Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
MOLDOVA
Bidiuc V.
A verificat: dr.conf
Bejan N.
Chiinu 2014
tensiuni la colector nu snt mari, mai ales n conexiunea baz comun fa de cele ale
diodei.
n caracteristicile volt-amper n conexiunea baz comun la intrare este prezentat
dependena IE=f(UBE), cnd UCB=const., iar la ieire avem dependena IC=f(UCB), cnd
IE=const..
Conform figurei 5, n care avem prezentate caracteristicile de intrare, observm o
zon n care ramurile cresc liniar, aceast liniaritate depinde de puterea tranzistorului. n
general ramurile au form exponenial i se descrie bine de expresia:
IE=A(eU -1) A eU ;
EB
EB
(1).
n acest ecuaie =q/kt (la temperatura T=290 K 40 v-1), iar semnul tensiunilor
de intrare UEB se i-a astfel nct la deplasarea direct a jonciunii emitoruluimrimile s
fie pozitive. Mrimea A se determin cu ajutorul formulei.
Trebuie de menionat c i inv depind de curentul continuu la emitor i de tensiunea
aplicat la jonciunea colectorului.
n regiunea curenilor mari la cuplarea direct caracteristicile de ieire se
ndreapt, astfel unghiul de nclinare depinde de rezistena de volum a materialului
semiconductor, conectai n serie cu jonciunea emitorului.
I ES
;
( 1 inv )
(2).
Pentru schema cu BC defazajul ntre tensiunile de intrare i ieire lipsete, adic faza
tensiunii la
Unul dintre coeficienii cei mai utilizai de electroniti este coeficientul de transfer
dup curent i prezint raportul dintre amplitudine sau mrimea tensiunii variabile care
acioneaz la intrare i la ieire unui amplificator. Intrarea amplificatorului prezint
circuitul emitor baz, iar ieirea o constituie urmtorul circuit, adic baz colector.
Se observ un lucru destul de important n tranzistor , i anume rezistena la intrare
este foarte mic fa de cea la ieire, n curent alternativ. Deaceia n tranzistor la
conectarea n baz comun, curentul la ieire nu depinde de rezistena sarcinii i este
egal cu:
Iie=-h21BIint;
Unde parametrul h21B se numete coeficientul de tarnsfer dup curent la un semnal mic
n schema cu baz comun n regim de scurtcircuitare a circuitului colectorului
Coeficientul h21B este o caracteristica a trnsferului unui semnal slab.
Raportul dintre curentul colectorului i cel al emitorului este notat prin KI i se
I
C
numete coeficientul de transfer dup curent: K I I <1.
E
1
IB
I CB 0
1
1
Se observ c:
I C I CB 0
I I
I
C CB 0 C
1 I E I C I CB 0 I B I CB 0 I B
Rezult c:
Pe aceast caracteristic observm c caracteristica (I) se afl mai la stnga dect cea
de-a doua, deoarece ele snt caracteristicile unei diode, formate de dou jonciuni.
Caracteristica a II-a determin curentul de intrare, care este de baz, iar caracteristica Ia arat curentul de intrare egal cu suma curenilor printre dou jonciuni paralele
deplasate n sens direct.
Caracteristicile II i III trec mai la dreapta fa de prima, fiindc curentul bazei este
numai o parte din curentul emitorului. Diferena dintre caracteristica II i III const n
aceia c la o anumit tensiune i mai mare ca ea jonciunea colectorului este deplasat n
sens indirect, iar la o tensiune mai mic jonciunea este deplasat direct.
n figura 8. este prezentat caracteristica de ieire pentru tranzistorul de tipul
n-p-n. Aici parametrul caracteristicilor este curentul bazei i nu dl emitorului.
Ele se deosebesc mult de cele n baz comun . n primul rnd prin aceia c ICE0
este de 50-100 ori mai mare, dect curentul ICB0, iar n al doilea rnd nclinaia
caracteristicilor este mai mare fa de cea n baz comun. n al terilea rnd, la aceiai
cretere a curentului bazei este diferit de cea a colectorului. i n fine caracteristicile nu
ajung la axa ordonatelor.
La tensiuni mici la colector se urmrete o cdere brusc a curentului colectorului
cu micorarea tensiunii la emitor-colector i independena curentului colectorului de cel
al bazei. Se spune ca n acest moment tranzistorul intr n regim de saturie, aceasta
explic la tensiuni mici ale colector-emitor ambele jonciuni p-n att a emitorului ct i a
colectorului snt deplasate n sens direct.
Menionm c aceast tensiune UCE la care apare regimul de saturaie, este destul
de mic.
8
1
1
U3
1
1
U2
capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin aliere, este aproximativ 20-30
pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere, la o tensiune UC0=5 (V) , capacitatea
colectorului este aproximativ 10 pF.
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii
emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de cteva
sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF (capacitate de difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu ajutorul
generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k ), ce
corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena r BB este
rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se nlocuiete
cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M ) i cu capacitatea CBC de ordinul a
civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de curent s
depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete ca
raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea
infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi fiind constante.
Aadar:
gm
I C
e
I C
U BE kT
i se poate demonstra c:
g m r BE h 21 B
n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite dintre
terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB. Acestea sunt de
ordinul a 1- 4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din acest motiv
de cele mai multe ori se pot neglija. De menionat c exceptnd rCB i rEB care o variaie
mic, ceilali parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul
de funcionare static (de exemplu rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).
11
Dup cum se tie din teoria circuitelor, legtura dintre tensiune i curent poate fin
prezentat cu o funcie ce depinde de dou necunoscute iar argumente pot fi oricare
dou din: U1, I1, U2, I2. Se utilizeaz doar cele patru de mai jos:
I1=f1(U1;U2)
I2=f2(U1;U2)
U1= 1(I1;U2)
U2= 2(I1;U2)
Aceste funcii pot fi scrise n form diferenial:
Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h, deoarece ei sunt mai comozi
pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i curent cu
parametrii h are forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2
12
(3)
h 11
h 12
dU 1
dI 2
dU 2 0
dU 1
dU 2
dI 1 0
dI 2
h 21
dI 1
dU 2 0
h 22
dI 2
dU 2
dI 2 0
Baz comun:
Emitor comun:
h 11B r E r B ( 1 )
h11E r B r E ( 1)
h 21B
h 21E 1 *
h12B
rB
rC
h12E *
h 22B
1
rC
h 22E
rE
rC
*
rC
14
a)
C
B
c)
Fig.11
b)
111
Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i colector
(C). Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea emitorului, iar cea
de la frontiera C-B jonciunea colectorului. Electroconductibilitatea bazei poate fi de
tip-p sau de tip-n. Respectiv, sunt dou tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p
i n-p-n.
Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai.
Deosebirea const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge prin
baz este creat de golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n de
electroni. n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este polarizat direct, iar
a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre ele
(adic, dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci purttorii,
injectai de emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii
I Eprezint
I Ep ramura direct a caracteristicii diodei,
I Cp iarI aC jonciunii colectorului
emitorului
I Ep I En
p
p
I Cconst
n
0
cea invers. Proprietatea unic a tranzistorului
anume n interaciunea acestor
dou jonciuni.
E prezentat
ECB n structura tranzistorului bipolar
n fig. 2 este
distribuirea curenilor
EB
a)
15
b)
c)
Fig. 12
La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii
colectorului i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest curent
este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 . Curentul
invers al colectorului I CB 0 (parametru foarte important al tranzistorului) prezint n sine
curentul prin jonciunea colectorului la tensiunea dat, cnd circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii emitorului
i apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul electronilor
i golurilor:
I E I En I Ep .
I Ep I En .
I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99
I Cp
colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n purttori
de sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva ori mai mare
dect cea a emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .
Mrimea raportului:
I Cp I Ep
I Ep I E
17
0 ,95...0 ,99 ,
unde
I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .
I Cp
I En I E .rec .
I C I CB 0
.
I B I CB 0
UCB0
UEB
IE0
18
UCB
a)
b)
Fig. 13
I Cp I E I E .
Curentul
I Cp
I 0 I Cp ,
I Cp ,
putem
prezint
adic:
I p n I 0 exp eU kT 1 .
y0
mrimea curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin jonciune (
I E ). La tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta
IB
I Bn
IC
U CE 0
I B1
IB 0
U CE 1
a)
U BE
Fig. 14
b)
U CE
i n jos. Acest decalaj poate fi explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe jonciunea
emitorului este constant. Atunci la fel constant va fi i concentraia golurilor n
apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac micorarea limii bazei, adic
micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului. Din aceast cauz
procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus. Findc electronii
19
care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei, curentul bazei se
micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas, fiindc
la frontiera cu jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu jonciunea
emitorului este egal cu concentraia de echilibru. Din aceste considerente n regiunea
bazei procesul generrii termice este mai rapid dect prcesul de recombinare. Electronii
generai n baz pleac din ea prin borna bazei, iar aceasta nseamn, c apare curentul
ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de
micorarea limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer, al
curentului emitorului crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n schema cu
emitor comun 1 .
h21E =40
mbinarea avantajelor celor dou tipuri de tiristoare s-a regsit ntr-un nou dispozitiv
semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu gril izolat IGBT.
Rn-1 materializeaz
parte prezena ntre colector i emitor a tranzistorului pnp asigur o cdere de tensiune
VCEON comparabil cu cea de la tranzistoarele bipolare. Caracteristicile statice,
ic=f(VCE), au forma din Fig. 5 i se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer ic
= f(VGE) din Fig. 6. n familia de caracteristici statice se definesc zonele:
dreapta VCESUS, care limiteaz tensiunea maxim admis n sens direct, la valori mai
mari dect VCESUS aprnd fenomenul primei strpungeri, cu aceleai caracteristici ca la
tranzistoarele bipolare;
zona activ, cu aceleai proprieti ca la MOSFET;
zona ohmic;
pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prbuire n sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleai proprieti ca la tranzistorul MOSFET.
24
- ,
- " ",
. . 1
25
( , ),
, , .
DA1 -
, ,
.
, .
VT1, VT2,
""
R1, R2
. VT1 VT2
VT3 VT4,
. R6
R7, .
"" .
4 1. , ""
!
1 ""
1 , ,
26
.
, ,
"" -
.
R3, R4, R4
"".
.
(
),
.
.1.
(VT1-VT4),
(VT5, VT7) (VT8-VT13).
( VD1,
VD2). .
VD3-VD5, VT12, VT13
.
LI,
R35,
R36,
C11,
27
R20,
Puc.1.
VD3 - VD5 . L1
10 . -2 0,8, R35 (-2).
,
. ( ) ,
, .
R29
50 ... 70 .
. 819 818.
4 .
.
.
. ,
.
28
:
....... 55
.......... 0,07%
.......... 20... 50 000
-...............89
........... 36
.......... 100
12. Bibliografie.
1. Sandu D. Electronica fizic i aplicat Iai: Editura A.I. Cuza,1994.
2. .. .: , 1991.
3. .. .:, 1977.
4. C .. .:, 1977.
5. Vasilescu G. Electronica 1993.
29