3.

CLASIFICAREA MATERIALELOR ELECTROTEHNICE DUP STRUCTURA BENZILOR DE ENERGIE

Pentru a caracteriza diferitele specii de materiale este suficient s se considere la T=0 K ultima zon de energii permise i ocupat cu electroni zona de valen (BV) i prima zon de energii permise, dar liber de electroni - zona de conducie (BC). Diferena energetic dintre banda de conducie i banda de valen se numete band interzis (Eg). Eg este energia pe care trebuie s o aib un electron de valen pentru a putea face saltul din banda de valen n cea de conducie. O dat ajuns n banda de conducie, electronul este liber s se deplaseze prin tot materialul i nu mai este legat de nici unul dintre atomi.
W

Banda de conducie (BC)

Eg

EF

Banda de valen (BV)

Fig. 3.1 Banda de valen, banda de conducie i banda interzis. Nivelul limit Fermi (EF) reprezint cel mai nalt nivel de energie pe care l pot atinge electronii din banda de valen, prin salturi cuantice, dup care revin n banda de valen. Saltul cuantic reprezint trecerea electronului de pe un nivel inferior de energie pe unul superior, atunci cnd atomului sau cristalului i se transmite energie din exterior. n Fig. 3.2 - 3.4 sunt reprezentate diagramele de energie aferente izolatoarelor, semiconductoarelor i conductoarelor.
W W Banda de conducie (BC) W Banda de conducie (BC) Eg Banda de valen (BV) (c)

Banda de conducie (BC) Banda de valen (BV) (a)

EF Eg

Banda de valen (BV) (b)

Fig. 3.2 Diagramele de energie pentru materialele conductoare. n cazul materialelor conductoare sunt posibile 3 situaii: (a). banda de conducie se suprapune peste banda de valen;

(b). nivelul limit Fermi este situat n banda de conducie; (c). lrgimea benzii interzise este comparabil cu diferena dintre 2 nivele de energii permise din BV. n materialele conductoare exist totdeauna un mare numr de electroni liberi, n mod natural (n absena unor factori externi). Electronii liberi, care se gsesc n banda de conducie, pot fi pui n micare dirijat (curent electric) pentru cmpuri electrice orict de slabe.
W

Banda de conducie (BC)

Eg > 5 eV

EF

Banda de valen (BV)

Fig. 3. 3 Benzile de energie pentru materialele izolatoare. Materialele izolatoare au banda interzis foarte mare. Electronii lor de valen nu fac saltul spre banda de conducie dect n condiii de strpungere, dac li se aplic tensiuni extrem de mari.
W

Banda de conducie (BC)

Eg < 5 eV

EF

Banda de valen (BV)

Fig. 3. 4 Benzile de energie pentru materialele semiconductoare. Semiconductoarele au banda interzis mult mai ngust dect n cazul izolatoarelor. Dei la temperatura de 0 K nu sunt posibile salturi cuantice ale electronilor din BV n BC, la temperaturi mai mari (T> 0 K), unii dintre electronii lor de valen pot s fac saltul spre banda de conducie, devenind electroni liberi. Deci, banda energetic interzis poate fi traversat dac electronii sunt excitai prin captarea unor energii cedate materialului prin nclzire, iradiere cu lungimi de und convenabile, etc.

EXPLICAIA FIZIC A ACESTOR FENOMENE Toate substanele sunt formate din atomi. Acetia determin proprietile electrice ale unei substane, inclusiv capacitatea de a conduce curentul electric. Pentru simplificarea explicrii proprietilor electrice, vom reprezenta atomul ca fiind alctuit din ptura de valen i o parte central, format din pturile interioare i nucleu. Aceast reprezentare este ilustrat n Fig. 3.5 pentru un atom de carbon. Carbonul intr n componena multor tipuri de rezistoare electrice. Atomul de carbon are patru electroni n ptura de valen (L) i doi electroni n cea interioar (K): C (Z=6): 1s2, 2s2, 2p2 Nucleul este format din ase protoni i ase neutroni, deci +6 simbolizeaz sarcina pozitiv a celor ase protoni. Partea central are sarcina rezultant +4 (+6 de la nucleu i -2 de la cei doi electroni ai pturii interioare).

Fig. 3.5 Reprezentarea atomului de carbon considerat ca fiind format dintr-o parte central i o ptur de valen. Materialele conductoare Conductoarele sunt materiale care conduc uor curentul electric. Cele mai bune conductoare sunt cele care conin un singur element, cum sunt cuprul, argintul, aurul i aluminiul. Atomii acestor elemente au un singur electron de valen, legat foarte slab de atomul propriu. Aceti electroni de valen slab legai se pot desprinde uor din atomi, devenind electroni liberi. Prin urmare, materialele conductoare prezint muli electroni liberi, care, atunci cnd se deplaseaz n aceeai direcie, formeaz un curent electric. Materialele izolatoare Izolatoarele sunt materialele care, n condiii normale, nu conduc curentul electric. Majoritatea izolatoarelor bune sunt compui chimici, nu materiale monoelement. Electronii lor de valen sunt strns legai de atomi, deci n izolatoare se gsesc foarte puini electroni liberi. Materialele semiconductoare Semiconductoarele sunt materiale cu proprieti intermediare ntre conductoare i izolatoare, din punctul de vedere al capacitii lor de a conduce curentul electric. Un semiconductor n stare pur (intrinsec) nu este nici bun conductor, nici bun izolator. Cele mai rspndite materiale semiconductoare monoelement sunt siliciul, germaniul i carbonul. Se folosesc curent i compui semiconductori, ca arseniura de galiu (GaAs). Semiconductoarele monoelement au caracteristic atomii cu patru electroni de valen.

Comparaie ntre atomii conductoarelor i cei ai semiconductoarelor n continuare se vor analiza cteva dintre cauzele fundamentale care confer siliciului proprieti semiconductoare, iar cuprului, conductoare. Diagramele atomilor de siliciu i de cupru sunt prezentate n Fig. 3.6.

Fig. 3.6 Diagramele atomilor de siliciu i cupru. Se observ c partea central a atomului de siliciu are sarcina rezultant +4 (14 protoni -10 electroni), iar cea a cuprului este +1 (29 de protoni -28 de electroni). Deci, electronul de valen al cuprului resimte o for de atracie de +1, fa de cel al cuprului, care resimte o for de atracie de +4. Aadar fora care caut s menin un electron de valen n atomul de siliciu este de patru ori mai mare dect la cupru. Electronul de valen al cuprului se afl n ptura a patra, adic la o distan mai mare fa de nucleu dect electronii de valen ai siliciului, situai n ptura a treia (electronii mai deprtai de nucleu au energie mai mare). Prin urmare, n cazul cuprului, electronul de valen suport o for de meninere n atom mai mic dect n cazul siliciului. De asemenea, la cupru, electronul de valen are energie mai mare dect la siliciu. Aceasta nseamn c electronii de valen ai cuprului pot acumula mai uor cantitatea de energie suplimentar necesar pentru a-i desprinde din atomi, transformndu-i n electroni liberi, dect n cazul siliciului. De fapt, un mare numr de electroni de valen ai cuprului posed oricum destul energie pentru a deveni electroni liberi. Siliciul i germaniul Structura atomilor de siliciu i germaniu este prezentat n Fig. 3.7. Siliciul este materialul cel mai utilizat pentru realizarea diodelor, a tranzistoarelor, a circuitelor integrate i a altor dispozitive semiconductoare. Att siliciul, ct i germaniul prezint cei patru electroni de valen caracteristici.

Fig. 3.7 Structura atomilor de siliciu i germaniu. Electronii de valen ai germaniului se afl n ptura a patra, pe cnd cei ai siliciului sunt situai n ptura a treia, mai aproape de nucleu. Aceasta nseamn c electronii de valen ai germaniului posed energii mai mari dect cei ai siliciului, deci le este necesar un surplus energetic mai mic pentru a se desprinde din atom. Aceast caracteristic face ca germaniul s devin instabil la temperaturi ridicate motivul principal pentru care siliciul este materialul semiconductor cel mai larg utilizat.

NTREBRI RECAPITULATIVE: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Care este principala diferen dintre conductoare i izolatoare? Prin ce se deosebesc semiconductoarele de conductoare i izolatoare? Ci electroni de valen are atomul unui conductor cum este cuprul? Ci electroni de valen au atomii semiconductoarelor? Numii trei dintre cele mai bune materiale conductoare. Care este materialul semiconductor cel mai larg utilizat? De ce semiconductoarele au mai puini electroni liberi dect conductoarele?