Cursuri Electronica 1-12 TOT

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.
Paşca Sever
INTRODUCERE ÎN ELECTRONICĂ
Prof. Dr. Ing. Sever Paşca
Catedra de Electronică Aplicată şi Ingineria Informaţiei
Facultatea Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti
Introducere în electronică
2
Conţinutul cursului
 Definirea electronicii şi o scurtă istorie a ei
 Definirea semnalelor electrice şi o clasificare a lor
 Caracteristicile semnalelor digitale şi analogice, cu reprezentarea în

domeniul frecvenţă a semnalelor analogice
 Definirea
e ea şşi p
prezentarea
e e ta ea p
principalelor
c pa e o pproprietăţi
op etăţ a ale
e se
semnalelor
aeo
sinusoidale modulate
 Noţiuni introductive despre componente, circuite, sisteme şi

echipamente electronice
Introducere în electronică 1
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever
3
Definiţii
Electronica – Domeniul ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu

studiul
stud u şi
ş aplicaţiile
ap caţ e fenomenelor
e o e e o legate
egate de
mişcarea purtătorilor de sarcină electrică în
corpurile solide, în gaze rarefiate sau in vid.
Electronica fizică – Studiul teoretic şi experimental al fenomenelor

legate de mişcarea purtătorilor de sarcină
electrică în diferite medii şi cu realizarea
dispozitivelor electronice bazate pe aceste
fenomene.
fenomene
Electronica aplicată – Teoria şi practica folosirii dispozitivelor şi

circuitelor electronice în diferite domenii.
4
Istorie
 Termenul electronică apare prima oară într-un ziar american în 1904
 Domeniul electronicii a apărut odată cu obţinerea fasciculului de
electroni de către JJ.W.Hittorf
W Hittorf în 1869,
1869 când ss-au
au experimentat primele
dispozitive electronice
 Devine un domeniu independent la începutul secolului XX odată cu
realizarea primelor dispozitive electronice neliniare de circuit (tuburile
electronice cu vid):
 1904 – dioda cu vid (John Flemming)
 1906 – trioda (Lee de Forest)
 1919 – tetroda
d (W(Walter
l S Schottky)
h k )
 1928 – pentoda
 1932 – heptoda
 1933 – hexoda
 deceniul 3 – tuburile cu gaz
5
Istorie (cont.)
 O etapă nouă după cel de-al 2-lea război mondial odată cu apariţia
dispozitivelor semiconductoare:
 1948 – tranzistorul, în laboratoarele Bell Telephone (John Barden,
W lt Bratain,
Walter B t i William
Willi Sh
Shockley)
kl )
 1952-53 – Tranzistorul cu efect de câmp (Shokley, Pearson)
 1953 – tranzistorul unijoncţiune (Lask)
 1956-58 tiristorul (E. Moll, Tanenbam)
 Următoarea etapă importantă deschisă de apariţia circuitelor integrate
(unul dintre cel mai evoluat reprezentant fiind microprocesorul):
 1958/1959 – circuitul integrat (independent firmele americane
Texas Instruments/Fairchild)
 1962 – circuitul
i i l iintegrat MOS ((metal-oxid-semiconductor)
l id i d )bbazat pe
TEC
 1967 – prima memorie semiconductoare
 1971 – prima memorie MOS peste 1 kilobit
 1972 – prima memorie nevolatilă
 1971 – prima familie de microprocesoare (firma Intel)
 1976 – primul microcalculator “single chip”
6
Concluzii
 La ora actuală se utilizează cu prioritate dispozitivele electronice
semiconductoare, celelalte tipuri restrângându-şi continuu aria de
folosire, datorită în principal:
 G b it l i mic
Gabaritului i
 Greutăţii reduse şi implicit consumului mic de materiale
 Fiabilităţii sporite
 Duratei de viaţă mult mai lungi
 Consumului redus de energie
 Preţului mic de producţie datorită caracterului de masă al fabricaţiei
 Totuşi, mai există unele domenii sau aplicaţii în care tuburile mai au un
cuvânt de spus:
 Aparatele care trebuie sa lucreze în medii cu radiaţii puternice
 Generatoare speciale (de putere şi frecvenţă mare – tuburi
Roentgen, magnetroane etc.)
 Tuburile cinescop (monitoare şi televizoare) şi catodic
(osciloscoape)
 Nu se poate concepe progresul tehnic din orice domeniu fără
electronică.
Semnale electrice
Semnalul – Este acea mărime fizică măsurabilă care este

capabilă să transmită o anumită informaţie.
Semnalul electric – Este un semnal reprezentat printr-o mărime

electrică (tensiune, curent, intensitate câmp
electric etc.)
8
Semnale electrice
Definiţie matematică
Fie T o mulţime înzestrată cu o relaţie de ordine totală ≤, numită mulţime
de momente.
Dacă M este o mulţime oarecare fixată, atunci prin semnal definit pe
mulţimea-timp T cu valori în M se înţelege orice aplicaţie
x : T → M, t → x(t),
Care asociază fiecărui moment t  T un element x(t) din M, bine
determinat, numit eşantionul semnalului x la momentul t.
Observaţii:
 Această definiţie este restrictivă (de exemplu, nu cuprinde semnalele
multidimensionale
ltidi i l şii nici
i i iimpulsurile),
l il ) d dar constituie
tit i o b
bază
ădde di
discuţie
ţi şii
arată că studiul semnalelor este strâns legat de studiul funcţiilor, de analiza
reală şi complexă, ca şi de analiza funcţională, pentru T şi M particulare.
 Deşi nu este obligatoriu, mulţimea T este de cele mai multe ori timpul. În
astfel de situaţii, un semnal se reprezintă ca orice funcţie matematică în care
pe orizontală se reprezintă timpul (momentele de timp din mulţimea T) iar pe
verticală mărimea fizică (valorile din mulţimea M).
9
Semnale electrice
Notaţii utilizate pentru semnale electrice
Mărimea notată Simbol Indice Exemplu

Tensiuni de alimentare Literă mare Literă mare dublată VCC; IEE
Valoare continuă (medie) Literă mare Literă mare VCE; IC
Valoarea instantanee totală
(componentă continuă plus Literă mică Literă mare vCE; iB
componentă alternativă)
Valoare instantanee
Lit ă mică
Literă i ă Lit ă mică
Literă i ă vcb; ie
a componentei alternative
Amplitudinea
Literă mare Literă mică Vce; Ic
semnalului sinusoidal
10
Semnale electrice
Clasificarea semnalelor după tipul domeniilor

 După valorile timpului / după domeniul lor de definiţie T:
 Semnale continue în timp p ((T este un interval al axei reale R))
 Semnale discrete în timp sau eşantionate (T este inclus în Z sau N)
 După valorile sau nivelurile acestora / după mulţimea M în care ia valori:
 Semnale cu valori continue (M este un interval al lui R)
 Semnale cu valori discrete - cuantizate (M are un număr finit de valori)
Observaţie:
 Orice semnal poate fi aproximat printr-un număr finit de eşantioane
având valori cuantizate pe un număr finit de niveluri. Discretizarea (trecerea
de la valori continue la valori finite) în timp, adică în mulţimea T de definiţie a
semnalului) se face prin eşantionare, iar în valoare, adică în mulţimea M în
care ia valori semnalul, se face prin cuantizare. Acest operaţii sunt esenţiale
în reprezentarea (codificarea) numerică a semnalelor, care asigură
posibilitatea de stocare, prelucrare şi transmisie de informaţie, prin
mijloacele cele mai perfecţionate actuale (sub formă digitală).
11
Semnale electrice
Reprezentarea semnalelor
12
Semnale electrice
Clasificarea semnalelor după tipul informaţiei reprezentate

 Semnale digitale/numerice
(reprezintă informaţii numerice, în majoritatea cazurilor binare, care
se modifică la momente de timp discrete)
 Semnale analogice
(reprezintă informaţii cu variaţie continuă permanentă în timp)
Observaţii:
 Ambele tipuri de semnale sunt aproape întotdeauna semnale continue
în timp cu valori continue.
continue
 În sistemele electronice reale, fie că sunt digitale sau analogice,
semnalele sunt întotdeauna continue în timp cu valori continue. Dar,
semnalele pot fi reprezentate pentru simplificare în una din cele 4 tipuri
prezentate anterior.
 Caracteristicile semnalelor digitale şi analogice vor fi prezentate ulterior
într-un subcapitol separat.
13
Semnale electrice
Clasificarea semnalelor
după dependenţa lor de alte evenimente
 S
Semnale l d
deterministe
t i i t
(ale căror valori sunt bine determinate)
 Semnale aleatoare / întâmplătoare
(ale căror valori pot fi prezise doar cu o anumită probabilitate)
Observaţii:
 Semnalele reale sunt întotdeauna aleatoare (au cel puţin o componentă
aleatoare, zgomotul).
 Semnalele deterministe sunt de fapt idealizări matematice absolut
necesare pentru înţelegerea celor aleatoare şi pentru analiza
simplificată a proceselor reale.
14
Semnale electrice
Clasificarea după modul de transmitere a informaţiei utile

 Semnale în banda de bază
((informaţia
ţ este transmisă direct, prin
p semnalul care îl conţine)
ţ )
 Semnale modulate
(informaţia este transmisă prin intermediul unui semnal de frecvenţă
mult mai mare decât a semnalului care conţine informaţia)
Observaţii:
 Modul de transmisie utilizat depinde de caracteristicile informaţiei, de
mediul prin care se transmite informaţia (cabluri electrice, optice, aer,
apă etc
etc.),
) de performanţele dorite pentru transmisia informaţiei (distanţă
(distanţă,
zgomote admise, distorsiuni, erori acceptabile etc.)
 Informaţia transmisă poate fi atât sub formă continuă (analogică) cât şi
sub formă discretă (digitală/numerică). Exemplificările următoare vor fi
făcute pentru semnale continue.
 Caracteristicile semnalelor modulate vor fi prezentate ulterior într-un
subcapitol separat.
15
Semnale digitale şi analogice
16
Semnale digitale (numerice)

Semnalele digitale sunt
p
reprezentate ţ bruşte
de tranziţii ş între
două nivele de tensiune aflate în
două domenii disjuncte de valori,
fiecare domeniu fiind asociat cu
valoarea logică corespunzătoare unei
variabile.
Evident însă, pentru a face
tranziţii între două nivele
semnificative, tensiunea v va trebui
să se găsească în anumite momente
de timp între cele două domenii
(zonele gri). Pentru aceste intervalele
de timp, citirea valorilor tensiunii v
constituie o eroare. Aceste treceri de
la un nivel la altul sunt însă marcaje
de timp. Tranziţiile sunt cele care pot
stabili o cronologie a evenimentelor.
17
Rezoluţia semnalelor digitale

Utilizarea unei singure variabile binare v furnizează o mulţime de valori
cam săracă – 2 valori pposibile; ea ppoate distinge
g numai între două obiecte.
Pentru a putea reprezenta mărimi cu mai multe valori, sunt necesare mai
multe variabile binare care să fie privite simultan, ele constituind de fapt un
vector binar de forma v = {v1, v2, …, vN} unde fiecare componentă este o
variabilă booleană vi  {0, 1}. În acest fel, vectorul constituit din N biţi poate
avea 2N combinaţii distincte şi deci poate distinge între 2N obiecte sau valori.
Se spune în acest caz că reprezentarea unei mărimi se face cu o rezoluţie
de N biţi.
Concluzie:
Orice reprezentare numerică a unui semnal este legată de o rezoluţie,
specifică reprezentării respective. Dacă această rezoluţie este mai bună,
mai fină decât rezoluţia proprie a semnalului, atunci reprezentarea acestuia
prin valori numerice pe N biţi nu introduce erori. În caz contrar, două sau mai
multe valori semnificative, distincte, din semnal se vor confunda prin
reprezentarea lor cu valori numerice identice, ceea ce înseamnă o scădere
a rezoluţiei acestuia.
18
Semnale analogice
Semnalele analogice pot fi definite ca fiind variaţii continue de tensiune
sau curent situate într-un anumit interval, p
permanente în timp.p
Semnalele sunt procese aleatoare. În caz contrar, ele sunt perfect
cunoscute dinainte şi, ca urmare, nu prezintă interes în a fi transmise,
măsurate etc. Orice expresie analitică a unui semnal trebuie să conţină cel
puţin o componentă aleatoare care să-i dea acea caracteristică de
necunoaştere, care o transformă dintr-o mărime complet cunoscută şi care
poate fi generată local pe baza unei anumite reguli, într-o mărime care
trebuie observată şi urmărită pentru a-i afla evoluţia.
semnal anterioare în raport
Toate valorile unui semnal,
cu un moment de timp dat, reprezintă "istoria"
sau trecutul acestuia. Practic la toate
semnalele, valorile s(t), anterioare momentului
de timp dat, contribuie, sub o formă oarecare, la
stabilirea valorii semnalului la momentul .
Semnalele sunt în general funcţii de timp
controlate de istoria lor.
19
Semnale analogice periodice/neperiodice

Un semnal este periodic dacă satisface relaţia
s t   s t  nT0 
pentru orice moment de timp t. Mărimea T0 este perioada semnalului.
Toate variaţiile semnalului periodic sunt cunoscute dacă se cunoaşte
evoluţia sa în interiorul unei singure perioade.
Pentru semnalele periodice, se definesc puterea medie pe o perioadă
respectiv puterea instantanee astfel:
1 T 2
s t  dt pt   v 2 t  R  i 2 t   R
P
T 0
Prin convenţie se consideră o rezistenţă egală cu unitatea, ceea ce
elimină dependenţa puterii semnalului de valoarea rezistenţei de sarcină.
În cazul semnalelor neperiodice se defineşte energia acestora

E   s 2 t  dt

Evident această integrală este infinită în cazul semnalelor periodice;
pentru acestea se foloseşte noţiunea de putere şi nu cea de energie.
20
Spectrul unui semnal periodic

Spectrul unui semnal este acea mulţime de coeficienţi reprezentând
amplitudinea şi faza sinusoidelor care însumate refac semnalul iniţial. El
poate fi privit şi ca un alt mod de reprezentare a informaţiei, în domeniul
frecvenţă.
Spectrul unui semnal periodic este dat de transformata Fourier a
acestuia şi este constituit de seria coeficienţilor Fourier C n  C  jn 0 
rezultaţi din relaţia
1 T0 / 2
C n  C  jn 0   s t   e  jn 0t dt
T0 T0 / 2
iar semnalul s(t) poate fi scris ca o sumă de componente sub forma
n  
st    C n 0  e jn t
0
n  
Spectrul are 2 componente: spectrul de amplitudini respectiv spectrul de
fază definite de modulul respectiv faza numărului complex C  jn 0 
C n  C  jn 0   n 0 
21
Spectrul unui semnal aperiodic

Spectrul unui semnal aperiodic sau mai exact densitatea spectrală a
acestuia este dată de integrala Fourier

S  j    s t   e  jt dt

Densitatea spectrală are şi ea două componente: densitatea spectrală
de amplitudine şi densitatea spectrală de fază.
Relaţia inversă, care ne dă semnalul s(t) din densitatea spectrală este

s t    S  j   e jt d

Observaţii:
• Aceste relaţii asigură o corespondenţă unică între un semnal şi spectrul
său. Pentru un semnal dat există un spectru unic şi invers.
• Este de asemenea important de remarcat că determinarea spectrului unui
semnal nu este posibilă fără a cunoaşte complet evoluţia în timp a acestuia.
22
Rezoluţia unui semnal analogic

Rezoluţia unui semnal analogic este indispensabilă ca să putem analiza
comportarea circuitelor electronice reale. Ideal, un semnal este descris de o
funcţie continuă şi, oricât de mică ar fi diferenţa între două valori oarecare ale
semnalului, această diferenţă este semnificativă. Practic însă, apar zgomote
care se suprapun peste semnalul real. Orice semnal analogic are o rezoluţie
proprie dată de treapta minimă semnificativă a acestuia, determinată practic
de prezenţa factorilor perturbatori reali (zgomote).
Dacă se cunoaşte gama de variaţie a semnalului, respectiv valoarea
minimă şi maximă a acestuia, atunci rezoluţia unui semnal analogic poate fi
exprimată printr-o mărime specific digitală – numărul de biţi pe care trebuie
reprezentată variaţia semnalului pentru ca valoarea corespunzătoare unui bit
să fie cel mult egală cu treapta minimă semnificativă a sa.
Observaţie:
• Rezoluţia unui semnal analogic este o proprietate intrinsecă a acestuia
fiind impusă de sursa de semnal care îl generează.
23
Semnale modulate
Se utilizează pentru transmiterea informaţiei atunci când semnalul cu

anumiţi parametrii care conţine informaţia nu poate fi transmis printr-un
anumit mediu la anumite p performanţeţ dorite.
Se prezintă semnalele modulate pentru care se foloseşte o oscilaţie

sinusoidală pentru a transmite informaţia utilă.
24
Semnale modulate
O mărime (curent, tensiune, intensitate de câmp, flux luminos etc.) cu o

variaţie sinusoidală în timp se reprezintă matematic prin expresia:
F ( t )  A  cos( t   )
în care:
A - reprezintă amplitudinea oscilaţiei;
ω - frecvenţa unghiulară (pulsaţia);
ωt + φ - faza instantanee (unghiul de fază);
φ - faza iniţială.
Cât timp parametrii A, ω şi φ sunt constanţi, oscilaţia F(t) nu conţine
informaţie. F(t) poate constitui semnalul purtător. Spre deosebire de
semnalul care conţine informaţia, F(t) poate fi transmis în condiţiile dorite.
Dacă se face cumva ca amplitudinea A sau unghiul de fază φ să varieze
în ritmul semnalului care conţine informaţia de transmis, atunci semnalul F(t)
va conţine informaţia de transmis şi va putea fi si el transmis în condiţiile
dorite.
Se spune în acest caz că semnalul F(t) este modulat, iar semnalul care
conţine informaţia se numeşte semnal modulator.
25
Semnale modulate
Dacă amplitudinea A este variată în ritmul semnalului de modulaţie, se

obţine o modulaţie de amplitudine – pe scurt, MA.
Dacă unghiul de fază φ este variat în ritmul semnalului modulator, se
obţine o modulaţie de fază - MP; o formă a modulaţiei de fază este
modulaţia de frecvenţă - MF.
Aceste semnale sunt prezentate în diapozitivul următor.
Expresia unei oscilaţii armonice reprezentând semnalul modulat se
poate pune în general sub forma:
F (t )  A(t )  cos[ (t )  t   (t )]  A(t )  cos  (t )

Aceste oscilaţii sunt de fapt cvasiarmonice, totuşi şi în acest caz se
păstrează pentru A(t) şi (t) denumirile de amplitudine şi unghi de fază.
26
Semnale modulate
Exemplificarea
semnalelor
modulate
a) Semnal modulator
(de joasă frecvenţă);
b) Semnal MA;
c) Semnal MP;
d) Semnal MF.
27
Semnale modulate
Modulare / demodulare
Obţinerea semnalului modulat din semnalul purtătoare si semnalul
modulator se numeşte modulare.
Circuitele care realizează acest lucru sunt circuitele de modulare.
Procedeul invers, de extragere a informaţiei utile prin eliminarea

semnalului purtător se numeşte demodulare.
Informaţia este conţinută în semnalul demodulat. Circuitele care

realizează acest lucru sunt circuitele de demodulare.
Ansamblul celor două procese utilizate la emisie şi recepţia informaţiei

se numeşte modulare – demodulare.
28
Semnale modulate
Semnal modulat în amplitudine

La oscilaţiile MA, amplitudinea este o funcţie de timp de forma:
A( t )  A0 1  f ( t )
unde A0 este o constantă.
Funcţia f(t), reprezentând variaţia parametrului care se modifică în ritmul
semnalului de modulaţie S(t), se numeşte funcţie de modulaţie. În general
se va considera că funcţia f(t) este proporţională cu S(t), adică f(t)=kS(t).
Expresia oscilaţiei MA este de forma
F ( t )  A0 1  f ( t )cos( 0 t  0 )
Oscilaţia reprezentată prin

F ( t )  A0 cos( 0 t  0 )
se numeşte purtătoare, iar ω0 este frecvenţa unghiulară a purtătoarei.
29
Semnale modulate
Cea mai simplă expresie a funcţiei de modulaţie f(t) este funcţia

sinusoidală de timp a cărei expresie este:
f (t )  kS (t )  m  cos( m t   m )
caz în care expresia oscilaţiei armonice devine:
F (t )  A0 1  m cos( m t   m )cos(0t   0 )
unde m reprezintă gradul de modulaţie şi ω0 frecvenţa (unghiulară) de

modulaţie.
Gradul de modulaţie m este proporţional cu intensitatea (mărimea)
semnalului transmis.
Frecvenţa semnalului de modulaţie este mult mai mică decât frecvenţa
purtătoarei (ωm << ω0) şi, prin urmare, variaţia amplitudinii semnalului de
modulaţie este mult mai lentă decât variaţia oscilaţiei de înaltă frecvenţă,
aşa că, pe un interval de timp egal cu câteva perioade ale purtătoarei,
amplitudinea se poate considera constantă.
30
Semnale modulate
Expresia oscilaţiei armonice modulate în amplitudine cu un semnal

sinusoidal se poate scrie sub forma:
F ( t )  A0 cos( 0 t  0 )  mA0 cos(  mt   m ) cos( 0 t  0 )  A0 cos( 0 t  0 ) 
cos( 0   m )t  ( 0   m )  cos( 0  m )t  ( 0   m ).

mA0 mA0

2 2
Din relaţia de mai sus rezultă că o oscilaţie MA poate fi descompusă în
trei componente armonice:
A0 cos( 0 t  0 ) Prima componentă, de frecvenţă
ω0 şi amplitudine A0, este purtătoarea;
cos( 0  m )t  ( 0   m )
mA0
celelalte două componente, de
2 frecvenţă ω0+ωm şi ω0 - ωm şi de
cos( 0  m )t  ( 0   m ).
mA0 amplitudine mA0/2, se numesc
2 componente laterale.
În cazul când semnalul de modulaţie are o formă complexă, oscilaţia MA
se descompune într-o purtătoare şi o serie de componente laterale situate
de o parte şi de alta a purtătoarei, de frecvenţe cuprinse într-o anumită
bandă al cărui centru este chiar frecvenţa purtătoare.
31
Semnale modulate
Semnal modulat în fază

La oscilaţiile cu modulaţie de fază, unghiul de fază φ are o variaţie în
timp de forma:
 ( t )  0  f ( t )
în care φ0 este o constantă şi f(t) o funcţie variabilă cu timpul, de
aceeaşi formă ca şi semnalul de modulaţie.
Expresia oscilaţiei cu modulaţie de fază este în acest caz de forma:
F ( t )  v  V0 cos 0 t  f ( t )  0 
în care amplitudinea este constantă
constantă, iar unghiul de fază este variabil cu
timpul.
Frecvenţa ω0 se numeşte şi aici frecvenţă purtătoare.
32
Semnale modulate
Dacă semnalul de modulaţie are o variaţie sinusoidală în timp, unghiul

de fază este de asemenea o funcţie sinusoidală şi poate fi exprimată prin
relaţia:
 ( t )   0   cos((  m t   m )
Expresia oscilaţiei MP devine în acest caz:
v  V0 cos0 t   cos(  m t   m )  0 
Mărimea  este variaţia maximă a fazei în timpul modulaţiei şi se

numeşte deviaţia de fază, iar ωm este frecvenţa de modulaţie.
Deviaţia de fază este proporţională cu amplitudinea semnalului de
modulaţie presupus sinusoidal şi corespunde cu gradul de modulaţie m al
unei oscilaţii MA.
33
Semnale modulate
Semnal modulat în frecvenţă

Dacă viteza unghiulară nu este constantă şi are o variaţie în timp de
forma:
 ( t )  0  f ( t )
atunci semnalul de modulaţie sinusoidal are forma:
( t )  0   cos(  m t   m )
iar expresia oscilaţiei MF devine:
  
v  V0 cos 0 t  sin( mt   m )  0 
 m 
Dacă se notează indicele de modulaţie în frecvenţă cu
 f
 
m fm
relaţia de mai sus se poate scrie şi sub forma:
v  V0 cos0 t   sin(  m t   m )  0 
34
Semnale modulate
Printr-o prelucrare şi analiză similară cu cea de la semnalul modulat în
amplitudine, şi această oscilaţie se poate descompune în două oscilaţii de
frecvenţă ω0 defazate cu π/2 una faţă de cealaltă, ale căror amplitudini sunt
funcţii
ţ periodice
p de timp,
p având expresiile:
p
V0 cos sin(  m t   m )
V0 sin sin(  m t   m )
Fiecare din aceste funcţii se poate dezvolta în într-o serie Fourier din
care rezultă că o oscilaţie MF sau MP modulată cu un semnal sinusoidal de
frecvenţă fm, este formată din purtătoare de frecvenţă f0 şi o infinitate de
componente laterale de frecvenţe:
f0 ± fm, f0 ± 2fm, f0 ± 3fm, ………………. , f0 ± nfm , ........
35
Componente, circuite, sisteme

şi echipamente electronice
36
Componente, circuite, sisteme şi echipamente electronice
Componente electronice
Componenta electronică – un element (dispozitiv) care permite
trecerea curentului electric după o anumită lege de variaţie şi este
caracterizată de o relaţie (o funcţie matematică) între tensiunea care i se
aplică la borne şi curentul care circulă prin ea.
Caracteristica unei componente este reprezentarea grafică a funcţiei

matematice de legătură între curentul prin componentă şi tensiunea la
bornele sale.
 Clasificare componentelor electronice după forma caracteristicii

 Componente electronice liniare
 Componente electronice neliniare
37
Clasificarea “energetică” a componentelor electronice

 Componente pasive
Elemente de circuit care nu pot prelucra semnalul; ele pot conduce
curentul electric şi pot disipa sau/şi înmagazina energie electrică
sau magnetică. Componentele pasive ideale sunt reprezentate în
general prin dipoli şi pot fi caracterizate complet în circuit printr-o
singură mărime. (Exemple: rezistoare, condensatoare, bobine)
 Componente active
Elemente de circuit care alimentate în curent continuu se comportă
ca o sursă de putere electrică comandată de o mărime electrică
(curent sau tensiune). O componentă activă este capabilă să
îndeplinească o funcţie de prelucrare (amplificare, redresare etc.) a
mărimii de comandă. O astfel de componentă se reprezintă în
general printr-un cuadripol. (Exemple: diode, tranzistoare bipolare,
TEC-uri, tiristoare, TUJ-uri etc.)
38
Circuite
Circuit electric - Un ansamblu de componente pasive interconectate între
ele p
prin intermediul unor conductoare,, care stabileşte ş o relaţieţ matematică între
semnalele obţinute la ieşire şi semnalele aplicate la intrare. Reprezentarea
grafică a acestei relaţii reprezintă caracteristica circuitului. În multe cazuri
circuitul electric conţine şi surse de curent sau/şi de tensiune. Pentru fiecare
componentă în parte este posibil să se determine tensiunea la borne şi curentul
prin componentă prin aplicarea adecvată a Legilor lui Kirchhof şi a Legii lui
Ohm.
Circuit electronic - Un circuit electric care conţine pe lângă elementele
menţionate la circuitele electrice şi componente active de circuit
circuit. Determinarea
tensiunilor şi curenţilor pentru fiecare componentă este o sarcină dificilă datorită
caracteristicilor neliniare ale componentelor active. În anumite condiţii
simplificatoare, componentele active se pot înlocui cu circuite echivalente liniare
(modele) conţinând surse de tensiune şi/sau curent comandate şi elemente
pasive interconectate astfel încât să îndeplinească o anumită funcţie. Circuitele
electronice echivalente în care componentele active au fost înlocuite cu
circuitele lor echivalente pot fi tratate similar cu circuitele electrice.
39
Clasificarea circuitelor electronice

după tehnologia de realizare
 Circuite discrete - componentele active şi pasive încapsulate separat
suntt conectate
t t între
î t ele
l prin
i cablaje
bl j iimprimate;
i t
 Circuite integrate - componentele active şi pasive precum şi
interconexiunile lor sunt realizate inseparabil şi sunt încapsulate unitar;
se pot realiza:
 circuite integrate monolitice la care întreaga structură se obţine în
volumul unui monocristal semiconductor,
 circuite integrate peliculare la care elementele de circuit şi
interconexiunile se obţin sub forma unor pelicule rezistive,
conductoare sau dielectrice depuse pe un suport izolator;
 Circuite hibride realizate parţial cu componente discrete, parţial cu
componente integrate, dar încapsulate împreună astfel încât formează
un întreg inseparabil.
40
Sisteme electronice
Un sistem electronic este un ansamblu
format din mai multe circuite electronice
interconectate între ele care îndeplinesc o
anumită funcţie bine stabilită.
Analiza unui sistem constă în stabilirea

funcţionării sale, adică în determinarea
semnalelor de ieşire atunci când se cunosc
configuraţia
g ţ sistemului şşi semnalele aplicate
p la
intrare.
Sinteza unui sistem constă în stabilirea
structurii (configuraţiei) sale atunci când se
cunosc semnalele aplicate la intrare şi
semnalele generate de sistem la ieşire.
41
Echipamente electronice
Echipamentele electronice sunt formate din unul sau mai multe circuite
şi/sau sisteme electronice, construite unitar, destinate să funcţioneze
independent pentru rezolvarea unei aplicaţii concrete.
 După destinaţie echipamentele pot fi clasificate astfel:

 Echipamente profesionale
 Echipamente de larg consum
 După condiţiile de exploatare echipamentele pot fi:

 Echipamente staţionare
 Echipamente mobile
 Echipamente cu destinaţie specială
Componente pasive de circuit


2
 D fi i
Definirea, d
descrierea
i îîn circuit
i it şii comportarea
t îîn curentt continuu
ti şii
curent alternativ a componentelor pasive (rezistor, condensator, bobină)
 Caracteristicile şi parametrii componentelor pasive
 Circuite simple utilizând componente pasive
Componente pasive de circuit 1

Rezistoare
Definiţie:
Rezistorul este un dipol pentru care impedanţa are un caracter în special
rezistiv Parametrul principal al rezistoarelor este rezistenţa electrică
rezistiv. electrică.

4
Rezistoare
Descrierea rezistorului în circuit

 Legea lui Ohm
v R  R iR sau iR  G v R
unde
R este prin definiţie rezistenţa rezistorului, măsurată în ohmi []
G = 1/R se numeşte conductanţă, măsurată în siemens [S]
 Caracteristica curent-tensiune (i-v) a rezistorului
Observaţie:
 Caracterul liniar al componentei rezistor
este dat de caracteristica liniară a sa.


5
Rezistoare
Comportarea rezistorului în circuit

 Rezistorul ideal are o comportare identică în curent continuu şi în curent
alternativ. El se opune trecerii curentului electric cu rezistenţa R.
 În regim armonic (sinusoidal), curentul şi tensiunea la borne sunt în
fază.
 Puterea medie absorbită de un rezistor idealizat este dată de relaţia

V2
P  VR I R  R I R2  R
R
unde VR şi IR sunt valorile de curent continuu sau valorile efective în
curent alternativ ale tensiunii la bornele rezistorului şi ale curentului care
străbate rezistorul.
 Puterea absorbită de rezistor este transformată integral în căldură,
rezistorul ideal fiind un element disipativ.

6
Rezistoare
Simbolurile utilizate pentru reprezentarea grafică a

rezistoarelor în schemele electrice
a) Rezistor fix (simbol preferat) b) Rezistor fix (de obicei integrat sau
într-un model) c) Rezistor fix (simbol tolerat) d) Potenţiometru
e) Rezistor semireglabil f) Varistor g) Termistor h) Fotorezistor


7
Rezistoare
Caracteristicile rezistoarelor fixe

 Rezistenţa nominală Rn şi toleranţa acesteia t
Toleranţa t exprimă (procentual) abaterea maximă admisibilă a valorii
reale R faţă de valoarea nominală Rn înscrisă pe corpul rezistorului:
R  Rn
t   max
Rn
Valorile nominale ale rezistoarelor alcătuiesc serii în progresie
geometrică în domeniile [1 … 10] , [10 … 100] , [100 … 1000]  etc.
Aceste serii (v1, v2, …) sunt diferite pentru fiecare valoare a toleranţei (t)
tf l încât
astfel î ât să
ă acopere toate
t t valorile
l il continue
ti l rezistenţelor
ale i t ţ l realel

8
Rezistoare
Caracteristicile rezistoarelor fixe (cont.)

Marcarea valorii nominale a
rezistenţei pe corpul rezistorului se Culorile
Prima cifră A doua cifră
Multiplicator Toleranţă
semnificativă semnificativă
poate face "în clar" sau utilizând (prima (a doua (a treia (a patra
codul culorilor. bandă) bandă) bandă) bandă)
negru 0 0 1
Marcarea toleranţei se poate face "în maro 1 1 10 1 %
clar", în cod literal sau în codul roşu 2 2 102 2 %
culorilor. portocaliu 3 3 103

galben 4 4 104
Utilizând codul culorilor, valoarea este verde 5 5 105
marcată în ohmi şşi p prima cifră din cod albastru 6 6 106
este banda sau punctul cel mai violet 7 7 107

108
apropiat de unul din terminale. gri
alb
8
9
8
9 109
auriu 10–1 5 %
Toleranţa
argintiu 10–2 10 %
în procente 20 10 5 2,5 2 1 0,5 0,25 0,1
fără
20 %
culoare
Toleranţa
în cod M K J H G F D C B verde clasă
gălbui profesională


9
Rezistoare

 Puterea de disipaţie nominală Pn
Puterea de disipaţie nominală
nominală, exprimată în waţi [W],
[W] reprezintă
puterea electrică maximă pe care o poate dezvolta rezistorul în regim de
funcţionare îndelungată, fără să-şi modifice caracteristicile.
Puterea de disipaţie nominală se marchează "în clar" pe corpul
rezistoarelor. Pentru rezistoarele peliculare nu se marchează, ci se
recunoaşte după dimensiunile rezistorului.
În schemele electronice, puterea nominală a rezistoarelor este de obicei
indicată cu ajutorul unor simboluri convenţionale situate în interiorul
rezistoarelor:

10
Rezistoare

 Tensiunea nominală Vn
Tensiunea nominală pentru un anumit tip de rezistor este definită ca
tensiunea maximă care se poate aplica la bornele rezistorului în regim
de funcţionare îndelungată, fără modificarea parametrilor acestuia.
Pn [W] 0,125 0,25 0,5 1 2

Vn [V] 125 250 350 500 700
 Zgomotul rezistoarelor
Într-un rezistor prin care circulă un curent continuu, odată cu mişcarea
ordonată a electronilor are loc şi o mişcare haotică a acestora care
creează la bornele rezistorului o tensiune variabilă aleatoare – a cărei
valoare eficace este numită tensiunea electromotoare de zgomot şi
este exprimată în microvolţi [V].


11
Rezistoare

 Intervalul temperaturilor de lucru
Intervalul temperaturilor de lucru reprezintă intervalul temperaturilor în
limitele căruia se asigură funcţionarea de lungă durată a rezistorului.
Influenţa temperaturii asupra rezistenţei R a rezistorului este pusă în
evidenţă prin coeficientul de temperatură al rezistenţei notat cu R,
exprimat în [1/K] şi definit ca
1 dR
R  
R dT
Pentru o variaţie liniară a rezistenţei cu temperatura, expresia anterioară
devine
1 R  R1
R   2
R1 T2  T1
unde R1 şi R2 reprezintă valorile rezistenţei la temperaturile T1

(temperatura nominală) şi respectiv T2.

12
Rezistoare
Performanţele rezistoarelor
După performanţe – toleranţe, tensiune de zgomot, valorile maxime
admisibile ale coeficienţilor de variaţie – rezistoarele se împart în clase
de precizie ale căror caracteristici sunt prezentate comparativ în tabel:
Clasa de precizie Toleranţa Tensiune de zgomot Coeficienţi de variaţie
Rezistoare etalon 1 %; 2,5 % 1 V foarte mici
Rezistoare de precizie 2,5 %; 5 % 1 V medii
Rezistoare de uz curent 5 %; 10 %; 20 % 15 V mari
Observaţii:
 Un rezistor real nu este o impedanţă pur rezistivă, în funcţie de
structură şi tehnologia de fabricaţie putând prezenta valori mai mari sau
mai mici de componente capacitive şi inductive (elemente parazite).
 În condiţii obişnuite, rezistorul ideal este o bună aproximaţie pentru
rezistorul real, dar în anumite situaţii deosebite (frecvenţe ridicate)
elementele parazite nu mai pot fi neglijate.


13
Rezistoare
Circuite simple cu rezistoare

n
 Gruparea serie a rezistoarelor (a) Res   Rk
k 1
n n
1 1
 Gruparea în paralel a rezistoarelor (b)  Gep   Gk
Rep k 1 Rk k 1

14
Rezistoare
Circuite simple cu rezistoare (cont.)

v 2 R
Divizor de tensiune (a) vo  R2 i  R2  R  R  R  R  vi
i

1 2 1 2
ii G2 R1
 Divizor de curent (b) io  G2 v  G2    ii io   ii
G1  G2 G1  G2 R1  R2
Generalizare pentru n rezistoare:

Rj Rj
vj   vi  n  vi
Res
 Rk
k 1
Gj Gj
ij   ii  n  ii
Gep
Gk
k 1


15
Rezistoare
Circuite simple cu rezistoare (cont.)

 Reţeaua R–2R
 Rezistenţaţ reţelei
ţ R–2R văzută la intrarea sa şşi după p fiecare nod
este egală cu 2R.
 Fiecare nod al reţelei are potenţialul faţă de nodul 0 (nodul de
referinţă) jumătate din potenţialul nodului anterior, astfel că
tensiunea ultimului nod din reţea este de 2n ori mai mică decât
tensiunea de intrare în reţea.
 Fiecare nod al reţelei divizează curentul de intrare în el în mod egal
în cei doi curenţi de ieşire şi astfel, prin ultima latură a reţelei, va
circula un curent de 2n–1 ori mai mic decât curentul de intrare în
ţ
reţea.
R1a R(k-1)a Rka R(k+1)a R(n-1)a Rna
i R 1 R k-1 R k R k+1 R n-1 R n
R1b R(k-1)b Rkb R(k+1)b R(n-1)b Rnb

2R 2R 2R 2R 2R R
R1 R(k-1) Rk R(k+1) R(n-1) Rn
16
Condensatoare
Definiţie:
Condensatorul este un dipol care are impedanţa cu caracter în special
capacitiv Parametrul principal al condensatorului este capacitatea
capacitiv.
electrică.


17
Condensatoare
Descrierea condensatorului în circuit

 Capacitatea electrică notată cu C şi exprimată în
farazi [F] este definită ca raportul dintre sarcina q
acumulată pe una dintre armăturile sale şi tensiunea
stabilită între armături:
q
C
vC
 În conformitate cu definiţia de mai sus a capacităţii electrice (q = C vC)
şi cu legea conservării sarcinii electrice (iC = dq/dt) relaţia dintre
tensiunea la bornele condensatorului şşi curentul care îl străbate este
1
vC   iC dt
dv
iC  C  C sau
dt C
Observaţie:
 Condensatorul ideal nu permite salturi de tensiune la bornele sale
deoarece vC(t) trebuie să fie o funcţie continuă.

18
Condensatoare
Comportarea condensatorului în circuit

 În curent continuu, iC = 0 deoarece vC = constant. Condensatorul ideal
se comportă ca un circuit deschis (rezistenţă de valoare infinită)
întrerupând circulaţia curentului continuu prin circuit.
 În curent alternativ, în regim armonic
(sinusoidal), condensatorul ideal se opune
trecerii curentului electric cu o rezistenţă
aparentă numită reactanţă capacitivă (notată
cu XC şi exprimată în ohmi)
1 1
XC  
C 2f C
Observaţie:
 La frecvenţe mari (f  ∞) condensatorul ideal se comportă ca un
scurtcircuit (XC  0) iar în curent continuu (f  0), el este un circuit
deschis (XC  ∞).


19
Condensatoare
Comportarea condensatorului în circuit (cont.)

 În curent alternativ, tensiunea la bornele
condensatorului ideal este defazată cu /2 în
urma curentului care străbate condensatorul.
 Caracteristica curent-tensiune a condensatorului
VC  X C I C
 Condensatorul ideal nu disipă energie ci poate
transmite şi înmagazina energie electrică.
Cantitatea de energie electrică acumulată de un
condensator având la borne tensiunea este
C vC2
WC 
2
Observaţie:
 Pentru o valoare constantă a pulsaţiei ,
caracteristica fiind o dreaptă, condensatorul
ideal este o componentă liniară.

20
Condensatoare

condensatoarelor în schemele electrice
a) Condensator fix
b) Condensator semireglabil
c) Condensator variabil
d) Condensator electrolitic


21
Condensatoare
Caracteristicile condensatoarelor fixe

 Capacitatea nominală Cn şi toleranţa acesteia t
Valorile înscrise sau marcate pe corpul condensatoarelor definite similar
cu cele ale rezistoarelor şi alese tot în serii în progresie geometrică
însoţite de toleranţe.
Coeficient de A doua cifră
Culorile Prima cifră semnificativă Multiplicator Toleranţă
temperatură semnificativă
(banda iniţială) (prima bandă) (a doua bandă) (a treia bandă) (a patra bandă)
[10–6/C] C  10 pF C > 10 pF
negru 0 0 0 1 2 pF 20 %
maro –33 1 1 10 1 %
roşu –75 2 2 102 2
2%
portocaliu –150 3 3 103
galben –220 4 4 104
verde –330 5 5 105 0,5 pF 5 %
albastru –470 6 6 0
violet –750 7 7
gri 8 8 10–2 0,25 pF
alb 9 9 10–1 1 pF 10 %
Auriu +100

22
Condensatoare
Caracteristicile condensatoarelor fixe (cont.)

 Tensiunea nominală Vn
Tensiunea nominală este tensiunea continuă maximă sau cea mai mare
valoare eficace a tensiunii alternative care se poate aplica la bornele
condensatorului în regim de funcţionare îndelungată, fără distrugerea
sau modificarea parametrilor acestuia.
 Rezistenţa de izolaţie Riz
Raportul între tensiunea continuă aplicată unui condensator şi curentul
care se stabileşte prin el după un interval de un minut de la aplicarea
tensiunii.
 Tangenta
T t unghiului
hi l i de
d pierderi
i d i tgt 
Raportul între puterea activă disipată pe condensator şi puterea
reactivă a lui măsurate la frecvenţa la care se măsoară capacitatea
nominală: tg  = Pa / Pr*
 Intervalul temperaturilor de lucru (definit similar ca la rezistoare)
 Coeficienţii de variaţie ai capacităţii (definit similar ca la rezistoare)


23
Condensatoare
Performanţele condensatoarelor
Parametrii şi performanţele unui
condensator depind esenţial de tipul
dielectricului şi de tehnologia de
fabricaţie. În practică, tipurile diferite
se pot interschimba destul de rar.
 Domeniile frecvenţelor de lucru
pentru diverse tipuri de
condensatoare (figura alăturată)
Observaţii:
 Un condensator real poate fi aproximat în cele mai multe situaţii cu un
condensator ideal deoarece rezistenţa dielectricului este foarte mare şi
inductanţa parazită este mică.
 La frecvenţe ridicate (chiar medii pentru condensatoarele bobinate care
nu au spirele armăturilor scurtcircuitate), componenta inductivă nu mai
poate fi neglijată iar componenta rezistivă poate să conteze la
frecvenţele la care dielectricul are pierderi ridicate.

24
Condensatoare
Circuite simple cu condensatoare

 Gruparea serie a condensatoarelor
n
1 1

Ces k 1 Ck
 Gruparea în paralel a condensatoarelor
n
Cep   Ck
k 1
ţ
Observaţie:
 Deoarece la legarea în serie, tensiunea nu se distribuie uniform pe
capacităţile componente (ci invers proporţional cu valoarea capacităţii, şi
la capacităţi egale contează rezistenţe de izolaţie care nu poate fi
aceeaşi de la exemplar la exemplar), tensiunea nominală nu este
neapărat egală cu suma tensiunilor nominale ale condensatoarelor din
grupare!


25
Condensatoare
Circuite simple cu condensatoare (cont.)

 Încărcarea condensatorului printr-o rezistenţă
sub tensiune continuă constantă
V  vC dq dv dvC vC V
i  C C   vC  A0  A1  e  pt
R dt dt dt RC RC
  
t 
t
 vC
 1 e 
vC  V  1  e  
  V
  t t
V  vC V   i 
i  e e 
R R I
Concluzii:
 La momentul de timp t = 3 condensatorul se
poate considera complet încărcat.
 Randamentul de încărcare a
condensatorului este egal cu 0,5 şi este
independent de mărimea rezistenţei R.
Condensatorul se încarcă cu energia CV2/2.

26
Condensatoare

 Descărcarea condensatorului printr-o rezistenţă
dq dv dvC vC
vC  r i i  C   0 vC  A1  e  ptt
dt dt dt RC
t t

t V  
vC  V  e  i e  I e 
R
t t
 
q  C V  e   q0  e 
Concluzii:
 Condensatorul se poate considera
descărcat la momentul de timp t = 3
 Energia înmagazinată iniţial în câmpul
electric dintre armăturile condensatorului
este disipată integral sub formă de căldură
de către rezistenţă.


27
Condensatoare

 Încărcarea condensatorului sub un curent constant
dq dv
i  C  C  I  constant
dt dt
I
vC  t
C
Observaţie:
 În timp ce valoarea curentului de încărcare
rămâne constantă în timp, valoarea
tensiunii pe condensator şi, implicit, energia
înmagazinată în câmpul electric dintre
armăturile condensatorului, cresc nelimitat
în timp.
28
Bobine
Definiţie:
Bobina (sau inductorul) este un dipol pentru care impedanţa are un
caracter în special inductiv
inductiv. Parametrul principal al bobinei este inductanţa
electrică.


29
Bobine
Descrierea bobinei în circuit

 Inductanţa electrică notată cu L şi exprimată în
henry [H] este definită ca raportul între fluxul magnetic
 al bobinei şi intensitatea curentului electric prin bobină:
L
L
iL
 În conformitate cu legea inducţiei electromagnetice, relaţia între
tensiunea vL la bornele bobinei idealizate şi curentul iL care parcurge
bobina este
d L di 1
vL   L L sau iL   v L dt
dt dt L
Observaţie:
 Bobina ideală nu permite salturi de curent la bornele sale deoarece iL(t)
trebuie să fie o funcţie continuă.

30
Bobine
Comportarea bobinei în circuit

 În curent continuu, deoarece iL(t) = constant rezultă diL / dt = 0 şi deci
vL = 0. Bobina ideală se comportă în curent continuu ca un scurtcircuit
(rezistenţă de valoare nulă).
 În curent alternativ, în regim armonic
(sinusoidal), bobina ideală se opune
trecerii curentului electric cu o rezistenţă
aparentă numită reactanţă inductivă (notată
cu XL şi exprimată în ohmi)
X L  L  2f L
Observaţie:
 La frecvenţe mari (f  ∞) bobina ideală se comportă ca un circuit
deschis (XL  ∞) iar în curent continuu (f  0), ea este un scurtcircuit
(XL  0).


31
Bobine
Comportarea bobinei în circuit (cont.)

 În curent alternativ, tensiunea la bornele bobinei
ideale este defazată cu /2 înaintea curentului
care străbate bobina.
 Caracteristica curent-tensiune a bobinei
VL  X L I L
 Bobina ideală nu disipă energie ci poate
transmite şi înmagazina energie electrică.
Cantitatea de energie electrică acumulată de o
bobină care este parcursă de curentul iL este
L i2
WL  L
2
Observaţie:
 Pentru o valoare constantă a pulsaţiei ,
caracteristica fiind o dreaptă, bobina
ideală este o componentă liniară.

32
Bobine

bobinelor în schemele electrice
a)) Bobină
B bi ă fă
fără
ă miez
i
b) Bobină cu miez
c) Bobină (simbol tolerat)
d) Bobină cu miez reglabil
e) Bobină variabilă


33
Bobine
Caracteristicile şi performanţele bobinelor

Există o multitudine de variante constructive şi domenii de utilizare a
bobinelor. Există în consecinţă numeroase caracteristici şi performanţe
specifice fiecărei variante constructive şi domenii de utilizare. Este
practic imposibil să se facă o prezentare coerentă a acestora.
Observaţii:
 O bobină reală poate fi foarte bine aproximată cu un circuit R-L serie
ideal.
ideal
 De multe ori însă, mai ales la frecvenţe ridicate, va trebui să ţinem cont
şi de capacităţile parazite destul de mari care apar între spirele bobinei.

34
Bobine
Circuite simple cu bobine

 Bobine cuplate
Două sau mai multe bobine care îşi pot transfera
energie una alteia prin intermediul unor
reactanţe de cuplaj formează un ansamblu de
bobine cuplate.
Două bobine cuplate dispuse pe un acelaşi miez
magnetic formează un transformator.
Ecuaţia care caracterizează bobinele cuplate inductiv (câmpul magnetic
creat de o bobină intersectează spirele celeilalte bobine) este
di
v2  M  1
dt
unde M este inductivitatea mutuală între cele două bobine având
inductivităţile proprii L1 respectiv L2.
Inductanţa de cuplaj între cele două bobine este
Lc  M  k  L1 L2
unde k reprezintă coeficientul de cuplaj magnetic dintre bobina
primară L1 şi bobina secundară L2 (k  1).


35
Condensatoare
Circuite simple cu bobine (cont.)

 Înmagazinarea energiei într-o bobină
sub o tensiune continuă constantă
di
vL  L   V  constant
dt
V
i t
L
Observaţie:
 În timp ce valoarea tensiunii la bornele
bobinei rămâne constantă în timp, valoarea
curentului prin bobină şi, implicit, energia
înmagazinată în câmpul magnetic al
bobinei cresc nelimitat în timp.

Surse electrice
Surse electrice
2
 Definirea,
D fi i caracterizarea
t i şii comportarea
t surselor
l electrice
l t i iindependente
d d t
ideale şi reale
 Caracteristicile surselor electrice independente ideale şi reale
 Surse de putere electrică comandate
Surse electrice 1
Surse electrice
3
Definiţie
O sursă electrică este acel element de circuit care este capabil să
menţină o diferenţă de potenţial la bornele sale.
 Puterea electrică a sursei provine din transformarea unei alte forme de
energie în energie electrică
 Chimică – în cazul pilei de combustie şi pilei galvanice
 Mecanică – în cazul dinamului şi alternatorului
 Termică – în cazul termocuplului
 Radiantă – în cazul celulei fotovoltaice (solare)
 Clasificare după modul de descriere
 Ideale
 Reale
 Clasificare după puterea furnizată
 Surse de putere fixă (independente)
 Surse de putere controlată (dependente)
Surse electrice
4
Simbolurile utilizate pentru reprezentarea grafică
a surselor electrice în schemele electrice
a) Baterie sau sursă electrică de tensiune constantă
b) Celulă fotovoltaică
c)) Sursă de tensiune continuă
d) Sursă de curent continuu
e) Sursă reglabilă de tensiune continuă
f) Sursă reglabilă de curent continuu
g) Sursă de tensiune alternativă (sursă de semnal în tensiune)
h) Sursă de curent alternativ (sursă de semnal în curent)
i) Sursă de tensiune comandată
j) Sursă de curent comandată
k) Sursă de semnal (generator) în impulsuri
l) Sursă de tensiune continuă sau comandată (simbol tolerat)
m) Sursă de curent continuu sau comandată (simbol tolerat)
Surse electrice 2
Surse electrice
5
Notaţiile şi convenţiile utilizate
 iL – curentul prin sarcină;
 iS – curentul prin sursă;
 iL = iS – curentul prin sarcină este egal cu curentul prin sursă;
 vL = RL iL – tensiunea la bornele sarcinii;
 vS – tensiunea la bornele sursei;
 rs – rezistenţa internă a sursei;
 ES – tensiunea electromotoare a sursei;
 vL = vS – tensiunea pe sarcină, egală cu tensiunea la bornele sursei;
 pg = iS ES – puterea totală generată;
 pc = iL vL – puterea consumată în sarcină;
 pp = rS iS – puterea pierdută pe rezistenţa internă a sursei;
 pg = pc + pp – conform legii conservării energiei, puterea totală generată este
suma puterii consumate în sarcină cu puterea pierdută pe
rezistenţa internă a sursei.
Surse electrice independente ideale
Sursele ideale sunt sursele "teoretice" care sunt caracterizate doar prin
generatoare ideale de energie (de tensiune sau de curent). Ele dispun de
putere infinită.
p
Faptul că o sursă electrică practică este de tensiune sau de curent depinde

exclusiv de modul (fenomenul) în care are loc conversia energiei primare în
energie electrică.
Surse electrice 3
Surse electrice
7
Sursă de tensiune independentă ideală
Sursa de tensiune independentă ideală se caracterizează prin faptul că

tensiunea la bornele sale (vS) este fixă şi independentă de curentul de
sarcină (şi deci de sarcină).
Parametrul care caracterizează sursa de tensiune independentă ideală
este tensiunea electromotoare E exprimată în volţi [V]. Rezistenţa
internă a unei surse de tensiune independente ideale este nulă (rS = 0).
Observaţie:
 Teoretic, o astfel de sursă poate debita – într-o sarcină nulă – o putere
infinită.
Surse electrice
8
Sursă de tensiune independentă ideală (cont.)

 Caracteristica sursei
vS  E
 Comportarea în circuit
a) În gol b) Cu rezistenţă de sarcină finită c) În scurtcircuit
vS  v L  E vS  v L  E
vL E E E
iS  i L  0 iS  i L   iS  i L   
RL RL RL 0
p g  v S iS  E  0  0 E2 p g  v S iS  E    
p g  vS iS  E iS  vL iL  pc 
RL
Surse electrice 4
Surse electrice
9
Sursă de tensiune independentă ideală

(cont.)
 p
Reprezentarea g
grafică ţ
a ecuaţiilor
 Pentru sursă (caracteristica)
vS  E
 Pentru sarcină (dreapta de sarcină)
v 1
iL  L   v L  GL v L
RL RL
 Pentru circuit (constrângerile lui)
v  vS  v L
i  iS  i L
 Rezolvarea grafică (suprapunere şi intersecţie)
 Soluţia (punct static de funcţionare, PSF)
 E 
M v , i   M  E , 
 R L
Surse electrice
10
Sursă de curent independentă ideală

Sursa de curent independentă ideală se caracterizează prin faptul că
poate debita un curent constant independent de tensiunea pe sarcină (şi
deci de sarcină).
Parametrul care caracterizează sursa de curent independentă ideală
este curentul debitat I exprimat în amperi [A]. Conductanţa internă a
unei surse de curent independente ideale este nulă (gS = 1 / rS = 0).
Observaţie:
 Teoretic o astfel de sursă poate debita – într-o
Teoretic, într o sarcină infinită – o
putere infinită.
Surse electrice 5
Surse electrice
11
Sursă de curent independentă ideală (cont.)

 Caracteristica sursei
iS  I
 Comportarea în circuit
a) În scurtcircuit b) Cu rezistenţă de sarcină finită c) În gol
iS  i L  I iS  i L  I v S  v L  I RL  I    
vS  v L  0 v S  v L  RL I p g  v S iS    I  
p g  v S iS  0  I  0 p g  v S i S  v S I  v L i L  pc  R L I 2
 Soluţia grafică M  RL  I , I 
12
Surse electrice independente reale
Principala caracteristică a surselor reale constă în faptul că ele nu dispun

de putere infinită. Aceasta se traduce practic prin:
 La o sursă reală de tensiune
tensiune, o dată cu creşterea curentului debitat
scade tensiunea la bornele sale;
 La o sursă reală de curent, o dată cu creşterea tensiunii la bornele sale
scade curentul debitat.
Surse electrice 6
Surse electrice
13
Reprezentarea surselor reale

 Sursele reale au pierderi în interior materializate prin rezistenţa
(conductanţa) internă a sursei.
Sursele de tensiune Sursele de curent

Reprezentarea Thévenin (serie) Reprezentarea Norton (paralel)
Surse electrice
14
Caracteristicile teoretice ale surselor reale

Sursa de tensiune: vS  E  RS iS Sursa de curent: iS  I  GS vS
Concluzie:
 Orice sursă reală va fi descrisă de o ecuaţie care intersectează ambele
axe la valori finite de curent şi tensiune. Cele două reprezentări trebuie
să fie echivalente între ele, sau altfel zis, orice sursă reală poate fi pusă
sub oricare din cele două forme (Thévenin sau Norton).
Surse electrice 7
Surse electrice
15
Relaţiile de transformare Thévenin / Norton (serie / paralel)

 Se deduc uşor punând condiţiile ca sursa să aibă aceleaşi puncte de
funcţionare la limită:
E
 în scurtcircuit (cu vS = 0): I sc  I
RS
I
 în gol (cu iS = 0): Vgol  E 
GS
1 E
 Se obţin: GS  I
RS RS
Observaţii:
Ob ţii
 Transformările reprezentărilor surselor reale din surse de tensiune în
surse de curent sau invers utilizate cu abilitate permit o rezolvare
eficientă a circuitelor electrice (vezi exemplele din diapozitivul următor).
 Dar circuitele sunt echivalente din punct de vedere al curenţilor şi
tensiunilor din circuit dar nu şi din punct de vedere al puterilor
consumate de sursele electrice.
Surse electrice
16
Exemple de utilizare a transformărilor serie / paralel
v L  I  GS || RL   I1  I 2   GS1  GS 2  || RL  

 1 
  GS 2   RL
 E  R
  1  I 2    S1 
 RS1   1  G   R
 S2  L
 RS 1 
I
E1  2
E E1  E2 GS 2
iL   
RS  RL RS1  RS 2   RL R  1  R
S1 L
GS 2
Surse electrice 8
Surse electrice
17
Caracteristicile practice ale surselor reale

De tensiune De curent
Cu limitare Cu limitare de
de curent curent şi tensiune
şi tensiune cu caracteristică
cu întoarcere
(foldback)
Surse electrice
18
Reprezentarea puterilor în sursele reale

 Rezolvarea circuitului cu o sursă reală de tensiune care alimentează o
sarcină rezistivă:
 Caracteristica sursei:
vS  E  RS iS
 Dreapta de sarcină:
v L  RL i L
 Constrângerile circuitului:
v  vS  v L
i  iS  i L
 Soluţia circuitului (coordonatele PSF):
E
i
RS  RL
RL
v  E
RS  R L
Surse electrice 9
Surse electrice
19
Reprezentarea puterilor în sursele reale (cont.)

 Rezolvarea grafică a circuitului:
(vezi graficul alăturat)
 Puterile care intervin în circuit sunt:
 Puterea debitată de generator:
p g  E iS  E i
 Puterea consumată de sarcină:
pc  RL i 2  v L iL  v i
 Puterea p pierdută ppe rezistenţa ţ internă a sursei:
p p  RS i 2  E  vS   iS  E  v   i
 Bilanţul puterilor:
p g  pc  p p
 Aceste puteri reprezintă în spaţiul (v-i) ariile unor dreptunghiuri
reprezentate şi ele în figura alăturată
Surse electrice
20
Reprezentarea puterilor la transfer maxim

De putere De tensiune De curent
pg
pc  p p  vL  E iL  I
2
RL  RS RS  0 RL   RS   RL  0

pc
 0,5 pp  0  1 pc  0  0
pg
Surse electrice 10
21
Surse de putere electrică comandate
Sunt surse electrice reale la care poate fi comandată puterea

electrică debitată în funcţie de valoarea unei mărimi de
comandă electrice
electrice.
Surse electrice
22
Generatorul de curent continuu
Concluzie:
 Cu o putere electrică mică, consumată în circuitul de comandă, putem
interveni asupra conversiei puterii mecanice în putere electrică (care
este cu câteva ordine de mărime mai mare decât puterea de comandă)
asigurând în felul acesta controlul asupra puterii electrice generate.
Surse electrice 11
Surse electrice
23
Generatorul de curent continuu (cont.)

 Un câmp electric de excitaţie este creat datorită curentului Ie care
străbate inductorul alimentat de la o sursă de energie g electrică. Indusul
este rotit în acest câmp magnetic consumându-se o putere mecanică. În Î
indus ia naştere o tensiune electromotoare indusă E care poate genera
la ieşire o putere electrică. Această tensiune electromotoare indusă este
proporţională cu fluxul magnetic de excitaţie Fe şi turaţia n cu care este
rotit indusul. Există însă şi o reacţie internă din partea indusului asupra
înfăşurării de excitaţie materializată prin apariţia unei tensiuni
electromotoare de reacţie Er în interiorul inductorului.
 Puterea electrică generată va putea fi modificată dacă intervenim asupra
tensiunii electromotoare induse E. Aceasta, la rândul ei, poate fi
modificată fie pe cale mecanică – prin modificarea turaţiei n, fie pe cale
electrică – prin modificarea curentului de excitaţie Ie. Varianta a doua
este evident mai convenabilă şi mai uşor de realizat. Pentru a asigura
comanda pe cale electrică se va consuma o anumită putere electrică de
comandă care este mult mai mică decât puterea mecanică consumată şi
decât puterea electrică generată.
Surse electrice
24

 Reprezentările Thévenin de pe circuitele de intrare şi de ieşire ale sursei
comandate pot fi înlocuite cu reprezentări Norton.
 Alegerea reprezentărilor se face după cum este mai comod în aplicaţii:
la legări în serie se preferă reprezentarea Thévenin, iar la legări în
paralel se preferă reprezentarea Norton.
 Dar de cele mai multe ori, în electronică, reprezentările Norton sau
Thévenin se aleg în concordanţă cu funcţionarea dată de procesele
fizice care au loc în sursele comandate.
Surse electrice 12
Surse electrice
25

 Pentru uşurinţa calculelor, sursa de comandă se cuplează la intrarea
sursei comandate:
- în reprezentarea Thévenin, dacă intrarea sursei comandate este o sursă de tensiune;
- în reprezentarea Norton, dacă intrarea sursei comandate este o sursă de curent,
 iar sarcina se cuplează la ieşirea sursei comandate:
- sub formă de rezistenţă, dacă ieşirea sursei comandate este o sursă de tensiune;
- sub formă de conductanţă, dacă ieşirea sursei comandate este o sursă de curent.
 În circuitele electronice, totuşi, se preferă de cele mai multe ori
reprezentarea sursei de comandă inversă decât cea recomandată
pentru uşurinţa
p ş ţ calculelor:
- în reprezentarea Thévenin, dacă intrarea sursei comandate este o sursă de curent;
- în reprezentarea Norton, dacă intrarea sursei comandate este o sursă de tensiune.
 Aceasta deoarece aceste reprezentări sunt mai logice – o sursă de
tensiune, respectiv una de curent, comandă în tensiune, respectiv în
curent, sursa comandată.
Surse electrice
26
Reprezentarea ca un quadripol a unei surse comandate

 Sursa comandată = o cutie neagră cu trei porturi de energie:
de alimentare, de comandă şi generată.
 Din punct de vedere electric, ea poate fi reprezentată ca un quadripol şi
este descrisă de 4 mărimi – două de intrare şi două de ieşire.
 Caracteristica quadripolului:
 este reprezentată de două ecuaţii, două mărimi dependente (una
de ieşire şi una de intrare) explicitate în funcţie de celelalte două
mărimi considerate independente.
Surse electrice 13
Surse electrice
27
Sursă de tensiune comandată în curent

 Caracteristicile sunt descrise de ecuaţiile:
v I  z I iI  z R iO
vO  z D i I  zO iO
unde constantele zI, zR, zD şi zO sunt impedanţe
Surse electrice
28
Sursă de curent comandată în curent

v I  hI i I  hR vO
iO  hD i I  hO vO
unde constantele hI, hR, hD şi hO sunt hibride (hI este rezistenţă, hO este
conductanţă iar hR şi hD sunt adimensionale)
Surse electrice 14
Surse electrice
29
Sursă de tensiune comandată în tensiune

iI   I v I   R iO
vO   D vI   O iO
unde constantele I, R, D şi O sunt hibride (I este conductanţă, O
este rezistenţă, iar R şi D sunt adimensionale)
Surse electrice
30
Sursă de curent comandată în tensiune

iI  y I vI  y R vO
iO  y D vI  yO vO
unde constantele yI, yR, yD şi yO sunt admitanţe
Surse electrice 15
Surse electrice
31
Observaţii:
 În anumite condiţii, care vor fi specificate, dispozitivele electronice active
vor putea fi înlocuite, fiind echivalente, cu surse electrice comandate.
 Varianta de configuraţie aleasă va ţine cont de funcţionarea fizică reală
a dispozitivului.
 În cazul dispozitivelor electronice active, energia electrică de comandă
controlează transferul energiei electrice de la sursa de alimentare la
sarcină.
Surse electrice 16
Materiale semiconductoare
2
 N ţi i ffundamentale
Noţiuni d t l d
despre structura
t t corpurilor
il solide
lid şii conducţia
d ţi
electrică în acestea
 Structura şi caracteristicile semiconductoarelor fără şi cu impurităţi
 Concentraţiile de purtători mobili de sarcină electrică în

semiconductoare şi participarea lor la conducţia în semiconductoare
 Structura şi funcţionarea unei joncţiuni semiconductoare
Materiale semiconductoare 1
Corpuri solide
Sunt corpurile care la temperatura normală îşi păstrează forma şi

dimensiunile neschimbate.
4
Corpuri solide
Structura corpurilor solide

 Atom = nucleu + electroni care gravitează pe diverse învelişuri
 Electronii de valenţă = electronii de pe ultimul înveliş ocupat
 Atom + energie = ion + electron liber (ionizarea atomului)
 Electronul liber poate participa la conducţia electrică
 Energia electronului e mai mare dacă el este mai îndepărtat de nucleu
 Electronul este mai strâns legat de nucleu când este mai aproape de el
 Energia potenţială a electronului în câmpul nucleului este negativă
 Cu cât electronul este mai aproape de nucleu, forţa de legătură este mai
mare, energia potenţială este mai mare în modul, dar fiind negativă este
mai mică (sistemul este mai stabil cu cât energia este mai mică)
 C
Corp solid
lid = structură
t t ă cristalină
i t li ă îîn care atomi
t i şii moleculele
l l l suntt
distribuite în nodurile unei reţele cristaline regulate
 Datorită interacţiunii dintre electroni dintr-o reţea cristalină, nivelele
energetice se scindează, astfel că practic electronii ocupă benzi
energetice şi nu nivele energetice singulare
 Banda de valenţă (BV) = ultima bandă ocupată de electroni
 Banda de conducţie (BC) = prima bandă neocupată de electroni
 Banda interzisă (BI) = banda dintre BV şi BC în care nu pot fi electroni
5
Corpuri solide
Conducţia în corpurile solide
 Conducţia curentului electric într-un corp solid se datorează mişcării

ordonate, sub acţiunea unui câmp electric aplicat din exterior, a unor
purtători mobili de sarcină.
 Clasificarea corpurilor solide din punct de vedere al conducţiei electrice:

 Conductoare (metale) [ = 106 – 108 (m)-1 la temperatura
camerei]i]
 Izolatoare (dielectrici) [ < 10–9 (m)-1 la temperatura camerei]
 Semiconductoare [ = 10–9 – 105 (m)-1 la temperatura camerei]
6
Corpuri solide
W
Banda de
Conductoare (metale) conducţie
 Banda de valenţă nu este ocupată complet Banda de

 Electronii de valenţăţ (eV)
( ) sunt slab legaţi
g ţ de valenţă
atomii reţelei cristaline (BC este lipită de BV)
 Agitaţia termică şi câmpul electric din exterior determină eV să urce pe
nivelele energetice superioare din BC, devenind liberi, deci pot participa
la conducţie devenind astfel electroni de conducţie (eC)
 eC se mişcă haotic în interiorul corpului solid sub forma unui “gaz
electronic” iar sub acţiunea unui câmp electric exterior, mişcarea haotică
capătă un caracter ordonat, dirijat, formând curentul de conducţie
 Legătura metalică (care asigură stabilitatea cristalului) este determinată
tocmai din punerea în comun a eV a tuturor atomilor dintr-un
dintr un cristal
cristal, care
nu mai aparţin unui singur atom ci întregului cristal
 La temperatura camerei există cca. 1028 electroni/m3, ceea ce determină
o rezistivitate mică respectiv o conductibilitate mare  = 106 – 108 (m)–1
 Atomul metalic care a contribuit cu un electron devine un ion pozitiv fix
în reţea care nu poate participa la conducţie
 Cristalul este neutru d.p.d.v. al sarcinilor electrice (numărul eC este egal
cu numărul ionilor ficşi în reţea)
7
Corpuri solide
W
Banda de
Izolatoare (dielectrici) conducţie
Banda
W
 Banda de valenţă este complet ocupată interzisă
 Electronii de valenţă sunt puternic legaţi de Banda de
atomii reţelei cristaline (între BC şi BV există o valenţă
bandă interzisă cu W mare)
 Legătura ionică este puternică deoarece constă în forţe columbiene între
doi ioni de semn contrar, ioni care şi-au realizat configuraţii electronice
stabile (cu ultimul strat de electroni complet ocupat), unul prin cedare şi
celălalt prin captare de electroni
 La temperatura camerei,
camerei puţini electroni pot trece bariera de potenţial
W (puţine legături ionice se pot rupe), existând cca. 107 electroni/m3,
ceea ce duce la o rezistivitate mare respectiv conductivitate mică
 < 10–9 (m) –1
Semiconductoare
D.p.d.v. al conductibilităţii electrice, semiconductoarele constituie o

categorie intermediară între conductori (metale) şi izolatoare (dielectrici)
având conductivitate intermediară  = 10–9 – 105 ((m))-1, puternic
p
dependentă de diverşi factori (temperatură, impurităţi etc.).
Proprietăţile semiconductoare apar în cristale, corpuri solide ale căror atomi
sunt aranjaţi într-o reţea regulată, simetrică şi periodică.
Proprietăţi semiconductoare prezintă elementele tetravalente Ge şi Si,
precum şi unii compuşi intermetalici: GaAs, CdS, ZnO, CdSe, AlGaAs.
9
Semiconductoare
W
Banda de
Semiconductoare fără impurităţi conducţie
Banda
eV nu sunt liberi ci participă la formarea unei
W
 interzisă
legături covalente între atomii din nodurile Banda de
reţelei
ţ l i cristaline
i t li valenţă
 Legătura covalentă constă în punerea în comun W = 0,7eV pentru Ge

1,1 eV pentru Si
de către doi atomi vecini a câte unui eV, cei doi
aparţinând în egală măsură ambilor atomi
 Legătura covalentă este intermediară, adică
electronii nu sunt nici aşa de legaţi de atomi ca + 32
la izolatoare, nici liberi ca la metale

 La elementele din grupa a IV-a, există 4 eV şi
reţeaua cristalină este tetraedrică, astfel încât Ge 32= 2+ 8+ 18+ 4
fiecare atom este situat la egală distanţă de alţi

4 atomi
+ 14
 Astfel, fiecare atom şi-a realizat o configuraţie
stabilă cu 8 electroni pe ultimul strat (4 proprii +
4 de la 4 atomi învecinaţi) Si 14= 2+ 8+ 4
10
Semiconductoare
Semiconductoare fără impurităţi (cont.)

 O reprezentare schematică într-un model
bidimensional al unui cristal de semiconductor
este prezentat alăturat
alăturat.
 Dacă nu intervine o acţiune exterioară (radiaţii),
la temperaturi foarte coborâte, apropiate de
zero absolut, eV sunt ataşaţi atomilor, fără a se
putea deplasa prin reţeaua cristalină (deci nu
pot participa la conducţie). La temperaturi mai
mari, o parte a legăturilor covalente se rup
datorită agitaţiei termice.
 Ruperea unei legături covalente datorită agitaţiei termice se numeşte
generare de purtători mobili
mobili.
 Completarea unei legături covalente rupte cu un electron care se mişcă
liber prin reţea se numeşte recombinare de purtători.
 Agitaţia termică determină continuu ruperea şi completarea legăturilor
covalente. La fiecare temperatură se stabileşte un echilibru dinamic între
cele două fenomene contrarii (generarea şi recombinarea), rezultatul
fiind existenţa unui anumit număr de legături covalente rupte, număr
care este cu atât mai mare cu cât temperatura cristalului este mai mare.
11
Semiconductoare

 Ruperea unei legături covalente determină:
 Apariţia unui electron liber (o sarcină electrică –q, care se deplasează
lib prin
liber i reţea,
ţ unde
d q = 1,61 6 10–19
19 C);
C)
 Apariţia unei legături covalente nesatisfăcute, care este echivalentă cu
o sarcină electrică +q dată de sarcina electrică pozitivă, necompensată,
a nucleului atomic; ea se deplasează în interiorul semiconductorului,
deoarece lipsa electronului din legătura covalentă se poate transfera de
la un atom la altul prin transferul în sens invers al unui electron din
banda de valenţă. Mişcarea complexă a electronilor legaţi în legăturile
covalente este echivalentă din punct de vedere macroscopic cu un gol,
având sarcina electrică +q, care se deplasează liber prin reţea.
 Generarea termică determină apariţia unei perechi electron
electron-gol,
gol iar
recombinarea determină dispariţia unei perechi electron-gol.
 Determinarea curentului electric necesită cunoaşterea numărului de
purtători mobili participanţi la conducţie. Specificarea acestui număr se face
prin intermediul concentraţiei de purtători mobili, reprezentând numărul
de purtători mobili de sarcină din unitatea de volum (n = număr
electroni/unitatea de volum, p = număr goluri/unitatea de volum).
 Pentru semiconductorul fără impurităţi, n = p. Semiconductorul este neutru
d.p.d.v. al sarcinilor electrice.
12
Semiconductoare

Concluzii:
 Un semiconductor are două feluri de purtători mobili de sarcină: goluri
cu sarcina electrică +q şi electroni cu sarcina electrică –q; mişcările
golurilor şi electronilor sunt aleatoare şi independente una de cealaltă.
 Electronii respectiv golurile sunt nişte modele care descriu mişcarea
electronilor de conducţie respectiv a electronilor de valenţă în interiorul
unui semiconductor. Ambele participă la conducţie fiind mobile.
 Semiconductorul pur, fără impurităţi, se numeşte semiconductor
intrinsec deoarece proprietăţile sale sunt intrinseci materialului
materialului. La o
temperatură dată, semiconductorul se găseşte într-un echilibru dinamic.
În permanenţă în semiconductor se generează şi se recombină perechi
de purtători mobili. Numărul purtătorilor generaţi în unitatea de timp este
egal cu numărul purtătorilor care se recombină în unitatea de timp.
Numărul purtătorilor existenţi la un moment dat este dependent de
temperatura la care se află semiconductorul, fiind cu atât mai mare cu
cât temperatura este mai mare.
13
Semiconductoare
Semiconductoare cu impurităţi donoare

 Prezenţa unei cantităţi infime de impurităţi
BC
modifică echilibrul între concentraţiile
golurilor şi electronilor (n  p).
p)
Wdonor
 Impurităţile donoare sunt constituite din BI
atomi pentavalenţi, ca de exemplu: Fosfor,
Arseniu, Bismut, Stibiu. Concentraţia
donorilor este notată cu Nd. BV
 Ionizarea atomului de impuritate are
următoarele efecte:
0K 300 K
 apariţia unui electron liber (nu apar
perechi electron-gol!);
 iţi uneii sarcini
apariţia i i electrice
l t i pozitive
iti
fixe (+q) dată de nucleul atomului de
impuritate ionizat.
 În semiconductoare cu impurităţi donoare,
concentraţia electronilor este mai mare
decât a golurilor (n > p). Semiconductorul
este de tip n. El este neutru deoarece
sarcina electronilor liberi este compensată
de sarcina pozitivă a ionilor ficşi în reţea.
14
Semiconductoare
Semiconductoare cu impurităţi acceptoare

 Impurităţile acceptoare sunt formate din BC
atomi trivalenţi,ţ ca de exemplu:
p Bor,
Aluminiu, Galiu, Indiu. Concentraţia
acceptorilor este notată cu Na. BI
Wacceptori
 Ionizarea atomului de impuritate are
următoarele efecte: BV
 apariţia unui gol care se deplasează
liber prin reţea; 0K 300 K
 apariţia unei sarcini electrice negative
fixe ((–q)
q), datorată ionizării atomului de
impuritate.
 În semiconductoare cu impurităţi acceptoare,
concentraţia golurilor este mai mare decât a
electronilor (p > n). Semiconductorul este de
tip p. El este neutru deoarece sarcina
golurilor libere este compensată de sarcina
negativă a ionilor ficşi în reţea.
15
Semiconductoare
Denumiri frecvent folosite

 semiconductor intrinsec – un semiconductor fără impurităţi;
 semiconductor extrinsec – un semiconductor cu impurităţi donoare
sau acceptoare;
 dopare – introducerea de impurităţi în semiconductor;
 semiconductor tip n – un semiconductor la care predomină impurităţile
donoare şi deci numărul de electroni este mai mare decât numărul de
goluri;
 semiconductor tip p – un semiconductor la care predomină impurităţile
acceptoare şi deci numărul de goluri este mai mare decât numărul de
electroni;
 purtători majoritari – purtătorii mobili, de acelaşi tip cu cei daţi de
impurităţile predominante;
 purtători minoritari – purtătorii mobili de tip opus cu cei daţi de
impurităţile predominante.
16
Concentraţii de purtători mobili

de sarcină în semiconductor
Pentru a exprima cantitativ curenţii într-un semiconductor, este necesar să

cunoaştem concentraţiile de purtători mobili – de goluri (p) şi de electroni
((n)) – într-un semiconductor a cărui impurificare
p ((concentraţiile
ţ atomilor
acceptori Na şi donori Nd) este cunoscută.
17
Concentraţii de purtători mobili la echilibru termic

 Un semiconductor este la echilibru termic dacă nu este supus unor
influenţe perturbatoare externe (radiaţii ionizante, radiaţii luminoase,
injecţii de purtători mobili din exterior sau câmpuri electrice şi magnetice
perturbatoare).
 Densitatea de sarcină electrică pozitivă (totală = mobilă plus fixă):
q(p + Nd) = qp + qNd
 Densitatea de sarcină electrică negativă (totală = mobilă plus fixă):
q(n + Na) = qn + qNa
 Densitatea totală de sarcină va fi:
v = q(p + Nd – n – Na)
Concluzii:
 Într-un semiconductor omogen (dopat uniform) aflat la echilibru termic,
densitatea de sarcină electrică se anulează, respectiv avem v = 0.
 La echilibru putem scrie:
p – n = N a – Nd
18
Concentraţii de purtători mobili la echilibru termic (cont.)

 În fizica statistică se demonstrează că produsul concentraţiilor de
purtători mobili la echilibru este independent de tipul şi numărul
impurităţilor introduse, respectiv avem
n0  p0  ni 2 T 
 Mărimea ni(T) se numeşte concentraţie intrinsecă şi este o constantă
în raport cu concentraţiile de impurităţi, dar depinde puternic de
temperatură.
 Concentraţiile de purtători mobili la echilibru se pot determina rezolvând
sistemul de ecuaţii
n0  p0 = ni2(T)

 p0  n0 = N a  N d
 Soluţiile pozitive ale ecuaţiei de gradul II care se formează sunt:
Na  Nd  N a  N d 2  4ni2  N a  N d   N d  N a 2  4ni2
p0  n0 
2 2
19
Concentraţii de purtători mobili la echilibru termic (cont.)

 Particularizarea soluţiilor pentru cele două tipuri de semiconductoare:
 Pentru un semiconductor tip p cu Na > Nd, notând concentraţie
efectivă de impurităţi acceptoare cu NA = Na – Nd, cum uzual
avem NA > > ni rezultă: 2
n
p0  N A şi n0  i
NA
 Pentru un semiconductor tip n cu Nd > Na, notând concentraţie
efectivă de impurităţi donoare cu ND = Nd – Na, cum uzual avem
ND > > ni rezultă:
n2
n0  N D şi p0  i
ND
 Variaţia cu temperatura a concentraţiei intrinseci ni este descrisă
aproximativ de relaţia
ni2 T   ni2 T0   e a T T0 
a [1/K] ni(T0) [cm–3]
Ge 0,12 1013
 Valori orientative pentru ni(T0) şi a sunt date în tabel Si 0,18 1010
20
Purtători în exces
 Se numesc purtători în exces purtătorii mobili care produc abateri ale
concentraţiilor de purtători mobili faţă de valorile de echilibru:
p' = p – p0 şi n' = n – n0 (cu p  p0 şi n  n0).
 Aceste concentraţii pot fi atât pozitive (creşteri), cât şi negative (scăderi).
Densitatea de sarcină este în acest caz
 v  q   p  N d  n  N a   q   p0  N d  n0  N a   q   p' n'   q   p' n' 
 Într-un semiconductor dopat uniform, densităţile de purtători în exces
(goluri şi electroni) sunt peste tot aproximativ egale: p – p0 = n – n0.
 În majoritatea cazurilor se consideră căcă, şi în afara echilibrului
echilibrului,
neutralitatea electrică se păstrează, respectiv putem scrie v  0.
Aceasta reprezintă o aproximaţie şi se numeşte condiţia de
cvasineutralitate electrică.
 Se numesc nivele mici de injecţie situaţiile în care concentraţia
purtătorilor minoritari nu depăşeşte 5 % din concentraţia purtătorilor
majoritari. În aceste condiţii cvasineutralitatea electrică este respectată.
21
Variaţia temporală a purtătorilor în exces

 Dacă la un moment dat apare o abatere (exces sau lipsă) faţă de
valorile la echilibru, aceasta va dispare în timp, sistemul tinzând să
revină la echilibru (un exces favorizează recombinarea iar o lipsă
favorizează generarea). Variaţia în timp a purtătorilor în exces este
exponenţială: t

p
p t   p0   p0   p0  e
p(t)-p0
unde p0 este concentraţia la p(0)-p0
echilibru p(0) este concentraţia la
echilibru,
momentul t = 0, iar t = p este
durata medie de viaţă a unui gol
în exces (având semnificaţia p(0)-p0
______ t
__
e e-  p
duratei în care concentraţia în
exces a golurilor dispare – scade
p0
de e ori). 0 t
22
Variaţia spaţială a purtătorilor în exces

 Dacă la unul din capetele unei bare de semiconductor apare un exces
de goluri (sau de electroni) faţă de valorile la echilibru, aceştia vor difuza
în interiorul semiconductorului, dar pe măsură ce ei difuzează, se şi
recombină, astfel încât concentraţia în exces a golurilor scade
exponenţial: x

p x   p0   p0   p0  e
Lp
p(x)-p0
unde p0 este concentraţia la p(0)-p0
echilibru p(0) este concentraţia la
echilibru,
capătul barei semiconductorului
x = 0, iar x = Lp este lungimea
medie de difuzie a golurilor p(0)-p0
______ x
__
(având semnificaţia lungimii pe e e- L
p
care difuzează golurile în exces

p(x)-p0
până la recombinare – când
0 Lp x
concentraţia lor scade de e ori).
23
Curentul electric în semiconductor
 Purtătorii mobili de sarcini (golurile şi electronii) sunt într-o mişcare

continuă, aleatoare, în interiorul cristalului de semiconductor. Această
mişcare
ş se desfăşoară
ş sub forma unor deplasări
p p
printre atomii reţelei,
ţ ,
ciocnire cu aceştia, schimbarea direcţiei de mers etc. Vectorul viteză
este o mărime aleatoare şi este egal probabil în orice direcţie. Această
mişcare nu produce curent electric.
 Pentru apariţia unui curent electric, este necesar ca purtătorii mobili de
sarcină să se deplaseze preferenţial într-o anumită direcţie, astfel încât
să avem un transport de sarcină electrică într-un anumit sens.
24
Curentul electric de drift

 Apare datorită influenţei unui câmp electric intern.
 Apar vitezele de drift, viteze medii nenule date de interacţiunea
purtătorilor mobili de sarcină cu câmpul electric extern, viteze mult mai
mici decât vitezele datorate agitaţiei termice care au componente medii
nule.
 Având sarcini diferite dar şi deplasări pe direcţii diferite, golurile şi
electronii au curenţii de drift de acelaşi sens, sensul câmpului electric.
 Densitatea totală de curent de drift este
 
J drift=J p  J n  q  p p  n n  E
 S d
Se defineşte
fi t conductivitatea
d ti it t materialului
t i l l i semiconductor
i d t ca fiind
fii d
mărimea

σ  q  p μ p  n μn 
unde mărimile p şi n reprezintă constantele de proporţionalitate ale
vitezelor de drift cu câmpul electric şi se numesc mobilităţi. Unitatea de
măsură a mobilităţilor este [cm2/Vs].
 Curenţii de drift ai golurilor şi electronilor nu sunt egali la acelaşi câmp
electric.
25
Curentul electric de difuzie

 Apare dacă există un gradient de concentraţie al purtătorilor mobili de
sarcină electrică.
 Purtătorii de sarcină difuzează în materialul semiconductor, fiind liberi,
tinzând să restabilească echilibrul prin anularea diferenţei de
concentraţie între zonele diferite ale semiconductorului.
 Sensul deplasării purtătorilor mobili datorită variaţiei concentraţiei este
acelaşi pentru electroni şi goluri, deplasarea făcându-se din zonele cu
concentraţie mai mare către zonele cu concentraţie mai mică. Curenţii
de difuzie asociaţi sunt însă de semne contrare datorită sarcinilor
electrice opuse
p ale ggolurilor şşi electronilor.
 Expresiile curenţilor de difuzie ale golurilor şi electronilor sunt
dp x  dnx 
J p   q D p  J n  q Dn 
dx dx
unde constantele Dp şi Dn se numesc constante de difuzie şi au ca
unitate de măsură [cm2/s].
 Pentru acelaşi gradient de concentraţie, curenţii de difuzie a golurilor şi
electronilor nu sunt egali datorită constantelor de difuzie diferite Dp  Dn.
26
Joncţiunea pn
 Prin procedee speciale, în structura monocristalului de semiconductor

pot fi incluse selectiv în regiuni învecinate impurităţi acceptoare
respectiv
p donoare.
 Fenomenele care apar la aceste treceri între regiuni de conductivitate
diferită stau la baza funcţionării majorităţii dispozitivelor electronice
semiconductoare.
27
Joncţiunea pn
Structura joncţiunii pn
 O distribuţie neuniformă de impurităţi
care produce o trecere abruptă de la un
material
t i l semiconductor
i d t d de titip p la
l un
material de tip n în volumul aceluiaşi
cristal de semiconductor determină
formarea unei joncţiuni pn.
 Se numeşte joncţiune metalurgică
suprafaţa de separaţie unde doparea
efectivă se schimbă de la atomi
acceptori la atomi donori.
 Vom folosi pentru explicaţii un model
bidi i
bidimensional. l
 Zona haşurată din jurul joncţiunii
metalurgice marchează regiunea de p p 0  n p 0 nn 0  pn 0
trecere. Există o porţiune p şi una n a
regiunii de trecere.
 Porţiunile p şi n rămase în afara regiunii
de trecere sunt regiuni neutre. Avem o
regiune neutră n şi o regiune neutră p.
28
Joncţiunea pn
Procese fizice în joncţiune

 Difuzia purtătorilor majoritari şi
golirea de purtători mobili a regiunii de trecere
 Datorită gradientului de concentraţie, golurile difuzează din regiunea
p în n. Aici, ele devin purtători minoritari şi sunt anihilate în cea mai
mare parte prin recombinare cu electronii liberi.
 Acelaşi lucru se întâmplă şi cu electronii, purtători majoritari în n,
care difuzează şi se recombină în p.
 Într-o zonă foarte îngustă în jurul
joncţiunii metalurgice, apare o lipsă p n
de purtători mobili (care fie au difuzat, + + + - - -
- - -
fie s-au recombinat), concentraţia A + + + -
+
-
+
-
+
K
lor scăzând brusc faţă de zonele - - - + + +
+ + + - - -
neutre mai depărtate. - - - + + +
_ _ +
Această zonă formează E
regiunea de trecere a joncţiunii. ioni fixi în reţea
purtători mobili de sarcină
29
Joncţiunea pn
Procese fizice în joncţiune (cont.)

 Formarea câmpului electric intern
 Reducerea masivă a numărului p purtătorilor mobili în regiunea g de
trecere a joncţiunii produce un dezechilibru de sarcini electrice.
Sarcina electrică a atomilor de impuritate ionizaţi, nu mai este
compensată de sarcina electrică a purtătorilor mobili.
 În regiunea de trecere p, sarcina electrică a atomilor acceptori
ionizaţi negativ nu mai este compensată de sarcina electrică pozitivă
a golurilor. Apare o sarcină negativă fixă în imediata apropiere a
joncţiunii metalurgice.
 Similar şi în regiunea n apare o
p
sarcină electrică po
pozitivă
iti ă fifixă.
ă n
+ + + - - -
 Cele două sarcini determină apariţia - - - + + +
A K
unui câmp electric intern îndreptat -
+
-
+
-
+ -
+
-
+
-
+
de la n la p aflat exclusiv în interiorul + + + - - -
- - - + + +
regiunii de trecere. Cu cât diferenţa _ _ +
concentraţiilor de impurităţi este mai E
mare cu atât câmpul electric intern ioni fixi în reţea
este mai intens. purtători mobili de sarcină
30
Joncţiunea pn
Procese fizice în joncţiune (cont.)

 Interacţiunea dintre câmpul electric intern şi purtătorii mobili
 Câmpul electric intern
intern, îndreptat de la n la p,
p prin forţe electrostatice,
electrostatice
are tendinţa să împingă golurile – sarcini pozitive – spre regiunea p
(în sensul câmpului) şi electronii – sarcini negative – spre regiunea n
(în sens opus câmpului).
Aceasta are ca efect:
 Frânarea difuziei purtătorilor majoritari,
 Antrenarea (driftul) purtătorilor minoritari.
p n
+ + + - - -
- - - + + +
A + + + - - - K
- - - + + +
+ + + - - -
- - - + + +
_ _ +
E
ioni fixi în reţea
purtători mobili de sarcină
31
Joncţiunea pn
Joncţiunea pn la echilibru
A K
 Când joncţiunea pn este la echilibru,
+
curentul total (drift plus difuzie) de goluri –
şi curentul total de electroni trebuie să +
fie zero. –
 Transportul de sarcină produs de difuzia

difuzie
purtătorilor majoritari va fi echilibrat de Majoritari
minoritari
+ goluri (p)
– electroni (n) drift
driftul purtătorilor minoritari.
 Zona în care se formează câmpul i pM  i pm
electric ((regiunea
g de trecere)) se extinde
inM  inm
atât cât este necesar pentru ca A K
egalitatea celor două componente să fie ipM
asigurată. inM
 Difuzia purtătorilor majoritari este ipm
frânată până la nivelul curentului produs inm
de antrenarea purtătorilor minoritari _
E
generaţi în interiorul regiunii de trecere.
32
Joncţiunea pn
Variaţiile principalelor mărimi în joncţiune la echilibru

a) Concentraţia impurităţilor b) Densitatea de sarcină c) Concentraţiile de
purtători mobili d) Câmpul electric e) Potenţialul intern
33
Joncţiunea pn
Joncţiunea pn polarizată direct

 La aplicarea unei tensiuni din exterior, câmpul electric produs de
aceasta se suprapune peste câmpul electric intern.
 Polarizare directă = aplicarea unei tensiuni exterioare cu plus la p şi
minus la n (+ la anod şi – la catod)
 Câmpul electric produs de tensiunea aplicată este de sens contrar
câmpului electric intern. Câmpul electric total se micşorează şi bariera
de potenţial scade.
 Difuzia purtătorilor majoritari este mai
puţin
p ţ frânată,, iar driftul purtătorilor
p + –
minoritari scade. A K
 Echilibrul de curenţi se strică şi prin ipM

joncţiune circulă un curent determinat inM
în principal de difuzia purtătorilor ipm
inm
majoritari. Datorită numărului mare
_
al acestora, curentul are valori E
semnificative – joncţiunea conduce.
34
Joncţiunea pn
Joncţiunea pn polarizată invers

 Polarizare inversă = aplicarea unei tensiuni exterioare cu minus la p şi
plus la n (– la anod şi + la catod).
 Câmpul electric produs de tensiunea aplicată la borne este de acelaşi
sens cu câmpul electric intern. Câmpul electric total creşte şi bariera
(diferenţa) de potenţial creşte.
 Difuzia purtătorilor majoritari este practic blocată. Driftul purtătorilor
minoritari creşte, dar numărul mic al
acestora nu duce decât la apariţia
unui curent foarte mic prin joncţiune. – +
 Joncţiunea este practic blocată, A K
curentul prin joncţiune fiind neglijabil. ipM
 Zona din jurul joncţiunii metalurgice inM
în care apare sarcină electrică ipm
necompensată şi câmp electric inm
_
intern se mai numeşte regiune E
de sarcină spaţială.
35
Joncţiunea pn
Concluzii:
 În vecinătatea joncţiunii metalurgice, pe o distanţă de ordinul micronilor,
apare o regiune de trecere caracterizată prin:
 Existenţa unei sarcini spaţiale dipolare imobile
 Lipsa purtătorilor mobili de sarcină
 Rezistivitate mult mai mare ca a regiunilor neutre
 Existenţa unui câmp electric intern intens
 Existenţa unei bariere de potenţial care
 se opune trecerii purtătorilor majoritari
 favorizează trecerea purtătorilor minoritari
 Prin polarizarea joncţiunii:
Directe Inverse
Regiunea de trecere Se îngustează Se lărgeşte
Rezistenţajoncţiunii Scade Creşte
Bariera de potenţial Se reduce Creşte
36
Joncţiunea pn
Observaţii:
 Adeseori, concentraţiile de impurităţi din regiunile p şi n diferă foarte
mult ca valoare. O asemenea joncţiune nesimetrică se notează cu +
în dreptul regiunii mai puternic dopate (p+n dacă NA >> ND).
Într-o astfel de joncţiune:
 Regiunea de trecere se găseşte practic în întregime în regiunea
slab dopată şi lărgimea ei este practic determinată de concentraţiile
din această regiune;
 Curentul direct va fi predominant de purtătorii majoritari ai regiunii
puternic dopate
p p (g
(goluri la jjoncţiunea
ţ p+n).
)
 Dispozitivele semiconductoare la care curentul este condus de două
tipuri de purtători de sarcină se numesc dispozitive bipolare. Cele la
care curentul este dat de un singur purtător de sarcină se numesc
dispozitive unipolare.
 Condiţia de funcţionare a unei joncţiuni este ca trecerea de la o
conductibilitate la alta să se facă pe o distanţă foarte scurtă.
37
Joncţiunea pn
Curentul prin joncţiunii pn

 Teoria din fizica solidului demonstrează următoare expresie a curentului
prin joncţiune (ecuaţia joncţiunii idealizate):
 qVD 
 
I D  I S   e kT  1
 
 
unde q este sarcina elementară, k constanta lui Boltzman, T este
temperatura absolută iar IS este curentul de saturaţie al joncţiunii.
Observaţii:
 Mărimea vT = kT/q = 26mV la T = 300K se numeşte tensiune termică.
 Dependenţa curent-tensiune este puternic neliniară datorită prezenţei
funcţiei exponenţiale.
 Sensul curentului ID şi al tensiunii VD pentru care este valabilă ecuaţia
este cel dat alăturat împreună cu simbolul diodei.
 Curentul de saturaţie IS este direct proporţional cu aria joncţiunii şi
concentraţiile de purtători minoritari.
38
Joncţiunea pn
Caracteristica idealizată a joncţiunii pn

 Dependenţa ID(VD) dată sub forma grafică se numeşte caracteristica
idealizată a joncţiunii.
 În figura a) este reprezentată această caracteristică la curenţi direcţi
mici, de acelaşi ordin de mărime cu curentul de saturaţie IS.
Caracteristica b) este reprezentată la curenţi mult mai mari decât IS.
 Caracteristica diodei trece prin origine dar acest lucru este mai puţin
vizibil în graficul de la curenţi mari.
 Se observă de asemenea
că pentru a avea un curent
semnificativ prin diodă,
tensiunea la bornele diodei
trebuie să depăşească o
tensiune minimă numită
tensiune de deschidere
a diodei.
Dioda semiconductoare
2
 Caracteristica idealizată a diodei şi abateri de la această caracteristică
 Influenţa temperaturii asupra parametrilor diodei
 Funcţionarea şi caracteristica diodei Zener
 Rezolvarea unor circuite de curent continuu cu diodă
 Aproximaţii ale caracteristicii diodei şi schemele echivalente

corespunzătoare
 Prezentarea altor tipuri de diode
 Simbolurile şi parametrii de catalog ai diodelor
 Câteva exemple de circuite fundamentale cu diodă
Dioda semiconductoare 1
3
Prezentarea diodei
 O joncţiune pn este în esenţă un monocristal de semiconductor în care
se află două zone dopate diferit, una de tip p şi una de tip n.
 Dioda este o joncţiune pn împreună cu ansamblul mecanic constituit din

terminalele care fac contact electric la cele două regiuni de
conductivitate diferită şi carcasa care asigură protecţia joncţiunii.
 Contactul la regiunea p se numeşte anod, iar cel la regiunea n se

numeşte catod.
 Există şi diode care au la bază un contact metal-semiconductor în loc de

o joncţiune pn (diodele Schotky).
Descrierea şi comportarea diodei în circuit
5
Descrierea diodei în circuit

 Sensurile pozitive ale tensiunii la borne vD şi
curentului prin diodă iD sunt alese prin convenţie
cele prezentate în figura alăturată împreună cu
simbolul utilizat pentru reprezentarea diodei în
circuitele electronice.
 Ecuaţia care descrie dioda în circuit este ecuaţia joncţiunii ideale:
 
I D  I S  e qVD kT  1
 unde:
 IS – se numeşte t curentt de
d saturaţie
t ţi all di diodei
d i şii are valori
l i cuprinse
i
între [10–8 ... 10–11] A pentru siliciu şi [10–5 ... 10–8] A pentru
germaniu;
 VT = kT/q – se numeşte tensiune termică şi are valoarea de 25 mV
la temperatura T = 300 K (aproximativ 27°C).
 Reprezentarea grafică a ecuaţiei diodei iD(vD) (ecuaţia joncţiunii ideale)
se numeşte caracteristica idealizată a diodei.
6
Descrierea diodei în circuit (cont.)

 Dependenţa inversă, tensiune-curent, este dată de ecuaţia
kT I 
VD   ln D  1
q  IS 
 În conducţie directă, când curentul prin diodă este mult mai mare decât
curentul de saturaţie, cele două ecuaţii se pot aproxima cu:
qV
D
kT I
I D  I S e kT VD  ln D
q IS
Observaţie:
 Aceste relaţii pun în evidenţă posibilitatea folosirii diodei ca element de
exponenţiere, respectiv logaritmare.
7
Caracteristica idealizată a diodei

 Se numeşte polarizare directă aplicarea unei tensiuni pozitive VD > 0,
((+ la anod şi – la catod) la bornele diodei.
 Se numeşte polarizare inversă aplicarea unei tensiuni VD < 0
(– la anod şi + la catod) la bornele diodei.
 Comportarea diodei în circuit:
 La polarizarea directă dioda conduce, valoarea curentului fiind în
general determinată de circuitul exterior. Dioda prezintă o cădere
mică de tensiune la borne şi se comportă
ca o rezistenţă de valoare mică.
mică
 La polarizare inversă, dioda este blocată
(nu conduce), curentul prin diodă fiind practic
nul (ID  0). Tensiune la bornele diodei este
determinată de circuitul exterior şi dioda se
comportă ca o rezistenţă de valoare mare.
8
Caracteristici reale ale diodelor cu Ge şi Si

 Străpungerea unei diode înseamnă apariţia unui curent invers prin
diodă mult mai mare decât curentul de saturaţie IS, atunci când este
polarizată invers.
 Caracteristicile au axele scalate corespunzător. ID
[mA]
Ge Si
Coeficientul m
1
1,3 … 1,6 Ge Si
în ecuaţia diodei idealizate (variaţii abrupte)
Tensiunea de deschidere 0,1 … 0,2 0,4 ..0,6
Căderea di
Căd directă
tă de
d tensiune
t i 02…0
0,2 0,3
3 06…0
0,6 0,7
7 [V]
[zeci V]
(la curenţi mari) (0,5 … 0,6) (0,8 … 1,2)
zeci de zeci de
VD
Curentul de saturaţie
nA ... A pA … nA
Gama temperaturilor
< 80 C < 125 C
de lucru
mici mari
Tensiuni de străpungere
zeci de V sute de V [A]
Rezolvarea circuitelor cu diode
Ca şi la circuitele electrice, rezolvarea unui circuit electronic înseamnă

determinarea tuturor mărimilor care descriu funcţionarea componentelor
pasive şşi active în circuit,, adică tensiunile la bornele componentelor
p p şşi
curenţii care le străbat.
10
Exemplu de circuit cu o diodă

 Ecuaţiile circuitului alăturat sunt:
 dreapta de sarcină:
E  R  I D  VD
 caracteristica diodei:
 
I D  I S  eVD VT  1
 Sistemul de ecuaţii
ţ este transcendent şiş nu are o soluţie
ţ exprimabilă
p sub
formă algebrică (prin formulă).
 Acest sistem de ecuaţii nu poate fi rezolvat decât grafic sau numeric.
11
Rezolvarea numerică a circuitelor cu diode

 Se transformă ecuaţiile astfel: Iteraţia Vd [V] Id [mA]
E  VD  ID  1 0 5
ID  l 
VD  VT  ln  1
 Algoritm:
R  IS  2 0,63559045 4,68220477
3 0,63389620 4,68305190
 Se ia iniţial VD = 0 (s-a considerat o diodă
4 0,63390086 4,68304957
cu Si) şi se calculează curentul prin diodă
5 0,63390085 4,68304957
din prima ecuaţie.
6 0,63390085 4,68304957
 Cu valoarea curentului obţinută la primul 7 0,63390085 4,68304957
pas se determină din a doua ecuaţie o 8 0,63390085 4,68304957
nouă valoare pentru tensiunea pe diodă VD. 9 0,63390085 4,68304957
Această valoare devine valoarea iniţială 10 0,63390085 4,68304957
pentru pasul anterior şi calculele se repetă.
 Convergenţa acestor iteraţii (stabilizarea valorilor tensiunii şi curentului
de la o iteraţie la alta) este foarte rapidă datorită funcţiei logaritmice.
 Această rezolvare este evident posibilă numai într-o situaţie numerică
bine determinată.
12
Rezolvarea grafică a circuitelor cu diode

 Soluţia sistemului (intersecţia dintre dreapta
de sarcină şi caracteristica diodei) se
numeşte punct static de funcţionare şi este
punctul de coordonate (VD0, ID0).
 Valoarea rezistenţei R reprezintă panta
dreptei de sarcină; modificarea lui R
înseamnă schimbarea acestei pante;
 Valoarea tensiunii E reprezintă punctul de
intersecţie
ţ al dreptei
p de sarcină cu axa Ox;;
modificarea valorii lui E înseamnă
translatarea dreptei paralel cu ea însăşi.
 Utilizarea metodei grafice pentru un caz
concret numeric nu este indicată. Această
rezolvare nu este precisă şi nici rentabilă din
punct de vedere al volumului de lucru.
13
Concluzii
 Rezolvarea grafică este relevantă în cazurile
 când nu se cunosc valori precise ale valorilor elementelor din
schemă
 când se urmăresc aspecte generale legate de modificarea unora din
parametrii circuitului.
 Rezolvarea numerică este rapidă şi precisă.
 Atenţie! – modificarea temperaturii cu numai patru grade duce la

d bl
dublarea curentului
t l idde saturaţie
t ţi şii schimbă
hi bă d
datele
t l calculului.
l l l i
 Pentru a urmări evoluţia tensiunii la borne şi a curentului prin diodă cu
variaţia temperaturii trebuiesc efectuate o mulţime de calcule destul de
laborioase.
 Evident utilizarea unui program specializat de simulare se impune.
14
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la

variaţii lente în timp (în curent continuu)
Pentru aprecierea aproximativă şi rapidă a comportării circuitelor cu diode,

atunci când tensiunile sau valorile componentelor din circuit sau ambele se
schimbă,, s-au dezvoltat modele aproximative
p p
pentru caracteristica diodei.
Analiza unui circuit are două etape:
- analiza calitativă sau analiza funcţionării acestuia;
- analiza cantitativă sau analiza numerică a acestuia.
Această împărţire se face în scopul simplificării analizei numerice şi pentru
a obţine o imagine rapidă, globală, a ceea ce se întâmplă în circuit.
15
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la variaţii lente în timp (în curent continuu)
Dioda ideală
 Dioda ideală – este o diodă a cărei caracteristică
curent tensiune arată ca cea alăturată.
curent-tensiune
 Dioda ideală se comportă ca un comutator ideal
comandat de tensiunea la borne:
 pentru tensiuni negative dioda este un circuit
întrerupt;
 când tensiunea la borne are tendinţa să
devină pozitivă dioda devine un scurtcircuit,
zero
forţând tensiunea la borne la valoarea zero,
curentul fiind limitat doar de circuitul exterior.
 Curentul prin dioda ideală este
0 pentru v D  0
iD  
 nedefinit pentru vD  0
16
Dioda ideală cu cădere de tensiune

 Acest model pentru caracteristica diodei şi
circuitul echivalent corespunzător ţin cont de
căderea de tensiune la borne dar fac abstracţie
de variaţia tensiunii la borne atunci când se
modifică curentul prin diodă.
 Curentul prin diodă va fi dat de relaţia
0 pentru v D  0
iD  
nedefinit pentru v D  VD
 Această aproximaţie a caracteristicii diodei este
valabilă în general pentru o gamă de variaţie a
curentului prin diodă care să nu depăşească un
raport între valoarea maximă şi minimă de 10:1.
 Tensiunea la bornele diodei în conducţie
depinde de gama de curenţi în care se lucrează.
17
Dioda ideală cu caracteristică liniarizată

 Aceasta este o aproximare mai exactă a
caracteristicii diodei, în care se pune în evidenţă
variaţia tensiunii la borne cu curentul prin diodă,
printr-o relaţie simplă.
 În conducţie dioda este echivalentă cu o sursă
de tensiune VD şi o rezistenţă RD, a căror
semnificaţie se poate vedea din caracteristica
diodei.
 Aproximarea
p introdusă este acceptabilă
p dacă
gama de variaţie a curentului prin diodă nu
depăşeşte raportul [1:10 … 1:15].
 Circuitul echivalent este liniar, ceea ce simplifică
analiza.
18
Liniarizarea în jurul unui punct de funcţionare

 Pentru o diodă care lucrează numai în conducţie,
la variaţii mici şi lente de tensiune şi curent, în
jurul unui punct de funcţionare, caracteristica sa
se poate aproxima în intervalul respectiv cu
tangenta la curbă în punctul de funcţionare.
 Panta caracteristicii vD / iD = tg  = rD defineşte
rezistenţa dinamică a diodei.
 Din ecuaţia diodei în conducţie
v D  VT  ln iD I S 
avem
 di  V
dv D  VT   D   rD  T
 D 
i ID
 Dacă se ţine cont recombinarea în interiorul
regiunii de trecere, atunci
m VT
rD 
ID
19
Sinteza aproximărilor caracteristicii diodei

 (a) RON = 0, ROFF = , VD = 0;
 (b) RON = 0, ROFF = , VD = 0,7V;
 (c) RON > 0, ROFF = , VD = 0,7V;
 (d) RON > 0, ROFF < , VD = 0,7V.
Observaţie:
 Diodele sunt, din punct de
vedere energetic, elemente
pasive. Sursele de tensiune din
schemele echivalente (VD sau
VZ) nu generează energie, ele
fiind "încărcate" de surse de
tensiune din exterior, sensul
curentului corespunzând regulii
de la receptoare (şi nu surse).
20
Alte tipuri de diode
21
Dioda Zener
 Dioda Zener este o diodă care lucrează în mod
normal în străpungere (la polarizare inversă).
 În conducţie inversă, tensiunea la bornele diodei
Zener este aproximativ constantă (–VZ) numită şi
tensiune de străpungere a diodei sau tensiune
Zener.
 În conducţie directă, dioda Zener se comportă ca
o diodă obişnuită.
 Aproximarea caracteristicii diodei Zener
Zener, în
conducţie inversă, se face asemănător liniarizării
caracteristicii unei diode în conducţie directă.
 Datorită unei bune liniarităţi a caracteristicii
inverse, rezistenţa definită în grafic poate fi
asimilată cu rezistenţa dinamică RZ a diodei
pentru un interval cu IZmax / IZmin < [10 … 15].
22
Diodele tunel şi varicap

 Dioda tunel
Are în caracteristică o porţiune de rezistenţă
dinamică negativă care îl face util în realizarea
ID
oscilatoarelor de frecvenţă foarte înaltă.
IP
 Dioda varicap
(cu capacitate variabilă, varactor)
 Este o diodă polarizată invers cu o capacitate
care depinde de tensiunea inversă aplicată. IV
 Utilizare ca şi capacitate variabilă comandată în VD
tensiune în:
 acordul automat al circuitelor
 amplificatoare parametrice
 oscilatoare de frecvenţă înaltă
 filtre reglabile
23
Dioda Schotky
 La contactul dintre un metal şi un semiconductor
slab dopat apare o comportare tip joncţiune.
 La contactul dintre un metal şi un semiconductor
A K
puternic dopat apare o comportare ohmică.
 Caracteristica curent-tensiune este similară cu a
unei diode cu siliciu având căderea directă de n+
tensiune mai mică (tipic 0,3 V). n
 Timpul de comutaţie este foarte mic (de ordinul ps

deoarece electronii trec din regiunea n în metal p
substrat
unde se mişcă liber) şi are şi o capacitate foarte
mică a joncţiunii.
 Se utilizează în aplicaţii de mare viteză şi în
combinaţie cu un tranzistor bipolar conectat între
colector şi bază pentru al împiedica să intre în
saturaţie, tranzistorul comutând astfel foarte rapid.
24
Dioda electroluminescentă
 Emisia radiaţiei luminoase de către semiconductor este rezultatul unei
g , care se realizează prin
conversii de energie, p recombinarea radiativă a
unor purtători de sarcină (electroluminescenţă).
 La joncţiunea pn excitaţia se poate realiza prin injecţia de purtători de
sarcină într-o joncţiune polarizată direct. În vecinătatea joncţiunii se
creează o densitate mare de purtători care se pot recombina.
 La Ge şi Si, recombinarea duce la degajare de căldură (W este 1,1
respectiv 0,7 eV). La GaAs, GaP, GaASP recombinarea duce la
eliberarea de fotoni (W=h cu  în spectrul vizibil).
 Folosind impurităţi activatoare diferite, se poate modifica spectrul
radiaţiei emise (culoarea: roşu, galben, portocaliu, verde, albastru, alb).
 Avantaje faţă de alte surse de lumină: timp de comutare scurt,
dimensiuni reduse, fiabilitate mare, rezistenţă la vibraţii, consum de
putere mic, cost scăzut, lumină rece (nu degajă căldură).
 Utilizare: indicatoare optice, afişoare numerice şi alfanumerice, surse de
lumină etc.
25
Fotodioda
 La baza funcţionării stă efectul de separare de către
p intern al jjoncţiunii
câmpul ţ ap
purtătorilor de sarcină
(perechi electron-gol) generaţi prin ruperea
legăturilor covalente de către radiaţia incidentă.
 Caracteristica fotodiodei:
 
I D  I S  e qVD kT  1  i p ID
i p  qA
unde  – eficienţa cuantică; q – sarcina elementară; regim de
fotodiodă
 – fluxul
fl l radiaţiei
di ţi i iincidente;
id t A – aria
i jjoncţiunii.
ţi ii
 Regimul de fotodiodă (de obicei polarizată invers)
 Regimul de fotogenerator VD
regim de
fotogenerator
creşte 
26
Circuite cu diode
Se prezintă calitativ structura şi funcţionarea câtorva circuite fundamentale

utilizând diode.
27
Circuite cu diode
Selecţia impulsurilor după polaritate

 Circuitul este format dintr-un derivator C, R3 şi
un separator al impulsurilor după polaritatea
lor – D1, R1 pentru impulsuri negative şi D2,
R2 pentru impulsuri pozitive.
 Cu grupul C, R3 se obţine secvenţa de
impulsuri pozitive şi negative prin derivarea
semnalului dreptunghiular dat de generator.
 Impulsurile obţinute sunt separate de diodele
D1 şşi D2 în funcţie
ţ de polaritatea
p lor. Pe
rezistenţa R1 se obţin impulsurile negative iar
pe R2 cele pozitive.
 Amplitudinea impulsurilor de la ieşirea
separatoarelor de polaritate este mai mică cu
aproximativ 0,6 V decât a impulsurilor de la
intrare datorită căderii de tensiune pe diode.
28
Circuite cu diode
Redresor monofazat monoalternanţă

 Un redresor converteşte energia de curent
alternativ în energie de curent continuu
folosind dispozitive cu conducţie unilaterală.
 La bornele rezistenţei de sarcină RL tensiunea
nu poate fi decât pozitivă datorită sensului unic
al curentului prin diodă. Când tensiunea de
intrare este negativă dioda este blocată,
curentul prin diodă este nul şi tensiunea de
ieşire este de asemenea nulă.
 Durata de timp cât dioda este în conducţie
este mai mică de o semiperioadă datorită
faptului că dioda începe să conducă numai în
momentul când tensiunea de la generator
depăşeşte tensiunea de deschidere a diodei
(aproximativ 0,45 V). Acest lucru se observă în
formele de undă.
29
Circuite cu diode
Redresor monofazat monoalternanţă cu filtru de netezire

 La ieşirea unui redresor, tensiunea pe sarcină
este continuă (curentul trece într-un
într un singur
sens prin sarcină) dar este pulsatorie (nu are o
valoare constantă).
 Filtrul de netezire reduce pulsaţiile tensiunii pe
sarcină (componentele alternative), netezind
variaţiile tensiunii pe sarcină.
 Explicarea funcţionării cu forme de undă: Cât
timpp tensiunea de intrare este mai mare decât
tensiunea pe condensator (egală cu cea de pe
sarcină), dioda se deschide şi furnizează
curent în sarcină şi încarcă condensatorul.
 Explicarea funcţionării ca filtru: C este un
scurtcircuit la frecvenţa reţelei, oprind pulsaţiile
să treacă prin sarcină.
30
Circuite cu diode
Redresor monofazat bialternanţă

 Pentru tensiune pozitivă dată de
generator (transformator) conduc
diodele D1 şi D4, iar pentru tensiune
negativă, diodele D2 şi D3.
 Deoarece pentru fiecare alternanţă
conducţia se face prin două diode în
serie, căderea de tensiune pe diode
este dublă. Tensiunea de ieşire va fi
mai mică faţă de tensiunea dată de
generator cu 2 VD  1,2 V. Desigur,
dacă curenţii prin diode sunt mari,
această cădere de tensiune poate
ajunge la [1,5 … 2] V.
 Pulsaţiile sunt de frecvenţă dublă
decât la cel monoalternaţă, deci mai
uşor de filtrat.
31
Circuite cu diode
Limitator de maxim cu diodă

 Circuitele de limitare sunt utilizate pentru a elimina o
p p
parte din semnalul de intrare care se află deasupra
sau dedesubtul unui anumit nivel de referinţă.
 R1 limitează curentul prin diodă atunci când aceasta
intră în conducţie. R2 este rezistenţa de sarcină la
bornele căreia se culege tensiunea de ieşire.
 Dioda D conduce numai dacă potenţialul anodului devine mai
mare decât al catodului, respectiv tensiunea de ieşire vO devine
mai mare decât tensiunea de polarizare a catodului diodei plus
tensiunea de deschidere a diodei ((vO  VLIM + VDon)).
 Expresia tensiunii de ieşire este
VLIM  VD pentru vO  VLIM  VD

vO   R2
v pentru vO  VLIM  VDon
 R1  R2 I
 Caracteristica de transfer este graficul tensiunii
de ieşire în funcţie de tensiunea de intrare.
32
Circuite cu diode
Stabilizator cu rezistenţă de balast cu diodă Zener

 Funcţionarea se bazează pe caracteristica diodei Zener la care VD = –VZ
pentru un curent invers prin diodă aflat în domeniul [IZmin – IZmax].
 Scopul este menţinerea unei tensiuni constante la bornele sarcinii prin:
 Stabilizarea faţă de tensiunea de alimentare E: la variaţia lui E,
variază corespunzător I, variaţia lui I este preluată de IZ astfel încât
IL, şi deci şi tensiunea pe sarcină, să rămână aproximativ constantă.
 Stabilizarea tensiunii pe sarcină la variaţiile rezistenţei de sarcină (a
consumului): variaţiile lui IS sunt compensate prin variaţii contrare
ale lui IZ astfel încât tensiunea pe sarcină
sarcină, să rămână aproximativ
constantă.
Observaţie:
 Cu cât rezistenţa de balast R este mai
mare se îmbunătăţeşte stabilizarea
faţă de variaţiile tensiunii de alimentare,
dar scade randamentul stabilizatorului.
33
Circuite cu diode
Comanda unui LED
V  VF V  VF  VCE
R  cc R  cc
IF IF
Tranzistoare cu efect de câmp (TEC)

Tranzistoare cu efect de câmp

2
 Structura, funcţionarea şi caracteristicile TEC-J
 Influenţa temperaturii asupra TEC-J
 Notaţii şi parametri de catalog ai TEC-J
 Exemple de circuite de curent continuu şi polarizarea TEC-J
 Structura, funcţionarea şi caracteristicile TEC-MOS
 Tipuri şi simboluri de TEC-MOS
 Exemple de circuite de curent continuu şi polarizarea TEC-MOS
Tranzistoare cu efect de câmp 1

Tranzistorul cu efect de câmp

cu poartă joncţiune (TEC-J)
TEC-J este utilizat atât în circuitele integrate cât şi ca o componentă

distinctă în circuitele electronice datorită obţinerii unor performanţe ridicate:
- impedanţe
p ţ de intrare mari
- liniaritate bună a circuitului
- nivel de zgomot redus.
Ele sunt folosite în etaje de amplificare de semnal mic la joasă şi înaltă
frecvenţă. De asemenea, se utilizează la variaţii mici de tensiune şi curent
ca rezistenţe, a căror valoare poate fi controlată pe cale electrică de
tensiunea grilă-sursă.
Tranzistoare cu efect de câmp

4
Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J)
Prezentarea TEC-J
 Două tipuri: canal n şi canal p
 Conexiunile sunt:
 sursă (S), drenă (D), grilă (G)
 substrat (Sb) neconectat întotdeauna
la un terminal la dispozitivele discrete.
 Polarizările uzuale sunt:
 TEC-J canal n
 Tensiunea grilă-sursă: VP  VGS 0
 Tensiunea drenă-sursă: VDS  0
 VP este tensiunea de prag şi la acest tip de TEC este negativă.
 TEC-J canal p
 Tensiunea grilă-sursă: 0  VGS  VP
 Tensiunea drenă-sursă: VDS  0
 VP este tensiunea de prag şi la acest tip de TEC este pozitivă.


Caracteristicile TEC-J
 Caracteristicile de ieşire sunt
definite de dependenţele dintre
curentul de drenă şi tensiunea
drenă-sursă trasate pentru diverse
valori ale tensiunii VGS considerată
ca parametru:
I D  I D VDS  VGS constant iD
IDSS
 Caracteristica de transfer este
definită de dependenţa dintre
curentul de drenă şi tensiunea
grilă-sursă, dependenţă trasată la
tensiuni drenă-sursă mari
I D  I D VGS  VDS constant vGS
VP

Regimurile de funcţionare ale TEC-J

 Un TEC-J are trei regimuri de funcţionare:
 300 mV  VDS  300 mV) zonă în care, între drenă şi
La VDS mici ((–300
sursă, tranzistorul se comportă ca o rezistenţă a cărei valoare este
controlată de tensiunea VGS.
 La VDS medii, zonă în care caracteristica TEC-ului este neliniară.
Tipul de neliniaritate nu are aplicativitate practică.
 La VDS mari (VDS > VGS – VP), zonă în care tranzistorul se comportă
faţă de drenă ca un generator de curent comandat de tensiunea
VGS. Se spune în această situaţie că TEC-ul este saturat. Mai exact,
este vorba de saturaţia curentului de drenă al TECTEC.
 Principalele aplicaţii:
 etaje de amplificare de zgomot mic, impedanţă de intrare mare şi
liniaritate bună (circuite HiFi)
 comutatoare de semnal analogic (în circuite de eşantionare şi
memorare, multiplexare şi demultiplexare a semnalelor analogice
 generatoare de curent continuu fix

Structura şi funcţionarea TEC-J

Structura TEC-J
 Conducţia curentului se face
de la sursă către drenă.
 Curentul trece printr-un canal
(zona haşurată) reprezentat de
porţiunea n de sub zona dopată p+.
 În funcţie de lăţimea canalului, conducţia este uşoară sau mai dificilă.
Tensiunea aplicată între grilă (zona p+) şi substrat (zona p–) modulează
conducţia canalului şi valoarea curentului drenă-sursă al TEC-J.
 Pentru ca o astfel de structură să se comporte ca un TECTEC, lăţimea
efectivă a canalului (w – din figura următoare cu canalul detaliat) trebuie
să fie suficient de mică, comparabilă cu lăţimea regiunii de trecere a
unei joncţiuni pn. Acest lucru se obţine dacă distanţa între joncţiunile
metalurgice ale joncţiunilor grilă-canal şi substrat-canal (w0) este la
rândul ei suficient de mică.


Funcţionarea TEC-J
 Pentru analiza calitativă a funcţionării fizice vom folosi un model de
TEC-JJ cu canal n cu zona canalului detaliată ca în figura următoare.
TEC
 Vom considera grila şi substratul conectate împreună.
 Tensiunile aplicate vor fi:
 VGS – tensiunea grilă-sursă
Joncţiunea grilă-canal trebuie să fie polarizată întotdeauna invers,
ceea ce înseamnă că trebuie să avem VGS  0.
 VGD – tensiunea grilă-drenă
De asemenea această tensiune trebuie să fie tot timpul negativă
pentru a asigura o joncţiune grilă-canal blocată.
 VDS – tensiunea drenă-sursă
Deoarece VDS = VGS – VGD se observă că valori pozitive pentru
tensiunea drenă-sursă asigură valori negative pentru VGD;
Tensiunea drenă-sursă poate fi şi uşor negativă cu condiţia ca VGD
să rămână negativă.

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici

 Cu D şi S scurtcircuitate, VGS = VGD. Aplicând o tensiune negativă grilă-
sursă,, lăţimile
ţ regiunilor
g de trecere ale joncţiunilor
j ţ grilă-canal
g şi substrat-
ş
canal se măresc (zonele haşurate se lăţesc o dată ce tensiunea e mai
negativă) iar lăţimea efectivă a canalului (w) scade (canalul se îngustează).
 Dacă tensiunea aplicată este suficient de negativă (depăşeşte tensiune de
prag notată VP), regiunile de trecere ale joncţiunilor grilă-canal şi substrat-
canal se ating. Conductanţa canalului devine zero şi rezistenţa sa infinită.
 Conductanţa canalului este dependentă de tensiunea grilă-sursă – G(VGS).
Lucru valabil şi când aplicăm tensiuni drenă-sursă mici când VGS = VDS +
VGD  VGD. Această
A tă egalitate
lit t înseamnă
î ă că
ă lăţimea
lăţi l l i este
canalului t constantă
t tă
pe toată lungimea sa, de la S la D.
 Datorită aplicării unei tensiuni VDS
uşor diferite de zero, între drenă şi
sursă va circula curent, curentului
de drenă ID fiind proporţional cu
tensiunea VDS.


Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici (cont.)

 Ecuaţia de funcţionare a TEC-J
la tensiuni drenă sursă mici este
drenă-sursă
I D  G VGS   VDS
unde conductanţa canalului este
 V 
G VGS   G 0  1  GS 
 VP 

G(0) fiind conductanţa canalului la VGS = 0.
 Caracteristicile de ieşire TEC-J sunt drepte care trec prin origine,
panta lor fiind determinată de valoarea tensiunii VGS (zona M).
Concluzie:
 La VDS mici, între drenă şi sursă tranzistorul se comportă ca o rezistenţă
a cărei valoare poate fi controlată pe cale electrică prin tensiunea VGS.

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii

 Tensiunile VGS şi VGD nu mai sunt egale (VGD = VGS – VDS < VGS < 0) dar
VGD nu este suficient de negativă
g p
pentru a pproduce închiderea canalului la
capătul dinspre drenă (VP < VGD < VGS <0).
 Lăţimea regiunilor de trecere la capătul dinspre drenă va fi mai mare şi
respectiv canalul va fi mai îngust.
 Creşterea tensiunii VDS produce două efecte contrarii asupra lui ID:
 creşterea lui ID datorită creşterii tensiunii la capetele canalului;
 scăderea lui ID datorită îngustării mai accentuate a canalului la capătul
dinspre
p drenă şşi, implicit,
p a scăderii conductanţeiţ acestuia.
 Aceasta face ca la VDS medii, între drenă
şi sursă, tranzistorul să se comporte
neliniar: ID = G(VGS, VGD) VDS. Rezultatul
celor două efecte contrarii va fi o pantă
de creştere a curentului de drenă cu
tensiunea drenă-sursă mai mică decât
în cazul precedent.


Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii (cont.)

 Ecuaţia de funcţionare a TEC-J este
G0 VP   VGS  
32
VGS 
ID    1 3 2  
3  VP  VP  
 
unde G0 este conductanţa unui canal
fictiv având o lăţime egală cu w0 –
distanţa între joncţiunile metalurgice ale
joncţiunilor grilă-canal şi substrat-canal.
 Caracteristicile de ieşire ale TEC-J sunt neliniare (zona N).
Concluzie:
 La tensiuni drenă-sursă medii, TEC-J se comportă ca o rezistenţă
neliniară între drenă şi sursă. Valoarea rezistenţei depinde atât de
tensiunea la borne cât şi de tensiunea grilă sursă.
 Conducţia curentului se face de către un singur tip de purtători (electroni
în cazul TEC-J canal n). TEC este un tranzistor unipolar.

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari

 Acest regim de funcţionare apare atunci când tensiunea grilă-drenă VGD
devine egală sau mai negativă decât tensiunea de prag VP. Relaţia între
tensiuni în acest caz trebuie să fie VGD  VP < VGS < 0.
 Deoarece VGD  VP, canalul se închide la capătul dinspre drenă.
 La capătul dinspre sursă, canalul rămâne deschis deoarece VGS > VP.
 În această situaţie, curentul de drenă nu mai poate să crească odată cu
creşterea tensiunii VDS, rămânând constant.
 Panta de variaţie a curentului de drenă cu tensiunea drenă-sursă este
nulă
nulă.


Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari (cont.)

 Ecuaţia de funcţionare a TEC-J este
2
 V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 
unde IDSS este curentul de drenă la

VGS = 0 şi tensiuni VDS mari.
 Caracteristicile de ieşire sunt drepte paralele şi orizontale (zona S).
În cazul când şi tensiunea VGS devine mai negativă decât VP,
t
tranzistorul
i t l se bl
blochează,
h ă curentul
t ldde colector
l t d devenind
i d nul.
l
Concluzie:
 La tensiuni drenă-sursă mari, TEC-J se comportă faţă de drenă ca un
generator de curent comandat de tensiunea VGS.

Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor TEC-J.)

Observaţii:
 Din creşterea lui |VP| şi scăderea lui
IDSS rezultă un punct de funcţionare
pentru care curentul de drenă ID are
coeficient termic nul.
 Un TEC polarizat în acest punct are
o stabilitate termică foarte bună.
 Un reglaj care să determine
funcţionarea în acest punct este însă
relativ dificil de realizat şi costisitor.

17
Circuite de curent continuu cu TEC-J

utilizând TEC-J.

Circuite cu TEC-J
Generator de curent fix

 Ecuaţiile pentru circuit sunt:
 Dreapta de sarcină pe ochiul de intrare
VGS   RS I D
 Caracteristica TEC-J la VDS mari
2
 V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 
 Rezolvarea grafică: PSF (V0GS, I0DSS)
 Rezolvarea numerică:
 Se elimină ID 2
VGS  VGS 
 
 I DSS  1  
RS  VP 
 Se rezolvă ecuaţia şi se alege soluţia care
îndeplineşte condiţia
VP  VGS  0


Circuite cu TEC-J
Generator de curent fix (cont.)

 Condiţia ca tranzistorul să se comporte ca un generator
ţ
de curent constant este ca el să lucreze în saturaţie.
 Pentru ca tranzistorul să lucreze în regiunea de
saturaţie a curentului de drenă trebuie ca VGD  VP.
Tensiunea grilă-drenă este dată de ecuaţia
VGD  RD I D  VDD
deci rezultă
V  VP
RD  DD
ID
Observaţii:
 Dacă se alege ca punct de funcţionare acea valoarea a curentului de
drenă care are derivă termică nulă, generatorul obţinut va avea o foarte
bună stabilitate cu temperatura.
 Dacă se cunosc coordonatele punctului (IDT, VGST) se poate alege
rezistenţa corespunzătoare din sursă RS = VGST / IDT.
 Sensul curentului generat poate fi schimbat dacă se foloseşte un TEC-J
canal p.

Circuite cu TEC-J
Polarizarea TEC-J de la o singură sursă
 Circuitul este similar din punct de vedere al comportării

în curent continuu cu generatorul de curent fix prezentat
anterior.
 Deoarece TEC-J practic nu are curent de grilă, pe
rezistenţa RG nu apare cădere de tensiune.
 Scrierea ecuaţiilor de curent continuu şi rezolvarea
circuitului se face la fel ca la generatorul de curent cu
TEC J.
TEC-J
 Pentru un TEC-J canal p sursa de alimentare trebuie să
fie negativă.


Circuite cu TEC-J
Polarizarea TEC-J de la două surse

 Pentru polarizarea TEC-J se pot utiliza două surse,
una pozitivă şi una negativă.
 Comportarea în curent continuu nu diferă mult fată de
circuitul anterior.
 Curentul de grilă este nul şi potenţialul grilei este
de asemenea zero.
 Ecuaţia Kirchoff pe ochiul din grilă diferă puţin:

VGS  VSS  RS I D
 În rest, circuitul se rezolvă la fel ca generatorul de

curent constant.
22
Tranzistorul cu efect de câmp

cu poartă izolată (TEC-MOS)
Tranzistoarele TEC-MOS sunt foarte mult utilizate în circuitele integrate (CI) în

special digitale, ca dispozitive active şi ca rezistenţe sau capacităţi.
CI cu TEC pot avea un nivel mare de complexitate la preţuri de cost reduse. Deşi
performanţele
pe o a ţe e cu frecvenţa
ec e ţa nu u su
suntt deoseb
deosebite,
te, ccreşterea
eşte ea g
gradului
adu u de integrare
teg a e p
prin
micşorarea dimensiunilor duce la reducerea capacităţilor parazite şi la creşterea
vitezei de lucru.
În circuitele electronice liniare, grila izolată a TEC permite obţinerea de impedanţe
de intrare de ordinul a 1014 . Zgomotul acestor tranzistoare este destul de mare şi
ca urmare nu sunt adecvate aplicaţiilor unde nivelele semnalelor sunt mici.
Transconductanţa mai mare şi comportarea cu frecvenţa mai bună fac ca TB să fie
preferat în multe aplicaţii TEC-ului. La puteri mari însă, TEC-MOS nu prezintă
fenomenul de ambalare termică şi are o mai bună liniaritate decât TB. De
asemenea, comutatoarele de putere TEC-MOS au o comutaţie mai rapidă decât TB.


Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)
Prezentarea TEC-MOS
 În funcţie de conducţia la tensiune grilă-sursă zero, există două tipuri de
bază:
 TEC-MOS cu îmbogăţire – nu conduce curent la VGS = 0
(sau TEC-MOS fără canal iniţial)
 TEC-MOS cu sărăcire – conduce curent la VGS = 0
(sau TEC-MOS cu canal iniţial)
 Fiecare din aceste două tipuri poate fi cu canal n sau p
 Definirea familiei de caracteristici de ieşire şi a caracteristicii de transfer
este aceeaşi cu cea de la TEC
TEC-J.J
Observaţii:
 TEC-MOS cu sărăcire canal n (substrat p) sunt mai des întâlnite fiind
mai uşor de fabricat.
 Un TEC-MOS cu sărăcire are o capacitate grilă-substrat mai mică şi, ca
urmare, o comportare mai bună la frecvenţe ridicate decât omologul său
cu îmbogăţire.

Prezentare TEC-MOS cu îmbogăţire cu canal n (substrat p)

 Tensiune grilă-sursă pozitivă: VGS > 0. Curentul de drenă creşte dacă
VGS devine mai pozitivă;
 Tensiune drenă-sursă pozitivă: VDS > 0;
 Sb se conectează la cel mai negativ potenţial din circuit sau la sursă;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la drenă la sursă.


Prezentare TEC-MOS cu îmbogăţire cu canal p (substrat n)

 Tensiune grilă-sursă negativă: VGS < 0. Curentul de drenă creşte dacă
VGS devine mai negativă;
 Tensiune drenă-sursă negativă: VDS < 0;
 Sb se conectează la cel mai pozitiv potenţial din circuit;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la sursă la drenă.

Prezentare TEC-MOS cu canal iniţial n

(cu sărăcire cu canal n – substrat p)
 Tensiunea ggrilă-sursă p
poate fi atât p
pozitivă cât şşi negativă:
g VGS <> 0;;
Curentul de drenă creşte dacă VGS creşte;
 Tensiune drenă-sursă pozitivă: VDS > 0;
 Sb se conectează la cel mai negativ potenţial din circuit sau la sursă;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la drenă la sursă.


Prezentare TEC-MOS cu canal iniţial p

(cu sărăcire cu canal p – substrat n)
 Tensiunea
e s u ea ggrilă-sursă
ă su să poate fi atât pozitivă
po t ă cât şi
ş negativă:
egat ă VGS <> 0
0.
Curentul de drenă creşte dacă VGS scade;
 Tensiune drenă-sursă negativă: VDS < 0;
 Sb se conectează la cel mai pozitiv potenţial din circuit;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la sursă la drenă.
28
Structura şi funcţionarea TEC-MOS


Structura TEC-MOS
 Structura şi dimensiunile
unui TEC-MOS
TEC MOS canal p
discret sunt date alăturat.
Tranzistoarele din circuitele
integrate au dimensiuni
sensibil mai mici.
 În substratul (Sb) slab dopat (n–) sunt create două regiuni puternic
dopate (p+) care constituie sursa (S) şi drena (D).
 Lungimea
g canalului este dată de distanţaţ între zonele laterale ale celor
două joncţiuni.
 Grila (G), izolată de Sb printr-un strat subţire de SiO2, se întinde peste
spaţiului dintre cele două regiuni p+ şi acoperă puţin şi aceste regiuni.
 Pentru explicarea funcţionării vom considera că tensiunile aplicate
corespund celor prezentate mai sus pentru TEC-MOS canal p iar
substratul TEC este conectat la sursă.

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici

 Între drenă şi sursă avem două diode conectate în serie şi opoziţie.
Indiferent de sensul tensiuni aplicate între cele două terminale, cel puţin
una din diode este blocată şi curentul este nul.
 Aplicarea unor tensiuni negative între grilă şi sursă (substrat) determină
într-o zonă îngustă de la suprafaţa semiconductorului respingerea
electronilor şi atragerea golurilor, fiind posibil ca numărul golurilor să fie
mai mare decât al electronilor.
 Într-o zonă foarte
îngustă
g la suprafaţa
p ţ
semiconductorului
se produce o
inversiune de tip,
formându-se un
canal de tip p.


Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici (cont.)

 Cele două zone de tip p+ vor fi interconectate tot printr-o zonă de tip p şi
aplicând o tensiune drenă-sursă
drenă sursă diferită de zero prin canal se poate
închide curent.
 Pentru tensiuni drenă-sursă mici practic tensiunile VGS şi VGD sunt egale
şi lăţimea canalului este aceeaşi la capetele dinspre drenă şi sursă.
 Tensiunea grilă-sursă la care apare formarea canalului se numeşte
tensiune de prag (VP). Pentru acest tranzistor tensiunea de prag este
negativă.
 Ecuaţia de funcţionare:
 pC0
I D  2  VGS  VP   VDS
L
unde
p - mobilitatea golurilor în canal
C0 - capacitatea grilă-substrat
L - lungimea canalului.

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii

 Între tensiunile de la bornele TEC-MOS se poate scrie relaţia
VGD = VGS – VDS.
 Cu semnele alese pentru tensiuni (VDS < 0), între acestea există relaţiile
VGS < VGD şi VGS < VP.
 Dacă tensiunea grilă-drenă este mai negativă decât tensiunea de prag,
atunci canalul este deschis şi la capătul dinspre drenă, respectiv avem
VGS < VGD < VP.
 Creşterea tensiunii drenă-sursă
produce două tendinţe contrarii
asupra curentului de drenă:
 creşterea ID datorită creşterii
tensiunii la bornele canalului;
 scăderea ID datorită îngustării
canalului la capătul dinspre
drenă.


Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii (cont.)

 Aceste tendinţe contrarii determină o comportare neliniară a TEC-MOS
la VDS medii. Rezultatul va fi o pantă de creştere a curentului de drenă
cu tensiunea drenă-sursă mai mică decât în cazul precedent.
 Ecuaţia de funcţionare a TEC la VDS medii este
I D  k  2VGS  2VP  VDS   VDS
 unde  C
k  P 20
2L
 este
t constanta
t t TEC-ului,
TEC l i care se măsoară
ă ă îîn [[mA/V
A/V2].
]
 Caracteristicile de ieşire corespunzătoare acestei regiuni sunt o familie
de parabole cu vârful în sus care trec prin origine având ca parametru
tensiunea VGS. Începând cu punctul de vârf al parabolelor se intră în
zona de funcţionarea la VDS mari.

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari

 Odată cu creşterea tensiunii VDS creşte şi tensiunea VGD. Se ajunge în
situaţia în care la capătul dinspre drenă nu se mai poate forma canalul.
Relaţia între tensiuni este VGS < VP < VGD.
 Închiderea canalului la capătul dinspre drenă împiedică creşterea
curentului de drenă odată cu creşterea tensiunii drenă-sursă. Acesta
rămâne constant cu VDS, la valoarea avută în momentul închiderii
canalului.
 Caracteristicile de ieşire sunt
drepte
p aproape
p p orizontale.
TEC-ul lucrează în regim de
saturaţie a curentului de drenă
sau, mai pe scurt, în saturaţie
(a nu se confunda cu saturaţia
tranzistorului bipolar!).


Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari (cont.)

 Zonele de funcţionare sunt localizate
în caracteristicile de ieşire la fel ca la
TEC-J.
 Ecuaţia de funcţionare a TEC la VDS
mari este
I D  k  VGS  VP 2
 Această ecuaţie reprezintă
caracteristica de transfer a TEC.

Străpungerea TEC-MOS
 La aplicarea unor tensiuni drenă-sursă mari, la VGS = constant, se
observă o creştere bruscă a curentului de drenă. Acest fenomen
constituie străpungerea TEC-ului.
 Creşterea semnificativă a lui ID poate fi provocată de:
 Străpungerea prin avalanşă a joncţiunii drenă-substrat
Această străpungere este similară cu cea de la diodă.
 Străpungerea prin anularea lungimii canalului
Pentru lungimi de canal mai mici de 10 m, polarizarea inversă a
j
joncţiunii
ţi ii d
drenă-substrat
ă b t t determină
d t i ă creşterea
t lăţi
lăţimiiii regiunii
i ii dde
trecere a acestei joncţiuni şi pătrunderea ei peste regiunea de
trecere a joncţiunii sursă-substrat. Bariera de potenţial de la
joncţiunea sursă-substrat este redusă şi între sursă şi drenă apare
practic un scurtcircuit. Acest tip de străpungere este mai frecvent la
TEC-MOS.


Străpungerea TEC-MOS (cont.)

 Măsuri de protecţie pentru grilă
 Tensiunea de străpungere a SiO2 este de circa 109 V/m iar grosimea
stratului izolator al grilei de circa 0,1 m, ceea ce corespunde unei
tensiuni de străpungere de 100 V.
 Sarcinile electrostatice care apar la manipularea dispozitivului pot
produce foarte uşor străpungerea stratului izolator al grilei. Din acest
motiv, terminalele TEC-MOS trebuie să fie scurtcircuitate până când
tranzistorul este montat în circuit.
 Pentru unele TEC-MOS
TEC MOS se folosesc două diode Zener de protecţie
montate în serie şi opoziţie, între grilă şi substrat. Tensiunea de
străpungere a acestor diode este mai mică decât tensiunea de
străpungere a grilei. Sarcinile electrostatice se descarcă prin aceste
diode. Desigur prezenţa lor duce la creşterea scurgerilor de curent
prin grila TEC.
38
Circuite de curent continuu cu TEC-MOS

utilizând TEC-MOS.


Circuite cu TEC-MOS
Sursă de curent cu TEC-MOS

 Tranzistorul TEC-MOS cu canal p cu îmbogăţire
are VP = –44 V şi k = 0,05 mA/V2.
1. Să se arate că pentru orice valoare a rezistenţei R,
tranzistorul se află în regiunea de saturaţie.
2. Determinaţi valoarea tensiunii de ieşire în cazul în care R = 20 k.
 Rezolvare:
1. Tranzistorul din figură este un TEC-MOS cu îmbogăţire. Pentru ca prin
el să circule curent între drenă şi sursă, trebuie ca VGS < VP. În plus,
pentru ca tranzistorul să fie saturat trebuie ca la capătul dinspre drenă
canalul să fie închis, deci VGD > VP. Relaţia a doua este verificată
automat având în vedere că VGD = 0 > –4 V = VP.
Pentru un tranzistor TEC-MOS aflat la saturaţie este valabilă relaţia
ID = k (VGS – VP)2 cu sensul lui ID cel din figură.
De asemenea, ecuaţia lui Kirchhoff pentru tensiuni se scrie
VDD = VGS – R ID.

Circuite cu TEC-MOS

Din cele două relaţii anterioare rezultă
V  VDD
I D  GS  k  VGS  VP 2
R
Tranzistorul este în saturaţie dacă există o valoare a lui VGS < VP care
să verifice ultima egalitate.
Ultima egalitate este echivalentă cu
V V
f VGS   DD GS  k  VGS  VP 2  0
R
unde f este o funcţie continuă în VGS. Avem:
f VDD   k  VGS  VP 2  0
V V  10   4
f VP   DD GS  0
R R
Rezultă că există o valoare a lui VGS verificând relaţia VDD < VGS < VP
pentru care f(VGS) =0 şi deci tranzistorul este saturat pentru orice
valoare acceptabilă a lui R (R fiind o rezistenţă, nu poate avea decât
valori pozitive).


Circuite cu TEC-MOS

2. Dacă rezistenţa R are valoarea de 20 k, înlocuind direct în ecuaţia
f(VGS) =0 se obţine succesiv:
10  VGS
 0 ,05 VGS  4 2  0  VGS
2
 7VGS  6  0
20
 VGS1  1 V; VGS 2  6 V
Dintre cele două soluţii este acceptabilă doar soluţia pentru care
VGS < VP şi deci rezultă VGS = –6 V.
De aici rezultă că tensiunea de ieşire este dată de
VO = VDD – VGS = –1010 – (–6)=
( 6)= –4
4VV.

Circuite cu TEC-MOS
Polarizare TEC-MOS cu canal iniţial de la o singură sursă

 Tranzistorul TEC-MOS cu canal iniţial p are
tensiunea de prag VP = 4 V şi k = 0,02 mA/V2.
Se doreşte determinarea valorilor ID, VGS şi VDS.
Presupunem că tranzistorul funcţionează în zona
de saturaţie a curentului de drenă. Ecuaţia TEC
este ID = k (VGS – VP)2 cu condiţia VGS < VP.
Ecuaţia lui Kirchhoff pentru tensiuni pentru ochiul
grilei este VGS – RS ID = 0.
RG nu intervine deoarece curentul de grilă al TEC este nul.
Valoarea curentului de drenă se obţine rezolvând sistemul format din ecuaţiile
de mai sus. Având în vedere restricţia impusă asupra lui VGS, din a doua ecuaţie
îl vom scoate pe ID şi valoarea obţinută o vom înlocui în prima ecuaţie. Se obţine
 k  VGS  VP 2
VGS
RS


Circuite cu TEC-MOS
Polarizare TEC-MOS cu canal iniţial de la o singură sursă

Înlocuind valorile numerice (în V, mA şi k) obţinem
2
VGS  10 VGS  16  0
cu soluţiile VGS1 = 2 V şi VGS2 = 8 V
Din cele două soluţii doar prima este acceptabilă,
întrucât a doua nu verifică restricţia VGS < VP.
Folosind ecuaţia liniară rezultă valoarea ID
VGS 2
ID    0,08 mA
RS 25
Pentru a determina valoarea tensiunii drenă-sursă, pornim de la ecuaţia lui
Kirchhoff pentru tensiuni scrisă pe ochiul de ieşire
VDD  RS I D  VDS  RD I D
Din această relaţie rezultă
VDS  RS I D  VDD  RD I D  25  0,08  10  40  0,08  4,8 V
Pentru tensiunea grilă-drenă VGD se obţine valoarea
VGD  VGS  VDS  2   4,8  6,8 V  4 V
Având în vedere că VGD > VP se verifică presupunerea iniţială că tranzistorul
funcţionează în zona de saturaţie a curentului de drenă.

Circuite cu TEC-MOS
Polarizarea unui TEC-MOS cu canal indus n

Parametrii TEC sunt VP = 3 V şi k = 0,06 mA/V2.
Calculul circuitului se face similar cu cel anterior
anterior.
Ecuaţiile din care se determină curentul de drenă
sunt:
R2
VDD   VGS  R3 I D
R1  R2
I D  k  VGS  VP 2
Este valabilă pentru VGS acea valoare care duce
ttranzistorul
i t l îîn conducţie,
d ţi respectiv
ti VGS > VP = 3 V V.
Rezolvarea sistemului de ecuaţii duce la soluţiile
(ID = 0,39 mA, VGS = 5,55 V şi VDS = 1,11 V).

Tranzistorul bipolar (TB)

Tranzistorul bipolar
2
 Structura şi funcţionarea TB
 Ecuaţiile de funcţionare ale TB
 Caracteristicile TB în conexiunile bază-comună şi emitor-comun
 Influenţa temperaturii asupra TB
 Regiunile de funcţionare ale TB
 Exemple de circuite de polarizare ale TB
Tranzistorul bipolar 1
Prezentarea TB
Tranzistorul Bipolar (TB) a fost descoperit în 1948.

Denumirea sa vine de la transfer-resistor, respectiv rezistenţă de transfer.
Un TB este reprezentat de un generator de curent din colector comandat de
tensiunea bază-emitor atunci când este polarizat în regiunea activă
normală, regiune în care realizează funcţia de amplificare. Amplificarea
este o trans-conductanţă, inversul unei trans-rezistenţe.
Funcţionarea s-a este descrisă pe scurt astfel: el transferă un curent de pe
un ochi de rezistenţă mică (ochiul de intrare) într-un ochi de rezistenţă mare
(ochiul de ieşire).
4
Prezentarea TB
Structura simplificată a TB
 Tranzistorul bipolar este o structură
n+p
pn sau p+np p realizată în volumul
aceluiaşi cristal de semiconductor,
având trei terminale: emitor (E),
bază (B), colector (C).
 În reprezentare simplificată (bidimensională)
a structurii npn (pnp) se disting următoarele:
 regiunea neutră a emitorului − zona notată EN
 regiunea neutră a bazei − zona cuprinsă în intervalul [0 ... w].
Dimensiunea w a acestui interval se mai numeşte şi grosimea
efectivă a bazei;
 regiunea neutră a colectorului − zona notată CN;
 regiunea de trecere a joncţiunii bază-emitor − zona haşurată (RTE);
 regiunea de trecere a joncţiunii colector-bază − zona haşurată
(RTC);
 zonele desenate cu linii îngroşate sunt contactele de E, B şi C.
5
Prezentarea TB
Condiţiile de funcţionare ale structurii ca un TB

 Zona centrală – baza – să fie mult mai subţire în comparaţie cu
grosimile celorlalte două regiuni – emitorul şi colectorul
 Regiunile laterale să fie mult mai dopate decât regiunea bazei
 Regiunea emitorului să fie mai puternic dopată decât regiunea
colectorului
 Colectorul să înconjoare regiunea emitorului pentru a putea “colecta” cât
mai mulţi purtători “emişi” de emitor.
Observaţie:
 Ulti l d
Ultimele douăă condiţii
diţii nu suntt obligatorii,
bli t ii d dar e bi
bine să
ă fifie îîndeplinite
d li it
pentru a obţine un TB cu performanţe ridicate (amplificare mare).
Concluzie:
 Cu aceste condiţii îndeplinite, purtătorii injectaţi de emitor, traversează
baza şi în cea mai mare parte ajung în colector (foarte puţini
recombinându-se în bază), formând astfel curentul de colector.
6
Prezentarea TB
Simbolurile utilizate pentru TB

 TB sunt de două tipuri: npn şi pnp.
 Tranzistorul bipolar are două joncţiuni:
 joncţiunea emitor-bază (jBE);
 joncţiunea colector-bază (jBC).
 Tensiunile pe cele două joncţiuni se
notează de la p la n, respectiv:
 VBE, VBC pentru un tranzistor npn
 VEB, VCB pentru un tranzistor pnp.
Observaţii:
 Simbolul standard este inclusiv cu un
cerc care înconjoară simbolul.
 În general în scheme, se utilizează:
 simbolul cu cerc pentru TB discrete,
 cel fără cerc pentru TB integrate.
7
Prezentarea TB
Regiunile de funcţionare ale TB

 În funcţie de polarizarea joncţiunilor, jBE jBC Regiunea
TB poate să lucreze în 4 regiuni
Direct Invers Activă Normală (RAN)
(sau regimuri) de funcţionare.
Invers Invers Blocare
Invers Direct Activă Inversată (RAI)
Direct Direct Saturaţie
 Punctul de funcţionare (PF) al TB este definit de perechea de valori

(iC, vCB) sau (iC, vCE)
unde mărimile care intervin reprezintă componente instantanee.
 Punctul static de funcţionare (PFS) al TB este definit de perechea de
valori
(IC, VCB) sau (IC, VCE)
unde mărimile care intervin reprezintă componente continue.
8
Prezentarea TB
Modurile de conexiune ale TB

 Un TB, privit ca un diport (cuadripol), poate avea
trei moduri de conexiune (după terminalul comun
intrării şi ieşirii):
 Emitor Comun (EC)
 Mărimi de intrare sunt (IB, VBE)
 Mărimi de ieşire (IC, VCE)
 Bază Comună (BC)

 Mărimi de intrare sunt (IE, VBE)
 Mărimi de ieşire (IC, VCB)
 Colector Comun (CC)

 Mărimi de intrare sunt (IB, VBC)
 Mărimi de ieşire (IE, VEC)
9
Prezentarea TB
Caracteristicile TB
 Comportarea în curent continuu a unui TB este uzual descrisă de
caracteristicile acestuia.
 În funcţie de tipul de conexiune caracteristicile diferă puţin.
 Se disting două tipuri de caracteristici:
 Caracteristici de ieşire – dependenţa dintre mărimile de ieşire este
parametrizată în funcţie de una din mărimile de intrare.
 în conexiunea BC – iC(vCB, iE) cu iE parametru
 în conexiunea EC – iC(vCE, iB) cu iB parametru
 Pentru fiecare valoare a parametrului rezultă o caracteristică de ieşire
astfel că în final se obţine o familie de caracteristici.
 Caracteristici de intrare – dependenţa dintre mărimile de intrare
este parametrizată în funcţie de una din mărimile de ieşire.
 În cazul acestor caracteristici dependenţa de mărimea de ieşire
este slabă, rezultând practic o singură curbă.
10
Prezentarea TB
Caracteristicile TB (cont.)
 Exemplu: familia caracteristicilor de ieşire
în conexiunea EC
 Puterea disipată medie într-un tranzistor

conectat într-un circuit este valoarea
medie a produsului iC(t) vCE(t), respectiv
1 T
PDmed 
T 0 ic vCE dt
 P t
Puterea disipată
di i tă îîn punctul
t l static
t ti dde
funcţionare este Pd = IC VCE.
 Puterea disipată într-un tranzistor nu

poate depăşi o anumită valoare maximă
pentru o temperatură ambiantă dată.
11
Structura şi funcţionarea TB
Un tranzistor bipolar este o structură n+pn sau p+np, realizată în volumul

aceluiaşi cristal de semiconductor, care satisface următoarele condiţii:
- emitorul este mult mai puternic dopat decât baza – de aici notaţia n+ sau
p+ pentru emitor;
- grosimea bazei (distanţa dintre joncţiunile metalurgice) este mică în
comparaţie cu lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari – aceasta
făcând ca recombinarea purtătorilor în bază să fie foarte redusă.
12
Structura TB
 În structura desenată lărgimea bazei nu
p
respectă p p ţ reală faţă
proporţia ţ de dimensiunile
emitorului şi colectorului.
 Se foloseşte un model bidimensional pentru
analiza funcţionării TB.
Observaţie:
 O structură npn (sau pnp) se comportă ca un
tranzistor numai dacă ea îndeplineşte
condiţiile din definiţie. Conectarea a două
diode în serie şi în opoziţie nu duce la
formarea unui TB. Această structură –
echivalentă cu un "tranzistor" cu baza groasă
– nu poate conduce curent între punctele C
şi E, dacă una din diode este polarizată
invers. În cazul TB, această conducţie există
şi ea se produce tocmai datorită efectului de
bază subţire.
13
Polarizarea TB pentru explicarea funcţionării

 Pentru a explica funcţionarea TB şi
pentru a pune în evidenţă fenomenul
de amplificare pe care îl realizează,
vom polariza joncţiunile TB astfel încât
el sa fie în RAN:
 jBE polarizată direct, tensiunea la
bornele joncţiunii fiind tensiunea de
la bornele unei diode în conducţie
(VBE  0,6 V);
 jBC polarizată invers cu o tensiune
de ordinul volţilor (VBC = –5 V).
Observaţie:
 Explicarea funcţionării se va face în două moduri: una mai intuitivă,
folosind ponderea curenţilor prin TB, a doua mai ştiinţifică folosind
fenomenele care determină distribuţia purtătorilor minoritari în bază.
14
Ponderea curenţilor în TB
 jBE polarizată direct favorizează trecerea majoritarilor din E în B.
 E injectează electroni în bază,
bază acest curent crescând brusc o data cu
creşterea tensiunii BE.
 Ajunşi în bază, electronii deveniţi minoritari, au tendinţa să se recombine,
dar numai o mică parte datorită grosimii mici a bazei (mult mai mici decât
adâncimea de pătrundere a electronilor) şi dopării slabe a ei.
 Majoritatea ajung la jBC
polarizată invers, pe care
o străbat căci câmpul
intern favorizează
deplasarea minoritarilor.
 Astfel, prin jBC, deşi
polarizată invers, trece
un curent mare, aproape
tot curentul prin jBE.
15
Ponderea curenţilor în TB (cont.)

 Efectul de tranzistor, care stă la baza funcţionării TB, este tocmai
trecerea unui curent mare printr-o
printr o joncţiune polarizată invers datorită
prezenţei în apropiere a unei joncţiuni polarizate direct.
iC   F  iE  I CB 0 F  F 
 iC   iB  1   I CB 0
1F  1F 
iE  iB  iC
iC   F  iB  1   F I CB 0   F  iB
F
F 
1F
 F  [0,95 ... 0,995] reprezintă factorul de amplificare în curent în
conexiunea BC şi este partea din curentul injectat de emitor care ajunge
în colector.

  F  F  20 ... 300 reprezintă factorul de amplificare în curent în
1F conexiunea EC.
16
Concluzii
 Distribuţia purtătorilor minoritari în bază are rol determinant în
funcţionarea TB. Cunoaşterea ei înseamnă cunoaşterea sarcinii
electrice acumulate în bază şi a valorilor curenţilor de colector şi bază.
 Curentul de bază, de valori mici, poate controla valoarea unui curent
mult mai mare – curentul de colector. Valoarea scăzută a curentului de
bază se datorează recombinării reduse din bază şi deci efectului de
bază subţire.
 Curentul de bază se datorează recombinării în interiorul bazei,
recombinare p proporţională
p ţ cu sarcina electrică QB.
 Un curent mic obţinut într-un ochi de rezistenţă mică (ochiul de intrare)
controlează un curent mult mai mare care străbate un ochi de rezistenţă
mare (ochiul de ieşire). Se obţine astfel funcţia de amplificare (de curent,
de tensiune şi de putere).
17
Analiza funcţionării TB în regim static
Deducerea ecuaţiilor de c.c. ale TB se poate face în două moduri:

 O metodă analitică (similară cu cea de la diodă) prin care se
calculează distribuţiile de purtători minoritari în emitor, bază şi colector,
se calculează curenţii de difuzie asociaţi şi apoi curenţii de terminal.
Această metodă furnizează în final parametrii globali ai TB şi legăturile
acestora cu parametrii constructivi.
 O metodă globală prin care se deduc direct curenţii de terminal
combinând efectul de diodă şi de bază subţire. Această metodă permite
obţinerea ecuaţiilor de curent continuu ale TB dar nu poate furniza
informaţii privind legătura dintre parametrii globali şi parametrii
constructivi.
18
Ecuaţiile Ebers-Moll
 Ecuaţiile de funcţionare ale TB
(leagă doi curenţi consideraţi
dependenţi de două tensiuni
considerate independente)
 q VBE   q VBC   Mai există două relaţii de
   
I E  I ES   e k T  1   R ICS  e k T  1
    legătură între curenţi,
   
respectiv tensiuni, cu care se
 q BE
V   q BC
V 
    pot determina celelalte două
I C   F I ES   e k T  1  I CS   e k T  1
    mărimi dependente care
 i
D t ită reciprocităţii
Datorită 
ităţii  
caracterizează funcţionarea
 F I ES   R I CS TB în circuit:
unde IES şi ICS sunt curenţii de I B  I E  IC
saturaţie ai joncţiunilor şi F
(forward) respectiv R (reverse) sunt
VCE  VBE  VBC
amplificările în curent de la E la C
respectiv de la C la E.
19
Observaţii
 Fiecare curent, IE şi IC, are două componente:
 unul dat de polarizarea joncţiunii corespunzătoare
(jBE p
(j pentru IE respectiv
p jjBC p
pentru IC),
 al doilea dat de curentul prin cealaltă joncţiune, care străbate, doar parţial,
joncţiunea corespunzătoare, datorită apropierii celor două joncţiuni (condiţia
de bază subţire).
 Semnele minus apar datorită convenţiei pentru sensul curenţilor într-o joncţiune
şi prin TB.
Concluzii
 Aceste ecuaţii descriu funcţionarea tranzistorului indiferent de polaritatea
t
tensiunilor
i il aplicate
li t lla b
borne.
 Parametrii F, R, IES şi ICS depind de structura TB dar relaţiile de legătură cu
structura nu se pot obţine prin această analiză.
 Componentele tranzitorii de curent necesare modificării sarcinii QB în cazul unor
variaţii ale tensiunilor aplicate nu au fost luate în considerare, astfel că domeniul
de valabilitate al acestor ecuaţii îl constituie numai regimul de curent continuu
sau un regim de variaţii lente care poate fi descris printr-o succesiune de
regimuri de curent continuu.
20
Caracteristicile TB
Caracteristicile unui dispozitiv, privite în general fără a da o definiţie exactă,

înseamnă reprezentarea grafică a dependenţei unora dintre mărimile de la
bornele dispozitivului,
p , convenabil alese pentru
p a descrie funcţionarea
ţ lui.
21
Caracteristicile TB
Definirea caracteristicilor TB
 Caracteristicile tranzistorului sunt reprezentarea grafică parametrică a
mărimilor de ieşire (intrare) în funcţie de una din mărimile de intrare
(ieşire).
 Pentru TB există trei conexiuni posibile, emitor comun (EC), bază

comună (BC) şi colector comun (CC), dar cea de-a treia conexiune (CC)
reprezintă o inversare a rolului emitorului cu al colectorului din
conexiunea EC şi nu prezintă interes în acest context.
 Pentru un TB avem:
 caracteristici de ieşire în conexiunea BC – iC(vCB, iE) cu iE parametru;
 caracteristici de ieşire în conexiunea EC – iC(vCE, iB) cu iB parametru;
 caracteristici de intrare în conexiunea BC – iE(vBE) pentru VBC < 0;
 caracteristici de intrare în conexiunea EC – iB(vBE) pentru VBC < 0.
22
Caracteristicile TB
Caracteristicile de ieşire idealizate în conexiunea BC

 Plecând de la ecuaţiile Ebers-Moll ale tranzistorului, notând VT = kT/q şi
eliminând din primele două ecuaţii termenul conţinând IES obţinem
I C   F I E  I CS  1   F  R    e BC T  1
V V
 
 Notând cu
I CB 0  I CS  1   F  R 
unde ICB0 este curentul rezidual în conexiunea BC, rezultă
 
I C   F I E  I CB 0  eVBC VT  1
 Pentru reprezentarea grafică, să considerăm pe rând următoarele două
cazuri:
 pentru VBC < 0 avem exponenţiala  0 şi rezultă IC = F IE+ ICB0
 pentru VBC > 0 exponenţiala produce o scădere bruscă a curentului
de colector pe măsură ce tensiunea colector-bază creşte.
23
Caracteristicile TB
Caracteristicile de ieşire idealizate

în conexiunea BC (cont.)
 În grafic este reprezentat IC funcţie de VCB = - VBC
24
Caracteristicile TB

în conexiunea BC (cont.)
 Experimental,
E perimental forma acestor caracteristici se verifică
erifică bine
bine.
 Se observă numai o uşoară înclinare a lor, cu pantă pozitivă, în zona
VCB > 0 (echivalentă cu VBC < 0).
 Explicaţia acestui fenomen este dată de modificarea grosimii efective a
bazei, w odată cu modificarea tensiunii VCB. Creşterea tensiunii inverse
aplicate joncţiunii colector-bază determină mărirea lăţimii regiunii de
trecere a acestei joncţiuni. Aceasta are ca efect îngustarea bazei, ceea
ce duce la reducerea recombinării în bază şi la creşterea factorului F.
Creşterea lui F determină evident o creştere a curentului de colector şi
deci înclinarea caracteristicilor.
Observaţie:
 Caracteristica desenată este simulată în PSpice, dar modelul este foarte
aproape de realitate, mult mai precis decât relaţiile Ebers-Moll.
25
Caracteristicile TB
Caracteristicile de ieşire idealizate în conexiunea EC

 Din ecuaţia caracteristicii de ieşire în conexiunea BC, folosind relaţiile
de legătură
g între curenţiţ IE = IC +IB şşi între tensiuni VBC = –(V ( CE – VBE)), şşi
făcând notaţiile
F
I CE 0  CB 0  I CB 0  1   F 
I
F 
1F 1 F
 obţinem ecuaţia caracteristicilor idealizate în conexiunea EC
  VCE VBE 
 
I C   F I B  I CE 0   e VT
 1
 
 Pentru situaţia când jBC este polarizată invers  cu o tensiune în modul
maii mare ddecât
ât VT, adică
di ă VBC < 0 respectiv ti VCE – VBE >> VT, ecuaţia ţi
caracteristicilor se simplifică astfel IC = F IB+ ICE0 şi caracteristicile sunt
drepte orizontale (IC nu depinde de valoarea VCE).
 Pentru VBC > 0 al doilea termen din ecuaţie produce aceeaşi scădere
exponenţială a curentului de colector ca la caracteristicile în BC. În
raport cu tensiunea VCE această scădere se produce în cadranul I atunci
când avem VCE < VBE (variaţia VBE este reprezentată punctat şi este
practic caracteristica unei diode polarizate direct).
26
Caracteristicile TB

în conexiunea EC (cont.)
27
Caracteristicile TB

în conexiunea EC (cont.)
 Experimental se observă abateri mai mari decât în cazul caracteristicilor
în conexiunea BC:
 o înclinare mai pronunţată a caracteristicilor decât în cazul
conexiunii BC, odată cu creşterea tensiunii VCE, datorată
dependenţei mai mari a lui F decât a lui F faţă de variaţia grosimii
efective a bazei (w) cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii BC;
 scăderea distanţei între caracteristici odată cu creşterea curentului
de bază IB datorită micşorării lui F odată cu creşterea curentului ca
efect al micşorării eficienţei emitorului.
28
Caracteristicile TB
Caracteristica de intrare în conexiunea BC

 Această caracteristică prezintă interes numai pentru cazul când jBC este
polarizată invers VBC < 0 cu o tensiune mult mai mare în modul decât
tensiunea termică, când prima ecuaţie Ebers-Moll poate fi aproximată cu

I E  I ES  eVBE VT
 
 1   R I CS  I ES  eVBE VT

1
 Acest grafic
este
caracteristica
unei diode
având curentul
de saturaţie IES.
29
Caracteristicile TB
Caracteristica de intrare în conexiunea EC

 Reprezentarea acestei caracteristici se face în aceleaşi condiţii. Ţinând
cont de legătura dintre curenţii de emitor, bază şi colector rezultă
ecuaţia acestei caracteristici

I B  I E  I C  I E   F I E  1   F   I ES  eVBE VT

1
 La fel ca şi în cazul precedent, această ecuaţie reprezintă caracteristica

unei diode al cărei curent de saturaţie este (1 – F) IES.
 Graficul
G fi l ecuaţiei
ţi i este
t identic
id ti cu cell de
d la
l conexiunea
i BC,
BC schimbându-
hi bâ d
se numai valorile de curenţi din axa verticală.
30
Analiza regiunilor de funcţionare ale TB
Comportarea unui tranzistor bipolar în circuite este diferită în funcţie de

polarizările aplicate joncţiunilor, adică de regiunea de funcţionare a sa.
Descrierea completă a comportării TB în curent continuu este dată de
ecuaţiile Ebers-Moll dar rezolvarea unor circuite cu acest model este
posibilă în cazurile numerice (folosind rezolvarea numerică a ecuaţiilor
neliniare) şi imposibilă în cazurile generale (rezolvare algebrică) deoarece
sistemul obţinut conţine ecuaţii transcendente.
31
Comportarea TB în circuit
 Pentru înţelegerea funcţionării circuitelor este
necesar să putem efectua rapid anumite
calcule şi din această cauză este necesar să
descriem tranzistorul prin funcţiuni şi ecuaţii
simple cu care să se poată opera uşor, chiar
dacă precizia lor nu este foarte mare.
 Vom analiza comportarea TB pentru diferitele
polarizări aplicate joncţiunilor şi vom deduce
modele simplificate pentru fiecare din cele
patru regiuni de funcţionare posibile ale TB.
 Notaţiile şi sensurile pozitive pentru tensiuni şi

curenţi pentru cele două tipuri de TB sunt acela
prezentate alăturat
32
Regiunea activă normală (RAN)

 RAN corespunde polarizării TB ca amplificator
 TB se comportă ca un generator de curent comandat
comandat, ceea ce constituie
esenţa fenomenului de amplificare
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Direct VBE > 0 VEB > 0
jBC Invers VBC < 0 VCB < 0
33
Regiunea activă normală (RAN) (cont.)

 Zona din caracteristici
 p
RAN corespunde p ţ
porţiunilor p p
apropiate ş
de nişte
drepte orizontale.
 În raport cu C, TB se comportă ca un
generator de curent comandat de curentul de
emitor sau bază, în funcţie de conexiune.
 Ecuaţiile de funcţionare şi schema echivalentă
 ecuaţia de ieşire:
I C   F I E  I CB 0 I C   F I B  I CE 0
 ecuaţia de intrare:
 
I E  I ES  e( VBE / VT )  1  
I B  ( 1   F )  I ES  eVBE / VT  1
34
Regiunea de blocare
 Curenţii prin tranzistor sunt de valoare mică, practic neglijabili.
 Un tranzistor blocat se comportă
p între cele trei terminale ca un circuit
întrerupt.
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Invers VBE < 0 VEB < 0
jBC Invers VBC < 0 VCB < 0
35
Regiunea de blocare (cont.)

 Indiferent de valoarea tensiunilor aplicate
joncţiunilor, care însă satisfac condiţiile de
funcţionare în blocare, avem IC  0. Zona de
blocare este reprezentată de axa orizontală
Ox în caracteristicile de ieşire ale
dispozitivului .
 Deoarece exponenţialele tind spre zero,
ecuaţiile Ebers-Moll se simplifică astfel:
I E   I ES   R I CS  1   F   I ES  0
IC   F I ES  ICS  1   R   ICS  0
I B  I E  I C   I ES  I CS  0
36
Regiunea de saturaţie
 Ambele joncţiuni fiind polarizate direct, tensiunile pe ele au valoare mică.
 Rezistenţa echivalentă a joncţiunilor este mică, curenţii de valori mari
sunt limitaţi de circuitul exterior. TB este echivalent cu un scurtcircuit.
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Direct VBE > 0 VEB > 0
jBC Direct VBC > 0 VCB > 0
37
Regiunea de saturaţie (cont.)

 Corespund acelor porţiuni din
caracteristici unde curentul de colector
scade brusc odată cu scăderea tensiunii
din axa orizontală. Aceasta corespunde
polarizării directe a jCB.
 Condiţia de saturaţie a unui tranzistor este
ICsat  F IBsat
unde ICsat B t sunt curenţii de colector şi
C t şi IBsat
emitor la saturaţie ai tranzistorului. Aceasta
înseamnă că pentru saturarea unui TB
trebuie să se injecteze în bază un curent
suficient de mare.
38
Regiunea de saturaţie (cont.)

 Descrierea exactă a comportării tranzistorului pentru această regiune
este dată de ecuaţiile Ebers-Moll.
 Joncţiunile fiind polarizate direct, tensiune pe acestea se pot
aproxima cu valori constante (VBEsat  0,7 V şi VBCsat  0,7 V pentru
TB cu siliciu).
 Deoarece curenţii de emitor şi colector nu sunt egali şi jEB şi jCB nu
sunt identice. Această diferenţă este reprezentată de sursa VCEsat 
[0,1 … 0,3] V din schema echivalentă. Dacă se ţine cont şi de
rezistenţa colector-emitor la saturaţie, atunci în schema echivalentă,
în serie cu colectorul
colectorul, se poate conecta şi acesta (RCEsat
CE t având uzual
valori sub 15 ).
39
Regiunea activă inversată (RAI)

 RAI este rar utilizată. Un tranzistor care comută din blocare în saturaţie
inversată şi invers trece prin RAI.
 La CI digitale TTL, TB de intrare (multi-emitor) când intrarea este pe
nivel logic H.
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Invers VBE < 0 VEB < 0
jBC Direct VBC > 0 VCB > 0
 Schemele echivalente sunt identice cu cele din RAN, dacă se face

echivalenţa notaţiilor.
40
Comportarea TB la tensiuni colector-bază mari

 În RAN, creşterea bruscă a curentului de colector, odată cu depăşirea
unei anumite valori a VBC se numeşte străpungerea tranzistorului.
 Străpungerea TB are la bază două fenomene fizice:
 multiplicarea în avalanşă în regiunea
de trecere a jCB (similară cu cea de la
străpungerea diodei Zener);
 anularea grosimii regiunii neutre a bazei
(w  0) şi întrepătrunderea regiunilor de
trecere ale joncţiunilor EB şi CB.
 Pentru conexiunea BC străpungerea apare la
VA numită tensiune de străpungere prin
avalanşă (tensiune de amorsare).
 Pentru conexiunea EC, străpungerea apare
la VS mai mică decât VA, tensiunea de
străpungere fiind cu atât mai mică cu cât
curentul de colector este mai mare.
 În cazul polarizării inverse a jEB, tensiunea de
străpungere este chiar tensiunea de amorsare VA.
41
Circuite de curent continuu cu TB
Vom analiza în continuare diverse circuite de polarizare a TB în RAN.
42
Limitări în funcţionarea TB
 Un circuit de polarizare în RAN caută să
asigure situarea punctului de funcţionare
în această regiune, ceea ce corespunde
la a satisface condiţiile:
 vCE > VCEsat (şă nu fie saturat)
 vCE < VCEmax(să nu se străpungă);
 iC > 0 (să nu fie blocat);
 iC < ICmax (să nu se distrugă structura);
 Pd < Pdmax (să
( ă nu se ambaleze
b l ttermic).
i )
 Punctul de funcţionare trebuie să fie stabil în această zonă în raport cu

variaţiile temperaturii sau ale parametrilor TB.
 Zona sigură de funcţionare în RAN este zona haşurată.
43
Polarizarea TB de la o singură sursă

 R1, R2 şi R3 stabilesc curentul de colector.
 R4 participă la stabilirea valorii tensiunii CE
CE.
 R3 stabilizează PSF prin introducerea unei
reacţii negative în c.c.
 Rezolvare (calculul circuitului) prin 2 metode:
 Se rezolvă sistemul format cu ecuaţiile
Kirchoff pentru circuit şi ecuaţiile
caracteristice pentru dispozitive.
Se poate dacă se fac aproximaţii pentru
caracteristicile TB, cel puţin pentru cele de intrare.
 Metoda iterativă, asemănător cu calculul curentului prin diodă.
Considerând valori iniţiale pentru IB şi pentru VBE, calculăm punctul
de funcţionare iar apoi facem corecţii modificând valorile iniţiale.
Viteza de convergenţă dă o informaţie despre stabilitatea circuitului
la variaţiile de temperatură (care modifică parametrii circuitului).
44
Polarizarea TB de la o singură sursă (cont.)

 Ecuaţiile pentru circuit
R2 RR VB  VBE
VB  VS   1 2  IB IE 
R1  R2 R1  R2 R3
VCE  VS  R4 I C  R3 I E IC  I E  I B
 Ecuaţiile tranzistorului
I I
VBE  VT  ln E I B  C  I CE 0
I ES F
 Calculul punctului de funcţionare decurge în felul următor:
 se consideră valorile iniţiale IB = 0 şi VBE = 0,6V;
0 6V;
 se calculează VB şi IE;
 se determină VBE şi IB din ecuaţiile tranzistorului;
 se reia calculul cu noul set de valori iniţiale.
 Calculul se consideră încheiat când şirul valorilor numerice pentru IE
se stabilizează. Se verifică daca este în RAN pentru care am scris
ecuaţiile caracteristicilor tranzistorului.
45
Circuitul de polarizare a TB cu două surse

 Rezistenţa din bază (R1) nu este necesară
pentru polarizarea tranzistorului. Lipsa ei nu
modifică substanţial polarizarea. Ea este însă
indispensabilă dacă se doreşte aplicarea unui
semnal în bază.
 Din circuit rezultă următoarele ecuaţii:
VE   R1 I B  VBE VE  VS
IE 
VCE  VS  R3 I C  VE R2
 Procedând ca la circuitul anterior, cu valorile

din schemă şi aceiaşi parametri ai TB, rezultă
punctul de funcţionare al TB având
coordonatele:
I E  0,94 mA VCE  6 ,672 V
46
Grup de TB polarizat de la două surse

 TB sunt polarizate interdependent de la
două surse. Stabilizarea PSF se face prin
reacţia negativă de curent continuu
existentă în circuit.
 Scriem ecuaţiile circuitului.
 Presupunem că tensiunile BE rămân
constante VBE1 = VBE2 = 0,6 V.
 Considerăm iniţial IB1 = IB2 = 0.
 Calculăm tensiunile şi curenţii din circuit
circuit.
VB1   R1 I B1
 Calculăm valorile modificate ale curenţilor
de bază. VE1  VB1  VBE1
 Repetăm ultimii doi paşi de câte ori este VE1  VS  R4  I E1  I C 2 
necesar. VC 2  R3 I C 2  VE1
După a treia repetare rezultatele nu se
VEB 2  R2  I C1  I B 2 

mai modifică semnificativ şi ne oprim:
Comportarea dispozitivelor la semnale mici


2
 Comportarea diodei la variaţii mici de semnal şi scheme echivalente
 Comportarea TB la variaţii mici de semnal şi scheme echivalente
 Comportarea TEC la variaţii mici de semnal şi scheme echivalente
 Etaje de amplificare de bază şi analiza comportării cu frecvenţa.
Comportarea dispozitivelor la semnale mici 1


3
Definiţii
 Se numesc variaţii mici de semnal, variaţiile de tensiune şi curent
situate într-un interval relativ restrâns în jurul unor componente continue,
interval în care comportarea dispozitivului poate fi descrisă prin ecuaţii
liniare.
 Schema echivalentă a dispozitivului este formată din componente

liniare, ale căror valori depind în general de punctul static de funcţionare
(componentele continue ale tensiunilor şi curenţilor prin dispozitiv).
 Variaţiile de tensiuni şi curenţi sunt mici

mici, dar vitezele de variaţie în timp
nu sunt neglijabile, astfel că acumulările de sarcini electrice în dispozitiv
trebuie luate în considerare, deoarece acestea produc defazaje între
tensiuni sau întârzieri la comutaţia dispozitivelor.

4
Generalităţi
 Modelele care descriu funcţionarea la variaţii mici de semnal au în
vedere o descriere a comportării tranzistoarelor în aplicaţii de tipul
etajelor de amplificare.
amplificare
 Tranzistoarele sunt polarizate în zona din caracteristici în care acestea
sunt drepte aproape orizontale; în raport cu colectorul, tranzistoarele
sunt echivalente cu un generator de curent comandat şi se comportă
liniar.
 În funcţionarea circuitelor respective, efectul sarcinilor acumulate în
joncţiuni sau alte regiuni ale tranzistoarelor este acela al unor
condensatoare
co de satoa e ca
care
epproduc
oduc de
defazaje
a aje şşi ate
atenuări
uă cu frecvenţa.
ec e ţa
 Reamintire convenţie notaţii:

 VBE − componenta continuă a tensiunii BE;
 vbe − variaţia tensiunii BE (componenta alternativă);
 vBE = VBE + vbe − tensiunea totală BE (componentele de c.c. şi c.a.).

Comportarea diodei la semnale mici
 Comportarea diodei la variaţii mici de semnal este determinată de

sarcinile electrice acumulate în dispozitiv (având capacităţi diferenţiale
asociate):
)
 sarcinile atomilor de impuritate din regiunea de trecere care
determină formarea câmpului electric intern (sarcina spaţială); (i se
asociază capacitatea de barieră)
 sarcinile electrice date de difuzia purtătorilor mobili în regiunile
neutre p şi n la conducţia diodei (i se asociază capacitatea de
difuzie)

6
Comportarea diodei la semnale mici
Schema echivalentă de semnal mic a diodei

 În conducţie directă, dioda este
echivalentă cu capacitatea de difuzie în
paralel cu rezistenţa dinamică la
polarizare directă.
 În conducţie inversă, schema
echivalentă este compusă din
capacitatea de barieră în paralel cu
rezistenţa în conducţie inversă a diodei.
Rezistenţa fiind foarte mare, practic
dioda este echivalentă cu un
condensator a cărui valoare poate fi
modificată prin tensiunea continuă
inversă aplicată.

Comportarea TB în RAN la semnale mici

8
Circuitul echivalent Giacoletto

 Schema echivalentă obţinută analizând sarcinile electrice acumulate în
bază se numeşte circuitul echivalent natural sau circuitul echivalent
Giacoletto.
 Modificarea concentraţiei minoritarilor în bază duce la creşterea

gradientului concentraţiei purtătorilor minoritari şi deci a curentului de
colector
q IC
ic   vbe
kT
 Panta echivalentă a tranzistorului, măsurată în [mA/V], cu IC
componenta continuă a curentului de colector în PSF, se defineşte ca
fiind mărimea
di i qI
gm  C  c  C
dvBE vbe kT


9
Circuitul echivalent Giacoletto (cont.)

 Rezistenţa rx reprezintă rezistenţa regiunii neutre a bazei, prin care se
închide curentul de bază, transversal faţă de curentul de emitor al
tranzistorului. Prezenţa acestei rezistenţe face ca din exterior să nu fie
accesibilă "baza" tranzistorului, în sensul în care a fost aceasta definită
la studiul tranzistorului.

10
Relaţii între parametrii de semnal mic ai TB

 Notaţiile europene pentru parametrii de semnal mic ai TB diferă de cele
de mai sus (americane):
rx  rbb' , r  rb' e , C  Cb' e , r  rb' c , C  Cb' c
r0  rce sau g 0  g ce
V  Vb' e
 Între parametrii de semnal mic există următoarele relaţii:
 gm = 40 IC − pentru IC exprimat în [mA] avem gm exprimat în [mA/V];
 gm r = F − pentru gm exprimat în [mA/V] avem r exprimat în [k]
(F static).
 Parametrii de semnal mic gm, r şi C sunt puternic dependenţi de
punctul static de funcţionare. Ceilalţi parametri C, r şi r0 prezintă
oarecare dependenţe de PSF (IC, VCE) dar dependenţa este mult mai
slabă decât în cazul primilor. De multe ori aceştia din urmă se pot
aproxima ca fiind constanţi.

11
Comportarea TEC la semnale mici

12
Comportarea TEC-J la variaţii mici de semnal

 PSF trebuie să se găsească în regiunea de
saturaţie a curentului de drenă.
 Diferenţiind ecuaţia de funcţionare a TEC
în acest regim, rezultă
I I
id  2 D DSS  vgs
VP
 Se defineşte ca fiind panta tranzistorului
id I D I DSS
gm   2
vgs VP
VDS  constant
Observaţii:
 gm depinde de PSF, mai redus decât la TB datorită funcţiei radical. Cu
cât curentul de drenă este mai mare, cu atât panta este mai mare.
 Panta maximă a unui TEC-J se obţine la VGS = 0 şi este |2 IDSS / VP|.


13
Comportarea TEC-J la variaţii mici de semnal (cont.)

 Rezultă pentru TEC-J schema echivalentă alăturată.

14
Comportarea TEC-MOS la variaţii mici de semnal

 Comportarea TEC-MOS este descrisă de o schemă echivalentă identică
cu cea de la TEC-J.
TEC J. Capacităţile Cgs şi Cgd corespund capacităţilor
grilă-substrat în zona S şi respectiv a D ale TEC-MOS.
 Panta echivalentă a TEC-MOS se obţine plecând de la ecuaţia
tranzistorului în zona de saturaţie a curentului de drenă procedând ca la
TEC-J
g m  2 kI D
Observaţie:
 Schemele echivalente ale TEC-MOS şi TEC-J
sunt identice. Ceea ce diferă este numai
relaţia de calcul a pantei.

15
Parametrii de cuadripol
ai TB la semnale mici
Un model des utilizat pentru TB este circuitul echivalent de cuadripol în

care TB este reprezentat printr-un cuadripol liniar activ în care intrarea şi
ieşirea
ş au o bornă comună.
Între cele 4 mărimi electrice se scriu 2 ecuaţii. Există 4 moduri de scriere a
ecuaţiilor, similar cu situaţia de la sursele comandate, fiecare mod având 4
parametrii de cuadripol.
Cel mai des se folosesc parametrii hibrizi (parametrii h), datorită uşurinţei
cu care pot fi aceştia măsuraţi practic.

16
Parametrii de cuadripol ai TB la semnale mici
 Rezistenţa de intrare cu
ieşirea în scurtcircuit
Parametrii h vi
h11 
v I  h11 iI  h12 vO ii vO  0
iO  h21 i I  h22 vO  Factorul de transfer invers
în tensiune cu intrarea în
gol
vi
h12 
uo ii  0
 Factorul de transfer direct în
curent cu ieşirea în
scurtcircuit
io
Observaţie: h21 
ii
Parametrii au valori diferite pentru fiecare vO  0
conexiune. Pentru ai diferenţia, la indice  Conductanţa de ieşire cu

se mai adaugă o litera, e pentru intrarea în gol
io
conexiunea EC, b pentru conexiunea BC h22 
şi c pentru conexiunea CC. vo ii  0

17
Etaje de amplificare
Etajul de amplificare constituie cel mai simplu bloc constructiv al unui

amplificator. El conţine unul sau maxim două tranzistoare care funcţionează
în regim
g de sursă comandată de curent. Pentru TB aceasta corespunde p la
regiunea activă normală iar pentru TEC la saturaţia curentului de drenă.
Faţă de colector, respectiv drenă, tranzistorul se comportă ca un generator
de curent comandat de tensiunile V, respectiv Vgs (se folosesc mărimi
subliniate – complexe – pentru că analiza se face în regim permanent
sinusoidal).

18
Etaje de amplificare de bază

 Cele trei tipuri de etaje au la bază conexiunile tranzistorului:
 Conexiunea emitor comun / sursă comună;
 Conexiunea bază comună / grilă comună;
 Conexiunea colector comun / drenă comună.
Observaţii:
 Circuitele prezentate includ componentele (rezistenţele) care asigură
polarizarea tranzistoarelor în regiunile amintite. Pentru etajele de
amplificare cu TEC s-a folosit numai un TEC-J dar circuite similare
există şi pentru TEC-MOS.
 Pentru simplificarea schemelor s-a ales varianta polarizării de la două
surse în unele cazuri. Numărul de componente din schemă este în acest
caz mai mic şi schemele echivalente pentru variaţii mici de semnal sunt
mai simple.


19
Etaj de amplificare emitor comun (a) şi sursă comună (b)

 RB, RE şi RC asigură polarizarea TB în RAN. Condensatoarele de cuplaj
CB şi CC separă în c.c. intrarea şi ieşirea de polarizarea TB şi permit
cuplarea semnalelor la intrare şi ieşire. Condensatorul de decuplare CE
scurtcircuitează E la masă în c.a. RC contribuie la amplificarea în c.a.
 Etajul de
amplificare
cu sursă
comună
funcţionează
similar.

20
Etaj de amplificare bază comună (a) şi grilă comună (b)

 RE şi RC împreună cu sursele de alimentare asigură polarizarea TB în
RAN. Condensatoarele de cuplaj CC şi CE separă în curent continuu
etajul de amplificare de restul circuitului şi permit cuplarea intrării şi
ieşirii la circuit.
 Similar stau lucrurile cu
etajul de amplificare în
conexiunea grilă comună.


21
Etaj de amplificare colector comun (a) şi drenă comună (b)

 Etajul numit şi repetor pe emitor are TB polarizat de la sursele de
alimentare prin intermediul rezistenţelor RE şi RC. Cuplajul la intrare şi
ieşire se realizează cu condensatoarele de cuplaj CB şi CE.
 Similar şi la repetorul pe sursă.

22
Analiza unui etaj cu TEC în conexiunea SC

 Analiza comportării la variaţii mici de semnal
impune desenarea schemei echivalente a
întregului circuit la variaţii mici de semnal:
 tranzistorul se înlocuieşte cu schema sa
echivalentă pentru variaţii mici de
semnal;
 sursele de polarizare de tensiune
continuă (fixe) au variaţii nule şi sunt
echivalente cu surse de tensiune de
valoare zero, adică cu scurtcircuite;
 sursele de curent continuu (fixe) au
variaţii nule şi sunt echivalente cu surse
de curent de valoare zero, adică cu
circuite întrerupte.


23
Chema echivalentă la semnale mici a etajului SC cu TEC

24
Calculul amplificării etajului SC cu TEC

 Calculul amplificării pentru acest circuit, adică a raportului VO / VI, nu
este chiar simplu.
 O simplificare vine de la valorile mult diferite ale condensatoarelor
circuitului.
 Domeniul de frecvenţe în care se studiază comportarea amplificatorului
poate fi împărţit în trei game, prezentate în tabelul de mai jos, făcând
posibilă simplificarea circuitului pentru calculul amplificării în funcţie de
gama aleasă.
Frecvenţa G
Gama G
Gama G
Gama
semnalelor frecvenţelor frecvenţelor frecvenţelor
de intrare joase medii Înalte
XG, XS, XD contează 0 0
Xgs, Xgd   contează


25
Schema echivalentă simplificată la frecvenţe medii

 Pentru calculul amplificării în gama frecvenţelor medii, CG, CG, CS şi CC se
scurtcircuitează iar Cgs şşi Cgd se întrerup.
p Schema echivalentă se simplifică
p mult.
 Schema simplificată:
 Schema completă:

26
Amplificarea la frecvenţe medii (în bandă)

 Ecuaţiile de circuit:
V O   g m RD || RL  V gs
RG
V gs  V
RI  RG I
 Rezultă amplificarea la medie frecvenţă:
V
A0  O   g m RD || RL  
RG
VI RG  RI
 De obicei RG >> RI şşi expresia
p se simplifică
p astfel
A0   g m RD || RL 
Observaţie:
 Cu cât rezistenţele RD şi RL sunt mai mari sau panta tranzistorului este
mai mare, cu atât amplificarea este mai mare.


27
Schema echivalentă simplificată la frecvenţe joase

28
Schema echivalentă simplificată la frecvenţe înalte


29
Performanţele etajului emitor comun cu TB

 Amplificarea la frecvenţe medii:
V O   g m RC V 
RB || r
V  V
RS  RB || r  I
RB || r
A0   g m RC 
RS  RB || r 
 Valoarea maximă a amplificării

p se obţine
ţ atunci
când RB || r >> RS şi are valoarea A0 = –gm RC.
 Impedanţa de intrare:
Rin  RB || r
 Impedanţa de ieşire:
Ries  RC

30
Performanţele etajului bază comună cu TB

Amplificarea la frecvenţe medii:
V I  V    V  V 

   gm V   0
RS r RE
V O   g m RC V 
g m RC
A0 
1  RS r  RS RE  g m RS
Deoarece în general avem g m  1 r  1 RE rezultă
R
A0  C
RS
1 1
Rin  
g m  1 r  1 RE g m
 Impedanţa de ieşire:
Ries  RC


31
Performanţele etajului colector comun cu TB

 Amplificarea la frecvenţe medii:
A0 
g m  g  RE 
RB
1
1  g RS  g m  g  RE RS  RB
'
Rin  r  1   F  RE
 Impedanţa de ieşire (se pasivizează circuitul,
se aplică o tensiune la iesire Vies şi se
calculează curentul absorbit Iies):
r
V   V ies 
r  RS
V ies r V ies
I ies   g m V ies  
RE r  RS r  RS
1 r  RS r  RS
Ries    
g m r r  RS   1 RE  1 r  RS  g m r F

32
Concluzii:
 Amplificarea este mare în cazul conexiunilor EC şi BC şi subunitară dar
foarte apropiată de unu în cazul conexiunii CC.
 În conexiunea EC se obţine o inversare de fază între semnalul de intrare
şi ieşire, în timp ce conexiunea BC nu introduce această inversare.
 Impedanţa de intrare este medie în cazul conexiunii EC, mică în cazul
conexiunii BC şi foarte mare la conexiunea CC.
 Impedanţa de ieşire este mare în cazul conexiunilor EC şi BC şi mică în
cazul conexiunii CC.
 Din valorile acestor parametri se poate vedea că etajele de amplificare
în conexiunea EC şi BC se folosesc atunci când se doreşte obţinerea
unei amplificări mari, în timp ce etajul de amplificare în conexiunea CC
poate fi folosit pentru o adaptare (conversie) de impedanţe.
 O analiză a comportării cu frecvenţa arăta că la conexiunile BC şi CC
lărgimea de bandă este cea mai mare. În conexiunea EC se produce o
reducere importantă a lărgimii de bandă, datorită efectului Miller.


33
Performanţele etajelor de amplificare cu TEC
SC GC DC
RG g m RC g m RS RG
A0  g m RC  
RI  RG 1 RI RS  g m RI 1 g m RS RI  RG
Rin RG 1 g m || RS RG
Ries RC RC 
RS || 1 g m 

Amplificatoare
Amplificatoare 2
 Definirea amplificatoarelor şi parametrii lor
 Reacţia în amplificatoare
amplificatoare, topologii de reacţie
 Influenţa reacţiei asupra parametrilor amplificatoarelor
 Răspunsul în frecvenţă al amplificatoarelor
 Configuraţii de amplificatoare de putere
 Definirea AO ideal
 Parametrii specifici AO
 Aplicaţii liniare şi neliniare ale AO
Amplificatoare 1
Amplificatoare 3
Definirea amplificatorului
 Un amplificator este un diport (cuadripol) liniar având două borne de
intrare, la care este aplicat semnalul de amplificat, şi două borne de
ieşire de unde se culege
culege, eventual pe o sarcină,
sarcină semnalul de ieşire
ieşire.
 Deşi atât intrarea cât şi ieşirea sunt caracterizate printr-o pereche de
mărimi, tensiune-curent, numai una dintre ele este considerată semnal
de intrare şi respectiv ieşire.
 Principalul transfer de semnal se face de la intrare către ieşire.
Transferul invers de la ieşire către intrare este foarte mic, acceptându-se
că amplificatorul nu are reacţie internă parazită semnificativă.
 Simbolul şi notaţiile pentru un amplificator:
 1 şi 2 = borne de intrare în amplificator
 3 şi 4 = borne de ieşire
 VS şi VS tensiuni continue de alimentare
 v  v   v  tensiunea diferenţială de intrare
v  v
 vimc  tensiunea de intrare de mod comun
2
Amplificatoare 4
Clasificarea după tipul de transfer

 amplificatoare de tensiune atunci când semnalele de intrare şi ieşire
sunt tensiuni;
 amplificatoare de curent atunci când semnalele de intrare şi ieşire sunt
curenţi;
 amplificatoare trans-impedanţă atunci când semnalul de intrare este
curent şi semnalul de ieşire este tensiune;
 amplificatoare trans-admitanţă atunci când semnalul de intrare este
tensiune şi semnalul de ieşire este curent.
Observaţii:
Ob ii
 În general un amplificator realizează o amplificare de tensiune sau
curent (primele două cazuri), respectiv amplitudinea semnalului de ieşire
este mai mare decât amplitudinea semnalului de intrare.
 Nu se poate defini această "mărire – amplificare" în cazul
amplificatoarelor trans-impedanţă sau trans-admitanţă (ultimele două
cazuri) deoarece mărimile de intrare şi ieşire sunt de naturi diferite.
Amplificatoare 2
Amplificatoare 5
Clasificarea după mărimea semnalelor amplificate

 amplificatoare de semnal mic atunci când variaţiile de tensiune şi
curent prin dispozitivele active sunt mici în raport cu valorile lor din PSF
(dispozitivele lucrează liniar);
 amplificatoare de semnal mare atunci când variaţiile de tensiune şi
curent prin dispozitivele active sunt mari în raport cu valorile lor din PSF
(dispozitivele nu lucrează liniar).
Clasificarea după felul semnalelor amplificate

 amplificatoare
p de curent continuu;;
 amplificatoare de curent alternativ;
 de bandă largă / îngustă,
 de frecvenţă joasă / înaltă / ultra-înaltă.
Amplificatoare 6
Clasificarea după clasa de amplificare

Clasa de amplificare este dată de unghiul de conducţie  al
dispozitivului raportat la o perioadă din semnalul sinusoidal aplicat
la intrare ( depinde de poziţia PSF pe caracteristică).
 amplificatoare de clasă A atunci când  ;
 amplificatoare de clasă B atunci când  ;
 amplificatoare de clasă AB atunci când  ;
 amplificatoare de clasă C atunci când  .
 amplificatoare de clasă D atunci când dispozitivul lucrează în
comutaţie (blocat-saturat)
Clasificarea după puterea semnalelor de ieşire

 amplificatoare de putere mică;
 amplificatoare de putere mare.
Amplificatoare 3
Parametrii amplificatoarelor
Parametrii unui amplificator pot fi de două feluri:

 de curent continuu care descriu comportarea de curent continuu a
amplificatorului polarizări,
amplificatorului, polarizări curenţi de polarizare la intrare
intrare, tensiuni de
alimentare etc.;
 de curent alternativ care descriu comportarea amplificatorului în raport
cu semnalul de intrare.
În funcţie de localizarea în amplificator a mărimilor caracterizate de
parametrii săi, aceştia se pot împărţi în trei grupe: parametri de intrare, de
ieşire şi de transfer.
Amplificatoare 8
Parametrii de intrare
 Gama tensiunilor de intrare
Reprezintă domeniul de tensiuni de intrare (diferenţiale respectiv de mod
comun) pentru care amplificatorul funcţionează corect (liniar şi fără să se
distrugă).
 Impedanţa de intrare
Reprezintă impedanţa văzută
dinspre sursa de semnal la
intrarea amplificatorului.
Există o impedanţă de
intrare diferenţială (Rid)
şi o impedanţă de intrare
de mod comun (Rimc).
Amplificatoare 4
Amplificatoare 9
Parametrii de ieşire
 Gama de variaţie a tensiunii de ieşire
Reprezintă domeniul de valori posibile pentru tensiunea de ieşire
ieşire.
 Gama de curenţi de ieşire
Reprezintă domeniul maxim al curentului de ieşire din amplificator,
specificat pentru o anumită rezistenţă de sarcină, tensiune de
alimentare, temperatură etc.
 Impedanţa de ieşire
Reprezintă valoarea impedanţei interne echivalente văzute la ieşirea
amplificatorului.
lifi t l i D De obicei
bi i are o comportare
t rezistivă
i ti ă d
dominantă,
i tă fii
fiind
d îîn
cele mai multe cazuri asimilată cu o rezistenţă de ieşire.
 Puterea maximă de ieşire
Este un parametru ce se specifică în cazul amplificatoarelor de putere.
Ea reprezintă puterea maximă ce poate fi debitată la ieşire în anumite
condiţii de lucru specificate – tip de semnal, frecvenţa acestuia, sarcină,
tensiuni de alimentare, temperatură etc.
Amplificatoare 10
Parametrii de transfer
 Factorul de amplificare sau amplificarea circuitului
Este raportul dintre variaţia tensiunii de ieşire şi variaţia tensiunii de
intrare în condiţiile în care amplificatorul funcţionează liniar, fără limitări
ale semnalului la ieşire.
 Caracteristicile de amplitudine-frecvenţă şi fază-frecvenţă
Reprezintă dependenţa modulului şi fazei amplificării cu frecvenţa.
 Banda amplificatorului
Reprezintă limitele de frecvenţă între care se poate considera că modulul
amplificării
lifi ă ii este
t aproape constant
t t ((maii exactt cuprins
i îîntre
t a0 / 21/2 şii a0,
unde a0 este amplificarea în bandă).
Lărgimea de bandă este diferenţa fmax – fmin.
Amplificatoare 5
Amplificatoare 11
Parametrii de transfer (cont.)

 Caracteristica de transfer
Reprezintă dependenţa intrare-ieşire a amplificatorului trasată la o
frecvenţă medie din banda amplificatorului.
Pentru un amplificator ideal această dependenţă este o linie dreaptă.
Neliniarităţile caracteristicii de transfer se măsoară în procente din gama
maximă de variaţie a semnalului de intrare şi produc în general
distorsiuni ale semnalului de ieşire.
 Factorul de distorsiuni
Caracterizează abaterea de la o caracteristică de
transfer liniară şi măsoară această abatere prin raportul
exprimat în procente dintre puterea armonicelor
generate la ieşire, în cazul aplicării unui semnal
sinusoidal la intrare, şi puterea fundamentalei obţinute
la ieşire din sinusoida de intrare. Acest parametru
este specific în general amplificatoarelor audio.
12
Reacţia în amplificatoare
Marea majoritate a amplificatoarelor sunt circuite cu reacţie. Reacţia are

efecte benefice asupra performanţelor amplificatorului, astfel că un
amplificator
p cu reacţie
ţ are valori ale parametrilor
p care nu ar p
putea fi obţinute
ţ
direct, fără folosirea acesteia.
Amplificatoare 6
Amplificatoare 13
Definirea reacţiei în amplificatoare

 O structură de amplificator cu reacţie este constituită din amplificatorul
propriu-zis,
propriu zis, circuitul de reacţie şi un sumator de semnale conectat la
intrarea acestuia. Atât amplificatorul cât şi reţeaua de reacţie au transfer
unidirecţional de semnal, respectiv, amplificatorul realizează întreg
transferul intrare-ieşire iar reţeaua de reacţie realizează întreg transferul
ieşire-intrare.
 Si – intrarea în amplificatorul cu reacţie
 So – ieşirea din amplificatorul cu reacţie
 S – intrarea în amplificatorul fără reacţie
 Sr – ieşirea reţelei de reacţie
 a = So / S – amplificarea fără reacţie
 A = So / Si – amplificare cu reacţie
 f = Sr / So – factorul de transfer al
reţelei de reacţie
Amplificatoare 14
Amplificarea cu reacţie A

S o  a S   a  S i  S r   a  S i  f S o 
 
So  1 a f  a Si
a
A amplificarea cu reacţie
1 a f
Sr
T a f  factorul de transfer în buclă (caracterizează transferul
S total în bucla amplificator-reţea de reacţie)
Observaţii:
Ob ţii
 Dacă se cunoaşte amplificarea fără reacţie (a) şi factorul de transfer al
reţelei de reacţie (f), putem determina amplificarea cu reacţie foarte
simplu.
 Dificultatea problemei în cazul unui circuit real constă în delimitarea celor
două module – amplificator şi reţea de reacţie – pentru că orice circuit
practic are atât un transfer direct cât şi unul invers.
Amplificatoare 7
Amplificatoare 15
Reacţie pozitivă sau negativă

 Considerând semnul plus la circuitul sumator, avem
  
reacţia negativă pentru arg a f  2k  1  
  
reacţia pozitivă pentru arg a f  2k 
 Pentru amplificatoare, la care reacţia negativă este aproape o regulă,
convenţia de semn pentru sumatorul de la intrare este minus şi
amplificarea cu reacţie este
a
A
1 a f
 Un amplificator cu reacţie pozitivă

oscilează, adică generează semnal la
ieşire fără să i se aplice semnal la intrare
Amplificatoare 16
Reacţia în amplificatoare a
A
Influenţa reacţiei asupra amplificării 1 a f
 Dacă |a f| >> 1 atunci A = 1 / f. Valoarea amplificării cu reacţie nu

depinde de valoarea amplificării fără reacţie ci numai de factorul de
transfer al reţelei de reacţie.
 Pentru a avea |A| > 1 trebuie ca |f| < 1, ceea ce înseamnă că reţeaua de
reacţie poate fi realizată cu elemente pasive şi se comportă ca un
atenuator.
 Diferenţiind A se obţine
dA 1 da
 
A 1  a f  a
 Variaţia relativă a amplificării cu reacţie este de |1 + a f| ori mai mică
decât variaţia relativă a amplificării fără reacţie. Fenomenul care are loc
este o desensibilizare a valorii amplificării cu reacţie faţă de variaţiile
amplificării fără reacţie. Factorul 1 + a f se numeşte factor de
desensibilizare.
Amplificatoare 8
Amplificatoare 17
Reacţia în amplificatoare a
A
Influenţa reacţiei asupra neliniarităţilor 1 a f
 În cazul unei neliniarităţi ca cea din caracteristica alăturată, variaţia

relativă a amplificării cu reacţie va fi
A1  A2 a1  a2 1
 
A1 a1 1  a2 f
 Are loc liniarizarea amplificatorului deoarece variaţia relativă a
amplificării cu reacţie este de 1 + a2 f ori mai mică decât a amplificării
fără reacţie.
Ob ţi
Observaţie:
 Preţul plătit pentru aceste avantaje
(desensibilizare şi liniarizare) este
pierderea de amplificare, deoarece
şi amplificarea scade prin introducerea
reacţiei tot de 1 + a f ori.
Amplificatoare 18
Topologii de bază ale amplificatoarelor cu reacţie

 Pentru a analiza şi alte efecte ale reacţiei, este necesar să precizăm tipul
semnalelor de intrare şi de ieşire folosite (tensiuni sau curenţi).
 Vom privi amplificatorul şi reţeaua de reacţie ca pe doi diporţi conectaţi în
paralel sau în serie atât la ieşire cât şi la intrare.
 Operaţia de scădere a mărimilor de intrare se numeşte comparare.
 Operaţia de preluare prin reţeaua de reacţie a unei părţi din semnalul de
ieşire se numeşte eşantionare.
 Rezultă patru combinaţii.
Amplificatoare 9
Amplificatoare 19
Topologii de bază ale amplificatoarelor cu reacţie (cont.)

 Comparare în buclă şi eşantionare în nod sau
reacţie serie la intrare - paralel la ieşire
au  V o V 
f Vr Vo
u
au
Au 

1 au f u

Amplificatoare 20

 Comparare în buclă şi eşantionare în buclă sau
reacţie serie la intrare - serie la ieşire
ay  Io V
f V r Io
z
ay
Ay 
1  a y f z

Amplificatoare 10
Amplificatoare 21

 Comparare în nod şi eşantionare în nod sau
reacţie paralel la intrare - paralel la ieşire
az  V o I
f  Ir Vo
y
az
Az 

1 az f y

Amplificatoare 22

 Comparare în nod şi eşantionare în buclă sau
reacţie paralel la intrare - serie la ieşire
ai  I o I 
f  Ir Io
i
ai
Ai 
1  a i f i

Amplificatoare 11
Amplificatoare 23
Influenţa reacţiei asupra impedanţelor de intrare

 Tipul de conexiune de la ieşire nu are nici o importanţă. Semnalul de
ieşire (tensiune sau curent) este notat generic cu So.
 Pentru conexiunea serie la intrare (comparare în buclă)
So  a V 
V r  f So  a f So Zi  I
V V
Z 'i  i V i  V   V r 
Z 'i  Z i  1  a f 
 I
 Pentru conexiunea paralel la intrare (comparare în nod)
V Vi Zi
So  a I I r  f So  a f I Z 'i  i  

Ii I  I r 1 a f 
Amplificatoare 24
Influenţa reacţiei asupra impedanţelor de ieşire

 Nu are importanţă tipul de conexiune la intrare. Semnalele la intrare sunt
notate generic prin Si, Sr, Se.
 Pentru conexiunea paralel la ieşire (eşantionare în nod) – aplicăm un
generator de tensiune Vext şi pasivizăm sursele de intrare
V V  a f V ext Z 'o 
Zo
S   S i  S r   S r Z 'o  ext I o  ext
Io Zo 1  a f
Amplificatoare 12
Amplificatoare 25
Influenţa reacţiei asupra impedanţelor de ieşire (cont.)

 Pentru conexiunea serie la ieşire (eşantionare în buclă) – aplicăm un
generator de tensiune Io şi pasivizăm sursele de intrare
 
V o  Io   a f Io Zo  
Z 'o  Z o  1  a f 
Concluzie:
 La proiectarea unui amplificator, alegerea tipului de conexiune la intrare
şi ieşire se face după valoarea impedanţelor ce se doresc a fi obţinute.
Amplificatoare 26
Exemplificări ale topologiilor de reacţie cu AO

 Eşantionare în nod şi comparare în buclă
 Factorul de reacţie
Vr R1
fV  
VO R1  R2
 Amplificarea cu reacţie
VO 1 R
AV    1 2
VI fV R1
 Eşantionare în nod şi comparare în nod

I 1
fY  r 
VO R
VO 1
AZ   R
II fY
Amplificatoare 13
Amplificatoare 27
Exemplificări ale topologiilor de reacţie cu AO (cont.)

 Eşantionare în buclă şi comparare în buclă
V
f Z  r  Rr
IO
I 1
AY  O 
VI Rr
 Eşantionare în buclă şi comparare în nod

I R1
fI  r 
I O R1  R2
1 R
AI   1 2
fI R1
Amplificatoare 28
Amplificatoare din mai multe etaje de amplificare

 Un amplificator este format dintr-o cascadă de etaje de amplificare.
 Amplificarea globală a este produsul amplificărilor individuale ai ale
etajelor amplificatorului:
V V V V
a  n  n  n 1    1  a n a n 1    a1
V I V n 1 V n  2 VI
 Această relaţie nu este uşor de utilizat deoarece determinarea
amplificării etajelor presupune separarea acestora de ansamblul
amplificatorului şi calculul amplificărilor individuale. Această operaţie nu
este chiar simplă deoarece,
deoarece în general
general, comportarea unui etaj de
amplificare este diferită când acesta este luat izolat sau în conexiune cu
celelalte două etaje adiacente lui (impedanţele sursei şi sarcinii modifică
performanţele, inclusiv amplificarea, etajului).
Amplificatoare 14
Amplificatoare 29
Comportarea în frecvenţă a unui etaj de amplificare

 Comportarea cu frecvenţa a unui etaj de
amplificare care poate funcţiona şi în
curent continuu, poate fi descrisă
aproximativ (simulată) de circuitul alăturat.
V 'O
V 'O  a0 V I , V O 
1  j C R
1
a  j  
a0 a0
 0 
1  j C R 1  j /  0 CR
 C
Caracteristicile
t i ti il amplitudine-frecvenţă
lit di f ţă şii
fază-frecvenţă vor fi:
a0  
a  j   ,      arctg  
2   0 
 
1   
 0 
Amplificatoare 30
Caracteristicile de frecvenţă ale unui etaj de amplificare

 Sunt reprezentate într-o formă
simplificată, curbele fiind înlocuite
cu asimptotele lor. Asimptotele se
obţin considerând cazurile extreme:

 Pentru  1
0
a j  dB  20  log a0  a0 dB

 Pentru  1
0
 a  
a j  dB  20  log  0 0 
  
 Observaţie:
 Grupul RC marchează limitarea în domeniul frecvenţă a etajului,
producând o scădere a amplificării cu frecvenţa, scădere care există în
orice amplificator.
Amplificatoare 15
Amplificatoare 31
Caracteristicile de frecvenţă ale unui amplificator cu 2 etaje

 Comportarea cu frecvenţa a unui
amplificator format două etaje:
a10  a20
a  a1  a 2 
     
1  j   1  j 
 1    2 
20  log a  20  log a1 a 2  20  log a1  20  log a 2
 Caracteristica asimptotică de frecvenţă
a j  dB  a1 j   a 2  j 
dB dB
 Caracteristica asimptotică de fază
(curba arctangentă se aproximează
cu segmente de dreaptă)
 Observaţie:
 O caracteristică de frecvenţă este în general mai complicată (un singur
etaj de amplificare are cel puţin doi factori la numitor – doi poli ).
Amplificatoare 32
Influenţa reacţiei asupra caracteristicii de frecvenţă

 Consideram un amplificator cu un pol care are o reţea de reacţie pur
rezistivă şi al cărui factor de reacţie f variază continuu în [0 … 1].
 Amplificarea fără reacţie
a  j  
a0
1  j /  0
 Amplificării cu reacţie
a  j  a0 1  a0 f 
A j   
1  a j   f 1  j   0  1  a0 f 
 Amplificarea de JF cu reacţie
a0
A0 
1 a0 f
 Amplificarea cu reacţie scade si
frecvenţa limită creşte (de 1 + a0f ori)
 Deoarece produsul T = A0 ’0 = a0 0
este constant, frecvenţa maximă de
lucru a amplificatorului cu reacţie
creşte odată cu mărirea factorului
de reacţie f şi se află pe grafic la intersecţia dintre dreapta |A0|dB cu
asimptota de la frecvenţe ridicate a caracteristicii de frecvenţă a
amplificatorului fără reacţie.
Amplificatoare 16
33
Amplificatoare de putere
Din multele tipuri de amplificatoare speciale, amplificatoarele de putere sunt

foarte răspândite. Din acest motiv le trecem în revistă doar calitativ.
Amplificatoare 34
Cuplarea directă a două sau mai multe tranzistoare

 Pentru curenţi mari şi amplificări mari,
în amplificatoarele de putere sunt
utilizate adesea cuplaje directe între
tranzistoare:
 Montajul Darlington
(montajul super beta)
 Montajul Darlington complementar

(montajul super g)
 Cuplarea în paralel a tranzistoarelor
Amplificatoare 17
Amplificatoare 35
Cuplajul cu sarcina
 Cuplajul direct (a)
Cel mai simplu dar necesită un amplificator care
săă nu aibă
ibă componentă tă continuă de ttensiune
ti ă d i lla
ieşire, adică două surse de alimentare. O
defecţiune în etajul de ieşire (scurtcircuitarea
unuia din tranzistoarele de ieşire) poate aduce
prejudicii sarcinii RL. Comportarea cu frecvenţa
(la joasă frecvenţă) nu este însă influenţată de
nici un element suplimentar şi este dată numai
de performanţa amplificatorului.
 Cuplajul prin condensator (b)
C de cuplaj este de obicei de valoare maremare,
voluminos şi costisitor, şi introduce limitarea
joasă frecvenţă din cauza filtrului trece sus
format din C şi RL.
 Cuplajul prin transformator (c)
Rar folosit deoarece transformatorul e scump,
voluminos şi slab performant în frecvenţă. Are
avantajul separării gralvanice şi adaptării
impedanţei sarcinii la ieşirea amplificatorului.
Amplificatoare 36
Etaj de ieşire repetor pe emitor clasă A

 Proprietăţi importante:
 Puterea absorbită de la sursă este
constantă
 Limitare asimetrică a caracteristicii de
transfer
 Puterea disipată în tranzistor este maximă
în absenţa semnalului la ieşire
 Randament mic (cel mult 25%) dependent
de amplitudinea tensiunii de ieşire,
ieşire fiind
maxim pentru tensiunea de ieşire maximă
 Distorsiuni mici
 Utilizat rar şi nu pentru puteri mari
Amplificatoare 18
Amplificatoare 37
Etaj de ieşire în contratimp

clasă B alimentat de la 2 surse
 Proprietăţi importante:
 Puterea absorbită de la sursă creşte o dată cu
puterea în sarcină
 Limitare simetrică a caracteristicii de transfer
 Distorsiuni de trecere prin zero care se simt
mai ales la semnale mici
 Puterea disipată în tranzistor este maximă la o
tensiune de ieşire mai mică decât cea maxima
(aprox 60%).
 Randament bun mult îmbunătăţit faţă de clasă A
(până la aproape 78,5%) dependent de
amplitudinea tensiunii de ieşire, fiind maxim
pentru tensiunea de ieşire maximă
 Cel mai utilizat pentru amplificatoare audio şi
servocomenzi
Amplificatoare 38
Eliminarea distorsiunilor de trecere prin zero

 Pentru tensiuni de intrare mai mici decât
tensiunea de deschidere a TB tranzistoarele nu
pot conduce şi ca urmare tensiunea de ieşire
va fi nulă tot timpul. Semnalul pur şi simplu nu
apare la ieşire în toate aceste intervale de timp.
Pentru a pre-deschide cele două tranzistoare,
circuitul de polarizare trebuie să creeze o
diferenţă de tensiune continuă între cele două
baze
 Dificultatea care apare este produsă de faptul
că tensiunea de deschidere a joncţiunii bază-
emitor este dependentă de temperatură, ca
urmare şi tensiunea de polarizare trebuie să
aibă aceiaşi variaţie cu temperatura.
 Aceasta se realizează folosind un circuit "diodă
multiplicată" cu TB pus pe radiatorul finalelor
ca să aibă aceeaşi temperatură.
Amplificatoare 19
Amplificatoare 39
Etaj de ieşire în contratimp clasă B alimentat de la o sursă

 Proprietăţile sunt aceleaşi ca cele ale etajului alimentat la 2 surse
Amplificatoare 40
Etaj de ieşire cu sarcină flotantă – conexiune în punte

 Dublarea tranzistoareler finale dar eliminarea condensatoarelor de
cuplaj a sarcinii
 Comparativ cu etajul de ieşire cu sarcină la masă, pentru aceeaşi
valoare a tensiunii de alimentare şi a rezistenţei de sarcină, puterea în
sarcină creşte de 4 ori
 Creşte de 4 ori puterea absorbită (randamentul nu se schimbă) şi
puterea disipată totală
 Utilizat pentru a mări puterea de ieşire când tensiunea de alimentară
este limitată şi a simplifica în acelaşi timp structura acestuia prin
eliminarea condensatoarelor de cuplaj
Amplificatoare 20
Amplificatoare 41
Amplificator de semnal analogic clasă D

 Etajele de ieşire clasă D sunt etaje de ieşire care lucrează în comutaţie.
 Pierderile când tranzistoarele sunt blocate sau în conducţie sunt mici dar
sunt mai mari în momentele tranziţiilor între conducţie şi blocare.
Comutaţia fiind rapidă, intervalele de timp cu pierderi mari sunt foarte
scurte şi valoarea medie a acestor pierderi este mică.
 Utilizat atunci când randamentul este esenţial (alimentare de la baterii)
sau pentru distorsiuni minime (dispozitivele de putere nu lucrează liniar!)
42
Amplificatoare operaţionale (AO)
Un nou concept teoretic, acela de amplificator operaţional (AO), a

simplificat proiectarea circuitelor cu amplificatoare înlocuind proiectarea
unui amplificator – o procedură dificilă – cu proiectarea mult mai simplă a
uneii aplicaţii
li ţii a AO
AO.
AO sunt extrem de răspândite în aplicaţii legate de măsurarea mărimilor
electrice şi neelectrice, bucle de control, filtre active etc., în aplicaţii în
domenii de frecvenţă relativ coborâte (sub 1 MHz).
O versiune mai performantă a lor sunt aşa numitele amplificatoare de
instrumentaţie care au performanţe deosebit de bune în special în curent
continuu.
Amplificatoare 21
Amplificatoare 43
Definirea AO ideal
 Un AO ideal este un amplificator de curent continuu care are următoarele
proprietăţi:


v  lim a  v  lim a  v   v 
Tensiunea de ieşire este O a0  0  a0  0

 Curenţii de intrare de c.c. şi c.a. în amplificator sunt nuli (impedanţa
de mod comun şi de mod diferenţial sunt infinite)
 Caracteristica de transfer a amplificatorului este cea de mai jos
(tensiune de ieşire finită cu amplificare infinită implică tensiune de
intrare diferenţială nulă)
 Amplificarea în buclă deschisă a0 este un număr real pozitiv care
tinde la +, independentă de frecvenţă
 Impedanţa de ieşire a amplificatorului este nulă
nulă, el comportându-se
comportându se
la ieşire ca un generator ideal de tensiune comandat
Amplificatoare 44
Parametrii specifici ai AO
 Gama de tensiuni de intrare de mod comun
(Common Mode Input Range)
Definit ca pentru amplificatoare (diapozitivul 8)
 Gama de tensiuni de intrare diferenţiale
(Differential Input Range)
Definit ca pentru amplificatoare (diapozitivul 8)
 Tensiunea de offset
(VOS – Input Offset Voltage)
Tensiunea care trebuie aplicată
p la intrare p
pentru a obţine
ţ zero la ieşire.
ş
 Curenţii de polarizare şi de offset
(IP+, IP– – Input Bias Current, IOS – Input Offset Current)
Curenţii de polarizare reprezintă componentele de curent continuu care
se închid prin intrările AO.
Curentul de offset este modulul diferenţei curenţilor de polarizare.
Amplificatoare 22
Amplificatoare 45
Parametrii specifici ai AO (cont.)

 Variaţia cu temperatura şi în timp a tensiunii de offset
şi a curenţilor de polarizare
(Input Voltage Drift, Input Current Drift)
Variaţia cu temperatura este numită derivă termică (thermal drift). Deriva
pe termen lung (long term drift) reprezintă variaţia pe perioade lungi de
timp (lună, an).
 Impedanţa de intrare în amplificator
(Input Impedance)
Este rezistenţa de intrare diferenţială.
 Amplificarea în buclă deschisă
(Open Loop Gain)
Amplificarea (câştigul) în buclă deschisă reprezintă factorul de
amplificare al AO măsurat la joasă frecvenţă atunci când acesta nu este
conectat într-o buclă de reacţie negativă. La multe amplificatoare
operaţionale se specifică şi frecvenţa la care amplificarea scade la
valoarea unu (unity gain frecvency) notată cu fT.
Amplificatoare 46

 Factorul de rejecţie de mod comun
(Common Mode Rejection Ratio)
La un AO real tensiunea de ieşire este dependentă nu numai de
diferenţa tensiunilor de intrare ci şi de semisuma lor:
 
vO  a0  v   v   acc 
v  v
2
 a0 v  acc vicm
Amplificarea acc este numită amplificare de mod comun. Raportul dintre

amplificarea diferenţială a0 şi amplificarea de mod comun acc defineşte
factorul de rejecţie de mod comun (CMRR).
 Impedanţa de ieşire şi variaţia maximă de tensiune la ieşire
Impedanţa de ieşire, de fapt rezistenţa de ieşire – este rezistenţa
generatorului echivalent intern de la ieşirea amplificatorul fără reacţie.
Ea limitează variaţia maximă de tensiune la ieşire pe măsură ce curentul
de ieşire creşte, dependenţă dată de obicei grafic.
Amplificatoare 23
Amplificatoare 47

 Viteza (panta) maximă de variaţie a tensiunii de ieşire
(Slew Rate)
(Slew-Rate)
Reprezintă panta maximă de variaţie în timp pe care o poate avea
tensiunea de ieşire din AO.
48
Aplicaţii liniare ale AO
Funcţiile de transfer realizate de aceste circuite sunt liniare.
Amplificatoare 24
Amplificatoare 49
AO cu reacţie
 Pentru ca AO să funcţioneze ca amplificartor este necesară asigurarea
condiţiei v = 0, de către un circuit extern AO care să creeze o
dependenţă ssuplimentară
plimentară între vO şi v (un
( n circ
circuit
it de reacţie)
reacţie).
 Presupunând un circuit de reacţie liniar dependenţa poate fi:
 Reacţie pozitivă (curba 1)
1 m
v  k vO  m  vO  v 
k k
 Reacţie negativă (curba 2)
1 m
v   k vO  m  vO   v 
k k
unde k este o constantă pozitivă, iar m poate avea valori pozitive sau
negative,
ti variind
ii d îîntre
t anumite
it lilimite.
it
 Pentru reacţie pozitivă avem trei intersecţii cu caracteristica, dar numai
una satisface condiţia v = 0, iar pentru cea negativă avem una singură.
Concluzie:
 Pentru ca AO să realizeze funcţia de amplificare, circuitul de reacţie
trebuie să asigure o reacţie negativă dominantă. Reacţia pozitivă nu
este exclusă, dacă ea este prezentă împreună cu o reacţie negativă mai
puternică.
Amplificatoare 50
Conexiunea neinversoare (amplificator neinversor)

 Putem scrie următoarele relaţii între tensiuni:
V   VI
R1
V   VO
R1  R2
V  V   V 
VO  a0 V
 Rezolvând acest sistem în raport cu tensiunea de ieşire rezultă
a0 R  R2 1
VO   1  V
R1 R1 R  R2 I
1  a0  1 1
R1  R2 a0 R1
 Pentru a0   amplificarea cu reacţie devine
V R
A  O 1 2
VI R1
 Amplificarea cu reacţie este o mărime real pozitivă şi supraunitară.
Amplificatoare 25
Amplificatoare 51
Conexiunea inversoare (amplificator inversor)

 Putem scrie următoarele relaţii între tensiuni:
V 0
VO  a0 V
V  V   V 
R2 R1
V   VI   VO
R1  R2 R1  R2
 Rezolvând acest sistem în raport cu tensiunea de ieşire rezultă
R 1
VO   2   VI
R1 1  R1  R2
a0 R1
 Pentru a0   amplificarea cu reacţie devine
R
A 2
R1
 Amplificarea cu reacţie este o mărime real negativă.
Amplificatoare 52
Circuitul integrator
 În cazul mai general, când rezistenţele sunt
înlocuite cu impedanţe, amplificarea cu reacţie
în cazul unui AO ideal în conexiune inversoare devine
Z
A 2
Z1
 Factorul de transfer al integratorului în cazul unui AO ideal este
V 1
F  j   O  
VI j CR
 Tensiunea de ieşire este
1 VI
VO   
j CR
 Primul factor este echivalentul integrării, în complex. Conform
proprietăţilor transformatei Fourier, relaţia în domeniul timp este
1
vO t    vI t  dt
CR 
Amplificatoare 26
Amplificatoare 53
Circuitul de derivare
 Factorul de transfer al integratorului
în cazul unui AO ideal este
F  j    j CR
 Tensiunea de ieşire este

V O  j    j CR V I
 Această dependenţă în domeniul frecvenţă corespunde unei derivări în

domeniul timp, respectiv
dv t 
vO t   CR  I
dt
Amplificatoare 54
Amplificator cu intrare diferenţială

 Tensiunea de ieşire din circuit este
R R  R2 R4
VO   2  V2  1   V1
R1 R1 R3  R4
 În cazul particular când
R 4 R2

R3 R1
tensiunea de ieşire este dependentă numai
de diferenţa tensiunilor de intrare
VO  2  V1  V2 
R
R1
 Dezavantajul principal al aceste scheme îl
constituie impedanţa de intrare diferită şi nu
prea mare, pe intrările de plus şi minus.
Amplificatoare 27
Amplificatoare 55
Amplificator diferenţial de instrumentaţie

 R  R R  R 
VO1  1  2   V1  2  V2 VO 2   2  V1  1  2   V2
 R1  R1 R1  R1 
 R2 
VO3  1  2   V2  V1 
 R1 
 Avantajul acestui circuit,

pe lângă faptul că are
impedanţe egale şi mari
la intrări, îl constituie
faptul că se poate face
reglajul amplificării
diferenţiale prin
modificarea unei singure
valori de rezistenţă – R1.
Amplificatoare 56
Sumator ponderat
 Tensiunea de ieşire din circuit se obţine
observând faptul că intrarea minus a
AO este punct virtual de masă. Scriind
suma curenţilor în nodul (V–) rezultă
n
VO   
Rk
Vk
R
k 1 0
 Un exemplu de aplicaţie a sumatorului

elementar îl constituie translaţia de
potenţial a unei tensiuni. Acelaşi circuit
se foloseşte pentru compensarea
tensiunii de offset.
Amplificatoare 28
Amplificatoare 57
Convertor curent-tensiune
 Circuitul este de fapt un amplificator
trans impedanţă. Generatorul de curent
trans-impedanţă.
de intrare "vede" la intrare o impedanţă
foarte mică, practic nulă (intrarea minus
a AO este un punct virtual de masă).
Tensiunea de ieşire este
VO   R I I
58
Aplicaţii neliniare ale AO
Tensiunea de ieşire a acestor circuite depinde de tensiunea de intrare după

o funcţie matematică neliniară.
Amplificatoare 29
Amplificatoare 59
Inversarea unei funcţii

 Nu contează tipul de neliniaritate, doar că circuitul respectiv trebuie să
asigure închiderea unei bucle de reacţie negative.
 Prezenţa reacţiei negative face ca intrarea minus a AO să se comporte
ca un punct virtual de masă. Făcând suma curenţilor rezultă
vI v2
  I P  0
R R
unde v2 = f(vO) . Considerând AO ideal, curentul de intrare este nul şi
rezultă -vI = f(vO). Tensiunea de ieşire va fi
vO  f 1 vI 
Amplificatoare 60
Redresor monoalternanţă
 De ce să nu folosim un redresor
monoalternanţă clasic cu o diodă ci unul
cu AO? Motivul este căderea de
tensiune pe diodă.
 Diodele vor separa căile de reacţie în
funcţie de polaritatea semnalului de la
intrare.
 Tensiunea de ieşire va fi
0 dacă vI  0
vO  
 v I dacă vI  0
Amplificatoare 30
Amplificatoare 61
Redresorul bialternanţă cu comutarea conexiunii AO

 Dacă comutatorul K este închis circuitul
este un amplificator inversor
R
vO   2  vI
R1
 Dacă comutatorul K este deschis circuitul
este un amplificator mixt (cu intrare
inversoare şi neinversoare) şi prin
superpoziţie
R  R 
vO   2  vI  1  2   vI  vI
R1  R1 
 Pentru a obţine redresare dublă alternanţă
cele două tensiuni de la ieşirea AO1 trebuie
să fie în modul egale ceea ce impune ca
R1 şi R2 să fie egale.
Amplificatoare 62
Redresorul bialternanţă cu comutarea conexiunii AO (cont.)

 AO1 trebuie să fie inversor pentru tensiune de intrare negativă (k închis)
şi conexiune mixtă pentru tensiune de intrare pozitivă (k deschis).
 Pentru intrare negativă, tensiunea la intrarea minus a AO2 va fi negativă
iar tensiunea de ieşire din AO2 pozitivă. Dioda D, polarizată direct,
închide bucla de reacţie negativă, deci intrarea minus a AO2 va fi un
punct virtual de masă. Intrarea plus a AO1
va fi şi ea pusă la masă şi deci
"comutatorul K" este închis.
 Pentru intrare p
pozitivă,, tensiunea pe
p intrarea
minus a AO2 va fi pozitivă, tensiunea de
ieşire din AO2 va fi negativă şi dioda D
este blocată. AO2 nu are reacţie. Impedanţa
de intrare mare face ca borna minus să se
comporte ca un circuit în gol.
"Comutatorul K" este deschis.
Amplificatoare 31
Amplificatoare 63
Detector de vârf
 Un detector de vârf este un circuit
ş ultima
care furnizează la ieşire
valoarea maximă a tensiunii de
intrare. Păstrarea acestei valori se
face un interval de timp limitat.
Pentru reţinerea unei noi valori
circuitul trebuie resetat.
 Dacă D este în conducţie, bucla de
reacţie negativă a AO1 este închisă
şi circuitul funcţionează ca un
repetor de tensiune şi tensiunea pe
condensator urmăreşte variaţiile
tensiunii de intrare.
 Dacă tensiunea de intrare scade,
cum tensiunea pe condensator are
tendinţa să rămână constantă,
ieşirea AO1 devine negativă, D se
blochează şi C rămâne izolat.
Amplificatoare 64
Convertor (amplificator) logaritmic

 Dependenţa de tip logaritmic între
tensiunea de intrare şi ieşire are la bază
dependenţa de tip exponenţial din
ecuaţia tranzistorului bipolar.
 În esenţă circuitul este un inversor de V 
funcţie. Exponenţiala din ecuaţia TB este iC   F I ES  exp BE 
inversată pentru a obţine o dependenţă  VT 
logaritmică.  i 
 AO este în reacţieţ negativă
g şi
ş intrarea VBE  VT  ln C 

minus este un punct virtual de masă.   F I ES 
Curentul prin rezistenţa R va fi egal cu  vI 
curentul de colector al tranzistorului. vBE  VT  ln 
 F I ES R 
 Pentru menţinerea TB în RAN trebuie ca
iC > 0, ceea ce înseamnă tensiuni de vO  vBE
intrare pozitive.
Amplificatoare 32
Amplificatoare 65
Limitator activ de maxim

 Dioda D conduce dacă tensiunea de
intrare în AO este negativă
(V– > V+ = VREF).
 În momentul intrării în conducţie a
diodei, bucla de reacţie negativă a AO
se închide şi tensiunea de ieşire
devine egală cu VREF.
 Spre deosebire de limitatoarele
pasive,, căderea de tensiune pe
p p diodă
practic nu intervine în stabilirea valorii
tensiunii de limitare, precizia acestor
circuite fiind deci mult mai bună.
Amplificatoare 33
Electronică analogică şi digitală în
biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever
Algebra booleană
booleană. Familii de circuite logice
Algebra booleană. Familii de circuite logice 2
Cuprins
 Algebra booleană
 Funcţii booleene
 Minimizarea funcţiilor booleene
 Noţiuni suplimentare
 Familii de circuite logice

Digital sau analogic

 Sistemele digitale se caracterizează prin faptul că semnalele lor de
intrare, respectiv de ieşire, pot lua numai valori discrete. Cel mai simplu
sistem discret este cel binar
binar.
 În sistemele analogice mărimile de intrare şi de ieşire au o variaţie
continuă. Lumea reală este una analogică, în consecinţă semnalele
analogice sunt cele care reprezintă în mod realist lumea înconjurătoare
(de exemplu variaţii ale temperaturii, semnale sonore, imagini etc.).
Digital sau analogic (cont.)

 Principalul avantaj al sistemelor digitale îl constituie faptul că au o
imunitate foarte mare la perturbaţii (dacă semnalele de intrare într-un
sistem digital suferă o anumită degradare datorită propagării lor într-un
într un
mediu cu perturbaţii, această degradare nu se transmite şi asupra
semnalelor de ieşire – eroarea nu se propagă).
 Spre deosebire de sistemele digitale, în cazul celor analogice erorile

semnalelor de intrare se vor regăsi în semnalul de ieşire. În cazul unor
lanţuri de sisteme analogice înseriate, această propagare a erorii poate
duce laa co
compromiterea
p o te ea funcţionării.
u cţ o ă

Concluzii
 Sisteme digitale oferă o prelucrare cu mare acurateţe a semnalelor, sunt
extrem de fiabile şi ieftine, motiv pentru care ele sunt utilizate aproape
exclusiv la prelucrarea informaţiilor precum şi în operaţii de comandă şi
control.
 Sistemele analogice sunt utilizate pentru a sesiza mediul prin
intermediul unor traductoare şi a acţiona prin elemente de execuţie
asupra acestuia.
Algebra booleană
Algebra booleană reprezintă fundamentul matematic pentru analiza şi

sinteza sistemelor digitale. Bazele acestei algebre au fost formulate de
matematicianul englez
g Georgeg Boole ((1815 – 1867).
)


Algebra booleană
Definirea axiomatică a algebrei booleene

 Fie o mulţime M compusă din elementele x1, x2, ... , xn împreună cu
operaţiile "+" şi "",, care vor fi definite ulterior. Această mulţime formează
o algebră dacă:
1. Mulţimea M conţine cel puţin două elemente distincte x1  x2, x1  M
şi x2  M.
2. Pentru oricare x1  M şi x2  M avem:
x1 + x2  M şi x1  x2 M .
3. Operaţiile "" şi "+" au următoarele proprietăţi:
a. suntt comutative:
t ti x1  x2  x2  x1
x1  x2  x2  x1
b. sunt asociative: x1  x2   x3  x1  x2  x3 
x1  x2   x3  x1  x2  x3 
c. sunt distributive una faţă de cealaltă:
x1  x2  x3   x1  x2   x1  x3 
x1  x2  x3   x1  x2  x1  x3

Algebra booleană
Definirea axiomatică a algebrei booleene (cont.)

4. Ambele operaţii admit câte un element neutru cu proprietatea:
x1  0  0  x1  x1
x1  1  1  x1  x1
unde 0 este elementul nul al mulţimii iar 1 este elementul unitate al
mulţimii.
4. Dacă mulţimea M nu conţine decât două elemente, acestea trebuie
să fie în mod obligatoriu elementul nul (0) şi elementul unitate (1); în
acest caz, pentru orice x  M va exista un element unic notat cu x
cu proprietăţile:
x  x 1 principiul terţului exclus,
xx  0 principiul contradicţiei.
Elementul x este inversul elementului x.


Algebra booleană
Definirea axiomatică a algebrei booleene (cont.)

Concluzie: Algebra booleană <M, +, , , 0, 1> este un sistem algebric format
din mulţimea
ţ Mppe care au fost definite două legi g de compoziţie
p ţ (("+" şşi
x
"") cu elementele neutre "0" şi respectiv "1" şi în care fiecărui element
x  M i se asociază un unic element invers notat cu x  M.
Observaţii:
 În practică, pentru aceste legi de compoziţie se folosesc şi alte notaţii
după cum urmează:
 Pentru disjuncţie: x SAU y; x + y; x  y; x # y;
 Pentru conjuncţie: x ŞI y; x  y; x & y; x  y;
 Pentru elementul invers: x'; x ; /x; \x.
\x
 Chiar dacă există o anumită analogie între operaţiile logice SAU şi
respectiv ŞI cu operaţiile matematice de adunare şi de înmulţire, ele
totuşi nu sunt identice.
 Ordinea de prioritate în executarea operaţiilor logice este următoarea:
  
negaţia, operaţia ŞI, operaţia SAU. De exemplu A  B  C  A  B  C.
Prezenţa parantezelor poate schimba ordinea de execuţie a operaţiilor.

Algebra booleană
Interpretarea operaţiilor algebrei booleene

 Prin diagrame Venn
 Cu ajutorul tabelelor de adevăr


Algebra booleană
Interpretarea operaţiilor algebrei booleene (cont.)

 Cu scheme electrice simple (o baterie E, două întrerupătoare K1, K2 şi un bec B)

Algebra booleană
Reguli de calcul în algebra booleană

 Plecând de la axiome se deduc o serie de teoreme care vor forma regulile de
calcul în cadrul algebrei
g booleene:
1. Principiul dublei negaţii (dubla negaţie conduce la o afirmaţie):
xx
2. Legile de idempotenţă:
x  x  ...  x  x
x  x  ...  x  x
3. Legile
g de absorbţie:
ţ
x1  x1  x2  x1
x1  x1  x2   x1


Algebra booleană
Reguli de calcul în algebra booleană (cont.)

4. Legile elementelor neutre:
x0 x x 1  1
x0  0 x 1  x
5. Formulele lui De Morgan:
x1  x2  x1  x2
x1  x2  x1  x2
6. Teorema de complementaritate:
x  x 1
xx  0
 Verificarea acestor teoreme se poate face uşor cu ajutorul tabelelor de adevăr şi
cu observaţia că două funcţii booleene sunt egale dacă iau aceleaşi valori în
toate punctele domeniului de definiţie.
14
Funcţii booleene
O funcţie f : {0, 1}n  {0, 1} se numeşte funcţie booleană de n variabile.

Cu alte cuvinte, o funcţie de n variabile y = f(x1, x2, ... , xn) se va caracteriza
prin faptul că atât variabilele cât şi funcţia nu pot lua decât două valori
distincte.
Funcţia va pune în corespondenţă fiecărui element al produsului cartezian n
dimensional din domeniul de definiţie una din valorile zero sau unu.
Asemenea funcţii vor fi utile pentru caracterizarea funcţionării unor circuite
construite cu elemente de circuit având doar două stări distincte, cum ar fi
un întrerupător închis sau deschis, un tranzistor blocat sau în conducţie etc.


Funcţii booleene
Reprezentarea funcţiilor booleene

 Pentru specificarea unei funcţii matematice se foloseşte, în general, fie o
expresie matematică – care descrie funcţia – fie reprezentare ei grafică.
 În anumite situaţii, dependenţa poate fi exprimată şi sub formă tabelară

(doar pentru anumite puncte cu semnificaţie pentru reprezentare).
 În cazul funcţiilor booleene, având în vedere specificul acestora, se vor

f l i expresiiii matematice
folosi t ti precum şii forma
f tabelară,
t b l ă d deoarece îîn cazull
funcţiilor booleene numărul punctelor domeniului de definiţie este finit!

Funcţii booleene
Reprezentarea simbolică
 Existenţa sau inexistenţa unei căi de curent între bornele terminale ale
ansamblului va depinde de modul de interconectare a întrerupătoarelor
precum şi de starea fiecăruia în parte. Această dependenţă se exprimă
matematic, cu o funcţie booleană de forma y = f(x1, x2, ... , xn).


Funcţii booleene
Reprezentarea prin tabela de adevăr

 Marcarea într-o tabelă a corespondenţei între valorile de adevăr a
variabilelor de intrare şi valoarea de adevăr a funcţiei în fiecare punct al
domeniului de definiţie.
 Exemplu:
 Funcţia ŞI definită prin y  x1  x2.
 Fiind o funcţie de două variabile, domeniul de definiţie este format
din 22 = 4 puncte corespunzător tuturor combinaţiilor variabilelor de
la intrare.
 Reprezentarea funcţiei ŞI prin tabela de adevăr este următoarea:

Funcţii booleene
Reprezentarea prin diagrame Karnaugh

 Marcarea punctelor domeniului de definiţie într-o diagramă plană şi
precizarea valorilor funcţiei în fiecare din aceste puncte.
 Exemple:
1. Funcţia ŞI definită anterior.
a) Domeniul de definiţie b) Tabela de adevăr
c) Diagrama Karnaugh – var. 1 d) Diagrama Karnaugh – var. 2
Observaţie: În d), succesiunea combinaţiilor corespunzătoare variabilelor x1 şi x2 trebuie
scrisă în codul binar reflectat pentru a se păstra vecinătăţile din diagrama originală.


Funcţii booleene
Reprezentarea prin diagrame Karnaugh (cont.)

2. O funcţie de trei variabile de forma y = f(x1, x2, x3).
 Reprezentarea domeniului de definiţie:
a) Cartezian
b) Diagrama Karnaugh – varianta 1
c) Diagrama Karnaugh – varianta 2

Funcţii booleene

 Pentru ca reprezentările să fie echivalente şi să se păstreze aceleaşi
vecinătăţi,
ţ trebuie să ne imaginăm
g că latura din stânga
g a diagramei
g
Karnaugh este identică cu cea din dreapta iar, într-un caz general, cea de
sus cu cea de jos.
 Reprezentări ale unei funcţii de trei variabile:
a) Cartezian
b) Diagrama Karnaugh – varianta 1
c) Diagrama Karnaugh – varianta 2


Funcţii booleene

3. O funcţie de patru variabile de forma y = f(x1, x2, x3 , x4).
 Reprezentarea domeniului de definiţie unde prin săgeţi s-au s au marcat
vecinătăţile punctului de coordonate 0010:

Funcţii booleene
Reprezentarea prin diagrame Veitch

 Diagrama Veitch este de fapt o variantă a diagramei Karnaugh (sau
invers!).
 Exemple:
1. Pentru a uşura sesizarea diferenţei dintre ele, am reprezentat cazul
unei funcţii de patru variabile – în care în locul notaţiilor x1, x2, x3, x4
pentru variabile am folosit literele a, b, c şi d.
Observaţie: Poziţia variabilelor în ambele reprezentări (Karnaugh sau Veitch) nu este

obligatoriu să fie cea utilizată până acum, dar numerotarea punctelor din domeniul de
definiţie se modifică corespunzător (dacă păstrăm rangul variabilelor în cuvântul din
domeniul de definiţie – x1x2x3x4 respectiv abcd). Pentru a ilustra acest lucru, în diapozitivul
următor sunt date două variante de reprezentare a aceleiaşi funcţii, prima – rândul de sus
– este utilizată în acest capitol la toate exemplele folosind reprezentarea cu diagrame
Karnaugh, iar a doua – rândul de jos – este utilizată în acest capitol la toate exemplele
folosind reprezentarea cu diagrame Veitch.


Funcţii booleene
Reprezentarea prin diagrame Veitch (cont.)

Funcţii booleene
Reprezentarea prin diagrame Veitch (cont.)

2. Reprezentarea unei funcţii de cinci variabile.


Funcţii booleene
Funcţii booleene elementare

 Notaţia folosită în cazul unei funcţii booleene de n variabile este
y = f(x1, x2, …, xn).
 Domeniul de definiţie al acestei funcţii este format din m = 2n puncte.

 Cum în fiecare din aceste puncte funcţia poate lua numai valorile 0 sau
1, rezultă că numărul total al funcţiilor booleene de n variabile este:
n
N  2m  2 2
 Pentru n = 2 rezultă N= (22)2= 16 funcţii de două variabile de forma

y = f(x1, x2).

Funcţii booleene
Funcţii booleene elementare (cont.)

elementare de
două variabile


Funcţii booleene
Funcţii booleene elementare (cont.)

elementare de
două variabile
Observaţii:
 tabelul conţine la
valorile funcţiei toate
combinaţiile posibile
de zero-uri şi unităţi;
 f0 şi f1 nu sunt funcţii
ci constante;
 f2 , f3 , f4 şi f5 nu sunt funcţii de două variabile ci doar de una singură;
 funcţiile apar în perechi (funcţia şi inversa ei);
 în practică, cele mai frecvent întâlnite funcţii de două variabile sunt:
ŞI, ŞI-NU (NAND), SAU, SAU-NU (NOR), XOR şi XNOR.

Funcţii booleene
Forma canonică a funcţiilor booleene

 În numeroase aplicaţii apare necesitatea reprezentării analitice a
funcţiilor booleene.
 Forma standard de reprezentare se numeşte formă canonică şi
reprezintă în mod unic funcţia. În algebra booleană se folosesc două
asemenea forme de dezvoltare:
 forma disjunctivă canonică (FDC), sau sume de produse, care
presupune utilizarea unor funcţii elementare numite constituenţi ai
unităţii (minterm);
 forma conjunctivă canonică (FCC), (FCC) sau produs de sume
sume, care
presupune utilizarea unor funcţii elementare numite constituenţi ai
lui zero (maxterm).
 Pentru o tratare sistematică a problemei, se introduce următoarea
notaţie:
 x pentru i  1
xi  
 x pentru i  0


Funcţii booleene
Forma canonică a funcţiilor booleene (cont.)

n 
 Se numeşte constituent al unităţii (minterm) funcţia elementară mk
caracterizată prin aceea că ia valoarea unu într-un
într un singur punct al
 În cazul unei funcţii de n variabile, constituentul unităţii va fi produsul
logic (conjuncţia) tuturor variabilelor, negate sau nenegate, după
următoarea regulă:
mkn   x11  x22  ...  xnin
i i
 Pentru ca acest produs să fie unu într-un anume punct al domeniului de

definiţie este necesar ca toţi termenii produsului să fie egali cu unu în
definiţie,
acel punct.
ij
 Pentru ca un termen de forma x j să fie unu este necesar ca i j  x j .
n 
 De aici rezultă următoarea regulă de scriere a funcţiei elementare mk :
în conjuncţia variabilelor, variabilele care iau în respectivul punct al
domeniului de definiţie valoarea zero se vor lua negate iar celelalte
nenegate.

Funcţii booleene

 Se numeşte constituent al lui zero (maxterm) funcţia elementară M k
n 
caracterizată prin aceea că ia valoarea zero într-un
într un singur punct al
 În cazul unei funcţii de n variabile, constituentul lui zero va fi suma
logică (disjuncţia) tuturor variabilelor, negate sau nenegate, după regula
enunţată mai jos:
M kn   x11  x22  ...  xnin
i i
ij
 Condiţia de constituire a lui zero impune x j  0 pentru orice j ceea ce
implică i j  x j .
n 
 Rezultă că în scrierea constituentului lui zero M k într-un anume punct
al domeniului de definiţie, se vor lua negate variabilele care iau valoarea
unu în acel punct şi nenegate cele care iau valoarea zero.


Funcţii booleene

 Constituenţii lui zero şi ai lui unu pentru o funcţie de trei variabile

Funcţii booleene

 Formele canonice ale unei funcţii booleene de trei variabile sunt:
 FDC: y   0  m03  1  m13   2  m23   3  m33 
  4  m43  5  m53   6  m63   7  m73
 FCC:    
y   0  M 03  1  M13   2  M 23   3  M 33  
   
  4  M 43  5  M 53   6  M 63   7  M 73 
 În cazul general al unei funcţii de n variabile
 
n
 FDC: y  f ( x1 , x2 , ... , xn )    i  mn  i
i 1
  k M kn 
n
 FCC: y  f ( x1 , x2 , ... , xn ) 
j 1
 În cazul exemplului anterior de funcţie de trei variabile (0…7 = 01011010):

7
 FDC: y  f x , x , x     m   m3  m3  m3  m3
1 2 3  i i 1 3 4 6
i 0 y  x1  x2  x3  x1  x2  x3  x1  x2  x3  x1  x2  x3
  k  M k3   M 03  M 23  M 53  M 73

7
 FCC: y  f x1 , x2 , x3  
j 0
  
y  x1  x2  x3   x1  x2  x3  x1  x2  x3  x1  x2  x3 


Funcţii booleene

Observaţii:
 generală pentru FDC dispar termenii pentru care i = 0,
Din expresia generală, 0 iar
pentru FCC dispar termenii pentru care i = 1.
 O funcţie va avea atâţia constituenţi ai unităţii ( min  ) respectiv ai lui zero
( M jn ) câte unităţi (km) respectiv câte zerouri (kM) sunt în tabelul de
adevăr care defineşte funcţia. Între cele două numere există relaţia:
km  y   k M  y   2n
 FDC respectivti FCC se maii numesc şii fforme normale l ddeoarece ele
l suntt
funcţii doar de două nivele (disjuncţie de conjuncţii, respectiv conjuncţie
de disjuncţie).
 Termenul de canonic se referă la faptul că în expresiile funcţiilor
minterm respectiv maxterm intervin toate variabilele.
34
Minimizarea funcţiilor booleene
Între gradul de complexitate al circuitului şi cel al funcţiei care îl descrie

există o legătură directă.
În etapa de sinteză a circuitelor de comutaţie
comutaţie, după definirea funcţiei
funcţiei,
urmează în mod obligatoriu etapa de minimizare a acesteia, având drept
scop obţinerea unei forme echivalente cât mai simple (forma minimă).
Există numeroase metode de minimizare, vom prezenta pe scurt doar
următoarele:
- metoda analitică;
- metoda diagramelor Karnaugh (Veitch);


Metoda analitică
 Obţinere formei minime se bazează pe folosirea teoremelor algebrei
booleene.
 Principiul metodei se va ilustra pe exemplul anterior al funcţiei de trei
variabile:
 FDC a funcţiei y  m13  m33  m43  m63 
 x1  x2  x3  x1  x2  x3  x1  x2  x3  x1  x2  x3
 Proprietatea de distributivitate
 
y  x1  x3  x2  x2  x1  x3  x2  x2 
 Proprietatea terţului exclus şi 1 este elementul unitate
FDM: y  x1  x3  x1  x3
 Procedând similar se poate găsi şi forma conjunctivă minimă a funcţiei.

Metoda diagramelor Veitch-Karnaugh

 Această metodă nu reprezintă altceva decât transpunerea operaţiilor
făcute la metoda analitică p
pe reprezentarea
p funcţiei
ţ p prin diagrame
g
Karnaugh, rezultând astfel în final o metodă expeditivă de minimizare.
 O diagramă Karnaugh poate fi privită, dacă se ia în considerare
produsul logic al coordonatelor, ca o reprezentare a funcţiilor booleene
prin termeni minimali (constituenţi ai unităţii).
 Fiecare celulă
Fi l lă di
din di
diagrama KKarnaugh hdde maii sus reprezintă
i tă d
de ffaptt un
termen minimal. Două celule vecine conţin termeni minimali, care diferă
prin valoarea unei singure variabile. Dacă termenilor minimali din două
celule vecine li se aplică proprietatea de distributivitate şi cea a terţului
exclus, se elimină variabila care îşi schimbă valoarea. Pe diagrama
Karnaugh, acest lucru revine la a scrie coordonatele comune ale
ansamblului celor două celule vecine.


Metoda diagramelor Veitch-Karnaugh (cont.)

Exemplu: Minimizarea unei funcţii de trei variabile
 gruparea celulelor vecine care conţin constituenţii
m1 şi m3 ne conduce la expresia
x1  x3
 gruparea celulelor vecine care conţin constituenţii
m4 şi m6 conduce la expresia
x1  x3
 Forma disjunctiv minimă (FDM) a funcţiei rezultă
prin
i scrierea
i di
disjuncţiei
j ţi i grupurilor
il d de coordonare
d
comune ale grupărilor formate astfel:
y  x1  x3  x1  x3


 Metoda poate fi generalizată astfel:
 Dacă grupul iniţial de două celule vecine este vecin la rândul său cu
alt grup de două celule vecine, acestea se pot contopi într-un singur
grup de 4 celule, ceea ce va permite eliminarea a două variabile;
 Un grup de 2m celule vecine ocupate de unităţi permite eliminarea a
m variabile;
 Fiecare celulă ocupată de unităţi trebuie să facă parte cel puţin
dintr-o grupare, dar poate fi inclusă în mai multe;
 Cel mai avansat grad de simplificare se obţine dacă unităţile dintr
dintr-o
o
diagramă Karnaugh sunt grupate într-un număr minim de grupuri,
fiecare grup la rândul său conţinând un număr maxim de unităţi.



 Exemple de minimizare a unor funcţii de trei respectiv de patru variabile


 Reguli similare pot fi deduse şi pentru obţinerea formei conjunctiv
minime (FCM). În acest caz, în diagrama Karnaugh se vor grupa
zerourile.
 Se va scrie disjuncţia coordonatelor grupului de zerouri vecine iar forma
minimă va fi conjuncţia acestor grupuri de coordonate.
 Exemple de minimizare pentru obţinerea FCM



 În matricea Karnaugh se pot grupa zerouri ca şi când ar fi unităţi,
obţinându-se
obţinându se FDM a funcţiei negate.
 În matricea Karnaugh se pot grupa unităţi ca şi când ar fi zerouri,
obţinându-se FCM a funcţiei negate.
 Evident minimizarea poate fi făcută şi prin utilizarea reprezentării cu
diagrame Veitch.
 Minimizarea funcţiei inverse:

Minimizarea funcţiilor incomplet definite

 Sunt situaţii în care funcţiile booleene nu sunt complet definite. Astfel de
situaţii apar în anumite cazuri practice în care la intrarea circuitului,
într-o funcţionare normală, anumite combinaţii de valori ale variabilelor
de intrare nu apar.
 Pentru proiectantul circuitului, faptul că funcţia în aceste puncte ia
valoarea zero sau unu este irelevant. În tabelul de definiţie a funcţiei,
aceste puncte vor fi notate cu X sau cu d (de la don’t care).
 O funcţie incomplet definită
reprezintă de fapt un mănunchi
(grup) de funcţii. În exemplul de
mai sus, funcţia y reprezintă de
fapt mulţimea funcţiilor {y0, y1,
y2, y3,} obţinută prin
particularizarea valorilor funcţiei
în punctele notate cu "X".


Minimizarea funcţiilor incomplet definite (cont.)

 Atunci când vom minimiza astfel de funcţii, vom lua în considerare
valoarea unu sau zero a funcţiei booleene din aceste puncte astfel ca
această alegere să ne conducă la o formă minimă cât mai simplă.
44
Noţiuni suplimentare


Funcţii inverse
 Inversa unei funcţii booleene se poate calcula foarte rapid pe baza
teoremei de inversare a lui Shannon:
Fie Ef(x1, x2, … , xn, , +) o expresie booleană arbitrară a funcţiei f; atunci
va exista o expresie booleană pentru funcţia inversă f de forma E f
care se va obţine din Ef pe baza relaţiei de mai jos

E f  E f x1 , x2 , ... , xn ,  ,  
 Exemplu:
f(x1, x2 , x3 )  x1  x3  x1  x2  x1  x3
 
f(x1, x2 , x3 )  x1  x3   x1  x2  x1  x3 

Sistem de funcţii complete

 Un sistem boolean {M, f1, f2, .., fm} se spune că este complet dacă pentru orice
funcţie
ţ booleană se poate
p găsi
g o expresie
p în care să intervină numai funcţiile
ţ
elementare f1, f2, … , fm şi care să permită obţinerea inclusiv a constantelor 0 şi
1.
 În acest sens, sistemul {M, , +, } este complet deoarece orice funcţie booleană
poate fi scrisă fie sub forma disjunctivă canonică (FDC) fie sub forma
conjunctivă canonică (FCC) iar constantele 0 şi 1 se obţin astfel:
x  x  f  x1, x2 , ..., xn   0
x  x  f  x1, x2 , ... , xn   1
 Cu alte cuvinte, putem spune că funcţiile elementare ŞI, SAU, NU formează în
algebra booleană o bază.
 Se poate demonstra că funcţiile ŞI-NU, respectiv SAU-NU, singure, formează de
asemenea o bază. Există şi alte combinaţii posibile.

47
Familii de circuite logice
Exemplificăm doar două din multitudinea existentă.

Caracteristicile circuitelor logice

 Caracteristicile electrice statice descriu comportarea circuitelor logice
în curent continuu sau la variaţii
ţ lente în timp
p ale tensiunilor şşi curenţilor
ţ
prin circuit.
 Nivelele logice de intrare reprezintă intervalele de tensiune (domeniul de
valori) pentru care se atribuie nivelul logic 0 respectiv nivelul logic 1 la
intrarea unui circuit.
 Nivelele logice de ieşire reprezintă intervalele de tensiuni (domeniul de
valori) pentru care se atribuie nivelul logic 0 respectiv nivelul logic 1 la
ieşirea unui circuit.
 Curenţii de intrare reprezintă curenţii care se pot închide prin intrarea
circuitului logic (care intră – pozitivi – sau ies – negativi – din circuit) pentru
nivelele logice de intrare.
 Curenţii de ieşire reprezintă curenţii care se pot închide prin ieşirea
circuitului logic (care intră – pozitivi – sau ies – negativi – din circuit) pentru
nivelele logice de ieşire.
 Capacitatea de intrare este un parametru care caracterizează intrările în
circuite logice cu tranzistoare MOS şi reprezintă capacitatea măsurată între
intrarea circuitului şi borna comună (masă).


Caracteristicile circuitelor logice (cont.)

 Caracteristicile electrice dinamice descriu comportarea circuitelor
logice
g la tranziţii
ţ rapide
p ale semnalelor.
 Timpul de propagare reprezintă intervalul de timp scurs între aplicarea
semnalului la intrarea circuitului logic şi obţinerea răspunsului la ieşirea sa.
 Timpul de tranziţie reprezintă intervalul de timp necesar semnalului de la
ieşire pentru tranziţia de la nivel logic L la nivel H sau invers.
 Timpul de pregătire (setup time) reprezintă intervalul de timp cu care
semnalul de pe o intrare a unui circuit logic trebuie să preceadă semnalul
prezent pe o altă intrare, considerat ca referinţă de timp, astfel ca
funcţionarea circuitului să fie corectă.
 Timpul de menţinere (hold time) reprezintă intervalul de timp cât tre tre-buie
buie
menţinut neschimbat semnalul de pe o intrare a unui circuit logic în raport
cu o altă intrare, considerată ca referinţă de timp, astfel încât funcţionarea
circuitului să fie corectă.
 Timpii de comutare din şi în starea de mare impedanţă reprezintă
intervalele de timp necesare trecerii din regim de mare impedanţă în regim
activ la ieşire şi din regim activ în regim de mare impedanţă, pentru
circuitele logice cu ieşiri trei stări.

Clasificarea structurilor elementare integrate

 Circuite bipolare – caracterizate prin frecvenţa mare de lucru, densitate mai
mică de componente pe unitatea de suprafaţă a cristalului de siliciu, imunitate
faţă de încărcarea electrostatică
electrostatică, puteri de comandă mai mari
mari.
 Subfamilii principale
 TTL (Logica tranzistor - tranzistor);
 ECL (Logica cuplată prin emitor);
 I2L (Logica integrată de injecţie).
 Circuite unipolare – caracterizate printr-o viteză de lucru mai mică, densitate
mult mai mare de componente pe unitatea de suprafaţă a cristalului de siliciu,
consum de putere redus, putere de comandă mică, imunitate redusă faţă de
încărcarea electrostatică.
 Subfamilii principale
 NMOS (MOS cu canal n);
 PMOS (MOS cu canal p);
 CMOS (MOS complementar).
 Circuite BICMOS (BIPOLAR + CMOS) – combină avantajele celor două
tehnologii permiţând obţinerea unor viteze mari de lucru (la nivelul circuitelor
bipolare) cu un consum de putere extrem de redus.


Circuite bipolare – logica tranzistor-tranzistor (TTL)

 Circuitele TTL au pornit la început cu o unică familie de circuite standard
dar, pe măsură ce domeniile de utilizare s-au
s au diversificat, a apărut
nevoia acoperirii acestor cerinţe prin dezvoltarea unor subfamilii de
circuite logice:
 HTTL – TTL rapide (High-speed TTL)
 LPTTL – TTL de mică putere (Low-Power TTL)
 STTL – Shottky TTL
 LSTTL – Shottky TTL de mică putere (Low-power Shottky TTL)
 ALSTTL – Shottky TTL de mică putere îmbunătăţită (Advanced Low-power
Shottky TTL)
 Comparaţie între subfamiliile TTL:

Circuite bipolare – logica tranzistor-tranzistor (TTL) (cont.)

 Poarta elementară ŞI–NU
a) Schema electrică
b) Tabelul de adevăr
şi stările tranzistoarelor



 Poarta elementară SAU–NU (stânga)
 Caracteristica de transfer pentru poarta TTL standard (dreapta)


 Circuite cu ieşiri cu colectorul în gol (stânga) – utilizate la
interconectarea circuitelor provenite din familii logice diferite, la
comanda unui releu sau a unui circuit de afişare, la legarea la o linie
magistrală (BUS).
 Circuite cu ieşiri de tipul trei-stări – tri-state (dreapta) – utilizate la
comanda unei linii magistrale (BUS).


Circuite unipolare – CMOS (MOS complementar)

 Poarta inversoare CMOS statică
 Caracteristica de transfer

Circuite unipolare – CMOS (MOS complementar) (cont.)

 Poarta ŞI-NU CMOS
a) Schema circuitului
b) Schema echivalentă
cu comutatoare
c) Tabelul de adevăr şi
stările tranzistoarelor



 Poarta SAU-NU CMOS
a) Schema circuitului
b) Schema echivalentă
cu comutatoare
c) Tabelul de adevăr
şi stările tranzistoarelor


 Poarta de transmisie CMOS (stânga)
 Ieşiri trei-stări realizate cu poartă de transmisie (dreapta)

Circuite logice combinaţionale

Circuite logice combinaţionale 2
 Generalităţi şi definiţii
 Funcţii logice elementare
 Analiza circuitelor logice combinaţionale
 Sinteza circuitelor logice combinaţionale
 Exemple de circuite logice combinaţionale
 Circuite aritmetice

Generalităţi şi definiţii

Generalităţi
 Prin interconectarea mai multor porţi logice se obţine un circuit logic.
 Într-o astfel de schemă putem identifica următoarele elemente:
■ intrări (x1, x2, x3 ),
■ ieşiri (y1, y2);
■ căi (de exemplu de la intrarea x1 prin porţile P2, P4, P6 şi P8 la ieşirea y1),
■ bucle (de exemplu în jurul porţilor P4, P5) şi
■ noduri (de exemplu N1 nod extern; N2, N3, N4 şi N5 noduri interne schemei).


Generalităţi (cont.)
 Schemele care conţin bucle se numesc cu reacţie.
 Nodurile apar atunci când ieşirea unei porţi (sau o intrare) este legată de
intrările mai multor porţi. Numărul legăturilor posibile într-un nod este
limitat de fan-out-ul porţii de comandă.
 O cale va fi caracterizată de lungimea sa şi de timpul de propagare
asociat căii. Lungimea unei căi este dată de numărul porţilor care
formează calea (de exemplu, calea menţionată anterior de la x1 la y1 are
lungimea 4).
 Timpul de propagare asociat unei căi () va fi suma timpilor de
propagare (tpHL sau tpLH) ale porţilor din cale.
 În cazul schemelor fără bucle de reacţie, acest timp este întotdeauna
finit. În cazul schemelor cu reacţie, acest timp este în general finit,
excepţie făcând cazurile când schema oscilează (anumite bucle sunt
parcurse tot timpul).

Definiţii
 Să presupunem că semnalele de intrare xk se modifică la momente de
timp discrete ti–1
i 1, ti, ti+1 etc. şi că timpul de propagare maxim în schemă
este max.
 Dacă schimbările semnalelor de intrare se produc la intervale ti – ti–1 mai
mari decât max, atunci, în cazul unei scheme fără bucle de reacţie,
semnalele de ieşire vor depinde numai de valorile semnalelor de intrare
aplicate la momentul ti:
y1t   f1x1ti , x2 ti , ... , xn ti 
...
ym t   f m x1ti , x2 ti , ... , xn ti 
unde
ti  Δmax  t  ti 1
 O schemă (în cazul general) caracterizată de setul de ecuaţii de mai sus
se numeşte circuit logic combinaţional (CLC).


Definiţii (cont.)
 În cazul existenţei unor bucle de reacţie şi cu condiţia
ti  Δmax  t  ti 1
îndeplinită, semnalele de ieşire yj(t) vor depinde atât de valorile din
momentul ti ale variabilelor de intrare xt(ti) cât şi de valorile variabilelor
de intrare din momentele anterioare xk(ti–1), xk(ti–2), … etc.
 Un astfel de circuit se numeşte circuit logic secvenţial (CLS).
 Circuitele combinaţionale nu au memorie – semnalul de ieşire depinde

d
doar d
de combinaţia
bi ţi din
di acell momentt all semnalelor
l l d
de iintrare.
t
 Circuitele secvenţiale au memorie – valoarea semnalelor de ieşire
depinde şi de evoluţia anterioară a circuitului.
Funcţii logice elementare


Logica pozitivă şi logica negativă

 În cazul realizării practice a porţilor logice sub forma unor circuite
electronice, în funcţie de modul cum atribuim nivelele de tensiune
simbolurilor 0 şi 1, una şi aceeaşi tabelă de adevăr va putea fi
interpretată în două moduri diferite.
 În logica pozitivă (activ high logic notată cu AH) simbolul 1 se atribuie

nivelului de tensiune mai ridicat (H – high).
 Convenţia inversă se numeşte logică negativă (active low logic notată

cu AL) şi atribuie simbolul 1 nivelului de tensiune mai coborât (L – low).

Logica pozitivă şi logica negativă (cont.)

 Interpretarea
tabelei de adevăr
în funcţie de logica
pozitivă/negativă
utilizată:
a) ŞI/SAU
b) SAU-NU/ŞI-NU


 Pentru a evita confuziile,

confuziile proiectanţii evită să amestece cele două logici
în schemele lor, ceea ce nu întotdeauna este posibil.
 O soluţie convenită este aceea de a considera că toate porţile lucrează

în logică pozitivă şi să ţinem seama în mod explicit dacă semnalul
asociat unei intrări sau ieşiri este activ pe nivelul de tensiune ridicat (AH)
sau este activ pe nivel de tensiune coborât (AL). Aceste din urmă intrări
sau ieşiri vor fi însoţite în scheme de un mic cerculeţ
cerculeţ.
 Pentru a evita neînţelegerile şi a uşura citirea schemelor, este utilă

asigurarea compatibilităţii din punct de vedere a nivelelor active a
intrărilor şi ieşirilor. În aceste circuite cerculeţele pot fi neglijate şi funcţia
realizată de circuit este evidentă (punctul d din diapozitivul următor).


 Intrări/ieşiri AH şi AL:
a) Poartă ŞI cu intrări şi ieşiri de tipul AH
b) Poartă ŞI cu o intrare de tipul AL
c) Exemplu de circuit fără asigurarea compatibilităţii nivelelor logice
d) Exemplu de circuit cu asigurarea compatibilităţii nivelelor logice


Simbolurile şi denumirile principalelor porţi logice

Buffere
 Unele porţi logice, cum ar fi cele care realizează funcţiile identitate,
inversare, NOR şi NAND, sunt realizate şi într-o într o variantă numită
BUFFER. Termenul se referă la faptul că, printr-o modificare a structurii
etajului de ieşire a porţii, s-a obţinut o mărire a capacităţii de încărcare a
acesteia (fan-out-ul).
 Bufferele pot fi realizate şi într-o variantă cu trei stări (tri-state) cu
posibilitatea controlării stării de ieşire printr-o intrare de comandă
suplimentară En (Enable). Ele pot fi unidirecţionale (Line drivers, Line
receivers) – Fig. a, sau bidirecţionale (Transceivers) – Fig. b.


Buffere (cont.)
 Exemplu de utilizare a bufferului pentru asigurarea accesului selectiv la
o magistrală unică.

Poarta ŞI
 Funcţionarea circuitului ŞI în regim
de poartă este ilustrată în Fig. a.
 Semnalul de ieşire este condiţionat
de comanda c, în sensul că
■ Dacă c = 1 atunci y = x şi
spunem că poarta este
deschisă,
■ Dacă c = 0 atunci y = 0 şi poarta
este închisă
închisă.
 Exemple de utilizare:
b. măsurarea unei frecvenţe
necunoscute
c. Cronometru
d. multiplicator de frecvenţă


Poarta XOR
 Sumatorul modulo doi (poarta XOR) poate fi întâlnit în aplicaţii şi în
postura de inversor programabil.
 În funcţie de semnalul aplicat pe una din intrări (intrarea de comandă),
semnalul de ieşire va fi sau nu inversat.
18
Analiza circuitelor logice combinaţionale
În cazul analizei este cunoscută structura circuitului şi se cere funcţia pe

care acesta o realizează.


Circuit logic combinaţional

 Un CLC este un circuit logic cu mai multe intrări şi ieşiri, fără bucle de
reacţie, la care semnalele de ieşire depind numai de combinaţiile
semnalelor aplicate la intrare (cu condiţia ti+1 – ti  max).

Exemplu de analiză a unui CLC
s1  c1  a1  c1 b1 c1  c0  a1 b1c0
c1  a1  b1  a1 c 0 b1  c0

21
Sinteza circuitelor logice combinaţionale
În cazul sintezei este cunoscută funcţia logică dorită şi se cere structura

circuitului care realizează această funcţie.


 Sinteza unui CLC urmăreşte obţinerea schemei circuitului care să
realizeze o funcţie logică dată la nivelul de performanţe cerut (parametri
electrici şi cost).
 Etapele sintezei sunt următoarele:
■ definirea funcţiei (sau a funcţiilor);
■ minimizarea funcţiei (funcţiilor);
■ desenarea schemei circuitului;
■ optimizarea schemei din punct de vedere al performanţelor electrice
şii a costului.
t l i


Sinteza circuitelor logice combinaţionale (cont.)

 Trebuie menţionat faptul că acelaşi CLC poate fi realizat în mai multe
variante (după modul cum a fost scrisă funcţia), de exemplu:
■ cu circuite ŞI, SAU, NU;
■ cu circuite SAU, ŞI, NU;
■ cu circuite ŞI-NU;
■ cu circuite SAU-NU; etc.
 Pentru exemplificare, considerăm un exemplu simplu, şi anume sinteza
unui circuit de anticoincidenţă cu două intrări (Fig. a) având tabela de
adevăr
d ă şii simbolul
i b l l reprezentate
t t îîn Fi
Fig. b şi,
i respectiv,
ti Fi
Fig. c.


 Pentru sinteza cu circuite ŞI, SAU, NU:
■ se completează matricea Karnaugh corespunzătoare funcţiei y,
y
■ se minimizează scriind FDM a funcţiei,
■ după care se desenează schema circuitului:



 Pentru a face sinteza cu circuite SAU, ŞI, NU:
■ se scrie FCM a funcţiei şi
■ pe baza acesteia se desenează schema circuitului:


 Pentru sinteza cu circuite ŞI-NU:
■ se pleacă de la FDM a funcţiei care
■ se prelucrează cu ajutorul formulei lui De Morgan astfel:
 
y  y  x1  x2  x1  x2  x1  x2  x1  x2 
■ această expresie permite desenarea schemei:



 Pentru a realiza o schemă cu circuite SAU-NU:
■ se pleacă de la FCM a funcţiei care
■ se prelucrează cu ajutorul formulei lui De Morgan astfel:
 
y  y  x1  x2   x1  x2  x1  x2   x1  x2  
■ această expresie permite desenarea schemei:


 O interesantă teoremă a lui Shannon ne va conduce la ideea realizării
unor circuite universale care vor permite realizarea oricărei funcţii cu un
număr arbitrar de variabile.
 Teorema de dezvoltare a lui Shannon
Orice funcţie Booleană poate fi scrisă sub forma
f x1 , x2 , ... , xi , ... , xn   xi  f x1 , x2 , ... , xi 1 , 1, xi 1 , ... , xn  
 X i  f x1 , x2 , ... , xi 1 , 0, xi 1 , ... , xn 
 Dacă aplicăm teorema de mai sus unei funcţii de trei variabile, de două
orii consecutiv,
ti vom obţine
bţi
f x1 , x2 , x3   x1  x2  f 0, 0, x3   x1  x2  f 0, 1, x3  
 x1  x2  f 1, 0, x3   x1  x2  f 1, 1, x3  
 x1  x2  f 0  x1  x2  f1  x1  x2  f 2  x1  x2  f3
unde funcţiile fi nu pot lua decât valorile: 0, 1, x3 şi x3 .



 În expresia anterioară intervin patru funcţii (f0, f1, f2 şi f3), fiecare la
rândul ei putând lua patru valori distincte. În consecinţă, rezultă un
număr de 44 = 256 configuraţii diferite pentru expresia lui f. Cum
3
numărul funcţiilor booleene de 3 variabile este 2 2  256, rezultă că
schema care realizează funcţia dată de ecuaţia anterioară va reprezenta
un circuit universal pentru funcţii de trei variabile.
 În diapozitivul următor (Fig. b) este definită o funcţie oarecare de trei
variabile iar în Fig. c modul ei de realizare cu acest circuit universal
(circuit de multiplexare).
 Grupul de variabile x1 şi x2 selectează intrările fi. Pentru x1 = 0 şi x2 = 0,
este selectată intrarea f0 căreia îi corespunde în tabelă primele două
linii. Valoarea funcţiei în aceste două puncte coincide cu valoarea
variabilei x3, ceea ce justifică legarea intrării f0 la x3. Pentru următoarele
două linii (x1 = 0 şi x2 = 1), funcţia ia valoarea 1, indiferent de valoarea
variabilei x3, ceea ce justifică legarea intrării f1 la valoarea 1 etc.


 Circuit logic combinaţional universal pentru funcţii cu 3 variabile
a) Schema logică b) Exemplu de funcţie c) Mod de realizare

31
Exemple de circuite logice combinaţionale
În continuare vor fi prezentate câteva circuite reprezentative din această

categorie, utilizând pentru exemplificare circuite integrate existente.

Circuite de multiplexare
 Circuitele de multiplexare (selecţie) sunt circuite logice combinaţionale
care permit trecerea datelor de la una din intrări spre o ieşire unică.
Selecţia intrării se face printr-un cuvânt de cod de selecţie (adresă).
 Multiplexor cu două intrări
Circuitul permite comutarea datelor de pe intrarea I0 (A = 0) sau de pe
intrarea I1 (A = 1) spre borna de ieşire Y.


Circuite de multiplexare (cont.)

 MUX 8 la 1 integrat – SN74151
■ Circuitul are 3 intrări de
adrese (A, B, C), 8 intrări de
date (I0, I1, … , I7) şi o intrare
de validare (Enable) notată
cu E .
■ Ca funcţie de
bază, circuitul
permite
p
selecţia
datelor de pe
una din cele
8 intrări la
ieşirea unică.


 Realizarea unei funcţii de 4 variabile utilizând un MUX 8 la 1
■ MUX-urile sunt circuite universale care permit realizarea oricăreia
din funcţiile booleene cu un anumit număr de variabile.
4
Un MUX cu
8 intrări va permite realizarea oricăreia din cele 22  65.536 de
funcţii de 4 variabile.
■ Exemplu de utilizare
a multiplexorului
pentru realizarea
unei funcţii
ţ de
4 variabile:
a) Funcţia
b) Grupările impuse
c) Modul de
conectare



 Folosirea MUX-ului pentru
realizarea unui CLC cu mai
multe ieşiri
Un circuit combinaţional cu
mai multe ieşiri se va putea
realiza prin folosirea în
paralel a mai multor MUX-uri


 Folosirea
MUX ului pentru
MUX-ului
realizarea unei
funcţii cu şapte
variabile
Un circuit
combinaţional
care să realizeze
o funcţie cu mai
multe variabile
se poate realiza
prin conectarea
în cascadă a
multiplexoarelor


Circuite de decodificare şi demultiplexare

 Se numesc circuite decodificatoare, circuitele logice combinaţionale
care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod
aplicat la intrare.
 Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt circuite logice

combinaţionale care permit trecerea datelor de pe o intrare unică spre
ieşirea selectată. Selectarea ieşirii se face cu un cuvânt de cod de
adresă.

Circuite de decodificare şi demultiplexare (cont.)

 Decodificator de adresă
■ Decodificatorul de adresă este un tip de decodificator caracterizat
prin faptul că activează ieşirea a cărei adresă este prezentă la
intrare.
■ Exemplul ales are
2 intrări de adresă
(A1, A0) şi 22 = 4
ieşiri selectabile
((Y0, Y1, Y2, Y3)).
a) Schema bloc
b) Tabela de funcţionare
c) Schema circuitului



 Decodificator de adresă cu intrare de validare (Strobe)
■ În numeroase aplicaţii
aplicaţii, este necesar ca decodificarea stărilor de
intrare să apară numai pe anumite intervale de timp specificate.
■ Acest lucru se poate realiza prin introducerea unei intrări
suplimentare de validare
(enable E ) care să
controleze porţile de
ieşire şi să autorizeze
decodificarea atunci când
semnalele de intrare sunt
stabile (funcţia îndeplinită
de intrarea de validare
este una de strobare
a ieşirilor).


 Folosirea decodificatorului de adresă,
cu intrare de validare, ca un demultiplexor
■ Prezenţa unei intrări de validare (Strobe) permite inactivarea
decodificatorului (pentru E = H, toate ieşirile sunt pe L, indiferent de
starea intrărilor de selecţie A1 şi A0) sau autorizarea funcţionării sale
(pentru E = L).
■ Ieşirile depind şi de semnalul E (vezi tabela de funcţionare din
diapozitivul anterior). Pentru o adresă precizată, de exemplu A1 = 1
şşi A0 = 0,, vom avea Y0 = L,, Y1 = L,, Y2 = E şşi Y3 = L;; cu alte cuvinte,,
ieşirea selectată depinde de semnalul aplicat pe borna E, ceea ce
este echivalent cu o funcţie de demultiplexare.
■ În concluzie, în regim de demultiplexare, datele se aplică pe intrarea
comună E şi sunt dirijate spre ieşirea selectată de cuvântul de
adresă A1A0.



 Realizarea unei funcţii booleene cu decodificatoare
■ Din tabela de funcţionare a decodorului de adresă
adresă, rezultă că ieşirile
decodificatorului reprezintă funcţii elementare de două variabile
(constituenţi ai unităţii – minterm-eni).
■ Decodarea fiind completă, avem la dispoziţie toţi constituenţii
posibili. Constituenţii unităţii
permit scrierea funcţiilor
booleene sub formă
disjunctivă
j minimă:
n
f   i  mi
i 1
■ Exemplu:
funcţia sumă modulo doi
f  x1  x2  x1  x2  x1  x2


 Conectarea în cascadă a circuitelor de demultiplexare
■ Prin conectarea în cascadă a demultiplexoarelor se pot realiza
scheme de demultiplexare cu ieşiri multiple.
■ Pentru exemplificare este prezentată o structură în cascadă folosind
demultiplexoare cu 4 ieşiri pentru a realiza o demultiplexare pe 16
ieşiri.



 Conectarea în cascadă a circuitelor de
multiplexare cu cele de demultiplexare
■ Prin legarea în cascadă a unui circuit de multiplexare cu unul de
demultiplexare, se poate realiza o schemă de selecţie care va
permite cuplarea oricărei intrări de date cu oricare ieşire.


 Decodificatorul integrat
BCD-zecimal 7442
■ Decodificatorul are 4
intrări de selecţie (A, B, C
şi D) şi zece ieşiri (0, 1, …,
9) şi permite selectarea
ieşirii al cărui cod BCD
este prezent la intrări.
■ Decodificarea nu este
completă
p ((zece din cele 24
= 16 combinaţii).
■ Poate fi utilizat ca circuit
de demultiplexare, cu o
intrare comună de date
(D), trei intrări de selecţie
(A, B, şi C) şi 8 ieşiri (0, 1,
…, 7).



 Decodificatorul BCD-7 segmente
■ Este un circuit de decodificare utilizat la comanda sistemelor de
afişare numerice realizate din şapte segmente.
■ Decodificatorul va fi un CLC cu patru intrări, notate cu D, C, B şi A,
şi cu şapte ieşiri, notate cu a, b, c, d, e, f şi g.
a) Schema bloc b) Tabela de funcţionare c) Dispunerea segmentelor


■ Afişarea cifrei zecimale dorite se poate face fie prin aprinderea
segmentelor necesare, presupunând că iniţial toate segmentele sunt
stinse, fie prin
stingerea anumitor
segmente,
considerând că iniţial
toate sunt aprinse.
■ Se recomandă
pentru sinteză cea
dea doua variantă
deoarece realizarea
comenzilor necesită
mai puţine operaţii
logice.



■ Grupând în mod convenabil zerourile din
aceste matrici (dorim să stingem anumite
segmente), se obţin expresiile logice care
permit întocmirea schemei logice a
decodificatorului cu circuite ŞI, SAU, NU.
■ În cazul în care se cere întocmirea unei
scheme cu circuite ŞI-NU, expresiile
obţinute vor fi prelucrate cu ajutorul
formulei lui De Morgan.

Codificatoare de adresă
 Circuitele codificatoare sunt CLC care la activarea unei intrări conduc la
apariţia unui cuvânt de cod la ieşire.
 Un codificator este de adresă dacă furnizează la ieşire adresa intrării
activate.
 Codificatorul de adresă simplu
A0  I1  I 3  I5  I 7
A1  I 2  I 3  I 6  I 7
A2  I 4  I 5  I 6  I 7


Codificatoare de adresă (cont.)

 Codificatorul de adresă prioritar
■ La acţionarea simultană a mai multor intrări,
intrări la ieşire apare adresa
intrării cu prioritatea cea mai mare.
■ Circuitul mai este prevăzut şi cu o intrare suplimentară EI (Enable
Input) de autorizare a funcţionării.
■ Ieşirea GS devine activă (nivel 0) atunci când cel puţin una din intrări
este activată. Ieşirea EO este activată atunci când toate intrările de
date sunt inactive.

Codificatoare de adresă (cont.)


Comparatoare numerice
 Comparatoarele numerice sunt circuite logice care permit determinarea
relaţiei de mai mare, mai mic sau egal între două numere.
 Comparatorul numeric de un bit
Acest circuit permite compararea a două numere de câte un bit,
indicând la ieşire situaţiile de mai mare, egal sau mai mic.

Comparatoare numerice (cont.)

 Comparatoare numerice de A  A0  20  A1  21
mai mulţi biţi
■ Prin
P i iinterconectarea
t t a două
d ă comparatoare
numerice de câte un bit, se poate realiza
t
B  B0  20  B1  21
un comparator numeric de doi biţi.
■ Procesul de comparare începe cu
compararea biţilor cei mai semnificativi A1
cu B1. Dacă avem A1 > B1, sau A1 < B1,
acest lucru implică şi faptul că A > B sau
A < B, indiferent de valoarea biţilor A0 şi
B0. În schemă, acest lucru se
materializează prin legarea ieşirilor
porţilor P1 respectiv P2 direct la intrările
porţilor P5 respectiv P6.
■ Dacă A1 = B1, p pentru determinarea relaţiei
ţ
dintre numerele A şi B, se impune
examinarea biţilor A0 şi B0, situaţie în care
ieşirea porţii P8 asigură deschiderea
porţilor P3 şi P4.
■ Dacă A0 < B0 respectiv A0 > B0, rezultă că
sunt valabile şi relaţiile A < B respectiv A
> B, ceea ce se obţine prin legarea
ieşirilor porţilor P3 respectiv P4, la intrările
porţilor P5 respectiv P6.
■ Dacă pentru A1 = B1 avem şi A0 = B0,
rezultă că cele două numere sunt egale, A
= B, şi se activează ieşirea porţii P7.


Generatorul şi detectorul de paritate

 În procesul transmiterii informaţiilor numerice pot apărea erori. O
metodă simplă de detectare a acestora constă în utilizarea codurilor
detectoare de erori (cu verificare la paritate sau imparitate).
 Aceste coduri se bazează pe faptul că la emisie se formează un nou
cuvânt de cod prin adăugarea unui bit suplimentar la cei existenţi, astfel
încât numărul de "1" din cuvântul nou format să fie par (sau impar).
 La recepţie, se verifică paritatea sau imparitatea numărului de "1" din
cuvântul recepţionat.
 În funcţie de rezultatul verificării,
verificării se decide asupra corectitudinii
cuvântului recepţionat.
 Operaţiile susmenţionate se realizează cu CLC numite generatoare şi
detectoare de paritate.
 Detectorul elementar de paritate (pentru cuvinte de doi biţi) este circuitul
de anticoincidenţă – sumatorul modulo doi – SAU-EXCLUSIV (XOR).

Generatorul şi detectorul de paritate (cont.)

 Generator sau detector de paritate (imparitate) pentru cuvinte de
patru biţi
■ Sumatorul modulo doi S1 verifică paritatea biţilor A0 şi A1, iar S2
paritatea biţilor A2 şi A3.
■ Rezultatul acestor verificări este la rândul lui verificat de S3, pe
ieşirea Y3 a acestuia apare nivel logic 1, dacă cuvântul A0A1A2A3 are
un număr impar de unităţi, şi nivel logic 0, în caz contrar.
■ Introducerea circuitului S4 în schemă, împreună cu comanda P,
asigură pe ieşirea Y nivel logic 1 sau 0 în funcţie de numărul
unităţilor din cuvântul de cod şi de comanda P aplicată (S4
funcţionează ca un inversor comandat de P).



 Lanţ de transmisiune cu verificare de paritate
■ La emisie – la cei trei biţi informaţionali – se mai adaugă bitul de
paritate formând cuvântul de cod transmis.
■ La recepţie cei patru biţi ai cuvântului recepţionat sunt introduşi în
acelaşi circuit reprezentat în diapozitivul anterior, care de această
dată funcţionează ca un detector de paritate, validând sau nu, prin
bitul său de paritate, recepţionarea cuvântului de cod.


 Generator/detector de paritate (pară sau impară) de 8 biţi cu
posibilităţi de expandare – SN74180
■ Circuitul este prevăzut cu intrările P (par) şi I (impar) care permit
funcţionarea ca generator / detector de paritate pară sau impară.



 Generator/detector de paritate de 16 biţi
■ Prin interconectarea mai multor circuite SN74180,
SN74180 se pot realiza
generatoare/detectoare de paritate (pară sau impară) cu un număr
arbitrar de biţi.
58
Circuite aritmetice


Circuite aritmetice
Reprezentarea numerelor
 În circuitele digitale, numerele reale sunt aproximate prin numere
raţio-nale,
raţio nale, cu un număr finit de cifre.
 Reprezentarea unui număr raţional pozitiv scris într-o bază de numeraţie
oarecare B este
N  bn 1 bn  2 ... b1 b0 , b1 b 2 ... b m
    
partea int reagă partea fractională
 Valoarea în baza zece a numărului este dată de expresia
n 1
N  bi B i
i m

Circuite aritmetice
Reprezentarea numerelor (cont.)

 Baza de numeraţie utilizată în circuitele digitale este B = 2, când bi  0, 1
n 1
N  bn 1 bn  2 ... b1 b0 , b1 b 2 ... b m   bi 2i
i m
 Relaţia anterioară reprezintă un număr binar fără semn. Pentru
reprezentarea numerelor cu semn, pentru a indica semnul operandului
se utilizează bitul cel mai reprezentativ bn–1, numit bit de semn
N  bn 1 bn  2 ... b1 b0 , b1 b 2 ... b m
   
bit de mărime
semn
 Prin convenţie s-a ales bn–1 = 0 pentru numere pozitive şi bn–1 = 1 pentru
numere negative.


Circuite aritmetice

 În funcţie de modul în care biţii bn 1 bn  2 ... b1 b0 , b1 b 2 ... b m
reprezintă valoarea numerelor negative, avem trei moduri de
reprezentare a numerelor cu semn:
 Reprezentarea prin semn şi valoare absolută
 Cifrele binare bn 2 ... b m reprezintă valoarea absolută a numărului N.
 Valoarea zecimală a numărului reprezentat va fi:
n2
N   1bn 1   bi 2i
i m
 Exemplu:
(+2) = 00010 (+5) = 00101
(–2) = 10010 (+5) = 10101
 Această reprezentarea este avantajoasă în operaţiile de înmulţire şi
împărţire, dar necesită algoritmi speciali la adunare şi scădere.

Circuite aritmetice

 În cazul particular al numerelor întregi (m = 0), gama numerelor
reprezentabile este cuprinsă în intervalul:
  2  1  N   2  1
n 1 n 1
   
 Dacă împărţim relaţia anterioară cu 2n–1, obţinem în urma acestei

operaţii de scalare o reprezentare numită în virgulă fixă
 1  2   N'  N  2 1 n  1  2 1 n 
1 n
  
   
în care virgula este poziţionată imediat după bitul de semn.


Circuite aritmetice

 Reprezentarea prin complement faţă de unu (C1)
 Reprezentarea în C1 au unui număr negativ se obţine din reprezentarea
numărului pozitiv prin complementarea tuturor biţilor acestei reprezentări
 N C1  0 bn 2 ... b1 b0 , b1 ... bm
 N C1  1 bn 2 ... b1 b0 , b1 ... bm
 Se poate demonstra că
 N C1  2n  1  N
 Exemplu: (+2)C1 = 00010 (+5)C1 = 00101
((–2))C1 = 11101 ((+5))C1 = 11010
 Domeniul numerelor reprezentabile (pentru numere întregi) este:
  2  1  N   2  1
n 1 n 1
   
 Avantaj: uşurinţa cu care se obţin numerele negative
 Dezavantaj: dualitatea reprezentării numărului zero (00000 dacă îl
considerăm număr pozitiv şi 11111 dacă îl considerăm număr negativ)

Circuite aritmetice

 Reprezentarea în complement faţă de doi (C2)
 N C2
 0 bn  2 ... b1 b0 , b1 ... b m
 N C2
 2n  N
 Obţinerea practică a reprezentării numerelor negative:
 complementăm numărul faţă de unu;
 adăugăm un unu pe poziţia bitului cel mai puţin semnificativ;
 ignorăm eventualul transport care poate apare pe poziţia bitului

de semn.
 Exemplu:


Circuite aritmetice

 Domeniul numerelor întregi reprezentabile în C2 este
  2   N   2  1
n 1 n 1
   
 Dezavantajul legat de reprezentarea mai greoaie a numerelor
negative în C2 este compensat de faptul că o operaţie de scădere a
două numere binare se transformă într-o operaţie de adunare în C2.

Circuite aritmetice
Adunarea şi scăderea
 Cazul numerelor de un bit
 Cazul numerelor de mai mulţi biţi

 Algoritmii
g de adunare şşi scădere depind
p de reprezentarea
p folosită.
 Scăderea a două numere se poate executa prin adunarea primului
cu complementul faţă de doi al celui de al doilea. Rezultatul pozitiv
sau negativ va fi corect reprezentat în C2 în lipsa depăşirilor.
 Operaţia de adunare propriu-zisă se efectuează bit cu bit, începând
cu bitul cel mai puţin semnificativ şi terminând cu bitul de semn.


Circuite aritmetice
Adunarea şi scăderea (cont.)

 Pentru fiecare poziţie, la cifrele binare curente xi şi yi se adaugă
transportul de intrare ci, rezultând, în urma adunării, suma si şi
transportul de ieşire ci+1.

Circuite aritmetice

 Exemple: folosind reprezentările în (C2) ale numerelor 2, 3 şi 5
prezentate anterior, vom exemplifica operaţiile de adunare şi
scăderea în (C2):


Circuite aritmetice

 Depăşirea
 Depăşirea (overflow) apare atunci când rezultatul nu se mai
încadrează în domeniul de reprezentabilitate ale operanzilor.
 Situaţia de depăşire se detectează prin teste efectuate asupra
operanzilor şi a rezultatului.
 Fie doi operanzi întregi X şi Y şi rezultatul adunării lor algebrice S
X  xn 1 xn  2 ... x0
Y  yn 1 yn  2 ... y0
S  sn 1 sn  2 ... s0
 Situaţia de depăşire apare doar atunci când cei doi operanzi sunt de
acelaşi semn şi se manifestă prin alterarea bitului de semn al
rezultatului.
 Pentru a găsi o modalitate de a indica situaţia de depăşire, vom
urmări modul de formare a bitului de semn al rezultatului (sn-1).

Circuite aritmetice
 Considerăm în tabelul alăturat

xi = xn–1 şi yi = yn–1 biţii de semn ai celor doi operanzi,
ci = cn–1 transportul în poziţia bitului de semn,
si = sn–1 semnul rezultatului, iar
ci+1 = cn transportul din poziţia bitului de semn (carry).
 Numai operanzii de acelaşi semn pot produce depăşire:
 Liniile 0 şi 1 corespund adunării a 2 operanzi pozitivi,
 Liniile 6 şi 7 corespund adunării a doi operanzi negativi

negativi.
 Liniile 1 şi 6 au semnul rezultatului opus semnului operanzilor, ceea
ce este incorect (depăşire).
 Numai în situaţiile de depăşire, transporturilor de intrare ci = cn-1
respectiv de ieşire ci+1 = cn în şi din poziţia bitului de semn nu sunt
egali.


Circuite aritmetice
 Funcţia logică care semnalizează anticoincidenţă a doi biţi este funcţia

suma modulo doi, iar circuitul electronic este un SAU-EXCLUSIV:
OVF  cn 1  cn
 Bitul de transport de ieşire cn = C se numeşte transport sau în engleză

Carry.
 Interpretarea valorii sale depinde de operaţia efectuată. De exemplu, în
cazull adunării
d ă ii unor numere îîntregi
t i şii pozitive
iti d de 8 biţi
biţi, C = 1 iindică
di ă
depăşirea valorii de 255.

Circuite aritmetice
Circuite sumatoare
 Aşa cum s-a arătat anterior, în C2 operaţiile de adunare şi de scădere
se tratează similar şi, în consecinţă, pentru realizarea practică a acestor
operaţii, vom avea nevoie doar de circuite de sumare şi complementare.
 Se poate arăta că operaţiile de înmulţire şi împărţire în binar se reduc la
adunări şi deplasări succesive.
 În concluzie, rezultă că cele patru operaţii matematice de bază, folosind
reprezentarea în C2, se reduc la complementări, adunări şi deplasări,
ceea ce simplifică foarte mult realizarea unor automate aritmetice
p g
programabile.
 O operaţie matematică, oricât de complicată ar fi ea, se va realiza
printr-o înşiruire de asemenea operaţii elementare.
 Pentru că o operaţie matematică, care poate conţine un număr foarte
mare de asemenea operaţii elementare, să se efectueze într-un timp
scurt, este necesar ca aceste operaţii elementare să se efectueze
într-un timp extrem de scurt.


Circuite aritmetice
Circuite sumatoare (cont.)

 Schema de principiu a unui sumator
 Funcţiile de ieşire ale sumatorului de un bit se pot scrie într-o formă
convenabilă care permite realizarea schemei sumatorului de mai
mulţi biţi, prin conectarea în cascadă a unor celule elementare
(sumator elementar) identice.

Circuite aritmetice

 Sumatorul elementar
ci  xi  yi  xi  ci 1  yi  ci 1
si  xi  yi  ci 1  xi  yi  ci 1 
 xi  yi  ci 1  xi  yi  ci 1 
 xi  yi  ci 1


Circuite aritmetice

 Sumatorul elementar
 Expresia care reprezintă valoarea
transportului, poate fi scrisă şi sub
forma
ci  xi  yi   xi  yi   ci 1 
g i  pi  ci 1
 Interpretarea acestei relaţii este
următoarea: la ieşirea unui sumator
elementar va apare un transport ci
dacă el a fost generat local
( gi  xi  yi  1 ) sau dacă transportul
de intrare ci–1 s-a propagat prin
celulă ( pi  xi  yi  1 ).

Circuite aritmetice

 Sumator de patru biţi realizat cu sumatoare elementare
 Viteza de calcul a schemei este limitată de timpul de propagare a
transportului.


Circuite aritmetice

 Sumator de patru biţi cu calculul anticipat al transportului
 O soluţie de mărire a vitezei de calcul se bazează pe un calcul
anticipat al transportului (look ahead carry), direct din biţii celor doi
operanzi,
într-un timp
mult mai scurt
decât timpul
necesar
propagării în
cascadă a
transportului
prin celulele
sumatorului.

Circuite aritmetice
Unităţi Aritmetice Logice

 Odată cu creşterea densităţii de integrare a circuitelor digitale, funcţiile
aritmetice şi logice se execută în circuite integrate complexe,
programabile, numite unităţi aritmetico-logice (Arithmetic and Logic Unit
– ALU). Aceste circuite se pot folosi ca atare, sau se vor regăsi ca
elemente componente (de execuţie) ale unor structuri programabile şi
mai complexe (procesoare).
 Structura internă a unui ALU cuprinde în esenţă următoarele tipuri de
circuite:
 un circuit logic
g de intrare,, comandat,, care efectuează operaţii
p ţ logiceg
elementare asupra operanzilor;
 un sumator binar paralel cu calculul anticipat al transportului;
 un generator de transport anticipat;
 circuite de comparare.


Circuite aritmetice
Unităţi Aritmetice Logice (cont.)

 Un ALU are următoarele intrări şi ieşiri tipice:
 intrări operanzi (A0 … A3, B0 … B3);
 ieşiri funcţie (F0 … F3);
 intrare de transport (cn);
 ieşire de transport (Cn+4);
 ieşiri pentru calculul anticipat al transportului (X, Y);
 ieşiri indicatoare de egalitate între operanzi (A = B);
 intrări de comandă:
 comanda modului (M cu M = 0 pentru aritmetic, M = 1 pentru
logic);
 selecţia funcţiei (S0 … S3).

Circuite aritmetice
Unităţi Aritmetice Logice (cont.)

 Exemplu:
SN74181 – ALU de 4 biţiţ
 16 funcţii aritmetice şi
16 logice prezentate
alăturat (cu date de
intrare de tipul AH şi
cn  1).
 ALU pot fi conectate în
cascadă pentru a
prelucra operatori
p p cu
lungime mai mare de 4
biţi. Pentru viteză mare,
trebuie folosite şi
circuite de calcul
anticipat al
transportului între
celule (SN74182).

Circuite basculante bistabile

Circuite basculante bistabile 2
 CBB de tipul S-R asincron
 CBB de tip S-R sincron active pe palierul tactului
 Celula D-Latch
 Bistabile de tipul master-slave
 CBB active pe frontul impulsului de tact
 Utilizarea practică a bistabilelor

 Circuitele basculante bistabile (CBB) sunt circuite secvenţiale asincrone

cu două stări stabile. Trecerea dintr-o stare în cealaltă se face numai
prin aplicarea unei comenzi din exterior
exterior.
 Circuitele basculante bistabile sunt cele mai simple circuite secvenţiale.

Ele sunt realizate cu porţi logice cu legături de reacţie de la ieşire la
intrare.
 Prezenţa legăturilor de reacţie conferă acestor circuite proprietatea de
memorare, în sensul că semnalul de ieşire va fi o funcţie care depinde
de starea curentă a circuitului precum şi de comenzile primite pe intrare
(starea circuitului memorează de fapt ultimele comenzi primite).
 Circuitele basculante bistabile (numite uneori şi celule de memorie) sunt
utilizate pentru realizarea unor circuite secvenţiale mai complexe cum ar
fi numărătoare, registre, memorii SRAM etc.
 Se disting următoarele tipuri de circuite bistabile:

 S-R,
 JK
J-K,
 T şi
 D.
 După natura funcţionării lor, ele se împart în:
 CBB asincrone şi
 CBB sincrone (cu intrare suplimentară de tact).
 Circuitele sincrone pot fi active pe palierul sau pe frontul impulsului de
tact.
 O configuraţie sincronă aparte o formează structura master-slave.

CBB de tipul S-R asincron
Circuitul se mai întâlneşte şi sub denumirea englezească de S-R unlocked

latch.

Formularea problemei
 Obiectiv: Obţinerea unui circuit elementar de memorare a unui bit de
informaţie cu posibilitatea înscrierii respectiv ştergerii acestei informaţii
în şi din celulă.
 Un asemenea circuit va avea:

 două intrări de comandă notate cu S (SET) şi R (RESET) şi
 două ieşiri Q şi Q .
 Notaţia folosită pentru ieşiri indică faptul că ieşirile circuitului sunt

complementare.
 Intrarea S se va folosi pentru a înscrie informaţia în circuit iar intrarea R
pentru a şterge informaţia din circuit.


Funcţionarea circuitului
 Circuitul va trebui să funcţioneze astfel:
 În lipsa unor comenzi pe intrări (Sn = 0 şi Rn = 0),
0) starea circuitului
să nu se schimbe (Qn+1 = Qn ). Spunem în acest caz că circuitul
păstrează starea sa anterioară.
 Să existe posibilitatea de a înscrie informaţia în circuit. Comanda
aplicată va fi Sn = 1 şi Rn = 0 iar pe ieşire apare starea Qn+1 = 1.
 Să se poată şterge informaţia din circuit cu comanda Sn = 0 şi
Rn = 1. În acest caz, pe ieşire apare starea Qn+1= 0.
 Din punct de vedere logic
logic, nu are sens să se facă simultan înscrierea şi
ştergerea informaţiei, motiv pentru care comanda Sn = 1 şi Rn = 1 va fi o
comandă interzisă.
 Rezultă de aici condiţia de
bună funcţionare a circuitului .
S n  Rn  0

Sinteza circuitului
 Considerăm drept mărime de
ieşire semnalul Qn+1 la
momentul tn+1.
 Din tabelul de adevăr anterior,
observăm că acest semnal
depinde atât de comenzile
primite la momentul tn (Sn şi Rn)
cât şi de starea anterioară a
circuitului (Qn).
 Se confirmă caracterul
secvenţial al circuitului care
urmează a se proiecta.
 Rescriem tabela de adevăr şi
considerăm Qn+1 ca o funcţie
booleană de trei variabile.


Sinteza circuitului cu porţi SAU-NU

 În diagramele Karnaaugh grupăm convenabil zerourile
şşi scriem FCC a funcţiilor:
ţ
Qn 1  R n  Sn  Qn 

Q n 1  S n  Q n  Rn 
 Schema bistabilului realizabilă cu porţi SAU-NU rezultă
în urma unei prelucrări simple:
Qn 1  Q n 1  R n  Sn  Qn   Rn  Sn  Qn 
  
Q n 1  Q n 1  S n  Q n  Rn  Sn  Q n  Rn 

Sinteza circuitului cu porţi ŞI-NU

 Grupând unităţile din diagrama Karnaugh, va rezulta
FDC a funcţiilor:
ţ
Qn 1  Sn  Qn  R n
Q n 1  Rn  Q n  S n
 În urma unor prelucrări similare, pot fi puse sub o formă
care să permită desenarea bistabilului cu porţi ŞI-NU:
Qn 1  Q n 1  S n  Qn  R n 

 S n  Qn  R n 
Q n 1  Q n 1  Rn  Q n  S n 

 Rn  Qn  S n 


Analiza funcţionării circuitului

 Reamintim funcţionarea porţii SAU-NU:
 Analizăm funcţionarea circuitului pentru toate cele patru combinaţii de

comenzi aplicate pe intrări:


 Cazul Sn = 0, Rn = 0
 Intrările de comandă ale P1 şi P2 fiind în zero logic
logic, porţile vor
inversa semnalul de pe cealaltă intrare.
 Dacă Q este semnalul de ieşire al porţii P1, care prin reacţie se
aplică pe intrarea porţii P2, la ieşirea acesteia din urmă apare în mod
obligatoriu semnalul Q.
 Rezultă că ieşirile circuitului sunt complementare şi că acesta nu
poate avea decât două stări distincte: a) Q = 0 şi b) Q = 1.
 Dacă comenzile de
intrare rămân
neschimbate,
Sn = 0, Rn = 0, circuitul
va sta într-una din
aceste stări
(funcţie de memorare).



 Cu aceste comenzi
comenzi, poarta P2 este blocată pe Q = 0,
0 iar poarta P1
este deschisă. Ieşirea porţii P1 este determinată de cealaltă intrare a
sa ( Q = 0 ) pe care o inversează şi deci Q = 1.
 Pentru această comandă, a rezultat o unică stare la ieşire, Q = 1.
 Dacă comanda Sn = 1, Rn = 0, a fost dată la momentul tn şi la tn+1 se
revine la Sn+1 = 0, starea circuitului nu
se va modifica (poarta P2 va rămâne
blocată datorită intrării Q = 1 şi deci
intrarea S nu va mai avea efect
asupra stării circuitului).
 Circuitul are memorie, în sensul că din
starea sa la tn+1 putem deduce faptul că
ultima comandă aplicată a fost
Sn = 1, Rn = 0


 În acest caz funcţionarea circuitului este similară cu funcţionarea din
cazul precedent, rezultând la ieşire o unică stare Q = 0.
 Ieşirea Q = 1 prin reacţie blochează poarta P1 şi, în consecinţă,
modificările semnalului Rn nu pot influenţa starea circuitului.



 Pentru această comandă porţile P1, P2 se
blochează, iar ieşirile devin Q = 0, Q = 0. Cele
două ieşiri nemaifiind complementare, rezultă
că circuitul îşi pierde caracterul de circuit cu
două stări.
 Dacă comanda Sn = 1, Rn = 1 s-a dat în
momentul tn şi la tn+1 se anulează comanda cu
Sn+1 = 0,, Rn+1 = 0,, apare
p o ambiguitate
g asupra
p
stării în care va rămâne circuitul datorită
timpilor de comutare a semnalelor de
comandă:
a) Rn comută mai repede, rezultă Qn+1 = 1;
b) Sn comută mai repede, rezultă Qn+1 = 0;
c) Rn şi Sn comută deodată, CBB oscilează.

Evitarea nedeterminării după comanda Sn = 1, Rn = 1

 Există două soluţii:
 să se utilizeze circuitul în acele aplicaţii în care asemenea comenzi
nu apar;
 modificarea schemei circuitului astfel ca acesta să aibă o evoluţie
cunoscută şi după o astfel de comandă.
 În cea de-a doua variantă, există numai patru posibilităţi de ridicare a

nedeterminării, şi anume Qn+1 = Qn ; Qn+1 = 0; Qn+1 = 1 şi Qn+1 = Q n.
 P i l ttreii nu suntt iinteresante,
Primele t t deoarece
d ele
l ar însemna
î dedublarea
d d bl
unor situaţii deja existente în tabelul de funcţionare a circuitului.
 Ultima variantă ar completa tabelul de adevăr cu o situaţie inexistentă în
tabelul iniţial, şi anume: în urma comenzii Sn = 1, Rn = 1 circuitul să
treacă în starea opusă aceleia în care se afla.


Evitarea nedeterminării după comanda Sn = 1, Rn = 1 (cont.)

 Pentru a obţine această ultimă evoluţie a circuitului, schema CBB de tip
S-R
S R a fost completată cu două porţi ŞI comandate cu semnalele Q şi Q .
 Intrările de comandă ale circuitului se notează cu J respectiv K.
Funcţionarea se poate înţelege uşor dacă se urmăresc comenzile:
S '  J  Q şi respectiv R'  K  Q .
Cum ieşirile sunt complementare, S  R  J  K  Q  Q  0 , CBB de bază
' '

nu va fi niciodată în starea de nedeterminare, indiferent de valorile
comenzilor de pe intrările J şi K.
 Acest circuit este de fapt
schema unui nou tip de
bistabil, şi anume bistabilul
de tip J-K.

Evitarea nedeterminării după comanda Sn = 1, Rn = 1 (cont.)

 Din formele de undă care prezintă funcţionarea bistabilului J-K,
constatăm că pentru J = K = 1 circuitul oscilează, ceea ce îl face practic
inutilizabil.
 Fenomenul se explică prin faptul că pentru J = K = 1, porţile ŞI de intrare
sunt deschise şi permit îndeplinirea condiţiei de basculare. După ce
bascularea circuitului a avut loc şi dacă între timp comenzile de intrare
au rămas neschimbate (J = K = 1),
circuitul va bascula din nou etc.
până în momentul în care
dispare condiţia J = K = 1.


Aplicaţie tipică
 Eliminarea oscilaţiilor care apar la contacte mecanice
20
CBB de tip S-R sincron

active pe palierul tactului
Circuitul se mai întâlneşte şi sub denumirea englezească de S-R Level

Sensitive Latch.


CBB de tip S-R sincron active pe palierul tactului
Erori necontrolate în funcţionarea CBB S-R asincron

 CBB S-R asincron este caracterizat prin
faptul că orice modificare a semnalelor de
comandă S respectiv R va avea un efect
imediat asupra circuitului. Sunt situaţii în
care această funcţionare poate duce la
apariţia unor erori necontrolate, aşa cum
este ilustrat alăturat.
 Trecerea din starea An = 1, Bn = 0 în
starea An+1 = 0, Bn+1 = 1, care normal nu
influenţeze starea bistabilului, se poate
face fie prin comutarea semnalului de pe
intrarea A înaintea celui de pe intrarea B
(stânga), fie prin comutarea semnalului de
pe B înaintea celui de pe intrarea A
(drepata).

Eliminarea erorilor necontrolate la CBB S-R asincron

 Această schimbare nedorită a stării bistabilului poate avea implicaţii
greu previzibile asupra funcţionării ansamblului din care face parte.
 Cum în practică este greu de controlat succesiunea tranziţiilor (ce
depind de diverşi timpi de propagare), este necesar să existe un circuit
care să execute comenzile numai după ce acestea s-au stabilizat la
valorile lor corecte, evitându-se astfel executarea unor comenzi eronate
datorate impulsurilor parazite care pot să apară în timpul tranziţiilor.
 Un astfel de circuit este CBB de tip S-R sincron (activ pe palierul
impulsului
p de tact).
)
 Un CBB de tip sincron va avea două (una) intrări de date, o intrare de
tact şi două ieşiri.
 Informaţia se transmite spre bistabilul propriu-zis numai la sosirea
impulsului de tact.


CBB de tip S–R sincron cu porţi SAU-NU

 Pe durata cât porţile de intrare sunt
deschise, circuitul funcţionează asincron.
 Pentru T = 0, orice modificări ale
intrărilor de date se reproduc la ieşire,
momentele de tranziţie fiind determinate
numai de modificările intrărilor.
 Între două impulsuri de tact, intrările se
pot modifica în mod arbitrar fără a
influenţa
ţ într-un fel starea bistabilului,,
care rămâne neschimbată.

CBB de tip S–R sincron cu porţi ŞI-NU

 Pentru corectitudinea înscrierii datelor,
acestea trebuie să nu se modifice pe
durata cât timp tactul este activ.
 O soluţie mai eficientă de preluare a
unor comenzi asincrone îl constituie
folosirea unor bistabile sincrone pe
frontul impulsului de tact.


CBB de tip S-R sincron cu intrări asincrone SET şi RESET

 În afara intrărilor sincrone, la aceste bistabile se introduc şi una sau
două intrări asincrone care servesc la aducerea la 0 a bistabilului (reset)
sau la aducerea lui în starea 1 (set).
 Apariţia unor comenzi pe aceste intrări se execută independent de
prezenţa tactului. Din acest motiv, intrările respective pot fi considerate
prioritare în raport cu celelalte.
26
Celula D-Latch


Celula D-Latch
 CBB-ul D-Latch, folosit des

în aplicaţii practice, se
obţine dintr-o structură S-R
sincronă prin introducerea
sincronă,
unui inversor între intrările
de comandă, astfel încât să
avem D = S = R .
 Pe durata tactului (CK = 1),
celula este transparentă,
ieşirea copiază intrarea.
 În momentul dispariţiei
tactului, (trecerea 1  0)
celula se zăvoreşte pe
valoarea din acel moment a
intrării.
 Exemplu: SN7475 cu 4
asemenea celule.
28
Bistabile de tipul master-slave
O problemă de bază în realizarea circuitelor digitale este aceea de a

asigura un transfer sigur de informaţie.
Dacă ne propunem să asigurăm un transfer de informaţie în ritmul
impulsurilor de tact, de la o celulă de memorie (de exemplu bistabil S-R
sincron) la alta, vom constata apariţia unor probleme practic insurmontabile.
Pentru a putea asigura un transfer sigur de informaţie de la o celulă la alta
vom avea nevoie de un nou tip de bistabil numit master-slave. CBB de tip
master-slave sunt circuite bistabile sincrone, active pe frontul negativ al
impulsului de tact.


 Nevoia de a avea o structură de tipul master-slave poate fi justificată în

mai multe feluri. Vom introduce, în cazul de faţă, acest tip de bistabil
plecând de la ideea realizării unui registru de deplasare.
 Să presupunem că că, într-o
într o aplicaţie oarecare,
oarecare avem nevoie de un circuit
care să funcţioneze astfel:
■ la primul impuls de tact informaţia I1 să se înscrie în prima celulă,
■ la al doilea impuls de tact să treacă informaţia I1 din prima celulă în
cea de a doua, concomitent cu înscrierea unei noi informaţii I2 în
prima celulă etc.
● Schema bloc a registrului
de deplasare realizat cu
CBB S-R sincrone

● Registrul de deplasare realizat cu CBB S-R sincrone
● Informaţia se propagă în cascadă într-un

număr de celule, număr care depinde de
relaţia dintre durata impulsurilor de tact
şi tpd (tpd – timpul de propagare prin celula
binară), ceea ce nu corespunde funcţionării
dorite iniţial.


● Schema nu funcţionează corect deoarece:

■ Pe durata tactului (Tact = 1) porţile de intrare ale bistabilelor, P1, P2,
P3, P4, P5 şi P6, au fost deschise şi informaţia înscrisă iniţial în
prima celulă are posibilitatea de a se propaga din celulă în celulă;
■ Practic, cât timp avem Tact = 1, bistabilele de intrare sunt
transparente şi informaţia se propagă de la un CBB la următorul.
● Pentru a elimina acest neajuns şi a putea realiza o schemă care să
funcţioneze conform cerinţelor formulate, vom avea nevoie de un nou tip
de bistabil, la care informaţia să se înscrie în celulă la apariţia impulsului
de tact, dar să apară la ieşirea celulei după dispariţia acestuia, când
porţile de intrare în celula următoare sunt deja închise.
● În acest fel, se va elimina propagarea în cascadă, de la o celulă la alta,
a informaţiei.
● O soluţie ar fi să realizăm noul tip de bistabil, prin conectarea în cascadă
a două CBB de tipul S-R sincrone comandate în antifază. Acest circuit
se numeşte circuit basculant bistabil de tip S-R master-slave
(stăpân-sclav).

CBB de tip S-R master-slave (cont.)

 Structura circuitului: porţile de intrare P1 şi P2; CBB-master; porţile de
transfer P3 şi P4; şi CBB-slave.
CBB slave.
 Intrarea de tact s-a notat cu CK, sugerând în felul acesta că informaţia
apare pe ieşirea bistabilului pe frontul posterior al impulsului de tact


Porti de CBB Porti de CBB
Bistabile de tipul master-slave intrare MASTER transfer SLAVE
S
CBB de tip S-R master-slave (cont.) P1 P3 Q
 Funcţionarea calitativă: _
R Q
■ Pe porţiunea 2-3
2 3 a tactului, P1 şi P2 sunt ___ P2 P4
deschise permiţând accesul informaţiei CK

în master. P3 şi P4 sunt închise, slave-ul
este izolat de master, deci informaţia
nouă are acces în master şi cea veche
se păstrează în slave.
■ Pe porţiunea 4-5 a tactului, P1 şi P2
rămân blocate, nepermiţând accesul
unor informaţii
ţ noi în master. P3 şşi P4
se deschid, ceea ce face ca informaţia
nouă să treacă din master în slave şi deci să apară la ieşire.
■ Structura master-slave este de fapt un CBB sincron activ pe frontul
negativ al impulsului de tact. Pentru ca informaţia să fie preluată
corect din master în slave, trebuie ca pe durata timpului de pregătire
tSU şi de menţinere tH din jurul frontului negativ al tactului informaţia
din master să nu se schimbe


 Dacă înlocuim în schema registrului de deplasare anterior celulele binare S-R
sincrone cu celule de tipul
p S-R master-slave, schema astfel obţinută
ţ va funcţiona
ţ
aşa cum ne-am propus iniţial.
Tact
Tact1 Tact2 Tact3 t
Q1
I1 =1 I2 =0 I3 =1 t
Q2
I1 =1 I2 =0 t
Q3
I1 =1 t



 Exemplu de circuit S-R master-slave: SN74L71

CBB de tip J-K master-slave

 Unul dintre cele mai răspândite tipuri de CBB, care combină eliminarea
comenzii interzise de la bistabilele S-R cu structura master-slave.
 Structura J-K master-slave se obţine din una S-R master-slave prin
introducerea unor bucle de reacţie de la ieşire la intrare, care vor
permite ca pentru comanda Jn = Kn = 1 să obţinem schimbarea sigură a
stării bistabilului Qn 1  Q n .
 Folosirea unei structuri de tipul S-R master-slave la realizarea unui CBB
de tipul J-K, va evita legarea directă a ieşirilor la intrări, ceea ce va
asigura condiţia ca pentru J = K = 1 circuitul să basculeze o singură dată
((schimbarea stării se produce
p mai întâi în master şşi abia după
p dispariţia
p ţ
impulsului de tact în slave).


CBB de tip J-K master-slave (cont.)

 Faza Set, avem J = 1 şi K = 0 pe
toată durata impulsului de tact.
După frontul pozitiv al tactului,
tactului cu
întârzierea de propagare, bistabilul
master se va seta, iar pe frontul
posterior, de asemenea după
întârzierea de propagare, această
informaţie se va transmite în
bistabilul slave.
 Faza Reset este ilustrată cu un
impuls pe intrarea K decalat cu mai
puţin de jumătate de tact faţă de
frontul anterior al impulsului de tact
tact.
Comanda de resetare (J = 0, K = 1)
va acţiona asupra masterului cu o
mică întârziere după frontul pozitiv
al impulsului aplicat pe intrarea K.
Transferul informaţiei din master în
slave va avea loc pe frontul negativ
al impulsului de tact.


 În cazul în care pe durata impulsului
de tact apare un impuls parazit
(g tc ), cazul
(glitch), ca u Prima a captare,
capta e, d
din
nou condiţia J · CK = 1 este
îndeplinită şi, cu o întârziere
raportată de data aceasta la frontul
pozitiv al impulsului parazit,
bistabilul master va trece în starea
1 (în mod eronat), stare care se va
transmite după frontul posterior al
impulsului de tact la ieşirea
bistabilului slave. Fenomenul poartă
numele de captare a impulsurilor
parazite şi reprezintă o sursă
potenţială de erori în funcţionarea
bistabilelor J-K master-slave.
Pentru a evita fenomenul
menţionat, este necesar ca
circuitele logice care asigură
semnalele de comandă pe intrările
J şi K să fie lipsite de impulsuri de
hazard (comutările să aibă loc
numai pe CK = 0).



 Exemplu de circuit
J-K master-slave:
SN7472

CBB de tip T (Toggle)

 CBB de tip T se obţine prin
legarea în comun a intrărilor
de date J şi K la celula binară
J-K master-slave
 Pentru T = 1, celula divide cu
doi (la două tranziţii de tipul
1  0, aplicate pe intrarea de
tact, apare o singură tranziţie
de tipul 1  0, pe ieşirea Q)
 Această proprietate
remarcabilă a celulei T se
utilizează la realizarea
numărătoarelor


CBB de tip D (Delay )

 CBB de tip D se obţine din
celula binară J-K
J K master-
master
slave prin legarea intrării de
date J complementate la K
 Ieşirea este copia lui D (D =
J) dar cu o întârziere (delay)
de un tact
 Această proprietate a celulei
D se utilizează la realizarea
registrelor de deplasare
42
CBB active pe frontul impulsului de tact



 Pentru a justifica necesitatea acestor tipuri de bistabile, propunem să
trecem în revistă tipurile de bistabile discutate în cadrul acestui capitol,
urmărind justificarea introducerii lor (ce probleme rezolvă) şi problemele
care le ridică:
 CBB S-R asincron
 celulă elementară de memorie
 orice modificare a semnalelor de pe intrările S şi R va influenţa

nemijlocit starea circuitului (transparenţa intrărilor)
 prezintă o stare interzisă în tabelul de definiţie
 CBB de tip S-R activ pe palierul impulsului de tact

 elimină primul neajuns prin prezenţa a două porţi suplimentare la
intrarea celulei S-R asincron, comandate de un semnal
suplimentar de tact (de validare).
 transparenţa intrărilor s-a redus doar la durata impulsului de tact

CBB active pe frontul impulsului de tact (cont.)

 Pentru a justifica necesitatea acestor tipuri de bistabile, propunem să
trecem în revistă tipurile
p de bistabile discutate în cadrul acestui capitol,
p
urmărind justificarea introducerii lor (ce probleme rezolvă) şi problemele
care le ridică:
 CBB de tip J-K
 elimină starea de nedeterminare, tipică bistabilelor de tip S-R
 introduce pentru J = K = 1 o nouă stare egală cu complementul
celei vechi
 oscilează datorită legării directe a ieşirilor la intrare, atâta timp
cât J = K = 1
 CBB cu structură master-slave
 elimină ultimul neajuns (oscilaţia pentru J = K = 1)
 captează impulsurile parazite care apar pe palierul ridicat al
tactului (inevitabile în cazul unor scheme complexe, în care
comenzile către bistabil provin dintr-o schemă de CLC care
lucrează asincron)


CBB active pe frontul impulsului de tact (cont.)

 Pentru eliminarea acestui ultim
neajuns, s-a
s a elaborat o schemă de
circuit la care preluarea informaţiei
(date de intrare) se face pe frontul
pozitiv sau negativ al impulsului de tact.
 CBB de tip D sincron pe front pozitiv
(trecere 0  1)
 Celula copiază la ieşirea Q ceea ce
este ppe intrarea D în momentul trecerii
0  1 a impulsului de tact (CK).
Modificările intrării de date D cât timp
CK = 0 sau CK = 1 nu au nici o
influenţă asupra semnalului de ieşire
46
Utilizarea practică a bistabilelor
În continuare trecem în revistă câteva aspecte legate de utilizarea

bistabilelor în scheme practice.


Utilizarea practică a bistabilelor
 CBB S-R (latch)

Au o întrebuinţare redusă ca celule de sine stătătoare de memorie, dar
le întâlnim în structurile de tipul master-slave sau D active pe front.
 CBB J J-K
K şii D (fli
(flip-flops)
fl )
Sunt cele mai răspândite tipuri de bistabile utilizate în practică. În
circuite secvenţiale complexe, unde se folosesc scheme cu porţi logice
(CLC) pentru a determina comenzile necesare calculului stării
următoare, aceste CLC-uri se vor realiza cu un număr minim de porţi dar
cu multe legături în cazul folosirii unor CBB de tip J-K. În cazul în care
vom folosi bistabile de tip D la realizarea schemelor, CLC-urile vor
rezulta cu un număr mai mare de porţi dar cu mai puţine legături
legături. În
proiectarea VLSI, unde problema numărului de legături este o condiţie
restrictivă, se utilizează aproape exclusiv bistabile de tip D.
 CBB de tip T
Nu se fabrică ca atare ci se obţin foarte uşor din celule J-K (prin
T = J = K sau D = J = K ).

Cursuri Electronica 1-12 TOT

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cursuri Electronica 1-12 TOT

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.

 Definirea electronicii şi o scurtă istorie a ei

 Definirea semnalelor electrice şi o clasificare a lor

 Caracteristicile semnalelor digitale şi analogice, cu reprezentarea în

 Noţiuni introductive despre componente, circuite, sisteme şi

Electronica – Domeniul ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu

Electronica fizică – Studiul teoretic şi experimental al fenomenelor

Electronica aplicată – Teoria şi practica folosirii dispozitivelor şi

Semnalul – Este acea mărime fizică măsurabilă care este

Semnalul electric – Este un semnal reprezentat printr-o mărime

Notaţii utilizate pentru semnale electrice

Mărimea notată Simbol Indice Exemplu

Clasificarea semnalelor după tipul domeniilor

Clasificarea semnalelor după tipul informaţiei reprezentate

Clasificarea după modul de transmitere a informaţiei utile

Semnale digitale şi analogice

Semnale digitale (numerice)

Rezoluţia semnalelor digitale

Semnale analogice periodice/neperiodice

Spectrul unui semnal periodic

Spectrul unui semnal aperiodic

Rezoluţia unui semnal analogic

Se utilizează pentru transmiterea informaţiei atunci când semnalul cu

Se prezintă semnalele modulate pentru care se foloseşte o oscilaţie

O mărime (curent, tensiune, intensitate de câmp, flux luminos etc.) cu o

Dacă amplitudinea A este variată în ritmul semnalului de modulaţie, se

F (t )  A(t )  cos[ (t )  t   (t )]  A(t )  cos  (t )

Circuitele care realizează acest lucru sunt circuitele de modulare.

Procedeul invers, de extragere a informaţiei utile prin eliminarea

Informaţia este conţinută în semnalul demodulat. Circuitele care

Ansamblul celor două procese utilizate la emisie şi recepţia informaţiei

Semnal modulat în amplitudine

Oscilaţia reprezentată prin

Cea mai simplă expresie a funcţiei de modulaţie f(t) este funcţia

unde m reprezintă gradul de modulaţie şi ω0 frecvenţa (unghiulară) de

Expresia oscilaţiei armonice modulate în amplitudine cu un semnal

cos( 0   m )t  ( 0   m )  cos( 0  m )t  ( 0   m ).

Semnal modulat în fază

Dacă semnalul de modulaţie are o variaţie sinusoidală în timp, unghiul

Mărimea  este variaţia maximă a fazei în timpul modulaţiei şi se

Semnal modulat în frecvenţă

f0 ± fm, f0 ± 2fm, f0 ± 3fm, ………………. , f0 ± nfm , ........

Componente, circuite, sisteme

Caracteristica unei componente este reprezentarea grafică a funcţiei

 Clasificare componentelor electronice după forma caracteristicii

Clasificarea “energetică” a componentelor electronice

Clasificarea circuitelor electronice

Analiza unui sistem constă în stabilirea

 După destinaţie echipamentele pot fi clasificate astfel:

 După condiţiile de exploatare echipamentele pot fi:

Componente pasive de circuit

Componente pasive de circuit

 Caracteristicile şi parametrii componentelor pasive

 Circuite simple utilizând componente pasive

Componente pasive de circuit 1

Componente pasive de circuit

Descrierea rezistorului în circuit

 Caracteristica curent-tensiune (i-v) a rezistorului

Componente pasive de circuit 2

Componente pasive de circuit

Comportarea rezistorului în circuit

 Puterea medie absorbită de un rezistor idealizat este dată de relaţia

Componente pasive de circuit

Simbolurile utilizate pentru reprezentarea grafică a