ETTI- UTCN

Fizică II

Cod MS Teams Curs: wqs4781

Cod MS Teams Seminar: pftspoo

Conf. dr. Mihai GABOR

mihai.gabor@phys.utcluj.ro
13.1 Densitatea de stări
13.1 Densitatea de stări

Nota bene! O stare este definită de

cele trei numere (𝑛 , 𝑛 , 𝑛 ) , cărora
le corespund (𝑘 , 𝑘 , 𝑘 ) și are
volumul 𝑉 = în spațiul k.
Numărul de stări posibile până la o anumită energie, deci un
anumit k, este dat de toate combinațiile (𝑘 , 𝑘, 𝑘 ) (cărora le
corespund (𝑛 , 𝑛 , 𝑛 ) ), pentru care 𝑘 + 𝑘 + 𝑘 < 𝑘 .

ℏ 𝑘
𝐸=
2𝑚
Pentru a determina densitatea de stări în spațiul k
,corespunzătoare unui anumit k o să considerăm un volum
diferențial 𝑑𝑉 . Adică volumul care se află între sfera de rază k
și k + dk .
O să definim densitatea de stări 𝑔(𝑘) astfel:

𝑑𝑁 = 𝑔 𝑘 𝑑𝑘
În jurul minimului benzii de
conducție putem să aproximăm
energia cu o parabola, adică:

ℏ 𝑘
𝐸=𝐸 +
2𝑚∗

ℏ 𝑘
𝐸=
2𝑚

⁄
4𝜋 2𝑚∗
𝑔 𝐸 = 𝐸−𝐸
ℎ

⁄
4𝜋 2𝑚∗
𝑔 𝐸 = 𝐸 −𝐸
ℎ
13.2 Distribuția Fermi-Dirac

Deoarece atât în BC cât și în BV avem de-a face cu un număr foarte mare de stări și de particule (electroni sau goluri),
trebuie să tratăm problema ocupării stărilor din punct de vedere statistic.

Să presupunem că avem un anumit nivel de energie j cu un

număr 𝑔 de stări. Conform lui Pauli, un singur electron poate
să ocupe o stare (ignorăm pe moment spinul).

𝑔! Cea mai probabilă distribuție a electronilor pe stările de energie o să fie

𝑊=
𝑁 ! (𝑔 − 𝑁 ) cea pentru care W este maxim
Total Combinatii posibile # combinatii prob%
2 1-1 1 2.78
3 1-2 2-1 2 5.56
4 1-3 2-2 3-1 3 8.33
5 1-4 2-3 3-2 4-1 4 11.11
6 1-5 2-4 3-3 4-2 5-1 5 13.89
7 1-6 2-5 3-4 4-3 5-2 6-1 6 16.67
8 2-6 3-5 4-4 5-3 6-2 5 13.89
9 3-6 4-5 5-4 6-3 4 11.11
10 4-6 5-5 6-4 3 8.33
11 5-6 6-5 2 5.56
12 6-6 1 2.78
36
 Dacă zarurile ar fi ca electronii, indiscernabile

Total Combinatii posibile # combinatii prob%

2 1-1 1 4.7
3 1-2 1 4.7
4 1-3 2-2 2 9.4
5 1-4 2-3 2 9.4
6 1-5 2-4 3-3 3 14.3
7 1-6 2-5 3-4 3 14.3
8 2-6 3-5 4-4 3 14.3
9 3-6 4-5 2 9.4
10 4-6 5-5 2 9.4
11 5-6 1 4.7
12 6-6 1 4.7
21
 1
𝑓 𝐸 =
𝑒 +1

𝑇 = 0 𝐾. 𝑓 𝐸 = = = 1 dacă 𝐸 < 𝐸 și

𝑓 𝐸 = = = 0 dacă 𝐸 > 𝐸 și
Să mărim temperatura la 𝑇 > 0 𝐾.

1 1 probabilitatea de ocupare a unei stări de energie egală cu energia

𝑓 𝐸=𝐸 = =
2 Fermi este 1/2.
𝑒 +1
13.3 Purtătorii de sarcină într-un semiconductor intrinsec
13.3 Purtătorii de sarcină într-un semiconductor intrinsec
13.3.1 Concentrația purtătorilor intrinseci

În tabelul de sunt sumarizate câteva mărimi importante pentru Si, GaAs și Ge.

Material Eg (eV) N (cm ) @ 300 K N (cm ) @ 300 K 𝑚 ∗ /𝑚 𝑚∗ /𝑚 n (cm ) @ 300

Si 1.11 2.8 × 10 1.04 × 10 1.08 0.56 1.5 × 10
GaAs 1.43 4.7 × 10 7.0 × 10 0.067 0.48 1.8 × 10
Ge 0.72 1.0 × 10 6.0 × 10 0.55 0.37 2.4 × 10
13.4 Semiconductori extrinseci
Impuritate donoare Si Ge
Fosfor 0.045 eV 0.0120 eV
Arsenic 0.050 eV 0.0127 eV
Impuritate acceptoare
Bor 0.045 eV 0.0104 eV
Aluminiu 0.060 eV 0.0102 eV
13.4.1 Concentrația de purtători în cazul ionizării complete a impurităților
În imagine puteți observa concentrația de electroni n din BC în
funcție de temperatură pentru Si dopat n.
13.5 Curentul de drift

𝑗 = 𝑛𝜇 + 𝑝𝜇 𝑒𝐸