Nume Prenume Grupa MARCADE

APLICAŢIE – Analiză de curent continuu

A1. Implementaţi şi simulaţi reţeaua liniară de circuit ilustrată în Exemplul 1 din Seminar #1.

Figura 1 – Schema electrică a circuitului de studio, cu şi fără notaţii

Particularizarea circuitului:
RC =2000+ MARCADE=¿

Introduceți o captură de ecran cu circuitul implementat în CAPTURE.

NOTĂ: se va folosi programul SNIPPING TOOL.

……
Figura 2 – Implementarea in schematic a circuitului de studiu

Introduceți o captură de ecran cu profilul de simulare pentru analiza Bias Point:

…
Figura 3 – Profilul de simulare pentru analiza Bias Point
Determinaţi cu ajutorul simulatorului la temperatura camerei:

1
 a. Tensiunile nodale;
b. Curenţii prin laturi;

INDICIU:
PSPICE → Bias Points→ Enable Bias Voltage Display
PSPICE → Bias Points→ Enable Bias Current Display

Introduceți o captură de ecran cu punctul static afișat peste schematic.

…
Figura 4 – Vizualizarea tensiunilor nodale şi a curenţilor de punct static în urma analizei Bias Point

Completaţi Tabelul 1 cu valorile găsite:

VB VE VC V BE=V B −V E V CE IB IC IE I (VCC ) I1
1.595V

A2. Prefigurând ceea ce veţi studia în timpul acestui semestru, putem spune că sursa de tensiune V D
împreună cu SCCC modelează un transistor bipolar NPN . Substituiţi aceste elemente de circuit cu un
astfel de transistor (de ex. BC107A din biblioteca EBIPOLAR). Refaceţi apoi simularea şi determinările
de mai sus.

Introduceți o captură de ecran cu circuitul ce utilizează BC107A, implementat în CAPTURE.

….

2
 Figura 5 – Implementarea în schematic a circuitului cu tranzistor bipolar

Completaţi Tabelul 2 cu valorile găsite:

VB VE VC V BE V CE IB IC IE I (VCC ) I1
1.594V

INDICIU:
Deoarece curentul I B nu este afişat, puteti să-l determinaţi aplicând KI în nodul (B):

I B=I 1−I 2
Uneori nici V (C ) nu este afişat astfel ca îl vom calcula scazând din potentialul nodului superior (+-ul
sursei VCC) căderea de tensiune pe rezistorul RC :
V ( C )=VCC−RC I C
Potenţialul nodului (E) corespunde căderii de tensiune pe rezisotrul R E:
V ( E )=R E I E
Pentru a calcula V (B):
V ( B )=VCC−R 1 I 1

A3. Determinarea variaţiei cu temperatura a pontenţialului nodal V (C ) în cazul celor două implementări:
- implementarea cu V D şi SCCC (Figura 2);
- implmentarea cu tranzistor bipolar (Figura 4);

Se va realiza o analiză DC SWEEP în care se variază temperatura între −25 ℃ şi 125 ℃ cu paşi de
5 ℃:

Introduceți o captură de ecran cu profilul de simulare pentru analiza Bias Point:

…
Figura 6- Profil de similare pentru analiza DC SWEEP

Se va conecta un Voltage/Level Marker în nodul marcat (C) . Se poate asocia o denumire specifică unui
nod prin: PLACE/NET ALIAS.

….

3
 Figura 7 – Conectarea Voltage/Level Marker în nodul marcat (C) .

Se obţin în PSpice A/D următoarele variaţii:

Introduceți variațiile obținute pentru V (C ) în cazul celor două implementări:

… …

Figura 8 – Variaţia cu temperatura a potenţialului V (C ) pentru circuitul ideal şi respectiv pentru

implementarea cu transistor

Furnizaţi o explicaţie pentru evidenta diferenţă între cele două variaţii observate!

Includeţi toate rezultatele activităţii dvs într-un fişier PDF (capturi ale circuitelor desenate, capturi ale
profilelor de simulare, capturi ale punctelor statice, tabele completate, forme de undă) care sa conţină
suplimentar numele şi semnatura. Fişierul va fi incărcat pe MOODLE în QUIZ-ul asociat laboratorului şi
de asemenea va fi trimis într-un email la adresa temedecef@yahoo.com folosind subiectul “Grupa,
nume, tema laborator x”.