Tema 3
Tema 3
Rezumat
În cadrul acestei teme veți determina punctul static de funcționare (PSF) și amplificarea de la intrare la ieșire în circuite
cu tranzistoare bipolare. Obiectivele acestui exercițiu va fi să determinați rapid o soluție care să aibă o eroare nu mai mare
de 10%. Pentru a atinge o viteză mare de calcul se vor face o serie de ipoteze și aproximări.
1 Introducere 1
2 Principii generale 2
3 Exemple rezolvate 2
3.1 Exemplul 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.1.1 Determinarea PSF-ului . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.1.2 Determinarea amplificării de semnal mic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.1.3 Validarea rezultatelor analizei manuale cu ajutorul simulatorului . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.2 Exemplul 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.2.1 Determinarea PSF-ului . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.2.2 Determinarea amplificării de semnal mic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.2.3 Validarea rezultatelor analizei manuale cu ajutorul simulatorului . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4 Exerciții propuse 16
4.1 Exercițiul 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.2 Exercițiul 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
4.3 Exercițiul 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.4 Exercițiul 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1 Introducere
Calculul cu precizie al punctului static de funcționare implică, de cele mai multe ori, rezolvarea unor ecuații neliniare,
majoritatea transcendente, pentru care putem determina doar soluții numerice. Determinarea soluțiilor numerice a unei
ecuații neliniare transcendente este o sarcină mult mai potrivită unui calculator decât unui om. Totuși, ca ingineri, atunci
când proiectăm un circuit, trebuie să fim capabili să apreciem rapid care sunt factorii cei mai importanți care determină
performanța unui circuit pentru a putea, prin ajustarea acestor factori, să încadrăm circuitul în specificațiile impuse. Așa
cum vom constata și în exercițiile propuse în această temă, acești factori depind de punctul static de funcționare.
Problema determinării PSF-ului devine chiar mai complicată atunci când realizăm că dispozitivele neliniare (tranzis-
toare, diode, etc.) pot avea mai multe regimuri de funcționare, iar fiecare regim este caracterizat de ecuații de funcționare
specifice. De exemplu, un tranzistor bipolar se poate găsi în regimul activ normal sau în regimul de saturație sau în regimul
de blocare sau chiar în regimul activ invers, iar fiecărui regim îi corespund alte ecuații de funcționare.
Bineînțeles, pentru a ajunge la o soluție, este necesar să scriem mai întâi un sistem de ecuații pe care mai apoi să-l
rezolvăm, însă cum putem face asta fără să știm în ce regim de funcționare se găsesc dispozitivele neliniare? Iar regimul de
funcționare îl putem ști abia după ce știm valoarea mărimilor electrice (curenți, tensiuni) care caracterizează dispozitivele
neliniare. Ne vedem ajunși într-o situație de genul „oul sau găina?”: pentru a rezolva circuitul trebuie să cunoaștem regimul
de funcționare, iar pentru a cunoaște regimul de funcționare trebuie să știm soluția circuitului.
Pentru a ieși din această dilemă a cauzalității și a găsi PSF-ul circuitului vom face inițial presupuneri relativ la regimul
de funcționare al dispozitivelor neliniare. Dacă, în timpul sau după rezolvarea ecuațiilor circuitului pe care le-am scris
cu ajutorul presupunerilor pe care le-am făcut, nu ajungem la o contradicție, vom spune că soluția obținută este o soluție
validă pentru circuitul analizat.
Cam care sunt șansele să ghicim din prima regimurile de funcționare pentru tranzistoarele dintr-un circuit? De exemplu,
dacă am avea un circuit cu numai trei tranzistoare, pentru care avem, în principiu, patru regimuri de funcționare, numărul
de posibilități pentru acest circuit ar fi de 34 = 243, adică șansa de a ghici corect (fără să ne ghidăm după niciun principiu)
ar fi de una la 243, ceea ce este foarte puțin. Ca să greșim mai puțin o să ne ghidăm după intuiție, care este, de cele mai
multe ori, rezultatul experienței: cu cât exersăm mai mult, cu atât o să greșim mai puțin pe viitor.
1
În această temă vom presupune că tranzistoarele sunt în regim activ normal, iar după ce ajungem la soluție, vom verifica
această presupunere inițială.
2 Principii generale
Atunci când vom urmări să determinăm punctul static de funcționare o să ne ghidăm după următoarele principii:
• într-o sumă (sau diferență) o să neglijăm termenii a căror valoare este de 10 ori mai mică decât ceilalți termeni
(introducând astfel o eroare mai mică de 10%);
• tensiunea emitor-bază pentru un tranzistor pnp în regim activ normal este VEBpnp ≈ 0,7V ;
• amplificarea în curent pentru un tranzistor bipolar în regim activ normal este β ≈ 100;
• curentul de colector pentru un tranzistor bipolar în regim activ normal este aproximativ egal cu cel de emitor;
• toate condensatoarele le considerăm întreruperi;
Atunci când vom determina amplificarea de semnal mic ne vom ghida după următoarele principii:
• într-o sumă (sau diferență) o să neglijăm termenii a căror valoare este de 10 ori mai mică decât ceilalți termeni
(introducând astfel o eroare mai mică de 10%);
• transconductanța unui tranzistor în regim activ normal se determină după formula gm = IC /Vt , în care IC este
curentul de colector de PSF, iar Vt este tensiunea termică, având expresia Vt = kT /q și care la temperatura de 27°
C este aproximativ 25 mV, iar expresia lui gm are forma aproximativă gm = 40IC ;
• rezistența rπ are expresia rπ = β/gm ;
• toate sursele continue sunt pasivizate (scurt-circuite pentru sursele de tensiune continuă și întreruperi pentru sursele
de curent continuu).
3 Exemple rezolvate
3.1 Exemplul 1
Să considerăm următorul exemplu:
R4
R1
vout
E = 5V Q1
C1
vin R2
R3 C2
• E = 5V
• R1 = 3,9 kΩ
2
• R2 = 1,1 kΩ
• R3 = 220 Ω
• R4 = 1 kΩ
• C1 = 220 µF
• C2 = 820 µF
R4
R1
E = 5V Q1
R2
R3
VCC VCC
R4
R1 ∥ R2
E = 5V Q1
R2
R1 +R2 E R3
R2
VB1 = E − (R1 ∥ R2 )IB1
R1 + R2
în care IB1 este curentul de bază al tranzistorului Q1 . În această diferență vom urmări să comparăm cei doi termeni pentru
a estima în ce măsură se poate neglija unul dintre ei. Pentru aceasta vom avea nevoie de o estimare sau o limită superioară
pentru curentul de bază al tranzistorului.
Curentul maxim de colector apare atunci când tranzistorul intră în regimul de saturație, având VCE1 < VCEsat . La
limită, atunci când tensiunea colector-emitor este 0, obținem valoarea maximă pentru curent. În circuitul nostru, dacă
tranzistorul Q1 ar fi în saturație adâncă, cu VCE1 = 0, am avea
3
iar de aici
(R1 ∥ R2 )IB1 < (R1 ∥ R2 )IB1max < 0,86 kΩ · 41 µA = 35,3 mV
Pe de altă parte
R1 1,1 kΩ
E= · 5 V = 1,1 V
R1 + R2 3,9 kΩ + 1,1 kΩ
Se poate observa imediat că
R2
E ≫ (R1 ∥ R2 )IB1
R1 + R2
iar expresia lui VB1 poate fi aproximată ca
R2
VB1 ≈ E = 1,1 V
R1 + R2
Se poate concluziona că am neglijat căderea de tensiune pe rezistența internă a echivalentului Thévenin deoarece căderea
de tensiune pe aceasta, datorată curentului de bază a tranzistorului, este nesemnificativă. Cu alte cuvinte putem spune că
este ca și cum divizorul rezistiv ar funcționa în gol (încărcarea produsă de curentul de bază este nesemnificativă). În aceste
condiții circuitul poate fi văzut ca în figura de mai jos:
VCC VCC
R4
R1 ∥ R2
E = 5V Q1
R2
R1 +R2 E R3
Din acest moment, cunoscând potențialul din baza tranzistorului (VB1 ≈ 1,1 V) și tensiunea bază-emitor (VBE1 ≈
0,65 V) putem determina căderea de tensiune pe rezistorul R3
IC1 ≈ IR3 ≈ 2 mA
iar
VR4 = R4 IR4 = R4 IC1 ≈ 1 kΩ · 2 mA = 2 V
și, prin urmare
VCE1 ≈ 5 V − 0,45 V − 2 V = 2,55 V
Punctul static de funcționare determinat este
Q1 (2 mA; 2,55 V)
4
3.1.2 Determinarea amplificării de semnal mic
Vom redesena circuitul în ipoteza funcționării în semnal mic, în bandă, așa cum este arătat mai jos:
R4
R1
vout
E = 5V Q1
C1
vin R2
R3 C2
R4
vout
Q1
vin R1 ∥ R2
Pentru a obține un rezultat numeric vom determina parametrii de semnal mic ai tranzistorului Q1 :
cell: psf_ex01
view: schematic
5
Inventar:
Nume Bibliotecă/Componentă Parametri Model utilizat
V1 sources_lib/dc_v_source DC=5 SPICE
V2 sources_lib/ac_v_source mag=1 SPICE
R1 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.9k SPICE
R2 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.1k SPICE
R3 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=220 SPICE
R4 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1k SPICE
C1 device_lib/ideal_capacitor_h CAPACITANCE=220u SPICE
C2 device_lib/ideal_capacitor CAPACITANCE=820u SPICE
VCC generic_lib/vcc - -
masă generic_lib/ground - -
⊠ generic_lib/noConn - -
Q1 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Etichete pe fire:
Nume Locație
vout între R4 și Q1
vin între V2 și C1
Vom realiza următoarele analize, creând pentru fiecare analiză o configurație de simulare nouă, așa cum se indică.
1. Determinarea punctului static de funcționare.
Numele configurației: psf
Tipul analizei: OP
Setări analiză: –
Semnale urmărite: –
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
6
Fișiere cu modele: –
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
PSF pentru Q1, cu afișarea lui
Fișiere rezultate:
[Link] IB, IC, VBE, VCE, GM, RPI, RO
potentialul din baza lui Q1
[Link]
7
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
vout (măsurat în dB)
se vor plasa două cursoare
amplificare_semnal_mic_banda.pdf la marginile benzii
(în punctele în care câștigul
scade cu 3dB)
vout (măsurat în valoare
absolută)
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
se va plasa un cursor
în interiorul benzii
amplificare_semnal_mic_banda.pdf
8
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
În final vom compara rezultatele obținute prin analiză manuală și cele obținute cu ajutorul simulatorului în următorul tabel
3.2 Exemplul 2
Să analizăm alt circuit, prezentat în figura de mai jos:
R3
R1 R7
E = 5V Q1 Q4
C1
vin R2 R8
VCC
C2
R4
Q3 vout
Q2
R5 R6
• E = 5V
• R1 = 3,3 kΩ
• R2 = 1,6 kΩ
• R3 = 240 Ω
9
• R4 = 1,8 kΩ
• R5 = 680 Ω
• R6 = 1 kΩ
• R7 = 1,5 kΩ
• R8 = 3,6 kΩ
• C1 = 22 µF
• C2 = 820 µF
VR5 0,65 V
IR5 = = ≈ 1 mA
R5 0,68 kΩ
VR4 3,7 V
IR4 = = ≈ 2 mA
R4 1,8 kΩ
Pe de altă parte
Se poate arăta că IB2 ≪ IE3 și IB3 ≪ IC2 , iar IE3 ≈ IC3 , prin urmare
IC3 ≈ IR5 ≈ 1 mA
IC2 ≈ IR4 ≈ 2 mA
Determinarea lui VB1 (potențialul din baza tranzistorului Q1 ) se face din divizorul rezistiv cu R1 și R2 cu observația că
R2
E ≫ (R1 ∥ R2 )IB1
R1 + R2
(vezi explicația în rezolvarea de la exemplul anterior), observație care ne indică faptul că divizorul funcționează ne-încărcat:
R2 1,6 kΩ 1,6 kΩ
VB1 ≈ E= · 5V = · 5 V ≈ 1,6 V
R1 + R2 3,3 kΩ + 1,6 kΩ 4,9 kΩ
Prin urmare
VCE3 ≈ 1,6 V − 0,65 V − 0,65 V = 0,3 V
10
Astfel am determinat tensiunea colector-emitor pentru tranzistoarele Q2 și Q3 . Pentru determinarea tensiunii colector-
emitor pentru tranzistorul Q1 este necesar să cunoaștem căderea de tensiune pe rezistorul R3 , iar pentru aceasta este
nevoie să știm cât este potențialul din baza lui Q4 .
Pentru a determina potențialul din baza lui Q4 trebuie să știm dacă divizorul rezistiv cu R7 și R8 este sau nu încărcat.
Dacă curentul de bază a lui Q4 este semnificativ atunci potențialul din baza lui Q4 nu va mai fi dat de raportul rezistiv al
divizorului. Pentru a verifica faptul că divizorul funcționează ne-încărcat trebuie să ne asigurăm că următoarea condiție
este îndeplinită
R8
E ≫ (R7 ∥ R8 )IB4
R7 + R8
Valoarea maximă a curentului IB4 o putem estima considerând tranzistorul în saturație adâncă (așa cum am făcut la exem-
plul anterior) și calculând curentul maxim de colector
E 5V
IC4max ≈ ≈ ≈ 4 mA
R3 + R6 0,24 kΩ + 1 kΩ
Prin urmare valoarea maximă a curentului de bază este
IC4max
IB4max = = 40 µA
β
În aceste condiții se poate vedea că
R8
E ≈ 3,6 V ≫ (R7 ∥ R8 )IB4max ≈ 40 mV
R7 + R8
deci divizorul funcționează ne-încărcat, iar potențialul din baza lui Q4 este
R8
VB4 ≈ E ≈ 3,6 V
R7 + R8
Cunoscând potențialul din baza lui Q4 se poate determina potențialul din colectorul lui Q1
Dar IR3 = VR3 /R3 = (E − VC1 )/R3 = (5 V − 4,3 V)/0,24 kΩ ≈ 3 mA, iar IE4 ≈ IC4 , prin urmare
VC4 ≈ 2 V
Tranzistor Regim
Q1 (1 mA; 3,35 V) RAN
Q2 (2 mA; 1,3 V) RAN
Q3 (1 mA; 0,3 V) RAN (la limită între RAN și saturație)
Q4 (2 mA; 2,3 V) RAN
11
3.2.2 Determinarea amplificării de semnal mic
Pentru început vom desena schema de semnal mic, așa cum este reprezentat mai jos:
R3
Q1 Q4
vout
vin R1 ∥ R2 R7 ∥ R8
R6
Pentru a determina valoarea numerică a amplificării trebuie să calculăm (în funcție de PSF) valorile parametrilor de semnal
mic pentru tranzistoarele din calea de semnal
gm1 ≈ 40IC1 = 40 · 1 mA = 40 m℧
rπ1 = β/gm1 ≈ 100/40 m℧ = 2,5 kΩ
gm4 ≈ 40IC4 = 40 · 2 mA = 80 m℧
rπ4 = β/gm4 ≈ 100/80 m℧ = 1,25 kΩ
• α≈1
rπ4 +R7 ∥R8 1,25 kΩ+1,05 kΩ rπ4 +R7 ∥R8
• β+1 ≈ 100 ≈ 23 Ω ≪ R3 = 240 Ω ⇒ R3 + β+1 ≈ R3
vout R3 β
≈ −R6 · 1 · · = −gm1 R6 = −40 m℧ · 1 kΩ = −40
vin R3 rπ1
cell: psf_ex02
view: schematic
12
Inventar:
Nume Bibliotecă/Componentă Parametri Model utilizat
V1 sources_lib/dc_v_source DC=5 SPICE
V2 sources_lib/ac_v_source mag=1 SPICE
R1 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.3k SPICE
R2 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.6k SPICE
R3 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=240 SPICE
R4 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.8k SPICE
R5 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=680 SPICE
R6 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1k SPICE
R7 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.5k SPICE
R8 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.6k SPICE
C1 device_lib/ideal_capacitor_h CAPACITANCE=22u SPICE
C2 device_lib/ideal_capacitor CAPACITANCE=820u SPICE
VCC generic_lib/vcc - -
masă generic_lib/ground - -
⊠ generic_lib/noConn - -
Q1 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q2 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q3 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q4 cia_lib/transistors/BC557 - SPICE
Etichete pe fire:
Nume Locație
vout între R6 și Q4
vin între V2 și C1
13
Vom realiza următoarele analize, creând pentru fiecare analiză o configurație de simulare nouă, așa cum se indică.
1. Determinarea punctului static de funcționare.
Numele configurației: psf
Tipul analizei: OP
Setări analiză: –
Semnale urmărite: –
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
Fișiere cu modele: –
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
PSF pentru Q1, Q2, Q3, Q4, cu afișarea lui
Fișiere rezultate:
[Link] IB, IC, VBE, VCE, GM, RPI, RO
potentialul din baza lui Q1 și Q4
[Link]
14
Start Freq: 1m
Setări analiză: Stop Freq: 1G
pts/decade: 20
Semnale urmărite: vout
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
Fișiere cu modele: –
Fișiere rezultate:
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
vout (măsurat în dB)
se vor plasa două cursoare
amplificare_semnal_mic_banda.pdf la marginile benzii
(în punctele în care câștigul
scade cu 3dB)
vout (măsurat în valoare
absolută)
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
se va plasa un cursor
în interiorul benzii
amplificare_semnal_mic_banda.pdf
15
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
În final vom compara rezultatele obținute prin analiză manuală și cele obținute cu ajutorul simulatorului în următorul tabel
4 Exerciții propuse
Pentru următoarele exerciții veți urmări să determinați punctele statice ale tranzistoarelor și amplificarea circuitului atât
prin analiză manuală, cât și cu ajutorul simulatorului. În final veți compara și veți comenta rezultatele obținute.
4.1 Exercițiul 1
cell: psf_01
view: schematic
16
Inventar:
Nume Bibliotecă/Componentă Parametri Model utilizat
V1 sources_lib/dc_v_source DC=5 SPICE
V2 sources_lib/ac_v_source mag=1 SPICE
R1 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=2k SPICE
R2 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3k SPICE
R3 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.3k SPICE
R4 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=2.7k SPICE
C1 device_lib/ideal_capacitor_h CAPACITANCE=10u SPICE
VCC generic_lib/vcc - -
masă generic_lib/ground - -
⊠ generic_lib/noConn - -
Q1 cia_lib/transistors/BC557 - SPICE
Etichete pe fire:
Nume Locație
vout între R4 și Q1
vin între V2 și C1
Vom realiza următoarele analize, creând pentru fiecare analiză o configurație de simulare nouă, așa cum se indică.
1. Determinarea punctului static de funcționare.
Numele configurației: psf
Tipul analizei: OP
Setări analiză: –
Semnale urmărite: –
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
17
Fișiere cu modele: –
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
PSF pentru Q1, cu afișarea lui
Fișiere rezultate:
[Link] IB, IC, VBE, VCE, GM, RPI, RO
potentialul din baza lui Q1
[Link]
18
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
vout (măsurat în dB)
se vor plasa două cursoare
amplificare_semnal_mic_banda.pdf la marginile benzii
(în punctele în care câștigul
scade cu 3dB)
vout (măsurat în valoare
absolută)
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
se va plasa un cursor
în interiorul benzii
amplificare_semnal_mic_banda.pdf
19
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
În final vom compara rezultatele obținute prin analiză manuală și cele obținute cu ajutorul simulatorului în următorul tabel
4.2 Exercițiul 2
cell: psf_02
view: schematic
20
Inventar:
Nume Bibliotecă/Componentă Parametri Model utilizat
V1 sources_lib/ac_v_source mag=1 SPICE
V2 sources_lib/dc_v_source DC=5 SPICE
R1 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=820 SPICE
R2 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=270 SPICE
R3 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.6k SPICE
R4 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.3k SPICE
R5 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.8k SPICE
R6 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.6k SPICE
R7 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=300 SPICE
R8 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.5k SPICE
C1 device_lib/ideal_capacitor_h CAPACITANCE=33u SPICE
C2 device_lib/ideal_capacitor CAPACITANCE=33u SPICE
VCC generic_lib/vcc - -
masă generic_lib/ground - -
⊠ generic_lib/noConn - -
Q1 cia_lib/transistors/BC557 - SPICE
Q2 cia_lib/transistors/BC557 - SPICE
Q3 cia_lib/transistors/BC557 - SPICE
Q4 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Etichete pe fire:
Nume Locație
vout între R8 și Q4
vin între V1 și C1
Vom realiza următoarele analize, creând pentru fiecare analiză o configurație de simulare nouă, așa cum se indică.
21
Setări analiză: –
Semnale urmărite: –
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
Fișiere cu modele: –
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
PSF pentru Q1, Q2, Q3, Q4, cu afișarea lui
Fișiere rezultate:
[Link] IB, IC, VBE, VCE, GM, RPI, RO
potentialul din baza lui Q3
[Link]
22
Fișiere rezultate:
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
vout (măsurat în dB)
se vor plasa două cursoare
amplificare_semnal_mic_banda.pdf la marginile benzii
(în punctele în care câștigul
scade cu 3dB)
vout (măsurat în valoare
absolută)
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
se va plasa un cursor
în interiorul benzii
amplificare_semnal_mic_banda.pdf
23
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
În final vom compara rezultatele obținute prin analiză manuală și cele obținute cu ajutorul simulatorului în următorul tabel
4.3 Exercițiul 3
cell: psf_03
view: schematic
24
Inventar:
Nume Bibliotecă/Componentă Parametri Model utilizat
V1 sources_lib/dc_v_source DC=5 SPICE
V2 sources_lib/ac_v_source mag=1 SPICE
R1 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.3k SPICE
R2 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.8k SPICE
R3 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.6k SPICE
R4 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=330 SPICE
R5 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=100 SPICE
R6 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=100 SPICE
R7 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.6k SPICE
R8 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3.3k SPICE
R9 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.8k SPICE
C1 device_lib/ideal_capacitor_h CAPACITANCE=10u SPICE
VCC generic_lib/vcc - -
masă generic_lib/ground - -
⊠ generic_lib/noConn - -
Q1 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q2 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q3 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q4 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Etichete pe fire:
Nume Locație
vout între R7 și Q2
vin între V1 și C1
Vom realiza următoarele analize, creând pentru fiecare analiză o configurație de simulare nouă, așa cum se indică.
25
1. Determinarea punctului static de funcționare.
Numele configurației: psf
Tipul analizei: OP
Setări analiză: –
Semnale urmărite: –
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
Fișiere cu modele: –
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
PSF pentru Q1, Q2, Q3, Q4, cu afișarea lui
Fișiere rezultate:
[Link] IB, IC, VBE, VCE, GM, RPI, RO
potentialul din baza lui Q1 și Q2
[Link]
26
Semnale urmărite: vout
Semnale obținute cu calculatorul: –
Parametri: –
Măsurători definite în simulator: –
Opțiuni suplimentare: –
Fișiere cu modele: –
Fișiere rezultate:
Nume fișier Forme de undă/măsurători conținute
vout (măsurat în dB)
se vor plasa două cursoare
amplificare_semnal_mic_banda.pdf la marginile benzii
(în punctele în care câștigul
scade cu 3dB)
vout (măsurat în valoare
absolută)
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
se va plasa un cursor
în interiorul benzii
amplificare_semnal_mic_banda.pdf
27
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
În final vom compara rezultatele obținute prin analiză manuală și cele obținute cu ajutorul simulatorului în următorul tabel
Analiză manuală Simulator
Q1 (1 mA; 3,85 V) Q1 (0,97 mA; 3,89 V)
Q2 (1 mA; 2,25 V) Q2 (0,97 mA; 2,34 V)
Q3 (1 mA; 1,3 V) Q3 (1,01 mA; 1,31 V)
Q4 (2 mA; 0,4 V) Q4 (1,95 mA; 0,37 V)
vout vout
vin = 8 vin = 6,07
4.4 Exercițiul 4
cell: psf_04
view: schematic
28
Inventar:
Nume Bibliotecă/Componentă Parametri Model utilizat
V1 sources_lib/dc_v_source DC=5 SPICE
V2 sources_lib/ac_v_source mag=1 SPICE
R1 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=3k SPICE
R2 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=2k SPICE
R3 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.6k SPICE
R4 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=220 SPICE
R5 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=1.1k SPICE
R6 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=2.7k SPICE
R7 device_lib/ideal_resistor RESISTANCE=220 SPICE
C1 device_lib/ideal_capacitor_h CAPACITANCE=47u SPICE
C2 device_lib/ideal_capacitor CAPACITANCE=47u SPICE
VCC generic_lib/vcc - -
masă generic_lib/ground - -
⊠ generic_lib/noConn - -
Q1 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q2 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q3 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Q4 cia_lib/transistors/BC547 - SPICE
Etichete pe fire:
Nume Locație
vout între Q3 și Q4
vin între V1 și C1
Vom realiza următoarele analize, creând pentru fiecare analiză o configurație de simulare nouă, așa cum se indică.
29
[Link]
30
amplificare_semnal_mic_banda.pdf
amplificare_semnal_mic_castig.pdf
În final vom compara rezultatele obținute prin analiză manuală și cele obținute cu ajutorul simulatorului în următorul tabel
31
Analiză manuală Simulator
Q1 (1 mA; 2,05 V) Q1 (1,01 mA; 2,0 V)
Q2 (1,4 mA; 1,3 V) Q2 (1,34 mA; 1,33 V)
Q3 (3 mA; 2,1 V) Q3 (2,96 mA; 2,02 V)
Q4 (3 mA; 2,25 V) Q4 (2,95 mA; 2,33 V)
vin = −6.5 vin = −6,44
vout vout
32