CAPITOLUL

Repetoare de tensiune
(pe emitor ]i pe surs`)

+ Valim

+ 0
Vin +
- RE Vout
-

Introducere 88
10.1. Repetorul pe emitor (amplificatorul cu colector comun) 90
10.2. Repetorul pe surs` (amplificatorul cu dren` comun`) 104

10.1. Repetorul pe emitor (amplificatorul cu colector comun) 90

1.A. Analiza cu un model al tranzistorului foarte simplificat 90
1.B. O analiz` mai exact`: modelul cu re 95
1.C. Polarizarea repetorului pe emitor 98
1.D. Cuplarea capacitiv` a sarcinii 101
1.E. Proiectarea unui repetor pe emitor 103
10.2. Repetorul pe surs` (amplificatorul cu dren` comun`) 104
Problem` rezolvat` 109, probleme propuse 113
Lucrare experimental` 116
 88 Electronic` - Manualul studentului

Introducere
{n multe c`r\i, atunci c[nd se discut` familia caracteristicilor de ie]ire, regimul activ normal al
tranzistorului bipolar este prezentat ca fiind "liniar", deoarece la varia\ii egale ale parametrului I B (curentul
bazei) caracteristica este aproximativ translatat` cu aceea]i valoare ∆ I C . Aceast` liniaritate este consecin\a
rela\iei IC = β I B , unde β r`m[ne aproape constant. Cu toate acestea, [n imensa majoritate a aplica\iilor
informa\ia de la intrare, care trebuie prelucrat`, nu este curentul bazei ci tensiunea baz`-emitor. Din acest
motiv, esen\ial` este dependen\a IC = I s eVBE VT , care este foarte neliniar`. Tranzistoarele bipolare sunt
elemente de circuit neliniare ]i, [n consecin\`,

circuitele cu tranzistoare bipolare sunt circuite neliniare.

Acela]i lucru se [nt[mpl` ]i pentru tranzistoarele cu efect de c[mp, la care curentul de dren` depinde p`tratic
de tensiunea de comand`. Totu]i, pentru varia\ii mici [n jurul punctului de func\ionare (regimului de
repaus), circuitele cu tranzistoare se comport` aproximativ liniar. C[t de mici trebuie s` fie aceste varia\ii
depinde de structura circuitului ]i de gradul nostru de exigen\`.
Dac` un circuit liniar este excitat sinusoidal [ncep[nd de la un anumit moment, dup` stingerea
regimului tranzitoriu se stabile]te un regim sinusoidal
sta\ionar (permanent) [n care toate poten\ialele ]i to\i Vin
curen\ii evolueaz` sinusoidal, cu frecven\a de excita\ie,
dar cu amplitudini ]i faze diferite. {n Fig. 10.1 au fost 2 ∆ Vin
reprezentate evolu\iile [n timp ale tensiunii de intrare
(excita\ia) ]i tensiunii de ie]ire, ob\inute [ntr-un timpul
experiment de acest tip. Vout

Amplificarea complex` se define]te pentru regimul

sinusoidal permanent; ea are modulul egal cu raportul 2 ∆Vout
amplitudinilor de la ie]ire ]i intrare ]i argumentul egal cu
defazajul ie]irii fa\` de intrare; [n general, amplificarea timpul
depinde de frecven\`. regim regim sinusoidal
tranzitoriu permanent
{ntodeauna, [ns`, trebuie s` avem grij` s` nu lu`m
∆Vout
[n considera\ie la calculul amplific`rilor ]i impedan\elor A =
∆ Vin
dec[t varia\iile m`surate de la regimul de repaus ]i s` nu
[mp`r\im niciodat` una la cealalt` tensiunile sau
Fig. 10.1. Amplificarea se define]te
intensit`\ile de repaus.
pentru regimul siusoidal permanent.
Vom nota, de aici [nainte, amplitudinea sinusoidei
de regim permanent cu liter` mic`

vout = ∆Vout ; (10.1)

de multe ori, pentru a nu mai complica nota\ia, vom [n\elege prin vout fie amplitudinea v[rf la v[rf, fie
tensiunea efectiv`, deoarece aceste m`rimi sunt propor\ionale cu amplitudinea. Trebuie s` avem gri`, [ns`, s`
specific`m [ntodeauna semnifica\ia utilizat`.
Cu oricare dintre semnifica\iile de mai sus, modulul amplific`rii are aceea]i expresie
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 89

v
A = out . (10.2)
vin

C[nd amplificarea este real`, sinusoidele de la intrare ]i ie]ire sunt fie [n faz`, fie [n antifaz`.

Dac` sinusoida de la ie]ire este [n faz` cu cea de la intrare, amplificarea este real` ]i pozitiv` iar dac`
cele dou` sinusoide sunt [n antifaz` amplificarea este real` ]i negativ`.

Putem extinde defini\ia amplific`rii ]i pentru frecven\a zero Vin

(curent continuu): producem o varia\ie treapt` de [n`l\ime ∆Vin la
intrare ]i a]tept`m p[n` c[nd nivelul de la ie]ire se sta\ionarizeaz`
devenind practic constant, ca [n Fig. 10.2. M`sur`m atunci varia\ia ∆Vin
∆Vout ]i calcul`m amplificarea de tensiune la frecven\a zero (numit` ]i
amplificare la curent continuu) timpul

Vout
∆ Vout vout
ADC = = ; (10.3) ∆Vout
∆ Vin vin

timpul
Amplificarea la curent continuu nu este raportul dintre tensiunile
de curent continuu (de repaus) ci raportul varia\iilor cuasistatice ale ∆ Vout
A DC =
acestora; amplificarea la curent continuu este obligatoriu un num`r ∆ Vin
real, pozitiv sau negativ.
Fig. 10.2. Defini\ia amplific`rii la
curent continuu.
Noi ne vom ocupa numai de semnale de joas` frecven\`, la care
putem s` neglij`m timpul de r`spuns al tranzistoarelor; acestea vor fi considerate ca dispozitive f`r`
memorie. {n consecin\`, toate poten\ialele ]i curen\ii lor vor evolua [n faz` (sau antifaz`) ]i amplific`rile pe
care le vom calcula vor fi pur reale. C[nd acestea vor fi negative, vom numi circuitele "inversoare", deoarece
sensurile varia\iilor de la ie]ire ]i intrare sunt [n opozi\ie. Amplific`rile calculate vor fi, deci, amplific`ri la
frecven\e mici.
A]a cum spuneam mai sus, pentru calculul acestora va trebui s` consider`m varia\ii ale punctului
static; din aceast` cauz`,

[n calculul amplific`rii vor interveni rezisten\ele ]i transconductantele dinamice, calculate [n jurul

punctului de func\ionare.

{n acest capitol ne vom ocupa de ni]te circuite care au amplificarea de tensiune subunitar` dar foarte
apropiat` de valoarea 1. Astfel, varia\iile tensiunii de intrare se reg`sesc, aproape identic, la ie]ire. Din acest
motiv, ele sunt numite repetoare de tensiune.
 90 Electronic` - Manualul studentului

10.1. Repetorul pe emitor (amplificatorul cu colector comun)

1.A. Analiza cu un model al tranzistorului foarte simplificat

S` analiz`m comportarea circuitului din Fig. 10.3 la

modificarea poten\ialului bazei, considerat ca tensiune de + Valim
intrare. Tensiunea de ie]ire este definit` [ntre emitor ]i mas`,
0
fiind egal` cu poten\ialul emitorului. Vom utiliza, pentru VB
[nceput, un model extrem de simplu pentru tranzistor. }tim c` [n
+ + VE
regiunea activ` tensiunea baz`-emitor are o valoare de VBE -
Vin + 0
aproximativ 0.6 V = 600 mV ]i variaz` pu\in [n jurul acesteia:
- RE Vout
pentru o varia\ie cu un factor de doi a curentului de colector, -
∆ VBE ≅ 18 mV . Vom considera, din acest motiv, tensiunea
baz`-emitor perfect constant`
Fig. 10.3. Repetorul pe emitor.

∆ VBE = 0 . (10.4)

{n aceste condi\ii,

poten\ialul emitorului sufer` varia\ii absolut identice cu acelea ale tensiunii de intrare,
∆ VE = ∆ VB − ∆ VBE = ∆ VB .

{n consecin\`, amplificarea de tensiune are exact valoarea 1

∆ VE
A= =1 , (10.5)
∆ VB

circuitul din Fig. 10.3 fiind numit repetor pe emitor (emitter follower [n englez`). Semnalul de intrare se
aplic` [n baza tranzistorului, cel de ie]ire se ob\ine [n emitor iar colectorul r`m[ne la poten\ial constant.
Pentru varia\ii, este ca ]i cum colectorul ar fi legat la mas` (el chiar este legat la mas` [n alternativ, prin
condensatorul de filtrare de valoare foarte mare al sursei de alimentare). Din acest motiv, circuitul mai este
cunoscut ]i sub numele academic de amplificator cu colectorul comun.

Observa\ie: {n Fig. 10.3 am notat tensiunea de alimentare, ca ]i [n capitolele anterioare, cu Valim .

Acest manual fiind unul introductiv, am preferat s` facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. {n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv` a circuitelor ce con\in tranzistoare
bipolare este notat` cu +VCC . Sunt dou` aspecte implicate [n aceast` conven\ie. {n primul r[nd,

dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat` exclusiv tensiunilor de alimentare.; at[t pentru litera V c[t ]i
pentru indici se folosesc majuscule deoarece tensiunea este continu`.

{n al doilea r[nd, pentru circuitele cu tranzistoare bipolare, tensiunea pozitiv` are indicele "CC" pentru c` cele
mai utilizate tranzistoare sunt cele de tip npn, la care colectorul este legat` spre alimentarea pozitiv`.
Tensiunea pozitiv` se noteaz` cu +VCC chiar ]i [n cazul [n care circuitul nu con\ine dec[t tranzistoare de tip
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 91

pnp, care au emitoarele legate spre alimentarea pozitiv`. Pentru simetria nota\iei, dac` circuitul are ]i o
alimentare negativ` fa\` de mas`, tensiunea ei este notat` cu −VEE .

C[t de mare poate fi evolu\ia poten\ialului de intrare ?

De]i varia\iile lor sunt identice (cu Vin
modelul nostru foarte simplificat), poten\ialele Valim +0.6 V
emitorului ]i bazei nu sunt egale, poten\ialul Valim
emitorului fiind [ntodeauna cu
VBE = const. ≅ 0.6 V mai cobor[t dec[t cel al tranzistor
bazei (Fig. 10.4). Dar la VE = 0 , conform legii saturat
lui Ohm, IC ≅ I E = 0 ]i tranzistorul se Vout
blocheaz`. Din acest motiv, 0.6 V
0
dac` dorim ca repetorul s` func\ioneze, tranzistor blocat
poten\ialul de intrare nu trebuie s` coboare p[n`
la 0.6 V. Fig. 10.4. Evolu\ia poten\ialelor de intrare ]i de ie]ire.

Pe de alt` parte, colectorul este men\inut la poten\ialul aliment`rii. Pentru ca jonc\iunea baz`-colector
s` nu fie deschis` (adic` tranzistorul s` nu ajung` [n satura\ie)

poten\ialul de intrare nu trebuie s` dep`]easc` tensiunea de alimentare.

La ce ne poate folosi un etaj care nu amplific`

Putem s` ne [ntreb`m, pe bun` dreptate, la ce poate servi un etaj care doar repet` varia\iile de tensiune
de la intrare. Dac` toate sursele al c`ror semnal de tensiune trebuie prelucrat ar fi surse ideale de tensiune
(cu rezisten\` intern` nul`), repetorul ar fi cu totul inutil. Realitatea este, [ns`, cu totul alta. S` presupunem c`
dorim s` m`sur`m u]oara modificare a temperaturii provocat` de procesul repetat de inspira\ie-expira\ie, cu
ajutorul uui termistor cu rezisten\a de 20 kΩ (Fig. 10.5 a); alegem curentul I0 = 1 mA ]i, cum la o varia\ie
de 0.1oC rezisten\a termistorului se modific` cu aproximativ 0.4 %, vom ob\ine ni]te varia\ii de tensiune
∆V g de ordinul a 100 mV. Aceasta este tensiunea disponibil` [n gol, f`r` s` fi legat vreo sarcin`.

∆ Valim = 0

I 0 = const. 20 k ∆ I B ∆VB
20 k

+ ∆VE out
sarcina sarcina ∆ Vg Zin B ∆ IE
20 k + ∆ Vg -
2k - 2k
(sufera mici RE
variatii in timp) 2k

a) b) c)

Fig. 10.5. Sursa de semnal ]i sarcina (a) cuplate direct (b) ]i prin intermediul repetorului pe emitor (c).

Cupl`m aparatul de m`sur` prin intermediul unui condensator de valoare mare, care s` aib` reactan\a
mic` la frecven\a la care lucr`m (unul de 4700 µF are 34 Ω la 1 Hz), echival`m Thevenin "generatorul de
 92 Electronic` - Manualul studentului

semnal" ]i ajungem la circuitul din desenul b). Din p`cate, aparatul cu care putem m`sura tensiuni are
rezisten\a intern` de numai 2kΩ . Din aceast` cauz`, pe sarcina reprezentat` de aparatul de m`sur` va ap`rea
o tensiune care este numai 2 22 ≅ 9% din semnalul de tensiune ∆V g disponibil [n gol. Rezultatul este c`,,
tocmai am mic]orat de peste zece ori semnalul util.
Ce se [nt[mpl` dac` [ntre sursa de semnal ]i sarcin` intercal`m un etaj repetor, ca [n Fig. 10.4 c) ? Va
trebui s` echival`m dipolul reprezentat de tranzistor, accesibil la bornele de intrare baz` ]i mas`, cu o
impedan\`, numit` impedan\a de intrare [n baza tranzistorului, Zin B . Deoarece dipolul considerat este un
circuit f`r` memorie, aceast` impedan\` este una pur real` (o rezisten\` dinamic`). Pentru calculul ei
consider`m o varia\ie ∆ VB pozitiv` a tensiunii de intrare. Varia\iile de tensiune la intrare ]i ie]ire sunt egale,
∆ VB = ∆ VE , dar curen\ii de baz` ]i cel de emitor nu sunt egali, tranzistorul trimi\ind prin rezisten\a de
sarcin` din emitor un curent de β + 1 ≅ β mai mare dec[t cel de baz`. Din aceast` cauz`, avem impedan\a de
intrare [n baza tranzistorului

∆ VB ∆ VE
Zin B = ≅ = β RE ; (10.6)
∆ IB ∆ IE β

rezisten\a de sarcin` cuplat` [n emitor apare v`zut` dinspre baz` ca fiind de β ori mai mare.

Astfel, aparatul de m`sur` cu rezisten\a de 2kΩ este v`zut acum de sursa de semnal ca av[nd o
rezisten\` de β ori mai mare. Cu un factor β de 100, impedan\a de intrare [n baz` este de 200 kΩ, de zece
ori mai mare dec[t a sursei de semnal. {n consecin\`, la intrarea repetorului (]i, deci, ]i pe sarcin`) ajunge
acum 200 220 ≅ 91% din valoarea semnalului disponibil [n gol.
Impedan\a de intrare este o m`rime cheie atunci c[nd cupl`m un amplificator la o surs` de semnal.
Pentru ca tensiunea ob\inut` s` fie practic aceea de mers [n gol

impedan\a de intrare a amplificatorului trebuie s` fie mult mai mare dec[t aceea a sursei de semnal; aici []i
dovede]te utilitatea repetorul pe emitor care face ca rezisten\a de sarcin` cuplat` [n emitor s` par` de β ori
mai mare.

Vom vedea c`, de cele mai multe ori, asigurarea ∆ Valim = 0

regimului de repaus al tranzistorului (polarizarea sa) necesit`
conectarea [n baza tranzistorului a unui divizor rezistiv, ca [n RB1
Fig. 10.6. {n acest caz, impedan\a de intrare a amplificatorului,
Zin , nu mai este egal` cu impedan\a de intrare [n baza ∆ I1 ∆ IB
tranzistorului Zin B , deoarece sursa de semnal trebuie s` ∆Vin ∆ Iin

furnizeze ]i curentul prin cele dou` rezistoare. La defini\ia ∆ I2 Zin B

Zin
ambelor impedan\e intr` aceea]i varia\ie de tensiune dar ~ Vout
varia\iile de curent sunt diferite. Pentru a face distinc\ie [ntre RB2 RE
aceste impedan\e, se utilizeaz` simbolurile cu s`geat` desenate 10 k
[n figur`; s`geata este l[ng` ramura al c`rui curent intr` [n
defini\ia impedan\ei iar sensul ei este dinspre generatorul de Fig. 10.6. Defini\ia impedan\ei de intrare.
semnal care provoac` varia\ia curentului. {n jargon se spune c`
aceasta este impedan\a "v`zut` privind [n sensul s`ge\ii". Astfel, Zin este impedan\a v`zut` de generator
privind [nspre amplificator iar Zin B este impedan\a v`zut` privind [nspre baza tranzistorului.
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 93

∆ Valim = 0

RB gol rezistenta sarcinii

∆ I B ∆ VB ve
scade

+ ∆V ∆ VE = ve Z out E ie α
- g ∆ I E = ie Zout E ve
∆ Vout tg α = Z out E
~ ve gol sarcina
RE
0
0 ie

a) b) c)
Fig. 10.7. Calculul impedan\ei de ie]ire.

Am v`zut c` impedan\a de intrare [n baza tranzistorului este mare, fiind de β ori rezisten\a cuplat` [n
emitor. Dar aceasta nu este singura calitate a repetorului pe emitor. S` leg`m [n baz` o surs` de semnal cu
impedan\a echivalent` RB (Fig. 10.7 a) ]i s` ne punem acum o cu totul alt` [ntrebare: ce se [nt[mpl` cu
tensiunea de ie]ire dac` modific`m valoarea rezisten\ei de sarcin` ? La ie]ire, amplificatorul poate fi
echivalat Thevenin printr-o surs` ideal` de tensiune [n serie cu o impedan\`, ca [n desenul b) al figurii.
Aceasta este impedan\a de ie]ire a amplificatorului. Semnifica\ia ei fizic` reiese clar din Fig. 10.7 c) unde
am reprezentat amplitudinea semnalului variabil de la ie]ire [n func\ie de curentul variabil absorbit de
sarcin`.

Impedan\a de ie]ire ne spune cum scade amplitudinea tensiunii semnalului alternativ de la ie]irea
amplificatorului atunci c[nd sarcina se modific` ]i absoarbe un curent alternativ mai mare; dac` impedan\a de
ie]ire ar fi zero tensiunea de ie]ire ar fi insensibil` la modificarea sarcinii.

C[nd am discutat teoremele Thevenin ]i Norton ∆ Valim = 0

pentru curent continuu, am spus c` rezisten\a intern` poate
fi m`surat` ]i printr-un altfel de experiment: pasivizarea RB ∆ I B ∆ VB
sursei interne (sursa de tensiune trece [ntr-un scurtcircuit iar
cea de curent se transfom` [ntr-un circuit [ntrerupt) ]i ∆ VE = ve
aplicarea din exterior a unei excita\ii. Acest lucru r`m[ne ∆ I E = ie Zout E
valabil ]i la curent alternativ, impedan\a Zout E put[nd fi
definit` ]i m`surat` ca [n Fig. 10.8. Se vede clar c` ∆ VE +
impedan\a Zout E este de fapt impedan\a v`zut` privind Zout E = RE - ∆V
- ∆ IE
[nspre emitor, cu condi\ia ca generatorul de semnal de la
intrarea circuitului s` fie pus la tensiune nul`, impedan\a lui
proprie r`m[n[nd [n circuitul de intrare. Din acest motiv, Fig. 10.8. Calculul impedan\ei de ie]ire din
simbolizarea pe scheme a impedan\elor de ie]ire se face cu emitorul tranzistorului.
s`geat` [nspre amplificator.

Acum putem calcula valoarea impedan\ei Zout E prin

 94 Electronic` - Manualul studentului

∆VE
Zout E = . (10.7)
−∆ IE

{ncerc`m s` exprim`m m`rimile din relatia precedent` prin m`rimi de la intrare; varia\iile de tensiune sunt
identice iar curentul de emitor este de aproximativ β ori mai mare dec[t curentul din baz`. Pe de alt` parte
∆ I B = ( 0 − ∆VB ) RB , a]a c` [n final

∆VB R
Zout E = = B; (10.8)
−β ∆ I B β

impedan\a de ie]ire v`zut` [nspre emitor este de β ori mai mic` dec[t impedan\a legat` [ntre baz` ]i mas`.

{n cazul ideal [n care generatorul de semnal cuplat [n baz` ar avea impedan\a intern` nul`, ]i impedan\a de
ie]ire a repetorului ar fi nul`.
2.
1.
- Pentru 1 mA imi trebuie 10 V !
- Numai 0.1 mA ? Dl. Ohm
1V spunea c` am nevoie de 1 mA ...
-Un volt, exact tensiunea
10 k pe care o doream ! 1V
10 k
generator
de
~ semnal 1k ~ 1k

3.
a) - 1 V este [ntreaga tensiune,
trebuie s-o [mp`r\i\i [ntre voi...

b)
- Ce mult ]i-a redus preten\iile !

1V
10 k in
repetor pe
Z in emitor
~ 100 k

1V

100 Ω out
repetor pe
Z out
emitor ~ 1k

-A]a da generator de semnal !

c)

Fig. 10.9 Repetorul pe emitor rezolv` neadaptarea de impedan\` [ntre generatorul de semnal ]i sarcin`.
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 95

Repetorul pe emitor func\ioneaz`, astfel, ca o lentil` fermecat`

∆ Valim = 0
[ntre dou` lumi: rezisten\a legat` la ie]ire [ntre emitor ]i mas` se vede de
la intrare m`rit` de β ori, iar rezisten\a legat` la intrare [ntre baz` ]i
RB
mas` se vede de la ie]ire mic]orat` de β ori. Principala aplica\ie a
repetorului pe emitor este adaptarea de impedan\e [ntre sursa de semnal
]i sarcin`, a]a cum se vede [n Fig. 10.9. Un circuit cu aceast` func\ie este
Zout E
numit ]i circuit "de separa\ie" (buffer [n limba englez`), deoarece
amplitudinea la bornele sursei de semnal nu mai este influen\at` de
m`rimea rezisten\ei de sarcin`. RE Zout

Observa\ie: Am v`zut [n capitolul anterior c` adaptarea de

impedan\` poate fi realizat` ]i cu ajutorul unui transformator; aceast`
Fig. 10.10. Impedan\ele de ie]ire.
solu\ie este utilizat` ast`zi numai [n radiofrecven\`, la joas` frecven\`
prefer[ndu-se adaptarea cu tranzistoare.
Impedan\a Zout E este impedan\a v`zut` privind [nspre emitor; aceasta este impedan\a de ie]ire
sesizat` de rezisten\a RE dac` nu este cuplat` alt` sarcin` [n emitor. C[nd utiliz`m o sarcin` extern`, aceasta
vede [n afara impedan\ei Zout E a tranzistorului ]i rezisten\a RE legat` [n paralel, ca [n Fig. 10.10 .

Zout = Zout E in paralel cu RE (10.8)

Observa\ie: Impedan\a de intrare ]i impedan\a de ie]ire ale unui amplificator sunt, de fapt, m`rimi
definite identic: sunt inmitan\ele [n nodul de intrare ]i respectiv ie]ire. Diferen\a de semnificatie este una
pragmatic`, la intrare amplificatorul se vede ca un circuit pasiv (care nu con\ine surse de semnal alternativ),
pe c[nd la ie]ire amplificatorul se comport` activ fa\` de rezisten\a de sarcin`, ap`r[nd pentru aceasta ca un
generator de semnal.

1.B. O analiz` mai exact`: modelul cu re

Am considerat p[n` acum c` tensiunea baz`-emitor r`m[ne riguros constant`; ]tim c` acest lucru nu
este adev`rat. Pentru varia\ii mici ale curentului de colector ∆ I C << IC construim acum un model al
tranzistorului care va fi valabil [ns`, numai pentru varia\ii mici. Pornim de la expresia caracteristicii de
transfer

IC = I s e VBE VT (10.9)

]i exprim`m mica varia\ie a tensiunii baz`-emitor prin

V
∆ VBE = T ∆ IC ; (10.10)
IC

m`rimea constant` (repet`m, pentru varia\ii mici) VT I C are dimensiuni de rezisten\` ]i este inversul unei
cuno]tin\e mai vechi, transconductan\a tranzistorului. O vom nota cu re , fiind o rezisten\` dinamic`
 96 Electronic` - Manualul studentului

re = VT I C = 1 g m . (10.11)

E mult mai u]or, totu]i, s` judec`m cu circuite echivalente

V C colector
dec[t cu ecua\ii. Expresia ∆ VBE = T ∆ IC poate fi interpretat`
IC baza
(Fig. 10.11) ca legea lui Ohm pe rezisten\a re , pe care o vom
numi rezisten\a dinamic` intrinsec` a emitorului; cantitatea B E' emitor "intern"
+
∆VBE se adun` la valoarea presupus` ini\ial constant` a tensiunii tensiune
∆I C
constanta re +
baz`-emitor. Ob\inem astfel un model mai exact, pentru varia\ii re ∆ I C
mici: nu trebuie dec[t s` consider`m c` [n interiorul tranzistorului ∆V BE -
exist`, [n serie cu emitorul, rezisten\a dinamic` re . Emitorul - emitor
E
modelului simplu, a c`rui tensiune [n raport cu baza ram[ne
constant`, [l vom numi emitor "intern". ∆V BE = ∆ V BE' + re ∆I E = re ∆ I C
Rezistorul re nu exist` [n interiorul tranzistorului, a]a cum
nu exist` nici emitorul intern; este de vorba de un circuit Fig. 10.11. Modelul cu re al
echivalent convenabil, care respect`, [ns`, ni]te ecua\ii tranzistorului.
adev`rate.
Modelul pe care tocmai l-am construit este cunoscut ca modelul cu re sau uneori ca modelul
transconductan\` ori Ebers-Moll. Datorit` simplit`\ii calculelor, ast`zi "anumite institu\ii folosesc exclusiv
modelul cu re "1 .
Observa\ie: Am fi putut la fel de bine s` introducem o rezisten\` dinamic` de valoare β re [n serie cu
baza, [n locul celei din emitor. Alegerea f`cut` are o serie de avantaje care se vor vedea pe parcurs; unul
este acela c` re nu depinde de β care este foarte prost controlat tehnologic.

Rezisten\a dinamic` re depinde de punctul de func\ionare, fiind invers propor\ional` cu intensitatea

curentului de colector; la 1 mA ea este de 25 Ω.

Amplificarea ∆ Valim = 0
S` recalcul`m amplificarea repetorului folosind, de data
aceasta, modelul cu re (Fig. 10.12). Varia\iile tensiunii de RB
intrare se reg`sesc identic la nodului emitorului "intern" dar la ∆ VB
ie]irea repetorului semnalul este mai mic datorit` divizorului in "emitor intern"
∆ IB ∆ VB
rezistiv format din rezisten\a dinamic` re ]i rezistorul RE +
-
montat [n circuitul emitorului. Cu regula de trei simpl` re
ob\inem imediat noua expresie a amplific`rii
∆ IE out
∆ VE RE 1 ∆ VE
A= = = . (10.12)
∆ VB RE + re 1 + re RE RE

Fig. 10.12. Analiza repetorului pe emitor

cu modelul cu re .
1Robert Boylestad, Louis Nashelsky, "Electronic Devices and Circuit Theory", Prentice Hall, Upper Saddle River, N.J.
, 2002 (a opta edi\ie)
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 97

Cum rezisten\a dinamic` este re = VT I C = 25 mV I C , raportul re RE poate fi simplu exprimat

prin valorile punctului static de func\ionare (repaus)

re V 25 mV
= T = (10.13)
RE I C RE VE

unde VE este poten\ialul de repaus al emitorului. {n consecin\`,

1 1
A= =
1 + 25 mV ( I C RE ) 1 + 25 mV VE . (10.14)

1
Dac` ne mai aducem aminte c`, pentru ε << 1, ≅ 1− ε
1+ ε

A ≅ 1 − 25 mV VE (10.14')

amplificarea repetorului pe emitor este subunitar` ]i foarte apropiat` de valoarea 1; eroarea relativ` pe care
o facem c[nd o consider`m unitar` este aproximativ egal` cu re RE = 25 mV VE .

Cu poten\ialul VE la 5 V, aceast` eroare este de numai 0.5 %, amplificarea fiind de fapt 0.995.

Impedan\a de intrare
Cu modelul foarte simplu utilizat la [nceput, am ob\inut impedan\a de intrare [n baza tranzistorului ca
fiind Zin B = β RE . De data aceasta, [n serie cu rezisten\a RE apare suplimentar rezisten\a dinamic` re ]i
formula mai exact` este Zin B = β( RE + re ) ; corec\ia este, [ns`, sub 1 % ]i ar fi complet neserios s` o lu`m
[n considera\ie c[nd nu ]tim dac` factorul β este 100 sau 200.

Impedan\a de ie]ire
C[nd am considerat tensiunea baz`-emitor perfect constant`, am ob\inut pentru impedan\a de ie]ire
v`zut` privind [n emitor expresia Zout E = RB β , unde RB era rezisten\a dinamic` echivalent` prin care
baza era legat` la mas`. Astfel, dac` generatorul de semnal care excit` amplificatorul are impedan\a intern`
de 1 kΩ ]i tranzistorul are un factor β egal cu 100, impedan\a de ie]ire ajunge la o valoare mic`, de numai 10
Ω. Aceasta ar putea fi cobor[t` suplimentar dac` alegem tranzistoare cu factorul β mai mare ]i mic]or`m
impedan\a intern` a generatorului de semnal; cu un generator de impedan\` nul` ]i Zout E ar fi zero.
Cu modelul mult mai realist [n care am \inut seama de varia\ia tensiunii baz`-emitor, lucrurile se
schimb` fundamental. Privind [nspre emitorul tranzistorului (Fig. 10.12), rezisten\a dinamic` re apare legat`
[n serie ]i se adun` la impedan\a de ie]ire calculat` cu modelul simplificat. {n consecin\`, noua expresie a
impedan\ei de ie]ire privind [n emitor este

Zout E = re + RB β ; (10.15)
 98 Electronic` - Manualul studentului

chiar cu un generator de semnal ideal ( RB = 0 ), ea nu poate fi cobor[t` sub re . Pentru a ob\ine impedan\a
de ie]ire a [ntregului etaj trebuie s` consider`m ]i pe RE legat [n paralel cu Zout E . Dar cum
RE re = VE 25 mV >> 1 , efectul lui RE poate fi neglijat [n aceast` situa\ie. {n concluzie,

Impedan\a de ie]ire a repetorului nu poate fi cobor[t` sub valoarea re = 25 mV I C nici dac`

generatorul de semnal are impedan\a intern` nul`.

La 1 mA aceast` valoare de palier este de 25 Ω ]i poate fi cobor[t` numai prin cre]terea curentului de
colector.
Avantajul esen\ial al repetorului pe emitor de a avea o impedan\` mic` de ie]ire poate fi compromis
dac` al doilea termen din rela\ia anterioar`, RB β , devine dominant. Astfel,

repetorul pe emitor are o impedan\` mic` de ie]ire, de ordinul 25 mV I C , numai dac` generatorul de
semnal care [l excit` are o impedan\` intern` mai mic` dec[t (β ⋅ 25 mV) I C .

C[t de mare poate fi semnalul prelucrat f`r` ca el s` sufere distorsiuni semnificative ?

C[nd am considerat tensiunea baz`-emitor perfect constant` am descoperit c` poten\ialul bazei poate s`
evolueze [ntre 0.6 V ]i tensiunea de alimentare, varia\iile sale reg`sindu-se absolut identic (f`r` distorsiuni)
la ie]ire. Un asemenea amplficator se nume]te de semnal mare, poten\ialul ie]irii put[nd evolua f`r`
distorsiuni practic pe tot intervalul dintre zero ]i tensiunea de alimentare.
Modelul perfec\ionat a fost construit [ns` [n ipoteza unor varia\ii mici ale curentului de colector
deoarece numai pentru acestea are sens s` vorbim despre rezisten\` dinamic` ]i transconductan\`. Ne poate
ajuta aceast` abordare s` afl`m cum se comport` amplificatorul atunci c[nd poten\ialul ie]irii sufer` o varia\ie
mare ? S` presupunem c` [n repaus poten\ialul emitorului este la +5 V, jum`tatea tensiunii de alimentare ]i
c` acesta face o excursie de +/- 2.5 V. C[nd VE = 7.5 V curentul a devenit de 1.5 ori mai mare ]i
amplificarea, conform rela\iei 10.14, se modific` de la 0.995 la 0.997. La extrema cealalt`, curentul de
colector se reduce la jum`tate din valoarea de repaus ]i amplificarea scade la 0.990. Varia\ia total` a
amplific`rii de semnal mic este de 0.7 %, ceea ce ne arat` c` repetorul poate prelucra semnale mari cu
distorsiuni foarte mici.
Dac` acest argument nu ne-a convins [nc`, s` calcul`m distorsiunile global ]i nu prin modificarea
amplific`rii de semnal mic. Cunoa]tem dependen\a IC = f (VBE ) , de aici ob\inem ∆ VBE la varia\ia
b g
curentului de colector de la IC1 la I C2 : ∆ VBE = 25 mV ⋅ ln I C 2 I C1 . Cre]terea de 1.5 ori a curentului
de colector se face cu pre\ul cre]terii cu 10 mV a tensiunii baz`-emitor iar sc`derea la jum`tate se face
datorit` sc`derii cu 17.3 mV a aceleia]i tensiuni. Avem [n total o varia\ie de 27.3 mV a tensiunii baz` emitor,
care se va reg`si ca distorsiune la ie]ire (cu aceast` cantitate va diferi ∆Vout de ∆Vin ). Aceasta [nseamn`, [n
valori relative, 27.3 mV 5 V = 0.55 % pentru un semnal la ie]ire cu amplitudinea de 5 V virf la v[rf.

1.C. Polarizarea repetorului pe emitor

S` relu`m problema cupl`rii repetorului pe emitor la termistorul cu care m`suram temperatura (Fig.
10.13). Poten\ialul la cap`tul termistorului sufer` varia\ii de ordinul a 0.1 V [n jurul valorii continue de 20 V;
putem lega, astfel, [n acest punct baza tranzistorului direct, f`r` s` mai fie nevoie de alt circuit de polarizare.
Trebuie s` avem, [ns`, grij` ca tensiunea de alimentare a tranzistorului s` fie mai mare de 20 V pentru ca
acesta s` fie [n regiunea activ`.
Aceasta este o situa\ie norocoas`: putem s` stabilim prin ajustarea curentului I0 al sursei ideale de
curent un poten\ial de repaus convenabil pentru emitorul tranzistorului. {n general, [ns`, sursele de semnal nu
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 99

pot asigura ]i regimul de curent continuu de repaus. Valim

De exemplu, un senzor de presiune piezoelectric + 30 V
I0
(PZT [n englez`), cum ar fi o doz` clasic` de pick-up, 1 mA
nu poate produce dec[t varia\ii de tensiune [n jurul
valorii de zero (media semnalului de tensiune este 20 V
nul`). Va trebui, deci, s` rezolv`m problema 20 k
polariz`rii cu un circuit separat. (sufera mici
{n Capitolul 8 am studiat influen\a temperaturii variatii in timp) RE sarcina
22 k 2k
asupra punctului static de func\ionare al tranzistorului
]i am ajuns la concluzia c` o polarizare suficient de
stabil` termic ]i relativ insensibil` la [mpr`]tierea lui
Fig. 10.13. Cuplarea [n curent continuu a intr`rii
β se ob\ine cupl[nd un divizor rezistiv [n baz` ]i
repetorului.
intercal[nd o rezisten\` [n emitor. Aceasta este solu\ia
]i pentru repetor (Fig. 10.14 a). Generatorul de semnal este cuplat [n baza tranzistorului prin intermediului
condensatorului CB , care are o valoare suficient de mare astfel [nc[t s` poat` s` fi considerat ca un
scurtcircuit la frecven\ele produse de generatorul de semnal.

+ Valim
RB1 CB
200 k
0
CB ~ Zin Zin B
0 1M
0 100 k
Zin B
~ Zin RB2 Vout
RE
200 k
10 k RB1 RB2 β RE

a) b)

Fig. 10.14. Polarizarea repetorului pe emitor.

Dou` condi\ii trebuia s` [ndeplineasc` circuitul de polarizare. Prima cerea ca pe rezisten\a din emitor
s` pierdem cel pu\in 1-2 V [n repaus; la repetor aceast` condi\ie este [ndeplinit` cu prisosin\`, pe rezisten\a
din emitor c`z[nd de regul` jum`tate din tensiunea de alimentare. A doua condi\ie impune ca rezisten\a
echivalent` a divizorului s` fie cel mult β RE 10 ; nu este o problem` s` [ndeplinim aceast` condi\ie dar
prezen\a divizorului modific` impedan\a de intrare a etajului. {ntr-adev`r, curentul (alternativ) de la
generatorul de semnal are acum dou` c`i pe care curge c`tre mas`: prin baza tranzistorului (impedan\a Zin B
egal` cu β RE ) ]i prin rezisten\ele divizorului. Cum ∆Valim = 0 , pentru varia\ii este ca ]i cum RB1 ar fi
legat` la mas`, astfel [nc[t cele dou` rezisten\e de polarizare apar [n paralel, impedan\a echivalent` fiind chiar
cea a divizorului. Astfel, impedan\a de intrare a etajului este mai mic` dec[t β RE 10 .

Prezen\a divizorului, cu care este polarizat` baza tranzistorului, mic]oreaz` de peste 10 ori impedan\a
de intrare a repetorului.

{n acest mod, principala calitate a repetorului pe emitor este pierdut`. Dac` impedan\a de intrare [n
baza tranzistorului, Zin B , poate ajunge la 1-10 MΩ, divizorul rezistiv, fiind legat [n paralel la intrare,
 100 Electronic` - Manualul studentului

coboar` impedan\a Zin de intrare a etajului la 100 kΩ - 1MΩ. Aceasta [nseamn` c` aproximativ nou`
zecimi din curentul furnizat de generatorul de semnal, [n loc s` ajung` [n baza tranzistorului, este pierdut
spre mas` prin rezisten\ele divizorului.
CB
+Valim +Valim
RB1 RB1
CB 100 k ~ Zin R Zin B 100 k
CB
B3 50 k 1M

M M
~ RB3 50 k Vout ~ RB3 50 k Vout
RB1 RB2 50 k β RE
RB2 RB2
100 k RE CBS
100 k RE
10 k 10 k

a) b) c)
Fig. 10.15. Metoda bootstrap.
Eliminarea acestui inconvenient se face printr-un truc, cunoscut ca metoda bootstrap. Mai [nt[i s`
intercal`m o alt` rezisten\` [ntre baz` ]i punctul median al divizorului, ca [n Fig. 10.15 a). Pentru a men\ine
calit`\ile polariz`rii, va trebui s` mic]or`m corespunz`tor rezisten\a echivalent` a divizorului, a]a c` nu am
rezolvat [nc` nimic, impedan\a de intrare r`m[ne [n continuare aproximativ β RE 10 .
S` observ`m pe unde curge acum curentul alternativ produs de generatorul de semnal (desenul b al
figurii). Cea mai mare parte din acesta (aproximativ 9/10) se duce la mas` prin combina\ia serie RB3 cu
rezisten\a echivalent` a divizorului, amplitudinea varia\iilor poten\ialului punctului M fiind jum`tate din
amplitudinea varia\iior poten\ialului bazei, a]a cum se vede [n Fig. 10.16 a).

VB VB

VM VM

t t
a) b)
f`r` bootstrap cu bootstrap VM (t) ≅ VB (t)
[ntre B si M circul` un curent alternativ [ntre B ]i M curentul alternativ
semnificativ a devenit foarte mic

Fig. 10.16. Poten\ialele bazei ]i punctului M f`r` bootstrap (a) ]i cu bootstrap (b).

Cum am putea mic]ora acest curent ? Legea lui Ohm ne ofer` r`spunsul: prin ridicarea poten\ialului
(alternativ) al punctului M ! Mai mult, avem toate condi\iile pentru a realiza aceast lucru: [n emitorul
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 101

tranzistorului exist` o versiune a semnalului variabil din baz` (0.995 din acesta) ]i, [n plus, acest nod are o
impedan\` mult mai mic` dec[t aceea a punctului M. Nu trebuie dec[t s` leg`m un condensator CBS de
valoare suficient de mare [ntre emitor ]i punctul M. Vom mai pierde ceva din amplitudine prin [nc`rcarea
ie]irii, [nc` ceva pe condensator (nu va avea impedan\a exact nul`) dar un semnal egal cu 0.99 din cel
existent [n baz` tot va ap`rea [n punctul M (desenul b al Fig. 10.16).
Sâ scriem, pentru varia\ii, legea lui Ohm pe rezisten\a RB3

∆VB − 0.99 ∆VB ∆V ∆VB

∆ I R3 = = 0. 01 B = ; (10.16)
RB3 RB3 100 ⋅ RB3

se [nt[mpl` ca ]i cum baza ar fi legat` la mas` cu o rezisten\` de valoare 100 ⋅ RB3 = 5 MΩ ]i nu prin
combina\ia serie din Fig. 10.15 b). De]i calculul a fost numai unul estimativ, putem afirma c` efectul
mic]or`rii impedan\ei de intrare datorit` divizorului de polarizare este mult diminuat, aceast` impedan\` fiind
acum aproape egal` cu Zin B .
Bootstrap [nseamn` [n englez` "curea de cizm`", accesoriu care ajuta, prin tragere [n sus la [nc`l\area
acestor obiecte. Ca [n povestirea baronului Munchausen [n care acesta se autoextrage din mla]tin`
tr`g[ndu-se de cizme, to bootstrap are sensul de a se ajuta singur, a se autosus\ine. De aici vine ]i denumirea
metodei prezentate, prin care poten\ialul punctului M ([n curent alternativ) este ridicat pentru a nu se mai
pierde curent prin rezisten\a RB3 .

Metoda bootstrap diminueaz` considerabil efectul divizorului rezistiv asupra impedan\ei de intrare; cu
aceast` metod`, impedan\a de intrare a etajului ajunge la valori apropiate de β RE .

1.D. Cuplarea capacitiv` a sarcinii

P[n` acum am considerat c` rezisten\a de sarcin` este chiar rezisten\a RE montat` [n emitor. Atunci
c[nd repetorul este utilizat pentru prelucrarea unei tensiuni continue, rezisten\a de sarcin` nici nu poate fi
conectat` [n alt fel. De multe ori, a]a cum a fost cazul cu circuitul pentru m`surarea varia\iilor de temperatur`
din Fig. 10.13, suntem interesa\i numai de
+ Valim
componenta alternativ` ]i, dac` am conecta sarcina
direct [n emitor, ea ar fi parcurs` ]i de curentul RB1
continuu de repaus, lucru nedorit mai ales c[nd
CB
acest curent are valori mari. {n aceast` situa\ie, 0
rezisten\a de sarcin` este conectat` [n emitor prin CE 0
intermediul unui condensator C E de valoare
~ Zin R 0 Vout
suficient de mare, ca [n Fig. 10.17. Condensatorul B2 RS
RE
C E se [ncarc` la cuplarea aliment`rii montajului cu 0
o tensiune egal` cu poten\ialul de repaus al
emitorului ]i, datorit` capacit`\ii sale mari,
Fig. 10.17. Cuplarea sarcinii prin condensator.
tensiunea pe el nu variaz` semnificativ dac`
varia\iile lui VE [n jurul valorii de repaus sunt suficient de rapide.
De]i pentru calculul polariz`rii trebuie s` \inem seama numai de rezisten\a RE (deoarece sarcina este
separat` prin condensator)

la calculul regimului de varia\ii, rezisten\a de sarcin` RS apare legat` [n paralel cu RE .

 102 Electronic` - Manualul studentului

Astfel, [n formulele amplific`rii ]i ale impedan\ei v`zute din baza tranzistorului, RE trebuie [nlocuit` cu

RE RS
RE '= (10.17)
RE + RS

Cuplarea sarcinii prin condensator poate s` ne induc` [n eroare atunci c[nd calcul`m excursia maxim`
a poten\ialului de la ie]ire (pentru care tranzistorul nu intr` [n satura\ie sau blocare). C[nd sarcina era RE
(cuplat` [n emitor) lucrurile erau simple, poten\ialul ie]irii putea evolua [ntre 0 ]i Valim . Ceea ce nu ne
convenea era curentul de repaus Valim ( 2 RE ) care trecea prin sarcin`.

Valim Valim Valim

+12 V +12 V +12 V
tranzistor
blocat

+10 V
+5 V +5 V 5V
10 mA + - 70 mA + - 50 mA +5 V +5V + -
0V 20 mA
0 +4.17 V 0 -0.83 V
RE CE CE RS 8.33 mA CE
RS RE
500 Ω 100 Ω 100 Ω RE RS
500 Ω
500 Ω 100 Ω

a) b) c)
repaus
Fig. 10.18. Comportarea la varia\ii mari a repetorului cu sarcina cuplat` capacitiv.

S` vedem ce se [nt[mpl` [n circuitul din Fig. 10.18. Poten\ialul de repaus al emitorului a fost stabilit la
5 V, curentul de repaus fiind de 10 mA (desenul a). La cre]terea brusc` a poten\ialului bazei cu 5 V,
poten\ialul emitorului o urmeaz`, ajung[nd la 10 V. Conform legii lui Ohm, prin RE avem o cre]tere de
curent de 10 mA, iar prin rezisten\a de sarcin` avem un puls de curent de 50 mA, poten\ialul ie]irii cresc[nd
de la zero la 5 V (desenul b al figurii).
Ce se va [nt[mpla dac` poten\ialul bazei coboar`, ca [n desenul c), de la valoarea de repaus la zero ?
Tranzistorul se blocheaz`, curentul lui de emitor devine nul ]i [n circuit mai r`m[n condensatorul, [nc`rcat la
5 V , ]i rezistoarele RE ]i RS . Curentul prin acest circuit serie va fi de 8.33 mA ; el va determina o valoare
de +4.17 V a poten\ialului de emitor ]i una de -0.83V a poten\ialului ie]irii.

Amplitudinile varia\iilor poten\ialului ie]irii sunt complet diferite pentru varia\iile pozitive ]i cele
negative; acest lucru se [nt[mpl` deoarece tranzistorul nu poate s` absoarb` curent [n terminalul
emitorului.

Singura cale prin care am putea m`ri amplitudinea varia\iilor negative este mic]orarea rezisten\ei RE
(cu men\inerea poten\ialului de repaus al emitorului). Aceasta implic` automat cre]terea curentului de
repaus. {n exemplul nostru, cu RE = RS = 100 Ω , putem cobor[ poten\ialul ie]irii p[n` la -2.5 V. Pre\ul
pl`tit este cre]terea la 50 mA a curentului de repaus.
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 103

1.E. Proiectarea unui repetor pe emitor

Primele lucruri de avut [n vedere sunt excursia de tensiune pe care trebuie s` o realiz`m pe rezisten\a
de sarcin` ]i valoarea rezisten\ei de sarcin`. De aici putem calcula amplitudinea curentului alternativ prin
sarcin`. A]a cum am v`zut mai sus, pentru ca acest curent s` fie disponibil trebuie s` alegem valoarea
curentului de repaus mai mare dec[t amplitudinea dorit` a curentului alternativ prin sarcin`. Fie IQ aceast`
valoare aleas` pentru curentul de repaus. Putem urm`ri etapele procedurii de proiectare pe desenul din
Fig. 10.19.

Valim
+12 V
RB1 1 mA
3. RB1 = RB2 ≅ 20 R E 1. Alegem IQ
120k
CB
0.47 µ F Valim
2. R E =
2 IQ
1
4. C B ≅ R B2 CE
f inf RB1 RE RS
120k 5.6 k 3.3 µ F 10 k

1
5. C E ≅
2 f inf RS

Fig. 10.19. Procedura simplificat` pentru proiectarea unui repetor pe emitor de putere mc`; [n exemplul
numeric, frecven\a inferioar` f inf a fost luat` de 20 Hz.

Poten\ialul de repaus al emitorului trebuie s` fie aproximativ la jum`tatea tensiunii de alimentare; de

aici rezult` imediat valoarea rezisten\ei de emitor

V
RE = alim ; (10.18)
2 IQ

deoarece calcul`m regimul de curent continuu al polariz`rii, rezisten\a de sarcin`, cuplat` prin
condensator, nu intervine aici.
Divizorul rezistiv va trebui s` aib` o rezisten\a echivalent` de aproximativ β RE 10 . Dac` o m`rim
prea mult deterior`m stabilitatea termic` ]i insensibilitatea punctului static de func\ionare la [mpr`]tierea lui
β ; pe de alt` parte, o valoare prea mic` produce o cobor[re inacceptabil` a impedan\ei de intrare. Poten\ialul
bazei trebuie s` fie la VB = Valim 2 + 0.6 V ≅ Valim 2 . Din acest motiv, vom alege rezisten\ele divizorului
egale; avem, deci

RB1 = RB2 = 2β RE 10 ; (10.19)

pentru tranzisoarele de mic` putere putem miza pe β ≥ 100 , a]a c`

 104 Electronic` - Manualul studentului

RB1 = RB2 = 20 RE (10.20)

este o alegere bun`.

Pentru calculul capacit`\ii care trebuie conectat` la intrare CB
trebuie s` estim`m mai [nt[i impedan\a de intrare, care are caracter
rezistiv (pur real`). Ea este, a]a cum se vede [n Fig. 10.20,
combina\ia paralel a trei rezisten\e: rezisten\a echivalent` a Zin Zin B
divizorului, rezisten\a RE multiplicat` cu β ]i rezisten\a RS RB1 2 β RE β RS
multiplicat` cu β . Dac` rezisten\a de sarcin` nu este mult mai mic`
dec[t RE , atunci impedan\a de intrare este aproape egal` cu
RB1 2 .
Zin = RB1 2 β RE β RS
La frecven\a de t`iere f inf 1 a filtrului trece-sus format de
condensatorul CB ]i impedan\a de intrare (pur rezistiv` !), modulul Fig. 10.20. Impedan\a de intrare.
reactan\ei condensatorului este egal cu impedan\a de intrare. Dac`
f min este frecven\a de valoare minim` ce trebuie procesat`, deducem valoarea necesar` pentru condensator

1
CB ≥ (10.21)
2π f min Zin

Alegerea condensatorului de ie]ire se face \in[nd seama c` la frecven\a de t`iere a filtrului format din
condensatorul CE ]i rezisten\a de sarcin`, modulul reactan\ei condensatorului este egal cu rezisten\a de
sarcin`. Rezult` de aici

1
CE ≥
2π f inf RS . (10.22)

Deoarece avem dou` filtre trece sus (care rejecteaz` frecven\ele inferioare) legate [n cascad`, efectele
benzilor lor de tranzi\ie se cumuleaz`. {n consecin\`, este bine s` fim prev`z`tori ]i s` lu`m capacit`\i mai
mari.

10.2. Repetorul pe surs` (amplificatorul cu drena comun`)

Dac` [nlocuim, [n repetorul pe emitor, tranzistorul bipolar NPN cu unul JFET cu canal n, ob\inem un
circuit cu o func\ionare similar` (Fig. 10.21 a). Polarizarea montajului a fost discutat` la Capitolul 7:
poten\ialul de repaus al por\ii este stabilit la zero de c`tre rezisten\a RG (curentul de poart` este practic nul)
iar poten\ialul sursei este undeva [ntre 0 ]i VP .
Pentru tranzistorul cu efect de c[mp, [n cazul varia\iilor mici putem construi un model identic cu cel de
la tranzistorul bipolar, ca [n desenul b al figurii. Difer` numai valoarea rezisten\ei dinamice rs = 1 g m ,
deoarece transconductan\a tranzistoarelor cu efect de c[mp este mult mai mic` dec[t a celor bipolare. Dac`
relu`m formula (10.12) amplific`rii ]i o exprim`m [n transconductan\`, ob\inem

RS g m RS 1
A= = = (10.23)
RS + rs 1 + g m RS 1 + 1 ( g m RS )
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 105

La curen\i de c[\iva mA, transconductan\a tranzistoarelor cu efect de c[mp este de c[tiva mS; astfel, pentru
RS = 5 kΩ produsul g m RS este [n jur de 10. {n consecin\`,

valoarea amplificarii repetorului pe surs` este de 0.9-0.95, mai mic` dec[t amplificarea de 0.99-0.995 a
repetorului pe emitor.

+ Valim
D
+ Valim
∆ Vin = ∆VG G
D
CG
VG
tensiune
constanta rs = 1 g m
+ G VS ∆VGS
S ∆ VS
Vin RG + S
1 MΩ +
- RS Vout
∆ Vout
- RS
-

a) b)
Fig. 10.21. Repetorul pe surs`.

Principalul avantaj al repetorului pe surs` este impedan\a sa de intrare. Privind [nspre poart`,
impedan\a la frecven\e joase este extrem de mare (109-1012 Ω) astfel [nc[t impedan\a de intrare a etajului
este dictat` practic numai de rezisten\a de polarizare RG . Cum valoarea curentului de repaus din poart` este
infim`, rezisten\a RG poate fi aleas` f`r` probleme [n intervalul 1-10 MΩ.

Impedan\a de intrare a repetorului pe surs` poate ajunge u]or la 1-10 MΩ, f`r` s` fie nevoie de
utilizarea metodei bootstrap.

{n privin\a impedan\ei de ie]ire, lucrurile sunt simple, dar nepl`cute. Impedan\ei de ie]ire v`zut`
privind [nspre surs` este

Zout S = rs = 1 g m ; (10.24)

[ntruc[t curentul de poart` este nul, impedan\a legat` [ntre poart` ]i mas` nu apare [n aceast` expresie.
Deoarece transconductan\a este mic`

impedan\a de ie]ire a repetorului pe surs` nu este foarte mic`, av[nd valori de sute de Ω.

Nici vorb` s` ajungem la 2.5 Ω, ca [n cazul unui tranzistor bipolar operat la un curent de 10 mA.

Observa\ie: Amplificarea mai mic` se datoreaz` tocmai impedan\ei de ie]ire, care formeaz` cu
rezisten\a RS un divizor; cum impedan\a de ie]ire nu este mic`, pe ea se pierde o parte din semnal.
 106 Electronic` - Manualul studentului

Dezavantajele legate de impedan\a de ie]ire + VDD

insuficient de mic` ]i de amplificarea nu foarte aproape de
unitate se pot rezolva simplu, prin introducerea in CG
suplimentar` a unui tranzistor bipolar, ca [n Fig. 10.22,
montat [ntr-o configura\ie de repetor pe emitor. Impedan\a
de ie]ire a [ntregului circuit este aceea a repetorului pe RG
emitor care, a]a cum ]tim, este foarte mic`. 1 MΩ RS out
De data aceasta, sursa tranzistorului JFET nu mai
debiteaz` pe o rezisten\a legat` cu cel`lalt cap`t la mas`;
fiind conectat` [n paralel pe jonc\iunea baz`-emitor, RE
tensiunea pe rezisten\a RS este men\inut` aproape
constant`, deci curentul prin rezisten\` este aproape
- VSS
constant. Sursa tranzistorului JFET vede aceast` rezisten\`
ca pe o surs` de curent aproape ideal`, adic` de impedan\`
Fig. 10.22. Repetor de tensiune cu JFET ]i
foarte mare. De asemenea, impedan\a de intrare [n baza
tranzistor bipolar.
tranzistorului bipolar este foarte mare. {n consecin\`, [n
formula amplifc`rii

1
A= (10.25)
1 + 1 ( g m RS )

[n locul lui RS apare o impedan\` foarte mare ]i amplifiarea devine foarte apropiat` de valoarea 1.

Observa\ie: Tehnica prin care rezisten\a RS este v`zut` [n curent alternativ ca fiind mult mai mare
este identic` cu metoda bootstrap pe care am aplicat-o la repetorul pe emitor; de data aceasta nici m`car
nu am mai avut nevoie de condensator, leg[nd cap`tul lui RS direct [n emitorul tranzistorului.

Ca ]i [n cazul repetorului pe emitor, [ntre poten\ialul de intrare ]i cel de ie]ire exist` un decalaj
aproape constant. Dac` la repetorul pe emitor acesta era de 0.6 V, la repetorul pe surs` decalajul depinde de
parametrii VP ]i I DSS ai tranzistorului. Deoarece ace]ti parametri au o [mpr`stiere tehnologc` mare

la repetorul pe surs`, decalajul [ntre poten\ialul de intrare ]i cel de ie]ire are o predictibilitate proast`,
ajung[nd la nedetermin`ri de ordinul vol\ilor.
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 107

Enun\uri frecvent utilizate

(at[t de frecvent [nc[t merit` s` le memora\i)

-Amplificarea se define]te pentru regimul sinusoidal permanent; ea este, [n general, o m`rime

complex` ]i depinde de frecven\`.
-La frecven\a nul` (curent continuu) amplificarea este pur real` ]i este raportul varia\iilor
cuasistatice de la ie]ire ]i, respectiv, intrare.
-Pentru frecven\e joase, neglij`m timpul de r`spuns al tranzistoarelor ]i capacit`\ile lor parazite;
[n consecin\` amplificarea va fi real`, independent` de frecven\`, iar [n calculul ei vor interveni
rezisten\ele dinamice definite [n jurul punctului de func\ionare.
- Repetorul pe emitor are amplificarea foarte pu\in mai mic` dec[t unitatea; dac` sarcina este
rezisten\a din emitor, eroarea relativ` pe care o facem consider[nd mplificarea unitar` este de ordinul
25 mV VE , unde VE este c`derea de tensiune [n repaus pe rezisten\a din emitor.
-Impedan\a de intrare v`zut` privind [n baza tranzistorului este de β ori ai mare dec[t
impedan\a sarcinii cuplat` [n emitor; aceast` imedan\a poate ajunge la 1-5 MΩ.
-Polarizarea repetorului se face cu un divizor rezistiv; din condi\iile de stabilitate termic` ]i
insensibilitate la [mpr`]tierea lui β rezult` c` rezisten\a echivalent` a divizorului trebuie s` fie
aproximativ β RE 10 .
-Rezisten\a echivalent` a divizorului apare [n paralel la intrare, reduc[nd cu un factor de 10
valoarea impedan\ei de intrare; acest inconvenient se remediaz` prin metoda bootstrap.
-Impedan\a de ie]ire v`zut` [n emitorul tranzistorului este foarte mic`, fiind egal` cu
25 mV I C ; aceasta este 25 Ω la un curent de 1 mA ]i coboar` la 2.5 Ω la 10 mA.
- Dac` generatorul de semnal nu este ideal (cu impedan\` nul`), la valoarea de mai sus se mai
adaug` RB β , unde RB este impedan\a echivalent` legat` [n baz` (divizorul [n paralel cu rezisten\a
generatorului de semnal); pentru a a avea impedan\a de ie]ire cobor[t`, rezisten\a generatorului
trebuie s` fie mai mic` dec[t 25 mV I C .
- Principala aplica\ie a repetorului pe emitor este adaptarea de impedan\` [ntre un generator de
semnal ]i o sarcin`.
-Repetorul pe emitor poate fi utilizat ]i pentru excursii mari ale tensiunii de ie]ire deoarece
distorsiunile sunt foarte mici; ob\inerea unor varia\ii mari de curent prin sarcin` necesit`, totu]i,
curen\i de repaus mari deoarece repetorul nu poate absorbi curent prin emitor.
- Repetorul pe surs` (amplificatorul cu tranzistor FET cu drena comun`) are amplificarea
subunitar`, mai mic` dec[t a repetorului pe emitor.
- Impedan\a de ie]ire a repetorului pe surs` nu este foarte mic`, ajung[nd la c[teva sute de Ω.
- Inconvenientele de mai sus sunt contrabalansate de u]urin\a cu care se pot ob\ine impedante de
intrare foarte mari, f`r` s` mai fie nevoie de utilizarea metodei bootstrap.
-Conectarea, dup` repetorul pe surs`, a unui repetor pe emitor elimin` dezavantajele legate de
amplificare ]i impedan\a de ie]ire; mai r`m[ne s` ne deranjeze numai proasta predictibilitate a
decalajului [ntre poten\ialele de intrare ]i ie]ire.
 108 Electronic` - Manualul studentului

Termeni noi

-repetor de tensiune
- amplificator cu colector comun
(repetor pe emitor)
-inmitan\a unui nod
- impedan\a v`zuta la un nod
privind [nspre o anumit` ramur` curentul alternativ absorbit prin acea ramur` de la un generator de
- impedan\a de intrare a unui
amplificator
- impedan\a de ie]ire a unui
amplificator
- rezisten\a intrinsec` re
a emitorului
-bootstrap
tranzistorului este "v`zut`" dinspre baz`, [n curent alternativ, ca o
impedan\` de valoare mult mai mare; acest lucru se realizeaz`
-amplificator cu drena comun`
(repetor pe surs`)
men\inut` la un poten\ial constant;
circuit la ie]irea c`ruia varia\iile tensiunii sunt practic egale cu
cele ale tensiunii de intrare; [ntre poten\ialele de ie]ire ]i de intrare
exist`, [n general, un decalaj constant;
circuit realizat cu un tranzistor bipolar la care intrarea se face pe
baz` iar ie]irea este [n emitor, colectorul tranzistorului fiind
men\inut la un poten\ial constant;
raportul [ntre poten\ialul de curent alternativ al nodului respectiv ]i
curentul alternativ absorbit de la un generator de semnal care ar fi
cuplat la nodul respectiv, [n condi\iile pasiviz`rii circuitului
(poten\ialul ]i curentul sunt considerate m`rimi complexe); [n
general este o m`rime complex` ]i depinde de frecven\`;
raportul [ntre poten\ialul de curent alternativ al nodului respectiv ]i
semnal care ar fi cuplat la nodul respectiv, [n condi\iile pasiviz`rii
circuitului;
inmitan\a nodului de intrare (condi\iile de la ie]ire trebuie
precizate);
inmitan\a nodului de ie]ire (condi\iile de la intrare trebuie
precizate);
rezisten\a dinamic` ce modeleaz` varia\iile tensiunii baz`-emitor
provocate de varia\iile curentului de colector; depinde de punctul
de func\ionare, fiind invers propor\ional` cu valoarea curentului de
repaus;
metod` prin care o rezisten\a prin care se face polarizarea bazei
for\[nd cel`lalt cap`t al rezisten\ei s` urm`reasc` varia\iile de
poten\ial ale emitorului; metoda elimin` mic]orarea impedan\ei de
intrare a repetorului provocat` de circuitul de polarizare;
circuit realizat cu un tranzistor cu efect de c[mp, la care intrarea se
face pe poart` iar ie]irea este [n surs`, drena tranzistorului fiind
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 109

Problem` rezolvat`
Un generator de semnal alternativ, cu rezisten\a intern` de 10 kΩ, produce la ie]ire o amplitudine de
2 Vvv ]i la el trebuie cuplat` o sarcin` rezistiv` de 4.7 kΩ.
a) Cu c[te procente scade amplitudinea de la bornele generatorului la cuplarea a sarcinii ?
b) S` se proiecteze un repetor pe emitor, alimentat de la +12 V, care s` fac` adaptarea de impedan\`
[ntre generator ]i sarcin`. Frecven\a de t`iere inferioar` a repetorului trebuie s` fie mai mic` de 100 Hz iar
tranzistorul utilizat are factorul β egal cu 100.
c) Care este amplitudinea semnalului din emitor [nainte s` se conecteze rezisten\a de sarcin` ?
d) C[t devine aceast` amplitudine la cuplarea sarcinii ?
e) Identifica\i cauza care pentru care nu avem [nc` amplitudinea semnalului pe sarcin` foarte apropiat`
de tensiunea [n gol a generatorului de semnal ]i modifica\i circuitul pentru a remedia acest inconvenient.

Rezolvare

a) La cuplarea direct` a sarcinii, rezisten\a intern` a generatorului ]i rezisten\a de sarcin` formeaz` un

divizor de tensiune. Pe sarcin` va c`dea numai

( 4. 7 kΩ ) ( 10 kΩ + 4. 7 kΩ ) ≅ 32 %

din tensiunea de mers [n gol a generatorului;

Valim
aceasta [nseamn` 0.64 Vvv din cei 2 Vvv
+12 V
furniza\i de generator [n gol. 68 % din
amplitudinea semnalului se pierde pe rezisten\a RB1
intern` a generatorului. C in
10 k
b) {ncepem proiectarea cu desenarea C out
unei scheme (Fig. 10.23). Trecem pe aceasta
elementele cunoscute. Trebuie s` alegem mai ~ 2 V vv RB2
RE 4.7 k
[nt[i curentul de repaus al tranzistorului. La o
varia\ie a tensiunii de +/- 1 V, varia\ia de
curent prin sarcin` va fi de +/- 0.21 mA. Din
acest motiv, un curent de repaus pentru
Fig. 10.23.
tranzistor

IQ = 1 mA
este mai mult dec[t suficient.
Vom stabili poten\ialul bazei la jum`tatea tensiunii de alimentare ceea ce [nseamn` c` poten\ialul
emitorului va fi pe la 6 V - 0.6 V = 5.4 V. Aceasta necesit` o valoare de 5.4 V 1 mA = 5. 4 kΩ pentru
rezisten\a din emitor. Aceast` valoare nu face parte din seria de valori E12 (+/- 10%); alegem cea mai
apropiat` valoare din aceast` serie

RE = 5. 6 kΩ .
 110 Electronic` - Manualul studentului

Pentru ca poten\ialul bazei s` fie la jum`tatea tensiuniii de alimentare vom lua rezisten\ele divizorului
de polarizare egale [ntre ele. Cum rezisten\a echivalent` a divizorului trebuie s` fie [n jur de
β RE 10 = 56 kΩ , alegem pentru rezisten\ele din divizor valoarea standardizat`

RB1 = RB2 = 100 kΩ .

Cu acestea, schema circuitului nostru arat` Valim

ca [n Fig. 10.24. +12 V
Mai r`m[ne s` stabilim valoarea RB1
condensatoarelor. {ncepem cu cel de la 100 k
C in
intrare; impedan\a v`zut` privind [n baza 10 k 6V
+
tranzistorului este de β ori mai mare dec[t C out
3.3 µ F
+
impedan\a cuplat` [n emitor. La curent 0.47 µ F RB2
alternativ, emitorul va vedea rezisten\a de ~ 2 V vv
100 k R E
4.7 k
emitor de 5.6 kΩ. [n paralel cu rezisten\a 5.6 k
de sarcin` egal` cu 4.7 kΩ, adic` o
impedan\` echivalent` de 2.6 kΩ. Astfel,
impedan\a Zin B va fi de 260 kΩ. Nu Fig. 10.24.
aceasta va fi ]i impedan\a de intrare a
repetorului, deoarece la intrare apare [n paralel ]i rezisten\a echivalent` a divizorului, care este 50 kΩ. {n
consecin\`, impedan\a de intrare va fi de 42 kΩ, pu\in mai mic` dec[t rezisten\a echvalent` a divzorului. La
frecven\a de t`iere, modulul reactan\ei condensatorului trebuie s` fie, deci, 42 kΩ; rezult` valoarea de
0.04 µF. E o valoare mic`, putem fi genero]i, aleg[nd una de zece ori mai mare, s` zicem 0.47 µF.
{n ceea ce prive]te condensatorul de ie]ire, la frecven\a de t`iere reactan\a sa devine egal` cu rezisten\a
de sarcin`, care are 4.7 kΩ. Rezult` din calcul o valoare [n jur de 0.3µF dar vom lua ]i aici o valoare
asiguratoare, de 3.3 µF.
La aceste valori, condensatoarele sunt electrolitice ]i la conectare trebuie s` \inem seama de
polaritatea lor. Cum poten\ialele bazei ]i emitorului sunt pozitive (fa\` de mas`) acolo trebuie conectate
arm`turile pozitive ale condensatoarelor. Pentru a elimina riscul oric`rei confuzii este bine s` punem semnul
+ pe arm`tura corespunz`toare.
c) Impedan\a de intrare a repetorului, f`r` s` cupl`m sarcina, este de 50 kΩ. [n paralel cu 560 kΩ,
adic` 46 kΩ. Astfel, [n baza tranzistorului va ajunge numai

46 ( 46 + 10 ) ≅ 82 %

din tensiunea generatorului de semnal, adic` 1.64 Vvv. Cum amplificarea este practic unitar`, aceasta va fi ]i
ampltudinea la ie]ire.
d) La cuplarea sarcinii, impedan\a v`zut` privind [n baza tranzistorului scade de la 560 kΩ la 260 kΩ.
Calcul[nd combina\ia paralel cu rezisten\a divizorului afl`m c` impedanta de intrare a cobor[t la 42 kΩ. {n
consecin\`, cu sarcina cuplat`, [n baz` va ajunge

42 ( 42 + 10 ) ≅ 81 % .

din amplitudinea furnizat` de generator [n gol, adic` 1.62 Vvv.

 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 111

e) Dup` cum remarc`m din rezultatul de la punctul precedent, pierderea de tensiune nu se datoreaz`
cupl`rii sarcinii ci este efectul [nc`rc`rii generatorului de semnal de c`tre rezisten\a echivalent` de numai 50
kΩ a divizorului. Era de a]teptat s` avem aceast` dificultate. Tranzistorul "m`re]te" de 100 de ori rezisten\a
echivalent` de sarcin` de 2.6 kΩ, aduc[nd-o la 260 kΩ dar divizorul de polarizare o scurtcircuiteaz` par\ial,
cobor[nd-o pe la 40 kΩ.
Valim Valim
+12 V +12 V
50 k RB1
25 k 2M
+
47 n F
3.3 µ F 5.4 V
0.47 µ F + + 3.3 µ F
F RB2 +
RE 2M 4.2 V
50 k 1.0 µ F
5.6 k RE
5.6 k

a) b)

Fig. 10.25.

Solu\ia discutat` [n textul acestui capitol este aplicarea metodei bootstrap. {njum`t`\im valoarea
rezistentelor din divizor (Fig. 10.25 a) ]i mai strecur`m o rezisten\` de 25 kΩ [n serie cu baza tranzistorului;
cu aceasta, baza vede spre mas` o impedan\` echivalent` de 50 kΩ ca ]i [nainte. Mai ad`ug`m ]i
condensatorul care s` lege emitorul cu punctul median al divizorului, o valoare de 1 µF este suficient` pentru
el. Nu mai avem dec[t s` leg`m capacitiv generatorul de semnal [n baza tranzistorului ]i circuitul este gata.
Cu el ne a]tept`m ca impedan\a echivalent` a circuitului de polarizare s` fie [n jur 100 ⋅ 25 kΩ = 2.5 MΩ
care nu mai scurtcircuiteaz` cei 260 kΩ care reprezint` impedan\a de intrare [n baza tranzistorului. Ajungem
la o impedan\` de intrare de aproximativ 250 kΩ; semnalul de ie]ire va fi acum

250 ( 250 + 10 ) ≅ 96 %

din semnalul generatorului, adic` 1.92 Vvv. Ne putem declara mul\umi\i.

Rezisten\a echivalent` a divizorului trebuie s` fie [n jur de β RE 10 . Dac` am avea un factor β mai
mare am putea lucra cu rezisten\e mai mari [n divizor ]i am putea m`ri impedan\a de intrare f`r` s` apel`m la
metoda bootsrap. {n loc s` c`ut`m un tranzistor cu factorul β mai mare, putem utiliza dou` tranzistoare [ntr-o
conexiune cunoscut` sub numele de Darlington (Fig. 10.25 b). Factorul β echivalent este produsul celor doi
factori individuali, dar primul tranzistor lucreaz` la un curent de repaus mai mic de 100 de ori dec[t cel de-al
doilea ]i nu va avea aici factorul β de 100 ci mai mic. Estim[nd c` acesta s-a mic]orat de 5 ori, ob\inem
factorul β echivalent egal cu 2000, de 20 de ori mai mare dec[t [n cazul unui singur tranzistor. Putem m`ri
corespunz`tor rezisten\ele din circuitul de polarizare, cresc[nd la 1 MΩ rezisten\a echivalent` a divizorului.
Astfel, impedan\a de intrare a repetorului ajunge la 200 kΩ ]i pe sarcin` vom ob\ine

200 ( 200 + 10 ) ≅ 95 %

din semnalul generatorului, adic` 1.90 Vvv.

 112 Electronic` - Manualul studentului

Prezen\a celor dou` jonc\iuni baz`-emitor produce un decalaj de 1.2 V [ntre baza lui T1 ]i emitorul lui
T2. Dac` \inem seama ]i c` divizorul de polarizare nu func\ioneaz` [n gol ]i curentul de baz` coboar` cam cu
o zecime poten\ialul punctului s`u median, ajungem la un poten\ial de numai 4.2 V [n emitorul lui T2. De]i
nu este la jum`tatea aliment`rii, este suficient de sus pentru excursia de +/- 1 V produs` de generatorul de
semnal. Deoarece sarcina este cuplat` capacitiv, trebuie s` fim aten\i la valoarea curentului de repaus. Cu
rezisten\a de 5.6 kΩ din emitor, acest curent va fi de 0.75 mA [n loc de 1 mA care era valoarea aleas` la
[nceput. Excursia de curent pe sarcin` este [ns` de numai +/- 0.21 mA a]a c` nu merit` s` modific`m
valoarea rezisten\ei (avantajul de a fi prev`zut o rezerv` [nc` de la [nceput !)
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 113

Probleme propuse
P 10.1. }i circuitul din Valim Valim
Fig. 10.26 a) ar putea fi numit
repetor de tensiune; el chiar are diod` cu siliciu
acela]i decalaj de 0.6 V [ntre in in in
poten\ialul ie]irii ]i cel al intr`rii ca out out 5V
]i repetorul pe emitor din desenul out
b). Care este, totu]i, diferen\a 1k 1k 1k
esen\ial` [ntre el ]i repetorul pe
emitor, diferen\` care [l [mpiedic`
s` [ndeplineasc` func\iile acestuia
din urm` ? a) b) c)
P 10.2. {n ce condi\ii Fig. 10.26.
defectuoase de func\ionare
repetorul pe emitor din desenul b) se comport` ca circuitul cu diod` din desenul a) ?
P 10.3. Tranzistorul din circuitul prezentat [n Fig. 10.26 c) are factorul β pe undeva pe la 200.
a) Estima\i impedan\a de intrare v`zut` privind [nspre baza tranzistorului.
b) C[t devine aceast` impedan\` dac` [n emitor se cupleaz` capacitiv o rezisten\` de sarcin` de
100 Ω ?
P 10.4. Repetorul din problema precedent` este excitat cu un generator de semnal av[nd rezisten\a
intern` de 10 kΩ.
a) Estima\i impedan\a de ie]ire v`zut` privind [nspre emitorul tranzistorului ?
b) C[t este impedan\a de ie]ire a etajului ?
c) De c[te ori scade amplitudinea semnalului de ie]ire la cuplarea capacitiv` [n emitor a unei sarcini de
100 Ω ? +20 V
P 10.5. Rezisten\a echivalent` a divizorului de polarizare
mic]oreaz` foarte mult impedan\a de intrare a repetorului pe emitor. O
solu\ie ar fi polarizarea bazei cu o surs` de curent care, a]a cum ]tim,
polarizare
ajunge la impedan\e de peste 1 MΩ. De ce crede\i c` aceast` solu\ie nu
este utilizat` ? (aminti\i-v` cele discutate la Cap. 8).
? out
P 10.6. Am realizat polarizarea repetorului pe surs` cu JFET cu o
RD
singur` rezisten\` legat` [ntre poart` ]i mas`. {ncerca\i s` rezolvati
polarizarea repetorului pe surs` construit cu un tranzistor NMOS cu canal
indus (Fig. 10.27), care are tensiunea de prag VTr = 2 V . Va fi necesar` Fig. 10.27.
utilizarea metodei boot-strap ?
P 10.7. Un stabilizator de tensiune cu diod` Zener are
+Vnestab. +Vstab.
rezisten\a dinamica de ie]ire egal` cu 10 Ω. Deoarece aceast`
valoare este prea mare, se conecteaz` [ntre el ]i sarcin` un
Z out repetor pe emitor (Fig. 10.28). Consider[nd c` tranzistrul are
R factorul β egal cu 50 (este un tranzistor de putere medie),
sarcina
VZ estima\i impedan\a de ie]ire a stabilizatorului perfec\ionat.
DZ P 10.8. Un senzor piezoelectric de presiune mecanic`
furnizeaz` un semnal cu amplitudinea de 1 V ]i o frecven\` [n
banda audio. Dorim s` ascult`m acest semnal cu un difuzor cu
impedan\a de 8 Ω; amplitudinea lui este suficient de mare dar
Fig. 10.28.
 114 Electronic` - Manualul studentului

impedan\a generatorului de semnal, care este senzorul, este de 1 MΩ. Ave\i la dispozi\ie tranzistoare bipolare
cu factorul β [n jur de 200. Ce solu\ie ve\i alege ?
P 10.9. Circuitul din Fig. 10.29 este utilizat pentru
eliminarea unui inconvenient al repetorului pe emitor, deranjant Valim
atunci c[nd prelucr`m semnale de curent continuu: decalajul dintre +12 V
poten\ialele intr`rii ]i ie]irii.
1k
a) Ce func\ie [ndepline]te tranzistorul T2 ? out
b) Explica\i cum este eliminat decalajul amintit [n textul in T1
problemei.
c) Miz[nd pe un factor β de 100 pentru fiecare tranzistor,
estima\i impedan\a de intrare a amplificatorului ]i impedan\a sa de T2
10 k
ie]ire.
d) Crede\i c` putem folosi acela]i truc ]i cu tranzistoarele cu
efect de c[mp ? C[t de eficient va fi acolo ?
P 10.10. C[nd am discutat aplicarea metodei bootstrap la Fig. 10.29.
circuitul de polarizare am f`cut doar o estimare grosier` a
impedan\ei echivalente a circuitului de polarizare. Nu este de loc dificil s` face\i un calcul serios, chiar
simbolic (literal). Relu`m schema circuitului (Fig 10.30 a) ]i construim o schem` echivalent` pentru varia\ii
(desenul b), a]a cum am mai f`cut la calculul impedan\ei de intrare f`r` bootstrap. Condensatoarele au
capacit`\ile suficent de mari pentru a putea fi [nlocuite cu scurtcircuite iar generatorul suplimentar modeleaz`
varia\iile de tensiune din emitorul "intern" E" al tranzistorului, varia\ii perfect identice cu cele de la intrare.
L[ng` generatoarele de tensiune alternativ` am desenat ]i semnul + care se refer` la sensul de referin\` al
tensiunii.
Valim
RB1 + Zin pol ib
CB 100 k v in ~ Zin RB3 Zin B
100 k
re E'
RB3 50 k M ie
v in ~ Vout
+
RB2 RB1 RB2 R E v in ~
CBS
100 k RE
10 k

a) b)

Fig. 10.30.

a) Calcula\i poten\ialul de curent alternativ al punctului M (utiliza\i teorema Milman ]i lucra\i [n

conductan\e nu [n impedan\e, pentru ca expresiile s` fie mai simple).
b) Cu poten\ialul punctului M calculat, determina\i curentul iRB3 care curge prin rezisten\a RB3 ]i
apoi impedan\a v`zut` privind [nspre circuitul de polarizare Zin pol = vin iRB 3 . Determina\i de c[te ori a
fost m`rit` aceast` impedan\` prin aplicarea metodei bootstrap, dac` tranzistorul lucreaz` la un curent de
1 mA.
c) Aplicarea metodei bootstrap modific` ]i impedan\a de intare Zin B v`zut` privind [nspre baza
tranzistorului. Pentru a-i calcula noua valoare determina\i mai [nt[i varia\iile ie curentului de emitor (care
str`bat rezisten\a dinamic` re ); \ine\i cont, apoi, c` varia\iile ib ale curentului de baz` sunt de β ori mai mici.
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 115

d) Cu c[t s-a modificat Zin B datorit` aplic`rii metodei bootstrap, dac` tranzistorul lucreaz` la un
curent de 1 mA ?
P 10.11. Proiecta\i un repetor pe emitor cu tranzistor NPN, alimentat de la 20 V. Sarcina are valoarea
de 100 Ω, trebuie cuplat` capacitiv, iar excursia de tensiune pe ea ajunge la 1 Vvv. Estima\i impedan\a de
intrare a repetorului, dac` tranzistorul are un factor de
amplificare β [n jur de 200. Propune\i o solu\ie pentru + VDD
m`rirea acesteia. 2.2 µF + 10 V
P 10.12. Repetorul proiectat la problema precedent` C G
T1
este excitat cu un generator de semnal av[nd impedan\a
intern` de 50 kΩ. Ce impedan\` de ie]ire vede sarcina ? T2
in
P 10.13. Tranzistorul JFET din repetorul de tensiune RG 100 µ F
3.3 M Ω RS
prezentat [n Fig. 10.31 are tensiunea de blocare de -2 V ]i out
620 Ω
curentul I DSS de 25 mA. Determina\i punctul static de
func\ionare. Indica\ie: porni\i de la valoarea cunoscut` a
tensiunii care cade pe rezisten\a RS ]i apoi neglija\i curentul RE
bazei lui T2 [n raport cu valoarea curentului de surs` al 5.1 k
tranzistorului T1; dac` nu v` mai aminti\i rela\ia
I D = I S = f (VGS ) , c`uta\i-o [n Capitolul 7.
P 10.14. Reproiecta\i circuitul din problema precdent` - V SS
- 10 V
(calcula\i noile valori necesare pentru rezisten\e) astfel [nc[t
fiecare din tranzistoare s` lucreze la un curent de 5 mA. C[t Fig. 10.31.
va fi impedan\a de ie]ire ?
 116 Electronic` - Manualul studentului

Lucrare experimental`

Experimentul 1. Repetorul pe emitor

Ave\i pe plan]et` un repetor pe emitor, realizar cu un tranzistor NPN (Fig. 10.32).

Valim
+12 V
R' RB1
1M
100 k
+
in C out
Cin RBT 100 k
+ + 100 µF
4.7 µ F

RB2 10 µ F RE Rs1 Rs2

100 k C BT 5.6 k 4.7 k 100 Ω

Fig. 10.32.
Dup` ce v-a\i desenat schema circuitului, alimenta\i plan]eta ]i determina\i punctul static de
func\ionare (regimul de repaus), adic` poten\ialul emitorului ]i, de aici, curentul de colector. Calcula\i
rezisten\a dinamic` re . Pute\i calcula acum amplificarea de tensiune (nu v` trebuie dec[t poten\ialul
emitorului ]i tensiunea termic` de 25 mV) ]i pute\i estima impedan\a de intrare (f`r` sarcin` suplimentar`),
miz[nd pe un factor β de 100. Cine dicteaz` p[n` la urm` impedan\a de intrare a etajului ?
a) Amplificarea
Cupla\i acum un generator de semnal sinusoidal la intrare, regla\i frecven\a [n jur de 1 kHz ]i
amplitudinea pe la 1 Vvv. Vizualiza\i cu un osciloscop evolu\ia poten\ialelor de baz` ]i de emitor ]i desena\i
pe caiet formele de und`. C[t este decalajul [ntre ele ?
M`sura\i acum cu aten\ie semnalul alternativ de intrare ]i semnalul de ie]ire (preferabil cu un
voltmetru digital) ]i calcula\i amplificarea de tensiune. Compara\i-o cu valoarea pe care a\i calculat-o din
punctul static de func\ionare.
b) Comportarea la semnal mare
Reduce\i la zero nivelul semnalului de la generator ]i vizualiza\i poten\ialul de repaus al emitorului cu
intrarea osciloscopului conectat` [n curent continuu. Cre]te\i apoi progresiv nivelul semnalului de la
generator ]i urm`ri\i dac` apar distorsiuni ale formei de und`. Desena\i forma de und` de la ie]ire [n situa\ia
[n care sesiza\i apari\ia distorsiunilor ]i g`si\i cauza lor.
c) Impedan\a de intrare
Pentru m`surarea impedan\ei de intrare ve\i utiliza un truc ce
ocole]te m`surarea direct` a curentului alternativ de intrare: ve\i intercala amplificator
vg R' vin
[ntre generatorul de semnal ]i intrarea amplificatorului rezisten\a R ′ , de in
valoare cunoscut`. Tensiunea la ie]irea amplificatorului va sc`dea, dar
m`ri\i nivelul de la generator astfel [nc[t amplitudinea la ie]ire s` fie tot pe ~ Z in
la 1 Vvv. M`sura\i acum tensiunea v g produs` de generator ]i tensiunea
vin la intrarea amplificatorului (Fig. 10.33). Aplica\i apoi regula de trei
simpl`: vin cade pe Zin [n timp ce v g − vin cade pe R ′ , de unde deduce\i
impedan\a de intrare. Compara\i-o cu valoarea estimat` a impedan\ei de
intrare [n baza tranzistorului, β RE . De ce aceast` impedan\a nu are valoare Fig. 10.33.
 Cap. 10. Repetoare de tensiune (pe emitor ]i pe surs`) 117

mare ?
d) Metoda bootstrap
Aplica\i acum metoda bootstrap, leg[nd condensatorul CBT la punctul comun al rezisten\elor de
polarizare ]i m`sura\i din nou impedan\a de intrare, prin metoda utilizat` anterior. Care a fost efectul aplic`rii
leg`turii boot-strap asupra impedan\ei de intrare ?
Aminti\i-v` acum c` voltmetrul care este osciloscopul are rezisten\a intern` de 1 MΩ. Am f`cut noi
bine c[nd am legat intrarea oscioloscopului [n paralel pe Zin ? Puteam s` evit`m m`surarea direct` a lui vin ?
(g[nd\i-v` c` circuitul investigat se cheam` repetor ]i c` la ie]ire impedan\a este mult mai mic`). Reface\i [n
acest mod determinarea experimental` a impedan\ei de intrare cu bootstrap.
e) Efectul sarcinii asupra impedan\ei de intrare
Conecta\i acum la ie]ire (prin intermediul condensatorului) rezisten\a de sarcin` de 50 Ω ]i aranja\i
nivelul la generator astfel [nc[t tensiunea pe sarcin` s` nu dep`]easc` 20 mVvv (sinusoida s` nu fie
distorsionat`). Relua\i, [n aceste condi\ii, m`surarea impedan\ei de intrare. Justifica\i noul rezultat ob\inut.
f) Impedan\a de ie]ire
Pentru m`surarea impedan\ei de ie]ire vom proceda [n felul
urm`tor. M`sur`m mai [nt[i tensiunea de iesire f`r` alt` sarcin` amplificatorZ vout
out out
suplimentar` ]i o not`m cu vout gol . Pentru a nu risca ie]irea din
domeniul de func\ionare liniar` atunci c[nd vom cupla sarcina,
~ vout gol
aranj`m nivelul de la generator astfel [nc[t tensiunea de ie]ire Rs
vout gol s` fie [n jur de 20 mVvv. Amplificatorul poate fi echivalat
printr-un circuit Thevenin, ca [n Fig. 10.34. Conect`m o rezisten\` de
sarcin` ]i m`sur`m noua tensiune de la ie]ire vout . Dup` regula de
vout gol − vout Zout
trei simpl`, trebuie s` avem = , de unde Fig. 10.34.
vout Rs
calcul`m impedan\a de ie]ire.
A\i conectat anterior generatorul de semnal (care are o impedan\` intern` mic`) direct la intrarea
amplificatorului ]i a\i m`surat impedan\a de ie]ire [n aceste condi\ii.
Repeta\i acest experiment dup` m`rirea (artificial`) a impedan\ei generatorului de semnal prin
conectarea [n serie cu el rezisten\a R ′ . M`sura\i din nou impedan\a de ie]ire. Formula\i o concluzie.

Experimentul 2. Repetorul pe + VDD

surs` 2.2 µF + 10 V
1M
CG

a) Repetorul cu un tranzistor JFET

Dac` [n circuitul de pe plan]et` (Fig. in MN
RG
10.35) legati [ntre ele punctele P ]i Q, ob\ine\i 100 µ F
3.3 M Ω 620 Ω out
un repetor pe surs` construit cu un tranzistor
JFET cu canal n. Desena\i-v` schema acestui P
amplificator ]i apoi alimenta\i plan]eta (v` Q R
Rs
trebuie dou` surse de alimentare). RE 220Ω
Excita\i amplificatorul cu un generator 10 k 5.1 k
de semnal sinusoidal de frecven\a [n jur de 1
kHz ]i aplitudine de aproximativ 1 Vvv ]i
- V SS
m`sura\i amplificarea sa de tensiune. Cobor[\i
- 10 V
apoi nivelul semnalului pe la 50 mVvv ]i
Fig. 10.35.
 118 Electronic` - Manualul studentului

determina\i impedan\a de ie]ire, ca [n experimentul precedent, utiliz[nd sarcina Rs , legat` prin condensator
[n sursa tranzistorului.
b) Repetor cu JFET ]i tranzistor bipolar
Desface\i leg`tura la rezisten\a de sarcin`, precum ]i cea [ntre punctele P ]i Q. Lega\i apoi [ntre ele
punctele P ]i R ]i apoi punctele M ]i N. A\i ob\inut un circuit identic cu cel discutat [n textul capitolului.
Desena\i-i schema ]i apoi verifica\i c` tranzistorul JFET se g`se]te aproximativ [n acela]i punct de
func\ionare ca [n experimentul precedent. Excita\i circuitul cu semnal sinusoidal ]i determina\i mai [nt[i
amplificarea repetorului cu JFET, m`sur[nd tensiunea alternativ` [n sursa tranzistorului. Compara\i aceast`
valoare cu cea m`surat` la punctul a) ]i justifica\i modificarea sa, [n ciuda faptului c` transconductan\a
tranzistorului a r`mas aceea]i, tranzistorul func\ion[nd la acela]i curent de dren`.
M`sura\i, apoi, impedan\a de ie]ire a repetorului construit cu cele dou` tranzistoare, utiliz[nd aceea]i
metod` ca [n experimentele precedente. Compara\i valoarea rezultat` cu cea ob\inut` la punctul a) pentru
repetorul pe surs`. Explica\i de ce ob\inem valori mult diferite de]i ambele tranzistoare sunt operate la acela]i
curent.
Comenta\i [mbun`t`\irea adus` prin utilizarea suplimentar` a unui tranzistor bipolar, argument[nd cu
valorile m`surate.
C[t crede\i c` va fi impedan\a de intrare ? Ave\i o rezisten\` de 1 MΩ pe care o pute\i intercala [ntre
generatorul de semnal ]i intrare, ca [n experimentul precdent. Determina\i, cu osciloscopul, tensiunea la
bornele generatorului iar tensiunea de intrare m`sura\i-o indirect, la ie]irea amplificatorului (unde tensiunea
este practic egal` cu cea de la intrare). De ce crede\i c` apare la ie]ire un semnal parazit de frecven\` 50 Hz ?