amplifT
1.
Pentru
amplificatorul
din
figura
se
cunosc:
VAl=12V, RG = 500K, RD = 4,7 K, I = 1,6mA
k = 0,1mA / V 2 , W = 2, VP = 0,5V .
L
a) 0,75p. Care este PSF (I D , VDS ) ?
b) 0,75p. Ce valori au parametrii amplificatorului Av , Ri , Ro ?
Care este modelul echivalent al amplificatorului?
c) 0,75p.
Care
sunt
cronogramele
semnalelor
vG (t ), vo (t ), vO (t ), iD (t ), pentru vi (t ) = 500 sin t[mV] ?
d) 0,75p. In ce conexiune este amplificatorul ? Care parametri ai
amplificatorului se modifica si cum daca la iesire se conecteaza
o rezistenta de sarcina RL = 4,7K ?
[Link] amplificatorul din figura se cunosc: VAl = 12V ,
= 200, RB1 = 24K, RB 2 = 12K, RE = 2,2K
RC = 2K .
e) 0,75p. Care este PSF (I C , VCE ) ?
f) 0,75p. Ce valori au parametrii de semnal mic ai tranzistorului ? Care
este schema echivalenta pentru variatii a amplificatorului ?. Se
consider I C = 1,5mA .
g) 0,75p. In ce conexiune este amplificatorul ? Ce valori au
Av , Ri , Ro ?
h) 0,75p. Care sunt cronogramele semnalelor vo (t ), vO (t ), iC (t ), pentru
vi (t ) = 20 sin t[mV] ?
VAl
-VAl
VAl
iC
vO
Pentru tranzistorul T, VBE , on=0,6V
VCC=12V
a) 0,75p Cum arat schema echivalent a circuitului n curent
continuu? Determinai punctul static de funcionare al T i
poziionai
acest
PSF
pe
familia
de
caracteristici
i C (v CE ) i B parametru a T din figur.
b) 0,5p n ce regiune de funcionare lucreaz T n curent continuu
n acest etaj? Justificai rspunsul, grafic sau numeric (prin relaii vi
matematice). Delimitai cele 3 regiuni posibile de funcionare ale
unui tranzistor bipolar pe familia de caracteristici
i C (v CE ) i B parametru din figur.
RB1
10K
RC
2K
CC
47F
CB=47F
T
RB2
5K
C
RE
47F
1,7K
vO
RL
3
c) 0,5p Cum arat modelul de semnal mic, medie frecven al T? Ce valori au parametrii de model: ; rbe; gm? Se va
considera ro.
d) 0,75p Cum arat schema echivalent de semnal mic, medie frecven a circuitului? n ce conexiune este T n acest etaj?
v
Determinai expresia i valoarea amplificrii n tensiune a etajului, A v = o . Cum arat vO(t) pentru vi(t)= 15 sin t
vi
[mV]?
P1. 2.5p
For T: VTh=3V; =0.1 mA/V2; VA=100V.
a) 0.75p Draw the D.C. equivalent circuit for this schematic. Compute the quiescent point of T, Q(VDS, ID), and show that
T is biased in (aF).
b) 0.75p Compute the D.C. voltage drops
on all the components in the circuit above
(including the capacitors).
c) 0.5p Compute the following small
signal model parameters of T: gm; ro. Does
the transistor model and/or the model
parameters modify if we use a transistor
with the same and VA, but with VTh=4V?
Explain your answer.
d) 0.5p Draw the small signal equivalent
circuit of this stage in midfrequency. What
is the configuration of this stage and what
is the value of the voltage gain Av=
vo
?
vi
(You can assume ro sufficiently large to be
ignored in the computation).
P1. 2p
Tranzistorul T are parametrii: =0,2 mA/V2;
VP=3V; VA=100V
e) 0,25p Cum arat schema echivalent a
circuitului n curent continuu?
f) 0,75p Determinai punctul static de
funcionare al T i artai c T lucreaz n
regiunea activ direct (aF).
g) 0,5p Care sunt valorile tuturor curenilor
continui din circuit (prin componentele din
schem i curentul absorbit de la sursa de
alimentare)? Determinai valorile cderilor de
tensiune continu pe componentele din circuit:
RG1, RG2, RD, RS, i valorile tensiunilor VGS, VDS,
VGD.
h) 0,5p Cum arat modelul de semnal mic al T corespunztor operrii sale n (aF) n punctul static de funcionare
determinat la punctul (b) i ce valori au parametrii de model: gm, ro? Pentru ce aplicaie va fi folosit circuitul? n ce
conexiune este T (n regim de semnal mic, medie frecven) n acest etaj?
P1. 2p
For T: VTh=2V; =0.4 mA/V2;
VA=120.
0.25p On the D.C. equivalent
circuit, show that T is biased in
(aF).
e) 0.5p Draw the small signal
equivalent circuit for this
MOST amplifier stage in the
midfrequency domain. What is
the configuration of the stage?
f) 0.75p
What
are
the
expressions and values of: the
voltage gain of the stage,
Av=
vo
vi
; the input resistance
Ri; the output resistance Ro?
g)
0.5p If vi(t)=15 sin t
[mV], plot vo(t) and vO(t),
assuming T is in (aF) for this input signal amplitude.
1. 3,5 p
For T, VTh=3V; =0.2 mA/V2; VA=100V.
VDD=20V
a) 0,5p Draw the D.C. equivalent schematic of this
circuit.
RG1
RD
b) 1p Compute the quiescent point of T and proove
3M
20k
Co=100
that T works in aF.
Ci
c) 0,75p Draw the small signal equivalent
T
schematic in midfrequency for this stage. What
100 F
vO
vo
RG2
are the values of the small signal model
RL
RS
C
S
parameters of T: gm; ro , assuming ID=0.2 mA? vi
1M
5k 100 F
What is the configuration of this stage?
d) 0,75p For the small signal, midfrequency model
of the stage, find the expressions and values of: Av; Ri; Ro. Plot vO(t) and vo(t) for vi(t)= 150 sin 2104t
[mV][Hz].
e) 0,5p What is the minimum possible value for RL to have a voltage gain Av 2? Do other parameters of the
stage change in this case? If yes, how?
VDD=20V
1. 3,5 p
Pt. T, VP=3V; =0,2 mA/V2; VA=100V.
f) 0,5p Desenai schema echivalent a
circuitului n c.c.
g) 1p Calculai punctul static de funcionare
(PSF) al T i artai c T lucreaz n aF.
h) 0,75p Desenai schema echivalent a
circuitului la semnal mic, medie frecven.
Ce valori au parametrii de model ai T: gm;
RG1
3M
RD
20k
Co=100F
Ci
vi
100 F
RG2
1M
T
vO
RS
5k
CS
100 F
vo
RL
3
ro , considernd c ID=0,2 mA? n ce conexiune este T?
i) 0,75p Pentru schema de semnal mic, medie frecven a amplificatorului, determinai expresiile i valorile:
Av; Ri; Ro. Cum arat vO(t) i vo(t) pentru vi(t)= 150 sin 2104t [mV][Hz]?
j) 0,5p Care este valoarea minim posibil pentru RL astfel nct modulul amplificrii etajului s fie 2? Se
modific ali parametri ai etajului n acest caz? Dac da, cum?
P1. 2,5 p
Pentru tranzistorul T, VBE , on=0,6V
iB4=40A
8
VCC=12V
RB1
10K
RC
2K
CC
47F
iB2=20A
CB=47F
vi
RB2
5K
RE
1,7K
iB3=30A
C
47F
vO
iB1=10A
RL
3
2
vCE[V]
2
i) 0,75p Cum arat schema echivalent a circuitului n curent continuu? Determinai punctul static de funcionare al T i poziionai
acest PSF pe familia de caracteristici i C (v CE ) i parametru a T din figur.
B
j) 0,5p n ce regiune de funcionare lucreaz T n curent continuu n acest etaj? Justificai rspunsul, grafic sau numeric (prin relaii
matematice). Delimitai cele 3 regiuni posibile de funcionare ale unui tranzistor bipolar pe familia de caracteristici
i C (v CE ) i B parametru din figur.
k) 0,5p Cum arat modelul de semnal mic, medie frecven al T? Ce valori au parametrii de model: ; rbe; gm? Se va considera ro.
l) 0,75p Cum arat schema echivalent de semnal mic, medie frecven a circuitului? n ce conexiune este T n acest etaj? Determinai
v
expresia i valoarea amplificrii n tensiune a etajului, A v = o . Cum arat vO(t) pentru vi(t)= 15 sin t [mV]?
vi
1. Se d aplificatorul cu tranzistor din
figura a) Cu ajutorul osciloscopului se
Vcc=12V
vizualizeaz vI(t) i vO1(t), prezentate
n figura b).
1p a) Ce valoare are amplificarea n
tensiune, considernd ieirea n
colector ?
1p b) Care este cronograma tensiunii
vO1(t) pentru RC=1,5K i vI din
figura b) ?
0,5p c) Ct este amplificarea n
tensiune, considernd ieirea n
emitor? Care este cronograma vo2(t) v =V +v
I
I
i
pentru RC=3K?
2,5
RC
3K
vO1
vI[V]
2
1,5
Co
vo2
RE
0,65K
a)
t
8,25
vO1[V]
6
3,75
b)
tt
1. Se d circuitul cu tranzistor n-MOS pentru care se cunosc K=6mA/V2 i
VP=2V. Condensatoarele Ci i Co se consider scurt-circuit la frecvena de
lucru. Se cunoaste ID=K(VGS-VP)2.
0,5p a) n ce conexiune e legat tranzistorul i ce aplicatie realizeaz circuitul
?
1p b) Care este schema echivalent la semnal mic i joas frecven?
1p c) Calculai amplificarea n tensiune Av =vo/vi, Rin i Rout.
+VDD =12V
RD
1.5K
RG1
3M
D
Ci
vi
Co
S
vo
RG2
1M
a) 0,75p Determinai PSF (VCE, IC) al T n ipoteza IB<<I1, IB<<I2. Artai c T lucreaz n aF.
b) 0,5p Cum arat schema echivalent a
circuitului la semnal mic, medie frecven,
considernd n modelul T c ro? n ce
conexiune este T n acest etaj?
c) 0,75p Care sunt expresiile i valorile:
rezistenei de intrare Ri a etajului;
rezistenei de ieire Ro a etajului;
amplificrii n tensiune Av a etajului? Cum
se modific aceste expresii/valori dac se
conecteaz la ieirea circuitului o
rezisten de sarcin RL=3 K? Cum arat
vo(t) pentru vi(t) = 10 sin t [mV] n
ambele situaii?
d) 0,5p Dac n schema din figur se
omite legarea condensatorului CE n
paralel cu RE, cum se modific schema
echivalent a circuitului la semnal mic,
medie frecven? Cum se modific
formula i valoarea amplificrii n tensiune a etajului Av n acest caz?
P1. 2,5p
Pentru T: =0,2 mA/V2 ; VP=2V; VA=100V
e) 0,75p Desenai schema echivalent a circuitului n c.c.. n ce PSF (VDS, ID) lucreaz T? Artai c acest PSF
este poziionat n aF.
f) 0,5p Cum arat modelul de semnal mic, medie frecven al T corespunztor funcionrii n aF? Calculai
parametrii de model: gm ; ro.
g) 0,5p Reprezentai grafic: (1) caracteristica de transfer iD(vGS) a T, corespunztoare funcionrii sale n aF ; (2)
trei caracteristici de ieire i D (v DS ) v GS parametru , pentru trei valori vGS>VP (la alegere), menionnd pentru
fiecare caracteristic, numeric, valorile: VDS,sat ; ID n regiunea activ (aF); VGS.
h) 0,75p Reprezentai, n planul caracteristicilor statice de ieire ale T, dreapta de sarcin iD(vDS) a T i
amplasai pe aceast dreapt PSF al T determinat la punctul (a). Dac dorim ca PSF al T s fie amplasat la
mijlocul dreptei de sarcin, ce valoare trebuie s aib tensiunea VGS? Redimensionai rezistenele RG1, RG2 pentru
5
a obine PSF la mijlocul dreptei de sarcin (toate celelalte valori din schem rmn nemodificate). Ce avantaj are
aceast polarizare a T, cu PSF la mijlocul dreptei de sarcin, pentru folosirea etajului ca amplificator?
P1. 2p
For T, =0.2mA/V2; VTh=3V; VA=100V.
The quiescent point of T is: ID=5mA;
VDS=13V, and VGS=8V.
a) 0.25p Prove that T works in aF. Draw
the small signal equivalent model of T in
midfrequency. What are the values of the
model parameters: gm; ro?
b) 0.75p Draw the small signal equivalent
circuit of this schematic in midfrequency.
Compute: the voltage gain of the stage, Av=vo/vi; the input resistance Ri; the output
resistance Ro of the stage. Assume R1<<RG.
What is the configuration of T in this
amplifier stage?
c) 0.5p Draw the small signal equivalent
circuit of this schematic in low frequency.
d) 0.5p Estimate fL from the frequency
response of this amplifier stage, and
represent approximately its Bode plot in
the low-to-mid frequency domain. Assume ro.
P1. 2p
Pentru T, =0,2mA/V2; VP=3V;
VA=100V.
PSF al T este: ID=5mA; VDS=13V,
iar VGS=8V.
e) 0.25p Artai c T lucreaz n
aF. Cum arat modelul de semnal
mic al T n acest regim i ce valori
au parametrii de model: gm; ro?
f) 0.75p Cum arat schema
echivalent a circuitului la semnal
mic, medie frecven? Determinai:
amplificarea
n
tensiune
a
Ri
a
circuitului,
Av=vo/vi;
a
amplificatorului;
Ro
amplificatorului. Se va considera R1<<RG. n ce conexiune este T n acest etaj?
g) 0.5p Cum arat schema echivalent a circuitului la semnal mic, joas frecven?
h) 0.5p Estimai frecvena joas, fL, din rspunsul n frecven al circuitului i trasai aproximativ diagrama Bode a
circuitului n domeniul frecvenelor joase i medii. Se va considera ro.
P1. 2p
For T, VTh=2V; =0.1mA/V2; VA=100V
i) 0.25p Draw the D.C. equivalent
circuit for this schematic.
j) 0.75p Determine the quiescent
point of T, Q(ID,VDS). What is the
operating region of T in D.C.: off,
ex.c. or aF?
k) 0.5p Draw the small signal
model of T, corresponding to the
operating region found in (b). What
are the values of the model
parameters?
l) 0.5p Plot qualitatively a family
of output characteristics iD(vDS) with
vGS parameter for T. On this family
of characteristics, illustrate the
variation of the quiescent point of T
with: (1) VP, if VP=1V...4V; (2) , if
=0.1mA/V2...0.4mA/V2. Do the
model parameters values change
with (1) VP; (2) ? Explain your
answer.
P1. 2p
Pentru T, VP=2V; =0,1mA/V2; VA=100V
m) 0.25p Cum arat schema echivalent a
circuitului n c.c.?
n) 0.75p Calculai PSF al T, Q(ID,VDS). n
ce regiune de funcionare este T n c.c.: b,
[Link]. sau aF?
Cum
arat
modelul
T,
o) 0.5p
corespunztor regiunii de funcionare
determinat la punctul (b), i ce valori au
parametrii din model?
p) 0.5p Trasnd o familie de caracteristici
statice de ieire iD(vDS) cu vGS parametru ale
T, ilustrai pe aceast familie variaia PSF al
T cu: (1) VP, dac VP=1V...4V; (2) , dac
=0,1mA/V2...0,4mA/V2. Se modific sau
nu valorile parametrilor de model ai T?
Justificai rspunsul.
P1. 2p
Pentru T: =0,2 mA/V2
VP=4V
VA=100V
VDD=15V
RG1
1M
RD
5k
CG
100 F
RG2
2M
Co=100F
Ci
100 F
RS
5k
vO
vi
vo
0,25p a) Cum arat schema echivalent a circuitului n
c.c.?
0.75p b) Ce valori au ID i VDS n PSF al T? Artai c T
lucreaz n aF.
0.5p c) Cum arat schema echivalent a circuitului la
semnal mic, medie frecven? Ce valori au gm i ro din
modelul de semnal mic al T? Deducei expresia i
valoarea amplicrii n tensiune A v =
vo
vi
a circuitului,
considernd ro .
0,5p d) Cum arat cronogramele semnalelor vO(t) i vo(t) pentru vi(t)=0,2 sint [V]?
1. Se d circuitul cu tranzistor n-MOS pentru care se
cunosc K=6mA/V2 i VP=2V. Condensatoarele Ci i Co se
consider scurt-circuit la frecvena de lucru. Se cunoaste
ID=K(VGS-VP)2.
0,5p a) n ce conexiune e legat tranzistorul i ce aplicatie
realizeaz circuitul ?
1p
b) Care este schema echivalent la semnal mic i
joas frecven?
vi
1p c) Calculai amplificarea n tensiune Av =vo/vi, Rin i
Rout.
+VDD =18V
RD
1.5K
RG1
15M
D
Ci
Co
vo
RG2
3M
+VDD =12V
A1. Se d circuitul cu tranzistor n-MOS pentru care se cunosc VP=2V si
curentul in punctul static ID=0.5mA. Condensatoarele Ci , Co si CS se
RG1
3M
consider scurt-circuit la frecvena de lucru. Se cunoaste ID=K(VGS-VP)2.
0,5p a) n ce conexiune e legat tranzistorul i ce aplicatie realizeaz circuitul
pentru K in conductie respectiv in blocare?
0.5p b) Care este schema echivalent la semnal mic i joas frecven
Ci
in ambele situatii de mai sus?
0.5p c) Calculai amplificarea n tensiune Av =vo/vi pentru KvIin
RG2
=vconductie
i+VI
1M
respectiv blocare.
1P d) Cum arata vO(t) si vo(t) daca vI(t) este un semnal
triunghiular cu amplitudinea de 100mV axat pe 3V
pentru K blocat ?
RD
6K
D
G
RS
1K
vO Co
vo
K
CS
I.
1p
1p
Pentru amplificatorul din figura se cunoaste IC=1mA
in PSF si frecventa lui vi este de 10KHz.
a) Care sunt valorile amplificrii Av=vo/vi
i a rezistenei de intrare Ri ?
vi
b) Cum se modific (crete/scade)
modulul Av i Ri dac se elimin condensatorul
C din circuit ?
5K
110K
Ci
10
Co
10K
C
10
0.5K
2,5
RC
3K
vo
C1. Pentru amplificatorul din figur s-au calculat: ID= 0,6mA
RG1
gm=0,8mS n P.S.F.
200K
0,5p a) n ce conexiune este legat tranzistorul?
1p
b) Calculai amplificarea n tensiune Av= vo/vi pentru RD=
Ci vI
15K.
1,5p c) Care sunt cronogramele tensiunilor vi(t), vI(t) i vo(t) pentru v
i
vi(t)=0,3sin( 2 5000t ), presupunnd c Av=-8 pentru RD=10K?
P3. 2p Consider the transistor
amplifier in figure i) The
Vcc=12V
waveforms in figure ii) are
displayed with an oscilloscope on
the dc coupling mode.
0.5p a) What is the value of the
voltage gain considering the
output in the collector of the
transistor?
1p b) How does the waveform
look
like
assuming vI=VI+vi
vO1(t)
RC=1.5K and vI the one in
figure ii) ?
0,5p c) What is the value of the
voltage gain considering the
output in the emitter of the transistor? How does the
one in figure ii)?
+20V
10
vO1
VDD= 15V
RD
Co
vo
vO
vI[V]
2
1,5
Co
vo2
RE
0,65K
i)
t
8,25
vO1[V]
6
3,75
ii)
waveform vO2(t) look like assuming RC=1.5K and vI the
P3. 2.5p For BJT in the circuit, vBE, on=0,6V and =100.
VDD=15V
RB1
16k
0.75p a) Draw the dc equivalent circuit. Compute the
quiescent point of BJT, Q(IC,VCE).
0.5p b) Draw the small signal equivalent circuit. What is
the amplifier configuration? Explain.
0.75p c) What are the expressions and values of:
transconductance gm; gain Av=vo/vi; input resistance Ri;
output resistance Ro.
0.5p d) Draw the waveforms of vC(t); vo(t) if vi(t)=20
sin 2104t [mV][Hz].
RC
5k
CB
Co=100F
T Ci
100 F
100 F
RB2
4k
vC
vo
vi
RE
4k
VAl=20V
2
P3. 2.5p For T: VTh=3V; =0.4 mA/V ; ro.
0.75p a) Draw the dc equivalent circuit. Compute
the quiescent point of TMOS, Q(ID,VDS).
0.5p b) Draw the small signal equivalent circuit.
What is the configuration of the amplifier? Explain.
0.75p c) What are the expressions and values of:
transconductance gm; gain Av=vo/vi; input resistance
Ri; output resistance Ro.
0.5p d) Plot: vo(t); vD(t), for
vi(t)=0.5sin 2104t [V][Hz].
RG1
6M
RD
5k
CG
100 F
RG2
4M
Co=100F
Ci
100 F
T
I
1.6mA
vD
vo
vi
-VAl=-20V
P.3. 2,5p
0,75p Determinai PSF (VCE, IC) al T n ipoteza IB<<I1,
IB<<I2. Artai c T lucreaz n aF.
j) 0,5p Cum arat schema echivalent a circuitului la
semnal mic, medie frecven, considernd n modelul T c
ro? n ce conexiune este T n acest etaj?
k) 0,75p Care sunt expresiile i valorile: rezistenei de
intrare Ri a etajului; rezistenei de ieire Ro a etajului;
amplificrii n tensiune Av a etajului? Cum se modific
aceste expresii/valori dac se conecteaz la ieirea
circuitului o rezisten de sarcin RL=3 K? Cum arat
vo(t) pentru vi(t) = 10 sin t [mV] n ambele situaii?
l) 0,5p Dac n schema din figur se omite legarea
condensatorului CE n paralel cu RE, cum se modific
schema echivalent a circuitului la semnal mic, medie
frecven? Cum se modific formula i valoarea
amplificrii n tensiune a etajului Av n acest caz?
i)
10
P3.
Pentru TB din figur se cunosc vBE, on =0,7V i =100.
1p
a) Desenai schema echivalent n c.c. a
+20V
acestui circuit. Determinai punctul static de
R
3
Co 10
R1
funcionare al TB Q(IC,VCE) i demonstrai c
8K
Ci 130K
tranzistorul funcioneaz n regiunea (aF).
10
0.75p b) Desenai schema echivalenta de
VCE
semnal mic. Ce valori au gm i rbe din modelul de
~
vBE, on
semnal mic al tranzistorului ? n ce conexiune se vi
vO
IC
R
2
afl TB n acest circuit? Explicai.
20K
CE
0.75p c) Care sunt expresiile i valorile
R
4
amplificrii n tensiune Av=vo/vi, rezistenei de
10
2.5K
intrare Ri i a rezistenei de ieire Ro pentru acest
circuit ?
0.5p d) Desenai cronogramele vO(t); vo(t), pentru vi(t)=10 sin 2104t [mV][Hz].
P3. 3p Pentru TMOS din figur se cunosc
VP=2V; =0.5 mA/V2; VA=100V i ro.
1p
a) Desenai schema echivalent n c.c. al
acestui circuit. Determinai punctul static de
funcionare al TMOS Q(ID,VDS).
0,75p b) Desenai schema echivalenta de
semnal mic. Ce valori au gm i ro din modelul de
semnal mic al tranzistorului ? n ce conexiune
se afl TMOS n acest circuit? Explicai.
0.75p c) Care sunt expresiile i valorile
amplificrii n tensiune Av=vo/vi, rezistenei de
intrare Ri i a rezistenei de ieire Ro pentru
acest circuit ?
0.5p d) Desenai cronogramele vO(t); vo(t),
pentru vi(t)=100 sin 2104t [mV][Hz].
RL
2K
vo
VAl=20V
RG1
6M
RD
5k
CG
100 F
vi
RG2
2M
Ci
100 F
Co=100F
vO
vo
I
2mA
-VAl=-12V
P3. 2p Pentru T: VP=3V; =0.1 mA/V2; VA=100V.
h) 0.75p Desenati circuitul echivalent n curent
continuu. Determinati punctul static de functionare al T,
Q(VDS, ID) i aratati ca T este polarizat (aF).
i) 0.75p Calculati caderea de tensiune continua pe
fiecare componenta din circuit (inclusiv condensatoare).
j) 0.5p Desenati circuitul echivalent de semnal mic
pentru frecventa medii. Care este conexiunea
amplificatorului i ce valoare are amplificarea n
tensiune Av=
vo
?
vi
11
P1.
VDD =10V
KW
=0,2mA/V2.
2L
La semnal mic, medie frecven, se vor
considera CG, CD i CS scurtcircuit.
Pentru T, VP=3V; =
m) 0,5p
Cum
arat
schema
echivalent n curent continuu a
circuitului? Calculai PSF (VDS, ID) al
vi
T i artai c T lucreaz n (aF).
n) 0,5p
Cum
arat
schema
echivalent a acestui etaj amplificator
cu TMOS la semnal mic, medie
frecven?
Determinai
valoarea
parametrului de model gm al T la
semnal mic. Se va considera c n
modelul de semnal mic al T, ro.
o) 0,5p Determinai expresiile i valorile:
v
amplificrii n tensiune a etajului, Av= o ;
vi
rezistenei de intrare a etajului, Ri; rezistenei
de ieire a etajului, Ro.
p) 0,5p Dac vi(t) are forma din figur, cum
arat cronogramele tensiunilor: vo(t); vD(t)?
RD
15K
CD=22F
CG=22F
T
~
vD
RG
2,2M
vo
RL
CS
22F
IPol
0.8mA
VSS = -10V
vi[mV]
20
t
-20
P1. 2p
In the operating point gm=2ms.
0.5p a) What is the small signal equivalent circuit in
the low frequency range?
1p
b) What are the expressions and values of cutoff frequency due to the presence of C1 and C2?
0.5p c) What is the value of the low cut-off
frequency of the transfer function for this circuit?
VPS
R3
R1
C1
vo
T
10K
vi
22
R2
1M
C2
R4
100K 10
-VPS
12
