Electronica digitala 2.

Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

DETERMINAREA CARACTERISTICILOR DE REGIM STATIC I DINAMIC

PENTRU UN INVERSOR REALIZAT CU UN TRANZISTOR BIPOLAR CU
JONCTIUNI NPN (TBJ)

I. Analiza regimului static

Toate informaiile vor fi obinute pe baza caracteristicii statice de transfer (CST)
care va fi obinut si vizualizat la rndul ei printr-o analiz de cc (DC Sweep) a unui
inversor elementar cu un TBJ de tip npn, n conexiunea Emitor Comun, avnd ieirea n
gol (deci curentul de ieire este nul) i alimentat la tensiunea de 5V(VCC).
Se va determina tensiunea de prag VP a inversorului, se va mai vizualiza evoluia
curentului de intrare Iin i a curentului de alimentare Icc pentru a pune n evident
dependena acestora de nivelele logice ale intrrii (sau ieirii).
Se vor modifica unele din proprietile circuitului pentru a pune n evident
dependena unora din caracteristicile anterioare de aceste proprieti (valori).
Numele componentelor sunt alese astfel nct s fie cat mai sugestive: VCC sursa
de tensiune constanta care ofer tensiunea de alimentare a circuitului, VIN- sursa care
ofer tensiunea de intrare, utilizat pentru analiza de curent continuu, RB - rezistena de baz,
RC - rezistena de colector (de sarcin) si CL un capacitor de sarcin (load), relevant doar
pentru regimul dinamic.

Etapele de lucru sunt urmtoarele:

I.1 Se lanseaz Capture CIS Demo (Start -> Programs -> Cadence -> Orcad 16.6
Lite -> -> Orcad Capture CIS Demo); se genereaz un nou proiect (File -> New ->
Project); se furnizeaz numele (Name) noului proiect, calea/locaia (Location) unde
proiectul se va memora i se alege opiunea "Analog or Mixed A/D" (Checkbox-ul bifat!).
I.2 Se va construi circuitul din figura anterioar. Procedurile utilizate sunt cele din
exemplele anterioare. Se stabilesc proprietile dispozitivelor (valori, nume). Condensatorul
de sarcin CL nu are nici o semnificaie pentru acest tip de analiz, fiind utilizat (si eventual
adugat) doar la analiza de tranzitoriu.
Tranzistorul bipolar npn utilizat Q1 (se va alege modelul/dispozitivul numit
QbreakN3 sau QbreakN din biblioteca BREAKOUT) are proprietile modelului implicit
(Default), acesta fiind modelul utilizat pentru analiza iniial.

1
Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

I.3 Pentru obinerea CST sursa din intrare VIN i va modifica valoarea ntre 0 i 5V
(=Vcc - tensiunea de alimentare a inversorului), cu pasul de 0.1V, prin configurarea
corespunztoare a analizei de cc. Parametrii analizei nu se vor mai modifica n continuare.
Pentru configurarea analizei de cc se procedeaz astfel:
- din meniul "PSpice", se alege "New Simulation Profile"; se va introduce numele
simulrii(Ex: "Analiza de tip DC Sweep");
- n fereastra de dialog "Simulation Settings", opiunea "Analysis", se realizeaz
urmtoarele setri: tipul analizei (Analysis Type): "DC Sweep"; parametrii analizei
(Options): "Primary DC"; tipul i numele sursei (Sweep Variables): "Voltage Source" cu
numele "VIN";
- tipul i parametrii (Sweep Type):"Linear" cu parametrii: Start value: 0V,
Increment: 0.1 i End value: 5V;

I.4 Se lanseaz analiza ("Run" din meniul "PSPICE"). SPICE va lansa automat
fereastra de vizualizare rezultate ("Probe window"), care nu va conine nici o caracteristic
grafic. Pentru afiarea graficul care reprezint imaginea CST, din meniul "Trace" se alege
opiunea "Add Trace...". Din lista de variabile din partea stng se selecteaz (Click)
V(VOUT).
Se vor identifica nivelele logice de intrare VIL, VIH (delimitare zone de stabilitate
0..VIL max i VIH min..Vcc) respectiv ieire VOL, VOH (valori unice n acest caz).

I.5 Se va determina tensiunea de prag a inversorului ca fiind valoarea tensiunii de

intrare pentru care VOUT=VIN ( dat de intersecia dreptei de ecuaie Vout=Vin cu CST ).
Pentru aceasta cel mai simplu este s facem vizibil pe grafic i evoluia potenialului nodului
de intrare - care este borna '+' a sursei VIN (Trace -> Add Trace..., V(VIN:1)). Punctul de
intersecie se proiecteaz pe axa orizontal (VIN), rezultnd tensiunea de prag VP.

I.6 Se va vizualiza evoluia curentului de intrare IIN = f(VIN) Pentru aceasta, din
meniul "Plot" se alege opiunea "Add Plot to Window"; din meniul "Trace" se alege
"Add Trace..."; n linia de comand a dialogului se introduce/alege expresia: -I(VIN).
Semnul minus este necesar pentru a da sensul real al curentului prin raportare la nodul de
intrare al inversorului. I(VIN) este curentul care intr n borna + a sursei.
Se vor identifica cei doi cureni de intrare n cele dou stri logice: IIL i IIH max .

I.7 Se va vizualiza evoluia curentului de alimentare ICC= f(VIN) Pentru aceasta cu:
"Trace", "Add Trace..."; se introduce n linia de comand a dialogului expresia: -I(VCC).
Semnul minus este necesar pentru a da sensul real al curentului prin raportare la nodul de
alimentare al inversorului. Se vor identifica cei doi cureni de alimentare n cele dou stri
logice ale ieirii (H sau L): ICCL i ICCH .
OBSERVATIE Pentru comoditate se pot utiliza markerii de tensiune (V) si respectiv
curent(I). Atenie la semnul corect al tensiunilor si curenilor.

2
 Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

VOH

VOL

VIH min
VIL max
VP

Icc Icc max = ICCL

Icc min =ICCH

3
 Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

IIN
IIL (max)

IIH (min)

I.8 Se vor pune n eviden o serie de mrimi caracteristice ale circuitului care
condiioneaz CST.
I.8.1 Parametrii tranzistorului(modelului TBJ)
Pentru nceput se vor modifica parametrii modelului implicit Spice pentru tranzistorul
bipolar, astfel nct modelul s fie asemntor tranzistoarelor utilizate, n tehnologie
monolitic, la realizarea circuitelor digitale. Se selecteaz transistorul (Click pe tranzistor),
iar din meniul "Edit" se alege opiunea "PSpice model".

Se va lansa un nou program - PSpice Model Editor Lite.

Observaie Si acest program se lanseaz lent si tipic apare minimizat in bara de jos:

Acesta program permite construirea modelelor Spice ale componentelor. n partea stng, n
lista de modele, va aprea numele modelului: QBreakn. n partea dreapt, este prezentat

4
Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

sintaxa, care definete proprietile modelului QBreakn: " .model Qbreakn NPN ". Aceasta
"spune" c tranzistorul QBreakN este un tranzistor NPN i c toi parametrii (42 la numr)
sunt setai la valorile lor implicite. n Anex sunt prezentai parametrii tranzistorului i
valorile lor implicite.
Din fericire numai o mic parte din aceti parametrii sunt relevani (pentru scopurile
noastre) ntr-o o analiz de cc, acelai lucru putndu-se spune i despre analiza de tranzitoriu.
Restul parametrilor pot rmne la valorile modelului implicit. Valorile modificate (curent de
saturaie, F , rezistene ohmice, coeficient dependen de temperatur a lui ) sunt: IS=1E-
14, BF=20, RB=50, RC=30, XTB=1.
Sintaxa noului model al tranzistorului este:
.model QbreaknDC NPN IS=1e-14 BF=20 RB=50 RC=30 XTB=1

Dup modificarea parametrilor se salveaz noul model i se nchide programul de editare

model.
Numele noului nostru dispozitiv/model este QbreaknDC si trebuie s apar ca atare pe
schem, lng dispozitiv. Dac dorim s revenim la modelul implicit este suficient s
alegem din nou modelul implict Qbreakn.
Se repet simularea cu vizualizarea doar a CST (VOUT). Se repet analiza i se
determin din nou mrimile: VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.

I.8.2 Valorile de rezistene (controlul saturaiei)

Se pstreaz caracteristicile tranzistorului (modelul QbreakDC) i modific rezistena
extern RC la RC=1K. Micorarea ei duce la mrirea curentului de saturaie, astfel ca este
posibil ca tranzistorul sa nu mai poat fi saturat, in condiiile date, circuitul ne mai fiind util
ca inversor numeric!
Se repet analiza; comentai rezultatul; pentru aceast situaie cum trebuie modificat RB
pentru a obine practic aceiai caracteristic static ca la I.8.1 ?

I.8.3 Influena temperaturii de lucru asupra caracteristicii statice de transfer

n condiiile de la 8.1 (valorile iniiale de rezistene) se va realiza simularea la dou
temperaturi mult diferite; temperatura implicit este 27oC. Pentru aceasta:
- n fereastra de dialog "Simulation Settings", "Analysis", se selecteaz: "DC Sweep";
- n lista de opiuni (Options) se selecteaz: "Temperature Sweep";
- se specific parametrii analizei; se activeaz check-boxul "Repeat the simulation for each
of the temperatures" i se introduce lista de temperaturi(separate prin spaiu): -55 +27 +125.

5
Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

- se repet analiza; se determin din nou mrimile: VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.
Comentai rezultatele: cum anume sunt afectate de temperatura de lucru aceste mrimi?

II. Analiza regimului dinamic

Scopul analizei este de a determina rspunsul n domeniul timp al circuitului, sau

mai concret determinarea timpului de propagare (intarziere) al inversorului i a factorilor
care l condiioneaz. Rezultatele i comentariile se vor centraliza sub forma unui tabel.
Se va utiliza circuitul iniial cu urmtoarele modificri:
- sursa de tip constant din intrare, utilizat in analiza/schema anterioar, se va
nlocui acum cu o surs de tip de tip impuls VPULSE (biblioteca SOURCE) ale crei
caracteristici vor fi date n continuare; atenie la polaritatea sursei (borna + la intrarea
inversorului- ctre baza tranzistorului) !
- se va utiliza din nou modelul implicit al tranzistorului: se selecteaz transistorul
(Click pe tranzistor), iar din meniul "Edit" se alege opiunea "PSpice model"; n OrCAD
Model Editor se definete (se revine la) sintaxa modelului implicit:
.model Qbreakn NPN
- deocamdat nu se introduce condensatorul de sarcin CL (sau se pstreaz cel din
schema iniial, de valoare foarte mic, de ex. CL=0.001P ), circuitul fiind iniial practic cu
ieirea n gol i n regim dinamic

6
 Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

II.1 Parametrii semnalului de tip impuls oferit de sursa din intrare se stabilesc la :
valoare iniial: V1 = 0V; amplitudine impuls: V2 = 5V; ntrziere iniial (Delay): TD=
15N; timp de cretere (Rise): TR = 5N; timp de cdere (Fall): TF = 5N; lime impuls
(Width): PW = 80N; perioada (Period): PER = 240N;
Se stabilesc parametrii analizei de tranzitoriu:
- din meniul "PSpice", se alege "New Simulation Profile"; se va introduce numele
simulrii (Ex: "Transient1");
- n fereastra de dialog "Simulation Settings", opiunea "Analysis", se realizeaz
urmtoarele setri: tipul analizei (Analysis Type): "Time Domain (Transient)"; momentul
de nceput al vizualizrii (Start saving data after): 0ns; momentul de terminare a simulrii
(Run to time): 260ns; pasul maxim de timp pentru simulare (Maximum step size): 4ns; se
pstreaz toi ceilali parametrii nemodificai i se iese cu OK;

II.2 Se lanseaz analiza ("Run" din meniul "PSpice"). Pentru a vizualiza, simultan,
pe aceeai ax a timpului, intrarea i ieirea circuitului: Trace -> Add Trace... i din lista de
variabile din partea stng se selecteaz (Click): V(VOUT) i V(VIN:+);
Determinarea celor dou componente ale timpului de propagare tpHL i tpLH se face
ca la 50% din amplitudinea valoarea vrf la vrf vv - celor dou impulsuri V OUTVV
V IN VV) ca in figura urmtoare unde cele dou forme de und sunt suprapuse. Numai dac
cele dou impulsuri au aceiai amplitudine se poate duce o orizontal comun la 50% i se
determin punctele de intersecie (la noi, unde amplitudinea este practic de 5V se poate
materializa orizontala cu: Trace, Add Trace..., Add Expression i se introduce n linia de
comand constanta 2.5).
Deoarece modelul implicit (Default) al TBJ este idealizat din punct de vedere al
comutaiei (capacitile regiunilor golite nule i timpi de tranzit ai purttorilor minoritari
nuli) i datorit absenei practic a sarcinii capacitive, iniial timpii de propagare trebuie s fie
nesemnificativi (aproape nuli).

VIN
VIN VV

tpLH

50% din
VIN VV si V OUTVV
V OUTVV
= 2.5V tpHL
VOUT

II.3 Pstrnd nc modelul implicit pentru tranzistor se adaug/mrete condensatorul

de sarcin la CL=5PF i se repet analiza. Se msoar timpii de propagare; comentai
diferena ntre cei doi timpi determinai.

7
Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

II.4 Se modific unii din parametrii modelului (capaciti ale regiunilor golite i
timpi de tranzit) care condiioneaz regimul de comutaie al TBJ. Se selecteaz transistorul
(Click), iar din meniul "Edit" se alege opiunea "PSpice model"; n OrCAD Model Editor
se definete sintaxa modelului implicit:
.model QbreaknTr NPN IS=1e-14 BF=20 RB=50 RC=30 XTB=1 CJE=1P TF=0.7N
CJC=1P TR=5P .
Nu confundai rezistenele intrinseci aferente modelului tranzistorului bipolar (RB, RC)
cu rezistenele externe RB, RC utilizate in circuit !
Numele noului nostru model este QbreaknTr si va aprea pe schem lng dispozitiv.
Se repet analiza i se msoar timpii de propagare.
II.5 Se pstreaz modelul QbreaknTr si se modific rezistenele la RC=1K i RB=4K;
se repet analiza i se msoar timpii de propagare;
Pstrnd valorile de rezistene repetai analiza folosind din nou modelul implicit al
tranzistorului .model Qbreakn NPN;
Comparai, comentai i justificai modificrile timpilor de propagare.

Sinteza mrimilor determinate si a vizualizrilor

I.4, I.5 Caracteristica static de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.
I.6 Caracteristica de intrare Iin=f(Vin), valori IIL i IIH max .
I.7 Caracteristica de alimentare Icc=f(Vin), valori ICCL i ICCH
I.8.1 Caracteristica statica de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP.
I.8.3 Caracteristicile statice de transfer pentru cele 3 temperaturi (pe acelai grafic), valori
VIL max, VIH min, VOL, VOH, VP pentru fiecare temperatur, justificare influente.
II.2 Doar formele de und.
II.3 Forme de und i timpii de propagare.
II.4 Forme de und i timpii de propagare.
II.5 Doar timpii de propagare.

TEME DE CASA
A. Punctele I.4, I.5 (caracteristica static de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL,
VOH, VP) se vor repeta si pentru urmtorul circuit inversor cu TBJ (cu ieirea in gol).

VCC
RC 5Vdc

5k
RB2
Q1
RB1 D1 V
10k
VIN
1k Dbreak
0Vdc V
QbreakN

0
Parametrii tranzistorului i ai diodei (de tip Dbreak din biblioteca BREAKOUT) sunt cei
implicii. In mod asemntor se vor repeta i punctele I.6, I.7, dar cu caracteristicile de
curent reprezentate pe acelai grafic (sistem de axe). Comentai corelarea intre curentul
de alimentare i cel de intrare.

8
Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

Mai introducei o diod D2 (identic cu D1) in serie cu dioda D1 si repetati I.4, I.5. Care
mrimi sunt influenate, n ce sens (cresctor sau descresctor) i de ce ?

B. Punctele I.4, I.5 (caracteristica static de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL, VOH,
VP) se vor repeta si pentru urmtorul circuit inversor cu TBJ la care ieirea nu mai este
n gol, fiind ncrcat cu dou intrri de inversor similar. Parametrii modelelor
tuturor celor trei tranzistoare sunt cei implicii (QbreakN). Precizai care sunt efectele
asupra caracteristicii statice de transfer.

C. Punctele I.4, I.5 (caracteristica static de transfer, valori VIL max, VIH min, VOL,
VOH, VP) precum si I.6 (Iin=f(Vin), valori IIL i IIHmax), I.7(Icc=f(Vin), valori ICCL i
ICCH) se vor repeta si pentru urmtorul circuit inversor cu un TBJ de tip pnp (cu
iesirea in gol). Parametrii modelului tranzistorului sunt cei implicii (QbreakP).
Pe baza caracteristicilor de curent obinute artai ca iE=iB+iC (relaia poate v pare
cunoscut...).

9
Electronica digitala 2. Inversorul numeric cu tranzistor bipolar

Anex
Lista parametrilor care pot fi definii n sintaxa .MODEL pentru un tranzistor bipolar BJT.

BJT Defualt
Name
parameter value
-16
IS saturation current 10 A
BF forward current gain 100
VAF forward Early voltage Infinity
BR reverse current gain 1
VAR reverse Early voltage Infinity
NF / NR forward and reverse current emission coefficients 1 (for both)
IKF / IKR forward and reverse high-current beta roll-offs Infinity
ISE base-emitter leakage saturation current 0A
ISC base-collector leakage saturation current 0A
NE base-emitter leakage emission coefficient 1.5
NC base-collector leakage emission coefficient 2
RC collector resistance 0 ohms
RE emitter resistance 0 ohms
RB base resistance 0 ohms
RBM minimum base resistance at high currents 0 ohms
IRB current where base resistance falls halfway to its minimum value inifinity
TF ideal forward transit time 0s
TR ideal forward reverse transit time 0s
XTF coefficient for bias dependence of TF 0
VTF voltage describing VBC dependence of TF Infinity
ITF high-current parameter for effect on TF 0A
PTF excess phase associated with TF 0 degrees
CJE zero-bias base-emitter depletion capacitance 0F
VJE base-emitter built-in potential 0.75 V
MJE base-emitter junction grading coefficient 0.33
CJC zero-bias base-collector depletion capacitance 0F
VJC base-collector built-in potential 0.75 V
MJC base-collector junction grading coefficient 0.33
CJS zero-bias collector-substrate capacitance 0F
VJS substrate-junction built-in potential 0.75 V
MJS substrate-junction exponential factor 0
fraction of base-collector depletion capacitance connected to
XCJC 1
internal base node
FC coefficient for forward-bias depletion 0.5
XTB forward and reverse beta temperature coefficient 0
XT1 saturation current temperature coefficient 3
EG energy gap for temperature effect on saturation current 1.11 eV
KF flicker-noise coefficient 0
AF flicker-noise exponent 1
OBS. Unele mrimi sunt adimensionale, fiind de natura unor coeficieni.

10