Capitolul 5.

PARTS-ul EXTRACTOR AL SPICE-ului

5.1. Lucrarea 1 - Dioda

5.1.1. Noiuni introductive Programul SPICE, destinat analizei funcionrii circuitelor electronice prin simulare asistat de calculator, conine modele pentru componente i dispozitive de circuit, fiind capabil s simuleze circuite electronice complexe. Ce sunt modelele SPICE? Modelele reprezint formule matematice ce descriu funcionarea unui dispozitiv. Un model de calcul pe care l-ai ntlnit nc de la DCEI pentru relaia curent-tensiune prin jonciunea pn este:
qV I A = I S exp A 1 nkT

(5.1)

Iat ce este un model - spre exemplu relaia matematic (5.1), ce leag curentul anodic de tensiunea anodic. Pornind de la acest model fundamental, pentru programul SPICE s-a dezvoltat un model complex nsoit de 15 parametri de model, extrai pe parcursul a 5 ecrane cu subprogramul PARTS. Ce nseamn parametri de model? Dac n relaia (5.1) considerm temperatura constant (300K), deci kT/q = 0,025V, vom obine n planul caracteristicilor IA-VA o familie de curbe pentru diverse valori date parametrilor Is i n. Deci parametrii asociai modelului de calcul (5.1) sunt curentul de saturaie IS i coeficientul de emisie n. ntrebare: Considernd i temperatura T, o variabil alturi de variabila VA, care sunt parametrii de model n relaia (5.1)? Dar dac se ia n considerare suplimentar c parametrul IS este dependent de temperatur dup modelul (2.4)? Cum se extrag parametrii de model? Teoria extraciei parametrilor de model a fost abordat n paragraful 1.3. Pentru parametrii de model necesari SPICE-ului se va utiliza un subprogram dedicat, numit PARTS. Dac noile diode sunt produse de serie mic, ntr-un laborator de cercetare, atunci trebuie s ridicm singuri caracteristicile experimentale necesare ecranelor 1-5 ale PARTS-ului. Dac sunt produse de serie mare, atunci vom utiliza ca rezultate experimentale foile de catalog furnizate de fabricant. ntrebare: Cum extragei parametrii de model IS i n prin metoda curbelor de regresie pentru dioda 1N4148, a crei foaie de catalog este prezentat ataat, la paragraful 5.1.5.? (A se vedea capitolul 1 - metoda curbelor de regresie). ntrebare: Pentru a extrage 2 parametri de model (de exemplu parametrii IS i n asociai modelului (5.1) pentru caracteristicile experimentale din catalog) putem pune condiia ca modelul analitic (spre exemplu relaia 5.1) s treac doar prin 2 puncte experimentale? Am obine un sistem simplu de 2 ecuaii cu 2 necunoscute. Justificai. Indicaie: Parametrii extrai n acest mod determin o apropiere maxim doar n cele 2 puncte de care s-a inut cont. Se pierde condiia de globalitate. ntrebare: Pentru a extrage parametrii de model (de exemplu parametrii IS i n asociai modelului (5.1) pentru caracteristicile experimentale din catalog) putem pune condiia ca modelul analitic (spre exemplu relaia 5.1) s treac prin toate punctele experimentale? Am obine o precizie maxim. Justificai. Indicaie: Acest procedeu se numete interpolare. Nu se mai poate impune un model, cum este modelul (5.1), ci interpolarea impune un anumit model matematic, de exemplu polinomul de interpolare Lagrange. Cum extrage PARTS parametrii? La fiecare ecran PARTS extrage parametrii de model prin minimizarea funciei de eroare ca la capitolul 1, paragraful 1.3. Exist i unii parametri de model care se seteaz direct din catalog, sau din caracteristici de materiale, cum este EG. Ca orice program pe calculator, PARTS iniializeaz valorile parametrilor de model cu nite valori tipice, frecvent ntlnite n practic; de exemplu IS i n iau valorile 10-15 respectiv 1 la ecranul 1. Apoi prin proceduri repetitive variaz parametrii IS i n n direcia n care constat micorarea valorii funciei (IS,n). Cnd obine minimul funciei, afieaz pe ecran, n cutia Model Parameters valorile extrase pentru parametri.

Modele SPICE ale componentelor electronice

5.1.2. Lucrul cu PARTS - desfurarea lucrrii Se urmrete parcurgerea urmtoarelor etape: - Se pornesc calculatoarele. Username: student; Password: mcma sau fr parol. Se lanseaz programul PARTS.exe fie din shortcut, fie de pe directorul c:/studenti/PARTS/PARTS.exe sau c:/laborator/PARTS/PARTS.exe. Observai lista tuturor dispozitivelor disponibile: 1. Dioda 2. Tranzistorul bipolar 3. Tranzistorul JFET 4. Tranzistorul MOS. Din meniul principal al PARTS se alege 1. Diode pentru lucrarea 1 de laborator. Se introduce codul noii diode la Device part number: 1N4148. Enter. Se instaleaz primul ecran, fig.5.1. -

Fig. 5.1. Ecranul 1 al PARTS-ului, dup extracia parametrilor unei diode. Ce conine un ecran al PARTS-ului? (1) Primul ecran conine n partea stng un grafic, este cazul caracteristicii la scar semilogaritmic, lg din curentul direct - pe vertical, n funcie de tensiunea direct - pe orizontal. (2) Jos dispunei de un meniu n care v deplasai cu sgeile ,, apoi tastai enter n cmpul unde vrei s intrai. (3) n dreapta sus dispunei de o cutie Device curve, n care apar spaii necompletate pentru IFWD i VFWD. Aceasta este cutia n care vei introduce datele de intrare ale PARTS-ului, adic punctele experimentale pe care le vei citi din foile de catalog ataate la sfritul lucrrii. (4) Apoi dedesubt avei o cutie pe care scrie Model parameters. Observai c n lista parametrilor de model apar, pe lng curentul de saturaie IS i factorul n, ali 4 parametri. nseamn c a fost adoptat un model mai complex dect modelul (5.1), conform capitolului 2. Mai observai c n dreptul fiecrui parametru de model este scris o valoare. ntrebare: Ce sunt aceste valori ale parametrilor de model? Sunt parametrii pentru dioda 1N4148? Graie acestor valori de iniializare ale parametrilor, a putut fi calculat curentul prin diod, fiind reprezentat graficul iniial, imediat ce s-a deschis ecranul 1. 5.1.3. Parcurgerea celor 5 ecrane Pentru a spori precizia de extracie a parametrilor de model SPICE, caracteristicile electrice au fost mprite n poriuni, fiecare poriune s-a modelat cu un anumit model nsoit de parametri proprii, ct mai

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

fidel realitii experimentale. Toi parametrii noii diode vor fi extrai pe parcursul a 5 ecrane: DMOD 1-5, fiecare ecran fiind de fapt un model nsoit de parametrii si, [2]. Ecranul 1- DMOD1 Curba de dispozitiv la ecranul 1 este caracteristica direct a diodei. Ca date de intrare, trebuie s citii de pe curbele de catalog curentul Ifwd n funcie de tensiunea Vfwd (forward = direct). Introducei minimum 3 perechi de puncte experimentale (Ifwd, Vfwd). Device curve curba de dispozitiv: Vfwd (V) tensiunea direct aplicat pe jonciune, Ifwd (A) curentul prin diod. Model parameters parametrii de model: IS (A) curentul de saturaie, N coeficient de emisie, RS () rezistena serie, KF curentul de cot pentru nivel mare de injecie, XTI coeficientul de variaie al lui Is cu temperatura, EG (eV) limea energetic a benzii interzise. Iniializri: IS=10f N=1 RS=.1 KF=0 XTI=3 EG=1.11. La sfritul platformei de laborator, n paragraful 5.1.5, gsii caracteristica direct IF-VF a diodei 1N4148. Citim de pe curba continu. Observai, spre exemplu un curent IF=1mA pentru VF =0,6V. Mergei n meniul de jos cu sgei ,, pn la Device curve, apoi tastai enter. Acum vei scrie 0.6 i enter, valoarea nscriindu-se n cmpul tensiunii directe. Apoi ateapt s scriei valoarea curentului direct: vei tasta 1m, apoi enter. Apoi apare un submeniu. Pentru a activa unul din cuvintele de jos, tastai litera mare a cuvntului: de exemplu tastai a de la Add ca s adugai alt pereche IF-VF. Introducei 3-4 perechi de puncte, fig.5.2.

Fig. 5.2. Pentru activarea submeniului tastai litera mare (C pentru Change, etc). Atenie: PARTS este subprogram al SPICE. Utilizai aceleai convenii pentru unitile de msur. De exemplu pentru 1mili tastai 1m, pentru micro tastai u, pentru nano tastai n, pentru pico tastai p, pentru fempto tastai f, pentru Mega tastai M, pentru Giga, tastai G. Dup ce ai introdus punctele experimentale, tastai Esc (pe post de Run). Ateptai redesenarea graficului i afiarea final a noilor parametri de model. V notai apoi punctele experimentale introduse din foile de catalog (coninutul cutiei Device curve), precum i parametrii de model extrai pentru noua diod la acest ecran (coninutul cutiei Model parameters).

Modele SPICE ale componentelor electronice

Atenie: Dac a rezultat o valoare anormal pentru IS (de exemplu 10-30 sau 10), verificai dac ai introdus corect unitile de msur pentru valorile experimentale. Eventual ncercai introducerea mai multor puncte experimentale. La acest ecran se extrag parametrii de model: Is, N, Rs, IKF. Ultimii doi parametri: XTI i EG au fost setai la valorile obinuite pentru diodele realizate pe siliciu. Pentru diode Schottky, de exemplu, valori mai potrivite ar fi XTI=2, EG=0,69eV. ntrebare: De ce curba de catalog IF -VF a diodei 1N4148 are cu totul alt alur dect cea studiat la DCE I? ntrebare: Rezistena serie este rezistena regiunilor de sarcin spaial sau a regiunilor neutre ale jonciunii pn? ntrebare: Cum modificai modelul (5.1) astfel nct el s conin i efectul rezistenelor serie? ntrebare: Parametrul EG=1,11eV se modific pentru o diod de tip LED? ntrebare: n ce regim de lucru modelul (5.1) este satisfctor pentru polarizarea direct? n ce regim de lucru trebuie neaprat luat n seam parametrul RS? ntrebare: Care este substratul fizic pentru care curentul de saturaie IS depinde exponenial de temperatur? Ecranul 2 - DMOD2 Tastai enter pe Next_Set din meniul de jos. Astfel se va instala al II-lea ecran. Aici curbele de dispozitiv sunt curbe Cj-VREV (capacitate a jonciunii n funcie de tensiunea invers aplicat pe ea). Nu vei gsi n foile de catalog un grafic Cj-VREV, ci doar valoarea Ctot; introducei-o pentru VREV=1mV. Curba de dispozitiv: Vrev (V) tensiunea invers aplicat pe jonciune, Cj (F) capacitatea total a jonciunii. Parametrii de model: CJO (F) capacitatea jonciunii la polarizare nul, Vj (V) diferena intern de potenial a jonciunii, M coeficient de cretere, FC coeficient al capacitii de barier n polarizare direct. Iniializri: CJO=1p M=.3333 VJ=.75 FC=.5. La acest ecran sunt extrai, prin metoda curbelor de regresie, parametrii de model: Cjo, M i Vj. Parametrul FC este setat la o valoare obinuit pentru diodele pe siliciu; dar valoarea sa este relativ neimportant deoarece capacitatea n polarizare direct la tensiuni VF >FCVj este dominat de capacitatea de difuzie (modelat prin timpul de tranzit). Completai valorile din catalog i ale parametrilor de model extrai. Trecei apoi cu Next_Set la al 3-lea ecran. ntrebare: Cunoatei un model Cj-VREV care s aib doar parametrii Cjo i Vj de la DCE I? Ce modeleaz parametrul M? Dar FC? ntrebare: La care din ecrane se extrage timpul de tranzit? ntrebare: Se poate fixa parametrul FC la valoarea1? Dar FC > 1? ntrebare: Ce sarcini din jonciune modeleaz capacitatea de barier? Dar capacitatea de difuzie? ntrebare: De ce Cj scade pe msur ce VREV crete n modul? Ecranul 3 - DMOD3 Cutai n foile de catalog caracteristicile inverse ale diodei (indicele R provine de la Reverse=invers). Introducei la Device Curve minimum 3 perechi de puncte IR-VR de pe curba continu, din zona curenilor mici (VR = 210.max 20V), pentru a nu intra spre regimul de strpungere. Reprezentarea din catalog este la scar dublu logaritmic, adic lgIR lgVR. Extragei apoi parametrii de model i-i notai n tabel mpreun cu punctele experimentale. Curba de dispozitiv: Vrev (V) tensiunea invers aplicat pe jonciune, Irev (A) curentul invers prin jonciune. Parametrii de model: ISR (A) curentul de saturaie n reverse-invers, NR coeficientul de emisie n reverse-invers.

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

Iniializri: ISR=100p NR=2. ntrebare: Ce tip de curent (difuzie sau generare-recombinare) predomin n polarizare invers? ntrebare: La o diod ideal, n ce plaj de valori se afl coeficientul de emisie? Spre ce valoare tinde el n polarizare invers? De ce? Problem: Scriei modelul IR n funcie de VR cu parametrii ISR i NR extrai aici, n relaia (5.1). Calculai apoi curentul IR pentru diverse VR: VR= -2, -4, -7 (V). ntrebare: De ce nu s-a modelat tot cu relaia (5.1) i caracteristica direct a diodei la ecranul 1? Ecranul 4 - DMOD4 La acest ecran se estimeaz parametrii BV i IBV cnd dispozitivul opereaz n regim de strpungere, fie prin mecanism de multiplicare n avalan, fie prin efect Zener. Valorile parametrilor extrai BV i IBV sunt aproape egali cu valorile lui Vz i Iz, [2]. Date de dispozitiv: Vz (V) tensiunea nominal Zener, Iz (A) curentul nominal Zener, Zz () impedana Zener. Parametrii de model: BV (V) tensiunea de strpungere (Breakdown Voltage), IBV (A) curentul de strpungere. Iniializri: BV=100 IBV=100u. Dac dioda este Zener vei gsi n catalog valorile specificate pentru VZ, IZ, ZZ. Cum dioda 1N4148 nu este Zener, se seteaz direct din catalog n cmpul BV, intrnd n meniul Model Parameters valoarea tensiunii de strpungere prin avalan, Vaval, iar pentru IBV se introduce curentul de avalan specificat n catalog. Dac acest curent nu este prezentat n tabelul foii de catalog, atunci IBV se citete de pe curbele din polarizare invers IR-VR cnd VR are valoarea BV. ntrebare: Ce model al dependenei I-V n regim de strpungere prin avalan mai cunoatei de la DCE I? Care sunt parametrii acelui model? Ecranul 5 - DMOD5 Ecranul 5 modeleaz regimul de comutaie al diodei. Graficul afiat iniial pe ecran exprim variaia curentului prin diod de-a lungul timpului (curentul este afiat pe axa vertical, iar timpul pe axa orizontal). Date de dispozitiv: Trr (s) timpul de comutare invers (Reverse Recovery Time), Ifwd (A) curentul direct (nainte de comutare), Irev (A) curentul invers (imediat dup comutare), Rl () rezistena de sarcin (load) a generatorului de pulsuri utilizat n experiment. Parametrii de model: TT (s) timpul de tranzit. Iniializri: TT=5n. Observaie: La acest ecran, unii parametri extrai anterior influeneaz extragerea pentru timpul de tranzit (de exemplu Cjo). Observaie: Putei ajusta lupa pe axa orizontal dac nu se vede ntreg graficul. Pe meniul de jos mergei la x-axis, pe varianta liniar, dai cele 2 valori extreme cu blank ntre ele, adic: -1n 10n, apoi enter. Introducei din tabelele de catalog valoarea trr (time reverse recovery) pentru valorile Ifwd, Irev, Rl specificate pe ecran i n catalog. Parametrul de model extras este Tt= timpul de tranzit. Notai valorile de intrare-ieire. ntrebare: Ce fenomene au loc n momentul comutrii tensiunii pe o diod de la o valoare pozitiv la una negativ? Cum explicai existena unui curent aproape la fel de mare cu cel din polarizare direct, la comutarea n invers a diodei? Ct timp dureaz el? Dup terminarea extragerii de la ecranul 5, se alege EXIT pentru salvarea pe disc a modelului. Ieii din PARTS i verificai apariia fiierului rezultat D1N4148.mod. El va intra in librria SPICE-ului i va fi apelat cnd se va simula un circuit ce conine aceast diod.

Modele SPICE ale componentelor electronice

Reintrai n PARTS Diode introducei codul diodei de comutaie: 1N4151. Parcurgei iari ecranele 1-5 i pentru aceast diod completnd pentru fiecare ecran valorile experimentale introduse la Device curve i valorile parametrilor de model. 5.1.4. Studiul unui circuit cu o diod n programul SPICE Fie circuitul din figura 5.3, ce conine dioda 1N4148. Se dorete o analiz n curent continuu a circuitului cu programul SPICE. Se lanseaz SPICE-ul, executabilul fiind psp.bat. Se editeaz urmtorul fiier de intrare. Liniile de program SPICE ce descriu circuitul sunt:
1

R 100

Fig. 5.3. Circuit ce conine dioda 1N4148.

VD + -

D 1N4148

Coninutul fiierului PSpice dioda.cir *Analiza circuitului. Prima linie este ignorat. VD 1 0 0.1 R 1 2 100 D1 2 0 D1N4148 .MODEL D1N4148 D(Is=10f N=1 Rs=.1 Ikf=0 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=1p +M=.3333 +Vj=.75 Isr=100p Nr=2 Bv=100 Ibv=100u Tt=5n) * .Lib eval1.lib .DC VD 0.1 0.9 0.01 .PROBE .END

Fc=.5

Comentarii: Modificai valorile parametrilor de model n linia .MODEL (Is=1n N=2) i observai efectele asupra modelrii n SPICE a diodei n regimul DC. ntrebare: Modificarea cror parametri de model afecteaz cel mai mult analiza .DC pe care o facem? ntrebare: Ce regim de funcionare ar putea fi afectat dac modificm timpul de tranzit?

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

5.1.5. Anexe extrase din foile de catalog ale diodelor Anexa 1. Extras din foile de catalog ale diodelor, [3]: 1N4148 1N4149 1N4446 1N4477 1N4448 1N4449 CARACTERISTICI ELECTRICE PARAMETRU Tensiunea direct SIMBOL VF cu excepia altor specificri CONDIII VALORI (UNIT. DE MS.) IF = 10 mA 1N4148 1V 1N4149 1V IF = 20 mA 1N4446 1N4447 IF = 30 mA 1N4449 IF = 100mA 1N4448 Curentul invers IR VR = 20 V VR = 20 V Tj = 1500C VR = 75 V Tensiunea de avalan VRAval IR = 100 A 1V 1V 1V 1V 25nA 50A 5A 100 V Tj = 250C

Capacitatea total a diodei Ctot

VR = 1mV f = 1MHz

1N4148 1N4446 1N4448 1N4149 1N4447

4 pF 2pF 4ns

Timpul de comutare invers trr

IF = 10mA, RL = 100 , VR =6 V IF = IR = 10 mA, RL = 100

trr

8ns

Modele SPICE ale componentelor electronice

Anexa 1. Extras din foile de catalog ale diodelor 1N4148 (continuare)

Caracteristica direct (1N4148, 1N4149).

Caracteristica direct (1N4446, 1N4447).

Tensiunea direct VF n funcie de temperatura jonciunii, Tj.

Curentul invers IR n funcie de tensiunea invers VR.

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

Anexa 2. Extras din foile de catalog ale diodei de comutaie 1N4151 Valori limita absolute Parametru Simbol Curentul invers Tensiunea de avalan Timpul de comutare invers IR VRA trr Tc=250C cu excepia altor specificri Condiii Valoare (uniti) VR = 50 V 50nA 0 Tj = 150 C 75 V IF = IR = 10 mA RL = 100 2ns

Anexa 2. Extras din foile de catalog ale diodei 1N4151 (Continuare)

Caracteristica direct tipic.

Curentul invers IR n funcie de tensiunea invers, VR.

Capacitatea total a diodei, Ctot n funcie de tensiunea invers, VR.

Curentul invers IR n funcie de temperatura jonciunii, Tj.

10

Modele SPICE ale componentelor electronice

5.2. Lucrarea 2 Tranzistorul bipolar 5.2.1 Noiuni introductive Unul dintre primele modele implementate n programe de tip SPICE pentru simularea tranzistorului bipolar a fost modelul Ebers-Moll. n prezent acest model reprezint un punct de plecare pentru modelele avansate, inclusiv pentru modelul Gummel-Poon. Modelul Ebers-Moll fundamental varianta de transport, cu un singur generator de curent, model n , este prezentat n fig. 5.4.
E IE ICT=ICC-IEC IC C

ICC/F

IEC/R

VBE B

IB

VBC

Fig. 5.4. Modelul Ebers-Moll fundamental pentru un tranzistor npn, modelul de transport cu un singur generator de curent, n . Parametrii acestui model fundamental sunt: IS - curentul de saturaie i F, R - factorii de transfer direct, respectiv factorul de transfer invers, n curent continuu. Curentul de saturaie intervine n expresiile curenilor ICC, IEC:
qV I CC = I S exp BE 1 kT qV I EC = I S exp BC 1 kT

(5.2)

ntrebare: Ce expresii au cei trei cureni: IE, IC, IB n funcie de tensiunile VBE i VBC, dac se cunosc valorile parametrilor de model: : IS = 1pA, F =100, R =10. Calculai cei trei cureni pentru VBE= +0.7V i VBC= +0.2V; apoi pentru VBE= -1V i VBC= -7V. Modelul Ebers-Moll fundamental se completeaz cu urmtoarele modele: a) Modularea grosimii regiunii cvasineutre a bazei de ctre tensiunile aplicate: VBC i VBE (efectele Early i Late). Efectul Early introduce ca parametru de model suplimentar tensiunea Early VA. Tensiunea Early se extrage de pe caracteristicile statice de ieire IC-VCE la VBE=const. sau IB=const. calculnd conductana de ieire go la tensiunea VCE-lim specificat n cutia Conditions; calculele se fac n acel punct de pe caracteristic n care VBC=0 (limita ntre regimul activ normal i saturaie, corespunztoare unei tensiuni VCE-lim=VBE). ntrebare: n curbele de catalog de la aceast lucrare se dau caracteristici de ieire IC-VCE la IB=const. Un IB=const. asigur i un VBE=const.? De ce trebuie ca VBE=const.? ntrebare: De ce modularea limii regiunii neutre a bazei este modelat prin tensiunea Early, ca fiind o expresie liniar cu VBC? De ce nu se apeleaz la expresia limii regiunii de sarcin spaial studiat la Dispozitive Electronice? ntrebare: n catalog ntlnii notaia de hoe n loc de go. Ce relaie este ntre aceste mrimi? b) Recombinarea n regiunile de sarcin spaial a jonciunilor B-E i B-C. Acest fenomen introduce 4 parametri de model suplimentari: C2, C4, nEL, nCL. Fenomenul se manifest la tensiuni VBE mici i n consecin la cureni mici. n SPICE se prefer notaiile: ISE=C2IS i ISC=C4IS, n loc de C2, C4. ntrebare: Ce efect are acest fenomen asupra lui F? c) Efecte la nivele mari de injecie se manifest la tensiuni VBE mari i n consecin la cureni mari. Fenomenul fizic se bazeaz pe creterea concentraiei de purttori injectai n baz cu ordine de mrime semnificative. Parametrul introdus de modelul Ebers-Moll este . SPICE utilizeaz ali parametri ce
B

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

11

caracterizeaz nivelele mari de injecie: IKF i IKR, ce provin din modelul Gummel-Poon, [4] i care reprezint curentul de cot de la care F, respectiv R ncep s scad cu curentul de colector, n condiii de nivele mari de injecie. ntrebri: Mai este valabil aproximaia de golire la nivele mari de injecie? n ce consta aproximaia de golire? Pentru o dopare n baz de 1016cm-3 dai ca exemple nite valori ale concentraiei de purttori minoritari: pentru nivel mic i nivel mare de injecie. d) Rezistenele serie. Ele modeleaz cderile de tensiune pe regiunile cvasineutre de colector, emitor i baz, notate respectiv cu: rC, rE, rB. La tranzistoarele bipolare integrate avem de obicei: rB>rC>rE. PARTS-ul extrage doar rezistena rC la ecranul 4 pentru SPICE2. ntrebri: De ce nu poate fi micorat rezistena rB (deoarece, n mod oarecum paradoxal, baza tranzistorului trebuie s fie foarte subire n comparaie cu emitorul i colectorul)? Ce soluii tehnologice cunoatei pentru minimizarea rezistenei rC? n ce situaie constructiv pentru tranzistorul bipolar integrat, se ntlnete rC>rB? Indicaii: Rezistena rB este compus din rezistena unei baze foarte subiri i cu dopare medie, distribuit pe un traseu ocolit pn la contactul metalic al bazei. Pentru micorarea rC se practic stratul ngropat i puul colector la tranzistoarele integrate. Dac puul colector lipsete, rC poate ajunge la 200, n timp ce rB rmne la 100. e) Dependena de frecven a factorilor de transfer n curent, n regim dinamic. Pentru factorii de transfer n curent: f, r, f, r se introduc respectiv parametrii de model: F, R, F, R definii ca frecvenele la care modulul factorilor de transfer n regim dinamic scade cu 3dB fa de valorile de la frecvene joase, valori renotate acum cu F0, R0, F0, R0. Spre exemplu n funcie de F se definete frecvena de tiere, T, la care |f| scade la 1, [5]: T F0. f) Efectele sarcinilor stocate n regimul dinamic. Modelul de curent continuu se completeaz n acest scop cu trei tipuri de capaciti: dou capaciti de tranziie sau de barier CTE i CTC, dou capaciti de difuzie CDE i CDC i o capacitate de substrat CCS. Capacitile de tranziie modeleaz variaia sarcinii ionice din regiunile de sarcin spaial ale jonciunilor BE i BC, introducnd fiecare 4 parametrii de model: CT0, Vj0, M, FC (vezi semnificaia lor la descrierea ecranelor 5 i 6). Capacitile de difuzie modeleaz variaia sarcinilor electrice mobile - electroni i goluri n regiunile cvasineutre i introduc 2 parametri de model: F i R. Aceti parametri nu se msoar direct, ci prin intermediul frecvenei de tiere, fT i a constantei timpului de stocare, sat [6]. n SPICE2 se neglijeaz capacitatea de substrat. ntrebri: La ce ecrane folosii frecvena de tiere i timpul de stocare? Care este semnificaia i care sunt plajele de valori tipice pentru parametrii de model ai capacitii de tranziie? n ce tip de polarizare predomin capacitile de tranziie, respectiv cele de difuzie? Explicai de ce. g) Dependena de temperatur a parametrilor de model. Curentul de saturaie, IS, depinde puternic de temperatur, deoarece este dependent de concentraia intrinsec ni, ce depinde exponenial de temperatur:
B

E n i (T ) = A T 3 / 2 exp G 2kT

(5.3)

unde EG este limea benzii interzise a semiconductorului, iar A este o constant de material. ntrebare: Dependena concentraiei intrinseci cu temperatura din relaia (5.3) indic o scdere sau o cretere cu temperatura pentru ni? Spre exemplu, curentul de saturaie, IS, este modelat n funcie de temperatura T n programele de tip SPICE cu relaia empiric, [6]:
T I S (T ) = I S (Tnom ) T nom
XTI / N

E (T ) T exp G nom 1 T kT nom

(5.4)

unde Tnom este o temperatur nominal (uzual 300K), iar XTI este un coeficient de variaie cu temperatura (parametru de model ce se seteaz la ecranul 1). ntrebare: Care sunt toi parametrii de model n relaia (5.4)? ntrebare: Cum variau curenii de saturaie din modelele fizice cu temperatura? (cum variau cu ni?). n SPICE2, 3 se ine cont i de dependena de temperatur a factorilor de transfer F i R prin intermediul parametrului de model XTB, [7]:

12

Modele SPICE ale componentelor electronice

T F,R (T) = F,R (Tnom ) T nom

XTB

(5.5)

ntrebare: Care sunt parametrii modelului F -T din relaia (5.5)? 5.2.2. Desfurarea lucrrii Pentru extragerea parametrilor de model pentru un nou tranzistor bipolar se va utiliza subprogramul PARTS al SPICE-ului. n acest scop se vor extrage parametrii de model pentru dou tranzistoare: 2N2222 i 2N2221 utiliznd foile de catalog anexate la paragraful 5.2.4. Urmai paii similari ca la lucrarea 1: Pornii calculatoarele. Username: Student; Password: mcma sau nimic. Lansai programul PARTS.exe din directorul c:/Laborator/PARTS.

Fig. 5.5. Intrarea n cutia Device Data la ecranul 1. Observai lista tuturor dispozitivelor disponibile. Pentru tranzistorul bipolar selectai 2. Tipul tranzistoarelor pnp sau npn l gsii n antetul foii de catalog. Introducei codul noului tranzistor (de exemplu device part number: 2N2222). Se va instala ecranul 1. Cu Next_Set trecei la urmtorul ecran. Cu Previous_Set v ntoarcei cu un ecran napoi. Pe meniul de jos v deplasai cu sgei stanga-dreapta. Vei introduce date experimentale din foile de catalog mereu n cutia de sus (unde scrie Device curve sau Device data), fig. 5.5. Dup rulare, PARTS-ul extrage parametrii de model ai noului tranzistor. ntrebri: Cine sunt valorile parametrilor de model afiai iniial n cutia Model Parameters? Cum difereniai n foaia de catalog la un anumit grafic, scara liniar de scara logaritmic? 5.2.3. Parcurgerea celor 8 ecrane Ecranul 1 QMOD1 Date de dispozitiv Device Data: Vbe (V) tensiunea baz-emitor (dispozitivul n saturaie), Vce (V) tensiunea colector-emitor (dispozitivul n saturaie), Ib (A) curentul de baz pentru Vbe i Vce alese, %Ib un procent din curentul Ib (nu este dat de catalog, se foloseste %Ib = 80%).

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

13

Parametrii de model Model Parameters: IS (A) curentul de saturaie, XTI coeficient de variaie cu temperatura al lui IS, EG (eV) limea benzii interzise a materialului. Iniializri: IS=10f XTI=3 EG=1.11. Acest ecran estimeaz curentul de saturaie, IS, utiliznd datele de catalog ale dispozitivului n regim de saturaie. A nu se confunda curentul de saturaie IS cu curentul de colector cnd tranzistorul este n regim de saturaie. Cutai n tabelul foii de catalog sau n graficele de catalog tensiuni de saturaie VBE i VCE la un curent IB. Observai valoarea lui F=h21E=10 n saturaie. ntrebare: De ce F este mai mic n saturaie (cnd ambele jonciuni sunt direct polarizate) dect n regim activ normal? Valoarea parametrului %Ib nu este foarte important. Acest procent indic ct din curentul de baz este untat de dioda ideal inclus i n modelul Gummel-Poon. El se seteaz la o valoare normal de 80%. Graficul afiat la acest ecran nu este util. El v anun doar c se ntmpl ceva. Ultimii doi parametri de model XTI i EG se seteaz direct intrnd n Model Parameters. n mod implicit ei au valorile obinuite pentru siliciu. Dup completarea cutiei cu Device data, tastai ESC pe post de RUN. V notai apoi toate valorile afiate n cele dou cutii de pe ecrane, valori specifice tranzistorului 2N2222. Apoi cu enter pe Next_Set trecei la ecranul urmtor. Ecran 2 QMOD2 Curba de dispozitiv: Ic (A) curent de colector, hoe (A/V) admitana de ieire de semnal mic la Ic ales (sau h22E). Condiii: Vce (V) tensiunea colector-emitor. Parametrii de model: VAF (V) tensiunea Early. Iniializri: VAF=100. Acest ecran estimeaz tensiunea Early direct (VAF) utiliznd caracteristicile de ieire IC-VCE. Modularea regiunii cvasineutre a bazei datorit tensiunii VBC este luat n considerare att n modelul EbersMoll ct i n modelul Gummel-Poon. Condiia de pe ecrane este VCE=5V. Citii deci curentul IC la aceast tensiune pe unul din grafice. Tot n acel punct calculai i admitana de ieire:
h oe = dIc dVCE

= panta curbei IC-VCE la VCE=5V

Vce =5 V

(5.6)

ntrebare: n ce plaj de valori trebuie s obinei tensiunea Early? Este hoe = h22E sau cu h21E? Explicai indicii. ntrebare: n ce const, din punct de vedere fizic, efectul Early? Ecran 3 QMOD3 Curba de dispozitiv: IC (A) curentul de colector, hFE ctigul n curent n direct (Forward), notat i cu h21E sau F. Condiii: VCE (V) tensiunea colector emitor. Parametrii de model: BF valoarea maxim a lui F, ISE (A) curentul de saturaie al jonciunii baz-emitor, NE coeficientul de emisie al jonciunii baz-emitor, IKF (A) curentul de cot pentru nivel mare de injecie n polarizare direct, NK coeficient de emisie n zona de cot, XTB coeficient de temperatur pentru beta direct i invers.

14

Modele SPICE ale componentelor electronice

Iniializri: BF=100 ISE=0 NE=1.5 IKF=0 NK=.5 XTB=1.5. La acest ecran se completeaz cutia Device curve utiliznd graficul h21E-IC pentru tranzistorul dorit. Se estimeaz parametrii modelului Gummel-Poon IKF i NK pentru nivele mari de injecie la jonciunea Baz-Emitor, [7] parametrul cunoscut din modelul Ebers-Moll fundamental ca fiind FM=BF, apoi parametrii ISE i NE corespunztori curenilor de generare-recombinare. Citii 5-6 perechi de puncte astfel nct s prindei toate zonele (de cureni mici, medii i mari). Atenie: Dac pe graficul de catalog se specific alt valoare pentru tensiunea VCE la care s-a citit experimental F, modificai condiia de pe ecrane, intrnd n meniul Conditions. Pe ecrane se indic o temperatur de 270C (sau 300K); utilizai cea mai apropiat temperatur din foile de catalog, adic 250C. Valoarea pentru XTB a fost setat la o valoare obinuit pentru tranzistoarele bipolare; ea poate fi modificat intrnd direct n Model Parameters. ntrebare: De ce scade F la cureni mari i la cureni mici de colector (n foile de catalog)? ntrebare: Ce diferen este ntre F (notat n catalog cu h21E) i parametrul de model FM (notat n Model Parameters cu BF)? Ecran 4 QMOD4 Curba de dispozitiv: Ic (A) curentul de colector, Vce (V) tensiunea colector emitor. Condiii: Ic/Ib condiie pentru beta. Parametrii de model: BR valoarea maxim a lui R, ISC (A) curentul de saturaie al jonciunii baz-colector, NC coeficientul de emisie al jonciunii baz-colector, IKR (A) curentul de cot pentru nivel mare de injecie n polarizare invers, RC () rezistena serie de colector. Iniializri: BR=1 ISC=0 NC=2 IKR=0 RC=0. Acest ecran estimeaz ali parametri pentru modelul Ebers-Moll fundamental RM = BR, parametrii ISC, nCL, corespunztori curentului de generare-recombinare de la jonciunea Baz-Colector, rezistena serie de colector i parametrul de model Gummel-Poon, IKR, ce caracterizeaz nivelele mari de injecie pentru jonciunea Baz-Colector. Observai c pe ecrane condiia este ca IC/IB=10, adic un F ce corespunde regimului de saturaie. Vei introduce valori de pe caracteristicile de saturaie. Parametrii din polarizare invers ai modelului Gummel-Poon se extrag ca i cei din polarizare direct, doar c se schimb colectorul cu emitorul. Din pcate nu apar dact rar n foile de catalog astfel de date (curbele IE-VBC). De aceea ei se pot extrage cnd tranzistorul este saturat deoarece aceti parametri nu sunt afectai de funcionarea tranzistorului, atunci cnd jonciunea baz-colector este direct polarizat. Ecran 5 QMOD5 Curba de dispozitiv: Vcb (V) tensiunea invers aplicat pe jonciunea baz-colector, Cobo (F) capacitatea de ieire a tranzistorului (sau C22b). Parametrii de model: CJC (F) capacitatea jonciunii baz-colector la polarizare nul, VJC (V) diferena intern de potenial a jonciunii baz-colector, MJC coeficient de gradare a jonciunii baz-colector, FC coeficient de instalare a regimului liniar pentru capacitatea de barier. Iniializri: CJC=2p MJC=.3333 VJC=.75 FC=.5. Acest ecran estimeaz parametrii de model CJC i MJC ai capacitii de tranziie pentru jonciunea baz-colector, invers polarizat. Valoarea lui FC a fot setat la valoarea uzual pentru tranzistoarele pe siliciu. Acest parametru nu este att de important deoarece n polarizare direct oricum capacitatea jonciunii este dominat de capacitile de difuzie. Valoarea parametrului VJC este dictat de tehnologie i n consecin constant la o tehnologie dat.

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

15

ntrebare: Ce tip de sarcini electrice modeleaz capacitatea de tranziie de la acest ecran? ntrebare: Cum tim, din datele de catalog, c jonciunea Baz-Colector este polarizat invers, cnd citim C22b<8pF pentruVCB=10V? Ecran 6 - QMOD6 Curba de dispozitiv: Veb (V) tensiunea invers aplicat pe jonciunea baz-emitor, Cibo (F) capacitatea de intrare a tranzistorului. Parametrii de model: CJE (F) capacitatea jonciunii baz-emitor la polarizare nul, VJE (V) diferena intern de potenial a jonciunii baz-emitor, MJE coeficient de gradare a jonciunii baz-emitor. Iniializri: CJE=5p MJE=.3333 VJE=.75. Acest ecran estimeaz parametrii CJE i MJE ai capacitii de tranziie pentru jonciunea baz-emitor invers polarizat. Valoarea lui FC de la ecranul anterior a fost utilizat i aici, dar este relativ neimportant. ntrebare: De ce credei c nu se msoar capacitatea jonciunii BE (de intrare) n catalog? ntrebare: Explicai notaia indicilor pentru capacitatea de intrare: Cib0 sau C11b? Ecran 7 - QMOD7 Curba de dispozitiv: Ic (A) curentul de colector, ts (s) timpul de stocare. Condiii: Ic/Ib raportul curenilor de colector i baz, Parametrii de model: TR (s) timpul de tranzit invers. Iniializri: TR=10n. Acest ecran estimeaz timpul de tranzit invers, care estimeaz ntrzierea din momentul n care tranzistorul comut din saturaie n blocare. Parametrul TR acioneaz ca un factor de multiplicare, fr s schimbe forma curbei afiate pe ecrane. Utilizai timpul de stocare, tst la curentul de colector indicat n catalog. Ecran 8 QMOD8 Curba de dispozitiv: Ic (A) curentul de colector, fT (Hz) frecvena de tiere a tranzistorului. Condiii: Vce (V) tensiunea colector-emitor. Parametrii de model: TF (s) timpul de tranzit direct, ITF (A) curentul pentru dependena TF-Ic, XTF coeficient al dependenei TF de Vbc, VTF (V) tensiune ce modeleaz dependena lui TF de Vbc. Iniializri: TF=1n ITF=1 XTF=0 VTF=10. Acest ecran estimeaz parametrul TF, care alturi de TR intr n modelarea capacitilor de difuzie ale tranzistorului (vezi modelul la paragraful 3.3.2). Parametrul TF se extrage cu ajutorul frecvenei de tiere care reprezint frecvena la care f =1. De asemenea valoarea parametrului TF controleaz timpii de cretere i de cdere din regimurile de comutare, care reprezint un alt mod de msur a vitezei tranzistorului. Ceilali parametri de model sunt setai la valori uzuale pentru tranzistoarele bipolare. Ecranul 8 este ultimul ecran al PARTS-ului pentru extragerea tuturor parametrilor de model pentru un nou tranzistor bipolar. Ieind din programul PARTS observai crearea fiierului Q2N2222.mod care va intra n librria SPICE-ului pentru simularea circuitelor ce conin acest tip de tranzistor. Repetai extracia de parametrii pentru alt tranzistor bipolar (2N2221).

16

Modele SPICE ale componentelor electronice

ntrebri: Ce regim de lucru al tranzistorului este influenat de modificarea parametrului F?, Dar n cazul parametrilor IS, CJC0, CJE0, TF, TR?

5.2.4. Anexe extrase din foile de catalog ale tranzistoarelor bipolare

Tranzistoare Si-planar epitaxiale npn, 2N2220, 2N2221, 2N2222, [8]. Capsul metalic J.E.D.E.C. TO-18, greutate 0.4g

Valori limit absolute Mrime fizic Tensiunea colector-baz Tensiunea colector-emitor Tensiunea emitor-baz Curentul de colector Puterea total disipat Temperatura jonciunii Caracteristici statice Mrime fizic / Condiii Ctigul static n curent VCE=10V, IC=0.1mA VCE=10V, IC=1mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=150mA VCE=10V, IC=500mA Tensiunea de saturaie colector- emitor IC=150mA, IB=15mA IC=500mA, IB=50mA Tensiunea de saturaie baz- emitor IC=150mA, IB=15mA IC=500mA, IB=50mA Curentul rezidual de colector VCB=50V VCB=60V

TA=250C Notaie de catalog VCB0 VCE0 VEB0 IC Ptot Tj TA=250C Notaie de catalog h21E h21E h21E h21E h21E

cu excepia altor specificri 2N2220 2N2221 2N2222 60 30 5 0.8 0.5 175 cu excepia altor specificri 2N2220, 2N2221, 2N2222 Unit. de ms. V V V A W 0 C Unit. de ms. -

>20 >12 >25 >17 >35 20...60 40...120 >20

>35 >50 >75 100...300 >30

VCEsat VCEsat VBEsat VBEsat ICB0 ICB0

<0.4 <1 <1.1 <2 -

<0.4 <1.6 <1.3 <2.6 <10 -

<0.3 <1 <1.2 <2 <10

V V V V nA nA

PARTS-ul extractor al SPICE-ului

17

(Continuare foi catalog tranz.) Caracteristici dinamice Frecvena de tiere VCE=20V, IC=20mA Capacitatea de ieire de barier VCB=10V, f=1MHz Timpul de ntrziere (delay-time) IC=150mA, IB=15mA Timpul de cretere (risetime) IC=150mA, IB=15mA, VEB=0.5V Timpul de stocare (storagetime) IC=150mA, IB=15mA Timpul de cdere (falltime) IC=150mA, IB=15mA

TA=250C fT C22b tD tr

2N2220, 2N2221, 2N2222 >200 >250 >300 <8 <10 <25

Unit. MHz pF ns ns

tst tf

<225 <60

ns ns

Caracteristicile de ieire pentru tranzistoare:

Caracteristica de ieire, 2N2221.

Caracteristica de ieire, 2N2222.

18

Modele SPICE ale componentelor electronice

(Continuarea foilor de catalog ale tranzistoarelor bipolare 2N2221, 2N2222)

Ctigul static n curent, 2N2221.

Ctigul static n curent, 2N2222.

Tensiuni de saturaie.

Tensiuni de strpungere.