Optoelectronica DOROGAN Andrei

HETEROJONCŢIUNI. NOŢIUNI GENERALE.

În decurs de mulţi ani microelectronica se dezvolta bazându-se pe joncţiunile p–n

în materialele cu E g constant, deci, pe baza homojoncţiunilor. Aici, elementul de bază
este controlul impurităţilor ce trebuiau introduse în cristal în cantităţi preconizate din
timp. Structurile semiconductoare se obţineau prin varierea tipului şi concentraţiei
impurităţilor dopante.
O nouă fază în tehnologia dispozitivelor semiconductoare este elaborarea şi
utilizarea pe larg a heterojoncţiunilor. Heterojoncţiune – contactul a două
semiconductoare, diferite după compoziţia chimică, într-un singur monocristal.
În acest contact variază, nu numai structura zonelor energetice, dar şi masa
efectivă a purtătorilor de sarcină, mobilitatea lor, limita absorbţiei şi alţi parametri.
Posibilitatea varierii acestor parametri permite realizarea unor dispozitive unice cu
parametri speciali.
Heterojoncţiune ideală – heterojoncţiunea fără stări energetice superficiale la
graniţa metalurgică.
Heterojoncţiune reală – stările energetice superficiale modifică poziţia nivelului
Fermi, dacă concentraţia lor este mai mare ca sarcina sumară a impurităţilor în tratul de
sarcină spaţială. Aici înălţimea barierei de potenţial poate fi determinată de concentraţia
stărilor energetice superficiale, iar redresarea şi injecţia curentului pot lipsi definitiv.
Cum se aleg materialele care vor forma un heterocuplu?
Parametrii de bază ce se iau în consideraţie la alegerea cuplului sunt:
 Constanta reţelei cristaline
2a1  a 2 
a   1% ;
a1  a 2
 Coeficientul dilatării termice;
 E g şi afinitatea electronică (energia egală cu distanţa de la Ec până la nivelul
energetic al vidului);
 constanta dielectrică şi indicele de refracţie.
Au fost realizate toate cuplurile posibile în sistemele A3 B 5 şi A 2 B 6 , şi selectate
următoarele (ca cele mai cu perspectivă): AlSb – GaSb, AlAS – GaAs, AlP – GaP, InP –
InAs.
Cel mai important factor ce vorbeşte despre perspectiva cuplurilor alese este
faptul că ele formează un şir continuu de soluţii solide în tot domeniul de concentraţii.
Şi, deci, se confecţionează semiconductori cu E g într-un domeniu larg de valori, având
constanta reţelei cristaline practic neschimbată. Astfel de structuri semiconductoare au o
densitate mică de defecte, deci sunt de o înaltă calitate.

1
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

Cele mai importante heterostructuri utilizate pentru confecţionarea dispozitivelor

optoelectronice sunt: InP – InGaAs, InP – InGaAsP, GaAs – AlGaAs, GaAs – AlGaAsP
etc.
CONSTRUCŢIA DIAGRAMEI ENERGETICE

O să studiem diagrama energetică a heterojoncţiunii GaAs – Ge.

Presupunem că proprietăţile acestor semiconductori nu variază în volum până la
graniţa metalică a heterojoncţiunii.
E g GaAs   1,45eV , E g Ge   0,7eV ;
 S - lucrul de ieşire (extracţie) al electronilor, fiind egal cu energia necesară pentru a
transfera un electron de pe nivelul Fermi pe nivelul energetic al vidului.
 - afinitatea electronică, fiind energia necesară pentru transferul electronului de pe Ec
pe nivelul vidului (nu depinde de poziţia nivelului Fermi, de gradul de dopare).

Se vede că energia electronilor pe nivelul E Fn este mai mică ca pe E Fp . Deci, la

contactul acestor semiconductori nivele Fermi vor coincide şi un număr de electroni din
GaAs vor trece în Ge. Aceasta face ca zonele energetice în GaAs să se coboare în jos, iar
cele din Ge să se ridice în sus. Numai capetele zonelor energetice rămân nemişcate.
Curbura zonelor o însemnăm prin VDn şi VDp .

2
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

Diferenţa dintre nivelele Fermi care a fost lichidată în urma contactului va fi:
E Fn  E Fp  V Dn  VDp   Ge  E g ( Ge )   Ge    GaAs   GaAs  . (1)
Însemnăm prin „ x n ” şi „ x p ” – grosimea regiunii de sarcină spaţială în semiconductorul
„n” şi „p”. Atunci obţinem:
xn N a
 ;
xp Nd
Din ecuaţia lui Poisson:
N  x2 N a  x 2p
VDn  d n ; VDp  ;
2 GaAs 2 Ge
VDn N d  x n2  2 Ge N d N a2  Ge N 
 2
  2  a  Ge ;
VDp N a  x p  2 GaAs N a N d  GaAs N d  GaAs
VDn  0,42eV ; VDp  0,1eV .
Aflăm valorile discontinuităţii benzilor energetice în regiunea contactului:
E c   GaAs  VDn   E g ( Ge )   Ge  VDp .
În ultima relaţie introducem relaţia (1) şi obţinem:
E c   GaAs  E g ( Ge )   Ge   Ge  E g (Ge )   Ge   GaAs   GaAs   Ge   GaAs  0,06eV .
Analogic se poate calcula:
E v  E g (GaAs )  E g ( Ge )    Ge   GaAs   0,69eV .
De aici rezultă:
E c  E v  E g ( GaAs )  E g ( Ge ) .

3
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

Acestea sunt expresiile pentru discontinuitatea zonelor energetice pentru orice

nivel de dopare al semiconductorului.
Analogic se construieşte diagrama energetică pentru pGaAs – nGe.

Dacă E v este mare, atunci este limitată injecţia golurilor din „p” în „n”. Atunci
curentul prin joncţiune este format prin recombinarea purtătorilor de sarcină la graniţa
metalurgică a joncţiunii.
Discontinuităţile (rupturile) benzilor energetice generează următoarele
particularităţi proprii ale heterojoncţiunilor:
1. La polarizarea directă a heterojoncţiunii poate avea loc injecţia unilaterală a
purtătorilor de sarcină (din semiconductorul cu bandă energetică interzisă în cel
cu banda energetică interzisă îngustă).
2. În heterojoncţiuni este posibilă situaţia când în semiconductorul cu E g mică
concentraţia purtătorilor de sarcină injectaţi este mai mare ca concentraţia
purtătorilor de sarcină majoritari în semiconductorul cu E g largă. Acest efect se
numeşte „superinjecţie” şi se foloseşte în structurile laser şi a diodelor
luminescente.
3. În cazul când bariera de contact este destul de îngustă ( x n  x p  0 ) proprietăţile
barierei vor depinde de constantele dielectrice ale semiconductorilor şi, deci, de
curenţii de întuneric.
4. În heterojoncţiunile ideale, la graniţă, poate apărea reflectarea purtătorilor de
sarcină şi variaţia maselor efective ale purtătorilor de sarcină. Aceasta, iarăşi,
influenţează curentul prin joncţiune.

La proiectarea dispozitivelor optoelectronice pe bază de heterojoncţiuni este

necesar să se ia în consideraţie:
 Constantele dielectrice;
 Coeficienţii de refracţie;
4
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

 Coeficienţii de transparenţă;
 etc.
De exemplu, în heterolaser, stratul activ (mijlociu) trebuie să aibă coeficientul de
refracţie „ n ” mai mare ca în regiunile emitorului.
Neajunsul principal: La heterograniţă există o cantitate mărită de defecte, care
sunt generate de:
 difuzia reciprocă a materialelor ce contactează;
 formarea fazelor intermediare dintre materialele ce contactează;
 defecte ale reţelei cristaline din cauza a  a1  a 2  1% ;
 defecte din cauza r1  r2  0 , ( r - raza atomilor).