CIRCUITE ELECTRONICE

FUNDAMENTALE
Prof. dr. ing. Ovidiu POP

Ovidiu.Pop@ael.utcluj.ro 1
Bibliografie

2
 Curs
• Thomas Floyd, Dispozitive electronice, Ed. Teora, 2007
• Thomas Floyd, Electronic Devices , Prentice Hall, 2012, Edition 9
• Boylestad Robert L., Electronic Devices and Circuit Theory, Ed.11, 2013
• Oltean, G., Circuite Electronice, UT Pres, Cluj-Napoca, ISBN 978-973-662-300-4, 203
pag., 2007

Bibliografie Laborator
• Alin Grama, Ovidiu Pop, Serban Lungu, Dispozitive electronice. Lucrari practice.,
Editura UTPress, Cluj-Napoca, 2011, ISBN 978-973-662-658-6, 110pag
• Lungu Şerban, Voiculescu Emil, Palaghiţă Niculaie , Dispozitive si circuite electronice,
vol.1, , Indr. de laborator, 1983, Cluj-Napoca
• Lungu Şerban, Voiculescu Emil, Palaghiţă Niculaie , Dispozitive si circuite electronice,
vol.2, Indr. de laborator, 1983, Cluj-Napoca
• Lungu Şerban, Plesa Silviu, Rusu Ana, Dispozitive si circuite electronice, Indr. de
laborator, Editia 1, 1998, UTPress
 1. Tranzistoare cu efect de câmp (TEC-J, TEC-MOS)
2. Amplificatoare de putere
CONȚINUTUL 3. Generatoare de semnal
4. Stabilizatoare liniare de tensiune
CURSULUI 5. Surse de tensiune in comutatie
6. Surse de curent constant
Examen

• Test Laborator (NL)

• Examen

• NF = 0,2NL + 0,8NE

5
TRANZISTOARE CU
EFECT DE CÂMP
PRINCIPIU Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC)

Clasificare
TEC

TEC-J TEC-MOS

Canal p Canal n Canal inițial Canal indus

Canal p Canal n Canal p Canal n

7
PRINCIPIU Tranzistorul cu efect de câmp cu joncțiune (TEC-J)

Simbol

D D
Structura internă

G G

S S

Canal n Canal p

• Terminalele TEC se numesc:

➢ G – grilă
➢ D – drenă
➢ S - sursă • Tranzistor unipolar -> conducția electrică este realizată de un
singur tip de purtători de sarcină.

8
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncțiune (TEC-J)

Funcționare

Caracteristica de iesire
(a) Grilă nepolarizată

9
 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncțiune (TEC-J)

Funcționare

(b) Grilă polarizată cu tensiune negativă

10
 Caracteristici Statice TEC-J
I D
Caracteristica de transfer gm = Transconductanta
VGS

PSF

2
 VGS 
I D = I DSS 1 − 
 V
 p 

 VGS  2 I DSS
g m = g m 0 1 −  gm0 =
 V Vp
 p 
11
 Caracteristici Statice TEC-J

Caracteristica de ieșire
 VDS 
rDS = 

 D 
I

Vp
rDS =
 VGS 
2 I DSS 1 − 
 V
 p 

12
 Polarizare TEC-J
RD

VDD
VGG VGS = R G IG − I D RS IG = 0
VGS = − I D RS  0
Eliminam o sursa de tensiune
 V 
g m = g m 0 1 − GS 
 V
 p 
PSF 2

PSF 1

13
 Modelul de semnal mic al TEC-J

D
G

gmVGS rDS
rGS
G

PSF VGS
S

iD = gmvGS

14
 Modelul de semnal mic al TEC-J

D D

rGS → 
gmVGS rDS gmVGS
rGS G
G rDS → 

VGS
VGS
S
S

15
 Amplificatoare cu TEC-J

Sursă comună

+VDD

RD C2
Vout
C1

vin RG RS C3 RL

16
 Amplificatoare cu TEC-J

Drenă comună

+VDD

C1
C2
Vout

vin RG RS RL

17
 Amplificatoare cu TEC-J

Drenă comună

18
PRINCIPIU Tranzistorul cu efect de câmp Metal-Oxid-Semiconductor
(TEC-MOS)
Simbol Structură internă
TEC-MOS cu canal inițial
Metal G
Oxid

S D

n+ n+
p
substrat

Canal inițial n

TEC-MOS cu canal indus Metal G

Oxid

S D
n+ n+
p
substrat

19
 Tranzistorul cu efect de câmp Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS)

Structura fizică a unui TEC-MOS cu canal n indus

• Ce condiții trebuie să îndeplinească
G circuitul pentru ca între drenă și sursă
să existe curent?

Metal VDS ID

VGS
w

S D G
S D
Oxid

n+ L
n+
p
substrat

20
 Tranzistorul cu efect de câmp Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS)

Funcționare
Vp – tensiunea de prag

VDS ID
VGS < Vp
VGS

VDS = 0 ID = 0
G
S D
• Nu există posibilitatea trecerii curentului
între drenă și sursă -> canal inexistent

21
 Funcționare
VGS > Vp

VDS = 0 ID = 0
VDS ID

VGS

G • Datorită câmpului electric creat de diferența de potențial

S D dintre grilă și bază, electronii din substrat se adună sub
grilă, iar golurile de sub grilă sunt respinse -> sub grilă se
creează inversie de populație.

• Între drenă și sursă apare un canal de tip n.

22
 Funcționare
VGS > Vp
VDS ID

VGS 0< VDS < VDS_sat ID > 0

G
S D I D =   2 (VGS − Vp )VDS − VDS
2



 2 (VGS − Vp )VDS − VDS

KW
ID = 2

2 L 

• VDS > 0, prin canal trece un curent ID ≠ 0.

• β - parametru constructiv al tranzistorului [µA/V2]
• K - parametru transconductanță [µA/V2]
• VDS < VDSsat -> regiunea liniară.
• W - lățimea canalului prin care circulă curentul ID
• L - lungimea canalului prin care circulă curentul ID
• Datorită faptului că în regiunea drenei există potențial
pozitiv, electronii din imediata vecinătate sunt captați -> efect:
îngustarea canalului.
23
 Funcționare
VGS > Vp
VDS ID

VGS
VDS > VDS_sat ID > 0
G  VDS 
I D =  (VGS − Vp )    (VGS − Vp )
2 2
S D 1 +
 VA 

2  KW
KW
(VGS − Vp ) 1 + DS
V
(VGS − Vp )
2
ID = 
2 L  VA  2 L

• VDS > VDSsat -> electronii din imediata vecinătate a regiunii de

drenă sunt captați în regiunea puternic pozitivată -> canalul este Curentul depinde neliniar de (VGS-Vp)2
strangulat în zona drenei.

• ID aproape nu mai depinde de VDS.

ID = f (VGS, VDS)

24
 Caracteristici Statice TEC-MOS

Caracteristica de transfer Caracteristica de ieșire

Regiunea liniară

ID(mA) ID(mA)
VGS6
Regiunea activă VGS5
(de saturație)
Regiunea activă
VGS4

VGS3
VGS2
VGS1
Vp VGS VDS
Regiunea de blocare
25
 Polarizare TEC-MOS cu canal n indus

Prin divizor de tensiune Cu reacție în drenă

+VDD +VDD
R2
VGS = VDD
RD
R1 + R2 RD
R1 RG

VDS = VDD − I D RD
VGS = VDS

iD =  ( vGS − Vp )
R2 2
VGS

26
 Modelul de semnal mic al tranzistoarelor TEC- MOS

VGS rGS gmΔVGS rD VDS

iD 1 iD
gm = =
vGS VDS = 0
rD vDS VGS = 0

27