3..

TRANZISTORUL BIPOLAR

Tranzistorul bipolar este o structură

structur cu două joncţiuni pn cuplate între ele.
Tranzistorul se numeşte bipolar deoarece conducţia curentului este asigurată
asigurat de
ători mobili de sarcin
cele două tipuri de purtători sarcină: electroni şi goluri.

3.1. Structurăă şi simbol

Tranzistorul bipolar (TB) este obţinut
ob inut tehnologic utilizând un suport
semiconductor pe care se realizează
realizeaz două joncţiuni pn conectate
ectate în antiserie.
Cele două joncţiuniţiuni se pot realiza în ordinea pn urmată de np, obţinându-se
structura tranzistorului bipolar de tip pnp, sau în ordinea np urmată de pn,
obţinându-se structura tranzistorului bipolar de tip npn.. Structura şi simbolurile
acestor tranzistoare fig.3.1.1 a) pentru tranzistorul npn şi fig.
istoare sunt prezentate în fig.3.1.1
3.1.1
.1 b) pentru tranzistorul pnp.

a) b)

Fig. 3.1.1
.1. Structura si simbolul tranzistorului bipolar
Terminalele (electrozii) TB au următoarele
urm denumiri: E-emitor,
emitor, B-bază
B şi
C-colector.
colector. Tranzistorul bipolar are douădou joncţiuni pn,, anume joncţiunea
jonc BE şi
joncţiunea BC. Sensul săgeţăgeţilor este acelaşi ca şi la diodă,
ă, anume de la p la n.
Pentru sensurile tensiunilor
tens şi curenţilor din fig. 3.1.1,.1, relaţiile
rela între
curenţii care circulăă prin TB şii tensiunile între electrozi sunt urmă
următoarele:
- pentru tranzistorul npn: i E = iC + i B şi vCE = v BE − v BC
- pentru tranzistorul pnp: i E = iC + i B şi v EC = v EB − vCB

1
 Efectul de tranzistor se bazează pe cuplarea electrică a celor două
joncţiuni BE şi BC, care trebuie să satisfacă două condiţii:
— emitorul să fie puternic dopat (joncţiunea BE este de tipul n + p pentru
un tranzistor npn);
— baza să fie subţire în comparaţie cu lungimea de difuzie a electronilor
din emitor pentru un tranzistor npn, astfel încât practic tot fluxul de electroni să
ajungă în regiunea de sarcină spaţială a colectorului. Condiţia este similară
pentru golurile din emitorul TB de tip pnp.
Notă: Dacă baza este prea groasă efectul tranzistor dispare şi rămân două
diode semiconductoare independente conectate în antiserie.

3.2. Ecuaţiile tranzistorului bipolar

Funcţionarea tranzistorului bipolar la variaţii lente în timp sau în curent
continuu este descrisă de ecuaţiile Ebers-Moll.
Formal, pentru tranzistorul npn privit ca două joncţiuni pn, una BE şi
cealaltă BC conectate în antiserie, cu sensurile tensiunilor şi curenţilor din fig.
3.1.1 a), se pot scrie direct ecuaţiile Ebers-Moll astfel:
— curentul de colector iC este suma algebrică a curenţilor joncţiunii BC
şi contribuţia la acest curent a joncţiunii BE, contribuţie pusă în evidenţă de
coeficientul α F :
 qv BE   qv BC 
 kT   kT 
iC = α F I ES  e − 1 − I CS  e − 1 (3.2.1)
   
   
unde I CS este curentul de saturaţie al joncţiunii CB cu emitorul
scurtcircuitat la bază, iar I ES este curentul de saturaţie al joncţiunii EB cu
colectorul scurtcircuitat la bază.
— curentul de emitor i E este suma algebrică a curenţilor joncţiunii BE şi
contribuţia la acest curent a joncţiunii BC, contribuţie pusă în evidenţă de
coeficientul α R :
qv BE qv BC
i E = I ES ( e kT − 1 ) − α R I CS ( e kT − 1 ) (3.2.2)
De asemenea:
α F I ES = α R I CS (3.2.3)
În relaţiile (3.2.1) şi (3.2.2):
qv BE
I ES ( e kT − 1 ) – ecuaţia joncţiunii (curentul joncţiunii) BE;

2
  qv BC 
 kT 
I CS  e − 1 – ecuaţia joncţiunii (curentul joncţiunii) BC
 
 
α F – coeficient care indică procentul din curentul de emitor
(curentul joncţiunii BE) datorat tensiunii v BE care se închide prin colector. α F
se numeşte factor de amplificare direct de la emitor la colector (α F ≅ 1) ;
α R – coeficient care indică procentul din curentul de colector
(curentul joncţiunii BC) datorat tensiunii v BC ce se închide prin emitor. α R se
numeşte factor de amplificare invers de la colector spre emitor (α R < 1) .
Semnul minus din faţa curentului joncţiunii BC se datorează faptului că la
această joncţiune curentul are sensul invers decât la joncţiunea pn.
Pornind de la relaţiile (3.2.1) şi (3.2.2) se obţine:
 qv BC 
 kT 
iC = α F iE − I CB0  e − 1 (3.2.4)
 
 
unde I CB0 este curentul rezidual de colector cu emitorul în gol (curentul
de saturaţie al joncţiunii colector-bază) şi are expresia:
I CB0 = (1 − α F α R )I CS (3.2.5)
În mod analog:
 qvBE 
 kT 
i E = α R iC + I EB0  e − 1 (3.2.6)
 
 
unde I EB0 este curentul rezidual de emitor cu colectorul în gol (curent
de saturaţie al joncţiunii BE) şi are expresia:
I EB0 = (1 − α F α R )I ES (3.2.7)
În relaţia (3.2.4) se înlocuieşte i E = iC + i B şi se obţine:
 qv BC 
αF 1  kT 
iC = iB − I CB0  e − 1 (3.2.8)
1 −αF 1 −αF  
 
Se notează prin β F factorul de amplificare în curent de la bază la
colector şi avem:
αF
βF = (3.2.9)
1−αF
şi

3
 1
βF + 1= (3.2.10)
1−αF
unde α F este factorul de amplificare în curent de la emitor la colector şi
are valori tipice în gama (0.99; 0.998) pentru tranzistoare cu siliciu. Factorul de
amplificare în curent de la bază la colector β F are valori tipice în gama (100;
400) pentru tranzistoare cu siliciu.
Utilizând relaţiile (3.2.9) şi (3.2.10), relaţia (3.2.8) devine:
 qv BC 
 kT 
iC = β F iB − (β F + 1)I CB0  e − 1 (3.2.11)
 
 
Se notează I CE0 curentul rezidual de colector cu baza în gol, care are
expresia:
I CE0 = (β F + 1)I CB0 (3.2.12)
Ţinând cont de (3.2.12), relaţia (3.2.11) devine:
 qv BC 
 kT 
iC = β F iB − I CE 0  e − 1 (3.2.13)
 
 

4
 3.3. Regimuri de funcţionare
Tranzistorul bipolar poate funcţiona atât în conexiune normală cât şi în
conexiune inversă (se inversează C cu E). În fiecare dintre aceste conexiuni
avem trei regimuri de funcţionare, anume: blocat, saturat şi regim activ
(regiunea activă). În continuare se vor defini aceste regimuri pentru tranzistorul
npn.

3.3.1. Regimul blocat

În acest regim ambele joncţiuni sunt polarizate invers: v BE ≤ 0 şi
v BC < 0
Întrucât în mod curent sarcina se introduce în circuitul colector-emitor,
posibilităţile de blocare în acest caz sunt:
– baza în gol: i B = 0 (fig. 3.3.1a)
– baza scurtcircuitată la emitor: v BE = 0 (fig. 3.3.1b)
– baza conectată la emitor printr-o rezistenţă: (fig. 3.3.1c)
– baza conectată la emitor printr-o sursa de tensiune (fig. 3.3.1d)

a) b)

c) d)

Fig. 3.3.1. Moduri de blocare a tranzistorului bipolar.

Atunci când tranzistorul are cuplată o rezistenţă între bază şi emitor,

acesta este parcurs de un curent rezidual I CER mai mare decât I CES obţinut

5
pentru v BE = 0 şi mai mic decât I CE0 obţinut pentru i B = 0 . Blocarea
tranzistorului făcând scurtcircuit între bază şi emitor este greu de realizat în
practică, iar blocarea lăsând baza în gol este dezavantajoasă. De aceea, dintre
cele trei situaţii prezentate anterior, blocarea tranzistorului conectând o
rezistenţă de dorit cât mai mică între bază şi emitor este cel mai uşor de realizat
în practică şi, de aceea, este cel mai des utilizată. Cand joncţiunea bază–emitor
polarizată invers curentul rezidual prin tranzistor este cel mai mic.
Deci :
I CEE < I CES < I CER < I CE0 (3.3.1)

3.3.2. Regimul de saturaţie

Regimul de saturaţie normal şi inversat este definit de condiţiile: v BE > 0
şi v BC > 0 , ambele joncţiuni fiind polarizate direct.
În ecuaţiile Ebers-Moll nu se pot face simplificări şi trebuie să luăm
modelul complet. Cu condiţiile de mai sus şi v BE >> kT / q ; v BC >> kT / q ,
relaţia (3.2.1) devine:
qvBE qvBC
iC = α F I ES e kT − I CS e kT (3.3.2)

Conform relaţiei (3.3.2), curentul iC creşte exponenţial. Acesta este

limitat de circuitul exterior. Cu notaţiile din fig.3.1.1, scrise pentru tensiuni
continue, căderea de tensiune colector-emitor la saturaţie este
VCEsat = VCB + V BE .
Alegând ca valori tipice valorile: VCB ≅ −0 ,4V şi V BE ≅ 0 ,6V , rezultă
valoarea tipică a tensiunii de saturaţie (0,2V).
Din relaţia (3.2.13) rezultă iC << β F i B , deci i B >> iC / β F , relaţie
care reprezintă condiţia de saturaţie pentru curentul de bază i B .
În regim saturat invers, factorul de amplificare în curent în
conexiune normală β F se înlocuieşte cu factorul de amplificare în conexiune
inversă β R .

6
 Aplicatie: Se consideră circuitul din fig. 3.3.2, realizat cu un tranzistor
bipolar din siliciu, de tip npn , care funcţionează în regim saturat..

Fig. 3.3.2

Se dau:
EC = 15V ; E B = 5V ; RL = 1,5kΩ , VBEsat = 0 ,7V ;
VBCsat = 0 ,55V şi β F = 200.

Să se calculeze:
a) căderea de tensiune colector–emitor la saturaţie, VCEsat ;
b) curentul de colector I C ;
c) valoarea rezistenţei RB pentru care curentul I B are o valoare de
10 ori mai mare decât valoarea corespunzătoare funcţionării în RAN.

Rezolvare:
a) Căderea de tensiune colector-emitor la saturaţie este:
VCEsat = VBEsat − VBCsat
Pentru VBCsat = 0 ,55V şi VBEsat = 0 ,7 V se obţine
VCEsat = 0 ,15V
b) Pe circuitul din fig. 3.3.2 pentru tranzistor saturat, se poate scrie:
EC = RL I C + VCEsat
E − VCEsat
IC = C
RL
Neglijând VCEsat (0,15V) faţă de EC (15V), curentul de colector este:
I C ≅ EC / RL , determinat de elementele exterioare tranzistorului.
7
 15
IC ≅ = 10 mA
3
1,5 ⋅ 10
c) Valoarea curentului I B0 corespunzătoare funcţionării în RAN
se obţine din relaţia :
I C 10 ⋅ 10 − 3
I B0 = = = 0 ,05 mA
βF 200
Din relaţia (3.2.13) rezultă I C << β F I B , deci I B >> I C / β F ,
relaţie care reprezintă condiţia de saturaţie pentru curentul de bază I B .
Valoarea lui I B conform enunţului este: I B =10 I B0 , adică
I B = 10 ⋅ 0 ,05 ⋅10 − 3 = 0 ,5mA . Această valoare satisface condiţia de saturaţie
I B >> I C / β F (0 ,5 >> 10 / 200 = 0 ,05 mA).
Pe circuitul de intrare, se scrie ecuaţia lui Kirchhoff pentru tensiuni:
E B = RB I B + VBEsat
E − V BEsat 5 − 0 ,7
RB = B = = 8 ,6 kΩ
− 3
IB 0 ,5 ⋅ 10

3.3.3. Regiunea activă normală

Regiunea activă normală (RAN) numită şi regim activ normal este
definită de condiţiile:
v BE > 0 şi v BC < 0 .
În aceste condiţii, ţinând cont că v BE >> kT / q şi v BC >> kT / q , relaţia
(3.2.4) devine:
iC = α F i E + I CB0 (3.3.3)
unde I CB0 dat de relaţia (3.2.5) este mic de ordinul nA pentru
tranzistoarele cu siliciu şi se poate neglija, astfel că relaţia (3.3.3) devine:
iC ≅ α F i E (3.3.4)
Din relaţia (3.2.11), ţinând cont că v BC < 0 avem:
iC = β F i B + (β F + 1)I CB0 (3.3.5)
În relaţia (3.3.5), chiar dacă I CB0 este înmulţit cu (β F + 1) , curentul
rezidual rămâne mic şi se poate neglija pentru tranzistoarele cu siliciu.
iC ≅ β F i B (3.3.6)

8
 3.3.4. Regiunea activă inversă
Regiunea activă inversă (RAI) este definită de condiţiile:
v BE < 0 şi v BC > 0
Ţinând cont că v BE >> kT / q şi v BC >> kT / q şi punând aceste
condiţii în ecuaţia (3.2.6), se obţine:
i E ≅ α R iC (3.3.7)
în care s-a neglijat curentul rezidual I EB0 dat de relaţia (3.2.7).
' şi
Dacă notăm i E = iC i C = i 'E , relaţia (3.3.7) devine:
'
iC = α R i 'E (3.3.7)
În relaţia (3.3.7), înlocuind i'E = i'B + iC
' , se obţine:

' αR '
iC = '
i B , adică iC = β R i 'B (3.3.8)
1−αR
unde α R şi β R = α R /( 1 − α R ) sunt factorii de amplificare în curent
similari lui α F , respectiv β F , dar pentru conexiune inversă. Aceştia satisfac
relaţiile α R < α F şi β R << β F , care arată că tranzistorul are eficienţă mai
mică în conexiune inversă decât în conexiune directă. Domeniul de valori tipice
pentru factorul de amplificare β R este în gama (2; 6).

• Regimuri de funcţionare – Tabel sintetic

Regim de Joncțiune BE Joncțiune BC Obs.

funcționare (VBE) (VBC)
Blocat VBE<0 VBC<0 IB=0 sau VBE=0
Saturat VBE>0 VBC>0 IB>> IC/β
RAN VBE>0 VBC<0 IC= βF IB, IC= αF IE
RAI VBE<0 VBC>0 I`C= βR IB, I`C= αR I`E

RAN = Regim activ normal,

RAI = Regim activ invers

9
 3.4. Conexiunile fundamentale ale tranzistorului

Conexiunile fundamentale ale tranzistorului sunt: bază baz comună (BC),

emitor comun (EC) şii colector comun (CC), denumirile fiind date în func funcţie de
electrodul care este comun între circuitul de intrare şi circuitul de ieşire,
ie iar
ţă de electrodul comun sau de referinţă
tensiunile sunt luate faţă referin (fig.3.4.1).
(fig.3.4.1

a)
b) c)

Fig. 3.4.1. Conexiunile fundamentale ale tranzistorului

• Factorul de amplificare în curent

Factorul de amplificare în curent este raportul dintre curentul de ieşire şi
curentul de intrare, corespunzători
corespunz tori conexiunii respective. Factorul de amplificare
în curent analizat este factorul de amplificare de semnal mare, de frecvenţă
frecven joasă
şii de curent continuu. Factorul de amplificare în curent se analizează
analizeaz numai
pentru regiunea activăă sau regim activ normal, pentru că că tranzistorul numai aici
amplifică.
În conexiunea BC,, ţinând
ţ cont că în regiunea activă v BE > 0 şi vCB > 0 ,
din relaţia (3.3.4)) avem factorul de amplificare al curentului α F = iC / i E , care
pentru un tranzistor cu siliciu are valori tipice în domeniul (0,99÷0,998). Deci,
în conexiunea BC tranzistorul nu amplifică
amplific curentul.
În conexiunea EC , în regiunea
re activă, din relaţia (3.3.6)) avem factorul de
entului β F = iC / i B . În concluzie, în conexiunea EC
amplificare al curentului
tranzistorul amplificăă curentul.
În conexiunea CC, CC, factorul de amplificare al curentului este
i E / i B = β F + 1 ≅ β F . Ţinând
Ţ cont că β F >> 1 , amplificarea în curent este
practic aceeaşii ca la conexiunea EC.

10
 3.5. Caracteristici statice

3.5.1. Caracteristicile statice de ieşire în conexiunea bază comună

Caracteristica de ieşire: iC = iC (vCB ) pentru i E = I E = ct . (se mai poate
şi v BE = V BE = ct . ) este prezentată în fig. 3.5.1.

Fig. 3.5.1. Caracteristica de ieşire: iC = iC (vCB ) pentru I E = ct.

În fig.3.5.1 sunt puse în evidenţă şi regimurile de funcţionare ale

tranzistorului, anume:
– regimul activ ( v BE > 0 şi vCB > 0 ): caracteristicile din cadranul I,
deasupra curbei pentru I E = 0 ;
– regimul saturat ( v BE > 0 şi vCB < 0 ): caracteristile din cadranul II;
– regimul blocat ( v BE ≤ 0 şi vCB > 0 ): caracteristica pentru I E = 0 şi
sub aceasta. Se consideră frontiera între regimul activ şi regimul blocat
caracteristica pentru I E = 0 , deşi această caracteristică nu corespunde tensiunii
VBE = 0 , ci unei tensiuni V BE uşor pozitivă. Caracteristica pentru VBE = 0
corespunde unui curent de emitor negativ dar foarte mic şi de aceea diferenţa
între caracteristica pentru VBE = 0 şi cea pentru I E = 0 se poate neglija.

11
 3.5.2. Caracteristicile statice de ieşire în conexiunea emitor comun
Caracteristica de ieşire: iC = iC (vCE ) pentru i B = I B = ct . (cea mai
utilizată dintre caracteristici) este arătată în fig. 3.5.2.

Fig. 3.5.2. Caracteristica de ieşire: iC = iC (vCE ) pentru i B = I B = ct .

12
 3.6. Polarizarea tranzistorului bipolar

Pentru utilizarea în circuite de amplificare, TB trebuie să funcţioneze în

regiunea activă normală (RAN), care se mai numeşte şi regim activ. Folosirea
TB în circuite de amplificare necesită polarizarea în curent continuu sau
stabilirea unui punct static de funcţionare (PSF), care cuprinde componentele de
curent continuu ale curentului de colector I C , tensiunii colector–emitor VCE şi
curentului de bază I B .
Un exemplu de circuit de polarizare pentru TB de tip npn este arătat în
fig. 3.6.1a).

a) b)

Fig. 3.6.1. Circuit de polarizare pentru TB de tip npn

Pentru circuitul din fig.3.6.1 a), unde se consideră I E ≅ I C , se poate

scrie:
– dreapta de sarcină, care se determină din ecuaţia Kirchhoff pentru
tensiuni scrisă pe circuitul de ieşire şi are expresia:
EC = (RC + RE )I C + VCE (3.6.1)
– ecuaţia lui Kirchhoff pe circuitul de intrare:
R B I B + VBE + RE I C = EC (3.6.2)
– ecuaţia ce leagă curentul de bază I B de curentul de colector I C ,
rezultată din ecuaţiile Ebers-Moll:
IC = β F I B (3.6.3)
Analitic, din sistemul de ecuaţii de mai sus se pot determina oricare trei
mărimi când se cunosc celelalte.
13
 Pentru determinarea PSF al tranzistorului, de obicei se alege V BE , care
este aproximativ constantă şi se determină I B , I C şi VCE .
Grafic, PSF se determină din intersecţia dreptei de sarcină cu
caracteristica de ieşire a tranzistorului pentru o valoare dată a curentului de bază
I B , aşa cum se vede în fig. 3.6.1 b), când I B = I B 2 .

Aplicatia 1 Să se determine punctul static de funcţionare (PSF) al

tranzistorului bipolar cu siliciu npn polarizat aşa cum se vede în fig. 3.6.1 şi să
se verifice că acesta funcţionează în regiunea activă normală (RAN).
Se dau : β F = 100; EC = 12V ; RC = 2 kΩ ; RE = 1 kΩ ;
R B = 470 kΩ ; V BE = 0 ,6 V
Rezolvare:
Pentru circuitul din fig.3.6.1, unde se consideră I E ≅ I C , se poate scrie:
– dreapta de sarcină:
EC = (RC + RE )I C + VCE (3.6.4)
– ecuaţia lui Kirchhoff pe circuitul de intrare:
RB I B + VBE + RE I C = EC (3.6.5)
– ecuaţia ce leagă curentul de bază I B de curentul de colector I C ,
rezultată din ecuaţiile Ebers-Moll (4.25):
IC = β F I B (3.6.6)
Înlocuind I B din relaţia (3.6.6) în relaţia (3.6.5) se obţine:
E − V BE
IC = C (3.6.7)
R
RE + B
βF
Pentru datele numerice din enunţ:
12 − 0 ,6
IC = ⋅ 10 − 3 = 2 mA
470
1+
100
Din ecuaţia dreptei de sarcină (4.7.1) se obţine tensiunea VCE :
VCE = EC − (RC + RE )I C
VCE = 12 − (2 + 1)10 3 ⋅ 2 ⋅ 10 − 3 = 6 V
Din relaţia (3.6.6):
IC 2 ⋅ 10 − 3
IB = = = 0 ,02 mA = 20 µ A
βF 100
Tranzistorul funcţionează în RAN, dacă: V BE > 0 şi VBC < 0 .
14
 În cazul nostru:
V BE = 0 ,6 V > 0 şi VBC = VBE − VCE = 0 ,6 − 6 = −5 ,4V < 0

Aplicatia 2. Fie circuitul de polarizare cu divizor de tensiune al unui

tranzistor npn cu siliciu, prezentat în fig. 3.6.2.

Fig. 3.6.2. Polarizarea tranzistorului cu divizor de tensiune

Se dau:β F = 300; EC = 15V ; RC = 1 kΩ ; RE = 0 ,5 kΩ ;

R1 = 57 kΩ ; R2 = 18 kΩ ; V BE = 0 ,6 V
Să se determnine PSF şi să se
verifice că tranzistorul funcţionează
în RAN.

Rezolvare:
Aplicând teorema lui
Thévenin, circuitul din fig.3.6.2,
devine cel din fig. 3.6.3 , unde:
R2
EB = EC
R1 + R2
şi
R1 R2
RB = R1 // R2 = Fig. 3.6.3. Circuitul echivalent
R1 + R2 dupa aplicarea teoremei lui
Thevenin
15
 Pe circuitul din fig. 3.6.3 unde se consideră I E ≅ I C și se pot scrie
relaţiile:
EC = (RC + RE )I C + VCE (3.6.7)
IC = β F I B (3.6.8)
E B = RB I B + VBE + RE I C (3.6.9)
Relaţia (3.6.9) se mai scrie:
R2 R R I
EC = 1 2 ⋅ C + VBE + R E I C (3.6.10)
R1 + R2 R1 + R2 β F
Din relaţia (3.6.10) se deduce expresia lui I C :
R2
⋅ EC − V BE
R1 + R2
IC = (3.6.11)
1 R R
RE + ⋅ 1 2 ⋅
β F R1 + R2
Introducând datele numerice în relaţia (3.6.11), rezultă:

18
⋅ 15 − 0 ,6
IC = 57 + 18 ⋅ 10 − 3 ≅ 5 ,5 mA
1 18 ⋅ 57
0 ,5 + ⋅
300 18 + 57
Din relaţiile (3.6.8) şi (3.6.7) se obţin I B şi respectiv VCE :
IC 5 ,5 ⋅ 10 − 3
IB = = ≅ 18 ,3 µA
βF 300
VCE = EC − (RC + RE )I C = 15 − (1 + 0 ,5 )⋅10 3⋅ 5 ,5⋅10 − 3 = 6 ,75V
Tranzistorul funcţionează în RAN dacă V BE > 0 şi VBC < 0 .
În cazul nostru,
V BE = 0 ,6 V > 0
VBC = VBE − VCE = 0 ,6 − 6 ,75 = −6 ,15V < 0 ,

16
 Aplicatia 3. Se consideră circuitul de polarizare cu două surse de
alimentare prezentat în fig. 3.6.4..
Să se determine PSF când se dau:
β F = 250; EC = E E = 12V ; VBE = 0 ,6 V ; RC = 1,3 kΩ ; RE = 2 kΩ ;
Să se verifice că tranzistorul funcţionează în RAN.

Rezolvare:
Pentru circuitul din fig. 3.6.4 se poate scrie sistemul:
IC ≅ I E = β F I B (3.6.12)
V BE + R E I C = E E (3.6.13)
(RC + RE )I C + VCE = E E + EC (3.6.14)

Fig. 3.6.4.Polarizarea cu doua surse

Din relaţia (3.6.13) se obţine:

E E − VBE 12 − 0 ,6 − 3
IC = = 10 = 5 ,7 mA
RE 2
Curentul de bază se obţine din relaţia (3.6.12):
I C 5 ,7 ⋅ 10 − 3
IB = ≅ = 0 ,0228 mA = 22 ,8 µ A
βF 250
Din relaţia (3.6.14) se obţine VCE :

17
 VCE = E E + EC − (RC + RE )I C
VCE = 12 + 12 − (1,3 + 2 ) ⋅ 10 3 ⋅ 5 ,7 ⋅ 10 − 3 = 5 ,19 V
Cu notaţiile din fig. 3.6.4 avem:
VCB = VCE − VBE = 5 ,19 − 0 ,6 = 4 ,59V
VBC = −VCB = −4 ,59 V , deci tranzistorul funcţionează în RAN.

3.7. Circuitul echivalent la semnal mic pentru tranzistorul bipolar

Utilizarea tranzistorului bipolar în circuite de amplificare necesită
stabilirea unei scheme echivalente pentru regimul variabil de semnal mic. În
circuitele de amplificare tranzistorul bipolar lucrează în regiunea activă (RAN).

3.7.1 Circuitul echivalent natural

Circuitul echivalent natural se va prezenta atât pentru frecvenţe joase şi
medii cât şi pentru frecvenţe înalte.

• Circuitul echivalent natural la frecvenţe joase şi medii

Ca şi la dioda semiconductoare, la tranzistorul bipolar se adoptă aceeaşi
ipoteză de regim cvasistaţionar, adică semnalele alternative sunt lent variabile.
În sumele: v BE = VBE + vbe ( t ) , vCE = VCE + vce ( t ) , i B = I B + ib ( t ) şi
iC = I C + ic ( t ) , primii termeni desemnează componentele continue din PSF,
iar ceilalţi termeni desemnează componentele variabile mici şi de joasă
frecvenţă.
Pentru tranzistorul bipolar în conexiune EC joncţiunea BE este o
joncţiune pn polarizată direct. Circuitul echivalent al acestei joncţiuni pn la
frecvenţe joase si medii este constituit din rezistenţa rπ = kT / qI B .
Joncţiunea BC este o joncţiune pn polarizată invers. Circuitul echivalent
al acestei joncţiuni pn este constituit din rezistenţa internă, care este foarte mare
și de aceea se neglijează. Ținând cont ca in regiunea activa curentul de colector
este aproximativ constant, între colector şi emitor circuitul echivalent este un
generator de curent g m Vbe , în paralel cu o rezistență mare, care de obicei se
neglijează.
Pe baza acestor consideraţii, rezultă circuitul echivalent dat în fig. 3.7.1,
numit circuit echivalent natural, unde notaţiile au fost făcute atât în timp cât şi
în frecvenţă.

18
 Fig. 3.7.1. Circuitul echivalent natural

Avem:
kT
rπ = (3.7.1)
qI B
qI C
gm = (3.7.2)
kT
−1
Pentru T=290 K, ţinând cont că q / kT ≅ 40 V , relaţia (4.34) devine:
g m = 40 I C (3.7.3)

Relaţiile (3.7.2) şi (3.7.3) arată că panta g m este cu atât mai mare cu cât
curentul de colector I C în PSF este mai mare.
Rezistenţa de ieşire r0 este dată de relaţia:
1
r0 =
η gm
Rezistenţa de transfer rµ are expresia:

rµ = π
r
η
unde η este o constantă care are valoarea cuprinsă între 10–5 şi 10–3.
Valoarea pantei pentru tranzistorul bipolar este mult mai mare decât
valoarea pantei tranzistorului cu efect de câmp, acesta fiind principalul avantaj
al TB faţă de TEC.
Rezistenţa de intrare rπ a tranzistorului bipolar, care are valori tipice în
gama (1kΩ ; 2kΩ ) , este mult mai mică decât rezistenţa de intrare a

19
 (
tranzistoarelor cu efect de câmp care are valori tipice în gama 10 6 kΩ ; 10 7 kΩ )
, acesta fiind un dezavantaj al TB faţă de TEC.

• Circuitul echivalent natural la frecvenţe înalte

Joncţiunea BE este o joncţiune pn polarizată direct. Circuitul echivalent al
acestei joncţiuni pn la frecvenţe înalte conţine rezistenţa rπ = kT / qI B și
capacitatea Cπ în paralel, unde Cπ este capacitatea de difuzie în principal plus
capacitatea de barieră, care de obicei se neglijează la joncţiunea pn polarizată
direct.
Joncţiunea BC este o joncţiune pn polarizată invers. Circuitul echivalent
al acestei joncţiuni pn este format din capacitatea de barieră în principal, notată
C µ (capacitatea de difuzie se neglijează, iar rezistenţa internă este foarte mare
şi de asemenea se neglijează). Între colector şi emitor se află generatorul de
curent g m Vbe .
Pe baza acestor consideraţii, rezultă circuitul echivalent natural dat în fig.
3.7.2.

Fig. 3.7.2. Circuitul echivalent la frecvente inalte

Notă: Tranzistoarele cu efect de câmp funcţionează la frecvenţe mai înalte

decât tranzistorul bipolar deoarece mai ales condensatorul de intrare al TEC este
mai mic decât cel al TB. De exemplu, pentru TEC-J condensatorul C gs este
condensatorul de barieră al unei joncţiuni pn polarizată invers, iar pentru TB
condensatorul Cπ este condensatorul de difuzie al unei joncţiuni pn polarizată
direct. Se ştie că pentru o joncţiune pn condensatorul de barieră (pF) este mult
mai mic decât condensatorul de difuzie (nF).

3.7.2. Circuitul echivalent cu parametri hibrizi

Pentru definirea parametrilor hibrizi h ai tranzistorului bipolar, se tratează
tranzistorul ca un cuadripol, adică având patru borne grupate câte două şi
alcătuind o pereche de borne de intrare şi o pereche de borne de ieşire. Cum

20
tranzistorul bipolar nu are decât trei borne (E, B, C), una dintre ele va fi comună
intrării şi ieşirii cuadripolului. De exemplu, dacă borna comună este emitorul E,
tranzistorul bipolar este în conexiune EC.
Sistemul simplificat cu parametrii hibrizi h la semnal mic pentru
conexiunea EC se definesc scriind sistemul de ecuaţii:
v be = hie i b
 (3.7.4)
i c = β 0 i b
unde vbe , ib (ic ) reprezintă tensiunea de intrare, respectiv curentul de
intrare (ieşire).
Pe baza sistemului (3.7.4) rezultă circuitul electric echivalent simplificat
cu parametri hibrizi din fig. 3.7.3.

Fig. 3.7.3. Circuitul echivalent cu parametrii h

Identificând circuitul echivalent din fig. 3.7.3 cu cel din fig. 3.7.2 în care
se neglijează rµ şi r0 , rezultă:
hie ≅ rπ (3.7.5)
g m vbe = β 0 ib (3.7.6)
Se înlocuieşte vbe = hieib în relaţia (3.7.6) şi, ţinând cont de relaţia
(3.7.5), rezultă:
g m rπ = β o (3.7.7)
Se înlocuiesc g m şi rπ din relaţiile (3.7.2), respectiv (3.7.1) în relaţia
(3.7.7) şi, ţinând cont că I C / I B = β F , rezultă:
β o ≅ β F = g m rπ (3.7.8)
Relaţia (3.7.8) arată că factorul de amplificare în curent la semnal mic şi
frecvenţe joase şi medii este egal cu factorul de amplificare în curent la semnal
mare de frecvenţă joasă.
Notă: În conexiunea BC parametrii h sunt cei de la conexiunea EC
raportaţi la (β 0 + 1).

21
 3.7.3 Dependenţa de frecvenţă a factorului de amplificare în curent
Dependenţa de frecvenţă a factorului de amplificare în curent la semnal
mic pentru montajul EC este dată de relaţia:
βo
β= , (3.7.9)
1 + jf / f β
1
unde: f β = , reprezintă frecvenţa la care β scade cu
2π rπ ( Cπ + Cµ )
3 dB faţă de factorul de amplificare în curent la frecvenţe joase şi medii βo .
Frecvenţa de tăiere f T (frecvenţa la care β = 1 ) este dată de relaţia
gm
fT = β o f β =
(
2π C µ + Cπ ) (3.7.10)

În ceea ce priveşte etajele de amplificare vezi rezumatul de la cap. 3

Aplicatia 1. Să se determine parametrii de semnal mic din circuitul

echivalent natural, la frecvenţe joase şi medii, ai unui tranzistor bipolar cu siliciu
de tip npn, la temperatura ambiantă T = 290 K , ştiind că are factorul de
−4
amplificare în curent continuu β F = 200; I C = 5 mA în PSF şi η = 10 .

Rezolvare:
−3
La T = 290 K , g m = 40 I C = 40 ⋅ 5 ⋅ 10 = 200 mA / V
Curentul de bază este:
I C 5 ⋅ 10 − 3
IB = = = 25 µ A
βF 200
Pentru rezistenţa rπ avem:
kT 25 ⋅ 10 − 3
rπ = = = 1 kΩ
qI B 25 ⋅ 10 −6
De asemenea, pentru rezistenţa de ieşire r0 şi respectiv rezistenţa de
transfer rµ , rezultă:
1 1
r0 = = = 50 kΩ
η g m 10 − 4 ⋅ 200 ⋅ 10 − 3
rπ 10 3
rµ = = = 10 MΩ
η 10 − 4

22
 Aplicatia 2. Să se calculeze parametrii h şi curentul continuu de colector
pentru un tranzistor npn din siliciu în conexiunile EC şi BC, ştiind că:
g m = 160 mA / V ; I B = 20 µ A; kT / q = 25 mV .

Rezolvare:
Calculul parametrilor h în conexiune EC:
Impedanţa de intrare:
kT 25 ⋅ 10 − 3
hie ≅ rπ = = = 1,25 kΩ
qI B 20 ⋅ 10 −6
Factorul de amplificare în curent la semnal mic:
β 0 = g m ⋅ rπ = 160 ⋅ 10 − 3 ⋅ 1,25 ⋅ 10 3 = 200
La frecvenţe joase şi medii, factorul de amplificare în curent la semnal
mic β 0 , este egal cu factorul de amplificare în curent continuu β F .
Curentul de colector I C este:
I C = β F I B = 200 ⋅ 20 ⋅ 10 − 6 = 4 mA
În conexiune BC parametrii h sunt cei de la conexiunea EC raportaţi la
(β0 + 1) :
hie 1,25 ⋅ 10 3
hib = = ≅ 6 ,2 Ω
β 0 + 1 200 + 1
β0 200
β 0b = = ≅ 0 ,995 = α 0
β 0 + 1 201
Curentul continuu de colector rămâne acelaşi.

Aplicatia 3. Un tranzistor npn din siliciu în conexiune EC este parcurs de

un curent continuu de colector I C = 4 mA , curentul corespunzător în bază fiind
de 10 µ A. Se dau: Cπ = 1 nF ; C µ = 5 p F ; kT / q = 25 mV .
Să se determine banda de frecvenţă, frecvenţa de tăiere şi caracteristica de
frecvenţă a lui β .

Rezolvare:
Banda de fecvenţă este frecvenţa f β la care β scade cu 3dB şi se
calculează cu relaţia:

23
 1
fβ =
(
2π ⋅ rπ Cπ + C µ ⋅ )
kT 25 ⋅ 10 − 3
unde rπ = = = 2 ,5 kΩ
qI B 10 ⋅ 10 −6
Deci:
1
fβ =
(
2π ⋅ 2 ,5 ⋅ 10 3 ⋅ 10 − 9 + 5 ⋅ 10 − 12 ⋅ )
1
fβ = ≅ 63 ,66 kHz
−9
2π ⋅ 2 ,5 ⋅ 10 ⋅ 10
3
Frecvenţa de tăiere f T (frecvenţa la care |β |= 1 ) este dată de relaţia:
fT = β 0 f β
IC 4 ⋅ 10 − 3
unde: β 0 = β F = = = 400
I B 10 ⋅ 10 − 6
Deci:
fT = 400 ⋅ 63,66 ⋅ 10 3 = 25,464 MHz
Dependenţa de frecvenţă a factorului de amplificare în curent la semnal
mic pentru conexiunea EC este:
β0
β=
f
1+ j
fβ
unde: β 0 = 400; β 0 dB = 20 lg 400 = 20 ⋅ 2 ,6 = 52 dB
Funcţia de transfer are un pol la f = f β = 63 ,66 kHz . Pentru un pol
panta de descreştere a caracteristicii este (− 20dB / dec.).
Caracteristica de frecvenţă este arătată în fig. 3.7.4.

Fig. 3.7.4. Caracteristica de frecvenţă

24
 3.8. Etaj de amplificare EC
Se consideră etajul de amplificare în conexiune EC cu tranzistor bipolar
din fig.3.8.1 La frecvenţe medii condensatoarele C B , CC şi C E au impedanţe
foarte mici (sunt scurtcircuit), iar condensatoarele interne ale tranzistorului se
neglijează.

Fig. 3.8.1. Etaj de amplificare EC

Să se calculeze amplificarea la frecvenţe medii, impedanţa de intrare şi

impedanţa de ieşire, pentru două valori ale rezistenţei generatorului de la intrare:
rg = 1 kΩ şi rg = 50 Ω .
Se dau:
EC =12V ; RB1 =30kΩ ; RB 2 =5kΩ ; RE =160Ω ; β F =200;
RC = RL = 1 kΩ ; VBE = 0 ,6 V ; kT / q = 25 mV .

Rezolvare:
Pentru etajul de amplificare EC din fig .3.8.1 se obţine circuitul de
curent alternativ din fig. 3.8.2. şi circuitul echivalent de semnal mic din fig.
3.8.3.
Din circuitul echivalent de curent alternativ din fig.3.8.2, rezultă:
R B1 ⋅ R B 2 30 ⋅ 5
RB = = ≅ 4 ,3 kΩ
RB1 + R B 2 30 + 5
Expresia generală a amplificării este:
Vo
Ao = (3.8.1)
Vg

25
 Fig. 3.8.2.Circuitul echivalent de c.a.

Fig. 3.8.3.Circuitul echivalent de semnal mic

Pe circuitul echivalent de semnal mic din fig. 3.8.3, se poate scrie:

RB // rπ
Vπ = Vg (3.8.2)
rg + (RB // rπ )
Vo = − g m Vπ ⋅ (RC // R L ) (3.8.3)
Înlocuind relaţia (3.8.2) în (3.8.3) se obţine expresia amplificării
conform relaţiei (3.8.1):
RB // rπ
Ao = − g m ⋅ (RC // RL ) ⋅ (3.8.4)
rg + (RB // rπ )
Pentru rg << ( R B // rπ ) , expresia (3.8.4) devine:
Ao = − g m ⋅ (RC // R L ) (3.8.5)
Panta g m are expresia:

26
 qI C
gm = = 40 I C (3.8.6)
kT
unde I C este curentul de colector în PSF.
Ţinând cont că un condensator este o întrerupere în curent continuu,
pentru etajul de amplificare cu EC din fig. 3.8.1 se obţine circuitul de polarizare
cu divizor de tensiune din fig. 3.8.4a). După aplicarea teoremei lui Thévenin
rezultă circuitul din fig. 3.8.4b), pe care se poate scrie relaţia:

a) b)
Fig. 3.8.4. Circuitul echivalent de c.c. a) schema electrica ; b) circuitul
dupa aplicarea teoremei lui Thevenin.

E B = RB I B + VBE + RE I C (3.8.7)
RB 2 5
unde E B = EC = ⋅ 12 ≅ 1,7 V
R B1 + R B 2 30 + 5
R B = R B1 // R B 2 ≅ 4 ,3 kΩ
Din relaţia (3.8.7):
1,7 − 0 ,6
⋅ 10 − 3 ≅ 6 mA
E B - VBE
IC = =
RB 4 ,3
RE + 0 ,16 +
βF 200
Panta se calculază cu relaţia (3.8.6):
g m = 40 I C = 240 mA / V
27
 IC 6 ⋅ 10 − 3
IB = = = 30 µ A
βF 200
Rezistenţa rπ este:
kT 25 ⋅ 10 − 3
rπ = = ≅ 833Ω
qI B 30 ⋅ 10 −6
R ⋅r 4 ,3 ⋅ 0 ,833
RB // rπ = B π = ≅ 0 ,7 kΩ
RB + rπ 4 ,3 + 0 ,833
Ţinând cont de valoarea lui RB // rπ , pentru rg = 1 kΩ calculul
amplificării se face cu relaţia (3.8.4), iar pentru rg = 50 Ω cu relaţia (3.8.5).
Introducând datele numerice în relaţia (3.8.4), rezultă:
 1⋅ 1  3 0 ,7
A0 = −240 ⋅ 10 − 3 ⋅   ⋅ 10 ⋅ ≅ −49 ,4
 1+ 1 1 + 0 ,7
Din relaţia (3.8.5), pentru rg << R B // rπ , rezultă:
 1⋅1 
A0 = −240 ⋅ 10 − 3 ⋅  3
 ⋅ 10 ≅ −120
 1 + 1
Impedanţa (rezistenţa) de intrare este:
Zi = RB // rπ = 0 ,7 kΩ
Impedanţa (rezistenţa) de ieşire este:
Z o = RC = 1 kΩ

28