Sunteți pe pagina 1din 141

MINISTERUL EDUCAIEI CERCETRII I TINERETULUI

Proiectul Phare TVET RO 2005/017-553.04.01.02.04.01.03

MEdCTCNDIPT / UIP

AUXILIAR CURRICULAR
PROFILUL: TEHNIC SPECIALIZAREA: TEHNICIAN ELECTRONIST MODULUL: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE NIVELUL: 3

Acest material a fost elaborat prin finanare Phare n proiectul de Dezvoltare instituional a sistemului de nvmnt profesional i tehnic

Noiembrie 2008

AUTOR: PROF.ING. CARMEN LILIANA GHEA, Grad didactic I, GRUPUL COLAR INDUSTRIAL UNIREA, BUCURETI

CONSULTAN CNDIPT: ASISTEN TEHNIC:

POPESCU ANGELA, EXPERT CURRICULUM WYG INTERNATIONAL IVAN MYKYTYN, EXPERT

COORDONATOR: CIOBANU MARIANA VIOLETA

Profilul: TEHNIC Nivelul 3

MULUMIRI: Prof.ing. Mariana Robe inspector de specialitate ISMB Prof.ing. Carmen Onofreiciuc - Grupul colar Industrial UNIREA, BUCURETI

Profilul: TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

CUPRINS
1. Introducere 2. Competene relevante pentru modul 3. Activiti de nvare 1.Lucrare practic de laborator: Caracteristica static a diodei semiconductoare 2.Simulare cu ajutorul calculatorului Caracteristica static a diodei semiconductoare 3.Rezolvare de probleme 4. Evaluare 5.Lucrare practic de laborator: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 6.Simulare cu ajutorul calculatorului Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 7.Rezolvare de exerciii 8. Rezolvare de exerciii 9. Rezolvare de exerciii 10. Evaluare 11. Rezolvare de exerciii 12. Rezolvare de exerciii 13.Simulare cu ajutorul calculatorului Amplificatorul operaional cu reacie negativ 14. Rezolvare de exerciii 15. Rezolvare de exerciii 16. Rezolvare de exerciii 17. Prezentare Power Point: Amplificatorul operational caracteristici 18. Prezentare Power Point: Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice 19.Lucrare practic de laborator: Amplificatorul operational 20.Lucrare practic de laborator: Amplificatorul operational 21. Cubul Amplificatorul operaional 22. Rezolvare de exerciii 23. Evaluare 24.Simulare cu ajutorul calculatorului Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723 25. Prezentare Power Point: Aplicaiile circuitului integrat E555 26. Concurs de testare a cunotinelor Circuite integrate analogice 27.Simulare cu ajutorul calculatorului Profilul TEHNIC Nivelul 3 Pagina 6 8 13 13 16 19 20 22 26 28 32 34 35 38 41 42 43 45 46 47 48 49 52 54 55 57 59 62 64 65 4

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Analiza porilor logice folosind programul Digital Works 28. Rezolvare de exerciii 29. Rezolvare de exerciii 30. Rezolvare de exerciii 4. Glosar 5. Fie de documentare 1. Caracteristicile electrice ale diodei semiconductoare 2. Caracteristicile electrice ale tranzistorului bipolar 3. Tranzistorul n regim dinamic 4. Tranzistoare cu efect de cmp 5. Reacia n amplificatoare 6. Oscilatorul armonic 7. Oscilator cu reea Wien i amplificator de tensiune 8. Stabilizatoare electronice cu reacie 9. Amplificatoare operaionale 10. Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate 11. Axiomele i teoremele fundamentale ale algebrei booleene 12. Moduri de exprimare a funciilor logice 13. Analiza i sinteza circuitelor logice combinaionale 14. Programul Digital Works 6. Soluionarea activitilor de nvare 7. Fie de rezumat 8. Bibliografie

67 69 70 71 75 75 79 83 89 92 97 98 100 103 110 112 114 116 118 120 131 138

Profilul TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

1. INTRODUCERE
Acest material auxiliar de nvare a fost elaborat pentru modulul ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE, pentru clasa a XIII-a ruta progresiv a liceului tehnologic, specializarea Tehnician Electronist. Acest modul ofer elevilor cunotine care le vor permite s-i dezvolte abiliti practice privind analiza circuitelor electronice cu competene cheie privind prelucrarea datelor numerice, n condiiile participrii lor nemijlocite i responsabile la un proces instructiv-formativ centrat pe nevoile i aspiraiile proprii. Modulul face parte din Cultura de specialitate (aria curricular "Tehnologii") i are alocate un numr de 124 de ore / an, din care: Teorie 62 ore; Laborator tehnologic 62 ore n acest modul au fost agregate competene din unitatea de competen tehnic specializat ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE i din unitatea de competen cheie PROCESAREA DATELOR NUMERICE. nainte de aplicarea propriu-zis a materialelor de nvare propuse, profesorul trebuie s cunoasc particularitile colectivului de elevi i, ndeosebi, stilurile de nvare ale acestora, pentru reuita centrrii pe elev a procesului instructiv. Structurarea coninuturilor se bazeaz pe principiul subordonrii la competenele de format i la criteriile de performan ale fiecrei competene: astfel, au fost selectate i organizate corespunztor, informaii care permit formarea unei competene i atingerea criteriilor de performan prevzute n SPP. Fiecare etap de nvare este urmat de execiii prin care sunt exersate diferite stiluri de nvare i, de asemenea, abilitile cheie. Materialele de nvare urmresc cu strictee condiiile de aplicabilitate ale criteriilor de performan pentru fiecare competen, aa cum sunt acestea precizate n Standardele de Pregtire Profesional. Prin coninutul auxiliarului se dorete sporirea interesului elevului pentru formarea abilitilor din domeniul tehnic, prin implicarea lui interactiv n propria formare. Activitile propuse elevilor, exerciiile i rezolvrile lor, urmresc atingerea majoritii criteriilor de performan respectnd condiiile de aplicabilitate cuprinse n Standardele de Pregtire Profesional. Ele conin sarcini de lucru care constau n: Cutarea de informaii utiliznd diferite surse (manuale, documente, standarde, pagini Web); Rezolvarea de exerciii i desfurarea unor activiti practice; ntocmirea unui portofoliu coninnd toate exerciiile rezolvate i activitile desfurate. Portofoliul trebuie s fie ct mai complet pentru ca evaluarea competenelor profesionale s fie ct mai adecvat. Sugestiile pentru activitile cu elevii sunt n concordan cu stilurile de nvare ale acestora: vizual, auditiv i practic. Alegerea activitilor s-a fcut innd seama de nivelul de cunotine al elevilor de clasa a XIII-a, enunurile fiind formulate ntr-un limbaj adecvat i accesibil. Activitile propuse pot fi evaluate folosind diverse tehnici i instrumente de evaluare: probe orale, scrise, practice, observarea activitii i comportamentului elevului consemnat n fie de evaluare i de progres al elevului. Profilul TEHNIC Nivelul 3 6

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Rezultatele activitilor desfurate i ale evalurilor, colectate att de profesor ct i de elev, trebuie strnse i organizate astfel nct informaiile s poat fi regsite cu uurin: elevilor le pot fi necesare pentru actualizarea, pentru reluarea unor secvene la care nu au obinut feed-back pozitiv; profesorilor le pot fi necesare ca dovezi ale progresului nregistrat de elev i ca dovezi de evaluare.

Prezentul Auxiliar didactic nu acoper toate cerinele cuprinse n Standardele de Pregtire Profesional pentru care a fost realizat. El poate fi folosit n procesul instructiv i pentru evaluarea continu a elevilor. ns, pentru obinerea Certificatului de calificare, este necesar validarea integral a competenelor din S.P.P., prin probe de evaluare conforme celor prevzute n standardele respective.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

2. C ompetene relevante pentru modul


UNITATEA DE COMPETEN 26: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 1. Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete. 2. Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale. 3. Utilizeaz circuite integrate analogice 4. Utilizeaz reacia n circuite electronice UNITATEA DE COMPETEN 7: PROCESAREA DATELOR NUMERICE 1. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. 2. Prelucreaz datele numerice3. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. II.Tabelul de corelare a competenelor i coninuturilor Unitate de competene 26.Analiza circuitelor electronice Competene 26.1.Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete. Coninuturi tematice Caracteristicile statice ale componentelor electronice discrete (diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de cmp). Modele echivalente de semnal pentru componente discrete (modelul de semnal mic al diodei semiconductoare, modele de cuadripol cu parametri h, Z, Y ale tranzistoarelor bipolare, modelul natural al tranzistorului bipolar, modelul de semnal mic al tranzistorului cu efect de cmp). Analiza circuitelor electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete (circuite cu diode semiconductoare, amplificatoare cu unul sau dou etaje cu tranzistoare bipolare n conexiuni emitor comun, colector comun, baz comun, amplificatoare cu un etaj cu tranzistoare cu efect de cmp).

Profilul TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Unitate de competene

Competene 26.2.Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale.

Coninuturi tematice

7.Procesarea datelor numerice.

Pori logice elementare (NU, SAU, I-NU, SAUNU, SAU EXCLUSIV). Funcii logice. Exprimare folosind: - tabel de adevr - forma canonic normal disjunctiv - forma canonic normal conjunctiv - forma elementar. Metode de minimizare a funciilor logice: - postulatele i teoremele algebrei logice - diagrame Veitch-Karnaugh. Implementarea funciilor logice folosind pori logice elementare. 26.3.Utilizeaz Circuite integrate analogice uzuale (A 741, circuite integrate M324, A723, AA145, E555): analogice. - parametrii caracteristici - dispunere terminale - aplicaii specifice. 26.4.Utilizeaz Reacia n circuite electronice: reacia n circuite - definiie electronice. - reacia pozitiv - reacia negativ. Configuraii tipice ale circuitelor electronice (amplificatoare, oscilatoare) cu reacie: - serie-serie - serie-paralel - paralel-serie - paralel-paralel. 7.1.Planific o Demonstreaz abiliti de colectare a datelor activitate i culege numerice (dimensiuni, distane, temperatur, date numerice n mas, concentraie, densitate, tensiune) n legtur cu aceasta. vederea analizei circuitelor electronice, de selectare i nregistrare a acesotor date n tabele, fie.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Unitate de competene

Competene 7.2.Prelucreaz datele numerice.

Coninuturi tematice Demonstreaz abiliti de utilizare a formulelor de calcul (transformri de uniti de msur, calcule economico-financiare, ecuaii liniare cu dou variabile, media aritmetic, geometric, dispersia, abaterea medie ptratic) pentru efectuarea calculelor (puteri, radicali, procente, scri i proporii) necesare analizei circuitelor electronice. Caracteristicile statice ale componentelor electronice discrete (diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de cmp) reprezentarea i citirea graficelor (liniare, n coloane i bare, circulare, radar, Gantt) i diagramelor (cumulativ, Paretto, de dispersie).

Corelarea competenelor cu criteriile de performan din SPP:


Competena 1: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete.

Criterii de performan: (a) Caracterizarea componentelor discrete cu ajutorul caracteristicilor statice. (b) Realizarea modelelor echivalente de semnal pentru componente discrete. (c) Reprezentarea schemei electrice a circuitelor cu componente discrete folosind modele echivalente. (d) Efectuarea calculelor pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema echivalent de semnal. Condiii de Aplicabilitate a Criteriilor de Performen: Componente: diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de cmp Modele echivalente: modelul de semnal mic al diodei semiconductoare, modele de cuadripol cu parametri Z, Y, h ai tranzistoarelor bipolare, modelul natural al tranzistorului bipolar, modelul de semnal mic al tranzistorului cu efect de cmp Circuite: cu diode semiconductoare, amplificatoare cu unul sau dou etaje cu tranzistoare bipolare (conexiuni BC, EC, CC), amplificatore cu un etaj cu tranzistoare cu efect de cmp (conexiuni DC, SC, GC)

Probe de evaluare: Probe scrise care atest capacitatea candidatului de a analiza circuite electronice cu componente discrete folosind scheme echivalente de semnal, aa cum s-a precizat n criteriile (a), (b), (c) i (d) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

10

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Competena 2:

Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale.

Criterii de performan: (a) Exprimarea funciilor logice n forme precizate.. (b) Realizarea minimizrii funciilor logice folosind metode adecvate. (c) Implementarea funciilor logice minimizate folosind pori logice. Condiii de aplicabilitate a criteriilor de performan: Forme: tabel de adevr, forma canonic normal disjunctiv, forma canonic normal conjunctiv, forma elementar Metode de minimizare: pe baza postulatelor i teoremelor algebrei logice, cu diagrame Veitch-Karnaugh Pori logice: NU, SAU, I-NU, SAU-NU, SAU EXCLUSIV Probe de evaluare: Probe scrise care atest capacitatea candidatului a eprima funcii logice n diverse forme, aa cum s-a precizat n criteriul (a) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Probe scrise i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului de a implementa funcii logice cu pori logice, dup minimizarea acestora, aa cum s-a precizat n criteriile (b) i (c) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Competena 3: Utilizeaz circuite integrate analogice.

Criterii de performan: (a) Definirea parametrilor caracteristici ai circuitelor integrate analogice. (b) Identificarea dispunerii terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. (c) Precizarea rolului funcional al circuitului integrat ntr-o aplicaie dat. Condiii de aplicabilitate a criteriilor de performan: Circuite integrate: A 741, M 324, A 723, AA145, E555 Aplicaii: conform indicaiilor din cataloagele de componente Probe de evaluare: Probe orale i scrise care atest capacitatea candidatului de a defini parametrii caracteristici ai circuitelor integrate analogice, aa cum s-a precizat n criteriul (a) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Probe orale, practice i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului de a identifica dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete, aa cum s-a precizat n criteriul (b) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

11

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Probe orale, scrise i practice care atest capacitatea candidatului de a indica rolul funcional al circuitului integrat ntr-o aplicaie dat, aa cum s-a precizat n criteriul (c) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Competena 4: Utilizeaz reacia n circuite electronice.

Criterii de performan: (a) Definirea reaciei n circuite electronice. (b) Precizeaz tipurile de reacie n circuitele electronice. (c) Reprezentarea configuraiilor tipice ale circuitelor electronice cu reacie. (d) Identificarea tipurilor de reacie n circuite electronice. Condiii de aplicabilitate a criteriilor de performan: Tipuri: negativ i pozitiv Configuraii tipice: serie-serie, serie-paralel, paralel-serie, paralel-paralel Circuite: amplificatoare, oscilatoare Probe de evaluare: Probe orale i scrise care atest capacitatea candidatului de a defini reacia n circuite electronice, aa cum s-a precizat n criteriul (a) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Probe orale i scrise care atest capacitatea candidatului de a preciza tipuri de reacie n circuitele electronice, aa cum s-a precizat n criteriul (b) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Probe practice i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului de a reprezenta configuraii tipice ale circuitelor electronice cu reacie, aa cum s-a precizat n criteriul (c) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate. Probe practice i observarea desfurrii activitii care atest capacitatea candidatului de a identifica tipuri de reacie n circuite electronice, aa cum s-a precizat n criteriul (d) de performan, cuprinznd toate elementele din condiiile de aplicabilitate.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

12

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3. Activiti de nvare 3.1 Activitatea de nvare 1


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente

Lucrare practic de laborator


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic. Resurse: Platform experimental, miliampermetru, voltmetru, calculator. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 3 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat

Caracteristica static a diodei semiconductoare Procedura de lucru: Realizai (sau identificai) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimental din laborator. R1=220 R2=100k D1 1N4001 D2 EFD 108 1 R1 E1 Profilul TEHNIC Nivelul 3 5 6 13 2 D1 3 4 R2 E2

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE a. Polarizarea direct 1.Conectai miliampermetrul ntre bornele A notate cu 1 i 2, iar voltmetrul ntre bornele 3 4 1 2 notate cu 2 i 5, ca n figura alturat. 2. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune variabil E1. R1 R2 D1 3. Reglai tensiunea furnizat de sursa de V alimentare, astfel nct voltmetrul s indice UD=0,1V. E1 E2 4. Msurai curentul prin circuit. Notai valoarea msurat n tabelul 1.1. 5 6 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii UD din tabelul 1.1. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica static a diodei semiconductoare, n polarizare direct. Tabelul 1.1 UD(V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7 ID(mA) 7. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare direct. b. Rezistena de curent continuu Cu ajutorul graficului, determinai rezistena de curent continuu a diodei n punctele: M1: UD=0,5V. M2: UD=0,65V. UM Folosii relaia: RM = IM c. Rezistena dinamic. Cu ajutorul graficului, determinai rezistena dinamic a diodei in punctele: - UD=0,5V. - UD=0,65V. Folosii relaia: rd = rd(0,5V)= rd(0,65V)= Comparai rezultatele obinute. d. Polarizarea invers 1.Conectai miliampermetrul ntre bornele A notate cu 3 i 4, iar voltmetrul ntre bornele 4 1 2 3 notate cu 4 i 6, ca n figura alturat. 2. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune variabil E2. R1 R2 D1 V Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice E1 E2 UD=0V. 4. Msurai curentul prin circuit. Notai valoarea msurat n tabelul 1.2. 5 6 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii E2 din tabelul 1.2. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica static a diodei semiconductoare, n polarizare direct. Profilul TEHNIC Nivelul 3 14
U I

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Tabelul 1.2 E2 0 1 2 5 10 20 30 40 50 60 70 UD(V) IR(A) 7. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare invers. e. Reprezentarea caracteristicii statice a diodei semiconductoare 1. Reprezentai, pe o singur diagram, caracteristica static a diodei semiconductoare.
ID(mA)

UR(V)

UD(V)

IR(A)

2. Reprezentai, pe caracteristic, parametrii electrici ai diodei: Tensiunea de deschidere Tensiunea maxim Tensiunea de strpungere 3. Analizai caracteristica static a diodei semiconductoare. 4. Realizai circuitul echivalent, la frecvene joase, al diodei redresoare. f. Repetai lucrarea practic de laborator nlocuind dioda D 1 cu dioda D2. g. Comparai rezultatele obinute. h. ntocmii un referat cu tema Caracteristica static a diodei semiconductoare

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 1. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utilizate o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale o Observaii i concluzii.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

15

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.2 Activitatea de nvare 2


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete

Simulare cu ajutorul calculatorului


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 3 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat

Caracteristica static a diodei semiconductoare Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. a. Polarizarea direct 1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura de mai jos.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

16

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

A R1=220 R2=100k D1 D1 1N4001

R1 E1

2. Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice UD=0,1V. 3. Msurai curentul prin circuit. Notai valoarea msurat n tabelul 2.1. 4. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii U D din tabelul 2.1. 5. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica static a diodei semiconductoare, n polarizare direct. Tabelul 2.1 UD(V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7 ID(mA) 6. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare direct. b. Polarizarea invers Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura de mai jos.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

17

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

D1

R2 E2

Reglai tensiunea furnizat de sursa de alimentare, astfel nct voltmetrul s indice UD=0V. 4. Msurai curentul prin circuit. Notai ID(mA) valoarea msurat n tabelul 2.2. 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii E2 din tabelul 2.2. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica static a diodei UR(V) UD(V) semiconductoare, n polarizare direct. Tabelul 2.2 E2 0 1 2 5 10 20 30 40 50 60 70 UD(V) IR(A) IR(A) 7. Analizai aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, n polarizare invers. c. Reprezentarea caracteristicii statice a diodei semiconductoare 1. Reprezentai, pe o singur diagram, caracteristica static a diodei semiconductoare. 2. Reprezentai, pe caracteristic, parametrii electrici ai diodei: Tensiunea de deschidere Tensiunea maxim Tensiunea de strpungere 4. Analizai caracteristica static a diodei semiconductoare d. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura alturat. 2. Vizualizai imaginea obinut pe ecranul osciloscopului. 3. Analizai oscilograma obinut. 4. Interpretai rezultatele obinute.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

18

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

d. ntocmii un referat cu tema Caracteristica static a diodei semiconductoare

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 1. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utilizate o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale o Observaii i concluzii.

3.3 Activitatea de nvare 3


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevi vor lucra individual. Timp alocat: 1 or Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare. Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. Se consider circutele din figurile de mai jos, n care E=10V, R=1000 . IR=0, rezistena diodei n conducie=10,UD=0,7V.

Rezolvare de exerciii

Profilul TEHNIC Nivelul 3

19

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

R D a

R E b D

R E c

D1 D2

R E D1 d D2

1. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitele folosind circuitul echivalent al diodei semiconductoare. 2. Determinai curentul prin diode, pentru fiecare circuit n CV parte. b. Se consider dioda varicap BB 139, al crui circuit RS LS echivalent este prezentat n figura de mai jos. La tensiunea invers UR=25V, se msoar frecvena de rezonan serie f01=1.4GHz i capacitatea C01=6pF. La tensiunea invers RP UR=3V, se msoar capacitatea C02=32pF. Determinai frecvena de rezonan serie, f 02, pentru tensiunea invers U R=3V i valoarea inductanei serie, LS2.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 1. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii vor consulta anexa 6.

3.4 Activitatea de nvare 4


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete

Evaluare
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de evaluare individuale. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 1 or Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 3. Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte. Profilul TEHNIC Nivelul 3 Timp de lucru: 60 minute.

20

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE a. Se consider caracteristica static a diodei semiconductoare din figura alturat. (30p) 1. Identificai, pe diagram, regimurile de funcionare ale diodei semiconductoare. I............................................. ID II........................................ PDM IDM (mA) III....................................... IV,V.................................... 2. Explicai fenomenele care au loc n fiecare regiune de pe caracteristica static. US I0
R

UD0 UDMUD (V)

PDM I.............................................................................................................................................. .........II.................................................................................................................................... ............. III............................................................................................................................................ .... IV,V................................................................ 3. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitul echivalent al diodei, pentru fiecare regim de funcionare I polarizare direct II polarizare invers III strpungere(stabilizare)

b. Alege varianta corect: (25p) 1. Tensiunea maxim pe o diod, realizat din siliciu, polarizat direct, este de ordinul: a) 0,7mV; b) 0,3V; c) 0,7V; d) 0,3mV 2. Tensiunea maxim pe o diod, realizat din germaniu, polarizat direct, este de ordinul: a) 0,7mV; b) 0,3V; c) 0,7V; d) 0,3mV 3. Printr-o diod realizat din siliciu, polarizat invers, valorile tipice ale curentului invers sunt de ordinul: a)mA; b)A; c)A; d)nA 4. Printr-o diod realizat din germaniu, polarizat invers, valorile tipice ale curentului invers sunt de ordinul: a)mA; b)A; c)A; d)nA 5. ntr-o diod polarizat direct curentul direct a) crete exponenial cu creterea tensiunii de polarizare direct b) crete liniar cu creterea tensiunii de polarizare direct c) nu depinde de creterea tensiunii de polarizare direct d) descrete cu tensiunea aplicat. R1=1k A c. Dioda din figura de mai jos este o diod de siliciu. (20p) +5V
UD

Profilul TEHNIC Nivelul 3


-4,6V

21
R2=2k
B

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 1.Determinai cderea de tensiune pe rezistorul R1. 2.Calculai tensiunea ntre punctele A i B. d. Se consider circuitul din figura de mai jos, n care E=10V. (15p)
R E D ID[mA]

Caracteristica static a diodei este prezentat n figura alturat, iar punctul static de funcionare este M. Determinai valoarea rezistenei rezistoruluiR.

19,6

0 0,2
UD[V]

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 1. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii vor consulta anexa 6.

3.5 Activitatea de nvare 5


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru trazistorul bipolar n diferite regimuri de funcionare. S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile statice.

Lucrare practic de laborator


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic. Resurse: Platform experimental, miliampermetru, voltmetru, calculator. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 8 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat 22

Profilul TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare Resurse: Platform experimental, microampermetru, miliampermetru, voltmetru, calculator.

RV1 1 2 E1

R2

3 5 T

R3

7 8 E2

Procedura de lucru: Realizai (sau identificai) circuitul din figura alturat pe platforma experimental din laborator. RV1=500k R2=220k R3=470 T1 2N2222A a. Caracteristica de intrare 1.Conectai miliampermetrul ntre bornele notate cu 1 i 2, iar voltmetrul ntre bornele notate cu 3 i 4, ca n figura alturat. 2. Alimentai circuitul de la sursa R3 IB RV1 R2 de tensiune E1 = 5V. 5 6 3. Variai valoarea rezistorului R V1 7 astfel nct valoarea curentului I B UBE A s se afle ntre 5 i 10 A. 8 V 4. Msurai tensiunea UBE. Notai E1 valoarea msurat n tabelul 5.1. E2 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 5.1. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar. Profilul TEHNIC Nivelul 3 23

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Tabelul 5.1 IB (A) 0 - dorit IB (A) - msurat UBE (V)

5-10

16-25

30-50

120-200

7. Analizai aspectul caracteristicii statice de intrare a tranzistorului bipolar. b. Caracteristica de transfer 1.Conectai microampermetrul ntre bornele notate cu 1 i 2, iar miliampermetrul ntre bornele notate cu 7 i 8, ca n figura alturat. 2. Alimentai circuitul de intrare IC de la sursa de tensiune E1 = 5V i circuitul de ieire de la sursa R3 IB RV1 R2 de tensiune variabil E2. Reglai 6 5 E2=10V. mA 3. Variai valoarea rezistorului RV1 A astfel nct valoarea curentului I B s aib valoarea IB=10 A. E1 E2 4. Msurai valoarea curentului de colector IC. Notai valoarea msurat n tabelul 5.2. 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 5.2. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica de transfer a tranzistorului bipolar. Tabelul 5.2 IB (A) 10 IC (mA) I = C IB 20 30 40 50 60 70 80 90 100

IC . IB 8. Analizai aspectul caracteristicii statice de transfer a tranzistorului bipolar. 9. Pe graficul obinut, determinai panta caracteristicii de transfer. c. Familia caracteristicilor de ieire 1.Conectai microampermetrul ntre bornele notate cu 1 i 2, miliampermetrul ntre bornele notate cu 7 i 8, iar voltmetrul ntre bornele 5 i 4, ca n figura alturat. Scurtcircuitai rezistorul R3. R3 2. Alimentai circuitul de intrare de IB RV1 R2 UCE la sursa de tensiune E1 = 5V i 6 5 mA circuitul de ieire de la sursa de A tensiune variabil E2. V 3. Variai valoarea rezistorului RV1 astfel nct valoarea curentului I B s E 1 aib valoarea IB=10 A. E2

7. Calculai valoarea factorului de amplificare =

Profilul TEHNIC Nivelul 3

24

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 4. Reglai sursa variabil, E2, astfel nct voltmetrul s indice UCE=0,05V. 5. Msurai valoarea curentului de colector IC. Notai valoarea msurat n tabelul 5.3. 6. Repetai paii 3, 4 i 5 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 5.3. 7. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar. Tabelul 5.3 IB (A) 10
UCE(V)

20

30

40

50

60 IC (mA)

70

80

90

100

0,05 0,07 0,1 0,2 0,4 0,5 1 2 4 6 8 10 8. Analizai aspectul familiei caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar. 9. Pe graficul obinut, identificai regiunile corespunztoare regimurilor de funcionare ale tranzistorului bipolar. 10. n planul caracteristicilor de ieire, delimitai aria de funcionare normal a unui tranzistor bipolar. 11. Caracterizai funcionarea tranzistorului bipolar: n regim activ normal n regim de saturaie n regim de blocare n regim activ invers. 12. Reprezentai, pe fia de lucru, circuitul echivalent al tranzistorului bipolar: n regim de saturaie n regim de blocare 13. Determinai valorile mrimilor UCE i IC pentru cazurile indicate la punctul 11. d. Dreapta de sarcin 1. Se consider montajul de la punctul c. nlturai scurtcircuitarea rezistorului R3. 2. Pe graficul obinut la punctul c. trasai dreapta de sarcin. 3. Determinai, cu ajutorul graficului, punctul static de funcionare al tranzistorului pentru IB = 20 A, respectiv pentru IB = 60 A i E2=10V. 4. Variai valoarea rezistorului RV1 astfel nct valoarea curentului I B s aib valoarea IB=20 A. 5. Reglai sursa variabil, E2=10V. 7. Msurai valoarea curentului de colector IC. 8. Msurai valoarea tensiunii UCE. Profilul TEHNIC Nivelul 3

25

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 9. Comparai valorile msurate cu valorile determinate cu ajutorul graficului, la punctul 3. 10. Variai valoarea rezistorului R V1 astfel nct valoarea curentului I B s aib valoarea IB=60 A. 11. Repetai paii 7,8, i 9. e. ntocmii un referat cu tema: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 2. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utilizate o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale o Observaii i concluzii.

3.6 Activitatea de nvare 6

Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor statice. S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile

Simulare cu ajutorul calculatorului


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 6 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat bipolare Caracteristicile statice ale tranzistoarelor Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. a. Caracteristica de intrare 1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a 1 programului de simulare circuitul din figura 2 alturat. RV1=500k E1 R2=220k R3=470 Profilul TEHNIC Nivelul 3
RV1 R2 3 5 T R3 6 7 8 E2

26

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE T1 2N2222A 2.Conectai miliampermetrul ntre bornele notate cu 5 i 1, iar voltmetrul ntre bornele notate cu 3 i 0, ca n figura de mai jos.

3. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune V 1 = 5V. 4. Variai valoarea rezistorului R3 astfel nct valoarea curentului I B s se afle ntre 5 i 10 A. 5. Msurai tensiunea UBE. Notai valoarea msurat n tabelul 6.1. 6. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 6.1. 7. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar. Tabelul 6.1 IB (A) 0 5-10 16-25 30-50 120-200 - dorit IB (A) - msurat UBE (V) 8. Analizai aspectul caracteristicii statice de intrare a tranzistorului bipolar. 9. Comparai cu rezultatele obinute n cadrul lucrrii practice de laborator . b. Caracteristica de transfer RV1 R2 R3 3 Realizai cu ajutorul calculatorului i a 5 6 programului de simulare circuitul din 1 7 T figura alturat. 2 8 RV1=500k E1 R2=220k E2 R3=470 T1 2N2222A
4

Profilul TEHNIC Nivelul 3

27

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

1. Conectai multimetrul 1 ntre bornele notate cu 6 i 7, selectai funcia ampermetru (A) i setai domeniul de msurare 1mA. Conectai multimetrul 2 ntre bornele notate cu 1 i 5, selectai funcia ampermetru (A) i selectai domeniul de msurare 1A, ca n figura de mai sus. 2. Alimentai circuitul de intrare de la sursa de tensiune V 1 = 5V i circuitul de ieire de la sursa de tensiune V2=12V. 3. Variai valoarea rezistorului R V1 astfel nct valoarea curentului I B s aib valoarea aproximativ IB=10 A. 4. Msurai valoarea curentului de colector I C. Notai valoarea msurat n tabelul 6.2. 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 6.2. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica de transfer a tranzistorului bipolar.

Tabelul 6.2 IB (A)10 dorit IB (A)msura t IC (mA) I = C IB

20

30

40

50

60

70

80

90

100

IC . IB 8. Analizai aspectul caracteristicii statice de transfer a tranzistorului bipolar. 9. Pe graficul obinut, determinai panta caracteristicii de transfer. 10. Comparai cu valorile calculate. c. Familia caracteristicilor de ieire

7. Calculai valoarea factorului de amplificare =

Profilul TEHNIC Nivelul 3

28

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura alturat. RV1 R2 3 RV1=500k 1 7 R2=220k T 2 R3=470 8 T1 2N2222A E1 E2
4

1. Conectai multimetrul 3 ntre bornele notate cu 1 i 5, selectai funcia ampermetru (A) i setai domeniul de msurare 1mA. Conectai multimetrul 2 ntre bornele notate cu 4 i 6, selectai funcia ampermetru (A) i selectai domeniul de msurare 1A. Conectai multimetrul 3 ntre bornele notate cu 4 i 0, selectai funcia voltmetru (V), ca n figura de mai sus. 2. Alimentai circuitul de intrare de la sursa de tensiune V 1 = 5V i circuitul de ieire de la sursa de tensiune variabil V2. 3. Variai valoarea rezistorului R V1 astfel nct valoarea curentului I B s aib valoarea aproximativ IB=10 A. 4. Reglai sursa variabil, E2, astfel nct voltmetrul s indice UCE=0,05V. 5. Msurai valoarea curentului de colector IC. Notai valoarea msurat n tabelul 6.3. 6. Repetai paii 3, 4 i 5 pentru toate valorile curentului de baz din tabelul 6.3. 7. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar. Tabelul 6.3 IB (A) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
UCE(V)

IC (mA)

0,05 0,07 0,1 0,2 0,4 Profilul TEHNIC Nivelul 3 29

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 0,5 1 2 4 6 8 10 8. Analizai aspectul familiei caracteristicilor de ieire ale tranzistorului bipolar. 9. Pe graficul obinut, identificai regiunile corespunztoare regimurilor de funcionare ale tranzistorului bipolar. 10. n planul caracteristicilor de ieire, delimitai aria de funcionare normal a unui tranzistor bipolar. 11. Comparai cu rezultatele obinute n cadrul lucrrii practice de laborator . e. ntocmii un referat cu tema: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 2. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6. Evaluare: Referat Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utilizate o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale

3.7 Activitatea de nvare 7


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor statice. S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile statice.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

30

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 2 ore Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare.

Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. Se consider montajul din figura alturat. Tranzistorul este de tip BC 107 i are caracteristicile statice reprezentate n figura de mai jos. +E =10V
C

RB 4M CB

RC 2k

CS

C
S

ui ~~ R
2

u0

Determinai punctul static funcionare al tranzistorului.

de

b. Tranzistorul din figura de mai jos este caracterizat de parametrii: = 100, UBE = 0,7 V i ICBO = 0. Dac RC = 1 k i EC = 20 V. EC R
B

R
C

1. Determinai coordonatele punctelor (M, N) de intersecie ale dreptei de sarcin cu axele de coordonate (OIC i OUCE) 2. Calculai valoarea rezistenei RB astfel nct tranzistorul s funcioneze n punctul static aflat la jumtatea dreptei de sarcin (se presupune c tensiunea U BE = ct). Profilul TEHNIC Nivelul 3

31

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 5.2. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

32

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.8 Activitatea de nvare 8


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare bipolare S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete folosind modelele echivalente. S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete. S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 1 or Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare. Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. n figura de mai jos este prezentat un etaj de amplificare, avnd tranzistorul T cu Si, caracterizat de parametri: UBE=0,6V, ICB0 0, =49, h11=1,5k, h12=60, h12 0, h22 0.
+ EC= 20V

RB
1M

RC 1k

CS
u0

ui

CB

1. Determinai punctul static de funcionare; 2.Calculai valoarea tensiunii la ieirea amplificatorului, n condiiile n care la intrare se aplic tensiunea: ui = 0,3 sint, iar reactanele condensatoarelor C B, CE i CS se pot neglija la frecvena de lucru. b. Un tranzistor cu Si (UBE = 0,6V, ICB0 0, h21= = 24, h11= 0,12k), este utilizat ntr-un etaj de amplificare, n conexiune EC, ca n figura de mai jos. Pentru polarizarea bazei se folosete un divizor de tensiune, format din rezistenele R 1 i R2. n vederea asigurrii stabilitii cu temperatura a punctului static de funcionare, se impune ca R2/RE =10 i UEM/UBE =5. n condiiile n care Ec=20V, IE = 5mA i IB=0,2mA, se cere s se determine:

Profilul TEHNIC Nivelul 3

33

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

I1
R1 CB

+EC
IC
RC CS

C
S CE u0

ui ~ R2

I2

IE
RE

R
2

CE RE

R
S

1. elementele de circuit RE, R1 i R2; 2. mrimile Ic i UCE pentru RC = 1k; 3. mrimile Ri1 =ui / ii i Au = u0 / ui, n condiiile n care se neglijaz parametrii h 12, h22, precum i reactanele condensatoarelor CE, CB, CS.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 3. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

34

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.9 Activitatea de nvare 9


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare cu efect de cmp. S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete folosind modelele echivalente. S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete. S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 1ore Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare. Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. Se consider amplificatorul cu TEC-J din figura alturat. Tranzistorul are parametrii: gm = 2mA/V, rd =10k. Calculai amplificarea Au= u0 /ui, considernd condensatorul Cs un scurtcircuit.
ui UGS ES=12V ID +ED=+24V
50k

RD

Cs

50k

RS

u0

b. n repetorul pe surs din figura alturat, tranzistorul are gm = 2mA/V. Calculai amplificarea n tensiune.

+ED=+24V

ui

Cs RS u0

100k

Profilul TEHNIC Nivelul 3

35

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cosulta Fia de documentare 5. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

3.10 Activitatea de nvare 10


Competene: Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Prelucreaz datele numerice Obiective: S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete folosind modelele echivalente. S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete. S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema echivalent de semnal.

Evaluare
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de evaluare individuale. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 1 or Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 3.. Timp de lucru: 60 minute.

Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte.

a. Alege varianta corect: (20p) 1. Pentru ca un tranzistor bipolar s funcioneze n regiunea activ normal este necesar ca: a)att jonciunea emitorului ct i cea a colectorului s fie polarizate direct; b)att jonciunea emitorului ct i cea a colectorului s fie polarizate invers; c)jonciunea emitorului s fie polarizat direct iar cea a colectorului invers; d)jonciunea emitorului s fie polarizat invers iar cea a colectorului direct; e)s fie polarizat numai jonciunea emitorului. 2. Curentul de baz al unui tranzistor npn, funcionnd n regiunea activ normal, are sensul: a)spre baz pentru orice tensiune uBE; b)din spre baz pentru orice tensiune uBE; c)spre baz pentru tensiuni uBE mici i dinspre baz pentru tensiuni uBE mari; Profilul TEHNIC Nivelul 3 36

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE d)dinspre baz pentru tensiuni uBE mici i dinspre baz pentru tensiuni uBE mari; e)spre baz pentru tensiuni uBE mari i dinspre baz pentru tensiuni uBE mici. . 3. Un tranzistor funcioneaz n regiunea de saturaie cnd: a)jonciunea emitorului este polarizat direct, iar cea a colectorului este polarizat invers; b jonciunea emitorului este polarizat invers, iar cea a colectorului este polarizat direct; c)jonciunea emitorului este polarizat direct, iar cea a colectorului este polarizat direct; d)jonciunea emitorului este polarizat invers, iar cea a colectorului este polarizat invers; IC e)nici o jonciune nu este polarizat. I 4. Zona haurat din figura alturat C max UCB = 0 corespunde: a) domeniului interzis de valori pentru PD max funcionarea tranzistorului; b) domeniului permis de valori pentru funcionarea tranzistorului; c) regimului activ invers; IB = 0 d) regimului de blocare a tranzistorului. e) Regimului activ normal. 0 UCE max UCE b. Notai n dreptul fiecrui enun de mai jos litera A, dac apreciai c enunul este adevrat i litera F, dac apreciai c enunul este fals. (30p) 1. Coordonatele punctului static de funcionare al tranzistorului bipolar verific ecuaia dreptei de sarcin. 2. Tranzistoarelel cu efect de cmp cu jonciuni sunt comandate n curent. 3. Tranzistoarele cu efect de cmp n comparaie cu tranzistoarele bipolare au cureni de intrare mult mai mici i impedana de intrare mult mai mare. 4. Cu ct tensiunea UBE de polarizare a jonciunii baz-emitor este mai mare, cu att curentul de emitor IE va fi mai mare. 5. Dac ntre curentul de colector IC i curentul de baz IB exist relaia IC < IB , tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie. 6. Punctul static de funcionare al tranzistorului bipolar este dependent de temperatur. c. Se consider circuitul din figura de mai jos. (40p) 1. Calculai valoarea rezistenei R B1 pentru ca tranzistorul T2 din figur s funcioneze n punctul static caracterizat de mrimile: UCE2 = 10 v, UBET2 = 0,7 V. Se mai cunosc: EC = 20 V, RC1 =RC2 = RE2 = 1 k, RB2 = 50 k, T1 = T1 = 50, UBE1 = 0,7 V. Curenii reziduali de colector se neglijeaz

Profilul TEHNIC Nivelul 3

37

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

EC RC1 T1 I1 M IB2 IE2 RE2 RB2 T2 RC2 IC2

RB1

IB1

2. Determinai regimul n care funcioneaz tranzistorul T 2 dac rezistena RC1 se scurtcircuiteaz i tensiunea UBE2 se consider constant i egal cu 0,7V.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 2,5. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

38

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.11 Activitatea de nvare 11


Competene: Utilizeaz reacia n circuite electronice. Prelucreaz datele numerice Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 2 ore Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare. Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. Completez spaiile libere pentru a obine o formulare corect: Un amplificator cu reacie este un ........(1)............ la care o parte din semnalul de ............(2).......... este aplicat la ...............(3).............. b. Pe schema bloc de mai jos completeaz semnalele corespunztoare intrrilor i ieirilor, precum i expresia lui A i . + A=

Reea de reacie

c. Alege varianta corect: 1. n cazul reaciei negative: a. b. c. d.

Ar A
Ar A
Ar = A
A r

Profilul TEHNIC Nivelul 3

39

1
' U1

2
'

U2 U2 U1 A CIRCUITELOR ELECTRONICE 2 1 Modulul: ANALIZA 2

U1r

U2r

2. Prin aplicarea reaciei negative: a. banda de frecven se ngusteaz b. banda de frecven se lrgete c. banda de frecven nu se modific d. banda de frecven tinde la zero. d. n coloana A a tabelului de mai jos sunt prezentate schemele bloc ale amplificatoarelor cu reacie , iar n coloana B tipurile de reacii. S se stabileasc asocierile corespunztoare dintre cifrele din coloana A i literele corespunztoare din 1 2 1 coloana B. 2 ' U1 U2 B U1 A Scheme ale amplificatoarelor cu reacie Tipuri de reacii 2 1 bloc 1 U2 U1r U2r 2 a)Serie serie

1. 1 I1 1 I1 U1 U1 1 I1r U1r 2. 1

I2 2 I 2 2 U2 U2 I2r
2

'

b)Serie paralel

2 U2r

c) Paralel serie 3. d)Paralel paralel

Profilul TEHNIC Nivelul 3

40

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

e. Realizeaz corespondena ntre elementele coloanelor de mai jos, completnd corect tabelul propus: A B C Eantionare pe nod serie - serie tensiune - serie Eantionare pe bucl serie - paralel tensiune - paralel Comparare pe nod paralel - serie curent - serie Comparare pe bucl paralel - paralel curent - paralel Eantionare NOD BUCL Comparare tensiune - paralel NOD paralel - serie BUCL f. Se consider montajul prezentat n schema de principiu de mai jos, n care condensatoarele sunt scurtcircuit n current alternativ. Evideniai reaciile. .

Profilul TEHNIC Nivelul 3

41

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


+Ec RC1 CB RG Ug C RB RS RE2 CE2 RC2 CS

RE1

CE
1

g. n absena reaciei negative, un amplificator are frecvenele limit: f j=100Hz i fs=1MHz. Indicai modul n care se modific aceste frecvene limit, dac reacia negativ aplicat este caracterizat de 1- A = 50. h. Un amplificator are amplificarea n tensiune fr reacie egal cu A = 1000 100. Se dorete un amplificator a crui amplificare s nu varieze cu mai mult de 0,1%. a) Calculai factorul de transfer, , al reelei de reacie; b) Determinai valoarea amplificrii cu reacie.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 6. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

3.12 Activitatea de nvare 12


Competene: Utilizeaz reacia n circuite electronice. Prelucreaz datele numerice Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 1 or Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

42

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Amplificatorul operaional cu reacie negativ Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. Amplificatorul operaional cu reacie din figura alturat este considerat ideal. 1. Determinai amplificarea amplificatorului cu R2 reacie. 2. Identificai tipul de reacie. b. Analizai influena reaciei asupra R1 Ao Ui amplificatorului operaional. + c. Stiind c R1=2k i R2=8k, calculai amplificarea amplificatorului cu reacie.

Uo

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 6,10. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

3.13 Activitatea de nvare 13


Competene: Utilizeaz reacia n circuite electronice. Prelucreaz datele numerice Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

Simulare cu ajutorul calculatorului

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 1or Evaluare / Autoevaluare: Referat Amplificatorul operaional cu reacie negativ Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. 1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura alturat. R1=1k R2=10k Profilul TEHNIC Nivelul 3
R1 R2

+ Ao Uo

Ui

43

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE AO - virtual 2.Conectai osciloscopul ca n figura alturat. 3. Variai valoarea rezistenei de reacie, R2. 4. Analizai modul n care valoarea rezistena de reacie nflueneaz amplificarea amplificatorului cu reacie.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 6,10. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

3.14 Activitatea de nvare 14


Competene: Utilizeaz reacia n circuite electronice. Prelucreaz datele numerice Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 1 or Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare.

Oscilatorul cu reacie Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. Se consider schema bloc a unui oscilator cu reacie.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

44

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Xg X1 X2 X1 X2 X2

A=

Xr
Reea de reacie

Xr = X2

a.Completeaz spaiile punctate pentru a obine o formulare corect : Oscilatorul armonic este un .......(1)............ .care genereaz un semnal de form .......... (2)........ b. Determinai condiia de oscilaie (relaia lui Barkhausen). c. Alege varianta corect 1. Condiia de oscilaie a unui oscilator armonic este: a) . A < 1 b) . A = 1 c) . A >1 2. Pentru a se obine un oscilator amplificatorul trebuie s aib: a) reacie negativ; b) reacie pozitiv; c) reacie negativ sau pozitiv; d) nu trebuie s aib reacie. d.Explicai de ce oscilatorul armonic genereaz semnal sinusoidal i nu de alt form. e. Completeaz spaiile punctate pentru a obine o formulare corect: n cazul n care amplificatorul are A = real frecvena de oscilaie este determinat de..........(1).....

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 6,10. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

45

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.15 Activitatea de nvare 15


Competene: Utilizeaz reacia n circuite electronice. Prelucreaz datele numerice Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 2 ore Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare. r2 r1 + U2 R1 U1 R2 C2 C1

Oscilator cu reea Wien i amplificator operaional Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. Se consider oscilatorul cu reea Wien i amplificator operaional din figura de mai jos. 1. Identificai buclele de reacie care exist n acest circuit. 2. Precizai tipul reaciei pentru fiecare bucl. 3. Precizai rolul fiecrei bucle de reacie. 4. Redesenai schema de mai sus, astfel nct s punei n eviden puntea.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 7, 8. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

46

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.16 Activitatea de nvare 16


Competene: Utilizeaz reacia n circuite electronice. Prelucreaz datele numerice Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

Rezolvare de exerciii

Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 1 or Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare.

Stabilizatorul cu reacie Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. Se consider schema stabilizatorului serie, cu reacie, din figura de mai jos. T Io Io i UBE R IB Uo Rs Ui DZ Uz

Analizai funcionarea schemei i evideniai rolul reaciei n acest circuit.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 9 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

47

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.17 Activitatea de nvare 17


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate

Prezentare PowerPoint
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, Windows, MS Office Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 30 minute

Meninei apsat tasta contol i facei click pe textul Prezentare PowerPoint sau deschidei fiierul Amplificatorul operational caracteristici. Urmai indicaiile din prezentare.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 10 Autoevaluare: On-line.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

48

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.18 Activitatea de nvare 18


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din

Prezentare PowerPoint
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, Windows, MS Office Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 30 minute

Meninei apsat tasta contol i facei click pe textul Prezentare PowerPoint sau deschidei fiierul Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice. Urmai indicaiile din prezentare.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fiele de documentare 10,11. Autoevaluare: On-line.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

49

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.19 Activitatea de nvare 19


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente.

Lucrare practic de laborator


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic. Resurse: Platform experimental, voltmetre, calculator. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 3 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat

Amplificatorul operaional Procedura de lucru: Realizai (sau identificai) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimental din laborator. R2 R1 Intrare 1 5 2 R3 6 R4 +15V 7 8 3 4

A0 E1
V1

Ieire

Ui R5

+
-15V
V2

U0

R1=22k Profilul TEHNIC Nivelul 3 50

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE R2=22k R3=10k R4=100k R5=1k AO A741 1. Conectai voltmetrul V1 la intrare, pentru msurarea tensiunii de intrare, iar voltmetrul V2 la ieire pentru msurarea tensiunii de ieire, ca n figur. 2. Conectai, la intrare, sursa de tensiune variabil E V1. 3. Variai valoarea EV1 astfel nct valoarea tensiunii de intrare, U i, s fie n jur de 0,1V. 4. Msurai tensiunea de ieire Notai valoarea msurat n tabelul 19.1. 5. Repetai paii 3 i 4 pentru toate tensiunii de intrare din tabelul 19.1. 6. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint variaia amplificrii cu reacie. Tabelul 19.1 Ui(V) 0,1
dorit

0,5

10

12

Ui(V)

msurat

U0(V)
A1 = U0 Ui R2 i comparai cu valorile obinute n urma R1

7. Analizai aspectul diagramei 8. Calculai amplificarea cu formula A1 =

msurtorilor. 9. Desfacei conexiunile dintre bornele 1-2, respectiv, 3-4 i conectai bornele 5-6, respectiv 7-8. 10. Variai valoarea EV1 astfel nct valoarea tensiunii de intrare IB s fie n jur de 0,1V. 11. Msurai tensiunea de ieire Notai valoarea msurat n tabelul 19.2. 12. Repetai paii 3 i 4 pentru toate tensiunii de intrare din tabelul 19.2. Tabelul 17.2 Ui(V) 0,1
dorit

0,5

10

12

Ui(V)

msurat

U0(V)
A2 = U0 Ui

13. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint variaia amplificrii cu reacie. 14. Analizai aspectul diagramei. Profilul TEHNIC Nivelul 3

51

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 15. Calculai amplificarea cu formula A1 =


R2 i comparai cu valorile obinute n urma R1

msurtorilor. 16. Rspundei la urmtoarele ntrebri: a. Pentru ce domeniu al tensiunii de intrare, variaiile amplificrii cu reacie sunt mai mici de 5%? b. Pentru valori mici ale tensiunii de intrare amplificarea este influenat de . (offset, saturaie) c. Pentru valori mari ale tensiunii de intrare amplificarea este inflenat de . (offset, saturaie) 17. ntocmiti un referat cu titlul: Amplificatorul inversor n c.c.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 10. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utilizate o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale

Profilul TEHNIC Nivelul 3

52

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.20 Activitatea de nvare 20


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente. Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic. Resurse: Platform experimental, osciloscop cu 2 canale, calculator. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 3 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat Amplificatorul operaional Procedura de lucru: Realizai (sau identificai) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimental din laborator.
R1 Intrare 1 5 2 R3 6 +15V R4 7 8 R2 3 4

Lucrare practic de laborator

Ui

AO

Ieire

AO A741 R1=22k R2=22k R3=10k R4=100k R5=1k

+
R5 U0 -15V

1. Conectai, la intrare, generatorul de funcii

Profilul TEHNIC Nivelul 3

53

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 2. Conectai sonda corespunztoare canalului A la intrare, pentru vizualizarea tensiunii de intrare, iar sonda corespunztoare canalului B la ieire, pentru msurarea tensiunii de ieire, ca n figur. 3. Reglai generatorul de funcii astfel nct s obinei, la intrare un semnal triunghiular, cu frecvena de 1000 Hz i valoarea vrf la vrf de 1V. 4. Vizualizai forma de und a semnalului de ieire. 5. Reprezentai, pe fia de lucru, forma de und a semnalului de intrare i de ieire. 6. Comparai cele dou forme de und. 7. Analizai rezultatele i tragei concluziile. R2 8. Calculai amplificarea cu formula A1 = i comparai cu valorile obinute n urma R1 msurtorilor. 9. Reglai generatorul de funcii astfel nct s obinei, la intrare un semnal sinusoidal, cu frecvena de 1000 Hz i valoarea vrf la vrf de 8V. 10. Variai frecvena semnalului de intrare, conform valorilor din tabelul 20.1. 11. Msurai tensiunea de intrare i de ieire. Notai valorile msurate n tabelul 20.1 Tabelul 20.1 Frecvena 1 10 100 1000 5000 10000 20000 30000 50000 100000 (Hz) Ui(V) U0(V)
A2 = U0 Ui

13. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint caracteristica de frecven a amplificatorului.. 14. Analizai aspectul diagramei. 15. Determinai lrgimea de band i calculai produsul amplificare-band. 17. ntocmii un referat cu titlul: Amplificatorul inversor n c.a.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 10. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utiliaze o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale

Profilul TEHNIC Nivelul 3

54

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.21 Activitatea de nvare 21


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente.

Cubul
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru. Organizare: Elevii se vor organiza n 6 echipe. Timp alocat: 2 ore Evaluare / Autoevaluare: coevaluare.

Folosii un cub care semnific, n mod simbolic, tema ce urmeaz a fi explorat: Amplificatorul operaional. Cubul are nscrise pe fiecare dintre feele sale Descrie, Compar, Analizeaz, Asociaz, Aplic, Argumenteaz. Pe tabl, profesorul detaliaz cerinele de pe feele cubului cu urmtoarele: Descrie: Proprietile amplificatorului operaional. Compar: Compar amplificatorul operaional cu amplificatorul cu componente discrete. Analizeaz: Analizeaz funcionarea amplificatorului inversor Asociaz: Transform schema amplificatorului inversor n amplificator neinversor. Aplic: Ce aplicaii au amplificatoarele operaionale? Argumenteaz: De ce se utilizeaz amplificatoarele operaionale n schemele electronice. Conductorul fiecrui grup va rostogoli cubul. Echipa sa va explora tema din perspectiva cerinei care a czut pe faa superioar a cubului i va nregistra totul pe o foaie de flip-chart. Dup 1 or, grupurile se reunesc n plen i vor mprti clasei rezultatul analizei. Afiai pe tabl, flip-chart rezultatele ntregii discuii.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Utilizarea fielor de documentare adecvate. Utilizarea altor surse de informare (internet, manual, reviste de specialitate, caiet de notie, etc)

Profilul TEHNIC Nivelul 3

55

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.22 Activitatea de nvare 22


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 2 ore Evaluare / Autoevaluare: fia de evaluare /autoevaluare.

Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos. a. Se consider configuraia de amplificator inversor, din figura de mai jos, n care se utilizeaz un amplificator operaional ideal. Calculai amplificarea n tensiune, Au .
Ir I1

Ui

R1=10k u
+ u

Ii

R2=50k

+ Ao Uo

b. Se consider circuitul sumator inversor din figura de mai jos. R2=10k I2


I1 Ii I3

R3=50k

Ui2 Ui1

R1=10k u
+ u

+ Ao Uo

La cele dou intrri se aplic tensiunile continue: U i1 = E1 = 1V i Ui2 = E2 = 2V, iar A.O. este considerat ideal. Determinai tensiunea la ieirea circuitului. Profilul TEHNIC Nivelul 3 56

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

c. Se consider circuitul cu ieire diferenial din figura de mai jos. R4 R1 R2 Ui

AO1 +

R3

- AO
+

Uo

Amplificatoarele sunt presupuse ideale. Ui = 10V. R1 = 10K; R2 = 50K; R3 = 50K; R4 = 50K. 1.Determinai tensiunea de ieire a fiecrui amplificator. 2.Determinai tensiunea de ieire diferenial. 3.Determinai amplificarea acestui amplificator.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 10 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

57

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.23 Activitatea de nvare 23


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete.

Evaluare
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru individual. Organizare: Elevii vor lucra individual. Timp alocat: 2 ore Evaluare: Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos: Se acord 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte. Timp de lucru: 120 minute. a. Completeaz spaiile punctate pentru a obine o formulare corect: (16puncte) 1. Amplificarea n bucl deschis fiind (1) ., poate fi considerat (2) ..: 2. Din relaia U0 =A0(u+ - u-), cum U0 are o valoare finit, rezult: u+ - u- =(3) ., deci, bornele de intrare sunt n (4) virtual; 3.Impedana de intrare fiind(5) , poate fi considerat (6) ..:, ca urmare curentul de intrarea poate fi considerat(7) .; 4. Impedana de ieire, Zo este foarte mic, putnd fi considerat egal cu (8) .. b.Alege varianta corect: (20puncte) b.1 Amplificatorul operaional are proprietile: a)impedan de ieire mic b)amplificare mare: c)impedan de intrare mic; d)curent de intrare mare e) band de frecven mic b.2 Impedana de intrare a AO este: a)de ordimul b)de ordinul sute de c)de ordinul M. b.3 Alege varianta corect: Amplificatorul operaional are proprietile: a)impedan de ieire mare b)amplificare mic: c)impedan de intrare mare; Profilul TEHNIC Nivelul 3 58

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE d)decalaj mare e) band de frecven mic b.4.Alege varianta corect: Curentul absorbit de un AO este: a)de ordimul mA; b)de ordinul nA; c)de ordinul A. c.Deseneaz schema de principiu a unui sumator neinversor i explic funcionarea circuitului. (20puncte) d. Se consider configuraia de amplificator inversor, din figura de mai jos, n care se utilizeaz un amplificator operaional ideal. R1=2k R2=2k (30puncte) 1)Calculai amplificarea n tensiune, Au . Ii 2)tiind c ui=7V,s se calculeze uo. -3)Determinai R2, , astfel nct u Ao amplificatorul s fie divizor cu 2. Ii + Uo + u Ui

e.Pe borna de intrare a amplificatorului din problema precedent se aplic una dintre sondele unui osciloscop i se obine oscilograma din figura de mai jos. Desenai oscilograma care trebuie s apar atunci cnd cea de doua sond se aplic la ieirea amplificatorului. (4puncte)

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 10 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 2.1.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

59

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.24 Activitatea de nvare 24


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente.

Simulare cu ajutorul calculatorului


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, program de simulare Multisim. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 1or Evaluare / Autoevaluare: Referat

Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723 Se consider schema stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723, din figura de mai jos. C1 Marimile fizice care definesc independenta stabilizatorului de influenele mediului extern sunt: 1 14 2 13 -tensiunea minim de alimentare la R2 3 12 intrarea stabilizatorului Uimin 4 11 5 10 - factorul de stabilizare 6 9 U i 7 8 R S= 3 U 0 R6 R1 - curentul maxim de ieire Iomax - deriva termic a tensiunii de ieire. A723 1. Realizai cu ajutorul calculatorului i a programului de simulare circuitul din figura alturat. R1=4,7k R2=3,3k R3=2,2k R6=10M Rsc1=2,2 RS = 51 T BD 135 C1= 390pF

Ui

Rsc1

Rs

U0

Profilul TEHNIC Nivelul 3

60

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

2. Conectai voltmetrul n paralel cu sarcina. 3. Alimentai circuitul de la sursa de tensiune variabil U 1 = 5V. 5. Msurai tensiunea U0. Notai valoarea msurat n tabelul 24.1. 6. Repetai paii 3 i 4 pentru toate valorile tensiunii de intrare din tabelul 24.1. 7. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint variaia tensiunii de ieire funcie de variaia tensiunii de intrare. Tabelul 24.1 Ui(V) 5 6 7 8 9 10 11 12 5 20 U0(V) 8. Analizai aspectul diagramei. 9. Determinai tensiunea minima de alimentare la intrarea stabilizatorului Uimin= 10. Calculai factorul de stabilizare U i S= = U 0 11. Stabilii tensiunea de intrare la valoarea U i=20V. 12. Reglai valoarea rezistenei de sarcin la R S= 10. 13. Msurai tensiunea U0. Notai valoarea msurat n tabelul 24.2. 14. Repetai paii 12 i 13 pentru toate valorile rezistenei de sarcin din tabelul 24.2. Tabelul 24.2 100 200 RS () 10 20 25 30 40 U0(V) U I 0 = 0 (A Rs ) 15. Cu ajutorul calculatorului i a programului Microsoft Excel realizai diagrama care reprezint variaia tensiunii de ieire funcie de valoarea rezistenei de sarcin de intrare. 16. Determinai valoarea intensitii curentului de scurtcircuit (pentru R sc=10): U I sc = 0 = Rsc Profilul TEHNIC Nivelul 3 61

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 17. Determinai valoarea maxim a curentului de ieire pentru care tensiunea de ieire se menine constant: I0max= 18. Analizai calitatea circuitului de stabilizare studiat. 19. ntocmii un referat cu tema Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 11. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele electronice utilizate o Tabele completate o Diagramele ridicate o Interpretarea datelor experimentale

Profilul TEHNIC Nivelul 3

62

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.25 Activitatea de nvare 25


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente.

Prezentare PowerPoint
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, Windows, MS Office Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 30 minute Autoevaluare: On-line.

Aplicaiile circuitului integrat E555. n figura de mai jos este rezentat un circuit electronic realizat cu ajutorul circuitului integrat E555.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

63

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 1. Cu ajutorul datelor din catalog, identificai semnificaia pinilor circuitului integrat. 1. 2. 3. 4. 6. 7. 9. 2. Identificai componentele discrete utilizate. Notai n dreptul fiecrei componente de mai jos, cifra corespunztoare.

3. Identificai rolul funcional al circuitului i explicai funcionarea.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Prezentare PowerPoint: Meninei apsat tasta contol i facei click pe textul Prezentare PowerPoint sau deschidei fiierul E555. Urmai indicaiile din prezentare.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

64

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.26 Activitatea de nvare 26


Competene: Utilizeaz circuite integrate analogice. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componente.

Concurs de testare a cunotinelor


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, Internet, Cataloage, reviste de specialitate etc. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 60 minute Evaluare / Autoevaluare: Coevaluare / Autoevaluare.

Sugestii: - elevii se vor organiza n grupe mici (4 elevi) - fiecare grup va formula cte 6 ntrebri de verificare a cunotinelor despre un circuit integrat analogic studiat precum i rspunsurile la acestea - profesorul va verifica ntrebrile i rspunsurile pentru a fi sigur c sunt atinse informaii relevante i au rspunsuri corecte - ntrebrile vor fi schimbate ntre grupuri - timp de lucru recomandat 50 minute Enun: Folosind surse diferite (internet, manual, reviste de specialitate, caiet de notie, etc) obtinei informaii despre utilizrile circuitelor integrate analogice studiate. Formulai cte 6 ntrebri, precum i rspunsurile pentru ele. Scriei ntrebrile pe cartonae i schimbai ntrebrile cu alt grup. Rspundei la ntrebrile primite i dai-le spre verificare grupei care le-a formulat. Dac ai rspuns corect putei lua setul de ntrebri de la alt grup.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Utilizarea fielor de documentare adecvate. Utilizarea altor surse de informare (internet, manual, reviste de specialitate, caiet de notie, etc)

Profilul TEHNIC Nivelul 3

65

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.27 Activitatea de nvare 27


Competene: Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate. S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice.

Simulare cu ajutorul calculatorului


Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau de informatic, astfel nct fiecare echip s aib acces la un calculator. Resurse: Calculator, program de simulare Digital Works. Organizare: Elevii vor lucra organizai pe echipe. Timp alocat: 2 ore Evaluare / Autoevaluare: Referat

Analiza porilor logice folosind programul Digital Works a. Stabilirea tabelului de adevr pentru porile logice I, I-NU, SAU, SAU-NU, SAUEXCLUSIV, SAU-EXCLUSIV NEGAT. Urmai indicaiile urmtoare: selectai, pe rnd, porile amintite mai sus i se poziioneaz n zona destinat circuitului; pentru fiecare dintre ele legai la ambele intrri dispozitivele denumite intrri interactive; (nu uitai s legai efectiv aceste dispozitive, folosind unealta de legturi, !); la ieirea fiecrei pori legai cte un led pentru a putea stabili starea sa logic; (nu uitai s legai efectiv aceste dispozitive, folosind unealta de legturi, !); facei clic pe butonul pentru a pomi efectiv simularea. transformai cursorul astfel nct s se poat comanda intrrile interactive. Comandnd intrrile interactive, stabilii tabelele de adevr pentru fiecare poart n parte. b. Pornind de la variabilele binare A, B, C i D, realizai cu pori logice urmtoarele funcii:
f 1 = A + BC + D f3 f4 f2 = A B D +C

( ) = ( A + B )(C + D ) = AB + ( A + B + C )

Pentru fiecare dintre funciile de mai sus, stabilii tabelul de adevr, folosind intrri interactive i led-uri. c. Studiul unui comparator digital. Realizai, cu ajutorul programului, urmtoarea schem cu pori logice: Profilul TEHNIC Nivelul 3

66

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

poziionai porile logice, led-urile i intrrile interactive; facei legturile folosind unealta pentru legturi, !; facei clic pe butonul pentru a pomi simularea; transformai cursorul astfel nct s se poat comanda intrrile interactive stabilii la intrare toate combinaiile posibile i notai de fiecare dat starea celor trei ieiri, notate 1, 2 i 3; stabilii care dintre ieiri reprezint A<B, A>B i A=B. d. Studiul unui semisumator. Realizai schema cu pori logice prezentat alturat.

poziionai porile logice, led-urile i intrrile interactive; facei legturile folosind unealta pentru legturi, !; facei clic pe butonul pentru a porni simularea; transformai cursorul astfel nct s se poat comanda intrrile interactive; stabilii la intrare toate combinaiile posibile i se noteaz de fiecare dat starea celor dou ieiri, S i C; completai tabela de adevr a circuitului. e. ntocmii un referat cu tema Analiza porilor logice.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fiele de documentare 14, 15. Coninutul referatului: o Titlul activitii de nvare o Obiectivele activitii de nvare o Schemele cu pori logice simulate cu ajutorul programului. o Tabelele de adevr pentru funciile logice studiate. o Interpretarea datelor experimentale

Profilul TEHNIC Nivelul 3

67

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.28 Activitatea de nvare 28


Competene: Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate. S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru, flipcart. Organizare: Elevii vor lucra organizai n 4 echipe. Timp alocat: 1 or Evaluare: Coevaluare/Autoevaluare Implemetarea funciilor logice Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos: Se consider funcia logic:
f = AB +AB

Implementai funcia n urmtoarele variante: a)cu pori I,SAU,NU b)cu pori I-NU c)cu pori SAU-NU d)cu pori SAU-EXCLUSIV Analizai economicitatea fiecrei implementri. Fiecare echip va implementa funcia n una dintre variante i va analiza economicitatea implementrii. Dup 30 de minute, grupurile se reunesc n plen i compar rezultatele i trag concluziile. Afiai pe tabl/flip-chart rezultatele ntregii discuii. Indicaii: 1. Utilizai postulatele i teoremele algebrei logice pentru a transforma funcia ntr-o form convenabil fiecrei variante de implementare. 2. Notai n dreptul fiecrei pori utilizate la implementare codul corespunztor porii i fraciunea care arat ct reprezint poarta n cadrul circuitului integrat folosit. Analizai, pentru fiecare variant de implementare, cte pori s-au utilizat, cte circuite integrate sau folosit i cte pori au rmas nefolosite.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

68

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 12. Coevaluare/Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

69

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

3.29 Activitatea de nvare 29


Competene: Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate. S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru. Organizare: Elevii vor lucra n echipe. Timp alocat: 1 or Evaluare / Autoevaluare: autoevaluare, coevaluare..

Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos: Se consider funcia logic descris n tabelul de adevr de mai jos: C B A f 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 a) minimizai funcia folosind postulatele i teoremele algebrei logice. b) minimizai funcia folosind diagrama Veich-Karnaugh. c) implementai funcia cu pori logice. d) Analizai economicitatea fiecrei implementri.

Clasa se va mpri ntr-un numr par de echipe. Jumtate din echipe va minimiza funcia prin una dintre metode, iar cealalt jumtate prin a doua metod. Fiecare echip va implementa funcia obinut. Dup 30 de minute, grupurile se reunesc n plen i compar rezultatele, analizeaz implementrile i trag concluziile.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

70

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fia de documentare 12, 13, 14. Coevaluare/Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

3.30 Activitatea de nvare 30


Competene: Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale. Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta. Interpreteaz rezultatele obinute i prezint concluziile. Obiective: S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate. S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice.

Rezolvare de exerciii
Activitatea se va desfura n laboratorul de electronic sau n sala de clas. Resurse: Fie de lucru, flipcart. Organizare: Elevii vor lucra organizai n echipe. Timp alocat: 1 or

Rezolvai sarcinile de lucru de mai jos: Se consider funcia logic definit cu ajutorul tabelului de adevr de mai jos: C 0 0 0 0 1 1 1 1 Implementai funcia n urmtoarele variante: A f 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 a)cu pori I-NU cu dou intrri; b)cu pori I-NU; Analizai economicitatea fiecrei implementri. B 0 0 1 1 0 0 1 1

Profilul TEHNIC Nivelul 3

71

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Clasa se va mpri ntr-un numr par de echipe. Jumtate din echipe va implementa funcia n varianta de la puncul a), iar cealalt jumtate n varianta de la puncul b). Fiecare echip va analiza implementarea realizat. Dup 30 de minute, grupurile se reunesc n plen i compar rezultatele, analizeaz implemetrile i trag concluziile.

Soluionarea activitii
Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot cuta n glosar cuvintele subliniate. Fie de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot consulta Fiele de documentare 12,13,14. Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.

4.1 Algebra logic - opereaz cu propoziii care pot fi adevrate sau false. Unei propoziii adevrate i se atribuie valoarea 1, iar unei propoziii false i se atribuie valoarea 0. O propoziie nu poate fi simultan adevrat sau fals, iar dou propoziii sunt echivalente d.p.d.v. Al algebrei logice, dac simultan ele sunt adevrate sau false. 4.2 Amplificator - este un circuit electronic care furnizeaz la ieire un semnal cu o putere mai mare dect semnalul aplicat la intrare. 4.3 Amplificator cu reacie - este un amplificator la care o parte din semnalul de ieire este aplicat la intrarea acestuia. 4.4 Amplificatorul operaional - este un amplificator de c.c. (cu cuplaj direct), care ndeplinete nite performane deosebite: amplificare, band de frecven i impedan de intrare foarte mari, decalaj, deriv i impedan de ieire foarte mici. 4.5 Capacitate de cuplaj - are rolul de a bloca accesul curentului continuu, dar de a permite trecerea curentului alternativ. 4.6 Caracteristica static reprezentare grafic care d indicaii asupra proprietilor de curent continuu ale dispozitivului. 4.7 Caracteristic dinamic - d indicaii asupra proprietilor de curent alternativ sau de impuls ale dispozitivului semiconductor. 4.8 Caracteristici de ieire - arat dependena dintre mrimile de ieire (i c = ic (UCE)), pentru diferite valori ale curentului de intrare, I B) 4.9 Caracteristici de intrare - arat dependena dintre mrimile de intrare (reprezentarea grafic a variaiei curentului de intrare, I B, n funcie de tensiunea de intrare, UBE) 4.10 Caracteristici de transfer - arat dependena dintre o mrimile de ieire i o mrime de intrare (reprezentarea grafic a variaiei curentului de ieire, I C, n funcie de tensiunea de intrare, UBE sau n funcie de curentul de intrare, IB). 4.11 Circuit echivalent - circuit care modeleaz proprietile i comportamentul electric al unui dispozitiv 4.12 Cuadripol - un bloc care are dou borne de intrare i dou borne de ieire

4. GLOSAR

Profilul TEHNIC Nivelul 3

72

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 4.13 Curentul direct - curentul care parcuge o diod polarizat direct. Valoarea acestui curent crete exponenial cu tensiunea direct aplicat. 4.14 Curentul invers (curentul rezidual) curentul care parcuge o diod polarizat invers. Acest curent este ve valori foarte mici, de ordinul nA pentru diodele realizate din siliciu, respective de ordinal A pentru diodele realizate din germaniu. Valoarea acestui curent este independent de tensiunea invers aplicat. 4.15 Diagrama Veitch-Karnaugh este o reprezentare grafic a formelor canonice ale unei funcii logice. Elementele mulimii de intrare sunt reprezentate de suprafee dreptunghiulare, din intersectarea crora rezult termenii canonici. 4.16 Dioda - este un dispozitiv electronic care prezint conducie electric unilateral 4.17 Diode redresoare - diode utilizate la transformarea energiei electrice de curent alternativ n energie electric de curent continuu la frecvene joase, de obicei la frecvena industrial; sunt utilizate n orice alte aplicaii, la frecvene joase, n care este folosit faptul c acestea prezint conducie unilateral. 4.18 Diode stabilizatoare - diode destinate s lucreze n regiunea de strpungere (III). Proprietatea de stabilizare provine din meninerea unei tensiuni relativ constante la borne, pentru o gam de cureni specificat. 4.19 Diode varicap - diode destinate s funcioneze n regim de polarizare invers. n acest domeniu schema echivalent a jonciunii pn cuprinde doar capacitatea de barier Cb, dependent de tensiunea continu de polarizare invers. Astfel, se obine un condensator a crui capacitate se poate controla pe cale electronic. 4.20 Forma canonic - presupune operarea cu termeni canonici. Prin termen canonic nelegem un termen n care sunt prezente toate variabilele independente, luate sub form direct sau negat. 4.21 Forma canonic conjunctiv - n cadrul formei canonice conjunctive (f.c.c.), termenii sunt legai ntre ei prin conjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui termen, numit "constituent al lui zero" - prin disjuncii. 4.22 Forma canonic disjunctiv - n cadrul formei canonice disjunctive ( f.c.d.) Termenii sunt legai ntre ei prin disjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui termen, numit "constituent al unitii" - prin conjuncii. 4.23 Forma elementar - are n alctuire cel puin un termen elementar. Prin termen elementar se nelege un termen care nu conine toate cele n variabile ale funciei, deci care nu este canonic. 4.24 Funcie logic este o funcie de una sau mai multe variabile care nu pot lua dect dou valori: 0 sau 1. 4.25 Implemetarea unei funcii logice realizarea circuitului electronic care realizeaz funcia propus. 4.26 Metoda circuitelor echivalente, - const n nlocuirea dispozitivului electronic cu un circuit echivalent compus din elemente obinuite de circuit: generatoare de tensiune sau de curent, rezistoare, capaciti i care are aceiai funcionare. 4.27 Microsoft Excel este un program performant de calcul tabelar ce se poate utiliza pentru stocarea i prelucrarea eficient a listelor de date n vederea realizrii de calcule numerice n scopul obinerii de rapoarte i analize. De asemenea, pe baza datelor nregistrate programul Excel poate crea foarte uor diagrame i poate face schimb de informaii cu alte programe, cum ar fi Microsoft Word, Microsoft powerpoint, Microsoft Access, astfel nct datele s poat fi prezentate practic, n orice form.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

73

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 4.28 Minimizarea - reprezint trecerea de la o form canonic la o form elementar de exprimare a unei funcii logice, deci eliminarea unor variabile de intrare din termenii funciei. 4.29 Oscilatorul armonic - este un circuit electronic care genereaz un semnal de form sinusoidal 4.30Poart logic - este un dispozitiv electronic digital elementar care implementeaz o funciune logic elementar. 4.31 Polarizare direct - borna + a sursei se conecteaz la regiunea p, iar borna la regiunea n. 4.32 Polarizare invers - borna - a sursei se conecteaz la regiunea p, iar borna + la regiunea n. 4.33 Program de simulare Multisim - soft de proiectare i simulare n domeniul electric. 4.34 Regim activ invers se obine atunci cnd jonciunea emitor baz este polarizat invers, n timp ce jonciunea colector baz este polarizat direct. 4.35 Regimul activ normal se - obine atunci cnd jonciunea emitorului este polarizat direct, iar jonciunea colectorului este polarizat invers . 4.36 Regimul de saturaie - se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate direct. Tranzistorul se comport ca un comutator nchis. 4.37 Regimul de tiere - se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate invers. Tranzistorul se comport ca un comutator deschis. 4.38 Regiunea activ normal - corespunde zonei delimitate de regiunea de saturaie i de blocare. n aceast zon, curentul de ieire, I C, se menine la o valoare aproximativ constant, determinat da valoarea curentului de intrare, I B. n aceast situaie spunem c tranzistorul funcioneaz n regim activ normal. n acest regim de funcionare, tranzistorul se comport ca amplificator. 4.39 Regiunea de saturaie - corespunde zonei n care curentul de ieire, I C, crete rapid pn la valoarea sa maxim. Aceast zon corespunde unei tensiuni de ieire, UCE, de valoare foarte mic. n aceast situaie spunem c tranzistorul este n regim de saturaie, sau c este saturat. 4.40 Regiunea de tiere, sau de blocare - corespunde zonei n care curentul de ieire, IC, ia valori foarte mici, apropiate de zero. Tensiunea de ieire, U CE, poate lua valori mari. Aceast zon este situat sub curba care corespunde lui I B = 0. n aceast situaie spunem c tranzistorul este n regim de tiere sau c este blocat. 4.41 Rezistena de curent continuu - egal cu raportul ntre tensiunea de polarizare a jonciunii i curentul care o strbate, este numeric egal cu tangenta unghiului format de axa vertical cu dreapta care unete originea cu punctul static de funcionare, P. 4.42 Rezisten dinamic (rezisten diferenial, rezisten de curent alternativ) - numeric egal cu tangenta unghiului pe care l face tangenta la caracteristic cu axa vertical. 4.43 Stabilizatorul - este un circuit electronic care se conecteaz ntre sursa de semnal nestabilizat i consumator i care, ideal, asigur la ieire un semnal independent de tensiunea de intrare, de curentul de sarcin (rezistena de sarcin) i de temperatur. 4.44 Tabel de adevr tabel care conine, ordonat, toate configuraiile de intrare posibile precum i toate valorile corespunztoare funciei de ieire.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

74

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 4.45 Tensiune de strpungere - valoarea tensiunii de polarizare invers la care curentul crete brusc datorit efectului Zener sau multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin care particip la conducie. 4.46 Tensiunea de deschidere - reprezint tensiunea minim de polarizare la care dispozitivul ncepe s conduc curentul electric 4.47 Tensiunea maxim - valoarea maxim a cderii de tensiune pe diod U DM, pentru un curent dat, de obicei, curentul maxim admisibil, I DM. 4.48 Tranzistorul bipolar - este un dispozitiv electronic realizat dintr-un monocristal semiconductor n care sunt realizate dou jonciuni pn, situate n imediat vecintate una fa de cealalt. 4.49Tranzistorul cu efect de cmp (prescurtat TEC; n englez field effect transistor, FET) este un dispozitiv electronic semiconductor folosit pentru a comanda intensitatea curentului electric dintr-un circuit. Funcionarea lui se bazeaz pe modificarea conductibilitii unui canal realizat dintr-un material semiconductor prin aplicarea unui cmp electric. ntruct conducia electric este asigurat de un singur tip de purttori de sarcin asemenea dispozitive se numesc i tranzistoare unipolare. 4.50 Tranzistorul MOS - este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului electric la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor numit poart.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

75

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

5 Fie de documentare
5.1 Fia de documentare 1
CARACTERISTICILE ELECTRICE ALE DIODEI SEMICONDUCTOARE Dioda este un dispozitiv electronic care prezint conducie electric unilateral. Simbolul general diodei este prezentat n figura 3.1; cei doi electrozi ai dispozitivului se numesc anod (A) i catod (C). Sensul direct de conducie electric este de la anod la catod.

A a.

ID

C b.

Fig.1.1

UD Marea majoritate a diodelor semiconductoare sunt realizate pe baza jonciunii pn. n figura 2.1.b este prezentat structura fizic a diodei semiconductoare cu jonciune pn. a Diodele semiconductoare se realizeaz ntr-o mare varietate de tipuri, n funcie de utilizrile ce li se dau n circuite. Observaie: Nu trebuie fcut confuzia ntre dioda semiconductoare i jonciunea pn. Diodele pot fi realizate i pe baza altor structuri fizice (de exemplu contactul metal semiconductor). Pe de alt parte, dioda conine i alte elemente, pe lng jonciunea pn, cum ar fi: elemente de contact, terminale, sistem de evacuare a cldurii, capsul etc. 2.2 CARACTERISTICI ELECTRICE Sunt reprezentate de caracteristicile statice (de curent continuu), caracteristici dinamice (de curent alternativ) i de familii de caracteristici. Caracteristicile statice dau indicaii asupra proprietilor de curent continuu ale dispozitivului. Principalii parametri electrici de c.c. ai diodei semiconductoare sunt reprezentai n figura 2.2. ID n polarizare direct dioda este caracterizat de: PDM (mA) I Tensiunea de deschidere, UD0, care DM reprezint tensiunea minim de polarizare la care dispozitivul ncepe s conduc curentul electric . Valoarea lui UD0 depinde de tipul diodei. Astfel, U D0 US I0 este n jur de 0,2V pentru diodele realizate din R germaniu i n jur de 0,5V pentru diodele realizate UD0 UDMUD (V) din siliciu. Pentru tensiuni mai mari dect UD0, cderea de tensiune pe diod este determinat de valoarea intensitii curentului ce trece prin dispozitiv. Cu o P DM Fig.1.2 Profilul TEHNIC Nivelul 3 76
Figura 2.1

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE oarecare aproximaie se poate considera: U D = UD0 + RD. ID, unde RD este rezistena intern a diodei i include efectele fizice ale tuturor fenomenelor care au loc n dispozitiv. n cataloage se specific valoarea maxim a cderii de tensiune pe diod UDM, pentru un curent dat, de obicei, curentul maxim admisibil, IDM. Observaie: Tensiunea direct pe diod UDM, este mai mare dect valoarea barierei de potenial a jonciunii, U 0, n special n cazul diodelor care lucreaz la cureni mari, unde devine important rezistena serie a jonciunii, Rs, iar efectele temperaturii sunt foarte puternice. Astfel, pentru o diod redresoare de siliciu U DM poate ajunge la maxim 1,4V. n polarizare invers dioda este caracterizat de faptul c la variaii mari ale tensiunii inverse, UR1 (uneori pn la sute sau mii de voli), curentul prin dispozitiv este neglijabil. Acesta este curentul invers, sau curentul rezidual, I 0. Cnd se ajunge la o valoare critic a tensiunii de polarizare invers, curentul prin diod crete brusc, datorit efectului Zener sau multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin care particip la conducie. Valoarea tensiunii de polarizare invers la care curentul crete brusc se numete tensiune de strpungere, US. n mod obinuit, firmele productoare garanteaz funcionarea corect a dispozitivului la o valoare U RM < US, numit tensiune invers maxim admis. Pentru intervalul URM 0 V , n cataloage se specific o valoare maxim admisibil a curentului invers I0. Un alt parametru important este puterea disipat maxim admis, PDM. Observaii: 1. n funcie de utilizarea diodei, se precizeaz i se garanteaz i ali parametri electrici de c.c. 2. Caracteristicile de curent continuu sunt dependente de temperatur i sunt valabile numai pentru o temperatur ambiant sau a capsulei date. Caracteristicile dinamice dau indicaii asupra proprietilor de curent alternativ sau de impuls ale dispozitivului semiconductor. n funcie de tipul dispozitivului se prezint cele mai importante caracteristici de joas sau de nalt frecven, sau de comutaie, valabile numai n condiii speciale de lucru. n funcie de necesiti, n cataloage se specific i circuitele de msurare corespunztoare. DIODE REDRESOARE Sunt utilizate la transformarea energiei electrice de curent alternativ n energie electric de curent continuu la frecvene joase, de obicei la frecvena industrial (50-60 Hz). Procesul de transformare a curentului alternativ n curent continuu se bazeaz pe conducia unilateral a diodei i poart numele de redresare 2. Aceste diode lucreaz n regiunile I (conducie) i II (blocare). Circuitul echivalent al unei diode redresoare este prezentat n figura 1.3 Dioda redresoare se comport ca o rezisten de valoare rD, pentru semnalele pozitive i ca o ntrerupere pentru semnalele negative.
1

+ -

rD Figura 1.3

UR este o notaie consacrat pentru tensiunea invers (R de la Reverse invers, n limba englez)

n realitate procesul de transformare a curentului alternativ n curent continuu presupune mai mult dect redresarea, ns n practic se obinuiete s se numeasc simplu, redresare (vezi 3.4).

Profilul TEHNIC Nivelul 3

77

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Observaie: Circuitul echivalent corespunde modelrii jonciunii la frecvene joase, unde se pot neglija capacitile acesteia. Parametrii garantai de catalog pentru astfel de diode sunt: tensiunea invers maxim admis, URM - care pentru astfel de diode poate ajunge la sute sau chiar mii de voli; curentul n polarizare direct maxim admis, IDM - care pentru astfel de diode poate ajunge la zeci sau chiar sute de amperi; tensiunea de polarizare direct, UDM, msurat la un curent dat, de obicei la I DM; curentul mediu redresat, I0 - este valoarea medie a curentului direct calculat pe o perioad complet pentru redresare monoalternan, monofazat; curentul invers - pentru o tensiune invers specificat; rezistena dinamic direct - msurat pentru tensiuni sau cureni alternativi de semnal mic, ntr-un punct dat de pe caracteristica static; capacitatea jonciunii - Cj rezistena termic a jonciunii, Rthja. ntruct diodele folosite la redresare se folosesc la semnal mare, pun probleme speciale de rcire. Cele de putere mic asigur disiparea cldurii prin capsul. Cele de putere mare se monteaz pe radiatoare speciale. Diodele redresoare cu siliciu asigur, n general, cureni inveri mult mai mici i tensiuni inverse mai mari dect cele cu germaniu. Observaie: n afara circuitelor de redresare, diodele redresoare sunt utilizate n orice alte aplicaii, la frecvene joase, n care este folosit faptul c acestea prezint conducie unilateral. DIODE STABILIZATOARE Aceste diode sunt destinate s lucreze n Iz Iz regiunea de strpungere (III). Proprietatea de + rZ stabilizare provine din meninerea unei U z +Uz DZ tensiuni relativ constante la borne, pentru o gam de cureni specificat. Sunt diode de siliciu care, de la o anumit tensiune invers a Figura 1.4 b aplicat, prezint o cretere rapid a curentului invers. Datorit creterii rapide a curentului Iz invers, tensiunea de strpungere U corespunztoare este aproape constant. Evident, n acest regim de funcionare, dioda Uz prezint o rezisten dinamic de valoare foarte u Izm mic. Simbolul acestor diode este prezentat n Iz figura 1.4.a, iar n figura 1.4.b este prezentat circuitul echivalent al diodei stabilizatoare. IZM PDM n cataloage se specific : curentul de control al tensiunii de stabilizare , Figura 1.5 Iz - este valoarea impus a curentului invers la care se verific dac tensiunea de stabilizare este egal cu tensiunea de stabilizare nominal, innd cont de toleranele impuse; rezistena dinamic, rZ pentru un curent Iz dat; Profilul TEHNIC Nivelul 3 78

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE curentul minim, respectiv maxim pentru care dioda funcioneaz n zona de stabilizare, IZm i IZM - unde IZm este determinat de ieirea din regiunea de stabilizare, iar IZM este determinat din considerente de putere maxim disipat); tensiunea nominal de stabilizare, Uz - care reprezint tensiunea pe diod pentru o valoare specificat a curentului invers, Iz. coeficientul de temperatur al tensiunii stabilizate, arat dependena de temperatur a tensiunii de lucru pentru un curent specificat. n figura 1.5 este prezentat caracteristica static de funcionare a diodei stabilizatoare i sunt marcate principalele caracteristici electrice. Pentru a funciona n regiunea de strpungere, dioda stabilizatoare trebuie polarizat invers, respectiv cu plusul pe catod i minusul pe anod, ca n figura 1.5.a . Polarizat direct, ea se va comporta ca o diod obinuit (redresoare). Pentru a se evita greelile de conectare, pe capsula diodei se marcheaz electrodul pe care trebuie s se aplice plusul tensiunii de polarizare, respectiv catodul. Diodele stabilizatoare se fabric pentru tensiuni de la 4 voli pn la sute de voli. Observaie: Dei numai pentru diodele cu tensiuni de stabilizare pn n 6 voli, strpungerea se face prin efect Zener, iar pentru restul prin multiplicare n avalan, se obinuiete s se numeasc toate diodele stabilizatoare i diode Zener. 3.3.4 DIODE VARICAP Diodele varicap sunt destinate s funcioneze n regim de polarizare invers, n regiunea II de pe caracteristica static de funcionare. n acest domeniu schema echivalent a jonciunii pn cuprinde doar capacitatea de barier C b, dependent de tensiunea continu de polarizare invers (figura 1.6). Astfel, se obine un condensator a crui capacitate se poate controla pe cale electronic. Calitatea acestui condensator va depinde de curentul rezidual al diodei. Diodele varicap se realizeaz din siliciu, tocmai pentru faptul c prezint cureni reziduali neglijabili . Pentru a se realiza o variaie maxim de capacitate la o variaie dat de tensiune, se utilizeaz jonciuni p +n.3 Tensiunea de polarizare aplicabil diodelor varicap este cuprins ntre o valoare minim, URm, pentru ca semnalul aplicat s nu fie deformat sau redresat, i o valoarea maxim, URM, determinat de tensiunea de strpungere. n cataloage este specificat raportul de capacitate, exprimat prin:

C M (U Rm ) C m (U RM )

Diodele varicap se utilizeaz n circuite acordate, oscilatoare, filtre etc. Simbolul diodei varicap este prezentat n figura 1.7.
C

Figura 1.7

CM

Fa de condensatoarele variabile obinuite, varicapul este mai mic, mai sensibil i are o foarte bun stabilitate i fiabilitate.
Cm
3

UR U notaia p+n semnific faptul c zona p are o concentraie mult mai mare de impuriti dect zonaRM n. Figura 1.6

URm

Profilul TEHNIC Nivelul 3

79

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

CARACTERISTICI STATICE DE FUNCIONARE TIPURI DE CARACTERISTICI Dac pentru a descrie dioda n curent continuu era suficient caracteristica curent -tensiune, n cazul tranzistorului se folosesc trei tipuri de caracteristici: Caracteristici de intrare: arat dependena dintre mrimile de intrare. Caracteristici de transfer: arat dependena dintre o mrimile de ieire i o mrime de intrare Caracteristici de ieire: arat dependena dintre mrimile de ieire. Observaie: Este evident faptul c, pentru fiecare din conexiunile tranzistorului corespund alte mrimi de intrare, respectiv de ieire, deci caracteristicile vor fi diferite pentru fiecare tip de conexiune. Astfel, pentru un anumit tranzistor, va exista, de exemplu, caracteristica de intrare n conexiunea emitor comun, diferit de caracteristica de intrare n conexiunea colector comun. n continuare vom considera un tranzistor de tip npn, n conexiune emitor comun (figura 2.1.a). Montajul pentru ridicarea caracteristicilor este prezentat n figura 2.1.b. IC IB UBE a CARACTERISTICA DE INTRARE
Curentul de intrare, IB (A)

UCE +EB

A V

IB
UBE

Fi Fi UCE a
b d
V

mA

+EC

Figura 2.1

e d o c u m e nt ar e 2
C A
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 Tensiunea de intrare, UBE (V) 0,7 80 60 40 20

Caracteristica de intrare const n reprezentarea grafic a variaiei curentului de intrare, IB, n funcie de tensiunea de intrare, UBE (figura 2.2). Privit dinspre intrare, tranzistorul n conexiune emitor comun se prezint ca o jonciune pn polarizat direct. Ca urmare, caracteristica de intrare este asemntoare cu caracteristica exponenial a unei diode. Astfel, curentul IB devine semnificativ numai dup ce tensiunea UBE atinge valoarea tensiunii de prag de deschidere a jonciunii Profilul TEHNIC Nivelul 3

Ge

Si

100

80

Figura 2.2

R A C Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE T BE. Odat atins aceast valoare, curentul crete rapid, n timp ce tensiunea U BE E rmne practic constant. RI CARACTERISTICI DE TRANSFER S TI Caracteristicile de transfer constau n reprezentarea CI grafic a variaiei curentului de ieire, IC, n funcie de tensiunea de intrare, UBE (figura 2.3.a) sau n funcie de curentul L de intrare, IB (figura 2.3.b). E
Curentul de ieire, IC (mA)

E
Curentul de ieire, IC (mA)

L E C T
10 8 6 4

Ge
10 8 6 4

Si

RI C E

A 2 2 Aspectul acestor caracteristici este justificat Lde cea de a doua ecuaie fundamental a tranzistorului: IC = IB + ICE0. Caracteristica de transfer iC = iC (uBE), pentru uE CE = constant (figura 2.3.a) are 20 40 60 80 100 0,1 0,2 ca 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 aceiai alur i caracteristica de intrare, respectiv, I crete exponenial cu tensiunea cT Curentul de intrare, I Tensiunea de intrare, U (V) UBE. R a 2.3 b Caracteristica ce transfer iC Figura = iC (i B), pentru uCE = constant (figura 2.3.b) este aproximativ liniar. A
BE B (A)

CARACTERISTICI DE IEIRE n figura 2.4 este prezentat familia caracteristicilor de ieire iC = iC (UCE)), pentru diferite valori ale curentului de intrare, IB. Se observ c, dup o cretere rapid, curentul de colector se stabilete la o valoare aproximativ constant.
Curentul de ieire, IC (mA)

N ZI S T O R
8 6 IB=80A IB=60A IB=40A IB=20A IB=0 6 8 10 12 Tensiunea de ieire UCE, (V)

U L UI M BI P O
2 4

4 2

Profilul TEHNIC Nivelul 3

L A R

Figura 2.4

81

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

REGIMURI DE FUNCIONARE Analiznd graficul care reprezint familia caracteristicilor de ieire, se disting trei regiuni n care tranzistorul prezint regimuri de funcionare diferite. Regiunea de saturaie corespunde zonei n care curentul de ieire, IC, crete rapid pn la valoarea sa maxim. Aceast zon corespunde unei tensiuni de ieire, UCE, de valoare foarte mic. n aceast situaie spunem c tranzistorul este n regim de saturaie, sau c este saturat. Regimul de saturaie se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate direct, (pentru tranzistorul npn UBE > 0 i UBC>0).

Curentul de ieire, IC (mA)

REGIUNE DE SATURAIE
8 6

IB=80A IB=60A IB=40A IB=20A IB=0 10 12 -UCE, (V)

4 2

Figura 2.5

NE REGIU DE TIERE

n figura 2.6 este prezentat circuitul echivalent al unui tranzistor saturat. UCE = UBC - UBE 0 ICEC /RC

UBC B UBE

+EC RC I CC E

+EC RC ICEC /RC

UCE
Figura 2.6

n regim de saturaie, tranzistorul se comport ca un comutator nchis. Observaie: Curentul prin tranzistor este independent de acesta, fiind determinat numai de circuitul exterior (Ec i Rc). Profilul TEHNIC Nivelul 3 82

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Regiunea de tiere, sau de blocare corespunde zonei n care curentul de ieire, I C, ia valori foarte mici, apropiate de zero. Tensiunea de ieire, U CE, poate lua valori mari. Aceast zon este situat sub curba care corespunde lui I B = 0. n aceast situaie spunem c tranzistorul este n regim de tiere sau c este blocat. Regimul de tiere se obine atunci cnd ambele jonciuni sunt polarizate invers, (pentru tranzistorul npn UBE< 0 i UBC < 0). n figura 2.7 este prezentat circuitul echivalent al unui tranzistor blocat. UCE EC IC0 -EC RC I CC E
+EC RC

UCE
Figura 2.7

IC0 +EC

n regim de blocare (tiere), tranzistorul se comport ca un comutator deschis . Regiunea activ normal corespunde zonei delimitate de celelalte dou regiuni. n aceast zon, curentul de ieire, IC, se menine la o valoare aproximativ constant, determinat da valoarea curentului de intrare, I B. n aceast situaie spunem c tranzistorul funcioneaz n regim activ normal. n acest regim de funcionare, tranzistorul se comport ca amplificator. Pentru exemplificare, s considerm raportul ntre curentul de ieire, I C, i cel de intrare, IB, ntr-un punct, M, oarecare de pe caracteristic. Se obine: = = 100 , valoare mult mai mare dect 1. 40A 40.10-6A Raportul de mai sus se numete factor de amplificare n curent continuu i se noteaz cu hef. El este aproximativ egal cu . Regimul activ normal se obine atunci cnd jonciunea emitorului este polarizat direct, iar jonciunea colectorului este polarizat invers, (pentru tranzistorul npn UBE > 0 i UBC < 0). IB Observaie: Exist i posibilitatea funcionrii tranzistorului bipolar i n cazul n care jonciunea emitor baz este polarizat invers , n timp ce jonciunea colector baz este polarizat direct. Acest regim de funcionare se numete regim activ invers i este foarte rar folosit, deoarece, dei structural tranzistorul bipolar este simetric, tehnologic el nu este simetric -emitorul este mult mai puternic impurificat n timp ce aria jonciunii colectorului este mai mare pentru a se asigura o disipaie de putere mai eficient- ceea ce face ca amplificarea n regim activ invers s fie mai mic . n tabelul urmtor sunt prezentate regimurile de funcionare ale tranzistorului. IC = 4mA 4.10-3A

Profilul TEHNIC Nivelul 3

83

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Regimul de funcionare Regim de saturaie Regim de blocare Regim activ normal Regim activ invers

Polarizarea jonciunii emitor-baz direct invers direct invers

Polarizarea jonciunii colectorbaz direct invers invers direct

Comportarea tranzistorului Comutator nchis Comutator deschis Amplificator Amplificator (performane mai slabe)
, IC (mA)

IC

UCE

Ec Rc 0 mare mare

0 Ec mare mare

Observaie: n planul caracteristicilor de ieire se poate delimita aria de funcionare a unui tranzistor, ca n figura alturat. Aria este limitat: La stnga de intrarea tranzistorului n saturaie; Superior de Valoarea curentului de colector maxim La dreapta de puterea disipat maxim Inferior de intrarea tranzistorului n tiere.

IB= 80A

ICM
8 IB= 60A

6 2 4 IB= 40A 6 8 10 12 -UCE,

-UCEM

Fia de documentare 3
TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC n aplicaiile practice cel mai des ntlnit este cazul funcionrii tranzistorului n regiunea activ normal, n regim dinamic, cu un semnal sinusoidal aplicat la intrare. n figura 3.1.a este prezentat o schem practic cu tranzistor n conexiunea emitor comun. Generatorul de semnal alternativ este separat de etajul propriu-zis printr-o capacitate, numit i capacitate de cuplaj, CB, care are rolul de a bloca accesul curentului continuu, dar de a permite trecerea curentului alternativ. Rezistena de sarcin, RS, este conectat n colector prin capacitatea C S care este tot o capacitate de cuplaj, avnd acelai rol ca si capacitatea C B. n sfrit, rezistena RE (care stabilizeaz punctul static de funcionare) este decuplat n curent alternativ prin capacitatea CE, de valoare suficient de mare pentru a se comporta ca un scurtcircuit n curent alternativ, la frecvena de lucru. +E Capacitile C B i CS sunt alese astfel nct s se comporte ca C scurtcircuite n curent alternativ, n toat gama de frecvene de lucru. RC CS R1 CB RC RS u0 uG ui ~ RB RS u Profilul G ~ RTEHNIC CE 2 Nivelul 3 84 RE R'S
a Figura 3.1 b

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

n figura 3.1. b este prezentat schema echivalent de curent alternativ. n aceast schem, condensatoarele au disprut deoarece se comport ca scurtcircuite n c.a. De asemenea, sursa de c.c. se comport ca un scurtcircuit n c.a. n aceste condiii: RC RS R1 R2 RB = , iar sarcina total n colector va fi: R' S = . R1 + R2 RC + RS Dac semnalul de intrare este de amplitudine suficient de mic (de ordinul milivolilor), atunci caracteristicile dinamice ale tranzistorului pot fi considerate liniare, n sensul c la variaii egale ale semnalelor de intrare se obin variaii egale ale semnalelor de ieire. n aceste condiii, funcionarea tranzistorului n curent alternativ se poate studia fie grafic, prin metoda aproximrii liniare a caracteristicilor pe poriuni , utiliznd caracteristicile statice de funcionare, fie algebric, prin metoda circuitelor echivalente, nlocuind tranzistorul cu un circuit echivalent compus din elemente obinuite de circuit: generatoare de tensiune sau de curent, rezistoare, capaciti.

ANALIZA GRAFIC A FUNCIONRII TRANZISTORULUI N C.A. Din figura 3.3 se observ c semnalul de c.a, u G = UG sin t, se aplic pe baza tranzistorului. n condiiile aproximrii liniare, n jurul punctului static de funcionare, a caracteristicii de intrare, acesta va determina un curent de intrare: iB = IB sin t. Curentul de ieire se poate determina pe baza caracteristicii de transfer iC = iC (iB), prezentat n figura 3.2 i care este aproximativ liniar. Astfel, atunci cnd iB variaz dup o lege sinusoidal: iB = IB sin t, IC va avea o lege de variaie de aceeai form: Profilul TEHNIC Nivelul 3
Curentul de ieire, IC (mA)

2 1

20

20 30 40 Curentul de intrare, IB (A)

Figura 3.2
IC(mA)

85
t

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE iC = IC sin t. Din figur se observ c, n timp ce valoarea instantanee a lui i B variaz ntre 20 A, valoarea instantanee a lui iC ia valori ntre 2mA. n felul acesta se evideniaz cu uurin funcia de amplificator a tranzistorului. Pentru a studia variaia tensiunii de ieire, uCE, apelm la familia caracteristicilor de ieire, iC=iC (uCE). Se observ c atunci cnd curentul de baz crete (n primul sfert de perioad), curentul de colector de asemenea crete, n timp ce tensiunea dintre colector i emitor scade.

8 6

N M IB=const. P
2 4 6 8 10 UCE, (V)

4 2

Figura 3.3

Atunci cnd curentul de baz devine descresctor, curentul de colector descrete i el, iar tensiunea uCE ncepe s creasc. n baza aproximrii liniare a caracteristicilor tranzistorului, rezult c tensiunea de ieire va avea aceeai variaie sinusoidal ca i tensiunea de intrare, cu observaia c acestea sunt n antifaz. Atunci cnd la intrarea tranzistorului se aplic tensiunea u G = UG sin t, punctul de funcionare se va deplasa pe dreapta de sarcin ntre punctele N i P. Segmentul de dreapt determinat de N i P se numete caracteristic dinamic. Mrimea acestui segment depinde de amplitudinea semnalului aplicat la intrare. De asemenea, se observ c, nu numai curentul este amplificat de ctre tranzistorul n conexiunea emitor comun, ci si tensiunea: n timp ce tensiunea de intrare ia valori de ordinul milivolilor, tensiunea de ieire ia valori de ordinul volilor. n concluzie, tranzistorul n conexiune emitor comun amplific n curent, amplific n tensiune, iar tensiunea de ieire este defazat cu 180 fa de tensiunea de intrare. Observaie: Analiza grafic a funcionrii tranzistorului n c.a. este util pentru a determina limitrile majore legate de intrarea tranzistorului n blocare (limitare "jos") sau n saturaie (limitare"sus"). ANALIZA ALGEBRIC A FUNCIONRII TRANZISTORULUI N C.A. Profilul TEHNIC Nivelul 3

t
86

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Dup cum s-a artat n paragraful anterior, analiza funcionrii tranzistorului n regim dinamic se poate face i prin metode algebrice, adic nlocuind dispozitivul cu un circuit echivalent i aplicnd legile lui Kirchhoff. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului n c.a. se poate face n diferite moduri. Criteriul este urmtorul: se consider tranzistorul ca un diport sau, cu alte cuvinte, cuadripol, (un bloc care are dou borne de intrare i dou borne de ieire- figura 3.4). Deoarece tranzistorul are numai trei borne, una dintre ele trebuie s fie comun intrrii i ieirii (indicat prin linia punctat din figur). ii
Tranzistor ca

i0
un cuadripol

Figura 3.4.

ui

u0

Observaie: Din motive de simetrie, sensul pozitiv al semnalelor este cel precizat n figur.

Dou dintre cele patru mrimi electrice care definesc cuadripolul pot fi scrise n funcie de celelalte dou (prin aplicarea legilor lui Kirchhoff). Aceast dependen apare ca un sistem de dou ecuaii de gradul I care conin patru coeficieni. Proprietile tranzistorului, considerat ca un cuadripol, sunt caracterizate de aceti patru coeficieni. Aceti coeficieni se numesc parametri de cuadripol ai tranzistorului. Observaie: Deoarece relaiile liniare se pot aplica numai atunci cnd la intrarea tranzistorului se aplic semnale mici (de ordinul mV), aceti parametri se numesc i parametri de semnal mic. Exist ase posibiliti distincte de a alege cele dou mrimi, n funcie de care se calculeaz celelalte dou, dar nu toate prezint interes. Astfel, se pot calcula tensiunile n funcie de cureni, curenii n funcie de tensiuni, sau variante combinate. Pe baza relaiilor ce se pot scrie ntre tensiuni i cureni se determin circuitul echivalent al tranzistorului n c.a. Importana definirii acestor parametri const n faptul c acetia pot fi determinai prin msurtori directe , la bornele tranzistorului, dup cum se va vedea n continuare. n domeniul frecvenelor joase, la semnale mici, cel mai utilizat set de parametri este cel cunoscut sub numele de parametrii hibrizi (notai cu h) n cazul utilizrii acestor parametrii, se consider ca variabile independente curentul de intrare, ii i tensiunea de ieire , u 0. n funcie de acestea se calculeaz celelalte dou mrimi, respectiv tensiunea de intrare, ui, i curentul de ieire, i0. n aceast situaie se poate scrie urmtorul sistem de ecuaii: ui = h11 ii + h12 u0 i0 = h21 ii + h22 u0 Parametrii "h" se deduc astfel:
ui ii u =0 0 ui h12 = u 0 i =0 i i0 h21 = ii u =0 0 i0 h 22 = u 0 i TEHNIC =0 Profilul i

h11 =

- impedana de intrare, cu ieirea n scurtcircuit;

- factor de transfer (de reacie) n tensiune invers, cu intrarea n gol;

Nivelul 3

87

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Arat influena tensiunii de ieire asupra tensiunii de intrare. - factor de transfer (de amplificare) n curent, cu ieirea n scurtcircuit; - admitana de ieire, cu intrarea n gol;

Observaii: 1. Se observ c parametri nu au aceiai semnificaie fizic, de unde le vine i denumirea de " parametri hibrizi". 2. O alt particularitate a acestor parametrii este aceea c ei nu sunt definii n aceleai condiii (de scurtcircuit sau de gol). 3. Avnd natur diferit, ei vor avea i uniti de msur diferite. Astfel: h11 - impedana de intrare, se msoar n ohmi; h12 - fiind un raport de dou tensiuni, nu are unitate de msur (este adimensional); h21 - fiind un raport de doi cureni, nu are unitate de msur (este adimensional); h22 - admitana de ieire, se msoar n ohm-1 (sau mho, sau Siemens). Mrimea h reprezint impedana de ieire , cu intrarea n gol (se msoar n 22 ohmi). 5. Valoarea parametrilor hibrizi se modific n funcie de PSF i de temperatur. 6. Valorile parametrilor hibrizi difer n funcie de conexiunea tranzistorului. Pentru a evidenia acest lucru, cnd este cazul, se mai specific un indice suplimentar: - h11e, h12e, h21e, h22e - pentru conexiune EC; - h11b, h12b, h21b, h22b - pentru conexiune BC; - h11c, h12c, h21c, h22c - pentru conexiune CC. n tabelul de mai jos sunt prezentate valorile tipice ale acestor parametri, pentru EC i pentru BC. Examinnd acest tabel, se pot face urmtoarele observaii: 1. Valorile impedanelor de intrare n cele dou conexiuni difer foarte mult, deoarece, la aplicarea acelorai tensiuni de intrare, U BE, curentul de intrare, n conexiune EC este IB (de ordinul microamperilor), iar n conexiune BC este I C (de ordinul miliamperilor). 2. La frecvene joase, h12 este foarte mic i, de obicei, se neglijeaz. 3. Impedana de ieire este mai mare n BC fa de EC.
Conexiunea

Parametrul h11 h12 h21 h22 1 Profilul TEHNIC Nivelul 3 1100 2,5 . 10-4 49 25 . 10-6-1 40k

EC

BC 22 2,9 . 10-4 0,98 0,5 . 10-6-1 2M 88

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE h22 Factorii de amplificare n curent alternativ, h21, au valori absolute destul de apropiate de valorile factorilor de amplificare n curent continuu corespunztori: h21e h21b CIRCUITUL ECHIVALENT CU PARAMETRII HIBRIZI PENTRU TRANZISTOR Pentru a obine circuitul echivalent al tranzistorului, cu parametrii hibrizi, se observ c prima ecuaie este o relaie ntre tensiuni, adic reprezint teorema a doua a lui Kirchhoff aplicat pe ochiul de intrare, iar cea de a doua este o relaie ntre cureni, adic este prima teorem a lui Kirchhoff aplicat n nodul de ieire. Cu alte cuvinte, cele dou relaii definesc, de fapt, un circuit echivalent cu parametrii hibrizi. Modelarea cu parametrii hibrizi se aplic tranzistorului n orice conexiune. n figura ce urmeaz este prezentat circuitul echivalent pentru conexiunea EC, deoarece aceasta este cel mai des ntlnit. h11 i0 ii i0 ii 1 ui ~ u0 u h i i h h u 21 0 ui 22 12 0 a)Tranzistorul ca un cuadripol
Figura 3.5

b)Circuitul echivalent cu parametrii hibrizi

Observaie: Circuitul echivalent prezentat este valabil numai pentru: semnale mici, cnd sunt adevrate relaiile liniare ntre tensiuni i cureni; frecvene joase, cnd se pot neglija capacitile aferente jonciunilor tranzistorului; n aceast situaie impedana de intrare i cea de ieire sunt rezistene pure; la frecvene ceva mai nalte (zeci de kHz) trebuie adugate circuitului i capacitile tranzistorului. n afara acestor circuite echivalente mai exist si modelarea tranzistorului cu circuitul echivalent natural (tip Giacoletto), care se construiete pe baza proceselor fizice care au loc n tranzistor. COMPORTAREA TRANZISTORULUI N FUNCIE DE FECVEN Dup cum s-a artat n paragraful anterior, pe msur ce crete frecvena semnalului sinusoidal aplicat la intrarea tranzistorului, ncep s se fac simite din ce n ce mai puternic capacitile jonciunilor . Aceasta are ca efect diminuarea proprietii de amplificare a tranzistorului. Deoarece, n funcie de conexiunea tranzistorului, poziia fizic, n circuit, a capacitilor difer, i influena acestora asupra amplificrii difer n funcie de conexiunea n care este montat tranzistorul.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

89

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Astfel, se constat c influena frecvenei asupra amplificrii este mai puternic n conexiune emitor comun, n sensul c scderea amplificrii devine important ncepnd de la frecvena mai joase dect n conexiunea baz comun. Se definete ca "frecven limit", sau "frecven de tiere", n conexiunea emitor comun, frecvena f la care factorul de amplificare n curent n conexiune emitor comun, , scade la joase. De asemenea, se definete ca "frecven limit", sau "frecven de tiere", n conexiunea baz comun, frecvena f la care factorul de amplificare n curent n conexiune emitor comun, , scade la
1 =0,707 din valoarea constant pe care o 2 1 =0,707 din valoarea constant pe care o avea la frecvene 2

avea la frecvene joase. Frecvenele f i f reprezint dou dintre frecvenele caracteristice ale tranzistoarelor i arat c fiecare tranzistor poate amplifica semnale ntr-o band limitat de frecvene.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

90

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 4
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP Tranzistorul cu efect de cmp, TEC (cunoscute i sub numele de FET Field Effect Transistor, n limba englez), este un dispozitiv semiconductor foarte utilizat n echipamentele electronice moderne. El const, n principal, dintr-un canal semiconductor, prin care trece curentul, a crui rezisten este determinat de un cmp electric, care controleaz astfel valoarea curentului prin dispozitiv. La conducia curentului electric particip numai purttorii de sarcin majoritari, de aceea, tranzistorul cu efect de cmp este un tranzistor unipolar. MRIMI ELECTRICE CARACTERISTICE Mrimile electrice care caracterizeaz tranzistorul cu efect de cmp cu jonciuni sunt: uDS - tensiunea dren - surs : determin valoarea intensitii curentului prin dispozitiv, pn ce acesta ajunge n saturaie. uGS - tensiunea poart - surs: permite controlul valorii intensitii curentului prin dispozitiv. iD - curentul de dren : curentul prin dispozitiv. iG - curentul de poart : este un curent invers foarte mic (de ordinul nA) i se poate considera zero (iG 0). iS - curentul de surs : iS iD(iG 0). Ri - rezistena de intrare : foarte mare. TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP CU JONCIUNI - TEC-J Caracteristici statice de funcionare a) Caracteristica de ieire: iD=iD(uDS) pentru UGS=constant este ilustrat n figura alturat Pe aceast caracteristic se definesc regimurile de funcionate ale TEC-J:
iD
(mA) S AT UR AIE

S TRPUNGER E

Pentru tensiuni uDS foarte mici (sub 0,1V), UGS= 0 caracteristicile se pot considera liniare. UGS1 <0 Tranzistorul se poate folosi ca o rezisten UGS2<UGS1 <0 controlat n tensiune (prin uGS) . UDssat1 UDS(V) Pentru tensiuni uDS mai mari distingem o zon Fig. 4.1 neliniar. Pentru tensiuni uDS mai mari dect UDSsat ajungem n zona de saturaie. n aceast zon dispozitivul este folosit ca amplificator. Pentru tensiuni uDS foarte mari apare o cretere abrupt a curentului prin tranzistor, datorit strpungerii prin multiplicare n avalan a jonciunii poart-canal b) Caracteristica de transfer: iD=ID(uGS) pentru UGS=constant este ilustrat n figura 4.2.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

91

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE La o tensiune de dren constant, atunci cnd tensiunea de poart este zero, curentul este maxim, IDSS. Valoarea acestui maxim este cu att mai mare cu ct tensiunea de dren este mai mare. iD iD La creterea tensiunii de poart, IDSS IDSS datorit polarizrii inverse puternice, regiunile de trecere se extind i curentul scade pn la zero, atunci cnd regiunile de trecere se ating. Acest lucru se UT uGS UT uGS ntmpl la UGS = UT. Dispozitivul este folosit ca TEC-J cu canal n TEC-J cu canal p amplificator n zona uDS > uDSsat. Aici iD = iDsat, indiferent de uDS. Pentru calcule de circuit se folosete aproximaia parabolic: UGS2 iD = iDsat = IDSS( 1) UT TEC-J n regim dinamic Comportarea tranzistorului cu efect de cmp la frecvene joase i la semnal mic se poate studia pe baza circuitului echivalent dedus prin liniarizarea caracteristicilor n jurul punctului static de funcionare. Definirea parametrilor circuitului echivalent se iDD G face plecnd de la : iD = iD(uGS, uDS) i se obine circuitul uDS uGS r
prezentat n figura 4.3.

gmuGS

Valorile uzuale pentru gm i rd sunt de ordinul 0,1-10mA/V i respectiv 0,1 1M. TRANZISTOARE MOS

S
D

S Figura 4.3

Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului electric la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor numit poart. Caracteristici statice de funcionare Caracteristica de ieire: iD=iD(uDS) pentru
iD iDsat
(mA)

UGS= constant este ilustrat n figura 4.4

iD
(mA)

UGS3 UGS2<UGS3 UGS1<UGS2 uDsat Figura 4.4 uDS(V) UT Figura 4.5 UGS(V)

Dispozitivul este folosit ca amplificator n zona uDS > UDSsat. Aici iD = iDsat, indiferent de uDS. Profilul TEHNIC Nivelul 3 92

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Caracteristica de transfer: iD=ID(uGS) pentru figura 4.5. Comparaie ntre TEC-J i TEC-MOS
TEC-J Curentul circul n volumul semiconductorului Curentul de dren scade la creterea tensiunii de poart, la tensiune de dren constant. Este comandat n tensiune Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA (practic se consider egal cu zero). Rezistena de intrare foarte mare (jonciune polarizat invers) Nu amplific n curent, ci numai n tensiune Amplificarea n tensiune este mai mic dect la tranzistoarle bipolare. TEC-MOS Curentul circul la suprafaa semiconductorului Curentul de dren crete la creterea tensiunii de poart, la tensiune de dren constant. Este comandat n tensiune Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA (practic se consider egal cu zero). Rezistena de intrare foarte mare (jonciune polarizat invers) Nu amplific n curent, ci numai n tensiune Amplificarea n tensiune este mai mic dect la tranzistoarle bipolare. Tranzistoarele TEC - MOS sunt mult mai fragile dect TEC -J de aceea sunt necesare precauii la utilizare.

UGS=constant este ilustrat n

Comparaie ntre tranzistorul cu efect de cmp i tranzistorul bipolar


Tranzistor cu efect de cmp Controlul curentului care circul prin dispozitiv se face prin modificarea conductanei canalului cu ajutorul unui cmp electric creat de o tensiune care se aplic pe poart. La conducia curentului electric particip numai purttorii majoritari (tranzistoare unipolare). Este comandat n tensiune Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA (practic se consider egal cu zero). Rezistena de intrare foarte mare (jonciune polarizat invers) Nu amplific n curent, ci numai n tensiune Amplificarea n tensiune este mai mic Dependena de temperatur a parametrilor tranzistorului TEC este mai redus deoarece nu intervin purttorii de sarcin minoritari. Pericolul de ambalare termic este mult redus. Nu exist tensiune de decalaj Sunt mai simplu de fabricat i mai uor de folosit n circuitele integrate. Circuitele care folosesc TEC-uri sunt mai simplu de proiectat, folosind mai puine componente. Zgomot mai redus Tranzistorul bipolar Controlul valorii curentului prin dispozitiv se realizeaz pe baza unor fenomene de injecie i transport de purttori de sarcin majoritari (emitorul injecteaz purttori de sarcin n baz, care sunt transportate prin difuzie pn n colector). La conducia curentului electric particip i purttorii majoritari i purttorii minoritari (tranzistoare bipolare). Este comandat n curent De obicei, curentul de intrare este curentul de baz (A). Valoarea rezistenei de intrare depinde de conexiune Amplific i n curent i n tensiune Purttorii de sarcin minoritari, creai pe cale termic intervin n conducie. Exist pericolul ambalrii termice. Necesit circuite se stabilizare a PSF n raport cu variaiile de temperatur. Exist tensiune de decalaj.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

93

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 5
REACIA N AMPLIFICATOARE Definiie Un amplificator cu reacie este un amplificator la care o parte din semnalul de ieire este aplicat la intrarea acestuia. Fie amplificatorul din figura de mai jos, cu amplificarea A. X1 X2 A= X1 X2
Figura 5.1

Amplificatorul cu reacie are urmtoarea configuraie: Xg + X1 A= X2 X1 X2 se numete factor de transfer al reelei de reacie. Se observ c: X1 = Xg+ Xr Xg = X1 - Xr

Xr
Reea de reacie

X2 Xr = Figura 5.2 X2 Amplificarea amplificatorului cu reacie va fi: X2 X X2 X1 A A A Ar = 2 = = = = = X X X X X X g X1 X r 1 A 1 r 1 2 r 1 r 2 X1 X1 X 2 X 2 X1 Tipuri de reacie

a) Dup mrimea amplificrii cu reacie: a ) |Ar| < |A| |1 - A| < 1 REACIE NEGATIV b ) |Ar| > |A| |1 - A| > 1 REACIE POZITIV c ) |Ar| = |A| |1 - A| = 1 Nu exist reacie d ) |Ar| |1 - A| = 0 OSCILAIE ( se obine semnal la ieirea amplificatorului fr s se aplice semnal la intrare) b) Dup topologia reelei de reacie Semnalul de reacie, Xr, care se compar cu semnalul dat de generator, Xg, este proporional cu semnalul de ieire, X2. Semnalul de ieire poate fi curent sau tensiune. Semnalele care sunt asociate comparatorului de la intrare (Xg, Xr, X1) pot fi, independent de X2, fie cureni, fie tensiuni. Exist n total 4 posibiliti, care vor fi analizate n continuare (figura 5.3 a,b,c,d).

Profilul TEHNIC Nivelul 3

94

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE a)


Comparare Ug U1 Amplificator de tensiune Eantionare U2 Z

Ur

Reea de reacie

Reeaua de reacie ia un eantion al tensiunii de ieire i l compar cu tensiunea dat de generatorul de semnal. Acest tip de reacie se numete cu eantionare n nod i comparare pe bucl, sau reacie de tensiune serie sau reacie serie -paralel.

Acest tip de reacie se numete cu eantionare n nod i comparare pe nod sau reacie de tensiune paralel sau reacie paralel-paralel.

b)
Ig

Comparare I1

Eantionare Amplificator U ZS

Ir Reea de reacie

c)
Ig

Comparare I1 Amplificator

Eantionare I2 ZS

Ir Reea de reacie

Reeaua de reacie ia un eantion al curentului de ieire i l compar cu curentul dat de generatorul de semnal. Acest tip de reacie se numete cu eantionare pe bucl i comparare n nod, sau reacie de curent paralel sau reacie paralel- serie.

d)

Comparare Ug U1 Amplificator de tensiune

I2 Eantionare Z

I2 Ur Reea de reacie

Acest tip de reacie se numete cu eantionare pe bucl i comparare pe bucl, sau reacie de curent- serie sau reacie serie - serie.

Figura 5.3

Profilul TEHNIC Nivelul 3

95

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Exemple de amplificatoare cu reacie a)Amplificator cu reacie de curent, tip serie- serie: +Ec R1 CB RG R2 ~ Ug i0 RE RS
Figura 5.4

Rc CS

n figura 5.4 este prezentat un exemplu tipic de amplificator cu reacie.

RG ug ~

ug

RB ui

Rc RS

u0

n figura 5.5 este prezentat schema de c.a. Presupunnd Rc << RS Rc || RS RS i i0 IC iE. Ca urmare reacia const n aplicarea pe bucla de intrare cu curentul de ieire. Se constat prezena unei reacii de curent serie (de tip serie - serie).

ur

RE
Figura 5.5

Reea de reacie

b) Amplificator cu reacie de tensiune, tip paralel- paralel: +Ec R1 CB RG ug ~


Figura 5.6

Rc R

n figura 5.6, alturat, este prezentat un alt exemplu tipic de amplificator cu reacie.

CS

RS

n figura 5.7 este prezentat schema de c.a. Presupunnd Rc << RS Rc || RS RS.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

96

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE i0 ii RG ug ~ R


Reeaua de reacie Figura5.7

ui

Rc|| RS

u0

Se observ reacia cu eantionare n nod i comparare pe nod , deci o reacie de tensiune paralel, sau de tip paralel- paralel (tensiunea de reacie se culege n paralel la ieire i, prin circuitul de reacie, se aplic, n paralel, la intrare).

Influena reaciei asupra amplificatorului a)Influena reaciei asupra amplificrii Din relaia care definete amplificarea cu reacie se observ c: reacia negativ scade amplificarea; reacia pozitiv crete amplificarea. b)Influena reaciei asupra stabilitii amplificatorului S presupunem c dintr-un motiv oarecare s-a produs o variaie A <<A a amplificatorului fr reacie, care a devenit A+ A. Amplificarea cu reacie va fi:
A r + A r = A r = A + A 1 ( A + A )

A + A A + A A Ar = 1 ( A + A ) 1 ( A + A ) 1 A

A r a: Ar Calculnd stabilitatea amplificatorului cu reacie, i innd cont c A <<A, se obine:

Se definete stabilitatea amplificatorului prin relai

Ar 1 A = Ar 1 A A

A r A , deci Ar A stabilitatea amplificatorului cu reacie negativ se mbuntete.

n cazul reaciei negative,

1 A

> 1, de unde

c)Influena asupra benzii de frecven a amplificatorului Se demonstreaz c n cazul amplificatorului cu reacie negativ banda de frecven se lrgete, dup cum se poate observa n figura 5.8 :

Profilul TEHNIC Nivelul 3

97

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 1 f j < fj 1- A

fr reacie cu reacie negativ

fj r =

fsr =(1- A) fs > fs fj r fj fs fsr

Figura 5.8

d)Influena asupra impedanelor de intrare i de ieire Impedanele de intrare i respectiv de ieire ale amplificatoarelor cu reacie se modific fa de cele ale amplificatorului de baz. i n acest caz, reacia negativ are efecte favorabile, deoarece produce modificri ntr-un asemenea sens nct amplificatorul tinde s se transforme n unul ideal. Examinarea acestui aspect se poate face pentru cazul concret al fiecrui tip de amplificator cu reacie. Astfel, de exemplu, pentru un amplificator de tensiune cu reacie serie , se demonstreaz c impedana de intrare crete, proporional cu (1- A):
Z ir = Zi 1 A

Impedana de ieire scade n mod corespunztor:


Z 0r = Z 0 1 1 A

Prin creterea impedanei de intrare i scderea impedanei de ieire ca urmare a aplicrii reaciei negative, amplificatorul devine un amplificator de tensiune mai bun. Observaie: n cazul folosirii unei reacii negative puternice,

(1 A) 1

1 ,

adic

amplificarea cu reacie devine independent de amplificatorul de baz , depinznd numai de reeua de reacie. Acest fapt confer amplificatorului cu reacie o stabilitate sporit. Concluzie : Reacia negativ mbuntete performanele amplificatoarelor din multe puncte de vedere, tinznd s le transforme n amplificatoare ideale . Aceasta face ca utilizarea reaciei negative s fie aproape nelipsit din amplificatoarele electronice.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

98

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 6
OSCILATORUL ARMONIC Oscilatorul armonic este un circuit electronic care genereaz un semnal de form sinusoidal.
Circuit cu dispozitive electronice active

RS

u(t)= U sin t

E Oscilatorul cedeaz sarcinii putere de curent alternativ. Sursa primar a puterii de curent alternative, cedat sarcinii este sursa de curent continuu care alimenteaz oscilatorul. Circuitul trebuie s conin dispozitive electronice active, capabile s transforme puterea de curent continuu n putere de curent alternativ. Oscilatorul armonic se poate obine dintr-un amplificator cruia i se aplic o reea de reacie pozitiv. Xg X1 Amplificator ideal A=X2/X1 Reea de reacie pozitiv =Xr/X2 X2 X2 = A X1 Xr = X2 X1 = Xg + Xr Amplificarea cu reacie este :
Ar = X2 A = X g 1 A

+
Xr

Condiia de oscilaie : Circuitul de mai sus devine un oscilator, dac ndeprtnd semnalul de excitaie (Xg =0) obinem totui un semnal la ieire (X2 =finit, 0 )
Ar = X2 1 A = 0 A = 1 Relaia lui BARKHAUSEN (condiia de oscilaie) Xg
1

n general, deoarece circuitul conine elemente reactive,


A = A exp jA , j =

= exp j

n aceste condiii, relaia lui Barkhausen este echivalent cu dou condiii reale:

Profilul TEHNIC Nivelul 3

99

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE |A | . | | A + = 0, 2 , 4.... Condiia de amplitudine Condiia de faz

Semnalul sinusoidal este unicul semnal care i reproduce forma dup ce parcurge un circuit liniar cu elemente reactive. Acesta este i motivul pentru care circuitul genereaz un semnal sinusoidal i nu de alt form. Frecvena de oscilaie. n multe situaii practice se poate presupune c A este un numr real. Atunci A = 0 sau , dup caz. Condiia de faz devine: A + ( )= 0, 2 .... i determin frecvena de oscilaie. n acest caz reeaua de reacie pozitiv este cea care determin frecvena de oscilaie.

Fia de documentare 7
OSCILATOR CU REEA WIEN I AMPLIFICATOR DE TENSIUNE n figura de mai jos este prezentat schema bloc a unui oscilator format dintr-un amplificator ideal de tensiune i o reea de reacie Wien. Funcia de transfer n tensiune a reelei Wien lucrnd n gol este:

1 R C 1 1 + 1 + 2 + j R1C 2 R2 C1 R2 C1 Condiia Barkausen este: F W ( j ) =


AU F W ( j ) = 1

U1 = U2

Dac AU =AU = real, atunci i FW(j)=real. De aici rezult frecvena de oscilaie:


f osc = 1 2 R1 R2 C1C 2

Iar amplificarea necesar pentru susinerea oscilaiilor este:

Profilul TEHNIC Nivelul 3

100

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

AU =

R C 1 = 1+ 1 + 2 F W ( j osc ) R2 C1

n figura de mai jos este prezentat un oscilator cu reea Wien i amplificator operaional. r2 r1 + U2 R1 U1 R2 C2 C1

Aici exist dou bucle de reacie: -o reacie pozitiv, selectiv, dependent de frecven, prin reeaua Wien -o reacie negativ, neselectiv, prin atenuatorul (divizorul) format din rezistenele r1 i r2. Amplificatorul operaional mpreun cu reeaua de reacie negativ formeaz un amplificator ideal de tensiune, a crui amplificare este AU. U r +r r AU = 2 = 1 2 = 1 + 2 = real U1 r1 r1 n cazul R1=R2=R, C1=C2=C, pentru a obine AU= 3, trebuie ca r2=2r1. Frecvena de oscilaie este: f osc =
1 . 2RC

Cele dou bucle de reacie formeaz o punte Wien, aa cum devine clar prin redesenarea schemei de mai sus. Intrarea amplificatorului este conectat n diagonala orizontal a punii, iar ieirea amplificatorului n diagonala vertical.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

101

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

C1 R1 r2 + R2 C2 r1 Uo

Profilul TEHNIC Nivelul 3

102

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 8
STABILIZATOARE ELECTRONICE CU REACIE Stabilizatorul este un circuit electronic care se conecteaz ntre sursa de semnal nestabilizat i consumator i care, ideal, asigur la ieire un semnal independent de tensiunea de intrare, de curentul de sarcin (rezistena de sarcin) i de temperatur. Sursa de semnal care conine i stabilizator se numete surs stabilizat. Stabilizatoarele electronice sunt acele stabilizatoare care conin elemente active (tranzistoare, amplificatoare operaionale), la care elementul de reglaj este comandat de un semnal de eroare. Acest semnal se obine prin compararea tensiunii de ieire cu o tensiune fix, numit tensiune de referin. n stabilizatoarele electronice cu reacie efectul de stabilizare a tensiunii de ieire este realizat printr-o reacie negativ, dup cum se poate observa n figura 8.1 a i b. Tensiunea de ieire este eantionat n circuitul de eantionare (E) i apoi comparat n circuitul de comparare (C) cu tensiunea de referin dat de sursa de referin (R). Semnalul de eroare produs este aplicat elementului regulator (ER). n urma comparrii se obine o tensiune numit tensiune de reglaj, care comand modificarea valorii rezistenei echivalente a elementului de reglaj. n felul acesta elementul de reglaj preia variaiile tensiunii de intrare n vederea obinerii unei tensiuni de ieire constant. n funcie de poziia elementului de reglaj n circuit se deosebesc dou tehnici de reglare: reglare serie (figura 8.1.a), n care elementul de reglaj este n serie cu rezistena de sarcin; reglare paralel sau derivaie (fig 8.1.b), n care elementul de reglaj este n paralel cu rezistena de sarcin.
ER

Ui

C R

Uo

Rs

Ui

ER

C R

Uo

Rs

Figura 8.1

Observaie: Dac tensiunea de eroare nu are amplitudinea suficient pentru a comanda elementul de reglaj, se utilizeaz un amplificator de eroare. Stabilizator de tensiune serie, cu reacie, fr amplificator de eroare Schema cea mai simpl a unui stabilizator serie, cu reacie este cea din figura 8.2:

Profilul TEHNIC Nivelul 3

103

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE T i R Ui IB DZ


UBE

Io

Io Uo Rs

Uz

Figura 8.2 In aceast schem elementul regulator este tranzistorul T. Tensiunea de referin este asigurat de dioda stabilizatoare DZ. ntreaga tensiune de ieire este comparat cu tensiunea de referin , Uz, direct pe baza tranzistorului regulator: Scriind legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine: U0= Uz - UBE Dac tensiunea de ieire crete, dintr-o cauz oarecare, concomitent scade U BE. Acest fapt va determina scderea curentului de colector i, implicit, a celui de emitor i deci i a curentului de ieire, I0, ceea ce va duce la scderea tensiunii de ieire la valoare iniial. n cazul n care tensiunea de ieire are o tendin de scdere, se produce creterea tensiunii UBE, i n consecin creterea curentului de colector, a curentului de emitor i deci a curentului de ieire, ceea ce va determina creterea tensiunii de ieire. Observaii: 1.Tranzistorul T lucreaz n conexiunea colector comun (sarcina este n emitor). Cum potenialul bazei este UB = Uz constant, la ieire, n emitor, se va regsi acest potenial aproximativ constant. Din acest motiv montajul se mai numete i stabilizator repetor pe emitor. 2.Tensiunea la ieirea stabilizatorului este chiar tensiunea pe diod: U 0 =Uz i, ca urmare, este de dorit s alimentm dioda la un curent constant n plaja de stabilizare (Izm IzM,). Aceste cerine sunt ndeplinite printr-o dimensionare corect a rezistenei R. 3.Dioda stabilizatoare lucreaz n condiii mai uoare dect n cazul stabilizatorului parametric, prelund numai variaiile curentului de baz al tranzistorului T, variaiile curentului de ieire fiind preluate de curentul de colector. 4.Tranzistorul T lucreaz ca o rezisten variabil ntre colector i emitor, prelund astfel variaiile de tensiune. 5.Tranzistorul T este, de obicei un tranzistor de putere. Stabilizator de tensiune serie, cu reacie, cu amplificator de eroare Stabilizarea schemei prezentate mai sus se asigur prin modificarea curentului tranzistorului T, comandat direct prin variaia tensiunii de ieire. Eficacitatea acestei comenzi poate fi sporit dac se amplific semnalul de eroare nainte de a-l aplica elementului de reglaj. n figura 8.3 este prezentat cea mai simpl schem de principiu a unui stabilizator de tensiune serie, cu reacie, cu amplificator de eroare. Funcionarea schemei este simpl. Diferena dintre o fraciune a tensiunii de ieire i tensiunea de referin U z, constituie semnalul de eroare, amplificat de etajul T1 : uBE = kU0 - Uz , de unde rezult tensiunea stabilizat: Profilul TEHNIC Nivelul 3 104

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Ui

Figura 8.3

R1 + R2 k R2 Curentul de ieire al amplificatorului T 1 comand curentul de colector al tranzistorului T i, implicit, rezistena lui echivalent n curent continuu (ntre colector i emitor). Variaiile cderii de tensiune pe aceast rezisten echivalent compenseaz variaiile iniiale ale tensiunii de intrare, meninnd practic constant tensiunea de ieire. Orice tendin de cretere a tensiunii de ieire U 0, se traduce printr-o cretere concomitent a tensiunii de eroare aplicat pe baza tranzistorului T 1, respectiv creterea curentului de colector a acestui tranzistor, cretere ce are loc n detrimentul curentului de baz al tranzistorului T; aceasta va avea drept consecin revenirea tensiunii de ieire la valoarea iniial. U0 =
z

(U z U BE ) = (U

U BE )

Observaii: 1. Rezistena R asigur curentul de polarizare a colectorului tranzistorului T 1 i a bazei lui T. Ea asigur I= IB + IC1 = const. ( este preferabil s se utilizeze un generator de curent constant). 2. Tranzistorul T1 trebuie s fie un tranzistor cu mare (eventual un montaj Darlington). 3. Dioda Zener, care furnizeaz tensiunea de referin, fiind conectat n emitorul lui T 1, va suporta variaii mari de curent. Pentru a evita ca DZ s ias din zona de stabilizare ea se polarizeaz separat prin R3. 4. Pentru a micora variaiile de curent prin DZ, baza lui T 1 se polarizeaz printr-un divizor de tensiune (R1, R2).

Profilul TEHNIC Nivelul 3

105

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 9
AMPLIFICATOARE OPERAIONALE Definiie Amplificatorul operaional este un amplificator de c.c. (cu cuplaj direct), care ndeplinete nite performane deosebite: amplificare, band de frecven i impedan de intrare foarte mari, decalaj, deriv i impedan de ieire foarte mici. Din punct de vedere constructiv, AO au o structur complex, fiind realizate sub form de circuite integrate monolitice, prevzute cu borne pentru alimentare, intrri, ieiri, reacii etc.

n mod normal, AO se folosesc cu reele de reacie, care, printr-o structurare adecvat, le permit s realizeze operaii matematice (adunare, scdere, integrare, difereniere etc) sau s fie utilizate ntr-o gam extrem de larg de aplicaii.

Structura intern a amplificatorului operaional

Majoritatea AO sunt amplificatoare difereniale, adic ofer la ieire diferena a dou tensiuni de intrare (notate u+ , respectiv u- ), amplificat, astfel: U0 = A0 (u+- u-), unde A0 (notat uneori i Ad) reprezint amplificarea diferenial. Profilul TEHNIC Nivelul 3

106

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Amplificarea diferenial (fr reacie, sau n bucl deschis), A 0 (sau Ad ), este foarte mare, de ordinul zecilor sau sutelor de mii. Datorit performanelor sale, AO poate fi considerat un amplificator ideal de tensiune. Simbol Simbolul utilizat pentru AO este prezentat n figura de mai jos: u
+

+Ec +
+

u-

Uo = A0 ( u - u ) -Ec

Borna notat cu + se numete intrare neinversoare. Borna notat cu - se numete intrare inversoare. Aplicnd un semnal pe borna inversoare, se obine la ieire un semnal n opoziie de faz cu cel de la intrare. Dac semnalul este aplicat pe intrare neinversoare, la ieire se obine un semnal n faz cu cel de la intrare. Dup cum se aplic semnalul de intrare, pe una sau pe cealalt dintre intrri, amplificatorul se numete inversor sau neinversor. Parametrii electrici 1 Amplificarea n bucl deschis (fr reea de reacie extern), A0, este foarte mare, putnd fi considerat infinit. Aceasta face ca diferena de potenial ntre cele dou borne de intrare s fie practic nul: u+ u- sau se poate spune c cele dou intrri sunt n scurtcircuit virtual. 2 Impedana de intrare, Zi, este foarte mare, putnd fi considerat infinit. Aceasta face ca s putem considera curentul absorbit de amplificator practic nul: Ii 0. 3 Impedana de ieire, Zo este foarte mic, putnd fi considerat egal cu zero. Aceasta face ca tensiunea de decalaj de intrare s poat fi considerat nul. u+ = u- U0 = 0. Utilizrile A.O. circuite specifice AO constituie principala clas de circuite integrate liniare. Ele sunt destinate lucrului n bucl de reacie, n care funciile de transfer sunt univoc determinate de proprietile reelelor de reacie. Prin aplicarea reaciei amplificatorului operaional, se obin configuraii de circuit cu noi proprieti: Profilul TEHNIC Nivelul 3

107

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE n cazul aplicrii reaciei negative se obin: micorarea amplificrii, mrirea stabilitii etajului, se lrgete banda de frecven, crete viteza de lucru, scade nivelul zgomotelor i al distorsiunilor neliniare. Prin aplicarea reaciei pozitive se obin noi proprieti reactive i regenerative (capaciti, inductane, oscilatoare). Prin realizarea combinat a unor reacii pozitive i negative se obin circuite de filtrare a semnalelor, stabilizatoare de tensiune, convertoare D-A etc. n cele ce urmeaz se vor prezenta principalele configuraii ale AO. A.O. inversor Schema de principiu : Ir I1 Ui R1
Ii

R2

Ao Uo

+ u+

Aplicnd prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de intrare, se obine: I1+ Ir = Ii . Din proprietile AO: Zi Ii = 0 I1 = - Ir. Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare, se obine: I1 R1 - u- + u+ - Ui =0 I1 R1 = Ui - (u+ - u- ) Ui Din proprietile AO: A0 (u+ - u- ) = 0 I1 = R1 Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine: - U0 + Ir R2 u- + u+ = 0 - U0 = - Ir R2 Din U0 = Ir R2 i I 1 = - Ir U0 = - I1 R2
U 0 I 1 R2 R = = 2 , Ui I 1 R1 R1
R 2 R 1

Prin definiie: A =

rezult:

A =

Observaii: 1. Din expresia amplificrii se observ c tensiunea de la ieire este n opoziie de faz cu semnalul de la intrare, deci amplificatorul este inversor. 2. Datorit proprietilor AO, A nu depinde de AO ci numai de reeaua de reacie. Acest fapt permite controlul amplificrii, conferindu-i o mare stabilitate, precum i posibiliti de reglaj.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

108

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Aplicaii Alegnd n mod convenabil raportul R 2/R1 se pot realiza diferite operaii matematice. nmulirea cu o constant Dac se alege R2 = k R1, k >1, se obine U0 = - kUi, deci tensiunea de la ieire reproduce tensiunea de la intrare multiplicat de k ori. mprirea cu o constant Dac se alege R2 =
1 k

R1, k >1, se obine U0 =

1 Ui, deci tensiunea de la k

ieire reproduce o fraciune a tensiunii de la intrare. Circuit repetor Dac se alege R2= R1, se obine U0 = -Ui, deci tensiunea de la ieire reproduce tensiunea de la intrare, dar n antifaz. Prin montarea n cascad a dou AO repetoare se poate obine la ieire reproducerea tensiunii de la intrare n faz. U I 1 R2 R A= 0 = = 2 Ui I 1 R1 R1 4.1.4 AO inversor sumator Schema de principiu : I11 R11
Ir

I12 R12 Ui1 Ui2 I1n R1n Uin

R2
Ii

u-

+ Ao Uo

u+

Presupunnd AO ideal, i aplicnd prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de la intrare, se onine: I11+ I12+..... I1n + Ir = Ii = 0 I11+ I12+..... I1n = - Ir Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare ochi de la intrare se obine: Ui1= I11 R11 Ui2= I12 R12 I1k =
U ik Rik

............ Uin= I1n R1n Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare ochi de la ieire se obine: U0 U0 = Ir R2 Ir = R2 nlocuind expresiile curenilor n prima relaie, se obine: U U Rik = R0 ik 2 Profilul TEHNIC Nivelul 3 109

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Alegnd R11 = R12 =........= R1n = R1 = R2 = R se obine:

U ik U = 0 U 0 = U ik R R k

Uo Uo = - k Uik R deci tensiune de la ieire este egal i n antifaz cu suma tensiunilor de la intrare.

Uik R =

AO neinversor Schema de principiu:


Ir I1

R1 u
+ Ui u

Ii

R2

+ Ao Uo

Aplicnd prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de intrare, se obine: Ir+ Ii = I1 . Din proprietile AO: Zi Ii = 0 I1= Ir. Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare, se obine:

Ui =( u+

- u- ) + I1 R1 Ui = I1 R1

Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine: U0 = Ir R2+ I1 R1 = I1 (R2+ R1). Amplificarea va fi: A=

U 0 I 1 ( R2 + R1 ) R1 + R2 R = = = 1+ 2 Ui I 1 R1 R1 R1

A =1 +

R 2 R 1

Observaii: 1. Semnalul de la ieire este n faz cu semnalul de la intrare, deci amplificatorul este neinversor. 2. A > 1, deci nu poate fi folosit ca divizor sau ca repetor. APLICAII nmulirea cu o constant Dac se alege R1 + R2 = k R1 R2 = (k - 1) R1, atunci:

( k 1) R1 U0 = 1+ = k i Uo = k Ui Ui R1 Tensiunea de la ieire reproduce tensiunea de la intrare multiplicat de k ori.


A=

Profilul TEHNIC Nivelul 3

110

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

AO neinversor sumator Schema de principiu :


Ir

R2

R1 I11 Ri1 uIi

Presupunnd AO ideal, i aplicnd prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de la intrare, se obine: I11+ I12+..... I1n = Ii = 0 Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la intrare, se obine: Ui1= Ri1 I11+ u+ U u+ I 1k = ik Ui2= Ri2 I12+ u+ Rik ........... Uin= Ri1 I1n+ u+ nlocuind aceste expresii n prima egalitate, se obine:

+ Ao Uo

I12 Ri2 Ui1 Ui2 Uin2 I1n Rin

I 1k =
k k

U ik u + = 0. Rik
1 (U ik u + ) = 0, R k

Dac se alege Ri1 = Ri2 =........= Rin = R se obine:


1 U ik = n.u + R k

Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la ieire, se obine: U 0 R1 u+ = u - = R1 + R2 U alegnd R1 + R2 = n R1 , se obine: u + = 0 , n
U 0 = U ik
k

Deci tensiunea de la ieire este egal cu suma tensiunilor de la intrare . Observaie: Spre deosebire de sumatorul inversor, n aceast situaie tensiunea de la ieire este n faz cu suma tensiunilor de la intrare. Integratoare i derivatoare n afara operaiilor matematice simple, ca multiplicarea, divizarea, adunarea, scderea, AO pot efectua i operaii mai complexe, de natur algebric sau din analiza matematic. Aceste operaii au numeroase i variate utilizri, printre care: msurarea intervalelor de timp, rezolvarea (analogic) a ecuaiilor difereniale, conversia analog digital, realizarea regulatoarelor automate etc. n cele ce urmeaz ne vom opri asupra integratoarelor i derivatoarelor. Integratoarele i derivatoarele electronice analogice se bazeaz pe relaia care leag tensiunea de curentul la bornele unei capaciti electrice. Cele dou forme sub care poate fi scris aceast relaie sunt:
u= 1 C

idt
111

Tensiunea la bornele capacitii este proporional cu integrala curentului prin borne. Profilul TEHNIC Nivelul 3

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


i =C du dt

Curentul prin capacitate este proporional cu derivata tensiunii la bornele acestia. AO integrator Schema de principiu :
Ir I1 Ii

ui

R1

uu

Ao uo

+ +

n schema de baz a AO inversor s-a nlocuit R1 cu o capacitate. Aplicnd legea a doua alui Kirchhoff pe ochiul de ieire i apoi pe cel de la intrare,se obine:
u 0 = uC = 1 C

dt =

1 R1 C

u dt
i

AO derivator Schema de principiu :


Ir

I1 ui C

u-

Ii

R2 Ao Uo

+ + u

n schema de baz a AO inversor s-a nlocuit R 1 cu o capacitate. Aplicnd legea a doua alui Kirchhoff pe ochiul de ieire i apoi pe cel de la intrare, se obine: du u 0 = R2 C i dt

Observaie: n mod similar se realizeaz i integratoare i derivatoare neinversoare.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

112

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 10
STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE Stabilizatoare cu amplificatoare operaionale In figura 10.1 este prezentat schema unui stabilizator serie cu reacie realizat cu amplificatorul operaional A741.
2N2218

R3
Ui=
14-20V 1k

R1 R4
2,2k

+
A741

10k

U0=12V

U0= Uref (1+ R2 ) .


R1

PL6V2Z

R2
10k

Figura 10.1

Dac tensiunea de referin, aplicat pe borna neinversoare, este constant, atunci i tensiunea de ieire, Uo va fi constant. n cazul n care rezistena de sarcin variaz, tensiunea de ieire, egal cu produsul dintre amplificarea n bucl deschis a AO i tensiunea de referin, rmne constant Amplificatorul operaional este folosit ca amplificator de eroare. Curentul de ieire al AO alimenteaz baza tranzistorului regulator. Intrarea sa neinversoare este meninut la un potenial constant de 6,2V prin dioda Zener. Intrarea inversoare primete semnalul de eroare, proporional cu tensiunea de ieire, prin intermediul divizorului rezistiv R1 -P-R2. Tensiunea de ieire poate fi reglat cu ajutorul poteniometrului P. Observaie: La cureni mici de sarcin, amplificatoarele operaionale pot fi utilizate ca surse de tensiune stabilizat, ca n figura 10.2. R1 R2 +
A

Ui

R
DZ

U0=Uz (1 +

R2 R1

Figura 10.2 Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate monolitice

Stabilizatoarele de tensiune cu circuite discrete pot fi executate cu uurin, dar prezint o serie de neajunsuri legate de performanele de stabilizare i de gabaritul lor relativ mare. Imperativul miniaturizrii aparaturii electronice, performanele excelente furnizate de stabilizatoarele de tensiune integrate, scderea continu a costurilor, au contribuit la orientarea celor mai muli dintre utilizatori spre acest gen de dispozitive. Profilul TEHNIC Nivelul 3

113

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Majoritatea stabilizatoarelor de tensiune continu monolitice se construiesc pe baza unor scheme de reglare automat tip serie. n principiu schema electric nu difer de schema stabilizatoarelor cu componente discrete. Deosebirea const n utilizarea unor blocuri funcionale, n care se apeleaz la tehnici de circuit mai complexe, pentru a atinge un nivel de performan mai ridicat. n figura 10.3.a este prezentat schema bloc a unuia dintre cele mai cunoscute stabilizatoare de tensiune continu monolitice, A723.
Ui U+
Referina de tensiune Amplificator de eroare Element regulator

Vc

Uref

+
R3

U0 r
CL Limitator de curent CS

NC CL CS NI I Uref U Uz

1 2 3 4 5 6 7

14 13 12 11 10 9 8

NC
COMP

+ U Vc U0 Uz
NC

b
R2 R1

NI

U-

Figura 10.3

I
COMP

a Acest stabilizator are nivelul tensiunii de ieire stabilizat programabil, reeaua de reacie a amplificatorului de eroare putndu-se aplica din exterior. De asemenea, circuitul are posibiliti de reglare simpl a curentului de ieire, prin intermediul terminalelor CL i CS. Prin conectarea unui condensator de (0,1...10 nF) la terminalul COMP se realizeaz compensarea n frecven a amplificatorului de eroare. Cu ajutorul unui numr relativ mic de componente externe, un astfel de stabilizator monolitic poate asigura performane de stabilizare mai bune de 0,1%, domenii de tensiuni de ieire de 0 - 40V i cureni de ieire disponibili pn la 10A. De asemenea, un astfel de stabilizator se poate utiliza ca element de control n circuite de stabilizare cu performane superioare. n figura 10.3.b este prezentat configuraia terminalelor. n figura 10.4 este ilustrat schema general de protecie cu diode a stabilizatorului de tensiune integrat. Dioda D3 este blocat pentru tensiunea de ieire a stabilizatorului, dar pentru tensiuni de polariti inverse dioda va scurtcircuita eventualele tensiuni tranzitorii ce pot apare pe sarcini inductive. Acelai rol l are i dioda D1 , pentru intrarea n stabilizator. Dioda D2 protejeaz circuitul integrat cnd la intrare se produc scurtcircuite accidentale.
D2 + Ui C1 + U0 C2

Sabilizator

D1

D3

Figura 11.4

Profilul TEHNIC Nivelul 3

114

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare nr.11 AXIOMELE I TEOREMELE FUNDAMENTALE ALE ALGEBREI BOOLEENE

tiai c..

Algebra Boolean a fost conceput pe la mijlocul secolului al XIX-lea, de ctre matematicianul englez George Boole (1815 1864) care a propus o interpretare matematic a logicii propoziiilor bivalente de tip Da Nu sau Adevrat Fals etc. Abia n 1938, Claude Shannon, de la Institulul de Tehnologie din Massachusetts California, avea s o utilizeze pentru prima oar la analiza circuitelor de comutaie.
Algebra Boolean, cunoscut i sub denumirea de Algebra logic opereaz cu funcii logice. Operaiile logice de baz sunt prezentate n tab. 11.1. Se observ c denumirile i simbolurile operaiilor logice difer de la un domeniu la altul. n cele ce urmeaz, vom utiliza aproape exclusiv notaiile din matematic. Tab. 11.1. Denumirea i simbolizarea operaiilor de baz Matematic Logic Prima lege de compoziie Disjuncie (suma logic) x1 x2 x1+ x2 A doua lege de Conjuncie compoziie x1 x2 (produsul logic) x1 x2 Elementul invers Negaie x x Tehnic SAU (OR) x1 x2 I (AND) x1 x2 NU (NOT) x

Funcia logic sau funcia binar ia valoarea logic 1 cnd este adevrat i 0 cnd este fals. Funcia logic este complet definit cu ajutorul unui tabel finit ( tabel de adevr) avnd n primele coloane valorile logice ale variabilelor (considerate independente) i n ultima coloan - valorile logice ale funciei, obinute prin aplicarea operaiilor logice asupra variabilelor Exprimarea matematic a unei funcii logice necesit introducerea axiomelor i a teoremelor ale algebrei Boole. Axiomele algebrei Booleene Se consider o mulime, M, compus din n elemente (x 1, x2, ..., xn) i operaiile "" (produs logic) i "+" (sum logic) deja prezentate. Spunem c mulimea M formeaz o algebr Boolean dac: 1. Mulimea M conine cel puin dou elemente distincte: Profilul TEHNIC Nivelul 3

115

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE xi, xj M, cu xi xj. 2. Pentru orice xi, xj M, avem: xi xj M i xi + xj M, cu 1 i, j n. 3. Operaiile "" i "+" prezint urmtoarele proprieti: a) comutativitatea: x1 x2 = x2 x1; x1 + x2 = x2 + x1; b) asociativitatea: x1 x2 x3 = (x1 x2) x3 = x1 (x2 x3) = ... ; x1 + x2 + x3 = (x1 + x2) + x3 = x1 + (x2 + x3) = ... ; c) distributivitatea (uneia fa de cealalt): x1 (x2 + x3) = x1 x2 + x1 x3; x1 + (x2 x3) = (x1 + x2) (x1 + x3); 4. Ambele operaii admit cte un "element neutru" cu proprietatea: x 1 = 1 x = x; x + 0 = 0 + x = x; 5. Pentru orice x M, va exista un element x (non x) cu proprietile: x x = 0; x + x = 1. Ultimele dou relaii poart numele de principiul contradiciei, respectiv - principiul terului exclus i se enun astfel: Principiul contradiciei: o propoziie nu poate fi i adevrat i fals n acelai timp. Principiul terului exclus: o propoziie este sau adevrat, sau fals, o a treia posibilitate fiind exclus. Teoremele algebrei Booleene Pornind de la axiome, se deduc urmtoarele teoreme care devin reguli de calcul n cadrul algebrei Booleene: 1. Principiul dublei negaii: x = x (dubla negaie este echivalent cu afirmaia). 2. Idempotena: x x ... x = x;
n

x+ x + ... + x= x.
n

3. Absorbia: x1 (x1 + x2) = x1; x1 + (x1 x2) = x1. 4. Legile elementelor neutre: x 0 = 0; x + 0 = x; x 1 = x; x + 1 = 1. 5. Formulele lui De Morgan: x1 x 2 = x 1 + x 2 ; x1 + x 2 = x1 x 2 . Profilul TEHNIC Nivelul 3

116

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare 12
MODURI DE EXPRIMARE A FUNCIILOR LOGICE Forma canonic Forma canonic presupune operarea cu termeni canonici. Prin termen canonic nelegem un termen n care sunt prezente toate variabilele independente, luate sub form direct sau negat. Forma canonic disjunctiv n cadrul formei canonice disjunctive (f.c.d.) termenii sunt legai ntre ei prin disjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui termen, numit "constituent al unitii" - prin conjuncii. Forma canonic conjunctiv n cadrul formei canonice conjunctive (f.c.c.), termenii sunt legai ntre ei prin conjuncii, iar variabilele - n cadrul fiecrui termen, numit "constituent al lui zero" - prin disjuncii. Forma elementar Forma elementar (f.e.) are n alctuire cel puin un termen elementar. Prin termen elementar se nelege un termen care nu conine toate cele n variabile ale funciei, deci care nu este canonic. La forma elementar se ajunge prin minimizare. Forma neelementar Funciile logice scrise sub form canonic sau elementar (ambele, disjunctive sau conjunctive) pot fi aduse la forma neelementar dac exist variabile sau grupuri de variabile comune mai multor termeni. Comparativ cu formele din care provin, formele neelementare se pot implementa cu circuite logice avnd un numr mai mic de intrri, dar structurate pe mai multe niveluri logice. Diagrame Veitch Karnaugh Folosirea unei diagrame pentru simplificarea funciilor booleene a fost sugerat pentru prima dat de E. Veitch. Ulterior, M. Karnaugh propune de asemenea o form de diagram n acelai scop, rezultnd diagrama Karnaugh. Aceast diagram se utilizeaz n mod curent pentru reprezentarea funciilor booleene cu un numr relativ mic de variabile.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

117

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE O diagram Karnaugh constituie o variant modificat a unui tabel de adevr. Ea este,de fapt, o reprezentare grafic a formelor canonice. Elementele mulimii de intrare sunt reprezentate prin suprafee dreptunghiulare, din intersecia crora rezult termenii canonici.
A 0 B0 B1 P0 P1 A 1 P2 P3 AB 00 C0 P 0 C1 P1 AB 01 P2 P3 AB 11 P7 P8 AB 10 P4 P5 AB 00 CD 00 P 0 CD 01 P 1 CD 11 P2 CD 10 P 3 AB 01 P4 P5 P7 P6 AB 11 P12 P13 P15 P14 AB 10 P8 P9 P11 P10

Pentru 2 variabile de intrare

Pentru 3 variabile de intrare

Pentru 4 variabile de intrare

Se consider adiacente i ptratele aflate la capetele opuse ale unei linii, respectiv coloane. De aceea, este convenabil s se priveasc aceste diagrame ca suprafee care se nchid la margini. Observaie: n cazul unei exprimri sub forma canonic disjunctiv ( f.c.d.) a funciei, fiecrui termen i corespunde o locaie care conine "1" logic, iar n cazul exprimrii sub form canonic conjunctiv (f.c.c.) - o locaie care conine "0" logic. Evident, att n cazul f.c.d. ct i n cazul f.c.c, locaiile crora nu le corespunde nici un termen canonic vor primi valori logice complementare celor menionate mai sus, iar cele ce corespund unor stri nedeterminate (cazul funciilor incomplet definite) se vor marca cu "X" i vor fi interpretate, dup caz, ca "0" sau "1" logic, n procesul de minimizare. Minimizarea funciilor logice Minimizarea reprezint trecerea de la o form canonic la o form elementar de exprimare a unei funcii logice, deci eliminarea unor variabile de intrare din termenii funciei. Etapele minimizrii cu ajutorul diagramelor Veitch-Karnaugh: Se scrie diagrama Veitch-Karnaugh pentru funcia exprimat prin f.c.n.d.; Se aleg suprafeele maxime formate din constituenii 1 (suprafeele au un numr maxim de ptrate, egal cu puteri ale lui 2); Aceste suprafee corespund termenilor elementari, iar reprezentarea grafic este identic cu aplicarea teoremei: Pentru minimizare se folosete principiul terului exclus. Lateralele diagramei sunt adiacente.
AB + AB = A

Profilul TEHNIC Nivelul 3

118

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fia de documentare nr.13


ANALIZA I SINTEZA CIRCUITELOR LOGICE COMBINAIONALE Circuitele logice combinaionale sunt circuite fr memorie (independente de propriile stri anterioare), caracterizate prin faptul c semnalele de ieire sunt combinaii logice ale semnalelor de intrare, existnd numai atta timp ct acestea din urm exist. n legtur cu circuitele logice combinaionale, se pun de regul dou probleme importante i anume: analiza i sinteza c.l.c. Analiza circuitelor logice combinaionale Analiza c.l.c. pornete de la schema logic cunoscut a circuitului i urmrete stabilirea modului de funcionare a acestuia, fie prin construirea tabelului de funcionare, fie prin scrierea formei analitice a funciei de ieire. Spre exemplu, pornind de la schema logic a unui c.l.c. simplu, fig. 13.1, se deduce, din aproape n aproape, urmrind transformrile semnalelor de intrare, expresia analitic a funciei de ieire:
Y = AB + A B
A AB Y = AB + AB B AB

Fig. 13.1. Schema logic a unui XOR Construirea tabelului de funcionare este acum extrem de simpl i urmeaz paii prezentai n coloanele tabelului 13.1.

A B

Tab. 13.1. Tabelul de funcionare al c.l.c. din fig. 13.1 B A B AB A AB Y = A B + AB 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 Se recunoate funcia de ieire i tabelul de funcionare al circuitului SAU-EXCLUSIV (XOR). Sinteza circuitelor logice combinaionale Sinteza c.l.c. pornete de la funcia pe care trebuie s o ndeplineasc circuitul i i propune obinerea unei variante (minimale) a structurii acestuia. Etapele sintezei sunt: definirea funciei (funciilor) de ieire, minimizarea i, n final, desenarea schemei circuitului. Dup modul n care este scris funcia, implementarea se poate face n diverse variante, printre care: a) cu orice combinaie de circuite logice elementare; b) numai cu circuite NAND; c) numai cu circuite NOR. Profilul TEHNIC Nivelul 3

119

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


Y = A B i tabelul ei de funcionare, se Spre exemplu, considernd funcia: propune realizarea sintezei circuitului corespunztor n mai multe variante.

Tab. 13.2. Tabelul de adevr al funciei XOR

B 0 0 1 1

A 0 1 0 1

Y 0 1 1 0

a) Sinteza utiliznd mai multe tipuri de circuite logice elementare Pornind de la tab. 13.2, se observ c forma canonic disjunctiv ( f.c.d.) a funciei este cea exprimat de relaia Y = AB + A B . Fiind o form deja minimal, implementarea ei conduce la circuitul din fig. 13.1. Procednd similar, dar utiliznd forma canonic conjunctiv ( f.c.c.), se obine: Y = ( A + B ) (A + B ) , care n urma implementrii conduce la A+ circuitul din fig. 13.2. Y = ( A + B) ( A + B ) B A A B
A+B B

Fig. 13.2. O alt variant de implementare a XOR-ului Sinteza numai cu pori NAND Aplicnd De Morgan asupra f.c.d., se obine: Y =AB +AB =(AB)(AB ) ,

+Vc c

a crei implementare poate fi realizat numai cu B NAND-uri i conduce la circuitul din fig. 13.3. Fig. 13.3. Implementarea XOR-ului numai cu NAND-uri Sinteza numai cu pori NOR Aplicnd De Morgan asupra f.c.c., rel. 4.4, se obine: Y = ( A + B) (A + B ) = (A + B) + (A + B ) , a crei implementare poate fi fcut numai cu NOR-uri i conduce la circuitul din fig. 13.4. A Y

Profilul TEHNIC Nivelul 3

120

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Fig. 13.4. Implementarea XOR-ului numai cu NOR-uri

Fia de documentare 14
PROGRAMUL Digital Works Exist mai multe posibiliti de a verifica funcionarea corect a unui circuit care realizeaz o funcie logic. Una dintre ele este simularea cu ajutorul unui program de analiz a circuitelor logice. n continuare se va prezenta programul Digital Works(Digital Works for Microsoft Windows 2.04 1997 David John Barker) care permite o astfel de analiz. Pentru lansarea n execuie a programului se face dublu clic pe icoana corespunztoare, cea prezentat mai jos.

Se va trece acum n revist principalele elemente ale lucrului cu fiierele specifice programului; la apariia ecranului de nceput, n partea stng sus exist opiuni pentru: - crearea unui nou fiier, - ncrcarea unui fiier creat anterior, < - memorarea fiierului deja deschis. Urmeaz apoi linia pentru selectarea porilor logice, cu icoanele prezentate mai jos:

1) SAU, 2) SAU-NEGAT, 3) SAU-EXCLUSIV, 4) SAU-EXCLUSIV-NEGAT, 5) NU, 6) SI, 7) SI-NEGAT Orice selecie se poate face printr-un clic al butonului din stnga al mouse-ului i, dup aceea, printr-un clic al aceluiai buton n zona activ a ecranului, cea cu grila punctat, colorat n galben pal, se poziioneaz poarta n zona dorit. Pentru fiecare poart selectat astfel (i reprezentat iniial punctat pe ecran) se poate stabili numrul de intrri, dnd clic pe butonul din dreapta al mouse-ului apoi Inputs i se selecteaz 2,3 sau 4 intrri. Pentru a face conexiuni se folosete o unealt special, cea aflat la extremitatea din dreapta a celui de-al doilea rnd de icoane i notat cu semnul !. Odat selectat cu un clic al butonului din stnga al mouse-ului, ea poate fi folosit dup cum urmeaz:

Profilul TEHNIC Nivelul 3

121

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Pentru a putea aduce n starea 0 logic sau 1 logic una dintre intrrile unei pori, se folosete aa numita intrare interactiv, aflat pe bara de instrumente, redat n figura alturat, n zona afectat semnalelor de intrare. Intrare interactiv Pentru a amplasa la intrarea unei pori (sau a unui alt circuit) un astfel de dispozitiv este necesar sa facem clic pe icoana aferent, se poziioneaz cursorul pe ecran, n zona prevzut pentru desenarea circuitului (cea cu gril punctat), urmat de un nou clic pentru validarea poziiei alese. Dup poziionare este necesar s facem legtura dintre acest dispozitiv i intrarea respectiv, folosind unealta pentru legturi, (!), aa cum s-a artat mai sus. Simpla poziionare pe ecran a simbolului nu este suficient pentru o simulare corect ! Pentru a trece acest dispozitiv dintr-o stare n cealalt este necesar s parcurgem paii pui n eviden de desenul urmtor.

Unu logic este reprezentat, n cazul unei intrri interactive, prin culoarea roie a cerculeului din interiorul simbolului, n timp ce bitul zero este reprezentat prin culoarea alb. Pentru a pune n eviden starea unei ieiri se folosete un dispozitiv numit led, aflat pe cea de-a doua bar cu unelte, alturi de dispozitivul de afiare cu opt segmente. LED Pentru a aeza un led n zona activ a ecranului se selecteaz acest dispozitiv pe bara cu unelte i apoi se face clic n poziia dorit. Este necesar legarea acestui dispozitiv la ieirea circuitului a crui stare dorim s o monitorizm - n acest scop se folosete unealta de legturi, !.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

122

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

6. SOLUIONAREA ACTIVITILOR DE NVARE Soluionarea activitii de nvare 3 a) 1.


R R E b R E c

rD

D1

rD1
D2

R E d

rD

D2

2.I=9,3mA;b)I=0mA,Ud=-10V;c)I=0;d)ID1=0,ID2=9,3mA,UD1=-UD2=0,7V b.
f 01 = 1 2 C 01 Ls Ls1 = 1

( 2f 01 ) 2 C01

f 02 = Ls 2 =

C 01 1 = f 01 = 606MHz C 02 2 C 02 Ls

( 2f 02 ) 2 C02

= 2,15nH

Soluionarea activitii de nvare 4 a. (30p) 1. zona I: corespunde polarizrii directe. zona II: corespunde polarizrii inverse. zona III: corespunde strpungerii jonciunii. zonele IV ,V : corespund limitrilor datorate puterii I U I maxim admise. 2. I - Cderea de tensiune pe jonciune, UA, este mai II III mic dect diferena intern de potenial a jonciunii, U0. n aceast zon de funcionare, jonciunea este strbtut de un curent direct, de valoare mare; V rezistena diodei polarizate direct este de valoare I foarte mic. I II - n situaia de polarizare invers curentul care circul prin jonciune, I 0, nu depinde de V valoarea tensiunii aplicate i este de valoare foarte mic; n polarizare invers jonciunea prezint o rezisten foarte mare. III - Aceast zon este caracterizat de creterea puternic a curentului prin jonciune, la o anumit tensiune, numit tensiune de strpungere (U S). ntruct curentul crete foarte rapid, tensiunea la bornele jonciunii se menine aproximativ constant. IV, V - Creterea curentului prin jonciune peste anumite valori maxim admise duc la distrugerea structurii prin nclzire excesiv.
Imax IA(mA)

IV

IV

R(A)

Rmax

Profilul TEHNIC Nivelul 3

123

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 3.

b. (25p) 1-c; 2-b; c. (20p)

3-d;

4-c;

5-a

1. UR1 = I.R1 =3mA . 1k =3V 2. UAB = UD + I.R2 = 0,6V + 3mA . 2k =6,6V d. (15p) Circuitul echivalent este:
R

rD
RB 4M

RC 2k

+E =10V
CS
C

R=

E U M 9,8V = = 0,5k IM 19,6mA

ui ~ ~

CB

C u 0
S

Soluionarea activitii de nvare 7 2 a. Problema se rezolv prin metoda grafo-analitic. Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicat pe ochiul de uCE(V)=5V intrare, conduce la ecuaia: E u TA=25C i B = C BE RB RB Care este o dreapt, reprezentat prin linia punctat albastr din figura alturat. Din caracteristica iB(uBE) se obine valoarea lui iB, repectiv uBE din punctul static de funcionale: IB= 9A, UBE=0,5V. 0 0,5 1 uBE(V) Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicat pe ochiul de ieire, conduce la ecuaia dreptei de sarcin: E u iC = CC CE , RC RC reprezentat, n figura alturat, prin linia, roie, punctat. PSF se va afla la intersecia dreptei de sarcin cu IB= 9A caracteristica de ieire pentru iB=9A: IC 4mA IC=4mA, UCE=2V. 0 2V 4 8 uCE(V) M IC max b. 1. Punctele M i N sunt reprezentate n figura alturat, iar coordonatele sunt: Profilul TEHNIC Nivelul 3 0 P 124 N UCE max UCE

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE M (ICmax, 0 V; 0,7 V) N (0 A; UCEmax, 0,7 V) E IC max = C = 20 mA i UCE max = EC = 20 V RC Deci coordonatele punctelor M i N sunt M IC max = 20 mA, UCE = 0 N IC = 0, UCE max = 20 V 2. Punctul static (P) aflat la jumtatea dreptei de sarcin este caracterizat de mrimile: IC = 10 mA, UCE = 10 V i UBE = 0,7V IC = IB IB =
IC = 0,1 mA

Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicat pe ochiul de intrare, conduce la ecuaia: EC UBE 19,3 = = 193 k EC = RBIB + UBE RB = IB 0,1 +E =20 R VC Soluionarea activitii de nvare 8 R
C C B

C u a. Rezolvarea problemelor referitoare la C 0 amplificatoare de abordeaz n dou etape: ui ~ ~ S n primul rnd se determin P.S.F. R n a doua etap de construiete circuitul i0 i1 2 ii echivalent i, aplicnd legile lui Kirchhoff, se determin mrimile necunoscute. ui RB h11 Rc u0 1. Ic0,95mA; UCE 19V. 2. Se deseneaz circuitul echivalent, de c.a. i apoi circuitul echivalent cu parametri h, ca in figura alturat: Aplicnd legile lui Kirchhoff se obine: u0 = - RCi0 = -RCh21i1 =-RCh21u1/h11 = -40.ui u0 = - 12 sint. b. Cunoscndu-se mrimile IE i UBE, rezult: +E I1 RE = UEM / IE = 0,6k. R C R IC Totodat, se poate scrie urmtorul sistem de ecuaii: C C EC= R1I1 +R2I2 I2 S I1 = I2+IB IE u ui ~ R R2I2 = UBE + REIE R C R Cum R2 = 10RE = 6k, rezult: R1 =20,5k. CE b)IC=4,8mA i UCE = 12,2V. 2 R RE c)Se deseneaz circuitul echivalent de c.a. cu parametri h, ca n figura de mai jos:. S i0 RB = R1R2 = 4,64k. i1 ii Ri1 =ui / ii = RBh11 =0,11k. ui RB h11 Rc u0 Au = u0 / ui u0 =- RCi0 = -RCh21i1; ui = Ri1 ii RC RB h11ii RB h11 ii RB ii = = 212,68 i1 = ui/h11 = Ri1 ii/h11 = Au =RB + h11 h11 RB + h11 ( RB + h11 ) Ri1i1 Soluionarea activitii de nvare 9
B

1M

1k

h21i1
C

a. Amplificarea n tensiune este: Au = - gmRs , Profilul TEHNIC Nivelul 3 125

h21i1

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Rs = rdRDRs = 7,14k, rezult: Au = - 14,28. b. Amplificarea n tensiune este:
Au = u0 g m RS = = 0,995 u i 1 + g m RS

Soluionarea activitii de nvare 10 a. (20p) 1-c; 2-a; 3-c; 4-a. b. (30p) 1-A; 2-F; 3-A; 4-A; 5-A; 6-A. c. (40p) 1. EC = RC2IC2 + UCE2 + RE2IE2 IC2 = 2IB2 i IE2 = (2 + 1) IB2 EC = RC22IB2 + RE2 (2 + 1) IB2 + UCE2 IB2 = 0,99 mA 0,1 mA Tensiunea UCE1 = RB2IB2 + UBE2 + RE2 (2 + 1) IB2 = 10,8 V EC = RC1I1 + UCE1 I1 = 9,2 mA, I1 = IC1 + IB2 IC1 = I1 - IB2 = 9,1 mA I IB1 = C1 = 0,18 mA 1 E C UBET1 = 107,2 k EC = RB1IB1 + UBET1 R B1 = IB1 2. Dac RC1 se scurtcircuiteaz VM = EC E UBE 2 IB 2 = C 0,38 mA R B2 + R E2 2IB2 = 19 mA Se calculeaz curentul maxim de colector al tranzistorului T 2 EC IC 2 max = = 10 mA R C2 + R E2 Se observ c 2IB2 > IC2 tranzistorul T2 este n saturaie. Regimul n care funcioneaz tranzistorul T2 este regimul de saturaie. Soluionarea activitii de nvare 11 a. (1) amplificator; (2) ieire; b. Xg + X1 A= X2 X1 X2 a; 2-b. (3) intrare; X2

Xr
Reea de reacie

c. 1d. 1-c; e.

Xr = X2 2-d; 3-b.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

126

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Eantionare Comparare NOD BUCL f. n c.c. RE1 i RE2 sunt rezistene de reacie i asigur stabilizarea punctului static de funcionare n raport cu dispersia lui i cu variaia temperaturii.
+Ec RC1 CB RG Ug C RB RS RE2 CE2 RC2 CS

NOD tensiune - paralel paralel - paralel tensiune - serie serie - paralel

BUCL curent - paralel paralel - serie curent - serie serie - serie

RE1

CE
1

n c.a. rezistena R asigur reacia negativ: dac i C2 are tendina s creasc, crete i cderea de tensiune pe rezistena R, ceea ce determin scderea lui uBE1 i deci scderea lui iC1.

RG Ug

RB

RC1 R

RC2

RS

g. f jr = 1 A f j = 2 Hz f sr = (1 A) f s = 50 MHz h. 1. Stabilitatea amplificrii fr reacie este :

A 100 = = 10 %, iar cea a amplificatorului cu reacie este: A 1000 Ar A 1 10 = = = 0,1 %, rezult 1-A=100, de unde =0,099. Ar A 1 A 100
A

2. Ar= 1 A =10 Soluionarea activitii de nvare 12 R2 a. 1. A = R1 2. reacie negativ b. n cazul aplicrii reaciei negative se obin: micorarea amplificrii, mrirea stabilitii etajului, se lrgete banda de frecven, crete viteza de lucru, scade nivelul zgomotelor i al distorsiunilor neliniare. Profilul TEHNIC Nivelul 3

127

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


R2 8 = = 4 R1 2 Soluionarea activitii de nvare 14 a. (1)- circuit electronic (2)- sinusoidal b. X2 = A X1 Xr = X2 X1 = Xg + Xr Amplificarea cu reacie este :

c. A =

Ar =

X2 A = X g 1 A

Condiia de oscilaie : Circuitul devine un oscilator, dac, ndeprtnd semnalul de excitaie (Xg =0), obinem totui un semnal la ieire (X2 =finit, 0 )
Ar = X2 1 A = 0 A = 1 Relaia lui BARKHAUSEN (condiia de oscilaie). Xg

c. 1- b; 2- b. d. Semnalul sinusoidal este unicul semnal care i reproduce forma dup ce parcurge un circuit liniar cu elemente reactive. e. (1)- reeaua de reacie. Soluionarea activitii de nvare 15 r
U1 R2 C2 r2 r1 + U2

R1

C1

a. exist dou bucle de reacie: reeaua de reacie format din r1 i r2. reeaua de reacie format din R1,C1, R2, C2. b. R1,C1, R2, C2 -o reacie pozitiv, selectiv, dependent de frecven (reeaua Wien) -o reacie negativ, neselectiv. 1 i r2 c. R1,C1, R2, C2 - asigur funcia de oscilator i determin frecvena de oscilaie. r1 i r2 -stabilizeaz amplificatorul, transformndu-l ntr-un amplificator ideal de tensiune; determin

amplitudinea de oscilaie. d.
C1 R1 r2 + R2 C2 r1 Uo

Soluionarea activitii de nvare 16 U0= Uz - UBE Profilul TEHNIC Nivelul 3

128

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Dac tensiunea de ieire crete, dintr-o cauz oarecare, concomitent scade U BE. Acest fapt va determina scderea curentului de colector i, implicit, a celui de emitor i deci i a curentului de ieire, I0, ceea ce va duce la scderea tensiunii de ieire la valoare iniial. n cazul n care tensiunea de ieire are o tendin de scdere, se produce creterea tensiunii UBE, i n consecin creterea curentului de colector, a curentului de emitor i deci a curentului de ieire, ceea ce va determina creterea tensiunii de ieire. Soluionarea activitii de nvare 22 a. u R Au = 0 = 2 = 5 ui R1 b. Pe baza figurii se poate scrie: ntruct Ii=0 (AO ideal), I 3 = I 1 + I 2 = Aplicnd legea a,doua alui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine : U i1 U i 2 U 0 = R3 I 3 = R3 R + R = 15V 1 2 c. 1. Uo1 = R2 Ui R1
Ui R1 R2 R4

U i1 U i 2 + R2 R2

Uo1 = - 5 Uoi = -50V Ui2 = Uo1


R4 Uo2 = Ui2 R3 R2 R4 Uo2= (Ui) R1 R3

-AO
+

R3 Uo1

- AO2
+ Uo2 Uo

Uo2= 5 Ui Uo2= 50V 2. Uo = Uo2 - Uo1 Uo =5 Ui (- 5 Uoi) Uo =10 Ui Uo = 100V Uo 3. AU = Ui 10U i AU = Ui AU = 10. Soluionarea activitii de nvare 23 a.16 puncte (1) foarte mare; (2) infinit; (3) zero; (6) infinit; (7) zero; (8) zero. b. 20 puncte 1- b; 2 c; 3 c; 4 b. Profilul TEHNIC Nivelul 3

(4) scurtcircuit;

(5) foarte mare;

129

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE c. Presupunnd AO ideal, i aplicnd prima lege a lui Kirchhoff nodul de la intrare, se obine: R2 pe uIi

Ir

R1

I11+ I12+..... I1n = Ii = 0 I11 Ri1 Aplicnd a doua lege a lui I12 Ri2 Kirchhoff pe fiecare nod de la intrare, se obine: Ui1= Ri1 I11+ u+ I1n Rin Ui1 + U u Ui2 I 1k = ik Ui2= Ri2 I12+ u+ Rik Uin2 ........... Uin= Ri1 I1n+ u+ nlocuind aceste expresii n prima U ik u + I = = 0. egalitate, se obine: 1k Rik k k Dac se alege Ri1 = Ri2 =........= Rin = R se o bine:
1 U ik = n.u + R k

+ Ao Uo

1 (U ik u + ) = 0, R k

Aplicnd a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la ieire, se obine: U 0 R1 u+ = u - = R1 + R2 U alegnd R1 + R2 = n R1 , se obine: u + = 0 , n
U 0 = U ik
k

Deci tensiunea de la ieire este egal cu suma tensiunilor de la intrare . d. 30 puncte R2 =2 1. Au = 1 + R1 2. u 0 = A ui = 2.7 = 14V 3. amplificatorul neinversor nu poate fi divizor. e. 4 puncte.

Soluionarea activitii de nvare 27 a) Implemetarea cu pori I, SAU, NU Profilul TEHNIC Nivelul 3

130

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Acest tip de implementare este dezavantajos: se folosesc trei tipuri de circuite integrate, care sunt utilizate foarte neeconomic: mai rmn nefolosite 4 inversoare, 2 pori I i trei pori SAU.
1/4 CDB 400

A B

1/4 CDB 406 1/6 CDB 404 1/4 CDB 432 F =

1/6CDB CDB404 404 1/6 1/4 CDB 406

b)Implementarea cu pori I NU Pentru implemetarea funciei cu pori I NU se transform funcia cu ajutorul teoremelor lui De Morgan.
F = AB AB

F= 1/4 CDB 400 1/4 CDB 400 1/4 CDB 400

1/4 CDB 400 Acest tip de implementare are avantajul c se folosete un singur tip de circuite integrate, atingndu-se un grad mai mare de utilizarea a acestora, ceea ce conduce la reducerea numrului de circuite integrate utilizate: se utilizeaz 2 x CDB 400. Rmn neutilizate 3 pori.

c) Implementarea cu pori SAU NU Pentru implemetarea funciei cu pori SAU NU se transform funcia cu ajutorul teoremelor lui De Morgan. Acest tip de implementare are avantajul c se folosete un singur tip de circuite integrate, atingndu-se un grad mai mare de utilizarea a acestora, ceea ce conduce la reducerea numrului de circuite integrate utilizate: se utilizeaz 2 x CDB 400. Rmn neutilizate 2 pori.
F = A+B + A+B

1/4 CDB 402

1/4 CDB 402 1/4 CDB 402

F= 1/4 CDB 402

1/4 CDB 402 1/4 CDB 402

d) Implementarea cu pori SAU EXCLUSIV Aplicnd postulatele i teoremele algebrei booleene, se observ c funcia F este chiar Sau EXCLUSIV negat.
F = A B + A B = A + B A + B = A B A B = A B + A B = A B

)(

Se utilizeaz un singur circuit integrat.CDB 486. Rmn nefolosite dou pori XOR.
1/4 CDB 486 F= 1/4 CDB 486

Soluionarea activitii de nvare 28 a)Se extrage din tabel funcia: Profilul TEHNIC Nivelul 3

131

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


F = ABC + A BC + A BC + ABC

Aplicnd postulatele i teoremele algebrei booleene,se obine:


F = A + A B C + C +C A B = B C + A B

b)Se folosete diagrama: Se obine


F = BC + A B

AB1001 1100C

A B
1/6 CDB 404

1/4 CDB 406

C
1/6 CDB 404 1/4 CDB 406

1/4 CDB 432

Acest tip de implementare este dezavantajos: se folosesc trei tipuri de circuite integrate, care sunt utilizate foarte neeconomic: mai rmn nefolosite 4 inversoare, 2 pori I i trei pori SAU.

Observaie: Prin dubla negare a funciei F, se obine:


F = BC + A B

La aceast form se ajunge fie algebric, fie din diagram Veitch Karnaugh. Aceasta funcie se implementeaz : C B A
1/6 CDB 404
F = F = BC + AB

Acest tip de implementare este mai avantajos: se folosesc dou tipuri de circuite integrate, care sunt utilizate economic: mai rmn nefolosite 4 inversoare i 1/2 CDB 451
1/2 CDB 451

1/6 CDB 404

Soluionarea activitii de nvare 29


F = C B A +C B A +C B A +C B A +C B A

a)n figura alturat este reprezentat implementarea, cu pori I NU cu dou intrri, numai pentru termenul al doilea al funciei date.

b) n figura alturat este prezentat implementare funciei cu pori I NU cu dou i cu trei intrri.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

132

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Este evident c implementarea cu pori I NU cu dou intrri este foarte neeconomic.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

133

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

7. FIE DE REZUMAT
Fiele de rezumat ale modulului ofer profesorilor i elevilor un mijloc de nregistrare a progresului. O pstrare exact a evidenelor reprezint un aspect important de administrare a nvrii i ajut de asemenea la informarea i motivarea elevilor. Elevii trebuie s fie ncurajai s i evalueze propria nvare prin comentarii asupra unor domenii, cum ar fi ce au fcut i ce le-a plcut la un subiect. Aceste comentarii pot oferi profesorilor informaii valoroase despre domeniile care creeaz dificulti elevilor. Elevii trebuie s fie ncurajai s i asume responsabilitatea pentru nvare. Elevul care i asum responsabilitatea pentru aspectele pstrrii evidenei poate contribui la acel obiectiv. Prima pagin a unei fie de rezumat exemplu de mai jos include un rezumat al progresului elevului. Aceasta poate fi util att pentru elev ct i pentru profesor i poate motiva elevii oferindu-le o imagine vizual clar a progresului pe care l-au fcut. Exemplu de prima pagin a unei fie de rezumat: Titlul modulului: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Numele elevului: Data nceperii: Data ncheierii: Unitatea de competene: 26.Analiza circuitelor electronice Competene Activitatea de nvare Obiective de Data Verificat nvare realizrii Data cnd Semntura Denumirea sau alte obiectivele profesorului referine ale activitii de nvare de nvare
au fost realizate

26.1.Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete.

1.Lucrare practic de laborator: Caracteristica static a diodei semiconductoare

2.Simulare cu ajutorul calculatorului Caracteristica static a diodei semiconductoare

S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite

Profilul TEHNIC Nivelul 3

134

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru trazistorul bipolar n diferite regimuri de funcionare. S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile statice. S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor statice. S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile statice. S caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor statice. S analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile statice. S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare bipolare S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete folosind modelele

3.Rezolvare de probleme

4. Evaluare

5.Lucrare practic de laborator: Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

6.Simulare cu ajutorul calculatorului Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 7.Rezolvare de exerciii

8.Rezolvare de exerciii

Profilul TEHNIC Nivelul 3

135

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


echivalente. S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete. S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema echivalent de semnal. S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare bipolare S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete folosind modelele echivalente. S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete. S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema echivalent de semnal. S realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare bipolare S reprezinte schema electric a circuitelor cu componente discrete folosind modelele echivalente. S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete. S efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema echivalent de semnal. S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate. S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate.

9.Rezolvare de exerciii

10. Evaluare

26.2.Utilizeaz noiunile i conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor digitale.

27.Simulare cu ajutorul calculatorului Analiza porilor logice folosind programul Digital Works 28.Rezolvare de exerciii

Profilul TEHNIC Nivelul 3

136

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE


S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice S exprime funciile logice n forme precizate. S realizeze minimizarea funciilor logice folosind metode adecvate. S implementeze funciile logice minimizate folosind pori logice S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice

29.Rezolvare de exerciii

26.3.Utilizeaz circuite integrate analogice.

17. Prezentare Power Point: Amplificatorul operational caracteristici 18. Prezentare Power Point: Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice 19.Lucrare practic de laborator: Amplificatorul operational

S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete.

20.Lucrare practic de laborator: Amplificatorul operational

21. Cubul Amplificatorul operaional

22.Rezolvare de exerciii

Profilul TEHNIC Nivelul 3

137

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE 23. Evaluare


S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc parametri caracteristici ai circuitelor integrate analogice. S identifice dispunerea terminalelor pe baza informaiilor din catalogele de componete. S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice. S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice. S defineasc reacia n

24.Simulare cu ajutorul calculatorului Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat A 723 25. Prezentare Power Point: Aplicaiile circuitului integrat E555

26. Concurs de testare a cunotinelor Circuite integrate analogice

26.4.Utilizeaz reacia n circuite electronice.

11.Rezolvare de exerciii

12.Rezolvare de exerciii

13.Simulare cu Profilul TEHNIC Nivelul 3

138

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE ajutorul calculatorului Amplificatorul operaional cu reacie negativ
circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice. S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice. S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice. S defineasc reacia n circuite electronice. S precizeze tipurile de reacie n circuitele electronice. S reprezinte configuraiile tipice ale circuitelor electronice cu reacie. S identifice tipurile de reacie n circuite electronice.

14.Rezolvare de exerciii

15.Rezolvare de exerciii

16.Rezolvare de exerciii

FIA PENTRU NREGISTRAREA PROGRESULUI ELEVULUI Aceast format de fi este un instrument detaliat de nregistrare a progresului elevilor. Pentru fiecare elev se pot realiza mai multe astfel de fie pe durata derulrii modulului, acestea permind evaluarea precis a evoluiei elevului, furniznd n acelai timp informaii relevante pentru analiz. Exemplu de fi pentru nregistrarea progresului elevului Profilul TEHNIC Nivelul 3

139

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Modulul ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE Numele elevului _________________________ Numele profesorului _______________________ Competena 26.1.Utilizeaz metodele de analiz ale circuitelor cu componente discrete. Activitatea de nvare 1.Lucrare practic de laborator: Caracteristica static a diodei semiconductoare Obiectivul de nvare
S caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor statice. S realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode semiconductoare S analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente ale componentelor discrete

Finalizat

Data cnd obiectivul a fost realizat.

Comentariul elevului De exemplu: Ce v-a plcut la subiectul acestei activiti. Ce ai gsit interesant la subiectul acestei activiti. Ce trebuie s tie despre subiectul activitii. Ideile elevului despre cum ar dori s i ating obiectivul de nvare.

Comentariul profesorului De exemplu: Comentarii pozitive despre domeniile n care elevul a avut rezultate bune, a artat entuziasm, a fost implicat deplin i a colaborat bine cu alii. Domenii de nvare sau alte aspecte unde nc este nevoie de dezvoltare. Ce au convenit elevul i profesorul c trebuie s fac elevul avnd n vedere ideile elevului despre cum ar dori s i urmeze obiectivele de nvare.

Profilul TEHNIC Nivelul 3

140

Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

7. BIBLIOGRAFIE 1. M.Robe i alii: Componente i circuite electronice, Bucureti, Ed. Economic, 2000. 2. T. Dnil, M. Ionescu-Vaida: Componente i circuite electronice, Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1995 3. D. Cosma i alii: Componente i circuite electronice Lucrri de laborator, Ed. Arves, 2008 4. Silviu Mirescu, Aurelian Chivu, Drago Cosma, Marin Srcin, Componente i circuite electronice-teste pentru examenul naional de bacalaureat i olimpiade interdisciplinare tehnice, Editura Economic, 2001 5. K. F. Ibrahim: Introducere n electronic, Bucureti, Ed. Teora, 2001. 6. T. Dnil: Componente i circuite electronice, Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1979. 7. D. Dasclu, A. Rusu, M. Profirescu, I. Costea: Dispozitive i circuite electronice, Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1982. 8. Bioui i alii: Practica electronistului amator, Bucureti, Ed Albatros,1984. 9. R. W. J. Barker: Electronica Aplicat- ntrebri i rspunsuri, Bucureti, Ed. Tehnic, 1976. 10. Brbat, I Presur, T. Tnsescu: Amplificatoare de audiofrecven, Bucureti, Ed. Tehnic, 1972. 11. D. Dasclu i alii: Dispozitive i circuite electronice Probleme, Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1982. 12. V. Croitoru i alii: Electronic Culegere de probleme, Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1982. 13. Constantin i alii: Aplicaii i probleme de radio i televiziune, Bucureti, Ed. Didactic i Pedagogic, 1982. 14. A.Trifu: Electronic digital, Ed. Economic, 2001 15. T. Murean i alii: Circuite integrate numerice Aplicaii i proiectare, Ed. De Vest, 2000 16. G. tefan, V. Bistriceanu: Circuite integrate digitale proiectare, probleme, Ed. Didactic i Pedagogic, 1992. 17. I. Spnulescu, S. Spnulescu: Circuite integrate digitale i sisteme cu microprocesoare, Ed. Victor, 1996 18. www.williamson-labs.com 19. www.circuit-fantasia.com 20. www.bbc.co.uk/scotland/education/bitesize/higher/physics/elect/analogue_rev.shtml 21. Filipovic D. Miomir: Understanding Electronics Components, www.mikroe.com/en/books/keu/00.htm 22. www.da4design.com/electronica.htm 23. www.cadsoft.de/ 24. www.dforum.ro/electronica-f46.html 25. http://www.scheme-electronice.go.ro/ 26. http://www.electronics-lab.com/downloads/schematic/002/index.html

Profilul TEHNIC Nivelul 3

141