Sunteți pe pagina 1din 29

MINISTERUL NVMNTULUI AL REPUBLICII

MOLDOVA

Universitatea Tehnic a Moldovei


Catedra Telecomunicaii

la disciplina: Dispozitive Electronice

TEMA: Tranzistorul bipolar KT819

A elaborat: st. grupei TLC-133

Bidiuc V.

A verificat: dr.conf

Bejan N.

Chiinu 2014

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT819.


Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adic baza trebuie s fie foarte subire i puin dotat cu impuriti.
Pentru fabricarea tranzistorului KT819, care este de tip n-p-n, se folosete metoda
epitaxial-planar. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare sunt
caracterizate cu aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a plachetei,
deaceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Epitaxia reprezint procesul de cretere a straturilor monocristaline pe plachet cu
pstrarea orientrii cristalografice.
Epitaxia ocup locul intermediar ntre procesele de baz i cele ajuttoare. n principiu
ea poate garanta formarea neregularitilor locale, totodat aceast orientare este slab
prelucrat i n timpul de fa epitaxia de obicei se folosete ca mijloc de a primi
plachete n forma straturilor foarte subiri depuse pe plachete foarte groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu const n felul urmtor. Placheta monocristalin de
siliciu se afl n fluxul de hidrogen, coninnd vapori de compui ale siliciului cu
halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200 C i mai sus) la suprafaa
plachetei se petrece reacia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
n rezultatul creia la suprafaa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl sunt
evacuai odat cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin are aceeai
orintaie cristalografic ca i placheta.
Dac la vaporii de SiCl4 adugm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea nu
conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, dup care n
timpul reaciei chimice n siliciu se ntroduc atomii acceptori de bor sau atomii donori
de fosfor.
n aa mod, epitaxia permite creterea straturilor monocristaline de conductibilitate i
rezisten diferite pe plachet, avnd aceeai parametri.
Grania ntre stratul epitaxial i plachet nu este ideal, deoarece n procesul de
epitaxie are loc difuzia ntre atomii de la suprafa a plachetei i atomii din stratul
epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu ajutorul
epitaxiei se poate de depus pe plachet un strat foarte subire ( 1 m) ce nu este posibil
de depus prin celelalte tehnologii.
2

2. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.


Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n circuit
dup unul din montajele fundamentale, prezentate n fig.1; montajele fundamentale sunt
denumite i conexiuni fundamentale.

Figura 4. Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul


n p n.
aconexiunea emitor comun (EC); bconexiunea baz comun (BC);

n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit de


intrare, n care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de ieire, n care se
obine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din ambele circuite
i se ia ca electrod de referin; acest electrod (terminal) este denumit i electrod comun.
Lund n consideraie care dintre cele trei borne ale tranzistorului este considerat
electrod comun se disting trei conexiuni fundamentale i anume: conexiunea baz
comun (BC); conexiunea emitor comun (EC); conexiunea colector comun (CC).Cele
mai folosite snt primele dou caracteristici statice.
Caracteristicile statice da relaia dintre dou mrimi de la bornele tranzistorului cnd
a treia este meninut constant.

2.1 Caracteristicile statice n conexiune BC.


Cuplarea tranzistorului n schem baz comun, adic electrodul comun este baza.
n aceast conexiune caracteristicile statice de intrare prezint dependena dintre
curentul la intrare care prezint curentul emitorului I E, cnd tensiunea aplicat la
jonciunea emitorului este meninut constant, iar tensiunea la colector se schimb.
Dup formele sale, caracteristicile statice snt apropiate de caracteristicile voltamper ale diodei. Diferena dintre caracteristicile de intrare primite, pentru diferite
3

tensiuni la colector nu snt mari, mai ales n conexiunea baz comun fa de cele ale
diodei.
n caracteristicile volt-amper n conexiunea baz comun la intrare este prezentat
dependena IE=f(UBE), cnd UCB=const., iar la ieire avem dependena IC=f(UCB), cnd
IE=const..
Conform figurei 5, n care avem prezentate caracteristicile de intrare, observm o
zon n care ramurile cresc liniar, aceast liniaritate depinde de puterea tranzistorului. n
general ramurile au form exponenial i se descrie bine de expresia:
IE=A(eU -1) A eU ;
EB

EB

(1).

n acest ecuaie =q/kt (la temperatura T=290 K 40 v-1), iar semnul tensiunilor
de intrare UEB se i-a astfel nct la deplasarea direct a jonciunii emitoruluimrimile s
fie pozitive. Mrimea A se determin cu ajutorul formulei.
Trebuie de menionat c i inv depind de curentul continuu la emitor i de tensiunea
aplicat la jonciunea colectorului.
n regiunea curenilor mari la cuplarea direct caracteristicile de ieire se
ndreapt, astfel unghiul de nclinare depinde de rezistena de volum a materialului
semiconductor, conectai n serie cu jonciunea emitorului.

Figura 1. Schema de cuplare a tranzistorului n baz comun


i caracteristica de intrare corespunztoare.
A

I ES
;
( 1 inv )

unde IES curentul de saturaie a jonciunii emitorului;

inv coeficientul de trnsfer dup curent al tranzistorului, n curent continuu


la conectarea indirect.
4

(2).

Pentru schema cu BC defazajul ntre tensiunile de intrare i ieire lipsete, adic faza
tensiunii la

amplificare nu se inverseaz. Trebuie de spus c schema cu BC are

distorsiuni mai mici dect etajul pe schema cu EC.


Caracteristicile de ieire reprezint dependena dintre curentul colectorului IC i
tensiunea UBC aplicat la jonciunea baz-colector.
n caracteristici destingem trei zone:
- Zona (1) n care caracteristicile au o form liniar i snt nclinate sub un unghi
mic fa de axa absciselor se numete activ normal. Unghiul mic de nclinare ne arat
dependena mic ntre curentul colectorului i tensiunea la colector. Aici jonciunea
emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colector-baz este polarizat indirect.
-Zona (2) este regiunea de blocare (sau tiere), n care ambele jonciuni snt
polarizate indirect. n consecin curentul emitorului este negativ, iar curentul
colectorului poate fi mai mic dect ICB0, conform relaiei IC= IE+ICB0.
-Zona (3) este regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni snt polarizate
direct. Se observ c rezistena dinamic de ieire UCB/ IC cnd IE=const. are valori
mult mai mici dect n zona (1), nclinarea zonelor fiind mult diferit de orizontal.
Aceasta este explicabil, ntruct la ieire se simte rezistena dinamic a jonciunii
colector-baz, care acum este direct polarizat .
-Zona (4) este zona n care are loc strpungerea tranzistorului.
n fine, mai exist o zon activ invers, care nu este vizibil pe grafic.
n conexiunea baz comun, n regiunea activ normal zona de cretere a
curentului colectorului este aproximativ egal cu cea a emitorului i caracteristicile snt
practic identice pentru toate tipurile de tranzistoare.

Figura 2. Caracteristica de ieire


pentru tranzistorul cuplat n baz comun.
5

Unul dintre coeficienii cei mai utilizai de electroniti este coeficientul de transfer
dup curent i prezint raportul dintre amplitudine sau mrimea tensiunii variabile care
acioneaz la intrare i la ieire unui amplificator. Intrarea amplificatorului prezint
circuitul emitor baz, iar ieirea o constituie urmtorul circuit, adic baz colector.
Se observ un lucru destul de important n tranzistor , i anume rezistena la intrare
este foarte mic fa de cea la ieire, n curent alternativ. Deaceia n tranzistor la
conectarea n baz comun, curentul la ieire nu depinde de rezistena sarcinii i este
egal cu:
Iie=-h21BIint;
Unde parametrul h21B se numete coeficientul de tarnsfer dup curent la un semnal mic
n schema cu baz comun n regim de scurtcircuitare a circuitului colectorului
Coeficientul h21B este o caracteristica a trnsferului unui semnal slab.
Raportul dintre curentul colectorului i cel al emitorului este notat prin KI i se
I

C
numete coeficientul de transfer dup curent: K I I <1.
E

2.2 Caracteristicile statice n conexiune EC.


Circuitul care polarizeaz tranzistorul n regiunea activ normal a caracteristicilor
statice este prezentat n figura 6.
Considernd tranzistorul un nod, aplicnd teorema lui Khirchhoff vom avea:
IE=IC+IB;
iar relaia fundamental este dat de formula:
IC= IE+ICB0;
Eliminnd din relaiile (1) i (2) IEvom obine:
IC= ( IC+IB)+ ICB0;
de unde:
IC

1
IB
I CB 0
1
1

Se observ c:
I C I CB 0
I I
I

C CB 0 C
1 I E I C I CB 0 I B I CB 0 I B

Cu ajutorul relaiei (5) se definete factorul static de ampligicare n curent n


conexiunea emitor comun. Acest factor se noteaz prin sau cu h21E.
6

Rezult c:

IC= IB+( +1)ICB0;


Produsul ( +1)ICB0 se noteaz cu ICE0 i este curentul rezidual dintre emitor i colector,
cn dbaza este conectat n gol.
Trebuie s observm c numeric factorul static de amplificare este de ordinul sutelor,
iar ICE0 este circa de dou ordine mai mare dect ICB0
n asemenea conectare a tranzistorului pentru caracteristica de intrare curentul bazei
este funcie de tensiunea aplicat la baz-emitor, adic IB=f(UBE) cnd UCE= const., iar
pentru caracteristica de ieire avem IC=f(UCE) cnd IB= const.
n figura 7 este prezentat caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar n conexiune
emitor comun.

Figura 3.Circuitul de polarizare.

Figura 4. Caracteristica de intrare ale


tranzistorului bipolar n conexiunea EC.
7

Pe aceast caracteristic observm c caracteristica (I) se afl mai la stnga dect cea
de-a doua, deoarece ele snt caracteristicile unei diode, formate de dou jonciuni.
Caracteristica a II-a determin curentul de intrare, care este de baz, iar caracteristica Ia arat curentul de intrare egal cu suma curenilor printre dou jonciuni paralele
deplasate n sens direct.
Caracteristicile II i III trec mai la dreapta fa de prima, fiindc curentul bazei este
numai o parte din curentul emitorului. Diferena dintre caracteristica II i III const n
aceia c la o anumit tensiune i mai mare ca ea jonciunea colectorului este deplasat n
sens indirect, iar la o tensiune mai mic jonciunea este deplasat direct.
n figura 8. este prezentat caracteristica de ieire pentru tranzistorul de tipul
n-p-n. Aici parametrul caracteristicilor este curentul bazei i nu dl emitorului.

Figura 5. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului


bipolar n conexiunea EC.

Ele se deosebesc mult de cele n baz comun . n primul rnd prin aceia c ICE0
este de 50-100 ori mai mare, dect curentul ICB0, iar n al doilea rnd nclinaia
caracteristicilor este mai mare fa de cea n baz comun. n al terilea rnd, la aceiai
cretere a curentului bazei este diferit de cea a colectorului. i n fine caracteristicile nu
ajung la axa ordonatelor.
La tensiuni mici la colector se urmrete o cdere brusc a curentului colectorului
cu micorarea tensiunii la emitor-colector i independena curentului colectorului de cel
al bazei. Se spune ca n acest moment tranzistorul intr n regim de saturie, aceasta
explic la tensiuni mici ale colector-emitor ambele jonciuni p-n att a emitorului ct i a
colectorului snt deplasate n sens direct.
Menionm c aceast tensiune UCE la care apare regimul de saturaie, este destul
de mic.
8

3.Scheme echivalente a tranzistorului bipolar la diferite


frecvene de funcionare.
3.1. Frecven joas.
Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are
diferite comportri. n acest compartiment vom cerceta tranzistorul la frecven joas.
Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin nite
capaciti datorate de existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea jonciunii.
Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens direct n capacitatea total a
acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii; invers, pentru
jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de barier
Ccb. Dei la o jonciune p-n valoarea capacitii de difuzie, n curent alternativ efectul
capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face simit pentru frecvene care nu
sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a tranzistorului lucrnd la
frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie s fie completat prin luarea
n consideraie a acestor capaciti i n special prin considerarea capacitii
colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului CBE a fost reprezentat punctat, subliniindu-se
astfel ralul ei este secundar fa de cel al capacitii de barier a colectorului CBC.
Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i emitorului se pot afla prin
rezolvarea ecuaiei Poisson pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv. La rndul
ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n funcie de modul n care snt
distribuite impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n toate cazurile
ns, capacitatea jonciunii va depinde invers proporional de tensiunea aplicat
jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i tranzistoare) obinute prin aliere

pe cnd la jonciunile obinute prin cretere

1
1

U3

1
1

U2

. Pentru tensiuni UC0=5 (V),

capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin aliere, este aproximativ 20-30

pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere, la o tensiune UC0=5 (V) , capacitatea
colectorului este aproximativ 10 pF.

Figura 6. Schema echivalent a tranzistorului


la frecven joas(la conectarea n emitor comun)

3.2 Frecvene medii.


O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas i
medie nu este, numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.

Figura 7. Schema echivalent a tranzistorului


la frecven medie(la conectarea n emitor comun).

3.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

Figura 8. Circuitul echivalent Giacoletto.


(conexiune baz comun).

n figura 4. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor montat n


conexiunea BC.
10

Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii
emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de cteva
sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF (capacitate de difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu ajutorul
generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k ), ce
corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena r BB este
rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se nlocuiete
cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M ) i cu capacitatea CBC de ordinul a
civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de curent s
depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete ca
raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea
infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi fiind constante.
Aadar:
gm

I C
e
I C
U BE kT

i se poate demonstra c:
g m r BE h 21 B

n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite dintre
terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB. Acestea sunt de
ordinul a 1- 4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din acest motiv
de cele mai multe ori se pot neglija. De menionat c exceptnd rCB i rEB care o variaie
mic, ceilali parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul
de funcionare static (de exemplu rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).

11

4. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare.


n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ la
intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2 i
curentul I2.

Figura 9. Reprezentarea tranzistorului ca un cuadripol.

Dup cum se tie din teoria circuitelor, legtura dintre tensiune i curent poate fin
prezentat cu o funcie ce depinde de dou necunoscute iar argumente pot fi oricare
dou din: U1, I1, U2, I2. Se utilizeaz doar cele patru de mai jos:
I1=f1(U1;U2)
I2=f2(U1;U2)
U1= 1(I1;U2)
U2= 2(I1;U2)
Aceste funcii pot fi scrise n form diferenial:

Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h, deoarece ei sunt mai comozi
pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i curent cu
parametrii h are forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2
12

(3)

Menionm c relaia (3) s-a obinut din relaia (2).


Sensul fizic al parametrilor h este urmtorul:

h 11

h 12

dU 1
dI 2

dU 2 0

dU 1
dU 2

dI 1 0

(4)-rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit.

(5)-coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem


mers n gol

dI 2

h 21

dI 1

dU 2 0

(6)-coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm


regim de scurtcircuit.

h 22

dI 2
dU 2

dI 2 0

(7)-conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol.

La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent continuu,


iar parametrii h se msoar dup curent alternativ la valori ale semnalului reduse.
Parametrii h pot fi determinai din caracteristicile statice.
Din punct de vedere numeric, domeniile uzuale pentru parametrii hibrizi h ai unui
tranzistor bipolar aliat de frecven joas sunt urmtoare:
h11 sute .....k ;
h12 10-4........10-3;
h21 zeci.........sute;
h22 zeci S ;

Figura 10. Schema echivalent de conectare n baz comun.


13

Baz comun:

Emitor comun:

h 11B r E r B ( 1 )

h11E r B r E ( 1)

h 21B

h 21E 1 *

h12B

rB
rC

h12E *

h 22B

1
rC

h 22E

rE
rC

*
rC

Avantajul principal al descrierii tranzistorului cu paremetrii h l constituie faptul c


acetea se msoar comod. Inconvenentul lor const n faptul c nu se pot utiliza dect
la frecven joas, din urmtorul motiv: doi din aceti parametri (h12 i h22) se msoar
cu condiia de gol la intrare; acesta se realizeaz corect la frecvene joase, lsnd
bornele respective neconectate, dar la frecvene nalte intervine reactana capacitii
dintre borne, care altereaz condiia de gol.

5. Ridicarea parametrilor de baz a tranzistorului


Dup cum a mai fost menionat, tranzistorul este un dispozitiv electronic cu dou
jonciuni p-n ce intreacioneaz ntre ele avnd trei sau mai multe borne de ieire,
fenomenelepde amplificare
n
pale crora sunt determinate de fenomenele de inijecie i
extracie ale purttorilor de sarcin. n fig. 11 sunt prezentate ilustrarea schematic (a) i
grafic (b) a tranzistorului de tip p-n-p distribuia concentraiei purttorilor de sarcin

n,p de-a lungul structurii n stare de echilbru (c).


minoritari

14

a)

C
B

c)
Fig.11
b)
111
Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i colector
(C). Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea emitorului, iar cea
de la frontiera C-B jonciunea colectorului. Electroconductibilitatea bazei poate fi de
tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt dou tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p
i n-p-n.
Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai.
Deosebirea const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge prin
baz este creat de golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n de
electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este polarizat direct, iar
a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre ele
(adic, dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci purttorii,
injectai de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii
I Eprezint
I Ep ramura direct a caracteristicii diodei,
I Cp iarI aC jonciunii colectorului
emitorului
I Ep I En
p
p
I Cconst
n
0
cea invers. Proprietatea unic a tranzistorului
anume n interaciunea acestor
dou jonciuni.
E prezentat
ECB n structura tranzistorului bipolar
n fig. 2 este
distribuirea curenilor
EB

(a), repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor de sarcin


x
n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.
neechilibrai

a)
15

b)

c)
Fig. 12
La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii
colectorului i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest curent
este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 . Curentul
invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului) prezint n sine
curentul prin jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii emitorului
i apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul electronilor
i golurilor:
I E I En I Ep .

Contnd, c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari


(electroni), iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de sarcin
majoritari (goluri), componenta golurilor n emitor este cu mult maimare ca cea a
electronilor:

I Ep I En .

Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip la


crearea curentului colectorului. Difuzia electronilor din baz n emitor se compenseaz
cu parvenirea unui flux de noi electroni n baz din circuitul exterior. Acest lucru
determin mrimea i direcia componentei electronilor din curentul emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principial a curentului bazei. Relaia:

I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99

este numit eficacitatea emitorului.


16

Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor din


emitor n baz. Golurile,injectate n baz, sub aciunea difuziei ce tinde s egaleze
concentraia pe ntreg volumul bazei, se deplasseaz n direcia colectorului. Din cauz
c cmpul electric n baz este relativ mic, se poate considera, c deplasarea golurilor
din emitor n colector are loc exclusiv din contul difuziei. La injectarea necontenit (
I E const . ) n baz se stabiliete o bistribuie corespunztoare a concentraiei golurilor,

ceea ce determin trecerea lor prin baz. Apropiindu-se de jonciunea colectorului,


polarizat indirect, golurile, fiind purttori de sarcin minoritari, trec din baz n
colector, mrind ca rezultat curentul colectorului. Deoarece trecerea golurilor din baz
n colector este fr obstacole, concentraia lor la frontiera BC este egal cu zero.
Dac vom mri valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului, atunci
concentraia golurilor la emitor va crete, iar la colector va rmne ca mai nainte egal
cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i, ca urmare, crete curentul de difuzie
al golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversnd baza, recombin cu electronii
de conductibilitate, ce aduce la mrirea numrului de electroni, parvenii n baz din
circuitul exterior. Aceasta condiioneaz mprirea curentului golurilor n dou
componente:
I Ep I E .rec . I Cp ,

unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide dup


direcie cu I En ;

I Cp

- componenta curentului emitorului, ce curge n circuitul

colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n purttori
de sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva ori mai mare
dect cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .

Mrimea raportului:

I Cp I Ep I Cp I Cp I E .rec . 0 ,98...0 ,99

se numete coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmeaz, c la tranzistori


mrimea , la fel ca i , este aproximativ egal cu unitatea. De aceea mrimea :
I Cp I E

I Cp I Ep
I Ep I E

17

0 ,95...0 ,99 ,

se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului i, de asemenea


este aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indic a cta parte din curentul
emitorului curge n circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicat la tranzistor, ne da egalitatea:
I E IC I B

unde

I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .

Utiliznd relaia (7), obinem:


I C I E I CB 0 .

Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului


bazei :

I Cp
I En I E .rec .

I C I CB 0
.
I B I CB 0

S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n baz


comun. n fig. 3 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i ieire ale
tranzistorului, cuplat n BC.
Caracteristica de intrare, cnd U CB 0 (caracteristica nul) este asemntoare cu
caracteristica unei diode obinuite, cuplate la polarizare direct. La alimentarea
jonciunii colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare decaleaz n stnga.
Aceasta ne indic prezena n tranzistor a legturii inverse interne. Legtura apare din
cauza rezistenei bazei.
n schema BC rezistena bazei este comun pentru circuitele de intrare i ieire.
Fie c U EB const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijeaz curentul
jonciunii:
1
U EB
U EB rB I B U CB rB I En I E .rec . I CB 0 .

La mrirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise mrete i I CB 0 . n afar de


aceasta se micoreaz I E .rec , fiindc la mrirea tensiunii colectorului semicoreaz
limea bazei tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB , aplicat la emitor,
la mrimea U CB la fel se mrete. Acest fapt explic creterea
IC
IE
IEn
U1CB
I1E

UCB0
UEB

IE0
18

UCB

a)

b)

Fig. 13

curentului emitorului i decalajul n stnga al caracteristicii de intrare a tranzistorului


cuplat n BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenel I C f U CB cnd I E const . Dei
tensiunea pe colector este negativ, caracteristicile sunt trasate, de regul, n coordonate
pozitive. Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei semiconductoare
polarizate indirect. La mrirea curentului emitrului caracteristica se schimb.
E cunoscut, c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se mrete
cu valoarea

I Cp I E I E .

Curentul

I Cp

poate fi modelat ca un curent suplimentar al

jonciunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde

I 0 I Cp ,

afirma, c oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat n BC


caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj

I Cp ,

putem

prezint

adic:

I p n I 0 exp eU kT 1 .

Analizm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar n


schema emitor comun. n fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare i ieire pentru
tranzistorul cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egal cu zero, trece prin
punctul x 0 i

y0

i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin

mrimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin jonciune (
I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta
IB

I Bn

IC

U CE 0

I B1
IB 0

U CE 1

a)

U BE

Fig. 14

b)

U CE

i n jos. Acest decalaj poate fi explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe jonciunea
emitorului este constant. Atunci la fel constant va fi i concentraia golurilor n
apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac micorarea limii bazei, adic
micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului. Din aceast cauz
procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus. Findc electronii
19

care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei, curentul bazei se
micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas, fiindc
la frontiera cu jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu jonciunea
emitorului este egal cu concentraia de echilibru. Din aceste considerente n regiunea
bazei procesul generrii termice este mai rapid dect prcesul de recombinare. Electronii
generai n baz pleac din ea prin borna bazei, iar aceasta nseamn, c apare curentul
ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de
micorarea limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer, al
curentului emitorului crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n schema cu
emitor comun 1 .

6. Parametrii de baz ai tranzistorului KT819.


Tranzistor bipolar, planar de tip n-p-n, de putere mic frecven joas.
Se folosete n circuite de generare i amplificare din aparatajul
radioelectronic.
Parametrii electrici:
1.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun UCB=5V
IE=0.5A:

h21E =40

2. Tensiunea colector-baz: UCB=5V


3. Intensitatea curentului colectorului: IC=5 A
4. Curentul colectorului maxim: ICmax=15 A
5. Capacitatea jonciunii colectorului: CC=1000 pF
6. Capacitatea jonciunii emitorului: CE=2000 pF
7. Frecvena de tiere: ft=30 MHz
8. Curentul de scurgere a colectorului: ICB0 =0,05 mA
9. Puterea maxim: Pmax=2 W
10. Temperatura de funcionare: T=-40....100oC
20

7. Tranzistoarele bipolare de generatie nou IGBT


7.1 Parametri de baz a tranzistoarelor IGBT
Tranzistoarele bipolare i MOSFET au, fiecare n parte, o serie de performane foarte
avantajoase pentru aplicaii, dar i unele dezavantaje care limiteaz dimensiunea
aplicaiei.
Astfel tranzistorul bipolar n raport are avantajele:
capacitate mai mare n curent i tensiune;
cdere mic de tensiune in conducie, VCEON.
Pe de alt parte dezavantajele mai importante sunt:
timpi relativ mari de comutaie;
curent i putere de comand mare;
prezena saturaiei;
21

pericolul de distrugere prin cea de a doua strpungere.


Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele:

timpi mici de comutaie;


comand n tensiune;
inexistena saturaiei i a celei de a doua strpungeri ;
capacitate relativ mic n tensiune i curent.

mbinarea avantajelor celor dou tipuri de tiristoare s-a regsit ntr-un nou dispozitiv
semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu gril izolat IGBT.

7.2 Structura. Polarizare


O structur vertical printr-un IGBT cu canal n este prezentat n Fig.2. , iar n Fig.1.
simbolizarea acestuia. Straturile unui tranzistor IGBT sunt:
stratul colectorului de tip p+, nalt dopat, 1019/cm3;
-

stratul de srcire de tip n , slab dopat, 1014/cm3;


corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;
stratul emitorului n2+, nalt dopat, 1019/cm3.
Suplimentar la unele tranzistoare se mai gsete i stratul tampon n 1+, nalt dopat
1019/cm3 . Dac tranzistorul nu are stratul tampon se numete IGBT simetric, n caz
contrar asimetric. Emitorul tranzistorului se conecteaz la stratul n 2+ prin intermediul
metalizrii 1, din aluminiu. Metalizarea porii G este separat de corpul p prin stratul de
oxid de siliciu, 2. Pentru analiza polarizrii se consider poarta izolat. Polarizarea
direct const n aplicarea polaritii plus pe colectorul C al tranzistorului. Este
polarizat invers doar jonciunea J2, bariera de potenial extinzndu-se n toat grosimea
stratului n-, IGBT-ul putnd susine tensiuni de pn la 1500 2500V. n cazul
polarizrii inverse, minusul pe colector, existdiferene ntre tranzistorul simetric i
asimetric. Astfel pentru tranzistorul asimetric, Fig. 1., sunt polarizate invers jonciunile
J1 i J3. Fiind jonciuni de
tip n+ p, respectiv n+p+, barierele de potenial sunt reduse, iar capacitatea n tensiune
invers de ordinul zecilor de voli. n cazul tranzistorului simetric, lipsind stratul n 1+,
jonciunea J1 este format din straturile n- p+, bariera de potenial fiind de acelai ordin
de mrime ca la polarizarea direct. Aadar tranzistorul simetric poate funciona
alimentat att n c.c. ct i n c.a., n timp ce tranzistorul asimetric poate funciona
22

alimentat numai alimentat cu tensiune continu i polarizare direct. Se realizeaz foarte


rar IGBT-uri cu canal de tip p, structura fiind asemntoare, tipul straturilor i
polarizarea inversate.

7.3 Functionare. Caracteristica Statica


Stare de conducie a unui IGBT se realizeaz dac este polarizat ca n Fig. 3.
Productori de IGBT-uri furnizeaz mai multe tipuri de scheme echivalente funcionale,
care permit descrierea conduciei n tranzistor. O astfel de schem echivalent
simplificat este prezentat n Fig. 4., unde IGBT-ul este nlocuit printr-un tranzistor
MOSFET cu canal n i un tranzistor bipolar pnp. Rezistorul

Rn-1 materializeaz

rezistena stratului n-. Tranzistorul MOSFET reprezint partea de comand a IGBT-ului


care este similar cu cea a tranzistorului MOSFET, n sensul c n corpul p se creeaz,
prin cmp electric, canalul de tip n. Prin acest canal electronii injectai din surs,
polarizat negativ, se regsesc n dren, iar prin stratul n- n baza tranzistorului pnp,
comandnd intrarea rapid n conducie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face
prin blocarea conduciei MOSFET-ului. n felul acesta se realizeaz comanda n
tensiune, deci de putere mic, i timpi de comutaie redui. Se evit de asemenea
fenomenul saturaiei, comanda pe poart IGBT-ului fiind n cmp electric. Pe de alt
23

parte prezena ntre colector i emitor a tranzistorului pnp asigur o cdere de tensiune
VCEON comparabil cu cea de la tranzistoarele bipolare. Caracteristicile statice,
ic=f(VCE), au forma din Fig. 5 i se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer ic
= f(VGE) din Fig. 6. n familia de caracteristici statice se definesc zonele:

dreapta VCESUS, care limiteaz tensiunea maxim admis n sens direct, la valori mai
mari dect VCESUS aprnd fenomenul primei strpungeri, cu aceleai caracteristici ca la
tranzistoarele bipolare;
zona activ, cu aceleai proprieti ca la MOSFET;
zona ohmic;
pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prbuire n sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleai proprieti ca la tranzistorul MOSFET.

Stabilirea punctului de funcionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET, n sensul


ndeplinirii condiiilor:

24

s asigure la curent maxim, tensiune VCEON minim, punctul de funcionare


plasndu-se pe curba de separaie ntre zonele activ i ohmic;
punctul de funcionare s se gseasc n interiorul ariei de funcionare sigur, SOA,
de formasemntoare cu cea de la MOSFET.
Tensiunea VCEON, care caracterizeaz IGBT-ul, are valori ntre 1,9 2,9V. Calculul
regimului termic urmeaz aceeai metodologie de la tranzistorului MOSFET.

8. Utilizarea tranzisorului KT819 n schemele electronice


,
"" .
, -
.
, -
"" - - !

- ,
- " ",
. . 1
25

( , ),
, , .

DA1 -
, ,
.



, .

VT1, VT2,
""

R1, R2

. VT1 VT2
VT3 VT4,
. R6
R7, .
"" .
4 1. , ""
!
1 ""
1 , ,
26

.
, ,

"" -
.

R3, R4, R4
"".


.
(
),
.
.1.
(VT1-VT4),
(VT5, VT7) (VT8-VT13).
( VD1,
VD2). .

VD3-VD5, VT12, VT13
.

LI,

R35,

R36,

C11,

27

R20,

Puc.1.
VD3 - VD5 . L1
10 . -2 0,8, R35 (-2).
,
. ( ) ,
, .
R29
50 ... 70 .
. 819 818.

4 .

.
.
. ,
.

28

:
....... 55
.......... 0,07%
.......... 20... 50 000
-...............89
........... 36
.......... 100

12. Bibliografie.
1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.
2. .. .: , 1991.
3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.

29