UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

FACULTATEA DE ELECTRONICA TELECOMUNICATII SI TEHNOLOGIA INFORMATIEI

Proiect
Preamplificator audio corector de ton

Partene Ana-Maria
Grupa : 432E

1. Tema de proiectare
Tema de proiectare consta in realizarea unui preamplificator audio corector de ton cu
tranzistoare bipolare. Corectia tonului se refera la corectia frecventelor mai mici de 500
kHz si a celor mai mari de 1 kHz.
Etajul este compus din doua amplificatoare, unul de intrare si unul de iesire cuplate prin
intermediul retelei de reactie de tipul RC. Reteaua de reactie este construita din doua filtre
cu elemente pasive RC de joasa, respectiv inalta frecventa in care anumite rezistente suna
variabile fapt ce permite amplificarea sau atenuarea frecventelor care sunt in banda de
trecere a filtrelor RC. Amplificatoarele din componenta sunt alimentate de la sursa de
alimentare comuna.

Intrare

Amplificator
de intrare

Retea de
reactie

Amplificator
de iesire

Iesire

Sursa de
alimentare
Figura 1. Schema bloc a preamplificatorului corector de ton

2. Date de intrare
Principalii parametri ai preamplificatorului sunt:
-

Rezistenta de intrare Ri: 2 M

Rezistenta de iesire Ro: 150
Corectia minima a frecventelor joase si a frecventelor intalnite: 14 dB

Sursa de alimentare va asigura urmatorii parametri:

-

Curentul nominal maxim IoM: 10 mA

Rezistenta de iesire maxima RoM: 6
Coeficientul de stabilizare S0 2, deci S0min=2
Tensiunea de alimentare este 220 Vac 10%
Prin urmare se va utiliza urmatorul set de date:

3. Schema electronica

Conform schemei de principiu primul etaj este amplificatorul de intrare care asigura
separarea retelei de reactie de etajele anterioare. In acest scop etajul de la intrare este
realizat cu tranzistorul T1 si este de tip colector comun cu bootstrap la intrare asigurand o
impedanta mare de intrare si mica de iesire.
Reteaua de reactie este de tip RC cu elemente rezistive variabile P1 si P2 care asigura
reglarea frecventelor inalte si joase.
Amplificatorul de iesire este realizat cu tranzistoarele T2 si T3 in conexiune emitor comun
respectiv colector comun cuplate galvanic.
Primul etaj realizat cu T2 este destinat realizarii unei amplificari de tensiune in bucla
deschisa suficient de mare iar etajul realizat cu T3 este repetor pe emitor si asigura o
rezistenta de iesire mica. Cele doua etaje realizeaza un amplificator inversor, astfel
reteaua de reactie este plasata intre intrarea si iesirea acestui amplificator de iesire.

Figura 2. Schema electronica

4. Dimensionarea retelei de reactie

Elementele de atenuare pozitiva sau negativa pentru frecventele inalte respectiv joase
formeaza reteaua de reactie negativa.
Pentru o intelegere mai usoara a principiului de functionare a corectiei amplitudinii pe
anumite domenii de frecventa se considera etajele amplificatoare echivalente cu circuitele
operationale care au conectate impedantele echivalente ca in figura

a)

b)

Figura 3. Schema echivalenta a preamplificatorului audio corector de ton cu reteaua de

reactie a) si schema echivaleta simplificata b)

Calculul retelei de reactie se face pentru circuitele echivalente la joasa si inalta frecventa.
2

Circuitul echivalent de inalta frecventa:

Figura 4. Circuitul echivalent de inalta frecventa.

Functia de transfer este:

c
;

din echivalenta stea-triunghi a rezistoarelor R 3 ,R1, R1.

Curba de atenuare maxima se obtine pentru a=0 si rezulta:

t1=0
t2=(R1+R2)C2
t3=R1C2
t4=R2C2
ti constanta de timp corespunzatoare frecventei zeroului/polului
Se alege P2=R2=100 k
Pentru ca interferenta dintre cele doua circuite sa fie minima se impune R 1<<P2 si rezulta
R1 10 k
In calculele de mai sus s-a neglijat rezistenta de apare intre intrarea si iesirea lui A 2,
considerand ca amplificatoarele A1 si A2 au impedanta de iesire foarte mica. De asemenea
s-a mai neglijat R4 fata de R2. Vom vedea in cele ce urmeaza ca neglijarea are sens.

s.

Se alege f2 = 500 Hz si rezulta

Se alege f4 = 700 Hz si rezulta

s. Rezulta C2=2.3 nF si se alege
C2=2.2nF.
Se alege f3 = 2.1 kHz si rezulta t3=R1C2=7.58*10-5s de unde obtinem R1=34.45 k.
Punctul f3 = 2.1 kHz s-a dedus pe caracteristica Bode astfel incat atenuarea teoretica de
-20 dB sa se produca la 15 kHz.
Se alege R1=8.2 k si R3=(R1-R1)/2=13.12 k. Se adopta R3=15 k
Curba de ridicare maxima se obtine pentru a=1 si rezulta:
t1= R2C2
t2= R1C2
t3=( R1+R2)C2
t4=R4C2
Curba de ridicare va fi simetrica cu cea de coborare pana la f 4 cand factorul de transfer
devine constant. Astfel se explica rolul rezistentei R4 care mentine al doilea pol din functia
de transfer chiar pentru a=1 asigurandu-se stabilitatea. Se apreciaza din considerente
practice confirmate experimental ca f4~30kHz de unde rezulta
s
k.
Observam ca neglijarea facuta mai sus are sens deoarece 2.4 k << 100 k.
3

Circuitul echivalent la joasa frecventa:

Figura 6. Circuitul echivalent la joasa frecventa.

Functia de transfer este:

Se alege P1=nR1=100k rezulta n=12

Curba de atenuare maxima se obtine pentru a=0

t1= 0

t2= nR1C2

t3=0
Curba de ridicare maxima se obtine pentru a=1

t1

t2= 0

t3= nR1C1
Se observa ca pana la frecventa primului pol/zero vom avea o amplificare/atenuare de
pe care o dorim de 20 dB. Din acest motiv am ales n=9.
Se alege f2=50 Hz rezulta

s si C1=t2/(12 R1)=32 nF.

5. Proiectarea amplificatorului de iesire

Amplificatorul de iesire A2 este realizat cu T2 si T3, iar pentru resprectarea conditiei de
semnal mic trebuie ca semnalele alternative sa fie mult mai mici decat tensiunea de
alimentare. O tensiune de alimentare mare implica rezistente de polarizare mari si deci
impedanta de intrare mare. Din acest motiv se alege Ec = 25V stabilizata.
Se alege PSF-ul pentru tranzistorul T2
Curentul de colector ICT2=0.1 mA si tensiunea colector emitor V CE2 10V.
Se alege raportul R10/R11 aproximativ 10.
Se alege VR10=10V rezulta ca se adopta R10=100 k si R11=20k.
Se alege PSF-ul pentru tranzistorul T3
4

Curentul de colector ICT3 = 1.5 mA si tensiunea colector-emitor VCE3 = 10V

Alegerea tranzistoarelor
Se aleg tranzistoare tip BC109C cu urmatoarele valori limita absolute:
VCE0=25V
IC=100 mA
IB =50 mA
Ptot=300 mW
Tj=175C
Si caracteristicile statice
h21E=270
VCesat<0.2V
VBEsat<0.8V
Dimensionarea rezistentelor R12, R13

Acest curent poate fi neglijat in raport cu IC2. In acest caz tensiunea pe R10 este :
VR10=R10*IC2=100k*0.1mA=10V
VR12+R13=EC-VR10-VBE2=25-10-0.6=14.4V
In reteaua de reactie s-a neglijat rezistenta care apare intre intrarea si iesirea
amplificatorului de iesire A2. Valoarea acestei rezistente este:
Rp=(R21+2*R1*R3)/R3=21k>>R0,A2
Se alege R13=1.8k si se calculeaza R12:
R12=9.3-1.8=7.5 k.
Calculul divizorului de baza pentru tranzistorul T2
Curentul prin divizorul de polarizare a bazei tranzistorului T 2 este:
Deoarece impedanta de intrare a amplificatorului A2 este daca te impedanta de intrare in
T2, iar aceasta este aproximativ R9, se alege R9=200 k.
Tensiunea pe rezistenta R9 poate fi exprimata astfel:
VR9=VR11+VBE2=20 k * 0.1 mA + 0.6V = 2.6V

Rs

8R9 = 1.6 M

Calculul impedantei de intrare in A2

Parametrii dinamici ai tranzistorului T2 sunt:
gm2 = 40 * IC2 = 4mA/V

Impedanta de intrare in T2 este:

ZIN,T2=h11e,T2 + h21e,T2*R11 = 67.5 k + 270*20 k
Impedanta de intrare in A2 este:
ZIN,A2=(R9||R8)||ZIN,T2 180 k || 5.4 M

5.4 M

180 k valoare suficient de mare.

Amplificarea in bucla deschisa a etajului realizat cu T2

5

Atenuarea maxima a circuitului este e aproximativ 4 si se verifica ca amplificarea fara

reactie sa fie destul de mare:

RS2 este rezistenta de sarcina a tranzistorului T 2:

RS2 = R10||ZIN,T3
ZIN,T3 = h11e3 + h21e3(R12 + R13)= 270/40*1.5mA + 270*9.3k
RS2 = R10 = 100 k, 100k

2.5 M de unde rezulta ca

valoare suficient de mare.

Amplificarea in bucla inchisa
In pozitia mediana a lui P1 si P2 se obtine Z1 = Z2, iar amplificarea este:
Avr1/r=(R12+R13)/R13=(7,5+1,8)/1,8=5,175
Micsorarea amplificarii este compensata de imbunatatirea raspunsului tranzitoriu.
Dimensionarea condensatorului C5
C5 formeaza un pol si un zero, polul fiind plasat la frecventa mai mare.

Pentru tranzistorul T2 consideram pentru usurinta calculelor parametri dinamici

aproximativi
h11e2 = 100 k si h21e2 = 100.
Din motive de stabilitate se alege polul dat de C 5 polul dominant al schemei si anume f5 =
10 Hz.
Rezulta

Se adopta C5 = 16 F/10 V.
Dimensionarea condensatorului C4
Tot din motive de stabilitate se alege polul dat de C 4 la o frecventa mult mai mica decat
cea data de C5. Se alege f4 = 1 Hz << 10 Hz = f5.

Se alege C4 = 1 F.

6. Proiectarea amplificatorului de intrare

Amplificatorul de intrare este construit din etajul repetor pe emitor cu bootstrap la intrare
realizat cu tranzistorul T1.
Stabilirea PSF-ului
Se alege IC1 = 2 mA care este o valoare relativ mare din punct de vedere al zgomotului,
dar care asigura un curent de baza suficient de mare pentru a fi insensibil la curentul de
fuga prin capacitatea de bootstrap C2.
6

Se alege VCE1 VR6

Din valoarea lui R6 = 5.6 k si a lui IC1 = 2 mA rezulta VR6 = 5.6 * 2 = 11.2 V
Valoarea lui VCE1 va fi atunci VCE1 = EC VR6 = 25 11.2 = 13.8 V
Dimensionarea rezistentei R5
Tensiunea in baza tranzistorului T1 este :
BBT1 = VBE1 + VR6 = 0.6 + 11.2 = 11.8 V
Curentul de baza al tranzistoruli T 1 este:
IBT1 = IC1/h21e1 = 2/400 = 5A
Din catalog pentru IC1 = 2 mA si VCE1 = 14 V se obtine h11e1 = 10 k
Se impune R5>> h11e1 si se alege R5 = 100 k.
VR5 = R5 * IB1 = 100 k * 5A = 0.5V
VR3 = VB1 + VR5 = 11.8 +0.5 = 12.3 V
Calculul divizorului din baza
Se alege Id = 20 * IB1 =100 A si rezulta:
R2 + R3 + R4 = EC / Id = 25 V/100 A = 250 k.

Se adopta R3 = 120 k.
Pentru a avea o valoare convenabina a condensatorului de filtraj C 7 se alege R4 = 30 k si
rezulta astfel R2 = 100 k.
Dimensionarea condensatorului de filtraj C7
Rezistenta R4 si condensatorul C7 decupleaza alimentarea circuitului de baza. Pentru o
buna decuplare trebuie ca f7 << frecventa inferioara limita a benzii.
Pentru C7 = 22 F se obtine f7 = 1/2R4C7 = 0.24 Hz
Impedanta de intrare
Impedanta de intrare in amplificatorul de intrare si in preamplificatorul corector de ton
este :
ZIN = R5 || h11e1 + ( + 1) R6

ZIN = 9.1 k + 360 * 5.6 k = 2 M.

Dimensionarea condensatoarelor C1 si C2
Condensatoarele C1 si C2 se dimensioneaza pentru frecvente mai mici ca 1 Hz. Se alege C 1=0.1F si se obtine f1 = 1/2ZINC1 = 0.79 Hz.
Pentru C2 se alege f2 = 0.5 Hz si se obtine C2 = 1/2f2R5 = 3.2 F
Sea adopta C2 = 4.7 F.
Impedanta de iesire a amplificatorului de intrare

Se apreciaza ca impedanta generatorului este mai mica decat 15 k si pentru cazul cel
mai defavorabil se ia
Zg = 15 k.
Astfel
Se verifica conditia Z0,A1 = 6.6 << Rp = 18 k.
Impedanta de iesire a preamplificatorului corector de ton

Consideram pentru T3 urmatorii parametri dinamici:

h11e3 = 10k si h21e3 = 400 si rezulta

Dimensionarea potentiometrului de volum

Se poate face dimensionarea potentiometrului de volum utilizand conditia:
Z0,pct<< Pv << ZIN, AP
Impedanta de intrare in amplificatorul audio de putere Z IN, AP o presupunem aproximativ 39
k.
Raportul impedantelor limita este
Se aproximeaza Pv =

Z0,pct =

= 2.39 k

Se adopta PV = 2.5 k.
Dimensionarea condensatorului C6
Din motive de stabilitate respectiv dispersarea constantelor de timp la frecvente joase se
alege f6 = 3Hz. Rezulta:

Se adopta C6 = 22 F cu o tensiune nominala de 25V.

7. Simularea corectorului de ton

Pentru inceput s-a efectuat simularea PSF-ului pentru intregul circuit preamplificator audio
corector de ton. Deoarece in schema electronica a fost utilizat R 8 = 1 M in loc de 1.6 M
curentul de colector al tranzistorului T 2 este de IC,T2 = 0.17 mA in loc de 0.1 mA cum fusese
proiectat, dar diferenta nu este mare. Principalele tensiuni si curenti din circuit sunt
prezentate in figura 9.

Figura 9. Simularea PSF-ului

Figura 10. Simularea tranzitorie a circuitului corector de ton

La simularea raspunsului tranzitoriu prezentat in figura 10 s-a utilizat o sursa de semnal
V2 cu amplitudinea de 0.1 V si frecventa de 1 kHz. Semnalul de la iesirea corectorului de
ton este defazat cu 180 si amplificat de circa 3 ori pentru P1 si P2 pe pozitiile din mijloc.

Figura 11. Simularea raspunsului in frecventa al corectorului de ton cu P 1 si P2 pe pozitie

mediana
9

Simularea raspunsului in frecventa prezentat in figura 11 ne arata o amplificare de 3 la o

amplitudine de 0.1 V si raspuns uniform in banda de frecvente. In cazul frecventelor joase
este realizata o corectie fiziologica. Am marcat punctul median dintre amplitudinea
maxima si cea minima (am considerat intervalul de frecvente
10 Hz 100kHz in efectuarea mediei).

Figura 12. Simularea raspunsului in frecventa al corectorului de ton pe pozitia accentuare

joase.

Figura 13. Simularea raspunsului in frecventa al corectorului de ton pe pozitia atenuare

joase.

10

Figura 14. Simularea raspunsului in frecventa al corectorului de ton pe pozitia accentuare

inalte.

Figura 15. Simularea raspunsului in frecventa al corectorului de ton pe pozitia atenuare

inalte.
Simularile din figurile 12 15 arata accentuarea si atenuarea frecventelor joase si a celor
inalte cu aproximativ 12 dB fata de pozitia mediana de la 0.3V. Am marcat punctul
considerat in diagrama Bode de la dimensionarea retelei de reactie ( figura 5 ).

8. Sursa de alimentare
Alimentarea preamplificatorului audio corector de ton se face utilizand stabilizatorul din
figura 16 alcatuit dintr-un tranzistor regulator serie T1 si un amplificator de eroare realizat
cu tranzistorul T2. Diodele D1, D2 realizeaza o prestabilizare a tensiunii de alimentare a
amplificatorului de eroare, iar dioda D3 realizeaza tensiunea de referinta.
Conform temei de proiectare variatiile tensiunii de alimentare sunt de 10%. Pentru o
tensiune medie la iesirea redresorului VR=30 V rezulta tensiunea maxima si minima la
iesirea redresorului VRM=33V si VRm = 27V.

Figura 16. Schema electronica a stabilizatorului pentru preamplificatorul audio corector de

ton.
Curentul de alimentare pentru doua canale ale amplificatorului corector de ton cu
tranzistoare se estimeaza la 2*3 mA 10 mA.
Tensiunea de iesire a stabilizatorului este de 25 Vcc.
11

Proiectarea stabilizatorului
Alegerea tranzistorului regulator serie
Se alege tranzistorul T1=BD135 cu urmatorii parametri:
VCE0 = 80V
VCER = 100V
VEB0 = 5V
h21E = 50 200

IC = 1A
ICM = 1.5A
IB = 0.2A
Tj = 150C

Ptot = 12.5W
fT = 50 MHz
Rthj-C 10C

PSF-ul tranzistorului T1 este IC=10 mA, VCE = 5V pentru care h21e>100.

Alegerea diodelor stabilizatoare D1, D2 = BZ-130 care au urmatorii parametri:
RS = 0.001

CJ0 = 1*

Vj = 0.75

ISR = 3.997*

IBV = 0.1293

M = 0.3333
BV=13.05

TT = 144.3*

Curentul maxim prin dioda este

, iar pentru curentul minim se

alege
Im = 0.5 mA > IBV = 0.1293 mA.
Curentul de baza al tranzistorului T1 este
Din considerente de stabilitate se alege curentul prin R 2 mult mai mare ca IB1 respectiv IR2
= 1 mA >0.1mA = IB1
Dimensionarea rezistentei R1
Dimensionarea rezistentei R1 se face astfel ca la tensiunea de intrare minima aceasta sa
asigure functionarea diodei zener la Im = 0.5 mA > IBV = 0.1293 mA.
Se va opta pentru R1 = 1k.
In conditiile in care tensiunea de intrare este maxima curentul prin dioda zener nu trebuie
sa depaseasca curentul maxim admisibil.

Dimensionarea rezistentei R2

Se opteaza pentru R2 = 300 .

Verificarea puterii disipate de tranzistorul serie T1
Pentru verificarea puterii disipate de T1 in cazul cel mai defavorabil calculam tensiunea
colector-emitor, cand prin diodele D1, D2 trece curentul maxim de 7.7 mA. In aceasta
situatie tensiunea pe rezistenta R 1 este VR1 = 7.7 V iar tensiunea pe rezistenta R 2 este VR2
= 0.7 mA * 0.33 k = 0.23 V. Deoarece VCB = VR1 + VR2 rezulta
Pd = VCE * IC = 8.63 V * 10 mA = 86.3 mW < puterea disipata fara radiator = 2W.
12

Alegerea diodei stabilizatoare D3

Se alege dioda D3 = BZ-056 care are urmatorii parametri:
RS = 0.455
CJ0 = 1*
M = 0.3333
Vj = 0.75
IBV = 0.04311

ISR = 7.539*

BV=5.009

TT = 144.5*

Curentul maxim prin dioda este

, iar pentru curentul minim se

alege
Im = 1 mA > IBV = 0.04311 mA.
Dimensionarea rezistentei R3
R3=(V0-VD3)/Im=20V/1mA=20K
Dimensionarea rezistentelor R4, R5
Caderea de tensiune pe rezistenta R5 este:
VR5=V0*R5/(R5+R4)=(VZD3+VBE2) de unde rezulta R4=R5V0/(VZD3+VBE2)-1=3,386R5
Se alege curentul prin divizorul format de R 4 si R5 de aproximativ 1 mA si R4=18,1K de
unde rezulta R5=5,2K
Alegerea tranzistorului T2
Se alege tranzistorul T2 = BC107 cu urmatorii parametri:
VCE0=45V
IC=100mA
Ptot = 300mW
VCER = 50V
Rthj-C 200C
h21E = 90
Tj = 175 C
PSF-ul tranzistorului T2 este IC2 1mA si VCE2 = VO + VBE1 VZD3 = 25+0.7-5 =20,7
Puterea disipata de tranzistorul T2 este:
Pd = VCE2 * IC2 = 20.7 V * 1mA = 20.7 mW << 300mW.
Randamentul stabilizatorului:
Curentul de intrare in stabilizator este:
II = I0 +( IDZ1,DZ2 + IR2 )+ IDZ3 + IR4,R5 = 10 +3.74 + 0.7 + 1+1 = 16.1 mA

Rezistenta de iesire a stabilizatorului

Parametrii de regim alternativ ai tranzistoarelor sunt:

T1

13

Calculul rezistentei de iesire se face considerand intrarea referinata de tensiune si tratand

stabilizatorul ca un amplificator cu reactie negativa ca in figura 17.

Figura 17. Circuitul de curent alternativ cu V Z3 la intrare

fv=R5/(R5+R4)=5,2/(23,3)=0,22

Transmisia pe bucla este :

T = av*fv = 5 * 0.22 = 1,1
Rezistenta de iesire in bucla deschisa este:

Rezistenta de iesire cu reactie este:

R0=r0/(1+T)=2,7
Coeficientul de stabilizare cu tensiunea
Calculul coeficientului de stabilizare se face pe circuitul figura 18.

Figura 18. Circuitul pentru calculul coeficientului de stabilizare

14

Simularea stabilizatorului
Simuarea stabilizatorului s-a facut pentru o tensiune de intrare de 30Vcc din punct de
vedere al punctului static de functionare (figura 19) si cu baleiajul tensiunii de intrare in
domeniul VI = 1 40 Vcc in figura 20.
Se observa o buna concordanta a PSF-urilor simulate cu cele calculate atat la V I = 30 Vcc
in figura 19 cat si la valorile extreme ale tensiunii de intrare respectiv V I = 27 Vcc in figura
21 si la VI = 33 Vcc in figura 22.
La simularea cu baleiajul tensiunii la intrare (figura 20) se ibserva stabilizarea tensiunii la
iesire la tensiuni mai mari ca 26 V cand tensiunea in baza tranzistorului T1 devine mai
mare ca tensiunea VO + VBE = 25.7V.

Figura 19. Simularea PSF-ului la VI = 30 V

Figura 20. Simularea stabilizatorului cu baleiajul tensiunii V I

15

Figura 21. Simularea PSF-ului la VI = 27 V

Figura 22. Simularea PSF-ului la VI = 33 V

9. Lista componentelor
Lista componentelor preamplificatorului audio corector de ton:
2
1
1
1
2

CAPACITOR,
CAPACITOR,
CAPACITOR,
CAPACITOR,
CAPACITOR,

22F/25V
1F/10V
16F/10V
100nF
4.7F/10V

2 CAPACITOR, 2.2nF
2 CAPACITOR, 33nF
POTENTIOMETER_RATED,
1 25k

POTENTIOMETER_RATED,
1 100k

C6, C7
C4
C5
C1
C2, C3
C10,
C11
C8, C9

1 RESISTOR_RATED, 2.4k
1 RESISTOR_RATED, 10k
2
1
1
3

P1
16

RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,

8.2k
1M
200k
100k

P2
R17
R160
R14,
R15
R8
R9
R2,R5,R

1
1
1
1
1
1
1
1
1

RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,
RESISTOR_RATED,

3 BJT_NPN, BC109BP

20k
6.2k
3k
2.5k
5.6k
360
120k
30k
1k

10
R11
R12
R13
R22
R6
R7
R3
R4
R1
T1, T2,
T3

17

Lista componentelor stabilizatorului:

1
1
1
1
1
1

RESISTOR,
RESISTOR,
RESISTOR,
RESISTOR,
RESISTOR,
RESISTOR,

300
3k
2.5k
2.2k
20k
1k

R2
R3
R6
R4
R5
R1

2 ZENER, BZX79-C13
1 ZENER, BZV60-B22

D1, D2
D3

1 BJT_NPN, BC109BP
1 BJT_NPN, BD135

T2
T1

Bibliografie BABARADA Florin, PROIECTAREA CIRCUITELOR ELECTRONICE DE

AUDIOFRECVENTA, ed. Printech, 2004

18