Sunteți pe pagina 1din 28

AMPLIFICATOR AUDIO DE PUTERE

1. TEMA DE PROIECTARE
Tema de proiectare se refera la un amplificator de audiofrecventa de mare putere realizat dintr-un
etaj de iesire in clasa B polarizat cu ajutorul etajului pilot care lucreaza in clasa A. Pentru asigurarea
unui curent mare de iesire tranzistoarele finale sunt realizate din doua tranzistoare in conexiune
Darlington. Amplificarea in tensiune si adaptarea cu sursa de semnal de intrare este realizata cu
ajutorul etajului de intrare de tip diferential care lucreaza de asemenea in clasa A. Amplificarea
globala a amplificatorului este stabilita prin intermediul reactiei negative.

Fig 1. Schema bloc a amplificatorului audio de putere

2. SETUL DE DATE DE INTRARE


Nr.
PS (W )

50

Amplificator
Ri ( K)
RS ()
5
40

AV ()

Principalii parametrii ai amplificatorului audio de putere sunt :

Puterea nominala pe sarcina PS (W )


Rezistenta de sarcina RS ()

Rezistenta de intrare Ri ( K)

Amplificarea in tensiune AV ()

Sursa de alimentare
R0 M ( )
I 0 M ( A)
4.5
6.1

Sursa de alimentare va asigura urmatorii parametrii :


Curentul maxim I 0 M ( A)

Rezistenta de iesire maxima R0 M ()


Tensiunea de alimentare este 220 Vac 10%

3.ETAJUL FINAL
Este realizat cu doua tranzistoare bipolare complementare in conexiune collector comun . Deoarece
tehnologia bipolara este axata pe tranzistoare de putere de tip npn si pentru cresterea amplificarii in
curent a etajului final se utilizeaza pentru cele doua tranzistoare finale de putere configuratii
Darlington de tip npn si pnp.

Fig. 2 Configuratie Darlington de tip npn


Consideram T5 si T7 in regim active normal RAN :

VBE VBE 5 VBE 7 0

VCE VCE 7 VCE 5 VBE 7 0

=>R.A.N.

Pentru I CB 0 0
I C I C 5 I C 7 F 5 I B5 F 5 I B5 F 7 I E 5 F 5 I B5 F 7

F7 1
1
I CS F 5 I B 5 F 7 F 7
F 5 I B5
F7
F7

1
1
F 5 I B 1 F 7 F 7

F 5 I B 5 1 F 7 F 7
F7
F 7

I
1
F C F 5 1 F 7 F 7 F 5 (1 F 7 ) F 5 F 7
IB
F7

Principalii parametrii ai configuratiei Darlington de tip npn sunt :


F F 7 F 5 mare

h11

V BE VBE 5 VBE 7

h11T 5 (1 F 5 ) h11T 7 mare


IB
I B5

VCESaturatie VCE 7 Saturatie nu se modifica


V BE 2V BE 5 2V BE 7 mare

Consideram T1 si T2 in RAN.

VEC VCE 8 VEC 6 VBE 8 0

avantaj
avantaj
dezavantaj

Fig 3. Configuratie Darlington de tip pnp

VEB VEB 6 0

avantaj

=> RAN

Pentru I CB 0 0

I C I E 8 ( F 8 1) I B 8 ( F 8 1) I C 6 ( F 8 1) 6 I B 6 ( F 8 1) F 6 I B

IC
( F 8 1) F 6 F 8 F 6
IB
Principalii parametrii ai configuratiei Darlington de tip pnp sunt :

F F 8 F 6 mare
h11 h116 nu se modifica
VEB VEB 6 =nu se modifica

avantaj

VEC VCE 8 VEC 6 VBE 8 = mare

avantaj
avantaj
dezavantaj

Cand T6 se satureaza se pierde controlul lui I C 6 prin I B 6 iar I C 6 se inchide prin jonctiunea BE a
lui T8 care ramane in RAN. => VCESaturatie VCE 7 Saturatie V BE 8 0.2 0.6 0.8V
Tehnologia bipolara standard este orientata pe fabricarea tranzistoarelor de tip npn care au conductie
verticala si au factorul de amplificare in curent F mare (100-200). Tranzistoarele pnp sunt de tip
lateral cu conductie orizontala sau transistor de substrat cu conductie verticala avand F mic .
In practica se folosesc configuratiile Darlington cu rezistenta in paralel cu joctiunea baza emitor a
tranzistorului bipolar de putere de tip npn ( R26 siR27 ).
Rolul acestor rezistente este urmatorul :

La functionarea in clasa B in repaus curentul prin T7 este mic iar curentul de baza va fi
si el mic . La curenti mici de colector pentru T5 amplificarea in curent a tranzistoarelor
are o cadere pronintata =>amplificarea este redusa =>reactia negativa va fi ineficienta
asupra neliniaritatii curbei de transfer.
La imbinarea caracteristicilor tranzistoarelor complementare apar distorsiuni de trecere
(cross-over) si pentru micsorarea acestora se face o polarizare initiala in regim static al
tranzistoarelor. Rezistenta R26 mareste curentul de colector al tranzistorului T5 in regim
de repaus deoarece la I C 7 mic , h11.T 7 e foarte mare si cea mai mare parte a curentului

dat de T5 trece prin R26 si astfel T5 lucreaza la curenti acceptabili cu F 5 suficient de


mare. La curent de colector mare pentru T7 , h11.T 7 scade exponential si R26 se poate
neglija.

Rezistenta R26 permite evacuarea sarcinii stocate prin circulatia unui curent invers de
baza in perioada corespunzatoare blocarii => R26 imbunatateste funtionarea la frecvente
inalte , darn u elimina efectele daca frecventa de lucru e mai mare decat f .

PUTEREA DISIPATA DE TRANZISTORII FINALI T7 , T8

Puterea maxima ce se poate obtine la iesire este :


P0 E C I CM
EC este tensiunea de alimentare pentru un transistor final
I CM

este curentul de colector maxim al tranzistorilor finali

Fig.4 Diagramele de functionare a etajului final in contratimp


Puterea absorbita de la sursa de alimentare este :
Pa 2 E C I med
I med este curentul mediu absorbit de la sursa

I med k

1
T

T /2

I CM sin

I
2
tdt k CM
T

unde k este factorul de utilizare a tensiunii de

alimentare
I CM 2k

P0 0.636 k P0
Pa 2 E C I med =

Puterea nominala pe sarcina are expresia :


2 EC k

PS

1
1
2
RS (k I CM ) 2 RS k 2 I CM 0.5 k 2 P0
2
2
unde RS este rezistenta de sarcina

Puterea disipata de tranzistorii finali este :

Pd (T7 T8 ) Pa Pu (0.636k 0.5k 2 ) P0

PS
0.5 k 2 P0

0.785k
Pa 0.636 k P0
Randamentul
derivand expresia puterii dissipate de
P
tranzistorii finali in raport cu k =>puterea disipata maxima pe tranzistorii finali d max(T7 T8 )
la k = 0.636.
2
2
P
Pentru k = 0.636 => d max(T7 T8 ) = [0.636 0.5 (0.636) ] P0 0.2 P0

Pentru un singur tranzistor final


Pd max T7 .T8
=0.1 P0

Pd max T7 .T8

1
(0.636 k 0.5 k 2 ) P0
2
, pentru k = 0.636 =>

Dimensionarea componentelor etajului final


Pentru dimensionarea componentelor etajului final se impun conditiile :

Puterea nominala pe sarcina R S la o frecventa convenabila , respectiv 1 kHz

Impedanta de sarcina nominala la 1 kHz are caracter predominant rezistiv R S

1.Determinarea valorilor de varf ale curentului si tensiunii pe sarcina:


2

I RS I S VS
2 PS
2 50
PS S

IS

4.47 A
2
2
RS
5
VS R S I S 5 4.47 A 22.35 V

2.Se admite o pierdere de putere de maxim 10% pe rezistentele de emitor R28 si R29
R28 = R29 =0.49 < 0.1 x 5 toleranta

5%

Caderea maxima de tensiune pe R28 , R29 este


V R28 VR29 R28 I S 2.19

PdR28 . R29

I S V R28
4

2.44

de 2

W (valoare medie , T7 ,T8 lucreaza in clasa B). Se aleg R28 si R29

3.Se alege rezistenta pentru circuitul de protectie la suprasarcina


R30 0.1

V R 30 R30 I S 0.44V

I S VR 30
0.98W
2
4.Se aleg tranzistorii finali
PdR 30

Se alege R30 de 1

S-a optat pentru tranzistori finali bipolari de putere de tip BDY26 (183T2) avand urmatorii
parametri:
Ptot 87.5W
h21E 20 180( I c 2 A)
f T min 10 MHz
VCE 0 , VCER 180V
V BE 1V
IC 6A
VCES 0.6V
Ptot

este puterea totala disipata

VCE 0 este tensiunea colector emitor cu baza in gol


VCER este tensiunea colector emitor cu rezistenta specificata intre baza si emitor
IC

este curentul de colector

h21E este factorul de amplificare in curent static in conexiunea emitor comun


VBE este tensiunea colector emitor in saturatie
VCES este tensiunea colector emitor in saturatie

f T min este frecventa de taiere minima

5. Verificarea la strapungere a tranzistorilor finali


E C 0.9VCER

E C 27V 162 0.9VCER

6. Determinarea tensiunii reziduale pe darlingtonul npn


Vrez VCEST 5 V BET 7 max

In cazul cel mai defavorabil:

T 7 ,T 8 20 I BT 7 , BT 8

I CT 7 ,T 8

T 7 ,T 8

IS

T 7 ,T 8

In functie de I BT 7 , BT 8 se aleg T5 ,T6 (BD139,BD140).


Pentru BD139 VCEST 5 0.5V Vrez 0.5 1 1.5V
7. Determinarea tensiunii de alimentare
E C VS V R 30 V R 28 Vrez 27.77V E C

se alege

EC

= 29 V

4.47 A
223mA
20

8. Calculul energetic al tranzistorilor finali


P0 E C I CM E C I S 130W

E
27.77
k C
0.95
EC
29
Pa 0.636 k P0 78.54W
1 2
k P0 58.66W
2
Pd Pa Ps 19.88W
PS

unde Pd este puterea disipata pe T7 si T8

Puterea disipata pe un tranzistor final este maxima pentru k = 0.636


Pd max T 7 Pd max T 8 0.1 P0 13W

In cazul nostru pentru k = 0.95 , puterea disipata pe un tranzistor final este


PdT 7.T 8 0.5(0.636k 0.5k 2 ) P0 9.94W

0.785 k 0.75

9. Dimensionarea rezistentelor R26 , R27


Se aleg R26 , R27 = 49 , toleranta 5%
I CMT 5 I BMT 7 I R 26 I BMT 7

V BEMT 7
1V
270mA
270mA
R26
49

I CMT 5 este curentul de colector maxim al tranzistorului T5


I BMT 7 este curentul de baza maxim al tranzistorului T7
VBEMT 7

este tensiunea baza-emitor maxima a tranzistorului T7

10. Estimarea sarcinii dinamice pentru T5 , T6


RST 5 [h11T 7 T 7 ( RS R30 R28 )] || R26

h11T 7

V BEMT 7
3.3
I BT 7

RST 5 (3.3 20 5.49) || 39 29

11. Calculul energetic al tranzistorilor complementari


P0 I CMT 5 E C 0.3 29 8.7W
Pd max 0.1P0 0.87W

Tranzistoarele BD139 si BD140 corespund , avand urmatorii parametrii :


VCE 0 80V
VCER 100V
V EB 0 5V
h21E 50 200
I C 1A
I CM 1.5 A
I B 0 .2 A
TJ 150C
Ptot 12.5W
f T 50 MHz
Rthj C 10C

12. Calculul frecventei de taiere


T 0

pentru T7 si T8
pentru T5 si T6

f 100 500kHz

f 0.35 0.25MHz

4. ETAJUL PILOT

Fig.5 Configuratia etajului pilot

Fig.6 Caracteristica de iesire a etajului pilot

Etajul pilot, conform cu Fig.5 este de tip emitor comun EC si lucreaza in clasa A. Pentru utilizarea
completa a sursei de alimentare a circuitului de putere este necesara o tensiune de excitatie varf la
varf mai mare ca tensiunea de alimentare Vex ,vv EC , conditie greu de realizat.

In figura 6 tg Rsat si tg Rrez , definite in raport cu I CER . Se observa ca in cazul real excursia
tensiunii Vex ,vv este mult mai mica decat EC si asimetrica . K 1 siK 2 sunt coeficientii de utilizare
ai tensiunii de alimentare pentru tranzistorul T1 respectiv pentru tranzistorul T2 .

In schemele cu iesire pe condensator , datorita inegalitatii dintre K 1 siK 2 apar distorsiuni la nivele
mari si apare o componenta contiuna ( u ) ce deplaseaza punctual static de functionare (PSF-ul) in
sensul egalizarii factorului de utilizare , Fig.6. In schemele in care iesirea nu se face pe condensator ,
ca in cazul acestui proiect , apare o curbura a caracteristicilor. Solutia poate fi folosirea unei tensiuni
de alimentare a etajului pilot E p EC , fapt ce conduce la complicarea sursei de alimentare sau la
solutia de bootstrapare a rezistentei RC .

Fig.7 Bootstraparea rezistentei


de colector a etajului pilot

Fig.8 Caracteristica de iesire a etajului pilot bootstrap

Pentru acest montaj se poate considera :

In regim static rezistenta de alimentare este : Rst Rc RB RG

In regim dinamic Z S pentru etajul pilot este Rdin


In regim dinamic rezistenta aparenta de alimentare este Rsta si sursa are

valoarea EC

Avantajele utilizarii acestei solutii sunt urmatoarele:

Excursia curentului se limiteaza la I VV 2 I ex 2 I CQ

Deoarece I CQ > I ex , aceasta solutie este avantajoasa pentru usurarea regimului


termic al etajului pilot .

Se obtine astfel k1 k 2

Conditia de functionare a schemei este ca rezistenta dinamica Rdin RC RB RG


Dimensionarea componentelor etajului pilot

1. Se calculeaza curentul de excitatie maxim


I ex max I BT 5 max

I CT 5 max 270mA

5.4mA
T 5 min
50

I CT 3 I CQ 8mA I ex max 5.4mA

se pot neglija curentii reziduali si se alege

2. Rezistenta statica de alimentara


RC R B RG R13 R12

EC
29V

3.62k
I CT 1 8mA

alegem R12 360 si R13 3k

3. Sarcina dinamica a pilotului


R13 h11T 6
R13
1 h21Ef
R13 h11T 6
R13 h11T 6

40
h11T 6 T 6
125
g mT 6 40 8
unde
Rdin

( RS R30 )

h21Ef h21T 6 h21T 8 50 20 1000

h11T 6 h11T 6 (1 h21Ef ) R29 125 (1 1000) 0.49 615

3000 125
3
(1 1000
) 5.1 4.47 k
3125
3.515
Se verifica Rdin 4.47k R B RG 3.36k
Rdin

4. Tensiunea minima pe tranzistorul pilot


V p min V BE min T 8 VCE min T 6 0.6 0.2 0.8V

5. Alegerea tranzistorului pilot


Pentru o functionare cat mai buna a bootstrapului se alege un tranzistor cu VCEsat si I CER mici.
Se alege BD139 cu parametrii:

VCE 0 80V
VCER 100V
V EB 0 5V
h21E 50 200
I C 1A
I CM 1.5 A
I B 0 .2 A
TJ 150C
Ptot 12.5W
f T 50 MHz
Rthj C 10C

La I C 2 I CQ 16mA VCEsat 0.6 si I CER =0.2mA . Tensiunea ce trebuie preluata de R15 este :
V R15 V p min VCEsatT 3 0.8 0.6 0.2V R15

V R15
0.2V

25
I CQ
8mA

lui R15 27 5% .

. Calculele impun alegerea

6. Curentul de baza al tranzistorului T3

Considerand

h21Emediu ,T 3 100

I BT 3

8mA
80 A
100

7. Verificarea functionarii la semnal mic


BE

IC
I ex
kT

0.024V 24mV 26mV


g m 40 I CQ
q

8. Amplificarea in tensiune a etajului pilot


Etajul pilot este de tip emitor comun cu sarcina distribuita avand amplificarea in tensiune :
Avp

Rdin
4.47 k

165
R15
27

9. Calculul frecventei de taiere


T 0 f T 3 0.35...1.25MHz

10. Calculul circuitului de polarizare al tranzistorilor finali


Circuitul de polarizare este alcatuit din tranzistorul T4 (superdioda) si potentiometrul R14 . Se
considera necesar pentru deschiderea tranzistorilor finali o tensiune de 2 X 0.7V. Pentru tranzistorul
T4 alegem tipul BC 107A avand urmatoarele valori limita absolute:

VCE 0 50V
I C 100mA
I B 50mA
Ptot 300mW
T j 175C

In PSF tranzistorul T4 are urmatorii parametrii I C ,T 8mA


VCE ,T 4 1.4V I B ,T 4

I C ,T 4
h21E ,T 4

I d 0.5mA I B ,T 4 R14

8mA
36 A
220

Se alege prin divizorul de baza curentul

1.4V
R1 R2
2.8k
0.5mA
Se alege R14 2.5k

5. ETAJUL DIFERENTIAL
Etajul diferential este alcatuit din doua tranzistoare in conexiune EC care lucreaza in clasa A si sunt
cuplate diferential . Componentele acestui etaj sunt urmatoarele:

Tranzistoarele T1 ,T2

Rezistentele R6 , R8 , R9 , R11 , R31 siD1 , R7


Principalele functii ale acestui etaj sunt :

Obtinerea unei impedante de intrare convenabile


Regleaza echilibrarea starii de repaus (in absenta semnalului ) a intregului amplificator de
putere
Permite cuplarea retelei de reactie negativa

Dimensionarea componentelor etajului diferential


1. Alegerea tranzistoarelor T1 ,T2
Tranzistoarele T1 ,T2 se aleg de tipul BC 178 si se imperecheaza (se sorteaza doua tranzistoare cu
caracteristici cat mai apropiate ). Aceste tranzistoare au urmatoarele valori limita absolute:
VCE 0 30V
I C 100mA
I B 50mA
Ptot 300mW
T j 175C

2. Dimensionarea rezistentei de colector a tranzistorului T1

Se alege RCT 1 R11 Z 1nT 3 min

Z inT 3 min h11eT 3 min h21eT 3 R15


I B ,T 3 max

2 I CT 3
h21Emediu ,T 3

2.8
160A
100

I C ,T 3 min I B ,T 3 max 160 A g m ,T 3 min 40 I C ,T 3 min 6.4 h11,T 3

T 3 min
50

7.8k 8k
g m ,T 3 min 6.4

Z inT 3 min h11eT 3 min h21eT 3 R15 8k 100 0.027 k 11k

Pentru polarizarea bazei lui T3


( I C ,T 1 I B ,T 3 ) R11 V BET 3 V R15 0.7V 8mA 27 0.92V

Din motive de zgomot , pentru a avea factorul de zgomot F=3dB trebuie ca :


I CT 1 300 A
R11

se alege I CT 1 I CT 2 250 A

0.92
0.92
0.92V

5. 4 k
I C ,T 1 I B ,T 3
250 80 170mA

se alege R11 5.6k 5%

3. Verificarea functionarii la semnal mic


u BE ,T 1

i C ,T 1
g m ,T 1

iC ,T 1
40 I C ,T 1

80 A
8mV
40 250 A / V

4. Determinarea tensiunii stabilizate de D1.


Pentru a simula generatorul de curent din emitor trebuie ca tensiunea stabilizata VZ >>VBE,T1
Deoarece I BT 1 e foarte mic , se poate neglija tensiunea intre baza si masa U R 6 . Practic
V Z V R 8 V BE ,T 1 V R 6 V R 8 V BE ,T 1

Pentru ca R8 sa se comporte ca un generator de curent

continuu trebuie ca V R 8 =ct. dar V BE ,T 1 variaza cu v BE ,T 1 tensiunea stabilizata de dioda trebuie


sa fie mult mai mare ca tensiunea baza emitor a tranzistorului T1 , VZ v BE ,T 1

Se alege VZ =8.2V , astfel VZ 1000 v BE ,T 1 . Pentru tranzistorul T1 curentul de colector si


tensiunea colector emitor au valorile I C ,T 1 250 A si VCE EC 29V
5. Dimensionarea rezistentelor R6 , R31
Se alege R6 R31 39k 2% avand in vedere ca in jurul acestor valori se va situa Z int r a intregului
amplificator.

6. Dimensionarea rezistentelor R8 , R9

Pentru BC 178B din catalog se obtine


Considerand

V BE ,T 1 0.6V V 1

R9

250 A
1A
V R 6 40mV .
240
7.56V
. Se alege pentru R9 o valoare de

h21E 240 I B ,T 1

VZ V BE .T 1 V R 6

500 si atunci caderea de tensiune suplimentara pe jumatae din rezistenta din emitorul lui T1 este :
1
V1
I
R 62.6mV V 7.5V
2

R9

C .T 1

R8

Curentul prin rezistenta R8 este suma curentilor de colector ai tranzistorilor T1 ,T2


V
7.5V
I R8 2 I CT 1 500A R8 R 8
15k 5%
I R 8 0.5mA
6. Polarizarea diodei D1
Alegem o dioda zener de tipul PL 8.2 V care pentru o functionare normala trebuie polarizata la
I Z 5mA

R7

E C VZ
29V 8.2V

3.78k
I Z I R8
5.5mA
se alege R7 =3.5 k 5%

7. Determinarea amplificarii etajului diferential


RSdif
1
R9
2
Amplificarea etajului diferential poate fi aproximata astfel :
unde RSdif este
R || Z in.T 1
1.8
R Sdif 11
1.8k AVdif
7.2 7
2
0.25
rezistenta de sarcina a diferentialului
AVdif

6. REACTIA NEGATIVA
r

R10
1

R10 R31 10

Se apreciaza un factor de transfer pe bucla de reactie optim la frecvente medii :


Datorita divizarilor introduse de protectia termica , tensiunea reala de intrare pe diferential este :

Vin.dif D1 D2 V gen

unde

D1

R2 || ( R5 R6 )
R6
D2
0.89

R1 [ R2 || ( R5 R6 )]
R6 R5 0.95 si

V gen 1.5Vef U in , dif 0.95 0.89 1.5 1.3Vef

Se alege pentru
Tensiunea nominala de iesire este :
I ( RS R30 )
Vn S
0.7 I S ( RS R30 ) 0.7 4.47 A (5 0.1) 15.95V
2

AVr

Vn
R R31
R
R
15.95

12.26 10
1 31 31 11
Vin.dif
1.3
R10
R10
R10

Amplificarea cu reactie este


Deoarece amplificarea in tensiune in bucla deschisa a amplificatorului de putere este data de etajul
pilot si etajul diferential Av Avp Avdif 165 (7) 1155 . Practic
1
R
39
Avr
R10 31
3.55k
r
11 11
R10 3.3k 5%
Frecventa limita pentru T1 siT2 este f 400 800kHz

7. STABILITATEA
Datorita complexitatii schemei nu se poate calcula curba de raspuns datorita numarului mare de

tranzistori cu f T diferita. Datorita lui C 3 , r este complex . Solutia cea mai buna este evitarea
zonelor de evitarea zonelor de variatie rapida a fazei prin dispersarea , cat este posibil , a f T a
diverselor circuite.
1. Stabilitatea la frecvente joase
Capacitatile ce intervin la frecvente joase sunt C1 , C 2 , C 3 siC 4

Fig.9 Circuitul echivalent pentru polii dati de C1 si C2


C1 si C2 introduc un zero de multiplicitate doi in origine si un pol de gradul doi.
Functia de transfer este urmatoarea:
V0
s 2 C 1 C 2 R1 R2

V g 1 s[C1 ( R1 R g ) C 2 ( R1 R2 )] s 2 C1C 2 ( R1 R2 R1 R g R2 R g )
0

. Polul apare la frecventa

1
C1C 2 ( R1 R2 R1 R g R2 R g )

R g 39k

. Daca alegem C1 = C2 = 4.7 F si considerand pentru adaptare

, atunci avem 0 2.8 Hz si f 0 0.45Hz

C3 introduce un pol si un zero. Se alege pentru polul dat C3 frecventa cea mai mare. Se alege
C3 =10 F si rezulta :
3 p C 3 R10 0.036 f 3 p

1
4.4 Hz
2 3 p

3 z C 3 ( R10 R21 ) 0.366 f 3 z

1
0.44 Hz
2 3 z

Pentru C4 se alege o frecventa a polului de 1 Hz:


C4

1
1

44.2 F
2f 4 Rdinpilot
2 3.6 10 3

C 4 47 F / 35V

Se adopta:

Fig.10 Amplitudinea si faza amplificatorului in functie de frecventa


Deoarece conditiile
stabil.

A 1

si 180 sunt indeplinite la frecvente joase , amplificatorul va fi

2. Stabilitatea la frecvente inalte


Pentru analiza stabilitatii la frecvente inalte se face diagrama repartitiilor frecventelor de taiere f T a
tranzistoarelor.

Fig.11 Distributia frecventelor de taiere a tranzistoarelor


Se apreciaza ca dificila zona de la 500 kHz unde se pot suprapune frecventele de taiere a trei
tranzistoare T3 , T5 , T6. La realizarea experimentala daca apar oscilatii se actioneaza printr-o reactie
locala asupra lui T3.

8. PROTECTIA TERMICA
Protectia termica actioneaza la incalzirea tranzistorilor finali prin limitarea amplitudinii semnalului
de intrare . Circuitul de protrctie termica este alcatuit din urmatoarele componente :

Tranzistorul T13

Rezistentele R1 , R2 , R4 si termistorul R3
Rezistenta R5 s-a ales de 2.2 k pentru a nu apare cuplarea direct la masa a bazei lui T1 , in cazul unei
defectiuni a tranzistorului T13.
Principiul de functionare se bazeaza pe cuplarea termica cu tranzistorii finali, a termistorului R3
care astfel monitorizeaza temperatura de functionare a acestora. La temperatura ambianta R3 are
valoare mare astfel incat divizorul format din R3 - R4 mentine tranzistorul T13 blocat. La cresterea
temperaturii valoarea rezistentei termistorului R3 scade si tinde sa deschida tranzistorul T13 care va
sunta intrarea , reducand amplitudinea semnalului de intrare si astfel a semnalului de pe tranzistorii
finali. Se alege R3 cu rezistenta nominala Rnom =40 k si care la 100C are rezistenta 2.3k .
Se alege temperatura de 100 C a tranzistorilor finali ca prag de actiune a protectiei termice .
Pentru ca R2 sa nu se modifice semnificativ impedanta de intrare Zintrare se alege de valoare mare R2 =
120k 5% aceasta limitand curentul de colector al tranzistorului T13 la valoarea :
I C ,T 13

Vz
8.2V

68A
R2 120k

Din caracteristica de transconductanta ( I C , V BE ) se apreciaza pentru I C ,T 13 =68 A o tensiune


baza-emitor : V BE ,T 13 0.5V . Cu aceste date se poate dimensiona rezistenta R4 cu ajutorul
ecuatiei :
VBE ,T 13 0.5
R4
0.5

R4
R3 149
R4 R3
VZ
8.2
7.7
se alege R4 = 150 5%

9. PROTECTIA LA SCURTCIRCUIT
Protectia la scurtcircuit a amplificatorului audio de putere se realizeaza prin suntarea bazei
tranzistoarelor T5 si T6 .Pentru semialternanta pozitiva la supracurent detectat prin cresterea tensiunii
pe rezistenta R28 tranzistorul T9 care este normal blocat se deschide si va reduce semnalul aplicat pe
baza lui T5 .Sesizarea supracurentului si polarizarea lui T5 se face prin doua circuite distincte.
Un circuit cu actiune rapida care limiteaza varfurile instantanee de curent
Al doilea circuit cu actiune intarziata care limitaeza curentul in cazul unui scurtcircuit de durata
1.Dimensionarea circuitului de protectie la scurtcircuit cu actuine rapida
Pentru semialternanta pozitiva tensiunea de pe R28 este transmisa prin divizorul R18-R19 si dioda
D6 pe baza tranzistorului T9.Se alege o valoare limita a curentului la care protectia la scurtcircuit cu
actiune rapida sa intre in functiunem, ISM =7A.La aceasta valoare a curentului tensiune a pe rezistenta
R28 are valoarea:

VR28 =IS R28 =2,73V


Tensiunea de deschidere a lui T9 0,7V iar VD =0,6V.In acest caz raportul de divizare este :
R18 =1,08 R19
Penrtu a avea pe divizor un curent mic se impune conditia ca R18 + R19 500 R28
Se alege R19 =100 5% si R18 =100 5%
In acest caz R18 + R19 =200=513 R28 ;se verifica conditia de a avea un curent mic pe divizorul R18R19
V28
2.73V

13.65mA
R18 R19
200
;se verifica de asemenea si conditia de stabilitate a
PSF-ului tranzistorului T9 : Id >>IBT9
Id

2.Dimensionarea circuitului de protectie la scurtcircuit cu actuine intarziata


Circuitul este o punte formata din R28,RS,R24,T11 conectat ca dioda ,D8 si R22.
Alimentarea puntii pe o diagonala se face cu tensiunea de pe R28 si RS.In diagonala cealalta este
conectata jonctiunea baza-emitor a tranzistorului T9.
Divizorul R24 R22 polarizeaza tranzistorul T9 astfel inacat sa fie blocat cand amplifiactorul lucreaza
normal pe RS =9.Cand RS < 9 si scade ,puntea se dezechilibreaza crecand caderea de tensiune pe
R28 si T9 incepe sa conduca limitand semnalul de pe baza lui T5.La scurtcircuit (RS=0) intreaga
cadere de tensiune de pe R28 se transmite pe baza lui T9.La un curent de 2A se obtine divizorul R24
R22 .In acest caz de scurtcircuit curentul va fi limitat la aproximativ 2A.
Caderile de tensiune pe T11 si D8 sunt aproximativ egale cu 0,2v respectiv 0,6v iar tensiunea de
deschidere a tranzistorului T90,7V
In acest caz avem VD8 +VR22=VBET9 si atunci => VR22=0,1V
Se laege R24 =0,1R22 astfel inact pentru scurtcircuit (RS =0) pe R28 va fi necesara pentru deschiderea
tranzistorului T9 o tensuine:
VR28nec =0,1+0,6+0,2+0,01=0,91V
Se apreciaza ca circuitul va limita curentul la:
VR28nec/ R28 =2,3A
Se alege dioda D8 din siliciu de comutatie de tipul 1N4148 avand urmatorii parametri:
Valori limita absolute: VR=75V
IF=200mA
Tj=200C
VF=1V la IF=10mA
Caracteristici electrice: IR=25nA
Ctot=4pF

VR=20V
trr=4ns

Se lege constanata de timp respectiv intarzierea pana la actionarea protectiei =80ms


corespunzatoare unei frecvente de 2Hz.Se alege o valoare acceptabila pentru C5 de 200F.In acest
caz avem:
R24=400
Se alege R24=390 5% si rezulta R22=3,9k 5%
3.Protectia la suprasarcina
Prin aplicarea unei tensiuni de intrare mai mari ca Vg=1,5V se poate ajunge la suprasarcini si
distorsionarea semnalului de iesire prin limitarea amplitudinii la valoarea tensiunii sursei de
alimentare respectiv 27V.
Pentru evitarea acestor suprasarcini de scurta sau lunga durata intre baza tranzistorului pilot si masa
se montaeza doua diode D2 si D3 inseriate.
Diodele se aleg din siliciu de comutatie de tipul 1N4148 avand urmatorii parametri:
Valori limita absolute: VR=75V
Tj=200C

IF=200mA
VF=1V la IF=10mA

Caracteristici electrice: IR=25nA


Ctot=4pF

VR=20V
trr=4ns

Prin aceasta tensiunea maxima ce poate apare pe baza pilotului in raport cu masa este Vpilot max =
20,6V = 1,2V
Curentul maxim prin tranzistorul pilot la care actioneaza protectia la suprasarcina este :
Isupras=0,6V/27=22mA >>8mA
Tensiunea maxima pe finali la care actioneaza protectia la suprasarcina este:
Vsupras=Isupras Rdin pilot =173V >> 27V

10 SIMULAREA AMPLIFICATORULUI SI OPTIMIZAREA ETAJELOR CU


PSPICE
Simularea amplificatorului audio de putere
Simularea amplificatorului audio de putere a fost efectuata la inceput din punct de vedere al
punctului static de functionare.Deoarece nu se utilizeaza condensator la iesirea pe difuzor este

necesara obtinerea unei tensiuni la iesirea pe difuzor cat mai apropiata de 0V prin ajustarea
rezistentei semireglabile R9 care in simulare a fost inlocuita cu doua rezistente obisnuite respectiv R9
si R91 ,pentru R9 =250 si R91 =260 la iesirea pe difuzor se obtine o componenta continua de
72,33nV valoare care este suficient de mica.
Comparand PSF-urile tranzistoarelor simulate cu cele proiectate se observa abteri destul de mici:
ICT1 =241,6A ICT2 =255,2mA fata de ICT1=ICT2=250A
INZ-081 =5,044mA fata de IZ=5mA
ICT3=7,
ICT3=8mA
ICT7 =ICT8= 2..467mA valoare acceptabila pentru eliminarea distorsiunilor de trecere obtinuta prin
reglarea rezistentei semireglabile R14=2,5K care in simulare a fost inlocuita cu doua rezistente fixe
R141 =1,3K si R142 =1,2K. Dupa simularea PSF-ului s-a efectuat o simulare tranzistorie si au fost
extrase semnalele din puntele indicate in Figura2.10-1 , iar aceste semnale pot fi vizualizate in
Figura 2.10-2 respectiv semnal de la generatorul de semnal cu amplitudinea de 1V pana la iesire
,respectiv semnalul de pe RS din Figura 2.10-7 cu amplitudinea de 12V.Se deduce usor ca
amplificarea in tensiune are valoarea 12 valoare ce corespunde cu cea din tema de proiectare.
Optimizarea etajului final
Pentru imperecherea celor doua configuratii darlington ale etajului final se utilizeaza circuitul din
figura urmatoare in care se modifica valoarea rezistentelor R1 si R2 pentru obtinerea unor amplificari
in curent uniforme si de valori apropiate.In diagramele urmatoare este indicat variatia amplificarii
IE(Q1) /IB(Q2) si IE(Q3) /IB(Q4) la modificarea curentului furnizat de generatorul I1 in plaja 0-10mA cu
increment de 0,1mA(DC Sweep).
Se observa ca R1=R2=39 se obtine un bun compromis intre castigul static in crent si liniaritatea
caracteristicilor.
Optimizarea etajului pilot
Pentru exemplificarea optimizarii etajului pilot utilizam schema urmatoare care are avantajul de a fi
simpla.
Pentru stabilirea corecta a PSF-ului tranzistorului pilot se face o simulare cu baleiaj in curent
continuu (DC Sweep) in care variabila este sursa V2 prin componenta VOFF in domeniul 0,2V- 0,7V
cu increment 0,1V.
Se alege polarizarea tranzistorului pilot la VCE=14,31V si ICT3=4,4mA corespunzatoare unei tensiuni
de iesire de 15V.Polarizarea pilotului in acest PSF se face cu ajutorul tensiunii de polarizare a bazei
VOFF=0,645V.
Polarizarea tranzistorilor finali se face din raportul rezistentelor R3 si R4.Pentru R3 =1,2K si R4
=1,3K se obtine un curent de repaus prin finali de 9mA.
Pentru compararea efectului conexiunii bootstrap se ataca ambele etaje cu si fara conexine bootstrap
de la aceeasi sursa de semnal V2.
In continuare se simuleaza semnalul de la iesirea circuitului fara bootstrap V(C1:2) comparativ cu
semnalul la iesirea circuitului cu bootstrap V(Q2:E) pentru amplitudini diferite ale semnalului
furnizxat de sursa V2 respectiv Vamplif .

Se observa comportarea mult mai buna a semnalului la iesirea circuitului cu bootstrap in special la
amplitudini mari ale semnalului de intrare.
Pentru simularea raspunsului in frecventa utilizam un montaj asemanator prezentat in figura de mai
jos.
Este evident ca si din punctul de vedere al raspunsului in frecventa circuitul cu bootstrap se comporta
mai bine.
Optimizarea etajului diferential
Optimizarea etajului diferential se poate face din punct de vedere static si anume al obtinerii unei
tensiuni pe sarcina cat mai aproape de zero.In acest scop in toate simularile rezistenta variabila R9 a
fost realizata din R9=250 si R91=260 valori pentu care se obtine in repaus o tensiune de 70,57nV
valoare suficient de apropiata de 0V.
O alta optimizare a etajului diferential se poate face din punct de vedere al tipului de
amplificator,respectiv neinversor sau inversor ,fapt care este stabilit din modul de configurare a
reactiei negative conform cu figura 2.10-26.
La prima vedere comportarea celor doua tipuride amplificatoare pare identica ,iar din punct de vedere
al reproducerii fazei semnalului suntem tentai sa alegem configuratia neinversor.
Diferenta cea mai importanta dintre cele doua tipuri de amplificatoare este data de raspunsul in
frecventa care este mai bun amplificatorul inversor.Explicatia consta in modul de realizare a reactiei
negative.
La amplificatorul inversor reactia se face prin R1 si nodul de tensiune 2 iar la amplificatorul
neinversor se face prin R1 si etajul diferential plasat intre nodurile2 si 3.Deoarece raspunsul in
frecventa al etajului diferetial este limitat pe cand raspunsul in frecventa al nodului de tensiune este
infinit rezulta comportarea mai buna in frecventa a etajului inversor comparativ cu cel
neinversor.Pentru a verifica functionarea acestui principiu configuram amplificatorul audio de putere
de tipul inversor ca in Figura 2.10-26 si refacem simularile PSF-ului tranzitorii si comparativ a
raspunsului in frecvanta.

Se remarca comparativ cu semnalele de la cofiguratia neinversoare ca aceste semnale sunt mai


conforme cu semnalul sinusoidal sau altfel spus mai putin distorsionate si au alunecarea PSF-ului
mult mai mica.
Simularea raspunsului in frecventa a amplificatorului audio de putere neinversor se remarca prin
atenuare pronuntata a frecventelor joase lucru nedorit la sistemele audio de inalta fidelitate.
Pentru imbunatatirea raspunsului in frecventa se pot majora condensatoarele C1 si C2 efectul fiin
prezentat in Figura2.10-29.

In continuare este prezentat raspunsul in frecventa al configuratiei inversoare pentru aceleasi valori
ale condensatoarelor C1 si C2 .Se poate remarca un raspuns acceptabil chiar la valori mici ale
condensatoarelor de cuplaj si dependenta raspunsului in frecventa numai de valoarea lui C1.
Simularea la scurtcircuit
Pentru simularea la scurtcircuit se foloseste shema electronica completa in care se micsoreaza
valoarea rezistentei de sarcina RS .
Micsorand rezistenta de sarcina RS se observa ca nu apar modificari semnificative in forma
semnalelor simulate pana la RS =1 si din aceste considerente se fac simulari la trei valori ale
rezistentei de sarcina 1, 0,1, 0,01.
Rezultatele simularii sunt prezentate in figurile urmatoare in care se pastreaza semnalul prin
darlingtonul npn,V(R24:2) si semnalul prin rezistenta de sarcina V(R30:2) celelalte semnale avand
modificari nesemnificative.Utilizand formula
Pentru calculul curentului prin darligtonul npn pentru Rs=0,1 si Rs=0,01 se obtine IT7M
=6A apropiat de valoarea proiectata.

11 SURSA DE ALIMENTARE
Sursa de alimentare pentru etajul final este constituita dintru-un transformator coborator de
tensiune care are infasurarea secundara cu priza mediana.Acest fapt permite ca dupa redresare si
filtrare sa se obtina fata de masa doua tensiunu egale si de semne opuse.
Aceasta cofiguratie are avantajul utilizarii unei singure punti redresoare pentru cele doua tensiuni.
Dimensionarea redresorului
1.Dimensionarea condensatorilor de filtraj
Pentru dimensionarea capacitatilor de filtraj se estimeaza curentul mediu consumat de
amplificator la 2A si corespunzator acestuia rezistenta echivalenta a sursei pe una din tensiuni este
RSE =13.
Se impune ca frecventra corespunzatoare constantei de timp t=CRSE sa fie mult mai mica decat
frecventa de taiere in banda respectiv 10Hz.
Se alege f=2Hz =>C1,2 =6121F si alegem C1,2=6800F
2.Dimensionarea puntii redresoare
Pentru dimensionarea puntii redresoare calculam tensiunea inversa si curentul maxim prin
aceasta:
Vinv=1,2 Vrmax=1,5227=81V
Imax=3,5 Irmax =9,9A

Se alege o punte 20PM1 cu tensiunea inversa de 100V si curentul maxim de 30A.

Dimensionarea transformatorului
1.Datele de calcul ale transformatorului
Principalele date de calcul ale transformatorului sunt:
Puterea aparenta secundara
Consumul estimat pe un canal este 88W iar pe patru canale 352W.Se ia 360W rotunjind puterea
consumata de preamplificator si celelalte etaje intermediare.
Tensiunile in secundar
Pentru etajul final trebuie o tensiune continua de 2x27V adica 2x27x0,707=2x19Vef valoare
eficace.Pentru preamplificator ar trebui 22,5Vef.
Tensiunea in primar
Tensiunea in primar este V1=220Vef
Frecventa retelei de alimentare
Frecventa retelei de alimentare este f=50Hz
Factorul de putere al sarcinii
Factorul de putere al sarcinii se considera cos2=1
2.Alegerea miezului
Se alege un miez din tole stantate E+I ,din tabla de otel electrotehnic,de grosime 0,5mm avand
pierderi specifice in fier PFs=2W/Kg
3.Intensitatile curentilor transformatorului
Se considera cos1=0,9 si randamentul =0,9.Coeficientul k este egal cu 1 pentru
transformatoare monofazate si 3 pnetru transformatoare trifazate.
I1 = S2 cos2 /k V1 cos1 = 2A
I2f = S2/k V2 = 9,5A

I2p = 0.03A

4.Sectiunea miezului
Sectiunea miezului transformatorului se determina cu ajutorul relatiei:

SM=ks [(S1kG)/(fBMJ)] unde:


Ks este un coeficient care tine cont de tipul transformatorului de tipul bobinajului si de numarul de
faze al transformatorului.Conform tabelului urmator ks=6,65.
Numar de faze
1

Tip transformator
Cu coloane

Tip bobinaj
Bobine circulare

ks
4,75

Bob.dreptunghiulare

5,7
6,65

Bobine circulare

3,5

Bob.dreptunghiulare

In manta(E+I)
3

Cu coloane

Sl este puterea aprenta in primar =S2/=400W


kG este raportul intre greutatile materialelor active fier si cupru. Depinde de gradul de solicitare al
acestora si anume inductia magnetica in miez respectiv densitatea de curent in cupru.Uzual kG=4-7
pentru transformatoare calculate pnetru pret minim si kG=2-3 pentru transformatoare calculate pentru
greutate totala minima.Alegem kG=4.
Inductia in miez BM si densitatea de curent J se aleg in functie de puterea aparenta de calcul S.
S(w)
BM(T)
J(a/mm)

<100
0.8-0.9
2.5-4

100-600
0.9-0.95
2-3

600-1000
0.95-1
1.8-2.5

1000-2500
1-1.2
1.6-2.1

2500-6000
1.2-1.3
1.5-1.9

Se alege BM = 1T si J = 3A/mm
Sectiunea miezului SM 22cm
Se aleg tolele de tip E cu a = 50mm.
5.Numarul de spire al infasurarilor
Numarul de spire al infasurarilor este determinat de tensiunea infasurarii si numarul de spire pe
volt.
ns/v = 1/1,41fBMSM = 2spire/volt

Numarul de spire al primarului:


nl = V1/ 1,41fBMSM= V1 ns/v = 440spire
Numarul de spire al infasurarii secundare pentru etaj final:
n2f = 2xV2f x ns/v = 76spire
Numarul de spire al infasurarii secundare pentru preamplificator si etajele intermediare:
n2p = V2p x ns/v = 45spire
6.Sectiunile si diametrele conductoarelor
Sectiunea conductorului din infasurarea primara este:
SCI = I1/J = 0,66mm
Diametrul conductorului din infasurarea primara este:
DCI = 0,91mm se alege DCI = 0,9mm
Sectiunea conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este:
SC2f = I2f /J = 3,16mm
Diametrul conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este:
DC2f = 1,99mm se alege DC2f = 2mm
Sectiunea conductorului din infasurarea secundara pentru preamplificator si etajele intermediare este:
Sc2p =I2p /J=0,01mm
Diametrul conductorului din infasurarea secundara pentru etajul final este:
DC2p =0,11mm se alege DC2p =0,12mm

Lista componentelor amplificatorului


Rezistente
R1=3,9 K,5%
R2=120 K,5%
R3=Th,40K,5%
R4=150 ,5%
R5=2,2 K,5%

R6=39 K,5%
R7=3,3 K,5%
R8=15 K,5%
R9=500 ,5%
R10=3,6 K,5%
R11=5,6 K,5%
R12=360 ,5%
R13=3 K,5%
R14=2,5 K,5%
R15=27 ,5%
R16=470 , 5%
R17=470 , 5%
R18=100 , 5%
R19=100 , 5%
R20=100 , 5%
R21=100 , 5%
R22=3,9 K,5%
R23= 3,9 K,5%
R24=390 ,5%
R25= 390 ,5%
R26=0,39 ,5%
R27= 39 , 5%
R28=0,1 ,5%
R29= 0,39 ,5%
R30= 0,1 , 5%
R31=39 K, 5%
Condensatori
C1=4,7 F/35V
C2=4,7 F/35V
C3=10 F/35V
C4=47 F/35V
C5=200 F/35V
C6=200 F/35V

Tranzistori
T1=BC178B
T2=BC178B
T3=BD139
T4=BC107A
T5=BD139
T6=BD140

T7=BDY26(183T2)
T8=BDY26(183T2)
T9=BC107A
T10=BC177A
T11=EFT 353
Diode
D1=PL 8V2
D2-D9=1N4148
EC=27V
Lista componentelor sursei de alimentare
Condensatori
C1=6800F/63V
C2=6800F/63V
Transformator monofazat
V2=2x19Vef
I2=2A

Punte redresoare
20PM1