Laborator CEF-L1

1/6
Lucrarea 1

DIODE SEMICONDUCTOARE

n lucrare sunt msurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare,
rezultatele fiind comparate cu relaiile analitice teoretice. Este analizat i comportarea
diodelor n regim dinamic, semnal mic, joas frecven.

1. Consideraii teoretice

Diodele studiate n aceast lucrare sunt dispozitive formate dintr-o jonciune `pn`.
Simbolul electric i mrimile asociate sunt prezentate n figura 1a). Relaia ntre tensiunea
aplicat (v
D
) i curentul (i
D
) printr-o diod semiconductoare este:
|
|
.
|

\
|
= 1 exp
0
KT
qv
I i
D
D

(1)
unde: I
0
este curentul de saturaie al diodei
este un coeficient care ia valori ntre 1 i 2


Polarizarea direct

Logaritmnd relaia (1) i pentru v
D
> (3...4) KT/q se obine
D
D
v e lg
KT
q
A
I
lg
A
i
lg
|
|
.
|

\
|
+ =
1 1
0
(2)
Relaia (2) este reprezentat printr-o dreapt (pentru cureni suficient de mici),
dup cum este ilustrat n figura 2. reprezentnd la scar logaritmic dependena i
D
(v
D
) se
determin I
0
prin extrapolare pn la v
D
=0, iar prin calcularea contrapantei se obine valoarea
coeficientului:
D
D
D
D
i
v
KT
e q
i
v
lg
7 . 16
lg
lg A
A
=
|
.
|

\
|

A
A
= (3)
La cureni mari, la bornele diodei apare o tensiune v
D
mai mare dect cea rezultat
din relaia (1) datorit rezistenei materialului adiacent jonciunii R
S

Laborator CEF-L1
2/6
D S
D
D
i R
I
i
q
KT
v + =
0
ln

(4)
O metod de estimare a rezistenei R
S
, const din citirea pe zona curb a graficului
din figura 2 a trei perechi de coordonate (i
D1
, v
D1
), (i
D2
, v
D2
), (i
D3
, v
D3
) alese astfel nct:
( )
2
2 3 1 D D D
I I I = i aplicarea formulei:
3 2 1
3 2 1
2
2
D D D
D D D
S
I I I
v v v
R
+
+
=
(5)
Cu metoda de liniarizare prezentat n figura 1, pentru dioda polarizat direct care
lucreaz ntr-o gam relativ restrns de cureni, relaia v
D
(i
D
) se poate aproxima prin expresia
liniar:
D D P D
i R v v + = pentru v
D
> v
P
(6)

Polarizarea invers

Pentru v
D
< -(3...4) KT/q relaia (1) devine:
0
I i
D
= (7)
Curentul invers prin diod poate s nu depind de tensiunea aplicat (diode cu
germaniu) sau s creasc odat cu tensiunea (diode cu siliciu). La o anumit valoare a
tensiunii aplicate (tensiune de strpungere) poate s apar efectul Zener sau efectul de
multiplicare n avalan, care se manifest printr-o cretere a curentului care nu mai poate fi
limitat dect de circuitul exterior.
Faptul c n strpungere tensiunea la bornele diodelor este practic constant, a
condus la utilizarea lor ca diode stabilizatoare de tensiune (Zener). n figura 3 este prezentat
simbolul i caracteristica i
D
(v
D
) unei diode stabilizatoare de tensiune.

Regimul dinamic, semnal mic, joas frecven

Dac tensiune pe diod prezint mici variaii cu o amplitudine V
d
n jurul
punctului static de funcionare (V
D
), curentul prin diod va prezenta variaii n jurul valorii
statice (I
D
), situaie ilustrat n figura 4.
Rezistena intern se poate calcula cu relaia:
D D
I
D
D
I
I qI
KT
di
dv
R
D
026 . 0
= = = dac 1 >>
KT
qV
D

(10)



Laborator CEF-L1
3/6
2. Mod de lucru

Montajul experimental este prezentat n figura 5. Montajul e echipat cu 3 diode
semiconductoare:
D
1
diod cu germaniu (jonciunea BE a unui tranzistor clasa EFT)
D
2
diod cu siliciu tip 1N4002
D
3
diod stabilizatoare tip PL7V5Z / PL9V1Z
Rezistoarele R
K
(K=2...7) permit polarizarea diodei la cureni direci ntre 1 A i
300 mA i msurarea acestora. Rezistena R
1
permite msurarea valorii efective a curentului
alternativ ce parcurge dioda.






3. Desfurarea lucrrii

Caracteristici statice. Polarizare direct

1. Se realizeaz configuraia din figura 6, alegnd dioda D, respectiv rezistena R
K

i reglnd sursa E
D
conform indicaiilor din tabelul 1.

Fig 6.
Tabelul 1.
Dioda:
E
D
(V) 1 11 11 11 4 11 4 11 7 11
R
K
(k) 1000 100 10 1 0,1 0,033 (0,039)*
D
1

V
D
(V) - -
I
D
(mA) - -
D
2

V
D
(V)
I
D
(mA)
*Funcie de valoarea concret a rezistenei de pe modulul de laborator
Laborator CEF-L1
4/6

Se msoar de fiecare dat V
D
i se calculeaz curentul I
D
cu relaia:
K
D D
D
R
V E
I

= (11)
Conectarea rezistenelor de valori mici (R
2
i R
3
) se va menine un timp scurt
pentru a evita nclzirea dispozitivelor.

Polarizarea invers

2. Se realizeaz configuraia din figura 7. rezistenele R
K
sunt alese (comform
tabelului 2) astfel nct cderea de tensiune pe R
K
s fie mult mai mic dect V
D
i s se poat
aproxima:
D R D D
E U E V = =
Fig 7.
Se regleaz sursa la tensiunile indicate n tabelul 2 i se calculeaz curentul invers
prin diod, I
D
, cu relaia:
K
R
D
R
U
I = (12)
Tabelul 2.
Dioda: R
K
E
D
(V) -1 -5 -10 -20 -30
D
1
1 k
U
R
(mV)
I
D
(A)
D
2
1 M
U
R
(mV)
I
D
(nA)


Diode stabilizatoare de tensiune

3. Se realizeaz configuraia din figura 8. Se alege R
K
i se regleaz E
D
conform
indicaiilor din tabelul 3. Se msoar V
Z
i se calculeaz I
Z
cu relaia:
K
Z D
Z
R
V E
I

= (13)



Fig 8.




Laborator CEF-L1
5/6
Tabelul 3.
E
D
(V) -8 (-10)* -9 (-11)* -12 (-14)* -9 (-11)* -12 (-14)* -9 (-11)* -12 (-14)*
R
K
(k) 10 1 0,1
V
Z
(V)
I
Z
(mA)
* Valorile din parantez corespund diodei PL9V1Z iar cele din afara parantezei diodei
PL7V5Z.

Rezistena intern

4. Se realizeaz configuraia din figura 9. Se alege R
K
, D i se regleaz E
D

conform tabelului 4. Se msoar V
D
i se calculeaz I
D
cu relaia (11).


Fig 9.

Se aplic la intrarea <1> un semnal sinusoidal cu frecvena de 10 kHz. Pentru
fiecare situaie se regleaz amplitudinea generatorului astfel nct s se obin V
d
=2.5 mV. Se
msoar V
S
i se calculeaz R
I
cu relaia:
d S
d
I
V V
V
R R

=
1
(14)
Tabelul 4.
Dioda:
E
D
(V) 11 4 11 4 11
R
K
(k) 10 1 0,1
D
1

V
D
(V)
I
D
(mA)
V
S
(mV)

R
I
msurat
()

R
I
teoretic
D
2

V
D
(V)
I
D
(mA)
V
S
(mV)

R
I
msurat
()

R
I
teoretic


Laborator CEF-L1
6/6
4. Prelucrarea datelor experimentale i concluzii
Caracteristicile statice
1. Cu ajutorul datelor din tabelul 1 se traseaz pe acelai grafic, la scar liniar,
caracteristicile i
D
(v
D
), v
D
0, pentru diodele D
1
i D
2
.
2. Se determin grafic V
P
i R
D
alegnd I
DM
=200 mA i =0.1.
3. Cu ajutorul datelor din tabelul 1 se traseaz pe acelai grafic lg i
D
(v
D
), v
D
>0 pentru
diodele D
1
i D
2
(lg i
D
: 1cm/decad, v
D
: 0.1V/cm)
4. Se determin pentru fiecare diod I
0
, i R
S
.
5. Cu datele din tabelul 2 se traseaz pe dou grafice diferite caracteristicile i
D
(v
D
), v
D
0,
pentru diodele D
1
i D
2
.
Diode stabilizatoare de tensiune
6. Cu datele din tabelul 3 se traseaz caracteristica i
D
(v
D
), v
D
0, pentru dioda D
3
.
7. Se determin U
Z
i R
Z
similar determinrii lui Vp i R
D
la polarizarea direct (pct.2).
Rezistena intern
8. Se traseaz pe acelai grafic R
I
(msurat) i R
I
(teoretic) calculat cu relaia (10), n
funcie de curentul I
D
(cu datele din tabelul 4).