Curs 10

TRANZISTOARE. TRANZISTOARE BIPOLARE

DE CUPRINS C10

 Tranzistoare
 Clasificare
 Principiu de funcționare și regiuni de funcționare
 Utilizarea tranzistorului de tip n. Caracteristici de transfer
 Utilizarea tranzistorului de tip p. Caracteristici de transfer

 Tranzistoare bipolare
 Simboluri
 Structura simplificată
 Caracteristici de intrare, ieșire și transfer
 Regiuni de funcționare
 Curenți prin TB
 Saturația TB
 Punct static de funcționare
2
DE Tranzistoare C10

 Dispozitive semiconductoare active (cu trei terminale)

 Principiul de funcţionare: utilizarea unei tensiuni (de comandă) pentru a controla intensitatea curentului
de ieşire (de execuţie).
 Tranzistoarele: surse de curent comandate în tensiune (SCCT)

• Tranzistoare: componente esenţiale pentru orice circuit electronic

• Intel 4004, 1971, 10µ, 14mm2, 2.300 tranzistoare
• Procesorul Pentium4: ~ 43.5 milioane tranzistoare (cu efect de câmp)
• IBM z13, (6-to-8 core), 2015, 22nm, 3.990 milioane tranzistoare

3
DE Tranzistoare C10
Clasificare Tranzistoare cu efect de câmp Tranzistoare bipolare cu joncţiuni
Metal-Oxid-Semiconductor

4
DE Tranzistoare C10
Principiu de funcționare și regiuni de funcționare

Tranzistorul – sursă de curent comandată neliniară

 exponențială – TB
 pătratică - TMOS
• Modelul în cc – sursă ideală de curent comandată în tensiune

Tip p
Tip n
-TECMOS cu canal p
-TECMOS cu canal n
-TB pnp
-TB npn

Tensiune de prag

5
DE Tranzistoare C10
Utilizarea tranzistorului de tip n. Caracteristici de transfer

• De ce este necesară R?

 Mărimi de ieșire: IO, VO

 CST: IO(VCT), VO(VCT)

• alimentare serie cu sursă de tensiune

• alimentare paralel cu sursă de curent

6
DE Tranzistoare C10
Utilizarea tranzistorului de tip n. Caracteristici de transfer
• VCT < VPn, Tn – blocat, IO=IT=0
• VCT > VPn, Tn – conduce, IO=IT >0

VAl=RIO+VO ; VO= VAl - RIO

VAl
VO,min= 0 I Oex 
VCT , IO , VO  R

7
DE Tranzistoare C10
Utilizarea tranzistorului de tip n. Caracteristici de transfer

• Două regiuni extreme, regiuni pasive:

- blocare (b) IT=0; VO>0;
comutator ideal blocat.

- conducţie extremă (cex) IT=IOex; VO=0;

comutator ideal în conducţie.

• O regiune intermediară:
- regiunea activă directă (aF);
amplificator

• VCT<VPn și VCT>VCTex tranzistorul - regim de comutare

• VCT(Vpn; VCTex), - tranzistorul - regim de amplificare

8
DE Tranzistoare C10
Utilizarea tranzistorului de tip p. Caracteristici de transfer

- blocare (b) VCT  VPP

- conducţie extremă (cex)
VCT  VCTex
- regiunea activă directă (aF) VCTex  VCT  VPP
9
DE Tranzistoare C10
Cine determină granița dintre regiuni?
Tn Tp

• graniţa (b) - (aF) tranzistorul prin tensiunea de prag

• granița (cex) - (aF), VCT=VCTex tranzistor, R şi VAl:
o T prin funcţia IT(VCT)
VAl
o R şi VAl prin valoarea extremă a curentului de ieșire I Oex 
R
10
DE Tranzistoare C10

Exemplu

i) VAl=10V; R=1KΩ (b), (aF), (cex) ?

ii) VAl=15V; R=1kΩ
iii) VAl=10V; R=2,5kΩ

11
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Tip n – TB npn Tip p – TB pnp
Simboluri

Simboluri uzuale

Ce “vede” un
ohmmetru la
terminalele TB

Există interacţiune între cele două diode 12

DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Simboluri Tip n – TB npn Tip p – TB pnp

Terminalele TB se numesc:
B – bază
C – colector
E – emitor

Săgeata indică sensul pozitiv al curentului prin tranzistor de la C la E (npn) şi de la E la C (pnp).

13
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Structura simplificată TB npn TB pnp

C E

n p
B B
p n

n+ p+

E C 14
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Structura simplificată, tranzistor npn

Efectul de tranzistor:
Trecerea curentului printr-o joncţiune polarizată invers (bază-colector) datorită interacţiunii ei cu
o joncţiune polarizată direct (bază-emitor) situată în imediata ei vecinătate.

Obținerea efectului de tranzistor:

• regiunea bazei foarte îngustă; considerabil mai îngustă decât lungimea de difuzie a purtătorilor
minoritari în bază;
• regiunea de emitor mai puternic dopată decât regiunea bazei;
• regiunile de emitor şi colector mai late decât lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în
aceste regiuni. 15
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Caracteristica de intrare, de transfer

În regiunea activă directă (aF)

v BE
IS
iB  e VT
iC =βiB

β - factor de amplificare în curent
v BE

iC  I S e VT

Caracteristica de intrare Caracteristica de transfer

16
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Caracteristici de ieșire

IS=2·10-15A și β=100

Regiunea activă (aF) v BE

iC = βiB iC  I S e VT

Saturaţie (cex)
iC < βiB
VCEsat ≈ 0,2V

Blocare (b)
iC = βiB =0
17
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Regiuni de funcționare
vBE>0.6V
rareori folosită
vBC>0.6V
Regiunea activă Regiunea de
inversă (aR) saturație (cex)

Regiunea de Regiunea activă

vBE<0.6V blocare (b) directă (aF)
vBC<0.6V vBE>0.6V
vBC<0.6V
Observație:
• tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe.

Moduri de în comutare - (b) (cex)

utilizare amplificator - (aF), eventual (aR)
18
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Curenții prin TB
iE  iB  iC
În toate regiunile de funcționare

1 1
În regiunea activă (aF), cu iC = βiB iE  iC  iC  iC (1  )
 
iE  iC
iE  (   1)iB  iB

Relaţiile nu sunt valabile la saturaţia TB (cex) unde iC < βiB

19
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Limitarea curentului de comandă

 joncţiune în circuitul de comandă

 se impune folosirea unei rezistenţe serie în circuitul bază-emitor pentru stabilirea (limitarea)
curentului de bază, fie în bază, fie în emitor

vCo  vBE vCo  vBE

iB  vBE  0.7V iE 
RB RE
20
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Saturația TB

• Valorile rezistoarelor şi surselor de alimentare astfel încât tranzistorul să lucreze în regiunea dorită.

• TB poate fi privit și ca o sursă de curent comandată prin curent după relaţia iC=βiB în (aF).

iCex
iBsat 


21
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Punct static de funcționare Q

 Punct static de funcționare Q – un punct de pe caracteristica de ieșire iC(vCE) a TB

 Parametrii Q – IC și VCE
 Q(IC, VCE) se află la intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica corespunzătoare tensiunii vBE

Dreapta de sarcină:
vCE =VAl -RC iC

22
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Punct static de funcționare Q

Q2(IC2, VCE2)

vCo  vBE
iB 
RB

iC  iB
vCE  VAl  RC  iC

23
DE Tranzistoare bipolare - TB C10
Problemă:
A. În ce regiune se află T și care este PSF Q(VCE , IC) pt RB=50k cu
i) vCo=0.4V; ii) vCo=1.7V;
iii) vCo=5V

Rezolvare:
i) deoarece vCo=0.4V < VP=0.6V T-(b) Q(12V; 0mA)

ii) vCo >VP  T fie în (aF) fie în (cex).

Vom considera vBE=0.7V în conducţie şi β=100. Presupunem T în (aF) astfel ca iC =βiB.
Se compară iB cu iCex /β.
Dacă iB >iCex /β, T - (cex), dacă iB <iCex /β, T - (aF)
24
DE Tranzistoare bipolare - TB VAl  vCEsat 12  0,2 C10
iCex    5.9 mA
RC 2
vCo  vBE 1,7  0,7
iB    0.02 mA
RB 50

iCex5,9
  0.059 mA
 100

iCex
Cum iB=20μA   59 μA,  T este în (aF)

iC  iB  100  0,02  2mA
PSF Q(8V, 2mA)
vCE  VAl  RC  iC  12  2  2  8V

vBC  vBE  vCE  0.7  8  7.3V  0.6V 25

DE Tranzistoare bipolare - TB C10
iii)
vCo  vBE 5  0.7
iB    0.086mA
RB 50

Cum iB =86µA>iCex /β=59µA, rezultă că T este în (cex);

vBE ≈0.8V; vBC=vBEsat -vCEsat ≈0.8V-0.2V=0.6V=VP

Puteam rezolva problema presupunând T în (aF)  iC=βiB=8.6mA

vCE=VAl - RCiC =12-2·8.6=-5.2V

Evident o valoare imposibilă (vCE nu poate fi decât pozitivă) deci presupunerea făcută este falsă.
Aşadar T este în (cex)
VCE  vCEsat  0.2V
Pentru determinarea PSF se consideră: Q(0.2V; 5.9mA)
I C  iCex  5.9mA 26
DE C9
Activitate curs - P9

B. Se dau vCo=2.7V şi β(25…200).

Să se determine domeniul RB astfel încât T

i) (aF);
ii) (cex).

27
DE C9
Ce am învățat azi despre tranzistoare și tranzistoare bipolare?

 Tranzistoare
 Clasificare
 Principiu de funcționare și regiuni de funcționare
 Utilizarea tranzistorului de tip n. Caracteristici de transfer
 Utilizarea tranzistorului de tip p. Caracteristici de transfer

 Tranzistoare bipolare
 Simboluri
 Structura simplificată
 Caracteristici de intrare, ieșire și transfer
 Regiuni de funcționare
 Curenții prin TB
 Saturația TB
 Punct static de funcționare

28