LUCRAREA 3: TRANZISTORUL MOS

MODULUL MCM4/EV


CAPITOLUL 3.1
PREZENTAREA TRANZISTORULUI MOS


3.1.1 OBIECTIVE

Structura tranzistorului MOS;
Simbolul tranzistorului MOS.


3.1.2 ASPECTE TEORETICE

Tranzistorul MOS difer de tranzistorul bipolar att prin structur ct i ca
mod de operare. Denumirea de tranzistor MOS vine de la structura acestuia:
Metal-Oxid-Semiconductor (MOS).
Ca ]i la tranzistorul TEC-J, la tranzistorul MOS curentul de dren` este
datorat unui singur tip de purttori spre deosebire de tranzistorul bipolar unde
conducia este asigurat de ambele tipuri de purttori. Din acest punct de vedere
tranzistorul MOS este un dispozitiv unipolar.
Structura unui tranzistor MOS este detaliat n fig. 3.1. Pe suprafa\a unui
semiconductor (substrat) ce are un tip de conductivitate se cre]te printr-un
procedeu de mascare un oxid de poart` ([n cazul siliciului se folose]te de regul`
SiO
2
) fig. 3.1.


Fig. 3.1 Structura unui tanzistor MOS cu canal n.
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 2
Acest oxid se acoper` cu un metal ob\in@ndu-se astfel poarta (G-gate)
tranzistorului MOS ]i structura Metal-Oxid-Semiconductor (MOS). {n acela]i
procedeu tehnologic de o parte ]i de alta a por\ii se realizeaz` dou`
difuzii/implanturi care prin contactare formeaz` sursa (S - source) ]i drena
(D Drain). Prin metalizarea fe\ei opuse se ob\ine conctatul de substrat (B- bulk).
Se ob\ine [n acest mod un dispozitiv electronic cu patru terminale. Dou`
dintre acestea (G ]i B) vor fi utilizate pentru comanda curentului de dren` iar
celelalte dou` pentru intrarea/ie]irea curentului de dren` (S ]i D).
Datele geometrice ale tranzistorului MOS sunt:
L lungimea canalului;
W- l`\imea canalului;
t
ox
- grosimea oxidului de poart`.
Tranzistorul MOS este un dispozitiv simetric [n raport cu pozi\ia sursei ]i
a drenei. Drena se define]te ca fiind acel cap`t al canalului care are un poten\ial
mai mare dec@t a celuilalt cap`t, care devine astfel surs`.
O deosebire esenial ntre tranzistorul bipolar i tranzistorul cu efect de
cmp este c la tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizeaz
cu un curent de baz, pe cnd la tranzistorul cu efect de cmp controlul curentului
de dren se realizeaz cu o tensiune aplicat ntre poart i surs (curentul de
poart` este practic zero deoarece oxidul de poart` este un izolator).
Pentru determin`ri experimentale se va folosi tranzistorul MOS cu canal
indus cu un singur electrod de comand` (substratul este legat la surs`).
Simbolurile ce vor fi utilizate pentru tranzistorul MOS cu canal indus cu unul ]i
dou` terminale de comand` sunt prezentate n fig. 3.2.



MOS MOS cu 2 por\i
Canal n


Canal p

Fig. 3.2 Simbolurile pentru tranzistorul MOS cu canal n i p.

Apari\ia curentului prin tranzistor este legat` de existen\a canalului. Sunt
tranzistoare MOS care la care canalul exist` f`r` a fi aplicat` o tensiune pe poart` -
tranzistoare MOS cu canal ini\ial. La aceste tranzistoare trebuie aplicat` o
tensiune de comand` (pe poart`) care s` duc` la dispari\ia canalului [n acest fel

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 3
realiz@ndu-se comanda curentului de dren`. Aceste tranzistoare sunt utilizate
foarte pu\in [n ultima vreme iar existen\a lor a fost impus` mai mult de procesul
tehnologic greu controlabil de la [nceputurile fabric`rii tranzistorului MOS pe
scar` larg`.
Actual, cea mai mare parte a tranzistoarelor MOS folosite sunt cu canal
indus, acest fapt [nsemn@nd c` la polarizare nul` a por\ii nu exist` canal ]i c` este
necesar` o tensiune pe poart` care s` determine apari\ia canalului.







































Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 4
CAPITOLUL 3.2
FUNCIONAREA TRANZISTORULUI MOS


3.2.1 OBIECTIVE

Caracteristicile tranzistorului MOS;
Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven;
Amplificarea tranzistorului MOS.


3.2.2 ASPECTE TEORETICE

3.2.2.1 Caracteristicile statice
Se consider un tranzistor MOS cu canal n, indus, cu structura
simplificat, simbolul i mrimile asociate din fig. 3.3 care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` .
T G
V V >


Fig. 3.3 Structura unui tranzistor MOS cu canal n indus care func\ioneaz` la o
tensiune de poart` .
T G
V V >

Ca urmare a aplic`rii pe poart` a unei tensiuni pozitive, [n cazul unui
tranzistor cu canal n, electronii din substrat sunt atra]i c`tre suprafa\a
semiconductorului. Pentru V a suprafa\a semiconductorului apare un strat de
inversie (canal) ce se [ntinde de la surs` la dren`.
T G
V > l
Drena, canalul ]i sursa sunt izolate fa\` de substrat prin regiunea golit` ce
apare sub acestea. {n aceste condi\ii, curentul de dren` ( ) va circula de la surs`
la dren` numai prin canal.
D
I
- Tensiunea de prag (V
T
) este parametrul MOS ce marcheaz` limita
[ntre blocare ]i conduc\ie. La tranzistorul MOS cu dou` por\i tensiunea de prag
este controlat` de tensiunea aplicat` pe substrat:
) V ( V V
BS 0 T T
| | + + = (3.1)

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 5
unde, V
T0
este tensiunea de prag [n absen\a polariz`rii substratului (V
BS
=0), | este
poten\ialul la suprafa\a semiconductorului [n inversie puternic` iar este factorul
de substrat (cu valori pozitve la n-MOS, 0
n
> ]i negative la p-MOS, 0
p
< ).
C@nd tranzistorul are substratul legat la surs`, evident
0 T T
V V = . V
T0
depinde de | ,
de oxidul de poart` ]i de natura metalului ce constituie electrodul G.
Tabelul 3.1 prezint` domeniul de varia\ie al tensiunii de poart` (V
GS
)
pentru func\ionarea [n conduc\ie a tranzistorului MOS cu canal indus.

Tabelul 3.1
n -MOS p-MOS
0 V V
T GS
> > 0 V V
T GS
< <

{n fig. 3.3, pentru simplitate, sursa s-a considerat legat` la substrat
( ) ceea ce implic` . {n func\ie de valoarea tensiunii se disting
pe caracteristicile de ie]ire prezentate [n fig. 3.4 dou` zone:
0 V
S
=
DS D
V V =
DS
V
- Zona cvasiliniar` (sau de triod`), caracteristic` tensiunilor
DS
V mici
(p@n` la sute de mV) unde canalul poate fi considerat echipoten\ial ]i
caracteristica ) V ( I
DS D
poate fi considarat` liniar` (
T GS
V
DS
V < V ).
Regimul este caracterizat de o rezisten\` a canalului (R
ch
) controlat`
prin tensiunea de poart` (
G GS
V V = ). Cre]terea tensiunii
GS
V duce la o
[mbog`\ire a concentra\iei de electroni din canal ]i, deci, la o sc`dere a
rezisten\ei canalului (vezi fig. 3.4).
- Zona de satura\ie (sau activ`), caracteristic` tensiunilor
DS
V mari
unde dependen\a curentului de dren` de tensiunea
DS
V este
aproximativ constant` (
T GS sat , DS DS
V V V V = > ). Aici, curentul
depinde numai de tensiunea
GS
V .
{n func\ie de regimul de lucru, curentul de dren` este dat de expresiile din
tabelul 3.2. {n fig. 3.5, sunt precizate, [n planul V
DS
V
GS
, domeniile pentru
blocare ]i conduc\ie, [n zona de satura\ie, respectiv cvasiliniar` pentru tranzistorul
MOS cu canal n.

Tabelul 3.2
Regiunea
ranzistorul +
Cvasiliniar` (Triod`)
T GS DS
V V V <
Activ` (Satura\ie)
T GS DS
V V V >
T
( )
(
(

=
2
V
V V V k I
2
DS
DS T GS D

( ) ( )
DS
2
T GS D
V 1 V V
2
k
I + =
TEC-MOS

Parametrii statici ai tranzistorului MOS sunt V
T
, k ]i . Parametrul k la
MOS depinde de mobilitatea purt`torilor majoritari din canal ( ) ]i dimensiunile
canalului. De exemplu, pentru k este valabil` rela\ia:
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 6

ox
C
L
W
' k
L
W
k = = (3.2)
unde, W ]i L sunt l`\imea respectiv lungimea canalului, iar C capacitatea (pe
nitatea de arie) a oxidului
ox
u de poart` (fig. 3.1). Raportul
L
W
este factorul de
geometrie al tranzistorului MOS.


(a)


(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile MOS: (a) de ieire; (b) de transfer .

) v ( i
GS D

Fig. 3.5 Domeniile pentru blocare ]i conduc\ie pentru tranzistorul n-MOS.

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 7
Parametrul modeleaz` efectul de scurtare a canalului cu tensiunea de
dren` [n satura\ie (efectul Early pentru MOS).
- Punctul static de func\ionare este definit de m`rimile I
D
, V
GS
, V
DS
]i
eventual V
BS
(dac` substratul este activ nu este legat la surs`).

3.2.2.2 Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven
Modelul dinamic la semnal mic, frecvene joase, al MOS polarizat n
saturaie, este descris de circuitul din fig. 3.6. n acest circuit avem:

0 v
gs
I i , V v
GS
I
GS
m
ds
D D DS DS D
V v v
=
= =
c A
d D D
I i i
g = =
c
=
A
(3.4)

0 v
ds
I i , V v
DS
I
DS ds
ds D D GS GS D
V v v r
= = =
c A

d D D
I i i 1
= =
c
=
A
(3.5)
, sunt valori efective. Expresia analitic pentru
d
I ,
gs
v
ds
v
m
g
(transco elaiei (3.2)
sau a uneia din relaiile (3.3), (3.4) sau (3.5) n funcie de regimul static al MOS.

nductana sau conductana mutual) se obine prin derivarea r

Fig. 3.6 Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven pentru funcionarea
n saturaie.

ds
d
r
1
g =
n deri
Expresia analitic pentru conductana canalului rezult prin
derivarea relaiei (3.1) sau (3.2). n regim de saturaie, pri varea relaiilor
(3.4), (3.5) rezult . n realitate ns, conductana canalului este nenul n
orice condiii.
Dac se analizeaz structura real a unui MOSse remarc prezena ntre
extremitile canalului propriu-zis i contactele metalice S i D, a unor poriuni de
n construirea unui model dinamic mai rafinat. Astfel, modelul se
ompleteaz cu rezistenele i este prezentat n fig. 3.7.
licate
Valorile msurate pe pot diferi de cele care rezult din formulele
0 g
d
=
siliciu n (sau p pentru MOScu canal p) a cror rezisten trebuie luat n
considerare
d
R i
s
R c
Rezistenele
d
R i
s
R depind de tensiunile ap tranzistorului.
teoretice datorit prezenei acestor rezistene.

ntru
m
g i
d
g
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 8

Fig. 3.7 Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven ce include efectul
rezistenelor serie din zona de surs respectiv dren.

3.2.2.3 Circuit de amplificare cu MOS
Pentru a fi utilizat ca amplificator MOS-ul se utilizeaz polarizat n regim
de saturaie. n acest regim exist, la semnal mic, o dependen liniar ntre
tensiunea de comand v
gs
i curentul de dren i
d
, ca n fig. 3.8.
(3.6)

gs m d
v g i =

Fig. 3.8 Zona optim de lucru pentru MOS ca amplificator de semnal mic.

Ca i tranzistorul bipolar sau MOS, MOS-ul poate lucra ca amplificator
ntr-una din cele patru conexiuni: surs comun (SC), gril comun (GC), dren
comun (DC) sau repetor pe surs i sarcin distribuit (SD).
n fig. 3.9 este prezentat un circuit de amplificare n care tranzistorul
lucreaz n conexiunea SC.
Tranzistorul este atacat pe gril cu un generator de semnal prin
intermediul condensatorului de decuplare C
1
. Rezistoarele
G1
]i R
G2
formeaz` un
divizor u
a nu ari
(M). Curentul prin tranzistor se fixeaz cu ajutorul rezistorului R
S
.
Condensatorul C
S
este utilizat ca i condensator de decuplare n circuitul sursei.
R
de tensiune care este utilizat pentru polarizarea por\ii tranzistorului. Pentr
strica reziste\a de intrarea a etajului valorile acestora se aleg foarte m

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 9
Pentru o valoare bine aleas acesta va scurtcircuita R
S
n curent alternativ, n
banda de lucru, punnd tranzistorul cu sursa la mas (surs comun).


Fig. 3.9 Etaj surs comun (SC) realizat cu tranzistor MOS.

Rezistena de sarcin a etajului este constituit numai din R
D
, rezistor ce
are rol i pentru polarizarea n curent continuu a tranzistorului.
Amplificarea de tensiune a etajului SC este dat de relaia:

D m
i
o
V
R g
v
v
A = = (3.7)
Semnul minus din relaia (3.7) semnific faptul c la ieire semnalul este
defazat cu 180
0
fa de semnalul de intrare.
Rezistenele de intrare/ieire n/din etaj sunt:

2 G 1 G
i
R R
i
v
= =
i
i
R (3.8)

D
o
o
o
R
i
v
R = = (3.9)
Calculul acestora au presupus o rezisten de intrare i o rezisten r
ds

finite pentru MOS.




in




Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 10
CAPITOLUL 3.3
MSURAREA CARACTERISTICILOR STATICE I
DINAMICE ALE TRANZISTORULUI MOS. ETAJE CU
TRAN MOS

isticilor statice ale MOS;
Etaje de amplificare cu MOS.

EV, unitate de control
ional);
Modulul poate lucra n mod independent. La utilizarea unitii de
management extern cele 4 comutatoarele trebuie s fie pe poziia
buie s fie pe poziia deschis;
Modulul MCM4/EV;


A LUCRRII
preliminar
conectai toate unturile
ZISTOR


3.3.1 OBIECTIVE

Msurarea caracter
Funcionarea ca generator de curent constant;
Msurarea caracteristicilor dinamice ale MOS;

3.3.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/
individual SIS1/SIS2/SIS3 (op
nchis iar cele 8 comutatoare tre
Multimetru;
Osciloscop;
Generator de semnal.
3.3.3 DESFURARE

3.3.3.1 Pregtire
MCM-4 De
Montai SIS1 Setai toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introducei cod lecie: B14

Se pornete odulul aflat pe placa MCM-4 stnga jos cu schema
electric ezentat n fig. 3.10. Tehnica de polarizare
a cu dou surse:
fix de 12V/ u tensiunea
V
GS
;
Surs variabil 1,2V-24V (V ) i o rezisten serie pentru polarizarea
de la m
pentru msurtori pe MOS pr
leas este
Sursa -12V i un divizor rezistiv reglabil pentr

CC
dren-surs.
! Valorile tensiunilor i curenilor alternativi sunt date n valoare RMS.


Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 11

Fig. 3.10 Schema electric de msurare a tranzistorului MOS modulului MCM-4.


3.3.3.2 Msurarea caracteristicilor de curent continuu

Caracteristica de transfer
Se realizeaz circuitul din fig. 3.11 prin conectarea unturilor J18, J37,


J41. Pentru msurarea tensiunilor se utilizeaz voltmetrul sau
osciloscopul.

Fig. 3.11 Circuitul pentru msurarea caracteristicii de transfer.


Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 12
Se conecteaz` R
J22
=100k pe pozi\ia lui J22;
Se variaz` tensiunea V
CC
astfel [nc@t tensiunea V
GS
a tranzistorului s` ia
valorile din tabelul 3.3 i se msoar curentul de dren I
D
indirect, prin
msurarea cderii de tensiune pe rezistorul R
12
.
Pentru curen\i mari de dren` rezistorul R
J22
se [nlocuie]te cu J22;
Curentul I se calculeaz cu relaia:

D
12
DS CC
D
R
V V
I

=
Se traseaz graficul I
D
= f(V
GS
) i Graficul rezultat va fi de forma celui
din fig. 3.12.

Tabelul 3.3
V
GS
[V] 0 1,3 1,5 1,8 2 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
V
GS,m`surat


[V]

V
CC

R
D
=R
12
+R
J22
[k]

D
[mA]

I
(V

GS T
V )
2
/2 [V
2
]




Fig. 3.12 Fo a caracteris cii de tran er.

a te unii de prag a tranzist ului MOS ]i a parametr lui k
Pe circuitul prezentat [n fig. 3.11 se monteaz` [n locul lui J22 un rezistor
J22
=100k. Se regleaz` sursa de alimentare (V
CC
) astfel [nc@t curentul de dren`
s` fie de 10A (V
CC
-V
DS
=1V). Curentul de dren` se m`soar` ca ]i c`dere de
tensiune pe R
J22
conect@nd voltmetrul [ntre punctele 24 (-) ]i 23 (+) de pe montaj.
Tensiunea V
GS
m`surat` pentru un curent de dren` de 10A, va fi
tensiunea de prag a tranzistorului. Aceast` valoare va fi utilizat` ]i [n calculele
teoretice.
rm ti sf
M`surare nsi or u

R

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 13
...... V V
T
A 10 I
GS
D
= =
=

Se completeaz` tab. 3.3. Se traseaz` caracteristica I
D
= f [(V
GS
-V
T
)
2
/2]
elimin@ndu-se din reprezentare punctele cu
T GS
V V s . Din panta acesteia se va
deduce, experimental, parametrul k
n
ce va fi utilizat [n calculele teoretice (rela\ia
de calcul a fost dat` [n ecua\ia 3.2 ]i poate fi aplicat` atunci c@nd se cunosc W, L,
, C
ox
).

Caracteristicile de ieire
Se realizeaz circuitul din fig. 3.13 prin conectarea unturilor J18, J22,
J30 ]i J37.
Pe circu lui R
V8
se regleaz
tensiune
GS
z tensiunea V
DS
la
de
grafic zona de satu aie de zona liniar.
...... k
n
=
itul din fig. 3.13 cu ajutorul poteniometru
a V la valorile date n tabelul 3.4. Se varia
valorile impuse n tabel prin variaia V
DD
i se msoar curentul
dren.
n cazul curenilor de dren mici, cderea de tensiune pe rezistena R
12

va fi mic fapt ce se traduce ntr-o diferen mic ntre tensiunea V
DD
i
tensiunea V
DS
. Pentru a maximiza cderea de tensiune scoate untul
J22 i se conecteaz n locul acestuia un rezistorul R
J22
=100k.
Se reprezint grafic familia de curbe parametrice I
D
= f
1
(V
GS
, V
DS
). Se
vor obine caracteristici de forma celei din fig. 3.14. Se va delimita pe
r



Fig. 3.13 Circuitul pentru msurarea caracteristicilor de ie]ire.
origi


Pentru fiecare curb se va determina grafic tangenta n ne:
0 V
DS
D
0 V
DS
D
lin , d
DS DS
v
i
dv
di
g
= =
= =
A
A

Rezultatele se trec n tabelul 3.5.
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 14
Tabelul 3.4
V
DS
[V] 0 1 2 3 3,5 4 6 8 10
V
DS,m`s.
[V]


V
DD
[V]


R
12
+R
J22
[k]


V
GS
= 0
[V]
I
D
[mA]


V
DS,m`s.
[V]


V
DD
[V]


R
12
+R
J22
[k]


V
GS
= 1,5
[V]
I
D
[mA]


V [V]


DS,m`s.
V
DD
[V]



R
12
+R
J22
[k]
V
GS
= 2
[V]
I
D
[mA]


V
DS,m`s.
[V]




V
DD
[V]
R
J22
[k]

12
+R
V
GS
= 2,1
[V]
I
D
A] [m


V
DS,m`s.
[V]


V
DD
[V]


R
12
] +R
J22
[k


V
G
,2
[V]
[m
S
= 2
I
D
A]


V
DS,m`s.
[V]


V
DD
[V]


R
12
] +R
J22
[k


V
G
,3
[V]
[m
S
= 2
I
D
A]


V
DS,m`s.
[V]


V
DD
[V]


R
12
] +R
J22
[k


V
G
,4
[V]
[m
S
= 2
I
D
A]




Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 15

Fig. 3.1 For a ca eris icii de ieire.


Tabelul 3.5
0 1,5 2 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
4 m ract t
] V [ V
GS

] V / mA [
1 lin , d
g




Montai SIS1 Setai comutatorul S4 pe poziia nchis
SIS2 Apsai INS

I1 Ce se ntmpl n circuit?
a) o rezisten n serie cu R
12
a fost deconectat;
b) tranzistorul este scurtcircuitat ntre dren i surs;
c) tranzistorul este ntrerupt ntre dren i surs;
d) circuitul porii a fost deconectat;
e) tensiunea de alimentare a fost redus.

Montai SIS1 Setai comutatorul S4 pe poziia deschis


3.3.3.3 Func nstant
Regimul n care MOS poate funciona ca generator de curent constant este
ionarea MOS ca generator de curent co
saturaia (
GS T
V V < < i V 0
T GS DS
V V V > ). Dac se neglijeaz efectul scurtrii
canalului n saturaie i se utilizeaz cua e d e fu n M entru
acest regim,
e ia c escri ncio area OS p
( )
2

T GS D
V V
2
k
I =
r ]i se obine . ct I
D
= ezult c pentru
T GS
V V > V
GS
= . ct
Pentru verificarea acestui se va utiliza circuitul din fig.
.15.
comportament
3
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 16
Se conecteaz unturile J18, J22, J30, J33. {n locul jumper-ului J32 se
e grila tranzistorului
R
V8
la pinul dinspre R
16
;
aloarea de +24V;
(D
z
) ]i se trece [n tabel; Aceasta
trebuie s` fie [n jurul valorii de 6,2V;
xeaz` pentru ndirect
curentul n circuit. Acesta trebuie s rmn constant ct vreme
tranzistorul rmne n saturaie.

introduce dioda Zener (D
z
) de 6,2V cu catodul c`tr
T
6
. Se pozi\ioneaz` cursorul poten\iometrului
Se regleaz sursa de tensiune la v
Se m`soar` tensiunea pe dioda Zener
Se fi V
D
valorile din tabelul 3.6. Se msoar i

18
R
Se completeaz` tabelul 3.6 ]i se traseaz graficul I
masurat , S
D
V
I =
D
= f (V
DS
);
tensi Se determin` unea V

abelul 3.6
V] 13 14 15 16 17 18 19
CC,minim
pentru care circuitul men\ine curentul
constant.

T
V
D
[
V
D,m`surat
[V]
V
S,m`surat
[V]
V
CC
[V]
V
DS
[V]
V
GS
[V]
[V] I [mA] V
Z
= ....
D






Fig. 3.15 Ci ntru msurarea caracteristi ii cure nsi de
curent consta te cu MOS.
rcuitul pe
nt realiza
c nt-te une a sursei

Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 17

3.3.3.4 Verifi ea odelului dinamic

Estimarea r
d
n saturaie
Se realizeaz configuraia din fig. 3.16. Se conecteaz unturile J18,
J30 i J37.
Se conecteaz rezistena i condensatorul C
J20
(10F) se
fixeaz
car m
1,3k R
1
J22
O =
V 5 V 1 , 2 V
GS
= i V
DS
= . Generat
V 0
S
orul de semnal este conectat i
pornit, dar reglat la v = . Poteniometrul semireglabil R
V5
se
regleaz cu cursorul la mas.
Se regleaz amplitudinea semnalului de la generator astfel nct s se
obin i se msoar . Rezultatele se trec n tabelul 3.7.
Se repet msurtorile pentru .
Se calculeaz:
mV 10 V
gs
=
ds
V
O 10k R
2
J22
=
1
v R
2 ds
1
D


v R
R R
g
1
r
1 ds
2
D
1
D
2
D
sat , d
sat , d

= =

Tabelul 3.7
] k [ R
22 J 12
R R
D
O + = 98 , 1 68 , 10
mV [ V
ds
]




Fig. 3.16 Circuitul pentru msurare a rezistenei dinamice (r
d
) i a g
m,sat
n
saturaie.

Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 18

Msurarea conductanei mutuale n saturaie - g
m,sat

n configuraia din fig. 3.16 se adaug J22.
Se regleaz succesiv la valorile din tabelul 3.8 meninndu-se de
fiecare dat

GS
V
, V
gs
V 5 V
DS
= mV 10 = i msurndu-se .
Se calculeaz conductana mutual msurat ,
ds
V
,
1 sat , m
g
V 5 V
ds 12
ds
1 sat , m
DS
v R
v
g
=

=
iar valorile se trec n tabelul 3.8.


Tabelul 3.8
2 2,1 2,2 2,3 2,4
] V [ V
GS

] mV [ V
ds



] V / mA [ g
1 sat , m



] V / mA [ g
2 sat , m



Cu ajutorul valorilor i determinate anterior se calculeaz
nduct ta elul 3.8.
n
k
T
V
ana mutual teoretic
2 sat , m
g , iar valorile se trec n b co
D n T GS n 2 sat , m
I k 2 ) V V ( k g = =
Cu datele din tabelul 3.8 se traseaz pe aceleai grafic, curbele:
C1: ( )
GS 1 sat , m
V f g = , pentr V 5 V
DS
u =
C2: ( )
GS 2 sat , m
V f g =

Cum explicai difere ele care rezult ntre (transconductana
msurat) i (transconductana calculat)? Care nta optim` pentru
e?
Msurarea conduc nei c alului n regiunea ar
d,lin

Se realizeaz co guraia din fig. 3.17 conectndu-se unturile J30,
J37 .
Se regleaz poteniometr R
V5
cu curso mas.
Se ajusteaz succesiv la valorile di tabel 3.9.
Se modific de fiecare dat amplitudinea generatorului astfel nct s
se obin ;
1 sat , m
g
este pa
n
2 sat , m
b\inerea unei amplific`ri maxim
g
o


ta an lini g
nfi
O i 10k R
J22
=
u rul n

G
V
S
n ul

mV 20 V =
ds
Se msoar
dd
V i se trece n tabelul 3.9.


Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 19

7 Fig. 3.1 l pe rarea conductanei canalului n regiunea liniar -
2 2,1 2,2
Circuitu ntru msu
g
d,lin
.

Tabelul 3.9
] V [ V
GS

] mV [ V
dd


] V / mA [ g
1 lin , d


] V / mA [ g
2 lin , d




Utiliznd datele din tabelul 3.9 se calculeaz pentru fiecare valoare a lui
, parametrul
GS
V
V 0 V
12 22 J
ds
dd
1 lin , d
DS
R R
1
V
V
g
=
+

=
i cu ajutorul lui parametrul
n
k i
T
V
0 V
D n
0 V
T GS n 2 lin , d
DS
DS
I k 2 ) V V ( k g
=
=
= =
Rezultatele se trec n tabelul 3.8. Cu datele din tabelul 3.8 se traseaz
grafic curbele:
C3: , pentru ( )
GS 1 lin , d
V f g = V 0 V
DS
=
( )
GS 2 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
= C4:
C5: , pentr ( )
GS 3 lin , d
V f g = u V
DS
V 0 =

Cum explicai diferenele care zult ntre c ele dren-surs
msurate prin diferite metode i i conduc na calculat cu
laia?
re onductan

1 lin , d
g
2 lin ,
g
3 lin , d
g
d
ta
re
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 20
3.3.3.5 Amplificator de semnal mic cu MOS
surs ) fig. 3.18. Circuitul din fig. 3.18 se realizeaz n urmtoarele
etape:
Se conecteaz unturile J18, J22, J27, J30, J37;
Se regleaz Vcc la valoarea de 24V;
Se conecteaz cele dou canale ale osciloscopului ca n fig. 3.18;
Se poziioneaz cursorul poteniometrului semireglabil R
V8
astfel [nc@t
V
Se poziioneaz cursorul poteniometrului semireglabil R
V6
[n mas`;
Se conecteaz generatorul de semnal pe poziia untului J29;

mV
rms
/1kHz;
msoar ten s la ie ire n absena distorsiunilor i se
uleaz amplific relaia:
Conexiunea utilizat pentru experimentarea amplificrii MOS-ului este
a comun (SC
V
DS
=8 ;
Se regleaz semnalul pe grila tranzistorului T
6
la o amplitudine de
5-10
Se siunea rm
calc area cu
rms , i
rms , o
v
v
v
A =
Se verific dac defazajul ntre intrare i ieire este de 180
o
.



Fig. 3.18 Amplificator surs comun cu MOS.










Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 21
CAPITOLUL 3.4
{NTREBRI I EXERCIII


3.4.1 OBIECTIVE

Aprofundarea cunotinelor obinute


3.4.2 NTREBRI

I2. Ce erori se introduc n determinrile asupra caracteristicilor statice
prin meninerea prea ndelungat a MOS-ului ntr-un regim de putere disipat
relativ mare (I
D
i V
DS
mari)?

a) caracte
b) caracteristica de transfer nu se modific dar cea de ieire se modific;
c) caracteristica de transfer se modific dar cea de ieire nu se modific;
d) ambele caracteristici se modific;
e) nici una din cele de mai sus.
I3. Ce se nelege prin canalul MOS-ului?
a) regiunea dintre poart i dren;
oart i surs;
n i surs [n care s-a realizat inversia;
i de poart;
r n-MOS cu canal indus, I
D
=0 cnd:
b) V
GS
< V
T
;
GS T
MOS-ul se comport:
siune;
risticile nu se modific;



b) regiunea dintre p
c) regiune de supr a afa\` dintre dre
d) conexiunea dintre dou regiun
e) conexiunea de intrare a MOS.


I4. Pentru un tranzisto

a) V
DS
= 0V;
c) V
GS
> V
T
;
d) V = V ;
e) V
DS
= V
GS
.


I5. n regiunea liniar

a) ca o rezisten comandat n ten
b) ca o diod;
c) ca o surs de curent constant;
d) ca un etaj de amplificare;
e) ca un comutator deschis.
Dispozitive Electronice-ndrumar de Laborator 22
3.4.3 EXERCIII
dispozitivelor din
D
Z
(V
Z
=6,2V, I
Z,min
=1mA), R
1
=10k,
t tranzistorul T?

E.1 Se d` cicuitul din fig. 3.19. S` se calculeze psf-ul
uit. Se cunosc: T (V
T
=2V, k
n
=1mA/V
2
), circ
R
2
=1k, R
L
=1k. Cu ce poate fi echivala


Fig. 3.19
le poate avea rezistorul R
L

ificare cu tranzistor n-MOS din fig. 3.9.
T
=2V, k
n
=1mA/V
2
, r
o
=100k). Celelalte
, R
G2
=2M, R
S
=1k, R
D
=5k, C
1
= C
2
=
C
3
=, alculeze punctul static de func\ionare, amplificarea
tensiune ]i rezisten\ele de intrare/ie]ire din etaj.













E.2 S` se estimeze valorile extreme pe care
(R
L,min
, R
L,max
).


E.3 Se consider etajul de ampl
Parametrii tranzistorului sunt: T (V
componente au valorile R =6M :
G1
iar V
CC
=24V. S` se c
[n





Lucrarea III: MOS Modulul MCM4/EV 23

Fig. 3.20 Schema electronic a modulului MCM4/EV.