1

INTRODUCERE ÎN ANALIZA ASISTATĂ DE

CALCULATOR A CIRCUITELOR ELECTRONICE.
PLATFORMA OrCAD

1. OBIECTUL APLICAŢIEI
Aplicaţia are ca scop prezentarea suitei de programe OrCAD care permit
simularea circuitelor electronice. Sunt prezentate noţiunile minimale necesare pentru
a putea realiza un circuit electronic, în versiune grafică sau text, şi pentru a putea
efectua cele mai utilizate tipuri de analize SPICE.

2. INTRODUCERE
Suita de programe OrCAD conţine un set de aplicaţii ce pot fi folosite în toate
etapele proiectării unui echipament electronic. Un concept sau o idee poate fi
simulată pentru a verifica funcţionarea corectă. O schemă electrică poate fi desenată
pe baza schemei realizată pentru simulare, dacă s-a folosit simularea bazată pe
aplicaţia grafică, Capture CIS, sau desenată de la zero dacă s-a optat pentru
simularea direct din aplicaţia PSpice AD care acceptă numai fişiere text.
Schema electrică desenată in Capture cu elemente ce au corespondenţe fizice
reale va sta la baza creării modulului electronic. Aplicaţia Layout Plus poate fi
folosită pentru proiectarea cablajului imprimat (PCB – Printed Circuit Board) care va
fi suportul fizic pentru componentele electronice. Fiecărei componente din schema
desenată în Capture îi va fi atribuită o capsulă (Footprint) care reprezintă forma,
dimensiunile, numărul de terminale şi suprafeţele de contact cu PCB-ul, tipul
componentei si terminalelor (TH - through hole, componenta are terminale care intra
în găuri date in PCB, SMD – Surface Mount Device, BGA – Ball Grid Array,
componentele au terminale care doar intră în contact cu suprafaţa PCB-ului, etc.). În
urma poziţionării pe PCB a componentelor si realizarea conexiunilor cu trasee de
cupru pe baza conexiunilor din schema electrică din Capture, se pot realiza fişierele
care conţin doar datele referitoare la construcţia PCB-ului, cum ar fi imagini cu
traseele de cupru, notaţii, dimensiunea găurilor, etc.
În Fig. 1.1 sunt prezentate toate aplicaţiile din suita OrCAD 9.
- Capture CIS permite realizarea schemei electrice în format grafic şi are
integrate elemente specifice simulării PSpice cum ar fi accesul la comenzi si optiuni
de simulare, parametrii componentelor, etc. Această aplicaţie generează fişierele
necesare pentru alte aplicaţii: fişierele de circuit pentru aplicaţia PSpice; fişierele cu
listele de componenete, proprietăţile lor si conexiunile din schemă pentru aplicaţia
Layout Plus.

1
 Fig. 1.1 Suita de programe OrCAD 9 dupa instalarea completă pe PC

- Layout Plus cu ajutorul Layout Plus SmartRoute Calibrate, permite realizarea

modului electronic.
- Online Manuals conţine o documentaţie detaliată pentru aplicaţii precum şi
exemple şi comenzi pentru PSpice.
- PSpice AD permite simularea circuitelor electronice.
- PSpice Model Editor permite crearea de modele pentru componente noi
apărute pe baza datelor de catalog. Componentele trebuie să fie bazate pe modele
deja implementate în PSpice.
- PSpice Optimizer permite optimizarea unui circuit modificând parametrii
pentru a îndeplini constrângeri sau performanţe date de utilizatori. Nu orice tip de
circuit poate fi optimizat.
- PSpice Stimulus Editor permite configurarea grafică a semnalelor de intrare,
cum ar fi sursele sinusoidale, dreptunghiulare, exponenţiale, digitale, etc.
- Simulate permite simularea circuitelor digitale.

În concluzie, pentru simularea circuitelor electronice cu ajutorul suitei de

programe OrCAD vom folosi Capture CIS şi PSpice AD. Deoarece parametrii setaţi
din Capture CIS au la bază parametrii instrucţiunilor din programul PSpice AD,
pentru o bună înţelegere a acestora vom începe cu noţiunile de bază referitoare la
componentele, instrucţiunile şi simularea în format text, direct din PSpice AD.

3. INTRODUCERE ÎN PSpice AD
SPICE = "Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis". PSpice AD
este o versiune a programului SPICE, versiune dezvoltată de Cadence. Pe site-ul
companiei, www.cadence.com, la sectiunea corespunzătoare produsului OrCAD se
gasesc librării cu modele şi simboluri grafice de la producătorii importanţi de
componente electronice pentru integrarea lor în simulări.

2
3.1. Etapele simulării
- Se denumesc nodurile şi componentele circuitului care trebuie analizat.
- Se creează fişierul corespunzător de circuit (<nume>.CIR) folosind editorul
PSpice.
- Se execută simularea SPICE folosind fişierul de circuit creat anterior.
- Se vizualizează rezultatele simulării, care se află în fişierul de circuit
<nume>.OUT, folosind editorul PSpice, sau orice alt editor de text.
- Se vizualizează formele de undă rezultate în urma simulării folosind
fereastra Probe, datele fiind memorate în fişierul de date <nume>.DAT .

3.2. Fişierul de circuit

Structura fişierului de circuit este următoarea:
- Linie de titlu. Există, indiferent ce conţine.
- *Comentarii. Sunt opţionale, însă foarte utile pentru îmbunătăţirea clarităţii
fişierului de circuit. Obligatoriu există * la inceput.
- Instrucţiuni pentru adresarea unor biblioteci.
Ex. .LIB c:\pspice\L2\LIB\diode.lib
- Descrierea componentelor circuitului: nume în cadrul circuitului, nodurile
între care este conectată, valoarea - dacă este componentă pasivă, sau tipul
componentei - dacă este componentă activă.
Ex. R15 2 3 1k
D7 5 6 D1N4148
- Instrucţiuni care descriu tipul analizei ce trebuie efectuată.
Ex. .TRAN 10nS 100uS
- Instrucţiuni care descriu ce date şi sub ce formă să fie salvate în urma
simulării în fişierele de ieşire.
Ex. .FOUR 50Hz V(2)
.PROBE
- Instrucţiunea .END .

3.3. Convenţii folosite în fişierul de circuit

Pentru editarea fişierului de circuit este necesar ca fiecare nod din circuit să
primească un nume. Numele unui nod poate avea maxim 128 de caractere
alfanumerice.
Este obligatoriu ca un nod din circuit să fie masa, care primeşte prin convenţie
numele "0". Celelalte noduri pot fi denumite arbitrar şi nu este necesar să fie în
secvenţa 1, 2, 3 etc.
O linie se poate continua pe rândul următor daca la începutul rândului se pune
semnul “+”.
Ex. V1 100 0 PWL TIME_SCALE_FACTOR=1e-3 REPEAT FOREVER (0,0)
+(0.1689,0) (0.1692,10) (0.3125,10) (0.3128,0) ENDREPEAT
Instrucţiunile sunt precedate de caracterul " . " (Ex.: .PROBE).

3
 Linia de titlu trebuie să fie prima, iar ultima linie trebuie să fie instrucţiunea
.END, care indică locul unde se termină fişierul de circuit. Toate celelalte linii ale
fişierului de circuit se află între linia de titlu şi cea de sfârşit, putând fi introduse în
orice ordine.
Programul PSpice este "case insensitive", adică nu are importanţă dacă se
folosesc litere mari sau mici.
Utilizatorul poate indica puterile lui 10 folosind următoarele sufixuri:
f pentru 1e-15, m pentru 1e-3, t pentru 1e12
p pentru 1e-12, k pentru 1e3,
n pentru 1e-9, meg pentru 1e6,
u pentru 1e-6, g pentru 1e9,
Următoarele caractere după sufix sunt ignorate.
Ex. 10mv = 10 ⋅ 10 −3 V. Litera " V " este ignorată.
1uFarad = 10 −6 F = 1µF . Litera " F " este ignorată.

3.4. Liniile fişierului de circuit

3.4.1. Linia de titlu
Este prima linie a fişierului de circuit. Descrie conţinutul fişierului de circuit
sau poate fi doar o linie liberă. Nu este luată în considerare la efectuarea analizei.

3.4.2. Comentarii
Măresc claritatea fişierului de circuit şi pot fi:
- Linii de comentariu. Au caracterul "*" în prima coloană urmat de orice text.
Ex. *Modulul de comandă
- Comentarii în cadrul unei linii de program. Pentru a comenta o linie de
program se pune caracterul ";" urmat de orice text.
Ex. R11 1 2 1k ; Polarizare

3.4.3. Instrucţiuni pentru adresarea unei biblioteci

Dacă modelul unei componente din circuit se găseşte într-o bibliotecă de
modele, atunci trebuie indicat numele bibliotecii respective precum şi calea pe hard-
disk.
Ex. .LIB C:\PSPICE\LIB\DIODE.LIB

3.4.4. Descrierea componentelor circuitului

De reţinut că, întotdeauna, curentul printr-o componentă de circuit curge prin
componenta respectivă de la nodul + (primul) la nodul - (al doilea).
a) Componente pasive
Rezistenţă
R<name> <(+) node> <(-) node> [model name] <value>
+ [TC = <TC1> [,<TC2>]]
cu modelul de forma:
.MODEL <model name> RES [model parameters]
4
Ex. RLOAD 15 0 2K
R2 1 2 2.4E4 TC=.015,-.003
RFDBCK 3 33 RMOD 10K
Formulele folosite de program pentru determinarea valorii rezistenţei sunt:
a) parametrul TCE este specificat:
<value>·R·1.01TCE·(T-Tnom)
b) parametrul TCE nu este specificat:
<value>·R·(1+TC1·(T-Tnom)+TC2·(T-Tnom)2)
În Capture, în librăria ANALOG.OLB, sunt următoarele componente:

Condensator
C<name> <(+) node> <(-) node> [model name] <value> [IC=<initial value>]
cu modelul de forma:
.MODEL <model name> CAP [model parameters]
Ex. CLOAD 15 0 20pF
C2 1 2 .2E-12 IC=1.5V
CFDBCK 3 33 CMOD 10pF
Formula folosită de program pentru determinarea valorii este:
<value>·C·(1+VC1·V+VC2·V2)·(1+TC1·(T-Tnom)+TC2·(T-Tnom)2)
Valoarea iniţială mai poate fi setată cu ajutorul comenzii .IC :
.IC V(+node, -node) <initial value>
Dacă se lucrează in Capture, valoarea iniţială se poate specifica cu ajutorul
componentelor IC1 sau IC2 din librăria SPECIAL.OLB. În librăria ANALOG.OLB
sunt următoarele componente:

Inductanţă
L<name> <(+) node> <(-) node> [model name] <value> [IC=<initial value>]
5
cu modelul de forma:
.MODEL <model name> IND [model parameters]
Ex. LLOAD 15 0 20mH
L2 1 2 .2E-6
LCHOKE 3 42 LMOD .03
LSENSE 5 12 2UH IC=2mA
Valoarea iniţială mai poate fi setată cu ajutorul comenzii .IC :
.IC I(L<name>) <initial value>
În Capture, în librăria ANALOG.OLB, sunt următoarele componente:

Coeficient de cuplaj mutual

K<name> L<inductor name> <L<inductor name>>* <coupling value>
K<name> <L<inductor name>>* <coupling value> <model name> [size
value]
cu modelul de forma:
.MODEL <model name> CORE [model parameters]
Ex. KTUNED L3OUT L4IN .8
KTRNSFRM LPRIMARY LSECNDRY 1
KXFRM L1 L2 L3 L4 .98 KPOT_3C8
Valoarea coeficientului de cuplaj este definită de relaţia:
<coupling value> = Mij/(Li·Lj)1/2
Pentru transforomatoare uzuale este 1 şi scade pentru transformatoare cu miez
cu aer sau când infăşurările nu se suprapun complet.
Dacă <model name> este folosit atunci se modifică următoarele:
- inductanţele cu cuplaj mutual se transformă într-un dispozitiv neliniar cu
miez magnetic. Caracteristica B-H a miezului este analizată cu ajutorul modelului
Jiles-Atherton ;
- valuarea inductanţei devine număr de înfăşurări;
-poate fi o singură inductanţă
- este necesară o instrucţiune .MODEL pentru definirea parametrilor miezului.
Ex. L1 5 9 20; inductor having 20 turns
K1 L1 1 K528T500_3C8; Ferroxcube toroid core

6
 Modele pentru miezuri magnetice se găsesc în libraria MAGNETIC.LIB sau
pot fi definite cu ajutorul aplicaţiei PSpice Model Editor.
b) Parametri
Pentru a simplifica modificarea valorilor componentelor din circuit se pot
defini parametri. Valoarea unui parametru este luată în considerare oriunde în circuit
apare acel parametru.
Ex. .PARAM RLOAD = 5
R10 15 0 {RLOAD}
R15 20 30 {3*RLOAD}

c) Surse independente de tensiune şi curent folosite pentru analiza de regim

tranzitoriu
Sursă independentă de tensiune sau Sursă independentă de curent
V<name> <(+) node> <(-) node>
+ [ [DC] <value> ]
+ [ AC <magnitude value> [phase value] ]
+ [STIMULUS=<stimulus name>]
+ [transient specification]
Ex. IBIAS 13 0 2.3mA sau VBIAS 13 0 2.3mA
IAC 2 3 AC .001 VAC 2 3 AC .001
Specificaţii de regim tranzitoriu
PULSE(<tensiune iniţială> <tensiune finală> <întârziere faţă de origine> <timp de
+creştere> <timp de cădere> <durata palierului pe tensiune finală> <perioada>)
Descrie o sursă de tensiune care generează un semnal periodic de tip impuls,
cu parametrii specificaţi în corpul instrucţiunii. Bineînţeles, dacă se dau valori
parametrilor în mod corespunzător, se poate obţine semnal trapezoidal, triunghiular
şi chiar neperiodic, dacă <perioada> indicată este mai mare decât intervalul pe care
se face analiza.
Ex. IPULSE 1 0 PULSE(-1mA1mA 2ns2ns2ns 50ns 100ns)
SIN(<valoare medie> <amplitudine> <frecvenţă> <întârziere faţă de origine>
<factor de amortizare> <faza în grade>)
Descrie o sursă de tensiune sinusoidală, cu parametrii indicaţi în corpul
instrucţiunii.
În afară de PULSE şi SIN se mai pot folosi:
- EXP :o formă de undă cu evoluţie exponenţială în timp;
- PWL : o formă de undă construită din segmente;
- SFFM : o formă de undă sinusoidală modulată în frecvenţă (FM).

d) Surse de tensiune/curent controlate în tensiune/curent

Sursă de tensiune controlată în tensiune
E<nume> <nod+> <nod-> <nod control +> <nod control -> <câştig>
Sursă de curent controlată în curent

7
F<nume> <nod+> <nod-> <numele sursei independente de tensiune folosită ca
+senzor de curent> <câştig>
Sursă de tensiune controlată în curent
H<nume> <nod+> <nod-> <numele sursei independente de tensiune folosită ca
+senzor de curent> <transrezistenţă>
Sursă de curent controlată în tensiune
G<nume> <nod+> <nod-> <nod control +> <nod control -> <transconductanţă>

e) Folosirea modelelor predefinite în PSpice

În PSpice există modele predefinite pentru descrierea unor componente active,
contactoare controlate în tensiune/curent etc.
Pentru folosirea acestor modele sunt necesare două instrucţiuni.
Dioda
O instrucţiune asociază unui <nume model> un <tip model> generic cu
anumite valori ale parametrilor acelui <tip model>.
Ex. .MODEL <nume model> <tip model>(<parametri>)
.MODEL POWER_DIODE D(RS=1m CJO=500p)
O altă instrucţiune descrie o anumită componentă din circuit ca având modelul
<nume model>.
Ex. D<nume> <nod+> <nod-> <nume model>
D15 1 2 POWER_DIODE
Toţi <parametrii> din paranteze sunt opţionali. Dacă nu este indicat nici un
parametru, atunci vor fi folosite valorile implicite ale parametrilor.
Comutatorul controlat în tensiune
Acest tip de comutator este reprezentat printr-o rezistenţă de valoare foarte
mică RON, atunci când tensiunea la bornele de comandă este mai mare decât VON,
şi printr-o rezistenţă de valoare foarte mare ROFF, atunci când tensiunea la bornele
de comandă este mai mică decât VOFF. Comutatorul este bidirecţional.
Ex. .MODEL <nume model> VSWITCH(<parametri>)
.MODEL RELEU VSWITCH(RON=1m VON=5 ROFF=1MEG VOFF=1)
S<nume> <nod+> <nod-> <nod control +> <nod control -> <nume model>
S5 2 7 9 0 RELEU

f) Subcircuite
Folosirea unui subcircuit implică două etape: definirea subcircuitului şi
apelarea subcircuitului.
Definirea subcircuitului
Poate fi făcută fie în fişierul principal de circuit, fie într-un alt fişier, care va fi
apelat cu instrucţiunea .LIB sau .INC. Definirea fişierului de circuit se face cu
instrucţiunea:
.SUBCKT <nume> <nod1> <nod2>. . .<nodn> PARAMS:
+<param1>=<valoare>. . . descrierea subcircuitului
.ENDS
8
 Nodurile subcircuitului pot primi orice nume. Numele nodurilor din subcircuit
sunt independente de numele nodurilor din circuitul principal. Aceasta înseamnă că
două noduri, unul din circuitul principal şi unul din subcircuit, care au acelaşi nume,
nu vor fi automat interconectate. Excepţie face nodul " 0 ", care este nod comun, de
masă.
Apelarea subcircuitului
Apelarea subcircuitului se face cu instrucţiunea:
X<nume> <nod1> <nod2>. . .<nodn> <nume> PARAMS:
+<param1>=<valoare>. . .
Parametrii care primesc valori prin specificaţia "PARAMS" vor fi automat
actualizaţi cu noile valori în cadrul subcircuitului, permiţând astfel particularizarea
unui model generic de subcircuit cu anumite valori.

g) Descrierea surselor comandate în tensiune prin funcţii de transfer

Sursele comandate în tensiune (E, G) acceptă descrierea prin funcţii de
transfer (Analog Behavioral Modeling). Aceasta înseamnă că tensiunea/curentul
generate de aceste tipuri de surse pot fi descrise printr-o funcţie definită de utilizator.

VALUE: E<nume> <nod+> <nod-> VALUE = {expresie}

Valoarea tensiunii de ieşire este rezultatul evaluării funcţiei din {expresie}

TABLE: E<nume> <nod+> <nod-> TABLE{expresie} = <descrierea prin puncte

a funcţiei de transfer>
Funcţia de transfer este descrisă prin perechi de puncte (x, y), unde x este
valoarea mărimii de intrare descrisă prin {expresie}, iar y este valoarea mărimii de
ieşire. Între două perechi de puncte valoarea mărimii de ieşire este calculată prin
interpolare liniară.
LAPLACE: E<nume> <nod+> <nod-> LAPLACE {expresie} = {transformata
Laplace a funcţiei de transfer, mărimea de intrare fiind dată de {expresie} }

3.4.5. Instrucţiuni care descriu tipul analizei ce trebuie efectuată

Analiza de curent continuu
.DC [LIN] <sweep variable name> <start value>
+<end value> <increment value> [nested sweep specification]
Instrucţiunea permite definirea unei variabile ale cărei valori se modifică liniar
în timpul analizei de curent continuu. Se pot realiza analize logaritmice dacă în locul
parametrului LIN se foloseşte DEC sau OCT.
Ex. .DC VIN -.25 .25 .05
.DC LIN I2 5mA -2mA 0.1mA
Dacă în loc de LIN se foloseşte LIST atunci se poate realiza o analiză cu
baleiere imbricată.
Ex. .DC TEMP LIST 0 20 27 50 80 100 PARAM Vsupply 7.5 15 .5
Analiza de regim tranzitoriu
9
 .TRAN <print step> <timp final> <timp start salvare>
+<pas maxim> [SKIPBP]
Analiza este făcută pe intervalul (0, <timp final>). Datele în fişierele de ieşire
*.OUT şi *.DAT sunt salvate pentru intervalul (<timp start salvare>, <timp final>).
Datele în fişierul de ieşire *.OUT sunt salvate cu un pas de timp dat de <print step>.
La analiza de regim tranzitoriu, pasul de timp al simulatorului se modifică automat în
funcţie de viteza de variaţie a mărimilor calculate, în scopul asigurării unui anumit
nivel de precizie. Astfel, pe anumite intervale, pasul de timp poate creşte foarte mult.
Se pot pierde astfel date semnificative din formele de undă, dat fiind că la
vizualizarea formelor de undă se face interpolare între două puncte adiacente. Pasul
de timp poate fi limitat prin <pas maxim>. Dacă în corpul instrucţiunii este prezentă
specificaţia "SKIPBP" – “Skip bias point calculation”, vor fi folosite condiţiile
iniţiale indicate în circuit prin specificaţia "IC".
Ex. .TRAN 1ns 100ns
.TRAN/OP 1ns 100ns 20ns SKIPBP
.TRAN 1ns 100ns 0ns .1ns

Analiza în frecvenţă
.AC <sweep type> <points value> <start frequency value>
+ <end frequency value>
Acest tip de analiză calculează răspunsul unui circuit pentru o gamă de
frecvenţe. În acest tip de analiză ca intrare se folosesc doar sursele care au
componentă AC.
Ex. .AC LIN 101 100Hz 200Hz
.AC OCT 10 1kHz 16kHz
.AC DEC 20 1MEG 100MEG

Analiza parametrică
.STEP LIN <sweep variable name>
+ <start value> <end value> <increment value>
.STEP [DEC |OCT] <sweep variable name>
+ <start value> <end value> <points value>
.STEP <sweep variable name> LIST <value>*
Analiza parametrică se aseamănă cu analiza de curent continuu cu deosebirea
că pentru fiecare pas se realizează analizele de tip .DC, .TRAN sau .AC.
Ex. .STEP VCE 0V 10V .5V
.STEP LIN I2 5mA -2mA 0.1mA
.STEP RES RMOD(R) 0.9 1.1 .001
.STEP DEC NPN QFAST(IS) 1E-18 1E-14 5
.STEP TEMP LIST 0 20 27 50 80 100
.STEP PARAM CenterFreq 9.5kHz 10.5kHz 50Hz

10
 Primele trei analize sunt liniare, a patra este logaritmică, a cincea foloseşte o
listă de valori pentru parametru, în acest caz temperatura, iar ultima variază un
parametru.
Analiza Monte Carlo
.MC <nr. of runs value> <analysis> <output variable> <function> [option]*
+ [SEED=value]
Acest tip de analiză realizează o evaluare din punct de vedere statistic a unei
variabile dintr-un circuit variind valorile componentelor în funcţie de toleranţele
individuale: DEV, sau toleranţele lotului de componente folosite: LOT.
Ex. .MC 10 TRAN V(5) YMAX
.MC 50 DC IC(Q7) YMAX LIST
.MC 20 AC VP(13,5) YMAX LIST OUTPUT ALL
.MC 10 TRAN V([OUT1],[OUT2]) YMAX SEED=9321
Pentru acest tip de analiză componentele folosite au denumirea xBREAK din
librăria BREAKOUT.OLB. Proprietăţile DEV şi LOT pot fi ataşate si parametrilor
din alte modele prin includerea în model a liniei următoare, pentru fiecare parametru:
[DEV [track&dist] <value>[%]] [LOT [track&dist] <value>[%]]
Ex. [<parameter name> = <value> [DEV [track&dist] <value>[%]]
+ [LOT [track&dist] <value>[%]]]
Analiza senzitivităţii/cazul cel mai defavorabil(sensitivity/worst-case)
.WCASE <analysis> <output variable> <function> [option]*
Acest tip de analiză variază valorile componentelor ca şi în cazul analizei Monte
Carlo cu deosebirea că doar un parametru este variat la fiecare ciclu. În acest fel
PSpice poate calcula senzitivitatea variabilei de ieşire analizată la fiecare parametru.
Când toate senzitivităţile sunt cunoscute se realizează o ultimă simulare când toţi
parametrii sunt modificaţi astfel încât variabila de ieşire are valoarea cea mai
defavorabilă.
Ex. .WCASE TRAN V(5) YMAX
.WCASE DC IC(Q7) YMAX VARY DEV
.WCASE AC VP(13,5) YMAX DEVICES RQ OUTPUT ALL
.WCASE TRAN V([OUT1],[OUT2]) YMAX RANGE(.4u,.6u)
+ LIST OUTPUT ALL VARY DEV HI
Şi pentru acest tip de analiză componentele folosite au denumirea xBREAK
din librăria BREAKOUT.OLB.
Analiza Fourier
.FOUR <frecvenţa fundamentalei> [nr. de armonici] <mărimi de ieşire>
Se efectuează analiza Fourier pentru <mărimi de ieşire>, obţinându-se valorile
pentru primele nouă sau [nr. de armonici] componente spectrale (amplitudine şi fază
în valori absolute şi normate la valorile obţinute pentru fundamentală) şi factorul
total de distorsiuni, THD – Total harmonic distortsion. Rezultatele sunt salvate în
fişierul *.OUT.
3.4.6. Instrucţiuni care descriu modul de salvare a datelor în fişierele de
ieşire
11
 .PRINT TRAN <mărimi de ieşire>
Această instrucţiune specifică faptul că valorile pentru <mărimi de ieşire>
rezultate în urma analizei TRAN vor fi salvate în fişierul *.OUT la intervale dictate
de <print step>. Se obţin doar valorile respective, nu şi o reprezentare grafică.
.PROBE <mărimi de ieşire>
Instrucţiunea aceasta specifică faptul că toate valorile pentru <mărimi de
ieşire> vor fi salvate în fişierul *.DAT, fiind folosite ulterior pentru reprezentarea
grafică a rezultatelor simulării. Dacă nu se specifică <mărimi de ieşire>, vor fi
salvate datele pentru toate mărimile electrice din circuit. Pentru vizualizarea şi
analiza rezultatelor simulării este comod să avem datele pentru toate mărimile din
circuit, însă, în anumite situaţii, fişierul *.DAT poate avea dimensiuni foarte mari.
3.4.7. Instrucţiunea .END
.END
Această instrucţiune trebuie să încheie descrierea fişierului de circuit.

3.5. Executarea simulării PSpice

Din meniul principal se selectează Simulation -> Run [nume fişier].

3.6. Vizualizarea rezultatelor din fişierul *.OUT

Rezultatele simulării din fişierul *.OUT pot fi vizualizate selectând din meniul
principal View -> Output File sau orice alt editor de text.

3.7. Vizualizarea rezultatelor din fişierul *.DAT

Rezultatele simulării din fişierul *.DAT pot fi vizualizate grafic selectând din
meniul principal View -> Run Probe.

3.8. Surse de erori

Noduri flotante. Este necesar ca fiecare nod să aibă o cale de c.c. către masă
(obligatoriu trebuie sa existe nodul 0). De asemenea este necesar ca la fiecare nod să
fie cel puţin două conexiuni. În caz contrar simulatorul nu poate calcula punctul
static de funcţionare şi va furniza mesaj de eroare. Problema se remediază prin
conectarea unei rezistenţe de valoare foarte mare (1G, de exemplu) către masă.
Bucle de inductanţe sau de surse de tensiune. PSpice nu acceptă existenţa
buclelor de rezistenţă zero, bucle care pot fi formate din surse ideale de tensiune
şi/sau inductanţe. Problema poate fi rezolvată prin ruperea buclei şi înserierea unei
rezistenţe de valoare foarte mică.
Probleme de convergenţă. Aceste probleme pot să apară în special la analiza
de regim tranzitoriu şi în special în cazul circuitelor care lucrează în comutaţie. Din
punct de vedere al convergenţei putem spune că analiza de regim tranzitoriu a
circuitelor de comutaţie este cea mai dificilă, cere cel mai mare efort de calcul (şi
implicit cel mai mult timp) şi pune cele mai mari probleme în modelarea circuitelor
respective. Pentru evitarea problemelor de convergenţă trebuie evitate variaţiile

12
foarte rapide ale mărimilor din circuit, variaţii care ar putea determina scăderea
pasului de timp al simulatorului sub valoarea minimă acceptată.
La analiza de regim tranzitoriu, parametrul ITL5, care determină numărul maxim de
iteraţii, trebuie să primească valoarea zero (număr nelimitat de iteraţii). Numărul
maxim implicit de 5000 de iteraţii poate fi foarte rapid atins la analiza de regim
tranzitoriu.
Ex. .OPTIONS ITL5=0 RELTOL=0.0001

13
4. APLICAŢII PSpice AD
În această aplicaţie va fi creat şi simulat un circuit de tip Filtru Trece Jos
pentru familiarizarea cu tipurile de simulări şi opţiunile lor. În capitolul următor
aceste simulări vor fi realizate în varianta grafică, din aplicaţia Capture.

4.1 Simularea unui Filtru Trece Jos

4.1.1. Se creează cu notepad un fişier text în C:\AACEP\FTJ-text în care se va

implementa circuitul din Fig. 1.2 respectând convenţiile din Capitolul 3.
Atenţie! Fişierul trebuie să conţină cel putin un caracter şi să aibă numele
ftj-text.cir inainte să fie deschis cu PSpice.
PSpice se lanseaza în executie din meniul Start -> Programs -> OrCAD
Release 9.0 ->PSpice AD. Se deschide fişierul creat cu File -> Open. Selectaţi la
opţiunea Files of type -> Circuit Files (*.cir)

0
Fig. 1.2. Filtru trece jos

4.1.2. Nodul 0 este cel din figură. Alegeţi denumiri pentru componente şi
numerotaţi restul nodurilor.
Parametrii componentelor şi simulării sunt:
R=100 ; C=200nF;
sursa de tensiune este de tip PULSE:
tensiune iniţială (V1) = 0; tensiune finală (V2) = 10V;
întârziere faţă de origine (Td) = 0s; timp de creştere (TR)= 10ns;
timp de cădere (TF) = 10ns; durata palierului pe tensiune finală (PW) =5us; perioada
(PER) = 10us.
Analiza este de tip tranzitoriu cu parametrii:
<print step>=0; <timp final>= 200us; <timp start salvare> =0
Rezultatele simulării vor fi vizualizate în Probe.

4.1.3. În urma simulării fără erori trebuie să apară fereastra Probe.

Adăugaţi înca un ecran de desen, Plot -> Add Plot to Window. Ecranele de
desen pot fi selectate apăsând cu mous-ul pe ele.
Din meniul Trace -> Add Trace adăugaţi într-un ecran de desen tensiunea pe
sursa si pe celalalt adăugaţi tensiunea pe condensator.

14
 4.1.4. Afişaţi grila în puncte in ecranele de desen: din meniul Plot -> Axis
Settings... ->taburile X Grid şi Y Grid -> dots
Activaţi cursorul din meniul Trace -> Cursor -> Display şi măsuraţi
tensiunea medie pe condensator. De ce tensiunea medie pe condensator este
0.5*tensiunea sursei de alimentare?
Activaţi analiza Fourier din meniul Trace -> Fourier. Observaţi
componentele spectrale ale celor doua forme de undă. De ce au amplitudini diferite?

4.1.5 Comentaţi linia corespunzătoare comenzii de analiză tranzitorie şi sursa

PULSE şi înlocuiţi-le cu elementele corespunzătoare realizarii unei analize în
frecvenţă cu parametrii:
-amplitudinea tensiunii la intrare 1V;
-analiză logaritmică (DEC) cu 100 puncte pe decadă, frecvenţa de început
10Hz iar cea de sfârşit 2000kHz.
Vizualizaţi tensiunea pe condensator cu scală in decibeli (DB). Din meniul
Trace -> Add Trace -> selectaţi DB() din lista din dreapta după care selectaţi
tensiunea pe condensator din lista din stânga.
Măsuraţi cu ajutorul cursorului frecvenţa de tăiere a filtrului la -3dB.

4.1.6 Realizaţi analiza în frecvenţă parametrică avand ca parametru rezistenta

R cu valori cuprinse intre 50 si 150 ohm cu pas de 20 ohm.
Definiţi parametrul R cu .PARAM, înlocuiti valoarea rezistentei cu parametrul
şi după instructiuna .AC adaugati instructiunea .STEP PARAM cu parametrii de mai
sus. Observati cum se modifica raspunsul în frecvenţă.

5. APLICAŢII Capture
În această aplicaţie vor fi create şi simulate câteva circuite simple pentru
familiarizarea cu lucrul in aplicaţia Capture.
Capture se lanseaza în executie din meniul Start -> Programs -> OrCAD
Release 9.0 ->Capture CIS. Pe ecran va apărea fereastra principală a programului
OrCAD Capture (Fig. 1.3).

15
 Fig. 1.3. Fereastra principală a programului OrCAD Capture

Pentru a putea realiza simularea, trebuie creat un nou proiect. Acest lucru se
realizează din meniul File > New > Project… Pe ecran va aparea meniul de creare a
unui proiect nou (Fig. 1.4). Din acest meniu se specifică numele şi tipul proiectului,
precum şi calea catre directorul în care se doreşte salvarea proiectului. Este indicat ca
fiecare simulare să fie facuta într-un director separat deoarece programul Capture
generează mai multe fişiere legate de simulare care pot crea confuzii dacă nu sunt
organizate corespunzator.
Pentru a putea simula circuite, proiectul trebuie sa fie de tip Analog or Mixed-
Signal Circuit Wizzard. Dupa ce se s-a ales numele şi tipul proiectului trebuiesc
incluse librariile folosite. Acest lucru se realizeaza din fereastra următoare (Fig. 1.5).
Librăriile se pot adăuga oricând pe parcursul elaborarii circuitului, motiv
pentru care vom include librariile pe masură ce vom avea nevoie de ele. Pentru a
începe elaborarea circuitului se apasa butonul Finish.

16
 Fig. 1.4 Meniul de creare a unui proiect nou

Fig. 1.5 Fereastra de selectare a librăriilor

În Fig. 1.6 se observă mediul de lucru în cadrul unui proiect în aplicaţia

Capture. Sunt prezente 3 ferestre de lucru. De la stânga la dreapta:
- Project Manager, conţine resursele utilizate în proiect, organizate în funcţie
de utilizare. Primul este proiectul [nume proiect].dsn care conţine paginile cu
shemele electrice, componentele utilizate recent, în Design Cache şi librăriile incluse
în proiect. În următoarea categorie sunt fişierele de ieşire, .net care contine o parte
din fişierul de circuit, cu componentele şi conexiunile formate. Fişierul .drc conţine
verificarea proiectului din punct de vedere electric. Dacă sunt erori ele se vor regăsi
precizate aici. În ultima categorie se află resursele necesare simulării. Aici se poate
activa unul din profilele de simulare.
- fereastra din centru conţine componentele si legăturile ce alcătuiesc circuitul.
- ultima freastră arată utilizatorului diverse mesaje care pot apărea pe parcursul
realizării şi simulării proiectului.

17
 Fig. 1.6 Aspectul unui proiect în aplicaţia Capture

Pentru realizarea circuitelor se folosesc uneltele din partea stânga a ecranului,

care sunt accesibile si din meniul Place. Acestea sunt disponibile doar când este
selectată fereastra de desen.

- Select – folosit pentru selectarea si editarea unei componente deja plasate

- Place Part – selectarea si plasarea unei noi component in schema
- Place Wire – desenarea traseelor (firelor) intre component
- Place Net Alias – plasarea unor denumiri explicite pentru nodurile din schema
- Place Bus – plasarea unei legaturi de tip magistrala
- Place Junction – plasarea unui nod in circuit
- Place Bus Entry – Plasarea unei intrari in magistrala
- Place Power – selectarea si plasarea unei surse de tensiune sau current in circuit
- Place Ground – plasarea nodului de masa
- Place Hierarchical Block – plasarea unui bloc ierarhic
- Place Port – plasarea unui port
- Place Pin – plasarea unui terminal (in editarea componentelor)
- Place Off-Page Connector – conector pentru continuarea schemei pe alta pagina
- Place No Connect – terminal neconectat, pentru a nu genera erori
- Place Line – desenarea unei linii
- Place Polyline – desenarea unui polygon
- Place Rectangle – desenarea unui dreptunghi

18
- Place Elipse – desenarea unei elipse
- Place Arc – desenarea unui arc de cerc
- Place Text – permite introducerea de text explicative in schema

5.1. Simularea unui Filtru Trece Jos în Capture

5.1.1. Realizaţi filtrul din Fig. 1.2 cu valorile indicate la 4.1.2.

Plasaţi componentele filtrului din meniul Place -> Part, selectati libraria
ANALOG apoi din lista condensatorul C. Simbolul condensatorului apare in casuta
de langa Librarii. Selectaţi componenta si cu click mouse dreapta selectati Edit
Properties. In campul Value introduceţi valoarea 200n. Observaţi parametrii IC si
TOLERANCE, IC – conditia initiala iar TOLERANCE reprezinta parametrul TOL
din analiza Monte Carlo. Campul Reference este numele componenetei care poate fi
modificat daca este nevoie.
Plasati rezistenta in acelasi fel si modificati valoarea la 100.
Din meniul Place -> parts selectati libraria SOURCE si selectati componenta
VPULSE. In meniul Edit Properties puteti completa parametrii specificati la 4.1.2.
Din meniul Place Ground sau apasand pe simbolul din dreapta ecranului
corespunzator plasati, din libraria SOURCE, componenta 0, cu simbolul de
GROUND. Aceaste tipuri de componente sunt folosite pentru a lega diverse puncte
ale schemei la liniile de alimentare. In PSpice obligatoriu trebuie sa existe cel putin o
astfel de componenta cu numele 0.
Apasand pe casuta a 3-a din dreapta, Place wire, realizati conexinile intre
terminalele componentelor.

5.1.2. Analiza tranzitorie

Din meniul PSpice-> New simulation Profile creati un profil de simulare nou
cu numele tran. In fereastra Simulation Settings completati la Run to time: 200u.
Efectuati simularea din meniul PSpice-> Run. Aplicatia PSpice se lanseaza
automat. Din meniul PSpice -> Markers selectati Voltage si aplicat pe firul de
legatura intre R si C. Automat in Probe va aparea forma de unda. Adaugati un ecan
de desen si repetati pentru tensiunea de intrare.

5.1.3. Analiza in frecventa

In Project Manager , la PSpice resources se observa profillul de simulare creat.
Pentru analiza in frecventa va trebui creat alt profil de simulare. Din PSpice -> New
Simulation Profile creati un profil cu numele AC. In Simulation Setting selectati la
Analysis type AC Sweep/Noise si completati cu parametrii din 4.1.5.
Pentru analiza in frecventa va trebui o sursa ce contine componenta AC, restul
surselor finnd anulate. Adaugati din libraria SOURCE componenta VAC. In meniul
Edit properties modificati valoarea ACMAG la 1V. Conectati sursa in locul celei
VPULSE. Vizualizati raspunsul in frecventa ca in 4.1.5.
5.1.4 Analiza parametrica
19
 Pentru analiza parametrica trebuie adaugat, din libraria SPECIAL, componenta
PARAM.
Valoarea componentei pe care o dorim ca parametru va fi inlocuita cu
{nume_parametru}.
Selectati componenta PARAMETERS si din meniul Edit Properties selectati
New si completati cu nume_parametru , fara {}. Completati valorea initiala in casuta
nou formata si inchideti meniul.
Creati un profil nou de simulare cu numele AC. Selectati ca la punctul 5.1.3
tipul de analiza.
Bifati casuta Parametric Sweep si completati cu valorile de la punctul 4.1.6.
Selectati Global Parameter si completati numele fara {}.
Efectuati simularea si plasati un marker de tensiune intre condensator si
rezistenta. Observati formele de unda in Probe.

5.2. Simularea unui filtru trece banda de tip Butterworth

5.2.1 Implementati in Capture filtrul din Fig. 1.7.

L1 C2

100u
2u
L2
V3 R2
1V C3
1
50u
4u

Fig. 1.7. Filtru trece banda

5.2.2. Reluati analizele de la punctul 5.1. Luati ca parametru L1 cu valori

cuprinse intre 50 si 150 uH cu pas de 25uH.

20
 2
MODELAREA IN PSPICE A DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE DE PUTERE. PARAMETRI SI
CARACTERISTICI DE COMUTATIE.

1. OBIECTUL APLICAŢIEI
Aplicaţia are ca scop prezentarea principalelor dispozitive semiconductoare de
putere si analiza caracteristicilor importante pentru regimul de comutatie. Sunt
prezentate diferentele dintre dispozitivele de uz general si cele de putere pentru o
mai buna intelegere a parametrilor modelelor folosite si impactul acestora asupra
rezultatelor simularii.

2. INTRODUCERE
Principalele metode de modelare utilizate în simulatoarele actuale sunt
urmatoarele:
• modelarea de tip comutator, care se bazeaza pe faptul ca dispozitivele
semiconductoare de putere functioneaza în regim de comutatie, deci ideal pot fi
privite ca întrerupatoare cu doua pozitii:
- pozitia ON de comutator închis, ce modeleaza dispozitivul aflat în stare de
conductie;
- pozitia OFF de comutator deschis, ce modeleaza dispozitivul aflat în stare de
blocare.
Comutatoarele se clasifica în comutatoare necomandate si comutatoare
comandate. Variantele de comutatoare comandate sunt cele utilizate în modelarea
dispozitivelor semiconductoare de putere, anume:
- comutatoarele comandate în tensiune (notate S), ce modeleaza tranzistorul MOS,
IGBT si tiristorul MCT;
- comutatoarele comandate în curent (notate W), ce modeleaza tranzistorul bipolar
de putere, tiristorul conventional si cel GTO.
Modelarea de tip întrerupator este cea mai simpla dar si cu performantele cele
mai reduse, fiind utilizata atunci când se doreste descrierea fenomenelor din circuit
doar la nivel principial precum si în cazul schemelor complicate ce cu un alt tip de
modelare ar conduce la o crestere mare a timpul destinat simularii lor;
• utilizarea modelelor interne (intrinseci) existente ca modele interne sau ca
denumiri comerciale aflate în bibliotecile pachetului de simulare ales. Daca
respectivul dispozitiv exista în biblioteca, el este deosebit de simplu de utilizat; în
caz contrar, se poate apela la programul de extractie a parametrilor de model ce
permite determinarea în mod automat a valorilor tuturor parametrilor de model ai
21
dispozitivelor intrinseci, pornind de la caracteristicile date de catalog, fara ca
utilizatorul sa fie obligat sa cunoasca în detaliu numerosii parametrii de model.
Dezavantajul acestei metode consta în principal în faptul ca respectivele
modele intrinseci au fost dezvoltate initial pentru dispozitivele de mica putere si
conduc la erori de simulare importante la niveluri ridicare de tensiune si curent cu
care lucreaza dispozitivele de putere. În prezent, dezvoltatorii de simulatoare au în
vedere includerea din ce în ce mai mult si a modelelor de putere, atât pentru
dispozitivele de putere ce au analoage de mica putere (de exemplu, dioda de putere,
tranzistorul bipolar de putere si tranzistorul MOS de putere) cât si pentru cele
specifice electronicii de putere pentru care nu exista dispozitive de mica putere
analoage similare (de exemplu, tranzistorul bipolar cu poarta izolata IGBT).
• macromodelarea este dedicata acelor dipozitive semiconductoare de putere ce nu
pot fi modelate prin metoda anterioara, din aceasta categorie facând parte diacul,
tiristorul conventional, triacul, tiristorul cu blocare pe poarta GTO si tiristorul MCT,
pentru care fie exista în biblioteci fie trebuie construite macromodele.

3. DESFASURAREA APLICATIEI
In continuare vor fi analizate vor fi analizate dioda semiconductoare de putere,
tranzistorul TEC-MOS de putere si tranzistorul IGBT din punct de vedere al
caracteristicilor importante pentru regimul de comutatie.

3.1. Comutatia diodei pe sarcina rezistiva

- Dioda modelata liniar cu intrerupator de tensiune

In Fig. 2.1 este prezentata schema circuitului pentru trasarea caracteristicilor
de comutatie a diodei modelate cu ajutorul intrerupatorului Sbreak si sursa de
tensiune Vd.
3.1.1. Creati un proiect nou in OrCAD Capture de tip Analog or Mixed-Signal
Circuit Wizzard in directorul C:\AACEP\L2\dioda\ cu numele “dioda”. Implementati
circuitul din Fig. 2.1 tinand cont ca masa se plaseaza din meniul Place -> Ground,
rezistenta se plaseaza cu Place -> Part, din libraria ANALOG, sursele V1 si Vd se
gasesc in libraria SOURCE iar S1 in libraria BREAKOUT care se adauga in proiect
din meniul Place->Part->Add Library... , din directorul
...\CAPTURE\LIBRARY\PSPICE. Pentru a modifica parametrii componentelor
acestea trebuie selectate iar apoi din meniul Edit-> Properties completati cu valorile
din Fig. 2.1. Din meniul Place-> Net Alias se ataseaza firului ce uneste R1 cu S1
numele Vsw.

22
 R1
Vsw

S1
V1 + + Sbreak
ROFF = 1e5
- -
VON = 1m
PER = 200n RON = 1.0
PW = 100n VOFF = 0.0
TF = 1p Vd
V1 = -100 0.7V
V2 = 10
TD = 10n
TR = 1p

0
Fig. 2.1. Dioda modelata liniar cu intrerupator de tensiune

Din meniul Pspice->New Simulation Profile creati un profil nou de simulare

nu numele “tran”. Selectati analiza de tip Time Domain(Transient) cu parametrii:
Run to time 200ns si Maximum step size 100p.
Se efectueaza simularea si in Probe se vizualizeaza, pe 2 ecrane, curentul prin
R1 si tensiunea Vsw. Masurati tensiunea Vsw atunci cand dioda conduce.
- Dioda de putere modelata cu modelul intrinsec
In Fig. 2.2 este prezentata schema circuitului de test precum si modelul
intrinsec din PSpice. Parametrii modelului se pot modifica selectand componenta
apoi din meniul Edit->PSpice Model.
Dioda rapida de putere mare MUR860 are parametrii de catalog: IF(average)=8A
si VR(max)=600V.
R2
Vf red2 .

10
V3
Rs

PER = 200n
PW = 100n D1
TF = 1p I1
V1 = -100
V2 = 10 MUR860 Cr
TD = 10n
TR = 1p

0 0 .
a) b)
Fig. 2.2. a) Circuit de test pentru studiul comutatiei diodei pe sarcina rezistiva;
b) modelul intrinsec al diodei

3.1.2 Implementati circuitul din Fig. 2.2 a) pe aceeasi pagina cu cel din Fig.
2.1. Dioda D1 se gaseste in libraria DIODE.
Curentul direct prin diodă este dat de relaţia:
23
 V2 −U F
IF =
R2
(1)
unde U F este căderea de tensiune pe dioda D1 aflată în conducţie.
În intervalul (110ns,ts) are loc evacuarea sarcinii stocate în joncţiune. Curentul
invers este constant:
U R Qs
IR = =
R1 ts
(2)
unde U R este tensiunea de polarizare inversă a diodei D1 .
În intervalul (ts,trr) se produce încărcarea capacităţii C r a joncţiunii, timp în
care tensiunea pe joncţiune creşte până la valoarea tensiunii sursei de polarizare
inversă, iar curentul tinde către valoarea staţionară IR (curentul in blocare).
Sarcina electrică totală este:
t rr

∫
Qrr = Qs + iR dt
ts
(3)
Se efectueaza simularea cu aceeasi parametri ca la punctul anterior si in Probe
se vizualizeaza, pe 2 ecrane, curentul prin D1 si tensiunea Vfred2.
3.1.3. Masurati tensiunea Vfred2 atunci cand dioda conduce si curentii IR si IF.
Identificati si masurati timpii ts si trr pe graficul curentului prin dioda.
Estimati Qs si Qrr cu ajutorul formulelor (2) si (3).
Adaugati curentul prin R1 si tensiunea Vsw in ecranele corespunzatoare.
Observati diferenta.
De ce în specificaţiile de regim tranzitoriu a fost indicat <pas maxim> de timp
de 100ps? Din profilul de simulare “tran” se şterge valoarea 100p. Pasul de timp nu
este în acest fel limitat. Se reia simularea de la punctul anterior. Se vizualizează
formele de undă Vfred , I(D1). Ce deosebiri se constată?
3.1.4 Refaceti circuitul din Fig. 2.2 a) pentru urmatoarele diode din libraria
DIODE:
D1N4148 – dioda rapida de putere mica, IF(average)=200mA si VR(max)=100V;
D1n4002 – dioda redresoare, IF(average)=1A si VR(max)=100V. Parametrul V1 al
sursei VPULSE va avea valuarea -99V in acest caz.
D1N5819 - dioda Schottky cu IF(average)=1A si VR(max)=40V.
Observati ca desi se depasesc parametrii maximi dati in catalog, VR(max) pentru
dioda D1N5819 si IF(average)=200mA pentru D1N4148, nu se genereaza un mesaj de
avertisment.
Vizualizati intr-un ecran curentii prin diode iar in alt ecran tensiunile. Care
este cea mai lenta dioda?
3.1.5 Definiti un parametru Vparam (cu secventa de instructiuni Place->Part-
>SPECIAL->PARAM, selectati PARAM apoi din meniul Edit Properties->New
introduceti numele Vparam iar ca valuare in casuta nou creata 10V. In Fig. 2.2 a)
inlocuiti in sursa V3 valuarea lui V2 cu {Vparam} . Din meniul PSpice->edit
simulation settings pentru analiza Time Domain selectati optiunea Parametric Sweep.

24
Selectati Global Parameter si introduceti numele Vparam. Selectati Value List si
introduceti valorile 1,5,10,15,20.
Determinati marimile cerute la punctul 4.1.3 pentru fiecare valoare a
parametrului Vparam.
Trasati caracteristica trr(IF).

3.2. Caracteristicile TEC-MOS de putere

In Fig. 2.3 este prezentata schema circuitului pentru trasarea caracteristicilor

de comutatie a tranzistorului TEC-MOS de putere.

I1
50 D1
Dbreak

Vds

R1 M1 V2
Vin Vgs 100

V1 IRF540
100

PER = 50u
PW = 2.5u
TF = 10n
TR = 10n 0
0 TD = 10n
V2 = 20
V1 = -20

Fig. 2.3. Circuit de test pentru studiul regimului de comutatie al

tranzistorului TEC-MOS de putere

3.2.1. a) Creati un proiect nou in OrCAD Capture de tip Analog or Mixed-

Signal Circuit Wizzard in directorul C:\AACEP\L2\mos\ cu numele “mos”.
Implementati circuitul din Fig. 2.1. Tranzistorul IRF540 se afla in libraria
PWRMOS.
Caracteristicile principale ale tranzistorului MOS de putere cu canal N IRF540
sunt:
Vdss=100V; Id=23A @ Vgs=10V; Rds(on) <70mohm; Qg=65nC;Qgs=10nC;
Qgd=29nC;
Creati un profil de simulare Time Domain cu durata de simulare de 10us. Se
efectueaza analiza de regim tranzitoriu.
În continuare se vor vizualiza formele de undă folosind Probe. Se adaugă încă
un grafic cu Plot->Add plot. Pe graficul de sus se vizualizează v(Vds) -tensiunea
v DS şi iD(M1) -curentul de drenă. Pe graficul de jos se vizualizează v(Vin) -

25
tensiunea de comandă şi v(Vgs) -tensiunea v GS . În Fig. 2.4 sunt prezentate formele
de undă respective. Tot în Fig. 2.4 sunt prezentate şi definiţiile pentru timpii de
comutaţie tON şi tOFF .
Explicaţi formele de undă prezentate în Fig. 2.4.
t
Se determină timpii de comutaţie în conducţie - ON şi în blocare - tOFF pentru
această situaţie.
Se vizualizează puterea instantanee disipată pe tranzistor - iD ( M 1) ⋅ v(3) . Estimaţi
puterea disipată pe tranzistor ţinând cont că frecvenţa de comutaţie este de 20kHz şi
că PD = f (WON + WOFF ) .

Fig. 2.4. Procesul de comutaţie al tranzistorului MOS de putere.

b) Se repetă punctul a) pentru V2=20V, V1=0V (tensiune de comandă

unipolară). Cum se modifică timpii de comutaţie? Dar puterea disipată pe tranzistor?
c) Se repetă punctul a) pentru V2=10V, V1= -10V (tensiune de comandă
bipolară de amplitudine mai mică). Cum se modifică timpii de comutaţie şi puterea
disipată pe tranzistor?
d) Se repetă punctul a) pentru V2=10V, V1=0V (tensiune de comandă
unipolară de amplitudine mai mică). Cum se modifică timpii de comutaţie şi puterea
disipată pe tranzistor?

26
 e) Analizaţi rezultatele obţinute la punctele a)÷d) şi formulaţi concluzii
referitor la tipul şi parametrii tensiunii de comandă asupra timpilor de comutaţie şi
puterii disipate pe tranzistor.
f) Se repetă punctul a) pentru V2=20V, V1=-20V, RG =10Ω, respectiv RG =1k
Ω
Cum se modifică timpii de comutaţie? Dar puterea disipată pe tranzistor?

3.2.2. Se implementeaza circuitul din Fig. 2.3 pe aceeasi pagina in Capture dar
in loc de IRF540 se alege BSS123 din libraria PHIL_FET. Modificati numele firelor
sa nu fie la fel.
Se modifica tensiunea de alimentare de la 100 la 50V, rezistenta din grila
50ohm, curentul in sarcina 2A.
Caracteristicile principale ale tranzistorului MOS de putere mica cu canal N
BSS123 sunt:
Vdss=100V; Id=0.15A @ Vgs=10V;Rds(on)=3.5ohm; Ciss=23pF;Coss=6pF;
Crss=4pF.
Se realizeaza analiza in regim tranzitoriu. Se adaugă încă un grafic cu Plot-
>Add plot. Pe graficul de sus se vizualizează v(Vds) -tensiunea v DS şi curentul de
drenă pentru ambele tranzistoare. Pentru BSS123 curentul de drena este
ID(X_M2.M1) deoarece are la baza un subcircuit. Acest curent trebuie inmultit cu o
constanta, de exemplu 30, pentru a fi vizibil. Pe graficul de jos se vizualizează
v(Vin) -tensiunea de comandă şi v(Vgs) -tensiunea v GS pentru cele doua
tranzistoare.
Analizati comparativ formele de unda pentru cele 2 tranzistoare.
Stergeti variabilele corespunzatoare tranzsitorului IRF540 si determinati timpii
de comutaţie în conducţie - tON şi în blocare - tOFF pentru BSS123.
Se vizualizează puterea instantanee disipată pe tranzistor - ID(X_M2.M1)*
V(M2:d). De ce puterea disipata in conductie este atat de mare comparativ cu cea
disipata de IRF540?

3.3. Caracteristica tranzistorului IGBT

Implementati circuitul din Fig. 2.3 folosind tranzistorul IRGBC20S din libraria
IGBT. Modificati sursa de curent la 15A.
Parametrii tranzistorului sunt:
Vces=600V; Ic=19A @ 25gr.C; Vce(on)=2.4V @19A; Cies=360pF;
Coes=36pF; Cres=5.3pF.
Repetati punctul 3.2.2. Ce concluzii trageti?

27
28
 3
CREAREA MODELELOR NOI CU APLICATIA “PSPICE MODEL
EDITOR” SI FOLOSIREA LOR IN CAPTURE.

1. OBIECTUL APLICAŢIEI
Aplicaţia are ca scop prezentarea pasilor necesari crearii unui model nou cu
ajutorul aplicaţiei PSpice Model Editor. Pe baza acestui model se va defini
componenta(simbolul) corespunzatoare pentru utilizarea în aplicatia OrCAD
Capture. Este prezentata o metoda de implementare a unui macromodel impreuna cu
simbolul grafic precum si elementele de legatura dintre modele si simbolurile
grafice.

2. INTRODUCERE TEORETICA
Programul de simulare OrCAD PSpice contine o serie de librarii predefinite ce
conţin o selectie de modele ale principalelor componente electronice aflate pe piaţă
în momentul lansării programului. Atunci cand apar componente noi acestea trebuie
sa aiba un model pentru a putea fi utilizate in PSpice. Firmele producatoare ofera foi
de catalog cu parametrii necesari construirii modelelor, optional putând fi oferite si
modelele componentelor intr-un format compatibil PSpice.

Fig. 3.1. Relatia dintre Model Editor, Capture si PSpice

2.1. Crearea modelelor si organizarea librariilor

Programul Model Editor converteste informatia introdusa din folie de catalog
in parametri de model folosind instructiunea .MODEL sau subcircuite folosind
instructiunea .SUBCKT. Aceste informatii sunt folosite apoi de programul PSpice in
timpul efectuarii diverselor tipuri de analize.
Dispozitivele care se pot modela cu ajutorul acestui program sunt prezentate in
Tabelul 3.1.
29
 Tabelul 3.1. Dispozitivele suportate de Model Editor

Informatia obtinuta este salvata sub forma de librarii ce pot contine 1 sau mai
multe dispozitive in fisiere cu extensia .lib. Optional se pot crea si componente
(simboluri) grafice predefinite pentru dispozitivele din tabelul 3.1. Aceste simboluri
sunt salvate in fisiere cu extensia .olb. Pentru a putea folosi un model nou in
Capture, acesta trebuie sa aiba un simbol atasat iar libraria ce contine modelul
trebuie inclusa in proiect, ca in Fig. 3.2.
Inaintea inceperii simularii toate modelele folosite sunt cautate in librariile
incluse. Cand se gaseste primul model cu acelasi nume ca cel din circuit se trece la
modelul urmator. Modelele noi create, daca au acelasi nume cu modelele incluse
initial in OrCAD vor trebui cautate la inceput. Ordinea in care se face cautarea
precum si adaugarea unor librarii noi este specificata in Fig. 3.2, meniul PSpice->
Edit Simulation Profile.
Organizarea librariilor initiale este urmatoarea:
- nom.lib -> include cu instructiunea .LIB toate librariile oferite de firma Cadence.
-> include libraria vendor.lib care include la randul ei toate librariile oferite
de firmele producatoare de componente electronice.

30
 Pentru adaugarea unei librarii nou create ea trebuie selectata in meniul din Fig.
3.2 apoi adaugata fie globala cu Add as Global si atunci va fi inclusa si in proiectele
urmatoare, fie adaugata local cu Add to Design iar la proiectele urmatoare nu va mai
fi adaugata automat.

Fig. 3.2 Meniul in care se adauga librarii noi proiectului si specificarea

ordinii in care se cauta modelele

PSpice Model Editor poate fi utilizat din interiorul unui proiect pentru
vizualizarea modelului unei componente sau poate fi utilizat independent pentru
crearea de modele noi sau editarea unor modele existente.
In cazul editarii unui model din interiorul unui proiect se creeaza o instanţă a
modelului original cu numele original_model_name-Xn si aceasta instanta este
incarcata in Model Editor. Acest model este salvat in libraria locala
SCHEMATIC_NAME.LIB. Modelul modificat este folosit doar in proiectul in care a
fost deschis.
Daca se porneste programul Model Editor in afara unui proiect si se incarca un
model din librariile globale atunci schimbarile efectuate vor fi salvate in aceeasi
librarie si modelul modificat va fi disponibil pentru orice proiect.

2.2. Crearea componentelor utilizate in Capture pentru modele

O componenta din Capture utilizata pentru simularea cu PSpice are
următoarele proprietati fata de componentele care nu pot fi folosite in simulari:
- o legatura cu un model;
- template pentru realizarea implementarii text in fisierul de simulare .cir;
- pini legati de template;
31
 -alte proprietati legate de dispozitiv cum ar fi pinii invizibili cu conexiune
implicita sau timpi de propagare pentru componentele digitale.
Componentele sunt localizate in fisiere cu extensia .olb in mod similar cu
modele pentru PSpice care sunt localizate in fisiere cu extensia .lib.
Un fisier care contine componente ce vor fi utilizate in simulari va trebui sa
aiba acelasi nume cu libraria care contine modelele atasate acelor componente.
Exista mai multe metode de creare a componentelor:
- direct din Model Editor, dupa ce a fost definit un model se poate crea
automat o componenta predefinita cu secventa de instructiuni File->Create
Capture Parts;
- din Capture se poate crea o librarie noua .olb cu secventa de instructiuni File-
>New->Library. Libraria nou creata va avea un nume oarecare. In fereastra Design
Manager trebuie selectata cu Mouse-ul linia cu numele librariei astfel incat in meniul
Design apare optiunea New Part. Se salveaza libraria cu numele dorit.
Diferenta dintre cele doua metode este ca in primul caz componenta creata va
avea toate proprietatile mentionate anterior definite fata de al doilea caz cand aceste
proprietati vor trebui definite ulterior.
Orice componenta care are model atasat trebuie sa aiba minim urmatoarele
proprietati;
PSpice Template – pentru realizarea translatiei text folosita de PSpice;
REFDES (Reference) si PART (Implementation) – pentru identificare.

Ex. Rezistenta R are in Capture:

- doua terminale numite 1 si 2;
- doua proprietati: Value si Reference.
PSpice Template: R^@REFDES %1 %2 @VALUE
Linia text generata in fisierul .cir este : R_R23 abc def 1k
unde Value=1k, Reference=R23 iar rezistenta este conectata la firele abc si def.

Reguli pentru proprietatea PSpice Template:

- numele pinilor din proprietatea PSpice Template trebuie sa corespunda cu
numele pinilor componentei;
- numarul de pini si ordinea din proprietatea PSpice Template trebuie sa fie la
fel cu numarul de pini si ordinea din definitia .MODEL sau .SUBCKT
corespunzatoare componentei;
- prima litera din Template trebuie sa corespunda cu tipul componentei
specificat in Tabelul 3.1 (D – diode; Q – tranz. bipolar; etc.).

PSpice Template contine:

- caracterele speciale: @ & ~ #
- separatori: , . ; / |
- alte caractere alfanumerice.
- \n cand se doreste inceperea unei linii noi in fisierul .cir;
32
 - %<nume pin> indica inlocuirea numelui pinului cu firul la care este legat;
- ^ este inlocuit cu calea ierarhica pana la componenta in cazul proiectelor
ierarhizate.
Sintaxa generala este ([] sunt optionale) (un singur rand in Capture):
LITERA_DISPOZITIV^@REFDES %<nume pin 1> ... %<nume pin n> [@VALUE]
[conditii din tabelul 3.2]

Tabelul 3.2. Semnificatia caracterelor speciale

Ex.1 Sursa VAC are in sintaxa PSpice:

- doua proprietati: [DC] <value> ] [ AC <magnitude value> [phase value] ]
iar in Capture: <value> = DC ; <magnitude value> = ACMAG si [phase value] =
ACPHASE
- doi pini: + si –
PSpice Template:
V^@REFDES %+ %- ?DC|DC @DC| #ACMAG|AC @ACMAG
?ACPHASE/@ACPHASE/|

Exemple de implementare:
- DC=5V: V_V1 1 0 DC 5
- AC=3V si DC=5V: V_V1 1 0 DC 5 AC 3

33
Ex.2 Un subcircuit cu numele TIR cu 2 pini si parametrul G cu valoarea implicita
10. Pentru a permite modificarea parametrului din Capture, G este tratat ca o
proprietate a componentei:
X^@REFDES %a %b TIR PARAMS: ?G|G=@G||G=1000|

Exemplu de implementare cand G=33:

X_U21 101 102 TIR PARAMS: G=33

3. DESFASURAREA APLICATIEI
In continuare vor fi realizate modele pentru dispozitive semiconductoare de
putere precum dioda rapida pe baza datelor din foile de catalog. Va fi creata o
componenta pentru Capture legata de modelul creat. Sunt verificati parametrii
dispozitivului fata de un model existent in librariile PSpice.
Se va modela dioda cu ajutorul tabelului si se va compara cu un model
existent.
Se va modela un tiristor cu un subcircuit si se va crea o componenta
particularizata pentru Capture.

3.1. Modelarea unei diode cu PSpice Model Editor

Foaia de catalog pentru dioda rapida MUR860 produsa de firma ON

Semiconductor contine urmatoarele date:

Fig. 3.3 Valorile maxim admisibile

34
 Fig. 3.4 Caracteristicile electrice

Fig. 3.6 Curentul invers

Fig. 3.5 Caracteristica directa Fig. 3.7 Capacitatea diodei

Pe baza acestor date vom construi modelul diodei si il vom salva in libraria
laborator3.lib din directorul C:/AACEP/L3/LIB care va fi creat inainte.
Deschideti PSpice Model Editor din Start->Programs->OrCAD 9.2.
Creati o librarie noua, File->New. Observati numele implicit alocat librariei.
Creati un model nou din meniul Model->New cu numele MUR860_L3 din
modelul Diode. Observati spatiul de lucru.
In partea stanga se afla fereastra Models List care contine modelele din
librarie. In partea de jos se afla fereastra Parameters care contine parametrii diodei.

35
Nu toti parametrii sunt activi in acelasi timp. In partea centrala se afla 5 ferestre cu
diferiti parametrii. Observati ce parametrii sunt activi cand selectati cate una din cele
5 ferestre.
Fiecare fereastra poate contine in partea stanga spatii pentru introducerea
valorilor extrase din graficele din foaia de catalog. In dreapta se afla un grafic cu
evolutia diferitilor parametri corespunzatori valorilor.
O descriere detaliata a parametrilor se gaseste in Help->Spec Entry Details-
>Diode.
La introducerea valorilor in tabel pe grafic vor aparea punctele definite de
acele valori. Pentru a modifica modelul componentei tinand cont de valorile
introduse trebuie folosit butonul sau din meniul Tools-> Extract Parameters.
Graficul se va modifica precum si parametrii modelului activi pentru acel grafic.

Atentie: - daca in urma extragerii parametrilor graficul nu se modifica inseamna ca

modelul s-a blocat si trebuie verificati parametrii, mai ales N si NR;
- Pentru a evita aceasta situatie acesti parametri, N si NR vor fi fixati la
valoarea default de 1 respectiv 2 bifând casutele din dreptul lor in fereastra
Parameters.
- daca nu se selecteaza parametrii activi la schimbarea ferestrelor selectati o
causta din tabel.
Ajustarea modelului pentru a corespunde cu datele din foile de catalog este un
proces iterativ. Pentru dispozitivele de putere este mai dificila potrivirea exacta.
Se incepe definind cate 1 punct pentru fiecare grafic:
curentul direct (1; 1.5);
capacitatea jonctiunii (2; 300p)
curentul invers: (250; 0.2u).
tensiunea inversa de strapungere se foloseste la diodele Zenner si nu
modificam nimic pentru dioda rapida.
Se extrag parametrii Tools-> Extract Parameters.
Se observa ca parametrii s-au modificat iar graficele trec prin punctele
definite. In continuare se vor modifica parametrii activi din Fereastra Parameters
pentru a apropia graficele de cele din foaia de catalog.
In Fig. 3.5 se calculeaza rezistenta serie
RS=(U2-U1)/(I2-I1)=(1.4-1)/(9.5-1.5)=50mOhm si se introduce in casuta RS.
Se apasa butonul Update Graph si cel Auto Refresh pentru a vizualiza
schimbarea caracteristicii directe.
Cu graficul selectat se modifica axele din meniul Plot->Axis Settings astfel
incat sa corespunda cu Fig. 3.5. Axa y este de tip log.
Se adauga punctul (1.8; 30) pentru a vizualiza mai bine pe unde trebuie sa
treaca graficul. Nu se extrag parametrii.
Se modifica pe rand IS (600f-1000f) si IKF (0.5m-2m) in gama specificata in
paranteze pana graficul se aproprie de puncte cat mai mult.

36
 Se trece la graficul Capacitatii. Se selecteaza graficul si se modifica axele
pentru a corespunde cu cele din Fig. 3.7. Se adauga fara extractie de parametri
punctul (30; 100p).
Se modifica CJO (300p-500p) si M (0.3-0.5) pana cand graficul se apropie de
puncte.
In fereastra curentului invers se adauga punctul (500; 1.2u) si se modifica
axele ca cele din Fig. 3.6.
Se modifica ISR cu o valuare care sa situeze graficul in gama de uA intre 100
si 600V, de exemplu 120n.
In fereastra Reverse Recovery setati axa y Autorange si axa x intre -0.5n si
300n.
Bifati casutele pentru fixarea tuturor parametrilor mai putin la parametrul TT.
In Fig. 3.4 se specifica Trr=60ns. Se introduce in Model Editor Trr=60n. Ifwd
este curentul IF din casuta corespunzatoare lui Trr. Se introduce in Model Editor.
Irev este curentul IR din Fig. 3.4 si se introduce in casuta corespunzatoare. RL din
Model Editor este rezistenta de sarcina plus rezistenta sursei cu care s-a facut
masurarea Trr din foaia de catalog. De obicei este 100-150 ohm. Introduceti 100 in
casuta Rl din Model Editor.
Verificati sa aveti fixati toti parametrii mai putin TT si Extrageti parametrii.
TT va lua valuarea in jur de 150ns. Ce forma de unda a aparut pe ecran?
Din meniul File->Save As.. salvati libraria cu numele laborator3.lib in
directorul C:/AACEP/L3/LIB.
Inchideti libraria.
In Model Editor selectati File->Create Capture Parts si selectati
laborator3.lib. Automat se completeaza fisierul de iesire .olb cu acelasi nume si in
aceeasi locatie. In urma generarii componentei trebuie sa apara un ecran cu 0 erori la
sfarsit.
Deschideti Orcad Capture 9.2. Creati un proiect nou cu numele “dioda mur” in
directorul C:/AACEP/L3/Dioda mur. Selectati Analog of MixedA/D ca tip si bifati
Create a blank project.
Din meniul Place-Pats adaugati librariile ANALOG, DIODE, SOURCE din
directoarele corespunzatoare OrCAD Capture 9.2 si laborator3.lib.
Creati un profil de simulare tip Time Domain cu paramertii Run to Time 200ns
si Maximum step size 100p.
Editati profilul de simulare in fereastra Libraries selectati cu Browse
laborator3.lib si selectati Add as Global.
Adaugati componenta MUR860_L3 din libraria laborator3.lib si selectati Edit
PSpice Model. Observati ca se deschide automat in mod grafic editorul de modele.
Adaugati componenta MUR860 din libraria DIODE si repetai pasul anterior.
Ce observati?
Implementati circuitul din Fig. 3.8. Vizualizati curentii prin diode si observati
diferentele. Cat sunt curentii in blocare?

37
 R1 R2

5 5
V1 = -100 V2
V1 = -100 V1 D1_L3 V2 = 10 D2
V2 = 10 TD = 10n
TD = 10n TR = 1p MUR860
TR = 1p mur860_l3b TF = 1p
TF = 1p PW = 100n
PW = 100n PER = 200n
PER = 200n

0 0 0 0
Fig. 3.8 Circuit de verificare a parametrilor

Selectati dioda D1_L3 si editati modelul astfel incat cele 2 forme de unda sa
corespunda. Modificati Capacitatea, TT si BV=600v (din Fig. 3.3). Salvati libraria cu
acelasi nume in directorul cu proiectul. Acest model modificat va fi folosit local.

3.2. Modelarea unui tranzistor cu PSpice Model Editor

Foaia de catalog pentru tranzistorul IGBT IRGBC20S produs de firma

International Rectifier contine datele din Fig. 3.9
Deschideti PSpice Model Editor si deschideti libraria laborator3.lib. Creati un
model nou cu numele IRGBC20S_L3 din modelul Ins Gate Bipolar Tran.

38
Fig. 3.9 Datele din foaia de catalog pentru IRGBC20S

39
 Fig. 3.10. Caracteristicile de iesire si de transfer

In primul ecran – Timpul de cadere, se introduc urmatorii parametri:

Ic,cont=19
BVces=600
tf=910n
Ic=10
Vce=480
Extrageti parametrii si vizualizati descrierea parametrilor din meniul Help.
Identificati datele in foile de catalog.
In ecranul Transfer Characteristics se introduc urmatoarele valori:
Vce=100
(Vge, Ic)= (5; 0.2); (7.5; 7); (10; 20); (12.5; 40).
Se extrag parametrii si se modifica axele ca in Fig. 3.10. Observati diferentele.
In ecranul Saturation Characteristics se introduc urmatoarele valori extrase din
Fig. 3.10:
Vge=15
(Ic;Vce)= (1; 1); (15; 2); (40; 4); (60; 10).
Se extrag parametrii.
In ecranul Gate Charge se introduc valorile, extrase din Fig. 3.9:
Qge=2.3n ; Qgc=7n ;Qg=16n ;Vg=15 ;Vcc=400 ; Ic=10;
Se extrag parametrii si se salveaza.
Se inchide libraria si se creaza o componenta pentru Capture pentru tranzistor
selectand aceleasi librarii ca in cazul diodei.
Se creaza un proiect nou in Capture in directorul .../AACEP/Tranzistor_IGBT
cu numele Tranzistor_IGBT.
Creati un profil de simulare tip Time Domain cu paramertii Run to Time 10us.
Implementati circuitul din Fig. 3.11 si vizualizati tensiunile si curentii celor 2
tranzistoare.
40
 I1 I2
15 15
D1 D2
Dbreak Dbreak

Z1

R1 Q1 R2
IRGBC20S
IRGBC20S_L3
100 V3 V4
V1 = -20 V1 V1 = -20 V2 100
V2 = 20 100 V2 = 20 100
TD = 10n TD = 10n
TR = 10n TR = 10n
TF = 10n TF = 10n
PW = 2.5u PW = 2.5u
PER = 50u PER = 50u
0 0 0 0 0 0

Fig. 3.11 Circuit Circuit de verificare a parametrilor

3.3. Modelarea tiristorului cu subcircuit si crearea componentei pentru

Capture

Modelul simplificat al tiristorului

Tiristorul nu are în PSpice un model predefinit, aşa cum au celelalte
componente active: dioda, tranzistorul bipolar, tranzistorul MOS etc. Este necesar
deci să fie definit un model al tiristorului folosind un subcircuit. În biblioteca
THYRISTR.LIB este definit un model care ţine seama de multe dintre caracteristicile
de comutaţie ale tiristorului. Modelul respectiv caracterizează foarte bine tiristorul
însă, având multe componente, micşorează foarte mult viteza de simulare. De aceea,
în majoritatea aplicaţiilor simple, este foarte util modelul simplificat. Modelul
respectiv ţine cont de următoarele caracteristici principale ale tiristorului: comanda
prin aplicarea unui semnal de amorsare pe poartă, existenţa unui timp t ON de intrare
în conducţie, pierderea controlului porţii după ce tiristorul a intrat în conducţie,
blocarea tiristorului atunci când curentul prin el scade sub valoarea de menţinere.
În continuare este prezentat subcircuitul care modeleaza tiristorul:
* tiristor A KG
.subckt 2N6399_L3 1 2 3 PARAMS: ICGATE=0
s1 1 5 6 2 smod
rg 3 4 50
vx 4 2
vy 5 7
dt 7 2 dmod
rt 6 2 1
ct 6 2 10u IC={ICGATE}
f1 2 6 poly(2) vx vy 0 50 11
.model smod vswitch(ron=0.0125 roff=10e+5 von=0.5 voff=0)
.model dmod d(is=2.2e-15 bv=1800v tt=0)
.ends

41
 Creati in C:\AACEP\L3\LIB un fisier cu numele tiristor_subckt.lib si scrieti in
el subcircuitul de mai sus.
Pentru a putea folosi in Capture acest subcircuit va trebui sa il atasam unei
componente.
Deschideti PSpice Model Editor. Din meniul File-> Create Capture Parts
deschideti libraria creata. Se va genera un fisier .olb cu acelasi nume.
Pentru a edita componenta deschideti Capture->File->Open->Library si
modificati aspectul componentei ca in Fig. 3.13.

0
U?

1
2
3

2
2N6399_L3
1

Fig. 3.13. Crearea unei componente in Capture

Creati un proiect nou in Capture in C:\AACEP\L3\tiristor cu numele tiristor.

Adaugati libraria creata mai devreme, tiristor_subckt.olb si adaugati in schema
componenta 2N6399_L3.
Pentru a putea gasi modelul atasat componentei va trebui sa specificam libraria
in setari. Creati un profil de simulare de tip Time Domain cu parametrul Run to time
300u. In meniul Libraries din profil selectati libraria tiristor_subckt.lib si adaugati-o
in proiect.
Selectand componenta si alegand din meniul Edit-> PSpice Model se va
deschide continutul librariei cu subcircuitul.
Conform celor prezentate in Capitolul 2, componenta trebuie sa aiba:
- o legatura cu un model;
- template pentru realizarea implementarii text in fisierul de simulare .cir;
- pini legati de template;
Legatura cu modelul a fost realizata in Implementation cu numele care apare
in fisierul .lib. De asemenea componenta are Implementation Type PSpice Model.
PSpice Template este vizibil atunci cand selectam Edit Properties din Capture.
Pentru a testa componenta realizati circuitul din Fig. 3.14.

42
 R1 L1 R2 L2
1 2 1 2
200 500u 200 500u

0
U2 V1 = -200 V3
V2 = 200 X2

1
TD = 0
2 TR = 100n 2N6399
3

2
V1 = 0 V2 TF = 100n V1 = 0 V4
V1 = -200 V1 V2 = 20 2N6399_L3 PW = 150u V2 = 20
V2 = 200 TD = 1u PER = 300u TD = 1u

1
TD = 0 TR = 1n TR = 1n
TR = 100n TF = 5u TF = 5u
TF = 100n PW = 40u PW = 40u
PW = 150u PER = 300u PER = 300u
PER = 300u
0 0 0 0
Fig. 3.14 Circuit de verificare a componentei nou realizate.

Vizualizati intr-un plor curentii prin tiristoare, in alt plot tensiunile si pe

ultimul plot tensiunile surselor V1 si V2. Cum difera formele de unda?

3.4. Simularea unui convertor flyback

Implementati circuitul din Fig. 3.15. Vizualizati formele de unda si analizati
functionarea dispozitivelor de putere din punct de vedere al puterii disipate.
D1
TX1

V1
24V MUR860_L3B R1
0 C1
5
200u
L1_VALUE = 100uH
L2_VALUE = 100uH
0 COUPLING = 1
0 0
E1 R2 Q1
+ IRGBC20S_L3
+
V1 = 0 V2 - -
20
V2 = 5 E
TD = 0 GAIN = 3
TR = 1n
TF = 1n
PW = 9.625e-6
PER = 25e-6
0 0 0
Fig. 3.15 Schema convertorului flyback

Tipul de analiza este Time Domain, cu timp de rulare 5ms.

Dioda si tranzistorul sunt din libraria creata anterior. TX1 este
XFRM_LINEAR din libraria ANALOG, la fel ca si sursa comandata E.

43
44