Sunteți pe pagina 1din 37

MINISTERUL EDUCAŢIEI ŞI CERCETĂRII

Grupul Şcolar “Vasile Sav”,


Roman

PROIECT
DE
SPECIALITATE

pentru examenul de certificare


a competenţelor profesionale
Filiera: Tehnologică
Profilul: Tehnic
Specializarea: Tehnician în automatizări

Elev: Profesor Îndrumator:


Lovin Ştefan Prof. Ing. Vlăduţ
Lăcrămioara

2007
MINISTERUL EDUCAŢIEI ŞI CERCETĂRII
Grupul Şcolar “Vasile Sav”,
Roman

PROIECT
DE
SPECIALITATE

TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP

Elev: Profesor Îndrumator:


Lovin Ştefan Prof. Ing. Vlăduţ
Lăcrămioara

2007
2
Grupul Şcolar “Vasile Sav”, Roman
Catedra de Cultură Tehnică

Cerinţe minimale legate de structura proiectului


de specialitate

Proiectul de specialitate trebuie să conţină următoarea structură:

1. Titlul proiectului pentru atestarea competenţelor profesionale;


2. Argumentul proiectului, desfăţurat pe 1-2 pagini: se încadrează problema aflată în
studiu, în problematica generală a domeniului de pregătire profesională, punându-se în
evidenţă importanţa temei în domeniul general al pregătirii tehnicii de specialitate;
3. Cuprinsul propriu-zis al lucrării: va fi dezvoltată şi structurată tema lucrării şi
acolo unde este cazul vor fi incluse norme de securitate a muncii specifice, calculul
tehnico-economic (unde este cazul), studii de eficienţă, exemple practice, sau studii
teoretice, care se pot concretiza ulterior în realizări practice;
4. Anexe, unde, în funcţie de tema lucrării, vor fi incluse exemple de utilizare, scheme,
rezultate ale unor măsurători, grafice, date de catalog etc., toate acestea menite să
ilustreze şi să menţină concluziile finale ale lucrării;
5. Formulare specifice (doar în cazul studiilor componentelor de circuit);
6. Necesarul de materiale şi echipamente (pentru eventualele exemple practice);
7. Bibliografia şi cuprinsul.

Pentru evaluarea lucrării vor fi luate in vedere următoarele:


- capacitatea de a sistematiza cunoştinţele de specialitate
- capacitatea de a rezolva problemele teoretice şi practice
- utilizarea de soluţii şi tehnologii moderne
- disponibilitatea de a realiza studii de caz sau problemele generate de tema lucrării
- alegerea şi folosirea adecvată a materialelor şi tehnologiilor
- originalitatea şi contribuţia proprie la conferirea elementelor majore de conţinut,
structurarea,coordonarea şi prezentarea informaţiei

Notă:
Termenele de evaluare parţială a elaborării lucrării sunt:
- prima săptămână a fiecărei luni începând cu luna noiembrie.
- programul de consultaţii în vederea elaborării proiectului săptămânal este marţi şi
miercuri între orele 14-16.

Elev: Profesor Îndrumator:


Lovin Ştefan Prof. Ing. Vlăduţ
Lăcrămioara

3
CUPRINS

Argument ______________________________________________________________ 5
Tranzistoare unipolare (cu efect de câmp)____________________________________ 6
Clafificarea TEC _______________________________________________________________ 6
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J)__________________________ 7
Funcţionarea TEC-J cu canal de tip „p”____________________________________________ 8
Funcţionarea TEC-J cu canal de tip „n”____________________________________________ 10
Principalii parametrii folosiţi pentru TEC-J în conexiunea sursă-comună_________________ 12
Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)______________________ 15
Tetroda TEC-MOS______________________________________________________________ 18
Aplicaţii ale TEC______________________________________________________________ 20
Comutatoare analogice___________________________________________________________ 20
Atenuatorul controlat____________________________________________________________ 22
Aplicaţii ale TEC-J______________________________________________________________ 23
Aplicaţii ale TEC-MOS___________________________________________________________ 27
Protecţia muncii_______________________________________________________________ 28
ANEXE_______________________________________________________________________ 30
Bibliografie____________________________________________________________________ 35

4
ARGUMENT

Lumea modernă, dominată de efectele ultimelor descoperiri tehnico-ştiinţifice, de


mobilitatea profesiunilor şi a forţei de muncă, solicită astăzi, mai mult ca oricând, formarea
personalităţilor rapid adaptabile la noile schimbări, ca posibile să caute soluţii originale la
problemele din ce în ce mai complexe şi mai neprevăzute.
Evoluţia rapidă a civilizaţiei impune şcolii contemporane pregătirea generaţiilor tinere
astfel încât acestea să se poată integra, fără dificultăţi, în societatea informaţională de mâine.
Automatizarea şi cibernetizarea implică tot mai multe procesele intelectuale în
prelucrarea şi interpretarea datelor oferite de computere intensificând domeniile concepţiei,
comenzii, controlului, şi organizării muncii.
Tehnologia condiţionează cercetarea ştiinţifică modernă, devenind totodată o componentă
indispensabilă a culturii generale.
Educaţiei îi revine, mai mult ca oricând, un rol decisiv în dezvoltarea socială şi
transformările calitative ale vieţii.
Ca urmare, programul de instruire în şcoală trebuie să fie conceput din perspectiva
pedagogiei prospective, tinerii fiind învăţaţi să descopere noi instrumente ale cunoaşterii, să
pună noi probleme, să găsească noi soluţii.
Orizontul de cultură generală nu mai este complet fără modulul tehnic şi cel tehnologic,
care permit absolvenţilor nu numai policalificări rapide ci şi înţelegerea mai profundă a sensului
marilor invenţii şi descoperiri, stimulându-le curiozitatea ştiinţifică, spiritul de cercetare şi
descoperire.
În acest context, electronica este disciplina de învăţământ căreia îi revine o
responsabilitate deosebită.
Extraordinara sa dezvoltare, pătrunderea în toate domeniile de activitate ştiinţifico-
tehnice, industriale şi economico-sociale impun pregătirea unei forţe de muncă, atât la nivel
mediu cât şi la nivel superior, în rezonanţă cu cerinţele actuale ale societăţii.
În lucrarea de faţă, se expune tranzistorul cu efect de câmp, prezentându-se
caracteristicile sale, modul de funcţionare, iar la sfârşit nişte aplicaţii ale acestuia.

5
TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CÂMP)

Denumirea de tranzistoare unipolare provine de la faptul că la procesul de conducţie


participă numai un singur tip de purtători de sarcină: electroni sau goluri. Aceştia circulă
printr-un canal de tip p sau n. Funcţionarea tranzistoarelor unipolare se bazează pe variaţia
rezistenţei unui strat de material semiconductor, prin care curentul este obligat să circule, cu
ajutorul unui câmp electric transversal pe direcţia de curgere a purtatorilor de sarcină, produs
de semnalul de comandă. De aceea, aceste tranzistoare se mai numesc şi trazistoare cu efect de
câmp (TEC în limba română sau FET – field-effect transistor in limba engleză.)
Tranzistorul cu efect de câmp este un dispozitiv cu trei terminale:
 Sursa – electrodul de unde pleacă sarcinile electrice
 Drena – electrodul către care se îndreaptă sarcinile electrice
 Poarta – electrodul care comandă comportarea dispozitivului

Există trei principale tipuri de tranzistoare cu efect de câmp:


 Tranzistoare cu efect de câmp cu jonctiune (TEC-J)
 Tranzistoare cu efect de câmp cu structură metal-oxid-semiconductor (TEC MOS)
 Tranzistoare cu pături subţiri
Deoarece tranzistorul cu pături subţiri este de fapt tot un tranzistor de tip MOS, se vor
prezenta numai primele două tipuri de tranzistoare cu efect de câmp.
Datorită următoarelor proprietăţi, TEC sunt preferate sau de neînlocuit cu tranzistoare
bipolare:
 Ca dispozitive comandate în tensiune TEC prezintă impedanţă de intrare foarte
mare – chiar peste 1014 MΩ
 TEC pot fi utilizate ca rezistenţe comandate în tensiune şi ocupă, în tehnologie
integrată, o arie mai mică decât rezistenţa echivalentă.
 TEC au o arie mică în raport cu tranzistoarele bipolare; de aici rezultă avantaje
pentru fabricarea circuitelor complexe, ca de exemplu microprocesoare, memorii,
etc.
CLASIFICAREA TEC

Clasificarea tranzistoarelor cu efect de câmp este complicatã suplimentar de un alt aspect


constructiv. Un tip de tranzistoare conduc pânã când se face ceva care sã le micşoreze curentul:
sunt tranzistoarele care au canal iniţial (depletion mode în englezã). Toate tranzistoarele TEC-J
şi anumite tranzistoare TEC-MOS funcţioneazã dupã acest principiu.
Tranzistoarele de celãlalt tip sunt proiectate astfel încât sã nu conducã decât dacã se
aplicã un câmp care sã "sape" un canal conductor. Acestea sunt tranzistoarele care au canal
indus (enhancement mode în englezã). Marea majoritate a tranzistoarelor TEC-MOS au canal
indus.
Dacã mai ţinem seama de felul de dopare al canalului, care poate fi n sau p, am avea în
total 8 tipuri de tranzistoare cu efect de câmp. Dintre acestea, şase ar putea fi realizate, cinci
sunt chiar produse şi numai patru sunt importante. Arborele familiei de tranzistoare cu efect de

6
câmp poate fi vazut în ANEXA 1, FIG 1. Din cauza joncţiunii porţii care trebuie sã fie
întotdeauna invers polarizatã, tranzistoarele TEC-J (cu poartã joncţiune) nu pot fi realizate
decât cu canal iniţial. Tranzistoarele cu poartã izolatã pot avea oricare dintre aceste tipuri de
canale, dar cele cu canal iniţial nu au decât câteva aplicaţii particulare. Ambele categorii pot
avea fie canal n, fie canal p.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU JONCŢIUNE (TEC-J)

Un tranzistor de tip TEC-J este format dintr-un bloc semiconductor, de anumit tip, p sau
n. În extremităţile acestui bloc se depun două contacte ohmice numite sursa (S), şi respectiv
drenă (D). În zona centrală dintre sursă şi drenă se formează prin impurificare o regiune de tip
opus blocului semiconductor, al cărei contact metalic se numeşte poartă (P). O zonă de acelaşi tip
ca şi al porţii (un substrat) se creează de cealaltă parte a blocului semiconductor, contactul
corespunzător fiind numit bază (B). Electrozii porţii şi bazei sunt legaţi electric între ei (FIG. 1).
Prin aplicarea unei surse de alimentare între sursă şi drenă prin canalul de trecere
format între ele şi mărginit de regiunile porţii şi bazei, circulă purtătorii majoritari de tipul
corespunzător blocului semiconductor central (goluri în cazul blocului p, electroni pentru blocul
de tip n). Datorită formării acestui canal, tranzistoarele cu efect de câmp, cu bloc central de tip p
se numesc cu „canal de tip p” iar cele de tip n , cu „canal de tip n”. În cazul primei categorii, de
tip p, tensiunea de alimentare se aplică cu polul pozitiv pe sursă şi negativ pe drenă, iar la cele cu
canal de tip n, cu polul negativ pe sursă şi cel pozitiv pe drenă. Deci, polarizarea sursei
corespunde tipului blocului central.
Fenomenele ce apar într-un TEC-J sunt asemănătoare la cele două tipuri, dar curentul
este dat de purtătorii diferiţi: de goluri – la tipul p şi de electroni – la tipul n.

7
FUNCŢIONAREA TEC-J CU CANAL DE TIP „P”

Se va examina un tranzistor cu efect de câmp, având un canal de tip p, tensiunea de


alimentare este legată cu polul pozitiv la sursă şi cel negativ la drenă. Studiul comportării
tranzistorului trebuie făcut în trei situaţii:
a) Cu poartă nepolarizată (liberă);
b) Cu poartă legată la polaritatea sursei;
c) Cu poartă polarizată separat.

a) În cazul tranzistorului cu canal p considerat, la aplicarea sursei de alimentare între sursă


şi drenă, în blocul semiconductor central apare un curent dat de goluri – purtători
majoritari ai regiunii canalului.
La variarea tensiunii continue aplicate, curentul variază în mod proporţional,
tranzistorul comportându-se ca o rezistenţă de valoare constantă.
b) Poarta se leagă direct la sursă, polarizarea între sursă şi drenă fiind cea descrisă anterior.
În această situaţie, datorită trecerii curentului între sursă şi drenă, în interiorul
semiconductorului apare o cădere de tensiune, astfel încât fiecare punct are un potenţial
negativ faţă de sursă, de o anumită valoare absolută, ce descreşte între drenă şi sursă. În
dreptul porţii, respectiv al bazei se formează două joncţiuni pn polarizate invers. Între
regiunile p şi n ale fiecărei joncţiuni se formează regiuni de trecere ce constituie izolatoare
pentru curentul electric. Porţiunea din blocul central delimitată de regiunile de trecere
ale celor două joncţiuni se numeşte canal. Curentul electric poate circula doar prin canal,
a cărei formă se poate observa în FIG. 1. Deoarece grosimea regiunii de trecere creşte
8
odată cu creşterea tensiunii inverse, rezultă un canal, a cărui secţiune este mai mare spre
sursă având lăţimea cea mai mică în apropierea drenei, la aceeaşi valoare a tensiunii de
drenă aplicată. Din acest motiv rezistenţa canalului, care variază invers proporţional cu
secţiunea, este mai mare şi curentul de drenă este mai mic decât în cazul când poarta era
liberă, pentru o aceeaşi tensiune aplicată între sursă şi drenă.
Dacă se variază această tensiune, secţiunea canalului scade şi mai mult. Curentul ce
rezultă continuă să crească, până când mărimea tensiunii produce o extindere atât de mare a
celor două regiuni de trecere încât acestea aproape că se ating, situaţie ce corespunde valorii
minime a canalului. Începând din acest punct creşterea tensiunii de drenă nu mai este însoţită de
o mărire a curentului, care îşi păstrează constantă valoarea maximă atinsă. Deoarece curentul
nu mai variază la variaţia tensiunii, se spune că tranzistorul a intrat în regiunea de saturaţie
(FIG. 2). Tensiunea de drenă nu poate produce o strangulare completă a canalului, deoarece
aceasta ar întrerupe curentul, ceea ce ar duce la anularea căderii de tensiune din interiorul
blocului p, deci joncţiunile nu ar fi polarizate invers, ci ar reveni la forma iniţială.
c) Tranzistorul TEC-J are în acest ultim caz două surse de polarizare aplicate: una între
sursă şi drenă ( E D ) şi a doua între poartă şi sursă ( E p ), cu polul pozitiv pe poartă şi cel negativ
pe sursă (FIG. 1). Variţia curentului de drenă poate fi urmărită în două situaţii:
 Se păstrează tensiunea de poartă E p constantă, variind tensiunea de drenă E D ,
pentru diferite valori ale tensiunii de poartă (caracteristici de ieşire);
 Se păstrează tensiunea de drenă E D constantă şi se variază cea de poartă E p ,
pentru diverse valori ale tensiunii de drenă (caracteristici de transfer).

9
1. Dacă se păstrează tensiunea de poartă constantă, variind tensiunea de drenă au loc
fenomenele descrise anterior. Caracteristica curent-tensiune este reprezentată in FIG.
2.a. Se observă că regiunea de saturaţie apare la o tensiune de drenă mai mică şi că pe
măsură ce creşte tensiunea negativă pe poartă, scade valoarea curentului de drenă
corespunzător aceleiaşi tensiuni de drenă. Mărind tensiunea de drenă peste o anumită
valoare, curentul prin tranzistor creşte brusc, datorită apariţiei fenomenului de
multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină.
2. În cazul în care se urmăreşte variaţia curentului de drenă la variaţia tensiunii de
poartă, pentru o anumită valoare a tensiunii de drenă, se obţin caracteristicile
reprezentate în FIG. 2.b. În cazul când tensiunea de poartă este zero, curentul este
maxim. Valoarea acestui maxim este cu atât mai mare cu cât tensiune de drenă este
mai mare. La creşterea tensiunii de poartă, datorită polarizării inverse puternice,
regiunile de trecere se măresc şi curentul scade până la zero, când regiunile de trecere
se ating.

FUNCŢIONAREA TEC-J CU CANAL DE TIP „N”

Vom examina şi tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune cu canal de tip n. În FIG. 4.


este reprezentat simbolul geometric al TEC-J cu canal de tip n, montat în conexiunea cu sursa
comună (SC), împreună cu sensurile pozitive alese pentru semnalele de la cele două porţi.
Semnalele de intrare sunt tensiunea dintre poartă şi sursă ( V PS ) şi curentul de poartă I P , iar cele
de ieşire sunt tensiunea dintre drenă şi sursă ( V DS ) şi curentul de drenă I D .
10
Pentru ca joncţiunea pn a porţii (joncţiunea de comandă) să fie polarizată invers şi să nu
consume putere, TEC-J cu canal n lucrează cu tensiuni de drenă pozitive şi tensiuni de poartă
negative ( V DS > 0, V PS < 0 ). În aceste condiţii curentul de drenă este pozitiv, iar cel de poartă
este atât de mic, încât se admite că este nul; una dintre cele două relaţii caracteristice TEC-J este
aşadar : IP = 0

Pentru descrierea completă a


comportării TEC-J este deci sufiecientă o
singură familie de caracteristici statice, care
poate fi familia caracteristicilor statice de
ieşire, având ca parametru tensiunea de
intrare (FIG. 5.a.)
Pentru tensiuni de poartă mai mici sau
egale cu tensiunea de prag ( VPS ≤ V p < 0 ),
curentul de drenă se anulează şi tranzistorul
se află în regiunea de blocare. Pentru tensiuni
de poartă mai mari decât V p (tensiunea de
prag) şi tensiuni de drenă foarte mici,
VDS << −V p , tranzistorul se află în regiunea
liniară, reprezentată în FIG. 5.b.
Caracteristicile sunt aici drepte prin origine.
Pentru tensiuni de drenă ceva mai mari , dar
= VPS − V p ), tranzistorul se află în regiunea de cot, iar
mai mici decât valoarea de cot ( VDS cot
pentru VDS > VDS cot , în regiunea de strangulare (numită astfel fiindcă TEC-J funcţionează cu
canalul strangulat).

11
În FIG. 5.a. sunt reprezentate regiunile liniare, de cot şi de strangulare pentru
caracteristica V PS = 0 . În aceeaşi figură se vede că prelungirile caracteristicilor din regiunea de
strangulare intersectează axa absciselor în acelaşi punct, dar de semn contrar: V DS = V B ; valorile
tipice ale V B sunt de ordinul a -100V.

Pentru comoditatea analizei TEC-J în regiunea de strangulare se folosesc deseori şi


caracteristicile statice de transfer, corespunzătoare acestei regiuni (FIG. 5.c).
Observaţie. Regiunea de strangulare este numită de multe ori şi regiune de saturaţie a
TEC-J (şi în general a oricărui tip de TEC).

Principalii parametrii folosiţi pentru TEC-J în conexiunea sursă-comună:

ID
Conductanţa statică de ieşire g OS este definită prin g OS =: . Definită într-un punct
VDS
Q(V DS , I D ) din planul caracteristicilor de ieşire, ea reprezintă panta dreptei OQ.
Rezistenţa statică de ieşire rOS este inversa conductanţei g OS . În aplicaţiile TEC (TEC-J,
TEC-MOS) prezintă interes valorile minimă şi maximă ce se pot obţine pentru rOS , notate
respectiv rOS on şi rOS off . Valoarea minimă se obţine în regiunea liniară şi este cuprinsă între 2 şi
1000 Ω , iar cea maximă în regiunea de blocare şi este cuprinsă între 10 8 şi 10 12 Ω .
∂i D
Conductanţa diferenţială de ieşire g os este definită prin: g os =: | v PS = const. Definită
∂v DS
în punctul Q(V DS , I D ) al caracteristicii de ieşire de parametru v PS = V PS , ea reprezintă panta
acelei caracteristici în punctul Q.

12
Rezistenţa diferenţială de ieşire ros este inversă conductanţei g os .
În aplicaţii prezintă interes valorile rezistenţei diferenţiale de ieşire în regiunile rectilinii
ale caracteristicilor statice de ieşire: regiunea liniară şi regiunea de strangulare. În interiorul
oricăreia dintre ele ros este constantă pentru o caracteristică de ieşire dată. Valorile ei tipice sunt
de ordinul 100 kΩ în regiunea de strangulare.
Transconductanţa diferenţială cu ieşirea în scurtcircuit (pentru variaţii de semnal, numită
∂i D
şi panta TEC-J, este definită prin: g m =: | v DS = const .
∂v PS
Definită în punctul Q (V DS , I D ) al caracteristicii de transfer de parametru v DS = V DS , ea
reprezintă panta acelei caracteristici în punctul Q. Domeniul de valori uzuale ale g m este
cuprins între 0,1 şi 10 mS.

În analiza şi proiectarea circuitelor cu tranzistori se utilizează des ecuaţii simplificate ale


caracteristicilor statice.
Considerând că valoarea conductanţei diferenţiale de ieşire a TEC-J în conexiunea
sursă-comună este nulă în regiunea de strangulare (caracteristicile de ieşire sunt orizontale în
această regiune), familia de caracteristici statice de transfer pentru această regiune (FIG. 5.c.) se
reduce la o singură caracteristică (FIG. 6.a.). Ea este aproximată cu erori mici de ecuaţia:
v
i D = I DSS (1 − PS ) 2 dacă V P ≤ v PS ≤ 0 , v DS ≥ v DS cot
VP
unde am notat I DSS =: i D | v PS = 0 dacă v DS ≥ v DS cot .

∂i D
Aplicând definiţia g m =: | v DS = const , obţinem expresia transconductanţei diferenţiale în
∂v PS
aceeaşi regiune.
I DSS  v PS 
g m = −2 1 −  dacă v DS ≥ v DS cot .
VP  VP 

13
Ea variază liniar cu v PS , nu este
negativă pentru valorile permise ale v PS
− 2 I DSS
şi are valoarea maximă g mss =
VP
pentru v PS = 0 (FIG. 6.b.). La un TEC-J
cu I DSS = 1 mA şi V P = -2V obţinem
g mss = 1 mS.
Se poate demonstra teoretic că
parametrii TEC-J au următoarea
proprietate interesantă:
Transconductanţa diferenţială în
regiunea de strangulare este egală cu
conductanţa diferenţială de ieşire în regiunea liniară şi deci cu conductanţa statică de ieşire în
regiunea liniară, pentru o valoare dată a tensiunii v PS :
g m | v DS ≥ v DS cot = g os | v DS << v DS cot = g OS | v DS << v DS cot .

Simbolul tranzistorului cu efect de câmp cu joncţiune este redat în FIG. 7.

Deoarece curentul prin tranzistor este comandat de tensiunea de poartă prin extinderea
regiunilor de trecere polarizate invers, rezultă că impedanţa de intrare a tranzistorului este de
ordinul rezistenţelor inverse dintre bază-colector, adică de ordinul sutelor de kΩ sau chiar MΩ .
Curentul de intrare al TEC-J este foarte mic, de ordinul 10 −9 ÷ 10 −12 A .

Deci, faţă de tranzistoarele obişnuite, tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiuni


prezintă următoarele deosebiri:
• Sunt comandate în tensiune (cele obişnuite fiind comandate în curent)
• Au curent de intrare mult mai mic
• Au impedanţă de intrare mult mai mare.
Pe această ultimă proprietate se bazează numeroase aplicaţii ale trazistorului cu efect de
câmp.
Deoarece funcţionarea acestui tip de tranzistor cu efect de câmp se bazează pe
extinderea regiunilor de trecere sărăcite în purtători, se spune că ele funcţionează în „regim de
sărăcie”.

14
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU POARTĂ
IZOLATĂ(TEC-MOS)

Aceste tranzistoare au o structură metal – oxid – semiconductor. Structura unui astfel de


tranzistor este reprezentată în FIG. 8., împreună cu tensiunile de polarizare necesare.

15
Pentru exemplificare s-a ales un tranzistor cu canal de tip p.
Într-un substrat de semiconductori de tip n se creează prin impurificare două regiuni de
tip p, sursă (S) şi drenă (D), separate între ele şi având fiecare câte un contact metalic. Pe
substratul de tip n , aflat între cele două regiuni p, se depune un strat izolant de dioxid de siliciu,
apoi se scoate contactul metalic P al porţii.
Datorită succesiunii straturilor de metal, oxid şi semiconductor care formează poarta,
tranzistorul se numeşte MOS. În circuit se aplică o tensiune sursă-drenă, cu polul pozitiv pe
sursă şi cel negativ pe drenă.
Comportarea acestui tranzistor se studiază în trei situaţii:
a) Cu poartă nepolarizată (liberă);
b) Cu poarta legată la sursă;
c) Cu poarta polarizată separat;

a) În acest caz poarta nu este polarizată (pe ea nu se aplică nici o tensiune). În circuit nu
apare curent de drenă, deoarece nu există continuitate (circuitul nu este închis), regiunile
p fiind separate de un strat n.
b) Se circuitează poarta de la sursă , deci la polul pozitiv al tensiunii de drenă E D . Se
constată că nici în acest caz nu există curent de drenă, deoarece drena fiind legată la polul
negativ al sursei E D , joncţiunea schemei este polarizată invers, deci împiedică poate mai
mult închiderea circuitului.
c) Dacă se aplică o tensiune de polarizare E P cu polarizarea din FIG. 8., structura MOS se
comportă ca un condensator plan, elementele lui fiind:
• Pelicula exterioară şi substratul n – reprezintă cele 2 armături;
16
• Stratul de dioxid de siliciu – reprezintă dielectricul dintre plăci
Pe contactul metalic, care reprezintă una din plăci, apar sarcini negative, ceea ce
determină ca, prin influenţă electrostatică, pe cealaltă placă, adică în substrat, să apară sarcini
pozitive. Fenomenul de influenţă electrostatică provoacă respingerea electronilor majoritari din
straturile superficiale ale semiconductorului de tip n şi concentrarea de goluri în locul lor. Apare
astfel o inversiune locală a tipului semiconductorului; se spune că se induce un canal de tip p
între sursa şi drena semiconductorului de tip n.
Prin acest canal începe să treacă curent între regiunile de tip p ale sursei şi drenei.
Curentul de drenă apare numai atunci când tensiunea de poartă E P depăşeşte o anumită valoare
de prag U pr .
Trasarea variaţiei curentului prin tranzistor se face în două cazuri (FIG.9.a. şi FIG.9.b.):
• În funcţie de variaţia tensiunii de drenă, prin valori constante ale tensiunii de
poartă E P (caracteristici de ieşire);
• În funcţie de variaţia tensiunii de poartă E P , pentru valori constante ale tensiunii
de drenă E D (caracteristici de transfer).

17
Se observă în caracteristicile de transfer (FIG.9, b)creşterea curentului odată cu creşterea
tensiunii de poartă E P , atunci când tensiunea de drenă E D se menţine constantă. De asemenea,
se constată că, la variaţia tensiunii de drenă E D , menţinând E P constant, apare o saturaţie a
curentului de drenă asemănătoare celei de la tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune.
Datorită principiului său de funcţionare, tranzistorul MOS descris se numeşte cu canal
indus. El este cel mai răspândit tip de TEC. Simbolul TEC-MOS este reprezentat în FIG. 10.
Deoarece funcţionarea sa se bazează pe mărimea locală a concentraţiei de purtători
minoritari, se spune ca TEC-MOS cu canal p indus funcţionează în regim de îmbogăţire, ceea ce
constituie una din deosebirile existente între cele două tipuri de TEC.
Alte deosebiri constau în faptul că, la TEC-MOS, curentul de drenă creşte la mărirea
tensiunii de poartă, cu aceeaşi tensiune aplicată între drenă şi sursă, respectiv I D = 0 pentru
I p = 0 şi creşte cu E p .
Asemănările între cele două tipuri de TEC (TEC-J, respectiv TEC-MOS) sunt:

• Ambele sunt comandate în tensiune;


• Au curentul de intrare mic (la MOS, i D = 10 −12 A);
• Au impedanţa de intrare foarte mare (la TEC-MOS, unde poarta este izolată
prin dielectric de SiO2 , impedanţa este de ordinul 1012...1018 Ω );
• Au frecvenţe de lucru foarte mari ( 10 7...108 Hz).
TEC-MOS au dimensiuni extrem de mici, ceea ce le face să fie foarte apreciate în aplicaţii
legate de circuite integrate.

18
Un dezavantaj al TEC-MOS este fragilitatea lui faţă de apariţia unor tensiuni accidentale
de poartă. Grosimea foarte mică a stratului de dioxid de siliciu impune ca tensiunile între poartă
şi ceilalţi electrozi să nu depăşească anumite valori, de ordinul zecilor de volţi. Cum capacitatea
depunerii metalice a porţii faţă de ceilalţi electrozi este foarte mică (de ordinul 10 −12 ), sarcini
extrem de mici, accidentale ( 10 −10 C) pot determina tensiuni de ordinul 10 2 V care pot distruge
tranzistorul. Din această cauză, în utilizarea TEC-MOS trebuie luate precauţii speciale , de
punere la masă a tuturor elementelor cu care iau contact (ciocan de lipit, masă de lucru, chiar
operatorul), iar în timpul transportului şi manipulării, cei doi electrozi se scurtcircuitează între
ei.

În FIG.10 este reprezentat simbolul convenţional al TEC-MOS:

TETRODA TEC-MOS

Tetroda TEC-MOS reprezintă o formă specială de transistor MOS cu canal n. Are două
porţi plasate una după alta. Amplificarea este mare şi zgomotul mic, fiind recomandată a fi
utilizată în domeniul FIF şi în special UIF. În FIG. 11. se prezintă simbolul şi schema de
conectare într-un etaj ARF-FIF.

19
Impedanţa de sarcină, care este filtrul de bandă acordat cu diode varicap, se conectează
în c.a între drenă şi sursă. Semnalul de RF se aplică pe poarta G1 care este polarizată la +4,5V
cu ajutorul divizorului R1 , R2 (FIG. 11. a).
Tensiunea de RAA se aplică similar ca la un tranzitor PNP pe poarta G2 iar sursa S este
polarizată extern prin R3 , R4 .
În situaţia fără semnal avem : U G2 = 9V , U S = 4,5V , U G2 S = 9 − 4,5 = 4,5V .
La semnalul maxim admis tensiunile sunt : U G2 = 1V , U S = 3V , U G2 S = 1 − 3 = −2V .
Curentul de lucru al tetrodei variază de la circa 8 mA în situaţia fără semnal, până la 0
mA la semnal maxim. Variaţia de amplificare este de peste 40 dB.
Tipurile reprezentative de tetrode TEC-MOS sunt : BF 907, BF 910, BF 960, BF 961.
În concluzie, menţionez un aspect de ordin practic legat de utilizarea tranzistoarelor
MOS. Datorită impedanţei foarte mare de intrare, există riscul de străpungere al stratului de
oxid (rezistă până la circa 100V) prin acumulări de sarcini electrostatice mari. De aceea,
stocarea se face în cutii din material conductor electric astfel ca toate terminalele să fie
scurtcircuitate împreună.
Când se repară circuite în care exista tranzistore MOS, ciocanele de lipit trebuie să fie
conectate la pământ (împământare). Unele tipuri, cum ar fi BF 960, BF 961 sunt prevăzute cu
circuite interne limitatoare a suprasarcinilor (FIG. 11, b)

Datorită avantajelor menţionate şi a altora, ca de exemplu, zgomot propriu redus,


dependenţă mai mică faţă de temperatură, tranzistoarele cu efect de câmp sunt
considerate dispozitive semiconductoare cu mare importanţă în viitor.

20
APLICAŢII ALE TEC

1. Comutatoare analogice

De foarte multe ori trebuie să fie întreruptă şi apoi să fie restabilită aplicarea unui
semnal (tensiune variabilă în timp) la bornele unei sarcini. Curenţii şi puterile implicate sunt
mici dar curentul este alternativ, trebuind să circule prin sarcină în ambele sensuri. Se poate
rezolva acest lucru cu un comutator mecanic, ca în FIG. 12 a). Când contactul este făcut,
comutatorul are rezistenţa , iar pe sarcină ajunge fracţiunea din semnalul
aplicat la intrare (regula divizorului rezistiv). Întrerupând contactul, comutatorul prezintă o
rezistență foarte mare, astfel încât pe sarcină tensiunea este practic nulă. Deşi au rezistenţa
extrem de mică, comutatoarele mecanice sunt lente şi nu pot fi comandate electronic decât
prin complicarea dispozitivului (releu electromagnetic).
Pentru această aplicaţie nu se poate folosi un tranzistor bipolar deoarece tensiunea între
colector şi emitor nu coboară la zero fiind limitată la tensiunea de saturaţie, iar tranzistorul nu
se comportă ca un rezistor ohmic.
Încercând cu un tranzistor MOS, care nu are joncţiuni între poartă şi canal (FIG. 12.b)
presupunem că tensiunea sursei de semnal evoluează între -5 V şi + 5 V iar rezistenţa de sarcină
are valoarea ; astfel, curentul prin sarcină evoluează între -0.1 mA și +0.1 mA. Drept
comutator utilizăm un tranzistor NMOS de uz general, 3N170, care la tensiunea
oferă o rezistenţă drenă-sursă de 200 W şi un curent . Pentru el, tensiunea de
prag garantată de fabricant este de cel mult 2 V.

FIG. 12. Comutatoare analogice.

Legăm substratul la un potenţial mai coborât decât orice potenţial din circuit, de exemplu
-10 V şi aranjăm să putem comuta potenţialul porţii între - 10 V și +10 V. Cu poarta legată la -10
V, potenţialul acesteia este în orice moment mai coborât decât potenţialele drenei şi sursei, care
pot fi aduse de către sursa de semnal numai până la - 5V (FIG. 13 a). În aceste condiţii,
tranzistorul este tot timpul blocat, rezistenţa între drenă şi sursă având valori imense, de ordinul
GW. Rezultă, astfel, că tensiunea care ajunge pe sarcină este practic nulă; de fapt, prin
capacitatea parazită existentă între drenă şi sursă o anumită tensiune ajunge totuşi pe sarcină.

21
FIG. 13. Funcţionarea comutaturului cu tranzistor NMOS: tranzistorul blocat (a), tranzistorul
în conducţie cu tensiunea de intrare -5 V (b) şi tranzistorul în conducţie cu tensiunea de intrare
+5 V (c).

Legăm acum poarta la potenţialul de + 10 V. În momentul în care tensiunea semnalului


ajunge la -5 V, ca în FIG. 13b), avem o tensiune poartă-sursă de +15 V şi putem conta pe o
rezistenţă drenă-sursă, de

.
Cum rezistenţa de sarcină are 50 kW, pe sarcină ajunge "numai" 99.8 % din semnalul de
intrare.
În cealaltă situaţie, tensiunea semnalului este de +5 V și tensiunea poartă-sursă scade la
+5 V, ca în desenul c) al figurii. Acum, rezistenţa tranzistorului este de 530 W şi pe sarcină
ajunge 98.9 % din semnalul de intrare. Vom avea, deci, o uşoară distorsionare a semnalului, de
aproape 0.9 %, datorită variaţiei rezistenţei comutatorului. Verificăm, în final că tranzistorul
rămână în regiunea de rezistenţă controlată. Pentru aceasta avem nevoie de valoarea tensiunii
drenă-sursă; este exact valoarea tensiunii care nu ajunge pe sarcină, adică între 0.2 % și 1.1 %
din tensiunea semnalului, deci nu mai mult de 55 mV ! Tranzistorul este, cu siguranță, în
regiunea de rezistenţa controlată.
Conform desenelor b) şi c) ale figurii 13, constatăm că drena şi sursa îşi inversează
rolurile între ele. De fapt, la un tranzistor cu efect de câmp, drena şi sursa sunt echivalente la
curent continuu şi pot fi interschimbate; ele diferă numai la curent alternativ, drena având o
capacitate mai mică față de poartă.
Comutatorul prezentat mai sus are însă un dezavantaj major: tensiunea semnalului nu se
poate apropia prea mult de tensiunea de alimentare pozitivă, altfel nu ar mai rămâne o tensiune
suficientă pentru menţinerea deschisă a tranzistorului. Soluţia constă în utilizarea unui
comutator cu două tranzistoare MOS complementare (CMOS -complementary MOS), adică
unul cu canal n şi unul cu canal p, ca în FIG. 14.
Ca să blocăm ambelor tranzistoare este suficient să aducem la -5 V poarta tranzistorului
NMOS şi la +5 V poarta tranzistorului PMOS. Pentru a comanda acest lucru de la un singur
punct se utilizează un inversor logic, care oferă la ieşirea sa nivelul continuu de -5 V când
intrarea sa este la +5 V şi invers.

22
FIG. 14. Comutator analogic CMOS.

Atunci când semnalul trebuie să treacă prin comutator, poarta tranzistorului NMOS este
menţinută la alimentarea pozitivă iar poarta tranzistorului PMOS este adusă la alimentarea
negativă. Dacă semnalul se apropie de +5 V, tranzistorul NMOS se blochează, dar se deschide
puternic tranzistorul PMOS. Din contră, când semnalul se apropie de -5 V, situația este
inversată şi tranzistorul NMOS este cel care conduce.
Comutatoare analogice CMOS sunt disponibile ca circuite integrate. Astfel, circuitul
4066 conţine patru asemenea comutatoare independente. La o alimentare cu -5 V şi +5 V,
rezistenţa în starea ON a comutatorului este aproximativ 75 W și nu variază cu mai mult de 20
W deşi semnalul poate evolua pe întregul interval dintre potenţialele alimentărilor. Pentru
aplicaţii profesionale, comutatoarele AD7510 sau cele din seria 1H5140 oferă, la o alimentare de
5 V, o rezistență sub 100 W, variaţia sa fiind redusă la un raport 1:1.25.
În circuitele cu tranzistoare TEC se obişnuieşte să se noteze potenţialul cel mai ridicat al
alimentării cu iar potenţialul cel mai coborât al alimentării cu . Astfel, în circuitul din
FIG. 14, şi pentru că avem o alimentare simetrică faţă de masă.
Circuitul funcţionează însă şi cu o singură sursă de alimentare, adică cu şi
.
În aceeaşi tehnologie CMOS se realizează circuite integrate logice (digitale) în care
semnalul nu poate avea decât două stări, starea HIGH (de potenţial ridicat) şi starea LOW (de
potenţial coborât). Circuitele digitale CMOS depăşesc ca performanţe (viteză, consum de putere
mic, imunitate la zgomot, etc.) circuitele digitale cu tranzistoare bipolare şi le înlocuiesc treptat
în aparatura proiectată astăzi.

2. Atenuatorul controlat

Se poate folosi un divizor rezistiv pentru a produce o tensiune continuă de valoare


convenabilă. Acelaşi dispozitiv poate fi utilizat, însă, şi ca atenuator, pentru a aplica pe o
rezistenţă de sarcină un semnal de tensiune de amplitudine mai mică decât cel produs de
generator (FIG.15 a).
O aplicaţie standard este potenţiometrul de volum cu care se face reglajul intensităţii
semnalului sonor la un amplificator audio.

23
FIG.15. Atenuator cu divizor rezistiv (a) şi atenuator cu tranzistor TEC-J (b).

Dezavantajul potenţiometrului este că atenuarea sa nu poate fi controlată decât mecanic;


dacă am dori s-o controlăm electronic, ne-ar trebui un motoraş care să rotească axul
potenţiometrului. Tranzistoarele cu efect de câmp, datorită regiunii lor de rezistenţă controlată,
permit realizarea unor atenuatoare controlate de o tensiune electrică. Tot ce avem de făcut este
să înlocuim rezistenţa a divizorului cu tranzistorul TEC şi să controlăm tensiunea sa poartă-
sursă (desenul b al figurii). La valoarea nulă a tensiunii de control, tranzistorul prezintă o
rezistenţă de valoare minimă, egală cu . În aceste condiţii, între amplitudinile
semnalelor de intrare şi ieşire avem relaţia

.
Pe de altă parte, când tensiunea de control, negativă, ajunge la tranzistorul este blocat
şi pe sarcină ajunge întregul semnal de intrare. La frecvenţe mari se produce, totuşi, o atenuare
datorită capacităţii tranzistorului.
Pentru a apropia şi mai mult comportarea tranzistorului de aceea a unui rezistor, se poate
utiliza adunarea, peste tensiunea de control, a cantităţii ca în FIG.15 c). Chiar şi cu acest
truc, amplitudinea semnalului nu poate fi mai mare de câteva zecimi de volt, altfel acesta va fi
distorsionat de dependenţa neliniară .

APLICAŢII ALE TEC-J

Experimentul 1.

Utilizaţi schema din ANEXA 1, FIG. 2 pentru a ridica experimental caracteristicile


TEC-J cu canal n, BFW-10 (vezi ANEXA 2). Fixaţi E D = 15 V şi U GS = −10 V. Curentul ID este
nul şi Voltmetrul indică E DS = E D = 15 V. Reglaţi din potenţiometru R până când sesizaţi
tendinţa de scădere a tensiunii U DS . Măsuraţi în această situaţie tensiunea de prag U GS = V P < 0 .
Fixaţi apoi potenţiometrul pentru UDS = 0 şi determinaţi curentul IDSS = (15 V-UDS)/ 0,1 kΩ .
24
Urmariţi tensiunea U pe rezistenţa RD şi măsuraţi valoarea tensiunii UDS la fiecare scădere a
tensiunii U cu 0,2 V. Determinaţi astfel, prin puncte, caracteristica I D = f (U DS ) pentru U GS = 0 V.
Repetaţi măsurătorile pentru UGS = 0,2 • VP; 0,4 • VP; 0,6 • VP şi 0.8 • V P . Trasaţi pe hârtie
milimetrică cinci caracteristici obţinute şi fixaţi limita regiunii de saturaţie. Citiţi din grafic
valorile mărimilor ID si UGS pentru U DS = 12 V şi reprezentaţi caracteristica de transfer
corespunzătoare. Repetaţi măsurătorile pentru câteva tranzistoare de tipul BFW-10 şi
sesizaţi dispersia tehnologică a parametrilor. Comparaţi rezultatele experimentale cu datele de
catalog din ANEXA 2.

Experimentul 2.

Circuitul din ANEXA 3, FIG.5 permite o verificare simplă pentru comportarea TEC-J ca
rezistenţă comandată în tensiune. Circuitul reprezintă un divizor al semnalului u i într-un raport
controlat prin tensiunea continua U. Dacă se notează cu R = R(U) rezistenţa echivalentă între
sursă şi drenă, se poate scrie:
u ieş R (U )
= (1.1)
ui R1 + R (U )

Rezistenţa R1 se alege între câteva sute de ohmi şi 100 kΩ , pentru un bun compromis
între rezistenţa de intrare ( Rin = R1 + R( u ) ) şi raportul de divizare (1.0). În unele aplicaţii, pentru
a obţine o atenuare maximă, tensiunea de control U poate fi uşor pozitivată.

Pentru a proteja dispozitivul în acest caz, se introduce rezistenţa R2 de limitare a curentului de


poartă (de exemplu, R = 10kΩ ). În montajul din ANEXA 3, FIG. 5. folosiţi R2 = 0 (scurtcircuit),
deoarece tensiunea U ia doar valori negative. Aplicaţi la intrare un semnal sinusoidal u de
amplitudine 0,5 V vârf la vârf. Stabiliţi pentru U valorile OV; -0,5 V; -1 V; -1,5 V etc. şi măsuraţi
de fiecare dată amplitudinea vârf la vârf a semnalului u ieş pânâ când constataţi un efect de
limitare a acestuia.
Explicaţi motivul distorsionării semnalului u ieş şi faptul că pentru U = −8V ... − 10V
semnalul u ieş ≈ u i redevine sinusoidal. Determinaţi şi reprezentaţi grafic dependenţa R(U ) .
De exemplu, dacă pentru U = 0V aţi măsurat u ieş = 0,01V , vârf la vârf, din (1.0) rezultă
R
R( 0V ) ≈ 1 = 200Ω .
50
Tranzistorul TEC-J poate fi utilizat ca sursă de curent constant.
Schema de principiu se prezintă în ANEXA 3, FIG. 6. Rezistenţa RS asigură negativitatea
automată a grilei (Portii) faţă de sursă :
U GS = − I D ⋅ RS (1.2)
0 0
Curentul I şi tensiunea U pot fi determinate grafic la intersecţia dreptei de ecuaţie
D GS

(1.2) cu caracteristica de transfer a TEC-J (v. ANEXA 3, FIG. 6.). Analitic, soluţia se obţine din
rezolvarea sistemului format din ecuaţiile (1.2) si (1.3).
 U 
I D = I DSS 1 − GS  pentru V P < U GS < 0 (canal n). (1.3)
 VP 

25
Exemplu
Presupunem că pentru TEC-J utilizat în circuitul din ANEXA 3, FIG. 6. s-au măsurat
parametri: V P = −3V ; I DSS = 10mA . Înlocuind U GS din (1.2) în relaţia (1.3) se obţine o ecuaţie de
gradul doi cu soluţiile I D1 ≈ 0,47 mA şi respectiv I D 2 ≈ 0,77mA . Tensiunea grilă-sursă
corespunzătoare este U GS 1 = −2,35V , respectiv U GS 2 = −3,85V .
Evident, perechea a doua de valori este o soluţie falsă, deoarece pentru U GS 2 < V P
curentul de drenă este nul. Reţinem că soluţie adevărată valorile I D0 = 0,47mA ; U GS = −2,35V .
0

Întrucât aproximarea (1.3) a caracteristicii de transfer este valabilă doar in regiunea de


saturaţie, trebuie verificată condiţia U DS < U DSsat . Daca această condiţie este îndeplinită (în
exemplu, U DS > 0,65V ), curentul I D0 este practic independent de R D si E D .
Dezavantajul major al TEC-J ca sursă de curent constant este că datorită dispersiei
parametrilor V P şi I DSS (v. ANEXA 2) nu se poate anticipa valoarea curentului ”generat“.
Rezistenţa RS permite ajustarea curentului de drenă. La limită, pentru RS = 0 , se obţine
I D0 = I DSS . Funcţionarea TEC-J ca generator de curent constant este mai bună la curenţi I D mai
mici decât I DSS . Într-adevăr, din FIG.8,a ANEXA 4 se observă că odată cu scăderea curentului
I D , caracteristicile TEC-J pot fi tot mai bine aproximate prin linii orizontale.
Creşterea uşoară a curentului I D odată cu tensiunea U DS > U DSsat se caracterizează prin
conductanţa de drenă g d sau prin rezistenţa dinamică de drenă rd :
∆I d 1
gd = (U GS = const ) = di D (U GS = const ); rd = . (1.4)
∆U DS du DS gd
Valoarea tipică pentru rd este 100 kΩ .

Experimentul 3.

Realizaţi circuitul din FIG. 6, ANEXA 3 folosind un tranzistor BFW-10. Fixaţi E D = 15V
VS
şi R D = 0 . Măsurând potenţialele VD şi VS se poate determina PFS: U DS = V D − VS ; I D =
0 0
;
RS
0
U GS = −VS .Creşteţi apoi rezistenţa RD până când potenţialul VS scade cu câte 0,1 V. Determinaţi
de fiecare dată PFS al tranzistorului. Stabiliţi valoarea tensiunii U DS pentru care curentul
I D incepe să scadă rapid la scăderea tensiunii U DS .
Comparaţi această valoare cu U DSsat . Considerând două PFS in regiunea de saturaţie, se
∆V D
poate determina rezistenţa internă a sursei de curent constant: R = . De exemplu, dacă s-au
∆I D
măsurat perechile de valori ( V D = 15V ; VS = 2,5V ) şi ( V D = 4V ; VS = 2,3V ), rezultă R = 275kΩ .
Repetaţi experimentul pentru RS = 1kΩ . Trageţi concluzii privind calitatea sursei de curent
constant si rolul rezistenţei RS .
Schema unui amplificator cu TEC-J se prezintă in ANEXA 4, FIG. 7,a. Deşi rezistenţa RG
are valori uzuale mari ( 1MΩ.....10 MΩ ), căderea de tensiune pe ea este neglijabilă. Astfel,

26
tensiunea U GS are tot expresia (1.2). Pentru valori date ale rezistenţelor şi cunoscând parametrii
V P şi I DSS , se
poate calcula PFS al tranzistorului.

Exemplu
Presupunem date valorile: RG = 10 MΩ ; RS = 0,2kΩ ; R D = 1,2kΩ ; E D = 15V ; V P = −4V ;
I DSS = 10mA . Din (1.2) si (1.3) se obţine ecuatia I D2 − 80 I D + 400 = 0 . Se reţine soluţia adevărată
(fizic posibilă): I D0 ≈ 5,36mA . Rezultă U GS ≈ −1V . PFS este fixat in regiunea de saturaţie,
0

deoarece U DS > U DSsat = 3V .


Pentru caracterizarea TEC-J la variaţii se defineşte transconductanţa (panta) g m . Din
(1.3) rezultă :
di 2
g m = D , (U DS = const ) = − ⋅ I DSS ⋅ I D
du GS VP
(1.5)
mA
Cu datele considerate în exemplul precedent rezultă g m ≈ 3,7 . Valorile tipice pentru
V
mA mA
g m sunt cuprinse între 0,5 şi 5 . Schema echivalentă pentru variatii se prezintă în
V V
ANEXA 4, FIG. 7,b (s-a considerat că C 3 lipseşte din circuit). Pentru amplificarea de tensiune,
rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire rezultă urmatoarele expresii:
g R
Au = − m D (1.6) ; Ri = RG (1.7) ; Rieş = R D (1.8)
1 + g m RS
Cu valorile considerate pentru amplificatorul din ANEXA 4, FIG. 7,a s-ar obţine :
Au = −2,5 ; Ri = 10 MΩ ; Rieş = 1,2kΩ . Amplificarea poate fi crescuta decuplând rezistenţa RS cu
condensatorul C 3 . În acest eaz rezultă:
Au = − g m R D ≈ −4,5 (1.9)
Comparativ cu tranzistorul bipolar, TEC-J are parametrul g m mult mai mic, astfel încât
şi amplificarea (1.9) este mică.Un alt dezavantaj al TEC-J este că la acelaşi curent de drenă,
transconductanţa depinde de dispozitivul particular utilizat (prin parametrii V P şi I DSS ) ; la
tranzistorul bipolar transconductanţa depinde doar de valoarea curentului de colector.
Trebuie remarcat însă că, pentru TEC-J, g m depinde doar de I D şi nu direct de I D .
Din acest motiv distorsiunile de neliniaritate sunt mult mai reduse la ampificatoarele cu TEC-J
decât la cele cu tranzistoare bipolare.
Avantajul major al TEC-J este că permite realizarea unei impedanţe mari de intrare.

Experimentul 4.

Realizaţi amplificatorul din ANEXA 4, FIG. 7,a folosind RG = 1MΩ ; RS = 0,2kΩ ;


R D = 1,2kΩ ; E D = 15V . Introduceţi succesiv în circuit câteva tranzistoare de acelaşi tip (BFW-
10) şi explicaţi diferenţele dintre diferitele PFS măsurate. Comparaţi amplificările date de
relaţiile (1.6) si (1.9) cu amplificările măsurate (în cazul al doilea, RS este decuplată de
C 3 = 470 µF ). Măsuraţi rezistenţele de intrare şi de ieşire ale amplificatorului folosind C1 = 1nF ,

27
respectiv C 2 = 1nF . Comparaţi rezultatele empirice cu valorile teoretice (rel. 1.7 şi 1.8). Aplicaţi
semnale de intrare de amplitudini diferite şi apreciaţi calitativ distorsiunile de neliniaritate ale
amplificatoarelor cu TEC-J, respectiv cu tranzistor bipolar.
Cele prezentate pentru TEC-J cu canal n sunt valabile şi pentru TEC-J cu canal p, cu
observaţia că rolul electronilor ca purtatori de sarcină este preluat de goluri şi în consecinţă
sensurile pentru tensiuni şi curenţi sunt inversate.

APLICAŢII ALE TEC-MOS

La realizarea următoarelor experimente, aveţi în vedere măsurile de protecţie a circuitelor


cu tranzistoare MOS.

Experimentul 1
Alegeţi unul dintre inversoarele CMOS din integratul MMC 4069 (de exemplu cel cu
intrarea la pinul 1). Conectaţi la masă toate intrarile neutilizate (3, 5, 9, 11, 13). Folosiţi
tensiunile de alimentare : E D = 5V ; E S = 0V . Pentru ridicarea caracteristicii statice de transfer
u y = f (u A ) , fixaţi pentru u A valori constante in domeniul (0 ...... 5 V) şi citiţi de fiecare dată
tensiunea de ieşire. Puteţi folosi un potenţiometru R P = 10kΩ (v. ANEXA 5, FIG. 9, d) sau o sursă
care permite reglarea fină a tensiunii continue (de exemplu E 4109). Observaţi că dacă fixaţi
u A in zona a III-a din ANEXA 5, FIG. 9, b, micile fluctuaţii inerente ale tensiunii u A determină
variaţii mari ale tensiunii u y . Reprezentaţi caracteristica pe hârtie milimetrică şi comparaţi-o cu
cea din ANEXA 5, FIG. 9, b.
Pentru a testa comportarea dinamică., aplicaţi la intrarea inversorului o undă
rectangulară cu niveluri TTL. Vizualizaţi la un osciloscop cu două spoturi (în modul
ALTERNATE) semnalele u y şi u A . Reprezentaţi formele de undă la o frecvenţă f = 1 kHz.
Creşteţi apoi frecvenţa la (800 . . . 900) kHz şi determinaţi timpii de ridicare şi de coborâre ai
tensiunii u y .

Experimentul 2

Alegeţi unul dintre comutatoarele bilaterale din integratul MMC 4066 (v. ANEXA 5, FIG.
10). Folosifi E D = +5V ; E S = −5V . Aplicaţi la intrare un semnal sinusoidal cu ampliludine de 1-
3V vârf la vârf şi f=1 kHz.
Conectaţi pe rând intrarea de control la +5 V, respectiv la masă şi observaţi tensiunea pe
rezistenţa R = 100kΩ . Aplicaţi apoi la intrarea de control o unda rectangulara TTL cu
frecvenţa100 Hz si vizualizaţi trenul de impulsuri de la ieşire.
Pentru a măsura rezistenţa in conducţie( RCMOS ) a comutatorului bilateral, inversaţi
intrarea cu masa in circuitul din ANEXA 5, FIG. 10,d şi folosiţi R = 1kΩ (explicaţi necesitatea
acestor modificări). Aplicaţi +5V la intrarea de control si determinaţi RCMOS cu relaţia divizorului
de tensiune

28
PROTECŢIA MUNCII

Organizarea unui punct de lucru:

Observaţii:
În afară de mijloacele de protecţie menţionate, la nivelul plăcilor si aparatelor (mai ales
microprocesoare si calculatoare) se utilizează uneori şi o protecţie de tip soft. O astfel de
protecţie constă în a utiliza la intrare o poartă ŞI-NU la care una din intrari este mereu baleiată
cu un semnal “paznic” preluat de la ceasul microprocesorului. Cealaltă intrare a porţii este
rezervată semnalului util; când pe aceasta apare o descarcare DES (descărcare electrostatică) se
declanşează un program care face ca întreaga structură hard sa fie deconectată faţă de intrare.
Soluţia are dezavantajul că, atunci când DES este puternică, se distruge aceasta poartă
“paznic”. Există si alte soluţii.
O măsură suplimentară de protecţie la manipularea plăcilor cu mare densitate de
componente, cum sunt plăcile de bază, constă în a le trata cu un spray antistatic înainte de a
pune mana pe ele.

Testarea dispozitivelor disipative de la masa de lucru:

Dispozitivele trebuie controlate periodic în privinţa rezistenţei electrice şi a continuităţii


legăturii la pământ. Acest control se face cu un ohmetru numeric simplu sau unul specializat pe
intervalul 0,8-20 MΩ , în care trebuie să se încadreze rezistenţele faţă de pământ ale
dispozitivelor menţionate.
29
O precauţie specială se impune la testarea brăţării, dispozitiv menit a descarca pe operator,
principala sursă de sarcini electrice în industria electronică şi a calculatoarelor. Pentru mai
multă siguranţă adesea se recurge la controlul permanent al brăţării. În acest scop brăţara se
construieşte din două părţi. Secţiunea 1 este legată la pământ printr-o rezistenţa de 1 MΩ iar
secţiunea 2 este conectată la un comparator de rezistenţe. Când rezistenţa depăşeşte intervalul
prescris, comparatorul declanşează o alarmă sonoră.

Alte precauţii:

Înainte de a atinge componentele sensibile la DES, operatorul uman trebuie să atingă


tapetul de masa disipativ. Hainele operatorului uman sa nu se apropie şi să nu atingă
componentele sensibile la DES. Operatorul va putea utiliza numai mănuşi de bumbac, iar
persoanele nepregătite nu trebuie să se apropie de componentele sensibile.
Persoanele care manipulează componente sensibile nu vor face activităti fizice intense
care ar putea sa le încarce electrostatic, iar peste încalţăminte trebuie sa poarte anvelope
disipative.
Componentele sensibile la DES trebuie să rămână in cutiile lor antistatice până în
momentul utilizării, iar înaintea scoaterii lor din cutie operatorul uman trebuie:
-să pună cutia în tapetul disipativ;
-să verifice dacă brăţara este stransă pe mână şi dacă e legată la pământ;
-să atingă cu mâna tapetul;
Pe cât posibil, în timpul lucrului, componentele sensibile trebuie să fie în contact cu
tapetul. Dacă se utilizează ionizatoare şi umidificatoare, acestea să intre în funcţiune înainte de
scoaterea componentelor sensibile din cutie.
Circuitele integrate sensibile nu trebuie introduce sau scoase de pe placă în prezenţa
tensiunii de alimentare.
La plăcile cu componente sensibile pe intrări se conectează rezistenţe adecvate spre a
limita curentul provenit din DES, iar terminalele care nu sunt folosite trebuie scurtcircuitate cu
şunturi tip clamă.

30
ANEXE
ANEXA 1

FIG.1. Clasificarea TEC

31
ANEXA 2

32
ANEXA 3

33
ANEXA 4

34
ANEXA 5

35
BIBLIOGRAFIE
36
1. Dănilă T., Ionescu-Vaida M., - Componente şi circuite electronice – Ed.
Didactică şi Pedagogică, Bucureşti 1997
2. Sabin I., Munteanu R., - Introducere practică în electronică – Ed. Facla,
Timişoara 1985
3. Găzdaru C., Constantinescu C. - Îndrumar pentru electronişti (Radio şi
Televiziune) vol. 1- Ed. Tehnică, Bucureşti 1986
4. http://www.scoala.fxhigh.com

37