Curs CEF PDF

• Definiţii
• Parametrii
• Structură. Cuplaje
• Clasificări
Capitolul 1
Amplificatoare electronice
În mod uzual, familia amplificatoarelor ocupă un loc central în clasa circuitelor

electronice. Există trei motive care justifică această afirmaţie:
1. Diversitatea topologică a familiei;
2. Numărul practic nemărginit al aplicaţiilor;
3. Preluarea unor structuri topologice din familia amplificatoarelor in alte
familii constituente ale clasei circuitelor electronice (oscilatoare
stabilizatoare etc.).
Pornind de la acest rol central este uşor de observat că tehnicile de analiză care sunt
dezvoltate în cadrul acestei familii se pot generaliza şi pentru celelalte familii. Astfel
devine necesar ca studiul amplificatoarelor să preceadă studiul celorlalte familii.
Aceste este motivul pentru care în prezenta lucrare primele capitole sunt dedicate
exclusiv amplificatoarelor electronice.
Structura acestui capitol este următoarea:
Subcapitolul 1 introduce definiţiile uzuale în teoria amplificatoarelor. În acelaşi timp,
după cum a fost amintit în introducere, prezenta lucrare analizează în principal
comportarea în regim static şi cvasistatic al circuitelor analizate. Implicaţia imediată a
acestei restricţii constă în faptul că nu se iau în considerare (într-o primă analiză)
efectele inductive şi capacitive. Astfel impedanţele devin rezistenţe. Mai mult chiar,
pentru a simplifica expunerea, definiţiile amintite se prezintă pentru regimul
cvasistatic de semnal mic şi ca atare s-a putut prelua formalismul matematic al
diporţilor liniari. Subcapitolul introduce următoarele concepte:
amplificatoare de tensiune,
amplificatoare de curent,
amplificatoare, transrezistenţă (transimpedanţă)
amplificare transconductanţă (transadmitanţă).
Subcapitolul 2 analizează parametrii esenţiali ai amplificatoarelor. Astfel se definesc:
rezistenţa (impedanţa) de intrare;
15
Amplificatoare Generalitãþi
rezistenţa (impedanţa) de ieşire

factorul de amplificare
banda de lucru;
gradul de distorsiuni;
Subcapitolul 3 este dedicat prezentării structurii amplificatoarelor. Sunt prezentate de
asemenea tehnicile uzuale de cuplare:
directă;
capacitivă;
prin transformator;
opto-electronica, etc.
Subcapitolul 4 prezintă clasificările uzuale în teoria amplificatoarelor. Astfel se
introduc conceptele de :
amplificator de semnal mic regim cvasistatic;
amplificator de semnal mic regim dinamic;
amplificator de semnal mare regim cvasistatic;
amplificator de semnal mare regim dinamic.
De asemenea este prezentată o clasificare funcţie de domeniul lor de lucru.
1.1. Definiţii
În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei bloc din figura
1.1
xi xo
a
Figura 1.1 Schema bloc a unui amplificator
unde:
xI – valoarea instantanee a semnalului de intrare sau excitaţie,
x0 – valoarea instantanee a semnalului de ieşire sau răspuns,
a – amplificarea amplificatorului (constantă).
În plus semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca formă de variaţie
în timp, iar puterea semnalului de ieşire trebuie să fie mai mare decât puterea
semnalului de intrare. Prima condiţie se poate rescrie:
xo (t)=xi(t-τ) (1.1)
unde τ reprezintă timpul de întârziere (timpul de tranzit al semnalului prin
amplificator).
16
Circuite electronice
Întrucât nu s-a specificat natura lui xI sau x0 , acestea pot reprezenta atât semnal de
tensiune cât şi de curent. Din acest punct de vedere se definesc patru tipuri distincte de
amplificatoare de electronice după cum urmează:
a.) Amplificator de tensiune. Pentru acest tip de amplificator atât semnalul de

excitaţie cât şi semnalului de răspuns reprezintă tensiuni. Adică:
Xi(t)=Ui(t) (1.2)
Xo(t)=Uo(t) (1.3)
ªi deci amplificarea se defineşte ca:

U
au = o (1.4)
Ui
Amintim că notaţia litera mare indice mic semnifică amplitudine de semnal. Acest
amplificator se modelează foarte comod prin utilizarea conceptului de sursă de
tensiune comandată în tensiune (figura 1.2)
+
Ui auUi Uo
Figura 1.2 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul de tensiune
În schemele reale modelul din figura 1.2 devine:
ro
+
Ui ri auUi Uo
Figura 1.3 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul de tensiune
Cu observaţia că rI are valori foarte mari în timp ce r0 este foarte mic.
b.) Amplificatorul de curent. Excitaţia acestui amplificator se face în curent iar

răspunsul este dat în curent. Deci:
Xi(t)=Ii(t) (1.5)
Xo(t)=Io(t) (1.6)
ªi prin urmare:
17
Io
ai = (1.7)
Ii
Amplificatorul se modelează cu ajutorul sursei de curent comandată în curent (figura
1.4 reprezintă acest model):
Ii Io
aiIi
Figura 1.4 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul de curent
Schema echivalentă reală este:
Ii Io
ri aiIi ro
Figura 1.5 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul de curent

cu observaţia că rI este foarte mic, iar r0 foarte mare.
c.) Amplificator transrezistenţă (transimpedanţă) În acest caz excitaţia

amplificatorului se face în curent, iar răspunsul se dă în tensiune, adică:
Xi(t)=Ii(t) (1.8)
Xo(t)=Uo (t) (1.9)
Ca atare:
Uo
az = (1.10)
Ii
Amplificatorul se modelează cu ajutorul conceptului de sursă de tensiune comandată în
curent ca în figura 1.6.
Ii
+
azIi Uo
Figura 1.6 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul transrezistenţă
Modelul real este prezentat în figura 1.7.
18
Ii ro
+
rπ azIi Uo
Figura 1.7 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul transrezistenţă
În acest caz atât r I cât şi r0 au valori foarte mici. Este interesant de observat az se
măsoară în ohmi.
d.) Amplificator transconductanţă (transadmitanţă). În acest caz excitaţia se face în

tensiune dar răspunsul se dă în curent. Deci:
Xi(t)=Ui(t) (1.11)
Xo(t)=Io(t) (1.12)
Rezultă:
Io
ay = (1.13)
Ui
Amplificatorul transconductanţă de modelează comod cu ajutorul conceptului de sursă
de curent comandată în tensiune. Figura 1.8 reprezintă un astfel de model:
Io
Ui ayUi
Figura 1.8 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul transadmitanţă
Figura 1.9 reprezintă schema echivalentă pentru amplificatoarele transadmitanţă reale:
Io
Ui ri ayUi ro
Figura 1.9 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul transadmitanţă
În acest caz atât rI cât şi r0 au valori foarte mari. De această dată ay se măsoară în
siemensi.
Unităţile de măsură pentru factorii de amplificare. După cum se observă az şi ay au
ca unităţi de măsură unităţile de măsură ale rezistenţei (ohm) respectiv unităţile de
19
măsură ale conductanţei (siemens). Relaţiile 1.4 respectiv 1.7 pun în evidenţă faptul că
atât amplificarea în tensiune cât şi amplificarea în curent sunt mărimi adimensionale.
Totuşi în practică, pentru aceste mărimi, se folosesc unităţi de măsură logaritmice cum
ar fi belul sau neperul.
Belul este definit ca fiind logaritmul zecimal al raportului a două puteri când acest
raport este egal cu 10. De obicei se utilizează un submultiplu al acestuia şi anume
decibelul. Astfel:
Gp [dB] = 10 lg a p (1.14)
unde
Gp câştigul în putere
ap amplificarea în putere
Din (14) rezultă imediat:
Gu [dB] = 20 lg a u (1.15)
Gi [dB] = 10 lg a i (1.16)
cu notaţiile:
Gu câştig în tensiune
Gi câştig în curent
Algoritm de identificare al clasei de apartenenţă pentru amplificatoarele reale. În
situaţiile reale semnalul de intrare este generat de surse de semnal a căror impedanţă
internă are o valoare finită. Aceste surse se pot modela Thevenin sau Norton ca în
figurile 1.10, respectiv 1.11
RS
+
ES RL
Figura 1.10 Sursă de comandă echivalată Thevenin
IS RS RL
Figura 1.11 Sursă de comandă echivalată Norton
20
Ţinând cont de schemele echivalente prezentate în figurile de mai sus se poate deduce
comod un algoritm de clasificare al etajelor utilizate în schemele reale după cum
urmează:
Rs<<ri şI ro<<RL amplificator de tensiune
Rs>>ri şI ro>>RL amplificator de curent
Rs>>ri şI ro<<RL amplificator transimpedanţă
Rs<<ri şI ro>>RL amplificator transadmitanţă
1.2. Parametrii amplificatoarelor
După cum s-a putut observa în subcapitolul precedent pentru a modela un amplificator
este necesar ca să se cunoască:
• rezistenţa de intrare
• rezistenţa de ieşire
• funcţia de transfer funcţie de tipul amplificatorului
cu menţiunea că în regim dinamic rezistenţele devin impedanţe, iar funcţiile de
transfer devin complexe. Pentru această din urmă situaţie, întrucât în structura unui
amplificator există în mod necesar elemente reactive (condensatoare sau bobine)
parametrii menţionaţi variază funcţie de frecvenţă. Totuşi, în cele mai multe cazuri se
pot defini anumite domenii de frecvenţă, (benzi de lucru) pentru care parametrii
respectivi pot fi aproximaţi cu constante. Legat de acest lucru se definesc aşa numitele
distorsiuni de liniaritate. În plus, întrucât elementele active din compunerea unui
amplificator sunt puternic neliniare, semnalul procesat de ele va fi de asemenea
deformat. Acest lucru generează distorsiuni neliniare. Aceste observaţii completează
tabloul parametrilor de interes pentru amplificatoare. Rezumând, principalii ai
amplificatoarelor sunt:
• factorul de amplificare
• frecvenţele superioare şi inferioare de lucru
• nivelul de distorsiuni
Definirea parametrilor. Se vor prezenta definiţiile pentru regimul cvasistatic de
semnal mic. Rezistenţa de intrare, rezistenţa de ieşire precum şi imitanţa de transfer se
definesc în conformitate cu teoria cuadripolilor liniari.
a). Rezistenţa de intrare, rezistenţa de ieşire şi imitanţa de transfer.
Se vor prezenta definiţiile acestor parametrii pentru fiecare tip de amplificator
21
a1 ). Amplificator de tensiune.
Reprezentare de cuadripol. Se utilizează parametrii g definiţi de ecuaţiile:
I1=g11 U1+g12 I2 (1.17)
U2=g21U1+g22I2 (1.18)
Sau mai explicit:
I1
g11 = (1.19)
U1
I2 = 0
I1
g 12 = (1.20)
I2
U1 = 0
U2
g 21 = (1.21)
U1
I2 = 0
U2
g 22 = (1.22)
I2
U1 = 0
Schema echivalentă este prezentată în figura 1.10
I1 g11 g12U1 g21U1 g22 I2

+
U1 U2
Figura 1.10 Cuadripol reprezentat cu parametrii g
Întrucât într-un amplificator informaţia circula numai într-un singur sens şi anume de
la intrare la ieşire, se impune condiţia:
g12=0. (1.23)
Se obţine schema echivalentă din figura 1.11. Comparând schema din figura 1.11 cu
cea din figura 1.3 se identifica imediat:
ri=g11 (1.24)
ro=g22 (1.25)
22
au=g21 (1.26)
g11 g21U1 g22

I1 I2
+
U1 U2
Figura 1.11 Cuadripol unilateral reprezentat cu parametrii g
şi astfel se determină condiţiile de calcul pentru parametrii analizaţi. Astfel, rezistenţa

de intrare se calculează în condiţiile:
U1
rin = (1.27)
I1
I2 = 0
rezistenţa de ieşire:
U2
ro = (1.28)
I2
U1 = 0
iar factorul de amplificare în tensiune:
U2
au = (1.29)
U1
I2 = 0
În concluzie, pentru calculul (sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

amplificării în tensiune se foloseşte montajul:
It
+
Ut au Ur
-
Figura 1.12 Introducerea sursei de test pentru calculul rezistenţei de intrare şi a amplificării de tensiune în
cazul amplificatoarelor de tensiune
Se constată introducerea unei surse de test la intrare în condiţiile în care ieşirea se lasă
în gol. Cele două mărimi se calculează conform relaţiilor:
23
Ut
rin = (1.30)
It
Ir = 0
Ur
au = (1.31)
Ut
Ir = 0
Rezistenţa de ieşire se determină folosind montajul:
+
Cs au Ut It
-
Figura 1.13 Introducerea sursei de test pentru calculul impedanţei de ieşire în cazul amplificatoarelor de
tensiune
De asemenea se introduce o sursă de test dar acesta trebuie să fie de curent, iar intrarea
se pune în scurt. Rezistenţa de ieşire se calculează (măsoară) conform relaţiei:
Ut
ro = (1.32)
It
Uin = 0
unde:
Cs condensator care asigură scurcircuitarea în curent alternativ a
intrării.
Ur tensiune de răspuns la excilaţia test
Ir curent de răspuns la excilaţia test
a2 ). Amplificator de curent.
Reprezentare de cuadripol. Se utilizează parametrii h definiţi de ecuaţiile:
U1=h11 I1+h12 U2 (1.33)
I2=h21 I1+h 22U2 (1.34)
Sau mai explicit:
U1
h11 = (1.35)
I1
U2 = 0
24
U1
h12 = (1.36)
U2
I1 = 0
I2
h 21 = (1.37)
I1
U2 = 0
I2
h 22 = (1.38)
U2
I1 = 0
h11 h12U2 h21I1 h22

I1 I2
+
U1 U2
Figura 1.14 Cuadripol reprezentat cu parametrii h
Schema echivalentă este prezentată în figura 1.14.

Ţinând cont că amplificatorul este un diport unilateral se impune condiţia:
h 12=0. (1.39)
Se obţine schema echivalentă din figura 1.14
I1 h11 h21I1 h22 I2
U1 U2
Figura 1.14 Cuadripol unilateral reprezentat cu parametrii h
Comparând schema din figura 1.14 cu cea din figura 1.5 se identifica imediat:
ri=h 11 (1.40)
ro=h 22 (1.41)
ai=h 21 (1.42)
25
U1
rin = (1.43)
I1
U2 = 0
U2
ro = (1.44)
I2
I1 = 0
iar factorul de amplificare în curent:
I2
ai = (1.45)
I1
U2 = 0
În concluzie, pentru calculul (sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

amplificării în tensiune se foloseşte montajul:
Ir
+
It Ut ai Cs
Figura 1.15 Introducerea sursei de test pentru calculul rezistenţei de intrare şi a amplificării de curent în cazul
amplificatoarelor de curent
Se constată introducerea unei surse de curent de test la intrare în condiţiile în care

ieşirea se scurtcircuitează. Cele două mărimi se calculează conform relaţiilor:
Ut
rin = (1.46)
It
Ur = 0
Ir
ai = (1.47)
It
Ur = 0

It
+
Ur ai Ut
-
Figura 1.16 Introducerea sursei de test pentru calculul impedanţei de ieşire în cazul amplificatoarelor de curent
26
De asemenea se introduce o sursă de test dar acesta trebuie să fie de tensiune, iar
intrarea se lasă în gol. Rezistenţa de ieşire se calculează (măsoară) conform relaţiei:
Ut
ro = (1.48)
It
Iin = 0
Notaţiile sunt cele clasice.

a3). Amplificator transimpedanţă.
Reprezentare de cuadripol. Se utilizează parametrii z definiţi de ecuaţiile:
U1 =z11I1 +z12I2 (1.49)
U2 =z21I1 +z22I2 (1.50)
Sau mai explicit:
U1
z 11 = (1.51)
I1
I2 = 0
U1
z 12 = (1.52)
I2
I1 = 0
U2
z 21 = (1.53)
I1
I2 = 0
U2
z 22 = (1.54)
I2
I1 = 0
Schema echivalentă este prezentată în figura 1.17
I1 z11 z12I2 z21I21 z22 I2

+ +
U1 U2
- -
Figura 1.17 Cuadripol reprezentat cu parametrii z

Condiţia de unilateralitate este:
z12=0. (1.55)
27
şi deci 1.17 se redesenează ca în 1.18

z11 z21I21 z22
I1 I2
+
U1 U2
Figura 1.18 Cuadripol unilateralizat reprezentat cu parametrii z
ri=z11 (1.56)
ro=z22 (1.57)
az=z21 (1.58)
U1
rin = (1.59)
I1
I2 = 0
U2
ro = (1.60)
I2
I1 = 0
iar amplificarea transimpedanţă:
U2
az = (1.61)
I1
I2 = 0
În concluzie, pentru calculul ( sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

amplificării transimpedanţă se foloseşte montajul:
+
It Ut az Ur
-
Figura 1.19 Introducerea sursei de test pentru calculul rezistenţei de intrare şi a amplificării transimpedanţă în
cazul amplificatoarelor transimpedanţă
28

ieşirea se lasă în gol. Cele două mărimi se calculează conform relaţiilor:
Ut
rin = (1.62)
It
Ir = 0
Ur
az = (1.63)
It
Ir = 0
+
Ur az Ut It
-
Figura 1.20 Introducerea sursei curent de test pentru calculul impedanţei de ieşire în cazul
amplificatoarelor transimpedanţă
De asemenea se introduce o sursă de curent test, iar intrarea se lasă în gol. Rezistenţa
de ieşire se calculează (măsoară) conform relaţiei:
Ut
ro = (1.64)
It
Iin = 0
a4). Amplificator de transadmitanţă.

Reprezentare de cuadripol. Se utilizează parametrii y definiţi de ecuaţiile:
I1=y11U1 +y12U2 (1.65)
I2=y21U1 +y22U2 (1.66)
Sau mai explicit:
I1
y 11 = (1.67)
U1
U2 = 0
I1
y 12 = (1.68)
U2
U1 = 0
29
I2
y 21 = (1.69)
U1
U2 = 0
I2
y 22 = (1.70)
U2
U1 = 0
Schema echivalentă este prezentată în figura 1.21:
I1 y11 y12U2 y21U1 y22 I2
U1 U2
Figura 1.21 Cuadripol reprezentat cu parametrii y
Condiţia de unilateralitate este:

y12=0. (1.71)
şi deci 1.21 se redesenează ca în 1.22
y11 y21U1 y22
I1 I2
U1 U2
Figura 1.22 Cuadripol unilateralizat reprezentat cu parametrii y
ri=y11 (1.72)
ro=y22 (1.73)
ay=y21 (1.74)
U1
rin = (1.75)
I1
U2 = 0
30
U2
ro = (1.76)
I2
U1 = 0
iar amplificarea transimpedanţă:
I2
ay = (1.77)
U1
U2 = 0
În concluzie, pentru calculul ( sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

amplificării transadmitanţă se foloseşte montajul:
It Ir
+
Ut ay Cs
Figura 1.23 Introducerea sursei de test pentru calculul rezistenţei de intrare şi a amplificării
transadmitanţă în cazul amplificatoarelor transadmitanţă

ieşirea se lasă în gol. Cele două mărimi se calculează conform relaţiilor:
Ut
rin = (1.78)
It
Ur = 0
Ir
ay = (1.79)
Ut
Ur = 0

Ir It
+
Cs ay Ut
-
Figura 1.24 Introducerea sursei de test pentru calculul impedanţei de ieşire în cazul amplificatoarelor
transadmitanţă
De asemenea se introduce o sursă de curent de test, iar intrarea se scurtcircuitează.

Rezistenţa de ieşire se calculează (măsoară) conform relaţiei:
31
Ut
ro = (1.80)
It
Uin = 0
b) Frecvenţele superioare şi inferioare de lucru

Pentru determinarea acestor mărimi trebuie să se ţină seama de aşa numitele efecte de
ordin doi efecte introduse de prezenţa capacităţilor în montaje. Astfel spus, de această
dată trebuie ţinut cont de defazajele curent-tensiune din schemele reale. Aceasta
impune reprezentarea în complex a curenţilor şi tensiunilor. Astfel toţi factorii de
amplificare (funcţii de transfer) devin la rândul lor mărimi complexe. Acest tip de
analiză se face în general asupra amplificării în tensiune. Reprezentând grafic legătura
dintre modulul acestei amplificări şi frecvenţă precum şi legătura dintre argumentul
acestei funcţii şi frecvenţă se obţin aşa numitele caracteristici de frecvenţa ale
circuitului. Dacă frecvenţa şi modulul sunt reprezentări pe scări logaritmice aceste
diagrame poartă denumirea de diagrame Bode. Se cunosc două diagrame Bode:
• diagrama amplitudine-frecvenţă
• diagrama fază-frecvenţă
Mărginindu-ne numai la prima diagramă, pentru un amplificator de tensiune ea arată
ca în figura (1.18)
audB
ln f
Frecvenþa inferioarã Frecvenþa superioarã
Figura 1.25 Alura generală a caracteristicii amplitudine-frecvenţă
Se observă din această figură că atât frecvenţa de jos cât şi cea de sus se definesc în
punctele în care această caracteristică “cade cu 3dB. Tot cu ajutorul acestei figuri se
mai defineşte banda de lucru a amplificatorului ca fiind:
B=fs-fj (1.81)
unde:
B banda de lucru
fj frecvenţa inferioară de lucru;
fs frecvenţa superioară de lucru
c) Nivelul distorsiunilor.
32
A fost menţionat că într-un amplificator se produc două tipuri de distorsiuni:

distorsiuni neliniare datorate neliniarităţii caracteristicilor statice ale
elementelor active;
distorsiuni liniare datorate neuniformităţii caracteristicilor amplitudine-
frecvenţă, respectiv fază-frecvenţă
Distorsiunile liniare se pot, de asemenea împărţi în două categori:
distorsiuni de amplitudine datorate amplificării inegale a spectrului
semnalului aplicat la intrare;
distorsiuni de fază datorate modificării relaţiei de fază între componentele
spectrale ale semnalului aplicat la intrare.
Tehnica de determinare a lor porneşte de la observaţia că dacă la intrarea unui
amplificator se aplică un semnal de forma:
u in = Uin sin ωt , (1.82)
la ieşire rezultă:
uo = Uo sin ωt + U′o sin 2ωt + U′o′ sin 3ωt + ... (1.83)
În aceste condiţii factorul de distorsiuni se defineşte:
U′o2 + U′o′ 2 + ...

δ= 100[%] (1.84)
Uo
1.3. Structura amplificatoarelor. Cuplaje.
În principiu orice amplificator electronic este alcătuit din mai multe blocuri
componente cunoscute în literatura de specialitate sub denumirea de etaje de
amplificare. În marea majoritate a cazurilor un asemenea etaj conţine unul sau cel mult
două elemente active (tranzistoare). Această soluţie a fost impusă de faptul că este
practic imposibil ca prin utilizarea unui singur element activ să se obţină
performanţele care sunt de obicei impuse unui amplificator. Trebuie spus că în general
etajul de intrare al unui amplificator are rolul de asigura valoarea impusă pentru
impedanţa de intrare, etajul de ieşire are rolul de asigura valoarea necesară a
impedanţei de ieşire în timp ce etajele intermediare asigură coeficientul de amplificare.
Legătura dintre aceste etaje – sau astfel spus, cuplajul lor – se poate realiza în mai
multe feluri. O primă soluţie este prezentată în figura 1.26. Acest tip de cuplaj se
numeşte cuplaj direct. Caracteristica lui constă în faptul că etajele sunt cuplate atât din
vedere continuu cât şi alternativ. Este mult utilizat.
33
U’ U’’
Uin au1 au2 au3 Uo
Figura 1.26 Cuplaj direct între etaje
O a doua soluţie denumită cuplaj capacitiv sau cuplaj RC, este prezentată în figura
1.27
C’ C’’
Uin au1 au2 au3 Uo
Figura 1.27 Cuplaj RC
unde C’, C’’, sunt condensatoare de cuplaj.

Acest tip de conectare se caracterizează prin faptul că asigură cuplarea etajelor numai
din punctul de vedere al semnalului (alternativ) dar în acelaşi timp le separă din punct
de vedere continuu. De altfel condensatoarele sunt astfel dimensionate încât să se
comportă ca un scurtcircuit la frecvenţa de lucru. Este intens utilizat.
Un al treilea tip de cuplaj este cuplajul inductiv (prin transformator). Ca şi cuplajul
Tr1 Tr2
Uin au1 au2 au3 Uo
Figura 1.28 Cuplaj inductiv
capacitiv acest cuplaj (figura 1.28) separă etajul din punct de vedere al componentei
continue dar lasă să treacă componenta de semnal. Este puţin utilizat şi numai în
situaţii speciale.
În literatura de specialitate sunt prezentate şi alte tipuri de cuplaje (optoelectronice,
electromagnetice etc.), însă domeniul de aplicaţie este strict limitat.
1.4. Clasificări
Există trei criterii principale care sunt utilizate pentru clasificarea amplificatoarelor :
• mărimea semnalului procesat
• frecvenţa de lucru
• mărimea benzii de frecvenţe
a) Funcţie de mărimea semnalului procesat amplificatoarele se împart în:
• amplificatoare de semnal mic caracterizate de faptul că
34
dispozitivele active lucrează în condiţii de semnal mic;

amplificatorul funcţionează liniar;
analiza lor se face utilizând modele de semnal mic pentru dispozitivele
active
• amplificatoare de semnal mare caracterizate de faptul că
dispozitivele active lucrează neliniar;
se folosesc tehnici speciale pentru limitarea distorsiunilor;
analiza lor se face utilizând modele neliniare de semnal mare.
b) Funcţie de frecvenţa de lucru există :
• amplificatoare care lucrează în domenii static şi cvasistatic (amplificatoare de
curent continuu şi amplificatoare de joasă frecvenţă); pentru analiza lor;
elementele active se modelează folosind scheme echivalente caracteristice
regimului cvasistatic
• amplificatoare care lucrează în regim dinamic (frecvenţe foarte înalte); pentru
analiza lor dispozitivele active se modelează folosind schemele echivalente
caracteristice regimului dinamic
Observaţie: Combinând cele două criterii se ajunge la următoarele clasificări :
1. amplificator de semnal mic regim cvasistatic
2. amplificatoare de semnal mare regim cvasistatic
3. amplificator de semnal mic regim dinamic
4. amplificatoare de semnal mare regim dinamic
Prezenta lucrare analizează în principal amplificatoarele din prima şi a doua clasă, şi
punctual pe cele din clasa a treia.
c) Funcţie de mărimea benzii de frecvenţă se utilizează următoarea împărţire:
• amplificatoare de bandă largă; se mai întâlnesc sub denumirea de
amplificatoare de impulsuri sau amplificatoare de video frecvenţă; sunt
utilizate la prelucrări de semnale video în special.
• amplificatoare de bandă îngustă; se mai numesc amplificatoare acordate, sau
amplificatoare de radio frecvenţă; utile la procesarea semnalelor de bande
înguste sau filtrare.
În literatura de specialitate se mai întâlnesc denumirile de amplificator audio utilizate
pentru amplificarea semnalelor din acest domeniu. Banda lor ajunge până la 20 KHz –
22 KHz dar uzual se opreşte la 15 KHz, precum şi cel de amplificator de curent
continuu util pentru amplificarea semnalelor lent variabile sau de curent continuu.
35
• Etaje fundamentale
• Emitor comun
• Bază comună
• Colector comun
• Etaje compuse
• Etaj colector comun-
emitor comun
• Etaj Darlington
• Etaj cascodă
• Etaj diferenţial
Capitolul 2
Amplificatoare de semnal mic,

bandă largă
În gama circuitelor de amplificare, amplificatoarele de semnal mic ocupă un loc
privilegiat prin mulţimea aplicaţiilor în care se întâlnesc. Analiza relaţiei (1.1) pune în
evidenţă faptul că proporţionalitatea dintre semnalul de ieşire şi semnalul de intrare
poate fi asigurată numai în condiţiile în care amplificatorul lucrează liniar. Este bine
cunoscut că acest lucru se întâmplă numai în condiţii de semnal mic. Studiul
comportării principalelor tipuri de etaje de amplificare în acest regim este utilă atât ca
scop în sine (în sensul că în multe aplicaţii etajele lucrează realmente în condiţii de
semnal mic) cât şi ca termen de comparaţie în studiul regimului de semnal mare pentru
aceleaşi tipuri de etaje.
Capitolul este constituit din două părţi mari. Prima parte prezintă etajele fundamentale
(emitor comun, colector comun şi bază comună), în timp ce partea a doua este dedicată
etajelor compuse.
2.1 Etaje fundamentale
Literatura de specialitate desemnează ca etaje fundamentale etajele emitor comun, bază

comună şi colector comun.1
1
Prezentarea ce urmeazã reprezintã o prelucrare a prezentãrii fãcute în subcapitolul 4 al lucrãrii
“Componente ºi dispozitive electronice” de acelaºi autor.
37
Amplificatoare de semnal mic, bandã largã
2.1.1 Etaj emitor comun

În configuraţia emitor comun semnalul se aplică pe bază şi se culege din colector.
Emitorul este din punct de vedere alternativ la masă.
a.) schema uzuală este prezentată în figura 2.1
+EC
RB1
iIN
RC iO Io
Iin
RG
C2
+
C1
RL Uo
Ein
Uin
RB2 RE CE
-
Figura 2.1. Etaj emitor comun încărcat la intrare şi la ieşire
b.) rolul elementelor; notaţii folosite

Uin tensiune de intrare, valoare instantanee de semnal (componenta
alternativă de semnal mic)
Uo tensiune de ieşire, valoare instantanee de semnal (componenta
Iin curent de intrare, valoare instantanee de semnal (componenta
Io curent de ieşire, valoare instantanee de semnal (componenta
iIN curent de intrare, valoare instantanee totală (componentă continuă
plus componenta alternativă)
iO curent de ieşire, valoare instantanee totală (componentă continuă
plus componenta alternativă)
RC rezistenţă de sarcină
RB1;RB2 divizor de polarizare; asigură în bază potenţialul necesar funcţionării
în regiunea activă normală.
RE stabilizare termică.
C1;C2 condensatoare de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
CE condensator de declupare; în curent alternativ pune emitorul la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
Ein;RG echivalare Thevenin a etajului din faţă
RL rezistenţa de intrare în etajul următor
c.) analiza de semnal mic;
Scopul acestei analize este acela de a determina următorii parametri:
• amplificarea în tensiune
38
Uo
Au = (2.1)
Ein
U
Rin = in (2.2)
Iin
U
Ro = t (2.3)
It Ein =0
• amplificarea în curent
Io
Ai = (2.4)
Iin
S-au utilizat termenii de rezistenţă în locul celor de impedanţă întrucât se presupune

frecvenţa de lucru suficient de scăzută pentru ca efectele capacitive şi inductive să fie
neglijabile. De altfel acest punct de vedere se va păstra în continuare.
c1.) amplificarea în tensiune
Schema echivalentă de semnal mic regim cvasistatic a schemei electrice din figura 2.1
este:
IR
Iin RG
Ib Io
+
Ein Uin RB Ube gmUbe RLC Uo
rπ
-
Figura 2.2 Schema echivalentă de semnal mic a circuitului din figura 2.1
S-a folosit notaţia:

RB = RB1 RB 2 (2.5)
şi:
R LC = RL R C (2.6)
Calculul lui Au poate începe prin estimarea lui Uo:

Uo =-gmUbeRLC (2.7)
dar:
rπ RB
Ube = Ein (2.8)
RG + rπ RB
Înlocuind (2.8) în (2.7) şi ţinând cont de (2.1) se obţine:
39
rπ RB
Au = − gmRLC (2.9)
RG + rπ RB
Formula (2.9) poate fi simplificată dacă se ţine cont de faptul că:

RB>>rπ (2.10)
(2.9) se rescrie:
rπ
Au = − gmRLC (2.11)
RG + rπ
Dacă RG este suficient de mic

RG<< rπ (2.12)
astfel încât etajul care atacă să poată fi considerat generator de tensiune şi (2.9) devine:
Au = − gmR LC (2.13)
Aceasta este expresia finală ce trebuie reţinută.

c2.) rezistenţa de intrare.
Calcului se face tot cu ajutorul schemei echivalente din figura 2.2. Observând că:
Uin =Iin(rπ ║ RB) (2.14)
şi comparând cu (2.2) rezultă:
Rin=rπ ║ RB (2.15)
Dacă este valabilă condiţia:
RB>> r π (2.16)
atunci
Rin≅ rπ (2.17)
+EC
c3.) rezistenţa de ieşire RB1
RC It
După cum se poate observa din (2.3) calculul
rezistenţei de ieşire presupune introducerea RG
C2
+
unui generator de test la ieşire în condiţiile în +
C1
Etn Ut
care intrarea este pasivizată. Se obţine schema Ein Cp
RB2 RE CE
din figura 2.3 Cs are rolul de a asigura -
-
scurtcircuitarea intrării în curent alternativ.

Schema echivalentă în semnal mic este
prezentată în figura 2.4. Este uşor de văzut că Figura 2.3. Schemă utilă la calculul lui Ro.
această schemă se reduce la cea din figura 2.5
întrucât:
40
Ube=0 (2.18)
B C Io Io
+ +
RB rπ Ube gmUbe RC Uo RC Uo
- -
E
Figura 2.5
Figura 2.4
Se observă imediat că
Ro =Rc (2.19)
Relaţia (2.18) nu ţine cont de rezistenţa de ieşire a tranzistorului bipolar rezistenţă ce
“apare” în paralel pe rezistenţa RC. Valoarea ei este în mod uzual mult mai mare decât
valoarea lui RC, astfel că (2.19) este suficient de exactă.
c4.) amplificarea în curent
Pentru calcului amplificării în curent se pot folosi rezultatele obţinute până acum.
Calculul se face cu ajutorul schemei din figura 1.1. Trebuie observat:
Uo
Io= (2.20)
RL
resspectiv:
Ein
Iin = (2.21)
R G + (rπ RB )
Împărţind (2.20) la (2.21) şi reamintind definiţiile (2.1) şi (2.4) se obţine:

R G + (rπ RB )
Ai = Au (2.22)
RL
Introducând în această relaţie expresia amplificării în tensiune (2.9) se ajunge la

expresia:
gmR LC RG + rπ RB
Ai = − (2.23)
rπ RL
R G + rπ
În condiţiile în care (2.10) şi (2.12) sunt valabile (2.23) devine:

gmrπRLC
Ai = − (2.24)
RL
Interesant de observat este ce se întâmplă cu valoarea acestei amplificări în condiţii de

scurtcircuit (RL=0). Introducând această condiţie în (2.23) se obţine:
41
Ai=gmrπ (2.25)
Amintind că:
gmrπ=β (2.26)
(2.25) devine:
Ai=β (2.27)
c5) comportarea în frecvenţă
Tipul de analiză prezentat până în acest moment nu a luat în considerare efectele
capacitive. Acest tip de analiză numit analiza la frecvenţe medii consideră
condensatoarele de cuplaj precum şi cele de decuplare scurtcircuit iar condensatoarele
parazite de tipul Cπ şi Cµ întrerupte. Trebuie însă specificat că orice analiză globală a
unui circuit de amplificare trebuie să determine şi răspunsul în frecvenţă al acelui
circuit. Calculele pentru determinarea acestui răspuns sunt în general laborioase.
Există însă anumite tehnici de estimare a frecvenţelor limită (superioară şi inferioară)
care presupun un efort considerabil mai mic. În continuare se va determina răspunsul
în frecvenţă prin calcul direct, ceea ce presupune calculul funcţiei de transfer şi
determinarea polilor, respectiv zerourilor acestei funcţii.
Ca funcţie de transfer se va alege amplificarea în tensiune. În prima etapă se va calcula
frecvenţa superioară de lucru, iar în cea de a doua etapă frecvenţa inferioară. Atât
frecvenţa superioară cât şi frecvenţa inferioară sunt definite ca frecvenţele la care
modulul funcţiei de transfer scade cu 3 dB.
Calculul frecvenţei superioare (fH). Calculul acestei frecvenţe se face pe aşa numita
schemă echivalentă de înaltă frecvenţă a circuitului. O asemenea schemă se
construieşte ţinând cont de efectul condensatoarelor parazite, dar considerând
condensatoarele de cuplaj şi decuplare scurtcircuit. Astfel schema din figura 2.1 se
modelează ca în figura 2.6. Se observă că sursa de la intrare a fost echivalată Norton.
IR Iπ B Iµ Cµ C Io
Iin
Uin R Cπ Ube gmUbe RLC Uo
E
Figura 2.6 Schema echivalentă de înaltă frecvenţă a circuitului din figura 2.1
unde:
R = RG RB rπ (2.28)
Ein
Iin = (2.29)
RG
Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine:
42
Iin=IR+Iπ+Iµ (2.30)
Iµ=gmUin+Io (2.31)
0=IRR-Uin (2.32)
1
0=Iπ -IRR (2.33)
sCπ
1 1
0=Uo-Iπ -Iµ (2.34)
sCπ sCµ
0=IoRLC-Uo (2.35)
Acest sistem de şase ecuaţii conţine şi şase necunoscute: Uin, IR, Iπ, Iµ Uo şi Io. Expresia
raportului dintre Uo şi Ein devine (se ţine cont şi de 2.29):
sCµ
1−
Uo gR R gm
= − m LC (2.36)
Ein RG 1+ s(CµRLC + CµR + CπR + gmRLCRCµ ) + s2RLCRCπCµ
Pentru frecvenţe joase prin înlocuirea lui R rezultă:
Uo gmRLCrπ
=− (2.37)
Ein RG + rπ
ω=0
rezultat identic cu cel obţinut în (2.11), ceea ce confirmă calculele. Se poate observa că
expresia (2.36) conţine un zero şi doi poli. Poziţia zeroului este dată de
gm
z1 = (2.38)
Cµ
iar poziţia polilor este:

Cµ (RLC + R + gmRLCR ) + CπR
p1 = − +
2RRLCCπCµ
(2.39)
[C (R ]
2
µ LC + R + gmRLCR ) + CπR − 4RRLCCπCµ
+
2RRLCCπCµ
p2 = − −
2RRLCCπCµ
(2.40)
[C (R ]
2
µ LC + R + gmRLCR ) + CπR − 4RRLCCπ Cµ
−
2RRLCCπ Cµ
43
Sub această formă expresiile polilor sunt complet inutilizabile. Din acest motiv
abordarea uzuală a determinării valorilor polilor pleacă de la ipoteza:
p 2 >> p1 (2.41)
Această ipoteză poartă numele de aproximaţia polului dominant şi este practic

întotdeauna valabilă în circuitele reale. De altfel această aproximaţie stă la baza unui
algoritm eficace de estimare a frecvenţelor limită pentru circuitele de amplificare. În
continuare însă, nu se dezvolta algoritmul amintit ci se va utiliza această aproximaţie
pentru a observa că numitorul lui (2.36) poate fi pus sub forma:
s s2
N( s ) ≅ 1− + (2.42)
p1 p 1p 2
Demonstraţia lui (2.42) este imediată. Numitorul amintit fiind o funcţie de grad doi se
poate scrie întotdeauna sub forma:
 s  s  1 1 1
N( s ) =  1−   1−  = 1− s +  + s 2 (2.43)
 p1   p2   p1 p2  p1p 2
Condiţia (2.41) simplifică termenul în s al lui (2.43) obţinându-se (2.42). Rezultatul

important al expresiei (2.42) este acela că polii pot fi calculaţi prin simplă identificare.
Astfel se obţine:
1 1
p1 = − (2.44)
R  R 
Cπ + Cµ (1+ gmRLC ) + LC 
 R 
 1 1 1 g 
p2 = −  + + + m  (2.45)
 RLCCµ RCπ RLCCπ Cπ 
În această etapă a calculului este important de estimat poziţia acestor puncte de interes
(zeroul şi cei doi poli) pe axa frecvenţelor. Astfel pentru a estima valoarea lui p1 se
consideră:
RG>>rπ (2.46)
RB>>rπ (2.47)
RLC→0 (2.48)
Pentru p1 se obţine:
1 1 ω
p1 ≅ ≅ ≅ T ≅ ωβ (2.49)
rπ (Cπ + Cµ ) rπCπ β
44
gm
Pentru a estima poziţia lui p2 trebuie observat că termenul din (2.45) este tocmai
Cπ
ωT. Deci p2 este mare decât ωT, fiind plasat la frecvenţe înalte. De asemenea valoarea
gm
, a zeroului îl plasează pe acesta în domeniul frecvenţelor înalte. Concluzionând,
Cµ
comportarea le frecvenţe înalte a etajului emitor comun este dată de poziţia polului
dominant. În principiu acest etaj poate lucra până la frecvenţe de ordinul lui fβ.
Frecvenţa maximă ce lucru depinde de sarcina etajului. Valori mari ale lui RL dau
valori mici pentru p1.
Figura 2.7 prezintă poziţia tipică a polilor şi zeroului pentru circuitul din figura 2.1.
Figura 2.8 prezintă alura caracteristicii discutată în domeniul frecvenţelor superioare.
Frecvenþa cores-
punzãtoare lui p1
jω Au
Planul s Frecvenþa cores-
dB punzãtoare lui z1
Frecvenþa cores-
punzãtoare lui p2
σ
p2 z1 p1
0.1MHz 1MHz 10 MHz 100MHz f
Figura 2.7 Figura 2.8
Calculul frecvenţei inferioare (fL). Calculul acestei frecvenţe se face pe aşa numita
schemă echivalentă de joasă frecvenţă. Figura 2.9 prezintă această schemă pentru
circuitul din figura 2.1. S-au omis condensatoarele C1 şi C2 întrucât sunt componente
de cuplaj deci nu fac parte propriu-zis din etaj, precum şi rezistenţele de polarizare,
acestea din urmă din dorinţa de a simplifica calculul. De asemenea s-a renunţat la
echivalarea Norton a sursei de intrare.
RG
B Ib C Io
rπ βIb RLC
+ E
Uo
Ein
- RE CE
Figura 2.9 Schema echivalentă de joasă frecvenţă a circuitului din figura 2.1
Introducând notaţia
45
RE
ZE = RE CE = (2.50)
1+ sRECE
se poate scrie:
Uo=-βRLCIb (2.51)
Ein=Ib(RG+rπ)+ZE(β +1)Ib (2.52)
Făcând raportul dintre (2.52) şi (2.51) şi introducând (2.50) se obţine pentru
amplificarea în tensiune expresia:
β RE (1+ sRECE )
Au = − (2.53)
[RG + rπ + (β + 1)RE ] + sRECE (RG + rπ )
Expresia (2.53) conţine un singur zero dat de:
1
z1 = − (2.54)
RECE
şi un singur pol a cărui expresie este:

RG + rπ + (β + 1)RE β
p1 = ≅− (2.55)
RECE (RG + rπ ) CE (RG + rπ )
Pentru valori normele ale rezistoarelor polul este situat mult mai sus în frecvenţă astfel
că alura caracteristicii în domeniul frecvenţelor mici va arăta ca în figura 2.10. Figura
2.11 prezintă alura generală a caracteristicii. Se poate observa că pentru joasă
β
frecvenţă este important numai polul p = − , iar pentru înaltă frecvenţă de
CE (RG + rπ )
asemenea numai polul dominat p ≅ ω β .
46
Concluzii: În urma acestei analize se

Au
desprind următoarele: dB
1. Amplificarea în tensiune a
etajului este mare ea
depinzând de valoarea
Frecvenþa cores-
sarcinii. punzãtoare lui p1
2. Amplificarea în curent este
f
de asemenea de valoare Frecvenþa cores-
ridicată, constatându-se punzãtoare lui z1
aceeaşi dependenţă de Figura 2.10 Alura caracteristicii de transfer la joasă
sarcină. frecvenţă
3. Impedanţa de intrare este
relativ scăzută fiind aproximativ rπ/ Acest lucru reprezintă un handicap
pentru etaj.
4. Impedanţă de ieşire este relativ mare fiind de ordinul lui RC. şi acest lucru
se constituie într-un handicap pentru etaj.
Au
dB
Frecvenþa cores- Frecvenþa cores-

punzãtoare punzãtoare
poluluiilui de polului de înaltã
joasã frecvenþã frecvenþã
Figura 2.11 Alura generală a caracteristicii de transfer
5. Etajul defazează semnalul la ieşire cu 1800.

6. Rezultatele obţinute permit construirea unei scheme echivalente a
etajului propriu-zis. O posibilă schemă echivalentă este prezentată în
figura 2.12. Ea a fost construită prin echivalarea Thevenin a etajului faţă
de poarta de intrare, respectiv ieşire.
RC
+
Uin rπ -gmRCUin Uo
Figura 2.12
Tabelul 2.1 sintetizează cele de mai sus.
47
Tabelul 2.1.
Nr. Denumire Expresie Expresie

crt parametru exactă aproximativă
1 amplificare în tensiune rπ RB Au = −gmRC

Au = − gm (RC RL )
RG + rπ RB
2 rezistenţă de intrare Rin=rπ ║ RB Rin≅ rπ

3 rezistenţă de ieşire Ro=Rc
4 amplificare în curent gm (RC RL ) RG + rπ RB Ai=β
Ai = −
rπ RL
RG + rπ
5 banda de lucru ωH≤ωβ
2.1.2 Etaj bază comună

În configuraţia bază comună semnalul se alică în emitor şi se culege din colector. Bază
este legată din punct de vedere alternativ la masă.
a.) schema uzuală este prezentată în figura 2.13.
+EC
RB2 RC
Iin
Io
IG C1 C2
Uin
RL Uo
RG RE CB RB1
Figura 2.13. Schema electrică a unui etaj bază comună incărcat la intrare şi ieşire

Uin tensiune de intrare (componenta alternativă de semnal mic)
Uo tensiune de ieşire (componenta alternativă de semnal mic)
Iin curent de intrare (componenta alternativă de semnal mic)
Io curent de ieşire (componenta alternativă de semnal mic)
48
C1 ;C2 condensatoare de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând

CB condensator de declupare; în curent alternativ pune baza la masă, în
curent continuu neavând nici un efect.
IG;RG echivalare Norton a etajului din faţă
c.) analiza de semnal mic;
Se vor determina:
• amplificarea în tensiune;
• rezistenţa de intrare;
• rezistenţa de ieşire;
• amplificarea în curent;
• răspunsul în frecvenţă.
Se va calcula în conformitate cu formula (2.1). În vederea efectuării acestui calcul se
modelează schema din figura 2.13 ca în figura 2.14
βIb
Ig Iin
Ib
Ir Ie
Ux
Uin RG RE rπ RLC Uo
Figura 2.14 Schema echivalentă de semnal mic regim cvasistatic a circuitului din figura 2.13
Unde RLC reprezintă grupul paralel RCşi RL,. Calculul amplificării în tensiune se va
face conform formulei:
Uo
Au = (2.56)
Uin
Tensiunea Uo se calculează din:

Uo =-β IbRLC (2.57)
iar:
Uin=-Ibrπ (2.58)
Împărţind (2.58) prin (2.57) şi ţinând cont de (2.56) respectiv (2.26) rezultă:
Au=gmRLC (2.59)
c2.) rezistenţa de intrare
Calculul curentului Iin se face observând:
49
Iin =Ie-(β+1)Ib (2.60)

Dar:
Uin
Ie= (2.61)
RE
iar:
Uin
Ib=- (2.62)
rπ
Introducând (2.61) şi (2.60) în (2.59) rezultă
r
Rin=RE║ π (2.63)
β +1
Întrucât de obicei se poate scrie:
r
RE>> π (2.64)
β +1
Expresia (2.63) devine:
r
Rin≅ π (2.65)
β+1
În general formula se reţine sub forma:
r
Rin≅ π (2.66)
β
c3.) rezistenţa de ieşire.
Calculul rezistenţei de ieşire se face în condiţii similare celor de la etajul emitor
comun. Se introduce o sursă de test la ieşire şi se pasivizează intrarea. Schema din
figura 2.13 devine:
+EC
RB2 RC
Io
Io
IG C1 C2 + +
Cs
Ut RC Uo
RG RE CB RB1 - -
Figura 2.15 Circuit necerar calculului lui Ro Figura 2.16
Observând că atât emitorul cât şi baza sunt la masă schema echivalentă de semnal mic
a acestui circuit este ca din figura 2.16. Rezultă:
Ro=RC (2.67)
Rămâne valabilă observaţia făcută şi la etajul emitor comun şi anume că în evaluarea
valorii rezistenţei de ieşire nu s-a luat în calcul şi rezistenţa de ieşire a tranzistorului.
50
Justificarea este aceeaşi: ro este mult mai mare decât RC, deci (2.67) este suficient de
exactă, fiind în acelaşi timp extrem de simplă.
Calculul amplificării în curent se face apelând la schema din figura 2.13. Punând
(2.21) sub forma:
Rin
Ai = Au (2.68)
RL
şi înlocuind expresia lui Rin din (2.66) se obţine:

RLC
Ai = (2.69)
RL
Valoarea amplificării maxime de curent se află forţând RL=0 în (2.69) şi este:

Ai=1 (2.70)
c5.) răspunsul în frecvenţă.
Ca şi în cazul etajului emitor comun răspunsul în frecvenţă se va determina prin calcul
direct. Ca funcţie de transfer se va alege amplificarea în curent întrucât etajul se atacă,
în mod normal, cu generator de curent, iar la ieşire se comportă ca un generator de
curent. Se va calcula numai frecvenţa superioară de lucru.
Calculul frecvenţei superioare (fH). Schemă echivalentă de înaltă frecvenţă a
circuitului din figura 2.13 este prezentată în figura 2.17.
gmUbe
Ig Iin E C
IR Io
Ux
U in RGE rπ Cπ Ube RLC Uo
unde:
RGE = RG RE (2.71)
Trebuie observat că nu a fost luat în calcul efectul lui Cµ. Efectul acestui condensator
este important în condiţiile în care rezistenţa distribuită a bazei are valori ridicate ceea
ce nu este în general valabil. Aplicând teorema întâi a lui Kirchhoff în emitor se
obţine:
Uin
Iin + + sCEUin + gmUin = 0 (2.72)
rπ
51
Io=-gmUin (2.73)
Din raportul celor două relaţii se obţine:
Io α
= (2.74)
Iin 1+ s Cπ
gm
unde:
β
α= (2.75)
β +1
Acest rezultat arată că la joasă frecvenţă câştigul în curent al etajului este unitar (α≅ 1),
confirmând relaţia (2.70), şi un pol
gm
p=− ≅ ωT (2.76)
Cπ
Rezultatul (2.76) este deosebit de important arătând că etajul bază comună are o
comportare foarte bună în frecvenţă. Având o bandă largă de frecvenţă, aproximativ
egală cu ωT, acest etaj este util pentru aplicaţiile la înaltă frecvenţă.
Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2.18
Ai
dB
fT f
0 dB
Frecvenþa corespunzãtoare
polului de joasã frecvenþã
Figura 2.18 Caracteristica de frecvenţă a etajului bază comună
Concluzii:
1. Amplificarea în tensiune a etajului este mare ea depinzând de valoarea
sarcinii.
2. Etajul nu amplifică în curent valoarea maximă a acestei amplificări fiind
unitară în condiţii de scurtcircuit la ieşire. Amplificarea în curent este
asemenea dependenţă de sarcină
3. Impedanţa de intrare este mică. Acest lucru recomandă atacul cu
generator de curent.
4. Impedanţă de ieşire este relativ mare fiind de ordinul lui RC. Acest lucru
se constituie într-un handicap pentru etaj.
52

RC
+
gmRCUin
Uin rπ/β Uo
-
Figura 2.19
În sinteză principalii parametrii sunt prezentaţi în tabelul 2.2

Tabelul 2.2.

1 amplificare în tensiune Au = gm (RC RL ) Au = gmRC
2 rezistenţă de intrare rπ rπ
Rin =RE║ Rin≅
β +1 β
3 rezistenţă de ieşire Ro=Rc

4 amplificare în curent RC RL Ai=1
Ai =
RL
5 banda de lucru ωH≤ωT
2.1.3. Etaj colector comun

În configuraţia colector comun semnalul se aplică pe bază şi se culege din emitor.
Colectorul este din punct de vedere alternativ la masă.
a.) schema uzuală este prezentată în figura 2.20.
Uin tensiune de intrare (componenta alternativă de semnal mic)
Uo tensiune de ieşire (componenta alternativă de semnal mic)
Iin curent de intrare (componenta alternativă de semnal mic)
Io curent de ieşire (componenta alternativă de semnal mic)
iIN curent de intrare (componentă continuă şi componentă alternativă)
iO curent de ieşire(componentă continuă şi componentă alternativă)
53

C1;C2 condensatoare de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
CE condensator de declupare; în curent alternativ pune emitorul la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
+EC
RB1
iIN
Iin
RG
iO Io
+
C1
Ein
Uin C2
RB2 RE RL Uo
-
Figura 2.20. Etaj emitor comun încărcat la intrare şi la ieşire
c.) analiza de semnal mic

Ca şi în cazul etajelor precedente, se vor determina:
• amplificarea în tensiune;
• rezistenţa de ieşire;
• amplificarea în curent;
• răspunsul în frecvenţă (se va analiza şi comportarea în bandă a
impedanţelor de intrare şi ieşire).
Schema echivalentă de semnal mic regim cvasistatic a schemei electrice din figura
2.21 este:
S-a folosit notaţia:
RB = RB1 RB2 (2.77)
şi:
RLE = RL RE (2.78)
Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine:

Iin =Ip +Ib (2.79)
Io=(β+1)Ib (2.80)
Ein=IinRG+IpRB (2.81)
54
0=Ib rπ+Uo-IpRB (2.82)

Uo =RLE(β+1)Ib (2.83)
Ip
Iin RG
Ib
+ rπ
Io
Ein Uin RB
-
βIb RLE Uo
Rezolvând sistemul se calculează Uo. Împărţind acest rezultat la Ein se obţine:

1
Au = (2.84)
RG + RB (RB + rπ )(RG + RB ) RB
+ +
RB RB (β + 1)RLE (β + 1)RLE
Sub această formă rezultatul este suficient de complicat. Dacă se observă însă că:
RG<<RB (2.85)
întrucât RG este rezistenţa de ieşire a unui generator de tensiune, atunci (2.84) capătă
forma:
1
Au = (2.86)
RB + rπ RB
1+ +
(β + 1)RLE (β + 1)RLE
Amintind:
RB>>rπ (2.87)
şi luând în considerare că:
(β +1)RLE>>RB (2.88)
atunci expresia finală a lui Au devine:
Au≅ 1 (2.89)
c2.) rezistenţa de intrare.
Una din soluţiile sistemului (2.79) ÷ (2.83) este Iin Pentru rezistenţa de intrare se
obţine expresia:
R in = RB [rπ + (β + 1)RLE ] (2.90)
Dacă se ţine seama de relaţiile uzuale
55
β>>1 (2.91)
respectiv:
rπ<<β RLE (2.92)
(2.90) se rescrie:
R in ≅ RB βRLE (2.93)
c3.) rezistenţa de ieşire

Întrucât calculul rezistenţei de ieşire presupune introducerea unui generator de test la
ieşire în condiţiile în care intrarea este pasivizată, schema din figura 2.20 devine (în
cadrul acestui calcul nu se va ţine cont de valoarea lui RG de altfel foarte mică):
+EC
RB1
It
+
CS
C2
RB2 RE Ut
-
Figura 2.22. Schemă de calcul al lui Ro .
Cs are rolul de a asigura scurtcircuitarea intrării în curent alternativ. Schema

echivalentă în semnal mic este prezentată în figura 2.23:
It
+ Ie Ib
Ut RE rπ βIb
-
Figura 2.23
It=Ie-(β+1)Ib (2.94)
dar:
Ut
Ie = (2.95)
RE
şi
Ut
Ib = − (2.96)
rπ
Înlocuind (2.96) şi (2.95) în (2.94) şi forţând factor comun Ut se obţine:
56
rπ
R o = RE (2.97)
β +1
această expresie se reduce în majoritatea cazurilor la:

rπ
Ro ≅ (2.98)
β

Pentru calcului amplificării în curent se înlocuieşte expresia lui Au (2.86) şi Rin din
(2.90) în (2.68). Ţinându-se cont de simplificările uzuale se va obţine:
R B βRLE
Ai ≅ (2.99)
RL
Dacă
RB>>βRLE (2.100)
ceea ce este dificil de realizat în practică - dar poate fi presupus - şi se forţează
scurtcircuitarea ieşirii (RL=0) atunci amplificarea în curent devine:
Ai≅β (2.101)
c5.) răspunsul în frecvenţă.
Întrucât acest etaj este utilizat ca etaj tampon datorită valorilor impedanţei de intrare
respectiv ieşire, se va analiza comportarea în frecvenţă a amplificării în tensiune,
impedanţei de intrare precum şi a impedanţei de ieşire. Se va calcula numai frecvenţa
superioară de lucru pentru aceste trei funcţii de transfer.
Comportarea în frecvenţă a amplificării în tensiune. Schemă echivalentă de înaltă
frecvenţă a circuitului din figura 2.20 este prezentată în figura 2.24. Pentru simplitate
se va neglija efectului lui Cµ .şi al lui RB. Se poate scrie:
Ein=IinRG+Ube+Uo (2.102)
Ube
Iin = (2.103)
Zπ
rπ
Zπ = (2.104)
1+ rπCπ
Uo
Iin + gmUbe = (2.105)
RLE
57
Din (2.103) ÷(2.105) rezultă:

Uo 1
Ube = (2.106)
REL g + 1 (1+ sC r )
m π π
rπ
Înlocuind (2.106) şi (2.101) în (2.100) se găseste:
R  U 1
Uin =  G + 1 o + Uo (2.107)
 Zπ  REL g + 1 (1+ sC r )
m π π
rπ
Această expresie se rescrie:

R s
gmREL + EL 1−
Uo rπ z1
= (2.108)
Ein 1+ g R + RG + REL 1− s
m EL
rπ p1
unde:
gm
z1 = − (2.109)
Cπ
Iin RG
B
rπ Cπ Ube
+
E Io
Ein Uin RB
-
gmUbe RLE Uo
1
p1 = − (2.110)
C πR π
RG + REL
Rπ = rπ (2.111)
1+ gmREL
Valorile tipice ale parametrilor circuitului situează zeroul la o frecvenţă uşor mai
ridicată decât polul, ambele fiind egale cu ωT. Totuşi la frecvenţe foarte înalte trebuie
ţinut cont şi de efectul lui Cµ. Acesta va avea un efect de suntare a semnalului la masă.
Cu toate acestea se poate spune că repetorul pe emitor are o bandă largă de lucru
apropiată de valoarea lui ωT
58
Comportarea în frecvenţă a impedanţei de intrare. Cel mai comod mod de a

determina expresia transformatei Laplace a impedanţei de intrare este de a înlocui în
(2.90) rπ cu Zπ.
Zin=Zπ.+(gm Zπ.+1)REL (2.112)
dezvoltând se obţine:
(1+ gmREL )rπ
Z in = (2.113)
Cπ
1+ s (1+ gmREL )rπ
1+ gmREL
introducând notaţiile:
R=(1+gmREL)rπ (2.114)
Cπ
C= (2.115)
1+ gmREL
impedanţa de intrare capătă forma:

R
Z in = + REL = R C + REL (2.116)
1+ sCR
Deci impedanţa de intrare poate fi reprezentată de un circuit RC paralel în serie cu
rezistenţa care se “vede” în emitor. Un asemenea circuit este reprezentat în figura 2.25.
Trebuie observat că nu a fost luat în calcul efectul lui Cµ. Valoarea acestei capacităţi
poată domina capacitatea de intrare. Efectul ei se face simţit între bază şi masă.
Concluzia care se impune este că la frecvenţe înalte impedanţa de intrare se comportă
capacitiv scăzând o dată cu creşterea frecvenţei.
C R
Zin
REL
Figura 2.25
Comportarea în frecvenţă a impedanţei de ieşire. Operând în acelaşi mod ca şi pentru

calculul impedanţei de intrare expresia impedanţei de ieşire este:
Z π + RG
Zo = (2.117)
1+ gm Z π
59
Substituind expresia Zπ cu cea dată de (4.306)se obţine:

 1 RG R 
 + + sCπrπ G  RG
r + RG + sCπrπRG  gm β β 
Z0 = π ≅ (2.118)
gmrπ + 1+ sCπrπ RG + sCπ rπ
RG
β
În (2.118) s-a făcut presupunerea β >>1.Dacă se introduc notaţiile:

1 RG
R1 = + (2.119)
gm β
R2=RG (2.120)
RG
L = Cπ rπ (2.121)
β
expresia impedanţei de ieşire devine:

(R1 + sL )R 2
Zo = (2.122)
R2 + sL
Se poate observa că dacă numitorul lui (2.122) ar conţine ca termen şi pe R1 atunci

expresia impedanţei de ieşire ar reprezenta un circuit serie R1L în paralel cu R2.
Comparând (2.119) cu (2.120) se poate spune că R1<<R2. deci prezenţa lui R1 în
numitor este neglijabilă. Schema echivalentă a impedanţei de ieşire este prezentată în
figura 2.26.
R1
Zo
R2
L
Figura 2.26
Concluzionând, în ciuda faptului că amplificarea etajului rămâne aproximativ
constantă într-o bandă largă de frecvenţe, etajul nu poate fi utilizat la frecvenţe înalte
întrucât impedanţă de intrare scade (comportare capacitivă), iar impedanţa de ieşire
creşte (comportare inductivă).
Concluzii:
1. Etajul nu amplifică în tensiune. Amplificarea în tensiune a etajului este
aproximativ unu.
2. Amplificarea în curent este de valoare ridicată, depinzând de sarcină.
3. Impedanţa de intrare este mare. Este egală aproximativ cu rezistenţa ce
se vede în emitor înmulţită cu beta.
60
4. Impedanţă de ieşire este mică. Este egală aproximativ cu rezistenţa ce se

vede în bază împărţită la beta.
5. Etajul nu defazează semnalul la ieşire.
rπ/β
+
Uin
Uin βRLE Uo
-
Figura 2.27
Ca şi pentru etajele precedente rezultatele analizei de semnal mic se prezintă sintetic în

tabelul 2.3.
Tabelul 2.3.

1 amplificare în tensiune Au =
1
Au≅ 1
RG + RB (RB + rπ )(RG + RB ) RB
+ +
RB RB (β + 1)RLE (β + 1)RLE

2 rezistenţă de intrare R in = R B [rπ + (β + 1)RLE ] Rin ≅ RB β RLE
3 rezistenţă de ieşire rπ rπ
R o = RE Ro ≅
β +1 β
4 amplificare în curent R B βRLE Ai≅β

Ai ≅
RL
5 banda de lucru ωH≤ωT
2.2 Etaje compuse
61
Majoritatea amplificatoarelor conţin mai multe tranzistoare în structura lor. Desigur că

analiza - în aceste cazuri - se poate face considerând că fiecare tranzistor constituie un
etaj, amplificatorul fiind format din mulţimea acestor etaje. Există însă anumite
combinaţii de două tranzistoare care au o frecvenţă mare de apariţie. În cazul acestor
combinaţii este convenabil ca tratarea să se facă unitar considerând noua configuraţie
topologică ca etaj de sine stătător. Astfel a apărut în literatura de specialitate conceptul
de etaj compus. Aceste etaje compuse includ conexiunile:
• colector comun-emitor comun (CC-EC)
• colector comun-colector comun (CC-CC)
• emitor comun-bază comună EC-BC sau conexiunea cascodă
• perechi cu cuplaj în emitor
Pentru aceste etaje se va determina :
• amplificarea în tensiune
• amplificare în curent
2.2.1 Configuraţia colector comun-emitor comun (CC-EC)
a) schema de principiu este prezentată în figura 2.28
b) rol elemente
RC sarcină
RE sarcina primului etaj
c.) analiza de semnal mic Determinarea parametrilor de interes se va face modelând
Rezistenþa Rezistenþa
de intrare de ieº ire
RS
T1
+
T2
Ein U’in Uo
RE RC RL
-
Fig.2.28 Configuraţia colector comun-emitor comun
etajele T1 şi T2 în conformitate cu schemele echivalente din figurile 2.24, respectiv

2.20
62
Estimarea parametrilor de interes se va face utilizând tehnici aproximative de analiză

RS R’o R”o
+
Ein R’ in U’in A’ uU’in R”in U”in A”uU”in RL Uo
-
Sursa Etaj 1 Etaj 2 Sarcina
Fig.2.29 Schema echivalentă a etajului compus
pentru circuitele cu tranzistoare. Aceste tehnici au la bază reguli de tipul:

• Rezistenţa ce se vede în bază unui tranzistor este egală cu rezistenţa ce se
vede în emitor înmulţită cu beta:
RBAZĂ=βREMITOR (2.123)
• Rezistenţa ce se vede în emitorul tranzistor este egală cu rezistenţa ce se
vede în bază împărţită la beta:
R
REMITOR = BAZÃ (2.124)
β
Observaţie: rπ este considerată rezistenţă din bază.
• Amplitudinea semnalului din emitor este aproximativ egală cu cea din
bază (dacă nici unul dintre terminale nu este la masă)
Rezistenţa de intrare
Se poate observa că:
Rin=R’in (2.125)
La rândul ei rezistenţa de intrare în primul etaj este:
R’in=r’π+β‘R’E (2.126)
unde:
R’E = RE rπ′′ (2.127)
rezistenţa echivalentă din emitorul tranzistorului unu. Observând că în majoritatea

cazurilor:
r’π<<β‘R’E (2.128)
relaţia (1.41) devine:
Rin≅β‘R’E (2.129)
Rezistenţa de ieşire
63
Va fi egală cu rezistenţa ce se vede în colectorul tranzistorului doi.

Ro=RC (2.130)
Amplificarea în tensiune
Fie
Uo
Au= (2.131)
Uin′
amplificarea globală a etajului. Observând că:

RL
Uo = A′′uU′′in (2.132)
RL + RC
iar
Rin′′
U′′in = A′uUin′ (2.133)
R′′in + R′o
Dar întrucât primul etaj este un colector comun, A’u este:

A’u=1 (2.134)
iar amplificarea (în gol) a celui de-al doilea etaj (fiind colector comun) este:
A”u=-g”mRC (2.135)
Pentru calculul amplificării globale se introduce (2.135) în (2.132), iar (2.134) în
(2.133). Se obţine:
RL
Uo = − gm′′ RCU′′in (2.136)
RL + RC
respectiv:
R′′in
U′′in = Uin′ (2.137)
R′′in + R′o
Introducând (2.137) în (2.136) rezultă:

R′′in RL
Uo = − gm′′ RCUin′ (2.138)
Rin′′ + R′o RL + RC
În concluzie:
Au = − gm′′ (RC RL ) (2.139)
Amplificarea în curent
64
Se defineşte prin:
Io
Ai= (2.140)
Iin
Dar
Uo
Io = − (2.141)
RL
iar
RS
T1
+
T2
Ein U’in Uo
RC RL
-
I polarizare
Figura 2.30
U′in
Iin = − (2.142)
Rin
Introducând (2.141) şi (2.142) în (2.140), ţinând de asemenea seama de (2.131)

expresia amplificării în curent devine:
Rin
Ai = − Au (2.143)
RL
Înlocuind în (2.143) Expresiile amplificării în tensiune şi rezistenţei de intrare se

ajunge la:
β ′ RE
Ai = gm′′ (RC RL ) (2.144)
RL
Concluzie: Etajul compus se caracterizează prin:

• rezistenţa de intrare este cea a etajului colector comun
• rezistenţa de ieşire este cea a emitorului comun
• amplificarea în tensiune este cea a emitorului comun
• amplificare în curent mult crescută
Se constată că rolul tranzistorului T1 este acela de a creşte câştigul în curent şi
rezistenţa de intrare ale etajului.
65
În schemele reale în locul rezistenţei RE se pune un generator de curent ca în schema

din figura 2.30
2.2.2. Configuraţia colector comun-colector comun (CC-CC)
RS
T1
+ T2
Ein U’in
RE RL Uo
-
Fig.2.31 Configuraţia colector comun-colector comun
b) rol elemente
RE sarcină primului tranzistor
RL sarcina etajului
c.) analiza de semnal mic Se vor calcula aceeaşi parametrii de interes
Rezistenţa de intrare
Ca şi pentru etajul precedent:
Rin=R’in (2.144)
La rândul ei rezistenţa de intrare în primul etaj este:
R’in=r’π+β ‘R’E (2.145)
unde:
R’E=RE R ″in (2.146)
rezistenţa echivalentă din emitorul tranzistorului unu. La rândul ei:
R’’in=r’’π+β‘’RL (2.147)
Înlocuind expresia lui R’’in în relaţia (2.146) şi respectiv expresia nou obţinută a lui
R’E în (2.145), rezistenţa de intrare capăt forma:
Rin=r’π+β ‘[RE [(r’’π+β ‘’RL)] (2.148)
dar:
r’π<<β ‘[RE [(r’’π+β ‘’RL)] (2.149)
întrucât atât RE cât şi r’’π+β‘’RL au valori mari, valori care la rândul lor se înmulţesc
cu β‘. De altfel în situaţii reale în locul lui RE se introduce - după cum se va vedea - un
generator de curent astfel încât se poate scrie:
66
RE [(r’’π+β ‘’RL)≅β ‘’RL (2.150)

În urma acestor observaţii expresia aproximativă a rezistenţei de intrare devine:
Rin≅β‘β‘’RL (2.151)
Rezistenţa de ieşire
Va fi egală cu rezistenţa ce se “vede” în emitorul tranzistorului doi. Aceasta este la
rândul ei egală cu rezistenţa echivalentă din baza tranzistorului T2 împărţită la β ‘’.
Continuând raţionamentul, rezistenţa echivalentă din baza lui T2 este dată de RE în
paralel cu rezistenţa ce se “vede” în emitorul lui T1. Ducând raţionamentul la capăt,
rezistenţa ce se “vede” în emitorul lui T1 este egală cu rezistenţa echivalentă din baza
tranzistorului T1 împărţită la β ‘. Transpus în formalism matematic se scrie:
Rezistenţa echivalentă din emitorul lui T1:
RS + rπ′
R′E = RE (2.152)
β′
şi deci rezistenţa de ieşire:

RE′ + rπ′′
Ro = (2.153)
β ′′
Înlocuind (2.152) în (2.153) se obţine forma finală:
RS + rπ′
RE + rπ′′
β′
Ro = (2.154)
β ′′
În situaţii reale în locul RE în multe aplicaţii se găseşte un generator de curent. Aceasta

implică:
R S + rπ′
RE >> (2.155)
β′
ceea ce înseamnă:
RS + rπ′
RE′ ≅ (2.156)
β′
Pe de altă parte asemenea etaje sunt atacate cu generatoare de tensiune şi deci:

RS<< rπ′ (2.157)
(1.73) devine:
67
rπ′ 1
R′E ≅ = (2.158)
β′ gm′
Introducând (2.158) în (2.154) se obţine:

1+ g′mrπ′′
Ro = (2.159)
β′′ g′m
În condiţii de semnal mic produsele mixte de tipul gmrπ sunt practic întotdeauna mult
mai mari ca unu, adică în cazul de faţă:
g’mr’’π>>1 (2.160)
În urma acestei observaţii (1.76) se rescrie:
1
Ro ≅ (2.161)
g′′m
Rezultatul acesta este important pentru că pune în evidenţă faptul că rezistenţa de

ieşire este aproximativ egală cu rezistenţa de ieşire a etajului colector comun deci de
valoare mică.
Amplificarea în tensiune
Pentru a estima valoarea câştigului în tensiune trebuie observat că:
A’u=1 (2.162)
respectiv:
A’’u=1 (2.163)
Pentru a putea păstra notaţiile din figura (2.29) mai trebuie adăugat:
R’o=R’E (2.164)
R”o=Ro (2.165)
În aceste condiţii se scrie:
RL
Uo = Au′′Uin′′ (2.166)
RL + Ro
Rin′′
U′′in = A′uUin′ (2.167)
R′′in + R′o
Înlocuind (2.167) în (2.166) şi forţând factor comun U’in rezultă:

Uo RL R′′in
Au= = A′′ A′u ≅1 (2.168)
Uin′ RL + R o R′′in + R′o
u
68
C
C
C
C
C
C B T1
B T1
T2 T2
I polarizare
Ec c
E
Figura 2.32 Configuraţia Darligton Figura 2.33
întrucât:
RL>>Ro (2.169)
R”in>>R’o (2.170)
Amplificarea în curent
Se calculează înlocuind (2.168) - amplificarea în tensiune - respectiv (2.151) - expresia
rezistenţei de intrare în (2.141). Se obţine:
AI≅β ‘β ‘’ (2.171)
Concluzie: Etajul compus se caracterizează prin:
• rezistenţa de intrare este foarte mare
• rezistenţa de ieşire este cea a emitorului comun
• amplificarea în tensiune este unitară
• amplificare în curent este practic egală cu produsul factorilor de
amplificare în curent ale celor doua tranzistoare.
Se constată că rolul tranzistorului T1 este acela de a creşte câştigul în curent şi
rezistenţa de intrare ale etajului.
În schemele reale se foloseşte o variantă a acestei scheme şi anume configuraţia
Darlington. această configuraţie este de fapt un tranzistor compus format din două
tranzistoare care au colectoarele legate în comun şi emitorul primului tranzistor legat
la baza celui de-al doilea.
Pentru a controla curentul de polarizare al primului tranzistor este necesar un element
de polarizare. Figura 2.32 prezintă schema de principiu. În aplicaţii se întâlneşte şi
soluţia din figura 2.33
Interesant de observat este faptul că se obţine un tranzistor compus care prezintă
marele avantaj de a avea:
β c≅β‘β ‘’ (2.172)
69
Acest tranzistor poate fi folosit în conexiuni de tipul bază comună, emitor comun sau
colector comun.
2.2.3. Configuraţia emitor comun-bază comună (EC-BC) sau cascodă
T2 Ieº ire
Intrare
T1 RC Uo
Uin
Fig.2.34 Configuraţia cascodă

b.) rolul elementelor
RC sarcină
c.) analiza de semnal mic Va cuprinde, ca şi pentru ca şi pentru configuraţiile studiate
anterior calculul rezistenţei de intrare, rezistenţa de ieşire, câştigul în tensiune şi
curent.
c1.) Rezistenţa de intrare
Este constituită de rezistenţa de intrare în baza tranzistorului unu şi deci este:
Rin= r’π (2.173)
c2.) Rezistenţa de ieşire
Va fi egală cu rezistenţa ce se “vede” în colectorul tranzistorului doi. În aceste condiţii
valoarea ei este foarte ridicată. Dacă este ataşată o sarcină exterioară în colectorul lui
T2, iar RC este înglobată etajului, atunci rezistenţa echivalentă de ieşire va fi egală cu
rezistenţa ce se “vede” în colectorul lui T2 în paralel cu RC. Cum RC este de obicei
mult mai mică decât rezistenţa de ieşire din colectorul unui tranzistor, valoare finală a
rezistenţei echivalente de ieşire va fi dictată de RC. Se poate scrie:
Ro=RC (2.174)
c3.) Amplificarea în tensiune
Pentru a estima valoarea câştigului în tensiune trebuie observat că sarcina
tranzistorului T1 este constituită de joncţiunea bază emitor a lui T2 adică r”π. Astfel
valoarea tensiunii de intrare în tranzistorul T2 este:
U”in =-g’mr”π U’in (2.175)
Tranzistorul T2 lucrând în bază comună are amplificare în tensiune egală cu:
A’’u=g”mRC (2.176)
Tensiunea de ieşire va fi:
70
Uo = g”mRC U”in= -g”mRCg’mr”π U’in (2.177)

Amplificare în tensiune devine:
Au=-β ‘’ g’mRC (2.178)
Această valoare reprezintă o valoare extrem de ridicată.
c4.) Amplificarea în curent
Analiza rapidă a circuitului pune în evidenţă faptul că valoarea curentului de ieşire
(curentul ce circulă prin RC) este tocmai curentul care trece prin colectorul lui T2.
Acest curent este egal cu cel din colectorul lui T1 Dar acest curent este tocmai curentul
de intrare amplificat de beta ori de primul tranzistor. Concluzionând amplificarea în
curent a cascodei este egală cu amplificarea în curent a primului tranzistor.
AI≅β ‘ (2.179)
Concluzie: Etajul cascodă se caracterizează prin:
• rezistenţa de intrare este medie (cea a emitorului comun)
• rezistenţa de ieşire este medie (cea a bazei comune)
• amplificarea în tensiune este foarte mare
• amplificare în curent este practic egală cu amplificarea în curent a
primului tranzistor.
2.2.4. Etaj diferenţial sau perechi cu cuplaj în emitor
Este unul dintre cele mai utilizate etaje. Există două motive care justifică această
răspândire:
+EC
• posibilitatea de conectare în
cascadă direct, fără capacităţi
RC RC
de cuplaj;
• intrare diferenţială.
u O1 uO2
Pentru a justifica aceste afirmaţii se va iC1 iC2
prezenta o analiză mai cuprinzătoare pentru

acest etaj. În fapt se va prezenta şi analiza T1 T2
de semnal mare, în ideea de a obţine o uI1 uI2
imagine globală asupra comportamentului
său. IE RE
a.) Schema de principiu. Este prezentată în

figura 2.35 -EE
b.) Notaţii folosite; rolul elementelor.
Figura 2.35 Etaj diferenţial
uI1 ; uI2 valori instantanee ale
tensiunii de intrare
uO1;uO2 valori instantanee ale tensiunii de ieşire
71
RC rezistenţe de sarcină
IE; RE circuit de polarizare echivalat Norton; poate fi o rezistenţă sau o
sursă de curent realizată cu tranzistoare.
T1, T2 tranzistoare identice; pentru buna funcţionare a etajului este necesar
ca aceste tranzistoare să aibă caracteristicile cât se poate de apropiate
c.) Analiza de semnal mare Se vor studia caracteristicile de transfer:
uO1=uO1(uI1,uI2) (2.180)
uO2=uO2(uI1,uI2) (2.181)
Schema echivalentă de semnal mare a circuitului din figura 2.35 este prezentată în
figura 2.36. Întrucât bazele tranzistoarelor sunt neîncărcate, s-a utilizat modelul de
ordin doi pentru modelarea tranzistoarelor. Amintim că acest model ţine seama de
variaţiile tensiunii uBE.
Calculul lui uO1, respectiv uO2 , porneşte de la:
uO1=EC-iC1RC (2.182)
uO2=EC-iC2RC (2.183)
+EC
RC RC
uO1 uO2
B C C B
uBE1 iC1 iC2 uBE2
uI1 uI2
E E
IE RE
-E E
Figura 2.36 Schema echivalentă de semnal mare a etajului diferenţial
Expresiile curenţilor de colector sunt:
u 
i C1 = I S1 exp BE1  (2.184)
 eT 
respectiv:
72
u 
i C2 = I S 2 exp BE2  (2.185)
 eT 
Dar
IS1 =IS2 =IS (2.186)
întrucât tranzistoarele sunt presupuse identice. Împărţind (2.184) la (2.185) se obţine:
i C1  u − uBE2 
= exp BE1  (2.187)
i C2  eT 
Pe de altă parte scriind teorema a doua a lui Kirchhoff pe conturul punctat din figura
2.36 se obţine:
uBE1-uBE2=uI1-uI2 (2.188)
Cu aceasta (2.187) devine:
i C1  u − u I2 
= exp I1  (2.189)
i C2  eT 
Pentru determinarea celor doi curenţii, (2.189) trebuie completată cu o nouă ecuaţie
pentru a forma un sistem de două ecuaţii cu două necunoscute. Această nouă ecuaţie se
deduce scriind teorema întâi a lui Kirchhoff în emitorul celor două tranzistoare. Pentru
a simplifica calculele se va considera RE de valoare foarte mare schema din figura 2.36
devenind:
+EC
RC RC
uO1 uO2
B C C B
uBE1 iC1 iC2 uBE2
uI1 E E uI2
IE
-E E
Figura 2.37
În aceste condiţii:
iE1 +iE2 =IE (2.190)
Amintind că pentru un tranzistor:
73
iC=α0iE (2.191)
relaţia (2.190) se rescrie:
iC1+iC2=α0IE (2.192)
Ecuaţiile (2.189) şi (2.192) formează un sistem de două ecuaţii cu soluţiile:
α 0 IE
i C1 = (2.193)
 u − u I2 
1 + exp − I1 
 eT 
α 0 IE
i C2 = (2.194)
 u − u I2 
1 + exp I1 
 eT 
Introducând notaţia:
uID=uI1-uI2 (2.195)
relaţiile (2.193) şi (2.194) devin:
α 0 IE
iC1= (2.196)
 u 
1 + exp − ID 
 eT 
α 0 IE
iC2= (2.197)
u 
1 + exp ID 
 eT 
cu uID valoarea instantanee a tensiunii de intrare diferenţială. Întrucât:

α0≅ 1 (2.198)
expresiile curenţilor din colectorii tranzistoarelor se poate scrie:
IE
iC1= (2.199)
 u 
1+ exp − ID 
 eT 
IE
iC2= (2.200)
u 
1+ exp ID 
 eT 
Reprezentarea grafică a acestor două funcţii se poate vedea în figura 2.38
74
iC1 iC2
IE
iC1
0.5IE
iC2
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT uID
Figura 2.38 Curenţii de colector în funcţie de tensiunea diferenţială
Figura 2.38 pune în evidenţă două dintre caracteristicile acestui etaj:

• Atât limitarea la valoarea superioară (IE) cât şi limitarea la valoarea
inferioară se (aproximativ zero) a curenţilor de colector se face în
condiţiile în care tranzistoarele rămân în regiunea activă normală. Acest
lucru conferă viteză mare de lucru în circuitele de comutaţie.
• Curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei şi au
valoare IE/2.
• Circuitul de comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de intrare
mai mici de 50 mV
Expresiile tensiunilor de ieşire devin:
IE
uO1=EC- RC (2.201)
 u 
1+ exp − ID 
 eT 
IE
uO2=EC- RC (2.202)
u 
1+ exp ID 
 eT 
În multe aplicaţii semnalul de interes este dat de semnalul diferenţial de la ieşire:

uOD=uO1-uO2 (2.203)
Înlocuind (2.201) şi (2.202) în (2.203) se obţine:
 u 
uOD=REIEtanh  − ID  (2.204)
 eT 
Această funcţie este trasată în figura 2.39. Figura pune în evidenţă un alt avantaj al
acestui etaj:
• Atunci când uID devine zero, şi uOD devine zero, fiind astfel posibilă
cuplarea directă în cascadă a etajelor .
75
uOD
IERE
uID
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT
-IERE
Figura 2.39 Tensiunea de ieşire diferenţială funcţie de tensiunea de intrare diferenţială
d.) Analiza de semnal mic. Se vor analiza:

• amplificările în tensiune:
• rezistenţele de intrare
Schema din figura 2.35 se modelează ca în figura 2.40. S-a presupus că rezistenţa
echivalentă de ieşire a circuitului de polarizare (RE) este finită. Comportarea circuitului
fiind liniară analiza lui se poate face aplicând superpoziţia:
Uo1=A11Ui1+A12Ui2 (2.205)
Uo2=A21Ui1+A22Ui2 (2.206)
RC RC
Uo1 Uo2
B C C B
Ube1 gmUbe1 gmUbe2 Ube2
Ui1 rπ1 E E rπ2 Ui2

RE
Figura 1.41 Schema echivalentă de semnal mic a etajului diferenţial
Se constată că pentru descrierea circuitului sunt necesare patru constante şi nu una.

Deoarece circuitul este simetric este evident că:
A11=A22 (2.207)
A12=A21 (2.208)
şi deci:
U o1
A 11 = (2.209)
U i1 Ui 2 = 0
76
U o2
A 12 = (2.210)
U i1 Ui 2 = 0
Relaţiile (2.219), (2.210) impun modificarea schemei echivalente din figura 2.40 ca în
figura 2.41. Datorită simetriei se scrie imediat:
gm1=gm2=gm (2.211)
rπ1= rπ2= rπ (2.212)
Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine sistemul:
Iin+gmUbe1+Iπ -Ie=0 (2.213)
Ui1=Iin rπ+Ux1-gmUbe1 RC (2.214)
0=IeRE+gmUbe1RC-Ux1 (2.215)
0=Ux2-gmUbe2 RC-IeRE (2.216)
0=-IπRπ+gmUbe2RC-Ux2 (2.217)
Ube1
Iin
rπ1 U gmUbe1 gmUbe2 Ux2

x2
Ie Iπ
Ui1
RC Uo1 RE Uo2 RC rπ2 Ube2
Figura 2.42 Schema echivalentă pentru calculul coeficienţilor de amplificare
La ecuaţiile (2.213)÷(2.217) trebuie adăugat:

Ube1=Iinr π (2.218)
Ube2=-Iπrπ (2.219)
Uo1=-gmUbe1RC (2.220)
Uo2=-gmUbe2RC (2.221)
În fapt setul de ecuaţii (2.213)÷(2.221) formează un sistem de nouă ecuaţii cu nouă
necunoscute. Cele nouă necunoscute sunt: Iin, Ie, Iπ, Ux1, Ux2, Uo1, Uo2, Ube1, Ube2.
Rezolvând sistemul şi introducând soluţiile în (2.109), respectiv (2.110), se obţine:
77
1
1+
 1
g mR E  1 + 
g mR C  β
A 11 = A 22 = − (2.222)
2 1
1+
 1
2g m R E 1 + 
 β
g mR C 1
A 21 = A 12 = (2.223)
2 1
1+
 1
2g m R E  1 + 
 β
Aceste mărimi nu sunt semnificative pentru funcţionarea etajului. După cum s-a
observat şi în cadrul analizei de semnal mare unul dintre avantajele circuitului constă
în capacitatea lui de a amplifica semnale diferenţiale. Pentru a pune în evidenţă acest
lucru se introduc următoarele notaţii
• tensiunea de mod diferenţial de intrare:
Uid -Ui1-Ui2 (2.224)
• tensiunea de mod comun de intrare
U i1 + U i2
Uic= (2.225)
2
• tensiunea de mod diferenţial de ieşire
Uod-Uo1-Uo2 (2.226)
• tensiunea de mod comun de ieşire
U o1 + U o 2
Uoc= (2.227)
2
Expresiile lui Ui1,Ui2, Uo1,Uo2 funcţie de noile variabile sunt:
U id
Ui1 = U ic + (2.228)
2
U id
Ui2 = U ic − (2.229)
2
U od
Uo1= U oc + (2.230)
2
U od
Uo2= U oc − (2.231)
2
78
Semnificaţia fizică a acestor tensiuni, de mod comun sau diferenţial, se poate înţelege
mai uşor redesenând schema din figura 2.35 ca în figura 2.43. Înlocuind (2.228) ÷
(2.231) în (2.205) şi (2.206) se pot obţine relaţiile de legătură dintre Uod,Uoc şi Uid,Uic.
 A − A 12 − A 21 + A 22 
U od =  11  U id + ( A 11 + A 12 − A 21 − A 22 )U ic (2.232)
 2 
 A − A 12 + A 21 − A 22   A 11 + A 12 + A 21 + A 22 
U oc =  11  U id +   U ic (2.233)
 4   2 
Dacă (2.205) şi (2.206) se rescriu sub forma:
U od = A dUid + A cdU ic (2.234)
Uoc = AdcUid + AcUic (2.235)
se pot defini:
• câştigul pe mod diferenţial
 A − A 12 − A 21 + A 22 
A d =  11  = −g m R C (2.236)
 2 
• câştigul pe mod comun
A + A 12 + A 21 + A 22 g mR C
A c = 11 =− (2.237)
2  1
1 + 2g m R E 1 + 
 β
+EC
RC RC
T1 T2
Uid Uid
−
2 2
Uic
IE RE
-EE
Figura 2.44 Etaj diferenţial cu sursa de semnal descompusă în componentele de mod comun şi diferenţial.
• câştigul de la modul comun la modul diferenţial

A cd = A 11 + A 12 − A 21 − A 22 = 0 (2.238)
• câştigul de la modul diferenţial la modul comun
79
A 11 − A 12 + A 21 − A 22
A dc = =0 (2.239)
4
Trebuie menţionat că în circuitele reale Adc şi Acd nu sunt nule din cauza
neîmperechierii componentelor
e.) Tehnici de analiză rapide Analiza efectuată a pus în evidenţă faptul că în situaţiile
reale parametrii de interes pentru descrierea montajului sunt Ad şi Ac. Pornind de la
simetria etajului - şi ţinând cont de teorema bisecţiunii - se pot dezvolta tehnici de
analiză comode, utile pentru calculul parametrilor amintiţi. Ideea centrală a acestor
metode constă în determinarea răspunsului circuitului separat pentru o excitaţie pură
pe mod diferenţial şi separat pentru o excitaţie pe mod comun, adunând apoi
rezultatele.
Analiza pe mod diferenţial Schema etajului devine:
+E C
RC RC
T1 T2
Uid Uid
−
2 2
IE RE
-E E
Figura 2.45 Etaj diferenţial atacat cu semnal diferenţial pur
Circuitul din figura 2.45 se modelează ca în figura 2.46.
RC RC
U od U
− od
2 2
B C C B
U be1 g m U be1 g m U be2 U be2
rπ 1 E E rπ 2
Uid RE Uid
−
2 2
Figura 2.46
Întrucât semnalul aplicat pe baze este de semn opus, iar circuitul este echilibrat,
tensiunea din emitoare va rămâne nemodificată. Altfel spus, din punct de vedere
alternativ acest punct se află la masă. Schema din figura 2.46 devine:
80
RC RC
Uod Uod
−
2 2
B C C B
Ube1 gmUbe1 gmUbe2 Ube2

Uid E rπ2 −
Uid
rπ1 E
2 2
Figura 2.47
Aplicând acum teorema bisecţiunii, câştigul pe mod diferenţial se poate calcula
analizând doar o parte a circuitului. Acest circuit simplificat este denumit semicircuitul
pe mod diferenţial, fiind foarte util în analiza funcţionării etajelor diferenţiale.
Iid
B C
Uid Uod
r Ube1 gmUbe1 RC
2 π1 2
Figura 2.48 Semicircuitul pe mod diferenţial
Calculul devine comod:

U od U
= − g mR C id (2.240)
2 2
U od
Ad = = −g m R C (2.241)
U id
Analiza pe mod comun Schema etajului devine:
+E C
RC RC
T1 U oc U oc T2
U ic
IE RE
-E E
Figura 2.49 Etaj diferenţial atacat cu semnal pe mod comunl pur
Circuitul echivalent de semnal mic este prezentat în figura 2.50.
81
RC RC
B C C B
Ube1
gmUbe1 gmUbe2 Ube2
Uic
rπ1 E Ix E rπ2
2RE 2RE
Figura 2.50
Se constată prezenţa unei modificări: rezistorul RE a fost împărţit în două rezistoare, de

valoare 2RE, conectate în paralel. Se poate observa că întrucât tensiunile de bază sunt
egale, curenţii de colector sunt riguroşi egali. În plus circuitul fiind simetric curentul Ix
este nul, deci se poate elimina conexiunea dintre emitori. Circuitul din figura 2.50
devine:
RC RC
B C C B
Ube1
gmUbe1 gmUbe2 Ube2
Uic
rπ1 E E rπ2
2RE 2RE
Figura 2.51
Figura 2.51 pune în evidenţă existenţa a două semicircuite identice. Se constată că

amplificarea pe mod comun se poate calcula acum cu ajutorul numai unuia dintre
semicircuite, semicircuit ce uzual poartă numele semicircuitul de mod comun. Figura
2.52 prezintă schema acestui semicircuit.
Ib
B C
rπ1 Ube1 Ux gmUbe1

Ie
Uic RC Uoc
E
2RE
Figura 2.52 Semicircuitul de mod comun

Rezolvând circuitul se obţine setul de ecuaţii:
Ib+gmUbe1=Ie (2.242)
Uic=Ib rπ1+IeRE (2.243)
0=Ux+IeRE-gmUbe1RC (2.244)
La aceste ecuaţii se adaugă:
Ube1 =Ibrπ1 (2.245)
82
Uoc=-gmUbe1RC (2.246)
Ecuaţiile (2.242)÷(2.246) formează un sistem de 5 ecuaţii cu 5 necunoscute: Ib, Ie, Ux,
Ube1, Uoc.. Rezolvând sistemul se obţine:
U oc g mR C
Ac = =− (2.247)
U ic  1
1 + 2g m R E  1 + 
 β
Raportul de rejecţie al modului comun. După cum a fost arătat în cadrul analizei de
semnal mare, unul din marile avantaje ale acestui tip de etaj îl constituie posibilitatea
de a amplifica diferenţa semnalelor aplicate la intrare. Efectul imediat al acestei
calităţi este independenţa teoretică de temperatură a semnalului de ieşire. Explicaţia
constă în faptul că tensiunea de ieşire este o funcţie ce depinde numai de diferenţa
semnalelor aplicate pe intrări, iar efectul temperaturii asupra celor două tensiuni de
intrare este identic şi deci prin scădere dispare. Exemplul de mai sus a fost ales pentru
a justifica afirmaţia că amplificarea pe mod diferenţial constituie un efect util, în timp
ce amplificarea pe mod comun se manifestă ca un efect parazit. Rezultă că un obiectiv
important al proiectantului de asemenea etaje, îl constituie maximizarea câştigului pe
mod diferenţial şi minimizarea câştigului pe mod comun. Ca măsură a acestui efort s-a
introdus o mărime de calcul numită raportul de rejecţie al modului comun (CMMR)∗ :
Ad
CMMR = (2.248)
Ac
Pentru cazul în studiu această mărime capătă expresia:
 1
CMMR=1+2gmRE  1 +  (2.249)
 β
Expresia (2.249) pune în evidenţă dependenţa directă dintre mărimea rezistorului RE şi

valoarea raportului de rejecţie pe mod comun. Se constată că o bună rejecţie necesită
valori ridicate pentru acest rezistor. Asigurarea acestei cerinţe cade în sarcina
proiectantului de circuit. În mod uzual în locul rezistorului se pune un generator de
curent ca în figura 2.53. Avantajul acestei alegeri rezidă în valoarea ridicată a
raportului dintre rezistenţa dinamică şi rezistenţa statică. Valoarea relativ scăzută a
acesteia din urmă duce la căderi mici de tensiune în curent continuu, în timp ce în
curent alternativ (regimul de semnal) rezistenţa echivalentă este ridicată.
Generatorul de curent este realizat cu tranzistoarele T3 şi T4. Literatura de specialitate
denumeşte acest tip de circuit oglindă de curent. Calculul curentului din colectorul lui
T3 se poate face relativ comod apelând la modelul de ordin zero al tranzistorului
bipolar. Astfel:
∗
Aceastã notaþie provine de la iniþialele cuvintelor englezesti: Common Mode Rejection Ratio =
raportul de rejecþia al modului comun.
83
EE − U Be
I4 = (2.250)
R2 + R3
unde I4 este curentul din emitorul tranzistorului T4,. În aceste condiţii pentru I3 se
obţine:
R2
I3= I4 (2.251)
R1
+EC
RC RC
T1 T2
uI1 uI2
IE R3
T3 T4
R1 R2
-EE
Figura 2.53 Etaj diferenţial polarizat cu generator de curent
Expresia (2.251) justifică denumirea de oglindă de curent.

Rezistenţa de intrare pe mod diferenţial şi mod comun.
• Rezistenţa de intrare pe mod diferenţial se calculează conform formulei:
U
R id = ud (2.252)
Iid
mărimile sunt definite ca în figura 2.48.
• Rezistenţa de intrare pe mod comun:
U
R ic = uc (2.253)
Ib
mărimile sunt definite ca în figura 2.52.
Se poate constata rapid că:
Rid=2rπ (2.254)
R ic = rπ + 2R E (β + 1) (2.255)
84
Expresiile (2.254) şi (2.255) permit calculul rezistenţei de intrare a etajului pentru

situaţia în care la intrare se aplică atât semnal pe mod diferenţial cât şi pe mod comun.
Trebuie observat însă că valoarea curentului de semnal mic de la intrare este:
U id U ic
Ib1 = + (2.256)
R id R ic
U id U ic
Ib 2 = − + (2.257)
R id R ic
Relaţiile (2.256) şi (2.257) conduc la următoarele scheme echivalente:

Rid
Rid Rid
2 2
Ui1 Ric Ric Ui2

Ui1 Ric Ui2
2
Figura 2.53 Circuit echivalent la Figura 2.54 Circuit echivalent la

intrare, general , de semnal mic, intrare, general , de semnal mic,
schema în π schema în T
Ţinând seama de rezultatele obţinute în (2.254) şi (2.255) Figura 2.54 devine:

rπ rπ
Ui1 RE(β+1) Ui2
Figura 2.54 Circuit echivalent la intrare pentru etajul diferenţial
85
• Răspunsul circuitului RLC paralel
în frecvenţă
• Etaje fundamentale
• Etaje compuse
Capitolul 3
Amplificatoare de semnal mic,

bandă îngustă
Sunt cunoscute şi sub denumirea de amplificatoare acordate. Studiul lor se

face, ca şi în cazul amplificatoarelor de semnal mic bandă largă, în două
etape: o primă etapă este dedicată studiului comportării etajelor fundamentale,
în timp ce etapa a doua acoperă problemele ridicate de comportarea etajelor
compuse. În mod evident caracteristicile esenţiale ale unui etaj de amplificare
sunt determinate de structura sa topologică. Din acest punct de vedere
parametrii de tipul amplificare tensiune sau curent respectiv impedanţă de
intrare sau ieşire au formal aceleaşi expresii atât pentru amplificatoarele de
semnal mic bandă îngustă cât şi pentru amplificatoarele de semnal mic bandă
îngustă. Elementul de noutate care apare în studiul acestor din urmă
amplificatoare constă în fenomenul de interacţie ce poate să apară între
sarcină (care in acest caz este reprezentată de un circuit acordat) şi
capacităţile parazite de tipul Cπ şi Cµ ale tranzistorului bipolar. Din acest motiv
în cadrul capitolului se va insista asupra unor probleme specifice cum ar fi
problemele de instabilitate şi aliniabilitate
Structura capitolului este:
• Subcapitolul 3.1 este dedicat studiului comportării unui circuit de
tipul R,L,C. Motivaţia acestui studiu rezultă din necesitatea de a
defini corespunzător anumite concepte cum sunt cele de: factor de
calitate, lărgime de bandă sau frecvenţă centrală.
• Subcapitolul 3.2 se ocupă de comportarea etajelor fundamentale.
Pentru a nu încărca în mod excesiv expunerea se tratează numai
etajul emitor comun. Algoritmul de analiză prezentat se poate
aplica comod şi celorlalte etaje.
• Subcapitolul 3.3 se ocupă de comportarea etajelor compuse. ªi în
acest caz se oferă un singur exemplu de analiză şi anume cel al
perechii cu cuplaj prin emitor.
3.1 Răspunsul circuitului RLC paralel în frecvenţă
Aproape exclusiv amplificatoarele acordate au sarcini constituite din circuite

RLC paralel. Acesta este motivul pentru care acest subcapitol se ocupă de
studiul răspunsului, acestui circuit, în frecvenţă. Figura 3.1 prezintă un
asemenea circuit.
Ii R C L Uo
Figura 3.1 Circuit paralel RLC atacat cu generator de curent
S-au folosit notaţiile:

Ii curentul de debitat de generatorul de curent
Uo căderea de tensiune pe circuit
Se constată atacul circuitului cu generator de curent. Amintim că acesta este
atacul propriu pentru acest tip de circuit. Ca funcţie de transfer se defineşte
funcţia:
Uo
Z= (3.1)
Ii
Studiul comportării în frecvenţă pentru circuitul din figura 3.1 se reduce la

studiul funcţiei definite de formula (3.1). Amintim, de asemenea, că uzual acest
tip de analiză se face cu ajutorul diagramelor Bode, diagrame ce reprezintă în
ultim ă instanţă reprezentarea caracteristicilor de frecvenţă la scări logaritmice.
Se aplică urm ătorul algoritm:
1. Se determină transformata Laplace a funcţiei de transfer;
2. Se identifică polii şi zerourile acestei funcţii.
• Fiecare pol reprezintă o frecvenţă de frângere a
caracteristicii care introduce o cădere suplimentară a
pantei de -20dB/decadă.
• Fiecare zero reprezintă o frecvenţă de frângere a
caracteristicii care introduce o creştere suplimentară a
pantei de +20dB/decadă.
3. Se trasează asimptotele caracteristicii definite conform punctului 2
Pentru circuitul din figura 3.1 transformata Laplace a funcţiei de transfer este:
1 1
= (3.2)
Z(s) 1 1
+ sC +
R sL
87
Amplificatoare de semnal mic, bandã îngustã
Această expresie pune în evidenţă faptul că la frecvenţe joase (s→0) circuitul

1
se comportă inductiv întrucât dominant devine termenul , în timp ce la
sL
frecvenţe înalte (s→∞) devine dominant termenul capacitiv. Această
observaţie conduce la ideea că există o frecvenţă privilegiată, frecvenţă care
va fi numită în continuare frecvenţă de rezonanţă şi se va nota ω0, la care
impedanţa prezintă un maxim şi este pur rezistiv ă. Este uşor de v ăzut că
această frecvenţă se obţine pentru situaţia în care componenta capacitiv ă a
impedanţei devine egal ă cu componenta inductiv, adică:
1
ω 0C − =0 (3.3)
ω 0L
şi deci:
1
ω0 = (3.4)
LC
Observaţia f ăcută permite simplificarea procedurii de obţinere a caracteristicii
căutate, caracteristică ce va fi denumită în continuare curbă de rezonanţă.
Ideea constă în determinarea alurei curbei de rezonanţă în vecinătatea
frecvenţei de rezonanţă. Altfel spus în loc să se studieze comportarea
impedanţei circuitului RLC funcţie de frecvenţă, se va studia comportarea
acestei impedanţe funcţie de deviaţia de frecvenţă. Din punct de vedere formal
matematic acest lucru se reduc la a introduce schimbarea de variabilă
s′=s-jω0 (3.5)
în (3.2). Se va obţine:
1 1
Y( s' ) = = G + jω 0 C + s' C + (3.6)
Z(s' ) jω 0 L + s' L
Dacă:
ω0>>ω‘ (3.7)
se poate dezvolta ultimul termen al ecuaţiei (3.6), aceasta devenind:
1 s'
Y( s' ) ≅ G + jω 0 C + s' C + + (3.8)
jω 0 L ω 20 L
Înlocuind ω0L cu valoarea din (3.3), respectiv ω 20 cu valoarea dată de (3.4),

(3.7) se poate pune sub forma:
Y( s' ) ≅ G + 2s' C (3.9)
În aceste condi ţii Z(s’) - funcţia de transfer căutată devine:
88
1
Z(s' ) = (3.10)
G + 2 s' C
Expresia (3.10) are un pol la:
G 1
p1 = − = (3.11)
2C 2RC
Trecând în domeniul frecvenţă rezultă că:
1
ω' 3 dB = (3.12)
2RC
unde notaţia ω' 3dB semnifică valoarea lui ω' pentru care modulul lui Z(jω' )
scade cu 3 decibeli. Amintind că în fapt ω' este o deviaţie de frecvenţă, se
poate trage concluzia că există 2 frecvenţe de valori
ω1=ω0-ω‘ (3.13)
ω2=ω0+ω‘ (3.14)
pentru care modulul lui Z(s) scade cu 3 decibeli. Reprezentând grafic această
funcţie se obţine graficul din figura 3.2
Z(jω)[dB]
Z(jω0)
 B=ω2-ω1 banda
-3dB la 3 decibeli
ω1 ω0 ω2 ω [Hz]
scarã logaritmicã
Figura 3.2 Curba de rezonanţă a unui circuit RLC paralel
Figura 3.2 pune în evidenţă unul dintre cei mai importanţi parametrii ce
caracterizează această curbă şi anume banda de trecere la -3 dB, care se
defineşte ca în figură. Este uşor de v ăzut că:
1
B= (3.15)
RC
Alt parametru de interes este:
ω0
Q= (3.16)
B
unde: Q factor de calitate
ω0 frecvenţa centrală
B banda de trecere
89
Explicitând ω0 din (3.4) şi B din (3.15), (3.16) devine:

R
Q = ω 0 RC = (3.17)
ω 0L
3.2 Etaje fundamentale
Figura 3.3 prezintă un etaj emitor comun cu circuit acordat în colector. Se

spune că structura reprezintă un etaj cu circuit acordat la ieşire.
+EC
R
RB1
iIN
L C
Iin
RG
C2
+
C1
Ein Uo
Uin RE CE
RB2
-
Figura 3.3. Etaj emitor comun cu etaj acordat în colector
unde:
Uin tensiune de intrare (componenta alternativ ă de semnal mic)
Uo tensiune de ieşire (componenta alternativ ă de semnal mic)
Iin curent de intrare (componenta alternativ ă de semnal mic)
iIN curent de intrare (componentă continuă şi componentă
alternativ ă)
R,L,C circuit acordat în colector
RB1;RB2 divizor de polarizare; asigură în bază potenţialul necesar
funcţionării în regiunea activ ă normală.
C1;C2 condensatoare de cuplaj; separă în curent continuu etajul
blocând componenta continuă, dar lasă să treacă componenta
alternativ ă.
CE condensator de declupare; în curent alternativ pune emitorul la
masă, în curent continuu neavând nici un efect.
Figura 3.4 prezintă un etaj emitor comun cu circuit acordat atât în colector cât
şi în bază. Această topologie reprezintă un etaj cu circuit acordat atât la intrare
cât şi la ieşire.
90
+EC
Ro
Lo Co
Iin
RG C1
C2
+
Ein Ci Uo
Uin CE
-
Li Ri
RE
-EE
Figura 3.4. Etaj emitor comun cu etaj acordat atât la intrare cât şi la ieşire
Configuraţii de acest tip se pot imagina şi pentru conexiunea colector comun

sau bază comună. Altfel spus diferenţa esenţială- din punctul de vedere al
comportamentul în frecvenţă - dintre etajele fundamentale aperiodice de
semnal mic şi etajele fundamentale acordate de semnal mic, o constituie
prezenţa circuitelor oscilante (în alte cazuri circuite cuplate) ca circuite de
sarcină sau ca circuite de cuplaj.
La aceste tipuri de etaje sunt analizate urm ătoarele probleme:
• determinarea frecvenţei de acord şi a benzii de trecere pentru
caracteristica globală a etajului,
• determinarea condiţiilor de stabilitate.
• determinarea condiţiilor de aliniere
probleme care se rezolv ă, presupunând cunoscute frecvenţele de acord şi
benzile de trecere ale circuitelor oscilante R,L,C. Problema inversă şi anume
determinarea parametrilor circuitelor oscilante presupunând cunoscută alura
curbei de rezonanţă a etajului (sau etajelor) este o problema de sinteză
(proiectare) şi nu face obiectul prezentului curs. De altfel, la modul general,
acest tip de probleme sunt analizate în cadrul cursurilor de bazele radiotehnicii.
În acest subcapitol se va prezenta numai o abordare succintă a tehnicilor de
analiză utilizate la studiul amplificatoarelor de semnal mic acordate.
Trebuie însă menţionat că dacă frecvenţele de acord ale circuitelor oscilante
sunt mult mai mici decât fβ, astfel încât capacităţile Cπ şi Cµ să transporte un
curent neglijabil caracteristica global ă a etajului este dată exclusiv de valorile
componentelor din circuitele oscilante. În condi ţiile în care efectul capacităţilor
Cπ şi Cµ nu mai poate fi neglijat - situaţie care apare în cazul în care frecvenţa
de lucru a etajului este ridicată, de altfel situaţia tipică pentru aceste etaje -
caracteristica globală a etajului depinde şi de valorile acestor capacităţi. Mai
mult chiar, pentru amplificatorul din figura 3.4, aceste capacităţi pot avea un al
doilea efect mult mai important decât cel amintit. Astfel prin intermediul
capacităţilor Cπ şi Cµ, circuitul oscilant de la intrare se cuplează cu cel de la
91
ieşire. Datorită acestui cuplaj, alinierea amplificatorului, adică ajustarea celor

două circuite R,L,C astfel încât să rezulte o curbă de rezonanţă simetrică şi
neteda centrată pe ω0 poate fi dificilă. Mai mult chiar, în anumite situaţii
circuitul poate deveni instabil şi poate oscila. În fapt aceste ultime probleme,
tendinţa de oscilaţie şi alinierea vor fi prezentate în continuare, întrucât
determinarea efectului capacităţilor amintite asupra caracteristicii se reduce la
o simpl ă problem ă de calcul. Prezentarea se va face modelând etajul cu
ajutorul “parametrii y” de cuadripol, astfel concluziile obţinute nu depind de o
anumită topologie. Legătura dintre “parametrii y” şi circuit se poate face
ulterior.
3.1.1 Tendinţa de oscilaţie
Figura 3.5 prezintă schema echivalentă de semnal mic a unui etaj fundamental
(în particular poate fi chiar cel din figura 3.4) care are circuite oscilante atât la
intrare cât şi la ieşire.
U1 I1 I2 U2
C1 L1 R1 yie yreU2 yfeU1 yoe R2 L 2 C2
Figura 3.5 Schema echivalentă de semnal mic cu parametrii y pentru un etaj de amplificare de
semnal mic cu circuit acordat atât la intrare cât şi la ieşire.
Trebuie observat că, în ultim ă instanţă, existenţa celor două generatoare “yie“şi
“yoe“ reprezintă - prin cuplajul intrării şi ieşirii - cauza problemelor legate de
instabilitate şi aliniere.
A pune în evidenţă tendinţa de oscilaţie a unui circuit ca cel din figura 3.5 se
reduce la arăta că există posibilitate ca generatorul de intrare Ii să debiteze pe
un circuit oscilant pur. Altfel spus, componenta rezistiv ă a circuitului R1L1C1, să
se anuleze. Acest lucru se poate întâmpla numai dacă rezistenţa de intrare în
cuadripolul care modelează etajul poate deveni negativ ă. Acest raţionament
sugerează şi algoritmul de calcul ce va fi urmat. Se va calcula admitanţa de
I
intrare 1 în cuadripol (din motive de comoditate) şi se determina componenta
U1
ei rezistiv ă. Se va observa în ce condi ţii această componentă poate deveni
negativ ă.
Fie:
1
Y1 = G 1 + sC 1 + (3.18)
sL 1
1
Y2 = G 2 + sC 2 + (3.19)
sL 2
92
admitanţele proprii ale circuitelor acordate de la intrare respectiv ieşire. Cu

aceste notaţii circuitul din figura 3.5 se poate remodela ca în figura 3.6.
U1 I1 I2 U2
Ii
Y1 yie yreU2 yfeU2 yoe Y2
Figura 3.6
Acum se scrie imediat:

I1=yieU1+yreU2 (3.20)
I2=yfeU1+(yoe +Y2)U2 (3.21)
Prin calcule simple rezultă:
I1 y fe y re
y in = = y ie − (3.22)
U1 y oe + Y2
Întrucât Y2 variază puternic în jurul frecvenţei de rezonanţă este posibil ca

partea reală a lui yin - parte ce corespunde conductanţei gin - să devină
negativ ă. În aceste condiţii conductanţa care se vede la bornele generatorului
de curent Ii şi care la rândul este gin +G1 poate deveni zero şi deci sistemul va
oscila. Evident acest lucru se poate întâmpla numai la frecvenţa ω01, frecvenţă
de acord a primului circuit oscilant.
Pentru a exemplifica o asemenea situaţie se va aplica algoritmul prezentat
pentru circuitul din figura 3.3. Acesta se modelează ca în figura 3.7 (nu s-a
ţinut seama de rezistenţele de polarizare)
U1 I1 Cµ
+
RG
Ein gmU1 U2
-
rπ Cπ Y2
Pentru a simplifica calculele se va redesena schema introducând notaţiile:

Zπ=rπ Cπ (3.23)
1
Z2 = (3.24)
Y2
93
Figura 3.7 devine:

Cµ
I1 Iµ I2
Iπ
U1 Zπ gmU1 Z2 U2
Figura 3.8
Pentru acest circuit se poate scrie:

I1=Iµ+Iπ (3.25)
Iµ=gmU1+I2 (3.26)
U1=ZπI1 (3.27)
1
0= I µ + U2 − Iπ Z π (3.28)
sC µ
0=Z2I2+U2 (3.29)
Sistemul (3.25) ÷ (3.29) se poate rezolva prin eliminări succesive. Prima
necunoscută eliminată este U2:
U2=-Z2I2 (3.30)
I1=Iµ+Iπ (3.31)
Iµ=gmU1+I2 (3.32)
U1=ZπIπ (3.33)
1
0= I µ − Z 2I2 − I π Z π (3.34)
sC µ
Eliminând şi Iπ rezultă:
U2=-Z2I2 (3.35)
Iπ=I1-Iµ (3.36)
Iµ=gmU1+I2 (3.37)
U1=Zπ(I1-Iµ) (3.38)
1
0= I µ − Z 2I 2 − (I1 − Iµ )Z π (3.39)
sC µ
În continuare se elimină Iµ
U2=-Z2I2 (3.40)
94
Iπ=Iµ-I1 (3.41)
Iµ=gmU1+I2 (3.42)
U1=Zπ(-gmU1-I2+I1) (3.43)
1
0= (g m U1 + I2 ) − Z 2I 2 − (I1 − g m U1 − I 2 )Z π (3.44)
sC µ
Ultima necunoscută care se va elimina este I2

U2=-Z2I2 (3.45)
Iπ=Iµ-I1 (3.46)
Iµ=gmU1+I2 (3.47)
U1
I2 = − − g m U 1 + I1 (3.48)
Zπ
U1 1 U
0 = (− + I1 ) − Z 2 ( − 1 − g m U 1 + I1 ) + U 1 (3.49)
Zπ sC µ Zπ
Ecuaţia de interes este (3.49). Forţând în această ecuaţie factor comun I1 şi

notând:
U1
Z1 = (3.50)
I1
(3.49) devine:
Z1 1 Z
0 = (− + 1) − Z 2 ( − 1 − g m Z 1 + 1) + Z 1 (3.51)
Zπ sC µ Zπ
şi deci:
1
− + Z2
sC µ
Z1 = (3.52)
1 Z
1− + 2 + gm Z 2
sC µ Z π Z π
Pentru:
s=jω (3.53)
cu ω o frecvenţă inferioară frecvenţei de rezonanţă a circuitului R,L,C din
colectorul tranzistorului, (3.52) devine:
95
1
j + Z2
ωC µ
Z1 = (3.54)
1 Z
1+ j + 2 + gm Z 2
ωC µ Z π Z π
unde:
rπ
Zπ = (3.55)
1 + jωr π C π
1
dar pentru frecvenţe suficient de coborâte Zπ→rπ, termenul capătă valori
jωC µ
din ce în ce mai mari, iar impedanţa Z2 se comportă inductiv, adică poate fi
pusă sub forma:
Z2=a+jb (3.56)
Cu a>0 şi b>0. În aceste condi ţii se poate arăta că expresia (3.54) poate fi pusă
sub forma:
m(ω) + jn(ω)
Z 1(ω) = (3.57)
p(ω) + jq(ω)
unde m(ω), n(ω), p(ω) şi q(ω) sunt funcţii pozitive. A arăta că există valori ale
lui ω pentru care partea real ă a lui Z1 este negativ ă revine la a rezolva
inegalitatea:
m(ω )n(ω ) − n(ω )q(ω ) < 0 (3.58)
Calculul exact (ce nu va mai fi prezentat) poate determina şi domeniul în care

impedanţa de intrare prezintă componenta rezistiv ă negativ ă.
În final trebuie punctată importanţa capacităţii de reacţie Cµ în acest proces
(practic Cπ dispare din calcule prin neglijările propuse) şi ca un corolar,
necesitatea utilizării configuraţiilor la care efectul acestei capacităţi este
atenuat. Din acest punct de vedere se recomandă utilizarea montajelor de tip
cascod la amplificatoarele acordate.
3.1.2 Aliniabilitatea
Proprietatea esenţială a amplificatoarelor acordate este selectivitatea adică
proprietate de a amplifica numai semnale sinusoidate cuprinse într-o gamă
restrânsă. Exemplele cele mai la îndemână sunt oferite de amplificatoarele de
medie frecvenţă din receptoarele radio de orice tip. În principiu o asemenea
bandă - pentru întreg lanţul de medie frecvenţă - arată ca în figura 3.9
96
Au
Auîn bandã Banda la -3 dB
Au-3 dB
Frecvenþa centralã
lg ω0 lg ω
Figura 3.9 Bandă tipică a unui amplificator de medie frecvrecvenţă
Obţinerea unei asemenea aluri a benzii este în general dificil de realizat. În

situaţii reale se produc deform ări ale caracteristicii de rezonanţă. Figura 3.10
prezintă o situaţie posibil ă
Au
Auîn bandã Banda la -3 dB
Au-3 dB
Frecvenþa centralã
lg ω0 lg ω
Figura 3.10 Bandă asimetrică datorată nealinierii etajelor de medie frecvenţa ale unui amplificator
de madie frecvenţă
O asemenea bandă duce la distorsionarea semnalelor modulate ce trec prin

amplificator.
Problema alinierii constă în acordarea tuturor circuitelor rezonante din lanţul de
amplificatoare astfel încât caracteristica globală să arate ca în figura 3.9.
Dificultatea acestei alinieri constă în faptul că aceste circuite sunt cuplate între
ele, acordarea unuia ducând în mod automat la dezacordul altuia. Cuplajul
apare prin însăşi reacţia internă din tranzistoare. Există două căi principale de
rezolvare a problemei:
• determinarea unor algoritmi de acord; această soluţie este valabilă
pentru cazurile particulare, şi
• determinarea unor algoritmi de proiectare care să reducă influenţa
cuplajului amintit.
În continuare se va exemplifica cea de a doua cale menţionată pentru etajul
din figura 3.4. Prin analiza acestei scheme se pune în evidenţă faptul că
problema alinierii poate să apară chiar în cadrul unui etaj în condi ţiile în care în
componenţa acestuia există două circuite oscilante:
97
Analiza începe cu formula 3.22. Dacă termenul al doilea este mult mai mic
decât admitanţa circuitului de intrare
y fe yre
<< yie + Y1 (3.59)
y oe + Y2
dificultăţile de aliniere se reduc foarte mult. Inegalitatea (3.59 este cel mai greu
de îndeplinit în condiţiile în care circuitele lucrează la rezonanţă adică:
Y1=G1 (3.60)
Y2=G2 (3.61)
Mai mult chiar dacă se presupune:
yie<<G1 (3.62)
yoe<<G2 (3.63)
rezultă că pentru realizarea unei alinieri convenabile şi a unei curbe de
rezonanţă simetrice este necesar ca la frecvenţa de rezonanţă:
y fe y re << G1G2 (3.64)
Concluzionând., reducerea lui y fe yre la 10-20% din G1G2 poate fi folosită ca o

condi ţie de proiectare.
3.2 Etaje compuse
Realizarea condi ţiei (3.64), condi ţie care are ca efect în ultimă instanţă izolarea
intrării în raport cu ieşirea, duce, în situaţiile în care frecvenţa de acord este
ridicată, la scăderea inadmisibil ă amplificării etajului. Astfel apare necesitatea
utilizării unor etaje compuse care folosind două tranzistoare pot reduce
produsul y fe yre .Un asemenea etaj este perechea cu cuplaj prin emitor, etaj
ce va fi prezentat în continuare. Se poate observa că în ultimă instanţă este
vorba de un etaj colector comun-bază comună.
a.) schema este prezentată în figura 3.11
b.) rolul elementelor; notaţii folosite.
Ii generator de curent de intrare;
Ui tensiunea de intrare;
Uo tensiunea la ieşire
R1, C1, L1 circuit acordat la intrare
R2, C2, L2 circuit acordat la ieşire
RE rezistenţă de polarizare
98
R1 C1 L1
+EC
T1 T2
RE Uo
Ii Ui
R1 C1 L1
-EE
Figura 3.11 Amplificator acordat realizat cu o pereche ce cuplaj prin emitor
c.) analiza de semnal mic

Analiza de semnal mic, în acest caz, se va reduce la estimarea valorii
produsului y f yr şi compararea valorii obţinute cu valoarea care se obţine
pentru acest produs în cazul etajului emitor comun. Astfel va fi ilustrată
cantitativ ameliorarea care apare în capacitatea de aliniabilitate a acestui etaj
compus.
Schema echivalentă a amplificatorului din figura 3.11 este prezentată în figura
3.12. Trebuie amintit că parametrii yf şi yr se calculează numai pentru
cuadripolul AA’BB’ din figură.
A B
Ua1 Ua2
A’ B’
Ii R1 C1 L1 rx1 rπ1 Cπ1 Cµ1 gmUa1 RE rx2 rπ2 Cπ2 Cµ2 gmUa2 L2 C2 R2
Figura 3.12
c1.) calculul lui yf.

Din relaţiile (1.29), (1.30) se deduce imediat că:
I0
yf = (3.65)
Ui U0 = 0
Schema din figura 3.12 se remodelează funcţie de (3.65) ca în figura 3.13
99
A B
Ua1 Ua2
Io
Ui
A’ B’
rx1 rπ1 Cπ1 Cµ1 gmUa1 RE rx2 rπ2 Cπ2 Cµ2 gmUa2
Figura 3.13
Efectuarea calculului pornind de la această schemă este laborios. Valoarea lui

yf poate fi estimată relativ comod dacă se analizează etajul pornind de la
structura sa. Astfel primul tranzistor este un colector comun care are ca sarcină
impedanţa de intrare a celui de-al tranzistor care lucrează în conexiunea bază
comună (de valoare mică). Această impedanţă de intrare şuntează rezistenţa
RE (care este de valoare mare), astfel că tensiunea de intrare se aplică practic
pe grupurile rx1, rπ1 Cπ1 şi rx2, rπ2 Cπ2 înseriate. Din punctul de vedere al buclei
de intrare schema din figura 3.13 se redesenează ca în figura 3.14
rx1
rπ1 C π1 Ua
Ui
RE rπ2 C π2
rx2
Figura 3.14
Se poate observa că efectul lui Cµ1, respectiv Cµ2 a fost neglijat. Pentru
frecvenţe uzuale de lucru
rx<<zπ (3.66)
şi atunci
Ui
Ua ≅ (3.67)
2
Curentul de ieşire se poate calcula comod întrucât în conexiunea bază comună
curentul de intrare este aproximativ egal cu cel de ieşire. Deci:
Io≅-gmUa (3.68)
semnul minus apare din modul în care este definit în figura 3.13 curentul de
ieşire. Împărţind (3.68) prin (3.67) se obţine:
100
gm
yf = − (3.69)
2
c2.) calculul lui yr
Din relaţiile (1.29), (1.30) se deduce imediat că:
U0
yr = (3.70)
Ii Ui = 0
De această dată schema din figura 3.13 se remodelează ca în figura 3.15
A B
Ua1 Ua2
Ii
Uo
A’ B’
rx1 rπ1 Cπ1 Cµ1 gmUa1 RE rx2 rπ2 Cπ2 Cµ2 gmUa2
Figura 3.15
Ca şi în cazul precedent şi această schem ă poate fi simplificată. Astfel Cµ1 se

poate neglija (în timp ce capacitatea Cµ2 are de această dată un rol
determinant, valoarea curentului ce trece prin joncţiunile de bază ale celor
două tranzistoare fiind determinată de valoarea ei). Grupurile rx1, rπ1 Cπ1 şi rx2,
rπ2 Cπ2 se pot înseria prin mutarea grupului rx1, rπ1 Cπ1 sub emitorul lui T1 prin
înmul ţire cu (β+1), iar apoi peste emitorul lui T2 de această dată prin împărţire
la (β+1).Schema din figura 3.15 se redesenază ca în figura 3.16.
r x2 C µ2 Iµ
rπ 2 C π2 Ub
gm U b
Ii Uo
RE
rπ 1 Cπ1
r x1
Figura 3.16
Curentul Iµ se poate estima:

Iµ ≅sCµ2Ub (3.71)
şi deci curentul care trece prin grupul paralel rπ2 Cπ2 va fi:
101
r x2
i π = sC µ 2U b (3.72)
r x2 + r x 1 + z π 2 + z π1
iar:
I π (β 2 + 1)
Ii = − = −I π (3.73)
β1 + 1
De aici rezultă imediat

 1 
 + sC π 
r
y r = − sC µ  π  = − sC  g π + sC π  (3.74)
µ
 2   gx 
 
 rx 
c3.) calculul produsului yfyr 

Înlocuind în relaţia (3.64) relaţiile (3.69), respectiv (3.74) se obţine:
g π + sC π
g m sC µ << G 1G 2 (3.75)
4g x
Pentru comparaţie, un calcul similar pentru un etaj fundamental de tip emitor

comun ca cel din figura 3.4 conduce la condi ţia:
g m sC µ << G 1G 2 (3.76)
Comparând cele două condiţii se constată prezenţa unui factor K :
4g x
K= (3.77)
g π + sC π
Pentru frecvenţe suficient de coborâte acest factor devine:

4r π
K≅ (3.78)
rx
şi are valori cuprinse între 50 şi 100. La limita superioară, şi anume la ωβ, acest
factor ajunge la valoarea 4, deci chiar şi la aceste frecvenţe etajul cu cuplaj
prin emitor se aliniază mai uşor decât etajul emitor comun.
102
• Preliminarii
• Etaj EC în semnal mare
• Etaj EC ca etaj de ieşire
• Etaj BC în semnal mare
• Etaj BC ca etaj de ieşire
• Etaj CC în semnal mare
• Etaj CC ca etaj de ieşire
• Etaje compuse; etaje în clasă B şi
AB
Capitolul 4
Amplificatoare de semnal mare
Gama amplificatoarelor de semnal mare cuprinde toate amplificatoarele care

nu sunt de semnal mic. Din această perspectivă domeniul amplificatoarelor de
semnal mare poate fi structurat într-un număr mare de familii de circuite
înrudite funcţie de anumite criterii. Elementul comun al tuturor acestor familii îl
constituie faptul că elementele active lucrează neliniar. Studiul acestor familii
se reduce în ultimă instanţă la studiul efectelor induse de acest regim. Acest
studiu este în general prezentat în literatura de specialitate pentru aşa numitele
etaje de ieşire. În fapt concluziile care se desprind din analiza comportării
acestor etaje sunt suficient de generale pentru a putea fi folosite şi în cadrul
altor tipuri de circuite. Mai mult chiar, însăşi metoda utilizată în analiză poate fi
aplicată comod pentru studiul altor circuite. Acestea sunt motivele pentru care
acest capitol va pune un puternic accent pe studiul acestor etaje de ieşire.
Capitolul va fi structurat ca şi capitolele anterioare în două părţi mari. Într-o
primă parte se va prezenta comportarea etajelor fundamentale în regim de
semnal mare. Această parte va fi completată cu etaje tipice de ieşire ce
utilizează conexiuni fundamentale ale tranzistoarelor, iar în partea a doua se
vor prezenta etaje compuse tipice acestui regim
4.1 Preliminarii
Prezentul subcapitol va prezenta câteva dintre noţiunile utilizate în studiul

etajelor de ieşire. Cunoscute de asemenea sub numele de etaje finale sau etaje
de putere au rolul de a transfera sarcinii semnal de o anumită putere în condiţii
specificate de fidelitate. Din această cauză, în cazul lor apar restricţii
3
suplimentare legată de sarcină, care de cele mai multe ori reprezintă un circuit
de tip rezistiv inductiv de mică impedanţă. Aceste restricţii impun - în general -
următoarele condiţii privind realizarea lor:
• amplificare mare de curent şi eventual de tensiune;
• excursie mare de tensiune la ieşire;
• impedanţă mică de ieşire;
• capacitate paralel mică la ieşire pentru a evita efectele de
supracreştere a răspunsului în frecvenţă şi posibila instabilitate;
• randament ridicat;
• liniaritate prin origine (fără zonă moartă)
• nivel de distorsiuni scăzut
Literatura de specialitate prezintă o multitudine de circuite ce reprezintă soluţii
pentru aceste condiţionări. Mulţimea acestora se poate clasifica după două
criterii:
• structura topologică;
• clasa de funcţionare.
Din punctul de vedere al structurii topologice etajele de ieşire se împart în:
• etaje asimetrice (emitor comun, bază comună, colector comun,
etc)
• etaje simetrice (emitor comun în contratimp, colector comun în
contratimp, diferenţiale, cascode diferenţiale, etc)
Clasa de funcţionare împarte etajele de ieşire în
• etaje clasă A
• etaje clasă AB
• etaje clasă B
• etaje clasă C
• etaje clasă D
Clasa de funcţionare este determinată de Semnal Valoare continuã (P.S.F).
poziţia punctului static de funcţionare şi
nivelul semnalului. Astfel:
clasă A - elementul activ (tranzistorul)
conduce pe durata întregii perioade; se
spune că unghiul de conducţie este 3600;
figura 4.1 pune în evidenţă acest lucru.
clasă AB - unghiul de conducţie este mai Θ Unghi de conducþie
0 0
mare de 180 şi mai mic decât 360 ; figura continuã (P.S.F).
4.2 exemplifică acastă situaţie. Figura 4.1
104
Semnal Valoare continuã (P.S.F).
Θ Unghi de conducþie
continuã (P.S.F).
Figura 4.2
0
Clasă B; unghiul de conducţie este 180 ; figura 4.3 exemplifică această
Semnal
Θ Unghi de conducþie
continuã (P.S.F).
Figura 4.3
situaţie.
0
Clasă C: unghiul de conducţie este mai mic decât 180 ; figura 4.4 exemplifică
acastă situaţie.
Semnal
Θ - unghi de conducþie
continuã (P.S.F).
Figura 4.4
Clasă D elementul activ lucrează în regim de comutaţie; acest tip de

amplificator nu face obiectul prezentei lucrări.
4.2 Etaje fundamentale în regim de semnal mare
Studiul comportării tranzistorului bipolar în regim de semnal mare a fost

prezentat în lucrarea “Componente şi dispozitive electronice” de acelaşi autor.
Aici este reluată acea prezentare în ideea de a asigura parcurgerea comodă a
capitolului. S-a considerat că astfel se vor evita trimiterile succesive, trimiteri
ce ar fi putut deveeni neplăcute.
105
4.2.1. Etaj emitor comun în regim de semnal mare

În configuraţia emitor comun semnalul se aplică pe bază şi se culege din
colector. Emitorul este din punct de vedere alternativ la masă.
a.) schema de principiu. Este prezentată în figura 4.5
EC
RC
iC iO
iIN
uIN uO
Figura 4.5 Schema de principiu a unui etaj emitor comun
Observaţie: Trebuie amintit că pentru acest etaj (dar şi pentru etajul bază
comună), atacul propriu se face cu generator de curent. În cele ce urmează se
va prefera analiza să se facă funcţie de tensiunea de intrare pentru a putea
păstra simplitatea expunerii. În acelaşi timp trebuie spus că rezultatele îşi
păstrează valabilitatea.
RC - rezistenţă de sarcină
uIN - tensiune de intrare
uO - tensiune de ieşire
iIN - curent de intrare
iO - curent de ieşire
iC - curent de colector
c.) analiza de semnal mare.
În cadrul analizei se semnal mare se va ridica caracteristica de transfer
uO=uO(uIN) (4.1)
Trebuie observat că funcţie de valoarea tensiunii de intrare tranzistorul poate fi
blocat, saturat sau în conducţie. Astfel:
1. uIN<Uγ (4.2)
unde - Uγ tensiune de prag. Tranzistorul este blocat. Schema din
figura 4.5 se modelează conform schemei din figura 4.6
Se poate scrie:
uO=EC (4.3)
106
EC
RC
iC iO
iIN
B C
uIN uBE uO
E
Figura 4.6
2. Uγ <uIN<uBEsat (4.4).
Tranzistorul se găseste în regiunea activă normală. Schema din figura
4.5 se modelează conform figurii 4.7. Alegerea tipului de model folosit
pentru tranzistor s-a făcut ţinând cont de relaţia
uIN=uBE (4.5)
scrisă pe bucla de intrare. Se constată că trebuie utilizat tranzistor
modelul de ordin doi. Acest lucru este necesar întrucât acest model
este singurul - dintre cele prezentate în subcapitolul 4.3.2 al lucrării
amintite - care pemite variaţia tensiunii dintre bază şi emitor. Amintim
că atât modelul de ordin zero cât şi modelul de ordin unu presupun
această tensiune constantă.
EC
RC
iC iO
iIN
B C βiIN
uIN uBE uO
E
Figura 4.7
Se scrie imediat:
u 
uO=EC- ISRC exp IN  (4.6)
 eT 
3. uIN=uBEsat (4.7)
Tranzistorul este saturat. Condiţia (4.7) trebuie scrisă riguros sub
forma:
β iB>i C (4.8)
dar s-a preferat (4.7) pentru că este exprimată în tensiune. Schema din
figura 4.5 se modelează ca în figura 4.8
107
EC
RC
iC iO
iIN
B C
uO
uIN uBEsat uCEsat
E
Figura 4.8
Rezultă:
uO=uCEsat (4.9)
Reprezentând pe acelaşi grafic relaţiile (4.3), (4.6) şi (4.9) se obţine figura 4.9.
Analiza acestui grafic scoate în evidenţă următoarele aspecte:
I. Când tranzistorul este blocat tensiunea de la ieşirea etajului este
constantă şi apropiată de valoarea sursei de alimentare;
II. Când tranzistorul este saturat tensiunea de la ieşirea etajului este
constantă şi apropiată de zero (uCEsat.≅ 0.2-0.4V);
I. Când tranzistorul este în regiunea activ ă normală etajul amplifică.
Tensiunea de intrare poate varia într-un domeniu relativ mic (zeci de
milivolţi). Este necesar ca punctul static de funcţionare să fie astfel
ales încât tensiunea de pe bază să fie respecte condiţia (4.4). Acest
lucru este asigurat de circuitele de polarizare.
uO Regiunea de
blocare
EC Regiunea activã
normalã
Regiunea de
uCEsat saturaþie
uIN
0.5V 1V
Figura 4.9. Caracteristica de transfer a etajului emitor comun
4.2.2. Etaj emitor comun ca etaj de ieşire

Etajul emitor comun nu este foarte utilizat ca etaj de ieşire întrucât
performanţele lui (rezistenţa de ieşire relativ mare, nivelul distorsiunilor ridicat)
nu îl recomandă pentru acest tip de aplicaţie. O posibil ă soluţie, pentru
micşorarea rezistenţei de ieşire, o constituie utilizarea transformatoarelor de
adaptare. Acest tip de schem ă va prezentat în continuare.
Amplificator de putere în clasă A utilizând transformator de ieşire
a.) schema. Este prezentată în figura 4.10
108
EC
Tr
RB1 RL
iIN
C1 uO
uIN
RB2 RE CE
Figura 4.10. Amplificator de putere în clasă A utilizând transformator de ieşire
b.) rol elemente, notaţii folosite.

funcţionării în regiunea activ ă normal ă.
RE stabilizare termică
C1 condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar l ăsând să treacă componenta
alternativ ă.
CE condensator de decuplare; în curent alternativ pune emitorul la
masă; în curent continuu nu are nici un efect.
Tr transformator de ieşire (de adaptare); are rolul de a asigura
transferul maxim de putere în sarcină.
RL sarcină
uIN tensiune de intrare
i IN curent de intrare
c.) analiza de semnal mare
Problemele care prezintă interes în cadrul acestui tip de analiză sunt:
• alegerea punctului static de funcţionare
• puterea de ieşire şi randamentul;
• distorsiunile.
Pentru a simplifica calculele ce vor urma se vor face urm ătoarele ipoteze
simplificatoare.
• randamentul transformatorului de adaptare se consideră unitar
• rezistenţa primarului se consideră nul ă (nu există cădere de
tensiune continuă pe primar)
• se neglijează cădere de tensiune pe rezistenţa RE
c1.) alegerea punctului static de funcţionare
Este o problem ă esenţial ă întrucât de soluţia ei depind în mod direct
performanţele etajului. O analiză cât mai exactă se face în planul
caracteristicilor uCE-i C. Figura 4.12 prezintă aceste caracteristici. Există trei
condiţii care trebuie respectate în această alegere:
109
• punctul static de funcţionare trebuie să se afle în regiunea de

siguranţă figura 4.11;
• punctul static de funcţionare trebuie să asigure excursia maximă
de tensiune
• punctul static de funcţionare trebuie să asigure excursia maximă
de tensiune
iC
IC max
Regiunea de saturaþie
PDmax
Regiunea de blocare
uCE
UCE max
Figura 4.11 Regiunea de siguranţă
În continuare se vor adăuga următoarele două ipoteze simplificatoare:

• nu se va lua în calcul extinderea regiunii de saturaţie
• nu se va lua în calcul extinderea regiunii de blocare
Aceste ipoteze permit simplificarea figurii 4.11. Astfel în figura 4.12 nu mai
este figurată regiunea de saturaţie şi nici regiunea de blocare. Analiza figurii
pune în evidenţă dreapta de sarcină dinamică, dreaptă care reprezintă locul
geometric al punctelor de funcţionare în regim dinamic. În figură este
reprezentată de segmentul A B .
Punctul static de funcţionare, în figură notat cu M, trebuie poziţionat astfel încât

să respecte urm ătoarele două restricţii:
• să fie situat pe hiperbola de disipaţie maxim ă (pentru a asigura
maximizarea puterii
• să fie situat pe dreapta de sarcină astfel încât să se realizeze
condiţia:
AM = MB (4.10)
ceea ce duce la asigurarea excursiei maxime în curent şi tensiune.
c2.) calculul randamentului
Definiţia uzual ă a randamentului este:
pL
η= (4.11)
pA
110
unde:
pL puterea medie debitată în sarcină

pA puterea medie absorbită de la sursă
PDmax
iC
Punct static de
IC max funcþionare
A
Dreapta dinamicã de
Ic
sarcinã
IC M
EC uCE
B UCE max
Uce
Figura 4.12 Poziţionarea punctului static de funcţionare
Explicitarea expresiilor analitice ale celor două puteri presupune explicitarea

expresiilor curenţior şi tensiunilor. Astfel prin simpla inspecţie a figurii se poate
constata că:
Ic =IC (4.12)
Uce=UCE (4.13)
Pe de altă parte, trebuie observat că între valoartea instantanee a curentului şi
0
a valoarea instantanee a tensiunii pe tranzistor există un defazaj de 180 .
Acest lucru se evidenţiază comod prin intermediul dreptei de sarcină. Spre
exemplu valorii maxime a tensiuni îi corespunde valoarea minimă a curentului
(punctul B din planul uCE,i C). În urma acestor observaţii se pot scrie expresiile
instantanee ale curenţilor şi tensiunilor atât pe sarcină cât şi pe transiztor
Expresiile instantanee ale curentului şi tensiunii pe tranzistor
i C=IC-Icsin(ωt) (4.14)
uCE=UCE+Ucesin(ωt) (4.15)
notaţiile fiind cele clasice:
• literă mică, indice mare valoare instantanee totală;
• literă mare, indice mare valoare de curent continuu;
• literă mare, indice mic amplitudinea semnalului;
• literă mică, indice mic valoare instantanee a semnalului.
111
Expresiile instantanee ale curentului şi tensiunii pe sarcină. Se vor scrie aceste

valori numai pentru primarul transformatorului. Deoarece randamentul
transformatorului se consideră unitar, se vor folosi aceste expresii pentru
calculul puterii debitată în sarcină. Din punctul de vedere al semnalului, bucla
de ieşire a circuitului din figura 4.10 se modelează ca în figura 4.13
unde RL’ valoarea rezistenţei de sarcină reflectată în primar.
Se constată imediat:
il=Ilsin(ωt)=Icsin(ωt) (4.16)
ul=Ulsin(ωt)=Ucesin(ωt) (4.17)
Pentru calculul ce urmează este necesar ca aceste mărimi să fie exprimate
funcţie de poziţia punctului static. Astfel, introducând (4.12) şi (4.13) în relaţiile
(4.14)÷(4.17), şi ţinând cont de:
UCE=EC (4.18)
acestea din urmă devin:
iC=IC-ICsin(ωt) (4.19)
uCE=EC+ECsin(ωt) (4.20)
il=ICsin(ωt) (4.21)
ul=ECsin(ωt) (4.22)
Ic Il
Uce R’ L Ul
Figura 4.13
În aceste condi ţii valoarea medie a puterii absorbită de la sursă este:

2π
[ ]
1
E C IC + Ic sin( ωt) d(ωt )
2π ∫0
pA = (4.23)
Rezolvând integrala se obţine:
p A = E CIC (4.24)
Valoarea medie a puterii debitată în sarcină este:

2π
1
pL =
2π ∫ EC sin(ωT )IC sin( ωt ) d(ωt) (4.25)
0
Se obţine în final:
112
1
pL = E CIC (4.26)
2
Înlocuind (4.24) şi (4.26) în (4.11) expresia randamentului devine:
1
η= (4.27)
2
Întrucât simplificările acceptate nu se întâlnesc în situaţii reale, valoarea uzuală
a randamentului unui etaj în clasă A cu transformator de ieşire este de
aproximativ 40%.
c3.) distorsiuni
Relaţia (4.6) reprezintă în mod explicit dependenţa dintre tensiunea de ieşire şi
cea de intrare. Este uşor de observat caracterul ei profund neliniar. Calculul
distorsiunilor se poate face în mod direct. Fie:
uIN(t)=UIN+uin(t) (4.28)
cu:
uin(t)=Uinsin(ωt) (4.29)
tensiunea de intrare în etaj. Înlocuind (4.28) în (4.6), pentru tensiunea de ieşire
se obţine expresia:
 U + uin 
uL=EC- ISR′L exp IN  (4.30)
 eT 
sau:
 U   u 
uL=EC- I S R ′L exp IN  exp  in   (4.31)
  eT   e T  
u 
Dezvoltând în serie de puteri termenul exp in  (4.31) devine:
 eT 
  U  u 2
1 u in
3
1 u in 
uL=EC- I S R ′L exp IN   1 + in + + +...  (4.32)
  eT  2
e T 2! e T 3 ! e T 3
 
Observând că:
U 
IC= I S exp  IN  (4.33)
 eT 
(4.32) se rescrie:
113
 u 1 u in2 1 u in3 
uL=EC- ICR ′L  1 + in + 2
+ 3
+... (4.34)
 e T 2! e T 3 ! e T 
Întrucât, în principiu, se poate scrie:

uL=UL+ul (4.35)
prin identificarea componentei continue, respectiv alternative din (4.34) se
ajunge la:
u 1 u 2in 1 u 3in 
ui=- ICR ′L  in + 2
+ 3
+... (4.36)
 e T 2! e T 3 ! e T 
sau:
u l = d 1u in + d 2 u in2 + d 3 u in3 +... (4.37)
cu:
ICR L′
d1 = − (4.38)
eT
1 ICR L′
d2 = − (4.39)
2 ! e 2T
1 ICR L′
d3 = − (4.40)
3 ! e 3T
Formula (4.37) permite descrierea neliniarităţilor unui amplificator prin

specificarea distorsiunilor armonice definite pentru un semnal de forma (4.41)
la intrare.
ul(t)=Ulsin(ωt) (4.41)
Înlocuind (4.41) în (4.36):
u l = d 1U l sin(ωt ) + d 2U l2 sin 2 (ωt ) + d 3 U l3 sin 3 (ωt )+... =
d 2U 22
= d 1U l sin(ωt ) + (1 − cos 2ωt ) + (4.42)
2
d 3 U l3
+ (3 sin ωt − sin 3ωt )+...
4
Expresia (4.42) pune în evidenţă prezenţa armonicelor de frecvenţă 2ω, 3ω
etc...Astfel se pot definii:
Distorsiunea de armonica a doua (notată DH2). Este numeric egală
cu raportul dintre amplitudinea componentelor de frecvenţă 2ω, şi
amplitudinea fundamentalei (frecvenţă ω). Trebuie menţiont că în cazul
114
distorsiunilor mici ca amplitudine pentru fundamental ă poate fi luată

valoarea d1Ul. Se obţine deci:
d 2U l2
1 d2 1 Ul
DH 2 = 2 = Ul = (4.43)
d 1U l 2 d1 4 eT
Distorsiunea de armonica a treia (notată DH3). Este numeric egală

cu raportul dintre amplitudinea componentelor de frecvenţă 3ω, şi
amplitudinea fundamentalei. Se obţine:
d 3 U l3
2
1 d3 2 1  Ul 
DH 3 = 4 = Ul =   (4.44)
d 1U l 4 d1 24  e T 
Este interesant de observat că pentru Ul=10 mV rezultă DH2=10%, iar

DH3=63%. În final trebuie încă o dată menţionat că acest tip de evaluare a ţinut
cont numai de neliniarităţile introduse de caracteristica exponenţială a
tranzistoarelor, tranzistoare considerate atacate cu generator ideal de tensiune.
d.) observaţii
• Randamentul etajului este scăzut (aproximativ 40%)
• Nivelul distorsiunilor ridicat
• În absenţa semnalului puterea disipată de tranzistor este maxim ă.
Demonstraţia afirmaţiei se face observând că puterea dipată de
tranzistor se poate calcula ca diferenţă între puterea absorbită de
etaj din sursa de alimentare şi puterea debitată de etaj în sarcină.
În condi ţiile lipsei de semnal puterea debitată în sarcină este nulă
şi deci puterea disipată de tranzistor va fi egală cu puterea
absorbită din sarcină. Din punct de vedere formal ea va fi numeric
egal ă cu produsul ECIC, şi este cheltuită pentru a polariza
tranzistorul.
4.2.3. Etaj bază comună în regim de semnal mare

În configuraţia bază comună semnalul se alică în emitor şi se culege din
colector. Bază este legată din punct de vedere alternativ la masă.
115
a.) schema de principiu Este prezentată în figura 4.14
EC
RC
iIN iC iO
uIN uO
Figura 4.14 Schema de principiu a unui etaj bază comună

RC - rezistenţă de sarcină
iC - curent de colector
Ca şi în cazul etajului emitor comun şi pentru această configuraţie, se va studia
caracteristica de transfer conform formulei (4.1). Pentru a realiza acest lucru
se va modela schema din figura 4.14 funcţie de starea tranzistorului.
Trebuie făcută specificaţia că şi în acest caz se consideră etajul atacat cu
sursă de tensiune. Ca şi în cazul emitorului comun această sursă debitează pe
joncţiunea bază emitor de intrare, deci atacul cu generator de curent este mai
recomandat. Folosirea noţiunilor de tensiune de prag sau de tensiune de
saturaţie - face, însă, posibilă abordarea propusă. În concluzie fie deci:
1. uIN>-Uγ (4.46)
unde Uγ este tensiune de prag. Tranzistorul este blocat. Schema din
figura 4.14 se modelează conform schemei din figura 4.15. Se poate
scrie:
uO=EC (4.47)
EC
RC
iC iO
iIN
E C
uIN uEB uO
B
Figura 4.15
116
2. -Uγ>uIN>-uBEsat (4.48)
Tranzistorul se găseste în regiunea activă normală. Schema din figura
4.14 se modelează conform figurii 4.16. Întrucât:
uIN=-uBE (4.49)
pentru modelarea tranzistorului, ca şi în cazul emitorului comun,
trebuie utilizat modelul de ordin doi întrucât acest model ţine cont de
variaţiile tensiunii bază emitor.
EC
βiIN RC
iC iO
iIN
E
C
uIN uBE uO
Figura 4.16
Se scrie imediat:
 u 
uO= ISRC exp − IN  (4.50)
 eT 
3. uIN<-uBEsat (4.51)
Tranzistorul este saturat. Schema din figura 4.14 se modelează ca în
figura 4.17. Rezultă:
uO=uCEsat-uBEsat (4.52)
EC
RC
iC iO
iIN
E
C
uIN uBEsat uCEsat uO
Figura 4.17
Reprezentând pe acelaşi grafic relaţiile (4.47), (4..50) şi (4.52) se obţine figura

4.18.
Analiza acestui grafic scoate în evidenţă urm ătoarele aspecte:
constantă şi apropiată de valoarea sursei de alimentare;
117

constantă şi apropiată de zero (uCEsat.≅0.2-0.4V);
uO
Regiunea de
EC blocare
Regiunea de Regiunea activã

saturaþie normalã
-1V -0.5V uIN
Figura 4.18. Caracteristica de transfer a etajului bază comună
III. Când tranzistorul este în regiunea activ ă normală etajul amplifică.

Tensiunea de intrare poate varia într-un domeniu relativ mic (zeci
de milivolţi). Este necesar ca punctul static de funcţionare să fie
astfel ales încât tensiunea de pe bază să fie respecte condi ţia
(4.48). Acest lucru este asigurat de circuitele de polarizare. Trebuie
observat că în această regiune alura carateristicii de transfer este
exponenţială ceea ce face ca acest etat să aibă o comportare
foarte asem ănătoare cu cea a etajului emitor comun în se semnal
mare.
4.2.4 Etaj bază comună ca etaj de ieşire.

Configuraţia bază comună este utilizată ca etaj de ieşire numai în situaţii
speciale. Acest lucru se datorează caracteristicilor sale, caracteristici care nu o
situează în rândul configuraţiilor performante. În ciuda acestei observaţii, faptul
că acestă structură topologică:
• oferă cea mai mare tensiune de străpungere a tranzistorului; ea are
valoarea U BRCB0 corespunzând de tensiunii de străpungere a
joncţiunii colector bază; trebuie menţionat că întotdeauna U BRCB0 >
U BRCE0 , unde U BRCE0 este tensiunnea de susţinere/străpungere a
tranzistorului în conexiunea emitor comun;
• are un câştig mare în tensiune;
• are un râspuns bun în frecvenţă,
se constituie în avantaje certe. Ca dezavantaje trebuie menţionate:
• câştigul unitar în curent
• distorsiuni ridicare datorite alurii exponenţiale ale caracteristii de
transfer
• rezistenţă relativ ridicată de ieşire
118
a.) schema
O posibilă schem ă pentru un etaj de ieşire este prezentată în figura 4.19. Ea
reprezintă schema de principiu a unui etaj de ieşire al unui amplificator de
deviaţie pe verticală, monolitic, al unui osciloscop.
+EC
RL RL
Uo
T3 T4
EB
T1 T2
RE RE
Uin
IE
-EE
Figura 4.19 Etaj de ieşire în clasă A care utilizează tranzistoare cu bază comună

T3, T4 tranzistoarele de ieşire cu baza comună;
RL sarcina simetrică a acestor etaje;
T1, T2 etaj de comandă; lucrează în conexiunea emitor comun;
RE rezistenţe de degenerare; rezistenţe care liniarizează
caracteristica de transfer, astfel că sursa majoră de distorsiuni
devine etajul de comandă; ele introduc o recţie negativ ă locală
(se va reveni asupra problemei în capitolul dedicat reacţiei
negative).
Prin introducerea rezistenţelor de degenerare problema distosiunilor nu se
mai pune. Din punctul de vedere al randamentului se poate arăta că dacă se
neglijează puterea disipată în etajul de comandă randamentul este 25% ca al
oricărui etaj în clasă A
Datorită valorii ridicate a tensiunii de străpungere a tranzistoarelor în
conexiunea bază comună şi excursia tensiunii de iaşire va fi mai mare decât în
cazul emitorului comun (respectiv colector comun după cum se va vedea).
4.2.5. Etaj colector comun în regim de semnal mare

În configuraţia colector comun semnalul se aplică pe bază şi se culege din
emitor. Colectorul este din punct de vedere alternativ la masă.
a.) schema de principiu. Este prezentată în figura 4.20
119
+EC
iIN
iO
uIN RE
uO
Figura 4.20 Schema de principiu a unui etaj colector comun

RE - rezistenţă de sarcină
Parcurgând acelaşi algoritm ca şi pentru celelalte etaje prezentate, în cadrul
analizei se semnal mare se va ridica caracteristica de transfer conform
formulei (4.1). Se vor analiza succesiv situaţiile în care tranzistorul este blocat,
în conducţie şi în final saturat.
1. uIN<Uγ (4.53)
unde -Uγ tensiune de prag; tranzistorul este bocat. Schema din
figura 4.20 se modelează conform schemei din figura 4.21. Se poate
scrie:
+EC
iIN
iO
uIN RE
uO
Figura 4.21 Schema echivalentă a etajului colector comun cu tranzistorul blocat
uO=EC (4.55)
2. Uγ<uIN<EC (4.56).
Tranzistorul se găseste în regiunea activă normală. Schema din
figura 4.20 se modelează conform figurii 4.22. Se obţine:
120
iIN
+EC
B C
βi IN
uBE
E
uIN
RE
uO
Figura 4.22 Schema echivalentă a etajului colector comun cu tranzistorul în conducţie
uO=uIN-uBE (4.57)
3. uIN=Ec (4.58)
Tranzistorul se saturează. Trebuie reamintit că (4.58) trebuie scrisă
riguros funcţie de curenţi. Schema din figura 4.20 se modelează ca în
figura 4.23. Rezultă:
iIN
+EC
B C
uCEsat.
E
uBEsat.
uIN
RE
uO
Figura 4.23 Schema echivalentă a etajului colector comun cu tranzistorul saturat
uO≅EC (4.59)
Reprezentând pe acelaşi grafic relaţiile (4.55), (4.57) şi (4.59) se obţine (figura
4.24):
uO
Regiunea de
EC saturaþie
Regiunea activã
normalã
Uγ EC uIN
Regiunea de
blocare
Figura 4.34. Caracteristica de transfer a etajului colector comun
Analiza acestui grafic scoate în evidenţă urm ătoarele aspecte:

zero
constantă şi apropiată de valoarea sursei de alimentare
121
III. Când tranzistorul este în regiunea activ ă normală etajul amplifică.

Tensiunea de intrare poate varia într-un domeniu relativ mare
(volţi, zeci de volţi).
Este necesar ca punctul static de funcţionare să fie astfel ales încât tensiunea
de pe bază să fie respecte condiţia (4.56). Acest lucru este asigurat de
circuitele de polarizare. Întroducând aceste circuite schema din figura 4.20
devine:
+EC
RB1
iIN
C1
C2
iO
uIN
uO
RB2 RE
Figura 4.35. Etaj colector comun schema completă
elementele de circuit suplimentare au urm ătorul rol:

funcţionării în regiunea activ ă normală.
blocând componenta continuă, dar lasă să treacă
componenta alternativ ă.
O altă variantă de polarizare a etajului este prezentată în figura 4.36:
4.2.6 Etaj colector comun ca etaj de ieşire.
Schema din figura 4.36, spre deosebire +EC
de schema din figura 4.35, prezintă iC
avantajul de a nu mai utiliza
T1
condensatoare de cuplaj. Acest tip de iO
polarizare este relativ modern. În uIN
continuare analiza ce va fi prezentată va IE RL uO
avea ca punct de plecare o schem ă de
tipul acesteia. -EE
a.) schema Figura 4.36. Etaj colector comun polarizat cu

generator de curent.
b.) rolul elementelor, notaţii folosite.
RL - rezistenţă de sarcină;
IE - generator de curent pentru polarizarea lui T1;
122
Ca şi în cazul etajului emitor comun acest tip de analiză va cuprinde în mod

necesar calculul randamentului. Fără a mai detalia calculul trebuie spus că şi în
cazul acestui etaj randamentul maxim este 25%. De asemenea nivelul
distorsiunilor introduse de etaj este scăzut.
Figura 4.37 prezintă o posibil ă soluţie pentru implementarea generatorului de
curent din emitor.
+EC
T1
uIN
R3
T 2 RL uO
D1
R1 R2
-EE
Figura 4.37.
Este uşor de observat că generatorul de curent pentru polarizarea lui T1 este

format din D1; R1; R2; R3; T2.
4.3 Etaje compuse
Analiza etajelor prezentate în subcapitolul 4.2 - etaje ce lucrează în clasă A -

pune în evidenţă cel puţin două aspecte ce se constituie în dejavantaje majore:
• randament scăzut;
• consum de putere în absenţa semnalului.
Etajele în clasă B elimină din principiu cel de-al doilea dezavataj întrucât, în
cazul acestora, dispozitivul activ conduce numai o semiperioadă. Altfel spus
pentru această clasă de amplificatoare elementul activ nu conduce în absenţa
semnalului. Trebuie însă observat că acest tip de conducţie al elementului
activ impune ca în structura unui etaj în clasă B să existe cel putin două
elemente active, fiecare amplificând câte o alternanţă a semnalului. Acesta
este motivul pentru care aceste etaje se mai numesc etaje în contratimp.
După cum se va arăta, acest tip etaje prezintă dejavatanjul unui nivel ridicat de
distorsiuni. Eliminarea acestui nou inconvenient se face prin apelarea la etajele
în clasă AB.
Studiul etajelor în clasă B şi AB constituie subiectul acestui capitol.
Etaje în clasă B şi AB
123
Literatura de specialitate prezintă o gam ă largă de variante constructive.

Soluţiile moderne apelează la tranzistoare complementare.
+EC
T1
uIN
T2 RL uO
-EE
Figura 4.38. Etaj de ieşre în clasă B. Schemă de principiu.
a.) schema de principiu este prezentată în figura 4.38

b.) rolul elementelor, notaţii folosite.
RL - rezistenţă de sarcină;
uIN - tensiune de intrare;
uO - tensiune de ieşire;
T1 - tranzistor npn în conexiunea colector comun ce amplifică
alternanţa pozitiv ă;
T2 - tranzistor pnp în conexiunea colector comun ce amplifică
alternanţa negativ ă.
Ca şi în cazul celorlalte etaje această analiză va cuprinde:
• determinarea caracteristicii de transfer;
• calculul puterii de ieşire;
• calculul randamentului.
c1.) determinarea caracteristicii de transfer
Construcţia acestei caracteristici poate pleca de la observaţia că acest etaj este
în ultim ă instanţă construit din două etaje colector comun. Pentru tensiuni
pozitive T1 conduce iar T2 se blochează în timp ce pentru tensiuni negative T2
conduce iar T1 se blochează. Astfel:
I uIN≤-EE tranzistorul T2 se saturează iar T1 se blochează. Schema din
figura 4.38 se modelează ca în figura 4.39.
124
+EC
C
B
T1
E UECsat
E
uIN
T2 RL uO
B C
-EE UEBsat
Figura 4.39. Tranzistorul T 1 blocat, tranzistorul T 2 saturat
Neglijând într-o primă aproximaţie tensiunile de saturaţie de pe joncţiuni, se

observ ă:
uO≅-EE (4.60)
II -EE <uIN≤ -Uγ tranzistorul T2 lucrează în regiunea activ ă normală în
timp ce T1 rămâne blocat.. Schema din figura 4.38 se modelează ca în figura
4.40.
+EC
C
B
T1
E βIB
E
uIN
-IB T2 RL uO
B C
-EE UEB
Figura 4.40. Tranzistorul T1 blocat, tranzistorul T 2 conduce
Prin inspecţia figurii se constată:

uO=uIN-UEB (4.61)
III -Uγ <uIN< Uγ Atât tranzistorul T2 cât şi tranzistorul T1 sunt blocate.
Schema din figura 4.38 se modelează ca în figura 4.41.
+EC
C
B
T1
E
E
uIN
T2 RL uO
B C
-EE
Figura 4.41. Tranzistorul T 1 blocat, tranzistorul T 2 blocat
Se constată:
uO=0 (4.62)
125
IV Uγ ≤uIN<EC se blochează T2 şi intră în conducţie T1. Schema din figura

4.38 se modelează ca în figura 4.42.
+EC
β IB
B C
T1
-IB
E UBE
E
uIN
T2 RL uO
B C
-EE
Figura 4.42. Tranzistorul T 1 conduce , tranzistorul T 2 blocat
Aplicând teorema a doua a lui Kirkhhoff pe bucla ce cuprinde atât uO cât şi uIN
se obţine:
uO=uIN-UBE (4.63)
V uIN≥EC ;Se saturează tranzistorulT1. TranzistorulT2 rămâne blocat.
Schema din figura 4.38 se modelează ca în figura 4.43.
+EC
UCEsat
C
B
T1
E UBEsat
E
uIN
T 2 RL uO
B C
-EE
Figura 4.43. Tranzistorul T 1 saturat , tranzistorul T 2 blocat
Dacă se consideră UCEsat neglijabil ă (valoarea ei reală este 0.2÷0.4V) pentru

uO se obţine:
uO≅EC (4.64)
Reprezentând pe acelaşi grafic (4.60) ÷(4.64) se obţine caracteristica din figura
4.44.
Limitele de variaţie ale tensiunii de ieşire sunt - după cum se poate vedea din
inspecţia figurii - +EC ,-EE,. Un calcul mai exact arată că aceste sunt în fapt
EC-uCEsat, respectiv -EE+uCEsat. Aceste mici diferenţe apar datorită considerării
tensiunilor de saturaţie pe tranzistoare neglijabile. O discuţie similară se poate
face referitor la gama de variaţie a tensiunii de intrare. Riguros, limitele de
variaţia ale tensiunii de intrare sunt: -EE+uCEsat+uBE,respectiv, EC-uCEsat-uBE.
Trebuie de asemenea observat că discuţia de mai sus a presupus că tensiunile
reziduale pe tranzistoare sunt egale cu zero ceea ce este suficient de adev ărat.
126
uO
T1 saturat
EC
T2 conduce
T1 blocat
-EE -Uγ
Uγ EC uIN
T1 conduce
T2 blocat
-EE
T2 saturat
Figura 4.44. Caracteristica de transfer a etajului prezentat în figura 4.38
Observaţia cea mai importantă referitoare la această caracteristică de transfer

constă în evidenţierea unei zone moarte de m ărime 2Uγ centrată pe uIN=0.
Această zonă moartă determină apariţia distorsiunilor de racordare,
distorsiunii ce caracterizează acest etaj şi limitează utilizarea lui în practică.
Figura 4.45 ilustrează modul în care se produc acestea. Se poate observa că
acest tip de etaj nu poate amplifica decât semnale de intrare a căror
amplitudine este mai mare decât valoarea Uγ.
uO uO
-Uγ t
Uγ uIN
Distorsiune de
racordare
-EE
uIN
Figura 4.45. Apariţia distorsiunilor de racordare.
Eliminarea acestor dezavantaje se face cel mai comod prin prepolarizarea

tranzitoarelor T1,T2. Astfel, dacă aceste tranzistoare ar fi uşor deschise
(polarizate în absenţa semnalului cu o tensiune aproximativ egală cu Uγ), zona
moartă din caracteristica 4.44 ar dispare şi deci ar fi eliminate aceste
distorsiuni de racordare. Soluţia tehnică constă în introducerea unui circuit
suplimentar de polarizare în montajul prezentat în figura 4.38 Se ajunge la
schema de principiu din figura 4.46
Figura 4.46 prezintă aşa numitul etaj de ieşire în clasă AB. Comparând
această schem ă cu cea din figura 4.38, se constată că circuitul suplimentar de
polarizare este format din generatorul de curent ID şi diodele D1,D2. În fapt
Funcţionarea este urm ătoarea: generatorul ID forţează polarizarea în direct a
diodelor. Deoarece aceste diode sunt legate în paralel pe joncţiunile bază
127
emitor ale tranzistoarelor, rezultă că acestea vor fi prepolarizate cu tensiune

egală cu cea de la bornele diodelor.
+EC
ID
T1
D1
D2
T2 RL uO
uIN
-EE
Figura 4.46. Etaj de ieşire în clasă AB. Schemă de principiu.
În schemele reale diodele se înlocuiesc cu circuite mai performante. De reţinut

este faptul că prin varierea valorii curentului ID, se poate modifica nivelul
tensiunii de prepolarizare al tranzistoarelor. Revenind la shemele reale, trebuie
spus că acest reglaj se face astfel încât să se asigure un anumit curent de
repaus (de valoare mică) prin tranzistoarele finale. Caracteristica de transfer a
noului etaj este prezentată în figura 4.47
uO
T1 saturat
EC
-UBE2
-EE
EC uIN
T2 conduce T1 conduce
T1 blocat T2 blocat
-EE
T2 saturat
Figura 4.47. Caracteristica de transfer a etajului prezentat în figura 4.46
c2.) calculul puterii de ieşire, randamentul

Pentru calculul randamentului se va folosi relaţia (4.11). Este deci necesar
calculul m ărimilor p L (puterea medie debitată în sarcină), şi p A (puterea
medie absorbită de la sursă). La rândul lor aceste mărimi necesită explicitarea
expresiilor analitice ale curenţilor şi tensiunilor din montaj. Figura 4.48 arată
pozitionarea punctului static de funcţionare pentru un etaj clasă B.
128
Punct static de
iC PDmax funcþionare
IC max
Ic
uCE
M
Dreapta dinamicã de UCE max
sarcinã EC
Uc
Figura 4.48 Poziţionarea punctului static de funcţionare pentru etajul final clasă B
Prin inspecţia figurii se pot deduce expresiile instantanee ale curentului şi

tensiunii din anumite puncte. Astfel P.S.F.-ul este definit de dubletul {EC,0}.
Rezultă imediat că amplitudinea tensiunii alternative de pe sarcină este:
Uc=EC (4.65)
Amplitudinea curentului din sarcină este notată în figura 4.48 cu Ic În această
etapă se pot construi formele de undă pentru curentul din sarcină, respectiv cel
debitat de sursă (figura 4.49).
Expresiile instantanee ale curentului şi tensiunii pe sarcină devin:
i C(t)=Icsin(ωt) (4.66)
uc(t)=Ucsin(ωt) (4.67)
Expresia instantanee a curentului debitat de sursă este:
IS(t)=Icsin(ωt) (4.68)
În aceste condiţii valoarea medie a puterii absorbită de la sursă este:
2π
1
E CIc sin(ωt ) d(ωt)
2π ∫0
pA = (4.69)
Rezolvând integrala se obţine:

2
pA = E CI C (4.70)
π
Valoarea medie a puterii debitată în sarcină este:
2π
1
E C sin(ωT )IC sin( ωt ) d(ωt)
2 π ∫0
pL = (4.71)
129
Se obţine în final:
1
pL = E C IC (4.72)
2
Înlocuind (4.71) şi (4.72) în (4.11) expresia randamentului devine:
π
η= (4.73)
4
ic – curentul din sarcinã
Ic
uc -tensiunea pe sarcinã
EC
iS –curentul debitat de sursã

Conduce T2 Conduce T2
Ic
t
Conduce T1 Conduce T1
Figura 4.49
d.) variante constructive

Figura 4.50 prezintă un etaj de ieşire în contratimp care poate funcţiona în
clasă AB sau B funcţie de polarizare. Se observa că este construit în principiu
din două etaje emitor comun care debitează putere pe transformatorul T2.
Transformatorul Tr1 - numit transformator defazor – are rolul de a forma
semnalul de atac pentru tranzistoarele finale. Astfel pe alternanţa pozitiv ă
conduce T1 şi este blocat T2, iar pe alternanţa negativ ă conduce T2 şi este
blocat T1. Transformatorul Tr1 reface în sarcină sinusoida. Dezavantajul major
al etajului constă în existenţa transformatoarelor. O variantă îmbunătăţită este
prezentată în figura 4.51. Excitaţia tranzistoarelor este realizată cu ajutorul unui
transformator cu două secundare conectate între bazele şi emitorii
tranzistoarelor. Necesitatea utilizării unui astfel de transformator pentru atacul
tranzistoarelor se constituie într-un dezavantaj pentru etaj.
130
+EC
T1
RL
Tr1 Tr2
RB1 RE1
uO
uIN
RB2 RE2
T2
Figura 4.50 Etaj de ieşire în clasă B cu transformator de intrare şi de ieşire.
Eliminarea lui se poate realiza în mai multe moduri. O prim ă soluţie o poate
constitui utilizarea unui etaj defazor pentru atacul tranzistoarelor finale. Figura
4.52 prezintă un asemenea circuit.
+EC
RB1
Tr1
T1
RB2 RE1
C
uIN
RB3
T2
RL uO
RB4 RE2
Figura 4.51 Etaj de ieşire în clasă B fără transformator ieşire.
Dejavantajul circuitului rezidă din faptul că impedanţa de ieşire din colectorul

lui T3 nu este egală cu impedanţa de ieşire din emitor. O soluţie modernă o
constituie etajul totem pole. Figura 4.53 prezintă un asemenea etaj.
Explicaţia funcţionării acestui etaj porneşte de la observaţia că tranzistorul T2 şi
dioda D2 nu pot conduce simultan întrucât căderea maximă de tensiune pe
joncţiunea bază emitor a lui T2 împreună cu cea de pe dioda D2 trebuie să fie
131
+EC
R RB1
T1
C1
RB2 RE1
C
T3
RB3
T2
uIN
C2
R RB4 RE2 RL uO
Figura 4.52 Etaj de ieşire în clasă B fără transformator de intrare şi de ieşire. Schemă de principiu.
egală cu căderea de tensiune pe D1. În figură este prezentat şi modul în care

circul ă curentul. Săgeţile continue sunt asociate alternanţei pozitive, iar
săgeţile punctate alternanţei negative. Trebuie totuşi menţionat că în timp ce
tranzistorul T1 şi dioda D1 conduc tot timpul (funcţionare în clasă A), tranzistorul
T2 şi dioda D2 conduc numai câte o semiperioadă (funcţionare în clasă B).
+EC
T2 RL
D1
D2 uO
T1
uIN
-EE
Figura 4.53. Etaj totem pole.
132
Etajele prezentate au în comun faptul că tranzistoarele finale sunt de acelaşi

tip. Aceasta a reprezentat pentru mult timp o soluţie viabil ă pusă de
performanţele de putere limitate ale tranzistoarelor pnp. Figura 4.54 prezintă
un etaj de ieşire cvasicomplementar. Se observ ă că în locul tranzistorului pnp
din figura 4.46 este folosit un tranzistor compus. Compromisul constă în faptul
că tranzistorul de putere (T4) este npn, în timp ce tranzistorul compus T3, T4 se
comportă ca un tranzistor npn.
+EC
D3
T2
R
T5
D1
D2 RL uO
T3
T4
T1
uIN
-EE
Figura 4.54. Etaj de ieşire în clasă AB cvasicoplementar
În final trebuie spus că soluţiile actuale sunt de tipul circuitului prezentat în

figura 4.46
133
• Reacţia ideală
• Analiza circuitelor cu reacţie.
Algoritmul “a-f”.
• Concluzii
Capitolul 5
Reacţia în amplificatoare.
Definită ca fenomenul prin care “efectul“ produs de o “cauză” influenţează asupra

acelei “cauze”, reacţia este folosită pe scară largă la amplificatoare. Motivele care stau
la baza utilizării pe scara largă a acestui procedeu sunt:
• stabilizarea câştigului amplificatorului faţă de:
îmbătrânire;
dispersia parametrilor dispozitivelor active datorate surselor de
alimentare
variaţia temperaturii;
• modificarea impedanţelor de intrare şi ieşire în mod comod;
• reducerea distorsiunilor neliniare;
• creşterea benzii de trecere;
• reducerea raportului semnal/zgomot.
Preţul plătit pentru avantajele menţionate constă în:
• reducerea amplificării
• apariţia tendinţei de oscilaţie.
Identificând “efectul” cu semnalul de excitaţie iar “cauza” cu semnalul de “răspuns”,
se constată că prin reacţie semnalul de ieşire influenţează semnalul de intrare. Pentru a
fi posibil acest lucru este necesar ca în structura amplificatoarelor să se introducă o
nouă cale pentru transmisia inversă a semnalului. Amplificatoarele cu reacţie sunt deci
bilaterale, adică transmit semnalul în ambele sensuri, spre deosebire de
134
amplificatoarele studiate în capitolele 1-4. Introducerea acestei căi de reacţie are efecte
imediate asupra modalităţilor analiză ale acestei clase de circuite. Literatura de
specialitate prezintă mai multe modalităţi de abordare pentru această problemă.
Prezentul capitol îşI propune să prezinte una dintre ele, şi anume un algoritm comod,
aşa numitul algoritm “a-f.”
Subcapitolul 1. Se ocupă de studiul reacţiei ideale. Astfel se va dezvolta ecuaţia reacţiei
ideale. Cu ajutorul acestei ecuaţii se vor trece în revistă atât avantajele cât şi
dezavantajele utilizării reacţiei. În final sunt prezentate principalele topologii de
reacţie.
Subcapitolul 2. Se ocupă de studiul reacţiei reale. Aceasta presupune schimbarea
modelelor pentru elementele schemei bloc. Dacă în subcapitolul 1 s-au utilizat pentru
amplificator modele reale de surse comandate, iar calea de reacţie a fost modelată cu
ajutorul surselor comandate liniare ideale, în acest subcapitol se introduc modele reale
de surse comandate pentru calea de reacţie. Se studiază modalităţile prin care reacţia
reală se poate reduce la reacţia ideală şi pe această bază se dezvoltă algoritmul a-f.
Subcapitolul 3. Este dedicat concluziilor
5.1. Reacţia ideală

5.1.1. Preliminarii
Structura generală a unui amplificator cu reacţie este prezentată în figura 5.1
Xi Xε Xo
+
Σ a
Xf -
Figura 5.1 Schema bloc a unui amplificator cu reacţie
unde:
Xi semnal de intrare
X0 semnal de ieşire
Xε semnal de eroare
Xf semnal de reacţie
În plus se mai fac următoarele patru ipoteze simplificatoare:
135
Reacþia în amplificatoare
I1 Funcţiile de transfer ale blocurilor componente sunt independente de

frecvenţă. Analiza se face în regim cvasistatic.
I2 Atât amplificatorul de bază cât şi reţeaua de reacţie lucrează liniar.
Astfel spus, analiza se face în semnal mic.
I3 Reţeaua de reacţia nu încarcă amplificatorul şi nici amplificatorul nu
încarcă reţeaua de reacţie.
I4 Bucla de reacţie poate fi parcursă numai de sensul indicat de săgeţile
din figură.
Realizarea condiţiilor de mai sus presupune:
• reţeaua de reacţie se modulează ca sursă comandată liniară ideală (figurile
1.2, 1.4, 1.6, 1.8);
• sursele de excitaţie se consideră ideale (rezistenţa internă este zero pentru
sursele de tensiune şi infinită pentru sursele de curent);
• sarcina amplificatorului din reacţie este zero sau infinit funcţie de tipul
amplificatorului (zero pentru amplificator de curent sau transadmitanţă,
infinit pentru amplificatorul de tensiune precum şi cel transimpedanţă).
• amplificatoarele se vor modela utilizând schemele prezentate în figurile 1.3,
1.5, 1.7, 1.9
5.1.2 Ecuaţiile fundamentale ale reacţiei ideale.
Ecuaţia reacţiei ideale explicitează funcţia:
A=A(a,t) (5.1)
unde:
Xo
A= (5.2)
Xi
factorul de transfer al amplificatorului cu reacţie,
X
a= o (5.3)
Xε
factorul de transfer al amplificatorului de bază,
X
f= f (5.4)
Xi
factorul de transfer al amplificatorului cu reacţie.
Prin inspecţia schemei bloc din figura 5.1 se deduce:
Xε=Xi-Xf (5.5)
Împărţind această relaţie prin X0 se obţine:
Xε X X
= i − f (5.6)
Xo Xo Xo
136
Ţinând cont de definiţiile (5.2)÷(5.4), 5.6. se rescrie:

1 1
= −1 (5.7)
a A
Rezultă imediat:
a
A= (5.8)
1 + fa
Relaţia (5.8) reprezintă ecuaţia fundamentală a reacţiei ideale. Cu ajutorul acestei
relaţii se introduc două noi concepte:
reacţia pozitivă, definită de situaţia:
A>a (5.9)
sau
1 + af < 1 (5.10)
reacţia negativă, definită de:

A<a (5.11)
sau
1 + af > 1 (5.12)
În amplificatoare se foloseşte în mod exclusiv reacţia negativă. Reacţia pozitivă este

caracteristică oscilatoarelor. Trebuie de asemenea adăugat că:
T = af (5.13)
reprezintă “transmisia pe buclă“. Dacă:
T>>1 (5.14)
caz suficient de des întâlnit în practică, (5.7) devine:
1
A≅ (5.15)
f
Acest ultim rezultat este extrem de important. Se constantă ca amplificarea
amplificatorului cu reacţie este în mod exclusiv dictată de reţeaua cu reacţie. Ţinând
cont de faptul că în general reţeaua cu reacţie este formată din componente pasive,
caracterizate printr-o dispersie controlată (mică) a parametrilor, rezultă că
amplificarea globală nu depinde de dispersia parametrilor (mare) caracteristică
dispozitivelor active din amplificatorul de bază. Mai mult, se poate deduce o metodă
rapidă de calcul a transmitanţei pentru amplificatoarele cu reacţie:
Se identifică reţeaua de reacţie;
Se calculează trasmitanţa f
Se aplică relaţia (5.15) pentru determinarea amplificării,
137
valabilă în cazul reacţiei negative puternice. Se poate observa că în acest calcul nu

intervine în nici un fel amplificatorul de bază.
5.1.3. Avantajele folosirii reacţiei negative la amplificatoarele
electronice
a) Desensibilizarea amplificatorului cu reacţie.
Se pune problema determinării variaţiei lui A funcţie de variaţia lui a în condiţiile care
se consideră.
1. Amplificatorul de bază (a) este sensibil în general la:
dispersia parametrilor dispozitivelor active datorată surselor de
alimentare;
variaţia temperaturii;
îmbătrânirii.
2. Reţeaua de reacţie (f) este constituită dintr-un atenuator de precizie deci nu
este afectată de nici unul dintre factorii de mai sus
Diferenţiind (5.8) rezultă:
1
dA = da (5.16)
(1+ fa)2
Variaţia relativă a lui A se obţine împărţind (5.17) prin (5.8):
dA 1 da
= (5.17)
A 1 + af a
Relaţia (5.18) pune în evidenţă faptul că o variaţie relativă a lui “a“ are ca efect o
variaţie relativă a lui “A“ de “1+a“ ori. Spre exemplu dacă produsul “af“ fost 49 iar
variaţia relativă “a” este de 10%, variaţia relativă lui “A“ va fi doar 0.2%.
b) Îmbunătăţirea raportului semnal zgomot
În principiu raportul semnal zgomot nu este afectat de reacţia negativă. Există totuşi o
situaţie şi anume situaţia în care zgomotul perturbator este introdus în lanţul de
amplificare. Figura 5.2 prezintă o asemenea situaţie Se constată că amplificatorul de
bază este format din două etaje semnalul perturbator fiind introdus între primul şi al
doilea etaj. O asemenea situaţie se întâlneşte în practică la amplificatoarele audio. În
timp ce preaplificatoarele – care consumă puţin – sunt alimentate de la surse bine
filtrate (ar fi prea scumpă o filtrare bună), etajele finale se alimentează de la surse mai
puţin filtrate (ar fi prea scumpă o filtrare bună. Deci perturbaţia este constituită de
brumul de la reţea care este introdus între preamplificator şi amplificator.
138
Xp
Xi Xε Xo
+
+ +
Σ a1 Σ a2
Xf -
Figura 5.2
Pentru a calcula raportul semnal-zgomot de la ieşirea amplificatorului din figura 5.2.

se aplică principiul suprapunerii efectelor:
a 1a 2 a2
Xo = Xi + Xp (5.18)
1+ a1a 2 f 1+ a1a 2 f
Notând;
a 1a 2
Xu = Xi (5.19)
1+ a 1a 2 f
componenta utilă şi
a2
Xn = Xp (5.20)
1+ a 1a 2 f
componenta perturbatorie, raportul semnal zgomot pentru această situaţie este:

S Xu
= (5.21)
N Xn
Înlocuind în (5.21), (5.20) şi (5.19) se obţine:

S X
= a1 i (5.22)
N Xp
Pentru a evalua efectul reacţiei fie etajul de amplificare a2 lucrând în buclă deschisă
(figura 5.3).
Xp
Xi Xo
+
+ a2
Σ
Figura 5.3
139
În acest caz:
X’o=a2Xi+a2Xp (5.23)
Observând că de această dată componenta utilă este:
X’u=a2Xi+ (5.24)
iar componenta perturbatoare:
X’n=a2Xp+ (5.25)
raportul semnal zgomot în acest caz capătă expresia:
S′ X i
= (5.26)
N′ X p
comparând (5.26) cu (5.22) se constată că raportul semnal zgomot în cazul

amplificatorului cu reacţie de a2 ori mai bun. Deci, dacă este posibil ca să se
construiască un amplificator a1 care să nu fie afectat de zgomot, atunci este posibil să
se îmbunătăţească raportul semnal-zgomot cu ajutorul reacţiei.
c) Reducerea distorsiunilor neliniare.
Fie un amplificator cu o caracteristică de transfer neliniară ca în figura 5.4.
X2
Amplificare a2
a1
Amplificare
1+ a 1f
a
Amplificare 1+ a2 f
2
Amplificare a1
Figura 5.4
ªi fie δ o măsură a neliniarităţii caracteristicii definită astfel:

a1
δ= (5.27)
a2
Se constată că δ=1 corespunde cazului în care caracteristica devine liniară. Dacă

acestui amplificator i se amplifică o reacţie negativă putenică, caracteristica de transfer
se modifică devenind:
a1
a ′1 = (5.28)
1 + a 1f
respectiv:
140
a2
a ′2 = (5.29)
1+ a 2 f
De această dată:
a 1′
δ′ = (5.30)
a ′2′
devine:
a1 1+ a 2 f
δ′ = (5.31)
a 2 1 + a 1f
În condiţiile reacţiei negative puternice este adevărat:

a1f>>1 (5.32)
a2f>>1 (5.33)
Înlocuind (5.32) şi (5.33) în (5.31) se obţine:
δ≅1 (5.34)
deci caracteristica de transfer a amplificatorului s-a liniarizat (linia punctată din figura
5.4).
d) Creşterea benzii de trecere.
Fie un amplificator pentru care ωH este frecvenţa superioară de lucru. În aceste condiţii
se poate scrie:
a
a= (5.35)
ω
1+ j
ωH
S-a adoptat notaţia fazorială, întrucât este comodă pentru analiza în domeniul
frecventei. Acest amplificator se introduce într-o buclă de reacţie. Se pune problema
determinării frecvenţei de lucru superioare ω'H. În concordanţă cu (5.8) amplificarea
noului amplificator este:
a
A= (5.36)
1 + af
Pe de altă parte:
A0
A= (5.37)
ω
1+ j
ω′H
Introducând (5.35) în (5.36) şi identificând rezultă:
141
a0
A0 = (5.38)
1+ a 0 f
respectiv:
ω′H = ωH (1 + a 0 f) (5.39)
Figura 5.5 reprezintă intuitiv acest proces de mărire a benzii de lucru:
ln (amplificare)
a0
A0
ωH ωH’ ln ω
Figura 5.5
5.1.4 Dezavantajele utilizării reacţiei negative în amplificatoare.

După cum a fost menţionat deja, există două efecte neplăcute datorate reacţiei negative:
apariţia tendinţei de oscilaţie – situaţie care se înlătură printr-o proiectare
îngrijită, şi
scăderea amplificării.
Acest ultim aspect va fi evidenţiat în continuare. Fie “a” amplificarea unui amplificator
şi fie A amplificarea aceluiaşI amplificator după ce s-a aplicat asupra lui reacţia
negativă. Folosind ecuaţia fundamentală a reacţiei rezultă:
A 1 1
= = (5.40)
a 1 + af 1 + T
Relaţia (5.40) pune în evidenţă faptul că amplificarea unui amplificator cu reacţie este
de 1+T ori mai mică decât amplificarea aceluiaşi amplificator fără reacţie. Aceasta este
în ultimă instanţă preţul care se plăteşte pentru obţinerea beneficiilor care au fost
menţionate la 5.1.3.
5.1.5. Topologii de reacţie. Modificarea impedanţelor de ieşire şi de
intrare.
Figura 5.1, figură care a folosit pentru definirea conceptului de reacţie negativă în
amplificatoare a utilizat notaţia X pentru semnalele prezente în schema bloc. Această
notaţie poate desemna fie un semnal de curent, fie un semnal de tensiune. În schemele
reale acest lucru trebuie precizat în mod expres. Există, astfel, patru structuri posibile
pentru circuitele în reacţie. Clasificarea se face funcţie de tipul de semnal (tensiune,
curent) cules de reţeaua de reacţie precum şi funcţie de tipul de semnal răspuns al
142
circuitului de reacţie. Din punct de vedere topologic trebuie adăugat că în condiţiile în

care reţeaua de reacţie culege informaţie de tensiune, ea trebuie conectată în paralel cu
sarcina amplificatorului. Dacă reţeaua de reacţie culege informaţie de curent de la
ieşirea amplificatorului atunci ea se conectează în serie cu sarcina amplificatorului.
Dacă răspunsul reţelei este sub formă de tensiune atunci ea se conectează în serie cu
intrarea amplificatorului. Dacă răspunsul reţelei de reacţie este sub formă de curent
atunci el trebuie introdus în paralel cu intrarea amplificatorului. Cu aceste precizări
cele patru structuri de reacţie sunt:
Serie-paralel. Se mai numeşte reacţie de tensiune-serie. Culege informaţie de
tensiune iar răspunsul este în tensiune.
Ui Uf Uε Uo
+ au
- fu
Figura 5.6 Schema bloc a unui amplificator cu reacţie serie paralel
Paralel-paralel. Se mai numeşte reacţie de tensiune paralel. Culege

informaţie de tensiune iar răspunsul este în curent.
Ii If Uε Uo
az
fy
Figura 5.7 Schema bloc a unui amplificator cu reacţie paralel -paralel
Paralel-serie. Se mai numeşte reacţie de curent paralel. Culege informaţie de

curent iar răspunsul este în curent.
Ii If Uε Io
ai
fi
Figura 5.8 Schema bloc a unui amplificator cu reacţie paralel -serie
Serie-serie. Se mai numeşte reacţie de curent serie. Culege informaţie de

curent iar răspunsul este în tensiune.
143
Ui Uf Uε Io
+ ay
- fz
Figura 5.9 Schema bloc a unui amplificator cu reacţie serie -serie
Pentru aceste structuri se calcula rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire pentru a se

pune în evidenţă efectul reacţiei asupra lor. Analiza se va face cu ajutorul algoritmului
“a-f”.
a.) Reacţia serie-paralel.
Schema bloc este prezentată în figura 5.6. Identificând principalele mărimi electrice
prin raportarea acestei scheme la schema din figura 5.1. se obţine:
mărimea de intrare Xin =Uin tensiune
mărimea de ieşire Xo=Uo tensiune
semnalul de reacţie Xf=Uf tensiune
semnalul de eroare. Xε=Uε tensiune
Rezultă imediat:
Funcţia de transfer a amplificatorului de bază este:
Uo
au = (5.41)
Uin
şi este reprezentată de amplificarea în tensiune.

Funcţia de transfer a căii de reacţie este:
Uf
fu = (5.42)
Uo
şi este reprezentată de tot de amplificarea în tensiune.

Amplificarea amplificatorului cu reacţie se obţine prin aplicarea formulei
(5.8) şi este:
au
Au = (5.43)
1 + fu a u
Pentru calculul rezistenţei de intrare se modelează schema din figura 5.6 ca în figura
5.10.
144
ria roa Amplificatorul de bazã

It
+
Uε a uU ε Uo
+ -
Ut
Reþea de reacþie
- +
Uf f uU o
-
Figura 5.10 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie serie-paralel utilizată pentru
calculul rezistenţei de intrare.
unde Ut reprezintă sursa de test necesară determinării rezistenţei de intrare.

Rezistenţa de intrare se calculează conform relaţiei
Ut
Ri = (5.44)
It
Se observă
Ut=Uε+Uf (5.45)
Uf=fuUo (5.46)
Uo =auUε (5.47)
Introducând (5.47), în (5.46) şi aceasta în (5.45) se obţine:
Ut=Uε+fuauUε (5.48)
Ţinând cont de faptul că:
Uε
ria= (5.59)
It
prin prelucrarea lui (5.48) expresia rezistenţei de intrare devine:

Ri=ria(1+fuau)=ria(1+T) (5.60)
Concluzie: impedanţa de intrare creşte de 1+T ori
Pentru calculul rezistenţei de ieşire se modelează schema din figura 5.6 ca in figura
5.11 Se observă că pentru efectuarea acestui calcul se introduce sursa de curent It la
ieşire şi se pasivizează intrarea. Rezistenţa de ieşire se determină conform:
Ut
Ro = (5.61)
It
145
+
Uε auUε Ut It
-
Reþea de reacþie
+
Uf fuUt
-
Figura 5.11 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie serie-paralel utilizată pentru
calculul rezistenţei de ieşire.
Aplicând TK2 pe bucla de ieşire se obţine:

0=Itroa+auUε-Ut (5.62)
Dar:
Uε=-Uf (5.63)
Iar:
Uf=fuUt (5.64)
Introducând (5.64) în (5.63) iar aceasta la rândul ei în (5.62) aceasta se rescrie:
0=Itroa-aufuUt-Ut (5.65)
Forţând factor comun It şi având în vedere (5.61), (5.65) devine:
0=roa-aufuRo -Ro (5.66)
De aici rezultă imediat:
roa r
Ro = = oa (5.67)
1 + fu a u 1 + T
Concluzie: rezistenţa de ieşire se reduce de (1+T) ori.

b.) Reacţia paralel-paralel.
Schema bloc este prezentată în figura 5.7. Prin identificarea principalelor mărimi
electrice se obţine:
mărimea de intrare Xin =Iin curent
mărimea de ieşire Xo=Uo tensiune
semnalul de reacţie Xf=If curent
semnalul de eroare. Xε=Iε curent
146
Rezultă imediat:
Uo
az = (5.68)
Iin
şi este reprezentată de o transrezistenţă.

If
fy = (5.69)
Uo
şi este reprezentată de o transconductanţă.

(5.8) şi este tot o transrezistenţă:
az
Az = (5.70)
1 + fy a z
5.12.
Iε
+
Uo
It Ut azIε
-
If
Reþea de reacþie
fy U o
Figura 5.12 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-paralel utilizată

pentru calculul rezistenţei de intrare.
unde It reprezintă sursa de test necesară determinării rezistenţei de intrare. Aceasta

se calculează tot conform relaţiei (5.44), şi parcurge acelaşi algoritm de calcul. Astfel:
It=Iε+If (5.71)
If=fyUo (5.72)
Uo =azIε (5.73)
Introducând (5.73), în (5.72) şi aceasta în (5.71) se obţine:
147
It=Iε+fyazIε (5.74)
Ut
ria= (5.75)
Iε

ria
Ri = (5.76)
1 + fy a z
Concluzie: impedanţa de intrare scade de 1+T ori

5.13

Iε
+
azIε Ut It
-
If
Reþea de reacþie
fy U o
Figura 5.13 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-paralel utilizată

pentru calculul rezistenţei de ieşire.
Se observă că pentru efectuarea acestui calcul se introduce sursa de curent It la ieşire şi

se pasivizează intrarea. Rezistenţa de ieşire se determină în conformitate cu formulai
(5.61), iar mersul de calcul este asemănător celui prezentat pentru reacţia serie-paralel.
Astfel:
azIε-=-Itroa+ Ut (5.77)
Dar:
Iε=-If (5.78)
Iar:
If=fyUt (5.79)
Introducând (5.79) în (5.78) iar aceasta la rândul ei în (5.77) aceasta din urmă se
rescrie:
0=Itroa-azfyUt-Ut (5.80)
148
Forţând factor comun It şi având în vedere (5.61), (5.80) devine:

0=r oa-aufu Ro-Ro (5.81)
roa r
Ro = = oa (5.82)
1 + fu a u 1 + T
Concluzie: rezistenţa de ieşire se reduce de (1+T) ori.

c.) Reacţia paralel-serie.
Schema bloc este prezentată în figura 5.8. Identificând principalele mărimi electrice
prin raportarea acestei scheme la schema din figura 5.1. se obţine:
mărimea de intrare Xi=Ii curent
mărimea de ieşire Xo=Io curent
semnalul de reacţie Xf=If curent
semnalul de eroare. Xε=Iε curent
Rezultă imediat:
Io
ai = (5.83)
Ii
şi este reprezentată de amplificarea în curent.

If
fi = (5.84)
Io
şi este reprezentată de tot de amplificarea în curent.

(5.8) şi este tot amplificare în curent:
ai
Ai = (5.85)
1 + fia i
5.14 unde It reprezintă sursa de test necesară determinării rezistenţei de intrare.
Aceasta se calculează de asemenea cu formula (5.44) Algoritmul ce se aplică este
asemănător cu cel utilizat în calculul rezistenţei de intrare pentru celelalte tipuri de
reacţie. Deci:
It=Iε+If (5.86)
149
If=fiIo (5.87)
Iε ria aiIε roa Amplificatorul de bazã
It
Ut Io
If
Reþea de reacþie
fiIo
Figura 5.14 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-serie utilizată pentru
calculul rezistenţei de intrare.
Io=au Iε (5.88)
Din aceste trei ecuaţii se obţine:
It=Iε+fiaiIε (5.89)
Ut
ria= (5.90)
Iε

ria r
Ri = = ia (5.91)
1 + fi a i 1 + T
Concluzie: impedanţa de intrare scade de 1+T ori

5.15
150
Iε ria aiIε roa Amplificatorul de bazã
It +
Ut
-
If
Reþea de reacþie
fi It
Figura 5.15 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-serie utilizată pentru
Se observă că pentru efectuarea acestui calcul se introduce sursa de curent It la ieşire şi

se pasivizează intrarea. Rezistenţa de ieşire se determină conform lui(5.61). Deci,
aplicând TK2 pe bucla de ieşire se obţine:
Ut =(It -aiIε)r oa (5.92)
Dar:
Iε=-Uf (5.93)
Iar:
If=fiIt (5.94)
rescrie:
Ut=(It+aifiIt)roa (5.95)
Forţând factor comun It rezultă imediat:
R o = roa (1 + a i fi ) = roa (1 + T) (5.96)
Concluzie: rezistenţa de ieşire creşte

d.) Reacţia serie-serie.
Schema bloc este prezentată în figura 5.9. Prin identificare se observă că:
mărimea de intrare Xi=Ii tensiune
mărimea de ieşire Xo=Io curent
semnalul de reacţie Xf=If tensiune
semnalul de eroare. Xε=Iε tensiune
Rezultă imediat:
151
Io
ay = (5.97)
Ui
şi este reprezentată de o transadmitanţă.

Uf
fz = (5.98)
Io
şi este reprezentată de o transimpedanţă.

(5.8) şi este tot amplificare în curent:
ay
Ay = (5.99)
1 + fz a y
5.16.
It ria ayUε roa Amplificatorul de bazã
+
Ut Uε Io
-
If
+ Reþea de reacþie
Uf fzIo
-
Figura 5.16 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie serie-serie utilizată pentru calculul
rezistenţei de intrare.
unde Ut reprezintă sursa de test necesară determinării rezistenţei de intrare. Aceasta

se calculează de asemenea cu formula (5.44) Algoritmul ce se aplică este asemănător
cu cel utilizat în calculul rezistenţei de intrare pentru celelalte tipuri de reacţie. Deci:
Ut=Uε+Uf (5.100)
Uf=fzIo (5.101)
Io=ayUε (5.102)
Din aceste trei ecuaţii se obţine:
Ut=Uε+fzayUε (5.103)
152
Uε
ria= (5.104)
It

R i = ria (1+ fz a y ) = ria (1+ T ) (5.105)
Concluzie: impedanţa de intrare creşte de 1+T ori

5.17
ria ayUε roa It
+
Uε Ut
-
Amplificatorul de bazã
+ Reþea de reacþie
Uf fz Io
-
Figura 5.16 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie serie-serie utilizată pentru calculul
rezistenţei de ieşire.
Se observă că pentru efectuarea acestui calcul se introduce sursa de tensiune Ut la ieşire

şi se pasivizează intrarea. Rezistenţa de ieşire se determină conform lui(5.61). Deci,
aplicând TK2 pe bucla de ieşire se obţine:
Ut =(It -aiIε)r oa (5.106)
Dar:
Uε=-Uf (5.107)
Iar:
Uf=fzIt (5.108)
rescrie:
Ut=(It+ayfzIt)roa (5.109)
Forţând factor comun It rezultă imediat:
R o = roa (1+ a y fiz ) = roa (1+ T) (5.110)
Concluzie: rezistenţa de ieşire creşte de (1+T) ori.
153
5.2. Analiza circuitelor cu reacţie. Algoritmul “a-f”.
Analiza prezentată până în acest moment s-a referit la aşa numita reacţie ideală În
cazul circuitelor reale trebuie ţinut seama de încărcarea produsă de sursă sarcină şi
reţeaua de reacţie asupra amplificatorului de bază. Astfel, analiza circuitelor de reacţie
poate fi efectuată direct prin scrierea ecuaţiilor lui Kirchhoff. Acest lucru este posibil
dar este în multe situaţii laborios. În măsura în care o schemă reală poate fi asimilată
uneia dintre cele patru topologii de reacţie, devine comodă identificarea circuitului “a”
respectiv a circuitului “f”. Dacă este posibilă o asemenea identificare atunci toate
configuraţiile de reacţie pot fi analizate pe baza relaţiei (5.8) cu toate avantajele ce
decurg de aici. În principiu o asemenea identificare parcurge următoarele etape:
Identificarea terminalelor sursei şi sarcinii, intrărilor şi ieşirilor
amplificatorului precum şi ale reţelei de reacţie. Această etapă este executată
pentru identificarea topologiei de reacţie.
Determinarea încărcării realizate de reţeaua de reacţie, sarcina şi sursa,
asupra amplificatorului real. Această etapă este necesară întrucât în circuitele
reale nu mai este valabilă ipoteza I3 introdusă în subcapitolul 5.1.1.
În continuare se vor prezenta algoritmii de calcul al funcţiilor de transfer ″a″ şi ″f″
pentru cele patru configuraţii de reacţie după cum urmează:
reacţie paralel-paralel;
reacţie serie-serie;
reacţie serie-paralel;
reacţie paralel-serie.
Această succesiune a fost aleasă din motive pur didactice întrucât uşurează mult
expunerea. Astfel, rezultatele ce se vor obţine în analiza primelor două tipuri de reacţie
se vor extinde asupra celorlalte două prin simple observaţii de ordin topologic.
Analiza ce urmează parcurge următoarea metodologie:
Se modelează amplificatorul cu reacţie propus funcţie de topologia de reacţie
ţinând cont de valorile finite ale rezistenţelor de intrare, ieşire ale
amplificatorului de bază, precum şi ale reţelei de reacţie. De asemenea se ţine
cont de valoarea finită a sarcinii şi a rezistenţei de ieşire a sursei. Pentru
amplificatorul de bază şi reţeaua de reacţie se folosesc reprezentări tip sursă
comandată liniară, iar pentru sursă se folosesc echivalări Thevenin în cazul
configuraţiei serie pe intrare, respectiv Norton în cazul configuraţiei paralel,
pentru a asigura atacul propriu.
Se analizează posibilitatea de a reduce noua schemă la unul dintre modelele
ideale prezentate în subcapitolul 5.1.1. (criteriul de comparaţie este topologia
de reacţie). Acest lucru se realizează prin înglobarea tuturor rezistenţelor ce
154
apar în schemă în structura amplificatorului de bază. Se obţine astfel un nou

amplificator şi o nouă reţea de reacţie. Acest nou amplificator va fi numit în
continuare ″circuitul a″, iar noua reţea de reacţie ″circuitul f″.
Se dezvoltă algoritmi pentru determinarea funcţiei de transfer “a”
corespunzătoare ″circuitului a″, respectiv “f” pentru ″circuitul f″ în cazul
circuitelor reale.
5.2.1 Reacţia paralel-paralel.
Schema bloc este prezentată în figura 5.17
Amplificatorul
ria azIε roa de bazã
Iε
+
Ii
rs a z Iε Uo RL
-
Reþea de
reacþie rof fyUo rif
Figura 5.17 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-paralel real
Echivalând Norton generatorul de tensiune se obţine:

a zI ε Amplificatorul
ria roa roa de bazã
Iε
Ii
rs Uo RL
Reþea de
reacþie rof fyUo rif
Figura 5.17 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-paralel real
Se poate constata că la intrare rezistenţele rs, ria şi rof sunt în paralel. O observaţie
asemănătoare se poate face pentru rezistenţele RL, roa şi rif de la ieşire. În aceste
condiţii există posibilitatea mutării lor figura 5.19 fără a modifica funcţionarea
155
amplificatorului cu reacţie. Comparând această schemă echivalentă cu cea din figura

5.12 se observă că ″circuitul a ″este constituit din amplificatorul de bază căruia i se
modifică rezistenţele de intrare şi ieşire după cum urmează:
R ia = ria rof rs (5.111)
respectiv:
R oa = roa rif RL (5.112)
rs rof ria azIε roa rif RL

roa
Ii
Uo
″Circuitul a″
fy U o
″Circuitul f″
Figura 5.19 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-paralel real. Sunt puse în
evidenţă circuitele ″a″ şi ″f.″
″Circuitul f″ este identic cu circuitul de reacţie. Aceste observaţii permit dezvoltarea

unor reguli pentru a deduce efectul de încărcare produs de reţeaua de reacţie asupra
amplificatorului de bază. În cazul reacţiei paralel-paralel rezistenţa de intrare se
modifică prin introducerea rezistenţei r of în paralel pe rezistenţa de intrare a
amplificatorului de bază, iar rof se calculează conform (1.70) . Rezistenţa de ieşire se
modifică prin introducerea rezistenţei rif în paralel pe rezistenţa de ieşire a
amplificatorului de bază, iar rif se calculează conform (1.67). Ţinând cont de aceste
constatări rezultă că pentru a putea aplica rezultatele obţinute în studiul reacţiei ideale
paralel-paralel la cazurile reale ale reacţiei paralel-parale se procedează astfel:
1. În locul conceptului de ″amplificator de bază″ se utilizează conceptul de ″circuit
a″. ″Circuitul a″ se obţine din ″amplificatorul de bază″ ca în figura 5.20:
amplificator
Ii rs de bazã Uo RL
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Figura 5.20 Procedeul de obţinere a ″circuitului a″ pentru reacţia paralel -paralel
156
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la intrare se

scurtcircuitează nodul de la ieşire din care se ia reacţia
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la ieşire se
scurtcircuitează nodul de la intrare în care se aplică reacţia
2. În locul conceptului de reţea de reacţie se utilizează conceptul de ″circuit f″.
Funcţia de transfer a ″circuitului f″ se calculează cu ajutorul schemei din figura
5.21
+
reþea de
Ir reacþie Ut
-
Figura 5.21 Procedeul de obţinere a funcţiei de transfer pentru ″circuitul f″ în cazul reacţiei
paralel -paralel
La intrarea reţelei de reacţie se aplică o sursă de tensiune şi se calculează

curentul de scurtcircuit de la ieşirea sa.
În urma acestor modificări, rezultatele obţinute la studiul reacţiei ideale, rezultate ce
privesc calculele rezistenţelor de intrare şi ieşire precum şi amplificarea
transrezistenţă, rămân valabile. În cele ce urmează se va prezenta un exemplu de
calcul.
Exemplu de aplicare a teoriei.
Fie circuitul din figura 5.22.
RF
T3
T2
T1
IS RS RC1 RC2 RL
Figura 5.22. Circuit cu reacţie paralel-paralel. Schemă de principiu
Reacţia este asigurată de rezistorul RF. Analiza acestui circuit se va face cu ajutorul
″algoritmului a-f″.
1. Determinarea structurii topologică a reacţiei
intrare,
• sursa;
• intrarea în amplificator;
• rezistorul RF
sunt conectate în acelaşi punct, deci reacţia este conectată paralel.
157
ieşire,
• sarcina;
• ieşirea amplificatorului;
• rezistorul RF
sunt conectate în acelaşi punct, deci reacţia este aplicată paralel.
Concluzie: reacţia este de tipul paralel-paralel:
2. Obţinerea ″circuitului a″. Se face în două etape. În prima parte se determină
încărcarea la intrare iar în cea de a doua se determină încărcarea la ieşire.
Determinarea încărcării la intrare. Se scurtcircuitează nodul de ieşire la masă.
Se obţine schema din figura 5.23
RF
T1
IS RS
Figura 5.23. Determinarea încărcării produsă la intrare de rezistorul RF.
Determinarea încărcării la ieşire. Se scurtcircuitează nodul de la intrare la

masă. Se obţine schema din figura 5.24
RF
T3
RC2 RL
Figura 5.24. Determinarea încărcării produsă la ieşire de rezistorul RF.
Din 5.23 şi 5.24 rezultă pentru ″circuitul a″ schema din figura 5.25
T3
T2
T1
It Ur
RS RF RC1 RC2 RF RL
Figura 5.25. ″Circuitul a ″
158
3. Calculul funcţiei de transfer az Se va face apelând la tehnici rapide de calcul.

Astfel:
Ur = −Ic 3 RF R L (1.113)
unde:
Ic3≅β 3Ib3 (1.114)
şi:
R c2
Ib3 =- Ic 2 (1.115)
R c 2 + rint T 3
cu
rintT 3 = rπ3 (1.116)
La rândul lui:
Ic2≅β 2Ib2 ş (1.117)
respectiv:
R c1
Ib2 =- Ic1 (1.118)
R c1 + rint T 2
cu
rintT 2 = rπ2 (1.119)
Dar:
Ic1≅β 1Ib1 ş (1.120)
Ib1 se calculează din divizorul de curent format de Rs, RF şi rezistenţa echivalentă

de intrare în tranzistorul T1:
RF R s
Ib1 = Ii (1.121)
RF R s + rint T1
unde de asemenea:
rintT1 = rπ1 (1.122)
Făcând toate substituţiile se ajunge la:
Uo RF R s R c1 Rc2
az = =− β1 β2 β 3 R F R L (1.123)
Ii RF R s + rπ1 R c1 + rπ 2 R c 2 + rπ3
4. Obţinerea ″circuitului f″. Este reprezentat în figura 5.26.

RF
+
Ut
Ir
-
Figura 5.26. Circuitul f
159
5. Calculul funcţiei de transfer pentru ″circuitul f″. Prin simplă inspecţie rezultă:
Ir 1
fy = =− (1.124)
Ut RF
6. Calculul transmisiei pe buclă. Efectuând produsul dintre (1.123) şi (1.124) se

obţine:
RF Rs R c1 Rc2 R F RL
T= a z fy = β1 β2 β3 (1.125)
R F R s + rπ1 R c1 + rπ 2 R c 2 + rπ3 RF
În condiţiile în care rezistorii au valori apropiate (în majoritatea cazurilor aceste

valori sunt în jurul a câtorva kilohmi) se constată că T are ordinul de mărime al
produsului β1β 2β 3. În continuare se va considera:
T≈β1β 2β 3 (1.126)
Implicit rezultă:
T>>1 (1.127)
7. Calculul funcţiei de transfer pentru amplificatorul cu reacţie. În condiţiile ce
rezultă din (1.127) se obţine imediat:
1
Az ≅ = RF (1.128)
f
8. Calculul rezistenţei de intrare .Rezistenţa de intrare în ″circuitul a″ se calculează
prin simplă inspecţie a circuitului şi rezultă:
Ria= R s R F rπ1 (1.129)
R ia R s RF rπ1
Ri = ≈ (1.130)
1+ T β 1β 2β 3
deci foarte mică.

9. Calculul rezistenţei de ieşire. Tot prin simplă inspecţie rezultă:
Roa= R F R L (1.131)
şi:
R oa RL RF
Ro = ≈ (1.132)
1 + T β1β 2β 3
tot foarte mică.
160
5.2.2 Reacţia serie-serie.

rs ria ayUε roa Io
+
Ui Uε RL
-
Amplificatorul
+ de bazã
Reþea de
reacþie -
rof fz Io rif
Figura 5.27 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie serie-serie real
Transfigurând sursa de curent figura 5.27 se redesenează ca în figurta 5.28

rs ria ayUεroa roa Io
+ +
Ui Uε RL
- -
Amplificatorul
+ de bazã
Reþea de
reacþie -
rof fz Io rif
Figura 5.28
Se poate constata că la intrare rezistenţele rs, ria şi r of sunt în serie. O observaţie

asemănătoare se poate face pentru rezistenţele RL, roa şi rif de la ieşire. În aceste
condiţii există rearanjării lor ca în figura 5.29, fără a modifica funcţionarea
amplificatorului cu reacţie.
Comparând această schemă echivalentă cu cea din figura 5.16 se observă că ″circuitul
a ″este constituit din amplificatorul de bază căruia i se modifică rezistenţele de intrare
şi ieşire după cum urmează:
R ia = ria + rof + rs (5.133)
161
respectiv:
R oa = roa+rif+RL (5.134)
rs ria ayUεroa roa RL Circuit a
+ +
Ui Io
rof rif
- -
+
Circuit f
-
fz Io
Figura 5.29 Schema echivalentă a reacţiei serie-serie. Sunt puse în evidenţă circuitele a şi f
″Circuitul f″ este identic cu circuitul de reacţie. Aceste observaţii permit dezvoltarea

regulilor pentru deducerea efectului de încărcare produs de reţeaua de reacţie asupra
amplificatorului de bază. În concluzie, pentru a putea aplica rezultatele obţinute în
studiul reacţiei ideale serie-serie la cazurile reale ale reacţiei serie-serie se procedează
astfel:
1. ″Circuitul a″ se obţine din ″amplificatorul de bază″ ca în figura 5.30:
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la intrare se taie
bucla de la ieşire din care se culege informaţia de curent.
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la ieşire se taie
bucla de la intrare în care se aplică reacţia
2. Funcţia de transfer a ″circuitului f″ se calculează cu ajutorul schemei din figura
rs
Io
+
amplificator RL
Ui de bazã
-
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Figura 5.30 Procedeul de obţinere a ″circuitului a″ pentru reacţia serie-serie
5.31
162
reþea de
It
Ur reacþie
Figura 5.31 Procedeul de obţinere a funcţiei de transfer pentru circuitul f în cazul reacţiei serie -
serie
La intrarea reţelei de reacţie se aplică o sursă de curent şi se calculează

tensiunea în gol la ieşirea ei.
privesc calculele rezistenţelor de intrare şi ieşire precum şi amplificarea
calcul.
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
ES
- RF
RE1 RE2
Figura 5.32. Circuit practic cu reacţie serie - serie
Reacţia este asigurată de reţeaua rezistivă RE1, RF.RE2. ªi analiza acestui circuit se va
face tot cu ajutorul ″algoritmului a-f″.
1. Determinarea structurii topologice a reacţiei
intrare; informaţia culeasă de reacţie este introdusă în bucla de intrare prin
intermediul rezistorului RE1; deci:
• sursa;
• rezistorul RE1
sunt conectate în serie, şi atunci reacţia este serie.
ieşire, reţeaua de reacţie culege informaţie despre mărimea curentului de
ieşire prin intermediul rezistorului RE2; se observă că:
• sarcina;
• rezistorul RE2
163
sunt conectate în serie, deci reacţia este serie.

Concluzie: reacţia este de tipul serie-serie:
2. Obţinerea ″circuitului a″. Ca şi în cazul reacţiei paralel-paralel această operaţiune
se face în două etape. În prima parte se determină încărcarea la intrare iar în cea
de a doua se determină încărcarea la ieşire.
Determinarea încărcării la intrare. Se desface bucla de la ieşire. Se obţine
schema din figura 5.33
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
ES
- RF
RE1 RE2
Figura 5.33. Desfacerea buclei de ieşire în vederea determinării încărcării la intrare
Determinarea încărcării la ieşire. Se desface bucla de la intrare. Se obţine

schema din figura 5.34
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
ES
- RF
RE1 RE2
Figura 5.34. Desfacerea buclei de intrare în vederea determinării încărcării la ieşire

Combinând 5.33 cu 5.34 rezultă pentru ″circuitul a″ schema din figura 5.35:
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
Ir
Et
-
RE1 RF RF RE2
RE2 RE1
Figura 5.35. Circuitul a

3. Calculul funcţiei de transfer ay Se va face prin inspecţia circuitului. Astfel:
Ir = β 3 Ib3 (1.135)
164
unde:
R c2
Ib3 =- Ic 2 (1.136)
R c 2 + rint T 3
cu
rint T 3 ≅ β 3 [(R F + R E1 ) R E 2 ] (1.137)
La rândul lui:
Ic2≅β 2Ib2 ş (1.138)
respectiv:
R c1
Ib2 =- Ic1 (1.139)
R c1 + rint T 2
cu
rintT 2 = rπ 2 (1.140)
Dar:
Ic1≅β 1Ib1 ş (1.120)
ES
Ib1 = (1.141)
R s + rint T1
cu:
[
rintT1 ≅ β1 (RF + RE 2 ) RE1 ] (1.142)
Ir 1 R C1
ay = = β1 ×
[
E t R S + β1 R E1 (R F + RE 2 ) R C1 + rπ 2 ] (1.143)
RC2
×β2 β3
RC2 [
+ β 3 RE 2 (RF + RE1 ) ]
RF
It
RE2 RE1 Ur
Figura 5.36. Circuitul f
[ (
Ur = It R E 2 R F + RE1 )]R R+ R
E1
E1
F
(1.144)
fz =
Ur
It
[ (
= RE 2 R F + RE1
R E1
R E1 + R F
)] (1.145)
165

obţine:
1
T = a y fz =
[
R S + β1 R E1 (RF + RE 2 ) ]β 1 ×
R C1 RC2
× β2 β3 × (1.146)
R C1 + rπ 2 [
R C 2 + β 3 RE 2 (RF + RE1 ) ]
[ (
× RE 2 RF + RE1 )]R R+ R
E1
E1
În condiţiile în care rezistorii RE1şi RE2 au valori apropiate iar RF este mult mai
mare, iar β 1, β2, şi β3 sunt mult mai mari ca unitatea, de altfel situaţie des întâlnită
în practică, relaţia (1.146) se poate aproxima:
1 R C1 R R R
T≈ β 2 C 2 E1 ≈ β 2 C 2 (1.147)
R E1 R C1 + rπ2 1 RF RF
relaţie care la rândul conduce la:

T>>1 (1.148)
1 1 1 RF
Ay ≅ = ≈ = (1.149)
f
[R (RE2 F + RE1 )] R E1
RE1 + R F
RE 2
R E1 RE1RE 2
RF

[
R ia = R S + rintT1 ≅ R S + β 1 (R F + RE 2 ) RE1 ≈ ]
(1.142)
[
≈ β1 (RF + RE 2 ) RE1 ≈ β1RE1 ]
R C2
R i = Ria (1 + T ) ≈ β 1R E1β 2 (1.143)
RF
deci foarte mare.

Roa ≈ RL (1.144)
şi:
166
RC 2
R o = R oa (1 + T ) ≈ R L β 2 (1.145)
RF
tot foarte mare.

Observaţie: În multe aplicaţii reţeaua de reacţie arată ca în figura 5.37:
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
ES
-
RF
Figura 5.37. Variantă de aplicare a reacţiei serie-serie.
5.2.3 Reacţia serie-paralel.

rs ria auU ε roa
+ +
Ui Uε Uo RL
- -
Amplificatorul
+ de bazã
Reþea de
reacþie -
rof f uU o rif
Figura 5.38 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie serie-paralel real
Transfigurând sursa de tensiune de la ieşirea amplificatorului de bază figura 5.38 se

redesenează ca în figura 5.39
167
a uUε
rs ria roa
roa
+
Ui Uε Uo RL
-
Amplificatorul
+ de bazã
Reþea de
reacþie -
rof fuU o rif
Figura 5.39
Se poate constata că la intrare rezistenţele r s, r ia şi rof sunt în serie, iar rezistenţele RL,
roa şi rif de la ieşire sunt în paralel. În aceste condiţii există posibilitatea rearanjării lor
ca în figura 5.40, fără a modifica funcţionarea amplificatorului cu reacţie.
a uUε
rs ria roa
roa rif RL Circuit a
+
Ui Uo
rof
-
+
Circuit f
-
fuU o
Figura 5.40 Schema echivalentă a reacţiei serie-serie. Sunt puse în evidenţă circuitele a şi f
R ia = ria + rof + rs (5.146)
respectiv:
R oa = roa || rif || RL (5.147)
″Circuitul f″ este identic cu circuitul de reacţie. Pentru a putea aplica rezultatele

obţinute în studiul reacţiei ideale serie-paralel la cazurile reale ale reacţiei serie-paralel
se procedează astfel:
168

Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la intrare se
scurtcircuitează la masă nodul de la ieşire din care se culege informaţia
de tensiune.
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la ieşire se taie
bucla de la intrare în care se aplică reacţia
rs
+
amplificator
Uo RL
Ui de bazã
-
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Figura 5.41 Procedeul de obţinere a ″circuitului a″ pentru reacţia serie-paralel

5.42
+
La intrarea reţelei de reacţie se reþea de
Ut
Ur reacþie
aplică o sursă de tensiune şi se
calculează tensiunea în gol la -
ieşirea ei. Figura 5.42 Procedeul de obţinere a funcţiei
de transfer pentru circuitul f în cazul reacţiei
În urma acestor modificări, rezultatele serie -paralel
obţinute la studiul reacţiei ideale, rezultate
ce privesc calculele rezistenţelor de intrare şi ieşire precum şi amplificarea
calcul.
RS
T2
T1
RC
+
ES
- RF
RL
RE
Figura 5.43. Aplificator cu reacţie reacţie serie - paralel
169
Reacţia este asigurată de reţeaua rezistivă RE, RF. ªi analiza acestui circuit se va face tot
cu ajutorul ″algoritmului a-f″.
intermediul rezistorului RE; deci:
• sursa;
• rezistorul RE
ieşire, reţeaua de reacţie culege informaţie despre tensiunea de ieşire prin
intermediul rezistorului RF; se observă că:
• sarcina;
• rezistorul RF
sunt conectate în paralel, deci reacţia este paralel.
Concluzie: reacţia este de tipul serie-paralel:
2. Obţinerea ″circuitului a″. Ca şi în cazurile studiate anterior această operaţiune se
face în două etape. În prima etapă se determină încărcarea la intrare prin
scurtcircuitarea nodului de la ieşire din care se culege reacţia, iar în cea de a doua
se determină încărcarea la ieşire prin desfacerea buclei de la intrare în care se
aplică reacţia. Se obţine schema din figura 5.44
3. Calculul funcţiei de transfer au Se va face prin inspecţia circuitului. Astfel:
RS
T2
T1
RC
+
Et RF
-
RE RF RE RL Ur
Figura 5.44. Circuitul a
[
Ur = −Ic 2 (RE + R F ) R L ] (1.148)
Ic 2 = β 2 Ib 2 (1.149)
unde:
Rc
Ib2=- Ic1 (1.150)
R c + rint T 2
cu
170
[
rint 1 ≅ β 2 (RF + RE ) R L ] (1.151)
La rândul lui:
Ic1≅β 1Ib1 ş (1.152)
respectiv:
ES
Ib1 = (1.153)
R s + rint T1
cu:
[
rintT1 ≅ β 1 R F R E ] (1.154)
Ur 1
au = = β1 ×
E t R S + β1 (R E RF )
(1.155)
] [ ]
RC
× β 2 RL (RF + RE )
[
R C + β 2 R L (RF + R E )

RF
+
Et
RE Ur
-
Figura 5.45 Circuitul f
RE
Ur = E t (1.156)
RE + R F
Ur RE
fz = = (1.157)
E t RE + RF

obţine:
T = a u fu =
β1 [
R C β 2 RL (RF + RE ) RE ] (1.158)
[
R S + β1 (R E RF ) R C + β 2 RL (RF + RE ) R E + RF ]
În condiţiile în care rezistorii RE şi RL au valori apropiate iar RF este mult mai
mare, iar β1, şi β2, sunt mult mai mari ca unitatea, de altfel situaţie des întâlnită în
practică, relaţia (1.158) se poate aproxima:
171
1 R R R
T≈ β2 C E ≈ β2 C (1.159)
RE 1 RF RF
T>>1 (1.160)
1 1 R
Au ≅ = ≈ F (1.161)
fu R E RE
RE + RF
R ia = R S + rint T1 ≅ R S + β1 (R F RE ) ≈ β 1R E (1.162)
RC
Ri = R ia (1 + T ) ≈ β1REβ 2 (1.163)
RF
deci foarte mare.
Roa ≈ R L (1.164)
şi:
R RF
R o = oa ≈ R L (1.165)
1+ T β 2R C
Se constată că valoarea rezistenţei de ieşire este foarte mică
5.2.4 Reacţia paralel-serie.
rs Iε ria aiIε roa Io
Ii RL
Amplificatorul
de bazã
Reþea de
reacþie
rof fi Io rif
Figura 5.46 Schema echivalentă a unui amplificator cu reacţie paralel-serie real
172
Transfigurând sursa de curent de la ieşirea amplificatorului debază figura 5.46 se

redesenează ca în figura 5.47
a iI ε
rs Iε ria roa
roa Io
+
Ii RL
-
Amplificatorul
de bazã
Reþea de
reacþie
rof fiIo rif
Figura 5.47
Se poate constata că la intrare rezistoarele rs, ria şi rof sunt în paralel, iar rezistoarele
RL, roa şi rif sunt înseriate. În aceste condiţii există posibilitatea rearanjării lor ca în
figura 5.48, fără a modifica funcţionarea amplificatorului cu reacţie.
a iI ε
rs rof ria roa
roa RL Circuit a
+
Ii Io
rif
-
+
Circuit f
-
fi Io
Figura 5.48 Schema echivalentă a reacţiei paralel-serie. Sunt puse în evidenţă circuitele a şi f
R ia = ria rof rs (5.166)
respectiv:
R oa = roa+rif+RL (5.167)
173
″Circuitul f″ este identic cu circuitul de reacţie. Pentru a putea aplica rezultatele

obţinute în studiul reacţiei ideale paralel-serie la cazurile reale ale reacţiei paralel-serie
se procedează astfel:
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la intrare se taie
bucla de la ieşire din care se culege informaţia de curent.
Pentru a calcula încărcarea dată de circuitul de reacţie la ieşire se
scurtcircuitează la masă nodul de la intrare în care se aplică reacţia
rs
Io
amplificator RL
Ii de bazã
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Figura 5.49 Procedeul de obţinere a ″circuitului a″ pentru reacţia paralel-serie
reþea de
It
Ir reacþie
Figura 5.50 Procedeul de obţinere a funcţiei

de transfer pentru circuitul f în cazul reacţiei
serie -serie
5.50
La intrarea reţelei de reacţie se aplică o sursă de curent şi se calculează
curentul cu ieşirea în scurtcircuit.
privesc calculele rezistenţelor de intrare şi ieşire precum şi amplificarea în curent,
rămân valabile. În cele ce urmează se va prezenta un exemplu de calcul.
174
RF
T2
T1
IS
RS RC RE RL
Figura 5.51. Circuit cu reacţie paralel - serie
Reacţia este asigurată de reţeaua rezistivă RE1, RF.RE2. ªi analiza acestui circuit se va
face tot cu ajutorul ″algoritmului a-f″.
intermediul rezistorului RE1; deci:
• sursa;
• rezistorul RE1
ieşire, reţeaua de reacţie culege informaţie despre mărimea curentului de
ieşire prin intermediul rezistorului RE2; se observă că:
• sarcina;
• rezistorul RE2
sunt conectate în serie, deci reacţia este serie.
Concluzie: reacţia este de tipul paralel-serie:
2. Obţinerea ″circuitului a″. Ca şi în cazul celorlalte tipuri de reacţie studiate
încărcarea amplificatorului se calculează prin desfacerea buclei de reacţie.
Determinarea încărcării la intrare se determină prin desfacerea buclei de la ieşire
(topologia ieşirii fiind serie), în timp ce încărcarea la ieşire se determină prin
scurtcircuitarea nodului de la intrare la masă (topologia intrării fiind paralel).
Rezultă pentru ″circuitul a″ schema din figura 5.35:
175
T2
T1
Ir
RF
It RS
RE RC RE RF RL
Figura 5,52. Circuitul a
3. Calculul funcţiei de transfer ai. Se va face prin inspecţia circuitului. Astfel:

Ir = β 2 Ib2 (1.168)
unde:
Rc
Ib2=- Ic1 (1.169)
R c + rint T 2
cu
rint T 3 ≅ β 2 (R F R E ) (1.170)
La rândul lui:
Ic1≅β1 Ib1 ş (1.171)
respectiv:
(RE + RF ) RS
Ib1 = It (1.172)
(RE + RF ) RS + rint T1
cu:
rintT1 ≅ rπ1 (1.173)
Ir (RE + RF ) R S Rc
ai = = −β 1 β2 (1.174)
It (RE + RF ) R S + rπ1 R c + β 2 (RF RE )
RF
It RE Ir
Figura . Circuitul f
RE
Ir = −It (1.175)
RE + RF
176
Ir RE
fi = =− (1.176)
It R E + RF

obţine:
β 1 (R E + RF ) R S β 2R c RE
T = a i fi = − (1.177)
(RE + RF ) R S + rπ1 R c + β 2 (RF RE ) R E + R F
În condiţiile în care rezistorul RF are o valoare mult mai mare decât rezistoarele
RE şi RC, iar β1, şi β2, sunt mult mai mari ca unitatea, de altfel situaţie des
întâlnită în practică, relaţia (1.177) se poate aproxima:
RE
T ≈ β1 (1.178)
RF

T>>1 (1.179)
1 1 R
Ai ≅ = ≈ F (1.180)
fi RE RE
R E + RF

R ia = R S (R F + RE ) rπ1 (1.181)
Ria R S (R F + RE ) rπ1 rπ1R F

Ri = ≈ ≈ (1.182)
1+ T R β 1R E
β1 E
RF
deci foarte mică.

Roa ≈ R L (1.183)
şi:
RE
R o = R oa (1+ T ) ≈ R Lβ 2 (1.184)
RF
177
foarte mare.
5.3 Concluzii
Tabelele de mai jos prezintă în sinteză modalităţile de calcul ale funcţiilor de transfer
precum şi ale rezistenţelor de intrare respectiv de ieşire pentru fiecare tip de reacţie în
parte
Reacţia paralel-paralel
Structura de bază Ii rs
amplificator
de bazã Uo RL
reþea de
reacþie
Tehnica de desfacere a buclei de reacţie Ii rs

amplificator
de bazã Uo RL
pentru identificarea ″circuitului a″ folosit în

reþea de reþea de
calculul lui az reacþie reacþie
Ur
az =
It
Identificarea ″circuitului f″; calculul lui fy Ir

reþea de
reacþie Ut
+
Ir
fy =
Ut
178
Circuit tipic
RF
T3
T2
T1
IS RS RC1 RC2 RL
″Circuit a″
T3
T2
T1
It Ur
RS RF R C1 RC2 RF RL
″Circuit f″
RF
+
Ut
Ir
-
Rezistenţa de intrare R ia
Ri =
1+ T
Rezistenţa de ieşire R oa
Ro =
1+ T
Reacţia serie-serie
Structura de bază
rs
Io
+
amplificator
RL
Ui de bazã
-
reþea de
reacþie
Tehnica de desfacere a buclei de reacţie

rs
Io
+
amplificator
RL
Ui de bazã
-
calculul lui ay
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Ir
ay =
Ut
Identificarea ″circuitului f″; calculul lui fz Ur

reþea de
reacþie
It
Ur
fz =
It
179
Circuit tipic RS
T1
RC1
T2
RC2
T3
RL
+
ES
- RF
RE1 RE2
″Circuit a″ RS
T1
RC1
T2
R C2
T3
RL
+
Ir
Et
-
RE1 RF RF R E2
RE2 R E1
″Circuit f″ It RE2
RF
RE1 Ur
Rezistenţa de intrare R i = R ia (1+ T )
Rezistenţa de ieşire R o = R oa (1+ T )
Reacţia serie-paralel
Structura de bază
rs
+
amplificator
Uo RL
Ui de bazã
-
reþea de
reacþie

rs
+
amplificator
Uo RL
Ui de bazã
-
calculul lui au
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Ur
au =
Ut
Identificarea ″circuitului f″; calculul lui fu Ur

reþea de
reacþie
+
Ut
Ur
fu =
Ut
180
Circuit tipic
RS
T2
T1
RC
+
ES
- RF
RL
RE
″Circuit a″
RS
T2
T1
RC
+
Et RF
-
RE RF RE RL Ur
″Circuit f″
RF
+
Et
RE Ur
-
Rezistenţa de intrare R i = R ia (1+ T )
Rezistenţa de ieşire R oa
Ro =
1+ T
Reacţia paralel-serie
Structura de bază
rs
Io
amplificator RL
Ii de bazã
reþea de
reacþie

rs
Io

amplificator RL
Ii de bazã
calculul lui ai
reþea de reþea de
reacþie reacþie
Ir
ai =
It
Identificarea ″circuitului f″; calculul lui fi Ir

reþea de
reacþie
It
Ir
fi =
It
181
Circuit tipic
RF
T2
T1
IS
RS RC RE RL
″Circuit a″ T1
T2
Ir
RF
It RS
RE RC RE RF RL
″Circuit f″
RF
It RE Ir
Rezistenţa de intrare R ia
Ri =
1+ T
Rezistenţa de ieşire R o = R oa (1+ T )
182
Diagrame Bode
Metoda constantelor de timp
în gol pentru estimarea frec-
venþei superioare de lucru
Metoda constantelor de timp
în scurtcircuit pentru estima-
rea frecvenþei inferioare de
lucru
Relaþia timp-frecvenþă
Capitolul 6
Metode de estimarea
a răspunsului în frecvenþă
Calculul performanþelor în domeniu frecvenþei pentru un circuit oarecare se
face utilizând mai multe tipuri de caracteristici de frecvenþă ºi anume:
caracteristica amplitudine-fază (sau locul de transfer);
caracteristica amplitudine-frecvenþă ºi caracteristica fază-frecvenþă
sau diagramele Bode;
caracteristica reală de frecvenþă ºi caracteristica imaginară de
frecvenþă.
Dintre caracteristicile menþionate mai sus diagramele Bode au căpătat o largă
utilizare în studiul amplificatoarelor. Pentru rezolvarea problemelor legate în
mod strict de analiză, numai una dintre cele două diagrame se foloseºte în mod
efectiv ºi anume caracteristica amplitudine-frecvenþă. Aceasta are avantajul de
a fi comod de interpretat în sensul că permite determinarea benzii de trecere a
amplificatorului prin simpla citire a frecvenþei superioare ºi celei inferioare.
Prezentul capitol îºi propune să prezinte formalismul matematic asociat ei, ºi
legat de aceasta, metode de estimare a frecvenþelor inferioare ºi superioare.
Structura capitolului este:
Subcapitolul 1 prezintă modul în care se poate trasa caracteristica amplitudine-
frecvenþă funcþie de poziþia polilor ºi zerourilor din structura funcþiei de
transfer. Este menþionat faptul că frecvenþa corespunzătoare unui pol
182
constituie o frecvenþă de frângere care determină o cădere de 20dB/decadă a

pantei caracteristicii, în timp ce frecvenþa corespunzătoare unui zero se
constituie într-o frecvenþă de frângere care determină o creºtere de
20dB/decadă a pantei caracteristicii.
Subcapitolul 2 este dedicat prezentării metodei constantelor de timp în gol
utilizată la estimarea frecvenþei superioare a benzii de lucru.
Subcapitolul 3 este consacrat aplicaþiilor acestei metode în cazul circuitelor
complexe.
Subcapitolul 4 prezintă metoda constantelor de timp în scurtcircuit utilă la
estimarea frecvenþei inferioare a benzii de lucru.
Subcapitolul 5 este dedicat analizei timp-frecvenþă. Se arată modul în care
poate fi estimată atât frecvenþa superioară cât si cea inferioară prin simple
măsurători asupra răspunsului la semnalul treaptă.
6.1. Diagrame Bode
În general prin diagrame Bode se înþeleg reprezentările grafice ale modului,

respectiv ale fazei funcþiei de transfer, funcþie de logaritmul frecvenþei. După
cum a fost menþionat, în prezentul capitol analiza se va axa numai pe prima
dintre ele. Numită in general caracteristica amplitudine-frecvenþă această
diagramă utilizează scară logaritmică atât pe abscisă cât ºi pe ordonată. Acest
lucru este esenþial întrucât după cum se va vedea permite introducerea unui
algoritm specific de construcþie a ei, algoritm ce evită metodologia clasică ºi
relativ greoaie de construcþie al graficului unei funcþii.
6.1.1 Preliminarii. Scări logaritmice.
Utilizarea scării logaritmice se justifică prin faptul că:
Folosirea logaritmilor transformă operaþia de înmulþire în operaþie de
adunare. Trebuie amintit că funcþiile de transfer se pun deseori sub
forma unor produse pentru că astfel se determină comod polii ºi
zerourile;
Scările logaritmice permit reprezentarea unui interval foarte mare de
variaþie a frecvenþei datorită faptului ca ″dilată″ valorile mici ºi
″comprimă″ valorile mari.
Posibilitatea reprezentării asimptotice pentru expresiile neliniare.
Construcþia scărilor logaritmice se face introducând transformările:
x=lgω (6.1)
183
Metode de estimarea a rãspunsului în frecvenþã
pentru abscisă, respectiv:

F (jω) dB = 20 lg F (jω) (6.2)
unde F(jω) funcþia de transfer în studiu.

Figura 6.1 exemplifică efectul efectul transformărilor 6.1 ºi 6.2
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Scarã normalã
10 102 10 3 104 10 5 106 10 7 108 10 9 1010

Scarã logaritmicã
Scarã logaritmicã cu
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 unitãþile exprimate în
decibeli
decadã
Figura 6.1 Corespondenþa dintre scara normală, cea logaritmică ºi

cea cu unităþile exprimate în decibeli.
Tot pe scările logaritmice se definesc noþiunile:

decadă intervalul [ω÷10ω]
octavă intervalul [ω÷2ω]
Observaþii:
panta ″–1″ într-un plan cu scări liniare se transformă în pantă
″+20dB/decadă″ sau aproximativ ″–6 dB/octavă″ în planul, diagramei
Bode de amplitudine.
panta ″+1″ într-un plan cu scări liniare se transformă în pantă
″+20dB/decadă″ sau aproximativ ″+6 dB/octavă″ în planul, diagramei
Bode de amplitudine.
1
Raportul ≅ 0.707 devine, exprimat în dB, aproximativ –3dB
2
6.1 2 Efectul polilor ºi al zerourilor asupra diagramei funcþiei

de transfer.
Construirea diagramelor Bode presupune calculul iniþial al funcþiei de transfer.
În mod uzual acest calcul se face utilizând transformata Laplace ºi deci fie o
asemenea funcþie:
X o (s )
F (s ) = (6.3)
X i (s)
unde:
Xo(s) transformata Laplace a semnalului de ieºire xo(t)
Xi(s) transformata Laplace a semnalului de ieºire xi(t)
Se poate demonstra comod că (6.3) poate fi pusă sub forma:
184
i =n
s
∏ 1 − z
i =1 

i 
F(s) = (6.4)
i= m  
∏ 1 − s 

j =1  p j 
unde
zi reprezintă zerourile funcþiei de transfer
pj reprezintă polii funcþiei de transfer
Pentru:
s=jω (6.5)
relaþia 6.4 devine:
i =n
 ω
∏ 1 − j z
i =1 

i 
F( jω) = , (6.6)
i=m 
ω 
∏ 

j =1 
1 − j
p j 
al cărei modul este:

2
i=n
 ω
∏ 1 +  
 zi 
F(jω) =
i=1
(6.7)
2
j =m  ω
∏ 1+  
 pj 
j=1  
Logaritmând ºi exprimând totul în decibeli (6.7) se rescrie:
 i=n 2   2 
  ω    j=m ω 
20 lg F( jω) =  20∑ lg 1+    −  20∑ lg 1+    (6.8)
p 
 i=1  z i    j=1  j 
   
Relaþia (6.8) pune in evidenþă faptul că în principiu caracteristica de
amplitudine se construieºte prin însumarea unor temeni de forma
ω ω
20lg 1+ (q) unde prin q s-au desemnat termenii de forma
2
sau , la care
zi pj
se pot adăuga eventual constante. În concluzie contribuþia zerourilor se pune
 2
ω
în evidenþă analizând comportarea termenilor de forma 20 lg 1 +    , în
  zi  
 
185
timp ce contribuþia polilor se obþine din analiza termenilor de forma

 2 
− 20 lg 1 +  ω   .
 z  
 i
 
Efectul zerourilor asupra alurii graficului caracteristicii amplitudine
frecvenþă.
Pentru ω→0 este valabil ă inegalitatea:
2
 ω
  << 1 (6.9)
 zI 
ºi deci:
2
ω
20 lg 1 +   ≈ 20 lg 1 = 0 (6.10)
 zi 
Pentru ω→∞ este valabilă inegalitatea:

2
 ω
  >> 1 (6.11)
 zI 
ºi deci:
2 2
ω  ω
20 lg 1 +   ≈ 20 lg   = 20 lg ω − 20 lg z i (6.12)
 zi   zi 
Expresiile 6.10 ºi 6.12 reprezintă ecuaþiile Funcþia de transfer
2
ω
asimptotelor funcþiei 20 lg 1 +   la -∞,
 zi 
respectiv +∞ în reprezentare logaritmică.
+3dB pantã 20 dB/decadã
Graficul funcþiei se trasează ca în figura 6.2
z1 Frecvenþã de frângere lgω
Concluzie: frecvenþă corespunzătoare unui zero

se constituie într-o frecvenþă de frângere care Figura 6.2 Efectul unui zero asupra
determină o creºtere de 20 dB/decadă. funcþiei de transfer.
Efectul polilor asupra alurii graficului caracteristicii amplitudine

frecvenþă.
186
Analiza este asem ănătoare singura deosebire fiind generată de presenþa

semnului – in expresia funcþiei -
Funcþia de transfer
2
ω
Frecvenþã de frângere 20 lg 1+  
p 
p1  j
-3dB
lgω
pantã 20 dB/decadã Graficul funcþiei se trasează ca în figura 6.3
Concluzie: frecvenþă corespunzătoare unui
pol se constituie într-o frecvenþă de
frângere care determină o scădere de 20
Figura 6.3 Efectul unui zero asupra
dB/decadă.
funcþiei de transfer.
6.1.3. Algoritm pentru construcþia
diagramei asimptotice
Observaþiile de mai sus permit constituirea caracteristicilor de transfer foarte
comod:
1. Se determină polii ºi zerourile funcþie de transfer.
2. Se construieºte diagrama asimptotică funcþie de poziþia polilor ºi a
zerourilor în conformitate cu observaþiile conþinute de fig.6.2. ºi fig.
6.3.
Figura 6.4 prezintă o asemenea diagram ă construită pentru funcþia:
 s  s 
K1 − 1 − 
 z 1  z 2 
F(s) = (6.13)
 s  s  s 
1 − 1 − 1 − 
 p1  p 2  p3 
Presupunem că toþi polii ºi zerourile sunt situate în semiplanul negativ pe axăºi
că între zerouri ºi poli există relaþia de ordine
z1<p1<<p2<z2<p3 (6.14)
Funcþia de transfer
pantã -20 dB/decadã

pantã 20 dB/decadã
z1 p1 P2 z2 p3 lgω
Figura 6.4 diagrama asimptotică a funcþiei din relaþia (6.13).
187
Trebuie adăugat faptul că în situaþia în care polii sau zerourile sunt complex
conjugate, variaþia pantei în dreptul respectivei frecvenþe de frângere este –
40dB, (respectiv +40.dB).
6.2. Estimarea frecvenþei superioare
În general deducerea funcþiei de transfer pentru orice tip de circuit electronic

este suficient de complicată. Analiza exactă fiind laborioasă se efecuează
numai prin intermediul calculatorului. Există totuºI metode de estimare pentru
frecvenþa superioară de lucru a unui amplificator, metode ce au avantajul
simplităþii. Una dintre aceste metode este metoda constantelor de timp în gol
ce va fi prezentată în continuare. Metoda se poate aplica numai în anumite
condiþii, condiþii în general satisfăcute de majoritatea circuitelor folosite în
practică. Subcapitolul următor se ocupă de aºa numita “aproximaþia polului
dominant”, aproximaþie ce stă la baza metodei de aproximare amintită.
6.2.1. Aproximaþia polului dominant.

Fie o funcþie de transfer de forma:
K
F(s) = (6.15)
i= m  
∏ 1 − s 

j =1  p 
j 
Absenþa zerourilor din această expresie nu restrânge prea mult generalitatea

raþionamentului ce urmează întrucât în multe aplicaþii funcþia de transfer are
numai poli sau poziþia zerourilor nu este importantă. Efectuând produsele
(6.15) devine:
K
F(s) = (6.16)
a 0 + a 1s + a 2 s 2 + L + a m s m
Þinând seama de relaþiile dintre rădăcini ºi coeficienþi pentru ecuaþia de grad

m, se poate scrie:
a 1 j=m  1 
=∑ − (6.17)
a0  p 
j =1  j 
Dacă între poli execută relaþia:

p1 << p k ∀k = 2Km (6.18)
numită aproximaþia polului dominant, atunci:
188
k =m
1  1
p1
= ∑  − p  (6.19)
k =2  k 
Introducând (6.19) în (6.17) aceasta din urmă capătă forma:
a1 1
≈ (6.20)
a0 p1
Pe de altă parte dacă în (6.15) se face substituþia:

s=jω (6.21)
aceasta devine:
K
F( jω) = (6.22)
 
1 − j ω 
i=m
∏ 
j =1  p j 
Expresia modulului este:

K
F( jω) = (6.23)
i =m  2 
∏ 1 + ω 

j =1  p 2j 
În condiþiile in care este valabil ă aproximaþia polului dominant, relaþia (6.23)

se poate aproxima prin:
K
F( jω) ≈ (6.24)
ω2
1+ 2
p1
Această aproximaþie este corecþia cel puþin până la

ω ≅ p1 (6.25)
Din (6.24) rezultă imediat:

ωH− 3 dB ≅ p 1 (6.26)
Comparând (6.26) cu (6.20) pentru ω−3 dB se obþine expresia:
a0
ωH− 3dB ≅ (6.27)
a1
În concluzie aproximaþia polului dominant permite estimarea frecvenþei

superioare de lucru prin raportul primilor doi coeficienþi ai polinomului de la
189
numitorul funcþiei de transfer. În m ăsura în care se poate găsi o modalitate de

determinare a acestui raport prin simpla inspecþie a circuitului rezultatul
conþinut de (6.27) devine extrem de valoros. Subcapitolul urm ător prezintă o
asemenea modalitate.
6.2.2. Metoda constantelor de timp în gol
Teoremă: Într-o reþea RC fără bucle de capacităþi se stabileºte o relaþie de
tipul:
a 1 j =m
= ∑ τ jo (6.28)
a0 j=1
unde
τ jo = R joC jo (6.29)
cu
τ jo constanta de timp în gol asociată condensatorului j
Rjo rezistenþa echivalentã de la bornele codensatorului
Cj în situaþia în care toþi ceilalþi condensatori sunt
întrerupþi (eliminaþi din circuit)
Din (6.27) ºi (6.28) rezultă:
1
ωH− 3dB ≅ j=m
(6.30)
∑=
j 1
τ jo
Relaþia (6.12) permite dezvoltarea unui algoritm de estimare a frecvenþei

superioare după cum urmează:
1. Se construieºte schema echivalenþei de înaltă frecvenþă a
amplificatorului. Schema de înaltă frecvenþă se obþine considerând
condensatoarele de cuplaj precum ºi pe cele de decuplare scurtcircuit.
2. Se calculează constantele de tipul τjo
3. Se aplică relaþia (6.30) pentru estimarea lui ωH .
Eroarea introdusă prin aplicarea acestei metode este maxim ă atunci când polii
sunt confundaþi. Spre exemplu în cazul unei amplificator care ar avea trei poli,
toþi trei confundaþi, eroarea introdusă este de 34,7%. Însă, după cum s-a
menþionat deja, la amplificatoarele cu mai multe etaje este neuzual să se
întâlnească poli multipli.
Avantajul metodei este considerabil întrucât ea reduce problema estim ării
frecvenþei superioare la cea a analizei unei reþele de m condensatoare, sau
mai exact la calculul a "m" rezistenþe echivalente a "m" dipoli rezistivi. De
190
multe ori acest calcul este aºa de simplu încât se efectuează prin simpla
inspecþie a circuitului.
În cele ce urmează nu se va mai prezenta demonstraþia teoremei enunþate, ci
se va exemplifica valabilitatea ei în cazul etajului emitor comun. Astfel se va
prezenta calculul frecvenþei superioare de trecere prin două metode;
pornind de la funcþia de transfer;
prin metoda constantelor de timp în gol.
În final se vor compara rezultatele.
Estimarea frecvenþei superioare pentru etajul emitor comun
Fie etajul emitor comun prezentat în figura 6.5
+EC
RB1 RC C2
RG Uin C1
RL Uo
Iin
RB2 RE CE
Figura 6.5. Etaj emitor comun încărcat la intrare ºi la ieºire
unde:
Iin;RG echivalare Norton a etajului din faþă; s-a preferat echivalarea
Norton întrucât se simplifică simþitor calculele.
RL rezistenþa de intrare în etajul urm ător.
RB1;RB2 divizor de polarizare; asigură în bază potenþialul
necesar funcþionării în regiunea activ ă normală.
blocând componenta continuă, dar lasă să treacă componenta
alternativ ă.
CE condensator de declupare; în curent alternativ pune emitorul la
masă, în curent continuu neavând nici un efect.
Pentru frecvenþa superioară de lucru se acceptă definiþia uzual ă si anume se
consideră frecvenþă superioară de lucru acea frecvenþă la care modulul
funcþiei de transfer scade cu 3 dB. Calculul acestei frecvenþe se face pe aºa
numita schemă echivalentă de înaltă frecvenþă a circuitului. O asemenea
schem ă se construieºte þinând cont de efectul condensatoarelor parazite, dar
considerând condensatoarele de cuplaj ºi de decuplare scurtcircuit. Astfel
schema din figura 6.5 se modelează ca în figura 6.6.
191
IR Iπ B Iµ Cµ C Io
Iin
Uin R Cπ Ube gmUbe RLC Uo
Figura 6.6 Schema echivalentă de înaltă frecvenþă a circuitului din figura 6.5
unde:
R = RG RB rπ (6.31)
Ca funcþie de transfer se va alege amplificarea în tensiune.

U
Au = o (6.32)
Uin
Determinarea frecvenþei superioare prin calculul funcþiei de transfer
Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obþine:
Iin=IR+Iπ+Iµ (6.33)
Iµ=gmUin+Io (6.34)
0=IRR-Uin (6.35)
1
0=Iπ -IRR (6.36)
sCπ
1 1
0=Uo-Iπ -Iµ (6.37)
sCπ sCµ
0=IoRLC-Uo (6.38)
Acest sistem de ºase ecuaþii conþine ºase necunoscute: Uin, IR, Iπ, Iµ Uo ºi Io.
Expresia raportului dintre Uo ºi Uin devine:
sCµ
1−
Uo g R R gm
= − m LC (6.39)
Uin RG 1+ s(CµRLC + CµR + CπR + gmRLCRCµ ) + s2RLCRCπCµ
Se poate observa că expresia (6.39) conþine un zero ºi doi poli. Poziþia

zeroului este dată de
gm
z1 = (6.40)
Cµ
iar poziþia polilor este:
192

p1 = − +
2RRLCCπCµ
(6.41)
[C (R ]
2
µ LC + R + gmRLCR ) + CπR − 4RRLCCπCµ
+
2RRLCCπCµ
p2 = − −
2RRLCCπCµ
(6.42)
[C (R ]
2
µ LC + R + gmRLCR ) + CπR − 4RRLCCπ Cµ
−
2RRLCCπ Cµ
Sub această form ă expresiile polilor sunt complet inutilizabile. Din acest motiv
abordarea uzuală a determinării valorilor polilor pleacă de la ipoteza:
p 2 >> p1 (6.43)
Acesta este aproximaþia polului dominant ºi după cum am amintit este practic
întotdeauna valabil ă în circuitele reale. Observând că numitorul lui (6.43) poate
fi pus sub forma:
s s2
N( s ) ≅ 1− + (6.44)
p1 p 1p 2
Demonstraþia lui (6.44) este imediată. Numitorul amintit fiind o funcþie de grad
doi se poate scrie întotdeauna sub forma:
 s  s  1 1 1
N( s ) =  1−   1−  = 1− s +  + s 2 (6.45)
 p1   p2   p1 p2  p1p 2
Condiþia (6.43) simplifică termenul în s al lui (6.45) obþinându-se (6.44).

Rezultatul important al expresiei (6.44) este acela că polii pot fi calculaþi prin
simplă identificare. Astfel se obþine:
1 1
p1 = − (6.46)
R  R 
Cπ + Cµ (1+ gmRLC ) + LC 
 R 
 1 1 1 g 
p2 = −  + + + m  (6.47)
 RLCCµ RCπ RLCCπ Cπ 
În această etapă a calculului este important de estimat poziþia acestor puncte

de interes (zeroul ºi cei doi poli) pe axa frecvenþelor. Astfel pentru a estima
valoarea lui p1 se consideră:
193
RG>>rπ (6.48)
RB>>rπ (6.49)
RLC→0 (6.50)
Pentru p1 se obþine:
1 1 ω
p1 ≅ ≅ ≅ T ≅ ωβ (6.51)
rπ (Cπ + Cµ ) rπCπ β
gm
Pentru a estima poziþia lui p2 trebuie observat că termenul din (6.47) este
Cπ
tocmai ωT. Deci p2 este mare decât ωT, fiind plasat la frcvenþe înalte. De
gm
asemenea valoarea , a zeroului îl plasează pe acesta în domeniul
Cµ
frecvenþelor înalte. Concluzionând, comportarea le frecvenþe înalte a etajului
emitor comun este dată de poziþia polului dominant. În principiu acest etaj
poate lucra până la frecvenþe de ordinul lui fβ. Frecvenþa maxim ă ce lucru
depinde de sarcina etajului. Valori mari ale lui RL dau valori mici pentru p1.
Figura 6.7 prezintă poziþia tipică a polilor ºi zeroului pentru circuitul din figura
6.5. Figura 6.8 prezintă alura caracteristicii discutate în domeniul frecvenþelor
superioare.
Frecvenþa cores-
punzãtoare lui p1
jω Au
Planul s Frecvenþa cores-
dB punzãtoare lui z1
Frecvenþa cores-
punzãtoare lui p2
p2 z1 p1 σ
0.1MHz 1MHz 10 MHz 100MHz f
Figura 6.7 Figura 6.8
Determinarea frecvenþei superioare prin metoda constantelor de timp în

gol.
Schema echivalentă din figura 6.6 pune în evidenþa doi condensatori: Cπ ºi Cµ.
Aplicarea metodei se reduce la calculul rezistenþelor echivalente Rπo ºi Rµo
care se ″v ăd″ la bornele acestor condensatori.
Calculul lui Rπo Se face cu ajutorul schemei din
figura 6.9. Se observ ă că:
R Rπo
Figura 6.9 Schema

194 utilizată la calculul lui Rπo
Rπo=R (6.52)
Þinând cont de (6.48) ºi (6.49), (6.52) devine:
Rπo≅rπ (6.53)
Calculul lui Rµo Se face cu ajutorul schemei din figura 6.10.
Rµo
R Ube gmUbe RLC
Figura 6.10 Schema Schema utilizată la calculul lui Rµo
Prin inspecþia circuitului rezultă:

Rµo=R+gmRRLC+RLC≅rπ+gm rπRLC+RLC (6.54)
Aplicând condiþia (6.50) expresia lui Rµo se poate aproxima prin:
Rµo≅rπ (6.55)
Calculul frecvenþei superioare de lucru se face prin aplicarea relaþiei (6.30):
1 1
ωH− 3 dB = = (6.56)
τ πo + τ µ o R πo C π + R µ o C µ
Substituind (6.53) ºi (6.55) în (6.56) aceasta devine:

1 1 ω
ωH− 3 dB = ≅ ≅ T ≅ ωβ (6.57)
rπ (C π + C µ ) rπC π β
Relaþia (6.47) este identică cu (6.51) ceea ce trebuia arătat.
6.3. Estimarea frecvenþei superioare pentru circuite

complexe.
Deºi utilă metoda constantelor de timp în gol, devine dificil de aplicat în cazul
circuitelor cu mai multe tranzistoare. În această situaþie se recomandă
focalizarea atenþiei numai asupra acelor părþi ale circuitului care au un efect
important asupra frecvenþei superioare de lucru. Astfel în această etapă a
analizei se elimină:
sursele de polarizare;
circuitele diferenþiale se înlocuiesc cu semicircuitele corespunzătoare;
195
în cazul etajelor de ieºire care lucrează în clasă B, se întroduce în

calea de semnal numai unul dintre tranzistoare întrucât la un anumit
moment dat numai unul lucrează;
etajele cu bandă largă, etc
În etapa urm ătoare a analizei se focalizează atenþia numai asupra
condensatorului care generează polul dominant
Ca exemplu se prezintă un asemenea tip de analiză efectuat asupra
amplificatorului operaþional 741. Acesta este un amplificator integrat cu
performanþe superioare folosit deseori în literatura de specialitate în acest
scop. Figura 6.11 prezintă schema simplificată de principiu. Analiza
funcþionării se va prezenta în capitolul 7.
+EC
T20
+ -
T1 T2
T14
T18
UO
T3 T4 T19
C
T20
Ipol.
+EC
T23
-EE
T16
T17
T5 T6
R9 R9 R8
-EE
Figura 6.11 Schema simplificată de principiu a amplificatorului operaþional 741
Aplicând algoritmul menþionat schema din figura 6.11 se reduce la cea din
figura 6.12
Uin
T14
T2
Uo
T4 T23
T16
T17
Cp1 Rp1 R9 R8 Cp2 Rp2 RLext
Figura 6.12. Schema echivalentă de semnal mic a căii de câºtig la frecvenþă înaltă pentru
amplificatorul 741
unde:
196
Rp1,Cp1 elemente parazite introduse pentru a compensa neglijarea circuitului

de polarizare pentru etajul de intrare
Rp2,Cp2 elemente parazite introduse pentru a compensa neglijarea circuitului
de polarizare pentru etajul de ieºire
Polul dominant este determinat de capacitatea de compensare C. Pentru
calculul constantei de timp aferente, este necesară determinarea valorii
rezistenþei echivalente. Acest calcul se efectuează cu ajutorul circuitului din
figura 6.13.
RCo
T16
T17
Ro4 Rp1 R9 R8 Rp2
Figura 6.13 Circuitul pentru calculul lui RCo
unde: Ro4 rezistenþa de ieºire a tranzistorului T4

Calculul începe cu observaþia că T16 ºi T17 poate fi considerat un amplificator
transadmitanþă. Justificarea afirmaþiei este urm ătoarea:
rezistenþa de intrare este mare fiind dată de:
[
Rin= R o 4 R p1 β 16 (R 9 β 17R 8 ) ] (6.58)
deci este indicat atacul în tensiune.
rezistenþa de ieºire este dată de:
Ro= R o17 R p 2 (6.59)
fiind de asemenea de valoare mare; deci amplificatorul se comportă la
ieºire ca generator de curent.
Afirmaþiile de mai sus permit modelarea schemei din figura 6.13 ca în figura
6.14.
RCo
Rin Uie gmUin Ro
Figura 6.14 Modelul schemei din figura 6.13
Rezultă deci prin inspecþia circuitului:
197
RCo=Rin+gmRinRo+RC (6.60)
6.4. Estimarea frecvenþei inferioare de lucru. Metoda

constantelor de timp scurt circuit.
Dificultăþile întâmpinate la calculul exact al frecvenþei inferioare lucru sunt de

aceeaºi natură cu cele enumerate la analiza efectuată în subcapitolele
precedente asupra posibilităþilor de determinare a frecvenþei superioare. Din
aceste motiv ºi pentru această situaþie s-au dezvoltat metode aproximative,
metode ce au avantajul de a fi simplu de aplicat în situaþii concrete. În cele ce
urmează va fi prezentată metoda constantelor de timp în scurtcircuit.
Asem ănătoare metodei constantelor de timp în gol pentru estimarea frecvenþei
superioare, ea presupune aceeaºi restricþie pentru aplicare, ºi anume
aproximaþia polului dominant. În continuare se va prezenta succint metoda
fără demonstraþiile teoremelor ce sunt implicate. În final se va estima
frecvenþa inferioare de lucru a unui etaj emitor comun pe două căi:
calcul direct, ºi
metoda constantelor de timp în scurtcircuit;
ºi se vor compara rezultatele.
Esenþa metodei constantelor de timp în scurtcircuit constă în utilizarea
expresiei (6.61)
j=m
1
ωL − 3dB ≅ ∑ (6.61)
j =1 τ jsc
ca estimator frecvenþa inferioară de lucru. S-au folosi notaþiile:

ωL − 3 dB frecvenþa inferioară de lucru definită la o cădere de –3dB
τ jsc = R jsc C j (6.62)
cu:
τ jsc constanta de timp în scurtcircuit asociată condensatorului j
R jsc rezistenþa echivalentã de la bornele
codensatorului Cj în situaþia în care toþi
ceilalþi
Relaþia (6.61) permite condensatori
dezvoltarea sunt de
unui algoritm scurtcircuitaþi.
estimare a frecvenþei
inferioare după cum urmează:
4. Se construieºte schema echivalenþei de joasă frecvenþă a
amplificatorului. Schema de joasă frecvenþă se obþine prin eliminarea
condensatoarelor parazite de tip Cπ ºi Cµ din circuit. Condensatoarele
de cuplaj precum ºi pe cele de decuplare se consideră prezente.
5. Se calculează constantele de tipul τ jsc
198
6. Se aplică relaþia (6.61) pentru estimarea lui ωL .

Calculul frecvenþei inferioare cu ajutorul funcþiei de transfer
După cum a fost menþionat calculul acestei frecvenþe se face pe aºa numita
schemă echivalentă de joasă frecvenþă. Figura 6.15 prezintă această schem ă
pentru circuitul din figura 6.5. S-au omis condensatoarele C1 ºi C2 întrucât sunt
componente de cuplaj deci nu fac parte propriu-zis din etaj, precum ºi
rezistenþele de polarizare din dorinþa de a simplifica calculul. De asemenea s-
a renunþat la echivalarea Norton a sursei de intrare.
RG
B Ib C Io
rπ βIb RLC
+ E
Uo
Ein
- RE CE
Figura 6.15 Schema echivalentă de joasă frecvenþă a circuitului din figura 6.5
Introducând notaþia
RE
ZE = RE CE = (6.63)
1+ sRECE
se poate scrie:
Uo=-βRLCIb (6.64)
Ein=Ib(RG+rπ)+ZE(β+1)Ib (6.65)
Făcând raportul dintre (6.65) ºi (6.64) ºi introducând (6.63) se obþine pentru
amplificarea în tensiune expresia:
βRE (1+ sRECE )
Au = − (6.66)
[RG + rπ + (β + 1)RE ] + sRECE (RG + rπ )
Expresia (6.64) conþine un singur zero dat de:
1
z1 = − (6.67)
RECE
ºi un singur pol a cărui expresie este:

RG + rπ + (β + 1)RE β
p1 = ≅− (6.68)
RECE (RG + rπ ) CE (RG + rπ )
199
Pentru valori normale ale rezistoarelor, polul este situat mult mai sus în
frecvenþă astfel că alura caracteristicii în domeniul frecvenþelor mici va arăta
ca în figura 6.16.
Au
dB
Frecvenþa cores-
punzãtoare lui p1
σ
Frecvenþa cores-
punzãtoare lui z1
Figura 6.16
Calculul frecvenþei inferioare prin metoda constantelor de timp în

scurtcircuit.
Metoda presupune calculul rezistenþei echivalente de la bornele
condensatorului CE. Acest calcul se face cu ajutorul schemei din figura 6.17.
RL RC RG RE REsc
Figura 6.17. Circuitul pentru calculul rezistenþei echivalente R Esc
ªi de această dată rezistenþele de polarizare din bază nu au fost luate în

considerare. Prin simplă inspecþie rezultă:
R G + rπ RG + rπ
R Esc ≅ R E ≅ (6.69)
β β
Constanta de timp devine:

R G + rπ
τ Esc ≅ C E (6.70)
β
ºi în consecinþă frecvenþa inferioară de lucru are expresia:
β
ωL− 3 dB ≅ (6.71)
C E (R G + rπ )
Se poate constata, prin compararea relaþiilor (6.68) cu (6.71), că cele două

estimate coincid.
200
Dacă se doreºte a se observa efectul celorlalþi condensatori asupra frecvenþei

inferioare calculul merge asem ănător. Astfel pentru a estima aportul
condensatorului C1 este necesar calculul constantei de timp τ C1sc . Circuitul
prezentat în figura 6.18 este util pentru acest lucru.
R C1sc
RG RB RLC
Figura 6.18. Circuitul pentru calculul rezistenþei echivalente R C1sc
Prin simplă inspecþie se constată:

R C1sc ≅ R G + (R B rπ ) (6.72)
Constanta de timp corespunzătoare va fi:

[
τ C1sc ≅ C1 RG + (RB rπ ) ≅ C 1 (R G + rπ ) ] (6.73)
Pentru condensatorul C2 se procedează asemănător. Cu ajutorul circuitului din

figura 6.19 se deduce:
R C2 sc
RBG RC RL
Figura 6.19. Circuitul pentru calculul rezistenþei echivalente R C2 sc
R C2sc ≅ R C R L (6.74)
În figura (6.19) s-a folosit notaþia:

R GB = R G R B1 R B2 (6.75)
Din (6.74) rezultă:

τ C 2sc ≅ C 2 (R C RL ) (6.76)
201
Introducând (6.70), (6.73) ºi (6.76) în (6.61) se obþine o noua valoare estimată

pentru frecvenþa inferioară:
β 1 1
ωL− 3 dB ≅ + + (6.77)
C E (R G + rπ ) C1 (R G + rπ ) C 2 (R C RL )
Analiza relaþiei (6.77) pune în evidenþă faptul în general polul dominant este
datorat condensatorului CE
6.5 Relaþia timp-frecvenþă
Aproximaþia polului dominant impune în principiu ca alura caracteristicii de

amplitudine să arate ca in figura 6.20
Au dB
Ao
z1 p1 P2 lgω
Figura 6.20 Caracteristică de amplitudine idealizată în conformitate cu aproximaþia polului dominant
Funcþia de transfer corespunzătoare poate fi aproximată astfel:

A os
A U ( s) = (6.78)
 
(s − p 1 ) 1 − s 
 p2 
Răspunsul la semnal treaptă va fi de forma:

uo ( t) = K 1ep1t + K 2 ep2t (6.79)
Reprezentarea grafică calitativă aproximativă a relaþiei (6.79) este:
202
sem nal
in tr a r e
sem nal
rã s p u n s c ã d e r e a p a l ie r u l u i d a t o r a t ã
1
p o lu lu i p 1 τ 1 = p 1
fro n t d a to ra t
1
p o lu l u i p 2 τ 2 = p2
t
Figura 6.21 Răspunsul la semnalul treaptă
O analiză atentă arată că acest tip de răspuns este corectă pentru frecvenþe
ω ω 
cuprinse între  L , H  . Figura 6.21 pune în evidenþă un fapt de o deosebită
 3 10 
importanþă, ºi anume posibilitatea de a estima atât frecvenþa superioară cât ºi
frecvenþa inferioară prin analiza răspunsului amplificatorului la semnal treaptă.
Astfel:
timpul de creºtere poate da informaþii asupra frecvenþei superioare;
căderea palierului poate da informaþii asupra frecvenþei inferioare.
Figura 6.22 ilustrează acest fapt:
se m n al
in tr a r e
se m n al t
rã s p u n s c ã d e r e a p a lie r u l u i c u 1 0 %
100 %
90 %
1 0%
t
tcr t cãd ere
Figura 6.22
În situaþii de laborator se poate utiliza un semnal dreptunghiular care însă

trebuie să îndeplinească cerinþa ca perioada sa să fie suficient de mare pentru
a permite o măsurătoare satisfăcătoare a lui tc ădere. Relaþiile care permit
estimarea frecvenþelor sunt:
0.35
ωH = (6.80)
t cr
203
1
ωL = (6.81)
10 t cãdere
204
Preliminarii
Comportarea la semnal mare
Circuite de bază
Circuite liniare
Circuite neliniare
Capitolul 7
Amplificatoare operaţionale
Amplificatoarele operaţionale reprezintă familia cu cea mai mare extindere dintre

circuitele integrate analogice. Ele reprezintă în fapt amplificatoare electronice
integrate, care se disting prin faptul că au performanţe de excepţie. În principiu se
comportă ca amplificatoare ideale de tensiune având amplificarea în tensiune foarte
mare, rezistenţa de intrare de asemenea foarte mare şi rezistenţa de ieşire foarte mică.
Aceste calităţi le recomandă pentru lucrul în buclă închisă, astfel apărând posibilitatea
proiectării unor amplificatoare a căror amplificare să fie determinată în mod exclusiv
de reţeaua de reacţie, reţea care în majoritatea cazurilor este constituită dintr-un
atenuator calibrat. Apar deci două noi avantaje care le recomandă pentru utilizarea în
marea majoritate a aplicaţiilor:
utilizarea unor reguli de proiectare simple (în multe cazuri totul se reduce la
calculul divizorului de reacţie);
realizarea unor echipamente net superioare celor realizate cu componente
discrete din punctul de vedere al raportului preţ/calitate.
Structura capitolului este cea utilizată în general pentru prezentarea dispozitivelor
semiconductoare.
Astfel subcapitolul întâi intitulat Preliminarii prezintă structura uzuală a unui AO,
simbolul şi notaţiile folosite în schemele electrice pentru desemnarea lui, precum şi
modalităţile de descriere.
Subcapitolul doi studiază comportarea în semnal mare a amplificatorului operaţional.
Sunt prezentate caracteristicile statice de intrare şi transfer, şi pe baza lor sunt deduse
204
modele de semnal mare regim cvasistatic pentru AO. Datorită liniarităţii lor se arată că
aceste modele se pot utiliza şi în semnal mic.
Subcapitolul trei este dedicat circuitelor de bază. Se prezintă :
circuitul inversor;
circuitul neinversor;
circuitul diferenţial;
Subcapitolul patru prezintă câteva aplicaţii liniare. Astfel sunt prezentate:
sumatoare;
integratoare;
diferenţiatoare;
Subcapitolul cinci introduce câteva dintre circuitele neliniare uzuale de tipul:
amplificatoare logaritmice;
amplificatoare antilogaritmice;
generatoare de funcţii monotone.
Pentru fiecare dintre aceste circuite se determină funcţia de transfer, excepţie făcând
numai amplificatorul inversor şi cel neinversor., pentru care se calculează şi
rezistenţele de intrare şi ieşire.
După cum se poate observa prezentul capitol nu îşi propune să epuizeze gama de
aplicaţii ale amplificatoarelor operaţionale. De fapt, la această oră, practic orice tip de
circuit electronic poate fi realizat cu ajutorul lor. Astfel că o asemenea încercare ar
presupune editarea unei lucrări de circuite electronice realizate cu AO. Pentru a
acoperi însă această lipsă, prezenta lucrare va prezenta, în capitolele următoare,
implementări ale circuitelor analizate atât cu tranzistoare cât şi cu amplificatoare
operaţionale
7.1 Preliminarii
Literatura de specialitate defineşte amplificatorul operaţional ca fiind un un

amplificator ideal de tensiune, adică un amplificator care prezintă următoarele
caracteristici:
câştig foarte mare în tensiune;
rezistenţă (impedanţă) de intrare foarte mare;
rezistenţă (impedanţă) de ieşire foarte mică;
răspuns în frecvenţă foarte bun (de la curent continuu, până la frecvenţe cât
mai înalte);
factor de rejecţie pe modul comun foarte mare (la cele cu intrare diferenţială).
205
Amplificatoare operaþionale
Trebuie observat că asemenea caracteristici se obţin relativ dificil pentru structurile

discrete. Poate de aceea amplificatoarele operaţionale există numai ca circuite
integrate. Din punct de vedere tehnologic se vorbeşte de mai multe generaţii de
amplificatoare operaţionale. Astfel prima generaţie are ca reprezentant tipic aşa
numitul circuit µA 709. Generaţia a doua este reprezentată de µA 741. În fapt 741
realizează aceleaşi funcţii ca 709 dar calitativ superior. Astfel rezistenţa de intrare a lui
741 este mai mare decât cea a lui 709, rezistenta de ieşire mai mică, amplificarea mai
mare, etc. Generaţia întâia a fost realizată având la bază tehnologia anilor1964-1965.
Generaţia a doua este produsul anilor 1967-1969. Începând cu 1972-1973 saltul
tehnologic a făcut improprie clasificarea pe generaţii. Prezentul subcapitol este dedicat
amplificatoarelor de generaţia a doua.
7.1.1 Construcţia
Figura 7.1 prezintă o structură de principiu pentru un amplificator operaţional. Ea este
mult simplificată şi are rolul de a evidenţia etajele componente.
+E C
R1 R2 R5 R6
T7
-
Ui
T1 T2 T5 T6
R7
Ui+
T8
R12 R13
T3 T9
UO
T4 T10
R3 R4 R11 R 10 R9 R8
-EE
Figura 7.1 Schema electrică de principiu a unui amplificator operaţional
7.1.2. Analiza calitativă a funcţionării

Tranzistoarele T1 ,T2 constituie etajul de intrare, în timp ce tranzistoarele T5,T6
formează aşa numitul etaj intermediar. Tranzistorul T8 constituie etajul final, etaj ce se
cuplează la etajul intermediar prin intermediul tranzistorului T7, etaj de deplasare a
nivelului. Tranzistoarele T3, T4 , respectiv T9, T10 constituie ″oglinzi de curent″ ele
având rolul de a polariza etajul diferenţial T1,T2 precum şi repetorul T7 . În fond,
schema din figura 7.1, prezintă etajele principale ce intră în componenţa unui
amplificator operaţional. În general etajul de intrare are rolul de a asigura valoarea
mare pentru impedanţa (rezistenţa) de intrare. Etajul, sau după caz, etajele
intermediare, asigură un factor mare de amplificare în tensiune. Etajul de ieşire se
proiectează în aşa fel încât impedanţa de ieşire să fie cât mai scăzută. Etajul de
deplasare a nivelului are rolul de a ajusta valoarea componentei continue. El nu are
nici un rol în curent alternativ.
7.1.3 Simboluri Notaţii. Modalităţi de descriere.
206
Prin simpla inspecţie a schemei din figura 7.1 se constată că

+EC
amplificatoarele operaţionale au intrări simetrice, ieşire
asimetrică şi alimentare dublă. Figura 7.2 prezintă simbolul unui u+ +
uO
amplificator operaţional în care sunt figurate toate aceste u-
-
terminale. Notaţiile folosite sunt următoarele:
-EE
u+ intrare neinversoare; semnalul de ieşire este in
fază cu semnalul aplicat pe această intrare (figura Figura 7.2
7.3)
u- intrare inversoare; semnalul de ieşire este defazat cu 1800 faţă de
semnalul aplicat pe această intrare (figura 7.4)
uO ieşire
EC, sursa pozitivă de alimentare;
EE sursa negativă de alimentare.
+EC +EC
u+ + u+ +
u+ +
uO uO uO
u- - u- - u- -
-EE -EE
Figura 7.3 Semnalul de intrare Figura 7.4 Semnalul de intrare Figura 7.5. Schema uzuală
creşte, semnalul la ieşire creşte. scade, semnalul la ieşire creşte. pentru A.O.
În practică se utilizează însă simbolul din figura 7.5. Figura 7.5 este utilă şi pentru
definirea modalităţilor de descriere. Astfel se poate vorbi de:
caracteristici de intrare; reprezintă legături funcţionale intre tensiunile şi
curenţii de intrare; nu se folosesc în practică întrucât curenţii de intrare sunt
aproape zero (datorită rezistenţei mari de ieşire).
caracteristica de ieşire; reprezintă legătura funcţională între tensiunea şi
curentul de ieşire; nu se foloseşte în practică, întrucât reprezintă practic
caracteristica unei surse ideale comandate.
caracteristica de transfer; reprezintă legătura funcţională intre tensiunile de
intrare şi tensiunea de ieşire; uzual se introduce mărimea
uD=u+-u- (7.1)
numită tensiune diferenţială de intrare, iar în calitate de caracteristică de
transfer de utilizează relaţia (7.2)
uO=uO(uD) (7.2)
această relaţie este utilizată in practică
207
7.2 Comportarea la semnal mare a amplificatoarelor

operaţionale
După cum se va vedea din prezentarea ce urmează amplificatoarele operaţionale au o

comportare liniară în domeniul de lucru. Din aceasta cauză nu mai este necesară şi o
analiză de semnal mic.
7.2.1 Caracteristici statice
Dacă se neglijează anumite proprietăţi nedorite şi de fapt secundare, caracteristica de
transfer arată ca în figura 7.6
uO[V]
UOH
duO
a= > 10 000
duD
-0.1 0.1 uD[mV]
UOL
Regiunea de Regiunea liniarã Regiunea de

saturaþie negativã saturaþie pozitivã
Figura 7.6 Caracteristica de transfer ideală a unui AO
Cu ajutorul figurii 7.6 se pot pune în evidenţă trei regiuni de funcţionare pentru AO.
regiunea de saturaţie negativă; reprezintă domeniul definit de:
U
uD ≤ OL (7.3)
a
unde:
UOL valoarea limită inferioară a tensiunii de ieşire (L este iniţiala
cuvântului englezesc low-jos); în general UOL este cu 1-3 V
mai mare decât –EE tensiunea de alimentare negativă a
circuitului;
a reprezintă amplificarea în tensiune (uzual aceasta are valori
cuprinse între 104 şi 106;
pentru această regiune relaţia (7.2) se explicitează:
uO=UOL (7.4)
deci tensiunea de ieşire nu depinde de tensiunea de intrare; în această
regiune AO nu funcţionează ca amplificator.
208
regiunea liniară; reprezintă domeniul definit de :

UOL U
≤ uD ≤ OH (7.5)
a a
unde; UOH este valoarea limită superioară a tensiunii de ieşire; uzual
este cu 1-3V mai mică decât +EC tensiunea de alimentare
pozitivă a circuitului;
pentru această regiune relaţia 7.2 se explicitează:
uO=a uD (7.6)
evident în această regiune AO se foloseşte ca amplificator;
regiunea de saturaţie pozitivă; reprezintă domeniul definit de:
UOH
≤ uD (7.7)
a
pentru aceasă regiune relaţia (7.2) se explicitează:
uO=UOH (7.8)
deci tensiunea de ieşire nu depinde de tensiunea de intrare; în această
regiune, ca şin regiunea de saturaţie negativă, AO nu funcţionează ca
amplificator.
uO[V]
uD[mV]
VDI
Figura 7.7 Caracteristica de transfer reală a unui AO
Caracteristica reală a unui AO este reprezentată în figura 7.7. În figură este pusă în
evidenţă tensiunea de decalaj (offset) de la intrare VDI, unul dintre parametrii electrici
cei mai importanţi ai amplificatoarelor operaţionali. De altfel, parametrii de interes,
menţionaţi de foile de catalog sunt:
Câştigul diferenţial în buclă deschisă (a) reprezintă raportul dintre variaţia
tensiunii de ieşire şi tensiunea diferenţială de intrare. Este definit de relaţia
(7.6).
Tensiunea de decalaj (offset) de la intrare VDI reprezintă tensiunea continuă a
unui generator aplicat la una dintre intrări, cealaltă fiind la masă, pentru care
Uo este nul.
209
Curentul de polarizare de intrare (IB) este valoarea medie a curenţilor de pe

cele două intrări.
Curentul de decalaj (offset) de la intrare (IDI) reprezintă diferenţa dintre cei
doi curenţi de intrare.
Factorul de rejecţie pe mod comun (CMRR-Common Mode Rejection Ratio)
este raportul dintre câştigul diferenţial şi câştigul pe mod comun, în buclă
deschisă.
Factorul de rejecţie al tensiunilor de alimentare (SVR-Supply Voltage
Rejection) este raportul dintre variaţia tensiunii de decalaj de la intrare şi
variaţia surselor de alimentare, care conduc la aceeaşi deplasare a tensiunii de
ieşire. Se poate defini un SVR separat pentru fiecare sursă sau se poate lua în
considerare efectul combinat.
Viteza de variaţie a semnalului de ieşire (SR- Slew Rate) reprezintă viteza
maximă de variaţie a semnalului de ieşire, pentru un semnal treaptă la intrare.
Banda de trecere la câştig unitar reprezintă banda de trecere la 3 dB în
montaj repetor.
Discuţiile purtate până în acest moment s-au referit în mod expres numai la
caracteristica de transfer. Deşi nu este utilizată în mod special se poate trasa şi
caracteristica de ieşire. Formal ea este i O
reprezentată de familia:
i O = iO (u O ) uD =const . (7.9)
Figura 7.8 prezintă o asemenea relaţie. Se poate uO

constata că amplificatorul operaţional are o
comportare de sursă liniara de tensiune
comandată în tensiune. Tensiunea de comandă uD
este tocmai tensiunea diferenţială de intrare.
Figura 7.8 Caracteristica de ieşire a unui AO
7.2.2 Modele uzuale pentru A.O.

În pachetele de programe specializate în simularea circuitelor analogice – spre
exemplu SPICE- se utilizează pentru simularea amplificatoarelor operaţionale aşa
numitele macromodele. Figura 7.9 prezintă un asemenea macromodel cunoscut în
literatura de specialitate sub numele de modelul Boyle.
210
+EC
RC1 C1 RC2 Rp
Ua UC
U- T1 T2 Ub Uc
U+
Re1 Re2 gcmUe gaUa C2 gbUb Rc gcUc Ro1 D3 U
o
Ue
D1 D2 D4
R2 Ro2
CE IE RE UE
-EE
Figura 7.9 Modelul Boyle pentru amplificatoare operaţionale
Modelul pune în evidenţă:

etajul de intrare (T1,T2 sursele şi elementele pasive asociate)
etajul intermediar (gcm, ga, R2, gb, Ro2)
etajul de ieşire (D1, D2, Rc, gc, ce asigură valoarea maximă a curentului de
scurtcircuit, iar D3, UC D4 UE ce asigură excursia maximă de tensiune).
Pentru calcule manuale se poate utiliza modelul din figura 7.10, model ce va fi
denumit în continuare model de ordin unu.
u+
Ro
+ uO
uIN Rin auuIN
-
u-
Figura 7.10 Modelul de ordin unu pentru amplificatoare operaţionale
Totuşi pentru multe aplicaţii şi acest model este suficient de complicat. Aşa se face că
în situaţia în care se doreşte o estimare rapidă se utilizează un model mai simplu şi
anume modelul de ordin zero. Construcţia acestui model pleacă de la observaţia că în
211
realitate amplificatoare operaţionale se comportă practic ca amplificatoare ideale de

tensiune. Formal acest lucru înseamnă:
amplificarea în tensiune tinde la infinit
aU→∞ (7.10)
rezistenţa de intrare tinde la infinit
Rin→∞ (7.11)
rezistenţa de ieşire este zero
Ro=0 (7.12)
În plus se consideră:
tensiune de decalaj nulă;
factor de rejecţie pe mod comun infinit;
răspuns în frecvenţă perfect plat pe o bandă de frecvenţe infinită;
timp de răspuns nul în condiţiile de nivel mare de semnal la intrare.
Relaţiile (7.10÷7.12) permit dezvoltarea modelului matematic asociat modelului
electric de ordin zero. Acesta va fi:
uIN=0 (7.13)
i+=i-=0 (7.14)
uO= const. (determinată de circuitul exterior) (7.15)
Relaţiile (7.14) şi (7.15) sunt o consecinţă a relaţiilor (7.10) şi (7.12) , iar relaţia (7.14)
este o consecinţă a relaţiei (7.11). Este dificil şi neuzual ca acestui model matematic să
i se asocieze o schemă echivalentă. Dificultatea constă în necesitatea utilizării
conceptelor de tip nulor şi nurator concepte ce nu fac obiectul prezentei lucrări.
7.3 Circuite de bază
Prezentarea ce va urma va utiliza modelul de ordin zero pentru modelarea

amplificatorului operaţional. S-a ales această cale în principal pentru a asigura
simplitatea şi claritatea expunerii. Trebuie adăugat că prin acest tip de abordare
analiza rămâne suficient de exactă.
7.3.1 Conexiunea inversoare

212

R1 rezistenţă de limitare; transformă
sursa de tensiune uIN în sursă de u- (punct de masã virtual)
curent, întrucât, datorită modelului R2
i2
ideal folosit, etajul nu poate fi
atacat în tensiune. R1
i1
R2 asigură reacţia negativă. -
uIN
c.) analiza de semnal mare va cuprinde: u+ + uO
calculul caracteristicii de transfer

uO=uO(uIN)
(7.16) Figura 7.11 Conexiunea inversoare
calculul rezistenţei de intrare;

c1.) calculul caracteristicii de transfer
Teorema întâi a lui Kirchhoff aplicată la borna intrării inversoare conduce la:
i1 +i2 =0 (7.17)
Dar:
uIN − u −
i1 = (7.18)
R1
uO − u −
i2 = (7.19)
R2
Întrucât intrarea neinversoare este la masă,

u+=0 (7.20)
rezultă imediat:
u-=0 (7.21)
ceea ce justifică denumirea de punct de masă virtual pentru acest punct. Înlocuind
(7.21) în (7.18) şi (7.19), iar acestea la rândul lor în (7.17), aceasta din urmă se
rescrie:
uIN uO
+ =0 (7.22)
R1 R 2
213
R2
uO = − uIN (7.23)
R1
Relaţia (7.23) pune în evidenţă de asemenea şi câştigul în tensiune:

uO R
aU = =− 2 (7.24)
uIN R1
Semnul minus indică faptul că semnalul de la ieşire este defazat cu 1800 faţă de
semnalul de la intrare.
R1
c .) calculul rezistenţei de intrare iT
2
Pentru calculul rezistenţei de intrare schema din figura uT

7.11 se modelează ca în figura 7.12. S-a ţinut seama
de faptul că intrarea inversoare este punct de masă
virtual. Se constată că:
Figura 7.12
uT
R in = = R1 (7.25)
iT
Observaţie: În cazul în care s-ar fi utilizat modelul de ordin întâi pentru AO rezistenţa
de intrare se putea calcula aplicând teoria reacţiei. Astfel schema din figura 7.11
devine se redesenează ca în figura 7.13
amplificatorul cu reacþie R2
sursa de semnal
iIN R1 + uO
Figura 7.13
Se poate constata că reacţia fiind paralel-paralel sursa de semnal a fost modelată

Norton. calculul rezistenţei de intrare se efectuează conform formulei (5.76)
Dacă se observă că:
R ina ≈ R 2 (7.26)
uO u
aZ = = O ≈ a UR 2 (7.27)
iIN uIN
R ina
214
1
fY = (7.28)
R2
atunci pentru rezistenţa de intrare în amplificatorul cu reacţie se obţine:

R ina R2 R2
R inA = ≈ ≈ (7.29)
1 + a Z fY 1 aU
1 + a UR 2
R2
unde:
R ina rezistenţa de intrare în amplificatorul de bază, încărcat (circuitul a)
R inA rezistenţa de intrare în amplificatorul cu reacţie.
Comparând figura 7.13 cu figura 7.11 se observă:

R in = R1 + R inA (7.30)
astfel că în final pentru rezistenţa de intrare se obţine o expresie mai exactă:

R2
R in = R1 + (7.31)
a
În (7.31) pentru "aU" s-a folosit notaţia mai simplă "a".
c3.) calculul rezistenţei de ieşire
Prin simpla inspecţia a circuitului se constată că rezistenţa de ieşire a etajului este
tocmai rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional deci poate fi considerată
aproximativ zero
7.3.2 Conexiunea neinversoare
R2
i2
R1
R1, R2 reţea de reacţie. i1
-
c.) analiza de semnal mare va cuprinde, ca şi +

în cazul configuraţiei inversoare:
uIN uO
calculul caracteristicii de transfer
calculul rezistenţei de intrare;
Figura 7.14 Conexiunea neinversoare
c1.) calculul caracteristicii de transfer
Se aplică acelaşi algoritm de calcul:
i1 +i2 =0 (7.32)
215
Dar:
0 − u−
i1 = (7.33)
R1
uO − u −
i2 = (7.34)
R2
Potenţialul intrării neinversoare va fi de această dată:

u+=uIN (7.35)
şi deci:
u-=uIN (7.36)
Făcând înlocuirile necesare se ajunge la:
uIN uO − uIN
− + =0 (7.37)
R1 R2
 R 
uO =  1 + 2 uIN (7.38)
 R1 
Câştigul în tensiune va fi:

uO R
aU = = 1+ 2 (7.39)
uIN R1
De această dată semnalul de ieşire este în fază cu semnalul de intrare.

c2.) calculul rezistenţei de intrare şi ieşire
Prin inspecţia schemei se poate constata că rezistenţa de intrare în etaj este tocmai
rezistenţa de intrare în AO, iar rezistenţa de ieşire este rezistenţa de asemenea
rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional. În concluzie rezistenţa de intrare
este foarte mare, iar rezistenţa de ieşire este foarte mică.
216
7.3.3 Conexiunea diferenţială R2

R1
b.) rolul elementelor u1 -
R1, R2 reţea de reacţie. u2 +

R3, R4 divizor de polarizare a intrării u+. R3
R4 uO
c.) analiza de semnal mare se va ocupa, de
această dată numai de determinarea
caracteristicii de transfer, calculul rezistenţei Figura 7.15 Conexiunea diferenţială
de intrare şi ieşire fiind comod de efectuat.
Scriind teorema întâi a lui Kirchhoff pentru nodul corespunzător bornei inversoare se
obţine:
u1 − u − uO − u −
+ =0 (7.40)
R1 R2
Cu:
R4
u − = u+ = u 2 (7.41)
R 3 +R 4
Va rezulta:
 R  R4 R
uO =  1+ 2  u 2 − 2 u1 (7.42)
 R1  R 3 + R 4 R1
Dacă:
R2 R4
= (7.43)
R1 R 3
se obţine:
R2
uo = (u2 − u1 ) (7.44)
R1
deci se obţine un amplificator care amplifică diferenţa tensiunilor de intrare.
7.4 Circuite liniare
În general sub acest nume se întâlnesc:

amplificatoarele sumatoare;
217
integratoarele;
diferenţiatoarele;
convertoarele curent-tensiune şi tensiune-curent etc.
În acest subcapitol nu se vor prezenta decât primele trei tipuri menţionate, prezentarea
restrângându-se la calculul caracteristicii de transfer.
7.4.1 Circuit de sumare.
I se mai spune amplificator sumator
R1
i1
u1
R2
i2
u2 R
i
Rn
in
un -
+ uO
Figura 7.16 Amplificator sumator

Rk ∀k ∈ {1.2,K,n} rezistenţe de limitare;
R asigură reacţia negativă.
c.) analiza de semnal mare cuprinde calculul caracteristicii de transfer.
Teorema întâi a lui Kirchhoff aplicată la borna intrării inversoare conduce la:
k =n
i+ ∑ i k =0 (7.45)
k =1
Dar:
uk − u −
ik = ∀k ∈ {1, 2,K, n } (7.46)
Rk
uO − u−
i= (7.47)
R
şi
u+=0 (7.48)
ca atare,
218
u-=0 (7.49)
Cu observaţiile conţinute de (7.46)÷(7.49), (7.45) se rescrie:
u O k =n u k
+∑ =0 (7.50)
R k −1 R k

k =n
uk
uO = −R ∑ (7.51)
k =1 R k
Dacă rezistoarele Rk sunt egale între ele, adică:

R k = R′ ∀k = {1, 2,K,n} (7.52)
tensiunea de ieşire capătă expresia:

R k =n
uO = − ∑ uk
R ′ k =1
(7.53)
Expresia (7.53) justifică pe deplin denumirea de amplificator sumator pentru acest tip
de circuit.
7.4.2 Circuit de integrare C
iC
R
iR
b.) rolul elementelor uIN -
R, C reţea RC care asigură constanta de + uO

timp pentru integrare.
Aplicând acelaşi algoritm: Figura 7.17 Circuit de integrare
iC+iR=0 (7.54)
Dar:
uIN (t )
iR = (7.55)
R
duC d[uO (t ) − u − ] du (t )
iC = C =C =C O (7.56)
dt dt dt
Înlocuind (7.56) şi (7.55) în (7.54) se obţine ecuaţia diferenţială de ordinul întâi:
duO uIN
C + =0 (7.57)
dt R
a cărei condiţie iniţială poate fi de forma:
219
uO(t0)=U0 (7.58)
Soluţia, în aceste condiţii, va fi:
t
u O (t ) = −
1
uIN (ξ )dξ + U0
RC t∫0
(7.59)
Relaţia (7.59) reprezintă soluţia generală. În multe situaţii insă condiţia iniţială este de
forma:
uO(0)=0 (7.60)
ceea ce face ca soluţia finală să poată fi scrisă:
t
1
u O (t ) = − uIN (ξ)dξ
RC ∫0
(7.61)
Produsul RC se notează în general cu τ, şi poartă numele de constantă de timp.

7.4.3 Circuit de diferenţiere.
a.) schema este prezentată în figura 7.18 iR
R
b.) rolul elementelor C

iC
uIN
R, C reţea RC care asigură constanta de -
timp pentru derivare. + uO

ªi de această dată se poate scrie, Figura 7.18 Circuit de derivare
iC+iR=0
(7.62)
dar de această dată:
u O (t )
iR = (7.63)
R
duIN
iC = C (7.64)
dt
Făcând înlocuirile necesare se obţine:
duIN (t )
u O (t) = RC (7.65)
dt
ªi de această dată produsul RC se notează tot cu τ păstrându-şi semnificaţia.
220
7.5 Circuite neliniare
Sub acest nume se întâlnesc acele circuite cu AO care folosesc elemente neliniare în
bucla de reacţie. Existenţa acestor elemente în bucla de reacţie face posibilă
implementarea unei largi game de funcţii de transfer. De altfel, se poate demonstra că
folosind reţele formate numai din diode şi rezistoare se poate implementa orice tip de
funcţie de transfer, neliniară dar monotonă. În aceste condiţii devine evident că
numărul aplicaţiilor este foarte mare. Prezentul capitol va evidenţia doar câteva dintre
ele, şi anume:
amplificatoarele logaritmice
amplificatoarele antilogaritmice;
generatoarele de funcţie monotonă;
7.5.1 Amplificator logaritmic.
Sunt utilizate în compresia semnalelor, reprezentări logaritmice, transformări
1 1 x
analogice de tipul x 2 x2, x3, , xy, , etc.
x y
a.) schema este prezentată în figura 7.19 D
iD
R
iR
D element neliniar din bucla de reacţie. -
c.) analiza de semnal mare uIN + uO

Aplicând acelaşi algoritm:
iD=iR (7.66)
Figura 7.19 Circuit de logaritmare
Dar:
uIN
iR = (7.67)
R
uA u
− O
i D ≅ IS e e T = IS e eT
(7.68)
unde:
IS curentul rezidual al diodei;
eT tensiune termică.
kT
eT = (7.69)
q
k constanta lui Boltzman
T temperatura absolută
221
q sarcina electronului.
Înlocuind expresiile curenţilor se ajunge la:
UO
uIN −
≅ IS e e T (7.70)
R
cu:
u   u  
u O ≅ −e T ln  IN  = −e T ln  IN  − ln (IS ) (7.71)
 R IS    R  
Expresia tensiunii de ieşire conţine termenul suplimentar e T ln (IS ) care reprezintă în
fond o tensiune de decalaj, care în montajele practice se compensează.
7.5.2 Amplificator antilogaritmic
a.) schema este prezentată în figura 7.20 R
iR
D
iD
D element neliniar -
R reacţie negativă
uIN + uO
Evident analiza este identică.
Figura 7.20 Circuit de antilogaritmare
iD=iR (7.72)
Însă:
uO
iR = − (7.73)
R
uA uIN
i D ≅ I S e e T = IS e e T (7.74)
şi deci:
UIN
u O ≅ RIS e e T (7.75)
Comparând (7.75) cu (7.71) se constată că circuitul prezentat în figura 7.20 realizează

funcţia inversă celui prezentat în figura 7.19.
7.5.3 Generator static de funcţie monotonă.
După cum a fost deja menţionat, una dintre aplicaţiile neliniare de interes ale
circuitelor cu amplificatoare operaţionale este constituită de sinteza funcţiilor
monotone. Un exemplu poate fi circuitul ce va fi analizat în continuare.
222

D1, D2 cuplează în circuit rezistorul R3 dacă tensiunea de la bornele lor este mai mare
decât suma tensiunilor VZ1 şi Uγ2 astfel ca ambele diode să intre în conducţie
În situaţia menţionată D1 conduce la polarizare inversă datorită efectului
Zener (VZ1 este tensiunea Zener), iar D2 la polarizare directă (Uγ2 este
tensiunea de deschidere în conducţie directă). Evident la schimbarea
polaritâţii tensiunii, rezistorul R3 este cuplat în circuit numai dacă tensiunea
de la bornele diodelor este mai mare decât suma dintre VZ2 şi Uγ1
D3, D4 cuplează în circuit rezistorul R4. Valoarea tensiunilor de prag este de această
dată VZ3 adunat cu Uγ4 într-un sens, respectiv VZ4 adunat cu Uγ3 în sensul
celălalt.
D3 R4 D4
D1 R3 D2
R2
R1
-
uIN + uO
Figura 7.21 Generator static de funcţie monotonă.

Este comod de demonstrat că alura caracteristicii de transfer este cea din figura 7.22.
uO
R2 R 3 R4
a2 = −
R1
VP3
VP2 R 2 R3
a1 = −
VP1 R1
uIN1 uIN2uIN3
-uIN3 -uIN2 -uIN1 uIN
R -VP1
a=− 2
R1
-VP2
-VP3
Figura 7.22 Caracteristica de transfer a circuitului din figura 7.21
223
Se poate uşor constata că dacă:

uIN < uIN1 (7.76)
atunci: R2
u O < VP1 (7.77)
R1
şi schema din figura 7.21 se reduce la cea din figura -
7.23. Pentru aceasta câştigul în tensiune este: uIN + uO

R2
a=− (7.78)
R1
Figura 7.23
Dacă:
R3
{uIN1 < uIN < uIN2 } U {−uIN2 < uIN < −uIN1} (7.79)
atunci:
R2
{VP1 < u O < VP 2 } U {− VP2 < u O < −VP1} (7.80)
R1
- iar schema din figura 7.21 se reduce la cea din figura
7.24, pentru care câştigul în tensiune devine:
uIN + uO
R2 R3
a1 = − (7.81)
R1
Figura 7.24
Dacă:
{uIN2 < uIN < uIN3 } U {−uIN3 < uIN < −uIN2 } (7.82) R4
atunci: R3
{VP 2 < uO < VP 3 } U {− VP 3 < u O < − VP 2 } (7.83) R2
iar schema din figura 7.21 se reduce la cea din figura 7.25,
R1
pentru care câştigul în tensiune devine:
-
R2 R3 R4 uIN + uO
a2 = − (7.84)
R1
În analiza prezentată s-a presupus în mod tacit, din dorinţa Figura 7.25
de a simplifica expunerea:
VZ1=VZ2 (7.85)
VZ3=VZ4 (7.86)
Uγ1=Uγ2=Uγ3=Uγ4=Uγ (7.87)
224
Preliminarii
Stabilizatoare parametrice
Configuraţii standard
Exemplu de stabilizator cu reacţie
Capitolul 8
Stabilizatoare de tensiune continuă
Stabilizatoarele de tensiune continuă reprezintă circuite electronice care în

mod uzual se intercalează între circuitele de redresare şi consumator, pentru a
asigura o tensiune continuă şi, important, constantă consumatorului. Există cel
puţin trei motive care justifică prezenţa lor şi anume:
tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
tensiunea alternativă de la intrare;
valoarea curentului debitat.
temperatură
Cunoscute în literatura de specialitate şi sub denumire de surse stabilizate,
stabilizatoare de tensiune continuă sunt realizate atât în tehnologie integrată
cât şi discretă. Din punct de vedere topologic există o multitudine de variante.
Prezentul capitol îşi propune să prezinte câteva dintre soluţiile de principiu care
stau la baza variantelor constructive. Din acest punct de vedere capitolul este
structurat după cum urmează:
Subcapitolul întâi este dedicat problemelor generale. Sunt definiţi
parametrii de interes ai stabilizatoarelor. De asemenea sunt prezentate
mai multe tipuri de clasificări ce se întâlnesc în literatura de
specialitate.
Subcapitolul doi prezintă problemele specifice ale stabilizatoarelor
parametrice.
Subcapitolul trei - şi ultimul de altfel – detaliază câteva dintre soluţiile
uzuale utilizate de circuitistica stabilizatoarelor cu reacţie. Sunt
prezentate soluţii de principiu.
226
Subcapitolul patru prezintă un exemplu practic de stabilizator cu

reacţie. Sunt prezentate soluţii de detaliu ale unor probleme.
În final trebuie menţionat că acest capitol nu prezintă stabilizatoarele în
comutaţie.
8.1 Preliminarii
Stabilizatorul de tensiune este un circuit care asigură la ieşire o tensiune

independentă de:
tensiunea de alimentare;
curentul de ieşire;
temperatură.
Figura 8.1 prezintă modul de definire ale principalelor mărimi electrice utilizate
în studiul stabilizatoarelor.
iRED iL
Stabilizator
uRED de uL RL
tensiune
Figura 8.1 Schema bloc a unui stabilizator de tensiune
unde:
uRED, iRED tensiunea şi curentul de alimentare a stabilizatorului.
Indicele "RED" semnifică faptul că aceste mărimi sunt
culese de la ieşirea unui redresor.
uL, i L tensiunea şi curentul debitate de stabilizator.
RL consumatorul (sarcina)
Ţinând cont de notaţiile introduse în figura 8.1, se poate scrie:
uL=uL(uRED,iL,T) (8.1)
unde T este temperatura. Diferenţiind (8.1) se obţine:
∂ uL  ∂u  ∂u
duL = duRED −  − L diL + L dT (8.2)
∂uRED  ∂iL  ∂T
Relaţia (8.2) permite definirea unor parametri diferenţiali după cum urmează:
1
S= (8.3)
 ∂ uL 
 
 ∂uRED 
227
Stabilizatoare de tensiune continuã
denumit coeficient de stabilizare,

∂uL
ro = − (8.4)
∂iL
denumit rezistenţă de ieşire (semnul minus apare datorită sensului ataşat

curentului iL în figura 8.1, sens opus celui uzual în teoria diporţilor liniari) şi,
∂uL
ST = (8.5)
∂T
denumit coeficient de stabilizare termică.
Dacă trecem la diferenţe finite,
duL ≅ ∆uL (8.6)
duRED ≅ ∆uRED (8.7)
diL ≅ ∆iL (8.8)
dT ≅ ∆T (8.9)
relaţiile (8.2)÷(8.5) se aproximează astfel:
∆uL ∆uL ∆uL

∆u L ≅ ∆uRED + ∆iL + ∆T (8.10)
∆uRED IL = const
∆iL IRED = const
∆T URED = const
T = const T = const IL =const
Pentru parametrii diferenţiali definiţi anterior se obţin expresiile aproximative:

1 1
S= ≅ (8.11)
 ∂uL 
  ∆u L
 ∂uRED  ∆uRED iL =const
T = const
∂uL ∆u
ro = − ≅− L (8.12)
∂iL ∆iL uRED =const
T =const
∂uL ∆uL
ST = ≅ (8.13)
∂T ∆T uRED = const
iL = const
relaţiile (8.11)÷(8.13) sunt utile pentru dezvoltarea unor metode de m ăsură a

parametrilor amintiţi. Dacă, în continuare, variaţiile finite sunt aproximate cu
semnalul mic, conform (8.14)÷(8.16):
228
∆uL ≅ Ul (8.14)
∆uRED ≅ Ured (8.15)
∆iL ≅ Il (8.16)
relaţia (8.2) devine:
Ul Ul Ul
Ul ≅ Ured + I + ∆T (8.17)
Ured IL = const
Il URED = const l
∆T URED = const
T = const T =const IL = const
Relaţia (8.17) permite extinderea parametrilor diferenţiali în condiţii de semnal

mic după cum urmează:
1 1
S= ≅ (8.18)
 ∂uL 
  Ul
 ∂uRED  Ured IL = const
T = const
∂uL Ul
ro = − ≅ (8.19)
∂iL Il URED = const
T = const
∂uL U
ST = ≅ l (8.20)
∂T ∆T URED = const
IL = const
Avantajul relaţiilor (8.18) ÷ (8.20) rezidă din faptul că ele permit estimarea valorii
acestor parametrii prin simpla inspecţie a schemei electrice a stabilizatorului.
Clasificări uzuale ale stabilizatoarelor. Există mai multe criterii de clasificare
a stabilizatoarelor. Se vor prezenta numai trei dintre ele şi anume:
după principiul de funcţionare;
după m ărimea electrică comandată;
după alura caracteristicii externe.
1. După principiul de funcţionare stabilizatoarele se împart in:
parametrice; funcţionarea lor se bazează pe neliniaritatea caracteristicii
curent-tensiune a unui dispozitiv electronic (de obicei diodă Zener)
cu reacţie; funcţia de stabilizare este realizată prin intermediul unei
reacţii negative; această clasă de stabilizatoare, de altfel cea mai
răspândită, se împarte în alte două subclase:
229
• subclasa stabilizatoarelor în comutaţie; cele în care dispozitivele

active lucrează în comutaţie
• subclasa stabilizatoarelor analogice; cele în care dispozitivele
active lucrează în regim normal; în principiu ele lucrează în regim
liniar
2. După mărimea electrică comandată există de asemenea două subclase:
• stabilizatoare serie, stabilizatoare care sunt conectate în serie cu
sarcina. Figura 8.2 prezintă o asemenea situaţie. Se poate observa că
stabilizatorul a fost reprezentat ca o rezistenţă variabil ă. Din acest
Stabilizator
RV de tensiune
iRED
uRED uL RL
Figura 8.2 Conectarea unui stabilizator serie.
punct de vedere întreg ansamblul se comportă ca un divizor de

tensiune, rezistenţa variabilă fiind astfel comandată, încât tensiunea pe
sarcină să rămână constantă.
• stabilizatoare paralel, stabilizatoare care sunt conectate în paralel cu
sarcina. În figura 8.3 se prezintă schema de conectare a unui
asemenea stabilizator. De această dată întreg ansamblul se comportă
Stabilizator
de tensiune
RB
iRED iL
uRED RV uL RL
Figura 8.3 Conectarea unui stabilizator paralel.
ca un divizor de curent, aceasta explicând necesitatea introducerii

rezistenţei de balast RB
3. După alura caracteristicii externe a redresorului. Caracteristica externă
a unui redresor reprezintă legătura funcţională:
UL=UL(IL) (8.21)
unde:
UL componenta continuă a tensiunii de ieşire;
IL componenta continuă a curentului de ieşire;
230
Figura 8.4 prezintă reprezentarea grafică a relaţiei (8.21). Se poate

constata că în cazul redresorului ideal de tensiune caracteristica are pantă
zero. Observând că valoarea pantei reprezintă tocmai valoarea rezistenţei
de ieşire:
∆UL
ro = (8.22)
∆IL
se poate deduce o metodă utilă pentru măsura rezistenţei de ieşire.
Stabilizator ideal Stabilizator real

de tensiune UL de tensiune
∆UL
IL
∆IL
Figura 8.4 Caracteristica externă a unui redresor.
Revenind la analiza caracteristicii de ieşire trebuie menţionat că in

situaţii reale curentul debitat de stabilizator este limitat fizic la o
anumită valoare. Există mai multe metode pentru realizarea acestui
lucru. Din acest punct de vedere există de asemenea două subclase, şi
anume:
stabilizator cu limitare la o valoare fixă a curentului de ieşire (figura
Stabilizator ideal Stabilizator real

de tensiune UL de tensiune
IL
ICOT ISCURTCIRCUIT
Figura 8.5 Stabilizator cu limitare la o valoare fixă a curentului de ieşire
8.5); se poate constata că până la valoarea ICOT stabilizatorul se

comportă ca o sursă de tensiune; este de dorit ca:
ICOT=ISCURCIRCUIT (8.23)
231
stabilizator cu limitare prin întoarcere a curentului de ieşire (figura

8.6)
UL
IL
ISCURTCIRCUIT ICOT
Figura 8.6 Stabilizator cu limitare prin întoarcere a curentului de ieşire
8.2 Stabilizatoare parametrice
Se va prezenta stabilizatorul parametric cu diodă Zener.

a.) schema este prezentată în figura 8.7.
b. ) rolul elementelor
RB
iRED iL
RB rezistenţă de sarcină
iZ
RL rezistenţă de balast; uRED uL RL
Dz diodă Zener; Dz
caracteristica statică Fi
este prezentată în Figura 8.7 Stabilizator cu diodă Zener.
figura 8.8; în regim
normal această diodă lucrează la polarizare inversă; dacă
iA valoarea curentului prin
UZ
ea respectă condiţia:
uA
iZmin i Z min ≤ i Z ≤ i Z max (8.24)
atunci tensiunea la bornele ei este

Domeniu de stabilizare
aproximativ UZ
c. ) analiza de semnal mare. Se
prezenta calculul caracteristicii de
transfer:
uL=uL(uRED)
iZmax
(8.25)
Figura 8.8 Caracteristica statică a unei diode Acest lucru presupune parcurgerea
Zener algoritmului tipic de rezolvare a oricărei
probleme de electronică
232
I ) Modelarea circuitului Schema echivalentă de semnal mare a circuitului din

figura 8.7 este prezentată în figura 8.9.
RB
iRED iL
iZ
RZ
uRED uL RL
UZ
Figura 8.9 Schema echivalentă de semnal mare a stabilizatorului cu diodă Zener.
Se poate observa că modelul de semnal mare al diodei Zener cuprinde sursa

de tensiune UZ înseriată cu rezistorul de valoare RZ. Valorile acestor elemente
de circuit se determină cu ajutorul caracteristicii statice. Ele reprezintă:
UZ valoarea tensiunii Zener;
RZ panta globală a caracteristicii în domeniul de stabilizare.
II. ) Dezvoltarea modelului matematic. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se
obţine:
i RED=iZ+i L (8.26)
UZ=-iZRZ+iLRL (8.27)
-UZ=iREDRB+i ZRZ-uRED (8.28)
III.) Determinarea soluţiei. Introducând notaţiile:
D 1
GB = (8.29)
RB
D 1
GL = (8.30)
RL
D 1
GZ = (8.31)
RZ
expresia tensiunii de ieşire devine:

GB GZ
uL = uRED + UZ (8.32)
GB + GL + G Z GB + GL + G Z
Reprezentarea grafică este prezentată în figura 8.10
233
uL Limitã impusã de Limitã impusã de

valoarea lui iZmin valoarea lui iZmax
UZ
uRED
Figura 8.10 Caracteristica de transfer a unui stabilizator Zener
Ţinând seama de faptul că în situaţiile reale

RB>>RZ (8.33)
RL>>>RZ (8.34)
relaţia (8.32) se aproximează suficient de bine:
uL ≅ U Z (8.35)
ceea ce susţine afirmaţia că montajul din figura 8.7 se comportă ca un

stabilizator de tensiune.
d.) analiza de semnal mic. Prezintă calculul coeficientului de stabilizare şi al
rezistenţei de ieşire.
d1.) calculul coeficientului de stabilizare. Se va aplica formula 8.18. Pentru
acest lucru este necesar ca schema din figura 8.7 să fie modelată în semnal
mic.
RB
Ured rz RL Ul
Figura 8.11 Modelul de semnal mic al stabilizatorului cu diodă Zener necesar pentru calculul
coeficientului de stabilizare
Se poate constata că dioda stabilizatoare a fost modelată prin rezistenţa ei în

semnal mic. Prin simpla inspecţia a schemei se obţine:
R L rz
Ul = Ured (8.36)
R B + R L rz
Întrucât în situaţiile reale

rz=RZ (8.37)
în relaţia (8.36) se poate considera valabil ă (8.34). În aceste condiţii (8.36) se
aproximează:
234
rz
Ul = Ured (8.38)
RB + rz
Factorul de stabilizare devine:

Ured R B + rz
S= = (8.39)
Ul rz
Dacă în această ultim ă relaţie se ţine cont de simplificările introduse de

observaţia conţinută în relaţia (8.33) pentru factorul de stabilizare se obţine
expresia uzual ă:
RB
S≅ (8.40)
rz
d2.) calculul rezistenţei de ieşire. În acest caz schema echivalentă de semnal

mic este:
RB
rz ro
Figura 8.12 Schema echivalentă de semnal mic necesară pentru calculul rezistenţei de ieşire
Se poate constata că intrarea a fost pasivizată. Rezistenţa de ieşire va fi:

ro = RB rz ≅ rz (8.41)
e.) îmbunătăţiri. Înlocuind în formulele (8.40), respectiv (8.41) valorile uzuale

ale lui RB (kilohmi) şi rz (zeci de ohmi), se poate estima valoarea coeficientului
de stabilizare precum şi a rezistenţei de ieşire. Astfel pentru coefientul de
stabilizare se poate ajunge la valori de ordinul sutelor, iar pentru rezistenţa de
ieşire de ordinul zecilor de ohmi. Aceste valori nu sunt satisfăcătoare pentru
multe aplicaţii. În plus, curentul maxim care poate fi debitat în sarcină de un
asemenea stabilizator are valori modeste. În continuare se vor prezenta câteva
variante de stabilizatoare parametrice care rezolv ă, cel puţin parţial,
problemele amintite.
e1.) mărirea coeficientului de stabilizare; Pentru mărirea coeficientului de
stabilizare una dintre cele mai comode soluţii o constituie cuplarea în cascadă
a mai multor etaje de tipul celui analizat. Schema din figura 8.13 prezintă un
montaj format din două etaje
235
RB1 RB2
iRED iL
uRED Dz1 Dz2 uL RL
Figura 8.13
Este uşor de observat că în acest caz:

R B1 R B 2
S≅ (8.42)
rz1 rz2
ro ≅ rz 2 (8.43)
e2. ) mărirea curentului de ieşire Introducerea uRED

tranzistorului T intre sarcină şi ieşirea diodei Zener, ca în
figura 8.14, permite mărirea curentului din sarcină de
RB
aproximativ β ori.
Inspecţia schemei pune în evidenţă faptul RB şi Dz joacă T
rolul unui stabilizator parametric obişnuit. Tranzistorul T iL
(conexiune colector comun) joacă rolul unui etaj tampon Dz
uL RL
între sarcină şi stabilizatorul parametric amintit. Acestă
observaţie pune în lumină un alt avantaj major al
montajului şi anume micşorarea rezistenţei de ieşire .
Aceasta are valoarea aproximativ ă: Figura 8.14
rz
ro ≅ (8.44)
β
Tensiunea de pe sarcină va avea valoarea:
uL=UZ-UBE (8.45)
rămânând practic constantă.
8.3 Stabilizatoare cu reacţie
Introducerea reacţiei negative în structurile stabilizatoarelor se justifică prin

facilităţile care le aduce în ajutorul proiectanţilor în obţinerea unor parametri
mult îmbunătăţiţi. Astfel se poate
După cum a fost menţionat există două tipuri fundamentale de stabilizatoare cu
reacţie
stabilizatoare cu reacţie analogice, şi
236
stabilizatoare cu reacţie în comutaţie.

Prezentul capitol se va ocupa numai de studiul primei categorii de
stabilizatoare.
8.3.1 Configuraţii standard
I.) Stabilizator pentru tensiuni mari
a. ) schema de principiu este prezentată în figura 8.15
b. ) rolul elementelor +uRED
R1, R2 reţea de reacţie;

AE amplificator de eroare; compară UREF +
nivelul de tensiune cules de TR
AE
-
reţeaua de reacţie cu nivelul de
tensiune al sursei de referinţă şi R2
generază la ieşire un semnal uO
proporţional cu diferenţa dintre ele R1
(amplifică semnalul de eroare).
TR tranzistor regulator; are rolul unei
rezistenţe variabile; valoarea
rezistenţei echivalente dintre Figura 8.15 Configuraţie
emitor şi colector se modifică, standard de stabilizator pentru
funcţie de comanda pe care o tensiuni mari
primeşte de la amplificatorul de
eroare, astfel încât tensiunea pe sarcină să fie menţinută
constantă.
UREF sursă de referinţă; asigură un nivel constant al tensiunii pe care
o generează, nivel care trebuie să fie independent de
temperatură, tensiunea de la ieşirea redresorului, etc.; este
folosită în obţinerea semnalului de eroare
c. ) analiza de semnal mare va cuprinde ca şi în celelalte cazuri calculul
caracteristicii de transfer.
Analiza este mult simplificată dacă se observ ă că în fapt schema prezentată în
figura 8.15 este schema unui amplificator obişnuit asupra căruia s-a aplicat o
reacţie negativă de tipul serie-paralel. Astfel se pot identifica:
amplificatorul de bază format din AE împreună cu TR; prezintă
interes estimarea amplificării lui în tensiune; prin inspecţia schemei se
constată:
aapl=aAE×aTR≅a×1=a (8.46)
unde:
aapl amplificarea amplificatorului de bază;
237
aTR amplificarea în tensiune a regulatorului serie; se poate

considera unitară întrucât TR lucrează în conexiunea
colector comun;
aAE amplificarea în tensiune a amplificatorului de eroare;
se va nota cu "a"
sursa de semnal este constituită din UREF
semnalul de ieşire se culege din emitorul tranzistorului regulator;
reţeaua de reacţie este formată din rezistorii R1, R2,; informaţia pe
care o culege de la ieşire este sub formă de tensiune, răspunsul fiind
tot sub formă de tensiune.
Teoria circuitelor cu reacţie permite estimarea rapidă a amplificării globale în
tensiune a unui amplificator cu reacţie prin reducerea problemei la identificarea
factorului de transfer al reţelei de reacţie. Amintim că acest lucru este valabil
numai în situaţia în care factorul de transfer pe bucl ă este suficient de mare. În
cazul stabilizatoarelor cu reacţie acest deziderat este în general asigurat
întrucât "a" este suficient de mare. Astfel se poate scrie:
uO a apl a 1
A= = ≅ ≅ (8.47)
uREF 1 + a apl f 1 + af f
Dar:
R1
f= (8.48)
R1 + R 2
Înlocuind (8.48) în (8.47) se ajunge la
 R 
u O =  1 + 2  uREF (8.49)
 R1 
Analiza relaţiei (8.49) pune în evidenţă următoarele:

valoarea tensiunii de ieşire poate fi modificată prin modificarea
divizorului R1 R2.
valoarea minim ă a tensiunii de ieşire este egal ă cu valoarea sursei de
referinţă şi se obţine în cazul în care R2 devine zero;
Ultima observaţie justifică denumirea de stabilizator pentru valori mai a
stabilizatorului.
d.) analiza de semnal mic cuprinde calculul rezistenţei de ieşire şi a
coeficientului de stabilizare.
d1.) rezistenţa de ieşire. Aplicând în continuare metodologia prezentată la
circuitele cu reacţie se obţine:
238
roapl roapl roapl

ro = = ≅ (8.50)
1+ T 1 + a apl f  R1 
a 
 R1 + R 2 
unde roapl reprezintă rezistenţa de ieşire a amplificatorului de bază "încărcat".
Din analiza circuitului rezultă succesiv:
roapl = ro TR (R1 + R 2 ) (8.51)
roa + rπTR
ro TR ≅ (8.52)
β TR
şi observând că:
ro TR << (R1 + R 2 ) (8.51)
rezistenţa de ieşire devine:

roa + rπ TR
β TR roa + rπTR
ro ≅ ≈ (8.52)
 R1  a β TR
a  
 R1 + R 2 
unde:
roa rezistenţa de ieşire a amplificatorului de eroare;
rπTR rezistenţa de intrare în tranzistorul regulator;
β TR factorul de amplificare în curent al tranzistorului regulator
d2.) coeficientul de stabilizare

Relaţia (8.49) indică faptul că tensiunea de ieşire este direct proporţional ă cu
tensiunea de referinţă şi deci variaţiile tensiunii de alimentare (uRED) pot ajunge
la ieşire în m ăsura în care acestea produc variaţii ale tensiunii de referinţă. Pe
de altă parte analiza influenţei variaţiilor tensiunii de alimentate asupra sursei
de referinţă necesită cunoaşterea topologiei sursei de referinţă şi deci nu poate
fi făcută în această etapă. Este foarte adev ărat că schema din figura 8.15 pune
în evidenţă încă două căi prin care efectul perturbator al componentei variabile
a lui uRED ar putea ajunge în sarcină:
prin circuitul de alimentare al amplificatorului de eroare ;
direct prin colectorului tranzistorului regulator
Analiza exactă pune în evidenţă faptul că perturbaţiile introduse prin aceste căi
constituie efecte de ordinul doi şi deci neglijarea lor nu introduce erori.
239
II.) Configuraţie standard de stabilizator pentru tensiuni mici

Circuitul analizat prezenta dejavantajul major de limita tensiunea minimă
stabilizată la valoarea sursei de referinţă. Configuraţia ce va fi analizată în
continuare elimină acest dejavantaj.
a.) schema de principiu este prezentată în figura 8.16. Se constată:
utilizarea amplificatorului de eroare în montaj repetor.
aplicarea tensiunii de referinţă prin intermediul divizorului R1 R2.
+uRED
R1
UREF +
TR
AE
R2 -
uO
Figura 8.16 Configuraţie standard de stabilizator pentru tensiuni mici
b.) rolul elementelor; notaţiile păstrează semnificaţiile prezentate la analiza

schemei din figura 8.15
Tensiunea de ieşire va avea de această dată expresia:
R2
uO = uREF (8.53)
R1 + R 2
Se poare constata că de această dată domeniul de variaţie a tensiunii de ieşire

este:
0 < uO < uREF (8.54)
Avantajul major al schemei constă în faptul că variaţiile lui uREF nu mai sunt
amplificate de amplificatorul de eroare.
III.) Configuraţie standard de stabilizator pentru tensiuni reglabile din
zero
Configuraţia prezentată în figura 8.16 este util ă pentru stabilizarea tensiunilor
mici dar nu poate fi utilizată pentru tensiuni aproape de zero. Dacă din punct de
vedere teoretic acest lucru ar fi posibil, din punct de vedere practic există cel
puţin două motive care justifică afirmaţia de mai sus. Astfel la valori foarte mici
ale tensiunii de ieşire:
240
tensiunile de offset de pe bucla de intrare nu mai pot fi neglijate

este necesară cel puţin o tensiune de alimentare auxiliară pentru
amplificatorul de eroare pentru ca +EC>uRED +uRED
acesta să continue să funcţioneze
+
cvasiliniar. AE
TR
-
Configuraţia prezentată în figura 8.17
R2 uO
pezintă o soluţie posibil ă. Se constată că
există două surse suplimentare (EC şi EE).
Principiul de funcţionare rămâne acelaşi. R1
IV.) Configuraţie standard de stabilizator

cu limitare la o valoare fixă a curentului -EE
de ieşire Figura 8.17 Configuraţie standard
de stabilizator pentru tensiuni
Limitarea curentului debitat de stabilizator
reglabile din zero
(necesară în multe cazuri ca protecţie la
scurtcircuit) se face prin intermediul celor două componente suplimentare Tprot
şi rprot. Funcţionarea este următoarea:
în regim normal tranzistorul Tprot este blocat întrucât valoare căderii de tensiune
pe rezistenţa rprot este mai mică decât tensiunea de prag a joncţiunii bază
emitor a tranzistorului; stabilizatorul funcţionează ca sursă de tensiune
+uRED în regim de limitare tranzistorul Tprot se deschide
întrucât valoarea căderii tensiunii de pe rezistenţa
rprot devine mai mare decât tensiunea de prag a
UREF +
TR
joncţiunii bază emitor; se deschide astfel o nouă
AE
- cale pentru curentul debitat de amplificatorul de
eroare spre sarcină; valoarea curentului la care
Tprot
apare fenomenul de limitare se poate determina
rprot. cu relaţia:
Uγ
R2 ICOT = (8.55)
rprot
uO
R1 unde Uγ este tensiunea de prag uzual 0.6 V;
circuitul încetează de a mai funcţiona ca sursă de
tensiune.
Figura 8.18 Configuraţie standard
Figura 8.5 prezintă caracteristica care se obţine
de stabilizator cu limitare la o
în această situaţie. Se poate constata că prin
valoare fixă a curentului de ieşire
alegerea convenabil ă a lui rprot se poate
determină valoarea curentului la care apare fenomenul de limitare.
Trebuie în acelaşi timp adăugat că prezenţa rezistenţei rprot înrăutăţeşte
performanţele stabilizatorului. Astfel rezistenţa de ieşire devine:
241
roa + rπTR
+ rprot
β TR
ro ≅ (8.56)
 R1 
a 
 R1 + R 2 
Expresia (8.56) se obţine prin prelucrarea expresiei (8.52)
V.) Configuraţie standard de stabilizator cu limitare prin întoarcere a
curentului de ieşire
Tipul de limitare, pentru curentul de sarcină, analizat anterior poate prezenta în
anume situaţii dezavantajul că menţine o disipaţie puternică pe tranzistorul
regulator în condiţii de scurtcircuit. De altfel este uşor de observat că în aceste
condi ţii curentul prin tranzistor este maxim (ISCURCIRCUIT). iar căderea de
tensiune dintre colector şi emitor este de asemenea maxim ă (uRED). O soluţie
pentru evitarea acestei situaţii este utilizarea protecţiilor cu întoarcere. Figura
8.6 prezintă o asemenea caracteristică, iar figura 8.19 o asemenea
configuraţie. Prezintă interes calculul curentului ICOT, respectiv ISCURTCIRCUIT.
+uRED
R1
UREF + TR
AE
R2 - rprot.
iO
R3
Tprot uO
R4
Figura 8.19 Configuraţie standard de stabilizator cu limitare prin întoarcere a curentului de ieşire
Observând că potenţialul emitorului tranzistorului regulator este:

VE TR = u O + rprot i O (8.57)
se poate calcula imediat potenţialul din baza tranzistorului de protecţie (i O are

sensul din figura 8.19):
R4
VB = VE TR (8.58)
R3 + R4
Cum potenţialul din emitorul acestui tranzistor este tocmai uO, căderea de
tensiune între bază şi emitor va fi:
rprot R 4 R3
u BE = VB − VE = iO − uO (8.59)
R3 + R 4 R3 + R 4
242
Relaţia (8.59) permite determinarea curenţilor limită menţionaţi după cum

urmează:
calculul curentului ICOT ; se impune condi ţia:
uBE=Uγ ⇒ i O=ICOT (8.60)
rezultă:
R3 + R 4 R3
ICOT = Uγ + uO (8.61)
rprotR 4 rprotR 4
calculul curentului ISCURTCIRCUIT ; în relaţia (8.61) se impune condi ţia:

uO=0 ⇒ i O=ISCURTCIRCUIT (8.62)
şi se obţine:
R3 + R 4
ISCURTCIRCUIT = Uγ (8.63)
rprot R 4
VI.) Configuraţie îmbunătăţită de stabilizator cu limitare la o valoare fixă a

curentului de ieşire şi reglaj al tensiunii din zero
Figura 8.20 prezintă soluţia modernă – în fapt cea mai elaborată – pentru un
stabilizator de tensiune. Performanţele lui îl fac să lucreaze practic pe
-UREF2 +UREF1
R1
+
AEU
P1 -
Comp. TR
R2 -
+
AEI
+ rprot uRED
iL
P2
RL
Figura 8.20 Configuraţie îmbunătăţită de stabilizator cu limitare la o valoare fixă a

curentului de ieşire şi reglaj al tensiunii din zero
caracteristica ideală, şi din această cauză se poate spune că lucrează în regim

de sursă de tensiune sau sursă de curent funcţie de situaţie. De altfel în
structură există un amplificator de eroare pentru controlul tensiunii şi un
amplificator de eroare pentru controlul curentului. Evident cele două
amplificatoare nu pot lucra simultan, circuitul de comparare (notat COMP)
având rolul de cupla unul dintre amplificatoare la tranzistorul regulator. Se
poate observa că există două surse suplimentare de alimentare, surse ce au
rolul de a permite stabilizatorului să lucreze la tensiuni apropiate de zero vol ţi.
243
Reglajul tensiunii de ieşire se face din potenţiometrul P1, iar reglajul curentului
de protecţie din potenţiometrul P2.
8.3.2. Exemplu de stabilizator de tensiune

Se va prezenta un stabilizator care respectă configuraţia standard din figura
8.15.
Tranzistor regulator Reþea de reacþie
T2 iO
R4
R3 R2
T1 RL
uO
+uRED
Dz R1
Amplificator de eroare Sursã de referinþã
Figura 8.21 Stabilizator cu reacţie
b. ) rolul elementelor este uşor identificabil din figură. Se poate constata că

sursa de referinţă este în fapt un stabilizator parametric (Dz şi R3) iar
amplificatorul de eroare este în principiu un etaj cu sarcină distribuită.
(rezistenţa dinamică rz a diodei Zener reprezintă sarcina din emitor, iar R4 şi T2
sarcina din colector). Funcţionarea este deci simplu de explicat:
Variaţiile tensiunii de ieşire sunt preluate de reţeaua de reacţie şi
aplicate în baza lui T1. Pe de altă parte emitorul lui T1 se găseste la un
potenţial aproximativ constant şi egal cu VZ. Din acest motiv tranzistorul
T1 "simte" variaţiile de pe bază ca variaţii ale tensiunii uBE şi deci le
0
amplifică puternic, defazându-le în acelaşi timp cu 180 . În continuare
acest semnal de eroare amplificat este aplicat în baza lui T2. Acesta
lucrează – după cum se poate observa – în conexiunea colector
comun. Ca atare semnalul este amplificat în curent (dar nu mai este
defazat) şi aplicat sarcinii. În concluzie prin parcurgerea buclei de
0
reacţie se obţine un semnal care compensează (defazajul cu 180 )
variaţiile tensiunii de pe sarcină, menţinând-o constantă. Simplificat
acest lucru se notează:
uO ↑⇒ VB ↑⇒ u BE T ↑⇒ VC T = VB T ↓⇒ VE T = u O ↓
1 1 2 2
244
c.) analiza de semnal mare presupune calculul caracteristicii de transfer.

Observând că:
R1
u R1 = u O (8.64)
R1 + R 2
respectiv:
uR1 = VZ + u BET (8.65)
1
se obţine pentru tensiunea de ieşire expresia:
(  R
u O = VZ + uBET 1 + 2) 
 (8.66)
 R1 
1
Expresia (8.66) coincide cu expresia (8.49), ceea ce era de aşteptat.

d.) analiza de semnal mic presupune calculul coeficientului de stabilizare
precum şi al rezistenţei de ieşire.
d1.) calculul coeficientului de stabilizare; Algoritmul de calcul implică
modelarea schemei din figura 8.21 în condiţii de semnal mic, scrierea
sistemului de ecuaţii aferent, rezolvarea lui; determinarea expresiei tensiunii de
ieşire şi în final determinarea expresiei coeficientului de stabilizare. Aplicarea
unei asemenea metode implică un calcul laborios (rezolvarea unui sistem de
13 ecuaţii cu 13 necunoscute). Din această cauză se va prezenta o altă
abordare.
Diferenţiind funcţie de uRED relaţia (8.66) se obţine:
∂u O  ∂VZ ∂uBET   R2 
= + 1  1+  (8.67)

∂u RED  ∂uRED ∂uRED   R 1 

Ţinând cont de definiţia (8.3) şi de aproximaţiile introduse de relaţiile (8.11)
respectiv (8.18) (8.67) se rescrie:
1  1 1  R 
= +  1 + 2  (8.68)
S  Sref Sbe   R1 
unde:
S coeficient de stabilizare al stabilizatorului cu reacţie
Sref coeficient de stabilizare al stabilizatorului parametric
Sbe coeficient ce indică variaţia tensiunii uBE funcţie de variaţia
tensiunii uRED. În continuare se va considera foarte mare
Din (8.68) rezultă:
245
R1
S= S ref (8.69)
R1 + R 2
Pe de altă parte din (8.40) rezultă:

R3
Sref = (8.70)
rz
Introducând această din urm ă expresie în (8.69) se obţine expresia finală

pentru coeficientul de stabilizare:
R1 R 3
S= (8.71)
R1 + R 2 rz
d2.) calculul rezistenţei de ieşire se va face aplicând relaţia:

roa + rπTR
β TR
ro ≅ (8.72)
 R1 
a  
 R1 + R 2 
relaţie ce rezultă din formula (8.52). Identificând termen cu termen se obţine:
roa = R 4 (8.73)
întrucât reprezintă rezistenţa de ieşire a etajului de amplificare format cu

tranzistorul T1.
rπTR = rπ2 (8.74)
β TR = β 2 (8.75)
întrucât identifică parametrii tranzistorului regulator, iar

R4
a= (8.76)
rz
reprezintă amplificarea unui etajului cu sarcină distribuită constitui de

tranzistorul T1, Se va obţine pentru rezistenţa de ieşire expresia:
R 4 + rπ2
β2 R 4 + rπ2 R1 rz r
ro = = ≈ z (8.77)
R1 R 4 R4 R1 + R 2 β 2 β 2
R1 + R 2 rz
e.) îmbunătăţiri. Se va analiza modul în care pot fi îmbunătăţi ţi parametrii

stabilizatorului. Astfel prezintă interes:
246
m ărirea coeficientului de stabilizare;

micşorarea rezistenţei de ieşire;
micşorarea coeficientului de temperatură
m ărirea puterii de ieşire.
e1.) mărirea coeficientului de stabilizare.
Există mai multe soluţii posibile. Acestea, în principiu, prev ăd introducerea
unor filtre cu scopul de a limita posibilitatea de a ajunge a ondulaţiilor tensiunii
redresate la ieşire. După cum a fost amintit există trei căi şi anume prin:
alimentarea sursei de referinţă;
alimentarea amplificatorului de eroare;
alimentarea regulatorului serie.
Soluţiile în discuţie, aplicabile numai în primele două cazuri, prev ăd alimentări
separate pentru fiecare dintre aceste blocuri componente. Se poate demonstra
că există şi o altă posibilitate de m ărire a coeficientului de stabilizare şi anume
m ărirea amplificării amplificatorului de eroare. Această din urm ă soluţie duce în
final şi la micşorarea rezistenţei de ieşire. Din acest motiv acest tip de soluţie
va fi prezentat când se vor prezenta modalităţile de îmbunătăţire a a rezistenţei
de ieşire.
alimentarea sursei de referinţă;
Figura 8.22 prezintă o modalitate de alimentare a sursei de referinţă de la o
tensiune filtrată.
T2 iO
R4
R3 R2
T1 RL
uO
+uRED
Dz R1
Figura 8.22. Alimentarea stabilizatorului parametric de la ieşire.
Se poate observa că stabilizatorul parametric R3 Dz se alimentează din

tensiunea stabilizată. În acest fel în emitorul lui T1 amplitudinea ondulaţiilor
este mult micşorată şi deci şi la ieşire. Evident se pot imagina şi alte soluţii,
soluţii ce pot ajunge până la introducerea unui stabilizator auxiliar.
alimentarea amplificatorului de eroare;
Figura 8.23 prezintă ca soluţie introducerea unui prestabilizator
247
T2 iO
R5
R4 R3 R2
+uRED uO RL
T1
Dz1
Dz R1
Figura 8.23. Introducerea unui prestabilizator pentru alimentarea amplificatorului de eroare
Acesta este constituit din rezistorul R5 şi dioda Dz1. Introducerea lui face ca
rezistorul R4 să fie alimentat de la o tensiune stabilizată. Figura 8.24 prezintă
ca soluţie introducerea unei surse de alimentare separate.
R5
uRED1 Dz1 R4
T2 iO
R3 R2
uRED uO RL
T1
Dz R1
Figura 8.24. Introducerea unei surse de alimentare separate pentru alimentarea

amplificatorului de eroare
e2.) micşorarea rezistenţei de ieşire.

Modalităţile prin care se poate interveni asupra rezistenţei de ieşire reies din
analiza relaţiei (8.72):
mărirea amplificării amplificatorului de eroare; aici există două căi:
m ărirea rezistenţei de sarcină a amplificatorului de eroare;
alegerea unor topologii performante;
micşorarea rezistenţei de ieşire a amplificatorului de eroare;
mărirea amplificării în curent a regulatorului serie.
Exista extrem de multe soluţii topologice care satisfac criteriile de mai sus. În
continuare se vor prezenta punctual cele mai cunoscute:
mărirea amplificării amplificatorului de eroare;
248
O primă cale pentru realizarea acestui deziderat o constituie m ărirea rezistentei

de sarcină. Analiza schemei din figura 8.21 arată că tranzistorul T1 are ca
sarcină rezistorul R4 în paralel cu intrarea în tranzistorul T2. În cazuri de acest
gen se recomandă ca rezistorul să fie în locuit cu o sarcină activ ă. Se ajunge la
soluţia din figura 8.25
T2 iO
Dz1 R4
T3 R3 R2
uRED uO RL
T1
R5
Dz R1
Figura 8.25. Înlocuirea rezistorului R4 cu un generator de curent
Figura 8.26 prezintă un stabilizator în care amplificatorul de eroare este

constituit dintr-un amplificator diferenţial.
T2 iO
R3 R6 R4 R2
uRED T3 T1 uO RL
R1
Dz R5
Figura 8.26. Înlocuirea tranzistorului T1 cu un amplificator diferenţial.
micşorarea rezistenţei de ieşire a amplificatorului de eroare;

O soluţie comodă în acest sens constă în introducerea unui etaj tampon în
conexiune colector comun între ieşirea amplificatorului de eroare şi intrarea în
tranzistorul regulator Figura 8.27 prezintă o asemenea topologie. Etajul tampon
este constituit de tranzistorul T3.
mărirea amplificării în curent a regulatorului serie.
Cea mai comodă cale pentru realizarea o constituie montajul de tip D'Arlington,
(figura 8.28). Tranzistorul compus format din tranzistoarele T2 şi T3 are un
câştig în curent:
β TR ≅ β 2 β 3 (8.78)
249
T2 iO
R4 R5
T3 R3 R2
uRED uO RL
T1
Dz R1
Figura 8.27. Introducerea unui etaj tampon între ieşirea tranzistorului T1 şi intrarea în T2.
T2 iO
T3
R4
R3 R2
uRED uO RL
T1
Dz R1
Figura 8.28. Introducerea unui etaj compus de tip D'Arlington în locul tranzistorului T2.
e3.) micşorarea coeficientului de temperatură . Coeficientul de temperatură

al stabilizatorului este practic determinat de coeficientul sursei de referinţă
precum şi de coeficientul de temperatură al circuitelor de la intrarea în
amplificatorul de eroare, loc în care se determină tensiunea de eroare. O
soluţie este constituită de utilizarea aşa numitelor amplificatoarelor de referinţă,
Acestea sunt formate din tranzistorul T1 şi dioda Dz realizate tehnologic pe
acelaşi chip. O altă soluţie constă în utilizarea amplificatoarelor diferenţiale ca
amplificatoare de eroare. ªi pentru această situaţie se recomandă ca cele două
tranzistoare să fie realizate pe acelaşi chip.
e4.) mărirea puterii de ieşire
Puterea de ieşire este dictată în mod exclusiv de performanţele regulatorului
serie. Acesta poate fi realizat:
un tranzistor
250
mai multe tranzistoare conectate în serie

mai multe tranzistoare conectate în paralel
Există şi situaţia de conectare a tranzistoarelor în paralel cu rezistenţă de
balast. Acest tip de conexiune se utilizează în electronica de putere. Nu v-a fi
prezentat În continuare se vor prezenţa succint soluţiile enumerate.
un tranzistor
Soluţia a fost prezentată în toate schemele analizate. se recomandă pentru
tensiuni şi curenţi nu prea mari.
mai multe tranzistoare conectate în serie
Se utilizează pentru tensiuni mari. Figura 8.29 arată o asemenea configuraţie.
C1 C2 C3 C4
T1 T2 T3 T4
Colector Emitor
D1 D2 D3 D4
R1 R2 R3 R4
Bazã
Figura 8.29 Conectarea unor tranzistoare serie.
Rezistoarele au rolul de a distribui în mod egal tensiunea pe tranzistoare - în

regim permanent. În absenţa lor, tensiunea s-ar distribui inegal întrucât curenţii
reziduali ai tranzistoarelor nu sunt riguroşi egali. Condensatoarele au rolul de a
distribui în mod egal tensiunea pe tranzistoare -în regim tranzitoriu. Diodele
previn străpungerea joncţiunilor bază emitor
mai multe tranzistoare conectate în paralel
Se utilizează pentru curenţi mari. Tranzistoarele se conectează ca în figura
8.30.
T1 R1
Colector Emitor
T2 R2
T3 R3
Bazã
Figura 8.30 Conectarea unor tranzistoare în paralel
251
Rezistoarele au rolul de a echilibra curenţii prin tranzistoare. Joncţiunile bază

emitor nu pot fi legate direct în paralel datorită dispersiei de parametrii ce le
caracterizează.
252
Preliminarii
Oscilatoare RC
Oscilatoare LC
Oscilatoare cu cristal de cuarţ
Capitolul 9
Oscilatoare armonice
Oscilatoarele electronice, în general, reprezintă circuite care generează
semnale alternative. Ele se comportă ca un convertor de energie, transformând
energia de curent continuu în energie de curent alternativ. Acest tip de
conversie este întâlnit şi în cazul amplificatoarelor. Deosebirea fundamentală
constă în faptul că dacă în cazul amplificatorului, transferul de energie se face
în urma unui semnal de comandă – semnalul de intrare – în cazul
oscilatoarelor acest semnal lipseşte.
Funcţie de forma semnalului de la ieşire oscilatoarele electronice se împart în
două clase mari:
oscilatoare armonice al căror semnal de ieşire este sinusoidal;
generatoare de relaxare cele care la ieşire generează semnale
nesinusoidale (dreptunghiulare, triunghiulare etc.)
Funcţie de fenomenul care stă la baza formării semnalului sinusoidal,
oscilatoarele armonice se împart, la rândul lor în:
oscilatoare cu rezistenţă negativă; funcţional aceste oscilatoare se
comportă ca circuite LC ideale, rolul rezistenţei negative fiind acela de
a compensa rezistenţa parazită (pozitivă) a circuitului LC de bază;
oscilatoare cu reacţie pozitivă; fundamental aceste oscilatoare
reprezintă nişte amplificatoare cărora li se aplică o reacţie globală
pozitivă;
Prezentul capitol va prezenta numai oscilatoarele cu reacţie pozitivă. De altfel
structura capitolului este:
Subcapitolul unu este dedicat problemelor generale. Astfel sunt prezentate:
clasificări
principiul de funcţionare – se deduce condiţia lui Barkhausen,
253
probleme legate de limitarea amplitudinii

Subcapitolul doi tratează oscilatoarele RC. Astfel sunt analizate:
oscilatoarele cu reţea Wien;
oscilatoarele cu reţea de defazare;
Subcapitolul trei prezintă oscilatoarele LC. Sunt analizate:
oscilatoarele cu reacţie inductivă (oscilatorul Hartley);
oscilatoarele cu reacţie capacitivă ( oscilatorul Colpitts)
Subcapitolul patru tratează oscilatoarele cu cuarţ.
9.1 Preliminarii
Prezentul subcapitol îşi propune să răspundă la întrebări de tipul:

care este mecanismul prin care apar şi se întreţin oscilaţii într-un circuit
neexcitat din exterior?
de ce aceste oscilaţii sunt sinusoidale
De asemenea sunt prezentate clasificările cunoscute în literatura de
specialitate pentru această clasă de circuite electronice.
9.1.1 Clasificări
Fiind generatoare de semnal sinusoidal principalele caracteristici ale unui
oscilator armonic sunt legate de caracterizarea semnalului produs şi anume:
frecvenţa de oscilaţie
amplitudinea de oscilaţie;
condiţia de oscilaţie;
conţinutul de armonici (gradul de distorsiuni);
stabilitatea amplitudinii;
stabilitatea frecvenţei.
Aceste caracteristici impun şi principalele probleme care se pun în studiul
oscilatoarelor, şi anume:
1. stabilirea condiţiei de amorsare a oscilaţiilor;
2. calculul frecvenţei de oscilaţie
3. calculul amplitudinii de oscilaţie;
4. calculul factorului de distorsiuni;
Literatura de specialitate prezintă mai multe moduri de abordare a acestor
probleme. Astfel teoria neliniară permite rezolvarea integrală a lor. Are
dezavantajul de a solicita un efort mare de calcul întrucât presupune
rezolvarea unui sistem de ecuaţii integro-diferenţiale caracteristic oscilatorului
254
analizat. Problema nu are soluţii analitice standard. Teoria cvasiliniară sau

metoda primei armonici, reprezintă o variantă mai comodă a teoriei neliniare.
Această teorie consideră că amplificarea este funcţie de amplitudinea
fundamentalei. Această simplificare permite introducerea explicită a acestei
amplitudini în condiţia de oscilaţie. Rezultatul imediat este că se poate
determina amplitudinea de oscilaţie. Se poate deduce suplimentar frecvenţa de
oscilaţie precum şi condiţia de amorsare. Teoria liniară – metoda cea mai
simpla de analiză – utilizează modele de semnal mic pentru dispozitivele şi
componentele oscilatorului. În aceste condiţii se determină doar frecvenţa de
oscilaţie şi condiţia de amorsare. În prezentarea ce urmează se va folosi în
mod exclusiv teoria liniară
Principalele clase de oscilatoare sunt definite de:
tipul de elemente reactive conţinute în structură;
domeniul de lucru.
Din punctul de vedere al construcţiei, oscilatoarele armonice conţin în structura
lor:
elemente active (cele care asigură conversia puterii) - stabilesc ampli-
tudinea oscilaţiilor; aceasta se explică prin apariţia fenomenului de
limitare datorat neliniarităţilor caracteristice;
elemente reactive – stabilesc frecvenţa de oscilaţie
Astfel funcţie de:
tipul de elemente reactive oscilatoarele se clasifică în:
oscilatoare RC; reţeaua de reacţie cuprinde rezistoare şi
capacitoare
oscilatoare LC. reţeaua de reacţie cuprinde rezistoare şi bobine
domeniul de lucru se subîmpart în
oscilatoare de audiofrecvenţă; lucrează din domeniul hertzilor până
în cel al sutelor de kilohertzi;
oscilatoare de radiofrecvenţă; lucrează din sutelor de kilohertzi
până în cel al sutelor de megahertzi;
oscilatoare de microunde; peste un gigahertz.
9.1.2 Principiul de funcţionare. Relaţia lui Barkhausen

Structura generală a unui amplificator cu reacţie a fost prezentată în figura 5.1.
Figura 9.1 prezintă schema generală a unui oscilator constituit dintr-un
amplificator cu reacţie pozitivă.
255
Xi = 0 Xε Xo
+
Σ a
Xf +
Figura 9.1 Schema bloc a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacţie pozitivă
Se poate constata că notaţiile sunt aceleaşi:

Xi semnal de intrare
Xo semnal de ieşire
Xε semnal de eroare
Xf semnal de reacţie
S-au folosit notaţii fazoriale întrucât semnalul este sinusoidal. Apar totuşi două
deosebiri esenţiale:
0
semnalul de reacţie nu mai este defazat de reţeaua de reacţie cu 180 ;
semnalul de intrare este zero.
În aceste condi ţii se formulează următoarea problemă:
Ce condiţii trebuie să îndeplinească amplificatorul şi reţeaua cu reacţie pentru a
exista semnal de ieşire, adică:
X o ≠0 (9.1)
dacă nu există semnal de intrare:

X i =0 (9.2)
Observând că factorul de transfer al amplificatorului cu reacţie are expresia:

Xo
A= (9.3)
Xi
se poate deduce că existenţa semnalului de ieşire în absenţa semnalului de
intrare implică condiţia:
A →∞ (9.4)
În această situaţie problema de mai sus se reformulează astfel:
256
Să se determine condiţiile pe care trebuie să le îndeplinească

amplificatorul de bază şi reţeaua de reacţie pentru a îndeplini condiţia
(9.4)
Soluţia problemei se obţine prin calcularea amplificării globale a
amplificatorului cu reacţie şi determinarea condiţiilor în care este satisf ăcută
relaţia (9.4). Fie:
Xo
a= (9.5)
Xε
factorul de transfer al amplificatorului de bază, şi
Xf
f= (9.6)
Xi
factorul de transfer al amplificatorului cu reacţie. Prin inspecţia schemei bloc
din figura 9.1 se deduce:
Xε = Xi + X f (9.7)
Ţinând cont de defini ţiile (9.3), (9.5), (9.6) se ajunge la:

a
A= (9.8)
1+ a f
Aplicarea condi ţiei (9.4) asupra relaţiei (9.8) conduce la condi ţia:
a f =1 (9.9)
denumită relaţia lui Barkhausen. Relaţia se poate scrie şi pe componente.

Notând:
a = a exp( jϕ a ) (9.10)
f = f exp (jϕ f ) (9.11)
relaţia lui Barkhausen devine:

a f =1 (9.12)
ϕ a + ϕ f = 2kπ k∈Z (9.13)
Relaţia (9.12) se mai numeşte condiţia de amplitudine, iar relaţia (9.13)

condiţia de fază. În cazuri concrete (9.12) permite determinarea condi ţiei de
amorsare a oscilaţiei, adică valoarea minim ă a amplificării amplificatorului de
bază pentru a exista oscilaţii. Relaţia (9.13) permite calcului frecvenţei de
oscilaţie.
257
În situaţii practice factorul de transfer " a " este

Amplificator
real, revenind integral reţelei de reacţie sarcina + de bazã
Uin auUin
de a asigura defazajul corespunzător pe bucla
de reacţie. Pe de altă parte există patru tipuri de -
structuri utilizate ca reţea de reacţie. Din acest
punct de vedere se pot pune în evidenţă patru
Z1 Reþea de
configuraţii utilizate în oscilatoare: Z2 reacþie
pozitivã
1. oscilator cu reţea de reacţie în "Γ" (figura
9.2 a); se constată că:
amplificatorul de bază este un Figura 9.2 a Oscilator cu reţea în "Γ"
Amplificator
de bazã
amplificator ideal de tensiune; Iin ai Iin
reţeaua de reacţie:
se atacă în tensiune;
răspunsul este în tensiune.
Z1 Reþea de
2. oscilator cu reţea de reacţie în "Γ" inversat Z2 reacþie
(figura 9.2 b); se constată că: pozitivã
amplificatorul de bază este un

amplificator ideal de curent; Figura 9.2 b Oscilator cu reţea în "Γ"
reţeaua de reacţie: inversat
se atacă în curent; Amplificator
de bazã
răspunsul este în curent. Uin ayUin
3. oscilator cu reţea de reacţie în "π" (figura

9.2 c); se constată că:
amplificatorul de bază este un Z2 Reþea de
Z3 Z1 reacþie
amplificator ideal transadmitanţă; pozitivã
se atacă în curent;
răspunsul este în tensiune. Figura 9.2 c Oscilator cu reţea în "π"
4. oscilator cu reţea de reacţie în "T" (figura Amplificator

9.2 d); se constată că: + de bazã
Iin az Iin
amplificatorul de bază este un -
amplificator ideal transimpedanţă;
se atacă în tensiune; Z3 Z1 Reþea de
Z2 reacþie
răspunsul este în curent.
pozitivã
Pe de altă parte, analiza relaţiilor (9.12) şi (9.13)
pune în evidenţă un aspect semnificativ şi
Figura 9.2 d Oscilator cu reţea în "Γ"
anume că prin parcurgerea buclei amplitudinea
şi faza semnalului trebuie să se reproducă.
Amintind că singurul semnal care are proprietatea de a-şi reproduce forma
258
după parcurgerea unui circuit liniar reactiv este semnalul sinusoidal, apare
evident motivul pentru care circuitul generează semnal sinusoidal.
9.1.3 Limitarea amplitudinii oscilaţiilor
Subcapitolul precedent a prezentat modul în care se stabileşte frecvenţa de
oscilaţie, precum şi condi ţia pe care trebuie s-o îndeplinească m ărimea
amplificării pentru a se amorsa oscilaţiile într-un oscilator, dar nu a dat nici o
informaţie privitoare la amplitudinea oscilaţiilor. Motivaţia acestei omisiuni
rezidă în faptul că amplitudinea oscilaţiilor se stabileşte în general prin
mecanisme speciale, mecanisme ce solicită analize speciale. Există în
principiu două metode pentru care permit limitarea amplitudinii la o valoare
impusă:
controlul automat al amplificării; acest lucru se realizează prin
introducerea unei reacţii negative locale pe amplificatorul de bază ce
are ca scop menţinerea amplitudinii oscilaţiilor de la ieşire la valoarea
dorită; figura 9.3 prezintă o asemenea soluţie:
refe-
semnal de comandã rinþã.
al nivelului de reacþie
reþea reacþie comparator
negativã
- amplificator
de bazã
+ Xo
reglaj automat al
amplificãrii reþea reacþie
pozitivã
Figura 9.3 Schema bloc a unui oscilator al cărui amplificator are un sistem automat de
reglaj automat al amplificării
Circuitul care asigură reglajul automat al amplificării preia semnalul de

la ieşire pe care îl compară cu un nivel de referinţă. Semnalul de
eroare astfel rezultat comandă nivelul reacţiei negative şi deci implicit
nivelul amplificării. Este cunoscut faptul că mărimea amplificării
amplificatorului de bază este dictată de reţeaua de reacţie negativ ă.
utilizarea unor dispozitive neliniare utilizarea acestor elemente
neliniare se justifică întrucât în condi ţiile în care amplificatorul de bază
lucrează liniar – situaţie suficient de des întâlnită în practică –
amplitudinea oscilaţiilor poate creşte nelimitat (cel puţin teoretic);
soluţiile uzuale sunt:
259
• utilizarea elementelor de control cu inerţie termică spre exemplu

termistorul. În principiu termistorul este un rezistor neliniar.
Rezistenţa variază funcţie de valoarea curentului care îl parcurge.
Există aplicaţii în care ca element de control cu inerţie termică se
folosesc elemente de tip baretor (bec).
• utilizarea elementelor de circuit cu caracteristici profund neliniare
spre exemplu diode. Figura 9.4 a prezintă un circuit format din
două diode antiparalel. Caracteristica curent tensiune pune în
evidenţă neliniaritatea montajului. Figura 9.4 b prezintă un circuit
i i
u u
i Uγ2 i UZ2
D1 DZ1
u u
Uγ 1 UZ1
D2 DZ2
Figura 9.4 a Circuit neliniar realizat cu diode Figura 9.4 b Circuit neliniar realizat cu diode
montate antiparalel Zener montate antiparalel
asem ănător dar realizat cu diode Zener. Se modifică astfel

tensiunea de prag:
funcţionarea elementelor active din amplificator în regim neliniar;
situaţia este des întâlnită în oscilatoarele LC şi se datorează nivelului
mare al semnalului; la amplitudini mari se intră în regiunile neliniare
ale caracteristicilor efectul imediat fiind scăderea amplificării şi deci
limitarea amplitudinii; se ajunge astfel la un regim staţionar
9.2 Oscilatoare RC
Sunt utilizate cu precădere în domeniul frecvenţelor joase, nedepăşind câteva

sute de kilohertzi. Dacă se face un studiu comparativ, pentru acest domeniu,
între oscilatoarele RC şi oscilatoarele LC se constată că:
pentru generarea unei anumite frecvenţe oscilatoarele LC necesită
inductanţe de valori mari, ceea ce înseamnă şi gabarite mari,
manoperă suplimentară şi nu în ultimul rând preţuri ridicate, în timp ce
oscilatoarele RC se realizează cu valori uzuale pentru rezistor,
respectiv condensator;
260
pentru acoperirea unui domeniu dat de frecvenţă oscilatoarele RC

C max
necesită un raport mai mic decât oscilatoarele LC, întrucât
C min
frecvenţa de oscilaţie pentru oscilatoarele RC este proporţional ă cu
1 1
, iar pentru oscilatoarele LC este proporţională cu .
RC LC
Trebuie însă menţionat că reţele de tip RC sunt mai puţin selective decât
reţelele LC ceea are ca efect o stabilitate relativ ă a frecvenţei mai scăzută,
precum şi un grad de distorsiuni mai ridicat pentru oscilatoarele RC. Din acest
motiv pentru aceste oscilatoare trebuie imaginate procedee de limitare a
amplitudinii semnalului, ceea ce înseamnă în ultim ă instanţă evitarea regiunilor
profund neliniare din caracteristica elementelor active. Subcapitolul 9.1.3 s-a
ocupat de această problem ă.
Funcţie de tipul reţelei RC aceste oscilatoare se împart în:
cu reţea Wien
cu reţea în dublu T
cu reţea de defazare;
9.2.1 Oscilatoare cu reţea Wien
a.) schema Există în principiu patru topologii posibile pentru acest tip de
oscilator. Aceste sunt:
Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de reacţie pozitiv ă a unui
amplificator de tensiune (figura 9.6)
Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de reacţie pozitiv ă a unui
amplificator de curent (figura 9.7)
Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de reacţie negativ ă a unui
amplificator de tensiune (figura 9.8)
Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de reacţie negativ ă a unui
amplificator de curent (figura 9.9)
R1, R2, C1, C2 reţea Wien
R3, R4 reţea de reacţie
c.) analiza liniară presupune verificarea condiţiei lui Barckhausen. Se va
analiza în detaliu oscilatorul din figura 9.6.
Analiza începe cu presupunerea că amplificatorul de bază este un amplificator
ideal, deci:
impedanţa de intrare în amplificator este foarte mare;
impedanţa de ieşire din amplificator este foarte mică;
au (amplificarea în tensiune) este reală şi nu depinde de frecvenţă:
261
Reacþie Reacþie
negativã negativã
neselectivã neselectivã
Amplificator Amplificator
de bazã iIN de bazã
+
auuIN aiiIN
uIN
-
R1 C1 Reþea de R1 C1 Reþea de
reacþie reacþie
R2 C2 pozitivã R2 C2 pozitivã
Figura 9.6 Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de Figura 9.7 Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de
reacţie pozitivă a unui amplificator de tensiune reacţie pozitivă a unui amplificator de curent
Reacþie Reacþie
pozitivã pozitivã
+
auuIN aiiIN
uIN
-
R1 C1 Reþea de R1 C1 Reþea de
reacþie reacþie
R2 C2 negativã R2 C2 negativã
Figura 9.8 Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de Figura 9.9 Oscilator cu reţea Wien în reţeaua de
reacţie negativă a unui amplificator de tensiune reacţie negativă a unui amplificator de curent
Primele două condi ţii sunt necesare pentru a ne asigura că reţeaua de reacţie
respectiv amplificatorul nu se încarcă reciproc. Cea de a treia condiţie impune
ca la frecvenţa de oscilaţie ( ω = ωosc ) atenuarea în tensiune a reţelei de reacţie
( fu ) să fie real ă. Prin inspecţia figurii 9.10 rezultă pentru fu expresia:
262
Uo 1
fu ( jω) = = (9.14)
Ut R1 C 2  1 
1+ + + j ωR1C 2 − 
R 2 C 1  ωR 2C 1 
Ca atare, prin anularea părţii imaginare R1 C1
1
ωosc R1C 2 − =0 (9.15)
ωosc R 2 C 1 Ut C2 R2 Uo
se ajunge la:
1 Figura 9.10 Reţea Wien
fu ( jω osc ) = (9.16)
R1 C 2
1+ +
R 2 C1
Întrucât în situaţii reale

R1=R2=R (9.17)
respectiv:
C1=C2=C (9.18)
Prin înlocuirea relaţiilor (9.17) şi (9.18) în (9.16) se obţine în final pentru
atenuare valoarea:
1
fu ( jωosc ) = (9.19)
3
Înlocuind acest rezultat în (9.12) se poate determina condiţia de amorsare:
au=3 (9.20)
Pe de altă parte din (9.15) coroborat cu (9.17) şi (9.18) rezultă:
1
ωosc = (9.21)
RC
d.) limitarea amplitudinii
După cum a fost amintit există mai multe metode de limitare a amplitudinii
oscilaţiilor. Se vor exemplifica numai două dintre ele şi anume:
controlul automat al amplificării;
utilizarea unei punţi de diode ca element neliniar.
d1.) controlul automat al amplificării;
Schema circuitului este prezentată în figura 9.11
263
R5
R4
P1 +
R1 C1
D
R7
R3 uO
T
R2 C2
C3 R6
Figura 9.11 Limitarea amplitudinii prin reglajul automat al amplificării
Rolul elementelor este uşor de identificat:

R1, C1, R2. C2 reţea Wien
T, P1, R7 rezistenţă comandabil ă electric; asigură împreună cu
R4 reacţia negativ ă a montajului.
R5, D, C3 redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv
R6 sarcina redresorului
În funcţionare normală dioda D redresează oscilaţiile de la ieşire, încărcând
condensatorul cu o tensiune continuă proporţional ă cu amplitudinea lor.
Această tensiune culeasă prin intermediul rezistorului R6 comandă grila TECJ-
ului T. Aceste lucrează în regiunea liniară şi deci se comportă ca o rezistenţă
comandată. Rezultă deci că funcţie de nivelul tensiunii de ieşire se modifică
valoarea divizorului R3, R4 şi drept urmare amplificarea amplificatorului
operaţional. Un alt tip de soluţie pentru aceeaşi problem ă este prezentată în
figura 9.12.
d2.) utilizarea unei punţi de diode ca element neliniar.;
Schema este prezentată – după cum s-a precizat - în figura 9.12
D1 D3
D5
R4
D2 D4
R5
+
R3
R1 C1
uO
R2 C2
Figura 9.12 Limitarea amplitudinii prin utilizarea diodelor ca elemente neliniare
264
Rolul elementelor
R1, C1, R2. C2 reţea Wien
D1, D2, D3, D4, D5, R5, rezistenţă neliniară comandabil ă electric;
asigură împreună cu R3 reacţia negativ ă a
montajului.
Funcţionarea montajului este dictată de caracteristica curent tensiunii a
rezistenţei neliniare D1, D2, D3, D4, D5, R5. Aceasta are alura celei din figura
9.4. Ca atare pentru valori mici ale tensiunii de ieşire (sub valoarea tensiunii
Zener) ea are o valoare mare, şi amplificarea amplificatorului de bază este
mare. O dată cu creşterea amplitudinii tensiunii de ieşire valoarea acestei
rezistenţe compuse scade, scăzând şi amplificarea amplificatorului.
e.) observaţii finale
Analiza oscilatoarelor cu reţea Wien construite cu amplificatoare de curent
comportă o analiză asem ănătoare rezultatele fiind identice. De această dată
ipotezele simplificatore se formulează astfel:
impedanţa de intrare în amplificator este
C1 R1
foarte mică;
impedanţa de ieşire din amplificator este
foarte mare; C2 R2
It Io
ai (amplificarea în curent) este real ă şi nu
depinde de frecvenţă:
Atenuarea în curent introdusă de reţeaua Wien se Figura 9.13 Reţea Wien
calculează cu ajutorul schemei din figura 9.13
Figurile 9.14 şi 9.15 prezintă oscilatoare cu reţea Wien construite cu
tranzistoare bipolare.
Oscilatorul reprezentat în figura 9.14 are la bază un amplificator de tensiune
format din trei tranzistoare.
C
+EC
R1 r
RC1 RC2
C1
T1 T2 T 3 CO
C2 R2
RE1
RE CE
Uo
RL
RE2
Figura 9.14. Schemă de principiu a unui oscilator cu reţea Wien ce furnizează un semnal stabilizat
în amplitudine de frecvenţă variabilă
265
Se observ ă că:
Reţeaua de reacţie pozitivă este formată din R1, C1, R2, C2 (reţeaua
Wien), a cărei intrare este conectată în emitorul lui T3 iar ieşirea în
baza lui T1. În ciuda faptului că amplificatorul de bază conţine trei
tranzistoare semnalul care parcurge acest traseu este defazat numai
0
cu 360 , întrucât tranzistorul T3 nu introduce defazaj (semnalul se
0
culege din emitor). Întrucât defazajul introdus de reţea este 0 rezultă
0
că defazajul total este de 360 . Acest lucru certifică faptul că reacţia
este pozitiv ă.
Reţeaua de reacţie negativă conţine termistorul r şi rezistorul RE.
(condensatorul C este scurt circuit la frecvenţa de lucru). Este o reacţie
serie - paralel. Ea culege semnalul din emitorul lui T3 şi-l introduce în
emitorul lui T1. Introducerea termistorului pe calea de reacţie permite
menţinerea constantă a valorii tensiunii de ieşire. Există posibilitatea
ca r să fie un rezistor obi şnuit şi atunci în locul lui RE se utilizează un
bec. Efectul este acelaşi.
Oscilatorul reprezentat în figura 9.15 are la bază un amplificator de curent
format din două tranzistoare. De această dată:
Reţeaua de reacţie pozitivă este formată tot din R1, C1, R2, C2 (reţeaua
Wien), a cărei intrare este conectată în emitorul lui T2 tranzistor ce
lucrează în regim de generator de curent, iar ieşirea în baza lui T1.
Reţeaua de reacţie negativă conţine termistorul r (condensatorul C3
este scurt circuit la frecvenţa de lucru). Este o reacţie paralel - serie.
Ea culege semnalul din emitorul lui T2 şi-l introduce în baza lui T1. ca şi
în cazul precedent introducerea termistorului pe calea de reacţie
permite menţinerea constantă a valorii tensiunii de ieşire.
+EC
RC1 C2 R2
R1
Co
C1
T1 T2
r
C3 RB
Uo
C4 RE1
RE RE2 CE
Figura 9.15. Schemă de principiu a unui oscilator cu reţea Wien ce are la

bază un amplificator de curent
266
9.2.2 Oscilatoare cu reţea de defazare

Există două tipuri de reţele de defazare:
reţea de defazare de tipul trece sus (figura 9.16 şi 9.18)
+ C + R
Ut R Uo Ut C Uo
- -
Figura 9.16 Reţea de defazare de tipul Figura 9.17 Reţea de defazare de tipul
trece sus atacată în tensiune trece jos atacată în tensiune
reţea de defazare de tipul trece jos (figura 9.17 şi 9.19)
C R
It R Io It C Io
Figura 9.18 Reţea de defazare de Figura 9.19 Reţea de defazare de

tipul trece sus atacată în curent tipul trece jos atacată în curent
Ca şi reţelele Wien, reţelele de defazare au o structură de tip Γ ceea ce

impune atacul în curent sau în tensiune funcţie de modul de conectare în circuit
Figurile 9.16÷9.19 prezintă aceste situaţii. Funcţiile de transfer sunt:
Reţea de defazare de tipul trece sus atacată în tensiune (figura 9.16);
funcţia de transfer:
Uo jωRC
fu = = (9.22)
U t 1 + jωRC
de aici rezultă imediat modulul:
ωRC
fu = (9.23)
1 + ω2R 2 C 2
respectiv faza:
1
ϕ f = arctg (9.24)
ωRC
Reţea de defazare de tipul trece sus atacată în curent (figura 9.17);
Io jωRC
fi = = (9.25)
I t 1 + jωRC
267
modulul:
ωRC
fi = (9.26)
1 + ω2R 2 C 2
faza:
1
ϕ f = −arctg (9.27)
ωRC
Reţea de defazare de tipul trece jos atacată în tensiune (figura 9.18);
Uo 1
fu = = (9.28)
Ut 1 + jωRC
de aici rezultă imediat modulul:
1
fu = (9.29)
1+ ω2R 2C 2
respectiv faza:
ϕ f = −arctg ωRC (9.30)
Reţea de defazare de tipul trece jos atacată în curent (figura 9.19);

Io 1
fi = = (9.31)
It 1+ jωRC
modulul:
1
fi = (9.32)
1 + ω2R 2 C 2
faza:
ϕ f = −arctg ωRC (9.33)
Se poate constata că expresiile funcţiilor de transfer pentru reţelele trece sus

sunt identice. Concluzia este valabil ă şi pentru reţelele trece jos.
O altă concluzie care se impune este că defazajul maxim pe care o celul ă RC
îl poate introduce este de 900, dar această valoare este pur teoretică. Trebuie
amintit că defazajul necesar într-o buclă de reacţie pozitiv ă este de 3600. Acest
tip de analiză permite stabilirea numărului de reţele de tip RC ce trebuie
utilizate într-o bucl ă de reacţie. Soluţiile care folosesc în practică utilizează trei
0
reţele RC fiecare asigurând un defazaj de 60 , iar amplificatorul de bază
0
realizează diferenţa de 180 .
a.) scheme de principiu Întrucât oscilatoarele cu reţea de defazare utilizează
practic numai amplificatoare cu reacţie negativă neselectiv ă, există, în
principiu patru topologii posibile pentru acest tip de oscilator. Aceste sunt:
268
Oscilator cu reţea de defazare de tipul trece sus cu amplificator de

tensiune (figura 9.20)
Oscilator cu reţea de defazare de tipul trece sus cu amplificator de
curent (figura 9.21)
Oscilator cu reţea de defazare de tipul trece jos cu amplificator de
tensiune (figura 9.22)
Oscilator cu reţea de defazare de tipul trece jos cu amplificator de
curent (figura 9.23)
Reacþie Reacþie
negativã negativã
+
auuIN aiiIN
uIN
-
C C C Reþea de C C C Reþea de
R R R reacþie R R R reacþie
pozitivã pozitivã
Figura 9.20 Oscilator cu reţea trece sus în Figura 9.21 Oscilator cu reţea trece sus în
reţeaua de reacţie pozitivă a unui amplificator reţeaua de reacţie pozitivă a unui amplificator
de tensiune de curent
Reacþie Reacþie
pozitivã pozitivã
de bazã i IN de bazã
+
auuIN aiiIN
uIN
-
R R R Reþea de R R R Reþea de
C C C C C C
reacþie reacþie
negativã negativã
Figura 9.22 Oscilator cu reţea trece jos în Figura 9.23 Oscilator cu reţea trece jos în
reţeaua de reacţie negativă a unui reţeaua de reacţie negativă a unui
amplificator de tensiune amplificator de curent
269
Evident se pot imagina şi patru configuraţii care să conţină reţeaua de defazare

în circuitul de reacţie negativă.
R, C reţea de reacţie
c.) analiza liniară presupune verificarea condi ţiei lui Barckhausen. Se va
analiza în detaliu oscilatorul din figura 9.20.
Rămân valabile ipotezele simplificatoare introduse în subcapitolul 9.2.1 şi
anume:
impedanţa de intrare în amplificator este foarte mare;
impedanţa de ieşire din amplificator este foarte mică;
au (amplificarea în tensiune) este reală şi nu depinde de frecvenţă:
În concluzie pentru ω = ωosc atenuarea în tensiune a reţelei de reacţie ( fu )
trebuie să fie reală. Fie reţeaua din figura 9.24. Se poate scrie :
I1 C I2 C I3 C
+ I4 I5
Ut R R R Uo
-
Figura 9.24 Reţea de defazare de tipul trece sus atacată în tensiune formată din trei celule
I1 = I4 + I2 (9.34)
I2 = I3 + I5 (9.35)
1
U t = I1 + I4R (9.36)
jωC
1
0 = I2 + I5R − I4R (9.37)
jωC
1
0 = I3 + I3R − I5R (9.38)
jωC
La acest sistem obţinut prin scrierea ecuaţiilor lui Kirchhoff se mai adaugă;
Uo = I 3 R (9.39)
Sistemul (9.34)÷(9.39) conţine şase ecuaţii cu şase necunoscute

( I1 , I2 , I3 , I4 , I5 , Uo ). Rezolvând se obţine:
270
Uo 1
fu = = (9.40)
Ut  5   1 6 
1 − 2 2 2  + j 3 3 3 − 
 ω R C  ω R C ωRC 
Anulând partea imaginară:

1 6
0= − (9.41)
ω3 R 3 C 3 ωRC
se obţine pentru frecvenţa de oscilaţie expresia:
1
ωosc = (9.42)
6RC
Înlocuind această expresie în (9.40) se obţine pentru fu la rezonanţă:
1
fu (ωosc ) = (9.43)
29
Introducând (9.43) în condi ţia lui Barkhausen se obţine condiţia de amorsare a
oscilaţiilor:
au=29 (9.44)
d.) observaţii finale Figurile 9.25 şi 9.26 prezintă două oscilatoare cu reţea
trece sus realizate cu tranzistoare bipolare.
În figura 9.25 amplificatorul de tensiune este realizat cu tranzistoarele T1 şi T2.
Se poate constata ca rezistenţa de intrare este aproximativ (β 1 R E ) R1 R 2
R c + rπ 2
suficient de ridicată. Rezistenţa de ieşire este aproximativ R o ceea
β2
ce conduce la o valoare relativ de scăzută. Amplificarea în tensiune este la
rândul ei aproximativ gm1R C , valoare suficient de ridicată, ceea ce recomandă
etajul ca amplificator de tensiune.
+EC
R1 RC
T2
C1 C C C
T1
R2 RE RO R R R
uO
Figura 9.25 Oscilator cu reţea de defazare trece sus cu amplificator de tensiune
271
În figura 9.26 etajul de amplificare realizat cu tranzistorul T1 se comportă ca un

generator de curent. De altfel rezistenţa de colector a tranzistorului este
reprezentată de una din rezistenţele reţelei de reacţie, atacul în curent fiind
astfel asigurat. Rezistenţa de intrare este de ordinul lui rπ, iar amplificare în
curent este aproximativ β.
+EC
R1 R
C C C
T1
uO
R2 RE CE R R
Figura 9.26 Oscilator cu reţea de defazare trece sus cu amplificator de curent
9.3 Oscilatoare LC
Folosite în general în domeniul frecvenţelor radio oscilatoarele LC pot fi

clasificate funcţie de topologia circuitului de reacţie în două subclase:
oscilatoare cu reacţie inductiv ă;
oscilatoare cu reacţie capacitiv ă;
Principiul de funcţionare lor este prezentat în schema bloc din figura 9.27
Xi = 0 Xε a Xo
+
Σ Amp Filtru Sarcinã
Xf +
f
Reactie
pozitivã
Sarci
Figura 9.27 Modelul unui oscilator LC construit pe bază conceptului de diport
Notaţiile folosite sunt aceleaşi ca în figura 9.1. Suplimentar este prezentat filtrul
(circuitul rezonant) necesar pentru stabilirea frecvenţei. Modelul de oscilator
prezentat figura 9.27 este construit având la bază conceptul de diport pentru
reprezentarea amplificatorului. Este posibil ca oscilatorul să fie modelat
272
utilizând conceptul de uniport pentru amplificator. Figura 9.28 prezintă o

asemenea variantă:
Amp Filtru Sarcinã

-R
Unda reflectatã
Unda incidentã
Figura 9.28 Modelul unui oscilator LC construit pe bază conceptului de uniport
Acest tip de model introduce conceptul de rezistenţă negativ ă. În fapt datorită

reacţiei interne (ce va fi discutată) rezistenţa de ieşire a amplificatorului este
negativ ă, cu un coeficient de reflexie mai mare ca unu. Semnalul de la ieşirea
amplificatorului se transmite către filtru, fiind în mod normal reflectat. Între
poarta de ieşire a amplificatorului şi poarta de intrare în filtru se pot stabili
condiţiile apariţiei unui regim de unde staţionare şi deci se pot genera oscilaţii.
În continuare se vor prezenta câteva dintre configuraţiile uzuale de oscilatoare.
9.3.1 Oscilatoare cu reacţie inductivă (Hartley)
Reacþie
negativã
neselectivã
Amplificator
de bazã
Uin a Y Uin
L1 Reþea de
L2 C Rp reacþie
pozitivã
Figura 9.27 Oscilator Hartley

Rp rezistenţă de pierderi a circuitului oscilant.
C, L1, L2 reţea de reacţie.
c.) analiza circuitului;
Se va verifica îndeplinirea condi ţiei lui Barckhausen. Metoda de verificare va fi
diferită de cea utilizată în cazul oscilatoarelor RC
273
. De acesta data se va întrerupe bucla ca în figura 9.28.
Reacþie
negativã
neselectivã
Amplificator
de bazã
+
Ut a Y Ut
-
L1 Reþea de
Uf L2 C Rp reacþie
pozitivã
Figura 9.28 Introducerea generatorului de test pentru calculul câştigului pe buclă
La intrarea amplificatorului se introduce generatorul de test U t . Semnalul de

ieşire se culege la ieşirea reţelei de reacţie şi este reprezentat de tensiunea U f
Condiţia de a avea un câştig pe buclă unitar devine:
Ut = Uf (9.46)
ϕ Ut = ϕ Uf (9.47)
Prin simpla inspecţie a schemei se poate observa:

L2
U f = −a Y U t Z e (9.48)
L1 + L 2
unde:
1 1 1
= + jωC + (9.49)
Z e Rp jω(L 1 + L 2 )
Explicitând Z e şi înlocuind rezultatul în (9.48) aceasta devine:
jωR p (L 1 + L 2 ) L2
U f = −a Y U t
[ ]
R p 1 − ω C(L 1 + L 2 ) + jω(L 1 + L 2 ) L 1 + L 2
2
(9.50)
În situaţiile practice amplificatorul defazează cu 1800 semnalul. Rezultă deci

că:
a Y = −a Y (9.51)
şi deci (9.50) se rescrie:
274
jωR p (L 1 + L 2 ) L2
Uf = a Y Ut
[ ]
R p 1 − ω 2 C(L 1 + L 2 ) + jω(L 1 + L 2 ) L 1 + L 2
(9.52)
Pentru ca această expresie a lui U f să respecte condi ţiile (9.46) şi (9.47) este
suficient ca:
1 − ω 2C(L 1 + L 2 ) =0 (9.53)
Îndeplinirea condiţiei (9.53) face ca impedanţa echivalentă a circuitului

rezonant să devină pur rezistiv ă. De altfel relaţia (9.53) permite calculul
frecvenţei de oscilaţie:
1
ω osc = (9.54)
(L 1 + L 2 )C
d.) observaţii finale

Figura 9.29 prezintă schema echivalentă de semnal a unui oscilator Hartley
+EC
RB1 C RL
L1
CE T
L2 RE RB2 CB
Figura 9.29 Oscilator Hartley cu tranzistor bipolar
Se constată că:
RB1. RB2. RE asigură punctul static de funcţionare, tranzistorul lucrând
în montaj bază comună.
L1, L2 asigură divizorul inductiv de reacţie, care împreună cu C
formează circuitul rezonant.
RL este sarcina, iar CE este condensator de cuplaj
9.3.2 Oscilatoare cu reacţie capacitivă (Colpitts)
Rp rezistenţă de pierderi a circuitului oscilant.
L, C1, C2 reţea de reacţie.
275
Reacþie Reacþie
negativã negativã
de bazã de bazã
+
Uin a Y Uin Ut a Y Ut
-
C1 Reþea de C Reþea de
C2 L Rp reacþie Uf C2 1 L Rp reacþie
pozitivã pozitivã
Figura 9.27 Oscilator Colpitts. Schemă de Figura 9.31 Introducerea generatorului de

principiu. test pentru calculul câştigului pe buclă
c.) analiza circuitului;

Ca şi în cazul oscilatorului Hartley se va desface bucla de reacţie şi se va
estima câştigul pe bucla deschisă. Figura 9.31 prezintă circuitul rezultat. În
acest caz tensiunea de la ieşirea buclei de reacţie capătă expresia:
C1
U f = −a Y U t Z e (9.55)
C1 + C 2
unde:
1 1 CC 1
= + jω 1 2 + (9.56)
Z e Rp C 1 + C 2 jωL
Înlocuind (9.56)în (9.55) se ajunge la:
jωR pL C1
U f = −a Y U t (9.57)
 C 1C 2  C1 + C 2
R p 1 − ω2 L  + jωL
 C1 + C 2 
de unde rezultă imediat:
1
ωosc = (9.58)
C 1C 2
L
C1 + C 2
d.) observaţii finale Ca şi în cazul
oscilatoarelor Hartley aceste C1
oscilatoare se pot construi c L RL
tranzistoare bipolare, tranzistoare cu C2
efect de câmp cu joncţiune,
tranzistoare cu efect de câmp cu
Figura 9.32 Oscilator Colpitts cu tranzistor în
poartă izolată (TECMOS), etc.. montaj bază comună. Schema de principiu.
Se vor prezenta câteva realizări ce
276
utilizează tranzistoare bipolare. Pentru a simplifica analiza se vor exclude

circuitele de polarizare. Figura 9.32
prezintă un oscilator Colpitts realizat cu
un tranzistor ce lucrează în montaj bază C1
comună. L
RL
Figura 9.33 prezintă un etaj asem ănător C2

lucrând în montaj colector comun. Dacă
însă se încearcă o soluţie similară
pentru conexiunea emitor comun, cum Figura 9.33 Oscilator Colpitts cu tranzistor în
montaj colector comun. Schema de principiu.
ar fi cea din figura 9.34. se va constata
că montajul nu oscilează. Cauză lipsei
C1
oscilaţiilor o constituie defazajul
suplimentar de 1800 ce există între L RL
C2
semnalul dintre emitor şi colector. Pentru
a rezolva această problem ă se
recomandă o configuraţie ca cea din Figura 9.34 Oscilator Colpitts cu tranzistor în
figura 9.35. Montajul astfel obţinut se montaj emitor comun nefuncţional
numeşte oscilator "push-pull"
C''1 C' 1
Oscilatoarele de tip Colpitts prezintă în
general o stabilitate mai bună a frecvenţei T1 T2
decât cele Hartley, dar acestea din urm ă RL1 L1 L2 RL2
au un acord mai comod. Când insă se C' 2 C''2
lucrează la frecvenţe foarte înalte (sute

de megahertzi) oscilatoarele de aceste Figura 9.35 Oscilator Colpitts în montaj push-
tipuri nu mai dau satisfacţie. Pentru pull
aceste frecvenţe se recomandă
oscilatorul de tip Clapp. O posibil ă
realizare se prezintă în figura 9.36. Se C1
constată prezenţa circuitului acordat din L
colector. În acest caz circuitul oscilant C2 C
lucrează dezacordat inductiv. Frecvenţa
de oscilaţie depinde practic numai de
condensatorul C şi poate fi reglată Figura 9.36 Oscilator Clapp
comod.
9.4 Oscilatoare cu cuarţ
Subcapitolele precedente au prezentat oscilatoare care au folosit celule de tip

RC respectiv LC ca circuite rezonante. Trebuie însă spus că factorul de calitate
("Q") al unor asemenea circuite este relativ scăzut, ceea ce conduce la
stabilităţi scăzute ale frecvenţei de oscilaţie. Una dintre metodele cele mai
277
utilizate pentru îmbunătăţirea stabilităţii frecvenţei constă în utilizarea

cristalelor de cuarţ ca circuit oscilant. În acest moment oscilatoarele de acest
tip au căpătat o largă dezvoltare fiind practic folosite în mod exclusiv. Se pot
realiza în diferite tehnologii. Utilizează ca element activ atât tranzistoare
bipolare sau cu efect de câmp discrete, cât şi amplificatoare operaţionale porţi
logice. Figura 9.37 a prezintă configuraţia comună de oscilator cu tranzistoare,
figura 9.37 b prezintă configuraţia comună de oscilator cu amplificator
operaţional, iar figura 9.37 c prezintă configuraţia comună de oscilator cu porţi
logice.
Fig 9.37 a Circuit uzual Fig 9.37 b Circuit uzual Fig 9.37 c Circuit uzual de
de oscilator cu tranzistor de oscilator cu A.O. oscilator cu poartã logicã
Trebuie de asemenea adăugat că funcţie de modalităţile prin care se

controlează frecvenţa de oscilaţie precum şi stabilitatea ei, literatura de
specialitate pune în evidenţă patru subclase de asemenea oscilatoare:
oscilatoare standard; se mai întâlnesc sub denumirea de timer sau clock;
reprezintă cel mai simplu tip de oscilator ( Crystal Oscillator XO);
stabilitatea este în jur de ±10 ppm ;
oscilatoare controlate în tensiune (Voltage Controlled Crystal Oscillator
VCXO); se asigură o deviaţie de frecvenţă de 35÷50 ppm/volt; stabilitatea
este în jur de ±10 ppm ;
oscilatoare termocompensate (Temperature Compensated Crystal
Oscillator TCXO); conţin un VCXO comandat de tensiunea de la ieşirea
unei reţele de termistoare; stabilitatatea este ±1 ppm / volt ÷ ±5 ppm / volt .
oscilatoare termostatate (Oven Controlled Crystal Oscillator OCXO);
oscilatorul sau în cel mai rău caz numai cristalul se află într-o incintă
termostatată. stabilitatea este mai bună de ±1 ppm / volt .
Alte două tipuri de oscilatoare au fost dezvoltate în ultimul timp:

oscilatoare compensate digital Digitally Compensated Crystal Oscillators
DCXO).
oscilatoare compensate cu microcalculatoare; Microcomputer
Compensated Crystal Oscillator MCXO).
9.4.1 Cristalul de cuarţ
278
Utilizarea cristalului de cuarţ în calitate de circuit oscilant se datorează

efectului piezoelectric care îi este caracteristic. În fapt acest efect permite
transformarea energiei electrice direct în energie mecanică (şi invers), şi
constă în apariţia unor oscilaţii mecanice la aplicarea unei tensiuni electrice pe
cristal.
Cristalul de cuarţ utilizat în electronică
reprezintă o mică bucată de cristal şlefuit, cu
două dintre feţele opuse metalizate. Din punct
R
de vedere electric el se comportă ca un circuit
a cărui schem ă echivalentă este prezentată în Cp Cs
figura 9.38. Circuitul are două frecvenţe
L
naturale de rezonanţă, una serie şi una
paralel. Frecvenţa serie este determinată de
1 Figura 9. 38 Schema echivalentă a
ωs = (9.45) cristalului de cuarţ
LC s
Z ech
iar cea paralel de Domeniu
inductiv
1
ωp = (9.46) ωs ωp
CsCp
L Domeniu ω
Cs + Cp capacitiv
Aceste frecvenţe pot fi modificate din exterior

Figura 9. 39 Schema echivalentă a
astfel: cristalului de cuarţ
prin înserierea unei capacităţi cu
cristalul se m ăreşte frecvenţa serie;
prin şuntare cristalului cu o capacitate
se micşorează frecvenţa paralel; R1 R2 R3
Cp Cs1 Cs2 Cs3

Variaţia impedanţei echivalente este
prezentată în figura 9.39. L1 L2 L3
Datorită lungimii de unda acustice există

situaţii în care cristalul oscilează pe armonici
impare. Se spune că răspunsul cristalului este Figura 9. 40 Schema echivalentă
copletă a cristalului de cuarţ
de tip overtone. Pentru a modela şi această
situaţie schema echivalentă din figura 9.38 poate fi completată ca în figura
9.40.
279
9.4.2 Oscilator Pierce EC
Se va analiza numai acest tip de oscilator spre a

exemplifica modul în care se aplică condi ţia lui R1 LC CC
Barckhausen în cazul oscilatoarelor cu cuarţ.
a.) schema este prezentată în figura 9.41 X

R2 C1
R1, R2 divizor de polarizare RE CE
RE stabilizare termică
CE decuplare
9.41 Oscilator Pierce
LC, CC circuit oscilant
X, C1 reacţie
c.) analiza circuitului
Oscilatorul Pierce prezentat în figura 9.41 este în esenţă un amplificator emitor
comun care are ca sarcină un circuit oscilant paralel şi asupra căruia s-a aplicat
o reacţie pozitiv ă prin intermediul cristalului de cuarţ şi al condensatorului C1.
Schema echivalentă de curent alternativ este prezentată în figura 9.42.
ZX
ZB Ube gm Ube Z LC
9.42 Schema echivalentă a oscilatorului Pierce
S-au folosit notaţiile:
1
Z B = R1 R 2 rπ (9.47)
jωC 1
impedanţa echivalentă de la intrarea tranzistorului,
 1  1
Z X =  R + jωL +  (9.48)
 jωC s  jωC p
impedanţa echivalentă a cuarţului, calculată în conformitate cu schema
echivalentă din figura 9.38
1
Z LC = jωL C (9.49)
jωC C
impedanţa echivalentă a circuitului oscilant
280
Figura 9.43 permite estimarea câştigului pe buclă. Aplicând acelaşi algoritm ca

şi în cazul oscilatoarelor LC, se desface bucla şi se introduce un generator de
test.
ZX
+
UB ZB Ut g m Ut Z LC
-
9.42 Schema echivalentă utilizată pentru calculul câştigului pe buclă
Pentru tensiunea UB de răspuns se obţine expresia:
[
UB = −g m U t Z LC (Z x + ZB )] Z Z+ Z B
(9.50)
B X
ceea ce conduce la condi ţia:
[
− g m Z LC (Z x + ZB )] Z Z+ Z B
=1 (9.51)
B X
d.) observaţii finale.

Explicitarea relaţiei 9.51 permite determinarea frecvenţei de oscilaţie precum şi
a condi ţiei de amorsare. Pentru alte tipuri de oscilatoare analiza este
asem ănătoare. După identificarea impedanţelor de sarcină şi de reacţie trebuie
verificată condiţia lui Barckhausen.
281
Bibliografie
Aaron, et. al Circuits and Fields: A First Course London. Prentice Hall
1995
Bãjen Gh. Generatoare de semnal sinusoidal _ Ed. Tehnicã Buc. 1979
Bãluþ L. Componente ºi dispozitive electronice _ Ed. Leda
Constanþa 1997 ISBN 973–97712–1-1
Barker R.W.J. Electronica aplicatã. Întrebãri ºi rãspunsuri _ Ed.
Tehnicã Buc.
Bârsan R. Dispozitive ºi circuite cu transfer de sarcinã _ Ed.
Tehnicã Buc. 1981
Bârsan R.M. Fizica ºi tehnologia circuitelor MOS. Integrate pe scarã
mare _ Ed.Academicã Buc.1989
Bialko, Basic Methods for Micomputer-Aided Analysis London.
Prentice Hall 1995
Bulucea Circuite integrate liniare _ Ed. Tehnicã Buc.
Cartianu Gh. Analiza ºi sinteza circuitelor electrice _ Ed. Didacticã
ºi pedagogicã Buc. 1972
Cartianu. ºi al Semnale, circuite ºi sisteme _ Ed. Didacticã ºi
pedagogicã Buc. 1980
Cogdell Foundations of Electric Circuits London. Prentice Hall
1999
Cojoc D. Amplificatoare de frecvenþã foarte înaltã _ Ed.
Militarã Buc. 1980
Condrea S. Reþele ºi sisteme de telecominicaþii. O introducere în
teoria modernã a circuitelor _ Ed. tehnicã Buc. 1972
Constantin I. Culegere de probleme de radioelectronicã _ Ed. Tehnicã
1969
Constantin P. Tranzistoare unijoncþiune. Aplicaþii _ Ed. Tehnicã 1976
Costea I. Electronicã. Culegere de probleme _ Ed. Didacticã
ºi pedagogicã, Buc, 1982
Costin, M. Introducere în circuite electronice, Ed. Dacia Cluj Napoca
1983
Damachi ºi al Electronica _ Ed. Didacticã ºi pedagogicã Buc. 1979
Dãnilã Th. Dispozitive ºi circuite electronice _ Ed. Didacticã ºi
Dascãlu D Circuite electronice _ Ed. Didacticã ºi pedagogicã Buc.
1981
DeCarlo et. al. Linear Circuit Analysis Volume I London. Prentice
Hall 1995
Drãgãnescu Electronica corpului solid _ Ed. Tehnicã Buc. 1972
Dragu I. Circuite integrate lineare. Amplificatori
operaþionali _ Ed. Militarã Buc, 1981
G. Zeveko Analysis of Electric Circuits _ Min Publiser Moscow 1969
Gray P. R. Circuite integrate analogice. Analiza ºi proiectare _ Ed.
Tehnicã Buc. 1983
Gray P.E Bazele electronicii moderne, vol 1 _ Ed. Tehnicã
Buc 1973
Gray P.E Bazele electronicii moderne, vol 2 _ Ed. Tehnicã
Buc 1973
Grove A.S Fizica ºi tehnologia dispozitivelor semiconductoare _ Ed.
Tehnicã Buc. 1973
Herºcovici H. Circuite integrate în aparatura de automatizare _ Ed.
Tehnicã Buc.1976
282
Huelsman Basic Circuit Theory London. Prentice Hall 1991

Irwin, et. al Basic Engineering Circuit Analysis London. Prentice Hall
1999
Johnson, et. al Basic Electric Circuit Analysis, London. Prentice
Hall 1995
Johnson, et. al Electric Circuit Analysis London. Prentice Hall
1997
Kireev P.S Fizica semiconductorilor _ Ed. ºtiinþificã ºi
enciclopedicã Buc. 1977
Mateescu ºi al Semnale ºi circuite de telecomunicaþii _ Ed. Didacticã ºi
Mocanu C. I Teoria circuitelor electrice _ Ed. Didacticã ºi pedagogicã
Buc. 1979
Nicolau Ed Manualul inginerului. Mãsurãri electronice _ Ed. Tehnicã
Buc. 1979
Nicolau Ed. Manualul inginerului electronist. Radiotehnica vol. 3 _
Ed. Tehnicã buc. 1989
Piringer ºi al Dispozitive electronice _ Ed. Didacticã ºi pedagogicã Buc.
1976
Polocan V. Fizica dispozitivelor cu corp solid _ Ed. Academicã Buc.
1978
Reed, et. al Applied Introductory Circuit Analysis London. Prentice
Hall 1999
Sãvescu M. Metode în analiza circuitelor electronice _ Ed.
ªtiinþificã ºi Enciclopedicã Buc. 1985
Simionescu Modele analitice ale tranzitorului bipolar _ Ed. Militarã
Buc. 1981
Sofron E. Simularea circuitelor analogice. Noua erã în
inginerie _ Ed. Militarã Buc 1994
Spanulescu Electronica pentru perfecþionarea profesorilor _ Ed.
Didacticã ºi pedagogicã Buc. 1981
Spinulescu Principiile fizice ale microelectronicii _ Ed. ºtiinþificã
ºi enciclopedicã Buc. 1981
Spînulescu I. Fizica tranzistorilor ºi principiile microminiaturizãrii _
Ed. Didacticã ºi pedagogicã Buc. 1973
Stere R. Circuits a semiconducteurs dans l’industrie, vol 2
_ Ed. Tehnicã Bus. Roumanie 1972
Thomas, et. al Analysis and Design of Linear Circuits, London. Prentice
Hall 1998
Tomlinson Electrical Networks and Filters London. Prentice Hall 1991
Vãtãºescu A Dispozitive semiconductoare. Manual de utilizare _ Ed.
Tehnicã Buc,1975
Wilmore T. Electronica fizicã. Întrebãri ºi rãspunsuri _ Ed. Tehnicã
Buc. 1975
Bibliografie suplimentarã
Diode
Brichant, F Électronique de puissance: thyristors et diodes,
cycloconvertisseurs, redresseurs, gradateurs, onduleurs, hacheurs, etc.
et leurs applications, Paris : Éditions techniques et scientifiques
Hess, Karl Advanced theory of semiconductor devices Englewood Cliffs,
N.J. : Prentice-Hall, c1988. ISBN0130115118
Hunter, L,P, Handbook of semiconductor electronics New York : McGraw-
Hill, [1970]
283
Linvill, J., G. Models of transistors and diodes New York : McGraw-

Hill, [c1963]
Marston, R. M. Diode, transistor & FET circuits manual Oxford ; Boston :
Newnes, 1991 ISBN 0750602287
Neudeck, G., The PN junction diode Reading, Mass. : Addison-Wesley,
c1983
Roulston, D. J. Bipolar semiconductor devices New York : McGraw-
Hill, c1990.
Traister, R., J The experimenter's guide to solid-state diodes
Englewood Cliffs, N.J. : Prentice-Hall, c1984 ISBN 0132954443
Tranzistoare
*** Designing with field-effect transistors New York : McGraw-

Hill, c1990.
*** Discrete semiconductors. Transistors. San Diego, Calif. :
D.A.T.A. Business Pub.,c1988-
Arx, C., F. Realization and optimization of pnp transistors in a
modular CBiCMOS process for analog and smart-power applications Konstanz
: Hartung-Gorre, 1996
Ashburn, P. Design and realization of bipolar transistors Chichester
[England] ; New York : Wiley, c1988
Chang M. F. Current trends in heterojunction bipolar transistors,.
Singapore ; River Edge, NJ : World Scientific c1996.
Çilingiroæglu Systematic analysis of bipolar and MOS transistors Boston
: Artech House, c1993.
Dye, N. Radio frequency transistors : principles and
practical applications Boston Butterworth-Heinemann, c1993.
Graaff, H Compact transistor modelling for circuit design New
York: Springer-Verlag, c1990. ISBN 0387821368
Graaff, H. Compact transistor modelling for circuit design
Wien : Springer-Verlag, c1990.
Gray, P. Analysis and design of analog integrated circuits
New York : Wiley, c1984
Gray, P. Analysis and design of analog integrated circuits
New York ; Toronto : Wiley, c1993
Grebene, A. Bipolar and MOS analog integrated circuit design New York
: J. Wiley, c1984
Greenfield, J. Practical transistors and linear integrated circuits New
York : Wiley, c1988.
Hess, K. Advanced theory of semiconductor devices Englewood
Cliffs, N.J. : Prentice-Hall, c1988
Liu, William Handbook of III-V heterojunction bipolar transistors New
York : Wiley, c1998
Marston, R. M Diode, transistor & FET circuits manual Oxford ; Boston :
Newnes, 1991 ISBN 0750602287
Mounic, M. Transistors, problemes avec solutions, du debutant au
technicien superieur Paris, Foucher, 1967-
Neudeck, G. The bipolar junction transistor, Reading, Mass. : Addison-
Wesley, c1983
Ryter, Roland Analysis and development of high voltage bipolar
transistors for BiCMOS smart power applications Konstanz : Hartung-
Gorre,, 1996
Sanborn, P. Fundamentals of transistors Garden City, N.Y., Doubleday
[1970]
Schroder, D. Advanced MOS devices, Reading, Mass. : Addison-Wesley Pub.
Co., c1987
Towers, T. D Towers' International transistor selector Blue Ridge
Summit, Pa. : TAB Books, 1982 ISBN 0830614168
284
Warner, R. M. Transistors : fundamentals for the integrated-circuit

engineer Malabar, Fla. : R.E. Krieger Pub. Co., 1990
Tranzistoare cu efect de câmp
Baker, R. J. CMOS circuit design, layout, and simulation 1998 New York
: IEEE Press, c1998
Foty, D. MOSFET modeling with SPICE1997 Upper Saddle River,
NJ : Prentice Hall PTR, c1997
Kano, Kanaan Semiconductor devices 1998 Upper Saddle River, N.J. :
Prentice Hall, c1998
Liou, J., Analysis and design of MOSFETs, 1998 Boston, MA :
Kluwer Academic Publishers, c1998
Pierret, R. F Field effect devices1983 Reading, MA : Addison-Wesley,
c1983
Tsividis, Y. Operation and modeling of the MOS transistor, 1998 Boston
: WCB/McGraw-Hill, c1999
Warner, R. M. MOSFET theory and design 1998 New York : Oxford University
Press, 1998
Warner, R. M. Transistors, 1983 New York : Wiley, c1983.
Bode, H. Network analysis and feedback amplifier design1975

Huntington, N.Y. : R. E. Krieger Pub. Co., 1975, c1945
Chen, Wai-Kai Active network analysis 1993 Singapore ; River Edge, N.J.
: World Scientific, c1993
Chen, Wai-Kai, Active network and feedback amplifier theory1980
Washington : Hemisphere Pub. Corp., c1980
Maclean, D. Broadband feedback amplifiers1982 Chichester ; New York :
Research Studies Press, c1982
Nordholt, E. Design of high-performance negative-feedback
amplifiers1983 Amsterdam, The Netherlands ; New York : Elsevier
Scientific Pub. Co. ; New York, N.Y
Rosenstark, S. Feedback amplifier principles1986 New York : Macmillan
Pub. Co. ; London : Collier Macmillan, c1986.
Rãspuns în frecvenþã
Carmona, R Practical time-frequency analysis1998 San Diego : Academic

Press, 1998
Cohen, Leon. Time-frequency analysis1995 Englewood Cliffs, N.J :
Prentice Hall PTR, c1995
Qian, Shie, Joint time-frequency analysis1996 Upper Saddle River, N.J.
: PTR Prentice Hall, c1996.
Tolimieri, R. Time-frequency representations1997 Boston : Birkhauser
Boston, 1998
Antonakos, L. Simulations for operational amplifiers1998 Upper Saddle

River, N.J. : Prentice Hall, 1998.
Barna, Arpad. Operational amplifiers1989 New York : Wiley, c1989
Bell, David A. Operational amplifiers 1990 Englewood Cliffs, N.J. :
Prentice Hall, c1990
285
Berlin, H. M. Op-amp circuits and principles1991 Carmel, Ind. USA :

Sams, c1991
Bogart, F. Linear electronics1994 New York : Merrill ; Toronto :
Maxwell Macmillan Canada ; New York : Maxwell Macmillan International,
c1994
Boyce, J C. Operational amplifiers and linear integrated circuits1988
Boston : PWS-Kent Pub. Co., c1988
Carr, Joseph J Integrated electronics, 1990 San Diego : Harcourt Brace
Jovanovich, c1990
Clayton, G. B. Operational amplifiers1992 Oxford ; Boston :
Newnes, 1992
Cook, Nigel P Devices and Op-amps1989 Englewood Cliffs, N.J. : Prentice
Hall, c1989
Coughlin, F. Operational amplifiers & linear integrated circuits 1998
Upper Saddle River, N.J. : Prentice Hall, c1998
Coughlin, R. Operational amplifiers and linear integrated circuits1991
Englewood Cliffs, N.J. : Prentice Hall, c1991
Coughlin, R. Introductory operational amplifiers and linear ICs1990
Dailey, Denton Operational amplifiers and linear integrated circuits 1989
New York : McGraw-Hill, c1989 (1995 printing
Dostal, Jiri, Operational amplifiers1993 Boston : Butterworth-Heinemann,
c1993.
Eschauzier, H Frequency compensation techniques for low-power
operatinal1995 Boston : Kluwer Academic Publishers, c1995
Fiore, J. M. Operational amplifiers and linear integrated circuits1992
St. Paul : West Pub. Co., c1992
Fleeman, St. Electronic devices1990 Englewood Cliffs, N.J. : Prentice
Hall, c1990
Floyd, Th. Basic operational amplifiers and linear integrated
circuits1999 Upper Saddler River, NJ : Prentice Hall, 1999.
Fonderie, M. Design of low-voltage bipolar operational amplifiers 1993
Boston : Kluwer Academic Publishers, c1993
Franco, Sergio Design with operational amplifiers and analog integrate
circuits1988 New York : McGraw-Hill, c1988
Frederiksen M, Intuitive operational amplifiers1988 New York, NY :
McGraw-Hill, c1988
Gayakwad, R. Op-amps and linear integrated circuits1993 Englewood
Cliffs, N.J. : Regents/Prentice Hall, c1993
Graeme, G. Optimizing op amp performance1997 New York : McGraw-Hill,
c1997
Gregorian, R Introduction to CMOS OP-AMPs and comparators1999 New York
: Wiley, c1999.
Hart, John Op amps made easy1989 Englewood Cliffs, N.J. : Prentice
Hall, c1989
Hogervorst, R. Design of low-voltage, low-power operational amplifier1996
Boston : Kluwer Academic Publishers, c1996
Honeycutt, R Op amps and linear integrated circuits1988 Albany, N.Y. :
Delmar Publishers, c1988.
Hughes, F. Op-amp handbook 1993 Englewood Cliffs, N.J. : PTR Prentice
Hall, c1993
Irvine, G., Operational amplifier characteristics and applications1994
Englewood Cliffs, N.J. : Prentice-Hall, c1994
Jacob, J. . Applications and design with analog integrated
circuits1993 Englewood Cliffs, N.J. : Regents/Prentice Hall, c1993
Kennedy, E. J. Operational amplifier circuits1988 New York : Holt,
Rinehart, and Winston, c1988.
Melen, Roger. Understanding IC operational amplifiers1986 Indianapolis,
IN, USA : H.W. Sams, 1986, c1987
286
Nelson, J. C. Operation amplifier circuits1995 Boston : Butterworth-

Heinemann, c1995
Northrop, R Analog electronic circuits1990 Reading, Mass. : Addison-
Wesley, c1990
Patrick, D Understanding circuits and op-amps1989 Englewood Cliffs,
N.J. : Prentice Hall, c1989.
Paynter, R. Introductory electronic devices and circuits1991 Englewood
Cliffs, N.J. : Prentice Hall, c1991
Paynter, R.T. Paynter's Introductory electronic devices and circuits1994
Peyton, A. J. Analog electronics with Op Amps1993 Cambridge [England] ;
New York, NY, U.S.A. : Cambridge University Press, 1993
Sakurai, S. Low-voltage CMOS operational amplifiers1995 Boston :
Kluwer Academic, c1995
Stanley, D. Operational amplifiers with linear integrated circuits1994
New York : Merrill ; Toronto : Maxwell Macmillan Canada ; New York :
Maxwell Macmillan International, c1994
Stanley, W. Operational amplifiers with linear integrated circuits1989
Columbus : Merrill Pub. Co, c1989
Terrell, D. L. Op-Amps1992 Englewood Cliffs, N.J. : Prentice Hall,
1992
Terrell, L. Op Amps1996 Boston : Butterworth-Heinemann, c1996
Traister, R. Operational amplifier circuit manual1989 San Diego :
Academic Press, c1989
Amplificatoare de putere/
Duncan, Ben High perfomance audio power amplifiers for music

performance1996 Oxford ; Boston : Newnes, c1996
Horn, Delton T Amplifiers simplified, with 40 projects1987 Blue Ridge
Summit, PA : TAB Books, c1987
Self, Douglas Audio power amplifier design handbook1996 Oxford ; Boston
: Newnes, 1996
Surse de tensiune
-
Brown, Marty. Power supply cookbook1994 Boston : Butterworth-Heinemann,
c1994
Carr, J. J. DC power supplies1996 New York : TAB Books, c1996
Crandall, Earl. Power supply testing handbook1997 New York :
Chapman & Hall, c1997
Griffith, D.C., Uninterruptible power supplies1989 New York : M.
Dekker, c1989
Lenk, John D. Simplified design of linear power supplies1994 Boston :
Butterworth-Heinemann, c1994
Oscilatoare
Frerking, M E. Crystal oscillator design and temperature compensation

Matthys, R.J., Crystal oscillator circuits1983 New York : Wiley,
c1983
Parzen, B. Design of crystal and other harmonic oscillators1983 New
York : Wiley, c1983
287

Curs CEF PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs CEF PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

• Definiţii

În mod uzual, familia amplificatoarelor ocupă un loc central în clasa circuitelor

rezistenţa (impedanţa) de ieşire

Figura 1.1 Schema bloc a unui amplificator

a.) Amplificator de tensiune. Pentru acest tip de amplificator atât semnalul de

ªi deci amplificarea se defineşte ca:

Figura 1.2 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul de tensiune

În schemele reale modelul din figura 1.2 devine:

Figura 1.3 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul de tensiune

Cu observaţia că rI are valori foarte mari în timp ce r0 este foarte mic.

b.) Amplificatorul de curent. Excitaţia acestui amplificator se face în curent iar

Figura 1.4 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul de curent

Schema echivalentă reală este:

Figura 1.5 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul de curent

c.) Amplificator transrezistenţă (transimpedanţă) În acest caz excitaţia

Figura 1.6 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul transrezistenţă

Modelul real este prezentat în figura 1.7.

Figura 1.7 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul transrezistenţă

d.) Amplificator transconductanţă (transadmitanţă). În acest caz excitaţia se face în

Figura 1.8 Schema echivalentă ideală pentru amplificatorul transadmitanţă

Figura 1.9 reprezintă schema echivalentă pentru amplificatoarele transadmitanţă reale:

Figura 1.9 Schema echivalentă uzuală pentru amplificatorul transadmitanţă

Figura 1.10 Sursă de comandă echivalată Thevenin

Figura 1.11 Sursă de comandă echivalată Norton

1.2. Parametrii amplificatoarelor

Schema echivalentă este prezentată în figura 1.10

I1 g11 g12U1 g21U1 g22 I2

Figura 1.10 Cuadripol reprezentat cu parametrii g

g11 g21U1 g22

Figura 1.11 Cuadripol unilateral reprezentat cu parametrii g

şi astfel se determină condiţiile de calcul pentru parametrii analizaţi. Astfel, rezistenţa

iar factorul de amplificare în tensiune:

În concluzie, pentru calculul (sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

Rezistenţa de ieşire se determină folosind montajul:

h11 h12U2 h21I1 h22

Figura 1.14 Cuadripol reprezentat cu parametrii h

Schema echivalentă este prezentată în figura 1.14.

I1 h11 h21I1 h22 I2

Figura 1.14 Cuadripol unilateral reprezentat cu parametrii h

iar factorul de amplificare în curent:

În concluzie, pentru calculul (sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

Se constată introducerea unei surse de curent de test la intrare în condiţiile în care

Rezistenţa de ieşire se determină folosind montajul:

Notaţiile sunt cele clasice.

Schema echivalentă este prezentată în figura 1.17

I1 z11 z12I2 z21I21 z22 I2

Figura 1.17 Cuadripol reprezentat cu parametrii z

şi deci 1.17 se redesenează ca în 1.18

Figura 1.18 Cuadripol unilateralizat reprezentat cu parametrii z

iar amplificarea transimpedanţă:

În concluzie, pentru calculul ( sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

Se constată introducerea unei surse de curent de test la intrare în condiţiile în care

Rezistenţa de ieşire se determină folosind montajul:

a4). Amplificator de transadmitanţă.

Schema echivalentă este prezentată în figura 1.21:

I1 y11 y12U2 y21U1 y22 I2

Figura 1.21 Cuadripol reprezentat cu parametrii y

Condiţia de unilateralitate este:

Figura 1.22 Cuadripol unilateralizat reprezentat cu parametrii y

iar amplificarea transimpedanţă:

În concluzie, pentru calculul ( sau măsurarea) rezistenţei de intrare precum şi a

Se constată introducerea unei surse de curent de test la intrare în condiţiile în care

Rezistenţa de ieşire se determină folosind montajul: