Curs ED 7 Inv. MOS

Elemente de Electronică
Digitală (EED)
Specializarea Calculatoare
Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare
Elemente de Electronică
Digitală (EED)
Inversor MOS
2
Inversor nMOS cu sarcină rezistivă
Regimul tranzitoriu:
• P1‐P2: timp de comutare neglijabil;
• P2‐P3: T saturat:
vo (t )  VDD
1
 iD t iD  ka
VDD  Vpa 2
Cs 2
TMOS intră în zona liniară:
V1  VDsat  VDD  V pa
CsV pa 2Cs V pa V pa
t1   a
ka
VDD  V pa 2 ka VDD  V pa VDD  V pa VDD  V pa
2
2Cs
a 
ka VDD  V pa 
Constanta de timp: ka factorul de conducţie
4
P3‐P4: TMOS în zona liniară:

 vo2 
iD  ka VDD  V pa vo  
 2
 vo2 
  ka VDD  V pa vo  
dvo
Cs
dt  2
ka dvo
dt  
2Cs 2VDD  V pa vo  vo2
a 2VDD  V pa   vo
t ln
2 vo
vo (t2 )  0,1VDD  V pa 
a
t2  ln 19  1,45 a
2
6
Comparaţie pentru diferite posibilităţi de
descărcare a unei capacităţi:
Comutarea inversă:
– încărcare prin rezistenţă fixă (de
valoare mare) la sursa de tensiune
– fenomenele fizice: compararea
curenţilor de descărcare a capacităţii cu
curentul de încărcare a capacităţii: tinc  tdesc
t

vo (t )  VDD  VoL  VDD e Rd C s
t f  2,3Cs Rd
Inversorul NMOS cu sarcină TMOS în zona liniară

• apar astfel de scheme în structuri nMOS dinamice;
• se folosesc două surse de tensiune de alimentare;
• tranzistoarele sunt ambele cu canal indus;
• se obţine o rezistenţă dinamică mai mică pentru
încărcarea capacităţii de sarcină;
• tranzistorul de sarcină ocupă o suprafaţă mult mai
mică decât rezistenţa de drenă;
• nivelul logic UNU este fixat de tensiunea de
alimentare VDD
• nivelul logic ZERO depinde de geometriile celor
două tranzistoare;
• parametrii statici sunt mai buni ca la circuitul
precedent;
8
Inversorul NMOS cu sarcină TMOS în zona liniară
• s‐a folosit ca circuit logic în cazul tranzistoarelor
MOS cu canal P la care tensiunea de prag nu putea
fi bine controlată, tensiunile de alimentare fiind
relativ mari pentru a putea acoperi dispersiile
acesteia;
• timpii de comutare sunt comparabili cu cei ai
schemei precedente, cu avantajul că, la integrare,
suprafaţa ocupată de acest circuit este mult mai
mică decât a celui precedent şi, deci, şi capacităţile
parazite sunt mult mai mici.
Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat
• elimină sursa suplimentară;

• tranzistor amplificator; tranzistor de sarcină;
Caracteristica de transfer:
vi  V pa  V p Qa blocat, Qs în zona liniară:
iDs 
1
VDD  V p  VoH 2  0
2
VoH  VDD  V ps  VDD  V p
10
vi  V pa  V p Qa deschis la saturaţie; Qs în saturaţie:
egalitatea curenţilor:
ka
vi  V p 2  k VDD  vo  V p 2
s
2 2
k
notăm: a  a
2 vo  VDD  V p  avi  V p 
ks
Caracteristică liniară, cu panta ce reprezintă şi

amplificarea de tensiune pe care o realizează
acest montaj;
11
vi  V pa  V p Qa în zona liniară; Qs în saturaţie:
VDD  V p  vo 2  ka vi  V p vo  vo 

2
ks
2  2
2
amplificăm:
ks
 
vo2 (1  a 2 )  2vo vi  V p a 2  VDD  V p   VDD  V p   0
2
Se deduce: v0(vi) Trecerea între cele două zone:
Vi1  V pa  Vi1  V p  Vo1

VDD  V p VDD  aV p
Vi1  V p  
1 a 1 a
12
Tensiunea corespunzătoare nivelului
logic ZERO
Pentru: vi  VoH  VDD  V p
VoL  2
VDD  V p 2
VDD  V p
2a VDD  2V p 
ka Z a Ls
a 
ks Z s La
Margini de zgomot statice: Vi ' (1)  V p

VDD  V p  2a 
Vi '' (1)  V p    1
a2  3 
VDD  V p  aV p
Tensiunea de prag logic: V prL 
1 a
13
Caracteristici de alimentare:
I DDH  0;
I DDL 
ks
VDD  V p 2  ka2 VDD  V p 2
2 2a
V V  V p 2
ka
Pd  2 DD DD
4a
14
Regim tranzitoriu :
15

Regim tranzitoriu :
• comutarea directă: dacă
se neglijează curentul
tranzistorului de sarcină,
descărcarea capacităţii de
sarcină se face prin
tranzistorul amplificator,
ca la inversorul cu sarcină
rezistivă:
16
Regim tranzitoriu :
• P2‐P3, zona de saturaţie:
vo (t )  vo (0)  iDat  VDD  V p  a VDD  2V p  t
1 k 2
Cs 2Cs
vo (t P 2 P 3 )  VDsat a  VGSa  V p  VoH  V p 
2Cs Vp Vp
tP 2 P3  a
ka VDD  2V p VDD  2V p VDD  2V p
• P3‐P4, zona liniară :
 t 
vo (t )  VDD  2V p 1  th 
 a 
t P 3 P 4  1,45 a
17

Comutarea inversă:
tranzistorul amplificator se blochează şi capacitatea de sarcină se
încarcă prin tranzistorul de sarcină ce funcţionează în zona de
saturaţie:
18
Comutarea inversă:
 VDD  V p  vo 
dvo ks 2
Cs
dt 2
2Cs vo dvo
t 
k s VoL VDD  V p  vo 2
2Cs vo dvo
t 
k s 0 VDD  V p  vo 2
2Cs vo vo
t s
ks VDD  V p  VDD  V p  vo VDD  V p  vo
2Cs
s 
ks VDD  V p 
19

Comutarea inversă:
vo (t )  VDD  V p 
t
t s
vo (t P 4 P1 )  0,9VDD  V p 
t P 4 P1  9 s  s   aa2 t P 4 P1  t P 2 P 4
nMOS înlocuit cu nMOS cu canal iniţial;

Tranzistoare complementare – CMOS;
Scheme dinamice.
20
Structuri logice elementare cu inversoare nMOS
SAU‐NU ŞI‐NU ŞI‐SAU‐NU
21

Circuite de tip buffer:
Inversor Neinversor
22
Poarta de transmisie:
23

Circuit basculant bistabil:
24
Inversorul NMOS cu sarcină TMOS cu canal iniţial
Generalităţi:
tranzistorul de sarcină – cu canal iniţial;
canalul iniţial se realizează prin implantare ionică;
performanţe superioare celorlalte inversoare cu MOS;
folosit la microprocesorul integrat 4004;
25
Schema de principiu şi caracteristicile statice ale TMOS cu

canal iniţial:
TMOS cu canal iniţial este mereu în conducţie, la saturaţie sau

în zona liniară;
26
TMOS cu canal iniţial este mereu în conducţie, la saturaţie sau

în zona liniară;
• tranzistoarele sunt caracterizate prin Vap>0; Vsp<0; ka şi ks
• tensiunea poartă sursă a QS este nulă;
• tranzistoarele trec prin toate zonele de funcţionare;
• caracteristica de transfer are 4 zone în funcţie de starea
tranzistoarelor:
 Zona I: Qa blocat, QS deschis la limită, în zona liniară:
 Zona II: Qa în saturaţie, QS în zona liniară:
 Zona III: Qa în saturaţie, QS în saturaţie:
 Zona IV: Qa în zona liniară, QS în saturaţie:
27

Zona I: Qa blocat, QS deschis la limită, în zona liniară:
 V  VoH 2   0
iDs  k s  V ps VDD  VoH   DD
vi  V pa 
 2 
VoH  VDD Rezultă utilizare bună a tensiunii de alimentare
Zona II: Qa în saturaţie, QS în zona liniară:

ka
vi  V pa iDa  iDs  a2
ks
ka

vi  V pa 2  V  v 2 
 k s  V ps VDD  vo   DD o   0
2  2 
vo  VDD  V ps  V  s 2
p 
 a 2 vi  V pa 2
până la intrarea în saturaţie a lui QS
V ps
Vo1  VDD  V ps Vi1    V pa
a
28
Zona III: Qa în saturaţie, QS în saturaţie :
• pantă infinită, se poate determina doar tensiunea de intrare,
dar nu se poate preciza tensiunea de ieşire:
• tensiunea de prag logic se detemina fie ca valorea limită
calculată anterior, fie din egalitatea curenţilor celor două
tranzistoare în saturaţie;
V ps
a
iD 
ka
2

a 2
V prL  V p 
ks
2
 Vps 2  V 
prL  
a

 V pa 
tensiunea de prag logic depinde numai de tensiunile de prag ale celor două
tranzistoare şi de factorul a şi trebuie să aibă o valoarea care să asigure
margini de zgomot statice cât mai mari
VDD
V prL 
2
29

Zona IV: Qa în zona liniară, QS în saturaţie :
 vo2 
vi  V prL iDs
k
 s V ps
2
  2
 iDa  a
 ka  vi  V p vo  
2



vo2  2vo vi  V pa   1 s
a2
Vp   2
 vo  vi  V pa  v  V 
i
a 2
p 
a2
 
1 s
Vp
2
Tensiunea corespunzătoare nivelului logic ZERO:
VoL  vo (VoH )  VDD  V p  V DD  V pa 

2

1 s
a2
 
Vp
2
(V ps ) 2
VoL 

2a 2 VDD  V pa 
Marginile de zgomot statice se deduc conform definiţiilor;
30
Alegerea parametrilor tranzistoarelor:

• micşorarea ariilor ocupate;
• asigurarea curenţilor de încărcare a acapacităţilor de valoare mare;
• timpi de comutare mici şi cât mai apropiaţi ca valoare;
• Vap mică pentru a avea curent mare de descărcare a capacităţii de
sarcină; mare pentru a avea margine de zgomot mare; se alege:
V pa  0,2VDD
• V ps mare pentru a avea curent mare de încărcare a capacităţii de
sarcină;
• ‐ mic, pentru VoL mic
• se alege în aşa fel încât curentul maxim al TMOS sarcină să fie egal cu
curentul maxim pe care este capabil să‐l asigure celălat tranzistor în
saturaţie (dacă ar avea acelaşi factor de conducţie):
V ps  VDD  V pa  V p  0,8VDD  a  2
s 1 2
 
Pd  k s V ps VDD  0,16k sVDD
4
3
31
Regimul tranzitoriu :
Comutarea directă:
descărcare prin curent constant:
vo (t )  VDD 
ka
2Cs
 2
VDD  V pa t 
2CsV pa VDDV pa 2Cs

t1  a  0,31 a a 

ka VDD  V pa
2
 VDD  V pa
2
 kaVDD
32
Comutarea directă:
Descărcare prin curent variabil:
t
2Cs 1
ln
2 VDD  V pa  vo  
ka 2 VDD  V pa vo 
2Cs VDD 1
t2  ln19  1,81 a
kaVDD VDD  V pa 2
Durata frontului: t fHL  2,12 a
Timpul de propagare: t pHL  1,1 a
33
Comutarea inversă:
Încărcare prin QS saturat:
Cs
dvo k s s
dt
 Vp
2
  2
vo (0)  0
vo (t ) 
ks
2Cs
2
 
V ps t vo (t3 )  VDD  V ps
t3 
2Cs
V  V ps    s
2Cs ka VDD VDD  V p 
 0,31a 2 a
 
k s V ps
2 DD
k sVDD k s V  
s
p
2
34
Comutarea inversă:
Încărcare prin QS în zona liniară:
Cs
dvo k s 
  2V p VDD  vo  
s VDD  vo  
2

dt 2 2 
s 2C s 1 2V ps  VDD  vo
cu condiţia iniţială : vo (0)  VDD  V p t  ln
k s V ps vo  VDD
Timpul de încărcare:
2Cs 1 1
t4  ln 19  1,81a 2 a
k s V ps 2
Durata frontului crescător: t fLH  2,12a 2 a
35

Exemple de circuite:
Circuite SAU‐NU, Şi‐NU
36
Exemple de circuite:
Circuite de tip buffer
37
Structuri numerice cu inversoare CMOS

Schema de principiu – inversor CMOS standard
Parametrii tranzistoarelor:
 tensiunile de prag: V pn  V pp  1,5V
 factorul de conducţie intrinsec: 16A/V2 pentru canal N şi
6A/V2 pentru canal P
 factorii geometrici aleşi în aşa fel încât factorii de conducţie să
Zn Z p
kn  k p
fie cât mai apropiaţi:

Ln Lp
38
Nivelele logice ale inversorului CMOS
• Cele două tranzistoare funcţionează în contratimp;
• Nivelele logice nu depind de raportul dintre cei doi factori de
conducţie;
Din grafice: VoH  VDD ; VoL  0
39

Nivelele logice ale inversorului CMOS
• Analitic:

 V  VoH 2   0

iDp  k p  VDD  V pp VDD  VoH   DD VoH  0;

 2 
 V 
 
2
iDn  kn  VDD  V pn VoL  oL  VoL  0.
 2 
Concluzie:
• Nivele logice bine precizate, independente de condiţiile reale de funcţionare
(inversor ideal);
• Utilizarea integrală a tensiunii de alimentare (inversor ideal).
Influenţa rezistenţei de sarcină:

Pentru Rs cuplată la masă, VoH scade (la valori peste 20k)
Pentru Rs cuplată la VDD, VoL creşte (la valori peste 20k)
40
41

42
Zona I, pentru 0  Vi  Vpn , Qn blocat, Qp în zona liniară


 V  VoH 2   0
k p  VDD  VoH  V pp VDD  VoH   DD  
 2 
vo  VDD  VoH
n
vi  V p Qn saturat, Qp liniar
Zona II: ,


k p  VDD  vi  V p VDD  vo  
p VDD  vo 2 
 vi  V pp  
2
  kn
 2  2
kn
kp
 a2
2

vo  vi  V pp  VDD  vi  V pp  a 2 vi  V pn   
2
43

Zona III, ambele tranzistoare în saturaţie, V pn  vi  V prL
Panta infinită; rezultă tensiunea de prag logic, V prL

Panta reală;
kn
V prL  V pn 2
 kp
VDD  V pp  V prL 
V prL 
VDD  V pp  aV pn
2 2 1 a
Dacă: V pn  V pp  Vp kn  k p  k  a  1 :
VDD
V prL  Avantaj pentru CMOS (inversor ideal);
2
44
DD V
Marginile de zgomot ideale sunt egale cu, (maxime)
(inversor ideal); 2
Tensiunea V01, la care se face trecerea Qp în saturaţie:
Vo1 

VDD  a V pp  V pn   0,5V  Vp sau:
DD
1 a
p p
VDS  VDD  Vo1  vGS  V pp  VDD  V prL  V pp adică:
Vo1  V prL  V pp
45

p
V prL  vi  VDD  V p Qn în zona
Zona IV, pentru: :
liniară, Qp saturat:
kp
V DD  vi  V pp 2

 v2 
 kn  vi  V pn vo  o  
2  2
de unde:
vo  vi  V pn  v  V 
i
n 2
p 
1
a 2
VDD  vi  V pp  2
şi:
Vo 2  V prL  V pn
 v2 
Zona V, pentru: VDD  V pp  vi  VDD  
kn  vi  V pn vo  o   0
2

de unde: vo  VoL  0
46
Marginile de zgomot statice:
Definite în raport cu tensiunea de prag logic:
VDD  V pp  aV pn
MZL  V prL  VoL  ;
1 a
aVDD  V pp  aV pn
MZH  VDD  V prL 
1 a
Pentru un circuit simetric: MZL  MZH  0,5VDD
Pentru tranzistoare cu parametri simetrici se determină Vi ' ( 1) Vi '' (1)
dvo
1

 2 VDD  Vi ' (1)  V p  2 Vi ' (1)  V p  
 1

dvi  2
2 V  V ' (1)  V  V ' (1)  V
DD i p
2
  i p 
47

Caracteristica de transfer: VDD  Vi ' (1)  V p
Marginile de zgomot statice (2): Se notează x0
Vi ' (1)  V p
x 1
 2  x 2  2 x  1  4( x 2  1)
2
x 1
5
3 x 2  2 x  5  0  x1  1; x2 
3
'
VDD  Vi (1)  V p 5 3VDD  2V p
'
  Vi ' (1) 
Vi (1)  V p 3 8
dvo
1
  
2 Vi '' (1)  V p  2 VDD  Vi '' (1)  V p   1
dvi  2
2 Vi '' (1)  V p  VDD  Vi '' (1)  V p  
2
48
Vi" (1)  V p
Marginile de zgomot statice (3): Se notează  y0
VDD  Vi" (1)  V p
y 1 5
Se obţine ecuaţia: 2  y
y 1 2 3
"
Vi (1)  V p 5 5VDD  2V p
"
  Vi" (1) 
VDD  Vi (1)  V p 3 8
Se calculează marginile de zgomot:

3VDD  2V p
MZL  Vi ' (1)  VoL 
8
5VDD  2Vp 3VDD  2Vp
MZH  VoH Vi'' (1)  VDD    MZL
8 8
Concluzie: Marginile de zgomot statice sunt garantate la valori de: 0,3  0,45VDD .
49

Caracteristici de intrare:
Circuit de protecţie la intrare:
 Poarta este izolată şi poate acumula sarcini electrice;
 Deoarece suprafaţa este foarte mică, se poate străpunge poarta chiar la
sarcini mici (câmpul electric este foarte mare);
 Diodele D1 şi D2 limitează tensiunea de la intrare;
 Rezistenţa distribuită limitează curentul prin D1 şi D2 dacă se deschid;
 Apar diode parazite asociate rezistenţei.
 Diodă Zener de protecţie pentru supracreşteri ale tensiunii de alimentare.
50
Caracteristici de intrare:
Circuit de protecţie la intrare (2):
Se obţin:
 Zint foarte mare > 100 M
 Curenţi de intrare foarte mici (inversor ideal) dependenţi de VDD şi de
temperatură ( 200C  1000C):
 (-0,03nA  ‐1,6nA) la vi=0
 ( 0,036nA  0,7nA) la vi=15V
Caracteristici de ieşire:
• Rezistenţele de ieşire date de rezistenţele celor două TMOS în conducţie –
valori de ordinul sutelor de 
• Numărul de circuite identice ce poate fi comandat este, practic, nelimitat
(inversor ideal);
• Limitarea fan‐out este dată numai de regimul tranzitoriu;
• Pentru comanda unor circuite discrete se admit rezistenţe echivalente mai
mari de 50k pentru a nu se micşora marginile de zgomot;
51

• Tensiunea de alimentare: 3V < VDD < 15V
• Curenţii de alimentare: IDDL=0; IDDH=0; Pd=0 (inversor ideal)
totuşi se disipă putere datorită curenţilor reziduali de ordinul W
• Caracteristica de alimentare iDD(vi):
0  vi  V pn  iDD  0;
V pn  vi  V prL  iDD 
kn
2

vi  V pn
2

V prL  vi  VDD  V pp  iDD 
kp
2

VDD  vi  V pp 
2
VDD  V pp  vi  VDD  iDD  0
52
2
kn  VDD  V p  aV p 
p n
I DD max  iDD (V prL )   V pn 
2  1 a 

I DD max 
kn  VDD  V p  V p 
p n
 kn k p
2
VDD  V pp  V pn  
2
2  1 a 
 2 kn  k p
2
 
Pentru parametri simetrici: I DD max 
k
VDD  2V p 2
8
Exemplu numeric:
VDD  10V ; V p  1,5V ; k  16 A / V 2  I DD max  100 A
53

54
sarcină capacitivă, Cs:
55

sarcină capacitivă, Cs:
56
a) Comutarea directă:
P1‐P2: se deschide Qn, se închide Qp t P1P2  0
P2‐P3: Qn deschis în saturaţie (se descarcă Cs), Qp blocat
vo (t )  VDD 
1 k
VDD  V p 2 t
Cs 2
Condiţia de trecere a lui Qn în regiunea liniară (VDS=VGS-Vp)
vo (t P2 P3 )  VDD  V p
2Cs Vp Vp 2Cs
t P2 P3   
k VDD  V p  k VDD  V p 
cu:
2
VDD  V p
57

P3‐P4: Qn deschis în regiunea liniară, Qp blocat:
 vo2 
  k VDD  V p vo  
dvo
Cs cu: vo (0)  VDD  Vp
dt  2
2Cs dvo
dt  ;
k vo  2VDD  V p vo
2
t 2Cs 1 1 vo  1 1
 dt     dvo
0 k VDD  V p 2 VDD V p  vo  2VDD  V p  vo 
58
t 
1
2

ln vo  2(VDD  V p   ln vo Vv o
DD V p sau:
vo
 vo  2(VDD  V p )  2(VDD  V p )  vo
t  ln  ln
2 vo V DD V p
2 vo
2VDD  V p   vo 2t
Se poate explicita tensiunea funcţie de timp:  e
vo
 
vo  VDD  V p   
2 1  1  2 
 VDD  V p
2t  2t 

e 1  e   1
59

 t

t

 e  e  
vo  VDD  V p 1  t   VDD  V p 1  th 
 t
 
t
  
e e 
 
Timpul tP3P4 se defineşte ca fiind intervalul de timp după care s‐a parcurs
0,9ΔV=0,9(VDD-Vp), adica pentru:
vo (t P3 P4 )  0,1(VDD  V p )
 2VDD  V p   0,1VDD  V p  
t P3 P4  ln  ln19  1,45
2 0,1VDD  V p  2
60
Durata frontului descrescător:
Vp
t fHL  t P2 P3  t P3 P4    1,45
VDD  V p
Timpul de propagare la frontul descrescător:
 2(VDD  Vp )  VprL Vp  3VDD  4Vp

t pHL  tP2 P3  ln   ln
2 VprL VDD  Vp 2 VDD
61

b) Comutarea inversă:
P4‐P5: se deschide Qp, se închide Qn t P4 P5  0
P5‐P6: Qp deschis în saturaţie (se încarcă Cs), Qn blocat:
vo (t ) 
1 k
VDD  V p 2 t deoarece vo (0)  0
Cs 2
Condiţia ca Qp să iasă din saturaţie:
VDD  V p  VDsat  VDD  vo (t P5 P6 )  vo (t P5 P6 )  V p
2Cs Vp Vp
t P5 P6    t P2 P3
k VDD  V p 2
VDD  V p
62
P6‐P1: Qp deschis în regiunea liniară, Qn blocat:
dvo
Cs
 V  v 2 
 k VDD  V p VDD  vo   DD o 
dt  2 
Condiţia iniţială: vo (0)  V p
Se notează: VDD  vo  u u (0)  VDD  V p dvo   du

Se obţine:
 u2 
 k VDD  V p u  
du Aceeaşi ecuaţie ca la comutarea
 Cs directă, cu variabila u
dt  2
63

P6‐P1: Qp deschis în regiunea liniară, Qn blocat:
 2(VDD  V p )  u  2(VDD  V p )  (VDD  vo )

t  ln  ln
2 u 2 VDD  vo
vo  VDD  VDD  V p 1  th 

 t
 
 Vp
t P6 P1  ln 19  1,45 t fLH    1,45  t fHL
2 VDD  V p
Vp  2VDD  V p   VDD  V prL 
t pLH    ln  t pHL
VDD  V p 2 VDD  V prL
Concluzii:
 comportare simetrică la cele două tranziţii;
 influenţa puternică a tensiunii de alimentare.
64
Exemplu numeric :
Zn
VDD  10V ; V p  1,5V ; k  16A / V 2 ;  5 Cs  2 pF
Ln
  6ns; t fHL  t fLH  1,1  8,7  9,8 ns;
t pHL  t pLH  1,1  2,8  3,9 ns.
65

Puterea disipată în regim tranzitoriu
• componenta determinată de regimul tranzitoriu al capacităţilor
de sarcină
• suma puterilor disipate la cele două tranziţii:
To 
1 2 To
 dvo
Pdis   iDn vo dt   iDp (VDD  vo )dt  iDn  Cs

To o To dt
 2

To
1 2 Cs VDD Cs 2
i v
 Dn o dt   vo dvo  VDD
To o To o 2To
Cs 2 2
Pdis  VDD  CsVDD fo
To
 Dependenţa de frecvenţă;
 Dependenţa de pătratul tensiunii de alimentare.
66
Puterea disipată în regim tranzitoriu
• componenta determinată de fronturile neideale ale impulsurilor
de comandă;
PDP  Pav P 1
f 
Pav  CVDD
2
f T
2t r 22 P 
T  t r  t a  t f  tb 
  5 P
0.8 0. 8
2 2
CVDD CVDD
PDP  P 
5 P 5
t f  2 PHL Forma de unda simetrica de
comutatie inversor
t r  2 PLH
67

Puterea disipată în regim tranzitoriu (2)
68
Circuite elementare CMOS
Familii de circuite logice (de catalog):
Circuite SAU‐NU, ŞI‐NU
69

Circuite SAU‐NU, ŞI‐NU
70
Poarta de transmisie :
71

Poarta de transmisie (2)
• Poarta de transmisie
CMOS (T‐gate) este unul
din cele mai folosite
circuite atit pentru
aplicatii digitale cit si
analogice
• Actioneaza ca un
comutator si poate opera
intre VDD si VSS
72
Poarta de transmisie (3)
O componenta de baza care
trebuie luata in considerare este
Rezistenta echivalenta in stare
deschisa REQ
Ronp Ronn
REQ 
Ronp  Ronn
73

• Circuite cu drena în gol:
‐ translatare de nivel;
‐ tranzistoare de putere mai mare;
• Circuite cu trei stări:
74
75

76

Curs ED 7 Inv. MOS

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs ED 7 Inv. MOS

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronică

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

TMOS intră în zona liniară:

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

P3‐P4: TMOS în zona liniară:

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS în zona liniară

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat

• elimină sursa suplimentară;

vi  V pa  V p Qa blocat, Qs în zona liniară:

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Caracteristică liniară, cu panta ce reprezintă şi

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat

VDD  V p  vo 2  ka vi  V p vo  vo 

Se deduce: v0(vi) Trecerea între cele două zone:

Vi1  V pa  Vi1  V p  Vo1

Margini de zgomot statice: Vi ' (1)  V p

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS saturat

nMOS înlocuit cu nMOS cu canal iniţial;

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

SAU‐NU ŞI‐NU ŞI‐SAU‐NU

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Structuri logice elementare cu inversoare nMOS

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Structuri logice elementare cu inversoare nMOS

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS cu canal iniţial

Schema de principiu şi caracteristicile statice ale TMOS cu

TMOS cu canal iniţial este mereu în conducţie, la saturaţie sau

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

TMOS cu canal iniţial este mereu în conducţie, la saturaţie sau

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS cu canal iniţial

Zona II: Qa în saturaţie, QS în zona liniară:

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS cu canal iniţial

Tensiunea corespunzătoare nivelului logic ZERO:

VoL  vo (VoH )  VDD  V p  V DD  V pa 

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Alegerea parametrilor tranzistoarelor:

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Inversorul NMOS cu sarcină TMOS cu canal iniţial

descărcare prin curent constant:

2CsV pa VDDV pa 2Cs

Electronică Digitală (ED) – specializarea Calculatoare

Timpul de propagare: t pHL  1,1 a