Cursul # 13 Fizică II- ETTI-UTCN dr.

Mihai GABOR

13.0 Statistica purtătorilor de sarcină

Unul dintre parametri cei mai importanți care guvernează conductibilitatea sau rezistivitatea unui
semiconductor este densitatea de electroni din banda de conducție (pe care am notat-o cu n) și de goluri
din banda de valență (notată cu p). În continuare o să ne referim numai la electronii din banda de
conducție, însă la final o să generalizăm rezultatul și pentru golurile din banda de valență.

13.1 Densitatea de stări

Densitatea de electroni din banda de conducție (BC) depinde de numărul de stări disponibile în banda de
conducție, deoarece, conform cu Pauli, numai un singur electron poate ocupa o stare dată (ignorăm pentru
moment spinul). Când am discutat despre formarea benzilor de energie am spus că acestea sunt formate
prin suprapunerea nivelelor de energie atomice. În continuare o să determinăm densitatea acestor nivele
de energie din BC, care ne va permite în final să determinăm densitatea de electroni din BC.

Electronii din BC se pot mișca relativ liber prin cristal, atât doar că aceștia rămân confinați în interiorul
cristalului. Astfel, într-o primă aproximație, putem să considerăm un electron din BC ca un electron liber
într-o groapă de potențial infinită 3D, a cărui energie potențială se poate scrie ca

𝑉(𝑥, 𝑦, 𝑥) = 0, dacă 0 < 𝑥 < 𝑎 sau 0 < 𝑦 < 𝑎 sau 0 < 𝑧 < 𝑎 și 𝑉(𝑥, 𝑦, 𝑥) → ∞ în rest,

unde am presupus cristalul ca fiind un cub de latură a. În cursul #10 am arătat că pentru un electron liber
într-o groapă de potențial 1D infinită energia era dată de:

ℏ 𝑘
𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯
2𝑚

unde 𝑘 se cuantifica după 𝑘 = ⎯ 𝑛 , unde n = 1, 2, 3, ...

O să generalizăm pentru trei dimensiuni și o să scriem

𝑘 =𝑘 +𝑘 +𝑘 = 𝑛 +𝑛 +𝑛 ⎯ unde 𝑘 = ⎯ 𝑛 , 𝑘 = ⎯ 𝑛 , și 𝑘 = ⎯ 𝑛 , iar 𝑛 , 𝑛 și 𝑛
sunt numere întregi pozitive.

Putem să reprezentăm schematic stările posibile în spațiul

k. Pentru simplitate o să reprezentăm stările pentru 𝑘 și
𝑘 . Distanța în spațiul k dintre două stări consecutive, de
exemplu de-al lungul axei 𝑘 , este:

𝑘 − 𝑘 = (𝑛 + 1) ⎯ − 𝑛 ⎯ = ⎯

Suprafața ocupată de o stare în spațiul k o să fie atunci

𝑆 = ⎯ .Dacă generalizăm acest rezultat la trei
dimensiuni, volumul în spațiul k ocupat de o stare este

𝜋
𝑉 = ⎯⎯
𝑎

2022 - Curs Page 1

Bineînțeles, în 3D, stările posibile pot fi reprezentate ca o
rețea cubică de puncte

Nota bene! O stare este definită de cele trei numere

(𝑛 , 𝑛 , 𝑛 ) , cărora le corespund (𝑘 , 𝑘 , 𝑘 ) și are
volumul 𝑉 = ⎯ în spațiul k.

Numărul de stări posibile până la o anumită energie, deci un

anumit k, este dat de toate combinațiile (𝑘 , 𝑘, 𝑘 ) (cărora le
corespund (𝑛 , 𝑛 , 𝑛 ) ), pentru care 𝑘 + 𝑘 + 𝑘 < 𝑘 . Adică
aceste stări se vor regăsi într-o optime de sferă de rază k în
spațiul k.

Pentru a determina densitatea de stări în spațiul

k ,corespunzătoare unui anumit k o să considerăm un volum
diferențial 𝑑𝑉 . Adică volumul care se află între sfera de rază k și
k + dk . Numărul de stări din acest volum o să fie

𝑑𝑉 1 4𝜋𝑘 𝑑𝑘
𝑑𝑁 = 2 ⎯⎯⎯ = 2 ⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑉 8 𝜋
⎯⎯
𝑎

Aici 2 se datorează faptului că pentru fiecare stare avem de fapt două stări posibile pentru cele două
orientări ale spinului, iar 1/8 se datorează faptului că trebuie să considerăm numai o optime din volumul
total deoarece avem numai 𝑘 , 𝑘 și 𝑘 pozitivi.

2022 - Curs Page 2

O să definim densitatea de stări 𝑔(𝑘) astfel:

𝑑𝑁 = 𝑔(𝑘)𝑑𝑘

de unde

𝑔(𝑘)𝑑𝑘 = ⎯⎯⎯⎯𝑎 (*)

care ne dă densitatea de stări în funcție de vectorul de undă k.

O să vrem să determinăm densitatea de stări în funcție de energie. Pentru asta o să ținem cont de faptul că
pentru un electron liber
⎯⎯⎯
𝑘 = ⎯⎯⎯
ℏ
sau 𝑘 = ⎯⎯⎯
ℏ

dacă diferențiem

1 ⎯⎯⎯
𝑚
𝑑𝑘 = ⎯⎯ ⎯⎯⎯𝑑𝐸
ℏ 2𝐸

Înlocuind în relația (*) obținem densitatea de stări între energiile E și E+dE

𝑎 2𝑚𝐸 1 ⎯⎯⎯ 𝑚
𝑔(𝐸)𝑑𝐸 = ⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯ ⎯⎯⎯𝑑𝐸
𝜋 ℏ ℏ 2𝐸

Dacă înlocuim ℏ = ℎ/2𝜋 obținem

4𝜋𝑎 / ⎯⎯
𝑔(𝐸)𝑑𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯(2𝑚) √𝐸 𝑑𝐸
ℎ

care ne dă densitatea de stări posibile E și E+dE pentru un cristal de volum 𝑎 . O să împărțim și cu

volumul și o să obținem atunci densitatea de stări per unitatea de volum

( ) / ⎯⎯
𝑔(𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯√𝐸 (∗∗)

Această relație ne spune că pentru electronii liberi densitatea de stări crește odată cu energia stărilor.

Exemplul#1 Calculați numărul de stări pe unitatea de volum pentru electroni liberi de energii între 0 și
1eV.

Numărul de stări o să fie dat de

4𝜋(2𝑚) / ⎯⎯
𝑁= 𝑔(𝐸)𝑑𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ √𝐸 𝑑𝐸
ℎ

( ) ă ă
𝑁 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯ 𝐸 prin înlocuire obținem 𝑁 = 4.5 × 10 ⎯⎯⎯⎯= 4.5 × 10 ⎯⎯⎯⎯ !!!

2022 - Curs Page 3

Putem să extindem rezultatul de mai sus pentru a determina densitatea de stări pentru electronii din BC și
golurile din BV. În cursul #12 am văzut că în jurul minimului benzii de conducție putem să aproximăm
energia cu o parabola, adică:

ℏ 𝑘
𝐸 = 𝐸 + ⎯⎯⎯⎯⎯
2𝑚∗

unde 𝐸 este minimul maximul benzii de conducție și 𝑚∗ masa efectivă a electronilor din BC. Putem să
rescriem acestă relație

ℏ 𝑘
𝐸 − 𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯
2𝑚∗

care ne spune că în apropierea minimului benzii de conducție putem să considerăm electronii ca fiind
liberi și având masa efectivă 𝑚∗ . Haideți să comparăm această cu relația care ne dă energia electronilor
liberi

ℏ 𝑘
𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯
2𝑚

și pe care am folosit-o pentru a determina densitatea de stări (∗∗). Astfel, putem să generalizăm densitatea
de stări și să scriem denistatea de stări pentru electronii din BC ca fiind:

4𝜋(2𝑚∗ ) / ⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑔 (𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝐸 − 𝐸
ℎ

Folosind aceleași argumente și știind că pentru golurile din BV energia poate fi scrisă (cursul #12):

ℏ 𝑘
𝐸 − 𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯
2𝑚∗

unde 𝐸 este maximul maximul benzii de conducție și

𝑚∗ masa efectivă a electronilor din BC, putem scrie densitatea
de goluri din BV ca

/
4𝜋 2𝑚∗ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑔 (𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝐸 − 𝐸
ℎ
Bineînțeles, pentru energii mai mari decât EV și mai mici
decât EC ne aflăm în interiorul benzii interzise și iar
densitatea de stări este zero. Densitatea de stări pentru
cele două benzi este reprezentată schematic în figura
alăturată.

Exemplul#2 Calculați numărul de stări în Si pentru energii între 𝐸 și 𝐸 + 𝑘 𝑇 la 𝑇 = 300 𝐾.

Numărul de stări o să fie dat de

4𝜋(2𝑚∗ ) / ⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑁= 𝑔 (𝐸)𝑑𝐸 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝐸 − 𝐸 𝑑𝐸
ℎ

∗
𝑁= (𝐸 − 𝐸 ) 𝑁 = 2.12 × 10 𝑠𝑡ă𝑟𝑖/𝑐𝑚

2022 - Curs Page 4

 ( ∗)
𝑁 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯ (𝐸 − 𝐸 ) prin înlocuire obținem 𝑁 = 2.12 × 10 𝑠𝑡ă𝑟𝑖/𝑐𝑚 !!!

unde am ținut cont de faptul că 𝑘 = 1.38 × 10 𝐽𝐾 = 8.617 × 10 𝑒𝑉 𝐾 este constanta lui

Boltzman.

13.2 Distribuția Fermi-Dirac

Deoarece atât în BC cât și în BV avem de-a face cu un număr foarte mare de stări și de particule (electroni
sau goluri), trebuie să tratăm problema ocupării stărilor din punct de vedere statistic.

Să presupunem că avem un anumit nivel de energie j cu un

număr 𝑔 de stări. Conform lui Pauli, un singur electron
poate să ocupe o stare (ignorăm pe moment spinul).

Haideți să vedem câte posibilități avem de plasare a electronilor pe nivelele de energie. Dacă ar fi să
plasăm un electron pe una din stări am avea 𝑔 posibilități unde să-l plasăm. Dacă am pune un al doilea
electron am avea 𝑔 − 1 posibilități, dacă am pune un al treilea electron am avea 𝑔 − 2 posibilități
ș.a.m.d. Cu toate acestea, trebuie să ținem cont că electroni sunt indiscernabili, aceasta înseamnă că toate
aranjamentele în care am inversa electroni între ei nu sunt aranjamente separate. Adică, dacă am avea, de
exemplu, doi electroni pe un nivel cu două stări am avea un singur aranjament posibil în care "electronii
ocupă cele două stări", și nu două aranjamente în care "primul electron ocupă prima stare, al doilea
electron ocupă a doua stare" și "primul electron coupă a doua stare și al doilea electron ocupă prima
stare", aceasta deoarece nu putem să identificăm electronii, nu putem să spunem care este primul și care
este al doilea. Astfel, numărul total de moduri în care am putea distribui 𝑁 electroni pe nivelul de energie
j care are 𝑔 stări este dat de:

…( ( )) !
𝑊 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
! ! !

Dacă avem un număr de n nivele de energie, numărul total de aranjamente posibile o să fie

𝑔!
𝑊= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑁! 𝑔 −𝑁 !

Cea mai probabilă distribuție a electronilor pe stările de energie o să fie cea pentru care W este maxim
pentru un număr fix de electroni și o energie totală dată. (Cantitatea 𝑆 = 𝑘 𝑙𝑛𝑊 se numește entropie).

Funcția care ne dă cea mai probabilă distribuție este dată de

𝑁(𝐸) 1
⎯⎯⎯⎯⎯= 𝑓 (𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑔(𝐸) ⎯⎯⎯⎯
𝑒 +1

această funcție se numește distribuția Fermi-Dirac și ne dă probabilitatea ca o stare de energie E să fie

ocupată cu un electron. Aici 𝑘 = 1.38 × 10 𝐽𝐾 = 8.617 × 10 𝑒𝑉 𝐾 este constanta lui
Boltzman, iar 𝑁(𝐸) este numărul de electroni per unitatea de volum și unitatea de energie , 𝑔(𝐸) este
densitatea de stări iar 𝐸 se numește energia Fermi.

Pentru a înțelege această funcție și energia Fermi o să considerăm prima dată cazul în care temperatura
este zero 𝑇 = 0 𝐾. Observăm că

𝑓 𝐸 = = =1 𝐸 < 𝐸 și

2022 - Curs Page 5

𝑓 (𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯ = 1 dacă 𝐸 < 𝐸 și
⎯⎯⎯⎯

𝑓 (𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯ = 0 dacă 𝐸 > 𝐸 și

⎯⎯⎯⎯

Reprezentăm alăturat distribuția

Fermi-Dirac pentru 𝑇 = 0 𝐾.
Acest rezultat ne indică faptul că
toate stările cu energie mai mică
decât 𝐸 sunt ocupate, iar toate
stările cu energie mai mare decât
𝐸 sunt libere.

Să considerăm un exemplu concret a unui sistem cu 5 nivele de energie, 21 de stări posibile și 13

electroni. În primul rând observăm că densitatea de stări de pe nivelul de energie 𝐸 este 1, de pe nivelul
𝐸 este 1 ș.a.m.d. Electronii ocupă stările posibile pornind de la energia cea mai joasă până la energia 𝐸 ,
nivelul de energie 𝐸 este complet liber. Aceasta înseamnă că în acest caz probabilitatea de ocupare a
stărilor pentru energii mai mici decât 𝐸 este 1, iar pentru nivelul 𝐸 probabilitatea de ocupare este 0.
Aceasta ne indică că energia Fermi este între 𝐸 și 𝐸 , adică 𝐸 < 𝐸 < 𝐸 .

Să mărim temperatura la 𝑇 >

0 𝐾. Electronii o să câștige
energie termică și unii vor putea
sări pe nivele de energie mai
mare. Acesta înseamnă că
probaililtaea de ocupare a
stărilor de pe nivelul 𝐸 nu va
mai fi zero, iar a nivelelor de
energie mai mică (𝐸 și 𝐸 ) nu
va mai fi 1.

Putem să observăm că dacă alegem 𝐸 = 𝐸 , atunci

1 1
𝑓 (𝐸 = 𝐸 ) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= ⎯⎯
⎯⎯⎯ 2
𝑒 +1

Ceea ce înseamnă că probabilitatea de ocupare a unei stări de energie egală cu energia Fermi este 1/2.
Aceasta este definiția energiei Fermi.

Putem să concluzionăm că pentru 𝑇 > 0 𝐾, avem o probabilitate non-nulă ca anumite stări de energie mai
mare decât 𝐸 să fie ocupate cu electroni , iar anumite stări de energie mai mică decât 𝐸 să fie libere.

Exemplul#3 Calculați probabilitatea ca o stare de energie mai mare decât 𝐸 cu 3𝑘 𝑇 să fie ocupată de
un electron, dacă T = 300 K.

1 1 1
𝑓 (𝐸) = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= 4.79 %
⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯ 20.09 + 1
𝑒 +1 𝑒 +1

O simplificare importantă a funcției de distribuție FD se obține pentru 𝐸 − 𝐸 ≫ 𝑘 𝑇 în acest caz putem

să ignorăm 1 din numitor relativ la funcția exponențială iar FD devine:

𝑓 𝐸 =𝑒

2022 - Curs Page 6

 ⎯⎯⎯⎯
𝑓 (𝐸) = 𝑒

care se numește aproximația Boltzmann a distribuției Fermi-Dirac.

13.3 Purtătorii de sarcină într-un semiconductor intrinsec

Semiconductorii pentru care numărul de electroni din BC este egal cu

numărul de goluri din BV se numesc semiconductori intrinseci.
Semiconductorii puri sunt semiconductori intrinseci, de ex Si, Ge sau
GaAs sunt semiconductori intrinseci. La temperaturi diferite de 0 K,
mecanismul dominat de formare al perechilor electron-gol este cel
termic. Vibrațiile termice ale rețelei (fononii) pot să transfere energie
electronilor de valență și să ducă la crearea de perechi electron-gol.
Acest mecanism fiind unul termic, probabilitatea în unitatea de timp să
avem formarea a unei perechi electron-gol este dat de funcția de
distribuție Fermi-Dirac (FD), care depinde exponențial de temperatură.
Dacă la temperaturi mici este relativ scăzută, aceasta crește puternic cu
temperatura. Aceasta înseamnă că la o anumită temperatură o să avem o
probabilitate însemnată de formare a unei perechi electron gol. Adică, dacă o să așteptăm suficient de mult
toți electronii din BV o să tranziționeze în BC și toți o să formeze perechi electron-gol ? Bineînțeles că nu se
întâmplă asta. Odată cu creșterea numărului de perechi electron-gol crește și probabilitatea ca aceștia să se
întâlnească accidental și să se anihileze reciproc (recombinare), excesul de energie fiind dat înapoi rețelei
cristaline. Astfel, la o anumită temperatură o să avem un echilibru între numărul de perechi electron-gol care
se creează și numărul de perechi electron-gol care se anihilează reciproc (recombină).

În figura de mai jos sunt reprezentate schematic structura de benzi, densitate de stări, funcția de distribuție
FD, precum și concentrația de electroni din BC și de goluri din BV. Din figură putem observa că
densitatea de electroni din banda de conducție este dată de produsul dintre densitatea de stări 𝑔 (𝐸) și
funcția de distribuție 𝑓 (𝐸). Similar, densitatea de goluri din banda de valență este dată de produsul
dintre densitatea de stări 𝑔 (𝐸) și funcția de distribuție 1 − 𝑓 (𝐸).

Densitatea electronilor din BC la echilibru termic o să fie dată de:

𝑛 = ∫ 𝑔 (𝐸)𝑓 (𝐸)𝑑𝐸

limita inferioară de integrare trebuie să fie E iar limita superioară ar trebuii să fie maximul benzii de
conducție. Deoarece funcția FD scade rapid la zero, putem să punem limita superioară infinit. Astfel

4𝜋(2𝑚∗ ) / ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯

𝑛= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝐸 − 𝐸 𝑒 𝑑𝐸
ℎ

2022 - Curs Page 7

unde am considerat aproximația Boltzmann a funcției FD.

Pentru a calcula integrala o să facem o schimbare de variabilă

𝐸−𝐸
𝜉 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑘 𝑇

Astfel

4𝜋(2𝑚∗ 𝑘 𝑇) / ⎯⎯⎯⎯⎯ /
𝑛 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯𝑒 𝜉 𝑒 𝑑𝜉
ℎ

Integrala este funcția gama care are valoarea ∫ 𝜉 /

𝑒 𝑑𝜉 = ⎯ √⎯⎯
𝜋

Iar relația de mai sus devine

/
2𝜋𝑚∗ 𝑘 𝑇 ⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛 = 2 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝑒
ℎ

O să notăm
/
2𝜋𝑚∗ 𝑘 𝑇
𝑁 = 2 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
ℎ

Și densitatea de electroni din BC o să devină

⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑁 𝑒

unde 𝑁 se numește densitatea efectivă de stări din BC și care reprezintă densitatea de stări disponibile în
BC pentru formarea de perechi electron-gol la o anumită temperatură

Densitatea golurilor din BV la echilibru termic o să fie dată de

𝑝 = ∫ 𝑔 (𝐸)(1 − 𝑓 (𝐸))𝑑𝐸

Similar cu cazul electronilor din BC, limita inferioară de integrare trebuie să fie −∞ iar limita superioară
trebuie să fie maximul benzii de valență E . Astfel
/
4𝜋 2𝑚∗ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯
𝑝= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 𝐸 − 𝐸 𝑒 𝑑𝐸
ℎ

unde am folosit faptul că în aproximația Boltzman, funcția de distribuție FD o să fie

1 1 ⎯⎯⎯⎯
1 − 𝑓 (𝐸) = 1 − ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯≈ 𝑒
⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯
𝑒 +1 𝑒 +1

Similar cu cazul electronilor din BC, după integrare o să obținem

⎯⎯⎯⎯⎯
𝑝=𝑁 𝑒

unde
/
2𝜋𝑚∗ 𝑘 𝑇
𝑁 =2
ℎ
2022 - Curs Page 8
 /
2𝜋𝑚∗ 𝑘 𝑇
𝑁 = 2 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
ℎ

se numește densitatea efectivă de stări din BV și care reprezintă densitatea de stări disponibile în BV pentru
formarea de perechi electron-gol la o anumită temperatură.

Cu toate că densitățile efective de stări 𝑁 și 𝑁 din BC și BV depind de temperatură în T3/2 dependența

exponențială a lui 𝑛 și 𝑝 de temperatură este dominantă, astfel putem să aproximăm că densitățile efective
de stări din BC și BV ca fiind constante.

13.3.1 Concentrația purtătorilor intrinseci

Pentru un semiconductor intrinsec deoarece pentru

fiecare electron din BC avem un gol în BV putem
scrie:

𝑛=𝑝=𝑛

Putem să calculăm produsul dintre concentrația de

goluri din BV și de electroni din BC, și din relațiile de
mai sus obținem:

⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯
𝑛 = 𝑛𝑝 = 𝑁 𝑁 𝑒 =𝑁 𝑁 𝑒

observăm că pentru un semiconductor intrinsec,

densitatea de purtători intrinseci 𝒏𝒊 nu depinde de
energia Fermi.

În imaginea alăturată este reprezentată dependența

concentrației de purtători intrinseci pentru Si, Ge și
GaAs în funcție de inversul temperaturii (1000/T).
Valorile reprezentate sunt valori experimentale și sunt
în foarte bună concordanță cu relația de mai sus.

Observați scala logaritmică pe verticală, ceea ce indică

dependența puternică a concentrației de purtători în
funcție de temperatură. Cu puncte sunt indicate
valorile lui 𝑛 la temperatura camerei (27 °C)

Sursa: Sze & Ng

În tabelul de mai jos sunt sumarizate câteva mărimi importante pentru Si, GaAs și Ge.

Material Eg (eV) N (cm ) @ 300 K N (cm ) @ 300 K 𝑚∗ /𝑚 𝑚∗ /𝑚 n (cm ) @ 300 K

Si 1.11 2.8 × 10 1.04 × 10 1.08 0.56 1.5 × 10
GaAs 1.43 4.7 × 10 7.0 × 10 0.067 0.48 1.8 × 10
Ge 0.72 1.0 × 10 6.0 × 10 0.55 0.37 2.4 × 10

2022 - Curs Page 9

Exemplul #4. Calculați concentrația de goluri în Si la 400 K, dacă densitatea de efectivă de stări din banda
de valență este de 𝑁 = 1.04 × 10 cm la 300 K, considerați că nivelul Fermi este la 0.27 eV
deasupra benzii de valență (𝐸 = 𝐸 + 0.27 𝑒𝑉)

În primul rând trebuie să calculăm N la 400 K. Din relațiile de mai sus observăm că:
/
400
𝑁 (400 𝐾) = 𝑁 (300 𝐾) ⎯⎯⎯ = 1.60 × 10 cm
300

observăm că N nu variază mult de la 300 K la 400 K.

Concentrația de goluri o să fie:

⎯⎯⎯⎯⎯ .
⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑝=𝑁 𝑒 = (1.60 × 10 cm ) 𝑒 . = 6.43 × 10 cm

Exemplul#5: Calculați concentrația intrinsecă de purtători în Si la 250K și la 400 K.

Cu toate că N și N depind de temperatură în T / , o să ignorăm această dependență deoarece nu este

foarte puternică și o să o considerăm N și N constante.

.
⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ /
𝑛 (250 𝐾) = 𝑁 𝑁 𝑒 = (2.8 × 10 ) (1.04 × 10 ) 𝑒 . × = 1.24 × 10 cm

sau 𝑛 (250 𝐾) = 1.22 × 10 cm și

.
⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ /
𝑛 (400 𝐾) = 𝑁 𝑁 𝑒 = (2.8 × 10 ) (1.04 × 10 ) 𝑒 . × = 3.04 × 10 cm

sau 𝑛 (400 𝐾) = 1.74 × 1012 cm−3 observați variația cu patru ordine de mărime a lui 𝑛 la variația
temperaturii între 250 și 400 K.

De ce este sticla izolatoare ? Gorilla glass (GG) este un exemplu de sticlă care se folosește pentru ecranele
telefoanelor mobile. Lărgimea benzii interzise pentru acest tip de sticlă este de 3.5 eV. Haideți să calculăm
factorul exponențial (probabilitatea de formare a unei perechi electron-gol) care intervine în relația care ne
dă concentrația de purtători intrinseci pentru Si și pentru acest tip de sticlă la 300 K.
.
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
GG: 𝑒 . × = 1.66 × 10
.
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
Si: 𝑒 . × = 3.36 × 10

Observați diferența de 40 de ordine de mărime între aceste două mărimi pentru Si și GG. Aceasta ne spune
că practic pentru GG probitatea de a se forma o pereche electron-gol la temperaturi obișnuite este nulă.

13.3.1 Poziția nivelului Fermi

Energia Fermi ne dictează densitatea de electroni din BC și goluri din BV. Putem să calculăm poziția
energiei Fermi (se mai numește și nivel Fermi) pentru un semiconductor intrinsec dacă ținem cont de
faptul că densitate de electroni din BC trebuie să fie egală cu a golurilor din BV, adică

⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯
𝑁 𝑒 =𝑁 𝑒

2022 - Curs Page 10

putem să calculăm logaritmul acestei relații și apoi să extragem 𝐸 , în final obținem

1 1 𝑁 1 3 𝑚∗
𝐸 = ⎯⎯ (𝐸 + 𝐸 ) + ⎯⎯𝑘 𝑇𝑙𝑛 ⎯⎯⎯ = ⎯⎯ (𝐸 + 𝐸 ) + ⎯⎯𝑘 𝑇𝑙𝑛 ⎯⎯⎯
2 2 𝑁 2 4 𝑚∗

Observăm că ⎯ (𝐸 + 𝐸 ) reprezintă energia corespunzătoare mijlocului benzii interzise. Dacă masele

efective ale electronilor și golurilor sunt egale 𝑚∗ = 𝑚∗ atunci nivelul Fermi se află la jumătatea benzii
interzise, dacă 𝑚∗ > 𝑚∗ nivelul Fermi se află puțin sub jumătatea benzii interzise, iar dacă 𝑚∗ < 𝑚∗
nivelul Fermi se află puțin peste jumătatea benzii interzise, pentru T > 0 K.

Exemplul #6. Calculați poziția nivelului Fermi pentru Si la T = 300 K relativ la mijlocului benzii
interzise.

Din tabelul de mai sus știm că pentru Si masa efectivă a golurilor este 𝑚∗ = 0.56𝑚 iar a electronilor este:
𝑚∗ = 1.08𝑚

Astfel:

1 3 𝑚∗ 3 0.56
E − ⎯⎯ (𝐸 + 𝐸 ) = ⎯⎯𝑘 𝑇ln ⎯⎯⎯
∗ = ⎯⎯ (0.0259) ln ⎯⎯⎯⎯ = −12.8 meV
2 4 𝑚 4 1.08

Deci nivelul Fermi se află cu 12.8 meV sub mijlocul benzii interzise. Deoarece jumătate din lărgimea
benzii interzise este 560 meV, putem să aproximăm că nivelul Fermi pentru Si este aproximativ la
jumătatea benzii interzise.

13.4 Semiconductori extrinseci

Semiconductorul intrinsec este un material proprietăți fizice interesante, care se folosește în primul rând în
dispozitive optoelectronice, însă pentru majoritatea aplicațiilor, dispozitivele electronice se realizează cu
semiconductori extrinseci. Semiconductori extrinseci se obțin prin doparea semiconductorilor intrinseci cu
mici cantități de atomi străini. Un procent tipic de dopaj este de 1 ppm (ppm = parte per milion), adică de
un atom de impuritate la 1 milion de atomi din semiconductorul gazdă. Semiconductorul extrinsec obținut
are proprietățile electrice mult modificate față de materialul intrinsec de la care s-a pornit.

Există două tipuri de semiconductori extrinseci: de tip n și de tip p.

Haideți să pornim de la rețeaua 2D a Si. Si are configurația electronică 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2. Ultimii 4
electroni sunt electroni de valență care participă la legături. Astfel, în rețeaua cristalină avem în noduri ioni
de Si înconjurați de patru electroni de valență negativi

2022 - Curs Page 11

În cazul Si intrinsec, din punct de vedere energetic o să avem cele două benzi BC și BV separate de banda
interzisă. Pentru a dopa n semiconductorul trebuie să-l impurificăm cu un element care are 5 electroni de
valență (din grupa V), de exemplu fosfor (P). Patru din cei cinci electroni de valență ai P participă la
legături cu Si, însă unul nu are legături la care să participe și este foarte slab legat de ionul de P. Energia
de legătură (de ionizare) pentru acest electron este de ordinul 0.01 eV.

Din punct de vedere energetic, impurificarea cu atomi

donori (se numesc donori pentru că donează electroni)
este echivalentă cu apariția unui nivel de energie (𝐸 ) în
banda interzisă, foarte aproape de baza benzii de
conducție, populat cu electroni. Deoarece acest nivel este
foarte aproape de banda de conducție, electronii care îl
populează vor tranziționa foarte ușor în banda de
conducție. Practic la temperatura camerei toți electroni de
pe nivelul donor se vor regăsi în banda de conducție.
Acești electroni vor participa la conducția electrică a semiconductorului. Este de menționat că ionul de P
deoarece pierde un electron o să rămână pozitiv. Acesta va constitui însă o sarcină pozitivă fixă care nu
participă la conducție (el este fix și nu se poate mișca prin rețea). În consecință, prin doparea n se adaugă
electroni în BC fără a se adăuga goluri în BV.

Pentru a dopa p semiconductorul trebuie să-l

impurificăm cu un element care are trei electroni de
valență, de exemplu bor (B). În acest caz, trei dintre
electroni participă la legături cu atomi de Si vecini. O
legătură o să rămână nesatisfăcută, ceea ce este
echivalent cu apariția unui gol. Situația energetică este
similară cu cea a semiconductorului n, diferența fiind
că în cazul acesta apare un nivel acceptor (𝐸 )
aproape de maximul benzii de valență pe care
electronii din banda de valență pot să tranziționeze cu
ușurință, lăsând în urma lor un gol în banda de valență
care participă la conducție. Practic la temperatura camerei toate golurile de pe nivelul acceptor au acceptat
electroni din BV. Este de menționat că ionul de B deoarece acceptă un electron o să rămână negativ. Acesta
va constitui însă o sarcină negativă fixă care nu participă la conducție (el este fix și nu se poate mișca prin
rețea). În consecință, prin doparea p se adaugă goluri în BV fără a se adăuga electroni în BC.

În tabelul alăturat puteți să vedeți energia de legătură a Impuritate Si Ge

impurităților donoare și acceptoare în Si și Ge. donoare
Comparați aceste energii cu lărgimea benzii interzise
pentru Si (1.11 eV) și Ge (1.43 eV). Fosfor 0.045 eV 0.0120 eV
Arsenic 0.050 eV 0.0127 eV
Impuritate
acceptoare
Bor 0.045 eV 0.0104 eV
Aluminiu 0.060 eV 0.0102 eV

Pentru a înțelege mai bine distribuția densităților de electroni și goluri în semiconductori extrinseci, în
figura de mai jos sunt reprezentate schematic structura de benzi, densitate de stări, funcția de distribuție
FD, precum și concentrația de electroni din BC și de goluri din BV. Am văzut că pentru un semiconductor
intrinsec nivelul Fermi se află aproximativ la mijlocul benzii interzise. Deoarece prin dopare se schimbă
distribuția purtătorilor pe nivele de energie, și energia Fermi trebuie să se modifice, deoarece ea este
strâns legată de aceasta. Pentru un semiconductor de tip n nivelul Fermi se va apropia de baza BC, iar
pentru un semiconductor de tip p acesta se va apropia de partea superioară a BV.

2022 - Curs Page 12

Relațiile pentru concentrația de electroni din BC și goluri din BV

⎯⎯⎯⎯⎯
𝑛=𝑁 𝑒
⎯⎯⎯⎯⎯
𝑝=𝑁 𝑒

sunt valabile și în cazul semiconductorului extrinsec, atâta doar că trebuie să ținem cont de noua poziție a
nivelului Fermi.

Un rezultat important este faptul că produsul 𝑛𝑝 pe care l-am calculat pentru semiconductorul intrinsec

⎯⎯⎯
𝑛𝑝 = 𝑛 = 𝑁 𝑁 𝑒

nu depinde de poziția nivelului Fermi. Aceasta înseamnă că indiferent dacă semiconductorul este dopat
sau nu, produsul dintre concentrația de electroni din BC și goluri din BV rămâne constant la o anumită
temperatură și depinde numai de lărgimea benzii interzise. Relația de mai sus se mai numește și ecuația
purtătorilor intrinseci.

13.4.1 Concentrația de purtători în cazul ionizării complete a impurităților

Să presupunem că avem un semiconductor pe care îl dopăm atât n cât și p. Acest tip de semiconductor se
numește semiconductor compensat. Să presupunem de asemenea că toate impuritățile sunt ionizate, adică
toți electroni de pe nivelul donor au ajuns în BC și toate golurile de pe nivelul acceptor au ajuns în BV.
Numărul de atomi donori o să-l notăm cu N (aceștia sunt pozitivi deoarece au donat un electron) iar
numărul de atomi acceptori o să-l notăm cu N (aceștia sunt negativi deoarece au acceptat un electron).
Datorită faptului că per ansamblu semiconductorul este neutru din punct de vedere electric, atunci

2022 - Curs Page 13

Datorită faptului că per ansamblu semiconductorul este neutru din punct de vedere electric, atunci
numărul de sarcini pozitive trebuie să fie egal cu numărul de sarcini negative:

𝑛+𝑁 = 𝑝+𝑁

dacă îl scriem pe 𝑝 din ecuația purtătorilor intrinseci ca 𝑝 = 𝑛 /𝑛, atunci ecuația de mai sus devine:

𝑛
𝑛 + 𝑁 = ⎯⎯⎯+ 𝑁
𝑛
dacă rezolvăm în funcție de n o să obținem:
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
( )
𝑛 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ + ⎯⎯⎯⎯⎯ +𝑛

similar, dacă îl scriem pe 𝑛 din ecuația purtătorilor intrinseci ca 𝑛 = 𝑛 /𝑝 și rezolvăm în funcție de p să

obținem:
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
( )
𝑝 = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯ + ⎯⎯⎯⎯⎯ +𝑛

Ecuațiile de mai sus sunt general valabile și ne dau concentrația de electroni din BC și goluri din BV
pentru un semiconductor dopat aflat la temperaturi nu foarte joase (astfel încât toți atomi de impurități să
fie ionizați).

Exemplul#7: Determinați concentrația de electroni din BC și goluri din BV pentru Si la 300 K dacă este
dopat n cu N = 10 cm ; sau (b) dacă este dopat p cu N = 10 cm .

(a) știm că pentru Si la 300 K concentrația purtătorilor intrinseci este n = 1.5 × 10 cm , din ecuațile
de mai sus:
⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
( )
𝑛 = ⎯⎯⎯ + ⎯⎯ + 𝑛 = ⎯⎯⎯ + ⎯⎯⎯ + (1.5 × 10 ) ≅ 10 cm ;
iar
𝑛 (1.5 × 10 )
𝑝 = ⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ≅ 2 × 10 𝑐𝑚
𝑛 10
observăm că pentru Si dopat n, la 300 K, concentrația de electroni din BC este practic egală cu
concentrația de dopanți n, adică 𝑁 , iar concentrația de goluri din BV este relativ neglijabilă. Practic, Si
dopat n, are conducție majoritară prin electroni.

(b) similar putem arăta că

⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
( )
𝑝 = ⎯⎯⎯ + ⎯⎯ + 𝑛 = ⎯⎯⎯ + ⎯⎯⎯ + (1.5 × 10 ) ≅ 10 cm ;
iar
𝑛 (1.5 × 10 )
𝑛 = ⎯⎯⎯= ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ ≅ 2 × 10 𝑐𝑚
𝑝 10
observăm că pentru Si dopat p, la 300 K, concentrația de goluri din BV este practic egală cu concentrația
de dopanți p, , adică 𝑁 , iar concentrația de electroni din BC este relativ neglijabilă. Practic, Si dopat p,
are conducție majoritară prin goluri.

Folosind relațiile de mai sus se poate determina ușor poziția nivelului Fermi pentru un semiconductor
dopat în funcție de temperatură și de concentrația impurităților (𝑁 sau 𝑁 ). Cine obține expresia
dependenței nivelului Fermi relativ la 𝐸 (sau la 𝐸 ) pentru un semiconductor de tip n (sau de tip p)
primește 3 *.

2022 - Curs Page 14

În imaginea alăturată puteți observa
concentrația de electroni n din BC în
funcție de temperatură pentru Si
dopat n. La temperaturi joase
concentrația de electroni n din BC
crește brusc odată cu ionizarea
donorilor. Pe urmă avem un platou
în care toți donori sunt ionizați iar
concentrația de purtători intrinseci
este neglijabilă, la temperaturi și mai
mari concentrația crește datorită
purtătorilor intrinseci, mecanismul
intrinsec devine dominant. Se poate
observa că prin dopare se obține o
plajă de temperaturi pentru care
concentrația de electroni n din BC
rămâne relativ constantă, ceea ce
este extrem de important pentru
conducția electrică.

13.5 Curentul de drift

În cursurile trecute am văzut că dacă aplicăm un câmp

electric asupra unui semiconductor atunci o să avem un
curent de drift dat de

𝑗 = 𝑛𝜇 + 𝑝𝜇 𝑒𝐸

unde E este câmpul electric aplicat, n și p sunt

concentrațiile de electroni din BC și goluri din BV, 𝑒 =
1.6 × 10 C este sarcina fundamentală, iar 𝜇 = ⎯⎯⎯ ∗

și 𝜇 = ⎯⎯⎯
∗ sunt mobilitatea electronilor din BC și a

golurilor din BV. Unde 𝜏 și 𝜏 sunt timpi liberi medii

dintre două ciocniri pentru electroni și goluri. În Cursul
#3 am văzut că pentru metale, datorită ciocnirilor cu
fononii termici, 𝜇 ∝ 𝑇 . În cazul
semiconductorilor, această dependență este mai
apropiată de ∝ 𝑇 . . Mai mult, în cazul
semiconductorilor dopați mai avem un mecanism
important de împrăștiere, și anume, împrăștierea pe
atomi dopanți. Astfel, ne așteptăm ca mobilitatea
purtătorilor să scadă odată cu concentrația dopanților.
Din aceste motive, pentru un semiconductor,
mobilitatea electronilor și a golurilor este o funcție
complicată de temperatură și de concentrația dopanților.
În imaginile alăturate puteți vedea dependența
mobilități electronilor și golurilor pentru Si, la 300 K, în
funcție de concentrația dopanților și mobilitatea
electronilor pentru Si dopat cu diferite concentrații de
atomi donori, în funcție de temperatură.

Sursa: Pierret

2022 - Curs Page 15

În tabelul puteți să vedeți valori tipice pentru 𝜇 (𝑐𝑚 /𝑉𝑠) 𝜇 (𝑐𝑚 /𝑉𝑠)
mobilitățile electronilor și a golurilor în semiconductori
dopați slab, la 300 K. Si 1350 480
GaAs 8500 400
Ge 3900 1900

În relația de mai sus

𝜎 = 𝑛𝜇 + 𝑝𝜇 𝑒

reprezintă conductivitatea semiconductorului iar inversul

acestei mărimi

1 1
𝜌 = ⎯⎯ = ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝜎 𝑛𝜇 + 𝑝𝜇 𝑒

reprezintă rezistivitatea acestuia. Deoarece mobilitatea

depinde concentrația de dopanți ne așteptăm ca
rezistivitatea să nu fie simplu o funcție invers liniară de
aceasta. În imagine puteți vedea dependența rezistivității
Si dopat n și p , la 300 K, în funcție de concentrația
atomilor dopanți.

Un motiv important pentru care se folosesc semiconductori extrinseci pentru realizarea dispozitivelor
electronice este că faptul că prin dopaj conductivitatea semiconductorului crește iar rezistivitatea acestuia
scade ceea ce va genera automat o scădere a pierderilor prin efect Joule în semiconductor.

De exemplu, pentru un semiconductor dopat n, în

plaja de temperaturi corespunzătoare regimului
extrinsec (𝑛 ≫ 𝑝) putem scrie:

𝜎 ≅ 𝑛𝜇 𝑒

Deoarece n este aproximativ independent de

temperatură în acest regim, conductivitatea nu
depinde decât de mobilitatea purtătorilor. Astfel,
după cum se poate observa din figura alăturată, în
plaja de temperaturi corespunzătoare regimului
extrinsec, conductivitatea semiconductorului nu
variază foarte mult. Acesta este al doilea motiv
important pentru care se folosesc semiconductori
dopați la realizarea dispozitivelor electronice.

Sursa: Sze & Ng

Exemplul #8. Printr-o probă de Si-n compensat, cu dimensiunile de L = 10 mm

și A = 4 mm2 trece un curent de 64 μA când se aplică o tensiune de 1 V între
capetele acesteaia. Dacă T = 300 K și concentrația dopanților aceptori este de
10 cm iar donori de 3.5 × 10 cm , care este mobilitataea electronilor?

Deoarece 𝑗 = 𝐼/𝐴 și 𝐸 = 𝑉/𝐿, putem scrie

=𝜎 de unde 𝜎 = 16 (𝑜ℎ𝑚. 𝑐𝑚)

2022 - Curs Page 16

⎯ = 𝜎 ⎯ de unde 𝜎 = 16 (𝑜ℎ𝑚. 𝑐𝑚)

Semiconductorul compensat este la temperatura camerei, astfel că putem presupune că dopanții sunt
complet ionizați (regim extrinsec) și, deoarece proba este de tip n, putem presupune 𝑛 = 𝑁 − 𝑁 ≫ 𝑛 ,
de unde

𝜎 ≅ 𝑛𝜇 𝑒 = (𝑁 − 𝑁 )𝜇 𝑒 , astfel că putem scrie

16 = (1.6 × 10 )(2.5 × 10 )𝜇 ⇒ 𝜇 = 400 𝑐𝑚 /𝑉𝑠

2022 - Curs Page 17