Laborator 4.

TRANZISTORUL CU EFECT DE
CÂMP tip MOS (TEC-MOS)

REZUMAT TEORETIC

• Simbol
TEC-MOS cu canal n indus

Ca şi la TEC-J, terminalele (electrozii) au următoarele denumiri: D-drenă, S - sursă şi G-

grilă (poartă). Sensul săgeţii este întotdeauna de la p la n (ca la diodă). Canalul cu linie
întreruptă este de tip indus, iar cel cu linie continuă este de tip iniţial.
Cele două tipuri de TEC-MOS cu canal n şi cu canal p sunt echivalente dacă se schimbă
semnele tensiunilor aplicate între terminale.
• Structura TEC-MOS
Structura simplificată a tranzistorului TEC-MOS cu canal n indus este arătată în
fig.4.1.

Fig. 4.1.

1
 Într-un substrat semiconductor slab impurificat de tip p se crează prin
difuzie două regiuni puternic dopate de tip n + care constituie sursa S şi respectiv
drena D. Pe semiconductor se formează un strat de bioxid de siliciu ( SiO 2 )
obţinut prin oxidare termică, iar peste acesta se depune un strat metalic de
aluminiu care constituie grila G (poarta). Substratul constituie al patrulea electrod
(baza), care se conectează de obicei la sursă.
Prin aplicarea unei tensiuni pozitive pe grilă în raport cu substratul p,
câmpul electric din stratul de bioxid de siliciu orientat către semiconductor va
atrage în apropierea suprafeţei de separaţie electronii de conducţie şi va îndepărta
golurile. Astfel, între sursă şi drenă se acumulează un strat superficial de electroni
de conducţie numit strat de inversiune de tip n, care reprezintă canalul conductor
ce poate conduce un curent electric. Tensiunea la care începe să circule curent
între drenă şi sursă se numeşte tensiune de prag şi se notează V P . Pentru TEC-
MOS cu canal n indus, tensiunea de prag V P este pozitivă şi are o valoare tipică
în jur de 2V.

CIRCUITE CU TEC-MOS

1. Inversorul MOS.
Realizați în LTspice circuitul inversorului MOS.
Încărcați fișierul în versiune grafică (1_inversorul_MOS.asc) sau scrieți
fișierul .cir corespunzător.
Modelul folosit pentru transistor este BSS134, a cărei foaie de catalog o puteți
consulta în materialele acestui laborator. Tensiunea tipică de prag pentru acest
transistor este Vp=2 V. Caracteristicile statice de ieșire (ID(VDS) cu VGS
parametru) și de transfer (ID(VGS) la saturație) extrase din datele de catalog
sunt următoarele:

2
 Fig. 4.2. Inversorul MOS

Pentru consultare și comparație vă oferim fișierul cu netlistingul generat

automat de LTspice:

*1_inversorul_MOS.asc
M1 Vo Vi 0 0 BSS145
R1 Ed Vo 1.8k
V§Ed Ed 0 5
Vi Vi 0 PULSE(0 {amplitudine_vi} 0 10ns 10ns 0.5ms 1ms)
.model NMOS NMOS
.model PMOS PMOS
.lib /standard.mos
.tran 2ms
.param amplitudine_vi=1
.backanno
.end

Vizualizați pe același ecran, dar în grafice (plot-uri) diferite, tensiunea de

comandă Vi și tensiunea de ieșire Vo pentru următoarele valori ale parametrului
amplitudine_vi:
a) amplitudine_vi=1
b) amplitudine_vi=3
Ce observați comparând cele două situații?

3
2. Fie circuitul amplificator din fig. 4.3.

Se dau: RD = 1,8 k W , VP = 1,8V , ED=10 V

Sursa vi reprezintă tensiunea de intrare ce urmează să fie amplificată.

Fig. 4.3.

A) Măsurări în c.c. – determinarea PSF (Nu se conectează vi)

a) Încărcați fișierul 2.A_amplificator_tip1_mas_CC.asc

b) Determinarea PSF (VGS, VDS, ID).: Vizualizați pe ploturi diferite VGS, VDS
și ID.
c) Determinați regimul de funcționare (sat.) al tranzistorului verificând
inegalitatea VDS >= VGS-VP

B) Măsurări în c.a. Conectăm tensiunea sinusoidală vi:

a) Încărcați fișierul 2.B_amplificator_tip1_mas_CA.asc

b) Vizualizați pe ploturi diferite semnalele de intrare și de ieșire (vi și vo),
măsurați amplitudinea Vo a semnalului de ieșire și determinaţi
amplificarea de tensiune pentru semnal mic si la frecvente medii
(amplificarea liniara si intrarea in limitare) pentru diverse valori ale
tensiunii de intrare (modificând parametrul amplitudine_vi)

amplitudine_vi 5 mV 20 mV 70 mV
Av=Vo/Vi

4
3. Fie circuitul amplificator din fig. 4.4.
Se dau: RD = 1,8 kW , VP = 1,8V RG1= 100k, RG2=200k

Fig. 4.4.

A) Măsurări în c.c. – determinarea PSF (Nu se conectează vi)

a) Încărcați fișierul 3.A_amplificator_tip2_mas_CC.asc

b) Determinarea PSF (VGS, VDS, ID).: Vizualizați pe ploturi diferite VGS, VDS
și ID.
c) Determinați regimul de funcționare (sat.) al tranzistorului verificând
inegalitatea VDS >= VGS-VP

B) Măsurări în c.a. Conectăm tensiunea sinusoidală vi:

a) Încărcați fișierul 3.B_amplificator_tip2_mas_CA.asc

b) Vizualizați pe ploturi diferite semnalele de intrare și de ieșire (vi și vo),
măsurați amplitudinea Vo a semnalului de ieșire și determinaţi
amplificarea de tensiune pentru semnal mic si la frecvente medii
(amplificarea liniara si intrarea in limitare) pentru diverse valori ale
tensiunii de intrare (modificând parametrul amplitudine_vi)

amplitudine_vi 5 mV 20 mV 100 mV
Av=Vo/Vi

c) OPȚIONAL (studiu pentru acasă): Se adaugă o sarcina suplimentara

RL=1,8K. Cat este amplificarea in acest caz? Comparati-o cu cea de la punctul
anterior.