Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1.1 Simbol, structura, functionare! TBJ este un dispozitiv semiconductor realizat tehnologic dintr-un
monocristal semiconductor(siliciu sau germanium) care reprezinta o succesiune de trei regiuni
distincte(pnp sau npn), regiunea din mijloc fiind mult mai subtire si dopata cu impuritati de tip diferit
fata de regiunile laterale. Regiunea centrala se numeste baza(notate B), iar regiunile laterale se
numesc emitor(notat E), respective colector(notat C), dupa rolul pe care il au in functionarea
tranzistorului.
1.2 Relatia generala intre curentii din emitor, bazasi collector este:(iE=iB+iC). Mentionam ca un TBJ nu
este echivalent cu doua jonctiuni pn(JE si JC) ci functioneaza independent una fata de cealalta,
montate in series i in sensuri opuse. Functionarea TBJ depinde de modul de polarizare(directa sau
inversa) a celor doua jonctiuni pn. In toatecele 4 regimuri de functionare ale TBJ, idniferent de tipul
acestuia, sunt valabile relatiile generale intre curenti
1.3 In regim active normal(RAN), JE e polarizata direct si JC e polarizata invers. In regim active
invers(RAI), JE e polarizata invers si JC e polarizata direct. In regim de saturatie, ambele jonctiuni JE
si JC sunt polarizate direct, deci nu sunt posibile simplificari si trebuie lucrat cu ecuatiile complete. In
regim de blocare, ambele jonctiuni JE si JC sunt polarizate invers.