Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Seminarul 3
P1. Diodele din fig. 4 se caracterizează prin curent invers de saturație, Is=8,8x10-15A când diodele
sunt blocate, coeficient de idealitate, n=1, tensiune de străpungere zener UZ=5V pentru un curent de
străpungere zener IZ=1...5mA. Condensatorul C1 are o reactanță neglijabilă la frecvența de lucru
(C1).
a) Precizați cum sunt polarizate diodele şi determinați PSF-urile diodelor.
b) Să se verifice dacă amplitudinea semnalului la bornele diodei D1 satisface condiția de
semnal mic.
c) Să se scrie relația totală a tensiunii de pe dioda D1 dacă tensiunea V2 este sinusoidală.
R3 R1 R2
10k 20k 5k
E2 C1
VAMPL = 0,5V
D2
D1
E1
25V
Fig. 4.
Rezolvare
a) Dioda D1 este polarizată direct (+ a lui E1 la anod iar – la catod) iar dioda D 2 este polarizată invers (+ la
catod ;I – la anod) și valoarea tensiunii de polarizare justifică aprecierea că dioda D 2 se află în străpungere
zener (E1>UZ) (fig. 5).
R3 R1 R2
D2 UA2
D1
UZ UA1
E1
IA2 25V
Fig. 5.
Rezultă:
PSF (D2)
T II K:
deoarece IA2=-IZ ;I UA2=-UZ.
Se observă că valoarea
Se recalculează IA1:
Page 1 of 8
Seminar DEEA
b) Se utilizează schema echivalentă de semnal mic din fig. 6. Condensatorul C 1 reprezintă scurtcircuit pe schema
de c.a. și astfel R2, fiind scurtcircuitată de C1, dispare de pe schema din fig. 6.
R1
20k
E2 ia1
VAMPL = 0,5V
rd 1
ua1
Fig. 6.
Se aplică regula divizorului de tensiune și rezultă:
c)
Page 2 of 8
Seminar DEEA
P2. În circuitul din fig. 1, D1 este o diodă redresoare, caracterizată prin curent invers de saturație,
IS=10nA și factor de idealitate, n=1,95, iar D 2 este o diodă zener care se caracterizează prin tensiune
la străpungere zener, UZ=5V dacă prin diodă curentul este în domeniul IZ=1…10mA.
a) Motivați cum sunt polarizate cele două diode;
b) Determinați punctul static de funcționare (PSF) al fiecărei diode;
c) Doar pentru dioda D1 determinați dacă amplitudinea tensiunii variabile de pe diodă satisface
condiția de semnal mic;
d) Scrieți expresia totală a tensiunii de pe dioda D1 și a curentului total prin D1.
În c.a. (la semnal mic) condensatoarele se consideră scurtcircuit.
C1
R5 R1 R3 C2
10k
5k 0.25V V2 2.5k
D2
R6 R2 D1 R4
20k V1 10k 1k
15V
b) PSF-ul diodelor presupune determinarea căderilor de tensiune pe diode și a curenților prin diode
în c.c. și se efectuează pe schemele echivalente de c.c. corespunzătoare celor 2 diode.
Pe schemele echivalente de c.c.
se pasivizează sursa de semnal variabil (aici V2). Sursa V2 fiind ideală se înlocuiește la
bornele sale cu scurtcircuit (cu fir);
condensatoarele se consideră gol (fără fir).
Schema echivalentă de c.c. corespunzătoare diodei D2 are forma din fig. 2:
R5
Iz 5k
UA2
D2
R6
20k V1
15V
Uz IA2
Fig. 2. Schema echivalentă de c.c. pentru porțiunea de circuit care conține dioda D2
Mărimile din PSF pentru dioda D2 sunt curentul anodic IA2=-IZ și tensiunea anodică UA2=-UZ.
Curentul IZ se poate determina fie prin calcul direct (vezi cursul 3), fie aplicând echivalarea
Thévenin.
Breviar teoretic
Page 3 of 8
Seminar DEEA
Fig. 3.
În cazul circuitului din fig. 2, prin aplicarea teoremei lui Thévenin (echivalare Thévenin) rezultă
circuitul din fig. 4:
R Th 2
Iz 4k
UA2
D2
V Th 2
12V
Uz IA2
Fig. 4. Circuitul echivalent de c.c. pentru dioda D2 obținut prin echivalare Thévenin
Valoarea tensiunii VTh2 se obține pentru circuitul din fig. 2 văzut în gol la borne, adică fără să fie
conectată dioda D2 (fig. 5)
R5
A
5k
I
R6
20k V1
15V
UAB
Tensiunea UAB se poate determina fie aplicând legea lui Ohm, fie direct din regula
divizorului de tensiune (RDT), ca o consecință a aplicării legii lui Ohm.
Aplicând legea lui Ohm
V1
I=
R 5 + R6
V1 R6 20 k
V T h2 =U AB=I × R6= × R6= V = 15 V =12 V
R5 + R6 R5 + R6 1 25 k
RDT presupune că tensiunea mai mică se calculează înmulțind tensiunea mare cu un raport
format la numărător din rezistența pe care apare tensiunea divizată (cea mică) iar la numitor
suma rezistențelor care participă la divizare. Astfel
Page 4 of 8
Seminar DEEA
R6 20 k
V T h2 =U AB= V 1= 15V =12 V
R5 + R6 25 k
Circuitul pentru determinarea rezistenței RTh2, adică a rezistenței văzută între bornele A și B,
RAB, cu aceste borne lăsate în gol și pasivizarea sursei V1, are aspectul din fig. 6
RTh2=RAB R5
A
5k
R6
20k
Se observă că prin pasivizarea sursei V1 (fiind ideală s-a înlocuit cu scurtcircuit, adică cu
fir), R5 și R6 apar legate în paralel, deci
1 R5 R 6 5 k ×20 k
RT h 2=R AB=R5 ∨¿ R6= = = =4 k
1 1 R5 + R6 25 k
+
R 5 R6
Revenind la schema din fig. 4, IZ se determină cu relația:
V T h 2−U Z 12 V −5 V
I Z= = =1.75 mA ∈ [ 1 … 10 mA ]
RT h 2 4k
În consecință, presupunerea că dioda D 2 ar fi în străpungere zener se adeverește, valoarea curentului
IZ aflându-se în domeniul ce curenți corespunzător străpungerii zener și PSF-ul diodei este
caracterizat prin valorile
{
I =−I Z =−1.75 mA
PSF D 2= A 2
U A 2=−U Z =−5 V
10k IA1
2.5k
R2 D1
V1 10k
15V UA1
Fig. 7. Schema echivalentă de c.c. pentru porțiunea de circuit care conține dioda D1
Page 5 of 8
Seminar DEEA
1 R 1 R2 10 k × 10 k
RT h1 =R1∨¿ R2= = = =5 k
1 1 R1 + R2 20 k
+
R 1 R2
R Th 1 R3
5k IA1
2.5k
D1
V Th 1
7.5V UA1
Fig. 8. Circuitul echivalent de c.c. pentru dioda D1 obținut prin echivalare Thévenin
Pentru a determina valorile din PSF ale diodei D1 se aplică metoda iterației
(1)
la pasul 1, se presupune pentru început U A 1=0 și rezultă
(1) V T h1 7.5V
I A 1= = =1 mA
RT h 1 + R3 7.5 k
la pasul 2 se recalculează tensiunea pe diodă și apoi curentul
( ) ( )
(1) −3
(2) I A1 10
U A 1=n U T ln + 1 =1.95× 0.026 × ln +1 =0.584 V
IS 10× 10−9
Unde UT este tensiunea termică, având 0.026V la 300K (27C)
(2)
(2) V T h 1−U A 1 7.5 V −0.584 V
I A 1= = =0.92 mA
R T h 1 + R3 7.5 k
Metoda iterativă fiind puternic convergentă, ne putem opri după primii 2 pași și astfe PSF-ul diodei
D1 se caracterizează prin valorile:
{
(2 )
P S F D 1= I A 1=I A 1 =0.92 mA
(2)
U A 1=U A 1=0.584 V
Cu valoarea curentului din PSF se poate determina parametrul de semnal mic r d1 – rezistența
dinamică a diodei:
nU T 1.95× 26 mV
r d 1= = =55.1 Ω
IA1 0.92mA
10k
0.25V V2 2.5k
rd 1
R2 55.1 R4
10k 1k
Page 6 of 8
Seminar DEEA
R Th 1
5k Ia1
0 . 1 2 5 V V Th 1 c . a .
rd 1
55.1 R4
1k
Ua1
Fig. 10. Circuitul echivalent de semnal mic obținut prin echivalarea Thévenin
Amplitudinea semnalului variabil de pe dioda D1 (pe rd1) se poate determina aplicând RDT
r d 1∨¿ R4
^ =
U V
a1
RT h 1+r d 1∨¿ R 4 T h 1 c .a .
r d 1 R 4 55.1× 1000
r d 1∨¿ R4 = = =52.2 Ω
r d 1 + R4 1055.1
și astfel
U^ a 1= 52.2 × 0.125 V =1.29 mV
5052.2
Condiția de semnal mic presupune că este îndeplinită atunci când amplitudinea semnalului variabil
de pe diodă este mult mai mică decât tensiunea termică. În Electronică, ”mult mai mic” începe de la
de 10 ori mai mic, și condiția de semnal mic se scrie
U
U^ < T =2.6 mV
a1
10
Se observă că 1.29mV este mai mică decât 2.6mV, deci amplitudinea semnalului variabil de pe
dioda D1 îndeplinește condiția de semnal mic.
d) Valorile totale ale tensiunii pe D1, respectiv curentului prin D1 conțin atât componenta de c.c. cât
și componenta de c.a. Astfel, în caz de semnal sinusoidal, tensiunea totală pe diodă se scrie
u A 1=U A 1 +ua 1=U A 1 + U ^ a 1 sinωt =584+ 1.29sin ωt [ mV ]
Amplitudinea curentului variabil prin diodă se determină cu legea lui Ohm
^
U
^I a 1= a 1 = 1.29 mV =0.023 mA
r d1 55.1 Ω
și expresia curentului total prin diodă devine, pentru semnal sinusoidal
i A 1=I A 1 +i a 1=I A 1 + ^I a1 sinωt =0.92+ 0.023 sin ωt [ mA ]
Page 7 of 8
Seminar DEEA
Page 8 of 8