Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

Descrierea i modelarea SPICE a dispozitivelor semiconductoare Dioda i tranzistorul bipolar Dispozitivele semiconductoare modelate n PSPICE sunt: dioda (D), tranzistorul bipolar (Q), TEC-J (J), TEC-MOS (M) i TEC-GaAs (B). Dioda Forma general de descriere este: D<nume> <NA> <NC> <nume_model> [aria] <NA>, <NC> reprezint nodurile anod (+), respectiv catod (-) ale diodei. Curentul pozitiv prin diod circul de la <NA> la <NC>; <nume_model> reprezint numele modelului n care sunt descrii parametrii de model ai diodei. Comanda pentru definirea parametrilor de model ai diodei are forma urmtoare: .MODEL <nume_model> D [parametri model] [aria] este un parametru opional i reprezint factorul de arie, avnd valoarea implicit 1. El scaleaz parametrii de model IS, ISR, IKF, RS, CJO, IBV i este util n special n structurile integrate, unde diodele au aceiai parametri de model, dar pot avea arii diferite. Ca urmare, se definete un singur model pentru toate diodele, urmnd s se specifice factorul de arie pentru fiecare n parte. Exemple:
D1 7 23 DMOD D3 6 2 D1N4001

n PSPICE, modelul diodei este unic, att pentru diodele redresoare, ct i pentru cele de comutaie, respectiv stabilizatoare. Caracterizarea fiecrui tip de diod se face specificnd n descrierea modelului doar valorile pentru setul de parametri corespunztori. Parametrii modelului static al diodei Modelul diodei const dintr-o rezisten parazit ( RS / arie ) n serie cu dioda intrinsec. Modelul static al diodei are la baz ecuaia lui Shockley: D NVV I D = IS e T 1 , unde N este coeficientul de emisie i IS este curentul de saturaie. Aceast ecuaie este valabil doar la nivele moderate de injecie, iar pentru caracterizarea diodei la nivele mici sau mari de injecie, precum i n conducie invers, n ecuaia lui Shockley se adaug termeni suplimentari. n curent continuu, dioda este descris de ecuaia: I D = aria (I direct I invers ) ,

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

VD D NVV NR unde I direct = K inj IS e T 1 + K gen ISR e VT 1 , n care K inj reprezint factorul de injecie mare, K gen reprezint factorul de generare al curentului de recombinare;
V D + BV NBV VT V D + BV NBVL VT

I invers = I invers high + I invers low = IBV e

+ IBVL e

Pentru un calculul uor al PSF g min = 10 12 . Parametrii modelului static al diodei sunt prezentai n tabelul urmtor. Parametru model IS N ISR NR IKF RS XTI Valoare implicit Curentul de saturaie 1E-14 Coeficientul de emisie 1 Curentul de recombinare 0 Coeficientul de emisie al curentului de recombinare 2 Curentul de cot la nivel mare de injecie infinit Rezistena parazit 0 Coeficientul de variaie cu temperatura a curentului 3 de saturaie Limea benzii interzise 1.11 Coeficientul de variaie liniar cu temperatura a 0 rezistenei parazite Coeficientul de variaie ptratic cu temperatura a 0 rezistenei parazite Coeficientul de variaie cu temperatura a curentului 0 de cot la nivel mare de injecie Tensiunea de cot la strpungerea invers infinit Curentul de cot la strpungerea invers 1E-10 Factorul de idealitate al strpungerii inverse 1 Curentul de cot al strpungerii inverse, la nivel 0 sczut Factorul de idealitate al strpungerii inverse, la 1 nivel sczut Coeficientul de variaie liniar cu temperatur a 0 tensiunii de cot la strpungerea invers Coeficientul de variaie ptratic cu temperatura a 0 tensiunii de cot la strpungerea invers Semnificaie Unitate msur amp

amp amp ohm eV 1 C

EG TRS1 TRS2 TIKF BV IBV NBV IBVL NBVL TBV1 TBV2

C 2 C 1

volt amp amp

C 1

C 2

Parametrii modelului de semnal mare al diodei

Modelul de semnal mare al diodei se obine adugnd la parametrii de regim static parametrii ce caracterizeaz trecerea din starea de blocare n starea de conducie i invers. Trecerea diodei din starea de blocare n conducie i invers are loc cu anumite ntrzieri, datorate timpului necesar stocrii i eliminrii sarcinilor din jonciune. n jonciunea p-n exist dou tipuri de sarcini stocate:

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

- Sarcina purttorilor minoritari, stocat n regiunile neutre, modelat prin intermediul capacitii timpului de tranzit ( C t ) : dI C t = TT G d = TT aria direct ; dV D - Sarcina spaial a ionilor necompensai din regiunea de barier (jonciune), modelat prin intermediul capacitii de barier ( C j ):
CJO , Vd FC VJ V ( 1 d )M Cj = VJ CJO Vd ( 1 FC )M +1 1 FC ( 1 + M ) + M VJ , Vd > FC VJ

Reprezentarea grafic a variaiei capacitii de barier n funcie de tensiunea Vd , de la bornele diodei intrinsece, este prezentat n figura alturat. Parametrii de model care intervin n expresiile capacitilor C t i C j ale diodei i care caracterizez dioda la semnal mare sunt prezentai n tabelul de mai jos. Capacitatea total a diodei ( C ) este: C = Ct + aria C j . Parametru model CJO VJ M TT Semnificaie Capacitatea de barier la polarizare nul Potenialul de barier Coeficientul de gradare a jonciunii Timpul de tranzit Valoare implicit 0 1 0.5 0 Unitate msur farad volt sec

Modelul de semnal mic al diodei se obine prin liniarizarea caracteristicii statice n punctul static de funcionare, iar capacitatea total are valoarea corespunztoare acestui punct ( V d = V D PSF ):
C = Ct
PSF

+ aria C j

PSF

Zgomotul generat de diod are dou componente, cu urmtoarele funcii densitate spectral de putere pe unitatea de band: - zgomot termic generat de rezistena parazit: 4kT 2 In = aria ; RS - zgomot de alice i de licrire generat de dioda intrinsec:

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

2 In = 2qI d + KF

Laborator 11

I dAF . f Parametrii KF i AF sunt ali doi parametri de model ai diodei i au semnificaia: KF - coeficientul zgomotului de licrire (valoare implicit 0); AF - exponentul zgomotului de licrire (valoare implicit 1).
Tranzistorul bipolar

Forma general de descriere a tranzistorului bipolar este urmtoarea: Q<nume> <nod_colector> <nod_baz> <nod_emitor> +[nod_substrat] <nume_model> [aria] Exemple:
Q1 12 8 0 MODNPN Q2 9 4 10 MODPNP 1.5 Q3 7 22 13 0 MODLATPNP 1.2

Forme corespunztoare descrierii modelului sunt: .MODEL <nume_model> NPN [parametri model] - pentru tranzistor tip NPN; .MODEL <nume_model> PNP [parametri model] - pentru tranzistor tip PNP; .MODEL <nume_model> LPNP [parametri model] - pentru tranzistor PNP lateral. Tranzistorul bipolar este modelat ca un tranzistor intrinsec i rezistene n serie cu colectorul ( RC / arie ), cu baza ( RB / arie ), cu emitorul ( RE / arie ). n PSPICE exist dou modele pentru tranzistoarele bipolare: - modelul Ebbers-Moll, care asigur o precizie sczut; - modelul Gummel-Poon, care are la baz modelul Ebbers-Moll, dar care are n plus o serie de parametri care modeleaz mai precis curentul de saturaie, capacitile de tranziie i dependena rezistenei bazei de nivelul de injecie. Ecuaiile ce descriu modelul static EbbersMoll din figura alturat sunt: I I I I I C = I CT EC ; I E = I CT CC ; I B = CC + EC , BR BF BF BR unde: BC BE qV qV kT kT ; 1 1 ; I CC = IS e I EC = IS e I CT = I CC I EC . Parametrii de model corespunztori modelului static Ebbers-Moll sunt prezentai n tabelul de mai jos:

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice Parametru Semnificaie model IS Curentul de saturaie BF Factorul beta maxim ideal n conducie direct NF Coeficientul de emisie al curentului n conducie direct VAF (VA) Tensiunea Early n conducie direct BR Factorul beta maxim ideal n conducie invers NR Coeficientul de emisie al curentului n conducie invers VAR (VB) Tensiunea Early n conducie invers RE Rezistena emitorului RB Rezistena bazei la PSF nul RC Rezistena colectorului

Laborator 11 Valoare Unitate implicit msur 1E-16 amp 100 1

infinit 1 1 infinit 0 0 0

volt

volt ohm ohm ohm

n modelul Ebbers-Moll ctigurile direct i invers n curent sunt considerate constante, independente de curentul prin tranzistor, rezistena bazei este considerat constant, iar caracteristicile de intrare, respectiv de transfer, au pant constant fa de logaritmul curentului prin tranzistor. Modelul Gummel-Poon aproximeaz mult mai bine caracteristicile statice reale ale tranzistorului. n urmtoarele dou figuri de mai jos sunt ilustrate variaia ctigului direct n curent n funcie de ln(I C ) , respectiv caracteristicile de transfer ( ln(I C ) n funcie de V BE ) i de intrare ( ln(I B ) n funcie de V BE ), a cror pant este variabil.

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

Parametrii de model suplimentari ai modelului static Gummel-Poon, fa de modelul static Ebbers-Moll sunt prezentai n tabelul de mai jos:
Parametru Semnificaie model IKF (IK) Curentul de cot corespunztor ctigului direct n curent la nivel mare de injecie ISE (C2) Curentul de saturaie al jonciunii baz-emitor NE Coeficientul de emisie al jonciunii baz-emitor IKR Curentul de cot corespunztor ctigului invers n curent la nivel mare de injecie ISC (C4) Curentul de saturaie al jonciunii baz-colector NC Coeficientul de emisie al jonciunii baz-colector NK Coeficient de emisie la cureni mari ISS Curentul de saturaie al jonciunii substratului NS Coeficientul de emisie al jonciunii substratului RBM Rezistena minim a bazei IRB Curentul de baz la care RB este la jumtate ntre RB i RBM Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar Valoare Unitate implicit msur infinit amp

0 1.5 infinit 0 2 0.5 0 1 RB infinit

amp amp amp amp ohm amp

La fel ca la diod, trecerea tranzistorului bipolar dintr-o stare staionar n alta nu se face instantaneu, ci dup un interval de timp. Acest fenomen se datoreaz celor dou tipuri de sarcini stocate n structur: - sarcinile ionilor fici din regiunile de tranziie ale jonciunilor, modelate prin intermediul capacitilor de barier C jc , C je i C js ; - sarcinile purttorilor minoritari stocai n regiunile neutre, modelate prin intermediul capacitilor timpilor de tranzit direct C tbe , respectiv invers C tbc . n tabelul de mai jos sunt prezentai parametrii de model care se adaug la modelul static Ebbers-Moll, pentru caracterizarea comportamentului la semnal mare.
Parametru model CJE VJE (PE) MJE (ME) CJC VJC (PC) MJC (MC) CJS (CCS) VJS (PS) MJS (MS) FC Valoare implicit Capacitatea jonciunii baz-emitor la polarizare nul 0 Bariera de potenial a jonciunii baz-emitor 0.75 Factorul de gradare al jonciunii baz-emitor 0.33 Capacitatea jonciunii baz-colector la polarizare nul 0 Bariera de potenial a jonciunii baz-colector 0.75 Factorul de gradare al jonciunii baz-colector 0.33 Capacitatea jonciunii substratului la polarizare nul 0 Bariera de potenial a jonciunii substratului 0.75 Factorul de gradare al jonciunii substratului 0 Coeficient de neidealitate al capacitii de barier la 0.5 polarizare direct Timpul ideal de tranzit direct 0 Timpul ideal de tranzit invers 0 Semnificaie Unitate msur farad volt

farad volt farad volt

TF TR

sec sec

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

Capacitile jonciunilor sunt modelate n PSPICE la fel ca la diod. Parametrii suplimentari care se adaug la modelul Gummel-Poon sunt prezentai n tabelul urmtor.
Parametru model XCJC XTF VTF ITF PTF Semnificaie Valoare implicit Unitate msur

Fraciunea din CJC conectat intern la Rb Coeficientul dependenei TF de polarizare Parametru al dependenei TF de Vbc Parametru al dependenei TF de Ic Faza n exces la frecvena 1/(2TF) Hz

1 0 infinit 0 0

volt amp grade

Parametrii de model ce descriu variaia cu temperatura a parametrilor tranzistorului sunt prezentai n tabelul urmtor.
Parametru model EG XTB XTI (PT) TRE1 TRE2 TRB1 TRB2 TRM1 TRM2 TRC1 TRC2 Semnificaie Valoare implicit 1.11 0 3 0 0 0 0 0 0 0 0 Unitate msur eV

Banda interzis Coeficient de variaie cu temperatura a BF i BR Exponent variaiei IS cu temperatura Coeficient liniar de temperatur al RE Coeficient ptratic de temperatur al RE Coeficient liniar de temperatur al RB Coeficient ptratic de temperatur al RB Coeficient liniar de temperatur al RBM Coeficient ptratic de temperatur al RBM Coeficient liniar de temperatur al RC Coeficient ptratic de temperatur al RC

C 1 C 2 1 C C 2 1 C C 2 1 C C 2

Efectul de cvasi-saturaie

Cvasi-saturaia este regiunea de funcionare n care jociunea metalurgic bazcolector intern este polarizat direct, n timp ce, la terminalele exterioare, tensiunea de polarizare baz-colector este invers. Efectul de cvasi-saturaie este modelat prin extinderea modelului Gummel-Poon intrinsec. Astfel, sunt adugate sursa I epi i capacitile notate QW i QO din figura de mai jos. Aceast extindere are loc numai dac parametrul RCO > 0 . Parametrii de model care modeleaz efectul de cvasi-saturaie sunt prezentai n tabelul urmtor. Parametru model QCO RCO VO GAMMA Semnificaie Factor al sarcinii din regiunea epitaxial Rezistena regiunii epitaxiale Tensiunea de cot a mobilitii purttorilor Factor de dopare a regiunii epitaxiale Valoare implicit 0 0 10 1E-11 Unitate msur coulomb ohm volt

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

Zgomotul, la fel ca la diod, are dou componente: zgomotul termic, generat de rezistenele parazite RC , RB i RE i zgomotul de alice i de licrire, generat de curenii de baz i de colector.

Aplicaia 1: Caracteristicile statice ale diodei redresoare

VIN 1 0 DC 1 D1 1 0 D1N4001 .MODEL D1N4001 D(Is=14.11n +Cjo=25.89p M=.44 Vj=.3245 .PARAM NVAL=1.984 .PARAM RSVAL=33.89m .DC VIN 0.4 1.5 5m .STEP PARAM RSVAL LIST 20m *.STEP PARAM NVAL LIST 1.5 .PROBE I(D1) .END

N={NVAL} Rs={RSVAL} Ikf=94.81 Xti=3 Eg=1.11 Fc=.5 Bv=75 Ibv=10u Tt=5.7u)

30m 40m 2 2.5

Aplicaia 2: Caracteristica static a diodei stabilizatoare

VIN 1 0 DC 10 R1 1 2 100 D1 0 2 D02CZ6_8 .LIB NOM.LIB R2 2 0 RLMOD 1 .MODEL RLMOD RES(R=200) .DC RES RLMOD(R) 1 2K 1 .PROBE V(2) .END

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice

Laborator 11

Aplicaia 3: Comportarea diodei redresoare n regim dinamic de comutaie

VIN 1 0 PULSE(-5 5 10n 10p 10p 30n 60n) R1 1 2 100 D1 2 0 D1N4001 .LIB NOM.LIB *pt.cele 4 combinatii (Cjo=0,Tt=0), (Cjo=0,Tt=5.7u), (Cjo=25.9p,Tt=0), *(Cjo=25.9p,Tt=5.7u) .MODEL D1N4001 D(Is=14.11n N=1.984 Rs=33.89m Ikf=94.81 Xti=3 Eg=1.11 +Cjo=25.89p M=.44 Vj=.3245 Fc=.5 Bv=75 Ibv=10u Tt=5.7u) .TRAN 1n 100n 0 0.3n .PROBE V(1) V(2) I(D1) .END

n urma simulrii vizualizai i analizai tensiunile din circuit i curentul prin diod (acesta se va reprezenta ntr-un plot separat, Plot-> Add_Plot_to_Window). Explicai de ce la trecerea din conducie direct n blocare tensiunea pe diod, pentru un interval de timp, rmne pozitiv n timp de curentul este negativ!
Aplicaia 4: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Q1 2 1 0 Q2N2222 .LIB NOM.LIB IB 0 1 10u VCE 2 0 5 *Caract. beta(Ic), caract. de intrare Ib(Vbe) si de transfer Ic(Vbe) .DC DEC IB 1u 5m 20 *Caract. de iesire Ic(Vce) pt. Ib=const. *.DC DEC VCE 1m 10 20 *.STEP IB LIST 100u 200u 300u 400u .PROBE .END