Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
4.1. GENERALITIPRIVINDTRANZISTORULBIPOLAR
STRUCTURAISIMBOLULTRANZISTORULUIBIPOLAR
Tranzistorulbipolar esteundispozitivelectronicrealizatdinmaterial semiconductor,formatdintreiregiuni(EMITOR,BAZ,COLECTOR) separateprindoujonciunipn. Tranzistoarele bipolaresempartndoucategorii: NPN PNP
Tranzistorul bipolar de tip NPN este format din dou regiuni N separate de o regiune P. Tranzistorul bipolar de tip PNP este format din dou regiuni P separate de o regiune N. ntre dou regiuni nvecinate se formeaz o jonciune. ntre baz i emitor este jonciunea bazemitor, iar ntre baz i colector este jonciunea bazcolector. Fiecare regiune are ataat cte un terminal care se noteaz cu E(emitor) , B(baz), C(colector). Regiunea N este dopat cu sarcini negative (electroni) iar regiunea P este dopat cu sarcini pozitive (goluri).
NCAPSULAREATRANZISTOARELORBIPOLARE
Tranzistoarelepotaveacapsuledinmetal saumaterialplastic. nfunciededestinaialortranzistoarelesempartn3maricategorii: tranzistoaredesemnalmic seutilizeazlafrecvenejoase(sub 100kHz)icurenimici(sub1A)