Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1. TEMA DE PROIECTARE
Tema de proiectare se refera la un amplificator de audiofrecventa de mare putere realizat dintr-un
etaj de iesire in clasa B polarizat cu ajutorul etajului pilot care lucreaza in clasa A. Pentru asigurarea
unui curent mare de iesire tranzistoarele finale sunt realizate din doua tranzistoare in conexiune
Darlington. Amplificarea in tensiune si adaptarea cu sursa de semnal de intrare este realizata cu
ajutorul etajului de intrare de tip diferential care lucreaza de asemenea in clasa A. Amplificarea
globala a amplificatorului este stabilita prin intermediul reactiei negative.
50
Amplificator
Ri ( K)
RS ()
5
40
AV ()
Rezistenta de intrare Ri ( K)
Amplificarea in tensiune AV ()
Sursa de alimentare
R0 M ( )
I 0 M ( A)
4.5
6.1
3.ETAJUL FINAL
Este realizat cu doua tranzistoare bipolare complementare in conexiune collector comun . Deoarece
tehnologia bipolara este axata pe tranzistoare de putere de tip npn si pentru cresterea amplificarii in
curent a etajului final se utilizeaza pentru cele doua tranzistoare finale de putere configuratii
Darlington de tip npn si pnp.
=>R.A.N.
Pentru I CB 0 0
I C I C 5 I C 7 F 5 I B5 F 5 I B5 F 7 I E 5 F 5 I B5 F 7
F7 1
1
I CS F 5 I B 5 F 7 F 7
F 5 I B5
F7
F7
1
1
F 5 I B 1 F 7 F 7
F 5 I B 5 1 F 7 F 7
F7
F 7
I
1
F C F 5 1 F 7 F 7 F 5 (1 F 7 ) F 5 F 7
IB
F7
h11
V BE VBE 5 VBE 7
Consideram T1 si T2 in RAN.
avantaj
avantaj
dezavantaj
VEB VEB 6 0
avantaj
=> RAN
Pentru I CB 0 0
I C I E 8 ( F 8 1) I B 8 ( F 8 1) I C 6 ( F 8 1) 6 I B 6 ( F 8 1) F 6 I B
IC
( F 8 1) F 6 F 8 F 6
IB
Principalii parametrii ai configuratiei Darlington de tip pnp sunt :
F F 8 F 6 mare
h11 h116 nu se modifica
VEB VEB 6 =nu se modifica
avantaj
avantaj
avantaj
dezavantaj
Cand T6 se satureaza se pierde controlul lui I C 6 prin I B 6 iar I C 6 se inchide prin jonctiunea BE a
lui T8 care ramane in RAN. => VCESaturatie VCE 7 Saturatie V BE 8 0.2 0.6 0.8V
Tehnologia bipolara standard este orientata pe fabricarea tranzistoarelor de tip npn care au conductie
verticala si au factorul de amplificare in curent F mare (100-200). Tranzistoarele pnp sunt de tip
lateral cu conductie orizontala sau transistor de substrat cu conductie verticala avand F mic .
In practica se folosesc configuratiile Darlington cu rezistenta in paralel cu joctiunea baza emitor a
tranzistorului bipolar de putere de tip npn ( R26 siR27 ).
Rolul acestor rezistente este urmatorul :
La functionarea in clasa B in repaus curentul prin T7 este mic iar curentul de baza va fi
si el mic . La curenti mici de colector pentru T5 amplificarea in curent a tranzistoarelor
are o cadere pronintata =>amplificarea este redusa =>reactia negativa va fi ineficienta
asupra neliniaritatii curbei de transfer.
La imbinarea caracteristicilor tranzistoarelor complementare apar distorsiuni de trecere
(cross-over) si pentru micsorarea acestora se face o polarizare initiala in regim static al
tranzistoarelor. Rezistenta R26 mareste curentul de colector al tranzistorului T5 in regim
de repaus deoarece la I C 7 mic , h11.T 7 e foarte mare si cea mai mare parte a curentului
Rezistenta R26 permite evacuarea sarcinii stocate prin circulatia unui curent invers de
baza in perioada corespunzatoare blocarii => R26 imbunatateste funtionarea la frecvente
inalte , darn u elimina efectele daca frecventa de lucru e mai mare decat f .
I med k
1
T
T /2
I CM sin
I
2
tdt k CM
T
alimentare
I CM 2k
P0 0.636 k P0
Pa 2 E C I med =
PS
1
1
2
RS (k I CM ) 2 RS k 2 I CM 0.5 k 2 P0
2
2
unde RS este rezistenta de sarcina
PS
0.5 k 2 P0
0.785k
Pa 0.636 k P0
Randamentul
derivand expresia puterii dissipate de
P
tranzistorii finali in raport cu k =>puterea disipata maxima pe tranzistorii finali d max(T7 T8 )
la k = 0.636.
2
2
P
Pentru k = 0.636 => d max(T7 T8 ) = [0.636 0.5 (0.636) ] P0 0.2 P0
Pd max T7 .T8
1
(0.636 k 0.5 k 2 ) P0
2
, pentru k = 0.636 =>
I RS I S VS
2 PS
2 50
PS S
IS
4.47 A
2
2
RS
5
VS R S I S 5 4.47 A 22.35 V
2.Se admite o pierdere de putere de maxim 10% pe rezistentele de emitor R28 si R29
R28 = R29 =0.49 < 0.1 x 5 toleranta
5%
PdR28 . R29
I S V R28
4
2.44
de 2
V R 30 R30 I S 0.44V
I S VR 30
0.98W
2
4.Se aleg tranzistorii finali
PdR 30
Se alege R30 de 1
S-a optat pentru tranzistori finali bipolari de putere de tip BDY26 (183T2) avand urmatorii
parametri:
Ptot 87.5W
h21E 20 180( I c 2 A)
f T min 10 MHz
VCE 0 , VCER 180V
V BE 1V
IC 6A
VCES 0.6V
Ptot
T 7 ,T 8 20 I BT 7 , BT 8
I CT 7 ,T 8
T 7 ,T 8
IS
T 7 ,T 8
se alege
EC
= 29 V
4.47 A
223mA
20
E
27.77
k C
0.95
EC
29
Pa 0.636 k P0 78.54W
1 2
k P0 58.66W
2
Pd Pa Ps 19.88W
PS
0.785 k 0.75
V BEMT 7
1V
270mA
270mA
R26
49
h11T 7
V BEMT 7
3.3
I BT 7
pentru T7 si T8
pentru T5 si T6
f 100 500kHz
f 0.35 0.25MHz
4. ETAJUL PILOT
Etajul pilot, conform cu Fig.5 este de tip emitor comun EC si lucreaza in clasa A. Pentru utilizarea
completa a sursei de alimentare a circuitului de putere este necesara o tensiune de excitatie varf la
varf mai mare ca tensiunea de alimentare Vex ,vv EC , conditie greu de realizat.
In figura 6 tg Rsat si tg Rrez , definite in raport cu I CER . Se observa ca in cazul real excursia
tensiunii Vex ,vv este mult mai mica decat EC si asimetrica . K 1 siK 2 sunt coeficientii de utilizare
ai tensiunii de alimentare pentru tranzistorul T1 respectiv pentru tranzistorul T2 .
In schemele cu iesire pe condensator , datorita inegalitatii dintre K 1 siK 2 apar distorsiuni la nivele
mari si apare o componenta contiuna ( u ) ce deplaseaza punctual static de functionare (PSF-ul) in
sensul egalizarii factorului de utilizare , Fig.6. In schemele in care iesirea nu se face pe condensator ,
ca in cazul acestui proiect , apare o curbura a caracteristicilor. Solutia poate fi folosirea unei tensiuni
de alimentare a etajului pilot E p EC , fapt ce conduce la complicarea sursei de alimentare sau la
solutia de bootstrapare a rezistentei RC .
valoarea EC
Se obtine astfel k1 k 2
I CT 5 max 270mA
5.4mA
T 5 min
50
EC
29V
3.62k
I CT 1 8mA
40
h11T 6 T 6
125
g mT 6 40 8
unde
Rdin
( RS R30 )
3000 125
3
(1 1000
) 5.1 4.47 k
3125
3.515
Se verifica Rdin 4.47k R B RG 3.36k
Rdin
VCE 0 80V
VCER 100V
V EB 0 5V
h21E 50 200
I C 1A
I CM 1.5 A
I B 0 .2 A
TJ 150C
Ptot 12.5W
f T 50 MHz
Rthj C 10C
La I C 2 I CQ 16mA VCEsat 0.6 si I CER =0.2mA . Tensiunea ce trebuie preluata de R15 este :
V R15 V p min VCEsatT 3 0.8 0.6 0.2V R15
V R15
0.2V
25
I CQ
8mA
lui R15 27 5% .
Considerand
h21Emediu ,T 3 100
I BT 3
8mA
80 A
100
IC
I ex
kT
Rdin
4.47 k
165
R15
27
VCE 0 50V
I C 100mA
I B 50mA
Ptot 300mW
T j 175C
I C ,T 4
h21E ,T 4
I d 0.5mA I B ,T 4 R14
8mA
36 A
220
1.4V
R1 R2
2.8k
0.5mA
Se alege R14 2.5k
5. ETAJUL DIFERENTIAL
Etajul diferential este alcatuit din doua tranzistoare in conexiune EC care lucreaza in clasa A si sunt
cuplate diferential . Componentele acestui etaj sunt urmatoarele:
Tranzistoarele T1 ,T2
2 I CT 3
h21Emediu ,T 3
2.8
160A
100
T 3 min
50
7.8k 8k
g m ,T 3 min 6.4
se alege I CT 1 I CT 2 250 A
0.92
0.92
0.92V
5. 4 k
I C ,T 1 I B ,T 3
250 80 170mA
i C ,T 1
g m ,T 1
iC ,T 1
40 I C ,T 1
80 A
8mV
40 250 A / V
6. Dimensionarea rezistentelor R8 , R9
V BE ,T 1 0.6V V 1
R9
250 A
1A
V R 6 40mV .
240
7.56V
. Se alege pentru R9 o valoare de
h21E 240 I B ,T 1
VZ V BE .T 1 V R 6
500 si atunci caderea de tensiune suplimentara pe jumatae din rezistenta din emitorul lui T1 este :
1
V1
I
R 62.6mV V 7.5V
2
R9
C .T 1
R8
R7
E C VZ
29V 8.2V
3.78k
I Z I R8
5.5mA
se alege R7 =3.5 k 5%
6. REACTIA NEGATIVA
r
R10
1
R10 R31 10
Vin.dif D1 D2 V gen
unde
D1
R2 || ( R5 R6 )
R6
D2
0.89
R1 [ R2 || ( R5 R6 )]
R6 R5 0.95 si
Se alege pentru
Tensiunea nominala de iesire este :
I ( RS R30 )
Vn S
0.7 I S ( RS R30 ) 0.7 4.47 A (5 0.1) 15.95V
2
AVr
Vn
R R31
R
R
15.95
12.26 10
1 31 31 11
Vin.dif
1.3
R10
R10
R10
7. STABILITATEA
Datorita complexitatii schemei nu se poate calcula curba de raspuns datorita numarului mare de
tranzistori cu f T diferita. Datorita lui C 3 , r este complex . Solutia cea mai buna este evitarea
zonelor de evitarea zonelor de variatie rapida a fazei prin dispersarea , cat este posibil , a f T a
diverselor circuite.
1. Stabilitatea la frecvente joase
Capacitatile ce intervin la frecvente joase sunt C1 , C 2 , C 3 siC 4
V g 1 s[C1 ( R1 R g ) C 2 ( R1 R2 )] s 2 C1C 2 ( R1 R2 R1 R g R2 R g )
0
1
C1C 2 ( R1 R2 R1 R g R2 R g )
R g 39k
C3 introduce un pol si un zero. Se alege pentru polul dat C3 frecventa cea mai mare. Se alege
C3 =10 F si rezulta :
3 p C 3 R10 0.036 f 3 p
1
4.4 Hz
2 3 p
1
0.44 Hz
2 3 z
1
1
44.2 F
2f 4 Rdinpilot
2 3.6 10 3
C 4 47 F / 35V
Se adopta:
A 1
8. PROTECTIA TERMICA
Protectia termica actioneaza la incalzirea tranzistorilor finali prin limitarea amplitudinii semnalului
de intrare . Circuitul de protrctie termica este alcatuit din urmatoarele componente :
Tranzistorul T13
Rezistentele R1 , R2 , R4 si termistorul R3
Rezistenta R5 s-a ales de 2.2 k pentru a nu apare cuplarea direct la masa a bazei lui T1 , in cazul unei
defectiuni a tranzistorului T13.
Principiul de functionare se bazeaza pe cuplarea termica cu tranzistorii finali, a termistorului R3
care astfel monitorizeaza temperatura de functionare a acestora. La temperatura ambianta R3 are
valoare mare astfel incat divizorul format din R3 - R4 mentine tranzistorul T13 blocat. La cresterea
temperaturii valoarea rezistentei termistorului R3 scade si tinde sa deschida tranzistorul T13 care va
sunta intrarea , reducand amplitudinea semnalului de intrare si astfel a semnalului de pe tranzistorii
finali. Se alege R3 cu rezistenta nominala Rnom =40 k si care la 100C are rezistenta 2.3k .
Se alege temperatura de 100 C a tranzistorilor finali ca prag de actiune a protectiei termice .
Pentru ca R2 sa nu se modifice semnificativ impedanta de intrare Zintrare se alege de valoare mare R2 =
120k 5% aceasta limitand curentul de colector al tranzistorului T13 la valoarea :
I C ,T 13
Vz
8.2V
68A
R2 120k
R4
R3 149
R4 R3
VZ
8.2
7.7
se alege R4 = 150 5%
9. PROTECTIA LA SCURTCIRCUIT
Protectia la scurtcircuit a amplificatorului audio de putere se realizeaza prin suntarea bazei
tranzistoarelor T5 si T6 .Pentru semialternanta pozitiva la supracurent detectat prin cresterea tensiunii
pe rezistenta R28 tranzistorul T9 care este normal blocat se deschide si va reduce semnalul aplicat pe
baza lui T5 .Sesizarea supracurentului si polarizarea lui T5 se face prin doua circuite distincte.
Un circuit cu actiune rapida care limiteaza varfurile instantanee de curent
Al doilea circuit cu actiune intarziata care limitaeza curentul in cazul unui scurtcircuit de durata
1.Dimensionarea circuitului de protectie la scurtcircuit cu actuine rapida
Pentru semialternanta pozitiva tensiunea de pe R28 este transmisa prin divizorul R18-R19 si dioda
D6 pe baza tranzistorului T9.Se alege o valoare limita a curentului la care protectia la scurtcircuit cu
actiune rapida sa intre in functiunem, ISM =7A.La aceasta valoare a curentului tensiune a pe rezistenta
R28 are valoarea:
13.65mA
R18 R19
200
;se verifica de asemenea si conditia de stabilitate a
PSF-ului tranzistorului T9 : Id >>IBT9
Id
VR=20V
trr=4ns
IF=200mA
VF=1V la IF=10mA
VR=20V
trr=4ns
Prin aceasta tensiunea maxima ce poate apare pe baza pilotului in raport cu masa este Vpilot max =
20,6V = 1,2V
Curentul maxim prin tranzistorul pilot la care actioneaza protectia la suprasarcina este :
Isupras=0,6V/27=22mA >>8mA
Tensiunea maxima pe finali la care actioneaza protectia la suprasarcina este:
Vsupras=Isupras Rdin pilot =173V >> 27V
necesara obtinerea unei tensiuni la iesirea pe difuzor cat mai apropiata de 0V prin ajustarea
rezistentei semireglabile R9 care in simulare a fost inlocuita cu doua rezistente obisnuite respectiv R9
si R91 ,pentru R9 =250 si R91 =260 la iesirea pe difuzor se obtine o componenta continua de
72,33nV valoare care este suficient de mica.
Comparand PSF-urile tranzistoarelor simulate cu cele proiectate se observa abteri destul de mici:
ICT1 =241,6A ICT2 =255,2mA fata de ICT1=ICT2=250A
INZ-081 =5,044mA fata de IZ=5mA
ICT3=7,
ICT3=8mA
ICT7 =ICT8= 2..467mA valoare acceptabila pentru eliminarea distorsiunilor de trecere obtinuta prin
reglarea rezistentei semireglabile R14=2,5K care in simulare a fost inlocuita cu doua rezistente fixe
R141 =1,3K si R142 =1,2K. Dupa simularea PSF-ului s-a efectuat o simulare tranzistorie si au fost
extrase semnalele din puntele indicate in Figura2.10-1 , iar aceste semnale pot fi vizualizate in
Figura 2.10-2 respectiv semnal de la generatorul de semnal cu amplitudinea de 1V pana la iesire
,respectiv semnalul de pe RS din Figura 2.10-7 cu amplitudinea de 12V.Se deduce usor ca
amplificarea in tensiune are valoarea 12 valoare ce corespunde cu cea din tema de proiectare.
Optimizarea etajului final
Pentru imperecherea celor doua configuratii darlington ale etajului final se utilizeaza circuitul din
figura urmatoare in care se modifica valoarea rezistentelor R1 si R2 pentru obtinerea unor amplificari
in curent uniforme si de valori apropiate.In diagramele urmatoare este indicat variatia amplificarii
IE(Q1) /IB(Q2) si IE(Q3) /IB(Q4) la modificarea curentului furnizat de generatorul I1 in plaja 0-10mA cu
increment de 0,1mA(DC Sweep).
Se observa ca R1=R2=39 se obtine un bun compromis intre castigul static in crent si liniaritatea
caracteristicilor.
Optimizarea etajului pilot
Pentru exemplificarea optimizarii etajului pilot utilizam schema urmatoare care are avantajul de a fi
simpla.
Pentru stabilirea corecta a PSF-ului tranzistorului pilot se face o simulare cu baleiaj in curent
continuu (DC Sweep) in care variabila este sursa V2 prin componenta VOFF in domeniul 0,2V- 0,7V
cu increment 0,1V.
Se alege polarizarea tranzistorului pilot la VCE=14,31V si ICT3=4,4mA corespunzatoare unei tensiuni
de iesire de 15V.Polarizarea pilotului in acest PSF se face cu ajutorul tensiunii de polarizare a bazei
VOFF=0,645V.
Polarizarea tranzistorilor finali se face din raportul rezistentelor R3 si R4.Pentru R3 =1,2K si R4
=1,3K se obtine un curent de repaus prin finali de 9mA.
Pentru compararea efectului conexiunii bootstrap se ataca ambele etaje cu si fara conexine bootstrap
de la aceeasi sursa de semnal V2.
In continuare se simuleaza semnalul de la iesirea circuitului fara bootstrap V(C1:2) comparativ cu
semnalul la iesirea circuitului cu bootstrap V(Q2:E) pentru amplitudini diferite ale semnalului
furnizxat de sursa V2 respectiv Vamplif .
Se observa comportarea mult mai buna a semnalului la iesirea circuitului cu bootstrap in special la
amplitudini mari ale semnalului de intrare.
Pentru simularea raspunsului in frecventa utilizam un montaj asemanator prezentat in figura de mai
jos.
Este evident ca si din punctul de vedere al raspunsului in frecventa circuitul cu bootstrap se comporta
mai bine.
Optimizarea etajului diferential
Optimizarea etajului diferential se poate face din punct de vedere static si anume al obtinerii unei
tensiuni pe sarcina cat mai aproape de zero.In acest scop in toate simularile rezistenta variabila R9 a
fost realizata din R9=250 si R91=260 valori pentu care se obtine in repaus o tensiune de 70,57nV
valoare suficient de apropiata de 0V.
O alta optimizare a etajului diferential se poate face din punct de vedere al tipului de
amplificator,respectiv neinversor sau inversor ,fapt care este stabilit din modul de configurare a
reactiei negative conform cu figura 2.10-26.
La prima vedere comportarea celor doua tipuride amplificatoare pare identica ,iar din punct de vedere
al reproducerii fazei semnalului suntem tentai sa alegem configuratia neinversor.
Diferenta cea mai importanta dintre cele doua tipuri de amplificatoare este data de raspunsul in
frecventa care este mai bun amplificatorul inversor.Explicatia consta in modul de realizare a reactiei
negative.
La amplificatorul inversor reactia se face prin R1 si nodul de tensiune 2 iar la amplificatorul
neinversor se face prin R1 si etajul diferential plasat intre nodurile2 si 3.Deoarece raspunsul in
frecventa al etajului diferetial este limitat pe cand raspunsul in frecventa al nodului de tensiune este
infinit rezulta comportarea mai buna in frecventa a etajului inversor comparativ cu cel
neinversor.Pentru a verifica functionarea acestui principiu configuram amplificatorul audio de putere
de tipul inversor ca in Figura 2.10-26 si refacem simularile PSF-ului tranzitorii si comparativ a
raspunsului in frecvanta.
In continuare este prezentat raspunsul in frecventa al configuratiei inversoare pentru aceleasi valori
ale condensatoarelor C1 si C2 .Se poate remarca un raspuns acceptabil chiar la valori mici ale
condensatoarelor de cuplaj si dependenta raspunsului in frecventa numai de valoarea lui C1.
Simularea la scurtcircuit
Pentru simularea la scurtcircuit se foloseste shema electronica completa in care se micsoreaza
valoarea rezistentei de sarcina RS .
Micsorand rezistenta de sarcina RS se observa ca nu apar modificari semnificative in forma
semnalelor simulate pana la RS =1 si din aceste considerente se fac simulari la trei valori ale
rezistentei de sarcina 1, 0,1, 0,01.
Rezultatele simularii sunt prezentate in figurile urmatoare in care se pastreaza semnalul prin
darlingtonul npn,V(R24:2) si semnalul prin rezistenta de sarcina V(R30:2) celelalte semnale avand
modificari nesemnificative.Utilizand formula
Pentru calculul curentului prin darligtonul npn pentru Rs=0,1 si Rs=0,01 se obtine IT7M
=6A apropiat de valoarea proiectata.
11 SURSA DE ALIMENTARE
Sursa de alimentare pentru etajul final este constituita dintru-un transformator coborator de
tensiune care are infasurarea secundara cu priza mediana.Acest fapt permite ca dupa redresare si
filtrare sa se obtina fata de masa doua tensiunu egale si de semne opuse.
Aceasta cofiguratie are avantajul utilizarii unei singure punti redresoare pentru cele doua tensiuni.
Dimensionarea redresorului
1.Dimensionarea condensatorilor de filtraj
Pentru dimensionarea capacitatilor de filtraj se estimeaza curentul mediu consumat de
amplificator la 2A si corespunzator acestuia rezistenta echivalenta a sursei pe una din tensiuni este
RSE =13.
Se impune ca frecventra corespunzatoare constantei de timp t=CRSE sa fie mult mai mica decat
frecventa de taiere in banda respectiv 10Hz.
Se alege f=2Hz =>C1,2 =6121F si alegem C1,2=6800F
2.Dimensionarea puntii redresoare
Pentru dimensionarea puntii redresoare calculam tensiunea inversa si curentul maxim prin
aceasta:
Vinv=1,2 Vrmax=1,5227=81V
Imax=3,5 Irmax =9,9A
Dimensionarea transformatorului
1.Datele de calcul ale transformatorului
Principalele date de calcul ale transformatorului sunt:
Puterea aparenta secundara
Consumul estimat pe un canal este 88W iar pe patru canale 352W.Se ia 360W rotunjind puterea
consumata de preamplificator si celelalte etaje intermediare.
Tensiunile in secundar
Pentru etajul final trebuie o tensiune continua de 2x27V adica 2x27x0,707=2x19Vef valoare
eficace.Pentru preamplificator ar trebui 22,5Vef.
Tensiunea in primar
Tensiunea in primar este V1=220Vef
Frecventa retelei de alimentare
Frecventa retelei de alimentare este f=50Hz
Factorul de putere al sarcinii
Factorul de putere al sarcinii se considera cos2=1
2.Alegerea miezului
Se alege un miez din tole stantate E+I ,din tabla de otel electrotehnic,de grosime 0,5mm avand
pierderi specifice in fier PFs=2W/Kg
3.Intensitatile curentilor transformatorului
Se considera cos1=0,9 si randamentul =0,9.Coeficientul k este egal cu 1 pentru
transformatoare monofazate si 3 pnetru transformatoare trifazate.
I1 = S2 cos2 /k V1 cos1 = 2A
I2f = S2/k V2 = 9,5A
I2p = 0.03A
4.Sectiunea miezului
Sectiunea miezului transformatorului se determina cu ajutorul relatiei:
Tip transformator
Cu coloane
Tip bobinaj
Bobine circulare
ks
4,75
Bob.dreptunghiulare
5,7
6,65
Bobine circulare
3,5
Bob.dreptunghiulare
In manta(E+I)
3
Cu coloane
<100
0.8-0.9
2.5-4
100-600
0.9-0.95
2-3
600-1000
0.95-1
1.8-2.5
1000-2500
1-1.2
1.6-2.1
2500-6000
1.2-1.3
1.5-1.9
Se alege BM = 1T si J = 3A/mm
Sectiunea miezului SM 22cm
Se aleg tolele de tip E cu a = 50mm.
5.Numarul de spire al infasurarilor
Numarul de spire al infasurarilor este determinat de tensiunea infasurarii si numarul de spire pe
volt.
ns/v = 1/1,41fBMSM = 2spire/volt
R6=39 K,5%
R7=3,3 K,5%
R8=15 K,5%
R9=500 ,5%
R10=3,6 K,5%
R11=5,6 K,5%
R12=360 ,5%
R13=3 K,5%
R14=2,5 K,5%
R15=27 ,5%
R16=470 , 5%
R17=470 , 5%
R18=100 , 5%
R19=100 , 5%
R20=100 , 5%
R21=100 , 5%
R22=3,9 K,5%
R23= 3,9 K,5%
R24=390 ,5%
R25= 390 ,5%
R26=0,39 ,5%
R27= 39 , 5%
R28=0,1 ,5%
R29= 0,39 ,5%
R30= 0,1 , 5%
R31=39 K, 5%
Condensatori
C1=4,7 F/35V
C2=4,7 F/35V
C3=10 F/35V
C4=47 F/35V
C5=200 F/35V
C6=200 F/35V
Tranzistori
T1=BC178B
T2=BC178B
T3=BD139
T4=BC107A
T5=BD139
T6=BD140
T7=BDY26(183T2)
T8=BDY26(183T2)
T9=BC107A
T10=BC177A
T11=EFT 353
Diode
D1=PL 8V2
D2-D9=1N4148
EC=27V
Lista componentelor sursei de alimentare
Condensatori
C1=6800F/63V
C2=6800F/63V
Transformator monofazat
V2=2x19Vef
I2=2A
Punte redresoare
20PM1