Tranzistoare cu efect de

câmp cu poartă izolată

Elaborat: Roșca Gheorghe

Funcționarea tranzistoarelor cu efect de câmp se bazează pe variația

conductibilității unui canal dintr-un material semiconductor, cu ajutorul unui

câmp electric creat de tensiunea aplicată electrodului de control, numit grilă sau

poartă.

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, funcționarea tranzistoarelor cu efect de

câmp se bazează pe un singur tip de purtători : purtătorii majoritari.

Din acest motiv ele se mai numesc şi tranzistoare unipolare.

Pentru desemnarea tranzistoarelor cu efect de câmp vom folosi prescurtarea

TEC. în literatură se mai întâlnește prescurtarea FET (Field Effect

Transistor).

După modul de realizare a grilei, tranzistoarele cu efect de cîmp se împart

în două categorii :

 cu grilă joncţiune (TEC-J sau J-FET).

STRUCTURA TEC-MOS CU CANAL
PROPRIU
STRUCTURA TEC-MOS CU CANAL
INDUS
 PRINCIPIUL DE FUNCȚIONARE
TEC-MOS CU CANAL PROPRIU

Cu poarta nepolarizată
Cu poarta polarizată direct

Regim de îmbogățire
Cu poarta polarizată invers

Regim de sărăcire
 PRINCIPIUL DE FUNCȚIONARE
TEC-MOS CU CANAL INDUS

Cu poarta nepolarizată
Cu poarta polarizată direct
Cu poarta polarizată invers

Regim de sărăcire
Caracteristicile TEC-MOS Caracteristica de transfer

Caracteristica de ieșire
Avantajele TEC-MOS:
1.Sunt comandate în tensiune
2.Dependența de temperatură este mai redusă
3.Rezistență de intrare mult mai mare (102 –
103 MΩ)
4.Curent de comandă mult mai mic (nA – pA)
5.Zgomot redus (lipsa recombinării)
6.Gabarite mult mai mici
Dezavantajele TEC-MOS:
1.Nu pot amplifica în curent
2.Amplificarea în tensiune mai mică
3.Sunt foarte sensibile la sarcina statică (accidentală)
4.Necesită precauțiuni speciale în timpul manipulării și
transportului.
PROBLEMA: