Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Valorile rezistențelor din Figura 3.1 sunt multipli de puteri ale lui doi față de
rezistența cu valoare R . Comutatoarele cu două poziții Ki sunt comandate de
biții ai, care constituie numărul
Vref Re binar unipolar {A} ca în ( 3.1 ).
K1 V1 R1=2R Re n
Vo Vo { A} 0.a1 ...a( n1) an ai 2 i
K2 V2 R2=4R i 1
... <=> Ve ( 3.1 )
i
Ki Vi Ri=2 R
... Tensiunile pe ramuri, Vi, sunt:
n
Kn Vn Rn=2 R
ai 0 Ki GND Vi 0
Rn=2nR
ai 1 Ki Vref Vi Vref
( 3.2 )
Figura 3.1. Modelul Thevenin al unei
și pot fi exprimate ca:
rețele de rezistențe ponderate
Vi ai Vref ( 3.3 )
Modelul Thevenin este:
1 R
Re n n R
1 1 i n ( 3.4 )
2 2
i 1 Ri Rn i 1
n V Vref n
i ai 2 i n
i 1 Ri R i 1
Ve n
1 1
1 n i
Vref ai 2 i Vref { A} ( 3.5 )
2 2 n i 1
i 1 Ri Rn R i 1
Fără sarcină, tensiunea de ieșire, Vo, este:
Vo Ve ( 3.6 )
Tensiunea capăt de scală, VFS, rezoluția absolută, Rabs, și tensiunea
corespondentă celui mai puțin semnificativ bit , VLSB, (bitul n, binar, unipolar)
sunt:
VFS Vo { A}1 Vref ( 3.7 )
1
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
3.1.2 Simulare
3.1.2.1 Circuitul ideal
a1 R1
Vo Figura 3.2 relevă schema
U3 U1
1kHz CP electrică Multisim pregătită
2 20kΩ
U4
1 ~SR pentru simulare. Un numărător
9 ~PE R2
10
7
CET
CEP TC 15
a2 binar, cu frecvența de ceas de
1
U5
6 P3
P2
O3
O2
11
40kΩ 1kHz, generează numerele {A}.
5 12
4
3
P1
P0
O1
O0
13
14 a3
R3 Tensiunea de referință (5V) și
0 40163BT_5V 80kΩ comutatoarele sunt simulate de
R4 bufferele de ieșire 40163BT_5V:
a4
160kΩ R 10k
R5 n4
160kΩ ( 3.9 )
Vref VFS 5V
Figura 3.2. Schema electrică pentru Rabs VLSB 312.5mV
simularea rețelei de rezistențe
ponderate.
2
Reţele de rezistenţe
3
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
4
Reţele de rezistenţe
5
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
6
Reţele de rezistenţe
VDD S1
5.0V VDD
S1A R1
D
S1B
VDC1 5.0V 20kΩ
IN
a1 GND
U2 U1
50MHz 2 CP VDD S2
1 ~SR 5.0V VDD
U3 9 ~PE
S1A R2
10 CET D
1 7 CEP TC 15 VDC1 5.0V S1B
6 P3 O3 11
40kΩ
U4 5 P2 O2 12 IN
4 P1 O1 13 a2
0 3 P0 O0 14 GND
Vo
40163BT_5V
VDD S3
5.0V VDD
S1A R3
D
VDC1 5.0V S1B
80kΩ
IN
a3 GND
VDD S4
5.0V VDD
R4
VDC1 5.0V
160kΩ
R5
a4 GND 160kΩ
ADG859YRYZ-REEL
7
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
J8 J9
V7
V-
R7 R15
DIO7 DIO15 V15
J3 19.6kΩ 19.6kΩ J5
Rs7
10kΩ R6 R14
DIO6 DIO14
HDR1X3 19.6kΩ 39.2kΩ HDR1X3 ADA4851-1YRJZ
Rs6 Rsd15 Rsh15 VDD 5.0V
10kΩ 80.6kΩ 140kΩ
R5 R13
DIO5 DIO13
U1
6
Rsd7 Rsh7 19.6kΩ 78.7kΩ
80.6kΩ 140kΩ Rs5 3
10kΩ R4 R12
1
DIO4 DIO12 J7 4
19.6kΩ 160kΩ
Rc4 Rc2
20kΩ
5
2
160kΩ
HDR1X3 5.0V -5.0V
VDD VEE
R3 J1 R11
V11 R16
19.6kΩ 19.6kΩ J6
Rs3 10kΩ
J4
10kΩ R2 R10 Vout
DIO3 DIO11
19.6kΩ 39.2kΩ HDR1X3
Rs2 DIO2 DIO10 Rcd11 Rch11 J10
HDR1X3
10kΩ DIO1 DIO9 90.9kΩ 150kΩ
R1 R9 HDR1X2
DIO0 DIO8
Rcd3 Rch3 19.6kΩ 78.7kΩ VDD
90.9kΩ 150kΩ Rs1 5.0V -5.0V 5.0V C3 C5
10kΩ R0 VDD VEE R8
1µF 10nF
19.6kΩ 160kΩ
Rc0 J2 Rc1
20kΩ 2+ 2- 160kΩ C4 C6
1+ 1- 1µF 10nF
HDR1X2 HDR2X15 VEE
-5.0V
8
Reţele de rezistenţe
3.1.3.1 Neidealităţi
FPGA-ul din Analog Discovery controlează semnalele digitale
DIO15…DIO12 cu tensiuni de aproximativ Vcc=3.3V pentru aj=1, şi VGND=
0V, pentru aj=0. Aceste aproximări generează erori de câştig şi de liniaritate.
Semnalele digitale, DIOx, sunt protejate de Analog Discovery cu rezistenţe
serie de Rs = 220Ω, care sunt aditive în raport cu rezistenţa unei ramuri.
Rezistenţa echivalentă a unei ramuri este:
R15 e R15 Rs ; R14 e R14 Rs ;
( 3.12 )
R13 e R13 Rs ; R12 e R12 Rs
Deoarece, seriile de valori standardizate sunt limitate pentru componentele
discrete, rezistenţele echivalente ale ramurilor nu se vor potrivi pe puterile lui
doi obţinute matematic ale două ramuri consecutive. Aceste aproximări
generează erori de câştig şi de liniaritate.
3.1.3.2 Experiment practic
În Pattern Generator, adăugaţi o magistrală de biţi DIO15…DIO12, şi setaţi-
o ca şi Binary Counter, Push-Pull, cu frequency = 1kHz. Rulaţi Pattern
Generator.
Setaţi Scope ca în Figura 3.10. Rulaţi Scope. Analizaţi graficul.
9
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
3.1.3.3 Măsurători
Setaţi cursoarele la momentele de timp 0.5ms şi 15.5ms. Trageţi mouse-ul
peste cursoare pentru a citi tensiunea de pe C1 aferentă fiecărui cursor.
Sarcina 1. Pornind de la tensiunile măsurate cu cursorul, scrieţi ecuaţiile şi
calculaţi valorile reale ale VFS şi VLSB.
În Scope, click pe Add Channel, Math, Custom pentru a crea Math 1. Editaţi
scriptul din Figura 3.11. Acesta descrie forma ideală a C1.
10
Reţele de rezistenţe
11
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
13
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
15
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
Figura 3.21 cu numărul mai mare de biţi care comută simultan. Timpul de
comutare scurt şi efectul integrativ al capacităţilor parazite din schema
electrică fac ca glitch-urile să fie mult mai mici decât nivelul teoretic maxim
(VFS/2 în Figura 3.21).
17
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
18
Reţele de rezistenţe
R <=> Ve
Ki Vi 2R Thevenin are aceleaşi valori ca şi în
Re=R
i ( 3.4 ) şi ( 3.5 ):
...
R
Ki+1Vi+1 2R Re=R Re R ( 3.15 )
i+1
...
...
R n
Ve Vref ai 2 i
Kn Vn 2R
Re=R
n i 1 ( 3.16 )
2R
Vref { A}
Figure 3.22. Modelul Thevenin al unei Fără sarcină, tensiunea de ieşire este:
reţele de rezistenţe R-2R.
Vo Ve ( 3.17 )
3.2.2 Simulare
19
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
Vo
U3 U1 a1 R1
1kHz 2 CP
20kΩ R6 R 10k
1 ~SR
10kΩ
U4 R2
n4
9 ~PE
10 CET
CEP TC
a2
7 15
20kΩ R7 ( 3.20 )
1
Vref VFS 5V
6 P3 O3 11
U5 5 P2 O2 12 10kΩ
4 P1 O1 13 R3
3 P0 O0 14 a3
0 40163BT_5V 20kΩ R8 Rabs VLSB 312.5mV
10kΩ
a4 R4
Figura 3.24 relevă rezultatele obţinute
20kΩ
aferente simulării în regim tranzitoriu.
R5
20kΩ
Aceas grafic ideal este identic cu cel din
Figura 3.3 (rampă de la 0V la VFS-
Figura 3.23. Schema pentru VLSB=4.6875V, VLSB=312.5mV).
simularea reţelei R-2R.
Cursoarele sunt setate la {A} =0 şi {A}
=15LSB, cu dy=VFS-VLSB.
21
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
22
Reţele de rezistenţe
3.2.3.2 Experiment
Refaceţi toţi paşii, experimentele, măsurătorile şi sarcinile pentru reţeaua R-
2R aşa cum sunt descrise în 3.2.3.
A
V1 Rp Re Folosiţi DIO7…DIO4 în loc de
Re= Rp || Rc Vo DIO15…DIO12. Folosiţi V7 în loc
1
de V15.
...
Vi Rs <=> Ve
Rp
Re= Rp || Rc 3.3 Reţea de rezistenţe
i
...
combinate, comutate în
Vi+1 Rp Rs
Re= Rp || Rc
tensiune, fără sarcină
i+1
...
...
Rc (r 1) R p
(r 1) 2 ( 3.26 )
Rs Rp
r
24
Reţele de rezistenţe
25
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
3.3.2 Simulare
3.3.2.1 Hexazecimal
Figura 3.28 relevă fişierul schematic Multisim folosit pentru simularea unei
reţele de rezistenţe combinate în format hexazecimal pe 2 cifre. Sunt folosite
sub-reţele pe 4 biţi, dar pot fi folosite şi reţele ponderate sau o combinaţie de
sub-reţele ponderate cu subreţele R-2R. Un numărător biner, cu frecvenţa de
ceas de 1kHz, generează biţii numărului {A}. Tensiunea de referinţă (5V) şi
comutatoarele sunt simulate cu ajutorul buferelor de ieşire 40163BT_5V:
R 10k; n 2; Vref 5V
VFS 4.6875V ( 3.33 )
Rabs VLSB 18.310546875mV
Figura 3.29 relevă rezultatele simulării în regim tranzitoriu. Graficul digital
(sus) prezintă biţii numărului {A} (numărator BCD pe două cifre), graficul
analogic (jos) prezintă tensiunea de ieşire Vo (rampă de la 0V la VFS-VLSB =
4.669189453125V, în paşi de VLSB). Cursoarele sunt setate la {A}=0 şi
{A}=255LSB=, cu dy=VFS-VLSB.
R18 R17 Vo
Vo
150kΩ 140.625kΩ
ck ck
U2 U1
R9 R1
U3 1kHz 2 CP
b23 2 CP
b13
~SR TC 1 ~SR
1
1
9 ~PE 20kΩ R10 1
9 ~PE 20kΩ R2
CET CET
10
CEP TC 10kΩ 10
CEP TC 10kΩ
7 15 TC 7 15
P3 O3
R11 P3 O3
R3
6
5 P2 O2
11
12
b22 0
6
5 P2 O2
11
12
b12
P1 O1 P1 O1
0
4
3 P0 O0
13
14
20kΩ R12 4
3 P0 O0
13
14
20kΩ R4
40163BT_5V 10kΩ 40163BT_5V 10kΩ
R13 R5
d2=LSD b21 d1=MSD b11
20kΩ R14 20kΩ R6
10kΩ 10kΩ
R15 R7
b20 b10
20kΩ R16 20kΩ R8
20kΩ 20kΩ
26
Reţele de rezistenţe
27
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
R18 R17 Vo
Vo
90kΩ 81kΩ
ck ck
U2 U1
R9 R1
U3 1kHz 2 CP
b23 2 CP
b13
~SR TC 1 ~SR
1
1
9 ~PE 20kΩ R10 1
9 ~PE 20kΩ R2
CET CET
10
CEP TC 10kΩ 10
CEP TC 10kΩ
7 15 TC 7 15
P3 O3
R11 P3 O3
R3
6
5 P2 O2
11
12
b22 0
6
5 P2 O2
11
12
b12
P1 O1 P1 O1
0
4
3 P0 O0
13
14
20kΩ R12 4
3 P0 O0
13
14
20kΩ R4
40162BT_5V 10kΩ 40162BT_5V 10kΩ
R13 R5
d2=LSD b21 d1=MSD b11
20kΩ R14 20kΩ R6
10kΩ 10kΩ
R15 R7
b20 b10
20kΩ R16 20kΩ R8
20kΩ 20kΩ
28
Reţele de rezistenţe
29
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
31
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
33
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
34
Reţele de rezistenţe
35
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
36
Reţele de rezistenţe
37
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
38
Reţele de rezistenţe
39
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
40
Reţele de rezistenţe
Pentru ambele reţele unipolare, ponderate sau R-2R, pe n biţi, se obţine din
( 3.4 ), ( 3.5 ), ( 3.15 ), ( 3.16 ):
n
Re R; Ve Vref ai 2 i Vref { A} ( 3.41 )
i 1
Rf n Rf
Vo Vref ai 2 i Vref { A} ( 3.42 )
R i 1 R
Rf Vref R f
VFS Vref ; VLSB ( 3.43 )
R 2n R
Pentru reţele combinate pe n-digiţi, în baza r, from ( 3.27 ), ( 3.28 ) se
obţine:
r 1 r 1
Ve Vref m Ar ; Re Rp ( 3.44 )
2 r
r Rf n r Rf
Vo Vref m d i r i Vref m { A}r ( 3.45 )
2 R p i 1 2 Rp
r Rf V r R
VFS Vref m
; VLSB refn m f ( 3.46 )
2 Rp r 2 Rp
Pentru reţelele combinate unipolare hexazecimale pe n-digiţi, m=4, r=16:
15 15
Ve Vref Ar ; Re Rp ( 3.47 )
16 16
16 R f n Rf
Vo Vref d i 16 i Vref Ar ( 3.48 )
16 R p i 1 Rp
R V R
VFS Vref f ; VLSB refn f ( 3.49 )
Rp 16 Rp
Pentru reţelele combinate unipolare BCD pe n-digiţi, m=4, r=10:
9 9
Ve Vref Ar ; Re Rp ( 3.50 )
16 10
10 R f n 10 R f
Vo Vref d i 10 i Vref Ar ( 3.51 )
16 R p i 1 16 R p
10 R f V 10 R
VFS Vref ; VLSB refn f ( 3.52 )
16 Rp 10 16 Rp
41
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
3.4.2 Simulare
VDD S1
5.0V VDD
S1A R1 R13
D V-
S1B
VDC1 5.0V 20kΩ 10kΩ
IN
GND -5.0V 5.0V
R6
U2 U1 VEE VDD Vo
10kΩ
10MHz 2 CP VDD S2
2
5
1 ~SR 5.0V VDD
U3 9 ~PE R2
10 CET S1A
D U6
1 7 CEP TC 15 VDC1 5.0V S1B 4
6 P3 O3 11
20kΩ 1
U4 5 P2 O2 12 IN
4 P1 O1 13 3
0 3 P0 O0 14 GND R7
10kΩ ADA4851-1YRJZ
40163BT_5V
6
VDD S3
5.0V VDD 5.0V
S1A R3 VDD
D
VDC1 5.0V S1B
20kΩ
IN
GND
R8
10kΩ
VDD S4
5.0V VDD
R4
VDC1 5.0V
20kΩ
R5
GND 20kΩ
ADG859YRYZ-REEL
fiecare pas egal cu VLSB. Întârzierea maximă apare când numărul de intrare
trece de la valoarea maximă la 0, şi Vo sare de la aproape VFS la 0.
V-, tensiunea pe intrarea inversoare a amplificatorului operaţional nu este
zero, aşa cum ar trebui să fie pentru un etaj inversor ideal.
V Vo R f I f ( 3.53 )
Amplificatorul operaţional în conexiune inversor ar trebui să genereze
valoarea necesară a lui Vo pentru a păstra V- la 0 ( 3.53 ). Dar, limitările
introduse de slew-rate şi de timpul de stabilire nu permit ca Vo să se modifice
destul de rapid, şi astfel se generază pulsurile lui Vo, vizibile în Figura 3.51.
Glitch-urile sunt prea rapide pentrua fi văzute în Vo, dar ele există în If şi pot
fi văzute în evoluţia lui V-.
43
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
44
Reţele de rezistenţe
45
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
46
Reţele de rezistenţe
47
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
Sarcina 10. Plasaţi jumperele pe J3, J4, J5, J7 pentru a construi o reţea
combinată zecimală pe 12 bit. Setaţi un mumărător BCD pe 3 digiţi (12 biţi)
în Pattern Generator pentru a comanda reţeaua de mai sus. Folosiţi canalul 1
al osciloscopului pentru a vizualiza semnalul „dinte de ferăstrău” V15 pe J8.
Extindeţi baza de timp şi căutaţi glitch-urile. Explicaţi locaţia glitc-urilor.
48
Reţele de rezistenţe
50
Reţele de rezistenţe
51
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
52
Reţele de rezistenţe
53
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
Content
54
Reţele de rezistenţe
3 Rețele de rezistențe 1
3.1 Rețele de rezistențe ponderate binar, cu comutare în tensiune, fără
sarcină 1
3.1.1 Suport teoretic 1
3.1.2 Simulare 2
3.1.2.1 Circuitul ideal 2
3.1.2.2 Erori introduse de inegalitatea rezistorilor 2
3.1.2.3 Erorile introduse de sursa Vi 5
3.1.2.4 Erori dinamice 6
3.1.3 Rezultate experimentale 8
3.1.3.1 Neidealităţi 9
3.1.3.2 Experiment practic 9
3.1.3.3 Măsurători 10
3.2 Reţele de rezistenţe R-2R, comutate în tensiune, fără sarcină 19
3.2.1 Suport teoretic 19
3.2.2 Simulare 19
3.2.2.1 Circuitul ideal 19
3.2.2.2 Erori introduse de inegalitatea rezistenţelor 20
3.2.2.3 Erori introduse de sursa Vi 22
3.2.3 Rezultate experimentale 22
3.2.3.1 Neidealităţi 22
3.2.3.2 Experiment 23
3.3 Reţea de rezistenţe combinate, comutate în tensiune, fără
sarcină 23
3.3.1 Suport teoretic 23
3.3.1.1 Reţele de rezistenţe combinate în format hexazecimal
25
3.3.1.2 Reţele de rezistenţe combinate în format zecimal 25
3.3.2 Simulare 26
3.3.2.1 Hexazecimal 26
3.3.2.2 BCD 27
3.3.3 Rezultate experimentale 30
3.3.3.1 Neidealităţi 30
3.3.3.2 Experiment (hexazecimal) 30
3.3.3.3 Experiment (Zecimal) 33
3.3.3.4 Reţea zecimală forţată la un număr hexazecimal 36
3.3.3.5 Reţea combinată cu subreţele de rezistenţe ponderate
37
3.3.3.6 Reţea combinată pe 355cifre cu subreţele mixte de
rezistenţe 38
3.4 Etaj de ieşire cu amplificator operaţional pentru reţele de
rezistenţe cu comutare în tensiune 40
3.4.1 Suport teoretic 40
3.4.2 Simulare 42
3.4.3 Rezultate experimentale 44
Bazele Sistemelor de Achiziții de Date – Lucrări de laborator
56