Curentul electric în diferite medii

Fizica clasa 11-a

Conducţia electronică a metalelor
Experiența lui Rikie
S

CuAl
Cu Al
Nu s-au depistat
atomi de Al

Nu s-au depistat
atomi de Cu
Legea lui Ohm în teoria electonică a
metalelor
Fie avem un conductor de lungimea l și aria secțiunii transversale S

l a electronilor și intensitatea
Vom calcula relația dintre viteza de mișcare
curentului electric
V=lS – volumul elementar al conductorului
N=nV=nlS – numărul de electroni în volumul elementar
q=Ne=enlS- sarcina electrică a tutror electronilor din conductor
t=l/v – timpul în care electonii parcur lungimea v

Relația dintre Intensitate și viteză

 Legea lui Ohm în teoria electonică a
metalelor

Legea a 2-a lui Newton spune:

atunci viteza maximală o putem exprima:

 Legea lui Ohm în teoria electonică a
metalelor
Electronii se ciocnesc de rețele cristaline sau de alți electroni de aceea viteza
inițială a lor este nulă, iar viteza medie are valorea:

Comparăm cu legea lui Ohm

Legea lui Ohm în teoria electonică a
metalelor

Mărimea inversă a rezistenţei metalului

Rezistenţa metalului

Rezistivitatea metalului
Dependenţa rezistivităţii metalului de
temperatură
Notăm:

Variaţia absolută a rezistivităţii

Variaţia relativă a rezistivităţii

Graficul dependenței rezistivității metalului de temperatură

Curentul electric în
semiconductori
 Proprietăţile electrice
Rezistivitatea materialelor (ρ)

Semi-
Conductoare Izolatoare
conductoare

10-6 0 108
Dependenţa rezistivităţii semiconductoarelor
de temperatură

ρ(T) pentru semiconductori

ρ(T) pentru conductori

T
 Factorii care influenţează rezistivitatea
semiconductorilor

1. Temperatura
2. Iluminaţia

t0

Termorezistorul (termistor)

Fotorezistorul
 Conducţia intrinsecă
Fie avem o rețea cristalină formată din atomi de siliciu

S
i

S
i
S S
i i

S
i
 Conducţia intrinsecă
Pentru simplicitate vom prezenta legăturile în plan.

S
i

S
i
S S
i i

S
i
 Conducţia intrinsecă
Odată ce semiconductorul primește o energie suplimentară din exterior
(temperatură, iluminare, radiație) electronul de pe ultimul nivel
energetic părăsește atomul, în locul lui apare un gol.
S
i

gol
S S S
i i i

S
i
 Conducţia extrinsecă. Semiconductore cu
impurităţi
Impurităţile sunt atomii altor elemente chimice
situate în nodurile reţelei cristaline
S S S
i i i

S S S
P S
i i i i

S S S
i i i

Atomul de P (fosfor) se va numi donor

Semiconductorul de acest fel se va numi de tip n (negativ) iar conducţia electrică a lui
– conducţie extrinsecă de tip n
 Conducţia extrinsecă. Semiconductore cu
impurităţi

S S S
i i i

S S I S S
i i n i i

S S S
i i i

Atomul de In (indiu) se va numi acceptor

Semiconductorul de acest fel se va numi de tip p (pozitiv) iar conducţia electrică a lui
– conducţie extrinsecă de tip p
Joncţiunea p-n. Dioda semiconductoare

Curentul direct

p n

+ -
Joncţiunea p-n. Dioda semiconductoare

Curentul invers

p n

- +

anod catod

Simbolul
Joncţiunea p-n-p. Tranzistorul bipolar
p n p

Emitor Colector
Baza

Simbol
Curentul electric în gaze
Descărcarea electrică neautonomă
Trecerea curentului electric prin gaze este
numită descărcare electrică în gaze.
Descărcarea electrică neautonomă
La temperaturi înalte moleculele au viteze
termice mari unele ciocniri din ele fiind
însoţite de pierderea unui electron şi
transformarea moleculei în ion pozitiv, acest
proces este numit ionizare iar factorul care o
produce – ionizator.
-
+ Ionizare
 Energia de ionizare
Se numeşte energie de ionizare (W0)energia
minimă suficientă pentru a îndepărta un
electron dintr-o moleculă neutră.

Purtătorii liberi de sarcină electrică în gaze

sunt electronii, ionii pozitivi şi ionii negativi.
 Recombinarea
Concomitent în gaze are loc procesul invers
ionizării-recombinarea, în care ionul pozitiv
captează un electron şi se transformă în
moleculă neutră.
-
Recombinare

+
 Dependenţa I(U)
Schema instalaţiei:
A C

A
V
 Dependenţa I(U)
Schema instalaţiei:

A C
+ + - -
+ +- -
I
A
c
V
A B
Is

U
Graficul dependenței
 Descărarea neautonomă
Descărcarea care are loc numai în prezenţa
ionizatorului (lumina, radiaţiile ultraviolete şi
RÖntgen, fluxuri de particule încărcate, particole
radioactive) se numeşte descărcare electrică
neautonomă.
W0=eEλ
λ- distanţa minimă dintre 2 ciocniri succesive
a electronilor
 Mecanismul descărcării neautonome
- +
-
-
+ +
+
- +
-
- +
-
-
- + +
+
-
-
- - - +
+
+
+
- +
-
-
-
- +
+
+
- +
- +
 Descărcarea autonomă în gaze
La mărirea tensiunii U se atinge o valoare a
intensităţii cîmpului electric E la care lucrul
efectuat de cîmp asigură o creştere a energiei
cinetice a ionilor suficientă ca ei să producă
ioniyarea prin ciocnire,adică este satisfăcută
condiţia:
W0=eEλi
 Descărcare luminiscentă
Descărcarea autonomă la presiuni mici se numeşte
descărcare luminiscentă.
 Plasma
plasma reprezintă o stare a materiei, fiind constituită din ioni, electroni și
particule neutre (atomi sau molecule), denumite generic neutri.
 Sarcina 1.
Care particule participă la conducția curentului în
electrolizi? Alegeți răspunsul corect.

A. Electronii și ionii de ambele semne.

B. Ionii de ambele semne.
C. Electronii și ionii negativi.
D. Electronii și ionii pozitivi.
E. Numai electronii.
 Sarcina 2.
De ce se mărește rezistența semiconductorului la
răcirea lui? Alegeți răspunsul corect.

А. Se micșorează timpul parcursului liber al sarcinilor

electrice.
B. Se micșoreză numărul de sarcini libere.
C. Se micșorează intensitatea mișcărilor oscilatorii a
particolelor încărcate.
D. Se micșorează distanța dintre atomi.
E.Nici un răspuns nu este corect.
 Sarcina 3.
Care din grafice reprezintă caracteristica volt
amperică a metalelor pentru R≠const?
A. B. C. D. E.
 Sarcina 3.
Care din grafice reprezintă caracteristica volt
amperică a metalelor pentru R≠const?
А. B. C. D. E.
 Sarcina 4.

Care din grafice reprezintă dependența ρ (Т) pentru

metale, care trec în starea de supraconducție?
A. B. C. D. E.
 Sarcina 4.

Care din grafice reprezintă dependența ρ (Т) pentru

metale, care trec în starea de supraconducție?
А. B. C. D. E.
 Sarcina 5.
Semiconductorul are conducția majoritară
electronică, ce impurități sunt prezente?

А. Este o concentrație echilibrată de impurități

donoare și acceptoare.
B. Impurități nu sunt.
C. Donore.
D. Acceptoare.
E. Nu sunt variante corecte de răspuns.
 Sarcina 6.
De ce impuritățiele acceptoare nu influențează
numărul electronilor?

A. La introducerea impurităților numărul de electroni

se mărește iar golurile se micșorează.
B. Numărul de electroni se micșorează iar cel al
golurilor se mărește.
C. Fiecare atom de impurități donează un electron.

D. Fiecare atom de impurități domează un gol.

E. Nu sunt variante corecte de răspuns.
 Sarcina 7.
Care din grafice reprezintă dependența I(U) al
diodei semiconductoare?
A. B. C. D. E.
 Sarcina 7.
Care din grafice reprezintă dependența I(U) al
diodei semiconductoare?
A. B. C. D. E.
 Sarcina 8.
Care este valoarea minimală după modul al
cantității de electricitate care poate fi
transportată prin gaz?

A. 1,6∙10-19 C.
B. 3,2∙10-19 C.
C. Orice cantitate este mică.
D. Depinde de timpul în care trece curentul.

E. Nu sunt variante corecte de răspuns.

Vă mulțumim pentru atenție!!!