Digitally signed by Library

TUM
Reason: I attest to the
accuracy and integrity of
this document
UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Ciclu de prelegeri

Partea I

5
1 RC 3

2
y1 Uies
RN y2
Uint 4
y3

Chişinău
2017
 UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI
FACULTATEA INGINERIE ŞI MANAGEMENT ÎN
ELECTRONICĂ ŞI TELECOMUNICAŢII

CATEDRA RADIOCOMUNICAŢII

ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Ciclu de prelegeri

Partea I

Chişinău
Editura „Tehnica-UTM”
2017
 Scopul cursului Analiza circuitelor electronice (ACE) este
a ajuta studenţii să însuşească procedura de calculare a
caracteristicilor amplitudine-frecvenţă, fază – frecvenţă, tranzitorie,
de impuls a unui circuit electronic dat, precum şi calculul
impedanţei de intrare a unui circuit electronic şi construirea
schemei echivalente a acestuia.
Un alt scop foarte important al disciplinei constă în calculul
polilor şi nulurilor funcţiei de transfer a unui circuit electronic.
Ciclul de prelegeri este destinat studenţilor specialitaţilor
521.8 Inginerie şi Management în Telecomunicaţii, 525.2 Sisteme
Optoelectronice şi altor specialităţi ale FIMET cu forma de
învăţămînt la zi şi frecvenţă redusă.

Autor: conf. univ., dr. Ion Avram

Redactor responsabil: conf. univ., dr. Ion Avram

Recenzent: conf. univ., dr. Pavel Nistiriuc

© UTM, 2017
 CUPRINS

I. NOŢIUNI GENERALE ŞI OBIECTUL DISCIPLINEI..................4

II. CIRCUITE ELECTRICE ŞI ELECTRONICE ............................5

2.1. Circuit electric si circuit electronic. Noţiuni generale .......................5
2.2. Componente active si pasive ale circuitelor electronice....................5
2.3. Analiza si sinteza circuitelor electronice . Notiuni generale .............7
2.4. Functia de transfer a CE. Nulurile si polii ei ....................................8
2.5. Formarea matricei de admitanţă |Y| a CE ........................................ 10
2.6. Element RC- cu parametri distribuiti .............................................. 15
2.7. Gradul functiei de transfer a CE ..................................................... 18
2.8. Amplasarea polilor functiei de transfer pe planul complex............ 18
2.9. Sensibilitatea caracteristicilor CE .......................................... .........21

III. CARACTERISTICILE DE BAZĂ ALE CE .............................22

3.1. Caracteristicile de baza ale CE selective în frecvenţă ...................... 22
3.2. Caracteristicile CE în domeniul timp ............................................. .26

IV. STABILITATEA CIRCUITELOR ELECTRONICE ...............33

4.1 Noţiuni de bază .............................................................................. .33
4.2 Reacţii în circuitele electronice ....................................................... 33
4.3 Criterii de stabilitate a circuitelor electronice .................................35
4.4 Particularităţile utilizării criteriilor de stabilitate..............................48

BIBLIOGRAFIE..................................................................................50

3
 1. NOŢIUNI GENERALE ŞI OBIECTUL DISCIPLINEI

Obiectul disciplinei Analiza circuitelor electronice constă în

studierea metodelor de calcul a caracteristicilor circuitelor electronice
(CE) şi anume:
- Impedanţa de intrare Zin, construirea schemei echivalente a
impedanţei de intrare si graficului depedenţei Zin f( );
- Calculul si construirea caracteristicii amplitudine-frecvenţă (CAF) a
CE;
- Calculul şi construirea în primă aproximaţie a caracteristicii fază-
frecvenţă (CFF) a CE;
- Calculul caracteristicii tranzitorii (CT) a CE;
- Aprecierea caracteristicilor de stabilitate a funcţionării CE;
- Calculul sensibilităţii caracteristicilor CE la schimbarea nominalelor
componentelor CE.
În disciplina dată se vor utiliza următoareţe notiuni de bază:
Tensiune, care reprezintă diferenţa de potential dintre două noduri
ale unui CE. De obicei tensiunea oricărui nod al unui CE se măsoară faţă
de nodul, potenţialul căruia se consideră egal cu zero, care este nodul
comun sau „pamânt” al CE.
Potenţial este o marime fizica a carei variaţie în spaţiu şi timp
caracterizează un cimp electric şi permite determinarea acestuia.
Impedanţă este o marime fizică cu valoare complexă, care opune
rezistenţă complexă trecerii curentului alternativ într-un CE.
Admitanţă este o marime fizică cu valoare complexă ce
caracterizează un element sau un CE la trecerea curentului alternativ prin
el şi reprezintă mărimea, inversă impedanţei.
Curent alternativ – curent, a carui direcţie se schimbă periodic
spre deosebire de curentul continuu, al cărui sens este neschimbat.
Forma uzuală a curentului alternativ este o sinusoidă.
Caracteristica amplitudine-frecvenţă reprezintă dependenţa
amplitudinei semnalului de ieşire al CE la schimbarea frecvenţei
semnalului de intrare al lui, la amplitudine constantă a semnalului de
intrare.
Caracteristica fază-frecvenţă reprezintă dependenţa diferenţei de
fază a semnalelor de ieşire şi intrare a CE de frecvenţa semnalului de
intrare, la amplitudine constantă a semnalului de intrare.
4
 II. CIRCUITE ELECTRICE ŞI ELECTRONICE

2.1. Circuit electric si circuit electronic. Noţiuni generale

Circuitul electric reprezintă totalitatea elementelor active de tip

surse de curent şi surse de tensiune şi elementelor pasive (de orice tip),
interconectate între ele pentru efectuarea circulaţiei unor curenţi electrici
în ramurile circuitului electric.
Ramură a circuitului este o porţiune a СE intre două noduri.
Nod este locul de interconectare a cel puţin trei ramuri ale CE.
Circuit electronic este circuitul electric, in care suplimentar se
utilizează şi elemente active de tip diode, tranzistori, circuite integrate
analogice.

2.2. Componente pasive şi active ale circuitelor electronice

Elemente pasive sunt componentele CE, care doar consumă şi,

poate parţial, transformă energia electrică în CE.
Cele mai frecvent utilizate componente pasive ale CE sunt:
rezistoarele, condensatoarele, inductanţele, elementele RC cu parametri
distribuiţi – ( - elemente).
Simbolurile elementelor pasive ale CE sunt indicate în figura 1.

C L

Condensator Inductanţă

Rezistor Element

Figura 1. Elemente pasive ale CE

5
 Pentru elementele pasive ale CE se vor utiliza următoarele condiţii:

Admitanţă Impedanţă

Elemente active - componente prin care curentul electric circulă la

mişcarea sarcinilor electrice în tuburile electronice şi semiconductori
(diode, tranzistori, circuite integrate) precum şi surse de curent sau
tensiune ( figura 2).

Figura 2. a) sursă de curent, b) sursă de tensiune

La disciplina dată se vor utiliza doar CE elementul activ al cărora

este amplificatorul operational (AO) (figura 3).
Amplificatorul operational reprezinta dispozitivul care conţine
trei contacte de bază pentru conectare cu celelalte elemente ale CE şi
anume:
- contactul 1 – intrare indirectă (sau inversă),
- contactul 2 – intrare directă,
- contactul 3 – ieşirea AO.

Figura 3. Simbolul pentru amplificator operational

6
 Proprietăţi de bază ale AO:
a) impedanţa de intrare dintre nodul 1 şi nodul „0” tinde spre ∞;
b) impedanţa de intrare dintre nodul 2 şi nodul „0” tinde spre ∞;
c) impedanţa dintre nodurile 1 şi 2 tinde spre ∞;
d) impedanţa de iesire Z3 dintre nodul 3 şi nodul „0”tinde spre 0;
e) coeficientul de amplificare al AO fără reacţie este foarte mare şi
de obicei tinde la valori de sau chiar mai mari.

2.3. Analiza şi sinteza circuitelor electronice. Notiuni generale

Procedura de analiză a CE presupune iniţial existenţa unui CE

(este cunoscută schema electrică principială, tipurile, nominalele tuturor
componentelor lui şi modul de interconectare ale lor) şi in rezultatul
analizei se calculează (se găsesc) toate caracteristicile CE (figura 4).
Este necesar a menţiona că, caracteristicile obţinute sunt univoce pentru
CE dat.
Analiza CE
CE
Figura 4. Procedura de analiză a CE

Procedura de sinteză a CE presupune crearea unor CE pe baza

unor caracteristici în domeniul frecvenţă sau timp, date initial (figura 5).

Sinteza CE CircuiteElectronice
CE1, CE2, CE3,...CEk
Figura 5. Procedura de sinteză a CE

Este necesar a remarca că, în rezultatul efectuării procedurii de

analiză a unui CE, se obţin nişte caracteristici univoc calculate pentru
CE dat, iar în rezultatul procedurii de sinteză a unui CE se obţine nu un
singur CE, ci un număr k mare de CE, care corespund cerinţelor
caracteristicilor indicate ca date iniţiale pentru procedura de sinteză, dar
care se deosebesc între ele prin tipurile de elemente, volum, masă,
energie consumată ş. a.
7
 2.4. Functia de transfer a CE. Nulurile si polii ei

Dacă este dat un CE care poate fi caracterizat prin şi , după

cum este indicat în figura 6, atunci despre acest CE se spune că funcţia
de transfer a acestuia se găseşte după expresia

. (1)

Uint CE Uies

Figura 6. Schema generală a CE

În teoria CE funcţia de transfer a unui CE se exprimă prin

relaţia a două polinoame cu variabila p=jw în felul următor:

T(p)= , (2)

unde a0, a1,...an sunt coeficienţii polinomului , iar b0, b1...bm sunt
coeficienţii polinomului . Pentru menţinerea stabilităţii funcţionării
CE este obligatoriu necesar să se respecte condiţia ca , adică
gradul polinomului să fie mai mare decât gradul polinomului
.
Caracteristicile CE în domeniul frecvenţă foarte des sunt descrise cu
rădăcinile polinoamelor şi ale funcţiei de transfer . Din
acest punct de vedere rădăcinile p1, p2, ... pn ale ecuaţiei sunt
numite nulurile funcţiei de transfer , fiindcă o transformă în zero la
frecvenţele egale cu rădăcinile acestei ecuaţii. Iar rădăcinile p1p, p2p,...pmp
ale ecuaţiei sunt numite polii funcţiei de transfer , fiindcă
o transformă în infinit (sau valori înalte), la frecvenţele egale cu
rădăcinile acestei ecuaţii. Nulurile şi polii funcţiei de transfer se indică,

8
 de obicei, pe un plan complex de tipul p=σ±jw şi nulul funcţiei se
notează cu un cercule (O), iar polul se notează printr-o cruciuliţă ( )
(figura 7).

jω

jωp1
jω3
jω5

-σp12 -σn34 -σn1 σn2 σn56 σ

-jω6

-jω4
-jωp2

Figura 7. Amplasarea polilor şi nulurilor pe planul p=σ ±jω

Este necesar a menţiona următoarele lucruri importante:

1 Nulurile se pot amplasa în orice punct al planului complex.
2 Polii se pot amplasa doar în semiplanul stâng al planului complex.
Polii şi nulurile funcţiei de transfer au două caracteristici de
bază şi anume:
1. Frecvenţa proprie, care se calculează după formula:
. (3)
2. Factorul de calitate, care se calculează conform expresiei:

θp= , (4)

unde: σp este partea reală a coordonatei polului (nulului) dat,

iar ωp este partea imaginară a coordonatei polului (nulului) dat.

9
 2.5. Formarea matricei de admitanţă |Y| a CE

Se va explica formarea matricei de admitanţă |Y| a CE indicat în

figura 8.

3
1

y1
y2
2
Uint Uies
y3

Figura 8. Circuitul electronic supus

analizei
Pentru a construi matricea |Y| a CE este necesar iniţial a efectua
numerotarea tuturor nodurilor (cu exceptia nodului 0) de la stânga spre
dreapta şi de sus în jos. Numărul nodurilor se ia în cerculeţ şi se notează
în partea dreaptă sau deasupra nodului. Numărul nodului de intrare
trebuie sa fie numarul 1, iar numarul nodului de ieşire trebuie să fie
numarul maxim al nodurilor CE dat.
Luând în consideraţie faptul că CE din figura 8 conţine trei noduri
rezultă că matricea |Y| va fi o matrice de 3x3, care va conţine 3 linii şi
3 coloane, iar forma generală a acesteia va fi următoarea

|Y|= . (5)

Matricea (5) conţine 2 tipuri de elemente şi anume:

a) elemente de tipul , care poartă denumirea de conductibilitate
proprie a nodului i şi reprezintă suma tuturor conductibilităţilor
elementelor conectate la nodul i luate cu semnul plus;
10
 b) elemente de tipul , care poartă denumirea de conductibilitate
reciprocă dintre nodurile i şi j şi reprezintă suma conductibilităţilor
elementelor conectate între nodurile i si j , luată cu semnul minus.
La construirea matricei |Y| a CE mai există o cerinţă specifică,
care constă în faptul, că linia matricei |Y|, numărul căreia coincide cu
numarul nodului la care este conectată ieşirea AO, se completează în
felul următor:
1. Elementul acestei linii, care se află la intersecţie cu coloana numărul
căreia coincide cu numărul nodului la care este conectată intrarea
directă a AO, se notează cu “minus 1” (-1).
2. Elementul acestei linii, care se află la intersecţie cu coloana numărul
căreia coincide cu numărul nodului la care este conectată intrarea
indirectă (inversă) a AO, se notează cu “plus 1” (+1).
3.Toate celelalte elemente ale liniei date sunt egale cu “0”.

Utilizând cele spuse, matricea |Y| pentu circuitul analizat va avea

următoarea formă:

|Y|= = (6)

2.5.1. Calculul impedanţei de intrare a CE din matricea |Y|

Impedanţa de intrare a CE se calculează după formula

= (7)
unde:
este determinantul principal al matricei |Y|;
este determinantul secundar al matricei |Y|, calculat după
eliminarea liniei şi coloanei cu numărul a, unde a este numărul nodului
de intrare şi de obicei a=1.

11
 2.5.2. Exemplu de calcul a impedanţei de intrare a CE

Din matricea |Y| obţinută în formula (6) se calculează

=( ), (8)

. (9)

Atunci, luând în consideraţie că din figura 8 se constată că:

şi utilizând formula (7), se obţine formula de calcul a impedanţei de

intrare a CE în următoarea formă

= = . (10)

Împărţind fiecare termen al numărătorului la numitor se obţine:

. (11)

Analizând rezultatul obţinut în formula (11) se poate constata că:

1) impedanţa de intrare a CE din figura 9 constă din 3 impedanţe
diverse, conectate în serie;
2) primele 2 componente ale impedanţei de intrare şi anume
reprezintă impedanţele a 2 condensatoare C 3 şi C1;
3) a treia componentă a impedanţei de intrare, obţinută în formula (11)
şi anume , reprezintă impedanţa aşa-numitului D – element
sau Rezistenţe Negative Dependente de Frecvenţă (RNDF). Acest

12
 lucru are loc din cauză că dacă în formula se
înlocuieşte , atunci se obţine

. (12)

Impedanţa acestui D –element are doar parte reală negativă şi are

unitatea de măsură Ohmi. Simbolul acestui D – element este prezentat în
figura 9.

Figura 9. Simbol D – element

În rezultat, schema echivalentă a impedanţei de intrare a CE

din figura 8 poate fi reprezentată în modul indicat în figura 10.

C1

Zint C3

Figura 10. Schema echivalentă a impedanţei de intrare a CE

13
Graficul funcţiei este prezentat în figura 11.

Zin
t

ω
0

Figura 11. Graficul funcţiei

2.5.3. Calculul caracteristicilor CE în domeniul frecvenţă

Dacă funcţia de transfer T(p) a unui CE se prezintă în forma

T(p)= = (13)
unde:
(14)

(15)

şi ReA(p)= + (16)

(17)

(18)

(19)
14
 Atunci caracteristica amplitudine-frecvenţă (CAF) a CE se
calculează după următoarea formulă:

CAF=|T(j )|= , (20)

iar caracteristica fază-frecvenţă (CFF) a CE se află utilizând formula:

CFF = arg T(j )= -arctg . (21)

2.6 Element RC cu parametri distribuiţi

În CE frecvent se utilizează un element RC cu parametri distribuiti

– element), care are concomitent şi proprietăţi de rezistor, dar şi
proprietăţi de condensator (figura 12).

1 RC 2

3
Figura 12. Element

La acest – element (figura 12) între contactul 3, pe de o parte, şi

contactele 1 şi 2 (luate separat sau conectate între ele), pe de altă parte,
există o capacitate C distribuită. Iar între contactele 1 şi 2 există un
rezistor R, distribuit. Rezistorul R şi condensatorul C se consideră
elemente distribuite în spaţiu.
Elementul are proprietăţi specifice de aceea că componentele R
şi C au dimensiuni geometrice comparabile cu lungimea de undă a
semnalului. Asemenea elemente au proprietăţi care se descriu prin
funcţii hiperbolice şi ecuaţii transcendente. Aceste elemente au
caracteristici mai bune (mai selective) în comparaţie cu elemente RC
clasice [6].
15
 Pentru a descrie asemenea elemente, utilizând teoria clasică a CE, s-
a propus [3] a prezenta asemenea elemente aşa cum este indicat în
figura 13. În rezultatul acestui lucru toate calculele se efectuează
conform teoriei clasice de analiză şi sinteză a CE şi doar la etapa finală
în rezultatele obţinute se îndeplineşte schimbarea expresiilor cu valorile
exacte şi corecte ale elementelor cu parametri distribuiţi.
1 2
1 RC 2

3
3
Figura 13. Prezentarea echivalentă a –elementului

Atunci schema echivalentă a – elementului are următoarea

matrice |Y|

|Y|= =

= (22)

unde cshθ = (23)

shθ = θ+ (24)

chθ = (25)

Exemplu de CE ce conţine – element este indicat în figura 14.

16
 5
1 RC 3

2
y1 Uie
R y2
Uin 4 s
t N
y
3

Figura 14. CE ce conţine – element

Pentru utilizarea teoriei clasice de analiză a CE ce conţin –

elemente, este necesar a prezenta – elementul aşa cum este descris
în figura 13. Şi atunci figura 14 poate fi prezentată aşa cum este indicat
în figura 15. CE din figura 15 poate fi analizat conform teoriei clasice a
CE.

Figura 15. Schema echivalentă a CE din figura 14

17
 2.7 Gradul functiei de transfer a CE

Funcţia dse transfer T(p) a CE are următoarea formă generală

T(p) = , m>n (26)

Definiţie: Sub notiunea de gradul funcţiei de transfer a CE se

subîntelege puterea maxima a variabilei polinomului B(p), adică
valoarea m din funcţia de transfer (26).
Din alt punct de vedere valoarea m a polinomului B(p) reprezintă
numărul de poli ai funcţiei de transfer a CE dat.
Definiţie: Gradul funcţiei de transfer a CE este egal cu numărul
de poli ai functiei de transfer T(p) a CE dat .

2.8. Amplasarea polilor funcţiei de transfer pe planul complex

În caz general funcţia de transfer T(p) a CE poate realiza doar două

tipuri de poli.
1) Poli complex-conjugaţi (perechi de poli complex-conjugaţi).
2) Poli simpli – conţin doar partea reală a coordonatelor pe planul
complex şi factorul de calitate al acestora Qps se calculează după
formula

Qps = = = . (27)

Din formula (27) se poate concluziona că, indiferent de locul

amplasării polului simplu pe planul complex, factorul de calitate al lui
Qps întotdeauna va fi egal cu şi acţiunea unui asemenea pol simplu
asupra CAF va fi o acţiune nesemnificativă şi ea se va manifesta mai
evident doar în 2 cazuri şi anume, când variabila ω tinde către 0 sau
către ∞.
Totodată e necesar a menţiona, că frecvenţa polilor simpli
întotdeauna este egală cu partea reală a asemenea poli, adică ωps = σps.

18
 Exemplu de amplasare a polilor simpli ai funcţiei de transfer a CE
pe planul complex σ±jω este indicat în figura 16.

jω

-σ2 –σ1 σ

Figura 16. Exemplu de amplasare a polilor

simpli pe planul complex

Pentru CE stabile perechile de poli complex-conjugaţi se

amplasează doar în semiplanul stâng al planului inclusiv şi pe
axa jω (figura 17).

jω

ω1
ω2
ω3
–σ3 –σ2 –σ1
σ
-ω3
-ω2
-ω1

Figura 17. Amplasarea polilor complex-conjugaţi

pe planul complex
19
 Pentru asemenea perechi de poli complex-conjugaţi factorul de
calitate al lor Qpc se calculează după formula

Qpc= . (28)

Analizând formula (28) se poate constata că, factorul de calitate al

polilor complex-conjugaţi Qpc depinde în mare măsură de valoarea părţii
reale a coordonatelor polilor şi cu cât această valoare este mai mică,
cu atât este mai mare factorul de calitate Qpc. Din această cauză cu cât
perechile de poli complex-conjugaţi sunt amplasaţi pe planul complex
mai aproape de axa imaginară jω cu atât este mai mare factorul lor de
calitate şi polii cu factor de calitate mai mare au şi o influenţă mai
evidenţiată asupra caracteristicilor CE. Frecvenţa proprie a polilor
complex-conjugaţi se calculeză după formula

(29)

şi în egală măsură depinde atât de partea reală cât şi de partea imaginară

a coordonatelor lor pe planul complex.
În cazul analizei unui CE, care poate realiza cel puţin o pereche de
-
poli complex-conjugaţi cu valoare pozitivă a părţii reale, atunci acest
circuit din regim de lucru stabil trece în regim de lucru U instabil, se
autoexcită şi semnalul de la ieşirea CE nu depinde în nici a un mod de

semnalul de intrare al CE şi creşte conform figurii 18, fiind limitat din

partea de sus doar de tensiunea pozitivă de alimentare +Ue, iar din
partea de jos este limitat de tensiunea negativă de alimentare - Ue.

20
 Figura 18. Semnalul de ieşire al unui CE instabil
-
U
2.9. Sensibilitatea caracteristicilor CE a
Pentru a putea efectua calculele posibilelor schimbări ale
caracteristicilor CE la schimbarea valorilor nominalelor componentelor
lui este necesar a efectua calculele caracteristicilor la diferite valori
admisibile ale schimbărilor nominalelor componentelor CE.
În teoria CE o importanţă deosebită o are aşa - numitul “cel mai rău
caz”, care presupune schimbarea valorilor nominalelor componentelor
în aşa mod că parametrii caracteristicii date pot să depăşească limita
permisă. Pentru acest scop se utilizează noţiunea de sensibilitate a
caracteristicilor CE. În teoria CE se utilizează mai multe tipuri de
sensibilitate a caracteristicilor CE [8]. Se va studia doar sensibilitatea
relativă a caracteristicii la schimbarea nominalului
componentului . Dacă se studiază sensibilitatea relativă a funcţiei de
transfer a unui CE la schimbarea valorii elementului R1 (de
exemplu), atunci se obţine următoarea formulă

(30)

unde, este derivata parţială a funcţiei de transfer la

schimbarea valorii elementului R1. De obicei, cele mai mari schimbări
ale funcţiei de transfer se observă în regiunea frecvenţelor
apropiate de frecvenţele proprii ale polilor cu cei mai mari factori de
calitate.

21
 III. CARACTERISTICILE DE BAZĂ ALE CE

3.1. Caracteristicile de bază ale CE selective în frecvenţă

Definiţie: Se numeste circuit selectiv în frecvenţă (filtru), acel CE,

ce permite trecerea semnalelor de la intrarea către ieşirea lui într-o bandă
de frecvenţe, numită bandă de trecere (Bt), şi reţine semnalele în altă
bandă de frecvenţe, numită bandă de reţinere (Br).
În dependenţă de amplasarea reciprocă a Bt si Br există următoarele
tipuri de CE selective în frecvenţă (filtre).

3.1.1. FTJ - filtrul trece jos

Pentru FTJ este caracteristic faptul, că CAF are Bt de la frecvenţa

ω=0, până la frecvenţa ω= ωt, iar banda de reţinere Br se extinde
de la frecvenţa ω= ωt până la frecvenţa ω=∞. Sub noţiunea de ωt se
subînţelege, de obicei, frecvenţa de tăiere a unei benzi de trecere. Polii
FTJ se amplasează în semiplanul stâng al planului complex. Nulurile se
pot amplasa în orice punct al planului complex σ±jω.
Atât pentru acest tip de filtre, cât şi pentru toate celelalte tipuri de
filtre, se vor utiliza următoarele sensuri ale nivelurilor semnalelor:

|T(jω)|
a1

Bt Br
a0
0 ωt ω
Figura 19. Amplasarea reciprocă a Bt şi Br
în filtrul trece jos

22
 a0 este nivelul minim al semnalului în banda de reţinere şi poate
avea diverse valori în dependenţă da gradul funcţiei de transfer al
filtrelor;
a1 este nivelul semnalului în banda de trecere şi poate avea valori
de la 0 până la minus 3 dB.

3.1.2.FTS - filtrul trece sus

|T(jω)|
a1

Br Bt

a0
0 ωt ω
Figura 20. Amplasarea reciprocă a Bt şi Br
în filtrul trece sus

Pentru FTS banda de trecere Bt se extinde de la frecvenţa ω= ωt

până la frecvenţa ω=∞,iar banda de reţinere Br ocupă banda de
frecvenţe, începând de la frecvenţa ω=0 până la frecvenţa ω=ωt.
Nulurile funcţiei de transfer se amplasează în originea axei σ, iar polii
sunt amplasaţi în semiplanul stâng având părţile reale mai mari decât
părţile reale ale nulurilor funcţiei de transfer.

3.1.3. FTB - filtrul trece bandă

Pentru FTB este caracteristic faptul că CAF a acestui filtru conţine 2

benzi de reţinere Br1 şi Br2, iar între aceste benzi de reţinere este
amplasată o bandă de trecere Bt. Banda de reţinere Br1 ocupă spectrul de
frecvenţe de la frecvenţa ω=0 până la frecvenţa ω=ωt1, iar banda de

23
reţinere Br2 se află între frecvenţele ω=ωt2 şi ω=∞. Banda de trecere
Bt ocupă frecvenţele de la ω=ωt1 până laω=ωt2.

|T(jω)|
(jω) a1

Br1 Bt Br2

a0

0 ωt1 ωt2 ω
Figura 21. Amplasarea reciprocă a Bt şi Br
în filtrul trece bandă

Pentru FTB nulurile funcţiei de transfer se amplasează la ω=0 şi

ω=∞ (pot fi şi nuluri pe axa jω). Polii se amplasează în semiplanul
stâng al planului complex şi, de obicei, valorile părţilor imaginare ale
polilor se află între valorile ωt1 şi ωt2 în apropierea acestor valori.
Forma CAF pentru FTB este prezentată în figura 21.

3.1.4. FRB - filtrul reţine bandă (filtrul rejector)

Acest tip de filtru conţine 2 benzi de trecere Bt1, Bt2 şi o bandă de

reţinere Br. Banda de trecere Bt1 ocupă banda de frecvenţe de la ω=0
până la frecvenţa ω=ωt1, iar banda de trecere Bt2 se extinde de la
frecvenţa ω=ωt2 până la ω=∞. Banda de reţinere B r se extinde de la
frecvenţa ω=ωt1 până la frecvenţa ω=ωt2.
Pentru FRB polii se amplasează în benzile de trecere Bt1 şi Bt2. De
obicei polii cu factori de calitate mai mari se amplasează în imediata
apropiere de ωt1 şi ωt2, dar niciodata polii nu se amplasează în interiorul
benzii de reţinere, adică între frecvenţele ωt1 şiωt2.
24
 Forma CAF pentru acest tip de filtru este prezentată în figura 22.

|T(jω)|
a1

Bt1 Br Bt2
a0

0 ωt1 ωt2 ω
Figura 22. Amplasarea reciprocă a Bt şi Br
în filtrul reţine bandă

Nulurile se amplasează mereu în banda de reţinere Br, adică între

frecvenţele ωt1 şi ωt2 la diferite distanţe de aceste frecvenţe şi în unele
cazuri pot fi amplasate direct pe axa jω.

3.1.5. FTT - filtrul trece tot (corector de fază)

Forma CAF pentru asemenea filtru este prezentată în figura 23.

|T(jω)|

0 ω
Figura 23. CAF pentru filtrul trece tot

25
 Acest tip de filtru nu conţine benzi de reţinere în domeniul
frecvenţă. La asemenea tipuri de filtre semnalele de intrare în toată
banda de frecvenţe se transmit la ieşirea filtrului fără schimbare de
amplitudine. Însă semnalele cu diferite frecvenţe sunt supuse unor
reţineri de faze diferite şi de aceea FTT se mai numesc corectoare de
fază şi se pot utiliza pentru schimbarea fazei semnalului la o oarecare
frecvenţă cu o valoare dată. Pentru FTT polii şi nulurile funcţiei de
transfer se pot amplasa în orice loc al semiplanului stâng al planului
complex σ±jω, dar niciodată nu se pot amplasa pe axa jω sau în
imediata ei apropiere.

3.2. Caracteristicile CE în domeniul timp

Pentru a putea transmite semnale digitale şi prin intermediul CE

analogice şi liniilor de comunicaţie analogice este necesar a aprecia
acţiunea acestor circuite şi linii de comunicaţie asupra formelor
semnalelor digitale.
În general pentru caracterizarea comportamentului CE analogice în
domeniul timp se utilizează două caracteristici de bază şi anume:
1. caracteristica tranzitorie h(t);
2. caracteristica de impuls σ(t).

Vor fi analizate aceste două caracteristici pentru CE de tipul FTJ.

Caracteristica tranzitorie a unui CE poate fi obţinută dacă la
intrarea lui se aplică un semnal de tip treaptă şi atunci la ieşirea CE se
obţine caracteristica tranzitorie h(t) (figura 24).

Figura 24. Obţinerea caracteristicii tranzitorii a CE

26
 Caracteristica de impuls a CE poate fi obţinută dacă la intrarea
CE se aplică un semnal unitar de o durată infinit de mică şi cu o
amplitudine mare cum este indicat în figura 25.

Figura 25. Obţinerea caracteristicii de impuls a CE

3.2.1 Parametrii caracteristicii tranzitorii ai CE

Parametrii caracteristicii tranzitorii ai CE sunt indicaţi în figura 26.

Figura 26. Parametrii caracteristicii tranzitorii ai CE

În figura 26 sunt utilizate următoarele notări ale parametrilor CT:

- tr reprezintă timpul de reţinere şi este durata de timp în care CT
creşte de la nivelul 0 până la nivelul 0,5 al lui h(t)stab;
- tcr este timpul de creştere a CT de la nivelul 0,1 până la nivelul 0,9
al lui h(t)stab;
- amax este nivelul maxim al CT;
- Ta max reprezintă timpul de atingere a nivelului amax al CT;
27
- hstab reprezintă nivelul de stabilizare al CT cu eroare de ± 2 %;
- tst este timpul de stabilizare al CT la nivelul hstab.
Pentru transmisia fără schimbări a semnalelor digitale prin CE
analogice este necesar ca:
a) timpul de reţinere tr al CT al CE să fie cât mai mic;
b) timpul de creştere tcr al CT al CE să fie cât mai mic;
c) valoarea amax să fie de aşa natură ca durata tstab să se găsească în
limitele permise pentru prelucrarea efectivă a semnalului digital şi de
obicei amax are valori cuprinse între 3% şi 20% de la nivelul hstab.

3.2.2 Calculul caracteristicii tranzitorii a CE

În general caracteristica tranzitorie h(t) a unui CE poate fi găsită

dacă se cunoaşte funcţia de transfer T(p) a CE.
Cunoscând funcţia de transfer T(p) a CE, se poate găsi
caracteristica h(t), utilizând funcţia transformatei inverse Laplace
conform formulei
. (31)

Întotdeauna funcţia h(t) depinde în cea mai mare masură de valorile

polilor funcţiei de transfer a CE şi de factorii de calitate ai acestor poli.
Functia h(t) poate fi construită pe baza unor componente mai
simple, formate de către fiecare pol al T(p).
De obicei polii T(p) se găsesc rezolvând ecuaţia:

B(p)=0. (32)

Dacă funcţia de transfer T(p)conţine poli simpli, atunci ea poate fi

scrisă în următoarea formă:
B(p)= (p- p1) (p- p2) … (p- pn). (33)

Pentru cazul ecuaţiei (33) funcţia T(p) poate fi scrisă în forma [13]:

T(p)= + +…+ (34)

28
 sau
T(p = . (34´)

Pentru calculul h(t) este necesar a afla valorile coeficientilor din

formula (34´). Pentru aceasta în ecuatia (34´) se înmulţesc părţile dreaptă
şi stângă cu şi presupunând că p→ , în rezultat se obţine

= . (35)

În ecuaţia (35) partea stângă reprezintă coeficientul , iar partea

dreaptă reprezintă o determinată:

= ]p=pi = (36)

şi =[ ]p=pi (37)

= ]p=pi [ ]p=pi (38)

B'(p)= ]p=pi (39)

În rezultat, caracteristica h(t) se calculează după formula:

h(t)= + + ….. + . (40)

Din ecuaţia (40) se poate concluziona, că caracteristica tranzitorie

h(t) a unui CE stabil va avea valori finite doar pentru valori negative şi
nule ale părţilor reale ale coordonatelor polilor funcţiei T(p).
Pentru valori pozitive ale părţilor reale ale coordonatelor polilor
pi…pn CE se excită şi caracteristica tranzitorie h(t) a acestui CE tinde la
valori foarte mari, poate chiar spre infinit.

29
Exemple de calcul a caracteristicii tranzitorii h(t) a CE.

Exemplul 1.
Să se calculeze caracteristica h(t) a CE cu funcţia de transfer

T(p)= . (41)
Rezolvare.
Funcţia de transfer dată are 3 poli simpli cu coordonatele p1= -1,
p2= -2, p3= -5. Conform formulei (40) caracteristica tranzitorie va avea
forma

h(t)= + + (42)

unde valorile coeficienţilor ki se calculează în felul următor:

k1= ; (43)

k2= =1; (44)

k3= = . (45)

Atunci caracteristica tranzitorie h(t) se va calcula conform

următoarei formule:
h(t)= + . (46)

Exemplul 2
Să se găsească caracteristica tranzitorie h(t) a unui CE cu funcţia de
transfer

T(p)= . (47)

30
 Rezolvare.
Pentru a găsi formula de calcul a caracteristicii tranzitorii este
necesar a afla polii funcţiei de transfer T(p). Pentru aceasta este necesar
a găsi rădăcinile ecuaţiei
=0, (48)

care sunt p1= -2 şi p2= -3. Funcţia de transfer din exemplul 2 poate fi
scrisă sub forma
T(p)= , (49)
iar coeficienţii caracteristicii tranzitorii se găsesc în felul următor:

k1 = ;

k2 = 14.

Caracteristica tranzitorie h(t) pentru cazul dat va avea forma

h(t)= + . (50)

Din ecuaţia obţinută a h(t) putem concluziona că, h(t) se va micşora

odată cu creşterea timpului din cauza valorilor negative ale polilor p1 şi
p2 şi corespunzător a puterilor negative ale exponentelor componentelor
ecuaţiei (50).

3.2.3 Caracteristica de impuls a CE

Caracteristica de impuls a CE de tip FTJ este prezentată în
figura 27.
Parametrii de bază ai caracteristicii de impuls sunt următorii:
- σmax – valoarea maximă pozitivă a caracteristicii de impuls;
- σmin=±2% faţă de nivelul de stabilizare (de obicei egal cu zero)
a caracteristicii σ- corespunde timpului de stabilizare a
caracteristicii de impuls în regiunea σ(t)=0 şi această valoare
depinde de valoarea σmax;
31
 - tstab – timpul de stabilizare a nivelului caracteristicii de impuls
care corespunde timpului atingerii valorii σmin a CE;
- β – decrementul caracteristicii de impuls, coeficient de
descreştere a caracteristicii de impuls. Este un parametru important şi
depinde de mai mulţi factori, dar în primul rând de valoarea
factorului de calitate a perechilor de poli complex-conjigaţi şi de
amplasarea reciprocă a polilor şi nulurilor funcţiei de transfer ai CE.

σ
σmax
e -βt

σmin
t
tstab

Figura 27. Caracteristica de impuls a unui CE

de tip FTJ

32
 IV. STABILITATEA CIRCUITELOR ELECTRONICE

4.1. Noţiuni de bază

Stabilitatea circuitelor electronice reprezintă proprietatea CE de a

realiza în limitele date caracteristici prescrise în domeniile frecvenţă sau
timp la proiectarea acestui circuit sau înaintea proiectării lui.
Pentru aceasta întotdeauna o caracteristică a CE în domeniile
indicate trebuie să poată fi găsită univoc din funcţia de transfer a acestui
CE.
Stabilitatea CE este o funcţie foarte importantă din cauză că în baza
ei pot fi găsite limitele schimbării nominalelor fiecărui element a
circuitului inclusiv şi pentru starea ,,cel mai rău caz”.

4.2 Reacţii în circuitele electronice

Definiţie: Se numeşte reacţie a unui circuit electronic o parte a

acestui CE, care conectează ieşirea cu intrarea lui, dar şi procedura de
transmitere a unei părţi a semnalului de ieşire a CE către intrarea lui.
Forma generală a unui CE cu reacţie este indicată în figura 28.

Uint Uies
T(p)

ß(p)

Figura 28. Circuit cu reacţie (CR)

Circuitele cu reacţie sunt de două tipuri:

1. Circuit pasiv de reacţie → constă din R (rezistoare), C
(condesatoare) şi L (bobine). Circuitul pasiv de reacţie poate fi inversat

33
şi în acest caz funcţia de transfer T(p) coincide cu direcţia celeilalte
funcţii de transfer a reacţiei β(p).
2. Circuit activ de reacţie →constă din amplificatoare operaţionale
(AO), tranzistoare (Tr), ş. a. elemente active. Acest circuit activ de
reacţie nu poate fi inversat şi funcţia de transfer T(p) nu coincide cu
direcţia celeilalte funcţii de transfer a reacţiei β(p).
Funcţia de transfer a CE ce conţine o reacţie are următoarea formă:

TR(p) = = (51)

Pentru circuitele cu reacţie există trei situaţii (cazuri) specifice:

I.T(p)*β(p)>1
În acest caz funcţia de transfer a CE cu reacţie, ce se calculează din
formula (51), are o valoare negativă, care duce la micşorarea parţială a
nivelului semnalului de ieşire, dar totodată duce şi la îmbunătăţirea
caracteristicilor CE primar şi anume duce la:
a) lărgirea spectrului de frecvenţe de lucru;
b) micşorarea zgomotului în semnalul de ieşire al CE;
c) micşorarea neliniarităţii (coeficientul de armonici) al semnalului
de ieşire;
d) creşterea diapazonului dinamic, care este limitat, de jos - de
nivelul zgomotului, şi de sus este limitat de coeficientul de armonici.

II. T(p)*β(p) <1

În acest caz reacţia se numeşte reacţie pozitivă şi semnalul de la
ieşirea CE este transmis prin reacţie la intrare. Partea semnalului
transmis prin reacţia CE coincide în fază cu semnalul de la intrare şi
acest lucru poate duce la creşterea nivelului semnalului de ieşire al CE
într-o bandă de frecvenţe limitată dată, dar în general reacţia pozitivă
înrăutăţeşte majoritatea caracteristicilor CE.

III. T(p)*β(p) = 1
În acest caz numitorul funcţiei de transfer cu reacţie TR(p) din
expresia (51) se transformă în zero, circuitul electronic cu reacţie devine
nestabil şi semnalul de ieşire al circuitului electronic nu este într-o

34
oarecare dependenţă de semnalul de intrare şi această stare se numeşte
stare de instabilitate (sau de autoexcitare) a circuitului electronic.

4.3 Criterii de stabilitate a circuitelor electronice

În general se utilizează mai multe criterii de analiză a stabilităţii

circuitelor electronice şi cele mai frecvent utilizate sunt următoarele:
1) criteriul principal de stabilitate a circuitelor electronice;
2) criteriul de stabilitate Routh- Hurwitz;
3) criteriul de stabilitate Mihailov;
4) criteriul de stabilitate Nyquist ş.a.

1) Criteriul principal de stabilitate a circuitelor electronice

După cum s-a menţionat, reacţia negativă în circuitele electronice
îmbunătăţeşte majoritatea caracteristicilor circuitelor, însă în unele
cazuri sub acţiunea diferitor factori externi reacţia negativă se poate
transforma în reacţie pozitivă şi în acest caz circuitul electronic poate
deveni instabil sau se poate afla la o limită a stabilităţii lui.
În cazul în care circuitul electronic devine instabil, după schimbarea
reacţiei negative în reacţie pozitivă, atunci acest circuit electronic poate
genera nişte pulsaţii parazitare, care nu depind în nici un fel de semnalul
de intrare. De aceea toate circuitele electronice ce conţin reacţii atât
negative cât şi pozitive trebuie supuse analizei stabilităţii lor.
Criteriul principal de stabilitate se bazează pe analiza funcţiei de
transfer a circuitelor cu reacţie:
T(p) = . (52)

Numitorul funcţiei de transfer (52) se numeşte ecuaţie caracteristică

(53)

a funcţiei de transfer şi nulurile funcţiei de transfer (52) sau rădăcinile

ecuaţiei caracteristice (53) reprezintă polii funcţiei de transfer a
circuitelor cu reacţie.
De amplasarea polilor funcţiei de transfer a circuitelor cu reacţie
T(p) pe planul σ±jω depinde stabilitatea circuitelor cu reacţie.
35
 Circuitul electronic se consideră stabil dacă după încetarea acţiunii
externe a semnalului de intare circuitul electronic se întoarce la starea sa
iniţială, care este starea stabilă a acestuia în lipsa oricărui semnal de
intrare. Acest lucru îmseamnă că toţi curenţii şi tensiunile, care apar în
circuit, se atenuează cu trecerea timpului.
Iar acest lucru se întâmplă doar în cazul când:
1. Polii funcţiei de transfer sunt simpli şi sunt amplasaţi doar pe axa
σ în partea stângă a planului complex σ±jω.
2. Polii funcţiei de transfer sunt complecşi şi formează perechi de
poli complex- conjugaţi care trebuie să aibă partea reală negativă.

2) criteriul de stabilitate Routh- Hurwitz

Criteriul de stabilitate Routh – Hurwitz se mai numeşte criteriul
algebric de stabilitate Routh – Hurwitz şi se utilizează în cazul când
ecuaţia caracteristică a funcţiei de transfer (52) a CE reprezintă un
polinom cu grad mai mare ca 5, adică când în ecuaţia (52) se utilizează
valori de n≥5. În acest caz calculul coordonatelor polilor funcţiei de
transfer (52) este anevoios sau chiar imposibil şi pentru a putea vorbi
despre stabilitatea CE se utilizează metode care, fără a rezolva ecuaţia
caracteristică a funcţiei de transfer, permit a afla dacă toţi polii au partea
reală negativă. Criteriul de stabilitate Routh - Hurwitz conţine condiţiile
necesare şi suficiente de a afla dacă toţi polii funcţiei de transfer (52) se
amplasează în semiplanul stâng al planului σ±jω. Condiţiile necesare
constau în faptul, că toţi coeficienţii ecuaţiei caracteristice ai funcţiei de
transfer trebuie să fie pozitivi, adică ca ai>0. Următorul pas constă în
formarea matricei Hurwitz din coeficienţii ai, amplasaţi pe diagonala
principală a matricei. Din această matrice se calculează minorii diagonali
ai matricei pentru n=1, 2, 3, … , n. Condiţiile suficiente ale criteriului
Routh – Hurwitz pentru ca toţi polii să se amplaseze în semiplanul stâng
al planului σ±jω constau în faptul ca toţi minorii diagonali ai matricei
Hurwitz să fie pozitivi.

36
 3) Criteriul de stabilitate Mihailov
Suplimentar la criteriul algebric de stabilitate Routh–Hurwitz se
aplică criteriile de stabilitate în frecvenţă Mihailov, Nyquist şi criteriul
logaritmic în frecvenţă Bode, care asigură determinarea stabilităţii
funcţionării circuitului electronic după forma caracteristicii fază -
frecvenţă.
Utilizând criteriul Mihailov, se poate aprecia stabilitatea circuitului
electronic după hodograful în frecvenţă, construit pe baza ecuaţiei
caracteristice a funcţiei de transfer (52). În acest caz se spune că circuitul
electronic va fi stabil, dacă hodograful Mihailov la modificarea
frecvenţei de la 0 până la , va trece succesiv prin cadrane
împotriva acelor de ceasornic, începând de la axa reală, unde
reprezintă gradul ecuaţiei caracteristice a funcţiei de transfer.
În figura29 este prezentat hodograful Mihailov pentru un circuit
electronic cu ecuaţie caracteristică de gradul 5. După cum se observă din
figura 29 hodograful se începe pe axa TR(ω) la frecvenţa ω1=0,
intersectează consecutiv axele la frecvenţele după
care curba hodografului se mişcă practic paralel axei până la
frecvenţa , fără a mai intersecta vre-una din axe.
Criteriul se poate demostra uşor pe baza metodei vectoriale de
construire a unei caracteristici fază –frecvenţă pe baza hărţii de nuluri şi
poli ai funcţiei de transfer. Dacă funţia A are rădăcini, care se
amplasează în partea stângă a semiplanului complex σ±jω, atunci
defazajul sumar la frecvenţa va fi egal . Dacă rădăcinile
funcţiei A se vor amplasa pe axa imaginară sau în semiplanul drept al
planului complex σ±jω, atunci caracterul monoton al funcţiei fază –
frecvenţă A se va deregla, ceea ce va afecta şi schimba chiar cursul
hodografului Mihailov.
Pentru un circuit electronic stabil frecvenţele la care hodograful
intersectează axele reală şi imaginară (figura 29) trebuie să îndeplinească
inegalitatea:
. (54)
Condiţia (54) se foloseşte în construirea hodografului Mihailov.
Dacă în expresia (52) se schimbă şi se desparte partea reală şi
cea imaginară, atunci se poate scrie

(55)
37
 jTI(ω)

ω2

n=5

ω3 ω1=0 ω5 TR(ω)

ω4

Figura 29. Hodograful Mihailov pentru CE

cu ecuaţiea caracteristică de

Frecvenţele corespunzătoare punctelor de intersecţie a

hodografului cu axa reală, se găsesc din partea imaginară a ecuaţiei
caracteristice, egalând-o cu zero şi găsind rădăcinile corespunzătoare

(56)

iar frecvenţele corespund punctelor de intersecţie a

hodografului cu axa imaginară şi se găsesc din expresia părţii reale a
ecuaţiei caracteristice

. (57)

Pentru un circuit electronic stabil, rădăcinile ecuaţiilor (56) şi (57)

vor fi reale şi se vor alterna între ele.

Exemplu. Cu ajutorul criteriului Mihailov să se găsească

stabilitatea unui circuit electronic ce are următoarea ecuaţie
caracteristică
38
 . (58)

Înlocuind prin , se obţine:

(59)
sau
. (60)

Se determină frecvenţele în punctele de intersecţie ale hodografului

Mihailov şi axa reală din ecuaţia:

de unde
(61)

Rădăcinile cu valori negative nu prezintă interes, deoarece

schimbarea valorilor frecvenţei ω se efectuează doar în intervalul de
valori pozitive de la 0 până la ∞.
Frecvenţele în punctele de intersecţie a axei imaginare de către
hodograf se determină din ecuaţia următoare:

sau

de unde şi (62)

Deoarece are loc inegalitatea

sau (63)
rezultă că circuitul electronic va fi stabil.

39
 Hodograful Mihailov se poate construi după determinarea punctelor
de intersecţie ale lui cu axele de coordonate. Pentru aceasta valorile
găsite ale lui şi se înlocuiesc în expresia pentru , iar
valorile lui şi se înlocuiesc în ecuaţia pentru .

4) Criteriul de stabilitate Nyquist

Criteriul de stabilitate Nyquist este bazat pe cunoscuta în teoria
funcţiei variabilei complexe a teoremei despre transformarea conformă a
curbelor închise din planul p în planul funcţiei B(p). Teorema
menţionată leagă diferenţa dintre numărul de nuluri şi numărul de
poli ai funcţiei , care sunt cuprinse de conturul în planul
complex şi numărul de rotaţii a curbei închise pe planul
complex =
Stabilitatea circuitului electronic se determină prin prezenţa
nulurilor şi polilor ai funcţiei în semiplanul drept al
planului complex . Pe de altă parte nulurile funcţiei
corespund polilor funcţiei de transfer a circuitului analizat. Dacă
considerăm semiplanul drept ca pe o curbă închisă în planul , atunci
curba închisă în planul funcţiei va descrie în jurul originii
axelor de coordonate un număr de rotaţii.
Construirea curbei nu este dificilă. Segmentul Oa al
caracteristicii date (figura 30,b), corespunde fragmentului al curbei
în planul (figura 30,a) şi se construieşte la modificarea valorii
în intervalul . O parte din curba corespunde
semicercului infinit şi se determină în presupunerea că
, când unghiul θ se modifică de la 90º până la -90º. De
regulă semicercul se transformă în punct, amplasat în originea
axelor de coordonate, adică în punctul . Segmentul cO al curbei
(figura 30,b), corespunzând segmentului CO al curbei , se obţine în
presupunerea că , când ω se schimbă de la ∞ până la 0.
Este necesat a menţiona că curba este complex conjugată
cu curba . Din motivul dat grafic segmentul cO prezintă imaginea
oglindă a segmentului Oa faţă de axa reală. Dacă să va deplasa cu o
uniate la dreapta sau la stânga (în dependenţă de semnul reacţiei) originea
planului curba va fi determinată de hodograful (figura 30, b).
40
 Verificarea numărului de rotaţii în jurul originii axelor de coordonate
0" este echivalent controlului cuprinderii punctului 0" al planului
complex cu coordonatele [-1, j0] la mişcarea originii planului complex

jω jFI jTI
A (ω (ω
S1 ) )

R
j0 a
eΘ B FR
0 1 0
0 δ ʹ
-1 0’ (ωR
T
ʹ c )
(ω
)
ω
C a b

Figura 30. La teorema despre transformarea conformă a curbelor

închise din planul p în planul variabilei complexe pentru B(p)
a – semiplanul drept complex al argumentului p,
b – planul dependenţei curbelor şi de w

spre dreapta. Cu alte cuvinte, se poate verifica stabilitatea CE

analizând numărul de rotaţii ale vectorului în jurul punctului
critic [-1,j0], pentru reacţia negativă, şi a punctului [1, j0], pentru reacţie
pozitivă. În ambele cazuri, dacă punctul critic nu este cuprins de
hodograful , atunci circuitul este stabil.
Pentru circuitele minimale de fază stabile ce conţin diverse reacţii şi
au funcţia de transfer

(64)

41
se poate construi o funcţie

, (65)

care nu are poli în semiplanul drept al planului , adică

deoarece polinomul nu are rădăcini cu părţi pozitive reale.
În cazul dat numărul de rotaţii al curbei hodografului în jurul
punctului critic corespunzător se determină cu numărul de nuluri ai
ecuaţiei caracteristice a circuitului din expresia , asta înseamnă
că funcţia de transfer din expresia (64) nu conţine poli în semiplanul
drept. De exemplu, pe figura 31 este indicat hodograful în frecvenţă a
unui circuit electronic cu funcţia de transfer care cuprinde
punctul critic [-1,j0] de două ori la modificarea frecvenţei ω în banda de
frecvenţe şi care corespunde unui circuit electronic
instabil cu doi poli în semiplanul drept al planului .

Figura 31. Hodograful unui CE instabil cu doi poli în

semiplanul drept
42
Dacă polinomul al funcţiei de transfer (64) are rădăcini cu părţi
reale pozitive, atunci funcţia din ecuaţia (65) conţine poli în
semiplanul drept şi utilizând criteriul Nyquist se pot obţine date doar
despre diferenţa dintre numerele polilor şi nulurilor în semiplanul drept,
adică se cunoaşte doar valoarea . Dacă , atunci
hodograful în frecvenţă al funcţiei de transfer nu înconjoară
punctul critic, cu toate că numărul are o valoare finită. Deci s-ar
putea trage o concluzie falsă, că circuitul electronic este stabil. Din
această cauză criteriul Nyquist poate fi utilizat direct doar atunci când
este stabilit concret, că . Acest lucru este relativ simplu de
controlat, utilizând, spre exemplu, criteriul Routh-Gurvitz.
Există multe cazuri, când circuitul electronic este instabil în cazul
lipsei unor reacţii şi poate deveni stabil, când toate reacţiile sunt încluse.
Condiţia de stabilitate a circuitelor electronice se reduce la cerinţa de
lipsă a nulurilor din ecuaţia (65) în semiplanul drept, adică la
îndeplinirea de către această funcţie a condiţiei . În acest caz
numărul de rotaţii ale hodografului de frecvenţă în jurul punctului
critic se determină doar de numărul de poli ai funcţiei , care au
părţi reale pozitive. Circuitul electronic stabil realizat în acest caz va fi
un circuit neminimal de fază, deoarece nulurile lui, care coincid cu polii
funcţiei , vor fi localizaţi în semiplanul drept. Rezumând cele spuse
mai sus, se poate formula criteriul de stabilitate Nyquist în felul următor:
1. Circuitul electronic, care este instabil în lipsa unor reacţii
negative, o să funcţioneze stabil, dacă caracteristica amplitudine-fază a
funcţiei (65) nu cuprinde pe planul complex punctul critic cu
coordonatele [-1, j0] pentru o reacţie negativă sau punctul critic [1, j0]
pentru o reacţie pozitivă. Numărul de rotaţii ale hodografului în jurul
punctului critic în acest caz se determină de numărul de poli ai funcţiei
de transfer, amplasaţi în semiplanul drept.
2. Circuitul electronic, care e instabil în lipsa unor reacţii şi conţine
poli în semiplanul drept, va fi stabil la prezenţa reacţiilor, dacă

43
caracteristica amplitudine-fază a funcţiei (65) cuprinde unul din punctele
critice [-1, j0] sau [1, j0] de ori în direcţie pozitivă la schimbarea
frecvenţei în banda de frecvenţe [-∞ <ω<∞].
Avantajul principal al criteriului în frecvenţă Nyquist constă în
faptul că caracteristicile funcţiei de transfer pot fi obţinute
experimental. Acest fapt este foarte important atunci, când este
complicat a alcătui ecuaţia funcţiei de transfer şi a efectua analiza în
formă analitică.
Exemplu. Să se determine stabilitatea unui circuit electronic după
criteriul Nyquist, dacă funcţia de transfer se descrie de ecuaţia

(66)

Din ecuaţia (66) se poate spune că funcţiile şi au un

singur pol în semiplanul drept (deci ). Pentru a construi
caracteristica de amplitudine-faza, în ecuaţia (66) înlocuim cu şi se
găsesc formulele pentru calcularea modulului şi fazei funcţiei de transfer

(67)

(68)

Caracteristica amplitudine-fază calculată după formulele (67) şi

(68) este indicată în figura 32. După cum se observă din figură 32
hodograful în frecvenţă la schimbarea frecvenţei în banda de
frecvenţe punctul critic [-1; j0] se înconjoară o singură
dată. Dacă există o singură rădăcină pozitivă în , circuitul electronic

44
este stabil, deoarece funcţia nu conţine nuluri finite în semiplanul
drept (adică pentru această funcţie ).
La micşorarea coeficientului comun de amplificare K0=500,
relaţiile de fază se păstrează ca mai înainte, dar modul caracteristicii în
frecvenţă se micşorează. În acest caz la micşorarea valorii K0 (de
exemplu până la valoarea K0=200), caracteristica amplitudine-fază
deja nu înconjoară punctul critic şi circuitul electronic trece în
starea instabilă.
În ingineria practică a circuitelor electronice prevalează circuite de
fază minimală de grad scăzut al funcţiei de transfer, de obicei până la
ordinul 3, cu o singură reacţie. Pentru asemenea circuite electronice
există o formulare simplificată a criteriului de stabilitate, care utilizează

Figura 32. Hodograful în frecvenţă al funcţiei a unui CE cu fază

minimală stabil ce conţine un nul pe planul complex
45
doar hodograful în frecvenţă la creşterea frecvenţei de la până la
. Dacă la o reacţie negativă punctul critic [-1, j0] se amplasează
la dreapta, dar la o reacţie pozitivă punctul critic [1, j0] se amplasează la
stânga de la curba hodografului, atunci circuitul electronic va fi instabil.
La utilizarea criteriului Nyquist gradul stabilităţii unui CE se
caracterizează prin rezerva de stabilitate dupa modul şi faza funcţiei de
transfer. Aceşti parametri indică mersul caracteristicii amplitudine-fază
în apropierea punctului critic [-1, j0] (figura 33).
Rezerva de stabilitate pe fază Δφ se află ca diferenţă dintre
valoarea critică a unghiului fazei (φ= -180º pentru reacţie negativă şi (φ=
0º pentru reacţie pozitivă) şi valoarea argumentului calculat la frecvenţa
la care modulul funcţiei de transfer este egal cu unitate. Pentru
hodograful în frecvenţă indicat mai sus (figura 33) se obţine

jTI(ω)

B ωπ 0 ω=0
TR(ω)
Δ φT(ω )
t
ω=∞
=1

ωt

Figura 33. Aprecierea rezervei de stabilitate după fază şi modul

46
 (69)
. (68)

De obicei rezerva de stabilitate în fază constituie (Δφ = 30...45º),

iar frecvenţa se numeste frecvenţă de tăiere. Rezerva de stabilitate pe
modulul ΔM se determină de valoarea inversă a modulului funcţiei de
transfer, calculată la frecvenţa la care argumentul este egal
cu -180º sau 0º în dependenţă de tipul reacţiei.
Pentrul hodograful în frecvenţă (figura 33) se obţine

; (70)
.

unde m este un coeficient de scalare.

În unele cazuri coeficientul rezervei de stabilitate pe modul se

exprimă în dB efectuând calculul după formula

. (71)

Pentru funcţionarea normală a CE de obicei este necesar ca

şi

Analizând ramurile hodografului în frecvenţă indicat în

figura 33 se poate constata că pentru frecvenţele din banda
este necesar să se găsească numărul de treceri ale hodografului prin
segmentul axei reale (mai în stânga de punctul critic).

47
Trecerea se consideră pozitivă dacă hodograful intersectează axa reală
de sus în jos şi trecerea se consideră negativă dacă intersectează axa
reală de jos în sus. Direcţia de deplasare pe hodograful în frecvenţă se
consideră că coincide cu direcţia creşterii frecvenţei .
În corespundere cu acest criteriu de stabilitate se consideră că un
CE este şi funcţionează stabil dacă diferenţa dintre numărul trecerilor
pozitive şi negative ale hodografului funcţiei de transfer prin segmentul
axei reale mai în stânga de punctul critic [-1, j0] pentru reacţia negativă
şi mai la dreapta de punctul critic [1, j0] pentru reactia pozitivă fa vi
egală cu zero.
Dacă funcţia de transfer a CE este indicată în forma analitică prin
expresie de tipul

atunci din ecuaţia se găsesc frecvenţele , la care

hodograful intersectează axa reală. Înlocuind valorile obţinute în
ecuaţia , se gaseşte numarul total al valorilor particulare
...k. Dacă acesta este un numar par, atunci CE este
stabil.

4.4 Particularităţile utilizării criteriilor de stabilitate

Practic, toate criteriile de stabilitate utilizate pentru analiza CE au

fost iniţial elaborate şi aplicate pentru analiza stabilităţii funcţionării
sistemelor de comadă şi control cu diverse reacţii. Pe parcurs toate
criteriile au fost ajustate pentru a fi aplicate şi pentru analiza stabilităţii
funcţionării CE.
La efectuarea analizei practice a stabilităţii CE întotdeauna apare
întrebarea cum şi ce criteriu concret trebuie selectat pentru o analiză mai
rapidă şi eficientă a stabilităţii CE. Pentru aceasta este necesar a
compara toate avantajele şi dezavantajele fiecărui criteriu, fiindcă de la
selectarea cu succes a criteriului de analiză a stabilităţii vor depinde
48
timpul şi resursele utilizate pentru clarificarea întrebărilor legate de
analiza stabilităţii.
Criteriul algebric de stabilitate Routh – Hurwitz permite a indica
doar faptul stabilităţii sau instabilităţii CE. Nu se clarifică faptul cum şi
în cât timp atenuează procesele în CE. Aprecierea acţiunii asupra
stabilităţii CE a unor elemente concrete ale CE necesită cercetări
suplimentare, iar în cazul CE cu un număr de noduri mai mare ca 5 duce
la creşterea volumului de calcule.
Criteriul Nyquist este comod pentru analiza stabilităţii CE, la care
caracteristicile în frecvenţă sunt obţinute experimental, studiind un
machet real, sau sunt obţinute teoretic. Totodată, utilizarea acestui
criteriu poate introduce unele calcule complicate la construirea
caracteristicii amplitudine-fază.
Criteriul Mihailov poate fi utilizat pentru analiza stabilităţi CE cu
orice număr de noduri. Necătând la acest lucru volumul calculelor este
mai simplu în comparaţie cu alte criterii. Criteriile Mihailov şi Nyquist
permit a construi consecutiv curba corespunzătoare a hodografului,
indicând contribuţia şi influenţa fiecărui element sau grup de elemente a
CE asupra stabilităţii întregului CE.
Mai există şi alte criterii de stabilitate, care în prezent practic nu se
utilizează sau sunt utilizate mai rar.

49
 BIBLIOGRAFIE

1. А.с. № 1197060 СССР, МКИ3 НОЗН 11/42. Имитатор

индуктивности частот/ И. А. Аврам. –Заявл. 08.08.84, №
3777848/24-09, Опубл. 07.12.85, Бюл № 45.
2. I. Avram, Filtru activ trece jos, Brevet de invenţie Nr. 1202032,
Buletin de invenţii Nr.48, 1985.
3. Аврам И. Активные RC-фильтры на основе преобразователей
импеданса с потерями. Дисс. на соиск. уч. степ. к.т.н., Одесса,
1988.
4. Аврам И. А. Избирательные узлы повышенной технологичности
на основе резистивно-ѐмкостных элементах с распределенными
параметрами для приборостроения // Тез. докл. научн.-техн.
конф. : Развитие элементной базы приборостроения 2-4 дек. 1985
г.-Кишинев, 1985.-c. 26.
5. Алиев В.И. К анализу цепей, содержащих идеальные
операционные усилители // Радиотехника и электроника.-1974.-
Т.19.-Вып. 10.- c. 2089-2095.
6. Анточ Н.В., Гордиенко К. П., Кицул И. В. Проектирование
избирательных RC- - цепей на обобщенных преобразователях
сопротивления.-Кишинев,: Штиинца. 1981-132 с.
7. Бронштейн И. Н., Семендяев К. А. Справочник по математике
для инженеров и учащихся втузов. Пер с нем.-М.: Наука, 1971.-
720 с.
8. Герех К. Теория чувствительности и допусков электронных
цепей. Пер. с англ./ Под ред. Ю. Л. Хотунцева.-М. : Сов. радио,
1973-200 с.
9. Достал И. Операционные усилители. Пер. с англ..: Мир,1982-512
с.

50
10. Калниболотский Ю. М., Казанджан Н. Н., Нестер В. В. Расчет
чувствительности электронных схем.-Киев: Вища школа, 1979.-
232 с.
11. Капустян В. И. Приближенная передаточная функция активных
распределеннных RC- цепей//Радиотехника, 1973.-Т.-28, № 5.-с.
37-41.
12. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных
работников и инженеров. Пер. с англ.-М.: Наука, 1977.-832 с.
13. Сигорский В. П., Петренко А. И. Основы теории электронных схем.-
Киев: Вища школа; Издание 2-е, 1971 г., 568 с.
14. Szopos E., Saracut I., Topa M. D. Analiza şi sinteza circuitelor : Culegere
de probleme. – Cluj Napoca, U.T. Press, 2011, 273 p., ill.

51
 ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Ciclu de prelegeri

Partea I

Autor: Ion Avram

Redactor: E. Gheorghişteanu
Bun de tipar 15.03.17 Formatul hârtiei 60х84 1/16
Hârtie ofset. Tipar RISO Tirajul 50 ex.
Coli de tipar 3,25 Comanda nr.19

2004, Chişinău, bd.Ştefan cel Mare şi Sfânt, 168

Editura “Tehnica-UTM”
2068, Chişinău, str.Studenţilor, 9/9

52