T   m0 T0 
 0 0  
Pentru Si la 300K : NC = 2,8 * 1019 cm-3 NV = 1,07 * 1019 cm-3
DE
Neechilibru
 EC  EFn 
n  N C exp    (2.4a)
 kT 
 EFp  EV 
p  NV exp   

(2.4b)
 kT 
EFn / EFp : cvasi-nivele Fermi pentru e- / e+
DE
Capitolul II
DE
2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
2.5 Semiconductor intrinsec. Semiconductori extrinseci

Semiconductor intrinsec
• semiconductor lipsit de impurităţi
• e- şi e+ în număr egal, provin din ruperea legăturilor covalente
• la echilibru termic: n0  p0  ni (2.5)
Din (2.3a,b) şi Fig. 2.3a

 EG 
3
ni  AT exp  
2
 (2.6)
 2kT 
AT  N C  NV 
3 1
2 2
• A = ct. cu temperatura dar dependenta de material

DE
Semiconductorul EG (eV) ni (cm-3)

Si 1,1 1,50  1010
Ge 0,67 2,40  1013
GaAs 1,43 1,79  106
Tabelul 2.1
EC  EV kT N C EC  EV
Ei   ln  (2.7a)
2 2 NV 2
EF ≈ Ei e situat la mijlocul benzii interzise
DE
Diagrama energetică a semiconductorului intrinsec la echilibru termic
EC
EG

2
Ei = EF
EG

2
Fig. 2.5a
EV
 EF  Ei 
n0  ni exp   (2.3c)
 kT 
 E  EF 
p0  ni exp  i  (2.3d)
 kT 
DE
Semiconductorul de tip n
• Se obţine dotând (dopând) semiconductorul cu impurităţi pentavalente, de

exemplu: P, Sb sau As.
• ND are valori uzuale între 51014 şi 51019 cm-3
• Un atom de impuritate este înconjurat numai de atomii semiconductorului
de bază
• Atomul de impuritate donează un electron de conducţie
• Rezultă ioni pozitivi şi electroni de conducţie
DE
+4 +4 +4
e-
+4 +5 +4
+4 +4 +4
Fig. 2.5b
DE
Într-un semiconductor dopat cu impurităţi pentavalente e- provin din:

(a) - ionizarea impurităţilor; rezultă e- mobili şi ioni pozitivi imobili,
având dispoziţia spaţială a atomilor de impuritate
(b) - ruperea de legături covalente; rezultă perechi de e- şi e+mobili
n0  N D  p0 (2.8a)
Cum n0 p0  ni şi ni << ND
2
ni2
n0  N D p0  (2.8b)
ND
DE
• Exemplu: ND = 1016 cm-3, pentru Si la 300K (ni = 1,51010 cm-3)

n0  1016 cm-3 , p0  2,25104 cm-3
• n0 >> p0 (cu multe ordine de mărime)
• semiconductor de tip n
• din (2.3a) şi (2.8b)
NC
EC  EF  kT ln (2.9a)
ND
• EC –EF < EF - EV
DE
Diagrama energetică a semiconductorului n
(a) (a) (a) (a) (a)

EC
ED
EF
Ei
(b)
EV
Fig. 2.5c
procesul (a) - ionizarea impurităţilor

procesul (b) - ruperea legăturilor covalente
DE
Semiconductorul de tip p
• Se obţine prin doparea cu impurităţi trivalente, de exemplu: B, Ga, In.
• Condiţia de neutralitate:
p0  n0  N A (2.8c)
ni2
p  N n0  (2.8d)
0 A
NA
• p0 >> n0 (cu multe ordine de mărime) semiconductor de tip p
DE
+4 +4 +4
+4 +3 +4
+4 +4 +4
Fig. 2.5b
DE
Diagrama energetică a semiconductorului p
EC
(b)
Ei
EF
EA
EV
(a) (a) (a) (a) (a)
Fig. 2.5e
procesul (a) - ionizarea impurităţilor
procesul (b) - ruperea legăturilor covalente
DE
• din (2.3b) şi (2.8c)
NV
E F  EV  kT ln (2.9b)
NA
• EC - EF > EF - EV
Concluzii
• un semiconductor poate avea şi impurităţi donoare şi acceptoare
ND > NA N*D  N D  N A în relaţiile (2.8a,b) , (2.9a)
NA > ND N *A  N A  N D în relaţiile (2.8c,d) , (2.9b)
DE
• N *A , N *D concentraţii nete de impurităţi
• semiconductor compensat
ND = NA n0  p0  ni
• la temperaturi înalte semiconductor intrinsec
ni T  | ND  NA |
n0  p0  ni
DE
Capitolul II
DE

3kT
 2
 viteză termică
mn
th
Si la 300K, Vth≅107cm/s.
J=0 Fig. 2.6a
Timpul mediu intre doua ciocniri consecutive ζcn, ζcp - 10-12...10-10 s

Distanta este de ordinul a 100Å.
Echilibru termic: J=0

DE
Curentul electric prin semiconductor apare în următoarele două situaţii:
• semiconductorul este sub incidenţa unui câmp electric
curenţi de câmp
• semiconductorul este neuniform dopat; prin difuzia purtătorilor din zonele

puternic dopate spre zonele mai slab dopate
curenţi de difuzie
DE
2.6.1 Curenţii de câmp
2.6.1 Curenţi de câmp
Semiconductor uniform dopat, plasat într-un câmp electric uniform ξ

  q
an  
mn
 n  an cn  cn - Timp mediu intre ciocniri

Se consideră că timpul mediu dintre ciocniri nu este modificat de prezenţa
câmpului electric
Creşterile de viteză sunt anulate de ciocnirile cu reţeaua cristalină
Viteza de drift: 
  n q cn 
  
2 2m n
DE
  q c ,n
 n  n n   (2.10a)
2m n
n- mobilitatea electronilor
  q c , p
 p   p p 
2m p (2.10b)
p - mobilitatea golurilor
Deducerea ecuaţiilor s-a bazat pe legile mecanicii clasice
DE

(b)
Fig. 2.6
Ec
EF
 Ev
(c)
Dacă  are valori reduse, energia cinetică pierdută de electroni şi cedată reţelei
cristaline este suficient de mică pentru a nu încălzi apreciabil reţeaua.
DE
Densitatea curentului de electroni
  
J n ,c   q n n  qnn (2.11a)
Densitatea curentului de goluri
  
J p ,c  qp p  qp p (2.11b)
DE
Densitatea curentului de câmp
  1 
J c  qn n   p p   
  
J c  J n,c  J p ,c
 (2.12a)
Rezistivitatea semiconductorului
1

qnn  p p 
(2.12b)
DE
Mobilitatea electronilor şi golurilor
• Dependenţa de material
T = 300K; NT < 1015 cm-3
 cm2   cm2 
Semiconductorul n   p  
 V  s   V  s
Si 1250 500
Ge 3900 1900
GaAs 8500 400
Tabelul 2.2
DE
• Dependenţa de doparea totală, NT  N D  N A
103 Si
300K
5
μn , μ p
[cm2 /Vs] 2
102 e+
e-
5
2
10
1014 1016 1018
1020
NT [cm-3]
Fig. 2.6c
DE
• Dependenţa de temperatură
μn, μp scad cu temperatura pentru T >200K si NT <1019 cm-3
Observaţii
• Proporţionalitatea dintre vitezele de drift şi câmpul electric nu mai este

valabilă la câmpuri intense, când n şi p devin comparabile cu th.
• La câmpuri intense vitezele de drift se saturează la Si.
DE
Dependenţa experimentală a vitezelor de drift de câmpul electric
107
Siliciu
300K
5
2 νn
νn , νp 106 νp
[cm/s]
5
102 2 5 103 2 5 104 2 5 105
ξ [V/cm]
Fig. 2.6d
DE
Câmp electric mic

•   3  10 3 V cm pentru electroni
 
n ~ 

•   6  10 3 V cm pentru goluri
 
p ~
Câmp foarte intens ( > 3104 V/cm)

• n → n,sat ~ th
• p → p,sat ~ th
• electroni fierbinţi (energie cinetică semnificativă)
DE
Rezistivitatea
1

q n n  p p 
102
Siliciu
10 300k
ρ 1
[Ω cm] tip p
10-1 tip n Fig. 2.6e
10-2
10-3
1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020 1021

ND , NA [cm-3]
DE
Dependenţa rezistivităţii de temperatură
I II III
300K T
Fig. 2.6f
Zona I : cresc concentraţiile de purtători majoritari prin ionizarea impurităţilor.

Zona II : concentraţiile de majoritari practic constante; scade mobilitatea.
Zona III : cresc concentraţiile de purtători datorită generării de perechi electron-gol
prin ruperea de legături covalente.
DE
2.6.2 Curenţii de difuzie
Bară semiconductoare cu temperatură constantă şi o distribuţie neuniformă

impurităţi pe direcţia x
n0(x)
n0(- λc,n) n0(λc,n)
n0(0)
- λc,n λc,n x
Fig. 2.6g
DE
Fluxul de electroni : numărul de electroni ce traversează în unitatea de timp o

suprafaţă egală cu unitatea normală pe direcţia x .
n0  c ,n vth
1
Fluxul de e- ce difuzează spre dreapta planului x = 0 :
2
n0 c ,n vth
1
Fluxul de e- ce traversează spre stânga planului x = 0 :
2
Fluxul net de e-
Fn   th n0  c ,n   n0 c ,n 
1
(2.13a)
2
c ,n   th c ,n : drumul liber mijlociu al e- între două ciocniri consecutive
DE
• Se presupune o variaţie liniară a concentraţiei de electroni în jurul originii

dn0
n0  x   n0 0   x
dx
• Din (2.13a) şi :
3kT
 th2 
mn
c ,n   th c ,n
  q c ,n
 n   n n 
2 mn
  q c , p
 p   p p 
2 mp
 dn   dn 
Fn  Vthn   0   Dn   0  (2.13b)
 dx   dx 
DE
Constanta de difuzie pentru electroni
Dn  Vth n (2.14a)
Densitatea curentului de difuzie pentru electroni
dn
J n ,d   q Fn  qDn (2.15a)
dx
Pentru un semiconductor cu o distribuţie neuniformă pe toate direcţiile a
concentraţiei de electroni :
 
J n ,d   q Fn  qDnn (2.15b)
DE
Densitatea curentului de goluri
 
J p ,d  qFp  qD p  p  (2.15c)
Constanta de difuzie pentru goluri
D p  Vth  p (2.14b)
n / p : gradienţii concentraţiilor de e- / e+
kT
Vth  : tensiunea termică
q
DE
Observaţii
• Relaţiile lui Einstein
Dn  Vth n
D p  Vth  p
• Difuzia şi driftul sunt manifestări ale mişcării de agitaţie termică a purtătorilor,
deci nu sunt fenomene independente.
• Procesul de difuzie nu are nimic de a face cu faptul că e- şi e+ sunt purtători de
sarcină. Difuzia are loc datorită tendinţei naturale a purtătorilor de a se mişca
dirijat din regiunea de înaltă concentraţie către regiunea de concentraţie mai
mică.
• Fluxul de particule ce rezultă în urma difuziei depinde de gradientul
concentraţiei de purtători şi nu de concentraţia propriu-zisă.
• Difuzia nu este prezenta la metale unde nu se pot realiza concentratii
neuniforme de electroni
DE
2.6.3 Ecuaţiile curenţilor în semiconductori
Densitatea curentului total într-un semiconductor

  
J  Jn  J p (2.16a)
Din (2.11a, b) şi (2.15b, c)
   
J n  J n ,c  J n ,d  qnn  qDnn (2.16b)
   
J p  J p ,c  J p ,d  qp p  qD pp (2.16c)
DE
 
Pentru câmp electric variabil în timp    t 

   
j t   jn t   j p t    s (2.16d)
t
εs : permitivitatea semiconductorului
   : funcţii de timp
j , j p , jn
Observaţie:
La metale conducţia se datorează numai electronilor de conducţie (nu
există curent de goluri). Curentul de e- la metale conţine numai componenta de
drift:
  
J  J n  J n ,c
DE
Capitolul II
DE

Generarea şi recombinarea de perechi (e-, e+) sunt fenomele ce apar atunci
când concentraţiile de purtători mobili diferă de valorile de echilibru (n0 şi p0).
Mecanisme de generare / recombinare
• Generarea / recombinarea directă (bandă-bandă)
se desfăşoară prin trecerea directă a e- din BV în BC şi invers
mecanism foarte puţin probabil în cazul Si
• Generarea/recombinarea indirectă
se desfăşoară prin intermediul centrilor de recombinare
centrii de recombinare provin din imperfecţiuni ale reţelei cristaline
(atomi străini (de exemplu atomi de Au), ce ocupă poziţii interstiţiale între
atomii semiconductorului de bază) sau defecte ale reţelei (de tipul
dislocaţiilor)
DE
Generarea e-
EC
Et
EV
Fig. 2.7a
DE
Generarea e+`
EC
Et
EV
Fig. 2.7b
DE
Recombinarea e-
EC
Et
EV
Fig. 2.7c
DE
Recombinarea e+
EC
Et
EV
Fig. 2.7d
DE
Viteze de generare/recombinare
• numărul de particule (e- sau e+) care se generează/recombină în unitatea de
volum şi unitatea de timp
• notaţii : g n , g p , rn , rp
• Vitezele nete de recombinare
Rn  rn  g n (2.17a)
R p  rp  g p (2.17b)
Concluzii
• Un semiconductor aflat la neechilibru îşi dezvoltă mecanisme care tind să-l
readucă la echilibru.
•la echilibru termic pn  p0 n0  ni2 şi gn = rn şi gp = rp
DE
Modelul SRH
Generarea/recombinarea indirectă este descrisă satisfăcător de modelul
Schockley-Read-Hall (SRH)
U  Rn  R p
U

 p n th N t pn  ni2 
(2.17c)
  Et  Ei    Ei  Et 
 n n  ni exp    p  p  ni exp 
  kT    kT 
Observaţii
• la echilibru termic pn  ni2 deci U = 0

• U este maxim pentru Et = Ei.
DE
Pentru un semiconductor n îndeplinind condiţiile
nn  nn0  pn  pn0  Et  Ei 
nn  ni exp 
 kT 
Se obţine:
pn  pn0 1
Rp  p  (2.17d)
p  p th N t
Pentru un semiconductor p în aceleaşi condiţii:

n p  n p0 1
Rn  n  (2.17e)
n  n th N t
DE
Capitolul II
DE
2.8 Ecuaţiile de bază ale dispozitivelor semiconductoare (Schockley)
2.8 Ecuaţiile de bază ale dispozitivelor

semiconductoare (Shockley)
Dispozitivelor semiconductoare - descrise de 3 seturi de ecuatii liniare si
diferentiale, in care trebuie precizate:
-conditiile la limita;
- conditiile initiale;
- datele tehnologice (dopare, etc.).
Cazul unidimensional
Ecuaţii de curent
dn
J n  q( n n  Dn ) (2.18a)
dx
dp
J p  q(  p p  D p ) (2.18b)
dx
DE
Ecuaţii de continuitate
dn 1 dJ n n  n0
    GL (2.19a)
dt q dx n
dp 1 dJ p p  p0
    GL
dt q dx p (2.19b)
Concentraţia de e- poate varia în timp datorită:

• trecerii unui curent prin unitatea de volum considerată
• proceselor de generare / recombinare internă
• generare externă : GL - viteza de generare
DE
Ecuaţia Poisson
d 2 d q
 2   ( p  ND  n  N A ) (2.20)
dx dx  s
,  : potenţialul / câmpul electric în semiconductor

εs : permitivitatea semiconductorului
Sarcina electrică:
• sarcina mobilă de concentraţii p respectiv n
• sarcina fixă datorată ionilor de impuritate pozitivi (negativi) ND ( NA)
DE

Fizica Semiconductorilor

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Fizica Semiconductorilor

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul II

2.1 Clasificarea materialelor solide în funcţie de

Fig. 2.1a Structura cristalină a Si

(a) Fig. 2.1b

2.2 Benzi de energie în semiconductori

banda interzisă Fig. 2.2a

• Electronii de valenta – slab legati de atom

Condiţii de trecere a electronilor de pe un nivel energetic pe altul

• nivelul să fie liber

• comunicarea unei energii suplimentare când se trece pe un nivel superior

• trecerea pe un nivel energetic inferior apare printr-un proces spontan, natural

• mişcarea dirijată a electronilor de valenţă dintr-o zonă în alta a

2.3 Electroni şi goluri

• golul ( e+ ): particulă mobilă de sarcină +q şi masa mp  mn ( masa golului în

energia e- Diagrama energetică

EG = EC - EV energia benzii interzise

Conducţie în semiconductori – analogie hidrodinamică

Conducţie în semiconductori – analogie hidrodinamică

• a unui nivel energetic E

• energia Fermi : nivelul a cărui probabilitate de ocupare cu e- sau e+ este aceeaşi

• la T = 0 K nivelele energetice situate sub nivelul Fermi sunt ocupate, iar

• la T > 0 K funcţia de probabilitate nu mai variază abrupt

2.4 Semiconductorul la echilibru termic

Echilibru termic pentru un semiconductor

n0 p0  ni2  const (2.2)

NC / NV - densităţile de stări energetice din BC / BV

EFn / EFp : cvasi-nivele Fermi pentru e- / e+

2.5 Semiconductor intrinsec. Semiconductori extrinseci

• semiconductor lipsit de impurităţi

• e- şi e+ în număr egal, provin din ruperea legăturilor covalente

• la echilibru termic: n0  p0  ni (2.5)

Din (2.3a,b) şi Fig. 2.3a

• A = ct. cu temperatura dar dependenta de material

Semiconductorul EG (eV) ni (cm-3)

EF ≈ Ei e situat la mijlocul benzii interzise

Diagrama energetică a semiconductorului intrinsec la echilibru termic

• Se obţine dotând (dopând) semiconductorul cu impurităţi pentavalente, de

• Rezultă ioni pozitivi şi electroni de conducţie

Într-un semiconductor dopat cu impurităţi pentavalente e- provin din:

• Exemplu: ND = 1016 cm-3, pentru Si la 300K (ni = 1,51010 cm-3)

• n0 >> p0 (cu multe ordine de mărime)

• din (2.3a) şi (2.8b)

Diagrama energetică a semiconductorului n

(a) (a) (a) (a) (a)

procesul (a) - ionizarea impurităţilor

• Se obţine prin doparea cu impurităţi trivalente, de exemplu: B, Ga, In.

• p0 >> n0 (cu multe ordine de mărime) semiconductor de tip p

Diagrama energetică a semiconductorului p

• din (2.3b) şi (2.8c)

• un semiconductor poate avea şi impurităţi donoare şi acceptoare

ND > NA N*D  N D  N A în relaţiile (2.8a,b) , (2.9a)

NA > ND N *A  N A  N D în relaţiile (2.8c,d) , (2.9b)

• N *A , N *D concentraţii nete de impurităţi

• la temperaturi înalte semiconductor intrinsec

2.6 Fenomene de transport

J=0 Fig. 2.6a

Timpul mediu intre doua ciocniri consecutive ζcn, ζcp - 10-12...10-10 s

Echilibru termic: J=0

Curentul electric prin semiconductor apare în următoarele două situaţii:

• semiconductorul este sub incidenţa unui câmp electric

• semiconductorul este neuniform dopat; prin difuzia purtătorilor din zonele

 n  an cn  cn - Timp mediu intre ciocniri

n- mobilitatea electronilor

• N A , N D concentraţii nete de impurităţi