1.

Modelul de semnal mic al unui tranzistor bipolar

β0 1 qI c I c kT V
rπ = ; r0 = ; gm = = ; VT = 26mV ; η= = T ; Cb = τ F g m ; τ F = 10 ps
gm ηg m kT VT 300 o K
qV A V A

2. Modelul de semnal mic al unui tranzistor MOS zona de saturatie (zona activa)

vi
3. Rezistența de intrare Ri, este rezistența echivalentă Thévenin văzută la intrare: Ri = ;
ii
4. Transconductanța Gm, este variația curentului de ieșire în scurt-circuit în raport cu variația tensiunii de
i0
intrare: Gm = ;
vi v0 = 0

5. Rezistența de ieșire Ro, este rezistența echivalentă Thévenin vazută la ieșire cu intrarea în scurt-circuit:
v0
R0 = ;
i0 vi = 0
6. Amplificarea (câștigul) în tensiune este raportul dintre tensiunea de ieșire și cea de intrare cu ieșirea în gol:
v0
av = ;
vi i0 =0
7. Amplificarea (câștigul) în curent este raportul dintre curentul de ieșire și curentul de intrare cu intrarea in
scurt-circuit:
i0
ai = ;
ii v0 =0
8. Ecuația Ebers-Moll simplificată permite determinarea valorii curentului de colector pentru o anumită valoare
a tensiunii de intrere, vbe. v be

I c = I s e vT
unde Is este curentul rezidual și VT este tensiunea termică. Conform acestei relații ar însemna că două
tranzistoare care funcționează la aceeași tensiune vbe,
chiar dacă au tensiuni vce diferite vor avea același curent
de colector. În realitate, datorită efectului Early, la două
tranzistoare care funcționează cu aceeași vbe dar la vce
diferite, prin cele două tranzistoare vom avea curenți de
colector diferiți.
Acest comportament este vizibil în familia de
caracteristici de ieșire a unui tranzistor bipolar. Fiecare
curbă corespunzătoare la un vbe (vbe4 de exemplu) are o
anumită pantă. Dacă prelungim înspre stânga axei
curentului Ic toate caracteristicile din familia de caracteristici, aceste prelungiri se intersectează într-un punct
VA care poarte numele de tensiunea Early cu valori tipice între 50V și 100V.
Tensiunea VA este constantă și independentă de Ic. Influența efectului Early asupra caracteristicilor de iesire a
unui tranzistor bipolar aflat cu funcționarea în zona activă poate fi exprimată aproximativ prin relația:

Explicația fenomenul fizic care are loc în interiorul unui tranzistor este ilustrată în următoarea secvență de stări
de polarizare a joncțiunilor unui tranzistor. În ambele cazuri este valabilă relația :
VCE = VBE + VCB

Diferența este că pentru VCE2 > VCE1, la același VBE, vom avea o polarizare inversă VCB mai mare. Se
observă că bariera de potențial se lărgește rezultând o
lățime activă mai mică a bazei. Din acest motiv curentul
de electroni care pleacă din E spre colector va ajunge în
procent mai mare în colector. Deci, creșterea tensiunii
VCE determină creșterea tensiunii VCB și rezultă creșterea
curentului de colector. Acesta este efectul Early.
Acest comportament se vede și pe grafic se pot
remarca valorile diferite de curent de colector (Ic1 și Ic2)
dacă tranzistoarele lucrează la VCE diferite (VCE2 > VCE1)
chiar dacă ambele tranzistoare au același VBE (VBE4).
 Seminar 1 C.I.A.
Seminarul I.
PROBLEMA 1. Să se determine rezistența de intrare Ri, rezistența de
ieșire Ro, amplificarea în tensiune și amplificarea în curent a
amplificatorului în conexiune emitor comun din fig. S1.1. Se presupune
că Ic = 100μA iar β0 = 100. FIG.
S1.1

Seminarul I.
PROBLEMA 2. Calculați amplificarea în tensiune pentru FIG.
circuitul din fg. S1.2. în care s-a introdus o sursa de vs și o S1.2
rezistență de sarcină de 10kΩ. Se presupune că tensiunea de
polarizare VBIAS este ajustată astfel încât curentul de colector
ramâne constant la 100μA.

Semunarul I.
PROBLEMA 3. Să se determine rezistența de intrare Ri, rezistența de
ieșire Ro și transconductanța amplificatorului în conexiune emitor- FIG.
comun cu degenerare în emitor (Fig. S1.3.). Circuitul echivalent la S1.3
joasă frecvență a amplificatorului mai sus menționat este prezentat în
Fig. S1.3.1. Circuitul pentru calcularea rezistenței de ieșire este cel din
figura S1.3.2.

FIG.
S1.3.1.

FIG. S1.3.2.
Seminarul I.
PROBLEMA 4. Calculați rezistența de
intrare Ri, rezistența de ieșire Ro și caștigul
în tensiune pentru amplificatorul în FIG.
conexiune colector-comun (repetor pe S1.4.
emitor) din Fig. S1.4. Circuitul echivalent
la joasă frecvență a amplificatorului mai sus
menționat este prezentat în Fig. S1.4.1.
Pentru calculul rezistentei de intrare Ri se
vafolosi circuitul echivalent din figura
S1.4.2.a. iar pentru calculul rezistentei de
iesire se va folosi circuitul echivalent din
figura S1.4.2.b.

FIG.
S1.4.1

FIG.
S1.4.2