Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

4. Tranzistoare bipolare

4.1 Structură şi procese fizice in tranzistorul bipolar (TB)

Tranzistorul este un dispozitiv electronic activ, cu trei terminale, care

realizează o amplificare a semnalelor electrice. Denumirea lui provine din
contracţia cuvintelor transfer rezistor. Există o mare diversitate de
tranzistoare care diferă prin principiul de funcţionare, construcţie,
caracteristici şi parametri.
- tranzistorul bipolar la funcţionarea căruia participă ambele tipuri de
purtători (electroni şi goluri) a fost realizat în 1948 în varianta cu contacte
punctiforme de J. Bardeen şi W. Brattain.
Primul tranzistor cu joncţiuni plane a fost realizat de W. Shockley în
1949 acesta elaborând şi teoria dispozitivului.
Tranzistorul bipolar este constituit din două joncţiuni pn plane conectate
în serie, formând fie o structură npn fie o structură pnp (fig.4.1). Cele trei
regiuni ale structurii poartă denumirea de emitor, bază, colector. În regim
normal de funcţionare joncţiunea emitor-bază este polarizată direct, iar
joncţiunea colector-bază este polarizată invers. Efectul tranzistor constă în
comanda curentului invers în joncţiunea colector-bază de către
curentul direct din joncţiunea emitor-bază. Acest efect are loc dacă cele
două joncţiuni sunt foarte apropiate una de alta astfel încât lungimile de
difuzie ale purtătorilor minoritari sunt mult mai mari decât lărgimea bazei.
Tranzistorul poate fi conectat în trei moduri fundamentale care diferă
prin terminalul comun circuitului de intrare şi celui de ieşire : bază comună
(BC), emitor comun (EC), colector comun (CC).
În continuare se studiază un tranzistor p++n+p în montaj BC (fig.4.2) Se
consideră joncţiunile abrupte şi ideale astfel incât : NAE≫NDB>NAC; în
acelaşi raport se află şi concentraţiile purtătorilor majoritari: pE≫nB>pC.
Dacă se aplică polarizarea normală tranzistorului, atunci procesele decurg
astfel: Joncţiunea E-B este polarizată direct, o mare cantitate de goluri este
injectată din emitor în bază şi datorită gradientului de concentraţie, golurile
difuzează spre colector. Deoarece lărgimea efectivă a bazei este mai mică
decît lungimea de difuzie a golurilor în bază, majoritatea golurilor ajung la
joncţiunea colector-bază, care este polarizată invers şi datorită câmpului
electric intens din regiunea de trecere a acestei joncţiuni, golurile sunt
accelerate spre colector, unde se recombină treptat cu electronii care vin de
la sursa de alimentare. O cantitate mică de goluri se recombină cu electronii
din bază (2), electronii din bază traversează joncţiunea emitor-bază şi se
101
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

recombină cu golurile din emitor (1), de asemenea electronii din colector

traversează joncţiunea colector-bază polarizată invers şi se recombină cu
golurile din bază (3).

Fig. 4.1 Structuri clasice de tranzistoare bipolare

Funcţionarea unui tranzistor n++p+n+ este similară. (n0E≫p0B>n0C) şi

(p0E≪n0B<p0C).
Dacă joncţiunea E-B este polarizată direct, o cantitate mare de electroni
este injectată în bază. Aceşti electroni se deplasează spre colector prin
procese de difuzie şi peste 99% ajung la joncţiunea bază-colector. O mică
parte din electroni se recombină cu golurile de bază.
Electronii care ajung la colector participă la curentul invers prin
joncţiunea colector-bază. Curentul total de emitor are două componente, una
dată de electronii injectaţi din bază iar cealaltă, de goluri care se deplasează
din bază în emitor.

4.2 Expresiile curenţilor din tranzistorul bipolar polarizat în

regiunea activă (Modelul Shockley)

Modelul Shockley are la bază o serie de ipoteze simplificatoare

asemănătoare celor de la joncţiunea pn şi anume:
1. joncţiunile TB sunt abrupte, plan paralele şi ideale;
2. se neglijează procesele de generare şi recombinare în regiunile sărăcite,
recombinările de la contactele ohmice;
102
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

3. nivelele de injecţie ale purtătorilor sunt reduse, concentraţia purtătorilor

minoritari fiind mult mai mică decât cea a purtătorilor majoritari;
4. se neglijează rezistenţele de volum.

Fig. 4.2 Structura unui tranzistor p++n+p şi fluxurile de purtători

În continuare se tratează cazul unui tranzistor n++p+n. Curenţii se

determină ca la dioda ideală urmărindu-se fluxurile de purtători minoritari.
Procesele importante se desfăşoară în bază şi în regiunile învecinate
acestuia. În fig. 4.3 se prezintă: a- structura regiunilor sărăcite, b- con-
centraţiile purtătorilor minoritari şi c- densităţile curenţilor de difuzie.

103
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 4.3 Curenţii în TB a-structura fizică, b-concentraţiile purtătorilor

minoritari, c-curenţii produşi de purtătorii minoritari.

A. Analiza joncţiunii emitor-bază

Curentul total prin această joncţiune este:

I E  I nE  I pE (4.1.)

Componenta de goluri minoritare în exces din emitor descreşte

exponenţial cu distanţa; se poate scrie o expresie de forma [4]:

 VEB  lE  x
 
δp E x   p E x   p 0E  p 0E  e VT  1e LE (4.2)
 
 

pentru x≤-lE
Componenta de goluri a curentului de emitor este dată de:

 dδ p E x  SE qD E p oE  VT 
VEB

I pE  l E   SE qD E    e  1 (4.3)
 dx  x  lE LE  
 
104
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

Calculul componentei InE este diferit de cazul diodei ideale deoarece

w≪LB. Legea de variaţie a concentraţiei electronilor minoritari în exces din
bază se obţine din ecuaţia de continuitate:

d 2 δn B x  δn B x 
 2 0 (4.4)
dx 2 LB

pentru x∊[lB,l1c].
Soluţia ecuaţiei precedente este de forma:

x x

δn B x   n B x   n 0B  A1e LB  A 2 e LB (4.5)

Se utilizează condiţiile la limită:

 VVEB 
δn B l B   n 0B  e T  1 (4.6)
 
 

 VCB 
δn B l1C   n 0B  e VT  1 (4.7)
 
 

Se obţin constantele de integrare:

lB l1C
 
δn B l1C  e  δn B l B  e
LB LB
A1  (4.8)
 w 
2sh 
 LB 

l1C lB

δn l  e L B  δn B l1C  e L B
A2  B B (4.9)
 w 
2sh 
 LB 

w=l1C-lB reprezintă lărgimea efectivă a bazei (vezi fig. 4.3a).

Introducând expresiile (4.8), (4.9) în (4.5) se obţine:

105
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

 VVCB   VEB 
 e T  1 sh x  l B    e VT  1 sh x  l1C 
 
  LB      L B 
δn B x   n 0B     (4.10)
 w 
sh 
 LB 

Rezultă pentru componenta electronică a curentului expresia:

  VVCB 
 V  e T  1 
 dn B x   w   VCBT   
  e  1   
S qD n
I n E l B   S E qD B   E B 0B cth  (4.11)
 dx  x l B LB  B  
L  
 ch   w  

L  
  B
 

Curentul total prin joncţiunea emitor-bază polarizată direct are expresia:

 VEB   VCB 
I E  I nE l B   I pE  l E   a 11  e VT  1  a 12  e VT  1 (4.12)
   
   

unde:

D n  w  D E p 0E 
a 11  S E q  B 0B cth    (4.13)
 L B  L B  LE 

D B n 0B
a 12  S E q
 w  (4.14)
L B sh 
 LB 

B. Analiza joncţiunii colector-bază

I C  I nC  I pC (4.15)

 dδ x 
I nC l1C   SC qD B  nB  (4.16)
 dx  x l1C

106
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

 VEB 
 VT 
 w   e  1  VT
VCB

 e  1
S C qD B n 0B
I nC l1C   cth  (4.17)
LB 
 B  ch 
L  w   
    
  B 
L 

Curentul de goluri se calculează asemănător ca la diodă :

 dδ p x 
I pC l 2C   SC qD C  1 C  (4.18)
 dx  x 2lC

unde:

 VCB  l 2C  x
δ1 p C x    p 0C  e VT  1e LC (4.19)
 
 

reprezintă concentraţia golurilor extrase din colector.

Se obţine:

S C qD C p 0C  VT 
VCB

I pC l 2C    e  1 (4.20)
LC  
 

Curentul total prin joncţiunea colector bază polarizată invers are expresia
generală:

 VVEB   VVCB 
I C  I nC l 1C   I pC l 2C   a 21 e
 T
 1  a 22  e T  1
 (4.21)
   
   

unde:

S C qD B n 0B
a 21 
 w  (4.22)
L Bsh 
 LB 

107
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

 S qD p S qD n  w 
a 22    C C 0C  C B 0B cth  (4.23)
 LC LB  L B 

Dacă SC=SE, rezultă: a21=-a12. Expresiile (4.12) şi (4.21) sunt ecuaţii

generalizate Shockley pentru tranzistorul bipolar. În calculele practice se
introduc următoarele simplificări în ecuaţiile generalizate:

VCB

e VT
 0 (VCB fiind negativ); sh w   w şi ch  w   1
L  L
 B B  LB 

4.3. Mărimi importante la tranzistorul bipolar

În continuare se vor defini o serie de coeficienţi şi mărimi pentru un

tranzistor npn în montaj BC în regim normal de funcţionare la frecvenţe
joase.
a). Câştigul în curent, α0 este cea mai importantă caracteristică a
tranzistorului bipolar şi se defineşte :

dI C
α0  VCB ct (4.24)
dI E

Câştigul în curent al tranzistoarelor este de 0,98÷0,998.

b). Eficienţa emitorului, γ0E se defineşte prin relaţia:

dI nE
dI nE dVEB
γ 0E  VCB ct  VCB ct (4.25)
dI E dI E
dVEB

Efectuând calculele se obţine:

1 1 σ w
γ 0E    1 B
D p L  w  1  σ Bw σ E LE (4.26)
1  E 0E B th 
D B n 0BL E  L B  σ E LE

108
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

σB şi σE sunt conductivităţile electrice ale bazei şi respectiv emitorului,

considerând mobilităţile ca având aceeaşi valoare în regiunile afirmate
(μnB=μnE, μpB=μpE).
Analizând rezultatul se desprind drept concluzii: pentru creşterea eficienţei
emitorului sunt necesare baze foarte înguste şi doparea intensă a emitorului
în raport cu baza pentru ca σB≪σE.
c). Eficienţa bazei, γ0B se defineşte ca:

dI nC
dI nC dVEB
γ 0B  VCB  ct  VCB ct (4.27)
dI nE dI nE
dVEB

Efectuând calculele [4,5] se obţine:

1 w2
γ 0B   1
 w  2L2B (4.28)
ch  
 LB 

O eficienţă sporită a bazei cere la fel ca şi eficienţa ridicată a emitorului,

o bază cât mai îngustă.
d) Coeficientul de multiplicare, M
Dacă tensiunea inversă VCB creşte mult, se observă o creştere a
curentului de colector datorită multiplicării în avalanşă a purtătorilor
minoritari. Aceasta poate fi descrisă prin coeficientul de multiplicare:

1
M m
V  (4.29)
1   CB 
 VSB 

unde VSB reprezintă tensiunea de străpungere a joncţiunii colector-bază în

conexiune BC (m≃6 la Si, m≃ 3 la Ge).
e) Curentul rezidual de colector ICB0
Curentul care străbate joncţiunea colector-bază când curentul de emitor
este nul (IE=0) se numeşte curent rezidual de colector ICB0. Considerând şi
acest curent în circuitul colectorului se poate scrie relaţia importantă:

109
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

I C  α 0 I E  I CB0 (4.30)

Curentul rezidual de colector ICB0 depinde semnificativ de temperatură.

Se dublează la fiecare creştere a temperaturii cu 6°C în cazul siliciului şi cu
9°C în cazul germaniului. Tranzistoarele cu siliciu sunt preferate totuşi,
deoarece au la t=25°C un curent rezidual „iniţial” de cca.10-9A, faţă de10-6A
la tranzistoarele cu germaniu.
În regim de polarizare normală între curenţii care străbat terminalele
tranzistorului este satisfăcută condiţia:

IE  IC  IB (4.31)

f) Câştigul în curent 0 şi curentul rezidual de colector ICE0 în

conexiunea EC. În montaj EC se obţine pentru curentul de colector
introducând (4.31) în (4.30 ) expresia:

α0 I
IC  I B  CB0  β 0 I B  I CE0 (4.32)
1 α0 1 α0

unde:

α0
β0  (4.33)
1 α0

reprezintă câştigul (amplificarea) în curent în montaj EC.

I CE0
I CE0  (4.34)
1 α0

ICEO este curentul rezidual de colector în montaj EC.

β0 are valori uzuale între 20 şi 800, iar ICE0 are valori de ordinul 10-6A, în
unele calcule poate fi neglijat deoarece curenţii normali de colector sunt de
peste 10-3A.
g) Variaţia câştigurilor în curent α0 şi β0 cu mărimea curentului de
emitor. Aceşti coeficienţi au fost calculati în cazul unor joncţiuni ideale şi a
unor nivele mici de injecţie, nerezultând o dependenţă a acestora de curentul
prin tranzistor. Dispozitivele reale prezintă o dependenţă a mărimilor α0 şi

110
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

β0 de curentul prin emitor dată de tipul semiconductorului, geometria

structurii şi tehnologia utilizată la obţinerea dispozitivului.
1) La curenţi de valori mici fenomenele de generare-recombinare din
regiunea sărăcită emitor-bază şi recombinările pe defectele de suprafaţă
devin importante faţă de curentul de difuzie prin bază. Are loc o scădere a
eficienţei emitorului γ0 care conduce la reducerea semnificativă a
coeficienţilor α0 şi β0. (Fenomenul este mai accentuat la tranzistoarele cu
siliciu).
2). La creşterea curentului prin tranzistor componenta de difuzie devine
mult mai importantă, astfel încât mărimile α0 şi β0 cresc monoton atingând
un punct maxim şi apoi scad datorită faptului că la nivele foarte mari de
injecţie concentraţia electronilor din bază devine comparabilă cu cea a
golurilor şi apar procese puternice de recombinare în bază. Apare un câmp
electric tranversal care reduce eficienţa emitorului.

4.4. Ecuaţiile Ebers-Moll

Aceste ecuaţii stabilesc relaţii între curenţii prin tranzistor şi mărimile

direct măsurabile în regim normal de funcţionare a TB (VEB - polarizare
directă, VCB - polarizare inversă) şi în regim invers (VEB - polarizare
inversă, VCB - polarizare directă).
Ecuaţia (4.30) ia formele:

I C  α 0NI E  I CB0 (4.35)

I E  α 0II C  I EB0 (4.36)

unde α 0I este câştigul în curent în conexiune BC pentru regimul invers

( α 0I <α0N).
Ecuaţiile generalizate Shockley (4.12) şi (4.21) se pot scrie în cele două
cazuri astfel:
 Regim normal de funcţionare, dacă se consideră VCB  VT se obţine:

 VEB 
I E  a 11 e VT  1  a 12 (4.37)
 
 

111
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

 VVEB 
I C  a 21 e T  1  a 22 (4.38)
 
 

de unde:

a 21 a a 
IC  I E   21 12  a 22  (4.39)
a 11  a 11 

 Regim invers, dacă se consideră VEB  VT se obţine:

 VVCB 
I E  a 11  a 12  e T  1 (4.40)
 
 

 VVCB 
I C   a 21  a 22  e T  1 (4.41)
 
 

de unde:

a 12 a a 
IE  I C   21 12  a 11  (4.42)
a 22  a 22 

Prin compararea relaţiilor obţinute (4.39), (4.42) cu (4.35) şi (4.36) se

găsesc valorile coeficienţilor aij.

I EB0 α I
a 11   ; a 12   0I CB0
1  α 0N α 0I 1  α 0N α 0I
(4.43)
α 0N I EB0 I CB0
a 21   ; a 22  
1  α 0N α 0I 1  α 0N α 0I

Introducând valorile găsite pentru coeficienţii aij în ecuaţiile Shockley

(4.12) şi (4.21) se obţin ecuaţiile Ebers-Moll:

112
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

I EB0  VVEB  α 0II CB0  VT

VCB

IE   
e 1 
T
e  1 (4.44)
1  α 0Nα 0I   1  α 0Nα 0I 
 



 α 0N I EB0  VT  I CB0  VT 
VEB VCB

IC  
e 1  e  1 (4.45)
1  α 0Nα 0I   1  α 0Nα 0I 
 



Dacă se notează cu:

I EB0
I ES   (4.46)
1  α 0Nα 0I

IES – curentul de saturaţie prin joncţiunea EB cu colectorul scurtcircuitat la

masă.

I CB0
I CS  (4.47)
1  α 0Nα 0I

ICS – curentul de saturaţie prin joncţiunea CB cu emitorul scurtcircuitat la

masă.
Se obţin din ecuaţiile (4.44) şi (4.45) formele utilizate curent în scheme
echivalente:

 VVEB   VVCB 
I E  I ES e  1  α 0II CS  e T  1
 T  (4.48)
   
   

 VVEB   VVCB 
I C  α 0N I ES e  1  I CS  e T  1
 T  (4.49)
   
   

4.5. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Analiza funcţionării tranzistorului bipolar pe baza modelului discutat

conduce la rezultate calitative şi cantitative corecte care permit estimarea
curenţilor prin tranzistor dacă se cunosc tensiunile de polarizare, curenţii
reziduali şi factorii α0N şi α0I. Din punct de vedere practic este mult mai bine
113
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

să se determine prin măsurări caracteristicile statice reale ale dispozitivului

înlăturându-se astfel orice erori datorate modelului precum şi tehnologiilor
de realizare.
Caracteristicile statice exprimă grafic dependenţa dintre curenţii
prin tranzistor şi tensiunile aplicate între terminale în regim static. De
regulă, caracteristicile statice sunt furnizate de producătorii dispozitivelor în
fişe de catalog. Există o dispersie a parametrilor în nişte limite specificate.
Pentru aplicaţii speciale care necesită precizie, utilizatorul poate face singur
măsurările.

TB fiind un dispozitiv cu trei terminale, în general se pot măsura trei

tensiuni şi trei curenţi (fig 4.4). Conform legilor Kirchhoff numai două
tensiuni şi doi curenţi sunt independenţi, celelalte două mărimi, o tensiune şi
un curent sunt determinate de primele.

Fig. 4.4 Tensiunile şi curenţii care pot fi măsuraţi la un TB

Din cele patru mărimi determinante, două se consideră variabile

independente, iar celelalte două funcţii de primele. Rezultă patru familii de
caracteristici care descriu funcţionarea completă a TB. Dacă se notează cele
patru mărimi cu V1, V2, I1, I2 unde indicii 1 se referă la terminalele de
intrare, iar indicii 2 la terminalele de ieşire, din variantele posibile de
exprimare a dependenţelor pentru TB care este un dispozitiv cu comandă în
curent, cele mai utile sunt familiile de caracteristici la care variabilele
independente sunt I1 şi V2 iar funcţii sunt V1 şi I2. Indiferent de tipul
conexiunii (adică de terminalul comun circuitului de intrare şi celui de
ieşire) se scrie:

f11(I1) V2 ct
V1  f1 I1 , V2  
f12(V2) I1  ct
(4.50)

114
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

f21(I1) V2 ct
I 2  f 2 I1 , V2  
f22(V2) I1 ct

TB poate fi conectat în circuit în trei moduri posibile d.p.d.v. al

terminalului comun între intrare şi ieşire conform fig. 4.5.

Fig. 4.5 Modurile fundamentale de conectare în circuit ale tranzistorului

bipolar: a-Bază comună (BC) , b-Emitor comun (EC) , c-Colector comun (CC)

Deşi la trasarea caracteristicilor tensiunile au diferite polarităţi, iar

curenţii sensuri diferite în funcţie de tipul tranzistorului şi de modul de
conectare, există convenţia ca toate caracteristicile să fie reprezentate în
primul cadran.

A. Caracteristicile statice în conexiune BC

Relaţiile (4.50) devin:

VEB  f11 I E  VCB ct intrare (4.51)

VEB  f12 VCB  I E ct reacţie inversă (4.52)
I C  f 21 I E  VCB ct transfer (4.53)
I C  f 22 VCB  I E ct ieşire (4.54)

Pentru a trasa caracteristicile statice în montaj BC la un tranzistor npn se

foloseşte un montaj ca cel din fig. 4.6.
În continuare caracteristicile statice vor fi analizate în ordinea
importanţei lor. Familii tipice de caracteristici pentru un tranzistor npn în
montaj BC sunt redate în fig. 4.7.

115
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

mA mA

E C
M1 M2
- - +
S1 SC S2
+ + VE B VE -
30V M3 M4 0-20V

Fig. 4.6 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice în

conexiune BC la un tranzistor npn

Fig. 4.7 Familii de caracteristici statice la un tranzistor npn tipic de mică

putere în conexiune BC: a- de ieşire; b- de intrare; c- de transfer
d- de reacţie inversă

116
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

a. Familia caracteristicilor de ieşire

I C  f 22 VCB  I E ct

Se observă trei regiuni diferite din punct de vedere al regimului de

funcţionare.
I Regiunea activă unde joncţiunea emitor-bază este polarizată direct, iar
joncţiunea colector-bază este polarizată invers. Pentru o valoare dată a
curentului de emitor IE şi la tensiuni VCB≪VSB se observă o dependenţă
redusă a curentului de colector IC de VCB. Această comportare este
justificată şi de relaţiile (4.44; 4.45; 4.48; 4.49) din care se obţine IC dacă
α0N se notează simplu cu α0:

 VVCB 
I C  α 0 I E  I CB0  e T  1 (4.55)
 
 

La VCB = 0 prin tranzistor circulă curentul IC determinat de IE pentru că

în bază există un gradient de concentraţie al electronilor care provoacă un
curent de difuzie.
II Regiunea de saturaţie, unde joncţiunea colector-bază devine
polarizată direct (la tensiuni sub 1V), având loc o injecţie a electronilor din
colector în bază fapt care duce la scăderea gradientului de concentraţie.
Pentru o anumită valoare a tensiunii directe gradientul de concentraţie al
electronilor devine nul şi curentul de colector IC=0.
III Regiunea de blocare este caracterizată prin polarizare inversă la
nivelul ambelor joncţiuni fapt care conduce la obţinerea curentului rezidual
de colector ICB0.

Observaţie: Regiunile II şi III sunt folosite în regim de comutare pentru

tranzistorul bipolar.
b. Familia caracteristicilor de intrare

VEB  f11 I E  VCB ct

Pentru o valoare dată VCB caracteristica obţinută este asemănătoare cu

cea a unei diode polarizate direct, cu diferenţa că tensiunea de deschidere
are valori mai reduse iar creşterea curentului este mult mai rapidă.
117
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Odată cu creşterea tensiunii VCB , creşte şi gradientul de concentraţie al

electronilor în bază ceea ce conduce la o creştere mai puternică a curentului
IE.
Expresia analitică a dependenţei poate fi obţinută din (4.48):

 1  α α I  VVCB 
VEB  VT ln  0N 0I E
 1  α 0N  e T  1 (4.56)
  I EB0  
 

De obicei în practică se trasează dependenţa:

I E  f11 VEB  VCB ct (4.57)

c. Familia caracteristicilor de transfer

I C  f 21 I E  VCB ct

Dependenţa este liniară, caracteristicile fiind drepte ce trec prin origine

(dacă se neglijează ICB0) şi au panta α0. Se constată experimental o creştere
slabă a curentului IC cu tensiunea VCB, explicabilă prin micşorarea lărgimii
efective a bazei şi creşterea gradientului de concentraţie, elemente care
conduc la o creştere a câştigului de curent α0. La valori mari ale curentului
IE panta caracteristicilor scade deoarece se reduce câştigul de curent α0.
d. Familia caracteristicilor de transfer invers

VEB  f12 VCB I E ct

Prin creşterea tensiunii de colector are loc o micşorare a lărgimii

efective a bazei şi creşterea gradientului de concentraţie a electronilor; V EB
are o uşoară scădere pe măsură ce VCB creşte. Deoarece VEB depinde
neliniar de IE pentru o rată de creştere a parametrului IE caracteristicile nu
sunt echidistante. Această familie de caracteristici se utilizează rar, în
special în circuite de radiofrecvenţă.

B. Caracteristicile statice în conexiune EC

Relaţiile (4.50) devin:

118
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

VEB  f11 I E  VCE ct intrare (4.58)

VBE  f12 VCE  I B ct reacţia inversă (4.59)
I C  f 21 I B  VCE ct transfer (4.60)
I C  f 22 VCE  I B ct ieşire (4.61)

 mA

M1 C M2
+ + +
S1 SC S2
- - VE B VE -
30V M3 E
M4 0-20V

Fig. 4.8 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice în conexiune EC la

un tranzistor npn

În fig. 4.9 sunt prezentate familii de caracteristici statice tipice pentru un

tranzistor npn în conexiune EC.

a. Familia caracteristicilor de ieşire

I C  f 22 VCE  I B ct

Expresia analitică care descrie această familie de caracteristici se obţine

din (4.30), (4.33) şi (4.55).

 VCB 
I C  β 0 I B  β 0  1I CB0  e VT  1 (4.62)
 
 

unde s-au făcut notaţiile β0N=β0, iar VCB=VCE-VBE. Se constată trei regimuri
de funcţionare:
119
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 4.9 Familii de caracteristici statice la un tranzistor npn tipic de mică

putere în conexiune EC: a- de ieşire, b- de intrare, c- de transfer,
d- de reacţie inversă

I. Regiunea activă în care joncţiunea emitor-bază este polarizată direct

iar joncţiunea colector-bază invers. Panta caracteristicilor este mult mai
mare ca la conexiunea BC fapt ce indică influenţa tensiunii VCE asupra
curentului prin tranzistor prin efect Early (variaţia lărgimii efective a bazei)
şi prin coeficientul de amplificare al curentului din bază (4.33). O
modificare mică a câştigului α0 antrenează o modificare importantă a
câştigului β0.
II. Regiunea de saturaţie este situată în cadranul unu şi apare la tensiuni
VBE  VCE Dacă ambele joncţiuni sunt polarizate direct se produce o
creştere a curentului de bază, iar pentru a menţine parametrul IB=ct se
reduce tensiunea VBE care conduce la anularea curenţilor IE şi IC.
III. Regiunea de blocare este cuprinsă între caracteristica IB=0 şi
abscisă. Curentul care străbate tranzistorul este:

120
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

I C  β 0  1I CB0  I CE0

La tranzistoarele de bună calitate curentul ICE0 este foarte redus ICE0<10-6A

(la siliciu).

b. Familia caracteristicilor de intrare

VBE  f11 I B  VCE ct

De obicei în practică se studiază dependenţa:

I B  f11 VBE  VCE ct (4.63)

Forma acestor caracteristici se aseamănă cu caracteristica diodei ideale.

Deosebirea constă în aceea că pentru tensiuni VCE>0 caracteristicile nu
pornesc din origine. Explicaţia poate fi dată pornind de la relaţiile (4.30) şi
(4.31) din care rezultă:

I B  I E  I C  1  α 0 I E  I CB0 (4.64)

Dacă VBE = 0 rezultă IE = 0 şi IE = -ICB0.

Influenţa tensiunii VCE este semnificativă în domeniul tensiunilor mici
când joncţiunea colector-bază trece de la polarizarea directă la cea inversă.
Din relaţia (4.64) se constată că pentru un VBE dat, curentul IE rămâne
constant. La creşterea tensiunii VCE, apare o creştere a lui IC (prin creşterea
lui α0 şi β0 cu VCE) şi astfel IB scade.

c. Familia caracteristicilor de transfer

I C  f 21 I B  VCE  ct

Dacă se neglijează ICE0 caracteristicile de transfer sunt drepte ce trec

prin origine şi au panta β0 atât timp cât tensiunea VCE este suficient de mare
ca tranzistorul să nu intre în saturaţie iar nivelul de injecţie este moderat.
Pentru VCE ≤ VBE coeficientul β0 scade mult, fapt care conduce la
diminuarea lui IC. La valori mari ale lui IB se constată o scădere a curentului
IC datorată reducerii câştigului β0.
121
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

d. Familia caracteristicilor de transfer invers (reacţie)

VBE  f12 VCE  I B ct

Pentru domeniul de valori VCE  VBE reacţia inversă este foarte puternică. La
tensiuni VCE mari, reacţia inversă scade dar este mai puternică decât în
conexiunea BC deoarece VCE acţionează parţial şi asupra joncţiunii emitor-
bază.

4.6. Polarizarea tranzistorului bipolar. Circuite de polarizare

pentru TB

Un circuit de polarizare trebuie să asigure anumite tensiuni pe

terminalele tranzistorului şi prin curenţii care se stabilesc să fixeze punctul
static de funcţionare (PSF) impus de funcţia pe care tranzistorul trebuie să
o îndeplinească. De obicei punctul static de funcţionare este fixat în familia
caracteristicilor de ieşire reale ale tranzistorului pe baza caracteristicilor date
in catalog pentru tranzistorul considerat. În continuare se vor prezenta
scheme tipice de polarizare pentru un tranzistor npn în conexiune EC
analizându-se performanţele legate de asigurarea stabilităţii PSF caracterizat
prin: tensiunea colector-emitor VCEQ, curentul de colector ICEQ şi curentul de
bază IBQ.

Fig. 4.10 Caracteristici de ieşire si alegerea PSF la un TB (BC 107) în

montaj EC

122
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

În fig. 4.10 sunt prezentate caracteristicile statice de ieşire pentru

tranzistorul BC107 şi este construită dreapta de sarcină corespunzătoare
unei tensiuni de alimentare VCC = 25V şi unei rezistenţe de colector care
conduce la ICMAX = 50mA. Pentru a impune un punct static de funcţionare
caracterizat prin VCEQ, ICEQ şi IBQ se poate utiliza una din următoarele
variante de scheme de polarizare.
a. Circuit de polarizare fără stabilizarea PSF
Schema este prezentată în fig. 4.11 şi conţine în afară de tranzistorul
npn două rezistoare: RC conectat la sursa +VCC in serie cu circuitul de
colector al tranzistorului şi care este chiar rezistenţa de sarcină, şi RB
conectat tot la +VCC care asigură curentul necesar bazei IBQ pentru a fixa
curentul şi tensiunea în circuitul de ieşire la valorile ICEQ şi VCEQ.

+VCC
IC

RB RC

IB C

VCE
B
E

Fig. 4.11 Montaj simplu de polarizare cu rezistor de injecţie

al curentului de bază IB direct de la +VCC

Dreapta de sarcină stabileşte legătura dintre mărimile din circuitul de

ieşire pe baza legii a doua a lui Kirchoff.

VCC  I C R C  VCE (4.65)

În circuitul de intrare se poate scrie o expresie similară în baza legii a

doua a lui Kirchoff:

VCC  I B R B  VBE (4.66)

De regulă punctul de funcţionare este bine să fie ales în mijlocul

regiunii active (ca în fig. 4.10) pentru că în acest fel se asigură excursia

123
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

maximă şi simetrică a tensiunii la ieşire (tensiunea VCE poate să crească sau

să scadă cu aceeaşi cantitate în jurul valorii VCEQ).
Scriind relaţiile (4.65) şi (4.66) pentru cazul PSF se determină valorile
rezistoarelor:

VCC  VCEQ
RC  (4.67)
I CQ

VCC  VBEQ VCC  VBEQ

RB  
I BQ I CQ (4.68)
β0

În acest mod se calculează elementele schemei care asigură PSF dorit.

Se observă că, dacă β0 se modifică (de obicei de la un exemplar la altul de
tranzistor datorită dispersiei statistice), rezultă o modificare importantă a
PSF. De aceea în montajele reale se folosesc pentru polarizarea TB scheme
cu stabilizare a PSF în raport cu β0 şi cu temperatura.
b. Circuit de polarizare cu stabilizarea parţială a PSF
Acest tip de circuit este prezentat în fig. 4.12.
+VCC

RCC
RB

C IC
IB
VCE
B
E

Fig. 4.12 Circuit de polarizare cu rezistor de injecţie al

curentului în bază din colectorul tranzistorului

Din aplicarea legilor lui Kirchoff se obţine:

V  VCEQ VCC  VCEQ
R C  CC  (4.69)
I CQ  I BQ I CQ

124
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

VCEQ  VBEQ VCEQ  VBEQ

RB   (4.70)
I BQ I CQ

Deosebirea faţă de montajul precedent este că aici curentul de bază nu

este fixat ci este dependent de tensiunea VCE a tranzistorului:

VCE  VBE
IB  (4.71)
RB

Apare o reacţie negativă în polarizarea circuitului de intrare care

acţionează în sensul menţinerii PSF în poziţia aleasă iniţial. Mecanismul de
stabilizare poate fi descris prin următorul lanţ cauzal (o săgeată ↑ indică o
creştere a mărimii care o precede, iar o săgeată ↓ indică o scădere).

β 0  I C  VCE  I B  I C  (4.72)

β0 creşte şi cu temperatura astfel încât acelaşi mecanism stabilizează termic

PSF.
c. Circuit de polarizare cu stabilizare totală a PSF
Schema este prezentată în fig. 4.13.
+VCC
IC
RB1 RC

C
IB
VCE
B
E
RB2 RE

Fig. 4.13 Schema circuitului de polarizare cu stabilizare totală a PSF

Specificul acestui montaj constă în utilizarea divizorului RB1, RB2 pentru

polarizarea bazei şi prezenţa rezistorului de reacţie RE în emitorul
tranzistorului. Ecuaţia dreptei de sarcină a TB se scrie în acest caz:

125
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

VCC  I C R E  R C   VCE (4.73)

Aceasta este prezentată în fig. 4.14 prin tăieturi la axe.

Ic
Vcc
RE +RC

PSF (ICQ ,IBQ ,VCEQ)

ICQ

VcE
VcEQ Vcc

Fig. 4.14 Dreapta de sarcină în cazul montajului

cu stabilizarea totală a PSF

Divizorul constituit cu rezistoarele RB1 şi RB2 menţine baza la o valoare

a tensiunii pentru care joncţiunea bază-emitor este polarizată în PSF dorit.
Dacă dintr-o cauză oarecare curentul de colector are tendinţa să crească, va
creşte şi căderea de tensiune pe rezistorul RE, fapt care antrenează o
diminuare a tensiunii de comandă a bazei şi menţinerea lui IC la valoarea
iniţială.
Din punct de vedere practic căderea de tensiune pe RE trebuie să fie mică în
R
raport cu VCEQ. În mod curent C  10  15 .
RE
Pentru a analiza uşor acest montaj de polarizare cu PSF este convenabil
să efectuăm o transformare a acestuia la o schemă echivalentă utilizând
Teorema Thévènin. Deoarece această teoremă se foloseşte des în rezolvarea
simplificată a circuitelor electronice o reamintim în continuare.

Fig. 4.15 Transformarea Thévènin

126
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

Teorema Thévènin se aplică atunci când într-o reţea electrică

complicată interesează determinarea unui curent printr-o anumită latură.
Curentul IS, printr-o impedanţă ZS conectată la o reţea electrică liniară şi
activă între punctele a şi b, (vezi fig.4.15) reţeaua conţinând n surse de
tensiune şi m impedanţe, rămâne neschimbat dacă reţeaua este înlocuită cu o
sursă ideală de tensiune V0, în serie cu o impedanţă ZT unde V0 reprezintă
tensiunea de mers în gol între punctele a şi b (ZS fiind deconectată), iar ZT
este impedanţa între punctele a şi b când ZS este deconectată şi sursele de
tensiune sunt înlocuite prin impedanţele lor interne (dacă impedanţa unor
surse este nulă bornele respective se scurtcircuitează).
Aplicând teorema Thévènin circuitului de polarizare din fig. 4.13 se
obţine schema echivalentă din fig. 4.16.

Fig. 4.16 Aplicarea teoremei Thévènin montajului de polarizare cu

stabilizarea PSF şi obţinerea schemei echivalente

R B2
VB  VCC (4.74)
R B1  R B2

R B1  R B2
RB  (4.75)
R B1  R B2

Folosind schema echivalentă realizată prin această transformare

calculele legate de determinarea elementelor din schema de polarizare se
simplifică foarte mult.

127
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

4.7 Comportarea dinamică a tranzistorului bipolar. Regimul de

semnal mic

Regimul dinamic este specific funcţionării dispozitivelor electronice. În

cele ce urmează se va face referire la funcţionarea cu semnale analogice,
când mărimile de intrare şi ieşire au o variaţie continuă în timp. Parametrii
de semnal mic care vor fi introduşi se utilizează la stabilirea performanţelor
atinse de dispozitiv.
În regim dinamic, peste componentele continue VBE, IB, VCE, IC se
suprapun componente variabile în timp: vbe, ib, vce, ic.
Se presupune schema de conectare a TB în montaj BC din fig. 4.17.

Fig. 4.17 Componentele continue şi cele de semnal la un TB în montaj BC

Valorile instantanee ale mărimilor care definesc punctul dinamic de

funcţionare al tranzistorului sunt:

vBE = VBE+vbe
iB = IB+ib
iC = IC+ic
vC = VC+vc (4.76)

Funcţionarea se explică astfel: datorită aplicării pe circuitul de intrare

BE a unei tensiuni variabile vbe suprapusă peste tensiunea de polarizare
VBE,, curentul de bază capătă pe lângă componenta continuă de polarizare
IB, o componentă de semnal ib. Aceasta va produce în circuitul colectorului
o variaţie cu ic a curentului de polarizare IC. Căderea de tensiune pe RL va
deveni şi ea variabilă, conducând la componenta de semnal vc.

128
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

În fig. 4.18 se prezintă modul în care un tranzistor bipolar realizează

amplificarea unui semnal liniar variabil într-un caz concret. Sunt date
caracteristicile de ieşire ale tranzistorului cu siliciu BC108 polarizat în
montaj EC şi având VCC=20V, RB=50KΩ, RL=2KΩ, pentru care se obţine o
dreaptă de sarcină ce intersectează axele la IC=10mA şi VCE =20V. Dacă se
consideră punctul static la IB=10μA, IC=3mA şi VCE=14V, şi se aplică
semnalul liniar variabil triunghiular având valoarea minimă la 10μA şi cea
maximă la 20μA se obţine o variaţie a curentului de colector tot de aceeaşi
formă cuprinsă intre 3 şi 5,5 mA.Curentul IC este imaginea amplificată şi
nedistorsionată a semnalului de intrare. Se observă totodată că tensiunea
amplificată este defazată cu 180° faţă de semnalul de la intrare. La variaţia
curentului de ieşire tensiunea VCE evoluează între 14V şi 8,1V.

Fig. 4.18 Amplificarea unui semnal triunghiular cu TB în montaj EC

Un caz particular important în analiza circuitelor electronice este cel al

regimului dinamic de semnal mic. Dacă semnalul vbe are valori suficient de
mici în permanenţă încât punctul dinamic de funcţionare M(vBE, iB, vCE, iC),
să evolueze într-un domeniu restrâns de valori în care porţiunile
caracteristicii statice să poată fi asimilate cu segmente de dreaptă, atunci
componentele de semnal ib, ic şi vce sunt proporţionale cu vbe. Regimul de

129
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

semnal mic este un regim liniar pentru componentele de semnal. În acest

regim semnalele nu sunt deformate.
În regiunea activă directă curenţii iB şi iC depind de vBE după o lege de
tip exp (vBE/VT) astfel încât condiţia de semnal mic la nivelul joncţiunii pn
impune:
v BE ≪ VT (4.77)
De obicei un semnal mic impune o amplitudine sub 10mV.

4.7.1 Parametrii naturali ai tranzistorului bipolar. Schema

echivalentă naturală în montaj bază comună

Aceşti parametri caracterizează comportarea TB în regim lent variabil

de semnal mic şi exprimă legătura între variaţii mici ale tensiunilor şi
curenţilor în jurul valorilor din punctul static.
În continuare se prezintă aceşti parametri pentru un TB tip pnp în
montaj BC.
a) Rezistenţa diferenţială a emitorului , re:

1 dI E
re   VCB ct (4.78)
g e dVEB

Ţinând cont de (4.12) se poate arăta că [7]:

IE
ge  (4.79)
VT

b) Capacităţile joncţiunilor
În regim normal de funcţionare joncţiunile TB au atât capacităţi de
barieră cât şi de difuzie. Capacităţile de difuzie prezintă particularităţi. În
bază, la polarizarea directă a joncţiunii emitor-bază, se acumulează purtători
minoritari în exces. Apare o variaţie a acestei sarcini în exces datorită lui
VEB care se poate modifica schimbând numărul purtătorilor injectaţi, şi
datorită variaţiei lui VCB care conduce la variatia lărgimii efective a bazei.
Sarcina totală din bază este:
QB  qPB (4.80)

unde PB este numărul golurilor din bază. PB se obţine prin integrarea funcţiei
pB(x) între limitele (lB, lC). Ştiind că w≪LB şi că pB(lc)≃0, se poate
130
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

considera o variaţie liniară a concentraţiei de goluri între limitele alese. Se

obţine:
VEB
wSpOB VT
pB  e (4.81)
2
şi:
VEB
qwSpOB VT
QB  e (4.82)
2

În tranzistor apare efectul Early care conduce la dependenţa:

w  f VCB  (4.83)
deci şi:

QB  f VEB ,VVCB  (4.84)

QB QB
dQB  dVEB  dVCB (4.85)
VEB VCB

Primul termen defineşte capacitatea de difuzie a joncţiunii emitor-bază:

VEB
QB wqSpOB VT
C dEB   e (4.86)
VEB 2VT

Printr-o serie de simplificări datorate valorilor reale se ajunge la:

w 2 I PE w2 I E w2
CdEB    ge (4.87)
2 DB VT 2 DBVT 2 DB

Al doilea termen din relaţia (4.85) defineşte capacitatea de difuzie din

joncţiunea colector-bază:

QB QB w wI E w
CdCB    (4.88)
VCB w VCB 2 DB VCB

131
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

c) Coeficientul Early (de reacţie în tensiune):

dVEB Cd CB VT w
 I E  ct   (4.89)
dVCB Cd EB w VCB

d) Conductanţa diferenţială a joncţiunii colector-bază, gC:

1 dI  0 I CO
g C   C I EB ct   I E  (4.90)
rC dVCB VCB VCB

e) Conductanţa diferenţială colector-emitor, gCE:

dI E I E w
g CE  VEB  ct  (4.91)
dVCB w VCB
f) Transconductanţa gm:

I C I I
gm    C  0 E (4.92)
VBE VEB rE

g) rezistenţa distribuită a bazei rBB' reprezintă rezistenţa ohmică de volum,

măsurată între contactul ohmic al bazei şi un punct B' situat în mijlocul
bazei.

În fig. 4.19 este prezentată schema echivalentă a TB la frecvenţe joase şi

semnale mici în montaj BC.

Fig. 4.19 Schema echivalentă a TB la frecvenţe joase şi semnale mici în

montaj BC.

132
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

La aceasta se ajunge prin diferenţierea curenţilor IE=f1(VEB, VCB) şi

IC=f2(VEB, VCB) în jurul valorilor iniţiale stabilite de punctul static VEBQ,
VCBQ, IEQ, ICQ.
I I
dI E  E dVEB  E dVCB (4.93)
VEB VCB

Derivata parţială I E / VCB se poate scrie sub forma:

I E I w
 E (4.94)
VCB w VCB

Din (4.89) rezultă:

w w
 (4.95)
VCB V P

şi efectuând derivata lui IE în raport cu w în condiţia w≪LB rezultă:

I E I
 E (4.96)
w w

Relaţia (4.94) devine:

I E 
 (4.97)
VCB re

Fiind în condiţii de liniaritate se poate trece de la diferenţiale la creşteri

finite reprezentate sub forma valorilor instantanee ale componentelor
alternative. Relaţia (4.93) se scrie:

v eb 
ie   v cb (4.98)
r e re

Sub altă formă:

veb  ie re  veb (4.99)

133
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Relaţiile (4.98) şi (4.99) descriu circuitul de intrare al schemei

echivalente din fig. 4.19.
Analizând circuitul de ieşire se procedează analog:

I C I
dI C  dVEB  C dVCB (4.100)
VEB VCB

Se ştie expresia curentului de colector:

I C   0 I E  I CO

şi datorită faptului că α0 şi ICO depind puternic numai de VCB expresia

(4.100) devine după trecerea la elemente finite:

ic   0 ie  g C v cb (4.101)

Sursa de curent α0ie din circuitul colectorului este determinată de

valoarea semnalului ie produs pe circuitul de intrare al emitorului, fiind deci
o sursă de curent controlată prin curent. Dependenţa caracteristicii de intrare
de tensiunea de ieşire colector-bază este modelată prin sursa de tensiune
μvcb în serie cu rezistenţa de intrare a emitorului. Aceasta este o sursă de
tensiune controlată în tensiune. În circuitele reale, coeficientul de reacţie μ
fiind foarte mic, sursa μvcb se neglijează, schema echivalentă devenind mai
simplă.
O schemă echivalentă care ţine cont de capacităţile joncţiunilor este
schema echivalentă naturală Early, prezentată în fig. 4.20.

Fig. 4.20 Schema echivalentă Early pentru TB în montaj EC

134
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

C E  CbEB  CdEB (4.102)

CC  CbCB  CdCB (4.103)

Utilizând schema echivalentă Early se pot descrie procesele fizice din

TB şi exprima parametrii de cuadripol (vezi 4.7.2) în funcţie de parametrii
naturali α0, re, gc, μ, rbb',CE si CC.

4.7.2 Parametrii hibrizi ai tranzistorului bipolar.

Pentru calculul circuitelor de amplificare, oscilaţie, comutare, filtrare

ş.a. realizate cu TB, se utilizează schemele de cuadripol. În funcţie de tipul
circuitului electronic şi de regimul de funcţionare al TB schemele
echivalente pot fi liniare (de semnal mic) sau neliniare. În continuare se
prezintă scheme echivalente (modele) de semnal mic cu parametrii hibrizi
(parametrii h).
Indiferent de conexiune, TB poate fi privit ca un cuadripol (reţea
electrică) la care se disting patru borne accesibile, două la intrare şi două la
ieşire. Cele trei tipuri de conexiuni fundamentale ale TB au fost prezentate
în fig. 4.5
Sub formă generală, mărimile de intrare şi de ieşire au o componentă
continuă şi una variabilă (de semnal),

vI = VIQ + Δ vI , vII = VIIQ + Δ vII

( 4.104)
iI = I IQ + Δ iI , iII = IIIQ + Δ iII

unde, VIQ, I IQ, VIIQ, I IIQ reprezintă valorile continue ce definesc punctele
statice de funcţionare; vI, i I, vII,  i II sunt variaţii ale mărimilor
respective în jurul valorilor continue. Condiţia de semnal mic presupune: vI
<< VIQ, i I << I IQ, vII << VIIQ, i II << I IIQ. Parametrii h se obţin dacă
mărimile i I şi v II sunt considerate variabile independente, iar v I şi i II funcţii;
se poate scrie:

vI = f 1 (iI , vII )
( 4.105)
iII = f 2 (iI , vII )

135
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Dacă i I şi v II prezintă variaţii în jurul valorilor IIQ şi VIIQ, atunci şi v I, i II

vor prezenta variaţii în jurul valorilor VIQ şi IIIQ. Pentru a stabili legătura între
variaţiile tensiunilor şi curenţilor se efectuează o dezvoltare în serie Taylor a
expresiilor (4.105), în care se neglijează apoi termenii de ordin superior;
rezultă:

vI  vI |Q + h11 Δ iI  h12 Δ vII

(4.106)
iII = iII |Q + h 21 Δ iI + h 22 Δ vII

unde mărimile:

vI |Q = VIQ , iII |Q = IIIQ (4.107)

 vI  vI
h11 = , h12 = |Q
 i1  v II
Q

(4.108)
 iII 
h 21 = |Q , h 22 = iII |Q
 iI  v II

reprezintă parametrii h ai TB. Presupunând că variaţiile iI, vI. vII, iII

reprezintă componente de semnal, ele pot fi notate prin valorile instantanee
alternative

Δ iI = i1 , Δ iII = i2
(4.109)
Δ vI = v1 , Δ vII = v2

Ţinând cont de (4.104), din (4.106) se scoate:

v1 = h11i1 + h12 v2
(4.110)
i2 = h 21i1 + h 22 v2

parametrii h au un caracter diferenţial.

Relaţiile (4.110) pot fi particularizate pentru cele trei tipuri de conexiuni:

-conexiunea BC, h b:

136
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

veb = h11b ie + h12b vcb

(4.111)
ic = h 21b ie + h 22b vcb

-conexiunea EC, h e:

vbe = h11e ib + h12e vce

(4.112)
ic = h 21eib + h 22e vce

-conexiunea CC, h c:

vbc = h11c ib + h12c vec

(4.113)
ie = h 21cib + h 22c vec

Schemele echivalente corespunzătoare sunt reprezentate în fig.4.21.

Sursele de tensiune şi de curent din aceste scheme sunt controlate (dependente)
astfel încît valorile lor depind de curenţii şi tensiunile la terminalele
tranzistorului. Trebuie observat că schemele echivalente prezentate se referă
numai la componentele alternative de semnal ; parametrii h11 şi h21 se
determină în condiţii de scurtcircuit la ieşire, iar h12 şi h22 în condiţii de gol la
intrare.
ie h11 b ic

ve b h v
22b
h1 2 bvc b h i
21b e

h 11 e c
b

v h v
be 22e ce
h1 2 evc e h2 1 ei

ib 11 c ie

v h v
bc 22c ec
h1 2 vc e c h2 1 ci

Fig. 4.21 Scheme echivalente cu parametri h pentru TB

137
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Parametrii h pentru conexiunea EC

În cazul conexiunii EC care este cea mai des folosită în practică,

parametrii hibrizi h la frecvenţe joase sunt prezentaţi curent în cataloage şi au o
semnificaţie fizică clară .

Fig. 4.22 Schema care permite definirea parametrilor h ai TB în montaj EC

Tranzistorul din fig. 4.22 este polarizat în regiunea activă în punctul static
PSF (VCEQ, ICQ, IBQ). Se aplică la intrare un semnal mic de joasă frecvenţă vbe
şi o rezistenţă de sarcină la ieşire RC. Ca urmare peste componentele continue
se suprapun componentele alternative bbe, ib, ic, vce. Considerând expresiile
(4.112) care descriu funcţionarea cuadripolului în această conexiune rezultă
definiţiile parametrelor h:
 rezistenţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit:

vbe
h11e  vce 0 (4.114)
ib

 factorul de reacţie în tensiune cu intrarea în gol:

vbe
h12e  ib 0 (4.115)
vce

 factorul de amplificare de curent cu ieşirea în scurtcircuit:

ic
h21e  vce 0 (4.116)
ib

 conductanţa de ieşire cu intrarea în gol:

138
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

ic
h22e  ib 0 (4.117)
vce

Afară de sistemul de parametri h, la TB se pot defini, de asemenea,

parametrii y şi z care se utilizează mai rar.

4.8. Caracteristici de frecvenţă la tranzistorul bipolar

Este de la sine înţeles că funcţionarea tranzistorului bipolar va depinde

semnificativ de frecvenţa semnalelor pe care le prelucrează. Există o frecvenţă
limitată numită frecvenţă de tăiere, fα1 , la care amplificarea tranzistorului
scade cu 3dB. Frecvenţa de tăiere este legată de structura reală a TB prin
mecanismele fizice de funcţionare ale acestuia. Se poate face o modelare prin
introducerea unei constante globale de timp care să descrie procesele dintre
emitor şi colector τce:

1
f1  (4.118)
2 ce

Constanta de timp globală este dată de [25]:

 ce   e   b   c (4.119)

 Constanta de timp datorată emitorului τe are forma:

 e  re ce (4.120)

şi este datorată regiunii de sarcină spaţială emitor-bază. Se poate găsi:

1
f e1  (4.121)
2re ce

 Constanta de timp a bazei τb este dată de timpul de tranzit al purtătorilor

prin bază. Se obţine pentru frecvenţa de tăiere a bazei o expresie de forma
[29]:

139
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

1 D pb
f b1   (4.122)
2 b w 2

 Constanta de timp a colectorului are două componente; una dată de timpul

de tranzit al purtătorilor prin sarcina spaţială bază-colector care are lărgimea x,
iar a doua datorată încărcării capacităţii de colector:

x
c   rc Cc (4.123)
2v e

ve este viteza limită de drift a purtătorilor. La tensiunile reale de colector, ve

creşte, iar Cc scade; constanta de timp a colectorului fiind redusă, se poate
neglija. Frecvenţa de tăiere a tranzistorului este determinată de constantele de
timp  e şi  b .
Frecvenţa limită la care poate funcţiona un tranzistor bipolar este dată de
viteza de sarcină prin bază şi de fenomenul de împrăştiere a purtătorilor pe
fononi, defecte, impurităţi.
O explicaţie fizică a frecvenţelor de tăiere porneşte de la consideraţia că în
cazul frecvenţelor joase semiperioada (1/2f) tensiunii altenative din colector
este mult mai mare decît timpul necesar purtătorilor să ajungă la colector.
Dacă frecvenţa semnalului amplificat creşte, de la o anumită valoare, semnul
tensiunii din colector poate să se schimbe înainte ca purtătorii corespunzători
să ajungă în colector în timpul alternanţei pozitive. Apare o frânare şi o
întoarcere a acestora spre emitor care conduc la scăderea semnalului
amplificat. Concluzii interesante privind limitările de frecvenţă la TB sunt
prezentate în lucrările [7, 29]. Pentru a micşora timpul de tranzit al purtătorilor
prin bază se realizează tranzistoare cu baze foarte subţiri, fapt ce conduce şi la
creşterea lui α0. Există şi tranzistoare drift la care doparea este neuniformă în
bază, de obicei exponenţială, concentraţia având valoare maximă lângă emitor
şi foarte mică lângă colector. Rezultatul acestei dopări este apariţia unui curent
de difuzie şi a unui câmp electric suplimentar care accelerează trecerea
purtătorilor minoritari prin regiunea bazei, conducând la mişcarea constantă τb.
O altă cale de mărire a frecvenţei de lucru este micşorarea capacităţilor
proprii joncţiunilor precum şi a rezistenţelor admise de volum ale bazei şi
colectorului. Tehnologiile planare şi planar-epitaxiale (vezi cap. 7) au permis
reducerea dimensională a joncţiunilor la câţiva micrometri fapt care atrage
scăderea mărimilor respective. Deasemenea, geometrii speciale ale joncţiunilor
asigură creşterea frecvenţei de lucru. Pentru creşterea vitezei limită se

140
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

utilizează materiale semiconductoare cu mobilităţi ridicate ale purtătorilor (ex.

GaAs); sunt realizate tranzistoare tip HEMT (High Electronic Mobility
Tranzistor).
Tranzistoarele bipolare actuale lucrează la frecvenţe ce pot atinge
2÷10GHz. În tabelul 4.1 sunt prezentate câteva caracteristici importante pentru
tranzistoare de radiofrecvenţă.

Tabelul 4.1 Caracteristici comparate la tranzistoare de radiofrecvenţă

Tip
fα Pd β VCBO VCEOMAX ICMAX
tranzistor Producător
(GHz) (mW) (tip) (V) (V) (mA)
-toate npn-
2SC4726P ROHM 3,2 150 120 20 11 50
BFT92 SIEMENS 5,0 200 120 20 12 35
BFP183 SIEMENS 8,0 450 110 20 12 65
BFR193 SIEMENS 8,0 580 100 20 12 80
2N5835 IPRS 2,5 200 - - 10 10

Trebuie observat că datorită îngustării bazei tensiunile de lucru scad

semnificativ (UCEOMAX < 15V). O atenţie specială se acordă alegerii capsulei în
care se montează tranzistorul deoarece aceasta poate introduce elemente
parazite suplimentare care reduc frecvenţa de funcţionare.

4.9 Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de comutaţie

Un regim special de funcţionare al TB este cel de comutator când trece din
regiunea de tăiere (blocat) în regiunea de saturaţie (conducţie). În fig. 4.23 se
prezintă circuitul de polarizare al unui tranzistor npn în montaj EC care
funcţionează în regim de comutaţie.

Fig. 4.23 Montaj de polarizare la TB în regim de comutaţie

141
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Ca urmare a fenomenelor fizice discutate în paragraful precedent, orice

semnal sub formă de impuls dreptunghiular aplicat la intrarea tranzistorului va
apărea întârziat şi deformat în colector. Cu cât frecvenţa creşte, cu atât
deformarea va fi mai accentuată datorită deplasării neuniforme a purtătorilor în
regiunea bazei.
În fig. 4.24 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale unui TB de mică
putere în montaj EC şi regiunile între care are loc comutarea.
Dacă pe baza tranzistorului nu există semnal prin bază va circula numai
curentul de colector IR ≈ ICBO. Curentul de colector este practic nul: IC ≈ O. (La
un TB cu siliciu ICBO < 10-6A). Această stare de blocare realizează condiţia de
comutator deschis (punctul D din fig. 4.24).
Dacă pe baza tranzistorului se aplică o tensiune pozitivă suficient de mare
( peste 0,7V pentru un TB cu siliciu), sub forma unui impuls dreptunghiular,
atunci curentul IB are o valoare suficientă pentru a deplasa punctul de
funcţionare în C, prin apariţia unui curent de colector IC=βIB, provocând astfel
starea de saturaţie când se realizează condiţia de comutator închis.

Fig. 4.24 Caracteristicile statice de ieşire ale TB în montaj EC şi zonele de

lucru în regim de comutaţie

La intrarea în saturaţie tensiunea VCE este de 0,2÷0,5V. Se poate

determina curentul de saturaţie cu relaţia:

142
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

VCC  VCESAT
I CS  (4.124)
RC

Comutatorul cu TB este eficient şi nu conduce la pierderi de putere numai

dacă saltul se face între starea D şi starea C, tranzistorul trecând rapid prin
regiunea activă.
Durata comutării este determinată de procesele legate de timpul de tranzit
al purtătorilor şi de acumularea de sarcini în bază. Pentru asigurarea unui
comutări rapide şi sigure, de regulă pentru blocarea TB se aplică pe bază o
tensiune negativă. În fig. 4.25 se prezintă formele de semnal în cazul unui TB
tip npn în montaj EC în regim de comutaţie.
Pentru trecerea de la punctul C la punctul D (de la comutator închis la
comutator deschis) este necesară evacuarea sarcinii în exces din regiunea
bazei. Un timp curentul de colector va rămâne aproximativ constant până
sarcina este evacuată (timp de stocare ts). Urmează scăderea la ICBO a
curentului de colector (timp de scădere tc- de la ICM la 0,1ICM).

Fig. 4.25 Formele semnalelor la TB tip npn în montaj EC

143
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Timpul total de comutaţie inversă este:

ti  t s  t c (4.125)

Trecerea de la punctul D la punctul C (de la comutator deschis la

comutator închis) este legată de capacităţile joncţiunilor, de timpul de tranzit al
purtătorilor în bază. Timpul de difuzie al purtătorilor în bază fiind finit, va
introduce o întârziere tî, după care urmează un timp de creştere, tr a curentului
de colector la valoarea ICM (se ia de obicei 0,9ICM). Timpul de creştere este
legat de contribuţia mărimii α0 şi a capacităţilor TB. Timpul total de comutare
directă este:

t d  tî  t r (4.126)

Ca valori concrete se constată că ti > td, iar contribuţia esenţială este adusă
de ts (timpul de stocare). Pentru a reduce ts se previne intrarea tranzistorului
într-o saturaţie profundă şi se utilizează doparea bazei cu aur care crează centri
de captură suplimentari reducând timpul de viaţă al purtătorilor în exces. De
regulă toate cele menţionate la paragraful precedent legate de creşterea
frecvenţei de lucru a TB rămân valabile pentru regimul de comutaţie.
De obicei în cataloage se dau timpul de intrare în conducţie (saturaţie) ton
şi timpul de ieşire din saturaţie toff. Se precizează de fiecare dată curentul de
colector la care se realizează acest regim.

În tabelul 4.2 sunt prezentate câteva tipuri de tranzistoare de comutaţie

actuale.

Tabelul 4.2 Caracteristici comparate la tranzistoare de comutaţie

Tip VCEOM tON tOFF IC VCESAT/IC fT
Producător
tranzistor (V) (ns) (ns) (mA (V)/(mA) (MHz)
MP3646 ON SEMIC 15 18 28 300 0,20 30 350
MPS2369 ON SEMIC 15 12 18 10 0,20 10 -
2N2369A IPRS RO 15 12 18 10 0,25 30 500

Utilizarea TB în regim de comutaţie se face mai ales în circuitele logice

unde acesta funcţionează în regiunea de blocare sau în regiunea de saturaţie cu
basculări (treceri) rapide prin regiunea activă. În fig. 4.26 se prezintă schema
electrică a unui circuit ŞI-NU (NAND) şi tabelul de adevăr al acestuia.

144
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

Fig. 4.26 Circuit ŞI-NU cu tranzistor bipolar şi diode

Dacă cel puţin una din intrările A, B este conectată la masă (nivel logic
zero), în punctul M se stabileşte o tensiune de cca. 0,6V, prea mică pentru a
deschide joncţiunile înseriate D3 şi bază-emitor a TB (ar fi necesară o tensiune
mai mare). Tranzistorul este blocat iar tensiunea în punctul Y este egală cu 5V.
Numai dacă ambele intrări A şi B sunt conectate la 5V (nivel logic unu),
diodele D1 şi D2 se blochează şi curentul injectat de rezistorul R, saturează
tranzistorul T, tensiunea în colectorul său ajungând la cca. 0,2V (nivel logic
zero). Cu tranzistoare bipolare integrate s-au realizat serii întregi de circuite
logice TTL, care prelucrează semnale numerice.

4.10 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)

Acest dispozitiv a fost conceput cu scopul de a genera impulsuri de durată

foarte mică şi energie mare având rolul de a comanda elemente active de
putere cum sunt tiristorul , triacul ş.a. Folosind un circuit electronic simplu
TUJ poate comanda circuite de forţă in sisteme de acţionări electrice.
Tranzistorul unijoncţiune numit şi diodă cu două baze, este un dispozitiv
semiconductor cu trei terminale care prezintă o rezistenţă diferenţială negativă
între terminalele emitor (E) şi bază doi (B2) când între terminalele bază unu
(B1) şi bază doi (B2) se aplică o tensiune pozitivă.
În fig. 4.27 se prezintă structura fizică, caracteristica curent-tensiune şi
simbolul unui TUJ.

145
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 4.27 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ); a- structura fizică,

b- caracteristica curent tensiune, c- simbolul grafic

Acesta este realizat pe o bară din siliciu tip n, a cărei lungime este de
câteva ori mai mare ca lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari (goluri),
unde într-o zonă mediană se obţine prin difuzie o regiune tip p care constituie
emitorul (E). La capetele barei se aplică contacte ohmice care devin bazele B1
şi respectiv B2. Joncţiunea pn emitor-bază prin locul ei faţă de poziţia mediană
determină un tranzistor simetric sau unul nesimetric. La un tranzistor simetric
l1 = l2, iar l1+l2 = l. Rezistenţa bazei B1 este R1, iar rezistenţa bazei B2 este R2
suma lor fiind egală cu rezistenţa bazei semiconductoare.
În timpul funcţionării joncţiunea pn a emitorului se polarizează direct prin
aplicarea unei tensiuni pozitive VE între E şi B1, iar între B1 şi B2 o tensiune
pozitivă VBB. Funcţionarea se bazează pe modularea conductivităţii dintre
emitor şi baze. Potenţialul la nivelul emitorului este θVBB unde:

R1
 (4.127)
R1  R2

Dacă VE  VBB joncţiunea EB1 este polarizată invers şi prin curentul de

intrare circulă un curent invers mic (regiunea OP de pe caracteristică).
La atingerea valorii VE  VBB joncţiunea EB1 devine polarizată direct şi
o cantitate importantă de goluri este injectată de emitor în bara
semiconductoare. Existenţa golurilor atrage din circuitul exterior electroni
pentru a se menţine neutralitatea bazei. Acest fapt conduce la o scădere bruscă
a rezistenţei R1, fapt ce produce o scădere a tensiunii VEB1. Se ajunge la o nouă
redistribuire a potenţialului pe lungimea bazei l2 care conduce la o nouă

146
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

injecţie de goluri. Apare o dezvoltare în avalanşă a procesului până la

atingerea unei valori scăzute a tensiunii VEB1. Prin deplasarea golurilor spre
B1, conductivitatea creşte odată cu curentul IE, obţinându-se porţiunea cu
rezistenţă diferenţială negativă (PV pe caracteristica statică). După atingerea
curentului de vârf (I), caracteristica devine din nou liniară, curentul prin circuit
fiind limitat doar de rezistenţa ohmică de volum şi de recombinările de
suprafaţă şi volum şi bineînţeles de circuitul electric extern (porţiunea VS de
pe caracteristică).
Se numeşte tensiune de vârf sau de amorsare, tensiunea VBE1 pentru care
are loc injecţia de purtători din emitor în volumul barei:

VP  VB1B2  VD (4.128)

unde VD este tensiunea pe joncţiune.

Se numeşte tensiune de vale, tensiunea minimă Vv, pentru care
caracteristica îşi reia panta pozitivă.
Tranzistoarele unijoncţiune se folosesc în circuite de comutaţie pentru
asigurarea impulsurilor de comandă cerute de dispozitivele de putere
(tiristoare, triacuri), în oscilatoare, temporizatoare ş.a.
În fig. 4.28 se prezintă schema unui oscilator de relaxare cu TUJ şi
formele tensiunilor obţinute.
Condensatorul C se încarcă prin rezistorul variabil RV de la surse de
alimentare VBB, tensiunea la bornele lui având o creştere până la atingerea
tensiunii de vârf, care provoacă obţinerea unui impuls de curent prin TUJ,
după care procesul se reia. La bornele rezistorului RB1 se obţin impulsuri
scurte cu amplitudine de ordinul volţilor, care sunt generate de descărcarea
rapidă a condensatorului C prin spaţiul EB1.

Fig. 4.28 Oscilator de relaxare cu TUJ şi tensiunile generate

147
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Constanta de timp a impulsurilor generate este:

  RV C (4.129)

şi poate fi reglată prin ajustarea rezistorului variabil RV. Capacitatea C nu

poate depăşi 10μF pentru a se preveni depăşirea puterii maxim admisă.
În tabelul 4.3 se prezintă caracteristicile principale ale unui tranzistor
unijoncţiune tip 2N3483.

Tabelul 4.3 Caracteristici principale la TUJ tip 2N3483 în capsula TO5

Nr Valoare
Mărimea Notaţie Condiţii de măsură U.M.
crt min max
Curent continuu de
1. IE valori limită absolută 50 mA
emitor
Curent de emitor în
2. I E* valori limită absolută 2 A
impuls
3. Tensiune inversă EB1 VEB1 valori limită absolută 30 V
4. Tensiune între baze VB1B2 valori limită absolută 35 V
5. Rezistenţă interbază RB1B2 VB2 B1  3V 4,7 9,1 KΩ

6.
Curent rezidual emitor
I EBO VEB1  30V 1,0 μA
bază
7.
Curent de emitor de
IP VB2 B1  25V 5,0 μA
vârf
Curent de emitor de
VB2 B1  20V
8. IV 4,0 mA
vale RB2  100
Tensiune de emitor de VB2 B1  10V
9.
saturaţie VEB1SAT 5,0 V
I E  50mA
Tensiune de impuls de
10.
vârf B1 VOB1 6,0 V
11. Putere totată disipată Ptot 450 mW
Temperatură de
12. TA -55 +150 °C
funcţionare

148
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

4.11 Tiristorul

A. Structură şi procese fizice

Constructiv tiristorul convenţional conţine patru regiuni afirmate care
formează trei joncţiuni pn cuplate între ele prin intermediul purtătorilor
minoritari. Structura tehnologică simplificată şi profilul de dopare tipic
pentru un tiristor cu trei terminale (convenţional) sunt arătate în fig. 4.29.

Fig. 4.29 Structura fizică a unui tiristor convenţional

Cele trei terminale sunt: anodul A, catodul K şi poarta G. Deşi în

realitate majoritatea tiristoarelor au o structură p 0  p1 n1p 2 n 2 n 0 pentru
explicarea principiului de funcţionare se presupune o structură simplificată
p1 n1p 2 n 2  , fig. 4.29 (a); profilul de dopare din fig. 4.29 (b) se obţine prin
difuzii repetate pe un substrat de nSi care constituie regiunea n1.

Fig. 4.30 Caracteristica tensiune–curent a unui tiristor

149
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Caracteristica voltamperică statică IA=IA(UAK) este arătată în

fig.4.31 şi poate fi explicată succint după cum urmează: în absenţa
tensiunilor externe structura se află la echilibru termodinamic obţinându-se
punctul din origine.
Prin aplicarea unei tensiuni de polarizare inversă (- pe anod şi + pe
catod) joncţiunile J1 şi J3 devin polarizate invers, iar joncţiunea J2 polarizată
direct ; prin tiristor circulă un curent invers foarte mic, obţinându-se
porţiunea 0-1 pe caracteristică, numită regiune de blocare inversă. La
tensiuni inverse mari, care depăşesc o valoare critică, are loc străpungerea
electrică a joncţiunilor J1 şi J3 prin procesul de multiplicare în avalanşă a
purtătorilor minoritari în regiunile sărăcite ale joncţiunilor. Curentul invers
creşte obţinându-se porţiunea 1-2 de pe caracteristică.
La aplicarea tensiunii de polarizare directă (+ pe anod şi – pe catod) pe
caracteristica voltamperică se obţin mai multe regiuni:(10) regiunea de
blocare directă 0-3 în care joncţiunile J1 şi J3 sunt polarizate direct iar J2
este polarizată invers. Se observă că structura tiristorului poate fi echivalată
cu două tranzistoare bipolare: T1-(p1n1p2) şi T2-(n2p2n1); joncţiunile J1 şi J3
sunt joncţiuni de emitor, iar J2 este joncţiune de colector pentru ambele
tranzistoare. Pe intervalul 0-3 curentul direct are o valoare mică deoarece
câştigurile de curent ale tranzistoarelor echivalente (în special T1) au valori
mici; (2°) regiunea de comutare 3-4, este caracterizată prin rezistenţă
diferenţială negativă unde tiristorul efectuează o trecere rapidă din starea de
blocare directă în starea de conducţie; (3°) regiunea de deblocare directă
(conducţie) 4-5 unde toate joncţiunile sunt polarizate direct; curentul prin
dispozitiv poate lua valori foarte mari, fiind limitat de elementele din
circuitul extern. Acesta este motivul pentru care o sursă de alimentare
realizată cu tiristor se poate distruge în cazul unui scurtcircuit la ieşire.
Există montaje speciale care detectează supracurenţii şi blochează tiristorul
la prima trecere a tensiunii de alimentare prin zero. Se mai folosesc şi
siguranţe ultrarapide care întrerup circuitul la depăţirea curentului maxim
admis.
În cazul polarizării directe tiristorul se comportă ca un dispozitiv cu
două stări stabile: (a) starea de blocare directă, caracterizată prin curent mic
şi tensiuni UAK mari; (b) starea de deblocare directă (conducţie),
caracterizată prin curenţi mari şi tensiuni mici între terminale. Pentru
explicarea procesului de comutare se utilizează modelul Ebers care
consideră că structura p1 n1p 2 n 2  este echivalentă cu doi tranzistori
bipolari (fig. 4.31a,b).

150
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

Fig. 4.31 Modelul Ebers pentru tiristorul convenţional

Primul tranzistor, T1, tip p1 n1p 2 , are câştigul de curent α01, iar al
doilea, T2, tip n 2  p 2 n1 , are câştigul α02. Din fig.4.31 b rezultă că structura
cu patru regiuni afirmate posedă proprietăţi regenerative, deoarece baza
tranzistorului T1 este conectată la colectorul tranzistorului T2, iar baza lui T2
este conectată la colectorul lui T1.
Există mai multe metode de comandă (comutare directă şi inversă) a
tiristoarelor. Metoda utilizată in practică este cea a aplicării unor semnale
(tensiuni sau curenţi) pe terminalul porţii în raport cu catodul. Ţinând cont
de schema din fig. 4.30, curentul anodic are expresia :

α 02I G  I CO
IA  (4.130)
1  α 01  α 02 

unde: ICO = ICO1+ICO2 (ICO1 şi ICO2 sunt curenţii reziduali de colector ai

tranzistoarelor T1 şi T2); IG este curentul injectat prin terminalul porţii.
Ultima relaţie permite stabilirea condiţiei de comutare directă a
tiristorului. Prin construcţie tranzistoarele echivalente T1 şi T2 au câştigurile
de curent, în special α01, de valori scăzute. Atât timp cât α01 şi α02 sunt mici,
curentul IA este mic (de regulă IG este foarte mic), tiristorul se află în starea
de blocare directă; dacă coeficienţii α01 şi α02 iau valori mai mari astfel încât
se realizează condiţia α01 + α02 ≃ 1, atunci IA ia valori foarte mari, fapt ce
echivalează cu comutarea directă a tiristorului. În urma celor expuse rezultă

151
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

că pentru funcţionarea tiristoarelor este necesar ca α01 şi α02 să fie mărimi

variabile, în funcţie de diferiţi factori; tensiuni aplicate între anod şi catod,
curenţii prin dispozitiv, curentul de poartă IG, diferite fluxuri de radiaţii. La
tiristorii uzuali coeficienţii α01 şi α02 variază puternic cu curentul IG şi

tensiunea UAK. Curentul IG injectat în regiunea p 2 (baza tiristorului T2)
grăbeşte saturaţia tranzistorului T2, astfel este favorizată comutarea
tiristorului. În general α01 > α02 şi α02 este mai slab influenţat de factorii
enumeraţi.

B. Parametri principali la tiristor

Regimul normal de solicitare, valorile limită pentru tensiune, curent şi

putere sunt definite de mai mulţi parametri. În continuare sunt prezentaţi cei
principali şi se face o exemplificare numerică pe tiristorul de putere medie
T16N4. Sunt date marimile caracteristice:
VD, Tensiunea continuă în stare blocată este tensiunea anodică pentru care
tiristorul este în stare de blocare (6…400V).
VDRM, Tensiunea de vârf repetitivă în stare de blocare, în conducţie directă
este valoarea instantanee maximă admisă a tensiunii în stare de blocare,
excluzând toate tensiunile tranzitorii nerepetitive (400V).
VBO, Tensiunea de întoarcere este tensiunea anodică în punctul de întoarcere
al caracteristicii tiristorului pentru o polarizare specificată a porţii.
VT, Tensiunea continuă în stare de conducţie este tensiunea anodică în stare
de conducţie la o valoare specificată a curentului (2,2V la : ITM = 50A, TC =
25°C).
VGD, Tensiunea de poartă de neamorsare este tensiunea de poartă pentru care
tiristorul nu comută din starea de blocare în starea de conducţie (0,2V la :
VD = 6V; R = 6Ω; TC = 125°C).
VGT, Tensiunea de poartă de amorsare este tensiunea de poartă pentru care
tiristorul comută din starea de blocare în starea de conducţie la o
tensiune redusă anod-catod (3V la: VD = 6V; R= 6Ω; TC = 25°C).
VRRM, Tensiunea inversă de vârf repetitivă este valoarea instantanee maximă
a tensiunii inverse incluzând toate tensiunile tranzitorii repetitive (400V).
IDM, Curent direct în stare blocată este valoarea maximă a curentului în stare
de blocare corespunzătoare tensiunii maxime în stare de blocare în
conducţie directă ( 15mA la : TC = 125°C).
IGT, Curentul de poartă de amorsare este curentul de poartă minim necesar
pentru a comuta tiristorul în stare de conducţie (max.100mA la :VD = 6V, R
= 6Ω, TC = 25°C).

152
Capitolul 4 Tranzistoare bipolare

IH, Curentul de menţinere este curentul continuu minim prin tiristor A→K
necesar pentru menţinerea tiristorului în stare de conducţie (max.120mA la
VD=6V, poarta deconectată).
ITRM, Curentul de vârf repetitiv în stare de conducţie este valoarea de vârf a
curentului în stare de conducţie, excluzând toţi curenţii nerepetitivi
(140A).

Fig. 4.32 Caracteristica tiristorului cu explicarea mărimilor specifice

principale

ITSM, Curentul de suprasarcină accidentală în conducţie este curentul de

conducţie de formă, amplitudine şi durată specificată, care nu distruge
dispozitivul (200A la : TC = 25°C, t = 10ms).
di/dt, Viteza critică de creştere a curentului de conducţie este cea mai mare
viteză de creştere a curentului în stare de conducţie pe care tiristorul o poate
suporta (50V/μs la : IFG = 200mA, diFG/dt ≥ 2A/μs).
du/dt, Viteza critică de creştere a tensiunii în stare de blocare este cea mai
mică viteză de creştere a tensiunii care antrenează în condiţii specifice
comutarea din starea de blocare în starea de conducţie (50V/μs, UD=0,67,
VDRM, TC=125°C)
153
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

tî,Timpul de întîrziere la amorsare reprezinta intervalul de timp de la

momentul în care curentul de poartă atinge 10% din valoarea sa finală pâna
la momentul în care tensiunea anodică scade la 10% din valoarea iniţială.
Pentru o amorsare sigură trebuie ca durata impulsului de comandă sa fie mai
mare ca tî (5 μs ).
tq, Timpul de dezamorsare prin comutarea circuitului este intervalul de timp
între momentul în care curentul este nul, după comutarea exterioară a
circuitului şi momentul în care tensiunea anodică pe care o poate suporta
tiristorul fără a se reaprinde trece prin 0. (max. 200μs la IT=50A,
di/dt = -10A/μs, UR=100V, dv/dt = 20V/μs, TC=125°C).

Notă: Alimentat în curent continuu, după ce a intrat în conducţie, tiristorul

îşi păstrează starea atâta timp cât curentul anodic este peste valoarea curentului
de menţinere IH.

În fig.4.33 este prezentată schema unui circuit pentru încărcarea

acumulatoarelor de 12V. Curentul de încărcare este obţinut printr-o redresare
controlată cu tiristorul MCR2818 care este comandat de un oscilator de
relaxare cu TUJ ce generează impulsuri numai dacă tensiunea pe acumulator
este sub un anumit prag stabilit prin potenţiometrul R2. Tensiunea bază-bază
pe TUJ este obţinută de la acumulator şi va creşte pe măsura încărcării
acestuia. Dacă tensiunea de declanşare a TUJ depăşeşte valoarea tensiunii
zener a diodei DZ1, tranzistorul nu mai oscilează şi încărcarea este oprită.

Fig.4.33 Circuit pentru încărcarea automată a acumulatoarelor de 12V

154