Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
PROIECT
DE
SPECIALITATE
2007
MINISTERUL EDUCAŢIEI ŞI CERCETĂRII
Grupul Şcolar “Vasile Sav”,
Roman
PROIECT
DE
SPECIALITATE
2007
2
Grupul Şcolar “Vasile Sav”, Roman
Catedra de Cultură Tehnică
Notă:
Termenele de evaluare parţială a elaborării lucrării sunt:
- prima săptămână a fiecărei luni începând cu luna noiembrie.
- programul de consultaţii în vederea elaborării proiectului săptămânal este marţi şi
miercuri între orele 14-16.
3
CUPRINS
Argument ______________________________________________________________ 5
Tranzistoare unipolare (cu efect de câmp)____________________________________ 6
Clafificarea TEC _______________________________________________________________ 6
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J)__________________________ 7
Funcţionarea TEC-J cu canal de tip „p”____________________________________________ 8
Funcţionarea TEC-J cu canal de tip „n”____________________________________________ 10
Principalii parametrii folosiţi pentru TEC-J în conexiunea sursă-comună_________________ 12
Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)______________________ 15
Tetroda TEC-MOS______________________________________________________________ 18
Aplicaţii ale TEC______________________________________________________________ 20
Comutatoare analogice___________________________________________________________ 20
Atenuatorul controlat____________________________________________________________ 22
Aplicaţii ale TEC-J______________________________________________________________ 23
Aplicaţii ale TEC-MOS___________________________________________________________ 27
Protecţia muncii_______________________________________________________________ 28
ANEXE_______________________________________________________________________ 30
Bibliografie____________________________________________________________________ 35
4
ARGUMENT
5
TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP)
6
câmp poate fi vazut în ANEXA 1, FIG 1. Din cauza joncţiunii porţii care trebuie sã fie
întotdeauna invers polarizatã, tranzistoarele TEC-J (cu poartã joncţiune) nu pot fi realizate
decât cu canal iniţial. Tranzistoarele cu poartã izolatã pot avea oricare dintre aceste tipuri de
canale, dar cele cu canal iniţial nu au decât câteva aplicaţii particulare. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p.
Un tranzistor de tip TEC-J este format dintr-un bloc semiconductor, de anumit tip, p sau
n. În extremităţile acestui bloc se depun două contacte ohmice numite sursa (S), şi respectiv
drenă (D). În zona centrală dintre sursă şi drenă se formează prin impurificare o regiune de tip
opus blocului semiconductor, al cărei contact metalic se numeşte poartă (P). O zonă de acelaşi tip
ca şi al porţii (un substrat) se creează de cealaltă parte a blocului semiconductor, contactul
corespunzător fiind numit bază (B). Electrozii porţii şi bazei sunt legaţi electric între ei (FIG. 1).
Prin aplicarea unei surse de alimentare între sursă şi drenă prin canalul de trecere
format între ele şi mărginit de regiunile porţii şi bazei, circulă purtătorii majoritari de tipul
corespunzător blocului semiconductor central (goluri în cazul blocului p, electroni pentru blocul
de tip n). Datorită formării acestui canal, tranzistoarele cu efect de câmp, cu bloc central de tip p
se numesc cu „canal de tip p” iar cele de tip n , cu „canal de tip n”. În cazul primei categorii, de
tip p, tensiunea de alimentare se aplică cu polul pozitiv pe sursă şi negativ pe drenă, iar la cele cu
canal de tip n, cu polul negativ pe sursă şi cel pozitiv pe drenă. Deci, polarizarea sursei
corespunde tipului blocului central.
Fenomenele ce apar într-un TEC-J sunt asemănătoare la cele două tipuri, dar curentul
este dat de purtătorii diferiţi: de goluri – la tipul p şi de electroni – la tipul n.
7
FUNCŢIONAREA TEC-J CU CANAL DE TIP „P”
9
1. Dacă se păstrează tensiunea de poartă constantă, variind tensiunea de drenă au loc
fenomenele descrise anterior. Caracteristica curent-tensiune este reprezentată in FIG.
2.a. Se observă că regiunea de saturaţie apare la o tensiune de drenă mai mică şi că pe
măsură ce creşte tensiunea negativă pe poartă, scade valoarea curentului de drenă
corespunzător aceleiaşi tensiuni de drenă. Mărind tensiunea de drenă peste o anumită
valoare, curentul prin tranzistor creşte brusc, datorită apariţiei fenomenului de
multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină.
2. În cazul în care se urmăreşte variaţia curentului de drenă la variaţia tensiunii de
poartă, pentru o anumită valoare a tensiunii de drenă, se obţin caracteristicile
reprezentate în FIG. 2.b. În cazul când tensiunea de poartă este zero, curentul este
maxim. Valoarea acestui maxim este cu atât mai mare cu cât tensiune de drenă este
mai mare. La creşterea tensiunii de poartă, datorită polarizării inverse puternice,
regiunile de trecere se măresc şi curentul scade până la zero, când regiunile de trecere
se ating.
11
În FIG. 5.a. sunt reprezentate regiunile liniare, de cot şi de strangulare pentru
caracteristica V PS = 0 . În aceeaşi figură se vede că prelungirile caracteristicilor din regiunea de
strangulare intersectează axa absciselor în acelaşi punct, dar de semn contrar: V DS = V B ; valorile
tipice ale V B sunt de ordinul a -100V.
ID
Conductanţa statică de ieşire g OS este definită prin g OS =: . Definită într-un punct
VDS
Q(V DS , I D ) din planul caracteristicilor de ieşire, ea reprezintă panta dreptei OQ.
Rezistenţa statică de ieşire rOS este inversa conductanţei g OS . În aplicaţiile TEC (TEC-J,
TEC-MOS) prezintă interes valorile minimă şi maximă ce se pot obţine pentru rOS , notate
respectiv rOS on şi rOS off . Valoarea minimă se obţine în regiunea liniară şi este cuprinsă între 2 şi
1000 Ω , iar cea maximă în regiunea de blocare şi este cuprinsă între 10 8 şi 10 12 Ω .
∂i D
Conductanţa diferenţială de ieşire g os este definită prin: g os =: | v PS = const. Definită
∂v DS
în punctul Q(V DS , I D ) al caracteristicii de ieşire de parametru v PS = V PS , ea reprezintă panta
acelei caracteristici în punctul Q.
12
Rezistenţa diferenţială de ieşire ros este inversă conductanţei g os .
În aplicaţii prezintă interes valorile rezistenţei diferenţiale de ieşire în regiunile rectilinii
ale caracteristicilor statice de ieşire: regiunea liniară şi regiunea de strangulare. În interiorul
oricăreia dintre ele ros este constantă pentru o caracteristică de ieşire dată. Valorile ei tipice sunt
de ordinul 100 kΩ în regiunea de strangulare.
Transconductanţa diferenţială cu ieşirea în scurtcircuit (pentru variaţii de semnal, numită
∂i D
şi panta TEC-J, este definită prin: g m =: | v DS = const .
∂v PS
Definită în punctul Q (V DS , I D ) al caracteristicii de transfer de parametru v DS = V DS , ea
reprezintă panta acelei caracteristici în punctul Q. Domeniul de valori uzuale ale g m este
cuprins între 0,1 şi 10 mS.
∂i D
Aplicând definiţia g m =: | v DS = const , obţinem expresia transconductanţei diferenţiale în
∂v PS
aceeaşi regiune.
I DSS v PS
g m = −2 1 − dacă v DS ≥ v DS cot .
VP VP
13
Ea variază liniar cu v PS , nu este
negativă pentru valorile permise ale v PS
− 2 I DSS
şi are valoarea maximă g mss =
VP
pentru v PS = 0 (FIG. 6.b.). La un TEC-J
cu I DSS = 1 mA şi V P = -2V obţinem
g mss = 1 mS.
Se poate demonstra teoretic că
parametrii TEC-J au următoarea
proprietate interesantă:
Transconductanţa diferenţială în
regiunea de strangulare este egală cu
conductanţa diferenţială de ieşire în regiunea liniară şi deci cu conductanţa statică de ieşire în
regiunea liniară, pentru o valoare dată a tensiunii v PS :
g m | v DS ≥ v DS cot = g os | v DS << v DS cot = g OS | v DS << v DS cot .
Deoarece curentul prin tranzistor este comandat de tensiunea de poartă prin extinderea
regiunilor de trecere polarizate invers, rezultă că impedanţa de intrare a tranzistorului este de
ordinul rezistenţelor inverse dintre bază-colector, adică de ordinul sutelor de kΩ sau chiar MΩ .
Curentul de intrare al TEC-J este foarte mic, de ordinul 10 −9 ÷ 10 −12 A .
14
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU POARTĂ
IZOLATĂ(TEC-MOS)
15
Pentru exemplificare s-a ales un tranzistor cu canal de tip p.
Într-un substrat de semiconductori de tip n se creează prin impurificare două regiuni de
tip p, sursă (S) şi drenă (D), separate între ele şi având fiecare câte un contact metalic. Pe
substratul de tip n , aflat între cele două regiuni p, se depune un strat izolant de dioxid de siliciu,
apoi se scoate contactul metalic P al porţii.
Datorită succesiunii straturilor de metal, oxid şi semiconductor care formează poarta,
tranzistorul se numeşte MOS. În circuit se aplică o tensiune sursă-drenă, cu polul pozitiv pe
sursă şi cel negativ pe drenă.
Comportarea acestui tranzistor se studiază în trei situaţii:
a) Cu poartă nepolarizată (liberă);
b) Cu poarta legată la sursă;
c) Cu poarta polarizată separat;
a) În acest caz poarta nu este polarizată (pe ea nu se aplică nici o tensiune). În circuit nu
apare curent de drenă, deoarece nu există continuitate (circuitul nu este închis), regiunile
p fiind separate de un strat n.
b) Se circuitează poarta de la sursă , deci la polul pozitiv al tensiunii de drenă E D . Se
constată că nici în acest caz nu există curent de drenă, deoarece drena fiind legată la polul
negativ al sursei E D , joncţiunea schemei este polarizată invers, deci împiedică poate mai
mult închiderea circuitului.
c) Dacă se aplică o tensiune de polarizare E P cu polarizarea din FIG. 8., structura MOS se
comportă ca un condensator plan, elementele lui fiind:
• Pelicula exterioară şi substratul n – reprezintă cele 2 armături;
16
• Stratul de dioxid de siliciu – reprezintă dielectricul dintre plăci
Pe contactul metalic, care reprezintă una din plăci, apar sarcini negative, ceea ce
determină ca, prin influenţă electrostatică, pe cealaltă placă, adică în substrat, să apară sarcini
pozitive. Fenomenul de influenţă electrostatică provoacă respingerea electronilor majoritari din
straturile superficiale ale semiconductorului de tip n şi concentrarea de goluri în locul lor. Apare
astfel o inversiune locală a tipului semiconductorului; se spune că se induce un canal de tip p
între sursa şi drena semiconductorului de tip n.
Prin acest canal începe să treacă curent între regiunile de tip p ale sursei şi drenei.
Curentul de drenă apare numai atunci când tensiunea de poartă E P depăşeşte o anumită valoare
de prag U pr .
Trasarea variaţiei curentului prin tranzistor se face în două cazuri (FIG.9.a. şi FIG.9.b.):
• În funcţie de variaţia tensiunii de drenă, prin valori constante ale tensiunii de
poartă E P (caracteristici de ieşire);
• În funcţie de variaţia tensiunii de poartă E P , pentru valori constante ale tensiunii
de drenă E D (caracteristici de transfer).
17
Se observă în caracteristicile de transfer (FIG.9, b)creşterea curentului odată cu creşterea
tensiunii de poartă E P , atunci când tensiunea de drenă E D se menţine constantă. De asemenea,
se constată că, la variaţia tensiunii de drenă E D , menţinând E P constant, apare o saturaţie a
curentului de drenă asemănătoare celei de la tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune.
Datorită principiului său de funcţionare, tranzistorul MOS descris se numeşte cu canal
indus. El este cel mai răspândit tip de TEC. Simbolul TEC-MOS este reprezentat în FIG. 10.
Deoarece funcţionarea sa se bazează pe mărimea locală a concentraţiei de purtători
minoritari, se spune ca TEC-MOS cu canal p indus funcţionează în regim de îmbogăţire, ceea ce
constituie una din deosebirile existente între cele două tipuri de TEC.
Alte deosebiri constau în faptul că, la TEC-MOS, curentul de drenă creşte la mărirea
tensiunii de poartă, cu aceeaşi tensiune aplicată între drenă şi sursă, respectiv I D = 0 pentru
I p = 0 şi creşte cu E p .
Asemănările între cele două tipuri de TEC (TEC-J, respectiv TEC-MOS) sunt:
18
Un dezavantaj al TEC-MOS este fragilitatea lui faţă de apariţia unor tensiuni accidentale
de poartă. Grosimea foarte mică a stratului de dioxid de siliciu impune ca tensiunile între poartă
şi ceilalţi electrozi să nu depăşească anumite valori, de ordinul zecilor de volţi. Cum capacitatea
depunerii metalice a porţii faţă de ceilalţi electrozi este foarte mică (de ordinul 10 −12 ), sarcini
extrem de mici, accidentale ( 10 −10 C) pot determina tensiuni de ordinul 10 2 V care pot distruge
tranzistorul. Din această cauză, în utilizarea TEC-MOS trebuie luate precauţii speciale , de
punere la masă a tuturor elementelor cu care iau contact (ciocan de lipit, masă de lucru, chiar
operatorul), iar în timpul transportului şi manipulării, cei doi electrozi se scurtcircuitează între
ei.
TETRODA TEC-MOS
Tetroda TEC-MOS reprezintă o formă specială de transistor MOS cu canal n. Are două
porţi plasate una după alta. Amplificarea este mare şi zgomotul mic, fiind recomandată a fi
utilizată în domeniul FIF şi în special UIF. În FIG. 11. se prezintă simbolul şi schema de
conectare într-un etaj ARF-FIF.
19
Impedanţa de sarcină, care este filtrul de bandă acordat cu diode varicap, se conectează
în c.a între drenă şi sursă. Semnalul de RF se aplică pe poarta G1 care este polarizată la +4,5V
cu ajutorul divizorului R1 , R2 (FIG. 11. a).
Tensiunea de RAA se aplică similar ca la un tranzitor PNP pe poarta G2 iar sursa S este
polarizată extern prin R3 , R4 .
În situaţia fără semnal avem : U G2 = 9V , U S = 4,5V , U G2 S = 9 − 4,5 = 4,5V .
La semnalul maxim admis tensiunile sunt : U G2 = 1V , U S = 3V , U G2 S = 1 − 3 = −2V .
Curentul de lucru al tetrodei variază de la circa 8 mA în situaţia fără semnal, până la 0
mA la semnal maxim. Variaţia de amplificare este de peste 40 dB.
Tipurile reprezentative de tetrode TEC-MOS sunt : BF 907, BF 910, BF 960, BF 961.
În concluzie, menţionez un aspect de ordin practic legat de utilizarea tranzistoarelor
MOS. Datorită impedanţei foarte mare de intrare, există riscul de străpungere al stratului de
oxid (rezistă până la circa 100V) prin acumulări de sarcini electrostatice mari. De aceea,
stocarea se face în cutii din material conductor electric astfel ca toate terminalele să fie
scurtcircuitate împreună.
Când se repară circuite în care exista tranzistore MOS, ciocanele de lipit trebuie să fie
conectate la pământ (împământare). Unele tipuri, cum ar fi BF 960, BF 961 sunt prevăzute cu
circuite interne limitatoare a suprasarcinilor (FIG. 11, b)
20
APLICAŢII ALE TEC
1. Comutatoare analogice
De foarte multe ori trebuie să fie întreruptă şi apoi să fie restabilită aplicarea unui
semnal (tensiune variabilă în timp) la bornele unei sarcini. Curenţii şi puterile implicate sunt
mici dar curentul este alternativ, trebuind să circule prin sarcină în ambele sensuri. Se poate
rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca în FIG. 12 a). Când contactul este făcut,
comutatorul are rezistenţa , iar pe sarcină ajunge fracţiunea din semnalul
aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). Întrerupând contactul, comutatorul prezintă o
rezistență foarte mare, astfel încât pe sarcină tensiunea este practic nulă. Deşi au rezistenţa
extrem de mică, comutatoarele mecanice sunt lente şi nu pot fi comandate electronic decât
prin complicarea dispozitivului (releu electromagnetic).
Pentru această aplicaţie nu se poate folosi un tranzistor bipolar deoarece tensiunea între
colector şi emitor nu coboară la zero fiind limitată la tensiunea de saturaţie, iar tranzistorul nu
se comportă ca un rezistor ohmic.
Încercând cu un tranzistor MOS, care nu are joncţiuni între poartă şi canal (FIG. 12.b)
presupunem că tensiunea sursei de semnal evoluează între -5 V şi + 5 V iar rezistenţa de sarcină
are valoarea ; astfel, curentul prin sarcină evoluează între -0.1 mA și +0.1 mA. Drept
comutator utilizăm un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea
oferă o rezistenţă drenă-sursă de 200 W şi un curent . Pentru el, tensiunea de
prag garantată de fabricant este de cel mult 2 V.
Legăm substratul la un potenţial mai coborât decât orice potenţial din circuit, de exemplu
-10 V şi aranjăm să putem comuta potenţialul porţii între - 10 V și +10 V. Cu poarta legată la -10
V, potenţialul acesteia este în orice moment mai coborât decât potenţialele drenei şi sursei, care
pot fi aduse de către sursa de semnal numai până la - 5V (FIG. 13 a). În aceste condiţii,
tranzistorul este tot timpul blocat, rezistenţa între drenă şi sursă având valori imense, de ordinul
GW. Rezultă, astfel, că tensiunea care ajunge pe sarcină este practic nulă; de fapt, prin
capacitatea parazită existentă între drenă şi sursă o anumită tensiune ajunge totuşi pe sarcină.
21
FIG. 13. Funcţionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul
în conducţie cu tensiunea de intrare -5 V (b) şi tranzistorul în conducţie cu tensiunea de intrare
+5 V (c).
.
Cum rezistenţa de sarcină are 50 kW, pe sarcină ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de
intrare.
În cealaltă situaţie, tensiunea semnalului este de +5 V și tensiunea poartă-sursă scade la
+5 V, ca în desenul c) al figurii. Acum, rezistenţa tranzistorului este de 530 W şi pe sarcină
ajunge 98.9 % din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o uşoară distorsionare a semnalului, de
aproape 0.9 %, datorită variaţiei rezistenţei comutatorului. Verificăm, în final că tranzistorul
rămână în regiunea de rezistenţă controlată. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii
drenă-sursă; este exact valoarea tensiunii care nu ajunge pe sarcină, adică între 0.2 % și 1.1 %
din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV ! Tranzistorul este, cu siguranță, în
regiunea de rezistenţa controlată.
Conform desenelor b) şi c) ale figurii 13, constatăm că drena şi sursa îşi inversează
rolurile între ele. De fapt, la un tranzistor cu efect de câmp, drena şi sursa sunt echivalente la
curent continuu şi pot fi interschimbate; ele diferă numai la curent alternativ, drena având o
capacitate mai mică față de poartă.
Comutatorul prezentat mai sus are însă un dezavantaj major: tensiunea semnalului nu se
poate apropia prea mult de tensiunea de alimentare pozitivă, altfel nu ar mai rămâne o tensiune
suficientă pentru menţinerea deschisă a tranzistorului. Soluţia constă în utilizarea unui
comutator cu două tranzistoare MOS complementare (CMOS -complementary MOS), adică
unul cu canal n şi unul cu canal p, ca în FIG. 14.
Ca să blocăm ambelor tranzistoare este suficient să aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS şi la +5 V poarta tranzistorului PMOS. Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizează un inversor logic, care oferă la ieşirea sa nivelul continuu de -5 V când
intrarea sa este la +5 V şi invers.
22
FIG. 14. Comutator analogic CMOS.
Atunci când semnalul trebuie să treacă prin comutator, poarta tranzistorului NMOS este
menţinută la alimentarea pozitivă iar poarta tranzistorului PMOS este adusă la alimentarea
negativă. Dacă semnalul se apropie de +5 V, tranzistorul NMOS se blochează, dar se deschide
puternic tranzistorul PMOS. Din contră, când semnalul se apropie de -5 V, situația este
inversată şi tranzistorul NMOS este cel care conduce.
Comutatoare analogice CMOS sunt disponibile ca circuite integrate. Astfel, circuitul
4066 conţine patru asemenea comutatoare independente. La o alimentare cu -5 V şi +5 V,
rezistenţa în starea ON a comutatorului este aproximativ 75 W și nu variază cu mai mult de 20
W deşi semnalul poate evolua pe întregul interval dintre potenţialele alimentărilor. Pentru
aplicaţii profesionale, comutatoarele AD7510 sau cele din seria 1H5140 oferă, la o alimentare de
5 V, o rezistență sub 100 W, variaţia sa fiind redusă la un raport 1:1.25.
În circuitele cu tranzistoare TEC se obişnuieşte să se noteze potenţialul cel mai ridicat al
alimentării cu iar potenţialul cel mai coborât al alimentării cu . Astfel, în circuitul din
FIG. 14, şi pentru că avem o alimentare simetrică faţă de masă.
Circuitul funcţionează însă şi cu o singură sursă de alimentare, adică cu şi
.
În aceeaşi tehnologie CMOS se realizează circuite integrate logice (digitale) în care
semnalul nu poate avea decât două stări, starea HIGH (de potenţial ridicat) şi starea LOW (de
potenţial coborât). Circuitele digitale CMOS depăşesc ca performanţe (viteză, consum de putere
mic, imunitate la zgomot, etc.) circuitele digitale cu tranzistoare bipolare şi le înlocuiesc treptat
în aparatura proiectată astăzi.
2. Atenuatorul controlat
23
FIG.15. Atenuator cu divizor rezistiv (a) şi atenuator cu tranzistor TEC-J (b).
.
Pe de altă parte, când tensiunea de control, negativă, ajunge la tranzistorul este blocat
şi pe sarcină ajunge întregul semnal de intrare. La frecvenţe mari se produce, totuşi, o atenuare
datorită capacităţii tranzistorului.
Pentru a apropia şi mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate
utiliza adunarea, peste tensiunea de control, a cantităţii ca în FIG.15 c). Chiar şi cu acest
truc, amplitudinea semnalului nu poate fi mai mare de câteva zecimi de volt, altfel acesta va fi
distorsionat de dependenţa neliniară .
Experimentul 1.
Experimentul 2.
Circuitul din ANEXA 3, FIG.5 permite o verificare simplă pentru comportarea TEC-J ca
rezistenţă comandată în tensiune. Circuitul reprezintă un divizor al semnalului u i într-un raport
controlat prin tensiunea continua U. Dacă se notează cu R = R(U) rezistenţa echivalentă între
sursă şi drenă, se poate scrie:
u ieş R (U )
= (1.1)
ui R1 + R (U )
Rezistenţa R1 se alege între câteva sute de ohmi şi 100 kΩ , pentru un bun compromis
între rezistenţa de intrare ( Rin = R1 + R( u ) ) şi raportul de divizare (1.0). În unele aplicaţii, pentru
a obţine o atenuare maximă, tensiunea de control U poate fi uşor pozitivată.
(1.2) cu caracteristica de transfer a TEC-J (v. ANEXA 3, FIG. 6.). Analitic, soluţia se obţine din
rezolvarea sistemului format din ecuaţiile (1.2) si (1.3).
U
I D = I DSS 1 − GS pentru V P < U GS < 0 (canal n). (1.3)
VP
25
Exemplu
Presupunem că pentru TEC-J utilizat în circuitul din ANEXA 3, FIG. 6. s-au măsurat
parametri: V P = −3V ; I DSS = 10mA . Înlocuind U GS din (1.2) în relaţia (1.3) se obţine o ecuaţie de
gradul doi cu soluţiile I D1 ≈ 0,47 mA şi respectiv I D 2 ≈ 0,77mA . Tensiunea grilă-sursă
corespunzătoare este U GS 1 = −2,35V , respectiv U GS 2 = −3,85V .
Evident, perechea a doua de valori este o soluţie falsă, deoarece pentru U GS 2 < V P
curentul de drenă este nul. Reţinem că soluţie adevărată valorile I D0 = 0,47mA ; U GS = −2,35V .
0
Experimentul 3.
Realizaţi circuitul din FIG. 6, ANEXA 3 folosind un tranzistor BFW-10. Fixaţi E D = 15V
VS
şi R D = 0 . Măsurând potenţialele VD şi VS se poate determina PFS: U DS = V D − VS ; I D =
0 0
;
RS
0
U GS = −VS .Creşteţi apoi rezistenţa RD până când potenţialul VS scade cu câte 0,1 V. Determinaţi
de fiecare dată PFS al tranzistorului. Stabiliţi valoarea tensiunii U DS pentru care curentul
I D incepe să scadă rapid la scăderea tensiunii U DS .
Comparaţi această valoare cu U DSsat . Considerând două PFS in regiunea de saturaţie, se
∆V D
poate determina rezistenţa internă a sursei de curent constant: R = . De exemplu, dacă s-au
∆I D
măsurat perechile de valori ( V D = 15V ; VS = 2,5V ) şi ( V D = 4V ; VS = 2,3V ), rezultă R = 275kΩ .
Repetaţi experimentul pentru RS = 1kΩ . Trageţi concluzii privind calitatea sursei de curent
constant si rolul rezistenţei RS .
Schema unui amplificator cu TEC-J se prezintă in ANEXA 4, FIG. 7,a. Deşi rezistenţa RG
are valori uzuale mari ( 1MΩ.....10 MΩ ), căderea de tensiune pe ea este neglijabilă. Astfel,
26
tensiunea U GS are tot expresia (1.2). Pentru valori date ale rezistenţelor şi cunoscând parametrii
V P şi I DSS , se
poate calcula PFS al tranzistorului.
Exemplu
Presupunem date valorile: RG = 10 MΩ ; RS = 0,2kΩ ; R D = 1,2kΩ ; E D = 15V ; V P = −4V ;
I DSS = 10mA . Din (1.2) si (1.3) se obţine ecuatia I D2 − 80 I D + 400 = 0 . Se reţine soluţia adevărată
(fizic posibilă): I D0 ≈ 5,36mA . Rezultă U GS ≈ −1V . PFS este fixat in regiunea de saturaţie,
0
Experimentul 4.
27
respectiv C 2 = 1nF . Comparaţi rezultatele empirice cu valorile teoretice (rel. 1.7 şi 1.8). Aplicaţi
semnale de intrare de amplitudini diferite şi apreciaţi calitativ distorsiunile de neliniaritate ale
amplificatoarelor cu TEC-J, respectiv cu tranzistor bipolar.
Cele prezentate pentru TEC-J cu canal n sunt valabile şi pentru TEC-J cu canal p, cu
observaţia că rolul electronilor ca purtatori de sarcină este preluat de goluri şi în consecinţă
sensurile pentru tensiuni şi curenţi sunt inversate.
Experimentul 1
Alegeţi unul dintre inversoarele CMOS din integratul MMC 4069 (de exemplu cel cu
intrarea la pinul 1). Conectaţi la masă toate intrarile neutilizate (3, 5, 9, 11, 13). Folosiţi
tensiunile de alimentare : E D = 5V ; E S = 0V . Pentru ridicarea caracteristicii statice de transfer
u y = f (u A ) , fixaţi pentru u A valori constante in domeniul (0 ...... 5 V) şi citiţi de fiecare dată
tensiunea de ieşire. Puteţi folosi un potenţiometru R P = 10kΩ (v. ANEXA 5, FIG. 9, d) sau o sursă
care permite reglarea fină a tensiunii continue (de exemplu E 4109). Observaţi că dacă fixaţi
u A in zona a III-a din ANEXA 5, FIG. 9, b, micile fluctuaţii inerente ale tensiunii u A determină
variaţii mari ale tensiunii u y . Reprezentaţi caracteristica pe hârtie milimetrică şi comparaţi-o cu
cea din ANEXA 5, FIG. 9, b.
Pentru a testa comportarea dinamică., aplicaţi la intrarea inversorului o undă
rectangulară cu niveluri TTL. Vizualizaţi la un osciloscop cu două spoturi (în modul
ALTERNATE) semnalele u y şi u A . Reprezentaţi formele de undă la o frecvenţă f = 1 kHz.
Creşteţi apoi frecvenţa la (800 . . . 900) kHz şi determinaţi timpii de ridicare şi de coborâre ai
tensiunii u y .
Experimentul 2
Alegeţi unul dintre comutatoarele bilaterale din integratul MMC 4066 (v. ANEXA 5, FIG.
10). Folosifi E D = +5V ; E S = −5V . Aplicaţi la intrare un semnal sinusoidal cu ampliludine de 1-
3V vârf la vârf şi f=1 kHz.
Conectaţi pe rând intrarea de control la +5 V, respectiv la masă şi observaţi tensiunea pe
rezistenţa R = 100kΩ . Aplicaţi apoi la intrarea de control o unda rectangulara TTL cu
frecvenţa100 Hz si vizualizaţi trenul de impulsuri de la ieşire.
Pentru a măsura rezistenţa in conducţie( RCMOS ) a comutatorului bilateral, inversaţi
intrarea cu masa in circuitul din ANEXA 5, FIG. 10,d şi folosiţi R = 1kΩ (explicaţi necesitatea
acestor modificări). Aplicaţi +5V la intrarea de control si determinaţi RCMOS cu relaţia divizorului
de tensiune
28
PROTECŢIA MUNCII
Observaţii:
În afară de mijloacele de protecţie menţionate, la nivelul plăcilor si aparatelor (mai ales
microprocesoare si calculatoare) se utilizează uneori şi o protecţie de tip soft. O astfel de
protecţie constă în a utiliza la intrare o poartă ŞI-NU la care una din intrari este mereu baleiată
cu un semnal “paznic” preluat de la ceasul microprocesorului. Cealaltă intrare a porţii este
rezervată semnalului util; când pe aceasta apare o descarcare DES (descărcare electrostatică) se
declanşează un program care face ca întreaga structură hard sa fie deconectată faţă de intrare.
Soluţia are dezavantajul că, atunci când DES este puternică, se distruge aceasta poartă
“paznic”. Există si alte soluţii.
O măsură suplimentară de protecţie la manipularea plăcilor cu mare densitate de
componente, cum sunt plăcile de bază, constă în a le trata cu un spray antistatic înainte de a
pune mana pe ele.
Alte precauţii:
30
ANEXE
ANEXA 1
31
ANEXA 2
32
ANEXA 3
33
ANEXA 4
34
ANEXA 5
35
BIBLIOGRAFIE
36
1. Dănilă T., Ionescu-Vaida M., - Componente şi circuite electronice – Ed.
Didactică şi Pedagogică, Bucureşti 1997
2. Sabin I., Munteanu R., - Introducere practică în electronică – Ed. Facla,
Timişoara 1985
3. Găzdaru C., Constantinescu C. - Îndrumar pentru electronişti (Radio şi
Televiziune) vol. 1- Ed. Tehnică, Bucureşti 1986
4. http://www.scoala.fxhigh.com
37