Cursul # 14 Fizică II- ETTI-UTCN dr.

Mihai GABOR

14.0 Difuzia purtătorilor de sarcină

14.1 Curentul de difuzie

În cursurile trecute am văzut că dacă aplicăm un câmp electric asupra unui semiconductor atunci o să
avem un curent de drift datorat electronilor din BC și golurilor din BV. Pe lângă drift, mai există un
mecanism care poate duce la apariția unui curent electric, și anume, difuzia. Pentru a înțelege acest
mecanism, o să folosim un exemplu clasic din termodinamică. Să presupunem că avem un recipient
divizat cu ajutorul unei membrane. Într-o parte a recipientului avem un gaz, iar în cealaltă parte avem vid.

Moleculele gazului se află într-o permanentă mișcare de agitație

termică, iar dacă membrana se rupe acestea vor difuza în partea din
dreapta a recipientului, adică vor difuza din zona de concentrație mai
mare în zona de concentrație mai mică. Difuzia fiind procesul prin
care particulele curg din zona de concentrație mai mare spre zona de
concentrație mai mică.

Pentru a descrie cantitativ acest proces, să presupunem că avem un

semiconductor n pentru care concentrația de electroni variază liniar cu
distanța, ca în figură. Pentru a calcula densitatea curentului de drift, o să
calculăm curentul net de electroni care trec prin planul aflat la 𝑥 = 0.
Presupunem că viteza termică a electronilor este 𝑣 , iar timpul mediul
dintre două ciocniri este 𝜏, de unde, distanța medie parcursă de electroni
între două ciocniri este 𝑙 = 𝑣 𝜏. Acesta înseamnă că, în medie, electronii
care se află 𝑥 = −𝑙 și se deplasează spre dreapta vor trece prin planul aflat
la 𝑥 = 0, iar electronii care se află la 𝑥 = 𝑙 și se deplasează spre stânga
vor trece prin planul aflat la 𝑥 = 0. Deoarece dintre electronii care se află
în 𝑥 = −𝑙 numai jumătate se deplasează spre dreapta, iar dintre electronii
care se află în 𝑥 = 𝑙 numai jumătate se deplasează spre stânga, fluxul net
de electroni prin planul aflat la 𝑥 = 0 o să fie

1 1 1
𝐹 = ⎯⎯𝑛(−𝑙)𝑣 − ⎯⎯𝑛(+𝑙)𝑣 = ⎯⎯𝑣 𝑛(−𝑙) − 𝑛(+𝑙)
2 2 2

o să dezvoltăm în serie Taylor concentrația de electroni în jurul lui 𝑥 = 0 și o să păstrăm numai primii doi
terrmeni, astfel obținem:

1 𝑑𝑛 𝑑𝑛 𝑑𝑛
𝐹 = ⎯⎯𝑣 𝑛(0) − 𝑙 ⎯⎯⎯ − 𝑛(0) + 𝑙 ⎯⎯⎯ = −𝑣 𝑙 ⎯⎯⎯
2 𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑑𝑥

dacă notăm 𝐷 = 𝑣 𝑙 , pe care o numim constanta de difuzie, obținem

𝑑𝑛
𝐹 = −𝐷 ⎯⎯⎯
𝑑𝑥
care se numește legea lui Fick.

Deoarece electronii au sarcină negativă (−𝑒), densitatea de curent electric asociat difuziei o să fie

𝐽 = −𝑒𝐹 = e𝐷 ⎯⎯

Această relație ne spune că densitatea curentului electric de difuzie este proporțională cu gradientul
concentrației (derivata spațială) de electroni.

Pentru goluri trebuie să ținem cont de faptul că, deoarece golurile au sarcină pozitivă, densitatea

2021 - Curs Page 1

Pentru goluri trebuie să ținem cont de faptul că, deoarece golurile au sarcină pozitivă, densitatea
curentului electric este în sensul fluxului de goluri. Astfel putem să scriem relațiile

⎧ 𝑑𝑛
⎪ 𝐽 = 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯
𝑑𝑥
⎨𝐽 = −𝑒𝐷 𝑑𝑝
⎯⎯⎯
⎪ 𝑑𝑥
⎩

unde 𝐷 și 𝐷 sunt coeficienții de difuzie a electronilor și golurilor.

Nota bene!, purtătorii de sarcină se deplasează întotdeauna de la concentrație mai mare la concentrație
mai mică (în sens invers gradientului), însă curentul produs de electroni este în sens opus fluxului de
electroni, iar curentul produs de goluri este în sensul fluxului de goluri.

Exemplul #1. Într-o probă de GaAs-n, concentrația de electroni variază de la 1.0 × 10 cm la

7.0 × 10 cm pe distanța de 1 mm . Calculați curentul de difuzie, dacă T = 300 K și coeficientul de
difuzie al electronilor este 𝐷 = 225 𝑐𝑚 /𝑠.

Curentul de difuzie al electronilor este 𝐽 = 𝑒𝐷 ⎯⎯

× ×
Vom aproxima gradientul ⎯⎯ ≈ ⎯⎯ = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
.
= 3 × 10 𝑐𝑚

Curentul 𝐽 = 𝑒𝐷 ⎯⎯ = (1.6 × 10 )(225)( 3 × 10 ) = 108 𝐴/𝑐𝑚

14.1.1 Densitatea de curent totală

Ținând cont de mișcarea de drift și de difuzie, într-un semiconductor avem patru mecanisme independente
care pot genera un curent electric. Două de difuzie (pentru electroni și goluri) și două de drift (pentru
electroni și goluri). Astfel, densitatea totală de curent printr-un semiconductor este dată de:

𝑑𝑛 𝑑𝑝
𝐽 = 𝑛𝜇 𝐸 + 𝑛𝜇 𝐸 + 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯− 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯
𝑑𝑥 𝑑𝑥

14.2 Câmpul electric indus

În foarte multe dispozitive electronice există zone în care semiconductorii nu sunt

dopați uniform, ceea ce duce la apariția curenților de difuzie care generează
câmpuri electrice locale induse. Să considerăm un semiconductor care este dopat
neuniform și care se află în echilibru termic. Deoarece semiconductorul se află la
echilibru termodinamic, nivelul Fermi trebuie să aibă aceeași valoare în tot
semiconductorul. Aceasta înseamnă că structura de benzi se va deforma, de
exemplu, ca în figura alăturată, în care avem un semiconductor pentru care
concentrația donorilor scade în direcția +𝑥. O să avem o difuzie a electronilor
majoritari în direcția +𝑥. Difuzia electronilor o să lase în urmă ioni donori
încărcați pozitiv. Separarea electronilor majoritari negativi de ionii donori ficși
pozitivi o să ducă la apariția unui câmp electric care se opune procesului de
difuzie. Când se ajunge la echilibru, câmpul electric indus o să impiedice difuzia
în continuare a electronilor.

Potențialul electric (notat 𝜙) este legat de energia unui electron din BC prin
intermediul sarcini electrice (−𝑒):

𝐸 = (−𝑒)𝜙

de unde:

2021 - Curs Page 2

 1
𝜙 = − ⎯⎯𝐸
𝑒
O să calculăm câmpul electric asociat acestui potențial:

𝐸 = − ⎯⎯⎯= ⎯ ⎯⎯⎯

Din cursul #13 știm că

⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑁 𝑒

O să presupunem că ne aflăm la temperaturi apropiate de 300 K , adică în zona extrinsecă, pentru care
concentrația de electroni este aproximativ egală cu cea a atomilor donori

⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑁 𝑒 ≈ 𝑁 (𝑥)

De unde

𝐸 − 𝐸 = −𝑘 𝑇 ln 𝑁 (𝑥)

Derivăm relația în funcție de x și ținem cont că ⎯⎯⎯ = 0 deoarece 𝐸 este constant

𝑑𝐸 𝑘 𝑇 𝑑𝑁 (𝑥)
⎯⎯⎯ = − ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑑𝑥 𝑁 (𝑥) 𝑑𝑥

De unde putem calcula câmpul electric indus de difuzia electronilor

1 𝑘 𝑇 𝑑𝑁 (𝑥)
𝐸 = − ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 (𝑥) 𝑑𝑥

14.2.1 Relația lui Einstein

Deoarece am presupus că semiconductorul este în echilibru termodinamic și nu aplicăm un câmp electric

extern, după ce se ajunge la echilibru curentul net prin semiconductor o să fie zero

𝑑𝑛
𝐽 = 0 = 𝑒𝑛𝜇 𝐸 + 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯
𝑑𝑥

Presupunem din nou că 𝑛 ≈ 𝑁 (𝑥), de unde o să obținem

𝑑𝑁 (𝑥)
𝑒𝑁 (𝑥)𝜇 𝐸 + 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= 0
𝑑𝑥

Dacă înlocuim expresia pentru 𝐸

1 𝑘 𝑇 𝑑𝑁 (𝑥) 𝑑𝑁 (𝑥)
− ⎯⎯𝑒𝑁 (𝑥)𝜇 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯+ 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= 0
𝑒 𝑁 (𝑥) 𝑑𝑥 𝑑𝑥

care este adevărată dacă

𝐷 𝑘 𝑇
⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯
𝜇 𝑒

similar putem arăta că și pentru goluri avem

2021 - Curs Page 3

similar putem arăta că și pentru goluri avem

𝐷 𝑘 𝑇
⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯
𝜇 𝑒
Iar în final obținem relația lui Einstein

𝐷 𝐷 𝑘 𝑇
⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯
𝜇 𝜇 𝑒

care ne dă legătura între mobilitate, coeficienții de difuzie și temperatură. Existența unei relații între
acești parametri era de așteptat deoarece atât mobilitatea cât și difuzia depind de temperatură. Dacă
mobilitatea scade odată cu temperatura (Cursul#13), difuzia este un proces activat termic.

14.3 Joncțiunea pn - la echilibru termodinamic (nepolarizată)

Joncțiunea pn este de o importanță deosebită atât din punct de vedere al

aplicaților electronice moderne cât și al înțelegeri funcționări dispozitivelor
electronice. Teoria joncțiunii pn a fost dezvoltată de Shockley și stă la baza
fizicii semiconductorilor. Cu toate că există mai multe tipuri de joncțiuni pn ,
noi vom discuta numai despre joncțiunea pn abruptă. Aceasta este formată
prin doparea unui monocristal într-o parte cu atomi acceptori care formează
regiunea p, iar cealaltă parte cu atomi donori care formează regiunea n. O să
considerăm că în fiecare regiune concentrația de dopanți este constantă.
Deoarece la nivelul joncțiunii avem un gradient foarte mare de concentrați
atât pentru electroni cât și pentru goluri, electronii majoritari din zona n vor
difuza spre zona p, iar golurile majoritare din zona p vor difuza în zona n.
Deoarece electronii din zona n vor difuza în zona p, aceștia vor lăsa în urmă
atomi donori încărcați pozitiv. Similar, deoarece golurile din zona p vor
difuza în zona n, acestea vor lăsa în urmă atomi acceptori încărcați negativi.
Sarcinile din această zonă, numită și zona sarcinilor spațiale, vor crea un
câmp electric la nivelul joncțiunii care va fi orientat de la n la p. Câmpul
electric va scoate atât electronii, cât și golurile din această zonă, pe care o să
o mai numin și zona golită de purtători (se mai numește și zona sărăcită de
purtători).

14.3.1 Potențialul de contact - bariera de potențial

Deoarece nu aplicăm nicio tensiune pe joncțiune, joncțiunea este la

echilibru termodinamic, astfel încât nivelul Fermi (𝐸 ) este același în
tot sistemul nostru. Astfel, pentru ca nivelul Fermi să rămână
constant, BC și BV se vor curba la trecerea prin zona sarcinilor
spațiale, așa cum este indicat schematic în figura alăturată. (O să
vedem mai jos cum am determinat forma curbei).

Electronii din BC din zona n o să vadă o barieră de potențial la

nivelul joncțiunii egală cu 𝑉 (energia acesteia 𝑒𝑉 ).

O să definim cele două potențiale 𝜙 și 𝜙 măsurate relativ la nivelul Fermi intrinsec, definit ca
mijlocul benzii interzise:

1
𝐸 = ⎯⎯(𝐸 − 𝐸 )
2
atunci, bariera de potențial o să fie

𝑉 = |𝜙 | + 𝜙

În continuare o să determinăm cele două potențiale 𝜙 și 𝜙 . Pentru aceasta o să scriem concentrația

2021 - Curs Page 4

În continuare o să determinăm cele două potențiale 𝜙 și 𝜙 . Pentru aceasta o să scriem concentrația
de electroni din zona n

⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑁 𝑒

este convenabil să modificăm această relație în felul următor

⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯

𝑛=𝑁 𝑒 𝑒 =𝑛𝑒

unde cu

⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛 =𝑁 𝑒

am notat concentrația purtătorilor intrinseci (Cursul #13).

⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯
Pentru o * arătați că 𝑛 = 𝑁 𝑒 =𝑁 𝑒

Observăm că

𝑒𝜙 =𝐸 −𝐸

de unde putem scrie

⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑛𝑒

O să presupunem că ne aflăm la temperaturi apropiate de 300 K , adică în zona extrinsecă, pentru care
concentrația de electroni este aproximativ egală cu cea a atomilor donori

𝑛≈𝑁

înlocuind 𝑛 = 𝑁 în relația precendentă putem extrage 𝜙

𝜙 = − ⎯⎯⎯ln ⎯⎯

putem să urmăm același raționament și pentru zona p și o să obținem

𝜙 = + ⎯⎯⎯ln ⎯⎯

De unde o să obținem bariera de potențial

𝑘 𝑇 𝑁 𝑁 𝑁 𝑁
𝑉 = ⎯⎯⎯⎯ln ⎯⎯⎯⎯⎯ = 𝑉 ln ⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑛 𝑛

unde 𝑉 = ⎯⎯⎯se numește tensiunea termică. Este de menționta faptul că întotdeauna câmp punem în
contatct două materiale diferite, pentru care nivelul Fermi intrnsec nu coincide, o să avem o barieră de
potențial la nivelul contactului, aceasta se mai numește și tensiune de contact sau potențial de contact.

Exemplul #2. Calculați bariera de potențial pentru o joncțiune pn de Si,la 300 K, dacă N =
2.0 × 10 cm și N = 10 cm .

( × )( )
Înlocuim în relația 𝑉 = ⎯⎯⎯ln ⎯⎯⎯⎯ = (0.0259) ln ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
( . × )
= 0.713 𝑉.

14.3.2 Câmpul electric

2021 - Curs Page 5

14.3.2 Câmpul electric

În zona sarcinilor spațiale avem sarcină electrică netă datorată ionilor

acceptori și donori, care va crea un câmp electric net. O să
presupunem că sarcina spațială se termină brusc la 𝑥 = 𝑥 în zona n și
la 𝑥 = −𝑥 în zona p, și că densitatea ei este constantă, adică

𝜌(𝑥) = −𝑒𝑁 pentru − 𝑥 < 𝑥 < 0

𝜌(𝑥) = 𝑒𝑁 pentru 0 < 𝑥 < 𝑥

O să calculăm câmpul electric folosind prima ecuație a lui Maxwell (Cursul #8), care sub formă diferențială
și în 1D se scrie:

𝑑𝐸 𝜌(𝑥)
⎯⎯⎯ = ⎯⎯⎯⎯
𝑑𝑥 𝜀

unde cu 𝐸 am notat intensitatea câmpului electric (indicele x ne arată că acesta este pe direcția Ox), iar cu 𝜀
am notat permitivitatea electrică a semiconductorului (pentru Si ε = 𝜀 , 𝜀 = 11.7 × 8.854 × 10 ⎯⎯⎯⎯)

Prin integrare putem găsi câmpul electric în zona p ca:

   
𝜌(𝑥) 𝑒𝑁 𝑒𝑁
𝐸 = ⎯⎯⎯⎯ 𝑑𝑥 = − ⎯⎯⎯ 𝑑𝑥 = ⎯⎯⎯ 𝑥 + 𝐶
𝜀 𝜀 𝜀
   
unde 𝐶 este o constantă de integrare.

Deoarece joncțiunea este la echilibru termodinamic și nu este polarizată, deci nu avem curent electric prin
ea, câmpul electric în zona p, pentru 𝑥 < 𝑥 , trebuie să fie zero. Folosind această condiție o să calculăm
constanta de integrare 𝐶 .

𝑒𝑁 𝑒𝑁
𝐸 −𝑥 = 0 ⇒ ⎯⎯⎯ 𝑥 + 𝐶 = 0 ⇒ 𝐶 = − ⎯⎯⎯ 𝑥
𝜀 𝜀
de unde câmpul electric în zona p o să fie

𝑒𝑁
𝐸 = − ⎯⎯⎯ 𝑥 + 𝑥 , pentru − 𝑥 ≤ 𝑥 ≤ 0
𝜀
Câmpul electric în zona n o să fie dat de
   
𝜌(𝑥) 𝑒𝑁 𝑒𝑁
𝐸 = ⎯⎯⎯⎯ 𝑑𝑥 = ⎯⎯⎯⎯𝑑𝑥 = ⎯⎯⎯ 𝑥 + 𝐶
𝜀 𝜀 𝜀
   

Similar cu zona p, în zona n , la 𝑥 > 𝑥 câmpul trebuie să fie zero, astfel la limita zonei sarcinior spațiale

𝑒𝑁 𝑒𝑁
𝐸 (𝑥 ) = 0 ⇒ ⎯⎯⎯⎯𝑥 + 𝐶 = 0 ⇒ 𝐶 = − ⎯⎯⎯⎯𝑥
𝜀 𝜀

de unde, câmpul electric în zona n o să fie

𝑒𝑁
𝐸 = − ⎯⎯⎯⎯(𝑥 − 𝑥), pentru 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑥
𝜀

Câmpul electric la nivelul joncțiunii (𝑥 = 0) o să fie

𝑒𝑁
𝐸 (𝑥 = 0) = − 𝑥
𝜀
2021 - Curs Page 6
 𝑒𝑁
𝐸 (𝑥 = 0) = − ⎯⎯⎯ 𝑥
𝜀
𝑒𝑁
𝐸 (𝑥 = 0) = − ⎯⎯⎯⎯𝑥
𝜀

Deoarece câmpul electric este continuu la nivelul joncțiunii, cele două valori trebuie să fie egale, de unde

𝑁 𝑥 =𝑁 𝑥

relație care ne indică faptul că densitatea de sarcini negative pe unitatea de suprafață în zona p trebuie să
fie egală cu densitate de sarcini pozitive pe unitatea de suprafață din zona n.

În figura alăturată puteți să vedeți o reprezentare a câmpului electric

din zona sarcinilor spațiale. Câmpul este negativ, adică este orientat
dinspre zona n spre zona p, depinde liniar de distanța față de joncțiune
și este maxim la nivelul acesteia. Este important de observat că acest
câmp electric există în regiunea sarcinilor spațiale chiar și în absența
unei tensiune aplicate pe joncțiune.

Potențialul electric asociat acestui câmp se poate determina integrând

câmpul electric (Cursul #1). În regiunea p:
   
𝑒𝑁
𝜙(𝑥) = − 𝐸 (𝑥)𝑑𝑥 = ⎯⎯⎯ 𝑥 + 𝑥 𝑑𝑥
𝜀
   
de unde obținem:
𝑒𝑁 𝑥
𝜙(𝑥) = ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯+ 𝑥 𝑥 + 𝐶
𝜀 2

unde 𝐶 este o constantă de integrare. Deoarece potențialul se poate defini numai până la o constantă
aditivă (Cursul #1), prin convenție se alege 𝐶 astfel încât potențialul în 𝑥 = −𝑥 să fie zero, adică
𝜙 −𝑥 = 0, de unde o să obținem 𝐶 = ⎯⎯⎯𝑥 , iar potențialul în zona p

𝑒𝑁
𝜙(𝑥) = ⎯⎯⎯ 𝑥 + 𝑥 , pentru − 𝑥 ≤ 𝑥 ≤ 0
2𝜀

Similar, în zona n potențialul o să fie

   
𝑒𝑁 𝑒𝑁 𝑥
𝜙(𝑥) = − 𝐸 (𝑥)𝑑𝑥 = ⎯⎯⎯⎯(𝑥 − 𝑥) 𝑑𝑥 = ⎯⎯⎯⎯ 𝑥 𝑥 − ⎯⎯⎯ + 𝐶
𝜀 𝜀 2
   

O să alegem constanta de integrare astfel încât potențialul să fie continuu în 𝑥 = 0, adică

𝑒𝑁
𝜙(0) = ⎯⎯⎯ 𝑥 = 𝐶
2𝜀
de unde vom obține:

𝑒𝑁 𝑥 𝑒𝑁
𝜙(𝑥) = ⎯⎯⎯⎯ 𝑥 𝑥 − ⎯⎯⎯ + ⎯⎯⎯ 𝑥 pentru 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝑥
𝜀 2 𝜀

Din figura de mai sus se poate observa că bariera de potențial este egală cu

𝑒
𝑉 =𝜙 𝑥 = 𝑁 𝑥 +𝑁 𝑥
2𝜀

2021 - Curs Page 7

 𝑒
𝑉 = 𝜙(𝑥 ) = ⎯⎯⎯ 𝑁 𝑥 + 𝑁 𝑥
2𝜀

Energia potențială a unui electron este dată de 𝐸 = −𝑒𝜙(𝑥), se poate obseva că aceasta corespunde exact
energiei potențiale pe care am prezentat-o schematic în secțiunea 14.3.1., însă atunci nu am justificat cum
am ales forma energiei.

14.3.3 Lărgimea zonei sarcinilor spațiale

Înlocuind în ecuația barierei de potențial relația 𝑁 𝑥 = 𝑁 𝑥 , determinată mai sus, se pot extrage direct
atât 𝑥 cât și 𝑥 ca fiind

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
⎧   2𝜀𝑉 𝑁 1
⎪𝑥 =
⎪ ⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 𝑁 +𝑁
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
⎨   2𝜀𝑉 𝑁 1
⎪𝑥 =
⎪ ⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 𝑁 +𝑁
⎩

Lărgimea zonei de sarcini spațiale (zona golită de purtători) o să fie 𝑊 = 𝑥 + 𝑥 , care o să ne dea
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
  2𝜀𝑉 𝑁 + 𝑁
𝑊= ⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 𝑁

Exemplul #3. Calculați lărgimea zonei de sarcini pentru joncțiunea pn de la exemplul #2, știind că pentru
Si ε = 𝜀 , 𝜀 = 11.7 × 8.854 × 10 ⎯⎯⎯⎯. Cât este valoarea câmpului electric maxim la nivelul
joncțiunii pn ?
 
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
Înlocuim în relația 𝑊 = ⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯ și ținem cont că N = 2.0 × 10 cm și N = 10 cm iar

V = 0.713 V , vom obține 0.962 μm. Câmpul electric maxim 𝐸 (𝑥 = 0) = − ⎯⎯⎯𝑥 = − ⎯⎯⎯𝑥 =
− 1.75 × 10 𝑉/𝑐𝑚 valoare destul de mare !!! Însă deoarece nu sunt sarcini libere în această zonă,
câmpul electric nu o să producă un curent de drift.

14.4 Joncțiunea pn - polarizată invers

Dacă aplicăm o tensiune pe joncțiune aceasta nu o să mai fie la

echilibru, iar nivelul Fermi nu va mai fi același pentru tot
sistemul nostru. În imaginea alăturată puteți să observați structura
de benzi la nivelul joncțiunii în cazul în care aplicăm tensiune
pozitivă în regiunea n și negativă în regiunea p (polarizăm invers
joncțiunea). Deoarece potențialul pozitiv este aplicat în regiunea
n, nivelul Fermi din această regiune o să scadă cu cantitatea 𝑒𝑉 ,
relativ la nivelul Fermi din regiunea p, adică

𝐸 −𝐸 = 𝑒𝑉

unde VR tensiunea aplicată pe joncțiune.

Bariera de potențial totală o să fie acum

𝑉 = |𝜙 | + 𝜙 +𝑉 = 𝑉 +𝑉

adică, o să crească cu valoarea tensiunii aplicate pe joncțiune.

În zonele p și n câmpul electric este practic zero, ceea ce înseamnă că de fapt câmpul electric 𝐸 asociat
tensiuni 𝑉 se va regăsii la nivelul joncțiunii în zona sarcinilor spațiale. Câmpul electric 𝐸 se va

2021 - Curs Page 8

tensiuni 𝑉 se va regăsii la nivelul joncțiunii în zona sarcinilor spațiale. Câmpul electric 𝐸 se va
suprapune cu câmpul deja existent la nivelul joncțiunii 𝐸 și va duce la golirea suplimentară a zonei
sarcinilor spațiale și creșterea lărgimii acesteia. Noua lărgime a zonei sarcinilor spațiale (golită de
purtători) se obține prin înlocuirea lui 𝑉 cu 𝑉 + 𝑉
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
  2𝜀(𝑉 + 𝑉 ) 𝑁 + 𝑁
𝑊= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 𝑁

relația de mai sus ne indică că lărgimea zonei sarcinilor spațiale (golite de purtători) crește odată cu
polarizarea inversă a joncțiunii (𝑉 ).

Limitele zonei sarcinilor spațiale se pot calcula similar prin înlocuirea lui 𝑉 cu 𝑉 + 𝑉

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
⎧   2𝜀(𝑉 + 𝑉 ) 𝑁 1
⎪𝑥 =
⎪ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 𝑁 +𝑁
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
⎨   2𝜀(𝑉 + 𝑉 ) 𝑁 1
⎪
⎪𝑥 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑁 𝑁 +𝑁
⎩

Câmpul electric total o să fie tot o funcție liniară de distanța față de joncțiune, iar maximul lui o să fie

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒𝑁 𝑒𝑁   2𝑒(𝑉 + 𝑉 ) 𝑁 𝑁
𝐸 = 𝐸(𝑥 = 0) = − ⎯⎯⎯ 𝑥 = ⎯⎯⎯⎯𝑥 = − ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝜀 𝜀 𝜀 𝑁 +𝑁

După cum am menționat mai sus, prin polarizarea inversă a joncțiunii,

lărgimea zonei sarcinilor spațiale o să crească. Să considerăm o
tensiune aplicată 𝑉 , pe care o să o creștem cu o cantitate
infinitezimală 𝑑𝑉 . Zona sarcinilor spațiale se va extine în cele două
regiuni cu 𝑑𝑥 și cu 𝑑𝑥 , căreia îi va corespune o creștere a sarcini
spațiale cu 𝑑𝑞 = (𝑒𝑁 𝑑𝑥 )𝐴 = (𝑒𝑁 𝑑𝑥 )𝐴, unde A este aria
joncțiunii. Putem să definim densitatea de sarcină pe unitatea de
suprafață

𝑑𝑞 = ⎯⎯ = 𝑒𝑁 𝑑𝑥 = 𝑒𝑁 𝑑𝑥

și capacitatea joncțiunii ca fiind

𝑑𝑞 𝑑𝑥 𝑑𝑥
𝐶 = ⎯⎯⎯⎯= 𝑒𝑁 ⎯⎯⎯ = 𝑒𝑁 ⎯⎯⎯
𝑑𝑉 𝑑𝑉 𝑑𝑉

După calcularea derivatei ⎯⎯⎯ sau ⎯⎯⎯ înlocuire o să obținem

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
  𝑒𝜀𝑁 𝑁
C= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
2(𝑉 + 𝑉 )(𝑁 + 𝑁 )

Exemplul #4. Calculați capacitatea unei joncțiuni pn de Si la 300 K, dacă N = 1.0 × 10 cm și

N = 10 cm , 𝑛 = 1.5 × 10 cm și 𝑉 = 5 V .

Înlocuim în
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
  𝑒𝜀𝑁 𝑁
C= = 3.66 × 10 𝐹/𝑐𝑚
2 𝑉 +𝑉 𝑁 +𝑁
2021 - Curs Page 9
 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
  𝑒𝜀𝑁 𝑁
C= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= 3.66 × 10 𝐹/𝑐𝑚
2(𝑉 + 𝑉 )(𝑁 + 𝑁 )

Atenție aceasta este o capacitate per unitatea de suprafață, dacă, de exemplu, aria secțiunii joncțiunii este
de 10 cm , atunci

𝐹
C = 3.66 × 10 ⎯⎯⎯⎯ 10 cm = 0.366 pF
𝑐𝑚

14.4 Curentul printr-o joncțiune pn

În continuare o să descriem calitativ procesul de conducție printr-o joncțiune pn. În imaginea de mai jos
puteți să vedeți o reprezentare schematică a unei joncțiuni pn în echilibru termic, polarizată invers și
direct. De asemenea, sunt reprezentate și structurile de benzi în cele trei cazuri.

Mai sus am văzut că în cazul joncțiunii nepolarizate, datorită difuzie golurilor în zona n și a electronilor în
zona p, se formează la nivelul joncțiunii o zonă de sarcini spațiale (golită de purtători) care va produce un
câmp electric care se va opune difuziei în continuare a golurilor din zona p în zona n și a electronilor din
zona n în zona p. Acestui câmp electric îi corespunde o barieră de potențial la nivelul joncțiunii 𝑉 (de
energie 𝑒𝑉 ) Dacă polarizăm invers joncțiunea, lărgimea zonei de sarcini spațiale crește și înălțimea
barierei de potențial crește. Dacă polarizăm direct joncțiunea, adică aplicăm un potențial pozitiv în zona p
și un potențial negativ în zona n, înălțimea barierei de potențial o să scadă, câmpul electric o să scadă și
lărgimea zonei de sarcini spațiale o să scadă, de asemenea. Deoarece înălțimea barierei de potențial o să
scadă sub valoarea corespunzătoare echilibrului termodinamic, aceasta înseamnă că acum o să putem avea
o difuzie a electronilor din zona n în zona p și a golurilor din zona p în zona n, prin intermediul zonei de
sarcini spațiale. Procesul prin care electronii sunt transferați din zona n în zona p se numește injecție de
electroni, similar procesul prin care golurile sunt transferate din zona p în zona n se numește injecție de
goluri. Este important de observat că electronii injectați în zona p sunt purtători minoritari aici, iar
golurile injectate în zona n sunt, de asemenea, purtători minoritari în această zonă. (Observați că la
trecerea electronilor din zona n în zona p, aceștia trebuie să învingă o barieră de potențial, energia lor
trebuie să crească. Contraintuitiv, pentru goluri, o barieră de potențial este o zonă în care energia lor
trebuie să scadă. Ca să înțelegeți mai bine, puteți să vă imaginați golurile ca bule de aer în apă, acestea
vor să meargă în sus și nu în jos ca o bilă metalică, de exemplu, lăsată să cadă prin apă)

Pentru a putea descrie cantitativ curentul electric print-o joncțiune pn, va trebui să introducem
următoarele notații (unele deja folosite)

𝑁 Concentrația atomilor acceptori din zona p

𝑁 Concentrația atomilor donori din zona n
𝑛 =𝑁 Concentrația purtătorilor majoritari (electronilor) la echilibru termodinamic din zona n

2021 - Curs Page 10

𝑛 =𝑁 Concentrația purtătorilor majoritari (electronilor) la echilibru termodinamic din zona n
𝑝 =𝑁 Concentrația purtătorilor majoritari (golurilor) la echilibru termodinamic din zona p
𝑛 = 𝑛 /𝑁 Concentrația purtătorilor minoritari (electronilor) la echilibru termodinamic din zona p
𝑝 = 𝑛 /𝑁 Concentrația purtătorilor minoritari (golurilor) la echilibru termodinamic din zona n
𝑛 Concentrația totală a purtătorilor minoritari (electronilor) din zona p
𝑝 Concentrația totală a purtătorilor minoritari (golurilor) din zona n

14.4.1 Injecția de electroni și goluri

În paragrafele anterioare am arătat că bariera de potențial care se formează la nivelul joncțiunii aflate în
echilibru termodinamic este dată de

𝑘 𝑇 𝑁 𝑁 𝑁 𝑁
𝑉 = ⎯⎯⎯⎯ln ⎯⎯⎯⎯⎯ = 𝑉 ln ⎯⎯⎯⎯⎯
𝑒 𝑛 𝑛

Din această relație putem extrage

𝑛 ⎯⎯⎯
⎯⎯⎯⎯⎯= 𝑒 (∗)
𝑁 𝑁

Presupunem că ne aflăm la temperatura camerei, astfel încât toți donori sunt ionizați iar 𝑛 = 𝑁 , unde
𝑛 este concentrația la echilibru termodinamic a electronilor majoritari din regiunea n.

Pentru regiunea p avem

𝑛
𝑛 = ⎯⎯⎯
𝑁

unde 𝑛 este concentrația la echilibru termodinamic a electronilor minoritari din regiunea p.

Dacă înlocuim în relația (*) o să obținem

⎯⎯⎯
𝑛 =𝑛 𝑒

Această ecuație ne leagă concentrația electronilor minoritari din regiunea p de concentrația electronilor
majoritari din zona n, la echilibru termodinamic.

Am văzut că dacă polarizăm direct joncțiunea aplicând potențialul 𝑉 atunci înălțimea barierei de potențial
o să scadă. Relația de mai sus trebuie modificată atunci la
( )
⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝑛 =𝑛 𝑒 =𝑛 𝑒 𝑒

pe care o putem scrie ca

⎯⎯⎯
𝑛 =𝑛 𝑒

aici 𝑛 este concentrația totală de electroni minoritari la neechilibru termodinamic (am aplicat un
potențial pozitiv 𝑉) din zona p. Această relație ne spune că prin aplicarea unui potențial pozitiv pe
joncțiune concentrația de electroni minoritari din zona p crește exponențial față de concentrația 𝑛 la
echilibru termodinamic a electronilor minoritari din regiunea p. Această creștere exponențială a
electronilor minoritari din regiunea p se datorează înjecției de electroni dinspre zona n în zona p.

2021 - Curs Page 11

Similar putem să arătăm că

⎯⎯⎯
𝑝 =𝑝 𝑒

unde 𝑝 este concentrația totală de goluri minoritare

la neechilibru termodinamic (am aplicat un potențial
pozitiv 𝑉) din zona n. Această relație ne spune că
prin aplicarea unui potențial pozitiv pe joncțiune
concetrația de goluri minoritare din zona n crește
exponențial față de concentrația 𝑝 la echilibru
termodinamic a golurilor minoritare din regiunea n.
Această creștere exponențială a golurilor minoritare
din regiunea p se datorează înjecției de goluri
dinspre zona p în zona n.

Aceste procese sunt reprezentate schematic în figura

alăturată.

14.4.2 Difuzia purtătorilor minoritari

Să considerăm electroni injectați din zona n în zona p, după cum am menționat și mai sus, electronii sunt
purtători minoritari în zona p. Concentrația electronilor injectați este mai mare decât concentrația
electronilor din zona p la echilibru termodinamic 𝑛 > 𝑛 . Electronii sunt injectați la marginea zonei
spațiale, ceea ce înseamnă că local o să avem o concentrație mai mare de electroni decât în restul zonei p.
Ceea ce va duce la difuzia electronilor de la marginea zonei sarcinilor spațiale în zona p a joncțiunii. În
timpul difuziei apare un fenomen, care se numește recombinare, despre care nu am discutat până acum și
despre care nu o să intrăm în foarte multe detalii datorită lipsei de timp. În principiu, electronii care
difuzează în zona p se vor recombina cu golurile majoritate din această regiune și se vor anihila reciproc,
astfel încât, la distanță mare față de zona sarcinilor spațiale concentrația electronilor minoritari să devină
egală cu cea a electronilor la echilibru termodinamic (𝑛 (𝑥 → ∞) = 𝑛 ). Astfel, putem scrie
următoarele condiții la limită

⎯⎯⎯
𝑛 (−𝑥 ) = 𝑛 𝑒
𝑛 (𝑥 → −∞) = 𝑛

Putem să urmărim un raționament absolut similar și pentru golurile minoritare din zona n și să obținem
următoarele condiții la limită

⎯⎯⎯
𝑝 (𝑥 ) = 𝑝 𝑒
𝑝 (𝑥 → ∞) = 𝑝

O să definim concentrația purtătorilor minoritari în exces din zona p ca

⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝛿𝑛 = 𝑛 − 𝑛 =𝑛 𝑒 −𝑛 =𝑛 𝑒 −1

iar a purtătorilor minoritari în exces din zona n ca

⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝛿𝑝 = 𝑝 − 𝑝 =𝑝 𝑒 −𝑝 =𝑝 𝑒 −1

După cum am menționat mai sus, datorită recombinărilor, ne așteptăm ca pe măsură ce ne îndepărtăm de
zona sarcinilor spațiale, concentrația în exces a purtătorilor să tindă la zero

𝑛 𝑥 → −∞ = 𝑛 ⇒ 𝛿𝑛 𝑥 → −∞ = 𝑛 − 𝑛 = 0
𝑝 𝑥→∞ =𝑝 ⇒ 𝛿𝑝 𝑥 → ∞ = 𝑝 − 𝑝 = 0
2021 - Curs Page 12
 𝑛 (𝑥 → −∞) = 𝑛 ⇒ 𝛿𝑛 (𝑥 → −∞) = 𝑛 − 𝑛 = 0
𝑝 (𝑥 → ∞) = 𝑝 ⇒ 𝛿𝑝 (𝑥 → ∞) = 𝑝 − 𝑝 = 0

Scăderea la zero a sarcinilor în exces datorită proceselor de recombinare electron-gol nu este un proces
brusc, aceasta are loc pe o anumită distanță tipică pentru goluri 𝐿 și electroni 𝐿 . Este de menționat
faptul că lungimile de difuzie se pot determina ca proddusul dintre constanta de difuzie și timpul mediu
⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯
între două ciocniri, aică 𝐿 =   𝐷 𝜏 iar, 𝐿 =   𝐷 𝜏 . Astfel, putem scrie

⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝛿𝑛 (𝑥) = 𝑛 𝑒 −1 𝑒 pentru 𝑥 ≤ −𝑥 (**)

⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝛿𝑝 (𝑥) = 𝑝 𝑒 −1 𝑒 pentru 𝑥≥𝑥 (***)

După cum am văzut mai sus, putem să scriem

întotdeauna concentrația de purtători în funcție
de nivelul Fermi. Deoarece prin injecția de
purtători o să avem electroni și goluri în exces
în zonele p și n, o să ne definim două nivele
Fermi virtuale care se vor extinde din zona p în
zona n și invers. O să scriem concentrațiile de
purtători astfel

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑛𝑒

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑝=𝑛𝑒

În imaginea alăturată se poate observa o

reprezentare schematică a procesului de difuzie
și de recombinare și a structuri de benzi,
împreună cu nivelele Fermi virtuale, pentru o
joncțiune pn polarizată direct.

Să recapitulăm, pentru o joncțiune polarizată direct, datorită faptului că înălțimea barierei de potențial o
să scadă, o să avem o injecție de electroni din zona n în zona p, care va crea o concentrație de electroni
minoritari în exces în zona p. Electronii în exces vor difuza în zona p și se vor recombina cu golurile
majoritare. Concentrația de electroni minoritari în exces o să scadă până la zero la o anumită distanță față
de limita zonei sarcinilor spațiale. Aceeași discuție se poate face și relativ la golurile injectate în zona n.

14.4.3 Curentul prin joncțiunea pn ideală

În continuare o să determinăm curentul printr-o joncțiune
pn, în funcție de tensiunea aplicată pe aceasta. Curentul total
prin joncțiune o să fie suma dintre curenții datorați
electronilor și golurilor. Deoarece curentul este o funcție
continuă prin joncțiunea pn, curentul total o să fie suma
curenților de difuzie a golurilor minoritare din 𝑥 = 𝑥 și a
electronilor minoritari din 𝑥 = 𝑥 , așa cum este indicat
schematic în figura alăturată.

O să calculăm curentul de difuzie a golurilor minoritare la 𝑥 = 𝑥

𝑑𝑝 𝑥
𝐽 𝑥 = −𝑒𝐷
𝑑𝑥

2021 - Curs Page 13

 𝑑𝑝 (𝑥)
𝐽 (𝑥 ) = −𝑒𝐷 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑑𝑥

Deoarece 𝑝 (𝑥) = 𝑝 + 𝛿𝑝 (𝑥) înlocuind obținem

𝑑(𝑝 + 𝛿𝑝 (𝑥)) 𝑑(𝛿𝑝 (𝑥))

𝐽 (𝑥 ) = −𝑒𝐷 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ = −𝑒𝐷 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑑𝑥 𝑑𝑥

deoarece 𝑝 este constant. Pentru 𝛿𝑝 (𝑥) folosim expresia din (***), iar dacă derivăm obținem

𝑒𝐷 𝑝 ⎯⎯⎯
𝐽 (𝑥 ) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝑒 −1
𝐿

Similar o să calculăm curentul de difuzie al electronilor la 𝑥 = −𝑥

𝑑(𝛿𝑛 (𝑥))
𝐽 −𝑥 = 𝑒𝐷 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑑𝑥

și o să obținem

𝑒𝐷 𝑛 ⎯⎯⎯
𝐽 −𝑥 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝑒 −1
𝐿

Curentul total o să fie atunci

𝑒𝐷 𝑝 𝑒𝐷 𝑛 ⎯⎯⎯
𝐽 = 𝐽 (𝑥 ) + 𝐽 −𝑥 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯+ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝑒 −1
𝐿 𝐿

Dacă notăm

𝑒𝐷 𝑝 𝑒𝐷 𝑛
𝐽 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯+ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝐿 𝐿

curentul total o să fie dat de

⎯⎯⎯
𝐽=𝐽 𝑒 −1

Care reprezintă ecuația-diodei ideale și ne dă curentul prin

joncțiunea pn. Chiar dacă am discutat numai despre polarizare
directă, ecuația de mai sus este validă și pentru polarizare indirectă
(putem oricând să înlocuim V cu -V ). 𝐽 se numește curentul de
saturație la polarizare inversă deoarece 𝐽 = 𝐽(𝑉 → −∞) . În figura
alăturată puteți să observați o reprezentare grafică a caracteristicii
unui joncțiuni ideale. Este de menționat faptul că 𝐽 are o valoare
relativ mică, după cum o să vedem în exemplul de mai jos.

Exemplul #5. Calculați curentul de saturație la polarizare inversă pentru o joncțiune pn de Si la T = 300
K, dacă 𝑁 = 𝑁 = 1.0 × 10 𝑐𝑚 , 𝑛 = 1.5 × 10 cm și 𝐷 = 25 𝑐𝑚 /𝑠, 𝐷 = 10 𝑐𝑚 /𝑠,
𝜏 = 𝜏 = 5 × 10 s și ε = 11.7 .

  ⎯⎯⎯⎯⎯   ⎯⎯⎯⎯⎯
𝐽 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯+ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ , dacă înlocuim 𝐿 = 𝐷 𝜏 și 𝐿 = 𝐷 𝜏 , și 𝑛 = 𝑛 /𝑁 ,
𝑝 = 𝑛 /𝑁 relația devine

   
𝐽 = 𝑒𝑛 +
2021 - Curs Page 14
  
⎯⎯  
⎯⎯
𝐽 = 𝑒𝑛 ⎯⎯ ⎯⎯ + ⎯⎯ ⎯⎯ de unde, după înlocuira valorilor numerice

𝐽 = 4,16 × 10 𝐴/𝑐𝑚

Dacă aria joncțiunii ar fi 10−4 cm2 , curentul de saturație inversă ar fi 4,16 × 10 𝐴 !!!!

Mai sus ,în calcularea curentului prin joncțiunea pn am ținut cont de densitățile curentului de difuzie ale
purtătorilor minoritari la marginile zonei sarcinilor spațiale. Am concluzionat faptul că deoarece curentul
total prin joncțiune trebuie să fie constant, suma acestor curenți de difuzie trebuie să fie egală cu curentul
total. Putem să rescriem densitățile curenților de difuzie, nu la marginile zonei spațiale, ci la distanța 𝑥
față de aceasta, ținând cont de prodesele de recombinare. Astfel, putem scrie

⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝐽 (𝑥) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝑒 −1 𝑒 pentru 𝑥≥𝑥
și
𝑒𝐷 𝑛 ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯
𝐽 −𝑥 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝑒 −1 𝑒 pentru 𝑥 ≤ −𝑥
𝐿

După cum era de așteptat, densitățile curenților de

difuzie ale purtătorilor minoritari scad exponențial
cu distanța față de marginile zonei spațiale, așa cu
este reprezentat cu linii continue în imaginea
alăturată. Dar curentul total trebuie să fie constant.
Aceasta înseamnă că în fiecare zonă trebuie să
apară un curent de drift de purtători majoritari
(electroni în zona n și goluri în zona p) care să
compenseze scăderea curenților de difuzie. De
exemplu, curentul de drift de goluri majoritare în
regiunea p va furniza golurile pentru recombinarea
electronilor minoritari injectați prin zona sarcinilor
spațiale.

Cine explică în detaliu care este originea câmpului electric care produce curenți de drift a purtătorilor
majoritari primește o

Exemplul #6. Calculați câmpul electric din zona neutră n pentru o joncțiune pn de Si la T = 300 K, dacă
𝑁 = 𝑁 = 1.0 × 10 𝑐𝑚 , 𝑛 = 1.5 × 10 cm și 𝐷 = 25 𝑐𝑚 /𝑠, 𝐷 = 10 𝑐𝑚 /𝑠, 𝜏 = 𝜏 =
5 × 10 s și ε = 11.7 , dacă tensiunea aplicată pe joncțiune este de 0.65 V.

Avem aceeași joncțiune ca în exemplul precedent, pentru care J = 4,16 × 10 𝐴/𝑐𝑚 , de unde

⎯⎯⎯ 𝐴
𝐽=𝐽 𝑒 − 1 = 3,925 ⎯⎯⎯⎯
𝑐𝑚
Curentul în zona n departe de zona sarcinilor spațiale este curent de drift

𝐽 = 𝐽 ≈ 𝑒𝜇 𝑁 𝐸 de unde 𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯= 2.12 𝑉/𝑐𝑚

2021 - Curs Page 15

14.5 Absorbția optică
Să presupunem că avem un semiconductor pe care îl
iluminăm cu lumină monocromatică. În funcție de
energia fotonului și de lărgimea benzii interzise E se
pot produce mai multe fenomene, descrise în imagine.

Dacă energia fotonului este mai mică decât lărgimea

benzii interzise (ℎ𝜈 < 𝐸 ) atunci fotonul nu este
absorbit și materialul semiconductor este transparent
pentru fotoni de asemenea energie (lumină de
asemenea frecvență sau lungime de undă).

Dacă energia fotonului incident este aproximativ egală cu energia benzii interzise (ℎ𝜈 ≈ 𝐸 ) atunci
fotonul este absorbit de către un electron de la marginea superioară a BV și care tranziționează la
marginea inferioară a BC, astfel se formează o pereche electron-gol. Dacă energia fotonului incident este
mai mare decât energia benzii interzise (ℎ𝜈 > 𝐸 ) fotonul este absorbit de către un electron din BV și
care tranziționează în BC, astfel se formează o pereche electron-gol. Electronul o să aibă energie cinetică
relativ mare (egală cu ℎ𝜈 − 𝐸 ) și care se va disipa sub formă de căldură în semiconductor.

Putem să notăm fluxul de fotoni prin semiconductor cu 𝐼 (𝑥), astfel, într-un

semiconductor de grosime 𝑑𝑥 o să fie absorbită energia:

α𝐼 (𝑥)𝑑𝑥 , unde α este coeficientul de absorbție.

Din imagine putem scrie:

𝑑𝐼 (𝑥)
𝐼 (𝑥 + 𝑑𝑥) − 𝐼 (𝑥) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯𝑑𝑥 = −α𝐼 (𝑥)𝑑𝑥
𝑑𝑥

de unde:
( ) Sursa: Neamen
⎯⎯⎯⎯⎯𝑑𝑥 = −α𝐼 (𝑥)𝑑𝑥 sau, după integrare:

𝐼 (𝑥) = 𝐼 𝑒

unde 𝐼 este fluxul incident pe suprafața

semiconductorului. Această relație ne arată că fluxul de
fotoni scade exponențial cu distanța în interiorul
semiconductorului.

Coeficientul de absorbție depinde puternic de energia

fotonilor incidenți, după cum este exemplificat în
graficul alăturat. Se poate observa cum coeficientul de
absorbție scade brusc, pentru sub anumite energii (sau
peste anumite lungimi de undă). În acest moment ℎ𝜈 <
𝐸 semiconductorul nu mai absoarbe lumină, pentru
fotoni de energie mai mică decât 𝐸 (sau lungimi de
undă mai mari decât 𝜆 > ℎ𝑐/𝐸 ) el fiind transparent.

Din grafic se poate observa că Si începe să absoarbă fotoni pentru energii mai mari decât aproximativ 1.1 eV, iar
GaAs pentru energii mai mari decât aproximativ 1.4 eV. Aceasta este de așteptat deoarece având în vedere valoarea
lărgimii benzii interzise pentru cele două materiale. Ce se poate observa este că pentru Si coeficientul de absorbție

2021 - Curs Page 16

lărgimii benzii interzise pentru cele două materiale. Ce se poate observa este că pentru Si coeficientul de absorbție
crește relativ încet cu energia, pentru aproximativ 1.2 eV este de aproximativ 50 cm . În schimb, pentru GaAs
ceoficientul de absorbție crește foare puternic, pentru pentru aproximativ 1.5 eV este de aproximativ 7000 cm .
Aceasta se datorează faptului că GaAs este un semiconductor cu gap direct iar Si este un semiconductor cu gap
indirect.

Haideți să urmărim procesul de

absorbție a unui foton de energie ℎ𝜈 ≈
𝐸 .

În procesul de ciocnire, pe lângă

energie trebuie să se conserve și
impulsul (semestrul I). Energia se
conservă bineînțeles, deoarece altfel
tranziția nu ar avea loc. În ceea ce
privește impulsul, impulsul fotonului
plus impulsul inițial al electronului
trebuie să fie egal cu impulsul final al
electronului. Impulsul unui foton este
ℎ𝜈/𝑐, adică energia divizată la viteza
luminii. Această valoare pentru impuls
este foarte mică și putem să o
aproximăm cu zero

În cazul GaAs (material cu gap direct) tranziția are loc pe verticală, impulsul electronului înainte de ciocnirea cu
fotonul era ℏ𝑘 = 0 iar după ciocnire ℏ𝑘 = 0. Asta înseamă că impulsul se conservă:
⎯⎯+ ℏ𝑘 = ℏ𝑘 ⟺ 0 = 0

În cazul Si (material cu gap indirect) tranziția nu are loc pe verticală, impulsul electronului înainte de ciocnirea cu
fotonul era ℏ𝑘 = 0 iar după ciocnire ℏ𝑘 > 0. Aceasta înseamnă că impulsul nu se conservă:

⎯⎯+ ℏ𝑘 = ℏ𝑘 ⟺ 0 = ℏ𝑘 , ceea ce este fals.

Aceasta înseamnă că pentru materialele cu gap indirect, în procesul de tranziție trebuie să mai fie implicat
și un fonon (oscilație a rețelei), care în momentul când fotonul ciocnește electronul, să ciocnească și el
electronul și să-i dea un impuls suficient pentru ca impulsul total să se conserve. Deci, pentru materiale cu
gap indirect procesul de absorbție optică implică trei elemente: fotonul, electronul și fononul. Din acest
motiv acest fenomenul de absorbție optică are o probaililtate mult mai mică în materiale cu gap indirect
decât în materiale cu gap direct.

Cine determină din graficul de mai sus care materiale au gap direct și care au gap indirect primește o

Exemplul #7 Calculați grosimea unui semiconductor de Si care absoarbe 90 % dintre fotonii incidenți
dacă lumina are o lungime de undă de (a) 𝜆 = 1 𝜇𝑚 și (b) 𝜆 = 0.5 𝜇𝑚

Din grafic observăm că pentru 𝜆 = 1 𝜇𝑚 coeficientul de abosrbție este de apoximativ 𝛼 ≈ 10 𝑐𝑚 .

Dacă după lungimea d fluxul incident de fotoni scade cu 90 % atunci:
( ) ( )
⎯⎯⎯⎯= 0.1 dar ⎯⎯⎯⎯= 𝑒

de aici d = 230 𝜇𝑚.

Similar, pentru o lungime de undă de 𝜆 = 0.5 𝜇 obținem 2.3 𝜇𝑚

2021 - Curs Page 17

 Similar, pentru o lungime de undă de 𝜆 = 0.5 𝜇 obținem 2.3 𝜇𝑚

Observăm că odată cu creșterea energiei (scăderea lungimii de undă) fotonii sunt absorbiți într-o regiune
foarte îngustă de la suprafața semiconductorului.

14.6 Fotoluminescența

Odată o pereche electron-gol formată, există o probabilitate

importantă de recombinare radiativă, adică anihilarea perechi
electron-gol și emisia unui foton. Procesul de recombinare
este descris în imaginea alăturată. În cazul în care
recombinarea are loc între un electron de la baza BC și un gol
din vârful BV se emite un foton de energie:

ℎ𝜈 ≈ 𝐸 ,

adică frecvență sau lungime de undă:

𝐸
𝜈 = ⎯⎯⎯
ℎ
𝜆 = ⎯ = ⎯⎯

În cazul în care tranziția nu are loc între baza BC și vârful BV

atunci energia fotonului este mai mare decât E și surplusul de
energie este transferat rețelei, iar semiconductorul se va
încălzi.

Emisia spontană de fotoni prin recombinare radiativă, fiind

activată termic, este dată aproximativ de relația:

⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯
𝐼(𝜈) ∝ 𝜈 ℎ𝜈 − 𝐸 𝑒

În imaginea alăturată puteți să observați fluxul de fotoni emiși

de un LED de GaAs în funcție de energia fotonilor emiși, la
diferite temperaturi.

Din graficul alăturat, care este E pentru GaAs la 300 K, dar la

77 K ?

Sursa: Sze și Ng

2021 - Curs Page 18