Laborator - Lucrarea 1

Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

Creșterea complexității circuitelor electronice, performanțele ridicate, necesitatea de a reduce

timpul de proiectare și nu în cele din urmă reducerea costurilor de proiectare și de realizare a circuitelor
integrate, au impus în ultimele decenii utilizarea programelor de simulare a circuitelor electronice.
În anii 1970, la Universitatea Berkeley din California, un colectiv de cercetători, ce-l includea și
pe Andrei Vladimirescu, absolvent al Facultății de Electronică din București, a dezvoltat un program
universal de simulare a circuitelor electronice numit Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis
sau pe scurt SPICE.

OBIECTIVE
O1 – Familiarizarea studenților cu mediul de lucru PSpice
O2 – Simularea unor circuite simple și înțelegerea parametrilor de model pentru dispozitivele active
de circuit.
O3 – Analiza și determinarea parametrilor de model pentru dispozitivele semiconductoare.
Software-ul utilizat pentru prima lucrare este pachetul care încorporează PSpice din CADENCE,
varianta ORCAD LITE

INTRODUCERE
Programul specific rulat pentru analiza circuitelor este ORCAD CAPTURE CIS-Lite. Circuitele se
vor descrie efectiv prin desenare în SCHEMATIC.
Programul care va realiza simulările și va prezenta rezultatele grafice este numit PSpice, iar Ex-
tractorul de parametrii este PARTS.

Cu ajutorul PSpice se realizează:

 Proiectarea circuitelor
 Simularea funcționării circuitelor
 Analiza rezultatelor de simulare (‚Probe’ pentru versiuni mai vechi)

Notă: Pentru prima lucrare utilizam diode, rezistențe, condensatoare și diverse surse de tensiune
independente / dependente. Programul CAPTURE are biblioteci de simboluri extinse și include un editor
de simboluri complet integrat pentru a crea noi simboluri sau pentru modificarea simbolurilor existente,
dar care nu va fi utilizat in aceasta lucrare.
Principalele operații ce se pot realiza cu CAPTURE sunt:
 Crearea și editarea modelelor;
 Crearea și editarea simbolurilor;
 Crearea și editarea modelelor ierarhice;
 Pregătirea design-ului pentru simulare;

PREGĂTIRE
Se recomandă studenților utilizarea laptopurilor personale pe care va fi instalat in prealabil
programul PSpice din ORCAD LITE ALLEGRO 16.6 descărcat personalizat de la
http://www.orcad.com/buy/try-orcad-for-free și vor fi desenate circuitele propuse pentru fiecare laborator.
În cadrul laboratorului va fi analizată funcționarea și vor fi
V1 R1
focalizati parametrii de model pentru dispozitivele semiconductoare
5Vdc
utilizate in simulări. 5k

D1

MOD DE LUCRU
1

0
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
Se propune studierea următorului circuit simplu (v. figura alăturata):
Etapele realizării lui sunt descrise mai jos:
1. Rulați programul OrCAD Capture CIS-Lite
2. Din meniul File selectați New ->Project (sau din fereastra de start, faceți clic pe pictograma
NewProject).
3. În fereastra NewProject, denumiți proiectului și din cele 4 bu-toane selectați Analog or Mixed A /
D; apăsați Browse pen-tru locatia fisierelor ce se vor crea,de exemplu C:\OrCAD\
OrCAD_16.6_Lite\exercitii, apoi validați setările cu OK.
4. În fereastra PSpice pop-up ce se deschide după pct.3, se-lectați Create a blank project , iar
apoi validați OK.
5. Acum vă aflați în mediul SCHEMATIC-PAGE1, în care veți construi circuitul propus studiului.
6. Din meniul Place selectați sub-meniul Part; in acest moment in partea dreapta a ferestrei active
se deschid mai multe câmpuri printre care si cel indicat cu
săgeata
7. Faceți clic pe EVAL din caseta Libraries.
Atenție: In cazul in care bibliotecile pentru componente nu
sunt încărcate in câmpul Libraries, atunci aduceți-le numai
pe cele folosite in aceasta lucrare (respectiv eval.olb,
analog.olb si source.olb) din folderul pspice ce se
deschide prin apăsarea pictogramei marcata cu dreptunghiul roșu.
8. Căutați dioda D1N4148; se poate face fie prin defilare în jos pe lista aferenta din câmpul PartList
sau prin tastarea D1N4148 în caseta Part, apoi validați OK. După plasare apăsați ESC.
9. În același mod plasați rezistorul din biblioteca ANALOG alegând R, cat si sursa de tensiune VDC
din biblioteca SOURCE. După plasare apăsați ESC.
10. Din meniul Place selectați sub-meniul Ground; in fereastra pop-up PlaceGround ce se deschide,
faceți clic pe 0/CAPSYM si verificați ca in caseta Symbol să apară 0, ceea ce este corespunzător
nodului zero din circuit, indispensabil rulării. Același simbol se regăsește si in caseta Name.
11. Nota: Folosiți mouse-ul pentru a plasa componentele unde doriți și faceți click pentru a le lăsa
acolo; apăsați apoi tasta ESC.
12. Pentru rotirea componentele există două opțiuni:
a. Puteți sa rotiți o componentă după ce aceasta a fost plasată: Selectați componenta
făcând click pe ea, apoi apăsați tasta R pana când ajunge in poziția dorita.
b. Puteți roti componenta înainte de a fi andocata in schema de lucru, cu tasta R sau Ctrl-R.
13. După plasarea componentelor de circuit, urmează conectarea lor astfel: Din meniul Place
selectați sub-meniul Wire; din acest moment pointerul mausului are forma de cruce in suprafața
de lucru, lucru ce indica faptul ca pot începe conectarea componentelor din circuit. Pentru a
începe un fir, click pe terminalul componentei de unde vreți să înceapă conectarea după care
faceți click pe terminalul componentei unde doriți sa terminați conectarea. Repetați aceeași
procedura până când toate componentele sunt conectate si se obține un circuit închis (v. figura).
La final faceți clic dreapta și selectați End Wire sau apăsați tasta ESC.
14. Acum, schimbați valorile componentelor cu cele din desen. Pentru a face acest lucru trebuie doar
să faceți dublu click pe parametrul pe care doriți să-l modificați. Modificați valoarea sursei la 5V si
valoarea rezistenței la 5K.
15. După terminarea construirii circuitului, trecem la pasul următor, pregătirea simulării circuitului. Din
meniul PSpice selectați sub-meniul New Simulation Profile și denumiți simularea (denumirea
poate fi aceeași cu cea a proiectului), apăsați Create. Atentie: se deschide o noua fereastra pop-
up (Simulation Settings-Nume) unde definim câteva caracteristici astfel: Analysis type DC
Sweep; In caseta Sweep variable si Sweep type trebuie completate campurile active (ex: Name
= V1 din dreptul butonului Voltage source), dupa care validez cu Apply si inchid fereastra cu OK.
16. După aceasta etapa, circuitul este pregătit pentru simulare. Rularea simulării poate fi făcută
printr-o metoda din cele 3 descrise mai jos:

2
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
a. Din meniul PSpice selectez sub-meniul RUN,
b. Apasă iconița similară simbolului play din bara de simboluri (in cazul programului situat pe al
doilea rând)
c. Direct cu tasta F11 a tastaturii.
17. Va apărea o noua fereastra pop-up cu un grafic având tensiunea pe axa OX, ceea ce indica ca a
fost realizata o analiză în timp. Închideți fereastra si reveniți la SCHEMATICS: PAGE1 (fereastra
din care ați rulat simularea circuitului).
18. Din meniul PSpice selectez ultimul sub meniu BiasPoints unde verific in lista de opțiuni dacă
această caracteristică este activată; in cazul că aceasta este neactivată, selectez opțiunea
Enable ceea ce înseamnă ca am activat vizualizarea potențialelor la noduri; toate cele trei opțiuni
de vizualizare (respectiv curent, tensiune si putere), devenind active. Aceasta înseamnă că
programul poate afișa la cerere (apăsarea butoanelor rotunde verzi cu simbolurile inscripționate
pt. parametrul dorit) valorile respective pe laturile sau nodurile circuitului.
Programul poate fi utilizat pentru simularea funcționării circuitelor prin efectuarea a 8 tipuri de ana-
liză, după cum urmează:
1. analiza de curent continuu a unui circuit DC Sweep (DC);
2. analiza punctelor statice de funcționare BIAS Points (OP);
3. analiza răspunsului tranzitoriu, sau comportarea în timp Time Domain (.TRAN);
4. analiza răspunsului în frecvenţă AC Sweep (.AC);
5. analiza de zgomot (.NOISE);
6. analiza sensibilităţii de curent continuu (.SENS);
7. analiza funcţiei de transfer de semnal mic (.TF);
8. analiza componentelor Fourier ale răspunsului tranzitoriu (.FOUR).
1. DC Sweep
Se va urmari graficul variației curentului prin diodă în funcție de valoarea tensiunii de alimentare.
Din meniul Pspice alegem sub-meniul Edit Simulation Profile, care va deschide fereastra pop-up
arătată in figura de mai jos. In tabul Analysis alegem la Analysis Type DC Sweep conform figurii de mai
jos, apoi validam cu Apply și OK. După aceea dați o nouă rulare RUN. Se va deschide o noua fereastra
precum cea corespunzătoare figurii din dreapta jos.

Pentru vizualizarea curentului prin diodă, din meniul Trace selectați Add Trace; se deschide o
fereastra si selectați I(D1) care va apărea in câmpul corespunzător pt. Trace Expression (in josul
ferestrei); veți obține un grafic corespunzător figurii de mai jos. Observație: axa Ox corespunde variației
de tensiune (V) de la 0 la 5V (așa cum am definit in simulare), iar Oy corespunde variației curentului prin
dioda (mA).

3
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

Acum vrem să vedem cu precizie sporită la ce valoare a tensiunii curentul I(D1) este 0,5 mA. Din
meniul Trace selectați sub-meniul Cursor si apoi Display. Aveți la dispoziție două cursoare si anume:
- C1 (de culoare roșie), controlat cu butonul din stânga al mouse-ului și
- C2 (de culoare verde), controlat cu butonul din dreapta al mouse-ului.
După selectarea comenzii pentru activare cursor, apăsați unul din butoane si găsiți punctul solicitat;
deplasarea cursorului se face ținând apăsat permanent butonul corespunzător cursorului afișat, similar
operației trage si arunca (drag and drop). Citiți valorile corespunzătoare abscisei și ordonatei cursorului în
tabelul din dreapta jos, așa cum se vede in figura de mai jos.

TEME
TEMA 1. Să se găsească valoarea tensiunii sursei de alimentare pentru
care curentul prin diodă este de 0,3 mA.
TEMA 2. Să se afișeze dependența curentului prin diodă la 3 temperaturi
diferite: 10, 50 si 100 grade Celsius. Indicație: Se reeditează profilul
simulării, se bifează la OPTIONS si Temperature (Sweep), in câmpul
temperaturilor adăugați cele 3 valori despărțite prin spațiu, apoi
selectați din nou TRACE/ADD TRACE pentru vizualizarea celor 3 curbe.
TEMA 3. Să se schimbe dioda din circuit cu modelul D1N4002. Diferențe-
le extrem de fine se pot vizualiza cu ajutorul cursorului. Arătați o astfel
de diferență la un PSF curent –tensiune, indicând abscisele și ordonatele
pentru cele 2 diode. Indicație: Pașii parcurși sunt aceiași ca la TEMA1.
4
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

2.PARAMETRII DE MODEL
Pentru toate modelele fizice, experimentale sau numerice este necesara extragerea parametrilor
de model.
Orice dioda contine intern, pe langa jonctiunea propriuzisa si o rezistenta serie (datorata zonelor neutre
p si n), ca in figura urmatoare.

Pentru dioda încapsulată 1N4148 din caracteristica statica ( graficul curent-tensiune) se pot
extrage parametrii de model IS și n.

- iar

iar notatiile din figura reprezinta:

IA (A) – curentul in circuit;
VA (V) –tensiunea exterioara aplicata la bornele diodei ;
VJ (V) – caderea de tensiune pe jonctiune (regiunea de sarcina spatiala a diodei) ;

La acest punct al lucrării trebuie sa urmariti parametrii de model (Nota: notațiile sunt păstrate
conform rezultatelor returnate de programul ORCAD CAPTURE):
IS (A) – curentul de saturație prin dioda; IKF (A) – curentul de “cot” pentru nivel mare de injecție;
N – coeficientul de calitate al diodei; XTI – coeficientul de variație al lui IS cu temperatura;
RS () – rezistența serie; EG (eV)– lățimea energetică a benzii interzise;

MOD DE LUCRU I
Din fereastra principala a programului, se selectează dioda D1 cu click stânga (in acest moment simbolul
precum si notația aferenta lui este delimitat printr-un dreptunghi punctat), iar cu click dreapta, având
pointerul poziționat in interiorul suprafeței punctate, din opțiunile ce apar se alege Edit PSpice Model,
ceea ce va face sa returneze fereastra de comunicare arătată in figura următoare.

5
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

MOD DE LUCRU II
Un mod alternativ in care pot fi accesati parametrii de model este urmatorul:
Din meniul View, se alege sub-meniul Extract Model ce va returna fereastra de vizualizare
conform următoarei figuri:

In această fereastră se vizualizează curbele Forward Current. Valorile parametrilor de model enu-
merați mai sus pot fi cititi in tabelul din partea de jos a ferestrei.
TEMA 4. Să se determine parametrii de model si pentru dioda 1N4002 si
sa se afișeze valorile pentru cele doua diode (1N4148, 1N4002), intr-un
tabel cu următoarea structură (NOTA: completați si unitățile de măsură
corespunzătoare parametrului in SI):
DIODA 1N4148 DIODA 1N4002
IS IS
N N

6
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
RS RS
IKF IKF
XTI XTI
EG EG

3. SCHIMBAREA PARAMETRILOR DE MODEL

La acest punct al lucrarii se propune modificarea curentului de saturație IS a diodei 1N4148 la
valoarea de 10uA.
MOD DE LUCRU I
Din fereastra principala a programului, se selectează dioda D1 (in acest moment simbolul precum si
notația aferenta este delimitat printr-un dreptunghi punctat), apoi cu ajutorul unui click dreapta se alege
opțiunea Edit PSpice Model.

In aceasta fereastra se editează direct valoarea IS=10µA (fiind o fereastra tip Text), după
care se salvezeaza noua valoare.
Se reia rularea de la punctul 1 pentru Tema1 [Vizualizați noul curent prin diodă, prin RUN, Trace
-> Add Trace , selectați I (D1)]

TEMA 5.1. Să se găsească noua valoare a tensiunii sursei de alimentare

pentru care curentul prin diodă este de 0,3 mA.
Se observă că atingerea curentului de 0,3 mA se realizeaza la o tensiune mai mica, deci mai
repede!!!

MOD DE LURU II
NOTA: Schimbarea parametrilor de model poate fi realizata si conform modului de lucru II de la
punctul anterior, modificand valoarea in tabel. Se selectează dioda, cu ajutorul unui click dreapta se
alege Edit Pspice Model.Se intră în meniul View, Extract Model, se editează direct în fereastră, de
exemplu schimbați IS=10uA. Salvați. Se reia rularea de la punctul 1 pentru Tema1 [Vizualizați noul
curent prin diodă, prin RUN, Trace -> Add Trace , selectați I (D1)] Se rezolva inca o data tema 5.

TEMA 5.2. Să se găsească noua valoare a tensiunii sursei de alimentare

pentru care curentul prin diodă este de 0,3 mA.
La acest punct alegeți una dintre variantele de lucru descrise mai sus

7
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
4. CREAREA UNEI DIODE NOI, INEXISTENTE IN CATALOG,
SCHIMBAREA MODELULULUI
Pentru crearea unei diode noi inexistentă în bibliotecă pe baza foii de catalog, operația se
execută în 2 pași:
1. Se creează un nou model prin extracție de parametrii din foaia de catalog.
2. Se asociază noul model unei diode existente, că reia i se schimbă numele sau se schimbă
efectiv modelul prin simpla editare a parametrilor ca la pct.3 al lucră rii.
Pasul 1
Se selectează o diodă oarecare din circuit, de ex 1N4148. Cu un click dreapta se alege Edit
Pspice Model. Din meniul principal MODEL, New si se alege un nume de ex chiar D1N4007.
Se introduc minim 5 seturi de valori , Vfwd, Ifwd in tabelul din stânga sus așa cum se vede in
figura următoare. Valorile se extrag din Anexa acestei lucrari, ultima pagina, primul grafic
curent-tensiune INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT-INSTANTANEOUS FORWARD
VOLTAGE.
Alegeti cel putin 5 valori, cat mai echidistante, care sa acopere intraga curba, dar incercati
sa includeti obligatoriu si 2 valori apropiate de capetele curbei.
Se alege din meniul principal TOOLS, EXTRACT PARAMETERS, apoi SAVE sau SAVE AS.
Se observă că se creează o nouă bibliotecă cu numele proiectului. Apoi EXIT. Se poate edita
modelul ca în paragraful anterior sau se trece la pasul 2

Pasul 2
Se revine la diodă . Se editează cu click pe nume si se schimbă afișarea numelui acesteia cu
D1N4007. Cu click dreapta se selectează meniul Associate Model, se selectează YES, până
la fereastra in care se alege calea bibliotecii din directorul curent de lucru.

8
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
TEMA6. Să se schimbe dioda din circuit cu D1N 4007, care are
pagina de catalog atașată la sfârșitul lucrării din care se va extrage
curentul Is, N și Rs. Se va folosi caracteristica statică directă, din
Anexa 1 de la sfârșitul lucrării, din foaia de catalog atașată pentru
care se vor introduce cel putin 5 valori. In final se va vizualiza noul
curent prin diodă, prin rularea PSpice.

CIRCUITE CU DIODE–EXERCIȚII DE LABORATOR

EXERCIȚIUL 1. Diode in serie, polarizate direct

Se deschide Schematics și se editează circuitul cu 2 diode de mai jos . Inițial se fixează V1=4V,
R1=1k. Diodele D1N4002 și D1N4148 să aibă inițial parametrii de model impliciți.

Parametrii impliciti ai diodelor D1N4002 si D1N4148

***Power Diode 1N4002 ***
.MODEL D1N4002-X D (IS=14.11E-9 N=1.984 RS=33.89E-3 IKF=94.81 XTI=3
+ EG=1.110 CJO=51.17E-12 M=.2762 VJ=.3905 FC=.5 ISR=100.0E-12
+ NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
****Diode 1N4148 *****
.model D1N4148-X D(Is=2.682n N=1.836 Rs=.5664 Ikf=44.17m Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4p
+ M=.3333 Vj=.5 Fc=.5 Isr=1.565n Nr=2 Bv=100 Ibv=100u Tt=11.54n)

TEMA 7. Se vizualizează parametrii diodelor și se discută teoretic

MOD DE LUCRU
1. Se realizează circuitul cu cele 2 diode.
2 . Se realizează profilul simulării analiza în timp pentru vizualizarea potențialelor la noduri .
3. Se realizează un nou profil de simulare în care tensiunea V1 crește de la 0 la 18V, cu pas de 0.1 V. Se
extrag din simulări tensiunea pe diode și pe rezistorul R1 și curentul în fiecare caz,
Observație: dacă V1 este 4V, tensiunile pe diode sunt aprox 0.6V, dacă V1 crește la 10V pe diode
tensiunea crește la aproximativ 0.7V, iar pt V1 = 18V, pe diode avem aproximativ 0.73V. Se lucrează cu
parametrii de model impliciți pt cele două diode D1N4002 si D1N4148.
TEMA 8 .Să se calculeze teoretic valoarea curentului ID pentru V1=4V,
10V și 18V, apoi să se compare cu valoarea simulată într-un tabel și să se
explice diferentele.

9
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
4. Utilizând facilitățile programului Spice de analize termice, simulați comportamentul diodelor ca senzori
de temperatură. În acest scop, dați Edit Simulation Profile - DC Sweep , alegeti Temperatura ca
element variabil ( Secondary sweep) - tastați scala de variație a temperaturii - de exemplu de la 0 0C la
1000C. Reluați simulările. Adăugați curbele necesare. Se poate vizualiza tensiunea directă pe dioda D1
în funcție de temperatură, obținând un singur grafic sau se pot vizualiza 2 grafice în același sistem de
axe, punând funcțiile dorite pentru axa verticală cu "blanc" între ele .
TEMA 9. Extrageți , explicați și comparați sensibilitatea celor 2 diode ca
senzori de temperatură.

EXERCIȚIUL 2
Realizați in Pspice Schematic un circuit care conține 4 diode simple identice de tip D1N4148 si
o dioda Zener D1N750. Simulați circuitul si precizați PSF –urile diodelor .
MOD DE LUCRU
Se impun forțat parametrii diodelor prin editare in fișierul model.
D1-5 (Is=Isr=1nA, n=nr=1.5) si DZ (Vz=8.2V, Zz=0 la 1mA, 5mA si 20mA).
Conform calculelor : D2-4(ID = 10mA, Vd ~ 0.6V), D5 (Io=1nA, Vd5=-8.2V) si DZ (Vz= 8.2V, Iz=10mA)

TEMA 10. NOTAȚI valorile simulate ale PSF pe un ecran captură din
SCHEMATICS.

Studiați functionarea DZ ca stabilizator de tensiune. Astfel, în cadrul unei analize DC creșteți tensiunea
Vcc de la 1V la 40V .

TEMA 11. AFIȘAȚI grafic tensiunea pe dioda Zener, pentru variația

tensiunii de alimentare Vcc.

10
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

ALTE EXERCIȚII SUPLIMENTARE

1. DIODE ÎN SERIE 2. DIODE ÎN SERIE

POLARIZATE INVERS POLARIZATE INVERS CU
MODELE MODIFICATE
Se modifică IS la valorile de : 1A si 9A și N=1.

5. DIODE POLARIZATE INVERS CU REZISTENȚE DE EGALIZARE

ANEXA 1

11
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

12
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

13