Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
RADIOCOMUNICAȚII
Chitu Daniel-Sebastian
Grupa 5405
AN UNIVERSITAR 2017-2018
PROIECTAREA ARFP
Să se proiecteze un etaj ARFP pentru semnale MF pe frecvența purtătoare f0=2,5MHz.
Utilizând un tranzistor de RF Q2N3866, proiectat in regim critic care să divizeze puterea utilă
Pu=0,1W pentru o rezistență de sarcină Rs=50Ω. Tensiunea de alimentare este de 15V.
Capacitatea parazită a 0sarcinii este Cs=100pF. La intrare se aplica un semnal MF având un
semnal vocal ca semnal modulator. Demodularea semnalului MF de la ieșirea montajului ARFP
se va face cu PLL.
Date proiectare :
-Ec=15 V
-Pu=0,5 W
-f0=2,5 MHz
-Rs=50 Ω
-Cs=100 pF
c 80
Ec 8 rsat
Vc 1 1 Pu
2 1( c) 2
Ec
rsat 10
Vc 11.225
Ic0 0.108
Ic1
Icmax
1( c)
Icmax 0.377
P0 Ic0 Ec
P0 1.619
Pu
P0
0.618
Vc
Rsnec
Ic1
Rsnec 63.003
12
C0 100 10
7.Circuitul de adaptare în π
1
Xg
2 f0 C0
Xg 159.155
Q 5
1
X2
Q 1
Rsnec XgRs
X3 Q Rsnec
XL Rs1 1 2
1
Rs 2
9 1 Q 1 22.853
X2C3
C2 13.684 2 1 QQ Rsnec
9 1.163 110
X3
11.284
Q
C3 12Rsnec
1.41 f0 X2
10
X3
XL 7
L2 3.637 10
2 f0
12
C 100 10
1 1
L
2 2 C
( f0 ) ( 2 )
6
L 2.533 10
V
0 0 0
V
15.00V
C C1 L2
I
1 2 OUT
220n 0.3637u
C6 Q1
B
0V 0V Rs
0V
Q2N3866
220n 50
I1 1.437nV
IOFF = 0 E
0 0 0 0 0
0V
Rezultatele simulării
Am afișat radamentul, puterea, curentul pe colectorul tranzistorului(IC(Q1)) și tensiunea de
ieșire( V(OUT)
61.37
61.36
100*(rms(V(out))*rms(I(Rs)))/(V(Ec:+)*avg(-I(L1)))
30V
20V
10V
V(c)
1.1148W
1.1146W
1.1144W
rms(V(out))*rms(I(Rs))
400mA
0A
-400mA
IC(Q1)
20V
SEL>>
-20V
198.41us 198.60us 198.80us 199.00us 199.20us 199.40us 199.60us 199.80us 200.00us
V(OUT)
Time