Legatura metalica

Metalele prezintă proprietăţi macroscopice comune (conductibilitatea electrică,

termică, luciu, etc.) care îşi au originea în structura lor electronică şi în caracterul
deosebit al legăturii dintre atomii lor.

 legătură ionică atomi diferiţi

atomi de acelaşi fel

număr de coordinaţie
 Atomii legătură covalentă mic
metalelor
număr de coordinaţie
mare (8-12)

Forţe Van der Waals

forţe de coeziune puternice

 Tratarea clasica a legaturii metalice
Teoria Drude-Lorentz
1900 P. Drude si A. Lorentz - teoria electronilor liberi (gazului de electroni)

Metalele sunt formate din retele

cristaline alcatuite din atomi sau ioni
pozitivi printre care se misca liber
electronii de valenta (1-4, exceptie Bi
(5)).
Norul de electroni se comporta ca un
gaz monoatomic ideal.
aranjarea ionilor pozitiv in « marea » de electroni
Interactiunea intre ionii pozitivi si gazul electronic constituie legatura metalica.
Prezenta gazului de electroni a permis explicarea calitativa a unor proprietati caracteristice ale
metalalor.
 Tratarea mecanic-cuantică a legăturii metalice
Metoda legăturii de valenţă (MLV)

 1938 Pauling
 atom dintr-o reţea, înconjurat de un număr mai mare de atomi decât numărul electronilor
de valenţă,
 legătura pe care o stabileşte cu atomii învecinaţi nu este localizată pe o singură direcţie ci
există structuri de rezonanţă între mai multe poziţii.
Metoda legăturii de valenţă consideră că mişcarea electronilor este limitată în funcţie de
direcţiile pe care se află nucleul şi anume:
- delocalizare pe patru direcţii pentru delocalizare pe 6 direcţii pentru reţelele
reţelele cubice centrate intern; hexagonale şi cubice cu feţe centrate

Zn – hexagonala Au –str. cubica cu

Fe Na
fete centrate
Luând ca exemplu un metal alcalin (cub centrat intern, Na), fiecare atom are un singur
electron în stratul de valenţă, deci poate forma o covalenţă simplă cu un atom vecin. Dar în
condiţiile reţelei, când un atom este înconjurat de alţi 8 atomi, rezultă structuri de rezonanţă
sincronizate şi nesincronizate.
Pentru 4 atomi pot exista structurile:
Na Na Na - Na Na(+) Na Na Na(+) Na(-) - Na Na - Na(-)
| |   | | | |
Na Na Na - Na Na - Na(-) (-)
Na - Na Na Na(+) Na(+) Na
     
I II III IV V VI
Rezonanţă Rezonanţă nesincronizată
sincronizată (un electron trece de la un atom la altul)

Rezonanţa între şase structuri conduce la o mai mare stabilitate decât între primele două. În
oricare din structurile III-VI, un atom de sodiu primeşte un electron (Na -), are deci doi
electroni de legătură şi poate forma două legături de valenţă.
Pentru ca un atom metalic să realizeze structuri de rezonanţă nesincronizate, adică să
primească un electron suplimentar, ele trebuie să posede un orbital disponibil (neocupat cu
electroni) denumit orbital metalic.
 Pauling introduce notiunea de valenta metalica si aceasta reprezinta numarul de
electroni cu care participa fiecare atom de metal la formarea legaturilor din retea.
Valenta metalica nu coincide cu valenta chimica si poate avea valori de la 1 la
6, sase fiind numărul maxim de legaturi care se pot realiza pe cele 6 directii din retea.

Aşa de exemplu, sodiul formează legături cu 8 atomi vecini din reţeaua cubică
centrată intern, printr-un singur electron de valenţă, ceea ce înseamnă că fiecăruia din
atomii vecini îi revine 1/8 din legătură, printr-o pereche de electroni.
Proprietăţile fizice ale metalelor, care depind de tăria legăturii interatomice,
depind de valoarea valenţei metalice.
 Metoda orbitalilor moleculari(MOM)
Teoria benzilor de energie
Tratarea cuantică a legăturii metalice, prin aplicarea teoriei orbitalilor moleculari a fost
realizată de Sommerfeld (1927), Fermi şi Bloch (1929), Brillouin şi Pauling (1938) şi alţii.
Conform acestei teorii, electronii dintr-o reţea metalică nu sunt perfect liberi ci sunt supuşi
unui câmp periodic existent în reţea.
In metalul compact fiecare nivel energetic se multiplica cu numarul atomilor din retea
 benzi energetice.

În general ultima bandă de energie

ocupată parţial sau total cu electroni se
numeşte bandă de valenţă (BV).
Portiunea liberă a unei benzi de energie
sau o banda total liberă se numeşte
bandă de conducţie (BC). Intervalul de
valori de energie dintre benzile permise
(BV şi BC) se numeşte bandă interzisă
(BI).

Benzile energetice pentru izolatori, conductori şi semiconductori puri (intrinseci) sau dopaţi (extrinseci).
 Prin aplicarea unei diferenţe de potenţial, electronii vor trece pe nivelele superioare ale
aceleiaşi benzi, cazul metalelor alcaline, sau din banda de valenţă în cea de conducţie,
asigurând conducţia electrică a metalelor.
 Cu cât banda de conducţie este mai largă, cu atât conductibilitatea electrică a
metalului este mai mare. La creşterea temperaturii, un număr mare de perechi de
electroni se desfac, astfel că electronii ocupă o porţiune din ce în ce mai mare, iar
banda de conducţie devine din ce în ce mai îngustă şi în consecinţă conductibilitatea
electrică scade. La scăderea temperaturii, fenomenul se petrece invers explicând
supraconductibilitatea în apropiere de 0K.
 Numărul perechilor de electroni ce ocupă banda de valenţă determină tăria legăturii
metalice. Aceasta asigură coeziunea atomilor în reţelele metalice (şi în stare lichidă) şi
influenţează proprietăţile fizice care depind de tăria interacţiunilor. O banda de valenta
largă conduce la o legatură metalică puternică, deci la o temperatură de topire ridicată
şi o duritate mai mare a metalului respectiv (de exemplu metalele din grupa a 6-a Cr,
Mo, W).
 Electronilor liberi li se datoreaza si proprietatile optice ale metalelor (opacitate, luciu
metalic, culoare).
 Proprietăţi generale ale metalelor
 
Proprietăţi fizico-mecanice

Metalele au proprietăţi generale caracteristice, generate de legătura metalică, dar şi

proprietăţi particulare determinate de structura atomilor lor. Toate proprietăţile caracteristice
metalelor sunt valabile pentru stările de agregare solidă şi lichidă, deoarece în aceste condiţii
între atomii metalelor se manifestă legături metalice. În starea gazoasă metalele nu se
deosebesc de nemetale.

 Structura cristalină Majoritatea metalelor prezintă una din următoarele tipuri de reţele
cristaline: cubică cu feţe centrate, hexagonal compactă şi mai rar cubică centrată intern.

 Densitatea metalelor variază în limite relativ mari, de la 0,53 kg*dm -3 pentru Li (cel mai
uşor element), la 22,6 kg*dm-3 pentru osmiu. În raport cu densitatea, metalele se impart în
metale grele (pentru valori mai mari ca 5) şi metale uşoare (pentru valori sub 5).
Densitatea relativ mare a metalelor, comparativ cu alte substanţe, este în mare măsură o
consecinţă a împachetării compacte a atomilor lor în reţeaua cristalină.
Proprietăţile optice sunt cu totul deosebite.
 metalele sunt total opace, nu permit trecerea luminii nici chiar în foiţe subţiri. Opacitatea
este determinată de faptul că undele luminoase lovind electronii mobili din metal sunt
amortizate şi nu sunt transmise mai departe.
 Datorită puterii de reflexie a luminii, metalele cu suprafaţă netedă şi neoxidată au un luciu
caracteristic, numit luciu metalic. Magneziul şi aluminiul păstrează luciul şi în stare de
pulbere.
 Culoare. Marea majoritate a metalelor în stare compactă reflectă aproape în întregime
toate radiaţiile din domeniul vizibil şi din această cauză sunt albe-argintii (Ag, Pb etc.) sau
albe cenuşii (Be, Ge, α-Sn). Câteva metale sunt însă colorate (cuprul roşu-arămiu, aurul
galben) datorită proprietăţii de absorbţie selectivă. În stare fin divizată, majoritatea
metalelor sunt de culoare neagră sau cenuşiu închisă, deoarece electronii de valenţă
absorb integral radiaţiile din domeniul spectrului vizibil. Cuprul şi aurul îşi menţin
culoarea caracteristică şi în această stare.

Temperatura de topire variază între 234,27 K (la Hg), sub 373,16 K (la metalele alcaline), şi
3683,16 K (la W), fiind dependente de volumul atomic; la volum atomic mic, punct de topire
mare şi invers. Metalele din grupele principale sunt mult mai uşor fuzibile decât cele din
grupele secundare. Variaţia punctelor de topire ale elementelor cu caracter metalic, poate fi
atribuită numărului diferit de electroni prin care elementul participă la formarea legăturilor
metalice.
Temperaturile de fierbere sunt în majoritatea cazurilor foarte ridicate, variind între 630,4 K
(la Hg) şi 6203,16 K (la W) prezentând în general aceleaşi tendinţe ca şi punctele de topire.
Pentru toate metalele, căldura de vaporizare este mult mai mare decât căldura de topire, ceea
ce înseamnă că între starea lichidă şi starea de vapori a metalelor există o diferenţă mult mai
mare din punct de vedere energetic decât în stările lichidă şi solidă.

• Căldurile de vaporizare mari, caracteristice metalelor, indică faptul, că în stare lichidă sunt
prezente încă legături metalice.

• Energia relativ mică, necesară trecerii unui metal din stare solidă în stare lichidă, este
justificată de faptul că în această transformare sunt distruse un număr relativ mic de
legături.

• Energia mult mai mare necesară trecerii din stare lichidă în stare de vapori este justificată
de faptul că această transformare impune distrugerea marii majorităţi a legăturilor pentru a
permite trecerea metalului în stare atomică sau sub formă de agregate mici în stare de
vapori.
 Conductibilitatea electrica a unui metal se defineşte ca inversul rezistivităţii lui, R, fiind
constantă pentru un metal dat, la temperatură constantă. Tratarea cuantică a stării solide
explică comportarea de conductor, de izolator sau de semiconductor a reţelelor. Izolatorii au
benzi interzise foarte largi (la diamant este de 5,5 eV), iar semiconductorii au BI mult mai
mici (2-3 eV), în schimb materialele conductoare au BV suprapusă cu BC.

Conductibilitatea electrică depinde de concentraţia în electroni liberi din benzile de

conducţie şi diferă de la metal la metal.

Considerând ca etalon conductibilitatea mercurului (Hg = 1), cele mai mari valori ale
conductibilităţii electrice se întâlnesc la argint (63,9), cupru (55,6) şi aur (38,5), iar cele mai
mici valori le prezintă mercurul (1) zirconiul, titanul şi hafniul.

Conductibilitatea electrică este foarte mare, fiind considerată cea mai importanta
proprietate a metalelor. În raport cu electroliţii, conductibilitatea electrică a metalelor este de
circa 108 ori mai mare. Prin micşorarea temperaturii conductibilitatea creşte. La temperaturi
apropiate de zero absolut, unele metale prezintă fenomenul de supraconductibilitate, adică nu
mai opun nicio rezistenţă la trecerea curentului electric.
Conductibilitate termica
Conductibilitatea termică este fenomenul de transmitere a căldurii în masa metalului, de la
atom la atom, prin vibratiile acestora fără a se produce deplasare de masă.
Conductibilitatea termică specifică (conductivitate termică) se măsoară prin cantitatea de
căldură care se propagă în timp de o secundă printr-un cm 3 de metal la încălzire cu 1oC si
variază în acelasi sens cu rezistenta electrică specifică.

Proprietăţile magnetice sunt diferite.

 Unele metale se magnetizează puternic, păstrând magnetismul şi după îndepărtarea
câmpului magnetic inductor. Aceste metale se numesc feromagnetice (Fe, Co şi Ni).
 Alte metale au proprietăţi magnetice slabe, fără a păstra aceste proprietăţi după
îndepărtarea câmpului magnetic inductor. Ele se numesc paramagnetice. Din această
grupă fac parte majoritatea metalelor tranziţionale.
 Metalele care nu se magnetizează sunt respinse de un câmp magnetic şi se numesc
diamagnetice (Cu, Ag, Au, Sn, Pb).
Proprietăţile mecanice se datoreaza structurii cristaline a metalelor si orientarii acestora si
indică modul de comportare a metalelor sub acţiunea diferitelor forţe exterioare.

 Rezistenţa mecanică constă în împotrivirea metalelor la acţiunea forţelor exterioare care tind
să le rupă. Dintre solicitările mecanice la care pot fi supuse metalele, deosebim tracţiunea
(întinderea), compresiunea, încovoierea şi răsucirea (torsiunea).
 Duritatea reprezintă rezistenta la zgâriere sau la pătrunderea unui vârf ascutit în masa
metalului si se măsoară prin deformarea pemanentă a metalului, rămasă după exercitarea
forţei exterioare. Duritatea se poate exprima în unităţi Brinell, Rockwell, Vickers sau Mohs
(scara mineralogică). Metalele situate la extremităţile sistemului periodic au durităţi mici (1-
3 în scara Mohs), cele mai dure metale fiind cele din mijlocul sistemului periodic (V, Nb, Ta,
W, Ir, Os) (6-7,5 în scara Mohs).
 Elasticitatea este proprietatea metalelor de a reveni la forma şi dimensiunile iniţiale după
încetarea acţiunii sarcinilor exterioare care au produs deformarea. Majoritatea metalelor sunt
plastice, putând fi uşor prelucrate la cald sau la rece prin operaţii de forjare, laminare,
ambutisare etc.
 Plasticitatea este proprietatea metalelor de a se deforma sub acţiunea sarcinilor exterioare,
fără a se fisura sau sfărâma, fără a-şi schimba volumul şi fără a reveni la forma iniţială.
Aurul este cel mai plastic metal, după care urmează: Ag, Pt, Mg, Al, Pb, Sn, Nb, Ta, Hf, şi
Cu. Unele metale au plasticitate redusă, sunt casante şi nu pot fi prelucrate sub presiune: Ti,
Cr, α-Mn, Ge, Zr, Sb, Ru, Os, Ir. Plasticitatea influenţează maleabilitatea şi ductibilitatea.
 Compresibilitatea reprezintă micşorarea de volum produsă la creşterea presiunii exterioare.
Metalele din grupa fierului au cea mai redusă compresiune.

 Maleabilitatea reprezintă proprietatea metalelor de a putea fi trase în foi (laminare) la o

temperatură mai joasă decât temperatura de topire. Maleabilitatea depinde de structura
cristalină a metalelor, cele mai maleabile fiind metalele cristalizate în sistemul cubic cu feţe
centrate sau hexagonal compact. Dintre acestea, cel mai laminabil este aurul, din care se
pot obţine foiţe cu grosimea de 0,08, urmat de argint (0,1), platina (2,5), cupru (2,6)
etc. Zincul este maleabil şi se laminează între 273-423 K, radiul între 1073-1173K, iar
bismutul între 303-523 K. Galiul este foarte puţin maleabil: iar beriliul, deşi nu este casant,
nu se poate lamina.

 Ductilitatea este proprietatea metalelor de a fi trase în fire, prin procesul de trefilare. Cele
mai ductile metale sunt: Au, Ag, Pt, Ni şi Ta. Din 1 g Au sau Ag se pot trage fire de 2000
m, respectiv 1800 m. Se trefilează uşor şi Mo, Zr, Nb, Co, Fe, Cu, Al, Sr, La, Th şi U. Un
număr mic de metale cum sunt: Be, In, Pb şi Ti nu se pot trefila.

 Tenacitatea este proprietatea metalelor de a rezista mai mult timp la diferite eforturi,
deformându-se mult înainte de rupere. Cea mai mare tenacitate, sau rezistenţă la rupere,
revine în ordine descrescândă metalelor: W, Mo, Ta, Zr, Nb, Ti, Th, Co, Ni, Pd, Fe, Cu, Ag,
Au, Al etc., iar cea mai mică tenacitate o au Bi, Pb, In, Ga şi Sn.
Semiconductori
Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare
sunt baza electronicii moderne, fiind părți componente
în radiouri, computere, telefoane și multe altele.
Elemente care functioneaza ca semiconductori puri, la o anumită temperatură, permit
unor electroni de valenţă să acumuleze suficientă energie pentru a străpunge banda
interzisă şi a trece în banda de conducţie. Aceşti electroni se numesc electroni liberi.
Cand un electron trece din BV in BC, locul sau in BV ramane liber (acesta se numeste
gol), se creaza astfel perechi electron-gol.
La temperaturi scazute semiconductorii nu conduc curentul electric, insa este suficienta o mica
crestere a temperaturii pentru a excita electronii de valenta care pot trece in BC.
Un semiconductor intrinsec (un semiconductor, în forma sa pură) este un conductor
electric mult mai slab decât un metal deoarece, pentru a se realiza conductia într-un
semiconductor, electronii trebuie să fie excitati (trecuti) de pe orbitalii de legatura din
banda de valență în banda de conducție goala.

Daca la capetele unui semiconductor intrinsec se aplica o tensiune in interiorul cristalului

circula doua categorii de curenti:
 Curentul de electroni – deplasarea ordonata a electronilor liberi din BC spre polul pozitiv
al sursei de alimentare
 Curentul de goluri – deplasarea ordonata de goluri din BV prin structura cristalina in sens
opus curentului de electroni

Datorita numarului limitat de electroni liberi in BC si de goluri in BV, materialele

semiconductoare in stare intrinseca nu conduc curentul electric. Pentru a putea fi utilizate in
aplicatii trebuie prelucrate in scopul cresterii conductivitatii electrice.
Semiconductorii extrinseci (dopati) se obtin prin introducerea controlată a unor impurităţi în
materialul intrinsec care duce la creşterea numărului de purtători de curent. Acest procedeu se
numeşte dopare.
Atomii străini inseraţi în structura monocristalului vor aduce o contribuţie proprie la benzile
permise ale structurii. Prezenţa electronilor suplimentari asigură o conducţie electronică (n)
iar lipsa electronilor asigură o conducţie de goluri (p).

In functie de natura impuritatii se pot obtine:

 Semiconductori de tip p
 Acest materiale semiconductoare au un număr mare de goluri (sarcini pozitive).
 
 Semiconductori de tip n
La semiconductorul de tip n, electronii sunt purtători majoritari iar golurile sunt purtători
minoritari.
 Jonctiunea p-n

Dispozitive, cum ar fi diodele și tranzistori, care formează bazele celor mai multe dintre
circuitele electronice analogice și digitale, sunt compuse din jonctiuni p-n.
Jonctiunea p-n este reprezentata de zona de contact dintre 2 regiuni vecine: una de tip p si
alta de tip n, create intr-un monocristal. Cand se intalnesc, electronii liberi si golurile se
anihileaza reciproc, combinandu-se.

Ca urmare a deplasării purtătorilor majoritari dintr-o regiune în alta, în imediata

apropiere a joncţiunii se creează o regiune golită, negativă în regiunea p şi pozitivă în
regiunea n, care se opune deplasării în continuare a purtătorilor de sarcină.
Distributia inegala a purtatorilor de sarcina pe cele doua laturi ale jonctiunii determina
aparitia unui camp electric ce da nastere unui curent electric. Diferenta de potential a
campului electric format in regiunea golita reprezinta cantitatea de energie necesara
electronilor pentru a deplasa campul electric si se numeste bariera de potential.
Prin polarizare se intelege aplicarea unei tensiuni continue la capetele celor doua regiuni. In
functie de modul de conectare a bornelor:
 Polarizare directa – borna + a sursei se conecteaza la rediunea p a jonctiunii. Daca
tensiunea de polarizare e mai mare decat valoarea barierei de potential, prin
jonctiune circula curent, iar regiunea golita se ingusteaza
 Polarizare inversa – borna + a surse de alimentare se conecteaza la regiunea n a
jonctiunii. Prin jonctiune nu circula curent si latimea regiunii golite creste.
Elemente semiconductoare
Următoarele elemente au proprietăţi semiconductoare tipice:
Grupa 3: B;
Grupa 14: C (diamant), Si, Ge, Sn (Sn-β);
Grupa 15: P (P negru), As, Sb (depus în vid);
Grupa 16: S, Se, Te;
Grupa 17: I.

Combinaţii binare semiconductoare

 Diferite elemente se pot combina pentru a forma compuşi care apoi cristalizaţi să aibă
proprietăţi semiconductoare.
 Cele mai importante combinaţii binare semiconductoare sunt de forma A 13B15 unde A13
este unul din elementele grupei 13 (B, Al, Ga, In, Tl) iar B 15 unul din elementele grupei
15 (N, P, As, Sb, Bi). Aceste combinaţii îşi mediază numărul de electroni la numărul de
electroni al elementelor grupei 14, ceea ce face ca structura cristalină şi proprietăţile
semiconductoare să fie asemănătoare cu ale elementelor grupei 14. Borurile şi nitrurile au
un pronunţat caracter dielectric, precum si o mare stabilitate şi duritate.
 Dintre combinaţiile A14B14 doar SiC prezintă interes pentru semiconductibilitate. El
prezintă două forme alotropice α-SiC şi β-SiC.
 Compuşii semiconductori de tipul A22B14 se formează între Mg şi Ca (A = Ca, Mg) şi
elemente ale grupei 14 (B = Si, Ge, Sn, Pb). Compuşii magneziului au şi proprietăţi
termoelectrice şi fotoelectrice deosebite şi se folosesc de asemenea drept catalizatori în
sinteze organice.
 Proprietăţile semiconductoare ale compuşilor de tipul A x(2)By15, unde A(2) este un metal cu
valenţa 2 au fost descoperite înainte de cele ale germaniului şi siliciului.

 Compuşii semiconductori de tipul A(2)B16 au proprietăţi electrice şi optice deosebit de

interesante. Sulfura de zinc (ZnS blenda, ZnS würtzit) se apropie în ceea ce priveşte
valoarea benzii interzise de un izolator. Şi rezistivitatea electrică are valori mari pentru
acest compus: 108 – 1014 Ω·cm. Ei prezintă interes ştiinţific şi aplicativ deosebit
(fotorezistori, celule solare, etc.). Compuşii de tipul A 14(2)By16, adică sulfurile, seleniurile şi
telururile de Ge, Sn şi Pb prezintă importante proprietăţi fotoelectrice şi de redresare. În
anumite condiţii unii compuşi din această clasă ca GeSe prezintă o dependenţă de
temperatură a conductibilităţii electrice ca la metale (coeficient negativ de temperatură).

 In2Te3 prezintă două forme de cristalizare (α şi β) şi tranziţia α → β se petrece când

temperatura atinge valoarea de 550 ºC. Mobilităţile purtătorilor de sarcină sunt mici, depind
puţin de temperatură şi sunt puţin influenţaţi de prezenţa impurităţilor în structură (prezenţa
a 1% Mg, Cd, Hg, Si, Ge, Sn, Cu nu modifică tipul conducţiei).

Între elementele grupelor 13 şi 16 se pot forma şi compuşi de tipul A 13B16, cu proprietăţi

semiconductoare tipice. Conducţia prin goluri, valorile mari ale coeficientului Seebeck sunt
caracteristici ale acestor compuşi folosiţi în special pentru generatoarele termoelectrice.
Alte combinaţii semiconductoare:

 Se obţin compuşi semiconductori şi prin amestecarea a mai mult de două elemente, cum
este cazul compuşilor ternari şi cuaternari.

 Studiindu-se structura cristalină a compuşilor semiconductori binari s-au observat o serie

de regularităţi care au servit apoi la descoperirea de noi materiale semiconductoare. Un
exemplu în acest sens este şi corelaţia în proprietăţi şi structură pentru seriile:
Ge, GaSe, ZnSe, CuBr; α-Sn, InSb, CdTe, AgI
Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn, Mg2Pb

 Se obţin compuşi ternari şi cuaternari în mod uzual prin substituţii în structura unor
compuşi binari analogi. De exemplu, substituind Ga cu In şi Ge în structura GaAs (ΔE =
1.35 eV) se obţine InGeAs2 (ΔE = 1.1 eV).

 Compuşii cuaternari studiaţi până în prezent sunt: Cu 2FeSnS, Cu2FeSnSe4, Cu2FeGeSe4,

Cu2NiGeSe4, Ag2CdSnTe4, Cu2ZnSnTe4 şi Cu2ZnGeSe4.

Nu se pot însă obţine compuşi cu număr mare de componenţi deoarece odată cu creşterea
numărului de atomi, structura devine instabilă.
 Aliaje semiconductoare
Dacă la compuşii semiconductori compoziţia era bine definită printr-un raport de numere
întregi de combinare, aliajele semiconductoare sunt materiale caracterizate prin compoziţii
variabile într-un domeniu larg. Sunt 3 categorii de aliaje semiconductoare: între
semiconductori elementari, între semiconductori elementari şi compuşi semiconductori, între
compuşi semiconductori.
Dintre aliajele între semiconductori elementari au fost studiate în special aliajele B-Si, C-
Si, Ge-Si, Ge-Te:
Aliajele dintre compuşii semiconductori în general sunt complet miscibili în orice raport de
combinare şi formează soluţii solide la cristalizare. Formarea soluţiilor solide omogene este
favorizată de diferenţa de electronegativitate mare a atomilor constituenţi şi de diferenţa
mică a razelor atomice.

Sticle semiconductoare

Studii efectuate pe diferite aliaje de compuşi semiconductori arată că nu toate au structuri

cristaline, ceea ce este pus în evidenţă prin prezenţa unui interval de înmuiere în locul
temperaturii de topire. Aceste aliaje au aplicaţii de natură fotoelectrică şi termoelectrică şi
majoritatea au conducţie p.
Formula generală a acestor aliaje este (α)A·(1-α)B, unde A = Te 2Se3, Tl2S·As2Se3, Sb2Se3,
Tl2Se3, As2Te3, As2S3, Sb2S3 şi B = As2Se3, Tl2Se·As2Te3, Tl2Te·As2Se3.
 Semiconductori oxidici

Încă din 1926 a fost construit redresorul cu CuO2, iar în 1930 se construieşte un fotoelement
cu acelaşi CuO2. Ulterior au fost descoperiţi şi alţi oxizi cu proprietăţi semiconductoare:
ZnO, TiO2, UO2.
Se împart în semiconductori: oxidici binari, feromagnetici, feroelectrici.
CuO2 are lărgimea benzii interzise de 1.5 eV şi posedă o conducţie de tip p datorită
excesului de oxigen peste compoziţia stoechiometrică normală (CuO).
UO2 posedă în condiţii normale o conducţie de tip p şi datorită stabilităţii termice şi
coeficientului termic al conductibilităţii electrice mare a fost primul material semiconductor
pentru confecţionarea termistoarelor.
ZnO şi CdO au conducţii electronice iar proprietăţile electrice sunt mult influenţate de
excesul de oxigen peste compoziţia stoechiometrică.
Principalii semiconductori feroelectrici sunt: BaTiO 3, CdTiO3, PbTiO3, PbZrO3, PbHfO3,
(PbBa)SnO3, KTaO3, NaNbO3, KNbO3, PbNb2O6, PbTaO6, Pb3MgNb2O6, PbScNb2O6,
Pb2ScTaO6, Pb2FeNbO6.
 Semiconductori lichizi & organici

Elemente semiconductoare îşi păstrează proprietatea de semiconductibilitate la topire. Este

cazul Se şi Te. Se devine lichid la 217ºC şi îşi îmbunătăţeşte proprietăţile semiconductoare
(energia de activare scade de la 2.3 eV la 1.7 eV, rezistenţa creşte de 104 ori. Îşi păstrează
proprietăţile semiconductoare până la 800 ºC. Te se topeşte la 452 ºC şi păstrează proprietăţile
semiconductoare până la 550 ºC, după care capătă caracteristici metalice.
Te2S3, Bi2S3, Sb2S3, Sb2Se3 prezintă doar variaţii mici ale rezistivităţii electrice la topire şi au
caracteristici semiconductoare şi în fază lichidă.

Semiconductori necristalini

Deoarece multe substanţe îşi păstrează proprietăţile semiconductoare în stare amorfă sau
lichidă, rezultă că semiconductibilitatea depinde în mare măsură de dispunerea relativă a
atomilor vecini (ordine locală) şi în mai mică măsură de periodicitatea unei anumite reţele
(ordine la distanţă). Avantajul folosirii materialelor semiconductoare necristaline este în
principal de natură optoelectronică, datorită izotropiei pe care o generează absenţa ordinii la
distanţă şi prezenţa ordinii locale pe parcursul a doar câtorva constante de reţea.
S-au obţinut semiconductoare necristaline sub formă de depuneri subţiri prin condensarea
vaporilor pe suporţi suprarăciţi. Aşa este cazul Si, Ge, As2Se3 şi a compuşilor de tipul A13B15.
  Siliciu

 
In calitate de al doilea element ca abundenta in scoarta terestra, siliciul este vital pentru
procesoarele de calculatoare (CPU) si pentru alte cipuri. Este, de asemenea, un microelement
fundamental pentru organismal uman care poate fi obtinut, in principal din faina de ovaz,
sfecla si banane.
Astăzi, cele mai multe cipuri semiconductoare și tranzistori sunt create din siliciu, de aceea,
se poate spune ca siliciul este inima oricărui dispozitiv electronic. Siliciul este un element
foarte comun, el fiind constituentul principal al nisipului și cuarțului.
Carbonul, siliciul și germaniul au o proprietate unică în structura lor de electroni - fiecare are
patru electroni in stratul de valenta. Acest lucru le permite să formeze cristale frumoase. Cei
patru electroni formeaza legaturi covalente cu patru atomi învecinati, constituind o retea
metalica.
Cristalele de siliciu au aspect metalic, dar ele
nu sunt, de fapt, metale. Toti electronii de
valenta dintr-un cristal de siliciu sunt implicati
în formarea de legaturi covalente perfecte cu 4
atomi vecini, astfel încât acestia nu se pot
deplasa. Neavand electroni liberi nu poate
conduce curentul electric, deci un cristal de
siliciu pur este aproape un izolator – o cantitate
foarte mică energie electrică va trece prin el.
 Doparea Siliciului

În doparea de tip n, fosforul sau arseniul se adaugă în cantități mici in siliciu. Fosforul și
arseniul au cinci electroni in stratul de valenta, atunci când ajung în reteaua siliciului. Cel de
al cincilea electron nu are de ce sa se lege, asa ca este liber să se miște în jur. Este nevoie de
o cantitate foarte mică de impurități pentru a crea o cantitate suficienta de electroni liberi ce
permite trecerea unui curent electric prin siliciu. Siliciul dopat de tip n este un bun
conductor. Electronii au o sarcină negativă, prin urmare, numele de tip n.
In doparea de tip p, borul sau galiul sunt folosite ca dopant. Borul și galiul au fiecare doar
trei electroni in stratul de valenta. Când sunt adaugati în reteaua siliciului, ele formeaza
"goluri" în retea acolo unde un electron al siliciului nu are de ce se lega covalent. Absența
unui electron creează efectul unei sarcini pozitive, prin urmare, numele dopare de tip p.
Golurile pot conduce curentul electric. Un gol acceptă un electron de la un vecin,
deplasandu-se astfel in spațiu. Siliciul dopat tip p este un bun conductor.

În ambele tipuri de dopare de tip p și n, o

concentrație extrem de mică de dopanti este
suficientă pentru a determina o creștere
semnificativă a conductivitatii. Din acest motiv,
trebuie sa se ia masuri drastice pentru a purifica
semiconductorii utilizati în dispozitivele
electronice.

Chiar și într-un semiconductor dopat, electronii și golurile mobile sunt ambele prezente,
deși un singur tip de transport este predominant. De exemplu, într-o probă de siliciu dopat
cu arseniu (dopare de tip n), concentrația electronilor mobili este puţin mai mică decât
concentrația de atomi de arseniu (de obicei exprimată în termeni de atomi/cm 3).
 Dioda

Semiconductorii de tip n și de tip p nu sunt atât de spectaculosi, dar atunci când sunt pusi
împreună se obtine o jonctiune. Acest fenomen are loc într-o diodă.
O dioda este cel mai simplu dispozitiv semiconductor posibil. O diodă permite curentului să
circule într-o singură direcție, nu si in cealalta. Când alaturam un cristal de siliciul dopat de tip
n cu unul dopat de tip p vom obține un fenomen foarte interesant, care oferă diodei
proprietatile sale unice.
Electronii negativi din siliciu de tip n sunt atrași de borna pozitiva a bateriei. Golurile, cu
sarcina pozitiva, din siliciu dopat tip p sunt atrase de borna negativă a bateriei. Nu există flux
de curent de-a lungul jonctiunii, deoarece golurile și electronii se deplasează în direcția
greșită.
Dacă schimbam semnul la bornele bateriei, dioda conduce
curentul electric foarte bine. Electronii liberi din siliciu de
tip n sunt respinsi de către borna negativă a bateriei.
Golurile din siliciu de tip p sunt respinse de către borna
pozitivă. La jonctiunea dintre siliciul de tip n si p, golurile
și electronii liberi se intalnesc. Electronii umplu golurile.
Aceste goluri și electronii liberi încetează să mai existe, iar
noi goluri și electroni apar si le iau locul. Efectul este că
un flux de curent trece prin joncțiune.
 LED
Diode emițătoare de lumină, numite de obicei LED-uri, sunt adevărații eroi necunoscuți din
lumea electronica. Printre altele, ele formează numerele de pe ceasuri digitale, transmit
informații de la telecomenzi, sau indica atunci când aparatele electronice sunt pornite. Adunate
mai multe, ele pot forma imagini pe un ecranul unui televizor sau pot aprinde o lumină in trafic.
Practic, LED-urile sunt becuri mici de lumina, care se potrivesc cu ușurință într-un circuit
electric. Dar, spre deosebire de becurile incandescente obișnuite, acestea nu au un filament care
va arde, și nu degaja caldura. Ele sunt luminate doar de miscarea electronilor intr-un material
semiconductor. Durata de viață a unui LED depășește viața scurtă a unui bec incandescent (mii
de ore). LED-urile mici au inlocuit deja LCD-urile pentru a face televizoare mult mai subțiri.

În cazul LED-urilor, materialul conductor este de obicei de aluminiu-galiu-arseniu (AlGaAs). În

acest material pur, toti atomii se leaga perfect de atomii vecini, fără a lăsa electroni liberi
(particule încărcate negativ), si in consecinta fara a conduce curentul electric. În materialul
dopat, atomii suplimentari schimba echilibrul, fie prin adaugarea de electroni liberi, fie prin
formarea de goluri. Oricare dintre aceste modificări fac din acest material un conductor mult
mai bun.
OLED-urile sunt dispozitive semiconductoare compuse din straturi subtiri de molecule
organice care creează lumina prin aplicarea de energie electrică. OLED-urile pot oferi
luminozitate, display-uri mai clare prentru dispozitivele electronice și avantajul de a folosi
mai puțină energie decât diode emițătoare de lumină (LED-uri) convenționale sau a ecranele
cu cristale lichide (LCD) folosite astăzi.
Ca si un LED, un OLED este un dispozitiv semiconductor in stare solida, care este de 100 -
500 nanometri grosime sau aproximativ 200 de ori mai mic decat un fir de par uman. OLED-
urile pot avea doua sau trei straturi de material organic.
OLED constă din următoarele părți:
Substrat (din plastic transparent, sticlă) - substratul susține OLED-ul.
Anodul (transparent) - anodul elimină electronii (formand "goluri"), atunci când un curent
trece prin dispozitiv.
Straturile organice - Aceste straturi sunt realizate din molecule organice sau polimeri.
Stratul conductor - Acest strat este format din molecule organice care de transporta "golurile"
de la anod. Un polimer utilizat în constructia OLED-urilor este polianilina.
Stratul emisiv - Acest strat este format din molecule organice (diferite de cele din stratul
conductor), care transporta electronii de la catod, aceasta este zona în care se produce lumina.
Catodul (poate sau nu să fie transparent, în funcție de tipul de OLED) - catodul injecteaza
electronii atunci cand un curent trece prin dispozitiv.
 Combinatii chimice cu implicatii in automatizari
In domeniul ingineriei se utilizeaza materiale care sa asigure performante in conditii de
solicitare. Proprietatile materialelor sunt legate de compozitia si structura lor chimica, de
natura atomilor si moleculele componente si de legaturile chimice ce se stabilesc intre
acestea.

Cristale lichide
 
Până acum a fost facută distincția clară între lichide și solide și s-a considerat că tranziția de
fază dintre ele este întotdeauna clar definită. Insă, adevarul este mult mai complex. La
anumite temperaturi, numeroase substanțe (aproximativ 0,5% din compușii cunoscuti),
există într-o fază care nu este nici pe deplin lichidă, nici pe deplin solidă.
Cristalele lichide sunt substante organice sau substante cu compozitie mixta (organica si
anorganica), naturale sau sintetice, care in conditii fizice bine determinate manifesta
propietati caracteristice atat solidelor cristaline cat si lichidelor. Pentru aceste substante
tranzitia de faza solid-lichid nu este directa, intre cele doua faze existand intotdeauna faze
intermediare stabile, in care substantele sunt anizotrope-propietate caracteristica solidelor
cristaline, dar sunt si fluide-proprietate specifica lichidelor izotrope.
Cristalele lichide se definesc ca lichide anizotrope, care se gasesc intr-o stare intermediara.
Practic ele au o comportare reologica asemanatoare lichidelor, dar prezintă o ordonare a
moleculelor specifica solidelor cristaline. Spre exemplificare, un cristal lichid poate curge
aidoma oricărui lichid, dar are moleculele sale aranjate sau orientate la fel ca un cristale.
Cristalele lichide retin lichidul si solidifica natural numai dupa anumite temperaturi si
presiuni. La o temperatura suficient de mare sau presiune mica, ordinea moleculelor se
modifica ducand la transformarea unui cristal in cristal lichid. La o temperatura suficient de
joasa si o presiune mare moleculele cristalelor lichide inceteaza sa se mai miste si cristalele
lichide se transforma in cristale solide.
In functie de procedeul de obtinere pot fi cristale termotrope si liotrope. Cristelele lichide
termotrope au o faza de tranzitie în starea de cristal lichid pe măsură ce temperatura se
schimbă, în timp ce tranziția de fază a substanțelor liotrope este determinată de concentrația
mesogenului din solvent, de obicei apa, la care se adaugă și influența temperaturii.
Cristalele termotrope sunt utilizate in tehnica si se clasifica in functie de structura chimica si
ordinea moleculara in nematice, smectice si colesterice. Cele mai comune sunt cele
nematice, în care moleculele sunt aranjate la întâmplare si smectice, în care moleculele sunt
aranjate în straturi.
 Aplicatiile cristalelor lichide
 
 
Utilizarea pe scara larga a cristalelor lichide pentru ecrane în ceasuri digitale, calculatoare de
buzunar, televizoare, computere portabile este legata de faptul că orientarea moleculelor in
cristalele lichide este extrem de sensibilă la prezența unor câmpuri electrice de mici
dimensiuni.

Dispozitivele cu cristale lichide sunt performante si deseori utilizeaza mai putina energie decat
dispozitivele conventionale. Anumite cristale lichide reflecta diferite valori de lumina
depinzand de orientarea moleculelor lor. Orientarea acestor molecule depinde de temperatura.
Aceste tipuri de cristale lichide sunt folosite la termometre care afiseaza culori
corespunzatoare temperaturii substantei cu care critalul lichid este in contact.

In electronica, se intalnesc situatii in care anumite parti ale circuitelor hibride, circuite
imprimate prea subtiri sau alte componente se pot supraincalzi. Componentele supraincalzite
pot fi puse in evidenta de un strat de cristal lichid colesteric aplicat pe acestea, care isi
schimba culoarea daca se depaseste temperatura maxima de functionare.
 LCD

Dispozitivele cu cristale lichide (L.C.D.) cum sunt ecranele de televizor folosesc o anumita
substanta care isi schimba proprietatile cand i se aplica curent electric.Tehnologia L.C.D. este
deja utilizata la calculatoare si ceasuri digitale. Ecranul unui televizor (L.C.D) utilizeaza
foarte putina energie de aceea este ideal pentru fabricarea televizoarelor portabile.
Așa cum se arată schematic în figura, un afișaj tipic cu cristale lichide (LCD) conține un strat
subțire de cristale lichide nematice situat între doua foi de sticla.

Afisajele cu cristale lichide au urmatoarele

caracteristici: stralucirea, contrastul culorilor,
vizibilitate foarte buna, consum redus de
energie, viteza de raspuns opto-electronic,
memorie, timp de viata mare.
 Tehnologii privind monitoarele şi panourile de afişare
În ultimii ani s-au înregistrat progrese uimitoare în domeniul dispozitivelor de redare a
imaginii. Chimiştii au dezvoltat materiale cu cristale lichide, filtre de culoare, materiale
stratificate polimerice, foi de distribuţie uşoare din plastic turnat şi tehnologii pentru afişaje
din plasmă.

Primele ecrane grafice color de înaltă rezoluţie se bazează, în principal, pe tubul catodic al
televizoarelor. Afişajele cu cristale lichide (LCD) bazate pe substanţe chimice organice au fost
inventate în 1969.
 Fibre optice

Sunt fibre din sticla sau polimer care sunt folosite pe scara larga in domeniul
telecomunicatiilor, ele permitand transmisii pe distante mari deoarece lumina se propagă
prin fibră cu atenuare mică în comparație cu cablurile electrice si largimi de banda mai
mari decat alte medii de comunicatie. In comparatie cu cablul metalic, prezinta avantajul
transmiterii semnalului fara pierderi si fara interferente electromagnetice. De asemenea,
fibrele optice sunt folosite in industria calculatoarelor, automatizari industriale, in
exploatarea motoarelor termice pentru nave aeriene si maritime, etc. Fibra optică este
folosită și în iluminat, în aplicații medicale. Iluminarea cu fibră optică este folosită și în
aplicații decorative, la indicatoare, lucrări de artă și în pomi artificiali de Crăciun.
 Materiale izolatoare

1. Polimeriorganici
2. Polimeri anorganici - Sticla
3. Materiale electroceramice
4. Materiale compozite
 Polimeri organici

Definitie

• Polimeri – sunt substante macromoleculare care se obtin in urma procesului

de polimerizare.

• Reactia de polimerizare decurge la temperatura, presiune si catalizatori

p, t , cat

n CH  CH   CH  CH  n
2 2 2

Cl Cl
Clorura de vinil mer
n- grad de polimerizare şi reprezintă numărul de meri din polimer ;
 Poly = multe
mer = unitate care se repeta

mer mer mer

H H H H H H H H H H H H H H H H H H
C C C C C C C C C C C C C C C C C C
H H H H H H H Cl H Cl H Cl H CH3 H CH3 H CH3
Polietilena (PE) Poli(clorura de vinil) (PVC) Polipropiena (PP)

Lant de carbon

44
 Clasificarea pomerilor

• In f In functie de origine
• - polimeri naturali: celuloza, matasea, proteinele, cauciuc, etc;
- polimeri sintetici: PVC, polistiren, teflon, naylon, etc;

• In functie de unitatea care se repeta:

- polimeri – mer-ul este identic;
- copolimri – mer-ul este diferit

• In functie de structura:

secondary
bonding

Liniari Ramificati Tridimensionali Retea

Proprietatile polimerilor

1. Comportarea la incalzire – clasificare:

• Polimeri termoplastici
 prin incalzire pot fi modelati de mai multe ori;
 au structura liniara;
 exemple: PVC, polistirenul, teflonu, polietilena, etc

• Polimeri termoreactivi
 prin incalzire pot fi modelati o singura data;
 exemple: rasini epoxidice, bachelita, melamina, etc
Polimeri termoplastici
 Polimeri termoplastici
Polymer

PTFE

http://www2.dupont.com/Teflon/en_US/index.html
http://en.wikipedia.org/wiki/Teflon
Polimeri termoreactivi
• Polimeri sunt substante amorfe sau au o structura amorfo-cristalina
(putini)

• Temperaturi:
 Ti – temperatura de inmuiere – temp. cea mai joasa la care un polimer
poate fi utilizat;
 Tv- temperatura starii vitrose;
 Tc – temperatura de curgere- temp. cea mai inalta la care un polimer
poate fi utilizat;

Tv < Ti <Tc
2. Degradarea termica se poate realiza:

•fara distrugerea catenelor principale - prin eliminare de compusi volatili

(molecule cu masa moleculara mica) ;
•prin eliminarea moleculelor de monomer de la capetele lantului de C - procese de
depolarizare;
•distrugerea lantului polimeric si aparitia unor polimeri cu masa moleculara mai
mica;

Stabilitatea termica – perioada de timp cuprinsa intre momentul expunerii

polimerului la o anumita temperatura si momentul aparitiei primelor semne de
degradare

-CH2-CH-CH2–CH-CH2-CHCl-  -CH2–CH=CH–CH=CH-CHCl-+2HCl
 
Cl Cl
 3. Proprietati mecanice sunt influentate de gradul de polimerizare (n) sau
masa moleculara.

• sub o anumita greutate critica polimerul nu prezinta rezistenta mecanica.

• rezistenta mecanica creste proportional cu n si masa moleculara pana atinge
un anumit palier;
• Fiecare polimer prezinta un domeniu optim al lui n
4. Stabilitatea chimica depinde de:
• structura chimica si masa moleculara;
• temperatura de utilizare;
• concentratia agentilor chimici.

Dizolvarea polimerilor in solventi organici decurge in doua etape:

- gonflarea limitata
- gonflarea nelimitata (dizolvare propriu zisa)
m f  m0

m0
 - gradul de gonflare
m0 – masa initiala a polimerului;
mf- masa finala
5. Proprietati electrice
• polimerii sunt izolatori.
• prin doparea unii polimeri pot deveni conductori sau semiconductori.

Doparea polimerilor se poate realiza utilizând:

- dopanţi de tip p (acceptori): I2, PF6, BF6, AsF6
- dopanţi de tip n (donori): Na, K, Li, Ca.

Prin dopare se obţine creşterea conductivităţii electrice, de ex. poliacetilena

dopată prezintă o conductivitate apropiată cuprului.

Aplicatii:
- fabricarea electrozilor pentru acumulatori, tranzistoari, display-uri
electrocromice, LED-uri, ferestre inteligente, senzori de gaz, etc.
 Aplicatii

• iPod, calculator, mouse-ul, piese de calculator, imprimantă, capsator,

telefoane, TV, ceas, memorie Flash, conector USB , tastatura, piese de
rucsac, carduri de credit ..

• Periuta de dinti, pantofi îmbrăcăminte, recipiente alimente, spatule de gătit,

vase, apă îmbuteliată, piese auto, piese de biciclete, ochelari;
 Polimeri anorganici -Sticla

• Sticla- solid necristalin in stare vitroasa, obtinut prin subracirea topiturii.

• Starea vitroasa este intermediara intre starea cristalina si starea lichida, avand
grade de libertate mai redus decat la solide si mai inalt decat la lichide.

• Clasificarea sticlelor:
-In functie de electronegativitate si proprietati:
- sticle organice (C, N, H);
- sticle oxidice ionogene (Be, B, Al, Si, P, O);
- sticle neoxidice ( sticle calcogenice: S, Se, Sb, Ge, Sn) – prezinta prop. de
semiconductori
Sticlele oxidice ionogene:
• Sticle silico-caloco-sodice: SiO2.CaO. Na2O – sticla obisnuita;
• Sticla borosilicatica:SiO2.B2O3 . Na2O – numita sticla Yena sau Pyrex;
• Sticla cristal - SiO2.PbO. K2O.

Proprietatile sticlei

1. Densitate –variaza in functie de compozitie;

-  = 2, 2 – 2,22 g/cm3
2. Proprietati termice
a) Dilatare termica
- sticle dure < 6∙ 10-6;
-
sticle moi > 6∙ 10-6
b) Conductivitatea termica depinde de compozitie, temperatura
c) Rezistenta la soc termic - diferita la incalzire fata de racire;

4. Proprietati electrice:
- sticla este un izolator electric;
- proprietatile electrice depind compozitie:
- sticla cu Pb prezinta proprietati dielectrice;
- sticla ce contine Na+, K+ - prezinta conductivitate electrica
mai ridicata decat sticla obisnuita;
- sticla ce contine Ca2+, Ba2+ - prezinta rezistivitati electrice
mai ridicate decat sticla obisnuita;
5. Proprietati chimice
- sticlele sunt atacate de apa tratament termic 3000 – 4000 C, in
prezenta un ui strat de ulei de silicon
6.Proprietati optice:
– n= 1,51 -2,1 –sticlele silico-calco-sodice;
- sticla este transparenta in VIS si nu este UV;
- sticla colorata (ce contine ioni de metale tranzitionale: Ni2+, Co2+,
absorbe in vizibil)

Sticle optice - se clasifica in sticle cron si flint;

- se utilizeaza la fabricarea lentilelor, prismelor
• Sticlele cron
- sunt sticle silico-calco-sodice ce contin: BaO, Al2O3, KF, NaF,CaF2;
- au indici de refractie mici si puteri dispersive mari;
• Sticlele flint
- sunt sticle ce contin: PbO, TiO2, CdO, Bi2O3 ,CaF2;
- au indici de refractie mari si puteri dispersive mici
• Sticlele cu absortie selectiva
- sunt sticle silico-calco-sodice ce contin oxizi metalici;
- sticle de culoare albastra: contine 0,2 % CoO si 0,5 % CuO;
- sticle de culoare verde: contine 1,2- 1,5 % CuO si 0,15 -0,7 % Cr 2O3;
- sticle de culoare rosie: contine 0,5- 1,0 % Se si 1 -2 % CdS;
- sticle de culoare galbena: contine CdS, Se si ZnO;

• Sticle fotosensibile
- sticle sensibile la actiunea unor radiatii ce pot provoca fluorescenta, fosforescenta
sau colorarea sticlei;
h
Ce 3   Ce 4  e 
Ag   e   Ag
- sticlele fotosensibile reversibile se numesc sticle fototrope sau sticle fotocromice

h
Ag Cl    Ag  Cl
Fibre de sticla

• se obtin prin tragerea sticlei topite prin filiera sau

prin tragere din bagheta;
• prezinta conductibilitate termica si electrica redusa;
• sunt utilizati ca izolatori termici si electrici;
• utilizate la armarea materialelor compozite:

materiale cu rezistenta mecanica ridicata

 Materiale electroceramice

• Materialele ceramice – sunt materiale anorganice, nemetalice obţinute la

temperaturi şi presiuni ridicate, la care are loc sinterizarea, vitrificarea sau
topirea unor materiale naturale (argile, caolin, cuarţ) sau sintetice (carburi,
nitruri, oxizi), urmată de răcirea.

• Materialele ceramice clasice sunt utilizate pentru stabilitatea lor mecanică,

termică şi chimică.

• Materialele electroceramice sunt materialele ceramice care au fost special

formulate pentru proprietăţile specifice electrice, magnetice, sau optice.
Exemple de materiale electroceramice:

• oxizi: BaTiO3, MgTiO3 sau CaTiO3, ZnO, etc;

• materialele de tip PTCR (the positive-temperature-coefficient resistors) pot
fi utilizaţi ca senzori de temperatură sau pentru determinarea conductivităţii
termice din diferite medii;
• piezoceramicele pot intra în componenţa senzorilor de presiune, sunete şi
ultrasunete;

• ceramica piroelectrică poate fi utilizată ca senzori de infraroşu, senzorii de

umiditate, senzori de gaz ;

• ceramice stabile la temperaturi înalte bazate pe utilizarea SiC şi Si3Ni4.

• ceramice ferroelectrice de tip PZT -cu formula generală ABO3, în care: A
este un ion divalent mare de metal, cum ar fi Pb2+ sau Ba2+,
B este un ion de metal mic tetravalent, cum ar fi Ti4+ sau Zr4+ legat prin
coordonarea cu oxigenul.

• Fenomenul de ferroelectricitatea apare ca urmare a deplasării ionilor

pozitivi B4+ şi a ioni negativi O2- în direcţii opuse. Aceasta deplasare
provoacă polarizarea spontană, care determină: constante dielectrice
ridicate, piezoelectricitate.

• Aplicatii ale ceramicei feroelectrică:

- senzori, generatoare, traductoare pentru RAM, pentru DRAM (memorie
dinamică cu acces aleatoriu), precum şi pentru NVRAM (non-volatilă
memorie cu acces aleator).
Aplicatii ale materialele electroceramice :

• în ingineria electrică: materialele izolatoare, condensatoarele, materiale

feroelectrice, ceramicele piezoelectrice şi piroelectrice, ceramicele pentru
microunde, conductoarele optice, superconductoarele.
• in electronică: circuitele microelectronice (materiale electroceramice cu
proprietăţii dielectrice).

• Utilizarea materialelor electroceramice în domeniul microelectronicii a

ridicat problema miniaturizate în circuite
 Materiale compozite
• Materiale cu rezistenta mare obtinute prin armarea unei matrici polimerice,
ceramice sau metalice cu fibre dintr-un alt material.

• Fibrele folosite pot fi: fibre de C, B, sticla, metale, ceramice

• Proprietatile materialului compozit sunt total diferite si net superioare

componentelor de baza.
Clasificare – dupa compozitie

• Compozite cu matrice polimerică

– sunt rășini epoxidice, poliimide sau poliesterice) sau termoplastice,
armate cu fibre de sticlă, de carbon, de bor sau aramidice (Kevlar), cu
monocristale ceramice fibre metalice.
- sunt folosite la temperaturi relativ joase de lucru

• Compozite cu matrice metalică

–aliaje de Al, Mg, Ti sau Cu, în care se introduc fibre de B, de C (grafit) sau
ceramice (de obicei de alumină sau SiC).
- utilizat pana la temperatura < 800 ° C;
- pentru aplicatii la temperaturi mai mari se recomandă folosirea ca matrice
a unor aliaje pe bază de Ni sau a unor superaliaje.

Dezavantaj - creșterea masivității structurii finale.

• Compozite cu matrice ceramică
– matricea de bază formata din SiC, Al2O3 și sticla, iar fibrele de armare de
natură ceramică (de obicei sub formă de fibre discontinue, foarte scurte).
- utilizate pentru aplicațiile cu temperaturi foarte ridicate de lucru (peste
1000 °C);

• Compozite “carbon-carbon”
– matrice de carbon sau de grafit și armare cu fibre de carbon, fibre de
sticla si Kevlar-ul.
- sunt foarte scumpe;
- avantaje: rezistența la temperaturi înalte (de până la 3000 °C), densitatea
mică și coeficient mic de dilatere termica.
Avantajele materialelor compozite

• rezistenţa mecanică şi rigiditatea mare;

• rezistenţa la coroziune;
• rezistenţa la acţiunea agenţilor chimici;
• greutatea scăzută;
• stabilitatea dimensională;
• rezistenţa la solicitări variabile, la şoc şi la uzură;
• proprietăţile izolatoare
• estetice.
 Aplicatii
• industria aeronautica, maritima, constructilor de masini;
• Industria sportiva;

• Medicina;